KR20220029428A - Process for producing printed wiring board - Google Patents

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KR20220029428A
KR20220029428A KR1020210111772A KR20210111772A KR20220029428A KR 20220029428 A KR20220029428 A KR 20220029428A KR 1020210111772 A KR1020210111772 A KR 1020210111772A KR 20210111772 A KR20210111772 A KR 20210111772A KR 20220029428 A KR20220029428 A KR 20220029428A
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가즈히코 쓰루이
다이치 오카자키
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아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention provides a method for manufacturing a printed wiring board, which can suppress a hollowing phenomenon and suppress the occurrence of irregularities on the side surfaces and bottom surfaces of via holes and trenches. The method for manufacturing a printed wiring board includes the processes of: (A) forming an insulating layer containing a cured material of a resin composition, on an inner-layer circuit board; and (B) performing plasma treatment on the surface of the insulating layer, to form via holes or trenches. A resin composition contains an inorganic filler, the content of the inorganic filler is 60 mass% or greater with respect to 100 mass% of a non-volatile component in the resin composition, and the gas used for the plasma treatment contains SF_6.

Description

프린트 배선판의 제조 방법{PROCESS FOR PRODUCING PRINTED WIRING BOARD}The manufacturing method of a printed wiring board {PROCESS FOR PRODUCING PRINTED WIRING BOARD}

본 발명은, 프린트 배선판의 제조 방법, 및 플라즈마 처리에 의한 비아 홀 또는 트렌치 형성용의 수지 조성물에 관한 것이다.This invention relates to the manufacturing method of a printed wiring board, and the resin composition for via-hole or trench formation by plasma processing.

최근, 프린트 배선판에서는, 빌드업층이 복층화되어, 배선의 미세화 및 고밀도화가 요구되고 있다. 빌드업층은, 절연층과 도체층을 교대로 포개어 쌓는 빌드업 방식에 의해 형성되고, 빌드업 방식에 의한 제조 방법에서, 절연층은, 수지 조성물을 열경화시킴으로써 형성되는 것이 일반적이다.In recent years, in a printed wiring board, the buildup layer is multilayered, and refinement|miniaturization of wiring and density increase are calculated|required. A buildup layer is formed by the buildup method which piles up an insulating layer and a conductor layer alternately, and in the manufacturing method by a buildup method, it is common that an insulating layer is formed by thermosetting a resin composition.

내층 회로 기판의 절연층의 형성에 적합한 수지 조성물의 제안은, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재되어 있는 수지 조성물을 포함하여 다수 이루어지고 있다.Many proposals of a resin composition suitable for formation of the insulating layer of an inner-layer circuit board are made including the resin composition described in patent document 1, for example.

일본 공개특허공보 특개2017-059779호Japanese Patent Laid-Open No. 2017-059779

그러나, 프린트 배선판 제조시, 절연층에 비아 홀 또는 트렌치를 형성하는 경우가 있다. 「비아 홀」이란, 통상, 절연층을 관통하는 구멍을 나타낸다. 또한, 「트렌치」란, 통상, 절연층을 관통하지 않는 홈(溝)을 나타낸다. 비아 홀 또는 트렌치를 형성하는 방법으로서, 레이저를 사용하는 방법을 생각할 수 있다.However, there are cases in which a via hole or a trench is formed in the insulating layer when manufacturing a printed wiring board. A "via hole" usually refers to a hole penetrating an insulating layer. In addition, a "trench" shows the groove|channel which does not penetrate an insulating layer normally. As a method of forming a via hole or a trench, a method using a laser is conceivable.

본 발명자들은, 레이저를 조사하면 열이 발생하고, 이 열이, 절연층 및 내층 회로 기판의 하지 금속에 전해짐으로써 할로잉 현상이 발생함을 발견하였다. 할로잉 현상이란, 비아 홀의 주위에서 절연층과 내층 회로 기판 사이에서 박리가 발생하는 것을 말한다. 이러한 할로잉 현상은, 통상, 비아 홀 주위의 수지가 열에 의해 열화하고, 그 열화된 부분이 조화액 등의 약액에 침식되어 발생한다. 또한, 상기의 열화된 부분은, 통상 변색부로서 관찰된다.The inventors of the present invention have discovered that heat is generated when laser is irradiated, and the heat is transmitted to the underlying metal of the insulating layer and the inner layer circuit board, thereby causing the hollowing phenomenon. The hollowing phenomenon means that peeling occurs between the insulating layer and the inner circuit board around the via hole. Such a hollowing phenomenon usually occurs when the resin around the via hole is deteriorated by heat, and the deteriorated portion is eroded by a chemical solution such as a roughening solution. In addition, said deteriorated part is observed normally as a discoloration part.

또한, 본 발명자들은, 레이저를 사용함으로써 비아 홀을 형성하면, 비아 홀의 측면 및 바닥면에서 수지 성분의 경화물 및 무기 충전재가 파내지거나 함으로써 요철이 발생하여, 불균일한 면이 되는 것을 발견하였다. 이 때문에, 이 비아 홀 내에 스퍼터로 도체층을 형성하면, 도체층의 두께가 불균일해짐을 발견하였다.Furthermore, the present inventors discovered that when a via hole is formed by using a laser, the hardened|cured material of a resin component and an inorganic filler are excavated from the side surface and the bottom surface of a via hole, unevenness|corrugation generate|occur|produces, and it becomes a non-uniform|heterogenous surface. For this reason, it was found that when the conductor layer was formed in the via hole by sputtering, the thickness of the conductor layer became non-uniform.

본 발명의 과제는, 할로잉 현상을 억제할 수 있고, 비아 홀 및 트렌치의 측면 및 바닥면의 요철의 발생을 억제할 수 있는 프린트 배선판의 제조 방법, 및 플라즈마 처리에 의한 비아 홀 또는 트렌치 형성용의 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.The object of the present invention is to provide a method for manufacturing a printed wiring board capable of suppressing the hollowing phenomenon and suppressing the occurrence of irregularities on the side and bottom surfaces of via holes and trenches, and for forming via holes or trenches by plasma treatment To provide a resin composition of

본 발명자는, 상기의 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 비아 홀 또는 트렌치를 플라즈마 처리로 형성함으로써 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnest examination in order to solve the said subject, this inventor discovered that the said subject could be solved by forming a via hole or a trench by plasma processing, and came to complete this invention.

즉, 본 발명은, 하기의 내용을 포함한다.That is, the present invention includes the following contents.

[1] (A) 내층 회로 기판 위에, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층을 형성하는 공정, 및[1] (A) a step of forming an insulating layer containing a cured product of a resin composition on an inner-layer circuit board; and

(B) 절연층의 표면에 플라즈마 처리를 행하여, 비아 홀 또는 트렌치를 형성하는 공정을 포함하고,(B) performing plasma treatment on the surface of the insulating layer to form via holes or trenches;

수지 조성물이 무기 충전재를 포함하고, 무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상이며,When a resin composition contains an inorganic filler and content of an inorganic filler makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, it is 60 mass % or more,

플라즈마 처리에 사용하는 가스가 SF6를 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.The manufacturing method of the printed wiring board in which the gas used for plasma processing contains SF6 .

[2] (A) 내층 회로 기판 위에, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층을 형성하는 공정, 및[2] (A) a step of forming an insulating layer containing a cured product of a resin composition on an inner-layer circuit board; and

(B) 절연층의 표면에 플라즈마 처리를 행하여, 비아 홀 또는 트렌치를 형성하는 공정을 포함하고,(B) performing plasma treatment on the surface of the insulating layer to form via holes or trenches;

수지 조성물이 무기 충전재를 포함하고, 무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 한 경우, 38체적% 이상이며,When a resin composition contains an inorganic filler and content of an inorganic filler makes the nonvolatile component in a resin composition 100 volume%, it is 38 volume% or more,

플라즈마 처리에 사용하는 가스가 SF6를 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.The manufacturing method of the printed wiring board in which the gas used for plasma processing contains SF6 .

[3] (D) 도체층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는, [1] 또는 [2]에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.[3] (D) The method for manufacturing a printed wiring board according to [1] or [2], further comprising a step of forming a conductor layer.

[4] 공정 (D)가, 스퍼터에 의해 도체층을 형성하는, [3]에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.[4] The method for manufacturing a printed wiring board according to [3], wherein the step (D) forms a conductor layer by sputtering.

[5] 플라즈마 처리에 사용하는 가스가, SF6와, Ar 및 O2에서 선택되는 1종 이상의 가스를 포함하는 혼합 가스를 포함하는, [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.[5] The printed wiring board according to any one of [1] to [4], wherein the gas used for the plasma treatment contains a mixed gas containing SF 6 and at least one gas selected from Ar and O 2 manufacturing method.

[6] 수지 조성물이 경화성 수지를 포함하는, [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.[6] The method for producing a printed wiring board according to any one of [1] to [5], wherein the resin composition contains a curable resin.

[7] 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물로서,[7] A resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board, comprising:

무기 충전재를 포함하고,containing inorganic fillers;

무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상인, 프린트 배선판의 절연층에 플라즈마 처리에 의한 비아 홀 또는 트렌치를 형성하기 위한, 수지 조성물.When content of an inorganic filler makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, the resin composition for forming the via hole or trench by a plasma processing in the insulating layer of a printed wiring board which is 60 mass % or more.

[8] 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물로서,[8] A resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board, comprising:

무기 충전재를 포함하고,containing inorganic fillers;

무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 한 경우, 38체적% 이상인, 프린트 배선판의 절연층에 플라즈마 처리에 의한 비아 홀 또는 트렌치를 형성하기 위한, 수지 조성물.The resin composition for forming the via hole or trench by plasma processing in the insulating layer of a printed wiring board whose content of an inorganic filler makes the nonvolatile component in a resin composition 100 volume%, 38 volume% or more.

[9] 경화성 수지를 추가로 포함하는, [7] 또는 [8]에 기재된 수지 조성물.[9] The resin composition according to [7] or [8], further comprising a curable resin.

본 발명에 의하면, 할로잉 현상을 억제할 수 있고, 비아 홀 및 트렌치의 측면 및 바닥면의 요철의 발생을 억제할 수 있는 프린트 배선판의 제조 방법, 및 플라즈마 처리에 의한 비아 홀 또는 트렌치 형성용의 수지 조성물을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of a printed wiring board which can suppress a hollowing phenomenon and generation|occurrence|production of the unevenness|corrugation of the side surface and bottom surface of a via hole and a trench, and a via hole or trench formation by plasma processing A resin composition can be provided.

도 1은 공정 (C)에서 비아 홀을 형성하는 모습의 일례를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 종래의 레이저 가공으로 비아 홀이 형성되는 프린트 배선판의, 도체층을 형성하기 직전의 절연층을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 종래의 레이저 가공으로 비아 홀이 형성되는 프린트 배선판의, 도체층을 형성하기 직전의 절연층을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing which shows an example of a mode that a via hole is formed in a process (C).
It is a top view which shows typically the insulating layer immediately before forming a conductor layer of the printed wiring board in which the via hole is formed by the conventional laser processing.
It is sectional drawing which shows typically the insulating layer immediately before forming a conductor layer of the printed wiring board in which a via hole is formed by the conventional laser processing.

이하, 실시형태 및 예시물을 나타내어, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하의 실시형태 및 예시물에 한정되지 않으며, 본 발명의 청구범위 및 그 균등의 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경하여 실시할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment and an illustration are shown and this invention is demonstrated in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments and examples, and can be arbitrarily changed and implemented without departing from the scope of the claims of the present invention and their equivalents.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법에 대해 상세하게 설명하기 전에, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법에서 사용되는 「수지 조성물」 및 「수지 시트」에 대해 설명한다. 수지 조성물은, 프린트 배선판의 절연층에 플라즈마 처리에 의한 비아 홀 또는 트렌치의 형성용으로서 적합하다. 또한, 수지 조성물은, 무기 충전재를 포함하며, 무기 충전재의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상이고, 무기 충전재의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 한 경우, 38체적% 이상 혹은 40체적% 이상 중 어느 하나이다. 이러한 수지 조성물을 사용함으로써, 비아 홀 또는 트렌치를 플라즈마 처리로 형성함에 있어서, 할로잉 현상을 억제할 수 있고, 비아 홀 및 트렌치의 측벽 및 바닥면이 불균일한 면이 되는 것을 억제할 수 있다.Before demonstrating in detail the manufacturing method of the printed wiring board of this invention, the "resin composition" and "resin sheet" used by the manufacturing method of the printed wiring board of this invention are demonstrated. The resin composition is suitable for forming a via hole or trench in the insulating layer of a printed wiring board by plasma processing. In addition, a resin composition contains an inorganic filler, when content of an inorganic filler makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, it is 60 mass % or more, and content of an inorganic filler is a non-volatile component in a resin composition. is 100% by volume, either 38% by volume or more or 40% by volume or more. By using such a resin composition, in forming a via hole or a trench by plasma processing, a hollowing phenomenon can be suppressed, and it can suppress that the side wall and the bottom surface of a via hole and a trench become non-uniform|heterogenous surfaces.

[수지 조성물][resin composition]

경화체의 형성에 사용되는 수지 조성물은, 수지 조성물의 경화물인 절연층의 표면에 플라즈마 처리를 행하여, 비아 홀 또는 트렌치를 형성하는 공정에서 사용되는 것일 수 있다. 일 실시형태에서, 수지 조성물은 (a) 무기 충전재를 포함한다. 수지 조성물은 (a) 성분에 더해서, 필요에 따라, 추가로, (b) 경화성 수지, (c) 경화 촉진제, (d) 열가소성 수지, 및 (e) 기타 첨가제를 포함하고 있어도 좋다. 이하, 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대해 상세하게 설명한다.The resin composition used for forming the cured body may be one used in a process of forming a via hole or a trench by plasma-treating the surface of an insulating layer that is a cured product of the resin composition. In one embodiment, the resin composition includes (a) an inorganic filler. In addition to (a) component, the resin composition may further contain (b) curable resin, (c) hardening accelerator, (d) thermoplastic resin, and (e) other additives as needed. Hereinafter, each component contained in a resin composition is demonstrated in detail.

<(a) 무기 충전재><(a) Inorganic filler>

수지 조성물은 (a) 무기 충전재를 함유하고, (a) 무기 충전재의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상이다. 수지 조성물은 (a) 무기 충전재를 많이 포함하므로, 소정의 가스에 의한 플라즈마 조사에 의해 무기 충전재는 깎이고, 수지 성분의 경화물이 파내져도, 비아 홀 바닥면 및 측벽의 요철의 빈도를 적게 하는 것이 가능해져, 측벽 및 바닥면이 불균일한 면이 되는 것을 억제할 수 있다. 결과로서 도체층의 두께를 균일하게 하는 것이 가능해진다. 여기서, 「수지 성분」이란, 별도로 언급하지 않는 한, 수지 조성물에 포함되는 불휘발 성분 중의 무기 충전재 이외의 성분을 말한다.A resin composition contains (a) inorganic filler, and content of (a) inorganic filler is 60 mass % or more, when content of (a) inorganic filler makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %. Since the resin composition (a) contains a large amount of inorganic filler, even if the inorganic filler is scraped by plasma irradiation with a predetermined gas and the cured product of the resin component is dug out, it is desirable to reduce the frequency of irregularities on the bottom surface and sidewall of the via hole. It becomes possible, and it can suppress that a side wall and a bottom surface become a non-uniform surface. As a result, it becomes possible to make the thickness of the conductor layer uniform. Here, unless otherwise indicated, a "resin component" means components other than the inorganic filler in the nonvolatile component contained in a resin composition.

(a) 성분의 함유량은, 비아 홀 또는 트렌치의 바닥면 및 측벽의 요철을 작게하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상이고, 바람직하게는 63질량% 이상, 보다 바람직하게는 65질량% 이상이고, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 90질량% 이하, 더욱 바람직하게는 80질량% 이하이다. 또한, 본 발명에서, 수지 조성물 중의 각 성분의 함유량은, 별도 명시가 없는 한, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 때의 값이다.(a) The content of the component is 60 mass % or more, preferably 63 mass %, when the nonvolatile component in the resin composition is 100 mass % from the viewpoint of reducing the unevenness of the bottom surface and side wall of the via hole or trench. % or more, more preferably 65 mass % or more, preferably 95 mass % or less, more preferably 90 mass % or less, still more preferably 80 mass % or less. In addition, in this invention, content of each component in a resin composition is a value at the time of making the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, unless otherwise indicated.

(a) 성분의 함유량은, 비아 홀 또는 트렌치의 바닥면 및 측벽의 요철을 작게하는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 한 경우, 38체적% 이상이고, 바람직하게는 40체적% 이상, 보다 바람직하게는 42체적% 이상이고, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 65질량% 이하, 더욱 바람직하게는 60질량% 이하이다.(a) The content of the component is 38% by volume or more, preferably 40% by volume, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by volume from the viewpoint of reducing the unevenness of the bottom surface and sidewall of the via hole or trench. % or more, more preferably 42 volume% or more, preferably 70 mass% or less, more preferably 65 mass% or less, still more preferably 60 mass% or less.

(a) 무기 충전재의 재료로서는, 무기 화합물을 사용한다. 무기 충전재의 재료의 예로서는, 실리카, 알루미나, 알루미노실리케이트, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무트, 산화티탄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 및 인산텅스텐산지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 탄산칼슘, 실리카가 적합하고, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들면, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는 구상 실리카가 바람직하다. (a) 무기 충전재는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(a) As a material of an inorganic filler, an inorganic compound is used. Examples of the material of the inorganic filler include silica, alumina, aluminosilicate, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, aluminum hydroxide, Magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, zirconate titanate Barium acid, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, zirconium tungsten phosphate, etc. are mentioned. Among these, calcium carbonate and silica are suitable, and silica is especially suitable. Examples of the silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, and hollow silica. Moreover, as a silica, spherical silica is preferable. (a) An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(a) 성분의 시판품으로서는, 예를 들면, 신닛테츠 스미킨 머테리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조의 「UFP-30」; 토쿠야마사 제조의 「실필 NSS-3N」, 「실필 NSS-4N」, 「실필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」, 「SC2050-SXF」 등을 들 수 있다.(a) As a commercial item of a component, For example, "SP60-05" by a Shin-Nittetsu Sumikin Materials company, "SP507-05"; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomatex Corporation; "UFP-30" by Denka Corporation; "Silly writing NSS-3N", "Silly writing NSS-4N", "Silly writing NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1", "SC2050-SXF", etc. by the Adomatex company are mentioned.

(a) 성분의 평균 입자 지름은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.1㎛를 초과하고, 보다 바람직하게는 0.15㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.2㎛ 이상이며, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이하이다.The average particle diameter of the component (a) is preferably more than 0.1 µm, more preferably 0.15 µm or more, particularly preferably 0.2 µm or more, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention, preferably is 5 µm or less, more preferably 2 µm or less, still more preferably 1 µm or less.

(a) 성분의 평균 입자 지름은, 미(Mie) 산란 이론에 기초한 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 지름 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 지름 분포를 체적 기준으로 작성하고, 그 메디안 지름을 평균 입자 지름으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알 병에 측정하여 담아, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자 지름 분포 측정 장치를 사용하여, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우 셀 방식으로 무기 충전재의 체적 기준의 입자 지름 분포를 측정하고, 얻어진 입자 지름 분포로부터 메디안 지름으로서 평균 입자 지름을 산출한다. 레이저 회절식 입자 지름 분포 측정 장치로서는, 예를 들면 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「LA-960」, 시마즈 세이사쿠쇼사 제조 「SALD-2200」 등을 들 수 있다.(a) The average particle diameter of the component can be measured by the laser diffraction/scattering method based on the Mie scattering theory. Specifically, it can measure by creating the particle diameter distribution of an inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle diameter distribution measuring apparatus, and making the median diameter into an average particle diameter. As the measurement sample, 100 mg of inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone were measured and placed in a vial bottle and dispersed for 10 minutes by ultrasonication can be used. For the measurement sample, using a laser diffraction particle size distribution analyzer, the wavelength of the light source to be used is blue and red, the volume-based particle size distribution of the inorganic filler is measured by a flow cell method, and the median diameter from the obtained particle size distribution to calculate the average particle diameter. As a laser diffraction type particle diameter distribution measuring apparatus, "LA-960" by Horiba Corporation, "SALD-2200" by Shimadzu Corporation, etc. are mentioned, for example.

(a) 성분의 비표면적은 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 2㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 3㎡/g 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 비표면적은 BET법에 따라 비표면적 측정 장치(마운테크사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용하여 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 얻을 수 있다.The specific surface area of component (a) is preferably 1 m 2 /g or more, more preferably 2 m 2 /g or more, particularly preferably 3 m 2 /g or more. Although there is no particular limitation on the upper limit, it is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less. The specific surface area can be obtained by adsorbing nitrogen gas to the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mountec) according to the BET method, and calculating the specific surface area using the BET multi-point method.

(a) 성분은, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들면, 비닐실란계 커플링제, (메타)아크릴계 커플링제, 불소 함유 실란 커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 비닐실란계 커플링제, (메타)아크릴계 커플링제, 아미노실란계 커플링제가 바람직하고, 아미노실란계 커플링제가 보다 바람직하다. 또한, 표면 처리제는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.It is preferable that the component (a) is treated with a surface treating agent from a viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. As the surface treatment agent, for example, a vinylsilane coupling agent, a (meth)acrylic coupling agent, a fluorine-containing silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, an epoxysilane coupling agent, a mercaptosilane coupling agent, a silane coupling agent, An alkoxysilane, an organosilazane compound, a titanate type coupling agent, etc. are mentioned. Especially, from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, a vinylsilane-type coupling agent, a (meth)acrylic-type coupling agent, and an aminosilane-type coupling agent are preferable, and an aminosilane-type coupling agent is more preferable. In addition, a surface treatment agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types arbitrarily.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM1003」(비닐트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM503」(3-메타크릴록시프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제), 신에츠 카가쿠 코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.As a commercial item of a surface treatment agent, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make "KBM1003" (vinyl triethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make "KBM503" (3-methacryloxypropyl triethoxysilane), Shin-Etsu, for example, “KBM403” (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Kagaku Industries, “KBM803” (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. “KBE903” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ' (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "SZ-31" (hexamethyl) disilazane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM103" (phenyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-4803" (long-chain epoxy type silane coupling agent), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM" -7103" (3,3,3-trifluoropropyl trimethoxysilane), etc. are mentioned.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 소정의 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량부는, 0.2질량부 내지 5질량부의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량부 내지 3질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.3질량부 내지 2질량부로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the grade of the surface treatment by a surface treatment agent falls within a predetermined range from a viewpoint of the dispersibility improvement of an inorganic filler. Specifically, 100 parts by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with 0.2 parts by mass to 5 parts by mass of a surface treatment agent, preferably at 0.2 parts by mass to 3 parts by mass, and 0.3 parts by mass to 2 parts by mass. It is preferable that it is surface-treated.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량에 따라 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 바니시의 용융 점도 및 시트 형태에서의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The grade of the surface treatment by a surface treatment agent can be evaluated according to the amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler. From the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg/m 2 or more. On the other hand, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin varnish and the melt viscosity in sheet form, 1 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is still more preferable.

무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들면, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 더하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 사용하여 무기 충전재의 단위 표면적당의 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세이사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」 등을 사용할 수 있다.The amount of carbon per unit surface area of an inorganic filler can be measured, after washing-processing the inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, MEK in a sufficient amount as a solvent is added to the inorganic filler surface-treated with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" by Horiba Corporation, etc. can be used.

<(b) 경화성 수지><(b) curable resin>

수지 조성물은 (b) 경화성 수지를 함유하고 있어도 좋다. (b) 경화성 수지로서는, 열경화성 수지, 광경화성 수지를 들 수 있지만, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 사용될 수 있는 열경화성 수지가 바람직하다.The resin composition may contain (b) curable resin. (b) Although a thermosetting resin and a photocurable resin are mentioned as curable resin, When forming the insulating layer of a printed wiring board, the thermosetting resin which can be used is preferable.

열경화성 수지로서는, 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀계 수지, 나프톨계 수지, 벤조옥사진계 수지, 활성 에스테르계 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카보디이미드계 수지, 아민계 수지, 산 무수물계 수지 등을 들 수 있다. (b) 성분은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 이하, 페놀계 수지, 나프톨계 수지, 벤조옥사진계 수지, 활성 에스테르계 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카보디이미드계 수지, 아민계 수지, 산 무수물계 수지와 같이, 에폭시 수지와 반응하여 수지 조성물을 경화시킬 수 있는 수지를, 통합하여 「경화제」라고 하는 경우가 있다. 수지 조성물로서는, 절연층을 형성하는 관점에서, (b) 성분으로서, 에폭시 수지 및 경화제를 포함하는 것이 바람직하고, 에폭시 수지, 활성 에스테르계 수지, 및 페놀계 수지 중 어느 하나를 포함하는 것이 보다 바람직하고, 에폭시 수지 및 활성 에스테르계 수지를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.As the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a phenol-based resin, a naphthol-based resin, a benzoxazine-based resin, an active ester-based resin, a cyanate ester-based resin, a carbodiimide-based resin, an amine-based resin, an acid anhydride-based resin, etc. can be heard (b) A component may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios. Hereinafter, such as phenol-based resins, naphthol-based resins, benzooxazine-based resins, active ester-based resins, cyanate ester-based resins, carbodiimide-based resins, amine-based resins, and acid anhydride-based resins, the resin composition by reacting with an epoxy resin A resin capable of curing the resin may be collectively referred to as a “curing agent”. The resin composition preferably contains an epoxy resin and a curing agent as component (b) from the viewpoint of forming an insulating layer, and more preferably contains any one of an epoxy resin, an active ester-based resin, and a phenol-based resin. And, it is more preferable to include an epoxy resin and an active ester-based resin.

(b) 성분으로서의 에폭시 수지로서는, 예를 들면, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 에폭시 수지는 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(b) Examples of the epoxy resin as a component include a bixylenol-type epoxy resin, a bisphenol A-type epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a bisphenol S-type epoxy resin, a bisphenol AF-type epoxy resin, and a dicyclopentadiene-type epoxy resin. , Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type Epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, butadiene structure epoxy resin, alicyclic epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring containing epoxy Resin, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexane dimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, etc. are mentioned. An epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

수지 조성물은 (b) 성분으로서, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, (b) 성분의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.It is preferable that the resin composition contains the epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule as (b) component. From the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention, the ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule to 100 mass% of the nonvolatile component of the component (b) is preferably 50 mass% or more, more Preferably it is 60 mass % or more, Especially preferably, it is 70 mass % or more.

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하 「액상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하 「고체상 에폭시 수지」라고 하는 경우가 있음)가 있다. 수지 조성물은, (b) 성분으로서, 액상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋고, 고체상 에폭시 수지만을 포함하고 있어도 좋지만, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물은, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 포함하는 것이 바람직하다.Epoxy resins include an epoxy resin that is liquid at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resin”), and an epoxy resin that is solid at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as “solid epoxy resin”). . The resin composition may contain only a liquid epoxy resin or only a solid epoxy resin as component (b), but from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, a resin composition is a liquid epoxy resin and a solid phase It is preferable to include an epoxy resin in combination.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다.As a liquid epoxy resin, the liquid epoxy resin which has two or more epoxy groups in 1 molecule is preferable.

액상 에폭시 수지로서는, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지가 바람직하고, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the liquid epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin , an alicyclic epoxy resin having an ester skeleton, a cyclohexane type epoxy resin, a cyclohexanedimethanol type epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, and an epoxy resin having a butadiene structure are preferred, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol An F-type epoxy resin is more preferable.

액상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」(글리시딜아민형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ZX1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 나가세 켐텍스사 제조의 「EX-721」(글리시딜에스테르형 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「셀록사이드 2021P」(에스테르 골격을 갖는 지환식 에폭시 수지); 다이셀사 제조의 「PB-3600」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종류 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As a specific example of a liquid epoxy resin, "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" by DIC company (naphthalene type epoxy resin); "828US", "jER828EL", "825", "Epicoat 828EL" by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol A epoxy resin); "jER807", "1750" by Mitsubishi Chemical Corporation (bisphenol F-type epoxy resin); "jER152" by Mitsubishi Chemical (phenol novolak type epoxy resin); "630" and "630LSD" by Mitsubishi Chemical (glycidylamine type epoxy resin); "ZX1059" (mixture of a bisphenol A epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin) by the Nitetsu Chemical & Materials company; "EX-721" by the Nagase Chemtex company (glycidyl ester type epoxy resin); "Celoxide 2021P" by Daicel (alicyclic epoxy resin which has ester skeleton); "PB-3600" by Daicel (epoxy resin which has a butadiene structure); "ZX1658", "ZX1658GS" (liquid 1, 4- glycidyl cyclohexane type epoxy resin), etc. by the Nitetsu Chemical & Materials company are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계의 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다.As a solid epoxy resin, the solid epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is preferable, and the aromatic solid epoxy resin which has 3 or more epoxy groups in 1 molecule is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 나프탈렌형 에폭시 수지가 보다 바람직하다.Examples of the solid-state epoxy resin include a bixylenol-type epoxy resin, a naphthalene-type epoxy resin, a naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, a dicyclopentadiene-type epoxy resin, a trisphenol-type epoxy resin, a naphthol-type epoxy resin, and a non A phenyl-type epoxy resin, a naphthylene ether-type epoxy resin, an anthracene-type epoxy resin, a bisphenol A-type epoxy resin, a bisphenol AF-type epoxy resin, and a tetraphenylethane-type epoxy resin are preferable, and a naphthalene-type epoxy resin is more preferable.

고체상 에폭시 수지로서는, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지가 바람직하고, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 및 비페닐형 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지), 「N-690」(크레졸노볼락형 에폭시 수지), 「N-695」(크레졸노볼락형 에폭시 수지),「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지), 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 니혼 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지), 「NC7000L」(나프톨노볼락형 에폭시 수지), 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「ESN475V」(나프탈렌형 에폭시 수지), 「ESN485」(나프톨노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지), 「YX4000HK」(비크실레놀형 에폭시 수지), 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지), 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지), 「jER1010」(고체상 비스페놀 A형 에폭시 수지), 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.Examples of the solid-state epoxy resin include naphthalene-type tetrafunctional epoxy resins, cresol novolac-type epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins, trisphenol-type epoxy resins, naphthol-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, and naphthylene ether-type epoxy resins. , an anthracene-type epoxy resin, a bisphenol A-type epoxy resin, and a tetraphenylethane-type epoxy resin are preferable, and a naphthalene-type tetrafunctional epoxy resin, a naphthol-type epoxy resin, and a biphenyl-type epoxy resin are more preferable. As a specific example of a solid epoxy resin, "HP4032H" (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC, "HP-4700", "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin), "N-690" (cresol novolac) type epoxy resin), “N-695” (cresol novolak type epoxy resin), “HP-7200”, “HP-7200HH”, “HP-7200H” (dicyclopentadiene type epoxy resin), “EXA-7311” ", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000" (naphthylene ether type epoxy resin); "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin), "NC7000L" (naphthol novolak type epoxy resin), "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Corporation profit); "ESN475V" (naphthalene-type epoxy resin), "ESN485" (naphthol novolac-type epoxy resin) by the Nitetsu Chemical & Materials company; "YX4000H", "YL6121" (biphenyl type epoxy resin), "YX4000HK" (bixylenol type epoxy resin), "YX8800" (anthracene type epoxy resin) by Mitsubishi Chemical Corporation; "PG-100", "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemicals, "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical, "YL7800" (fluorene type epoxy resin), "jER1010" (solid phase) Bisphenol A type epoxy resin), "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin), etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(b) 성분으로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 그것들의 양비(量比)(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 질량비로, 바람직하게는 1:0.1 내지 1:20, 보다 바람직하게는 1:0.3 내지 1:15, 특히 바람직하게는 1:0.5 내지 1:10이다. 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 양비가 이러한 범위에 있음으로써, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻을 수 있다. 또한, 통상, 수지 시트의 형태로 사용하는 경우, 적당한 점착성이 형성된다. 또한, 통상, 수지 시트의 형태로 사용하는 경우, 충분한 가요성이 얻어져, 취급성이 향상된다. 또한, 통상, 충분한 파단 강도를 갖는 경화물을 얻을 수 있다.(b) When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as a component, their ratio (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) is a mass ratio, preferably 1:0.1 to 1:20 , more preferably 1:0.3 to 1:15, particularly preferably 1:0.5 to 1:10. When the amount ratio of the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin is within such a range, the desired effect of the present invention can be obtained remarkably. Moreover, when using in the form of a resin sheet normally, moderate adhesiveness is formed. Moreover, when using in the form of a resin sheet normally, sufficient flexibility is acquired and handling property improves. Moreover, usually, the hardened|cured material which has sufficient breaking strength can be obtained.

(b) 성분으로서의 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5000g/eq., 보다 바람직하게는 50g/eq. 내지 3000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 2000g/eq., 보다 더욱 바람직하게는 110g/eq. 내지 1000g/eq.이다. 이 범위로 됨으로써, 수지 조성물의 경화물의 가교 밀도가 충분한 경화체를 형성할 수 있다. 에폭시 당량은, 1당량의 에폭시기를 포함하는 에폭시 수지의 질량이다. 이 에폭시 당량은 JIS K7236에 따라 측정할 수 있다.(b) The epoxy equivalent of the epoxy resin as a component becomes like this. Preferably it is 50 g/eq. to 5000 g/eq., more preferably 50 g/eq. to 3000 g/eq., more preferably 80 g/eq. to 2000 g/eq., even more preferably 110 g/eq. to 1000 g/eq. By setting it as this range, the hardening body with sufficient crosslinking density of the hardened|cured material of a resin composition can be formed. Epoxy equivalent is the mass of the epoxy resin containing 1 equivalent of an epoxy group. This epoxy equivalent can be measured according to JISK7236.

(b) 성분으로서의 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 100 내지 5000, 보다 바람직하게는 250 내지 3000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1500이다. 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.(b) The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin as a component is preferably 100 to 5000, more preferably 250 to 3000, still more preferably 400 to 1500, from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention. am. The weight average molecular weight of an epoxy resin is a weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) method.

(b) 성분으로서의 에폭시 수지의 함유량은, 양호한 기계 강도, 절연 신뢰성을 나타내는 경화물을 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 15질량% 이상, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상이다. 에폭시 수지의 함유량의 상한은, 본 발명의 원하는 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 바람직하게는 45질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하, 특히 바람직하게는 35질량% 이하이다.(b) The content of the epoxy resin as a component, from the viewpoint of obtaining a cured product exhibiting good mechanical strength and insulation reliability, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, preferably 10% by mass or more, more preferably Preferably it is 15 mass % or more, More preferably, it is 20 mass % or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is preferably 45% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and particularly preferably 35% by mass or less from the viewpoint of remarkably obtaining the desired effect of the present invention.

(b) 성분으로서의 에폭시 수지의 함유량으로서는, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 더욱 바람직하게는 70질량% 이상이고, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 90질량% 이하, 더욱 바람직하게는 88질량% 이하이다. 수지 성분이란, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 중, (a) 무기 충전재를 제외한 성분을 말한다.(b) As content of the epoxy resin as a component, when the resin component in a resin composition is 100 mass % from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, Preferably it is 50 mass % or more, More preferably, it is 60 mass %. More preferably, it is 70 mass % or more, Preferably it is 95 mass % or less, More preferably, it is 90 mass % or less, More preferably, it is 88 mass % or less. A resin component means the component except (a) an inorganic filler among the non-volatile components in a resin composition.

(b) 성분으로서의 활성 에스테르계 수지로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 수지로서는, 페놀에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 수지가 바람직하다. 당해 활성 에스테르계 수지는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 수지가 바람직하며, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 수지가 보다 바람직하다.(b) As the active ester-based resin as a component, a resin having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, as the active ester-based resin, phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, and esters of heterocyclic hydroxy compounds having two or more ester groups with high reactive activity in one molecule Resin is preferred. It is preferable that the said active ester resin is obtained by the condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound, and a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester resin obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester resin obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound and/or a naphthol compound is more preferable.

카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 벤조산, 아세트산, 숙신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다.Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid.

페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들면, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합하여 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.Examples of the phenol compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcin, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthaline, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolac, etc. are mentioned. Here, the "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensing two molecules of phenol to one molecule of dicyclopentadiene.

활성 에스테르계 수지의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지, 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지가 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Preferred specific examples of the active ester resin include an active ester resin containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure, an active ester resin containing a naphthalene structure, an active ester resin containing an acetylated product of phenol novolac, phenol and active ester-based resins containing novolac benzoylate. Among them, an active ester-based resin containing a naphthalene structure and an active ester-based resin containing a dicyclopentadiene-type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene type diphenol structure" represents a divalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 수지의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 수지로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 나프탈렌형 활성 에스테르계 수지로서 「EXB9416-70BK」, 「EXB-8100L-65T」, 「EXB-8150L-65T」, 「EXB-8150-65T」, 「HPC-8150-60T」, 「HPC-8150-62T」(DIC사 제조), 「PC1300-02-65T」(에어 워터사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 수지로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 수지로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 수지로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조); 「EXB-8500-65T」(DIC사 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available active ester resins are active ester resins containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, such as "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T", "HPC-8000H- 65TM", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC Corporation); As a naphthalene-type active ester-based resin containing a naphthalene structure, "EXB9416-70BK", "EXB-8100L-65T", "EXB-8150L-65T", "EXB-8150-65T", "HPC-8150-60T", "HPC-8150-62T" (manufactured by DIC Corporation), and "PC1300-02-65T" (manufactured by Air Water Corporation); "DC808" (made by Mitsubishi Chemical) as an active ester-type resin containing the acetylated product of phenol novolak; "YLH1026" (made by Mitsubishi Chemical) as an active ester-type resin containing the benzoyl compound of phenol novolak; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical) as an active ester-based resin that is an acetylated product of phenol novolac; As an active ester resin which is a benzoyl product of phenol novolac, "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); "EXB-8500-65T" (made by DIC) etc. are mentioned.

(b) 성분으로서의 활성 에스테르계 수지의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다.(b) Content of the active ester resin as a component is from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably with respect to 100 mass % of non-volatile components in a resin composition, Preferably it is 1 mass % or more, More preferably, 3 mass % or more, more preferably 5 mass % or more, preferably 20 mass % or less, more preferably 15 mass % or less, still more preferably 10 mass % or less.

(b) 성분으로서의 활성 에스테르계 수지의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 3질량% 이상, 보다 바람직하게는 5질량% 이상, 더욱 바람직하게는 8질량% 이상이고, 바람직하게는 25질량% 이하, 보다 바람직하게는 20질량% 이하, 더욱 바람직하게는 15질량% 이하이다.(b) The content of the active ester-based resin as a component is preferably 3% by mass or more, more preferably 5% by mass, when the resin component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention. It is mass % or more, More preferably, it is 8 mass % or more, Preferably it is 25 mass % or less, More preferably, it is 20 mass % or less, More preferably, it is 15 mass % or less.

(b) 성분으로서의 페놀계 수지 및 나프톨계 수지로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 도체층과의 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 수지가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 수지가 보다 바람직하다.(b) As a phenol-type resin and a naphthol-type resin as a component, it is preferable from a viewpoint of heat resistance and water resistance to have a novolak structure. Moreover, from a viewpoint of adhesiveness with a conductor layer, a nitrogen-containing phenol-type resin is preferable, and a triazine skeleton containing phenol-type resin is more preferable.

페놀계 수지 및 나프톨계 수지의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 니혼 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」, 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「SN170」, 「SN180」, 「SN190」, 「SN475」, 「SN485」, 「SN495」, 「SN-495V」, 「SN375」, 「SN395」, DIC사 제조의 「TD-2090」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」 등을 들 수 있다.As a specific example of a phenol-type resin and a naphthol-type resin, "MEH-7700", "MEH-7810", "MEH-7851" manufactured by Meiwa Kasei Corporation, "NHN" manufactured by Nippon Kayaku, "CBN", for example, ', "GPH", "SN170", "SN180", "SN190", "SN475", "SN485", "SN495", "SN-495V", "SN375", "SN170" manufactured by Nittetsu Chemical & Materials. SN395", "TD-2090" manufactured by DIC, "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018-50P", "EXB-9500", etc. are mentioned.

(b) 성분으로서의 벤조옥사진계 수지의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OD100」(벤조옥사진환 당량 218), 「JBZ-OP100D」(벤조옥사진환 당량 218), 「ODA-BOZ」(벤조옥사진환 당량 218); 시코쿠 카세이 코교사 제조의 「P-d」(벤조옥사진환 당량 217), 「F-a」(벤조옥사진환 당량 217); 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」(벤조옥사진환 당량 432) 등을 들 수 있다.(b) As a specific example of a benzoxazine-based resin as a component, "JBZ-OD100" (benzoxazine ring equivalent 218), "JBZ-OP100D" (benzoxazine ring equivalent 218), "ODA-BOZ" ( benzoxazine ring equivalent 218); "P-d" (benzoxazine ring equivalent 217), "F-a" (benzooxazine ring equivalent 217) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.; "HFB2006M" by Showa Kobunshi (benzoxazine ring equivalent 432) etc. are mentioned.

(b) 성분으로서의 시아네이트에스테르계 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로 비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르, 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀노볼락 및 크레졸노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 수지의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」, 「PT30S」 및 「PT60」(페놀노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」(비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되고 삼량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.(b) Examples of the cyanate ester-based resin as a component include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), and 4,4'-methylene bis. (2,6-dimethylphenylcyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1 -bis(4-cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bifunctional cyanate resins such as bis(4-cyanatephenyl)thioether and bis(4-cyanatephenyl)ether; polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolac and cresol novolac; and prepolymers in which these cyanate resins are partially triazined. As a specific example of cyanate ester type resin, "PT30", "PT30S" and "PT60" (phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resin) manufactured by Ronza Japan, "ULL-950S" (polyfunctional cyanate ester resin) ), "BA230", and "BA230S75" (prepolymer in which a part or all of bisphenol A dicyanate was triazineized and trimerized), etc. are mentioned.

(b) 성분으로서의 카보디이미드계 수지의 구체예로서는, 닛신보 케미컬사 제조의 카보디라이트(등록 상표) V-03(카보디이미드기 당량: 216), V-05(카보디이미드기 당량: 216), V-07(카보디이미드기 당량: 200); V-09(카보디이미드기 당량: 200); 라인케미사 제조의 스타박솔(등록 상표) P(카보디이미드기 당량: 302)를 들 수 있다.(b) Specific examples of the carbodiimide-based resin as a component include Nisshinbo Chemical Co., Ltd. Carbodilite (registered trademark) V-03 (carbodiimide group equivalent: 216), V-05 (carbodiimide group equivalent: 216), V-07 (carbodiimide group equivalent: 200); V-09 (carbodiimide group equivalent: 200); Stavaxol (registered trademark) P (carbodiimide group equivalent: 302) manufactured by Rheinchemi Co., Ltd. is mentioned.

(b) 성분으로서의 아민계 수지로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 아미노기를 갖는 수지를 들 수 있고, 예를 들면, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 본 발명의 원하는 효과를 나타내는 관점에서, 방향족 아민류가 바람직하다. 아민계 수지는, 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하고, 제1급 아민이 보다 바람직하다. 아민계 경화제의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 디페닐디아미노설폰, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, m-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰 등을 들 수 있다. 아민계 수지는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 니혼 카야쿠사 제조의 「KAYABOND C-200S」, 「KAYABOND C-100」, 「카야하드 A-A」, 「카야하드 A-B」, 「카야하드 A-S」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「에피큐어 W」 등을 들 수 있다.(b) Examples of the amine-based resin as a component include resins having at least one amino group in one molecule, for example, aliphatic amines, polyetheramines, alicyclic amines, aromatic amines, and the like. Among them, aromatic amines are preferable from the viewpoint of exhibiting the desired effect of the present invention. Primary amine or secondary amine is preferable and, as for amine-type resin, primary amine is more preferable. Specific examples of the amine curing agent include 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylaniline), diphenyldiaminosulfone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone , 3,3'-diaminodiphenylsulfone, m-phenylenediamine, m-xylylenediamine, diethyltoluenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4, 4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl ) propane, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethanediamine, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (4- (4-amino) Phenoxy) phenyl) propane, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4 ,4'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone, bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)sulfone, etc. are mentioned. Commercially available amine resins may be used, for example, "KAYABOND C-200S", "KAYABOND C-100", "Kayahard AA", "Kayahard AB", "Kayahard AS" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. , "Epicure W" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, etc. are mentioned.

(b) 성분으로서의 산 무수물계 수지로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 수지를 들 수 있다. 산 무수물계 수지의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 숙신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레인산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형의 산 무수물 등을 들 수 있다.(b) Examples of the acid anhydride-based resin as a component include resins having at least one acid anhydride group in one molecule. Specific examples of the acid anhydride-based resin include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, hydrogenated methylnadic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride , dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride , benzophenone tetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 1,3,3a , 4,5,9b-hexahydro-5- (tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl) -naphtho [1,2-C] furan-1,3-dione, ethylene glycol bis ( anhydrotrimellitate) and polymer-type acid anhydrides, such as styrene maleic acid resin which copolymerized styrene and maleic acid, etc. are mentioned.

(b) 성분으로서 에폭시 수지 및 경화제를 함유하는 경우, 에폭시 수지와 모든 경화제의 양비는, [에폭시 수지의 에폭시기의 합계수]:[경화제의 반응기의 합계수]의 비율로, 1:0.01 내지 1:5의 범위가 바람직하고, 1:0.05 내지 1:3이 보다 바람직하고, 1:0.1 내지 1:2가 더욱 바람직하다. 여기서, 「에폭시 수지의 에폭시기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. 또한, 「경화제의 활성기수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 경화제의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 모두 합계한 값이다. (b) 성분으로서, 에폭시 수지와 경화제의 양비를 이러한 범위 내로 함으로써, 유연성이 뛰어난 경화체를 얻을 수 있다.(b) In the case of containing an epoxy resin and a curing agent as a component, the amount ratio of the epoxy resin and all curing agents is [the total number of epoxy groups of the epoxy resin]: [the total number of reactive groups of the curing agent] in a ratio of 1:0.01 to 1 The range of :5 is preferable, 1:0.05 - 1:3 are more preferable, and 1:0.1 - 1:2 are still more preferable. Here, "the number of epoxy groups of an epoxy resin" is the value which summed up all the values obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of the epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. In addition, "the number of active groups of a hardening|curing agent" is the value which summed up all the value obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of the hardening|curing agent which exists in a resin composition by the active group equivalent. (b) As a component, by making the ratio of an epoxy resin and a hardening|curing agent into this range, the hardening body excellent in flexibility can be obtained.

(b) 성분으로서의 경화제의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분 100질량%에 대해, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다.(b) the content of the curing agent as a component, from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention, with respect to 100% by mass of the nonvolatile component in the resin composition, preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, More preferably, it is 5 mass % or more, Preferably it is 20 mass % or less, More preferably, it is 15 mass % or less, More preferably, it is 10 mass % or less.

(b) 성분으로서의 경화제의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 15질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 더욱 바람직하게는 25질량% 이하이다.(b) Content of the hardening|curing agent as a component, when the resin component in a resin composition is 100 mass % from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, Preferably it is 5 mass % or more, More preferably, it is 10 mass % or more. , More preferably, it is 15 mass % or more, Preferably it is 40 mass % or less, More preferably, it is 30 mass % or less, More preferably, it is 25 mass % or less.

<(c) 경화 촉진제><(c) curing accelerator>

수지 조성물은 (c) 경화 촉진제를 함유하고 있어도 좋다. 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제 등을 들 수 있으며, 아민계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하고, 아민계 경화 촉진제가 보다 바람직하다. 경화 촉진제는 1종 단독으로 사용해도 좋고 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may contain the (c) hardening accelerator. Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators, and amine-based curing accelerators and imidazole-based curing accelerators are preferred. , an amine-based curing accelerator is more preferable. A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리페닐포스핀, 포스포늄보레이트 화합물, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라부틸포스포늄데칸산염, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등을 들 수 있고, 트리페닐포스핀, 테트라부틸포스포늄데칸산염이 바람직하다.Examples of the phosphorus curing accelerator include triphenylphosphine, phosphonium borate compound, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl)triphenyl Phosphonium thiocyanate, tetraphenyl phosphonium thiocyanate, butyl triphenyl phosphonium thiocyanate, etc. are mentioned, Triphenyl phosphine and tetrabutyl phosphonium decanoate are preferable.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있고, 4-디메틸아미노피리딘, 1,8-디아자비사이클로(5,4,0)-운데센이 바람직하다.Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, 1,8 -diazabicyclo(5,4,0)-undecene etc. are mentioned, 4-dimethylamino pyridine and 1,8- diazabicyclo(5,4,0)- undecene are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있고, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸이 바람직하다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Midazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl -4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium Trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-undecyl Imidazolyl-(1′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2′-ethyl-4′-methylimidazolyl-(1′)]-ethyl-s- Triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazineisocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazoleisocyanuric acid adduct Water, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1,2 -a] an imidazole compound such as benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, and 2-phenylimidazoline, and an imidazole compound and an epoxy resin An adduct body is mentioned, 2-ethyl- 4-methylimidazole and 1-benzyl- 2-phenylimidazole are preferable.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋으며, 예를 들면, 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.As an imidazole-type hardening accelerator, you may use a commercial item, For example, "P200-H50" by a Mitsubishi Chemical company, etc. are mentioned.

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있고, 디시안디아미드, 1,5,7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔이 바람직하다.Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, and diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1, 1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide, etc. are mentioned, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene is preferred.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들면, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II) 아세틸아세토네이트, 코발트(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III) 아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II) 아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들면, 옥틸산아연, 옥틸산주석, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 스테아르산주석, 스테아르산아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based curing accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese and tin. Specific examples of the organometallic complex include organocobalt complexes such as cobalt(II) acetylacetonate and cobalt(III) acetylacetonate, organocopper complexes such as copper(II) acetylacetonate, zinc(II) acetylacetonate, etc. organic zinc complexes, organic iron complexes such as iron(III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel(II) acetylacetonate, and organomanganese complexes such as manganese(II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, and zinc stearate.

(c) 경화 촉진제의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 할 때, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.02질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.03질량% 이상이고, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 1질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.(c) Content of hardening accelerator, when making the nonvolatile component in a resin composition 100 mass % from a viewpoint of acquiring the effect of this invention remarkably, Preferably it is 0.01 mass % or more, More preferably, it is 0.02 mass % or more. , Especially preferably, it is 0.03 mass % or more, Preferably it is 3 mass % or less, More preferably, it is 1 mass % or less, Especially preferably, it is 0.5 mass % or less.

(c) 경화 촉진제의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1질량% 이상이고, 바람직하게는 3질량% 이하, 보다 바람직하게는 2질량% 이하, 더욱 바람직하게는 1질량% 이하이다.(c) the content of the curing accelerator is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, when the resin component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention; More preferably, it is 0.1 mass % or more, Preferably it is 3 mass % or less, More preferably, it is 2 mass % or less, More preferably, it is 1 mass % or less.

<(d) 열가소성 수지><(d) Thermoplastic resin>

수지 조성물은 (d) 열가소성 수지를 함유하고 있어도 좋다. (d) 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에테르설폰 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있으며, 페녹시 수지가 바람직하다. 열가소성 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고 또는 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition may contain (d) a thermoplastic resin. (d) As the thermoplastic resin, for example, phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyetherimide resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene ether Resin, polyether ether ketone resin, polyester resin, etc. are mentioned, A phenoxy resin is preferable. A thermoplastic resin may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.

(d) 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 바람직하게는 38000 이상, 보다 바람직하게는 40000 이상, 더욱 바람직하게는 42000 이상이다. 상한은, 바람직하게는 100000 이하, 보다 바람직하게는 70000 이하, 더욱 바람직하게는 60000 이하이다. (d) 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 겔 침투 크로마토그래피(GPC)법으로 측정된다. 구체적으로는, (d) 열가소성 수지의 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은, 측정 장치로서 시마즈 세이사쿠쇼사 제조 LC-9A/RID-6A를, 컬럼으로서 쇼와 덴코사 제조 Shodex K-800P/K-804L/K-804L을, 이동상으로서 클로로포름 등을 사용하여, 컬럼 온도를 40℃에서 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 산출할 수 있다.(d) The weight average molecular weight of a thermoplastic resin in terms of polystyrene becomes like this. Preferably it is 38000 or more, More preferably, it is 40000 or more, More preferably, it is 42000 or more. The upper limit is preferably 100000 or less, more preferably 70000 or less, still more preferably 60000 or less. (d) The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is measured by a gel permeation chromatography (GPC) method. Specifically, (d) the weight average molecular weight in terms of polystyrene of the thermoplastic resin is LC-9A/RID-6A manufactured by Shimadzu Corporation as a measuring device and Shodex K-800P/K-804L manufactured by Showa Denko as a column as a column. /K-804L can be calculated using a standard polystyrene calibration curve by measuring the column temperature at 40°C using chloroform or the like as a mobile phase.

페녹시 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A 골격, 비스페놀 F 골격, 비스페놀 S 골격, 비스페놀아세토페논 골격, 노볼락 골격, 비페닐 골격, 플루오렌 골격, 디사이클로펜타디엔 골격, 노보넨 골격, 나프탈렌 골격, 안트라센 골격, 아다만탄 골격, 테르펜 골격, 및 트리메틸사이클로헥산 골격으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 골격을 갖는 페녹시 수지를 들 수 있다. 페녹시 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등 중의 어느 관능기라도 좋다. 페녹시 수지는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다. 페녹시 수지의 구체예로서는, 미츠비시 케미컬사 제조의 「1256」 및 「4250」(모두 비스페놀 A 골격 함유 페녹시 수지), 「YX8100」(비스페놀 S 골격 함유 페녹시 수지), 및 「YX6954」(비스페놀아세토페논 골격 함유 페녹시 수지)를 들 수 있고, 그 외에도, 닛테츠 케미컬&머테리얼사 제조의 「FX280」 및 「FX293」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7500BH30」, 「YX6954BH30」, 「YX7553」, 「YX7553BH30」, 「YL7769BH30」, 「YL6794」, 「YL7213」, 「YL7290」 및 「YL7482」 등을 들 수 있다.Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolak skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton , an anthracene skeleton, an adamantane skeleton, a terpene skeleton, and a phenoxy resin having at least one skeleton selected from the group consisting of trimethylcyclohexane skeleton. Any functional group in a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, etc. may be sufficient as the terminal of a phenoxy resin. A phenoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Specific examples of the phenoxy resin include "1256" and "4250" (both bisphenol A skeleton-containing phenoxy resins) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, "YX8100" (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin), and "YX6954" (bisphenol aceto) phenoxy resin) containing a phenone skeleton), and in addition, "FX280" and "FX293" manufactured by Nittetsu Chemical & Materials, "YL7500BH30", "YX6954BH30", "YX7553", and " YX7553BH30", "YL7769BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290", "YL7482", etc. are mentioned.

폴리비닐아세탈 수지로서는, 예를 들면, 폴리비닐포르말 수지, 폴리비닐부티랄 수지를 들 수 있고, 폴리비닐부티랄 수지가 바람직하다. 폴리비닐아세탈 수지의 구체예로서는, 예를 들어, 덴키 카가쿠 코교사 제조의 「덴카 부티랄 4000-2」, 「덴카 부티랄 5000-A」, 「덴카 부티랄 6000-C」, 「덴카 부티랄 6000-EP」, 세키스이 카가쿠 코교사 제조의 에스렉 BH 시리즈, BX 시리즈(예를 들면 BX-5Z), KS 시리즈(예를 들면 KS-1), BL 시리즈, BM 시리즈 등을 들 수 있다.As polyvinyl acetal resin, polyvinyl formal resin and polyvinyl butyral resin are mentioned, for example, Polyvinyl butyral resin is preferable. As a specific example of polyvinyl acetal resin, "Denka Butyral 4000-2", "Denka Butyral 5000-A", "Denka Butyral 6000-C", "Denka Butyral" manufactured by Denki Chemical Co., Ltd. as a specific example, for example, 6000-EP", Sekisui Kagaku Co., Ltd. S-Rec BH series, BX series (such as BX-5Z), KS series (such as KS-1), BL series, BM series, etc. are mentioned. .

폴리이미드 수지의 구체예로서는, 신니혼 리카사 제조의 「리카코트 SN20」 및 「리카코트 PN20」을 들 수 있다. 폴리이미드 수지의 구체예로서는 또한, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 사염기산 무수물을 반응시켜 얻어지는 선상 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2006-037083호에 기재된 폴리이미드), 폴리실록산 골격 함유 폴리이미드(일본 공개특허공보 특개2002-012667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등에 기재된 폴리이미드) 등의 변성 폴리이미드를 들 수 있다.As a specific example of polyimide resin, "Ricacoat SN20" and "Ricacoat PN20" by a Shin-Nippon Rica company are mentioned. Specific examples of the polyimide resin include a linear polyimide obtained by reacting a difunctional hydroxyl-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride (a polyimide described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-037083), polysiloxane Modified polyimides, such as skeleton containing polyimide (The polyimide described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-012667, Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-319386, etc.) are mentioned.

폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는, 토요보사 제조의 「바이로맥스 HR11NN」 및 「바이로맥스 HR16NN」을 들 수 있다. 폴리아미드이미드 수지의 구체예로서는 또한, 히타치 카세이 코교사 제조의 「KS9100」, 「KS9300」(폴리실록산 골격 함유 폴리아미드이미드) 등의 변성 폴리아미드이미드를 들 수 있다.Specific examples of the polyamideimide resin include "Viromax HR11NN" and "Viromax HR16NN" manufactured by Toyobo Corporation. Specific examples of the polyamideimide resin include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polyamideimide containing polysiloxane skeleton) manufactured by Hitachi Kasei Industries, Ltd.

폴리에테르설폰 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「PES5003P」 등을 들 수 있다. 폴리페닐렌에테르 수지의 구체예로서는, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조의 올리고페닐렌에테르·스티렌 수지 「OPE-2St 1200」 등을 들 수 있다. 폴리에테르에테르케톤 수지의 구체예로서는, 스미토모 카가쿠사 제조의 「스미프로이 K」 등을 들 수 있다. 폴리에테르이미드 수지의 구체예로서는, GE사 제조의 「울템」 등을 들 수 있다.As a specific example of polyether sulfone resin, the Sumitomo Chemical Company "PES5003P" etc. are mentioned. As a specific example of polyphenylene ether resin, the Mitsubishi Gas Chemical company oligophenylene ether styrene resin "OPE-2St1200" etc. are mentioned. As a specific example of polyether ether ketone resin, the Sumitomo Chemical Company "Sumiproy K" etc. are mentioned. As a specific example of polyetherimide resin, "Ultem" by GE, etc. are mentioned.

폴리설폰 수지의 구체예로서는, 솔베이 어드벤스드 폴리머즈사 제조의 폴리설폰 「P1700」, 「P3500」 등을 들 수 있다.Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers.

폴리올레핀 수지로서는, 예를 들면 저밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산메틸 공중합체 등의 에틸렌계 공중합 수지; 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 블록 공중합체 등의 폴리올레핀계 엘라스토머 등을 들 수 있다.Examples of the polyolefin resin include ethylene-based copolymer resins such as low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, high-density polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, and ethylene-methyl acrylate copolymer; Polyolefin-type elastomers, such as a polypropylene and an ethylene-propylene block copolymer, etc. are mentioned.

폴리에스테르 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌나프탈레이트 수지, 폴리트리메틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리트리메틸렌나프탈레이트 수지, 폴리사이클로헥산디메틸테레프탈레이트 수지 등을 들 수 있다.Examples of the polyester resin include polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polybutylene naphthalate resin, polytrimethylene terephthalate resin, polytrimethylene naphthalate resin, polycyclohexanedimethyl tere. A phthalate resin etc. are mentioned.

그 중에서도, (d) 열가소성 수지로서는, 페녹시 수지, 폴리비닐아세탈 수지가 바람직하다. 따라서 적합한 일 실시형태에서, 열가소성 수지는, 페녹시 수지 및 폴리비닐아세탈 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다. 그 중에서도, 열가소성 수지로서는, 페녹시 수지가 바람직하고, 중량 평균 분자량이 40,000 이상의 페녹시 수지가 특히 바람직하다.Especially, as (d) a thermoplastic resin, a phenoxy resin and polyvinyl acetal resin are preferable. Accordingly, in one suitable embodiment, the thermoplastic resin includes at least one selected from the group consisting of a phenoxy resin and a polyvinyl acetal resin. Especially, as a thermoplastic resin, a phenoxy resin is preferable, and a phenoxy resin with a weight average molecular weight of 40,000 or more is especially preferable.

(d) 열가소성 수지의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.3질량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.5질량% 이상이다. 상한은, 바람직하게는 5질량% 이하, 보다 바람직하게는 4질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하이다.(d) The content of the thermoplastic resin is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.3% by mass or more, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention. , More preferably, it is 0.5 mass % or more. An upper limit becomes like this. Preferably it is 5 mass % or less, More preferably, it is 4 mass % or less, More preferably, it is 3 mass % or less.

(d) 열가소성 수지의 함유량은, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 수지 조성물 중의 수지 성분을 100질량%로 한 경우, 바람직하게는 0.5질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 더욱 바람직하게는 1.5질량% 이상이고, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 5질량% 이하, 더욱 바람직하게는 3질량% 이하이다.(d) the content of the thermoplastic resin is preferably 0.5 mass% or more, more preferably 1 mass% or more, when the resin component in the resin composition is 100 mass% from the viewpoint of significantly obtaining the effect of the present invention; More preferably, it is 1.5 mass % or more, Preferably it is 10 mass % or less, More preferably, it is 5 mass % or less, More preferably, it is 3 mass % or less.

<(e) 기타 첨가제><(e) other additives>

수지 조성물은, 상술한 성분 이외에, 임의의 성분으로서, 추가로 기타 첨가제를 함유하고 있어도 좋다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들어, 난연제; 유기 충전재; 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물 및 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 증점제; 소포제; 레벨링제; 밀착성 부여제; 착색제 등의 수지 첨가제를 들 수 있다. 이러한 첨가제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. 각각의 함유량은 당업자라면 적절히 설정할 수 있다.The resin composition may further contain other additives as arbitrary components other than the component mentioned above. Examples of such additives include flame retardants; organic fillers; organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds and organocobalt compounds; thickener; antifoam; leveling agent; adhesion imparting agent; Resin additives, such as a coloring agent, are mentioned. These additives may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios. Each content can be suitably set by a person skilled in the art.

수지 조성물의 조제 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 배합 성분을, 필요에 따라 용매 등과 함께, 회전 믹서 등을 사용하여 혼합·분산하는 방법 등을 들 수 있다.The preparation method of a resin composition is not specifically limited, For example, the method of mixing and dispersing a compounding component using a rotary mixer etc. with a solvent etc. as needed is mentioned.

[수지 시트][Resin Sheet]

수지 시트는, 지지체와, 당해 지지체 위에 마련된, 수지 조성물로 형성된 수지 조성물층을 포함한다. 수지 조성물은, [수지 조성물]란에서 설명한 바와 같다.A resin sheet contains a support body and the resin composition layer provided on the said support body and formed from the resin composition. The resin composition is as described in the [Resin composition] column.

수지 조성물층의 두께는, 프린트 배선판의 박형화, 및 당해 수지 조성물의 경화물이 박막이라도 절연성이 뛰어난 경화물을 제공할 수 있다는 관점에서, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하, 30㎛ 이하, 20㎛ 이하이다. 수지 조성물층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 통상 1㎛ 이상, 5㎛ 이상 등으로 할 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 100 µm or less, more preferably 50 µm or less, from the viewpoint of reducing the thickness of the printed wiring board and providing a cured product excellent in insulation even if the cured product of the resin composition is a thin film; More preferably, they are 40 micrometers or less, 30 micrometers or less, and 20 micrometers or less. Although the lower limit of the thickness of a resin composition layer is not specifically limited, Usually, it can be 1 micrometer or more, 5 micrometers or more, etc.

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있으며, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.As a support body, the film which consists of a plastic material, metal foil, and a release paper are mentioned, for example, The film which consists of a plastic material, and metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하 「PET」로 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하 「PEN」으로 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트(이하 「PC」로 약칭하는 경우가 있음), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등의 아크릴, 환상 폴리올레핀, 트리아세틸셀룰로스(TAC), 폴리에테르설파이드(PES), 폴리에테르케톤, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When a film made of a plastic material is used as the support, the plastic material is, for example, polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PET”), polyethylene naphthalate (hereinafter sometimes abbreviated as “PEN”). ) such as polyester, polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), acrylic such as polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic polyolefin, triacetyl cellulose (TAC), polyether sulfide (PES), Polyether ketone, polyimide, etc. are mentioned. Among these, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들면, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티타늄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When using metal foil as a support body, as metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example, Copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) may be used as the copper foil. good night.

지지체는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리를 실시하고 있어도 좋다.The support may be subjected to a matte treatment, a corona treatment, or an antistatic treatment on the surface to be bonded to the resin composition layer.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들면, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지, 및 실리콘 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형층 부착 지지체는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들면, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」, 토레사 제조의 「루미라 T60」, 테이진사 제조의 「퓨렉스」, 유니티카사 제조의 「유니필」 등의 알키드 수지계 이형제를 주성분으로 하는 이형층을 갖는 PET 필름; 듀폰 필름사 제조의 「U2-NR1」 등을 들 수 있다.Moreover, as a support body, you may use the support body with a mold release layer which has a mold release layer in the surface to join with a resin composition layer. As a mold release agent used for the mold release layer of a support body with a mold release layer, 1 or more types of mold release agents are mentioned from the group which consists of an alkyd resin, a polyolefin resin, a urethane resin, and a silicone resin, for example. A commercial item may be used for a support body with a mold release layer, For example, "SK-1", "AL-5", "AL-7" by Lintec Corporation, "Lumira T60" by Tore Corporation, Teijin Corporation PET film which has a release layer which has alkyd resin type mold release agents, such as "Purex" manufactured by manufacture and "Unipil" manufactured by Unitica Corporation, as a main component; "U2-NR1" by DuPont Films, etc. are mentioned.

지지체의 두께로서는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as thickness of a support body, The range of 5 micrometers - 75 micrometers is preferable, and the range of 10 micrometers - 60 micrometers is more preferable. Moreover, when using a support body with a mold release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a mold release layer is the said range.

일 실시형태에서, 수지 시트는, 추가로 필요에 따라, 기타 층을 포함하고 있어도 좋다. 이러한 기타 층으로서는, 예를 들어, 수지 조성물층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대 측의 면)에 마련된, 지지체에 준한 보호 필름 등을 들 수 있다. 보호 필름의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름을 적층함으로써, 수지 조성물층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 억제할 수 있다.In one embodiment, the resin sheet may further contain other layers as needed. As such another layer, the protective film according to the support body etc. which were provided in the surface which is not joined to the support body of a resin composition layer (that is, the surface on the opposite side to a support body), etc. are mentioned, for example. Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, they are 1 micrometer - 40 micrometers. By laminating|stacking a protective film, adhesion of dust, etc. to the surface of a resin composition layer, and a flaw can be suppressed.

수지 시트는, 예를 들면, 유기 용제에 수지 조성물을 용해한 수지 바니시를 조제하고, 이 수지 바니시를, 다이 코터 등을 사용하여 지지체 위에 도포하고, 추가로 건조시켜 수지 조성물층을 형성시킴으로써 제조할 수 있다.A resin sheet can be produced by, for example, preparing a resin varnish in which a resin composition is dissolved in an organic solvent, applying this resin varnish to a support using a die coater, and further drying to form a resin composition layer. there is.

유기 용제로서는, 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK) 및 사이클로헥사논 등의 케톤류; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 및 카비톨아세테이트 등의 아세트산에스테르류; 셀로솔브 및 부틸카비톨 등의 카비톨류; 톨루엔 및 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드(DMAc) 및 N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제 등을 들 수 있다. 유기 용제는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.As an organic solvent, For example, ketones, such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), and cyclohexanone; acetate esters such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and carbitol acetate; carbitols such as cellosolve and butyl carbitol; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; and amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone. An organic solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물층 중의 유기 용제의 함유량이 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 수지 바니시 중의 유기 용제의 비점에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니시를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분간 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물층을 형성할 수 있다.You may perform drying by well-known methods, such as a heating and hot-air spraying. Although drying conditions are not specifically limited, Content of the organic solvent in a resin composition layer is 10 mass % or less, Preferably it is made to dry so that it may become 5 mass % or less. Although it also changes depending on the boiling point of the organic solvent in the resin varnish, for example, when using a resin varnish containing 30 mass % to 60 mass % of an organic solvent, by drying at 50 ° C. to 150 ° C. for 3 minutes to 10 minutes, A resin composition layer can be formed.

수지 시트는 롤상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 벗김으로써 사용 가능해진다.The resin sheet can be wound and stored in roll shape. When a resin sheet has a protective film, it becomes usable by peeling off a protective film.

[프린트 배선판의 제조 방법][Manufacturing method of printed wiring board]

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은The manufacturing method of the printed wiring board of this invention is

(A) 내층 회로 기판 위에, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층을 형성하는 공정, 및(A) a step of forming an insulating layer containing a cured product of a resin composition on an inner-layer circuit board; and

(B) 절연층의 표면에 플라즈마 처리를 행하여, 비아 홀 또는 트렌치를 형성하는 공정을 포함하고, 플라즈마 처리에 사용하는 가스는 SF6를 포함한다.(B) Plasma treatment is performed on the surface of the insulating layer to form a via hole or a trench, and the gas used for the plasma treatment contains SF 6 .

본 발명에서는, 레이저 처리가 아니고 플라즈마 처리로 비아 홀 또는 트렌치를 절연층에 형성한다. 따라서, 할로잉 현상을 억제할 수 있고, 비아 홀 및 트렌치의 측면 및 바닥면의 요철의 발생을 억제할 수 있다.In the present invention, a via hole or trench is formed in the insulating layer by plasma processing instead of laser processing. Accordingly, it is possible to suppress the hollowing phenomenon, and it is possible to suppress the occurrence of irregularities in the side surfaces and bottom surfaces of via holes and trenches.

또한, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, 공정 (A) 및 공정 (B)에 더해서, 필요에 따라,In addition, in the manufacturing method of the printed wiring board of this invention, in addition to a process (A) and a process (B), if necessary,

(C) 절연층 표면을 조화 처리하는 공정,(C) a step of roughening the surface of the insulating layer;

(D) 절연층의 표면에 도체층을 형성하는 공정(D) Step of forming a conductor layer on the surface of the insulating layer

을 포함하고 있어도 좋다.may contain

공정 (A) 및 공정 (B)는, 이 순으로 행하는 것이 바람직하며, 공정 (A), 공정 (B), 공정 (C) 및 공정 (D)의 순으로 행하는 것이 보다 바람직하다. 이하, 프린트 배선판의 제조 방법의 각 공정에 대해 설명한다.It is preferable to perform a process (A) and a process (B) in this order, and it is more preferable to carry out in this order of a process (A), a process (B), a process (C), and a process (D). Hereinafter, each process of the manufacturing method of a printed wiring board is demonstrated.

<공정 (A)><Process (A)>

공정 (A)는, 내층 회로 기판 위에, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층을 형성하는 공정이다. 공정 (A)에서는, 통상, 내층 회로 기판의 주 표면 위에 절연층을 형성한다. 내층 회로 기판의 주 표면이란, 절연층이 마련되는, 내층 회로 기판의 표면을 나타낸다. 여기서 사용되는 수지 조성물은 상기에서 설명한 수지 조성물이다.A process (A) is a process of forming the insulating layer containing the hardened|cured material of a resin composition on an inner-layer circuit board. In the step (A), an insulating layer is usually formed on the main surface of the inner-layer circuit board. The main surface of the inner-layer circuit board indicates the surface of the inner-layer circuit board on which the insulating layer is provided. The resin composition used herein is the resin composition described above.

공정 (A)를 행함에 있어서, (A-1) 내층 회로 기판을 준비하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 내층 회로 기판은, 통상, 지지 기판과, 지지 기판의 표면에 마련된 금속층을 구비한다. 금속층은, 내층 회로 기판의 주 표면에 노출되어 있다.In performing the step (A), the step of (A-1) preparing the inner-layer circuit board may be included. An inner-layer circuit board is normally equipped with a support substrate and the metal layer provided in the surface of the support substrate. The metal layer is exposed on the main surface of the inner-layer circuit board.

지지 기판의 재료로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판, 금속 기판, 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등을 들 수 있다. 금속층의 재료로서는, 동박, 캐리어 부착 동박, 후술하는 도체층의 재료 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다.Examples of the material for the support substrate include a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, and a thermosetting polyphenylene ether substrate. As a material of a metal layer, copper foil, copper foil with a carrier, the material of the conductor layer mentioned later, etc. are mentioned, Copper foil is preferable.

또한, 공정 (A)를 행함에 있어서, (A-2) 수지 시트를 준비하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 수지 시트는 상기에서 설명한 바와 같다.Moreover, in performing a process (A), you may include the process of (A-2) preparing a resin sheet. The resin sheet is as described above.

공정 (A)에서는, 예를 들면, 내층 회로 기판의 주 표면 위에 수지 시트의 수지 조성물층을 적층시켜, 수지 조성물층을 열경화시킴으로써 절연층을 형성한다.In a process (A), the insulating layer is formed by laminating|stacking the resin composition layer of a resin sheet on the main surface of an inner-layer circuit board, and thermosetting the resin composition layer, for example.

내층 회로 기판과 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 지지체 측에서 수지 시트를 내층 회로 기판에 가열 압착함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 내층 회로 기판에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고도 함)로서는, 예를 들면, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤) 등을 들 수 있다. 또한, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니라, 내층 회로 기판의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 사이에 두고 프레스하는 것이 바람직하다.Lamination of the inner circuit board and the resin sheet can be performed, for example, by thermocompression bonding the resin sheet to the inner circuit board from the support side. As a member (hereinafter also referred to as "thermal compression member") for heat-bonding the resin sheet to the inner-layer circuit board, for example, a heated metal plate (SUS head plate, etc.) or a metal roll (SUS roll), etc. are mentioned. In addition, it is preferable not to press the thermocompression-bonding member directly to the resin sheet, but to press through an elastic material, such as a heat-resistant rubber, in order that the resin sheet may fully follow the surface unevenness|corrugation of an inner-layer circuit board.

내층 회로 기판과 수지 시트의 적층은 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 진공 라미네이트법에서 가열 압착 온도는 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이며, 가열 압착 압력은 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이며, 가열 압착 시간은 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은 바람직하게는 압력 26.7hPa 이하의 감압 조건 하에서 실시한다.You may perform lamination|stacking of an inner-layer circuit board and a resin sheet by the vacuum lamination method. In the vacuum laminating method, the thermocompression temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, more preferably 80°C to 140°C, and the thermocompression pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0.29 MPa to It is the range of 1.47 MPa, The heat compression time becomes like this. Preferably it is 20 second - 400 second, More preferably, it is the range of 30 second - 300 second. Lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of 26.7 hPa or less.

적층은 시판의 진공 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 시판의 진공 라미네이터로서는, 예를 들어, 메이키 세이사쿠쇼사 제조의 진공 가압식 라미네이터, 닛코·머테리얼즈사 제조의 버큠 어플리케이터, 배치식 진공 가압 라미네이터 등을 들 수 있다.Lamination can be performed with a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, the vacuum pressure laminator by the Meiki Seisakusho company, the vacuum applicator by the Nikko Materials company, a batch type vacuum pressure laminator etc. are mentioned, for example.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체 측에서 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 행해도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 평활화 처리는, 시판의 라미네이터에 의해 행할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 상기 시판의 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행해도 좋다.After lamination, under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, a smoothing process of the laminated resin sheet may be performed by pressing the thermocompression-bonding member from the support body side. The press conditions of the smoothing process can be made into the conditions similar to the thermocompression-bonding conditions of the said lamination|stacking. A smoothing process can be performed with a commercially available laminator. In addition, you may perform lamination|stacking and a smoothing process continuously using the said commercially available vacuum laminator.

지지체는, 수지 시트를 적층 후 열경화시키기 전에 제거해도 좋고, 공정 (A) 후에 제거해도 좋다.A support body may be removed before thermosetting a resin sheet after lamination|stacking, and may be removed after a process (A).

수지 시트를 내층 회로 기판에 적층한 후, 수지 조성물층을 열경화하여 절연층을 형성한다. 수지 조성물층의 열경화 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때에 통상 채용되는 조건을 사용해도 좋다.After laminating the resin sheet on the inner-layer circuit board, the resin composition layer is thermosetted to form an insulating layer. The thermosetting conditions of a resin composition layer are not specifically limited, When forming the insulating layer of a printed wiring board, you may use the conditions normally employ|adopted.

예를 들어, 수지 조성물층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라서도 상이하지만, 경화 온도는 바람직하게는 120℃ 내지 240℃, 보다 바람직하게는 150℃ 내지 220℃, 더욱 바람직하게는 170℃ 내지 210℃이다. 경화 시간은 바람직하게는 5분간 내지 120분간, 보다 바람직하게는 10분간 내지 100분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간으로 할 수 있다.For example, although the thermosetting conditions of the resin composition layer also differ depending on the kind of resin composition, etc., a curing temperature becomes like this. Preferably it is 120 degreeC - 240 degreeC, More preferably, it is 150 degreeC - 220 degreeC, More preferably, it is 170 degreeC. ℃ to 210 ℃. The curing time is preferably 5 minutes to 120 minutes, more preferably 10 minutes to 100 minutes, still more preferably 15 minutes to 100 minutes.

수지 조성물층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물층을 경화 온도보다도 낮은 온도에서 예비 가열해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물층을 열경화시키기에 앞서, 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 115℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 110℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물층을 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간, 더욱 바람직하게는 15분간 내지 100분간) 예비 가열해도 좋다.Before thermosetting a resin composition layer, you may preheat a resin composition layer at temperature lower than hardening temperature. For example, prior to thermosetting the resin composition layer, at a temperature of 50 ° C or more and less than 120 ° C (preferably 60 ° C or more and 115 ° C or less, more preferably 70 ° C or more and 110 ° C or less), the resin composition layer is You may preheat for 5 minutes or more (preferably for 5 minutes - 150 minutes, More preferably, it is 15 minutes - 120 minutes, More preferably, it is 15 minutes - 100 minutes).

절연층의 두께는 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 40㎛ 이하, 30㎛ 이하, 20㎛ 이하이고, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 5㎛ 이상이다.The thickness of the insulating layer is preferably 100 µm or less, more preferably 50 µm or less, still more preferably 40 µm or less, 30 µm or less, 20 µm or less, preferably 1 µm or more, more preferably 5 µm or less. More than that.

또한, 수지 시트를 사용하여 절연층을 형성하는 대신에, 내층 회로 기판의 주 표면 위에 직접 수지 조성물을 도포하여, 절연층을 형성해도 좋다. 그 때의 절연층을 형성하는 조건은, 수지 시트를 사용하여 절연층을 형성하는 조건과 동일하다. 또한, 도포하는 수지 조성물은 상기에서 설명한 바와 같다.In addition, instead of using a resin sheet to form an insulating layer, you may apply|coat a resin composition directly on the main surface of an inner-layer circuit board, and you may form an insulating layer. The conditions for forming the insulating layer in that case are the same as the conditions for forming the insulating layer using the resin sheet. In addition, the resin composition to be applied is as described above.

공정 (A) 종료 후 공정 (B)를 행하기 전에, 절연층에 비아 홀 또는 트렌치를 효과적으로 형성하기 위해, (A-3) 절연층 위 또는 지지체 위에 드라이 필름을 라미네이트하는 공정, 및 (A-4) 포토마스크를 사용하여 드라이 필름에 노광 및 현상을 행하여, 패턴 드라이 필름을 얻는 공정을 포함하고 있어도 좋다.After the completion of the step (A) and before the step (B), in order to effectively form a via hole or a trench in the insulating layer, (A-3) a step of laminating a dry film on the insulating layer or on a support, and (A- 4) The dry film may be exposed and developed using a photomask, and the process of obtaining a patterned dry film may be included.

공정 (A-3)에서는, 내층 회로 기판의 주 표면 위에 형성된 절연층 또는 지지체 위에 드라이 필름을 라미네이트한다. 절연층과 드라이 필름의 적층 조건은, 내층 회로 기판과 수지 시트의 적층 조건과 동일할 수 있다.In the step (A-3), the dry film is laminated on the insulating layer or the support formed on the main surface of the inner circuit board. Lamination conditions of the insulating layer and the dry film may be the same as the lamination conditions of the inner circuit board and the resin sheet.

공정 (A-3)에서 사용하는 드라이 필름으로서는, 노광 및 현상에 의해 패턴 드라이 필름이 얻어지는 것이면 좋고, 공정 (B)에서의 플라즈마 처리에 대해 내성이 있는 필름이면 더욱 좋다. 또한, 드라이 필름으로서는, 포토레지스트 조성물로 이루어진 감광성의 드라이 필름을 사용할 수 있다. 이러한 드라이 필름으로서는, 예를 들면, 노볼락 수지, 아크릴 수지 등의 수지로 형성된 드라이 필름을 사용할 수 있다.As the dry film used in the step (A-3), a patterned dry film may be obtained by exposure and development, and a film resistant to the plasma treatment in the step (B) is more preferable. Moreover, as a dry film, the photosensitive dry film which consists of a photoresist composition can be used. As such a dry film, the dry film formed from resin, such as a novolak resin and an acrylic resin, can be used, for example.

드라이 필름의 두께로서는, 비아 홀의 가공성을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 15㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이상이고, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 70㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이하이다.The thickness of the dry film is preferably 10 µm or more, more preferably 15 µm or more, still more preferably 20 µm or more, preferably 100 µm or less, more preferably from the viewpoint of improving the workability of the via hole. It is 70 micrometers or less, More preferably, it is 50 micrometers or less.

공정 (A-4)에서, 소정의 패턴을 갖는 포토마스크를 통해, 활성 에너지선을 조사하여 노광을 행한다. 노광의 상세는, 드라이 필름의 표면에, 포토마스크를 통해서 활성 에너지선을 조사하여, 드라이 필름의 노광 부분을 광경화시킨다. 활성 에너지선으로서는, 예를 들어, 자외선, 가시광선, 전자선, X선 등을 들 수 있고, 자외선이 바람직하다. 자외선의 조사량 및 조사 시간은, 드라이 필름에 따라 적절하게 설정할 수 있다. 노광 방법으로서는, 예를 들어, 마스크 패턴을 드라이 필름에 밀착시켜 노광하는 접촉 노광법, 마스크 패턴을 드라이 필름에 밀착시키지 않고 평행 광선을 사용하여 노광하는 비접촉 노광법 등을 들 수 있다.In the step (A-4), exposure is performed by irradiating an active energy ray through a photomask having a predetermined pattern. As for the detail of exposure, an active energy ray is irradiated to the surface of a dry film through a photomask, and the exposure part of a dry film is photocured. As an active energy ray, an ultraviolet-ray, a visible ray, an electron beam, X-ray etc. are mentioned, for example, An ultraviolet-ray is preferable. The irradiation amount and irradiation time of an ultraviolet-ray can be set suitably according to a dry film. Examples of the exposure method include a contact exposure method in which a mask pattern is brought into close contact with the dry film and exposed, and a non-contact exposure method in which a mask pattern is exposed using parallel light without being in close contact with the dry film.

노광 후, 현상을 행함으로써 드라이 필름의 노광 부분 및 비노광 부분 중 한쪽(통상, 비노광 부분)을 제거하여, 패턴 드라이 필름을 형성한다. 현상은, 웨트 현상, 드라이 현상 중 어느 것을 행해도 좋다. 현상의 방식으로서는, 예를 들면, 딥 방식, 패들 방식, 스프레이 방식, 브러싱 방식, 스크래핑 방식 등을 들 수 있다.After exposure, one of the exposed part and the non-exposed part of a dry film (normally, a non-exposed part) is removed by developing, and a pattern dry film is formed. Image development may perform either wet image development or dry image development. As a method of image development, a dip method, a paddle method, a spray method, a brushing method, a scraping method etc. are mentioned, for example.

후술하는 공정 (B)에서, 패턴 드라이 필름을 마스크로 하고 플라즈마 처리를 행하여, 비아 홀 또는 트렌치를 형성한다.In the process (B) mentioned later, plasma processing is performed using the pattern dry film as a mask, and a via hole or a trench is formed.

<공정 (B)><Process (B)>

공정 (B)는, 절연층의 표면에 플라즈마 처리를 행하여, 절연층 표면에 비아 홀 또는 트렌치를 형성하는 공정이다. (B) 공정의 상세는, 도 1에 일례를 나타내는 바와 같이, 소정의 가스에 의한 플라즈마로 절연층(100) 중에 포함되는 수지 조성물의 경화물(1020)의 제거 및 무기 충전재(1010)를 깎음으로써 비아 홀(110)을 형성한다. 통상, 수지 성분의 경화물(1020) 및 무기 충전재(1010)가 플라즈마에 의해 에칭된다. 무기 충전재(1010)를 에칭하기 위해서 플라즈마 처리를 계속하면, 수지 성분의 경화물(1020)의 일부가 파내어진다. 파내어진 수지 성분의 경화물(1020)은 비아 홀(110)의 측벽 또는 바닥면으로부터 탈락하여, 비아 홀(110)의 측벽 또는 바닥면에 수지 성분의 경화물(1020)이 파내어진 개소(1030)(요철)가 발생할 수 있다. 통상, 무기 충전재(1010)가 에칭된 부분에는 패임이 형성되는 일은 없다. 무기 충전재(1010)의 함유량은 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우 60질량% 이상이고, 무기 충전재(1010)의 함유량은 수지 성분보다도 많기 때문에, 비아 홀(110)의 바닥면 및 측벽의 수지 성분의 경화물(1020)이 파내어진 개소(1030)의 빈도를 적게할 수 있다. 즉 바닥면 및 측벽의 요철의 수를 적게 할 수 있어, 불균일한 면의 형성이 억제된다. 그 결과, 후술하는 공정 (D)에서 비아 홀(110) 내에 형성된 도체층의 두께를 균일하게 하는 것이 가능해진다.The step (B) is a step of forming a via hole or a trench in the surface of the insulating layer by performing plasma treatment on the surface of the insulating layer. (B) As an example is shown in FIG. 1, as for the detail of a process, the removal of the hardened|cured material 1020 of the resin composition contained in the insulating layer 100 by plasma by a predetermined gas, and the inorganic filler 1010 are shaved. Thus, the via hole 110 is formed. Usually, the hardened|cured material 1020 of a resin component and the inorganic filler 1010 are etched by plasma. When plasma processing is continued in order to etch the inorganic filler 1010, a part of the hardened|cured material 1020 of a resin component is dug out. The excavated cured product 1020 of the resin component falls off from the sidewall or bottom surface of the via hole 110 , and the portion 1030 where the cured resin component 1020 is dug out on the sidewall or bottom surface of the via hole 110 . ) (irregularities) may occur. Usually, a dent is not formed in the part by which the inorganic filler 1010 was etched. The content of the inorganic filler 1010 is 60% by mass or more when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass, and the content of the inorganic filler 1010 is greater than the resin component, so the bottom surface of the via hole 110 and The frequency of the location 1030 in which the hardened|cured material 1020 of the resin component of a side wall was excavated can be reduced. That is, the number of unevenness|corrugation of a bottom surface and a side wall can be reduced, and formation of a non-uniform|heterogenous surface is suppressed. As a result, it becomes possible to make the thickness of the conductor layer formed in the via hole 110 uniform in the step (D) to be described later.

플라즈마 처리는, 플라즈마 발생 장치 내에 가스를 도입함으로써 발생시킨 플라즈마로, 절연층의 표면을 처리함으로써, 절연층 표면에 비아 홀 또는 트렌치를 형성한다. 플라즈마의 발생 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 마이크로파에 의해 플라즈마를 발생시키는 마이크로파 플라즈마, 고주파를 사용한 고주파 플라즈마, 대기압 하에서 발생시키는 대기압 플라즈마, 진공 하에서 발생하는 대기압 플라즈마 등을 들 수 있고, 진공 하에서 발생시키는 대기압 플라즈마가 바람직하다.In the plasma treatment, a via hole or trench is formed in the surface of the insulating layer by treating the surface of the insulating layer with plasma generated by introducing a gas into the plasma generating device. The plasma generation method is not particularly limited, and includes microwave plasma generating plasma by microwaves, high frequency plasma using high frequency waves, atmospheric pressure plasma generated under atmospheric pressure, atmospheric pressure plasma generated under vacuum, and the like, and atmospheric pressure generated under vacuum. Plasma is preferred.

또한, 공정 (C)에서 사용하는 플라즈마는, 고주파로 여기하는 RF 플라즈마인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the plasma used in a process (C) is RF plasma excited by high frequency.

플라즈마화하는 가스로서는, 절연층 중의 수지 성분 및 무기 충전재를 에칭할 수 있는, SF6를 포함하는 가스를 사용한다. 플라즈마화하는 가스로서는, SF6를 포함하고 있으면 좋고, 예를 들면, SF6에 더해서, 예를 들면 Ar, O2 등의 기타 가스를 포함하는 혼합 가스라도 좋다. 플라즈마화하는 가스로서는, SF6와 Ar 및 O2 중 적어도 어느 하나를 포함하는 혼합 가스가 바람직하고, SF6, Ar 및 O2를 포함하는 혼합 가스가 보다 바람직하다.As gas to be plasma-ized, the gas containing SF6 which can etch the resin component and inorganic filler in an insulating layer is used. As the gas to be converted into plasma, SF 6 may be included. For example, in addition to SF 6 , a mixed gas containing other gases such as Ar and O 2 may be used. As the gas to be converted into plasma, a mixed gas containing SF 6 and at least any one of Ar and O 2 is preferable, and a mixed gas containing SF 6 , Ar and O 2 is more preferable.

SF6 및 기타 가스와 혼합 가스의 혼합비(SF6/기타 가스: 단위는 sccm)로서는, 비아 홀 또는 트렌치 내에 형성된 도체층의 두께를 균일하게 하는 관점에서, 바람직하게는 1/0.01 내지 1/1, 보다 바람직하게는 1/0.05 내지 1/1, 보다 바람직하게는 1/0.1 내지 1/1이다.The mixing ratio of SF 6 and other gases to the mixed gas (SF 6 /other gases: unit is sccm) is preferably 1/0.01 to 1/1 from the viewpoint of making the thickness of the conductor layer formed in the via hole or trench uniform. , More preferably, it is 1/0.05 to 1/1, More preferably, it is 1/0.1 to 1/1.

플라즈마화하는 가스가 SF6, Ar 및 O2를 포함하는 혼합 가스인 경우, Ar 및 O2의 혼합비(Ar/O2: 단위는 sccm)로서는, 본 발명의 효과를 현저하게 얻는 관점에서, 1/0.01 내지 1/1, 보다 바람직하게는 1/0.05 내지 1/1, 보다 바람직하게는 1/0.1 내지 1/1이다.When the gas to be plasmaized is a mixed gas containing SF 6 , Ar and O 2 , the mixing ratio of Ar and O 2 (Ar/O 2 : unit sccm) is 1 from the viewpoint of significantly obtaining the effects of the present invention. /0.01 to 1/1, more preferably 1/0.05 to 1/1, still more preferably 1/0.1 to 1/1.

플라즈마 처리에서의 조사 시간은 특별히 한정되지 않지만, 1분 이상이 바람직하고, 2분 이상이 보다 바람직하고, 3분 이상이 더욱 바람직하다. 상한에 대해서는 특별히 한정되지 않지만, 20분 이하가 바람직하고, 15분 이하가 더욱 바람직하고, 10분 이하가 보다 바람직하다.Although the irradiation time in plasma processing is not specifically limited, 1 minute or more is preferable, 2 minutes or more are more preferable, 3 minutes or more are still more preferable. Although it does not specifically limit about an upper limit, 20 minutes or less are preferable, 15 minutes or less are more preferable, and 10 minutes or less are more preferable.

본 발명은 플라즈마 처리로 비아 홀 또는 트렌치를 형성하기 때문에, 비아 홀 또는 트렌치의 개구 지름을 작게 할 수 있다. 상기의 개구 지름으로서는, 바람직하게는 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 40㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이하, 20㎛ 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 1㎛ 이상 등으로 할 수 있다.In the present invention, since the via hole or trench is formed by plasma processing, the diameter of the opening of the via hole or trench can be reduced. As said opening diameter, Preferably they are 50 micrometers or less, More preferably, they are 40 micrometers or less, More preferably, they are 30 micrometers or less and 20 micrometers or less. The lower limit is not particularly limited, but may be 1 µm or more.

<공정 (C)><Process (C)>

공정 (C)는, 절연층 표면을 조화 처리하는 공정이며, 상세는, 공정 (B)에 의해 탈락한 수지 조성물의 수지 성분의 고형물 등의 이물을, 처리액에 의해 비아 홀 또는 트렌치로부터 제거하는 공정이다. 공정 (B) 후의 절연층의 표면에는, 이물이 존재한다. 이 이물에는, 예를 들어 플라즈마 처리에 의해 파내어진 수지 조성물의 수지 성분의 고형물이 포함될 수 있다. 이 이물은 도체층의 밀착 강도 저하의 원인이 될 수 있다. 그래서, 이들 이물을 제거하기 위한 공정 (C)를 행한다. 공정 (C)의 상세는, 공정 (B) 종료 후, 절연층 표면을 처리액에 접촉시켜서 상기의 이물을 제거하는 공정이다. 공정 (C)는 1회 행해도 좋고, 복수회 행해도 좋다.The step (C) is a step of roughening the surface of the insulating layer, and in detail, foreign substances such as solids of the resin component of the resin composition dropped by the step (B) are removed from the via hole or trench with the treatment solution. it is fair Foreign matter exists on the surface of the insulating layer after a process (B). This foreign material may contain the solid material of the resin component of the resin composition excavated by plasma processing, for example. This foreign material may cause a decrease in the adhesion strength of the conductor layer. Then, the process (C) for removing these foreign materials is performed. The detail of step (C) is a process of removing said foreign material by making the surface of an insulating layer contact a process liquid after completion|finish of process (B). A process (C) may be performed once and may be performed multiple times.

공정 (C)의 수순, 조건은 특별히 한정되지 않고, 프린트 배선판의 절연층을 형성할 때 통상 사용되는 공지의 수순, 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리, 중화액에 의한 중화 처리를 이 순으로 실시하여 절연층을 조화 처리할 수 있다. 조화 처리에 사용하는 팽윤액으로서는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리 용액, 계면 활성제 용액 등을 들 수 있고, 바람직하게는 알칼리 용액이며, 당해 알칼리 용액으로서는, 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액이 보다 바람직하다. 시판되고 있는 팽윤액으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「스웰링 딥 세큐리간스 P」, 「스웰링 딥 세큐리간스 SBU」, 「스웰링딥 세큐리간트 P」 등을 들 수 있다. 팽윤액에 의한 팽윤 처리는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 30℃ 내지 90℃의 팽윤액에 절연층을 1분간 내지 20분간 침지함으로써 행할 수 있다. 절연층의 수지의 팽윤을 적당한 레벨로 억제하는 관점에서, 40℃ 내지 80℃의 팽윤액에 절연층을 5분간 내지 15분간 침지시키는 것이 바람직하다. 조화 처리에 사용하는 산화제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 수산화나트륨의 수용액에 과망간산칼륨이나 과망간산나트륨을 용해한 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 알칼리성 과망간산 용액 등의 산화제에 의한 조화 처리는, 60℃ 내지 100℃로 가열한 산화제 용액에 절연층을 10분간 내지 30분간 침지시켜서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 알칼리성 과망간산 용액에서의 과망간산염의 농도는 5질량% 내지 10질량%가 바람직하다. 시판되고 있는 산화제로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「컨센트레이트 컴팩트 CP」, 「도징솔루션 세큐리간스 P」 등의 알칼리성 과망간산 용액을 들 수 있다. 또한, 조화 처리에 사용하는 중화액으로서는, 산성의 수용액이 바람직하고, 시판품으로서는, 예를 들어, 아토텍 재팬사 제조의 「리덕션솔루션 세큐리간트 P」를 들 수 있다. 중화액에 의한 처리는, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 처리면을 30℃ 내지 80℃의 중화액에 1분간 내지 30분간 침지시킴으로써 행할 수 있다. 작업성 등의 점에서, 산화제에 의한 조화 처리가 이루어진 대상물을, 40℃ 내지 70℃의 중화액에 5분간 내지 20분간 침지하는 방법이 바람직하다.The procedure and conditions of a process (C) are not specifically limited, When forming the insulating layer of a printed wiring board, the well-known procedure and conditions normally used are employable. For example, the insulating layer can be roughened by performing the swelling process by a swelling liquid, the roughening process by an oxidizing agent, and the neutralization process by a neutralizing liquid in this order. Although it does not specifically limit as a swelling liquid used for a roughening process, An alkali solution, surfactant solution, etc. are mentioned, Preferably it is an alkali solution, As said alkali solution, sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution are more preferable. As a commercially available swelling liquid, "Swelling Deep Securiganth P", "Swelling Deep Securiganth SBU", "Swelling Deep Securigant P" manufactured by Atotech Japan, etc. are mentioned, for example. . Although the swelling process by a swelling liquid is not specifically limited, For example, it can perform by immersing an insulating layer in 30 degreeC - 90 degreeC swelling liquid for 1 minute - 20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer in a swelling solution at 40°C to 80°C for 5 minutes to 15 minutes. Although it does not specifically limit as an oxidizing agent used for a roughening process, For example, the alkaline permanganic acid solution which melt|dissolved potassium permanganate and sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned. It is preferable to perform the roughening process by oxidizing agents, such as alkaline permanganic acid solution, by making the insulating layer immerse for 10 minutes - 30 minutes in the oxidizing agent solution heated to 60 degreeC - 100 degreeC. Moreover, as for the density|concentration of the permanganate in an alkaline permanganic acid solution, 5 mass % - 10 mass % are preferable. As a commercially available oxidizing agent, alkaline permanganic acid solutions, such as "Concentrate Compact CP" and "Dosing Solution Securigans P" by Atotech Japan, are mentioned, for example. Moreover, as a neutralization liquid used for a roughening process, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial item, "reduction solution securigant P" by Atotech Japan company is mentioned, for example. The treatment with the neutralizing solution can be performed by immersing the treated surface subjected to the roughening treatment with the oxidizing agent in a neutralizing solution at 30°C to 80°C for 1 minute to 30 minutes. The method of immersing the target object in which the roughening process by the oxidizing agent was made|formed from points, such as workability|operativity, in the neutralization liquid of 40 degreeC - 70 degreeC for 5 minutes - 20 minutes is preferable.

일 실시형태에서, 조화 처리 후의 절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는 바람직하게는 500nm 이하, 보다 바람직하게는 400nm 이하, 더욱 바람직하게는 300nm 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 30nm 이상, 보다 바람직하게는 40nm 이상, 더욱 바람직하게는 50nm 이상이다. 절연층 표면의 산술 평균 거칠기(Ra)는, 비접촉형 표면 조도계를 사용하여 측정할 수 있다.In one embodiment, the arithmetic mean roughness Ra of the insulating layer surface after roughening is preferably 500 nm or less, more preferably 400 nm or less, still more preferably 300 nm or less. Although a lower limit is not specifically limited, Preferably it is 30 nm or more, More preferably, it is 40 nm or more, More preferably, it is 50 nm or more. The arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the insulating layer can be measured using a non-contact type surface roughness meter.

<공정 (D)><Process (D)>

공정 (D)는, 절연층의 표면에 도체층을 형성하는 공정이다. 도체층에 사용하는 도체 재료는 특별히 한정되지 않는다. 적합한 실시형태에서는, 도체층은, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티타늄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함한다. 도체층은, 단금속층이라도 합금층이라도 좋고, 합금층으로서는, 예를 들어, 상기의 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티타늄 합금)으로 형성된 층을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성 등의 관점에서, 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 혹은 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티타늄 합금의 합금층이 바람직하고, 크롬, 니켈, 티타늄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 혹은 구리의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층이 보다 바람직하고, 구리의 단금속층이 더욱 바람직하다.A process (D) is a process of forming a conductor layer on the surface of an insulating layer. The conductor material used for a conductor layer is not specifically limited. In a suitable embodiment, the conductor layer comprises at least one metal selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. do. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer, and the alloy layer is, for example, an alloy of two or more metals selected from the group described above (eg, nickel-chromium alloy, copper-nickel alloy, and copper-titanium). a layer formed of an alloy). Among them, from the viewpoint of versatility of conductor layer formation, cost, ease of patterning, etc., a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy , a copper/titanium alloy alloy layer is preferable, and a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper, or an alloy layer of a nickel/chromium alloy is more preferable, and a single metal layer of copper This is more preferable.

도체층은, 단층 구조라도, 상이한 종류의 금속 혹은 합금으로 이루어진 단금속층 또는 합금층이 2층 이상 적층한 복층 구조라도 좋다. 도체층이 복층 구조인 경우, 경화체와 접하는 층은, 크롬, 아연 혹은 티타늄의 단금속층, 또는 니켈·크롬 합금의 합금층인 것이 바람직하다.The conductor layer may have a single layer structure or a multilayer structure in which two or more single metal layers or alloy layers made of different types of metals or alloys are laminated. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the hardening body is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of a nickel-chromium alloy.

도체층의 두께는, 원하는 프린트 배선판의 디자인에 따르지만, 일반적으로 3㎛ 내지 35㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛이다.Although the thickness of a conductor layer depends on the design of a desired printed wiring board, it is 3 micrometers - 35 micrometers generally, Preferably it is 5 micrometers - 30 micrometers.

공정 (D)의 적합한 일 실시형태로서, 도체층은 스퍼터에 의해 형성한다. 본 발명에서는, 수지 조성물로서 평균 입자 지름이 0.1㎛ 이하인 무기 충전재를 포함하기 때문에, 비아 홀의 바닥면 및 측벽의 무기 충전재가 파내어진 개소의 요철 차가 작아진다. 그 결과, 비아 홀 또는 트렌치 내에 형성된 도체층의 두께를 균일하게 하는 것이 가능해진다.As one preferred embodiment of the step (D), the conductor layer is formed by sputtering. In this invention, since the inorganic filler whose average particle diameter is 0.1 micrometer or less is included as a resin composition, the unevenness|corrugation difference of the location where the inorganic filler of the bottom surface of a via hole and a side wall was dug out becomes small. As a result, it becomes possible to make the thickness of the conductor layer formed in the via hole or trench uniform.

스퍼터에 의해 도체층을 형성할 때, 통상, 우선 스퍼터에 의해, 절연층 표면에 도체 시드층을 형성한 후, 스퍼터에 의해 당해 도체 시드층 위에 도체 스퍼터층이 형성된다. 스퍼터에 의한 도체 시드층 형성 전에, 역(逆) 스퍼터에 의해 절연층 표면을 클리닝해도 좋다. 당해 역 스퍼터에 사용하는 가스로서는, 각종 가스를 사용할 수 있지만, 그 중에서도 Ar, O2, N2가 바람직하다. 시드층이 Cu 및 Cu 합금의 경우는 Ar 또는 O2 혹은 Ar, O2 혼합 가스, 시드층이 Ti의 경우는 Ar 또는 N2 혹은 Ar, N2 혼합 가스, 시드층이 Cr 및 Cr 합금(니크롬 등)의 경우는 Ar 또는 O2 혹은 Ar, O2 혼합 가스가 바람직하다. 스퍼터는, 마그네트론 스퍼터, 미러트론 스퍼터 등의 각종 스퍼터 장치를 사용하여 행할 수 있다. 도체 시드층을 형성하는 금속으로서는, Cr, Ni, Ti, 니크롬 등을 들 수 있다. 특히 Cr, Ti가 바람직하다. 도체 시드층의 두께는 통상, 바람직하게는 5nm 이상, 보다 바람직하게는 10nm 이상이고, 바람직하게는 1000nm 이하, 보다 바람직하게는 500nm 이하가 되도록 형성된다. 도체 스퍼터층을 형성하는 금속으로서는, Cu, Pt, Au, Pd 등을 들 수 있다. 특히 Cu가 바람직하다. 도체 스퍼터층의 두께는, 통상, 바람직하게는 50nm 이상, 보다 바람직하게는 100nm 이상이고, 바람직하게는 3000nm 이하, 보다 바람직하게는 1000nm 이하가 되도록 형성된다.When forming the conductor layer by sputtering, normally, first, the conductor seed layer is formed on the surface of the insulating layer by sputtering, and then the conductor sputter layer is formed on the conductor seed layer by sputtering. Before formation of the conductor seed layer by sputtering, the surface of the insulating layer may be cleaned by reverse sputtering. As the gas used for the reverse sputtering, various gases can be used, and among them, Ar, O 2 , and N 2 are preferable. If the seed layer is Cu and Cu alloy, it is Ar or O 2 or Ar, O 2 mixed gas, if the seed layer is Ti, it is Ar or N 2 or Ar, N 2 mixed gas, and the seed layer is Cr and Cr alloy (Nichrome). etc.), Ar or O 2 or Ar, O 2 mixed gas is preferable. Sputtering can be performed using various sputtering apparatuses, such as a magnetron sputtering and a mirrortron sputtering. Examples of the metal forming the conductor seed layer include Cr, Ni, Ti, and nichrome. In particular, Cr and Ti are preferable. The thickness of the conductor seed layer is usually preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, preferably 1000 nm or less, and more preferably 500 nm or less. Cu, Pt, Au, Pd, etc. are mentioned as a metal which forms a conductor sputtering layer. In particular, Cu is preferable. The thickness of the conductor sputtering layer is usually preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, preferably 3000 nm or less, and more preferably 1000 nm or less.

스퍼터에 의해 도체층을 형성한 후, 당해 도체층 위에, 추가로 전해 구리 도금에 의해 구리 도금층을 형성해도 좋다. 구리 도금층의 두께는, 통상, 바람직하게는 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 8㎛ 이상이고, 바람직하게는 75㎛ 이하, 보다 바람직하게는 35㎛ 이하가 되도록 형성된다. 회로 형성에는, 서브트랙티브법, 세미 어디티브법 등의 공지의 방법을 사용할 수 있다.After forming a conductor layer by sputtering, you may form a copper plating layer on the said conductor layer by electrolytic copper plating further. Usually, the thickness of a copper plating layer becomes like this. Preferably it is 5 micrometers or more, More preferably, it is 8 micrometers or more, Preferably it is 75 micrometers or less, More preferably, it is formed so that it may become 35 micrometers or less. Well-known methods, such as a subtractive method and a semi-additive method, can be used for circuit formation.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, 할로잉 현상이 억제된다는 특성을 나타낸다. 이하, 할로잉 현상에 대해, 도면을 참조하여 설명한다.The manufacturing method of the printed wiring board of this invention shows the characteristic that a hollowing phenomenon is suppressed. Hereinafter, a hollowing phenomenon is demonstrated with reference to drawings.

도 2는, 레이저로 비아 홀이 형성된 종래의 프린트 배선판의, 도체층이 형성되기 직전의 절연층(100)의, 금속층(210)(도 2에서는 도시하지 않음)과는 반대 측의 면(100U)을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 3은, 레이저로 비아 홀이 형성된 종래의 프린트 배선판의, 도체층이 형성되기 직전의 절연층(100)을, 내층 회로 기판(200)의 금속층(210)과 함께 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 3에서, 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 지나고 또한 절연층(100)의 두께 방향으로 평행한 평면으로, 절연층(100)을 절단한 단면을 나타낸다.Fig. 2 shows a surface 100U of a conventional printed wiring board in which a via hole is formed with a laser, opposite to the metal layer 210 (not shown in Fig. 2) of the insulating layer 100 immediately before the conductor layer is formed. ) is a schematic representation of 3 is a cross-sectional view schematically showing the insulating layer 100 just before the conductor layer is formed, together with the metal layer 210 of the inner circuit board 200 of a conventional printed wiring board in which via holes are formed with a laser. In FIG. 3 , a cross section of the insulating layer 100 is shown as a plane passing through the center 120C of the via bottom 120 of the via hole 110 and parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 .

도 2에 나타내는 바와 같이, 레이저로 비아 홀을 형성하면, 레이저의 열에 의한 수지의 열화에 기인하여 변색부(140)가 발생하는 경우가 있다. 이 변색부(140)는, 조화 처리시에 약제의 침식을 받아, 절연층(100)이 금속층(210)으로부터 박리되어, 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터 연속된 간극부(160)가 형성되는 경우가 있다(할로잉 현상).As shown in FIG. 2 , when a via hole is formed with a laser, the discoloration portion 140 may be generated due to deterioration of the resin due to the heat of the laser. The discoloration portion 140 is subjected to chemical erosion during the roughening treatment, the insulating layer 100 is peeled off from the metal layer 210 , and a gap portion 160 continuous from the edge 150 of the via bottom 120 . may be formed (a hollowing phenomenon).

본 발명에서는, 열을 발생시키기 어려운 플라즈마 처리로 비아 홀 또는 트렌치를 형성하고 있기 때문에, 수지의 열화를 억제할 수 있다. 따라서, 금속층(210)으로부터의 절연층(100)의 박리를 억제할 수 있고, 간극부(160)의 사이즈를 작게 할 수 있고, 이상적으로는 변색부(140) 및 간극부(160)를 없앨 수 있다.In the present invention, since the via hole or trench is formed by plasma treatment that hardly generates heat, deterioration of the resin can be suppressed. Accordingly, peeling of the insulating layer 100 from the metal layer 210 can be suppressed, the size of the gap portion 160 can be reduced, and ideally, the discoloration portion 140 and the gap portion 160 can be eliminated. can

변색부(140)의 사이즈는, 비아 홀(110)의 비아 톱(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)에 의해 평가할 수 있다.The size of the discoloration part 140 may be evaluated by the hollowing distance Wt of the via hole 110 from the edge 180 of the via top 130 .

비아 톱(130)의 엣지(180)는, 변색부(140)의 내주측의 가장자리부에 상당한다. 비아 톱(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)란, 비아 톱(130)의 엣지(180)로부터, 변색부(140)의 외주 측의 가장자리부(190)까지의 거리를 나타낸다. 비아 톱(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)가 작을수록, 변색부(140)의 형성을 효과적으로 억제할 수 있었다고 평가할 수 있다.The edge 180 of the via top 130 corresponds to the inner peripheral edge of the discoloration portion 140 . The hollowing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 is the distance from the edge 180 of the via top 130 to the edge 190 on the outer periphery of the discoloration part 140 . indicates. As the hollowing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 is smaller, it can be evaluated that the formation of the discoloration portion 140 can be effectively suppressed.

예를 들어, 동박 위에 형성된, 수지 시트를 100℃에서 30분간, 이어서 180℃에서 30분간 가열하여 경화시켜 얻은 절연층(100)에 플라즈마를 조사하여, 톱 지름(Lt)이 약 15㎛의 비아 홀(110)을 형성한다. 이렇게 하여 얻어진 절연층(100)의 비아 톱(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)를, 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이하로 할 수 있다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 0㎛ 이상, 0.01㎛ 이상 등으로 할 수 있다.For example, plasma is irradiated to the insulating layer 100 obtained by curing the resin sheet formed on the copper foil by heating at 100° C. for 30 minutes and then at 180° C. for 30 minutes to cure, and a via having a top diameter (Lt) of about 15 μm. A hole 110 is formed. The hollowing distance Wt of the insulating layer 100 obtained in this way from the edge 180 of the via top 130 is preferably 15 µm or less, more preferably 10 µm or less, still more preferably 5 µm or less. It can be done below. Although the lower limit is not particularly limited, it can be set to 0 µm or more, 0.01 µm or more, or the like.

비아 톱(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)는, 광학 현미경에 의한 관찰에 의해 측정할 수 있다.The hollowing distance Wt from the edge 180 of the via top 130 can be measured by observation with an optical microscope.

또한, 본 발명자의 검토에 의하면, 일반적으로, 비아 홀(110)의 지름이 클수록, 변색부(140)의 사이즈가 커지기 쉬운 경향이 있는 것이 판명되었다. 따라서, 비아 홀(110)의 지름에 대한 변색부(140)의 사이즈의 비율에 의해, 변색부(140)의 형성의 억제 정도를 평가할 수 있다. 예를 들어, 비아 홀(110)의 톱 반지름(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)에 의해 평가할 수 있다. 여기서, 비아 홀(110)의 톱 반지름(Lt/2)이란, 비아 홀(110)의 비아 톱(130)의 반지름을 말한다. 또한, 비아 홀(110)의 톱 반지름(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)란, 비아 톱(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)를, 비아 홀(110)의 톱 반지름(Lt/2)으로 나누어 얻어지는 비율이다. 비아 홀(110)의 톱 반지름(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)가 작을수록, 변색부(140)의 형성을 효과적으로 억제할 수 있던 것을 나타낸다.Further, according to the study of the present inventor, it has been found that, in general, the larger the diameter of the via hole 110 is, the larger the size of the discoloration portion 140 tends to be. Accordingly, the degree of suppression of formation of the discoloration portion 140 may be evaluated by the ratio of the size of the discoloration portion 140 to the diameter of the via hole 110 . For example, it can be evaluated by the hollowing ratio (Ht) to the top radius (Lt/2) of the via hole (110). Here, the top radius Lt/2 of the via hole 110 refers to the radius of the via top 130 of the via hole 110 . In addition, the hollowing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110 is the hollowing distance Wt from the edge 180 of the via top 130, It is a ratio obtained by dividing by the saw radius (Lt/2). The smaller the hollowing ratio Ht to the top radius Lt/2 of the via hole 110 is, the more effectively the formation of the discoloration portion 140 can be suppressed.

예를 들어, 동박 위에 형성된, 수지 시트를 100℃에서 30분간, 이어서 180℃에서 30분간 가열하고 경화시켜 얻은 절연층(100)에, 플라즈마 조사하여, 톱 지름(Lt)이 약 15㎛의 비아 홀(110)을 형성한다. 이렇게 하여 얻어진 절연층(100)에 형성된 비아 홀(110)의 톱 반지름(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)를, 바람직하게는 35% 이하, 보다 바람직하게는 25% 이하, 더욱 바람직하게는 10% 이하, 5% 이하로 할 수 있다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 0% 이상, 0.01% 이상 등으로 할 수 있다.For example, plasma is irradiated to the insulating layer 100 obtained by heating and curing a resin sheet formed on copper foil at 100° C. for 30 minutes, then 180° C. for 30 minutes, and a via having a top diameter (Lt) of about 15 μm. A hole 110 is formed. The hollowing ratio (Ht) to the top radius (Lt/2) of the via hole 110 formed in the insulating layer 100 obtained in this way is preferably 35% or less, more preferably 25% or less, still more preferably may be 10% or less and 5% or less. Although the lower limit is not particularly limited, it can be set to 0% or more, 0.01% or more, or the like.

비아 홀(110)의 톱 반지름(Lt/2)에 대한 할로잉비(Ht)는, 비아 홀(110)의 톱 지름(Lt), 및, 비아 홀(110)의 비아 톱(130)의 엣지(180)로부터의 할로잉 거리(Wt)로 계산할 수 있다.The hollowing ratio (Ht) to the top radius (Lt/2) of the via hole 110 is the top diameter (Lt) of the via hole 110 , and the edge ( 180) from the hollowing distance (Wt) can be calculated.

비아 보텀(120)의 엣지(150)는, 간극부(160)의 내주측의 가장자리부에 상당한다. 따라서, 비아 보텀(120)의 엣지(150)에서, 간극부(160)의 외주 측의 단부(즉, 비아 보텀(120)의 중심(120C)에서 먼 측의 단부)(170)까지의 거리(Wb)는, 간극부(160)의 면 내 방향의 사이즈에 상당한다. 여기서, 면 내 방향이란, 절연층(100)의 두께 방향에 수직인 방향을 말한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 상기 거리(Wb)를, 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)라고 하는 경우가 있다.The edge 150 of the via bottom 120 corresponds to the inner peripheral edge of the gap portion 160 . Accordingly, the distance ( Wb) corresponds to the size of the gap portion 160 in the in-plane direction. Here, the in-plane direction refers to a direction perpendicular to the thickness direction of the insulating layer 100 . In the following description, the distance Wb is sometimes referred to as a hollowing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 of the via hole 110 .

변색부(140)의 사이즈는, 이 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)에 의해, 할로잉 현상의 억제 정도를 평가할 수 있다. 구체적으로는, 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)가 작을수록, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있었다고 평가할 수 있다.The size of the discoloration portion 140 can be evaluated by the degree of suppression of the hollowing phenomenon by the hollowing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 . Specifically, it can be evaluated that the hollowing phenomenon can be effectively suppressed as the hollowing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 is smaller.

절연층(100)의 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)로서는, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 4.5㎛ 이하, 특히 바람직하게는 4㎛ 이하이다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 0㎛ 이상, 0.01㎛ 이상 등으로 할 수 있다. 할로잉 거리(Wb)는, FIB(집속 이온빔)를 사용하여, 절연층(100)을, 당해 절연층(100)의 두께 방향에 평행이고 또한 비아 보텀(120)의 중심(120C)을 지나는 단면이 나타나도록 깎아낸 후, 그 단면을 전자 현미경으로 관찰함으로써, 측정할 수 있다.The hollowing distance Wb of the via hole 110 of the insulating layer 100 from the edge 150 of the via bottom 120 is preferably 10 µm or less, more preferably 5 µm or less, still more preferably is 4.5 µm or less, particularly preferably 4 µm or less. Although the lower limit is not particularly limited, it can be set to 0 µm or more, 0.01 µm or more, or the like. The hollowing distance Wb is a cross section of the insulating layer 100 using a FIB (focused ion beam) that is parallel to the thickness direction of the insulating layer 100 and passes through the center 120C of the via bottom 120 . It can measure by observing the cross section with an electron microscope after cutting so that this may appear.

또한, 레이저를 사용하는 종래법에서는, 비아 홀의 지름이 클수록 간극부(160)의 사이즈가 커지기 쉬운 경향이 있는 것이 판명되어 있다. 따라서, 비아 홀(110)의 지름에 대한 간극부(160)의 사이즈 비율에 따라, 할로잉 현상의 억제 정도를 평가할 수 있다. 예를 들어, 비아 홀(110)의 보텀 반지름(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)에 의해, 평가할 수 있다. 여기서, 비아 홀(110)의 보텀 반지름(Lb/2)이란, 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 반지름을 말한다. 또한, 비아 홀(110)의 보텀 반지름(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)란, 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)를, 비아 홀(110)의 보텀 반지름(Lb/2)으로 나누어 얻어지는 비율이다. 비아 홀(110)의 보텀 반지름(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)가 작을수록, 할로잉 현상을 효과적으로 억제할 수 있던 것을 나타낸다.In addition, it has been found that, in the conventional method using a laser, the size of the gap portion 160 tends to increase as the diameter of the via hole increases. Accordingly, the degree of suppression of the hollowing phenomenon may be evaluated according to the ratio of the size of the gap portion 160 to the diameter of the via hole 110 . For example, it can be evaluated by the hollowing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 . Here, the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 refers to the radius of the via bottom 120 of the via hole 110 . In addition, the hollowing ratio (Hb) to the bottom radius (Lb/2) of the via hole 110 is the hollowing distance Wb from the edge 150 of the via bottom 120 , the It is a ratio obtained by dividing by the bottom radius (Lb/2). The smaller the hollowing ratio Hb to the bottom radius Lb/2 of the via hole 110 is, the more effectively the hollowing phenomenon can be suppressed.

할로잉비(Hb)를, 바람직하게는 35% 이하, 보다 바람직하게는 30% 이하, 더욱 바람직하게는 25% 이하로 할 수 있다. 비아 홀(110)의 보텀 반지름(Lb/2)에 대한 할로잉비(Hb)는, 비아 홀(110)의 보텀 지름(Lb), 및, 비아 홀(110)의 비아 보텀(120)의 엣지(150)로부터의 할로잉 거리(Wb)로 계산할 수 있다.The hollowing ratio (Hb) can be preferably set to 35% or less, more preferably 30% or less, still more preferably 25% or less. The hollowing ratio (Hb) to the bottom radius (Lb/2) of the via hole 110 is the bottom diameter (Lb) of the via hole 110 and the edge ( 150) from the hollowing distance (Wb).

프린트 배선판의 제조 과정에서, 비아 홀(110)은, 통상, 금속층(210)과는 반대 측의 절연층(100)의 면(100U)에 다른 도체층(도시하지 않음)이 마련되어 있지 않은 상태에서, 형성된다. 그 때문에, 프린트 배선판의 제조 과정을 알면, 금속층(210) 측에 비아 보텀(120)이 있고, 금속층(210)과는 반대 측에 비아 톱(130)이 개구되어 있는 구조를, 명확하게 인식할 수 있다. 그러나, 완성한 프린트 배선판에서는, 절연층(100)의 양 측에 도체층이 마련되어 있는 경우가 있을 수 있다. 이 경우, 도체층과의 위치 관계에 의해 비아 보텀(120)과 비아 톱(130)을 구별하는 것이 어려운 경우가 있을 수 있다. 그러나, 통상, 비아 톱(130)의 톱 지름(Lt)은, 비아 보텀(120)의 보텀 지름(Lb) 이상의 크기이다. 따라서, 상기의 경우, 지름이 크기에 따라, 비아 보텀(120)과 비아 톱(130)을 구별하는 것이 가능하다.In the manufacturing process of the printed wiring board, the via hole 110 is usually formed in a state in which another conductor layer (not shown) is not provided on the surface 100U of the insulating layer 100 opposite to the metal layer 210 . , is formed Therefore, if the manufacturing process of the printed wiring board is known, the structure in which the via bottom 120 is on the side of the metal layer 210 and the via top 130 is opened on the side opposite to the metal layer 210 can be clearly recognized. can However, in the completed printed wiring board, there may be cases in which conductor layers are provided on both sides of the insulating layer 100 . In this case, it may be difficult to distinguish the via bottom 120 from the via top 130 due to the positional relationship with the conductor layer. However, normally, the top diameter Lt of the via top 130 is larger than the bottom diameter Lb of the via bottom 120 . Accordingly, in the above case, it is possible to distinguish the via bottom 120 and the via top 130 according to the size of the diameter.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, 비아 홀의 바닥면 및 측벽의, 수지 성분이 파내어진 개소의 빈도를 적게할 수 있다. 이 때문에, 비아 홀 내에 균일한 두께의 도체층을 형성할 수 있다. SEM을 사용하여 절연층의 단면 관찰을 행하면, 절연층에 형성된 트렌치와 비아 홀의 벽면에 구리 층이 균일하고 또한 중단되는 일 없이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다.The manufacturing method of the printed wiring board of this invention can reduce the frequency of the location where the resin component was dug out of the bottom face and side wall of a via hole. For this reason, a conductor layer of uniform thickness can be formed in the via hole. When the cross-section of the insulating layer is observed using SEM, it can be confirmed that the copper layer is formed uniformly and without interruption on the wall surfaces of the trench and via hole formed in the insulating layer.

[반도체 장치][Semiconductor device]

본 발명의 반도체 장치는 프린트 배선판을 포함한다. 본 발명의 반도체 장치는 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어진 프린트 배선판을 사용하여 제조할 수 있다.The semiconductor device of the present invention includes a printed wiring board. The semiconductor device of this invention can be manufactured using the printed wiring board obtained by the manufacturing method of this invention.

반도체 장치로서는, 전기 제품(예를 들면, 컴퓨터, 휴대 전화, 디지털 카메라 및 텔레비전 등) 및 차량(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided for electric appliances (eg, computers, mobile phones, digital cameras, televisions, etc.) and vehicles (eg, motorcycles, automobiles, trams, ships, and aircraft). there is.

본 발명의 반도체 장치는, 프린트 배선판의 도통 개소에, 부품(반도체 칩)을 실장함으로써 제조할 수 있다. 「도통 개소」란, 「프린트 배선판에서의 전기 신호를 전달하는 개소」로서, 그 장소는 표면이라도, 매립된 개소라도 어느 곳이라도 상관 없다. 또한, 반도체 칩은 반도체를 재료로 하는 전기 회로 소자이면 특별히 한정되지 않는다.The semiconductor device of this invention can be manufactured by mounting a component (semiconductor chip) in the conduction|electrical_connection location of a printed wiring board. A "conduction location" is "a location through which an electrical signal is transmitted on a printed wiring board", and the location may be on the surface or at an embedded location. In addition, a semiconductor chip will not be specifically limited if it is an electric circuit element which uses a semiconductor as a material.

반도체 장치를 제조할 때의 반도체 칩의 실장 방법은, 반도체 칩이 유효하게 기능하기만 하면, 특별히 한정되지 않지만, 구체적으로는, 와이어 본딩 실장 방법, 플립 칩 실장 방법, 범플리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법, 이방성 도전 필름(ACF)에 의한 실장 방법, 비도전성 필름(NCF)에 의한 실장 방법 등을 들 수 있다. 여기서, 「범플리스 빌드업층(BBUL)에 의한 실장 방법」이란, 「반도체 칩을 프린트 배선판의 오목부에 직접 매립하여, 반도체 칩과 프린트 배선판 위의 배선을 접속시키는 실장 방법」이다.The semiconductor chip mounting method in manufacturing a semiconductor device is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively, and specifically, a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, and a bumpless build-up layer (BBUL) The mounting method by , the mounting method by the anisotropic conductive film (ACF), the mounting method by the non-conductive film (NCF), etc. are mentioned. Here, the "mounting method using a bumpless build-up layer (BBUL)" is "a mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a recess of a printed wiring board to connect the semiconductor chip and wiring on the printed wiring board".

[실시예][Example]

이하, 본 발명에 대해, 실시예를 나타내어 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다. 이하의 설명에서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는 별도 명시가 없는 한 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 이하에 설명하는 조작은 별도 명시가 없는 한 상온 상압의 환경에서 행하였다.EXAMPLES Hereinafter, an Example is shown and this invention is demonstrated concretely. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, "parts" and "%" indicating quantities mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified. In addition, the operation demonstrated below was performed in the environment of normal temperature and normal pressure, unless otherwise indicated.

<사용한 무기 충전재><Used inorganic filler>

무기 충전재 1: 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC2500SQ」, 평균 입자 지름 0.63㎛, 비표면적 11.2㎡/g) 100부에 대해, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠 카가쿠 코교사 제조, KBM573) 1부로 표면 처리한 것.Inorganic filler 1: N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical) with respect to 100 parts of spherical silica ("SC2500SQ" manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter 0.63 µm, specific surface area 11.2 m 2 /g) Manufactured by Kogyo, KBM573) surface treated with 1 copy.

무기 충전재 2: 구상 실리카(아도마텍스사 제조 「SC1500SQ」, 평균 입자 지름 0.3㎛, 비표면적 11㎡/g) 100부에 대해, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠 카가쿠 코교사 제조, KBM573) 2부로 표면 처리한 것.Inorganic filler 2: N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical) with respect to 100 parts of spherical silica ("SC1500SQ" manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter 0.3 µm, specific surface area 11 m 2 /g) Kogyo Co., Ltd., KBM573) surface treated with 2 parts.

무기 충전재 3: 구형 실리카(아도마텍스사 제조 「SC4500SQ」, 평균 입자 지름 1.0㎛, 비표면적 4.5㎡/g) 100부에 대해, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란(신에츠 카가쿠 코교사 제조, KBM573) 1부로 표면 처리한 것.Inorganic filler 3: N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (Shin-Etsu Chemical) with respect to 100 parts of spherical silica (“SC4500SQ” manufactured by Adomatex Co., Ltd., average particle diameter of 1.0 μm, specific surface area of 4.5 m 2 /g) Manufactured by Kogyo, KBM573) surface treated with 1 copy.

<수지 조성물 1의 조제><Preparation of resin composition 1>

비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX4000HK」, 에폭시 당량 약 185) 6부, 나프탈렌형 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ESN475V」, 에폭시 당량 약 332) 5부, 비스페놀 AF형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YL7760」, 에폭시 당량 약 238) 15부, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지(DIC사 제조 「HP6000L」, 에폭시 당량 약 213) 2부, 사이클로헥산형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「ZX1658GS」, 에폭시 당량 약 135) 2부, 페녹시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX7553BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액, Mw=35000) 2부를, 솔벤트 나프타 20부 및 사이클로헥사논 10부의 혼합 용제에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온으로까지 냉각한 후, 거기에, 트리아진 골격 함유 크레졸 노볼락계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 수산기 당량 약 151, 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 4부, 활성 에스테르계 수지(DIC사 제조 「EXB-8000L-65TM」, 활성기 당량 약 220, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액) 6부, 무기 충전재 1을 85부, 아민계 경화 촉진제(4-디메틸아미노피리딘(DMAP)) 0.05부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산한 후에, 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP020」)로 여과하여, 수지 조성물 1을 조제하였다.6 parts of bixylenol-type epoxy resin ("YX4000HK" manufactured by Mitsubishi Chemical, about 185 epoxy equivalent), 5 parts of naphthalene-type epoxy resin ("ESN475V" manufactured by Shin-Nippon Sumikin Chemical, about 332 epoxy equivalent), bisphenol AF-type epoxy 15 parts of resin ("YL7760" manufactured by Mitsubishi Chemical, about 238 epoxy equivalent), 2 parts of naphthylene ether type epoxy resin ("HP6000L" manufactured by DIC, about 213 epoxy equivalent), cyclohexane type epoxy resin (made by Mitsubishi Chemical) "ZX1658GS", epoxy equivalent about 135) 2 parts, phenoxy resin ("YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., cyclohexanone of 30 mass% solid content: 1:1 solution of methyl ethyl ketone (MEK), Mw = 35000) 2 Part was heated and dissolved in a mixed solvent of 20 parts of solvent naphtha and 10 parts of cyclohexanone while stirring. After cooling to room temperature, thereto, 4 parts of a triazine skeleton-containing cresol novolac curing agent ("LA-3018-50P" manufactured by DIC, about 151 hydroxyl equivalent, a 50% solid content 2-methoxypropanol solution); 6 parts of active ester resin ("EXB-8000L-65TM" manufactured by DIC, about 220 active group equivalents, a 1:1 solution of toluene:methyl ethyl ketone (MEK) containing 65 mass% of nonvolatile components), inorganic filler 1 85 Part, 0.05 parts of an amine-based curing accelerator (4-dimethylaminopyridine (DMAP)) are mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotary mixer, followed by filtration with a cartridge filter (“SHP020” manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin composition 1 did.

<수지 조성물 2의 조제><Preparation of resin composition 2>

수지 조성물 1의 조제에 있어서,In the preparation of the resin composition 1,

활성 에스테르계 수지(DIC사 제조 「EXB-8000L-65TM」, 활성기 당량 약 220, 불휘발 성분 65질량%의 톨루엔:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액) 6부, 활성 에스테르계 수지(DIC사 제조 「EXB-8200L-65T」, 활성기 당량 약 233, 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 6부로 변경하고,6 parts of active ester-based resin (“EXB-8000L-65TM” manufactured by DIC, about 220 active group equivalents, a 1:1 solution of toluene:methylethylketone (MEK) containing 65% by mass of nonvolatile components), active ester-based resin ( "EXB-8200L-65T" manufactured by DIC, about 233 active group equivalents, toluene solution with a solid content of 65% by mass) was changed to 6 parts,

무기 충전재 1 85부를 무기 충전재 2 82부로 변경하였다.85 parts of inorganic filler 1 was changed to 82 parts of inorganic filler 2.

이상의 사항 이외에는 수지 조성물 1의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 2를 조제하였다.Except for the above, it carried out similarly to preparation of the resin composition 1, and prepared the resin composition 2.

<수지 조성물 3의 조제><Preparation of resin composition 3>

수지 조성물 1의 조제에 있어서,In the preparation of the resin composition 1,

페녹시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX7553BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액, Mw=35000) 2부를, 페녹시 수지(미츠비시 카가쿠사 제조 「YL7500BH30」, 고형분 30질량%의 사이클로헥사논:메틸에틸케톤(MEK)의 1:1 용액, Mw=44000) 2부로 변경하고,2 parts of phenoxy resin ("YX7553BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 1:1 solution of cyclohexanone:methylethyl ketone (MEK) having a solid content of 30% by mass, Mw = 35000), 2 parts of phenoxy resin ("YL7500BH30" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) ", a 1:1 solution of cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK) with a solid content of 30% by mass, Mw = 44000) is changed to 2 parts,

무기 충전재 1 85부를, 무기 충전재 3 110부로 변경하였다.85 parts of inorganic filler 1 was changed to 110 parts of inorganic filler 3.

이상의 사항 이외에는 수지 조성물 1의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 3을 조제하였다.Except for the above, it carried out similarly to preparation of the resin composition 1, and prepared the resin composition 3.

<수지 조성물 4의 조제><Preparation of resin composition 4>

수지 조성물 1의 조제에 있어서, 무기 충전재 1의 양을 85부에서 48부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 수지 조성물 1의 조제와 동일하게 하여 수지 조성물 4를 조제하였다.Preparation of the resin composition 1 WHEREIN: The quantity of the inorganic filler 1 was changed from 85 parts to 48 parts. Except for the above, it carried out similarly to preparation of the resin composition 1, and prepared the resin composition 4.

수지 조성물 1 내지 4의 조제에 사용한 성분과 그 배합량(불휘발분의 질량부)을 하기 표에 나타냈다. 또한, 경화제 및 활성 에스테르계 수지의 함유량은, 수지 조성물 중의 수지 성분을 100질량%로 한 경우의 함유량을 나타내고, (a) 성분의 함유량은, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량% 또는 100체적%로 한 경우의 함유량을 나타낸다.The component and the compounding quantity (mass part of a non-volatile matter) used for preparation of the resin compositions 1-4 were shown in the following table|surface. In addition, content of a hardening|curing agent and active ester type resin shows content at the time of making the resin component in a resin composition 100 mass %, and content of (a) component is 100 mass % or 100 volume of non-volatile components in a resin composition. The content in the case of % is shown.

Figure pat00001
Figure pat00001

<수지 시트 A, B의 제작><Production of resin sheets A and B>

지지체로서, 알키드 수지계 이형제(린텍사 제조 「AL-5」)로 이형 처리한 PET 필름(토레사 제조 「루미라 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃, 「이형 PET」)을 준비하였다. 각 수지 조성물을 지지체의 이형제 위에, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 35㎛가 되도록, 다이 코터로 균일하게 도포하고, 70℃에서 95℃로 2분간 건조함으로써, 이형 PET 위에 수지 조성물층을 얻었다. 이어서, 수지 시트의 지지체와 접합하고 있지 않은 면에, 보호 필름으로서 폴리프로필렌 필름(오우지 에프텍스사 제조 「알팬 MA-411」, 두께 15㎛)의 조면(粗面)을, 수지 조성물층과 접합하도록 적층하였다. 이로써, 이형 PET(지지체), 수지 조성물층, 및 보호 필름의 순으로 이루어진 수지 시트 A를 얻었다.As the support, a PET film (“Lumira R80” manufactured by Toray Corporation, 38 μm thick, 130° C. softening point, “Releasable PET”) was prepared with an alkyd resin mold release agent (“AL-5” manufactured by Lintec). Each resin composition was uniformly applied with a die coater on the mold release agent of the support so that the thickness of the resin composition layer after drying was 35 µm, and dried at 70 ° C. to 95 ° C. for 2 minutes to obtain a resin composition layer on mold release PET. Next, a rough surface of a polypropylene film ("Alpan MA-411" manufactured by Ouji Ftex, 15 µm in thickness) as a protective film was applied to the surface of the resin sheet that is not bonded to the support, and the resin composition layer and laminated to bond. Thereby, the resin sheet A which consists of mold release PET (support body), a resin composition layer, and a protective film in order was obtained.

또한, 건조 후의 수지 조성물층의 두께가 15㎛가 되도록, 다이 코터로 균일하게 각 수지 조성물을 도포한 것 이외에는 수지 시트 A와 동일하게 하여 수지 시트 B를 얻었다.Moreover, it carried out similarly to the resin sheet A, and the resin sheet B was obtained except having apply|coated each resin composition uniformly with the die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying might be set to 15 micrometers.

<수지 조성물층 등의 두께의 측정><Measurement of thickness of resin composition layer etc.>

수지 조성물층의 두께는, 접촉식 막후계(미츠토요사 제조, MCD-25MJ)를 사용하여 측정하였다.The thickness of the resin composition layer was measured using a contact-type film thickness meter (manufactured by Mitsutoyo, MCD-25MJ).

- 평가 기판 A, B의 제작 -- Preparation of evaluation boards A and B -

(1) 동장 적층판의 준비(1) Preparation of copper clad laminate

동장 적층판으로서, 양면에 동박층을 적층한 유리포 기재 에폭시 양면 동장 적층판(동박의 두께 3㎛, 기판 두께 0.15mm, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조 「HL832NSF LCA」, 255×340mm 사이즈)을 준비하고, 130℃의 오븐에 투입 후 30분간 건조하였다.As a copper clad laminate, a glass cloth-based epoxy double-sided copper clad laminate (copper foil thickness 3 μm, substrate thickness 0.15 mm, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. “HL832NSF LCA”, 255 × 340 mm size) in which copper foil layers are laminated on both sides was prepared, 130 It was put in an oven at ℃ and dried for 30 minutes.

(2) 수지 시트의 라미네이트(2) Lamination of resin sheets

제작한 각 수지 시트 A로부터 보호 필름을 벗겨, 배치식 진공 가압 라미네이터(닛코 머테리얼즈사 제조, 2 스테이지 빌드업 라미네이터, CVP700)를 사용하여, 수지 조성물층이 동장 적층판과 접하도록, 동장 적층판의 양면에 라미네이트하였다. 라미네이트는, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 130℃, 압력 0.74MPa에서 45초간 압착시킴으로써 실시하였다. 이어서, 120℃, 압력 0.5MPa에서 75초간 열 프레스를 행하였다.Peel off the protective film from each produced resin sheet A, and use a batch vacuum pressurization laminator (manufactured by Nikko Materials, two-stage build-up laminator, CVP700) so that the resin composition layer is in contact with the copper clad laminate on both sides of the copper clad laminate laminated to Lamination was performed by pressure-reducing for 30 second, making atmospheric pressure 13 hPa or less, and crimping|bonding at 130 degreeC and pressure 0.74 MPa for 45 second. Subsequently, hot pressing was performed at 120°C and a pressure of 0.5 MPa for 75 seconds.

(3) 수지 조성물층의 열경화(3) thermosetting of the resin composition layer

수지 시트 A가 라미네이트된 동장 적층판을, 100℃의 오븐에 투입 후 30분간, 이어서 180℃의 오븐으로 옮긴 후 30분간, 열경화하여 절연층을 형성하고, 지지체를 박리하였다. 이로써 35㎛의 절연층이 형성된 동장 적층판 A를 얻었다.The copper clad laminate on which the resin sheet A was laminated was put into an oven at 100° C. for 30 minutes, then transferred to an oven at 180° C. for 30 minutes, thermosetted to form an insulating layer, and the support was peeled off. Thereby, the copper clad laminated board A with a 35 micrometers insulating layer was obtained.

또한, 수지 시트 B를 사용하는 것 이외에는 동장 적층판 A의 제작과 동일하게 하여, 15㎛의 절연층이 형성된 동장 적층판 B를 얻었다.Moreover, except using the resin sheet B, it carried out similarly to preparation of the copper clad laminated board A, and obtained the copper clad laminated board B with a 15 micrometers insulating layer.

(4) 드라이 필름의 패턴 형성(4) Pattern formation of dry film

상기 절연층이 형성된 동장 적층판 A의 절연층 표면에 두께 20㎛의 드라이 필름(닛코 머테리얼즈사 제조, 「ALPHO 20A263」)을 첩합하였다. 드라이 필름의 적층은, 배치식 진공 가압 라미네이터(메이키 세이사쿠쇼사 제조 「MVLP-500」)를 사용하여, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 압력 0.1MPa, 온도 70℃에서, 20초간 가압하여 행하였다. 그 후, 트렌치 패턴을 갖는 유리 마스크를 드라이 필름의 보호층인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 위에 놓고, UV 램프에 의해 조사 강도 150mJ/㎠로 UV 조사를 행하였다. UV 조사 후, 30℃의 1% 탄산나트륨 수용액을 사용하여 분사압 0.15MPa로 30초간 스프레이 처리하였다. 그 후, 수세를 행하여, 배선 폭이 20㎛의 트렌치 패턴이 형성되도록 패터닝을 행하고, 이로써, 트렌치 가공 기판을 얻었다.A dry film (“ALPHO 20A263” manufactured by Nikko Materials Co., Ltd.) having a thickness of 20 μm was bonded to the surface of the insulating layer of the copper clad laminate A with the insulating layer formed thereon. Lamination of the dry film was carried out using a batch-type vacuum pressurization laminator (“MVLP-500” manufactured by Meiki Seisakusho Co., Ltd.) for 30 seconds to reduce the pressure to 13 hPa or less, then at a pressure of 0.1 MPa and a temperature of 70° C., 20 It was carried out by pressing for a second. Then, the glass mask which has a trench pattern was put on the polyethylene terephthalate film which is a protective layer of a dry film, and UV irradiation was performed with the irradiation intensity|strength of 150 mJ/cm<2> with a UV lamp. After UV irradiation, spray treatment was performed for 30 seconds at a spray pressure of 0.15 MPa using a 1% sodium carbonate aqueous solution at 30°C. Then, it washed with water and patterned so that a trench pattern with a wiring width of 20 micrometers might be formed, and, thereby, the trench process board|substrate was obtained.

또한, 비아 패턴을 갖는 유리 마스크를 사용하여, 동장 적층판 B 위에 동장 적층판 A와 동일하게 하여 톱 지름이 15㎛의 비아 홀이 형성되도록 패터닝을 행하여, 비아 가공 기판을 얻었다.Further, using a glass mask having a via pattern, patterning was performed on the copper clad laminate B in the same manner as in the copper clad laminate A to form a via hole having a top diameter of 15 µm to obtain a via processing substrate.

(5) 플라즈마 가공(5) Plasma processing

실시예 1 내지 3, 비교예 1은, 플라즈마 드라이 에칭 장치(옥스포드 인스트루먼트사 제조 PlasmaPro100)를 사용하여, Ar/SF6/O2를 혼합비 10:40:8(sccm)로, 진공도: 50mTorr, RF 전력: 120W, ICP 전력: 0W의 조건에서, 5분간 처리를 행하여, 트렌치 가공 기판 위의 절연층에, 폭 약 25㎛의 트렌치, 비아 가공 기판 위의 절연층에, 톱계(직경)가 약 15㎛의 비아 홀을 형성하고, 그 후 드라이 필름을 박리하여, 트렌치 평가 기판을 얻었다.Examples 1 to 3, Comparative Example 1, using a plasma dry etching apparatus (PlasmaPro100 manufactured by Oxford Instruments Co., Ltd.), Ar/SF 6 /O 2 Mixing ratio 10:40:8 (sccm), vacuum degree: 50mTorr, RF Power: 120 W, ICP power: 0 W, processing is performed for 5 minutes, and the top (diameter) is about 15 in the insulating layer on the trench processing substrate, in the trench with a width of about 25 μm, and in the insulating layer on the via processing substrate. After forming a micrometer via hole, the dry film was peeled off after that, and the trench evaluation board|substrate was obtained.

또한, 트렌치 평가 기판의 제작과 동일한 방법으로, 비아 가공 기판의 절연층에 톱계(직경)가 약 15㎛의 비아 홀을 형성하고, 그 후 드라이 필름을 박리하여 비아 평가 기판을 얻었다.Further, in the same manner as in the preparation of the trench evaluation substrate, a via hole having a top profile (diameter) of about 15 μm was formed in the insulating layer of the via processing substrate, and then the dry film was peeled off to obtain a via evaluation substrate.

(6) 샌드 블라스트 가공(6) Sandblasting

비교예 2는, 지립(砥粒)으로서 탄화규소(평균 입자 지름 0.6㎛, 수정 모스 경도 13, 시나노 덴키 세이렌사 제조 「SER-A06」)를 사용하여 가공 압력 0.2MPa에서 트렌치 가공 기판 위의 절연층의 샌드 블라스트 처리를 행함으로써 트렌치를 형성하고, 그 후 드라이 필름을 박리하여 샌드 블라스트 트렌치 평가 기판을 제작하였다.Comparative Example 2 uses silicon carbide (average particle size of 0.6 µm, quartz Mohs hardness 13, "SER-A06" manufactured by Shinano Denki Seiren Co., Ltd.) as an abrasive grain, and is insulating on a trench processed substrate at a processing pressure of 0.2 MPa. A trench was formed by performing the sandblasting process of the layer, after that, the dry film was peeled and the sandblast trench evaluation board|substrate was produced.

또한, 샌드 블라스트 트렌치 평가 기판의 제작과 동일한 방법으로, 비아 가공 기판의 절연층에 톱계(직경)가 약 15㎛의 비아 홀을 형성하고, 그 후 드라이 필름을 박리하여 샌드 블라스트 비아 평가 기판을 얻었다.Further, in the same manner as in the production of the sand blast trench evaluation substrate, a via hole having a top system (diameter) of about 15 μm was formed in the insulating layer of the via processing substrate, and then the dry film was peeled off to obtain a sand blast via evaluation substrate. .

(7) UV-YAG 레이저 비아 가공(7) UV-YAG laser via processing

비교예 3은, UV-YAG 레이저 가공기(비아메카닉스 가부시키가이샤 제조 「LU-2L212/M50L」)를 사용하여, 동장 적층판 B의 절연층에 레이저 광을 조사하여, 톱 지름(직경)이 약 15㎛의 복수개의 비아 홀을 형성하였다. 레이저 광의 조사 조건은, 파워 0.08W, 쇼트수 25였다. 이 기판을 레이저 평가 기판으로 한다.Comparative Example 3 uses a UV-YAG laser processing machine (“LU-2L212/M50L” manufactured by Via Mechanics Co., Ltd.) to irradiate the insulating layer of the copper clad laminate B with laser light, and the top diameter (diameter) is about A plurality of via holes of 15 μm were formed. The laser beam irradiation conditions were a power of 0.08 W and a number of shots of 25. Let this board|substrate be a laser evaluation board|substrate.

<트렌치 벽면, 비아 벽면의 관찰><Observation of trench wall and via wall>

트렌치 평가 기판, 비아 평가 기판, 샌드 블라스트 트렌치 평가 기판, 및 샌드 블라스트 비아 평가 기판을 150℃에서 30분간 가열한 후, 스퍼터링 장치(캐논 아넬바사 제조 「E-400S」)를 사용하여, 절연층 위에 구리 층(두께 200nm)을 형성하였다. 그 후 FIB-SEM 복합 장치(SII 나노 테크놀로지사 제조 「SMI3050SE」)를 사용하여, 단면 관찰을 행하고 이하의 기준으로 평가하였다.After heating the trench evaluation substrate, the via evaluation substrate, the sand blast trench evaluation substrate, and the sand blast via evaluation substrate at 150° C. for 30 minutes, a sputtering device (“E-400S” manufactured by Canon Anelva Co., Ltd.) was used to form the insulating layer on the insulating layer. A copper layer (thickness 200 nm) was formed. Then, cross-sectional observation was performed using the FIB-SEM composite apparatus ("SMI3050SE" by SII nanotechnology company), and the following reference|standard evaluated.

○: 절연층에 형성된 트렌치의 벽면 또는 비아 홀의 벽면에 구리 층이 균일하고 또한 중단되는 경우 없이 형성되어 있다.○: A copper layer is formed uniformly and without interruption on the wall surface of the trench or the wall surface of the via hole formed in the insulating layer.

×: 요철에 의해 구리 층이 균일하게 형성되어 있지 않다.x: The copper layer is not formed uniformly by unevenness.

<비아 홀의 치수, 할로잉 거리의 측정><Measurement of via hole dimensions and hollowing distance>

비아 평가 기판, 샌드 블라스트 비아 평가 기판, 및 레이저 평가 기판을, 광학 현미경(하이록스사 제조 「KH8700」)으로 관찰하였다. 상세하게는, 비아 홀의 주변의 절연층을, 광학 현미경(CCD)을 사용하여, 비아 평가 기판의 상부에서 관찰하였다. 비아 홀의 치수 관찰은, 비아 톱에 광학 현미경의 초점을 맞춰서 행하였다. 관찰된 화상에서, 비아 홀의 톱 지름(Lt)을 측정하였다. 비아 홀의 주위에, 당해 비아 홀의 비아 톱의 엣지로부터 연속하여, 절연층이 흰색으로 변색된 도너츠상의 할로잉부가 보이는지 관찰을 행하였다. 관찰된 상에서, 비아 홀의 비아 톱의 반지름(할로잉부의 내주 반지름에 상당)(r1)과, 할로잉부의 외주 반지름(r2)을 측정하고, 이들 반지름(r1)과 반지름(r2)의 차(r2-r1)를, 그 측정 지점의 비아 톱의 엣지로부터의 할로잉 거리로 하여 산출하였다.The via evaluation board|substrate, the sand blast via evaluation board|substrate, and the laser evaluation board|substrate were observed with the optical microscope ("KH8700" by Hyrox Corporation). In detail, the insulating layer around the via hole was observed from the top of the via evaluation substrate using an optical microscope (CCD). Observation of the dimensions of the via hole was performed by focusing the optical microscope on the via top. In the observed image, the top diameter (Lt) of the via hole was measured. In the periphery of the via hole, continuous from the edge of the via top of the via hole, it was observed whether a donut-shaped hollow part in which the insulating layer was discolored white was seen. From the observed image, the radius of the via top of the via hole (corresponding to the inner circumferential radius of the hollowing part) (r1) and the outer circumferential radius (r2) of the hollowing part are measured, and the difference (r2) between these radii (r1) and the radius (r2) -r1) was calculated as the hollowing distance from the edge of the via top of the measurement point.

상기의 측정을, 무작위로 고른 5개소의 비아 홀에서 행하였다. 그리고, 측정된 5개소의 비아 홀의 톱 지름의 측정값의 평균을, 그 샘플의 비아 홀의 톱 지름(Lt1)으로서 채용하였다. 또한, 5개소의 비아 홀의 할로잉 거리의 측정값의 평균을, 그 샘플의 비아 톱의 엣지로부터의 할로잉 거리(Wt)로서 채용하였다.The above measurement was carried out at randomly selected 5 via holes. Then, the average of the measured values of the measured top diameters of the via holes at five locations was employed as the top diameter (Lt1) of the via holes of the sample. In addition, the average of the measured values of the hollowing distances of five via holes was employ|adopted as a hollowing distance (Wt) from the edge of the via top of the sample.

할로잉비(Ht)란, 비아 톱의 엣지로부터의 할로잉 거리(Wt)와, 조화 처리 전의 비아 홀의 비아 톱의 반지름(Lt1/2)의 비 「Wt/(Lt1/2)」를 나타낸다. 이 할로잉비(Ht)가 35% 이하이면 할로잉 평가를 「○」로 판정하고, 할로잉비(Ht)가 35%보다 크면 할로잉 평가를 「×」로 판정하였다.The hollowing ratio (Ht) represents the ratio "Wt/(Lt1/2)" of the hollowing distance Wt from the edge of the via top to the radius (Lt1/2) of the via top of the via hole before the roughening process. When this hollowing ratio (Ht) was 35 % or less, hollowing evaluation was determined as "○", and when hollowing ratio (Ht) was larger than 35%, hollowing evaluation was determined as "x".

Figure pat00002
Figure pat00002

* 할로잉 거리 란의 「-」는 할로잉이 관측되지 않은 것을 의미한다.* A “-” in the hollowing distance field means that no hollowing is observed.

100 절연층
100U 도체층과는 반대 측의 절연층의 면
110 비아 홀
120 비아 보텀
120C 비아 보텀의 중심
130 비아 톱
140 변색부
150 비아 홀의 비아 보텀의 엣지
160 간극부
170 간극부의 외주 측의 단부
180 비아 톱의 엣지
190 변색부의 외주 측의 가장자리부
200 내층 기판
210 금속층
1010 무기 충전재
1020 수지 성분의 경화물
1030 수지 성분의 경화물이 파내어진 개소
Lb 비아 홀의 보텀 지름
Lt 비아 홀의 톱 지름
Wb 비아 보텀의 엣지로부터의 할로잉 거리
Wt 비아 톱의 엣지로부터의 할로잉 거리
100 insulating layer
The side of the insulating layer opposite to the 100U conductor layer
110 via hole
120 via bottom
Center of 120C via bottom
130 via top
140 discoloration area
Edge of via bottom of 150 via hole
160 gap
170 End of the gap part on the outer periphery side
Edge of 180 via top
190 Edge of discoloration part
200 inner layer substrate
210 metal layer
1010 Inorganic Filling
Cured product of 1020 resin component
1030 The place where the cured product of the resin component was dug out
Bottom diameter of Lb via hole
Top diameter of Lt via hole
Wb Hollowing distance from the edge of the via bottom
Wt Hollowing distance from the edge of the via top

Claims (9)

(A) 내층 회로 기판 위에, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층을 형성하는 공정, 및
(B) 절연층의 표면에 플라즈마 처리를 행하여, 비아 홀 또는 트렌치를 형성하는 공정을 포함하고,
수지 조성물이 무기 충전재를 포함하고, 무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상이며,
플라즈마 처리에 사용하는 가스가 SF6를 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
(A) a step of forming an insulating layer containing a cured product of a resin composition on an inner-layer circuit board; and
(B) performing plasma treatment on the surface of the insulating layer to form a via hole or trench;
When a resin composition contains an inorganic filler and content of an inorganic filler makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, it is 60 mass % or more,
The manufacturing method of the printed wiring board in which the gas used for plasma processing contains SF6 .
(A) 내층 회로 기판 위에, 수지 조성물의 경화물을 포함하는 절연층을 형성하는 공정, 및
(B) 절연층의 표면에 플라즈마 처리를 행하여, 비아 홀 또는 트렌치를 형성하는 공정을 포함하고,
수지 조성물이 무기 충전재를 포함하고, 무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 한 경우, 38체적% 이상이며,
플라즈마 처리에 사용하는 가스가 SF6를 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
(A) a step of forming an insulating layer containing a cured product of a resin composition on an inner-layer circuit board; and
(B) performing plasma treatment on the surface of the insulating layer to form a via hole or trench;
When a resin composition contains an inorganic filler and content of an inorganic filler makes the nonvolatile component in a resin composition 100 volume%, it is 38 volume% or more,
The manufacturing method of the printed wiring board in which the gas used for plasma processing contains SF6 .
제1항 또는 제2항에 있어서, (D) 도체층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 1 or 2 which further includes the process of (D) forming a conductor layer. 제3항에 있어서, 공정 (D)가 스퍼터에 의해 도체층을 형성하는, 프린트 배선판의 제조 방법.The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 3 in which a process (D) forms a conductor layer by sputtering. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플라즈마 처리에 사용하는 가스가, SF6와, Ar 및 O2에서 선택되는 1종 이상의 가스를 포함하는 혼합 가스를 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1 or 2, wherein the gas used for plasma processing contains a mixed gas containing SF 6 and at least one gas selected from Ar and O 2 . 제1항 또는 제2항에 있어서, 수지 조성물이 경화성 수지를 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 1 or 2 in which a resin composition contains curable resin. 프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물로서,
무기 충전재를 포함하고,
무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100질량%로 한 경우, 60질량% 이상인, 프린트 배선판의 절연층에 플라즈마 처리에 의한 비아 홀 또는 트렌치를 형성하기 위한, 수지 조성물.
A resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board, comprising:
containing inorganic fillers;
When content of an inorganic filler makes the non-volatile component in a resin composition 100 mass %, the resin composition for forming the via hole or trench by a plasma processing in the insulating layer of a printed wiring board which is 60 mass % or more.
프린트 배선판의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물로서,
무기 충전재를 포함하고,
무기 충전재의 함유량이, 수지 조성물 중의 불휘발 성분을 100체적%로 한 경우, 38체적% 이상인, 프린트 배선판의 절연층에 플라즈마 처리에 의한 비아 홀 또는 트렌치를 형성하기 위한, 수지 조성물.
A resin composition for forming an insulating layer of a printed wiring board, comprising:
containing inorganic fillers;
The resin composition for forming the via hole or trench by plasma processing in the insulating layer of a printed wiring board whose content of an inorganic filler makes the nonvolatile component in a resin composition 100 volume%, 38 volume% or more.
제7항 또는 제8항에 있어서, 경화성 수지를 추가로 포함하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 7 or 8, further comprising a curable resin.
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