KR20220040677A - 안테나 패키지 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
안테나 패키지는 안테나 패턴을 포함하는 안테나 소자 및 안테나 패턴과 전기적으로 연결되는 커넥터를 포함한다. 커넥터는 10GHz에서 공진법으로 측정된 유전율(Dk)은 2 내지 3.5, 손실 탄젠트(Df)는 0.0015 내지 0.007인 인슐레이터, 및 인슐레이터에 의해 절연되며 안테나 패턴과 전기적으로 연결되는 도전 연결 구조를 포함한다. 인슐레이터에서 발생하는 신호 손실, 유전 손실을 억제하며 고주파 혹은 초고주파 통신의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 안테나 패키지 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 안테나 소자 및 중개 구조물을 포함하는 안테나 패키지 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.
최근 정보화 사회가 발전함에 따라 와이 파이(Wi-Fi), 블루투스(Bluetooth) 등과 같은 무선 통신 기술이 화상 표시 장치와 결합되어, 예를 들면 스마트폰 형태로 구현되고 있다. 이 경우, 안테나가 상기 화상 표시 장치에 결합되어 통신 기능이 수행될 수 있다.
최근 이동통신 기술이 진화하면서, 예를 들면, 3G 내지 5G에 해당하는 고주파 혹은 초고주파 대역의 통신을 수행하기 위한 안테나가 상기 화상 표시 장치에 결합될 필요가 있다.
그러나, 안테나의 구동 주파수가 증가하는 경우, 신호 손실이 증가할 수 있으며 전송 경로의 길이가 증가할수록 신호 손실의 정도가 더욱 증가할 수 있다.
안테나를 예를 들면, 화상 표시 장치의 메인 보드에 연결시키기 위해 연성 인쇄 회로 기판, 커넥터 등의 연결 중개 구조물이 추가될 수 있다. 이 경우, 상기 연결 중개 구조물에 의해 신호 손실이 보다 증가될 수 있다.
또한, 상기 연결 중개 구조물의 유전 특성에 의해 안테나의 방사 특성이 변화될 수 있으며, 고주파 혹은 초고주파 방사 특성 구현을 위해 적절한 유전 구조가 설계될 필요가 있다.
예를 들면, 한국공개특허 제2013-0095451호는 디스플레이 패널에 일체화된 안테나를 개시하고 있으나, 상술한 바와 같이 효율적인 회로 연결에 대해서는 고려하고 있지 않다.
본 발명의 일 과제는 향상된 방사 특성 및 신호 효율성을 갖는 안테나 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 과제는 향상된 방사 특성 및 신호 효율성을 갖는 안테나 패키지를 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.
1. 안테나 패턴을 포함하는 안테나 소자; 및 상기 안테나 패턴과 전기적으로 연결되는 커넥터를 포함하고, 상기 커넥터는 10GHz에서 공진법으로 측정된 유전율(Dk)은 2 내지 3.5, 손실 탄젠트(Df)는 0.0015 내지 0.007인 인슐레이터; 및 상기 인슐레이터에 의해 절연되며 상기 안테나 패턴과 전기적으로 연결되는 도전 연결 구조를 포함하는, 안테나 패키지.
2. 위 1에 있어서, 상기 인슐레이터의 유전율은 2.0 내지 3.3 이며, 손실 탄젠트는 0.0015 내지 0.0048인, 안테나 패키지.
3. 위 1에 있어서, 상기 인슐레이터는 액정 폴리머(LCP) 구조, 폴리 페닐렌 설파이드(PPS) 구조 및 MPI(Modified Polyimide) 구조 중 적어도 하나를 갖는, 안테나 패키지.
4. 위 1에 있어서, 상기 안테나 패턴과 본딩되고 상기 안테나 패턴 및 상기 커넥터 사이에서 연장하는 신호 배선을 포함하는 제1 회로 기판; 및
상기 커넥터를 통해 상기 제1 회로 기판과 결합되며 안테나 구동 집적 회로 칩이 실장된 제2 회로 기판을 더 포함하는, 안테나 패키지.
5. 위 4에 있어서, 상기 커넥터는 상기 제1 회로 기판 상에 실장된 제1 커넥터, 및 상기 제2 회로 기판 상에 실장된 제2 커넥터를 포함하는, 안테나 패키지.
6. 위 5에 있어서, 상기 제1 커넥터는 플러그 커넥터이며, 상기 제2 커넥터는 리셉터클 커넥터인, 안테나 패키지.
7. 위 5에 있어서, 상기 제1 커넥터는 제1 인슐레이터를 포함하고, 상기 제2 커넥터는 제2 인슐레이터를 포함하며,
상기 제1 인슐레이터 및 상기 제2 인슐레이터는 각각 10GHz에서 공진법으로 측정되며 2 내지 3.5의 유전율(Dk) 및 0.0015 내지 0.007의 손실 탄젠트(Df)를 갖는, 안테나 패키지.
8. 위 4에 있어서, 상기 커넥터는 상기 제1 회로 기판의 말단부와 결합되는 슬롯을 포함하고, 상기 제2 회로 기판은 상기 커넥터와 결합되는 안테나 연결 포트를 포함하는, 안테나 패키지.
9. 위 4에 있어서, 상기 제1 회로 기판은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)이며, 상기 제2 회로 기판은 리지드(rigid) 인쇄 회로 기판인, 안테나 패키지.
10. 위 4에 있어서, 상기 제1 회로 기판은 상기 안테나 패턴과 본딩되는 제1 부분, 및 상기 제1 부분보다 폭이 작고 상기 커넥터가 결합되는 제2 부분을 포함하는, 안테나 패키지.
11. 위 4에 있어서, 상기 안테나 패턴은 어레이 형태로 배열된 복수의 안테나 패턴들을 포함하고, 상기 제1 회로 기판의 상기 신호 배선은 상기 복수의 안테나 패턴들과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 신호 배선들을 포함하는, 안테나 패키지.
12. 위 11에 있어서, 상기 커넥터의 상기 도전 연결 구조는 상기 신호 배선들 각각과 전기적으로 연결되는 복수의 도전 연결 구조들을 포함하는, 안테나 패키지.
13. 위 11에 있어서, 상기 안테나 패턴들은 서로 크기가 다른 제1 안테나 패턴들 및 제2 안테나 패턴들을 포함하는, 안테나 패키지.
14. 위 13에 있어서, 상기 제1 안테나 패턴들 및 제2 안테나 패턴들은 서로 다른 공진 주파수를 갖는, 안테나 패키지.
15. 위 13에 있어서, 상기 안테나 소자는 상기 안테나 패턴들이 배치되는 안테나 유전층을 더 포함하며, 상기 제1 안테나 패턴들 및 상기 제2 안테나 패턴들은 상기 안테나 유전층 상에서 너비 방향을 따라 교대로, 반복적으로 배열된, 안테나 패키지.
16. 위 13에 있어서, 상기 안테나 소자는 상기 안테나 패턴들이 배치되는 안테나 유전층을 더 포함하며,
상기 안테나 소자는 상기 제1 안테나 패턴들이 상기 안테나 유전층 상에서 너비 방향을 따라 서로 인접하게 배치되어 형성된 제1 방사 그룹 및 상기 제2 안테나 패턴들이 상기 안테나 유전층 상에서 너비 방향을 따라 서로 인접하게 배치되어 형성된 제2 방사 그룹을 포함하는, 안테나 패키지.
17. 디스플레이 패널; 및 상기 디스플레이 패널 상에 배치된 상술한 실시예들의 안테나 패키지를 포함하는, 화상 표시 장치.
18. 위 17에 있어서, 상기 디스플레이 패널 아래 배치된 메인 보드; 및 상기 메인 보드 상에 실장된 안테나 구동 집적 회로 칩을 더 포함하고,
상기 안테나 패키지는 상기 디스플레이 패널 아래로 굴곡되고 상기 커넥터를 통해 상기 메인 보드와 결합되어 상기 안테나 구동 집적 회로 칩과 전기적으로 연결되는, 화상 표시 장치.
본 발명의 실시예들에 따르면, 안테나 소자에 본딩된 제1 회로 기판 및 안테나 구동 집적 회로 칩이 실장된 제2 회로 기판을 커넥터를 통해 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 회로 기판을 연결하기 위한 본딩 공정, 접합 공정을 생략하고 안정적인 회로 기판 연결을 용이하게 구현할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 커넥터에 포함된 절연 구조로서 소정의 범위를 갖는 유전율(Dk) 및 손실 탄젠트(Df)를 갖는 유전 물질을 사용할 수 있다. 이에 따라, 고주파 혹은 초고주파 통신에서 상기 커넥터에서 발생하는 신호 손실을 억제할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 상기 제1 회로 기판은 메인 기재부 및 상기 메인 기재부보다 폭이 작은 커넥터 연결부를 포함할 수 있다. 상기 메인 기재부를 통해 안테나 본딩 안정성 및 회로 배선들의 충분한 배열 공간을 확보하고, 상기 커넥터 연결부를 통해 커넥터와의 연결성 및 플렉시블 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지에 포함되는 커넥터를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 4는 일부 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 5 및 도 6은 각각 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도 및 평면도이다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지에 포함되는 커넥터를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 4는 일부 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 5 및 도 6은 각각 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도 및 평면도이다.
본 발명의 실시예들은 안테나 소자 및 커넥터의 연결 구조를 포함하는 안테나 패키지를 제공한다. 또한, 상기 안테나 패키지를 포함하는 화상 표시 장치를 제공한다.
이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예들을 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 안테나 패키지는 안테나 소자(100), 제1 회로 기판(200) 및 커넥터(300)을 포함한다. 상기 안테나 패키지는 커넥터(300)를 통해 제1 회로 기판(200)과 연결되는 제2 회로 기판(350)을 더 포함할 수 있다.
안테나 소자(100)는 안테나 유전층(110) 및 안테나 유전층(110) 상에 배치된 안테나 패턴들(120, 130)을 포함할 수 있다.
안테나 유전층(110)은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 디아세틸셀룰로오스, 트리아세틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스계 수지; 폴리카보네이트계 수지; 폴리메틸(메타)아크릴레이트, 폴리에틸(메타)아크릴레이트 등의 아크릴계 수지; 폴리스티렌, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 등의 스티렌계 수지; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로계 또는 노보넨 구조를 갖는 폴리올레핀, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀계 수지; 염화비닐계 수지; 나일론, 방향족 폴리아미드 등의 아미드계 수지; 이미드계 수지; 폴리에테르술폰계 수지; 술폰계 수지; 폴리에테르에테르케톤계 수지; 황화 폴리페닐렌계 수지; 비닐알코올계 수지; 염화비닐리덴계 수지; 비닐부티랄계 수지; 알릴레이트계 수지; 폴리옥시메틸렌계 수지; 에폭시계 수지; 우레탄계 또는 아크릴우레탄계 수지; 실리콘 계 수지 등을 포함하는 투명 수지 필름을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
안테나 유전층(110)은 광학 투명 점착제(Optically clear Adhesive: OCA), 광학 투명 수지(Optically Clear Resin: OCR) 등과 같은 점접착성 물질을 포함할 수도 있다. 일부 실시예들에 있어서, 안테나 유전층(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 글래스 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 안테나 유전층(110)의 유전율은 약 1.5 내지 12 범위로 조절될 수 있다. 상기 유전율이 약 12를 초과하는 경우, 구동 주파수가 지나치게 감소하여, 원하는 고주파 대역에서의 구동이 구현되지 않을 수 있다.
안테나 패턴들(120, 130)은 안테나 유전층(110)의 상면 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 복수의 안테나 패턴들(120, 130)이 안테나 유전층(110) 또는 상기 안테나 패키지의 너비 방향을 따라 어레이 형태로 배열되어 안테나 패턴 행을 형성할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 안테나 패턴들(120, 130)은 제1 안테나 패턴들(120) 및 제2 안테나 패턴들(130)을 포함할 수 있으며, 제1 안테나 패턴(120) 및 제2 안테나 패턴(130)은 서로 상이한 공진 주파수를 가질 수 있다.
제1 안테나 패턴(120)은 제1 방사 패턴(122) 및 제1 전송 선로(124)를 포함할 수 있다. 제2 안테나 패턴(130)은 제2 방사 패턴(132) 및 제2 전송 선로(134)를 포함할 수 있다. 방사 패턴들(122, 132)은 예를 들면, 다각형 플레이트 형상을 가지며, 제1 및 제2 전송 선로들(124, 134)은 각각 제1 및 제2 방사 패턴들(122, 132)의 일변으로부터 연장될 수 있다. 전송 선로(124, 134)는 방사 패턴(122, 132)과 실질적으로 일체의 단일 부재로서 형성될 수 있다.
제1 안테나 패턴(120) 및 제2 안테나 패턴(130)은 각각 제1 신호 패드(126) 및 제2 신호 패드(136)를 더 포함할 수 있다. 제1 신호 패드(126) 및 제2 신호 패드(136)는 각각 제1 전송 선로(124) 및 제2 전송 선로(134)의 일단부와 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 신호 패드(126, 136)는 전송 선로(124, 134)와 실질적으로 일체의 부재로 제공되며, 전송 선로(124, 134)의 말단부가 신호 패드(126, 136)로 제공될 수도 있다.
일부 실시들에 따르면, 신호 패드(126, 136) 주변에는 그라운드 패드(128, 138)가 배치될 수 있다. 예를 들면, 한 쌍의 제1 그라운드 패드들(128)이 제1 신호 패드(126)을 사이에 두고 서로 마주보며 배치될 수 있다. 또한, 한 쌍의 제2 그라운드 패드들(138)이 제2 신호 패드(136)를 사이에 두고 서로 마주보며 배치될 수 있다. 그라운드 패드들(128, 138)은 각각 전송 선로(124, 134) 및 신호 패드(126, 136)와는 전기적, 물리적으로 분리될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 안테나 패턴(120) 및 제2 안테나 패턴(130)은 서로 다른 사이즈를 가질 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 안테나 패턴(120)에 포함된 제1 방사 패턴(122)의 면적은 제2 안테나 패턴(130)에 포함된 제2 방사 패턴(132)의 면적보다 클 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 안테나 패턴(120)에 포함된 제1 전송 선로(124)의 길이는 제2 안테나 패턴(130)에 포함된 제2 전송 선로(134)의 길이보다 클 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 안테나 패턴(120) 및 제2 안테나 패턴(130)은 서로 다른 공진 주파수를 가질 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 안테나 패턴(120)의 공진 주파수는 제2 안테나 패턴(130)의 공진 주파수보다 작을 수 있다. 비제한적인 예로서, 제1 안테나 패턴(120)의 공진 주파수는 약 20 내지 30GHz(예를 들면, 약 20GHz 이상 및 30GHz 미만), 제2 안테나 패턴(130)의 공진 주파수는 약 30 내지 40GHz일 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 서로 다른 사이즈 및/또는 공진 주파수를 갖는 제1 안테나 패턴들(120) 및 제2 안테나 패턴들(130)은 예를 들면, 행 방향으로 교대로, 반복적으로 배열될 수 있다. 이에 따라, 안테나 소자(100)의 전체 영역에 걸쳐 방사 커버리지의 균일성이 향상될 수 있다.
안테나 패턴들(120, 130)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca) 또는 이들 중 적어도 하나를 함유하는 합금을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 안테나 패턴들(120, 130)은 저저항 구현을 위해 은(Ag) 또는 은 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC) 합금)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 안테나 패턴들(120, 130)은 저저항 및 미세 선폭 패터닝을 고려하여 구리(Cu) 또는 구리 합금(예를 들면, 구리-칼??(CuCa) 합금)을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 안테나 패턴들(120, 130)은 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO), 인듐아연주석 산화물(ITZO), 아연 산화물(ZnOx)과 같은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 안테나 패턴들(120, 130)은 투명 도전성 산화물 층 및 금속층의 적층 구조를 포함할 수 있으며, 예를 들면, 투명 도전성 산화물 층-금속층-투명 도전성 산화물 층의 3층 구조를 가질 수도 있다. 이 경우, 상기 금속층에 의해 플렉시블 특성이 향상되면서, 저항을 낮추어 신호 전달 속도가 향상될 수 있으며, 상기 투명 도전성 산화물 층에 의해 내부식성, 투명성이 향상될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 방사 패턴(122, 132) 및 전송 선로(124, 134)는 투과율 향상을 위해 메쉬-패턴 구조를 포함할 수 있다. 이 경우, 방사 패턴(122, 132) 및 전송 선로(124, 134) 주변에는 더미 메쉬 전극(미도시)이 형성될 수도 있다.
신호 패드(126, 136) 및 그라운드 패드(128, 138)는 급전 저항 감소, 노이즈 흡수 효율 및 수평 방사 특성 향상 등을 고려하여 상술한 금속 또는 합금으로 형성된 속이 찬(solid) 패턴일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 방사 패턴(122, 132)은 메쉬-패턴 구조를 가지며, 전송 선로(124, 134), 신호 패드(126, 136) 및 그라운드 패드(128, 138)는 속이 찬(solid) 금속 패턴으로 형성될 수 있다.
이 경우, 방사 패턴(122, 132)이 화상 표시 장치의 표시 영역 내에 배치되고, 전송 선로(124, 134), 신호 패드(126, 136) 및 그라운드 패드(128, 138)는 화상 표시 장치의 비표시 영역 또는 베젤 영역 내에 배치될 수 있다.
제1 회로 기판(200)은 코어층(210) 및 코어층(210)의 표면들 상에 형성된 신호 배선들(220)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 회로 기판(200)은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)일 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 안테나 유전층(110)이 회로 기판(200)으로 제공될 수 있다. 이 경우, 회로 기판(200)은(예를 들면, 회로 기판(200)의 코어층(210)) 안테나 유전층(110)과 실질적으로 일체의 부재로서 제공될 수 있다. 또한, 후술하는 신호 배선(220)은 전송 선로(124, 134)와 직접 연결되며 패드들(126, 128, 136, 138)은 생략될 수도 있다.
코어층(210)은 예를 들면, 폴리이미드 수지, MPI(Modified Polyimide), 에폭시 수지, 폴리 에스테르, 시클로 올레핀 폴리머(COP), 액정 폴리머(LCP) 등과 같은 유연성 수지를 포함할 수 있다. 코어층(210)은 회로 기판(200)에 포함되는 내부 절연층을 포함할 수 있다.
신호 배선들(220)은 예를 들면, 급전 선로로 제공될 수 있다. 신호 배선들(220)은 상기 회로 배선들은 코어층(210)의 일 면(예를 들면, 안테나 패턴(120, 130)과 마주보는 표면) 상에 배열될 수 있다.
예를 들면, 회로 기판(200)은 코어층(210)의 상기 일 면 상에 형성되며, 상기 회로 배선들을 덮는 커버레이 필름을 더 포함할 수 있다.
신호 배선들(220)은 안테나 패턴들(120, 130)의 신호 패드들(126, 136)과 연결 또는 본딩될 수 있다. 예를 들면, 회로 기판(200)의 상기 커버레이 필름을 일부 제거하여 신호 배선들(220)의 일단부를 노출시킬 수 있다. 노출된 신호 배선들(220)의 상기 일단부를 신호 패드(126, 136) 상에 접합시킬 수 있다.
예를 들면, 이방성 도전 필름(ACF)과 같은 도전성 접합 구조물을 신호 패드들(126, 136) 상에 부착시킨 후 안테나 급전 배선들의(220) 상기 일단부들이 위치한 회로 기판(200)의 본딩 영역(BR)을 상기 도전성 접합 구조물 상에 배치시킬 수 있다. 이후, 열 처리/가압 공정을 통해 회로 기판(200)의 본딩 영역(BR)을 안테나 소자(100)에 부착시킬 수 있으며, 신호 배선들(220)을 각 신호 패드(126, 136)에 전기적으로 연결시킬 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 신호 배선들(220)은 각각 독립적으로 안테나 패턴들(120, 130)의 신호 패드들(126, 128) 각각과 연결 또는 본딩될 수 있다. 이 경우, 안테나 구동 집적 회로(IC) 칩(360)으로부터 각 안테나 패턴(120, 130)으로 독립적으로 급전 및 제어 신호가 공급될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 신호 배선(220)을 통해 소정의 개수의 제1 안테나 패턴들(120) 및 제2 안테나 패턴들(130)이 커플링될 수도 있다.
일부 실시예들에 있어서, 회로 기판(200) 또는 코어층(210)은 서로 다른 폭을 갖는 제1 부분(213) 및 제2 부분(215)을 포함할 수 있으며, 제2 부분(215)은 제1 부분(213) 보다 감소된 폭을 가질 수 있다.
제1 부분(213)은 예를 들면, 회로 기판(200)의 메인 기재부로 제공될 수 있다. 제1 부분(213)의 일단부는 본딩 영역(BR)을 포함하며, 신호 배선들(210)은 본딩 영역(BR)으로부터 제1 부분(213) 상에서 제2 부분(215)을 향해 연장할 수 있다.
신호 배선들(210)은 제1 부분(213) 상에서 점선 원으로 표시된 바와 같이 꺾임부를 포함할 수 있다. 이에 따라, 상대적으로 폭이 좁은 제2 부분(215) 상에서 신호 배선들(210)은 제1 부분(213)에서보다 작은 간격 또는 높은 배선 밀도를 가지고 연장할 수 있다.
제2 부분(215)은 커넥터 연결부로 제공될 수 있다. 제2 부분(215)은 예를 들면 화상 표시 장치의 배면부 측으로 벤딩되어 제2 회로 기판(350)과 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 폭이 감소된 제2 부분(215)을 활용하여 용이하게 신호 배선들(220)의 회로 연결을 구현할 수 있다.
또한, 폭이 큰 제1 부분(213)을 통해 안테나 소자(100)와의 본딩 안정성을 향상시킬 수 있다. 안테나 소자(100)의 안테나 패턴들(120, 130)이 어레이 형태로 배열되는 경우, 제1 부분(213)을 통해 충분한 신호 배선들(220)의 분포 공간이 제공될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 회로 기판(200) 및 제2 회로 기판(350)은 커넥터(300)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 커넥터(300)는 보드-투-보드(Board to Board, B2B) 커넥터로 제공되며, 제1 커넥터(310) 및 제2 커넥터(320)를 포함할 수 있다.
제1 커넥터(310)는 제1 회로 기판(210)의 제2 부분(215) 상에 신호 배선들(220)의 말단부들과 전기적으로 연결되도록 표면 실장 기술(SMT)을 통해 실장될 수 있다.
제2 회로 기판(350)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 메인 보드일 수 있으며, 리지드(Rigid) 인쇄회로기판일 수 있다. 예를 들면, 제2 회로 기판(350)은 유리 섬유와 같은 프리프레그(prepreg)와 같이 무기 물질이 함침된 수지(예를 들면, 에폭시 수지)층을 베이스 절연층으로 포함하며, 상기 베이스 절연층 표면 및 내부에 분포하는 회로 배선들을 포함할 수 있다.
제2 회로 기판(350) 상에는 안테나 구동 IC 칩(360)이 실장될 수 있다. 상술한 바와 같이, 제2 회로 기판(350) 상에는 제2 커넥터(320)가 예를 들면, 표면 실장 기술(SMT)을 통해 실장될 수 있다. 예를 들면, 제2 커넥터(320)는 제2 회로 기판(350)에 포함된 연결 배선(365)을 통해 안테나 구동 IC 칩(360)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 1에 화살표로 표시된 바와 같이, 제1 회로 기판(200) 상에 실장된 제1 커넥터(310) 및 제2 회로 기판(350) 상에 실장된 제2 커넥터(320)가 서로 결합될 수 있다. 예를 들면, 제1 커넥터(310)는 플러그 커넥터로 제공되며, 제2 커넥터(320)는 리셉터클 커넥터로 제공될 수 있다.
이에 따라, 커넥터(300)를 통해 제1 및 제2 회로 기판들(200, 350)의 연결이 구현되며, 안테나 구동 IC 칩(360) 및 안테나 패턴들(120, 130)의 전기적 연결이 구현될 수 있다. 따라서, 안테나 구동 IC 칩(360)으로부터 안테나 패턴들(120, 130)로의 급전/제어 신호(예를 들면, 위상, 빔 틸팅 신호 등)가 인가될 수 있다. 또한, 제1 회로 기판(200)-커넥터(300)-제2 회로 기판(350)의 중개 구조물이 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 커넥터(300)를 이용하여, 제1 및 제2 회로 기판(200, 350)을 서로 전기적으로 결합시킬 수 있다. 따라서, 추가적인 접합 공정, 본딩 공정 등과 같은 가열, 가압 공정 없이도 커넥터(300)를 이용하여 용이하게 제1 및 제2 회로 기판(200, 350)을 서로 결합시킬 수 있다.
그러므로, 상기 가열, 가압 공정에서 초래되는 기판 열 손상에 따른 유전 손실, 배선 손상에 따른 저항 증가 등을 억제하며 안테나 패턴들(120, 130)에서의 신호 손실을 억제할 수 있다.
또한, 제1 커넥터(310)가 실장된 제1 회로 기판(200)의 제2 부분(215)을 벤딩시켜, 제1 커넥터(310)를 제2 커넥터(320)에 체결시킴으로써, 화상 표시 장치의 배면부에 배치된 제2 회로 기판(350)과의 연결을 용이하게 구현할 수 있다.
제2 회로 기판(350) 상에는 안테나 구동 IC 칩(360)에 추가하여 회로 소자(370) 및 제어 소자(380)가 실장될 수도 있다. 회로 소자(370)는 예를 들면, 적층 세라믹 콘덴서(MLCC)와 같은 커패시터, 인덕터, 레지스터 등을 포함할 수 있다. 제어 소자(380)는 예를 들면, 터치 센서 구동 IC 칩, AP(application processor) 칩 등을 포함할 수 있다.
도 2는 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지에 포함되는 커넥터를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 2를 참조하면, 상술한 바와 같이 커넥터(300)는 제1 커넥터(310) 및 제2 커넥터(320)를 포함할 수 있다. 제1 커넥터(310) 및 제2 커넥터(320)는 수나사-암나사 방식 혹은 플러그-커넥터 방식 등으로 서로 체결될 수 있다.
커넥터(300)는 인슐레이터 및 도전 연결 구조들을 포함할 수 있다. 제1 커넥터(310)는 제1 인슐레이터(312) 및 제1 도전 연결 구조들(315)을 포함하며, 제2 커넥터(320)는 제2 인슐레이터(322) 및 제2 도전 연결 구조들(325)을 포함할 수 있다.
인슐레이터들(312, 322)은 커넥터(300)의 기재 혹은 바디로 제공되며, 도전 연결 구조들(315, 325) 사이의 절연 격벽을 제공할 수 있다. 도전 연결 구조들(315, 325)은 도 2에 도시된 바와 같이 인슐레이터(312, 322) 외부로 돌출된 단자 리드를 포함하며, 인슐레이터(312, 322)에 의해 제공되는 상기 절연 격벽 사이의 연결 패턴들을 포함할 수 있다.
제1 커넥터(310)에 포함된 상기 단자 리드들은 제1 회로 기판(310)에 형성된 신호 배선들(220)과 융착, 솔더링 등을 통해 연결되고, 제2 커넥터(320)에 포함된 상기 단자 리드들은 제2 회로 기판(350)에 포함된 연결 배선들(365)과 융착, 솔더링 등을 통해 연결될 수 있다. 제1 커넥터(310)가 제2 커넥터(320)에 체결되면서 상기 연결 패턴들이 서로 접촉하며 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 인슐레이터(312, 322)는 2 내지 3.5 범위의 유전율(Dk, 혹은 유전 상수), 0.0015 내지 0.007 범위의 손실 탄젠트(Df, 혹은 유전 손실)를 갖는 절연 물질을 포함할 수 있다.
상기 범위 내에서, 예를 들면 20 GHz 이상의 고주파 혹은 초고주파 범위의 통신 대역에서 커넥터(300)에서의 신호 손실, 게인 감소를 방지하며 안테나 패턴들(120, 130)을 충분한 방사 특성을 확보할 수 있다.
예를 들면, 인슐레이터(312, 322)의 유전율이 3.5를 초과하며, 손실 탄젠트가 0.007을 초과하는 경우, 커넥터(300)의 개입에 따른 신호 손실이 지나치게 증가하여 도 1을 참조로 한 안테나 패키지 구조를 통해서는 예를 들면, 3G, 4G, 5G 혹은 그 이상의 통신 특성을 구현하는 것은 곤란할 수 있다.
예를 들면, 인슐레이터(312, 322)의 유전율이 2 미만이며, 손실 탄젠트가 0.0015 미만인 경우, 커넥터(300)의 기계적, 열적 안정성이 지나치게 저하되어, 안테나 패키지의 전체적인 회로 연결 신뢰성이 저하될 수 있다.
바람직한 일 실시예에 있어서, 인슐레이터(312, 322)의 유전율은 2.0 내지 3.3 이며, 손실 탄젠트는 0.0015 내지 0.0048일 수 있다. 보다 바람직하게는, 인슐레이터(312, 322)의 유전율은 2.0 내지 2.9 이며, 손실 탄젠트는 0.0015 내지 0.003일 수 있다.
상기 유전율 및 손실 탄젠트는 공진법을 이용하여 10GHz의 공진 주파수에서 측정된 값일 수 있다. 예를 들면, 공진기의 한 쌍의 전극 사이에 인슐레이터를 배치하고, 상기 전극을 통해 전자기파를 인가하여 추출된 S21 값 및 Q값(Quality factor)으로부터 상기 유전율 및 손실 탄젠트를 환산할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 인슐레이터(312, 322)는 액정 폴리머(LCP) 구조, 폴리 페닐렌 설파이드(PPS) 및/또는 MPI(Modified Polyimide) 구조를 포함할 수 있다.
예를 들면, 인슐레이터(312, 322)는 하기의 화학식 1 내지 4로 표시되는 구조 단위들 중 적어도 하나의 LCP 구조를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 PPS 구조는 폴리페닐렌 설파이드 골격-(Ar-S-)- (식 중 Ar은 페닐렌기를 나타냄)을 포함할 수 있다. 페닐렌기(-Ar-)는 예를 들면, p-페닐렌기, m-페닐렌기, o-페닐렌기, 치환 페닐렌기(예를 들면 C1-C5알킬기 등의 치환기를 가지는 알킬 페닐렌기, 페닐기 등의 치환기를 가지는 아릴 페닐기) 등을 들 수 있다, 디페닐렌 설폰기, 비페닐렌기, 디페닐렌 에테르기, 디페닐렌 카르보닐기 등을 포함할 수 있다.
상기 LCP 구조 및 PPS 구조의 경우 분자 구조 내에 각각 다수의 방향족 단위를 포함하며, 이에 따라 증가된 기계적, 구조적 안정성을 가질 수 있다. 또한, 상기 방향족 단위가 회전 가능하게 결합되어, 국소적 유전 분극 편차가 감소될 수 있다.
따라서, 예시적인 실시예들에 따른 상기 LCP 및/또는 PPS 구조를 포함하는 인슐레이터(312, 322)의 경우 현저히 낮은 유전율 및 손실 탄젠트 값을 가질 수 있다.
또한, 저유전 특성을 갖도록 개질된 MPI를 적용하여 상술한 범위의 유전율 및 손실 탄젠트 값을 구현할 수 있다.
도 3은 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지를 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 1을 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및 재질에 대한 상세한 설명은 생략된다.
도 3을 참조하면, 커넥터(300)는 보드-투-필름(Board to Film: B2F) 커넥터로 제공될 수 있다. 예를 들면, 커넥터(300)는 인슐레이터(305)를 포함하며, 인슐레이터(305)는 제1 회로 기판(210)의 제2 부분(215)의 단부가 삽입되는 슬롯(303)을 포함할 수 있다.
제2 부분(215)의 상기 단부 상에는 신호 배선들(220)의 말단들에 형성된 연결 단자들(225)이 배치되며, 연결 단자들(225)이 커넥터(305)의 슬롯 내로 삽입되어, 커넥터(305)의 연결 플러그들(307)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
커넥터(305)의 연결 플러그들(307)은 인슐레이터(305)에 의해 서로 절연되며, 제2 회로 기판(350)에 포함된 안테나 연결 포트(320)를 통해 안테나 구동 IC 칩(360)과 전기적으로 연결될 수 있다.
인슐레이터(305)는 상술한 유전율 및 손실 탄젠트 범위의 유전 물질을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 LCP 구조, PPS 구조 및/또는 MPI를 포함할 수 있다.
도 4는 일부 예시적인 실시예들에 따른 안테나 패키지를 나타내는 개략적인 평면도이다. 도 1 내지 도 3을 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및 구조들에 대한 상세한 설명은 생략된다.
도 4를 참조하면, 안테나 소자(100)에 포함된 제1 안테나 패턴들(120)은 서로 인접하게 배치될 수 있으며, 제2 안테나 패턴들(130)은 서로 인접하게 배치될 수 있다.
예를 들면, 복수의 제1 안테나 패턴들(120)이 행 방향으로 인접하게 배열되어 제1 방사 그룹을 형성할 수 있다. 또한, 복수의 제2 안테나 패턴들(130)이 행 방향으로 인접하게 배열되어 제2 방사 그룹을 형성할 수 있다. 상기 제1 방사 그룹 및 상기 제2 방사 그룹은 소정의 거리로 이격되어 서로 행 방향으로 인접하게 배치될 수 있다.
이에 따라, 행 방향으로 동일한 공진 주파수의 안테나 패턴들이 서로 인접하게 배치될 수 있다. 따라서, 제한된 영역에서 방사 게인 특성을 집중 또는 증가시킬 수 있다.
도 1 내지 도 4를 참조로 설명한 바와 같이, 안테나 소자(100)는 다른 사이즈 및 다른 공진 주파수를 갖는 안테나 패턴들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 안테나 소자(100)는 동일한 사이즈의 동일한 공진 주파수의 안테나 패턴들을 어레이 형태로 포함할 수도 있다.
도 5 및 도 6은 각각 예시적인 실시예들에 따른 화상 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도 및 평면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 화상 표시 장치(400)는 예를 들면, 스마트 폰 형태로 구현될 수 있으며, 도 5는 화상 표시 장치(400)의 전면부 또는 윈도우 면을 도시하고 있다. 화상 표시 장치(400)의 전면부는 표시 영역(410) 및 주변 영역(420)을 포함할 수 있다. 주변 영역(420)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 차광부 또는 베젤부에 해당될 수 있다
상술한 안테나 패키지에 포함된 안테나 소자(100)는 화상 표시 장치(400)의 전면부를 향해 배치될 수 있으며, 예를 들면 디스플레이 패널(405) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 방사 패턴들(122, 132)은 표시 영역(410)과 적어도 부분적으로 중첩될 수도 있다.
이 경우, 방사 패턴(122, 132)은 메쉬-패턴 구조를 포함할 수 있으며, 방사 패턴(122, 132)에 의한 투과율 저하를 방지할 수 있다. 안테나 패턴(120, 130)에 포함된 패드들(126, 128, 136, 138)은 속이 찬 금속 패턴으로 형성되며, 이미지 품질 저하 방지를 위해 주변 영역(420)에 배치될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 회로 기판(200)은 예를 들면, 제2 부분(215)을 통해 굴곡되어 화상 표시 장치(400)의 배면부에 배치되며 안테나 구동 IC 칩(360)이 실장된 제2 회로 기판(350)(예를 들면, 메인 보드)을 향해 연장할 수 있다.
제1 회로 기판(200) 및 제2 회로 기판(350)은 커넥터들(310, 320)을 통해 상호 연결되어 안테나 구동 IC 칩(360)을 통한 안테나 소자(100)로의 급전 및 안테나 구동 제어가 구현될 수 있다.
상술한 바와 같이, 커넥터(300)를 이용하여 굴곡을 통한 회로 연결을 안정적으로 제공하며, 커넥터에 포함된 인슐레이터 설계를 통해 고주파 혹은 초고주파 안테나를 화상 표시 장치(400) 내에 효과적으로 적용할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실험예
공진기(SPDR (Split Post Dielectric Resonators), QWED사)의 마주보는 전극 사이에 커넥터에 사용되는 재질을 포함하는 인슐레이터(30mmx50mm, 두께:0.95mm) 샘플을 배치하고, 10GHz의 전자파를 입사하여 공진시켰다(공진기 및 측정 표준은 구체적인 형상, 규격 등은 https://www.qwed.com.pl/resonators_spdr.html 에 상세히 기재되어 있다).
이후, 상기 인슐레이터 물질을 포함하고, 전송 선로(MSL: Micro Strip Line)가 형성된 샘플 기판을 제작하고(두께: 50㎛, 길이: 40mm), Network analyzer(Anritsu MS46522B network analyzer)를 통해 S-파라미터(S21, 아래 식 1 참조)를 추출하였다. 상기 추출 값을 통해 인슐레이터의 유전율(Dk) 및 손실 탄젠트(Df)를 환산하였다.
[식 1]
S21(dB) = 10 × Log(출력전력/입력전력)
실험결과는 하기의 표 1에 나타낸다. 인슐레이터의 재질로서 상업적으로 판매되며 서로 다른 화학 조성을 갖는 LCP, PPS 및 MPI 레진 제품들이 구입되어 사용되었다.
평가 기준은 다음과 같다.
◎: S21: 0dB 내지 -2.5dB
○: S21: -2.5dB보다 작고 -3 dB 이상
×: S21: -3 dB 보다 작음
| 구분 (재질) |
유전율(Dk) | 손실 탄젠트(Df) | S21(dB) | 결과 |
| 실시예 1 (LCP) |
3.3 | 0.0022 | -2.32 | ◎ |
| 실시예 2 (LCP) |
3.3 | 0.0023 | -2.38 | ◎ |
| 실시예 3(LCP) | 2.0 | 0.0015 | -1.57 | ◎ |
| 실시예 4(LCP) | 2.9 | 0.0015 | -1.76 | ◎ |
| 실시예 5(MPI) | 3.2 | 0.005 | -2.67 | ○ |
| 실시예 7(MPI) | 3.5 | 0.007 | -2.72 | ○ |
| 실시예 8(LCP) | 2.9 | 0.003 | -2.47 | ◎ |
| 실시예 9(LCP) | 2.0 | 0.0048 | -1.99 | ◎ |
| 실시예 10(LCP) | 2.9 | 0.0048 | -2.49 | ◎ |
| 실시예 11(MPI) | 3.5 | 0.0048 | -2.98 | ○ |
| 실시예 12(PPS) | 3.0 | 0.003 | -2.01 | ◎ |
| 비교예 1(MPI) | 3.5 | 0.0075 | -3.12 | × |
| 비교예 2(MPI) | 3.6 | 0.007 | -3.05 | × |
| 비교예 3 (LCP) |
3.8 | 0.0125 | -3.89 | × |
| 비교예 4(LCP) | 4.1 | 0.0206 | -4.23 | × |
| 비교예 5(PI) | 2.9 | 0.035 | -4.11 | × |
표 1을 참조하면, 인슐레이터의 유전율이 2 내지 3.5, 손실 탄젠트가 0.0015 내지 0.007 범위로 조절된 실시예들에서 -3.0 dB 이상의 양호한 S21 값이 확보되었다.
100: 안테나 소자
110: 안테나 유전층
120: 제1 안테나 패턴 122: 제1 방사 패턴
124: 제1 전송 선로 126: 제1 신호 패드
128: 제1 그라운드 패드 130: 제2 안테나 패턴
132: 제2 방사 패턴 134: 제2 전송 선로
136: 제2 신호 패드 138: 제2 그라운드 패드
200: 제1 회로 기판 210: 코어층
220: 신호 배선 300: 커넥터
305: 인슐레이터 310: 제1 커넥터
312: 제1 인슐레이터 315: 제1 도전 연결 구조
320: 제2 커넥터 322: 제2 인슐레이터
325: 제2 도전 연결 구조 350: 제2 회로 기판
360: 안테나 구동 집적 회로 칩
120: 제1 안테나 패턴 122: 제1 방사 패턴
124: 제1 전송 선로 126: 제1 신호 패드
128: 제1 그라운드 패드 130: 제2 안테나 패턴
132: 제2 방사 패턴 134: 제2 전송 선로
136: 제2 신호 패드 138: 제2 그라운드 패드
200: 제1 회로 기판 210: 코어층
220: 신호 배선 300: 커넥터
305: 인슐레이터 310: 제1 커넥터
312: 제1 인슐레이터 315: 제1 도전 연결 구조
320: 제2 커넥터 322: 제2 인슐레이터
325: 제2 도전 연결 구조 350: 제2 회로 기판
360: 안테나 구동 집적 회로 칩
Claims (18)
- 안테나 패턴을 포함하는 안테나 소자; 및
상기 안테나 패턴과 전기적으로 연결되는 커넥터를 포함하고,
상기 커넥터는
10GHz에서 공진법으로 측정된 유전율(Dk)은 2 내지 3.5, 손실 탄젠트(Df)는 0.0015 내지 0.007인 인슐레이터; 및
상기 인슐레이터에 의해 절연되며 상기 안테나 패턴과 전기적으로 연결되는 도전 연결 구조를 포함하는, 안테나 패키지. - 청구항 1에 있어서, 상기 인슐레이터의 유전율은 2.0 내지 3.3 이며, 손실 탄젠트는 0.0015 내지 0.0048인, 안테나 패키지.
- 청구항 1에 있어서, 상기 인슐레이터는 액정 폴리머(LCP) 구조, 폴리 페닐렌 설파이드(PPS) 구조 및 MPI(Modified Polyimide) 구조 중 적어도 하나를 갖는, 안테나 패키지.
- 청구항 1에 있어서, 상기 안테나 패턴과 본딩되고 상기 안테나 패턴 및 상기 커넥터 사이에서 연장하는 신호 배선을 포함하는 제1 회로 기판; 및
상기 커넥터를 통해 상기 제1 회로 기판과 결합되며 안테나 구동 집적 회로 칩이 실장된 제2 회로 기판을 더 포함하는, 안테나 패키지. - 청구항 4에 있어서, 상기 커넥터는 상기 제1 회로 기판 상에 실장된 제1 커넥터, 및 상기 제2 회로 기판 상에 실장된 제2 커넥터를 포함하는, 안테나 패키지.
- 청구항 5에 있어서, 상기 제1 커넥터는 플러그 커넥터이며, 상기 제2 커넥터는 리셉터클 커넥터인, 안테나 패키지.
- 청구항 5에 있어서, 상기 제1 커넥터는 제1 인슐레이터를 포함하고, 상기 제2 커넥터는 제2 인슐레이터를 포함하며,
상기 제1 인슐레이터 및 상기 제2 인슐레이터는 각각 10GHz에서 공진법으로 측정되며 2 내지 3.5의 유전율(Dk) 및 0.0015 내지 0.007의 손실 탄젠트(Df)를 갖는, 안테나 패키지. - 청구항 4에 있어서, 상기 커넥터는 상기 제1 회로 기판의 말단부와 결합되는 슬롯을 포함하고,
상기 제2 회로 기판은 상기 커넥터와 결합되는 안테나 연결 포트를 포함하는, 안테나 패키지. - 청구항 4에 있어서, 상기 제1 회로 기판은 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)이며, 상기 제2 회로 기판은 리지드(rigid) 인쇄 회로 기판인, 안테나 패키지.
- 청구항 4에 있어서, 상기 제1 회로 기판은 상기 안테나 패턴과 본딩되는 제1 부분, 및 상기 제1 부분보다 폭이 작고 상기 커넥터가 결합되는 제2 부분을 포함하는, 안테나 패키지.
- 청구항 4에 있어서, 상기 안테나 패턴은 어레이 형태로 배열된 복수의 안테나 패턴들을 포함하고,
상기 제1 회로 기판의 상기 신호 배선은 상기 복수의 안테나 패턴들과 각각 전기적으로 연결되는 복수의 신호 배선들을 포함하는, 안테나 패키지. - 청구항 11에 있어서, 상기 커넥터의 상기 도전 연결 구조는 상기 신호 배선들 각각과 전기적으로 연결되는 복수의 도전 연결 구조들을 포함하는, 안테나 패키지.
- 청구항 11에 있어서, 상기 안테나 패턴들은 서로 크기가 다른 제1 안테나 패턴들 및 제2 안테나 패턴들을 포함하는, 안테나 패키지.
- 청구항 13에 있어서, 상기 제1 안테나 패턴들 및 제2 안테나 패턴들은 서로 다른 공진 주파수를 갖는, 안테나 패키지.
- 청구항 13에 있어서, 상기 안테나 소자는 상기 안테나 패턴들이 배치되는 안테나 유전층을 더 포함하며,
상기 제1 안테나 패턴들 및 상기 제2 안테나 패턴들은 상기 안테나 유전층 상에서 너비 방향을 따라 교대로, 반복적으로 배열된, 안테나 패키지. - 청구항 13에 있어서, 상기 안테나 소자는 상기 안테나 패턴들이 배치되는 안테나 유전층을 더 포함하며,
상기 안테나 소자는 상기 제1 안테나 패턴들이 상기 안테나 유전층 상에서 너비 방향을 따라 서로 인접하게 배치되어 형성된 제1 방사 그룹 및 상기 제2 안테나 패턴들이 상기 안테나 유전층 상에서 너비 방향을 따라 서로 인접하게 배치되어 형성된 제2 방사 그룹을 포함하는, 안테나 패키지. - 디스플레이 패널; 및
상기 디스플레이 패널 상에 배치된 청구항 1의 안테나 패키지를 포함하는, 화상 표시 장치. - 청구항 17에 있어서, 상기 디스플레이 패널 아래 배치된 메인 보드; 및 상기 메인 보드 상에 실장된 안테나 구동 집적 회로 칩을 더 포함하고,
상기 안테나 패키지는 상기 디스플레이 패널 아래로 굴곡되고 상기 커넥터를 통해 상기 메인 보드와 결합되어 상기 안테나 구동 집적 회로 칩과 전기적으로 연결되는, 화상 표시 장치.
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