KR20220017181A - Ｎ형 트랜지스터를 포함하는 프로그램 가능한 전압이 인가되는 터치 스크린 - Google Patents

Abstract

본 발명은 터치 센서에 인가되는 전압이 외부의 별도의 전압원이 아니라 터치 드라이브 IC(TDI)로부터 프로그램 가능한 전압이 공급되도록 하여 터치 제어에 요구되는 센서 스위치의 제어 포트와 입력 포트의 신호선의 개수를 효율적으로 줄이고자 하는데 발명의 목적이 있다.
본 발명은 센서 스위치의 스위칭 트랜지스터를 LTPS(Low Temperature Poly Silicon)공정으로 제작된 P형 트랜지스터와 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide)공정으로 제작된 N형 트랜지스터로 구성하거나 N형 트랜지스터 만으로 구성함으로써 스위칭 효율을 높여 저 소비전력, 저 저항 신호 배선 그리고 터치 IC 단가 절감 등을 구현할 수 있는 터치 스크린을 제공한다.

Description

Ｎ형 트랜지스터를 포함하는 프로그램 가능한 전압이 인가되는 터치 스크린{TOUCH SCREEN APPLIED BY PROGRAMMABLE VOLTAGES INCLUDING N-TYPE TRANSISTORS}

본 발명은 터치 스크린에 관한 것으로, 보다 상세하게는 N형 트랜지스터를 포함하는 프로그램 가능한 전압이 인가되는 터치 스크린에 관한 것이다.

일반적으로 터치 스크린은, 스마트 폰, PDA(Personal Digital Assistants), 그리고 PMP(Portable Multimedia Player) 등과 같은 모바일 기기는 물론, 네비게이션, 넷북, 노트북, 태블릿 PC, DID(Digital Information Device), 그리고 IPTV(Internet Protocol TV) 등과 같은 다양한 유형의 전자 장치에 적용될 수 있다.

상기 터치 스크린은, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), 그리고 Rigid, Flexible, 그리고 Foldable Type으로 구분되는 OLED(Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 등과 같은 다양한 유형의 디스플레이 상판위에 외장되거나, 상기 디스플레이 내부에 일체형으로 내장될 수 있다.

상기 터치 스크린이 적용되는 디스플레이는, 터치 스크린 부착형(add-on type) 디스플레이, 터치 스크린 상판형(on-cell type) 디스플레이, 그리고 터치 스크린 내장형(in-cell type) 디스플레이 등으로 다양하게 구분될 수 있다.

상기 터치 스크린은, 예를 들어, 저항막 방식, 정전용량 방식, 전자기 유도 방식, 적외선 방식, 또는 초음파 방식 등과 같은 다양한 유형의 터치 방식이 적용될 수 있다.

상기 정전용량(Capacitive) 방식이 적용되는 터치 스크린은, 예를 들어, 손가락 또는 전자 펜 등과 같은 터치 입력 도구가, 상기 터치 스크린에 배열된 터치 센서(touch sensor)에 접촉 또는 접근함에 따라, 상기 터치 센서에서 생성되는 터치 커패시턴스(Ct: touch capacitance)에 의한 전압 변화에 기반하여, 터치 여부 및 터치 위치를 검출할 수 있다.

도 1은 먹스를 구비한 터치 스크린의 구성을 예시한 도면이다.

도 1을 참조하면, 상기 터치 스크린(100)은, 다수의 터치 센서(110), 다수의 센서 신호선(120), 다수의 먹스(130), 그리고 터치 드라이브 IC(140) 등을 포함할 수 있다.

상기 터치 센서(110)은, 예를 들어, 다수의 로우(row)와 컬럼(column)의 매트릭스(matrix) 형태로 배열될 수 있고, 상기 센서 신호선(120)은, 상기 터치 센서(110)에 각각 독립적으로 연결될 수 있다.

상기 센서 신호선(120)은, 상기 터치 센서(110)에 의해 생성되는 터치 커패시턴스(Ct)를, 상기 먹스(130)를 통해 상기 터치 드라이브 IC(140)으로 전달하며, 도 1에 도시한 바와 같이, 각 컬럼에 속하는 터치 센서의 일측(예: 우측)에 나란히 배열될 수 있다.

상기 다수의 먹스(130)는, 다량의 입력 및 출력(Input & Output)을 제어하는 스위칭 기능을 구현하며 디스플레이 픽셀 구동에 사용되는 TFT(Thin Film Transistors)와 동일한 TFT로 구성할 수 있으며 이는 상기 터치 드라이브 IC(140)의 외부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 드라이브 IC(140)는, COF(Chip On Film) 또는 FPC(Flexible Printed Circuit) 등과 같은 연성 회로 기판 상에 배치되고, 상기 다수의 먹스(130)는, 상기 연성 회로 기판과는 별개인 터치 스크린 패널(TSP: Touch Screen Panel) 상에 배치될 수 있다.

상기 다수의 먹스(130)는, 예를 들어, 각 컬럼(column)에 속하는 터치 센서의 센서 신호선들과 접속되고, 그 중 어느 하나의 센서 신호선을 선택하여, 상기 터치 드라이브 IC(140)에 접속시킬 수 있다.

예를 들어, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 먹스(Mux 1)는, 제1 컬럼(Col 1)에 속하는 제1 내지 제4 로우(Row 1~4)의 터치 센서들에 접속된 4 개의 센서 신호선들과 접속되고, 그 중 어느 하나를 선택하여, 상기 터치 드라이브 IC(140)에 접속시킬 수 있다.

상기 터치 드라이브 IC(140)은, 상기 터치 센서들을 구동하고, 상기 터치 센서들에서 생성되는 터치 커패시턴스(Ct)를, 상기 센서 신호선(120)과 상기 먹스(130)를 통해 수신하여, 터치 여부 및 터치 위치를 검출할 수 있다.

상기 다수의 먹스(130)를 터치 스크린 패널(TSP) 상에 배치함으로써, 상기 터치 드라이브 IC(140)의 입력 포트의 개수를 효율적으로 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시한 바와 같이, 터치 센서(110)의 개수가 32 개이고, 먹스(130)의 개수가 8 개인 경우, 터치 드라이브 IC(140)의 입력 포트의 개수는, 상기 먹스(130)의 개수에 대응되는 8 개가 될 수 있다.

상기와 같이 먹스를 구비한 터치 스크린에 관련된 보다 구체적인 기술 설명은, 본 출원인에 의해 출원된 한국특허 출원번호 제10-2016-0113596호에 이미 상세하게 기재되어 있으므로, 이하에서는 생략하기로 한다.

본 발명은 터치 센서에서 형성되어 터치 IC에 인가되는 센싱 전압과 터치 IC로부터 센서에 인가되는 구동 전압들을 제어하는 센서 스위치의 스위칭 트랜지스터를 LTPS(Low Temperature Poly Silicon)공정으로 제작된 P형 트랜지스터와 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide)공정으로 제작된 N형 트랜지스터로 구성하거나 N형 트랜지스터 만으로 구성함으로써 스위칭 효율을 높여 저 소비전력, 저 저항 신호 배선 그리고 터치 IC 단가 절감 등을 구현할 수 있는 터치 스크린을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린은,

센싱 상태와 난센싱 상태로 유지될 수 있는 복수의 터치 센서들;

P형 제1 트랜지스터 및 N형 제2 트랜지스터로 구성된 2 쌍의 트랜지스터를 포함하여, 상기 터치 센서들 각각의 상태를 독립적으로 제어할 수 있는 복수의 센서 스위치들;

상기 터치 센서들을 복수의 그룹으로 그룹화하고, 각 그룹을 복수의 블록으로 블록화하여 상기 터치 센서들을 블록 단위로 제어하는 복수의 먹스(MUX)들; 및

상기 센싱 상태의 적어도 하나 이상의 터치 센서에 생성된 터치 커패시턴스에 기초하여 터치를 검출하고, 상기 난센싱 상태의 복수의 터치 센서에 인가되는 전압을 제공하는 터치 드라이브 IC를 포함한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 스크린은,

센싱 상태와 난센싱 상태로 유지될 수 있는 복수의 터치 센서들;

2 개의 N형 트랜지스터를 포함하여, 상기 터치 센서들 각각의 상태를 독립적으로 제어할 수 있는 복수의 센서 스위치들;

상기 터치 센서들을 복수의 그룹으로 그룹화하고, 각 그룹을 복수의 블록으로 블록화하여 상기 터치 센서들을 블록 단위로 제어하는 복수의 먹스(MUX)들; 및

상기 센싱 상태의 적어도 하나 이상의 터치 센서에 생성된 터치 커패시턴스에 기초하여 터치를 검출하고, 상기 난센싱 상태의 복수의 터치 센서에 인가되는 전압을 제공하는 터치 드라이브 IC를 포함한다.

바람직하게는,

상기 센싱 상태의 터치 센서는 상기 센서 스위치에 접속되어 상기 먹스를 통하여 상기 터치 드라이브 IC에 연결되는 센싱 상태이고,

상기 난센싱 상태의 터치 센서는 터치 커패시턴스가 생성되지 않고, 임의의 DC 전압 또는 그라운드(GND) 전압이 인가되는 난센싱 상태인 것을 특징으로 한다.

바람직하게는,

상기 난센싱 상태는 터치 센서에 인가되는 전압에 따라 두개 이상의 서브 상태로 분할되고, 상기 난센싱 상태에서 상기 터치 센서에 인가되는 전압은 상기 터치 드라이브 IC에 의해 프로그램 가능한 전압인 것을 특징으로 한다.

바람직하게는,

각각의 상기 서브 상태에서 터치 센서에 인가되는 전압은 서로 다르고, HIGH/LOW DC 전압, 스퀘어 웨이브(Square Wave) 전압, Hi-z(Tri-state)전압 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.

바람직하게는,

상기 센서 스위치와 상기 먹스의 제어 신호는 상기 터치 드라이브 IC로부터 생성되며, 상기 센서 스위치의 구동 전압은 하이 레벨(+V)과 로우 레벨(+0V)에서 교번하는 DC 전압인 것을 특징으로 한다.

바람직하게는,

상기 그룹의 개수는, 상기 먹스의 개수에 대응되고,

상기 각 그룹 내의 블록의 개수는, 상기 각 먹스의 입력 포트의 개수에 대응되는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는,

상기 센서 스위치들과 상기 먹스들은, 상기 터치 센서들이 배열되는 터치 스크린 패널 상에 배치되는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는,

상기 센서 스위치는, 상기 센서 스위치에 접속된 터치 센서를, 상기 먹스에 연결하기 위한 제1 포트와, 상기 난센싱 상태의 전압을 인가하기 위한 제 2 포트를 포함한다.

바람직하게는,

상기 터치 드라이브 IC는, 상기 센서 스위치들을 제어하기 위한 스위치 제어 신호와, 상기 먹스들을 제어하기 위한 먹스 제어 신호를 연동시켜, 상기 각 블록 단위로 터치 검출 스캔 동작을 수행하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는,

상기 먹스 제어 신호는, 각 먹스에 대해 동일하게 인가되고,

상기 스위치 제어 신호는, 각 블록에 대해 동일하게 인가되는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는,

상기 터치 드라이브 IC는, 상기 각 블록 단위로 터치 검출 스캔 동작을 수행하는 동안, 상기 각 블록 내의 센서 스위치들로, 서로 다른 스위치 제어 신호들을 인가하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 터치 검출의 성능을 향상시킴과 아울러, 먹스와 센서 스위치를 제어하기 위한 제어 신호선의 개수를 효율적으로 줄일 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 고정 전압의 종류를 다양하게 제공할 수 있고(예를 들어, HIGH/LOW DC 전압, Square Wave, Hi-z(Tri-state)), Fast Switching신호를 센서 스위치(SW)에 공급하여 효율 높은 터치 스크린을 구현할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, Line sensing & Frame sensing을 하기 위한 상태 전환이 용이하다.

본 발명의 실시예에 따르면, 터치 IC의 생산 공정 전압을 저 전압으로 함으로써 소비전력이 감소되며 IC 자체의 가격이 낮아지는 장점이 있다.

도 1은 종래의 먹스를 구비한 터치 스크린의 구성을 예시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 먹스와 센서 스위치를 구비한 터치 스크린의 구성을 예시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 분류된 제1 그룹 내의 구성을 예시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 제1 먹스의 구성을 예시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 분류된 제1 블록 내의 센서 스위치들의 실시예의 구성을 예시한 도면이다.
도 6는 본 발명의 실시예에 따른 제1 컬럼의 터치 센서들에 대한 동작 상태의 변화를 예시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 터치 검출을 위한 스캔 과정을 예시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 터치 드라이브 IC(TDI)로부터 직접 인가되는 전압에 의해 동작되는 터치 센서를 포함하는 터치 스크린의 구성을 예시한 도면이다.
도 9는 도 8의 실시예에 따라 분류된 제1 그룹 내의 구성을 예시한 도면이다.
도 10(a)는 종래 기술의 외부 전압원을 이용한 센서 스위치의 구성을 도시한다.
도 10(b)는 종래 기술의 P형 트랜지스터만으로 구성된 센서 스위치의 구성(b1) 및 입력 전압에 대한 센서 스위치의 출력을 요약한 표(b2)를 도시한다.
도 10(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 P형 트랜지스터 및 N형 트랜지스터의 조합으로 구성된 센서 스위치의 구성(c1) 및 입력 전압에 대한 센서 스위치의 출력을 요약한 표(c2)를 도시한다.
도 10(d)는 본 발명의 일 실시예에 따른 N형 트랜지스터만으로 구성된 센서 스위치의 구성(d1) 및 입력 전압에 대한 센서 스위치의 출력을 요약한 표(d2)를 도시한다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면 및 실시예를 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명의 실시예는, 먹스와 센서 스위치를 구비한 터치 스크린에 관한 것으로, 예를 들어, 터치 드라이브 IC(TDI)의 외부에, 다수의 먹스가 배치된 터치 스크린에서, 먹스의 개수와, 각 먹스의 입력 포트의 개수를 효율적으로 줄일 수 있고, 터치 검출의 성능을 향상 시킴과 아울러, 상기 먹스와 상기 센서 스위치를 제어하기 위한 제어 신호선의 개수를 효율적으로 줄일 수 있다.

본 발명의 다른 실시예는, 센서 스위치의 제어 포트와 입력 포트의 신호선의 개수를 추가적으로 줄이기 위하여, 종래에 외부의 별도의 전압원으로부터 터치 센서에 인가되던 전압을 터치 드라이브 IC(TDI)로부터 직접 공급되도록 하여 터치 제어에 요구되는 센서 스위치의 제어 포트와 입력 포트의 신호선의 개수를 효율적으로 줄일 수 있다.

본 발명의 특정 실시예는, 센서 스위치를 구성하는 복수의 트랜지스터들 중 일부 또는 전부를 N형 트랜지스터로 구성하여 기존의 P형 트랜지스터만으로 구성된 센서 스위치에 비해 터치 드라이브 IC(TDI)의 구동 전압의 범위를 줄임으로써 소비전력을 감소시키고 칩 사이즈를 감소시킬 수 있다.

본 발명의 특정 실시예에 따른 센서 스위치는 복수개의 P형 트랜지스터들 및 복수개의 N형 트랜지스터들을 포함하여 구성된다.

본 발명의 특정 실시예에 따른 센서 스위치는 복수개의 N형 트랜지스터들만으로 구성된다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 먹스와 센서 스위치를 구비한 터치 스크린의 구성을 예시한 도면이다.

도 2를 참조하면, 상기 터치 스크린(200)은, 다수의 터치 센서(210), 다수의 센서 신호선(sensor signal line)(미도시), 다수의 먹스(MUX)(230), 다수의 센서 스위치(sensor switch)(미도시), 그리고 터치 드라이브 IC(TDI)(240) 등을 포함할 수 있다.

상기 터치 센서(210)는, 예를 들어, 다수의 로우(row)와 컬럼(column)의 매트릭스 형태로 배열될 수 있고, 직사각형, 마름모, 또는 다수의 마름모들이 연결된 독특한 형상일 수 있다.

상기 터치 센서(210)는, 예를 들어, 전도성 투명 물질(예: ITO(Indium Tin Oxide))이거나, 전도성 불투명 물질(예: metal)로 형성될 수 있고, 터치 패드, 터치 패턴, 또는 센서 패턴 등과 같이 임의의 다른 명칭으로 다양하게 지칭될 수 있다.

상기 센서 신호선은, 상기 터치 센서(210)에 각각 독립적으로 연결될 수 있고, 상기 터치 센서(210)에 의해 생성되는 터치 커패시턴스(Ct)를, 상기 센서 스위치와 상기 먹스(230)를 통해, 상기 터치 드라이브 IC(240)으로 전달할 수 있다.

상기 센서 신호선은, 예를 들어, 전도성 투명 물질(예: ITO)이거나, 전도성 불투명 물질(예: metal)로 형성될 수 있으며, 센서 트레이스(trace) 또는 링크 라인(link line) 등과 같이 임의의 다른 명칭으로 다양하게 지칭될 수 있다.

상기 다수의 먹스(230)는, 상기 터치 드라이브 IC(240)의 외부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 터치 드라이브 IC(240)는, COF(Chip On Film) 또는 FPC(Flexible Printed Circuit) 등과 같은 연성 회로 기판 상에 배치되고, 상기 다수의 먹스(230)는, 상기 연성 회로 기판과는 별개인 터치 스크린 패널(TSP: Touch Screen Panel) 상에 배치되거나, 상기 터치 스크린이 적용되는 디스플레이 상에 배치될 수 있다.

상기 터치 드라이브 IC(240)은, 상기 먹스(230)와 상기 센서 스위치의 스위칭 동작을, 서로 연동시켜 제어함과 아울러, 상기 터치 센서(210)들을 구동하고, 상기 터치 센서들에서 생성되는 터치 커패시턴스(Ct)를, 상기 먹스(230)와 상기 센서 스위치를 통해 수신하여, 터치 여부 및 터치 위치를 검출할 수 있으며, 터치 IC 등과 같이 임의의 다른 명칭으로 다양하게 지칭될 수 있다.

상기 터치 드라이브 IC(240)은, 예를 들어, LCD 또는 OLED 등과 같은 다양한 유형의 디스플레이에 포함된 디스플레이 드라이브 IC(DDI: Display Drive IC)와 연동하거나, 상기 DDI와 일체화되어 하나의 IC, 예를 들어 TDDI(Touch Display Drive IC)로 제작될 수 있으며, 스마트 폰 또는 검사 기기 등과 같은 다양한 유형의 전자 장치에 포함된 씨피유(CPU) 또는 엠씨유(MCU) 등과 연동할 수 있다.

상기 터치 드라이브 IC(240)은, 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 터치 구동을 위한 구동부(241), 터치 검출을 위한 터치 검출부(242), 터치 신호 처리를 위한 신호 처리부(243), 터치 데이터 저장을 위한 메모리부(244), 전원 공급을 위한 전원부(245), 터치 구동 및 검출 제어를 위한 컨트롤러(246), 터치 타이밍 제어를 위한 타이밍 제어부(247), 터치 구동 전압 생성을 위한 전압 생성부(248), 그리고 외부 통신을 위한 통신부(249) 등을 전부 또는 일부 포함할 수 있다.

상기 컨트롤러(246)는, 상기 터치 검출부(242)와 상기 신호 처리부(243), 그리고 상기 타이밍 제어부(247) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있으며, 상기 구성 요소들 중 하나 이상을 제어함과 아울러, 상기 통신부(249)를 통해 외부 구성 요소와의 인터페이스를 수행할 수 있다. 상기 메모리부(244)는, 예를 들어, 라인(line) 메모리 또는 프레임(frame) 메모리 등이 사용될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 다수의 먹스(230)를 터치 스크린 패널(TSP) 상에 배치하거나, 상기 터치 스크린이 적용되는 디스플레이 상에 배치할 수 있으며, 예를 들어, 1 개의 먹스가 1 개 이상의 컬럼에 대응되도록 배치하여, 먹스의 개수를 줄임과 동시에, 터치 드라이브 IC의 입력 포트의 개수를 줄일 수 있다.

이하에서는, 설명의 편의를 위해, 상기 다수의 터치 센서가, 제1 내지 제4 로우(Row 1~4)와 제1 내지 제8 컬럼(col 1~8)의 매트릭스 형태로 배열된, 도 2의 실시예를 참조로 상세히 설명한다.

예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 4 개의 로우와 8 개의 컬럼으로 배열된 총 32 개의 터치 센서들 중, 제1 및 제2 컬럼(Col1, Col2)의 터치 센서들은, 제1 그룹(Group1)으로 분류되고, 제3 및 제4 컬럼(Col3, Col4)의 터치 센서들은, 제2 그룹(Group2)으로 분류되고, 제5 및 제6 컬럼(Col5, Col6)의 터치 센서들은, 제3 그룹(Group3)으로 분류되고, 제7 및 제8 컬럼(Col7, Col8)의 터치 센서들은, 제4 그룹(Group4)으로 분류될 수 있다.

여기서, 1 개의 그룹은, 1 개의 먹스에 대응될 수 있다. 예를 들어, 총 8 개의 컬럼 중, 2 개의 컬럼을 1 개의 그룹으로 분류하면, 먹스의 개수는 4 개가 되며, 예를 들어, 총 8 개의 컬럼 중, 4 개의 컬럼을 1 개의 그룹으로 분류하면, 먹스의 개수는 2 개가 될 수 있다. 상기 각 그룹으로 분류되는 컬럼의 개수는, 예를 들어, 다양한 터치 검출 방식 등에 따라 임의로 변경될 수 있다.

본 발명의 실시예에서는, 예를 들어, 터치 검출을 위해 로우(row) 방향으로 스캔 동작을 수행하되, 기수(odd) 필드(또는 기수 컬럼)와 우수(even) 필드(또는 기수 컬럼)를 구분하여 순차적으로 스캔하는 터치 검출 방식을 예로 들어, 상세히 설명한다.

상기 각 그룹 내의 터치 센서들은, 다수의 블록(Block)으로 분류될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 그룹(Group1) 내의 8 개의 터치 센서들 중, 제1 컬럼의 제1 및 제2 터치 센서(T11, T21)는, 제1 블록(Block1)으로 분류되고, 제1 컬럼의 제3 및 제4 터치 센서(T31, T41)는, 제2 블록(Block2)으로 분류되고, 제2 컬럼의 제1 및 제2 터치 센서(T12, T22)는, 제3 블록(Block3)으로 분류되고, 제2 컬럼의 제3 및 제4 터치 센서(T32, T42)는, 제4 블록(Block4)으로 분류될 수 있다.

여기서, 각 그룹 내의 블록의 개수는, 각 먹스의 입력 포트의 개수에 대응될 수 있다. 예를 들어, 제1 그룹을 4 개의 블록으로 분류하면, 제1 먹스의 입력 포트의 개수는 4 개가 되며, 예를 들어, 제1 그룹을 2 개의 블록으로 분류하면, 제1 먹스의 입력 포트의 개수는 2 개가 될 수 있다. 상기 각 그룹 내의 블록의 개수는, 예를 들어, 다양한 터치 검출 방식 등에 따라 임의로 변경될 수 있다.

도 3은 본 발명의 실시예에 따라 분류된 제1 그룹 내의 구성을 예시한 도면이다.

본 발명의 실시예에 따르면, 각 그룹은, 동일한 개수의 블록으로 분류될 수 있고, 각 블록은, 동일한 개수의 터치 센서와 센서 스위치를 포함할 수 있다.

도 3을 참조하면, 상기 제1 그룹(Group1)은, 제1 내지 제4 블록(Block 1~4)으로 분류될 수 있고, 상기 제1 내지 제4 블록(Block1~4)은, 각각 2 개의 터치 센서들과 2 개의 센서 스위치들(SW1, 2)을 포함할 수 있다.

상기 센서 스위치(SW)는, 상기 센서 스위치에 접속된 터치 센서가, 터치 검출을 위해 터치 커패시턴스(Ct)를 생성하는 센싱 패드(sensing pad)의 동작 상태가 되거나, 터치 미검출을 위해 상기 터치 커패시턴스(Ct)를 생성하지 않는 난센싱 패드(non-sensing pad)의 동작 상태가 되도록 할 수 있다.

여기서, 상기 센서 스위치(SW)는, 예를 들어, 상태 전환 스위치(state conversion SW) 등과 같이 임의의 다른 명칭으로 다양하게 지칭될 수 있다.

상기 제1 내지 제4 블록(Block1~4)에는, 제1 스위치 제어신호(S_CTL1)와 제2 스위치 제어신호(S_CTL2)가, 각각 동시에 인가되며, 각 블록 내의 제1 센서 스위치(SW1)와 제2 센서 스위치(SW2)는, 해당 블록 내의 제1 터치 센서와 제2 터치 센서가, 서로 다른 동작 상태가 되도록 할 수 있다.

예를 들어, 상기 제1 내지 제4 블록(Block 1~4) 내에 포함된 각각의 제1 터치 센서들(T11, T31, T12, T32)은, 센싱(sensing) 패드의 동작 상태가 됨과 동시에, 상기 제1 내지 제4 블록 내에 포함된 각각의 제2 터치 센서들(T21, T42, T22, T42)은, 난센싱(non-sensing) 패드의 동작 상태가 될 수 있다.

상기 제1 그룹에 속하는 제1 먹스(230)에는, 상기 제1 그룹에 속하는 블록의 개수에 대응되는 입력 포트들이 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 먹스(230)에는, 4 개의 입력 포트(I1~I4)와 1 개의 출력 포트(O1)가 구비될 수 있고, 상기 제1 및 제2 스위치 제어 신호(S_CTL1, S_CTL2)와 연동되는 먹스 제어 신호(M_CTL)가 인가될 수 있다.

예를 들어, 상기 먹스 제어 신호(M_CTL)는, 상기 제1 내지 제4 블록(Block 1~4)) 내에서, 각각 센싱(sensing) 패드로 동작하는 4 개의 터치 센서들 중, 하나를 순차적으로 선택하기 위한 제어 신호로서, 상기 제1 및 제2 스위치 제어 신호(S_CTL1, S_CTL2)와 연동될 수 있다.

여기서, 상기 먹스와 상기 센서 스위치는, 전술한 바와 같이, 상기 터치 드라이브 IC의 외부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린 패널 상에 배치되거나, 상기 터치 스크린이 적용되는 디스플레이 상에 배치될 수 있다.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 제1 먹스의 구성을 예시한 도면이다.

본 발명의 실시예에 따르면, 하나의 먹스에는 다수의 입력 포트들과 하나의 출력 포트가 구비될 수 있고, 상기 먹스에 인가되는 먹스 제어 신호는, 상기 스위치 제어 신호들과 연동될 수 있다.

도 4를 참조하면, 상기 제1 먹스(230)에는, 4 개의 입력 포트(I1~I4)와 1 개의 출력 포트(O1)가 구비될 수 있고, 상기 제1 및 제2 스위치 제어 신호(S_CTL1, S_CTL2)와 연동되는 먹스 제어 신호(M_CTL)가 인가될 수 있다.

예를 들어, 상기 제1 먹스(230)는, 제1 입력 포트(I1)를 선택하여, 상기 제1 블록(Block1) 내에서 센싱 패드로 동작하는 제1 터치 센서(T11)를 선택하고, 이후, 제2 입력 포트(I2)를 선택하여, 상기 제2 블록(Block2) 내에서 센싱 패드로 동작하는 제1 터치 센서(T31)를 선택하고, 이후, 제3 입력 포트(I3)를 선택하여, 상기 제3 블록(Block3) 내에서 센싱 패드로 동작하는 제1 터치 센서(T12)를 선택하고, 이후, 제4 입력 포트(I4)를 선택하여, 상기 제4 블록 내에서 센싱 패드로 동작하는 제1 터치 센서(T32)를 선택할 수 있다.

즉, 상기 제1 먹스(230)는, 상기 제1 및 제2 스위치 제어 신호와 연동하는 상기 먹스 제어 신호(M_CTL)에 의해 순차적으로 스위칭되어, 센싱 패드로 동작 중인 제1 내지 제4 블록 내의 제1 터치 센서들(T11, T31, T12, T32)을 차례 대로 선택할 수 있다.

이후, 상기 제1 먹스(230)는, 제1 입력 포트(I1)를 선택하여, 상기 제1 블록 내에서 센싱 패드로 동작하는 제2 터치 센서(T21)를 선택하고, 이후, 제2 입력 포트(I2)를 선택하여, 상기 제2 블록 내에서 센싱 패드로 동작하는 제2 터치 센서(T41)를 선택하고, 이후, 제3 입력 포트(I3)를 선택하여, 상기 제3 블록 내에서 센싱 패드로 동작하는 제2 터치 센서(T22)를 선택하고, 이후, 제4 입력 포트(I4)를 선택하여, 상기 제4 블록 내에서 센싱 패드로 동작하는 제2 터치 센서(T42)를 선택할 수 있다.

즉, 상기 제1 먹스(230)는, 상기 제1 및 제2 스위치 제어 신호와 연동하는 상기 먹스 제어 신호(M_CTL)에 의해 순차적으로 스위칭되어, 센싱 패드로 동작 중인 제1 내지 제4 블록 내의 제2 터치 센서들(T21, T41, T22, T42)을 차례대로 선택할 수 있다. 이에 따라, 터치 검출의 스캔 동작을 블록 단위로 수행할 수 있다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따라 분류된 제1 블록 내의 센서 스위치들의 구성을 예시한 도면이다.

본 발명의 실시예에 따르면, 하나의 블록 내에는, 동일한 개수의 터치 센서들과 센서 스위치들이 포함될 수 있다. 예를 들어, 제1 블록(Block1)에는, 제1 및 제2 터치 센서들(T11, T21)과 제1 및 제2 센서 스위치들(SW1, SW2)이 포함될 수 있다.

상기 센서 스위치는, 상기 센서 스위치에 접속된 터치 센서가, 센싱(sensing) 패드의 동작 상태, 또는 난센싱(non-sensing) 패드의 동작 상태가 되도록 하기 위해, 1 개 이상의 상태 전환 포트들을 구비할 수 있다.

도 5를 참조하면, 상기 제1 센서 스위치(SW1)와 상기 제2 센서 스위치(SW2)에는, 각각 제1 내지 제3 포트들(S, D, G)이 구비될 수 있고, 상기 제1 포트(S)는, 터치 센서와 먹스를 연결시키기 위한 링크(Link) 포트일 수 있고, 상기 제2 포트(D)는, 터치 센서와 드라이빙 전압을 연결시키기 위한 드라이빙 전압(Vdrv) 포트일 수 있고, 상기 제3 포트(G)는, 터치 센서와 그라운드를 연결하기 위한 그라운드(GND) 포트일 수 있다.

여기서, 상기 드라이빙 전압은, 하이 레벨과 로우 레벨로 교번되는 DC 전압으로서, 도 2를 참조로 전술한 바 있는, 상기 전압 생성부(248)에 의해 공급되는 터치 구동 전압일 수 있다.

상기 제1 포트(S)와 상기 제3 포트(G) 사이에 존재하는 상기 제2 포트(D)는, 삭제되거나, 또는 2 개 이상의 포트들(D1, D2)로 확대될 수 있다.

예를 들어, 상기 제1 포트(S1)와 연결되어 센싱 패드로 동작하는 터치 센서를 기준으로, 동일 컬럼 내에서, 상하 방향으로 인접된 터치 센서들이, 상기 제2 포트(D)와 연결되어 난센싱 패드들로 동작하는 경우, 상기 센싱 패드의 센서 신호선과, 상기 난센싱 패드들의 센서 신호선들 사이에는, 선간 커패시턴스가 발생하게 되며, 상기 선간 커패시턴스를 이용하여, 터치 검출의 감도를 향상시킬 수 있다.

여기서, 상기 선간 커패시턴스를 이용하여, 터치 검출의 감도를 향상시키는 구체적인 기술 내용은, 본 출원인의 한국등록특허 제10-1602842호에 이미 상세하게 기재되어 있으므로, 이하에서는 생략하기로 한다.

도 5를 참조하면, 상기 제1 센서 스위치(SW1)에는, 상기 제1 센서 스위치와 연결된 터치 센서(T11)를 센싱 패드로 동작시키기 위해, 서로 다른 3 개의 스위치 제어 신호(S_CTL1-1, S_CTL1-2, S_CTL1-3)가 인가될 수 있다.

예를 들어, 상기 제1 센서 스위치(SW1)의 제1 포트(S)는, S_CTL1-1 신호에 의해 온되고, 나머지 제2 포트(D)와 제3 포트(G)는, S_CTL1-2 신호와 S_CTL1-3 신호에 의해 오프되어, 상기 제1 센서 스위치에 접속된 터치 센서(T11)는, 센싱 패드의 동작 상태가 될 수 있다.

한편, 상기 제2 센서 스위치(SW2)에는, 상기 제2 센서 스위치와 연결된 터치 센서(T21)를 난센싱 패드이면서, 드라이빙 전압이 인가되도록 하기 위해, 서로 다른 3 개의 스위치 제어 신호(S_CTL2-1, S_CT21-2, S_CTL2-3)가 인가될 수 있다.

예를 들어, 상기 제2 센서 스위치(SW2)의 제2 포트(D)는, S_CTL2-2 신호에 의해 온되고, 나머지 제1 포트(S)와 제3 포트(G)는, S_CTL2-1 신호와 S_CTL2-3 신호에 의해 오프되어, 상기 제2 센서 스위치에 접속된 터치 센서(T21)는, 난센싱 패드이면서 드라이빙 전압이 인가되는 동작 상태가 될 수 있다.

도 6는 본 발명의 실시예에 따른 제1 컬럼의 터치 센서들에 대한 동작 상태의 변화를 예시한 도면이다.

본 발명의 실시예에 대한 구체적인 설명의 편의를 위해, 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 컬럼(Col1) 내에 14 개의 터치 센서들이 포함되고, 상기 제1 컬럼(Col1)이, 제1 블록(Block1)과 제2 블록(Block2)으로 분류된 예를 들어 설명한다.

전술한 바와 같이, 각 블록에는, 동일한 개수의 터치 센서들과 센서 스위치들이 포함되므로, 상기 제1 블록과 상기 제2 블록에는, 각각 7 개의 터치 센서들과 7 개의 센서 스위치들이 포함된다.

상기 제1 블록과 상기 제2 블록에는, 상기 7 개의 센서 스위치들을 제어하기 위한 제1 내지 제7 스위치 제어 신호들이 인가되며, 상기 제1 내지 제7 스위치 제어 신호들에 따라, 상기 제1 블록과 상기 제2 블록의 각 첫 번째 터치 센서에서부터 일곱 번째 터치 센서까지 순차적으로, 센싱 패드의 동작 상태가 될 수 있다.

상기 센싱 패드를 기준으로, 동일 컬럼에서, 상하 방향에 인접된 다른 터치 센서들은, 난센싱 패드이면서 드라이빙 전압이 인가될 수 있고, 나머지 다른 터치 센서들은, 난센싱 패드이면서 그라운드가 접속될 수 있다.

도 6을 참조하면, 동작 시간 t1에서, 제1 블록과 제2 블록의 제1 터치 센서들은, 각각 센싱 패드(SP)가 되고, 상기 제1 블록과 제2 블록의 제2, 제3, 제6, 제7 터치 센서들은, 각각 드라이빙 전압이 인가되는 난센싱 패드(NP-V)가 되고, 상기 제1 블록과 제2 블록의 제4, 제5 터치 센서들은, 각각 그라운드와 접속되는 난센싱 패드(NP-G)가 될 수 있다.

이후, 동작 시간 t2에서, 제1 블록과 제2 블록의 제2 터치 센서들은, 각각 센싱 패드(SP)가 되고, 상기 제1 블록과 제2 블록의 제1, 제3, 제4, 제7 터치 센서들은, 각각 드라이빙 전압이 인가되는 난센싱 패드(NP-V)가 되고, 상기 제1 블록과 제2 블록의 제5, 제6 터치 센서들은, 각각 그라운드와 접속되는 난센싱 패드(NP-G)가 될 수 있다.

이후, 동작 시간 t3에서, 제1 블록과 제2 블록의 제3 터치 센서들은, 각각 센싱 패드(SP)가 되고, 상기 제1 블록과 제2 블록의 제1, 제2, 제4, 제5 터치 센서들은, 각각 드라이빙 전압이 인가되는 난센싱 패드(NP-V)가 되고, 상기 제1 블록과 제2 블록 내의 제5, 제6 터치 센서들은, 각각 그라운드와 접속되는 난센싱 패드(NP-G)가 될 수 있다.

이후, 도 6에 도시한 바와 같이, 각각의 동작 시간 t4~t7에서, 상기 센싱 패드(SP)와 상기 난센싱 패드(NP-V, NP-G)를, 각 블록 내에서 순차적으로 변경할 수 있다. 여기서, 제1 블록과 제2 블록은, 전술한 바와 같이, 제1 먹스에 대응되는 제1 그룹에 속하므로, 상기 제1 블록에서 순차적으로 변경되는 센싱 패드들이, 상기 제1 먹스의 제1 포트를 통해 순차적으로 출력되고, 이후, 상기 제2 블록에서 순차적으로 변경되는 센싱 패드들이, 상기 제1 먹스의 제1 포트를 통해 순차적으로 출력된다.

이에 따라, 상기 제1 컬럼에 속하는 14 개의 터치 센서들을 순차적으로 스캔하는 결과가 된다. 한편, 상기 각 블록 내에서, 상기 센싱 패드(SP)와, 상기 그라운드에 연결된 난센싱 패드(NP-G) 사이에 존재하는, 상기 드라이빙 전압이 인가되는 난센싱 패드(NP-V)의 개수는, 예를 들어, 도 6의 동작 시간 t4에 도시한 바와 같이, 2 개이거나, 영(zero), 1 개 또는 3 개 이상일 수도 있다.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 터치 검출을 위한 스캔 과정을 예시한 도면이다.

본 발명의 실시예에 대한 구체적인 설명의 편의를 위해, 도 7에 도시한 바와 같이, 각 컬럼 내에 6 개의 터치 센서들이 포함되고, 이웃하는 2 개의 컬럼들이 1 개의 그룹으로 분류되고, 각 컬럼 내의 6 개의 터치 센서들 중 세로 방향의 3 개의 터치 센서들이 각 블록으로 분류된 예를 들어 설명한다.

도 7을 참조하면, 터치 검출을 위해 로우(row) 방향으로 스캔 동작을 수행하되, 기수(odd) 필드(또는 기수 컬럼)와 우수(even) 필드(또는 우수 컬럼)를 구분하여 순차적으로 스캔하는 터치 검출 방식에서, 제1 블록 스캔 동작(Block1-Scan)을 수행하기 위한 동작 시간 T1이 되면, 각 그룹 내의 제1 블록에 속하는 터치 센서들이 순차적으로 센싱 패드가 된다.

이후, 제2 블록 스캔 동작(Block2-Scan)을 수행하기 위한 동작 시간 T2이 되면, 각 그룹 내의 제2 블록에 속하는 터치 센서들이 순차적으로 센싱 패드가 되고, 이후, 제3 블록 스캔 동작(Block3-Scan)을 수행하기 위한 동작 시간 T3이 되면, 각 그룹 내의 제3 블록에 속하는 터치 센서들이 순차적으로 센싱 패드가 된다.

이후, 제4 블록 스캔 동작(Block4-Scan)을 수행하기 위한 동작 시간 T4이 되면, 각 그룹 내의 제4 블록에 속하는 터치 센서들이 순차적으로 센싱 패드가 된다.

이에 따라, 상기 제1 블록과 제2 블록에 대한 스캔 동작을 순차적으로 수행하는 기수 필드의 스캔 동작을 수행하고, 이후, 상기 제3 블록과 제4 블록에 대한 스캔 동작을 순차적으로 수행하는 우수 필드의 스캔 동작을 수행함으로써, 상기 기수 필드와 상기 우수 필드의 스캔 결과를 합산하여, 하나의 프레임(frame)에 대한 터치 검출의 스캔 결과를 획득할 수 있게 된다.

도 8은 본 발명의 실시예에 따른 터치 드라이브 IC(TDI)로부터 직접 인가되는 전압에 의해 동작되는 터치 센서를 포함하는 터치 스크린의 구성을 예시한 도면이다.

도 8는 도 2에 도시된 먹스와 센서 스위치를 구비한 터치 스크린의 구성보다 추가적으로 더 축소된 센서 스위치의 제어 포트와 입력 포트의 신호선의 개수를 갖는 터치 스크린의 다른 구성을 예시한 도면이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 먹스와 센서 스위치를 구비한 터치 스크린의 구성에서 각각의 센서 스위치는 센서 스위치는 3개의 트랜지스터를 포함하고, 입력 포트를 3개 그리고 상태 전환 포트로서 역할을 하는 제어포트 3개 그리고 1개의 센서 연결 포트 구체적으로, 7개의 포트가 필요했다.

또한, 터치 센서에 인가되던 2개의 고정 전압 (GND, Vdrv)은 별도의 전압원으로부터 인가되어, 난센싱 상태(Vdrv)에서 난센싱 상태(GND)로 변환될 때 순간적인 쇼트(short)를 방지하기 위하여 중간에 플로팅 상태(floating state)를 추가적으로 유지하여야 하는 문제가 있었다.

난센싱 상태(Vdrv)에서 난센싱 상태(GND)로 변환할 때 또는 난센싱 상태(GND)에서 난센싱 상태(Vdrv)로 변환할 때 플로팅 상태를 거침으로써 전체적인 센싱 시간이 길어지고 터치 스크린의 제어가 복잡해지는 문제가 있었다.

또한, 디스플레이의 사이즈가 커질수록 터치센서 각각에 연결되는 센서 스위치의 개수도 늘어나며 각각의 센서 스위치를 제어하기 위한 제어 포트와 입력 포트의 신호선도 늘어나게 된다.

따라서, 도 2의 다수의 먹스와 센서 스위치가 구비된 터치스크린에서 센서 스위치의 제어 포트와 입력 포트의 신호선의 개수를 줄이는 것은 항상 요구되는 기술적 문제이다.

전체적인 센싱 시간이 길어지는 문제와 신호선의 개수를 동시에 해결하기 위하여, 도 8에 도시된 실시의 예에서는 터치 드라이브 IC(TDI)로부터 직접 인가되는 전압(S_OUT_U1, S_OUT_D1)(870)에 의해 동작되는 터치 센서를 포함하는 터치 스크린(800)을 포함한다.

또한, 터치 드라이브 IC(TDI)로부터 직접 인가되는 전압은 프로그램 가능한 전압으로서 전압의 종류를 다양하게 제공할 수 있고(예를 들어, HIGH/LOW DC 전압, Square Wave, Hi-z(Tri-state)), Fast Switching 신호를 센서 스위치(SWxx)에 공급하여 효율 높은 터치 스크린을 구현할 수 있다. 그리고 도 8의 실시예에 따르면, Line sensing & Frame sensing을 하기 위한 상태 전환이 용이하다.

도 9는 도 8의 실시예에 따라 분류된 제1 그룹 내의 구성을 예시한 도면이다.

도 9를 참조하면, 상기 제1 그룹(Group1)은, 제1 내지 제4 블록 (Block 1~4)으로 분류될 수 있고, 상기 각 블록(Block1 ~ Block4)은 각각 2 개의 터치 센서들(예:T11, T21)과 2 개의 센서 스위치(예 : SW11, SW21)을 포함할 수 있다.

상기 센서 스위치(예 : SW11)은 접속된 터치 센서가, 터치 검출을 위한 센싱 패드(sensing pad)로 동작할 수 있도록 하거나, 터치 검출을 하지 않는 난 센싱 패드(non-sensing pad)로 동작할 수 있도록 Vdrv, GND, 또는 특정 전압을 인가할 수 있다.

상기 제1 내지 제4 블록(Block1~4)에는, 제1 스위치 제어신호 S_CTL1(S1: G13)와 제2 스위치 제어신호 S_CTL2(S2: G24)가, 각각 동시에 인가되며, 각 블록 내의 제1 센서 스위치(예:SW11)와 제2 센서 스위치(예:SW21)는, 해당 블록 내의 제1 터치 센서와 제2 터치 센서가, 서로 다른 동작 상태가 되도록 할 수 있다.

예를 들어, 상기 제1 내지 제4 블록(Block 1~4) 내에 포함된 각각의 제1 터치 센서들(T11, T31, T12, T32)은, 센싱(sensing) 패드의 동작 상태가 됨과 동시에, 상기 제1 내지 제4 블록 내에 포함된 각각의 제2 터치 센서들(T21, T41, T22, T42)은, 난센싱(non-sensing) 패드의 동작 상태가 될 수 있다.

상기 제1 그룹에 속하는 제1 먹스(940)에는, 상기 제1 그룹에 속하는 블록의 개수에 대응되는 입력 포트들이 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 먹스(940)에는, 4 개의 입력 포트(I1~I4)와 1 개의 출력 포트(O1)가 구비될 수 있고, 상기 SW11와 SW21의 제어 신호(S_CTL1(S1:G13), S_CTL2(S2:G24))와 연동되는 4개의 먹스 제어 신호(M_CTL)가 인가될 수 있다.

예를 들어, 상기 먹스 제어 신호(M_CTL)는, 상기 제1 내지 제4 블록 (Block 1~4)) 내에서, 각각의 센싱(sensing) 패드들이 상부와 하부로 구분 동작되는데 상부 4개의 터치 센서(예: T11, T12, T31, T32)가 상기 센서 스위치 (예:SW11, SW12, SW31, SW32)의 제어신호 S_CTL1(S1:G13) 에 의거 선택되면 하나씩 순차적으로 선택하여 센싱(Sensing)한다. 한편 하부 4개의 터치 센서(예: T21, T22, T41, T42)가 상기 센서 스위치 (예:SW21, SW22, SW41, SW42)의 제어신호 S_CTL2(S2:G24) 에 의거 선택되면 하나씩 순차적으로 선택하여 센싱(Sensing)한다.

여기서, 상기 먹스와 상기 센서 스위치는 전술한 바와 같이 상기 터치 드라이브 IC의 외부에 배치될 수 있으며, 터치 스크린 패널 주변의 기판 상에 형성될 수 있다.

도 9는 본 발명의 실시예에 따라, 하나의 블록 내에는 동일한 개수의 터치 센서들과 센서 스위치들이 포함될 수 있다. 예를 들어, 제1 블록(Block1)에는, 제1 및 제2 터치 센서들(T11, T21)과 제1 및 제2 센서 스위치(SW11, SW21)이 포함될 수 있다.

상기 센서 스위치(SW11, SW21)는 접속된 터치 센서가 센싱 (sensing) 패드의 동작 상태, 또는 난센싱(non-sensing) 패드의 동작 상태가 되도록, 1 개 이상의 상태 전환 포트들(S_CTL1, S_CTL2)을 구비할 수 있다.

도 9를 참조하면, 상기 제1 센서 스위치(SW11, SW31, SW12, SW32)와 상기 제2 센서 스위치 (SW21, SW41, SW22, SW42)에는, 각각 2 포트들((SIN1, GD1),(SIN2, GD3),(SIN3, GD1),(SIN4, GD3))와 ((SIN1, GD2),(SIN2, GD4),(SIN3, GD2),(SIN4, GD4)로 구성될 수 있고, 상기 제1 포트(S_IN1-4)는, 터치 센서와 먹스를 연결시키기 위한 링크(Link) 포트일 수 있고, 상기 제2 포트(GD1-4)는, 터치 센서에 드라이빙 전압을 연결시키기 위한 드라이빙(Vdrv) 전압 또는 GND 전압을 인가하기 위한 GND전압 또는 별도의 전압을 인가하기 위한 포트일 수 있다. 본 예시에서 상기 제2 포트 (GD1, 3)는 Block의 상부에 (GD2, 4)는 하부에 각각 하나씩 총 2개의 난 센싱(Non Sensing) 전압을 인가할 수 있다.

여기서, 상기 드라이빙 전압은 하이 레벨과 로우 레벨로 교번되는 DC 전압 또는 소정 크기의 DC 전압으로서, 터치 드라이브 IC(TDI)(950)에 의해 공급되는 터치 구동 전압일 수 있다.

도 10(a)는 종래 기술의 외부 전압원을 이용한 센서 스위치의 구성을 도시한다.

도 10(a)에서의 난센싱 상태(Vdrv) 및 난센싱 상태(GND)는 별도의 외부 전압원으로부터 공급되어, 상기에서 언급된 바와 같이 터치 센싱 시간이 길어지고, 신호선의 개수가 늘어나는 문제가 있다.

센서 스위치는 센서 스위치에 접속된 터치 센서가 센싱 패드의 동작상태 또는 난센싱 패드의 동작 상태가 되도록 하기 위한 1개 이상의 상태 전환 포트들(S_CTL1~ S_CTL2)을 구비할 수 있다.

또한, 상기 센서 스위치에는 제1 내지 제3 포트들(SIN, Vdrv, GND)이 구비될 수 있고, 제1 포트(SIN)는 터치 센서와 먹스를 연결시키기 위한 링크(link) 역할을 하는 포트일 수 있고, 제 2 포트(Vdrv)는 상기 터치 센서가 난-센싱 패드로 동작하기 위한 드라이빙 전압을 연결시키는 드라이빙 전압(Vdrv) 포트일 수 있고, 제3 포트(GND)는 상기 터치 센서가 난-센싱 패드로 동작하기 위한 그라운드를 연결하기 위한 그라운드(GND)포트일 수 있다.

센서 스위치의 드라이빙 전압은, 하이(HIGH) 레벨과 로우(LOW) 레벨로 교번되는 DC전압으로서, TDI의 전압 생성부에 의해 공급되는 터치 구동 전압일 수 있다.

터치 패드 또는 터치 스크린을 동작시키기 위해서 센서 스위치에 서로 다른 2개의 스위치 제어 신호(S_CTL1-1, S_CTL1-2)가 인가될 수 있으며, 터치 패드를 센싱 패드로 동작 시키기 위해서는 도 10a에 도시된 바와 같이, 터치 센서에 센싱 전압을 공급하는 제1 포트(SIN)는 S_CTL1-1의 S1 신호에 의해 온(ON)되고, 나머지 제2포트(Vdrv)와 제3포트(GND)는 S_CTL1의 D1 신호와 S_CTL1의 G1 신호에 의해 오프(OFF)되어 터치 센서(T11)은 센싱 패드로 동작하게 된다.

도 10(a)의 센서 스위치는 3단자형 스위칭 소자를 포함할 수 있고, 스위칭 소자는 3개의 포트와 3개의 제어 포트가 각각 필요하게 된다.

도 10(a)의 스위치(SW11)는 7개의 입출력(IO) 포트와 3개의 트랜지스터로 구성되며, 1개의 센싱 신호는 제어신호 S1에 의해 먹스에 입력되고, 2개의 고정 전압(GND, Vdrv)이 각각의 제어 신호인 G1과 D1에 의해 별도의 외부 전압원으로부터 터치 센서에 GND 또는 Vdrv전압을 인가한다.

도 10(a)의 스위치(SW11)를 구성하는 트랜지스터는 P형이기 때문에 S1, D1과 G1의 턴 온(Turn On)전압은 음전압(negative voltage)(-V)이며 턴 오프(Turn Off)전압은 양전압(postive voltage)(+V)이 각각 P-TFT 게이트에 인가 되어야 한다.

도 10(b)는 종래 기술의 P형 트랜지스터만으로 구성된 센서 스위치의 구성 및 입력 전압에 대한 센서 스위치의 출력을 요약한 표를 도시한다.

도 10(b1)는 도9의 블록 내에 위치한 센서 스위치(SW11) 중의 하나이며 5개의 I/O 포트와 2개의 트랜지스터로 구성되어, 각각의 트랜지스터의 게이트를 제어하여 터치 센서 센싱과 난센싱 터치 센서 로딩을 구현한다.

도 10(b1)의 터치 드라이브 IC(TDI)는 1개의 전압 포트(GD1)를 통해 터치 센서에 전압이 인가되는 것이 특징이다.

예를 들어, 2개의 고정전압(GND, Vdrv)을 터치 드라이브 IC(TDI)의 1개의 전압포트(GD1)를 통해 선택 공급할 수 있다. 도 10(a)에서의 별도의 외부 전압원에 의한 전압 인가와는 달리, 터치 드라이브 IC(TDI)에서 인가되는 전압은 프로그램 가능한(programmable) 전압으로서, 전압에 종류에 따라 여러 개의 전압 소스를 별도 구비할 필요가 없다.

또한, 도 10(a)의 별도의 외부 전압원에 의한 전압 인가의 경우와 달리, 도 10(b)의 터치 드라이브 IC(TDI)에 의한 전압 인가는 드라이빙 전압의 (Vdrv) 난센싱 상태에서 그라운드 전압(GND)의 난센싱 상태로 전환될 때 또는 그라운드 전압(GND)의 난센싱 상태에서 드라이빙 전압(Vdrv)의 난센싱 상태로 전환될 때 중간에 플로팅 상태(floating state)로 플로팅 노이즈(Floating Noise)가 제거되어 터치 스크린의 전체 터치 센싱 시간이 단축된다.

센서 스위치(SW11)의 제1 포트(SIN)는 터치 센서와 먹스를 연결시키기 위한 링크(link) 역할을 하는 포트일 수 있고, 제2 포트(GD1)는 터치 센서가 난센싱 패드로 동작하기 위한 드라이빙 전압을 연결시키는 드라이빙 전압(Vdrv) 또는 GND 또는 프로그램 가능한 전압 포트일 수 있다.

터치 드라이브 IC(TDI)에서 센서 스위치의 전압 포트를 통해 인가되는 전압은 TDI의 센서 스위치 제어 신호(S_CTL1, S_CTL2)와 연동되며 터치 센서는 센싱 모드 또는 난센싱 모드로 동작하게 된다.

그리고, 이를 통해 로우(row) 단위로 센싱하는 라인 센싱(Line Sensing) 뿐만 아니라 전체 터치 센서를 센싱하는 프레임 센싱(Frame Sensing)도 할 수 있다.

도 10(b2)는 P형 트랜지스터만으로 구성된 센서 스위치의 구성에서의 입력 전압에 대한 센서 스위치의 출력을 요약한 표이다.

제 1 트랜지스터(TR1)의 게이트에 로우 전압(예를 들어, -10V) 그리고 제 2 트랜지스터(TR2)의 게이트에 하이 전압(예를 들어, +10V)를 인가함으로써 센싱 상태가 된다.

그리고 제 1 트랜지스터(TR1)의 게이트에 하이 전압(예를 들어, +10V) 그리고 제 2 트랜지스터(TR2)의 게이트에 로우 전압(예를 들어, -10V)를 인가함으로써 드라이빙 전압의 난센싱 상태가 된다.

도8의 MUX, 도 10(a) 과 도 10(b1)의 센서 스위치(SW11)에 사용되는 트랜지스터 소재는 LTPS(Low Temperature Poly Silicon)이며 P-TFT(P-Thin Film Transistor)로만 되어있어서 턴 온을 위해서는 음전압(-V)이, 그리고 턴 오프 하기 위해서는 양전압(+V)이 각각 P-TFT 게이트에 인가 되어야 한다.

이를 위하여 IC 동작시에 높은 동작 전압이 요구되고 IC 제조시에 높은 공정전압을 사용해야 하는데 이는 칩 크기를 증가, IC 가격 인상, 높은 IC 동작전압에 의한 소비전력 증대, 전자파(EMI) 잡음 증대등의 많은 문제들을 수반한다.

도 10(c)는 본 발명의 일 실시예에 따른 P형 트랜지스터 및 N형 트랜지스터의 조합으로 구성된 센서 스위치의 구성(c1) 및 입력 전압에 대한 센서 스위치의 출력을 요약한 표(c2)를 도시한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 도 10(c1)은 SW11 블록이 5개의 I/O 포트로 구성되고 SW11 블록 내부는 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 및 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide)소재로 제작된 제1 트랜지스터(TR1, P-TFT), 제2 트랜지스터(TR2, N-TFT), 제3 트랜지스터(TR3, N-TFT) 및 제4 트랜지스터(TR4, P-TFT)로 구성되어 P-TFT와 N-TFT가 짝으로 스위칭 회로를 구성한 것이 특징이다.

즉, 도 10(c) 에 도시된 본 발명의 일 실시예는 도 10(b)에 도시된 것과 달리 LTPS(Low Temperature Poly Silicon)와 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 소재 및 공정으로 제작된 복수의 P-TFT와 N-TFT 짝을 이루는 트랜지스터들의 게이트에 로우 전압 (예를 들어, 0V) 혹은 하이 전압(예를 들어, +10V)을 인가하여 해당 트랜지스터를 턴 온 혹은 턴 오프시켜 센싱 상태(Sensing)과 드라이빙 전압의 난센싱 상태로 선택 동작시킬 수 있다.

센싱 상태의 트랜지스터의 동작을 상세히 살펴보면, 터치 센서에서 발생된 센싱 전압은 턴 오프 상태의 P-TFT(TR1)과 N-TFT(TR3)의 소스(Source)와 드레인(Drain)에 머무르다가 P-TFT(TR1)의 게이트(Gate)(S1)에 로우 전압(0V), N-TFT(TR3)의 게이트(G13)에 하이 전압(+V)을 각각 인가하면 P-TFT(TR1)와 N-TFT(TR3)가 턴 온되고 센싱 전압이 먹스(MUX)1의 SIN1을 통해 터치 드라이브 IC(TDI)로 입력된다.

동시에 N-TFT(TR2)의 게이트(S1)에 로우 전압(-0), P-TFT(TR4)의 게이트(G13)에 하이 전압(+V)을 인가하여 P-TFT(TR4)와 N-TFT(TR2)가 턴 오프되어 센서스위치에 드라이빙 전압의 인가가 차단된다.

드라이빙 전압의 난센싱 상태의 경우를 살펴보면, TDI에서 생성되는 그라운드(GND)나 드라이빙 전압(Vdrv)으로 터치 센서를 드라이빙하기 위하여 P-TFT(TR4)의 게이트(G13)에 로우 전압(-0)을 인가하고 P-TFT(TR2) 게이트(S1)에 하이 전압(+V) 전압을 인가하면 P-TFT(TR4)와 N-TFT(TR2)가 턴 온되고 드라이빙 전압(예를 들어, 그라운드 전압(GND), 혹은 드라이빙 전압(Vdrv))이 센서에 인가된다. 동시에 N-TFT(TR3)의 게이트(G13)에 로우 전압(-0V), P-TFT(TR1)의 게이트(S1)에 하이 전압(+V)을 인가하여 P-TFT(TR1)와 N-TFT(TR3)가 턴 오프 되어 센서에 인가된 드라이빙 전압과 TDI의 센싱 포트 P11는 차단된다.

도 10(c)의 실시예에서 로우 전압(-0)은 GND 전압이고 하이 전압(+V)은 +V 전압이기 때문에 음의 전압원(-V)을 사용하지 않고 터치 드라이브 IC(TDI)의 생산 공정 전압을 저 전압으로 활용할 수 있어 도 10(a) 및 도 10(b)의 종래의 센서 스위치의 구성에 대비하여 소비 전력 뿐만 아니라 IC가격을 낮출 수 있다.

도 10(c2)는 센서 스위치(SW11)의 게이트 입력 신호(S1, G13)조건에 따른 출력을 표로 정리하였다.

제 1 트랜지스터(TR1)의 게이트에 로우 전압(예를 들어, -0V) 그리고 제 3 트랜지스터(TR3)의 게이트에 하이 전압(예를 들어, +10V)를 인가함으로써 센싱 상태가 된다.

그리고 제 1 트랜지스터(TR1)의 게이트에 하이 전압(예를 들어, +10V) 그리고 제 2 트랜지스터(TR2)의 게이트에 로우 전압(예를 들어, -0V)를 인가함으로써 드라이빙 전압의 난센싱 상태가 된다.

도 10(c2)에서 제 2 트랜지스터(TR2)와 제 4 트랜지스터(TR4)는 터치 드라이브 IC(TDI)의 GND를 입력하기 위한 제어 스위치이며, 제 1 트랜지스터(TR1) 및 제 3 트랜지스터(TR3)와는 반대로 움직인다.

도 10(d1)는 본 발명의 일 실시예에 따른 N형 트랜지스터만으로 구성된 센서 스위치의 구성 및 입력 전압에 대한 센서 스위치의 출력을 요약한 표를 도시한다.

도 10(d1)은 SW11 블록이 5개의 I/O 포트로 구성된다는 점에서 도 10(c1)의 실시예의 구성과 동일하지만, 그러나 SW11 스위치가 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide)소재 및 공정으로 제작된 N-TFT Type의 제1 트랜지스터(TR1), 제2 트랜지스터(TR2)만으로 구성된 것이 다르다.

즉, 도 10(d1)에 도시된 실시예는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 소재 및 공정으로 제작된 복수의 N-TFT의 게이트에 로우 전압(-0V) 또는 하이 전압(+V)을 인가하여 해당 트랜지스터를 턴 오프 혹은 턴 온시켜 드라이빙 난센싱 동작과 센싱 동작을 선택적으로 수행할 수 있다.

센싱 동작의 경우 터치 센서에서 발생된 센싱 전압은 턴 오프상태의 N-TFT(TR1) 드레인(Drain)에 머무르다가 게이트(S1)에 하이 전압(+V)을 인가하면 N-TFT(TR1)가 턴 온되어 터치 센싱 전압이 터치 드라이브 IC(TDI)에 입력된다.

동시에 N-TFT(TR2)의 게이트(G13)에 로우 전압(-0)을 인가하면 N-TFT (TR2)가 턴 오프되어 터치 센서로의 드라이빙 전압의 입력이 차단된다.

드라이빙 전압의 난센싱 상태의 경우는 TDI에서 생성된 그라운드(GND)나 드라이빙 전압(Vdrv)으로 터치 센서를 드라이빙하기 위하여 N-TFT(TR2)의 게이트(G13)에 하이 전압(+V)을 인가하면 N-TFT(TR2)가 턴 온되고 드라이빙 전압(GND, Vdrv)이 터치 센서에 인가된다. 동시에 N-TFT(TR1)의 게이트(S1)에 로우 전압(-0)을 인가하면 N-TFT(TR1)가 턴 오프되어 센서에 인가된 드라이빙 전압과 TDI의 센싱 포트 P11는 차단된다.

도 10(d1)에 도시된 N형 트랜지스터만으로 구성된 센서 스위치의 실시예에서, 로우 전압(-0V)은 GND 전압이고 하이 전압(+V)은 V+Vth 전압이기 때문에 음 전압원(-V)을 제거할 수 있어서 터치 드라이브 IC(TDI)의 생산 공정 전압을 도10(b1)의 센서 스위치의 구성에 대비하여 저 전압으로 구동시킬 수 있어 소비전력과 IC가격을 낮출 수 있다.

도 10(d1) 에서 하이 전압 (V+Vth)에서 Vth는 트랜지스터의 게이트 문턱 전압이며, 도 10(d1) 센서 스위치 회로의 제1 트랜지스터(TR1, N-TFT), 제2 트랜지스터(TR2, N-TFT)을 턴 온시키기 위해서는 게이트 전압 V+Vth은 소스 전압보다 충분히 높아야 한다.

상기의 센서 스위치SW11의 Gate Input(S1, G13)조건에 따른 Output을 도10-d2과 같이 Table로 표시할 수 있다.

도 10(d2)는 센서 스위치(SW11)의 게이트 입력 신호(S1, G13)조건에 따른 출력을 표로 정리하였다.

제 1 트랜지스터(TR1)의 게이트에 하이 전압(예를 들어, +V) 그리고 제 2 트랜지스터(TR2)의 게이트에 로우 전압(예를 들어, 0V)를 인가함으로써 센싱 상태가 된다.

그리고 제 1 트랜지스터(TR1)의 게이트에 로우 전압(예를 들어, 0V) 그리고 제 2 트랜지스터(TR2)의 게이트에 하이 전압(예를 들어, +V)를 인가함으로써 드라이빙 전압의 난센싱 상태가 된다.

본원 발명에 따른 터치 스크린은, 별개의 적어도 2개 이상의 상태(예를 들어, 3개의 별개의 상태)로 유지될 수 있는 복수의 터치 센서들을 포함한다.

본원 발명에 따른 터치 스크린은, 터치 센서들을 복수의 그룹으로 그룹화하고, 각각의 그룹을 복수의 블록으로 블록화하여 터치 센서들을 블록 단위로 제어하는 복수의 먹스(MUX)들을 포함한다.

본원 발명에 따른 터치 스크린은, 센싱 상태의 적어도 하나 이상의 터치 센서에 생성된 터치 커패시턴스에 기초하여 터치를 검출하고, 난센싱 상태의 복수의 터치 센서에 인가되는 전압을 제공하는 터치 드라이브 IC를 포함한다.

본원 발명에 따른 터치 스크린에서, 센싱 상태의 터치 센서는 센서 스위치에 접속되어 먹스를 통하여 터치 드라이브 IC에 연결되는 센싱 상태이다.

본원 발명에 따른 터치 스크린에서, 난센싱 상태의 터치 센서는 터치 커패시턴스가 생성되지 않고, 임의의 DC 전압 또는 그라운드(GND) 전압이 인가되는 난센싱 상태이다.

본원 발명에 따른 터치 스크린에서, 난센싱 상태는 터치 센서에 인가되는 전압에 따라 두개 이상의 서브 상태로 분할되고, 난센싱 상태는 터치 센서에 인가되는 전압은 상기 터치 드라이브 IC에 의해 프로그램 가능한 전압이다.

본원 발명에 따른 터치 스크린에서, 각각의 상기 서브 상태에서 터치 센서에 인가되는 전압은 서로 다르고, HIGH/LOW DC 전압, 스퀘어 웨이브(Square Wave) 전압, Hi-z(Tri-state)전압 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 특정 실시예는, 센서 스위치를 구성하는 복수의 트랜지스터들 중 일부 또는 전부를 N형 트랜지스터로 구성하여 기존의 P형 트랜지스터만으로 구성된 센서 스위치에 비해 터치 드라이브 IC(TDI)의 구동 전압의 범위를 줄임으로써 소비전력을 감소시키고 칩 사이즈를 감소시킬 수 있다.

본 발명의 특정 실시예에 따른 센서 스위치는 복수개의 P형 트랜지스터들 및 복수개의 N형 트랜지스터들을 포함하여 구성된다.

본 발명의 특정 실시예에 따른 센서 스위치는 복수개의 N형 트랜지스터들만으로 구성된다.

이상, 상세히 설명한 본 발명의 각 실시예들은, 개별적으로 실시되거나, 또는 서로 결합되어 혼용 실시될 수도 있다. 이와 같이 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다. 이는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (12)

1. 센싱 상태와 난센싱 상태로 유지될 수 있는 복수의 터치 센서들;
   P형 제1 트랜지스터 및 N형 제2 트랜지스터로 구성된 2 쌍의 트랜지스터를 포함하여, 상기 터치 센서들 각각의 상태를 독립적으로 제어할 수 있는 복수의 센서 스위치들;
   상기 터치 센서들을 복수의 그룹으로 그룹화하고, 각 그룹을 복수의 블록으로 블록화하여 상기 터치 센서들을 블록 단위로 제어하는 복수의 먹스(MUX)들; 및
   상기 센싱 상태의 적어도 하나 이상의 터치 센서에 생성된 터치 커패시턴스에 기초하여 터치를 검출하고, 상기 난센싱 상태의 복수의 터치 센서에 인가되는 전압을 제공하는 터치 드라이브 IC를 포함하는, 터치 스크린.
2. 센싱 상태와 난센싱 상태로 유지될 수 있는 복수의 터치 센서들;
   2 개의 N형 트랜지스터를 포함하여, 상기 터치 센서들 각각의 상태를 독립적으로 제어할 수 있는 복수의 센서 스위치들;
   상기 터치 센서들을 복수의 그룹으로 그룹화하고, 각 그룹을 복수의 블록으로 블록화하여 상기 터치 센서들을 블록 단위로 제어하는 복수의 먹스(MUX)들; 및
   상기 센싱 상태의 적어도 하나 이상의 터치 센서에 생성된 터치 커패시턴스에 기초하여 터치를 검출하고, 상기 난센싱 상태의 복수의 터치 센서에 인가되는 전압을 제공하는 터치 드라이브 IC를 포함하는, 터치 스크린.
3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 센싱 상태의 터치 센서는 상기 센서 스위치에 접속되어 상기 먹스를 통하여 상기 터치 드라이브 IC에 연결되는 센싱 상태이고,
   상기 난센싱 상태의 터치 센서는 터치 커패시턴스가 생성되지 않고, 임의의 DC 전압 또는 그라운드(GND) 전압이 인가되는 난센싱 상태인 것을 특징으로 하는, 터치 스크린.
4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 난센싱 상태는 터치 센서에 인가되는 전압에 따라 두개 이상의 서브 상태로 분할되고, 상기 난센싱 상태에서 상기 터치 센서에 인가되는 전압은 상기 터치 드라이브 IC에 의해 프로그램 가능한 전압인 것을 특징으로 하는, 터치 스크린.
5. 청구항 4에 있어서,
   각각의 상기 서브 상태에서 터치 센서에 인가되는 전압은 서로 다르고, HIGH/LOW DC 전압, 스퀘어 웨이브(Square Wave) 전압, Hi-z(Tri-state)전압 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 터치 스크린.
6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 센서 스위치와 상기 먹스의 제어 신호는 상기 터치 드라이브 IC로부터 생성되며, 상기 센서 스위치의 구동 전압은 하이 레벨(+V)과 로우 레벨(+0V)에서 교번하는 DC 전압인 것을 특징으로 하는, 터치 스크린.
7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 그룹의 개수는, 상기 먹스의 개수에 대응되고,
   상기 각 그룹 내의 블록의 개수는, 상기 각 먹스의 입력 포트의 개수에 대응되는 것을 특징으로 하는, 터치 스크린.
8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 센서 스위치들과 상기 먹스들은, 상기 터치 센서들이 배열되는 터치 스크린 패널 상에 배치되는 것을 특징으로 하는, 터치 스크린.
9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
   상기 센서 스위치는, 상기 센서 스위치에 접속된 터치 센서를, 상기 먹스에 연결하기 위한 제1 포트와, 상기 난센싱 상태의 전압을 인가하기 위한 제 2 포트를 포함하는, 터치 스크린.
10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 터치 드라이브 IC는, 상기 센서 스위치들을 제어하기 위한 스위치 제어 신호와, 상기 먹스들을 제어하기 위한 먹스 제어 신호를 연동시켜, 상기 각 블록 단위로 터치 검출 스캔 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는, 터치 스크린.
11. 청구항 10에 있어서,
    상기 먹스 제어 신호는, 각 먹스에 대해 동일하게 인가되고,
    상기 스위치 제어 신호는, 각 블록에 대해 동일하게 인가되는 것을 특징으로 하는, 터치 스크린.
12. 청구항 10에 있어서,
    상기 터치 드라이브 IC는, 상기 각 블록 단위로 터치 검출 스캔 동작을 수행하는 동안, 상기 각 블록 내의 센서 스위치들로, 서로 다른 스위치 제어 신호들을 인가하는 것을 특징으로 하는, 터치 스크린.

Images