KR20220016122A - Arylamine compounds and their use - Google Patents

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KR20220016122A
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케이스케 코지마
토시유키 엔도
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닛산 가가쿠 가부시키가이샤
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Abstract

예를 들면, 식 (1) 또는 (2)로 표시되는 아릴아민 화합물은 유기 용매에 대한 용해성이 양호함과 아울러, 보존 안정성이 양호한 바니시, 및 광학 특성이 양호한 박막을 만들어낼 수 있고, 이 박막을 정공 주입층 등에 적용한 경우에 양호한 특성을 갖는 유기 EL 소자를 실현할 수 있다.

Figure pct00234

(R1은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, R2는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴기를 나타내고, Ars는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기를 나타내고, X는 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기를 나타낸다.)For example, the arylamine compound represented by the formula (1) or (2) can produce a varnish with good solubility in organic solvents and good storage stability and a thin film with good optical properties. When applied to a hole injection layer or the like, an organic EL device having good characteristics can be realized.
Figure pct00234

(R 1 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or an alkoxy group having 6 to 20 carbon atoms. represents an aryl group, R 2 each independently represents an aryl group which may be substituted and may contain a hetero atom, Ar s are each independently may be substituted and may contain a hetero atom An arylene group is represented, and X represents an arylene group which may be substituted and may contain a hetero atom.)

Description

아릴아민 화합물 및 그 이용Arylamine compounds and their use

본 발명은 아릴아민 화합물 및 그 이용에 관한 것이다. The present invention relates to arylamine compounds and uses thereof.

유기 일렉트로루미네슨스(이하, 유기 EL이라고 함) 소자는 디스플레이나 조명과 같은 분야에서의 실용화가 기대되고 있어, 저전압 구동, 고휘도, 고수명 등을 목적으로 하여 재료나 소자 구조에 관한 다양한 개발이 이루어지고 있다. Organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) devices are expected to be put to practical use in fields such as displays and lighting. is being done

이 유기 EL 소자에서는 복수의 기능성 박막이 사용되는데, 그 중 하나인 정공 주입층은 양극과 정공 수송층 또는 발광층과의 전하의 수수를 담당하여, 유기 EL 소자의 저전압 구동 및 고휘도를 달성하기 위해 중요한 역할을 수행한다. In this organic EL device, a plurality of functional thin films are used, one of which, the hole injection layer, is responsible for the transfer of charges between the anode and the hole transport layer or the light emitting layer, and plays an important role in achieving low voltage driving and high luminance of the organic EL device. carry out

이 정공 주입층의 제작 방법은 증착법으로 대표되는 드라이 프로세스와 스핀 코팅법으로 대표되는 웨트 프로세스로 대별된다. 이들 프로세스를 비교하면, 웨트 프로세스쪽이 대면적으로 평탄성이 높은 박막을 효율적으로 제조할 수 있다. The manufacturing method of this hole injection layer is roughly divided into the dry process represented by the vapor deposition method, and the wet process represented by the spin coating method. Comparing these processes, the wet process can efficiently produce a thin film with a large area and high flatness.

이 때문에, 유기 EL 디스플레이의 대면적화가 진행되고 있는 현재, 웨트 프로세스로 형성 가능한 정공 주입층이 요망되고 있다. For this reason, the hole injection layer which can be formed by a wet process is desired now that the enlargement of an organic electroluminescent display is advancing.

이러한 사정을 감안하여, 본 발명자들은 각종 웨트 프로세스에 적용 가능함과 아울러, 유기 EL 소자의 정공 주입층에 적용한 경우에 우수한 EL 소자 특성을 실현할 수 있는 박막을 얻을 수 있는 전하 수송성 재료와, 그것에 사용하는 유기 용매에 대한 용해성이 양호한 화합물을 개발해 왔다(특허문헌 1∼3 참조). In view of these circumstances, the present inventors have developed a charge-transporting material that is applicable to various wet processes and can obtain a thin film capable of realizing excellent EL device properties when applied to a hole injection layer of an organic EL device, and a charge-transporting material used therefor Compounds having good solubility in organic solvents have been developed (refer to Patent Documents 1 to 3).

한편, 지금까지, 유기 EL 소자를 고성능화하기 위해 다양한 노력이 행해져 왔는데, 광취출 효율을 향상시키는 등의 목적으로, 사용하는 기능성 박막의 굴절률을 조정하는 노력이 행해졌다. 구체적으로는, 소자의 전체 구성이나 인접하는 다른 부재의 굴절률을 고려하여, 상대적으로 높은 혹은 낮은 굴절률의 정공 주입층이나 정공 수송층을 사용함으로써, 소자의 고효율화를 도모하는 시도가 행해졌다(특허문헌 4, 5 참조). On the other hand, until now, various efforts have been made to improve the performance of the organic EL device, but efforts have been made to adjust the refractive index of the functional thin film to be used for the purpose of improving light extraction efficiency or the like. Specifically, an attempt was made to increase the efficiency of the device by using a hole injection layer or a hole transport layer having a relatively high or low refractive index in consideration of the overall configuration of the device and the refractive index of other adjacent members (Patent Document 4) , see 5).

이와 같이, 굴절률은 유기 EL 소자의 설계상 중요한 요소이며, 유기 EL 소자용 재료에서는, 굴절률도 고려해야 할 중요한 물성값으로 고려되고 있다. As described above, the refractive index is an important factor in the design of an organic EL device, and in the material for an organic EL device, the refractive index is also considered as an important physical property value to be considered.

또, 유기 EL 소자에 사용되는 전하 수송성 박막의 착색은 유기 EL 소자의 색 순도 및 색채 재현을 저하시키는 등의 사정으로, 최근, 유기 EL 소자용의 전하 수송성 박막은 가시영역에서의 투과율이 높고, 고투명성을 가지는 것이 요망되고 있다(특허문헌 6 참조). In addition, the coloration of the charge-transporting thin film used in the organic EL device decreases the color purity and color reproduction of the organic EL device. It is desired to have high transparency (refer to Patent Document 6).

국제공개 제2008/129947호International Publication No. 2008/129947 국제공개 제2015/050253호International Publication No. 2015/050253 국제공개 제2017/217457호International Publication No. 2017/217457 일본 특표 2007-536718호 공보Japanese Patent Publication No. 2007-536718 일본 특표 2017-501585호 공보Japanese Special Publication No. 2017-501585 국제공개 제2013/042623호International Publication No. 2013/042623

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 유기 용매에 대한 용해성이 양호함과 아울러, 광학 특성이 양호한 박막을 얻을 수 있고, 이 박막을 정공 주입층 등에 적용한 경우에 양호한 특성을 가지는 유기 EL 소자를 실현할 수 있는 아릴아민 화합물을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been made in view of such circumstances, and it is possible to obtain a thin film having good solubility in organic solvents and good optical properties, and an organic EL device having good properties when this thin film is applied to a hole injection layer or the like An object of the present invention is to provide an arylamine compound that can be realized.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 중심에 아릴디아민 골격을 가지고, 그 2개의 아미노기에, 소정의 아릴렌 골격을 가지는 스페이서를 사이에 두고 아릴카르바졸이 적어도 1개씩 결합한 화합물이 유기 용매에 대한 용해성이 양호하고, 이것을 유기 용매에 녹여 얻어지는 바니시가 광학 특성이 우수한 박막을 만들어 낼 수 있고, 이 박막을 정공 주입층 등에 적용한 경우에 양호한 특성을 가지는 유기 EL 소자가 얻어지는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하였다. As a result of repeated studies to achieve the above object, the present inventors have found that at least one arylcarbazole having an aryldiamine skeleton at the center and at least one arylcarbazole bonded to the two amino groups with a spacer having a predetermined arylene skeleton interposed therebetween. The compound has good solubility in organic solvents, and the varnish obtained by dissolving it in an organic solvent can produce a thin film with excellent optical properties, and when this thin film is applied to a hole injection layer, an organic EL device having good properties is obtained. Found and completed the present invention.

즉, 본 발명은,That is, the present invention is

1. 하기 식 (1)∼(6) 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 아릴아민 화합물(단, 하기 식 (P1)∼(P4)로 표시되는 화합물을 제외한다.),1. An arylamine compound represented by any one of the following formulas (1) to (6) (however, the compound represented by the following formulas (P1) to (P4) is excluded.);

Figure pct00001
Figure pct00001

[식 중, Arc는, 각각 독립하여, 식 (Q)로 표시되는 기를 나타내고,[Wherein, Ar c each independently represents a group represented by the formula (Q),

X는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기를 나타내고,X each independently represents an arylene group which may be substituted and may contain a hetero atom,

Y는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 되는 페닐렌기를 나타내고,Y each independently represents a phenylene group which may be substituted,

g는, 각각 독립하여, 1∼10의 정수를 나타낸다. g each independently represents the integer of 1-10.

Figure pct00002
Figure pct00002

(식 중, R1은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, R2는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴기를 나타내고, Ars는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기를 나타낸다.)(Wherein, R 1 is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or 6 carbon atoms. to 20 aryl groups, R 2 each independently represents an aryl group that may be substituted and may contain a hetero atom, Ar s are each independently may be substituted and contain a hetero atom An arylene group which may be present is shown.)

Figure pct00003
Figure pct00003

2. 상기 Ars가 하기 식 (101)∼(118) 중 어느 하나로 표시되는 1의 아릴아민 화합물,2. Arylamine compound of 1 wherein Ar s is represented by any one of the following formulas (101) to (118);

Figure pct00004
Figure pct00004

Figure pct00005
Figure pct00005

Figure pct00006
Figure pct00006

(식 중, R3은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, V1은, 각각 독립하여, C(R4)2(R4는, 각각 독립하여, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.), NR5(R5는 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타낸다.), S, O, 또는 SO2를 나타내고, V2는 NR5(R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.), S 또는 O를 나타낸다.)(Wherein, R 3 is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or 6 carbon atoms. represents an aryl group of to 20, and V 1 each independently represents C(R 4 ) 2 (R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. .), NR 5 (R 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms), S, O, or SO 2 , and V 2 is NR 5 (R 5 is It represents the same meaning as above), represents S or O.)

3. 상기 Ars가 하기 식 (101A)∼(118A) 중 어느 하나로 표시되는 1의 아릴아민 화합물,3. Arylamine compound of 1 wherein Ar s is represented by any one of the following formulas (101A) to (118A);

Figure pct00007
Figure pct00007

Figure pct00008
Figure pct00008

Figure pct00009
Figure pct00009

Figure pct00010
Figure pct00010

Figure pct00011
Figure pct00011

Figure pct00012
Figure pct00012

Figure pct00013
Figure pct00013

Figure pct00014
Figure pct00014

(식 중, R3, V1 및 V2는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 3 , V 1 and V 2 have the same meanings as above.)

4. 상기 Ars가 하기 식 (101A-1)∼(118A-3) 중 어느 하나로 표시되는 3의 아릴아민 화합물,4. Arylamine compound of 3 wherein Ar s is represented by any one of the following formulas (101A-1) to (118A-3);

Figure pct00015
Figure pct00015

Figure pct00016
Figure pct00016

Figure pct00017
Figure pct00017

Figure pct00018
Figure pct00018

Figure pct00019
Figure pct00019

Figure pct00020
Figure pct00020

Figure pct00021
Figure pct00021

Figure pct00022
Figure pct00022

Figure pct00023
Figure pct00023

Figure pct00024
Figure pct00024

Figure pct00025
Figure pct00025

Figure pct00026
Figure pct00026

Figure pct00027
Figure pct00027

Figure pct00028
Figure pct00028

Figure pct00029
Figure pct00029

Figure pct00030
Figure pct00030

Figure pct00031
Figure pct00031

Figure pct00032
Figure pct00032

Figure pct00033
Figure pct00033

Figure pct00034
Figure pct00034

Figure pct00035
Figure pct00035

Figure pct00036
Figure pct00036

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

5. 상기 X가 하기 식 (201)∼(207) 중 어느 하나로 표시되는 1∼4 중 어느 하나의 아릴아민 화합물,5. The arylamine compound of any one of 1 to 4, wherein X is represented by any one of the following formulas (201) to (207);

Figure pct00037
Figure pct00037

(식 중, R6은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, W1은, 각각 독립하여, 단결합, C(R7)2(R7은, 각각 독립하여, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.), S, O, 또는 SO2를 나타내고, W2는 C(R7)2(R7은 각각 독립하여 상기와 같은 의미를 나타낸다.), NR8(R8은 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타낸다.), S, O, 또는 SO2를 나타내고, W3은 NR8(R8은 상기와 같은 의미를 나타낸다.), S 또는 O를 나타낸다.)(Wherein, R 6 is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or 6 carbon atoms. represents an aryl group of to 20, each of W 1 is independently a single bond, C(R 7 ) 2 (R 7 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or halogenation having 1 to 20 carbon atoms) represents an alkyl group), S, O, or SO 2 , W 2 is C(R 7 ) 2 (R 7 each independently represents the same meaning as above), NR 8 (R 8 is a hydrogen atom, represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms), S, O, or SO 2 , W 3 is NR 8 (R 8 has the same meaning as above), S or O indicates.)

6. 상기 X가 하기 식 (201A)∼(207A) 중 어느 하나로 표시되는 5의 아릴아민 화합물,6. An arylamine compound of 5 wherein X is represented by any one of the following formulas (201A) to (207A);

Figure pct00038
Figure pct00038

(식 중, R6, W1, W2 및 W3은 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 6 , W 1 , W 2 and W 3 have the same meanings as above.)

7. 상기 X가 하기 식 (201A-1)∼(207A-1) 중 어느 하나로 표시되는 6의 아릴아민 화합물,7. An arylamine compound of 6 wherein X is represented by any one of the following formulas (201A-1) to (207A-1);

Figure pct00039
Figure pct00039

Figure pct00040
Figure pct00040

Figure pct00041
Figure pct00041

(식 중, R7, R8 및 W3은 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 7 , R 8 and W 3 have the same meanings as above.)

8. 상기 Arc가 동일한 기인 1∼7 중 어느 하나의 아릴아민 화합물,8. The arylamine compound according to any one of 1 to 7, wherein Ar c is the same group;

9. 1∼8 중 어느 하나의 아릴아민 화합물과, 유기 용매를 포함하는 전하 수송성 바니시,9. A charge-transporting varnish comprising the arylamine compound of any one of 1 to 8 and an organic solvent;

10. 도판트 물질을 포함하는 9의 전하 수송성 바니시,10. The charge transporting varnish of 9 comprising a dopant material;

11. 9 또는 10의 전하 수송성 바니시를 사용하여 제작되는 전하 수송성 박막,11. A charge-transporting thin film produced using the charge-transporting varnish of 9 or 10;

12. 11의 전하 수송성 박막을 갖추는 전자 소자12. Electronic device having the charge-transporting thin film of 11

를 제공한다. provides

본 발명의 아릴아민 화합물은 유기 용매에 대한 용해성이 양호하며, 이 아릴아민 화합물을 포함하는 전하 수송성 바니시를 사용함으로써, 고투명성, 또한, 고굴절률의 전하 수송성 박막을 얻을 수 있다. The arylamine compound of the present invention has good solubility in organic solvents, and by using a charge-transporting varnish containing the arylamine compound, a high-transparency and high-refractive-index charge-transporting thin film can be obtained.

이 전하 수송성 박막은 유기 EL 소자를 비롯한 전자 소자용 박막으로서, 특히, 상층에 웨트 프로세스로 박막이 적층되는 전자 소자용 박막으로서 적합하게 사용할 수 있어, 본 발명의 전하 수송성 박막을 유기 EL 소자의 정공 주입층 등에 적용함으로써, 양호한 특성을 가지는 소자를 제작할 수 있다. This charge-transporting thin film can be suitably used as a thin film for electronic devices including organic EL devices, in particular, as a thin film for electronic devices in which a thin film is laminated on an upper layer by a wet process. By applying it to an injection layer, etc., the element which has favorable characteristics can be manufactured.

도 1은 제조예 1-1에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 2는 제조예 1-2에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 3은 제조예 1-2에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 4는 제조예 1-2에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 5는 제조예 1-3에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 6은 제조예 1-3에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 7은 제조예 1-4에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 8은 제조예 1-4에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 9는 제조예 1-5에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 10은 제조예 1-5에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 11은 제조예 1-6에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 12는 제조예 1-6에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 13은 제조예 1-7에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 14는 제조예 1-7에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 15는 제조예 1-8에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 16은 제조예 1-8에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 17은 제조예 1-9에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 18은 제조예 1-9에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 19는 제조예 2-1에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 20은 제조예 2-2에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 21은 제조예 2-2에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 22는 제조예 2-3에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 23은 제조예 2-4에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 24는 제조예 2-4에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 25는 제조예 2-5에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 26은 제조예 2-5에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 27은 실시예 1-1에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 28은 실시예 1-2에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 29는 실시예 1-3에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 30은 실시예 1-4에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 31은 실시예 1-5에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 32는 실시예 1-6에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 33은 실시예 1-7에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 34는 실시예 1-8에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 35는 실시예 1-9에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 36은 실시예 1-10에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 37은 실시예 1-11에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 38은 실시예 1-12에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 39는 실시예 1-12에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 40은 실시예 1-13에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 41은 실시예 1-13에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 42는 실시예 1-14에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 43은 실시예 1-15에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 44는 실시예 1-16에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 45는 실시예 1-17에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 46은 실시예 1-17에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 47은 실시예 1-18에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 48은 실시예 1-19에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 49는 실시예 1-20에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 50은 실시예 1-21에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 51은 실시예 1-22에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 52는 실시예 1-23에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 53은 비교예 1-1에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 54는 비교예 1-2에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
도 55는 비교예 1-3에서 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼도이다.
1 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-1.
2 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-2.
3 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-2.
4 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-2.
5 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-3.
6 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-3.
7 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-4.
8 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-4.
9 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-5.
10 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-5.
11 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-6.
12 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-6.
13 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-7.
14 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-7.
15 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-8.
16 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-8.
17 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-9.
18 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 1-9.
19 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 2-1.
20 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 2-2.
21 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 2-2.
22 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 2-3.
23 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 2-4.
24 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 2-4.
25 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 2-5.
26 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Preparation Example 2-5.
27 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Example 1-1.
28 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Example 1-2.
29 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Example 1-3.
30 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-4.
31 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-5.
32 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-6.
33 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-7.
34 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-8.
35 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-9.
36 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-10.
37 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-11.
38 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-12.
39 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-12.
40 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-13.
41 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-13.
42 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-14.
43 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-15.
44 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-16.
45 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-17.
46 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-17.
47 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-18.
48 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-19.
49 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-20.
50 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Example 1-21.
51 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-22.
52 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Examples 1-23.
53 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Comparative Example 1-1.
54 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Comparative Example 1-2.
55 is a 1 H-NMR spectrum diagram of the compound obtained in Comparative Example 1-3.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Form for implementing the invention)

이하, 본 발명에 대해 더욱 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명에 따른 아릴아민 화합물은 하기 식 (1)∼(6) 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하지만, 상기한 바와 같이, 식 (P1)∼(P4)로 표시되는 화합물을 포함하지 않는다. The arylamine compound according to the present invention is characterized in that it is represented by any one of the following formulas (1) to (6), but as described above, the compound represented by the formulas (P1) to (P4) is not included.

Figure pct00042
Figure pct00042

식 (1)∼(6)에 있어서, Arc는, 각각 독립하여, 하기 식 (Q)로 표시되는 기를 나타내고, X는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기를 나타내고, Y는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 되는 페닐렌기를 나타내고, g는, 각각 독립하여, 1∼10의 정수를 나타내지만, 바람직하게는, Arc는, 각각 독립하여, 하기 식 (Q') 또는 (Q'')으로 표시되는 기를 나타낸다. In formulas (1) to (6), Ar c each independently represents a group represented by the following formula (Q), and each X independently represents a group that may be substituted and may contain a hetero atom. an arylene group, Y each independently represents a phenylene group which may be substituted, g each independently represents an integer of 1 to 10, Preferably, Ar c is each independently The group represented by the formula (Q') or (Q'') is shown.

Figure pct00043
Figure pct00043

식 (Q), (Q') 및 (Q'')에 있어서, R1은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, R2는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴기를 나타내고, Ars는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기를 나타낸다. In the formulas (Q), (Q') and (Q''), R 1 is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. represents a halogenated alkyl group, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, R 2 is each independently an aryl group which may be substituted and may contain a hetero atom, Ar s is, Each independently represents the arylene group which may be substituted and may contain the hetero atom.

할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다. A fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned as a halogen atom.

탄소수 1∼20의 알킬기로서는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 되고, 예를 들면, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-노닐, n-데실기 등의 탄소수 1∼20의 직쇄 또는 분기쇄상 알킬기; 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐, 시클로데실, 비시클로부틸, 비시클로펜틸, 비시클로헥실, 비시클로헵틸, 비시클로옥틸, 비시클로노닐, 비시클로데실기 등의 탄소수 3∼20의 환상 알킬기 등을 들 수 있다. The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear, branched or cyclic, for example, methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, such as n-pentyl, n-hexyl, n-heptyl, n-octyl, n-nonyl and n-decyl group; Cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, cyclononyl, cyclodecyl, bicyclobutyl, bicyclopentyl, bicyclohexyl, bicycloheptyl, bicyclooctyl, bicyclononyl, bicyclo C3-C20 cyclic alkyl groups, such as a decyl group, etc. are mentioned.

탄소수 1∼20의 알콕시기는 그 중의 알킬기가 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, n-헥실옥시, n-옥틸옥시, n-데실옥시, 2-메틸헥실옥시, 2-에틸헥실옥시, 2-n-프로필헥실옥시, 2-n-부틸헥실옥시, 2-에틸데실옥시, 3-에틸헥실옥시기 등을 들 수 있다. In the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, the alkyl group may be any of linear, branched, or cyclic, and specific examples thereof include methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, n-butoxy, isobutoxy, s-butoxy, t-butoxy, n-pentoxy, n-hexyloxy, n-octyloxy, n-decyloxy, 2-methylhexyloxy, 2-ethylhexyloxy, 2-n- Propylhexyloxy, 2-n-butylhexyloxy, 2-ethyldecyloxy, 3-ethylhexyloxy group, etc. are mentioned.

탄소수 6∼20의 아릴기의 구체예로서는 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 1-안트릴, 2-안트릴, 9-안트릴, 1-페난트릴, 2-페난트릴, 3-페난트릴, 4-페난트릴, 9-페난트릴기 등을 들 수 있다. Specific examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 1-anthryl, 2-anthryl, 9-anthryl, 1-phenanthryl, 2-phenanthryl, 3-phenane. a triyl, 4-phenanthryl, 9-phenanthryl group, etc. are mentioned.

탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기는 상기 탄소수 1∼20의 알킬기의 적어도 1개의 수소 원자를 할로겐 원자로 치환한 기이며, 그 구체예로서는 플루오로메틸, 디플루오로메틸, 트리플루오로메틸, 브로모디플루오로메틸, 2-클로로에틸, 2-브로모에틸, 1,1-디플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 1,1,2,2-테트라플루오로에틸, 2-클로로-1,1,2-트리플루오로에틸, 펜타플루오로에틸, 3-브로모프로필, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필, 1,1,2,3,3,3-헥사플루오로프로필, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판-2-일, 3-브로모-2-메틸프로필, 4-브로모부틸, 퍼플루오로펜틸, 2-(퍼플루오로헥실)에틸기 등을 들 수 있다. A halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is a group in which at least one hydrogen atom of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is substituted with a halogen atom, and specific examples thereof include fluoromethyl, difluoromethyl, trifluoromethyl, bromodifluoro Methyl, 2-chloroethyl, 2-bromoethyl, 1,1-difluoroethyl, 2,2,2-trifluoroethyl, 1,1,2,2-tetrafluoroethyl, 2-chloro- 1,1,2-trifluoroethyl, pentafluoroethyl, 3-bromopropyl, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl, 1,1,2,3,3,3-hexafluoro Propyl, 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl, 3-bromo-2-methylpropyl, 4-bromobutyl, perfluoropentyl, 2- (perfluoro Hexyl) ethyl group, etc. are mentioned.

R1은 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 탄소수 6∼20의 아릴기가 바람직하고, 수소 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기가 보다 바람직하고, 모두 수소 원자가 더한층 바람직하다. R 1 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, all of which are more preferably a hydrogen atom do.

상기 식 (Q), (Q') 및 (Q'')에 있어서의 R2의 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴기는 그 구성 원자로서 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기이며, 또, 환이 축합된 구조이어도, 환이 연결된 구조이어도 된다. 그 탄소수는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 6∼60이며, 바람직하게는 40 이하, 보다 바람직하게는 30 이하이다. R 2 in the formulas (Q), (Q') and (Q'') may be substituted and the aryl group which may contain a hetero atom is an arylene group which may contain a hetero atom as its constituent atom. , and a structure in which rings are condensed or a structure in which rings are linked may be sufficient. Although the carbon number is not specifically limited, Usually, it is 6-60, Preferably it is 40 or less, More preferably, it is 30 or less.

R2의 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴기의 치환기의 구체예로서는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 2∼20의 알케닐기, 탄소수 2∼20의 알키닐기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기 및 탄소수 6∼20의 아릴기 등을 들 수 있고, 할로겐 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기 및 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기 및 탄소수 6∼20의 아릴기의 구체예로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. Specific examples of the substituent of the aryl group which may be substituted for R 2 and may contain a hetero atom include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and 2 to carbon atoms. and an alkynyl group having 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group, the alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms and the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include the same ones as described above.

탄소수 2∼20의 알케닐기의 구체예로서는 에테닐, n-1-프로페닐, n-2-프로페닐, 1-메틸에테닐, n-1-부테닐, n-2-부테닐, n-3-부테닐, 2-메틸-1-프로페닐, 2-메틸-2-프로페닐, 1-에틸에테닐, 1-메틸-1-프로페닐, 1-메틸-2-프로페닐, n-1-펜테닐, n-1-데세닐, n-1-에이코세닐기 등을 들 수 있다. Specific examples of the alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include ethenyl, n-1-propenyl, n-2-propenyl, 1-methylethenyl, n-1-butenyl, n-2-butenyl, n-3 -Butenyl, 2-methyl-1-propenyl, 2-methyl-2-propenyl, 1-ethylethenyl, 1-methyl-1-propenyl, 1-methyl-2-propenyl, n-1- pentenyl, n-1-decenyl, n-1-eicosenyl group, and the like.

탄소수 2∼20의 알키닐기의 구체예로서는 에티닐, n-1-프로피닐, n-2-프로피닐, n-1-부티닐, n-2-부티닐, n-3-부티닐, 1-메틸-2-프로피닐, n-1-펜티닐, n-2-펜티닐, n-3-펜티닐, n-4-펜티닐, 1-메틸-n-부티닐, 2-메틸-n-부티닐, 3-메틸-n-부티닐, 1,1-디메틸-n-프로피닐, n-1-헥시닐, n-1-데시닐, n-1-펜타데시닐, n-1-에이코시닐기 등을 들 수 있다. Specific examples of the alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms include ethynyl, n-1-propynyl, n-2-propynyl, n-1-butynyl, n-2-butynyl, n-3-butynyl, 1- Methyl-2-propynyl, n-1-pentynyl, n-2-pentynyl, n-3-pentynyl, n-4-pentynyl, 1-methyl-n-butynyl, 2-methyl-n- Butynyl, 3-methyl-n-butynyl, 1,1-dimethyl-n-propynyl, n-1-hexynyl, n-1-decynyl, n-1-pentadecinyl, n-1-eico A cynyl group etc. are mentioned.

R2로서는 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 6∼10의 아릴기가 바람직하고, 치환되어 있어도 되는 페닐기, 치환되어 있어도 되는 나프틸기가 보다 바람직하고, 모두 페닐기 또는 나프틸기가 더한층 바람직하고, 모두 페닐기가 더욱 바람직하다. R 2 is preferably an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted and may contain a hetero atom, more preferably a phenyl group which may be substituted or a naphthyl group which may be substituted, all of which are further a phenyl group or a naphthyl group. preferred, and all of them are more preferably a phenyl group.

이하, R2로서 적합한 기의 구체예를 들지만, 이것들에 한정되지 않는다. Hereinafter, although the specific example of group suitable as R< 2 > is given, it is not limited to these.

Figure pct00044
Figure pct00044

Figure pct00045
Figure pct00045

Figure pct00046
Figure pct00046

Figure pct00047
Figure pct00047

Figure pct00048
Figure pct00048

Figure pct00049
Figure pct00049

Figure pct00050
Figure pct00050

상기 식 (Q), (Q') 및 (Q'')에 있어서의 Ars의 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기는 그 구성 원자로서 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기이며, 또, 환이 축합된 구조이어도, 환이 연결된 구조이어도 된다. 그 탄소수는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 6∼60이며, 바람직하게는 40 이하, 보다 바람직하게는 30 이하이다. The arylene group which may be substituted with Ar s in the formulas (Q), (Q') and (Q'') and may contain a hetero atom is an aryl group which may contain a hetero atom as a constituent atom thereof. It is a ren group, and a structure in which rings are condensed or a structure in which rings are linked may be sufficient. Although the carbon number is not specifically limited, Usually, it is 6-60, Preferably it is 40 or less, More preferably, it is 30 or less.

Ars의 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기의 치환기의 구체예로서는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기 및 탄소수 6∼20의 아릴기 등을 들 수 있고, 할로겐 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기 및 탄소수 6∼20의 아릴기로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. Specific examples of the substituent of the arylene group which may be substituted for Ar s and may contain a hetero atom include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a halogenated alkyl group having 1 to carbon atoms. and a 20 alkoxy group and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. Examples of the group include those similar to those described above.

바람직한 하나의 태양에서는, Ars가 하기 식 (101)∼(118) 중 어느 하나로 표시되는 기이다. In one preferred embodiment, Ar s is a group represented by any one of the following formulas (101) to (118).

Figure pct00051
Figure pct00051

Figure pct00052
Figure pct00052

Figure pct00053
Figure pct00053

R3은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, V1은, 각각 독립하여, C(R4)2(R4는, 각각 독립하여, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.), NR5(R5는 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타낸다.), S, O, 또는 SO2를 나타내고, V2는 NR5(R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.), S 또는 O를 나타낸다. R 3 is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or aryl having 6 to 20 carbon atoms. represents a group, and V 1 is each independently C(R 4 ) 2 (R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms), NR 5 (R 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.), S, O, or SO 2 , V 2 is NR 5 (R 5 has the same meaning as above) represents), S or O.

R3∼R5에 있어서의, 할로겐 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the halogen atom, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms for R 3 to R 5 include the same ones as described above. .

특히, R3은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 탄소수 1∼5의 알킬기, 탄소수 1∼5의 플루오로알킬기가 보다 바람직하고, 수소 원자, 메틸기, 트리플루오로메틸기가 더한층 바람직하다. 또한, 얻어지는 박막의 소쇠 계수를 저하시킨다고 하는 점에서, 적어도 1개의 R3이 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼5의 플루오로알킬기 등의 전자 흡인기인 것이 바람직하고, 이 점을 고려하면, 트리플루오로메틸기가 보다 바람직하다. In particular, R 3 is each independently preferably a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, A C1-C5 fluoroalkyl group is more preferable, and a hydrogen atom, a methyl group, and a trifluoromethyl group are still more preferable. In addition, from the viewpoint of reducing the extinction coefficient of the resulting thin film, it is preferable that at least one R 3 is an electron withdrawing group such as a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or a fluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Then, a trifluoromethyl group is more preferable.

R4는, 각각 독립하여, 탄소수 1∼10의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼5의 알킬기가 보다 바람직하고, 모두 메틸기가 더한층 바람직하다. R 4 is each independently, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and even more preferably a methyl group in all of them.

R5는 수소 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기가 바람직하고, 수소 원자, 탄소수 1∼5의 알킬기, 페닐기, 나프틸기가 보다 바람직하고, 수소 원자, 메틸기, 페닐기가 더한층 바람직하다. R 5 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group, or a naphthyl group, furthermore a hydrogen atom, a methyl group, or a phenyl group desirable.

또, 모든 R3이 전자 흡인기가 아닌 경우, 얻어지는 박막의 소쇠 계수를 저하시킨다고 하는 점에서, V1은 S, O, SO2가 바람직하다. 또한, V1이 S, O, SO2인 경우에, R3 중에 전자 흡인기가 존재해도 된다. Moreover, when all R3 is not an electron withdrawing group, from the point of reducing the extinction coefficient of the thin film obtained, as for V1 , S, O, SO2 are preferable. In addition, when V 1 is S, O, SO 2 , an electron withdrawing group may exist in R 3 .

또한, 모든 R3이 전자 흡인기가 아닌 경우, 얻어지는 박막의 소쇠 계수를 저하시킨다고 하는 점에서, V2는 S, O가 바람직하다. 또한, V2가 S, O인 경우에, R3 중에 전자 흡인기가 존재해도 된다. Moreover, when all R3 is not an electron withdrawing group, from the point of reducing the extinction coefficient of the thin film obtained, as for V2 , S, O is preferable. In addition, when V2 is S, O, an electron withdrawing group may exist in R3.

Ars로서는 하기 식 (101A)∼(118A) 중 어느 하나로 표시되는 기가 바람직하다. As Ar s , a group represented by any one of the following formulas (101A) to (118A) is preferable.

Figure pct00054
Figure pct00054

Figure pct00055
Figure pct00055

Figure pct00056
Figure pct00056

Figure pct00057
Figure pct00057

Figure pct00058
Figure pct00058

Figure pct00059
Figure pct00059

Figure pct00060
Figure pct00060

Figure pct00061
Figure pct00061

(식 중, R3, V1 및 V2는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 3 , V 1 and V 2 have the same meanings as above.)

이하, Ars로서 적합한 구체예를 들지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, although specific examples suitable as Ar s are given, it is not limited to these.

Figure pct00062
Figure pct00062

Figure pct00063
Figure pct00063

Figure pct00064
Figure pct00064

Figure pct00065
Figure pct00065

Figure pct00066
Figure pct00066

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00067
Figure pct00067

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00068
Figure pct00068

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00069
Figure pct00069

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00070
Figure pct00070

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00071
Figure pct00071

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00072
Figure pct00072

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00073
Figure pct00073

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00074
Figure pct00074

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00075
Figure pct00075

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00076
Figure pct00076

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00077
Figure pct00077

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00078
Figure pct00078

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00079
Figure pct00079

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00080
Figure pct00080

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00081
Figure pct00081

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)

Figure pct00082
Figure pct00082

Figure pct00083
Figure pct00083

(식 중, R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 5 represents the same meanings as above.)

Figure pct00084
Figure pct00084

(식 중, R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 5 represents the same meanings as above.)

상기 식 (1) 및 (2)에 있어서의 X의 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기는 특별히 한정되는 것은 아니고, 환이 축합된 구조이어도, 환이 연결된 구조이어도 된다. 그 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 6∼60이며, 바람직하게는 40 이하, 보다 바람직하게는 30 이하이다. The arylene group which may be substituted and may contain the hetero atom of X in said Formula (1) and (2) is not specifically limited, A ring may be a condensed structure, or a ring-linked structure may be sufficient. Although the carbon number is not specifically limited, Usually, it is 6-60, Preferably it is 40 or less, More preferably, it is 30 or less.

X의 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기의 치환기의 구체예로서는 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기 및 탄소수 6∼20의 아릴기 등을 들 수 있고, 할로겐 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기 및 탄소수 6∼20의 아릴기로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. Specific examples of the substituent of the arylene group which may be substituted with X and may contain a hetero atom include a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and 1 to 20 carbon atoms. an alkoxy group and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms; Examples of the above are the same.

특히 굴절률, 투명성 및 전기 특성의 밸런스를 고려하면, 상기 식 (1) 및 (2)에 있어서의 X의 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기는 하기 식 (201)∼(207) 중 어느 하나로 표시되는 2가의 기가 바람직하다. In particular, when the balance of refractive index, transparency, and electrical properties is considered, the arylene group which may be substituted with X in the above formulas (1) and (2) and may contain a hetero atom is represented by the following formulas (201) to ( 207) is preferably a divalent group represented by any one of.

Figure pct00085
Figure pct00085

식 (201)∼(207)에 있어서, R6은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, W1은, 각각 독립하여, 단결합, C(R7)2(R7은, 각각 독립하여, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.), S, O, 또는 SO2를 나타내고, W2는 C(R7)2(R7은 상기와 같은 의미를 나타낸다.), NR8(R8은 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타낸다.), S, O, 또는 SO2를 나타내고, W3은 NR8(R8은 상기와 같은 의미를 나타낸다.), S 또는 O를 나타낸다. R6∼R8에 있어서의, 할로겐 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. In the formulas (201) to (207), each R 6 is independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. represents an alkoxy group or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and W 1 is each independently a single bond, C(R 7 ) 2 (R 7 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.), S, O, or SO 2 , and W 2 is C(R 7 ) 2 (R 7 has the same meaning as above), NR 8 (R 8 ) represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms), S, O, or SO 2 , and W 3 is NR 8 (R 8 has the same meanings as above). , S or O. Examples of the halogen atom, alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms for R 6 to R 8 include the same ones as described above. .

특히, R6은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기가 바람직하고, 수소 원자, 탄소수 1∼5의 알킬기, 탄소수 1∼5의 플루오로알킬기가 보다 바람직하고, 수소 원자, 메틸기, 트리플루오로메틸기가 더한층 바람직하다. 또한, 얻어지는 박막의 소쇠 계수를 저하시킨다고 하는 점에서, 적어도 1개의 R6은 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼5의 플루오로알킬기 등의 전자 흡인기가 바람직하고, 이 점을 고려하면, 트리플루오로메틸기가 보다 바람직하다. In particular, R 6 is each independently preferably a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, A C1-C5 fluoroalkyl group is more preferable, and a hydrogen atom, a methyl group, and a trifluoromethyl group are still more preferable. In addition, from the viewpoint of lowering the extinction coefficient of the thin film obtained, at least one R 6 is preferably an electron withdrawing group such as a halogen atom, a nitro group, a cyano group, or a fluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms. , a trifluoromethyl group is more preferable.

R7은, 각각 독립하여, 탄소수 1∼10의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼5의 알킬기가 보다 바람직하고, 모두 메틸기가 더한층 바람직하다. R 7 is each independently, preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and even more preferably a methyl group.

R8은 수소 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 6∼10의 아릴기가 바람직하고, 수소 원자, 탄소수 1∼5의 알킬기, 페닐기, 나프틸기가 보다 바람직하고, 수소 원자, 메틸기, 페닐기가 더한층 바람직하다. R 8 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, more preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a phenyl group, or a naphthyl group, furthermore a hydrogen atom, a methyl group, or a phenyl group desirable.

또, 모든 R6이 전자 흡인기가 아닌 경우, 얻어지는 박막의 소쇠 계수를 저하시킨다고 하는 점에서, W1은 S, O, SO2가 바람직하다. 또한, W1이 S, O, SO2인 경우에, R6 중에 전자 흡인기가 존재해도 된다. Moreover, when all R< 6 > is not an electron withdrawing group, from the point of reducing the extinction coefficient of the thin film obtained, S, O, SO2 of W< 1 > is preferable. In addition, when W 1 is S, O, SO 2 , an electron withdrawing group may exist in R 6 .

또, 모든 R6이 전자 흡인기가 아닌 경우, 얻어지는 박막의 소쇠 계수를 저하시킨다고 하는 점에서, W2는 S, O, SO2가 바람직하다. 또한, W2가 S, O, SO2인 경우에, R6 중에 전자 흡인기가 존재해도 된다. Moreover, when all R< 6 > is not an electron withdrawing group, S, O, SO2 are preferable at the point of reducing the extinction coefficient of the thin film obtained. In addition, when W 2 is S, O, SO 2 , an electron withdrawing group may exist in R 6 .

또한, 모든 R6이 전자 흡인기가 아닌 경우, 얻어지는 박막의 소쇠 계수를 저하시킨다고 하는 점에서, W3은 S, O가 바람직하다. 또한, W3이 S, O, SO2인 경우에, R6 중에 전자 흡인기가 존재해도 된다. Moreover, when all R< 6 > is not an electron withdrawing group, from the point of reducing the extinction coefficient of the thin film obtained, as for W3 , S, O is preferable. In addition, when W 3 is S, O, SO 2 , an electron withdrawing group may exist in R 6 .

또한, 상기 식 (201)∼(207)에 있어서, 방향환상에서의 아미노기 및 스페이서인 W1의 결합 위치는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 하기 식 (201A)∼(207A) 중 어느 하나로 표시되는 2가의 기가 바람직하다. Further, in the above formulas (201) to (207), the bonding position of the amino group on the aromatic ring and the spacer W 1 is not particularly limited, but a divalent compound represented by any one of the following formulas (201A) to (207A) group is preferred.

Figure pct00086
Figure pct00086

(식 중, R6, W1, W2 및 W3은 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 6 , W 1 , W 2 and W 3 have the same meanings as above.)

또, 본 발명의 아릴아민 화합물을 사용한 바니시의 보존 안정성을 향상시키는 관점에서, 상기 식 (201)∼(207)에 있어서, 방향족 환상에, 적어도 1개의 치환기를 가지는 것이 바람직하고, 이 관점에서, 하기 식 (201A')∼(207A') 중 어느 하나로 표시되는 2가의 기가 바람직하다. Further, from the viewpoint of improving the storage stability of the varnish using the arylamine compound of the present invention, in the formulas (201) to (207), it is preferable to have at least one substituent on the aromatic ring, and from this viewpoint, A divalent group represented by any one of the following formulas (201A') to (207A') is preferable.

Figure pct00087
Figure pct00087

(식 중, W1, W2 및 W3은 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, W 1 , W 2 and W 3 have the same meanings as described above.)

식 (201A')∼(207A')에 있어서, R6'은, 각각 독립하여, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, 할로겐 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 탄소수 6∼20의 아릴기의 구체예로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. In the formulas (201A') to (207A'), R 6' is each independently a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. represents an alkoxy group or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and specific examples of a halogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, The same thing as above is mentioned.

이것들 중에서도, R6'은 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼5의 알킬기, 탄소수 1∼5의 플루오로알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기, 트리플루오로메틸기가 더한층 바람직하다. Among these, R 6' is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, methyl group, trifluoro A methyl group is more preferable.

본 발명에서 적합한 X로서는 하기 식으로 표시되는 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다. Examples of X suitable for the present invention include those represented by the following formula, but are not limited thereto.

Figure pct00088
Figure pct00088

Figure pct00089
Figure pct00089

Figure pct00090
Figure pct00090

(식 중, R7, R8 및 W3은 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 7 , R 8 and W 3 have the same meanings as above.)

상기 식 (3)∼(6)에 있어서의 Y의 치환되어 있어도 되는 페닐렌기로서는 할로겐 원자, 알킬기, 알케닐기 또는 알키닐기 등으로 치환되어 있어도 되는 1,4-페닐렌기, 1,3-페닐렌기 또는 1,2-페닐렌기를 들 수 있지만, 굴절률, 투명성 및 전기 특성의 밸런스를 고려하면, 치환되어 있어도 되는 1,4-페닐렌기 또는 1,3-페닐렌기가 바람직하고, 비치환의 1,4-페닐렌기 또는 1,3-페닐렌기가 보다 바람직하다. Examples of the optionally substituted phenylene group for Y in the formulas (3) to (6) include a 1,4-phenylene group, a 1,3-phenylene group which may be substituted with a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group. Alternatively, a 1,2-phenylene group is mentioned, but in consideration of the balance of refractive index, transparency, and electrical properties, a 1,4-phenylene group or 1,3-phenylene group which may be substituted is preferable, and an unsubstituted 1,4 group is preferable. - A phenylene group or a 1, 3- phenylene group is more preferable.

상기 식 (3)∼(6)에 있어서, g는, 각각 독립하여, 1∼10의 정수를 나타내지만, 화합물의 유기 용매에 대한 용해성, 얻어지는 박막의 투명성을 고려하면, 1∼7의 정수가 바람직하고, 1∼5의 정수가 보다 바람직하고, 1∼3의 정수가 더한층 바람직하고, 1 또는 2가 더욱 바람직하고, 원료 화합물의 입수 용이성을 더욱 고려하면, 1이 최적이다. In the above formulas (3) to (6), g each independently represents an integer of 1 to 10. In consideration of the solubility of the compound in the organic solvent and transparency of the resulting thin film, the integer of 1 to 7 is Preferably, an integer of 1 to 5 is more preferable, an integer of 1 to 3 is still more preferable, 1 or 2 is still more preferable, and 1 is optimal when the availability of the raw material compound is further considered.

본 발명에 있어서, Ars는 바람직하게는 식 (107)로 표시되는 기, 보다 바람직하게는 식 (107A)∼(107C) 중 어느 하나로 표시되는 기, 더한층 바람직하게는 식 (107A-1)∼(107C-5) 중 어느 하나로 표시되는 기, 더욱 바람직하게는 식 (107B-1) 또는 (107C-1)로 표시되는 기이다. In the present invention, Ar s is preferably a group represented by formula (107), more preferably a group represented by any one of formulas (107A) to (107C), further preferably a group represented by formulas (107A-1) to The group represented by any one of (107C-5), more preferably the group represented by the formula (107B-1) or (107C-1).

본 발명에서는, 합성의 용이성의 관점에서, 식 (1)∼(6) 각각에 있어서, Arc는 동일한 기인 것이 바람직하다. In the present invention, in each of formulas (1) to (6), from the viewpoint of easiness of synthesis, it is preferable that Ar c is the same group.

특히, Arc는 바람직하게는 식 (Q-1)로 표시되는 기(Arc1)이며, 보다 바람직하게는 식 (Q-2)로 표시되는 기(Arc2) 또는 식 (Q-3)으로 표시되는 기(Arc3)이다. In particular, Ar c is preferably a group represented by formula (Q-1) (Ar c1 ), more preferably a group represented by formula (Q-2) (Ar c2 ) or formula (Q-3) It is a group represented (Ar c3 ).

Figure pct00091
Figure pct00091

본 발명의 아릴아민 화합물은, 바람직한 하나의 태양에서는, 하기 식 (1-1)∼(6-1) 중 어느 하나로 표시되고, 보다 바람직한 하나의 태양에서는, 하기 식 (1-2)∼(6-2) 및 (1-3)∼(6-3) 중 어느 하나로 표시된다. In a preferred embodiment, the arylamine compound of the present invention is represented by any one of the following formulas (1-1) to (6-1), and in a more preferred embodiment, the following formulas (1-2) to (6) -2) and (1-3) to (6-3).

Figure pct00092
Figure pct00092

(식 중, X, Y, Arc1 및 g는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, X, Y, Ar c1 and g have the same meanings as above.)

Figure pct00093
Figure pct00093

(식 중, X, Y, Arc2 및 g는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, X, Y, Ar c2 and g have the same meanings as above.)

Figure pct00094
Figure pct00094

(식 중, X, Y, Arc3 및 g는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, X, Y, Ar c3 and g have the same meanings as above.)

본 발명의 식 (1) 또는 (2)로 표시되는 아릴아민 화합물(이하, 아릴아민 화합물 (1) 또는 (2)라고도 한다.)은, 하기 반응식에 나타내어지는 바와 같이, 아릴디아민 화합물 [I]과, 할로겐화 아릴 화합물 [II]를 촉매 존재하에서 반응시켜 제조할 수 있다. The arylamine compound (hereinafter also referred to as arylamine compound (1) or (2)) represented by formula (1) or (2) of the present invention is, as shown in the following scheme, an aryldiamine compound [I] and a halogenated aryl compound [II] can be reacted in the presence of a catalyst.

Figure pct00095
Figure pct00095

(식 중, Z는 할로겐 원자 또는 유사 할로겐기를 나타내고, X, R1, R2 및 Ars는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, Z represents a halogen atom or a similar halogen group, and X, R 1 , R 2 and Ar s represent the same meanings as above.)

할로겐 원자로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. As a halogen atom, the thing similar to the above is mentioned.

유사 할로겐기로서는 메탄술포닐옥시, 트리플루오로메탄술포닐옥시, 노나플루오로부탄술포닐옥시기 등의 (플루오로)알킬술포닐옥시기; 벤젠술포닐옥시, 톨루엔술포닐옥시기 등의 방향족 술포닐옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the pseudo-halogen group include (fluoro)alkylsulfonyloxy groups such as methanesulfonyloxy, trifluoromethanesulfonyloxy and nonafluorobutanesulfonyloxy; Aromatic sulfonyloxy groups, such as a benzenesulfonyloxy group and a toluenesulfonyloxy group, etc. are mentioned.

아릴디아민 화합물 [I]과, 할로겐화 아릴 화합물 [II]의 장입비는 합성하는 화합물이 아릴아민 화합물 (1)과 (2)의 어느 것인지에 따라, 또한, 원료 화합물의 반응성이나 부피 등을 고려하여, 통상, 아릴디아민 화합물 [I]의 전체 NH기의 물질량에 대하여, 할로겐화 아릴 화합물을 1.2∼0.6당량 정도의 범위에서 적당하게 결정되지만, 아릴아민 화합물 (1)을 합성하는 경우, 할로겐화 아릴 화합물 1.0당량 이상이 바람직하다. The loading ratio of the aryldiamine compound [I] and the halogenated aryl compound [II] depends on which of the arylamine compounds (1) and (2) to be synthesized, and also taking into account the reactivity and volume of the raw material compound, etc. Usually, the amount of the halogenated aryl compound is appropriately determined in the range of about 1.2 to 0.6 equivalents of the halogenated aryl compound with respect to the total amount of NH groups in the aryldiamine compound [I], but in the case of synthesizing the arylamine compound (1), 1.0 equivalent of the halogenated aryl compound The above is preferable.

상기 반응에 사용되는 촉매로서는, 예를 들면, 염화구리, 브롬화구리, 요오드화구리 등의 구리 촉매; Pd(PPh3)4(테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐), Pd(PPh3)2Cl2(비스(트리페닐포스핀)디클로로팔라듐), Pd(dba)2(비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐), Pd2(dba)3(트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐), Pd(P-t-Bu3)2(비스(트리(t-부틸포스핀))팔라듐), Pd(OAc)2(아세트산 팔라듐) 등의 팔라듐 촉매 등을 들 수 있다. 이들 촉매는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 또, 이들 촉매는 공지의 적절한 배위자와 함께 사용해도 된다. As a catalyst used for the said reaction, For example, copper catalysts, such as copper chloride, copper bromide, and copper iodide; Pd(PPh 3 ) 4 (tetrakis(triphenylphosphine)palladium), Pd(PPh 3 ) 2 Cl 2 (bis(triphenylphosphine)dichloropalladium), Pd(dba) 2 (bis(dibenzylideneacetone) )palladium), Pd 2 (dba) 3 (tris(dibenzylideneacetone)dipalladium), Pd(Pt-Bu 3 ) 2 (bis(tri(t-butylphosphine))palladium), Pd(OAc) 2 Palladium catalysts, such as (palladium acetate), etc. are mentioned. These catalysts may be used independently and may be used in combination of 2 or more types. Moreover, you may use these catalysts together with a well-known suitable ligand.

이러한 배위자로서는 트리페닐포스핀, 트리-o-톨릴포스핀, 디페닐메틸포스핀, 페닐디메틸포스핀, 트리메틸포스핀, 트리에틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리-t-부틸포스핀, 디-t-부틸(페닐)포스핀, 디-t-부틸(4-디메틸아미노페닐)포스핀, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄, 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판, 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄, 1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센 등의 3차 포스핀, 트리메틸포스파이트, 트리에틸포스파이트, 트리페닐포스파이트 등의 3차 포스파이트, Aldrich사에서 시판되고 있는, JohnPhos, CyjohnPhos, DavePhos, XPhos, SPhos, tBuXPhos, RuPhos, Me4tBuXPhos, sSPhos, tBuMePhos, MePhos, tBuDavePhos, PhDavePhos, 2'-Dicyclohexylphosphino-2,4,6-trimethoxybiphenyl, BrettPhos, tBuBrettPhos, AdBrettPhos, Me3(OMe)tBuXPhos, (2-Biphenyl)di-1-adamantylphosphine, RockPhos, CPhos 등의 비페닐포스핀 화합물 등을 들 수 있다. Examples of such ligands include triphenylphosphine, tri-o-tolylphosphine, diphenylmethylphosphine, phenyldimethylphosphine, trimethylphosphine, triethylphosphine, tributylphosphine, tri-t-butylphosphine, di -t-Butyl(phenyl)phosphine, di-t-butyl(4-dimethylaminophenyl)phosphine, 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane, 1,3-bis(diphenylphosphino)propane , tertiary phosphine such as 1,4-bis(diphenylphosphino)butane, 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene, trimethylphosphite, triethylphosphite, triphenylphosphite, etc. Tea phosphite, commercially available from Aldrich, JohnPhos, CyjohnPhos, DavePhos, XPhos, SPhos, tBuXPhos, RuPhos, Me4tBuXPhos, sSPhos, tBuMePhos, MePhos, tBuDavemethoxyPhos, PhDavePhos, 2'-Dinocyclohexylphos, 2'-Dinocyclohexylphos and biphenylphosphine compounds such as BrettPhos, tBuBrettPhos, AdBrettPhos, Me 3 (OMe) t BuXPhos, (2-Biphenyl) di-1-adamantylphosphine, RockPhos, and CPhos.

촉매의 사용량은 할로겐화 아릴 화합물 [II] 1mol에 대하여, 0.01∼0.5mol 정도로 할 수 있지만, 0.05∼0.2mol 정도가 적합하다. The amount of the catalyst used can be about 0.01 to 0.5 mol with respect to 1 mol of the aryl halide compound [II], but about 0.05 to 0.2 mol is preferable.

또, 배위자를 사용하는 경우, 그 사용량은 사용하는 금속 착체에 대하여 0.1∼5당량으로 할 수 있지만, 1∼2당량이 적합하다. Moreover, when using a ligand, although the usage-amount can be made into 0.1-5 equivalent with respect to the metal complex to be used, 1-2 equivalent is suitable.

또, 상기 반응에서는 염기를 사용해도 된다. 염기로서는, 예를 들면, 리튬, 나트륨, 칼륨, 수소화리튬, 수소화나트륨, 수산화리튬, 수산화칼륨, t-부톡시리튬, t-부톡시나트륨, t-부톡시칼륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨 등의 알칼리 금속 단체, 수소화 알칼리 금속, 수산화 알칼리 금속, 알콕시알칼리 금속, 탄산알칼리 금속, 탄산수소 알칼리 금속; 탄산칼슘 등의 탄산 알칼리토류 금속; n-부틸리튬, s-부틸리튬, t-부틸리튬, 리튬디이소프로필아미드(LDA), 리튬 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘(LiTMP), 헥사메틸디실라잔리튬(LHMDS) 등의 유기 리튬; 트리에틸아민, 디이소프로필에틸아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 피리딘 등의 아민류 등을 들 수 있다. Moreover, you may use a base in the said reaction. Examples of the base include lithium, sodium, potassium, lithium hydride, sodium hydride, lithium hydroxide, potassium hydroxide, t-butoxylithium, t-butoxysodium, t-butoxypotassium, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate. , alkali metal simple substances such as potassium carbonate, sodium hydrogen carbonate and potassium hydrogen carbonate, alkali metal hydride, alkali metal hydroxide, alkali alkoxy metal, alkali metal carbonate, alkali metal hydrogen carbonate; alkaline earth metals such as calcium carbonate; n-butyllithium, s-butyllithium, t-butyllithium, lithium diisopropylamide (LDA), lithium 2,2,6,6-tetramethylpiperidine (LiTMP), hexamethyldisilazane lithium (LHMDS) ), such as organolithium; and amines such as triethylamine, diisopropylethylamine, tetramethylethylenediamine, triethylenediamine, and pyridine.

염기를 사용하는 경우, 그 사용량은 사용하는 할로겐화 아릴 화합물 [II]에 대하여 0.1∼5당량으로 할 수 있지만, 1∼2당량이 적합하다. When a base is used, the amount used can be 0.1 to 5 equivalents based on the halogenated aryl compound [II] to be used, but 1-2 equivalents are suitable.

원료 화합물이 모두 고체인 경우 혹은 목적으로 하는 아릴아민 화합물을 효율적으로 얻는 관점에서, 상기 각 반응은 용매 중에서 행한다. 용매를 사용하는 경우, 그 종류는 반응에 악영향을 미치지 않는 것이면 특별히 제한은 없다. 구체예로서는 지방족 탄화수소류(펜탄, n-헥산, n-옥탄, n-데칸, 데칼린 등), 할로겐화 지방족 탄화수소류(클로로포름, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 사염화탄소 등), 방향족 탄화수소류(벤젠, 니트로벤젠, 톨루엔, o-크실렌, m-크실렌, p-크실렌, 메시틸렌 등), 할로겐화 방향족 탄화수소류(클로로벤젠, 브로모벤젠, o-디클로로벤젠, m-디클로로벤젠, p-디클로로벤젠 등), 에테르류(디에틸에테르, 디이소프로필에테르, t-부틸메틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산, 1,2-디메톡시에탄, 1,2-디에톡시에탄 등), 케톤류(아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 디-n-부틸케톤, 시클로헥사논 등), 아미드류(N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등), 락탐 및 락톤류(N-메틸피롤리돈, γ-부티로락톤 등), 요소류(N,N-디메틸이미다졸리디논, 테트라메틸우레아 등), 술폭시드류(디메틸술폭시드, 술포란 등), 니트릴류(아세토니트릴, 프로피오니트릴, 부티로니트릴 등) 등을 들 수 있고, 이들 용매는 단독으로 사용해도, 2종 이상 혼합하여 사용해도 된다. When all of the raw material compounds are solid, or from the viewpoint of efficiently obtaining the target arylamine compound, each of the above reactions is performed in a solvent. When using a solvent, there is no restriction|limiting in particular as long as the kind does not adversely affect the reaction. Specific examples include aliphatic hydrocarbons (pentane, n-hexane, n-octane, n-decane, decalin, etc.), halogenated aliphatic hydrocarbons (chloroform, dichloromethane, dichloroethane, carbon tetrachloride, etc.), aromatic hydrocarbons (benzene, nitrobenzene, Toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, mesitylene, etc.), halogenated aromatic hydrocarbons (chlorobenzene, bromobenzene, o-dichlorobenzene, m-dichlorobenzene, p-dichlorobenzene, etc.), ethers (diethyl ether, diisopropyl ether, t-butylmethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, 1,2-diethoxyethane, etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, di-n-butyl ketone, cyclohexanone, etc.), amides (N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, etc.), lactams and lactones (N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, etc.), urea (N,N-dimethylimidazolidinone, tetramethylurea, etc.), sulfoxides (dimethyl sulfoxide, sulfolane, etc.), nitriles (acetonitrile, propionitrile, butyronitrile etc.) etc. are mentioned, These solvent may be used individually or may be used in mixture of 2 or more types.

반응 온도는 사용하는 용매의 융점으로부터 비점까지의 범위에서 적당하게 설정하면 되지만, 특히, 0∼200℃ 정도가 바람직하고, 20∼150℃가 보다 바람직하다. 반응 시간은 반응 온도나 원료 화합물의 반응성 등을 고려하여 적당하게 결정되지만, 통상, 30분간에서 50시간 정도이다. The reaction temperature may be appropriately set within the range from the melting point to the boiling point of the solvent to be used. In particular, about 0 to 200°C is preferable, and 20 to 150°C is more preferable. The reaction time is appropriately determined in consideration of the reaction temperature, the reactivity of the raw material compound, and the like, but is usually about 30 minutes to 50 hours.

반응 종료 후는 상법에 따라 후처리를 하여, 목적으로 하는 아릴아민 화합물을 얻을 수 있다. After completion of the reaction, a post-treatment may be carried out according to a conventional method to obtain the target arylamine compound.

본 발명의 식 (3)∼(5)로 표시되는 아릴아민 화합물(이하, 아릴아민 화합물 (3), (4) 또는 (5)라고도 한다.)은, 하기 반응식에 나타내어지는 바와 같이, 아릴디아민 화합물 [I']과, 할로겐화 아릴 화합물 [II]를 촉매 존재하에서 반응시켜 제조할 수 있다. The arylamine compound (hereinafter also referred to as arylamine compound (3), (4) or (5)) represented by formulas (3) to (5) of the present invention is an aryldiamine compound as shown in the following scheme. It can be prepared by reacting the compound [I'] with the halogenated aryl compound [II] in the presence of a catalyst.

Figure pct00096
Figure pct00096

(식 중, Y, R1, R2, Z, Ars 및 g는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, Y, R 1 , R 2 , Z, Ar s and g have the same meanings as above.)

아릴디아민 화합물 [I']과, 할로겐화 아릴 화합물 [II]의 장입비는 목적물이 얻어지는 한 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상, 합성하는 화합물이 아릴아민 화합물 (3)∼(5)의 어느 것인지에 따라, 또한, 원료 화합물의 반응성이나 부피 등을 고려하여, 아릴디아민 화합물 [I']의 전체 NH기의 물질량에 대하여, 할로겐화 아릴 화합물이 1.2당량 이하의 범위에서 적당하게 결정되고, 아릴아민 화합물 (3)을 합성하는 경우, 아릴디아민 화합물 [I']의 전체 NH기의 물질량에 대하여, 할로겐화 아릴 화합물 1.0당량 이상이 바람직하고, 아릴아민 화합물 (4)를 합성하는 경우, 아릴디아민 화합물 [I']의 물질량에 대하여, 할로겐화 아릴 화합물 2.0당량 이상으로 할 수 있지만, 2.0∼2.4당량이 바람직하고, 할로겐화 아릴아민 화합물 (5)를 합성하는 경우, 아릴디아민 화합물 [I']의 물질량에 대하여, 아릴 화합물 4.0당량 이상으로 할 수 있지만, 4.0∼4.8당량이 바람직하다. The charging ratio of the aryldiamine compound [I'] and the halogenated aryl compound [II] is not particularly limited as long as the target product is obtained, but usually, the compound to be synthesized depends on which of the arylamine compounds (3) to (5), In addition, in consideration of the reactivity and volume of the raw material compound, the halogenated aryl compound is appropriately determined in the range of 1.2 equivalents or less with respect to the total amount of NH groups in the aryldiamine compound [I'], and the arylamine compound (3) In the case of synthesizing , 1.0 equivalent or more of the halogenated aryl compound is preferable with respect to the total amount of NH groups of the aryldiamine compound [I'], and when synthesizing the arylamine compound (4), the aryldiamine compound [I'] The amount of the halogenated aryl compound can be 2.0 equivalents or more, but 2.0 to 2.4 equivalents are preferable. When synthesizing the halogenated arylamine compound (5), the aryl compound 4.0 with respect to the material amount of the aryldiamine compound [I'] Although it can be set as equivalent or more, 4.0-4.8 equivalent is preferable.

그 밖에, 촉매, 배위자, 염기, 용매, 반응의 온도 및 시간 등에 관한 커플링 반응의 여러 조건 및 적합한 조건은 식 (1) 또는 (2)로 표시되는 아릴아민 화합물에 관하여 설명한 것과 같다. In addition, various conditions and suitable conditions for the coupling reaction with respect to the catalyst, the ligand, the base, the solvent, the temperature and time of the reaction, etc. are the same as those described for the arylamine compound represented by the formula (1) or (2).

본 발명의 식 (6)으로 표시되는 아릴아민 화합물(이하, 아릴아민 화합물 (6)이라고도 한다.)은 다음 방법으로 제조할 수 있다. The arylamine compound (hereinafter also referred to as arylamine compound (6)) represented by the formula (6) of the present invention can be produced by the following method.

우선, 디니트로 화합물 [I''-1]과 할로겐화 아릴 화합물 [II]를 반응시켜, 디니트로 화합물 [I''-2]를 얻는다. First, the dinitro compound [I''-1] and the halogenated aryl compound [II] are reacted to obtain the dinitro compound [I''-2].

Figure pct00097
Figure pct00097

(식 중, R1, R2, Y, Z, Ars 및 g는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 1 , R 2 , Y, Z, Ar s and g have the same meanings as above.)

디니트로 화합물 [I''-1]과, 할로겐화 아릴 화합물 [II]의 장입비는, 디니트로 화합물의 전체 NH기의 물질량에 대하여, 할로겐화 아릴 화합물을 1당량 이상으로 할 수 있지만, 1∼1.2당량 정도가 적합하다. The charging ratio of the dinitro compound [I''-1] to the halogenated aryl compound [II] is 1 to 1.2, although the amount of the halogenated aryl compound can be 1 equivalent or more with respect to the total amount of NH groups of the dinitro compound. An equivalent amount is suitable.

그 밖에, 촉매, 배위자, 염기, 용매, 반응의 온도 및 시간 등에 관한 반응의 여러 조건 및 적합한 조건은 식 (1) 또는 (2)로 표시되는 아릴아민 화합물에 관하여 설명한 것과 같다. In addition, various conditions and suitable conditions for the reaction with respect to the catalyst, the ligand, the base, the solvent, the temperature and time of the reaction, etc. are the same as those described for the arylamine compound represented by the formula (1) or (2).

다음에 디니트로 화합물 [I''-2] 중의 니트로기를 수소 첨가에 의해 환원하여 아민 화합물 [I''-3]을 얻는다. 수소 첨가는 Pd/C 등을 사용한 수소 첨가 반응을 들 수 있고, 공지의 수법에 의해 행할 수 있다. Next, the nitro group in the dinitro compound [I''-2] is reduced by hydrogenation to obtain an amine compound [I''-3]. Hydrogenation includes a hydrogenation reaction using Pd/C or the like, and can be performed by a known method.

Figure pct00098
Figure pct00098

(식 중, Y, Arc및 g는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, Y, Ar c and g have the same meanings as above.)

다음에 아민 화합물 [I''-3]과, 할로겐화 아릴 화합물 [II]를 반응시켜, 아릴아민 화합물 (6)을 얻을 수 있다. Next, the amine compound [I''-3] and the halogenated aryl compound [II] are reacted to obtain the arylamine compound (6).

Figure pct00099
Figure pct00099

(식 중, R1, R2, Y, Z, Arc, Ars 및 g는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 1 , R 2 , Y, Z, Ar c , Ar s and g have the same meanings as above.)

아민 화합물 [I''-3]과, 할로겐화 아릴 화합물 [II]의 장입비는, 아민 화합물에 대하여, 할로겐화 아릴 화합물을 2당량 이상으로 할 수 있지만, 2∼2.4당량 정도가 적합하다. The charging ratio of the amine compound [I''-3] and the halogenated aryl compound [II] can be 2 equivalents or more of the halogenated aryl compound with respect to the amine compound, but about 2 to 2.4 equivalents is preferable.

그 밖에, 촉매, 배위자, 염기, 용매, 반응의 온도 및 시간 등에 관한 반응의 여러 조건 및 적합한 조건은 식 (1) 또는 (2)로 표시되는 아릴아민 화합물에 관하여 설명한 것과 같다. In addition, various conditions and suitable conditions for the reaction with respect to the catalyst, the ligand, the base, the solvent, the temperature and time of the reaction, etc. are the same as those described for the arylamine compound represented by the formula (1) or (2).

본 발명의 아릴아민 화합물의 제조에 사용하는 원료인 할로겐화 아릴 화합물 [II]는 아릴카르바졸 화합물 [III]과, 디할로겐화 아릴 화합물 [IV]를 촉매 존재하에서 반응시켜 제조할 수 있다. The halogenated aryl compound [II], which is a raw material used in the preparation of the arylamine compound of the present invention, can be prepared by reacting the arylcarbazole compound [III] with the dihalogenated aryl compound [IV] in the presence of a catalyst.

Figure pct00100
Figure pct00100

(식 중, R1, R2, Z 및 Ars는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 1 , R 2 , Z and Ar s represent the same meanings as above.)

ZB는, 각각 독립하여, 하기 식 (E1) 또는 (E2)로 표시되는 기를 나타낸다. Z B each independently represents a group represented by the following formula (E1) or (E2).

Figure pct00101
Figure pct00101

Z'은, 할로겐 원자 또는 유사 할로겐기를 나타내고, 할로겐 원자 및 유사 할로겐기로서는 상기와 같은 것을 들 수 있다. Z' represents a halogen atom or a pseudo-halogen group, and examples of the halogen atom and pseudo-halogen group include those described above.

여기에서, Z 및 Z'은 모두 같은 것이어도 되지만, 효율적으로 원하는 할로겐화 아릴 화합물 [II]를 얻는 관점에서, Z'의 원자(기)의 반응성은 Z의 원자(기)의 반응성보다도 높은 쪽이 바람직하다. 이러한 반응성의 차를 둠으로써, 아릴카르바졸 화합물 [III]에 있어서의 ZB의 기는 Z의 원자(기)보다도, Z'의 원자(기)와 우선적으로 반응하여, 효율적으로 원하는 할로겐화 아릴 화합물 [II]를 얻을 수 있다. Here, both Z and Z' may be the same, but from the viewpoint of efficiently obtaining the desired aryl halide compound [II], the reactivity of the atom (group) of Z' is higher than the reactivity of the atom (group) of Z desirable. By making such a difference in reactivity, the group of Z B in the arylcarbazole compound [III] preferentially reacts with the atom (group) of Z' rather than the atom (group) of Z, and efficiently the desired halogenated aryl compound [ II] can be obtained.

D1 및 D2는, 각각 독립하여, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, D3은 탄소수 1∼20의 알칸디일기 또는 탄소수 6∼20의 아릴렌기를 나타내고, 탄소수 1∼20의 알킬기 및 탄소수 6∼20의 아릴기로서는 상기와 같은 것을 들 수 있다. D 1 and D 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and D 3 is an alkanediyl group having 1 to 20 carbon atoms or an arylene group having 6 to 20 carbon atoms. , and examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms and the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include those described above.

탄소수 1∼20의 알칸디일기로서는 메틸렌, 에틸렌, 프로판-1,2-디일, 프로판-1,3-디일, 2,2-디메틸프로판-1,3-디일, 2-에틸-2-메틸프로판-1,3-디일, 2,2-디에틸프로판-1,3-디일, 2-메틸-2-프로필프로판-1,3-디일, 부탄-1,3-디일, 부탄-2,3-디일, 부탄-1,4-디일, 2-메틸부탄-2,3-디일, 2,3-디메틸부탄-2,3-디일, 펜탄-1,3-디일, 펜탄-1,5-디일, 펜탄-2,3-디일, 펜탄-2,4-디일, 2-메틸펜탄-2,3-디일, 3-메틸펜탄-2,3-디일, 4-메틸펜탄-2,3-디일, 2,3-디메틸펜탄-2,3-디일, 3-메틸펜탄-2,4-디일, 3-에틸펜탄-2,4-디일, 3,3-디메틸펜탄-2,4-디일, 3,3-디메틸펜탄-2,4-디일, 2,4-디메틸펜탄-2,4-디일, 헥산-1,6-디일, 헥산-1,2-디일, 헥산-1,3-디일, 헥산-2,3-디일, 헥산-2,4-디일, 헥산-2,5-디일, 2-메틸헥산-2,3-디일, 4-메틸헥산-2,3-디일, 3-메틸헥산-2,4-디일, 2,3-디메틸헥산-2,4-디일, 2,4-디메틸헥산-2,4-디일, 2,5-디메틸헥산-2,4-디일, 2-메틸헥산-2,5-디일, 3-메틸헥산-2,5-디일, 2,5-디메틸헥산-2,5-디일기 등을 들 수 있다. Examples of the alkanediyl group having 1 to 20 carbon atoms include methylene, ethylene, propane-1,2-diyl, propane-1,3-diyl, 2,2-dimethylpropane-1,3-diyl, and 2-ethyl-2-methylpropane. -1,3-diyl, 2,2-diethylpropane-1,3-diyl, 2-methyl-2-propylpropane-1,3-diyl, butane-1,3-diyl, butane-2,3- Diyl, butane-1,4-diyl, 2-methylbutane-2,3-diyl, 2,3-dimethylbutane-2,3-diyl, pentane-1,3-diyl, pentane-1,5-diyl, Pentane-2,3-diyl, pentane-2,4-diyl, 2-methylpentane-2,3-diyl, 3-methylpentane-2,3-diyl, 4-methylpentane-2,3-diyl, 2 ,3-dimethylpentane-2,3-diyl, 3-methylpentane-2,4-diyl, 3-ethylpentane-2,4-diyl, 3,3-dimethylpentane-2,4-diyl, 3,3 -Dimethylpentane-2,4-diyl, 2,4-dimethylpentane-2,4-diyl, hexane-1,6-diyl, hexane-1,2-diyl, hexane-1,3-diyl, hexane-2 ,3-diyl, hexane-2,4-diyl, hexane-2,5-diyl, 2-methylhexane-2,3-diyl, 4-methylhexane-2,3-diyl, 3-methylhexane-2, 4-diyl, 2,3-dimethylhexane-2,4-diyl, 2,4-dimethylhexane-2,4-diyl, 2,5-dimethylhexane-2,4-diyl, 2-methylhexane-2, 5-diyl, 3-methylhexane-2,5-diyl, 2,5-dimethylhexane-2,5-diyl group, etc. are mentioned.

탄소수 6∼20의 아릴렌기로서는 1,2-페닐렌, 1,2-나프틸렌, 2,3-나프틸렌, 1,8-나프틸렌, 1,2-안트릴렌, 2,3-안트릴렌, 1,2-페난트릴렌, 3,4-페난트릴렌, 9,10-페난트릴렌기 등을 들 수 있다. Examples of the arylene group having 6 to 20 carbon atoms include 1,2-phenylene, 1,2-naphthylene, 2,3-naphthylene, 1,8-naphthylene, 1,2-anthrylene, and 2,3-anthryl. Rene, 1,2-phenanthrylene, 3,4-phenanthrylene, 9,10-phenanthrylene group, etc. are mentioned.

아릴카르바졸 화합물 [III]과, 디할로겐화 아릴 화합물 [IV]의 장입비는, 몰비로, 아릴카르바졸 화합물 [III] 1에 대하여, 디할로겐화 아릴 화합물 [IV]를 1.0 이상으로 할 수 있지만, 1.0∼1.2 정도가 바람직하다. The charging ratio of the arylcarbazole compound [III] and the dihalogenated aryl compound [IV] is, in a molar ratio, the dihalogenated aryl compound [IV] can be 1.0 or more with respect to the arylcarbazole compound [III] 1, About 1.0-1.2 are preferable.

원료 화합물이 모두 고체인 경우 혹은 목적으로 하는 할로겐화 아릴아민 화합물을 효율적으로 얻는 관점에서, 상기 각 반응은 용매 중에서 행한다. 용매를 사용하는 경우, 그 종류는 반응에 악영향을 미치지 않는 것이면 특별히 제한은 없다. 구체예로서는 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산 등의 환상 에테르; N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 등의 아미드; 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤; 염화메틸렌, 클로로포름, 1,2-디클로로에탄, 클로로벤젠 등의 할로겐화 탄화수소; 벤젠, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소를 들 수 있다. 이들 용매는 1종 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 이들 중, 특히, 1,4-디옥산, 톨루엔, 크실렌 등이 바람직하다. When all of the raw material compounds are solid, or from the viewpoint of efficiently obtaining the target halogenated arylamine compound, each of the above reactions is carried out in a solvent. When using a solvent, there is no restriction|limiting in particular as long as the kind does not adversely affect the reaction. Specific examples include cyclic ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; amides such as N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetamide (DMAc), and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP); ketones such as methyl isobutyl ketone and cyclohexanone; halogenated hydrocarbons such as methylene chloride, chloroform, 1,2-dichloroethane and chlorobenzene; and aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene. These solvents can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. Among these, 1,4-dioxane, toluene, xylene, etc. are especially preferable.

상기 반응에서 사용하는 촉매로서는 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II)디클로리드(PdCl2(dppf)), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(Pd(PPh3)4), 비스(트리페닐포스핀)디클로로팔라듐(Pd(PPh3)2Cl2), 비스(벤질리덴아세톤)팔라듐(Pd(dba)2), 트리스(벤질리덴아세톤)디팔라듐(Pd2(dba)3), 비스(트리-t-부틸포스핀)팔라듐(Pd(P-t-Bu3)2), 아세트산 팔라듐(II)(Pd(OAc)2) 등의 팔라듐 촉매 등을 들 수 있다. As the catalyst used in the above reaction, [1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]palladium( II )dichloride (PdCl2(dppf)), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(Pd(PPh)) 3 ) 4 ), bis(triphenylphosphine)dichloropalladium (Pd(PPh 3 ) 2 Cl 2 ), bis(benzylideneacetone)palladium (Pd(dba) 2 ), tris(benzylideneacetone)dipalladium (Pd) palladium catalysts such as 2 (dba) 3 ), bis(tri-t-butylphosphine)palladium (Pd(Pt-Bu 3 ) 2 ), and palladium(II) acetate (Pd(OAc) 2 ); .

반응 온도는 사용하는 용매의 융점으로부터 비점까지의 범위에서 적당하게 설정하면 되지만, 특히, 0∼200℃ 정도가 바람직하고, 20∼150℃가 보다 바람직하다. 반응 시간은 반응 온도나 원료 화합물의 반응성 등을 고려하여 적당하게 결정되지만, 통상, 30분간에서 50시간 정도이다. The reaction temperature may be appropriately set within the range from the melting point to the boiling point of the solvent to be used. In particular, about 0 to 200°C is preferable, and 20 to 150°C is more preferable. The reaction time is appropriately determined in consideration of the reaction temperature, the reactivity of the raw material compound, and the like, but is usually about 30 minutes to 50 hours.

반응 종료 후는, 상법에 따라 후처리를 하여, 목적으로 하는 할로겐화 아릴아민 화합물을 얻을 수 있다. After completion of the reaction, post-treatment can be carried out according to a conventional method to obtain the target halogenated arylamine compound.

또한, 디할로겐화 아릴 화합물 [IV]는, 하기 반응식에 나타내어지는 바와 같이, 식 [IV']으로 표시되는 화합물과 할로겐화제를 반응시켜 얻을 수 있다. Further, the dihalogenated aryl compound [IV] can be obtained by reacting the compound represented by the formula [IV'] with a halogenating agent, as shown in the following scheme.

Figure pct00102
Figure pct00102

(식 중, Ars, Z 및 Z'은 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, Ar s , Z and Z' have the same meanings as above.)

상기 할로겐화제로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 그 구체예로서는 N-브로모숙신이미드 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 할로겐화제의 양은, 몰비로, 식 [IV']으로 표시되는 화합물에 대하여 1∼1.5 정도이다. A well-known thing can be used as said halogenating agent, Although N-bromosuccinimide etc. are mentioned as a specific example, It is not limited to this. The quantity of a halogenating agent is about 1-1.5 with respect to the compound represented by Formula [IV'] in molar ratio.

상기 반응에서 사용할 수 있는 용매는 이 종류의 반응에 사용되는 용매이면 특별히 한정되는 것은 아니다. The solvent that can be used in the above reaction is not particularly limited as long as it is a solvent used for this type of reaction.

반응 온도는 통상 0∼140℃의 범위에서 적당하게 결정되고, 그 시간은 통상 0.1∼100시간의 범위에서 적당하게 결정된다. The reaction temperature is usually appropriately determined in the range of 0 to 140°C, and the time is usually appropriately determined in the range of 0.1 to 100 hours.

또, 아릴카르바졸 화합물 [III]은, 하기 반응식에 나타내어지는 바와 같이, 식 [III']으로 표시되는 화합물과 식 [V]로 표시되는 화합물을 반응시켜 얻을 수 있다. In addition, the arylcarbazole compound [III] can be obtained by reacting the compound represented by the formula [III'] with the compound represented by the formula [V], as shown in the following scheme.

Figure pct00103
Figure pct00103

(식 중, R1, R2, Z 및 ZB는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 1 , R 2 , Z and Z B have the same meanings as above.)

식 [III']으로 표시되는 화합물과 식 [V]로 표시되는 화합물의 장입비는, 몰비로, 식 [III']으로 표시되는 화합물 1에 대하여, 식 [V]로 표시되는 화합물 1∼3정도이다. The charging ratio of the compound represented by the formula [III'] and the compound represented by the formula [V] is in a molar ratio, with respect to the compound 1 represented by the formula [III'], the compounds 1 to 3 represented by the formula [V] it is about

상기 반응에서 사용할 수 있는 용매는 이 종류의 반응에 사용되는 용매이면 특별히 한정되는 것은 아니다. The solvent that can be used in the above reaction is not particularly limited as long as it is a solvent used for this type of reaction.

상기 반응의 온도는 통상 0∼140℃의 범위에서 적당하게 결정되고, 그 시간은 통상 0.1∼100시간의 범위에서 적당하게 결정된다. The temperature of the reaction is usually appropriately determined in the range of 0 to 140°C, and the time is usually appropriately determined in the range of 0.1 to 100 hours.

또한, 식 [III']으로 표시되는 화합물은, 하기 반응식에 나타내어지는 바와 같이, 식 [III'-2]로 표시되는 화합물을 할로겐화 아릴 화합물 (R2Z)와 반응시킨 후, 할로겐화제로 처리하거나, 식 [III'-2]로 표시되는 화합물을 할로겐화제로 처리한 후, 할로겐화 아릴 화합물 (R2Z)와 반응시켜 얻을 수 있지만, 카르바졸 골격의 N 위치의 아릴기의 할로겐화를 피하고, 보다 효율적으로 목적물을 얻는 관점에서, 후자의 반응이 바람직하다. In addition, the compound represented by formula [III'] is, as shown in the following reaction scheme, after reacting the compound represented by formula [III'-2] with a halogenated aryl compound (R 2 Z), treated with a halogenating agent or , It can be obtained by treating the compound represented by the formula [III'-2] with a halogenating agent and then reacting it with a halogenated aryl compound (R 2 Z), but it avoids halogenation of the aryl group at the N position of the carbazole skeleton and makes it more efficient The latter reaction is preferable from the viewpoint of obtaining the target product by

Figure pct00104
Figure pct00104

(식 중, R1, R2 및 Z는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, R 1 , R 2 and Z have the same meanings as above.)

상기 반응에서 사용되는 할로겐화제로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 할로겐화제의 양은, 몰비로, 식 [III'-1-1] 또는 [III'-2]로 표시되는 화합물 1에 대하여 1∼1.5 정도이다. As the halogenating agent used in the above reaction, a known halogenating agent can be used, and the amount of the halogenating agent, in molar ratio, is about 1-1.5 with respect to the compound 1 represented by the formula [III'-1-1] or [III'-2]. to be.

상기 반응에서 사용할 수 있는 용매는 이 종류의 반응에 사용되는 용매이면 특별히 한정되는 것은 아니다. The solvent that can be used in the above reaction is not particularly limited as long as it is a solvent used for this type of reaction.

상기 온도는 통상 0∼140℃의 범위에서 적당하게 결정되고, 그 시간은 통상 0.1∼100시간의 범위에서 적당하게 결정된다. The temperature is usually appropriately determined in the range of 0 to 140°C, and the time is usually appropriately determined in the range of 0.1 to 100 hours.

또, Ars의 스페이서 골격의 원료가 되는, 플루오렌환의 9 위치에 2개의 알킬기 등을 가지는 식 [VI]으로 표시되는 화합물은, 하기 반응식에 나타내어지는 바와 같이, 염기의 존재하에서, 식 [VI']으로 표시되는 화합물과 식 [VII]로 표시되는 화합물을 반응시켜 얻을 수 있다. In addition, the compound represented by formula [VI] having two alkyl groups, etc. at the 9-position of the fluorene ring, which is a raw material for the spacer skeleton of Ar s , is a compound represented by formula [VI] in the presence of a base, as shown in the following reaction scheme, It can be obtained by reacting a compound represented by '] with a compound represented by formula [VII].

Figure pct00105
Figure pct00105

(식 중, R3, Z 및 Z'은 상기와 같은 의미를 나타내고, R4'은, 각각 독립하여, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.)(Wherein, R 3 , Z and Z' have the same meanings as above, and R 4' each independently represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.)

식 [VI']으로 표시되는 화합물과 식 [VII]로 표시되는 화합물의 장입비는, 몰비로, 식 [VI']으로 표시되는 화합물 1에 대하여, 식 [VII]로 표시되는 화합물 1∼1.5 정도이다. The charging ratio of the compound represented by the formula [VI'] and the compound represented by the formula [VII] is in a molar ratio, with respect to the compound 1 represented by the formula [VI'], the compounds 1-1.5 represented by the formula [VII] it is about

상기 반응에서 사용할 수 있는 염기는 이 종류의 반응에 사용되는 염기이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 그 구체예로서는 t-BuOK, t-BuONa, CsCO3, K2CO3, Na2CO3, n-BuLi, t-BuLi, s-BuLi, NaOH, KOH, LiOH 등을 들 수 있지만, t-BuOK, t-BuONa, n-BuLi, t-BuLi, s-BuLi, NaOH, KOH가 바람직하다. The base usable in the above reaction is not particularly limited as long as it is a base used in this type of reaction, and specific examples thereof include t-BuOK, t-BuONa, CsCO 3 , K 2 CO 3 , Na 2 CO 3 , n-BuLi , t-BuLi, s-BuLi, NaOH, KOH, LiOH and the like, but t-BuOK, t-BuONa, n-BuLi, t-BuLi, s-BuLi, NaOH, and KOH are preferable.

상기 반응에서 사용할 수 있는 용매는 이 종류의 반응에 사용되는 용매이면 특별히 한정되는 것은 아니다. The solvent that can be used in the above reaction is not particularly limited as long as it is a solvent used for this type of reaction.

상기 반응의 온도는 통상 0∼140℃의 범위에서 적당하게 결정되고, 그 시간은 통상 0.1∼100시간의 범위에서 적당하게 결정된다. The temperature of the reaction is usually appropriately determined in the range of 0 to 140°C, and the time is usually appropriately determined in the range of 0.1 to 100 hours.

또한, 본 발명의 아릴아민 화합물의 원료로서 사용할 수 있는 아민 화합물은, 하기 반응식에 나타내어지는 바와 같이, (A) 아민 화합물 [I'''] 또는 [I'''']과, 아릴 화합물 [VIII]과의 커플링 반응과, (B) 수소 첨가에 의한 니트로기의 환원 반응으로 얻을 수 있고, 이 (A), (B)의 반응을 반복함으로써, 사슬 길이(페닐렌 수)를 신장시켜 갈 수 있다. In addition, the amine compound that can be used as a raw material of the arylamine compound of the present invention is, as shown in the following scheme, (A) an amine compound [I'''] or [I''''] and an aryl compound [ VIII] and (B) a reduction reaction of a nitro group by hydrogenation, and by repeating the reactions (A) and (B), the chain length (the number of phenylenes) is lengthened, can go

Figure pct00106
Figure pct00106

(식 중, Y, Z 및 g는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, Y, Z and g have the same meanings as above.)

Figure pct00107
Figure pct00107

(식 중, Y, Z 및 g는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, Y, Z and g have the same meanings as above.)

보다 구체적인 일례를 들면, 아민 화합물 [I']에 포함되는 아민 화합물은, 하기 반응식에 나타내어지는 바와 같이, (A) m-페닐렌디아민 또는 3-니트로아닐린과, 3-할로니트로벤젠과의 커플링 반응과, (B) 수소 첨가에 의한 니트로기의 환원 반응으로 얻을 수 있고, 이 (A), (B)의 반응을 반복함으로써, 사슬 길이(m-페닐렌 수)를 신장시켜 갈 수 있다. As a more specific example, the amine compound contained in the amine compound [I'] is, as shown in the following scheme, (A) a couple of m-phenylenediamine or 3-nitroaniline and 3-halonitrobenzene It can be obtained by a ring reaction and a reduction reaction of a nitro group by hydrogenation (B), and by repeating the reactions (A) and (B), the chain length (number of m-phenylenes) can be increased .

Figure pct00108
Figure pct00108

(식 중, Z는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)(Wherein, Z has the same meaning as above.)

각각, 상기 반응식의 위의 반응과 아래의 반응의 어느 쪽을 선택할지에 따라 페닐렌 수의 짝수 홀수의 분별 제조가 가능하기 때문에, 보호기로 한 쪽의 아미노기를 보호하는 것과 같은 합성적으로 난이도가 높은 방법을 사용하지 않고, 자유롭게 원하는 페닐렌 수를 가지는 아민 화합물 [I']을 제조할 수 있다. Each of the above reaction and the following reaction in the above reaction scheme, because the fractional production of even and odd numbers of phenylene is possible depending on which one of the reaction is selected, it is synthetically difficult, such as protecting one amino group with a protecting group. The amine compound [I'] having a desired number of phenylenes can be freely prepared without using a high method.

이 경우, 각 반응에 있어서의 원료 화합물끼리의 장입비는, 물질량비로, 아미노기를 가지는 원료 화합물에 대하여 니트로기를 가지는 원료 화합물(할로겐 원자(유사 할로겐기)을 포함하는 원료 화합물)을 1∼2.4 정도의 범위 내에서, 가하는 페닐렌의 수가 1 또는 2인지에 따라 적당하게 결정된다. In this case, the charging ratio of the raw material compounds in each reaction is about 1 to 2.4 of the raw material compound having a nitro group (the raw material compound containing a halogen atom (pseudo halogen group)) with respect to the raw material compound having an amino group in a material amount ratio. Within the range, it is appropriately determined depending on whether the number of phenylene to be added is 1 or 2.

또, 커플링 반응에 사용하는 팔라듐 촉매로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. 또, 이 경우도 배위자를 사용할 수 있다. 배위자로서는 상기에서 예시한 것에 더하여, Aldrich사에서 시판되고 있는, JohnPhos, CyjohnPhos, DavePhos, XPhos, SPhos, tBuXPhos, RuPhos, Me4tBuXPhos, sSPhos, tBuMePhos, MePhos, tBuDavePhos, PhDavePhos, 2'-디시클로헥실포스피노-2,4,6-트리메톡시비페닐, BrettPhos, tBuBrettPhos, AdBrettPhos, Me3(OMe)tBuXPhos, (2-비페닐)디-1-아다만틸포스핀, RockPhos, CPhos 등의 비페닐포스핀 화합물을 적합하게 사용할 수 있다. Moreover, as a palladium catalyst used for a coupling reaction, the thing similar to the above is mentioned. Also in this case, a ligand can be used. As ligands, in addition to those exemplified above, JohnPhos, CyjohnPhos, DavePhos, XPhos, SPhos, tBuXPhos, RuPhos, Me4tBuXPhos, sSPhos, tBuMePhos, MePhos, tBuDavePhos, PhDavecyclohexylphosphino, 2'-cyclohexylphosphino Biphenylphosphine such as -2,4,6-trimethoxybiphenyl, BrettPhos, tBuBrettPhos, AdBrettPhos, Me 3 (OMe) tBuXPhos, (2-biphenyl) di-1-adamantylphosphine, RockPhos, CPhos The compound may be suitably used.

커플링 반응에 사용하는 염기로서는, 예를 들면, 리튬, 나트륨, 칼륨, 수소화리튬, 수소화나트륨, 수산화리튬, 수산화칼륨, t-부톡시리튬, t-부톡시나트륨, t-부톡시칼륨, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 탄산수소나트륨, 탄산수소칼륨 등의 알칼리 금속 단체, 수소화알칼리 금속, 수산화알칼리 금속, 알콕시알칼리 금속, 탄산 알칼리 금속, 탄산수소 알칼리 금속; 탄산칼슘 등의 탄산 알칼리토류 금속; n-부틸리튬, s-부틸리튬, t-부틸리튬, 리튬디이소프로필아미드(LDA), 리튬 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘(LiTMP), 헥사메틸디실라잔리튬(LHMDS) 등의 유기 리튬; 트리에틸아민, 디이소프로필에틸아민, 테트라메틸에틸렌디아민, 트리에틸렌디아민, 피리딘 등의 아민류 등을 들 수 있다. Examples of the base used in the coupling reaction include lithium, sodium, potassium, lithium hydride, sodium hydride, lithium hydroxide, potassium hydroxide, t-butoxylithium, t-butoxysodium, t-butoxypotassium, hydroxide simple alkali metals such as sodium, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium hydrogencarbonate and potassium hydrogencarbonate, alkali metal hydride, alkali metal hydroxide, alkali alkoxy metal, alkali metal carbonate, alkali metal hydrogen carbonate; alkaline earth metals such as calcium carbonate; n-butyllithium, s-butyllithium, t-butyllithium, lithium diisopropylamide (LDA), lithium 2,2,6,6-tetramethylpiperidine (LiTMP), hexamethyldisilazane lithium (LHMDS) ), such as organolithium; and amines such as triethylamine, diisopropylethylamine, tetramethylethylenediamine, triethylenediamine, and pyridine.

그 밖에, 촉매, 용매, 반응의 온도 및 시간 등에 관한 커플링 반응의 여러 조건 및 적합한 조건은 식 (1) 또는 (2)로 표시되는 아릴아민 화합물에 관하여 설명한 것과 같다. In addition, various conditions and suitable conditions for the coupling reaction with respect to the catalyst, the solvent, the temperature and time of the reaction, etc. are the same as those described for the arylamine compound represented by Formula (1) or (2).

또, Pd/C를 사용한 수소 첨가 반응은 공지의 수법에 의해 행할 수 있다. In addition, the hydrogenation reaction using Pd/C can be performed by a well-known method.

또한, 메타페닐렌기 대신에 파라페닐렌기 또는 오르토페닐렌을 도입하는 경우에는, 3-할로니트로벤젠 대신에 4-할로니트로벤젠 또는 2-할로니트로벤젠을 사용하면 된다. In addition, when a paraphenylene group or orthophenylene is introduced instead of a metaphenylene group, 4-halonitrobenzene or 2-halonitrobenzene may be used instead of 3-halonitrobenzene.

이하, 본 발명의 아릴아민 화합물의 구체예를 들지만, 이것들에 한정되지 않는다. Hereinafter, although the specific example of the arylamine compound of this invention is given, it is not limited to these.

또한, 표 중, H는 수소 원자를, Ph는 페닐기를, Me는 메틸기를, n-Hex는 n-헥실기를, p-Toly는 p-톨릴기를, 2-Thie는 2-티에닐기를, 1,3-Ph는 1,3-페닐렌기를, 1,4-Ph는 1,4-페닐렌기를 각각 나타내고, 예를 들면, 번호 1 및 865의 아릴아민 화합물은 각각 하기의 화합물이다. In the table, H is a hydrogen atom, Ph is a phenyl group, Me is a methyl group, n-Hex is an n-hexyl group, p-Toly is a p-tolyl group, 2-Thie is a 2-thienyl group, 1,3-Ph represents a 1,3-phenylene group, 1,4-Ph represents a 1,4-phenylene group, respectively, for example, the arylamine compounds of Nos. 1 and 865 are the following compounds, respectively.

Figure pct00109
Figure pct00109

번호 1의 아릴아민 화합물 번호 865의 아릴아민 화합물Arylamine compound of number 1 Arylamine compound of number 865

Figure pct00110
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Figure pct00111
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Figure pct00112
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Figure pct00113
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Figure pct00124
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Figure pct00126
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Figure pct00127
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Figure pct00128
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Figure pct00129
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Figure pct00130
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Figure pct00131

상기한 본 발명의 아릴아민 화합물은 전하 수송성 물질로서 적합하게 이용할 수 있다. 이 경우, 본 발명의 아릴아민 화합물과 유기 용매를 포함하는 전하 수송성 바니시로서 사용할 수 있지만, 이 전하 수송성 바니시에는, 얻어지는 박막의 용도에 따라, 그 전하 수송 능력의 향상 등을 목적으로 도판트 물질을 포함하고 있어도 된다. 또, 본 발명의 아릴아민 화합물은 아닐린 유도체, 티오펜 유도체 등의 종래 공지의 그 밖의 전하 수송성 물질과 병용할 수도 있지만, 본 발명의 아릴아민 화합물 단독으로 전하 수송성 물질로서 사용하는 것이 바람직하다. The above-described arylamine compound of the present invention can be suitably used as a charge-transporting material. In this case, it can be used as a charge-transporting varnish comprising the arylamine compound of the present invention and an organic solvent, but in this charge-transporting varnish, depending on the use of the resulting thin film, a dopant material is added for the purpose of improving the charge-transporting ability, etc. may be included. The arylamine compound of the present invention may be used in combination with other conventionally known charge-transporting substances such as aniline derivatives and thiophene derivatives, but it is preferable to use the arylamine compound of the present invention alone as the charge-transporting substance.

또한, 본 발명에 있어서, 전하 수송성이란 도전성과 동의이다. 전하 수송성 바니시란 그것 자체에 전하 수송성이 있는 것이어도 되고, 그것에 의해 얻어지는 고형막이 전하 수송성을 가지는 것이어도 된다. In addition, in this invention, charge-transport property is synonymous with electroconductivity. A charge-transporting varnish may have charge-transporting property in itself, and the solid film obtained by it may have charge-transporting property.

도판트 물질로서는 바니시에 사용하는 적어도 1종의 용매에 용해되는 것이면 특별히 한정되지 않고, 무기계의 도판트 물질, 유기계의 도판트 물질의 어느 것도 사용할 수 있다. The dopant substance is not particularly limited as long as it dissolves in at least one solvent used for the varnish, and either an inorganic dopant substance or an organic dopant substance can be used.

또, 무기계 및 유기계의 도판트 물질은 1종류 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상 조합하여 사용해도 된다. Moreover, the dopant substance of an inorganic type and an organic type may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

또한 도판트 물질은 바니시로부터 고체막인 전하 수송성 박막을 얻는 과정에서, 예를 들면, 소성 시의 가열과 같은 외부로부터의 자극에 의해, 예를 들면, 분자 내의 일부가 떨어짐으로써 도판트 물질로서의 기능이 비로소 발현 또는 향상되게 되는 물질, 예를 들면, 술폰산기가 탈리하기 쉬운 기로 보호된 아릴술폰산 에스테르 화합물이어도 된다. In addition, the dopant material functions as a dopant material in the process of obtaining a charge-transporting thin film that is a solid film from the varnish, for example, by an external stimulus such as heating during firing, for example, a part in the molecule falls off. It may be a substance which is only expressed or improved at this time, for example, an arylsulfonic acid ester compound in which a sulfonic acid group is protected by a group that is easily detached.

특히, 본 발명에서는, 무기계의 도판트 물질로서는 헤테로폴리산이 바람직하다. In particular, in the present invention, a heteropolyacid is preferable as the inorganic dopant material.

헤테로폴리산이란 대표적으로 식 (H1)로 표시되는 Keggin형 혹은 식 (H2)로 표시되는 Dawson형의 화학 구조로 표시되는, 헤테로 원자가 분자의 중심에 위치하는 구조를 가지고, 바나듐(V), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 산소산인 이소폴리산과, 이종 원소의 산소산이 축합하여 이루어지는 폴리산이다. 이러한 이종 원소의 산소산으로서는 주로 규소(Si), 인(P), 비소(As)의 산소산을 들 수 있다. Heteropolyacid is a Keggin type represented by Formula (H1) or a Dawson type chemical structure represented by Formula (H2), and has a structure in which a hetero atom is located at the center of the molecule, vanadium (V), molybdenum (Mo ) and isopolyacid, which is an oxygen acid such as tungsten (W), and an oxygen acid of a different element are condensed to form a polyacid. As the oxygen acid of such a different element, the oxygen acid of silicon (Si), phosphorus (P), and arsenic (As) is mainly mentioned.

Figure pct00132
Figure pct00132

헤테로폴리산의 구체예로서는 인몰리브덴산, 규몰리브덴산, 인텅스텐산, 규텅스텐산, 인텅스토몰리브덴산 등을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. 또한, 이들 헤테로폴리산은 시판품으로서 입수 가능하며, 또, 공지의 방법에 의해 합성할 수도 있다. Specific examples of the heteropolyacid include phosphomolybdic acid, silicomolybdic acid, phosphotungstic acid, silicic acid, phosphotungstomolybdic acid, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more. In addition, these heteropolyacids can be obtained as a commercial item, and can also be synthesize|combined by a well-known method.

특히, 1종류의 헤테로폴리산을 사용하는 경우, 그 1종류의 헤테로폴리산은 인텅스텐산 또는 인몰리브덴산이 바람직하고, 인텅스텐산이 최적이다. 또, 2종류 이상의 헤테로폴리산을 사용하는 경우, 그 2종류 이상의 헤테로폴리산 중 1개는 인텅스텐산 또는 인몰리브덴산이 바람직하고, 인텅스텐산이 보다 바람직하다. In particular, when one type of heteropolyacid is used, the one type of heteropolyacid is preferably phosphotungstic acid or phosphomolybdic acid, and phosphotungstic acid is optimal. Moreover, when using two or more types of heteropolyacid, phosphotungstic acid or phosphomolybdic acid is preferable, and, as for one of the two or more types of heteropolyacid, phosphotungstic acid is more preferable.

또한, 헤테로폴리산은, 원소 분석 등의 정량 분석에 있어서, 일반식으로 표시되는 구조로부터 원소의 수가 많은 것, 또는 적은 것이더라도, 그것이 시판품으로서 입수한 것, 또는, 공지의 합성 방법에 따라 적절하게 합성한 것인 한, 본 발명에서 사용할 수 있다. In addition, in quantitative analysis such as elemental analysis, the heteropolyacid is obtained as a commercial product even if the number of elements from the structure represented by the general formula is large or small, or synthesized appropriately according to a known synthesis method. As long as it is one, it can be used in the present invention.

즉, 예를 들면, 일반적으로는, 인텅스텐산은 화학식 H3(PW12O40)·nH2O로, 인몰리브덴산은 화학식 H3(PMo12O40)·nH2O로 각각 표시되지만, 정량 분석에 있어서, 이 식 중의 P(인), O(산소) 또는 W(텅스텐) 혹은 Mo(몰리브덴)의 수가 많은 것, 또는 적은 것이더라도, 그것이 시판품으로서 입수한 것, 또는, 공지의 합성 방법에 따라 적절하게 합성한 것인 한, 본 발명에서 사용할 수 있다. 이 경우, 본 발명에 규정되는 헤테로폴리산의 질량이란 합성물이나 시판품 중에 있어서의 순수한 인텅스텐산의 질량(인텅스텐산 함량)이 아니고, 시판품으로서 입수 가능한 형태 및 공지의 합성법으로 단리 가능한 형태에 있어서, 수화수나 그 밖의 불순물 등을 포함한 상태에서의 전체 질량을 의미한다. That is, for example, in general, phosphotungstic acid is represented by the formula H 3 (PW 12 O 40 )·nH 2 O, and phosphomolybdic acid is represented by the formula H 3 (PMo 12 O 40 )·nH 2 O, respectively, but quantitative In the analysis, even if the number of P (phosphorus), O (oxygen) or W (tungsten) or Mo (molybdenum) in this formula is large or small, it is obtained as a commercial product, or in a known synthesis method. As long as it is appropriately synthesized according to the present invention, it can be used. In this case, the mass of heteropolyacid defined in the present invention is not the mass (phosphotungstic acid content) of pure phosphotungstic acid in a compound or a commercial product, but in a form available as a commercially available product and in a form that can be isolated by a known synthetic method. It means the total mass in the state including water and other impurities.

헤테로폴리산의 사용량은, 질량비로, 전하 수송성 물질 1에 대하여 0.001∼50.0 정도로 할 수 있지만, 바람직하게는 0.01∼20.0 정도, 보다 바람직하게는 0.1∼10.0 정도이다. The amount of the heteropolyacid to be used is, in terms of mass ratio, about 0.001 to 50.0 with respect to the charge-transporting substance 1, but is preferably about 0.01 to 20.0, more preferably about 0.1 to 10.0.

한편, 유기계의 도판트 물질로서는 특히 테트라시아노퀴노디메탄 유도체나 벤조퀴논 유도체를 사용할 수 있다. On the other hand, as an organic dopant material, a tetracyanoquinodimethane derivative or a benzoquinone derivative can be used in particular.

테트라시아노퀴노디메탄 유도체의 구체예로서는 7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(TCNQ)이나, 식 (H3)으로 표시되는 할로테트라시아노퀴노디메탄 등을 들 수 있다. Specific examples of the tetracyanoquinodimethane derivative include 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (TCNQ) and halotetracyanoquinodimethane represented by the formula (H3).

또, 벤조퀴논 유도체의 구체예로서는 테트라플루오로-1,4-벤조퀴논(F4BQ), 테트라클로로-1,4-벤조퀴논(클로라닐), 테트라브로모-1,4-벤조퀴논, 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(DDQ) 등을 들 수 있다. Specific examples of the benzoquinone derivative include tetrafluoro-1,4-benzoquinone (F4BQ), tetrachloro-1,4-benzoquinone (chloranyl), tetrabromo-1,4-benzoquinone, 2,3 -dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (DDQ) etc. are mentioned.

Figure pct00133
Figure pct00133

식 중, R500∼R503은, 각각 독립하여, 수소 원자 또는 할로겐 원자를 나타내지만, 적어도 1개는 할로겐 원자이며, 적어도 2개는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 적어도 3개가 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 모두가 할로겐 원자인 것이 가장 바람직하다. In the formula, R 500 to R 503 each independently represent a hydrogen atom or a halogen atom, but at least one is a halogen atom, preferably at least two are halogen atoms, and more preferably at least three are halogen atoms. and most preferably all are halogen atoms.

할로겐 원자로서는 상기와 같은 것을 들 수 있지만, 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하고, 불소 원자가 보다 바람직하다. Examples of the halogen atom include those described above, but a fluorine atom or a chlorine atom is preferable, and a fluorine atom is more preferable.

이러한 할로테트라시아노퀴노디메탄의 구체예로서는 2-플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 2-클로로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 2,5-디플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 2,5-디클로로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 2,3,5,6-테트라클로로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄, 2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(F4TCNQ) 등을 들 수 있다. Specific examples of such halotetracyanoquinodimethane include 2-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2-chloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane; 2,5-difluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,5-dichloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,3,5, 6-tetrachloro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane, 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (F4TCNQ), etc. can be heard

테트라시아노퀴노디메탄 유도체 및 벤조퀴논 유도체의 사용량은, 전하 수송성 물질에 대하여, 바람직하게는 0.0001∼100당량, 보다 바람직하게는 0.01∼50당량, 더한층 바람직하게는 1∼20당량이다. The amount of the tetracyanoquinodimethane derivative and the benzoquinone derivative to be used is preferably 0.0001 to 100 equivalents, more preferably 0.01 to 50 equivalents, and still more preferably 1 to 20 equivalents based on the charge-transporting substance.

또, 유기계 도판트 물질로서는, 하기 식 (a1)로 표시되는 1가 또는 2가의 음이온과 식 (c1)∼(c5)로 표시되는 상대 양이온으로 이루어지는, 전기적으로 중성인 오늄보레이트염을 사용할 수도 있다. Further, as the organic dopant material, an electrically neutral onium borate salt comprising a monovalent or divalent anion represented by the following formula (a1) and a counter cation represented by the formulas (c1) to (c5) may be used. .

Figure pct00134
Figure pct00134

(식 중, Ar은, 각각 독립하여, 치환기를 가져도 되는 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 치환기를 가져도 되는 탄소수 2∼20의 헤테로아릴기를 나타내고, L은 탄소수 1∼20의 알킬렌기, -NH-, 산소 원자, 유황 원자 또는 -CN+-을 나타낸다.)(Wherein, Ar each independently represents an optionally substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a heteroaryl group having 2 to 20 carbon atoms which may have a substituent, L is an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, - NH-, oxygen atom, sulfur atom or -CN + -)

Figure pct00135
Figure pct00135

식 (a1)에 있어서, 탄소수 1∼20의 알킬렌기로서는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸렌, 메틸메틸렌, 디메틸메틸렌, 에틸렌, 트리메틸렌, 프로필렌, 테트라메틸렌, 펜타메틸렌, 헥사메틸렌기 등을 들 수 있다. 또한, 아릴기, 헤테로아릴기로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. In formula (a1), linear, branched or cyclic any may be sufficient as a C1-C20 alkylene group, As the specific example, methylene, methylmethylene, dimethylmethylene, ethylene, trimethylene, propylene, tetramethylene, penta A methylene group, a hexamethylene group, etc. are mentioned. Moreover, as an aryl group and a heteroaryl group, the thing similar to the above is mentioned.

상기 식 (a1)의 음이온의 적합예로서는, 식 (a2)로 표시되는 것을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. Preferable examples of the anion of the formula (a1) include those represented by the formula (a2), but are not limited thereto.

Figure pct00136
Figure pct00136

오늄보레이트염의 사용량은, 물질량(몰)비로, 전하 수송성 물질에 대하여, 0.1∼10 정도로 할 수 있다. The usage-amount of an onium borate salt can be about 0.1-10 with respect to a charge-transporting substance in a substance amount (mol) ratio.

또한, 상기 오늄보레이트염은, 예를 들면, 일본 특개 2005-314682호 공보 등에 기재된 공지의 방법을 참고로 합성할 수 있다. In addition, the said onium borate salt can be synthesize|combined with reference to the well-known method described in Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-314682 etc., for example.

또, 유기계의 도판트 물질로서 아릴술폰산 화합물이나 아릴술폰산 에스테르 화합물도 적합하게 사용할 수 있다. Moreover, an arylsulfonic acid compound and an arylsulfonic acid ester compound can also be used suitably as an organic dopant substance.

아릴술폰산 화합물의 구체예로서는 벤젠술폰산, 토실산, p-스티렌술폰산, 2-나프탈렌술폰산, 4-히드록시벤젠술폰산, 5-술포살리실산, p-도데실벤젠술폰산, 디헥실벤젠술폰산, 2,5-디헥실벤젠술폰산, 디부틸나프탈렌술폰산, 6,7-디부틸-2-나프탈렌술폰산, 도데실나프탈렌술폰산, 3-도데실-2-나프탈렌술폰산, 헥실나프탈렌술폰산, 4-헥실-1-나프탈렌술폰산, 7-헥실-1-나프탈렌술폰산, 6-헥실-2-나프탈렌술폰산, 옥틸나프탈렌술폰산, 2-옥틸-1-나프탈렌술폰산, 디노닐나프탈렌술폰산, 2,7-디 노닐-4-나프탈렌술폰산, 디노닐나프탈렌디술폰산, 2,7-디노닐-4,5-나프탈렌디술폰산, 국제공개 제2005/000832호 기재의 1,4-벤조디옥산디술폰산 화합물, 국제공개 제2006/025342호 기재의 아릴술폰산 화합물, 국제공개 제2009/096352호 기재의 아릴술폰산 화합물 등을 들 수 있다. Specific examples of the arylsulfonic acid compound include benzenesulfonic acid, tosylic acid, p-styrenesulfonic acid, 2-naphthalenesulfonic acid, 4-hydroxybenzenesulfonic acid, 5-sulfosalicylic acid, p-dodecylbenzenesulfonic acid, dihexylbenzenesulfonic acid, 2,5- Dihexylbenzenesulfonic acid, dibutylnaphthalenesulfonic acid, 6,7-dibutyl-2-naphthalenesulfonic acid, dodecylnaphthalenesulfonic acid, 3-dodecyl-2-naphthalenesulfonic acid, hexylnaphthalenesulfonic acid, 4-hexyl-1-naphthalenesulfonic acid, 7-hexyl-1-naphthalenesulfonic acid, 6-hexyl-2-naphthalenesulfonic acid, octylnaphthalenesulfonic acid, 2-octyl-1-naphthalenesulfonic acid, dinonylnaphthalenesulfonic acid, 2,7-dinonyl-4-naphthalenesulfonic acid, dinonyl Naphthalenedisulfonic acid, 2,7-dinonyl-4,5-naphthalenedisulfonic acid, 1,4-benzodioxanedisulfonic acid compound described in International Publication No. 2005/000832, Arylsulfonic acid described in International Publication No. 2006/025342 The compound, the arylsulfonic acid compound of International Publication No. 2009/096352, etc. are mentioned.

바람직한 아릴술폰산 화합물의 예로서는 식 (H4) 또는 (H5)로 표시되는 아릴술폰산 화합물을 들 수 있다. As an example of a preferable arylsulfonic acid compound, the arylsulfonic acid compound represented by a formula (H4) or (H5) is mentioned.

Figure pct00137
Figure pct00137

A1은 O 또는 S를 나타내지만, O가 바람직하다. A 1 represents O or S, but O is preferred.

A2는 나프탈렌환 또는 안트라센환을 나타내지만, 나프탈렌환이 바람직하다. Although A2 represents a naphthalene ring or an anthracene ring, a naphthalene ring is preferable.

A3은 2∼4가의 퍼플루오로비페닐기를 나타내고, p는 A1과 A3과의 결합 수를 나타내고, 2≤p≤4를 충족시키는 정수이지만, A3이 퍼플루오로비페닐디일기, 바람직하게는 퍼플루오로비페닐-4,4'-디일기이며, 또한, p가 2인 것이 바람직하다. A 3 represents a divalent to tetravalent perfluorobiphenyl group, p represents the number of bonds between A 1 and A 3 and is an integer satisfying 2≤p≤4, but A 3 is a perfluorobiphenyldiyl group, preferably It is preferably a perfluorobiphenyl-4,4'-diyl group, and p is preferably 2.

q는 A2에 결합하는 술폰산기 수를 나타내고, 1≤q≤4를 충족시키는 정수이지만, 2가 최적이다. q represents the number of sulfonic acid groups bonded to A 2 , and is an integer satisfying 1≤q≤4, but 2 is optimal.

A4∼A8은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 또는 탄소수 2∼20의 할로겐화 알케닐기를 나타내지만, A4∼A8 중 적어도 3개는 할로겐 원자이다. A 4 to A 8 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, but A 4 at least 3 of -A 8 are halogen atoms.

탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기로서는 트리플루오로메틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 1,1,2,2,2-펜타플루오로에틸, 3,3,3-트리플루오로프로필, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필, 1,1,2,2,3,3,3-헵타플루오로프로필, 4,4,4-트리플루오로부틸, 3,3,4,4,4-펜타플루오로부틸, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부틸, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-노나플루오로부틸기 등을 들 수 있다. Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include trifluoromethyl, 2,2,2-trifluoroethyl, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl, 3,3,3-trifluoropropyl, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl, 1,1,2,2,3,3,3-heptafluoropropyl, 4,4,4-trifluorobutyl, 3,3,4 ,4,4-pentafluorobutyl, 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutyl, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluoro A butyl group etc. are mentioned.

탄소수 2∼20의 할로겐화 알케닐기로서는 퍼플루오로비닐, 퍼플루오로프로페닐(퍼플루오로알릴), 퍼플루오로부테닐기 등을 들 수 있다. Examples of the halogenated alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms include perfluorovinyl, perfluoropropenyl (perfluoroallyl), and perfluorobutenyl group.

그 밖에, 할로겐 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기의 예로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있지만, 할로겐 원자로서는 불소 원자가 바람직하다. Other examples of the halogen atom and the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include the same ones as described above, but the halogen atom is preferably a fluorine atom.

이것들 중에서도, A4∼A8은 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노기, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기, 또는 탄소수 2∼10의 할로겐화 알케닐기이고, 또한, A4∼A8 중 적어도 3개는 불소 원자인 것이 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 시아노기, 탄소수 1∼5의 알킬기, 탄소수 1∼5의 불화알킬기, 또는 탄소수 2∼5의 불화알케닐기이고, 또한, A4∼A8 중 적어도 3개는 불소 원자인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 시아노기, 탄소수 1∼5의 퍼플루오로알킬기, 또는 탄소수 1∼5의 퍼플루오로알케닐기이고, 또한, A4, A5 및 A8이 불소 원자인 것이 더한층 바람직하다. Among these, A 4 to A 8 is a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, and A 4 to A At least 3 of 8 are preferably a fluorine atom, a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkenyl group having 2 to 5 carbon atoms, and At least three of A 4 to A 8 are more preferably a fluorine atom, a hydrogen atom, a fluorine atom, a cyano group, a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a perfluoroalkenyl group having 1 to 5 carbon atoms, Moreover, it is further more preferable that A4, A5 , and A8 are a fluorine atom.

또한, 퍼플루오로알킬기란 알킬기의 수소 원자 모두가 불소 원자로 치환된 기이며, 퍼플루오로알케닐기란 알케닐기의 수소 원자 모두가 불소 원자로 치환된 기이다. In addition, the perfluoroalkyl group is a group in which all the hydrogen atoms of an alkyl group are substituted with fluorine atoms, and the perfluoroalkenyl group is a group in which all the hydrogen atoms of an alkenyl group are substituted with fluorine atoms.

r은 나프탈렌환에 결합하는 술폰산기 수를 나타내고, 1≤r≤4를 충족시키는 정수이지만, 2∼4가 바람직하고, 2가 최적이다. r represents the number of sulfonic acid groups bonded to the naphthalene ring, and is an integer satisfying 1≤r≤4, but 2 to 4 are preferable and 2 is optimal.

도판트 물질로서 사용하는 아릴술폰산 화합물의 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 발명의 아릴아민 화합물과 함께 사용한 경우에 있어서의 유기 용매에 대한 용해성을 고려하면, 바람직하게는 2000 이하, 보다 바람직하게는 1500 이하이다. The molecular weight of the arylsulfonic acid compound used as the dopant material is not particularly limited, but considering solubility in organic solvents when used together with the arylamine compound of the present invention, it is preferably 2000 or less, more preferably 1500 or less.

이하, 적합한 아릴술폰산 화합물의 구체예를 들지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, although the specific example of a suitable arylsulfonic acid compound is given, it is not limited to these.

Figure pct00138
Figure pct00138

Figure pct00139
Figure pct00139

Figure pct00140
Figure pct00140

아릴술폰산 화합물의 사용량은, 물질량(몰)비로, 전하 수송성 물질 1에 대하여, 바람직하게는 0.01∼20.0 정도, 보다 바람직하게는 0.4∼5.0 정도이다. The amount of the arylsulfonic acid compound used is preferably about 0.01 to 20.0, more preferably about 0.4 to 5.0, relative to the charge-transporting substance 1 in terms of the amount (mol) of the substance.

아릴술폰산 화합물은 시판품을 사용해도 되지만, 국제공개 제2006/025342호, 국제공개 제2009/096352호, 국제공개 제2015/111654호, 국제공개 제2015/053320호, 국제공개 제2015/115515호 등에 기재된 공지의 방법으로 합성할 수도 있다. Commercially available arylsulfonic acid compounds may be used, but International Publication No. 2006/025342, International Publication No. 2009/096352, International Publication No. 2015/111654, International Publication No. 2015/053320, International Publication No. 2015/115515, etc. It can also be synthesize|combined by the described well-known method.

한편, 아릴술폰산 에스테르 화합물로서는 국제공개 제2017/217455호에 개시된 아릴술폰산 에스테르 화합물, 국제공개 제2017/217457호에 개시된 아릴술폰산 에스테르 화합물, 일본 특원 2017-243631(국제공개 제2019/124412호)에 기재된 아릴술폰산 에스테르 화합물 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 하기 식 (H6)∼(H8) 중 어느 하나로 표시되는 것이 바람직하다. On the other hand, as an arylsulfonic acid ester compound, an arylsulfonic acid ester compound disclosed in International Publication No. 2017/217455, an arylsulfonic acid ester compound disclosed in International Publication No. 2017/217457, and Japanese Patent Application No. 2017-243631 (International Publication No. 2019/124412) and the arylsulfonic acid ester compounds described above. Specifically, those represented by any of the following formulas (H6) to (H8) are preferable.

Figure pct00141
Figure pct00141

(식 중, m은 1≤m≤4를 충족시키는 정수이지만, 2가 바람직하다. n은 1≤n≤4를 충족시키는 정수이지만, 2가 바람직하다.)(Wherein, m is an integer satisfying 1≤m≤4, preferably 2. n is an integer satisfying 1≤n≤4, but 2 is preferable.)

식 (H6)에 있어서, A11은 퍼플루오로비페닐로부터 유도되는 m가의 기이다. In the formula (H6), A 11 is an m-valent group derived from perfluorobiphenyl.

A12는 -O- 또는 -S-이지만, -O-가 바람직하다. A 12 is -O- or -S-, but -O- is preferable.

A13은 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 유도되는 (n+1)가의 기이지만, 나프탈렌으로부터 유도되는 기가 바람직하다. A 13 is a (n+1) valent group derived from naphthalene or anthracene, but a group derived from naphthalene is preferred.

Rs1∼Rs4는, 각각 독립하여, 수소 원자, 또는 직쇄상 혹은 분기쇄상의 탄소수 1∼6의 알킬기이며, Rs5는 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 1가 탄화수소기이다. R s1 to R s4 are each independently a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and R s5 is an optionally substituted monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms.

직쇄상 또는 분기쇄상의 탄소수 1∼6알킬기의 구체예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, t-부틸, n-헥실기 등을 들 수 있지만, 탄소수 1∼3의 알킬기가 바람직하다. Specific examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, and n-hexyl group, but having 1 to 3 carbon atoms An alkyl group of

탄소수 2∼20의 1가 탄화수소기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, t-부틸기 등의 알킬기; 페닐, 나프틸, 페난트릴기 등의 아릴기 등을 들 수 있다. The monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms may be any of linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include alkyl groups such as ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl and t-butyl; Aryl groups, such as a phenyl, a naphthyl group, and a phenanthryl group, etc. are mentioned.

특히, Rs1∼Rs4 중, Rs1 또는 Rs3이 탄소수 1∼3의 직쇄 알킬기이고, 나머지가 수소 원자이거나, Rs1이 탄소수 1∼3의 직쇄 알킬기이고, Rs2∼Rs4가 수소 원자인 것이 바람직하다. 이 경우, 탄소수 1∼3의 직쇄 알킬기로서는 메틸기가 바람직하다. In particular, among R s1 to R s4 , R s1 or R s3 is a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, the remainder is a hydrogen atom, or R s1 is a straight chain alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and R s2 to R s4 is a hydrogen atom It is preferable to be In this case, a methyl group is preferable as a C1-C3 linear alkyl group.

또, Rs5로서는 탄소수 2∼4의 직쇄 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다. Moreover, as R <s5> , a C2-C4 linear alkyl group or a phenyl group is preferable.

식 (H7)에 있어서, A14는 치환되어 있어도 되는, 1개 이상의 방향환을 포함하는 탄소수 6∼20의 m가의 탄화수소기이며, 이 탄화수소기는 1개 이상의 방향환을 포함하는 탄소수 6∼20의 탄화수소 화합물로부터 m개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다. In the formula (H7), A 14 is an optionally substituted hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms including one or more aromatic rings, and this hydrocarbon group is a hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms including one or more aromatic rings. It is a group obtained by removing m hydrogen atoms from a hydrocarbon compound.

이러한 탄화수소 화합물로서는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등을 들 수 있다. Examples of such hydrocarbon compounds include benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, biphenyl, naphthalene, anthracene, and phenanthrene.

또한, 상기 탄화수소기는 그 수소 원자의 일부 또는 전부가 또한 치환기로 치환되어 있어도 되고, 이러한 치환기로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 니트로, 시아노, 히드록시, 아미노, 실라놀, 티올, 카르복시, 술폰산 에스테르, 인산, 인산 에스테르, 에스테르, 티오에스테르, 아미드, 오가노옥시, 오가노아미노, 오가노실릴, 오가노티오, 아실, 술포, 1가 탄화수소기 등을 들 수 있다. In the hydrocarbon group, some or all of the hydrogen atoms may be further substituted with a substituent, and examples of such substituents include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, nitro, cyano, hydroxy, amino, silanol, thiol. , carboxy, sulfonic acid ester, phosphoric acid, phosphoric acid ester, ester, thioester, amide, organooxy, organoamino, organosilyl, organothio, acyl, sulfo, monovalent hydrocarbon group and the like.

이것들 중에서도, A14로서는 벤젠, 비페닐 등으로부터 유도되는 기가 바람직하다. Among these, as A 14 , a group derived from benzene, biphenyl, or the like is preferable.

또, A15는 -O- 또는 -S-이지만, -O-가 바람직하다. Moreover, although A 15 is -O- or -S-, -O- is preferable.

A16은 탄소수 6∼20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기이며, 이 방향족 탄화수소기는 탄소수 6∼20의 방향족 탄화수소 화합물의 방향환상에서 (n+1)개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다. A 16 is a C6-C20 (n+1) aromatic hydrocarbon group, and this aromatic hydrocarbon group is a group obtained by removing (n+1) hydrogen atoms from the aromatic ring of a C6-C20 aromatic hydrocarbon compound.

이러한 방향족 탄화수소 화합물로서는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 피렌 등을 들 수 있다. Benzene, toluene, xylene, biphenyl, naphthalene, anthracene, pyrene etc. are mentioned as such an aromatic hydrocarbon compound.

그중에서도, A16으로서는 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 유도되는 기가 바람직하고, 나프탈렌으로부터 유도되는 기가 보다 바람직하다. Among them, as A 16 , a group derived from naphthalene or anthracene is preferable, and a group derived from naphthalene is more preferable.

Rs6 및 Rs7은, 각각 독립하여, 수소 원자, 또는 직쇄상 혹은 분기쇄상의 1가 지방족 탄화수소기이며, Rs8은 직쇄상 또는 분기쇄상의 1가 지방족 탄화수소기이다. 단, Rs6, Rs7 및 Rs8의 탄소수의 합계는 6 이상이다. Rs6, Rs7 및 Rs8의 탄소수의 합계의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 20 이하가 바람직하고, 10 이하가 보다 바람직하다. R s6 and R s7 are each independently a hydrogen atom or a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group, and R s8 is a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group. However, the sum total of carbon number of Rs6 , Rs7 , and Rs8 is 6 or more. Although the upper limit of the sum total of carbon number of Rs6 , Rs7 , and Rs8 is not specifically limited, 20 or less are preferable and 10 or less are more preferable.

상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 1가 지방족 탄화수소기의 구체예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, t-부틸, n-헥실, n-옥틸, 2-에틸헥실, 데실기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기; 비닐, 1-프로페닐, 2-프로페닐, 이소프로페닐, 1-메틸-2-프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 헥세닐기 등의 탄소수 2∼20의 알케닐기 등을 들 수 있다. Specific examples of the linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, t-butyl, n-hexyl, n-octyl, 2-ethylhexyl, C1-C20 alkyl groups, such as a decyl group; Vinyl, 1-propenyl, 2-propenyl, isopropenyl, 1-methyl-2-propenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, hexenyl group having 2 to 20 carbon atoms An alkenyl group etc. are mentioned.

이것들 중에서도, Rs6은 수소 원자가 바람직하고, Rs7 및 Rs8은, 각각 독립하여, 탄소수 1∼6의 알킬기가 바람직하다. Among these, a hydrogen atom is preferable for R s6 , and R s7 and R s8 are each independently and a C1-C6 alkyl group is preferable.

식 (H8)에 있어서, Rs9∼Rs13은, 각각 독립하여, 수소 원자, 니트로기, 시아노기, 할로겐 원자, 탄소수 1∼10의 알킬기, 탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기, 또는 탄소수 2∼10의 할로겐화 알케닐기이다. In formula (H8), R s9 to R s13 are each independently a hydrogen atom, a nitro group, a cyano group, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 2 to 10 carbon atoms. is a halogenated alkenyl group of

탄소수 1∼10의 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상의 어느 것이어도 되고, 그 구체예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, n-펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 시클로헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-노닐, n-데실기 등을 들 수 있다. The alkyl group having 1 to 10 carbon atoms may be any of linear, branched or cyclic, and specific examples thereof include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, n -pentyl, cyclopentyl, n-hexyl, cyclohexyl, n-heptyl, n-octyl, n-nonyl, n-decyl group, etc. are mentioned.

탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기는 상기 탄소수 1∼10의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이면, 특별히 한정되는 것은 아니고, 그 구체예로서는 트리플루오로메틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 1,1,2,2,2-펜타플루오로에틸, 3,3,3-트리플루오로프로필, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필, 1,1,2,2,3,3,3-헵타플루오로프로필, 4,4,4-트리플루오로부틸, 3,3,4,4,4-펜타플루오로부틸, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로부틸, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-노나플루오로부틸기 등을 들 수 있다. The halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is not particularly limited as long as some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms are substituted with halogen atoms, and specific examples thereof include trifluoromethyl, 2,2,2- Trifluoroethyl, 1,1,2,2,2-pentafluoroethyl, 3,3,3-trifluoropropyl, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl, 1,1, 2,2,3,3,3-heptafluoropropyl, 4,4,4-trifluorobutyl, 3,3,4,4,4-pentafluorobutyl, 2,2,3,3,4 ,4,4-heptafluorobutyl, 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutyl group, and the like.

탄소수 2∼10의 할로겐화 알케닐기로서는 탄소수 2∼10의 알케닐기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이면, 특별히 한정되는 것은 아니고, 그 구체예로서는 퍼플루오로비닐, 퍼플루오로-1-프로페닐, 퍼플루오로-2-프로페닐, 퍼플루오로-1-부테닐, 퍼플루오로-2-부테닐, 퍼플루오로-3-부테닐기 등을 들 수 있다. The halogenated alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms is not particularly limited as long as some or all of the hydrogen atoms of the alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms are substituted with halogen atoms, and specific examples thereof include perfluorovinyl, perfluoro-1 -propenyl, perfluoro-2-propenyl, perfluoro-1-butenyl, perfluoro-2-butenyl, perfluoro-3-butenyl group, and the like.

이것들 중에서도, Rs9로서는 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼10의 할로겐화 알킬기, 탄소수 2∼10의 할로겐화 알케닐기가 바람직하고, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼4의 할로겐화 알킬기, 탄소수 2∼4의 할로겐화 알케닐기가 보다 바람직하고, 니트로기, 시아노기, 트리플루오로메틸기, 퍼플루오로프로페닐기가 더한층 바람직하다. Among these, R s9 is preferably a nitro group, a cyano group, a halogenated alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a halogenated alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a nitro group, a cyano group, a halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 2 to 4 carbon atoms. A halogenated alkenyl group of is more preferable, and a nitro group, a cyano group, a trifluoromethyl group and a perfluoropropenyl group are still more preferable.

Rs10∼Rs13으로서는 할로겐 원자가 바람직하고, 불소 원자가 보다 바람직하다. As R s10 to R s13 , a halogen atom is preferable, and a fluorine atom is more preferable.

A17은 -O-, -S- 또는 -NH-이지만, -O-가 바람직하다. A 17 is -O-, -S- or -NH-, but -O- is preferable.

A18은 탄소수 6∼20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기이며, 이 방향족 탄화수소기는 탄소수 6∼20의 방향족 탄화수소 화합물의 방향환 상에서 (n+1)개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 기이다. A 18 is an (n+1) valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, and this aromatic hydrocarbon group is a group obtained by removing (n+1) hydrogen atoms from the aromatic ring of an aromatic hydrocarbon compound having 6 to 20 carbon atoms.

이러한 방향족 탄화수소 화합물로서는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 피렌 등을 들 수 있다. Benzene, toluene, xylene, biphenyl, naphthalene, anthracene, pyrene etc. are mentioned as such an aromatic hydrocarbon compound.

이것들 중에서도, A18로서는 나프탈렌 또는 안트라센으로부터 유도되는 기가 바람직하고, 나프탈렌으로부터 유도되는 기가 보다 바람직하다. Among these, as A 18 , a group derived from naphthalene or anthracene is preferable, and a group derived from naphthalene is more preferable.

Rs14∼Rs17은, 각각 독립하여, 수소 원자, 또는 직쇄상 혹은 분기쇄상의 탄소수 1∼20의 1가 지방족 탄화수소기이다. R s14 to R s17 are each independently a hydrogen atom or a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.

1가 지방족 탄화수소기의 구체예로서는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, s-부틸, t-부틸, n-펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 시클로헥실, n-헵틸, n-옥틸, n-노닐, n-데실, n-운데실, n-도데실기 등의 탄소수 1∼20의 알킬기; 비닐, 1-프로페닐, 2-프로페닐, 이소프로페닐, 1-메틸-2-프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 헥세닐기 등의 탄소수 2∼20의 알케닐기 등을 들 수 있지만, 탄소수 1∼20의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼10의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼8의 알킬기가 더한층 바람직하다. Specific examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon group include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, s-butyl, t-butyl, n-pentyl, cyclopentyl, n-hexyl, cyclohexyl, n- an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as heptyl, n-octyl, n-nonyl, n-decyl, n-undecyl and n-dodecyl; Vinyl, 1-propenyl, 2-propenyl, isopropenyl, 1-methyl-2-propenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, hexenyl group having 2 to 20 carbon atoms Although an alkenyl group etc. are mentioned, A C1-C20 alkyl group is preferable, A C1-C10 alkyl group is more preferable, A C1-C8 alkyl group is still more preferable.

Rs18은 직쇄상 또는 분기쇄상의 탄소수 1∼20의 1가 지방족 탄화수소기, 또는 ORs19이다. Rs19는 치환되어 있어도 되는 탄소수 2∼20의 1가 탄화수소기이다. R s18 is a linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or OR s19 . R s19 is an optionally substituted monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms.

Rs18의 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼20의 1가 지방족 탄화수소기로서는 상기와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the linear or branched monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for R s18 include the same ones as described above.

Rs18이 1가 지방족 탄화수소기인 경우, Rs18은 탄소수 1∼20의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1∼10의 알킬기가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼8의 알킬기가 더한층 바람직하다. When R s18 is a monovalent aliphatic hydrocarbon group, R s18 is preferably an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, even more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms.

Rs19의 탄소수 2∼20의 1가 탄화수소기로서는 전술한 1가 지방족 탄화수소기 중 메틸기 이외의 것 외에, 페닐, 나프틸, 페난트릴기 등의 아릴기 등을 들 수 있다. Examples of the monovalent hydrocarbon group having 2 to 20 carbon atoms for R s19 include aryl groups such as phenyl, naphthyl and phenanthryl groups other than the methyl group among the monovalent aliphatic hydrocarbon groups described above.

이것들 중에서도, Rs19는 탄소수 2∼4의 직쇄 알킬기 또는 페닐기가 바람직하다. Among these, R s19 is preferably a linear alkyl group having 2 to 4 carbon atoms or a phenyl group.

또한, 상기 1가 탄화수소기가 가지고 있어도 되는 치환기로서는 불소 원자, 탄소수 1∼4의 알콕시기, 니트로기, 시아노기 등을 들 수 있다. Moreover, as a substituent which the said monovalent|monohydric hydrocarbon group may have, a fluorine atom, a C1-C4 alkoxy group, a nitro group, a cyano group, etc. are mentioned.

적합한 아릴술폰산 에스테르 화합물의 구체예로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. Although those shown below are mentioned as a specific example of a suitable arylsulfonic acid ester compound, It is not limited to these.

Figure pct00142
Figure pct00142

Figure pct00143
Figure pct00143

Figure pct00144
Figure pct00144

아릴술폰산 에스테르 화합물의 사용량은, 물질량(몰)비로, 전하 수송성 물질 1에 대하여, 바람직하게는 0.01∼20정도, 보다 바람직하게는 0.05∼10 정도이다. The amount of the arylsulfonic acid ester compound to be used is preferably about 0.01 to 20, more preferably about 0.05 to 10, relative to the charge-transporting substance 1 in terms of the amount (mol) of the substance.

아릴술폰산 에스테르 화합물은 시판품을 사용해도 되지만, 국제공개 제2017/217455호, 국제공개 제2017/217457호, 국제공개 제2019/124412호 등에 기재된 공지의 방법으로 합성할 수도 있다. The arylsulfonic acid ester compound may be a commercially available product, but may also be synthesized by a known method described in International Publication Nos. 2017/217455, 2017/217457, and International Publication No. 2019/124412.

본 발명에서는, 투명성이 우수하고, 고굴절률의 전하 수송성 박막을 제작하는 것을 고려하면, 도판트 물질로서 아릴술폰산 화합물, 아릴술폰산 에스테르 화합물을 사용하는 것이 바람직하고, 용매에 대한 용해성이나, 소쇠 계수가 보다 작은 박막을 얻는 것을 고려하면, 아릴술폰산 에스테르 화합물을 사용하는 것이 보다 바람직하다. In the present invention, it is preferable to use an arylsulfonic acid compound or an arylsulfonic acid ester compound as a dopant material in consideration of producing a charge-transporting thin film having excellent transparency and high refractive index, and solubility in a solvent and extinction coefficient Considering obtaining a smaller thin film, it is more preferable to use an arylsulfonic acid ester compound.

또한, 얻어지는 박막을 유기 EL 소자의 정공 주입층으로서 사용하는 경우, 정공 수송층에 대한 주입성의 향상, 소자의 수명 특성 등의 개선을 목적으로, 상기 전하 수송성 바니시는 유기 실란 화합물을 포함하고 있어도 된다. 그 함유량은, 전하 수송성 물질 및 도판트 물질의 합계 질량에 대하여, 통상 1∼30질량% 정도이다. In addition, when the thin film obtained is used as a hole injection layer of an organic EL device, the charge transporting varnish may contain an organosilane compound for the purpose of improving the injection property into the hole transport layer and the lifetime characteristics of the device. The content is usually about 1 to 30 mass% with respect to the total mass of the charge-transporting substance and the dopant substance.

본 발명의 전하 수송성 바니시를 조제할 때에 사용되는 유기 용매로서는 본 발명의 아릴아민 화합물을 양호하게 용해할 수 있는 고극성 용매를 사용할 수 있다. 본 발명의 아릴아민 화합물은, 용매의 극성을 불문하고, 용매 중에 용해되는 것이 가능하다. 또, 필요에 따라, 고극성 용매보다도 프로세스 적합성이 우수한 점에서 저극성 용매를 사용해도 된다. 본 발명에 있어서, 저극성 용매란 주파수 100kHz에서의 비유전율이 7 미만인 것을, 고극성 용매란 주파수 100kHz에서의 비유전율이 7 이상인 것으로 정의한다. As an organic solvent used when preparing the charge-transporting varnish of this invention, the highly polar solvent which can melt|dissolve the arylamine compound of this invention favorably can be used. The arylamine compound of the present invention can be dissolved in a solvent regardless of the polarity of the solvent. Moreover, you may use a low-polarity solvent at the point which is excellent in process suitability rather than a high-polarity solvent as needed. In the present invention, the low-polarity solvent is defined as having a relative permittivity of less than 7 at a frequency of 100 kHz, and the high-polarity solvent is defined as having a relative permittivity of 7 or more at a frequency of 100 kHz.

저극성 용매로서는, 예를 들면, As a low-polarity solvent, for example,

클로로포름, 클로로벤젠 등의 염소계 용매; chlorine-based solvents such as chloroform and chlorobenzene;

톨루엔, 크실렌, 테트랄린, 시클로헥실벤젠, 데실벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, tetralin, cyclohexylbenzene, and decylbenzene;

1-옥탄올, 1-노난올, 1-데칸올 등의 지방족 알코올계 용매; aliphatic alcohol solvents such as 1-octanol, 1-nonanol, and 1-decanol;

테트라히드로푸란, 디옥산, 아니솔, 4-메톡시톨루엔, 3-페녹시톨루엔, 디벤질에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르 등의 에테르계 용매; Tetrahydrofuran, dioxane, anisole, 4-methoxytoluene, 3-phenoxytoluene, dibenzyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol butyl methyl ether solvents such as ether;

벤조산 메틸, 벤조산 에틸, 벤조산 부틸, 벤조산 이소아밀, 프탈산 비스(2-에틸헥실), 말레산 디부틸, 옥살산 디부틸, 아세트산 헥실, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등의 에스테르계 용매 등을 들 수 있다. Methyl benzoate, ethyl benzoate, butyl benzoate, isoamyl benzoate, bis(2-ethylhexyl) phthalate, dibutyl maleate, dibutyl oxalate, hexyl acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, etc. of ester solvents.

또, 고극성 용매로서는, 예를 들면, Moreover, as a highly polar solvent, for example,

N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸이소부틸아미드, N-메틸피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 등의 아미드계 용매; amide solvents such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylisobutylamide, N-methylpyrrolidone, and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone;

에틸메틸케톤, 이소포론, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매; ketone solvents such as ethyl methyl ketone, isophorone and cyclohexanone;

아세토니트릴, 3-메톡시프로피오니트릴 등의 시아노계 용매; cyano solvents such as acetonitrile and 3-methoxypropionitrile;

에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 1,3-부탄디올, 2,3-부탄디올 등의 다가 알코올계 용매; polyhydric alcohol solvents such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, dipropylene glycol, 1,3-butanediol, and 2,3-butanediol;

디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노페닐에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 벤질알코올, 2-페녹시에탄올, 2-벤질옥시에탄올, 3-페녹시벤질알코올, 테트라히드로푸르푸릴알코올 등의 지방족 알코올 이외의 1가 알코올계 용매; Diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monophenyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, benzyl alcohol, 2-phenoxyethanol, 2-benzyloxyethanol, 3-phenoxybenzyl alcohol, monohydric alcohol solvents other than aliphatic alcohols such as tetrahydrofurfuryl alcohol;

디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매Sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide

등을 들 수 있다. and the like.

전하 수송성 바니시의 점도는 제작하는 박막의 두께 등이나 고형분 농도에 따라 적당하게 정해지는 것이지만, 통상, 25℃에서 1∼50mPa·s이다. 또한, 본 발명에 있어서, 고형분이란 본 발명의 전하 수송성 바니시에 포함되는 용매 이외의 성분을 의미한다. Although the viscosity of a charge-transporting varnish is suitably determined according to the thickness of the thin film to produce, and solid content concentration, it is 1-50 mPa*s at 25 degreeC normally. In addition, in this invention, solid content means components other than the solvent contained in the charge-transporting varnish of this invention.

또, 전하 수송성 바니시의 고형분 농도는 바니시의 점도 및 표면장력 등이나, 제작하는 박막의 두께 등을 감안하여 적당하게 설정되는 것이지만, 통상, 0.1∼20.0질량% 정도이며, 바니시의 도포성을 향상시키는 것을 고려하면, 바람직하게는 0.5∼10.0질량% 정도, 보다 바람직하게는 1.0∼5.0질량% 정도이다. In addition, the solid content concentration of the charge-transporting varnish is appropriately set in consideration of the viscosity and surface tension of the varnish, the thickness of the thin film to be produced, etc. Considering this, Preferably it is about 0.5-10.0 mass %, More preferably, it is about 1.0-5.0 mass %.

전하 수송성 바니시의 조제법으로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 본 발명의 아릴아민 화합물을 포함하는 전하 수송성 물질 등의 고형분 모두를 유기 용매에 한 번에 용해시키는 수법이나, 고형분의 일부를 유기 용매에 용해시키고, 그 후에 나머지 고형분을 용해시키는 수법 등을 들 수 있다. Although it does not specifically limit as a preparation method of a charge-transporting varnish, For example, a method of dissolving all solid content, such as a charge-transporting substance containing the arylamine compound of this invention, in an organic solvent at once, and a part of solid content in an organic solvent and the method of dissolving the remaining solid content after that, etc. are mentioned.

특히, 전하 수송성 바니시의 조제 시, 보다 평탄성이 높은 박막을 재현성 좋게 얻는 관점에서, 전하 수송성 물질, 도판트 물질 등을 유기 용매에 용해시킨 후, 서브마이크로미터 크기의 필터 등을 사용하여 여과하는 것이 바람직하다. In particular, when preparing a charge-transporting varnish, from the viewpoint of obtaining a thin film with a higher flatness with good reproducibility, it is recommended to dissolve a charge-transporting material, a dopant material, etc. in an organic solvent, and then filter it using a sub-micrometer-sized filter or the like. desirable.

이상에서 설명한 전하 수송성 바니시는 이것을 사용함으로써 용이하게 전하 수송성 박막을 제조할 수 있으므로, 전자 소자, 특히 유기 EL 소자를 제조할 때에 적합하게 사용할 수 있다. Since the charge-transporting varnish demonstrated above can manufacture a charge-transporting thin film easily by using this, when manufacturing an electronic element, especially an organic electroluminescent element, it can be used suitably.

이 경우, 전하 수송성 박막은 상기한 전하 수송성 바니시를 기재 위에 도포하고 소성하여 형성할 수 있다. In this case, the charge-transporting thin film may be formed by applying the above-described charge-transporting varnish on a substrate and firing.

바니시의 도포 방법으로서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 디핑법, 스핀 코팅법, 전사인쇄법, 롤 코팅법, 브러시 코팅, 잉크젯법, 스프레이법, 슬릿 코팅법 등을 들 수 있고, 도포 방법에 따라 바니시의 점도 및 표면장력을 조절하는 것이 바람직하다. The method for applying the varnish is not particularly limited, and examples thereof include a dipping method, a spin coating method, a transfer printing method, a roll coating method, a brush coating method, an inkjet method, a spray method, a slit coating method, and the like. It is desirable to control the viscosity and surface tension.

또, 도포 후의 전하 수송성 바니시의 소성 분위기도 특별히 한정되는 것은 아니고, 대기 분위기뿐만 아니라, 질소 등의 불활성 가스나 진공 중에서도 균일한 성막면 및 높은 전하 수송성을 가지는 박막을 얻을 수 있지만, 사용하는 도판트 물질의 종류에 따라서는, 바니시를 대기 분위기하에서 소성함으로써, 보다 높은 전하 수송성을 가지는 박막이 재현성 좋게 얻어지는 경우가 있다. In addition, the firing atmosphere of the charge-transporting varnish after application is not particularly limited, and a thin film having a uniform film-forming surface and high charge-transporting properties can be obtained not only in an atmospheric atmosphere but also in an inert gas such as nitrogen or in a vacuum. Depending on the type of substance, a thin film having higher charge transport properties may be obtained with good reproducibility by firing the varnish in an atmospheric atmosphere.

소성 온도는 얻어지는 박막의 용도, 얻어지는 박막에 부여하는 전하 수송성의 정도, 용매의 종류나 비점 등을 감안하여, 100∼260℃ 정도의 범위 내에서 적당하게 설정되고, 얻어지는 박막을 유기 EL 소자의 정공 주입층으로서 사용하는 경우, 140∼250℃ 정도가 바람직하고, 145∼240℃ 정도가 보다 바람직하지만, 본 발명의 아릴아민 화합물을 전하 수송성 물질로서 사용하는 경우, 200℃ 이하라고 하는 저온 소성에서도, 양호한 전하 수송성을 가지는 박막을 형성할 수 있다. The firing temperature is appropriately set within the range of about 100 to 260° C. in consideration of the purpose of the resulting thin film, the degree of charge transport properties imparted to the resulting thin film, the kind and boiling point of the solvent, and the like, and the resulting thin film is subjected to the hole hole in the organic EL device. When used as an injection layer, the temperature is preferably about 140 to 250 ° C, and more preferably about 145 to 240 ° C. However, when the arylamine compound of the present invention is used as a charge-transporting material, even in low-temperature calcination of 200 ° C. or less, A thin film having good charge transport properties can be formed.

또한, 소성 시, 보다 높은 균일 성막성을 발현시키거나, 기재상에서 반응을 진행시키거나 할 목적으로, 2단계 이상의 온도 변화를 주어도 되고, 가열은, 예를 들면, 핫플레이트나 오븐 등, 적당한 기기를 사용하여 행하면 된다. In addition, at the time of baking, for the purpose of expressing higher uniformity of film formation or advancing a reaction on a base material, you may give two or more steps of temperature change, and heating is suitable apparatus, such as a hotplate and oven, for example. This can be done using

전하 수송성 박막의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 유기 EL 소자의 정공 주입층, 정공 수송층 또는 정공 주입 수송층으로서 사용하는 경우, 5∼300nm가 바람직하다. 막 두께를 변화시키는 방법으로서는 바니시 중의 고형분 농도를 변화시키거나, 도포 시의 기판상의 용액량(바니시량)을 변화시키거나 하는 등의 방법이 있다. Although the film thickness of a charge-transporting thin film is not specifically limited, When using as a hole injection layer, a hole transport layer, or a hole injection and transport layer of an organic electroluminescent element, 5-300 nm is preferable. As a method of changing a film thickness, there exist methods, such as changing the solid content concentration in a varnish, and changing the amount of solution (varnish amount) on the board|substrate at the time of application|coating.

이상에서 설명한 본 발명의 전하 수송성 박막은, 400∼800nm의 파장 영역의 평균값에서, 통상, 1.60 이상의 굴절률(n)과 0.100 이하의 소쇠 계수(k)를 나타내지만, 어떤 태양에서는 1.65 이상의 굴절률을, 그 밖의 어떤 태양에서는 1.70 이상의 굴절률을 나타내고, 또, 어떤 태양에서는 0.050 이하의 소쇠 계수를, 그 밖의 어떤 태양에서는 0.010 이하의 소쇠 계수를 나타낸다. The charge-transporting thin film of the present invention described above usually exhibits a refractive index (n) of 1.60 or more and an extinction coefficient (k) of 0.100 or less at an average value of a wavelength region of 400 to 800 nm, but in some embodiments, a refractive index of 1.65 or more, In some other aspect, a refractive index of 1.70 or more is shown, and in some aspect, it shows an extinction coefficient of 0.050 or less, and in some other aspect, it shows an extinction coefficient of 0.010 or less.

상기 전하 수송성 박막을 유기 EL 소자에 적용하는 경우, 유기 EL 소자를 구성하는 한 쌍의 전극 사이에, 상술의 전하 수송성 박막을 갖추는 구성으로 할 수 있다. When the charge-transporting thin film is applied to an organic EL device, the above-described charge-transporting thin film can be provided between a pair of electrodes constituting the organic EL device.

유기 EL 소자의 대표적인 구성으로서는 이하 (a)∼(f)를 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 하기 구성에 있어서, 필요에 따라, 발광층과 양극의 사이에 전자 블록층 등을, 발광층과 음극의 사이에 홀(정공)블록층 등을 설치할 수도 있다. 또, 정공 주입층, 정공 수송층 혹은 정공 주입 수송층이 전자 블록층 등으로서의 기능을 겸비하고 있어도 되고, 전자 주입층, 전자 수송층 혹은 전자 주입 수송층이 홀(정공) 블록층 등으로서의 기능을 겸비하고 있어도 된다. 또한, 필요에 따라 각 층의 사이에 임의의 기능층을 설치하는 것도 가능하다. Although the following (a)-(f) is mentioned as a typical structure of organic electroluminescent element, It is not limited to these. In addition, in the following configuration, if necessary, an electron blocking layer or the like may be provided between the light emitting layer and the anode, and a hole (hole) blocking layer or the like may be provided between the light emitting layer and the cathode. Further, the hole injection layer, the hole transport layer or the hole injection transport layer may have a function as an electron blocking layer or the like, and the electron injection layer, the electron transport layer or the electron injection transport layer may have a function as a hole (hole) blocking layer or the like . Moreover, it is also possible to provide arbitrary functional layers between each layer as needed.

(a) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(a) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(b) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입 수송층/음극(b) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron injection transport layer/cathode

(c) 양극/정공 주입 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극(c) anode/hole injection transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode

(d) 양극/정공 주입 수송층/발광층/전자 주입 수송층/음극(d) anode/hole injection transport layer/light emitting layer/electron injection transport layer/cathode

(e) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/음극(e) anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/cathode

(f) 양극/정공 주입 수송층/발광층/음극(f) anode/hole injection transport layer/light emitting layer/cathode

「정공 주입층」, 「정공 수송층」 및 「정공 주입 수송층」이란 발광층과 양극의 사이에 형성되는 층으로서, 정공을 양극으로부터 발광층으로 수송하는 기능을 가지는 것이며, 발광층과 양극의 사이에, 정공 수송성 재료의 층이 1층만 설치되는 경우, 그것이 「정공 주입 수송층」이고, 발광층과 양극의 사이에, 정공 수송성 재료의 층이 2층 이상 설치되는 경우, 양극에 가까운 층이 「정공 주입층」이고, 그 이외의 층이 「정공 수송층」이다. 특히, 정공 주입(수송)층은 양극으로부터의 정공 수용성뿐만 아니라, 정공 수송(발광)층에 대한 정공 주입성도 우수한 박막이 사용된다. "Hole injection layer", "hole transport layer", and "hole injection transport layer" are layers formed between the light emitting layer and the anode, and have a function of transporting holes from the anode to the light emitting layer, and between the light emitting layer and the anode, hole transportability When only one layer of material is provided, it is a "hole injection transport layer", and when two or more layers of hole transport material are provided between the light emitting layer and the anode, the layer close to the anode is a "hole injection layer", A layer other than that is a "hole transport layer." In particular, as the hole injection (transport) layer, a thin film excellent not only in accepting holes from the anode but also in hole injection to the hole transporting (light emitting) layer is used.

「전자 주입층」, 「전자 수송층」 및 「전자 주입 수송층」이란 발광층과 음극의 사이에 형성되는 층으로서, 전자를 음극으로부터 발광층으로 수송하는 기능을 가지는 것이며, 발광층과 음극의 사이에, 전자 수송성 재료의 층이 1층만 설치되는 경우, 그것이 「전자 주입 수송층」이고, 발광층과 음극의 사이에, 전자 수송성 재료의 층이 2층 이상 설치되는 경우, 음극에 가까운 층이 「전자 주입층」이고, 그 이외의 층이 「전자 수송층」이다. "Electron injection layer", "electron transport layer", and "electron injection transport layer" are layers formed between the light emitting layer and the cathode, and have a function of transporting electrons from the cathode to the light emitting layer, and between the light emitting layer and the cathode, electron transport properties When only one layer of material is provided, it is an "electron injection transport layer", and when two or more layers of an electron transport material are provided between the light emitting layer and the cathode, the layer close to the cathode is an "electron injection layer", A layer other than that is an "electron transport layer".

「발광층」이란 발광 기능을 가지는 유기층으로서, 도핑 시스템을 채용하는 경우, 호스트 재료와 도판트 재료를 포함하고 있다. 이때, 호스트 재료는 주로 전자와 정공의 재결합을 촉진하고, 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 가지며, 도판트 재료는 재결합에서 얻어진 여기자를 효율적으로 발광시키는 기능을 가진다. 인광 소자의 경우, 호스트 재료는 주로 도판트에서 생성된 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 가진다. A "light-emitting layer" is an organic layer having a light-emitting function, and contains a host material and a dopant material when a doping system is employed. In this case, the host material mainly promotes recombination of electrons and holes and has a function of confining excitons in the light emitting layer, and the dopant material has a function of efficiently emitting excitons obtained from recombination. In the case of a phosphorescent device, the host material mainly has a function of confining excitons generated from the dopant in the light emitting layer.

본 발명의 전하 수송성 바니시로부터 제작된 전하 수송성 박막은 유기 EL 소자의 양극과 발광층의 사이에 설치되는 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 수송층 등의 기능층으로서 사용할 수 있지만, 전술한 바와 같이, 통상, 도포법에 의해 그 상층이 형성되는 정공 주입층으로서 적합하다. The charge-transporting thin film produced from the charge-transporting varnish of the present invention can be used as a functional layer, such as a hole injection layer, a hole transport layer, a hole injection and transport layer, provided between the anode and the light emitting layer of the organic EL device. , suitable as a hole injection layer in which the upper layer is formed by a coating method.

본 발명의 전하 수송성 바니시를 사용하여 유기 EL 소자를 제작하는 경우의 사용 재료나, 제작 방법으로서는 하기와 같은 것을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다. Although the following are mentioned as a material used in the case of producing an organic electroluminescent element using the charge-transporting varnish of this invention, and a manufacturing method, It is not limited to these.

상기 전하 수송성 바니시로부터 얻어지는 박막으로 이루어지는 정공 주입층을 가지는 OLED 소자의 제작 방법의 일례는 이하와 같다. 또한, 전극은, 전극에 악영향을 주지 않는 범위에서, 알코올, 순수 등에 의한 세정이나, UV 오존 처리, 산소-플라즈마 처리 등에 의한 표면 처리를 미리 행하는 것이 바람직하다. An example of the manufacturing method of the OLED element which has a hole injection layer which consists of a thin film obtained from the said charge-transporting varnish is as follows. In addition, it is preferable that the electrode is previously cleaned with alcohol, pure water, etc., or surface-treated by UV ozone treatment, oxygen-plasma treatment, or the like within a range that does not adversely affect the electrode.

양극 기판 위에, 상기의 방법에 의해, 상기 전하 수송성 바니시를 사용하여 정공 주입층을 형성한다. 이것을 진공 증착 장치 내에 도입하고, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층/홀 블록층, 전자 주입층, 음극 금속을 차례로 증착한다. 또는, 당해 방법에 있어서 증착으로 정공 수송층과 발광층을 형성하는 대신에, 정공 수송성 고분자를 포함하는 정공 수송층 형성용 조성물과 발광성 고분자를 포함하는 발광층 형성용 조성물을 사용하여 웨트 프로세스에 의해 이들의 층을 형성한다. 또한, 필요에 따라, 발광층과 정공 수송층의 사이에 전자 블록층을 설치해도 된다. On the anode substrate, a hole injection layer is formed by the above method using the charge transporting varnish. This is introduced into a vacuum vapor deposition apparatus, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer/hole block layer, an electron injection layer, and a cathode metal are sequentially deposited. Alternatively, in this method, instead of forming the hole transport layer and the light emitting layer by vapor deposition, a composition for forming a hole transport layer comprising a hole transport polymer and a composition for forming a light emitting layer comprising a light emitting polymer are used to form these layers by a wet process to form Moreover, you may provide an electron blocking layer between a light emitting layer and a positive hole transport layer as needed.

양극 재료로서는 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)로 대표되는 투명 전극이나, 알루미늄으로 대표되는 금속, 또는 이것들의 합금 등으로 구성되는 금속 양극을 들 수 있고, 평탄화 처리를 행한 것이 바람직하다. 고전하 수송성을 가지는 폴리티오펜 유도체나 폴리아닐린 유도체를 사용할 수도 있다. Examples of the anode material include a transparent electrode typified by indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), and a metal anode made of a metal typified by aluminum, or an alloy thereof. do. Polythiophene derivatives or polyaniline derivatives having high charge transport properties can also be used.

또한, 금속 양극을 구성하는 그 밖의 금속으로서는 금, 은, 구리, 인듐이나 이들의 합금 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다. Moreover, although gold, silver, copper, indium, these alloys, etc. are mentioned as another metal which comprises a metal anode, it is not limited to these.

정공 수송층을 형성하는 재료로서는 (트리페닐아민)다이머 유도체, [(트리페닐아민)다이머]스피로다이머, N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘(α-NPD), 4,4',4''-트리스[3-메틸페닐(페닐)아미노]트리페닐아민(m-MTDATA), 4,4',4''-트리스[1-나프틸(페닐)아미노]트리페닐아민(1-TNATA) 등의 트리아릴아민류, 5,5''-비스-{4-[비스(4-메틸페닐)아미노]페닐}-2,2':5',2''-터티오펜(BMA-3T) 등의 올리고티오펜류 등을 들 수 있다. As a material for forming the hole transport layer, (triphenylamine) dimer derivative, [(triphenylamine) dimer] spirodimer, N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)- Benzidine (α-NPD), 4,4',4''-tris[3-methylphenyl(phenyl)amino]triphenylamine (m-MTDATA), 4,4',4''-tris[1-naphthyl triarylamines such as (phenyl)amino]triphenylamine (1-TNATA), 5,5''-bis-{4-[bis(4-methylphenyl)amino]phenyl}-2,2':5'; Oligothiophenes, such as 2''-terthiophene (BMA-3T), etc. are mentioned.

발광층을 형성하는 재료로서는 8-히드록시퀴놀린의 알루미늄 착체 등의 금속 착체, 10-히드록시벤조[h]퀴놀린의 금속 착체, 비스스티릴벤젠 유도체, 비스스티릴아릴렌 유도체, (2-히드록시페닐)벤조티아졸의 금속 착체, 실롤 유도체 등의 저분자 발광 재료; 폴리(p-페닐렌비닐렌), 폴리[2-메톡시-5-(2-에틸헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌], 폴리(3-알킬티오펜), 폴리비닐카르바졸 등의 고분자 화합물에 발광 재료와 전자 이동 재료를 혼합한 계 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. Examples of the material for forming the light emitting layer include a metal complex such as an aluminum complex of 8-hydroxyquinoline, a metal complex of 10-hydroxybenzo[h]quinoline, a bisstyrylbenzene derivative, a bisstyrylarylene derivative, (2-hydroxy low molecular weight light emitting materials such as metal complexes of phenyl) benzothiazole and silol derivatives; Poly(p-phenylenevinylene), poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene], poly(3-alkylthiophene), polyvinylcar Although the system etc. which mixed the light emitting material and the electron transfer material with high molecular compounds, such as basol, are mentioned, It is not limited to these.

또, 증착으로 발광층을 형성하는 경우, 발광성 도판트와 공증착해도 되고, 발광성 도판트로서는 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III)(Ir(ppy)3) 등의 금속 착체나, 루브렌 등의 나프타센 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 페릴렌 등의 축합 다환 방향족 환 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. Moreover, when forming a light emitting layer by vapor deposition, you may co-evaporate with a light emitting dopant, As a light emitting dopant, metal complexes, such as tris (2-phenylpyridine) iridium (III) (Ir(ppy) 3 ), rubrene, etc. Condensed polycyclic aromatic rings, such as a naphthacene derivative of, a quinacridone derivative, and perylene, etc. are mentioned, However, It is not limited to these.

전자 수송층/홀 블록층을 형성하는 재료로서는 옥시디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 페닐퀴녹실린 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 피리미딘 유도체 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. Examples of the material for forming the electron transport layer/hole blocking layer include, but are not limited to, oxydiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, phenylquinoxyline derivatives, benzimidazole derivatives, and pyrimidine derivatives.

전자 주입층을 형성하는 재료로서는 산화리튬(Li2O), 산화마그네슘(MgO), 알루미나(Al2O3) 등의 금속 산화물, 불화리튬(LiF), 불화나트륨(NaF) 등의 금속 불화물 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. Examples of the material for forming the electron injection layer include metal oxides such as lithium oxide (Li 2 O), magnesium oxide (MgO), and alumina (Al 2 O 3 ), and metal fluorides such as lithium fluoride (LiF) and sodium fluoride (NaF). , but is not limited thereto.

음극 재료로서는 알루미늄, 마그네슘-은 합금, 알루미늄-리튬 합금 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. Examples of the negative electrode material include, but are not limited to, aluminum, magnesium-silver alloy, and aluminum-lithium alloy.

전자 블록층을 형성하는 재료로서는 트리스(페닐피라졸)이리듐 등을 들 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다. Examples of the material for forming the electron blocking layer include, but are not limited to, tris(phenylpyrazole)iridium.

정공 수송성 고분자로서는 폴리[(9,9-디헥실플루오레닐-2,7-디일)-co-(N,N'-비스{p-부틸페닐}-1,4-디아미노페닐렌)], 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일)-co-(N,N'-비스{p-부틸페닐}-1,1'-비페닐렌-4,4-디아민)], 폴리[(9,9-비스{1'-펜텐-5'-일}플루오레닐-2,7-디일)-co-(N,N'-비스{p-부틸페닐}-1,4-디아미노페닐렌)], 폴리[N,N'-비스(4-부틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘]-앤드 캡드 위드 폴리실세스퀴옥산, 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일)-co-(4,4'-(N-(p-부틸페닐))디페닐아민)] 등을 들 수 있다. As the hole-transporting polymer, poly[(9,9-dihexylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,4-diaminophenylene)] , poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}-1,1'-biphenylene-4,4- diamine)], poly[(9,9-bis{1'-penten-5'-yl}fluorenyl-2,7-diyl)-co-(N,N'-bis{p-butylphenyl}- 1,4-diaminophenylene)], poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine]-and capped with polysilsesquioxane, poly[ (9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(p-butylphenyl))diphenylamine)] etc. are mentioned.

발광성 고분자로서는 폴리(9,9-디알킬플루오렌)(PDAF) 등의 폴리플루오렌 유도체, 폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸헥속시)-1,4-페닐렌비닐렌)(MEH-PPV) 등의 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리(3-알킬티오펜)(PAT) 등의 폴리티오펜 유도체, 폴리비닐카르바졸(PVCz) 등을 들 수 있다. Examples of the luminescent polymer include polyfluorene derivatives such as poly(9,9-dialkylfluorene) (PDAF), poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexoxy)-1,4-phenylenevinylene, etc. ) polyphenylenevinylene derivatives such as (MEH-PPV), polythiophene derivatives such as poly(3-alkylthiophene) (PAT), and polyvinylcarbazole (PVCz).

본 발명의 전하 수송성 바니시로부터 얻어지는 전하 수송성 박막은 유기 EL 소자의 양극과 발광층의 사이에 설치되는 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 수송층 등의 기능층으로서 사용할 수 있지만, 그 밖에도 유기 광전 변환 소자, 유기 박막 태양전지, 유기 페로브스카이트 광전 변환 소자, 유기 집적 회로, 유기 전계효과 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 트랜지스터, 유기 광학 검사기, 유기 광수용기, 유기 전장 소광 소자, 발광 전자 화학전지, 양자닷 발광 다이오드, 양자 레이저, 유기 레이저 다이오드 및 유기 플라즈몬 발광 소자 등의 전자 소자에 있어서의 전하 수송성 박막으로서도 사용할 수 있다. The charge-transporting thin film obtained from the charge-transporting varnish of the present invention can be used as a functional layer such as a hole injection layer, a hole transport layer, and a hole injection and transport layer provided between the anode and the light emitting layer of an organic EL device. Organic thin film solar cell, organic perovskite photoelectric conversion element, organic integrated circuit, organic field effect transistor, organic thin film transistor, organic light emitting transistor, organic optical tester, organic photoreceptor, organic electric field quenching element, light emitting electrochemical cell, quantum It can also be used as a charge-transporting thin film in electronic devices, such as a dot light emitting diode, a quantum laser, an organic laser diode, and an organic plasmon light emitting device.

실시예Example

이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 사용한 장치 및 시약은 이하와 같다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to the following Examples. In addition, the apparatus and reagent used are as follows.

[장치][Device]

(1) MALDI-TOF-MS: 브루커사제, autoflex III smartbeam(1) MALDI-TOF-MS: manufactured by Bruker, autoflex III smartbeam

(2) 1H-NMR: JEOL(주)제 JNM-ECP300 FT NMRSYSTEM(2) 1 H-NMR: JNM-ECP300 FT NMRSYSTEM manufactured by JEOL Co., Ltd.

(3) 기판 세정: 쵸슈산교(주)제 기판 세정 장치(감압 플라즈마 방식)(3) Substrate cleaning: Choshu Sangyo Co., Ltd. substrate cleaning apparatus (pressure-reduced plasma method)

(4) 바니시의 도포: 미카사(주)제 스핀 코터 MS-A100(4) Varnish application: Mikasa Co., Ltd. spin coater MS-A100

(5) 막 두께 측정: (주)코사카켄큐쇼제 미세 형상 측정기 서프 코다 ET-4000(5) Film thickness measurement: Kosaka Kenkyusho Co., Ltd. micro-shape measuring instrument Surf Corda ET-4000

(6) 소자의 제작: 쵸슈산교(주)제 다기능 증착 장치 시스템 C-E2L1G1-N(6) Fabrication of element: Choshu Sangyo Co., Ltd. multi-function vapor deposition system system C-E2L1G1-N

(7) 소자의 전류 밀도와 휘도의 측정: (주)이에이치씨제 다채널 IVL 측정 장치(7) Measurement of device current density and luminance: Multi-channel IVL measuring device manufactured by EHC Co., Ltd.

(8) EL 소자의 수명 측정(휘도 반감기 측정): (주)이에이치씨제 유기 EL 휘도 수명 평가 시스템 PEL-105S(8) Lifetime measurement of EL element (luminance half-life measurement): EHC Co., Ltd. organic EL luminance lifetime evaluation system PEL-105S

(9) 굴절률(n) 및 소쇠 계수(k)의 측정: 제이에이울람 재팬제 다입사각 분광 엘립소미터 VASE(9) Measurement of refractive index (n) and extinction coefficient (k): Multi-incident angle spectroscopic ellipsometer VASE manufactured by J.A. Ulam Japan

[시약][reagent]

RuPhos Aldrich사제RuPhos Aldrich company

t-BuXPhos Aldrich사제t-BuXPhos made by Aldrich

t-Bu3PHBF4 후지필름와코케미칼(주)제t-Bu 3 PHBF 4 Fujifilm Wako Chemical Co., Ltd.

요오드화구리(I) 후지필름와코케미칼(주)제Copper (I) iodide manufactured by FUJIFILM Wako Chemical Co., Ltd.

에틸렌디아민 후지필름와코케미칼(주)제Ethylenediamine manufactured by Fujifilm Wako Chemical Co., Ltd.

Pd(DBA)2 토쿄카세이고교(주)제Pd(DBA) 2 manufactured by Tokyo Kasei High School Co., Ltd.

Pd(OAc)2 토쿄카세이고교(주)제Pd(OAc) 2 manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

Pd[P(C6H5)3)]4 토쿄카세이고교(주)제Pd[P(C 6 H 5 ) 3 )] 4 manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

Pd(dppf)Cl2 토쿄카세이고교(주)제Pd(dppf)Cl 2 manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

3-브로모-9-페닐카르바졸 토쿄카세이고교(주)제3-Bromo-9-phenylcarbazole manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

3-브로모카르바졸 토쿄카세이고교(주)제3-Bromocarbazole Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd. product

4-요오도톨루엔 토쿄카세이고교(주)제4-iodotoluene manufactured by Tokyo Kasei High School Co., Ltd.

4-요오도아니솔 토쿄카세이고교(주)제4-Iodo anisole manufactured by Tokyo Kase High School Co., Ltd.

18-크라운-6 토쿄카세이고교(주)제18-Crown-6 Tokyo Kasei High School Co., Ltd.

비스(피나콜레이토)디보론 토쿄카세이고교(주)제Bis (Pina Collaito) Diboron Tokyo Kasei High School Co., Ltd.

3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 토쿄카세이고교(주)제3,3',5,5'-tetramethylbenzidine manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.

리튬헥사메틸디실라지드(LHMDS) 1.3mol/L 테트라히드로푸란 용액 토쿄카세이고교(주)제Lithium hexamethyldisilazide (LHMDS) 1.3 mol/L tetrahydrofuran solution manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

2-브로모-7-요오도플루오렌 토쿄카세이고교(주)제2-Bromo-7-iodofluorene manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

벤질트리에틸암모늄클로라이드 토쿄카세이고교(주)제Benzyltriethylammonium chloride manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

3-니트로아닐린 토쿄카세이고교(주)제3-Nitroaniline manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

1-브로모-3-니트로벤젠 토쿄카세이고교(주)제1-Bromo-3-nitrobenzene manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

염화수소(약 1mol/L아세트산 에틸 용액) 토쿄카세이고교(주)제Hydrogen chloride (about 1 mol/L ethyl acetate solution) manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

4,4'-디아미노디페닐아민 토쿄카세이고교(주)제4,4'-diaminodiphenylamine manufactured by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.

t-BuONa 토쿄카세이고교(주)제t-BuONa Tokyo Kasei High School Co., Ltd.

(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)보론산 토쿄카세이고교(주)제(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) boronic acid manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.

1,4-디옥산 칸토카구쿠(주)제1,4-dioxane manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.

2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 칸토카구쿠(주)제2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.

비스(4-아미노페닐)술폰 칸토카구쿠(주)제Bis(4-aminophenyl)sulfone manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.

1,4-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)벤젠 칸토카구쿠(주)제1,4-bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)benzene manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.

실리카겔N60 칸토카구쿠(주)제Silica gel N60 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.

디메틸술폭시드 쥰세이카가쿠(주)제Dimethyl sulfoxide Junsei Chemicals Co., Ltd.

요오도메탄 쥰세이카가쿠(주)제Iodomethane Junseikagaku Co., Ltd. product

탄산칼륨 쥰세이카가쿠(주)제Potassium carbonate Junseikagaku Co., Ltd. product

아세트산 칼륨 토쿄카세이고교(주)제Potassium acetate Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd. product

톨루엔 쥰세이카가쿠(주)제Toluene Junseikagaku Co., Ltd. product

테트라히드로푸란 쥰세이카가쿠(주)제Tetrahydrofuran Junsei Chemicals Co., Ltd.

아세트산 에틸 쥰세이카가쿠(주)제Ethyl acetate Junse Chemicals Co., Ltd. product

메탄올 쥰세이카가쿠사제Methanol Jun Sei Chemicals Co., Ltd.

헥산 쥰세이카가쿠(주)제Hexane Jun Sei Chemicals Co., Ltd. product

m-톨리딘 와카야마세이카고교(주)제m-tollidine manufactured by Wakayama Seika High School Co., Ltd.

N,N'-비스(4-아미노페닐)테레프탈아미드 와카야마세이카고교(주)제N,N'-bis(4-aminophenyl)terephthalamide manufactured by Wakayama Seika Kogyo Co., Ltd.

Pd/C CGS-10DR[H2O]=54.40% N.E. 켐캣사제Pd/C CGS-10DR[H2O]=54.40% N.E. Made by Chemcat

3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 Beijing aglaia technology development co., ltd제3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole manufactured by Beijing aglaia technology development co., ltd

[1] 화합물의 합성[1] Synthesis of compounds

[제조예 1-1][Production Example 1-1]

Figure pct00145
Figure pct00145

100mL의 반응 플라스크에, 2-브로모-7-요오도플루오렌 30mmol(11.1g) 및 벤질트리에틸암모늄클로라이드 3mmol(683.3mg)을 칭량하여 넣은 후, 디메틸술폭시드 60mL를 가하고, 질소 치환하면서 10분간 교반했다. In a 100 mL reaction flask, 30 mmol (11.1 g) of 2-bromo-7-iodofluorene and 3 mmol (683.3 mg) of benzyltriethylammonium chloride were weighed and placed, and then 60 mL of dimethyl sulfoxide was added, followed by nitrogen substitution for 10 stirred for minutes.

거기에, 별도 조제한 수산화나트륨 50질량% 수용액 14g을 가하고 나서 10분간 교반한 후, 요오도메탄 72.5mmol(10.3g)을 적하하고, 실온에서 밤새 교반했다. 또한, 도중, 플라스크 내의 용액을 미량 채취하고, 액체 크로마토그래피를 사용하여 반응을 추적했다. 원료에 귀속할 수 있는 피크의 면적의 감소에 따라 목적물에 귀속할 수 있는 피크의 면적이 증가했다. 그때, 부생성물에 대응하는 것과 같은 두드러진 피크는 확인되지 않았다. After adding 14 g of the 50 mass % sodium hydroxide aqueous solution prepared separately there and stirring for 10 minutes, 72.5 mmol (10.3 g) of iodomethane was dripped and it stirred at room temperature overnight. In addition, a trace amount of the solution in the flask was taken along the way, and the reaction was tracked using liquid chromatography. As the area of the peak attributable to the raw material decreased, the area of the peak attributable to the target increased. At that time, no prominent peaks such as those corresponding to by-products were identified.

얻어진 반응 혼합물을 메탄올과 물의 혼합 용매(3/1(v/v)) 800mL에 가하여, 석출한 고체를 멤브레인 필터로 여과 분리했다. The obtained reaction mixture was added to 800 mL of a mixed solvent of methanol and water (3/1 (v/v)), and the precipitated solid was separated by filtration with a membrane filter.

최후에, 회수한 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 2-브로모-7-요오도-9,9-디메틸-9H-플루오렌 6.26g(78.4%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중DMSO)을 도 1에 나타낸다. Finally, the recovered solid was dried under reduced pressure at 60°C to obtain 6.26 g (78.4%) of 2-bromo-7-iodo-9,9-dimethyl-9H-fluorene. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy DMSO) of the obtained compound is shown in FIG.

[제조예 1-2][Production Example 1-2]

Figure pct00146
Figure pct00146

200mL의 2구 플라스크에, 3-브로모카르바졸 20mmol(4.93g), 4-요오도톨루엔 44mmol(9.61g), 요오드화구리(I) 16mmol(3.05g), 탄산세슘 50mmol(16.3g), 톨루엔 100mL를 가하고, 질소 기류하, 실온에서 5분간 교반한 후, 거기에 에틸렌디아민 30mmol(1.82g) 가하고, 가열 환류하, 밤새 교반했다. In a 200 mL two-neck flask, 3-bromocarbazole 20 mmol (4.93 g), 4-iodotoluene 44 mmol (9.61 g), copper (I) 16 mmol (3.05 g), cesium carbonate 50 mmol (16.3 g), toluene 100 mL was added, and after stirring at room temperature for 5 minutes under nitrogen stream, 30 mmol (1.82 g) of ethylenediamine was added there, and it stirred under heating and refluxing overnight.

얻어진 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 불용물을 셀라이트 여과에 의해 제거하고, 얻어진 여과액을 농축하고, 농축물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하고, 3-브로모-9-(4-톨릴)카르바졸 2.84g(42.2%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 2∼4에 나타낸다. After the obtained reaction mixture was cooled to room temperature, insoluble matter was removed by celite filtration, the obtained filtrate was concentrated, the concentrate was purified by column chromatography, and 3-bromo-9-(4-tolyl) 2.84 g (42.2%) of carbazole was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 2 to 4 .

[제조예 1-3][Production Example 1-3]

Figure pct00147
Figure pct00147

4-요오도톨루엔 44mmol 대신에 4-요오도아니솔 88mmol(20.6g)을 사용하고, 그 밖의 시약의 사용 당량을 2배로 한 이외는, 제조예 1-2와 동일한 방법으로 반응 및 정제를 행하여, 3-브로모-9-(4-메톡시페닐)카르바졸 11.1g(78.7%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼을 도 5 및 6에 나타낸다. Reaction and purification were performed in the same manner as in Preparation Example 1-2, except that 88 mmol (20.6 g) of 4-iodoanisole was used instead of 44 mmol of 4-iodotoluene, and the equivalents of other reagents were doubled. , to obtain 11.1 g (78.7%) of 3-bromo-9-(4-methoxyphenyl)carbazole. 1 H-NMR spectrum of the obtained compound is shown in FIGS. 5 and 6 .

[제조예 1-4][Production Example 1-4]

Figure pct00148
Figure pct00148

200mL의 2구 플라스크에, 3-브로모카르바졸 60mmol(14.76g), 요오드화구리(I) 4.5mmol(0.86g), 탄산칼륨 63mmol(8.71g), 18-크라운-6 61.5mmol(16.2g)을 가하고, 플라스크 내를 질소 치환한 후, 거기에 N,N-디메틸아세트아미드 100mL를 가하고, 실온에서 10분간 교반했다. 그 후, 160℃까지 승온하고, 2시간 교반한 후, 2-요오도티오펜 63mmol(13.23g)을 가하고, 70시간 더 교반했다. In a 200 mL two-neck flask, 3-bromocarbazole 60 mmol (14.76 g), copper (I) iodide 4.5 mmol (0.86 g), potassium carbonate 63 mmol (8.71 g), 18-crown-6 61.5 mmol (16.2 g) was added and the inside of the flask was purged with nitrogen, and then 100 mL of N,N-dimethylacetamide was added thereto, followed by stirring at room temperature for 10 minutes. Then, after heating up to 160 degreeC and stirring for 2 hours, 63 mmol (13.23 g) of 2-iodothiophene was added, and it stirred for further 70 hours.

반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 불용물을 셀라이트 여과에 의해 제거하고, 얻어진 여과액을 농축하고, 농축물을 컬럼 크로마토그래피(전개 용매: n-헥산/아세트산 에틸=100/0→95/5)로 정제하여, 3-브로모-9-(티오펜-2-일)카르바졸 5.80g(29.5%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 7 및 8에 나타낸다. After the reaction mixture was cooled to room temperature, insoluble matter was removed by celite filtration, the resulting filtrate was concentrated, and the concentrate was subjected to column chromatography (developing solvent: n-hexane/ethyl acetate = 100/0→95/ 5) to obtain 5.80 g (29.5%) of 3-bromo-9-(thiophen-2-yl)carbazole. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 7 and 8 .

[제조예 1-5][Production Example 1-5]

Figure pct00149
Figure pct00149

3-브로모카르바졸 대신에 2-브로모카르바졸 60mmol(14.76g)을 사용한 이외는, 제조예 1-4와 동일한 방법으로 반응 및 정제를 행하여, 2-브로모-9-(티오펜-2-일)카르바졸 7.36g(37.2%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 9 및 10에 나타낸다. Reaction and purification were carried out in the same manner as in Production Example 1-4 except that 60 mmol (14.76 g) of 2-bromocarbazole was used instead of 3-bromocarbazole, and 2-bromo-9- (thiophene- 2-yl) carbazole 7.36 g (37.2%) was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 9 and 10 .

[제조예 1-6][Production Example 1-6]

Figure pct00150
Figure pct00150

100mL의 반응 플라스크에, 3-브로모-9-(p-톨릴)카르바졸 5mmol(1.68g), 비스(피나콜레이토)디보론 5.05mmol(1.28g), 아세트산 칼륨 15mmol(1.47g), Pd(dppf)Cl2 0.15mmol(0.125g), N,N-디메틸포름아미드 50mL를 가하고, 10분간, 실온에서 교반하면서 질소 치환한 후, 90℃까지 승온하고, 밤새 더 교반했다. In a 100 mL reaction flask, 3-bromo-9- (p-tolyl) carbazole 5 mmol (1.68 g), bis (pinacolato) diboron 5.05 mmol (1.28 g), potassium acetate 15 mmol (1.47 g), Pd (dppf)Cl 2 0.15 mmol (0.125 g) and 50 mL of N,N-dimethylformamide were added, and after nitrogen substitution for 10 minutes while stirring at room temperature, the temperature was raised to 90° C., and the mixture was further stirred overnight.

반응 혼합물과, 물 75mL와, 염화메틸렌 75mL를 혼합하여 추출을 행하고, 유기층을 회수했다. 회수한 유기층을 황산 마그네슘으로 건조하고, 여과에 의해 황산 마그네슘을 제거했다. 얻어진 여과액을 농축하고, 농축물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하여, 9-(p-톨릴)카르바졸-3-보론산 피나콜레이토 1.42g(74.3%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 11 및 12에 나타낸다. The reaction mixture, 75 mL of water, and 75 mL of methylene chloride were mixed, extraction was performed, and the organic layer was collect|recovered. The collected organic layer was dried over magnesium sulfate, and magnesium sulfate was removed by filtration. The resulting filtrate was concentrated, and the concentrate was purified by column chromatography to obtain 1.42 g (74.3%) of 9-(p-tolyl)carbazole-3-boronic acid pinacolaito. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 11 and 12 .

[제조예 1-7][Production Example 1-7]

Figure pct00151
Figure pct00151

3-브로모-9-(p-톨릴)카르바졸 5mmol 대신에 3-브로모-9-(p-메톡시페닐)카르바졸 10mmol(3.522g)을 사용하고, 그 밖의 시약의 사용 당량을 2배로 한 이외는, 제조예 1-6과 동일한 방법으로 반응 및 정제를 행하여, 9-(p-메톡시페닐)카르바졸-3-보론산 피나콜레이토 1.53g(38.3%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 13 및 14에 나타낸다. Instead of 5 mmol of 3-bromo-9-(p-tolyl)carbazole, 10 mmol (3.522 g) of 3-bromo-9-(p-methoxyphenyl)carbazole was used, and the equivalent used for other reagents was 2 The reaction and purification were carried out in the same manner as in Production Example 1-6, except that it was doubled to obtain 1.53 g (38.3%) of 9-(p-methoxyphenyl)carbazole-3-boronic acid pinacolato. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 13 and 14 .

[제조예 1-8][Production Example 1-8]

Figure pct00152
Figure pct00152

3-브로모-9-(p-톨릴)카르바졸 5mmol 대신에 3-브로모-9-(티오펜-2-일)카르바졸 15mmol(4.92g)을 사용하고, 그 밖의 시약의 사용 당량을 3배로 한 이외는, 제조예 1-6과 동일한 방법으로 반응 및 정제를 행하여, 9-(티오펜-2-일)카르바졸-3-보론산 피나콜레이토 2.53g(44.9%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 15 및 16에 나타낸다. 15 mmol (4.92 g) of 3-bromo-9-(thiophen-2-yl)carbazole was used instead of 5 mmol of 3-bromo-9-(p-tolyl)carbazole, and the equivalent used for other reagents was The reaction and purification were carried out in the same manner as in Production Example 1-6, except that it was tripled, to obtain 2.53 g (44.9%) of pinacolato 9-(thiophen-2-yl)carbazole-3-boronic acid. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 15 and 16 .

[제조예 1-9][Production Example 1-9]

Figure pct00153
Figure pct00153

3-브로모-9-(p-톨릴)카르바졸 대신에 2-브로모-9-(티오펜-2-일)카르바졸 5mmol(1.64g)을 사용한 이외는, 제조예 1-6과 동일한 방법으로 반응 및 정제를 행하여, 9-(티오펜-2-일)카르바졸-2-보론산 피나콜레이토 1.26g(67.2%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 17 및 18에 나타낸다. The same as in Preparation Example 1-6, except that 5 mmol (1.64 g) of 2-bromo-9-(thiophen-2-yl)carbazole was used instead of 3-bromo-9-(p-tolyl)carbazole. The reaction and purification were carried out according to the above method to obtain 1.26 g (67.2%) of 9-(thiophen-2-yl)carbazole-2-boronic acid pinacolato. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 17 and 18 .

[제조예 2-1][Production Example 2-1]

Figure pct00154
Figure pct00154

100mL의 반응 플라스크에, (9-페닐-9H-카르바졸-3-일)보론산 5mmol(1.44g), 2-브로모-7-요오도-9,9-디메틸-9H-플루오렌 5.25mmol(2.95g), 수산화나트륨 15mmol(600mg), 테트라히드로푸란과 물의 혼합 용매(2/1(v/v)) 75mL 및 Pd[P(C6H5)3)]4 0.15mmol(173.5mg)을 넣고, 질소 치환하면서 실온에서 10분간 교반한 후, 60℃에서 5시간 교반했다. 또한, 도중, 플라스크 내의 용액을 미량 채취하고, 액체 크로마토그래피를 사용하여 반응을 추적했다. 원료에 귀속할 수 있는 피크의 면적의 감소에 따라 목적물에 귀속할 수 있는 피크의 면적이 증가했다. 그때, 부생성물에 대응하는 것과 같은 두드러진 피크는 확인되지 않았다. In a 100 mL reaction flask, (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) boronic acid 5 mmol (1.44 g), 2-bromo-7-iodo-9,9-dimethyl-9H-fluorene 5.25 mmol (2.95 g), sodium hydroxide 15 mmol (600 mg), tetrahydrofuran and water mixed solvent (2/1 (v/v)) 75 mL and Pd[P(C 6 H 5 ) 3 )] 4 0.15 mmol (173.5 mg) was added and stirred at room temperature for 10 minutes while purging with nitrogen, followed by stirring at 60° C. for 5 hours. In addition, a trace amount of the solution in the flask was taken along the way, and the reaction was tracked using liquid chromatography. As the area of the peak attributable to the raw material decreased, the area of the peak attributable to the target increased. At that time, no prominent peaks such as those corresponding to by-products were identified.

얻어진 반응 혼합물을 메탄올과 물의 혼합 용매(3/1(v/v)) 400mL에 가하고, 석출한 고체를 멤브레인 필터로 여과 분리하고, 여과 분리한 고체를 60℃에서 감압 건조했다. The obtained reaction mixture was added to 400 mL of a mixed solvent of methanol and water (3/1 (v/v)), the precipitated solid was filtered off with a membrane filter, and the filtered solid was dried under reduced pressure at 60°C.

또한, 건조한 고체를 테트라히드로푸란 20mL에 용해시키고, 얻어진 용액을 n-헥산 200mL에 가하고, 석출한 고체를 멤브레인 필터로 여과 분리하고, 여과 분리한 고체를 60℃에서 감압 건조했다. Further, the dried solid was dissolved in 20 mL of tetrahydrofuran, the resulting solution was added to 200 mL of n-hexane, the precipitated solid was filtered off with a membrane filter, and the filtered solid was dried under reduced pressure at 60°C.

최후에, 건조한 고체를 테트라히드로푸란 20mL에 용해시키고, 얻어진 용액을 메탄올과 물의 혼합 용매(3/1(v/v)) 200mL에 가하고, 석출한 고체를 멤브레인 필터로 여과 분리했다. 얻어진 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 1.28g(49.8%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 19에 나타낸다. Finally, the dried solid was dissolved in 20 mL of tetrahydrofuran, and the resulting solution was added to 200 mL of a mixed solvent of methanol and water (3/1 (v/v)), and the precipitated solid was separated by filtration with a membrane filter. The obtained solid was dried under reduced pressure at 60°C to obtain 1.28 g (49.8%) of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole. . 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 19 .

[제조예 2-2][Production Example 2-2]

Figure pct00155
Figure pct00155

100mL의 반응 플라스크에, 9-(p-톨릴)카르바졸-3-보론산 피나콜레이토 2.5mmol(0.958g), 2-브로모-7-요오도-9,9-디메틸-9H-플루오렌 2.63mmol(1.05g), 수산화나트륨 7.5mmol(300mg), 테트라히드로푸란과 물의 혼합 용매(2/1(v/v)) 37.5mL 및 Pd[P(C6H5)3)]4 0.075mmol(86.7mg)을 넣고, 질소 치환하면서 실온에서 10분간 교반한 후, 60℃에서 밤새 교반했다. In a 100 mL reaction flask, 9-(p-tolyl) carbazole-3-boronic acid pinacolato 2.5 mmol (0.958 g), 2-bromo-7-iodo-9,9-dimethyl-9H-fluorene 2.63 mmol (1.05 g), sodium hydroxide 7.5 mmol (300 mg), 37.5 mL of a mixed solvent of tetrahydrofuran and water (2/1 (v/v)) and Pd[P(C 6 H 5 ) 3 )] 4 0.075 mmol (86.7 mg) was added, followed by stirring at room temperature for 10 minutes while purging with nitrogen, followed by stirring at 60°C overnight.

얻어진 반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 수층을 제거했다. 얻어진 유기층을 메탄올과 물의 혼합 용매(3/1(v/v))에 적하하고, 석출한 고체를 멤브레인 필터로 여과 분리하고, 여과 분리한 고체를 60℃에서 감압 건조했다. After the obtained reaction mixture was cooled to room temperature, the aqueous layer was removed. The obtained organic layer was added dropwise to a mixed solvent of methanol and water (3/1 (v/v)), the precipitated solid was filtered off with a membrane filter, and the filtered solid was dried under reduced pressure at 60°C.

또한, 건조한 고체를 테트라히드로푸란 20mL에 용해시키고, 얻어진 용액을 n-헥산 200mL에 가하고, 석출한 고체를 멤브레인 필터로 여과 분리하고, 여과 분리한 고체를 60℃에서 감압 건조했다. 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(p-톨릴)-9H-카르바졸 1.10g(83.3%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 20 및 21에 나타낸다. Further, the dried solid was dissolved in 20 mL of tetrahydrofuran, the resulting solution was added to 200 mL of n-hexane, the precipitated solid was filtered off with a membrane filter, and the filtered solid was dried under reduced pressure at 60°C. 1.10 g (83.3%) of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-(p-tolyl)-9H-carbazole was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 20 and 21 .

[제조예 2-3][Production Example 2-3]

Figure pct00156
Figure pct00156

9-(p-톨릴)카르바졸-3-보론산 피나콜레이토 대신에, 9-(p-메톡시페닐)카르바졸-3-보론산 피나콜레이토 15mmol(5.99g)을 사용하고, 그 밖의 시약의 사용 당량을 6배로 한 이외는, 제조예 2-2와 동일한 방법으로 반응 및 정제를 행하고, 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(p-메톡시페닐)-9H-카르바졸 5.80g(70.4%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 22에 나타낸다. Instead of 9-(p-tolyl) carbazole-3-boronic acid pinacolato, 15 mmol (5.99 g) of 9-(p-methoxyphenyl) carbazole-3-boronic acid pinacolato was used, and other The reaction and purification were carried out in the same manner as in Production Example 2-2, except that the equivalent used of the reagent was increased to 6, and 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)- 5.80 g (70.4%) of 9-(p-methoxyphenyl)-9H-carbazole was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 22 .

[제조예 2-4][Production Example 2-4]

Figure pct00157
Figure pct00157

9-(p-톨릴)카르바졸-3-보론산 피나콜레이토 대신에, 9-(티오펜-2-일)카르바졸-3-보론산 피나콜레이토 5mmol(1.79g)을 사용하고, 그 밖의 시약의 사용 당량을 2배로 한 이외는, 제조예 2-2와 동일한 방법으로 반응 및 정제를 행하여, 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(티오펜-2-일)-9H-카르바졸 1.86g(76.8%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼을 도 23 및 24(측정 용매: 중THF)에 나타낸다. 5 mmol (1.79 g) of 9-(thiophen-2-yl) carbazole-3-boronic acid pinacolato was used instead of 9-(p-tolyl) carbazole-3-boronic acid pinacolato, and the The reaction and purification were carried out in the same manner as in Production Example 2-2, except that the equivalent used of the external reagent was doubled, and 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) 1.86 g (76.8%) of -9-(thiophen-2-yl)-9H-carbazole was obtained. 1 H-NMR spectra of the obtained compound are shown in FIGS. 23 and 24 (measurement solvent: heavy THF).

[제조예 2-5][Production Example 2-5]

Figure pct00158
Figure pct00158

9-(p-톨릴)카르바졸-3-보론산 피나콜레이토 대신에, 9-(티오펜-2-일)카르바졸-2-보론산 피나콜레이토 5mmol(1.88g)을 사용하고, 그 밖의 시약의 사용 당량을 2배로 한 이외는, 제조예 2-2와 동일한 방법으로 반응 및 정제를 행하여, 2-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(티오펜-2-일)-9H-카르바졸 2.0g(77.7%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼을 도 25 및 26(측정 용매: 중THF)에 나타낸다. Instead of 9-(p-tolyl) carbazole-3-boronic acid pinacolato, 5 mmol (1.88 g) of 9-(thiophen-2-yl)carbazole-2-boronic acid pinacolato was used, and the The reaction and purification were carried out in the same manner as in Production Example 2-2, except that the equivalent used of the external reagent was doubled, and 2-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl) 2.0 g (77.7%) of -9-(thiophen-2-yl)-9H-carbazole was obtained. 1 H-NMR spectra of the obtained compound are shown in FIGS. 25 and 26 (measurement solvent: heavy THF).

[제조예 3][Production Example 3]

Figure pct00159
Figure pct00159

환류탑을 부착한 1000mL의 반응 플라스크에, Pd(DBA)2 5mmol(2.88g), t-BuXPhos 10mmol(4.25g), 탄산칼륨 300mmol(41.46g), 3-니트로아닐린 100mmol(13.82g), 1-브로모-3-니트로벤젠 110mmol(22.22g), 톨루엔 1000mL를 넣고 플라스크 내를 질소 치환한 후, 80℃의 욕 중에서 밤새 교반했다. 또한, 도중, 플라스크 내의 용액을 미량 채취하고, 액체 크로마토그래피를 사용하여 반응을 추적했다. 원료에 귀속할 수 있는 피크의 면적의 감소에 따라 목적물에 귀속할 수 있는 피크의 면적이 증가했다. 그때, 부생성물에 대응하는 것과 같은 두드러진 피크는 확인되지 않았다. In a 1000 mL reaction flask equipped with a reflux tower, Pd (DBA) 2 5 mmol (2.88 g), t-BuXPhos 10 mmol (4.25 g), potassium carbonate 300 mmol (41.46 g), 3-nitroaniline 100 mmol (13.82 g), 1 -Bromo-3-nitrobenzene 110mmol (22.22g) and toluene 1000mL were put, the inside of a flask was nitrogen-substituted, and it stirred overnight in an 80 degreeC bath. In addition, a trace amount of the solution in the flask was taken along the way, and the reaction was tracked using liquid chromatography. As the area of the peak attributable to the raw material decreased, the area of the peak attributable to the target increased. At that time, no prominent peaks such as those corresponding to by-products were identified.

반응액을 실온까지 냉각하고, 실리카겔 N60 200g을 채운 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 무게가 100g이 될 때까지 농축하고, 농축물을 톨루엔 1000mL에 적하하여 생긴 고체를 여과 분리했다. 얻어진 고체를 건조하여, 비스(3-니트로페닐)아민 24.1g을 얻었다(수율 93.1%). The reaction solution was cooled to room temperature, filtered through a filter filled with 200 g of silica gel N60, and the resulting filtrate was concentrated to a weight of 100 g, the concentrate was added dropwise to 1000 mL of toluene, and the resulting solid was separated by filtration. The obtained solid was dried to obtain 24.1 g of bis(3-nitrophenyl)amine (yield 93.1%).

[제조예 4][Production Example 4]

Figure pct00160
Figure pct00160

환류탑을 부착한 300mL의 반응 플라스크에, 비스(3-니트로페닐)아민 77.15mmol(20g)과 Pd/CCGS-10DR[H2O]=54.40% 2g을 칭량하여 넣고 플라스크 내를 수소 치환했다. 거기에 테트라히드로푸란 200mL를 가한 후, 50℃에서 밤새 교반했다. 혼합물을 실온까지 냉각하고, 셀라이트 200g을 채운 여과기로 여과하고, 여과액으로부터 감압하에서 용매를 증류 제거했다. 잔류물을 소량 채취하고 1H-NMR을 사용하여 3,3'-디아미노디페닐아민의 생성을 확인한 후, 잔류물에 테트라히드로푸란 100g을 가하고, 얻어진 용액을 빙욕에서 0℃까지 냉각하고, 온도가 안정된 것을 확인한 후, 염화수소 용액(약 1mol/L의 아세트산 에틸 용액) 50mL를 가하고, 석출한 고체를 여과 분리했다. 얻어진 고체를 건조하여, 3,3'-디아미노디페닐아민이염산염 19.8g(99.0%)을 얻었다. In a 300 mL reaction flask equipped with a reflux column, 77.15 mmol (20 g) of bis(3-nitrophenyl)amine and 2 g of Pd/CCGS-10DR[H2O]=54.40% were weighed and placed, and the inside of the flask was replaced with hydrogen. After adding 200 mL of tetrahydrofuran thereto, the mixture was stirred at 50°C overnight. The mixture was cooled to room temperature, filtered through a filter loaded with 200 g of Celite, and the solvent was distilled off from the filtrate under reduced pressure. After taking a small amount of the residue and confirming the production of 3,3'-diaminodiphenylamine using 1 H-NMR, 100 g of tetrahydrofuran was added to the residue, and the resulting solution was cooled to 0 ° C. in an ice bath; After confirming that the temperature was stable, 50 mL of a hydrogen chloride solution (about 1 mol/L ethyl acetate solution) was added, and the precipitated solid was separated by filtration. The obtained solid was dried to obtain 19.8 g (99.0%) of 3,3'-diaminodiphenylamine dihydrochloride.

[실시예 1-1][Example 1-1]

Figure pct00161
Figure pct00161

환류탑을 부착한 30mL의 반응 플라스크에, Pd(DBA)2 0.1mmol(57.6mg), RuPhos 0.15mmol(70.0mg), 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 0.5mmol(120.2mg), 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 2.1mmol(1080.4mg)을 칭량하여 넣고, 계 속을 질소 치환했다. In a 30 mL reaction flask equipped with a reflux column, Pd(DBA) 2 0.1 mmol (57.6 mg), RuPhos 0.15 mmol (70.0 mg), 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine 0.5 mmol (120.2 mg) , 2.1 mmol (1080.4 mg) of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole (1080.4 mg) was weighed, followed by nitrogen substitution. .

거기에 디옥산 10mL를 가하고, 실온에서 5분간 교반하고, 이어서 LHMDS 1.3mol/L 테트라히드로푸란 용액 1.69mL(LHMDS 2.2mmol 상당)를 가하고, 실온에서 5분간 교반한 후, 110℃의 욕 중에서 8시간 가열 교반했다(내부 온도 92℃). 또한, 도중, 플라스크 내의 용액을 미량 채취하고, 액체 크로마토그래피를 사용하여 반응을 추적했다. 원료에 귀속할 수 있는 피크의 면적의 감소에 따라 목적물에 귀속할 수 있는 피크의 면적이 증가했다. 그때, 부생성물에 대응하는 것과 같은 두드러진 피크는 확인되지 않았다. 10 mL of dioxane was added thereto, stirred at room temperature for 5 minutes, then 1.69 mL of a 1.3 mol/L LHMDS solution in tetrahydrofuran (equivalent to 2.2 mmol of LHMDS) was added, stirred at room temperature for 5 minutes, and then 8 in a 110°C bath It heated and stirred for hours (internal temperature 92 degreeC). In addition, a trace amount of the solution in the flask was taken along the way, and the reaction was tracked using liquid chromatography. As the area of the peak attributable to the raw material decreased, the area of the peak attributable to the target increased. At that time, no prominent peaks such as those corresponding to by-products were identified.

반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 냉각한 반응 혼합물을 포화 염화암모늄 수용액 50mL, 아세트산 에틸과 테트라히드로푸란의 혼합 용매(2/1(v/v)) 50mL와 함께 분액 깔대기에 넣어 추출을 행하고, 분액 깔대기에 유기층을 남기고, 수층을 회수했다. 포화 식염수 50mL를 분액 깔대기에 넣고 남은 유기층을 세정하고, 수층, 유기층을 각각 회수했다. 그리고, 회수한 모든 수층을 합하여 분액 깔대기에 넣고, 거기에 아세트산 에틸 20mL를 넣어 추출을 행하고, 유기층을 회수하고, 회수한 모든 유기층을 합하고, 이것을 황산 마그네슘으로 건조했다. After the reaction mixture was cooled to room temperature, the cooled reaction mixture was put into a separatory funnel together with 50 mL of a saturated aqueous ammonium chloride solution and 50 mL of a mixed solvent of ethyl acetate and tetrahydrofuran (2/1 (v/v)) to perform extraction, The organic layer was left in the separatory funnel, and the aqueous layer was collect|recovered. 50 mL of saturated brine was placed in a separatory funnel, the remaining organic layer was washed, and the aqueous layer and the organic layer were respectively recovered. Then, all the recovered aqueous layers were combined and placed in a separatory funnel, 20 mL of ethyl acetate was added thereto for extraction, the organic layer was recovered, all the recovered organic layers were combined, and this was dried over magnesium sulfate.

황산 마그네슘을 여과에 의해 제거하고, 얻어진 여과액으로부터 로터리 이배포레이터에 의해 용매를 증류 제거했다. 얻어진 잔사를 톨루엔 3mL에 용해시키고 얻어진 용액을 사용하여 컬럼 크로마토그래피(전개 용매: n-헥산/염화메틸렌=60/40→0/100)를 행하고, 목적물을 포함하는 분획을 분취했다. Magnesium sulfate was removed by filtration, and the solvent was distilled off with the rotary evaporator from the filtrate obtained. The obtained residue was dissolved in 3 mL of toluene, and column chromatography (developing solvent: n-hexane/methylene chloride = 60/40→0/100) was performed using the obtained solution, and fractions containing the target substance were fractionated.

최후에, 분취한 분획으로부터 용매를 제거하고, 70℃에서 감압 건조 후, 아릴아민 화합물 C2d 0.56g(>99%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 27에 나타낸다. Finally, the solvent was removed from the fractions collected, and after drying under reduced pressure at 70°C, 0.56 g (>99%) of an arylamine compound C2d was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 27 .

[실시예 1-2][Example 1-2]

Figure pct00162
Figure pct00162

3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 대신에 N,N'-비스(4-아미노페닐)테레프탈아미드 0.5mmol(123.2mg)을 사용한 이외는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 D2d 0.43g(70.9%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 28에 나타낸다. The operation was carried out in the same manner as in Example 1-1 except that 0.5 mmol (123.2 mg) of N,N'-bis(4-aminophenyl)terephthalamide was used instead of 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine. was carried out to obtain 0.43 g (70.9%) of arylamine compound D2d. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 28 .

[실시예 1-3][Example 1-3]

Figure pct00163
Figure pct00163

3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 대신에 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 0.5mmol(160.12mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 A3d 0.46g(44.8%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 29에 나타낸다. The operation was carried out in the same manner as in Example 1-1 except that 0.5 mmol (160.12 mg) of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine was used instead of 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine. was carried out to obtain 0.46 g (44.8%) of arylamine compound A3d. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 29 .

[실시예 1-4][Example 1-4]

Figure pct00164
Figure pct00164

3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 대신에 비스(4-아미노페닐)술폰 0.5mmol(124.5mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 E3d 0.35g(35.3%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: CDCl3)을 도 30에 나타낸다. The arylamine compound E3d was carried out in the same manner as in Example 1-1 except that 0.5 mmol (124.5 mg) of bis(4-aminophenyl)sulfone was used in place of 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine. 0.35 g (35.3%) was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: CDCl 3 ) of the obtained compound is shown in FIG. 30 .

[실시예 1-5][Example 1-5]

Figure pct00165
Figure pct00165

3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 대신에 3-(7-브로모-9,9-디헥실-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 2.1mmol(1.375mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-4와 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 E3i 0.71g(55.8%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 31에 나타낸다. 3-(7-bromo-9,9-dihexyl-9H instead of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole -Fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole 0.71 g (55.8%) of arylamine compound E3i in the same manner as in Example 1-4 except that 2.1 mmol (1.375 mg) of carbazole was used. got 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 31 .

[실시예 1-6][Example 1-6]

Figure pct00166
Figure pct00166

3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 대신에 1,4-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸페녹시)벤젠 0.5mmol(219.2mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 F3d 0.35g(32.4%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 32에 나타낸다. Example 1- Except that 0.5 mmol (219.2 mg) of 1,4-bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)benzene was used instead of 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine The operation was carried out in the same manner as in 1 to obtain 0.35 g (32.4%) of an arylamine compound F3d. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 32 .

[실시예 1-7][Example 1-7]

Figure pct00167
Figure pct00167

3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 대신에 3-(4-브로모페닐)-9-페닐-9H-카르바졸 2.1mmol(836.4mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-3과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 A3b 0.32g(40.3%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 33에 나타낸다. 3-(4-bromophenyl)-9-phenyl-9H- instead of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole The operation was carried out in the same manner as in Example 1-3 except that 2.1 mmol (836.4 mg) of carbazole was used to obtain 0.32 g (40.3%) of an arylamine compound A3b. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 33 .

[실시예 1-8][Example 1-8]

Figure pct00168
Figure pct00168

3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 대신에 3-(4'-브로모-[1,1'-비페닐]-4-일)-9-페닐-9H-카르바졸 2.1mmol(996.2mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-3과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 A3c 0.57g(60.2%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 34에 나타낸다. 3-(4'-bromo-[1,1'-bi instead of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole) Phenyl]-4-yl)-9-phenyl-9H-carbazole 0.57 g (60.2%) of arylamine compound A3c was obtained in the same manner as in Example 1-3 except that 2.1 mmol (996.2 mg) of carbazole was used. got it 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 34 .

[실시예 1-9][Example 1-9]

Figure pct00169
Figure pct00169

3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘 대신에 m-톨리딘 0.5mmol(106.1mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-1과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 G3d 0.17g(17.5%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 35에 나타낸다. The procedure was repeated in the same manner as in Example 1-1 except that 0.5 mmol (106.1 mg) of m-tolidine was used in place of 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine, and 0.17 g of arylamine compound G3d (17.5 mg). %) was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 35 .

[실시예 1-10][Example 1-10]

Figure pct00170
Figure pct00170

환류탑을 부착한 200mL의 반응 플라스크에, Pd(OAc)2 2mmol(0.45g), t-Bu3PHBF4 4mmol(1.16g), t-BuONa 40mmol(3.84g), 4,4'-디아미노디페닐아민 4mmol(797.0mg), 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 20.6mmol(10.61g)을 칭량하여 넣고, 플라스크 내를 질소 치환했다. 거기에 톨루엔 50mL를 가하고, 110℃의 욕 중에서 밤새 교반했다. 또한, 도중, 플라스크 내의 용액을 미량 채취하고, 액체 크로마토그래피를 사용하여 반응을 추적했다. 원료에 귀속할 수 있는 피크의 면적의 감소에 따라 목적물에 귀속할 수 있는 피크의 면적이 증가했다. 그때, 부생성물에 대응하는 것과 같은 두드러진 피크는 확인되지 않았다. In a 200 mL reaction flask equipped with a reflux column, Pd(OAc) 2 2 mmol (0.45 g), t-Bu3PHBF 4 4 mmol (1.16 g), t-BuONa 40 mmol (3.84 g), 4,4'-diaminodiphenyl Weighed 4 mmol (797.0 mg) of amine, 20.6 mmol (10.61 g) of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole, The inside of the flask was replaced with nitrogen. Toluene (50 mL) was added thereto, and the mixture was stirred overnight in a bath at 110°C. In addition, a trace amount of the solution in the flask was taken along the way, and the reaction was tracked using liquid chromatography. As the area of the peak attributable to the raw material decreased, the area of the peak attributable to the target increased. At that time, no prominent peaks such as those corresponding to by-products were identified.

반응 혼합물을 실온까지 냉각하고, 멤브레인 필터로 여과했다. 여과액을 농축하고, 얻어진 농축물을 톨루엔 10mL로 희석하고 얻어진 용액을 사용한 컬럼 크로마토그래피를 행하여(전개 용매: n-헥산/염화메틸렌=70/30(v/v)→55/45(v/v)), 목적물의 분획을 모으고, 모은 분획을 농축하고, 얻어진 농축물을 톨루엔 10mL로 희석하고 얻어진 용액을 사용하여 다시 동일한 조건으로 컬럼 크로마토그래피를 행하고, 목적물의 분획을 모았다. 모은 분획을 농축하고, 농축물을 테트라히드로푸란 30mL에 용해하고, 얻어진 용액을 아세트산 에틸과 메탄올의 혼합 용매(1/1(v/v))에 적하하고, 석출한 고체를 멤브레인 필터로 회수했다. 얻어진 고체를 건조하여, 아릴아민 화합물 H3d 2.67g(28.2%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 36에 나타낸다. The reaction mixture was cooled to room temperature and filtered through a membrane filter. The filtrate was concentrated, and the resulting concentrate was diluted with 10 mL of toluene and subjected to column chromatography using the resulting solution (developing solvent: n-hexane/methylene chloride = 70/30 (v/v) → 55/45 (v/) v)), the target product fractions were collected, the collected fractions were concentrated, the obtained concentrate was diluted with 10 mL of toluene, and the resulting solution was used again for column chromatography under the same conditions, and the target product fractions were collected. The collected fractions were concentrated, the concentrate was dissolved in 30 mL of tetrahydrofuran, and the resulting solution was added dropwise to a mixed solvent of ethyl acetate and methanol (1/1 (v/v)), and the precipitated solid was collected with a membrane filter. . The obtained solid was dried to obtain 2.67 g (28.2%) of an arylamine compound H3d. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 36 .

[실시예 1-11][Example 1-11]

Figure pct00171
Figure pct00171

환류탑을 부착한 30mL의 반응 플라스크에, Pd(OAc)2 2.5mmol(0.56g), t-Bu3PHBF4 5mmol(1.45g), t-BuONa 25mmol(2.40g), 3,3'-디아미노디페닐아민이염산염 2.5mmol(80.4mg), 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 12.6mmol(6.49g)을 칭량하여 넣고, 플라스크 내를 질소 치환했다. 거기에 톨루엔 50mL를 가하고, 110℃의 욕 중에서 밤새 교반했다. 또한, 도중, 플라스크 내의 용액을 미량 채취하고, 액체 크로마토그래피를 사용하여 반응을 추적했다. 원료에 귀속할 수 있는 피크의 면적의 감소에 따라 목적물에 귀속할 수 있는 피크의 면적이 증가했다. 그때, 부생성물에 대응하는 것과 같은 두드러진 피크는 확인되지 않았다. In a 30 mL reaction flask equipped with a reflux tower, Pd(OAc) 2 2.5 mmol (0.56 g), t-Bu 3 PHBF 4 5 mmol (1.45 g), t-BuONa 25 mmol (2.40 g), 3,3'-dia Minodiphenylamine dihydrochloride 2.5 mmol (80.4 mg), 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole 12.6 mmol (6.49 g) ) was weighed, and the inside of the flask was replaced with nitrogen. Toluene (50 mL) was added thereto, and the mixture was stirred overnight in a bath at 110°C. In addition, a trace amount of the solution in the flask was taken along the way, and the reaction was tracked using liquid chromatography. As the area of the peak attributable to the raw material decreased, the area of the peak attributable to the target increased. At that time, no prominent peaks such as those corresponding to by-products were identified.

반응 혼합물을 실온까지 냉각하고, 멤브레인 필터로 여과했다. 여과액을 농축하고, 얻어진 농축물을 톨루엔 5mL로 희석하고 얻어진 용액을 사용한 컬럼 크로마토그래피를 행하여(전개 용매: n-헥산/염화메틸렌=70/30(v/v)→55/45(v/v)), 목적물의 분획을 모으고, 모은 분획을 농축하고, 얻어진 농축물을 톨루엔 5mL로 희석하고 얻어진 용액을 사용하여 다시 동일한 조건으로 컬럼 크로마토그래피를 행하고, 목적물의 분획을 모았다. 모은 분획을 농축하고, 농축물을 테트라히드로푸란 30mL에 용해하고, 얻어진 용액을 아세트산 에틸과 메탄올의 혼합 용매(1/1(v/v))에 적하하고, 석출한 고체를 멤브레인 필터로 회수했다. 얻어진 고체를 건조하여, 아릴아민 화합물 I3d 2.34g(39.5%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 37에 나타낸다. The reaction mixture was cooled to room temperature and filtered through a membrane filter. The filtrate was concentrated, the resulting concentrate was diluted with 5 mL of toluene, and column chromatography was performed using the resulting solution (developing solvent: n-hexane/methylene chloride = 70/30 (v/v) → 55/45 (v/) v)), the target product fractions were collected, the collected fractions were concentrated, the obtained concentrate was diluted with 5 mL of toluene, and the resulting solution was used again for column chromatography under the same conditions, and the target product fractions were collected. The collected fractions were concentrated, the concentrate was dissolved in 30 mL of tetrahydrofuran, and the resulting solution was added dropwise to a mixed solvent of ethyl acetate and methanol (1/1 (v/v)), and the precipitated solid was collected with a membrane filter. . The obtained solid was dried to obtain 2.34 g (39.5%) of arylamine compound I3d. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 37 .

[실시예 1-12][Example 1-12]

Figure pct00172
Figure pct00172

50mL의 플라스크에, 3,3'-디아미노디페닐아민이염산염 0.4mmol(108.9mg), 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(p-톨릴)-9H-카르바졸 2.02mmol(1067.5mg), Pd(OAc)2 0.4mmol(89.8mg), t-Bu3PHBF4 0.8mmol(232.1mg), t-BuONa 4mmol(384.4mg)을 넣고 질소 치환한 후, 톨루엔 8mL를 가하고, 10분간 교반하고, 이어서 가열 환류 조건하에서 밤새 교반했다. In a 50 mL flask, 3,3'-diaminodiphenylamine dihydrochloride 0.4 mmol (108.9 mg), 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9- (p-Tolyl)-9H-carbazole 2.02 mmol (1067.5 mg), Pd(OAc) 2 0.4 mmol (89.8 mg), t-Bu 3 PHBF 4 0.8 mmol (232.1 mg), t-BuONa 4 mmol (384.4 mg) After nitrogen substitution, 8 mL of toluene was added, stirred for 10 minutes, and then stirred overnight under heating and reflux conditions.

반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 냉각한 반응 혼합물로부터 수층을 제거하고, 얻어진 유기층을, 메탄올과 물의 혼합 용매(메탄올/물=3/1(v/v))에 적하했다. 석출한 고체를 여과로 회수하고, 얻어진 고체를 테트라히드로푸란에 용해시키고, 이 용액을 n-헥산에 적하했다. 얻어진 고체를 여과로 회수하고, 감압하에서 건조하여, 아릴아민 화합물 I3e 210mg(21.5%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 38 및 39에 나타낸다. After the reaction mixture was cooled to room temperature, the aqueous layer was removed from the cooled reaction mixture, and the obtained organic layer was added dropwise to a mixed solvent of methanol and water (methanol/water = 3/1 (v/v)). The precipitated solid was collect|recovered by filtration, the obtained solid was dissolved in tetrahydrofuran, and this solution was dripped at n-hexane. The obtained solid was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain 210 mg (21.5%) of arylamine compound I3e. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 38 and 39 .

[실시예 1-13][Example 1-13]

Figure pct00173
Figure pct00173

3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(p-톨릴)-9H-카르바졸 대신에 2-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(티오펜-2-일)-9H-카르바졸 2.02mmol(1051.4mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-12와 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 I3h 157.0mg(16.4%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 40 및 41에 나타낸다. 2-(7-bromo-9,9- instead of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-(p-tolyl)-9H-carbazole The operation was carried out in the same manner as in Example 1-12, except that 2.02 mmol (1051.4 mg) of dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-(thiophen-2-yl)-9H-carbazole was used. 157.0 mg (16.4%) of arylamine compound I3h was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 40 and 41 .

[실시예 1-14][Example 1-14]

Figure pct00174
Figure pct00174

3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 대신에 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(p-톨릴)-9H-카르바졸 2.1mmol(1109.8mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-3과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 A3e 323.8mg(38.3%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 42에 나타낸다. 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H- instead of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole The procedure was repeated in the same manner as in Example 1-3 except that 2.1 mmol (1109.8 mg) of fluoren-2-yl)-9-(p-tolyl)-9H-carbazole was used, and 323.8 mg of arylamine compound A3e ( 38.3%) was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 42 .

[실시예 1-15][Example 1-15]

Figure pct00175
Figure pct00175

3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 대신에 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(p-메톡시페닐)-9H-카르바졸 2.1mmol(1143.4mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-3과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 A3f 552.6mg(50.8%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 43에 나타낸다. 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H- instead of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole Arylamine compound A3f 552.6 in the same manner as in Example 1-3, except that 2.1 mmol (1143.4 mg) of fluoren-2-yl)-9-(p-methoxyphenyl)-9H-carbazole was used. mg (50.8%) was obtained. Fig. 43 shows a 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound.

[실시예 1-16][Example 1-16]

Figure pct00176
Figure pct00176

3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 대신에 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(티오펜-2-일)-9H-카르바졸 2.1mmol(1093.0mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-3과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 A3g 499.9mg(48.1%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 44에 나타낸다. 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H- instead of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole Arylamine compound A3g in the same manner as in Example 1-3, except that 2.1 mmol (1093.0 mg) of fluoren-2-yl)-9-(thiophen-2-yl)-9H-carbazole was used. 499.9 mg (48.1%) was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 44 .

[실시예 1-17][Example 1-17]

Figure pct00177
Figure pct00177

3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 대신에 2-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-(티오펜-2-일)-9H-카르바졸 2.1mmol(1093.0mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-3과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 A3h 664.9mg(64.0%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 45 및 46에 나타낸다. 2-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H- instead of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole Arylamine compound A3h in the same manner as in Example 1-3, except that 2.1 mmol (1093.0 mg) of fluoren-2-yl)-9-(thiophen-2-yl)-9H-carbazole was used. 664.9 mg (64.0%) was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIGS. 45 and 46 .

[실시예 1-18][Example 1-18]

Figure pct00178
Figure pct00178

50mL의 반응 플라스크에, 옥타플루오로비페닐-4,4'-디아민 0.5mmol(164mg), 3-(4-브로모페닐)-9-페닐카르바졸 2.1mmol(836mg), Pd(OAc)2 0.2mmol(45mg), t-Bu3PHBF4 0.4mmol(166mg), t-BuONa 4mmol(385mg)을 가하고 질소 치환한 후, 톨루엔 10mL를 가하고, 실온에서 5분간 교반하고, 이어서 100℃에서 6시간 교반했다. In a 50 mL reaction flask, 0.5 mmol (164 mg) of octafluorobiphenyl-4,4'-diamine, 2.1 mmol (836 mg) of 3-(4-bromophenyl)-9-phenylcarbazole, Pd (OAc) 2 0.2 mmol (45 mg), t-Bu 3 PHBF 4 0.4 mmol (166 mg), and t-BuONa 4 mmol (385 mg) were added and nitrogen substituted, and then 10 mL of toluene was added, followed by stirring at room temperature for 5 minutes, followed by stirring at 100° C. for 6 hours. did.

반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 냉각한 반응 혼합물을 멤브레인 필터로 여과하고, 얻어진 여과액에 활성탄을 가하고 1시간 교반했다. 활성탄을 여과로 제거하고, 얻어진 여과액을 농축하고, 농축물을 실리카겔 크로마토그래피(전개 용매: n-헥산/디클로로메탄=3/2(v/v))로 정제하여, 아릴아민 화합물 B3b 311.8mg(44.6%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 47에 나타낸다. After the reaction mixture was cooled to room temperature, the cooled reaction mixture was filtered through a membrane filter, and activated carbon was added to the resulting filtrate, followed by stirring for 1 hour. Activated carbon was removed by filtration, the resulting filtrate was concentrated, and the concentrate was purified by silica gel chromatography (developing solvent: n-hexane/dichloromethane = 3/2 (v/v)), and 311.8 mg of arylamine compound B3b (44.6%) was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 47 .

[실시예 1-19][Example 1-19]

Figure pct00179
Figure pct00179

3-(4-브로모페닐)-9-페닐카르바졸 대신에 3-(4'-브로모-[1,1'-비페닐]-4-일)-9-페닐-9H-카르바졸 2.1mmol(996.2mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-18과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 B3c 391mg(41.1%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 48에 나타낸다. 3-(4'-bromo-[1,1'-biphenyl]-4-yl)-9-phenyl-9H-carbazole instead of 3-(4-bromophenyl)-9-phenylcarbazole 2.1 391 mg (41.1%) of arylamine compound B3c was obtained in the same manner as in Example 1-18 except that mmol (996.2 mg) was used. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 48 .

[실시예 1-20][Example 1-20]

Figure pct00180
Figure pct00180

3-(4-브로모페닐)-9-페닐카르바졸 대신에 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 2.1mmol(1080.4mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-18과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 B3d 535mg(51.9%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 49에 나타낸다. 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole instead of 3-(4-bromophenyl)-9-phenylcarbazole 2.1 535 mg (51.9%) of arylamine compound B3d was obtained in the same manner as in Example 1-18 except that mmol (1080.4 mg) was used. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG.

[실시예 1-21][Example 1-21]

Figure pct00181
Figure pct00181

50mL의 반응 플라스크에, 옥타플루오로비페닐-4,4'-디아민 0.5mmol(164mg), 3-(4-브로모페닐)-9-페닐카르바졸 2.1mmol(836mg), Pd(DBA)2 0.1mmol(57.5mg), t-Bu3PHBF4 0.2mmol(84mg), t-BuONa 2mmol(193mg)을 가하고 질소 치환한 후, 톨루엔 10mL를 가하고, 실온에서 5분간 교반하고, 이어서 100℃에서 6시간 교반했다. In a 50 mL reaction flask, 0.5 mmol (164 mg) of octafluorobiphenyl-4,4'-diamine, 2.1 mmol (836 mg) of 3-(4-bromophenyl)-9-phenylcarbazole, Pd (DBA) 2 0.1 mmol (57.5 mg), t-Bu 3 PHBF 4 0.2 mmol (84 mg), and t-BuONa 2 mmol (193 mg) were added and nitrogen substituted, and then 10 mL of toluene was added, followed by stirring at room temperature for 5 minutes, and then at 100° C. for 6 hours. stirred.

반응 혼합물을 실온까지 냉각한 후, 냉각한 반응 혼합물을 멤브레인 필터로 여과하고, 얻어진 여과액에 활성탄을 가하고 1시간 교반했다. 활성탄을 여과로 제거하고, 얻어진 여과액을 농축하고, 농축물을 실리카겔 크로마토그래피(전개 용매: n-헥산/디클로로메탄=3/2(v/v))로 정제하여, 아릴아민 화합물 B2b 419.0mg(87.0%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중DMSO)을 도 50에 나타낸다. After the reaction mixture was cooled to room temperature, the cooled reaction mixture was filtered through a membrane filter, and activated carbon was added to the resulting filtrate, followed by stirring for 1 hour. Activated carbon was removed by filtration, the resulting filtrate was concentrated, and the concentrate was purified by silica gel chromatography (developing solvent: n-hexane/dichloromethane = 3/2 (v/v)), and 419.0 mg of arylamine compound B2b (87.0%) was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy DMSO) of the obtained compound is shown in FIG. 50 .

[실시예 1-22][Example 1-22]

Figure pct00182
Figure pct00182

3-(4-브로모페닐)-9-페닐카르바졸 대신에 3-(4'-브로모-[1,1'-비페닐]-4-일)-9-페닐-9H-카르바졸 2.1mmol(996.2mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-21과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 B2c 72.9mg(13.1%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중DMSO)을 도 51에 나타낸다. 3-(4'-bromo-[1,1'-biphenyl]-4-yl)-9-phenyl-9H-carbazole in place of 3-(4-bromophenyl)-9-phenylcarbazole 2.1 72.9 mg (13.1%) of arylamine compound B2c was obtained in the same manner as in Example 1-21 except that mmol (996.2 mg) was used. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy DMSO) of the obtained compound is shown in FIG. 51 .

[실시예 1-23][Example 1-23]

Figure pct00183
Figure pct00183

3-(4-브로모페닐)-9-페닐카르바졸 대신에 3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 2.1mmol(1080.4mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-21과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 B2d 114.0mg(19.1%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중DMSO)을 도 52에 나타낸다. 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole instead of 3-(4-bromophenyl)-9-phenylcarbazole 2.1 114.0 mg (19.1%) of arylamine compound B2d was obtained in the same manner as in Example 1-21 except that mmol (1080.4 mg) was used. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy DMSO) of the obtained compound is shown in FIG. 52 .

[비교예 1-1][Comparative Example 1-1]

Figure pct00184
Figure pct00184

3-(7-브로모-9,9-디메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카르바졸 대신에, 3-브로모-N-페닐카르바졸 2.1mmol(676.6mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-3과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 A3a 0.45g(70.0%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중DMSO)을 도 53에 나타낸다. Instead of 3-(7-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole, 2.1 mmol of 3-bromo-N-phenylcarbazole (676.6 mg ) was used, and the operation was carried out in the same manner as in Example 1-3 to obtain 0.45 g (70.0%) of an arylamine compound A3a. Fig. 53 shows a 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy DMSO) of the obtained compound.

[비교예 1-2][Comparative Example 1-2]

Figure pct00185
Figure pct00185

3-(4-브로모페닐)-9-페닐카르바졸 대신에 3-브로모-N-페닐카르바졸 2.1mmol(677mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-18과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 B3a 236.2mg(36.6%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중THF)을 도 54에 나타낸다. The operation was carried out in the same manner as in Example 1-18, except that 2.1 mmol (677 mg) of 3-bromo-N-phenylcarbazole was used instead of 3-(4-bromophenyl)-9-phenylcarbazole. 236.2 mg (36.6%) of the amine compound B3a was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy THF) of the obtained compound is shown in FIG. 54 .

[비교예 1-3][Comparative Example 1-3]

Figure pct00186
Figure pct00186

3-(4-브로모페닐)-9-페닐카르바졸 대신에 3-브로모-9-페닐카르바졸 2.1mmol(677mg)을 사용한 이외는, 실시예 1-21과 동일한 방법으로 조작을 행하여 아릴아민 화합물 B2a 272.3mg(67.2%)을 얻었다. 얻어진 화합물의 1H-NMR 스펙트럼(측정 용매: 중DMSO)을 도 55에 나타낸다. The operation was performed in the same manner as in Example 1-21 except that 2.1 mmol (677 mg) of 3-bromo-9-phenylcarbazole was used instead of 3-(4-bromophenyl)-9-phenylcarbazole, and the aryl 272.3 mg (67.2%) of amine compound B2a was obtained. 1 H-NMR spectrum (measurement solvent: heavy DMSO) of the obtained compound is shown in FIG. 55 .

[2] 정공 주입층용 바니시의 조제[2] Preparation of varnish for hole injection layer

[비교예 2-1][Comparative Example 2-1]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 A3a(0.025g)와 하기 식으로 표시되는 아릴술폰산 에스테르 A(0.025g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 A3a-1을 얻었다. To chloroform (10 g), the arylamine compound A3a (0.025 g) and the arylsulfonic acid ester A (0.025 g) represented by the following formula were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm. A charge-transporting varnish A3a-1 was obtained.

Figure pct00187
Figure pct00187

[실시예 2-1][Example 2-1]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 A3b(0.028g)와, 아릴술폰산 에스테르 A(0.022g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 A3b-1을 얻었다. A solution obtained by adding arylamine compound A3b (0.028 g) and arylsulfonic acid ester A (0.022 g) to chloroform (10 g) and stirring at room temperature to dissolve it was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and then charge-transporting varnish A3b -1 was obtained.

[실시예 2-2][Example 2-2]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 A3c(0.030g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.020g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 A3c-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound A3c (0.030 g) and arylsulfonic acid ester A (0.020 g) were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and then a charge-transporting varnish A3c- got 1

[실시예 2-3][Example 2-3]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 A3d(0.031g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.019g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 A3d-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound A3d (0.031 g) and arylsulfonic acid ester A (0.019 g) were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 µm, and charge-transporting varnish A3d- got 1

[실시예 2-4][Example 2-4]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 A3e(0.031g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.019g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 A3e-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound A3e (0.031 g) and arylsulfonic acid ester A (0.019 g) were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and then charge-transporting varnish A3e- got 1

[실시예 2-5][Example 2-5]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 A3f(0.032g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.018g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 A3f-1을 얻었다. In chloroform (10 g), arylamine compound A3f (0.032 g) and arylsulfonic acid ester A (0.018 g) were added and dissolved by stirring at room temperature. The resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, followed by charge-transporting varnish A3f- got 1

[실시예 2-6][Example 2-6]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 A3g(0.031g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.019g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 A3g-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound A3 g (0.031 g) and arylsulfonic acid ester A (0.019 g) were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish A3g- got 1

[실시예 2-7][Example 2-7]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 A3h(0.031g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.019g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 A3h-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound A3h (0.031 g) and arylsulfonic acid ester A (0.019 g) were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and then charge-transporting varnish A3h- got 1

[비교예 2-2][Comparative Example 2-2]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 B3a(0.026g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.024g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 B3a-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound B3a (0.026 g) and arylsulfonic acid ester A (0.024 g) were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and then a charge-transporting varnish B3a- got 1

[실시예 2-8][Example 2-8]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 B3b(0.029g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.021g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 B3b-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound B3b (0.029 g) and arylsulfonic acid ester A (0.021 g) were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 µm, and then a charge-transporting varnish B3b- got 1

[실시예 2-9][Example 2-9]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 B3c(0.030g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.020g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 B3c-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound B3c (0.030 g) and arylsulfonic acid ester A (0.020 g) were added and dissolved by stirring at room temperature. The resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and then a charge-transporting varnish B3c- got 1

[실시예 2-10][Example 2-10]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 B3d(0.031g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.019g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 B3d-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound B3d (0.031 g) and arylsulfonic acid ester A (0.019 g) were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and charge-transporting varnish B3d- got 1

[비교예 2-3][Comparative Example 2-3]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 B2a(0.020g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.030g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 B2a-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound B2a (0.020 g) and arylsulfonic acid ester A (0.030 g) were added and dissolved by stirring at room temperature. The resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 µm, and then a charge-transporting varnish B2a- got 1

[실시예 2-11][Example 2-11]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 B2b(0.022g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.028g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 B2b-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound B2b (0.022 g) and arylsulfonic acid ester A (0.028 g) were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 µm, and then a charge-transporting varnish B2b- got 1

[실시예 2-12][Example 2-12]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 B2c(0.024g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.026g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 B2c-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound B2c (0.024 g) and arylsulfonic acid ester A (0.026 g) were added and dissolved by stirring at room temperature. The resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and then a charge-transporting varnish B2c- got 1

[실시예 2-13][Example 2-13]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 B2d(0.025g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.025g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 B2d-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound B2d (0.025 g) and arylsulfonic acid ester A (0.025 g) were added and dissolved by stirring at room temperature. The resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and then a charge-transporting varnish B2d- got 1

[실시예 2-14][Example 2-14]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 H3d(0.033g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.017g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 H3d-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound H3d (0.033 g) and arylsulfonic acid ester A (0.017 g) were added and dissolved by stirring at room temperature. The resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and then a charge-transporting varnish H3d- got 1

[실시예 2-15][Example 2-15]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 I3d(0.033g)와 아릴술폰산 에스테르 A(0.017g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 I3d-1을 얻었다. To chloroform (10 g), arylamine compound I3d (0.033 g) and arylsulfonic acid ester A (0.017 g) were added, stirred at room temperature to dissolve, and the resulting solution was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 μm, and then a charge-transporting varnish I3d- got 1

[3] 정공 수송층용 바니시의 조제[3] Preparation of varnish for hole transport layer

[비교예 3-1][Comparative Example 3-1]

클로로포름(10g)에, 아릴아민 화합물 A3a(0.040g)를 가하고 실온에서 교반하여 용해시켜 얻어진 용액을, 구멍 직경 0.2㎛의 시린지 필터로 여과하여 전하 수송성 바니시 A3a-2를 얻었다. A solution obtained by adding arylamine compound A3a (0.040 g) to chloroform (10 g) and stirring at room temperature to dissolve it was filtered through a syringe filter having a pore diameter of 0.2 µm to obtain a charge-transporting varnish A3a-2.

[실시예 3-1∼3-11][Examples 3-1 to 3-11]

아릴아민 화합물 A3a 대신에, 아릴아민 화합물 A3b, A3c, A3d, A3e, A3f, A3g , A3h, B3d, B2d, H3d, 또는 I3d를 각각 사용한 이외는, 비교예 3-1과 동일한 방법으로 전하 수송성 바니시 A3b-2, A3c-2, A3d-2, A3e-2, A3f-2, A3g-2, A3h-2, B3d-2, B2d-2, H3d-2, 또는 I3d-2를 얻었다. Charge-transporting varnish was carried out in the same manner as in Comparative Example 3-1 except that arylamine compounds A3b, A3c, A3d, A3e, A3f, A3g, A3h, B3d, B2d, H3d, or I3d were respectively used instead of the arylamine compound A3a. A3b-2, A3c-2, A3d-2, A3e-2, A3f-2, A3g-2, A3h-2, B3d-2, B2d-2, H3d-2, or I3d-2 were obtained.

[4] 박막의 제조 및 막 물성 평가[4] Thin film production and film properties evaluation

[비교예 4-1, 실시예 4-1∼4-3][Comparative Example 4-1, Examples 4-1 to 4-3]

전하 수송성 바니시 A3a-1, A3b-1, A3c-1, 및 A3d-1을 각각 스핀 코터를 사용하여 석영 기판에 도포한 후, 대기 소성하, 120℃에서 1분간 건조했다. 다음에 건조시킨 석영 기판을 대기 분위기하, 200℃에서 15분간 소성하여, 석영 기판 위에 50nm의 균일한 박막을 형성했다. Charge-transporting varnishes A3a-1, A3b-1, A3c-1, and A3d-1 were respectively applied to a quartz substrate using a spin coater, and then dried under atmospheric firing at 120°C for 1 minute. Next, the dried quartz substrate was fired at 200 DEG C for 15 minutes in an atmospheric atmosphere to form a uniform 50 nm thin film on the quartz substrate.

얻어진 막 부착 석영 기판을 사용하여, 파장 400∼800nm에서의 가시역 평균 굴절률(n) 및 가시역 평균 소쇠 계수(k)의 측정을 행했다. 결과를 표 23에 나타낸다. Using the obtained quartz substrate with a film, the average refractive index (n) in the visible region and the average extinction coefficient (k) in the visible region at a wavelength of 400 to 800 nm were measured. A result is shown in Table 23.

Figure pct00188
Figure pct00188

표 23에 나타내어지는 바와 같이, 본 발명의 전하 수송성 바니시로부터 얻어진 박막은 비교예 4-1의 전하 수송성 바니시로부터 얻어진 박막에 비해 동등 또는 높은 굴절률을 가지고, 동등 또는 낮은 소쇠 계수를 가지는 것을 알 수 있다. As shown in Table 23, the thin film obtained from the charge-transporting varnish of the present invention has the same or higher refractive index and the same or lower extinction coefficient than the thin film obtained from the charge-transporting varnish of Comparative Example 4-1. It can be seen that .

[5] 홀 온리 소자(HOD)의 제작 및 특성 평가[5] Fabrication and Characterization of Hall-Only Devices (HODs)

[비교예 5-1][Comparative Example 5-1]

ITO 기판으로서 인듐주석 산화물(ITO)이 표면 위에 막 두께 150nm로 패터닝된 25mm×25mm×0.7t의 글라스 기판을 사용하고, 사용 전에 O2 플라즈마 세정 장치(150W, 30초간)에 의해 표면상의 불순물을 제거했다. 계속해서, 후술의 방법으로 얻은 정공 주입층 형성용 조성물을 스핀 코팅으로 도포하고, 대기중, 핫플레이트상에서 80℃로 가열하여 1분간 건조 후, 또한 230℃에서 15분간 소성하여, 정공 주입층(막 두께: 30nm)을 형성했다. As the ITO substrate, a glass substrate of 25 mm × 25 mm × 0.7 t on which indium tin oxide (ITO) was patterned to a film thickness of 150 nm was used, and impurities on the surface were removed before use by an O 2 plasma cleaning device (150 W, 30 seconds). Removed. Subsequently, the composition for forming a hole injection layer obtained by the method described below is applied by spin coating, heated to 80° C. in the air, on a hot plate, dried for 1 minute, and further fired at 230° C. for 15 minutes, the hole injection layer ( film thickness: 30 nm) was formed.

다음에, 전하 수송성 바니시 A3a-2를 스핀 코터를 사용하여 정공 주입층 위에 도포한 후, 대기 분위기하, 130℃에서 10분간 소성하여, 정공 수송층(막 두께: 40nm)을 형성했다. Next, the charge-transporting varnish A3a-2 was applied on the hole injection layer using a spin coater, and then baked at 130°C for 10 minutes in an atmospheric atmosphere to form a hole transport layer (film thickness: 40 nm).

이 위에, 증착 장치(진공도 1.0×10-5Pa)를 사용하여 0.2nm/초로 80nm의 알루미늄 박막을 형성하여 홀 온리 소자(HOD)를 얻었다. On this, an aluminum thin film of 80 nm was formed at 0.2 nm/sec using a vapor deposition apparatus (vacuum degree of 1.0×10 −5 Pa) to obtain a Hall-only device (HOD).

또한, 정공 주입층 형성용 조성물은 다음 수순으로 조제했다. 국제공개 제2013/084664호 기재의 방법에 따라 합성한 식 (3)으로 표시되는 아닐린 유도체 0.137g과, 국제공개 제2006/025342호 기재의 방법에 따라 합성한 식 (4)로 표시되는 아릴술폰산 0.271g을, 질소 분위기하에서 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 6.7g에 용해시켰다. 얻어진 용액에, 시클로헥산올 10g, 프로필렌글리콜 3.3g을 차례로 가하고 교반하여, 정공 주입층 형성용 조성물을 얻었다(이하 동일). In addition, the composition for hole injection layer formation was prepared in the following procedure. 0.137 g of an aniline derivative represented by Formula (3) synthesized according to the method described in International Publication No. 2013/084664 and an arylsulfonic acid represented by Formula (4) synthesized according to the method described in International Publication No. 2006/025342 0.271 g was dissolved in 6.7 g of 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone under a nitrogen atmosphere. To the obtained solution, 10 g of cyclohexanol and 3.3 g of propylene glycol were sequentially added and stirred to obtain a composition for forming a hole injection layer (hereinafter the same).

Figure pct00189
Figure pct00189

[실시예 5-1∼5-11][Examples 5-1 to 5-11]

전하 수송성 바니시 A3a-2 대신에, 전하 수송성 바니시 A3b-2, A3c-2, A3d-2, A3e-2, A3f-2, A3g-2, A3h-2, B3d-2, B2d-2, H3d-2, 또는 I3d-2를 각각 사용한 이외는, 실시예 5-1과 동일한 방법으로 HOD를 제작했다. Instead of the charge-transporting varnishes A3a-2, the charge-transporting varnishes A3b-2, A3c-2, A3d-2, A3e-2, A3f-2, A3g-2, A3h-2, B3d-2, B2d-2, H3d- 2 or I3d-2 was used, respectively, and HOD was produced in the same manner as in Example 5-1.

상기 실시예 및 비교예에서 제작한 각 HOD에 대해, 구동 전압 4V에 있어서의 전류 밀도를 측정했다. 결과를 표 24에 나타낸다. For each HOD produced in the above examples and comparative examples, the current density at a driving voltage of 4 V was measured. A result is shown in Table 24.

Figure pct00190
Figure pct00190

표 24에 나타내어지는 바와 같이, 본 발명의 전하 수송성 바니시로부터 제작한 박막은 비교예의 전하 수송성 바니시로부터 제작한 박막보다도 양호한 전하 수송성을 나타내는 것을 알 수 있다. 이 전하 수송성의 향상은 본 발명의 아릴아민 화합물에 있어서의 도전 부위의 유효 공역 길이의 증가에 수반되는 것으로 생각된다. As shown in Table 24, it is understood that the thin film produced from the charge-transporting varnish of the present invention exhibits better charge-transporting properties than the thin film produced from the charge-transporting varnish of the comparative example. It is thought that this improvement of charge transport property is accompanied by the increase of the effective conjugate length of the electrically-conductive site|part in the arylamine compound of this invention.

[6] 단층 소자(SLD) 및 HOD의 제작 및 SLD의 전류 밀도에 대한 HOD의 전류 밀도의 상대강도의 평가[6] Fabrication of single-layer devices (SLD) and HOD and evaluation of relative intensity of current density of HOD with respect to current density of SLD

[비교예 6-1][Comparative Example 6-1]

ITO 기판으로서, 인듐주석 산화물(ITO)이 표면 위에 막 두께 150nm로 패터닝된 25mm×25mm×0.7t의 글라스 기판을 사용하고, 사용 전에 O2 플라즈마 세정 장치(150W, 30초간)에 의해 표면상의 불순물을 제거했다. As the ITO substrate, a glass substrate of 25 mm × 25 mm × 0.7 t on which indium tin oxide (ITO) was patterned to a film thickness of 150 nm was used, and impurities on the surface by an O 2 plasma cleaning device (150 W, 30 seconds) before use. has been removed

전하 수송성 바니시 A3a-1을, ITO 기판 위에 스핀 코팅으로 도포하고, 대기하, 120℃에서 1분간 건조 후, 200℃에서 15분간 소성하여, ITO 기판 위에 정공 주입층(막 두께: 50nm)을 형성했다. A charge-transporting varnish A3a-1 is applied on an ITO substrate by spin coating, dried at 120° C. under atmospheric conditions for 1 minute, and then fired at 200° C. for 15 minutes to form a hole injection layer (film thickness: 50 nm) on the ITO substrate. did.

이 위에, 증착 장치(진공도 1.0×10-5Pa)를 사용하여 0.2nm/초로 80nm의 알루미늄 박막을 형성하여 단층 소자(SLD)를 얻었다. On this, an aluminum thin film of 80 nm was formed at 0.2 nm/sec using a vapor deposition apparatus (vacuum degree of 1.0×10 −5 Pa) to obtain a single-layer device (SLD).

[실시예 6-1∼6-12, 비교예 6-2][Examples 6-1 to 6-12, Comparative Example 6-2]

전하 수송성 바니시 A3a-1 대신에, 전하 수송성 바니시 A3b-1, A3c-1, A3d-1, A3e-1, A3f-1, A3g-1, A3h-1, B3b-1, B3d-1, B2d-1, H3d-1, I3d-1, 또는 B3a-1을 각각 사용한 이외는, 비교예 6-1과 동일한 방법으로 SLD를 제작했다. Instead of the charge-transporting varnishes A3a-1, the charge-transporting varnishes A3b-1, A3c-1, A3d-1, A3e-1, A3f-1, A3g-1, A3h-1, B3b-1, B3d-1, B2d- An SLD was produced in the same manner as in Comparative Example 6-1 except that 1, H3d-1, I3d-1, or B3a-1 was used, respectively.

[비교예 7-1][Comparative Example 7-1]

전하 수송성 바니시 A3a-1을, 스핀 코터를 사용하여 ITO 기판에 도포한 후, 대기하에서, 120℃에서 1분간 건조하고, 이어서 200℃에서 15분간 소성하여, ITO 기판 위에 50nm의 박막을 형성했다. 또한, ITO 기판으로서, 비교예 6-1과 동일한 ITO 기판을 사용했다. Charge-transporting varnish A3a-1 was applied to an ITO substrate using a spin coater, dried at 120° C. for 1 minute in the atmosphere, and then fired at 200° C. for 15 minutes to form a 50 nm thin film on the ITO substrate. In addition, as an ITO board|substrate, the ITO board|substrate similar to Comparative Example 6-1 was used.

그 위에, 증착 장치(진공도 2.0×10-5Pa)를 사용하여 α-NPD 및 알루미늄의 박막을 차례로 적층하여, HOD를 얻었다. 증착은 증착 레이트 0.2nm/초의 조건으로 행했다. α-NPD 및 알루미늄의 박막의 막 두께는 각각 30nm 및 80nm로 했다. On it, using a vapor deposition apparatus (vacuum degree 2.0x10 -5 Pa), α-NPD and thin films of aluminum were sequentially laminated to obtain HOD. Vapor deposition was performed on condition of the deposition rate of 0.2 nm/sec. The film thicknesses of the α-NPD and aluminum thin films were set to 30 nm and 80 nm, respectively.

[실시예 7-1∼7-12, 비교예 7-2][Examples 7-1 to 7-12, Comparative Example 7-2]

전하 수송성 바니시 A3a-1 대신에, 각각 전하 수송성 바니시 A3b-1, A3c-1, A3d-1, A3e-1, A3f-1, A3g-1, A3h-1, B3b-1, B3d-1, B2d-1, H3d-1, I3d-1, 또는 B3a-1을 사용한 이외는, 비교예 7-1과 동일한 방법으로 HOD를 제작했다. Instead of the charge-transporting varnishes A3a-1, respectively, the charge-transporting varnishes A3b-1, A3c-1, A3d-1, A3e-1, A3f-1, A3g-1, A3h-1, B3b-1, B3d-1, B2d An HOD was produced in the same manner as in Comparative Example 7-1 except that -1, H3d-1, I3d-1, or B3a-1 was used.

실시예 6-1∼6-12 및 비교예 6-1∼6-2에서 제작한 SLD, 그리고 실시예 7-1∼7-12 및 비교예 7-1∼7-2에서 제작한 HOD를 전압 4V로 구동한 경우의 전류 밀도를 측정했다. 결과를 표 25에 나타낸다. 또, 이들 측정값을 사용하여 산출한, SLD의 전류 밀도에 대한 HOD의 전류 밀도의 상대강도도 함께 나타낸다. 또한, 이 상대강도가 높은 것은 효율 좋게 정공 수송층으로의 정공 공급이 실현되고 있는 것을 나타내고 있다. The SLD prepared in Examples 6-1 to 6-12 and Comparative Examples 6-1 to 6-2, and the HOD prepared in Examples 7-1 to 7-12 and Comparative Examples 7-1 to 7-2 were applied to voltage The current density in the case of driving at 4 V was measured. A result is shown in Table 25. In addition, the relative intensity of the current density of the HOD to the current density of the SLD, calculated using these measured values, is also shown. In addition, the high relative strength indicates that hole supply to the hole transport layer is efficiently realized.

Figure pct00191
Figure pct00191

표 25에 나타내어지는 바와 같이, 본 발명의 전하 수송성 바니시로부터 제작한 정공 주입층을 사용한 소자는, 비교예에서 제작한 소자와 비교하여, SLD 전류 밀도에 대한 HOD 전류 밀도의 상대강도가 높은 것을 알았다. As shown in Table 25, it was found that the device using the hole injection layer prepared from the charge-transporting varnish of the present invention had a higher relative intensity of the HOD current density to the SLD current density compared to the device manufactured in the comparative example. .

[7] 유기 EL 소자의 제작 및 특성 평가[7] Fabrication and characteristic evaluation of organic EL devices

[비교예 8-1][Comparative Example 8-1]

전하 수송성 바니시 A3a-1을, 스핀 코터를 사용하여 ITO 기판에 도포한 후, 대기하에서, 120℃에서 1분간 건조하고, 이어서 200℃에서 15분간 소성하여, ITO 기판 위에 50nm의 박막을 형성했다. 또한, ITO 기판으로서, 비교예 6-1과 동일한 ITO 기판을 사용했다. The charge-transporting varnish A3a-1 was applied to the ITO substrate using a spin coater, dried at 120° C. for 1 minute under the atmosphere, and then fired at 200° C. for 15 minutes to form a 50 nm thin film on the ITO substrate. In addition, as an ITO board|substrate, the ITO board|substrate similar to Comparative Example 6-1 was used.

이어서, 박막을 형성한 ITO 기판에 대하여, 증착 장치(진공도 1.0×10-5Pa)를 사용하여 α-NPD를 0.2nm/초로 30nm 성막했다. 다음에, 칸토카구쿠(주)제의 전자 블록 재료 HTEB-01을 10nm 성막했다. 이어서, 신닛테츠스미킨카가쿠(주)제의 발광층 호스트 재료 NS60과 발광층 도판트 재료 Ir(ppy)3을 공증착했다. 공증착은 Ir(ppy)3의 농도가 6%가 되도록 증착 레이트를 컨트롤하여, 40nm 적층시켰다. 이어서, Alq3, 불화리튬 및 알루미늄의 박막을 차례로 적층하여 유기 EL 소자를 얻었다. 이때, 증착 레이트는 Alq3 및 알루미늄에 대해서는 0.2nm/초, 불화리튬에 대해서는 0.02nm/초의 조건으로 각각 행하고, 막 두께는 각각 20nm, 0.5nm 및 80nm로 했다. Next, with respect to the ITO substrate on which the thin film was formed, 30 nm of α-NPD was formed into a film at 0.2 nm/sec using a vapor deposition apparatus (vacuum degree of 1.0×10 −5 Pa). Next, an electron block material HTEB-01 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd. was formed into a film to a thickness of 10 nm. Next, the light emitting layer host material NS60 and the light emitting layer dopant material Ir(ppy) 3 manufactured by Nippon Steel Chemicals Co., Ltd. were co-evaporated. For co-deposition, the deposition rate was controlled so that the concentration of Ir(ppy) 3 was 6%, and 40 nm was laminated. Then, thin films of Alq 3 , lithium fluoride, and aluminum were sequentially laminated to obtain an organic EL device. At this time, the deposition rate was 0.2 nm/sec for Alq 3 and aluminum, and 0.02 nm/sec for lithium fluoride, respectively, and the film thicknesses were 20 nm, 0.5 nm, and 80 nm, respectively.

또한, 공기 중의 산소, 물 등의 영향에 의한 특성 열화를 방지하기 위해, 유기 EL 소자는 밀봉 기판에 의해 밀봉한 후, 그 특성을 평가했다. 밀봉은 이하의 수순으로 행했다. 산소 농도 2ppm 이하, 이슬점 -76℃ 이하의 질소 분위기 중에서, 유기 EL 소자를 밀봉 기판의 사이에 넣고, 밀봉 기판을 접착제((주)MORESCO제, 모레스코 모이스처 컷 WB90US(P))에 의해 첩합했다. 이때, 데시컨트(다이닉(주)제 HD-071010W-40)를 유기 EL 소자와 함께 밀봉기판 내에 넣었다. 첩합한 밀봉 기판에 대하여, UV광을 조사(파장: 365nm, 조사량: 6,000mJ/cm2)한 후, 80℃에서 1시간, 어닐링 처리하여 접착제를 경화시켰다. In addition, in order to prevent the characteristic deterioration by the influence of oxygen in air, water, etc., the organic electroluminescent element was sealed with the sealing substrate, and the characteristic was evaluated. Sealing was performed in the following procedure. In a nitrogen atmosphere with an oxygen concentration of 2 ppm or less and a dew point of -76° C. or less, an organic EL element was placed between sealing substrates, and the sealing substrate was bonded with an adhesive (MORESCO Co., Ltd., Moresco Moisture Cut WB90US(P)). . At this time, a desiccant (HD-071010W-40 manufactured by Dynic Co., Ltd.) was put together with the organic EL element in the sealing substrate. After irradiating UV light (wavelength: 365 nm, irradiation amount: 6,000 mJ/cm 2 ) to the bonded sealing substrate, annealing was performed at 80° C. for 1 hour to harden the adhesive.

[실시예 8-1∼8-12][Examples 8-1 to 8-12]

전하 수송성 바니시 A3a-1 대신에, 각각 전하 수송성 바니시 A3b-1, A3c-1, A3d-1, A3e-1, A3f-1, A3g-1, A3h-1, B3b-1, B3d-1, B2d-1, H3d-1, 또는 I3d-1을 사용한 이외는, 비교예 8-1과 동일한 방법으로 유기 EL 소자를 제작했다. Instead of the charge-transporting varnishes A3a-1, respectively, the charge-transporting varnishes A3b-1, A3c-1, A3d-1, A3e-1, A3f-1, A3g-1, A3h-1, B3b-1, B3d-1, B2d An organic EL device was produced in the same manner as in Comparative Example 8-1 except that -1, H3d-1, or I3d-1 was used.

얻어진 유기 EL 소자를 휘도 5,000cd/m2로 발광시킨 경우의 구동 전압, 전류 밀도, 전류 효율, 발광 효율, 외부 발광 양자 수율(EQE) 및 LT90(초기 휘도 5,000cd/m2의 10% 감소에 요하는 시간)을 측정했다. 결과를 표 26에 나타낸다. Driving voltage, current density, current efficiency, luminous efficiency, external emission quantum yield (EQE), and LT90 (initial luminance of 5,000 cd/m 2 ) when the obtained organic EL device was emitted with a luminance of 5,000 cd/m 2 time required) was measured. A result is shown in Table 26.

Figure pct00192
Figure pct00192

표 26에 나타내어지는 바와 같이, 비교예 8-1의 유기 EL 소자와 비교하여, 본 발명의 유기 EL 소자는 모두 같은 정도 또는 그 이하의 구동 전압을 나타내고, 또한 동등 또는 그 이상의 반감기를 가지고 있었다. As shown in Table 26, compared with the organic EL device of Comparative Example 8-1, all of the organic EL devices of the present invention exhibited the same or less driving voltage, and had a half-life equal to or higher than that of the organic EL device.

Claims (12)

하기 식 (1)∼(6) 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 아릴아민 화합물(단, 하기 식 (P1)∼(P4)로 표시되는 화합물을 제외한다.).
Figure pct00193

[식 중, Arc는, 각각 독립하여, 식 (Q)로 표시되는 기를 나타내고,
X는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기를 나타내고,
Y는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 되는 페닐렌기를 나타내고,
g는, 각각 독립하여, 1∼10의 정수를 나타낸다.
Figure pct00194

(식 중, R1은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, R2는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴기를 나타내고, Ars는, 각각 독립하여, 치환되어 있어도 됨과 아울러, 헤테로 원자를 포함하고 있어도 되는 아릴렌기를 나타낸다.)]
Figure pct00195
An arylamine compound represented by any one of the following formulas (1) to (6) (however, the compound represented by the following formulas (P1) to (P4) is excluded).
Figure pct00193

[Wherein, Ar c each independently represents a group represented by the formula (Q),
X each independently represents an arylene group which may be substituted and may contain a hetero atom,
Y each independently represents a phenylene group which may be substituted,
g each independently represents the integer of 1-10.
Figure pct00194

(Wherein, R 1 is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or 6 carbon atoms. to 20 aryl groups, R 2 each independently represents an aryl group that may be substituted and may contain a hetero atom, Ar s are each independently may be substituted and contain a hetero atom An arylene group which may be present is shown.)]
Figure pct00195
제1항에 있어서,
상기 Ars가 하기 식 (101)∼(118) 중 어느 하나로 표시되는 아릴아민 화합물.
Figure pct00196

Figure pct00197

Figure pct00198

(식 중, R3은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, V1은, 각각 독립하여, C(R4)2(R4는, 각각 독립하여, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.), NR5(R5는 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타낸다.), S, O, 또는 SO2를 나타내고, V2는 NR5(R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.), S 또는 O를 나타낸다.)
The method of claim 1,
An arylamine compound wherein Ar s is represented by any one of the following formulas (101) to (118).
Figure pct00196

Figure pct00197

Figure pct00198

(Wherein, R 3 is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or 6 carbon atoms. represents an aryl group of to 20, V 1 each independently represents C(R 4 ) 2 (R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) .), NR 5 (R 5 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms), S, O, or SO 2 , and V 2 is NR 5 (R 5 is It represents the same meaning as above), represents S or O.)
제1항에 있어서,
상기 Ars가 하기 식 (101A)∼(118A) 중 어느 하나로 표시되는 아릴아민 화합물.
Figure pct00199

Figure pct00200

Figure pct00201

Figure pct00202

Figure pct00203

Figure pct00204

Figure pct00205

Figure pct00206

(식 중, R3, V1 및 V2는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)
The method of claim 1,
An arylamine compound wherein Ar s is represented by any one of the following formulas (101A) to (118A).
Figure pct00199

Figure pct00200

Figure pct00201

Figure pct00202

Figure pct00203

Figure pct00204

Figure pct00205

Figure pct00206

(Wherein, R 3 , V 1 and V 2 have the same meanings as above.)
제3항에 있어서,
상기 Ars가 하기 식 (101A-1)∼(118A-3) 중 어느 하나로 표시되는 아릴아민 화합물.
Figure pct00207

Figure pct00208

Figure pct00209

Figure pct00210

Figure pct00211

Figure pct00212

Figure pct00213

Figure pct00214

Figure pct00215

Figure pct00216

Figure pct00217

Figure pct00218

Figure pct00219

Figure pct00220

Figure pct00221

Figure pct00222

Figure pct00223

Figure pct00224

Figure pct00225

Figure pct00226

Figure pct00227

Figure pct00228

(식 중, R4 및 R5는 상기와 같은 의미를 나타낸다.)
4. The method of claim 3,
An arylamine compound wherein Ar s is represented by any one of the following formulas (101A-1) to (118A-3).
Figure pct00207

Figure pct00208

Figure pct00209

Figure pct00210

Figure pct00211

Figure pct00212

Figure pct00213

Figure pct00214

Figure pct00215

Figure pct00216

Figure pct00217

Figure pct00218

Figure pct00219

Figure pct00220

Figure pct00221

Figure pct00222

Figure pct00223

Figure pct00224

Figure pct00225

Figure pct00226

Figure pct00227

Figure pct00228

(Wherein, R 4 and R 5 have the same meanings as above.)
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 X가 하기 식 (201)∼(207) 중 어느 하나로 표시되는 아릴아민 화합물.
Figure pct00229

(식 중, R6은, 각각 독립하여, 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기, 탄소수 1∼20의 알콕시기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타내고, W1은, 각각 독립하여, 단결합, C(R7)2(R7은, 각각 독립하여, 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 1∼20의 할로겐화 알킬기를 나타낸다.), S, O, 또는 SO2를 나타내고, W2는 C(R7)2(R7은 각각 독립하여 상기와 같은 의미를 나타낸다.), NR8(R8은 수소 원자, 탄소수 1∼20의 알킬기, 또는 탄소수 6∼20의 아릴기를 나타낸다.), S, O, 또는 SO2를 나타내고, W3은 NR8(R8은 상기와 같은 의미를 나타낸다.), S 또는 O를 나타낸다.)
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
An arylamine compound wherein X is represented by any one of the following formulas (201) to (207).
Figure pct00229

(Wherein, R 6 is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or 6 carbon atoms. represents an aryl group of to 20, each of W 1 is independently a single bond, C(R 7 ) 2 (R 7 is each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or halogenation having 1 to 20 carbon atoms) represents an alkyl group), S, O, or SO 2 , W 2 is C(R 7 ) 2 (R 7 each independently represents the same meaning as above), NR 8 (R 8 is a hydrogen atom, represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms), S, O, or SO 2 , W 3 is NR 8 (R 8 has the same meaning as above), S or O indicates.)
제5항에 있어서,
상기 X가 하기 식 (201A)∼(207A) 중 어느 하나로 표시되는 아릴아민 화합물.
Figure pct00230

(식 중, R6, W1, W2 및 W3은 상기와 같은 의미를 나타낸다.)
6. The method of claim 5,
An arylamine compound wherein X is represented by any one of the following formulas (201A) to (207A).
Figure pct00230

(Wherein, R 6 , W 1 , W 2 and W 3 have the same meanings as above.)
제6항에 있어서,
상기 X가 하기 식 (201A-1)∼(207A-1) 중 어느 하나로 표시되는 아릴아민 화합물.
Figure pct00231

Figure pct00232

Figure pct00233

(식 중, R7, R8 및 W3은 상기와 같은 의미를 나타낸다.)
7. The method of claim 6,
An arylamine compound wherein X is represented by any one of the following formulas (201A-1) to (207A-1).
Figure pct00231

Figure pct00232

Figure pct00233

(Wherein, R 7 , R 8 and W 3 have the same meanings as above.)
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 Arc가 동일한 기인 아릴아민 화합물.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
An arylamine compound wherein Ar c is the same group.
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 아릴아민 화합물과, 유기 용매를 포함하는 전하 수송성 바니시.A charge-transporting varnish comprising the arylamine compound according to any one of claims 1 to 8 and an organic solvent. 제9항에 있어서,
도판트 물질을 포함하는 전하 수송성 바니시.
10. The method of claim 9,
A charge transporting varnish comprising a dopant material.
제9항 또는 제10항의 전하 수송성 바니시를 사용하여 제작되는 전하 수송성 박막.A charge-transporting thin film produced using the charge-transporting varnish of claim 9 or 10. 제11항에 기재된 전하 수송성 박막을 갖추는 전자 소자.An electronic device comprising the charge-transporting thin film according to claim 11 .
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