KR20220017047A

KR20220017047A - Apparatus and method for manufacturing display device

Info

Publication number: KR20220017047A
Application number: KR1020200096949A
Authority: KR
Inventors: 임동언; 구광준; 김정목; 김영식; 김형윤; 박원웅
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2020-08-03
Filing date: 2020-08-03
Publication date: 2022-02-11
Also published as: CN114068626A

Abstract

The present invention provides a manufacturing apparatus of a display device capable of improving manufacturing quality and yield of the display device. The manufacturing apparatus of a display device includes: a stage for supporting a substrate; a moving portion for moving the stage in a first direction; a laser beam source emitting a raw laser beam; an optical unit disposed on a path of the raw laser beam and processing the raw laser beam into a line laser beam extending in a second direction intersecting the first direction; a beam blocking unit movable in the second direction and capable of blocking a part of the line laser beam; and a beam extinction unit extinguishing a part of the line laser beam blocked by the beam blocking unit.

Description

Apparatus and method for manufacturing display device

본 발명은 표시 장치의 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for manufacturing a display device.

일반적으로 유기 발광 표시 장치 등의 표시 장치의 경우, 기판 상에 복수개의 박막트랜지스터들을 형성하는 과정을 거치게 된다. 박막트랜지스터들은 반도체층, 소스전극, 드레인전극 및 게이트전극 등을 구비하며, 반도체층은 비정질실리콘층을 결정화시킨 폴리실리콘층을 포함할 수 있다.In general, in the case of a display device such as an organic light emitting diode display, a process of forming a plurality of thin film transistors on a substrate is performed. The thin film transistors include a semiconductor layer, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, and the like, and the semiconductor layer may include a polysilicon layer obtained by crystallizing an amorphous silicon layer.

이러한 표시 장치의 제조과정에서 폴리실리콘층을 형성하기 위해 비정질실리콘층을 결정화하게 되며, 이를 위해 비정질실리콘층에 레이저빔을 조사하여 이를 폴리실리콘층으로 변환시키는 레이저 어닐링 방법이 주로 이용된다. 이때 비정질실리콘층에 조사되는 레이저빔으로는 일 방향으로 연장된 라인 레이저빔(line laser beam)이 이용되며, 넓은 면적의 비정질실리콘층을 폴리실리콘층으로 변환시키기 위해서는 비정질실리콘층이 형성된 기판을 이동시키면서 라인 레이저빔을 복수회 조사하게 된다.In the manufacturing process of such a display device, the amorphous silicon layer is crystallized to form the polysilicon layer. For this purpose, a laser annealing method is mainly used in which a laser beam is irradiated to the amorphous silicon layer and converted into a polysilicon layer. At this time, a line laser beam extending in one direction is used as the laser beam irradiated to the amorphous silicon layer. In order to convert the amorphous silicon layer of a large area into a polysilicon layer, the substrate on which the amorphous silicon layer is formed is moved. while irradiating the line laser beam multiple times.

그러나 이와 같이 형성된 폴리실리콘층을 이용하여 표시 장치를 제조할 시, 표시 장치에서 구현되는 이미지에 줄무늬 얼룩이 발생한다는 문제점이 있었다. However, when a display device is manufactured using the polysilicon layer formed as described above, there is a problem in that a striped spot is generated in an image implemented in the display device.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 표시 장치의 제조 품질 및 수율을 향상시킬 수 있는 표시 장치의 제조장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.An object of the present invention is to solve various problems including the above problems, and an object of the present invention is to provide an apparatus for manufacturing a display device capable of improving manufacturing quality and yield of the display device. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereto.

본 발명의 일 관점에 따르면, 기판을 지지하는 스테이지; 제1방향을 따라 상기 스테이지를 이동시키는 이동부; 원시 레이저빔을 방출하는 레이저빔 소스; 상기 원시 레이저빔의 진행 경로 상에 배치되며, 상기 원시 레이저빔을 상기 제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 라인 레이저빔(line laser beam)으로 가공하는 광학유닛; 상기 제2방향을 따라 이동 가능하며, 상기 라인 레이저빔 중 일부를 차단할 수 있는 빔차단유닛; 및 상기 빔차단유닛에 의해 차단된 상기 라인 레이저빔의 일부를 소멸시키는 빔소멸유닛;을 포함하는, 표시 장치의 제조장치가 제공된다.According to one aspect of the present invention, a stage for supporting a substrate; a moving unit for moving the stage in a first direction; a laser beam source emitting a raw laser beam; an optical unit disposed on a traveling path of the raw laser beam and processing the raw laser beam into a line laser beam extending in a second direction intersecting the first direction; a beam blocking unit movable in the second direction and capable of blocking a part of the line laser beam; and a beam extinction unit that extinguishes a portion of the line laser beam blocked by the beam blocking unit.

본 실시예에 따르면, 상기 빔차단유닛은 상기 라인 레이저빔의 일부를 반사시키는 반사면을 포함할 수 있다. According to this embodiment, the beam blocking unit may include a reflective surface that reflects a part of the line laser beam.

본 실시예에 따르면, 상기 빔차단유닛의 상기 반사면은, 상기 라인 레이저빔의 진행 경로와 상이한 경로로 상기 라인 레이저빔의 일부를 반사시키도록 상기 라인 레이저빔의 진행 경로에 대해 일정한 각도를 가질 수 있다. According to this embodiment, the reflective surface of the beam blocking unit has a certain angle with respect to the traveling path of the line laser beam so as to reflect a part of the line laser beam in a path different from the traveling path of the line laser beam. can

본 실시예에 따르면, 상기 빔차단유닛은 상호 이격되고, 상호 평행하게 배치되는 제1빔차단유닛 및 제2빔차단유닛을 포함할 수 있다. According to the present embodiment, the beam blocking unit may include a first beam blocking unit and a second beam blocking unit spaced apart from each other and arranged in parallel to each other.

본 실시예에 따르면, 상기 빔차단유닛은 다단으로 구성되며, 상기 제2방향을 따라 신축 가능할 수 있다. According to this embodiment, the beam blocking unit may be configured in multiple stages, and may be stretchable along the second direction.

본 실시예에 따르면, 상기 빔차단유닛의 상기 제2방향을 따라 연장된 길이는, 상기 라인 레이저빔의 상기 제2방향을 따라 연장된 길이와 같거나 그보다 클 수 있다.According to this embodiment, the length of the beam blocking unit extending along the second direction may be equal to or greater than the length of the line laser beam extending along the second direction.

본 실시예에 따르면, 상기 빔차단유닛이 상기 제2방향으로 직선 운동함에 따라 상기 라인 레이저빔의 차단영역이 결정될 수 있다. According to this embodiment, as the beam blocking unit linearly moves in the second direction, the blocking area of the line laser beam may be determined.

본 실시예에 따르면, 상기 빔소멸유닛은, 상기 빔차단유닛의 상기 반사면에 의해 반사된 상기 라인 레이저빔의 일부가 도달하도록 미리 결정된 위치에 배치될 수 있다. According to the present embodiment, the beam extinction unit may be disposed at a predetermined position so that a portion of the line laser beam reflected by the reflective surface of the beam blocking unit arrives.

본 실시예에 따르면, 상기 빔소멸유닛은, 상기 빔차단유닛의 상기 반사면에 의해 반사된 상기 라인 레이저빔의 일부를 수용하는 개구부, 및 수용된 상기 라인 레이저빔의 일부가 복수회 반사되는 내면에 의해 정의된 내부 공간을 포함할 수 있다.According to the present embodiment, the beam extinction unit includes an opening accommodating a portion of the line laser beam reflected by the reflective surface of the beam blocking unit, and an inner surface through which a portion of the received line laser beam is reflected a plurality of times. It may include an internal space defined by

본 실시예에 따르면, 상기 내면은 요철을 포함할 수 있다. According to the present embodiment, the inner surface may include irregularities.

본 실시예에 따르면, 상기 빔소멸유닛은 서로 대응하는 제1소멸판 및 제2소멸판을 포함하고, 상기 제1소멸판과 상기 제2소멸판 사이의 공간이 일 방향으로 갈수록 점차 줄어들도록, 상기 제1소멸판과 상기 제2소멸판은 예각을 형성할 수 있다.According to this embodiment, the beam extinction unit includes a first extinction plate and a second extinction plate corresponding to each other, so that the space between the first extinction plate and the second extinction plate gradually decreases in one direction, The first extinction plate and the second extinction plate may form an acute angle.

본 실시예에 따르면, 상기 제1소멸판 및 상기 제2소멸판의 서로 마주보는 표면들은 요철을 포함할 수 있다. According to the present embodiment, the surfaces facing each other of the first extinction plate and the second extinction plate may include irregularities.

본 실시예에 따르면, 상기 빔소멸유닛의 외측에 배치되는 냉각유닛을 더 포함할 수 있다. According to this embodiment, it may further include a cooling unit disposed outside the beam extinguishing unit.

본 실시예에 따르면, 상기 라인 레이저빔을 통과시키는 슬릿을 구비한 슬릿부;를 더 포함할 수 있다. According to the present embodiment, a slit portion having a slit through which the line laser beam passes; may further include.

본 실시예에 따르면, 상기 빔차단유닛은 상기 광학유닛과 상기 슬릿부 사이에 배치될 수 있다. According to this embodiment, the beam blocking unit may be disposed between the optical unit and the slit part.

본 실시예에 따르면, 상기 라인 레이저빔을 상기 기판 상에 조사하도록 상기 라인 레이저빔의 진행 방향을 변화시키는 미러를 포함할 수 있다. According to the present embodiment, a mirror for changing the traveling direction of the line laser beam to irradiate the line laser beam onto the substrate may be included.

본 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2빔차단유닛은 상기 광학유닛과 상기 미러 사이에 배치될 수 있다. According to this embodiment, the first and second beam blocking units may be disposed between the optical unit and the mirror.

본 발명의 다른 관점에 따르면, 기판 상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계; 상기 비정질실리콘층이 형성된 상기 기판을 상기 기판의 일 면과 평행한 가상의 평면 상에서 제1각도로 회전시키는 단계; 및 상기 기판을 제1방향으로 이동시키는 동안, 상기 비정질실리콘층 상에 상기제1방향과 교차하는 제2방향으로 연장된 라인 레이저빔을 조사하는 단계; 상기 라인 레이저빔의 일부가 상기 기판에 도달하지 않도록, 상기 라인 레이저빔의 일부를 반사시키는 단계; 및 반사된 상기 라인 레이저빔의 일부를 소멸시키는 단계;를 포함하고, 상기 기판을 상기 제1방향으로 이동시킴에 따라, 상기 라인 레이저빔의 일부가 반사되는 반사영역의 면적이 증가하거나 감소하는, 표시 장치의 제조방법이 제공된다. According to another aspect of the present invention, forming an amorphous silicon layer on a substrate; rotating the substrate on which the amorphous silicon layer is formed at a first angle on an imaginary plane parallel to one surface of the substrate; and irradiating a line laser beam extending in a second direction crossing the first direction onto the amorphous silicon layer while moving the substrate in the first direction. reflecting a portion of the line laser beam so that the portion of the line laser beam does not reach the substrate; and annihilating a portion of the reflected line laser beam, wherein as the substrate is moved in the first direction, an area of a reflective region where a portion of the line laser beam is reflected increases or decreases, A method of manufacturing a display device is provided.

본 실시예에 따르면, 상기 라인 레이저빔의 일부를 소멸시키는 단계는, 상기 라인 레이저빔의 일부가 빔소멸유닛의 개구부를 통해 상기 빔소멸유닛의 내부 공간으로 입사하는 단계; 및 상기 라인 레이저빔의 일부가 상기 빔소멸유닛의 상기 내부 공간을 정의하는 내면에서 복수회 반사되는 단계;를 포함할 수 있다. According to this embodiment, the step of extinguishing a part of the line laser beam may include: entering a part of the line laser beam into an internal space of the beam extinction unit through an opening of the beam extinction unit; and reflecting a portion of the line laser beam from an inner surface defining the inner space of the beam extinction unit a plurality of times.

본 실시예에 따르면, 상기 라인 레이저빔의 일부를 소멸시키는 단계는, 상기 라인 레이저빔의 일부가 상기 빔소멸유닛에 의해 흡수되는 단계를 더 포함할 수 있다. According to this embodiment, the step of extinguishing a part of the line laser beam may further include the step of absorbing a part of the line laser beam by the beam extinction unit.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.Other aspects, features and advantages other than those described above will become apparent from the following detailed description, claims and drawings for carrying out the invention.

이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.These general and specific aspects may be embodied using a system, method, computer program, or combination of any system, method, and computer program.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 장치의 이미지에서 줄무늬 얼룩이 발생하는 현상을 최소화하여 표시 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 표시 장치의 제조 품질 및 수율을 향상시킬 수 있는 표시 장치의 제조장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. According to the exemplary embodiment of the present invention made as described above, it is possible to improve the display quality of the display device by minimizing the occurrence of streaks in the image of the display device. In addition, it is possible to implement a display device manufacturing apparatus capable of improving the manufacturing quality and yield of the display device. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시한 측면 개념도이다.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 8는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 이용하여 표시 장치를 제조하는 과정의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 11a 내지 도 11e은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 이용하여 표시 장치를 제조하는 과정의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 1 is a plan view schematically illustrating a display device manufactured by using the device for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a part of the display device of FIG. 1 .
3 is a side conceptual view schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
4 is a perspective view schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
5 is a perspective view schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to another exemplary embodiment.
6 is a perspective view schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
7A and 7B are cross-sectional views schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
8 is a perspective view schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to another exemplary embodiment.
9 and 10 are plan views schematically illustrating a part of a process of manufacturing a display device using an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.
11A to 11E are plan views schematically illustrating a part of a process of manufacturing a display device using an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when described with reference to the drawings, the same or corresponding components are given the same reference numerals, and the overlapping description thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, terms such as first, second, etc. are used for the purpose of distinguishing one component from another, not in a limiting sense.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or components described in the specification are present, and the possibility that one or more other features or components will be added is not excluded in advance.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when it is said that a part such as a film, region, or component is on or on another part, not only when it is directly on the other part, but also another film, region, component, etc. is interposed therebetween. Including cases where there is

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In the drawings, the size of the components may be exaggerated or reduced for convenience of description. For example, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily indicated for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다. In cases where certain embodiments may be implemented otherwise, a specific process sequence may be performed different from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially simultaneously, or may be performed in an order opposite to the order described.

본 명세서에서 “A 및/또는 B”은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, “A 및 B 중 적어도 하나”는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.In the present specification, “A and/or B” refers to A, B, or A and B. And, “at least one of A and B” represents the case of A, B, or A and B.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다. In the following embodiments, when a film, region, or component is connected, when the film, region, or component is directly connected, or/and in the middle of another film, region, or component It includes cases where they are interposed and indirectly connected. For example, in the present specification, when it is said that a film, region, component, etc. are electrically connected, when the film, region, component, etc. are directly electrically connected, and/or another film, region, component, etc. is interposed therebetween. This indicates an indirect electrical connection.

x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.The x-axis, y-axis, and z-axis are not limited to three axes on a Cartesian coordinate system, and may be interpreted in a broad sense including them. For example, the x-axis, y-axis, and z-axis may be orthogonal to each other, but may refer to different directions that are not orthogonal to each other.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치로 제조된 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a display device manufactured by using the device for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 이미지를 구현하는 표시영역(DA)과 이미지를 구현하지 않는 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 배열된 복수의 화소(PX)들에서 방출되는 빛을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다. 예컨대, 복수의 화소(PX)들은 행과 열을 이루며, 2차원적으로 배열될 수 있다. 각 화소(PX)는 각각 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the display device 1 includes a display area DA that implements an image and a non-display area NDA that does not implement an image. The display device 1 may provide an image by using light emitted from the plurality of pixels PXs arranged in the display area DA. For example, the plurality of pixels PX may form rows and columns, and may be two-dimensionally arranged. Each pixel PX may emit red, green, blue, or white light, respectively.

표시 장치(1)는 화상을 표시하는 장치로서, 게임기, 멀티미디어기기, 초소형 PC와 같이 휴대가 가능한 모바일 기기일 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치로 제조된 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하나, 본 발명이 유기 발광 표시 장치에 국한되어 적용되는 것은 아니며, 예컨대 액정디스플레이 장치 등과 같이 폴리실리콘층을 반도체층으로 갖는 박막트랜지스터를 갖는 표시 장치라면 본 발명이 적용될 수 있는 범위에 속한다고 할 것이다.The display device 1 is a device for displaying an image, and may be a portable mobile device such as a game machine, a multimedia device, or a miniature PC. Hereinafter, as the display device 1 manufactured by the device for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention, an organic light emitting display device will be described as an example, but the present invention is not limited to the organic light emitting display device. , for example, a display device having a thin film transistor having a polysilicon layer as a semiconductor layer, such as a liquid crystal display device, will fall within the scope to which the present invention can be applied.

도 2는 도 1의 표시 장치의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 1의 II-II'선을 따라 취한 표시 장치의 단면에 대응될 수 있다. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a portion of the display device of FIG. 1 , and may correspond to a cross-section of the display device taken along line II-II′ of FIG. 1 .

도 2를 참조하면, 기판(10)은 글라스이거나 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the substrate 10 is made of glass or polyethersulfone, polyarylate, polyetherimide, polyethylene naphthalate, or polyethylene terephthalate. , polyphenylene sulfide (polyphenylene sulfide), polyimide (polyimide), polycarbonate (polycarbonate), cellulose triacetate (cellulose triacetate), may include a polymer resin such as cellulose acetate propionate (cellulose acetate propionate).

기판(10) 상에는 화소회로층(PCL)이 형성될 수 있다. 화소회로층(PCL)은 박막트랜지스터(TFT) 및 박막트랜지스터(TFT)의 구성요소들 아래 또는/및 위에 배치되는 버퍼층(11), 제1게이트절연층(13a), 제2게이트절연층(13b), 층간절연층(15) 및 평탄화절연층(17)을 포함할 수 있다. A pixel circuit layer PCL may be formed on the substrate 10 . The pixel circuit layer PCL includes a thin film transistor (TFT) and a buffer layer 11 , a first gate insulating layer 13a , and a second gate insulating layer 13b disposed below or/and above components of the thin film transistor (TFT). ), an interlayer insulating layer 15 and a planarization insulating layer 17 may be included.

버퍼층(11)은 실리콘질화물, 실리콘산질화물 및 실리콘산화물과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.The buffer layer 11 may include an inorganic insulating material such as silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide, and may be a single layer or a multi-layer including the above-described inorganic insulating material.

박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(12)을 포함하며, 반도체층(12)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 반도체층(12)은 채널영역(12c) 및 채널영역(12c)의 양측에 각각 배치된 드레인영역(12a) 및 소스영역(12b)을 포함할 수 있다. 게이트전극(14)은 채널영역(12c)과 중첩할 수 있다. 게이트전극(14)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(14)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.The thin film transistor TFT may include a semiconductor layer 12 , and the semiconductor layer 12 may include polysilicon. The semiconductor layer 12 may include a channel region 12c and a drain region 12a and a source region 12b disposed on both sides of the channel region 12c, respectively. The gate electrode 14 may overlap the channel region 12c. The gate electrode 14 may include a low-resistance metal material. The gate electrode 14 may include a conductive material including molybdenum (Mo), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), and the like, and may be formed as a multilayer or single layer including the above material. have.

이러한 박막트랜지스터(TFT)를 형성하기 위해, 기판(10) 상에 비정질실리콘층을 형성하고, 이하 후술할 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 이용하여 기판(10) 상의 비정질실리콘층이 폴리실리콘층으로 결정화되도록 어닐링할 수 있다. 그 다음, 폴리실리콘층을 패터닝하고, 드레인영역(12a), 소스영역(12b), 채널영역(12c) 및 게이트전극(14) 등을 형성하여 박막트랜지스터(TFT)를 형성할 수 있다. In order to form such a thin film transistor (TFT), an amorphous silicon layer is formed on the substrate 10 , and an amorphous silicon layer is formed on the substrate 10 using an apparatus for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention, which will be described below. The layer may be annealed to crystallize into a polysilicon layer. Then, a thin film transistor (TFT) may be formed by patterning the polysilicon layer and forming a drain region 12a , a source region 12b , a channel region 12c , and a gate electrode 14 .

반도체층(12)과 게이트전극(14) 사이의 제1게이트절연층(13a)은 실리콘산화물(SiO₂), 실리콘질화물(SiN_X), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al₂O₃), 티타늄산화물(TiO₂), 탄탈산화물(Ta₂O₅), 하프늄산화물(HfO₂), 또는 아연산화물(ZnO₂)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.The first gate insulating layer 13a between the semiconductor layer 12 and the gate electrode 14 is formed of silicon oxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiN _X ), silicon oxynitride (SiON), and aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ). ), titanium oxide (TiO ₂ ), tantalum oxide (Ta ₂ O ₅ ), hafnium oxide (HfO ₂ ), or zinc oxide (ZnO ₂ ) may include an inorganic insulating material.

제2게이트절연층(13b)은 상기 게이트전극(14)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(13b)은 상기 제1게이트절연층(13a)과 유사하게 실리콘산화물(SiO₂), 실리콘질화물(SiN_X), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al₂O₃), 티타늄산화물(TiO₂), 탄탈산화물(Ta₂O₅), 하프늄산화물(HfO₂), 또는 아연산화물(ZnO₂) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.The second gate insulating layer 13b may be provided to cover the gate electrode 14 . Similar to the first gate insulating layer 13a, the second gate insulating layer 13b may include silicon oxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiN _X ), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ). , titanium oxide (TiO ₂ ), tantalum oxide (Ta ₂ O ₅ ), hafnium oxide (HfO ₂ ), or zinc oxide (ZnO ₂ ) may include an inorganic insulating material.

제2게이트절연층(13b) 상부에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(Cst2)이 배치될 수 있다. 상부 전극(Cst2)은 그 아래의 게이트전극(14)과 중첩할 수 있다. 이 때, 제2게이트절연층(13b)을 사이에 두고 중첩하는 게이트전극(14) 및 상부 전극(Cst2)은 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 즉, 게이트전극(14)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(Cst1)으로 기능할 수 있다.An upper electrode Cst2 of the storage capacitor Cst may be disposed on the second gate insulating layer 13b. The upper electrode Cst2 may overlap the gate electrode 14 below it. In this case, the gate electrode 14 and the upper electrode Cst2 overlapping with the second gate insulating layer 13b interposed therebetween may form a storage capacitor Cst. That is, the gate electrode 14 may function as the lower electrode Cst1 of the storage capacitor Cst.

이와 같이, 스토리지 커패시터(Cst)와 박막트랜지스터(TFT)가 중첩되어 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩되지 않도록 형성될 수도 있다.As described above, the storage capacitor Cst and the thin film transistor TFT may be overlapped. In some embodiments, the storage capacitor Cst may be formed not to overlap the thin film transistor TFT.

상부 전극(Cst2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.The upper electrode Cst2 includes aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), and iridium (Ir). , chromium (Cr), calcium (Ca), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tungsten (W), and/or copper (Cu), and may be a single layer or multiple layers of the aforementioned materials. .

층간절연층(15)은 상부 전극(Cst2)을 덮을 수 있다. 층간절연층(15)은 실리콘산화물(SiO₂), 실리콘질화물(SiN_X), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al₂O₃), 티타늄산화물(TiO₂), 탄탈산화물(Ta₂O₅), 하프늄산화물(HfO₂), 또는 아연산화물(ZnO₂) 등을 포함할 수 있다. 층간절연층(15)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.The interlayer insulating layer 15 may cover the upper electrode Cst2 . The interlayer insulating layer 15 is silicon oxide (SiO ₂ ), silicon nitride (SiN _X ), silicon oxynitride (SiON), aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ), titanium oxide (TiO ₂ ), tantalum oxide (Ta ₂ O) ₅ ), hafnium oxide (HfO ₂ ), or zinc oxide (ZnO ₂ ) and the like. The interlayer insulating layer 15 may be a single layer or a multilayer including the aforementioned inorganic insulating material.

드레인전극(16a) 및 소스전극(16b)은 각각 층간절연층(15) 상에 위치할 수 있다. 드레인전극(16a) 및 소스전극(16b)은 각각 그 하부의 절연층들의 컨택홀을 통해 드레인영역(12a) 및 소스영역(12b)과 연결될 수 있다. 드레인전극(16a) 및 소스전극(16b)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 드레인전극(16a) 및 소스전극(16b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 드레인전극(16a) 및 소스전극(16b)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.The drain electrode 16a and the source electrode 16b may be respectively located on the interlayer insulating layer 15 . The drain electrode 16a and the source electrode 16b may be respectively connected to the drain region 12a and the source region 12b through contact holes of insulating layers below the drain electrode 16a and the source electrode 16b. The drain electrode 16a and the source electrode 16b may include a material having good conductivity. The drain electrode 16a and the source electrode 16b may include a conductive material including molybdenum (Mo), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), or the like, and a multilayer including the above material. Alternatively, it may be formed as a single layer. In one embodiment, the drain electrode 16a and the source electrode 16b may have a multilayer structure of Ti/Al/Ti.

평탄화절연층(17)은 유기절연층을 포함할 수 있다. 평탄화절연층(17)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다.The planarization insulating layer 17 may include an organic insulating layer. The planarization insulating layer 17 is a general-purpose polymer such as Polymethylmethacrylate (PMMA) or Polystyrene (PS), a polymer derivative having a phenolic group, an acrylic polymer, an imide-based polymer, an arylether-based polymer, an amide-based polymer, a fluorine-based polymer, p - It may include an organic insulating material such as a xylene-based polymer, a vinyl alcohol-based polymer, and a blend thereof.

전술한 구조의 화소회로층(PCL) 상에는 표시요소층(DEL)이 배치된다. 표시요소층(DEL)은 유기발광다이오드(OLED)를 포함하되, 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(21)은 평탄화절연층(17)의 컨택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.The display element layer DEL is disposed on the pixel circuit layer PCL having the above-described structure. The display element layer DEL includes an organic light emitting diode (OLED), and the pixel electrode 21 of the organic light emitting diode (OLED) is to be electrically connected to the thin film transistor (TFT) through the contact hole of the planarization insulating layer 17 . can

유기발광다이오드(OLED)는 예컨대, 적색, 녹색, 또는 청색 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 발광영역을 통해 빛을 방출하며, 발광영역을 화소(PX)로 정의할 수 있다. The organic light emitting diode (OLED) may emit, for example, red, green, or blue light, or may emit red, green, blue, or white light. The organic light emitting diode OLED emits light through a light emitting area, and the light emitting area may be defined as a pixel PX.

화소전극(21)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In₂O₃: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(21)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(21)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.The pixel electrode 21 includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In ₂ O ₃ : indium oxide), and indium. It may include a conductive oxide such as indium gallium oxide (IGO) or aluminum zinc oxide (AZO). In another embodiment, the pixel electrode 21 may include silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), gold (Au), nickel (Ni), or neodymium (Nd). , iridium (Ir), chromium (Cr), or a reflective layer including a compound thereof may be included. In another embodiment, the pixel electrode 21 may further include a layer formed of ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ above/under the above-described reflective layer.

화소전극(21) 상에는 화소전극(21)의 중앙부를 노출하는 개구(19OP)를 갖는 화소정의막(19)이 배치된다. 화소정의막(19)은 유기절연물 및/또는 무기절연물을 포함할 수 있다. 개구(19OP)는 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 발광영역을 정의할 수 있다. 예컨대, 개구(19OP)의 폭이 발광영역의 폭에 해당할 수 있다. 전술한 바와 같이, 발광영역을 화소(PX)로 정의하는바, 화소(PX)는 개구(19OP)의 폭 및/또는 넓이에 의존할 수 있다. A pixel defining layer 19 having an opening 19OP exposing a central portion of the pixel electrode 21 is disposed on the pixel electrode 21 . The pixel defining layer 19 may include an organic insulating material and/or an inorganic insulating material. The opening 19OP may define a light emitting area of light emitted from the organic light emitting diode (OLED). For example, the width of the opening 19OP may correspond to the width of the light emitting area. As described above, the emission area is defined as the pixel PX, and the pixel PX may depend on the width and/or the width of the opening 19OP.

화소정의막(19)의 개구(19OP)에는 발광층(22)이 배치될 수 있다. 발광층(22)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 이러한 발광층(22)은 본 발명의 실시예인 표시 장치의 제조장치로 액적을 토출하여 형성될 수 있다.The emission layer 22 may be disposed in the opening 19OP of the pixel defining layer 19 . The light emitting layer 22 may include a polymer or a low molecular weight organic material that emits light of a predetermined color. The light emitting layer 22 may be formed by discharging droplets to the apparatus for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention.

도시되지는 않았으나, 발광층(22)의 아래와 위에는 각각 제1기능층 및 제2기능층이 배치될 수 있다. 제1기능층은 예컨대, 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함하거나, 홀 수송층 및 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층은 발광층(22) 위에 배치되는 구성요소로서, 선택적(optional)이다. 제2기능층은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제1기능층 및/또는 제2기능층은 후술할 공통전극(23)과 마찬가지로 기판(10)을 전체적으로 커버하도록 형성되는 공통층일 수 있다.Although not shown, a first functional layer and a second functional layer may be disposed below and above the light emitting layer 22 , respectively. The first functional layer may include, for example, a hole transport layer (HTL) or a hole transport layer and a hole injection layer (HIL). The second functional layer is a component disposed on the light emitting layer 22 and is optional. The second functional layer may include an electron transport layer (ETL) and/or an electron injection layer (EIL). The first functional layer and/or the second functional layer may be a common layer formed to completely cover the substrate 10 like the common electrode 23 to be described later.

공통전극(23)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 공통전극(23)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 공통전극(23)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃과 같은 층을 더 포함할 수 있다.The common electrode 23 may be made of a conductive material having a low work function. For example, the common electrode 23 may include silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium ( Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), or an alloy thereof may include a (semi) transparent layer. Alternatively, the common electrode 23 may further include a layer such as ITO, IZO, ZnO, or In ₂ O ₃ on the (semi)transparent layer including the above-described material.

일 실시예에 있어서, 박막봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함하며, 일 실시예로서 도 2은 박막봉지층(TFE)이 순차적으로 적층된 제1무기봉지층(31), 유기봉지층(32) 및 제2무기봉지층(33)을 포함하는 것을 도시한다.In one embodiment, the thin film encapsulation layer (TFE) includes at least one inorganic encapsulation layer and at least one organic encapsulation layer. It shows that the inorganic encapsulation layer 31, the organic encapsulation layer 32 and the second inorganic encapsulation layer 33 are included.

제1무기봉지층(31) 및 제2무기봉지층(33)은 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈륨산화물, 하프늄산화물, 징크산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 유기봉지층(32)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기봉지층(32)은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다.The first inorganic encapsulation layer 31 and the second inorganic encapsulation layer 33 may include at least one inorganic material selected from among aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, zinc oxide, silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride. have. The organic encapsulation layer 32 may include a polymer-based material. The polymer-based material may include an acrylic resin, an epoxy-based resin, polyimide, polyethylene, and the like. In an embodiment, the organic encapsulation layer 32 may include an acrylate.

박막봉지층(TFE) 상에는 터치전극들을 포함하는 터치전극층(미도시)이 배치되고, 터치전극층 상에는 광학기능층(미도시)이 배치될 수 있다. A touch electrode layer (not shown) including touch electrodes may be disposed on the thin film encapsulation layer (TFE), and an optical function layer (not shown) may be disposed on the touch electrode layer.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시한 측면 개념도이다. 3 is a side conceptual view schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.

도 3을 참조하면, 표시 장치의 제조장치(100)는 스테이지(110), 이동부(120), 챔버(CB), 레이저빔 소스(LS), 광학유닛(130), 빔차단유닛(140) 및 빔소멸유닛(150)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치의 제조장치(100)는 필요에 따라 슬릿부(SLT), 미러(M)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 3 , the display device manufacturing apparatus 100 includes a stage 110 , a moving unit 120 , a chamber CB, a laser beam source LS, an optical unit 130 , and a beam blocking unit 140 . and a beam extinction unit 150 . In addition, the apparatus 100 for manufacturing a display device may further include a slit part SLT and a mirror M as necessary.

스테이지(110)는 기판(10)을 지지할 수 있다. 이때, 스테이지(110)는 기판(10)을 다양한 방식으로 지지할 수 있다. 예컨대, 스테이지(110)는 정전척 또는 점착척을 포함할 수 있다. 다른 실시예로서, 스테이지(110)는 기판(10)의 일부를 지지하는 브라켓, 클램프 등을 포함할 수 있다. 물론, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 스테이지(110) 상에 안착된 기판(10)은 그 일 면에 비정질실리콘층이 형성된 상태의 기판일 수 있다. The stage 110 may support the substrate 10 . In this case, the stage 110 may support the substrate 10 in various ways. For example, the stage 110 may include an electrostatic chuck or an adhesive chuck. As another embodiment, the stage 110 may include a bracket, a clamp, or the like for supporting a portion of the substrate 10 . Of course, the present invention is not limited thereto. The substrate 10 seated on the stage 110 may be a substrate in a state in which an amorphous silicon layer is formed on one surface thereof.

이동부(120)는 기판(10)이 안착된 스테이지(110)를 이동시킬 수 있으며, 예컨대 선형 이동 및/또는 회전 이동 시킬 수 있다. 구체적으로, 이동부(120)는 스테이지(110)를 제1방향, 예컨대 ±y방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 이동부(120)는 xy평면 상에서 스테이지(110)를 회전시킬 수 있다. 이동부(120)는 스테이지(110)를 선형 이동시킬 수 있는 수단으로서 예컨대, 리니어모터, 공압실린더 등을 포함할 수 있고, 회전 이동 시킬 수 있는 수단으로서 예컨대, 전기모터, 회전실린더 등을 포함할 수 있다. The moving unit 120 may move the stage 110 on which the substrate 10 is seated, for example, a linear movement and/or a rotational movement. Specifically, the moving unit 120 may move the stage 110 in the first direction, for example, the ±y direction. Also, the moving unit 120 may rotate the stage 110 on the xy plane. The moving unit 120 may include, for example, a linear motor, a pneumatic cylinder, etc. as a means for linearly moving the stage 110, and for example, an electric motor, a rotating cylinder, etc. can

챔버(CB) 내에는 레이저빔 소스(LS), 광학유닛(130), 빔차단유닛(140) 및 빔소멸유닛(150)이 배치될 수 있다. A laser beam source LS, an optical unit 130, a beam blocking unit 140, and a beam extinction unit 150 may be disposed in the chamber CB.

레이저빔 소스(LS)는 원시 레이저빔(LB)을 방출할 수 있으며, 예컨대 엑시머레이저빔(excimer laser beam)을 방출할 수 있다. 이러한 레이저빔 소스(LS)는 공진기를 포함할 수 있다. 일반적으로 매질에서 자발적으로나 유도 방출된 광의 대부분은 특별한 방향성이 없어 사방으로 퍼져나가 버린다. 따라서, 원시 레이저빔(LB)을 발진시키기 위해서는 이 퍼져나가는 광을 매질 속으로 되돌려서 아직 여기상태인 원자나 분자를 자극시켜 유도방출이 계속 발생하도록 하는 것이 필요하다. 이를 위하여 양쪽에 거울들을 배치하여 광을 계속 되돌려 보낼 수 있도록 하는데, 이를 레이저 공진기라고 한다. 원시 레이저빔(LB)은 이러한 레이저 공진기에서 공명상태의 광이 부분적으로 광을 투과하는 한쪽 거울을 통하여 조금씩 빠져나오는 것으로 이해될 수 있다.The laser beam source LS may emit a raw laser beam LB, for example, an excimer laser beam. The laser beam source LS may include a resonator. In general, most of the light emitted spontaneously or stimulated from the medium has no specific direction and is spread out in all directions. Therefore, in order to oscillate the raw laser beam LB, it is necessary to return the spreading light back into the medium to stimulate atoms or molecules that are still in an excited state so that stimulated emission continues to occur. To this end, mirrors are placed on both sides so that the light can be sent back continuously, which is called a laser resonator. The raw laser beam LB may be understood as a light in a state of resonance in such a laser resonator, which escapes little by little through one mirror through which the light is partially transmitted.

광학유닛(130)은 원시 레이저빔(LB)을 점 형태가 아닌 라인 형태로 기판(10) 상에 조사하기 위해, 원시 레이저빔(LB)을 라인 레이저빔(LLB)로 가공할 수 있다. 이때, 라인 레이저빔(LLB)은 상기 제1방향(±y방향)과 교차하는 제2방향, 예컨대 ±x방향을 따라 연장될 수 있다. 광학유닛(130)은 복수의 광학렌즈들을 포함할 수 있으며, 예컨대 원통형 렌즈들을 포함할 수 있다. 복수의 광학렌즈들은 중첩하여 배치되며, 레이저빔 소스(LS)에서 방출된 레이저빔(LB)이 복수의 광학렌즈들을 통과하면서 라인 형태의 라인 레이저빔(LLB)으로 형상화될 수 있다. The optical unit 130 may process the raw laser beam LB into a line laser beam LLB in order to irradiate the raw laser beam LB on the substrate 10 in a line shape instead of a dot shape. In this case, the line laser beam LLB may extend in a second direction crossing the first direction (±y direction), for example, in a ±x direction. The optical unit 130 may include a plurality of optical lenses, for example, cylindrical lenses. The plurality of optical lenses may be overlapped, and the laser beam LB emitted from the laser beam source LS may pass through the plurality of optical lenses to form a line laser beam LLB.

빔차단유닛(140)은 라인 레이저빔(LLB) 중 일부를 차단하고, 나머지 일부는 통과시키도록 구성될 수 있다. 라인 레이저빔(LLB) 중 일부는 빔차단유닛(140)에 의해 반사됨으로써, 기판(10)에 도달하지 못하고 차단될 수 있다. 반사된 라인 레이저빔(LLB) 중 일부는 빔차단유닛(140)을 향해 진행하는 라인 레이저빔(LLB)의 진행 방향과 다른 방향의 경로로 반사될 수 있다. 도 3에서 빔차단유닛(140)에 의해 반사되는 라인 레이저빔(LLB) 중 일부는 점선의 화살표로 도시되어 있다.The beam blocking unit 140 may be configured to block a portion of the line laser beam LLB and allow the remaining portion to pass therethrough. A portion of the line laser beam LLB is reflected by the beam blocking unit 140 , and thus may not reach the substrate 10 and may be blocked. A portion of the reflected line laser beam LLB may be reflected in a path in a direction different from that of the line laser beam LLB traveling toward the beam blocking unit 140 . In FIG. 3 , some of the line laser beams LLB reflected by the beam blocking unit 140 are indicated by dotted arrows.

빔차단유닛(140)은 라인 레이저빔(LLB)을 차단하도록 광학유닛(130)의 후단에 배치될 수 있다. 원시 레이저빔(LB)이 아닌 라인 레이저빔(LLB)이 기판(10) 상에 조사되므로, 빔차단유닛(140)이 광학유닛(130)의 후단에 배치되어 라인 레이저빔(LLB)의 차단영역을 제어하는 것이 정밀도에 있어서 보다 유리할 수 있다. 바람직하게는 광학유닛(130)에 의해 가공된 라인 레이저빔(LLB)의 연장 길이가 가장 길고, 라인 레이저빔(LLB)의 폭이 가장 작은 상태에 있을 때, 차단영역을 제어하는 것이 정밀도에 있어서 유리할 수 있다. 이를 고려하여, 빔차단유닛(140)의 위치가 결정될 수 있다. The beam blocking unit 140 may be disposed at the rear end of the optical unit 130 to block the line laser beam LLB. Since the line laser beam LLB, not the raw laser beam LB, is irradiated onto the substrate 10 , the beam blocking unit 140 is disposed at the rear end of the optical unit 130 to block the line laser beam LLB. It may be more advantageous in terms of precision to control . Preferably, when the extension length of the line laser beam LLB processed by the optical unit 130 is the longest and the width of the line laser beam LLB is in the smallest state, controlling the blocking area is can be advantageous In consideration of this, the position of the beam blocking unit 140 may be determined.

빔소멸유닛(150)은 빔차단유닛(140)에 의해 차단된 라인 레이저빔(LLB)의 일부를 소멸시킬 수 있다. 즉, 빔차단유닛(140)에 의해 반사됨으로써 기판(10)에 도달하지 못하는 라인 레이저빔(LLB)의 일부를 소멸시킬 수 있다. 이러한 라인 레이저빔(LLB)의 일부를 소멸시키기 위해, 빔소멸유닛(150)은 빔차단유닛(140)에 의해 반사된 라인 레이저빔(LLB)의 일부가 도달하도록 미리 결정된 위치에 배치될 수 있다. The beam extinction unit 150 may extinguish a portion of the line laser beam LLB blocked by the beam blocking unit 140 . That is, a portion of the line laser beam LLB that does not reach the substrate 10 by being reflected by the beam blocking unit 140 may be extinguished. In order to extinguish a portion of the line laser beam LLB, the beam extinction unit 150 may be disposed at a predetermined position so that a portion of the line laser beam LLB reflected by the beam blocking unit 140 arrives. .

비교예로서, 빔소멸유닛(150)이 구비되지 않는 경우, 빔차단유닛(140)에 의해 반사된 라인 레이저빔(LLB)의 일부는 챔버(CB) 내부에서 복수회 반사되면서 챔버(CB) 내부의 온도를 상승시킬 수 있다. 챔버(CB) 내부의 온도가 상승함에 따라, 광학유닛(130)의 광학렌즈들의 표면에 산화막의 발생이 촉진될 수 있다. 이는 광학렌즈들의 투과율을 저하시키고, 광학유닛(130)의 기능 및 효율을 저하시킬 수 있다. 또한, 라인 레이저빔(LLB)의 일부가 챔버(CB) 내부에서 복수회 반사되면서, 원하지 않게 표시 장치의 제조장치(100)의 다른 구성요소들에 직접적 또는 간접적 영향을 미칠 수 있다. As a comparative example, when the beam extinction unit 150 is not provided, a portion of the line laser beam LLB reflected by the beam blocking unit 140 is reflected a plurality of times inside the chamber CB while being reflected inside the chamber CB. can increase the temperature of As the temperature inside the chamber CB rises, the generation of an oxide film on the surfaces of the optical lenses of the optical unit 130 may be promoted. This may reduce the transmittance of the optical lenses and reduce the function and efficiency of the optical unit 130 . Also, as a portion of the line laser beam LLB is reflected a plurality of times inside the chamber CB, it may undesirably affect other components of the apparatus 100 for manufacturing the display device directly or indirectly.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 반사된 라인 레이저빔(LLB)의 일부를 소멸시키는 빔소멸유닛(150)을 구비함으로써, 라인 레이저빔(LLB)의 일부가 표시 장치의 제조장치(100)의 여러 구성요소들에 미치는 악영향을 제거할 수 있다. 이를 통해, 표시 장치의 제조장치(100)를 이용하여 제조한 표시 장치(1, 도 1 참조)의 제조 품질 및 수율을 향상시킬 수 있다. However, according to an embodiment of the present invention, since the beam extinction unit 150 for extinguishing a part of the reflected line laser beam LLB is provided, a part of the line laser beam LLB is converted into the apparatus 100 for manufacturing a display device. ) can remove the adverse effects on several components. Through this, the manufacturing quality and yield of the display device 1 (refer to FIG. 1 ) manufactured using the display device manufacturing device 100 may be improved.

슬릿부(SLT)는 라인 레이저빔(LLB)을 통과시키는 슬릿(slit)을 구비할 수 있다. 슬릿은 라인 레이저빔(LLB)의 연장 방향과 동일한 방향을 따라 연장될 수 있고, 적어도 라인 레이저빔(LLB)의 연장 길이보다 길게 연장될 수 있다. 슬릿부(SLT)는, 광학유닛(130)의 광학렌즈들을 정렬(align)시키는 경우 라인 레이저빔(LLB)의 대칭성을 확인하는데 이용될 수 있다. 일 실시예로, 빔차단유닛(140)은 광학유닛(130)과 슬릿부(SLT) 사이에 배치될 수 있다. 예컨대, 빔차단유닛(140)은 슬릿부(SLT)의 전단에 배치될 수 있고, 슬릿부(SLT)에 결착될 수 있다. 광학유닛(130)에 의해 가공된 라인 레이저빔(LLB)은 슬릿부(SLT)를 통과할 때 연장 길이가 가장 길고 폭이 가장 작은 상태에 놓이므로, 빔차단유닛(140)을 슬릿부(SLT) 주위에 배치할 수 있다. The slit part SLT may include a slit through which the line laser beam LLB passes. The slit may extend in the same direction as the extension direction of the line laser beam LLB, and may extend at least longer than the extension length of the line laser beam LLB. The slit part SLT may be used to check the symmetry of the line laser beam LLB when aligning the optical lenses of the optical unit 130 . In one embodiment, the beam blocking unit 140 may be disposed between the optical unit 130 and the slit portion (SLT). For example, the beam blocking unit 140 may be disposed at the front end of the slit part SLT, and may be coupled to the slit part SLT. Since the line laser beam LLB processed by the optical unit 130 has the longest extension length and the smallest width when passing through the slit portion SLT, the beam blocking unit 140 is removed from the slit portion SLT ) can be placed around

미러(M)는 라인 레이저빔(LLB)을 기판(10) 상에 조사하도록 라인 레이저빔(LLB)의 진행 방향을 변화시킬 수 있다. 일 예로, 미러(M)는 제1미러(M1) 및 제2미러(M2)를 포함할 수 있고, 라인 레이저빔(LLB)은 제1미러(M1) 및 제2미러(M2)에 의해 순차적으로 진행 방향이 바뀔 수 있다. 물론, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 표시 장치의 제조장치(100)는 하나의 미러를 구비하거나, 세 개의 미러들을 구비할 수 있다. 이하 설명의 편의를 위해 미러(M)가 제1 및 제2미러(M1, M2)를 포함하는 경우에 대해 설명한다. The mirror M may change the traveling direction of the line laser beam LLB to irradiate the line laser beam LLB onto the substrate 10 . For example, the mirror M may include a first mirror M1 and a second mirror M2, and the line laser beam LLB is sequentially performed by the first mirror M1 and the second mirror M2. may change the direction of progress. Of course, the present invention is not limited thereto, and the apparatus 100 for manufacturing a display device may include one mirror or three mirrors. Hereinafter, for convenience of description, a case in which the mirror M includes the first and second mirrors M1 and M2 will be described.

라인 레이저빔(LLB)은 제1미러(M1) 및 제2미러(M2)를 동해 경로가 조정된 후, 챔버(CB)의 개구부를 통해 기판(10) 상으로 조사될 수 있다. 일 실시예로, 빔차단유닛(140)은 광학유닛(130)과 제1미러(M1) 사이에 배치될 수 있다.The line laser beam LLB may be irradiated onto the substrate 10 through the opening of the chamber CB after the path of the line laser beam M1 and the second mirror M2 is adjusted. In one embodiment, the beam blocking unit 140 may be disposed between the optical unit 130 and the first mirror (M1).

도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이며, 빔차단유닛을 중심으로 도시하고 있다. 4 is a perspective view schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment, with a beam blocking unit as the center.

도 4를 참조하면, 빔차단유닛(140)은 제1빔차단유닛(140-1) 및 제2빔차단유닛(140-2)을 포함할 수 있다. 제1빔차단유닛(140-1)은 제1본체부(141-1) 및 제1이송부(142-1)를 포함하고, 제2빔차단유닛(140-2)은 제2본체부(141-2) 및 제2이송부(142-2)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4 , the beam blocking unit 140 may include a first beam blocking unit 140 - 1 and a second beam blocking unit 140 - 2 . The first beam blocking unit 140-1 includes a first body portion 141-1 and a first transfer unit 142-1, and the second beam blocking unit 140-2 includes a second body portion 141. -2) and a second transfer unit 142-2.

라인 레이저빔(LLB)은 예컨대 y방향을 따라 진행할 수 있다. 이때, 제1빔차단유닛(140-1)의 제1본체부(141-1)는 y방향과 교차하는 x방향을 따라 연장될 수 있다. 일 예로, 제1본체부(141-1)가 x방향을 따라 연장된 제1길이(L1)는 라인 레이저빔(LLB)의 x방향을 따라 연장된 연장 길이(Lx)와 같거나 이보다 클 수 있다. The line laser beam LLB may travel along the y-direction, for example. At this time, the first body portion 141-1 of the first beam blocking unit 140-1 may extend along the x-direction intersecting the y-direction. For example, the first length L1 of the first main body 141-1 extending in the x direction may be equal to or greater than the extension length Lx of the line laser beam LLB in the x direction. have.

제1빔차단유닛(140-1)의 제1본체부(141-1)는 그 일 측에서 제1이송부(142-1)와 연결되며, 제1이송부(142-1)에 의해 선형 이송될 수 있다. 제1이송부(142-1)는 라인 레이저빔(LLB)의 연장 방향, 예컨대 x방향을 따라 연장될 수 있다. 따라서, 제1본체부(141-1)는 ±x방향을 따라 직선 운동할 수 있다. 제1이송부(142-1)는 예컨대 리니어모터, 공압실린더 등을 포함할 수 있다. The first body portion 141-1 of the first beam blocking unit 140-1 is connected to the first transfer unit 142-1 on one side thereof, and is to be linearly transferred by the first transfer unit 142-1. can The first transfer unit 142-1 may extend along an extension direction of the line laser beam LLB, for example, an x-direction. Accordingly, the first body portion 141-1 may linearly move along the ±x direction. The first transfer unit 142-1 may include, for example, a linear motor, a pneumatic cylinder, or the like.

제1빔차단유닛(140-1)의 제1본체부(141-1)는 제1반사면(143-1)을 포함할 수 있다. 제1반사면(143-1)은 라인 레이저빔(LLB)의 진행 경로와 상이한 경로로 라인 레이저빔(LLB)의 일부를 반사시킬 수 있고, 이를 위해 라인 레이저빔(LLB)의 진행 경로에 대해 일정한 각도(α)를 가질 수 있다. The first body portion 141-1 of the first beam blocking unit 140-1 may include a first reflective surface 143-1. The first reflective surface 143 - 1 may reflect a portion of the line laser beam LLB in a path different from the path of the line laser beam LLB, and for this purpose, with respect to the path of the line laser beam LLB It may have a constant angle α.

제2빔차단유닛(140-2)은 제1빔차단유닛(140-1)과 동일한 구조를 가지므로, 제2빔차단유닛(140-2)의 제2본체부(141-2), 제2이송부(142-2) 및 제2반사면(143-2)에 대한 설명은 생략하도록 한다. Since the second beam blocking unit 140-2 has the same structure as the first beam blocking unit 140-1, the second body portion 141-2 of the second beam blocking unit 140-2, the second Descriptions of the second transfer unit 142-2 and the second reflective surface 143-2 will be omitted.

제1빔차단유닛(140-1)과 제2빔차단유닛(140-2)은 상호 이격되고, 상호 평행하게 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1빔차단유닛(140-1)의 제1이송부(142-1)의 연장 방향을 따라 놓이는 제1축(a1)과 제2빔차단유닛(140-2)의 제2이송부(142-2)의 연장 방향을 따라 놓이는 제2축(a2)은 서로 평행하며, 일정한 거리(d)만큼 서로 이격될 수 있다. 상기 거리(d)는 제1빔차단유닛(140-1)과 제2빔차단유닛(140-2)이 서로 간섭에 의해 충돌하지 않도록 충분히 클 수 있다. The first beam blocking unit 140-1 and the second beam blocking unit 140-2 may be spaced apart from each other and disposed parallel to each other. Specifically, the first axis (a1) and the second transfer unit (140-2) of the second beam blocking unit 140-2 lying along the extension direction of the first transfer unit 142-1 of the first beam blocking unit 140-1 ( The second axes a2 lying along the extending direction of 142-2 are parallel to each other and may be spaced apart from each other by a predetermined distance d. The distance d may be large enough so that the first beam blocking unit 140-1 and the second beam blocking unit 140-2 do not collide with each other due to interference.

제1빔차단유닛(140-1) 및 제2빔차단유닛(140-2)에 의해 라인 레이저빔(LLB)의 적어도 일부는 기판(10)에 도달하지 못하고 차단될 수 있다. 구체적으로, 라인 레이저빔(LLB)이 y방향을 따라 진행하는데, 라인 레이저빔(LLB)의 일부는 제1빔차단유닛(140-1)의 제1본체부(141-1) 또는 제2빔차단유닛(140-2)의 제2본체부(141-2)와 만나 더 이상 y방향을 따라 진행할 수 없게 된다. 반면, 라인 레이저빔(LLB)의 나머지 일부는 제1본체부(141-1)와 제2본체부(141-2) 사이를 통과할 수 있고, 최종적으로 기판(10)에 도달할 수 있다. 즉, 라인 레이저빔(LLB)과 제1본체부(141-1) 또는 제2본체부(141-2)가 서로 중첩되는 영역이 차단영역으로 정의될 수 있다. 제1빔차단유닛(140-1)의 제1본체부(141-1) 및 제2빔차단유닛(140-2)의 제2본체부(141-2)가 ±x방향을 따라 직선 운동함에 따라, 라인 레이저빔(LLB)의 차단영역이 결정될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 제1본체부(141-1)의 제1길이(L1) 및 제2본체부(141-2)의 제2길이(L2)는 라인 레이저빔의 연장 길이(Lx)와 같거나 이보다 크므로, 제1빔차단유닛(140-1) 및 제2빔차단유닛(140-2) 중 어느 하나로도 라인 레이저빔(LLB) 전체를 차단시킬 수 있다. At least a portion of the line laser beam LLB may be blocked without reaching the substrate 10 by the first beam blocking unit 140-1 and the second beam blocking unit 140-2. Specifically, the line laser beam LLB travels along the y-direction, and a part of the line laser beam LLB is part of the first body portion 141-1 or the second beam of the first beam blocking unit 140-1. It meets the second body portion 141-2 of the blocking unit 140-2 and can no longer proceed along the y-direction. On the other hand, the remaining part of the line laser beam LLB may pass between the first body part 141-1 and the second body part 141-2, and may finally reach the substrate 10 . That is, a region where the line laser beam LLB and the first body part 141-1 or the second body part 141-2 overlap each other may be defined as the blocking region. As the first body portion 141-1 of the first beam blocking unit 140-1 and the second body portion 141-2 of the second beam blocking unit 140-2 move linearly along the ±x direction, Accordingly, the blocking area of the line laser beam LLB may be determined. As described above, the first length L1 of the first body portion 141-1 and the second length L2 of the second body portion 141-2 are equal to the extension length Lx of the line laser beam. or larger than this, it is possible to block the entire line laser beam LLB by any one of the first beam blocking unit 140-1 and the second beam blocking unit 140-2.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이며, 빔차단유닛을 중심으로 도시하고 있다. 5 is a perspective view schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to another exemplary embodiment of the present invention, with the beam blocking unit as the center.

도 5를 참조하면, 빔차단유닛(140)은 다단으로 구성되며, 예컨대 ±x방향을 따라 신축 가능할 수 있다. Referring to FIG. 5 , the beam blocking unit 140 is configured in multiple stages, and may be stretchable, for example, along the ±x direction.

구체적으로, 빔차단유닛(140)은 본체부(141)를 포함하되, 본체부(141)는 제1서브 본체부(141a), 제2서브 본체부(141b), 및 제3서브 본체부(141c)를 포함할 수 있다. 제2서브 본체부(141b)는 제1서브 본체부(141a)에 대하여 ±x방향을 따라 슬라이딩할 수 있다. 제2서브 본체부(141b)가 제1서브 본체부(141a)에 대하여 -x방향으로 완전히 슬라이딩하면, 제2서브 본체부(141b)는 전체적으로 제1서브 본체부(141a)와 중첩될 수 있다. 이를 위해서, 제1서브 본체부(141a)는 내부 공간을 가지며, 제2서브 본체부(141b)를 완전히 수용할 수 있다. Specifically, the beam blocking unit 140 includes a body part 141, but the body part 141 includes a first sub-body part 141a, a second sub-body part 141b, and a third sub-body part ( 141c). The second sub-body part 141b may slide along the ±x direction with respect to the first sub-body part 141a. When the second sub-body part 141b completely slides in the -x direction with respect to the first sub-body part 141a, the second sub-body part 141b may entirely overlap the first sub-body part 141a. . To this end, the first sub-body part 141a has an internal space, and can completely accommodate the second sub-body part 141b.

유사하게, 제3서브 본체부(141c)는 제2서브 본체부(141a)에 대하여 ±x방향을 따라 슬라이딩할 수 있다. 제3서브 본체부(141c)가 제2서브 본체부(141a)에 대하여 -x방향으로 완전히 슬라이딩하면, 제3서브 본체부(141c)는 전체적으로 제2서브 본체부(141b)와 중첩될 수 있다. 이를 위해서, 제2서브 본체부(141b)는 내부 공간을 가지며, 제3서브 본체부(141c)를 완전히 수용할 수 있다. 제1 내지 제3서브 본체부(141a, 141b, 141c)들이 서로에 대해 ±x방향을 따라 슬라이딩할 수 있도록, 리니어모터, 공압실린더 등이 구비될 수 있다. 비록, 도 5는 빔차단유닛(140)의 본체부(141)가 3개의 서브 본체부를 구비하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 본체부(141)는 2개 또는 4개 이상의 서브 본체부를 구비할 수 있다. Similarly, the third sub-body portion 141c may slide along the ±x direction with respect to the second sub-body portion 141a. When the third sub-body part 141c completely slides in the -x direction with respect to the second sub-body part 141a, the third sub-body part 141c may entirely overlap the second sub-body part 141b. . To this end, the second sub-body part 141b has an internal space and can completely accommodate the third sub-body part 141c. A linear motor, a pneumatic cylinder, etc. may be provided so that the first to third sub-body parts 141a, 141b, and 141c can slide in the ±x direction with respect to each other. Although FIG. 5 shows that the body part 141 of the beam blocking unit 140 has three sub-body parts, the present invention is not limited thereto, and the body part 141 has two or more than four sub-body parts. A sub body portion may be provided.

빔차단유닛(140)이 최대로 연장된 경우, 빔차단유닛(140)의 총 연장 길이는 라인 레이저빔(LLB)의 연장 길이(Lx, 도 4 참조)보다 클 수 있다. 빔차단유닛(140)을 ±x방향으로 이송함에 따라 라인 레이저빔(LLB)의 차단영역을 결정할 수 있고, 또한 빔차단유닛(140)을 ±x방향을 따라 신축시켜 차단영역을 결정할 수 있다. 차단영역의 면적을 최소화할 필요가 있는 경우, 빔차단유닛(140)의 제1 내지 제3서브 본체부(141a, 141b, 141c)들을 완전히 중첩시킬 수 있다. 반면에 차단영역의 면적을 최대화할 필요가 있는 경우, 빔차단유닛(140)의 제1 내지 제3서브 본체부(141a, 141b, 141c)들 사이의 중첩을 최소화시켜, 빔차단유닛(140)을 최대로 연장시킬 수 있다. 이를 통해, 빔차단유닛(140)의 점유 공간을 최소화 시키고, 표시 장치의 제조장치(100)의 챔버(CB) 내의 공간을 효율적으로 이용할 수 있다. When the beam blocking unit 140 is extended to the maximum, the total extension length of the beam blocking unit 140 may be greater than the extension length Lx (refer to FIG. 4 ) of the line laser beam LLB. The blocking area of the line laser beam LLB can be determined by transporting the beam blocking unit 140 in the ±x direction, and the blocking area can be determined by expanding the beam blocking unit 140 along the ±x direction. When it is necessary to minimize the area of the blocking region, the first to third sub-body portions 141a, 141b, and 141c of the beam blocking unit 140 may completely overlap. On the other hand, when it is necessary to maximize the area of the blocking region, by minimizing the overlap between the first to third sub-body parts 141a, 141b, 141c of the beam blocking unit 140, the beam blocking unit 140 can be extended to the maximum. Through this, the space occupied by the beam blocking unit 140 can be minimized, and the space in the chamber CB of the apparatus 100 for manufacturing the display device can be efficiently used.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이며, 빔소멸유닛을 중심으로 도시하고 있다.6 is a perspective view schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to an embodiment of the present invention, with the beam extinguishing unit as the center.

도 6을 참조하면, 빔소멸유닛(150)은 빔차단유닛(140, 도 3)에 의해 반사된 라인 레이저빔(LLB)의 일부를 수용하는 개구부(OP) 및 내부 공간(IS)를 포함할수 있다. 내부 공간(IS)은 개구부(OP)를 통해 수용된 라인 레이저빔(LLB)의 일부가 복수회 반사되는 빔소멸유닛(150)의 내면에 의해 정의될 수 있다. 빔소멸유닛(150)은 개구부(OP)의 반대측으로 갈수록 내부 공간(IS)이 줄어들도록 형성될 수 있다. Referring to FIG. 6 , the beam extinction unit 150 may include an opening OP and an internal space IS for accommodating a part of the line laser beam LLB reflected by the beam blocking unit 140 ( FIG. 3 ). have. The inner space IS may be defined by an inner surface of the beam extinction unit 150 through which a portion of the line laser beam LLB received through the opening OP is reflected a plurality of times. The beam extinguishing unit 150 may be formed such that the inner space IS decreases toward the opposite side of the opening OP.

일 실시예로, 빔소멸유닛(150)은 서로 대응하는 제1소멸판(151) 및 제2소멸판(152)을 포함할 수 있고, 양측에서 제1소멸판(151)과 제2소멸판(152)을 연결하는 두 개의 측면 플레이트(153)를 포함할 수 있다. 제1소멸판(151)은 제2소멸판(152)을 향하는 내면(151-I) 및 상기 내면(151-I)의 반대면인 외면(151-O)을 포함할 수 있다. 유사하게, 제2소멸판(152)은 제1소멸판(151)을 향하는 내면(152-I) 및 상기 내면(152-I)의 반대면인 외면(152-O)을 포함할 수 있다. 제1소멸판(151)의 내면(151-I), 제2소멸판(152)의 내면(152-I) 및 두 개의 측면 플레이트(153) 각각의 내면들은 내부 공간(IS)를 형성할 수 있다. In one embodiment, the beam extinction unit 150 may include a first extinction plate 151 and a second extinction plate 152 corresponding to each other, the first extinction plate 151 and the second extinction plate on both sides It may include two side plates 153 connecting the 152 . The first extinction plate 151 may include an inner surface 151 -I facing the second extinction plate 152 and an outer surface 151 -O opposite to the inner surface 151 -I. Similarly, the second extinction plate 152 may include an inner surface 152-I facing the first extinction plate 151 and an outer surface 152-O opposite to the inner surface 152-I. The inner surface 151-I of the first extinction plate 151, the inner surface 152-I of the second extinction plate 152, and the inner surfaces of each of the two side plates 153 may form an inner space IS. have.

제1소멸판(151)과 제2소멸판(152)은 일 방향, 예컨대 -y방향으로 갈수록 내부 공간(IS)이 점차 줄어들도록, 서로 예각을 형성할 수 있다. 즉, 제1소멸판(151)과 제2소멸판(152)은 예각을 형성하도록 일 측에서 만날 수 있으며, 상기 일 측의 반대측에는 개구부(OP)가 형성될 수 있다. 이 경우, 두 개의 측면 플레이트(153)는 삼각형 형상을 가질 수 있다. The first extinction plate 151 and the second extinction plate 152 may form an acute angle with each other so that the internal space IS gradually decreases in one direction, for example, in the -y direction. That is, the first extinction plate 151 and the second extinction plate 152 may meet at one side to form an acute angle, and an opening OP may be formed on the opposite side of the one side. In this case, the two side plates 153 may have a triangular shape.

한편, 일 예로 표시 장치의 제조장치(100, 도 3 참조)는 하나의 빔소멸유닛(150)을 구비할 수 있으며, 이 경우 빔소멸유닛(150)의 개구부(OP)의 x방향에 따른 폭은 라인 레이저빔(LLB)의 x방향에 따른 연장 길이보다 클 수 있다. 다른 예로, 표시 장치의 제조장치는 복수의 빔차단유닛(140)에 대응하여 복수의 빔소멸유닛(150)을 구비할 수 있다. Meanwhile, as an example, the display device manufacturing apparatus 100 (refer to FIG. 3 ) may include one beam extinction unit 150 . In this case, the width of the opening OP of the beam extinction unit 150 along the x direction. may be greater than the extension length along the x-direction of the line laser beam LLB. As another example, the apparatus for manufacturing a display device may include a plurality of beam extinguishing units 150 corresponding to the plurality of beam blocking units 140 .

이하 도 7a 및 도 7b를 참조하며, 빔소멸유닛(150)이 라인 레이저빔(LLB)의 일부를 소멸시키는 방법에 대해 설명하도록 한다. Hereinafter, referring to FIGS. 7A and 7B , a method for the beam extinction unit 150 to extinguish a portion of the line laser beam LLB will be described.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이다.7A and 7B are cross-sectional views schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.

우선 도 7a를 참조하면, 빔차단유닛(140)에 의해 반사된 라인 레이저빔(LLB)은 빔소멸유닛(150)의 개구부(OP)를 통해 빔소멸유닛(150)의 내부 공간(IS)으로 입사할 수 있다. 라인 레이저빔(LLB)은 빔소멸유닛(150)의 내면에서 복수회 반사될 수 있다. 예컨대, 라인 레이저빔(LLB)은 최초로 제1소멸판(151)의 내면(151-I)에 도달하여 상기 내면(151-I)에서 반사되고, 차례로 제2소멸판(152)의 내면(152-I)에서 반사될 수 있다. 라인 레이저빔(LLB)이 복수회 반사되는 동안에, 라인 레이저빔(LLB)은 조금씩 제1소멸판(151) 및 제2소멸판(152)에 흡수될 수 있고, 최종적으로 제1소멸판(151) 및 제2소멸판(152)을 통해 주위 대기로 열전달되어 소멸될 수 있다. 라인 레이저빔(LLB)의 흡수를 용이하게 하기 위해, 제1소멸판(151) 및 제2소멸판(152)은 열전도성이 높은 금속 물질, 예컨대 구리, 알루미늄 등을 포함할 수 있다.First, referring to Figure 7a, the line laser beam (LLB) reflected by the beam blocking unit 140 through the opening (OP) of the beam extinction unit 150 to the inner space (IS) of the beam extinction unit 150 can get in The line laser beam LLB may be reflected a plurality of times from the inner surface of the beam extinction unit 150 . For example, the line laser beam LLB first reaches the inner surface 151-I of the first extinction plate 151 and is reflected from the inner surface 151-I, and in turn, the inner surface 152 of the second extinction plate 152 . -I) can be reflected. While the line laser beam LLB is reflected a plurality of times, the line laser beam LLB may be gradually absorbed by the first extinction plate 151 and the second extinction plate 152, and finally the first extinction plate 151 ) and the second dissipation plate 152 may be dissipated by heat transfer to the surrounding atmosphere. In order to facilitate absorption of the line laser beam LLB, the first extinction plate 151 and the second extinction plate 152 may include a metal material having high thermal conductivity, for example, copper or aluminum.

다음으로 도 7b를 참조하면, 내부 공간(IS)을 정의하는 내면은 요철을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1소멸판(151)의 내면(151-I) 및 제2소멸판(152)의 내면(152-I)은 요철을 포함할 수 있다. 이를 통해, 라인 레이저빔(LLB)이 제1소멸판(151)의 내면(151-I) 및 제2소멸판(152)의 내면(152-I)에서 반사될 때, 난반사되도록 유도할 수 있다. 도 7b는 난반사되는 라인 레이저빔(LLB)의 일부를 점선 화살표로 도시하고 있다. 난반사된 라인 레이저빔(LLB)은 여러 경로로 진행하게 되고, 보다 넓은 영역에서 반사가 일어나게 되므로, 빔소멸유닛(150)에 의한 흡수가 더욱 용이해진다는 이점이 있다. Next, referring to FIG. 7B , the inner surface defining the inner space IS may include irregularities. For example, the inner surface 151-I of the first extinction plate 151 and the inner surface 152-I of the second extinction plate 152 may include irregularities. Through this, when the line laser beam LLB is reflected from the inner surface 151-I of the first extinction plate 151 and the inner surface 152-I of the second extinction plate 152, it is possible to induce diffuse reflection. . 7B shows a part of the diffusely reflected line laser beam LLB by a dotted arrow. Since the diffusely reflected line laser beam LLB proceeds in several paths and is reflected in a wider area, there is an advantage that absorption by the beam extinction unit 150 becomes easier.

도 8는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치의 일부를 개략적으로 도시하는 사시도이며, 빔소멸유닛을 중심으로 도시하고 있다.8 is a perspective view schematically illustrating a part of an apparatus for manufacturing a display device according to another exemplary embodiment of the present invention, with the beam extinguishing unit as the center.

도 8을 참조하면, 빔소멸유닛(150)의 외측에는 냉각유닛(160)이 구비될 수 있다. 일 예로, 냉각유닛(160)은 빔소멸유닛(150)의 제1소멸판(151)의 외면(151-O) 및 제2소멸판(152) 의 외면(151-O)에 각각 부착될 수 있다. 냉각유닛(160)은 워터재킷과 같이 냉각수를 이용하는 수냉식 냉각수단일 수 있고, 공기를 이용하는 공냉식 냉각수단일 수 있다. 이를 통해, 빔소멸유닛(150)이 라인 레이저빔(LLB)을 흡수하여 주위 대기로 열소산시키는 것을 보다 용이하게 할 수 있다. Referring to FIG. 8 , a cooling unit 160 may be provided outside the beam extinguishing unit 150 . For example, the cooling unit 160 may be attached to the outer surface 151-O of the first extinction plate 151 of the beam extinction unit 150 and the outer surface 151-O of the second extinction plate 152, respectively. have. The cooling unit 160 may be a water-cooled cooling means using cooling water, such as a water jacket, or an air-cooled cooling means using air. Through this, it is possible to make it easier for the beam extinction unit 150 to absorb the line laser beam LLB and dissipate heat to the surrounding atmosphere.

도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 이용하여 표시 장치를 제조하는 과정의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 4 및 도 5는 기판 상의 비결정실리콘층이 폴리실리콘층으로 결정화되도록 어닐링하는 과정을 도시하고 있다. 9 and 10 are plan views schematically illustrating a part of a process of manufacturing a display device using an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment. 4 and 5 illustrate a process of annealing an amorphous silicon layer on a substrate to crystallize into a polysilicon layer.

도 9를 참조하면, 기판(10)은 제1 내지 제4가장자리(E1, E2, E3, E4)를 포함할 수 있는데, 기판(10)의 제1가장자리(E1)가 라인 레이저빔(LLB)의 연장 방향과 평행을 이루지 않도록, 기판(10)이 안착된 스테이지(110)는 90도보다 작은 각도인 θ만큼 회전될 수 있다. 이러한 상태에서, 스테이지(110)는 제1방향(예컨대, y방향)을 따라 이동할 수 있고, 스테이지(110)가 이동하는 동안에 라인 레이저빔(LLB)이 기판(10) 상에 복수회 조사되어 기판 상의 비정질실리콘층이 폴리실리콘층으로 변환될 수 있다. Referring to FIG. 9 , the substrate 10 may include first to fourth edges E1 , E2 , E3 , and E4 . The first edge E1 of the substrate 10 is a line laser beam LLB. The stage 110 on which the substrate 10 is seated may be rotated by θ, which is less than 90 degrees, so as not to be parallel to the extending direction of the . In this state, the stage 110 may move in the first direction (eg, the y-direction), and while the stage 110 is moving, the line laser beam LLB is irradiated onto the substrate 10 a plurality of times to irradiate the substrate. The amorphous silicon layer may be converted into a polysilicon layer.

비교예로, 기판(10)의 제1가장자리(E1)가 라인 레이저빔(LLB)의 연장 방향과 평행한 상태에서 기판(10)이 안착된 스테이지(110)가 제1방향(예컨대, y방향)을 따라 이동하고, 이동하는 동안에 라인 레이저빔(LLB)이 기판(10) 상에 복수회 조사될 수 있다. 이를 통해 형성된 폴리실리콘층을 이용하여 표시 장치를 제조할 시, 표시 장치에서 구현되는 이미지에서 줄무늬 얼룩이 발생한다는 문제점이 있다. As a comparative example, in a state in which the first edge E1 of the substrate 10 is parallel to the extending direction of the line laser beam LLB, the stage 110 on which the substrate 10 is seated is moved in the first direction (eg, the y-direction). ), and during the movement, the line laser beam LLB may be irradiated onto the substrate 10 a plurality of times. When a display device is manufactured using the polysilicon layer formed through this process, there is a problem in that stripes appear in an image implemented in the display device.

구체적으로, 기판(10)의 제1가장자리(E1)와 평행한 가상의 라인들에 있어서, 상기 가상의 라인들은 라인 레이저빔의 연장 방향과도 평행하게 된다. 동일한 가상의 라인 상에 위치한 폴리실리콘층은 동일한 라인 레이저빔의 조사에 의해 동시(同時)에 형성되었으므로, 상기 폴리실리콘층을 이용해 형성된 박막트랜지스터들은 서로 동일한 특성(예컨대, 문턱전압)을 가질 수 있다. 그러나, 서로 상이한 가상의 라인들 상에 위치한 폴리실리콘층들은 상이한 라인 레이저빔의 조사에 이시(異時)에 형성되었으므로, 상기 폴리실리콘층들을 이용해 형성된 박막트랜지스터들은 서로 상이한 특성을 가질 수 있다. 만약, 가상의 라인들 중 어느 하나의 라인에 대응하는 위치에서 라인 레이저빔의 조사에 결함이 있는 경우, 상기 어느 하나의 라인 상에 위치한 박막트랜지스터들은 모두 다른 가상의 라인들 상에 위치한 박막트랜지스터들과 다른 특성을 갖게 되고, 따라서 상기 어느 하나의 라인을 따라 줄무늬 얼룩이 발생할 수 있다. Specifically, in the imaginary lines parallel to the first edge E1 of the substrate 10 , the imaginary lines are also parallel to the extending direction of the line laser beam. Since the polysilicon layers positioned on the same virtual line are simultaneously formed by irradiation of the same line laser beam, thin film transistors formed using the polysilicon layer may have the same characteristics (eg, threshold voltage). . However, since the polysilicon layers positioned on different virtual lines are formed at different times when irradiated with laser beams of different lines, thin film transistors formed using the polysilicon layers may have different characteristics. If there is a defect in the irradiation of the line laser beam at a position corresponding to any one of the virtual lines, the thin film transistors located on the one line are all thin film transistors located on the other virtual lines. It has a characteristic different from that of , and thus, streaks may occur along any one of the lines.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(10)의 제1가장자리(E1)가 라인 레이저빔(LLB)의 연장 방향과 평행을 이루지 않는 상태에 있으며, 기판(10)의 제1가장자리(E1)에 평행한 가상의 라인들에 있어서, 가상의 라인들은 라인 레이저빔의 연장 방향과 평행하지 않게 된다. 따라서, 동일한 가상의 라인 상에 위치한 박막트랜지스터들이라도, 서로 상이한 라인 레이저빔의 조사에 의해 이시(異時)에 형성될 수 있다. 그 결과, 기판(10) 상의 박막트랜지스터들의 특성의 산포가 기판(10)에 걸쳐 전체적으로 균일하게 될 수 있다. 따라서, 이러한 박막트랜지스터들에 전기적으로 연결된 발광소자를 형성하여 표시 장치를 제조하게 되면, 특정 라인을 따라 줄무늬 얼룩이 발생하는 현상을 효과적으로 방지하거나 억제할 수 있다. However, according to an embodiment of the present invention, the first edge E1 of the substrate 10 is in a state that is not parallel to the extending direction of the line laser beam LLB, and the first edge E1 of the substrate 10 is For the imaginary lines parallel to E1), the imaginary lines become non-parallel to the extension direction of the line laser beam. Accordingly, even thin film transistors positioned on the same virtual line can be formed at different times by irradiating different line laser beams. As a result, the distribution of characteristics of the thin film transistors on the substrate 10 can be made uniform throughout the substrate 10 . Accordingly, when a display device is manufactured by forming a light emitting device electrically connected to the thin film transistors, it is possible to effectively prevent or suppress the occurrence of stripes along a specific line.

도 10을 참조하면, 기판(10)이 안착된 스테이지(110)를 회전시키는 각도가 커질수록 상기 줄무늬 얼룩의 발생을 줄일 수 있지만, 라인 레이저빔(LLB)이 조사되는 조사영역(LA)이 기판(10)이 위치한 영역에서 크게 벗어날 수 있다는 문제점이 있다. 이는 표시 장치(1)의 불량을 야기할 수 있다. Referring to FIG. 10 , as the angle at which the stage 110 on which the substrate 10 is mounted is rotated increases, the occurrence of the streaks can be reduced, but the irradiation area LA to which the line laser beam LLB is irradiated is (10) has a problem that it can deviate greatly from the area where it is located. This may cause a defect in the display device 1 .

구체적으로, 3000nm 이상 두께의 비정질실리콘층은 입사한 라인 레이저빔(LLB)을 99% 이상 흡수하기에, 기판(10) 중 비정질실리콘층 하부에 위치한 부분은 라인 레이저빔(LLB)에 의해 영향을 거의 받지 않을 수 있다. 그러나, 기판(10) 중 비정질실리콘층이 위치하지 않는 부분이나, 또는 스테이지(110) 중 기판(10)이 위치하지 않는 부분은 라인 레이저빔(LLB)이 조사되면 손상될 수 있다. 특히, 기판(10)의 상기 부분 또는 스테이지(110)의 상기 부분이 라인 레이저빔(LLB)에 의해 타게 되고, 이 과정에서 파티클(particle)들이 발생하여 비정질실리콘층이 결정화된 폴리실리콘층 상에 잔존하게 될 수 있고, 이로 인해 표시 장치(1)의 불량을 야기할 수 있다. 따라서, 조사영역(LA)을 적절히 제어하여 기판(10)의 상기 부분 또는 스테이지(110)의 상기 부분에 라인 레이저빔(LLB)이 조사되지 않도록 하는 것이 요구된다. Specifically, an amorphous silicon layer with a thickness of 3000 nm or more absorbs 99% or more of the incident line laser beam (LLB), so the portion located below the amorphous silicon layer of the substrate 10 is affected by the line laser beam (LLB). You may hardly get it. However, a portion of the substrate 10 in which the amorphous silicon layer is not located or a portion of the stage 110 in which the substrate 10 is not located may be damaged when the line laser beam LLB is irradiated. In particular, the portion of the substrate 10 or the portion of the stage 110 is burned by the line laser beam LLB, and in this process, particles are generated and the amorphous silicon layer is formed on the crystallized polysilicon layer. may remain, which may cause a defect in the display device 1 . Therefore, it is required to appropriately control the irradiation area LA so that the line laser beam LLB is not irradiated to the portion of the substrate 10 or the portion of the stage 110 .

본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 이용하여 표시 장치를 제조하는 경우, 라인 레이저빔(LLB)의 차단영역을 증가 또는 감소시킴으로써 조사영역(LA)을 적절히 제어할 수 있으며, 이에 대해 이하 도 11a 내지 도 11e를 참조하여 설명한다.When a display device is manufactured using the display device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, the irradiation area LA may be appropriately controlled by increasing or decreasing the blocking area of the line laser beam LLB. Hereinafter, it will be described with reference to FIGS. 11A to 11E.

도 11a 내지 도 11e은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 이용하여 표시 장치를 제조하는 과정의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 11A to 11E are plan views schematically illustrating a part of a process of manufacturing a display device using an apparatus for manufacturing a display device according to an exemplary embodiment.

도 11a 내지 도 11e를 참조하면, 표시 장치의 제조장치(100, 도 3 참조)는 x방향으로 연장된 라인 레이저빔(LLB)을 스테이지(110) 상에 배치된 기판(10)으로 조사할 수 있다. 이때 상호 이격하여 배치된 제1빔차단유닛(140-1) 및 제2빔차단유닛(140-2)이 ±x방향을 따라 직선 이동하고, 이를 통해 라인 레이저빔(LLB)을 차단하는 차단영역을 변화시킬 수 있다. 11A to 11E , the display device manufacturing apparatus 100 (refer to FIG. 3 ) may irradiate a line laser beam LLB extending in the x-direction to the substrate 10 disposed on the stage 110 . have. At this time, the first beam blocking unit 140-1 and the second beam blocking unit 140-2 arranged to be spaced apart from each other move linearly along the ±x direction, and through this, a blocking area for blocking the line laser beam LLB can change

우선 도 11a에서 도시된 것과 같이 레이저 어닐링 초기에, 제1빔차단유닛(140-1) 및 제2빔차단유닛(140-2)은 스테이지(110) 중 기판(10)이 위치하지 않은 영역에 라인 레이저빔(LLB)이 조사되지 않도록, 라인 레이저빔(LLB)의 일부를 차단할 수 있다. First, as shown in FIG. 11A , in the initial stage of laser annealing, the first beam blocking unit 140-1 and the second beam blocking unit 140-2 are formed in a region of the stage 110 where the substrate 10 is not located. A portion of the line laser beam LLB may be blocked so that the line laser beam LLB is not irradiated.

도 11b에서 도시된 것과 같이, 스테이지(110)가 y방향을 따라 제1위치까지 이동함에 따라, 제1빔차단유닛(140-1)은 +x방향으로 이송되고 제2빔차단유닛(140-2)은 -x방향으로 이송되어, 라인 레이저빔(LLB)의 차단영역을 감소시킬 수 있다. 11B, as the stage 110 moves to the first position along the y-direction, the first beam blocking unit 140-1 is transferred in the +x direction and the second beam blocking unit 140- 2) is transferred in the -x direction to reduce the blocking area of the line laser beam LLB.

도 11c에서 도시된 것과 같이, 스테이지(110)가 제1위치를 지나면 제1빔차단유닛(140-1)은 -x방향으로 이송되고 라인 레이저빔(LLB)의 차단영역을 다시 증가시킬 수 있다. 제2빔차단유닛(140-2)은 계속하여 -x방향으로 이송되어 라인 레이저빔(LLB)의 차단영역을 감소시킬 수 있다. 이러한 작동은 도 11d에서 도시된 것와 같이 스테이지(110)가 제2위치로 이동할 때까지 계속된다. 11C , when the stage 110 passes the first position, the first beam blocking unit 140-1 is transferred in the -x direction and increases the blocking area of the line laser beam LLB again. . The second beam blocking unit 140 - 2 may be continuously transferred in the -x direction to reduce the blocking area of the line laser beam LLB. This operation continues until the stage 110 moves to the second position as shown in FIG. 11D .

도 11e에서 도시된 것과 같이, 스테이지(110)가 제2위치를 지나면 제2빔차단유닛(140-2)은 +x방향으로 이송되고 라인 레이저빔(LLB)의 차단영역을 다시 증가시킬 수 있다. 제1빔차단유닛(140-1)은 계속하여 -x방향으로 이송되어 라인 레이저빔(LLB)의 차단영역을 증가시킬 수 있다.11E , when the stage 110 passes the second position, the second beam blocking unit 140 - 2 is transferred in the +x direction and increases the blocking area of the line laser beam LLB again. . The first beam blocking unit 140 - 1 may be continuously transferred in the -x direction to increase the blocking area of the line laser beam LLB.

상기와 같이, 스테이지(110)가 이동함에 따라, 제1빔차단유닛(140-1) 및 제2빔차단유닛(140-2)이 라인 레이저빔(LLB)의 차단영역을 증가 또는 감소시킴으로써, 기판(10) 상의 원하는 영역에만 라인 레이저빔(LLB)이 조사되도록 할 수 있다. 이를 이용하여, 스테이지(110)를 원하는 각도만큼 기울인 상태에서 레이저 어닐링을 수행할 수 있다.As described above, as the stage 110 moves, the first beam blocking unit 140-1 and the second beam blocking unit 140-2 increase or decrease the blocking area of the line laser beam LLB, The line laser beam LLB may be irradiated only to a desired area on the substrate 10 . Using this, laser annealing may be performed while the stage 110 is tilted by a desired angle.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, which are merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

1: 표시 장치
10: 기판
100: 표시 장치의 제조장치
110: 스테이지
120: 이동부
130: 광학유닛
140: 빔차단유닛
150: 빔소멸유닛
151: 제1소멸판
152: 제2소멸판
160: 냉각유닛
LB: 원시 레이저빔
LLB: 라인 레이저빔
M: 미러
SLT: 슬릿부1: display device
10: substrate
100: device for manufacturing a display device
110: stage
120: moving unit
130: optical unit
140: beam blocking unit
150: beam extinction unit
151: first extinction plate
152: second extinction plate
160: cooling unit
LB: raw laser beam
LLB: line laser beam
M: mirror
SLT: slit

Claims

a stage for supporting the substrate;
a moving unit for moving the stage in a first direction;
a laser beam source emitting a raw laser beam;
an optical unit disposed on a traveling path of the raw laser beam and processing the raw laser beam into a line laser beam extending in a second direction intersecting the first direction;
a beam blocking unit movable in the second direction and capable of blocking a part of the line laser beam; and
and a beam extinction unit that extinguishes a portion of the line laser beam blocked by the beam blocking unit.

The method of claim 1,
and the beam blocking unit includes a reflective surface that reflects a portion of the line laser beam.

3. The method of claim 2,
The reflective surface of the beam blocking unit has a predetermined angle with respect to the traveling path of the line laser beam so as to reflect a portion of the line laser beam to a path different from the traveling path of the line laser beam. .

According to claim 1,
and the beam blocking unit is spaced apart from each other and includes a first beam blocking unit and a second beam blocking unit disposed in parallel to each other.

According to claim 1,
The beam blocking unit is configured in multiple stages and is expandable and contractible in the second direction.

According to claim 1,
A length of the beam blocking unit extending in the second direction is equal to or greater than a length of the line laser beam extending in the second direction.

The method of claim 1,
and a blocking area of the line laser beam is determined as the beam blocking unit moves linearly in the second direction.

3. The method of claim 2,
and the beam extinction unit is disposed at a predetermined position so that a portion of the line laser beam reflected by the reflective surface of the beam blocking unit arrives.

3. The method of claim 2,
The beam extinction unit,
an inner space defined by an opening accommodating a portion of the line laser beam reflected by the reflective surface of the beam blocking unit, and an inner surface through which a portion of the received line laser beam is reflected a plurality of times; manufacturing equipment.

10. The method of claim 9,
and wherein the inner surface includes irregularities.

3. The method of claim 2,
The beam extinction unit includes a first extinction plate and a second extinction plate corresponding to each other,
The first extinction plate and the second extinction plate form an acute angle such that a space between the first extinction plate and the second extinction plate gradually decreases in one direction.

12. The method of claim 11,
and surfaces of the first extinction plate and the second extinction plate facing each other include irregularities.

According to claim 1,
The apparatus of claim 1, further comprising a cooling unit disposed outside the beam extinction unit.

According to claim 1,
and a slit portion having a slit through which the line laser beam passes.

15. The method of claim 14,
and the beam blocking unit is disposed between the optical unit and the slit part.

According to claim 1,
and a mirror for changing a traveling direction of the line laser beam to irradiate the line laser beam onto the substrate.

17. The method of claim 16,
and the first and second beam blocking units are disposed between the optical unit and the mirror.

forming an amorphous silicon layer on a substrate;
rotating the substrate on which the amorphous silicon layer is formed at a first angle on an imaginary plane parallel to one surface of the substrate; and
irradiating a line laser beam extending in a second direction crossing the first direction onto the amorphous silicon layer while moving the substrate in the first direction;
reflecting a portion of the line laser beam so that the portion of the line laser beam does not reach the substrate; and
Annihilating a portion of the reflected line laser beam;
As the substrate is moved in the first direction, an area of a reflective region where a portion of the line laser beam is reflected increases or decreases.

19. The method of claim 18,
Annihilating a part of the line laser beam comprises:
a portion of the line laser beam is incident on the inner space of the beam extinction unit through the opening of the beam extinction unit; and
and reflecting a portion of the line laser beam from an inner surface defining the inner space of the beam extinction unit a plurality of times.

20. The method of claim 19,
Annihilating a part of the line laser beam comprises:
and absorbing a portion of the line laser beam by the beam extinction unit.