KR20220064062A - Phase shifter - Google Patents

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KR20220064062A
KR20220064062A KR1020200150164A KR20200150164A KR20220064062A KR 20220064062 A KR20220064062 A KR 20220064062A KR 1020200150164 A KR1020200150164 A KR 1020200150164A KR 20200150164 A KR20200150164 A KR 20200150164A KR 20220064062 A KR20220064062 A KR 20220064062A
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helical pattern
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김유선
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엘지이노텍 주식회사
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    • HELECTRICITY
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    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q3/00Arrangements for changing or varying the orientation or the shape of the directional pattern of the waves radiated from an antenna or antenna system
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Abstract

The present invention relates to a phase shifter with electromagnetic interference (EMC) mitigation. According to an embodiment of the present invention, the phase shifter includes: a multilayer substrate in which a plurality of substrates are vertically stacked; a first helical pattern formed through a plurality of first patterns, a plurality of second patterns, and a plurality of first via holes in the multilayer substrate; and a second helical pattern formed through a plurality of third patterns, a plurality of fourth patterns, and a plurality of second via holes in the multilayer substrate, wherein the second helical pattern may be disposed inside the second helical pattern.

Description

위상 변환기{PHASE SHIFTER}Phase Shifter {PHASE SHIFTER}

본 발명은 전자파 장애(EMC) 저감 기능이 있는 위상 변환기에 관한 것이다.The present invention relates to a phase converter having an electromagnetic interference (EMC) reduction function.

최근, 디스플레이 장치의 대형화 및 슬림화 추세에 따라, 디스플레이 장치를 벽걸이 형으로 거치하는 경우가 많으며, 모바일 기기와 같이 소스 컨텐츠를 제공하는 외부 기기와 편리한 무선 연결을 위해 와이파이(Wi-Fi)나 블루투스(BT)와 같은 무선 통신 모듈을 디스플레이 장치에 내장하는 추세이다.Recently, in accordance with the trend of larger and slimmer display devices, the display device is often mounted on a wall, and for convenient wireless connection with an external device that provides source content, such as a mobile device, Wi-Fi or Bluetooth ( There is a trend to embed a wireless communication module such as BT) in a display device.

그런데, 대형 디스플레이 장치를 벽걸이 형태로 거치할 경우 주로 디스플레이 패널의 후면에 장착되는 무선 통신 모듈의 위치로 인해, 벽과 디스플레이 패널 사이에서 전파가 디스플레이 전면 방향으로 진행하기 어렵다. 따라서, 디스플레이 장치의 무선 통신 모듈과 무선 연결 대상이 되는 외부 기기가 비교적 가까이 있더라도 우수한 통신 품질을 보이기 어렵다. 따라서, 무선 통신 모듈의 안테나에 위상 변환기를 장착하여 무선 신호의 진행 방향(즉, 방사 패턴)을 수정하는 방안이 고려되고 있다.However, when the large display device is mounted on a wall, it is difficult for radio waves to propagate between the wall and the display panel in the front direction of the display mainly due to the location of the wireless communication module mounted on the rear side of the display panel. Therefore, it is difficult to show excellent communication quality even when the wireless communication module of the display device and the external device to be wirelessly connected are relatively close. Accordingly, a method of correcting the propagation direction (ie, radiation pattern) of a radio signal by mounting a phase shifter on the antenna of the wireless communication module is being considered.

그러나, 종래의 위상 변환기는 액티브 방식을 주로 채용하여 사이즈가 크고, 전자파 장애(EMC: Electro-Magnetic Interference) 저감 기능이 없어 EMC 저감용 소자를 별도로 적용해야 하는 문제점이 있다. 또한, 안테나가 먼저 설계되면 안테나 급전부의 위상 수정이 어려워 단일 위상 변환기만으로 방사 패턴의 수정이 어렵다는 문제점이 있다.However, the conventional phase converter mainly employs an active method, so it has a large size, and has no function to reduce electromagnetic interference (EMC), so there is a problem in that a device for reducing EMC must be separately applied. In addition, when the antenna is first designed, it is difficult to correct the phase of the antenna feeding unit, so that it is difficult to correct the radiation pattern with only a single phase converter.

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로, 보다 소형화가 가능하며 주파수에 따른 위상 수정과 방사 패턴 조향이 가능한 위상 변환기를 제공하기 위한 것이다.The present invention has been devised to solve the problems of the prior art, and is to provide a phase converter capable of further miniaturization and capable of phase correction and radiation pattern steering according to frequency.

또한, 본 발명은 EMC 저감 기능이 있는 위상 변환기를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a phase converter having an EMC reduction function.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당 업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

일 실시예에 따른 위상 변환기는, 수직으로 복수의 기판이 적층된 다층 기판; 상기 다층 기판 내에서 복수의 제1 패턴, 복수의 제2 패턴 및 복수의 제1 제1 비아홀을 통해 형성된 제1 헬리컬 패턴; 및 상기 다층 기판 내에서 복수의 제3 패턴, 복수의 제4 패턴 및 복수의 제2 비아홀을 통해 형성된 제2 헬리컬 패턴을 포함하고, 상기 제2 헬리컬 패턴은, 상기 제1 헬리컬 패턴 내부에 배치될 수 있다. A phase converter according to an embodiment includes: a multilayer substrate on which a plurality of substrates are vertically stacked; a first helical pattern formed through a plurality of first patterns, a plurality of second patterns, and a plurality of first via holes in the multilayer substrate; and a second helical pattern formed through a plurality of third patterns, a plurality of fourth patterns, and a plurality of second via holes in the multilayer substrate, wherein the second helical pattern is disposed inside the first helical pattern. can

예를 들어, 상기 복수의 제1 패턴 각각은 상기 복수의 기판 중 제1 기판에 배치되며, 서로 이격되어 제1 방향으로 나란히 연장되고, 상기 복수의 제2 패턴 각각은 상기 복수의 기판 중 제2 기판에 배치되며, 서로 이격되어 제2 방향으로 나란히 연장될 수 있다.For example, each of the plurality of first patterns is disposed on a first substrate of the plurality of substrates, is spaced apart from each other and extends in parallel in a first direction, and each of the plurality of second patterns is a second pattern of the plurality of substrates. It is disposed on the substrate, and may be spaced apart from each other and extend side by side in the second direction.

예를 들어, 상기 복수의 제1 패턴의 단부와 상기 복수의 제2 패턴의 단부 중 수직 방향으로 서로 중첩되는 복수의 제1 단부쌍 각각은, 상기 복수의 제1 비아홀 중 서로 다른 제1 비아홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.For example, each of the plurality of first end pairs overlapping each other in the vertical direction among the ends of the plurality of first patterns and the ends of the plurality of second patterns forms different first via holes among the plurality of first via holes. can be electrically connected through.

예를 들어, 상기 복수의 기판은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되는 적어도 하나의 제3 기판을 포함하고, 상기 복수의 제1 비아홀 각각은, 수직방향으로 상기 제1 기판, 상기 적어도 하나의 제3 기판 및 상기 제2 기판을 관통할 수 있다.For example, the plurality of substrates may include at least one third substrate disposed between the first substrate and the second substrate, and each of the plurality of first via holes may include the first substrate and the second substrate in a vertical direction. At least one third substrate and the second substrate may be penetrated.

예를 들어, 상기 적어도 하나의 제3 기판은 상기 복수의 제3 패턴과, 상기 복수의 제3 패턴과 수직방향으로 이격된 상기 복수의 제4 패턴을 포함할 수 있다.For example, the at least one third substrate may include the plurality of third patterns and the plurality of fourth patterns spaced apart from the plurality of third patterns in a vertical direction.

예를 들어, 상기 복수의 제3 패턴의 단부와 상기 복수의 제4 패턴의 단부 중 수직 방향으로 서로 중첩되는 복수의 제2 단부쌍 각각은, 상기 복수의 제2 비아홀 중 서로 다른 제2 비아홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.For example, each of the plurality of second end pairs overlapping each other in the vertical direction among the ends of the plurality of third patterns and the ends of the plurality of fourth patterns forms a different second via hole among the plurality of second via holes. can be electrically connected through.

예를 들어, 상기 복수의 제2 비아홀 각각은 수직방향으로 상기 적어도 하나의 제3 기판을 관통할 수 있다.For example, each of the plurality of second via holes may pass through the at least one third substrate in a vertical direction.

예를 들어, 상기 복수의 제3 패턴 중 적어도 하나는, 나머지 제3 패턴과 연장 방향이 상이할 수 있다,For example, at least one of the plurality of third patterns may have a different extension direction from the other third patterns.

예를 들어, 상기 복수의 기판은, 상기 제1 기판 위에 배치되는 최상단 기판 및 상기 제2 기판 아래에 배치되는 최하단 기판을 더 포함할 수 있다.For example, the plurality of substrates may further include an uppermost substrate disposed on the first substrate and a lowermost substrate disposed under the second substrate.

예를 들어, 상기 최상단 기판은 상면과 상기 최하단 기판의 저면 중 적어도 하나는, 일측에 배치된 제1 전극 및 상기 일측과 서로 대향하는 타측에 배치된 제 2 전극을 포함할 수 있다.하는, 위상 변환기.For example, at least one of an upper surface of the uppermost substrate and a lower surface of the lowermost substrate may include a first electrode disposed on one side and a second electrode disposed on the other side opposite to the one side. converter.

예를 들어, 상기 제2 기판은, 상기 제1 헬리컬 패턴의 일단과 상기 제1 전극 사이를 전기적으로 연결시키는 제5 패턴 및 상기 제1 헬리컬 패턴의 타단과 상기 제2 전극 사이를 전기적으로 연결시키는 제6 패턴을 더 포함할 수 있다.For example, the second substrate may include a fifth pattern electrically connecting one end of the first helical pattern and the first electrode, and a fifth pattern electrically connecting the other end of the first helical pattern and the second electrode A sixth pattern may be further included.

일 실시예에 따른 위상 변환기는, 수직 방향으로 적층된 복수의 기판; 상기 복수의 기판 중 수직 방향으로 서로 대향하는 두 기판 사이에 형성된 복수의 층간부 중 제1 층간부에 배치되며, 서로 이격되어 제1 방향으로 나란히 연장되는 복수의 제1 패턴; 상기 복수의 층간부 중 제2 층간부에 배치되며, 서로 이격되어 제2 방향으로 나란히 연장되는 복수의 제2 패턴; 상기 제1 층간부와 상기 제2 층간부 사이에서 상기 복수의 제1 패턴의 단부와 상기 복수의 제2 패턴의 단부 중 수직 방향으로 서로 중첩되는 복수의 제1 단부쌍을 각각 수직방향으로 연결하는 복수의 제1 비아홀; 상기 제1 층간부와 상기 제2 층간부 사이의 제3 층간부에 배치되며, 서로 이격되어 연장되는 복수의 제3 패턴; 상기 제1 층간부와 상기 제2 층간부 사이에서 상기 제3 층간부와 상기 수직 방향으로 이격된 제4 층간부에 배치되며, 서로 이격되어 연장되는 복수의 제4 패턴; 및 상기 제3 층간부와 상기 제4 층간부 사이에서 상기 복수의 제3 패턴의 단부와 상기 복수의 제4 패턴의 단부 중 수직 방향으로 서로 중첩되는 복수의 제2 단부쌍을 각각 수직방향으로 연결하는 복수의 제2 비아홀을 포함할 수 있다.A phase converter according to an embodiment includes: a plurality of substrates stacked in a vertical direction; a plurality of first patterns disposed in a first interlayer portion of a plurality of interlayer portions formed between two substrates facing each other in a vertical direction among the plurality of substrates and extending in parallel in a first direction while being spaced apart from each other; a plurality of second patterns disposed in a second interlayer among the plurality of interlayers, the plurality of second patterns being spaced apart from each other and extending side by side in a second direction; Between the first interlayer portion and the second interlayer portion, vertically connecting a plurality of first end pairs overlapping each other in a vertical direction among ends of the plurality of first patterns and ends of the plurality of second patterns a plurality of first via holes; a plurality of third patterns disposed in a third interlayer portion between the first interlayer portion and the second interlayer portion and extending apart from each other; a plurality of fourth patterns disposed between the first interlayer portion and the second interlayer portion, the third interlayer portion and the fourth interlayer portion spaced apart from each other in the vertical direction, and extending apart from each other; and vertically connecting a plurality of second end pairs overlapping each other in the vertical direction among the ends of the plurality of third patterns and the ends of the plurality of fourth patterns between the third interlayer and the fourth interlayer, respectively. and a plurality of second via holes.

예를 들어, 상기 복수의 제1 패턴, 상기 복수의 제2 패턴 및 상기 복수의 제1 비아홀은 제1 헬리컬 패턴을 형성하고, 상기 복수의 제3 패턴, 상기 복수의 제4 패턴 및 상기 복수의 제2 비아홀은 제2 헬리컬 패턴을 형성할 수 있다.For example, the plurality of first patterns, the plurality of second patterns, and the plurality of first via holes may form a first helical pattern, and the plurality of third patterns, the plurality of fourth patterns, and the plurality of first via holes may be formed. The second via hole may form a second helical pattern.

예를 들어, 상기 제2 헬리컬 패턴은 상기 제1 헬리컬 패턴 내부에 배치될 수 있다.For example, the second helical pattern may be disposed inside the first helical pattern.

본 발명에 따른 위상 변환기에 대한 효과를 설명하면 다음과 같다.The effect of the phase converter according to the present invention will be described as follows.

첫째, 기판 적층 방식의 칩 타입 형상으로 소형화가 가능하며, 기판의 적층 수에 따른 위상 변화량과 임피던스 매칭의 조절이 가능하다.First, it is possible to miniaturize the chip-type shape of the substrate stacking method, and it is possible to adjust the amount of phase change and impedance matching according to the number of stacked substrates.

둘째, 제1 헬리컬 패턴의 내부에 제2 헬리컬 패턴이 배치됨으로 인해 다중 공진 구조로 고주파 밴드 스탑 기능이 구현되어 전자파 장애 저감에 유리하다.Second, since the second helical pattern is disposed inside the first helical pattern, a high-frequency band stop function is implemented with a multi-resonant structure, which is advantageous in reducing electromagnetic interference.

본 발명에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects obtainable in the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned may be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the following description. will be.

이하에 첨부되는 도면들은 본 발명에 관한 이해를 돕기 위한 것으로, 상세한 설명과 함께 본 발명에 대한 실시예들을 제공한다. 다만, 본 발명의 기술적 특징이 특정 도면에 한정되는 것은 아니며, 각 도면에서 개시하는 특징들은 서로 조합되어 새로운 실시예로 구성될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 위상 변환기 구조의 일례를 나타내는 투시 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 위상 변환기 구조의 일례를 나타내는 투시 사시도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 위상 변환기 구조의 일례를 나타내는 투시 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 위상 변환기 구조의 일례를 나타내는 투시 측면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 위상 변환기 구조의 일례를 나타내는 투시 사시도이다.
도 6a는 일 실시예에 따른 위상 변환부의 전기장 분포 형태의 일례를, 도 6b는 일 실시예에 따른 공진부의 전기장 분포 형태의 일례를 각각 나타낸다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings are provided to help understanding of the present invention, and provide embodiments of the present invention together with detailed description. However, the technical features of the present invention are not limited to specific drawings, and features disclosed in each drawing may be combined with each other to form a new embodiment.
1 is a perspective view showing an example of a phase converter structure according to an embodiment.
2 is a perspective perspective view illustrating an example of a phase converter structure according to an embodiment.
3 is a perspective plan view illustrating an example of a phase converter structure according to an embodiment.
4 is a perspective side view illustrating an example of a phase converter structure according to an embodiment.
5 is a perspective perspective view illustrating an example of a structure of a phase converter according to another embodiment.
6A illustrates an example of an electric field distribution form of a phase shifting unit according to an embodiment, and FIG. 6B illustrates an example of an electric field distribution form of a resonator unit according to an exemplary embodiment.

이하, 본 발명의 실시예들이 적용되는 장치 및 다양한 방법들에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다.Hereinafter, an apparatus and various methods to which embodiments of the present invention are applied will be described in more detail with reference to the drawings. The suffixes "module" and "part" for components used in the following description are given or mixed in consideration of only the ease of writing the specification, and do not have distinct meanings or roles by themselves.

실시예의 설명에 있어서, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)", "전(앞) 또는 후(뒤)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(위) 또는 하(아래)" 및"전(앞) 또는 후(뒤)"는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되거나 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 배치되어 형성되는 것을 모두 포함한다.In the description of the embodiment, in the case of being described as being formed in "above (above) or below (below)", "before (front) or after (rear)" of each component, "above (above) or below" "(below)" and "before (front) or after (behind)" include both components formed by direct contact with each other or one or more other components disposed between the two components.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the component from other components, and the essence, order, or order of the component is not limited by the term. When it is described that a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but another component is between each component. It should be understood that elements may be “connected,” “coupled,” or “connected.”

또한, 이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다" 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함한 모든 용어들은, 다르게 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥 상의 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.In addition, terms such as "comprises", "comprises" or "have" described above mean that the corresponding component may be embedded, unless otherwise specified, excluding other components. Rather, it should be construed as being able to further include other components. All terms, including technical and scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless otherwise defined. Terms commonly used, such as those defined in the dictionary, should be interpreted as being consistent with the meaning of the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 위상 변환기를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a phase converter according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 내지 도 4를 함께 참조하여 일 실시예에 따른 위상 변환기를 설명한다.First, a phase converter according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4 together.

도 1은 일 실시예에 따른 위상 변환기 구조의 일례를 나타내는 투시 사시도이고, 도 2는 일 실시예에 따른 위상 변환기 구조의 일례를 나타내는 투시 사시도이다. 도 1과 도 2는 도면 부호를 제외하면 구성이 동일하다. 또한, 도 3은 일 실시예에 따른 위상 변환기 구조의 일례를 나타내는 투시 평면도이고, 도 4는 일 실시예에 따른 위상 변환기 구조의 일례를 나타내는 투시 측면도이다. 1 is a perspective view illustrating an example of a phase converter structure according to an embodiment, and FIG. 2 is a perspective perspective view illustrating an example of a phase converter structure according to an embodiment. 1 and 2 have the same configuration except for reference numerals. 3 is a perspective plan view illustrating an example of a phase converter structure according to an embodiment, and FIG. 4 is a perspective side view illustrating an example of a phase converter structure according to an embodiment.

먼저, 도 1을 참조하면, 실시예에 따른 위상 변환기(100)는 1축 방향을 따라 일측에 위치한 제1 전극(E1), 1축 방향을 따라 일측과 대향하는 타측에 위치하는 제2 전극(E2), 내부에서 제1 헬리컬 패턴을 이루는 위상 변환부(110), 제1 헬리컬 패턴의 내부에서 제2 헬리컬 패턴을 이루는 공진부(120)를 포함할 수 있다. 여기서 헬리컬 패턴이란 패턴들과 비아홀들이 일정 순서로 배치됨(예컨대, 제1 패턴 - 제1 비아홀 - 제2 패턴 - 제1 비아홀 - 반복)에 따라 하나 이상의 턴을 형성하면서 일 방향(예컨대, 1축 방향)으로 연장되는 다각 나선형 패턴을 의미할 수 있다.First, referring to FIG. 1 , the phase shifter 100 according to the embodiment includes a first electrode E1 positioned on one side along the uniaxial direction, and a second electrode positioned on the other side opposite to one side along the uniaxial direction ( E2), a phase shifting unit 110 forming a first helical pattern inside, and a resonator 120 forming a second helical pattern inside the first helical pattern. Here, the helical pattern refers to patterns and via holes arranged in a predetermined order (eg, first pattern - first via hole - second pattern - first via hole - repeating) while forming one or more turns in one direction (eg, uniaxial direction). ) may mean a polygonal spiral pattern extending to.

여기서, 위상 변환부(110)는 복수의 제1 패턴(P1), 복수의 제2 패턴(P2), 제5 패턴(P5), 제6 패턴(P6) 및 복수의 제1 비아홀(VH1)을 포함할 수 있다. 또한, 공진부(120)는 제3 패턴(P3), 제4 패턴(P4) 및 복수의 제2 비아홀(VH2)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제6 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6) 각각은 도전성 물질, 예컨대, 구리를 포함하며, 기판에 인쇄 회로 형태로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. Here, the phase shift unit 110 connects the plurality of first patterns P1 , the plurality of second patterns P2 , the fifth pattern P5 , the sixth pattern P6 , and the plurality of first via holes VH1 to each other. may include Also, the resonator 120 may include a third pattern P3 , a fourth pattern P4 , and a plurality of second via holes VH2 . Each of the first to sixth patterns P1 , P2 , P3 , P4 , P5 , and P6 includes a conductive material, for example, copper, and may be formed in the form of a printed circuit on a substrate, but is not limited thereto.

도 2를 참조하면, 제1 전극(E1)은 위상 변환기(100)의 상면 일측에 배치되는 제1 상부 전극(E1_T), 위상 변환기(100)의 저면 일측에 배치되는 제1 하부 전극(E1_B) 및 수직 방향(즉, 3축 방향)으로 연장되며, 제1 상부 전극(E1_T)과 제1 하부 전극(E1_B)을 전기적으로 연결시키는 제1 전극 연결부(E1_C)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the first electrode E1 includes a first upper electrode E1_T disposed on one side of the top surface of the phase converter 100 , and a first lower electrode E1_B disposed on one side of the bottom surface of the phase converter 100 . and a first electrode connection part E1_C extending in a vertical direction (ie, a three-axis direction) and electrically connecting the first upper electrode E1_T and the first lower electrode E1_B.

유사하게, 제2 전극(E2)은 위상 변환기(100)의 상면 타측에 배치되는 제2 상부 전극(E2_T), 위상 변환기(100)의 저면 타측에 배치되는 제2 하부 전극(E2_B) 및 수직 방향으로 연장되며, 제2 상부 전극(E2_T)과 제2 하부 전극(E2_B)을 전기적으로 연결시키는 제2 전극 연결부(E2_C)를 포함할 수 있다.Similarly, the second electrode E2 includes a second upper electrode E2_T disposed on the other side of the upper surface of the phase converter 100 , a second lower electrode E2_B disposed on the other side of the bottom surface of the phase converter 100 , and a vertical direction. , and may include a second electrode connection part E2_C electrically connecting the second upper electrode E2_T and the second lower electrode E2_B.

복수의 제1 패턴(P1), 복수의 제2 패턴(P2) 및 제1 비아홀(VH1)은 일체로 1축 방향을 따라 연장되는 제1 헬리컬 패턴을 이룰 수 있다. 제5 패턴(P5)은 제1 헬리컬 패턴의 일 단(HT1)과 제1 전극(E1)을 전기적 연결시킬 수 있으며, 제6 패턴(P6)은 제1 헬리컬 패턴의 타단과 제2 전극(E2)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 실시예에 따라, 제5 패턴(P5)과 제6 패턴(P6) 중 적어도 하나가 제1 헬리컬 패턴이 이루는 복수의 턴 중 일부에 해당할 경우, 해당 패턴도 제1 헬리컬 패턴을 구성하는 것으로 볼 수 있다.The plurality of first patterns P1 , the plurality of second patterns P2 , and the first via holes VH1 may integrally form a first helical pattern extending along the uniaxial direction. The fifth pattern P5 may electrically connect one end HT1 of the first helical pattern to the first electrode E1 , and the sixth pattern P6 may include the other end of the first helical pattern and the second electrode E2 . ) can be electrically connected. According to the embodiment, when at least one of the fifth pattern P5 and the sixth pattern P6 corresponds to a part of a plurality of turns formed by the first helical pattern, the corresponding pattern is also regarded as constituting the first helical pattern. can

복수의 제1 패턴(P1) 각각(P1_1, P1_2, P1_3, P1_4)은 평면 상에서 서로 이격되되, 나란히 배치되며, 일 방향으로 연장될 수 있다. 복수의 제1 패턴(P1) 각각(P1_1, P1_2, P1_3, P1_4)은 일정 폭(예컨대, 40um)과 두께(예컨대, 0.5oz)를 가지며, 양 단부에는 원형 패드가 형성될 수 있다.Each of the plurality of first patterns P1 ( P1_1 , P1_2 , P1_3 , and P1_4 ) may be spaced apart from each other on a plane, disposed side by side, and extend in one direction. Each of the plurality of first patterns P1 ( P1_1 , P1_2 , P1_3 , and P1_4 ) may have a predetermined width (eg, 40 μm) and a thickness (eg, 0.5 oz), and circular pads may be formed at both ends.

복수의 제2 패턴(P2) 각각(P2_1, P2_2, P2_3)은 평면 상에서 서로 이격되되, 나란히 배치되며, 제1 패턴(P1)이 연장되는 일 방향과 상이한 타 방향으로 연장될 수 있다. 복수의 제2 패턴(P2) 각각(P2_1, P2_2, P2_3)은 복수의 제1 패턴(P1)에 대응되는 폭과 두께를 가질 수 있으며 양 단부에는 원형 패드가 형성될 수 있다.Each of the plurality of second patterns P2 ( P2_1 , P2_2 , and P2_3 ) may be spaced apart from each other on a plane and disposed side by side, and may extend in another direction different from one direction in which the first pattern P1 extends. Each of the plurality of second patterns P2 ( P2_1 , P2_2 , and P2_3 ) may have a width and a thickness corresponding to the plurality of first patterns P1 , and circular pads may be formed at both ends.

복수의 제1 패턴(P1)의 단부와 복수의 제2 패턴(P2)의 단부 중 수직 방향으로 서로 중첩되는 복수의 제1 단부쌍 각각은, 각각 수직방향으로 연장되는 복수의 제1 비아홀(VH1) 중 서로 다른 하나를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1-4 패턴(P1_4)의 한 단부(T1)와 제2-3 패턴(P2_3)의 한 단부(T2)는 수직 방향으로 서로 중첩되어 하나의 단부쌍을 이루며, 수직 방향으로 연장되는 하나의 제1 비아홀(VH1)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.Each of the plurality of first end pairs overlapping each other in the vertical direction among the ends of the plurality of first patterns P1 and the ends of the plurality of second patterns P2 is, respectively, a plurality of first via holes VH1 extending in the vertical direction. ) can be electrically connected through one of the other. For example, one end T1 of the 1-4 patterns P1_4 and one end T2 of the 2-3 th patterns P2_3 overlap each other in the vertical direction to form one end pair, and vertically It may be electrically connected through one extended first via hole VH1.

다음으로, 도 3을 참조하면, 복수의 제3 패턴(P3), 복수의 제4 패턴(P4) 및 제2 비아홀(VH2)은 일체로 1축 방향을 따라 연장되는 제2 헬리컬 패턴을 이룰 수 있다. 제1 헬리컬 패턴과 달리, 제2 헬리컬 패턴은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2)과 전기적으로 연결되지 않고 서로 절연될 수 있다.Next, referring to FIG. 3 , the plurality of third patterns P3 , the plurality of fourth patterns P4 , and the second via holes VH2 may integrally form a second helical pattern extending along the uniaxial direction. there is. Unlike the first helical pattern, the second helical pattern may be insulated from each other without being electrically connected to the first electrode E1 and the second electrode E2 .

복수의 제3 패턴(P3) 각각(P3_1, P3_2, P3_3)은 평면 상에서 서로 이격될 수 있으며, 적어도 하나(예컨대, P3_2)의 연장 방향은 나머지(예컨대, P3_1 및 P3_3)와 상이할 수 있다. 복수의 제3 패턴(P3) 각각(P3_1, P3_2, P3_3)은 일정 폭(예컨대, 40um)과 두께(예컨대, 0.5oz)를 가지며, 양 단부에는 원형 패드가 형성될 수 있다.Each of the plurality of third patterns P3 ( P3_1 , P3_2 , and P3_3 ) may be spaced apart from each other on a plane, and an extension direction of at least one (eg, P3_2 ) may be different from the rest (eg, P3_1 and P3_3 ). Each of the plurality of third patterns P3 ( P3_1 , P3_2 , and P3_3 ) may have a predetermined width (eg, 40 μm) and a thickness (eg, 0.5 oz), and circular pads may be formed at both ends.

복수의 제4 패턴(P4) 각각(P4_1, P4_2)은 평면 상에서 서로 이격될 수 있다. 복수의 제4 패턴(P4) 각각(P4_1, P4_2)은 복수의 제3 패턴(P3)에 대응되는 폭과 두께를 가질 수 있으며 양 단부에는 원형 패드가 형성될 수 있다.Each of the plurality of fourth patterns P4 P4_1 and P4_2 may be spaced apart from each other on a plane. Each of the plurality of fourth patterns P4 P4_1 and P4_2 may have a width and thickness corresponding to the plurality of third patterns P3 , and circular pads may be formed at both ends thereof.

제1 헬리컬 패턴의 경우와 유사하게, 복수의 제3 패턴(P3)의 단부와 복수의 제4 패턴(P4)의 단부 중 수직 방향으로 서로 중첩되는 복수의 제2 단부쌍 각각은, 각각 수직방향으로 연장되는 복수의 제2 비아홀(VH2) 중 서로 다른 하나를 통해 전기적으로 연결될 수 있다. Similar to the case of the first helical pattern, each of the plurality of second end pairs overlapping each other in the vertical direction among the ends of the plurality of third patterns P3 and the ends of the plurality of fourth patterns P4 is in the vertical direction, respectively. may be electrically connected to each other through a different one of the plurality of second via holes VH2 extending to the .

일 실시예에 따른 위상 변환기(100)의 1축 방향 폭(W1)은 2축 방향 폭(W2) 대비 2배에 해당할 수 있으며, 비아홀(VH1, VH2)의 직경(D)은 각 패턴(P1, P2, P3, P4)의 선폭과 동일할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 각 패턴(P1, P2, P3, P4)의 선폭이 40um인 경우, 1축 방향 폭(W1)은 1mm, 2축 방향 폭(W2)은 0.5mm이고, 비아홀의 직경(D)은 40um일 수 있다.The uniaxial width W1 of the phase shifter 100 according to an embodiment may correspond to twice the biaxial width W2, and the diameter D of the via holes VH1 and VH2 is equal to each pattern ( It may be the same as the line width of P1, P2, P3, P4), but is not necessarily limited thereto. For example, when the line width of each pattern (P1, P2, P3, P4) is 40 μm, the uniaxial width (W1) is 1 mm, the biaxial width (W2) is 0.5 mm, and the diameter of the via hole (D) may be 40um.

도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 위상 변환기(100)는 수직 방향(즉, 3축 방향)으로 복수의 기판이 적층된 다층 기판 형태로 구현될 수 있다.Referring to FIG. 4 , the phase shifter 100 according to an embodiment may be implemented in the form of a multilayer substrate in which a plurality of substrates are stacked in a vertical direction (ie, a three-axis direction).

예컨대, 제1 기판(S1)의 상면에 복수의 제1 패턴(P1)이 배치되고, 제1 기판(S1)과 수직 방향으로 이격된 제2 기판(S2)의 저면에 복수의 제2 패턴(P1), 제5 패턴(P5) 및 제6 패턴(P6)이 배치될 수 있다.For example, a plurality of first patterns P1 are disposed on an upper surface of the first substrate S1, and a plurality of second patterns (P1) are disposed on a bottom surface of the second substrate S2 vertically spaced apart from the first substrate S1. P1), a fifth pattern P5 and a sixth pattern P6 may be disposed.

또한, 제1 기판(S1)과 제2 기판(S1) 사이에는 제3 기판(S3)이 배치될 수 있으며, 제3 기판(S3)의 상면에는 복수의 제3 패턴(P3)이, 저면에는 복수의 복수의 제4 패턴(P4)이 배치될 수 있다. 제3 패턴(P3)과 제4 패턴(P4) 사이를 연결하는 복수의 제2 비아홀(VH2)은 제3 기판(S3)을 수직 방향으로 관통하도록 형성될 수 있다.In addition, a third substrate S3 may be disposed between the first substrate S1 and the second substrate S1 , and a plurality of third patterns P3 may be disposed on the top surface of the third substrate S3 and the bottom surface of the third substrate S3 . A plurality of fourth patterns P4 may be disposed. A plurality of second via holes VH2 connecting between the third pattern P3 and the fourth pattern P4 may be formed to vertically penetrate the third substrate S3 .

아울러, 복수의 제1 비아홀(VH1)은 제1 기판(S1), 제3 기판(S3) 및 제2 기판(S2)을 수직 방향으로 관통하도록 형성될 수 있다.In addition, the plurality of first via holes VH1 may be formed to vertically penetrate the first substrate S1 , the third substrate S3 , and the second substrate S2 .

제1 기판(S1) 위에는 최상층 기판(TS)이 배치되며, 최상층 기판(TS)의 상면에는 제1 상부 전극(E1_T)과 제2 상부 전극(E2_T)이 배치될 수 있다. 또한, 제2 기판(S2) 아래에는 최하층 기판(BS)이 배치되며, 최하층 기판(BS)의 저면에는 제1 하부 전극(E1_B)과 제2 하부 전극(E2_B)이 배치될 수 있다.An uppermost substrate TS may be disposed on the first substrate S1 , and a first upper electrode E1_T and a second upper electrode E2_T may be disposed on an upper surface of the uppermost substrate TS. In addition, a lowermost substrate BS may be disposed under the second substrate S2 , and a first lower electrode E1_B and a second lower electrode E2_B may be disposed on a lower surface of the lowermost substrate BS.

여기서 각 기판의 수직 방향(즉, 3축 방향) 두께는 각각 100um이고, 전극까지 포함한 위상 변환기(100)의 총 두께는 약 0.53mm일 수 있으나, 이는 예시적인 것으로 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.Here, the thickness of each substrate in the vertical direction (ie, the three-axis direction) is 100 μm, and the total thickness of the phase converter 100 including the electrode may be about 0.53 mm, but this is exemplary and is not necessarily limited thereto.

도 4에서는 제3 기판(S3)이 1층인 것으로 도시되었으나, 위상 변화량의 조절과 임피턴스 매칭을 위해 복수의 제3 기판이 배치될 수도 있다. Although the third substrate S3 is illustrated as having one layer in FIG. 4 , a plurality of third substrates may be disposed to adjust the amount of phase change and match the impedance.

예를 들어, 두 매의 제3 기판이 사용될 경우, 제3 패턴(P3)은 상부에 배치되는 제3 기판의 상면에 배치되고, 제4 패턴(P4)은 하부에 배치되는 제3 기판의 저면에 배치될 수 있으며, 복수의 제2 비아홀(VH2)은 두 매의 제3 기판을 관통하여 제3 패턴(P3)과 제4 패턴(P4)을 전기적으로 연결하게 된다. For example, when two third substrates are used, the third pattern P3 is disposed on the upper surface of the third substrate disposed thereon, and the fourth pattern P4 is the bottom surface of the third substrate disposed thereunder. The plurality of second via holes VH2 penetrate the two third substrates to electrically connect the third pattern P3 and the fourth pattern P4.

다른 예로, 3 매 이상의 제3 기판이 사용될 경우, 제3 패턴(P3)은 최상부에 배치되는 제3 기판의 상면에 배치되고, 제4 패턴(P4)은 최하부에 배치되는 제3 기판의 저면에 배치될 수 있으며, 최상부와 최하부를 제외한 제3 기판에는 비아홀만 배치될 수 있다.As another example, when three or more third substrates are used, the third pattern P3 is disposed on the upper surface of the third substrate disposed on the uppermost portion, and the fourth pattern P4 is disposed on the bottom surface of the third substrate disposed on the lowermost portion. may be disposed, and only via holes may be disposed in the third substrate excluding the top and bottom portions.

물론, 복수의 제3 기판이 사용될 경우, 복수의 제1 비아홀(VH1) 역시 증가하는 제3 기판의 매수만큼 수직 방향으로 더 연장된다.Of course, when a plurality of third substrates are used, the plurality of first via holes VH1 also extend further in the vertical direction by the increasing number of third substrates.

구현에 따라, 각 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)이 배치되는 기판은 상술한 기재와 상이할 수도 있다. 예를 들어, 제1 패턴(P1)은 제1 기판(S1)의 상면에 배치되는 것으로 기재되었으나, 다른 양상에 의하면 제1 패턴(P1)은 최상층 기판(TS)의 저면에 배치될 수도 있다. 다만, 각 패턴(P1, P2, P3, P4, P5, P6)이 배치되는 기판의 종류와 무관하게, 패턴간 상대적인 위치는 유지되므로, 각 패턴의 위치는 복수의 기판 중 수직 방향으로 서로 인접한(또는 대향하는) 두 기판 사이에 위치하는 층간부의 개념으로 정의될 수도 있다.Depending on the implementation, the substrate on which each of the patterns P1 , P2 , P3 , P4 , P5 , and P6 is disposed may be different from the above-described description. For example, although the first pattern P1 has been described as being disposed on the upper surface of the first substrate S1 , according to another aspect, the first pattern P1 may be disposed on the bottom surface of the uppermost substrate TS. However, regardless of the type of substrate on which each of the patterns P1, P2, P3, P4, P5, and P6 is disposed, the relative positions between the patterns are maintained, so that the positions of each pattern are adjacent to each other in the vertical direction among the plurality of substrates ( Alternatively, it may be defined as a concept of an interlayer positioned between two substrates (opposite).

예컨대, 도 4에서 최상층 기판(TS)과 제1 기판(S1) 사이를 제1 층간부(IL1), 제1 기판(S1)과 제3 기판(S3) 사이를 제3 층간부(IL3), 제3 기판(S3)과 제2 기판(S2) 사이를 제4 층간부(IL4), 제2 기판(S2)과 최하층 기판(BS) 사이를 제2 층간부(IL2)로 정의할 수 있다. 이러한 경우, 제1 패턴(P1)은 제1 층간부(IL1)에, 제2 패턴(P2)은 제2 층간부(IL2)에, 제3 패턴(P3)은 제3 층간부(IL3)에, 제4 패턴(P4)은 제4 층간부(IL4)에 배치되는 것으로 볼 수 있다.For example, in FIG. 4 , the first interlayer portion IL1 between the uppermost substrate TS and the first substrate S1, the third interlayer portion IL3 between the first substrate S1 and the third substrate S3, A fourth interlayer portion IL4 may be defined between the third substrate S3 and the second substrate S2 , and a second interlayer portion IL2 may be defined between the second substrate S2 and the lowermost substrate BS. In this case, the first pattern P1 is in the first interlayer part IL1 , the second pattern P2 is in the second interlayer part IL2 , and the third pattern P3 is in the third interlayer part IL3 . , the fourth pattern P4 may be viewed as being disposed on the fourth interlayer portion IL4.

도 1 내지 도 4에 도시된 일 실시예에 따른 위상 변환기(100)에서는 위상 변환부(110)의 제1 헬리컬 패턴이 4턴을 형성하는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것으로 제1 헬리컬 패턴과 제2 헬리컬 패턴의 턴수는 다양하게 변할 수 있다. 이를 도 5를 참조하여 설명한다.In the phase shifter 100 according to the embodiment shown in FIGS. 1 to 4 , the first helical pattern of the phase shifter 110 is illustrated as forming 4 turns, but this is illustrative and includes the first helical pattern and the second helical pattern. 2 The number of turns of the helical pattern can be varied. This will be described with reference to FIG. 5 .

도 5는 다른 실시예에 따른 위상 변환기 구조의 일례를 나타내는 투시 사시도이다. 간명한 이해를 돕기 위해 도 5에서는 제2 헬리컬 패턴의 도시가 생략되었다.5 is a perspective perspective view illustrating an example of a structure of a phase converter according to another embodiment. The illustration of the second helical pattern is omitted in FIG. 5 to facilitate understanding.

도 5를 참조하면, 다른 실시예에 따른 위상 변환기(100')에서는 위상 변환부(110')의 제1 헬리컬 패턴이 9턴을 형성한다.Referring to FIG. 5 , in the phase shifter 100 ′ according to another exemplary embodiment, the first helical pattern of the phase shift unit 110 ′ forms 9 turns.

이하에서는 실시예에 따른 위상 변환기(100, 100')의 효과를 설명한다.Hereinafter, effects of the phase shifters 100 and 100' according to the embodiment will be described.

도 6a는 일 실시예에 따른 위상 변환부의 전기장 분포 형태의 일례를, 도 6b는 일 실시예에 따른 공진부의 전기장 분포 형태의 일례를 각각 나타낸다.6A illustrates an example of an electric field distribution form of a phase shifting unit according to an embodiment, and FIG. 6B illustrates an example of an electric field distribution form of a resonator unit according to an exemplary embodiment.

실시예에 따른 위상 변환부는 기판의 적층수 변화(즉, 제1 비아홀의 높이 변화)를 통해 위상 변화량이 증가하며, 임피던스 매칭이 발생하는 특정 주파수도 변경이 가능하다. The phase shifter according to the embodiment increases the amount of phase change through a change in the number of stacked substrates (ie, a change in the height of the first via hole), and it is also possible to change a specific frequency at which impedance matching occurs.

도 6a에 도시된 바와 같이, 제1 전극(E1)이 입력단이고, 제2 전극(E2)이 출력단인 경우, 위상 변환부(110)는 입력단에서 출력단으로 갈수록 전기장이 약해짐을 알 수 있다. As shown in FIG. 6A , when the first electrode E1 is an input terminal and the second electrode E2 is an output terminal, it can be seen that the electric field of the phase converter 110 becomes weaker from the input terminal to the output terminal.

또한, 도 6b를 참조하면, 공진부(120) 즉, 제2 헬리컬 패턴에서 전극(E1, E2)과 가까운 양단과 달리, 중앙부에는 전기장이 매우 약함을 알 수 있다. 이는 제2 헬리컬 패턴의 임피던스가 0이되는 고유 공진 주파수에서 전송 영점이 발생하며, 제2 헬리컬 패턴이 제1 헬리컬 패턴의 내부에 있어, 제1 헬리컬 패턴의 인덕턴스 효과로 고주파 신호가 출력단(즉, 전극 방향)으로 가지 못하고 내부에 갖히기 때문이다. 따라서, 실시예에 따른 위상 변환기(100)의 공진부(120)에 의해 고주파 노이즈 저감 기능이 구현될 수 있다.Also, referring to FIG. 6B , it can be seen that the electric field is very weak in the central part, unlike both ends close to the electrodes E1 and E2 in the resonance part 120 , that is, the second helical pattern. This means that the transmission zero point occurs at the natural resonant frequency at which the impedance of the second helical pattern becomes 0, and the second helical pattern is inside the first helical pattern, so that the high-frequency signal is output at the output terminal (that is, due to the inductance effect of the first helical pattern) This is because it cannot go to the electrode) and is trapped inside. Accordingly, a high-frequency noise reduction function may be implemented by the resonator 120 of the phase converter 100 according to the embodiment.

아울러, 제1 헬리컬 패턴과 제2 헬리컬 패턴의 조합으로 인해, 제1 헬리컬 패턴의 자체 상호 인덕턴스와 제2 헬리컬 패턴의 상호 인덕턴스 조절을 통해 세부적인 위상 변화량 제어가 가능하다. 또한, 제2 헬리컬 패턴을 단락(short)시킬 경우 최대 1/2까지 사이즈를 감소시켜 더욱 슬림화가 가능하다. 제2 헬리컬 패턴이 단락된 경우 특정 주파수에서 1/4λ 지점에서 공진이 발생하고, 제2 헬리컬 패턴이 오픈된 경우 특정 주파수의 1/2 λ 지점에서 공진이 발생할 수 있다.In addition, due to the combination of the first helical pattern and the second helical pattern, it is possible to control the phase change in detail by adjusting the mutual inductance of the first helical pattern and the mutual inductance of the second helical pattern. In addition, when the second helical pattern is short-circuited, the size can be reduced by up to 1/2, thereby making it possible to further reduce the size. When the second helical pattern is shorted, resonance may occur at a point 1/4λ at a specific frequency, and when the second helical pattern is open, resonance may occur at a point 1/2λ of the specific frequency.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in a range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100, 100': 위상 변환기 110, 110': 위상 변환부
120: 공진부 E1, E2: 전극
100, 100': phase shifter 110, 110': phase shift unit
120: resonator E1, E2: electrode

Claims (14)

수직으로 복수의 기판이 적층된 다층 기판;
상기 다층 기판 내에서 복수의 제1 패턴, 복수의 제2 패턴 및 복수의 제1 제1 비아홀을 통해 형성된 제1 헬리컬 패턴; 및
상기 다층 기판 내에서 복수의 제3 패턴, 복수의 제4 패턴 및 복수의 제2 비아홀을 통해 형성된 제2 헬리컬 패턴을 포함하고,
상기 제2 헬리컬 패턴은, 상기 제1 헬리컬 패턴 내부에 배치되는, 위상 변환기.
a multilayer substrate in which a plurality of substrates are vertically stacked;
a first helical pattern formed through a plurality of first patterns, a plurality of second patterns, and a plurality of first via holes in the multilayer substrate; and
a second helical pattern formed through a plurality of third patterns, a plurality of fourth patterns, and a plurality of second via holes in the multilayer substrate;
The second helical pattern is disposed inside the first helical pattern, a phase converter.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 제1 패턴 각각은,
상기 복수의 기판 중 제1 기판에 배치되며, 서로 이격되어 제1 방향으로 나란히 연장되고,
상기 복수의 제2 패턴 각각은,
상기 복수의 기판 중 제2 기판에 배치되며, 서로 이격되어 제2 방향으로 나란히 연장되는, 위상 변환기.
According to claim 1,
Each of the plurality of first patterns,
It is disposed on a first substrate among the plurality of substrates, is spaced apart from each other and extends side by side in a first direction,
Each of the plurality of second patterns,
The phase converter is disposed on a second substrate among the plurality of substrates, and is spaced apart from each other and extends side by side in a second direction.
제2 항에 있어서,
상기 복수의 제1 패턴의 단부와 상기 복수의 제2 패턴의 단부 중 수직 방향으로 서로 중첩되는 복수의 제1 단부쌍 각각은, 상기 복수의 제1 비아홀 중 서로 다른 제1 비아홀을 통해 전기적으로 연결되는, 위상 변환기.
3. The method of claim 2,
Each of the plurality of first end pairs overlapping each other in the vertical direction among the ends of the plurality of first patterns and the ends of the plurality of second patterns is electrically connected to each other through different first via holes among the plurality of first via holes Being a phase shifter.
제3 항에 있어서,
상기 복수의 기판은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되는 적어도 하나의 제3 기판을 포함하고,
상기 복수의 제1 비아홀 각각은, 수직방향으로 상기 제1 기판, 상기 적어도 하나의 제3 기판 및 상기 제2 기판을 관통하는, 위상 변환기.
4. The method of claim 3,
The plurality of substrates includes at least one third substrate disposed between the first substrate and the second substrate,
Each of the plurality of first via holes penetrates through the first substrate, the at least one third substrate, and the second substrate in a vertical direction.
제3 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 제3 기판은 상기 복수의 제3 패턴과, 상기 복수의 제3 패턴과 수직방향으로 이격된 상기 복수의 제4 패턴을 포함하는, 위상 변환기.
4. The method of claim 3,
The at least one third substrate includes the plurality of third patterns and the plurality of fourth patterns spaced apart from the plurality of third patterns in a vertical direction.
제5 항에 있어서,
상기 복수의 제3 패턴의 단부와 상기 복수의 제4 패턴의 단부 중 수직 방향으로 서로 중첩되는 복수의 제2 단부쌍 각각은, 상기 복수의 제2 비아홀 중 서로 다른 제2 비아홀을 통해 전기적으로 연결되는, 위상 변환기.
6. The method of claim 5,
Each of the plurality of second end pairs overlapping each other in the vertical direction among the ends of the plurality of third patterns and the ends of the plurality of fourth patterns is electrically connected to each other through different second via holes among the plurality of second via holes Being a phase shifter.
제6 항에 있어서,
상기 복수의 제2 비아홀 각각은,
수직방향으로 상기 적어도 하나의 제3 기판을 관통하는, 위상 변환기.
7. The method of claim 6,
Each of the plurality of second via holes,
penetrating the at least one third substrate in a vertical direction.
제5 항에 있어서,
상기 복수의 제3 패턴 중 적어도 하나는, 나머지 제3 패턴과 연장 방향이 상이한, 위상 변환기.
6. The method of claim 5,
At least one of the plurality of third patterns has an extension direction different from that of the other third patterns, a phase converter.
제2 항에 있어서,
상기 복수의 기판은,
상기 제1 기판 위에 배치되는 최상단 기판 및
상기 제2 기판 아래에 배치되는 최하단 기판을 더 포함하는, 위상 변환기.
3. The method of claim 2,
The plurality of substrates,
an uppermost substrate disposed on the first substrate; and
The phase converter further comprising a lowermost substrate disposed under the second substrate.
제9 항에 있어서,
상기 최상단 기판은 상면과 상기 최하단 기판의 저면 중 적어도 하나는,
일측에 배치된 제1 전극 및 상기 일측과 서로 대향하는 타측에 배치된 제2 전극을 포함하는, 위상 변환기.
10. The method of claim 9,
At least one of an upper surface of the uppermost substrate and a lower surface of the lowermost substrate,
A phase converter comprising a first electrode disposed on one side and a second electrode disposed on the other side opposite to the one side.
제10 항에 있어서,
상기 제2 기판은, 상기 제1 헬리컬 패턴의 일단과 상기 제1 전극 사이를 전기적으로 연결시키는 제5 패턴 및 상기 제1 헬리컬 패턴의 타단과 상기 제2 전극 사이를 전기적으로 연결시키는 제6 패턴을 더 포함하는, 위상 변환기.
11. The method of claim 10,
The second substrate may include a fifth pattern electrically connecting one end of the first helical pattern and the first electrode and a sixth pattern electrically connecting the other end of the first helical pattern and the second electrode. Further comprising, a phase converter.
수직 방향으로 적층된 복수의 기판;
상기 복수의 기판 중 수직 방향으로 서로 대향하는 두 기판 사이에 형성된 복수의 층간부 중 제1 층간부에 배치되며, 서로 이격되어 제1 방향으로 나란히 연장되는 복수의 제1 패턴;
상기 복수의 층간부 중 제2 층간부에 배치되며, 서로 이격되어 제2 방향으로 나란히 연장되는 복수의 제2 패턴;
상기 제1 층간부와 상기 제2 층간부 사이에서 상기 복수의 제1 패턴의 단부와 상기 복수의 제2 패턴의 단부 중 수직 방향으로 서로 중첩되는 복수의 제1 단부쌍을 각각 수직방향으로 연결하는 복수의 제1 비아홀;
상기 제1 층간부와 상기 제2 층간부 사이의 제3 층간부에 배치되며, 서로 이격되어 연장되는 복수의 제3 패턴;
상기 제1 층간부와 상기 제2 층간부 사이에서 상기 제3 층간부와 상기 수직 방향으로 이격된 제4 층간부에 배치되며, 서로 이격되어 연장되는 복수의 제4 패턴; 및
상기 제3 층간부와 상기 제4 층간부 사이에서 상기 복수의 제3 패턴의 단부와 상기 복수의 제4 패턴의 단부 중 수직 방향으로 서로 중첩되는 복수의 제2 단부쌍을 각각 수직방향으로 연결하는 복수의 제2 비아홀을 포함하는, 위상 변환기.
a plurality of substrates stacked in a vertical direction;
a plurality of first patterns disposed in a first interlayer portion of a plurality of interlayer portions formed between two substrates facing each other in a vertical direction among the plurality of substrates, and extending in parallel in a first direction while being spaced apart from each other;
a plurality of second patterns disposed in a second interlayer among the plurality of interlayers, the plurality of second patterns being spaced apart from each other and extending side by side in a second direction;
Between the first interlayer portion and the second interlayer portion, a plurality of first end pairs overlapping each other in the vertical direction among the ends of the plurality of first patterns and the ends of the plurality of second patterns are connected in a vertical direction, respectively a plurality of first via holes;
a plurality of third patterns disposed in a third interlayer portion between the first interlayer portion and the second interlayer portion and extending apart from each other;
a plurality of fourth patterns disposed between the first interlayer portion and the second interlayer portion, the third interlayer portion and the fourth interlayer portion spaced apart in the vertical direction, and extending apart from each other; and
Between the third interlayer portion and the fourth interlayer portion, a plurality of second end pairs overlapping each other in the vertical direction among the ends of the plurality of third patterns and the ends of the plurality of fourth patterns are connected in a vertical direction, respectively A phase converter comprising a plurality of second via holes.
제12 항에 있어서,
상기 복수의 제1 패턴, 상기 복수의 제2 패턴 및 상기 복수의 제1 비아홀은 제1 헬리컬 패턴을 형성하고,
상기 복수의 제3 패턴, 상기 복수의 제4 패턴 및 상기 복수의 제2 비아홀은 제2 헬리컬 패턴을 형성하는, 위상 변환기.
13. The method of claim 12,
The plurality of first patterns, the plurality of second patterns, and the plurality of first via holes form a first helical pattern,
The plurality of third patterns, the plurality of fourth patterns, and the plurality of second via holes form a second helical pattern.
제13 항에 있어서,
상기 제2 헬리컬 패턴은 상기 제1 헬리컬 패턴 내부에 배치되는, 위상 변환기.
14. The method of claim 13,
and the second helical pattern is disposed inside the first helical pattern.
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