KR20220029465A - Cutting method by using particle beam of metallic glass - Google Patents

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KR20220029465A KR1020210113479A KR20210113479A KR20220029465A KR 20220029465 A KR20220029465 A KR 20220029465A KR 1020210113479 A KR1020210113479 A KR 1020210113479A KR 20210113479 A KR20210113479 A KR 20210113479A KR 20220029465 A KR20220029465 A KR 20220029465A
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콴-위 천
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Abstract

The present invention relates to a cutting method in which a particle beam of metallic glass is applied on a substrate to cut or partially cut the substrate with high production efficiency, low production cost and good environmental protection. The cutting method of the present invention comprises a step of driving at least a particle beam composed of particles of metallic glass from a particle feeder to impact or collide with the substrate to cut or partially cut the substrate.

Description

금속 유리의 입자 빔을 사용하는 절단 방법{CUTTING METHOD BY USING PARTICLE BEAM OF METALLIC GLASS}CUTTING METHOD BY USING PARTICLE BEAM OF METALLIC GLASS

종래의 쇼트 피닝은 스틸 볼들, 세라믹 볼들 또는 카보런덤 입자들을 사용함으로써 기판을 프로세싱하거나 절단하도록 적용될 수 있다. 그러나, 이러한 종래의 피닝 방법은 다음과 같은 단점들이 있다.Conventional shot peening can be applied to process or cut a substrate by using steel balls, ceramic balls or carborundum particles. However, this conventional pinning method has the following disadvantages.

1. 피닝 볼 또는 입자는 낮은 경도, 낮은 밀도 및 예각들을 가지며, 이는 그러한 피닝 볼 또는 입자에 의해 프로세싱 또는 절단되는 기판의 파괴를 야기할 수 있다.1. The pinning ball or particle has low hardness, low density and acute angles, which may cause destruction of the substrate being processed or cut by the pinning ball or particle.

2. 피닝 볼 또는 피닝 입자는 낮은 파단 강도 및 인성을 가짐으로써 피닝 후 용이하게 파괴되어 재활용에 부적합하다.2. The pinning balls or pinning particles have low breaking strength and toughness, so they are easily broken after peening, making them unsuitable for recycling.

3. 쇼트 피닝은, 습식 프로세스에 의해 수행될 때, 프로세싱 슬러지 폐기물의 처리의 어려움을 증가시키고, 이로써 환경 보호에 영향을 미칠 것이다.3. Shot peening, when carried out by wet process, will increase the difficulty of treatment of processing sludge waste, thereby affecting environmental protection.

4. 피닝된 기판의 용이한 파괴 또는 손상으로 인해 생산성이 저하되고, 생산 원가를 상승시켜 그 상품 가치를 떨어뜨릴 수 있다.4. Productivity may be lowered due to easy destruction or damage of the pinned substrate, and the product value may be lowered by increasing the production cost.

본 발명자는 종래의 피닝 프로세스의 단점들을 발견하여, 개선된 생산 효율 및 감소된 생산비를 갖는 본 발명의 절삭 방법을 발명하였다.The inventors discovered the disadvantages of the conventional peening process and invented the cutting method of the present invention with improved production efficiency and reduced production cost.

본 발명의 목적은 금속 유리의 입자 빔을 기판 상에 도포하여, 높은 생산 효율, 낮은 생산 비용 및 우수한 환경 보호로 기판을 절단하거나 부분적으로 절단하는 절단 방법을 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a cutting method in which a particle beam of metallic glass is applied on a substrate to cut or partially cut the substrate with high production efficiency, low production cost and good environmental protection.

도 1 은 본 발명에 따른 제 1 바람직한 실시예의 예시를 도시한다.
도 2 는 본 발명에 따라 절단되는 웨이퍼를 도시한 도면이다.
도 3 은 본 발명에 따른 제 2 바람직한 실시예를 도시한다.
도 4 는 본 발명에 따른 제 3 바람직한 실시예를 도시한다.
1 shows an illustration of a first preferred embodiment according to the invention;
2 is a view showing a wafer to be cut according to the present invention.
3 shows a second preferred embodiment according to the invention.
4 shows a third preferred embodiment according to the invention.

도 1 및 도 2 에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제 1 실시예는 공급기 (1) 의 하부 부분에 형성된 노즐 (2) 로 금속 유리 (10) 입자들을 공급하기 위한 입자 공급기 (1) 와, 공기 또는 불활성 가스, 예를 들면 질소 또는 아르곤을 포함하는 구동 가스 (G) 에 의해 부스팅될 때에 기판 (5) 에 대해 충돌하도록 입자 빔 (4) 을 형성하기 위해 금속 유리 (10) 입자들을 하향으로 분사하도록 상기 노즐 (2) 의 바닥 부분에 형성되는 분사 배럴 (3) 을 포함하는, 절단 장비를 개시한다.1 and 2, a first preferred embodiment of the present invention comprises a particle feeder 1 for feeding particles of metallic glass 10 to a nozzle 2 formed in a lower part of the feeder 1, , air or an inert gas, for example nitrogen or argon, when boosted by a driving gas (G) downwards to form a particle beam (4) to impinge against the substrate (5). Disclosed is a cutting equipment comprising a spray barrel (3) formed in the bottom portion of the nozzle (2) to spray into the

입자 공급기 (1) 및 기판 (5) 은 음압 환경 (E) 에 놓이고 , 그와 같이 음압 환경을 형성하도록 배기되는 에워싸인 챔버 내에 구비된다.The particle feeder 1 and the substrate 5 are placed in a negative pressure environment E, and are thus provided in an enclosed chamber evacuated to form a negative pressure environment.

구동 가스의 압력은 0.1 bar 내지 5 bar 의 범위로 설정될 수 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.The pressure of the driving gas may be set in the range of 0.1 bar to 5 bar, but the present invention is not limited thereto.

금속 유리의 입자 사이즈는 정밀 절단 작업을 위해 1~100 미크론일 수 있다.The particle size of metallic glass can range from 1 to 100 microns for precision cutting operations.

금속 유리는 철계 금속 유리, 니켈계 금속 유리, 코발트계 금속 유리, 및 고엔트로피 합금을 갖는 금속 유리로부터 선택될 수 있다.The metallic glass may be selected from an iron-based metallic glass, a nickel-based metallic glass, a cobalt-based metallic glass, and a metallic glass having a high entropy alloy.

기판 (5) 은 상기 기판 (5) 상에 배치되고 어레이로서 배열된 복수의 칩들 (52) 을 갖는 웨이퍼일 수 있다. 금속 유리의 입자 빔 (4) 에 의해 충격된 후에, 복수의 절단 채널들 (51) 은 각각의 칩 (52) 이 도 2 에 도시된 바와 같이 복수의 절단 채널들 (51) 에 의해 둘러싸이고 규정되도록 기판 (5) 상에 형성될 것이다. 각각의 절단 채널 (51) 은 파괴 및 분리되지 않고 이웃하는 칩들 (52) 을 함께 링크연결하기 위해 얇은 바닥 층 (51a) (도 1) 을 유지하도록 기판 (5) 으로부터 하향으로 함몰된다. 기판 (5) 상으로의 금속 유리의 입자 빔들 (4) 의 충격 또는 충격 중에, 각각의 칩 (52) 은 칩의 보호를 위해 마스크 (53) 에 의해 커버된다. 금속 유리에 의한 절단 (충격) 후에, 스크랩들 (50) 은 도 2 에 도시된 바와 같이 형성될 것이다. 칩 (52) 은 반도체 칩, LED 칩 등을 포함한다.The substrate 5 may be a wafer disposed on the substrate 5 and having a plurality of chips 52 arranged as an array. After being bombarded by the particle beam 4 of metallic glass, a plurality of cutting channels 51 are defined and each chip 52 is surrounded by and defined by a plurality of cutting channels 51 as shown in FIG. 2 . It will be formed on the substrate 5 as much as possible. Each cutting channel 51 is recessed downward from the substrate 5 to retain a thin bottom layer 51a ( FIG. 1 ) to link together neighboring chips 52 without breaking and separating. During the impact or impact of the particle beams 4 of metallic glass onto the substrate 5 , each chip 52 is covered by a mask 53 for protection of the chip. After cutting (impact) by the metallic glass, scraps 50 will be formed as shown in FIG. 2 . The chip 52 includes a semiconductor chip, an LED chip, and the like.

기판 (5) 상에 금속 유리의 입자들의 상기 언급된 충격은 절단 작동으로 규정될 수 있다. 이러한 절단은 기판 (5) 을 완전히 절단하도록 수행되지 않으며, 즉 얇은 바닥 층 (51a) 은 여전히 유지된다 (도 1). 이는 칩들 (52) 의 추가적인 프로세싱을 위해 "부분적으로 절단된" 기판 (5) 상에 배치된 칩들 (52) 의 신뢰성 있고 더 안전한 이송을 도울 수 있다. 추가의 프로세싱을 위해 칩들 (52) 을 이송한 후에, 이전에 링크연결되고 완전히 절단되지 않은 칩들 (52) 은, 그후 완전히 파괴되고 절단 채널들 (51) 을 따라 분리될 것이다.The above-mentioned impact of particles of metallic glass on the substrate 5 can be defined as a cutting operation. This cutting is not performed to completely cut the substrate 5, that is, the thin bottom layer 51a is still maintained (Fig. 1). This can help reliable and safer transfer of chips 52 disposed on a “partially cut” substrate 5 for further processing of the chips 52 . After transporting the chips 52 for further processing, the previously linked and not fully cleaved chips 52 will then be completely destroyed and separated along the cleavage channels 51 .

그렇지 않다면, 칩들 (52) 이 충격 (절단) 작동 중에 완전히 절단되었다면, 분리된 칩들 (52) 은 칩들의 패키징과 같은 추가 프로세싱를 위해 어렵게 핸들링될 것이다.Otherwise, if the chips 52 were completely cut during the impact (cutting) operation, the separated chips 52 would be difficult to handle for further processing such as packaging of the chips.

본 발명에서, 금속 유리의 입자 빔은 0.1~5 bar 의 압력 하에서 가스에 의해 강제 구동되어 기판에 충돌하거나 기판에 충격을 가함으로써 기판을 소성 함몰시켜 다수의 절단 채널 (51) 을 형성하고, 다수의 칩 (52) 을 규정하게 하여 각각의 칩 (52) 이 다수의 절단 채널 (51) 에 의해 둘러싸이게 허용함으로써 칩들의 차후의 프로세싱을 신뢰성있고 원활하게 돕는다.In the present invention, the particle beam of metallic glass is forcibly driven by gas under a pressure of 0.1 to 5 bar to collide with the substrate or plastically depression the substrate by applying an impact to the substrate to form a plurality of cutting channels 51, By allowing each chip 52 to be surrounded by a plurality of cleavage channels 51 by defining the chips 52 of

본 발명에서 사용되는 바와 같은 금속 유리 입자 (10) 의 우수한 특성들로 인해, 즉 작은 입자 크기, 높은 경도, 높은 밀도, 및 높은 진원도가 사용된다. 그 높은 동적 충돌 에너지를 갖는 금속 유리의 충격 입자는 기판을 집속적으로 함몰시켜 복수의 절단 채널들 (51) 을 형성할 것이고, 이는 칩들 (52) 의 추가의 절단 및 분리에 유리하다. 금속 유리 입자들은 높은 파괴 강도를 갖고, 용이하게 파괴되지 않아 금속 유리 입자들은 재활용되어 비용 절감 및 보다 양호한 환경보호를 위해 재사용될 수 있다.Due to the excellent properties of the metallic glass particles 10 as used in the present invention, namely, small particle size, high hardness, high density, and high roundness are used. The impact particle of metallic glass with its high dynamic impact energy will collectively sink the substrate to form a plurality of cutting channels 51 , which is advantageous for further cutting and separation of the chips 52 . The metallic glass particles have high breaking strength and are not easily broken, so that the metallic glass particles can be recycled and reused for cost reduction and better environmental protection.

상기 얇은 하부층 (51a) 의 두께는 0.02 mm 내지 0.1 mm 일 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.The thickness of the thin lower layer 51a may be 0.02 mm to 0.1 mm, but the present invention is not limited thereto.

절단 채널 (51) 의 깊이는 충격 속도, 충격 거리, 충격 각도, 충격 시간 및 금속 유리 입자들의 생산 능력을 포함하는 파라미터들을 변화시킴으로써 설정 또는 조정될 수 있다. 그런데, 각각의 절단 채널 (51) 은 기판 (5) 으로부터 각각의 칩 (52) 의 박리 및 분리를 용이하게 하도록 되어 있는 얇은 바닥 층 (51a) 만을 유지하는, 정확한 깊이를 갖도록 형성될 수 있다. 얇은 바닥 층 (51a) 은 완전히 파괴되거나 분리되지 않고 이웃하는 칩들 (52) 을 링크연결할 수 있어, 칩들의 추가 프로세싱을 위해 칩들 (52) 의 원활하고 신뢰성있는 이송을 도울 수 있다. 이후 프로세싱 시에, 각각의 얇은 바닥 층 (51a) 은 칩들 (52) 을 분리하도록 박리되고 파괴될 수 있다.The depth of the cutting channel 51 can be set or adjusted by changing parameters including impact speed, impact distance, impact angle, impact time and production capacity of metallic glass particles. However, each cutting channel 51 can be formed to have a precise depth, retaining only a thin bottom layer 51a, which is intended to facilitate the peeling and separation of each chip 52 from the substrate 5 . The thin bottom layer 51a can link neighboring chips 52 without being completely destroyed or separated, which can help smooth and reliable transfer of chips 52 for further processing of the chips. In subsequent processing, each thin bottom layer 51a can be delaminated and broken to separate the chips 52 .

도 3 에 도시된 바와 같이, 입자 공급기는 원심 입자 공급기 (1a) 로 변경되었다. 이러한 원심 입자 공급기 (1a) 를 통해, 입자들 (10) 은 각각의 얇은 바닥 층 (51a) 이 이웃하는 칩들 (52) 을 링크연결하게 하는 복수의 절단 채널들 (51) 을 형성하기 위해 기판 (5) 에 충격을 가하도록 원심 스러스트될 수 있다.As shown in Fig. 3, the particle feeder was changed to a centrifugal particle feeder 1a. Via this centrifugal particle feeder 1a, the particles 10 feed the substrate ( 5) can be centrifugally thrust to impact

도 4 에 도시된 바와 같이, 또 다른 입자 공급기 (1b) 는 제 1 전극 (11) 및 제 2 전극 (13) 을 포함하도록 제공되고, 상기 제 1 전극 (11) 및 제 2 전극 (13) 은 전류가 그에 공급되게 하고 제 1 전극 (11) 및 제 2 전극 (13) 을 가로질러 전압 (V) 을 형성함으로써, 두 전극들 (11, 13) 사이에서 금속 유리 (10) 의 차징된 입자들 생성하는 전기 회로를 형성하도록 연결된다. 제 1 전극 (11) 은 공급기 (1b) 로 들어가는 입자들 (10) 의 상부 스트림 상에 형성되는 한편, 제 2 전극 (13) 은 제 1 전극 (11) 에 대향하는 기판 (5) 상에 형성된다. 적어도 전자기 코일 (12) 은 차징된 입자들 (10) 을 추가로 가속시기 위해 노즐 (2) 및 배출 배럴 (3) 을 둘러싸서 강한 입자 빔들 (4) 을 하향으로 형성하여 기판 (5) 에 대한 그 충격을 부스팅하여 복수의 절단 채널 (51) 을 형성하도록 제공된다.As shown in Fig. 4, another particle feeder 1b is provided comprising a first electrode 11 and a second electrode 13, said first electrode 11 and second electrode 13 being Charged particles of metallic glass 10 between the two electrodes 11 , 13 by causing an electric current to be supplied thereto and forming a voltage V across the first electrode 11 and the second electrode 13 . connected to form an electrical circuit that generates them. A first electrode (11) is formed on the upper stream of particles (10) entering the feeder (1b), while a second electrode (13) is formed on the substrate (5) opposite the first electrode (11). do. At least the electromagnetic coil 12 surrounds the nozzle 2 and the discharge barrel 3 to further accelerate the charged particles 10 to form strong particle beams 4 downwardly relative to the substrate 5 . It is provided to boost the impact to form a plurality of cutting channels (51).

다른 입자 공급기들 (1) 은 입자 빔을 부스팅하여 기판 (5) 에서 채널들 (51) 을 효율적으로 절단하도록 추가로 변형될 수 있다.The other particle feeders 1 can be further modified to boost the particle beam to efficiently cut the channels 51 in the substrate 5 .

본 발명은 다음의 이점을 갖는 종래의 샷 피닝 프로세스보다 우수하다:The present invention is superior to the conventional shot peening process with the following advantages:

1. 금속 유리 입자의 높은 경도 및 높은 진원도로 인해, 그것은 심지어 기판의 작은 균열에도 예상치 못한 파손을 유발하지 않을 것이며, 이로써 절단될 웨이퍼의 제어되지 않은 파괴를 방지할 것이다.1. Due to the high hardness and high roundness of the metallic glass particles, it will not cause unexpected breakage even in the small cracks of the substrate, thereby preventing the uncontrolled destruction of the wafer to be cut.

2. 금속 유리 입자들은 절단 효율을 향상시키도록 기판 (웨이퍼 포함) 을 절단할 때 큰 절단 영역에 대해 사용될 수 있다.2. Metallic glass particles can be used for large cutting area when cutting substrates (including wafers) to improve cutting efficiency.

3. 기판 (웨이퍼) 의 "부분 절단" 후에, 이웃하는 칩들을 링크연결하는 얇은 바닥 층 (51a) 은 추가의 프로세싱을 위해 부분 절단된 웨이퍼의 안전하고 원활하고 신뢰성있는 이송을 도울 수 있다. 이후, 칩들은 단지 얇은 각각의 바닥 층 (51a) 을 파괴함으로써 부분적으로 절단된 웨이퍼로부터 용이하게 박리되고 분리될 수 있다. 따라서 생산성과 상업적 가치가 크게 증가할 것이다. 3. After “partial cutting” of the substrate (wafer), the thin bottom layer 51a linking neighboring chips can help safe, smooth and reliable transfer of the partially cut wafer for further processing. Thereafter, the chips can be easily peeled off and separated from the partially cut wafer only by breaking the thin respective bottom layer 51a. Therefore, productivity and commercial value will increase significantly.

4. 이러한 방법은 절단 시간을 단축시키기 위해 미니 또는 마이크로 LED 를 절단하고 추가의 프로세싱을 위해 LED 칩의 대량 이송을 용이하게 하기 위해 특히 적합하다.4. This method is particularly suitable for cutting mini or micro LEDs to shorten the cutting time and to facilitate mass transfer of LED chips for further processing.

5. 습식 공정은 사용되지 않는다. 불산과 같은 부식성 화학물질은 사용되지 않는다. 따라서, 오염 위험은 발생하지 않고 환경 보호에 대해 보다 양호하다.5. No wet process is used. No corrosive chemicals such as hydrofluoric acid are used. Therefore, pollution risk does not occur and it is better for environmental protection.

본 발명은 본 발명의 사상 및 범위로부터 벗어나지 않고 추가로 변경될 수 있다.The present invention may be further modified without departing from the spirit and scope of the present invention.

Claims (9)

절단 방법으로서,
기판을 절단하거나 부분적으로 절단하기 위해 상기 기판에 충격을 가하거나 상기 기판에 충돌하도록 입자 공급기로부터 금속 유리의 입자들로 구성된 적어도 입자 빔을 구동하는 단계를 포함하는, 절단 방법.
A cutting method comprising:
and driving at least a particle beam composed of particles of metallic glass from a particle feeder to impact or impinge the substrate to cut or partially cut the substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 입자 공급기는 상기 공급기에 연결된 노즐, 및 상기 노즐에 연결된 분사 배럴을 포함하고, 그럼으로써 공기 및 불활성 가스를 포함하는 구동 가스에 의해 상기 입자 빔을 구동할 때에, 상기 입자 빔이 상기 기판을 절단하거나 또는 부분적으로 절단하기 위해 상기 기판에 충돌하도록 구동되는, 절단 방법.
The method of claim 1,
The particle feeder includes a nozzle coupled to the feeder, and a spray barrel coupled to the nozzle, whereby when driving the particle beam by a driving gas comprising air and an inert gas, the particle beam cuts the substrate. or driven to impinge the substrate to partially cut.
제 1 항에 있어서,
상기 절단 방법은 음압 환경 내에서 행해지는, 절단 방법.
The method of claim 1,
The cutting method is performed in a negative pressure environment.
제 2 항에 있어서,
상기 구동 가스는 0.1 bar 내지 5 bar 의 압력 범위를 갖는, 절단 방법.
3. The method of claim 2,
The motive gas has a pressure range of 0.1 bar to 5 bar.
제 1 항에 있어서,
상기 기판은 웨이퍼이고, 상기 입자 빔은, 칩들을 링크연결하기 위해 복수의 이웃하는 칩들 중에 형성된 얇은 바닥 층을 갖는, 복수의 칩들을 규정하도록 복수의 절단 채널들을 형성하기 위해 상기 기판을 부분적으로 절단하도록 적용되고, 각각의 상기 칩들은 절단 작동 중에 상기 칩들을 보호하기 위한 마스크로 커버되는, 절단 방법.
The method of claim 1,
wherein the substrate is a wafer and the particle beam partially cleaves the substrate to form a plurality of cleavage channels to define a plurality of chips, having a thin bottom layer formed among a plurality of neighboring chips for linking the chips. and wherein each of said chips is covered with a mask for protecting said chips during a cutting operation.
제 5 항에 있어서,
상기 얇은 바닥 층은 부분적으로 절단될 때에 상기 기판을 신뢰성있게 이송하게 되어 있고, 그럼으로써 각각의 상기 얇은 바닥 층의 박리 및 파괴 시에, 상기 칩들은 추가의 프로세싱을 위해 서로 용이하게 분리될 수 있는, 절단 방법.
6. The method of claim 5,
The thin bottom layer is adapted to reliably transport the substrate when partially cut so that upon peeling and breaking of each of the thin bottom layers, the chips can be easily separated from each other for further processing. , cutting method.
제 1 항에 있어서,
금속 유리의 입자들의 상기 입자 빔은 상기 기판을 절단하기 위해 상기 기판에 충돌하도록 상기 입자 빔을 원심 부스팅하기 위한 원심 입자 공급기에 의해 구동되는, 절단 방법.
The method of claim 1,
wherein the particle beam of particles of metallic glass is driven by a centrifugal particle feeder for centrifugally boosting the particle beam to impinge on the substrate to cut the substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 입자 빔은 입자 공급기에 의해 구동되고,
상기 입자 공급기는: 상기 공급기의 상류에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극에 대향하는 상기 기판 상에 형성된 제 2 전극; 전기 회로로서, 상기 전기 회로는 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 연결되고, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 금속 유리의 차징된 입자들을 형성시키기 위해 전류가 상기 회로에 공급되게 하고, 전압이 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 형성되게 하는, 상기 전기 회로; 및 상기 기판에 충격을 가하고 상기 기판을 절단하기 위해 상기 공급기의 하류를 향해 상기 차징된 입자들을 가속시키기 위해 상기 공급기를 둘러싸는 적어도 전자기 코일을 포함하는, 절단 방법.
The method of claim 1,
the particle beam is driven by a particle feeder,
The particle feeder includes: a first electrode formed upstream of the feeder; a second electrode formed on the substrate opposite to the first electrode; an electrical circuit connected between the first electrode and the second electrode, wherein an electric current is supplied to the circuit to form charged particles of metallic glass between the first electrode and the second electrode and causing a voltage to be formed between the first electrode and the second electrode; and at least an electromagnetic coil surrounding the feeder to impact the substrate and accelerate the charged particles toward downstream of the feeder to cut the substrate.
제 5 항에 있어서,
상기 칩은 반도체 칩, 컴퓨터 칩, LED 칩, 미니 LED 칩, 마이크로 LED 칩 및 다른 전자 칩들을 포함하는, 절단 방법.
6. The method of claim 5,
The chip includes a semiconductor chip, a computer chip, an LED chip, a mini LED chip, a micro LED chip and other electronic chips.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115401621B (en) * 2022-08-17 2023-06-23 武汉船用机械有限责任公司 Shot blasting device accelerated by electric field

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3629255C1 (en) * 1986-08-28 1987-04-02 Alfred Gutmann Ges Fuer Maschb Device for accelerating abrasive that can be influenced magnetically
US7121925B2 (en) * 2000-03-31 2006-10-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for dicing semiconductor wafer into chips
US10883152B2 (en) * 2018-08-23 2021-01-05 Taichi Metal Material Technology Co., Ltd. Dynamically impacting method for simultaneously peening and film-forming on substrate as bombarded by metallic glass particles

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