KR20220062712A - Base film for felxible printed circuit substrate - Google Patents

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Abstract

A substrate for a flexible printed circuit board according to an embodiment comprises: a first material of an acid anhydride having an ester group of TAHQ or BP-TME; and at least one second material of m-tolidine and flexible diamine.

Description

연성 인쇄회로기판용 기재{BASE FILM FOR FELXIBLE PRINTED CIRCUIT SUBSTRATE}Substrate for flexible printed circuit boards {BASE FILM FOR FELXIBLE PRINTED CIRCUIT SUBSTRATE}

실시예는 연성 인쇄회로기판용 기재에 관한 것이다.The embodiment relates to a substrate for a flexible printed circuit board.

사회의 발전과 더불어 가전제품의 소형화가 진행되고 있다. 가전제품의 소형화에는 연성 인쇄회로기판(FPCB)의 존재를 빼놓을 수 없다. 가전제품의 메인보드에는 리지드한 인쇄회로기판(PCB)이 사용되었는데, 여러가지 기능을 부여하기 위해 많은 부품과 메인보드와 접속해야 할 필요가 있다. With the development of society, miniaturization of home appliances is progressing. The existence of flexible printed circuit boards (FPCBs) is essential for miniaturization of home appliances. A rigid printed circuit board (PCB) is used for the main board of home appliances, and it is necessary to connect many parts and the main board to give various functions.

이때 소형화에 기여하는 것이 연성 인쇄회로기판이다. 최근에는 옥외에서도 무선을 사용하여 인터넷에 접속하는 것이 가능하며, 노트북 컴퓨터, 스마트폰에는 전파 수신 기능이 표준으로 갖춰져 있다. 또한, 통신 기술의 발전으로 인터넷 접속 속도도 빨라졌다. 현재는 4G에서 5G로의 이행기이며, 향후 GHz대를 사용하여 새로운 고속 통신을 사용하는 시대가 열리고 있다.In this case, it is the flexible printed circuit board that contributes to the miniaturization. Recently, it is possible to connect to the Internet using wireless even outdoors, and a radio wave reception function is equipped as a standard in notebook computers and smartphones. In addition, the speed of Internet access has increased due to the development of communication technology. Currently, it is the transition period from 4G to 5G, and an era of new high-speed communication using the GHz band is opening in the future.

종래에는 연성 인쇄회로기판의 기재로서 폴리이미드(PI)가 사용되었더.Conventionally, polyimide (PI) has been used as a base material for flexible printed circuit boards.

폴리이미드((Polyimide) 연성동박기판(Flexible Copper Clad Laminate, [0003] FCCL)은 양호한 사이즈 안정성, 내열성, 열팽창계수, 기계적 강도와 저항 절연성을 구비하고 있어, 전자 산업에 대량으로 적용되고 있다. 그러나, 폴리이미드는 높은 유전상수, 높은 손실인자 등의 특성을 가지고 있어 고주파 기판의 절연층으로서 적합하지 않은 문제점이 있다Polyimide Flexible Copper Clad Laminate (FCCL) has good size stability, heat resistance, coefficient of thermal expansion, mechanical strength and resistance insulation, and is widely applied in the electronics industry. , polyimide has characteristics such as high dielectric constant and high loss factor, so it is not suitable as an insulating layer for high-frequency substrates.

이에 따라, 종래에는 고주파 신호의 연성 인쇄회로기판으로서 액정고분자막(Liquid Crystal Polymer, LCP)에 동박을 압착하여 제조하였다.Accordingly, in the prior art, as a flexible printed circuit board for a high-frequency signal, a copper foil was pressed onto a liquid crystal polymer (LCP) and manufactured.

그러나, LCP의 독특한 분자 구조 특성으로 인해 과다한 순향성 배열이 발생하여 가로방향의 기계적 성질의 불량을 초래하기 쉬우며, LCP 박막 가공 및 제품 적용이 심각한 제약을 받는다는 문제점이 있다. However, due to the unique molecular structure characteristics of LCP, excessive forward alignment occurs, which tends to cause defects in mechanical properties in the transverse direction, and there are problems in that LCP thin film processing and product application are severely restricted.

또한, LCP의 독특한 분자 구조 특성으로 인해 그 고분자의 유리전이온도(Tg)와 용융점(Tm)이 근접해져 LCP를 적용한 연성 인쇄회로기판의 열압착 공정에서 사이즈 안정성을 제어하기 쉽지 않은 문제점이 있다In addition, due to the unique molecular structure characteristics of LCP, the glass transition temperature (Tg) and melting point (Tm) of the polymer are close, so it is difficult to control the size stability in the thermocompression bonding process of the flexible printed circuit board to which the LCP is applied.

따라서, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있는 연성 인쇄회로기판의 기재가 요구된다.Accordingly, there is a need for a substrate for a flexible printed circuit board that can solve the above problems.

실시예는 연성 인쇄회로기판용 기재에 대한 것으로서, 폴리이미드의 이미드기와 에스테르기의 비율을 최적화함으로써, 연성 인쇄회로기판에 필요한 물성 특성을 충족시킬 수 있는 연성 인쇄회로기판용 기재를 제공하고자 한다.The embodiment relates to a substrate for a flexible printed circuit board, and by optimizing the ratio of the imide group and ester group of polyimide, it is intended to provide a substrate for a flexible printed circuit board that can satisfy the physical properties required for the flexible printed circuit board. .

실시예에 따른 연성 인쇄회로기판용 기재는, TAHQ 또는 BP-TME의 에스테르기를 가지는 산무수물의 제 1 물질; 및 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 굴곡성 다이아민(Diamine) 중 적어도 하나의 제 2 물질을 포함한다.A substrate for a flexible printed circuit board according to an embodiment includes a first material of an acid anhydride having an ester group of TAHQ or BP-TME; and a second material of at least one of m-tolidine and flexible diamine.

실시예에 따른 폴리이미드 기재는 이미드기를 포함하는 물질들의 몰% 비율을 제어하여, 폴리이미드 기재의 열팽창 계수를 가소할 수 있다.The polyimide substrate according to the embodiment may plasticize the coefficient of thermal expansion of the polyimide substrate by controlling the mole % ratio of materials including imide groups.

즉, 폴리이미드 기재의 열팽창 계수를 회로 패턴 예를 들어, 구리의 열팽창 계수와 유사하게 제어할 수 있다.That is, the coefficient of thermal expansion of the polyimide substrate can be controlled similarly to that of a circuit pattern, for example, copper.

이에 따라, 실시에 따른 폴리이미드 기재를 포함하는 연성 인쇄회로기판은 회로패턴과의 향상된 사이즈(치수) 안정성 및 접착력을 가질 수 있다.Accordingly, the flexible printed circuit board including the polyimide substrate according to the embodiment may have improved size (dimensional) stability and adhesion with the circuit pattern.

또한, 실시예에 따른 폴리이미드 기재는 낮은 저유전율, 저유전 정접을 가지므로, 고주파 신호를 전달하는 전자 디바이스에 적용되어도 고주파 신호에 따른 신호 손실을 저감할 수 있다.In addition, since the polyimide substrate according to the embodiment has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, it is possible to reduce signal loss due to a high frequency signal even when applied to an electronic device that transmits a high frequency signal.

도 1은 실시예에 따른 연성 인쇄회로기판의 단면도를 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 연성 인쇄회로기판의 단면도를 도시한 도면이다.
1 is a view showing a cross-sectional view of a flexible printed circuit board according to an embodiment.
2 is a diagram illustrating a cross-sectional view of a flexible printed circuit board according to an embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to some of the described embodiments, but may be implemented in various different forms, and within the scope of the technical spirit of the present invention, one or more of the components may be selected between embodiments. It can be used by combining or substituted with .

또한, 본 발명의 실시예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다. In addition, terms (including technical and scientific terms) used in the embodiments of the present invention may be generally understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless specifically defined and described explicitly. It may be interpreted as a meaning, and generally used terms such as terms defined in advance may be interpreted in consideration of the contextual meaning of the related art.

또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한개이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함할 수 있다. In addition, the terminology used in the embodiments of the present invention is for describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular form may also include the plural form unless otherwise specified in the phrase, and when it is described as "at least one (or one or more) of A and (and) B, C", it can be combined with A, B, and C. It may include one or more of all possible combinations.

또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 한정되지 않는다. In addition, in describing the components of the embodiment of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the component from other components, and are not limited to the essence, order, or order of the component by the term.

그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속'되는 경우도 포함할 수 있다. And, when it is described that a component is 'connected', 'coupled' or 'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled or connected to the other component, but also with the component It may also include a case of 'connected', 'coupled' or 'connected' due to another element between the other elements.

또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. In addition, when it is described as being formed or disposed on "above (above) or below (below)" of each component, the top (above) or bottom (below) is one as well as when two components are in direct contact with each other. Also includes a case in which another component as described above is formed or disposed between two components.

또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In addition, when expressed as “up (up) or down (down)”, it may include not only the upward direction but also the meaning of the downward direction based on one component.

도 1을 참조하여, 실시예에 따른 연성 인쇄회로기판을 설명한다. 실시예에 따른 연성 인쇄회로기판은 24㎓ 내지 100㎓의 고주파 신호를 전달하는 안테나 및 케이블에 적용될 수 있다.A flexible printed circuit board according to an embodiment will be described with reference to FIG. 1 . The flexible printed circuit board according to the embodiment may be applied to an antenna and a cable that transmits a high frequency signal of 24 GHz to 100 GHz.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 연성 인쇄회로기판은 기재(100), 회로 패턴(200) 및 보호층(300)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the flexible printed circuit board according to the embodiment may include a substrate 100 , a circuit pattern 200 , and a protective layer 300 .

상기 기재(100)은 리지드(rigid)하거나 또는 플렉서블(flexible)할 수 있다. The substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 기재(100)는 투명, 반투명 또는 불투명한 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(100)은 수지 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 기재(100)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게, 상기 기재(100)는 폴리이미드(Polyimide, PI)를 포함할 수 있다.The substrate 100 may include a transparent, translucent, or opaque substrate. For example, the substrate 100 may include a resin material. Also, the substrate 100 may include an insulating material. Preferably, the substrate 100 may include polyimide (PI).

상기 기재(100)의 두께는 125㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 기재(100)의 두께는 25㎛ 내지 125㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 기재(100)의 두께는 50㎛ 내지 100㎛일 수 있다.The thickness of the substrate 100 may be 125 μm or less. In detail, the thickness of the substrate 100 may be 25 μm to 125 μm. In more detail, the thickness of the substrate 100 may be 50 μm to 100 μm.

상기 기재(100)의 두께가 25㎛ 미만인 경우, 상기 기재(100)의 강도가 저하되어 상기 기재(100)의 의해 지지되는 회로 패턴(200) 및 보호층(300)의 지지력이 저하될 수 있다.When the thickness of the substrate 100 is less than 25 μm, the strength of the substrate 100 may be lowered, so that the supporting power of the circuit pattern 200 and the protective layer 300 supported by the substrate 100 may be reduced. .

또한, 상기 기재(100)의 두께가 125㎛를 초과하는 경우, 상기 기재(100)의 두께 증가에 의해 상기 플렉서블 인쇄회로기판의의 전체적인 절곡성 및 굴곡성이 저하될 수 있다.In addition, when the thickness of the substrate 100 exceeds 125 μm, the overall bendability and flexibility of the flexible printed circuit board may be reduced due to an increase in the thickness of the substrate 100 .

또한, 상기 기재(100)는 적어도 하나의 작용기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기재(100)는 에스테르기 및 이미드기 중 적어도 하나의 작용기를 포함할 수 있다. 즉, 상기 기재(100)는 에스테르기를 포함하는 제 1 물질 및 이미드기를 포함하는 제 2 물질 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 기재 조성물일 수 있다.In addition, the substrate 100 may include at least one functional group. For example, the substrate 100 may include at least one functional group selected from an ester group and an imide group. That is, the substrate 100 may be a substrate composition including at least one of a first material including an ester group and a second material including an imide group.

상기 기재(100)는 상기 에스테르기를 포함하는 제 1 물질과 상기 이미드기를 포함하는 제 2 물질의 몰%를 제어하여 저유전을 가지고, 낮은 열팽창계수 및 유리전인온도를 가질 수 있다.The substrate 100 may have a low dielectric constant, a low coefficient of thermal expansion and a glass transition temperature by controlling the mole % of the first material including the ester group and the second material including the imide group.

상기 기재(100)에 포함되는 제 1 물질 및 제 2 물질에 대해서는 이하에서 상세하게 설명한다.The first material and the second material included in the substrate 100 will be described in detail below.

상기 회로 패턴(200)은 상기 기재(100) 상에 배치될 수 있다. 상기 회로 패턴(200)은 상기 기재(100) 상에 배치되어, 상기 플렉서블 인쇄회로기판에서, 전류 또는 신호가 이동하는 배선 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 패턴(200)에는 24㎓ 내지 100㎓의 고주파 신호가 이동할 수 있다.The circuit pattern 200 may be disposed on the substrate 100 . The circuit pattern 200 may be disposed on the substrate 100 and serve as a wiring through which a current or a signal moves in the flexible printed circuit board. For example, a high-frequency signal of 24 GHz to 100 GHz may move in the circuit pattern 200 .

이에 따라, 상기 회로 패턴(200)은 전기 전도성이 높은 금속 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 회로패턴(200)은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질로 형성될 수 있다.Accordingly, the circuit pattern 200 may be formed of a metal material having high electrical conductivity. For example, the circuit pattern 200 may include at least one selected from gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), titanium (Ti), tin (Sn), copper (Cu), and zinc (Zn). It may be formed of a metal material of

또는, 상기 회로패턴(200)은 본딩력이 우수한 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu), 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 페이스트 또는 솔더 페이스트로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 회로 패턴(200)은 전기전도성이 높으면서 가격이 비교적 저렴한 구리(Cu)로 형성될 수 있다. Alternatively, the circuit pattern 200 is selected from among gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), titanium (Ti), tin (Sn), copper (Cu), and zinc (Zn) having excellent bonding strength. It may be formed of a paste including at least one metal material or a solder paste. Preferably, the circuit pattern 200 may be formed of copper (Cu), which has high electrical conductivity and is relatively inexpensive.

상기 회로패턴(200)은 통상적인 인쇄회로기판의 제조 공정인 어디티브 공법(Additive process), 서브트렉티브 공법(Subtractive Process), MSAP(Modified Semi Additive Process) 및 SAP(Semi Additive Process) 공법 등으로 가능하며 여기에서는 상세한 설명은 생략한다.The circuit pattern 200 is a conventional manufacturing process of a printed circuit board, such as additive process (Additive process), subtractive process (Subtractive Process), MSAP (Modified Semi Additive Process), SAP (Semi Additive Process) method, etc. possible, and a detailed description thereof will be omitted herein.

상기 회로 패턴(200)은 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 패턴(200)은 제 1 금속층(201) 및 제 2 금속층(202)을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 회로 패턴(200)은 상기 기판(100) 상에 배치되는 제 1 금속층(201) 및 상기 제 1 금속층(201) 상에 배치되는 제 2 금속층(202)을 포함할 수 있다.The circuit pattern 200 may be formed in multiple layers. For example, the circuit pattern 200 may include a first metal layer 201 and a second metal layer 202 . In detail, the circuit pattern 200 may include a first metal layer 201 disposed on the substrate 100 and a second metal layer 202 disposed on the first metal layer 201 .

상기 제 1 도금층(201)은 무전해 도금을 통해 형성될 수 있다, 즉, 상기 제 1 금속층(201)은 상기 회로 패턴(200)의 전해 도금을 위한 시드층일 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(201)의 두께는 상기 제 2 금속층(202)의 두께보다 작을 수 있다. The first plating layer 201 may be formed through electroless plating, that is, the first metal layer 201 may be a seed layer for electrolytic plating of the circuit pattern 200 . Accordingly, the thickness of the first metal layer 201 may be smaller than the thickness of the second metal layer 202 .

예를 들어, 상기 제 1 금속층(201)의 두께는 300㎚ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 금속층(201)의 두께는 10㎚ 내지 300㎚일 수 있다. 상기 제 1 금속층(201)의 두께가 10㎚ 미만인 경우, 이후에 전해 도금을 통한 도금 공정을 통해 제 2 금속층(202)을 형성하기 어려울 수 있다. 또한, 상기 제 1 금속층(201)의 두께가 300㎚ 초과인 경우, 상기 제 1 금속층(201)의 형성을 위한 공정 시간이 증가하여 공정 효율이 저하될 수 있다.For example, the thickness of the first metal layer 201 may be 300 nm or less. In detail, the thickness of the first metal layer 201 may be 10 nm to 300 nm. When the thickness of the first metal layer 201 is less than 10 nm, it may be difficult to form the second metal layer 202 through a subsequent plating process through electrolytic plating. In addition, when the thickness of the first metal layer 201 is greater than 300 nm, a process time for forming the first metal layer 201 may increase, and thus process efficiency may decrease.

상기 제 1 금속층(201)은 구리(Cu) 또는 은(Ag)을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 금속층(201)이 니켈(Ni) 또는 크롬(Cr) 등 자성 손실을 발생하는 물질을 포함하지 않으므로, 상기 회로 패턴(200)의 신호 손실을 감소시킬 수 있다.The first metal layer 201 may include copper (Cu) or silver (Ag). Accordingly, since the first metal layer 201 does not include a material that causes magnetic loss, such as nickel (Ni) or chromium (Cr), signal loss of the circuit pattern 200 can be reduced.

상기 제 2 금속층(202)은 상기 제 1 금속층(201) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 금속층(202)은 상기 제 1 금속층(201)과 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 금속층(202)은 구리(Cu)를 포함할 수 있다.The second metal layer 202 may be disposed on the first metal layer 201 . The second metal layer 202 may include the same or similar material to the first metal layer 201 . For example, the second metal layer 202 may include copper (Cu).

상기 제 2 금속층(202)은 전해도금을 통해 형성될 수 있다. 상기 제 2 금속층(202)의 두께는 상기 제 1 금속층(201)의 두께보다 클 수 있다.The second metal layer 202 may be formed through electroplating. A thickness of the second metal layer 202 may be greater than a thickness of the first metal layer 201 .

상기 제 1 금속층(201) 및 상기 제 2 금속층(202)에 의해 형성되는 상기 회로 패턴(200)의 두께는 3㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 회로 패턴(200)의 두께는 0.3㎛ 내지 3㎛일 수 있다.The thickness of the circuit pattern 200 formed by the first metal layer 201 and the second metal layer 202 may be 3 μm or less. In detail, the thickness of the circuit pattern 200 may be 0.3 μm to 3 μm.

상기 보호층(300)은 상기 회로 패턴(200) 상에 배치될 수 있다. 상기 보호층(300)은 상기 회로 패턴(200) 상에 배치되어, 상기 회로 패턴(200)을 외부의 충격 등으로부터 보호할 수 있다. 즉, 상기 보호층(300)은 상기 플렉서블 인쇄회로기판의 최외측에 배치되는 커버일 수 있다.The protective layer 300 may be disposed on the circuit pattern 200 . The protective layer 300 may be disposed on the circuit pattern 200 to protect the circuit pattern 200 from external impact. That is, the protective layer 300 may be a cover disposed on the outermost side of the flexible printed circuit board.

상기 보호층(300)은 앞서 설명한 상기 기재(100)과 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. The protective layer 300 may include the same or similar material to the substrate 100 described above.

예를 들어, 상기 보호층(300)은 투명, 반투명 또는 불투명할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(300)은 수지를 포함할 수 있다, 또한, 상기 보호층(300)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(300)은 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 프로필렌 글리콜(propylene glycol, PPG) 폴리 카보네이트(PC) 등을 포함할 수 있다.For example, the protective layer 300 may be transparent, translucent, or opaque. For example, the protective layer 300 may include a resin, and the protective layer 300 may include an insulating material. For example, the protective layer 300 may include polyimide (PI), polyethylene terephthalate (PET), propylene glycol (PPG), polycarbonate (PC), or the like.

상기 보호층(300)의 두께는 200㎛ 이하일 수 있다. 자세하게, 상기 보호층(300)의 두께는 5㎛ 내지 200㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 보호층(300)의 두께는 50㎛ 내지 100㎛일 수 있다.The thickness of the protective layer 300 may be 200 μm or less. In detail, the thickness of the protective layer 300 may be 5 μm to 200 μm. In more detail, the thickness of the protective layer 300 may be 50 μm to 100 μm.

상기 보호층(300)의 두께가 5㎛ 미만인 경우, 상기 보호층(300)의 형상 유지가 어려워 공정 효율이 저하될 수 있고, 상기 보호층(300)에 의해 상기 회로 패턴(200)을 효과적으로 보호할 수 없다.When the thickness of the protective layer 300 is less than 5 μm, it is difficult to maintain the shape of the protective layer 300 , so process efficiency may be reduced, and the circuit pattern 200 is effectively protected by the protective layer 300 . Can not.

또한, 상기 보호층(300)의 두께가 200㎛를 초과하는 경우, 상기 보호층(300)의 두께 증가에 의해 상기 플렉서블 인쇄회로기판의 전체적인 절곡성 및 굴곡성이 저하될 수 있다.In addition, when the thickness of the protective layer 300 exceeds 200 μm, the overall bendability and flexibility of the flexible printed circuit board may be reduced due to an increase in the thickness of the protective layer 300 .

앞서 설명하였듯이, 상기 기재(100)는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 기재(100)는 폴리이미드 수지 조성물에 의해 형성되는 폴리이미드를 포함할 수 있다.As described above, the substrate 100 may include polyimide (PI). In detail, the substrate 100 may include polyimide formed of a polyimide resin composition.

상기 폴리이미드 수지 조성물은 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 기재(100)는 상기 제 1 물질 및 제 2 물질 중 적어도 하나를 포함하는 폴리이미드 수지 조성물에 의해 형성될 수 있다. 즉, 상기 기재(100)는 상기 제 1 물질 및 제 2 물질을 포함하는 폴리이미드 수지 조성물에 의해 형성될 수 있다.The polyimide resin composition may include a first material and a second material. That is, the substrate 100 may be formed of a polyimide resin composition including at least one of the first material and the second material. That is, the substrate 100 may be formed of a polyimide resin composition including the first material and the second material.

상기 제 1 물질은 에스테르기를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 1 물질은 4,4'-비페닐비스(트리멜리트산모노에스테르산 무수물)(TAHQ) 및 BP-TME(4,4'-bis(1,3-dioxo-1,3-dihydroisobenzofuran-5-ylcarbonyloxy)biphenyl) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.The first material may include an ester group. Specifically, the first material is 4,4'-biphenylbis(trimellitic acid monoesteric anhydride) (TAHQ) and BP-TME (4,4'-bis(1,3-dioxo-1,3-dihydroisobenzofuran) -5-ylcarbonyloxy)biphenyl) may include at least one material.

또한, 상기 제 2 물질은 이미기드를 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 물질은 m-톨리딘(m-Tolidine) 또는 굴곡성 다이아민(Diamine) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 이때, 상기 다이아민은 4,4'-옥시디아닐린(4,4 ODA), 3,4'-옥시디아닐린(3,4 ODA), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠 (TPE-R), 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠 (TPE-Q), 3,3 APB(1,3'-Bis (3-aminophenoxy) benzene) 및 4,4 BAPP(2,2-Bis [4-(4-aminophenoxy)phenyl] propane) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.In addition, the second material may include an imide. In detail, the second material may include at least one of m-tolidine and flexible diamine. In this case, the diamine is 4,4'-oxydianiline (4,4 ODA), 3,4'-oxydianiline (3,4 ODA), 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene ( TPE-R), 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene (TPE-Q), 3,3 APB (1,3'-Bis (3-aminophenoxy) benzene) and 4,4 BAPP (2, At least one material of 2-Bis [4-(4-aminophenoxy)phenyl] propane) may be included.

상기 폴리이미드 수지 조성물은 상기 제 1 물질을 100몰%로 포함하고, 상기 제 2 물질을 100몰%로 포함할 수 있다.The polyimide resin composition may include the first material in an amount of 100 mol% and the second material in an amount of 100 mol%.

또한, 상기 제 2 물질은 m-톨리딘(m-Tolidine) 또는 굴곡성 다이아민(Diamine) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 물질은 m-톨리딘(m-Tolidine)만을 포함할 수 있다. 또는, 상기 제 2 물질은 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 굴곡성 다이아민(Diamine)을 포함할 수 있다. In addition, the second material may include at least one of m-tolidine and flexible diamine. In detail, the second material may include only m-tolidine. Alternatively, the second material may include m-tolidine and flexible diamine.

상기 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)은 서로 다른 몰%로 포함될 수 있다. 자세하게, 상기 제 2 물질은 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)의 몰%가 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)의 몰%보다 클 수 있다.The m-tolidine and the flexible diamine may be included in different mole %. In detail, in the second material, a mole % of the m-tolidine may be greater than a mole % of the flexible diamine.

자세하게, 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)은 상기 제 2 물질 전체(100몰%)에 대해 70 몰% 내지 100 몰%로 포함될 수 있다. 즉, 상기 제 2 물질이 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)만을 포함하는 경우, 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)은 100 몰%로 포함될 수 있다. 또한, 상기 제 2 물질이 상기 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)을 포함하는 경우, 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)은 상기 제 2 물질 전체에 대해 70 몰% 내지 100 몰% 미만으로 포함될 수 있다.In detail, the m-tolidine may be included in an amount of 70 mol% to 100 mol% based on the total amount (100 mol%) of the second material. That is, when the second material includes only m-tolidine, the m-tolidine may be included in an amount of 100 mol%. In addition, when the second material includes the m-tolidine and the flexible diamine, the m-tolidine is 70 mol based on the total amount of the second material. % to less than 100 mol%.

또한, 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)은 상기 제 2 물질 전체(100몰%)에 대해 0 몰% 내지 30 몰%로 포함될 수 있다. 즉, 상기 제 2 물질이 상기 m-톨리딘(m-Tolidine)만을 포함하는 경우, 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)은 0 몰%로 포함될 수 있다. 또한, 상기 제 2 물질이 상기 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)을 포함하는 경우, 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)은 상기 제 2 물질 전체에 대해 0 몰% 초과 내지 30 몰%로 포함될 수 있다.In addition, the flexible diamine may be included in an amount of 0 mol% to 30 mol% based on the total amount (100 mol%) of the second material. That is, when the second material includes only m-tolidine, the flexible diamine may be included in an amount of 0 mol%. In addition, when the second material includes the m-tolidine and the flexible diamine, the flexible diamine is more than 0 mol% based on the total amount of the second material. 30 mol% may be included.

상기 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 상기 굴곡성 다이아민(Diamine)의 몰%가 상기 범위를 벗어나는 경우, 상기 폴리이미드 수지 조성물에 의해 형성되는 폴리이미드 기재의 열팽창계수가 증가되고, 이에 의해, 상기 기재와 상기 동박 즉 회로 패턴과의 열챙창계수 차이가 증가되어 상기 기재의 사이즈 안정성이 저하될 수 있다.When the mole % of the m-tolidine and the flexible diamine is out of the above range, the coefficient of thermal expansion of the polyimide substrate formed by the polyimide resin composition is increased, thereby The difference in thermal brim coefficient between the substrate and the copper foil, that is, the circuit pattern may increase, so that size stability of the substrate may be reduced.

한편, 상기 기재(100)와 상기 보호층(300) 사이에는 접착층(400)이 배치될 수 있다. 자세하게, 상기 접착층(400)은 상기 기재(100)의 일면 및 상기 일면과 반대되는 타면 중 적어도 하나의 면 상에 배치될 수 있다.Meanwhile, an adhesive layer 400 may be disposed between the substrate 100 and the protective layer 300 . In detail, the adhesive layer 400 may be disposed on at least one of one surface of the substrate 100 and the other surface opposite to the one surface.

즉, 상기 회로 패턴(200)이 상기 기재(100)의 일면 상에만 배치되는 경우, 상기 접착층(400)은 상기 기재(100)의 일면 상에만 배치되고, 상기 회로 패턴(200)이 상기 기재(100)의 일면 및 타면에 모두 배치되는 경우, 상기 접착층(400)은 상기 기재(100)의 일면 및 타면에 모두 배치될 수 있다.That is, when the circuit pattern 200 is disposed on only one surface of the substrate 100 , the adhesive layer 400 is disposed on only one surface of the substrate 100 , and the circuit pattern 200 is disposed on the substrate ( 100 ), the adhesive layer 400 may be disposed on both the one surface and the other surface of the substrate 100 .

상기 접착층(400)은 폴리이미드 수지 조성물을 포함할 수 잇다. 자세하게, 상기 접착층(400)은 상기 기재(100)와 조성이 다른 수지 조성물을 포함할 수 있다. 자세하게, 상기 접착층(400)은 PMDA, sBPDA를 포함하는 산무수물 및 4,4BAPP를 포함하는 다이아민을 포함할 수 있다.The adhesive layer 400 may include a polyimide resin composition. In detail, the adhesive layer 400 may include a resin composition having a composition different from that of the base material 100 . In detail, the adhesive layer 400 may include an acid anhydride including PMDA, sBPDA, and diamine including 4,4BAPP.

이하, 실시예들 및 비교예들에 따른 기재 제조방법을 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명한다. 이러한 제조예는 본 발명을 좀더 상세하게 설명하기 위하여 예시로 제시한 것에 불과하다. 따라서 본 발명이 이러한 제조예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through a method for manufacturing a substrate according to Examples and Comparative Examples. These manufacturing examples are merely presented as examples in order to explain the present invention in more detail. Therefore, the present invention is not limited to these preparation examples.

실시예 1Example 1

1L의 유리 반응용기에 질소를 도입하였다. 이후, 유리 반응 용기에 디메틸아세트아미드(DMAc)를 투입한 후 교반하였다. Nitrogen was introduced into a 1 L glass reaction vessel. Thereafter, dimethylacetamide (DMAc) was added to a glass reaction vessel and stirred.

이어서, m-톨리딘(m-Tolidine)을 투입하여 완전히 용해될 때까지 교반하였다. 이어서, BP-TME를 투입하고 50℃ 온도까지 승온시켰다. 이어서 고형분 농도 16wt%를 BP-TME/m-Tolidine=1의 몰비로 교반을 계속하여, 최종 점도가 2000 poise인 폴리아믹산 용액을 얻었다.Then, m-tolidine was added and stirred until completely dissolved. Then, BP-TME was added and the temperature was raised to 50°C. Subsequently, stirring was continued at a solid content concentration of 16 wt% at a molar ratio of BP-TME/m-Tolidine = 1 to obtain a polyamic acid solution having a final viscosity of 2000 poise.

이어서, 폴리아믹산 용액을 유리 기판에 도포하고, 160℃에서 5분간 건조한 후, 유리 기판에서 떼어내 텐터 고정 기판에 고정하여 160℃에서 5분, 180℃에서 5분, 220℃에서 5분 유지 후, 220℃로 설정한 전기로에 투입하여 450℃까지 승온시켜 450℃에서 3분간 건조 유지해 폴리이미드 기재를 제조하였다. Then, the polyamic acid solution is applied to a glass substrate, dried at 160° C. for 5 minutes, removed from the glass substrate, fixed to a tenter fixed substrate, and maintained at 160° C. for 5 minutes, 180° C. for 5 minutes, and 220° C. for 5 minutes. , was put into an electric furnace set at 220 ℃, the temperature was raised to 450 ℃, and dried at 450 ℃ for 3 minutes to prepare a polyimide substrate.

실시예 2Example 2

m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 4,4 ODA를 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.Example 1 and Example 1, except that 100 mol% of m-tolidine was not added, and 90 mol% of m-tolidine and 10 mol% of 4,4 ODA were added. Similarly, a polyimide substrate was prepared.

실시예 3Example 3

m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 80 몰% 및 4,4 ODA를 20 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.Example 1 and Example 1, except that 100 mol% of m-tolidine was not added, and 80 mol% of m-tolidine and 20 mol% of 4,4 ODA were added. Similarly, a polyimide substrate was prepared.

실시예 4Example 4

m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 70 몰% 및 4,4 ODA를 30 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.Example 1 and Example 1, except that 100 mol% of m-tolidine was not added, and 70 mol% of m-tolidine and 30 mol% of 4,4 ODA were added. Similarly, a polyimide substrate was prepared.

실시예 5Example 5

m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 3,4 ODA를 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.Example 1 and Example 1, except that 100 mol% of m-tolidine was not added, and 90 mol% of m-tolidine and 10 mol% of 3,4 ODA were added. Similarly, a polyimide substrate was prepared.

실시예 6Example 6

m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 TPE-R을 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.Same as Example 1, except that 100 mol% of m-tolidine was not added, and 90 mol% of m-tolidine and 10 mol% of TPE-R were added. A polyimide substrate was prepared.

실시예 7Example 7

m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 APB를 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.In the same manner as in Example 1, except that 100 mol% of m-tolidine was not added, and 90 mol% of m-tolidine and 10 mol% of APB were added. A mid substrate was prepared.

실시예 8Example 8

m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 4, 4 BAPP를 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.Example 1, except that 100 mol% of m-tolidine was not added, and 90 mol% of m-tolidine and 10 mol% of 4, 4 BAPP were added. Similarly, a polyimide substrate was prepared.

실시예 9Example 9

BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.A polyimide substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that TAHQ was added without BP-TME.

실시예 10Example 10

BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 90 몰% 및 4,4 ODA를 10 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.TAHQ rule was added without BP-TME, m-Tolidine was not added 100 mol%, m-Tolidine 90 mol% and 4,4 ODA was added 10 mol% A polyimide substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that it was added.

실시예 11Example 11

BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 97 몰% 및 3,4 ODA를 3 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.TAHQ rule was added without BP-TME, m-Tolidine was not added 100 mol%, m-Tolidine 97 mol% and 3,4 ODA was added 3 mol% A polyimide substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that it was added.

실시예 12Example 12

BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 97 몰% 및 TPE-R을 3 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.TAHQ rule was added without BP-TME, m-Tolidine was not added 100 mol%, m-Tolidine 97 mol% and TPE-R was added 3 mol% A polyimide substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that

실시예 13Example 13

BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 97 몰% 및 APB를 3 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.TAHQ rule was added without BP-TME, 100 mol% m-tolidine was not added, m-Tolidine 97 mol% and APB were added 3 mol%. Except for the point, a polyimide substrate was prepared in the same manner as in Example 1.

실시예 14Example 14

BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 97 몰% 및 4,4 BAPP를 3 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.TAHQ rule was added without BP-TME, m-Tolidine was not added 100 mol%, m-Tolidine 97 mol% and 4,4 BAPP was 3 mol% A polyimide substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that it was added.

비교예 1Comparative Example 1

m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 60 몰% 및 4,4 ODA를 40 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.Example 1 and Example 1, except that 100 mol% of m-tolidine was not added, and 60 mol% of m-tolidine and 40 mol% of 4,4 ODA were added. Similarly, a polyimide substrate was prepared.

비교예 2Comparative Example 2

m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 20 몰% 및 4,4 ODA를 80 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.Example 1, except that 100 mol% of m-tolidine was not added, and 20 mol% of m-tolidine and 80 mol% of 4,4 ODA were added. Similarly, a polyimide substrate was prepared.

비교예 3Comparative Example 3

m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, 4,4 ODA를 100 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.A polyimide substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that 100 mol% of m-tolidine was not added and 100 mol% of 4,4 ODA was added.

비교예 4Comparative Example 4

BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 60 몰% 및 4,4 ODA를 40 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.TAHQ rule was added without BP-TME, m-Tolidine was not added 100 mol%, m-Tolidine 60 mol% and 4,4 ODA was 40 mol% A polyimide substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that it was added.

비교예 5Comparative Example 5

BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, m-톨리딘(m-Tolidine) 20 몰% 및 4,4 ODA를 80 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.TAHQ rule was added without BP-TME, m-Tolidine was not added 100 mol%, m-Tolidine 20 mol% and 4,4 ODA was 80 mol% A polyimide substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that it was added.

비교예 6Comparative Example 6

BP-TME을 투입하지 않고 TAHQ룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, 4,4 ODA를 100 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.Same as Example 1, except that TAHQ rule was added without BP-TME, 100 mol% of m-tolidine was not added, and 100 mol% of 4,4 ODA was added A polyimide substrate was prepared.

비교예 7Comparative Example 7

BP-TME을 투입하지 않고 PMDA룰 투입하고, m-톨리딘(m-Tolidine)을 100 몰% 투입하지 않고, 4,4 ODA를 100 몰% 투입하였다는 점을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 폴리이미드 기재를 제조하였다.Same as Example 1, except that PMDA was added without BP-TME, 100 mol% of m-tolidine was not added, and 4,4 ODA was added 100 mol% A polyimide substrate was prepared.

DkDk DfDf 열팽창계수
(ppm/℃)
coefficient of thermal expansion
(ppm/℃)
유리전이온도
(℃)
glass transition temperature
(℃)
실시예1Example 1 3.23.2 0.00270.0027 1010 350350 실시예2Example 2 3.23.2 0.00270.0027 1313 350350 실시예3Example 3 3.23.2 0.00270.0027 1616 350350 실시예4Example 4 3.23.2 0.00270.0027 1919 350350 실시예5Example 5 3.23.2 0.00270.0027 1919 350350 실시예6Example 6 3.23.2 0.00270.0027 1919 350350 실시예7Example 7 3.23.2 0.00270.0027 1919 350350 실시예8Example 8 3.23.2 0.00270.0027 1919 350350 실시예9Example 9 3.13.1 0.00350.0035 1616 350350 실시예10Example 10 3.13.1 0.00350.0035 1919 350350 실시예11Example 11 3.13.1 0.00350.0035 1919 350350 실시예12Example 12 3.13.1 0.00350.0035 1919 350350 실시예13Example 13 3.13.1 0.00350.0035 1919 350350 실시예14Example 14 3.13.1 0.00350.0035 1919 350350 비교예1Comparative Example 1 3.23.2 0.00270.0027 4040 350350 비교에22 in comparison 3.23.2 0.00270.0027 5555 350350 비교예3Comparative Example 3 3.23.2 0.00270.0027 7070 350350 비교예4Comparative Example 4 3.13.1 0.00350.0035 6060 350350 비교예5Comparative Example 5 3.13.1 0.00350.0035 8080 350350 비교예6Comparative Example 6 3.13.1 0.00350.0035 100100 350350 비교예7Comparative Example 7 3.33.3 0.010.01 4040 340340

표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 14에 따른 폴리이미드 기재는 비교예 1 내지 비교예 7에 따른 폴리이미드 기재에 비해 낮은 열팽창 계수를 가지는 것을 알 수 있다.Referring to Table 1, it can be seen that the polyimide substrates according to Examples 1 to 14 have a lower coefficient of thermal expansion than the polyimide substrates according to Comparative Examples 1 to 7.

즉, 실시예 1 내지 실시예 14에 따른 폴리이미드 기재는 회로 패턴으로 사용되는 구리의 열팽창 계수(18ppm/℃)와 유사한 열팽창 계수 값을 가지는 것을 알 수 있다.That is, it can be seen that the polyimide substrates according to Examples 1 to 14 have a coefficient of thermal expansion similar to that of copper (18 ppm/° C.) used as a circuit pattern.

즉, 실시예 1 내지 실시예 14에 따른 폴리이미드 기재와 회로패턴의 열팽창 계수 차이는 비교예 1 내지 비교예 7에 따른 폴리이미드 기재와 회로패턴의 열팽창 계수 차이에 비해 작은 것을 알 수 있다.That is, it can be seen that the difference in the coefficient of thermal expansion between the polyimide substrate and the circuit pattern according to Examples 1 to 14 is smaller than the difference in the coefficient of thermal expansion between the polyimide substrate and the circuit pattern according to Comparative Examples 1 to 7.

이에 따라, 실시예 1 내지 실시예 14에 따른 폴리이미드 기재를 포함하는 연성 인쇄회로기판은 회로패턴과의 향상된 사이즈(치수) 안정성 및 접착력을 가질 수 있다.Accordingly, the flexible printed circuit board including the polyimide substrate according to Examples 1 to 14 may have improved size (dimensional) stability and adhesion with the circuit pattern.

또한, 실시예 1 내지 실시예 14에 따른 폴리이미드 기재는 낮은 저유전율, 저유전 정접을 가지므로, 고주파 신호를 전달하는 전자 디바이스에 적용되어도 고주파 신호에 따른 신호 손실을 저감할 수 있다.In addition, since the polyimide substrates according to Examples 1 to 14 have a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, signal loss due to a high frequency signal can be reduced even when applied to an electronic device transmitting a high frequency signal.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects, etc. described in the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and modifications should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the embodiments have been described above, these are merely examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are exemplified above in a range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications that have not been made are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be implemented by modification. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

Claims (5)

TAHQ 또는 BP-TME의 에스테르기를 가지는 산무수물의 제 1 물질; 및
m-톨리딘(m-Tolidine) 및 굴곡성 다이아민(Diamine) 중 적어도 하나의 제 2 물질을 포함하는 연성 인쇄회로기판용 기재.
a first substance of an acid anhydride having an ester group of TAHQ or BP-TME; and
A substrate for a flexible printed circuit board comprising a second material of at least one of m-tolidine and flexible diamine.
제 1항에 있어서,
상기 m-톨리딘(m-Tolidine)은 상기 제 2 물질 전체(100몰%)에 대해 70 몰% 내지 100 몰%로 포함되고,
상기 굴곡성 다이아민은 상기 제 2 물질 전체(100몰%)에 대해 0 몰% 내지 30 몰%로 포함되는 연성 인쇄회로기판용 기재.
The method of claim 1,
The m-tolidine (m-Tolidine) is included in an amount of 70 mol% to 100 mol% with respect to the total (100 mol%) of the second material,
The flexible diamine is included in an amount of 0 mol% to 30 mol% based on the total amount of the second material (100 mol%).
제 1항에 있어서,
상기 굴곡성 다이아민은 4,4 ODA, 3,4 ODA, TPE-R, TPE-Q, 3,3 APB 및 4,4 BAPP 중 적어도 하나를 포함하는 연성 인쇄회로기판용 기재.
The method of claim 1,
The flexible diamine is a substrate for a flexible printed circuit board comprising at least one of 4,4 ODA, 3,4 ODA, TPE-R, TPE-Q, 3,3 APB, and 4,4 BAPP.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항의 연성 인쇄회로기판용 기재를 포함하는 연성 인쇄회로기판.A flexible printed circuit board comprising the substrate for the flexible printed circuit board of any one of claims 1 to 3. TAHQ 또는 BP-TME의 에스테르기를 가지는 산무수물의 제 1 물질; 및 m-톨리딘(m-Tolidine) 및 굴곡성 다이아민(Diamine) 중 적어도 하나의 제 2 물질을 포함하는 연성 인쇄회로기판용 기재;
상기 연성 인쇄회로기판용 기재의 일면 및 타면 중 적어도 하나의 면 상에 배치되고, PMDA, sBPDA를 포함하는 산무수물; 및 4,4BAPP를 포함하는 다이아민을 포함하는 접착층을 포함하는 연성 인쇄회로기판.
a first substance of an acid anhydride having an ester group of TAHQ or BP-TME; and a substrate for a flexible printed circuit board comprising a second material of at least one of m-tolidine and flexible diamine;
an acid anhydride including PMDA and sBPDA, disposed on at least one of one surface and the other surface of the flexible printed circuit board substrate; And a flexible printed circuit board comprising an adhesive layer comprising a diamine containing 4,4BAPP.
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