KR20220040178A - Organic light emitting device - Google Patents
Organic light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220040178A KR20220040178A KR1020200123092A KR20200123092A KR20220040178A KR 20220040178 A KR20220040178 A KR 20220040178A KR 1020200123092 A KR1020200123092 A KR 1020200123092A KR 20200123092 A KR20200123092 A KR 20200123092A KR 20220040178 A KR20220040178 A KR 20220040178A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- compound
- light emitting
- formula
- substituted
- group
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H01L51/0035—
-
- H01L51/0061—
-
- H01L51/0073—
-
- H01L51/5012—
-
- H01L51/5056—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
Abstract
Description
본 발명은 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting device.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electric energy is converted into light energy using an organic material. The organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, and excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and thus many studies are being conducted.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. An organic light emitting device generally has a structure including an anode and a cathode and an organic material layer between the anode and the cathode. The organic material layer is often made of a multi-layer structure composed of different materials in order to increase the efficiency and stability of the organic light-emitting device, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, it may be made of an electron injection layer, etc. When a voltage is applied between the two electrodes in the structure of the organic light emitting device, holes are injected into the organic material layer from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer. When the injected holes and electrons meet, excitons are formed, and these excitons are When it falls back to the ground state, it lights up.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.The development of new materials for organic materials used in organic light emitting devices as described above is continuously required.
한편, 최근에는 공정 비용 절감을 위하여 기존의 증착 공정 대신 용액 공정, 특히 잉크젯 공정을 이용한 유기 발광 소자가 개발되고 있다. 초창기에는 모든 유기 발광 소자 층을 용액 공정으로 코팅하여 유기 발광 소자를 개발하려 하였으나 현재 기술로는 한계가 있어, HIL, HTL, EML만을 용액 공정으로 진행하고 추후 공정은 기존의 증착 공정을 활용하는 하이브리드(hybrid) 공정이 연구 중이다. Meanwhile, in recent years, organic light emitting devices using a solution process, particularly an inkjet process, have been developed instead of the conventional deposition process in order to reduce process costs. In the early days, all organic light emitting device layers were coated with a solution process to develop an organic light emitting device, but the current technology has limitations, so only HIL, HTL, and EML are processed as a solution process, and the subsequent process is a hybrid that utilizes the existing deposition process. (hybrid) process is being studied.
이에 본 발명에서는 유기 발광 소자에 사용될 수 있으면서 동시에 용액 공정에 사용 가능한 신규한 유기 발광 소자의 소재 및 이를 이용한 유기 발광 소자를 제공한다.Accordingly, the present invention provides a novel material for an organic light emitting device that can be used in an organic light emitting device and at the same time can be used in a solution process, and an organic light emitting device using the same.
본 발명은 유기 발광 소자를 제공하기 위한 것이다. The present invention is to provide an organic light emitting device.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 하기의 유기 발광 소자를 제공한다:In order to solve the above problems, the present invention provides the following organic light emitting device:
양극, anode,
음극, cathode,
상기 양극과 음극 사이의 발광층, 및a light emitting layer between the anode and the cathode; and
상기 양극과 발광층 사이의 정공수송층을 포함하고, and a hole transport layer between the anode and the light emitting layer,
상기 정공수송층은, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자를 포함하고, The hole transport layer includes a polymer including a repeating unit represented by the following formula (1),
상기 발광층은, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는,The light emitting layer includes a compound represented by the following formula (2) and a compound represented by the following formula (3),
유기 발광 소자:Organic light emitting device:
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서, In Formula 1,
L은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,L is each independently substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,
Ar은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,Ar is each independently substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,
R1은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-10 알킬이고, 단 R1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1-10 알킬이고,each R 1 is independently hydrogen, deuterium, or substituted or unsubstituted C 1-10 alkyl, provided that at least one of R 1 is substituted or unsubstituted C 1-10 alkyl;
R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-10 알킬이고, R 2 are each independently hydrogen, deuterium, or substituted or unsubstituted C 1-10 alkyl;
[화학식 2][Formula 2]
상기 화학식 2에서,In Formula 2,
X'은 인접한 두 개의 고리와 융합된, 치환 또는 비치환된 나프탈렌 고리이고, X' is a substituted or unsubstituted naphthalene ring fused with two adjacent rings,
L'1 및 L'2는 각각 독립적으로, 단일 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60의 헤테로아릴렌이고,L′ 1 and L′ 2 are each independently a single bond; substituted or unsubstituted C 6-60 arylene; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroarylene containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S,
B'1 및 B'2는 각각 독립적으로, 단일 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60의 헤테로아릴렌이고,B′ 1 and B′ 2 are each independently a single bond; substituted or unsubstituted C 6-60 arylene; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroarylene containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S,
Ar'1 및 Ar'2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60의 헤테로아릴이며, Ar' 1 and Ar' 2 are each independently, substituted or unsubstituted C 6-60 aryl; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroaryl containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S,
Y'1 및 Y'2는 서로 동일하며, O 또는 C(R'a)(R'b)이고, 이때 R'a 및 R'b는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,Y′ 1 and Y′ 2 are the same as each other and are O or C(R′ a )(R′ b ), wherein R′ a and R′ b are each independently hydrogen; heavy hydrogen; substituted or unsubstituted C 1-60 alkyl; Or a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,
R'1 내지 R'4는 모두 수소이거나; 또는 R'1 내지 R'4 중 인접한 두 개가 서로 결합하여 벤젠 고리를 형성하고, 나머지는 수소이고,R′ 1 to R′ 4 are all hydrogen; or two adjacent ones of R' 1 to R' 4 combine with each other to form a benzene ring, and the remainder is hydrogen,
R'5 내지 R'8은 모두 수소이거나; 또는 R'5 내지 R'8 중 인접한 두 개가 서로 결합하여 벤젠 고리를 형성하고, 나머지는 수소이고,R' 5 to R' 8 are all hydrogen; or two adjacent ones of R' 5 to R' 8 combine with each other to form a benzene ring, and the rest are hydrogen,
[화학식 3][Formula 3]
상기 화학식 3에서, In Formula 3,
Ar"1은 하나 이상의 중수소로 치환된 C6-60 아릴; 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고, Ar" 1 is C 6-60 aryl substituted with one or more deuterium; or C 2-60 heteroaryl containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S substituted with one or more deuterium; ,
Ar"2은 하나 이상의 중수소로 치환된 C6-60 아릴; 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,Ar" 2 is C 6-60 aryl substituted with one or more deuterium; or C 2-60 heteroaryl containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S substituted with one or more deuterium; ,
R"은 중수소이고,R" is deuterium,
n"는 0 내지 8의 정수이다. n" is an integer from 0 to 8;
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 용액 공정으로 정공수송층 및 발광층을 제조할 수 있으며, 또한 유기 발광 소자의 효율 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. In the organic light emitting device according to the present invention, the hole transport layer and the light emitting layer can be manufactured by a solution process, and the efficiency, low driving voltage, and/or lifespan characteristics of the organic light emitting device can be improved.
도 1은 기판(1), 양극(2), 정공수송층(3), 발광층(4), 및 음극(5)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(6), 정공수송층(3), 발광층(4), 전자수송층(7), 전자주입층(8) 및 음극(5)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. FIG. 1 shows an example of an organic light emitting device including a
2 shows a
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, it will be described in more detail to help the understanding of the present invention.
(용어의 정의)(Definition of Terms)
본 명세서에서, 및 는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다.In this specification, and means a bond connected to another substituent.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐이기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amino group; a phosphine oxide group; alkoxy group; aryloxy group; alkyl thiooxy group; arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; arylsulfoxy group; silyl group; boron group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkenyl group; aryl group; aralkyl group; aralkenyl group; an alkylaryl group; an alkylamine group; an aralkylamine group; heteroarylamine group; arylamine group; an arylphosphine group; or N, O, and S atom means that it is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of heteroaryl containing one or more . For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms in the carbonyl group is not particularly limited, but preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, in the ester group, oxygen of the ester group may be substituted with a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 25 carbon atoms or an aryl group having 6 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but it is preferably from 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group specifically includes a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like. However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group specifically includes, but is not limited to, a trimethylboron group, a triethylboron group, a t-butyldimethylboron group, a triphenylboron group, a phenylboron group, and the like.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 20. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms in the alkyl group is 1 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2 -Dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 20. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the alkenyl group is 2 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( Naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the carbon number of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐이기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난쓰레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 30. According to an exemplary embodiment, the carbon number of the aryl group is 6 to 20. The aryl group may be a monocyclic aryl group, such as a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, 등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure. When the fluorenyl group is substituted, etc. can be However, the present invention is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴은 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로아릴의 예로는 잔텐(xanthene), 티오잔텐(thioxanthen), 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, heteroaryl is a heteroaryl containing at least one of O, N, Si and S as a heterogeneous element, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably from 2 to 60 carbon atoms. Examples of heteroaryl include xanthene, thioxanthen, thiophene, furan, pyrrole, imidazole, thiazole, oxazole, oxadiazole, triazole, pyridyl, bipyridyl, Pyrimidyl group, triazine group, acridyl group, pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino Pyrazinyl group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, benzoxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenanthroline group ( phenanthroline), an isoxazolyl group, a thiadiazolyl group, a phenothiazinyl group, and a dibenzofuranyl group, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴실릴기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the aryl group in the aralkyl group, aralkenyl group, alkylaryl group, arylamine group, and arylsilyl group is the same as the above-described aryl group. In the present specification, the alkyl group among the aralkyl group, the alkylaryl group, and the alkylamine group is the same as the example of the above-described alkyl group. In the present specification, as for heteroaryl among heteroarylamines, the description regarding heteroaryl described above may be applied. In the present specification, the alkenyl group among the aralkenyl groups is the same as the above-described examples of the alkenyl group. In the present specification, the description of the above-described aryl group may be applied, except that arylene is a divalent group. In the present specification, the description of the above-described heteroaryl may be applied, except that heteroarylene is a divalent group. In the present specification, the hydrocarbon ring is not a monovalent group, and the description of the above-described aryl group or cycloalkyl group may be applied, except that it is formed by combining two substituents. In the present specification, the heterocyclic group is not a monovalent group, and the description regarding heteroaryl described above may be applied, except that it is formed by combining two substituents.
(양극 및 음극)(Anode and Cathode)
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 양극 및 음극을 포함한다. The organic light emitting device according to the present invention includes an anode and a cathode.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 화합물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a large work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the anode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; conductive compounds such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene](PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The cathode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the anode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof; and a multi-layered material such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but is not limited thereto.
(정공주입층)(hole injection layer)
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 필요에 따라 양극과 발광층 사이에 정공주입층을 포함할 수 있다. The organic light emitting diode according to the present invention may include a hole injection layer between the anode and the light emitting layer, if necessary.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and as a hole injection material, it has the ability to transport holes, so it has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and is produced in the light emitting layer A compound which prevents the movement of excitons to the electron injection layer or the electron injection material and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrin, oligothiophene, arylamine-based organic material, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic material, quinacridone-based organic material, and perylene-based organic material. of organic substances, anthraquinones, and conductive polymers of polyaniline and polythiophene series, but are not limited thereto.
(정공수송층)(hole transport layer)
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 양극(또는 정공주입층)과 발광층 사이에 정공수송층을 포함하며, 특히 상기 정공수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자를 포함한다. The organic light emitting diode according to the present invention includes a hole transport layer between the anode (or hole injection layer) and the light emitting layer, and in particular, the hole transport layer includes a polymer including a repeating unit represented by
상기 화학식 1에서, 바람직하게는 L은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-12 아릴렌이다. 보다 바람직하게는, L은 각각 독립적으로 페닐렌, 또는 비페닐디일이다. 바람직하게는, L은 서로 동일하다. In
바람직하게는, Ar은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-12 아릴이다. 보다 바람직하게는, Ar은 각각 독립적으로 페닐, 또는 비페닐릴이고, 상기 Ar은 비치환되거나, 또는 C1-10 알킬, 또는 N(C6-60 아릴)2로 치환된다. Preferably, each Ar is independently substituted or unsubstituted C 6-12 aryl. More preferably, each Ar is independently phenyl or biphenylyl, wherein Ar is unsubstituted or substituted with C 1-10 alkyl, or N(C 6-60 aryl) 2 .
바람직하게는, Ar은 비페닐릴이고, 상기 Ar은 비치환되거나, 또는 메틸, 에틸, 프로필, 또는 N(페닐)2로 치환된다. Preferably, Ar is biphenylyl, wherein Ar is unsubstituted or substituted with methyl, ethyl, propyl, or N(phenyl) 2 .
바람직하게는, Ar은 서로 동일하다. Preferably, Ar are identical to each other.
바람직하게는, R1은 각각 독립적으로 직쇄 C1-6 알킬이다. 보다 바람직하게는, R1은 각각 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 또는 헥실이다. Preferably, each R 1 is independently straight-chain C 1-6 alkyl. More preferably, each R 1 is independently methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, or hexyl.
바람직하게는, R2는 각각 독립적으로 직쇄 C1-4 알킬이다. 보다 바람직하게는, R2는 각각 독립적으로 메틸이다. Preferably, each R 2 is independently straight-chain C 1-4 alkyl. More preferably, each R 2 is independently methyl.
바람직하게는, Ar은 상기 화학식 1은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 표시된다:Preferably, Ar is represented by any one selected from the group consisting of:
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위는 하기 화학식 1-1로 표시되는 화합물로부터 유래된다. In addition, the repeating unit represented by the formula (1) is derived from a compound represented by the following formula (1-1).
[화학식 1-1][Formula 1-1]
상기 화학식 1-1에서, X를 제외한 나머지 정의는 앞서 정의한 바와 같으며, X는 할로겐이고 보다 바람직하게는 브로모 또는 클로로이다. In Formula 1-1, definitions other than X are the same as defined above, and X is halogen and more preferably bromo or chloro.
상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다.The compound represented by Chemical Formula 1-1 may be prepared by the preparation method shown in
[반응식 1][Scheme 1]
상기 반응식 1에서, X를 제외한 나머지 정의는 앞서 정의한 바와 같으며, X는 할로겐이고 보다 바람직하게는 브로모 또는 클로로이다. In
상기 반응식 1 내의 단계 1-1 및 1-2는 각각 아민 치환 반응으로서, 팔라듐 촉매와 염기 존재 하에 반응시켜 제조하는 반응이다. 상기 아민 치환 반응을 위한 반응기는 당업계에 알려진 바에 따라 변경이 가능하다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.Steps 1-1 and 1-2 in
상기 고분자는 하기 화학식 1'로 표시되는 반복단위를 추가로 포함할 수 있다:The polymer may further include a repeating unit represented by the following Chemical Formula 1':
[화학식 1'][Formula 1']
상기 화학식 1'에서, In Formula 1',
L'는 각각 독립적으로 단일 결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌이고, L' is each independently a single bond; Or a substituted or unsubstituted C 6-60 arylene,
Z는 C, Si, N, Si(페닐), 또는 n가의 치환 또는 비치환된 C6-60 방향족 고리이고, Z is C, Si, N, Si (phenyl), or an n-valent substituted or unsubstituted C 6-60 aromatic ring,
n은 3 또는 4이고, 단 Z가 C 또는 Si이면 n은 4이고, Z가 N 또는 Si(페닐)이면 n은 3이고,n is 3 or 4, with the proviso that if Z is C or Si then n is 4 and if Z is N or Si(phenyl) then n is 3,
*는 고분자 내의 부착 지점을 나타낸다. * indicates the point of attachment within the polymer.
상기 화학식 1'로 표시되는 반복단위는 분지형의 반복단위로서, 본 발명에 따른 고분자 구조 내에 포함되는 경우 고분자의 구조를 분지형으로 만들어 용매에 대한 용해도를 향상시킬 수 있다. The repeating unit represented by Formula 1' is a branched repeating unit, and when included in the polymer structure according to the present invention, the polymer structure is branched to improve solubility in a solvent.
바람직하게는, L'는 각각 독립적으로 단일 결합; 또는 페닐렌이다. Preferably, each L' is independently a single bond; or phenylene.
바람직하게는, Z는 C, N, Si, 또는 3가의 벤젠이다. Preferably, Z is C, N, Si, or trivalent benzene.
바람직하게는, 상기 화학식 1'는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다:Preferably, the formula 1' is any one selected from the group consisting of:
또한, 상기 화학식 1'로 표시되는 반복단위는 하기 화학식 1'-1로 표시되는 화합물로부터 유래된다. In addition, the repeating unit represented by Formula 1' is derived from a compound represented by Formula 1'-1 below.
[화학식 1'-1][Formula 1'-1]
상기 화학식 1'-1에서, X'를 제외한 나머지 정의는 앞서 정의한 바와 같으며, X'는 할로겐이고 보다 바람직하게는 브로모 또는 클로로이다. In Formula 1'-1, definitions other than X' are the same as defined above, and X' is halogen, and more preferably bromo or chloro.
상기 고분자는 하기 화학식 1"로 표시되는 반복단위를 추가로 포함할 수 있다:The polymer may further include a repeating unit represented by the following formula (1):
[화학식 1"][
상기 화학식 1"에서, In
Ar"은 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,Ar" is substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,
*는 고분자 내의 부착 지점을 나타낸다. * indicates the point of attachment within the polymer.
상기 화학식 1"으로 표시되는 말단기는 방향족 고리형의 말단기로서, 본 발명에 따른 고분자 구조 내에 포함되는 경우 용매에 대한 용해도를 향상시킬 수 있다. The terminal group represented by
바람직하게는, Ar"은 페닐, 또는 비페닐릴이고, 상기 Ar"은 비치환되거나, 또는 C1-10 알킬, 광경화성기, 또는 열경화성기로 치환된다. Preferably, Ar″ is phenyl or biphenylyl, wherein Ar″ is unsubstituted or substituted with C 1-10 alkyl, a photocurable group, or a thermosetting group.
바람직하게는, 상기 화학식 1"은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나이다:Preferably, the
. .
또한, 상기 화학식 1"으로 표시되는 반복단위는 하기 화학식 1"-1로 표시되는 화합물로부터 유래된다. In addition, the repeating unit represented by
[화학식 1"-1][
상기 화학식 1"-1에서, X"를 제외한 나머지 정의는 앞서 정의한 바와 같으며, X"는 할로겐이고 보다 바람직하게는 브로모 또는 클로로이다. In
본 발명에 따른 고분자는 상술한 화학식 1-1로 표시되는 단량체를 중합하여 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 고분자는, 상술한 화학식 1-1로 표시되는 단량체 및 화학식 1'-1로 표시되는 단량체를 중합하여 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 고분자는, 상술한 화학식 1-1로 표시되는 단량체 및 화학식 1'-1로 표시되는 단량체 및 화학식 1"-1로 표시되는 단량체를 중합하여 제조할 수 있다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 고분자는 상기 반복단위를 포함하는 랜덤 공중합체이다. The polymer according to the present invention may be prepared by polymerizing the monomer represented by Chemical Formula 1-1. In addition, the polymer according to the present invention may be prepared by polymerizing the above-described monomer represented by Formula 1-1 and the monomer represented by Formula 1'-1. In addition, the polymer according to the present invention can be prepared by polymerizing the above-mentioned monomer represented by Formula 1-1, the monomer represented by Formula 1'-1, and the monomer represented by
본 발명에 따른 고분자에서, 상기 화학식 1'의 반복단위가 포함되는 경우, 바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위 100 몰 대비 상기 화학식 1'의 반복단위는 10 몰 내지 50몰이 포함된다. 보다 바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위 100 몰 대비 상기 화학식 1'의 반복단위는 15 몰 이상, 20몰 이상, 25몰 이상, 또는 30 몰 이상 포함되고; 45몰 이하, 40 몰 이하, 또는 35몰 이하로 포함된다. In the polymer according to the present invention, when the repeating unit of Chemical Formula 1' is included, preferably, 10 to 50 moles of the repeating unit of Chemical Formula 1' relative to 100 moles of the repeating unit represented by
본 발명에 따른 고분자에서, 상기 화학식 1"의 반복단위가 포함되는 경우, 바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위 100 몰 대비 상기 화학식 1"의 반복단위는 20 몰 내지 65몰이 포함된다. 보다 바람직하게는, 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위 100 몰 대비 상기 화학식 1"의 반복단위는 25 몰 이상, 30몰 이상, 35몰 이상, 또는 40 몰 이상 포함되고; 60몰 이하, 또는 55 몰 이하로 포함된다. In the polymer according to the present invention, when the repeating unit of
또한, 상술한 화학식 1-1로 표시되는 단량체, 화학식 1'-1로 표시되는 단량체 및/또는 화학식 1"-1로 표시되는 단량체의 반응 몰 비를 조절하여, 상기 고분자의 몰비를 조절할 수 있다. In addition, by adjusting the reaction molar ratio of the monomer represented by Formula 1-1, the monomer represented by
바람직하게는, 상기 고분자의 중량평균분자량(Mw; g/mol)은 3,000 내지 1,000,000이고, 보다 바람직하게는 10,000 이상, 20,000 이상, 30,000 이상, 40,000 이상, 50,000 이상, 60,000 이상, 70,000 이상, 또는 80,000 이상이고; 500,000 이하, 400,000 이하, 300,000 이하, 200,000 이하, 또는 150,000 이하이다. Preferably, the polymer has a weight average molecular weight (Mw; g/mol) of 3,000 to 1,000,000, more preferably 10,000 or more, 20,000 or more, 30,000 or more, 40,000 or more, 50,000 or more, 60,000 or more, 70,000 or more, or 80,000 or more. more than; 500,000 or less, 400,000 or less, 300,000 or less, 200,000 or less, or 150,000 or less.
바람직하게는, 상기 고분자의 분자량 분포(PDI; Mw/Mn)는 1 내지 10이고, 보다 바람직하게는 1.5 이상, 2.0 이상, 2.1 이상, 2.2 이상, 2.3 이상, 2.4 이상, 또는 2.5 이상이고; 9.0 이하, 8.0 이하, 7.0 이하, 6.0 이하, 또는 5.0 이하이다. Preferably, the molecular weight distribution (PDI; Mw/Mn) of the polymer is 1 to 10, more preferably 1.5 or more, 2.0 or more, 2.1 or more, 2.2 or more, 2.3 or more, 2.4 or more, or 2.5 or more; 9.0 or less, 8.0 or less, 7.0 or less, 6.0 or less, or 5.0 or less.
(발광층)(Light emitting layer)
본 발명에 따른 유기 발광 소자의 발광층은 호스트와 도펀트를 포함하며, 특히 상술한 화학식 2로 표시되는 화합물을 도펀트로, 화학식 3으로 표시되는 화합물을 호스트로 포함한다. The light emitting layer of the organic light emitting device according to the present invention includes a host and a dopant, and in particular, the compound represented by
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 표시될 수 있다:
[화학식 2-1][Formula 2-1]
[화학식 2-2][Formula 2-2]
상기 화학식 2-1 및 2-2에서, L'1, L'2, B'1, B'2, Ar'1, Ar'2, Y'1, Y'2, 및 R'1 내지 R'8은 화학식 2에서 정의한 바와 같다.In Formulas 2-1 and 2-2, L′ 1 , L′ 2 , B′ 1 , B′ 2 , Ar′ 1 , Ar′ 2 , Y′ 1 , Y′ 2 , and R′ 1 to R′ 8 is as defined in
바람직하게는, L'1 및 L'2는 모두 단일 결합이다.Preferably, L′ 1 and L′ 2 are both single bonds.
바람직하게는, B'1 및 B'2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 페닐렌, 비페닐렌, 또는 나프탈렌디일이고, Preferably, B' 1 and B' 2 are each independently a single bond, phenylene, biphenylene, or naphthalenediyl;
상기 B'1 및 B'2는 비치환되거나, 또는 1 이상의 C1-10 알킬로 치환된다. 이때 C1-10 알킬은 메틸일 수 있다.The B′ 1 and B′ 2 are unsubstituted or substituted with one or more C 1-10 alkyl. In this case, C 1-10 alkyl may be methyl.
바람직하게는, B'1 및 B'2는 서로 동일하며, 단일 결합, 페닐렌, 디메틸페닐렌, 비페닐렌, 또는 나프탈렌디일이다.Preferably, B′ 1 and B′ 2 are identical to each other and are a single bond, phenylene, dimethylphenylene, biphenylene, or naphthalenediyl.
바람직하게는, Ar'1 및 Ar'2는 각각 독립적으로, 페닐, 비페닐, 나프틸, 벤조퓨라닐, 디메틸플루오레닐, 또는 디벤조퓨라닐이고,Preferably, Ar' 1 and Ar' 2 are each independently phenyl, biphenyl, naphthyl, benzofuranyl, dimethylfluorenyl, or dibenzofuranyl;
상기 Ar'1 및 Ar'2는 비치환되거나, 또는 1 이상의 C1-10 알킬로 치환된다. 이때 C1-10 알킬은 메틸, 또는 t-부틸일 수 있다.and Ar' 1 and Ar' 2 are unsubstituted or substituted with one or more C 1-10 alkyl. In this case, C 1-10 alkyl may be methyl or t-butyl.
바람직하게는, Ar'1 및 Ar'2는 서로 동일하며, 페닐, t-부틸페닐, 비페닐, 나프틸, 벤조퓨라닐, 디메틸플루오레닐, 또는 디벤조퓨라닐이다.Preferably, Ar′ 1 and Ar′ 2 are identical to each other and are phenyl, t-butylphenyl, biphenyl, naphthyl, benzofuranyl, dimethylfluorenyl, or dibenzofuranyl.
바람직하게는, Y'1 및 Y'2는 서로 동일하며, C(R'a)(R'b)이고, 이때 R'a 및 R'b는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬이다.Preferably, Y′ 1 and Y′ 2 are identical to each other and are C(R′ a )(R′ b ), wherein R′ a and R′ b are each independently hydrogen; heavy hydrogen; or substituted or unsubstituted C 1-60 alkyl.
바람직하게는, Y'1 및 Y'2는 서로 동일하며, O 또는 C(CH3)2이다.Preferably, Y′ 1 and Y′ 2 are identical to each other and are O or C(CH 3 ) 2 .
바람직한 일 구현예에서, Y'1 및 Y'2는 O이고; R'1 내지 R'8은 모두 수소이다. In one preferred embodiment, Y′ 1 and Y′ 2 are O; R' 1 to R' 8 are all hydrogen.
바람직한 다른 일 구현예에서, Y'1 및 Y'2는 C(CH3)2이고; R'1 내지 R'4 중 인접한 두 개가 서로 결합하여 벤젠 고리를 형성하고, 나머지는 수소이고; R'5 내지 R'8 중 인접한 두 개가 서로 결합하여 벤젠 고리를 형성하고, 나머지는 수소이다. 이 경우, 화학식 2의 및 부분은 하기 중 어느 하나로 표시될 수 있다:In another preferred embodiment, Y′ 1 and Y′ 2 are C(CH 3 ) 2 ; adjacent two of R' 1 to R' 4 combine with each other to form a benzene ring, and the remainder is hydrogen; Adjacent two of R' 5 to R' 8 combine with each other to form a benzene ring, and the remainder is hydrogen. In this case,
상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 하기와 같다:Representative examples of the compound represented by
한편, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 반응식 2와 같은 방법으로 제조할 수 있다. Meanwhile, the compound represented by
[반응식 2][Scheme 2]
상기 반응식 2에서, X'a를 제외한 나머지 정의는 앞서 정의한 바와 같으며, X'a는 할로겐이고, 바람직하게는 X'a는 브로모, 클로로, 또는 아이오도이다.In
상기 반응식 2는 아민 치환 반응으로서, 팔라듐 촉매와 염기 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며, 아민 치환 반응을 위한 반응기는 당업계에 알려진 바에 따라 변경이 가능하다. 또한, 상기 단계 1과 단계 2의 반응 물질이 동일할 경우, 단계 2는 생략할 수 있다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.
상기 화학식 3에서, 바람직하게는, Ar"1은 하나 이상의 중수소로 치환된 나프틸, 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 나프틸페닐이다. 이때, 상기 나프틸은 1개 내지 7개의 중수소로 치환될 수 있고, 나프틸페닐은 1개 내지 11개의 중수소로 치환될 수 있다. In
바람직하게는, Ar"2은 하나 이상의 중수소로 치환된 나프틸페닐, 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 디벤조퓨라닐이다. 이때, 상기 나프틸페닐은 1개 내지 11개의 중수소로 치환될 수 있고, 디벤조퓨라닐은 1개 내지 7개의 중수소로 치환될 수 있다.Preferably, Ar" 2 is naphthylphenyl substituted with one or more deuterium, or dibenzofuranyl substituted with one or more deuterium, wherein said naphthylphenyl may be substituted with 1 to 11 deuterium; Dibenzofuranyl may be substituted with 1 to 7 deuterium.
바람직하게는, 상기 화학식 3의 중수소 치환율은 60 내지 100%이다. 상기 ‘중수소 치환율’이란, 상기 화학식 3에 존재할 수 있는 수소의 총 개수 대비 치환된 중수소의 개수를 의미한다. 바람직하게는, 바람직하게는, 상기 화학식 3의 중수소 치환율은 65% 이상, 70% 이상, 75% 이상, 80% 이상, 85% 이상, 90% 이상이고, 99% 이하, 98% 이하, 97% 이하, 96% 이하, 95% 이하, 94% 이하, 93% 이하, 또는 92 % 이하이다. Preferably, the deuterium substitution rate of
바람직하게는, 상기 화학식 3는 하기 화학식 3-1 내지 3-4 중 어느 하나로 표시된다:Preferably, the
[화학식 3-1][Formula 3-1]
상기 화학식 3-1에서, In Formula 3-1,
o+p+q+r은 21 내지 23의 정수이고, o+p+q+r is an integer from 21 to 23;
[화학식 3-2][Formula 3-2]
상기 화학식 3-2에서, In Formula 3-2,
o+p+q+r은 21 내지 23의 정수이고,o+p+q+r is an integer from 21 to 23;
[화학식 3-3][Formula 3-3]
상기 화학식 3-3에서,In Formula 3-3,
o+p+q는 14 내지 22의 정수이고, 바람직하게는 17 내지 20의 정수이고, o+p+q is an integer from 14 to 22, preferably an integer from 17 to 20,
[화학식 3-4][Formula 3-4]
상기 화학식 3-4에서,In Formula 3-4,
o+p+q+r은 20 내지 26의 정수이고, 바람직하게는 21 내지 23의 정수이다.o+p+q+r is an integer of 20-26, Preferably it is an integer of 21-23.
한편, 상기 화학식 3로 표시되는 화합물은, H/D 교환 촉매의 존재 하에 비중수소화된 상기 화학식 3로 표시되는 화합물을 중수소화된 용매, 예컨대 벤젠-D6로 처리함으로써 제조될 수 있다. Meanwhile, the compound represented by
상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다.The manufacturing method may be more specific in Preparation Examples to be described later.
또한, 본 발명에 따른 발광층 내에서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물과 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 중량비는 1~10 : 99~90 이 바람직하다. In addition, in the light emitting layer according to the present invention, the weight ratio of the compound represented by
(전자수송층)(electron transport layer)
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 상기 발광층 상에 전자수송층을 포함할 수 있다. The organic light emitting device according to the present invention may include an electron transport layer on the light emitting layer.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.The electron transport layer is a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports them to the light emitting layer. Do. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes, and the like, but are not limited thereto. The electron transport layer may be used with any desired cathode material as used in accordance with the prior art. In particular, examples of suitable cathode materials are conventional materials having a low work function and followed by a layer of aluminum or silver. Specifically cesium, barium, calcium, ytterbium and samarium, followed in each case by an aluminum layer or a silver layer.
(전자주입층)(electron injection layer)
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 필요에 따라 전자수송층(또는 발광층) 및 음극 사이에 전자주입층을 포함할 수 있다. The organic light emitting diode according to the present invention may include an electron injection layer between the electron transport layer (or the light emitting layer) and the cathode, if necessary.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer is a layer that injects electrons from the electrode, has the ability to transport electrons, has an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect on the light emitting layer or the light emitting material, and hole injection of excitons generated in the light emitting layer. A compound which prevents movement to a layer and is excellent in the ability to form a thin film is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc., derivatives thereof, metals complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinato) chlorogallium, bis (2-methyl-8-quinolinato) ( o-crezolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium, etc. However, the present invention is not limited thereto.
(유기 발광 소자)(organic light emitting element)
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate. Also, the organic light emitting device according to the present invention may be an inverted type organic light emitting device in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate. For example, the structure of the organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 1 and 2 .
도 1은 기판(1), 양극(2), 정공수송층(3), 발광층(4), 및 음극(5)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(6), 정공수송층(3), 발광층(4), 전자수송층(7), 전자주입층(8) 및 음극(5)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. FIG. 1 shows an example of an organic light emitting device including a
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상술한 소재를 사용하는 것을 제외하고는, 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조할 수 있다.The organic light emitting diode according to the present invention may be manufactured using materials and methods known in the art, except for using the above-described materials.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 유기물층 및 음극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. For example, the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by sequentially stacking an anode, an organic material layer, and a cathode on a substrate. At this time, by using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on a substrate to form an anode And, after forming an organic layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon, it can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode thereon.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material from a cathode material on a substrate (WO 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a back emission type, or a double side emission type depending on the material used.
(코팅 조성물)(Coating composition)
한편, 본 발명에 따른 정공수송층 및 발광층은, 각각 용액 공정으로 형성할 수 있다. On the other hand, the hole transport layer and the light emitting layer according to the present invention can be formed by a solution process, respectively.
이를 위하여, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자를 포함하는 정공수송층 형성용 코팅 조성물을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 화학식 2로 표시되는 화합물, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 발광층 형성용 코팅 조성물을 제공한다. To this end, the present invention provides a coating composition for forming a hole transport layer comprising a polymer including a repeating unit represented by the formula (1). In addition, the present invention provides a coating composition for forming a light emitting layer comprising the compound represented by the formula (2) and the compound represented by the formula (3).
상기 각 용매는 본 발명에 따른 고분자 또는 화합물을 용해 또는 분산시킬 수 있는 용매이면 특별히 제한되지 않으며, 일례로 클로로포름, 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라하이드로퓨란, 디옥산 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 트리메틸벤젠, 메시틸렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디메톡시에탄, 프로필렌글리콜, 디에톡시메탄, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올 및 그의 유도체; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭사이드 등의 술폭사이드계 용매; 및 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매; 부틸벤조에이트, 메틸-2-메톡시벤조에이트 등의 벤조에이트계 용매; 테트랄린; 3-phenoxy-toluene 등의 용매를 들 수 있다. 또한, 상술한 용매를 1종 단독으로 사용하거나 2종 이상의 용매를 혼합하여 사용할 수 있다. Each solvent is not particularly limited as long as it is a solvent capable of dissolving or dispersing the polymer or compound according to the present invention, and for example, chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chloroform chlorine-based solvents such as benzene and o-dichlorobenzene; ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, trimethylbenzene, and mesitylene; aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, and n-decane; Ketone solvents, such as acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone; ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate; Polyvalents such as ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, and 1,2-hexanediol alcohols and derivatives thereof; alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol and cyclohexanol; sulfoxide solvents such as dimethyl sulfoxide; and amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N,N-dimethylformamide; benzoate solvents such as butylbenzoate and methyl-2-methoxybenzoate; tetralin; and solvents such as 3-phenoxy-toluene. In addition, the above-mentioned solvents may be used alone or as a mixture of two or more solvents.
또한, 상기 각 코팅 조성물의 점도는 1 cP 내지 10 cP가 바람직하며, 상기의 범위에서 코팅이 용이하다. 또한, 상기 각 코팅 조성물 내 본 발명에 따른 고분자 또는 화합물의 농도는 각각 0.1 wt/v% 내지 20 wt/v%인 것이 바람직하다. In addition, the viscosity of each coating composition is preferably 1 cP to 10 cP, and coating is easy in the above range. In addition, the concentration of the polymer or compound according to the present invention in each coating composition is preferably 0.1 wt/v% to 20 wt/v%, respectively.
또한, 본 발명은 상술한 코팅 조성물을 사용하여 정공수송층 및 발광층을 형성하는 방법을 제공한다. 구체적으로, 상술한 발광층 형성용 코팅 조성물을 용액 공정으로 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 코팅 조성물을 열처리하는 단계를 포함한다. In addition, the present invention provides a method of forming a hole transport layer and a light emitting layer using the above-described coating composition. Specifically, coating the above-described coating composition for forming a light emitting layer in a solution process; and heat-treating the coated coating composition.
상기 용액 공정은 상술한 본 발명에 따른 코팅 조성물을 사용하는 것으로, 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.The solution process uses the coating composition according to the present invention as described above, and refers to spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, and the like, but is not limited thereto.
상기 열처리 단계에서 열처리 온도는 150 내지 230℃가 바람직하다. 또한, 상기 열처리 시간은 1분 내지 3시간이고, 보다 바람직하게는 10분 내지 1시간이다. 또한, 상기 열처리는 아르곤, 질소 등의 불활성 기체 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 코팅 단계와 상기 열처리 단계 사이에 용매를 증발시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다. The heat treatment temperature in the heat treatment step is preferably 150 to 230 ℃. In addition, the heat treatment time is 1 minute to 3 hours, more preferably 10 minutes to 1 hour. In addition, the heat treatment is preferably performed in an inert gas atmosphere such as argon or nitrogen. In addition, the step of evaporating the solvent between the coating step and the heat treatment step may be further included.
상술한 본 발명에 따른 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The above-described manufacturing of the organic light emitting device according to the present invention will be described in detail in the following examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.
[제조예 1] [Production Example 1]
제조예 1-1: 화합물 H1의 합성Preparation 1-1: Synthesis of compound H1
KR 2016-0131947의 합성예 1을 참고하여, 하기 방법으로 화합물 H1을 제조하였다.With reference to Synthesis Example 1 of KR 2016-0131947, compound H1 was prepared by the following method.
화합물 M1(0.712 mmol), M2(0.264 mmol), 및 XL1(0.343 mmol)을 신틸레이션 바이알에 첨가하고 11 mL의 톨루엔에 용해시켰다. 깨끗하고 건조된 50 mL 슈렌크 튜브(Schlenk tube)에 비스(1,5-사이클로옥타다이엔)니켈(0)(2.42 mmol)을 충전하였다. 2,2'-다이피리딜 (2.42 mmol) 및 1,5-사이클로옥타다이엔 (2.42 mmol)을 신틸레이션 바이알에 칭량하여 넣고 5.5 mL의 N,N'-다이메틸포름아미드 및 11 mL의 톨루엔에 용해시켰다. 용액을 슈렌크 튜브에 첨가하고, 이어서 이것을 알루미늄 블록 내에 삽입하고 50℃의 내부 온도로 가열하였다. 촉매 시스템을 50℃에서 30분 동안 유지하였다. 톨루엔 중의 단량체 용액을 슈렌크 튜브에 첨가하고 튜브를 밀봉하였다.Compounds M1 (0.712 mmol), M2 (0.264 mmol), and XL1 (0.343 mmol) were added to a scintillation vial and dissolved in 11 mL of toluene. Bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) (2.42 mmol) was charged to a clean and dry 50 mL Schlenk tube. 2,2'-dipyridyl (2.42 mmol) and 1,5-cyclooctadiene (2.42 mmol) were weighed into a scintillation vial and dissolved in 5.5 mL of N,N'-dimethylformamide and 11 mL of toluene. dissolved. The solution was added to a Schlenk tube, which was then inserted into an aluminum block and heated to an internal temperature of 50°C. The catalyst system was held at 50° C. for 30 minutes. A solution of the monomer in toluene was added to the Schlenk tube and the tube sealed.
중합 혼합물을 50 ℃에서 180분 동안 교반하였다. 이어서, 슈렌크 튜브를 블록으로부터 꺼내고 실온으로 냉각되게 두었다. 내용물을 HCl/메탄올 (5 % v/v, 진한 HCl)에 부었다. 45분 동안 교반한 후에, 진공 여과에 의해 중합체를 수집하고 고진공 하에 건조하였다. 중합체를 톨루엔에 용해시키고 (1% wt/v), 실리카 겔 (6 그램) 상에 층화된 염기성 산화알루미늄 (6 그램)을 함유하는 컬럼에 통과시켰다. 중합체/톨루엔 여과액을 농축하고 (2.5%wt/v 톨루엔), 3-펜타논으로 트리츄레이팅(triturating)하였다. 톨루엔/3-펜타논 용액을 반고체 중합체로부터경사분리하고, 이어서 이것을 15 mL의 톨루엔으로 용해시킨 후에, 교반 중인 메탄올에 부어서 공중합체 H1(a1:b1:e1 몰비율= 54:20:26, Mw = 130,700, [η]= 47 ml/g)을60% 수율로 수득하였다.The polymerization mixture was stirred at 50 °C for 180 min. The Schlenk tube was then removed from the block and allowed to cool to room temperature. The contents were poured into HCl/methanol (5 % v/v, concentrated HCl). After stirring for 45 minutes, the polymer was collected by vacuum filtration and dried under high vacuum. The polymer was dissolved in toluene (1% wt/v) and passed through a column containing basic aluminum oxide (6 grams) layered on silica gel (6 grams). The polymer/toluene filtrate was concentrated (2.5% wt/v toluene) and triturated with 3-pentanone. The toluene/3-pentanone solution was decanted from the semi-solid polymer, which was then dissolved in 15 mL of toluene and poured into stirring methanol to form copolymer H1 (a1:b1:e1 molar ratio = 54:20:26, Mw = 130,700, [η] = 47 ml/g) was obtained in 60% yield.
제조된 공중합체의 중량평균분자량(Mw) 및 고유점도([η])는 검출기로서의 다각도 광산란 검출기 및 인-라인(in-line) 점도계를 사용하고, 용매로서 THF를 사용하여, 겔 투과 크로마토그래피 (GPC)에 의해 측정하였다.The weight average molecular weight (Mw) and intrinsic viscosity ([η]) of the prepared copolymer were measured using a multi-angle light scattering detector and an in-line viscometer as a detector, and using THF as a solvent, gel permeation chromatography (GPC).
제조예 1-2: 화합물 H2의 합성Preparation 1-2: Synthesis of compound H2
모노머로 상기 화합물 M1(0.686 mmol), M2(0.264 mmol), 및 XL2(0.369 mmol)을 사용한 것을 제외하고 제조예 1-1과 동일한 방법으로 공중합체 H2(a1:b1:e2 몰비율= 52:20:28, Mw = 191,700, [η]= 54 ml/g)을 제조하였다.Copolymer H2 (a1:b1:e2 molar ratio = 52: in the same manner as in Preparation Example 1-1 except that the compounds M1 (0.686 mmol), M2 (0.264 mmol), and XL2 (0.369 mmol) were used as monomer 20:28, Mw = 191,700, [η] = 54 ml/g) was prepared.
제조예 1-3: 화합물 H3의 합성Preparation 1-3: Synthesis of compound H3
화합물 M1(0.765 mmol), M2(0.264 mmol), 및 XL1(0.290 mmol)을 사용한 것을 제외하고 제조예 1-1와 동일한 방법으로 공중합체 H3(a1:b1:e1 몰비율= 58:20:22, Mw = 199,000, [η]= 56 ml/g)을 제조하였다.Copolymer H3 (a1:b1:e1 molar ratio = 58:20:22) in the same manner as in Preparation Example 1-1, except that compounds M1 (0.765 mmol), M2 (0.264 mmol), and XL1 (0.290 mmol) were used. , Mw = 199,000, [η] = 56 ml/g) was prepared.
[제조예 2][Production Example 2]
제조예 2-1: 중간체 1-4의 제조Preparation Example 2-1: Preparation of Intermediate 1-4
1) 중간체 1-1의 제조1) Preparation of Intermediate 1-1
질소 분위기에서 500 mL 둥근바닥 플라스크에 1,5-디브로모나프탈렌-2,6-디올(1,5-dibromonaphthalene-2,6-diol) (25g, 79mmol), tert-Butyldimethylsilyl chloride (35.5g, 236mmol), imidazole (21g, 315mmol)을 넣고 디메틸포름아마이드 300mL를 넣었다. 상온에서 약 3시간 교반시키고 반응이 종료되면 에틸아세테이트와 물로 추출하여 유기층을 분리하였다. 유기층은 감압농축 후 에탄올로 침전을 잡아준 후 필터하여 중간체 1-1 (40g, 수득률 94%)을 얻었다. 1,5-dibromonaphthalene-2,6-diol (25g, 79mmol), tert-Butyldimethylsilyl chloride (35.5g, 236mmol), imidazole (21g, 315mmol) was added, and 300mL of dimethylformamide was added. The mixture was stirred at room temperature for about 3 hours, and when the reaction was completed, the organic layer was separated by extraction with ethyl acetate and water. The organic layer was concentrated under reduced pressure, followed by precipitation with ethanol, and then filtered to obtain Intermediate 1-1 (40 g, yield 94%).
2) 중간체 1-2의 제조2) Preparation of Intermediate 1-2
질소 분위기에서 500 mL 둥근바닥 플라스크에 중간체 1-1 (15.6g, 29mmol), (4-chloro-2-fluorophenyl)boronic acid (10g, 57mmol)을 넣고 톨루엔 150mL를 넣었다. 상온에서 교반하다가 소디움 카보네이트 (13g, 120mmol)과 Aliquat 336 (0.58g, 1.43mmol)과 물 60mL를 넣고 질소로 버블링해주었다. Pd(Amphos)Cl2 (0.04g, 0.06mmol)을 넣어주고 반응기의 온도를 90oC로 승온하여 4시간 교반시켰다. 반응이 종료되면 실온으로 낮추고 에틸아세테이트로 추출하고 유기층을 분리하였다. 유기층은 감압농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 중간체 1-2 (7.7g, 수득률 41%)를 얻었다.Intermediate 1-1 (15.6g, 29mmol), (4-chloro-2-fluorophenyl)boronic acid (10g, 57mmol) was added to a 500 mL round-bottom flask in a nitrogen atmosphere, and 150mL of toluene was added. While stirring at room temperature, sodium carbonate (13g, 120mmol), Aliquat 336 (0.58g, 1.43mmol) and 60mL of water were added and bubbled with nitrogen. Pd(Amphos)Cl2 (0.04g, 0.06mmol) was added, the temperature of the reactor was raised to 90 o C, and the mixture was stirred for 4 hours. Upon completion of the reaction, the temperature was lowered to room temperature, extraction was performed with ethyl acetate, and the organic layer was separated. The organic layer was concentrated under reduced pressure and separated by column chromatography to obtain Intermediate 1-2 (7.7 g, yield 41%).
3) 중간체 1-3의 제조3) Preparation of Intermediate 1-3
질소 분위기에서 250 mL 둥근바닥 플라스크에 중간체 1-2 (7.7g, 12mmol)과 디메틸포름아마이드 100mL 넣었다. Ice bath를 설치하고 0oC에서 천천히 NaH (1.4g, 36mmol)을 천천히 넣어주고 상온에서 교반시켰다. 반응이 종료되면 물을 넣어 반응물을 quenching하고 에틸아세테이트로 유기층을 추출하였다. 유기층은 감압농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 중간체 1-3 (4.8g, 수득률 96%)을 얻었다.Intermediate 1-2 (7.7 g, 12 mmol) and 100 mL of dimethylformamide were placed in a 250 mL round-bottom flask in a nitrogen atmosphere. An ice bath was installed, and NaH (1.4 g, 36 mmol) was slowly added at 0 o C and stirred at room temperature. When the reaction was completed, water was added to quench the reaction, and the organic layer was extracted with ethyl acetate. The organic layer was concentrated under reduced pressure and separated by column chromatography to obtain Intermediate 1-3 (4.8 g, yield 96%).
4) 중간체 1-4의 제조4) Preparation of Intermediate 1-4
질소 분위기에서 250 mL 둥근바닥 플라스크에 중간체 1-3 (6.6g, 16mmol), 포타슘카보네이트 (5.5g, 40mmol)과 메틸피롤리돈 100mL를 넣었다. 약 200 oC로 승온하여 24시간 반응시키고 반응이 종료되면 상온으로 낮추어 물, 테트라하이드로퓨란, 에탄올로 차례로 씻어주면서 필터하여 중간체 1-4 (4.5g, 수득률 75%)를 얻었다.Intermediate 1-3 (6.6 g, 16 mmol), potassium carbonate (5.5 g, 40 mmol) and 100 mL of methylpyrrolidone were placed in a 250 mL round-bottom flask under a nitrogen atmosphere. The temperature was raised to about 200 o C and reacted for 24 hours. When the reaction was completed, the reaction was lowered to room temperature, washed with water, tetrahydrofuran, and ethanol in that order, and filtered to obtain Intermediate 1-4 (4.5 g, yield 75%).
제조예 2-2: 중간체 1-5의 제조Preparation Example 2-2: Preparation of Intermediate 1-5
1,5-디브로모나프탈렌-2,6-디올 대신 3,7-디브로모나프탈렌-2,6-디올을 사용하는 것을 제외하고, 제조예 5의 제조 방법과 동일한 방법으로 중간체 1-5를 제조하였다.Intermediate 1-5 in the same manner as in Preparation Example 5, except that 3,7-dibromonaphthalene-2,6-diol was used instead of 1,5-dibromonaphthalene-2,6-diol was prepared.
제조예 2-3: 중간체 2-1의 제조Preparation 2-3: Preparation of Intermediate 2-1
질소 분위기에서 250mL 둥근바닥 플라스크에 9-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[a]fluorene (9.4g, 29mmol), 4-(tert-butyl)aniline (4.5ml, 29mmol), 소듐 터트-부톡사이드 (8.3g, 86mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐 (0.15g, 0.3mmol)을 넣고 톨루엔 100mL를 넣었다. 반응기의 온도를 80 oC로 승온시키고 24 시간 교반시켰다. 반응이 종료되면 실온으로 낮추고 에틸 아세테이트로 추출하고 유기층을 분리하였다. 유기층은 감압농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 중간체 2-1 (7.8g, 20mmol)를 얻었다.9-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[a]fluorene (9.4g, 29mmol), 4-(tert-butyl)aniline (4.5ml, 29mmol), sodium tert- Butoxide (8.3 g, 86 mmol) and bis (tri-tert-butylphosphine) palladium (0.15 g, 0.3 mmol) were added, and toluene 100 mL was added. The temperature of the reactor was raised to 80 o C and stirred for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature was lowered to room temperature, extraction was performed with ethyl acetate, and the organic layer was separated. The organic layer was concentrated under reduced pressure and separated by column chromatography to obtain Intermediate 2-1 (7.8 g, 20 mmol).
제조예 2-4: 중간체 2-2의 제조Preparation Example 2-4: Preparation of Intermediate 2-2
제조예 2-3에서 4-(tert-butyl)aniline 대신 [1,1'-biphenyl]-4-amine을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 중간체 2-2를 제조하였다.Intermediate 2-2 was prepared in the same manner as in Preparation Example 2-3, except that [1,1'-biphenyl]-4-amine was used instead of 4-(tert-butyl)aniline.
제조예 2-5: 중간체 2-3의 제조Preparation Example 2-5: Preparation of Intermediate 2-3
제조예 2-3에서 4-(tert-butyl)aniline 대신 6-(benzofuran-2-yl)naphthalen-2-amine 을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 중간체 2-3을 제조하였다.Intermediate 2-3 was prepared in the same manner as in Preparation Example 2-3, except that 6-(benzofuran-2-yl)naphthalen-2-amine was used instead of 4-(tert-butyl)aniline.
제조예 2-6: 중간체 2-4의 제조Preparation Example 2-6: Preparation of Intermediate 2-4
제조예 2-5에서 9-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[a]fluorene 대신 2-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[b]fluorene 을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 중간체 2-4를 제조하였다.In Preparation Example 2-5, the same method was used except that 2-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[b]fluorene was used instead of 9-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[a]fluorene. Intermediate 2-4 was prepared.
제조예 2-7: 중간체 2-5의 제조Preparation Example 2-7: Preparation of Intermediate 2-5
제조예 2-5에서 9-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[a]fluorene 대신 9-bromo-7,7-dimethyl-7H-benzo[c]fluorene 을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 중간체 2-5를 제조하였다.In the same manner as in Preparation Example 2-5, except that 9-bromo-7,7-dimethyl-7H-benzo[c]fluorene was used instead of 9-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[a]fluorene. Intermediate 2-5 was prepared.
제조예 2-8: 중간체 2-6의 제조Preparation Example 2-8: Preparation of Intermediate 2-6
질소 분위기에서 250mL 둥근바닥 플라스크에 3-bromodibenzo[b,d]furan (29mmol), 9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine (29mmol), 소듐 터트-부톡사이드 (86mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐 (0.3mmol)을 넣고 톨루엔 100mL를 넣었다. 반응기의 온도를 80 oC로 승온시키고 24 시간 교반시켰다. 반응이 종료되면 실온으로 낮추고 에틸 아세테이트로 추출하고 유기층을 분리하였다. 유기층은 감압농축 후 컬럼 크로마토그래피로 분리하여 중간체 2-6 을 얻었다.3-bromodibenzo[b,d]furan (29mmol), 9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine (29mmol), sodium tert-butoxide (86mmol), bis(tri -tert-butylphosphine)palladium (0.3mmol) was added, and toluene 100mL was added. The temperature of the reactor was raised to 80 o C and stirred for 24 hours. When the reaction was completed, the temperature was lowered to room temperature, extraction was performed with ethyl acetate, and the organic layer was separated. The organic layer was concentrated under reduced pressure and separated by column chromatography to obtain Intermediate 2-6.
제조예 2-9: 중간체 2-7의 제조Preparation Example 2-9: Preparation of Intermediate 2-7
제조예 2-5에서 9-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[a]fluorene 대신 3-bromodibenzo[b,d]furan을 사용한 것을 제외하고는 동일한 방법으로 중간체 2-7을 제조하였다.Intermediate 2-7 was prepared in the same manner as in Preparation Example 2-5, except that 3-bromodibenzo[b,d]furan was used instead of 9-bromo-11,11-dimethyl-11H-benzo[a]fluorene.
제조예 2-10: 화합물 1의 제조Preparation Example 2-10: Preparation of
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-4 (0.75g, 2 mmol), 중간체 2-1 (1.7g, 4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0)(0.05 g, 0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(0.4 g, 4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 1을 얻었다. Intermediate 1-4 (0.75 g, 2 mmol), Intermediate 2-1 (1.7 g, 4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.05 g, 0.1) in a 250 mL flask under nitrogen atmosphere mmol), sodium tert butoxide (0.4 g, 4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain
MS[M+H]+= 1086.51MS[M+H] + = 1086.51
제조예 2-11: 화합물 2의 제조Preparation 2-11: Preparation of
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-4 (0.75g, 2 mmol), 중간체 2-2 (1.8g, 4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0)(0.05 g, 0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(0.4 g, 4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 2를 얻었다. Intermediate 1-4 (0.75 g, 2 mmol), Intermediate 2-2 (1.8 g, 4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.05 g, 0.1) in a 250 mL flask under nitrogen atmosphere mmol), sodium tert butoxide (0.4 g, 4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain
MS[M+H]+= 1126.45MS[M+H] + = 1126.45
제조예 2-12: 화합물 3의 제조Preparation Example 2-12: Preparation of
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-4 (0.75g, 2 mmol), 중간체 2-3 (2.2g, 4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0)(0.05 g, 0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(0.4 g, 4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 3을 얻었다. Intermediate 1-4 (0.75 g, 2 mmol), Intermediate 2-3 (2.2 g, 4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.05 g, 0.1) in a 250 mL flask under nitrogen atmosphere mmol), sodium tert butoxide (0.4 g, 4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain
MS[M+H]+= 1307.47MS[M+H] + = 1307.47
제조예 2-13: 화합물 4의 제조Preparation 2-13: Preparation of
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-4 (0.75g, 2 mmol), 중간체 2-4 (2.2g, 4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0)(0.05 g, 0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(0.4 g, 4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 4를 얻었다. Intermediate 1-4 (0.75 g, 2 mmol), Intermediate 2-4 (2.2 g, 4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.05 g, 0.1) in a 250 mL flask under nitrogen atmosphere mmol), sodium tert butoxide (0.4 g, 4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain
MS[M+H]+= 1307.47MS[M+H] + = 1307.47
제조예 2-14: 화합물 5의 제조Preparation Example 2-14: Preparation of
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-4 (0.75g, 2 mmol), 중간체 2-5 (2.2g, 4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0)(0.05 g, 0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(0.4 g, 4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 5를 얻었다. Intermediate 1-4 (0.75 g, 2 mmol), Intermediate 2-5 (2.2 g, 4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.05 g, 0.1) in a 250 mL flask under nitrogen atmosphere mmol), sodium tert butoxide (0.4 g, 4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain
MS[M+H]+= 1307.47MS[M+H] + = 1307.47
제조예 2-15: 화합물 6의 제조Preparation Example 2-15: Preparation of
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-5 (0.75g, 2 mmol), 중간체 2-1 (1.7g, 4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0)(0.05 g, 0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(0.4 g, 4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 6을 얻었다. Intermediate 1-5 (0.75 g, 2 mmol), Intermediate 2-1 (1.7 g, 4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.05 g, 0.1) in a 250 mL flask under nitrogen atmosphere mmol), sodium tert butoxide (0.4 g, 4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain
MS[M+H]+= 1086.51MS[M+H] + = 1086.51
제조예 2-16: 화합물 7의 제조Preparation Example 2-16: Preparation of
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-5 (0.75g, 2 mmol), 중간체 2-2 (1.8g, 4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0)(0.05 g, 0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(0.4 g, 4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 7을 얻었다. Intermediate 1-5 (0.75 g, 2 mmol), Intermediate 2-2 (1.8 g, 4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.05 g, 0.1) in a 250 mL flask under nitrogen atmosphere mmol), sodium tert butoxide (0.4 g, 4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain
MS[M+H]+= 1126.45MS[M+H] + = 1126.45
제조예 2-17: 화합물 8의 제조Preparation Example 2-17: Preparation of
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-5 (0.75g, 2 mmol), 중간체 2-3 (2.2g, 4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0)(0.05 g, 0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(0.4 g, 4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 8을 얻었다. Intermediate 1-5 (0.75 g, 2 mmol), Intermediate 2-3 (2.2 g, 4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.05 g, 0.1) in a 250 mL flask under nitrogen atmosphere mmol), sodium tert butoxide (0.4 g, 4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain
MS[M+H]+= 1307.47MS[M+H] + = 1307.47
제조예 2-18: 화합물 9의 제조Preparation Example 2-18: Preparation of compound 9
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-5 (0.75g, 2 mmol), 중간체 2-4 (2.2g, 4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0)(0.05 g, 0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(0.4 g, 4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 9를 얻었다. Intermediate 1-5 (0.75 g, 2 mmol), Intermediate 2-4 (2.2 g, 4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.05 g, 0.1) in a 250 mL flask under nitrogen atmosphere mmol), sodium tert butoxide (0.4 g, 4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain compound 9.
MS[M+H]+= 1307.47MS[M+H] + = 1307.47
제조예 2-19: 화합물 10의 제조Preparation Example 2-19: Preparation of compound 10
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-5 (0.75g, 2 mmol), 중간체 2-5 (2.2g, 4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0)(0.05 g, 0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(0.4 g, 4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 10을 얻었다. Intermediate 1-5 (0.75 g, 2 mmol), Intermediate 2-5 (2.2 g, 4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0)(0.05 g, 0.1) in a 250 mL flask under nitrogen atmosphere mmol), sodium tert butoxide (0.4 g, 4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain compound 10.
MS[M+H]+= 1307.47MS[M+H] + = 1307.47
제조예 2-20: 화합물 11의 제조Preparation Example 2-20: Preparation of compound 11
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-4 (2 mmol), 중간체 2-6 (4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0) (0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 11을 얻었다. In a 250 mL flask under nitrogen atmosphere, Intermediate 1-4 (2 mmol), Intermediate 2-6 (4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.1 mmol), sodium tertbutoxide (4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain compound 11.
MS[M+H]+= 1054.38MS[M+H] + = 1054.38
제조예 2-21: 화합물 12의 제조Preparation 2-21: Preparation of compound 12
질소 분위기에서 250 mL 플라스크에 중간체 1-4 (2 mmol), 중간체 2-7 (4.4 mmol), 비스(트리-터트-뷰틸포스핀)팔라듐(0) (0.1 mmol), 소듐터트뷰톡사이드(4.4 mmol) 및 톨루엔(50 mL)을 넣고 100℃에서 5시간 동안 교반하였다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 다음 다이클로로메탄과 물을 이용하여 물질을 추출하고, 무수황산마그네슘으로 처리해 물을 제거한 후 여과하고 감압 농축하였다. 생성물은 노르말헥산과 다이클로로메탄을 이용하여 컬럼크로마토그래피 분리법으로 정제한 후 용매를 제거해 화합물 12를 얻었다. In a 250 mL flask under nitrogen atmosphere, Intermediate 1-4 (2 mmol), Intermediate 2-7 (4.4 mmol), bis(tri-tert-butylphosphine)palladium (0) (0.1 mmol), sodium tertbutoxide (4.4 mmol) and toluene (50 mL) were added and stirred at 100° C. for 5 hours. Upon completion of the reaction, the reaction was cooled to room temperature, and the material was extracted using dichloromethane and water, treated with anhydrous magnesium sulfate to remove water, filtered, and concentrated under reduced pressure. The product was purified by column chromatography separation using normal hexane and dichloromethane, and then the solvent was removed to obtain compound 12.
MS[M+H]+= 1154.34MS[M+H] + = 1154.34
[제조예 3][Production Example 3]
제조예 3-1: 화합물 AD의 제조Preparation 3-1: Preparation of compound AD
1) 화합물 A의 제조1) Preparation of compound A
화합물 A-a(1.0 eq.) 및 화합물 A-b(1.03 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 톨루엔(0.3 M)에 용해시켰다. 물에 용해된 K2CO3(2.1 eq.)를 주입하고, 톨루엔에 용해된 Aliquat 336(2.5 mol%)를 주입하였다. Bath 온도 80℃ 하에서 Pd(amPhos)Cl2(0.1 mol%)를 적가하고 하룻밤 동안 교반하였다. 반응 후, 반응물을 상온에서 식히고 EtOAc에 충분히 묽힌 뒤, EtOAc/brine로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, 컬럼 크로마토그라피 정제하여 화합물 A(94% 수율)를 제조하였다.Compound Aa (1.0 eq.) and Compound Ab (1.03 eq.) were placed in a round bottom flask and dissolved in toluene (0.3 M). K 2 CO 3 (2.1 eq.) dissolved in water was injected, and Aliquat 336 (2.5 mol%) dissolved in toluene was injected. Pd(amPhos)Cl 2 (0.1 mol%) was added dropwise under a bath temperature of 80° C. and stirred overnight. After the reaction, the reactant was cooled to room temperature, diluted sufficiently in EtOAc, and washed with EtOAc/brine to separate the organic layer. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare Compound A (94% yield).
MS: [M+H]+ = 507.MS: [M+H] + = 507.
2) 화합물 AD 의 제조2) Preparation of compound AD
질소 분위기 하에 화합물 A(5.0 g, 1.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 benzene-D6(150 eq.)에 용해시켰다. TfOH(2.0 eq.)를 반응물에 천천히 적가하고, 25℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응물에 D2O를 적가하여 반응을 종결시키고, potassium phosphate tribasic(30 wt% in aqueous solution, 2.4 eq)를 적가하여 수층의 pH를 9-10으로 맞추었다. CH2Cl2/DI water로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, 컬럼 크로마토그라피 정제하여 화합물 AD(96% 수율, 중수소화된 생성물 o+p+q+r=21-23)를 제조하였다. Compound A (5.0 g, 1.0 eq.) was placed in a round bottom flask under a nitrogen atmosphere and dissolved in benzene-D6 (150 eq.). TfOH (2.0 eq.) was slowly added dropwise to the reaction and stirred at 25° C. for 2 hours. D 2 O was added dropwise to the reactant to terminate the reaction, and potassium phosphate tribasic (30 wt% in aqueous solution, 2.4 eq) was added dropwise to adjust the pH of the aqueous layer to 9-10. The organic layer was separated by washing with CH 2 Cl 2 /DI water. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound AD (96% yield, deuterated product o+p+q+r=21-23).
MS: [M+H]+ = 529.MS: [M+H] + = 529.
제조예 3-2: 화합물 BD의 제조Preparation 3-2: Preparation of compound BD
1) 화합물 B의 제조1) Preparation of compound B
화합물 B-a(1.0 eq.) 및 화합물 B-b(1.03 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 톨루엔(0.3 M)에 용해시켰다. 물에 용해된 K2CO3(2.1 eq.)를 주입하고, 톨루엔에 용해된 Aliquat 336(2.5 mol%)를 주입하였다. Bath 온도 80℃에서 Pd(amPhos)Cl2(0.1 mol%)를 적가하고 하룻밤 동안 교반하였다. 반응 후, 반응물을 상온에서 식히고 EtOAc에 충분히 묽힌 뒤, EtOAc/brine로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, 컬럼 크로마토그라피 정제하여 화합물 B(92% 수율)를 제조하였다.Compound Ba (1.0 eq.) and Compound Bb (1.03 eq.) were placed in a round bottom flask and dissolved in toluene (0.3 M). K 2 CO 3 (2.1 eq.) dissolved in water was injected, and Aliquat 336 (2.5 mol%) dissolved in toluene was injected. At a bath temperature of 80° C., Pd(amPhos)Cl 2 (0.1 mol%) was added dropwise and stirred overnight. After the reaction, the reactant was cooled to room temperature, diluted sufficiently in EtOAc, and washed with EtOAc/brine to separate the organic layer. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare Compound B (92% yield).
MS: [M+H]+ = 507.MS: [M+H] + = 507.
2) 화합물 BD의 제조2) Preparation of compound BD
질소 분위기 하에 화합물 B(1.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 benzene-D6(150 eq.)에 용해시켰다. TfOH(2.0 eq.)를 반응물에 천천히 적가하고, 25℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응물에 D2O를 적가하여 반응을 종결시키고, potassium phosphate tribasic(30 wt% in aqueous solution, 2.4 eq)를 적가하여 수층의 pH를 9-10으로 맞추었다. CH2Cl2/DI water로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, 컬럼 크로마토그라피 정제하여 화합물 BD(97% 수율, 중수소화된 생성물 o+p+q+r=21-23)를 제조하였다. Compound B (1.0 eq.) was placed in a round bottom flask under a nitrogen atmosphere and dissolved in benzene-D6 (150 eq.). TfOH (2.0 eq.) was slowly added dropwise to the reaction and stirred at 25° C. for 2 hours. D 2 O was added dropwise to the reactant to terminate the reaction, and potassium phosphate tribasic (30 wt% in aqueous solution, 2.4 eq) was added dropwise to adjust the pH of the aqueous layer to 9-10. The organic layer was separated by washing with CH 2 Cl 2 /DI water. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound BD (97% yield, deuterated product o+p+q+r=21-23).
MS: [M+H]+ = 529.MS: [M+H] + = 529.
제조예 3-3: 화합물 CD의 제조Preparation 3-3: Preparation of compound CD
1) 화합물 C의 제조1) Preparation of compound C
화합물 C-a(1.0 eq.) 및 화합물 C-b(1.03 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 톨루엔(0.3 M)에 용해시켰다. 물에 용해된 K2CO3(2.1 eq.)를 주입하고, 톨루엔에 용해된 Aliquat 336(2.5 mol%)를 주입하였다. Bath 온도 80℃에서 Pd(amPhos)Cl2(0.1 mol%)를 적가하고 하룻밤 동안 교반하였다. 반응 후, 반응물을 상온에서 식히고 EtOAc에 충분히 묽힌 뒤, EtOAc/brine로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, 컬럼 크로마토그라피 정제하여 화합물 C(88% 수율)를 제조하였다.Compound Ca (1.0 eq.) and compound Cb (1.03 eq.) were placed in a round bottom flask and dissolved in toluene (0.3 M). K 2 CO 3 (2.1 eq.) dissolved in water was injected, and Aliquat 336 (2.5 mol%) dissolved in toluene was injected. At a bath temperature of 80° C., Pd(amPhos)Cl 2 (0.1 mol%) was added dropwise and stirred overnight. After the reaction, the reactant was cooled to room temperature, diluted sufficiently in EtOAc, and washed with EtOAc/brine to separate the organic layer. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound C (88% yield).
MS: [M+H]+ = 470.MS: [M+H] + = 470.
2) 화합물 CD의 제조2) Preparation of compound CD
질소 분위기 하에 화합물 C(1.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 benzene-D6(300 eq.)에 용해시켰다. TfOH(5.0 eq.)를 반응물에 천천히 적가하고, 25℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응물에 D2O를 적가하여 반응을 종결시키고, potassium phosphate tribasic(30 wt% in aqueous solution, 2.4 eq)를 적가하여 수층의 pH를 9-10으로 맞추었다. CH2Cl2/DI water로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, 컬럼 크로마토그라피 정제하여 화합물 CD(97% 수율, 중수소화된 생성물 s+p+r=21-22)를 제조하였다. Compound C (1.0 eq.) was placed in a round bottom flask under a nitrogen atmosphere and dissolved in benzene-D6 (300 eq.). TfOH (5.0 eq.) was slowly added dropwise to the reaction and stirred at 25° C. for 2 hours. D 2 O was added dropwise to the reactant to terminate the reaction, and potassium phosphate tribasic (30 wt% in aqueous solution, 2.4 eq) was added dropwise to adjust the pH of the aqueous layer to 9-10. The organic layer was separated by washing with CH 2 Cl 2 /DI water. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound CD (97% yield, deuterated product s+p+r=21-22).
MS: [M+H]+ = 492.MS: [M+H] + = 492.
제조예 3-4: 화합물 DD의 제조Preparation 3-4: Preparation of compound DD
1) 화합물 D의 제조1) Preparation of compound D
화합물 D-a(1.0 eq.) 및 화합물 D-b(1.03 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 톨루엔(0.3 M)에 용해시켰다. 물에 용해된 K2CO3(2.1 eq.)를 주입하고, 톨루엔에 용해된 Aliquat 336(2.5 mol%)를 주입하였다. Bath 온도 80℃에서 Pd(amPhos)Cl2(0.1 mol%)를 적가하고 하룻밤 동안 교반하였다. 반응 후, 반응물을 상온에서 식히고 EtOAc에 충분히 묽힌 뒤, EtOAc/brine로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, 컬럼 크로마토그라피 정제하여 화합물 D(92% 수율)를 제조하였다.Compound Da (1.0 eq.) and compound Db (1.03 eq.) were placed in a round bottom flask and dissolved in toluene (0.3 M). K 2 CO 3 (2.1 eq.) dissolved in water was injected, and Aliquat 336 (2.5 mol%) dissolved in toluene was injected. At a bath temperature of 80° C., Pd(amPhos)Cl 2 (0.1 mol%) was added dropwise and stirred overnight. After the reaction, the reactant was cooled to room temperature, diluted sufficiently in EtOAc, and washed with EtOAc/brine to separate the organic layer. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound D (92% yield).
MS: [M+H]+ = 546.MS: [M+H] + = 546.
2) 화합물 DD의 제조2) Preparation of compound DD
질소 분위기 하에 화합물 D(1.0 eq.)를 둥근 바닥 플라스크에 넣고 benzene-D6(300 eq.)에 용해시켰다. TfOH(5.0 eq.)를 반응물에 천천히 적가하고, 25℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응물에 D2O를 적가하여 반응을 종결시키고, potassium phosphate tribasic(30 wt% in aqueous solution, 2.4 eq)를 적가하여 수층의 pH를 9-10으로 맞추었다. CH2Cl2/DI water로 수세하여 유기층을 분리하였다. MgSO4로 물을 제거하고 Celite-Florisil-Silica pad에 통과시켰다. 통과된 용액을 감압 하에 농축시킨 뒤, 컬럼 크로마토그라피 정제하여 화합물 DD(97% 수율, 중수소화된 생성물 s+p+q+r= 23-24)를 제조하였다. Compound D (1.0 eq.) was placed in a round bottom flask under a nitrogen atmosphere and dissolved in benzene-D6 (300 eq.). TfOH (5.0 eq.) was slowly added dropwise to the reaction and stirred at 25° C. for 2 hours. D 2 O was added dropwise to the reactant to terminate the reaction, and potassium phosphate tribasic (30 wt% in aqueous solution, 2.4 eq) was added dropwise to adjust the pH of the aqueous layer to 9-10. The organic layer was separated by washing with CH 2 Cl 2 /DI water. Water was removed with MgSO 4 and passed through a Celite-Florisil-Silica pad. The passed solution was concentrated under reduced pressure and purified by column chromatography to prepare compound DD (97% yield, deuterated product s+p+q+r=23-24).
MS: [M+H]+ = 570.MS: [M+H] + = 570.
[소자예][Element example]
실시예 1Example 1
ITO(indium tin oxide)가 500 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분 간 세척한 후, 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필, 아세톤의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후, 상기 기판을 5분 간 세정한 후 글로브박스로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with indium tin oxide (ITO) to a thickness of 500 Å was placed in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. In this case, a product manufactured by Fischer Co. was used as the detergent, and distilled water that was secondarily filtered with a filter manufactured by Millipore Co. was used as the distilled water. After washing ITO for 30 minutes, ultrasonic washing was performed for 10 minutes by repeating twice with distilled water. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl and acetone and dried. After washing the substrate for 5 minutes, the substrate was transported to a glove box.
상기 ITO 투명 전극 위에, 하기 화합물 O 및 하기 화합물 P(2:8의 중량 비)을 20 wt/v% 농도로 사이클로헥사논에 녹인 코팅 조성물을 스핀 코팅(4000 rpm)하고 200 ℃에서 30분 동안 열처리(경화)하여 400 Å 두께의 정공주입층을 형성하였다. On the ITO transparent electrode, a coating composition in which the following compound O and the following compound P (weight ratio of 2:8) were dissolved in cyclohexanone at a concentration of 20 wt/v% (4000 rpm) was spin-coated (4000 rpm) and at 200 °C for 30 minutes A hole injection layer having a thickness of 400 Å was formed by heat treatment (curing).
상기 정공주입층 위에 앞서 제조예 1-1에서 제조한 화합물 H1 (Mw: 130,700)을 6 wt/v% 농도로 톨루엔에 녹인 코팅 조성물을 스핀 코팅(4000 rpm)하고 200℃에서 30분 동안 열처리하여 200 Å 두께의 정공수송층을 형성하였다. A coating composition obtained by dissolving compound H1 (Mw: 130,700) prepared in Preparation Example 1-1 in toluene at a concentration of 6 wt/v% above the hole injection layer was spin-coated (4000 rpm) and heat-treated at 200° C. for 30 minutes. A hole transport layer having a thickness of 200 Å was formed.
상기 정공수송층 위에, 앞서 제조예 2-10에서 제조한 화합물 1과, 제조예 3-1에서 제조한 화합물 AD(2:98의 중량비)를 2 wt/v% 농도로 사이클로헥사논에 녹인 코팅 조성물을 스핀 코팅(4000 rpm)하고 180 ℃에서 30분 동안 열처리하여 400 Å 두께의 발광층을 형성하였다. On the hole transport layer,
진공 증착기로 이송한 후, 상기 발광층 위에 하기 화합물 R을 진공 증착하여 350 Å 두께의 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 10 Å 두께로 LiF와 1000 Å 두께로 알루미늄을 증착하여 양극을 형성하였다. After transferring to a vacuum evaporator, the following compound R was vacuum deposited on the light emitting layer to form an electron injection and transport layer having a thickness of 350 Å. An anode was formed by sequentially depositing LiF to a thickness of 10 Å and aluminum to a thickness of 1000 Å on the electron injection and transport layer.
상기의 과정에서 유기물의 증착 속도는 0.4 내지 0.7 Å/sec를 유지하였고, LiF는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착 시 진공도는 2×10-7 내지 5×10-8 torr를 유지하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 to 0.7 Å/sec, the deposition rate of 0.3 Å/sec for LiF and 2 Å/sec for aluminum was maintained, and the vacuum degree during deposition was 2×10 -7 to 5 ×10 -8 torr was maintained.
실시예 2 내지 144Examples 2 to 144
정공수송층 및 발광층에 하기 표 1 내지 12에 기재된 화합물을 각각 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compounds shown in Tables 1 to 12 were used for the hole transport layer and the light emitting layer, respectively.
비교예 1 내지 52Comparative Examples 1 to 52
정공수송층 및 발광층에 하기 표 13 내지 17에 기재된 화합물을 각각 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 하기 표 13 내지 17에서 화합물 Q (Mn: 27,900; Mw: 35,600; Agilent 1200 series를 이용하여 PC 스탠다드(Standard)를 이용한 GPC로 측정), A, C, 및 S는 각각 하기와 같다.An organic light emitting diode was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the compounds shown in Tables 13 to 17 were used for the hole transport layer and the light emitting layer, respectively. In Tables 13 to 17, compounds Q (Mn: 27,900; Mw: 35,600; measured by GPC using PC Standard using Agilent 1200 series), A, C, and S are as follows, respectively.
실험예Experimental example
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 전류를 인가하여, 10 mA/cm2의 전류 밀도에서의 구동 전압, 외부 양자 효율(external quantum efficiency, EQE) 및 수명을 측정하고, 그 결과를 하기 표 1 내지 12에 나타내었다. 이때, 외부양자효율(EQE)은 "(방출된 광자 수)/(주입된 전하운반체 수)*100"으로 구하였고, T90는 휘도가 초기 휘도(500 nit)에서 90%로 감소하는데 소요되는 시간을 의미한다.By applying a current to the organic light emitting device prepared in the Examples and Comparative Examples, the driving voltage, external quantum efficiency (EQE) and lifespan at a current density of 10 mA/cm 2 are measured, and the result is It is shown in Tables 1 to 12 below. At this time, the external quantum efficiency (EQE) was calculated as "(the number of emitted photons)/(the number of injected charge carriers) * 100", and T90 is the time it takes for the luminance to decrease from the initial luminance (500 nit) to 90%. means
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
수송층hole
transport layer
호스트light emitting layer
host
도펀트light emitting layer
dopant
(V @10mA/cm2)drive voltage
(V @10mA/cm 2 )
(% @10mA/cm2)EQE
(% @10mA/cm 2 )
(hr @500nit)Lifetime (T90)
(hr @500nit)
상기 결과로부터, 본 발명의 유기 발광 소자는 정공 수송층에 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자를 포함하고, 발광층에 화학식 2로 표시되는 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함함에 따라, 낮은 구동 전압을 나타내고, 양자 효율 및 수명 특성이 우수함을 확인할 수 있다. From the above results, the organic light emitting device of the present invention includes a polymer including a repeating unit represented by
1: 기판
2: 양극
3: 정공수송층
4: 발광층
5: 음극
6: 정공주입층
7: 전자수송층
8: 전자주입층1: Substrate 2: Anode
3: hole transport layer 4: light emitting layer
5: Cathode 6: Hole injection layer
7: electron transport layer 8: electron injection layer
Claims (16)
음극,
상기 양극과 음극 사이의 발광층, 및
상기 양극과 발광층 사이의 정공수송층을 포함하고,
상기 정공수송층은, 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자를 포함하고,
상기 발광층은, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함하는,
유기 발광 소자:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
L은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,
Ar은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,
R1은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-10 알킬이고, 단 R1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1-10 알킬이고,
R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C1-10 알킬이고,
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
X'은 인접한 두 개의 고리와 융합된, 치환 또는 비치환된 나프탈렌 고리이고,
L'1 및 L'2는 각각 독립적으로, 단일 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60의 헤테로아릴렌이고,
B'1 및 B'2는 각각 독립적으로, 단일 결합; 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴렌; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60의 헤테로아릴렌이고,
Ar'1 및 Ar'2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-60의 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60의 헤테로아릴이며,
Y'1 및 Y'2는 서로 동일하며, O 또는 C(R'a)(R'b)이고, 이때 R'a 및 R'b는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,
R'1 내지 R'4는 모두 수소이거나; 또는 R'1 내지 R'4 중 인접한 두 개가 서로 결합하여 벤젠 고리를 형성하고, 나머지는 수소이고,
R'5 내지 R'8은 모두 수소이거나; 또는 R'5 내지 R'8 중 인접한 두 개가 서로 결합하여 벤젠 고리를 형성하고, 나머지는 수소이고,
[화학식 3]
상기 화학식 3에서,
Ar"1은 하나 이상의 중수소로 치환된 C6-60 아릴; 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,
Ar"2은 하나 이상의 중수소로 치환된 C6-60 아릴; 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 N, O 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,
R"은 중수소이고,
n"는 0 내지 8의 정수이다.
anode,
cathode,
a light emitting layer between the anode and the cathode; and
and a hole transport layer between the anode and the light emitting layer,
The hole transport layer includes a polymer including a repeating unit represented by the following formula (1),
The light emitting layer comprises a compound represented by the following formula (2) and a compound represented by the following formula (3),
Organic light emitting device:
[Formula 1]
In Formula 1,
L is each independently substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,
Ar is each independently substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,
each R 1 is independently hydrogen, deuterium, or substituted or unsubstituted C 1-10 alkyl, provided that at least one of R 1 is substituted or unsubstituted C 1-10 alkyl;
R 2 are each independently hydrogen, deuterium, or substituted or unsubstituted C 1-10 alkyl;
[Formula 2]
In Formula 2,
X' is a substituted or unsubstituted naphthalene ring fused with two adjacent rings,
L′ 1 and L′ 2 are each independently a single bond; substituted or unsubstituted C 6-60 arylene; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroarylene containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S,
B′ 1 and B′ 2 are each independently a single bond; substituted or unsubstituted C 6-60 arylene; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroarylene containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S,
Ar' 1 and Ar' 2 are each independently, substituted or unsubstituted C 6-60 aryl; Or substituted or unsubstituted C 2-60 heteroaryl containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S,
Y′ 1 and Y′ 2 are the same as each other and are O or C(R′ a )(R′ b ), wherein R′ a and R′ b are each independently hydrogen; heavy hydrogen; substituted or unsubstituted C 1-60 alkyl; Or a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl,
R′ 1 to R′ 4 are all hydrogen; or two adjacent ones of R' 1 to R' 4 combine with each other to form a benzene ring, and the remainder is hydrogen,
R' 5 to R' 8 are all hydrogen; or two adjacent ones of R' 5 to R' 8 combine with each other to form a benzene ring, and the rest are hydrogen,
[Formula 3]
In Formula 3,
Ar" 1 is C 6-60 aryl substituted with one or more deuterium; or C 2-60 heteroaryl containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S substituted with one or more deuterium; ,
Ar" 2 is C 6-60 aryl substituted with one or more deuterium; or C 2-60 heteroaryl containing any one or more heteroatoms selected from the group consisting of N, O and S substituted with one or more deuterium; ,
R" is deuterium,
n" is an integer from 0 to 8;
L은 각각 독립적으로 페닐렌, 또는 비페닐디일인,
유기 발광 소자.
According to claim 1,
L is each independently phenylene, or biphenyldiyl,
organic light emitting device.
Ar은 각각 독립적으로 페닐, 또는 비페닐릴이고,
상기 Ar은 비치환되거나, 또는 C1-10 알킬, 또는 N(C6-60 아릴)2로 치환된,
유기 발광 소자.
According to claim 1,
Ar is each independently phenyl or biphenylyl,
wherein Ar is unsubstituted or substituted with C 1-10 alkyl, or N(C 6-60 aryl) 2 ,
organic light emitting device.
Ar은 비페닐릴이고,
상기 Ar은 비치환되거나, 또는 메틸, 에틸, 프로필, 또는 N(페닐)2로 치환된,
유기 발광 소자.
The method of claim 1,
Ar is biphenylyl,
Ar is unsubstituted or substituted with methyl, ethyl, propyl, or N(phenyl) 2 ,
organic light emitting device.
R1은 각각 독립적으로 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, 또는 헥실인,
유기 발광 소자.
According to claim 1,
each R 1 is independently methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, or hexyl;
organic light emitting device.
R2는 각각 독립적으로 메틸인,
유기 발광 소자.
According to claim 1,
each R 2 is independently methyl;
organic light emitting device.
상기 화학식 1은 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 표시되는,
유기 발광 소자:
The method of claim 1,
Formula 1 is represented by any one selected from the group consisting of,
Organic light emitting device:
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 표시되는,
유기 발광 소자:
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
상기 화학식 2-1 및 2-2에서, L'1, L'2, B'1, B'2, Ar'1, Ar'2, Y'1, Y'2, 및 R'1 내지 R'8은 제1항에서 정의한 바와 같다.
According to claim 1,
Formula 2 is represented by the following Formula 2-1 or Formula 2-2,
Organic light emitting device:
[Formula 2-1]
[Formula 2-2]
In Formulas 2-1 and 2-2, L′ 1 , L′ 2 , B′ 1 , B′ 2 , Ar′ 1 , Ar′ 2 , Y′ 1 , Y′ 2 , and R′ 1 to R′ 8 is as defined in Paragraph 1.
L'1 및 L'2는 모두 단일 결합인,
유기 발광 소자.
The method of claim 1,
L' 1 and L' 2 are both single bonds,
organic light emitting device.
B'1 및 B'2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 페닐렌, 비페닐렌, 또는 나프탈렌디일이고,
상기 B'1 및 B'2는 비치환되거나, 또는 1 이상의 C1-10 알킬로 치환된,
유기 발광 소자.
The method of claim 1,
B' 1 and B' 2 are each independently a single bond, phenylene, biphenylene, or naphthalenediyl;
wherein B′ 1 and B′ 2 are unsubstituted or substituted with one or more C 1-10 alkyl,
organic light emitting device.
Ar'1 및 Ar'2는 각각 독립적으로, 페닐, 비페닐, 나프틸, 벤조퓨라닐, 디메틸플루오레닐, 또는 디벤조퓨라닐이고,
상기 Ar'1 및 Ar'2는 비치환되거나, 또는 1 이상의 C1-10 알킬로 치환된,
유기 발광 소자.
According to claim 1,
Ar′ 1 and Ar′ 2 are each independently phenyl, biphenyl, naphthyl, benzofuranyl, dimethylfluorenyl, or dibenzofuranyl,
wherein Ar′ 1 and Ar′ 2 are unsubstituted or substituted with one or more C 1-10 alkyl,
organic light emitting device.
Y'1 및 Y'2는 서로 동일하며, O 또는 C(CH3)2인,
유기 발광 소자.
According to claim 1,
Y′ 1 and Y′ 2 are the same as each other and are O or C(CH 3 ) 2 ,
organic light emitting device.
상기 화학식 2는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나로 표시되는,
유기 발광 소자:
The method of claim 1,
Formula 2 is represented by any one selected from the group consisting of:
Organic light emitting device:
Ar"1은 하나 이상의 중수소로 치환된 나프틸, 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 나프틸페닐인,
유기 발광 소자.
According to claim 1,
Ar" 1 is naphthyl substituted with one or more deuterium, or naphthylphenyl substituted with one or more deuterium;
organic light emitting device.
Ar"2은 하나 이상의 중수소로 치환된 나프틸페닐, 또는 하나 이상의 중수소로 치환된 디벤조퓨라닐인,
유기 발광 소자.
According to claim 1,
Ar" 2 is naphthylphenyl substituted with one or more deuterium, or dibenzofuranyl substituted with one or more deuterium;
organic light emitting device.
상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1 내지 3-4 중 어느 하나로 표시되는,
유기 발광 소자:
[화학식 3-1]
상기 화학식 3-1에서,
o+p+q+r은 21 내지 23의 정수이고,
[화학식 3-2]
상기 화학식 3-2에서,
o+p+q+r은 21 내지 23의 정수이고,
[화학식 3-3]
상기 화학식 3-3에서,
o+p+q는 17 내지 20의 정수이고,
[화학식 3-4]
상기 화학식 3-4에서,
o+p+q+r은 21 내지 23의 정수이다.The method of claim 1,
Formula 3 is represented by any one of the following Formulas 3-1 to 3-4,
Organic light emitting device:
[Formula 3-1]
In Formula 3-1,
o+p+q+r is an integer from 21 to 23,
[Formula 3-2]
In Formula 3-2,
o+p+q+r is an integer from 21 to 23,
[Formula 3-3]
In Formula 3-3,
o+p+q is an integer from 17 to 20,
[Formula 3-4]
In Formula 3-4,
o+p+q+r is an integer from 21 to 23;
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200123092A KR20220040178A (en) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | Organic light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200123092A KR20220040178A (en) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | Organic light emitting device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220040178A true KR20220040178A (en) | 2022-03-30 |
Family
ID=80948160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200123092A KR20220040178A (en) | 2020-09-23 | 2020-09-23 | Organic light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20220040178A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000051826A (en) | 1999-01-27 | 2000-08-16 | 성재갑 | New organomattalic complex molecule for the fabrication of organic light emitting diodes |
-
2020
- 2020-09-23 KR KR1020200123092A patent/KR20220040178A/en active Search and Examination
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000051826A (en) | 1999-01-27 | 2000-08-16 | 성재갑 | New organomattalic complex molecule for the fabrication of organic light emitting diodes |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102336673B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102589892B1 (en) | Novel hetero-cyclic compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102625755B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20210117521A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20220014784A (en) | Organic light emitting device | |
KR20210111573A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20210111574A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20220040178A (en) | Organic light emitting device | |
KR20220052746A (en) | Organic light emitting device | |
KR20220101480A (en) | Organic light emitting device | |
KR20220098519A (en) | Organic light emitting device | |
KR20220021785A (en) | Organic light emitting device | |
KR102562219B1 (en) | Novel polymer and organic light emitting device comprising the same | |
KR102623891B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20220066745A (en) | Organic light emitting device | |
KR20220013869A (en) | Organic light emitting device | |
KR20220048179A (en) | Organic light emitting device | |
KR20220053365A (en) | Organic light emitting device | |
KR20210155723A (en) | Organic light emitting device | |
KR20220028430A (en) | Organic light emitting device | |
KR20220003913A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20210155430A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20210118273A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20210109381A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20220018307A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination |