KR20220016325A - Load lock chamber, substrate processing apparatus including the same - Google Patents

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KR20220016325A
KR20220016325A KR1020200095054A KR20200095054A KR20220016325A KR 20220016325 A KR20220016325 A KR 20220016325A KR 1020200095054 A KR1020200095054 A KR 1020200095054A KR 20200095054 A KR20200095054 A KR 20200095054A KR 20220016325 A KR20220016325 A KR 20220016325A
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shelf
pad
chamber
load lock
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KR1020200095054A
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손덕현
김병규
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세메스 주식회사
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Abstract

The present invention provides a load lock chamber. The load lock chamber of a device for processing the substrate includes: a housing having an interior space; and at least one support shelf for supporting the substrate or a ring member provided in a process chamber for processing the substrate in the interior space, wherein the support shelf includes a first pad in contact with the substrate, and a second pad in contact with the ring member.

Description

로드락 챔버, 이를 가지는 기판 처리 장치{LOAD LOCK CHAMBER, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME}Load lock chamber, substrate processing apparatus having the same

본 발명은 로드락 챔버, 이를 가지는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a load lock chamber and a substrate processing apparatus having the same.

플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화 된 가스 상태를 말한다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 등의 기판 상에 형성된 박막을 제거하는 에칭 공정을 포함할 수 있다. 에칭 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및/또는 라디칼들이 기판 상의 박막과 충돌하거나, 박막과 반응됨으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, radicals, and electrons. Plasma is generated by a very high temperature or strong electric field or RF Electromagnetic Fields. The semiconductor device manufacturing process may include an etching process of removing a thin film formed on a substrate such as a wafer using plasma. The etching process is performed by ions and/or radicals contained in plasma collide with the thin film on the substrate or react with the thin film.

이러한 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 진공 분위기로 된 공정 챔버, 공정 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지 척과, 지지 척에 안착된 기판의 외주를 둘러싸는 포커스 링을 포함한다. 포커스 링은 기판 표면 상에서 플라즈마를 균일성 높게 분포시키기 위해서 설치되며, 플라즈마에 의해 기판과 함께 에칭된다. 기판에 대한 에칭이 반복적으로 행해지면, 포커스 링도 함께 에칭 되기에 포커스 링의 형상은 점차 변화된다. 이러한 포커스 링의 형상 변화에 따라 이온 및/또는 라디칼이 기판에 입사하는 방향이 변화되어 기판에 대한 에칭 특성이 변화된다. 따라서, 기판에 대한 에칭 처리가 소정 매수 이상 수행되는 경우, 또는 포커스 링의 형상이 변화되어 허용 범위 밖에 있는 경우에는 포커스 링에 대한 교체가 필요하다.An apparatus for processing a substrate using the plasma includes a process chamber in a vacuum atmosphere, a support chuck for supporting a substrate in the process chamber, and a focus ring surrounding the outer periphery of the substrate seated on the support chuck. The focus ring is installed to uniformly distribute plasma on the surface of the substrate, and is etched together with the substrate by the plasma. If the substrate is etched repeatedly, the shape of the focus ring is gradually changed because the focus ring is also etched. According to the change in the shape of the focus ring, the direction in which ions and/or radicals are incident on the substrate is changed, so that the etching characteristics of the substrate are changed. Therefore, when the etching process on the substrate is performed for a predetermined number or more, or when the shape of the focus ring is changed and is outside the allowable range, the replacement of the focus ring is required.

포커스 링의 교체는 사용된 포커스 링을 공정 챔버로부터 반출하여 링 포드로 반입하고, 신규 포커스 링을 링 포드(Ring POD)로부터 반출하여 공정 챔버로 반입하여 이루어진다. 포커스 링을 교체하는 과정에서 포커스 링은 공정 챔버와 내부가 대기 분위기로 유지되는 인덱스 챔버 사이에 배치되는 로드락 챔버를 경유한다. 이러한 로드락 챔버는 공정 챔버에서 처리되는 기판 또는 교체되는 포커스 링이 임시 저장되는 챔버이며, 로드락 챔버의 분위기는 진공 분위기와 대기 분위기 사이에서 변경된다. To replace the focus ring, the used focus ring is taken out of the process chamber and brought into the ring pod, and the new focus ring is taken out of the ring pod (Ring POD) and brought into the process chamber. In the process of replacing the focus ring, the focus ring passes through a load lock chamber disposed between the process chamber and the index chamber in which the atmosphere is maintained. The load lock chamber is a chamber in which a substrate processed in the process chamber or a focus ring to be replaced is temporarily stored, and the atmosphere of the load lock chamber is changed between a vacuum atmosphere and an atmospheric atmosphere.

일반적인 로드락 챔버에서는 기판이 임시 저장되는 공간과, 포커스 링이 임시 저장되는 공간이 서로 구분된다. 즉, 일반적인 로드락 챔버에서는 기판이 임시 저장되는 공간과, 포커스 링이 임시 저장되는 공간이 분리되어 제공되어 있다.In a general load lock chamber, a space in which the substrate is temporarily stored and a space in which the focus ring is temporarily stored are separated from each other. That is, in a general load lock chamber, a space for temporarily storing a substrate and a space for temporarily storing a focus ring are provided separately.

기판 또는 포커스 링을 반송하는 반송 로봇은 기판 또는 포커스 링을 반송하는 과정에서 발생하는 오차를 줄이기 위하여, 반송 로봇이 가지는 핸드가 기판 또는 포커스 링을 지지하는 위치를 조정하는 캘리브레이션(Calibration)을 수행한다. 그러나, 상술한 바와 같이 일반적인 로드락 챔버에서는 기판이 임시 저장되는 공간과, 포커스 링이 임시 저장되는 공간이 서로 분리되어 제공되므로, 반송 로봇에 대한 캘리브레이션은 기판이 임시 저장되는 공간, 그리고 포커스 링이 임시 저장되는 공간에서 각각 수행되어야 한다. 이는 캘리브레이션을 수행하는데 소요되는 시간을 증가시키거나, 캘리브레이션에 대한 정확도를 떨어뜨리는 문제를 발생시킨다. A transfer robot that transports a substrate or a focus ring performs calibration by adjusting a position where a hand of the transfer robot supports a substrate or a focus ring in order to reduce errors occurring in the process of transporting the substrate or focus ring. . However, as described above, in a general load lock chamber, a space for temporarily storing a substrate and a space for temporarily storing a focus ring are provided separately from each other. Each must be performed in a temporary storage space. This increases the time required to perform the calibration or causes problems in which the accuracy of the calibration is decreased.

본 발명은 하나의 로드락 챔버에서 기판, 그리고 링 부재를 모두 지지 할 수 있는 구조를 가지는 로드락 챔버, 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a load lock chamber having a structure capable of supporting both a substrate and a ring member in one load lock chamber, and a substrate processing apparatus.

또한, 본 발명은 기판, 그리고 링 부재에 동일한 로봇 보정 기술을 적용할 수 있는 로드락 챔버, 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a load lock chamber capable of applying the same robot calibration technology to a substrate and a ring member, and a substrate processing apparatus.

또한, 본 발명은 반송 로봇에 대한 캘리브레이션을 수행하는데 소요되는 시간을 최소화할 수 있는 로드락 챔버, 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a load lock chamber capable of minimizing the time required to perform calibration for a transfer robot, and a substrate processing apparatus.

또한, 본 발명은 반송 로봇에 대한 캘리브레이션의 정확도를 보다 높일 수 있는 로드락 챔버, 그리고 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a load lock chamber capable of further increasing the accuracy of calibration for a transfer robot, and a substrate processing apparatus.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재들로부터 통상의 기술자가 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 로드락 챔버를 제공한다. 기판을 처리하는 장치가 가지는 로드락 챔버는, 내부 공간을 가지는 하우징; 및 상기 내부 공간에서 상기 기판 또는 상기 기판을 처리하는 공정 챔버에 제공되는 링 부재를 지지하는 적어도 하나 이상의 지지 선반을 포함하고, 상기 지지 선반은, 상기 기판과 접촉되는 제1패드; 및 상기 링 부재와 접촉되는 제2패드를 포함할 수 있다.The present invention provides a load lock chamber. The load lock chamber of the apparatus for processing a substrate includes: a housing having an inner space; and at least one support shelf for supporting the substrate or a ring member provided in a process chamber for processing the substrate in the internal space, wherein the support shelf includes: a first pad contacting the substrate; and a second pad in contact with the ring member.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1패드, 그리고 상기 제2패드 중 적어도 어느 하나는 상부에서 바라볼 때, 호 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, at least one of the first pad and the second pad may have an arc shape when viewed from above.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 선반은, 복수로 제공되고, 상기 지지 선반 각각에 설치되는 상기 제1패드들은, 상부에서 바라 볼 때 가상의 제1원과 서로 중첩되도록 설치될 수 있다.According to an embodiment, the support shelf may be provided in plurality, and the first pads installed on each of the support shelves may be installed to overlap each other with a virtual first circle when viewed from above.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 선반은, 복수로 제공되고, 상기 지지 선반 각각에 설치되는 상기 제2패드들은, 상부에서 바라 볼 때 가상의 제2원과 서로 중첩되도록 설치될 수 있다.According to an embodiment, the support shelf may be provided in plurality, and the second pads installed on each of the support shelves may be installed to overlap with a virtual second circle when viewed from above.

일 실시 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때, 상기 제1원과 상기 제2원은 서로 동일한 중심을 가질 수 있다.According to an embodiment, when viewed from the top, the first circle and the second circle may have the same center.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 선반은, 제1선반, 그리고 상기 제1선반과 상이한 높이에 제공되는 제2선반을 포함하고, 상기 제1선반, 그리고 제2선반 중 적어도 어느 하나의 상면에는 상기 제1패드, 그리고 상기 제2패드가 설치될 수 있다.According to an embodiment, the support shelf includes a first shelf and a second shelf provided at a different height from the first shelf, and the upper surface of at least one of the first shelf and the second shelf has the A first pad and the second pad may be installed.

일 실시 예에 의하면, 상기 제2선반이 제공되는 높이는, 상기 제1선반이 제공되는 높이보다 높고, 상기 제1패드, 그리고 상기 제2패드는, 상기 제2선반의 상면에 설치될 수 있다.According to one embodiment, the height at which the second shelf is provided, A height at which the first shelf is provided may be higher, and the first pad and the second pad may be installed on an upper surface of the second shelf.

일 실시 예에 의하면, 상기 하우징에는, 상기 내부 공간으로 벤트 가스를 공급하는 벤트 홀; 및 상기 내부 공간을 감압하는 감압 홀이 형성될 수 있다.According to an embodiment, the housing may include: a vent hole for supplying a vent gas to the inner space; and a decompression hole for decompressing the inner space may be formed.

또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 용기가 안착되는 로드 포트를 가지는 인덱스 챔버; 상기 기판을 처리하는 공정 챔버; 상기 인덱스 챔버, 그리고 상기 공정 챔버 사이에 배치되는 로드락 챔버; 상기 인덱스 챔버, 상기 공정 챔버 사이에 기판 또는 포커스 링을 반송하는 반송 로봇; 및 제어기를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 기판을 제1속도로 반송하고, 상기 포커스 링을 상기 제1속도와 상이한 속도인 제2속도로 반송하도록 상기 반송 로봇을 제어할 수 있다.The present invention also provides a substrate processing apparatus. An apparatus for processing a substrate includes an index chamber having a load port on which a container is mounted; a process chamber for processing the substrate; a load lock chamber disposed between the index chamber and the process chamber; a transfer robot for transferring a substrate or a focus ring between the index chamber and the process chamber; and a controller, wherein the controller is operable to control the transport robot to transport the substrate at a first speed and transport the focus ring at a second speed that is different from the first speed.

일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 제2속도가 상기 제1속도보다 느린 속도가 되도록 상기 반송 로봇을 제어할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the transport robot so that the second speed becomes a speed slower than the first speed.

일 실시 예에 의하면, 상기 로드락 챔버는, 내부 공간을 가지는 하우징; 상기 내부 공간에서 상기 기판 또는 상기 포커스 링을 지지하는 적어도 하나 이상의 지지 선반을 포함하고, 상기 지지 선반은, 상기 기판과 접촉되는 제1패드; 및 상기 포커스 링과 접촉되는 제2패드를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the load lock chamber may include: a housing having an internal space; at least one support shelf for supporting the substrate or the focus ring in the inner space, wherein the support shelf includes: a first pad in contact with the substrate; and a second pad in contact with the focus ring.

일 실시 예에 의하면, 상기 제1패드, 그리고 상기 제2패드는 상부에서 바라볼 때, 호 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, the first pad and the second pad may have an arc shape when viewed from above.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 선반은, 복수로 제공되고, 상기 지지 선반 각각에 설치되는 상기 제1패드들은, 상부에서 바라 볼 때 가상의 제1원과 서로 중첩되도록 설치될 수 있다.According to an embodiment, the support shelf may be provided in plurality, and the first pads installed on each of the support shelves may be installed to overlap each other with a virtual first circle when viewed from above.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 선반은, 복수로 제공되고, 상기 지지 선반 각각에 설치되는 상기 제2패드들은, 상부에서 바라 볼 때 가상의 제2원과 서로 중첩되도록 설치되고, 상부에서 바라볼 때, 상기 제1원과 상기 제2원은 서로 동일한 중심을 가질 수 있다.According to an embodiment, the support shelf is provided in plurality, and the second pads installed on each of the support shelves are installed to overlap each other with a virtual second circle when viewed from above, and to be viewed from the top. In this case, the first circle and the second circle may have the same center.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하나의 로드락 챔버에서 기판, 그리고 링 부재를 모두 지지 할 수 있는 구조를 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it may have a structure capable of supporting both the substrate and the ring member in one load lock chamber.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판, 그리고 링 부재에 동일한 로봇 보정 기술을 적용할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, the same robot correction technology may be applied to the substrate and the ring member.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 반송 로봇에 대한 캘리브레이션을 수행하는데 소요되는 시간을 최소화할 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to minimize the time required to perform calibration for the transport robot.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 반송 로봇에 대한 캘리브레이션의 정확도를 보다 높일 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, it is possible to further increase the accuracy of calibration for the transport robot.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 로드락 챔버를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 지지 선반을 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 지지 선반들, 그리고 각각의 지지 선반들에 제공되는 제1패드들의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 2의 지지 선반들, 그리고 각각의 지지 선반들에 제공되는 제2패드들의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 2의 로드락 챔버에 기판이 안착된 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 2의 로드락 챔버에 링 부재가 안착된 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 선반을 보여주는 단면도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view illustrating the load lock chamber of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view showing the support shelf of FIG. 2 .
FIG. 4 is a view for explaining the arrangement of the support shelves of FIG. 2 and the first pads provided on each of the support shelves;
FIG. 5 is a view for explaining the arrangement of the support shelves of FIG. 2 and second pads provided on each of the support shelves;
FIG. 6 is a view showing a state in which a substrate is seated in the load lock chamber of FIG. 2 .
7 is a view showing a state in which the ring member is seated in the load lock chamber of FIG. 2 .
8 is a cross-sectional view showing a support shelf according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be implemented in several different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related well-known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It should be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof does not preclude the possibility of addition.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

이하에서는, 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대하여 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8 .

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 인덱스 부(100), 공정 처리 부(300), 그리고 제어기(500)를 포함할 수 있다. 인덱스 부(100)와 공정 처리 부(300)는 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)을 따라 배열될 수 있다. 이하에서는, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(X)과 수직한 방향을 제2방향(Y)으로 정의한다. 또한, 제1방향(X) 및 제2방향(Y)과 수직한 방향을 제3방향(Z)으로 정의한다. 여기서 제3방향(Z)은 지면에 대하여 수직한 방향을 의미할 수 있다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1 , a substrate processing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment may include an index unit 100 , a process processing unit 300 , and a controller 500 . The index unit 100 and the processing unit 300 may be arranged along the first direction X when viewed from above. Hereinafter, when viewed from the top, a direction perpendicular to the first direction (X) is defined as the second direction (Y). In addition, a direction perpendicular to the first direction (X) and the second direction (Y) is defined as a third direction (Z). Here, the third direction Z may mean a direction perpendicular to the ground.

인덱스 부(100)는 로드 포트(110), 인덱스 챔버(130), 제1반송 로봇(150), 그리고 사이드 버퍼(170)를 포함할 수 있다. The index unit 100 may include a load port 110 , an index chamber 130 , a first transfer robot 150 , and a side buffer 170 .

로드 포트(110)에는 용기(200)가 안착될 수 있다. 로드 포트(110)에 안착되는 용기(200) 중 어느 일부는 용기(200)는 공정 처리 부(300)로 반송되는 기판(W)(예컨대, 웨이퍼)을 수납할 수 있다. 또한, 로드 포트(110)에 안착되는 용기(200) 중 다른 일부는 용기(200)는 공정 처리 부(300)로 반송되는 링 부재(FR) 및/또는 웨이퍼 형 센서를 수납할 수 있다. 또한, 로드 포트(110)에 안착되는 용기(200) 중 다른 일부는 용기(200)는 링 부재(FR)를 반송하는 캐리어를 수납할 수도 있다. 용기(200)는 용기 반송 장치에 의해 로드 포트(110)로 반송되어 로드 포트(110)에 로딩(Loading)되거나, 로드 포트(110)로부터 언 로딩(Unloading)되어 반송될 수 있다. 용기 반송 장치는 오버 헤드 트랜스퍼 장치(Overhead transport apparatus, 이하 OHT)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 용기(200)를 반송하는 다양한 장치에 의해 반송될 수 있다. 또한, 작업자가 용기(200)를 직접 로드 포트(110)에 로딩시키거나, 로드 포트(110)에 안착된 용기(200)를 로드 포트(110)로부터 언 로딩시킬 수 있다.The container 200 may be seated on the load port 110 . Any part of the container 200 seated on the load port 110 may accommodate the substrate W (eg, a wafer) transferred to the process processing unit 300 . In addition, the other part of the container 200 seated on the load port 110 , the container 200 may accommodate the ring member FR and/or the wafer-type sensor transferred to the processing unit 300 . In addition, the other portion of the container 200 is seated on the load port 110, the container 200 may accommodate a carrier for transporting the ring member (FR). The container 200 may be transported to the load port 110 by the container transport device to be loaded into the load port 110 , or may be unloaded from the load port 110 and transported. The container transport apparatus may be an overhead transport apparatus (hereinafter referred to as OHT), but is not limited thereto, and may be transported by various devices transporting the container 200 . In addition, the operator may directly load the container 200 into the load port 110 , or unload the container 200 seated on the load port 110 from the load port 110 .

로드 포트(110)와 공정 처리 부(300) 사이에는 인덱스 챔버(130)가 제공될 수 있다. 인덱스 챔버(130)는 대기 분위기로 유지될 수 있다. 인덱스 챔버(130)의 일 측에는 보관부인 사이드 버퍼(170)가 설치될 수 있다. 또한, 사이드 버퍼(170) 중 일부에는 기판(W), 링 부재(FR) 및/또는 웨이퍼 형 센서를 정렬하는 정렬 유닛이 제공될 수 있다.An index chamber 130 may be provided between the load port 110 and the process processing unit 300 . The index chamber 130 may be maintained in an atmospheric atmosphere. A side buffer 170 serving as a storage unit may be installed on one side of the index chamber 130 . In addition, an alignment unit for aligning the substrate W, the ring member FR, and/or the wafer-type sensor may be provided in some of the side buffer 170 .

또한, 인덱스 챔버(130)에는 제1반송 로봇(150)이 제공될 수 있다. 제1반송 로봇(150)은 로드 포트(110)에 안착된 용기(200), 후술하는 로드락 챔버(310), 그리고 사이드 버퍼(170)의 사이에서 기판(W), 링 부재(FR), 그리고 웨이퍼 형 센서를 반송할 수 있다.In addition, the first transfer robot 150 may be provided in the index chamber 130 . The first transfer robot 150 includes a substrate W, a ring member FR, and a container 200 seated on the load port 110 , a load lock chamber 310 to be described later, and a side buffer 170 . And wafer-type sensors can be transported.

공정 처리 부(300)는 로드락 챔버(310), 반송 챔버(330), 제2반송 로봇(350), 그리고 공정 챔버(370)를 포함할 수 있다.The process processing unit 300 may include a load lock chamber 310 , a transfer chamber 330 , a second transfer robot 350 , and a process chamber 370 .

반송 챔버(330)는 로드락 챔버(310), 그리고 공정 챔버(370) 사이에 배치될 수 있다. 반송 챔버(330)는 내부 분위기가 진공 분위기로 유지될 수 있다. 또한, 반송 챔버(330)에는 제2반송 로봇(350)이 제공될 수 있다. 제2반송 로봇(350)은 로드락 챔버(310)와 공정 챔버(370) 사이에서 기판(W), 링 부재(FR), 그리고 웨이퍼 형 센서를 반송할 수 있다.The transfer chamber 330 may be disposed between the load lock chamber 310 and the process chamber 370 . The internal atmosphere of the transfer chamber 330 may be maintained as a vacuum atmosphere. In addition, the second transfer robot 350 may be provided in the transfer chamber 330 . The second transfer robot 350 may transfer the substrate W, the ring member FR, and the wafer type sensor between the load lock chamber 310 and the process chamber 370 .

반송 챔버(330)에는 적어도 하나 이상의 공정 챔버(370)가 접속될 수 있다. 공정 챔버(370)는 기판(W)에 대하여 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 공정 챔버(370)는 기판(W)에 처리 액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 액 처리 챔버일 수 있다. 또한, 공정 챔버(370)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 챔버일 수 있다. 또한, 공정 챔버(370)들 중 어느 일부는 기판(W)에 처리 액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 액 처리 챔버일 수 있고, 공정 챔버(370)들 중 다른 일부는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 챔버일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 공정 챔버(370)에서 수행하는 기판(W) 처리 공정은 공지된 기판(W) 처리 공정으로 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 공정 챔버(370)가 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 플라즈마 챔버인 경우, 플라즈마 챔버는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상의 박막을 제거하는 에칭 또는 애싱 공정을 수행하는 챔버일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 공정 챔버(370)에서 수행하는 플라즈마 처리 공정은 공지된 플라즈마 처리 공정으로 다양하게 변형될 수 있다.At least one process chamber 370 may be connected to the transfer chamber 330 . The process chamber 370 may be a chamber that performs a process on the substrate W. The process chamber 370 may be a liquid processing chamber for processing the substrate W by supplying a processing liquid to the substrate W. Also, the process chamber 370 may be a plasma chamber that processes the substrate W using plasma. In addition, some of the process chambers 370 may be liquid processing chambers that process the substrate W by supplying a processing liquid to the substrate W, and other parts of the process chambers 370 use plasma. It may be a plasma chamber for processing the substrate W. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate W processing process performed in the process chamber 370 may be variously modified into a known substrate W processing process. In addition, when the process chamber 370 is a plasma chamber that processes the substrate W using plasma, the plasma chamber may be a chamber that performs an etching or ashing process for removing a thin film on the substrate W using plasma. have. However, the present invention is not limited thereto, and the plasma processing process performed in the process chamber 370 may be variously modified to a known plasma processing process.

또한, 도 1에서는 반송 챔버(330)가 상부에서 바라볼 때, 대체로 육각 형의 형상을 가지고, 반송 챔버(330)에 접속된 공정 챔버(370)의 수가 4 개 인 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 반송 챔버(330)의 형상과 공정 챔버(370)의 수는 사용자의 필요, 처리가 요구되는 기판(W)의 숫자에 따라 다양하게 변형될 수 있다.In addition, in FIG. 1 , the transfer chamber 330 has a substantially hexagonal shape when viewed from the top, and the number of the process chambers 370 connected to the transfer chamber 330 is 4 as an example, but this It is not limited. For example, the shape of the transfer chamber 330 and the number of process chambers 370 may be variously modified according to user needs and the number of substrates W to be processed.

이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 로드락 챔버(310)에 대하여 설명한다.Hereinafter, the load lock chamber 310 according to an embodiment of the present invention will be described.

로드락 챔버(310)는 반송 챔버(330), 그리고 인덱스 챔버(130) 사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(310)는 기판(W), 링 부재(FR) 또는 웨이퍼 형 센서가 임시 저장되는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(310) 그 내부 분위기가 대기 분위기와 진공 분위기 사이에서 전환될 수 있다. 상술한 바와 같이 반송 챔버(330)의 내부 분위기는 진공 분위기로 유지되어 있기 때문에, 로드락 챔버(310)는 반송 챔버(330), 그리고 인덱스 챔버(130) 사이에 기판(W), 링 부재(FR), 그리고 웨이퍼 형 센서 등을 반송하기 위해서 그 분위기가 대기 분위기와 진공 분위기 사이에서 전환될 수 있다.The load lock chamber 310 may be disposed between the transfer chamber 330 and the index chamber 130 . The load lock chamber 310 provides a space in which the substrate W, the ring member FR, or the wafer type sensor is temporarily stored. An atmosphere inside the load lock chamber 310 may be switched between an atmospheric atmosphere and a vacuum atmosphere. As described above, since the internal atmosphere of the transfer chamber 330 is maintained in a vacuum atmosphere, the load lock chamber 310 is disposed between the transfer chamber 330 and the index chamber 130 between the substrate W and the ring member ( FR), and the atmosphere can be switched between an atmospheric atmosphere and a vacuum atmosphere in order to transport a wafer-type sensor or the like.

도 2는 도 1의 로드락 챔버를 보여주는 평면도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 로드락 챔버(310)는 하우징(311), 그리고 지지 선반(320)을 포함할 수 있다.FIG. 2 is a plan view illustrating the load lock chamber of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the load lock chamber 310 according to an embodiment of the present invention may include a housing 311 and a support shelf 320 .

하우징(311)은 내부 공간(312)을 가질 수 있다. 하우징(311)은 기판(W) 또는 링 부재(FR)가 안착되는 내부 공간(312)을 가질 수 있다. 하우징(311)은 상술한 인덱스 챔버(130), 그리고 반송 챔버(330) 사이에 배치될 수 있다. 또한, 하우징(311)에는 개구가 형성될 수 있다. 하우징(311)에 형성된 개구는 복수로 제공될 수 있다. 예컨대, 개구들 중 어느 하나는 게이트 밸브(미도시)에 의해 인덱스 챔버(130)와 선택적으로 연통될 수 있다. 또한, 개구들 중 다른 하나는 게이트 밸브(미도시)에 의해 반송 챔버(330)와 선택적으로 연통될 수 있다.The housing 311 may have an internal space 312 . The housing 311 may have an internal space 312 in which the substrate W or the ring member FR is seated. The housing 311 may be disposed between the above-described index chamber 130 and the transfer chamber 330 . Also, an opening may be formed in the housing 311 . A plurality of openings formed in the housing 311 may be provided. For example, any one of the openings may selectively communicate with the index chamber 130 by a gate valve (not shown). In addition, the other of the openings may selectively communicate with the transfer chamber 330 by a gate valve (not shown).

또한, 하우징(311)에는 하우징(311)의 내부 공간(312)으로 벤트 가스(Bent Gas)를 공급하는 벤트 홀(313)이 형성될 수 있다. 또한, 하우징(311)에는 하우징(311)의 내부 공간(312)을 감압 하는 감압 홀이 형성될 수 있다. 벤트 가스는 불활성 가스일 수 있다. 예컨대, 벤트 가스는 질소, 아르곤 등을 포함하는 가스일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 벤트 가스는 공지된 불활성 가스로 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 감압 홀(314)은 감압 부재(미도시)와 연결될 수 있다. 감압 부재는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 감압 부재는 내부 공간(312)을 감압시키는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다. 하우징(311)에 벤트 홀(313) 및 감압 홀(314)이 형성됨에 따라, 하우징(311)의 내부 공간의 압력은 대기 압, 그리고 진공 압 사이에서 자유롭게 변형될 수 있다.Also, a vent hole 313 for supplying a vent gas to the inner space 312 of the housing 311 may be formed in the housing 311 . Also, a pressure reduction hole for decompressing the internal space 312 of the housing 311 may be formed in the housing 311 . The vent gas may be an inert gas. For example, the vent gas may be a gas containing nitrogen, argon, or the like. However, the present invention is not limited thereto, and the vent gas may be variously modified into a known inert gas. Also, the pressure reduction hole 314 may be connected to a pressure reduction member (not shown). The pressure reducing member may be a pump. However, the present invention is not limited thereto, and the pressure-reducing member may be variously modified as a known device for decompressing the inner space 312 . As the vent hole 313 and the pressure reduction hole 314 are formed in the housing 311 , the pressure in the inner space of the housing 311 may be freely changed between atmospheric pressure and vacuum pressure.

내부 공간(312)에는 지지 선반(320)이 제공될 수 있다. 지지 선반(320)은 내부 공간(312)에서 기판(W) 또는 링 부재(FR)를 지지할 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 원 판 형상을 가지는 웨이퍼 일 수 있다. 또한, 링 부재(FR)는 공정 챔버(370)에 제공되는 프로세스 킷(Process Kit)일 수 있다. 예컨대, 링 부재(FR)는 ISO Ring 이거나, 포커스 링일 수 있다. 또한, 링 부재(FR)가 가지는 직경은, 기판(W)의 직경보다 클 수 있다.A support shelf 320 may be provided in the inner space 312 . The support shelf 320 may support the substrate W or the ring member FR in the inner space 312 . For example, the substrate W may be a wafer having a circular plate shape. Also, the ring member FR may be a process kit provided in the process chamber 370 . For example, the ring member FR may be an ISO Ring or a focus ring. In addition, the diameter of the ring member FR may be greater than the diameter of the substrate W.

지지 선반(320)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 예컨대, 지지 선반(320)은 복수로 제공될 수 있다. 지지 선반(320)은 상부에서 바라볼 때, 서로 이격되어 제공될 수 있다. 지지 선반(320)은 상부에서 바라볼 때, 가상의 원의 원주 방향을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 예컨대, 지지 선반(320)은 3 개가 제공될 수 있다. 3 개의 지지 선반(320)은 상부에서 바라볼 때, 가상의 원의 원주 방향을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다.At least one support shelf 320 may be provided. For example, the support shelf 320 may be provided in plurality. When viewed from the top, the support shelves 320 may be provided to be spaced apart from each other. When viewed from the top, the support shelves 320 may be disposed to be spaced apart from each other along the circumferential direction of the virtual circle. For example, three support shelves 320 may be provided. When viewed from the top, the three support shelves 320 may be disposed to be spaced apart from each other along the circumferential direction of the virtual circle.

도 3은 도 2의 지지 선반을 보여주는 단면도이다. 도 3에 도시된 지지 선반(320)은 도 2의 지지 선반(320)들 중 어느 하나를 도시한 것이며, 다른 지지 선반(320)들의 구조는 도 3에 도시된 지지 선반(320)의 구조와 동일 또는 유사하다. 도 3을 참조하면, 지지 선반(320)은 제1선반(321), 그리고 제2선반(322)을 포함할 수 있다. 제1선반(321), 그리고 제2선반(322)은 서로 상이한 높이로 제공될 수 있다. 예컨대, 제2선반(322)은 제1선반(321)보다 상부에 배치될 수 있다. 즉, 제2선반(322)이 제공되는 높이는 제1선반(321)이 제공되는 높이보다 높을 수 있다. 제1선반(321), 그리고 제2선반(322)은 그 단면에서 바라볼 때, 대체로 'ㄱ' 형상을 가질 수 있다.3 is a cross-sectional view showing the support shelf of FIG. 2 . The support shelf 320 shown in FIG. 3 shows any one of the support shelves 320 of FIG. 2 , and the structure of the other support shelves 320 is the same as that of the support shelf 320 shown in FIG. 3 . same or similar Referring to FIG. 3 , the support shelf 320 may include a first shelf 321 and a second shelf 322 . The first shelf 321 and the second shelf 322 may be provided at different heights. For example, the second shelf 322 may be disposed above the first shelf 321 . That is, the height at which the second shelf 322 is provided may be higher than the height at which the first shelf 321 is provided. The first shelf 321 and the second shelf 322 may have a generally 'a' shape when viewed from a cross-section thereof.

또한, 지지 선반(320)은 제1패드(324), 그리고 제2패드(326)를 포함할 수 있다. 제1패드(324), 그리고 제2패드(326)는 제1선반(321), 그리고 제2선반(322) 중 적어도 어느 하나의 상면에 설치될 수 있다. 예컨대, 제1패드(324), 그리고 제2패드(326)는 제2선반(322)의 상면에 설치될 수 있다.Also, the support shelf 320 may include a first pad 324 and a second pad 326 . The first pad 324 and the second pad 326 may be installed on the upper surface of at least one of the first shelf 321 and the second shelf 322 . For example, the first pad 324 and the second pad 326 may be installed on the upper surface of the second shelf 322 .

제1패드(324), 그리고 제2패드(326)는 기판(W) 또는 링 부재(FR)에 대하여 내 마찰성을 가지는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 제1패드(324), 그리고 제2패드(326)는 탄소 충진된 PEEK(PolyEtherEtherKetone)과 같은 재질로 제공될 수 있다. 그러나, 제1패드(324), 그리고 제2패드(326)의 재질로 탄소 충진된 PEEK가 이용되는 것은 일 예에 불과하고, 이와 유사한 성질을 가지는 공지된 다른 재질로 다양하게 변형될 수 있다.The first pad 324 and the second pad 326 may be provided with a material having friction resistance with respect to the substrate W or the ring member FR. For example, the first pad 324 and the second pad 326 may be made of a material such as carbon-filled PEEK (PolyEtherEtherKetone). However, the use of carbon-filled PEEK as the material of the first pad 324 and the second pad 326 is only an example, and may be variously modified into other known materials having similar properties.

도 4는 도 2의 지지 선반들, 그리고 각각의 지지 선반들에 제공되는 제1패드들의 배치를 설명하기 위한 도면이다. 도 4를 참조하면, 제1패드(324)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 호 형상을 가질 수 있다. 또한, 각각의 지지 선반(320)에 설치되는 제1패드(324)들은, 상부에서 바라볼 때 가상의 제1원(R1)과 서로 중첩되도록 설치될 수 있다. 즉, 호 형상을 가지는 제1패드(324)들의 중심 점과, 가상의 제1원(R1)의 중심 점은 제1중심(CR1)으로 일치할 수 있다.FIG. 4 is a view for explaining the arrangement of the support shelves of FIG. 2 and first pads provided on each of the support shelves; Referring to FIG. 4 , the first pad 324 may have a substantially arc shape when viewed from the top. In addition, the first pads 324 installed on each support shelf 320 may be installed to overlap the first virtual circle R1 when viewed from the top. That is, the center point of the arc-shaped first pads 324 and the center point of the first virtual circle R1 may coincide with the first center CR1 .

도 5는 도 2의 지지 선반들, 그리고 각각의 지지 선반들에 제공되는 제2패드들의 배치를 설명하기 위한 도면이다. 도 5를 참조하면, 제2패드(326)는 상부에서 바라볼 때, 대체로 호 형상을 가질 수 있다. 또한, 각각의 지지 선반(320)에 설치되는 제2패드(326)들은, 상부에서 바라볼 때 가상의 제2원(R2)과 서로 중첩되도록 설치될 수 있다. 즉, 호 형상을 가지는 제2패드(326)들의 중심 점과, 가상의 제2원(R2)의 중심 점은 제2중심(CR2)으로 일치할 수 있다. 또한, 제2중심(CR2)은 상술한 제1중심(CR1)과도 서로 일치할 수 있다. 또한, 제2원(R2)이 가지는 직경은, 제1원(R1)이 가지는 직경보다 클 수 있다.FIG. 5 is a view for explaining the arrangement of the support shelves of FIG. 2 and second pads provided on each of the support shelves; Referring to FIG. 5 , the second pad 326 may have a substantially arc shape when viewed from the top. In addition, the second pads 326 installed on each support shelf 320 may be installed to overlap the second virtual circle R2 when viewed from the top. That is, the center point of the arc-shaped second pads 326 and the center point of the imaginary second circle R2 may coincide with the second center CR2 . Also, the second center CR2 may coincide with the above-described first center CR1 . Also, a diameter of the second circle R2 may be greater than a diameter of the first circle R1 .

도 6은 도 2의 로드락 챔버에 기판이 안착된 모습을 보여주는 도면이고, 도 7은 도 2의 로드락 챔버에 링 부재가 안착된 모습을 보여주는 도면이다. 도 6과 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시 에에 따른 로드락 챔버(310)는 지지 선반(320)들이 제1패드(324), 그리고 제2패드(326)를 가짐으로써, 하나의 내부 공간(312)에서 기판(W) 또는 링 부재(FR)를 지지할 수 있다. 또한, 제1패드(324)들이 가상의 제1원(R1)과 서로 중첩되도록 설치되고, 제2패드(326)들이 가상의 제2원(R2)과 서로 중첩되도록 설치되며, 제1원(R1)의 제1중심(CR1) 및 제2원(R2)의 제2중심(CR2)이 서로 일치되도록 제공되어, 로드락 챔버(310)에 지지되는 링 부재(FR)와 기판(W)의 중심은 상부에서 바라볼 때, 서로 일치할 수 있다. 이에, 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)에 대한 로봇 보정 기술은 기판(W) 및 링 부재(FR)에 대하여 동일하게 적용될 수 있다. 이에 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)에 대하여 수행되는 캘리브레이션의 수행 횟수를 절반 수준으로 줄일 수 있고, 이에 캘리브레이션을 수행하는데 소요되는 시간을 최소화 할 수 있다. 또한, 기판(W), 그리고 링 부재(FR)에 대한 캘리브레이션 정확도를 보다 높일 수 있다. 기판(W), 그리고 링 부재(FR)에 대한 캘리브레이션이 공통되기에, 공통되는 캘리브레이션을 보다 집중적으로 수행할 수 있기 때문이다.FIG. 6 is a view showing a state in which a substrate is seated in the load lock chamber of FIG. 2 , and FIG. 7 is a view showing a state in which a ring member is seated in the load lock chamber of FIG. 2 . 6 and 7, in the load lock chamber 310 according to an embodiment of the present invention, the support shelves 320 have a first pad 324 and a second pad 326, so that one interior The space 312 may support the substrate W or the ring member FR. Also, the first pads 324 are installed to overlap with the first virtual circle R1, and the second pads 326 are installed to overlap with the second virtual circle R2, and the first circle ( The ring member FR supported by the load lock chamber 310 and the substrate W are provided so that the first center CR1 of R1 and the second center CR2 of the second circle R2 coincide with each other. The centers may coincide with each other when viewed from above. Accordingly, the robot correction technology for the first transfer robot 150 and the second transfer robot 350 may be equally applied to the substrate W and the ring member FR. Accordingly, the number of times of performing the calibration performed on the first transport robot 150 and the second transport robot 350 can be reduced to half, and thus the time required to perform the calibration can be minimized. In addition, calibration accuracy with respect to the substrate W and the ring member FR may be further increased. This is because, since the calibration for the substrate W and the ring member FR are common, the common calibration can be performed more intensively.

또한, 상술한 바와 같이 제1패드(324) 및/또는 제2패드(326)의 형상은 대체로 호 형상을 가진다. 이는 제1패드(324) 및/또는 제2패드(326)가 단순히 직선 형상을 가지는 경우보다, 기판(W) 또는 링 부재(FR)에 대한 접촉 면적을 증가시켜, 기판(W) 또는 링 부재(FR)의 미끄럼을 최소화 할 수 있게 된다.In addition, as described above, the shape of the first pad 324 and/or the second pad 326 generally has an arc shape. This increases the contact area with respect to the substrate W or the ring member FR, compared to the case where the first pad 324 and/or the second pad 326 simply have a linear shape, and thus the substrate W or the ring member. (FR) slippage can be minimized.

상술한 예에서는, 제1패드(324), 그리고 제2패드(326)가 제2선반(322)의 상면에 설치되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이 제1패드(324), 그리고 제2패드(326)는 제1선반(321)의 상면에 설치될 수 도 있다.In the above-described example, the first pad 324 and the second pad 326 are installed on the upper surface of the second shelf 322 as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 8 , the first pad 324 and the second pad 326 may be installed on the upper surface of the first shelf 321 .

다시 도 1을 참조하면, 제어기(500)는 기판(W) 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 제어기(500)는 기판(W) 처리 장치(1000)가 기판(W)에 대한 처리 공정을 수행할 수 있도록 기판(W) 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(500)는 처리가 요구되는 기판(W)이 수납된 용기(200)로부터 기판(W)을 반출하고, 반출된 기판(W)을 공정 챔버(370)로 반송하도록 기판(W) 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 공정 챔버(370)에서 소정 매수에 대한 기판(W)의 처리가 수행되거나, 공정 챔버(370)에 제공되는 링 부재(FR)의 형상이 허용 범위를 벗어날 만큼 변형된 경우, 공정 챔버(370)에 제공되는 링 부재(FR)의 교체를 수행하도록 기판(W) 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(500)는 공정 챔버(370)로부터 사용된 링 부재(FR)를 반출하도록 제2반송 로봇(350)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 공정 챔버(370)로부터 반출된 사용된 링 부재(FR)를 로드락 챔버(310)로 반송하도록 제2반송 로봇(350)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 로드락 챔버(310)에 반송된 사용된 링 부재(FR)를 제1반송 로봇(150)이 반출하도록 제1반송 로봇(150)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 로드락 챔버(310)에서 반출된 사용된 링 부재(FR)를 용기(200) 내로 반송하도록 제1반송 로봇(150)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 미사용된 링 부재(FR)를 용기(200)로부터 반출하도록 제1반송 로봇(150)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 미사용된 링 부재(FR)를 로드락 챔버(310)로 반송하도록 제1반송 로봇(150)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 미사용된 링 부재(FR)를 로드락 챔버(310)로부터 공정 챔버(370)로 반송하도록 제2반송 로봇(350)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(500)는 상술한 바와 같이 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)에 대한 보정을 수행할 수 있다. 예컨대, 제어기(500)는 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350) 각각이 가지는 핸드가 로드락 챔버(310)에 지지된 기판(W) 또는 링 부재(FR)를 들어올리는 위치를 정확하게 할 수 있도록, 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)에 대한 캘리브레이션을 수행할 수 있다. 또한, 제1반송 로봇(150), 그리고 제2반송 로봇(350)에 대한 캘리브레이션은, 핸드가 기판(W) 또는 링 부재(FR)를 들어 올리는 위치가 정 위치로부터 설정 범위 내로 들어올 때 까지 복수 회 수행될 수도 있다.Referring back to FIG. 1 , the controller 500 may control the substrate W processing apparatus 1000 . The controller 500 may control the substrate (W) processing apparatus 1000 so that the substrate (W) processing apparatus 1000 may perform a processing process on the substrate (W). For example, the controller 500 unloads the substrate W from the container 200 in which the substrate W to be processed is accommodated, and transports the transported substrate W to the process chamber 370 . The processing device 1000 may be controlled. In addition, the controller 500 determines that the processing of the substrate W for a predetermined number is performed in the process chamber 370 or that the shape of the ring member FR provided in the process chamber 370 is deformed enough to be outside the allowable range. In this case, the substrate W processing apparatus 1000 may be controlled to replace the ring member FR provided in the process chamber 370 . For example, the controller 500 may control the second transport robot 350 to transport the used ring member FR from the process chamber 370 . Also, the controller 500 may control the second transfer robot 350 to transfer the used ring member FR unloaded from the process chamber 370 to the load lock chamber 310 . In addition, the controller 500 may control the first transfer robot 150 so that the first transfer robot 150 transports the used ring member FR transferred to the load lock chamber 310 . In addition, the controller 500 may control the first transfer robot 150 to transfer the used ring member FR unloaded from the load lock chamber 310 into the container 200 . In addition, the controller 500 may control the first transport robot 150 to transport the unused ring member FR from the container 200 . Also, the controller 500 may control the first transfer robot 150 to transfer the unused ring member FR to the load lock chamber 310 . Also, the controller 500 may control the second transfer robot 350 to transfer the unused ring member FR from the load lock chamber 310 to the process chamber 370 . Also, as described above, the controller 500 may perform correction on the first transfer robot 150 and the second transfer robot 350 . For example, the controller 500 is configured to lift the substrate W or the ring member FR supported by the hand of each of the first transfer robot 150 and the second transfer robot 350 , the load lock chamber 310 . Calibration may be performed on the first transfer robot 150 and the second transfer robot 350 to accurately position the robot. In addition, the calibration for the first transfer robot 150 and the second transfer robot 350 is performed multiple times until the position at which the hand lifts the substrate W or the ring member FR comes within the set range from the normal position. It may be performed several times.

또한, 제어기(500)는 제1반송 로봇(150) 또는 제2반송 로봇(350)이 기판(W)을 제1속도로 반송하고, 링 부재(FR)를 제2속도로 반송하도록 제1반송 로봇(150) 또는 제2반송 로봇(350)을 제어할 수 있다. 제1속도와 제2속도는 서로 상이한 속도 일 수 있다. 예컨대, 제2속도는 제1속도보다 느린 속도일 수 있다. 일반적으로 링 부재(FR)는 기판(W)보다 큰 직경을 가져 링 부재(FR)를 빠른 속도로 반송하는 경우 링 부재(FR)가 반송 로봇(150, 350)이 가지는 핸드로부터 이탈될 수 있기 때문이다. 이에, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 제어기(500)는 제1반송 로봇(150) 및/또는 제2반송 로봇(350)이 기판(W)을 반송하는 제1속도보다 링 부재(FR)를 반송하는 제2속도가 더 느리도록 제1반송 로봇(150) 및/또는 제2반송 로봇(350)을 제어하여 링 부재(FR)가 반송되는 도중 핸드로부터 이탈되는 문제를 최소화 할 수 있다.In addition, the controller 500 is the first transfer robot 150 or the second transfer robot 350 to transfer the substrate (W) at a first speed, the first transfer so that the ring member (FR) to transfer the second speed The robot 150 or the second transfer robot 350 may be controlled. The first speed and the second speed may be different from each other. For example, the second speed may be a speed slower than the first speed. In general, the ring member FR has a larger diameter than the substrate W, so that when the ring member FR is transported at a high speed, the ring member FR may be separated from the hand of the transport robots 150 and 350. Because. Accordingly, according to an embodiment of the present invention, the controller 500 moves the ring member FR rather than the first speed at which the first transport robot 150 and/or the second transport robot 350 transports the substrate W. By controlling the first conveying robot 150 and/or the second conveying robot 350 so that the second conveying speed is slower, the problem that the ring member FR is separated from the hand while conveying can be minimized.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in specific application fields and uses of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

기판 처리 장치 : 1000
제1방향 : X
제2방향 : Y
제3방향 : Z
인덱스 부 : 100
로드 포트 : 110
인덱스 챔버 : 130
제1반송 로봇 : 150
사이드 버퍼 : 170
용기 : 200
공정 처리 부 : 300
로드락 챔버 : 310
하우징 : 311
내부 공간 : 312
벤트 홀 : 313
감압 홀 : 314
지지 선반 : 320
제1선반 : 321
제2선반 : 322
제1패드 : 324
제2패드 : 326
기판 : W
포커스 링 : FR
제1원 : R1
제2원 : R2
반송 챔버 : 330
제2반송 로봇 : 350
공정 챔버 : 370
제어부 : 500 Substrate processing unit: 1000
1st direction: X
2nd direction: Y
3rd direction: Z
Index Part: 100
Load port: 110
Index Chamber: 130
1st transfer robot: 150
Side Buffer: 170
Container: 200
Processing Department: 300
Load Lock Chamber: 310
Housing: 311
Internal space: 312
Bent hole: 313
Decompression hole: 314
Support shelf: 320
1st shelf : 321
2nd shelf : 322
1st pad: 324
2nd pad: 326
Substrate: W
Focus Ring: FR
1st circle: R1
2nd circle: R2
Transfer Chamber: 330
2nd transfer robot: 350
Process Chamber: 370
Control: 500

Claims (14)

기판을 처리하는 장치가 가지는 로드락 챔버에 있어서,
내부 공간을 가지는 하우징; 및
상기 내부 공간에서 상기 기판 또는 상기 기판을 처리하는 공정 챔버에 제공되는 링 부재를 지지하는 적어도 하나 이상의 지지 선반을 포함하고,
상기 지지 선반은,
상기 기판과 접촉되는 제1패드; 및
상기 링 부재와 접촉되는 제2패드를 포함하는 로드락 챔버.In the load lock chamber of the apparatus for processing the substrate,
a housing having an interior space; and
At least one support shelf for supporting the substrate or a ring member provided in a process chamber for processing the substrate in the internal space,
The support shelf,
a first pad in contact with the substrate; and
and a second pad contacting the ring member. 제1항에 있어서,
상기 제1패드, 그리고 상기 제2패드 중 적어도 어느 하나는 상부에서 바라볼 때, 호 형상을 가지는 로드락 챔버.According to claim 1,
At least one of the first pad and the second pad has an arc shape when viewed from above. 제2항에 있어서,
상기 지지 선반은,
복수로 제공되고,
상기 지지 선반 각각에 설치되는 상기 제1패드들은, 상부에서 바라 볼 때 가상의 제1원과 서로 중첩되도록 설치되는 로드락 챔버.3. The method of claim 2,
The support shelf,
provided in plurality,
The first pads installed on each of the support shelves are installed to overlap each other with a virtual first circle when viewed from above. 제3항에 있어서,
상기 지지 선반은,
복수로 제공되고,
상기 지지 선반 각각에 설치되는 상기 제2패드들은, 상부에서 바라 볼 때 가상의 제2원과 서로 중첩되도록 설치되는 로드락 챔버.4. The method of claim 3,
The support shelf,
provided in plurality,
The second pads installed on each of the support shelves are installed to overlap a second virtual circle when viewed from above. 제4항에 있어서,
상부에서 바라볼 때, 상기 제1원과 상기 제2원은 서로 동일한 중심을 가지는 로드락 챔버.5. The method of claim 4,
When viewed from the top, the first circle and the second circle have the same center as the load lock chamber. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 선반은,
제1선반,
그리고 상기 제1선반과 상이한 높이에 제공되는 제2선반을 포함하고,
상기 제1선반, 그리고 제2선반 중 적어도 어느 하나의 상면에는 상기 제1패드, 그리고 상기 제2패드가 설치되는 로드락 챔버.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The support shelf,
first shelf,
and a second shelf provided at a different height from the first shelf,
A load lock chamber in which the first pad and the second pad are installed on an upper surface of at least one of the first shelf and the second shelf. 제6항에 있어서,
상기 제2선반이 제공되는 높이는,
상기 제1선반이 제공되는 높이보다 높고,
상기 제1패드, 그리고 상기 제2패드는,
상기 제2선반의 상면에 설치되는 로드락 챔버.7. The method of claim 6,
The height at which the second shelf is provided,
Higher than the height at which the first shelf is provided,
The first pad and the second pad,
A load lock chamber installed on the upper surface of the second shelf. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징에는,
상기 내부 공간으로 벤트 가스를 공급하는 벤트 홀; 및
상기 내부 공간을 감압하는 감압 홀이 형성되는 로드락 챔버.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
In the housing,
a vent hole for supplying a vent gas to the inner space; and
A load lock chamber in which a decompression hole for decompressing the inner space is formed. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
용기가 안착되는 로드 포트를 가지는 인덱스 챔버;
상기 기판을 처리하는 공정 챔버;
상기 인덱스 챔버, 그리고 상기 공정 챔버 사이에 배치되는 로드락 챔버;
상기 인덱스 챔버, 상기 공정 챔버 사이에 기판 또는 포커스 링을 반송하는 반송 로봇; 및
제어기를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 기판을 제1속도로 반송하고, 상기 포커스 링을 상기 제1속도와 상이한 속도인 제2속도로 반송하도록 상기 반송 로봇을 제어하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
an index chamber having a load port on which the container is seated;
a process chamber for processing the substrate;
a load lock chamber disposed between the index chamber and the process chamber;
a transfer robot for transferring a substrate or a focus ring between the index chamber and the process chamber; and
comprising a controller;
The controller is
A substrate processing apparatus for controlling the transport robot to transport the substrate at a first speed and transport the focus ring at a second speed that is different from the first speed. 제9항에 있어서,
상기 제어기는,
상기 제2속도가 상기 제1속도보다 느린 속도가 되도록 상기 반송 로봇을 제어하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The controller is
A substrate processing apparatus for controlling the transfer robot so that the second speed becomes a speed slower than the first speed. 제9항에 있어서,
상기 로드락 챔버는,
내부 공간을 가지는 하우징;
상기 내부 공간에서 상기 기판 또는 상기 포커스 링을 지지하는 적어도 하나 이상의 지지 선반을 포함하고,
상기 지지 선반은,
상기 기판과 접촉되는 제1패드; 및
상기 포커스 링과 접촉되는 제2패드를 포함하는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The load lock chamber,
a housing having an interior space;
at least one support shelf for supporting the substrate or the focus ring in the inner space;
The support shelf,
a first pad in contact with the substrate; and
and a second pad contacting the focus ring. 제11항에 있어서,
상기 제1패드, 그리고 상기 제2패드는 상부에서 바라볼 때, 호 형상을 가지는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
The first pad and the second pad have an arc shape when viewed from above. 제12항에 있어서,
상기 지지 선반은,
복수로 제공되고,
상기 지지 선반 각각에 설치되는 상기 제1패드들은, 상부에서 바라 볼 때 가상의 제1원과 서로 중첩되도록 설치되는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
The support shelf,
provided in plurality,
The first pads installed on each of the support shelves are installed to overlap each other with a virtual first circle when viewed from above. 제13항에 있어서,
상기 지지 선반은,
복수로 제공되고,
상기 지지 선반 각각에 설치되는 상기 제2패드들은, 상부에서 바라 볼 때 가상의 제2원과 서로 중첩되도록 설치되고,
상부에서 바라볼 때, 상기 제1원과 상기 제2원은 서로 동일한 중심을 가지는 기판 처리 장치.
14. The method of claim 13,
The support shelf,
provided in plurality,
The second pads installed on each of the support shelves are installed to overlap each other with a virtual second circle when viewed from above,
When viewed from above, the first circle and the second circle have the same center as each other.
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