KR20220053193A - Circuit board and mehod of manufacturing thereof - Google Patents

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KR20220053193A
KR20220053193A KR1020200137340A KR20200137340A KR20220053193A KR 20220053193 A KR20220053193 A KR 20220053193A KR 1020200137340 A KR1020200137340 A KR 1020200137340A KR 20200137340 A KR20200137340 A KR 20200137340A KR 20220053193 A KR20220053193 A KR 20220053193A
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

A circuit board according to an embodiment includes: a first substrate layer; a second substrate layer which is disposed on the first substrate layer; a third substrate layer which is disposed under the first substrate layer; a first solder resist layer which is disposed on the second substrate layer; and a second solder resist layer which is disposed under the third substrate layer. The third substrate layer constitutes an antenna unit. The second substrate layer constitutes a driving unit for driving the antenna unit. The thickness of the first solder resist layer is greater than the thickness of the second solder resist layer.

Description

회로기판 및 이의 제조 방법{CIRCUIT BOARD AND MEHOD OF MANUFACTURING THEREOF}Circuit board and manufacturing method thereof

실시 예는 회로기판에 관한 것으로, 특히 회로기판의 휨(warpage) 발생을 최소화할 수 있는 회로기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a circuit board, and more particularly, to a circuit board capable of minimizing the occurrence of warpage of the circuit board and a method of manufacturing the same.

회로기판(Printed Circuit Board; PCB)은 소정의 전자부품을 전기적으로 연결하거나 또는 기계적으로 고정해주는 회로기판으로서, 페놀 수지 또는 에폭시 수지 등의 절연층과 절연층에 부착되어 소정의 배선패턴이 형성되는 동박층으로 구성되어 있다.A printed circuit board (PCB) is a circuit board that electrically connects or mechanically fixes predetermined electronic components. It is composed of a copper foil layer.

이러한, 회로기판은 층수에 따라 절연층의 한쪽 면에만 배선이 형성된 단면 회로기판, 절연층의 양면에 배선이 형성된 양면 회로기판 및 다층으로 배선이 형성된 다층 회로기판으로 크게 분류된다.Such a circuit board is broadly classified into a single-sided circuit board in which wiring is formed on only one side of an insulating layer, a double-sided circuit board in which wiring is formed on both sides of an insulating layer, and a multi-layer circuit board in which wiring is formed in multiple layers according to the number of layers.

이러한 회로기판의 제조 과정에서, 회로기판이 열처리 되는 공정을 거치면서 휨(warpage)이 발생할 수 있다. 전자제품의 소형, 박형화에 따라 회로기판도 박판화 되고 있고, 박판화가 진행될수록 휨에 따른 불량률이 문제가 될 수 있다. 휨 발생 원인은 절연재와 금속 회로 간의 열팽창계수(CTE) 차이, 탄성계수의 차이 등 다양하다. In the manufacturing process of such a circuit board, warpage may occur while the circuit board is subjected to a heat treatment process. As electronic products become smaller and thinner, circuit boards are also becoming thinner, and as the thinning progresses, the defect rate due to warpage can become a problem. The causes of warpage are various, such as the difference in the coefficient of thermal expansion (CTE) between the insulating material and the metal circuit, and the difference in the elastic modulus.

또한, 최근에는 기판 패키지 제조 시에 공정상의 생산성 향상시키기 위해 다수 개의 회로기판의 유닛들이 하나로 형성된 스트립 구조로 제조되고, 이를 통상 회로기판 스트립이라 한다. In addition, in recent years, in order to improve productivity in the manufacturing process of the substrate package, a plurality of circuit board units are manufactured in a single strip structure, which is commonly referred to as a circuit board strip.

이때, 상기 회로기판 스트립은 중앙 영역에 회로기판 유닛들이 배치되고, 외곽 영역에는 스트립 검사 공정이나 어셈블리 공정의 자동화를 위한 정렬 홀이 형성되어 있다. In this case, in the circuit board strip, circuit board units are disposed in a central area, and alignment holes for automating the strip inspection process or assembly process are formed in the outer area.

이때, 상기와 같은 회로기판 스트립의 제조시의 스트립 휨 현상이 발생하게 되면, 스트립 검사 공정 및 어셈블리 공정 등의 자동화 공정 진행이 불가한 상태가 발생하는 문제점이 있다.At this time, when the strip bending phenomenon occurs during the manufacturing of the circuit board strip as described above, there is a problem in that the automated process such as the strip inspection process and the assembly process cannot proceed.

실시 예에서는 회로기판의 휨(warpage) 발생을 최소화하여 신뢰성을 개선할 수 있는 회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.An embodiment is to provide a circuit board capable of improving reliability by minimizing the occurrence of warpage of the circuit board and a method of manufacturing the same.

또한, 실시 예에서는 회로기판의 최상부에 배치되는 제1 솔더 레지스트층의 두께 조절을 통해 회로기판의 전체적인 휨 발생을 최소화할 수 있도록 한 회로 기판 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment intends to provide a circuit board and a method of manufacturing the same to minimize the overall warpage of the circuit board by controlling the thickness of the first solder resist layer disposed on the top of the circuit board.

또한, 실시 예에서는 회로 기판의 최하부에 배치되는 제2 솔더 레지스트층의 두께 조절을 통해 회로기판의 전체적인 휨 발생을 최소화할 수 있도록 한 회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment intends to provide a circuit board capable of minimizing the overall warpage of the circuit board by controlling the thickness of the second solder resist layer disposed on the lowermost portion of the circuit board, and a method of manufacturing the same.

또한, 실시 예에서는 회로기판의 최상부에 배치되는 제1 최외측 회로패턴층의 두께 조절을 통해 회로기판의 전체적인 휨 발생을 최소화할 수 있도록 한 회로기판 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한다.In addition, the embodiment intends to provide a circuit board capable of minimizing the overall warpage of the circuit board by controlling the thickness of the first outermost circuit pattern layer disposed on the uppermost portion of the circuit board, and a method of manufacturing the same.

또한, 실시 예에서는 회로기판의 최하부에 배치되는 제2 외층 회로 패턴의 두께 조절을 통해 회로기판의 전체적인 휨 발생을 최소화할 수 있도록 한다.In addition, in the embodiment, the overall warpage of the circuit board can be minimized by adjusting the thickness of the second outer layer circuit pattern disposed on the lowermost part of the circuit board.

제안되는 실시 예에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 제안되는 실시 예가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical tasks to be achieved in the proposed embodiment are not limited to the technical tasks mentioned above, and other technical tasks not mentioned are clear to those of ordinary skill in the art to which the proposed embodiment belongs from the description below. can be understood clearly.

실시 예에 따른 회로 기판은 제1 기판층; 상기 제1 기판층 위에 배치되는 제2 기판층; 상기 제1 기판층 아래에 배치되는 제3 기판층; 상기 제2 기판층 위에 배치되는 제1 솔더 레지스트층; 및 상기 제3 기판층 아래에 배치되는 제2 솔더 레지스트층을 포함하고, 상기 제3 기판층은, 안테나부를 구성하고, 상기 제2 기판층은 상기 안테나부를 구동하는 구동부를 구성하며, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는, 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께보다 크다.A circuit board according to an embodiment includes a first substrate layer; a second substrate layer disposed on the first substrate layer; a third substrate layer disposed under the first substrate layer; a first solder resist layer disposed on the second substrate layer; and a second solder resist layer disposed under the third substrate layer, wherein the third substrate layer constitutes an antenna unit, and the second substrate layer constitutes a driving unit for driving the antenna unit, wherein the first The thickness of a soldering resist layer is larger than the thickness of a said 2nd soldering resist layer.

또한, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는, 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께의 130% 내지 200% 사이의 범위를 가진다.In addition, the thickness of the first solder resist layer has a range of 130% to 200% of the thickness of the second solder resist layer.

또한, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는 16㎛ 내지 20㎛ 범위를 만족하고, 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께는 10㎛ 내지 15㎛ 범위를 만족한다.In addition, the thickness of the first solder resist layer satisfies the range of 16 μm to 20 μm, and the thickness of the second solder resist layer satisfies the range of 10 μm to 15 μm.

또한, 상기 제2 기판층은, 제1 내측 회로 패턴층 및 제1 최외측 회로 패턴층을 포함하고, 상기 제3 기판층은 제2 내측 회로 패턴층 및 제2 최외측 회로 패턴층을 포함하고, 상기 제1 내측 회로 패턴층의 두께는, 상기 제1 내측 회로 패턴층, 상기 제2 내측 회로 패턴층 및 상기 제2 최외측 회로 패턴층의 각각의 두께보다 크다.In addition, the second substrate layer includes a first inner circuit pattern layer and a first outermost circuit pattern layer, and the third substrate layer includes a second inner circuit pattern layer and a second outermost circuit pattern layer, , A thickness of the first inner circuit pattern layer is greater than each of the first inner circuit pattern layer, the second inner circuit pattern layer, and the second outermost circuit pattern layer.

또한, 상기 제1 내측 회로 패턴층은 복수 개이고, 상기 제1 최외측 회로 패턴층의 두께는, 상기 복수의 제1 내측 회로 패턴층의 두께의 평균값보다 크다.In addition, the first inner circuit pattern layer is plural, and the thickness of the first outermost circuit pattern layer is greater than an average value of the thicknesses of the plurality of first inner circuit pattern layers.

또한, 상기 제1 최외측 회로 패턴층의 두께는 16㎛ 내지 20㎛의 범위를 만족한다.In addition, the thickness of the first outermost circuit pattern layer satisfies the range of 16 μm to 20 μm.

또한, 상기 제1 내측 회로 패턴층 및 제1 최외측 회로 패턴층의 각각의 면적의 평균값은, 상기 제2 내측 회로 패턴층 및 제2 최외측 회로 패턴층의 각각의 면적의 평균값보다 크다.In addition, the average value of the respective areas of the first inner circuit pattern layer and the first outermost circuit pattern layer is larger than the average value of the respective areas of the second inner circuit pattern layer and the second outermost circuit pattern layer.

또한, 상기 제2 기판층은, 제1 내측 절연층 및 제1 최외측 절연층을 포함하고, 상기 제3 기판층은, 제2 내측 절연층 및 제2 최외측 절연층을 포함하고, 상기 제1 내측 회로 패턴층은 상기 제1 내측 절연층 위에 배치되고, 상기 제1 최외측 회로 패턴층은 상기 제1 최외측 절연층 위에 배치되고, 상기 제2 내측 회로 패턴층은 상기 제2 내측 절연층 아래에 배치되고, 상기 제2 최외측 회로 패턴층은 상기 제2 최외측 절연층 아래에 배치된다.In addition, the second substrate layer includes a first inner insulating layer and a first outermost insulating layer, the third substrate layer includes a second inner insulating layer and a second outermost insulating layer, 1 inner circuit pattern layer is disposed on the first inner insulating layer, the first outermost circuit pattern layer is disposed on the first outermost insulating layer, and the second inner circuit pattern layer is disposed on the second inner insulating layer disposed below, and the second outermost circuit pattern layer is disposed under the second outermost insulating layer.

또한, 상기 제1 내측 절연층 및 제1 최외측 절연층의 각각의 두께의 평균값은, 상기 제2 내측 절연층 및 제2 최외측 절연층의 각각의 두께의 평균값보다 작다.In addition, the average value of the respective thicknesses of the first inner insulating layer and the first outermost insulating layer is smaller than the average value of the respective thicknesses of the second inner insulating layer and the second outermost insulating layer.

또한, 상기 제1 내측 절연층 및 제1 최외측 절연층의 각각의 열팽창계수의 평균값은, 상기 제2 내측 절연층 및 제2 최외측 절연층의 각각의 열팽창계수의 평균값보다 작다.In addition, the average value of the respective thermal expansion coefficients of the first inner insulating layer and the first outermost insulating layer is smaller than the average value of the respective thermal expansion coefficients of the second inner insulating layer and the second outermost insulating layer.

또한, 상기 제1 내측 절연층 및 제1 최외측 절연층의 각각의 유전율의 평균값은, 상기 제2 내측 절연층 및 제2 최외측 절연층의 각각의 유전율의 평균값보다 작다.In addition, the average value of the respective dielectric constants of the first inner insulating layer and the first outermost insulating layer is smaller than the average value of the respective dielectric constants of the second inner insulating layer and the second outermost insulating layer.

한편, 실시 예에 따른 안테나 기판은, 제1 영역 및 상기 제1 영역 아래의 제2 영역을 포함하는 안테나 기판이고, 상기 안테나 기판의 제1 영역은, 상기 제2 영역이 구성하는 안테나부를 구동하는 구동부이고, 상기 안테나 기판의 제2 영역은 상기 구동부의 구동에 의해 동작하고, 송신 신호를 외부로 송신하거나, 외부로부터 송신되는 신호를 수신하고, 상기 제1 영역은, 제1 솔더 레지스트층을 포함하고, 상기 제2 영역은 제2 솔더 레지스트층을 포함하며, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께보다 크다.Meanwhile, the antenna substrate according to the embodiment is an antenna substrate including a first area and a second area under the first area, and the first area of the antenna substrate is configured to drive the antenna unit included in the second area. a driving unit, and the second region of the antenna substrate operates by driving the driving unit, transmits a transmission signal to the outside, or receives a signal transmitted from the outside, and the first region includes a first solder resist layer and the second region includes a second solder resist layer, and a thickness of the first solder resist layer is greater than a thickness of the second solder resist layer.

또한, 상기 제1 영역은, 제1 내측 회로 패턴층 및 제1 최외측 회로 패턴층을 포함하는 제1 회로 패턴층을 포함하고, 상기 제2 영역은 복수의 제2 회로 패턴층을 포함하고, 상기 제1 최외측 회로 패턴층의 두께는, 상기 제1 내측 회로 패턴층의 두께보다 크다.In addition, the first region includes a first circuit pattern layer including a first inner circuit pattern layer and a first outermost circuit pattern layer, and the second region includes a plurality of second circuit pattern layers, A thickness of the first outermost circuit pattern layer is greater than a thickness of the first inner circuit pattern layer.

한편, 실시 예에 따른 회로기판의 제조 방법은, 제1 기판층을 형성하는 단계; 상기 제1 기판층의 상부 및 하부에 각각 제2 기판층 및 제3 기판층을 형성하는 단계; 상기 제2 기판층 위에 제1 솔더 레지스트층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 기판층 아래에 제2 솔더 레지스트층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는, 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께보다 크고, 상기 제2 기판층은, 송신 소자 및 수신 소자와 연결되고, 상기 송신 소자로부터 전달되는 송신 신호를 상기 제3 기판층에 전달하거나, 상기 제3 기판층으로부터 전달되는 수신신호를 상기 수신 소자에 전달하는 구동부에 대응하고, 상기 복수의 제2 내측 회로 패턴층 및 상기 제2 최외측 회로 패턴층은, 상기 제2 기판층으로부터 전달되는 송신 신호를 외부로 송신하거나, 외부로부터 송신된 신호를 수신하여 상기 제2 기판층에 전달하는 안테나부에 대응한다.On the other hand, the manufacturing method of the circuit board according to the embodiment, forming a first substrate layer; forming a second substrate layer and a third substrate layer on upper and lower portions of the first substrate layer, respectively; forming a first solder resist layer on the second substrate layer; and forming a second solder resist layer under the third substrate layer, wherein a thickness of the first solder resist layer is greater than a thickness of the second solder resist layer, and the second substrate layer comprises: Corresponding to a driver connected to the device and the receiving device, transmitting the transmission signal transmitted from the transmitting device to the third substrate layer, or transmitting the reception signal transmitted from the third substrate layer to the receiving device, the plurality of of the second inner circuit pattern layer and the second outermost circuit pattern layer, transmitting a transmission signal transmitted from the second substrate layer to the outside, or receiving a signal transmitted from the outside and transferring it to the second substrate layer Corresponds to the antenna part.

또한, 상기 제1 기판층을 형성하는 단계는, 제1 절연층을 준비하는 단계와, 상기 제1 절연층의 상면 및 하면에 각각 제1 및 제2 회로 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제2 기판층 및 상기 제3 기판층을 형성하는 단계는, 상기 제1 기판층의 상부에, 복수의 제1 내측 절연층, 상기 복수의 제1 내측 절연층 위의 제1 최외측 절연층, 상기 복수의 제1 내측 절연층 위의 복수의 제1 내측 회로 패턴층, 및 상기 제1 최외측 절연층 위의 제1 최외측 회로 패턴층을 포함하는 제2 기판층과, 상기 제2 기판층의 하부에, 복수의 제2 내측 절연층, 상기 복수의 제2 내측 절연층 아래의 제2 최외측 절연층, 상기 복수의 제2 내측 절연층 아래의 복수의 제2 내측 회로 패턴층, 및 상기 제2 최외측 절연층 아래의 제2 최외측 회로 패턴층을 포함하는 제3 기판층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 최외측 회로 패턴층은, 상기 복수의 제1 내측 회로 패턴층의 각각의 두께의 평균값, 상기 복수의 제2 내측 회로 패턴층의 각각의 두께의 평균값보다 크다.In addition, the step of forming the first substrate layer includes preparing a first insulating layer, and forming first and second circuit pattern layers on the upper and lower surfaces of the first insulating layer, respectively, The forming of the second substrate layer and the third substrate layer may include, on the first substrate layer, a plurality of first inner insulating layers, and a first outermost insulating layer on the plurality of first inner insulating layers. , a second substrate layer comprising a plurality of first inner circuit pattern layers over the plurality of first inner insulating layers, and a first outermost circuit pattern layer over the first outermost insulating layer; under the layer, a plurality of second inner insulating layers, a second outermost insulating layer under the plurality of second inner insulating layers, a plurality of second inner circuit pattern layers under the plurality of second inner insulating layers, and forming a third substrate layer including a second outermost circuit pattern layer under the second outermost insulating layer, wherein the first outermost circuit pattern layer includes the plurality of first inner circuit pattern layers The average value of the respective thicknesses of is greater than the average value of the respective thicknesses of the plurality of second inner circuit pattern layers.

실시 예에서의 회로기판은 안테나 기판일 수 있다. 회로기판은 제1 기판층, 제2 기판층 및 제3 기판층을 포함할 수 있다. 상기 제2 기판층은 안테나 기판에서, 송신 소자 및 수신 소자와 연결되는 구동부에 대응하는 영역일 수 있다. 그리고, 제3 기판층은 신호 송신 및 신호 수신을 위한 안테나 패턴층를 포함하는 안테나 패턴부에 대응하는 영역일 수 있다. The circuit board in the embodiment may be an antenna board. The circuit board may include a first substrate layer, a second substrate layer, and a third substrate layer. The second substrate layer may be a region corresponding to the driver connected to the transmitting element and the receiving element in the antenna substrate. In addition, the third substrate layer may be a region corresponding to the antenna pattern portion including the antenna pattern layer for signal transmission and signal reception.

이때, 실시 예에서의 제2 기판층은 제1 솔더 레지스트층을 포함하고, 상기 제3 기판층은 제2 솔더 레지스트층을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께의 130% 내지 200% 사이의 범위를 가질 수 있다. 실시 예에서는 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께를 증가시킬 수 있고, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께 증가와 함께 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 회로기판의 전체적인 휨 발생 정도를 획기적으로 줄일 수 있으며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In this case, the second substrate layer in the embodiment may include a first solder resist layer, and the third substrate layer may include a second solder resist layer. In this case, the thickness of the first solder resist layer may be greater than the thickness of the second solder resist layer. For example, the thickness of the first solder resist layer may range from 130% to 200% of the thickness of the second solder resist layer. In an embodiment, the thickness of the first solder resist layer may be increased, and the thickness of the second solder resist layer may be decreased along with the increase of the thickness of the first solder resist layer. Accordingly, in the embodiment, the overall degree of warpage of the circuit board may be remarkably reduced, and thus reliability may be improved.

또한, 실시 예에서는 상기 제1 솔더 레지스트층 및 제2 솔더 레지스트층의 두께 증가와 함께 회로 패턴층의 두께를 변화시킨다. 예를 들어, 실시 예에서의 제2 기판층은 제1 내측 회로 패턴층과 제1 최외측 회로 패턴층을 포함할 수 있다. 그리고, 제3 기판층은 제2 내측 회로 패턴층과 제2 최외측 회로 패턴층을 포함할 수 있다. 여기에서, 실시 예에서의 제1 최외측 회로 패턴층의 두께는 제1 내측 회로 패턴층 및 제2 내측 회로 패턴층보다 클 수 있다. 구체적으로, 제1 내측 회로 패턴층은 복수 개 포함할 수 있고, 이들의 두께의 평균값은 제1 최외측 회로 패턴층의 두께보다 작을 수 있다. 또한, 제2 내측 회로 패턴층은 복수 개 포함할 수 있고, 이들의 두께의 평균 값은 제2 최외측 회로 패턴층의 두께보다 작을 수 있다. 또한, 제1 최외측 회로 패턴층의 두께는 제2 최외측 회로 패턴층의 두께보다 클 수 있다. 이에 따라 실시 예에서는 회로기판의 전체적인 휨 발생 정도를 줄일 수 있으며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, the thickness of the circuit pattern layer is changed along with the increase in the thickness of the first solder resist layer and the second solder resist layer. For example, the second substrate layer in the embodiment may include a first inner circuit pattern layer and a first outermost circuit pattern layer. In addition, the third substrate layer may include a second inner circuit pattern layer and a second outermost circuit pattern layer. Here, the thickness of the first outermost circuit pattern layer in the embodiment may be greater than that of the first inner circuit pattern layer and the second inner circuit pattern layer. Specifically, a plurality of first inner circuit pattern layers may be included, and an average value of their thicknesses may be smaller than a thickness of the first outermost circuit pattern layer. In addition, a plurality of second inner circuit pattern layers may be included, and an average value of their thicknesses may be smaller than a thickness of the second outermost circuit pattern layer. In addition, the thickness of the first outermost circuit pattern layer may be greater than the thickness of the second outermost circuit pattern layer. Accordingly, in the embodiment, the overall degree of warpage of the circuit board may be reduced, and thus reliability may be improved.

도 1은 비교 예에 따른 회로기판을 나타낸 도면이다.
도 2는 실시 예에 따른 회로기판의 기초 자재를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 제1 실시 예에 따른 회로기판을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 실시 예에 따른 회로기판의 구체적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 5는 제2 실시 예에 따른 회로기판을 나타낸 도면이다.
도 6은 제3 실시 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.
도 7은 제4 실시 예에 따른 회로기판을 나타낸 도면이다.
1 is a view showing a circuit board according to a comparative example.
2 is a view schematically showing a basic material of a circuit board according to an embodiment.
3 is a diagram schematically illustrating a circuit board according to the first embodiment.
4 is a view showing a detailed configuration of a circuit board according to an embodiment.
5 is a diagram illustrating a circuit board according to a second embodiment.
6 is a diagram illustrating a circuit board according to a third embodiment.
7 is a view showing a circuit board according to the fourth embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고, 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, the embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar components are assigned the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes "module" and "part" for components used in the following description are given or mixed in consideration of only the ease of writing the specification, and do not have distinct meanings or roles by themselves. In addition, in describing the embodiments disclosed in the present specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in the present specification, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the accompanying drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and the technical idea disclosed herein is not limited by the accompanying drawings, and all changes included in the spirit and scope of the present invention , should be understood to include equivalents or substitutes.

제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including an ordinal number such as 1st, 2nd, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, terms such as “comprises” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 비교 예에 따른 회로기판을 나타낸 도면이다. 이때, 도 1은 하나의 유닛을 포함하는 회로기판일 수 있으며, 복수의 유닛을 포함하는 회로기판 스트립 중 일부 영역일 수 있다.1 is a view showing a circuit board according to a comparative example. In this case, FIG. 1 may be a circuit board including one unit, and may be a partial region of a circuit board strip including a plurality of units.

도 1의 (a)를 참조하면, 비교 예에 따른 회로기판은 제1 기판층(10), 제2 기판층(20), 제3 기판층(30)을 포함한다.Referring to FIG. 1A , the circuit board according to the comparative example includes a first substrate layer 10 , a second substrate layer 20 , and a third substrate layer 30 .

비교 예에 따른 회로기판은 제1 기판층(10)을 중심으로, 상부 및 하부에 각각 제2 기판층(20) 및 제3 기판층(30)이 배치된다.In the circuit board according to the comparative example, the second substrate layer 20 and the third substrate layer 30 are respectively disposed on the upper and lower portions of the first substrate layer 10 .

이때, 비교 예에 따른 회로기판은 회로패턴층을 기준으로 3층 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 제1 기판층(10)은 제1 회로 패턴층이다. 그리고, 제2 기판층(20)은 제1 회로패턴층을 중심으로 상부에 배치되는 제1 절연층(21), 제2 회로 패턴층(22) 및 제1 솔더레지스트층(23)이다. In this case, the circuit board according to the comparative example may have a three-layer structure based on the circuit pattern layer. Accordingly, the first substrate layer 10 is a first circuit pattern layer. In addition, the second substrate layer 20 is a first insulating layer 21 , a second circuit pattern layer 22 , and a first solder resist layer 23 disposed on the first circuit pattern layer as a center.

또한, 제3 기판층(30)은 제1 회로패턴층을 중심으로 하부에 배치되는 제2 절연층(31), 제3 회로 패턴층(32) 및 제2 솔더레지스트층(33)이다. In addition, the third substrate layer 30 is a second insulating layer 31 , a third circuit pattern layer 32 , and a second solder resist layer 33 disposed below the first circuit pattern layer as a center.

이때, 제2 기판층(20)과 제3 기판층(30)은 제1 기판층(10)을 중심으로 상부 및 하부에 각각 배치된다. 여기에서, 제1 기판층(10)이 회로기판의 중앙에 배치됨에 따라, 상기 제1 기판층(10)이 제2 기판층(20)에 미치는 영향 및 제3 기판층(30)에 미치는 영향이 서로 동일할 수 있다. In this case, the second substrate layer 20 and the third substrate layer 30 are respectively disposed above and below the first substrate layer 10 . Here, as the first substrate layer 10 is disposed in the center of the circuit board, the effect of the first substrate layer 10 on the second substrate layer 20 and the effect on the third substrate layer 30 . These may be identical to each other.

여기에서, 비교 예에서는 상기 제2 기판층(20) 및 제3 기판층(30)이 가지는 열팽창 계수를 고려하지 않은 상태에서, 절연층, 회로 패턴층 및 솔더 레지스트층을 각각 적층하였다.Here, in the comparative example, the insulating layer, the circuit pattern layer, and the solder resist layer were respectively laminated in a state in which the coefficient of thermal expansion of the second substrate layer 20 and the third substrate layer 30 was not considered.

이때, 제1 기판층(10)을 중심으로 상부에 배치된 제2 기판층(20)과 제3 기판층(30)이 상호 대칭 구조를 가지는 경우, 상기 제2 기판층(20)이 가지는 제1 열팽창 계수(CTE1')와 제3 기판층(30)이 가지는 제2 열팽창 계수(CTE2')는 서로 동일할 수 있다.At this time, when the second substrate layer 20 and the third substrate layer 30 disposed on the first substrate layer 10 have a mutually symmetric structure, the second substrate layer 20 has The first coefficient of thermal expansion CTE1 ′ and the second coefficient of thermal expansion CTE2 ′ of the third substrate layer 30 may be equal to each other.

그러나, 일반적인 회로기판에서, 제2 기판층(20)과 제3 기판층(30)은 제1 기판층(10)을 중심으로 대칭 구조를 가지지 않는다. 이는 제2 기판층(20)을 구성하는 제2 회로 패턴층(22)과 제3 기판층(30)을 구성하는 제3 회로 패턴층(32)의 디자인이 서로 다르며, 이에 따라 회로기판 내에서 상기 제2 회로 패턴층(22)이 차지하는 체적과 상기 제3 회로 패턴층(32)이 차지하는 체적이 서로 다르다. 그리고, 상기 제2 회로 패턴층(22) 및 제3 회로 패턴층(32)의 체적이 서로 다름에 따라 상기 제1 절연층(21) 및 제2 절연층(31)의 체적도 서로 다르다. 또한, 상기 제2 회로 패턴층(22) 및 제3 회로 패턴층(32)의 체적이 서로 다름에 따라, 상기 제2 회로 패턴층(22) 및 제3 회로 패턴층(32) 상에 배치되는 제1 솔더 레지스트층(23) 및 제2 솔더 레지스트층(33)의 체적도 서로 다르다.However, in a general circuit board, the second substrate layer 20 and the third substrate layer 30 do not have a symmetric structure with respect to the first substrate layer 10 . This is because the design of the second circuit pattern layer 22 constituting the second substrate layer 20 and the third circuit pattern layer 32 constituting the third substrate layer 30 are different from each other. The volume occupied by the second circuit pattern layer 22 and the volume occupied by the third circuit pattern layer 32 are different from each other. Also, as the volumes of the second circuit pattern layer 22 and the third circuit pattern layer 32 are different from each other, the volumes of the first insulating layer 21 and the second insulating layer 31 are also different from each other. In addition, as the volumes of the second circuit pattern layer 22 and the third circuit pattern layer 32 are different from each other, the second circuit pattern layer 22 and the third circuit pattern layer 32 are disposed on the The volumes of the first solder resist layer 23 and the second solder resist layer 33 are also different from each other.

그리고, 상기 제1 기판층(10)을 중심으로, 상부에 배치되는 제1 절연층(21), 제2 회로 패턴층(22) 및 제1 솔더레지스트층(23)을 포함한 제2 기판층(20)은 제1 열팽창 계수(CTE1')를 가진다. 또한, 제1 기판층(10)을 중심으로 하부에 배치되는 제2 절연층(31), 제3 회로 패턴층(32) 및 제2 솔더레지스트층(33)을 포함한 제3 기판층(30)은 제2 열팽창 계수(CTE2')를 가진다.And, a second substrate layer ( 20) has a first coefficient of thermal expansion CTE1'. In addition, the third substrate layer 30 including the second insulating layer 31 , the third circuit pattern layer 32 , and the second solder resist layer 33 disposed below the first substrate layer 10 . has a second coefficient of thermal expansion (CTE2').

다시 말해서, 비교 예에서는 상기 제2 기판층(20)을 구성하는 각 층의 체적과 제3 기판층(30)을 구성하는 각 층의 체적이 서로 다름에 따라, 상기 제2 기판층(20)과 제3 기판층(30)이 가지는 열팽창 계수에 차이가 발생하며, 상기 열팽창 계수의 차이에 따라 회로기판의 휨 현상을 발생하게 된다.In other words, in the comparative example, as the volume of each layer constituting the second substrate layer 20 and the volume of each layer constituting the third substrate layer 30 are different from each other, the second substrate layer 20 A difference occurs in the coefficient of thermal expansion of the and third substrate layer 30 , and the warpage of the circuit board occurs according to the difference in the coefficient of thermal expansion.

즉, 도 1의 (b)를 참조하면, 비교 예에서는 제2 기판층(20)과 제3 기판층(30)이 가지는 열팽창 계수의 차이를 고려하지 않은 상태에서 회로기판을 제조함에 따라, 회로기판의 일단부 대비 상기 회로기판의 타단부가 기준면을 중심으로 제1 높이(h1)만큼 떠있는 휨 현상이 발생하게 된다. 이때, 비교 예에서의 제1 높이는 2.6mm 수준이었다.That is, referring to FIG. 1B , in the comparative example, the circuit board is manufactured in a state where the difference in the coefficient of thermal expansion of the second substrate layer 20 and the third substrate layer 30 is not taken into account, A bending phenomenon occurs in which the other end of the circuit board is floated by a first height h1 with respect to the reference plane compared to one end of the substrate. At this time, the first height in the comparative example was 2.6 mm level.

구체적으로, 상기와 같은 제2 기판층과 제3 기판층 사이의 열팽창 계수 차이에 의해, 회로기판에 휨이 발생할 수 있다. 이때, 제2 기판층이 가지는 제1 열팽창 계수(CTE1')는 제3 기판층이 가지는 제2 열팽창 계수(CTE2')보다 클 수 있다. 이에 따라, 비교 예에서의 회로기판은 열팽창 계수가 높은 상부 방향으로의 휨이발생할 수 있다. Specifically, due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the second substrate layer and the third substrate layer as described above, warpage may occur in the circuit board. In this case, the first coefficient of thermal expansion CTE1' of the second substrate layer may be greater than the second coefficient of thermal expansion CTE2' of the third substrate layer. Accordingly, the circuit board in the comparative example may be warped in an upward direction having a high coefficient of thermal expansion.

이때, 회로기판의 휨 현상이 발생하게 되면, 회로기판의 제조 공정에서 신뢰성 문제가 발생하게 되며, 이에 따른 자동화 공정이 정상적으로 진행될 수 없다.At this time, when the bending phenomenon of the circuit board occurs, a reliability problem occurs in the manufacturing process of the circuit board, and the automated process cannot proceed normally.

예를 들어, 회로기판의 휨 발생은 정확한 위치에 회로 패턴이나 비아 홀을 가공하지 못하는 문제를 야기시킬 수 있으며, 더 나아가 진공 흡착 에러나 이송 공정에서의 오류를 발생시킬 수 있다.For example, the occurrence of warpage of the circuit board may cause a problem in that a circuit pattern or a via hole cannot be processed at an accurate position, and furthermore, a vacuum adsorption error or an error in a transfer process may occur.

한편, 종래에서는 상기와 같은 회로기판의 휨 문제를 해결하기 위해 다양한 해결 방안을 제시하였다. 이때, 종래에는 각 층의 재료 변경, 각 층의 회로 패턴층의 디자인 변경, 회로 패턴층과 에폭시층의 두께 변경, 또는 3층 구조에서 단층 또는 다층 구조로의 변경 등 다양한 변수를 고려한 해결 방안을 제시하였다.On the other hand, in the prior art, various solutions have been proposed to solve the bending problem of the circuit board as described above. At this time, in the prior art, a solution that takes into account various variables such as changing the material of each layer, changing the design of the circuit pattern layer of each layer, changing the thickness of the circuit pattern layer and the epoxy layer, or changing from a three-layer structure to a single-layer or multi-layer structure presented.

그러나, 종래에서는 통상적으로 고객이 정한 소재, 각 층의 치수 스펙, 오차 범위, 고객 지정 설계 도면 등을 고려하여 회로기판의 디자인이 결정되며, 이에 따라 상기 다양한 변수 중에서 휨 개선을 위해 변경해야 할 항목들은 상대적으로 제한적이었다. However, in the prior art, the design of the circuit board is usually determined in consideration of the material determined by the customer, the dimensional specification of each layer, the error range, the customer-specified design drawing, etc. were relatively limited.

또한, 종래에서는 회로기판의 내부층에 해당하는 절연층이나 회로 패턴층의 디자인을 변경하는 것으로 휨 발생 문제를 해결하였으며, 이는 회로기판의 제조 공정을 복잡하게 할 뿐 아니라, 제조 공정 시간을 증가시키는 요인으로 작용하며, 더 나아가 회로기판의 자동화 공정을 불가능하게 하는 문제로 작용할 수 있다.In addition, in the prior art, the warpage occurrence problem was solved by changing the design of the insulating layer or the circuit pattern layer corresponding to the inner layer of the circuit board, which complicates the manufacturing process of the circuit board and increases the manufacturing process time. It acts as a factor, and furthermore, it can act as a problem that makes the automated process of the circuit board impossible.

따라서, 실시 예에서는 회로기판의 제조 공정 상에 문제를 발생시키지 않으면서, 회로기판의 휨 발생을 최소화할 수 있는 방안을 제시하고자 한다.Therefore, in the embodiment, it is intended to propose a method for minimizing the occurrence of warpage of the circuit board without causing a problem in the manufacturing process of the circuit board.

도 2는 실시 예에 따른 회로기판의 기초 자재를 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a view schematically showing a basic material of a circuit board according to an embodiment.

도 2를 참조하면, 기초 자재는 동박 적층판(CCL) 형태의 판넬(PNL)일 수 있다. 이때, 판넬(PNL)의 가로 방향의 폭은 415~430mm일 수 있다. 또한, 판넬(PNL)의 세로 방향의 폭은 510~550mm일 수 있다. 여기에서, 판넬(PNL)의 가로 방향의 폭은 단축 방향의 폭일 수 있고, 세로 방향의 폭은 장축 방향의 폭일 수 있다.Referring to FIG. 2 , the base material may be a copper clad laminate (CCL) type panel (PNL). In this case, the width in the horizontal direction of the panel PNL may be 415 to 430 mm. Also, the width in the vertical direction of the panel PNL may be 510 to 550 mm. Here, the width in the horizontal direction of the panel PNL may be the width in the minor axis direction, and the width in the vertical direction may be the width in the major axis direction.

이때, 판넬(PNL)은 복수의 스트립(100)으로 구분될 수 있다. 복수의 스트립(100)은 판넬(PNL) 내에서 가로 방향 및 세로 방향으로 각각 일정 간격 이격될 수 있다. 예를 들어, 하나의 판넬(PNL)은 16개의 스트립(100)으로 구분될 수 있다. 즉, 하나의 판넬(PNL)은 가로 방향으로 2개의 영역으로 구분되고, 세로 방향으로 8개의 영역으로 구분될 수 있고, 상기 구분된 각각의 영역이 스트립(100)을 구성할 수 있다. In this case, the panel PNL may be divided into a plurality of strips 100 . The plurality of strips 100 may be spaced apart from each other by a predetermined interval in the horizontal direction and the vertical direction in the panel PNL. For example, one panel PNL may be divided into 16 strips 100 . That is, one panel PNL may be divided into two regions in the horizontal direction and eight regions in the vertical direction, and each of the divided regions may constitute the strip 100 .

이에 따라, 기초 자재는 복수의 스트립(100)이 배치되는 제1 영역 및 상기 제1 영역을 제외한 외곽 영역의 제2 영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 상기 제1 영역의 주변 영역일 수 있다. Accordingly, the base material may include a first area in which the plurality of strips 100 are disposed and a second area in an outer area excluding the first area. The second area may be a peripheral area of the first area.

또한, 각각의 스트립(100)은 복수의 유닛(200)으로 구분될 수 있다. 예를 들어, 하나의 스트립(100)은 1,275개의 유닛(200)으로 구분될 수 있다. 이때, 각각의 유닛(200)은 가로축 방향의 폭이 3mm일 수 있고, 세로 방향의 폭이 2mm일 수 있다. 한편, 상기 각각의 유닛(200)은 하나의 회로기판을 구성할 수 있다. 다시 말해서, 하나의 판넬(PNL)은 16개의 스트립(100) 및 20,400개의 유닛(200)으로 구분될 수 있다. In addition, each strip 100 may be divided into a plurality of units 200 . For example, one strip 100 may be divided into 1,275 units 200 . In this case, each unit 200 may have a width in the horizontal axis direction of 3 mm and a width in the vertical direction of 2 mm. Meanwhile, each of the units 200 may constitute one circuit board. In other words, one panel PNL may be divided into 16 strips 100 and 20,400 units 200 .

한편, 하나의 유닛(200)에는 복수의 회로 패턴층, 복수의 절연층 및 일정 사이즈를 가지는 복수의 비아 홀(VH)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 하나의 유닛(200)에는 80㎛의 상부 폭 및 60㎛의 하부 폭을 가지는 사다리꼴 형상의 비아 홀(VH)이 복수 개 형성될 수 있다. Meanwhile, a plurality of circuit pattern layers, a plurality of insulating layers, and a plurality of via holes VH having a predetermined size may be formed in one unit 200 . For example, a plurality of trapezoidal via holes VH having an upper width of 80 μm and a lower width of 60 μm may be formed in one unit 200 .

이때, 하나의 유닛(200)에는 150개 정도의 비아 홀(VH)이 형성된다. 이에 따라, 하나의 판넬(PNL)에는 150개 정도의 비아 홀(VH)이 형성되는 20,400개의 유닛(200)을 포함할 수 있다. 결론적으로, 하나의 판넬(PNL)에는 3백만개 이상의 비아 홀(VH)이 형성된다. At this time, about 150 via holes VH are formed in one unit 200 . Accordingly, one panel PNL may include 20,400 units 200 in which about 150 via holes VH are formed. As a result, more than 3 million via holes VH are formed in one panel PNL.

또한, 최근에는 회로 배선이 복잡해지면서 고집적화됨에 따라 회로 패턴층을 구성하는 패턴이 미세화되고, 비아 홀(VH)의 수도 점점 증가하고 있다. 이에 따라, 하나의 판넬(PNL)에는 최소 3백만개 이상의 비아 홀(VH)이 형성됨에 따라, 상기 3백만개 이상의 비아 홀(VH)의 형성이 완료될때까지 상기 판넬(PNL)이나 스트립(200)의 평탄도를 유지하는 것이 중요하다. 즉, 비아 홀 형성을 위한 레이저 가공 시에, 상기 판넬(PNL)에 열을 가하게 되며, 이에 따라 상기 판넬(PNL)의 표면 온도는 최대 700℃까지 상승하게 된다. 이때, 상기 판넬(PNL)은 팽창 현상 및 수축 현상이 반복적으로 발생하게 되며, 이에 따라 상기 판넬(PNL)의 표면에 주름이 발생하는 휨 현상이 생기고, 상기 발생한 주름이 발생한 상태에서 레이저 가공 시에 비아 홀(VH)의 위치나 형상이 달라지게 된다. 따라서, 상기 판넬(PNL)에 발생하는 주름과 같은 문제를 최소화하여 상기 판넬(PNL)의 평탄도를 유지시킬 수 있어야 한다.In addition, recently, as circuit wiring becomes more complex and highly integrated, patterns constituting the circuit pattern layer are miniaturized, and the number of via holes (VH) is gradually increasing. Accordingly, as at least 3 million via-holes VH are formed in one panel PNL, the panel PNL or strip 200 It is important to maintain flatness. That is, during laser processing for forming via holes, heat is applied to the panel PNL, and accordingly, the surface temperature of the panel PNL increases to a maximum of 700°C. At this time, the expansion and contraction phenomena of the panel PNL occur repeatedly, and accordingly, a bending phenomenon occurs in which wrinkles are generated on the surface of the panel PNL, and when the laser processing occurs in the state in which the wrinkles are generated, The position or shape of the via hole VH is changed. Accordingly, it should be possible to maintain the flatness of the panel PNL by minimizing a problem such as wrinkles occurring in the panel PNL.

이에 따라, 실시 예에서는 회로기판의 최외측에 배치되는 솔더 레지스트층의 두께 변화를 통해 회로기판 스트립(100)의 전체적인 휨 정도를 최소화하도록 한다. 나아가, 실시 예에서는 상기 솔더 레지스트층의 두께 변화와 함께, 최외측 회로 패턴의 두께 변화를 통해 전체적인 회로기판 스트립(100)의 휨 정도를 최소화할 수 있도록 한다.Accordingly, in the embodiment, the overall degree of warpage of the circuit board strip 100 is minimized by changing the thickness of the solder resist layer disposed on the outermost side of the circuit board. Furthermore, in the embodiment, the degree of warpage of the entire circuit board strip 100 can be minimized through the change in the thickness of the outermost circuit pattern along with the change in the thickness of the solder resist layer.

도 3은 제1 실시 예에 따른 회로기판을 개략적으로 나타낸 도면이다. 이때, 도 3은 하나의 유닛을 포함하는 회로기판일 수 있으며, 이와 다르게 복수의 유닛을 포함하는 회로기판의 스트립 중 일부 영역을 나타낸 것일 수 있다.3 is a diagram schematically illustrating a circuit board according to the first embodiment. In this case, FIG. 3 may be a circuit board including one unit, and differently, may show a partial region of a strip of a circuit board including a plurality of units.

도 3을 참조하면, 회로기판은 복수의 층 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 3 , the circuit board may have a plurality of layer structures.

구체적으로, 회로기판은 제1 기판층, 제2 기판층 및 제3 기판층을 포함할 수 있다.Specifically, the circuit board may include a first substrate layer, a second substrate layer, and a third substrate layer.

제1 기판층은 회로기판의 중앙에 배치된 층일 수 있다. The first substrate layer may be a layer disposed in the center of the circuit board.

제1 기판층은 절연층 및 회로패턴층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 기판층은 제1 절연층(110), 제1 회로 패턴층(112) 및 제2 회로 패턴층(114)을 포함할 수 있다.The first substrate layer may include an insulating layer and a circuit pattern layer. For example, the first substrate layer may include a first insulating layer 110 , a first circuit pattern layer 112 , and a second circuit pattern layer 114 .

제1 절연층(110)은 복수의 층 구조를 가지는 회로기판의 적층 구조에서, 중앙에 배치된 코어층일 수 있다. 제1 절연층(110)은 프리프레그를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다만, 제1 절연층(110)은 코어층일 수 있고, 수지 내에 유리 섬유가 분산 배치된 구조를 가질 수 있다.The first insulating layer 110 may be a core layer disposed in the center in a laminate structure of a circuit board having a plurality of layer structures. The first insulating layer 110 may include a prepreg, but is not limited thereto. However, the first insulating layer 110 may be a core layer, and may have a structure in which glass fibers are dispersed in a resin.

상기 제1 회로 패턴층(112) 및 제2 회로 패턴층(114)은 상기 제1 절연층(110)의 상면에 배치되어 전기적 신호를 전달하는 복수의 회로 패턴(또는 배선, 도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 상기 제1 회로 패턴층(112) 및 제2 회로 패턴층(114)은 전기 전도성이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. 이를 위해, 상기 상기 제1 회로 패턴층(112) 및 제2 회로 패턴층(114)은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu) 및 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 회로 패턴층(112) 및 제2 회로 패턴층(114)은 본딩력이 우수한 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 주석(Sn), 구리(Cu), 아연(Zn) 중에서 선택되는 적어도 하나의 금속 물질을 포함하는 페이스트 또는 솔더 페이스트로 형성될 수 있다. 바람직하게, 상기 상기 제1 회로 패턴층(112) 및 제2 회로 패턴층(114)은 전기전도성이 높으면서 가격이 비교적 저렴한 구리(Cu)로 형성될 수 있다. The first circuit pattern layer 112 and the second circuit pattern layer 114 are disposed on the upper surface of the first insulating layer 110 to form a plurality of circuit patterns (or wires, not shown) for transmitting electrical signals. may include The first circuit pattern layer 112 and the second circuit pattern layer 114 may be formed of a metal material having high electrical conductivity. To this end, the first circuit pattern layer 112 and the second circuit pattern layer 114 are gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), titanium (Ti), tin (Sn), copper ( It may be formed of at least one metal material selected from Cu) and zinc (Zn). In addition, the first circuit pattern layer 112 and the second circuit pattern layer 114 may include gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), titanium (Ti), tin (Sn), and excellent bonding strength; It may be formed of a paste or solder paste including at least one metal material selected from copper (Cu) and zinc (Zn). Preferably, the first circuit pattern layer 112 and the second circuit pattern layer 114 may be formed of copper (Cu), which has high electrical conductivity and is relatively inexpensive.

상기 제1 회로 패턴층(112) 및 제2 회로 패턴층(114)은 통상적인 회로기판의 제조 공정인 어디티브 공법(Additive process), 서브트렉티브 공법(Subtractive Process), MSAP(Modified Semi Additive Process) 및 SAP(Semi Additive Process) 공법 등으로 가능하며 여기에서는 상세한 설명은 생략한다. The first circuit pattern layer 112 and the second circuit pattern layer 114 are formed by an additive process, a subtractive process, and a modified semi additive process (MSAP), which are typical circuit board manufacturing processes. ) and SAP (Semi Additive Process) method, and the detailed description is omitted here.

제2 기판층은 제1 기판층의 상측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 기판층은 상기 제1 기판층의 상면 위에 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 기판층은 상기 제1 기판층의 상기 제1 회로 패턴층(112)의 상면 위에 배치될 수 있다.The second substrate layer may be disposed above the first substrate layer. For example, the second substrate layer may be disposed on an upper surface of the first substrate layer. Preferably, the second substrate layer may be disposed on an upper surface of the first circuit pattern layer 112 of the first substrate layer.

상기 제2 기판층은 절연층 및 회로 패턴층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 기판층은 복수의 절연층 및 복수의 회로 패턴층을 포함할 수 있다.The second substrate layer may include an insulating layer and a circuit pattern layer. For example, the second substrate layer may include a plurality of insulating layers and a plurality of circuit pattern layers.

구체적으로, 제2 기판층은 제2 절연층(120) 및 제3 절연층(130)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 기판층은 제3 회로 패턴층(122) 및 제4 회로 패턴층(132)을 포함할 수 있다.Specifically, the second substrate layer may include a second insulating layer 120 and a third insulating layer 130 . In addition, the second substrate layer may include a third circuit pattern layer 122 and a fourth circuit pattern layer 132 .

상기 제2 절연층(120)은 상기 제1 절연층(110) 위에 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 절연층(120)은 상기 제1 절연층(110) 위에, 상기 제1 회로 패턴층(112)을 덮으며 배치될 수 있다.The second insulating layer 120 may be disposed on the first insulating layer 110 . Preferably, the second insulating layer 120 may be disposed on the first insulating layer 110 to cover the first circuit pattern layer 112 .

그리고, 상기 제3 회로 패턴층(122)은 상기 제2 절연층(120) 위에 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 제3 회로 패턴층(122)은 상기 제2 절연층(120)의 상면 위에 돌출되어 형성될 수 있다.In addition, the third circuit pattern layer 122 may be disposed on the second insulating layer 120 . Preferably, the third circuit pattern layer 122 may be formed to protrude on the upper surface of the second insulating layer 120 .

또한, 상기 제3 절연층(130)은 상기 제2 절연층(120) 위에 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 제2 절연층(120) 위에, 상기 제3 회로 패턴층(122)을 덮으며 배치될 수 있다. 상기 제3 절연층(130)은 회로기판의 적층 구조에서, 최상측에 배치된 절연층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 절연층(130)은 회로기판의 적층 구조에서, 최상측에 배치된 제1 최외측 절연층일 수 있다.Also, the third insulating layer 130 may be disposed on the second insulating layer 120 . Preferably, it may be disposed on the second insulating layer 120 to cover the third circuit pattern layer 122 . The third insulating layer 130 may be an insulating layer disposed on the uppermost side of the laminate structure of the circuit board. For example, the third insulating layer 130 may be a first outermost insulating layer disposed on the uppermost side in the laminate structure of the circuit board.

상기 제4 회로 패턴층(132)은 상기 제3 절연층(130) 위에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 회로 패턴층(132)은 상기 제3 절연층(130)의 상면 위에 돌출되어 형성될 수 있다. 상기 제4 회로 패턴층(132)은 회로기판의 적층 구조에서, 최상측에 배치된 회로 패턴층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 회로 패턴층(132)은 회로기판의 적층 구조에서, 최상측에 배치된 제1 최외측 회로 패턴층일 수 있다.The fourth circuit pattern layer 132 may be disposed on the third insulating layer 130 . For example, the fourth circuit pattern layer 132 may be formed to protrude on the upper surface of the third insulating layer 130 . The fourth circuit pattern layer 132 may be a circuit pattern layer disposed on the uppermost side in the laminate structure of the circuit board. For example, the fourth circuit pattern layer 132 may be a first outermost circuit pattern layer disposed on the uppermost side in the laminate structure of the circuit board.

이때, 도면 상에서는 상기 제2 기판층에서, 제1 절연층(110)과 제1 최외측 절연층인 제3 절연층(130) 사이에 1층의 제2 절연층(120)만이 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 실시 예에서의 제2 기판층은 제1 절연층(110)과 제3 절연층(130) 사이에 배치되는 복수의 제2 절연층을 포함할 수 있다. 이와 같은 경우, 상기 복수의 제2 절연층의 상면에는 각각 회로 패턴층이 배치될 수 있다. At this time, in the drawing, in the second substrate layer, only the first insulating layer 120 is shown to be disposed between the first insulating layer 110 and the third insulating layer 130 which is the first outermost insulating layer. However, the present invention is not limited thereto. For example, the second substrate layer in the embodiment may include a plurality of second insulating layers disposed between the first insulating layer 110 and the third insulating layer 130 . In this case, a circuit pattern layer may be disposed on the upper surfaces of the plurality of second insulating layers, respectively.

제3 기판층은 제1 기판층의 하측에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 기판층은 상기 제1 기판층의 하면 아래에 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 제3 기판층은 상기 제1 기판층의 상기 제2 회로 패턴층(114)의 하면 위에 배치될 수 있다.The third substrate layer may be disposed below the first substrate layer. For example, the third substrate layer may be disposed under a lower surface of the first substrate layer. Preferably, the third substrate layer may be disposed on a lower surface of the second circuit pattern layer 114 of the first substrate layer.

상기 제3 기판층은 절연층 및 회로 패턴층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 기판층은 복수의 절연층 및 복수의 회로 패턴층을 포함할 수 있다.The third substrate layer may include an insulating layer and a circuit pattern layer. For example, the third substrate layer may include a plurality of insulating layers and a plurality of circuit pattern layers.

구체적으로, 제3 기판층은 제4 절연층(140) 및 제5 절연층(150)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제3 기판층은 제5 회로 패턴층(142) 및 제6 회로 패턴층(152)을 포함할 수 있다.Specifically, the third substrate layer may include a fourth insulating layer 140 and a fifth insulating layer 150 . In addition, the third substrate layer may include a fifth circuit pattern layer 142 and a sixth circuit pattern layer 152 .

상기 제4 절연층(140)은 상기 제1 절연층(110) 아래에 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 제4 절연층(140)은 상기 제1 절연층(110) 아래에, 상기 제2 회로 패턴층(114)을 덮으며 배치될 수 있다.The fourth insulating layer 140 may be disposed under the first insulating layer 110 . Preferably, the fourth insulating layer 140 may be disposed under the first insulating layer 110 to cover the second circuit pattern layer 114 .

그리고, 상기 제5 회로 패턴층(142)은 상기 제4 절연층(140) 아래에 배치될 수 있다. 바람직하게, 상기 제5 회로 패턴층(142)은 상기 제4 절연층(140)의 하면 아래에 돌출되어 형성될 수 있다.In addition, the fifth circuit pattern layer 142 may be disposed under the fourth insulating layer 140 . Preferably, the fifth circuit pattern layer 142 may be formed to protrude under the lower surface of the fourth insulating layer 140 .

또한, 상기 제5 절연층(150)은 상기 제4 절연층(140) 위에 배치될 수 있다. 바람직하게, 제5 절연층(150)은 상기 제4 절연층(140) 아래에, 상기 제5 회로 패턴층(142)을 덮으며 배치될 수 있다. 상기 제5 절연층(150)은 회로기판의 적층 구조에서, 최하측에 배치된 절연층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제5 절연층(150)은 회로기판의 적층 구조에서, 최하측에 배치된 제2 최외측 절연층일 수 있다.Also, the fifth insulating layer 150 may be disposed on the fourth insulating layer 140 . Preferably, the fifth insulating layer 150 may be disposed under the fourth insulating layer 140 to cover the fifth circuit pattern layer 142 . The fifth insulating layer 150 may be an insulating layer disposed on the lowermost side in the laminate structure of the circuit board. For example, the fifth insulating layer 150 may be a second outermost insulating layer disposed at the lowermost side in the laminate structure of the circuit board.

상기 제6 회로 패턴층(152)은 상기 제5 절연층(150) 아래에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제6 회로 패턴층(152)은 상기 제5 절연층(150)의 하면 아래에 돌출되어 형성될 수 있다. 상기 제6 회로 패턴층(152)은 회로기판의 적층 구조에서, 최하측에 배치된 회로 패턴층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제6 회로 패턴층(152)은 회로기판의 적층 구조에서, 최하측에 배치된 제2 최외측 회로 패턴층일 수 있다.The sixth circuit pattern layer 152 may be disposed under the fifth insulating layer 150 . For example, the sixth circuit pattern layer 152 may be formed to protrude under the lower surface of the fifth insulating layer 150 . The sixth circuit pattern layer 152 may be a circuit pattern layer disposed on the lowermost side in the laminate structure of the circuit board. For example, the sixth circuit pattern layer 152 may be a second outermost circuit pattern layer disposed on the lowermost side in the laminate structure of the circuit board.

이때, 도면 상에서는 상기 제3 기판층에서, 제1 절연층(110)과 제2 최외측 절연층인 제5 절연층(150) 사이에 1층의 제4 절연층(140)만이 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 실시 예에서의 제3 기판층은 제1 절연층(110)과 제5 절연층(150) 사이에 배치되는 복수의 제4 절연층을 포함할 수 있다. 이와 같은 경우, 상기 복수의 제4 절연층의 하면에는 각각 회로 패턴층이 배치될 수 있다. At this time, in the drawing, in the third substrate layer, only the fourth insulating layer 140 is disposed between the first insulating layer 110 and the fifth insulating layer 150 which is the second outermost insulating layer. However, the present invention is not limited thereto. For example, the third substrate layer in the embodiment may include a plurality of fourth insulating layers disposed between the first insulating layer 110 and the fifth insulating layer 150 . In this case, a circuit pattern layer may be disposed on the lower surfaces of the plurality of fourth insulating layers, respectively.

한편, 실시 예에서의 회로기판은 제1 솔더 레지스트층(160) 및 제2 솔더 레지스트층(170)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the circuit board according to the embodiment may include a first solder resist layer 160 and a second solder resist layer 170 .

상기 제1 솔더 레지스트층(160)은 제2 기판층 위에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 솔더 레지스트층(160)은 제2 기판층 중, 최상측에 배치된 제1 최외측 절연층인 제3 절연층(130) 위에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)은 제2 기판층 중, 최상측에 배치된 제1 최외측 회로 패턴층인 제4 회로 패턴층(132) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 솔더 레지스트층(160)은 상기 제1 최외측 절연층 및 제1 최외측 회로 패턴층인, 제3 절연층(130) 및 제4 회로 패턴층(132)의 표면을 보호하는 기능을 할 수 있다.The first solder resist layer 160 may be disposed on the second substrate layer. Specifically, the first solder resist layer 160 may be disposed on the third insulating layer 130 that is the first outermost insulating layer disposed on the uppermost side among the second substrate layers. For example, the first solder resist layer 160 may be disposed on the fourth circuit pattern layer 132 that is the first outermost circuit pattern layer disposed on the uppermost side among the second substrate layers. The first solder resist layer 160 serves to protect the surfaces of the first outermost insulating layer and the first outermost circuit pattern layer, the third insulating layer 130 and the fourth circuit pattern layer 132 . can do.

상기 제2 솔더 레지스트층(170)은 제3 기판층 아래에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제2 솔더 레지스트층(170)은 제2 기판층 중, 최하측에 배치된 제2 최외측 절연층인 제5 절연층(150) 아래에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 솔더 레지스트층(170)은 제2 기판층 중, 최하측에 배치된 제2 최외측 회로 패턴층인 제6 회로 패턴층(152) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 솔더 레지스트층(170)은 상기 제2 최외측 절연층 및 제2 최외측 회로 패턴층인, 제5 절연층(150) 및 제6 회로 패턴층(152)의 표면을 보호하는 기능을 할 수 있다.The second solder resist layer 170 may be disposed under the third substrate layer. Specifically, the second solder resist layer 170 may be disposed under the fifth insulating layer 150 , which is the second outermost insulating layer disposed on the lowermost side among the second substrate layers. For example, the second solder resist layer 170 may be disposed under the sixth circuit pattern layer 152 which is the second outermost circuit pattern layer disposed on the lowermost side among the second substrate layers. The second solder resist layer 170 serves to protect the surfaces of the second outermost insulating layer and the second outermost circuit pattern layer, the fifth insulating layer 150 and the sixth circuit pattern layer 152 . can do.

상기와 같은 실시 예의 회로기판은 안테나 기판일 수 있다. 이를 위해, 회로기판은 안테나 패턴의 급전 및 지지를 위해 제공될 수 있다. 회로기판은 안테나 패턴층을 통해 송신될 신호 또는 안테나 패턴층을 통해 수신된 신호를 처리하는 구동부가 배치되는 제1 영역과, 상기 제1 영역의 구동부를 통해 전달되는 신호를 외부로 송신하거나 외부로부터 송신되는 신호를 수신하는 도전성 안테나 패턴층을 포함한 안테나 패턴부가 배치되는 제2 영역을 포함할 수 있다.The circuit board of the above embodiment may be an antenna board. To this end, the circuit board may be provided for feeding and supporting the antenna pattern. The circuit board includes a first area in which a driver for processing a signal to be transmitted through the antenna pattern layer or a signal received through the antenna pattern layer is disposed, and a signal transmitted through the driver of the first area is transmitted to the outside or transmitted from the outside. It may include a second region in which an antenna pattern unit including a conductive antenna pattern layer for receiving a transmitted signal is disposed.

일 예로, 상기 회로기판에서, 제1 기판층은 상기 구동부가 배치되는 제1 영역 및 상기 안테나 패턴부가 배치되는 제2 영역을 구분하기 위한 층일 수 있다.For example, in the circuit board, the first substrate layer may be a layer for separating a first region in which the driver is disposed and a second region in which the antenna pattern part is disposed.

그리고, 상기 제2 기판층은 상기 제1 기판층 위에 배치되고, 그에 따라 상기 구동부가 배치되는 제1 영역일 수 있다. 또한, 상기 제3 기판층은 상기 안테나 패턴부가 배치되는 제2 영역일 수 있다. The second substrate layer may be disposed on the first substrate layer, and thus may be a first region in which the driving unit is disposed. In addition, the third substrate layer may be a second region in which the antenna pattern part is disposed.

예를 들어, 상기 제2 기판층에는 상기 안테나 패턴부를 통해 송신될 신호를 처리하는 송신 소자(미도시) 및/또는 상기 안테나 패턴부를 통해 수신될 신호를 처리하는 수신 소자(미도시)를 포함할 수 있다. 일 예로, 제2 기판층의 최상측에 배치된 제3 회로 패턴층(142)에는 상기 송신 소자 또는 수신 소자가 실장될 수 있다. 그리고, 상기 제2 기판층을 구성하는 제2 절연층(120), 제3 절연층(130), 제3 회로 패턴층(122) 및 제4 회로 패턴층(132)은, 상기 안테나 패턴부와 상기 송신 소자/수신 소자 사이에 배치되어, 송신 신호 또는 수신 신호를 제3 기판층에 전달하여, 상기 제3 기판층이 구성하는 안테나부를 구동시킬 수 있다.For example, the second substrate layer may include a transmitting element (not shown) for processing a signal to be transmitted through the antenna pattern unit and/or a receiving element (not shown) for processing a signal to be received through the antenna pattern unit. can For example, the transmitting element or the receiving element may be mounted on the third circuit pattern layer 142 disposed on the uppermost side of the second substrate layer. In addition, the second insulating layer 120 , the third insulating layer 130 , the third circuit pattern layer 122 and the fourth circuit pattern layer 132 constituting the second substrate layer include the antenna pattern part and the fourth circuit pattern layer 132 . It may be disposed between the transmitting element/receiving element to transmit a transmit signal or a received signal to the third substrate layer, thereby driving the antenna unit constituted by the third substrate layer.

또한, 상기 제3 기판층은 상기 제2 기판층이 구성하는 구동부에 의해 구동되는 안테나부일 수 있다. 상기 제3 기판층은 안테나 패턴부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 기판층은, 송신 신호의 송신 또는 수신 신호의 수신을 위한 도전성 안테나 패턴층을 포함할 수 있다. 상기 도전성 안테나 패턴층은 상기 제3 기판층을 구성하는 제5 회로 패턴층(142) 및 제6 회로 패턴층(152)을 포함할 수 있다. 상기와 같은 제5 회로 패턴층(142) 및 제6 회로 패턴층(152)을 포함하는 도전성 안테나 패턴층은 복수의 공진 주파수 대역에서 공진하는 안테나일 수 있다. 예를 들어, 도전성 안테나 패턴층은 서로 다른 공진 주파수 대역에서 공진하는 듀얼 공진 안테나일 수 있다. 예를 들어, 상기 도전성 안테나 패턴층은 24.03GHz 내지 25.81GHz의 제1 주파수 대역 및 27.07GHz 내지 28.80GHz의 제2 주파수 대역에서 각각 공진하는 듀얼 공진 안테나일 수 있다.Also, the third substrate layer may be an antenna unit driven by a driving unit included in the second substrate layer. The third substrate layer may include an antenna pattern part. For example, the third substrate layer may include a conductive antenna pattern layer for transmission of a transmission signal or reception of a reception signal. The conductive antenna pattern layer may include a fifth circuit pattern layer 142 and a sixth circuit pattern layer 152 constituting the third substrate layer. The conductive antenna pattern layer including the fifth circuit pattern layer 142 and the sixth circuit pattern layer 152 as described above may be an antenna that resonates in a plurality of resonant frequency bands. For example, the conductive antenna pattern layer may be a dual resonant antenna resonating in different resonant frequency bands. For example, the conductive antenna pattern layer may be a dual resonance antenna resonating in a first frequency band of 24.03 GHz to 25.81 GHz and a second frequency band of 27.07 GHz to 28.80 GHz, respectively.

이때, 제5 회로 패턴층(142) 및 제6 회로 패턴층(152)을 포함하는 도전성 안테나 패턴층은 정해진 목표 주파수에 대응하는 공진 주파수 대역에서 공진할 수 있다. 이를 위해, 제5 회로 패턴층(142) 및 제6 회로 패턴층(152)을 포함하는 제3 기판층은 상기 공진 주파수 대역에서 공진을 하도록 설계될 수 있다. 예를 들어, 제3 기판층을 구성하는 제4 절연층(140) 및 제5 절연층(150)의 유전율 또는 두께에 따라 상기 제5 회로 패턴층(142) 및 제6 회로 패턴층(152)의 공진 주파수 대역은 변화할 수 있다. 따라서, 상기 목표 주파수 대역에서 상기 제5 회로 패턴층(142) 및 제6 회로 패턴층(152)이 공진할 수 있도록, 상기 제4 절연층(140) 및 제5 절연층(150)의 유전율 또는 두께가 결정될 수 있다.In this case, the conductive antenna pattern layer including the fifth circuit pattern layer 142 and the sixth circuit pattern layer 152 may resonate in a resonant frequency band corresponding to a predetermined target frequency. To this end, the third substrate layer including the fifth circuit pattern layer 142 and the sixth circuit pattern layer 152 may be designed to resonate in the resonant frequency band. For example, according to the dielectric constant or thickness of the fourth insulating layer 140 and the fifth insulating layer 150 constituting the third substrate layer, the fifth circuit pattern layer 142 and the sixth circuit pattern layer 152 . The resonant frequency band of may vary. Therefore, the dielectric constant or the dielectric constant of the fourth insulating layer 140 and the fifth insulating layer 150 so that the fifth circuit pattern layer 142 and the sixth circuit pattern layer 152 can resonate in the target frequency band The thickness may be determined.

이에 따라, 실시 예에서의 제2 기판층과 제3 기판층은 비대칭 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 실시 예에서의 회로기판은 상기 제1 기판층을 중심으로, 상기 제1 기판층 위에 배치되는 제2 기판층과, 상기 제1 기판층 아래에 배치되는 제3 기판층은 비대칭 구조를 가질 수 있다. 여기에서, 상기 비대칭 구조는, 상기 제2 기판층이 가지는 두께 및 유전율이, 상기 제3 기판층이 가지는 두께 및 유전율과 다른 것을 의미할 수 있다.Accordingly, the second substrate layer and the third substrate layer in the embodiment may have an asymmetric structure. For example, in the circuit board in the embodiment, a second substrate layer disposed on the first substrate layer and a third substrate layer disposed below the first substrate layer have an asymmetric structure with respect to the first substrate layer. can have Here, the asymmetric structure may mean that the thickness and the dielectric constant of the second substrate layer are different from the thickness and the dielectric constant of the third substrate layer.

상기 제3 기판층을 구성하는 제4 절연층(140) 및 제5 절연층(150)의 유전율은 상기 제2 기판층을 구성하는 제2 절연층(120) 및 제3 절연층(130)의 유전율보다 클 수 있다. 상기 제3 기판층을 구성하는 제4 절연층(140) 및 제5 절연층(150)의 두께는 상기 제2 기판층을 구성하는 제2 절연층(120) 및 제3 절연층(130)의 두께보다 클 수 있다.The dielectric constants of the fourth insulating layer 140 and the fifth insulating layer 150 constituting the third substrate layer are those of the second insulating layer 120 and the third insulating layer 130 constituting the second substrate layer. It may be greater than the permittivity. The thickness of the fourth insulating layer 140 and the fifth insulating layer 150 constituting the third substrate layer is that of the second insulating layer 120 and the third insulating layer 130 constituting the second substrate layer. It may be larger than the thickness.

그리고, 상기와 같이, 제1 기판층을 중심으로, 상기 제2 기판층과 상기 제3 기판층이 상호 비대칭 구조를 가짐에 따라, 실시 예에서의 회로기판은 제조 공정에서 휨(warpage)이 발생할 수 있다.And, as described above, around the first substrate layer, as the second substrate layer and the third substrate layer have a mutually asymmetric structure, the circuit board in the embodiment may cause warpage in the manufacturing process. can

이때, 상기 휨 발생을 해결하기 방안으로 다양한 변수가 고려될 수 있다. 예를 들어, 휨에 강한 특성을 가지는 재료로, 제2 기판층이나 제3 기판층의 각 층의 재료를 변경하거나, 각 층의 회로패턴층의 디자인을 변경하거나, 절연층의 두께를 변경하거나, 회로기판의 층 수를 변경하는 등의 다양한 변수를 고려할 수 있다. 그러나, 통상적으로 회로기판은 제품에 맞게 스펙이 정해지게 된다. 예를 들어, 회로기판을 구성하는 각 층의 소재, 두께, 오차 범위 및 패턴 디자인 등은 제품 스펙에 대응하는 설계 도면에 의해 이미 결정된 상태이며, 이에 따라 상기 휨의 발생을 해결하기 위한, 변경 가능한 항목들은 상대적으로 제한적이다. 이에 따라, 실시 예에서는 회로기판의 설계 도면에 대응하는 제품 스펙을 유지한 상태에서, 회로 패턴층의 치수 변경을 통해 회로기판의 휨 발생을 최소화할 수 있도록 한다. 예를 들어, 실시 예에서는 회로기판의 최외측에 배치되는 제1 최외측 회로 패턴층 및/또는 제2 최외측 회로 패턴층의 두께 변화를 통해 상기와 같은 휨 발생 문제를 해결할 수 있도록 한다.At this time, various variables may be considered as a way to solve the warpage occurrence. For example, as a material having a property strong against warpage, the material of each layer of the second substrate layer or the third substrate layer is changed, the design of the circuit pattern layer of each layer is changed, the thickness of the insulating layer is changed, , various variables such as changing the number of layers of the circuit board can be considered. However, in general, the specifications of the circuit board are determined according to the product. For example, the material, thickness, error range, pattern design, etc. of each layer constituting the circuit board are already determined by the design drawing corresponding to the product specification, and accordingly, to solve the occurrence of the warpage, changeable Items are relatively limited. Accordingly, in the embodiment, it is possible to minimize the occurrence of warpage of the circuit board by changing the dimensions of the circuit pattern layer while maintaining the product specifications corresponding to the design drawings of the circuit board. For example, in the embodiment, the warpage occurrence problem as described above can be solved by changing the thickness of the first outermost circuit pattern layer and/or the second outermost circuit pattern layer disposed on the outermost side of the circuit board.

이때, 비교 예에서의 제1 기판층, 제2 기판층 및 제3 기판층의 각 층의 수치를 보면 다음의 표 1과 같다.At this time, the numerical values of the respective layers of the first substrate layer, the second substrate layer, and the third substrate layer in the comparative example are shown in Table 1 below.

두께thickness 동박률copper foil rate CTECTE 제1 솔더 레지스트층(160)first solder resist layer 160 15㎛15㎛ 80%80% 제4 회로 패턴층(132)Fourth circuit pattern layer 132 15㎛15㎛ 61%61% 제3 절연층(130)third insulating layer 130 20㎛20㎛ 2%2% 1.55ppm/℃1.55ppm/℃ 제3 회로 패턴층(122)Third circuit pattern layer 122 15㎛15㎛ 78%78% 제2 절연층(120)second insulating layer 120 20㎛20㎛ 8%8% 1.41ppm/℃1.41ppm/℃ 제1 회로 패턴층(112)first circuit pattern layer 112 25㎛25㎛ 76%76% 제1 절연층(110)first insulating layer 110 100㎛100㎛ 4%4% 제2 회로 패턴층(114)second circuit pattern layer 114 25㎛25㎛ 72%72% 제4 절연층(140)fourth insulating layer 140 100㎛100㎛ 2%2% 1.57ppm/℃1.57ppm/℃ 제5 회로 패턴층(142)fifth circuit pattern layer 142 15㎛15㎛ 54%54% 제5 절연층(150)fifth insulating layer 150 100㎛100㎛ 2%2% 1.57ppm/℃1.57ppm/℃ 제6 회로 패턴층(152)6th circuit pattern layer 152 15㎛15㎛ 50%50% 제2 솔더 레지스트층(170)second solder resist layer 170 15㎛15㎛ 96%96%

표 1을 참조하면, 비교 예에서의 제1 절연층(110)은 제1 두께(T1)를 가질 수 있다. 상기 제1 절연층(110)은 코어층이며, 이에 따라 상대적으로 두께운 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(110)은 100㎛일 수 있다.Referring to Table 1, the first insulating layer 110 in the comparative example may have a first thickness T1. The first insulating layer 110 is a core layer, and thus may have a relatively large thickness. For example, the first insulating layer 110 may be 100 μm.

제2 절연층(120) 및 제3 절연층(130)은 상기 제1 절연층(110)의 상측에 각각 제2 두께(T2) 및 제3 두께(T3)를 가지며 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 두께(T2) 및 제3 두께(T3) 각각은 20㎛일 수 있다.The second insulating layer 120 and the third insulating layer 130 may be formed on the upper side of the first insulating layer 110 to have a second thickness T2 and a third thickness T3, respectively. For example, each of the second thickness T2 and the third thickness T3 may be 20 μm.

제4 절연층(140) 및 제5 절연층(150)은 상기 제1 절연층(110)의 하측에 각각 제4 두께(T4) 및 제5 두께(T5)를 가지며 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제4 두께(T4) 및 제5 두께(T5) 각각은 100㎛일 수 있다. The fourth insulating layer 140 and the fifth insulating layer 150 may be formed under the first insulating layer 110 to have a fourth thickness T4 and a fifth thickness T5, respectively. For example, each of the fourth thickness T4 and the fifth thickness T5 may be 100 μm.

또한, 상기 제1 회로 패턴층(112) 및 제2 회로 패턴층(114)은 상기 제1 절연층(110)의 상면 및 하면에 각각 제6 두께(T6)을 가지며 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제6 두께(T6)는 25㎛일 수 있다.Also, the first circuit pattern layer 112 and the second circuit pattern layer 114 may be formed on an upper surface and a lower surface of the first insulating layer 110 to have a sixth thickness T6, respectively. For example, the sixth thickness T6 may be 25 μm.

또한, 상기 제3 회로 패턴층(122), 제4 회로 패턴층(132), 제5 회로 패턴층(142) 및 제6 회로 패턴층(152)은 각각 해당 절연층의 표면에 제7 두께(T7)를 가지며 형성될 수 있다. 상기 제7 두께(T7)는 15㎛일 수 있다.In addition, the third circuit pattern layer 122, the fourth circuit pattern layer 132, the fifth circuit pattern layer 142, and the sixth circuit pattern layer 152 have a seventh thickness ( T7) and can be formed. The seventh thickness T7 may be 15 μm.

또한, 비교 예에서의 상기 제1 솔더 레지스트층(160) 및 제2 솔더 레지스트층(170)은 서로 동일한 두께를 가진다. 예를 들어, 상기 제1 솔더 레지스트층(160) 및 제2 솔더 레지스트층(170)은 15㎛일 수 있다. In addition, the first solder resist layer 160 and the second solder resist layer 170 in the comparative example have the same thickness. For example, the first solder resist layer 160 and the second solder resist layer 170 may be 15 μm.

이때, 상기 표 1에서와 같은 비교 예의 경우 제1 기판층을 중심으로, 이의 상측에 배치되는 제2 기판층과, 이의 하측에 배치되는 제3 기판층은, 각각의 절연층이 가지는 두께나 유전율이 서로 상이하고, 나아가 각각의 회로 패턴층의 동박률도 서로 상이하다. 여기에서 동박률은, 절연층의 전체 표면 면적에서, 회로 패턴층이 배치되는 면적의 비율을 의미할 수 있다. At this time, in the case of the comparative example as shown in Table 1, the second substrate layer disposed on the upper side of the first substrate layer and the third substrate layer disposed below the first substrate layer have a thickness or dielectric constant of each insulating layer. These are different from each other, and the copper foil rate of each circuit pattern layer also differs from each other. Here, the copper foil rate may mean a ratio of an area in which the circuit pattern layer is disposed to the total surface area of the insulating layer.

이에 따라, 상기 표 1에서와 같은 비교 예의 구조의 경우, 제2 기판층과 제3 기판층의 상호 비대칭 구조에 의해, 회로기판의 휨이 발생하게 된다. 예를 들어, 표 1과 같은 비교 예의 구조의 경우, 제2 기판층이 상기 제3 기판층이 배치된 방향으로 휨이 발생할 수 있다. 예를 들어, 표 1의과 같은 비교 예의 구조의 제1 기판층, 제2 기판층 및 제3 기판층의 가장자리 영역이 하측 방향으로 휘어지는 스마일 형상(^)의 휨이 발생하게 된다. Accordingly, in the case of the structure of the comparative example as shown in Table 1, the circuit board is warped due to the mutually asymmetric structure of the second substrate layer and the third substrate layer. For example, in the case of the structure of the comparative example shown in Table 1, the second substrate layer may be bent in the direction in which the third substrate layer is disposed. For example, a smile shape (^) in which the edge regions of the first substrate layer, the second substrate layer, and the third substrate layer of the structure of the comparative example shown in Table 1 are curved downward occurs.

이때, 실시 예에서는 회로기판의 구조에서, 최외측에 배치된 제1 솔더 레지스트층(160) 및 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께 변화를 통해 회로 기판의 휨 발생을 최소화할 수 있도록 한다.At this time, in the embodiment, in the structure of the circuit board, the occurrence of warpage of the circuit board can be minimized by changing the thickness of the first solder resist layer 160 and the second solder resist layer 170 disposed on the outermost side.

여기에서, 상기 휨 발생의 개선을 위해, 다음과 같이 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께를 고정한 상태에서, 상기 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께를 변화시킬 경우의 휨 발생 정도를 확인해보았다. 즉, 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께가 고정된 상태에서의 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께 변화에 따른 휨 발생 정도는 아래의 표 2와 같다. 이때, 실시 예에서의 솔더 레지스트층의 두께는 일반적으로 10㎛ 내지 20㎛ 사이의 값을 가져야 한다. 표 2는 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께를 15㎛로 고정한 상태에서의 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께 변화에 따른 휨 발생 정도를 보여준다.Here, in order to improve the warpage occurrence, the degree of warpage occurring when the thickness of the second solder resist layer 170 is changed in a state where the thickness of the first solder resist layer 160 is fixed as follows is confirmed. saw. That is, in a state in which the thickness of the first solder resist layer 160 is fixed, the degree of warpage according to the change in the thickness of the second solder resist layer 170 is shown in Table 2 below. In this case, the thickness of the solder resist layer in the embodiment should generally have a value between 10 μm and 20 μm. Table 2 shows the degree of warpage according to the change in the thickness of the second solder resist layer 170 in a state where the thickness of the first solder resist layer 160 is fixed to 15 μm.

제2 솔더 레지스트층(170)의 두께Thickness of the second solder resist layer 170 휨 발생 정도degree of warpage 10㎛10㎛ 0.35241mm0.35241mm 12㎛12㎛ 0.37547mm0.37547mm 14㎛14㎛ 0.38942mm0.38942mm 16㎛16㎛ 0.4095mm0.4095mm 18㎛18㎛ 0.4154mm0.4154mm 20㎛20㎛ 0.4352mm0.4352mm

일반적으로, 휨 발생 정도는 0.4mm 미만의 값, 나아가 0.3mm 미만의 값을 가지는 경우, 회로기판의 제조 공정에서 신뢰성 문제 없이 정상적인 제조가 가능할 수 있다.In general, when the degree of warpage has a value of less than 0.4 mm, furthermore, less than 0.3 mm, normal manufacturing may be possible without a reliability problem in the manufacturing process of the circuit board.

그러나, 표 2에서와 같이, 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께를 고정시킨 상태에서, 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께를 변화시키는 경우, 회로기판의 휨 발생 정도에 큰 영향을 주지 않는 것을 확인할 수 있었다.However, as shown in Table 2, when the thickness of the second solder resist layer 170 is changed while the thickness of the first solder resist layer 160 is fixed, the degree of warpage of the circuit board is not greatly affected. could confirm that it was not.

다음으로, 상기 휨 발생의 개선을 위해, 다음과 같이 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께를 고정한 상태에서, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께를 변화시킬 경우의 휨 발생 정도를 확인해보았다. 즉, 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께가 고정된 상태에서의 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께 변화에 따른 휨 발생 정도는 아래의 표 3과 같다. 이때, 실시 예에서의 솔더 레지스트층의 두께는 10㎛ 내지 20㎛ 사이의 값을 가져야 한다. 표 3은 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께를 15㎛로 고정한 상태에서의 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께 변화에 따른 휨 발생 정도를 보여준다.Next, in order to improve the warpage occurrence, the degree of warpage occurring when the thickness of the first solder resist layer 160 is changed while the thickness of the second solder resist layer 170 is fixed as follows is confirmed. saw. That is, in a state in which the thickness of the second solder resist layer 170 is fixed, the degree of warpage according to the change in the thickness of the first solder resist layer 160 is shown in Table 3 below. In this case, the thickness of the solder resist layer in the embodiment should have a value between 10 μm and 20 μm. Table 3 shows the degree of warpage according to the change in the thickness of the first solder resist layer 160 in a state where the thickness of the second solder resist layer 170 is fixed to 15 μm.

제1 솔더 레지스트층(160)의 두께Thickness of the first solder resist layer 160 휨 발생 정도degree of warpage 10㎛10㎛ 0.4924mm0.4924mm 12㎛12㎛ 0.4752mm0.4752mm 14㎛14㎛ 0.4254mm0.4254mm 16㎛16㎛ 0.3652mm0.3652mm 18㎛18㎛ 0.2592mm0.2592mm 20㎛20㎛ 0.2339mm0.2339mm

상기 표3에서와 같이, 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께가 고정된 상태에서, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께가 감소하는 경우, 이에 따른 휨 발생 정도는 더 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 그리고, 상기 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께가 고정된 상태에서, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께가 증가하는 경우, 이에 따른 휨 발생 정도는 감소하는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 3, when the thickness of the first solder resist layer 160 decreases while the thickness of the second solder resist layer 170 is fixed, it can be seen that the degree of warpage according to this is further increased. could And, when the thickness of the first solder resist layer 160 increases while the thickness of the second solder resist layer 170 is fixed, it was confirmed that the degree of occurrence of warpage according to the increase was confirmed.

예를 들어, 표 3에서와 같이, 제1 솔더 레지스트층(160)이 가질 수 있는 두께 범위 내에서 최대 값의 두께를 가지고 제1 솔더 레지스트층(160)이 형성되는 경우, 가장 작은 휨 발생 정도가 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 그리고, 제1 솔더 레지스트층(160)이 가질 수 있는 두께 범위 내에서 최소 값의 두께를 가지고 제1 솔더 레지스트층(160)이 형성되는 경우, 가장 큰 휨 발생 정도가 나타나는 것을 확인할 수 있었다.For example, as shown in Table 3, when the first solder resist layer 160 is formed with a maximum thickness within the thickness range that the first solder resist layer 160 can have, the smallest degree of warpage occurs. could be seen to appear. In addition, it was confirmed that, when the first solder resist layer 160 is formed with a minimum thickness within the thickness range that the first solder resist layer 160 can have, the largest degree of warpage occurs.

따라서, 실시 예에서는 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께를 증가시켜 이에 따른 회로기판의 휨 발생 정도를 최소화할 수 있도록 한다.Therefore, in the embodiment, the thickness of the first solder resist layer 160 is increased to minimize the degree of warpage of the circuit board.

나아가, 실시 예에서는 제한된 범위 내에서, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께를 증가시키면서, 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께를 감소시는 경우, 상기 회로기판의 휨 발생 정도가 최소가 되는 것을 확인할 수 있었다.Furthermore, in the embodiment, when the thickness of the second solder resist layer 170 is decreased while increasing the thickness of the first solder resist layer 160 within a limited range, the degree of warpage of the circuit board is minimized. was able to confirm that

다시 말해서, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께가 상기 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께보다 크면서, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께와 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께 사이의 차이가 클수록 휨 발생 정도는 감소하는 것을 확인할 수 있었다.In other words, while the thickness of the first solder resist layer 160 is greater than the thickness of the second solder resist layer 170 , the thickness of the first solder resist layer 160 and the second solder resist layer 170 . It was confirmed that the degree of warpage decreased as the difference between the thicknesses increased.

이에 따라, 실시 예에서는 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께가 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께보다 크도록 하여 이에 따른 회로기판의 휨 발생 정도를 줄일 수 있도록 한다. Accordingly, in the embodiment, the thickness of the first solder resist layer 160 is greater than the thickness of the second solder resist layer 170 to reduce the degree of warpage of the circuit board.

실시 예의 제1 솔더 레지스트층(160)은 제8 두께(T8)를 가질 수 있다. 상기 제8 두께(T8)는 16㎛ 내지 20㎛ 사이의 값을 가질 수 있다.The first solder resist layer 160 of the embodiment may have an eighth thickness T8. The eighth thickness T8 may have a value between 16 μm and 20 μm.

또한, 실시 예의 제2 솔더 레지스트층(170)은 제9 두께(T9)를 가질 수 있다. 상기 제9 두께(T9)는 상기 제8 두께(T8)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제9 두께(T9)는 10㎛ 내지 15㎛ 사이의 값을 가질 수 있다. Also, the second solder resist layer 170 according to the embodiment may have a ninth thickness T9. The ninth thickness T9 may be smaller than the eighth thickness T8 . For example, the ninth thickness T9 may have a value between 10 μm and 15 μm.

예를 들어, 실시 예에서의 제1 솔더 레지스트층(160)이 가지는 제8 두께(T8)는 상기 제2 솔더 레지스트층(170)이 가지는 제9 두께(T9)의 130% 내지 200% 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 제8 두께(T8)가 제9 두께(T9)의 130%보다 작은 경우, 상기 휨 발생 정도의 감소 수준이 미비할 수 있다. 또한, 상기 제8 두께(T8)가 상기 제9 두께(T9)의 200%보다 큰 경우, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께의 증가에 따른 회로기판의 전체적인 두께가 증가할 수 있다.For example, the eighth thickness T8 of the first solder resist layer 160 in the embodiment is between 130% and 200% of the ninth thickness T9 of the second solder resist layer 170 . can have a value. When the eighth thickness T8 is less than 130% of the ninth thickness T9, the reduction level of the degree of warpage may be insignificant. In addition, when the eighth thickness T8 is greater than 200% of the ninth thickness T9 , the overall thickness of the circuit board may increase according to an increase in the thickness of the first solder resist layer 160 .

즉, 실시 예에서는 구동부를 포함하는 제2 기판층 및 안테나부를 포함하는 제3 기판층을 포함하는 안테나 기판에 있어서, 상기 구동부 위에 배치되는 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께가 상기 안테나부 아래에 배치되는 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께보다 작도록 하여, 회로기판의 전체적인 휨 발생 정도를 획기적으로 낮출 수 있도록 한다. That is, in the embodiment, in the antenna substrate including the second substrate layer including the driving unit and the third substrate layer including the antenna unit, the thickness of the first solder resist layer 160 disposed on the driving unit is below the antenna unit. By making it smaller than the thickness of the second solder resist layer 170 disposed on the

도 4는 실시 예에 따른 회로기판의 구체적인 구성을 나타낸 도면이다.4 is a view showing a detailed configuration of a circuit board according to an embodiment.

도 4를 참조하면, 회로기판은 도 3에 대응하게, 절연층, 회로 패턴층 및 솔더 레지스트층을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the circuit board may include an insulating layer, a circuit pattern layer, and a solder resist layer corresponding to FIG. 3 .

예를 들어, 회로기판은 제1 절연층(210), 제1 회로 패턴층(212) 및 제2 회로 패턴층(214)을 포함하는 제1 기판층을 포함한다.For example, the circuit board includes a first substrate layer including a first insulating layer 210 , a first circuit pattern layer 212 , and a second circuit pattern layer 214 .

또한, 회로기판은 제1 기판층 위에 배치되는 제2 절연층(220), 제3 회로 패턴층(222), 제3 절연층(230) 및 제4 회로 패턴층(232)을 포함하는 제2 기판층을 포함할 수 있다. 이와 같은 제2 기판층은 안테나 기판에서, 구동부를 구성할 수 있다. 예를 들어, 상기 구동부는 상기 제3 기판층에 대응하는 안테나부를 구동시킬 수 있다.In addition, the circuit board includes a second insulating layer 220 , a third circuit pattern layer 222 , a third insulating layer 230 , and a fourth circuit pattern layer 232 disposed on the first substrate layer. It may include a substrate layer. Such a second substrate layer may constitute a driver in the antenna substrate. For example, the driving unit may drive the antenna unit corresponding to the third substrate layer.

또한, 회로기판은 제1 기판층 아래에, 제4 절연층(240), 제5 회로 패턴층(242), 제5 절연층(250) 및 제6 절연층(252)을 포함하는 제3 기판층을 포함할 수 있다. 상기 제3 기판층은 안테나 기판에서, 안테나부를 구성할 수 있다.In addition, the circuit board is a third substrate including a fourth insulating layer 240 , a fifth circuit pattern layer 242 , a fifth insulating layer 250 , and a sixth insulating layer 252 under the first substrate layer. layers may be included. The third substrate layer may constitute an antenna unit in the antenna substrate.

또한, 회로기판은 각각의 절연층 내에 배치되는 비아를 포함할 수 있다.In addition, the circuit board may include vias disposed within each insulating layer.

예를 들어, 제1 절연층(210) 내에는 제1 비아(V1)가 배치될 수 있다. 상기 제1 비아(V1)는 제1 회로 패턴층(212)과 제2 회로 패턴층(214) 사이를 전기적으로 연결할 수 있다. For example, a first via V1 may be disposed in the first insulating layer 210 . The first via V1 may electrically connect between the first circuit pattern layer 212 and the second circuit pattern layer 214 .

예를 들어, 제2 절연층(220) 내에는 제1 비아(V2)가 배치될 수 있다. 상기 제2 비아(V2)는 제1 회로 패턴층(212)과 제3 회로 패턴층(222) 사이를 전기적으로 연결할 수 있다. For example, a first via V2 may be disposed in the second insulating layer 220 . The second via V2 may electrically connect between the first circuit pattern layer 212 and the third circuit pattern layer 222 .

예를 들어, 제3 절연층(230) 내에는 제3 비아(V3)가 배치될 수 있다. 상기 제3 비아(V3)는 제3 회로 패턴층(222)과 제4 회로 패턴층(232) 사이를 전기적으로 연결할 수 있다. For example, a third via V3 may be disposed in the third insulating layer 230 . The third via V3 may electrically connect between the third circuit pattern layer 222 and the fourth circuit pattern layer 232 .

예를 들어, 제4 절연층(240) 내에는 제4 비아(V4)가 배치될 수 있다. 상기 제4 비아(V4)는 제2 회로 패턴층(214)과 제5 회로 패턴층(242) 사이를 전기적으로 연결할 수 있다. For example, a fourth via V4 may be disposed in the fourth insulating layer 240 . The fourth via V4 may electrically connect between the second circuit pattern layer 214 and the fifth circuit pattern layer 242 .

예를 들어, 제5 절연층(250) 내에는 제5 비아(V5)가 배치될 수 있다. 상기 제5 비아(V5)는 제5 회로 패턴층(242)과 제6 회로 패턴층(252) 사이를 전기적으로 연결할 수 있다. For example, a fifth via V5 may be disposed in the fifth insulating layer 250 . The fifth via V5 may electrically connect between the fifth circuit pattern layer 242 and the sixth circuit pattern layer 252 .

상기 제1 비아 내지 제5 비아(V1, V2, V3, V4, V5)는 각각의 절연층을 관통하는 비아 홀 내부를 금속 물질로 충진하여 형성할 수 있다.The first through fifth vias V1 , V2 , V3 , V4 , and V5 may be formed by filling an inside of a via hole passing through each insulating layer with a metal material.

상기 비아 홀은 레이저 가공 방식에 의해 형성될 수 있다. 즉, 비아 홀은 CO2 레이저 방식을 사용하는 비아 홀 가공 장치에 의해 형성될 수 있다. The via hole may be formed by a laser processing method. That is, the via hole may be formed by a via hole processing apparatus using a CO 2 laser method.

그리고, 상기 제1 비아 내지 제5 비아(V1, V2, V3, V4, V5)는 비아 홀의 내부를 구리(Cu), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni) 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택되는 어느 하나의 금속 물질을 충진하여 형성할 수 있다. 이때, 상기 금속 물질의 충진은 무전해 도금, 전해 도금, 스크린 인쇄(Screen Printing), 스퍼터링(Sputtering), 증발법(Evaporation), 잉크젯팅 및 디스펜싱 중 어느 하나 또는 이들의 조합된 방식을 이용할 수 있다.In addition, the first vias to the fifth vias V1, V2, V3, V4, and V5 form the inside of the via hole with copper (Cu), silver (Ag), tin (Sn), gold (Au), and nickel (Ni). And it may be formed by filling any one metal material selected from palladium (Pd). In this case, the filling of the metal material may use any one or a combination of electroless plating, electrolytic plating, screen printing, sputtering, evaporation, inkjetting and dispensing. there is.

그리고, 제2 기판층의 최외측 절연층 위에는 제1 솔더 레지스트층(160)이 배치된다. 또한, 제3 기판층의 최외측 절연층 아래에는 제2 솔더 레지스트층(170)이 배치된다. 이때, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께는 상기 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께보다 크다. 이에 따라, 실시 예에서는 회로 기판의 상하 비대칭 구조에 의해 발생할 수 있는 휨 발생 정도를 감소할 수 있으며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, the first solder resist layer 160 is disposed on the outermost insulating layer of the second substrate layer. In addition, a second solder resist layer 170 is disposed under the outermost insulating layer of the third substrate layer. In this case, the thickness of the first solder resist layer 160 is greater than the thickness of the second solder resist layer 170 . Accordingly, in the embodiment, the degree of warpage that may occur due to the vertical asymmetric structure of the circuit board may be reduced, and thus reliability may be improved.

도 5는 제2 실시 예에 따른 회로기판을 나타낸 도면이고, 도 6은 제3 실시 예에 따른 회로 기판을 나타낸 도면이다.5 is a diagram illustrating a circuit board according to a second embodiment, and FIG. 6 is a diagram illustrating a circuit board according to a third embodiment.

도 5 및 도 6을 참조하면, 제2 및 제3 실시 예에 따른 회로 기판은 도 3 대비하여, 제4 회로 패턴층(132A) 및/또는 제6 회로 패턴층(152A)의 두께가 상이하다.5 and 6 , in the circuit boards according to the second and third embodiments, the thickness of the fourth circuit pattern layer 132A and/or the sixth circuit pattern layer 152A is different from that of FIG. 3 . .

이때, 상기 제1 솔더 레지스트층(160), 제2 솔더 레지스트층(170), 제4 회로 패턴층(132A) 및 제6 회로 패턴층(152A)의 두께 변화에 따른 휨 발생 정도를 살펴보면 다음의 표 4와 같다. 상기 제4 회로 패턴층(132A)은 제1 최외측 회로 패턴층이라 할 수 있고, 상기 제5 회로 패턴층(152A)은 제2 최외측 회로 패턴층이라 할 수 있다. At this time, the degree of warpage occurring according to the change in thickness of the first solder resist layer 160 , the second solder resist layer 170 , the fourth circuit pattern layer 132A and the sixth circuit pattern layer 152A is as follows. Table 4 shows. The fourth circuit pattern layer 132A may be referred to as a first outermost circuit pattern layer, and the fifth circuit pattern layer 152A may be referred to as a second outermost circuit pattern layer.

제1 최외측first outermost
회로패턴층의circuit pattern layer
두께(㎛)Thickness (㎛)
제2 최외측 회로 패턴층의of the second outermost circuit pattern layer
두께(㎛)Thickness (㎛)
제1 솔더 first solder
레지스트층의of the resist layer
두께(㎛)Thickness (㎛)
제2 솔더second solder
레지스트층의of the resist layer
두께(㎛)Thickness (㎛)
warpagewarpage
(mm)(mm)
1414 1616 1515 1515 0.40950.4095 2020 1010 0.23390.2339 2020 1515 1010 0.24380.2438 2020 1515 0.35900.3590 2020 1616 1515 1010 0.21980.2198 2020 1515 0.33880.3388 2020 1515 1515 0.37010.3701 2020 1010 0.19510.1951

상기 표 4에서와 같이, 회로기판의 휨 발생을 개선하기 위한 다양한 변수 중, 실시 예에서는 우선적으로 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께와 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께를 변화시킨다. 예를 들어, 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께를 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께보다 크도록 하여, 회로 기판의 휨 발생을 1차적으로 개선할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께를 증가시켜면서, 상기 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께를 감소시키는 것에 의해 회로기판의 휨 발생을 1차적으로 개선할 수 있다. As shown in Table 4, among various variables for improving the occurrence of warpage of the circuit board, in the embodiment, the thickness of the first solder resist layer 160 and the thickness of the second solder resist layer 170 are preferentially changed. For example, by making the thickness of the first solder resist layer 160 greater than the thickness of the second solder resist layer 170 , the occurrence of warpage of the circuit board may be primarily improved. For example, by decreasing the thickness of the second solder resist layer 170 while increasing the thickness of the first solder resist layer 160 , the occurrence of warpage of the circuit board may be primarily improved.

나아가, 실시 예에서는 상기 제1 솔더 레지스트층(160) 및 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께 변화와 함께, 제1 최외측 회로 패턴층의 두께와 제2 최외측 회로 패턴층의 두께를 변화시켜, 이에 따른 휨 발생 정도를 더욱 개선할 수 있도록 한다. Furthermore, in the embodiment, the thickness of the first outermost circuit pattern layer and the thickness of the second outermost circuit pattern layer are changed together with the change in the thickness of the first solder resist layer 160 and the second solder resist layer 170 . Thus, it is possible to further improve the degree of occurrence of warpage.

이때, 비교 예에서의 회로 패턴층은 15㎛ 정도의 두께를 가진다. In this case, the circuit pattern layer in the comparative example has a thickness of about 15 μm.

여기에서, 표 4에서와 같이, 제1 최외측 회로 패턴층의 두께 및 제2 최외측 회로 패턴층의 회로 패턴층의 두께가 증가하는 경우, 휨 발생 정도는 더욱 감소하는 것을 확인할 수 있었다.Here, as shown in Table 4, when the thickness of the first outermost circuit pattern layer and the thickness of the circuit pattern layer of the second outermost circuit pattern layer increased, it was confirmed that the degree of warpage was further reduced.

명확하게, 상기 제1 솔더 레지스트층(160) 및 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께 변화와 함께, 제1 최외측 회로 패턴층의 두께가 증가하거나, 제2 최외측 회로 패턴층의 두께가 증가하는 경우, 휨 발생 정도는 더욱 감소하는 것을 확인할 수 있었다.Specifically, with the change in the thickness of the first solder resist layer 160 and the second solder resist layer 170 , the thickness of the first outermost circuit pattern layer increases, or the thickness of the second outermost circuit pattern layer increases. When increasing, it was confirmed that the degree of warpage was further decreased.

이때, 제1 최외측 회로 패턴층의 두께가 15㎛로 유지된 상태에서, 제2 최외측 회로 패턴층의 두께만이 증가하는 경우, 상기 휨 발생 정도의 감소 수준은 미비하였다. 그리고, 상기 제1 최외측 회로 패턴층의 두께가 증가하는 경우, 상기 휨 발생 정도의 감소 수준은 확연히 차이가 있음을 확인할 수 있었다. 여기에 더하여, 상기 제1 최외측 회로 패턴층의 두께가 증가하면서, 이와 함께 상기 제2 최외측 회로 패턴층의 두께가 증가하는 경우, 휨 발생 정도의 감소 수준이 최상인 것을 확인할 수 있었다.In this case, when only the thickness of the second outermost circuit pattern layer increased while the thickness of the first outermost circuit pattern layer was maintained at 15 μm, the reduction level of the degree of warpage was insignificant. And, when the thickness of the first outermost circuit pattern layer is increased, it can be confirmed that the reduction level of the degree of warpage is significantly different. In addition, when the thickness of the first outermost circuit pattern layer is increased and the thickness of the second outermost circuit pattern layer is also increased, it can be confirmed that the reduction level of the degree of warpage is the best.

이에 따라, 실시 예에서는 도 5에서와 같이, 제2 최외측 회로 패턴층의 두께는 제7 두께(T7)를 유지하고, 제1 최외측 회로 패턴층의 두께를 제7-1 두께(T7-1)로 증가시킴으로써, 상기 회로 기판의 휨 발생을 개선할 수 있다.Accordingly, in the embodiment, as in FIG. 5 , the thickness of the second outermost circuit pattern layer is maintained at the seventh thickness (T7), and the thickness of the first outermost circuit pattern layer is set to the seventh thickness (T7−). By increasing to 1), it is possible to improve the occurrence of warpage of the circuit board.

나아가, 실시 예에서는 도 6에서와 같이, 제1 최외측 회로 패턴층의 두께를 제7-1 두께(T7-1)로 증가시키면서, 이와 함께 제2 최외측 회로 패턴층의 두께도 제7-1 두께(T7-1)로 증가시켜, 회로 기판의 휨 발생을 더욱 더 감소할 수 있도록 한다.Further, in the embodiment, as in FIG. 6 , while increasing the thickness of the first outermost circuit pattern layer to a 7-1 thickness (T7-1), the thickness of the second outermost circuit pattern layer is also shown in FIG. 7- By increasing it to 1 thickness (T7-1), it is possible to further reduce the occurrence of warpage of the circuit board.

이때, 상기 제7-1 두께(T7-1)는 16㎛ 내지 20㎛ 사이의 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제7-1 두께(T7-1)는 상기 제7 두께(T7)의 107% 내지 135% 사이의 값을 가질 수 있다.In this case, the 7-1th thickness T7-1 may have a value between 16 μm and 20 μm. For example, the 7-1 th thickness T7 - 1 may have a value between 107% and 135% of the seventh thickness T7 .

즉, 실시 예에서는 구동부를 포함하는 제2 기판층 및 안테나부를 포함하는 제3 기판층을 포함하는 안테나 기판에 있어서, 상기 구동부를 구성하는 회로패턴층 중 최상측에 배치되는 제1 최외측 회로 패턴층의 두께를 다른 층 대비 두껍게 함으로써, 회로기판의 전체적인 휨 발생 정도를 획기적으로 낮출 수 있도록 한다. That is, in the embodiment, in the antenna substrate including the second substrate layer including the driving unit and the third substrate layer including the antenna unit, the first outermost circuit pattern disposed on the uppermost side among the circuit pattern layers constituting the driving unit. By making the thickness of the layer thicker than other layers, it is possible to dramatically lower the overall degree of warpage of the circuit board.

도 7은 제4 실시 예에 따른 회로기판을 나타낸 도면이다.7 is a view showing a circuit board according to the fourth embodiment.

도 7을 참조하면, 회로기판은 절연층의 수를 기준으로 15층의 적층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 회로기판은 회로 패턴층의 수를 기준으로 16층의 적층 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 7 , the circuit board may have a stacked structure of 15 layers based on the number of insulating layers. For example, the circuit board may have a stacked structure of 16 layers based on the number of circuit pattern layers.

도 7에서와 같이, 회로기판은 제1 기판층, 제2 기판층 및 제3 기판층을 포함할 수 있다.7 , the circuit board may include a first substrate layer, a second substrate layer, and a third substrate layer.

제1 기판층은 절연층(310), 및 회로 패턴층(340)을 포함할 수 있다. 상기 회로 패턴층(340)은 절연층(310)의 상면에 배치되는 제1 회로 패턴층(341)과, 상기 절연층(320)의 하면에 배치되는 제2 회로 패턴층(342)을 포함할 수 있다.The first substrate layer may include an insulating layer 310 and a circuit pattern layer 340 . The circuit pattern layer 340 may include a first circuit pattern layer 341 disposed on an upper surface of the insulating layer 310 and a second circuit pattern layer 342 disposed on a lower surface of the insulating layer 320 . can

제2 기판층은 제1 기판층 위에 배치될 수 있다. 제2 기판층은 안테나 기판에서, 제1 기판층을 중심으로, 구동부가 배치되는 제1 영역일 수 있다. The second substrate layer may be disposed over the first substrate layer. The second substrate layer may be a first region of the antenna substrate in which the driver is disposed with the first substrate layer as the center.

제2 기판층은, 절연층(320) 및 회로 패턴층(350)을 포함할 수 있다. 상기 제2 기판층의 절연층(320)은 제1 내측 절연층(320A) 및 제1 최외측 절연층(320B)을 포함할 수 있다.The second substrate layer may include an insulating layer 320 and a circuit pattern layer 350 . The insulating layer 320 of the second substrate layer may include a first inner insulating layer 320A and a first outermost insulating layer 320B.

구체적으로, 제1 내측 절연층(320A)은 제1-1 내측 절연층(321), 제1-2 내측 절연층(322), 제1-3 내측 절연층(323), 제1-4 내측 절연층(324), 제1-5 내측 절연층(325) 및 제1-6 내측 절연층(326)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제1 최외측 절연층(320B)은 제1 내측 절연층(320A) 중 최상측에 배치된 제1-6 내측 절연층(326) 위에 배치될 수 있다.Specifically, the first inner insulating layer 320A includes the 1-1 inner insulating layer 321 , the 1-2 inner insulating layer 322 , the 1-3 inner insulating layer 323 , and the 1-4 inner side insulating layer 321 . It may include an insulating layer 324 , a 1-5 th inner insulating layer 325 , and a 1-6 th inner insulating layer 326 . In addition, the first outermost insulating layer 320B may be disposed on the 1-6th inner insulating layer 326 disposed on the uppermost side of the first inner insulating layers 320A.

또한, 제2 기판층의 회로 패턴층(350)은 제1 내측 회로 패턴층(350A) 및 제1 최외측 회로 패턴층(350B)을 포함할 수 있다.Also, the circuit pattern layer 350 of the second substrate layer may include a first inner circuit pattern layer 350A and a first outermost circuit pattern layer 350B.

구체적으로, 제1 내측 회로 패턴층(350A)은 제1-1 내측 회로 패턴층(351), 제1-2 내측 회로 패턴층(352), 제1-3 내측 회로 패턴층(353), 제1-4 내측 회로 패턴층(354), 제1-5 내측 회로 패턴층(355) 및 제1-6 내측 회로 패턴층(356)을 포함할 수 있다. Specifically, the first inner circuit pattern layer 350A includes the 1-1 inner circuit pattern layer 351 , the 1-2 inner circuit pattern layer 352 , the 1-3 inner circuit pattern layer 353 , and the second inner circuit pattern layer 351 . It may include a 1-4 inner circuit pattern layer 354 , a 1-5th inner circuit pattern layer 355 , and a 1-6th inner circuit pattern layer 356 .

제3 기판층은 제1 기판층 아래에 배치될 수 있다. 제3 기판층은 안테나 기판에서, 제1 기판층을 중심으로, 안테나부가 배치되는 제2 영역일 수 있다. The third substrate layer may be disposed below the first substrate layer. The third substrate layer may be a second region of the antenna substrate in which the antenna unit is disposed with the first substrate layer as the center.

제3 기판층은, 절연층(330) 및 회로 패턴층(360)을 포함할 수 있다. 상기 제3 기판층의 절연층(330)은 제2 내측 절연층(330A) 및 제2 최외측 절연층(330B)을 포함할 수 있다.The third substrate layer may include an insulating layer 330 and a circuit pattern layer 360 . The insulating layer 330 of the third substrate layer may include a second inner insulating layer 330A and a second outermost insulating layer 330B.

구체적으로, 제2 내측 절연층(330A)은 제2-1 내측 절연층(331), 제2-2 내측 절연층(332), 제2-3 내측 절연층(333), 제2-4 내측 절연층(334), 제2-5 내측 절연층(335) 및 제2-6 내측 절연층(336)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2 최외측 절연층(330B)은 제2 내측 절연층(330A) 중 최하측에 배치된 제2-6 내측 절연층(336) 아래에 배치될 수 있다.Specifically, the second inner insulating layer 330A includes the 2-1 inner insulating layer 331 , the 2-2 inner insulating layer 332 , the 2-3rd inner insulating layer 333 , and the 2-4 inner side insulating layer 330A. It may include an insulating layer 334 , a 2-5th inner insulating layer 335 , and a 2-6th inner insulating layer 336 . In addition, the second outermost insulating layer 330B may be disposed under the 2-6th inner insulating layer 336 disposed on the lowermost side among the second inner insulating layers 330A.

또한, 제3 기판층의 회로 패턴층(360)은 제2 내측 회로 패턴층(360A) 및 제2 최외측 회로 패턴층(360B)을 포함할 수 있다.Also, the circuit pattern layer 360 of the third substrate layer may include a second inner circuit pattern layer 360A and a second outermost circuit pattern layer 360B.

구체적으로, 제2 내측 회로 패턴층(360A)은 제2-1 내측 회로 패턴층(361), 제2-2 내측 회로 패턴층(362), 제2-3 내측 회로 패턴층(363), 제2-4 내측 회로 패턴층(364), 제2-5 내측 회로 패턴층(365) 및 제2-6 내측 회로 패턴층(366)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제2 최외측 회로 패턴층(360B)은 제2 최외측 절연층(330B) 아래에 배치될 수 있다.Specifically, the second inner circuit pattern layer 360A includes the 2-1 inner circuit pattern layer 361 , the 2-2 inner circuit pattern layer 362 , the 2-3rd inner circuit pattern layer 363 , and the second inner circuit pattern layer 361 . It may include a 2-4 inner circuit pattern layer 364 , a 2-5th inner circuit pattern layer 365 , and a 2-6th inner circuit pattern layer 366 . In addition, the second outermost circuit pattern layer 360B may be disposed under the second outermost insulating layer 330B.

또한, 회로기판은 제2 기판층 위에 배치되는 제1 솔더 레지스트층(370) 및 제3 기판층 아래에 배치되는 제2 솔더 레지스트층(380)을 포함할 수 있다.In addition, the circuit board may include a first solder resist layer 370 disposed on the second substrate layer and a second solder resist layer 380 disposed below the third substrate layer.

이때, 도 7의 구조에서, 각 층의 두께, 동박률 및 열팽창계수(CTE)는 아래의 표 5와 같을 수 있다.In this case, in the structure of FIG. 7 , the thickness, copper foil rate, and coefficient of thermal expansion (CTE) of each layer may be as shown in Table 5 below.

두께(㎛)Thickness (㎛) 동박률(%)Copper foil rate (%) CTE(ppm/℃)CTE (ppm/℃) 제1 솔더
레지스트층
first solder
resist layer
16~2016-20 8080
제1 최외측
회로 패턴층
first outermost
circuit pattern layer
16~2016-20 6161
제1 최외측
절연층
first outermost
insulating layer
2020 22 1.551.55
제1-6내측
회로 패턴층
1-6 inside
circuit pattern layer
1515 7676
제1-6내측
절연층
1-6 inside
insulating layer
2020 22 1.551.55
제1-5내측
회로 패턴
1-5 inside
circuit pattern
1515 7878
제1-5내측
절연층
1-5 inside
insulating layer
2020 1One 1.551.55
제1-4내측
회로 패턴
Part 1-4 inside
circuit pattern
2020 7676
제1-4내측
절연층
Part 1-4 inside
insulating layer
2020 1One 1.551.55
제1-3내측
회로 패턴
Part 1-3 inside
circuit pattern
1515 8585
제1-3내측
절연층
Part 1-3 inside
insulating layer
7070 88 1.411.41
제1-2내측
회로 패턴
Part 1-2 inside
circuit pattern
1515 7575
제1-2내측
절연층
Part 1-2 inside
insulating layer
7070 88 1.731.73
제1-1내측
회로 패턴
Article 1-1 Inside
circuit pattern
1515 8686
제1-1내측
절연층
Article 1-1 Inside
insulating layer
7070 66 1.411.41
제1 회로 패턴층first circuit pattern layer 2525 7676 제1 절연층first insulating layer 100100 44 제2 회로 패턴층second circuit pattern layer 2525 7272 제2-1 내측 절연층2-1 Inner Insulation Layer 7070 22 1.731.73 제2-1 내측
회로 패턴층
2-1 inner
circuit pattern layer
1515 3535
제2-2 내측 절연층2-2 Inner Insulation Layer 100100 22 1.571.57 제2-2 내측
회로 패턴층
2-2 inside
circuit pattern layer
1515 3636
제2-3 내측 절연층Section 2-3 Inner Insulation Layer 100100 22 1.571.57 제2-3 내측
회로 패턴층
2-3 inside
circuit pattern layer
1515 5454
제2-4 내측 절연층2-4 inner insulating layer 100100 22 1.571.57 제2-4 내측
회로 패턴층
2-4 inside
circuit pattern layer
1515 5252
제2-5 내측 절연층2-5 Inner Insulation Layer 7070 1One 1.411.41 제2-5 내측
회로 패턴층
2-5 inside
circuit pattern layer
1515 3636
제2-6 내측 절연층2-6 inner insulating layer 100100 22 1.571.57 제2-6 내측
회로 패턴층
2-6 inside
circuit pattern layer
1515 4545
제2 최외측
절연층
2nd outermost
insulating layer
100100 22 1.571.57
제2 최외측
회로 패턴층
2nd outermost
circuit pattern layer
16~2016-20 5050
제2 솔더
레지스트층
second solder
resist layer
10~1510-15 9696

표 5의 특징을 정리하면, 회로기판에서, 제1 기판층을 중심으로 제2 기판층과 제3 기판층은 상호 비대칭 구조를 가질 수 있다. 이때, 상기 비대칭 구조는 제2 기판층 및 제3 기판층을 구성하는 절연층의 두께, 절연층의 열팽창계수 및 회로 패턴층의 동박률 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.Summarizing the characteristics of Table 5, in the circuit board, the second substrate layer and the third substrate layer may have an asymmetric structure with respect to the first substrate layer. In this case, the asymmetric structure may include at least one of a thickness of an insulating layer constituting the second substrate layer and the third substrate layer, a coefficient of thermal expansion of the insulating layer, and a copper thickness of the circuit pattern layer.

구체적으로, 제2 기판층을 구성하는 복수의 절연층(제1 내측 절연층 및 제1 최외측 절연층)의 두께의 평균값은, 제3 기판층을 구성하는 복수의 절연층(제2 내측 절연층 및 제2 최외측 절연층)의 두께의 평균값보다 작을 수 있다. 이는, 상기 제3 기판층을 구성하는 복수의 절연층은 안테나부를 구성하며, 상기 안테나부가 특정 공진 주파수 대역에서 공진이 가능하도록, 일정 수준 이상의 유전율을 가지도록 하기 위함이다. 구체적으로, 제2 기판층을 구성하는 복수의 절연층의 평균 유전율은, 제3 기판층을 구성하는 복수의 절연층의 유전율의 평균값보다 작을 수 있다. Specifically, the average value of the thicknesses of the plurality of insulating layers (the first inner insulating layer and the first outermost insulating layer) constituting the second substrate layer is an average value of the thicknesses of the plurality of insulating layers (the second inner insulating layer) constituting the third substrate layer. layer and the second outermost insulating layer) may be smaller than the average value of the thicknesses. This is to ensure that the plurality of insulating layers constituting the third substrate layer constitute the antenna unit, and the antenna unit may have a dielectric constant greater than or equal to a certain level to enable resonance in a specific resonant frequency band. Specifically, the average dielectric constant of the plurality of insulating layers constituting the second substrate layer may be smaller than the average value of the dielectric constants of the plurality of insulating layers constituting the third substrate layer.

또한, 제2 기판층을 구성하는 복수의 회로 패턴층(제1 내측 회로 패턴층 및 제1 최외측 회로 패턴층)의 동박률의 평균값은 제3 기판층을 구성하는 복수의 회로 패턴층(제2 내측 회로 패턴층 및 제2 최외측 회로 패턴층)의 동박률의 평균값보다 클 수 있다.In addition, the average value of the copper foil ratio of the plurality of circuit pattern layers (the first inner circuit pattern layer and the first outermost circuit pattern layer) constituting the second substrate layer is the plurality of circuit pattern layers (the first circuit pattern layer) constituting the third substrate layer. 2 The inner circuit pattern layer and the second outermost circuit pattern layer) may be larger than the average value of the copper foil ratio.

또한, 제2 기판층을 구성하는 복수의 절연층(제1 내측 절연층 및 제1 최외측 절연층)의 열팽창계수의 평균값은, 제3 기판층을 구성하는 복수의 절연층(제2 내측 절연층 및 제2 최외측 절연층)의 열팽창계수의 평균값보다 작을 수 있다.In addition, the average value of the coefficient of thermal expansion of the plurality of insulating layers (the first inner insulating layer and the first outermost insulating layer) constituting the second substrate layer is an average value of the plurality of insulating layers (the second inner insulating layer) constituting the third substrate layer. layer and the second outermost insulating layer) may be smaller than the average value of the coefficient of thermal expansion.

상기와 같은 구조에서, 제1 솔더 레지스트층(370)의 두께를 증가시키거나, 상기 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께를 감소시키는 경우, 회로기판의 휨 발생 정도를 1차적으로 개선할 수 있다.In the above structure, when the thickness of the first solder resist layer 370 is increased or the thickness of the second solder resist layer 170 is decreased, the degree of warpage of the circuit board can be primarily improved. there is.

또한, 상기와 같은 구조에서, 제1 솔더 레지스트층(160) 또는 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께 변화와 함께, 최외측 회로 패턴층의 두께를 증가시키는 경우, 전체적인 휨 발생 정도를 더욱 개선할 수 있다. In addition, in the above structure, when the thickness of the outermost circuit pattern layer is increased along with the change in the thickness of the first solder resist layer 160 or the second solder resist layer 170 , the overall degree of warpage is further improved can do.

예를 들어, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께 증가 또는 제2 솔더 레지스트층(170)의 두께 감소와 함께, 제2 기판층을 구성하는 최외측 회로 패턴층(350B)의 두께를 증가시키는 경우, 회로기판의 전체적인 휨 발생 정도를 개선할 수 있다.For example, as the thickness of the first solder resist layer 160 increases or the thickness of the second solder resist layer 170 decreases, the thickness of the outermost circuit pattern layer 350B constituting the second substrate layer is increased. In this case, the overall degree of warpage of the circuit board can be improved.

예를 들어, 비교 예에서는 상기 최외측 회로 패턴층의 두께를 다른 회로 패턴층(예를 들어, 제1 내측 회로 패턴층 또는 제2 내측 회로 패턴층)의 두께와 동일하게 형성하였다. For example, in the comparative example, the thickness of the outermost circuit pattern layer was formed to be the same as that of another circuit pattern layer (eg, the first inner circuit pattern layer or the second inner circuit pattern layer).

이와 다르게, 실시 예에서는 상기 최외측 회로 패턴층(350B)의 두께를 다른 회로 패턴층(예를 들어, 제1 내측 회로 패턴층 또는 제2 내측 회로 패턴층)의 두께보다 두껍게 형성한다. 이에 따라, 실시 예에서는 회로기판의 전체적인 휨 발생 정도를 개선할 수 있으며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Alternatively, in the embodiment, the thickness of the outermost circuit pattern layer 350B is formed to be thicker than that of other circuit pattern layers (eg, the first inner circuit pattern layer or the second inner circuit pattern layer). Accordingly, in the embodiment, it is possible to improve the overall degree of warpage of the circuit board, and thus reliability can be improved.

이와 같은 회로기판은 다음과 같은 제조 방법에 의해 제조될 수 있다.Such a circuit board may be manufactured by the following manufacturing method.

우선, 실시 예에서는 제1 기판층을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.First, in the embodiment, a process of forming the first substrate layer may be performed.

실시 예에서는, 상기 제1 기판층이 형성되면, 상기 제1 기판층의 양측에 각각 제2 기판층과 제3 기판층을 형성하는 공정을 진행할 수 있다. In an embodiment, when the first substrate layer is formed, a process of forming a second substrate layer and a third substrate layer on both sides of the first substrate layer may be performed, respectively.

이때, 상기 제2 기판층과 상기 제3 기판층의 형성 공정은, 상기 제2 기판층의 최외측 회로 패턴층의 두께를 다른 회로 패턴층의 두께보다 두껍게 형성하는 공정을 포함할 수 있다.In this case, the forming process of the second substrate layer and the third substrate layer may include forming a thickness of the outermost circuit pattern layer of the second substrate layer to be thicker than that of other circuit pattern layers.

실시 예에서는, 상기 제2 기판층과 제3 기판층이 형성되면, 상기 제2 기판층 위에 제1 솔더 레지스트층을 형성하고, 상기 제3 기판층 아래에 제2 솔더 레지스트층을 형성하는 공정을 진행할 수 있다.In an embodiment, when the second substrate layer and the third substrate layer are formed, the process of forming a first solder resist layer on the second substrate layer and forming a second solder resist layer under the third substrate layer can proceed.

이때, 상기 제1 솔더 레지스트층(160)의 두께는 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께보다 큰 것을 특징으로 한다. In this case, the thickness of the first solder resist layer 160 is greater than the thickness of the second solder resist layer.

실시 예에서의 회로기판은 안테나 기판일 수 있다. 회로기판은 제1 기판층, 제2 기판층 및 제3 기판층을 포함할 수 있다. 상기 제2 기판층은 안테나 기판에서, 송신 소자 및 수신 소자와 연결되는 구동부에 대응하는 영역일 수 있다. 그리고, 제3 기판층은 신호 송신 및 신호 수신을 위한 안테나 패턴층를 포함하는 안테나 패턴부에 대응하는 영역일 수 있다. The circuit board in the embodiment may be an antenna board. The circuit board may include a first substrate layer, a second substrate layer, and a third substrate layer. The second substrate layer may be a region corresponding to the driver connected to the transmitting element and the receiving element in the antenna substrate. In addition, the third substrate layer may be a region corresponding to the antenna pattern portion including the antenna pattern layer for signal transmission and signal reception.

이때, 실시 예에서의 제2 기판층은 제1 솔더 레지스트층을 포함하고, 상기 제3 기판층은 제2 솔더 레지스트층을 포함할 수 있다. 이때, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께보다 클 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께의 130% 내지 200% 사이의 범위를 가질 수 있다. 실시 예에서는 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께를 증가시킬 수 있고, 상기 제1 솔더 레지스트층의 두께 증가와 함께 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께를 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 실시 예에서는 회로기판의 전체적인 휨 발생 정도를 획기적으로 줄일 수 있으며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In this case, the second substrate layer in the embodiment may include a first solder resist layer, and the third substrate layer may include a second solder resist layer. In this case, the thickness of the first solder resist layer may be greater than the thickness of the second solder resist layer. For example, the thickness of the first solder resist layer may range from 130% to 200% of the thickness of the second solder resist layer. In an embodiment, the thickness of the first solder resist layer may be increased, and the thickness of the second solder resist layer may be decreased together with the increase of the thickness of the first solder resist layer. Accordingly, in the embodiment, the overall degree of warpage of the circuit board may be remarkably reduced, and thus reliability may be improved.

또한, 실시 예에서는 상기 제1 솔더 레지스트층 및 제2 솔더 레지스트층의 두께 증가와 함께 회로 패턴층의 두께를 변화시킨다. 예를 들어, 실시 예에서의 제2 기판층은 제1 내측 회로 패턴층과 제1 최외측 회로 패턴층을 포함할 수 있다. 그리고, 제3 기판층은 제2 내측 회로 패턴층과 제2 최외측 회로 패턴층을 포함할 수 있다. 여기에서, 실시 예에서의 제1 최외측 회로 패턴층의 두께는 제1 내측 회로 패턴층 및 제2 내측 회로 패턴층보다 클 수 있다. 구체적으로, 제1 내측 회로 패턴층은 복수 개 포함할 수 있고, 이들의 두께의 평균값은 제1 최외측 회로 패턴층의 두께보다 작을 수 있다. 또한, 제2 내측 회로 패턴층은 복수 개 포함할 수 있고, 이들의 두께의 평균 값은 제2 최외측 회로 패턴층의 두께보다 작을 수 있다. 또한, 제1 최외측 회로 패턴층의 두께는 제2 최외측 회로 패턴층의 두께보다 클 수 있다. 이에 따라 실시 예에서는 회로기판의 전체적인 휨 발생 정도를 줄일 수 있으며, 이에 따른 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, in the embodiment, the thickness of the circuit pattern layer is changed along with the increase in the thickness of the first solder resist layer and the second solder resist layer. For example, the second substrate layer in the embodiment may include a first inner circuit pattern layer and a first outermost circuit pattern layer. In addition, the third substrate layer may include a second inner circuit pattern layer and a second outermost circuit pattern layer. Here, the thickness of the first outermost circuit pattern layer in the embodiment may be greater than that of the first inner circuit pattern layer and the second inner circuit pattern layer. Specifically, a plurality of first inner circuit pattern layers may be included, and an average value of their thicknesses may be smaller than a thickness of the first outermost circuit pattern layer. In addition, a plurality of second inner circuit pattern layers may be included, and an average value of their thicknesses may be smaller than a thickness of the second outermost circuit pattern layer. In addition, the thickness of the first outermost circuit pattern layer may be greater than the thickness of the second outermost circuit pattern layer. Accordingly, in the embodiment, the overall degree of warpage of the circuit board may be reduced, and thus reliability may be improved.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, etc. described in the above embodiments are included in at least one embodiment, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified for other embodiments by those of ordinary skill in the art to which the embodiments belong. Accordingly, the contents related to such combinations and variations should be interpreted as being included in the scope of the embodiments.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시예를 한정하는 것이 아니며, 실시예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 설정하는 실시예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the embodiment, and those of ordinary skill in the art to which the embodiment belongs are provided with several examples not illustrated above within the range that does not deviate from the essential characteristics of the embodiment. It can be seen that the transformation and application of branches are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the embodiments set forth in the appended claims.

Claims (15)

제1 기판층;
상기 제1 기판층 위에 배치되는 제2 기판층;
상기 제1 기판층 아래에 배치되는 제3 기판층;
상기 제2 기판층 위에 배치되는 제1 솔더 레지스트층; 및
상기 제3 기판층 아래에 배치되는 제2 솔더 레지스트층을 포함하고,
상기 제3 기판층은, 안테나부를 구성하고,
상기 제2 기판층은 상기 안테나부를 구동하는 구동부를 구성하며,
상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는, 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께보다 큰,
회로기판.
a first substrate layer;
a second substrate layer disposed on the first substrate layer;
a third substrate layer disposed under the first substrate layer;
a first solder resist layer disposed on the second substrate layer; and
a second solder resist layer disposed under the third substrate layer;
The third substrate layer constitutes an antenna unit,
The second substrate layer constitutes a driving unit for driving the antenna unit,
The thickness of the first solder resist layer is larger than the thickness of the second solder resist layer,
circuit board.
제1항에 있어서,
상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는,
상기 제2 솔더 레지스트층의 두께의 130% 내지 200% 사이의 범위를 가지는,
회로기판.
According to claim 1,
The thickness of the first solder resist layer is,
having a range between 130% and 200% of the thickness of the second solder resist layer;
circuit board.
제1항에 있어서,
상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는 16㎛ 내지 20㎛ 범위를 만족하고,
상기 제2 솔더 레지스트층의 두께는 10㎛ 내지 15㎛ 범위를 만족하는,
회로 기판.
According to claim 1,
The thickness of the first solder resist layer satisfies the range of 16 μm to 20 μm,
The thickness of the second solder resist layer satisfies the range of 10㎛ to 15㎛,
circuit board.
제1항에 있어서,
상기 제2 기판층은, 제1 내측 회로 패턴층 및 제1 최외측 회로 패턴층을 포함하고,
상기 제3 기판층은 제2 내측 회로 패턴층 및 제2 최외측 회로 패턴층을 포함하고,
상기 제1 내측 회로 패턴층의 두께는, 상기 제1 내측 회로 패턴층, 상기 제2 내측 회로 패턴층 및 상기 제2 최외측 회로 패턴층의 각각의 두께보다 큰,
회로기판.
According to claim 1,
The second substrate layer includes a first inner circuit pattern layer and a first outermost circuit pattern layer,
The third substrate layer includes a second inner circuit pattern layer and a second outermost circuit pattern layer,
The thickness of the first inner circuit pattern layer is greater than each of the first inner circuit pattern layer, the second inner circuit pattern layer and the second outermost circuit pattern layer,
circuit board.
제4항에 있어서,
상기 제1 내측 회로 패턴층은 복수 개이고,
상기 제1 최외측 회로 패턴층의 두께는, 상기 복수의 제1 내측 회로 패턴층의 두께의 평균값보다 큰,
회로기판.
5. The method of claim 4,
The first inner circuit pattern layer is a plurality,
The thickness of the first outermost circuit pattern layer is greater than the average value of the thicknesses of the plurality of first inner circuit pattern layers,
circuit board.
제4항에 있어서,
상기 제1 최외측 회로 패턴층의 두께는 16㎛ 내지 20㎛의 범위를 만족하는,
회로기판.
5. The method of claim 4,
The thickness of the first outermost circuit pattern layer satisfies the range of 16 μm to 20 μm,
circuit board.
제4항에 있어서,
상기 제1 내측 회로 패턴층 및 제1 최외측 회로 패턴층의 각각의 면적의 평균값은,
상기 제2 내측 회로 패턴층 및 제2 최외측 회로 패턴층의 각각의 면적의 평균값보다 큰,
회로기판.
5. The method of claim 4,
The average value of each area of the first inner circuit pattern layer and the first outermost circuit pattern layer is,
greater than the average value of each area of the second inner circuit pattern layer and the second outermost circuit pattern layer;
circuit board.
제4항에 있어서,
상기 제2 기판층은,
제1 내측 절연층 및 제1 최외측 절연층을 포함하고,
상기 제3 기판층은,
제2 내측 절연층 및 제2 최외측 절연층을 포함하고,
상기 제1 내측 회로 패턴층은 상기 제1 내측 절연층 위에 배치되고,
상기 제1 최외측 회로 패턴층은 상기 제1 최외측 절연층 위에 배치되고,
상기 제2 내측 회로 패턴층은 상기 제2 내측 절연층 아래에 배치되고,
상기 제2 최외측 회로 패턴층은 상기 제2 최외측 절연층 아래에 배치되는,
회로기판.
5. The method of claim 4,
The second substrate layer,
a first inner insulating layer and a first outermost insulating layer;
The third substrate layer,
a second inner insulating layer and a second outermost insulating layer;
The first inner circuit pattern layer is disposed on the first inner insulating layer,
The first outermost circuit pattern layer is disposed on the first outermost insulating layer,
The second inner circuit pattern layer is disposed under the second inner insulating layer,
The second outermost circuit pattern layer is disposed under the second outermost insulating layer,
circuit board.
제8항에 있어서,
상기 제1 내측 절연층 및 제1 최외측 절연층의 각각의 두께의 평균값은,
상기 제2 내측 절연층 및 제2 최외측 절연층의 각각의 두께의 평균값보다 작은,
회로기판.
9. The method of claim 8,
The average value of the respective thicknesses of the first inner insulating layer and the first outermost insulating layer is,
smaller than the average value of each thickness of the second inner insulating layer and the second outermost insulating layer;
circuit board.
제8항에 있어서,
상기 제1 내측 절연층 및 제1 최외측 절연층의 각각의 열팽창계수의 평균값은,
상기 제2 내측 절연층 및 제2 최외측 절연층의 각각의 열팽창계수의 평균값보다 작은,
회로기판.
9. The method of claim 8,
The average value of the respective coefficients of thermal expansion of the first inner insulating layer and the first outermost insulating layer is,
smaller than the average value of the respective coefficients of thermal expansion of the second inner insulating layer and the second outermost insulating layer;
circuit board.
제8항에 있어서,
상기 제1 내측 절연층 및 제1 최외측 절연층의 각각의 유전율의 평균값은,
상기 제2 내측 절연층 및 제2 최외측 절연층의 각각의 유전율의 평균값보다 작은,
회로기판.
9. The method of claim 8,
The average value of each dielectric constant of the first inner insulating layer and the first outermost insulating layer is,
smaller than the average value of the respective dielectric constants of the second inner insulating layer and the second outermost insulating layer;
circuit board.
제1 영역 및 상기 제1 영역 아래의 제2 영역을 포함하는 안테나 기판이고,
상기 안테나 기판의 제1 영역은, 상기 제2 영역이 구성하는 안테나부를 구동하는 구동부이고,
상기 안테나 기판의 제2 영역은 상기 구동부의 구동에 의해 동작하고, 송신 신호를 외부로 송신하거나, 외부로부터 송신되는 신호를 수신하고,
상기 제1 영역은, 제1 솔더 레지스트층을 포함하고,
상기 제2 영역은 제2 솔더 레지스트층을 포함하며,
상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는 상기 제2 솔더 레지스트층의 두께보다 큰,
안테나 기판.
An antenna substrate comprising a first area and a second area below the first area,
The first region of the antenna substrate is a driving unit for driving the antenna unit included in the second region,
The second region of the antenna substrate operates by driving the driver, transmits a transmission signal to the outside, or receives a signal transmitted from the outside;
The first region includes a first solder resist layer,
The second region includes a second solder resist layer,
The thickness of the first solder resist layer is greater than the thickness of the second solder resist layer,
antenna board.
제12항에 있어서,
상기 제1 영역은, 제1 내측 회로 패턴층 및 제1 최외측 회로 패턴층을 포함하는 제1 회로 패턴층을 포함하고,
상기 제2 영역은 복수의 제2 회로 패턴층을 포함하고,
상기 제1 최외측 회로 패턴층의 두께는, 상기 제1 내측 회로 패턴층의 두께보다 큰,
안테나 기판.
13. The method of claim 12,
The first region includes a first circuit pattern layer including a first inner circuit pattern layer and a first outermost circuit pattern layer,
The second region includes a plurality of second circuit pattern layers,
The thickness of the first outermost circuit pattern layer is greater than the thickness of the first inner circuit pattern layer,
antenna board.
제1 기판층을 형성하는 단계;
상기 제1 기판층의 상부 및 하부에 각각 제2 기판층 및 제3 기판층을 형성하는 단계;
상기 제2 기판층 위에 제1 솔더 레지스트층을 형성하는 단계; 및
상기 제3 기판층 아래에 제2 솔더 레지스트층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 솔더 레지스트층의 두께는,
상기 제2 솔더 레지스트층의 두께보다 크고,
상기 제2 기판층은, 송신 소자 및 수신 소자와 연결되고, 상기 송신 소자로부터 전달되는 송신 신호를 상기 제3 기판층에 전달하거나, 상기 제3 기판층으로부터 전달되는 수신신호를 상기 수신 소자에 전달하는 구동부에 대응하고,,
상기 복수의 제2 내측 회로 패턴층 및 상기 제2 최외측 회로 패턴층은, 상기 제2 기판층으로부터 전달되는 송신 신호를 외부로 송신하거나, 외부로부터 송신된 신호를 수신하여 상기 제2 기판층에 전달하는 안테나부에 대응하는,
회로기판의 제조 방법.
forming a first substrate layer;
forming a second substrate layer and a third substrate layer on upper and lower portions of the first substrate layer, respectively;
forming a first solder resist layer on the second substrate layer; and
forming a second solder resist layer under the third substrate layer;
The thickness of the first solder resist layer is,
greater than the thickness of the second solder resist layer;
The second substrate layer is connected to the transmitting element and the receiving element, and transmits the transmit signal transmitted from the transmitting element to the third substrate layer, or transmits the receive signal transmitted from the third substrate layer to the receiving element Corresponding to the driving part that
The plurality of second inner circuit pattern layers and the second outermost circuit pattern layer transmit a transmission signal transmitted from the second substrate layer to the outside, or receive a signal transmitted from the outside to be applied to the second substrate layer. Corresponding to the antenna unit to transmit,
A method for manufacturing a circuit board.
제14항에 있어서,
상기 제1 기판층을 형성하는 단계는,
제1 절연층을 준비하는 단계와,
상기 제1 절연층의 상면 및 하면에 각각 제1 및 제2 회로 패턴층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제2 기판층 및 상기 제3 기판층을 형성하는 단계는,
상기 제1 기판층의 상부에, 복수의 제1 내측 절연층, 상기 복수의 제1 내측 절연층 위의 제1 최외측 절연층, 상기 복수의 제1 내측 절연층 위의 복수의 제1 내측 회로 패턴층, 및 상기 제1 최외측 절연층 위의 제1 최외측 회로 패턴층을 포함하는 제2 기판층과,
상기 제2 기판층의 하부에, 복수의 제2 내측 절연층, 상기 복수의 제2 내측 절연층 아래의 제2 최외측 절연층, 상기 복수의 제2 내측 절연층 아래의 복수의 제2 내측 회로 패턴층, 및 상기 제2 최외측 절연층 아래의 제2 최외측 회로 패턴층을 포함하는 제3 기판층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제1 최외측 회로 패턴층은,
상기 복수의 제1 내측 회로 패턴층의 각각의 두께의 평균값, 상기 복수의 제2 내측 회로 패턴층의 각각의 두께의 평균값보다 큰,
회로기판의 제조 방법.
15. The method of claim 14,
Forming the first substrate layer comprises:
preparing a first insulating layer;
Forming first and second circuit pattern layers on the upper and lower surfaces of the first insulating layer, respectively;
Forming the second substrate layer and the third substrate layer,
on the first substrate layer, a plurality of first inner insulating layers, a first outermost insulating layer over the plurality of first inner insulating layers, a plurality of first inner circuits over the plurality of first inner insulating layers a second substrate layer comprising a pattern layer and a first outermost circuit pattern layer on the first outermost insulating layer;
a plurality of second inner insulating layers under the second substrate layer, a second outermost insulating layer under the plurality of second inner insulating layers, a plurality of second inner circuits under the plurality of second inner insulating layers forming a third substrate layer including a pattern layer and a second outermost circuit pattern layer under the second outermost insulating layer;
The first outermost circuit pattern layer,
greater than an average value of each thickness of the plurality of first inner circuit pattern layers, and an average value of respective thicknesses of the plurality of second inner circuit pattern layers,
A method for manufacturing a circuit board.
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