KR20220020597A - Metal mesh structure, antenna device and touch sensor including the same - Google Patents

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KR20220020597A
KR20220020597A KR1020200101097A KR20200101097A KR20220020597A KR 20220020597 A KR20220020597 A KR 20220020597A KR 1020200101097 A KR1020200101097 A KR 1020200101097A KR 20200101097 A KR20200101097 A KR 20200101097A KR 20220020597 A KR20220020597 A KR 20220020597A
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이원희
류한섭
박동필
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

A metal mesh structure according to one embodiment may comprise: first unit cells defined by a plurality of first conductive lines; and second unit cells defined by a plurality of second conductive lines having a line width wider than that of the first conductive line. Therefore, the present invention is capable of securing excellent visibility and transmittance.

Description

금속 메쉬 구조체와, 이를 포함하는 안테나 소자 및 터치 센서{Metal mesh structure, antenna device and touch sensor including the same}Metal mesh structure, and an antenna element and a touch sensor including the same {Metal mesh structure, antenna device and touch sensor including the same}

금속 메쉬 구조체와, 이를 포함하는 안테나 소자 및 터치 센서와 관련된다.It relates to a metal mesh structure, an antenna element including the same, and a touch sensor.

금속 메쉬(metal mesh)는 금속을 이용하여 미세한 그물망 형상을 형성한 것으로, 투명전극 소재로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide, 인듐주석산화물)를 대체할 수 있는 재료로 각광받고 있다.A metal mesh is a fine mesh formed by using metal, and is spotlighted as a material that can replace Indium Tin Oxide (ITO) used as a transparent electrode material.

금속 메쉬는 희토류를 사용하지 않으므로 ITO에 비해 가격 면에서 유리하고, 표면 저항값이 낮아 응답 속도가 빠르며, 금속을 소재로 하기 때문에 구부릴 수 있어 유연성 장치에 사용하기에도 적합하다.Since the metal mesh does not use rare earth, it is advantageous in terms of price compared to ITO, and has a fast response speed due to a low surface resistance value.

그러나, 금속 메쉬는 불투명한 그물망 형상으로 인하여 시인성이 저하되고 ITO에 비해 어두운 단점이 있다. 이를 극복하기 위해서는 금속 메쉬를 형성하는 패턴의 면적을 최소한으로 줄이는 것이 관건이지만, 패턴의 면적을 줄이는 경우 저항의 증가로 이어져 반응 속도가 저하된다.However, the metal mesh has disadvantages in that visibility is lowered due to the opaque mesh shape and is dark compared to ITO. In order to overcome this, it is key to reduce the area of the pattern forming the metal mesh to a minimum, but when the area of the pattern is reduced, resistance increases and the reaction rate decreases.

즉, 반응 속도와, 투과율 및 시인성은 서로 트레이드오프의 관계에 있으나, 반응 속도와, 투과율 및 시인성을 적절히 조화하고자 하는 시도가 이루어지고 있다.That is, although the reaction rate, transmittance, and visibility have a trade-off relationship with each other, attempts are being made to appropriately harmonize the reaction rate, transmittance, and visibility.

대한민국공개특허공보 제10-2016-0029311호Korean Patent Publication No. 10-2016-0029311

금속 메쉬 구조체와, 이를 포함하는 안테나 소자 및 터치 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a metal mesh structure, an antenna element including the same, and a touch sensor.

1. 복수의 제1 도전 라인들에 의해 정의되는 제1 단위 셀들; 및 선폭이 상기 제1 도전 라인보다 넓은 복수의 제2 도전 라인들에 의해 정의되는 제2 단위 셀들; 을 포함하는, 금속 메쉬 구조체.1. first unit cells defined by a plurality of first conductive lines; and second unit cells defined by a plurality of second conductive lines having a line width wider than that of the first conductive line. Containing, a metal mesh structure.

2. 위 1에 있어서, 상기 제1 단위 셀들은 제1 영역에 배열되고, 상기 제2 단위 셀들은 제2 영역에 배열되는, 금속 메쉬 구조체.2. The metal mesh structure according to the above 1, wherein the first unit cells are arranged in a first region, and the second unit cells are arranged in a second region.

3. 위 1에 있어서, 선폭이 상기 제2 도전 라인보다 넓은 복수의 제3 도전 라인들에 의해 정의되는 제3 단위 셀들; 을 더 포함하고, 상기 제1 단위 셀들은 제1 영역에 배열되고, 상기 제2 단위 셀들은 제2 영역에 배열되고, 상기 제3 단위 셀들은 제3 영역에 배열되고, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 소정 방향으로 순차적으로 배치되는, 금속 메쉬 구조체.3. The method of 1 above, wherein the third unit cells are defined by a plurality of third conductive lines having a line width wider than that of the second conductive line; further comprising: wherein the first unit cells are arranged in a first region, the second unit cells are arranged in a second region, and the third unit cells are arranged in a third region, wherein the first region, the The second region and the third region are sequentially arranged in a predetermined direction, a metal mesh structure.

4. 위 1에 있어서, 상기 제1 단위 셀들과 상기 제2 단위 셀들은 랜덤으로 배열되는, 금속 메쉬 구조체.4. The metal mesh structure according to 1 above, wherein the first unit cells and the second unit cells are randomly arranged.

5. 위 1에 있어서, 상기 제1 단위 셀들 중 적어도 하나와 상기 제2 단위 셀들 중 적어도 하나가 랜덤으로 배열되어 상위 셀을 형성하고, 상기 상위 셀이 일정 패턴으로 배열되는, 금속 메쉬 구조체.5. The metal mesh structure according to the above 1, wherein at least one of the first unit cells and at least one of the second unit cells are randomly arranged to form an upper cell, and the upper cell is arranged in a predetermined pattern.

6. 위 1에 있어서, 상기 제1 도전 라인 및 상기 제2 도전 라인의 선폭은 1.0㎛ ~ 5.0㎛인, 금속 메쉬 구조체.6. The metal mesh structure of 1 above, wherein the first conductive line and the second conductive line have a line width of 1.0 μm to 5.0 μm.

7. 위 1 내지 6 중 어느 하나의 금속 메쉬 구조체를 포함하는 방사 패턴; 을 포함하는, 안테나 소자.7. A radiation pattern comprising the metal mesh structure of any one of 1 to 6 above; Including, the antenna element.

8. 위 7에 있어서, 상기 방사 패턴의 금속 메쉬 구조체보다 넓은 선폭을 가지는 금속 메쉬 구조 또는 속이 찬(solid) 구조로 형성되는 전송 선로; 를 더 포함하는, 안테나 소자.8. The transmission line according to 7 above, wherein the transmission line has a metal mesh structure having a line width wider than that of the metal mesh structure of the radiation pattern or a solid structure; Further comprising, the antenna element.

9. 방사 패턴; 및 상기 방사 패턴 주변에 배치되는 더미 패턴; 을 포함하고, 상기 방사 패턴 및 상기 더미 패턴 중 적어도 하나는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 금속 메쉬 구조체를 포함하는, 안테나 소자.9. Radiation pattern; and a dummy pattern disposed around the radiation pattern. Including, wherein at least one of the radiation pattern and the dummy pattern comprises the metal mesh structure of any one of claims 1 to 6, the antenna element.

10. 위 1 내지 6 중 어느 하나의 금속 메쉬 구조체를 포함하는 센싱 전극; 을 포함하는, 터치 센서.10. A sensing electrode comprising the metal mesh structure of any one of 1 to 6 above; Including, a touch sensor.

11. 센싱 전극; 및 상기 센싱 전극 주변에 배치되는 더미 패턴; 을 포함하고, 상기 센싱 전극 및 상기 더미 패턴 중 적어도 하나는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 금속 메쉬 구조체를 포함하는, 터치 센서.11. sensing electrode; and a dummy pattern disposed around the sensing electrode. Including, at least one of the sensing electrode and the dummy pattern comprises the metal mesh structure of any one of claims 1 to 6, a touch sensor.

일 실시예에 따르면, 다양한 선폭의 단위 셀을 포함하는 금속 메쉬 구조체를 구현할 수 있다. 이에 따라, 금속 메쉬 구조체의 전기적 특성을 만족시킴과 동시에 우수한 시인성 및 투과율을 확보하는 것이 가능하다.According to an embodiment, a metal mesh structure including unit cells of various line widths may be implemented. Accordingly, it is possible to ensure excellent visibility and transmittance while satisfying the electrical properties of the metal mesh structure.

도 1은 일 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체의 단위 셀을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 일 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체를 도시한 도면이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체를 도시한 도면이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체를 도시한 도면이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체를 도시한 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 안테나 소자를 나타내는 개략적인 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 안테나 소자를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 8는 다른 실시예에 따른 안테나 소자를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 10은 도 9의 A-B 라인을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
1 is a view for explaining a unit cell of a metal mesh structure according to an embodiment.
2 is a view showing a metal mesh structure according to an embodiment.
3 is a view showing a metal mesh structure according to another embodiment.
4 is a view showing a metal mesh structure according to another embodiment.
5 is a view showing a metal mesh structure according to another embodiment.
6 is a schematic cross-sectional view illustrating an antenna element according to an embodiment.
7 is a schematic plan view illustrating an antenna element according to an embodiment.
8 is a schematic plan view illustrating an antenna element according to another embodiment.
9 is a schematic plan view illustrating a touch sensor according to an exemplary embodiment.
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view taken along line AB of FIG. 9 .

이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예들을 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.Hereinafter, with reference to the drawings, embodiments of the present invention will be described in more detail. However, the following drawings attached to the present specification illustrate preferred embodiments of the present invention, and serve to further understand the technical spirit of the present invention together with the above-described contents of the present invention, so the present invention is described in such drawings It should not be construed as being limited only to the matters.

도 1은 일 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체의 단위 셀을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a unit cell of a metal mesh structure according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체의 단위 셀은 복수의 도전 라인들(10)에 의해 정의될 수 있다.Referring to FIG. 1 , a unit cell of a metal mesh structure according to an embodiment may be defined by a plurality of conductive lines 10 .

도전 라인(10)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 도전 라인(10)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca) 등과 같은 저저항 금속 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들면, 도전 라인(10)은 저저항 구현을 위해 은(Ag) 또는 은 합금(예를 들면 은-팔라듐-구리(APC) 합금)을 포함할 수 있다. 다른 예를 들면, 도전 라인(10)은 저저항 및 미세 선폭 패터닝을 고려하여 구리(Cu) 또는 구리 합금(예를 들면, 구리-칼슘(CuCa) 합금)을 포함할 수 있다.The conductive line 10 may include a conductive material. According to an embodiment, the conductive line 10 may include silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), and titanium (Ti). ), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), tin (Sn) ), a low-resistance metal such as molybdenum (Mo), calcium (Ca), or an alloy thereof may be included. These may be used alone or in combination of two or more. For example, the conductive line 10 may include silver (Ag) or a silver alloy (eg, silver-palladium-copper (APC) alloy) to realize low resistance. As another example, the conductive line 10 may include copper (Cu) or a copper alloy (eg, a copper-calcium (CuCa) alloy) in consideration of low resistance and fine line width patterning.

일 실시예에 따르면, 도전 라인(10)은 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO), 인듐아연주석 산화물(ITZO), 아연 산화물(ZnOx)과 같은 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the conductive line 10 may include a transparent conductive oxide such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (ITZO), or zinc oxide (ZnOx).

일 실시예에 따르면, 도전 라인(10)은 투명 도전성 산화물 층 및 금속층의 적층 구조를 포함할 수 있으며, 예를 들면, 투명 도전성 산화물 층-금속층-투명 도전성 산화물 층의 3층 구조를 가질 수도 있다. 이 경우, 금속층에 의해 플렉시블 특성이 향상되면서, 저항을 낮추어 신호 전달 속도가 향상될 수 있으며, 투명 도전성 산화물 층에 의해 내부식성, 투명성이 향상될 수 있다.According to an embodiment, the conductive line 10 may include a stacked structure of a transparent conductive oxide layer and a metal layer, for example, it may have a three-layer structure of a transparent conductive oxide layer-metal layer-transparent conductive oxide layer. . In this case, while the flexible characteristic is improved by the metal layer, the signal transmission speed may be improved by lowering the resistance, and the corrosion resistance and transparency may be improved by the transparent conductive oxide layer.

도전 라인(10)의 선폭은 시인성, 투과율, 저항 등 다양한 요인들을 고려하여 결정될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 도전 라인(10)의 선폭(w)은 1.0㎛ ~ 5.0㎛일 수 있다.The line width of the conductive line 10 may be determined in consideration of various factors such as visibility, transmittance, and resistance. According to an embodiment, the line width w of the conductive line 10 may be 1.0 μm to 5.0 μm.

복수의 도전 라인들(10)에 의해 정의되는 단위 셀은 도 1에 도시된 바와 같이 마름모 형상으로 형성될 수 있다. 그러나 이는 일 실시예에 불과할 뿐 단위 셀의 모양에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 단위 셀이 마름모 형상으로 형성되는 경우, 단위 셀의 두 대각선 길이(a, b)는 75㎛ ~ 460㎛일 수 있다. 여기서 대각선은 마주보는 두 꼭지점을 잇는 선분으로 정의될 수 있다.The unit cell defined by the plurality of conductive lines 10 may be formed in a rhombus shape as shown in FIG. 1 . However, this is only an exemplary embodiment and there is no particular limitation on the shape of the unit cell. When the unit cell is formed in a rhombus shape, two diagonal lengths a and b of the unit cell may be 75 μm to 460 μm. Here, the diagonal may be defined as a line segment connecting two vertices facing each other.

단위 셀은 수직축(예컨대, y 축)에 대하여 소정의 기울기 각도(θ)를 가질 수 있다. 예컨대, 단위 셀의 상부 꼭지점과 하부 꼭지점을 잇는 선분은 수직축에 대하여 소정의 기울기 각도를 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 소정의 기울기 각도(θ)는 0ㅀ ~ 45ㅀ일 수 있다.The unit cell may have a predetermined inclination angle θ with respect to a vertical axis (eg, a y-axis). For example, a line segment connecting the upper vertex and the lower vertex of the unit cell may have a predetermined inclination angle with respect to the vertical axis. According to an embodiment, the predetermined inclination angle θ may be 0° to 45°.

한편, 이러한 단위 셀이 복수개가 집합되어 금속 메쉬 구조체가 정의될 수 있다.Meanwhile, a plurality of such unit cells may be aggregated to define a metal mesh structure.

도 2는 일 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체를 도시한 도면이다.2 is a view showing a metal mesh structure according to an embodiment.

도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체는 복수의 제1 단위 셀들(210) 및 복수의 제2 단위 셀들(220)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the metal mesh structure according to an embodiment may include a plurality of first unit cells 210 and a plurality of second unit cells 220 .

제1 단위 셀(210)은 복수의 제1 도전 라인(211)에 의해 정의되며, 제2 단위 셀(220)은 복수의 제2 도전 라인(221)에 의해 정의될 수 있다. 여기서, 제1 도전 라인(211) 및 제2 도전 라인(221)은 도 1을 참조하여 전술한 도전 라인(10)과 실질적으로 동일하므로 중복되는 범위에서 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first unit cell 210 may be defined by a plurality of first conductive lines 211 , and the second unit cell 220 may be defined by a plurality of second conductive lines 221 . Here, since the first conductive line 211 and the second conductive line 221 are substantially the same as the conductive line 10 described above with reference to FIG. 1 , a detailed description thereof will be omitted in the overlapping range.

제1 단위 셀(210)을 형성하는 제1 도전 라인(211)의 선폭과 제2 단위 셀(220)을 형성하는 제2 도전 라인(221)의 선폭은 상이할 수 있다. 예컨대, 제2 도전 라인(221)의 선폭은 제1 도전 라인(211)의 선폭보다 넓을 수 있다. 제2 도전 라인(221)의 선폭과 제1 도전 라인(211)의 선폭의 차는 예컨대, 1㎛ 이상일 수 있다.The line width of the first conductive line 211 forming the first unit cell 210 may be different from the line width of the second conductive line 221 forming the second unit cell 220 . For example, the line width of the second conductive line 221 may be wider than that of the first conductive line 211 . The difference between the line width of the second conductive line 221 and the line width of the first conductive line 211 may be, for example, 1 μm or more.

일 실시예에 따르면, 금속 메쉬 구조체는 2개의 영역(250, 260)으로 구분될 수 있으며, 제1 단위 셀들(210)은 제1 영역(250)에 배열되고, 제2 단위 셀들(220)은 제2 영역(260)에 배열될 수 있다.According to an embodiment, the metal mesh structure may be divided into two regions 250 and 260 , the first unit cells 210 are arranged in the first region 250 , and the second unit cells 220 are It may be arranged in the second region 260 .

도 3은 다른 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체를 도시한 도면이다.3 is a view showing a metal mesh structure according to another embodiment.

도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체는 복수의 제1 단위 셀들(310), 복수의 제2 단위 셀들(320) 및 복수의 제3 단위 셀들(330)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3 , the metal mesh structure according to an embodiment may include a plurality of first unit cells 310 , a plurality of second unit cells 320 , and a plurality of third unit cells 330 .

제1 단위 셀(310)은 복수의 제1 도전 라인(311)에 의해 정의되고, 제2 단위 셀(320)은 복수의 제2 도전 라인(321)에 의해 정의되고, 제3 단위 셀(330)은 복수의 제3 도전 라인(331)에 의해 정의될 수 있다. 여기서, 제1 도전 라인(311), 제2 도전 라인(321) 및 제3 도전 라인(331)은 도 1을 참조하여 전술한 도전 라인(10)과 실질적으로 동일하므로 중복되는 범위에서 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.The first unit cell 310 is defined by a plurality of first conductive lines 311 , the second unit cell 320 is defined by a plurality of second conductive lines 321 , and the third unit cell 330 is defined by a plurality of second conductive lines 321 . ) may be defined by a plurality of third conductive lines 331 . Here, the first conductive line 311 , the second conductive line 321 , and the third conductive line 331 are substantially the same as the conductive line 10 described above with reference to FIG. 1 , and thus detailed descriptions thereof in the overlapping range is to be omitted.

제1 단위 셀(310)을 형성하는 제1 도전 라인(311)의 선폭, 제2 단위 셀(320)을 형성하는 제2 도전 라인(321)의 선폭 및 제3 단위 셀(330)을 형성하는 제3 도전 라인(331)의 선폭은 상이할 수 있다. 예컨대, 제3 도전 라인(331)의 선폭은 제2 도전 라인(321)의 선폭보다 넓고, 제2 도전 라인(321)의 선폭은 제1 도전 라인(311)의 선폭보다 넓을 수 있다. 제3 도전 라인(331)의 선폭과 제1 도전 라인(311)의 선폭의 차는 예컨대, 1㎛ 이상일 수 있다. 또는 제3 도전 라인(331)의 선폭과 제2 도전 라인(321)의 선폭의 차와, 제2 도전 라인(321)의 선폭과 제1 도전 라인(311)의 선폭의 차가 각각 예컨데, 1㎛ 이상일 수 있다.The line width of the first conductive line 311 forming the first unit cell 310 , the line width of the second conductive line 321 forming the second unit cell 320 , and the line width of the third unit cell 330 are formed. The line width of the third conductive line 331 may be different. For example, the line width of the third conductive line 331 may be wider than that of the second conductive line 321 , and the line width of the second conductive line 321 may be wider than that of the first conductive line 311 . The difference between the line width of the third conductive line 331 and the line width of the first conductive line 311 may be, for example, 1 μm or more. Alternatively, the difference between the line width of the third conductive line 331 and the line width of the second conductive line 321 and the difference between the line width of the second conductive line 321 and the first conductive line 311 are, for example, 1 μm, respectively. may be more than

일 실시예에 따르면, 금속 메쉬 구조체는 3개의 영역(350, 360, 370)으로 구분될 수 있으며, 제1 단위 셀들(310)은 제1 영역(350)에 배열되고, 제2 단위 셀들(320)은 제2 영역(360)에 배열되고, 제3 단위 셀들(330)은 제3 영역(370)에 배열될 수 있다. 이때, 제1 영역(350), 제2 영역(360) 및 제3 영역(370)은 도 3에 도시된 바와 같이 소정 방향에 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 이 경우 금속 메쉬 구조체는 제1 영역(350)에서 제3 영역(370)으로 갈수록 단위 셀들(310, 320, 330)을 형성하는 도전 라인들(311, 321, 331)의 선폭이 넓어지는 그라데이션 구조를 가질 수 있다. 그러나 이는 일 실시예에 불과할 뿐 이에 한정되는 것은 아니며 제1 영역(350), 제2 영역(360) 및 제3 영역(370)의 배치는 다양할 수 있으며, 그 배치 방법에 특별히 한정되는 것은 아니다.According to an embodiment, the metal mesh structure may be divided into three regions 350 , 360 , and 370 , the first unit cells 310 are arranged in the first region 350 , and the second unit cells 320 . ) may be arranged in the second region 360 , and the third unit cells 330 may be arranged in the third region 370 . In this case, the first area 350 , the second area 360 , and the third area 370 may be sequentially disposed along a predetermined direction as shown in FIG. 3 . In this case, the metal mesh structure has a gradation structure in which the line widths of the conductive lines 311 , 321 , 331 forming the unit cells 310 , 320 , and 330 are widened from the first region 350 to the third region 370 . can have However, this is only an exemplary embodiment and is not limited thereto, and the arrangement of the first region 350 , the second region 360 , and the third region 370 may vary, and the arrangement method thereof is not particularly limited. .

한편, 도 3은 3가지 타입의 단위셀(310, 320, 330) 및 3개의 영역(350, 360, 370)을 포함하는 예를 도시하나, 이는 설명의 편의를 위함을 뿐 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 금속 메쉬 구조체는 4가지 타입 이상의 단위셀 및/또는 4개 이상의 영역을 포함할 수도 있다.Meanwhile, FIG. 3 shows an example including three types of unit cells 310 , 320 , 330 and three regions 350 , 360 , 370 , but this is only for convenience of description and is not limited thereto. . That is, the metal mesh structure may include four or more types of unit cells and/or four or more regions.

도 4는 또 다른 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체를 도시한 도면이다.4 is a view showing a metal mesh structure according to another embodiment.

도 4를 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체는 복수의 제1 단위 셀들(310), 복수의 제2 단위 셀들(320) 및 복수의 제3 단위 셀들(330)을 포함하며, 제1 단위 셀들(310), 제2 단위 셀들(320) 및 제3 단위 셀들(330)이 랜덤하게 배열될 수 있다. 여기서, 제1 단위 셀(310), 제2 단위 셀(320) 및 제3 단위 셀(330) 도 3을 참조하여 전술한 바와 같으므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.Referring to FIG. 4 , the metal mesh structure according to another embodiment includes a plurality of first unit cells 310 , a plurality of second unit cells 320 , and a plurality of third unit cells 330 . The first unit cells 310 , the second unit cells 320 , and the third unit cells 330 may be randomly arranged. Here, since the first unit cell 310 , the second unit cell 320 , and the third unit cell 330 are the same as those described above with reference to FIG. 3 , a detailed description thereof will be omitted.

한편, 도 4는 3가지 타입의 단위셀(310, 320, 330)을 포함하는 예를 도시하나, 이는 설명의 편의를 위함일 뿐 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 금속 메쉬 구조체는 2가지 타입의 단위셀을 포함하거나, 4가지 타입 이상의 단위셀을 포함할 수도 있다.Meanwhile, FIG. 4 shows an example including three types of unit cells 310 , 320 , and 330 , but this is only for convenience of description and is not limited thereto. That is, the metal mesh structure may include two types of unit cells, or may include four or more types of unit cells.

도 5는 또 다른 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체를 도시한 도면이다.5 is a view showing a metal mesh structure according to another embodiment.

도 5를 참조하면, 또 다른 실시예에 따른 금속 메쉬 구조체는 복수의 제1 단위 셀들(310), 복수의 제2 단위 셀들(320) 및 복수의 제3 단위 셀들(330)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , a metal mesh structure according to another embodiment may include a plurality of first unit cells 310 , a plurality of second unit cells 320 , and a plurality of third unit cells 330 . .

하나 이상의 제1 단위 셀(310), 하나 이상의 제2 단위 셀(320) 및 하나 이상의 제3 단위 셀(330)은 랜덤하게 배열되어 하나의 상위 셀(510)을 형성하며, 이렇게 형성된 상위 셀(510)은 일정 패턴으로 배열되어 금속 메쉬 구조체를 형성할 수 있다.One or more first unit cells 310, one or more second unit cells 320, and one or more third unit cells 330 are randomly arranged to form one upper cell 510, and thus formed upper cell ( 510 may be arranged in a predetermined pattern to form a metal mesh structure.

한편, 도 5는 3가지 타입의 단위셀(310, 320, 330)이 하나의 상위 셀(510)을 형성하는 예를 도시하나, 이는 설명의 편의를 위함일 뿐 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 2가지 타입의 단위셀이 하나의 상위 셀(510)을 형성하는 것도 가능하며, 4가지 타입 이상의 단위셀이 하나의 상위 셀(510)을 형성하는 것도 가능하다.Meanwhile, FIG. 5 shows an example in which three types of unit cells 310 , 320 , and 330 form one upper cell 510 , but this is only for convenience of description and is not limited thereto. That is, it is possible for two types of unit cells to form one upper cell 510 , and it is also possible for four or more types of unit cells to form one upper cell 510 .

전술한 다양한 실시예의 금속 메쉬 구조체에 따르면, 금속 메쉬 구조체의 전기적 특성을 만족시킴과 동시에 우수한 시인성 및 투과율을 확보하는 것이 가능하다.According to the metal mesh structure of the various embodiments described above, it is possible to ensure excellent visibility and transmittance while satisfying the electrical properties of the metal mesh structure.

도 6은 일 실시예에 따른 안테나 소자를 나타내는 개략적인 단면도이고, 도 7은 일 실시예에 따른 안테나 소자를 나타내는 개략적인 평면도이다.6 is a schematic cross-sectional view illustrating an antenna element according to an embodiment, and FIG. 7 is a schematic plan view illustrating an antenna element according to an embodiment.

도 6 및 도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 안테나 소자는 유전층(610) 및 안테나 패턴층(620)을 포함할 수 있다.6 and 7 , the antenna element according to an embodiment may include a dielectric layer 610 and an antenna pattern layer 620 .

유전층(610)은 소정의 유전율을 갖는 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 유전층(610)은 글래스, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 금속 산화물 등과 같은 무기 절연 물질, 또는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 이미드 계열 수지 등과 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 유전층(610)은 안테나 패턴층(620)이 형성되는 안테나 소자의 필름 기재로서 기능할 수 있다.The dielectric layer 610 may include an insulating material having a predetermined dielectric constant. According to an embodiment, the dielectric layer 610 may include an inorganic insulating material such as glass, silicon oxide, silicon nitride, or metal oxide, or an organic insulating material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or an imide-based resin. The dielectric layer 610 may function as a film substrate of the antenna element on which the antenna pattern layer 620 is formed.

일 실시예에 따르면, 투명 필름이 유전층(610)으로 제공될 수 있다. 이때 투명 필름은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌이소프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지; 디아세틸셀룰로오스, 트리아세틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스계 수지; 폴리카보네이트계 수지; 폴리메틸(메타)아크릴레이트, 폴리에틸(메타)아크릴레이트 등의 아크릴계 수지; 폴리스티렌, 아크릴로니트릴-스티렌 공중합체 등의 스티렌계 수지; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 시클로계 또는 노보넨 구조를 갖는 폴리올레핀, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀계 수지; 염화비닐계 수지; 나일론, 방향족 폴리아미드 등의 아미드계 수지; 이미드계 수지; 폴리에테르술폰계 수지; 술폰계 수지; 폴리에테르에테르케톤계 수지; 황화 폴리페닐렌계 수지; 비닐알코올계 수지; 염화비닐리덴계 수지; 비닐부티랄계 수지; 알릴레이트계 수지; 폴리옥시메틸렌계 수지; 에폭시계 수지 등의 열가소성 수지 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 또한, (메타)아크릴계, 우레탄계, 아크릴우레탄계, 에폭시계, 실리콘계 등의 열경화성 수지 또는 자외선 경화형 수지로 된 투명 필름이 유전층(610)으로 활용될 수 있다.According to an embodiment, a transparent film may be provided as the dielectric layer 610 . In this case, the transparent film may include a polyester-based resin such as polyethylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene naphthalate, and polybutylene terephthalate; Cellulose resins, such as a diacetyl cellulose and a triacetyl cellulose; polycarbonate-based resin; acrylic resins such as polymethyl (meth)acrylate and polyethyl (meth)acrylate; styrenic resins such as polystyrene and acrylonitrile-styrene copolymer; polyolefin-based resins such as polyethylene, polypropylene, polyolefin having a cyclo-based or norbornene structure, and an ethylene-propylene copolymer; vinyl chloride-based resin; amide-based resins such as nylon and aromatic polyamide; imide-based resin; polyether sulfone-based resin; sulfone-based resins; polyether ether ketone resin; sulfide polyphenylene-based resin; vinyl alcohol-based resin; vinylidene chloride-based resin; vinyl butyral-based resin; allylate-based resin; polyoxymethylene-based resins; and a thermoplastic resin such as an epoxy-based resin. These may be used alone or in combination of two or more. In addition, a transparent film made of a thermosetting resin such as (meth)acrylic, urethane, acrylic urethane, epoxy, or silicone or UV curable resin may be used as the dielectric layer 610 .

일 실시예에 따르면, 광학 투명 점착제(Optically clear Adhesive: OCA), 광학 투명 수지(Optically Clear Resin: OCR) 등과 같은 점접착 필름이 유전층(610)에 포함될 수 있다.According to an embodiment, an adhesive film such as an optically clear adhesive (OCA) or an optically clear resin (OCR) may be included in the dielectric layer 610 .

일 실시예에 따르면, 유전층(610)은 실질적으로 단일 층으로 형성되거나, 적어도 2층 이상의 복층 구조로 형성될 수 있다.According to an embodiment, the dielectric layer 610 may be formed as a substantially single layer or a multilayer structure of at least two or more layers.

유전층(610)에 의해 정전용량(capacitance) 또는 인덕턴스(inductance)가 형성되어, 안테나 소자가 구동 혹은 센싱할 수 있는 주파수 대역이 조절될 수 있다. 유전층(610)의 유전율이 약 12를 초과하는 경우, 구동 주파수가 지나치게 감소하여, 원하는 고주파 대역에서의 구동이 구현되지 않을 수 있다. 따라서, 일 실시예에 따르면, 유전층(610)의 유전율은 약 1.5 내지 12 범위, 바람직하게는 약 2 내지 12 범위로 조절될 수 있다.A capacitance or inductance is formed by the dielectric layer 610 , so that a frequency band in which the antenna element can be driven or sensed can be adjusted. When the dielectric constant of the dielectric layer 610 exceeds about 12, the driving frequency is excessively reduced, and driving in a desired high frequency band may not be realized. Accordingly, according to an embodiment, the dielectric constant of the dielectric layer 610 may be adjusted in a range of about 1.5 to 12, preferably, about 2 to 12.

일 실시예에 따르면, 안테나 소자가 실장되는 디스플레이 장치 내부의 절연층(예를 들면, 디스플레이 패널의 인켑슐레이션 층, 패시베이션 층 등)이 유전층(610)으로 제공될 수도 있다.According to an embodiment, an insulating layer (eg, an insulation layer, a passivation layer, etc. of a display panel) inside the display device on which the antenna element is mounted may be provided as the dielectric layer 610 .

안테나 패턴층(620)은 유전층(610)의 상면 상에 배치될 수 있다. 안테나 패턴층(620)은 도 7에 도시된 바와 같이, 방사 패턴(710), 전송 선로(720) 및 패드 전극(730)을 포함할 수 있다.The antenna pattern layer 620 may be disposed on the top surface of the dielectric layer 610 . As shown in FIG. 7 , the antenna pattern layer 620 may include a radiation pattern 710 , a transmission line 720 , and a pad electrode 730 .

방사 패턴(710)은 전송 선로(720)에 전기적으로 연결되어 패드 전극(730)을 통해 급전될 수 있다.The radiation pattern 710 may be electrically connected to the transmission line 720 to be fed through the pad electrode 730 .

일 실시예에 따르면, 방사 패턴(710)은 도 2 내지 도 5의 금속 메쉬 구조체를 포함하며, 이때, 도전 라인들의 선폭이 상대적으로 더 넓은 단위 셀이 전송 선로(720)와 연결되는 부분에 배열될 수 있다. 이를 통해, 전송 선로(720)에 연결되는 부분에서의 저항을 상대적으로 줄일 수 있다.According to an embodiment, the radiation pattern 710 includes the metal mesh structure of FIGS. 2 to 5 , and in this case, unit cells having a relatively wider line width of the conductive lines are arranged in a portion connected to the transmission line 720 . can be Through this, resistance in a portion connected to the transmission line 720 may be relatively reduced.

일 실시예에 따르면, 방사 패턴(710)은 도 7에 도시된 바와 같이 직사각형으로 구현될 수 있다. 그러나, 이는 일 실시예에 불과할 뿐 방사 패턴(710)의 모양에 특별한 제한은 없다. 즉, 방사 패턴(710)은 마름모, 원 등 다양한 모양으로 구현될 수 있다.According to an embodiment, the radiation pattern 710 may be implemented in a rectangular shape as shown in FIG. 7 . However, this is only an exemplary embodiment and there is no particular limitation on the shape of the radiation pattern 710 . That is, the radiation pattern 710 may be implemented in various shapes, such as a rhombus and a circle.

전송 선로(720)는 방사 패턴(710)과, 패드 전극(730)의 신호 패드(731) 사이에 배치될 수 있다. 전송 선로(720)는 방사 패턴(610)의 중앙부에서 분기되어 방사 패턴(710)과 신호 패드(731)를 전기적으로 연결할 수 있다.The transmission line 720 may be disposed between the radiation pattern 710 and the signal pad 731 of the pad electrode 730 . The transmission line 720 may be branched from the central portion of the radiation pattern 610 to electrically connect the radiation pattern 710 and the signal pad 731 .

일 실시예에 따르면, 전송 선로(720)는 방사 패턴(710)과 실질적으로 동일한 도전 물질을 포함할 수 있다. 또한, 전송 선로(720)는 방사 패턴(710)과 일체로 연결되어 실질적으로 단일 부재로 형성되거나, 방사 패턴(710)과는 별개의 부재로 형성될 수 있다.According to an embodiment, the transmission line 720 may include substantially the same conductive material as the radiation pattern 710 . In addition, the transmission line 720 may be integrally connected to the radiation pattern 710 and formed as a substantially single member, or may be formed as a member separate from the radiation pattern 710 .

일 실시예에 따르면, 전송 선로(720)는 도 2 내지 도 5의 금속 메쉬 구조체를 포함하며, 이때, 도전 라인들의 선폭이 상대적으로 더 넓은 단위 셀이 방사 패턴(710)과 연결되는 부분 및/또는 신호 패드(731)와 연결되는 부분에 배열될 수 있다. 이를 통해, 방사 패턴(710)에 연결되는 부분 및/또는 신호 패드(731)와 연결되는 부분에서의 저항을 상대적으로 줄일 수 있다.According to an embodiment, the transmission line 720 includes the metal mesh structure of FIGS. 2 to 5 , wherein a unit cell having a relatively wider line width of the conductive lines is connected to the radiation pattern 710 and/or Alternatively, it may be arranged in a portion connected to the signal pad 731 . Through this, resistance in the portion connected to the radiation pattern 710 and/or the portion connected to the signal pad 731 may be relatively reduced.

다른 실시예에 따르면, 신호 저항 감소를 위해 전송 선로(720) 전체가 방사 패턴(710)의 금속 메쉬 구조체(보다 구체적으로 방사 패턴(710)의 금속 메쉬 구조체의 가장 넓은 선폭)보다 더 넓은 선폭을 가지는 금속 메쉬 구조로 형성되거나, 상술한 금속 또는 이들의 합금을 포함하는 속이 찬(solid) 구조로 형성될 수도 있다. 방사 패턴(710)을 포함한 전체 영역에 대비하여 전송 선로(720)는 극소 영역을 차지하므로 전송 선로(720)는 시인성 문제에 어느 정도 자유롭다. 전송 선로(720)는 신호 손실이 많은 부분이므로 전송 선로(720)의 메쉬 선폭을 방사 패턴(710)의 메쉬 선폭보다 두껍게 형성하거나 전송 선로(720)를 속이 찬 구조로 형성함으로써 안테나 이득을 향상시킬 수 있다.According to another embodiment, in order to reduce signal resistance, the entire transmission line 720 has a wider line width than the metal mesh structure of the radiation pattern 710 (more specifically, the widest line width of the metal mesh structure of the radiation pattern 710 ). The branches may be formed in a metal mesh structure, or may be formed in a solid structure including the above-described metal or an alloy thereof. Since the transmission line 720 occupies a very small area compared to the entire area including the radiation pattern 710 , the transmission line 720 is somewhat free from the problem of visibility. Since the transmission line 720 is a part with a lot of signal loss, the antenna gain can be improved by forming the mesh line width of the transmission line 720 thicker than the mesh line width of the radiation pattern 710 or forming the transmission line 720 in a hollow structure. can

패드 전극(730)은 신호 패드(731) 및 그라운드 패드(732)를 포함할 수 있다.The pad electrode 730 may include a signal pad 731 and a ground pad 732 .

신호 패드(731)는 전송 선로(720)의 말단에 연결되어, 전송 선로(720)를 통해 방사 패턴(710)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이를 통해 신호 패드(731)는 구동 회로부(예컨대, RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit) 등)와 방사 패턴(710)을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들면, 신호 패드(731) 상에 연성 인쇄 회로 기판(Flexible Printed Circuit Board, FPCB)이 접합되고, FPCB의 전송 선로가 신호 패드(731)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대 신호 패드(731)는 이방성 전도 필름(Anisotropic Conductive Film, ACF)를 이용하여 상하로 전기적 도통이 가능하게 하고 좌우로는 절연되는 접합 방법인 ACF(Anisotropic Conductive Film) bonding 기법을 이용하거나, 동축 케이블(coaxial cable)을 이용하여 FPCB에 전기적으로 연결될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 구동 회로부는 FPCB 또는 별개의 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board, PCB) 상에 실장되어, FPCB의 전송 선로에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 방사 패턴(710)과 구동 회로부는 전기적으로 연결될 수 있다.The signal pad 731 may be connected to an end of the transmission line 720 , and may be electrically connected to the radiation pattern 710 through the transmission line 720 . Through this, the signal pad 731 may electrically connect the driving circuit unit (eg, a radio frequency integrated circuit (RFIC), etc.) and the radiation pattern 710 . For example, a flexible printed circuit board (FPCB) may be bonded to the signal pad 731 , and a transmission line of the FPCB may be electrically connected to the signal pad 731 . For example, the signal pad 731 uses an anisotropic conductive film (ACF) to enable electrical conduction up and down and to insulate left and right using an ACF (Anisotropic Conductive Film) bonding technique, or a coaxial cable. (coaxial cable) may be electrically connected to the FPCB, but is not limited thereto. The driving circuit unit may be mounted on an FPCB or a separate Printed Circuit Board (PCB) and electrically connected to a transmission line of the FPCB. Accordingly, the radiation pattern 710 and the driving circuit unit may be electrically connected.

그라운드 패드(732)는 신호 패드(731) 주변에서 신호 패드(731)와 전기적, 물리적으로 분리되도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 한 쌍의 그라운드 패드들(732)이 신호 패드(731)를 사이에 두고 서로 마주보도록 배치될 수 있다.The ground pad 732 may be disposed to be electrically and physically separated from the signal pad 731 around the signal pad 731 . For example, a pair of ground pads 732 may be disposed to face each other with the signal pad 731 interposed therebetween.

일 실시예에 따르면, 신호 패드(731) 및 그라운드 패드(732)은 신호 저항 감소를 위해 상술한 금속 또는 합금을 포함하는 속이 찬(solid) 구조로 형성될 수 있다. 이때, 신호 패드(731) 및 그라운드 패드(732)는 상술한 금속 또는 합금층, 및 투명 전도성 산화물층을 포함하는 복층 구조로 형성될 수 있다.According to an embodiment, the signal pad 731 and the ground pad 732 may be formed in a solid structure including the above-described metal or alloy to reduce signal resistance. In this case, the signal pad 731 and the ground pad 732 may have a multi-layer structure including the above-described metal or alloy layer and a transparent conductive oxide layer.

한편, 안테나 소자는 그라운드층(630)을 더 포함할 수 있다. 안테나 소자가 그라운드층(630)을 포함함으로써 수직 방사 특성이 구현될 수 있다.Meanwhile, the antenna element may further include a ground layer 630 . Since the antenna element includes the ground layer 630 , vertical radiation characteristics may be implemented.

그라운드층(630)은 유전층(610)의 저면 상에 형성될 수 있다. 그라운드층(630)은 평면 방향에서 안테나 패턴층(620)과 전체적으로 또는 부분적으로 중첩되도록 배치될 수 있다.The ground layer 630 may be formed on the bottom surface of the dielectric layer 610 . The ground layer 630 may be disposed to completely or partially overlap the antenna pattern layer 620 in a planar direction.

일 실시예에 따르면, 안테나 소자가 실장되는 디스플레이 장치 또는 디스플레이 패널의 도전성 부재가 그라운드층(630)으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 도전성 부재는 디스플레이 패널에 포함된 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극, 소스/드레인 전극, 화소 전극, 공통 전극, 데이터 라인, 스캔 라인 등과 같은 전극 또는 배선, 및 디스플레이 장치의 금속 플레이트(예컨대, SUS(Stainless steel) 플레이트), 방열 시트, 디지타이저(digitizer), 전자파 차폐층, 압력센서, 지문센서 등을 포함할 수 있다.According to an embodiment, a conductive member of a display device or a display panel on which an antenna element is mounted may be provided as the ground layer 630 . For example, the conductive member may include electrodes or wirings such as gate electrodes, source/drain electrodes, pixel electrodes, common electrodes, data lines, scan lines, etc. of a thin film transistor (TFT) included in the display panel, and a metal plate ( For example, it may include a stainless steel (SUS) plate, a heat dissipation sheet, a digitizer, an electromagnetic wave shielding layer, a pressure sensor, a fingerprint sensor, and the like.

도 8는 다른 실시예에 따른 안테나 소자를 나타내는 개략적인 평면도이다.8 is a schematic plan view illustrating an antenna element according to another embodiment.

도 6 및 도 8을 참조하면, 다른 실시예에 따른 안테나 소자는 유전층(610)의 상면 상에 형성된 안테나 패턴층(620)을 포함하며, 안테나 패턴층(620)은 방사 패턴(710), 전송 선로(720), 패드 전극(730) 및 더미 패턴(810)을 포함할 수 있다. 여기서, 방사 패턴(710), 전송 선로(720) 및 패드 전극(730)은 도 6 및 도 7을 참조하여 전술한 바와 같으므로 그 상세한 설명은 생략하기로 한다.6 and 8, the antenna element according to another embodiment includes an antenna pattern layer 620 formed on the upper surface of the dielectric layer 610, and the antenna pattern layer 620 is a radiation pattern 710, transmission It may include a line 720 , a pad electrode 730 , and a dummy pattern 810 . Here, since the radiation pattern 710 , the transmission line 720 , and the pad electrode 730 are the same as those described above with reference to FIGS. 6 and 7 , a detailed description thereof will be omitted.

더미 패턴(810)은 방사 패턴(710) 및 전송 선로(720) 주변에 배열될 수 있다.The dummy pattern 810 may be arranged around the radiation pattern 710 and the transmission line 720 .

더미 패턴(810)은 방사 패턴(710) 또는 전송 선로(720)와 실질적으로 동일한 도전 물질을 포함할 수 있다. The dummy pattern 810 may include substantially the same conductive material as the radiation pattern 710 or the transmission line 720 .

더미 패턴(810)은 방사 패턴(710), 전송 선로(720) 및 패드 전극(730)과 전기적, 물리적으로 분리되도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 분리 영역(811)이 방사 패턴(710) 및 전송 선로(720)의 측면 라인을 따라 형성되어, 더미 패턴(810)을 방사 패턴(710) 및 전송 선로(720)로부터 분리시킬 수 있다.The dummy pattern 810 may be disposed to be electrically and physically separated from the radiation pattern 710 , the transmission line 720 , and the pad electrode 730 . For example, the separation region 811 may be formed along side lines of the radiation pattern 710 and the transmission line 720 to separate the dummy pattern 810 from the radiation pattern 710 and the transmission line 720 . there is.

일 실시예에 따르면, 더미 패턴(810)은 도 2 내지 도 5의 금속 메쉬 구조체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the dummy pattern 810 may include the metal mesh structure of FIGS. 2 to 5 .

일 실시예에 따르면, 더미 패턴(810)의 금속 메쉬 구조체는 방사 패턴(710) 또는 전송 선로(720)의 금속 메쉬 구조체와 실질적으로 동일한 구조(예컨대, 동일한 패턴)로 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 더미 패턴(810)의 금속 메쉬 구조체의 경우, 일부 도전 라인이 분절될 수도 있다. 더미 패턴(810)의 일부 도전 라인이 분절됨으로써, 다른 전자 소자와의 교란 및 기생 커패시턴스의 발생을 방지하고 시인성이 개선될 수 있다.According to an embodiment, the metal mesh structure of the dummy pattern 810 may be formed in substantially the same structure (eg, the same pattern) as the metal mesh structure of the radiation pattern 710 or the transmission line 720 . According to an embodiment, in the case of the metal mesh structure of the dummy pattern 810, some conductive lines may be segmented. As some conductive lines of the dummy pattern 810 are segmented, disturbance with other electronic devices and generation of parasitic capacitance may be prevented, and visibility may be improved.

상술한 바와 같이, 방사 패턴(710) 및 전송 선로(720) 주변에 더미 패턴(810)을 배열함으로써, 위치별 전극 배열 차이에 따라 안테나 소자가 탑재된 디스플레이 장치의 사용자에게 안테나 패턴이 시인되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상대적으로 넓은 면적을 차지하는 방사 패턴(710) 및/또는 더미 패턴(720)에 전술한 금속 메쉬 구조체를 적용함으로써 시인성을 더욱 향상시킬 수 있다.As described above, by arranging the dummy pattern 810 around the radiation pattern 710 and the transmission line 720, the antenna pattern is visually recognized by the user of the display device equipped with the antenna element according to the electrode arrangement difference for each location. can be prevented In addition, by applying the aforementioned metal mesh structure to the radiation pattern 710 and/or the dummy pattern 720 occupying a relatively large area, visibility may be further improved.

한편, 설명의 편의를 위해 도 7 및 도 8에서는 하나의 안테나 소자만이 도시되어 있으나, 복수의 안테나 소자들이 유전층(610) 상에 어레이 형태로 배열될 수 있다.Meanwhile, although only one antenna element is illustrated in FIGS. 7 and 8 for convenience of description, a plurality of antenna elements may be arranged on the dielectric layer 610 in an array form.

도 9는 일 실시예에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 평면도이고, 도 10은 도 9의 A-B 라인을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.9 is a schematic plan view showing a touch sensor according to an embodiment, and FIG. 10 is a schematic cross-sectional view taken along line A-B of FIG. 9 .

도 9 및 도 10을 참조하면, 터치 센서는 기재층(910) 및 복수의 센싱 전극들(920, 930)을 포함할 수 있다.9 and 10 , the touch sensor may include a base layer 910 and a plurality of sensing electrodes 920 and 930 .

기재층(910)은 센싱 전극들(920, 930)을 형성을 위해 지지층으로 사용되는 필름 타입 기재, 또는 센싱 전극들(920, 930)이 형성되는 대상체를 포괄하는 의미로 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기재층(910)은 센싱 전극들(920, 930)이 직접 형성되는 표시 패널을 지칭할 수도 있다.The substrate layer 910 may be used to encompass a film-type substrate used as a support layer to form the sensing electrodes 920 and 930 or an object on which the sensing electrodes 920 and 930 are formed. According to an embodiment, the base layer 910 may refer to a display panel in which the sensing electrodes 920 and 930 are directly formed.

일 실시예에 따르면, 기재층(910)은 터치 센서에 통상적으로 사용되는 기판, 또는 필름 소재를 특별한 제한 없이 포함할 수 있다. 예를 들면, 기재층(910)은 유리, 고분자 물질 및/또는 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 이때, 고분자 물질은 환형올레핀중합체(COP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP), 폴리에테르술폰(PES), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 폴리카보네이트(PC), 환형올레핀공중합체(COC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 포함할 수 있으며, 무기 절연 물질은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the base layer 910 may include a substrate or a film material commonly used for a touch sensor without any particular limitation. For example, the base layer 910 may include glass, a polymer material, and/or an inorganic insulating material. In this case, the polymer material is a cyclic olefin polymer (COP), polyethylene terephthalate (PET), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyphenylene sulfide (PPS), polyallyl Polyallylate, polyimide (PI), cellulose acetate propionate (CAP), polyethersulfone (PES), cellulose triacetate (TAC), polycarbonate (PC), cyclic olefin copolymer (COC), polymethyl It may include methacrylate (PMMA), and the like, and the inorganic insulating material may include silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, metal oxide, and the like.

일 실시예에 따르면, 기재층(910)은 복층 구조로 형성될 수 있다. 예를 들면, 기재층(910)은 유기 절연층 및 무기 절연층의 복층 구조로 형성될 수 있다.According to one embodiment, the base layer 910 may be formed in a multi-layer structure. For example, the base layer 910 may have a multilayer structure of an organic insulating layer and an inorganic insulating layer.

터치 센서가 삽입되는 화상 표시 장치의 층 또는 필름 부재가 기재층(910)으로 제공될 수도 있다. 예를 들면, 화상 표시 장치의 디스플레이 패널에 포함되는 인캡슐레이션 층 또는 패시베이션 층 등이 기재층(910)으로 제공될 수도 있다.A layer or a film member of the image display device into which the touch sensor is inserted may be provided as the base layer 910 . For example, an encapsulation layer or a passivation layer included in a display panel of an image display device may be provided as the base layer 910 .

센싱 전극들(920, 930)은 기재층(910) 상에 형성되는 제1 센싱 전극들(920) 및 제2 센싱 전극들(930)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 센싱 전극들(920, 930)은 상호 정전 용량(Mutual Capacitance) 방식으로 구동될 수 있도록 배열될 수 있다.The sensing electrodes 920 and 930 may include first sensing electrodes 920 and second sensing electrodes 930 formed on the base layer 910 . For example, the sensing electrodes 920 and 930 may be arranged to be driven in a mutual capacitance method.

제1 센싱 전극들(920)은 예를 들면, x 방향(또는 행 방향)을 따라 배열될 수 있다. x 방향(또는 행 방향)으로 이웃하는 제1 센싱 전극들(920)은 연결부(925)에 의해 서로 연결될 수 있다. 제1 센싱 전극들(920) 및 연결부(925)는 서로 일체로 연결되어 실질적으로 단일 부재로 제공될 수 있다. 이 경우, 제1 센싱 전극들(920) 및 연결부(925)는 동일한 도전막으로부터 함께 패터닝되어 형성되며, 동일 층 혹은 동일 레벨 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, x 방향(또는 행 방향)으로 연장하는 제1 센싱 채널 행이 정의되며, 복수의 제1 센싱 채널 행들이 y 방향(또는 열 방향)을 따라 배열될 수 있다.The first sensing electrodes 920 may be arranged, for example, in an x-direction (or a row direction). The first sensing electrodes 920 neighboring in the x-direction (or row direction) may be connected to each other by the connection unit 925 . The first sensing electrodes 920 and the connection part 925 may be integrally connected to each other and provided as a substantially single member. In this case, the first sensing electrodes 920 and the connection part 925 are formed by patterning together from the same conductive layer, and may be positioned on the same layer or on the same level. Accordingly, a first sensing channel row extending in the x-direction (or row direction) may be defined, and a plurality of first sensing channel rows may be arranged along the y-direction (or column direction).

제2 센싱 전극들(930)은 예를 들면, y 방향(또는 열 방향)을 따라 배열되며 각각 독립된 섬(island) 패턴 형태를 가질 수 있다. y 방향(또는 열 방향)으로 이웃하는 제2 센싱 전극들(930)은 브릿지 전극(950)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, y 방향(또는 열 방향)으로 연장하는 제2 센싱 채널 열이 정의되며, 복수의 제2 센싱 채널 열들이 x 방향(또는 행 방향)을 따라 배열될 수 있다.The second sensing electrodes 930 are, for example, arranged along the y-direction (or column direction) and may have an independent island pattern shape. The second sensing electrodes 930 adjacent in the y-direction (or column direction) may be electrically connected to each other by the bridge electrode 950 . Accordingly, a second sensing channel column extending in the y-direction (or column direction) may be defined, and a plurality of second sensing channel columns may be arranged along the x-direction (or row direction).

일 실시예에 따르면, x 방향 및 y 방향은 기재층(910)의 상면에 평행하며 서로 수직하게 교차할 수 있다.According to an embodiment, the x-direction and the y-direction are parallel to the upper surface of the base layer 910 and may cross each other perpendicularly.

브릿지 전극(950)은 제1 센싱 전극들(920)을 연결하는 연결부(925)를 사이에 두고 이웃하는 제2 센싱 전극들(930)을 서로 연결할 수 있다.The bridge electrode 950 may connect the adjacent second sensing electrodes 930 to each other with a connection part 925 connecting the first sensing electrodes 920 interposed therebetween.

일 실시예에 따르면, 센싱 전극들(920, 930)을 덮는 절연층(940)이 기재층(910) 상에 형성될 수 있다. 절연층(940)은 제2 센싱 전극들(930)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(945)을 포함할 수 있다. 브릿지 전극(950)은 이웃하는 콘택 홀들(945)을 채우며 절연층(940) 상에 형성될 수 있다.According to an embodiment, an insulating layer 940 covering the sensing electrodes 920 and 930 may be formed on the base layer 910 . The insulating layer 940 may include a contact hole 945 partially exposing top surfaces of the second sensing electrodes 930 . The bridge electrode 950 may be formed on the insulating layer 940 while filling the adjacent contact holes 945 .

일 실시예에 따르면, 센싱 전극들(920, 930) 및/또는 브릿지 전극(950)은 도 2 내지 도 5의 금속 메쉬 구조체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the sensing electrodes 920 and 930 and/or the bridge electrode 950 may include the metal mesh structure of FIGS. 2 to 5 .

이웃하는 제1 센싱 전극(920) 및 제2 센싱 전극(930)의 사이에는 더미 영역(970)이 정의될 수 있다. 더미 영역(970)은 제1 센싱 전극(920) 및 제2 센싱 전극(930)을 서로 물리적, 전기적으로 분리할 수 있다. A dummy region 970 may be defined between the adjacent first sensing electrode 920 and the second sensing electrode 930 . The dummy region 970 may physically and electrically separate the first sensing electrode 920 and the second sensing electrode 930 from each other.

일 실시예에 따르면, 더미 영역(970) 내에는 더미 패턴들이 형성될 수 있다. 더미 패턴들에 의해 더미 영역(970)에서의 패턴 편차, 광학 특성 차이에 따른 전극 시인을 방지 또는 감소시킬 수 있다.According to an embodiment, dummy patterns may be formed in the dummy region 970 . Due to the dummy patterns, it is possible to prevent or reduce electrode visibility due to a pattern deviation and a difference in optical characteristics in the dummy region 970 .

더미 패턴들은 센싱 전극들(920, 930) 및/또는 브릿지 전극(950)과 실질적으로 동일한 도전 물질을 포함할 수 있다.The dummy patterns may include substantially the same conductive material as the sensing electrodes 920 and 930 and/or the bridge electrode 950 .

일 실시예에 따르면, 더미 패턴들은 도 2 내지 도 5의 금속 메쉬 구조체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the dummy patterns may include the metal mesh structure of FIGS. 2 to 5 .

일 실시예에 따르면, 더미 패턴들의 금속 메쉬 구조체는 센싱 전극들(920, 930) 및/또는 브릿지 전극(950)의 금속 메쉬 구조체와 실질적으로 동일한 구조(예컨대, 동일한 패턴)로 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 더미 패턴들의 금속 메쉬 구조체의 경우, 일부 도전 라인이 분절될 수도 있다.According to an embodiment, the metal mesh structure of the dummy patterns may be formed in substantially the same structure (eg, the same pattern) as the metal mesh structure of the sensing electrodes 920 and 930 and/or the bridge electrode 950 . According to an embodiment, in the case of the metal mesh structure of the dummy patterns, some conductive lines may be segmented.

상술한 바와 같이, 센싱 전극들(920, 930) 주변에 센싱 전극들(920, 930) 및 브릿지 전극(950) 중 적어도 하나와 실질적으로 동일한 구조의 더미 패턴들을 배열함으로써, 위치별 전극 배열 차이에 따라 터치 센서가 탑재된 디스플레이 장치의 사용자에게 센싱 전극들(920, 930), 브릿지 전극(950) 및 더미 패턴이 시인되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상대적으로 넓은 면적을 차지하는 센싱 전극들(920, 930), 브릿지 전극(950) 및/또는 더미 패턴들에 전술한 금속 메쉬 구조체를 적용함으로써 시인성을 더욱 향상시킬 수 있다.As described above, by arranging dummy patterns having substantially the same structure as at least one of the sensing electrodes 920 and 930 and the bridge electrode 950 around the sensing electrodes 920 and 930, the difference in electrode arrangement for each location Accordingly, it is possible to prevent the sensing electrodes 920 and 930, the bridge electrode 950, and the dummy pattern from being viewed by the user of the display device in which the touch sensor is mounted. In addition, visibility may be further improved by applying the above-described metal mesh structure to the sensing electrodes 920 and 930 , the bridge electrode 950 , and/or the dummy patterns occupying a relatively large area.

절연층(940)이 기재층(910) 및 센싱 전극들(920, 930)의 상면 상에 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이 절연층(940)은 제2 센싱 전극들(930)의 상면을 부분적으로 노출시키는 콘택 홀(945)을 포함할 수 있다.An insulating layer 940 may be formed on the base layer 910 and upper surfaces of the sensing electrodes 920 and 930 . As described above, the insulating layer 940 may include a contact hole 945 partially exposing top surfaces of the second sensing electrodes 930 .

일 실시예에 따르면 절연층(940)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지 또는 실록산계 수지 등과 같은 수지를 포함하는 유기 절연 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 이 경우, 수지 조성물을 잉크젯 프릿팅, 노즐 프린팅, 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등과 같은 프린팅 공정 또는 코팅 공정들을 통해 기재층(910) 및 센싱 전극들(920, 930)의 상면에 도포하여 코팅막을 형성한 후 경화하고 현상 또는 식각 공정을 통해 절연층(940)을 형성할 수 있다.According to an embodiment, the insulating layer 940 may be formed using an organic insulating material including a resin such as an acrylic resin, an epoxy resin, a urethane resin, or a siloxane resin. In this case, the resin composition is applied to the upper surfaces of the substrate layer 910 and the sensing electrodes 920 and 930 through a printing process or coating process such as inkjet fritting, nozzle printing, spin coating, slit coating, etc. to form a coating film. After curing, the insulating layer 940 may be formed through a development or etching process.

다른 실시예에 따르면, 절연층(940)은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 사용하여 형성될 수도 있다. 이 경우, 무기 절연 물질을 화학 기상 증착(CVD) 공정, 물리 기상 증착(PVD) 공정 등을 통해 기재층(910) 및 센싱 전극들(920, 930)의 상면 상에 증착한 후, 건식 또는 습식 식각 공정을 통해 절연층(940)을 형성할 수 있다.According to another embodiment, the insulating layer 940 may be formed using an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon oxynitride, or silicon nitride. In this case, an inorganic insulating material is deposited on the upper surfaces of the base layer 910 and the sensing electrodes 920 and 930 through a chemical vapor deposition (CVD) process, a physical vapor deposition (PVD) process, or the like, and then dry or wet. The insulating layer 940 may be formed through an etching process.

절연층(940) 상에는 브릿지 전극(950)을 덮는 패시베이션 층(960)이 더 형성될 수도 있다. 패시베이션 층(960)은 전술한 무기 절연 물질 또는 전술한 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.A passivation layer 960 covering the bridge electrode 950 may be further formed on the insulating layer 940 . The passivation layer 960 may include the aforementioned inorganic insulating material or the aforementioned organic insulating material.

이제까지 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 발명의 범위는 전술한 실시 예에 한정되지 않고 특허 청구범위에 기재된 내용과 동등한 범위 내에 있는 다양한 실시 형태가 포함되도록 해석되어야 할 것이다.So far, preferred embodiments have been focused on. Those of ordinary skill in the art will understand that it can be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the invention. Accordingly, the scope of the invention is not limited to the above-described embodiments and should be construed to include various embodiments within the scope equivalent to the content described in the claims.

10: 도전 라인
210, 310: 제1 단위 셀
211, 311: 제1 도전 라인
220, 320: 제2 단위 셀
221, 322: 제2 도전 라인
330: 제3 단위 셀
331: 제3 도전 라인
250, 350: 제1 영역
260, 360: 제2 영역
370: 제3 영역
510: 상위 셀
610: 유전층
620: 안테나 패턴층
630: 그라운드층
710: 방사 패턴
720: 전송 선로
730: 패드 전극
731: 신호 패드
732: 그라운드 패드
810: 더미 패턴
910: 기재층
920: 제1 센싱 전극
930: 제2 센싱 전극
925: 연결부
940: 절연층
950: 브릿지 전극
960: 패시베이션 층
970: 더미 영역
10: challenge line
210, 310: first unit cell
211, 311: first conductive line
220, 320: second unit cell
221, 322: second conductive line
330: third unit cell
331: third conductive line
250, 350: first area
260, 360: second area
370: third area
510: parent cell
610: dielectric layer
620: antenna pattern layer
630: ground layer
710: radiation pattern
720: transmission line
730: pad electrode
731: signal pad
732: ground pad
810: dummy pattern
910: base layer
920: first sensing electrode
930: second sensing electrode
925: connection
940: insulating layer
950: bridge electrode
960: passivation layer
970: dummy area

Claims (11)

복수의 제1 도전 라인들에 의해 정의되는 제1 단위 셀들; 및
선폭이 상기 제1 도전 라인보다 넓은 복수의 제2 도전 라인들에 의해 정의되는 제2 단위 셀들; 을 포함하는,
금속 메쉬 구조체.
first unit cells defined by a plurality of first conductive lines; and
second unit cells defined by a plurality of second conductive lines having a line width wider than that of the first conductive line; containing,
metal mesh structure.
제1항에 있어서,
상기 제1 단위 셀들은 제1 영역에 배열되고,
상기 제2 단위 셀들은 제2 영역에 배열되는,
금속 메쉬 구조체.
According to claim 1,
The first unit cells are arranged in a first area,
wherein the second unit cells are arranged in a second area;
metal mesh structure.
제1항에 있어서,
선폭이 상기 제2 도전 라인보다 넓은 복수의 제3 도전 라인들에 의해 정의되는 제3 단위 셀들; 을 더 포함하고,
상기 제1 단위 셀들은 제1 영역에 배열되고,
상기 제2 단위 셀들은 제2 영역에 배열되고,
상기 제3 단위 셀들은 제3 영역에 배열되고,
상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 소정 방향으로 순차적으로 배치되는,
금속 메쉬 구조체.
According to claim 1,
third unit cells defined by a plurality of third conductive lines having a line width wider than that of the second conductive line; further comprising,
The first unit cells are arranged in a first area,
The second unit cells are arranged in a second area,
The third unit cells are arranged in a third area,
The first area, the second area and the third area are sequentially arranged in a predetermined direction,
metal mesh structure.
제1항에 있어서,
상기 제1 단위 셀들과 상기 제2 단위 셀들은 랜덤으로 배열되는,
금속 메쉬 구조체.
According to claim 1,
the first unit cells and the second unit cells are randomly arranged,
metal mesh structure.
제1항에 있어서,
상기 제1 단위 셀들 중 적어도 하나와 상기 제2 단위 셀들 중 적어도 하나가 랜덤으로 배열되어 상위 셀을 형성하고,
상기 상위 셀이 일정 패턴으로 배열되는,
금속 메쉬 구조체.
According to claim 1,
At least one of the first unit cells and at least one of the second unit cells are randomly arranged to form an upper cell,
The upper cells are arranged in a certain pattern,
metal mesh structure.
제1항에 있어서,
상기 제1 도전 라인 및 상기 제2 도전 라인의 선폭은 1.0㎛ ~ 5.0㎛인,
금속 메쉬 구조체.
According to claim 1,
The line width of the first conductive line and the second conductive line is 1.0㎛ ~ 5.0㎛,
metal mesh structure.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 금속 메쉬 구조체를 포함하는 방사 패턴; 을 포함하는,
안테나 소자.
A radiation pattern comprising the metal mesh structure of any one of claims 1 to 6; containing,
antenna element.
제7항에 있어서,
상기 방사 패턴의 금속 메쉬 구조체보다 넓은 선폭을 가지는 금속 메쉬 구조 또는 속이 찬(solid) 구조로 형성되는 전송 선로; 를 더 포함하는,
안테나 소자.
8. The method of claim 7,
a transmission line formed of a metal mesh structure having a line width wider than that of the metal mesh structure of the radiation pattern or a solid structure; further comprising,
antenna element.
방사 패턴; 및
상기 방사 패턴 주변에 배치되는 더미 패턴; 을 포함하고,
상기 방사 패턴 및 상기 더미 패턴 중 적어도 하나는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 금속 메쉬 구조체를 포함하는,
안테나 소자.
radiation pattern; and
a dummy pattern disposed around the radiation pattern; including,
At least one of the radiation pattern and the dummy pattern comprises the metal mesh structure of any one of claims 1 to 6,
antenna element.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 금속 메쉬 구조체를 포함하는 센싱 전극;을 포함하는,
터치 센서.
A sensing electrode comprising the metal mesh structure of any one of claims 1 to 6; including,
touch sensor.
센싱 전극; 및
상기 센싱 전극 주변에 배치되는 더미 패턴; 을 포함하고,
상기 센싱 전극 및 상기 더미 패턴 중 적어도 하나는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 금속 메쉬 구조체를 포함하는,
터치 센서.
sensing electrode; and
a dummy pattern disposed around the sensing electrode; including,
At least one of the sensing electrode and the dummy pattern comprises the metal mesh structure of any one of claims 1 to 6,
touch sensor.
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