KR20220043426A - Apparatus for controlling current driving circuit and Apparatus for driving voice coil motor - Google Patents

Apparatus for controlling current driving circuit and Apparatus for driving voice coil motor Download PDF

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Abstract

An apparatus for controlling a current drive circuit according to an embodiment of the present invention comprises a control circuit configured to form a dominant current in a control circuit according to an input control signal based on a current-mirror structure of multiple semiconductor circuit elements and control an output current of the current drive circuit based on the dominant current. The control circuit may include a comparator configured to output a comparison voltage based on a result of a comparison between an output voltage of the current drive circuit and a voltage of a node through which a current of one of the multiple semiconductor circuit elements, and a feedback semiconductor circuit element connected to receive the comparison voltage and provide feedback on the control of the current drive circuit by the control circuit based on the comparison voltage. According to the present invention, the apparatus for controlling a current driving circuit can improve efficiency in control feedback and simplify the structure for control feedback.

Description

전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치{Apparatus for controlling current driving circuit and Apparatus for driving voice coil motor}Apparatus for controlling current driving circuit and Apparatus for driving voice coil motor

본 발명은 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a current driving circuit control device and a voice coil motor driving device.

최근의 전자기기에서 카메라는 필수에 가까운 기능 중 하나이며, 그 성능 또한 높아짐에 따라서 수백만 화소에서 천만 화소 이상까지의 고성능의 카메라 모듈이 장착되어 출시되고 있다.In recent electronic devices, a camera is one of the most essential functions, and as its performance increases, high-performance camera modules ranging from millions of pixels to more than 10 million pixels are installed and released.

그러나, 이러한 고화소의 카메라 모듈에 비하여 모바일 기기와 같이 소형화가 요구되는 전자기기에 사용되는 카메라 모듈은 전자기기에서 사용할 수 있는 공간이 제한적일 수 있다.However, a camera module used in an electronic device requiring miniaturization, such as a mobile device, may have a limited space available in the electronic device compared to such a high-pixel camera module.

이에 따라, 카메라 모듈은 작은 렌즈의 구경 및 작은 이미지 픽셀 사이즈 등으로 인해 이미지 촬영시 외부의 진동이나 손떨림 등과 같은 미세한 움직임에도 이미지 열화가 발생할 수 있어 광학 이미지 안정화 (Optical Image Stabilization; OIS) 기능을 채용할 수 있고, 고화질의 이미지를 보다 용이하게 촬상하기 위해 오토 포커스(Auto Focus) 기능을 채용할 수도 있다.Accordingly, the camera module adopts the Optical Image Stabilization (OIS) function, as image degradation may occur even with minute movements such as external vibration or hand shake during image shooting due to the small lens aperture and small image pixel size. In order to more easily capture high-quality images, an Auto Focus function may be employed.

상술한 광학 이미지 안정화 기능 또는 오토 포커스 기능 등을 수행하기 위해, 카메라 모듈은 렌즈를 이송시키기 위한 보이스 코일 모터(Voice Coil Motor)를 사용할 수 있다.In order to perform the above-described optical image stabilization function or autofocus function, the camera module may use a voice coil motor for transferring the lens.

보이스 코일 모터와 같은 전류 구동 대상을 제어하기 위한 구조도 점차 소형화가 요구되고 있으며, 크기 대비 효율적이고 안정적인 제어/구동 성능도 요구되고 있다.A structure for controlling a current driven object such as a voice coil motor is also required to be miniaturized, and efficient and stable control/drive performance compared to its size is also required.

공개특허공보 제10-2016-0126915호Laid-open Patent Publication No. 10-2016-0126915

본 발명은 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치를 제공한다.The present invention provides a current driving circuit control device and a voice coil motor driving device.

본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치는, 복수의 반도체회로요소의 전류-미러(current-mirror) 구조에 기초하여 제어 회로에서 지배적인 전류를 입력된 제어 신호에 따라 형성하고, 상기 지배적인 전류에 기초하여 전류 구동 회로의 출력 전류를 제어하도록 구성된 상기 제어 회로를 포함하고, 상기 제어 회로는, 상기 전류 구동 회로의 출력 전압과 상기 복수의 반도체회로요소 중 하나의 전류가 흐르는 노드의 전압의 비교 결과에 기반한 비교 전압을 출력하는 비교기; 및 상기 비교 전압을 입력 받고 상기 비교 전압에 기반하여 상기 제어 회로의 상기 전류 구동 회로에 대한 제어를 피드백(feedback)하도록 연결된 피드백 반도체회로요소; 를 포함할 수 있다.A current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention forms a current dominant in a control circuit based on a current-mirror structure of a plurality of semiconductor circuit elements according to an input control signal, and and the control circuit configured to control an output current of a current driving circuit based on a dominant current, wherein the control circuit comprises: an output voltage of the current driving circuit and a node through which a current of one of the plurality of semiconductor circuit elements flows. a comparator outputting a comparison voltage based on a voltage comparison result; and a feedback semiconductor circuit element connected to receive the comparison voltage and to feed back control of the control circuit to the current driving circuit based on the comparison voltage. may include

본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치는, 상기 전류 구동 회로 제어 장치; 및 상기 전류 구동 회로 제어 장치에 의해 제어되고, 브리지(bridge) 구조로 결합된 적어도 4개의 구동 반도체회로요소를 포함하고, 보이스 코일 모터(voice coil motor)에 흐르는 출력 전류를 출력하는 전류 구동 회로; 를 포함할 수 있다.A voice coil motor driving apparatus according to an embodiment of the present invention includes: the current driving circuit control device; and a current driving circuit controlled by the current driving circuit control device and comprising at least four driving semiconductor circuit elements coupled in a bridge structure, the current driving circuit outputting an output current flowing through a voice coil motor; may include

본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치는, 제어 피드백 효율성을 향상시킬 수 있으며, 제어 피드백 구조를 간소화시킬 수 있으며, 크기 대비 효율적이고 안정적인 제어/구동 성능을 가질 수 있다.The current driving circuit control device and the voice coil motor driving device according to an embodiment of the present invention can improve control feedback efficiency, simplify the control feedback structure, and have efficient and stable control/driving performance compared to size. can

본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치는, 제어/구동 선형성을 향상시킬 수 있으므로, 제어/구동 범위 및/또는 감도를 향상시킬 수 있다.The apparatus for controlling a current driving circuit and the apparatus for driving a voice coil motor according to an embodiment of the present invention may improve control/drive linearity, and thus may improve a control/drive range and/or sensitivity.

도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치를 나타낸 회로도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 피드백 조절 저항의 저항값이 큰 경우와 작은 경우의 비교기의 입력 전압을 나타낸 그래프이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 피드백 조절 저항의 저항값이 큰 경우와 작은 경우의 출력 전류를 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치가 카메라 모듈 제어 구조에 적용되는 것을 나타낸 도면이다.
1A to 1F are circuit diagrams illustrating an apparatus for controlling a current driving circuit and a device for driving a voice coil motor according to an embodiment of the present invention.
2A is a graph illustrating an input voltage of a comparator when a resistance value of a feedback control resistor of a current driving circuit control device according to an embodiment of the present invention is large and small.
2B is a graph illustrating an output current when a resistance value of a feedback control resistor of a current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention is large and small.
3 is a view showing that the voice coil motor driving apparatus according to an embodiment of the present invention is applied to a camera module control structure.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0012] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [0010] Reference is made to the accompanying drawings, which show by way of illustration specific embodiments in which the present invention may be practiced. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain shapes, structures, and characteristics described herein with respect to one embodiment may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention. In addition, it should be understood that the location or arrangement of individual components within each disclosed embodiment may be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Accordingly, the following detailed description is not intended to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is limited only by the appended claims, along with all scope equivalents to those claimed. Like reference numerals in the drawings refer to the same or similar functions throughout the various aspects.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to enable those of ordinary skill in the art to easily practice the present invention.

도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치를 나타낸 회로도이다.1A to 1F are circuit diagrams illustrating an apparatus for controlling a current driving circuit and a device for driving a voice coil motor according to an embodiment of the present invention.

도 1a를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치(220a)는 전류 구동 회로 제어 장치(100a)를 포함할 수 있으며, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치(100a)는 전류 구동 회로(150)를 제어할 수 있으며, 제어 회로(110a)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1A , a voice coil motor driving device 220a according to an embodiment of the present invention may include a current driving circuit control device 100a, and the current driving circuit control device according to an embodiment of the present invention. Reference numeral 100a may control the current driving circuit 150 and may include a control circuit 110a.

예를 들어, 전류 구동 회로 제어 장치(100a)와 전류 구동 회로(150)는 적어도 하나의 반도체 집적회로로 구현될 수 있으며, 공급 전압(VDD, VSS)을 공유할 수 있다. 공급 전압(VDD, VSS) 중 하나는 그라운드 전압일 수 있다.For example, the current driving circuit control apparatus 100a and the current driving circuit 150 may be implemented as at least one semiconductor integrated circuit, and may share supply voltages VDD and VSS. One of the supply voltages VDD and VSS may be a ground voltage.

제어 회로(110a)는 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a), 피드백 반도체회로요소(113) 및 제어 반도체회로요소(116) 중 적어도 일부를 포함할 수 있으며, 비교기(120)를 포함할 수 있다.The control circuit 110a may include at least some of a plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a, a feedback semiconductor circuit element 113, and a control semiconductor circuit element 116, and includes a comparator 120. may include

예를 들어, 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a), 피드백 반도체회로요소(113) 및 제어 반도체회로요소(116)는 각각 반도체 트랜지스터(예: MOSFET, BJT)나 다이오드로 구현될 수 있다.For example, each of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a, the feedback semiconductor circuit element 113 and the control semiconductor circuit element 116 may be implemented as a semiconductor transistor (eg, MOSFET, BJT) or a diode. can

도 1a는 공급 전압(VDD)에 가까운 반도체회로요소는 p형 트랜지스터이고, 공급 전압(VSS)에 가까운 반도체회로요소는 n형 트랜지스터임을 도시하나, 트랜지스터의 n형/p형 관계는 설계에 따라 도 1a에 도시된 n형/p형 관계와 반대로 구현될 수도 있다.Figure 1a shows that the semiconductor circuit element close to the supply voltage VDD is a p-type transistor, and the semiconductor circuit element close to the supply voltage VSS is an n-type transistor, but the n-type/p-type relationship of the transistors depends on the design. In contrast to the n-type/p-type relationship shown in 1a, it may be implemented.

제어 회로(110a)는 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a)의 전류-미러(current-mirror) 구조에 기초하여 제어 회로(110a)에서 지배적인 전류를 입력된 제어 신호에 따라 형성할 수 있다.The control circuit 110a forms a current dominant in the control circuit 110a according to the input control signal based on the current-mirror structure of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a. can do.

예를 들어, 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a)가 각각 트랜지스터일 경우, 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 중 하나는 게이트 단자와 드레인 단자가 서로 연결된 구조를 가질 수 있으며, 게이트 단자가 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 중 다른 하나의 게이트 단자에 연결된 구조를 가질 수 있다.For example, when each of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a is a transistor, one of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a has a structure in which a gate terminal and a drain terminal are connected to each other. may have a structure in which the gate terminal is connected to the other gate terminal of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a.

이에 따라, 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 중 하나는 다이오드처럼 게이트/드레인 단자의 전압에 대응되는 전류가 흐르도록 동작할 수 있으며, 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 중 하나와 다른 하나의 게이트 단자의 전압은 공유될 수 있으므로, 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 중 하나와 다른 하나의 전류는 서로 유사한 특성(예: 응답 특성, 온도 특성, 공정편차 특성)을 가질 수 있다. 따라서, 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 중 하나와 다른 하나의 전류는 서로 전류-미러 관계일 수 있다.Accordingly, one of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a may operate such that a current corresponding to the voltage of the gate/drain terminal flows like a diode, and the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, Since the voltage of one of the gate terminals of one of 114a and 115a and the other gate terminal may be shared, the current of one of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a and the current of the other have similar characteristics (eg, response characteristics). , temperature characteristics, process deviation characteristics). Accordingly, currents of one of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a and the other may have a current-mirror relationship with each other.

복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 중 하나와 다른 하나의 전류비율은 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 중 하나와 다른 하나의 채널폭(channel width)의 비율에 따라 결정될 수 있으며, 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 중 다른 하나의 채널길이변조(channel length modulation)에 따라 약간 달라질 수 있다.One of the plurality of semiconductor circuit elements (111a, 112a, 114a, 115a) and the current ratio of the other one of the plurality of semiconductor circuit elements (111a, 112a, 114a, 115a) and the other one of the channel width (channel width) It may be determined according to the ratio, and may vary slightly according to channel length modulation of the other one of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a.

예를 들어, 제어 회로(110a)는 복수의 반도체회로요소 중 제1 반도체회로요소(111a)에 흐르는 전류(IDAC_I)에 기초하여 복수의 반도체회로요소 중 제2, 제3 및 제4 반도체회로요소(112a, 114a, 115a)에 흐르는 지배적인 전류(MIR_1, MIR_2, MIR_3)를 형성할 수 있다.For example, the control circuit 110a controls the second, third, and fourth semiconductor circuit elements among the plurality of semiconductor circuit elements based on the current IDAC_I flowing in the first semiconductor circuit element 111a among the plurality of semiconductor circuit elements. Dominant currents MIR_1, MIR_2, and MIR_3 flowing through (112a, 114a, 115a) may be formed.

전류(IDAC_I)는 입력된 제어 신호에 기초할 수 있다. 예를 들어, 제어 회로(110a)는 전류 제공기(140)를 포함할 수 있으며, 전류 제공기(140)는 제어 신호를 입력 받고 제어 신호에 기초한 전류(IDAC_I)를 출력할 수 있다. 예를 들어, 전류 제공기(140)는 디지털 유형의 제어 신호에 대응되는 아날로그 유형의 전류(IDAC_I)로 변환하는 디지털-아날로그 컨버터(digital-analog converter)일 수 있다.The current IDAC_I may be based on an input control signal. For example, the control circuit 110a may include the current provider 140 , and the current provider 140 may receive a control signal and output a current IDAC_I based on the control signal. For example, the current provider 140 may be a digital-analog converter that converts a digital-type control signal into an analog-type current IDAC_I corresponding to the digital-analog converter.

따라서, 제어 회로(110a)는 입력된 제어 신호에 기초하여 지배적인 전류(MIR_1, MIR_2, MIR_3)를 형성할 수 있으며, 지배적인 전류(MIR_1, MIR_2, MIR_3)에 기초하여 전류 구동 회로(150)의 출력 전류(DRV_I1, DRV_I2)를 제어하도록 구성될 수 있다.Accordingly, the control circuit 110a may form the dominant currents MIR_1, MIR_2, and MIR_3 based on the input control signal, and the current driving circuit 150 based on the dominant currents MIR_1, MIR_2, and MIR_3. may be configured to control the output currents DRV_I1 and DRV_I2 of

예를 들어, 제어 회로(110a)에 포함될 수 있는 제어 반도체회로요소(116)는 지배적인 전류(MIR_1, MIR_2, MIR_3)에 기초하여 제어 전압(V_D)을 형성할 수 있으며, 제어 전압(V_D)을 이용하여 구동 반도체회로요소의 입력 전압(LNG, RNG)을 생성할 수 있다.For example, the control semiconductor circuit element 116 that may be included in the control circuit 110a may form the control voltage V_D based on the dominant currents MIR_1, MIR_2, and MIR_3, and the control voltage V_D. can be used to generate input voltages (LNG, RNG) of the driving semiconductor circuit element.

예를 들어, 제어 회로(110a)에 포함될 수 있는 제어 확장기(119)는 제어 전압(V_D)에 기반하여 복수의 제어 전압을 생성하도록 구성될 수 있다. 복수의 제어 전압은 구동 반도체회로요소의 입력 전압(LNG, RNG)과 동일할 수 있다. 예를 들어, 제어 확장기(119)는 멀티플렉서(multiplexer)로 구현될 수 있다.For example, the control expander 119 that may be included in the control circuit 110a may be configured to generate a plurality of control voltages based on the control voltage V_D. The plurality of control voltages may be the same as input voltages LNG and RNG of the driving semiconductor circuit element. For example, the control expander 119 may be implemented as a multiplexer.

전류 구동 회로(150)는 브리지(bridge) 구조로 결합된 적어도 4개의 구동 반도체회로요소(151, 152, 153, 154)를 포함할 수 있으며, 보이스 코일 모터(230)에 흐르는 출력 전류(DRV_I1, DRV_I2)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 브리지 구조는 H-브리지, 하프(half)-브리지 및 풀(full)-브리지 중 하나일 수 있으며, 전류 구동 회로(150)의 구동 대상에 따라 달라질 수 있다. 상기 H-브리지는 보이스 코일 모터(230)의 구동에 효율적인 구조일 수 있다.The current driving circuit 150 may include at least four driving semiconductor circuit elements 151 , 152 , 153 , 154 coupled in a bridge structure, and an output current DRV_I1 flowing through the voice coil motor 230 , DRV_I2) can be formed. For example, the bridge structure may be one of an H-bridge, a half-bridge, and a full-bridge, and may vary depending on a driving target of the current driving circuit 150 . The H-bridge may have an efficient structure for driving the voice coil motor 230 .

적어도 4개의 구동 반도체회로요소 중 제1 및 제2 구동 반도체회로요소(151, 152)는 n형 반도체 트랜지스터일 수 있으며, 적어도 4개의 구동 반도체회로요소 중 제3 및 제4 구동 반도체회로요소(153, 154)는 p형 반도체 트랜지스터일 수 있다.The first and second driving semiconductor circuit elements 151 and 152 among the at least four driving semiconductor circuit elements may be n-type semiconductor transistors, and the third and fourth driving semiconductor circuit elements 153 of the at least four driving semiconductor circuit elements. , 154) may be a p-type semiconductor transistor.

예를 들어, 보이스 코일 모터 구동 장치(220a)에 포함될 수 있는 구동 제어기(130)는 제어 회로(110a)로부터 구동 반도체회로요소의 입력 전압(LNG, RNG)을 제공받을 수 있으며, 제어 회로(110a)로부터 제공받은 입력 전압(LNG, RNG)에 기반하여 입력 전압(LNG, RNG, LPG, RPG)을 적어도 4개의 구동 반도체회로요소(151, 152, 153, 154)의 입력단자로 제공할 수 있다.For example, the driving controller 130 that may be included in the voice coil motor driving device 220a may receive input voltages LNG and RNG of the driving semiconductor circuit elements from the control circuit 110a, and the control circuit 110a ) based on the input voltage (LNG, RNG) provided from the input voltage (LNG, RNG, LPG, RPG) can be provided to the input terminals of at least four driving semiconductor circuit elements (151, 152, 153, 154) .

제1 모드로 동작할 때, 구동 제어기(130)는 제1 및 제4 구동 반도체회로요소(151, 154)의 입력 전압(RNG, RPG)이 높고 제2 및 제3 구동 반도체회로요소(152, 153)의 입력 전압(LNG, LPG)이 낮도록 동작할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제3 구동 반도체회로요소(151, 153)는 제1 출력 전류(DRV_I1)를 형성할 수 있다.When the driving controller 130 operates in the first mode, the input voltages RNG and RPG of the first and fourth driving semiconductor circuit elements 151 and 154 are high and the second and third driving semiconductor circuit elements 152, 153) can operate so that the input voltage (LNG, LPG) is low. Accordingly, the first and third driving semiconductor circuit elements 151 and 153 may form a first output current DRV_I1.

제2 모드로 동작할 때, 구동 제어기(130)는 제1 및 제4 구동 반도체회로요소(151, 154)의 입력 전압(RNG, RPG)이 낮고 제2 및 제3 구동 반도체회로요소(152, 153)의 입력 전압(LNG, LPG)이 높도록 동작할 수 있다. 이에 따라, 제2 및 제4 구동 반도체회로요소(152, 154)는 제2 출력 전류(DRV_I2)를 형성할 수 있다.When the driving controller 130 operates in the second mode, the input voltages RNG and RPG of the first and fourth driving semiconductor circuit elements 151 and 154 are low, and the second and third driving semiconductor circuit elements 152 and 152 , 153) can operate so that the input voltage (LNG, LPG) is high. Accordingly, the second and fourth driving semiconductor circuit elements 152 and 154 may form the second output current DRV_I2 .

즉, 제어 회로(110a)는 복수의 제어 전압(LNG, RNG)에 기반하여 적어도 4개의 구동 반도체회로요소(151, 152, 153, 154) 중 적어도 둘의 입력 전압을 차동적으로 제어할 수 있다.That is, the control circuit 110a may differentially control the input voltages of at least two of the at least four driving semiconductor circuit elements 151 , 152 , 153 , and 154 based on the plurality of control voltages LNG and RNG. .

제1 출력 전류(DRV_I1)의 방향과 제2 출력 전류(DRV_I2)의 방향은 서로 반대일 수 있으며, 제1 출력 전류(DRV_I1)의 크기와 제2 출력 전류(DRV_I2)의 크기는 제어 회로(110a)의 지배적인 전류(MIR_1, MIR_2, MIR_3)에 기초하여 결정될 수 있다.The direction of the first output current DRV_I1 and the direction of the second output current DRV_I2 may be opposite to each other, and the magnitude of the first output current DRV_I1 and the magnitude of the second output current DRV_I2 are determined by the control circuit 110a ) may be determined based on the dominant currents MIR_1, MIR_2, and MIR_3.

전류 구동 회로 제어 장치(100a)는 전류 구동 회로(150)의 제1 및 제2 전압(V11, V12)을 피드백(feedback)받음으로써 제어 안정성을 확보할 수 있다. 예를 들어, 전류 구동 회로 제어 장치(100a)에 포함될 수 있는 피드백 제공기(155)는 제1 및 제2 전압(V11, V12)을 입력 받을 수 있으며, 제1 및 제2 전압(V11, V12) 중 적어도 하나에 종속적인 출력 전압(V1)을 생성하고 전류 구동 회로 제어 장치(100a)로 제공할 수 있다. 예를 들어, 피드백 제공기(155)는 멀티플렉서로 구현될 수 있다.The current driving circuit control apparatus 100a may secure control stability by receiving the feedback of the first and second voltages V11 and V12 of the current driving circuit 150 . For example, the feedback provider 155 that may be included in the current driving circuit control device 100a may receive the first and second voltages V11 and V12, and the first and second voltages V11 and V12. ) may generate an output voltage V1 dependent on at least one and provide it to the current driving circuit control device 100a. For example, the feedback provider 155 may be implemented as a multiplexer.

비교기(120)는 전류 구동 회로(150)의 출력 전압(V1)과 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 중 하나의 전류가 흐르는 노드의 전압(V2)을 비교하고 비교 결과에 기반한 비교 전압(V3)을 출력할 수 있다.The comparator 120 compares the output voltage V1 of the current driving circuit 150 with the voltage V2 of the node through which one of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a flows, and the result of the comparison is Based on the comparison voltage V3 can be output.

피드백 반도체회로요소(113)는 비교 전압(V3)을 입력 받고 비교 전압(V3)에 기반하여 제어 회로(110a)의 전류 구동 회로(150)에 대한 제어를 피드백(feedback)하도록 연결될 수 있다.The feedback semiconductor circuit element 113 may be connected to receive the comparison voltage V3 and to feedback control of the current driving circuit 150 of the control circuit 110a based on the comparison voltage V3 .

따라서, 비교기(120)와 피드백 반도체회로요소(113)는 전류 구동 회로(150)의 피드백뿐만 아니라, 전류 구동 회로(150)의 전기적 상태와 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a)의 전기적 특성을 서로 맞출 수 있다. 즉, 비교기(120)와 피드백 반도체회로요소(113)는 전류 구동 회로(150)의 피드백 요소에 전류 구동 회로(150)와 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a) 간의 정합 요소를 통합시킬 수 있으므로, 전류 구동 회로 제어 장치(100a)의 더욱 효율적인 피드백 제어 구조를 구현할 수 있다.Accordingly, the comparator 120 and the feedback semiconductor circuit element 113 provide not only the feedback of the current driving circuit 150, but also the electrical state of the current driving circuit 150 and the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, 115a. electrical properties can be matched with each other. That is, the comparator 120 and the feedback semiconductor circuit element 113 include matching elements between the current driving circuit 150 and the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a to the feedback element of the current driving circuit 150 . Since they can be integrated, a more efficient feedback control structure of the current driving circuit control device 100a can be implemented.

또한, 하나의 비교기(120)와 하나의 피드백 반도체회로요소(113)로도 전류 구동 회로(150)의 복수의 구동 반도체회로요소의 피드백 구조를 통합적으로 구현할 수 있으므로, 비교기(120)와 피드백 반도체회로요소(113)는 전류 구동 회로(150)의 피드백 구조를 더욱 간소화시킬 수 있다.In addition, since the feedback structure of the plurality of driving semiconductor circuit elements of the current driving circuit 150 can be integrally implemented with one comparator 120 and one feedback semiconductor circuit element 113 , the comparator 120 and the feedback semiconductor circuit The element 113 may further simplify the feedback structure of the current driving circuit 150 .

피드백 반도체회로요소(113)는 피드백 반도체회로요소(113)의 전류(MIR_3)에 따라 제어 반도체회로요소(116)에 흐르는 전류(MIR_1_FD)가 달라지도록 연결될 수 있다.The feedback semiconductor circuit element 113 may be connected such that the current MIR_1_FD flowing through the control semiconductor circuit element 116 varies according to the current MIR_3 of the feedback semiconductor circuit element 113 .

피드백 반도체회로요소(113)의 전류(MIR_3)는 피드백 반도체회로요소(113)의 게이트 단자의 비교 전압(V3)과 소스 단자의 전압(V_FD) 간의 차이에 종속적일 수 있다.The current MIR_3 of the feedback semiconductor circuit element 113 may be dependent on a difference between the comparison voltage V3 of the gate terminal of the feedback semiconductor circuit element 113 and the voltage V_FD of the source terminal.

복수의 반도체회로요소 중 제2 반도체회로요소(112a)의 지배적인 전류(MIR_1)는 피드백 반도체회로요소(113)의 전류(MIR_3)와 제어 반도체회로요소(116)에 흐르는 전류(MIR_1_FD)의 합일 수 있다. 즉, 제어 반도체회로요소(116)에 흐르는 전류(MIR_1_FD)는 피드백 반도체회로요소(113)의 전류(MIR_3)가 클수록 작아질 수 있다.Among the plurality of semiconductor circuit elements, the dominant current MIR_1 of the second semiconductor circuit element 112a is the sum of the current MIR_3 of the feedback semiconductor circuit element 113 and the current MIR_1_FD flowing through the control semiconductor circuit element 116 . can That is, the current MIR_1_FD flowing through the control semiconductor circuit element 116 may decrease as the current MIR_3 of the feedback semiconductor circuit element 113 increases.

따라서, 피드백 반도체회로요소(113)는 피드백 반도체회로요소(113)의 전류(MIR_3)에 기초하여 제어 반도체회로요소(116)에 흐르는 전류(MIR_1_FD)에 대한 피드백을 수행하여 제어 반도체회로요소(116)의 제어 전압(V_D)에 대한 피드백을 수행할 수 있다.Accordingly, the feedback semiconductor circuit element 113 performs feedback on the current MIR_1_FD flowing in the control semiconductor circuit element 116 based on the current MIR_3 of the feedback semiconductor circuit element 113 to control the semiconductor circuit element 116 . ) of the control voltage V_D may be fed back.

제어 반도체회로요소(116)는 게이트 단자와 드레인 단자가 서로 연결된 다이오드 연결 구조를 가질 수 있으며, 제어 반도체회로요소(116)에 흐르는 전류(MIR_1_FD)에 대응되는 제어 전압(V_D)을 형성할 수 있다. 제어 전압(V_D)이 전류 구동 회로(150)의 출력 전류(DRV_I1, DRV_I2)에 종속적이므로, 피드백 반도체회로요소(113)는 전류 구동 회로(150)에 대한 피드백을 수행할 수 있다.The control semiconductor circuit element 116 may have a diode connection structure in which a gate terminal and a drain terminal are connected to each other, and a control voltage V_D corresponding to the current MIR_1_FD flowing through the control semiconductor circuit element 116 may be formed. . Since the control voltage V_D is dependent on the output currents DRV_I1 and DRV_I2 of the current driving circuit 150 , the feedback semiconductor circuit element 113 may perform feedback to the current driving circuit 150 .

제어 회로(110a)에 포함될 수 있는 출력 저항(118a) 및 출력 캐패시터(118b)는 저역통과필터로 동작할 수 있으며, 제어 반도체회로요소(116)의 복수의 단자에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제어 전압(V_D)에 포함된 잡음을 제거할 수 있다.The output resistor 118a and the output capacitor 118b, which may be included in the control circuit 110a, may operate as a low-pass filter, and may be electrically connected to a plurality of terminals of the control semiconductor circuit element 116, and a control voltage Noise included in (V_D) can be removed.

피드백 반도체회로요소(113)의 전류(MIR_3)는 복수의 반도체회로요소 중 제4 반도체회로요소(115a)의 전류(MIR_1)와 실질적으로 동일할 수 있다. 제4 반도체회로요소(115a)는 전압(V2)에 따라 트라이오드(triode) 모드 또는 포화 모드로 동작할 수 있다. 제4 반도체회로요소(115a)의 전류(MIR_3)와 제1 및 제2 지배적인 전류(MIR_1, MIR_2) 간의 차이는 제4 반도체회로요소(115a)가 트라이오드 모드로 동작할 경우에 커질 수 있다.The current MIR_3 of the feedback semiconductor circuit element 113 may be substantially equal to the current MIR_1 of the fourth semiconductor circuit element 115a among the plurality of semiconductor circuit elements. The fourth semiconductor circuit element 115a may operate in a triode mode or a saturation mode according to the voltage V2 . The difference between the current MIR_3 of the fourth semiconductor circuit element 115a and the first and second dominant currents MIR_1 and MIR_2 may increase when the fourth semiconductor circuit element 115a operates in the triode mode. .

비교기(120)의 비교 대상 중 하나에 대응되는 노드는 피드백 반도체회로요소(113)에 흐르는 전류(MIR_3)가 흐르는 노드일 수 있다. 상기 노드는 제4 반도체회로요소(115a)의 전류 미러 구조에 영향을 받을 수 있으므로, 비교기(120)는 복수의 반도체회로요소(111a, 112a, 114a, 115a)의 전류 미러 구조의 전기적 상태를 피드백 받을 수 있다.A node corresponding to one of the comparison targets of the comparator 120 may be a node through which the current MIR_3 flowing through the feedback semiconductor circuit element 113 flows. Since the node may be affected by the current mirror structure of the fourth semiconductor circuit element 115a, the comparator 120 feeds back an electrical state of the current mirror structure of the plurality of semiconductor circuit elements 111a, 112a, 114a, and 115a. can receive

제어 회로(110a)는 피드백 반도체회로요소(113)에 흐르는 전류(MIR_3)가 흐르도록 연결된 피드백 조절 저항(R1)을 더 포함할 수 있다.The control circuit 110a may further include a feedback control resistor R1 connected to the current MIR_3 flowing through the feedback semiconductor circuit element 113 to flow.

전류(MIR_3)가 특정 크기라고 가정하면, 피드백 조절 저항(R1)의 양단의 전압(V_C, V2)의 차이는 피드백 조절 저항(R1)의 저항값이 클수록 커질 수 있다. 따라서, 피드백 반도체회로요소(113)의 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전압 차이는 피드백 조절 저항(R1)의 저항값이 클수록 작아질 수 있고, 제4 반도체회로요소(115a)의 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전압 차이는 피드백 조절 저항(R1)의 저항값이 클수록 작아질 수 있다.Assuming that the current MIR_3 has a specific magnitude, the difference between the voltages V_C and V2 across the feedback control resistor R1 may increase as the resistance value of the feedback control resistor R1 increases. Accordingly, the voltage difference between the drain terminal and the source terminal of the feedback semiconductor circuit element 113 may become smaller as the resistance value of the feedback control resistor R1 increases, and the drain terminal and the source terminal of the fourth semiconductor circuit element 115a. The voltage difference therebetween may decrease as the resistance value of the feedback control resistor R1 increases.

피드백 반도체회로요소(113)의 드레인 단자와 소스 단자 사이의 전압 차이가 작을수록, 피드백 반도체회로요소(113)의 게이트 단자의 전압이 피드백 반도체회로요소(113)의 전류(MIR_3)에 주는 영향은 작아질 수 있으며, 피드백 반도체회로요소(113)의 제어 반도체회로요소(116)나 전류 구동 회로(150)에 대한 피드백 이득(gain)은 작아질 수 있다. 따라서, 피드백 조절 저항(R1)은 제어 회로(110a)의 피드백 감도 조절에 활용될 수 있다.As the voltage difference between the drain terminal and the source terminal of the feedback semiconductor circuit element 113 is smaller, the effect of the voltage of the gate terminal of the feedback semiconductor circuit element 113 on the current MIR_3 of the feedback semiconductor circuit element 113 is can be small, and the feedback gain of the feedback semiconductor circuit element 113 for the control semiconductor circuit element 116 or the current driving circuit 150 can be small. Accordingly, the feedback adjusting resistor R1 may be used to adjust the feedback sensitivity of the control circuit 110a.

또한, 피드백 조절 저항(R1)이 클수록, 제4 반도체회로요소(115a)와 피드백 반도체회로요소(113) 중 적어도 하나의 드레인 전압 변동은 전류 구동 회로(150)의 복수의 구동 반도체회로요소(151, 152, 153, 154)의 제1 및 제2 전압 변동에 더욱 유사해질 수 있다.In addition, as the feedback control resistor R1 increases, a change in the drain voltage of at least one of the fourth semiconductor circuit element 115a and the feedback semiconductor circuit element 113 is increased by the plurality of driving semiconductor circuit elements 151 of the current driving circuit 150 . , 152, 153, 154) may be more similar to the first and second voltage fluctuations.

따라서, 제어 회로(110a)의 지배적인 전류(MIR_1, MIR_2, MIR_3)와 전류 구동 회로(150)의 출력 전류(DRV_I1, DRV_I2) 간의 관계는 피드백 조절 저항(R1)이 클수록 더욱 선형적일 수 있다.Accordingly, the relationship between the dominant currents MIR_1 , MIR_2 , and MIR_3 of the control circuit 110a and the output currents DRV_I1 and DRV_I2 of the current driving circuit 150 may be more linear as the feedback control resistor R1 increases.

예를 들어, 피드백 조절 저항(R1)의 저항값은 출력 저항(118a)의 저항값보다 더 클 수 있으며, 제어 반도체회로요소(116)의 다이오드 연결 구조의 등가 저항값(예: 제어 전압(V_D)의 평균에서 전류(MIR_1_FD)의 평균을 나눈 값)보다 더 클 수 있다.For example, the resistance value of the feedback control resistor R1 may be greater than the resistance value of the output resistor 118a, and the equivalent resistance value of the diode connection structure of the control semiconductor circuit element 116 (eg, the control voltage V_D ) divided by the average of the current (MIR_1_FD)) may be larger than the average of the current (MIR_1_FD).

도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치(220b)는 전류 구동 회로 제어 장치(100b)를 포함할 수 있으며, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치(100b)는 전류 구동 회로(150)를 제어할 수 있으며, 제어 회로(110b)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1B , a voice coil motor driving device 220b according to an embodiment of the present invention may include a current driving circuit control device 100b, and the current driving circuit control device according to an embodiment of the present invention. Reference numeral 100b may control the current driving circuit 150 and may include a control circuit 110b.

설계에 따라, 제어 회로(110b)의 복수의 반도체회로요소 중 제1, 제2 및 제3 반도체회로요소(111b, 112b, 114b)의 개수는 도 1a에 도시된 제1, 제2 및 제3 반도체회로요소의 개수보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1, 제2 및 제3 반도체회로요소(111b, 112b, 114b)의 개수는 공급 전압(VDD, VSS)에 기초하여 결정될 수 있다.According to the design, the number of the first, second, and third semiconductor circuit elements 111b, 112b, and 114b among the plurality of semiconductor circuit elements of the control circuit 110b is the first, second, and third semiconductor circuit elements shown in FIG. 1A. It may be smaller than the number of semiconductor circuit elements. For example, the number of the first, second, and third semiconductor circuit elements 111b , 112b , and 114b may be determined based on the supply voltages VDD and VSS.

도 1c를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치(220c)는 전류 구동 회로 제어 장치(100c)를 포함할 수 있으며, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치(100c)는 전류 구동 회로(150)를 제어할 수 있으며, 제어 회로(110c)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1C , a voice coil motor driving device 220c according to an embodiment of the present invention may include a current driving circuit control device 100c, and the current driving circuit control device according to an embodiment of the present invention. Reference numeral 100c may control the current driving circuit 150 and may include a control circuit 110c.

설계에 따라, 제어 회로(110c)의 복수의 반도체회로요소 중 제2 및 제3 반도체회로요소(112b, 114b)는 생략될 수 있다. 설계에 따라, 복수의 반도체회로요소 중 제4 반도체회로요소(115a)의 게이트 단자와 제어 반도체회로요소(116)의 게이트 단자는 서로 연결될 수 있다.According to the design, the second and third semiconductor circuit elements 112b and 114b among the plurality of semiconductor circuit elements of the control circuit 110c may be omitted. According to the design, the gate terminal of the fourth semiconductor circuit element 115a and the gate terminal of the control semiconductor circuit element 116 among the plurality of semiconductor circuit elements may be connected to each other.

도 1d를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치(220d)는 전류 구동 회로 제어 장치(100d)를 포함할 수 있으며, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치(100d)는 전류 구동 회로(150)를 제어할 수 있으며, 제어 회로(110d)를 포함할 수 있다. 설계에 따라, 제어 회로(110d)의 복수의 반도체회로요소 중 제1, 제2 및 제3 반도체회로요소(111b, 112b, 114b)는 생략될 수 있다.Referring to FIG. 1D , a voice coil motor driving device 220d according to an embodiment of the present invention may include a current driving circuit control device 100d, and the current driving circuit control device according to an embodiment of the present invention. Reference numeral 100d may control the current driving circuit 150 and may include a control circuit 110d. Depending on the design, the first, second, and third semiconductor circuit elements 111b, 112b, and 114b among the plurality of semiconductor circuit elements of the control circuit 110d may be omitted.

도 1e를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치(220e)는 전류 구동 회로 제어 장치(100e)를 포함할 수 있으며, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치(100e)는 전류 구동 회로(150)를 제어할 수 있으며, 제어 회로(110e)를 포함할 수 있다. 설계에 따라, 제어 회로(110e)의 복수의 반도체회로요소 중 제1, 제2 및 제3 반도체회로요소(111b, 112b, 114b)는 생략될 수 있으며, 도 1a에 도시된 제어 확장기(119)도 생략될 수 있다.Referring to FIG. 1E , a voice coil motor driving device 220e according to an embodiment of the present invention may include a current driving circuit control device 100e, and the current driving circuit control device according to an embodiment of the present invention. Reference numeral 100e may control the current driving circuit 150 and may include a control circuit 110e. Depending on the design, the first, second and third semiconductor circuit elements 111b, 112b, and 114b among the plurality of semiconductor circuit elements of the control circuit 110e may be omitted, and the control expander 119 shown in FIG. 1A may be omitted. may also be omitted.

도 1f를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치(220f)는 전류 구동 회로 제어 장치(100f)를 포함할 수 있으며, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치(100f)는 전류 구동 회로(150)를 제어할 수 있으며, 제어 회로(110f)를 포함할 수 있다. 설계에 따라, 제어 회로(110f)의 복수의 반도체회로요소 중 제1, 제2 및 제3 반도체회로요소(111b, 112b, 114b)는 생략될 수 있으며, 도 1a에 도시된 제어 확장기 및 피드백 조절 저항도 생략될 수 있다. Referring to FIG. 1F , a voice coil motor driving apparatus 220f according to an embodiment of the present invention may include a current driving circuit control device 100f, and the current driving circuit control device according to an embodiment of the present invention. Reference numeral 100f may control the current driving circuit 150 and may include a control circuit 110f. Depending on the design, the first, second and third semiconductor circuit elements 111b, 112b, and 114b among the plurality of semiconductor circuit elements of the control circuit 110f may be omitted, and the control expander and feedback adjustment shown in FIG. 1A may be omitted. The resistance may also be omitted.

도 2a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 피드백 조절 저항의 저항값이 큰 경우와 작은 경우의 비교기의 입력 전압을 나타낸 그래프이다.2A is a graph illustrating an input voltage of a comparator when a resistance value of a feedback control resistor of a current driving circuit control device according to an embodiment of the present invention is large and small.

도 2a를 참조하면, 피드백 조절 저항의 저항값이 큰 경우, 비교기에 입력되는 전압(V2_HR)은 제어 회로의 전류(IDAC_I)에 따라 선형적으로 변동할 수 있다.Referring to FIG. 2A , when the resistance value of the feedback control resistor is large, the voltage V2_HR input to the comparator may vary linearly according to the current IDAC_I of the control circuit.

도 2a를 참조하면, 피드백 조절 저항의 저항값이 작은 경우, 비교기에 입력되는 전압(V2_LR)은 제어 회로의 전류(IDAC_I)가 커질수록 전류 구동 회로의 출력 전압(V1)에 더 가까워질 수 있다.Referring to FIG. 2A , when the resistance value of the feedback control resistor is small, the voltage V2_LR input to the comparator may become closer to the output voltage V1 of the current driving circuit as the current IDAC_I of the control circuit increases. .

도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 피드백 조절 저항의 저항값이 큰 경우와 작은 경우의 출력 전류를 나타낸 그래프이다.2B is a graph illustrating an output current when a resistance value of a feedback control resistor of a current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention is large and small.

도 2b를 참조하면, 피드백 조절 저항의 저항값이 큰 경우, 전류 구동 회로의 출력 전류(DRV_I1_HR)는 제어 회로의 전류(IDAC_I)에 따라 선형적으로 변동할 수 있다.Referring to FIG. 2B , when the resistance value of the feedback control resistor is large, the output current DRV_I1_HR of the current driving circuit may vary linearly according to the current IDAC_I of the control circuit.

도 2b를 참조하면, 피드백 조절 저항의 저항값이 작은 경우, 전류 구동 회로의 출력 전류(DRV_I1_LR)는 제어 회로의 전류(IDAC_I)가 커질수록 전류(IDAC_I) 변동에 따른 상승율이 작아지는 비선형적 특성을 가질 수 있다.Referring to FIG. 2B , when the resistance value of the feedback control resistor is small, the output current DRV_I1_LR of the current driving circuit increases as the current IDAC_I of the control circuit increases. can have

제어 회로의 전류(IDAC_I)의 변동에 따른 출력 전류(DRV_I1_HR)의 변동의 선형성은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치의 전류 구동 회로에 대한 제어 감도를 향상시킬 수 있다.The linearity of the variation of the output current DRV_I1_HR according to the variation of the current IDAC_I of the control circuit may improve the control sensitivity for the current driving circuit of the current driving circuit control apparatus according to an embodiment of the present invention.

한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치는 제어 회로의 전류(IDAC_I)의 변동에 따른 출력 전류(DRV_I1_HR)의 변동의 선형성에 실질적 상관 없이 전류 구동 회로를 안정적으로 제어할 수 있으며, 간소화된 피드백 구조를 가질 수 있으므로, 피드백 조절 저항의 저항값에 한정적으로 설계되지 않는다.On the other hand, the device for controlling the current driving circuit according to an embodiment of the present invention can stably control the current driving circuit regardless of the linearity of the fluctuation of the output current DRV_I1_HR according to the fluctuation of the current IDAC_I of the control circuit. , since it can have a simplified feedback structure, the design is not limited to the resistance value of the feedback control resistor.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치가 카메라 모듈 제어 구조에 적용되는 것을 나타낸 도면이다.3 is a view showing that the voice coil motor driving apparatus according to an embodiment of the present invention is applied to a camera module control structure.

도 3을 참조하면, 카메라 모듈 제어 구조는 홀 센서(300), 제어 신호 생성기(205), 본 발명의 일 실시 예에 따른 보이스 코일 모터 구동 장치(220) 및 보이스 코일 모터(230)를 포함할 수 있으며, 렌즈 모듈(210)의 위치 및/또는 움직임을 제어할 수 있다. Referring to FIG. 3 , the camera module control structure may include a Hall sensor 300 , a control signal generator 205 , a voice coil motor driving device 220 and a voice coil motor 230 according to an embodiment of the present invention. and may control the position and/or movement of the lens module 210 .

홀 센서(300)는 렌즈 모듈(210)의 움직임에 기반하여 렌즈 모듈(210)에 배치된 자기 부재(211)의 자속이 통과하도록 배치될 수 있다. 이에 따라, 홀 센서(300)는 렌즈 모듈(210)의 위치 및/또는 움직임에 대응되는 전압을 출력할 수 있다.The Hall sensor 300 may be disposed such that a magnetic flux of the magnetic member 211 disposed in the lens module 210 passes through the hall sensor 300 based on the movement of the lens module 210 . Accordingly, the Hall sensor 300 may output a voltage corresponding to the position and/or movement of the lens module 210 .

제어 신호 생성기(205)는 홀 센서(300)에서 출력되는 전압에 기초하여 제어 신호를 생성할 수 있으며, 제어 신호를 보이스 코일 모터 구동 장치(220)로 전달할 수 있다. 예를 들어, 제어 신호 생성기(205)와 보이스 코일 모터 구동 장치(220)는 적어도 하나의 반도체 집적회로로 구현될 수 있다.The control signal generator 205 may generate a control signal based on the voltage output from the Hall sensor 300 , and may transmit the control signal to the voice coil motor driving device 220 . For example, the control signal generator 205 and the voice coil motor driving apparatus 220 may be implemented as at least one semiconductor integrated circuit.

예를 들어, 제어 신호 생성기(205)는 OIS(Optical Image Stabilization) 제어 구조나 AF(Auto Focus) 제어 구조를 포함할 수 있으며, OIS 제어 구조 또는 AF 제어 구조에 기반하여 제어 신호를 생성할 수 있다. 즉, 제어 신호는 렌즈 모듈(210)의 현재 위치에 대응하여 렌즈 모듈(210)을 목표 위치로 이동시키도록 결정된 값을 가질 수 있다.For example, the control signal generator 205 may include an optical image stabilization (OIS) control structure or an auto focus (AF) control structure, and may generate a control signal based on the OIS control structure or the AF control structure. . That is, the control signal may have a value determined to move the lens module 210 to the target position corresponding to the current position of the lens module 210 .

따라서, 보이스 코일 모터 구동 장치(220)는 렌즈 모듈(210)의 현재 위치에 대응하여 렌즈 모듈(210)을 목표 위치로 이동시키도록 결정된 출력 전류를 보이스 코일 모터(230)로 출력할 수 있다.Accordingly, the voice coil motor driving apparatus 220 may output an output current determined to move the lens module 210 to the target position in response to the current position of the lens module 210 to the voice coil motor 230 .

보이스 코일 모터(230)는 상기 출력 전류에 기반하여 자속을 생성할 수 있으며, 렌즈 모듈(210)의 자기 부재(211)의 근처에 배치될 수 있다. 예를 들어, 보이스 코일 모터(230)와 홀 센서(300)는 제1 기판(240)에 배치될 수 있다. 제1 기판(240)은 제어 신호 생성기(205) 및/또는 보이스 코일 모터 구동 장치(220)의 배치공간도 제공할 수 있다. 설계에 따라, 제1 기판(240)은 생략될 수 있으며, 제어 신호 생성기(205) 및/또는 보이스 코일 모터 구동 장치(220)는 보이스 코일 모터(230)에 배치될 수 있다.The voice coil motor 230 may generate a magnetic flux based on the output current, and may be disposed near the magnetic member 211 of the lens module 210 . For example, the voice coil motor 230 and the Hall sensor 300 may be disposed on the first substrate 240 . The first substrate 240 may also provide an arrangement space for the control signal generator 205 and/or the voice coil motor driving device 220 . Depending on the design, the first substrate 240 may be omitted, and the control signal generator 205 and/or the voice coil motor driving device 220 may be disposed in the voice coil motor 230 .

설계에 따라, 홀 센서(300)는 집적회로 내장 형으로 구현될 수 있으며, 제어 신호 생성기(205) 및/또는 보이스 코일 모터 구동 장치(220)와 함께 단일 집적회로로 구현될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 전류 구동 회로 제어 장치 및 보이스 코일 모터 구동 장치는 간소화된 피드백 구조를 가져서 더욱 쉽게 소형화될 수 있으므로, 홀 센서(300)를 보다 쉽게 포함할 수 있다.Depending on the design, the Hall sensor 300 may be implemented as an integrated circuit built-in type, and may be implemented as a single integrated circuit together with the control signal generator 205 and/or the voice coil motor driving device 220 . Since the device for controlling the current driving circuit and the device for driving the voice coil motor according to an embodiment of the present invention have a simplified feedback structure and thus can be more easily downsized, the Hall sensor 300 can be more easily included.

렌즈 모듈(210)은 보이스 코일 모터(230)의 자속에 반응하여 자기 부재(211)가 받는 힘에 따라 움직일 수 있다. 이때, 렌즈 모듈(210)은 홀 센서(300)를 통과하는 자속의 변화와 반대방향으로 상기 자속이 변하도록 움직일 수 있다. 이에 따라, 렌즈 모듈(210)의 절대적 위치는 실질적으로 고정될 수 있으며, 렌즈 모듈(210)에 의해 획득되는 이미지는 안정적일 수 있다.The lens module 210 may move according to a force received by the magnetic member 211 in response to the magnetic flux of the voice coil motor 230 . In this case, the lens module 210 may move to change the magnetic flux in the opposite direction to the change in the magnetic flux passing through the Hall sensor 300 . Accordingly, the absolute position of the lens module 210 may be substantially fixed, and the image acquired by the lens module 210 may be stable.

한편, 프로세서(270)는 ISP(Image Signal Processor)로 구현될 수 있으며, 제1 지지 부재(261) 상의 이미지 센서(262)로부터 이미지 정보를 전달받을 수 있으며, 처리한 정보를 보이스 코일 모터 구동 장치(220)나 제어 신호 생성기(205)로 제공할 수 있다.Meanwhile, the processor 270 may be implemented as an image signal processor (ISP), may receive image information from the image sensor 262 on the first support member 261 , and use the processed information to drive the voice coil motor. 220 or the control signal generator 205 may provide.

렌즈 모듈(210)은 제2 지지 부재(213) 상의 복수의 가이드 볼(212)의 회전에 따라 1차원 또는 2차원적으로 움직일 수 있으며, 하우징(250)에 의해 둘러싸일 수 있다.The lens module 210 may move one-dimensionally or two-dimensionally according to the rotation of the plurality of guide balls 212 on the second support member 213 , and may be surrounded by the housing 250 .

렌즈 모듈(210)과, 렌즈 모듈(210)의 주변 구성요소와, 하우징(250)이 대부분 포함된 구조는 카메라 모듈로 정의될 수 있다.A structure including the lens module 210 , peripheral components of the lens module 210 , and the housing 250 may be defined as a camera module.

이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.In the above, the present invention has been described as an embodiment, but the present invention is not limited to the above embodiment, and without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims, those of ordinary skill in the art to which the invention pertains Anyone can make various modifications.

100a: 전류 구동 회로 제어 장치
110a: 제어 회로
111a: 제1 반도체회로요소
112a: 제2 반도체회로요소
113a: 피드백 반도체회로요소
114a: 제3 반도체회로요소
115a: 제4 반도체회로요소
116a: 제어 반도체회로요소
118a: 출력 저항
118b: 출력 캐패시터
119: 제어 확장기
120: 비교기
130: 구동 제어기
140: 전류 제공기
150: 전류 구동 회로
151: 제1 구동 반도체회로요소
152: 제2 구동 반도체회로요소
153: 제3 구동 반도체회로요소
154: 제4 구동 반도체회로요소
155: 피드백 제공기
230: 보이스 코일 모터(voice coil motor)
IDAC_I: 제어 전류
DRV_I: 출력 전류
MIR_1: 제1 지배적인 전류
MIR_2: 제2 지배적인 전류
MIR_3: 제3 지배적인 전류
R1: 피드백 조절 저항
V1: 출력 전압
V2: 노드 전압
V3: 비교 전압
100a: current drive circuit control device
110a: control circuit
111a: first semiconductor circuit element
112a: second semiconductor circuit element
113a: feedback semiconductor circuit element
114a: third semiconductor circuit element
115a: fourth semiconductor circuit element
116a: control semiconductor circuit element
118a: output resistance
118b: output capacitor
119: control expander
120: comparator
130: drive controller
140: current provider
150: current driving circuit
151: first driving semiconductor circuit element
152: second driving semiconductor circuit element
153: third driving semiconductor circuit element
154: fourth driving semiconductor circuit element
155: feedback provider
230: voice coil motor (voice coil motor)
IDAC_I: control current
DRV_I: output current
MIR_1: first dominant current
MIR_2: second dominant current
MIR_3: third dominant current
R1: feedback regulating resistor
V1: output voltage
V2: node voltage
V3: comparison voltage

Claims (16)

복수의 반도체회로요소의 전류-미러(current-mirror) 구조에 기초하여 제어 회로에서 지배적인 전류를 입력된 제어 신호에 따라 형성하고, 상기 지배적인 전류에 기초하여 전류 구동 회로의 출력 전류를 제어하도록 구성된 상기 제어 회로를 포함하고,
상기 제어 회로는,
상기 전류 구동 회로의 출력 전압과 상기 복수의 반도체회로요소 중 하나의 전류가 흐르는 노드의 전압의 비교 결과에 기반한 비교 전압을 출력하는 비교기; 및
상기 비교 전압을 입력 받고 상기 비교 전압에 기반하여 상기 제어 회로의 상기 전류 구동 회로에 대한 제어를 피드백(feedback)하도록 연결된 피드백 반도체회로요소; 를 포함하는 전류 구동 회로 제어 장치.
to form a dominant current in the control circuit based on the current-mirror structure of the plurality of semiconductor circuit elements according to the input control signal, and to control the output current of the current driving circuit based on the dominant current comprising the control circuit configured;
The control circuit is
a comparator outputting a comparison voltage based on a comparison result between the output voltage of the current driving circuit and the voltage of a node through which one of the plurality of semiconductor circuit elements flows; and
a feedback semiconductor circuit element connected to receive the comparison voltage and to feed back control of the control circuit to the current driving circuit based on the comparison voltage; Current driving circuit control device comprising a.
제1항에 있어서,
상기 전류 구동 회로는 브리지(bridge) 구조로 결합된 적어도 4개의 구동 반도체회로요소를 포함하고,
상기 제어 회로는 상기 지배적인 전류와 상기 피드백 반도체회로요소의 피드백에 기반한 제어 전압을 이용하여 상기 적어도 4개의 구동 반도체회로요소 중 적어도 하나의 입력 전압을 제어하는 전류 구동 회로 제어 장치.
According to claim 1,
The current driving circuit includes at least four driving semiconductor circuit elements coupled in a bridge structure,
wherein the control circuit controls an input voltage of at least one of the at least four driving semiconductor circuit elements by using the dominant current and a control voltage based on a feedback of the feedback semiconductor circuit element.
제2항에 있어서,
상기 제어 회로는 상기 제어 전압에 기반하여 복수의 제어 전압을 생성하도록 구성된 제어 확장기를 더 포함하고,
상기 제어 회로는 상기 복수의 제어 전압에 기반하여 적어도 4개의 구동 반도체회로요소 중 적어도 둘의 입력 전압을 차동적으로 제어하는 전류 구동 회로 제어 장치.
3. The method of claim 2,
the control circuit further comprising a control expander configured to generate a plurality of control voltages based on the control voltage;
wherein the control circuit differentially controls input voltages of at least two of the at least four driving semiconductor circuit elements based on the plurality of control voltages.
제1항에 있어서,
상기 전류 구동 회로는 H-브리지 구조로 결합된 적어도 4개의 구동 반도체회로요소를 포함하고,
상기 비교기는 상기 적어도 4개의 구동 반도체회로요소 중 제1 및 제2 구동 반도체회로요소의 사이 노드의 제1 전압과, 상기 적어도 4개의 구동 반도체회로요소 중 제3 및 제4 구동 반도체회로요소의 사이 노드의 제2 전압 중 적어도 하나에 종속적인 상기 출력 전압을 입력 받는 전류 구동 회로 제어 장치.
According to claim 1,
the current driving circuit comprises at least four driving semiconductor circuit elements coupled in an H-bridge structure;
wherein the comparator is between a first voltage of a node between a first and a second driving semiconductor circuit element among the at least four driving semiconductor circuit elements and a third and a fourth driving semiconductor circuit element among the at least four driving semiconductor circuit elements. A current driving circuit control device receiving the output voltage dependent on at least one of a second voltage of a node.
제1항에 있어서, 상기 제어 회로는,
상기 지배적인 전류와 상기 피드백 반도체회로요소의 피드백에 기반한 전류가 흐르고 제어 전압을 형성하는 제어 반도체회로요소를 더 포함하고,
상기 피드백 반도체회로요소는 상기 피드백 반도체회로요소의 전류에 따라 상기 제어 반도체회로요소에 흐르는 전류가 달라지도록 연결된 전류 구동 회로 제어 장치.
The method of claim 1 , wherein the control circuit comprises:
a control semiconductor circuit element through which a current based on the dominant current and the feedback of the feedback semiconductor circuit element flows and forms a control voltage;
The feedback semiconductor circuit element is connected to a current that flows through the control semiconductor circuit element according to the current of the feedback semiconductor circuit element is connected to vary.
제5항에 있어서,
상기 제어 반도체회로요소는 상기 제어 반도체회로요소의 복수의 단자가 서로 연결된 구조를 가지고,
상기 제어 전압은 상기 제어 반도체회로요소의 복수의 단자의 전압인 전류 구동 회로 제어 장치.
6. The method of claim 5,
The control semiconductor circuit element has a structure in which a plurality of terminals of the control semiconductor circuit element are connected to each other;
and the control voltage is a voltage of a plurality of terminals of the control semiconductor circuit element.
제5항에 있어서,
상기 복수의 반도체회로요소 중 하나는 상기 제어 반도체회로요소에 흐르는 전류에서 상기 피드백 반도체회로요소에 의해 피드백되기 전의 전류가 흐르도록 연결되고,
상기 복수의 반도체회로요소 중 다른 하나는 상기 피드백 반도체회로요소에 흐르는 전류가 흐르도록 연결된 전류 구동 회로 제어 장치.
6. The method of claim 5,
one of the plurality of semiconductor circuit elements is connected such that a current flowing through the control semiconductor circuit element before being fed back by the feedback semiconductor circuit element flows;
The other one of the plurality of semiconductor circuit elements is connected to a current flowing through the feedback semiconductor circuit element to flow.
제7항에 있어서, 상기 제어 회로는,
상기 피드백 반도체회로요소에 흐르는 전류가 흐르도록 연결된 피드백 조절 저항을 더 포함하는 전류 구동 회로 제어 장치.
8. The method of claim 7, wherein the control circuit comprises:
and a feedback regulating resistor connected to allow a current flowing through the feedback semiconductor circuit element to flow.
제8항에 있어서,
상기 제어 반도체회로요소의 복수의 단자에 전기적으로 연결된 출력 저항을 더 포함하고,
상기 피드백 조절 저항의 저항값은 상기 출력 저항의 저항값보다 더 큰 전류 구동 회로 제어 장치.
9. The method of claim 8,
an output resistor electrically coupled to the plurality of terminals of the control semiconductor circuit element;
A resistance value of the feedback control resistor is greater than a resistance value of the output resistor.
제1항에 있어서,
상기 비교기의 비교 대상 중 하나에 대응되는 상기 노드는 상기 피드백 반도체회로요소에 흐르는 전류가 흐르는 노드인 전류 구동 회로 제어 장치.
According to claim 1,
The node corresponding to one of the comparison objects of the comparator is a node through which a current flowing through the feedback semiconductor circuit element flows.
제10항에 있어서, 상기 제어 회로는,
상기 노드와 상기 피드백 반도체회로요소의 사이에 전기적으로 연결된 피드백 조절 저항을 더 포함하는 전류 구동 회로 제어 장치.
11. The method of claim 10, wherein the control circuit,
and a feedback regulating resistor electrically connected between the node and the feedback semiconductor circuit element.
제11항에 있어서, 상기 제어 회로는,
상기 지배적인 전류와 상기 피드백 반도체회로요소의 피드백에 기반한 전류가 흐르고 제어 전압을 형성하는 제어 반도체회로요소를 더 포함하고,
상기 제어 반도체회로요소는 상기 제어 반도체회로요소의 복수의 단자가 서로 연결된 구조를 가지고,
상기 피드백 조절 저항의 저항값은 상기 제어 반도체회로요소의 등가 저항값보다 더 큰 전류 구동 회로 제어 장치.
The method of claim 11 , wherein the control circuit comprises:
a control semiconductor circuit element through which a current based on the dominant current and the feedback of the feedback semiconductor circuit element flows and forms a control voltage;
The control semiconductor circuit element has a structure in which a plurality of terminals of the control semiconductor circuit element are connected to each other;
A resistance value of the feedback regulating resistor is greater than an equivalent resistance value of the control semiconductor circuit element.
제1항에 있어서,
상기 제어 신호를 입력 받고 상기 제어 신호에 기초한 전류를 출력하는 전류 제공기를 더 포함하고,
상기 복수의 반도체회로요소는 상기 전류 제공기에서 출력된 전류에 기초하여 상기 지배적인 전류를 형성하도록 구성된 전류 구동 회로 제어 장치.
According to claim 1,
Further comprising a current provider for receiving the control signal and outputting a current based on the control signal,
and the plurality of semiconductor circuit elements are configured to form the dominant current based on a current output from the current provider.
제13항에 있어서, 상기 제어 회로는,
상기 지배적인 전류와 상기 피드백 반도체회로요소의 피드백에 기반한 전류가 흐르고 제어 전압을 형성하는 제어 반도체회로요소를 더 포함하고,
상기 복수의 반도체회로요소 중 하나는 상기 제어 반도체회로요소에 흐르는 전류에서 상기 피드백 반도체회로요소에 의해 피드백되기 전의 전류가 흐르도록 연결되고,
상기 복수의 반도체회로요소 중 다른 하나는 상기 피드백 반도체회로요소에 흐르는 전류가 흐르도록 연결된 전류 구동 회로 제어 장치.
The method of claim 13 , wherein the control circuit comprises:
a control semiconductor circuit element through which a current based on the dominant current and the feedback of the feedback semiconductor circuit element flows and forms a control voltage;
one of the plurality of semiconductor circuit elements is connected such that a current flowing through the control semiconductor circuit element before being fed back by the feedback semiconductor circuit element flows;
The other one of the plurality of semiconductor circuit elements is connected to a current flowing through the feedback semiconductor circuit element to flow.
제1항의 전류 구동 회로 제어 장치; 및
상기 전류 구동 회로 제어 장치에 의해 제어되고, 브리지(bridge) 구조로 결합된 적어도 4개의 구동 반도체회로요소를 포함하고, 보이스 코일 모터(voice coil motor)에 흐르는 출력 전류를 출력하는 전류 구동 회로; 를 포함하는 보이스 코일 모터 구동 장치.
The current driving circuit control device of claim 1; and
a current driving circuit controlled by the current driving circuit control device, comprising at least four driving semiconductor circuit elements coupled in a bridge structure, and outputting an output current flowing through a voice coil motor; A voice coil motor drive device comprising a.
제15항에 있어서,
상기 적어도 4개의 구동 반도체회로요소의 입력 전압을 생성하되, 상기 적어도 4개의 구동 반도체회로요소 중 적어도 하나의 입력 전압을 제어 전압에 기반하여 생성하도록 구성된 구동 제어기를 더 포함하고,
상기 제어 회로는 상기 지배적인 전류와 상기 피드백 반도체회로요소의 피드백에 기반한 전류가 흐르고 상기 제어 전압을 형성하는 제어 반도체회로요소를 더 포함하는 보이스 코일 모터 구동 장치.
16. The method of claim 15,
a driving controller configured to generate an input voltage of the at least four driving semiconductor circuit elements, the driving controller configured to generate an input voltage of at least one of the at least four driving semiconductor circuit elements based on a control voltage;
The control circuit further includes a control semiconductor circuit element through which a current based on the dominant current and the feedback of the feedback semiconductor circuit element flows and forming the control voltage.
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