KR20220013816A - Apparatus and method for analysing device function - Google Patents

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Abstract

According to one embodiment of the present invention, provided is a device for measuring performance of an element, which includes: a vacuum chamber in which a target element to be measured is provided; a radiation member irradiating radiation to the target element to be measured; a wiring part electrically connecting a measuring member outside a vacuum chamber to the target element to be measured; and a feed adapter provided on one side of the vacuum chamber to maintain a vacuum state inside the vacuum chamber and provide the wiring part into the vacuum chamber, wherein the wiring part supplies electric power to the target element to be measured and transmits a change in electrical characteristics of the target element to be measured when exposed to radiation emitted from the radiation member to the device for measuring performance of the element.

Description

소자 성능 측정 장치 및 소자 성능 측정 방법{APPARATUS AND METHOD FOR ANALYSING DEVICE FUNCTION}Device performance measuring device and device performance measuring method {APPARATUS AND METHOD FOR ANALYSING DEVICE FUNCTION}

본 발명은 소자 성능 측정 장치 및 소자 성능 측정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for measuring device performance and a method for measuring device performance.

최근 우주환경에서 존재하는 방사선 중에서 가장 많은 비중을 차지하는 양성자에 대한 전자 소자의 안정성이 대두되고 있으며, 이에 따라 많은 관련 연구들이 수행되고 있다.Recently, stability of electronic devices against protons, which accounts for the largest proportion of radiation in the space environment, has emerged, and many related studies are being conducted accordingly.

예를 들어, 2008년 미국 Sandia National Laboratory에서는 총 이온화 선량의 방사선에 의해 트랜지스터 절연체 층 내에 전하가 생성되고, 이로 인하여 임계 전압의 이동과 누출 전류의 증가가 발생함을 밝혀낸 바 있다. 또한, 2015년 미국 Penn State 대학 연구팀에서는 감마선이 ZnO 기반 트랜지스터에 미치는 영향을 조사하였다. 이들은 박막 트랜지스터 백 채널에 남아있는 전계가 방사선의 이온이나 전자를 끌어들인다는 점을 소자 성능 저하의 원인으로 확인하였으며, 이를 해결하기 위해 박막 트랜지스터 백-채널에 저유전체와 전도성 필름을 접지시킨 쉴드를 올려서 방사선 저항 향상을 도모한 바 있다.For example, in 2008, Sandia National Laboratory in the United States found that a total ionizing dose of radiation generates an electric charge in the transistor insulator layer, which causes a shift in the threshold voltage and an increase in leakage current. Also, in 2015, a research team at Penn State University in the United States investigated the effect of gamma rays on ZnO-based transistors. They confirmed that the electric field remaining in the thin film transistor back channel attracts ions or electrons of radiation as the cause of device performance degradation. It has been tried to improve radiation resistance.

그러나, 이러한 기존 연구에서는 대부분 방사선이 전부 조사된 이후에 소자 측정이 진행되었다. 방사선이 전부 조사된 이후에 소자 측정을 할 경우 소자의 작동상태에서 방사선 조사가 미치는 영향을 정확하게 파악할 수 없다는 문제가 있다. 다만, 아직까지 입자선인 양성자 조사에 대한 현장측정 연구는 전무하며 이와 같은 측정이 가능한 실험장치가 개발되지 않았기 때문에 소자의 성능에 방사선 조사가 미치는 영향을 실시간으로 측정하기가 어렵다. 이에 본 발명에서는 양성자빔을 포함한 다양한 방사선 조사 환경에서 전자소자를 실시간으로 측정할 수 있는 실험 장치를 발명하였다.However, in most of these existing studies, device measurement was performed after all radiation was irradiated. If the device is measured after all radiation is irradiated, there is a problem in that the effect of radiation irradiation on the operating state of the device cannot be accurately grasped. However, there is no field measurement research on proton irradiation, which is a particle beam, and it is difficult to measure the effect of radiation irradiation on device performance in real time because an experimental device capable of such a measurement has not been developed. Accordingly, in the present invention, an experimental apparatus capable of measuring an electronic device in real time in various radiation environments including a proton beam was invented.

본 발명은 방사선 조사가 소자 성능에 미치는 영향을 확인할 수 있는 소자 성능 측정 장치 및 소자 성능 측정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a device performance measuring device and device performance measuring method capable of confirming the effect of radiation on device performance.

또한, 본 발명은 소자 작동 중 방사선 조사가 소자 성능에 미치는 영향을 실시간으로 측정하는 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide an apparatus and method for measuring in real time the effect of radiation irradiation on device performance during device operation.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 측정 대상 소자가 제공되는 진공 챔버; 상기 측정 대상 소자에 방사선을 조사하는 방사 부재; 상기 진공 챔버 외부의 측정 부재를 상기 측정 대상 소자와 전기적으로 연결하는 배선부; 및 상기 진공 챔버 일측에 제공되어 상기 진공 챔버 내부의 진공 상태를 유지하며 상기 진공 챔버 내부로 상기 배선부를 제공하는 피드 어댑터를 포함하고, 상기 배선부는 상기 측정 대상 소자에 전력을 공급하는 동시에, 상기 방사 부재로부터 방사된 방사선에 노출되었을 때의 상기 측정 대상 소자의 전기적 특성 변화를 상기 측정 부재로 송출하는, 소자 성능 측정 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, a vacuum chamber in which a measurement target element is provided; a radiation member irradiating radiation to the measurement target element; a wiring part electrically connecting the measuring member outside the vacuum chamber to the measuring target device; and a feed adapter provided on one side of the vacuum chamber to maintain a vacuum state inside the vacuum chamber and provide the wiring part into the vacuum chamber, wherein the wiring part supplies power to the measurement target device and at the same time, the radiation An apparatus for measuring device performance is provided, which transmits, to the measurement member, a change in electrical characteristics of the device to be measured when exposed to radiation emitted from the member.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 피드 어댑터는 피드 어댑터 입구와 피드 어댑터 출구를 갖는 피드 어댑터 케이스; 상기 피드 어댑터 케이스의 상기 피드 어댑터 입구와 상기 피드 어댑터 출구 사이에 제공되며, 상기 피드 어댑터 입구에서 상기 피드 어댑터 출구 방향으로 연장된 피드 어댑터 홀더; 및 상기 피드 어댑터 홀더를 관통하는 피드 어댑터 핀을 포함하는, 소자 성능 측정 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the feed adapter includes a feed adapter case having a feed adapter inlet and a feed adapter outlet; a feed adapter holder provided between the feed adapter inlet and the feed adapter outlet of the feed adapter case, the feed adapter holder extending in a direction from the feed adapter inlet to the feed adapter outlet; and a feed adapter pin passing through the feed adapter holder.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 배선부는 내부 배선 및 외부 배선을 포함하고, 상기 내부 배선은 상기 피드 어댑터 핀의 일측과 상기 측정 대상 소자를 연결하고, 상기 외부 배선은 상기 피드 어댑터 핀의 타측과 상기 측정 부재를 연결하는, 소자 성능 측정 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the wiring unit includes an internal wiring and an external wiring, the internal wiring connects one side of the feed adapter pin and the measurement target device, and the external wiring is the other side of the feed adapter pin and an element performance measuring device connecting the measuring member.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 배선부의 적어도 일측에는 피벗운동에 의하여 상기 측정 대상 소자의 적어도 일부와 물리적으로 결합하는 엘리게이터 클립이 제공되는, 소자 성능 측정 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, at least one side of the wiring portion is provided with an alligator clip that is physically coupled to at least a portion of the element to be measured by a pivot movement, an apparatus for measuring device performance is provided.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 측정 대상 소자는 기판 상에 제공된 소스 전극; 상기 소스 전극과 이격되어 제공되는 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 제공되어 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 활성층; 및 상기 활성층과 이격되어 제공되는 게이트 전극을 포함하는, 소자 성능 측정 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the device to be measured includes a source electrode provided on a substrate; a drain electrode provided to be spaced apart from the source electrode; an active layer provided between the source electrode and the drain electrode to connect the source electrode and the drain electrode; and a gate electrode provided to be spaced apart from the active layer.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각은 상기 배선부와 연결되고, 상기 방사 부재는 상기 활성층에 방사선을 조사하는, 소자 성능 측정 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, each of the source electrode and the drain electrode is connected to the wiring part, and the radiation member irradiates the active layer with radiation, an apparatus for measuring device performance is provided.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 측정 대상 소자와 상기 진공 챔버의 내벽 사이에 제공되는 카본 테이프 및 폴리이미드 테이프를 더 포함하는, 소자 성능 측정 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided an apparatus for measuring device performance, further comprising a carbon tape and a polyimide tape provided between the device to be measured and an inner wall of the vacuum chamber.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 배선부는 상기 진공 챔버의 내벽을 따라 제공되는, 소자 성능 측정 장치가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided an apparatus for measuring device performance, wherein the wiring part is provided along an inner wall of the vacuum chamber.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 진공 챔버 내에 측정 대상 소자를 제공하는 제1 단계; 상기 측정 대상 소자의 전기적 특성을 측정하는 제2 단계; 및 진공 상태에서 상기 측정 대상 소자에 방사 부재를 이용하여 방사선을 조사하는 제3 단계를 포함하고, 상기 제2 단계는 상기 제3 단계 수행 전부터 수행 후까지 연속적으로 수행되는, 소자 성능 측정 방법이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, a first step of providing a measurement target element in a vacuum chamber; a second step of measuring electrical characteristics of the measurement target device; and a third step of irradiating radiation to the measurement target device in a vacuum state using a radiation member, wherein the second step is continuously performed before and after the third step is performed, the device performance measurement method is provided do.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 측정 대상 소자는 기판 상에 제공된 소스 전극; 상기 소스 전극과 이격되어 제공되는 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 제공되어 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 활성층; 및 상기 활성층과 이격되어 제공되는 게이트 전극을 포함하고, 상기 활성층에 방사선이 조사되었을 때 상기 활성층의 전기적 특성 변화를 조사하는, 소자 성능 측정 방법이 제공된다.According to an embodiment of the present invention, the device to be measured includes a source electrode provided on a substrate; a drain electrode provided to be spaced apart from the source electrode; an active layer provided between the source electrode and the drain electrode to connect the source electrode and the drain electrode; and a gate electrode provided spaced apart from the active layer, and irradiating a change in electrical properties of the active layer when the active layer is irradiated with radiation, a device performance measurement method is provided.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 소자 성능 측정 장치가 소자에 전기적 연결을 제공하면서도 안정적이고 안전한 방사선 조사가 가능한 환경을 제공함으로써 소자 작동 중 방사선 조사가 소자 성능에 미치는 영향을 실시간으로 측정할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the device performance measuring device provides an electrical connection to the device while providing a stable and safe environment for irradiating radiation, so that the effect of radiation irradiation on device performance during device operation can be measured in real time .

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 소자 측정 장치가 측정 대상 소자에 간편하면서도 안정적인 전기적 연결을 제공할 수 있는 구조를 갖기 때문에 측정 작업 편의성이 우수하다.In addition, according to an embodiment of the present invention, since the device measuring device has a structure capable of providing a simple and stable electrical connection to the device to be measured, the convenience of measuring operation is excellent.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 소자 측정 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드 어댑터를 확대 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2에 따른 피드 어댑터의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드 어댑터를 확대 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배선부, 피드 어댑터, 및 측정 부재간 연결 관계를 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 대상 소자와 배선부를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 소자 성능 측정 방법을 나타낸 순서도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 소자 성능 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
1 is a perspective view showing a device measuring device according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged cross-sectional view of a feed adapter according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of the feed adapter according to FIG. 2 ;
4 is an enlarged cross-sectional view of a feed adapter according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a connection relationship between a wiring unit, a feed adapter, and a measuring member according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view illustrating a measurement target device and a wiring unit according to an embodiment of the present invention.
7 is a flowchart illustrating a method for measuring device performance according to an embodiment of the present invention.
8 is a graph illustrating a device performance measurement result according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can have various changes and can have various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 진공 챔버 내부에 제공된 측정 대상 소자에 전기적 연결을 제공하면서 동시에 방사선 조사를 수행할 수 있다. 이에 따라, 측정 대상 소자의 작동 중 방사선이 조사되었을 때 소자 성능이 어떻게 변하는지 실시간으로 확인, 측정 가능하다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to simultaneously irradiate radiation while providing an electrical connection to the measurement target device provided in the vacuum chamber. Accordingly, it is possible to check and measure in real time how the device performance changes when the device to be measured is irradiated with radiation during operation.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 소자 측정 장치를 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing a device measuring device according to an embodiment of the present invention.

소자 측정 장치는 측정 대상 소자의 성능, 특히 전기적 성질을 측정하는 장치이다. 소자 측정 장치는 방사선을 이용하기 때문에 방사선 누출을 막기 위한 안전 수단을 구비할 수 있다. 예를 들어, 소자 측정 장치는 방사선 차폐된 공간 내부에 제공될 수 있으며, 원격으로 작동될 수 있다. 또한, 소자 측정 장치에 사용된 부재들은 방사선 안전관리 등의 기술기준에 관한 규칙 등에 따라 안전하게 처리될 수 있다.The device measuring device is a device for measuring the performance, particularly, the electrical properties of the device to be measured. Since the device measuring device uses radiation, it may be provided with safety measures to prevent radiation leakage. For example, the device measuring device may be provided inside a radiation shielded space and may be operated remotely. In addition, the members used in the device measuring device can be safely processed according to the rules for technical standards such as radiation safety management.

소자 측정 장치는 측정 대상 소자(100)가 제공되는 진공 챔버(200), 측정 대상 소자에 방사선을 조사하는 방사 부재(300), 진공 챔버(200) 외부의 측정 부재(600)를 측정 대상 소자(100)와 전기적으로 연결하는 배선부(400), 및 진공 챔버(200) 일측에 제공되어 진공 챔버(200) 내부의 진공 상태를 유지하며 진공 챔버(200) 내부로 배선부(400)를 제공하는 피드 어댑터(500)를 포함한다.The device measuring device includes a vacuum chamber 200 in which the measurement target device 100 is provided, a radiation member 300 irradiating radiation to the measurement target device, and a measurement member 600 outside the vacuum chamber 200 to measure the measurement target device ( 100) is provided on one side of the wiring unit 400 and the vacuum chamber 200 to electrically connect to the vacuum chamber 200 to maintain a vacuum state inside the vacuum chamber 200 and to provide the wiring unit 400 into the vacuum chamber 200 A feed adapter 500 is included.

측정 대상 소자(100)는 특정한 전기적 특성을 나타냄으로써 다양한 용도로 사용되는 전자 소자(electronic device)일 수 있다. 예를 들어, 측정 대상 소자(100)는 조건에 따라 전기적 전도성이 달라지는 반도체 소자일 수 있다. 경우에 따라서는 측정 대상 소자(100)는 반도체 소자와 전도체 소자를 모두 포함하는 복합 소자일 수 있다. 예를 들어, 측정 대상 소자(100)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)일 수 있다.The measurement target device 100 may be an electronic device used for various purposes by exhibiting specific electrical characteristics. For example, the measurement target device 100 may be a semiconductor device whose electrical conductivity varies depending on conditions. In some cases, the measurement target device 100 may be a composite device including both a semiconductor device and a conductor device. For example, the measurement target device 100 may be a thin film transistor (TFT).

측정 대상 소자(100)가 박막 트랜지스터인 경우, 전도체인 소스 전극, 드레인 전극, 및 게이트 전극 상에 전기적 연결이 제공될 수 있다. 상술한 형태로 측정 대상 소자(100)에 전기적 연결이 제공된 상태에서 측정 대상 소자(100) 상에 방사선이 조사되고, 방사선 조사가 측정 대상 소자(100)의 전기적 특성 특히 활성층의 전기적 특성에 미치는 영향이 조사될 수 있다. 상술한 박막 트랜지스터 형태의 측정 대상 소자(100)는 a-Si TFT, LTPS TFT, Oxide TFT 등 다양한 종류일 수 있다.When the measurement target device 100 is a thin film transistor, an electrical connection may be provided on a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode that are conductors. In a state in which the electrical connection is provided to the measurement target device 100 in the above-described form, radiation is irradiated onto the measurement target device 100 , and the radiation irradiation affects the electrical properties of the measurement target device 100 , particularly the electrical properties of the active layer This can be investigated. The device 100 to be measured in the form of a thin film transistor described above may be of various types, such as an a-Si TFT, an LTPS TFT, and an oxide TFT.

측정 대상 소자(100)는 성능 측정을 위해 진공 챔버(200) 내부에 제공된다.The device to be measured 100 is provided inside the vacuum chamber 200 for performance measurement.

진공 챔버(200)는 내부에 측정 대상 소자(100) 등이 제공될 수 있는 공간을 제공하며, 측정 대상 소자(100)를 외부로부터 격리한다. 진공 챔버(200)의 크기 및 형태는 다양할 수 있다. 진공 챔버(200)의 크기 및 형태는 소자 성능 측정 장치의 용도에 따라 달라질 수 있다.The vacuum chamber 200 provides a space in which the measurement target device 100 and the like can be provided, and isolates the measurement target device 100 from the outside. The size and shape of the vacuum chamber 200 may vary. The size and shape of the vacuum chamber 200 may vary depending on the purpose of the device performance measuring device.

진공 챔버(200) 내부는 진공 상태로 유지될 수 있다. 이에 따라 측정 대상 소자(100)에 방사선을 조사할 때 진공 챔버(200) 내부의 불순물 가스에 의해 측정 결과가 영향 받는 것을 막을 수 있다. 진공 챔버(200)에는 상술한 것과 같이 내부를 진공 상태로 만들고 유지하기 위한 진공 여과 장치가 더 제공될 수 있다. 진공 여과 장치는 진공 챔버(200) 내부 압력이 약 0.001 mmHg 이하가 되도록 흡기를 수행하면서, 진공 챔버(200) 내부의 방사선 입자가 외부로 유출되지 않도록 흡기된 기체를 여과할 수 있다.The inside of the vacuum chamber 200 may be maintained in a vacuum state. Accordingly, it is possible to prevent the measurement result from being affected by the impurity gas inside the vacuum chamber 200 when the element 100 to be measured is irradiated with radiation. The vacuum chamber 200 may be further provided with a vacuum filtration device for making and maintaining the inside of the vacuum state as described above. The vacuum filtration device may filter the sucked gas so that the radiation particles inside the vacuum chamber 200 do not leak to the outside while performing suction so that the internal pressure of the vacuum chamber 200 is about 0.001 mmHg or less.

진공 챔버(200)을 이루는 벽은 방사선을 차폐할 수 있다. 이에 따라, 진공 챔버(200) 내부에서 조사된 방사선이 소자 성능 측정 중 진공 챔버(200) 외부로 유출될 우려가 없다. 예를 들어, 진공 챔버(200)의 벽은 납(Nb) 또는 콘크리트를 포함할 수 있다. 진공 챔버(200)는 벽이 납으로 형성되거나, 또는 벽의 안쪽에 납이 코팅되어 있는 형태로 제공될 수 있다.A wall forming the vacuum chamber 200 may shield radiation. Accordingly, there is no risk of radiation irradiated from the inside of the vacuum chamber 200 leaking out of the vacuum chamber 200 during device performance measurement. For example, the wall of the vacuum chamber 200 may include lead (Nb) or concrete. The vacuum chamber 200 may be provided in a form in which a wall is formed of lead, or a lead is coated on the inside of the wall.

진공 챔버(200)는 적어도 일부 면이 개폐될 수 있다. 따라서, 사용자는 진공 챔버(200)를 열고 측정 대상 소자(100)를 진공 챔버(200) 내부에 제공한 후 다시 진공 챔버(200)를 폐쇄할 수 있다. 이때 진공 챔버(200) 개폐 전후에 진공 챔버(200) 내부의 방사선량 측정이 선행될 수 있다. 또한 진공 챔버(200) 내부의 방사선량이 기준 이상인 경우, 진공 챔버(200)가 열리지 않도록 제어하는 전자식 개폐 장치가 진공 챔버(200)에 더 제공될 수 있다.At least some surfaces of the vacuum chamber 200 may be opened and closed. Accordingly, the user may open the vacuum chamber 200 , provide the measurement target device 100 into the vacuum chamber 200 , and then close the vacuum chamber 200 again. At this time, before and after opening and closing the vacuum chamber 200, the measurement of the radiation dose inside the vacuum chamber 200 may be preceded. In addition, when the amount of radiation inside the vacuum chamber 200 is greater than or equal to the standard, an electronic opening/closing device for controlling the vacuum chamber 200 not to be opened may be further provided in the vacuum chamber 200 .

진공 챔버(200)의 벽면 상에 측정 대상 소자(100)를 고정하기 위한 고정 부재가 더 제공될 수 있다. 고정 부재는 예를 들어, 카본 테이프 및 폴리이미드 테이프일 수 있다. 카본 테이프와 폴리이미드 테이프를 함께 사용함으로써 측정 대상 소자(100)와 진공 챔버(200) 간 단락이 발생하는 것을 막으면서도 기계적으로 안정적으로 측정 대상 소자(100)를 고정할 수 있다.A fixing member for fixing the measurement target device 100 may be further provided on the wall surface of the vacuum chamber 200 . The fixing member may be, for example, a carbon tape and a polyimide tape. By using the carbon tape and the polyimide tape together, it is possible to mechanically and stably fix the measurement object 100 while preventing a short circuit between the measurement object 100 and the vacuum chamber 200 from occurring.

진공 챔버(200) 내부에는 측정 대상 소자(100)에 방사선을 조사하기 위한 방사 부재(300)가 제공된다.A radiation member 300 for irradiating radiation to the measurement target device 100 is provided inside the vacuum chamber 200 .

방사 부재(300)는 방사선을 방출하기 위한 부재이다. 방사 부재(300)에서 방출되는 방사선은 알파선, 베타선, 감마선, 중성자선 등의 입자선(particle beam)일 수 있다. 방사선의 종류는 수행하고자 하는 소자 성능 측정 방법에 따라 달라질 수 있다.The radiation member 300 is a member for emitting radiation. The radiation emitted from the radiation member 300 may be a particle beam such as alpha rays, beta rays, gamma rays, or neutron rays. The type of radiation may vary depending on a device performance measurement method to be performed.

방사 부재(300)는 방사선 방출을 위하여 동위원소를 포함할 수 있다. 동위원소는 예를 들어, 갈륨-67, 갈륨-68, 구리-64, 구리-67, 금-198, 납-210, 니켈-63, 디스프로슘-165, 라듐-226, 란타넘-140, 레늄-186, 레늄-188, 루비듐-82, 루비듐-177, 망가니즈-54, 몰리브데넘-99, 플루오린-18, 비스무트-213, 사마륨-153, 산소-15, 세슘-137, 셀레늄-75, 소듐-24, 스칸듐-46, 스트론튬-82, 스트론튬-85, 스트론튬-89, 스트론튬-90, 아메리슘-241, 아연-65, 어븀-169, 염소-36, 아이오딘-123, 아이오딘-123, 아이오딘-125, 아이오딘-129, 아이오딘-131, 우라늄-234, 우라늄-235, 우라늄-238, 이리듐-192, 이터븀-169, 이트륨-90, 인듐-111, 저마늄-68, 제논-133, 코발트-57, 코발트-60, 크립톤-81, 크립톤-85, 탄소-11, 탄소-14, 트리튬, 토륨-229, 토륨-230, 탈륨-201, 탈륨-204 등에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The radiation member 300 may include an isotope to emit radiation. Isotopes are, for example, gallium-67, gallium-68, copper-64, copper-67, gold-198, lead-210, nickel-63, dysprosium-165, radium-226, lanthanum-140, rhenium- 186, Rhenium-188, Rubidium-82, Rubidium-177, Manganese-54, Molybdenum-99, Fluorine-18, Bismuth-213, Samarium-153, Oxygen-15, Cesium-137, Selenium-75, Sodium-24, Scandium-46, Strontium-82, Strontium-85, Strontium-89, Strontium-90, Americium-241, Zinc-65, Erbium-169, Chlorine-36, Iodine-123, Iodine-123, Iodine-125, Iodine-129, Iodine-131, Uranium-234, Uranium-235, Uranium-238, Iridium-192, Ytterbium-169, Yttrium-90, Indium-111, Germanium-68, Xenon -133, cobalt-57, cobalt-60, krypton-81, krypton-85, carbon-11, carbon-14, tritium, thorium-229, thorium-230, thallium-201, thallium-204, etc. can do.

방사 부재(300)는 진공 챔버(200) 내에서 측정 대상 소자(100)를 마주보는 위치에 제공될 수 있다. 예를 들어, 직육면체 형태의 진공 챔버(200)의 일측 벽면 상에 측정 대상 소자(100)가 제공되는 때, 방사 부재(300)는 측정 대상 소자(100)가 제공된 벽면을 마주보는 벽면 상에 제공될 수 있다. 이에 따라, 직진성을 갖는 입자선은 방사 부재(300)로부터 방출된 뒤 대부분 측정 대상 소자(100)로 입사된다.The radiation member 300 may be provided at a position facing the measurement target device 100 in the vacuum chamber 200 . For example, when the measurement target device 100 is provided on one wall surface of the vacuum chamber 200 in the form of a rectangular parallelepiped, the radiating member 300 is provided on the wall facing the wall surface on which the measurement target device 100 is provided. can be Accordingly, most of the particle beam having straightness is emitted from the radiation member 300 and then is incident on the measurement target device 100 .

방사 부재(300)는 입자선의 방사선량 및 방사 범위를 제어하기 위한 부재, 예를 들어 조리개 등을 더 포함할 수 있다. 이에 따라 측정 대상 소자(100)의 크기 및 형태에 따라 원하는 영역에만 방사선이 조사되도록 제어할 수 있다. 예를 들어, 측정 대상 소자(100)가 박막 트랜지스터인 경우, 박막 트랜지스터의 활성층에 집중적으로 방사선이 조사될 수 있도록 방사 범위를 제어할 수 있다. 따라서, 배선부(400) 등에 악영향을 주지 않고 소자 성능 측정을 수행할 수 있다.The radiation member 300 may further include a member for controlling the radiation amount and radiation range of the particle beam, for example, an diaphragm. Accordingly, it is possible to control the radiation to be irradiated only to a desired area according to the size and shape of the measurement target device 100 . For example, when the measurement target device 100 is a thin film transistor, the radiation range may be controlled so that radiation may be intensively irradiated to the active layer of the thin film transistor. Accordingly, device performance measurement can be performed without adversely affecting the wiring unit 400 or the like.

방사 부재(300)는 아울러 조사되는 방사선을 제어하기 위한 부재를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 방사 부재(300)에서 조사되는 빔 에너지의 제어를 위해 방사 부재(300) 앞에 알루미늄 블록 등을 장착할 수 있다.The radiation member 300 may further include a member for controlling the irradiated radiation. For example, an aluminum block or the like may be mounted in front of the radiation member 300 in order to control the beam energy irradiated from the radiation member 300 .

방사 부재(300)가 방사선을 조사하는 동안 측정 대상 소자(100)에는 전기적 연결이 제공된다. 측정 대상 소자(100)에 전기적 연결을 제공하기 위하여 배선부(400)가 제공된다.An electrical connection is provided to the measurement target device 100 while the radiation member 300 is irradiating radiation. A wiring unit 400 is provided to provide an electrical connection to the measurement target device 100 .

배선부(400)는 측정 대상 소자(100)와 진공 챔버(200) 외부의 측정 부재(600)를 전기적으로 연결한다. 이때 전기적으로 연결한다는 것은 배선부(400)가 전류가 흐르는 전도체로 기능하는 것을 의미하며, 전류는 데이터 신호 및 전력을 포함할 수 있다. 따라서, 배선부(400)는 측정 대상 소자(100)에 전력을 공급하는 동시에, 방사 부재(300)로부터 방사된 방사선에 노출되었을 때의 측정 대상 소자(100)의 전기적 특성 변화를 측정 부재(600)로 송출할 수 있다.The wiring unit 400 electrically connects the measurement target device 100 and the measurement member 600 outside the vacuum chamber 200 . In this case, the electrical connection means that the wiring unit 400 functions as a conductor through which a current flows, and the current may include a data signal and power. Accordingly, the wiring unit 400 supplies power to the measurement target device 100 and, at the same time, measures a change in electrical characteristics of the measurement target device 100 when exposed to radiation emitted from the radiation member 300 to the measurement member 600 . ) can be sent.

배선부(400)는 전기적 전도성을 나타내는 도전성 물질로 제작될 수 있다. 예를 들어, 배선부(400)는 금, 은, 백금, 구리, 알루미늄에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만 상술한 물질 외에도 전기 전도성이 우수한 물질이라면 배선부(400)를 구성하는데 사용할 수 있다.The wiring unit 400 may be made of a conductive material exhibiting electrical conductivity. For example, the wiring unit 400 may include at least one selected from gold, silver, platinum, copper, and aluminum. However, in addition to the above-described materials, any material having excellent electrical conductivity may be used to configure the wiring unit 400 .

배선부(400)의 표면은 절연성 물질로 피복될 수 있다. 이에 따라, 배선부(400)와 진공 챔버(200), 피드 어댑터(500) 등 사이에서 단락이 발생할 우려가 없다.The surface of the wiring unit 400 may be covered with an insulating material. Accordingly, there is no risk of a short circuit occurring between the wiring unit 400 , the vacuum chamber 200 , the feed adapter 500 , and the like.

배선부(400)는 진공 챔버(200)의 내벽을 따라 제공될 수 있다. 따라서, 배선부(400)가 방사 부재(300)와 측정 대상 소자(100) 사이에 제공되어 방사선을 막을 우려가 없다.The wiring unit 400 may be provided along the inner wall of the vacuum chamber 200 . Accordingly, the wiring unit 400 is provided between the radiation member 300 and the measurement target device 100 , so that there is no fear of blocking radiation.

배선부(400)는 독립된 복수 개의 전도체 라인을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 전도체 라인은 측정 대상 소자(100)의 서로 다른 영역에 연결될 수 있다.The wiring unit 400 may include a plurality of independent conductor lines. For example, the plurality of conductor lines may be connected to different regions of the measurement target device 100 .

배선부(400)와 다른 말단에서 연결되는 측정 부재(600)는 측정 대상 소자(100)의 물성 중 특히 전기적 특성을 측정할 수 있다. 측정 부재(600)는 예를 들어, 측정 대상 소자(100)의 전기 전도성 변화를 측정할 수 있다. 측정 부재(600)는 또한 측정 대상 소자(100)에 전원을 공급할 수 있다. 측정 부재(600)는 진공 챔버(200) 외부에 제공되되 진공 챔버(200)와 멀리 이격되어 또는 인접하여 제공될 수 있다. 측정 부재(600)는 예를 들어 소자 측정 장비인 keithley일 수 있다.The measuring member 600 connected at the other end of the wiring unit 400 may measure, in particular, electrical characteristics among the physical properties of the measurement target device 100 . The measuring member 600 may measure, for example, a change in electrical conductivity of the measurement target device 100 . The measurement member 600 may also supply power to the measurement target device 100 . The measuring member 600 may be provided outside the vacuum chamber 200 and may be provided adjacent to or spaced apart from the vacuum chamber 200 . The measuring member 600 may be, for example, a keithley device measuring device.

배선부(400)는 피드 어댑터(500)를 통해 진공 챔버(200) 내부까지 연결된다.The wiring unit 400 is connected to the inside of the vacuum chamber 200 through the feed adapter 500 .

피드 어댑터(500)는 진공 챔버(200) 일측에 제공되며, 배선부(400)를 진공 챔버(200) 안쪽으로 전달하면서도 진공 챔버(200) 내부 진공 상태가 유지될 수 있도록 한다.The feed adapter 500 is provided on one side of the vacuum chamber 200 , and allows the vacuum chamber 200 to be maintained while delivering the wiring part 400 to the inside of the vacuum chamber 200 .

피드 어댑터(500)의 구성에 대한 더 자세한 내용은 후술하고자 한다.More details on the configuration of the feed adapter 500 will be described later.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 진공 챔버(200) 내부에 측정 대상 소자(100)를 제공한 후, 측정 대상 소자(100)에 전기적 연결을 제공하는 중에 방사선을 조사할 수 있다. 이에 따라, 방사선 조사에 따른 측정 대상 소자(100)의 전기적 특성 변화를 실시간으로 측정, 확인 가능하다. 특히, 상술한 측정을 수행함에 있어서 피드 어댑터(500)를 이용하여 방사능 입자 유출의 우려 없이 진공 챔버(200) 내부의 진공 상태를 유지하면서 동시에 측정 대상 소자(100)에 전기적 연결을 제공할 수 있다. 이하에서는 이러한 기능을 수행하기 위한 피드 어댑터(500)의 구조에 대하여 더 자세히 살펴보고자 한다.According to an embodiment of the present invention, after the device to be measured 100 is provided in the vacuum chamber 200 , radiation may be irradiated while providing an electrical connection to the device to be measured 100 . Accordingly, it is possible to measure and confirm the change in the electrical characteristics of the measurement target device 100 in real time according to the radiation irradiation. In particular, in performing the above-described measurement, the feed adapter 500 may be used to maintain a vacuum state inside the vacuum chamber 200 without fear of leakage of radioactive particles, and at the same time provide an electrical connection to the measurement target device 100 . . Hereinafter, we will look at the structure of the feed adapter 500 for performing this function in more detail.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드 어댑터를 확대 도시한 단면도이다. 도 3은 도 2에 따른 피드 어댑터의 평면도이다.2 is an enlarged cross-sectional view of a feed adapter according to an embodiment of the present invention. 3 is a plan view of the feed adapter according to FIG. 2 ;

도 2와 도 3을 참고하면, 피드 어댑터(500)는 피드 어댑터 입구(511)와 피드 어댑터 출구(512)를 갖는 피드 어댑터 케이스(510), 피드 어댑터 케이스(510)의 피드 어댑터 입구(511)와 피드 어댑터 출구(512) 사이에 제공되며, 피드 어댑터 입구(511)에서 피드 어댑터 출구(512) 방향으로 연장된 피드 어댑터 홀더(520) 및 피드 어댑터 홀더(520)를 관통하는 피드 어댑터 핀(530)를 포함한다.2 and 3 , the feed adapter 500 includes a feed adapter case 510 having a feed adapter inlet 511 and a feed adapter outlet 512 , and a feed adapter inlet 511 of the feed adapter case 510 . A feed adapter pin 530 provided between and the feed adapter outlet 512 and penetrating through the feed adapter holder 520 and the feed adapter holder 520 extending from the feed adapter inlet 511 to the feed adapter outlet 512 . ) is included.

피드 어댑터(500)는 앞서 살펴본 것과 같이 진공 챔버의 일측에 제공된다. 구체적으로 피드 어댑터(500)는 진공 챔버의 일측 벽면을 관통하는 형태로 진공 챔버 벽면 상에 제공된다.The feed adapter 500 is provided on one side of the vacuum chamber as described above. Specifically, the feed adapter 500 is provided on the vacuum chamber wall in the form of penetrating one side wall of the vacuum chamber.

피드 어댑터(500)는 진공 챔버 내부의 진공 상태를 유지하고, 진공 챔버 내부에 조사된 방사선 입자가 외부로 유출되지 않는 형태로 진공 챔버에 밀착하여 제공된다. 또한, 피드 어댑터(500)는 상술한 형태로 제공되는 동시에 진공 챔버 외부의 측정 부재로부터 시작된 전기적 연결이 진공 챔버 내부의 측정 대상 소자까지 이어질 수 있도록 한다.The feed adapter 500 maintains a vacuum state inside the vacuum chamber, and is provided in close contact with the vacuum chamber in such a way that the radiation particles irradiated into the vacuum chamber do not leak to the outside. In addition, the feed adapter 500 is provided in the above-described form, and at the same time, enables an electrical connection started from the measuring member outside the vacuum chamber to continue to the measurement target element inside the vacuum chamber.

피드 어댑터(500)는 상술한 기능을 수행하기 위하여 먼저 피드 어댑터 케이스(510)를 포함할 수 있다. 피드 어댑터 케이스(510)는 피드 어댑터(500)의 외관을 형성하며, 내부에 빈 공간을 갖는다. 구체적으로 피드 어댑터 케이스(510)는 피드 어댑터 입구(511)과 피드 어댑터 출구(512)를 갖고, 피드 어댑터 입구(511)와 피드 어댑터 출구(512) 사이는 비어있는 형태를 가질 수 있다. The feed adapter 500 may first include a feed adapter case 510 in order to perform the above-described function. The feed adapter case 510 forms the exterior of the feed adapter 500 and has an empty space therein. Specifically, the feed adapter case 510 may have a feed adapter inlet 511 and a feed adapter outlet 512 , and an empty space between the feed adapter inlet 511 and the feed adapter outlet 512 may be provided.

피드 어댑터 케이스(510)는 피드 어댑터 입구(511)가 진공 챔버 내부를 향하고 피드 어댑터 출구(512)가 진공 챔버 외부를 향하는 형태로 제공될 수 있다. The feed adapter case 510 may be provided in a form in which the feed adapter inlet 511 faces the inside of the vacuum chamber and the feed adapter outlet 512 faces the outside of the vacuum chamber.

피드 어댑터 케이스(510)는 진공 챔버 벽면에 제공된 개구에 밀착하는 형태로 제공될 수 있다. 진공 챔버 벽면 상의 개구와 피드 어댑터 케이스(510)가 밀착할 수 있도록 경우에 따라, 피드 어댑터 케이스(510)와 진공 챔버 개구 사이에 오링이 제공될 수 있다. 또는 피드 어댑터 케이스(510)를 신축성을 갖는 형태로 제작할 수 있다 이 경우, 피드 어댑터 케이스(510)를 압축하여 진공 챔버 개구 내에 제공하고 피드 어댑터 케이스(510)가 원래 형태로 돌아가려는 성질을 이용하여 피드 어댑터 케이스(510)를 진공 챔버 개구 내에 밀착시킬 수 있다.The feed adapter case 510 may be provided in a form in close contact with an opening provided on a wall surface of the vacuum chamber. In some cases, an O-ring may be provided between the feed adapter case 510 and the vacuum chamber opening so that the opening on the vacuum chamber wall surface and the feed adapter case 510 can come into close contact with each other. Alternatively, the feed adapter case 510 may be manufactured in a flexible form. In this case, the feed adapter case 510 is compressed and provided in the vacuum chamber opening, and the feed adapter case 510 is returned to its original shape by using the property. The feed adapter case 510 may be closely attached to the vacuum chamber opening.

피드 어댑터 케이스(510) 안쪽의 빈 공간에는 피드 어댑터 홀더(520)가 제공될 수 있다. A feed adapter holder 520 may be provided in an empty space inside the feed adapter case 510 .

피드 어댑터 홀더(520)는 피드 어댑터 입구(511)와 피드 어댑터 출구(512) 사이에 제공될 수 있다. 피드 어댑터 홀더(520)는 또한 피드 어댑터 입구(511)에서 피드 어댑터 출구(512) 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있다.A feed adapter holder 520 may be provided between the feed adapter inlet 511 and the feed adapter outlet 512 . The feed adapter holder 520 may also have a shape extending from the feed adapter inlet 511 to the feed adapter outlet 512 .

피드 어댑터 홀더(520)는 피드 어댑터 케이스(510)와 밀착하거나 피드 어댑터 케이스(510)와 일체로 제공될 수 있다. 피드 어댑터 홀더(520)는 또한 피드 어댑터 입구(511)에서 피드 어댑터 출구(512) 방향으로 피드 어댑터 홀더(520)를 관통하는 오프닝을 포함할 수 있다. 피드 어댑터 홀더(520)의 오프닝 내에는 피드 어댑터 핀(530)이 제공된다.The feed adapter holder 520 may be provided in close contact with the feed adapter case 510 or integrally with the feed adapter case 510 . The feed adapter holder 520 may also include an opening through the feed adapter holder 520 in a direction from the feed adapter inlet 511 to the feed adapter outlet 512 . A feed adapter pin 530 is provided in the opening of the feed adapter holder 520 .

피드 어댑터 핀(530)은 피드 어댑터 홀더(520)의 오프닝 내에 제공되며, 이에 따라 피드 어댑터 홀더(520)를 관통하는 형태로 제공된다. 피드 어댑터 핀(530)은 피드 어댑터 홀더(520)와 밀착하는 형태로 제공된다. 예를 들어, 피드 어댑터 핀(530)은 피드 어댑터 홀더(520)의 오프닝보다 직경이 클 수 있고, 피드 어댑터 홀더(520)는 신축성을 가질 수 있다. 이에 따라, 피드 어댑터 핀(530)이 피드 어댑터 홀더(520)의 오프닝 내에 삽입되었을 때, 피드 어댑터 홀더(520)의 복원력에 의하여 피드 어댑터 핀(530)이 피드 어댑터 홀더(520)의 오프닝에 밀착될 수 있다.The feed adapter pin 530 is provided in the opening of the feed adapter holder 520 , and thus passes through the feed adapter holder 520 . The feed adapter pin 530 is provided in a form in close contact with the feed adapter holder 520 . For example, the feed adapter pin 530 may have a larger diameter than the opening of the feed adapter holder 520 , and the feed adapter holder 520 may have elasticity. Accordingly, when the feed adapter pin 530 is inserted into the opening of the feed adapter holder 520 , the feed adapter pin 530 is in close contact with the opening of the feed adapter holder 520 by the restoring force of the feed adapter holder 520 . can be

피드 어댑터 핀(530)은 따라서 피드 어댑터 홀더(520)의 오프닝의 형상에 대응되는 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 피드 어댑터 홀더(520)의 오프닝이 원 형 단면을 갖는 때, 피드 어댑터 핀(530) 또한 원기둥 형태를 가질 수 있다.The feed adapter pin 530 may thus have a shape corresponding to the shape of the opening of the feed adapter holder 520 . For example, when the opening of the feed adapter holder 520 has a circular cross-section, the feed adapter pin 530 may also have a cylindrical shape.

피드 어댑터 핀(530)은 전기 전도성을 갖는다. 이에 따라, 피드 어댑터 핀(530)은 배선부와 양 단에서 결합하여 전기적 연결을 중계할 수 있다. 피드 어댑터 핀(530)은 예를 들어, 금, 은, 백금, 구리, 알루미늄에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다만 상술한 물질 외에도 전기 전도성이 우수한 물질이라면 피드 어댑터 핀(530)을 구성하는데 사용할 수 있다.The feed adapter pin 530 is electrically conductive. Accordingly, the feed adapter pin 530 may be coupled to the wiring unit at both ends to relay the electrical connection. The feed adapter pin 530 may include, for example, at least one selected from gold, silver, platinum, copper, and aluminum. However, in addition to the above-mentioned materials, any material having excellent electrical conductivity may be used to configure the feed adapter pin 530 .

피드 어댑터 핀(530)은 전기 전도성이 우수한 전도체와 전도체를 피복하는 피복을 포함할 수 있다. 이에 따라, 피드 어댑터 홀더(520)가 전기 전도성을 갖는 물질을 포함하는 경우에도 피드 어댑터 홀더(520)와 피드 어댑터 핀(530) 사이에 단락이 발생하지 않을 수 있다.The feed adapter pin 530 may include a conductor having excellent electrical conductivity and a coating covering the conductor. Accordingly, even when the feed adapter holder 520 includes an electrically conductive material, a short circuit may not occur between the feed adapter holder 520 and the feed adapter pin 530 .

피드 어댑터 핀(530)은 도면에서 확인할 수 있듯이 복수 개 제공될 수 있다. 복수 개의 피드 어댑터 핀(530)은 각각 독립적으로 배선부의 서로 다른 배선과 연결될 수 있다. 복수 개의 피드 어댑터 핀(530)은 서로 단락되지 않도록 피드 어댑터 홀더(520) 내에서 서로 이격되어 제공된다. 다만, 도면에 나타난 복수 개의 피드 어댑터 핀(530)의 제공 형태, 예를 들어 개수 및 배치는 예시적인 것에 불과하다.A plurality of feed adapter pins 530 may be provided as can be seen in the drawings. The plurality of feed adapter pins 530 may be independently connected to different wires of the wire unit. A plurality of feed adapter pins 530 are provided to be spaced apart from each other in the feed adapter holder 520 so as not to short-circuit each other. However, the form of, for example, the number and arrangement of the plurality of feed adapter pins 530 shown in the drawings are merely exemplary.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 진공 챔버의 벽을 관통하여 피드 어댑터(500)가 제공된다. 피드 어댑터(500)는 피드 어댑터 케이스(510), 피드 어댑터 홀더(520), 및 피드 어댑터 핀(530)이 밀착하는 형태로 제공되는데 이에 따라 전기적 연결을 중계하면서도 진공 챔버 내부의 진공이 깨지거나 진공 챔버 내부의 방사선 입자가 외부로 유출되지 않도록 할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a feed adapter 500 is provided through the wall of the vacuum chamber. The feed adapter 500 is provided in a form in which the feed adapter case 510, the feed adapter holder 520, and the feed adapter pin 530 are in close contact. It is possible to prevent the radiation particles inside the chamber from leaking to the outside.

이하에서는 상술한 피드 어댑터의 다른 형태에 대하여 더 살펴보고자 한다.Hereinafter, we will look at another form of the above-described feed adapter.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 피드 어댑터를 확대 도시한 단면도이다.4 is an enlarged cross-sectional view of a feed adapter according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참고하면, 피드 어댑터(500)는 피드 어댑터 홀더(520)의 오프닝 중 일부에만 피드 어댑터 핀(530)이 제공된 형태를 갖는다.Referring to FIG. 4 , the feed adapter 500 has a form in which only a portion of the opening of the feed adapter holder 520 is provided with a feed adapter pin 530 .

피드 어댑터 홀더(520)의 오프닝 중 일부에 피드 어댑터 핀(530)이 제공되지 않고 오픈되어 있기 때문에, 피드 어댑터(500)는 피드 어댑터 커버(540)를 더 포함할 수 있다. 피드 어댑터 커버(540)는 피드 어댑터 입구(511)쪽에 제공되어 피드 어댑터 케이스(510)의 일측을 커버할 수 있다. 피드 어댑터 핀(530)은 피드 어댑터 커버(540)를 관통하는 형태로 제공된다. Since the feed adapter pin 530 is not provided in some of the openings of the feed adapter holder 520 and is open, the feed adapter 500 may further include a feed adapter cover 540 . The feed adapter cover 540 may be provided on the side of the feed adapter inlet 511 to cover one side of the feed adapter case 510 . The feed adapter pin 530 is provided to pass through the feed adapter cover 540 .

피드 어댑터 커버(540)가 제공됨에 따라 피드 어댑터(500)의 밀폐력이 한층 강화될 수 있다. 또한, 피드 어댑터 커버(540)가 제공되기 때문에 피드 어댑터 홀더(520)의 오프닝 일부에만 피드 어댑터 핀(530)이 제공되어도 밀폐력을 유지할 수 있다. 따라서, 필요에 따라 피드 어댑터 핀(530)의 개수를 자유롭게 조절할 수 있다.As the feed adapter cover 540 is provided, the sealing force of the feed adapter 500 may be further strengthened. In addition, since the feed adapter cover 540 is provided, sealing force can be maintained even when the feed adapter pin 530 is provided only in a portion of the opening of the feed adapter holder 520 . Accordingly, the number of feed adapter pins 530 can be freely adjusted as necessary.

이하에서는 피드 어댑터(500)와 다른 구성 요소간 연결 관계에 대하여 더 자세히 살펴보고자 한다.Hereinafter, the connection relationship between the feed adapter 500 and other components will be looked at in more detail.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배선부, 피드 어댑터, 및 측정 부재간 연결 관계를 나타낸 단면도이다.5 is a cross-sectional view illustrating a connection relationship between a wiring unit, a feed adapter, and a measuring member according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참고하면 피드 어댑터 핀(530)는 피드 어댑터 입구(511)쪽 영역에서 내부 배선(421)이 연결되며, 피드 어댑터 출구(512)쪽 영역에서 외부 배선(422)과 연결될 수 있다.Referring to FIG. 5 , the feed adapter pin 530 may be connected to an internal wire 421 in an area on the side of the feed adapter inlet 511 , and may be connected with an external wire 422 at an area on the side of the feed adapter outlet 512 .

피드 어댑터 입구(511)가 진공 챔버 내부를 향하도록 피드 어댑터가 배치되는 바, 내부 배선(421)은 진공 챔버 내부에 제공된다. 또한, 외부 배선(422)은 진공 챔버 외부에 제공된다.The feed adapter is disposed such that the feed adapter inlet 511 faces the inside of the vacuum chamber, and the inner wiring 421 is provided inside the vacuum chamber. In addition, the external wiring 422 is provided outside the vacuum chamber.

내부 배선(421)은 배선 연결 부재를 통해 피드 어댑터 핀(530)의 일단과 기계적으로 결합된다. 또한 외부 배선(422) 역시 배선 연결 부재를 통해 피드 어댑터 핀(530)의 타단과 기계적으로 결합된다. 이때 내부 배선(421)과 외부 배선(422)에 제공되는 배선 연결 부재의 종류에는 제한이 없으며, 당업계에서 사용되는 기술적 수단이 이용될 수 있다.The internal wiring 421 is mechanically coupled to one end of the feed adapter pin 530 through a wiring connection member. In addition, the external wiring 422 is also mechanically coupled to the other end of the feed adapter pin 530 through a wiring connection member. In this case, there is no limitation on the type of wiring connection member provided to the internal wiring 421 and the external wiring 422 , and technical means used in the art may be used.

내부 배선(421)은 연장되어 피드 어댑터 핀(530)의 일측과 측정 대상 소자를 연결한다. 이때 내부 배선(421)은 진공 챔버 벽면에 밀착한 형태로 측정 대상 소자까지 연장될 수 있다. 이에 따라 내부 배선(421)이 측정 대상 소자로 조사되는 방사선을 가로막을 우려가 없다.The internal wiring 421 is extended to connect one side of the feed adapter pin 530 and the device to be measured. In this case, the internal wiring 421 may extend to the measurement target device in a form in close contact with the wall of the vacuum chamber. Accordingly, there is no fear that the internal wiring 421 may block the radiation irradiated to the measurement target device.

내부 배선(421)의 일측에는 피벗운동에 의하여 측정 대상 소자의 적어도 일부와 물리적으로 결합하는 엘리게이터 클립(410)이 제공될 수 있다. 엘리게이터 클립(410)은 기계적으로 매우 조작이 편하기 때문에 사용자가 쉽게 측정 대상 소자에 전기적 연결을 제공할 수 있다. 또한, 납땜 등에 의하여 비가역적인 전기적 연결을 형성하는 종래 기술에 따른 배선과 비교하였을 때, 엘리게이터 클립(410)은 가역적인 전기적 연결을 제공할 수 있다는 이점이 있다. 따라서, 소자 성능 측정시에 엘리게이터 클립(410)을 이용하여 전기적 연결을 제공하고, 측정 후에는 측정 대상 소자만 제거하고 엘리게이터 클립(410)은 다시 활용할 수 있다.An alligator clip 410 physically coupled to at least a portion of a measurement target element by a pivot movement may be provided on one side of the internal wiring 421 . Since the alligator clip 410 is mechanically very easy to operate, a user can easily provide an electrical connection to the device to be measured. In addition, as compared with wiring according to the prior art that forms an irreversible electrical connection by soldering or the like, the alligator clip 410 has an advantage in that it can provide a reversible electrical connection. Accordingly, an electrical connection is provided by using the alligator clip 410 when measuring device performance, and after measurement, only the device to be measured is removed and the alligator clip 410 can be reused.

외부 배선(422)은 연장되어 피드 어댑터 핀(530)의 타측과 측정 부재(600)를 연결한다.The external wiring 422 extends to connect the other side of the feed adapter pin 530 and the measurement member 600 .

본 발명의 일 실시예에 따르면 피드 어댑터에 고정된 피드 어댑터 핀 양쪽에 내부 배선 및 외부 배선을 제공함으로써, 진공을 유지하고 방사능 입자의 유출 걱정 없이 진공 챔버 내외로 연장되는 전기적 연결을 제공할 수 있다. 특히, 피드 어댑터 핀 양쪽에 기계적 장치를 이용하여 내부 배선과 외부 배선을 연결함으로써 장치의 조작 편의성이 매우 우수하다. 아울러, 내부 배선 일측에는 엘리게이터 클립을 제공함으로써 내부 배선을 다회 사용할 수 있고 간편하게 측정 대상 소자에 전기적 연결을 제공할 수 있다는 장점이 있다.According to one embodiment of the present invention, by providing internal wiring and external wiring on both sides of the feed adapter pin fixed to the feed adapter, it is possible to maintain a vacuum and provide an electrical connection extending in and out of the vacuum chamber without worrying about leakage of radioactive particles. . In particular, by using a mechanical device on both sides of the feed adapter pins to connect the internal wiring and the external wiring, the operation convenience of the device is very excellent. In addition, since an alligator clip is provided on one side of the internal wiring, the internal wiring can be used multiple times and an electrical connection can be conveniently provided to the device to be measured.

이상에서는 피드 어댑터 및 배선부의 제공 형태에 대하여 살펴보았다. 이하에서는 측정 대상 소자의 형태에 대하여 살펴보고자 한다.In the above, the form of providing the feed adapter and the wiring unit has been reviewed. Hereinafter, the shape of the device to be measured will be examined.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 측정 대상 소자와 배선부를 나타낸 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a measurement target device and a wiring unit according to an embodiment of the present invention.

도 6에 따르면, 측정 대상 소자(100)는 박막 트랜지스터일 수 있다. Referring to FIG. 6 , the measurement target device 100 may be a thin film transistor.

측정 대상 소자(100)는 구체적으로 기판(101) 상에 제공된 소스 전극(104), 소스 전극(104)과 이격되어 제공되는 드레인 전극(105), 소스 전극(104) 및 드레인 전극(105) 사이에 제공되어 소스 전극(104)과 드레인 전극(105)을 연결하는 활성층(103), 및 활성층(103)과 이격되어 제공되는 게이트 전극(102)을 포함할 수 있다.The measurement target device 100 specifically includes a source electrode 104 provided on a substrate 101 , a drain electrode 105 provided to be spaced apart from the source electrode 104 , and a space between the source electrode 104 and the drain electrode 105 . It may include an active layer 103 that is provided to connect the source electrode 104 and the drain electrode 105 , and a gate electrode 102 that is provided spaced apart from the active layer 103 .

먼저 측정 대상 소자(100)에는 기판(101)이 제공된다. 기판(101)의 재료와 두께에는 특별한 제한이 없다. 따라서, 통상의 기술자는 필요에 따라 기판을 이루는 재료와 그 두께를 변경할 수 있다. 기판(101)은 예컨대, 합성 석영(synthetic quartz), 불화칼슘(calcium fluoride), 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz), 소다라임(sodalime) 유리, 무알칼리(non-alkali) 유리, 고분자 수지(resin) 등과 같은 절연성 재료로 이루어질 수 있다. 또한, 기판(101)은 휘거나 접힘이 가능하도록 가요성(flexibility)을 갖는 재료로 이루어질 수 있고, 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다.First, the substrate 101 is provided on the measurement target device 100 . There is no particular limitation on the material and thickness of the substrate 101 . Accordingly, a person skilled in the art can change the material and thickness of the substrate constituting the substrate as needed. The substrate 101 may be, for example, synthetic quartz, calcium fluoride, F-doped quartz, sodalime glass, non-alkali glass, or a polymer. It may be made of an insulating material such as resin. In addition, the substrate 101 may be made of a material having flexibility to be bent or folded, and may have a single-layer structure or a multi-layer structure.

예를 들어, 기판(101)은 폴리스티렌(polystyrene), 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리메틸메타크릴레이트(Polymethyl methacrylate), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(triacetate cellulose), 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다만, 기판(101)을 구성하는 재료는 다양하게 변화될 수 있으며, 유리 섬유 강화플라스틱(Fiber glass reinforced plastic) 등으로도 이루어질 수 있다.For example, the substrate 101 may include polystyrene, polyvinyl alcohol, polymethyl methacrylate, polyethersulfone, polyacrylate, polyetherimide ( polyetherimide), polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate, triacetate cellulose (triacetate cellulose) and cellulose acetate propionate may include at least one of (cellulose acetate propionate). However, the material constituting the substrate 101 may be variously changed, and may also be made of fiber glass reinforced plastic or the like.

기판(101) 상에는 게이트 전극(102)이 제공된다.A gate electrode 102 is provided on the substrate 101 .

게이트 전극(102)은 활성층(103)을 통해 소스 전극(104)과 드레인 전극(105)사이에 전류가 흐르는 것을 제어한다. 게이트 전극(102)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 게이트 전극(102)을 형성할 수 있는 물질은 상기 예시에 국한되는 것이 아니다. 따라서, 통상의 기술자는 필요에 따라 게이트 전극(102)을 형성하기 위한 물질을 적절히 선택할 수 있으며, 여기에는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 TCO 계열의 합금 등도 포함된다.The gate electrode 102 controls current flowing between the source electrode 104 and the drain electrode 105 through the active layer 103 . The gate electrode 102 includes at least one of aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tungsten (W), titanium (Ti), and alloys thereof. can do. However, the material capable of forming the gate electrode 102 is not limited to the above example. Accordingly, a person skilled in the art may appropriately select a material for forming the gate electrode 102 as needed, which includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or a TCO-based alloy.

활성층(103)은 소스 전극(104)과 드레인 전극(105) 사이에 제공되며, 게이트 전극(102)으로부터 전계를 인가받았을 때 전기 전도성을 나타낸다.The active layer 103 is provided between the source electrode 104 and the drain electrode 105 , and exhibits electrical conductivity when an electric field is applied from the gate electrode 102 .

활성층(103)은 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 산화물 반도체는 아연 산화물(ZnO), 인듐 산화물(InO), 인듐-갈륨-아연 산화물(In-Ga-Zn-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O)로 형성되거나, 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 및 알루미늄(Al) 중 적어도 2개 이상의 원소를 포함하는 산화물로 형성될 수 있다. 무기물 반도체는 비정질 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon) 등을 포함할 수 있다.The active layer 103 may include an oxide semiconductor, an inorganic semiconductor, or an organic semiconductor. The oxide semiconductor is formed of zinc oxide (ZnO), indium oxide (InO), indium-gallium-zinc oxide (In-Ga-Zn-O), zinc-tin oxide (Zn-Sn-O), or zinc (Zn) , indium (In), gallium (Ga), tin (Sn), and may be formed of an oxide containing at least two or more elements of aluminum (Al). The inorganic semiconductor may include amorphous silicon, poly silicon, or the like.

소스 전극(104)과 드레인 전극(105)은 활성층(103) 상에 제공되며, 서로 이격되어 제공된다. 소스 전극(104)과 드레인 전극(105)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하여 전기 전도성을 가질 수 있다. 다만, 소스 전극(104)과 드레인 전극(105)을 형성하기 위한 물질이 상기 예시에 국한되는 것은 아니다.The source electrode 104 and the drain electrode 105 are provided on the active layer 103 and are provided to be spaced apart from each other. The source electrode 104 and the drain electrode 105 are aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), tungsten (W), titanium (Ti), and alloys thereof. It may have electrical conductivity by including at least one of them. However, materials for forming the source electrode 104 and the drain electrode 105 are not limited to the above example.

소스 전극(104) 및 드레인 전극(105)과 게이트 전극(102) 사이, 게이트 전극(102)과 활성층(103) 사이, 게이트 전극(102)과 기판(101) 사이에는 절연층(106a, 106b)이 제공될 수 있다. insulating layers 106a and 106b between the source electrode 104 and the drain electrode 105 and the gate electrode 102 , between the gate electrode 102 and the active layer 103 , and between the gate electrode 102 and the substrate 101 . can be provided.

절연층(106a, 106b)은 전기 전도성을 갖는 부재 사이에 단락이 발생하지 않도록 하는 절연체일 수 있다. 절연층(106a, 106b)은 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, SiO2, Ga2O3, Gd2O3, V2O3, Cr2O3, MnO, Li2O, MgO, CaO, Y2O3, Ta2O5 등의 산화물이나 SiON, SiNx, HfNx 등의 질화물로 형성될 수 있다. 다만, 절연층(106a, 106b)을 형성하는 물질의 종류가 상술한 예시에 국한되는 것은 아니다.The insulating layers 106a and 106b may be insulators that prevent short circuits between members having electrical conductivity. The insulating layers 106a and 106b are made of oxides such as Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, SiO2, Ga2O3, Gd2O3, V2O3, Cr2O3, MnO, Li2O, MgO, CaO, Y2O3, Ta2O5, or nitrides such as SiON, SiNx, HfNx, etc. can be formed. However, the type of material forming the insulating layers 106a and 106b is not limited to the above-described example.

소자 성능 측정 장치는 소스 전극(104), 드레인 전극(105), 게이트 전극(102) 각각에 배선부를 연결하고, 게이트 전극(102)에 인가되는 구동 신호 유무에 따라 드레인 전극(105)으로부터 전류가 검출되는지 여부를 파악함으로써 소자의 전기적 특성을 측정할 수 있다. 배선부는 엘리게이터 클립(410)을 통해 간편하면서도 안정적으로 소스 전극(104), 드레인 전극(105), 및 게이트 전극(102)과 연결될 수 있다. The device performance measuring device connects a wiring part to each of the source electrode 104 , the drain electrode 105 , and the gate electrode 102 , and the current from the drain electrode 105 is increased according to the presence or absence of a driving signal applied to the gate electrode 102 . By determining whether or not it is detected, the electrical characteristics of the device can be measured. The wiring unit may be connected to the source electrode 104 , the drain electrode 105 , and the gate electrode 102 simply and stably through the alligator clip 410 .

배선부와 소스 전극(104), 드레인 전극(105), 및 게이트 전극(102)은 다양한 방법으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 소스 전극(104), 드레인 전극(105), 및 게이트 전극(102)에 전도성 에폭시 등의 전도성 접착제를 이용하여 전선을 부착시키고 전선 말단에 엘리게이터 클립(410)으로 연결할 수 있다. 따라서, 측정 대상 소자(100)는 소스 전극(104), 드레인 전극(105), 및 게이트 전극(102)는 상술한 것과 같이 엘리게이터 클립(410)과 물리적으로 결합할 수 있는 부재를 더 포함할 수 있다.The wiring unit and the source electrode 104 , the drain electrode 105 , and the gate electrode 102 may be connected to each other in various ways. For example, an electric wire may be attached to the source electrode 104 , the drain electrode 105 , and the gate electrode 102 using a conductive adhesive such as conductive epoxy, and connected to the end of the electric wire with an alligator clip 410 . Accordingly, the measurement target device 100 may further include a member capable of physically coupling the source electrode 104, the drain electrode 105, and the gate electrode 102 to the alligator clip 410 as described above. have.

소자 성능을 측정함에 있어서, 소스 전극(104)에 연결된 배선부에 의하여 측정 대상 소자에 전원이 인가될 수 있다. 또한, 게이트 전극(102)에 연결된 배선부에 의해 측정 대상 소자에 구동 신호가 인가될 수 있다. 게이트 전극(102)에 구동 신호가 인가되었을 때, 게이트 전극(102)으로부터 발생하는 전계가 활성층(103)에 인가되고 활성층(103)이 전기 전도성을 띨 수 있다. 이에 따라, 소스 전극(104)에 인가된 전류가 드레인 전극(105)으로 흐를 수 있다. 드레인 전극(105)으로 흐른 전류는 드레인 전극(105)과 연결된 배선부를 통해 측정 부재에서 확인될 수 있다. 반면 게이트 전극(102)에 구동 신호가 인가되지 않은 경우에는 활성층(103)이 전기 전도성을 띠지 않기 때문에 소스 전극(104)에서 드레인 전극(105)으로 전류가 흐르지 않는다.In measuring device performance, power may be applied to the device to be measured by the wiring unit connected to the source electrode 104 . Also, a driving signal may be applied to the device to be measured by the wiring unit connected to the gate electrode 102 . When a driving signal is applied to the gate electrode 102 , an electric field generated from the gate electrode 102 may be applied to the active layer 103 , and the active layer 103 may be electrically conductive. Accordingly, the current applied to the source electrode 104 may flow to the drain electrode 105 . The current flowing to the drain electrode 105 may be checked by the measuring member through a wiring part connected to the drain electrode 105 . On the other hand, when no driving signal is applied to the gate electrode 102 , current does not flow from the source electrode 104 to the drain electrode 105 because the active layer 103 does not have electrical conductivity.

상술한 것과 같이 정상적인 상태에서는 활성층(103)이 게이트 전극(102)에서 발생한 전계를 인가받았을 때만 전기 전도성을 나타내야 한다. 그러나, 방사선 조사에 의해 활성층(103)이 열화된 경우, 게이트 전극(102)으로부터 전계를 인가받지 않은 때에도 활성층(103)이 전기 전도성을 나타낼 수 있다. 이 경우 게이트 전극(102)에 구동 신호가 인가되지 않아도 드레인 전극(105)과 연결된 배선부를 통해 전류가 검출될 수 있다.As described above, in a normal state, the active layer 103 should exhibit electrical conductivity only when an electric field generated from the gate electrode 102 is applied. However, when the active layer 103 is deteriorated by radiation, the active layer 103 may exhibit electrical conductivity even when no electric field is applied from the gate electrode 102 . In this case, even if a driving signal is not applied to the gate electrode 102 , the current may be detected through the wiring part connected to the drain electrode 105 .

소자 성능 측정 장치는 방사선이 활성층(103)에 미치는 영향을 확인하기 위해 활성층(103)에 방사선을 인가하면서 드레인 전극(105)에서 전류가 검출되는지 측정, 확인할 수 있다. 또한, 활성층(103)의 방사선 저항 정도를 확인하기 위해 얼마만큼의 방사선량이 조사되었을 때 활성층(103)이 열화되는지를 조사할 수 있다.The device performance measuring apparatus may measure and confirm whether a current is detected in the drain electrode 105 while applying the radiation to the active layer 103 in order to check the effect of the radiation on the active layer 103 . In addition, in order to confirm the degree of radiation resistance of the active layer 103 , it is possible to investigate whether the active layer 103 deteriorates when the amount of radiation is irradiated.

또한, 활성층(103)뿐만 아니라, 방사선 조사가 절연층(106a, 106b)에 조사되었을 때, 단락 또는 누출(leakage)이 발생하는지 여부, 또는 측정 대상 소자(100)의 정전용량 변화(capacitance-voltage, capacitance-frequency)등을 확인 할 수 있다.In addition, when radiation is irradiated to the insulating layers 106a and 106b as well as the active layer 103 , whether a short circuit or leakage occurs, or the capacitance-voltage of the device 100 to be measured , capacitance-frequency) can be checked.

이상에서는 측정 대상 소자가 게이트 전극(102)이 아래에 위치하고, 소스 전극(104) 및 드레인 전극(105)이 위쪽에 위치한 바텀 게이트(bottom-gate), 탑 컨택트(top-contact) 구조를 갖는다. 그러나, 측정 대상 소자가 이러한 구조뿐만 아니라, 탑 게이트(top-gate), 바텀 컨택트(bottom-contact) 구조, 또는 탑 게이트(top-gate), 바텀 컨택트(top-contact) 등의 구조를 갖는 경우에도 상술한 것과 동일한 원리로 소자 성능 측정이 가능하다.In the above, the device to be measured has a bottom-gate and top-contact structure in which the gate electrode 102 is positioned below and the source electrode 104 and the drain electrode 105 are positioned above. However, when the device to be measured has not only such a structure but also a top-gate, bottom-contact structure, or a top-gate, top-contact structure, etc. It is also possible to measure device performance in the same principle as described above.

이상에서의 트랜지스터 측정을 위해 게이트 전극(102), 소스 전극(104), 드레인 전극(105)에 전기적 연결을 하는 3 터미널(3-terminal) 측정뿐만 아니라, 4개의 전극에 연결이 필요한 인버터(inverter)의 측정 등과 같이 4터미널(4-terminal) 또는 그 이상의 연결 개수가 필요한 측정에도 피드 어댑터 핀(530)의 개수를 늘려 상술한 것과 동일한 원리로 소자 성능 측정이 가능하다.For the above transistor measurement, not only the 3-terminal measurement that electrically connects the gate electrode 102, the source electrode 104, and the drain electrode 105, but also the inverter (inverter) that requires connection to four electrodes ), it is possible to measure device performance in the same principle as described above by increasing the number of feed adapter pins 530 even for measurements requiring the number of connections of 4-terminals or more.

이상에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 소자 성능 측정 장치에 대하여 살펴보았다. 이하에서는 소자 성능 측정 장치를 이용한 소자 성능 측정 방법에 대하여 살펴보고자 한다.In the above, an apparatus for measuring device performance according to an embodiment of the present invention has been described. Hereinafter, a method for measuring device performance using a device performance measuring device will be described.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 소자 성능 측정 방법을 나타낸 순서도이다.7 is a flowchart illustrating a method for measuring device performance according to an embodiment of the present invention.

도 7을 참고하면, 소자 성능 측정 방법은 진공 챔버 내에 측정 대상 소자를 제공하는 제1 단계(S100), 측정 대상 소자의 전기적 특성을 측정하는 제2 단계(S200), 및 진공 상태에서 측정 대상 소자에 방사 부재를 이용하여 방사선을 조사하는 제3 단계(S300)를 포함한다. 소자 성능 측정 방법을 수행함에 있어서, 제2 단계(S200)는 제3 단계(S300) 수행 전부터 수행 후까지 연속적으로 수행된다.Referring to FIG. 7 , the device performance measurement method includes a first step ( S100 ) of providing a measurement target device in a vacuum chamber, a second step ( S200 ) of measuring electrical characteristics of the measurement target device, and a measurement target device in a vacuum state and a third step (S300) of irradiating the radiation using the radiation member. In performing the device performance measurement method, the second step ( S200 ) is continuously performed from before the third step ( S300 ) to after the performance.

제1 단계(S100)에서 먼저 진공 챔버 내에 측정 대상 소자를 제공한다. 측정 대상 소자를 제공하기 위하여 진공 챔버의 일측을 열고 측정 대상 소자를 위치시킬 수 있다. 이때 측정 대상 소자를 진공 챔버의 지정된 벽면에 부착하는 형태로 제공할 수 있다. 측정 대상 소자 부착은 카본 테이프 및 폴리이미드 테이프를 이용하여 수행할 수 있다.In the first step ( S100 ), a measurement target device is first provided in a vacuum chamber. In order to provide the device to be measured, one side of the vacuum chamber may be opened and the device to be measured may be positioned. In this case, the measurement target device may be provided in the form of being attached to a designated wall surface of the vacuum chamber. Attachment of the device to be measured can be performed using a carbon tape or a polyimide tape.

제1 단계(S100)에서 진공 챔버 내에 위치된 측정 대상 소자는 배선부와 연결될 수 있다. 배선부는 피드 어댑터를 통해 진공 챔버 내부에 제공된 측정 대상 소자와 진공 챔버 외부에 제공된 측정 부재를 연결한다. 배선부가 엘리게이터 클립을 포함하는 경우, 엘리게이터 클립을 측정 대상 소자에 기계적으로 고정함에 따라 쉽게 전기적 연결을 형성할 수 있다. 또한, 측정 대상 소자를 제거할 때에는 마찬가지로 엘리게이터 클립을 기계적으로 분리하고 측정 대상 소자만 제거할 수 있다. 따라서, 배선부 및 엘리게이터 클립은 여러 번 사용될 수 있다.In the first step ( S100 ), the device to be measured located in the vacuum chamber may be connected to the wiring unit. The wiring unit connects the measurement target element provided inside the vacuum chamber and the measurement member provided outside the vacuum chamber through the feed adapter. When the wiring unit includes the alligator clip, an electrical connection can be easily formed by mechanically fixing the alligator clip to the device to be measured. In addition, when the element to be measured is removed, the alligator clip may be mechanically separated and only the element to be measured may be removed. Thus, the wiring part and the alligator clip can be used multiple times.

제1 단계(S100)에서 진공 챔버에 측정 대상 소자를 제공하기에 앞서 진공 챔버 내 방사선량을 확인하는 작업이 수행될 수 있다. 또한, 방사선량이 기준치 이하인 경우에만 진공 챔버가 열리도록 제어될 수 있다.In the first step (S100), prior to providing the measurement target device to the vacuum chamber, the operation of checking the radiation dose in the vacuum chamber may be performed. In addition, the vacuum chamber may be controlled to open only when the radiation dose is less than or equal to a reference value.

제1 단계(S100)에서 진공 챔버 내에 측정 대상 소자를 위치시킨 후, 진공 챔버를 다시 밀폐하고 진공 챔버 내에 진공 환경을 만들 수 있다. 진공 환경은 진공 챔버 내에 있는 공기를 흡입 제거함으로써 조성될 수 있다.After positioning the device to be measured in the vacuum chamber in the first step ( S100 ), the vacuum chamber may be closed again and a vacuum environment may be created in the vacuum chamber. A vacuum environment may be created by sucking and removing air in the vacuum chamber.

다음으로, 제2 단계(S200)에서 측정 대상 소자의 전기적 특성을 측정할 수 있다. 전기적 특성 측정은 측정 대상 소자에 전원 및/또는 구동 신호를 인가하면서 결과 값을 확인하는 형태로 수행될 수 있다.Next, in the second step (S200), the electrical characteristics of the device to be measured may be measured. Electrical characteristic measurement may be performed in the form of checking a result value while applying power and/or a driving signal to the device to be measured.

다음으로, 제3 단계(S300)에서 방사부재를 이용하여 측정 대상 소자에 방사선을 조사한다.Next, in the third step (S300), the radiation is irradiated to the measurement target element by using the radiation member.

제2 단계(S200)와 제3 단계(S300)는 동시에 수행될 수 있다. 이때 동시에 수행된다는 것은 제2 단계(S200)의 시작, 종료와 제3 단계(S300)의 시작, 종료가 일치하는 것 외에도 제2 단계(S200)와 제3 단계(S300)가 동시간에 함께 수행되는 구간이 존재한다는 것을 의미한다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따르면 방사선 조사를 수행하면서 측정 대상 소자의 전기적 특성을 측정할 수 있다.The second step S200 and the third step S300 may be performed simultaneously. At this time, being performed at the same time means that the start and end of the second step (S200) and the start and end of the third step (S300) coincide, as well as the second step (S200) and the third step (S300) are performed together at the same time This means that there is a section where Accordingly, according to an embodiment of the present invention, it is possible to measure the electrical characteristics of the device to be measured while irradiating the radiation.

측정 대상 소자는 기판 상에 제공된 소스 전극; 상기 소스 전극과 이격되어 제공되는 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 제공되어 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 활성층; 및 상기 활성층과 이격되어 제공되는 게이트 전극을 포함하는 것일 수 있다. 이때 소자 성능 측정 방법은 상기 활성층에 방사선이 조사되었을 때 상기 활성층의 전기적 특성 변화를 조사하는 형태로 수행될 수 있다.The device to be measured includes a source electrode provided on a substrate; a drain electrode provided to be spaced apart from the source electrode; an active layer provided between the source electrode and the drain electrode to connect the source electrode and the drain electrode; and a gate electrode provided to be spaced apart from the active layer. In this case, the device performance measurement method may be performed in the form of irradiating changes in electrical properties of the active layer when radiation is irradiated to the active layer.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라 소자 성능 측정 결과를 나타낸 그래프이다.8 is a graph illustrating a device performance measurement result according to an embodiment of the present invention.

도 8과 같이 Zinc indium tin oxide (ZITO) 박막트랜지스터를 방사선 조사 이전에 transfer curve를 한 사이클을 측정한 후, 양성자 조사를 시작함과 동시에 그 다음 transfer cycle 측정을 이어갈 수 있다. 그 결과, Ids 전류와 누설 전류가 증가하였으며, 조사가 끝난 후에 소자 성능이 회복됨을 확인하였다.As shown in FIG. 8, after measuring one cycle of the transfer curve of the Zinc indium tin oxide (ZITO) thin film transistor prior to irradiation with radiation, the measurement of the next transfer cycle can be continued at the same time as starting proton irradiation. As a result, Ids current and leakage current increased, and it was confirmed that device performance was recovered after irradiation was completed.

이와 같이 본 발명에 따르면 방사선 조사와 전기적 특성 조사를 동시에 수행할 수 있으며, 방사선 조사 및 전기적 특성 조사를 다회 연속적으로 수행하는 것도 가능하다.As described above, according to the present invention, it is possible to simultaneously perform radiation irradiation and electrical property irradiation, and it is also possible to continuously perform radiation irradiation and electric property irradiation multiple times.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those with ordinary skill in the art will not depart from the spirit and scope of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and variations of the present invention can be made without departing from the scope of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

100: 측정 대상 소자 101: 기판
102: 게이트 전극 103: 활성층
104: 소스 전극 105: 드레인 전극
106a, 106b: 절연층 200: 진공 챔버
300: 방사 부재 400: 배선부
410: 엘리게이터 클립 421: 내부 배선
422: 외부 배선 500: 피드 어댑터
510: 피드 어댑터 케이스 511: 피드 어댑터 입구
512: 피드 어댑터 출구 520: 피드 어댑터 홀더
530: 피드 어댑터 핀 540: 피드 어댑터 커버
600: 측정 부재
100: element to be measured 101: substrate
102: gate electrode 103: active layer
104: source electrode 105: drain electrode
106a, 106b: insulating layer 200: vacuum chamber
300: radiating member 400: wiring part
410: alligator clip 421: internal wiring
422: external wiring 500: feed adapter
510: feed adapter case 511: feed adapter inlet
512: feed adapter outlet 520: feed adapter holder
530: feed adapter pin 540: feed adapter cover
600: measurement member

Claims (10)

측정 대상 소자가 제공되는 진공 챔버;
상기 측정 대상 소자에 방사선을 조사하는 방사 부재;
상기 진공 챔버 외부의 측정 부재를 상기 측정 대상 소자와 전기적으로 연결하는 배선부; 및
상기 진공 챔버 일측에 제공되어 상기 진공 챔버 내부의 진공 상태를 유지하며 상기 진공 챔버 내부로 상기 배선부를 제공하는 피드 어댑터를 포함하고,
상기 배선부는 상기 측정 대상 소자에 전력을 공급하는 동시에, 상기 방사 부재로부터 방사된 방사선에 노출되었을 때의 상기 측정 대상 소자의 전기적 특성 변화를 상기 측정 부재로 송출하는, 소자 성능 측정 장치.
a vacuum chamber in which the device to be measured is provided;
a radiation member irradiating radiation to the measurement target element;
a wiring part electrically connecting the measuring member outside the vacuum chamber to the measuring target device; and
and a feed adapter provided on one side of the vacuum chamber to maintain a vacuum state inside the vacuum chamber and provide the wiring part into the vacuum chamber,
and the wiring unit supplies electric power to the element to be measured and transmits a change in electrical characteristics of the element to be measured when exposed to radiation emitted from the radiation member to the measurement member.
제1항에 있어서,
상기 피드 어댑터는
피드 어댑터 입구와 피드 어댑터 출구를 갖는 피드 어댑터 케이스;
상기 피드 어댑터 케이스의 상기 피드 어댑터 입구와 상기 피드 어댑터 출구 사이에 제공되며, 상기 피드 어댑터 입구에서 상기 피드 어댑터 출구 방향으로 연장된 피드 어댑터 홀더; 및
상기 피드 어댑터 홀더를 관통하는 피드 어댑터 핀을 포함하는, 소자 성능 측정 장치.
According to claim 1,
The feed adapter is
a feed adapter case having a feed adapter inlet and a feed adapter outlet;
a feed adapter holder provided between the feed adapter inlet and the feed adapter outlet of the feed adapter case and extending from the feed adapter inlet to the feed adapter outlet; and
and a feed adapter pin passing through the feed adapter holder.
제2항에 있어서,
상기 배선부는 내부 배선 및 외부 배선을 포함하고,
상기 내부 배선은 상기 피드 어댑터 핀의 일측과 상기 측정 대상 소자를 연결하고,
상기 외부 배선은 상기 피드 어댑터 핀의 타측과 상기 측정 부재를 연결하는, 소자 성능 측정 장치.
3. The method of claim 2,
The wiring unit includes an internal wiring and an external wiring,
The internal wiring connects one side of the feed adapter pin and the device to be measured,
The external wiring connects the other side of the feed adapter pin and the measuring member.
제1항에 있어서,
상기 배선부의 적어도 일측에는 피벗운동에 의하여 상기 측정 대상 소자의 적어도 일부와 물리적으로 결합하는 엘리게이터 클립이 제공되는, 소자 성능 측정 장치.
The method of claim 1,
At least one side of the wiring unit is provided with an alligator clip that is physically coupled to at least a portion of the element to be measured by a pivot movement.
제1항에 있어서,
상기 측정 대상 소자는
기판 상에 제공된 소스 전극;
상기 소스 전극과 이격되어 제공되는 드레인 전극;
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 제공되어 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 활성층; 및
상기 활성층과 이격되어 제공되는 게이트 전극을 포함하는, 소자 성능 측정 장치.
According to claim 1,
The measurement target device is
a source electrode provided on the substrate;
a drain electrode provided to be spaced apart from the source electrode;
an active layer provided between the source electrode and the drain electrode to connect the source electrode and the drain electrode; and
and a gate electrode provided to be spaced apart from the active layer.
제5항에 있어서,
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 각각은 상기 배선부와 연결되고,
상기 방사 부재는 상기 활성층에 방사선을 조사하는, 소자 성능 측정 장치.
6. The method of claim 5,
each of the source electrode and the drain electrode is connected to the wiring part;
The radiation member irradiates radiation to the active layer, device performance measurement device.
제1항에 있어서,
상기 측정 대상 소자와 상기 진공 챔버의 내벽 사이에 제공되는 카본 테이프 및 폴리이미드 테이프를 더 포함하는, 소자 성능 측정 장치.
According to claim 1,
The device performance measuring device further comprising a carbon tape and a polyimide tape provided between the device to be measured and an inner wall of the vacuum chamber.
제1항에 있어서,
상기 배선부는 상기 진공 챔버의 내벽을 따라 제공되는, 소자 성능 측정 장치.
According to claim 1,
and the wiring portion is provided along an inner wall of the vacuum chamber.
진공 챔버 내에 측정 대상 소자를 제공하는 제1 단계;
상기 측정 대상 소자의 전기적 특성을 측정하는 제2 단계; 및
진공 상태에서 상기 측정 대상 소자에 방사 부재를 이용하여 방사선을 조사하는 제3 단계를 포함하고,
상기 제2 단계는 상기 제3 단계 수행 전부터 수행 후까지 연속적으로 수행되는, 소자 성능 측정 방법.
A first step of providing a measurement target element in the vacuum chamber;
a second step of measuring electrical characteristics of the measurement target device; and
A third step of irradiating radiation using a radiation member to the element to be measured in a vacuum state,
The second step is continuously performed from before to after the third step is performed, the device performance measurement method.
제9항에 있어서,
상기 측정 대상 소자는
기판 상에 제공된 소스 전극;
상기 소스 전극과 이격되어 제공되는 드레인 전극;
상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 제공되어 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 활성층; 및
상기 활성층과 이격되어 제공되는 게이트 전극을 포함하고,
상기 활성층에 방사선이 조사되었을 때 상기 활성층의 전기적 특성 변화를 조사하는, 소자 성능 측정 방법.
10. The method of claim 9,
The measurement target device is
a source electrode provided on the substrate;
a drain electrode provided to be spaced apart from the source electrode;
an active layer provided between the source electrode and the drain electrode to connect the source electrode and the drain electrode; and
and a gate electrode provided to be spaced apart from the active layer,
A method for measuring device performance, for irradiating changes in electrical properties of the active layer when the active layer is irradiated with radiation.
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