KR20220055736A - 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

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김현선
손양수
조진현
한정인
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Abstract

디스플레이 모듈이 개시된다. 개시된 디스플레이 모듈은 기판과, 상기 기판의 전면에 적층되고 다수의 TFT(Thin Film Transistor) 전극이 배열된 TFT층과, 다수의 TFT 전극에 전기적으로 연결된 다수의 발광 다이오드와, TFT 층에 적층되어 외부 광을 흡수하는 광 흡수 색을 가지며 다수의 발광 다이오드를 고정하는 반사 방지층과, 반사 방지층과 다수의 발광 다이오드 상에 적층된 보호층을 포함하며, 반사 방지층 내부에서 다수의 TFT 전극과 다수의 발광 다이오드가 전기적으로 연결된다.

Description

디스플레이 모듈 및 그 제조 방법{DISPLAY MODULE AND MANUFACTURING METHOD AS THE SAME}
본 개시는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 외부 광의 반사를 최소화할 수 있는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
자발광 디스플레이 소자는 백 라이트 없이 영상을 표시하는 것으로, 스스로 빛을 내는 마이크로 LED를 이용할 수 있다.
디스플레이 모듈은 마이크로 LED로 이루어진 픽셀 또는 서브 픽셀 단위로 동작이 되면서 다양한 색을 표현한다. 각각의 픽셀 또는 서브 픽셀은 복수의 TFT(Thin Film Transistor)에 의해 동작이 제어된다. 복수의 TFT는 연성 가능한 기판, 글라스 기판 또는 플라스틱 기판에 배열되며 이를 TFT 기판이라고 한다. 디스플레이 모듈은 다수를 연결하여 대형 디스플레이 장치를 제작한다.
본 개시의 목적은 본 발명은 외부 광의 반사를 최소화하여 디스플레이의 명암비를 향상시켜 트루 블랙(true black)을 표현할 수 있는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 개시의 다른 목적은 투과율 손실 없이 LED 발광 및 TFT 구동에 따른 복사열을 차단할 수 있는 디스플레이 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 개시는, 기판; 상기 기판의 전면에 다수의 TFT(Thin Film Transistor) 전극이 배열된 TFT 층; 상기 다수의 TFT 전극에 전기적으로 연결된 다수의 발광 다이오드(Light Emitting Diode); 상기 TFT 층에 적층되어 외부 광을 흡수하는 광 흡수 색을 가지며 상기 다수의 발광 다이오드를 고정하는 반사 방지층; 및 상기 반사 방지층과 상기 다수의 발광 다이오드 상에 적층된 보호층;을 포함하며, 상기 반사 방지층 내부에서 상기 다수의 TFT 전극과 상기 다수의 발광 다이오드가 전기적으로 연결되는 디스플레이 모듈을 제공한다.
상기 반사 방지층은 ACF(Anisotropic Conductive Film)에 블랙 계열의 색상을 가지는 안료 또는 염료를 적용하여 형성될 수 있다.
상기 반사 방지층은 NCF(Non-Conductive Film)에 블랙 계열의 색상을 가지는 안료 또는 염료를 적용하여 형성될 수 있다.
상기 반사 방지층은 블랙 계열의 색상을 가지는 레진(Black resin)으로 형성될 수 있다.
상기 다수의 발광 다이오드는 발광면이 상기 반사 방지층의 외부로 노출될 수 있다.
상기 다수의 발광 다이오드는 상기 발광면이 형성된 부분이 상기 반사 방지층으로부터 돌출될 수 있다.
상기 다수의 발광 다이오드는 각각 상기 발광면이 형성된 반대 부분에 한 쌍의 LED 전극이 형성되며, 상기 한 쌍의 LED 전극은 상기 다수의 TFT 전극과 함께 상기 반사 방지층에 매립될 수 있다.
상기 디스플레이 모듈은 상기 반사 방지층 및 다수의 발광 다이오드를 덮는 몰딩층을 더 포함하며, 상기 보호층은 상기 몰딩층 상에 적층될 수 있다.
상기 디스플레이 모듈은 상기 보호층 상에 적층되는 초저반사층을 더 포함할 수 있다. 상기 디스플레이 모듈은 상기 초저반사층 상에 적층되어 근적외선 및 원적외선을 차단하는 복사열 차단층을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 보호층은 표면에 다수의 난반사 돌기가 형성될 수 있다.
또한, 본 개시는, TFT(Thin Film Transistor) 기판; 상기 TFT 층에 적층되고 블랙 계열을 색상을 가지는 반사 방지층; 상기 반사 방지층을 통해 상기 TFT 층의 다수의 TFT 전극에 전기적으로 각각 연결된 다수의 발광 다이오드(Light Emitting Diode); 및 상기 반사 방지층과 상기 다수의 발광 다이오드 상에 적층된 몰딩층;을 포함하며, 상기 다수의 발광 다이오드는 각각 발광면이 일 부분에 형성되고 상기 발광면이 형성된 반대 부분에 한 쌍의 LED 전극이 형성되어 상기 다수의 TFT 전극 중에서 한 쌍의 LED 전극과 상기 반사 방지층 내에서 전기적으로 연결되는 디스플레이 모듈을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈은 상기 반사 방지층과 상기 다수의 발광 다이오드 상에 적층된 보호층; 및 상기 보호층 상에 적층되는 초저반사층;을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 디스플레이 모듈은 상기 초저반사층 상에 적층되어 근적외선 및 원적외선을 차단하는 복사열 차단층을 더 포함할 수 있다. 상기 보호층은 표면에 다수의 난반사 돌기가 형성될 수 있다.
또한, 본 개시는, 기판에 형성된 TFT(Thin Film Transistor)층 상에 블랙 계열의 색상을 가지는 반사 방지층을 적층하는 단계; 상기 TFT 층에 다수의 발광 다이오드를 전사하는 단계; 상기 다수의 발광 다이오드의 전극과 이에 대응하는 상기 TFT 층 상에 마련된 TFT 전극이 전기적으로 접속하도록, 상기 다수의 발광 다이오드를 상기 TFT 층 방향으로 열압착하여 상기 다수의 발광 다이오드 각각의 한 쌍의 전극이 상기 반사 방지층 내에 매립되면서 상기 TFT 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 다수의 발광 다이오드가 상기 반사 방지층에 의해 고정되도록 하는 단계; 상기 다수의 발광 다이오드는 접착성을 가지는 캡슐화 부재로 덮는 단계; 및 상기 다수의 발광 다이오드 및 상기 반사 방지층에 보호층을 적층하는 단계;를 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법을 제공함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 다수의 발광 다이오드를 전사하는 단계 전에, 레이저 빔으로 상기 반사 방지층의 일부를 제거하여 상기 TFT 층에 마킹되어 있는 정렬 마크를 노출하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 디스플레이 모듈의 제조 방법은 상기 다수의 발광 다이오드를 전사하는 단계 전에, 레이저 빔을 상기 반사 방지층에 조사하여 비전 카메라가 인지할 수 있는 정렬 마크 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 반사 방지층은 상기 TFT 층에 마킹되어 있는 정렬 마크를 비전 카메라로 인지 가능한 투과율을 갖도록 형성될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 픽셀 영역에 실장된 다수의 서브 픽셀이 배치된 예를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 3에 표시된 ₃부분을 나타낸 확대도이다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 과정을 나타낸 흐름도이다.
도 6은 글라스 기판 상에 TFT층이 적층된 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 TFT층 상에 반사 방지층이 적층된 예를 나타낸 도면이다.
도 8은 반사 방지층 상에 다수의 마이크로 LED를 전사한 예를 나타낸 도면이다.
도 9는 다수의 마이크로 LED를 가압 부재로 열압착하여 다수의 TFT 전극에 전기적으로 연결한 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 반사 방지층 및 다수의 마이크로 LED를 덮는 보호층을 형성한 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 보호층 상에 초저반사층을 형성한 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 초저반사층 상에 복사열 차단층을 형성한 예를 나타낸 도면이다.
도 13은 반사 방지 효과를 극대화하기 위해 다수의 난반사 돌기를 형성한 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 레이저 빔으로 반사 방지층 상에 미세한 정렬 마크(Align mark)를 형성하는 예를 나타낸 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 다양한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다. 본 명세서에 기재된 실시 예는 다양하게 변형될 수 있다. 특정한 실시 예가 도면에서 묘사되고 상세한 설명에서 자세하게 설명될 수 있다. 그러나 첨부된 도면에 개시된 특정한 실시 예는 다양한 실시 예를 쉽게 이해하도록 하기 위한 것일 뿐이다. 따라서, 첨부된 도면에 개시된 특정 실시 예에 의해 기술적 사상이 제한되는 것은 아니며, 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 균등물 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상술한 용어에 의해 한정되지는 않는다. 상술한 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 명세서에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 개시에서, '동일하다'는 표현은 완전하게 일치하는 것뿐만 아니라, 가공 오차 범위를 감안한 정도의 상이함을 포함한다는 것을 의미한다.
그 밖에도, 본 개시를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 개시의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그에 대한 상세한 설명은 축약하거나 생략한다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 마이크로 발광 다이오드를 구비한 디스플레이 패널일 수 있다. 디스플레이 모듈은 평판 디스플레이 패널 중 하나로 각각 100 마이크로미터 이하인 복수의 무기 발광 다이오드(inorganic LED)로 구성되어 있다. 백 라이트가 필요한 액정 디스플레이(LCD) 패널에 비해 마이크로 LED 디스플레이 모듈은 더 나은 대비, 응답 시간 및 에너지 효율을 제공한다. 유기발광 다이오드(organic LED)와 무기 발광 소자인 마이크로 LED는 모두 에너지 효율이 좋지만 마이크로 LED는 OLED보다 밝기, 발광효율, 수명이 길다. 마이크로 LED는 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다. 마이크로 LED는 빠른 반응속도, 낮은 전력, 높은 휘도를 가지고 있다. 구체적으로, 마이크로 LED는 기존 LCD(liquid crystal display) 또는 OLED(Organic Light Emitting Diode)에 비해 전기를 광자로 변환시키는 효율이 더 높다. 즉, 기존 LCD 또는 OLED 디스플레이에 비해 "와트당 밝기"가 더 높다. 이에 따라 마이크로 LED는 기존의 LED(가로, 세로, 높이가 각각 100㎛를 초과한다) 또는 OLED에 비해 약 절반 정도의 에너지로도 동일한 밝기를 낼 수 있게 된다. 이외에도 마이크로 LED는 높은 해상도, 우수한 색상, 명암 및 밝기 구현이 가능하여, 넓은 범위의 색상을 정확하게 표현할 수 있으며, 햇빛이 밝은 야외에서도 선명한 화면을 구현할 수 있다. 그리고 마이크로 LED는 번인(burn in) 현상에 강하고 발열이 적어 변형 없이 긴 수명이 보장된다.
본 개시에서, 마이크로 LED는 애노드 및 캐소드 전극이 동일한 제1 면에 형성되고 발광면이 상기 전극들이 형성된 제1 면의 반대 측에 위치한 제2 면에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판은 전면(front surface)에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 형성된 TFT 층이 배치되고, 후면(rear surface)에 TFT 회로에 전원을 공급하고 별도의 제어 기판과 전기적으로 연결되는 회로가 배치될 수 있다. TFT 회로는 TFT 층에 배치된 다수의 픽셀을 구동할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 전면은 활성 영역과 비활성 영역으로 구분될 수 있다. 활성 영역은 글라스 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역에 해당할 수 있고, 비활성 영역은 글라스 기판의 전면에서 TFT 층이 점유하는 영역을 제외한 영역일 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 최 외곽일 수 있다. 또한, 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 회로가 형성된 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다. 또한, 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 측면과 이 측면에 인접한 글라스 기판의 전면 일부와 글라스 기판의 후면 일부를 포함할 수 있다. 글라스 기판은 사각형(quadrangle type)으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 글라스 기판은 직사각형(rectangle) 또는 정사각형(square)으로 형성될 수 있다. 글라스 기판의 에지 영역은 글라스 기판의 4변 중 적어도 하나의 변을 포함할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 에지 영역에는 다수의 측면 배선이 일정한 간격을 두고 형성될 수 있다. 다수의 측면 배선은 일단부가 글라스 기판의 전면에 포함되는 에지 영역에 형성된 다수의 제1 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있고, 타단부가 글라스 기판의 후면에 포함되는 에지 영역에 형성된 다수의 제2 접속 패드와 전기적으로 연결될 수 있다. 다수의 제1 접속 패드는 배선을 통해 글라스 기판의 전면에 배치된 TFT 회로와 연결될 수 있고, 다수의 제2 접속 패드는 배선을 통해 글라스 기판의 후면에 배치된 구동 회로와 연결될 수 있다.
본 개시에서, 전술한 바와 같이 기판이 글라스 기판인 경우 한 면에 TFT 층이 형성될 수 있고, 기판이 합성수지재로 이루어진 보드이면 TFT 층이 양면에 형성될 수 있다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 다수의 측면 배선을 형성함에 따라 TFT 기판의 전면에서 비활성 영역을 최소화하고 활성 영역을 최대화함으로써 베젤 리스화 할 수 있고 디스플레이 모듈에 대한 마이크로 LED의 실장 조밀도가 증가될 수 있다. 이와 같이 베젤 리스화를 구현하는 디스플레이 모듈은 다수를 연결하는 경우 활성 영역을 최대화할 수 있는 대형 디스플레이(LFD: Large Format Display) 장치를 제공할 수 있다. 이 경우 각 디스플레이 모듈은 비활성 영역을 최소화함에 따라 서로 인접한 디스플레이 모듈의 각 픽셀들 간의 피치를 단일 디스플레이 모듈 내의 각 픽셀들 간의 피치와 동일하게 유지하도록 형성할 수 있다. 이에 따라 각 디스플레이 모듈 사이의 연결부분에서 심(seam)이 나타나는 것을 방지할 수 있다.
본 개시에서, 글라스 기판의 4변에 해당하는 에지 영역들 중 서로 마주하는 2변에 해당하는 에지 영역들에 각각 측면 배선이 일정한 간격을 두고 다수가 형성되는 것을 예로 든다. 하지만, 이에 제한되지 않고, 측면 배선은 서로 인접한 2변에 해당하는 에지 영역들에 일정한 간격을 두고 다수가 형성될 수도 있다. 또한, 본 개시에서 측면 배선은 필요에 따라 네 변에 해당하는 에지 영역들 중 한 변에 해당하는 에지 영역에만 일정한 간격을 두고 다수가 형성되나 세 변에 해당하는 에지 영역들에 일정한 간격을 두고 다수가 형성될 수도 있다.
본 개시에서, 디스플레이 모듈은 다수의 LED가 실장되고 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 포함한다. 이와 같은 디스플레이 모듈은 단일 단위로 웨어러블 기기(wearable device), 포터블 기기(portable device), 핸드헬드 기기(handheld device) 및 각종 디스플레이가 필요가 전자 제품이나 전장에 설치되어 적용될 수 있으며, 매트릭스 타입으로 복수의 조립 배치를 통해 PC(personal computer)용 모니터, 고해상도 TV 및 사이니지(signage)(또는, 디지털 사이니지(digital signage)), 전광판(electronic display) 등과 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
이하, 도면을 참고하여 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 디스플레이 모듈(1)은 TFT 기판(12)과, TFT 기판(12) 상에 전사되어 다수의 픽셀을 이루는 다수의 마이크로 LED(20)를 포함할 수 있다.
TFT 기판(12)은 글라스 기판(10)과, 글라스 기판(12)의 전면에 TFT(Thin Film Transistor) 회로가 포함된 TFT 층(11)과, TFT 층(11)의 TFT 회로와 글라스 기판(10)의 후면에 TFT 회로에 전원을 공급하고 별도의 제어 기판과 전기적으로 연결되는 회로(미도시)를 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선(30)을 포함할 수 있다.
TFT 기판(12)은 전면에 영상을 표현하는 활성 영역(active area)(11a)과 영상을 표현할 수 없는 비활성 영역(dummy area)(11b)을 포함한다.
활성 영역(11a)은 다수의 픽셀이 각각 배열되는 다수의 픽셀 영역(13)으로 구획될 수 있다. 다수의 픽셀 영역(13)은 다양한 형태로 구획될 수 있으며, 일 예로서 매트릭스 형태로 구획될 수 있다. 각 픽셀 영역(13)은 다수의 서브 픽셀인 다색 마이크로 LED들이 실장되는 서브 픽셀 영역과, 각 서브 픽셀을 구동하기 위한 픽셀 회로가 배치되는 픽셀 회로 영역을 포함할 수 있다.
다수의 마이크로 LED(20)는 TFT 층(11)의 픽셀 영역에 전사되며, 각 마이크로 LED의 전극은 TFT 층(11)의 픽셀 영역에 형성된 TFT 전극에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 공통 전극 패드는 나란히 배열된 3개의 마이크로 LED(20)의 배열을 고려하여 하나의 직선 형태로 형성될 수도 있다. 다수의 마이크로 LED는 단일 픽셀을 이루는 서브 픽셀일 수 있다. 본 개시에서 하나의 마이크로 LED는 하나의 서브 픽셀을 의미한다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(1)의 픽셀 구동 방식은 AM(Active Matrix) 구동 방식 또는 PM(Passive Matrix) 구동 방식일 수 있다. 디스플레이 모듈(1)은 AM 구동 방식 또는 PM 구동 방식에 따라 각 마이크로 LED가 전기적으로 접속되는 배선의 패턴을 형성할 수 있다.
비활성 영역(11b)은 글라스 기판(10)의 에지 영역(edge area)에 포함될 수 있다. 예를 들면, 본 개시에서 에지 영역은 다수의 측면 배선이 형성되는 영역으로, 글라스 기판(10)의 측면에 대응하는 제1 영역과, 글라스 기판(10)의 측면에 인접한 글라스 기판(10)의 전면(Front surface) 일부에 대응하는 제2 영역과, 글라스 기판(10)의 측면에 인접한 글라스 기판(10)의 후면(Rear surface) 일부에 대응하는 제3 영역을 포함할 수 있다.
다수의 제1 접속 패드(8a)는 제2 영역에 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 다수의 제1 접속 패드(8a)는 각각 배선(8b)을 통해 각 서브 픽셀과 전기적으로 연결될 수 있다.
다수의 제2 접속 패드(미도시)는 제3 영역에 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 다수의 제2 접속 패드는 각각 배선(미도시)을 통해 각 글라스 기판의 후면에 배치된 회로와 전기적으로 연결될 수 있다.
글라스 기판(10)의 에지 영역에는 다수의 제1 및 제2 접속 패드를 호 전기적으로 연결하는 다수의 측면 배선(30)이 형성된다. 예를 들면, 하나의 측면 배선(30)에는 하나의 제1 접속 패드와 하나의 제2 접속 패드가 대응할 수 있다. 이에 따라 하나의 측면 배선(30)의 일단부는 측면 배선(30) 보다 먼저 글라스 기판(10)에 형성된 하나의 제1 접속 패드에 전기적으로 연결되고, 하나의 측면 배선(30)의 타단부는 측면 배선(30) 보다 먼저 글라스 기판(10)에 형성된 하나의 제2 접속 패드에 전기적으로 연결된다.
비활성 영역(11b)에 형성되는 제1 및 제2 접속 패드의 개수는 픽셀의 개수에 따라 달라질 수 있고, 활성 영역(11a)에 배치된 TFT 회로의 구동 방식에 따라 달라질 수 있다. 예를 들면, 활성 영역(11a)에 배치된 TFT 회로가 가로 라인 및 세로 라인으로 다수의 픽셀을 구동하는 PM(Passive Matrix) 구동 방식인 경우에 비해 각 픽셀을 개별적으로 구동하는 AM(Active Matrix) 구동 방식이 더 많은 배선과 접속 패드가 필요할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 픽셀 영역에 실장된 다수의 서브 픽셀이 배치된 예를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 하나의 픽셀 영역(13)에는 하나의 픽셀이 구비될 수 있다. 하나의 픽셀은 적어도 2개 이상의 서브 픽셀(20)을 포함할 수 있다. 본 개시에서는 도 2와 같이 R,G,B 3개의 서브 픽셀(20)을 포함한다.
또한, 하나의 픽셀 영역(13)에는 각 마이크로 LED(20)에 구비된 마이크로 LED의 전극(21, 23)과 전기적으로 각각 연결되는 다수의 TFT 전극(31, 33)이 형성될 수 있다. 도 2와 같이, 하나의 픽셀 영역에 서브 픽셀(20)이 3개이면 TFT 전극(31, 33)은 6개가 마련될 수 있다.
다수의 TFT 전극(31, 33)은 블랙 색상을 가지는 반사 방지층(15)에 의해 덮이지만, 다수의 서브 픽셀(20)은 반사 방지층(15)에 의해 덮이지 않는다. 이 경우, 반사 방지층(15)이 반사율이 높은 금속 물질인 TFT 전극(31, 33)을 덮어 줌으로써 외부 광이 TFT 전극(31, 33)에 반사되는 것을 미연에 차단할 수 있다.
또한, 다수의 TFT 전극(31, 33)을 포함한 전체 TFT 층(11)이 반사 방지층(15)에 의해 덮이지만, 100㎛ 이하의 크기를 가지는 서브 픽셀들(20)은 반사 방지층(15)에 의해 덮이지 않는다. 따라서, 하나의 픽셀 영역에 대한 개구율을 최소화할 수 있으므로 외부 광을 흡수하는 면적을 극대화하여 외부 광의 반사를 최소화할 수 있다.
다수의 TFT 전극(31, 33)은 서브 픽셀 불량 시 대체 서브 픽셀이 전기적으로 연결될 수 있도록, 한 쌍의 TFT 전극(31, 33)당 2개의 서브 픽셀(예를 들면, 불량 서브 픽셀 및 대체 서브 픽셀)이 동시에 연결될 수 있을 정도의 길이(도 2 참조)로 형성될 수 있다. 이 경우, 대체 서브 픽셀이 배치될 영역에 대응하는 TFT 전극(31, 33)의 일 부분이 노출되도록 반사 방지층(15)의 일부를 박리한 후, 대체 서브 픽셀을 TFT 전극(31, 33)에 전기적으로 연결할 수 있다.
본 개시에서 마이크로 LED(20)는 무기 발광물질로 이루어지고, 전원이 공급되는 경우 스스로 광을 발산할 수 있는 반도체 칩일 수 있다. 마이크로 LED(20)는 소정의 두께를 가지며 폭과 길이가 동일한 정사각형이거나, 도 2와 같이 폭과 길이가 상이한 직사각형으로 이루어질 수 있다. 이와 같은 마이크로 LED는 리얼 HDR(Real High Dynamic Range) 구현이 가능하고 OLED 대비 휘도 및 블랙 표현력 향상 및 높은 명암비를 제공할 수 있다. 마이크로 LED의 크기는 100㎛ 이하이거나 바람직하게는 30㎛ 이하일 수 있다. 마이크로 LED(20)는 한 쌍의 전극(21, 23)(예를 들면, 애노드 및 캐소드 전극)이 동일면에 형성되고 발광면이 상기 전극(21, 23)들 반대편에 형성된 플립칩(Flip chip) 구조를 가질 수 있다.
도 3은 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈을 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 4는 도 3에 표시된 ₃부분을 나타낸 확대도이다.
도 3을 참조하면, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(1)은 TFT 층(11) 및 다수의 TFT 전극(31, 33)을 덮는 반사 방지층(15)이 적층될 수 있다.
이에 따라, TFT 층(11)의 전면 전체에 대하여 다수의 마이크로 LED(20)가 점유한 영역을 제외한 나머지 영역은 반사 방지층(15)에 덮일 수 있다.
반사 방지층(15)은 광 흡수 색(light absorbing color) 예를 들면, 블랙 계열의 색상을 가지도록 형성되어 디스플레이 모듈(1)로 조사되는 외부 광을 흡수함으로써 외부 광이 투명한 TFT 층(11) 및 금속 물질로 이루어지는 다수의 TFT 전극(31, 33)에 의해 반사되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
반사 방지층(15)은 염료 또는 안료를 적용하여 블랙 계열의 색상을 가지는 ACF(Anisotropic Conductive Film)(이하, '블랙 ACF')일 수 있다. 마이크로 LED(20)는 블랙 ACF로 이루어진 반사 방지층(15)이 TFT 층(11) 상에 부착된 후 TFT 층(11)에 전사된다. TFT 층(11)에 전사된 마이크로 LED(20)는 열압착 공정에서 TFT 층(11)을 향해 가압된다.
열압착 공정 시 다수의 마이크로 LED(20)는 마이크로 LED의 전극(21, 23)을 포함한 마이크로 LED(20)의 하부가 반사 방지층(15) 내부로 인입된다. 마이크로 LED의 전극(21, 23)은 반사 방지층(15)의 내부에서 대응하는 TFT 전극(31, 33)은 상호 전기적으로 연결된다.
한편, 반사 방지층(15)은 블랙 ACF 대신 염료 또는 안료를 적용하여 블랙 계열의 색상을 가지는 NCF(Non-Conductive Film)(이하, '블랙 NCF')로 이루어지는 것도 물론 가능하다.
도 4를 참조하면, 열압착 공정에 의해 마이크로 LED(20)가 가압되면서 마이크로 LED의 전극(21, 23)을 포함한 마이크로 LED의 하부는 반사 방지층(15)에 매립된 상태로 될 수 있다. 이 경우, 다수의 마이크로 LED(20)는 발광면(전극이 형성된 면의 반대면)을 포함한 상부가 반사 방지층(15)의 상부로 소정 길이만큼 돌출될 수 있다. 마이크로 LED의 발광면(20a)은 반사 방지층의 상면(15a)보다 높은 위치에 배치되지만, 마이크로 LED의 활성층(25)은 반사 방지층의 상면(15a)보다 낮은 위치에 있을 수 있다.
또한, 마이크로 LED의 전극(21, 23)과 TFT 전극(31, 33)의 사이에는 반사 방지층(15)의 일부가 채워질 수 있다.
다수의 마이크로 LED(20)는 반사 방지층(15)에 하부가 삽입(또는 매립)되는 형상으로 유지되므로 반사 방지층(15)이 가지는 점성 또는 반사 방지층(15)이 경화(hardening)됨에 따라 반사 방지층(15)에 의해 고정될 수 있다. 따라서, 마이크로 LED의 전극(21, 23)과 TFT 전극(31, 33) 간 전기적 연결이 안정적으로 유지될 수 있다.
마이크로 LED의 활성층(25)에서 생성되는 빛은 도 4와 같이 대부분 발광면(20a)을 통해 방사되고, 마이크로 LED의 활성층(25)으로부터 측방향으로 방사되는 빛은 반사 방지층(15)에 의해 차단된다. 이에 따라, 디스플레이 모듈(1)은 별도의 블랙 매트릭스를 구비하지 않아도 서로 인접하게 배치된 마이크로 LED에서 방사되는 빛이 혼합되는 것을 최소화할 수 있다.
반사 방지층(15)은 전술한 블랙 ACF 또는 블랙 NCF로 한정될 필요는 없다. 예를 들면, 반사 방지층(15)은 소정 두께를 가지는 블랙 계열의 색상을 가지는 레진(Resin)(이하, '블랙 레진')으로 형성될 수 있다. 이 경우, 블랙 레진은 절연체일 수 있다.
블랙 레진으로 이루어지는 반사 방지층(15)은 예를 들면 포토 레지스트 공정과 노광 및 현상 공정을 순차적으로 거쳐 각 TFT 전극(31, 33)의 일부를 제외한 TFT 층(11)을 블랙 레진으로 도포할 수 있다. 여기서, 각 TFT 전극(31, 33)의 일부는 마이크로 LED의 전극(21, 23)과 전기적인 접속을 위해 블랙 레진에 의해 덮이지 않는 부분을 의미한다.
또한, 포토 레지스트 공정 외에도 실크 스크린인쇄 공정, 잉크 젯 공정, 스핀 코팅(Spin Coating) 공정 등과 같은 박막 코팅 기술을 활용하여 블랙 레진으로 이루어진 반사 방지층(15)을 TFT 층(11)에 형성할 수 있다.
이와 같이 블랙 레진으로 이루어진 반사 방지층(15)은 상면(15a)이 도 4와 같이 마이크로 LED의 활성층(25)보다 높은 위치에 배치되는 두께를 가지는 것이 바람직하다.
한편, 본 개시에서, 마이크로 LED(20)의 활성층(25)은 도 4와 같이 제1 및 제2 반도체층(26, 27) 사이에 배치될 수 있다. 마이크로 LED(20)의 제1 반도체층(26)의 저면에는 한 쌍의 전극(21, 23)(예를 들면, 애노드 및 캐소드 전극)이 배치될 수 있고, 제2 반도체층(27) 상면에는 발광면(20a)을 가지는 전류확산층(28)이 적층될 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 마이크로 LED(20)는 한 쌍의 전극(21, 23)이 있는 면과 발광면(20a) 사이에 위치한 마이크로 LED(20)의 측면에는 패시베이션층(passivation layer)(미도시)이 형성될 수 있다. 패시베이션층은 마이크로 LED의 측면을 보호하고, 활성층(25)에서 방사되는 빛을 반사하여 마이크로 LED의 발광면(20a)으로 안내할 수 있다.
이하, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 방법을 설명한다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 제조 공정을 나타낸 흐름도이고, 도 6 내지 도 12는 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈의 각 제조 공정을 개략적으로 도시한 도면들이다.
먼저, 도 6과 같이 글라스 기판(10)의 일면에 TFT 층(11)이 적층된 TFT 기판(12)을 준비한다.
도 7을 참조하면, TFT 기판(12)의 상면 전체 영역에 블랙 컬러를 가지는 반사 방지층(15)을 적층한다(S11). 이 경우, 반사 방지층(15)은 블랙 ACF로 이루어질 수 있다.
도 8을 참조하면, TFT 기판(12)에 다수의 마이크로 LED(20)를 전사한다(S12).
각 마이크로 LED(20)는 캐리어 기판(미도시)으로부터 예를 들면 LLO(Laser Lift-Off) 방식에 의해 반사 방지층(15)의 상면으로 전사될 수 있다. 이 경우, 마이크로 LED의 전극(21, 23)은 대응하는 TFT 전극(31, 33)과 소정 간격(대략 반사 방지층(15)의 두께에 해당하는 간격)으로 이격된 상태를 유지할 수 있다.
도 9를 참조하면, 가압 부재(50)를 이용하여 다수의 마이크로 LED(20)를 TFT 층(12) 측으로 열압착한다(S13).
이 경우, TFT 기판(12)이 안착된 다이(미도시)는 TFT 기판(12)이 손상되지 않는 온도 범위로 TFT 기판(12)을 가열하여 마이크로 LED의 전극(21, 23)과 이에 대응하는 TFT 전극(31, 33)이 상호 견고하게 접속될 수 있는 환경을 조성할 수 있다.
이에 따라, 각 마이크로 LED(20)는 가압 부재(50)에 의해 TFT 층(12) 측으로 가압되어 마이크로 LED의 전극(21, 23)이 각각 대응하는 TFT 전극(31, 33)과 전기적으로 접속될 수 있다.
이어서, 각 마이크로 LED(20)를 몰딩층(molding layer) 이용하여 각 마이크로 LED(20)를 캡슐화할 수 있다. 도면에 도시하지는 않았으나, 몰딩층은 보호층(17)과 유사하게 반사 방지층(15)과 다수의 마이크로 LED(20) 상에 적층 형성될 수 있다. 몰딩층은 실리콘이나 에폭시로 이루어지는 OCA(Optically Clear Adhesive) 또는 감압 접착제(Pressure sensitive adhesive, PSA) 등을 사용할 수 있다. 반사 방지층(15)과 다수의 마이크로 LED(20)를 덮는 몰딩층을 형성하는 경우, 몰딩층 상에 보호층(17)이 적층될 수 있다. 몰딩층은 보호층(17)의 적층 공정에서 TFT 기판(12)과 보호층(17) 간의 결합을 위한 접착 기능을 할 수 있다.
도 10을 참조하면, 캡슐화 부재에 의해 캡슐화된 마이크로 LED(20)를 외부 충격으로부터 보호하기 위해 보호층(17)을 적층한다(S14).
보호층(17)은 투명 필름이나 소정 두께를 가지는 투명 글라스로 이루어질 수 있다. 이와 같이 보호층(17)을 적층하는 공정까지 완료되면 하나의 디스플레이 모듈(1)로서 사용할 수 있다.
이와 같이 형성된 디스플레이 모듈(1)은 블랙 컬러를 가지는 반사 방지층(15)에 의해 TFT 층(11)의 전체 영역에서 각 서브 픽셀이 점유하는 영역을 제외한 나머지 영역을 블랙화 할 수 있다. 이 경우, 대체 마이크로 LED를 실장하기 위해 여분의 길이를 갖도록 길게 형성한 TFT 전극(31, 33)(도 2 참조)이 오픈되지 않고 반사 방지층(15)에 의해 덮이므로 전극(31, 33)에 외부 광이 반사되는 것을 근본적으로 차단할 수 있다. 이에 따라, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(1)은 디스플레이 명암비를 향상시킬 수 있다.
한편, 도 11을 참조하면, 본 개시의 일 실시 예에 따른 디스플레이 모듈(1)은 외부 광의 반사를 더 줄이기 위해 보호층(17) 상에 초저반사층(18)을 적층할 수 있다(S15).
초저반사층(18)은 반사 방지(anti-reflection) 및 눈부심 방지(anti-glare) 역할을 하며, 예를 들면 PET(Polyethylene Terephthalate), PEN(Polyethylene Naphthalate), COP(Cyclo-Olefin Polymer), TAC(Tri-Acetyl Cellulose) 필름 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
또한, 디스플레이의 대형화에 따라 디스플레이 장치에서 발생하는 복사열이 사용자에게 전달될 수 있다.
이와 같은 복사열을 차단하기 위해, 도 12와 같이, 초저반사층(18) 상에 근적외선(NIR) 및 원적외선(FIR)을 차단하는 복사열 차단층(19)을 추가로 적층할 수 있다(S16).
이 경우, 복사열 차단층(10)에 의한 투과율 손실을 최소화하기 위해 복사열 차단층(10)의 재질은 Ag일 수 있으며 두께는 약 5㎛의 박막으로 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이, 반사 방지층(15)과 다수의 마이크로 LED(20)를 덮는 몰딩층과 보호층(17)이 적층된 경우, 초저반사층(18)은 보호층(17) 상에 적층되고 복사열 차단층(19)은 초저반사층(18) 상에 적층 될 수 있다.
한편, TFT 기판(12)(또는 글라스 기판(10))은 마이크로 LED 전사 공정 및 그 이후 공정에서 여러 번 자세가 정렬된다. 이 경우, 비전 카메라(미도시)를 통해 TFT 기판(12)에 마킹된 정렬 마크(Align Mark)를 확인하고 이를 레퍼런스로 하여 TFT 기판(12)을 정렬할 수 있다.
그런데 정렬 마크는 TFT 기판(12)에 블랙 계열의 색상을 가지는 반사 방지층(15)이 형성되기 전에 TFT 기판(12)에 마킹된다. 이에 따라, TFT 층(11)에서 각 서브 픽셀을 제외한 나머지 영역이 반사 방지층(15)에 의해 블랙화 되면 마이크로 LED 전사 공정 및 그 이후 공정에서 비전 카메라(미도시)를 통해 TFT 기판(12)에 형성된 정렬 마크의 인식이 어려울 수 있다.
도 13은 반사 방지 효과를 극대화하기 위해 다수의 난반사 돌기를 형성한 예를 나타낸 도면이다.
도 13을 참조하면, 보호층(17a)의 상면에는 비즈(beads) 또는 임프린트(imprinting) 공정을 통해 다수의 난반사 돌기(17b)를 형성할 수 있다.
다수의 난반사 돌기(17b)에 의해 표면이 거칠게 형성된 보호층(17a)은 외부 광을 난반사시켜 반사 방지 효과를 극대화할 수 있다. 다수의 난반사 돌기(17b)는 규칙적인 패턴으로 형성되거나 불규칙적으로 형성될 수 있다.
초저반사층(18a)은 다수의 난반사 돌기(17b) 상에 적층될 수 있다. 이 경우, 다수의 난반사 돌기(17b)를 따라 요철 형상을 이룰 수 있다. 복사열 차단층(19a)은 요철 형상을 가지는 초저반사층(18a) 상에 적층되어 초저반사층(18a)과 마찬가지로 요철 형상을 가지 수 있다.
도면에 도시하지는 않았으나, 도 13에 도시된 디스플레이 모듈에 몰딩층을 더 포함할 수 있다. 이 경우 보호층(17a)은 반사 방지층(15)과 다수의 마이크로 LED(20) 상에 적층된 몰딩층 상에 적층 형성될 수 있다.
도 14는 레이저 빔으로 반사 방지층 상에 미세한 정렬 마크(Align mark)를 형성하는 예를 나타낸 도면이다.
도 14를 참조하면, 비전 카메라에 의해 TFT 기판(12)의 정렬 마크(61)를 촬영할 수 있도록, 레이저 조사장치(60)를 통해 반사 방지층(15)의 일부 영역을 레이저 빔으로 제거하여 반사 방지층(15)에 의해 덮여 있는 정렬 마크(61)를 노출시킬 수 있다.
다른 예로서, TFT 기판(12)에 정렬 마크(61)가 마킹되지 않은 경우, 레이저 빔을 반사 방지층(15) 상에 조사하여 정렬 마크(61)와 같은 형상으로 패터닝할 수 있다. 이와 같이 반사 방지층(15) 상에 형성된 정렬 마크 패턴은 비전 카메라를 통해 블랙 컬러인 반사 방지층(15)보다 밝게 나타나므로 정렬 마크로 사용할 수 있다.
다른 예로서, 반사 방지층(15) 형성 전에 TFT 기판(12)에 마킹된 정렬 마크(61)를 비전 카메라가 인지할 수 있도록 반사 방지층(15)의 투과율을 조절할 수 있다. 이 경우 비전 카메라는 가시광 영역을 인식할 수 있는 카메라일 수 있다.
다른 예로서, 반사 방지층(15)이 가시광 영역에서 빛을 흡수하고 적외선 영역에 투명하게 인지되는 블랙 컬러의 안료 또는 염료를 첨가하여 제작할 수 있다. 이 경우, 비전 카메라는 TFT 기판(12)에 적외선을 조사하고 반사된 빛을 통해 정렬 마크를 인지할 수 있다. 이 경우, 비전 카메라는 적외선 카메라 도는 가시광 카메라일 수 있다.
본 개시에서는 이와 같은 다양한 방법을 통해 TFT 기판(12)의 정렬 마크를 인지할 수 있고, 이를 통해 마이크로 LED 전사 공정 및 그 이후 공정에서 TFT 기판(12)의 자세를 정렬할 수 있다.
이상에서는 본 개시의 다양한 실시예를 각각 개별적으로 설명하였으나, 각 실시예들은 반드시 단독으로 구현되어야만 하는 것은 아니며, 각 실시예들의 구성 및 동작은 적어도 하나의 다른 실시예들과 조합되어 구현될 수도 있다.
또한, 이상에서는 본 개시의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 개시는 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위상에서 청구하는 본 개시의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 개시의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
1: 디스플레이 모듈
10: 글라스 기판
11: TFT 층
12: TFT 기판
13: 픽셀 영역
15: 반사 방지층
17: 보호층
18: 초저반사층
19: 복사열 차단층
20: 마이크로 LED
21, 23: 마이크로 LED의 전극
31, 33: TFT 전극

Claims (19)

  1. 기판;
    상기 기판의 전면에 다수의 TFT(Thin Film Transistor) 전극이 배열된 TFT층;
    상기 다수의 TFT 전극에 전기적으로 연결된 다수의 발광 다이오드(Light Emitting Diode);
    상기 TFT 층에 적층되어 외부 광을 흡수하는 광 흡수 색을 가지며 상기 다수의 발광 다이오드를 고정하는 반사 방지층; 및
    상기 반사 방지층과 상기 다수의 발광 다이오드 상에 적층된 보호층;을 포함하며,
    상기 반사 방지층 내부에서 상기 다수의 TFT 전극과 상기 다수의 발광 다이오드가 전기적으로 연결되는, 디스플레이 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반사 방지층은 ACF(Anisotropic Conductive Film)에 블랙 계열의 색상을 가지는 안료 또는 염료를 적용하여 형성된, 디스플레이 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 반사 방지층은 NCF(Non-Conductive Film)에 블랙 계열의 색상을 가지는 안료 또는 염료를 적용하여 형성된, 디스플레이 모듈.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반사 방지층은 블랙 계열의 색상을 가지는 레진(Black resin)으로 형성된, 디스플레이 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드는 발광면이 상기 반사 방지층의 외부로 노출된, 디스플레이 모듈.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드는 상기 발광면이 형성된 부분이 상기 반사 방지층으로부터 돌출된, 디스플레이 모듈.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드는 각각 상기 발광면이 형성된 반대 부분에 한 쌍의 LED 전극이 형성되며,
    상기 한 쌍의 LED 전극은 상기 다수의 TFT 전극과 함께 상기 반사 방지층에 매립된, 디스플레이 모듈.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반사 방지층 및 다수의 발광 다이오드를 덮는 몰딩층을 더 포함하며,
    상기 보호층은 상기 몰딩층 상에 적층되는, 디스플레이 모듈.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 보호층 상에 적층되는 초저반사층을 더 포함하는, 디스플레이 모듈.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 초저반사층 상에 적층되어 근적외선 및 원적외선을 차단하는 복사열 차단층을 더 포함하는, 디스플레이 모듈.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 보호층은 표면에 다수의 난반사 돌기가 형성된, 디스플레이 모듈.
  12. TFT(Thin Film Transistor) 기판;
    상기 TFT 층에 적층되고 블랙 계열을 색상을 가지는 반사 방지층;
    상기 반사 방지층을 통해 상기 TFT 층의 다수의 TFT 전극에 전기적으로 각각 연결된 다수의 발광 다이오드(Light Emitting Diode); 및
    상기 반사 방지층과 상기 다수의 발광 다이오드 상에 적층된 몰딩층;을 포함하며,
    상기 다수의 발광 다이오드는 각각 발광면이 일 부분에 형성되고 상기 발광면이 형성된 반대 부분에 한 쌍의 LED 전극이 형성되어 상기 다수의 TFT 전극 중에서 한 쌍의 LED 전극과 상기 반사 방지층 내에서 전기적으로 연결되는 디스플레이 모듈.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 반사 방지층과 상기 다수의 발광 다이오드 상에 적층된 보호층; 및
    상기 보호층 상에 적층되는 초저반사층;을 더 포함하는, 디스플레이 모듈.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 초저반사층 상에 적층되어 근적외선 및 원적외선을 차단하는 복사열 차단층을 더 포함하는, 디스플레이 모듈.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 보호층은 표면에 다수의 난반사 돌기가 형성된, 디스플레이 모듈.
  16. 기판에 형성된 TFT(Thin Film Transistor) 층 상에 블랙 계열의 색상을 가지는 반사 방지층을 적층하는 단계;
    상기 TFT 층에 다수의 발광 다이오드를 전사하는 단계;
    상기 다수의 발광 다이오드의 전극과 이에 대응하는 상기 TFT 층 상에 마련된 TFT 전극이 전기적으로 접속하도록, 상기 다수의 발광 다이오드를 상기 TFT 층 방향으로 열압착하여 상기 다수의 발광 다이오드 각각의 한 쌍의 전극이 상기 반사 방지층 내에 매립되면서 상기 TFT 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 다수의 발광 다이오드가 상기 반사 방지층에 의해 고정되도록 하는 단계;
    상기 다수의 발광 다이오드는 접착성을 가지는 캡슐화 부재로 덮는 단계; 및
    상기 다수의 발광 다이오드 및 상기 반사 방지층에 보호층을 적층하는 단계;를 포함하는 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드를 전사하는 단계 전에,
    레이저 빔으로 상기 반사 방지층의 일부를 제거하여 상기 TFT 층에 마킹되어 있는 정렬 마크를 노출하는 단계를 더 포함하는, 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 다수의 발광 다이오드를 전사하는 단계 전에,
    레이저 빔을 상기 반사 방지층에 조사하여 비전 카메라가 인지할 수 있는 정렬 마크 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는, 디스플레이 모듈의 제조 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 반사 방지층은 상기 TFT 층에 마킹되어 있는 정렬 마크를 비전 카메라로 인지 가능한 투과율을 갖도록 형성되는, 디스플레이 모듈의 제조 방법.
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