KR20220063843A - Substrate supporting module and manufacturing method of substrate supporting module - Google Patents

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조규태
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, a substrate support plate may comprise a baseplate including: a first layer including a heat generating member therein and formed of a material having a first heat transfer coefficient; a second layer formed on the first layer and formed of a material having a second heat transfer coefficient higher than the first heat transfer coefficient; and a third layer formed on the second layer and formed of a material having a first heat transfer coefficient.

Description

기판 지지대 및 기판 지지대의 제조방법{Substrate supporting module and manufacturing method of substrate supporting module}A substrate supporting module and manufacturing method of a substrate supporting module

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판 지지대 및 기판 지지대의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a substrate support and a method of manufacturing the substrate support.

반도체 제조 공정 중에는 웨이퍼의 각 제조 공정에 따라 가열을 진행해야 하는 경우가 발생한다. 이를 위해, 웨이퍼를 안착시키기 위한 기판 지지대에는 히터 장치가 구비될 수 있다.During the semiconductor manufacturing process, there is a case in which heating must be performed according to each manufacturing process of the wafer. To this end, a heater device may be provided on the substrate support for mounting the wafer.

일반적으로 히터 장치를 포함하는 기판 지지대는 단일 재질의 파우더로 형성되는데, 히터 장치의 열선 간의 수평 간격 및 기판 지지대의 상부에 안착된 웨이퍼와 열선 간의 이격 거리 때문에 가열 시 웨이퍼의 열분포가 균일하지 않을 수 있다.In general, the substrate support including the heater device is formed of a single material of powder. Due to the horizontal distance between the heating wires of the heater device and the separation distance between the wafer and the heating wire seated on the top of the substrate support, the heat distribution of the wafer may not be uniform during heating. there is.

또한, 기판 지지대의 소재 특성 상 열전달 계수가 낮은 경우 열전도도에 영향을 끼칠 수 있다.In addition, when the heat transfer coefficient is low due to the material characteristics of the substrate support, the thermal conductivity may be affected.

구체적으로, 기판 지지대는 정전척을 위한 전극, 플라즈마 사용을 위한 RF 전극, 발열을 위한 히터 등 전기가 흐르는 물질이 삽입되게 형성되는데, 이러한 전기적 특성을 유지하고 플라즈마 환경에 노출되어야 하는 상황을 고려할 때, 저항이 높은 재질로 형성되어야 한다.Specifically, the substrate support is formed such that a material through which electricity flows, such as an electrode for an electrostatic chuck, an RF electrode for plasma use, and a heater for heat generation, is inserted. , it should be formed of a material with high resistance.

상술한 특성으로 인해, 기판 지지대는 높은 저항을 유지하면서 고온 공정에서도 사용이 가능한 재질을 적용하게 되는데, 이러한 재질은 특성상 열전달계수가 낮기 때문에, 기판 지지대 내부에 형성된 히터로부터 발생된 열을 상면에 안착된 기판까지 전달하는 능력이 균일하지 않아 열분포도가 고르지 않은 현상이 발생할 수 있다.Due to the above-described characteristics, the substrate support is made of a material that can be used in a high-temperature process while maintaining high resistance. Since this material has a low heat transfer coefficient, the heat generated from the heater formed inside the substrate support is seated on the upper surface. The ability to transfer to the substrate is not uniform, which may cause uneven heat distribution.

본 발명의 실시 예는 웨이퍼 전면에 열 전달이 균일하게 이루어질 수 있도록 하기 위한 기판 지지대 및 기판 지지대의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.An embodiment of the present invention is to provide a substrate support and a method of manufacturing the substrate support for uniform heat transfer to the entire wafer surface.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대는, 내부에 발열 부재를 포함하고 제1 열전달 계수의 물질로 형성된 제1 레이어, 상기 제1 레이어 상부에 형성되되, 상기 제1 열전달 계수 보다 높은 제2 열전달 계수의 물질로 형성된 제2 레이어, 및 상기 제2 레이어 상부에 형성되되, 상기 제1 열전달 계수의 물질로 형성된 제3 레이어를 포함하는 베이스 플레이트를 포함할 수 있다.The substrate support according to an embodiment of the present invention includes a first layer including a heating member therein and formed of a material having a first heat transfer coefficient, and is formed on the first layer, a second heat transfer coefficient higher than the first heat transfer coefficient and a base plate including a second layer formed of a material of

본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대의 제조 방법은, 발열부재를 포함하고 제1 열전달 계수의 물질을 포함하는 제1 레이어를 준비하는 단계; 상기 제1 레이어 상부에 상기 제1 열전달 계수 보다 높은 제2 열전달 계수의 물질로 형성된 제2 레이어를 적층하는 단계; 상기 제2 레이어 상부에 상기 제1 열전달 계수의 물질을 포함하는 제3 레이어를 적층하는 단계; 및 상기 제1 레이어, 상기 제2 레이어 및 상기 제3 레이어 순서로 적층된 상태를 소결하여 베이스 플레이트를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a substrate support according to an embodiment of the present invention includes a heating member, preparing a first layer comprising a material of a first heat transfer coefficient; stacking a second layer formed of a material having a second heat transfer coefficient higher than the first heat transfer coefficient on the first layer; stacking a third layer including the material of the first heat transfer coefficient on the second layer; and sintering the stacked state of the first layer, the second layer, and the third layer in order to form a base plate.

본 실시 예들에 따르면, 이종의 열전달 계수를 가지는 재질을 포함하는 베이스 플레이트를 적용함에 따라, 웨이퍼 전면에 열 전달이 균일하게 이루어질 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.According to the present embodiments, as a base plate including a material having different heat transfer coefficients is applied, an effect that heat transfer can be uniformly performed over the entire wafer can be expected.

또한, 본 실시 예는 발열 부재를 고온에서도 일정한 체적 저항을 유지할 수 있는 재질이 감싸도록 레이어를 형성하기 때문에, 발열 부재와 발열 부재를 감싸는 레이어 간의 크랙 발생을 미연에 방지할 수 있다.In addition, in the present embodiment, since a layer is formed to surround the heating member with a material capable of maintaining a constant volume resistance even at a high temperature, cracks between the heating member and the layer surrounding the heating member can be prevented in advance.

또한, 본 실시 예는 전극이 삽입된 기판 지지대를 고온 환경에 사용하는 경우에도 열 전달이 균일하게 이루어질 수 있도록 할 수 있다.In addition, according to the present embodiment, even when the substrate support in which the electrode is inserted is used in a high-temperature environment, heat transfer can be made uniformly.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대에 발열 부재가 형성되는 예를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대의 상세 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대의 구성의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view showing the configuration of a substrate support according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an example in which a heating member is formed on a substrate support according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining a detailed structure of a substrate support according to an embodiment of the present invention.
4 is a view for explaining another example of the configuration of the substrate support according to an embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining a method of manufacturing a substrate support according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명하도록 한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described based on the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대의 구성을 나타낸 도면이다.1 is a view showing the configuration of a substrate support according to an embodiment of the present invention.

이하에서는, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대에 발열 부재가 형성되는 예를 나타내는 도 2, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대의 상세 구조를 설명하기 위한 도 3을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, it will be described with reference to FIG. 2 showing an example in which the heating member is formed on the substrate support according to an embodiment of the present invention and FIG. 3 for explaining the detailed structure of the substrate support according to the embodiment of the present invention.

도 1을 참고하면, 기판 지지대(10)는 베이스 플레이트(100) 및 샤프트(200)를 포함할 수 있다.구체적으로, 베이스 플레이트(100)는 상부에 웨이퍼(20)를 안착시키기 위한 구성으로서, 내부에 발열 부재(140) 및 RF 전극(150)을 포함하는 형태로 형성될 수 있다.1, the substrate support 10 may include a base plate 100 and a shaft 200. Specifically, the base plate 100 is a configuration for seating the wafer 20 thereon, It may be formed in a shape including the heating member 140 and the RF electrode 150 therein.

베이스 플레이트(100)는 내부에 삽입된 전극으로 인해 전기적 특징을 유지하고 고온 증착 환경인 챔버에 적용하기 위하여 마그네슘이 포함된 재질을 사용하는데, 상술한 마그네슘이 포함된 재질은 체적 저항은 높으나, 재질 특성 상 열전달율이 낮아질 수 있다. The base plate 100 uses a material containing magnesium to maintain electrical characteristics due to the electrode inserted therein and to apply it to a chamber that is a high-temperature deposition environment. The material containing magnesium has a high volume resistance, but the material Due to its characteristics, the heat transfer rate may be lowered.

도 3을 참고하면, 베이스 플레이트(100) 중 발열 부재(140)가 삽입되게 형성된 제1 레이어(110) 및 RF 전극(150)이 삽입되게 형성된 제3 레이어(130)는 마그네슘이 포함된 소결재로 형성될 수 있다. 이는, 전극들이 삽입되는 영역의 전기적인 특성을 유지하기 위하여 열전달률이 낮은 특징의 마그네슘을 포함하는 재질을 적용해야 하기 때문이다.Referring to FIG. 3 , in the base plate 100 , the first layer 110 in which the heating member 140 is inserted and the third layer 130 in which the RF electrode 150 is inserted is a sintered material containing magnesium. can be formed with This is because a material containing magnesium having a low heat transfer rate must be applied in order to maintain the electrical characteristics of the region where the electrodes are inserted.

구체적으로, 발열 부재(140) 및 RF 전극(150)이 위치하는 영역은 전기가 흐르는 영역이기 때문에 전기적 특성을 유지하기 위해 체적 저항이 상대적으로 높은 재질을 사용해야 한다. 한편, 발열 부재(140) 및 RF 전극(150)이 몰리브덴을 포함하는 경우에는 몰리브덴 주변으로 산소가 모이는 현상이 발생할 수 있다. 이때, 산소는 이트리움과 강하게 결합되는 성질이 있어 Y2O3가 생성될 수 있다. 즉, 발열 부재(140) 및 RF 전극(150)이 형성된 베이스 플레이트(100) 내에 의도치 않은 레이어가 형성될 수 있는 것이다. 이때 형성된 Y2O3는 상대적으로 강도가 낮아 기판 지지대(10)의 전체적인 강도를 낮추는 영향으로 작용할 수 있다. 본 실시 예에서는 이러한 점을 개선하고자 하며, 이에 대한 상세 설명은 후술하기로 한다.Specifically, since the region in which the heating member 140 and the RF electrode 150 are positioned is a region through which electricity flows, a material having a relatively high volume resistance must be used to maintain electrical characteristics. Meanwhile, when the heating member 140 and the RF electrode 150 include molybdenum, a phenomenon in which oxygen is collected around the molybdenum may occur. At this time, oxygen has a property of strongly bonding with yttrium, so that Y2O3 can be produced. That is, an unintentional layer may be formed in the base plate 100 on which the heating member 140 and the RF electrode 150 are formed. The Y2O3 formed at this time has a relatively low strength and may act as an effect of lowering the overall strength of the substrate support 10 . This embodiment is intended to improve this point, and a detailed description thereof will be provided later.

도 2를 참조하면, 발열 부재(140)는 베이스 플레이트(100)의 상부면에 안착되는 웨이퍼(20)를 가열하기 위한 구성으로서, 베이스 플레이트(100) 내부에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2 , the heating member 140 is a component for heating the wafer 20 seated on the upper surface of the base plate 100 , and may be formed inside the base plate 100 .

도 2에서 도시하는 바와 같이, 발열 부재(140)는 웨이퍼(20)의 전면에 열을 전달할 수 있도록 열선이 특정 패턴을 이루도록 형성될 수 있다. 이때, 열선이 설치되는 패턴은 도 2에 한정되지 않고, 운용자에 필요에 따라 변경 가능하다 할 것이다.As shown in FIG. 2 , the heating member 140 may be formed such that the heating wire forms a specific pattern to transfer heat to the front surface of the wafer 20 . At this time, the pattern in which the heating wire is installed is not limited to FIG. 2 , and it will be said that the operator can change it as needed.

발열 부재(140)는 발열 부재(140)로 전원을 공급하기 위한 전원선(141) 및 전원 공급장치(미도시)를 구비할 수 있다. The heat generating member 140 may include a power line 141 for supplying power to the heat generating member 140 and a power supply device (not shown).

또한, RF 전극(150)은 RF 전력이 인가됨에 따라 챔버(미도시) 내에 플라즈마를 발생시키는 구성일 수 있다. 도시하지 않았지만, RF 전극(150)은 RF 전력을 공급하기 위한 구성을 구비함을 당연하다 할 것이다.In addition, the RF electrode 150 may be configured to generate plasma in a chamber (not shown) as RF power is applied. Although not shown, it will be natural that the RF electrode 150 has a configuration for supplying RF power.

본 실시 예에서, 베이스 플레이트(100)는 단일 레이어가 아닌 제1 레이어(110), 제2 레이어(120) 및 제3 레이어(130)를 포함할 수 있다.In this embodiment, the base plate 100 may include a first layer 110 , a second layer 120 , and a third layer 130 , rather than a single layer.

도 3을 참고하면, 제1 레이어(110)는 내부에 발열 부재를 포함하고 제1 열전달 계수의 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 열전달 계수의 물질은 질화 알루미늄(Aluminum Nitride)을 포함하는 물질일 수 있다. 이때, 질화 알루미늄(Aluminum Nitride)을 포함하는 제1 열전달 계수의 물질은 고온(예를 들어, 600℃ 이상)의 증착 환경을 형성하는 챔버 내부에서도 적용 가능한 소재를 의미할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the first layer 110 may include a heat generating member therein and may be formed of a material having a first heat transfer coefficient. The material of the first heat transfer coefficient may be a material including aluminum nitride. In this case, the material of the first heat transfer coefficient including aluminum nitride may mean a material applicable even inside a chamber that forms a deposition environment at a high temperature (eg, 600° C. or higher).

즉, 열을 발생시키는 발열 부재(140)와 직접적으로 접촉되는 제1 레이어(110)를 고온에 적합한 소재로 형성하는 것이다. 이로 인해, 발열 부재(140)로부터 발생하는 열에 의해 발열 부재(140)와 제1 레이어(110) 사이에 발생할 수 있는 크랙을 미연에 방지할 수 있다는 효과를 기대할 수 있는 것이다.That is, the first layer 110 that is in direct contact with the heat generating member 140 that generates heat is formed of a material suitable for high temperature. For this reason, the effect of being able to prevent in advance cracks that may occur between the heat generating member 140 and the first layer 110 due to the heat generated from the heat generating member 140 can be expected.

상술한 질화 알루미늄을 포함하는 제1 열전달 계수의 물질은 마그네슘(magnesium) 계열의 소결재를 포함하는 질화 알루미늄 파우더일 수 있다. 즉, 제1 레이어(110) 및 후술하는 제3 레이어(130)는 마그네슘을 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 마그네슘을 포함하는 물질은 고온에서도 일정한 체적 저항을 유지할 수 있다.The material of the first heat transfer coefficient including the above-described aluminum nitride may be aluminum nitride powder including a magnesium-based sintering material. That is, the first layer 110 and the third layer 130 to be described later may include magnesium. In this case, the material including magnesium may maintain a constant volume resistance even at a high temperature.

도 3을 참고하면, 제2 레이어(120)는 제1 레이어(110) 상부에 형성되되, 제1 열전달 계수 보다 높은 제2 열전달 계수의 물질로 형성될 수 있다. 상기 제2 열전달 계수의 물질은 질화 알루미늄을 포함하는 물질일 수 있다. 이때, 질화 알루미늄을 포함하는 제2 열전달 계수의 물질은 중저온(예를 들어, 600℃ 미만)에 적합한 소재를 의미할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the second layer 120 is formed on the first layer 110 , and may be formed of a material having a second heat transfer coefficient higher than the first heat transfer coefficient. The material of the second heat transfer coefficient may be a material including aluminum nitride. In this case, the material of the second heat transfer coefficient including aluminum nitride may refer to a material suitable for medium and low temperatures (eg, less than 600° C.).

이때, 질화 알루미늄을 포함하는 제2 열전달 계수의 물질(제2 열전달 계수의 질화 알루미늄 파우더)은 제1 열전달 계수의 질화 알루미늄 파우더에 비해 열 전도율이 높아 발열 부재(140)로부터 발생하는 열이 베이스 플레이트(100) 상부에 안착되는 웨이퍼(20)까지 양호하게 전달될 수 있도록 할 수 있는 것이다. 이로 인해, 발열 부재(140)를 통한 가열 시, 단일층의 베이스 플레이트(100)를 적용하는 경우의 웨이퍼 온도 분포(도 3의 (a)의 A)에 비해 보다 균일도 상승된 웨이퍼의 온도 분포(도 3의 (b)의 B)를 나타낼 수 있는 것이다.At this time, the material of the second heat transfer coefficient (aluminum nitride powder of the second heat transfer coefficient) including aluminum nitride has a higher thermal conductivity than the aluminum nitride powder of the first heat transfer coefficient, so that the heat generated from the heat generating member 140 is transferred to the base plate (100) It is possible to ensure that the wafer 20, which is seated on the upper part, can be transferred satisfactorily. For this reason, when heating through the heating member 140, the wafer temperature distribution ( B) of FIG. 3 (b) can be shown.

즉, 제2 레이어(120)는 열 확산층 역할을 수행하는 것이다.That is, the second layer 120 serves as a heat diffusion layer.

상술한 제2 레이어(120)는 이트리움(Yttrium) 계열의 소결재를 포함하는 질화 알루미늄 파우더로 형성될 수 있다. 즉, 질화 알루미늄을 포함하는 제2 열전달 계수의 물질은 이트리움 계열의 소결재를 포함하는 질화 알루미늄 파우더일 수 있는 것이다.The above-described second layer 120 may be formed of aluminum nitride powder including a yttrium-based sintering material. That is, the material of the second heat transfer coefficient including aluminum nitride may be aluminum nitride powder including yttrium-based sintering material.

제3 레이어(130)는 제2 레이어(120) 상부에 형성되되, 제1 열전달 계수의 물질로 형성될 수 있다. 상기 제1 열전달 계수의 물질은 질화 알루미늄을 포함하는 물질일 수 있다.The third layer 130 is formed on the second layer 120 , and may be formed of a material having a first heat transfer coefficient. The material of the first heat transfer coefficient may be a material including aluminum nitride.

상술한 제1 레이어(110) 및 제3 레이어(130) 각각의 체적 저항은 제2 레이어(120)의 체적 저항 보다 클 수 있다.The volume resistance of each of the above-described first layer 110 and third layer 130 may be greater than that of the second layer 120 .

또한, 제1 레이어(110) 및 제3 레이어(130)는 이트리움 프리(free) 물질, 즉, 이트리움이 포함되지 않은 물질로 형성될 수 있다.도 3을 참고하면, 발열 부재(140)는 제1 레이어(110)에 삽입되게 형성될 수 있다.In addition, the first layer 110 and the third layer 130 may be formed of an yttrium-free material, that is, a material that does not contain yttrium. Referring to FIG. 3 , the heating member 140 . may be formed to be inserted into the first layer 110 .

이때, 제1 레이어(110)는 제2 레이어(120)에 비해 열전달 계수가 낮은 제1 열전달 계수의 물질로 형성될 수 있다.In this case, the first layer 110 may be formed of a material having a lower heat transfer coefficient than that of the second layer 120 .

도 3을 참고하면, RF 전극(150)은 제3 레이어(130)에삽입되게 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3 , the RF electrode 150 may be formed to be inserted into the third layer 130 .

샤프트(200)는 베이스 플레이트(100)의 하부면에 베이스 플레이트(100)와 연결되게 형성될 수 있다. The shaft 200 may be formed to be connected to the base plate 100 on the lower surface of the base plate 100 .

샤프트(200)는 베이스 플레이트(100)를 지지하는 동시에 베이스 플레이트(100) 내부에 형성된 발열 부재(140), RF 전극(150)으로 각각 전원을 공급하기 위한 전원선 등이 설치될 수 있다.The shaft 200 supports the base plate 100 and at the same time, a power line for supplying power to the heating member 140 and the RF electrode 150 formed inside the base plate 100 may be installed.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대의 구성의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining another example of the configuration of the substrate support according to an embodiment of the present invention.

기판 지지대(10)는 제1 레이어(110), 발열 부재(140), 제2 레이어(120), 제3 레이어(130) 및 RF 전극(150)을 포함하는 베이스 플레이트(100) 및 샤프트(200)를 포함할 수 있다.The substrate support 10 includes a base plate 100 and a shaft 200 including a first layer 110 , a heating member 140 , a second layer 120 , a third layer 130 , and an RF electrode 150 . ) may be included.

제1 레이어(110)는 제1 열전달 계수의 재질의 파우더로 형성될 수 있다.The first layer 110 may be formed of powder of a material having a first heat transfer coefficient.

발열 부재(140)는 제1 레이어(110)에 삽입되게 형성될 수 있다. 이때, 제1 레이어(110)는 제2 열전달 계수 보다 낮은 제1 열전달 계수의 파우더로 형성되기 때문에, 상대적으로 열 전달 계수가 낮은 재질로 이루어지는 발열 부재(140)(예를 들어, 열선)와의 온도 편차가 상대적으로 작아 제1 레이어(110)와 발열 부재(140) 간의 크랙을 미연에 방지할 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.The heating member 140 may be formed to be inserted into the first layer 110 . At this time, since the first layer 110 is formed of powder having a first heat transfer coefficient lower than the second heat transfer coefficient, the temperature with the heat generating member 140 (eg, a heating wire) made of a material having a relatively low heat transfer coefficient Since the deviation is relatively small, the effect of preventing cracks between the first layer 110 and the heating member 140 in advance can be expected.

제2 레이어(120)는 제1 레이어(110) 상부에 형성되되, 제1 열전달 계수 보다 높은 제2 열전달 계수의 파우더로 형성될 수 있다. 제2 열전달 계수의 파우더는 제1 열전달 계수 보다 열전달 능력이 높기 때문에 발열 부재(140)로부터 발생되는 열을 확산하는 역할을 수행할 수 있는 것이다.The second layer 120 is formed on the first layer 110 , and may be formed of powder having a second heat transfer coefficient higher than the first heat transfer coefficient. Since the powder having the second heat transfer coefficient has a higher heat transfer capability than the first heat transfer coefficient, it can serve to diffuse heat generated from the heat generating member 140 .

제3 레이어(130)는 제2 레이어(120) 상부에 형성되되, 제1 열전달 계수의 재질의 파우더로 형성될 수 있다.The third layer 130 is formed on the second layer 120 , and may be formed of powder of a material having a first heat transfer coefficient.

RF 전극(150)은 제3 레이어(130)에 삽입되게 형성될 수 있다.The RF electrode 150 may be formed to be inserted into the third layer 130 .

샤프트(200)는 베이스 플레이트(100)의 하부면에 베이스 플레이트(100)와 연결되게 형성될 수 있다.The shaft 200 may be formed to be connected to the base plate 100 on the lower surface of the base plate 100 .

도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a method of manufacturing a substrate support according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 5의 (a) 내지 (c)를 참고하면, 발열부재를 포함하고 제1 열전달 계수의 물질을 포함하는 제1 레이어(110)를 준비할 수 있다.First, referring to FIGS. 5A to 5C , the first layer 110 including a heat generating member and a material having a first heat transfer coefficient may be prepared.

구체적으로, 도 5의 (a)를 참고하면, 제1 열전달 계수의 물질을 포함하는 제1-1 레이어(110-1)를 준비하는 단계(a)를 포함할 수 있다. Specifically, referring to FIG. 5A , the step (a) of preparing the 1-1 layer 110-1 including the material of the first heat transfer coefficient may be included.

다음, 도 5의 (b)를 참고하면, 제1-1 레이어(110-1) 상부에 발열 부재(140)를 적층할 수 있다.Next, referring to FIG. 5B , the heating member 140 may be stacked on the 1-1 layer 110-1.

다음, 도 5의 (c)를 참고하면, 발열 부재(140) 상부에 상기 제1-1 레이어(110-1)의 영역에 대응되는 영역의 상기 제1 열전달 계수의 물질을 포함하는 제1-2 레이어(110-2)를 적층하여 제1 레이어(110)를 준비할 수 있다.Next, referring to FIG. 5(c) , the first-th heat transfer coefficient including the material of the first heat transfer coefficient in an area corresponding to the area of the first-first layer 110-1 on the heating member 140 . The first layer 110 may be prepared by stacking two layers 110 - 2 .

상술한 제1 열전달 계수의 물질은 질화 알루미늄(Aluminum Nitride)을 포함하는 물질일 수 있다. The material having the above-described first heat transfer coefficient may be a material including aluminum nitride.

다음, 도 5의 (d)를 참고하면, 제1 레이어(110) 상부에 제1 열전달 계수 보다 높은 제2 열전달 계수의 물질을 포함하는 제2 레이어(120)를 적층할 수 있다. 상기 제2 열전달 계수의 물질은 질화 알루미늄(Aluminum Nitride)을 포함하는 물질일 수 있다.Next, referring to FIG. 5D , a second layer 120 including a material having a second heat transfer coefficient higher than the first heat transfer coefficient may be stacked on the first layer 110 . The material of the second heat transfer coefficient may be a material including aluminum nitride.

이때, 제2 레이어(120)는 이트리움(Yttrium) 계열의 소결재를 포함하는 질화 알루미늄 파우더로 형성될 수 있다.In this case, the second layer 120 may be formed of aluminum nitride powder including a yttrium-based sintering material.

다음, 도 5의 (e)를 참고하면, 제2 레이어(120) 상부에 제1 열전달 계수의 물질을 포함하는 제3 레이어(130)를 적층할 수 있다. 이때, 제3 레이어(130)는 내부에 RF 전극(150)을 포함할 수 있다.Next, referring to FIG. 5E , a third layer 130 including a material having a first heat transfer coefficient may be stacked on the second layer 120 . In this case, the third layer 130 may include the RF electrode 150 therein.

상술한 제1 레이어(110) 및 제3 레이어(130)는 마그네슘(magnesium) 계열의 소결재를 포함하는 질화 알루미늄 파우더로 형성될 수 있다.The above-described first layer 110 and third layer 130 may be formed of aluminum nitride powder including a magnesium-based sintering material.

상술한 제1 레이어(110) 및 제3 레이어(130) 각각의 체적 저항은 제2 레이어(120)의 체적 저항 보다 클 수 있다.The volume resistance of each of the above-described first layer 110 and third layer 130 may be greater than that of the second layer 120 .

다음, 상기 제1 레이어(110), 제2 레이어(120) 및 제3 레이어(130) 순서로 적층된 상태를 소결하여 베이스 플레이트(100)를 형성할 수 있다.Next, the first layer 110 , the second layer 120 , and the third layer 130 may be stacked in this order by sintering to form the base plate 100 .

다음, 도시하지 않았지만, 상기 베이스 플레이트(100)의 하부면에 베이스 플레이트(100)와 연결되게 샤프트(200)를 형성할 수 있다.Next, although not shown, the shaft 200 may be formed on the lower surface of the base plate 100 to be connected to the base plate 100 .

본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, since the present invention can be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential characteristics thereof, the embodiments described above are illustrative in all respects and not limiting. have to understand The scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the above detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.

10: 기판 지지대 100: 베이스 플레이트
110: 제1 레이어 120: 제2 레이어
130: 제3 레이어 140: 발열 부재
150: RF 전극 200: 샤프트10: substrate support 100: base plate
110: first layer 120: second layer
130: third layer 140: heating member
150: RF electrode 200: shaft

Claims (12)

내부에 발열 부재를 포함하고 제1 열전달 계수의 물질로 형성된 제1 레이어,
상기 제1 레이어 상부에 형성되되, 상기 제1 열전달 계수 보다 높은 제2 열전달 계수의 물질로 형성된 제2 레이어, 및
상기 제2 레이어 상부에 형성되되, 상기 제1 열전달 계수의 물질로 형성된 제3 레이어를 포함하는 베이스 플레이트,
를 포함하는 기판 지지대.a first layer including a heat generating member therein and formed of a material having a first heat transfer coefficient;
a second layer formed on the first layer and made of a material having a second heat transfer coefficient higher than the first heat transfer coefficient; and
a base plate formed on the second layer and including a third layer formed of a material having the first heat transfer coefficient;
A substrate support comprising a. 제1항에 있어서,
상기 제1 레이어 및 상기 제3 레이어 각각의 체적 저항은 상기 제2 레이어의 체적 저항 보다 큰 기판 지지대.According to claim 1,
A volume resistance of each of the first layer and the third layer is greater than a volume resistance of the second layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 레이어, 상기 제2 레이어 및 상기 제3 레이어는 질화 알루미늄(Aluminum Nitride)을 포함하는 물질로 형성되는 기판 지지대.According to claim 1,
The first layer, the second layer, and the third layer are formed of a material including aluminum nitride (Aluminum Nitride). 제3항에 있어서,
상기 제1 레이어 및 상기 제3 레이어는,
마그네슘(Magnesium)을 포함하는 물질로 형성되는 기판 지지대.4. The method of claim 3,
The first layer and the third layer,
A substrate support formed of a material containing magnesium. 제3항에 있어서,
상기 제2 레이어는,
이트리움(Yttrium)을 포함하는 물질로 형성된 기판 지지대.4. The method of claim 3,
The second layer is
A substrate support formed of a material comprising Yttrium. 제1항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는,
상기 제3 레이어에 삽입되게 형성된 RF 전극,
을 더 포함하는 기판 지지대.According to claim 1,
The base plate is
RF electrode formed to be inserted into the third layer,
A substrate support further comprising a. 발열부재를 포함하고 제1 열전달 계수의 물질을 포함하는 제1 레이어를 준비하는 단계;
상기 제1 레이어 상부에 상기 제1 열전달 계수 보다 높은 제2 열전달 계수의 물질을 포함하는 제2 레이어를 적층하는 단계;
상기 제2 레이어 상부에 상기 제1 열전달 계수의 물질을 포함하는 제3 레이어를 적층하는 단계; 및
상기 제1 레이어, 상기 제2 레이어 및 상기 제3 레이어 순서로 적층된 상태를 소결하여 베이스 플레이트를 형성하는 단계,
를 포함하는 기판 지지대의 제조방법.preparing a first layer including a heat generating member and including a material having a first heat transfer coefficient;
stacking a second layer including a material having a second heat transfer coefficient higher than the first heat transfer coefficient on the first layer;
stacking a third layer including the material of the first heat transfer coefficient on the second layer; and
forming a base plate by sintering the stacked state in the order of the first layer, the second layer, and the third layer;
A method of manufacturing a substrate support comprising a. 제7항에 있어서,
상기 제3 레이어를 적층하는 단계는,
상기 제3 레이어 내부에 RF 전극을 포함하는 단계를 더 포함하는 기판 지지대의 제조방법.8. The method of claim 7,
Laminating the third layer comprises:
The method of manufacturing a substrate support further comprising the step of including an RF electrode in the third layer. 제7항에 있어서,
상기 제1 레이어 및 상기 제3 레이어 각각의 체적 저항은 상기 제2 레이어의 체적 저항 보다 큰 기판 지지대의 제조방법.8. The method of claim 7,
A method of manufacturing a substrate support, wherein the volume resistance of each of the first layer and the third layer is greater than the volume resistance of the second layer. 제7항에 있어서,
상기 제1 및 제2 열전달 계수의 물질은 질화 알루미늄(Aluminum Nitride)을 포함하는 물질인 기판 지지대의 제조방법.8. The method of claim 7,
The method for manufacturing a substrate support, wherein the material of the first and second heat transfer coefficients is a material including aluminum nitride. 제10항에 있어서,
상기 제1 레이어 및 상기 제3 레이어는,
마그네슘(magnesium) 계열의 소결재를 포함하는 질화 알루미늄 파우더로 형성되는 기판 지지대의 제조방법.11. The method of claim 10,
The first layer and the third layer,
A method of manufacturing a substrate support formed of aluminum nitride powder containing a magnesium-based sintering material. 제10항에 있어서,
상기 제2 레이어는,
이트리움(Yttrium) 계열의 소결재를 포함하는 질화 알루미늄 파우더로 형성되는 기판 지지대의 제조방법.11. The method of claim 10,
The second layer is
A method for manufacturing a substrate support formed of aluminum nitride powder containing a yttrium-based sintering material.
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