KR20220015894A - New compound for capping layer and Organic light emitting diode comprising to the same - Google Patents

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함호완
안현철
김희주
김동준
한정우
이형진
안자은
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Abstract

The present invention provides a compound for a capping layer represented by chemical formula 1, and an organic light emitting device including the same. The compound for forming the capping layer according to the present invention can maintain a wide band gap in which it is difficult to absorb a visible light region, thereby realizing high color purity.

Description

신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{New compound for capping layer and Organic light emitting diode comprising to the same}New compound for capping layer and organic light emitting diode comprising the same

본 발명은 신규한 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a novel capping layer compound and an organic light emitting device comprising the same.

유기 발광 소자에서 유기물 층으로 사용되는 재료는 크게 기능에 따라, 발광 재료, 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.A material used as an organic layer in an organic light emitting device may be classified into a light emitting material, a hole injection material, a hole transport material, an electron transport material, an electron injection material, and the like according to a function.

또한, 상기 발광 재료는 발광 메커니즘에 따라 전자의 일중항 여기 상태로부터 유래되는 형광 재료와 전자의 삼중항 여기 상태로부터 유래되는 인광 재료로 분류될 수 있으며, 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광 재료로 구분될 수 있다.In addition, the light emitting material can be classified into a fluorescent material derived from a singlet excited state of electrons and a phosphorescent material derived from a triplet excited state of electrons according to the light emission mechanism, and can be classified into blue, green, and red light emitting materials according to the emission color. can be distinguished.

일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 애노드가 형성되어 있고, 이 애노드 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 캐소드가 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기 박막들이다.A typical organic light emitting device may have a structure in which an anode is formed on a substrate, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a cathode are sequentially formed on the anode. Here, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer are organic thin films made of an organic compound.

상술한 바와 같은 구조를 갖는 유기 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다.The driving principle of the organic light emitting diode having the above-described structure is as follows.

상기 애노드 및 캐소드 간에 전압을 인가하면, 애노드로부터 주입된 정공은 정공수송층을 경유하여 발광층으로 이동하고, 캐소드로부터 주입된 전자는 전자수송층을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성한다.When a voltage is applied between the anode and the cathode, holes injected from the anode move to the emission layer via the hole transport layer, and electrons injected from the cathode move to the emission layer via the electron transport layer. The holes and electrons recombine in the emission layer to generate excitons.

이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다. 유기 발광 소자의 효율은 통상적으로 내부발광효율과 외부발광효율로 나눌 수 있다. 내부발광효율은 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등과 같이 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 유기층에서 얼마나 효율적으로 엑시톤이 생성되어 광변환이 이루어지는가와 관련 있으며, 이론적으로 형광의 경우 25%, 인광의 경우 100%로 알려져 있다.Light is generated as this exciton changes from an excited state to a ground state. The efficiency of organic light emitting diodes can be generally divided into internal luminous efficiency and external luminous efficiency. The internal luminous efficiency is related to how efficiently excitons are generated in the organic layer interposed between the first and second electrodes, such as a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, to achieve light conversion. Theoretically, in the case of fluorescence, 25%, phosphorescence is known to be 100%.

한편, 외부발광효율은 유기층에서 생성된 광이 유기 발광 소자 외부로 추출되는 효율을 나타내며, 통상적으로 내부발광효율의 약 20% 정도로 외부로 추출되는 것으로 알려져 있다. 이 광추출을 높이기 위한 방법으로 외부로 나가는 빛이 전반사되어 손실되는 것을 방지하기 위해 1.7이상의 굴절률을 갖는 다양한 유기 화합물들을 캡핑층으로 적용해 왔으며, 유기 발광 소자의 성능 개선을 위해 외부발광효율을 높이는 고굴절률 및 박막 안정성을 가지는 유기 화합물을 개발하려는 노력이 지속되어 왔다.On the other hand, the external luminous efficiency refers to the efficiency at which light generated in the organic layer is extracted to the outside of the organic light emitting device, and it is known that it is usually extracted to the outside by about 20% of the internal luminous efficiency. As a method to increase this light extraction, various organic compounds having a refractive index of 1.7 or higher have been applied as a capping layer to prevent total reflection and loss of light going out to the outside Efforts have been made to develop organic compounds having high refractive index and thin film stability.

한국 공개특허 10-2004-0098238Korean Patent Publication 10-2004-0098238

이에, 본 발명의 목적은 가시광 영역을 흡수할 수 없는 넓은 밴드갭 및 고굴절률을 가지며, 동시에 자외선 영역의 흡수파장이 증대되어 고색순도, 고효율, 장수명의 유기 발광 소자를 구현할 수 있는 캡핑층용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to have a wide bandgap and high refractive index that cannot absorb visible light, and at the same time increase the absorption wavelength in the ultraviolet region to realize high color purity, high efficiency, and long lifespan organic light emitting device for a capping layer compound and An object of the present invention is to provide an organic light emitting device including the same.

또한, 본 발명의 목적은 분자간 박막배열이 우수하여 굴절률이 개선되고, 높은 유리전이온도(Tg) 및 분해온도(Td)로 분자간 재결정화를 방지하고 구동 시 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지하고, 외부 공기 및 수분으로부터 소자를 보호하여 안정성이 개선되어, 외부양자 효율이 증가하고 수명이 현저히 개선될 수 있는 캡핑층용 화합물 및 유기 발광 소자를 제공하는데 있다.In addition, an object of the present invention is to improve the refractive index due to excellent intermolecular thin film arrangement, prevent intermolecular recrystallization with high glass transition temperature (Tg) and decomposition temperature (Td), and maintain a stable thin film from heat generated during operation, An object of the present invention is to provide a compound for a capping layer and an organic light emitting device that can protect the device from external air and moisture to improve stability, increase external quantum efficiency, and significantly improve lifespan.

상기의 과제 및 추가적 과제에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.The above tasks and additional tasks will be described in detail below.

상기의 과제를 해결하기 위한 수단으로서,As a means for solving the above problems,

본 발명은 일실시예로서, 하기 화학식 1로 표현되는 캡핑층용 화합물을 제공한다:As an embodiment, the present invention provides a compound for a capping layer represented by the following Chemical Formula 1:

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00002
Figure pat00002

상기 화학식 1 및 화학식 1-1에서,In Formula 1 and Formula 1-1,

Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치횐된 C2~C50의 헤테로아릴기이되, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 축합아릴기 또는 헤테로아릴기이고,Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6~ C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroaryl group, wherein at least one of Ar 1 and Ar 2 is a condensed aryl group or hetero an aryl group,

Ar3은 화학식1-1이며,Ar 3 is Formula 1-1,

X1 내지 X10은 각각 독립적으로 C, CR, 또는 N이되, X1 내지 X10 중 하나만 N이고,X 1 to X 10 are each independently C, CR, or N, but only one of X 1 to X 10 is N,

R은 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며, R이 2개 이상인 경우 서로 같거나 다를 수 있고,R is hydrogen, deuterium, halogen, nitro group, nitrile group, substituted or unsubstituted C1-C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C2-C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1-C30 alkoxy group, substituted Or an unsubstituted C1~ C30 sulfide group, a substituted or unsubstituted C6~ C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroaryl group, and when R is two or more, they may be the same as or different from each other, ,

L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이고,L 1 and L 2 are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted C6~ C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroarylene group,

L3은 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이며,L 3 is a substituted or unsubstituted C6~ C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroarylene group,

*은 L3에 결합되는 위치이다.* is a position bonded to L 3 .

또한, 본 발명은 일실시예로서,In addition, the present invention is an embodiment,

상술된 캡핑층용 화합물을 함유하는 유기 발광 소자를 제공한다.An organic light emitting device containing the above-described compound for a capping layer is provided.

본 발명에 따른 캡핑층 형성용 화합물은 퀴놀린기가 결합된 아릴아민 구조를 가지며, 유기 발광 소자의 캡핑층으로 적용 시 고굴절률을 유지하기 용이하고 동시에 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭을 유지할 수 있어 고색순도를 구현할 수 있다.The compound for forming a capping layer according to the present invention has an arylamine structure to which a quinoline group is bonded, and when applied as a capping layer of an organic light emitting device, it is easy to maintain a high refractive index and at the same time it is possible to maintain a wide band gap that is difficult to absorb the visible light region. High color purity can be realized.

또한, 본 발명에 따른 캡핑층 형성용 화합물은, 퀴놀린기와 아민 사이에 연결기로 확장되어 있어 분자간 박막배열이 우수함과 동시에 자외선 영역의 흡수파장 증대에 효과적일 수 있으며, 이에 따라 굴절률 개선뿐만 아니라 자외선 노출로부터 안정성 및 외부 공기, 수분으로부터 안정성을 개선하기 용이하다.In addition, since the compound for forming a capping layer according to the present invention is extended with a linking group between the quinoline group and the amine, the intermolecular thin film arrangement is excellent and at the same time it can be effective in increasing the absorption wavelength in the ultraviolet region, thus improving the refractive index and exposure to ultraviolet rays It is easy to improve stability from outside air and moisture.

나아가, 본 발명에 따른 캡핑층 형성용 화합물은, 퀴놀린기와 같은 헤테로 2환 축합기를 적용하여 높은 유리전이온도(Tg) 및 분해온도(Td)를 형성할 수 있으며, 이로 인해 유기 발광 소자의 캡핑층으로 적용 시 분자간 재결정화 방지 및 구동 시 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지할 수 있다.Furthermore, the compound for forming a capping layer according to the present invention can form a high glass transition temperature (Tg) and a decomposition temperature (Td) by applying a heterobicyclic condensing group such as a quinoline group, and thereby the capping layer of the organic light emitting device When applied, it is possible to prevent intermolecular recrystallization and maintain a stable thin film from heat generated during operation.

상기의 효과 및 추가적 효과에 대하여 아래에서 자세히 서술한다.The above effects and additional effects will be described in detail below.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구성을 보여주는 개략 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 캡핑층용 화합물 47 및 188과 Ref. 1 및 Ref. 2 화합물에 대한 340 nm ~ 460 nm 범위 내에서의 흡수 강도를 측정한 그래프이다.
1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a capping layer according to an embodiment of the present invention compounds 47 and 188 and Ref. 1 and Ref. It is a graph measuring the absorption intensity within the range of 340 nm to 460 nm for the 2 compounds.

이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.Prior to describing the present invention in detail below, it is to be understood that the terminology used herein is for the purpose of describing specific embodiments and is not intended to limit the scope of the present invention, which is limited only by the appended claims. shall. All technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by those of ordinary skill in the art, unless otherwise stated.

본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.Throughout this specification and claims, unless stated otherwise, the term comprise, comprises, comprising is meant to include the stated object, step or group of objects, and steps, and any other object. It is not used in the sense of excluding a step or a group of objects or groups of steps.

본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 용어 "아릴"은 C6~C50의 방향족 탄화수소 고리기, 예를 들어, 페닐, 벤질, 나프틸, 바이페닐, 터페닐, 플루오렌, 페난트레닐, 트리페닐레닐, 페릴레닐, 크리세닐, 플루오란테닐, 벤조플루오레닐, 벤조트리페닐레닐, 벤조크리세닐, 안트라세닐, 스틸베닐, 파이레닐 등의 방향족 고리를 포함하는 것을 의미한다.Throughout this specification and claims, the term "aryl" refers to a C6-C50 aromatic hydrocarbon ring group, such as phenyl, benzyl, naphthyl, biphenyl, terphenyl, fluorene, phenanthrenyl, triphenyl It is meant to include an aromatic ring such as renyl, perylenyl, chrysenyl, fluoranthenyl, benzofluorenyl, benzotriphenylenyl, benzochrysenyl, anthracenyl, stilbenyl, pyrenyl, and the like.

또한, 용어 "헤테로아릴"은 1 개 이상의 헤테로 원소를 포함하는 C2-C50의 방향족 고리로서, 예를 들어, 피롤릴, 피라지닐, 피리디닐, 인돌릴, 이소인돌릴, 푸릴, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 다이벤조푸라닐, 벤조티오페닐, 다이벤조티오페닐, 퀴놀릴기, 이소퀴놀릴, 퀴녹살리닐, 카바졸릴, 페난트리디닐, 아크리디닐, 페난트롤리닐, 티에닐, 및 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트리아진, 인돌, 퀴놀린, 아크리딘, 피롤리딘, 디옥산, 피페리딘, 모르폴린, 피페라진, 카바졸, 푸란, 티오펜, 옥사졸, 옥사디아졸, 벤조옥사졸, 티아졸, 티아디아졸, 벤조티아졸, 트리아졸, 이미다졸, 벤조이미다졸, 피란, 다이벤조푸란 등의 헤테로 고리기를 포함하는 것을 의미할 수 있다.In addition, the term "heteroaryl" is a C2-C50 aromatic ring containing one or more heteroatoms, for example, pyrrolyl, pyrazinyl, pyridinyl, indolyl, isoindolyl, furyl, benzofuranyl, isobenzofuranyl, dibenzofuranyl, benzothiophenyl, dibenzothiophenyl, quinolyl group, isoquinolyl, quinoxalinyl, carbazolyl, phenanthridinyl, acridinyl, phenanthrolinyl, thienyl, and Pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, indole, quinoline, acridine, pyrrolidine, dioxane, piperidine, morpholine, piperazine, carbazole, furan, thiophene, oxazole, oxa It may mean containing a heterocyclic group such as diazole, benzoxazole, thiazole, thiadiazole, benzothiazole, triazole, imidazole, benzoimidazole, pyran, dibenzofuran.

또한, 화학식에서 Arx(여기서 x는 정수임) 특별히 정의되지 않는 경우, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 의미하며, L x(여기서 x는 정수임)은 특별히 정의되지 않는 경우, 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기를 의미하며, R x(여기서 x는 정수임)은 특별히 정의되지 않는 경우, 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기를 의미한다.In addition, in the formula, Ar x (where x is an integer) means, unless specifically defined, a substituted or unsubstituted C6~C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2~C50 heteroaryl group, L x (here x is an integer) refers to a direct bond, a substituted or unsubstituted C6~ C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2~C50 heteroarylene group, unless otherwise defined, and R x (where x is an integer) ) is hydrogen, deuterium, halogen, nitro group, nitrile group, substituted or unsubstituted C1~ C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C2~ C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1~ It refers to a C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1~C30 sulfide group, a substituted or unsubstituted C6~C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2~C50 heteroaryl group.

본 명세서 및 청구범위 전반에 걸쳐, 용어 "치환 또는 비치환된"은 중수소, 할로겐, 아미노기, 시아노기, 니트릴기, 니트로기, 니트로소기, 술파모일기, 이소티오시아네이트기, 티오시아네이트기, 카르복시기, 또는 C1~C30의 알킬기, C1~C30의 알킬술피닐기, C1~C30의 알킬술포닐기, C1~C30의 알킬술파닐기, C1∼C12 의 플루오로알킬기, C2~C30의 알케닐기, C1~C30의 알콕시기, C1~C12의 N-알킬아미노기, C2~C20의 N,N-디알킬아미노기, C1∼C6의 N-알킬술파모일기, C2∼C12의 N,N-디알킬술파모일기, C3~C30의 실릴기, C3~C20의 시클로알킬기, C3~C20의 헤테로시클로알킬기, C6~C50의 아릴기 및 C3~C50의 헤테로아릴기 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 치환되지 않는 것을 의미할 수 있다. 또한, 본 명세서 전체에서 동일한 기호는 특별히 언급하지 않는 한 같은 의미를 가질 수 있다.Throughout this specification and claims, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium, halogen, amino group, cyano group, nitrile group, nitro group, nitroso group, sulfamoyl group, isothiocyanate group, thiocyanate group , carboxyl group, or C1 to C30 alkyl group, C1 to C30 alkylsulfinyl group, C1 to C30 alkylsulfonyl group, C1 to C30 alkylsulfanyl group, C1 to C12 fluoroalkyl group, C2 to C30 alkenyl group, C1 -C30 alkoxy group, C1-C12 N-alkylamino group, C2-C20 N,N-dialkylamino group, C1-C6 N-alkylsulfamoyl group, C2-C12 N,N-dialkylsulfamo Diyl, C3~ C30 silyl group, C3~ C20 cycloalkyl group, C3~ C20 heterocycloalkyl group, C6~ C50 aryl group, C3~ C50 heteroaryl group, etc. substituted or substituted with one or more groups selected from the group consisting of It could mean that it doesn't. In addition, the same symbols throughout the present specification may have the same meaning unless otherwise specified.

한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는 한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 이하, 본 발명의 실시예 및 이에 따른 효과를 설명하기로 한다.On the other hand, various embodiments of the present invention may be combined with any other embodiments unless clearly indicated to the contrary. Hereinafter, embodiments of the present invention and effects thereof will be described.

이하에서 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 캡핑층용 화합물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있다:The compound for a capping layer according to the present invention may be represented by the following Chemical Formula 1:

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00003
Figure pat00003

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 1 및 화학식 1-1에서,In Formula 1 and Formula 1-1,

Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치횐된 C2~C50의 헤테로아릴기이되, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 축합아릴기 또는 헤테로아릴기이고,Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6~ C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroaryl group, wherein at least one of Ar 1 and Ar 2 is a condensed aryl group or hetero an aryl group,

Ar3은 화학식1-1이며,Ar 3 is Formula 1-1,

X1 내지 X10은 각각 독립적으로 C, CR, 또는 N이되, X1 내지 X10 중 하나만 N이고,X 1 to X 10 are each independently C, CR, or N, but only one of X 1 to X 10 is N,

R은 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며, R이 2개 이상인 경우 서로 같거나 다를 수 있고,R is hydrogen, deuterium, halogen, nitro group, nitrile group, substituted or unsubstituted C1-C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C2-C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1-C30 alkoxy group, substituted Or an unsubstituted C1~ C30 sulfide group, a substituted or unsubstituted C6~ C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroaryl group, and when R is two or more, they may be the same as or different from each other, ,

L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이고,L 1 and L 2 are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted C6~ C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroarylene group,

L3은 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이며,L 3 is a substituted or unsubstituted C6~ C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroarylene group,

*은 L3에 결합되는 위치이다.* is a position bonded to L 3 .

본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 캡핑층 형성용 화합물은 퀴놀린기가 결합된 아릴아민 구조를 가지며, 유기 발광 소자의 캡핑층으로 적용 시 고굴절률을 유지하기 용이하고 동시에 가시광 영역을 흡수하기 어려운 넓은 밴드갭을 유지할 수 있어 고색순도를 구현할 수 있다.The compound for forming a capping layer represented by Formula 1 according to the present invention has an arylamine structure to which a quinoline group is bonded, and when applied as a capping layer of an organic light emitting device, it is easy to maintain a high refractive index and at the same time a broad band that is difficult to absorb the visible light region It is possible to maintain the gap, so that high color purity can be realized.

또한, 본 발명에 따른 화학식1로 표시되는 캡핑층 형성용 화합물은, 퀴놀린기와 아민 사이에 연결기로 확장되어 있어 분자간 박막배열이 우수함과 동시에 자외선 영역의 흡수파장 증대에 효과적일 수 있으며, 이에 따라 굴절률 개선뿐만 아니라 자외선 노출로부터 안정성 및 외부 공기, 수분으로부터 안정성을 개선하기 용이하다.In addition, since the compound for forming a capping layer represented by Formula 1 according to the present invention is extended with a linking group between the quinoline group and the amine, the intermolecular thin film arrangement is excellent and at the same time it can be effective in increasing the absorption wavelength in the ultraviolet region, and thus the refractive index It is easy to improve as well as improve stability from UV exposure and stability from outside air and moisture.

나아가, 본 발명에 따른 화학식1로 표시되는 캡핑층 형성용 화합물은, 퀴놀린기와 같은 헤테로 2환 축합기를 적용하여 높은 유리전이온도(Tg) 및 분해온도(Td)를 형성할 수 있으며, 이로 인해 유기 발광 소자의 캡핑층으로 적용 시 분자간 재결정화 방지 및 구동 시 발생하는 열로부터 안정한 박막을 유지할 수 있다.Furthermore, the compound for forming a capping layer represented by Formula 1 according to the present invention can form a high glass transition temperature (Tg) and a decomposition temperature (Td) by applying a heterobicyclic condensed group such as a quinoline group, thereby When applied as a capping layer of a light emitting device, it is possible to prevent intermolecular recrystallization and maintain a stable thin film from heat generated during operation.

구체적으로, 화학식 1-1에서 X1은 N이고, X3이 L3과 결합할 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 이러한 구조를 가짐으로써 높은 굴절률을 유지함과 동시에 가시광 영역의 흡수를 최소화할 수 있다.Specifically, in Formula 1-1, X1 may be N, and X3 may be bonded to L3. Since the compound represented by Formula 1 has such a structure, it is possible to maintain a high refractive index and minimize absorption in the visible light region.

구체적으로, 상기 화학식 1에 있어서, 상기 Ar1 및 Ar2 중 하나 이상은 화학식 1-1일 수 있고, 이때, 상기 Ar1과 Ar2는 서로 같거나 다를 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 이러한 구조를 가짐으로써 두 개 이상의 코어를 포함하여 더욱 높은 굴절률을 가질 수 있다.Specifically, in Formula 1, at least one of Ar 1 and Ar 2 may be represented by Formula 1-1, wherein Ar 1 and Ar 2 may be the same as or different from each other. The compound represented by Formula 1 may have a higher refractive index by including two or more cores by having such a structure.

또한, 상기 화학식 1에서, Ar1 및 Ar2 중 하나 이상은 축합된 헤테로아릴기일 수 있으며, 구체적으로는 하기 화학식 1-2일 수 있다. 이때 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 다를 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 이러한 구조를 가짐으로써 분극율을 높여 더욱 높은 굴절률을 가질 수 있고, 이와 함께 자외선 영역의 흡수강도를 개선할 수 있다:In addition, in Formula 1, at least one of Ar 1 and Ar 2 may be a condensed heteroaryl group, and specifically may be represented by Formula 1-2 below. In this case, Ar 1 and Ar 2 may be the same as or different from each other. The compound represented by the formula (1) may have a higher refractive index by increasing the polarization by having such a structure, and with it, the absorption intensity in the ultraviolet region may be improved:

[화학식1-2][Formula 1-2]

Figure pat00005
.
Figure pat00005
.

상기 화학식 1-2에서,In Formula 1-2,

X11 내지 X19는 각각 독립적으로 C, CR, O, S, N, Se, Te, NR, CRR`, SiRR`, 또는 GeRR`이다.X 11 to X 19 are each independently C, CR, O, S, N, Se, Te, NR, CRR', SiRR', or GeRR'.

구체적으로, 상기 X15 내지 X18은 CR이고, X12는 C이며 L1 또는 L2와의 연결부위일 수 있다.Specifically, X 15 to X 18 are CR, X 12 is C, and may be a connecting portion with L 1 or L 2 .

아울러, 상기 X11은 CR 또는 N이고, X13은 O, S 또는 NR이며, X14는 C이거나, 또는 X11은 CR 또는 N이고, X13은 CR이며, X14는 N일 수 있다.In addition, X 11 may be CR or N, X 13 may be O, S or NR, X 14 may be C, or X 11 may be CR or N, X 13 may be CR, and X 14 may be N.

본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 Ar3에 화학식 1-1로 표현되는 축합 헤테로아릴기를 포함하면서, 동시에 상기 화학식 1-1과 다른 화학식 1-2로 표현되는 축합 아릴기 또는 축합 헤테로아릴기를 Ar1 및 Ar2 중 하나 이상에 포함함으로써 보다 높은 굴절률을 구현할 수 있다. 구체적으로, 상기 Ar1은 화학식 1-1이고, 상기 Ar2는 화학식 1-2일 수 있다.The compound represented by Formula 1 according to the present invention includes a fused heteroaryl group represented by Formula 1-1 in Ar 3 , and at the same time a fused aryl group or a fused heteroaryl group represented by Formula 1-2 different from Formula 1-1 A higher refractive index may be realized by including the group in at least one of Ar 1 and Ar 2 . Specifically, Ar 1 may be in Formula 1-1, and Ar 2 may be in Formula 1-2.

또한, 본 발명에 따른 화학식 1은 하기 화학식 2로 표현될 수 있다. 이 경우, 상기 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물은 화학식 1-1에 인접한 페닐렌기를 통해 아민기에 연결되어 청색 영역의 흡수파장을 최소화할 수 있으며, 이와 함께 굴절률을 효과적으로 향상시킬 수 있다:In addition, Chemical Formula 1 according to the present invention may be represented by Chemical Formula 2 below. In this case, the capping layer compound represented by Chemical Formula 1 is connected to an amine group through a phenylene group adjacent to Chemical Formula 1-1 to minimize the absorption wavelength in the blue region, and together with it, it is possible to effectively improve the refractive index:

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

Ar1, Ar2, L1, L2, X1 내지 X10은 상기 화학식 1과 동일하고,Ar 1 , Ar 2 , L 1 , L 2 , X 1 to X 10 are the same as in Formula 1,

R1은 화학식 1의 R과 동일하며,R 1 is the same as R in Formula 1,

l은 1 내지 5의 정수이다.l is an integer from 1 to 5;

구체적으로, 상기 화학식 1은 화학식 3 내지 화학식 5 중 어느 하나로 표현될 수 있다:Specifically, Formula 1 may be represented by any one of Formulas 3 to 5:

[화학식 3][Formula 3]

Figure pat00007
Figure pat00007

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 3 내지 화학식 5에서,In Formulas 3 to 5,

Ar1, Ar2, X1 내지 X10은 상기 화학식 1과 동일하고(단, X1 내지 X10의 탄소수는 Ar1 또는 Ar2에서 정의된 탄소수 범위를 만족시키며),Ar 1 , Ar 2 , X 1 to X 10 are the same as in Formula 1 (provided that the number of carbon atoms of X 1 to X 10 satisfies the range of carbon numbers defined in Ar 1 or Ar 2 ),

L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이며, 구체적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이며,L 1 and L 2 are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted C6~ C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroarylene group, specifically a substituted or unsubstituted C6~ C50 arylene group An arylene group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroarylene group,

m은 1 내지 3의 정수이다.m is an integer from 1 to 3.

상기 화학식 3 내지 5로 표시되는 화합물은 Ar1 내지 Ar3 중 어느 하나 이상이 화학식 1-1이고, L3이 연결기 확장(m=2~3인 경우)이 가능한 파라-페닐렌기(1,4-페닐렌기)인 화합물이다. 이 경우, 상기 화합물들은 고굴절률을 구현함과 동시에 자외선 영역의 흡수 파장이 증대되어 외부 자외선 노출로부터 안정성이 향상되는 이점이 있다.In the compound represented by Chemical Formulas 3 to 5, at least one of Ar 1 to Ar 3 is Chemical Formula 1-1, and L 3 is a para-phenylene group (1,4 in case of m=2 to 3) capable of linking group extension. -phenylene group). In this case, the compounds have an advantage in that the absorption wavelength in the ultraviolet region is increased while implementing a high refractive index, so that stability from external ultraviolet exposure is improved.

특히, 화학식 4 및/또는 화학식 5로 표시되는 화합물과 같이, 축합된 헤테로아릴기를 2개 이상 포함하는 경우, 굴절률을 보다 증가시킬 수 있다.In particular, when two or more condensed heteroaryl groups are included as in the compound represented by Formula 4 and/or Formula 5, the refractive index may be further increased.

또한, L1 및 L2는 각각 독립적으로 아릴렌기 또는 헤테로아릴렌기인 구성을 가짐으로써, 굴절률을 높일 수 있고 동시에 자외선 영역의 흡수강도를 개선할 수 있다.In addition, L 1 and L 2 are each independently an arylene group or a heteroarylene group, thereby increasing the refractive index and at the same time improving the absorption intensity in the ultraviolet region.

이와 더불어, 상기 화학식 1은 하기 화학식 6 내지 화학식 9 중 어느 하나로 표현될 수 있다:In addition, Formula 1 may be represented by any one of Formulas 6 to 9 below:

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화학식 7][Formula 7]

Figure pat00011
Figure pat00011

[화학식 8][Formula 8]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 9][Formula 9]

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 화학식 6 내지 화학식 9에서,In Formulas 6 to 9,

Ar1, L1, L2, X1 내지 X10은 상기 화학식 1과 동일하고,Ar 1 , L 1 , L 2 , X 1 to X 10 are the same as in Formula 1,

X11, X13 및 X14는 각각 독립적으로 C, O, S, N, CR 또는 NR이며,X 11 , X 13 and X 14 are each independently C, O, S, N, CR or NR,

m은 1 내지 3의 정수이다.m is an integer from 1 to 3.

상기 화학식 6 내지 화학식 9로 표시되는 화합물은 L3이 연결기 확장(m=2~3인 경우)이 가능한 파라-페닐렌기(1,4-페닐렌기)를 포함하고, Ar1 및 Ar2 중 어느 하나 이상에 화학식 1-2를 포함하는 화합물이다. 이 경우, 자외선 영역에서의 흡수 강도를 향상시킬 수 있으며, 보다 높은 굴절률을 구현할 수 있다.The compounds represented by Chemical Formulas 6 to 9 include a para-phenylene group (1,4-phenylene group) in which L 3 is capable of linking group expansion (when m=2 to 3), and any one of Ar 1 and Ar 2 It is a compound comprising at least one of Formula 1-2. In this case, absorption intensity in the ultraviolet region may be improved, and a higher refractive index may be realized.

나아가, 상기 X1 내지 X4 중 어느 하나는 N일 수 있다. 상기 X1 내지 X4 중 어느 하나가 N인 화학식 1-1은 퀴놀린기로서, 이를 화학식 1로 표시되는 화합물에 포함하는 경우 분자 내 분극율이 높아져 보다 높은 굴절률을 가질 뿐만 아니라, 자외선 영역의 광 흡수 강도를 올리는데 효과적일 수 있다.Furthermore, any one of X 1 to X 4 may be N. Formula 1-1, wherein any one of X 1 to X 4 is N, is a quinoline group, and when it is included in the compound represented by Formula 1, intramolecular polarization is increased to have a higher refractive index, and light in the ultraviolet region It can be effective in increasing absorption strength.

하나의 예로서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 10 내지 화학식 12 중 어느 하나로 표현될 수 있다:As an example, Chemical Formula 1 may be represented by any one of Chemical Formulas 10 to 12 below:

[화학식 10][Formula 10]

Figure pat00014
Figure pat00014

[화학식 11][Formula 11]

Figure pat00015
Figure pat00015

[화학식 12][Formula 12]

Figure pat00016
Figure pat00016

상기 화학식 10 내지 화학식 12에서,In Formulas 10 to 12,

Ar1, Ar2, L1 및 L2는 상기 화학식 1과 동일하고,Ar 1 , Ar 2 , L 1 and L 2 are the same as in Formula 1,

m은 1 내지 3의 정수이다.m is an integer from 1 to 3.

상기 화학식 10 내지 화학식 12로 표시되는 화합물은 L3이 연결기 확장(m=2~3인 경우)이 가능한 파라-페닐렌기(1,4-페닐렌기)이면서, Ar1 내지 Ar3 중 어느 하나 이상이 퀴놀린기인 화합물이다. 상기 화학식 10 내지 화학식 12로 표시되는 화합물은 상기와 같은 구조를 가짐으로써 가시광 영역에서의 광 흡수를 최소화하면서 보다 높은 굴절률을 가질 수 있다.In the compounds represented by Chemical Formulas 10 to 12, L 3 is a para-phenylene group (1,4-phenylene group) capable of linking group expansion (when m=2 to 3), and Ar 1 to Ar 3 Any one or more This compound is a quinoline group. The compounds represented by Chemical Formulas 10 to 12 may have a higher refractive index while minimizing light absorption in a visible light region by having the structure as described above.

한편, 상기 화학식 1에 있어서, L1 내지 L3은 각각 독립적으로 페닐렌기, 바이페닐렌기 또는 이들의 조합일 수 있다. 하나의 예로서, 상기 L1 내지 L3은 각각 독립적으로 1,4-페닐렌기일 수 있으며, 이 경우, 아민에 인접한 연결기의 벌키 특성을 최소화하여 고굴절률을 유지함과 동시에 증착온도를 낮출 수 있다는 장점이 있다.Meanwhile, in Formula 1, L 1 to L 3 may each independently be a phenylene group, a biphenylene group, or a combination thereof. As an example, the L 1 to L 3 may each independently be a 1,4-phenylene group, and in this case, it is possible to reduce the deposition temperature while maintaining a high refractive index by minimizing the bulky characteristic of the linking group adjacent to the amine. There are advantages.

또한, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 2환으로 이루어진 축합 아릴기 또는 2환으로 이루어진 축합 헤테로아릴기일 수 있다.In addition, Ar 1 and Ar 2 may each independently be a condensed aryl group consisting of two rings or a condensed heteroaryl group consisting of two rings.

상기 Ar1 및 Ar2가 2환으로 이루어진 축합 아릴기인 경우 가시광 영역의 흡수를 최소화하면서 동시에 고굴절률을 나타낼 수 있으며, Ar1 및 Ar2가 2환으로 이루어진 축합 헤테로아릴기인 경우 고굴절률을 나타낼 뿐만 아니라 자외선 영역의 흡수를 증대시킬 수 있다.When Ar 1 and Ar 2 are a condensed aryl group consisting of two rings, absorption in the visible region can be minimized and high refractive index can be exhibited at the same time, and when Ar 1 and Ar 2 are a condensed heteroaryl group consisting of two rings, a high refractive index is exhibited as well. However, it is possible to increase absorption in the ultraviolet region.

하나의 예로서, 상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 인돌리진기, 이미다조피리딘기 및 벤조옥사졸기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 이에 따라 화학식 1로 표시되는 캡핑층용 화합물은 말단기의 벌키 특성을 최소화하여 고굴절률을 유지할 수 있으며, 동시에 증착 온도를 효과적으로 개선할 수 있다.As an example, each of Ar 1 and Ar 2 may be independently selected from the group consisting of a benzofuran group, a benzothiophene group, an indolizine group, an imidazopyridine group, and a benzoxazole group, and thus, represented by Formula 1 The displayed compound for the capping layer can maintain a high refractive index by minimizing the bulky characteristic of the terminal group, and at the same time can effectively improve the deposition temperature.

아래의 화합물들은 본 발명에 따른 화합물의 구체적인 예들이다. 하기의 예들은 본 발명을 설명하기 위한 예시일 뿐이므로, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다:The following compounds are specific examples of the compounds according to the present invention. The following examples are only examples for explaining the present invention, and thus the present invention is not limited thereto:

Figure pat00017
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Figure pat00018
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Figure pat00019
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Figure pat00020
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Figure pat00021
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Figure pat00022
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Figure pat00023
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Figure pat00024
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Figure pat00025
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상기 본 발명의 캡핑층용 화합물의 일 실시예는 아미노화 반응에 의해 합성될 수 있으며, 개략적인 합성 반응식은 아래와 같다.An embodiment of the compound for the capping layer of the present invention may be synthesized by an amination reaction, and a schematic synthesis reaction scheme is as follows.

Figure pat00047
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본 발명은 다른 실시예에서, 전술된 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 캡핑층에 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.In another embodiment, the present invention provides an organic light emitting device including the above-described compound for a capping layer according to the present invention in a capping layer.

이하에서, 본 발명에 따른 유기 발광 소자를 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting device according to the present invention will be described in more detail.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층 및 캡핑층을 포함하여 구성될 수 있으며, 상기 캡핑층은 상기 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극의 외측에 배치될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the organic light emitting device may include a first electrode, a second electrode, one or more organic material layers and a capping layer interposed inside the first electrode and the second electrode, and the cap The ping layer may be disposed outside any one or more of the first electrode and the second electrode.

구체적으로, 제1 전극 또는 제2 전극의 양측면 중 제1 전극과 제2 전극 사이에 개재된 유기물층이 인접한 측을 내측이라고 하고, 유기물층과 인접하지 않은 측을 외측이라 한다. 즉, 제1 전극의 외측에 캡핑층이 배치되는 경우 캡핑층과 유기물층 사이에 제1 전극이 개재되고, 제2 전극의 외측에 캡핑층이 배치되는 경우 캡핑층과 유기물층 사이에 제2 전극이 개재된다.Specifically, a side adjacent to the organic material layer interposed between the first electrode and the second electrode among both surfaces of the first electrode or the second electrode is referred to as an inner side, and a side not adjacent to the organic material layer is referred to as an outer side. That is, when the capping layer is disposed outside the first electrode, the first electrode is interposed between the capping layer and the organic material layer, and when the capping layer is disposed outside the second electrode, the second electrode is interposed between the capping layer and the organic material layer do.

또한, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극 및 제2 전극의 내측에 1층 이상의 다양한 유기물층이 개재될 수 있고, 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 캡핑층이 형성될 수 있다. 즉, 캡핑층은 제1 전극의 외측과 제2 전극의 외측에 모두 형성되거나, 제1 전극의 외측 또는 제2 전극의 외측에만 형성될 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, in the organic light emitting device, one or more various organic material layers may be interposed inside the first electrode and the second electrode, and at least one of the first electrode and the second electrode may be disposed outside the first electrode and the second electrode. A capping layer may be formed thereon. That is, the capping layer may be formed on both the outer side of the first electrode and the outer side of the second electrode, or may be formed only on the outer side of the first electrode or the outer side of the second electrode.

이때, 상기 캡핑층은 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 포함할 수 있으며, 본 발명에 따른 캡핑층용 화합물을 단독으로 포함하거나, 2종 이상 포함하거나 또는 공지의 화합물을 함께 포함할 수 있다.In this case, the capping layer may include the compound for the capping layer according to the present invention, and may include the compound for the capping layer according to the present invention alone, include two or more kinds, or include a known compound together.

나아가, 상기 캡핑층은 450nm 파장에서의 굴절률이 2.25 이상, 구체적으로 2.30 이상, 더욱 구체적으로 2.32 이상일 수 있으며, 380nm 파장에서의 자외선 흡수강도가 0.7 이상, 구체적으로 0.8 이상 또는 0.9 이상일 수 있다.Furthermore, the capping layer may have a refractive index of 2.25 or more, specifically 2.30 or more, and more specifically 2.32 or more, at a wavelength of 450 nm, and an ultraviolet absorption intensity of 0.7 or more, specifically 0.8 or more, or 0.9 or more at a wavelength of 380 nm.

한편, 상기 유기물층으로는 일반적으로 발광부를 구성하는 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층이 포함될 수 있으며, 이에 제한되지 않을 수 있다.Meanwhile, the organic material layer may generally include a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer constituting the light emitting part, but may not be limited thereto.

보다 구체적으로 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극(애노드, anode)과 제2 전극(캐소드, cathode)의 사이에 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등의 발광부를 구성하는 유기물층을 1층 이상 포함할 수 있다.More specifically, the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (HTL) between a first electrode (anode) and a second electrode (cathode) ( EML), an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL) may include one or more organic material layers constituting the light emitting portion.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 소자의 구성을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자는 도 1에 기재된 구조와 같이 제조될 수 있다.1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention. The organic light emitting device according to an embodiment of the present invention may be manufactured as shown in FIG. 1 .

도 1과 같이, 유기 발광 소자는 아래에서부터 기판(100), 제1 전극(1000), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 제2 전극(2000) 및 캡핑층(3000)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.As shown in FIG. 1 , the organic light emitting device includes a substrate 100 , a first electrode 1000 , a hole injection layer 200 , a hole transport layer 300 , a light emitting layer 400 , an electron transport layer 500 , and an electron injection layer from the bottom. 600 , the second electrode 2000 , and the capping layer 3000 may be sequentially stacked.

여기서, 상기 기판(100)은 유기 발광 소자에서 일반적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있으며, 특히 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 및 방수성이 우수한 투명한 유리 기판 또는 플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다.Here, as the substrate 100, a substrate generally used in organic light emitting devices may be used, and in particular, a transparent glass substrate or a flexible plastic substrate excellent in mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, handling, and waterproofness. can be

또한, 상기 제1 전극(1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 정공주입전극으로 사용된다. 제1 전극(1000)은 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 사용하여 제조되며, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 그래핀(graphene)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.In addition, the first electrode 1000 is used as a hole injection electrode for hole injection of the organic light emitting device. The first electrode 1000 is manufactured using a material having a low work function to enable hole injection, and is formed of a transparent material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or graphene. can be

아울러, 상기 정공주입층(200)은 상기 제1 전극(1000)의 상부에 정공주입층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB(Langmuir-Blodgett)법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공주입층(200)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 정공주입층(200)의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 정공주입층(200)의 구조 및 열적특성 등에 따라 다르지만, 일반적으로 50-500℃의 증착온도, 10-8 내지 10-3 torr의 진공도, 0.01 내지 100 Å/sec의 증착속도, 10 Å 내지 5 ㎛의 층 두께 범위에서 적절히 선택할 수 있다. 한편, 정공주입층(200)의 표면에는 전하발생층을 필요에 따라 추가로 증착할 수 있다. 전하발생층 물질로는 통상의 물질을 사용할 수 있으며, HATCN을 예로 들 수 있다.In addition, the hole injection layer 200 is formed by depositing a hole injection layer material on the first electrode 1000 by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or a Langmuir-Blodgett (LB) method. can be In the case of forming the hole injection layer 200 by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer 200, the structure and thermal characteristics of the hole injection layer 200, etc. In general, a deposition temperature of 50-500° C., a vacuum degree of 10 -8 to 10 -3 torr, a deposition rate of 0.01 to 100 Å/sec, and a layer thickness of 10 Å to 5 μm may be appropriately selected. Meanwhile, a charge generating layer may be additionally deposited on the surface of the hole injection layer 200 if necessary. A conventional material may be used as the material for the charge generation layer, for example, HATCN.

또한, 상기 정공수송층(300)은 정공주입층(200)의 상부에 정공수송층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 정공수송층(300)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 상기 정공수송층(300)은 공지의 화합물을 사용하여 형성할 수 있다. 이러한 정공수송층(300)은 1층 이상일 수 있으며, 도 1에 도시되어 있지 않지만, 정공수송층(300)의 상부에 발광보조층을 추가로 형성할 수 있다.In addition, the hole transport layer 300 may be formed by depositing a hole transport layer material on the hole injection layer 200 by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a LB method, or the like. In the case of forming the hole transport layer 300 by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but in general, it is preferable to select within the same range of conditions as those of the hole injection layer 200 . The hole transport layer 300 may be formed using a known compound. The hole transport layer 300 may have one or more layers, and although not shown in FIG. 1 , a light emitting auxiliary layer may be additionally formed on the hole transport layer 300 .

이와 더불어, 상기 발광층(400)은 정공수송층(300) 또는 발광보조층의 상부에 발광층 물질을 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법에 의해 증착하여 형성될 수 있다. 상기 진공증착법에 의해 발광층(400)을 형성하는 경우, 그 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다. 상기 발광층 재료는 공지의 화합물을 호스트 또는 도펀트로 사용할 수 있다.In addition, the light emitting layer 400 may be formed by depositing a light emitting layer material on the hole transport layer 300 or the light emitting auxiliary layer by a method such as vacuum deposition, spin coating, casting, LB method, or the like. In the case of forming the light emitting layer 400 by the vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used, but in general, it is preferable to select within the same range of conditions as those for the formation of the hole injection layer 200 . As the light emitting layer material, a known compound may be used as a host or a dopant.

여기서, 발광층 재료에 인광 도펀트를 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자수송층(500)으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여 정공억제재료(HBL)를 발광층(400)의 상부에 추가로 진공증착법 또는 스핀코팅법을 통해 적층시킬 수 있다. 사용할 수 있는 정공억제재료는 특별히 제한되지는 않으며, 공지의 재료를 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 또는 일본특개평 11-329734(A1)에 기재되어 있는 정공억제재료 등을 들 수 있으며, 대표적으로 Balq(비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리놀나토)-알루미늄 비페녹사이드), 페난트롤린(phenanthrolines)계 화합물(예: UDC사 BCP(바쏘쿠프로인)) 등을 사용할 수 있다. 이러한 본 발명의 발광층(400)은 1층 이상 또는 2층 이상의 청색 발광층을 포함할 수 있다.Here, when a phosphorescent dopant is used together in the light emitting layer material, a hole blocking material (HBL) is added on the light emitting layer 400 to prevent the triplet excitons or holes from diffusing into the electron transport layer 500 by vacuum deposition or It can be laminated through a spin coating method. The hole-blocking material that can be used is not particularly limited, and a known material can be arbitrarily selected and used. For example, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a phenanthroline derivative, or a hole-inhibiting material described in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 11-329734 (A1), etc. are mentioned. Representatively, Balq (bis(8-hydra) Roxy-2-methylquinolinol nato)-aluminum biphenoxide), phenanthrolines-based compounds (eg, UDC's BCP (vasocuproin)), etc. may be used. The light emitting layer 400 of the present invention may include one or more or two or more blue light emitting layers.

또한, 상기 전자수송층(500)은 발광층(400)의 상부에 형성되며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성될 수 있다. 상기 전자수송층(500)의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층(200)의 형성과 거의 동일한 조건 범위에서 선택하는 것이 좋다.In addition, the electron transport layer 500 is formed on the light emitting layer 400, and may be formed by a method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method. The deposition conditions of the electron transport layer 500 vary depending on the compound used, but in general, it is preferable to select the electron transport layer 500 in the same condition range as the formation of the hole injection layer 200 .

나아가, 상기 전자주입층(600)은 상기 전자수송층(500)의 상부에 전자주입층 물질을 증착하여 형성될 수 있으며, 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법 등의 방법으로 형성될 수 있다.Furthermore, the electron injection layer 600 may be formed by depositing an electron injection layer material on the electron transport layer 500 , and may be formed by a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or the like.

아울러, 상기 제2 전극(2000)은 전자주입전극으로 사용되며, 상기 전자주입층(600)의 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(2000)의 재료로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은, 마그네슘 등의 물질이 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.In addition, the second electrode 2000 is used as an electron injection electrode, and may be formed on the electron injection layer 600 by a method such as a vacuum deposition method or a sputtering method. Various metals may be used as a material of the second electrode 2000 . Specific examples include, but are not limited to, materials such as aluminum, gold, silver, and magnesium.

본 발명의 유기 발광 소자는 앞서 설명한 캡핑층(3000), 제1 전극(1000), 정공주입층(200), 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600), 제2 전극(2000) 및 캡핑층(3000)을 포함하는 구조의 유기 발광 소자뿐만 아니라, 다양한 구조의 유기 발광 소자가 가능하며, 필요에 따라 1층 또는 2층의 중간층을 더 추가로 포함하는 것도 가능하다.The organic light emitting device of the present invention has the above-described capping layer 3000, the first electrode 1000, the hole injection layer 200, the hole transport layer 300, the light emitting layer 400, the electron transport layer 500, the electron injection layer ( 600), an organic light emitting device having a structure including the second electrode 2000 and the capping layer 3000, as well as an organic light emitting device having a variety of structures are possible. It is also possible to include

한편, 본 발명에 따라 형성되는 각 유기물층의 두께는 요구되는 정도에 따라 조절할 수 있으며, 구체적으로는 10 내지 1,000 ㎚이며, 더욱 구체적으로는 20 내지 150 ㎚일 수 있다.On the other hand, the thickness of each organic material layer formed according to the present invention can be adjusted according to the required degree, specifically 10 to 1,000 nm, more specifically, may be 20 to 150 nm.

상기 캡핑층(3000)은 도 1과 같이 상기 제1 전극(1000)의 양측면 중 정공주입층(200)이 형성되지 않은 외측면에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(2000)의 양측면 중 전자주입층(600)이 형성되지 않은 외측면에도 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같은 캡핑층(3000)은 증착 공정으로 형성될 수 있으며, 캡핑층(3000)의 두께는 100 내지 2,000 Å 이며, 더욱 구체적으로는 300 내지 1,000Å 일 수 있다. 이와 같은 두께 조절을 통해 캡핑층(3000)의 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 1 , the capping layer 3000 may be formed on an outer surface on which the hole injection layer 200 is not formed among both sides of the first electrode 1000 . In addition, the second electrode 2000 may be formed on the outer side on which the electron injection layer 600 is not formed among both side surfaces, but is not limited thereto. The capping layer 3000 may be formed by a deposition process, and the capping layer 3000 may have a thickness of 100 to 2,000 Å, more specifically, 300 to 1,000 Å. Through such thickness control, it is possible to prevent a decrease in transmittance of the capping layer 3000 .

또한, 도 1에 도시되지 않았으나, 본 발명의 일 구현예에 따르면, 캡핑층(3000)과 제1 전극(1000)의 사이 또는 캡핑층(3000)과 제2 전극(2000)의 사이에 다양한 기능을 하는 유기물층이 추가적으로 형성될 수 있다. 또는, 캡핑층(3000)의 상부(외측 표면)에도 다양한 기능을 하는 유기물층이 추가적으로 형성될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. In addition, although not shown in FIG. 1 , according to an exemplary embodiment of the present invention, various functions are provided between the capping layer 3000 and the first electrode 1000 or between the capping layer 3000 and the second electrode 2000 . An organic layer may be additionally formed. Alternatively, an organic material layer having various functions may be additionally formed on the upper portion (outer surface) of the capping layer 3000 , but is not limited thereto.

이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 화합물의 합성예 및 유기 발광 소자 실시예를 통하여 본 발명을 더 상세하게 설명한다. 하기 합성예 및 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 예시에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through a synthesis example of a compound according to an embodiment of the present invention and an example of an organic light emitting device. The following synthesis examples and examples only illustrate the present invention, but the scope of the present invention is not limited to the following examples.

<< 합성예Synthesis example 1> 화합물 37의 합성 1> Synthesis of compound 37

Figure pat00048
Figure pat00048

둥근 바닥 플라스크에 톨루엔 100ml을 주입하고, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 2.0g, bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine 3.29g, t-BuONa 1.1g, Pd2(dba)3 0.3g, (t-Bu)3P 0.3ml를 녹인 후 환류 교반하였다. TLC(Thin Layer Chromatography)로 반응 진행 정도를 확인하고 물을 첨가 후 반응을 종결하였다. 유기층을 메틸렌 클로라이드(MC)로 추출하고 감압 여과한 후 재결정하여 화합물37, 2.9g (수율 66%)을 얻었다.100ml of toluene was injected into a round bottom flask, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 2.0g, bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine 3.29g, t-BuONa 1.1g, Pd 2 (dba) 3 0.3 g, (t-Bu) 3 P 0.3ml was dissolved and stirred under reflux. The reaction progress was confirmed by TLC (Thin Layer Chromatography), and the reaction was terminated after addition of water. The organic layer was extracted with methylene chloride (MC), filtered under reduced pressure, and recrystallized to obtain compound 37, 2.9 g (yield 66%).

m/z: 625.25 (100.0%), 626.26 (50.1%), 627.26 (12.3%), 628.26 (2.1%), 626.25 (1.1%)m/z: 625.25 (100.0%), 626.26 (50.1%), 627.26 (12.3%), 628.26 (2.1%), 626.25 (1.1%)

<< 합성예Synthesis example 2> 화합물 47의 합성 2> Synthesis of compound 47

Figure pat00049
Figure pat00049

합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 대신 3-(4-bromophenyl)quinoline을 동일한 당량으로 사용하여 화합물 47 (수율67%)을 합성하였다.Compound 47 (yield 67%) was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 3-(4-bromophenyl)quinoline was used in the same amount instead of 2-(4-bromophenyl)naphthalene.

m/z: 626.25 (100.0%), 627.25 (49.0%), 628.25 (12.3%), 629.26 (1.8%), 627.24 (1.5%)m/z: 626.25 (100.0%), 627.25 (49.0%), 628.25 (12.3%), 629.26 (1.8%), 627.24 (1.5%)

<< 합성예Synthesis example 3> 화합물 181의 합성 3> Synthesis of compound 181

Figure pat00050
Figure pat00050

합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 및 bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine 대신 3-(4-bromophenyl)quinoline 및 bis(4-(benzofuran-2-yl)phenyl)amine을 동일한 당량으로 사용하여 화합물 181 (수율65%)을 합성하였다.It was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1, but instead of 2-(4-bromophenyl)naphthalene and bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine, 3-(4-bromophenyl)quinoline and bis(4-(benzofuran- Compound 181 (yield 65%) was synthesized using the same equivalent of 2-yl)phenyl)amine.

m/z: 604.22 (100.0%), 605.22 (46.9%), 606.22 (11.5%), 607.23 (1.6%)m/z: 604.22 (100.0%), 605.22 (46.9%), 606.22 (11.5%), 607.23 (1.6%)

<< 합성예Synthesis example 4> 화합물 182의 합성 4> Synthesis of compound 182

Figure pat00051
Figure pat00051

합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 대신 2-(4-bromophenyl)benzofuran을 동일한 당량으로 사용하여 화합물 182 (수율64%)을 합성하였다.Compound 182 (yield 64%) was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1, except that 2-(4-bromophenyl)benzofuran was used in the same amount instead of 2-(4-bromophenyl)naphthalene.

m/z: 615.23 (100.0%), 616.23 (48.7%), 617.24 (11.4%), 618.24 (1.8%)m/z: 615.23 (100.0%), 616.23 (48.7%), 617.24 (11.4%), 618.24 (1.8%)

<< 합성예Synthesis example 5> 화합물 183의 합성 5> Synthesis of compound 183

Figure pat00052
Figure pat00052

합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 및 bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine 대신 3-(4-bromophenyl)quinoline 및 bis(4-(benzo[b]thiophen-2-yl)phenyl)amine을 동일한 당량으로 사용하여 화합물 183 (수율65%)을 합성하였다.It was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1, but instead of 2-(4-bromophenyl)naphthalene and bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine, 3-(4-bromophenyl)quinoline and bis(4-(benzo[ Compound 183 (yield 65%) was synthesized using the same equivalent of b]thiophen-2-yl)phenyl)amine.

m/z: 636.17 (100.0%), 637.17 (48.8%), 638.18 (10.7%), 638.17 (10.1%), 639.17 (4.3%), 639.18 (1.8%), 640.17 (1.0%)m/z: 636.17 (100.0%), 637.17 (48.8%), 638.18 (10.7%), 638.17 (10.1%), 639.17 (4.3%), 639.18 (1.8%), 640.17 (1.0%)

<< 합성예Synthesis example 6> 화합물 184의 합성 6> Synthesis of compound 184

Figure pat00053
Figure pat00053

합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 대신 2-(4-bromophenyl)benzo[b]thiophene을 동일한 당량으로 사용하여 화합물 184 (수율66%)을 합성하였다.Compound 184 (yield 66%) was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1, but using the same equivalent of 2-(4-bromophenyl)benzo[b]thiophene instead of 2-(4-bromophenyl)naphthalene.

m/z: 631.21 (100.0%), 632.21 (49.8%), 633.21 (12.0%), 633.20 (4.5%), 634.21 (2.4%), 634.22 (1.7%)m/z: 631.21 (100.0%), 632.21 (49.8%), 633.21 (12.0%), 633.20 (4.5%), 634.21 (2.4%), 634.22 (1.7%)

<< 합성예Synthesis example 7> 화합물 187의 합성 7> Synthesis of compound 187

Figure pat00054
Figure pat00054

합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 및 bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine 대신 3-(4-bromophenyl)quinoline 및 bis(4-(benzo[d]oxazol-2-yl)phenyl)amine을 동일한 당량으로 사용하여 화합물 187 (수율 68%)을 합성하였다.It was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1, but instead of 2-(4-bromophenyl)naphthalene and bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine, 3-(4-bromophenyl)quinoline and bis(4-(benzo[ Compound 187 (yield 68%) was synthesized using the same equivalent of d]oxazol-2-yl)phenyl)amine.

m/z: 606.21 (100.0%), 607.21 (44.7%), 608.21 (10.7%), 607.20 (1.5%), 609.22 (1.4%)m/z: 606.21 (100.0%), 607.21 (44.7%), 608.21 (10.7%), 607.20 (1.5%), 609.22 (1.4%)

<< 합성예Synthesis example 8> 화합물 188의 합성 8> Synthesis of compound 188

Figure pat00055
Figure pat00055

합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 대신 2-(4-bromophenyl)benzo[d]oxazole을 동일한 당량으로 사용하여 화합물 188 (수율 67%)을 합성하였다.Compound 188 (yield 67%) was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1, but using the same equivalent of 2-(4-bromophenyl)benzo[d]oxazole instead of 2-(4-bromophenyl)naphthalene.

m/z: 616.23 (100.0%), 617.23 (46.9%), 618.23 (11.5%), 619.24 (1.6%), 617.22 (1.5%)m/z: 616.23 (100.0%), 617.23 (46.9%), 618.23 (11.5%), 619.24 (1.6%), 617.22 (1.5%)

<< 합성예Synthesis example 9> 화합물 195의 합성 9> Synthesis of compound 195

Figure pat00056
Figure pat00056

합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 및 bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine 대신 3-(4-bromophenyl)quinoline 및 bis(4-(imidazo[1,2-a]pyridin-2-yl)phenyl)amine을 동일한 당량으로 사용하여 화합물 195 (수율 58%)을 합성하였다.It was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1, but instead of 2-(4-bromophenyl)naphthalene and bis(4-(quinolin-3-yl)phenyl)amine, 3-(4-bromophenyl)quinoline and bis(4-(imidazo[ Compound 195 (yield 58%) was synthesized using the same equivalent of 1,2-a]pyridin-2-yl)phenyl)amine.

m/z: 604.24 (100.0%), 605.24 (44.7%), 606.24 (10.6%), 605.23 (2.2%), 607.25 (1.4%)m/z: 604.24 (100.0%), 605.24 (44.7%), 606.24 (10.6%), 605.23 (2.2%), 607.25 (1.4%)

<< 합성예Synthesis example 10> 화합물 196의 합성 10> Synthesis of compound 196

Figure pat00057
Figure pat00057

합성예 1과 동일한 방법으로 수행하되, 2-(4-bromophenyl)naphthalene 대신 2-(4-bromophenyl)imidazo[1,2-a]pyridine을 동일한 당량으로 사용하여 화합물 196 (수율 60%)을 합성하였다.Compound 196 (yield: 60%) was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1, but using the same equivalent of 2-(4-bromophenyl)imidazo[1,2-a]pyridine instead of 2-(4-bromophenyl)naphthalene did

m/z: 615.24 (100.0%), 616.25 (46.8%), 617.25 (10.7%), 616.24 (1.8%), 618.25 (1.8%)m/z: 615.24 (100.0%), 616.25 (46.8%), 617.25 (10.7%), 616.24 (1.8%), 618.25 (1.8%)

유기 발광 소자의 제조Manufacturing of organic light emitting devices

도 1은 일반적인 유기 발광 소자의 구조를 나타낸 것으로서, 본 발명은 예시로서, 도 1에 나타낸 유기 발광 소자의 구조를 갖되 정공주입층(200)과 정공수송층(300) 사이에 전하발생층(미도시) 및 전자수송층(500)과 음극(2000) 사이에 전자주입층(미도시)을 추가적으로 도입하였다. 구체적으로, 제조된 유기 발광 소자는 아래로부터 양극(정공주입전극(1000)) / 정공주입층(200) / 전하발생층(미도시) / 정공수송층(300) / 발광층(400) / 전자수송층(500) / 전자주입층(600) / 전자주입음극(전자주입전극(2000)) / 캡핑층(3000) 순으로 적층되어 있다.1 shows the structure of a general organic light emitting device, the present invention is an example, and has the structure of the organic light emitting device shown in FIG. 1 , but a charge generating layer (not shown) between the hole injection layer 200 and the hole transport layer 300 ) and an electron injection layer (not shown) between the electron transport layer 500 and the cathode 2000 was additionally introduced. Specifically, the manufactured organic light emitting device is an anode (hole injection electrode 1000) / hole injection layer 200 / charge generation layer (not shown) / hole transport layer 300 / light emitting layer 400 / electron transport layer ( 500) / electron injection layer 600 / electron injection cathode (electron injection electrode 2000) / capping layer 3000 are stacked in this order.

유기 발광 소자 제작 시, 기판(10)은 투명한 유리 기판 또는 플렉시블이 가능한 플라스틱 기판일 수 있다.When manufacturing an organic light emitting device, the substrate 10 may be a transparent glass substrate or a flexible plastic substrate.

정공주입전극(1000)은 유기 발광 소자의 정공 주입을 위한 양극으로 사용된다. 정공의 주입이 가능하도록 낮은 일함수를 갖는 물질을 이용하며, 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 그래핀(grapheme)과 같은 투명한 재질로 형성될 수 있다.The hole injection electrode 1000 is used as an anode for hole injection of the organic light emitting diode. A material having a low work function is used to enable hole injection, and may be formed of a transparent material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or graphene.

정공주입층(200), 전하발생층, 정공수송층(300), 발광층(400), 전자수송층(500), 전자주입층(600)에는 하기 표 1에 정리된 물질들을 사용하였다.Materials listed in Table 1 below were used for the hole injection layer 200 , the charge generation layer, the hole transport layer 300 , the light emitting layer 400 , the electron transport layer 500 , and the electron injection layer 600 .

또한, 전자주입층(600) 위에 전자 주입을 위한 음극(2000)을 형성하였다. 음극으로는 다양한 금속이 사용될 수 있다. 구체적인 예로 알루미늄, 금, 은 등의 물질이 있다.In addition, a cathode 2000 for electron injection was formed on the electron injection layer 600 . Various metals may be used as the cathode. Specific examples include materials such as aluminum, gold, and silver.

HI01HI01 HATCNHATCN HT01HT01

Figure pat00058
Figure pat00058
Figure pat00059
Figure pat00059
Figure pat00060
Figure pat00060
BH01BH01 BD01BD01 ET01ET01
Figure pat00061
Figure pat00061
Figure pat00062
Figure pat00062
Figure pat00063
Figure pat00063
LiqLiq
Figure pat00064
Figure pat00064

<< 실시예Example 1> 1>

은(Ag)을 포함하는 반사층이 형성된 인듐틴옥사이드(ITO) 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시켰다. 이후 ITO 기판 상부에 정공주입층으로서 HI01 600Å 및 전하발생층으로 HATCN 50 Å를 각각 제막하고, 정공수송층으로 HT01 500 Å를 제막한 후, 호스트 BH01에 도판트 BD01를 3 중량%로 도핑하여 발광층을 250 Å 두께로 제막하였다. 그런 다음, ET01 및 Liq (1:1, wt./wt.)의 혼합물로 전자수송층을 300 Å의 두께로 제막하고, LiF를 10 Å로 증착하여 전자주입층을 형성한 후 MgAg을 15 nm으로 증착하여 음극을 형성하였다. 상기 음극 상에 캡핑층으로 합성예 1에서 제조된 화합물을 500 Å 두께로 증착시켰다. 이 소자를 글로브 박스에서 밀봉(Encapsulation)함으로써 유기 발광 소자를 제작하였다.The indium tin oxide (ITO) substrate on which the reflective layer containing silver (Ag) was formed was washed with distilled water and ultrasonic waves. After washing with distilled water, ultrasonic washing was performed with a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, and methanol and dried. Thereafter, HI01 600 Å as a hole injection layer and HATCN 50 Å as a charge generating layer were respectively formed on the ITO substrate, and HT01 500 Å was formed as a hole transport layer. A film was formed to a thickness of 250 Å. Then, an electron transport layer was formed to a thickness of 300 Å with a mixture of ET01 and Liq (1:1, wt./wt.), and LiF was deposited at 10 Å to form an electron injection layer, followed by MgAg to 15 nm. A cathode was formed by vapor deposition. The compound prepared in Synthesis Example 1 was deposited to a thickness of 500 Å on the cathode as a capping layer. An organic light emitting device was manufactured by encapsulating the device in a glove box.

<< 실시예Example 2> 내지 < 2> to < 실시예Example 10> 10>

상기 실시예 1과 같은 방법으로 제조하되, 각각 합성예 2 내지 합성예 10에서 제조된 화합물을 사용하여 캡핑층으로 제막한 유기 발광 소자를 제작하였다.An organic light emitting diode was prepared in the same manner as in Example 1, but formed as a capping layer using the compounds prepared in Synthesis Examples 2 to 10, respectively.

<< 비교예comparative example 1> 내지 < 1> to < 비교예comparative example 5> 5>

상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하되, 하기 표2에 표시된 Ref. 1 내지 Ref. 5를 각각 사용하여 캡핑층을 제막한 유기 발광 소자를 제작하였다.Prepared in the same manner as in Example 1, Ref. 1 to Ref. An organic light emitting device in which a capping layer was formed by using each of 5 was manufactured.

Ref. 1Ref. One

Figure pat00065
Figure pat00065
Ref. 2Ref. 2
Figure pat00066
Figure pat00066
Ref. 3Ref. 3
Figure pat00067
Figure pat00067
Ref. 4Ref. 4
Figure pat00068
Figure pat00068
Ref. 5Ref. 5
Figure pat00069
Figure pat00069

<< 실험예Experimental example 1> 유기 발광 소자의 성능평가 1> Performance evaluation of organic light emitting devices

키슬리 2400 소스 메져먼트 유닛(Kiethley 2400 source measurement unit) 으로 전압을 인가하여 전자 및 정공을 주입하고 코니카 미놀타(Konica Minolta) 분광복사계(CS-2000)를 이용하여 빛이 방출될 때의 휘도를 측정함으로써, 실시예 1~10과 비교예 1~5의 유기 발광 소자의 성능을 인가전압에 대한 전류 밀도 및 휘도를 대기압 조건 하에서 측정하여 평가하였으며, 그 결과를 표 3에 나타내었다.Electrons and holes are injected by applying voltage with a Kiethley 2400 source measurement unit, and the luminance when light is emitted is measured using a Konica Minolta spectroradiometer (CS-2000). By doing so, the performances of the organic light emitting devices of Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 5 were evaluated by measuring the current density and luminance with respect to the applied voltage under atmospheric pressure conditions, and the results are shown in Table 3.

Op. VOp. V mA/cm2 mA/cm 2 Cd/ACd/A CIExCIEx CIEyCIEy LT97LT97 실시예 1Example 1 3.453.45 1010 7.787.78 0.1400.140 0.0440.044 158158 실시예 2Example 2 3.443.44 1010 7.917.91 0.1410.141 0.0430.043 165165 실시예 3Example 3 3.443.44 1010 8.058.05 0.1390.139 0.0450.045 171171 실시예 4Example 4 3.453.45 1010 8.028.02 0.1400.140 0.0440.044 172172 실시예 5Example 5 3.443.44 1010 8.108.10 0.1410.141 0.0430.043 172172 실시예 6Example 6 3.453.45 1010 8.068.06 0.1410.141 0.0420.042 172172 실시예 7Example 7 3.443.44 1010 8.078.07 0.1400.140 0.0440.044 178178 실시예 8Example 8 3.453.45 1010 8.068.06 0.1410.141 0.0430.043 177177 실시예 9Example 9 3.443.44 1010 8.058.05 0.1400.140 0.0450.045 182182 실시예 10Example 10 3.453.45 1010 8.058.05 0.1400.140 0.0440.044 180180 비교예 1Comparative Example 1 3.463.46 1010 6.936.93 0.1360.136 0.0520.052 105105 비교예 2Comparative Example 2 3.473.47 1010 5.985.98 0.1330.133 0.0590.059 7777 비교예 3Comparative Example 3 3.463.46 1010 7.007.00 0.1360.136 0.0510.051 116116 비교예 4Comparative Example 4 3.463.46 1010 6.826.82 0.1350.135 0.0540.054 110110 비교예 5Comparative Example 5 3.513.51 1010 4.254.25 0.1300.130 0.0720.072 4444

본 발명의 실시예들을 대조해보면, 실시예의 유기 발광 소자들은 낮은 구동전압을 구현하며, 발광 효율과 수명이 현저히 개선된 것을 볼 수 있다.Contrasting the embodiments of the present invention, it can be seen that the organic light emitting devices of the embodiment realize a low driving voltage, and the luminous efficiency and lifespan are remarkably improved.

구체적으로, 본 발명에 따른 실시예의 유기 발광 소자들은 비교예 1의 유기 발광 소자와 비교하여 캡핑층을 구성하는 화합물이 퀴놀린기가 결합된 아릴아민 구조를 가져 고굴절률을 유지하면서 가시광 영역을 흡수할 수 없는 넓은 밴드갭을 유지할 수 있으므로 고색순도를 구현하는 것을 알 수 있다.Specifically, the organic light emitting device of the embodiment according to the present invention has an arylamine structure to which a compound constituting the capping layer is bonded to a quinoline group, compared to the organic light emitting device of Comparative Example 1, and can absorb the visible light region while maintaining a high refractive index. It can be seen that high color purity is realized because a wide band gap can be maintained.

또한, 상기 실시예의 유기 발광 소자들은 비교예 2의 유기 발광 소자와 비교하여, 캡핑층을 구성하는 화합물은 퀴놀린기가 연결기를 통해 아릴아민의 N과 결합함으로써 벌키 특성을 최소화하여 박막배열이 우수해 질 수 있으며, 이에 따라 굴절률이 크게 향상되고 동시에 자외선 영역의 흡수파장을 증대시킬 수 있으며, 특히 장수명 유기 발광 소자를 구현하는데 효과적이다.In addition, compared with the organic light emitting device of Comparative Example 2, the organic light emitting device of the above example minimizes bulky characteristics by combining the quinoline group with N of the arylamine through a linking group in the compound constituting the capping layer, so that the thin film arrangement is excellent. Accordingly, the refractive index is greatly improved and the absorption wavelength in the ultraviolet region can be increased at the same time, and it is particularly effective in realizing a long-life organic light-emitting device.

아울러, 상기 실시예의 유기 발광 소자들은 비교예 3 및 4의 유기 발광 소자와 비교하여, 캡핑층을 구성하는 화합물이 퀴놀린기와 함께 서로 상이한 구조의 헤테로 2환 구조를 포함함으로써 분자의 분극율을 더욱 높일 수 있고, 높은 Tg를 형성할 수 있어 굴절률 개선과 동시에 안정한 박막을 형성할 수 있다. In addition, in the organic light emitting devices of the above embodiments, compared to the organic light emitting devices of Comparative Examples 3 and 4, the compound constituting the capping layer includes a heterobicyclic structure of a structure different from each other together with a quinoline group, thereby further increasing the polarizability of the molecule. and can form a high Tg, thereby improving the refractive index and forming a stable thin film at the same time.

나아가, 상기 실시예의 유기 발광 소자들은 비교예 5의 유기 발광 소자와 비교하여, 퀴놀린기 중 N을 포함하는 고리가 아릴아민의 N측으로 연결된 구조의 화합물로 캡핑층을 구성하여 높은 굴절률을 가짐과 동시에 자외선영역의 흡수강도를 상승시킬 수 있고, 가시광선 영역의 흡수파장을 최소화 할 수 있어, 고효율, 고색순도 및 장수명 유기 발광 소자 구현이 가능하다.Furthermore, compared to the organic light emitting device of Comparative Example 5, the organic light emitting devices of the above embodiment constitute a capping layer with a compound having a structure in which a ring including N in a quinoline group is connected to the N side of arylamine to have a high refractive index and at the same time It is possible to increase the absorption intensity in the ultraviolet region and minimize the absorption wavelength in the visible region, so that it is possible to realize high efficiency, high color purity and long lifespan organic light emitting device.

<< 실험예Experimental example 2> 굴절률 평가 2> Refractive index evaluation

실시예 및 비교예에서 캡핑층 형성 시 사용된 화합물, 구체적으로 화합물 37, 47, 181, 182, 183, 184, 187, 188, 195 및 196과 상기 표 2의 Ref.1 내지 Ref.5를 각각 이용하여, 실리콘 기판 상에 두께 30 nm의 증착막을 진공 증착 장비를 이용하여 제작하고, 엘립소미터 장치(J.A.Woollam Co. Inc, M-2000X)를 이용하여 450 nm 파장에서의 굴절률을 측정하였다. 그 결과는 아래 표 4에 정리된 바와 같다.Compounds used in the formation of the capping layer in Examples and Comparative Examples, specifically, compounds 37, 47, 181, 182, 183, 184, 187, 188, 195 and 196 and Ref.1 to Ref.5 in Table 2, respectively A deposited film having a thickness of 30 nm on a silicon substrate was fabricated using vacuum deposition equipment, and the refractive index at a wavelength of 450 nm was measured using an ellipsometer device (JAWoollam Co. Inc, M-2000X). The results are summarized in Table 4 below.

@450nm@450nm 굴절률, nrefractive index, n 화합물 37compound 37 2.322.32 화합물 47compound 47 2.352.35 화합물 181compound 181 2.382.38 화합물 182compound 182 2.362.36 화합물 183compound 183 2.402.40 화합물 184compound 184 2.382.38 화합물 187compound 187 2.382.38 화합물 188compound 188 2.382.38 화합물 195compound 195 2.372.37 화합물 196compound 196 2.372.37 Ref. 1Ref. One 2.152.15 Ref. 2Ref. 2 2.062.06 Ref. 3Ref. 3 2.162.16 Ref. 4Ref. 4 2.132.13 Ref. 5Ref. 5 2.052.05

상기 표 4에 기재된 바와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 굴절률이 2.25 이상, 보다 구체적으로 2.30이상, 높게는 2.32 이상의 높은 굴절률을 나타냄을 확인할 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 고굴절률을 나타내므로, 캡핑층에 적용하는 경우 외부 양자 효율 및 수명 등이 현저히 향상된 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.As shown in Table 4, it can be confirmed that the compound according to the present invention exhibits a high refractive index of 2.25 or more, more specifically 2.30 or more, and a high refractive index of 2.32 or more. As described above, since the compound according to the present invention exhibits a high refractive index, when applied to a capping layer, an organic light emitting device having significantly improved external quantum efficiency and lifespan can be realized.

<< 실험예Experimental example 3> 자외선 흡수 강도 평가 3> Evaluation of UV absorption intensity

실시예 2 및 8에서 캡핑층 형성 시 사용된 화합물 47 및 화합물 188과 비교예 1 및 2에서 사용된 Ref. 1 및 Ref. 2의 화합물을 각각 이용하여, 실리콘 기판 상에 두께 30 nm의 증착막을 진공 증착 장비를 이용하여 제작하고, 엘립소미터 장치(J.A.Woollam Co. Inc, M-2000X)를 이용하여 340 nm ~ 460 nm의 범위 내의 흡수 파장을 측정하였다. 그 결과는 도 2에 나타내었다.Compounds 47 and 188 used in forming the capping layer in Examples 2 and 8 and Ref. 1 and Ref. Using the compound of 2, a 30 nm-thick deposited film on a silicon substrate was fabricated using vacuum deposition equipment, and 340 nm to 460 nm using an ellipsometer (JAWoollam Co. Inc, M-2000X). The absorption wavelength within the range of was measured. The results are shown in FIG. 2 .

도 2를 살펴보면, 본 발명에 따른 화합물 47 및 188은 자외선 흡수영역 380 nm 파장 기준에서 흡수강도가 0.7 이상, 보다 구체적으로는 0.8 이상으로, Ref. 1 및 Ref. 2의 화합물보다 흡수 강도가 40% 이상, 보다 구체적으로 60% 이상 상승한 것을 확인할 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따른 화합물은 자외선 영역의 흡수 파장 증대 효과를 나타내므로, 캡핑층에 적용하는 경우 고색순도, 고효율 및 장수명을 갖는 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.Referring to FIG. 2, compounds 47 and 188 according to the present invention have an absorption intensity of 0.7 or more, more specifically, 0.8 or more, in the UV absorption region of 380 nm wavelength, Ref. 1 and Ref. It can be confirmed that the absorption strength is increased by 40% or more, more specifically, by 60% or more compared to the compound of 2 . As described above, since the compound according to the present invention exhibits an effect of increasing the absorption wavelength in the ultraviolet region, when applied to the capping layer, an organic light emitting device having high color purity, high efficiency and long life can be realized.

100: 기판
200: 정공주입층
300: 정공수송층
400: 발광층
500: 전자수송층
600: 전자주입층
1000: 제1 전극(애노드)
2000: 제2 전극(캐소드)
3000: 캡핑층
100: substrate
200: hole injection layer
300: hole transport layer
400: light emitting layer
500: electron transport layer
600: electron injection layer
1000: first electrode (anode)
2000: second electrode (cathode)
3000: capping layer

Claims (17)

하기 화학식 1로 표현되는 캡핑층용 화합물:
[화학식 1]
Figure pat00070

[화학식 1-1]
Figure pat00071

(상기 화학식 1 및 화학식 1-1에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치횐된 C2~C50의 헤테로아릴기이되, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나는 축합아릴기 또는 헤테로아릴기이고,
Ar3은 화학식1-1이며,
X1 내지 X10은 각각 독립적으로 C, CR, 또는 N이되, X1 내지 X10 중 하나만 N이고,
R은 수소, 중수소, 할로겐, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2~C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1~C30의 설파이드기, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴기이며, R이 2개 이상인 경우 서로 같거나 다를 수 있고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이고,
L3은 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이며,
*은 L3에 결합되는 위치이다).
A compound for a capping layer represented by the following Chemical Formula 1:
[Formula 1]
Figure pat00070

[Formula 1-1]
Figure pat00071

(In Formula 1 and Formula 1-1,
Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6~ C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroaryl group, wherein at least one of Ar 1 and Ar 2 is a condensed aryl group or hetero an aryl group,
Ar 3 is Formula 1-1,
X 1 to X 10 are each independently C, CR, or N, but only one of X 1 to X 10 is N,
R is hydrogen, deuterium, halogen, nitro group, nitrile group, substituted or unsubstituted C1-C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C2-C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C1-C30 alkoxy group, substituted Or an unsubstituted C1~ C30 sulfide group, a substituted or unsubstituted C6~ C50 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroaryl group, and when R is two or more, they may be the same as or different from each other, ,
L 1 and L 2 are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted C6~ C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroarylene group,
L 3 is a substituted or unsubstituted C6~ C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroarylene group,
* is the position where it is bound to L 3 ).
제1항에 있어서,
Ar1 및 Ar2 중 하나 이상은 화학식 1-1인 캡핑층용 화합물.
According to claim 1,
At least one of Ar 1 and Ar 2 is a compound for a capping layer of Formula 1-1.
제1항에 있어서,
Ar1 및 Ar2 중 하나 이상은 축합된 헤테로아릴기인 캡핑층용 화합물.
According to claim 1,
At least one of Ar 1 and Ar 2 is a condensed heteroaryl group. A compound for a capping layer.
제1항에 있어서,
Ar1 및 Ar2 중 하나 이상은 하기 화학식 1-2인 캡핑층용 화합물:
[화학식 1-2]
Figure pat00072

(상기 화학식 1-2에서,
X11 내지 X19는 각각 독립적으로 C, CR, O, S, N, Se, Te, NR, CRR`, SiRR`, 또는 GeRR`이다).
According to claim 1,
At least one of Ar 1 and Ar 2 is a compound for a capping layer represented by the following Chemical Formula 1-2:
[Formula 1-2]
Figure pat00072

(In Formula 1-2,
X 11 to X 19 are each independently C, CR, O, S, N, Se, Te, NR, CRR`, SiRR`, or GeRR`).
제1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 2로 표현되는 캡핑층용 화합물:
[화학식 2]
Figure pat00073

(상기 화학식 2에서,
Ar1, Ar2, L1, L2, X1 내지 X10은 상기 화학식 1과 동일하고,
R1은 화학식 1의 R과 동일하며,
l은 1 내지 5의 정수이다).
According to claim 1,
Formula 1 is a compound for a capping layer represented by Formula 2 below:
[Formula 2]
Figure pat00073

(In Formula 2,
Ar 1 , Ar 2 , L 1 , L 2 , X 1 to X 10 are the same as in Formula 1,
R 1 is the same as R in Formula 1,
l is an integer from 1 to 5).
제1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 3 내지 화학식 5 중 어느 하나로 표현되는 캡핑층용 화합물:
[화학식 3]
Figure pat00074

[화학식 4]
Figure pat00075

[화학식 5]
Figure pat00076

(상기 화학식 3 내지 화학식 5에서,
Ar1, Ar2, X1 내지 X10은 상기 화학식 1과 동일하고(단, X1 내지 X10의 탄소수는 Ar1 또는 Ar2에서 정의된 탄소수 범위를 만족시키며),
L1 및 L2는 각각 독립적으로 직접결합, 치환 또는 비치환된 C6~C50의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2~C50의 헤테로아릴렌기이며,
m은 1 내지 3의 정수이다).
According to claim 1,
Formula 1 is a compound for a capping layer represented by any one of Formulas 3 to 5 below:
[Formula 3]
Figure pat00074

[Formula 4]
Figure pat00075

[Formula 5]
Figure pat00076

(In Formulas 3 to 5,
Ar 1 , Ar 2 , X 1 to X 10 are the same as in Formula 1 (provided that the number of carbon atoms of X 1 to X 10 satisfies the range of carbon numbers defined in Ar 1 or Ar 2 ),
L 1 and L 2 are each independently a direct bond, a substituted or unsubstituted C6~ C50 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2~ C50 heteroarylene group,
m is an integer from 1 to 3).
제1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 6 내지 화학식 9 중 어느 하나로 표현되는 캡핑층용 화합물:
[화학식 6]
Figure pat00077

[화학식 7]
Figure pat00078

[화학식 8]
Figure pat00079

[화학식 9]
Figure pat00080

(상기 화학식 6 내지 화학식 9에서,
Ar1, L1, L2, X1 내지 X10은 상기 화학식 1과 동일하고,
X11, X13 및 X14는 각각 독립적으로 C, O, S, N, CR 또는 NR이며,
m은 1 내지 3의 정수이다).
According to claim 1,
Formula 1 is a compound for a capping layer represented by any one of Formulas 6 to 9:
[Formula 6]
Figure pat00077

[Formula 7]
Figure pat00078

[Formula 8]
Figure pat00079

[Formula 9]
Figure pat00080

(In Formulas 6 to 9,
Ar 1 , L 1 , L 2 , X 1 to X 10 are the same as in Formula 1,
X 11 , X 13 and X 14 are each independently C, O, S, N, CR or NR,
m is an integer from 1 to 3).
제1항에 있어서,
X1 내지 X4 중 어느 하나는 N인 캡핑층용 화합물.
According to claim 1,
Any one of X 1 to X 4 is N, a compound for a capping layer.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 10 내지 화학식 12 중 어느 하나로 표현되는 캡핑층용 화합물:
[화학식 10]
Figure pat00081

[화학식 11]
Figure pat00082

[화학식 12]
Figure pat00083

(상기 화학식 10 내지 화학식 12에서,
Ar1, Ar2, L1 및 L2는 상기 화학식 1과 동일하고,
m은 1 내지 3의 정수이다).
According to claim 1,
Formula 1 is a compound for a capping layer represented by any one of Formulas 10 to 12:
[Formula 10]
Figure pat00081

[Formula 11]
Figure pat00082

[Formula 12]
Figure pat00083

(In Formulas 10 to 12,
Ar 1 , Ar 2 , L 1 and L 2 are the same as in Formula 1,
m is an integer from 1 to 3).
제1항에 있어서,
L1 내지 L3은 각각 독립적으로 페닐렌기, 바이페닐렌기 또는 이들의 조합인 캡핑층용 화합물.
According to claim 1,
L 1 to L 3 are each independently a phenylene group, a biphenylene group, or a combination thereof.
제1항에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 2환으로 이루어진 축합 아릴기 또는 2환으로 이루어진 축합 헤테로아릴기인 캡핑층용 화합물.
According to claim 1,
Ar 1 and Ar 2 are each independently a condensed aryl group consisting of two rings or a condensed heteroaryl group consisting of two rings.
제1항에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 벤조퓨란기, 벤조티오펜기, 인돌리진기, 이미다조피리딘기 및 벤조옥사졸기로 이루어진 군으로부터 선택되는 캡핑층용 화합물.
According to claim 1,
Ar 1 and Ar 2 are each independently selected from the group consisting of a benzofuran group, a benzothiophene group, an indolizine group, an imidazopyridine group, and a benzoxazole group.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식으로 표현되는 화합물 중 어느 하나인 캡핑층용 화합물:
Figure pat00084

Figure pat00085

Figure pat00086

Figure pat00087

Figure pat00088

Figure pat00089

Figure pat00090

Figure pat00091

Figure pat00092

Figure pat00093

Figure pat00094

Figure pat00095

Figure pat00096

Figure pat00097

Figure pat00098

Figure pat00099

Figure pat00100

Figure pat00101

Figure pat00102

Figure pat00103

Figure pat00104

Figure pat00105

Figure pat00106

Figure pat00107

Figure pat00108

Figure pat00109

Figure pat00110

Figure pat00111

Figure pat00112

Figure pat00113

According to claim 1,
The compound of Formula 1 is a compound for a capping layer, which is any one of the compounds represented by the following Formula:
Figure pat00084

Figure pat00085

Figure pat00086

Figure pat00087

Figure pat00088

Figure pat00089

Figure pat00090

Figure pat00091

Figure pat00092

Figure pat00093

Figure pat00094

Figure pat00095

Figure pat00096

Figure pat00097

Figure pat00098

Figure pat00099

Figure pat00100

Figure pat00101

Figure pat00102

Figure pat00103

Figure pat00104

Figure pat00105

Figure pat00106

Figure pat00107

Figure pat00108

Figure pat00109

Figure pat00110

Figure pat00111

Figure pat00112

Figure pat00113

제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 캡핑층용 화합물을 함유하는 캡핑층을 구비하는 유기 발광 소자.
An organic light-emitting device comprising a capping layer containing the compound for a capping layer according to any one of claims 1 to 13.
제14항에 있어서,
상기 유기 발광 소자는,
제1전극 및 제2 전극;
상기 제1 전극과 제2 전극의 내측에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 포함하며,
상기 캡핑층은 상기 제1 전극과 제2 전극 중 어느 하나 이상의 전극 외측에 배치되는 유기 발광 소자.
15. The method of claim 14,
The organic light emitting device,
a first electrode and a second electrode;
It includes one or more organic material layers interposed inside the first electrode and the second electrode,
The capping layer is an organic light-emitting device disposed outside any one or more of the first electrode and the second electrode.
제14항에 있어서,
캡핑층의 두께는 100 Å 내지 2,000 Å인 유기 발광 소자.
15. The method of claim 14,
The capping layer has a thickness of 100 Å to 2,000 Å.
제14항에 있어서,
상기 캡핑층은 450nm 파장에서의 굴절률이 2.25 이상인 유기 발광 소자.
15. The method of claim 14,
The capping layer is an organic light emitting device having a refractive index of 2.25 or more at a wavelength of 450 nm.
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