KR20220012890A - A method for producing a composition for forming a protective layer, a method for preserving a composition for forming a protective layer, and application of the preservation method - Google Patents

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Abstract

유기층 상에 적층되고 또한 유기층을 약액으로부터 보호하기 위한 수용성 보호층의 형성에 사용되는 보호층 형성용 조성물의 제조 방법으로서, 수용성 수지 및 용제를 포함하는 조성물을 교반한 후, 교반 후의 상기 조성물이 들어간 용기를, 0~18℃의 온도 범위의 환경하에 연속하여 24시간 이상 노출시키는 것을 포함하고, 상기 환경하에 노출시키는 기간의 개시 시기가, 상기 교반의 종료 후 72시간 이내인, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법, 보호층 형성용 조성물의 보존 방법 및 이 보존 방법의 응용.A method for producing a composition for forming a protective layer laminated on an organic layer and used for forming a water-soluble protective layer for protecting the organic layer from a chemical, after stirring a composition containing a water-soluble resin and a solvent, after stirring the composition A composition for forming a protective layer, comprising continuously exposing a container to an environment in a temperature range of 0 to 18 ° C. for 24 hours or more, wherein the start time of the period of exposure to the environment is within 72 hours after the end of the stirring manufacturing method, preservation method of a composition for forming a protective layer, and application of this preservation method.

Description

보호층 형성용 조성물의 제조 방법, 보호층 형성용 조성물의 보존 방법 및 이 보존 방법의 응용A method for producing a composition for forming a protective layer, a method for preserving a composition for forming a protective layer, and application of the preservation method

본 발명은, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법, 보호층 형성용 조성물의 보존 방법 및 이 보존 방법의 응용에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a composition for forming a protective layer, a method for preserving a composition for forming a protective layer, and application of the preservation method.

최근, 유기 반도체를 이용한 전자 디바이스(유기 반도체 디바이스)가 널리 이용되고 있다. 유기 반도체 디바이스는, 종래의 실리콘 등의 무기 반도체를 이용한 전자 디바이스와 비교하여 간단한 프로세스에 의하여 제조할 수 있다는 메리트가 있다. 또한, 유기 반도체는, 그 분자 구조를 변화시킴으로써 용이하게 재료 특성을 변화시키는 것이 가능하다. 또, 재료의 베리에이션이 풍부하고, 무기 반도체에서는 이룰 수 없었던 것과 같은 기능이나 소자를 실현하는 것이 가능해진다고 생각되고 있다. 유기 반도체는, 예를 들면, 유기 태양 전지, 유기 일렉트로 루미네선스 디스플레이, 유기 광디텍터, 유기 전계 효과 트랜지스터, 유기 전계 발광 소자, 가스 센서, 유기 정류(整流) 소자, 유기 인버터, 정보 기록 소자 등의 전자 기기에 응용될 가능성이 있다.DESCRIPTION OF RELATED ART In recent years, the electronic device (organic-semiconductor device) using an organic semiconductor is used widely. The organic semiconductor device has a merit that it can be manufactured by a simple process compared with the conventional electronic device using inorganic semiconductors, such as silicon|silicone. In addition, an organic semiconductor can easily change material properties by changing its molecular structure. Moreover, it is thought that it becomes possible to implement|achieve the function and element similar to what could not be achieved with an inorganic semiconductor because there are abundant material variations. The organic semiconductor is, for example, an organic solar cell, an organic electroluminescent display, an organic photodetector, an organic field effect transistor, an organic electroluminescent device, a gas sensor, an organic rectifying device, an organic inverter, an information recording device, etc. It has the potential to be applied to electronic devices of

유기 반도체의 주된 패터닝 방법은, 예를 들면 인쇄법과 리소그래피법이 있지만, 미세 가공의 관점에서는, 리소그래피법이 유리하다.Although the main patterning method of an organic semiconductor includes, for example, a printing method and a lithography method, the lithographic method is advantageous from a viewpoint of microfabrication.

예를 들면, 특허문헌 1에는, 유기 반도체층, 수용성 수지를 포함하는 보호층, 및 감광층을 순서대로 기판 상에 형성하고, 감광층을 포토리소그래픽법에 의하여 패터닝하며, 그 후, 보호층 및 유기 반도체층을 드라이 에칭하여 유기 반도체층을 패터닝하는 방법이 기재되어 있다. 여기에서, 상기 보호층은, 패터닝 시에 사용되는 약액(예를 들면, 감광층을 현상하기 위한 현상액)으로부터 유기 반도체층을 보호함으로써, 유기 반도체층의 대미지를 저감시키는 역할을 하고 있다.For example, in Patent Document 1, an organic semiconductor layer, a protective layer containing a water-soluble resin, and a photosensitive layer are sequentially formed on a substrate, the photosensitive layer is patterned by a photolithographic method, and then the protective layer and dry etching the organic semiconductor layer to pattern the organic semiconductor layer. Here, the protective layer serves to reduce damage to the organic semiconductor layer by protecting the organic semiconductor layer from a chemical solution (eg, a developer for developing a photosensitive layer) used during patterning.

특허문헌 1: 국제 공개공보 제2016/175220호Patent Document 1: International Publication No. 2016/175220

상기와 같이, 유기 반도체층 등의 유기층을 약액으로부터 보호하는 보호층의 형성에는, 수용성 수지와 물을 포함하는 보호층 형성용 조성물이 사용되는데, 이와 같은 보호층 형성용 조성물은, 장기간, 보관해 두면, 곰팡이 등의 미생물이 발생하여 조성물의 품질이 저하되는 경우가 있다.As described above, a composition for forming a protective layer containing a water-soluble resin and water is used to form a protective layer that protects an organic layer such as an organic semiconductor layer from a chemical. If left, microorganisms such as mold may be generated and the quality of the composition may be deteriorated.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 장기간의 보관에 대해서도 품질이 저하되기 어려운 보호층 형성용 조성물의 제조 방법 및 보호층 형성용 조성물의 보존 방법의 제공을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for producing a composition for forming a protective layer and a method for preserving a composition for forming a protective layer in which the quality is hardly deteriorated even when stored for a long period of time.

상기 과제는, 보호층 형성용 조성물의 원료의 교반 종료 후, 교반한 조성물을 특정 온도대(帶)에서 신속하게 보존함으로써, 해결할 수 있었다. 구체적으로는, 이하의 수단 <1>에 의하여, 바람직하게는 <2> 이후의 수단에 의하여, 상기 과제는 해결되었다.The above problem could be solved by promptly storing the stirred composition in a specific temperature range after the stirring of the raw material of the composition for forming a protective layer was completed. Specifically, by the following means <1>, Preferably, by the following means <2>, the said subject was solved.

<1><1>

유기층 상에 적층되고 또한 유기층을 약액으로부터 보호하기 위한 수용성 보호층의 형성에 사용되는 보호층 형성용 조성물의 제조 방법으로서,A method for producing a composition for forming a protective layer laminated on an organic layer and used for forming a water-soluble protective layer for protecting the organic layer from a chemical, comprising:

수용성 수지 및 용제를 포함하는 조성물을 교반한 후, 교반 후의 조성물이 들어간 용기를, 0~18℃의 온도 범위의 환경하에 연속하여 24시간 이상 노출시키는 것을 포함하고,After stirring the composition containing the water-soluble resin and the solvent, the container containing the composition after stirring is continuously exposed to an environment in a temperature range of 0 to 18 ° C. for 24 hours or more,

상기 환경하에 노출시키는 기간의 개시 시기가, 교반의 종료 후 72시간 이내인, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.A method for producing a composition for forming a protective layer, wherein the start time of the period of exposure to the environment is within 72 hours after the end of stirring.

<2><2>

상기 환경하에 노출시키는 기간의 개시 시기가, 교반의 종료 후 24시간 이내인, <1>에 기재된 제조 방법.The production method according to <1>, wherein the start time of the period of exposure to the environment is within 24 hours after the end of stirring.

<3><3>

상기 환경하에 연속하여 노출시키는 기간이 1개월 이상인, <1> 또는 <2>에 기재된 제조 방법.The production method according to <1> or <2>, wherein the period of continuous exposure to the environment is 1 month or more.

<4><4>

상기 용기를 상기 환경에 노출시킬 때의 온도 범위가 0~10℃인, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 제조 방법.The manufacturing method according to any one of <1> to <3>, wherein the temperature range when exposing the container to the environment is 0 to 10°C.

<5><5>

교반의 종료 후, 상기 환경하에 노출시키기 전에, 상기 조성물을 여과하는 것을 포함하는, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 제조 방법.The production method according to any one of <1> to <4>, which includes filtering the composition after completion of stirring and before exposing to the environment.

<6><6>

교반 시의 상기 조성물이, 곰팡이 방지제를 포함하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 제조 방법.The manufacturing method in any one of <1>-<5> in which the said composition at the time of stirring contains a fungicide.

<7><7>

보호층 형성용 조성물이, 곰팡이 방지제로서, 아이소싸이아졸린온계 화합물, 2-브로모-2-나이트로프로페인-1,3-다이올, 메틸설폰일테트라클로로피리딘, 2-(다이클로로-플루오로메틸)설판일아이소인돌-1,3-다이온, 이아세트산 나트륨 및 다이아이오도메틸파라톨릴설폰 중 적어도 1종을 포함하는, <6>에 기재된 제조 방법.The composition for forming a protective layer is an isothiazolinone compound, 2-bromo-2-nitropropane-1,3-diol, methylsulfonyltetrachloropyridine, 2-(dichloro- The production method according to <6>, comprising at least one of fluoromethyl)sulfanylisoindole-1,3-dione, sodium diacetate, and diiodomethylparatolylsulfone.

<8><8>

수용성 수지가, 폴리바이닐알코올, 폴리바이닐피롤리돈 및 수용성 다당류로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는, <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 제조 방법.The production method according to any one of <1> to <7>, wherein the water-soluble resin contains at least one selected from the group consisting of polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, and water-soluble polysaccharides.

<9><9>

수용성 수지로서, 고분자량체와, 이 고분자량체의 중량 평균 분자량보다 작은 중량 평균 분자량을 갖는 저분자량체를 포함하고,A water-soluble resin comprising a high molecular weight substance and a low molecular weight substance having a weight average molecular weight smaller than the weight average molecular weight of the high molecular weight substance;

저분자량체의 중량 평균 분자량이, 고분자량체의 중량 평균 분자량의 절반 이하인, <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 제조 방법.The manufacturing method in any one of <1>-<8> whose weight average molecular weight of a low molecular weight body is half or less of the weight average molecular weight of a high molecular weight body.

<10><10>

고분자량체의 함유량이, 전체 수용성 수지에 대하여 30질량% 이하인, <9>에 기재된 제조 방법.The manufacturing method as described in <9> whose content of a high molecular weight body is 30 mass % or less with respect to all the water-soluble resins.

<11><11>

고분자량체로서, 중량 평균 분자량이 20,000 이상인 폴리바이닐알코올을 포함하는, <9> 또는 <10>에 기재된 제조 방법.The manufacturing method as described in <9> or <10> containing polyvinyl alcohol which has a weight average molecular weight of 20,000 or more as a high molecular weight body.

<12><12>

고분자량체로서, 중량 평균 분자량이 300,000 이상인 폴리바이닐피롤리돈을 포함하는, <9> 내지 <11> 중 어느 하나에 기재된 제조 방법.The production method according to any one of <9> to <11>, wherein the polyvinylpyrrolidone having a weight average molecular weight of 300,000 or more is included as the high molecular weight body.

<13><13>

고분자량체로서, 중량 평균 분자량이 300,000 이상인 수용성 다당류를 포함하는, <9> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 제조 방법.The production method according to any one of <9> to <12>, wherein the high molecular weight substance contains a water-soluble polysaccharide having a weight average molecular weight of 300,000 or more.

<14><14>

수용성 다당류가 셀룰로스인, <13>에 기재된 제조 방법.The production method according to <13>, wherein the water-soluble polysaccharide is cellulose.

<15><15>

수용성 수지의 분자량 분포에 있어서, 2개 이상의 피크 톱이 존재하고,In the molecular weight distribution of the water-soluble resin, there are two or more peak tops,

2개 이상의 피크 톱 중, 1개의 피크 톱에 대응하는 분자량이, 다른 1개의 피크 톱에 대응하는 분자량의 절반 이하인, <1> 내지 <14> 중 어느 하나에 기재된 제조 방법.The production method according to any one of <1> to <14>, wherein a molecular weight corresponding to one peak top among two or more peak tops is half or less of a molecular weight corresponding to another peak top.

<16><16>

유기층 상에 적층되고 또한 유기층을 약액으로부터 보호하기 위한 수용성 보호층의 형성에 사용되는 보호층 형성용 조성물의 보존 방법으로서,A method of preserving a composition for forming a protective layer laminated on an organic layer and used for forming a water-soluble protective layer for protecting the organic layer from a chemical, comprising:

수용성 수지 및 용제를 포함하는 조성물을 교반한 후, 교반 후의 조성물이 들어간 용기를, 0~18℃의 온도 범위의 환경하에 연속하여 24시간 이상 노출시키면서 보존하는 것을 포함하고,After stirring the composition containing the water-soluble resin and the solvent, the container containing the composition after stirring is continuously exposed to an environment in the temperature range of 0 to 18 ° C. for 24 hours or more, including preservation,

상기 환경하에 노출시키는 기간의 개시 시기가, 교반의 종료 후 72시간 이내인, 보호층 형성용 조성물의 보존 방법.A method for preserving a composition for forming a protective layer, wherein the start time of the period of exposure to the environment is within 72 hours after the end of stirring.

<17><17>

<16>에 기재된 보존 방법에 의하여 보존된 보호층 형성용 조성물을 유기층 상에 적용하는 것을 포함하는, 적층체의 제조 방법.A method for producing a laminate, comprising applying the composition for forming a protective layer saved by the storage method according to <16> on the organic layer.

<18><18>

<17>에 기재된 적층체의 제조 방법을 공정으로서 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법.The manufacturing method of a semiconductor element including the manufacturing method of the laminated body as described in <17> as a process.

<19><19>

<16>에 기재된 보존 방법에 의하여 보존된 보호층 형성용 조성물로부터 얻어진 보호층.A protective layer obtained from the composition for forming a protective layer preserved by the storage method according to <16>.

<20><20>

<19>에 기재된 보호층과 유기층을 포함하는 적층체.A laminate comprising the protective layer according to <19> and an organic layer.

본 발명의 보호층 형성용 조성물의 제조 방법에 의하여, 장기간의 보관에 대해서도 품질이 저하되기 어려운 보호층 형성용 조성물이 얻어진다.According to the method for producing the composition for forming a protective layer of the present invention, a composition for forming a protective layer in which the quality is hardly deteriorated even when stored for a long period of time can be obtained.

도 1은 보호층 형성용 조성물을 응용한 적층체의 가공 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a processing process of a laminate to which a composition for forming a protective layer is applied.

이하, 본 발명의 대표적인 실시형태에 대하여 설명한다. 각 구성 요소는, 편의상, 이 대표적인 실시형태에 근거하여 설명되지만, 본 발명은, 그와 같은 실시형태에 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, typical embodiment of this invention is described. Each component is described based on this representative embodiment for convenience, but the present invention is not limited to such an embodiment.

본 명세서에 있어서 "~"라는 기호를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.In this specification, the numerical range indicated by using the symbol "to" means a range including the numerical value described before and after "to" as a lower limit and an upper limit, respectively.

본 명세서에 있어서 "공정"이라는 용어는, 독립적인 공정뿐만 아니라, 그 공정의 소기의 작용을 달성할 수 있는 한에 있어서, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 공정도 포함하는 의미이다.As used herein, the term "process" is meant to include not only an independent process, but also a process that cannot be clearly distinguished from other processes as long as the desired action of the process can be achieved.

본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 대하여, 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 것과 함께, 치환기를 갖는 것도 포함하는 의미이다. 예를 들면, 간단히 "알킬기"라고 기재한 경우에는, 이것은, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기), 및, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)의 양방을 포함하는 의미이다. 또, 간단히 "알킬기"라고 기재한 경우에는, 이것은, 쇄상이어도 되고 환상이어도 되며, 쇄상의 경우에는, 직쇄여도 되고 분기여도 되는 의미이다. 이들은, "알켄일기", "알킬렌기" 및 "알켄일렌기" 등의 다른 기에 대해서도 동일한 의미로 한다.With respect to the description of the group (atomic group) in the present specification, the description not describing substituted or unsubstituted means not having a substituent and includes a group having a substituent. For example, when simply described as "alkyl group", this is meant to include both an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) and an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group). In addition, when simply described as "alkyl group", this may be linear or cyclic, and in the case of chain, it may be linear or branched. These have the same meaning for other groups such as "alkenyl group", "alkylene group" and "alkenylene group".

본 명세서에 있어서 "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 광을 이용한 묘화뿐만 아니라, 전자선, 이온빔 등의 입자선을 이용한 묘화도 포함하는 의미이다. 묘화에 이용되는 에너지선으로서는, 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV광) 및 X선 등의 활성광선, 및, 전자선 및 이온선 등의 입자선을 들 수 있다.In this specification, "exposure" is a meaning including not only writing using light, but writing using particle beams, such as an electron beam and an ion beam, unless otherwise indicated. Examples of the energy rays used for drawing include active rays such as a bright spectrum of a mercury lamp, far ultraviolet rays typified by excimer lasers, extreme ultraviolet rays (EUV light), and X-rays, and particle rays such as electron beams and ion rays.

본 명세서에 있어서, "광"에는, 특별히 설명이 없는 한, 자외, 근자외, 원자외, 가시, 적외 등의 영역의 파장의 광이나, 전자파뿐만 아니라, 방사선도 포함된다. 방사선에는, 예를 들면 마이크로파, 전자선, 극단 자외선(EUV), X선이 포함된다. 또 248nm 엑시머 레이저, 193nm 엑시머 레이저, 172nm 엑시머 레이저 등의 레이저광도 이용할 수 있다. 이들 광은, 광학 필터를 통과한 모노크로광(단일 파장광)을 이용해도 되고, 복수의 파장을 포함하는 광(복합광)이어도 된다.In the present specification, "light" includes not only light and electromagnetic waves of wavelengths in the region of ultraviolet, near-ultraviolet, far-ultraviolet, visible, infrared, etc. unless otherwise specified, but also radiation. Radiation includes, for example, microwaves, electron beams, extreme ultraviolet (EUV) and X-rays. Moreover, laser beams, such as a 248 nm excimer laser, a 193 nm excimer laser, and a 172 nm excimer laser, can also be used. Monochrome light (single-wavelength light) that has passed through an optical filter may be used for these lights, or light including a plurality of wavelengths (composite light) may be used.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, "아크릴레이트" 및 "메타크릴레이트"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미하고, "(메트)아크릴"은, "아크릴" 및 "메타크릴"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미하며, "(메트)아크릴로일"은, "아크릴로일" 및 "메타크릴로일"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미한다.In this specification, "(meth)acrylate" means both, or either of "acrylate" and "methacrylate", and "(meth)acryl" is "acryl" and "methacrylic" It means both, or either of ", and "(meth)acryloyl" means both, or either of "acryloyl" and "methacryloyl".

본 명세서에 있어서, 조성물 중의 고형분은, 용제를 제외한 다른 성분을 의미하고, 조성물 중의 고형분의 함유량(농도)은, 특별히 설명하지 않는 한, 그 조성물의 총 질량에 대한, 용제를 제외한 다른 성분의 질량 백분율에 의하여 나타난다.In the present specification, the solid content in the composition means other components except for the solvent, and the content (concentration) of the solid content in the composition is, unless otherwise specified, the mass of other components excluding the solvent with respect to the total mass of the composition. It is expressed as a percentage.

본 명세서에 있어서, 특별히 설명하지 않는 한, 온도는 23℃, 기압은 101325Pa(1기압)이다.In the present specification, unless otherwise specified, the temperature is 23° C. and the atmospheric pressure is 101325 Pa (1 atm).

본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 특별히 설명하지 않는 한, 젤 침투 크로마토그래피(GPC 측정)에 따라, 폴리스타이렌 환산값으로서 나타난다. 이 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면, HLC-8220(도소(주)제)을 이용하고, 칼럼으로서 가드 칼럼 HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000 및 TSKgel Super HZ2000(도소(주)제)을 이용함으로써 구할 수 있다. 또, 특별히 설명하지 않는 한, 용리액으로서 THF(테트라하이드로퓨란)를 이용하여 측정한 것으로 한다. 또, 특별히 설명하지 않는 한, GPC 측정에 있어서의 검출에는, UV선(자외선)의 파장 254nm 검출기를 사용한 것으로 한다.In this specification, a weight average molecular weight (Mw) and a number average molecular weight (Mn) are shown as polystyrene conversion values according to gel permeation chromatography (GPC measurement) unless otherwise indicated. This weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) use, for example, HLC-8220 (manufactured by Tosoh Corporation), and as a column, a guard column HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel Super It can obtain|require by using HZ4000, TSKgel Super HZ3000, and TSKgel Super HZ2000 (made by Tosoh Corporation). In addition, unless otherwise indicated, it shall be measured using THF (tetrahydrofuran) as an eluent. In addition, it shall be assumed that the wavelength 254nm detector of UV rays (ultraviolet rays) is used for detection in a GPC measurement unless it demonstrates in particular.

본 명세서에 있어서, 적층체를 구성하는 각층(各層)의 위치 관계에 대하여, "상(上)" 또는 "하(下)"라고 기재했을 때에는, 주목하고 있는 복수의 층 중 기준이 되는 층의 상측 또는 하측에 다른 층이 존재하면 된다. 즉, 기준이 되는 층과 상기 다른 층의 사이에, 제3의 층이나 요소가 더 개재되어 있어도 되며, 기준이 되는 층과 상기 다른 층은 접하고 있을 필요는 없다. 또, 특별히 설명하지 않는 한, 기재(基材)에 대하여 층이 적층되어 가는 방향을 "상"이라고 칭하고, 또는, 감광층이 존재하는 경우에는, 기재로부터 감광층을 향하는 방향을 "상"이라고 칭하며, 그 반대 방향을 "하"라고 칭한다. 또한, 이와 같은 상하 방향의 설정은, 본 명세서 중에 있어서의 편의를 위함이며, 실제의 양태에 있어서는, 본 명세서에 있어서의 "상"방향은, 연직 상향과 상이한 경우도 있을 수 있다.In this specification, when the positional relationship of each layer constituting the laminate is described as "upper" or "lower", the Another layer may exist on the upper side or the lower side. That is, a 3rd layer or element may be further interposed between the layer used as a reference|standard and the said other layer, and the layer used as a reference|standard and the said other layer do not need to be in contact. In addition, unless otherwise specified, the direction in which the layers are laminated with respect to the base material is referred to as "upper", or in the case where the photosensitive layer is present, the direction from the base to the photosensitive layer is referred to as "upper". and the opposite direction is called "lower". In addition, the setting of such an up-down direction is for convenience in this specification, and in an actual aspect, the "upward" direction in this specification may differ from a vertically upward direction in some cases.

<보호층 형성용 조성물의 제조 방법 및 보존 방법><Method for producing a composition for forming a protective layer and a method for preserving it>

본 발명의 보호층 형성용 조성물의 제조 방법은, 유기층 상에 적층되고 또한 유기층을 약액으로부터 보호하기 위한 수용성 보호층의 형성에 사용되는 보호층 형성용 조성물의 제조 방법으로서, 수용성 수지 및 용제를 포함하는 조성물을 교반한 후, 교반 후의 조성물이 들어간 용기를, 0~18℃의 온도 범위의 환경(이하, "저온 환경"이라고도 한다.)하에 연속하여 24시간 이상 노출시키는 것을 포함하고, 상기 환경하에 노출시키는 기간의 개시 시기가, 상기 교반의 종료 후 72시간 이내인 것을 특징으로 한다.A method for producing a composition for forming a protective layer of the present invention is a method for producing a composition for forming a protective layer laminated on an organic layer and used for forming a water-soluble protective layer for protecting the organic layer from a chemical, the composition comprising a water-soluble resin and a solvent After stirring the composition, the container containing the composition after stirring is continuously exposed to an environment in a temperature range of 0 to 18 ° C. (hereinafter, also referred to as a “low temperature environment”) for 24 hours or more. It is characterized in that the start time of the exposure period is within 72 hours after the end of the stirring.

또, 본 발명의 보호층 형성용 조성물의 보존 방법은, 유기층 상에 적층되고 또한 유기층을 약액으로부터 보호하기 위한 수용성 보호층의 형성에 사용되는 보호층 형성용 조성물의 보존 방법으로서, 수용성 수지 및 용제를 포함하는 조성물을 교반한 후, 교반 후의 조성물이 들어간 용기를, 0~18℃의 온도 범위의 환경하에 연속하여 24시간 이상 노출시키면서 보존하는 것을 포함하고, 상기 환경하에 노출시키는 기간의 개시 시기가, 상기 교반의 종료 후 72시간 이내인 것을 특징으로 한다.Further, the method for preserving the composition for forming a protective layer of the present invention is a method of preserving a composition for forming a protective layer laminated on an organic layer and used for forming a water-soluble protective layer for protecting the organic layer from a chemical, a water-soluble resin and a solvent After stirring the composition containing , characterized in that within 72 hours after the end of the stirring.

본 발명의 상기 2개의 방법에 있어서, 상기 저온 환경에 용기를 노출시키는 행위 자체에 차이는 없지만, 상기 제조 방법은, 상기 보존 방법에 따라 보호층 형성용 조성물을 저온 환경에 노출시키면서 보존한 후, 보호층 형성용 조성물을 저온 환경으로부터 취출하는 공정, 및, 반송이나 출하용으로 곤포(梱包)하는 공정 등을 포함할 수 있는 점에서 상이하다.In the two methods of the present invention, there is no difference in the act of exposing the container to the low-temperature environment itself, but in the manufacturing method, the composition for forming a protective layer is preserved while exposing it to the low-temperature environment according to the storage method, It is different from the point which can include the process of taking out the composition for protective layer formation from a low-temperature environment, the process of packing for conveyance or shipment, etc.

본 발명에서는, 보호층 형성용 조성물의 각 원료를 합하여 교반한 후, 상기와 같이 신속하게 또한 소정의 기간 이상, 조성물을 저온 환경에 노출시킴(이하, "저온 보존"이라고도 한다.)으로써, 장기간의 보관에 대해서도 품질이 저하되기 어려운 보호층 형성용 조성물이 얻어진다. 이 이유는 확실하지는 않지만, 원료를 교반한 후, 신속하게 상기 저온 보존함으로써, 제조 도중(예를 들면, 각 원료의 혼합이나 교반의 공정)에 보호층 형성용 조성물에 혼입된 산소의 용해량이 저하되어, 미생물의 증식이 억제되기 때문이라고 생각된다.In the present invention, after the respective raw materials of the composition for forming a protective layer are combined and stirred, the composition is exposed to a low-temperature environment quickly and for a predetermined period or longer as described above (hereinafter, also referred to as “low temperature storage”) for a long period of time. It is possible to obtain a composition for forming a protective layer in which the quality is hardly deteriorated even when stored. Although the reason for this is not certain, the dissolved amount of oxygen mixed into the composition for forming a protective layer during production (for example, the step of mixing or stirring each raw material) is reduced by promptly storing the raw materials at the low temperature after stirring. It is thought that this is because the proliferation of microorganisms is suppressed.

일반적으로, 수용성 수지를 포함하는 조성물의 품질 저하를 억제하는 관점에서는, 후술하는 바와 같은 방부제나 곰팡이 방지제가 사용되고 있다. 그러나, 방부제나 곰팡이 방지제를 사용해도, 보호층 형성용 조성물의 품질을, 예를 들면 연(年) 단위의 장기간에 걸쳐 충분히 유지할 수 없는 경우가 있는 것을 알 수 있었다.Generally, from a viewpoint of suppressing the deterioration of the quality of the composition containing a water-soluble resin, the below-mentioned antiseptic|preservative and antifungal agent are used. However, it turned out that even if it uses a preservative or a fungicide, the quality of the composition for protective layer formation may not fully be able to be maintained over a long period of time, for example on an annual basis.

본 발명에 의하면, 방부제나 곰팡이 방지제의 사용의 유무에 관계없이, 보호층 형성용 조성물의 품질을 장기간에 걸쳐 충분히 유지할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 방부제나 곰팡이 방지제를 병용하면, 보호층 형성용 조성물의 품질을 유지할 수 있는 기간을 더 연장하는 것이 가능해진다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the quality of the composition for protective layer formation can fully be maintained over a long period of time irrespective of the presence or absence of use of a preservative or antifungal agent. Moreover, in this invention, when an antiseptic|preservative and a fungicide are used together, it becomes possible to extend the period which can maintain the quality of the composition for protective layer formation further.

본 발명의 제조 방법에 의하여 얻어지는 보호층 형성용 조성물은, 적어도 수용성 수지 및 용제를 포함하며, 상기와 같이, 유기층 상에 적층되고 또한 유기층을 약액으로부터 보호하기 위한 수용성 보호층의 형성에 사용된다. 이와 같은 보호층은, 기재, 유기층, 보호층 및 감광층을 이 순서로 포함하는 적층체의 형성에 이용된다. 보호층 형성용 조성물의 원료 및 적층체의 이용에 관한 상세에 대해서는 후술한다.The composition for forming a protective layer obtained by the production method of the present invention contains at least a water-soluble resin and a solvent, and is laminated on the organic layer as described above and is used for forming a water-soluble protective layer for protecting the organic layer from a chemical solution. Such a protective layer is used for formation of the laminated body which contains a base material, an organic layer, a protective layer, and a photosensitive layer in this order. The detail regarding the use of the raw material of the composition for protective layer formation, and a laminated body is mentioned later.

<<(a) 원료를 포함하는 조성물의 교반과 다른 처리>><<(a) Agitation and other treatment of the composition containing the raw material>>

본 발명의 제조 방법에 있어서, 보호층 형성용 조성물의 원료를 포함하는 조성물을 교반하는 방법은, 특별히 제한되지 않고, 수동으로 행해도 되고 교반 장치를 사용해도 된다. 단시간에 균일하게 교반하는 등의 관점에서, 교반 장치에 의하여 조성물을 교반하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 그와 같은 교반 장치로서, 일반적인 마그네틱 스터러 외에, 각종 교반봉(예를 들면 플론 케미컬사제 PTFE젯형 교반봉 등)을 장착한 모터형 교반기 등을 사용할 수 있다.In the manufacturing method of this invention, the method in particular of stirring the composition containing the raw material of the composition for protective layer formation is not restrict|limited, You may carry out manually or you may use a stirring apparatus. It is preferable to stir the composition with a stirring device from the viewpoint of uniformly stirring in a short time. For example, as such a stirring device, in addition to a general magnetic stirrer, a motor type stirrer equipped with various stirring rods (for example, PTFE jet type stirring rods manufactured by Flon Chemicals, etc.) can be used.

교반의 공정은, 1단계여도 되고, 2단계 이상이어도 된다. 즉, 보호층 형성용 조성물의 원료를 모두 한 번에 혼합하여, 교반을 1회로 종료해도 되고, 일부의 원료를 혼합 및 교반한 후, 다른 원료를 추가하여 2단계째 이후의 교반을 실시해도 된다. 또한, 전부 또는 몇 개의 원료에 대하여, 원료를 미리 용제에 투입하고 또한 교반하여 희석액을 제작하며, 그 후, 희석액을 다른 원료 또는 다른 희석액과 혼합하여 교반을 실시해도 된다. 교반의 단계수는, 교반 효율의 관점에서, 1~4단계인 것이 바람직하고, 1~3단계인 것이 보다 바람직하며, 1단계 또는 2단계인 것이 더 바람직하다.One step may be sufficient as the process of stirring, and two or more steps may be sufficient as it. That is, all the raw materials of the composition for forming a protective layer may be mixed at once and stirring may be completed once, or after mixing and stirring some of the raw materials, other raw materials may be added and the second stage and subsequent stirring may be performed. . Moreover, with respect to all or some raw materials, you may prepare a dilution liquid by injecting|throwing-in the raw material in advance to a solvent and stirring, and then mixing the diluent with another raw material or another diluent and stirring may be performed. From the viewpoint of stirring efficiency, the number of steps of stirring is preferably 1 to 4 steps, more preferably 1 to 3 steps, and still more preferably 1 step or 2 steps.

교반 시의 조건도 특별히 제한되지 않는다.The conditions at the time of stirring are not especially restrict|limited either.

예를 들면, 교반 시의 분위기는, 대기 분위기여도 되고, 질소 등의 불활성 가스로 치환된 분위기여도 된다. 교반 시의 조성물의 온도(교반 온도)는, 원료의 교반을 방해하지 않는 범위에서 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 1~99℃이다. 교반 효율의 관점에서, 이 수치 범위의 상한은, 80℃ 이하인 것이 바람직하고, 70℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 25℃ 이상인 것이 바람직하고, 30℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 교반 온도와, 후술하는 저온 환경의 온도의 차는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 7~80℃의 범위에서, 필요에 따라 적절히 조정된다. 교반의 균일성이나 냉각 효율의 관점에서, 이 수치 범위의 상한은, 60℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 15℃ 이상인 것이 바람직하고, 25℃ 이상인 것이 보다 바람직하다.For example, an atmospheric atmosphere may be sufficient as the atmosphere at the time of stirring, and the atmosphere substituted with inert gas, such as nitrogen, may be sufficient as it. The temperature (stirring temperature) of the composition at the time of stirring is not restrict|limited in particular in the range which does not interfere with the stirring of a raw material, For example, it is 1-99 degreeC. It is preferable that it is 80 degrees C or less, and, as for the upper limit of this numerical range from a viewpoint of stirring efficiency, it is more preferable that it is 70 degrees C or less. Moreover, it is preferable that it is 25 degreeC or more, and, as for the lower limit of this numerical range, it is more preferable that it is 30 degreeC or more. Although the difference in particular between stirring temperature and the temperature of the low-temperature environment mentioned later is not restrict|limited, For example, in the range of 7-80 degreeC, it adjusts suitably as needed. It is preferable that it is 60 degrees C or less, and, as for the upper limit of this numerical range from a viewpoint of uniformity of stirring and cooling efficiency, it is more preferable that it is 40 degrees C or less. Moreover, it is preferable that it is 15 degreeC or more, and, as for the lower limit of this numerical range, it is more preferable that it is 25 degreeC or more.

교반 방식은, 교반봉이나 교반 날개 등의 교반 부재로 원료를 직접 섞어 교반을 행하는 기계식 교반이어도 되고, 비접촉으로 교반을 행하는 초음파식이나 전자식의 교반이어도 된다. 생산성 등의 관점에서는, 교반 방식은 기계식 교반이 바람직하다. 교반 부재의 회전 속도는, 예를 들면 10~1000rpm의 범위에서, 원료 점도에 따라 적절히 조정된다. 교반의 균일성이나 교반 효율의 관점에서, 이 수치 범위의 상한은, 900rpm 이하인 것이 바람직하고, 800rpm 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 30rpm 이상인 것이 바람직하고, 50rpm 이상인 것이 보다 바람직하다. 교반 시간은, 예를 들면 30분 내지 72시간의 범위에서, 원료 점도나 원하는 균일 정도에 따라 적절히 조정된다. 교반의 균일성이나 교반 효율의 관점에서, 이 수치 범위의 상한은, 48시간 이하인 것이 바람직하고, 24시간 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 60분 이상인 것이 바람직하고, 120분 이상인 것이 보다 바람직하다.The stirring method may be mechanical stirring in which raw materials are directly mixed and stirred with a stirring member such as a stirring rod or stirring blade, or ultrasonic or electromagnetic stirring in which the stirring is performed in a non-contact manner. From the viewpoint of productivity, etc., mechanical stirring is preferable as the stirring method. The rotation speed of the stirring member is, for example, in the range of 10 to 1000 rpm, and is appropriately adjusted according to the viscosity of the raw material. It is preferable that it is 900 rpm or less, and, as for the upper limit of this numerical range from a viewpoint of the uniformity of stirring and stirring efficiency, it is more preferable that it is 800 rpm or less. Moreover, it is preferable that it is 30 rpm or more, and, as for the lower limit of this numerical range, it is more preferable that it is 50 rpm or more. Stirring time is, for example, in the range of 30 minutes - 72 hours, and is suitably adjusted according to raw material viscosity and desired uniformity. It is preferable that it is 48 hours or less, and, as for the upper limit of this numerical range from a viewpoint of the uniformity of stirring and stirring efficiency, it is more preferable that it is 24 hours or less. Moreover, it is preferable that it is 60 minutes or more, and, as for the lower limit of this numerical range, it is more preferable that it is 120 minutes or more.

또, 교반을 복수 회 실시하는 경우에는, 각 교반의 사이의 기간에 있어서, 원료의 추가 이외에도, 원료의 다른 처리를 실시해도 된다. 이와 같은 다른 처리로서는, 예를 들면, 원료의 탈기(脫氣) 등을 들 수 있다. 본 발명의 제조 방법에 있어서, 교반의 종료 후, 보호층 형성용 조성물을 저온 환경하에 노출시키기 전에, 보호층 형성용 조성물의 탈기 등의 추가의 처리를 더 실시해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서, 교반의 "종료"는, 교반하기 위한 외력 부여의 정지에 근거하여 행한다. 외력 부여의 정지는, 예를 들면, 기계식 교반의 경우에는, 교반봉이나 교반 날개의 동작 정지이며, 비접촉식 교반의 경우에는, 초음파나 전자력의 부여 정지이다. 또, 교반을 복수 회 실시하는 경우에는, 교반의 "종료"는, 마지막에 실시한 교반의 종료를 의미한다.Moreover, when performing stirring multiple times, you may perform other processing of a raw material other than addition of a raw material in the period between each stirring. As such other treatment, for example, degassing of the raw material and the like can be given. In the production method of the present invention, after the stirring is finished and before exposing the composition for forming a protective layer to a low-temperature environment, an additional treatment such as degassing of the composition for forming a protective layer may be further performed. In addition, in this specification, "end|finish" of stirring is performed based on the stop of application of the external force for stirring. The stop of external force application is, for example, in the case of mechanical stirring, operation stop of the stirring rod or stirring blade, and in the case of non-contact stirring, application of ultrasonic waves or electromagnetic force is stopped. In addition, when stirring is performed multiple times, "finish" of stirring means completion|finish of stirring performed last.

보호층 형성용 조성물의 여과는, 필터를 이용한 여과인 것이 바람직하다.It is preferable that filtration of the composition for protective layer formation is filtration using a filter.

여과는 1단계의 필터에 의한 여과에서도 효과를 발휘하지만, 2단계 이상의 필터에 의한 여과의 쪽이 보다 바람직하다. 2단계 이상의 필터에 의한 여과란, 2개 이상의 필터를 직렬로 배치하여 여과하는 것을 말한다. 본 발명에서는, 1~4단계의 필터에 의한 여과가 바람직하고, 2~4단계의 필터에 의한 여과가 보다 바람직하다.Although filtration is effective also in the filtration by a one-stage filter, the filtration by two or more stages of filters is more preferable. Filtration by two or more stages of filters means filtration by arranging two or more filters in series. In this invention, the filtration by the filter of 1-4 stages is preferable, and the filtration by the filter of 2-4 stages is more preferable.

필터의 재료를 구성하는 성분(재료 성분)은, 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 수지로서는 특별히 제한되지 않고, 필터의 재료로서 공지의 것을 사용할 수 있다. 필터의 재료를 구성하는 성분(재료 성분)의 바람직한 일 실시형태로서, 중성기의 적어도 1종이 그래프트화한 폴리머(그래프트화한 폴리머)를 들 수 있다. 중성기는, 수산기, 카복시기로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하고, 수산기인 것이 보다 바람직하다. 그래프트화 폴리머는, 그래프트화 폴리올레핀인 것이 바람직하고, 그래프트화 폴리에틸렌인 것이 보다 바람직하다. 그래프트화 폴리머의 기재는, 국제 공개공보 제2016/081729호의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.It is preferable that the component (material component) which comprises the material of a filter contains resin. It does not restrict|limit especially as resin, A well-known thing can be used as a material of a filter. As a preferable embodiment of the component (material component) constituting the material of the filter, a polymer (grafted polymer) in which at least one type of neutral group is grafted is exemplified. It is preferable that it is at least 1 sort(s) chosen from a hydroxyl group and a carboxy group, and, as for a neutral group, it is more preferable that it is a hydroxyl group. The grafted polymer is preferably a grafted polyolefin, and more preferably a grafted polyethylene. For the description of the grafted polymer, reference may be made to the description of International Publication No. 2016/081729, the contents of which are incorporated herein by reference.

본 발명에서 이용하는 필터의 구멍 직경으로서는 5μm 이하가 바람직하고, 3μm 이하가 보다 바람직하며, 1μm 이하가 더 바람직하고, 0.5μm 이하가 한층 바람직하며, 0.2μm 이하여도 된다. 필터의 구멍 직경을 상기의 범위로 함으로써, 불순물을 보다 효과적으로 줄일 수 있다. 또, 필터의 구멍 직경의 하한값은 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 1nm 이상이 바람직하다. 필터의 구멍 직경을 1nm 이상으로 함으로써, 여과 시에 필요 이상으로 큰 압력이 인가되지 않고, 생산성이 향상되어, 필터의 파괴를 효과적으로 억제할 수 있다. 여과를 단계적으로 행하는 경우, 1단계째의 여과는, 구멍 직경이 0.2~5μm인 필터(바람직하게는 구멍 직경이 0.2~1μm인 필터)를 이용하고, 2단계째의 여과는, 구멍 직경이 7nm 미만인 필터(바람직하게는 구멍 직경이 7nm 미만 1nm 이상인 필터)를 이용할 수 있다. 또, 1단계째와 2단계째, 2단계째와 3단계째 등, 직전의 단계와의 구멍 직경의 차는, 0.1~2μm인 것이 바람직하다.The pore diameter of the filter used in the present invention is preferably 5 µm or less, more preferably 3 µm or less, still more preferably 1 µm or less, still more preferably 0.5 µm or less, and may be 0.2 µm or less. By making the hole diameter of a filter into said range, an impurity can be reduced more effectively. Moreover, although the lower limit of the pore diameter of a filter is not specifically defined, For example, 1 nm or more is preferable. When the pore diameter of the filter is 1 nm or more, an unnecessarily large pressure is not applied at the time of filtration, productivity is improved, and destruction of the filter can be effectively suppressed. When filtration is performed in stages, the filtration in the first stage uses a filter having a pore diameter of 0.2 to 5 µm (preferably a filter having a pore diameter of 0.2 to 1 µm), and the filtration in the second stage has a pore diameter of 7 nm It is possible to use a smaller filter (preferably a filter having a pore diameter of less than 7 nm and 1 nm or more). Moreover, it is preferable that the difference of the hole diameter of the stage immediately preceding, such as a 1st stage and a 2nd stage, a 2nd stage, and a 3rd stage, is 0.1-2 micrometers.

원료 및 보호층 형성용 조성물의 탈기는, 특별히 제한되지 않고, 공지의 방법을 적절히 채용할 수 있다. 예를 들면, 초음파, 진공(감압), 가열, 교반, 원심력 및 중공사막 중 적어도 하나를 이용한 탈기 처리가 있다.Degassing of the raw material and the composition for forming a protective layer is not particularly limited, and a known method can be appropriately employed. For example, there is a degassing treatment using at least one of ultrasonic waves, vacuum (reduced pressure), heating, stirring, centrifugal force, and a hollow fiber membrane.

<<(b) 보호층 형성용 조성물의 용기로의 충전>><<(b) Filling of the composition for forming a protective layer into a container >>

용기는, 보호층 형성용 조성물의 품질을 유지할 수 있으면, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 유리제(소다 석회 유리), 금속제(스테인리스, 알루미늄, 니켈 등) 및 플라스틱제(폴리프로필렌, 폴리에틸렌(특히 고밀도 폴리에틸렌) 등)의 용기를 사용할 수 있다. 보다 안정적으로 품질을 유지하는 관점에서, 용기는, 유리제의 용기인 것이 바람직하다. 용기는, 통상, 용기 본체와, 용기 본체를 밀폐하기 위한 덮개로 구성된다. 용기 본체 및 덮개 각각의 재질은, 서로 동일해도 되고, 상이해도 된다.The container is not particularly limited as long as the quality of the composition for forming a protective layer can be maintained, and for example, glass (soda-lime glass), metal (stainless steel, aluminum, nickel, etc.), and plastic (polypropylene, polyethylene (especially high-density polyethylene), etc.) can be used. It is preferable that a container is a glass container from a viewpoint of maintaining quality more stably. A container is normally comprised with the container main body and the lid for sealing the container main body. The material of each of the container body and the lid may be the same as or different from each other.

용기는, 냉각 효율의 관점에서, 0.1W/(m·K) 이상의 열전도율을 갖는 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 용기 재질의 열전도율은, 0.3W/(m·K) 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.8W/(m·K) 이상인 것이 더 바람직하고, 1.0W/(m·K) 이상인 것이 특히 바람직하다. 용기 재질의 열전도율의 상한은, 특별히 제한되지 않지만, 250W/(m·K) 이하가 실제적이며, 100W/(m·K) 이하여도 되고, 50W/(m·K) 이하여도 된다.The container is preferably made of a material having a thermal conductivity of 0.1 W/(m·K) or more from the viewpoint of cooling efficiency. The thermal conductivity of the container material is more preferably 0.3 W/(m·K) or more, still more preferably 0.8 W/(m·K) or more, and particularly preferably 1.0 W/(m·K) or more. Although the upper limit in particular of the thermal conductivity of a container material is not restrict|limited, 250 W/(m*K) or less is practical, 100 W/(m*K) or less may be sufficient, and 50 W/(m*K) or less may be sufficient.

용기는, 광에 의한 보호층 형성용 조성물의 변질이 보다 효과적으로 억제되도록, 차광 기능을 갖는 것이 바람직하다. 특히, 용기는, 자외선(예를 들면, 파장 290~380nm의 광), 가시광선(예를 들면, 파장 380~750nm의 광) 및 적외선(예를 들면, 파장 750~1100nm의 광)을 차단할 수 있는 것이 바람직하다. 여기에서, 차단이란, 각 파장의 광의 투과율이 50% 이하인 것을 의미한다. 특히, 자외선에 대하여, 최대 투과율은, 20% 이하인 것이 바람직하고, 5% 이하인 것이 보다 바람직하다. 자외선에 대하여, 최소 투과율은, 특별히 제한되지 않으며, 0%인 것이 바람직하고, 1% 정도여도 된다. 또, 가시광선 및 적외선에 대하여, 각각 최대 투과율은, 90% 이하인 것이 바람직하고, 80% 이하인 것이 보다 바람직하다. 가시광선 및 적외선에 대하여, 최소 투과율은, 0% 이상이어도 된다. 용기는, 불투명해도 되지만, 내용물의 확인을 용이하게 하기 위하여, 투명한 것이 바람직하고, 유색 투명한 것이 보다 바람직하며, 갈색, 청색 또는 녹색으로 투명한 것이 더 바람직하다.It is preferable that the container has a light-shielding function so that the deterioration of the composition for protective layer formation by light may be suppressed more effectively. In particular, the container can block ultraviolet light (e.g., light with a wavelength of 290 to 380 nm), visible light (e.g., light with a wavelength of 380 to 750 nm) and infrared light (e.g., light with a wavelength of 750 to 1100 nm). It is preferable to have Here, blocking means that the transmittance|permeability of the light of each wavelength is 50% or less. In particular, with respect to ultraviolet rays, the maximum transmittance is preferably 20% or less, and more preferably 5% or less. With respect to ultraviolet rays, the minimum transmittance in particular is not restrict|limited, It is preferable that it is 0 %, and about 1 % may be sufficient. Moreover, it is preferable that it is 90 % or less, and, as for each maximum transmittance with respect to visible light and infrared rays, it is more preferable that it is 80 % or less. For visible light and infrared light, the minimum transmittance may be 0% or more. The container may be opaque, but in order to facilitate confirmation of the contents, it is preferably transparent, more preferably colored and transparent, and still more preferably brown, blue or green.

용기의 용적은, 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 10mL~50L이다. 이 수치 범위의 상한은, 취급 용이성 등의 관점에서, 10L 이하인 것이 바람직하고, 5L 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 25mL 이상이어도 되고, 50mL 이상이어도 된다. 일반적으로는, 50mL, 100mL, 250mL, 1L 및 3.8L 등의 용기가 있다.The volume in particular of a container is not restrict|limited, For example, it is 10 mL - 50 L. It is preferable that it is 10 L or less from viewpoints, such as handling easiness, and, as for the upper limit of this numerical range, it is more preferable that it is 5 L or less. Moreover, 25 mL or more may be sufficient as the lower limit of this numerical range, and 50 mL or more may be sufficient as it. Generally, there are containers such as 50 mL, 100 mL, 250 mL, 1 L and 3.8 L.

특히, 용기는, 열전도율이 0.1W/(m·K) 이상인 재료로 구성되고, 자외선의 최대 투과율이 5% 이하이며, 또한 유리제 또는 플라스틱제의 투명 용기인 것이 바람직하고, 그중에서도, 유리제의 유색 투명 용기인 것이 보다 바람직하다.In particular, the container is made of a material having a thermal conductivity of 0.1 W/(m·K) or more, the maximum transmittance of ultraviolet rays is 5% or less, and it is preferably a transparent container made of glass or plastic, among them, colored transparent glass made of glass It is more preferable that it is a container.

용기의 충전율(%)(=용기에 충전된 보호층 형성용 조성물의 양/용기의 용적×100)은, 특별히 제한되지 않지만, 50~98%인 것이 바람직하다. 이 수치 범위의 상한은, 95% 이하인 것이 보다 바람직하며, 93% 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 60% 이상인 것이 보다 바람직하며, 65% 이상인 것이 더 바람직하다. 충전율을 98% 이하로 함으로써, 보호층 형성용 조성물이 충전되어 있지 않은 용기 내 공간이, 보호층 형성용 조성물 중의 포화 용해량을 초과한 만큼의 산소의 배출 영역이 되고, 보호층 형성용 조성물 중의 산소 농도의 저감이 촉진된다. 또, 충전율을 50% 이상으로 함으로써, 분위기 중의 이물이나 미생물이 보호층 형성용 조성물에 혼입되는 것을 억제할 수 있어, 제조 효율이 더 향상된다. 이 결과, 미생물의 증식을 보다 억제할 수 있음과 함께, 용기로부터 보호층 형성용 조성물을 취출할 때의 편리성이나, 보호층 형성용 조성물의 제조 효율이 보다 향상된다.The filling rate (%) of the container (= the amount of the composition for forming a protective layer filled in the container/volume of the container x 100) is not particularly limited, but is preferably 50 to 98%. It is more preferable that it is 95 % or less, and, as for the upper limit of this numerical range, it is more preferable that it is 93 % or less. Moreover, as for the lower limit of this numerical range, it is more preferable that it is 60 % or more, and it is still more preferable that it is 65 % or more. By setting the filling rate to 98% or less, the space in the container not filled with the composition for forming a protective layer becomes a region where oxygen exceeding the saturated dissolution amount in the composition for forming a protective layer is released, and in the composition for forming a protective layer. Reduction of oxygen concentration is accelerated|stimulated. In addition, by setting the filling rate to 50% or more, it is possible to suppress the mixing of foreign substances and microorganisms in the atmosphere into the composition for forming a protective layer, and the production efficiency is further improved. As a result, the proliferation of microorganisms can be further suppressed, and the convenience at the time of taking out the composition for forming a protective layer from a container and the manufacturing efficiency of the composition for forming a protective layer are further improved.

보호층 형성용 조성물을 용기에 충전한 후, 용기를 밀폐하는 것은 필수는 아니지만, 보호층 형성용 조성물의 품질 유지의 관점에서, 충전 후, 용기는 밀폐하는 것이 바람직하다. 용기를 밀폐한 경우에, 용기 내부 공간 중, 보호층 형성용 조성물로 충전되어 있지 않은 부분의 가스종은, 특별히 제한되지 않으며, 대기 유래의 공기여도 되고, 질소 등의 불활성 가스여도 된다. 불활성 가스로 채워진 분위기 중에서 용기를 밀폐함으로써, 보호층 형성용 조성물로 충전되어 있지 않은 부분을 불활성 가스로 채울 수 있다.After filling the container with the composition for forming a protective layer, it is not essential to seal the container, but from the viewpoint of maintaining the quality of the composition for forming a protective layer, it is preferable to seal the container after filling. When the container is sealed, the gas species in the portion of the container interior space that is not filled with the composition for forming a protective layer is not particularly limited, and may be air derived from the atmosphere or an inert gas such as nitrogen. By sealing the container in the atmosphere filled with the inert gas, the portion not filled with the composition for forming a protective layer can be filled with the inert gas.

보호층 형성용 조성물로의 미생물의 혼입을 방지하는 관점에서, 용기는 사전에 멸균 처리를 실시해 두는 것이 바람직하다. 멸균 처리는, 예를 들면, 용기의 UV 오존 처리나 가열 처리 등에 의하여 실시할 수 있다. 또, 용기로의 미생물의 재부착을 방지하는 관점에서, 멸균 처리는, 보호층 형성용 조성물을 용기에 충전하기 전, 48시간 이내에 실시하는 것이 바람직하고, 24시간 이내에 실시하는 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of preventing the incorporation of microorganisms into the composition for forming a protective layer, it is preferable that the container be sterilized in advance. Sterilization treatment can be performed, for example, by UV ozone treatment or heat treatment of the container. In addition, from the viewpoint of preventing re-adhesion of microorganisms to the container, the sterilization treatment is preferably performed within 48 hours before filling the container with the composition for forming a protective layer, and more preferably within 24 hours.

보호층 형성용 조성물로의 미생물의 혼입을 방지하는 관점에서, 용기로의 보호층 형성용 조성물의 충전은, 보호층 형성용 조성물의 교반의 종료 후, 72시간 이내에 실시하는 것이 바람직하고, 48시간 이내에 실시하는 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of preventing the incorporation of microorganisms into the composition for forming a protective layer, filling the container with the composition for forming a protective layer is preferably carried out within 72 hours after the stirring of the composition for forming a protective layer is completed, and for 48 hours. It is more preferable to carry out within.

<<(c) 보호층 형성용 조성물의 저온 보존>><<(c) Low-temperature storage of the composition for forming a protective layer>>

본 발명의 제조 방법에 있어서, 저온 환경의 형성에는, 예를 들면 냉장고를 사용할 수 있다. 보호층 형성용 조성물 중의 미생물의 증식을 보다 억제하는 관점에서, 상기 온도 범위의 상한은, 15℃ 이하인 것이 바람직하고, 10℃ 이하인 것이 보다 바람직하며, 8℃ 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 상기 온도 범위의 하한은, 1℃ 이상인 것이 바람직하고, 2℃ 이상인 것이 보다 바람직하며, 3℃ 이상인 것이 더 바람직하다. 또, 저온 환경의 온도는, 보존 기간 중, 0~18℃의 범위 내에서 단계적으로 또는 연속적으로 적절히 변경해도 된다. 온도 변경의 양태로서는, 예를 들면, 냉각 효율 등의 관점에서, 보존 기간 초기에 있어서 낮은 온도에서 저온 보존을 개시하고, 그 후, 서서히 온도를 높이는 저온 환경의 분위기는, 특별히 제한되지 않고, 대기 유래의 분위기(대기로부터 온도 조정을 행한 분위기)여도 되며, 질소 등의 불활성 가스로 치환된 분위기여도 되지만, 편리성의 관점에서, 대기 유래의 분위기인 것이 바람직하다.In the manufacturing method of this invention, a refrigerator can be used for formation of a low-temperature environment, for example. From the viewpoint of further suppressing the growth of microorganisms in the composition for forming a protective layer, the upper limit of the temperature range is preferably 15°C or less, more preferably 10°C or less, and still more preferably 8°C or less. Moreover, it is preferable that it is 1 degreeC or more, and, as for the lower limit of the said temperature range, it is more preferable that it is 2 degreeC or more, and it is still more preferable that it is 3 degreeC or more. Moreover, you may change suitably the temperature of a low-temperature environment stepwise or continuously within the range of 0-18 degreeC during a storage period. As an aspect of temperature change, for example, from a viewpoint of cooling efficiency, etc., in the initial stage of a storage period, low temperature storage is started at low temperature, The atmosphere of a low temperature environment which raises temperature gradually after that is not restrict|limited in particular, The atmospheric Although the atmosphere (atmosphere temperature-controlled from the air) may be used, or an atmosphere substituted with an inert gas such as nitrogen may be used, it is preferably an atmosphere derived from the air from the viewpoint of convenience.

용기를 저온 환경에 노출시키는 기간(이하, "보존 기간"이라고도 한다.)의 길이를 24시간 이상으로 함으로써, 보호층 형성용 조성물의 내부까지 충분히 냉각할 수 있다. 보호층 형성용 조성물 중의 미생물의 증식을 보다 억제하는 관점에서, 보존 기간의 길이의 하한은, 1주일 이상인 것이 바람직하고, 1개월 이상인 것이 보다 바람직하며, 6개월 이상인 것이 더 바람직하고, 1년 이상인 것이 특히 바람직하다. 보존 기간의 길이의 상한은, 특별히 제한되지 않지만, 2년 이하인 것이 실제적이고, 1년 6개월 이하인 것이 바람직하다.By setting the length of the period during which the container is exposed to the low-temperature environment (hereinafter, also referred to as "preservation period") to 24 hours or more, it is possible to sufficiently cool the inside of the composition for forming a protective layer. From the viewpoint of further suppressing the growth of microorganisms in the composition for forming a protective layer, the lower limit of the length of the storage period is preferably 1 week or more, more preferably 1 month or more, still more preferably 6 months or more, and 1 year or more. It is particularly preferred. Although the upper limit in particular of the length of a storage period is not restrict|limited, It is practical that it is 2 years or less, It is preferable that it is 1 year and 6 months or less.

그리고, 보존 기간의 개시 시기를, 상기 교반의 종료 후 72시간 이내로 함으로써, 보호층 형성용 조성물에 혼입되어 버린 미생물의 증식을 억제할 수 있다. 미생물의 증식을 보다 억제하는 관점에서, 보존 기간의 개시 시기는, 상기 교반의 종료 후 60시간 이내인 것이 바람직하고, 40시간 이내인 것이 보다 바람직하며, 30시간 이내인 것이 더 바람직하고, 24시간 이내인 것이 특히 바람직하다. 또, 보존 기간의 개시 시기는, 상기 교반의 종료 후 6시간 이상으로 하는 것이 실제적이고, 12시간 이상이어도 된다.In addition, by setting the start time of the storage period to within 72 hours after the end of the stirring, the growth of microorganisms mixed in the composition for forming a protective layer can be suppressed. From the viewpoint of further suppressing the growth of microorganisms, the start time of the storage period is preferably within 60 hours, more preferably within 40 hours, more preferably within 30 hours, and 24 hours after the end of the stirring. It is especially preferable that it is within In addition, it is practical that the start time of a storage period shall be 6 hours or more after completion|finish of the said stirring, and 12 hours or more may be sufficient.

<보호층 형성용 조성물><Composition for forming a protective layer>

본 발명의 제조 방법에 의하여 얻어지는 보호층 형성용 조성물에 대하여 설명한다. 보호층 형성용 조성물은, 수용성 수지 및 용제를 포함하고, 필요에 따라 다른 성분을 포함해도 된다.The composition for forming a protective layer obtained by the manufacturing method of this invention is demonstrated. The composition for forming a protective layer contains a water-soluble resin and a solvent, and may contain other components as needed.

<<수용성 수지>><<Water-soluble resin>>

수용성 수지란, 23℃에 있어서의 물 100g에 대하여 1g 이상 용해하는 수지를 말한다. 그리고, 수용성 수지는, 23℃에 있어서의 물 100g에 대하여 5g 이상 용해하는 수지인 것이 바람직하고, 10g 이상 용해하는 수지인 것이 보다 바람직하며, 30g 이상 용해하는 수지인 것이 더 바람직하다. 용해량의 상한은 특별히 없지만, 100g 정도인 것이 실제적이다.A water-soluble resin means resin which melt|dissolves 1g or more with respect to 100g of water in 23 degreeC. And it is preferable that it is resin which melt|dissolves 5 g or more with respect to 100 g of water in 23 degreeC, water-soluble resin is more preferable that it is resin which melt|dissolves 10 g or more, It is more preferable that it is resin which melt|dissolves 30 g or more. Although there is no upper limit in particular of a dissolution amount, it is practical that it is about 100 g.

수용성 수지는, 친수성기를 포함하는 수지가 바람직하고, 친수성기로서는, 수산기, 카복시기, 설폰산기, 인산기, 아마이드기, 이미드기 등이 예시된다.The water-soluble resin is preferably a resin containing a hydrophilic group, and examples of the hydrophilic group include a hydroxyl group, a carboxy group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, an amide group, and an imide group.

수용성 수지로서는, 구체적으로는, 폴리바이닐피롤리돈(PVP), 폴리바이닐알코올(PVA), 수용성 다당류(수용성의 셀룰로스(메틸셀룰로스, 카복시메틸셀룰로스, 하이드록시에틸셀룰로스, 하이드록시프로필셀룰로스, 하이드록시에틸메틸셀룰로스, 하이드록시프로필메틸셀룰로스, 프로필메틸셀룰로스 등), 풀루란 또는 풀루란 유도체, 전분(하이드록시프로필 전분, 카복시메틸 전분 등), 키토산, 사이클로덱스트린), 폴리에틸렌옥사이드, 폴리에틸옥사졸린, 메틸올멜라민, 폴리아크릴아마이드, 페놀 수지, 스타이렌/말레산 반(半)에스터 등을 들 수 있다. 또, 이들 중에서, 2종 이상을 선택하여 사용해도 되고, 공중합체로서 사용해도 된다. 본 발명에 있어서, 보호층 형성용 조성물은, 이들 수지 중에서도, 폴리바이닐피롤리돈, 폴리바이닐알코올, 수용성 다당류, 풀루란 및 풀루란 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 폴리바이닐피롤리돈, 폴리바이닐알코올 및 수용성 다당류로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. 수용성 다당류는, 특히 셀룰로스인 것이 바람직하고, 하이드록시에틸셀룰로스인 것이 보다 바람직하다.Specific examples of the water-soluble resin include polyvinylpyrrolidone (PVP), polyvinyl alcohol (PVA), water-soluble polysaccharides (water-soluble cellulose (methylcellulose, carboxymethylcellulose, hydroxyethylcellulose, hydroxypropylcellulose, hydroxy ethylmethylcellulose, hydroxypropylmethylcellulose, propylmethylcellulose, etc.), pullulan or pullulan derivatives, starch (hydroxypropyl starch, carboxymethyl starch, etc.), chitosan, cyclodextrin), polyethylene oxide, polyethyloxazoline, Methylolmelamine, polyacrylamide, phenol resin, styrene/maleic acid half ester, etc. are mentioned. Moreover, you may select and use 2 or more types among these, and may use it as a copolymer. In the present invention, the composition for forming a protective layer preferably contains at least one selected from the group consisting of polyvinylpyrrolidone, polyvinyl alcohol, water-soluble polysaccharides, pullulan and pullulan derivatives among these resins, It is preferable to contain at least 1 sort(s) selected from the group which consists of polyvinylpyrrolidone, polyvinyl alcohol, and water-soluble polysaccharide. It is preferable that it is especially cellulose, and, as for a water-soluble polysaccharide, it is more preferable that it is hydroxyethyl cellulose.

구체적으로는, 본 발명에서는, 보호층 형성용 조성물에 포함되는 수용성 수지가, 식 (P1-1)~식 (P4-1) 중 어느 하나로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지인 것이 바람직하다.Specifically, in the present invention, the water-soluble resin contained in the composition for forming a protective layer is preferably a resin containing a repeating unit represented by any one of formulas (P1-1) to (P4-1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pct00001
Figure pct00001

식 (P1-1)~(P4-1) 중, RP1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, RP2는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내며, RP3은 (CH2CH2O)maH, CH2COONa 또는 수소 원자를 나타내고, ma는 1 또는 2를 나타낸다.In formulas (P1-1) to (P4-1), R P1 represents a hydrogen atom or a methyl group, R P2 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R P3 is (CH 2 CH 2 O) ma H, CH 2 COONa or a hydrogen atom, and ma represents 1 or 2.

〔식 (P1-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지〕[Resin containing a repeating unit represented by formula (P1-1)]

식 (P1-1) 중, RP1은 수소 원자가 바람직하다.In formula (P1-1), R P1 is preferably a hydrogen atom.

식 (P1-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지는, 식 (P1-1)로 나타나는 반복 단위와는 상이한 반복 단위를 더 포함해도 된다. 식 (P1-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지는, 식 (P1-1)로 나타나는 반복 단위를, 수지의 전체 질량에 대하여 65질량%~90질량% 포함하는 것이 바람직하고, 70질량%~88질량% 포함하는 것이 보다 바람직하다.The resin including the repeating unit represented by the formula (P1-1) may further include a repeating unit different from the repeating unit represented by the formula (P1-1). It is preferable that resin containing the repeating unit represented by Formula (P1-1) contains 65 mass % - 90 mass % of the repeating unit represented by Formula (P1-1) with respect to the total mass of resin, and 70 mass % It is more preferable to contain -88 mass %.

식 (P1-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지로서는, 하기 식 (P1-2)로 나타나는 2개의 반복 단위를 포함하는 수지를 들 수 있다.As resin containing the repeating unit represented by Formula (P1-1), resin containing two repeating units represented by following formula (P1-2) is mentioned.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pct00002
Figure pct00002

식 (P1-2) 중, RP11은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, RP12는 치환기를 나타내며, np1 및 np2는 질량 기준에서의 분자 중의 구성 비율을 나타낸다.In the formula (P1-2), R P11 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R P12 represents a substituent, and np1 and np2 represent a constituent ratio in a molecule on a mass basis.

식 (P1-2) 중, RP11은 식 (P1-1)에 있어서의 RP1과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (P1-2), R P11 has the same meaning as R P1 in formula (P1-1), and a preferred aspect thereof is also the same.

식 (P1-2) 중, RP12로서는 -LP-TP로 나타나는 기를 들 수 있다. LP는 단결합 또는 후술하는 연결기 L이다. TP는 치환기이며, 후술하는 치환기 T의 예를 들 수 있다. 그중에서도, RP12로서는 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 알카인일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 또는 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다) 등의 탄화 수소기가 바람직하다. 이들 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기, 아릴알킬기는, 본 발명의 효과를 나타내는 범위에서, 치환기 T로 규정되는 기를 더 갖고 있어도 된다.In formula (P1-2), as R P12 , the group represented by -L P -T P is exemplified. L P is a single bond or a linking group L described later. T P is a substituent, and the example of the substituent T mentioned later is given. Among them, R P12 is an alkyl group (preferably having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6, and still more preferably 1 to 3), an alkenyl group (preferably having 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms). , 2-3 are more preferable), an alkynyl group (C2-C12 is preferable, 2-6 are more preferable, and 2-3 are more preferable), an aryl group (C6-C22 is preferable, 6-18 are more preferable, and 6-10 are more preferable), or a hydrocarbon group, such as an arylalkyl group (C7-C23 is preferable, 7-19 are more preferable, and 7-11 are still more preferable.) desirable. These alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, and arylalkyl group may further have group prescribed|regulated by the substituent T within the range which shows the effect of this invention.

식 (P1-2) 중, np1 및 np2는 질량 기준에서의 분자 중의 구성 비율을 나타내고, 각각 독립적으로, 10질량% 이상 100질량% 미만이다. 단 np1+np2가 100질량%를 초과하는 경우는 없다. np1+np2가 100질량% 미만인 경우란, 수용성 수지가, 그 외의 반복 단위를 포함하는 코폴리머인 것을 의미한다.In formula (P1-2), np1 and np2 represent the constituent ratio in a molecule|numerator on a mass basis, and are each independently 10 mass % or more and less than 100 mass %. However, np1+np2 does not exceed 100 mass % in any case. When np1+np2 is less than 100 mass %, it means that water-soluble resin is a copolymer containing another repeating unit.

〔식 (P2-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지〕[Resin containing the repeating unit represented by the formula (P2-1)]

식 (P2-1) 중, RP2는 수소 원자가 바람직하다.In formula (P2-1), R P2 is preferably a hydrogen atom.

식 (P2-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지는, 식 (P2-1)로 나타나는 반복 단위와는 상이한 반복 단위를 더 포함해도 된다. 식 (P2-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지는, 식 (P2-1)로 나타나는 반복 단위를, 수지의 전체 질량에 대하여 50질량%~98질량% 포함하는 것이 바람직하고, 70질량%~98질량% 포함하는 것이 보다 바람직하다.Resin containing the repeating unit represented by Formula (P2-1) may further contain the repeating unit different from the repeating unit represented by Formula (P2-1). It is preferable that resin containing the repeating unit represented by Formula (P2-1) contains 50 mass % - 98 mass % of the repeating unit represented by Formula (P2-1) with respect to the total mass of resin, and 70 mass % It is more preferable to contain -98 mass %.

식 (P2-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지로서는, 하기 식 (P2-2)로 나타나는 2개의 반복 단위를 포함하는 수지를 들 수 있다.As resin containing the repeating unit represented by Formula (P2-1), resin containing two repeating units represented by following formula (P2-2) is mentioned.

[화학식 3][Formula 3]

Figure pct00003
Figure pct00003

식 (P2-2) 중, RP21은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, RP22는 치환기를 나타내며, mp1 및 mp2는 질량 기준에서의 분자 중의 구성 비율을 나타낸다.In the formula (P2-2), R P21 each independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R P22 represents a substituent, and mp1 and mp2 represent a constituent ratio in a molecule on a mass basis.

식 (P2-2) 중, RP21은 식 (P2-1)에 있어서의 RP2와 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다.In formula (P2-2), R P21 has the same meaning as R P2 in formula (P2-1), and a preferable aspect is also the same.

식 (P2-2) 중, RP22로서는 -LP-TP로 나타나는 기를 들 수 있다. LP는 단결합 또는 후술하는 연결기 L이다. TP는 치환기이며, 후술하는 치환기 T의 예를 들 수 있다. 그중에서도, RP22로서는 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 알카인일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 또는 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다) 등의 탄화 수소기가 바람직하다. 이들 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기, 아릴알킬기는, 본 발명의 효과를 나타내는 범위에서, 치환기 T로 규정되는 기를 더 갖고 있어도 된다.In formula (P2-2), as R P22 , the group represented by -L P -T P is exemplified. L P is a single bond or a linking group L described later. T P is a substituent, and the example of the substituent T mentioned later is given. Among them, R P22 is an alkyl group (preferably having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6, and still more preferably 1 to 3), an alkenyl group (preferably having 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms). , 2-3 are more preferable), an alkynyl group (C2-C12 is preferable, 2-6 are more preferable, and 2-3 are more preferable), an aryl group (C6-C22 is preferable, 6-18 are more preferable, and 6-10 are more preferable), or a hydrocarbon group, such as an arylalkyl group (C7-C23 is preferable, 7-19 are more preferable, and 7-11 are still more preferable.) desirable. These alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, and arylalkyl group may further have group prescribed|regulated by the substituent T within the range which shows the effect of this invention.

식 (P2-2) 중, mp1 및 mp2는 질량 기준에서의 분자 중의 구성 비율을 나타내고, 각각 독립적으로, 10질량% 이상 100질량% 미만이다. 단 mp1+mp2가 100질량%를 초과하는 경우는 없다. mp1+mp2가 100질량% 미만인 경우란, 수용성 수지가, 그 외의 반복 단위를 포함하는 코폴리머인 것을 의미한다.In formula (P2-2), mp1 and mp2 represent the constituent ratio in a molecule|numerator on a mass basis, and are each independently 10 mass % or more and less than 100 mass %. However, mp1+mp2 does not exceed 100 mass % in any case. When mp1+mp2 is less than 100 mass %, it means that water-soluble resin is a copolymer containing another repeating unit.

〔식 (P3-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지〕[Resin containing the repeating unit represented by Formula (P3-1)]

식 (P3-1) 중, RP3은 수소 원자가 바람직하다.In formula (P3-1), R P3 is preferably a hydrogen atom.

식 (P3-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지는, 식 (P3-1)로 나타나는 반복 단위와는 상이한 반복 단위를 더 포함해도 된다. 식 (P3-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지는, 식 (P3-1)로 나타나는 반복 단위를, 수지의 전체 질량에 대하여 10질량%~90질량% 포함하는 것이 바람직하고, 30질량%~80질량% 포함하는 것이 보다 바람직하다.The resin including the repeating unit represented by the formula (P3-1) may further include a repeating unit different from the repeating unit represented by the formula (P3-1). It is preferable that resin containing the repeating unit represented by Formula (P3-1) contains 10 mass % - 90 mass % of the repeating unit represented by Formula (P3-1) with respect to the total mass of resin, 30 mass % It is more preferable to contain -80 mass %.

또, 식 (P3-1)에 기재된 수산기는 적절히 치환기 T 또는 그것과 연결기 L을 조합한 기로 치환되어 있어도 된다. 치환기 T는 복수 존재할 때 서로 결합하거나, 혹은 연결기 L을 개재하거나 또는 개재하지 않고 식 중의 환과 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.Moreover, the hydroxyl group of Formula (P3-1) may be suitably substituted by the group which combined the substituent T or it and the coupling group L. When a plurality of substituents T exist, they may be bonded to each other, or may be bonded to the ring in the formula with or without a linking group L to form a ring.

〔식 (P4-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지〕[Resin containing a repeating unit represented by formula (P4-1)]

식 (P4-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지는, 식 (P4-1)로 나타나는 반복 단위와는 상이한 반복 단위를 더 포함해도 된다. 식 (P4-1)로 나타나는 반복 단위를 포함하는 수지는, 식 (P4-1)로 나타나는 반복 단위를, 수지의 전체 질량에 대하여 8질량%~95질량% 포함하는 것이 바람직하고, 20질량%~88질량% 포함하는 것이 보다 바람직하다.The resin including the repeating unit represented by the formula (P4-1) may further include a repeating unit different from the repeating unit represented by the formula (P4-1). It is preferable that resin containing the repeating unit represented by Formula (P4-1) contains 8 mass % - 95 mass % of the repeating unit represented by Formula (P4-1) with respect to the total mass of resin, 20 mass % It is more preferable to contain -88 mass %.

또, 식 (P4-1)에 기재된 수산기는 적절히 치환기 T 또는 그것과 연결기 L을 조합한 기로 치환되어 있어도 된다. 치환기 T는 복수 존재할 때 서로 결합하거나, 혹은 연결기 L을 개재하거나 또는 개재하지 않고 식 중의 환과 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.Moreover, the hydroxyl group described in Formula (P4-1) may be suitably substituted by the group which combined the substituent T or it and the coupling group L. When a plurality of substituents T exist, they may be bonded to each other, or may be bonded to the ring in the formula with or without a linking group L to form a ring.

치환기 T로서는, 알킬기(탄소수 1~24가 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하며, 1~6이 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~21이 바람직하고, 7~15가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~24가 바람직하고, 2~12가 보다 바람직하며, 2~6이 더 바람직하다), 알카인일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 수산기, 아미노기(탄소수 0~24가 바람직하고, 0~12가 보다 바람직하며, 0~6이 더 바람직하다), 싸이올기, 카복시기, 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 알콕실기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 아릴옥시기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 아실기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아실옥시기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴로일기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다), 아릴로일옥시기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다), 카바모일기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 설파모일기(탄소수 0~12가 바람직하고, 0~6이 보다 바람직하며, 0~3이 더 바람직하다), 설포기, 알킬설폰일기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 아릴설폰일기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 헤테로아릴기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~8이 보다 바람직하며, 2~5가 더 바람직하고, 5원환 또는 6원환을 포함하는 것이 바람직하다), (메트)아크릴로일기, (메트)아크릴로일옥시기, 할로젠 원자(예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 아이오딘 원자), 옥소기(=O), 이미노기(=NRN), 알킬리덴기(=C(RN)2) 등을 들 수 있다. RN은 수소 원자 또는 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다)이고, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 또는 프로필기가 바람직하다. 각 치환기에 포함되는 알킬 부위, 알켄일 부위, 및 알카인일 부위는 쇄상이어도 되고 환상이어도 되며, 직쇄여도 되고 분기여도 된다. 상기 치환기 T가 치환기를 취할 수 있는 기인 경우에는 치환기 T를 더 가져도 된다. 예를 들면, 알킬기는 할로젠화 알킬기가 되어도 되고, (메트)아크릴로일옥시알킬기, 아미노알킬기나 카복시알킬기가 되어 있어도 된다. 치환기가 카복시기나 아미노기 등의 염을 형성할 수 있는 기인 경우, 그 기가 염을 형성하고 있어도 된다.As substituent T, an alkyl group (C1-C24 is preferable, 1-12 are more preferable, and 1-6 are still more preferable), an arylalkyl group (C7-C21 is preferable, 7-15 are more preferable, 7-11 are more preferable), an alkenyl group (C2-C24 is preferable, 2-12 are more preferable, and 2-6 are still more preferable), an alkynyl group (C2-C12 are preferable, 2 -6 are more preferable, 2-3 are more preferable), a hydroxyl group, an amino group (C0-24 are preferable, 0-12 are more preferable, 0-6 are still more preferable), a thiol group, a carboxy group , aryl group (C6-22 are preferable, 6-18 are more preferable, 6-10 are still more preferable), alkoxyl group (C1-C12 are preferable, 1-6 are more preferable, 1- 3 is more preferable), an aryloxy group (C6-C22 is preferable, 6-18 are more preferable, and 6-10 are still more preferable), an acyl group (C2-C12 are preferable, 2-6 are preferable. This is more preferable, and 2-3 are more preferable), an acyloxy group (C2-C12 is preferable, 2-6 are more preferable, and 2-3 are still more preferable), an aryloyl group (C7-C12 are preferable. 23 are preferable, 7-19 are more preferable, 7-11 are still more preferable), aryloyloxy group (C7-23 are preferable, 7-19 are more preferable, 7-11 are still more preferable. ), a carbamoyl group (preferably having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3), a sulfamoyl group (preferably having 0 to 12 carbon atoms, more preferably 0 to 6 carbon atoms) , 0-3 are more preferable), a sulfo group, an alkylsulfonyl group (C1-C12 is preferable, 1-6 are more preferable, and 1-3 are more preferable), an arylsulfonyl group (C6-C22 is preferable) is preferable, 6-18 are more preferable, 6-10 are more preferable), heteroaryl group (C1-C12 are preferable, 1-8 are more preferable, 2-5 are still more preferable, 5 It is preferable to include a ring or 6-membered ring), (meth)acryloyl group, (meth)acryloyloxy group, halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), oxo group (=O), imino group (=NR N ), alkylidene group (=C(R N ) 2 ), etc. can be heard R N is a hydrogen atom or an alkyl group (C1-C12 is preferable, 1-6 are more preferable, and 1-3 are still more preferable), and a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or a propyl group is preferable. The alkyl moiety, alkenyl moiety, and alkynyl moiety contained in each substituent may be linear or cyclic, and may be linear or branched. When the said substituent T is group which can take a substituent, you may have the substituent T further. For example, an alkyl group may become a halogenated alkyl group, and may become a (meth)acryloyloxyalkyl group, an aminoalkyl group, or a carboxyalkyl group. When the substituent is a group capable of forming a salt such as a carboxy group or an amino group, the group may form a salt.

연결기 L로서는, 알킬렌기(탄소수 1~24가 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하며, 1~6이 더 바람직하다), 알켄일렌기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 알카인일렌기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), (올리고)알킬렌옥시기(1개의 반복 단위 중의 알킬렌기의 탄소수는 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다; 반복수는 1~50이 바람직하고, 1~40이 보다 바람직하며, 1~30이 더 바람직하다), 아릴렌기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 산소 원자, 황 원자, 설폰일기, 카보닐기, 싸이오카보닐기, -NRN-, 및 그들의 조합에 관한 연결기를 들 수 있다. 본 명세서에 있어서, "(올리고)알킬렌옥시기"는, 구성 단위인 "알킬렌옥시"를 1 이상 갖는 2가의 연결기를 의미한다. 구성 단위 중의 알킬렌쇄의 탄소수는, 구성 단위마다 동일해도 되고 상이해도 된다. 알킬렌기는 치환기 T를 갖고 있어도 된다. 예를 들면, 알킬렌기가 수산기를 갖고 있어도 된다. 연결기 L에 포함되는 원자수는 수소 원자를 제외하고 1~50이 바람직하며, 1~40이 보다 바람직하고, 1~30이 더 바람직하다. 연결 원자수는 연결에 관여하는 원자단 중 최단의 도정(道程)에 위치하는 원자수를 의미한다. 예를 들면, -CH2-(C=O)-O-이면, 연결에 관여하는 원자는 6개이며, 수소 원자를 제외해도 4개이다. 한편 연결에 관여하는 최단의 원자는 -C-C-O-이며, 3개가 된다. 이 연결 원자수로서, 1~24가 바람직하고, 1~12가 보다 바람직하며, 1~6이 더 바람직하다. 또한, 상기 알킬렌기, 알켄일렌기, 알카인일렌기, (올리고)알킬렌옥시기는, 쇄상이어도 되고 환상이어도 되며, 직쇄여도 되고 분기여도 된다. 연결기가 -NRN- 등의 염을 형성할 수 있는 기인 경우, 그 기가 염을 형성하고 있어도 된다.As linking group L, an alkylene group (C1-C24 is preferable, 1-12 are more preferable, and 1-6 are still more preferable), an alkenylene group (C2-C12 is preferable, 2-6 are more preferable. and 2 to 3 are more preferable), an alkynylene group (preferably having 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6, and still more preferably 2 to 3), an (oligo)alkyleneoxy group (one The number of carbon atoms of the alkylene group in the repeating unit is preferably 1 to 12, more preferably 1 to 6, and still more preferably 1 to 3; the number of repeats is preferably 1 to 50, more preferably 1 to 40, and 1 -30 is more preferable), an arylene group (C6-22 is preferable, 6-18 are more preferable, 6-10 are still more preferable), an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfonyl group, a carbonyl group, thioca. and a linking group relating to a bornyl group, —NR N —, and combinations thereof. In the present specification, the "(oligo)alkyleneoxy group" means a divalent linking group having one or more "alkyleneoxy" structural units. Carbon number of the alkylene chain in a structural unit may be same or different for every structural unit. The alkylene group may have a substituent T. For example, the alkylene group may have a hydroxyl group. 1-50 are preferable except a hydrogen atom, as for the number of atoms contained in the coupling group L, 1-40 are more preferable, and 1-30 are still more preferable. The number of connecting atoms refers to the number of atoms located in the shortest path among atomic groups involved in the connection. For example, if -CH 2 -(C=O)-O-, the number of atoms involved in the connection is 6, and 4 is also excluded from the hydrogen atom. On the other hand, the shortest atom involved in the connection is -CCO-, and there are three. As this number of connection atoms, 1-24 are preferable, 1-12 are more preferable, and 1-6 are still more preferable. In addition, the said alkylene group, an alkenylene group, an alkynylene group, and the (oligo)alkyleneoxy group may be linear or cyclic|annular, and may be linear or a branch may be sufficient as them. When a linking group is a group capable of forming a salt such as -NR N -, the group may form a salt.

또, 수용성 수지로서는 시판품을 이용해도 되고, 시판품으로서는, 다이이치 고교 세이야쿠(주)제 핏츠콜 시리즈(K-30, K-50, K-80, K-90, V-7154 등), BASF사제 LUVITEC 시리즈(VA64P, VA6535P 등), 니혼 사쿠비·포발(주)제 PXP-05, JL-05E, JP-03, JP-04, AMPS, 알드리치사제 Nanoclay 등을 들 수 있다.Moreover, as a water-soluble resin, you may use a commercial item, As a commercial item, Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd. Fitzcall series (K-30, K-50, K-80, K-90, V-7154, etc.), BASF LUVITEC series (VA64P, VA6535P, etc.) manufactured by the company, PXP-05, JL-05E, JP-03, JP-04 manufactured by Nippon Sakubi Poval Co., Ltd., Nanoclay manufactured by Aldrich, etc. are mentioned.

이들 중에서도, 핏츠콜 K-90, PXP-05 또는 핏츠콜 V-7154를 이용하는 것이 바람직하고, 핏츠콜 V-7154를 이용하는 것이 보다 바람직하다.Among these, it is preferable to use Fitzcall K-90, PXP-05, or Fitzcall V-7154, and it is more preferable to use Fitzcall V-7154.

수용성 수지에 대해서는, 국제 공개공보 제2016/175220호에 기재된 수지를 인용하여, 본 명세서에 원용된다.About the water-soluble resin, the resin of International Publication No. 2016/175220 is cited, and it is integrated in this specification.

수용성 수지의 중량 평균 분자량은, 수용성 수지의 종류에 따라 적절히 선택된다. 본 명세서에 있어서, 수용성 수지의 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, GPC 측정에 의한 폴리에터옥사이드 환산값으로 한다. 특히, 수용성 수지가 폴리바이닐알코올(PVA)인 경우에는, 중량 평균 분자량은, 10,000~100,000인 것이 바람직하다. 이 수치 범위의 상한은, 80,000 이하인 것이 바람직하고, 60,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 13,000 이상인 것이 바람직하고, 15,000 이상인 것이 보다 바람직하다. 수용성 수지가 폴리바이닐피롤리돈(PVP)인 경우에는, 중량 평균 분자량은, 20,000~2,000,000인 것이 바람직하다. 이 수치 범위의 상한은, 1,800,000 이하인 것이 바람직하고, 1,500,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 30,000 이상인 것이 바람직하고, 40,000 이상인 것이 보다 바람직하다. 수용성 수지가 수용성 다당류인 경우에는, 중량 평균 분자량은, 50,000~2,000,000인 것이 바람직하다. 이 수치 범위의 상한은, 1,500,000 이하인 것이 바람직하고, 1,300,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 70,000 이상인 것이 바람직하고, 90,000 이상인 것이 보다 바람직하다.The weight average molecular weight of water-soluble resin is suitably selected according to the kind of water-soluble resin. In this specification, let the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of water-soluble resin be polyetheroxide conversion value by GPC measurement. In particular, when the water-soluble resin is polyvinyl alcohol (PVA), the weight average molecular weight is preferably 10,000 to 100,000. It is preferable that it is 80,000 or less, and, as for the upper limit of this numerical range, it is more preferable that it is 60,000 or less. Moreover, it is preferable that it is 13,000 or more, and, as for the lower limit of this numerical range, it is more preferable that it is 15,000 or more. When water-soluble resin is polyvinylpyrrolidone (PVP), it is preferable that weight average molecular weights are 20,000-2,000,000. It is preferable that it is 1,800,000 or less, and, as for the upper limit of this numerical range, it is more preferable that it is 1,500,000 or less. Moreover, it is preferable that it is 30,000 or more, and, as for the lower limit of this numerical range, it is more preferable that it is 40,000 or more. When water-soluble resin is a water-soluble polysaccharide, it is preferable that weight average molecular weights are 50,000-2,000,000. It is preferable that it is 1,500,000 or less, and, as for the upper limit of this numerical range, it is more preferable that it is 1,300,000 or less. Moreover, it is preferable that it is 70,000 or more, and, as for the lower limit of this numerical range, it is more preferable that it is 90,000 or more.

수용성 수지의 분자량 분산도(중량 평균 분자량/수평균 분자량, 간단히 "분산도"라고도 한다.)는, 1.0~5.0이 바람직하고, 2.0~4.0이 보다 바람직하다.1.0-5.0 are preferable and, as for the molecular weight dispersion degree (weight average molecular weight/number average molecular weight, also simply "dispersion degree") of water-soluble resin, 2.0-4.0 are more preferable.

또한, 본 발명에 있어서, 보호층 형성용 조성물은, 수용성 수지로서, 고분자량체(예를 들면, 중량 평균 분자량이 10,000 이상인 수용성 수지)와, 이 고분자량체의 중량 평균 분자량보다 작은 중량 평균 분자량을 갖는 저분자량체를 포함하고, 또한, 저분자량체의 중량 평균 분자량이, 고분자량체의 중량 평균 분자량의 절반 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 저분자량체가 제거액(특히 물)에 신속하게 용출되고, 저분자량체가 용출된 부분을 기점으로 하여 고분자량체도 제거되기 쉬워지기 때문에, 보호층 제거 후의 보호층의 잔사가 보다 저감되는 효과가 얻어진다. 또, 보호층 형성용 조성물을 사용하여 보호층을 형성할 때에, 보호층에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다.Further, in the present invention, the composition for forming a protective layer is a water-soluble resin, which has a high molecular weight material (for example, a water-soluble resin having a weight average molecular weight of 10,000 or more) and a weight average molecular weight smaller than the weight average molecular weight of the high molecular weight material. It is preferable that the weight average molecular weight of a low molecular weight body is half or less of the weight average molecular weight of a high molecular weight body including a low molecular weight body. In this way, the low molecular weight substance is rapidly eluted into the removal solution (especially water), and the high molecular weight substance is also easily removed starting from the portion where the low molecular weight substance was eluted. lose Moreover, when forming a protective layer using the composition for protective layer formation, it can suppress that a crack arises in a protective layer.

본 발명에 있어서, 보호층 형성용 조성물이 상기 고분자량체 및 상기 저분자량체를 포함하는지 아닌지는, 예를 들면, 보호층 형성용 조성물 또는 수용성 수지의 분자량 분포를 취했을 때에, 피크 톱(극댓값)을 2개 이상 확인할 수 있는지 아닌지에 근거하여 판단할 수 있다.In the present invention, whether or not the composition for forming a protective layer contains the high molecular weight substance and the low molecular weight substance is determined by, for example, taking the molecular weight distribution of the composition for forming a protective layer or the water-soluble resin, the peak top (maximum value) of 2 It can be judged based on whether or not more than one can be confirmed.

고분자량체의 중량 평균 분자량은, 20,000 이상인 것이 바람직하고, 45,000 이상인 것이 바람직하다. 또, 고분자량체의 중량 평균 분자량은, 2,000,000 이하인 것이 바람직하고, 1,500,000 이하여도 된다. 고분자량체에 대한 저분자량체의 분자량비(=저분자량체의 중량 평균 분자량/고분자량체의 중량 평균 분자량)는, 0.4 이하인 것이 바람직하다. 이 분자량비의 상한은, 0.3 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.2 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 상기 분자량비의 하한은, 특별히 제한되지 않지만, 0.001 이상인 것이 바람직하고, 0.01 이상이어도 된다.It is preferable that it is 20,000 or more, and, as for the weight average molecular weight of a high molecular weight body, it is preferable that it is 45,000 or more. Moreover, it is preferable that it is 2,000,000 or less, and, as for the weight average molecular weight of a high molecular weight body, 1,500,000 or less may be sufficient. It is preferable that the molecular weight ratio (= weight average molecular weight of low molecular weight body/weight average molecular weight of high molecular weight body) of the low molecular weight body to a high molecular weight body is 0.4 or less. As for the upper limit of this molecular weight ratio, it is more preferable that it is 0.3 or less, and it is still more preferable that it is 0.2 or less. Moreover, although the lower limit in particular of the said molecular weight ratio is not restrict|limited, It is preferable that it is 0.001 or more, and 0.01 or more may be sufficient.

또, 본 발명에서 사용하는 수용성 수지 전체의 분자량 분포에 있어서, 2개 이상의 피크 톱이 존재하고, 이 2개 이상의 피크 톱 중, 1개의 피크 톱에 대응하는 분자량이, 다른 1개의 피크 톱에 대응하는 분자량의 절반 이하인 것도 바람직하다. 이로써, 저분자량체의 중량 평균 분자량이 고분자량체의 중량 평균 분자량의 절반 이하인 경우와 동일한 효과가 얻어진다. 상기와 같은 분자량 분포를 갖는 수용성 수지는, 예를 들면, 상기 고분자량체 및 상기 저분자량체를 혼합함으로써 얻어진다. 분자량 분포 중에 복수의 피크가 확인되는 경우에는, 그들 피크 톱 중에서 2개 1세트의 피크 톱을 선택하고, 적어도 1세트의 피크 톱에 대하여, 일방의 피크 톱에 대응하는 분자량이, 타방의 피크 톱에 대응하는 분자량의 절반 이하이면 된다.In addition, in the molecular weight distribution of the entire water-soluble resin used in the present invention, two or more peak tops exist, and among these two or more peak tops, a molecular weight corresponding to one peak top corresponds to another peak top. It is also preferable that it is half or less of the molecular weight to be used. Thereby, the same effect as the case where the weight average molecular weight of a low molecular weight body is half or less of the weight average molecular weight of a high molecular weight body is acquired. The water-soluble resin which has the above molecular weight distribution is obtained by mixing the said high molecular weight substance and the said low molecular weight substance. When a plurality of peaks are identified in the molecular weight distribution, two sets of peak tops are selected from among those peak tops, and with respect to at least one set of peak tops, the molecular weight corresponding to one peak top is the other peak top. It may be less than half of the molecular weight corresponding to .

상기 피크 톱이 대응하는 분자량(피크 톱 분자량) 중 큰 쪽은, 20,000 이상인 것이 바람직하고, 45,000 이상인 것이 바람직하다. 또, 상기 피크 톱 분자량이 큰 쪽은, 2,000,000 이하인 것이 바람직하고, 1,500,000 이하여도 된다. 상기 피크 톱 분자량이 큰 쪽에 대한 작은 쪽의 분자량비(=피크 톱 분자량이 작은 쪽/피크 톱 분자량이 큰 쪽)는, 0.4 이하인 것이 바람직하다. 이 분자량비의 상한은, 0.3 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.2 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 상기 분자량비의 하한은, 특별히 제한되지 않지만, 0.001 이상인 것이 바람직하고, 0.01 이상이어도 된다.It is preferable that it is 20,000 or more, and, as for the larger one of the molecular weights (peak top molecular weight) to which the said peak top corresponds, it is preferable that it is 45,000 or more. Moreover, it is preferable that it is 2,000,000 or less, and the one with the larger said peak top molecular weight may be 1,500,000 or less. It is preferable that the molecular weight ratio of the smaller one with respect to the one with the larger peak top molecular weight (= the one with the smaller peak top molecular weight/the one with the larger peak top molecular weight) is 0.4 or less. As for the upper limit of this molecular weight ratio, it is more preferable that it is 0.3 or less, and it is still more preferable that it is 0.2 or less. Moreover, although the lower limit in particular of the said molecular weight ratio is not restrict|limited, It is preferable that it is 0.001 or more, and 0.01 or more may be sufficient.

고분자량체의 중량 평균 분자량과 저분자량체의 중량 평균 분자량의 차(수용성 수지 전체의 분자량 분포를 취한 경우에는, 피크 간의 분자량 거리)는, 고분자량체로서 PVA를 포함하는 경우에는, 10,000~80,000인 것이 바람직하고, 20,000~60,000인 것이 보다 바람직하다. 고분자량체로서 PVP를 포함하는 경우에는, 상기 차는, 50,000~1,500,000인 것이 바람직하고, 100,000~1,200,000인 것이 보다 바람직하다. 고분자량체로서 수용성 다당류를 포함하는 경우에는, 상기 차는, 50,000~1,500,000인 것이 바람직하고, 100,000~1,200,000인 것이 보다 바람직하다.The difference between the weight average molecular weight of the high molecular weight substance and the weight average molecular weight of the low molecular weight substance (molecular distance between peaks when the molecular weight distribution of the entire water-soluble resin is taken) is preferably 10,000 to 80,000 when PVA is included as the high molecular weight substance And, it is more preferable that it is 20,000-60,000. When PVP is included as a high molecular weight body, it is preferable that it is 50,000-1,500,000, and, as for the said difference, it is more preferable that it is 100,000-1,200,000. When a water-soluble polysaccharide is included as a high molecular weight body, it is preferable that it is 50,000-1,500,000, and, as for the said difference, it is more preferable that it is 100,000-1,200,000.

특히, 본 발명에 있어서, 수용성 수지는, 고분자량체로서, 중량 평균 분자량이 20,000 이상인 PVA를 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 중량 평균 분자량은, 30,000 이상인 것이 보다 바람직하며, 40,000 이상인 것이 더 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서, 수용성 수지는, 고분자량체로서, 중량 평균 분자량이 300,000 이상인 PVP를 포함하는 것도 바람직하다. 이 경우, 중량 평균 분자량은, 400,000 이상인 것이 보다 바람직하며, 500,000 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서, 수용성 수지는, 고분자량체로서, 중량 평균 분자량이 300,000 이상인 수용성 다당류를 포함하는 것도 바람직하다. 이 경우, 중량 평균 분자량은, 400,000 이상인 것이 보다 바람직하며, 500,000 이상인 것이 더 바람직하다.In particular, in the present invention, the water-soluble resin preferably contains PVA having a weight average molecular weight of 20,000 or more as a high molecular weight substance. In this case, as for a weight average molecular weight, it is more preferable that it is 30,000 or more, and it is still more preferable that it is 40,000 or more. Moreover, in this invention, it is also preferable that the water-soluble resin contains PVP with a weight average molecular weight of 300,000 or more as a high molecular weight substance. In this case, as for a weight average molecular weight, it is more preferable that it is 400,000 or more, and it is still more preferable that it is 500,000 or more. Further, in the present invention, the water-soluble resin preferably contains a water-soluble polysaccharide having a weight average molecular weight of 300,000 or more as a high molecular weight substance. In this case, as for a weight average molecular weight, it is more preferable that it is 400,000 or more, and it is still more preferable that it is 500,000 or more.

고분자량체와 저분자량체의 바람직한 조합은, 예를 들면 하기와 같다. 수용성 수지는, 하기의 조합 중 1개의 요건만을 충족시켜도 되지만, 2개 이상의 조합의 요건을 동시에 충족시키는 양태여도 된다.A preferable combination of the high molecular weight substance and the low molecular weight substance is, for example, as follows. Although the water-soluble resin may satisfy only one requirement of the following combinations, the aspect which satisfy|fills the requirements of two or more combinations simultaneously may be sufficient as it.

·중량 평균 분자량 Mw가 30,000~100,000인 PVA(고분자량체)와, Mw가 10,000~40,000인 PVA(저분자량체)의 조합.- Combination of PVA (high molecular weight body) whose weight average molecular weight Mw is 30,000-100,000, and PVA (low molecular weight body) whose Mw is 10,000-40,000.

·Mw가 500,000~1,500,000인 PVP(고분자량체)와, Mw가 30,000~600,000인 PVP(저분자량체)의 조합.Combination of PVP (high molecular weight substance) having Mw of 500,000 to 1,500,000 and PVP (low molecular weight substance) having Mw of 30,000 to 600,000.

·Mw가 500,000~1,500,000인 수용성 다당류(고분자량체)와, Mw가 50,000~600,000인 수용성 다당류(저분자량체)의 조합.Combination of water-soluble polysaccharides (high molecular weight) with Mw of 500,000 to 1,500,000 and water-soluble polysaccharides (low molecular weight) with Mw of 50,000 to 600,000.

·Mw가 500,000~1,500,000인 PVP(고분자량체)와, Mw가 10,000~100,000인 PVA(저분자량체)의 조합.Combination of PVP (high molecular weight body) having Mw of 500,000 to 1,500,000 and PVA (low molecular weight body) having Mw of 10,000 to 100,000.

·Mw가 500,000~1,500,000인 수용성 다당류(고분자량체)와, Mw가 10,000~100,000인 PVA(저분자량체)의 조합.Combination of water-soluble polysaccharides (high molecular weight substances) having a Mw of 500,000 to 1,500,000 and PVA (low molecular weight substances) having an Mw of 10,000 to 100,000.

·Mw가 500,000~1,500,000인 PVP(고분자량체)와, Mw가 50,000~600,000인 수용성 다당류(저분자량체)의 조합.Combination of a PVP (high molecular weight substance) having a Mw of 500,000 to 1,500,000 and a water-soluble polysaccharide (a low molecular weight substance) having an Mw of 50,000 to 600,000.

·Mw가 500,000~1,500,000인 수용성 다당류(고분자량체)와, Mw가 30,000~600,000인 PVP(저분자량체)의 조합.Combination of water-soluble polysaccharides (high molecular weight substances) having a Mw of 500,000 to 1,500,000 and PVP (low molecular weight substances) having an Mw of 30,000 to 600,000.

고분자량체의 함유량은, 전체 수용성 수지에 대하여 50질량% 이하인 것이 바람직하다. 이 수치 범위의 상한은, 40질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 30질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 5질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 10질량% 이상인 것이 더 바람직하다.It is preferable that content of a high molecular weight body is 50 mass % or less with respect to all the water-soluble resins. It is more preferable that it is 40 mass % or less, and, as for the upper limit of this numerical range, it is more preferable that it is 30 mass % or less. Moreover, it is more preferable that it is 5 mass % or more, and, as for the lower limit of this numerical range, it is still more preferable that it is 10 mass % or more.

한편, 수용성 수지는, 저분자량체를 실질적으로 포함하지 않는 양태여도 된다. 본 발명에 있어서, "저분자량체를 실질적으로 포함하지 않는다"란, 저분자량체의 함유량이, 전체 수용성 수지에 대하여 3질량% 이하인 것을 의미한다. 이 양태에 있어서, 저분자량체의 함유량은, 전체 수용성 수지에 대하여 1질량% 이하인 것이 바람직하다.In addition, the aspect which does not contain a low molecular-weight body substantially may be sufficient as water-soluble resin. In the present invention, "it does not contain a low molecular weight substance substantially" means that content of a low molecular weight substance is 3 mass % or less with respect to all the water-soluble resins. In this aspect, it is preferable that content of a low molecular-weight body is 1 mass % or less with respect to all the water-soluble resins.

보호층 형성용 조성물 중의 전체 수용성 수지의 함유량은, 필요에 따라 적절히 조절하면 되는, 고형분 중, 30질량% 이하인 것이 바람직하고, 25질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 20질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 하한으로서는, 1질량% 이상인 것이 바람직하고, 2질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 4질량% 이상인 것이 더 바람직하다.The content of the total water-soluble resin in the composition for forming a protective layer is preferably 30 mass % or less, more preferably 25 mass % or less, and still more preferably 20 mass % or less, in solid content, which may be appropriately adjusted as necessary. As a minimum, it is preferable that it is 1 mass % or more, It is more preferable that it is 2 mass % or more, It is more preferable that it is 4 mass % or more.

보호층 형성용 조성물은, 수용성 수지를 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 수용성 수지가 2종 이상 포함되는 경우에는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The composition for forming a protective layer may contain only 1 type of water-soluble resin, and may contain 2 or more types. When 2 or more types of water-soluble resin are contained, it is preferable that those total amounts become the said range.

<<다른 성분>><<Other Ingredients>>

본 발명에 있어서, 보호층 형성용 조성물은, 다른 성분으로서, 후술하는 수용성 용제(알코올 등)에 용해 가능한 수지, 아세틸렌기를 포함하는 계면활성제, 다른 계면활성제, 방부제, 곰팡이 방지제, 차광제, 및, 다른 용제로서 수용성 용제를 포함할 수 있다.In the present invention, the composition for forming a protective layer includes, as other components, a resin soluble in a water-soluble solvent (alcohol, etc.) to be described later, a surfactant containing an acetylene group, other surfactants, preservatives, fungicides, light-shielding agents, and; As another solvent, a water-soluble solvent may be included.

〔수용성 용제에 용해 가능한 수지〕[Resin soluble in water-soluble solvent]

수용성 용제에 용해 가능한 수지란, 23℃에 있어서의 수용성 용제 100g에 대하여 1g 이상 용해하는 수지를 말한다. 그리고, 수용성 수지는, 23℃에 있어서의 수용성 용제 100g에 대하여 5g 이상 용해하는 수지인 것이 바람직하고, 10g 이상 용해하는 수지인 것이 보다 바람직하며, 20g 이상 용해하는 수지인 것이 더 바람직하다. 용해량의 상한은 특별히 없지만, 30g 정도인 것이 실제적이다.Resin soluble in a water-soluble solvent means resin which melt|dissolves 1 g or more with respect to 100 g of water-soluble solvents in 23 degreeC. The water-soluble resin is preferably a resin that dissolves 5 g or more with respect to 100 g of the water-soluble solvent at 23°C, more preferably a resin that dissolves 10 g or more, and still more preferably a resin that dissolves 20 g or more. Although there is no upper limit in particular of a dissolution amount, it is practical that it is about 30 g.

수용성 용제에 용해 가능한 수지는, 수용성 용제인 알코올에 용해 가능한 알코올 용해성 수지인 것이 바람직하고, 폴리바이닐아세탈인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is alcohol-soluble resin soluble in the alcohol which is a water-soluble solvent, and, as for resin soluble in a water-soluble solvent, it is more preferable that it is polyvinyl acetal.

〔아세틸렌기를 포함하는 계면활성제〕[Surfactant containing an acetylene group]

보호층 형성용 조성물이, 아세틸렌기를 포함하는 계면활성제를 포함함으로써, 잔사의 발생을 보다 억제할 수 있다.When the composition for forming a protective layer contains a surfactant containing an acetylene group, generation of a residue can be further suppressed.

아세틸렌기를 포함하는 계면활성제에 있어서의, 분자 내의 아세틸렌기의 수는, 특별히 제한되지 않지만, 1~10개가 바람직하고, 1~5개가 보다 바람직하며, 1~3개가 더 바람직하고, 1~2개가 한층 바람직하다.Although the number in particular of the acetylene group in a molecule|numerator in surfactant containing an acetylene group is not restrict|limited, 1-10 are preferable, 1-5 are more preferable, 1-3 are still more preferable, 1-2 are more preferably.

아세틸렌기를 포함하는 계면활성제의 분자량은 비교적 작은 것이 바람직하며, 2,000 이하인 것이 바람직하고, 1,500 이하인 것이 보다 바람직하며, 1,000 이하인 것이 더 바람직하다. 하한값은 특별히 없지만, 200 이상인 것이 바람직하다.The molecular weight of the surfactant containing an acetylene group is preferably relatively small, preferably 2,000 or less, more preferably 1,500 or less, and still more preferably 1,000 or less. Although there is no particular lower limit, it is preferable that it is 200 or more.

-식 (9)로 나타나는 화합물--Compound represented by Formula (9)-

아세틸렌기를 포함하는 계면활성제는 하기 식 (9)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that surfactant containing an acetylene group is a compound represented by following formula (9).

[화학식 4][Formula 4]

Figure pct00004
Figure pct00004

식 중, R91 및 R92는, 각각 독립적으로, 탄소수 3~15의 알킬기, 탄소수 6~15의 방향족 탄화 수소기, 또는, 탄소수 4~15의 방향족 헤테로아릴기이다. 방향족 헤테로아릴기의 탄소수는, 1~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~4가 더 바람직하다. 방향족 헤테로환은 5원환 또는 6원환이 바람직하다. 방향족 헤테로아릴기가 포함하는 헤테로 원자는 질소 원자, 산소 원자, 또는 황 원자가 바람직하다.In the formula, R 91 and R 92 are each independently an alkyl group having 3 to 15 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 15 carbon atoms, or an aromatic heteroaryl group having 4 to 15 carbon atoms. 1-12 are preferable, as for carbon number of an aromatic heteroaryl group, 2-6 are more preferable, 2-4 are still more preferable. The aromatic heterocycle is preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring. The hetero atom contained in the aromatic heteroaryl group is preferably a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom.

R91 및 R92는, 각각 독립적으로, 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환기로서는 상술한 치환기 T를 들 수 있다.R 91 and R 92 each independently may have a substituent, and examples of the substituent include the substituent T described above.

-식 (91)로 나타나는 화합물--Compound represented by Formula (91)-

식 (9)로 나타나는 화합물로서는, 하기 식 (91)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.As a compound represented by Formula (9), it is preferable that it is a compound represented by following formula (91).

[화학식 5][Formula 5]

Figure pct00005
Figure pct00005

R93~R96은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~24의 탄화 수소기이고, n9는 1~6의 정수이며, m9는 n9의 2배의 정수이고, n10은 1~6의 정수이며, m10은 n10의 2배의 정수이고, l9 및 l10은, 각각 독립적으로, 0 이상 12 이하의 수이다.R 93 to R 96 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, n9 is an integer of 1 to 6, m9 is an integer twice that of n9, n10 is an integer of 1 to 6, m10 is an integer twice as large as n10, and 19 and 11 are each independently a number of 0 or more and 12 or less.

R93~R96은 탄화 수소기이지만, 그중에서도 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 알카인일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다)인 것이 바람직하다. 알킬기, 알켄일기, 알카인일기는 직쇄상이어도 되고 환상이어도 되며, 직쇄여도 되고 분기여도 된다. R93~R96은 본 발명의 효과를 나타내는 범위에서 치환기 T를 갖고 있어도 된다. 또, R93~R96은 서로 결합하거나, 또는 상술한 연결기 L을 개재하여 환을 형성하고 있어도 된다. 치환기 T는, 복수 존재할 때는 서로 결합하거나, 혹은 하기 연결기 L을 개재하거나 또는 개재하지 않고 식 중의 탄화 수소기와 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.Although R 93 to R 96 are hydrocarbon groups, among them, an alkyl group (preferably having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms), 2-6 are more preferable, 2-3 are more preferable), an alkynyl group (C2-C12 are preferable, 2-6 are more preferable, and 2-3 are still more preferable), an aryl group (the number of carbon atoms) 6-22 are preferable, 6-18 are more preferable, 6-10 are more preferable), an arylalkyl group (C7-23 are preferable, 7-19 are more preferable, 7-11 are still more preferable. ) is preferred. An alkyl group, an alkenyl group, and an alkynyl group may be linear or cyclic|annular may be sufficient as them, and linear or branched may be sufficient as them. R 93 to R 96 may have a substituent T within the range showing the effects of the present invention. In addition, R 93 to R 96 may be bonded to each other or may form a ring through the above-described linking group L. When a plurality of substituents T exist, they may be bonded to each other, or may be bonded to a hydrocarbon group in the formula with or without the following linking group L to form a ring.

R93 및 R94는 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다)인 것이 바람직하다. 그중에서도 메틸기가 바람직하다.It is preferable that R 93 and R 94 are an alkyl group (C1-C12 are preferable, 1-6 are more preferable, and 1-3 are more preferable). Among them, a methyl group is preferable.

R95 및 R96은 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 3~6이 더 바람직하다)인 것이 바람직하다. 그중에서도, -(Cn11R98 m11)-R97이 바람직하다. R95, R96은 특히 아이소뷰틸기인 것이 바람직하다.It is preferable that R 95 and R 96 are an alkyl group (C1-C12 is preferable, 2-6 are more preferable, and 3-6 are still more preferable). Among them, -(C n11 R 98 m11 )-R 97 is preferable. It is preferable that R 95 and R 96 are especially isobutyl groups.

n11은 1~6의 정수이며, 1~3의 정수가 바람직하다. m11은 n11의 2배의 수이다.n11 is an integer of 1-6, and the integer of 1-3 is preferable. m11 is a number twice n11.

R97 및 R98은, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다)인 것이 바람직하다.It is preferable that R 97 and R 98 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group (C1-C12 are preferable, 1-6 are more preferable, and it is preferable that 1-3 are still more preferable).

n9는 1~6의 정수이며, 1~3의 정수가 바람직하다. m9는 n9의 2배의 정수이다.n9 is an integer of 1-6, and the integer of 1-3 is preferable. m9 is an integer twice n9.

n10은 1~6의 정수이며, 1~3의 정수가 바람직하다. m10은 n10의 2배의 정수이다.n10 is an integer of 1-6, and the integer of 1-3 is preferable. m10 is an integer twice n10.

l9 및 l10은, 각각 독립적으로, 0~12의 수이다. 단, l9+l10은 0~12의 수인 것이 바람직하고, 0~8의 수인 것이 보다 바람직하며, 0~6의 수가 더 바람직하고, 0 초과 6 미만의 수가 한층 바람직하며, 0 초과 3 이하의 수가 보다 한층 바람직하다. 또한, l9, l10에 대해서는, 식 (91)의 화합물이 그 수에 있어서 상이한 화합물의 혼합물이 되는 경우가 있고, 그때에는 l9 및 l10의 수, 혹은 l9+l10이, 소수점 이하가 포함된 수여도 된다.19 and 11 are each independently a number of 0-12. However, as for l9+l10, it is preferable that it is the number of 0-12, It is more preferable that it is the number of 0-8, The number of 0-6 is still more preferable, The number of more than 0 and less than 6 is still more preferable, The number of more than 0 and 3 or less It is even more preferable. In addition, with respect to l9 and l10, the compound of formula (91) may be a mixture of compounds different in the number, in that case, the number of l9 and l10, or l9+l10, is an award including a decimal point. do.

-식 (92)로 나타나는 화합물--Compound represented by Formula (92)-

식 (91)로 나타나는 화합물은, 하기 식 (92)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that the compound represented by Formula (91) is a compound represented by following formula (92).

[화학식 6][Formula 6]

Figure pct00006
Figure pct00006

R93, R94, R97~R100은, 각각 독립적으로, 탄소수 1~24의 탄화 수소기이며, l11 및 l12는, 각각 독립적으로, 0 이상 12 이하의 수이다.R 93 , R 94 , and R 97 to R 100 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 24 carbon atoms, and 11 and 11 are each independently a number of 0 or more and 12 or less.

R93, R94, R97~R100은 그중에서도 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 알켄일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 알카인일기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~22가 바람직하고, 6~18이 보다 바람직하며, 6~10이 더 바람직하다), 아릴알킬기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다)인 것이 바람직하다. 알킬기, 알켄일기, 알카인일기는 쇄상이어도 되고 환상이어도 되며, 직쇄여도 되고 분기여도 된다. R93, R94, R97~R100은 본 발명의 효과를 나타내는 범위에서 치환기 T를 갖고 있어도 된다. 또, R93, R94, R97~R100은 서로 결합하거나, 또는 연결기 L을 개재하여 환을 형성하고 있어도 된다. 치환기 T는, 복수 존재할 때는 서로 결합하거나, 혹은 연결기 L을 개재하거나 또는 개재하지 않고 식 중의 탄화 수소기와 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.Among them, R 93 , R 94 , R 97 to R 100 are an alkyl group (preferably having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms), an alkenyl group (preferably having 2 to 12 carbon atoms). , 2-6 are more preferable, 2-3 are more preferable), an alkynyl group (C2-12 are preferable, 2-6 are more preferable, and 2-3 are more preferable), an aryl group ( C6-C22 is preferable, 6-18 are more preferable, 6-10 are still more preferable), an arylalkyl group (C7-C23 is preferable, 7-19 are more preferable, 7-11 are still more preferable. ) is preferable. The alkyl group, the alkenyl group, and the alkynyl group may be linear or cyclic, and may be linear or branched. R 93 , R 94 , and R 97 to R 100 may have a substituent T within the range showing the effect of the present invention. Further, R 93 , R 94 , and R 97 to R 100 may be bonded to each other or may form a ring through a linking group L. When a plurality of substituents T exist, they may be bonded to each other, or may be bonded to a hydrocarbon group in the formula with or without a linking group L to form a ring.

R93, R94, R97~R100은, 각각 독립적으로, 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다)인 것이 바람직하다. 그중에서도 메틸기가 바람직하다.It is preferable that R 93 , R 94 , and R 97 -R 100 are each independently an alkyl group (C1-C12 is preferable, 1-6 are more preferable, and 1-3 are still more preferable). Among them, a methyl group is preferable.

l11+l12는 0~12의 수인 것이 바람직하고, 0~8의 수인 것이 보다 바람직하며, 0~6의 수가 더 바람직하고, 0 초과 6 미만의 수가 한층 바람직하며, 0 초과 5 이하의 수가 보다 한층 바람직하고, 0 초과 4 이하의 수가 더 한층 바람직하며, 0 초과 3 이하의 수여도 되고, 0 초과 1 이하의 수여도 된다. 또한, l11, l12는, 식 (92)의 화합물이 그 수에 있어서 상이한 화합물의 혼합물이 되는 경우가 있고, 그때에는 l11 및 l12의 수, 혹은 l11+l12가, 소수점 이하가 포함된 수여도 된다.l11+l12 is preferably a number from 0 to 12, more preferably a number from 0 to 8, more preferably a number from 0 to 6, still more preferably a number from more than 0 to less than 6, and still more from a number from more than 0 to 5 and less. Preferably, the number of more than 0 and 4 or less is still more preferable, and the number of more than 0 and 3 or less may be awarded, and the number of more than 0 and 1 or less may be awarded. In addition, 11 and 112 may be a mixture of compounds in which the compound of Formula (92) differs in the number, and in that case, the number of 111 and 112 or 11+112 may be a number including a decimal point. .

아세틸렌기를 포함하는 계면활성제로서는, 서피놀(Surfynol) 104 시리즈(상품명, 닛신 가가쿠 고교 주식회사), 아세틸렌올(Acetyrenol) E00, 동 E40, 동 E13T, 동 60(모두 상품명, 가와켄 파인 케미컬사제)을 들 수 있으며, 그중에서도, 서피놀 104 시리즈, 아세틸렌올 E00, 동 E40, 동 E13T가 바람직하고, 아세틸렌올 E40, 동 E13T가 보다 바람직하다. 또한, 서피놀 104 시리즈와 아세틸렌올 E00은 동일 구조의 계면활성제이다.Examples of the surfactant containing an acetylene group include Surfynol 104 series (trade name, Nisshin Chemical Industry Co., Ltd.), Acetyrenol E00, Copper E40, Copper E13T, Copper 60 (all trade names, manufactured by Kawaken Fine Chemicals) Among them, surfinol 104 series, acetylenol E00, copper E40, and copper E13T are preferable, and acetylenol E40 and copper E13T are more preferable. In addition, Surfinol 104 series and acetylenol E00 are surfactants with the same structure.

〔다른 계면활성제〕[Other Surfactants]

보호층 형성용 조성물은, 도포성을 향상시키는 등의 목적을 위하여, 상기 아세틸렌기를 포함하는 계면활성제 이외의, 다른 계면활성제를 포함하고 있어도 된다.The composition for forming a protective layer may contain other surfactants other than the surfactant containing an acetylene group for the purpose of improving the applicability.

다른 계면활성제로서는, 표면 장력을 저하시키는 것이면, 비이온계, 음이온계, 양성(兩性) 불소계 등, 어떠한 것이어도 상관없다.As another surfactant, any type, such as a nonionic type, an anionic type, an amphoteric fluorine type, may be sufficient as long as it reduces surface tension.

다른 계면활성제로서는, 예를 들면, 폴리옥시에틸렌라우릴에터, 폴리옥시에틸렌세틸에터, 폴리옥시에틸렌스테아릴에터 등의 폴리옥시에틸렌알킬에터류, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에터, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에터 등의 폴리옥시에틸렌알킬아릴에터류, 폴리옥시에틸렌스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌알킬에스터류, 소비탄모노라우레이트, 소비탄모노스테아레이트, 소비탄다이스테아레이트, 소비탄모노올리에이트, 소비탄세스퀴올리에이트, 소비탄트라이올리에이트 등의 소비탄알킬에스터류, 글리세롤모노스테아레이트, 글리세롤모노올리에이트 등의 모노글리세라이드알킬에스터류 등, 불소 혹은 규소를 포함하는 올리고머 등의 비이온계 계면활성제; 도데실벤젠설폰산 나트륨 등의 알킬벤젠설폰산염류, 뷰틸나프탈렌설폰산 나트륨, 펜틸나프탈렌설폰산 나트륨, 헥실나프탈렌설폰산 나트륨, 옥틸나프탈렌설폰산 나트륨 등의 알킬나프탈렌설폰산염류, 라우릴 황산 나트륨 등의 알킬 황산염류, 도데실설폰산 나트륨 등의 알킬설폰산염류, 다이라우릴설포석신산 나트륨 등의 설포석신산 에스터염류 등의, 음이온계 계면활성제; 라우릴베타인, 스테아릴베타인 등의 알킬베타인류, 아미노산류 등의, 양성 계면활성제가 사용 가능하다.As another surfactant, For example, polyoxyethylene alkyl ethers, such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene octylphenyl ether, polyoxy Polyoxyethylene alkylaryl ethers such as ethylene nonylphenyl ether, polyoxyethylene alkyl esters such as polyoxyethylene stearate, sorbitan monolaurate, sorbitan monostearate, sorbitan distearate, and sorbitan monool Ratio of oligomers containing fluorine or silicon, such as sorbitan alkyl esters such as ate, sorbitan sesquioleate, and sorbitan trioleate, and monoglyceride alkyl esters such as glycerol monostearate and glycerol monooleate ionic surfactants; Alkylbenzenesulfonates such as sodium dodecylbenzenesulfonate, sodium butylnaphthalenesulfonate, sodium pentylnaphthalenesulfonate, sodium hexylnaphthalenesulfonate, and sodium octylnaphthalenesulfonate, sodium lauryl sulfate, etc. Anionic surfactants, such as alkylsulfonates, such as alkyl sulfates, sodium dodecylsulfonate, and sulfosuccinic acid ester salts, such as sodium dilaurylsulfosuccinate; Amphoteric surfactants, such as alkyl betaines, such as lauryl betaine and stearyl betaine, and amino acids, can be used.

보호층 형성용 조성물이, 아세틸렌기를 포함하는 계면활성제와, 다른 계면활성제를 포함하는 경우에는, 아세틸렌기를 포함하는 계면활성제와 다른 계면활성제의 총량에서, 계면활성제의 첨가량은, 보호층 형성용 조성물의 전체 질량에 대하여, 바람직하게는 0.05~20질량%, 보다 바람직하게는 0.07~15질량%, 더 바람직하게는 0.1~10질량%이다. 이들 계면활성제는, 1종을 이용해도 되고 복수의 것을 이용해도 된다. 복수의 것을 이용하는 경우는, 그들의 합계량이 상기의 범위가 된다.When the composition for forming a protective layer contains a surfactant containing an acetylene group and another surfactant, the amount of the surfactant added in the total amount of the surfactant containing an acetylene group and the other surfactant is the amount of the composition for forming a protective layer. To the total mass, Preferably it is 0.05-20 mass %, More preferably, it is 0.07-15 mass %, More preferably, it is 0.1-10 mass %. One type may be used for these surfactant, and several things may be used for it. When using a plurality of things, their total amount falls within the above range.

또, 본 발명에서는 다른 계면활성제를 실질적으로 포함하지 않는 구성으로 할 수도 있다. 실질적으로 포함하지 않는다란, 다른 계면활성제의 함유량이, 아세틸렌기를 포함하는 계면활성제의 함유량의 5질량% 이하인 것을 말하며, 3질량% 이하가 바람직하고, 1질량% 이하가 더 바람직하다.Moreover, in this invention, it can also be set as the structure which does not contain another surfactant substantially. Substantially not included means that the content of the other surfactant is 5 mass% or less of the content of the surfactant containing an acetylene group, preferably 3 mass% or less, and more preferably 1 mass% or less.

보호층 형성용 조성물에 있어서, 다른 계면활성제의 함유량은, 보호층의 전체 질량에 대하여, 바람직하게는 0.05질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.07질량% 이상, 더 바람직하게는 0.1질량% 이상이다. 또, 상한값은, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더 바람직하게는 10질량% 이하이다. 다른 계면활성제는, 1종을 이용해도 되고 복수의 것을 이용해도 된다. 복수의 것을 이용하는 경우는, 그들의 합계량이 상기의 범위가 되는 것이 바람직하다.In the composition for forming a protective layer, the content of the other surfactant is preferably 0.05 mass % or more, more preferably 0.07 mass % or more, still more preferably 0.1 mass % or more with respect to the total mass of the protective layer. Moreover, an upper limit becomes like this. Preferably it is 20 mass % or less, More preferably, it is 15 mass % or less, More preferably, it is 10 mass % or less. As another surfactant, 1 type may be used and several things may be used for it. When using plural things, it is preferable that those total amounts become said range.

다른 계면활성제의, 23℃에 있어서의, 0.1질량% 수용액의 표면 장력은 45mN/m 이하인 것이 바람직하고, 40mN/m 이하인 것이 보다 바람직하며, 35mN/m 이하인 것이 더 바람직하다. 하한으로서는, 5mN/m 이상인 것이 바람직하고, 10mN/m 이상인 것이 보다 바람직하며, 15mN/m 이상인 것이 더 바람직하다. 계면활성제의 표면 장력은 선택되는 다른 계면활성제의 종류에 따라 적절히 선택되면 된다.It is preferable that the surface tension of the 0.1 mass % aqueous solution in 23 degreeC of other surfactant is 45 mN/m or less, It is more preferable that it is 40 mN/m or less, It is still more preferable that it is 35 mN/m or less. As a lower limit, it is preferable that it is 5 mN/m or more, It is more preferable that it is 10 mN/m or more, It is more preferable that it is 15 mN/m or more. What is necessary is just to select the surface tension of surfactant suitably according to the kind of other surfactant selected.

〔방부제 및 곰팡이 방지제〕[Preservatives and fungicides]

보호층 형성용 조성물이 방부제 및 곰팡이 방지제를 함유함으로써, 보호층 형성용 조성물의 품질을 보다 장기에 걸쳐 유지할 수 있다.When the composition for forming a protective layer contains a preservative and an antifungal agent, the quality of the composition for forming a protective layer can be maintained for a longer period of time.

방부제 및 곰팡이 방지제로서는, 항균 또는 곰팡이 방지 작용을 포함하는 첨가제로서, 수용성 또는 수분산성인 유기 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다. 이와 같은 첨가제로서는, 유기계의 방부제 및 곰팡이 방지제, 무기계의 방부제 및 곰팡이 방지제, 천연계의 방부제 및 곰팡이 방지제 등을 들 수 있다. 예를 들면 방부제 및 곰팡이 방지제는 (주)도레이 리서치 센터 발간의 "항균·곰팡이 방지 기술"에 기재되어 있는 것을 이용할 수 있다.As the preservative and antifungal agent, it is preferable to include at least one selected from water-soluble or water-dispersible organic compounds as an additive having an antibacterial or antifungal action. Examples of such additives include organic antiseptics and fungicides, inorganic antiseptics and fungicides, and natural antiseptics and fungicides. For example, as an antiseptic and mold inhibitor, those described in "Antibacterial and antifungal technology" published by Toray Research Center can be used.

본 발명에 있어서, 보호층에 방부제 및 곰팡이 방지제를 배합함으로써, 장기 실온 보관 후의 용액 내부의 미생물 증식에 의한 조성물의 품질 저하를 보다 억제할 수 있으며, 그 결과, 도포 결함 증가를 보다 억제할 수 있다.In the present invention, by blending a preservative and an antifungal agent in the protective layer, the deterioration of the composition due to the growth of microorganisms inside the solution after long-term room temperature storage can be further suppressed, and as a result, the increase in coating defects can be further suppressed. .

방부제 및 곰팡이 방지제로서는, 페놀에터계 화합물, 이미다졸계 화합물, 설폰계 화합물, N·할로알킬싸이오 화합물, 아닐라이드계 화합물, 피롤계 화합물, 제4급 암모늄염, 아르신계 화합물, 피리딘계 화합물, 트라이아진계 화합물, 벤즈아이소싸이아졸린계 화합물, 아이소싸이아졸린계 화합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 메틸아이소싸이아졸린온, 2(4싸이오사이아노메틸)벤즈이미다졸, 1,2벤조싸이아졸론, 1,2-벤즈아이소싸이아졸린-3-온, N-플루오로다이클로로메틸싸이오-프탈이미드, 2,3,5,6-테트라클로로아이소프탈로나이트릴, N-트라이클로로메틸싸이오-4-사이클로헥센-1,2-다이카복시이미드, 8-퀴놀린산 구리, 비스(트라이뷰틸 주석)옥사이드, 2-(4-싸이아졸일)벤즈이미다졸, 2-벤즈이미다졸카밤산 메틸, 10,10'-옥시비스페녹시아르신, 2,3,5,6-테트라클로로-4-(메틸설폰)피리딘, 비스(2-피리딜싸이오-1-옥사이드) 아연, N,N-다이메틸-N'-(플루오로다이클로로메틸싸이오)-N'-페닐설파마이드, 폴리-(헥사메틸렌바이구아나이드)하이드로 클로라이드, 다이싸이오-2-2'-비스, 2-메틸-4,5-트라이메틸렌-4-아이소싸이아졸린-3-온, 2-(다이클로로-플루오로메틸)설판일아이소인돌-1,3-다이온, 2-브로모-2-나이트로프로페인-1,3-다이올, 메틸설폰일테트라클로로피리딘, 헥사하이드로-1,3-트리스-(2-하이드록시에틸)-S-트라이아진, p-클로로-m-자일렌올, 1,2-벤즈아이소싸이아졸린-3-온, 메틸페놀, 이산화 나트륨, 다이아이오도메틸파라톨릴설폰 등을 들 수 있다.Preservatives and fungicides include phenol ether compounds, imidazole compounds, sulfone compounds, N haloalkylthio compounds, anilide compounds, pyrrole compounds, quaternary ammonium salts, arsine compounds, pyridine compounds, A triazine type compound, a benzisothiazoline type compound, an isothiazoline type compound, etc. are mentioned. Specifically, for example, methyl isothiazolinone, 2(4-thiocyanomethyl)benzimidazole, 1,2-benzothiazolone, 1,2-benzisothiazolin-3-one, N-Fluorodichloromethylthio-phthalimide, 2,3,5,6-tetrachloroisophthalonitrile, N-trichloromethylthio-4-cyclohexene-1,2-dicarboxyimide , 8-quinoline copper, bis (tributyl tin) oxide, 2- (4-thiazolyl) benzimidazole, 2-benzimidazole carbamate methyl, 10,10'-oxybisphenoxyarcin, 2 ,3,5,6-tetrachloro-4-(methylsulfone)pyridine, bis(2-pyridylthio-1-oxide) zinc, N,N-dimethyl-N'-(fluorodichloromethylthi Oh) -N'-phenylsulfamide, poly-(hexamethylenebiguanide) hydrochloride, dithio-2-2'-bis, 2-methyl-4,5-trimethylene-4-isothiazoline -3-one, 2- (dichloro-fluoromethyl) sulfanylisoindole-1,3-dione, 2-bromo-2-nitropropane-1,3-diol, methylsulfonyltetra Chloropyridine, hexahydro-1,3-tris-(2-hydroxyethyl)-S-triazine, p-chloro-m-xyleneol, 1,2-benzisothiazolin-3-one, methylphenol , sodium dioxide, diiodomethylparatolylsulfone, and the like.

본 발명에 있어서, 보호층 형성용 조성물 중의 곰팡이의 발생을 억제하는 관점에서, 보호층 형성용 조성물은 곰팡이 방지제를 함유하는 것이 바람직하다. 특히, 곰팡이 방지제는, 상기한 화합물 중에서도, 아이소싸이아졸린온계 화합물, 2-브로모-2-나이트로프로페인-1,3-다이올, 메틸설폰일테트라클로로피리딘, 2-(다이클로로-플루오로메틸)설판일아이소인돌-1,3-다이온, 이아세트산 나트륨 및 다이아이오도메틸파라톨릴설폰 중 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 아이소싸이아졸린계 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하며, 메틸아이소싸이아졸린온을 포함하는 것이 더 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the composition for forming a protective layer contains a fungicide from the viewpoint of suppressing the occurrence of mold in the composition for forming a protective layer. In particular, the fungicide is, among the compounds described above, isothiazolinone compounds, 2-bromo-2-nitropropane-1,3-diol, methylsulfonyltetrachloropyridine, 2-(dichloro- It is preferable to include at least one of fluoromethyl)sulfanylisoindole-1,3-dione, sodium diacetate, and diiodomethylparatolylsulfone, and it is more preferable to include an isothiazoline-based compound. And, it is more preferable to include methyl isothiazolinone.

천연계 항균제 또는 곰팡이 방지제로서는, 게나 새우의 갑각 등에 포함되는 키틴을 가수분해하여 얻어지는 염기성 다당류의 키토산이 있다. 아미노산의 양측에 금속을 복합시킨 아미노메탈로 이루어지는 닛코의 "홀론 킬러 비스 세라(상품명)"가 바람직하다.As a natural antibacterial agent or antifungal agent, there is a basic polysaccharide chitosan obtained by hydrolyzing chitin contained in the shells of crabs and shrimps. Nikko's "Holon Killer Bis Cera (trade name)", which consists of an amino metal in which a metal is compounded on both sides of an amino acid, is preferred.

보호층 형성용 조성물에 있어서의 방부제 및 곰팡이 방지제의 함유량은, 보호층 형성용 조성물의 전체 질량에 대하여, 0.005~5질량%인 것이 바람직하고, 0.01~3질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.05~2질량%인 것이 더 바람직하고, 0.1~1질량%인 것이 한층 바람직하다. 방부제 및 곰팡이 방지제로서는, 1종을 이용해도 되고 복수의 것을 이용해도 된다. 복수의 것을 이용하는 경우에는, 그들의 합계량이 상기의 범위가 되는 것이 바람직하다.The content of the antiseptic agent and the antifungal agent in the composition for forming a protective layer is preferably 0.005 to 5 mass%, more preferably 0.01 to 3 mass%, and 0.05 to about the total mass of the composition for forming a protective layer. It is more preferable that it is 2 mass %, and it is still more preferable that it is 0.1-1 mass %. As an antiseptic|preservative and a fungicide, 1 type may be used and several things may be used. When using plural things, it is preferable that those total amounts become said range.

〔차광제〕[Light-shielding agent]

보호층 형성용 조성물은 차광제를 포함하는 것이 바람직하다. 차광제를 배합함으로써, 유기층 등에 대한 광에 의한 대미지 등의 영향이 보다 억제된다.The composition for forming a protective layer preferably contains a light-shielding agent. By mix|blending a light-shielding agent, the influence, such as damage by light to an organic layer etc., is suppressed more.

차광제로서는, 예를 들면 공지의 착색제 등을 이용할 수 있으며, 유기 또는 무기의 안료 또는 염료를 들 수 있고, 무기 안료를 바람직하게 들 수 있으며, 그중에서도 카본 블랙, 산화 타이타늄, 질화 타이타늄 등을 보다 바람직하게 들 수 있다.As the light-shielding agent, for example, a known colorant or the like can be used, and organic or inorganic pigments or dyes are mentioned, and inorganic pigments are preferable. Among them, carbon black, titanium oxide, titanium nitride, etc. are more preferable. can be heard

차광제의 함유량은, 보호층 형성용 조성물의 전체 질량에 대하여, 바람직하게는 1~50질량%, 보다 바람직하게는 3~40질량%, 더 바람직하게는 5~25질량%이다. 차광제로서는, 1종을 이용해도 되고 복수의 것을 이용해도 된다. 복수의 것을 이용하는 경우에는, 그들의 합계량이 상기의 범위가 되는 것이 바람직하다.To [ content of the light-shielding agent / total mass of the composition for protective layer formation ], Preferably it is 1-50 mass %, More preferably, it is 3-40 mass %, More preferably, it is 5-25 mass %. As a light-shielding agent, 1 type may be used and several things may be used. When using plural things, it is preferable that those total amounts become said range.

〔용제〕〔solvent〕

보호층 형성용 조성물에 사용하는 용제는, 물을 포함하는 것이 바람직하다. 또, 용제는, 물 이외의 다른 용제로서 수용성 용제를 포함할 수 있다. 또, 보호층 형성용 조성물은, 수용성 용제를 포함하지 않는(즉, 보호층 형성용 조성물 중의 용제가 물뿐인) 양태여도 된다.It is preferable that the solvent used for the composition for protective layer formation contains water. Moreover, a solvent can contain a water-soluble solvent as another solvent other than water. Further, the composition for forming a protective layer may be in an embodiment in which a water-soluble solvent is not included (that is, the solvent in the composition for forming a protective layer is only water).

보호층 형성용 조성물에 첨가하는 수용성 용제는, 23℃에 있어서의 물에 대한 용해도가 1g 이상인 유기 용제인 것이 바람직하다. 유기 용제의 23℃에 있어서의 물에 대한 용해도는 10g 이상이 보다 바람직하며, 30g 이상이 더 바람직하다.It is preferable that the water-soluble solvent added to the composition for protective layer formation is an organic solvent whose solubility with respect to water in 23 degreeC is 1 g or more. As for the solubility with respect to the water in 23 degreeC of an organic solvent, 10 g or more are more preferable, and 30 g or more are still more preferable.

이와 같은 수용성 용제로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 에틸렌글라이콜, 글리세린 등의 알코올계 용제; 아세톤 등의 케톤계 용제; 폼아마이드 등의 아마이드계 용제 등을 들 수 있다.As such a water-soluble solvent, For example, alcohol solvents, such as methanol, ethanol, a propanol, ethylene glycol, glycerol; ketone solvents such as acetone; Amide solvents, such as formamide, etc. are mentioned.

<적층체><Laminate>

본 발명의 제조 방법에 의하여 얻어지는 보호층 형성용 조성물은, 상기와 같이, 기재, 유기층, 보호층 및 감광층을 이 순서로 포함하는 적층체의 형성에 이용된다. 그리고, 적층체는, 적층체에 포함되는 유기층의 패터닝에 이용할 수 있다.The composition for forming a protective layer obtained by the production method of the present invention is used for forming a laminate including a base material, an organic layer, a protective layer, and a photosensitive layer in this order as described above. And the laminated body can be used for patterning of the organic layer contained in a laminated body.

도 1은, 적층체의 가공 과정을 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다. 적층체에 대하여, 도 1의 (a)에 나타낸 예와 같이, 기재(4) 상에 유기층(3)(예를 들면, 유기 반도체층)이 배치되어 있다. 또한, 유기층(3)을 보호하는 보호층(2)이 접하는 형태로 그 표면에 배치되어 있다. 유기층(3)과 보호층(2)의 사이에는 다른 층이 마련되어 있어도 되지만, 유기층을 적절히 보호하는 관점에서는, 유기층(3)과 보호층(2)이 직접 접하고 있는 것이 바람직하다. 또, 이 보호층 상에 감광층(1)이 배치되어 있다. 감광층(1)과 보호층(2)은 직접 접하고 있어도 되고, 감광층(1)과 보호층(2)의 사이에 다른 층이 마련되어 있어도 된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing which shows typically the processing process of a laminated body. With respect to the laminate, an organic layer 3 (eg, an organic semiconductor layer) is disposed on the substrate 4 as in the example shown in FIG. 1A . Moreover, the protective layer 2 which protects the organic layer 3 is arrange|positioned on the surface in the form in contact. Although another layer may be provided between the organic layer 3 and the protective layer 2, it is preferable that the organic layer 3 and the protective layer 2 are in direct contact from a viewpoint of protecting an organic layer appropriately. Moreover, the photosensitive layer 1 is arrange|positioned on this protective layer. The photosensitive layer 1 and the protective layer 2 may be in direct contact with each other, and another layer may be provided between the photosensitive layer 1 and the protective layer 2 .

도 1의 (b)에는, 감광층(1)의 일부를 노광 현상한 상태의 일례가 나타나 있다. 예를 들면, 소정의 마스크 등을 이용하는 등의 방법에 의하여 감광층(1)을 부분적으로 노광하고, 노광 후에 유기 용제 등의 현상액을 이용하여 현상함으로써, 제거부(5)에 있어서의 감광층(1)이 제거되어, 노광 현상 후의 감광층(1a)이 형성된다. 이때, 보호층(2)은 현상액에 의하여 제거되기 어렵기 때문에 잔존하고, 유기층(3)은 잔존한 상기 보호층(2)에 의하여 현상액에 의한 대미지로부터 보호된다.An example of the state in which a part of the photosensitive layer 1 was exposed and developed is shown in FIG.1(b). For example, by partially exposing the photosensitive layer 1 to light by a method such as using a predetermined mask, etc., and developing using a developer such as an organic solvent after exposure, the photosensitive layer ( 1) is removed, and the photosensitive layer 1a after exposure development is formed. At this time, the protective layer 2 remains because it is difficult to remove by the developer, and the organic layer 3 is protected from damage by the developer by the remaining protective layer 2 .

도 1의 (c)에는, 보호층(2)과 유기층(3)의 일부를 제거한 상태의 일례가 나타나 있다. 예를 들면, 드라이 에칭 처리 등에 의하여, 현상 후의 감광층(레지스트)(1a)이 없는 제거부(5)에 있어서의 보호층(2)과 유기층(3)을 제거함으로써, 보호층(2) 및 유기층(3)에 제거부(5a)가 형성된다. 이와 같이 하여, 제거부(5a)에 있어서 유기층(3)을 제거할 수 있다. 즉, 유기층(3)의 패터닝을 행할 수 있다.An example of the state in which the protective layer 2 and the organic layer 3 were partially removed is shown in FIG.1(c). For example, by removing the protective layer 2 and the organic layer 3 in the removal portion 5 without the photosensitive layer (resist) 1a after development by dry etching treatment or the like, the protective layer 2 and A removal portion 5a is formed in the organic layer 3 . In this way, the organic layer 3 can be removed in the removal part 5a. That is, the organic layer 3 can be patterned.

도 1의 (d)에는, 상기 패터닝 후에, 감광층(1a) 및 보호층(2)을 제거한 상태의 일례가 나타나 있다. 예를 들면, 상기 도 1의 (c)에 나타낸 상태의 적층체에 있어서의 감광층(1a) 및 보호층(2)을, 물을 포함하는 박리액으로 세정하는 등에 의하여, 가공 후의 유기층(3a) 상의 감광층(1a) 및 보호층(2)이 제거된다.Fig. 1D shows an example of a state in which the photosensitive layer 1a and the protective layer 2 are removed after the patterning. For example, the organic layer 3a after processing by washing the photosensitive layer 1a and the protective layer 2 in the laminate of the state shown in FIG. 1C with a stripper containing water, for example. ) on the photosensitive layer 1a and the protective layer 2 are removed.

이상과 같이, 기재, 유기층, 보호층 및 감광층을 이 순서로 포함하는 적층체를 이용하여, 유기층(3)에 원하는 패턴을 형성하고, 또한 레지스트가 되는 감광층(1)과, 유기층(3)의 보호막이 되는 보호층(2)을 제거할 수 있다. 이들 공정의 상세는 후술한다.As described above, a desired pattern is formed on the organic layer 3 using a laminate including a substrate, an organic layer, a protective layer, and a photosensitive layer in this order, and the photosensitive layer 1 serving as a resist, and the organic layer 3 ), the protective layer 2 serving as the protective film can be removed. The details of these steps will be described later.

<<기재>><<Report>>

적층체에 사용되는 기재로서는, 예를 들면, 실리콘, 석영, 세라믹, 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스터 필름, 폴리이미드 필름 등의 다양한 재료에 의하여 형성된 기재를 들 수 있고, 용도에 따라 어떠한 기재를 선택해도 된다. 예를 들면, 플렉시블한 소자에 이용하는 경우에는 플렉시블한 재료에 의하여 형성된 기재를 이용할 수 있다. 또, 기재는 복수의 재료에 의하여 형성된 복합 기재나, 복수의 재료가 적층된 적층 기재여도 된다. 또, 기재의 형상도 특별히 한정되지 않으며, 용도에 따라 선택하면 되고, 예를 들면, 판상의 기재(이하 "기판"이라고도 한다.)를 들 수 있다. 기판의 두께 등에 대해서도, 특별히 한정되지 않는다.As the substrate used for the laminate, for example, a substrate formed of various materials such as a polyester film such as silicon, quartz, ceramic, glass, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), and a polyimide film , and any substrate may be selected according to the use. For example, when using for a flexible element, the base material formed with the flexible material can be used. Further, the substrate may be a composite substrate formed of a plurality of materials or a laminate substrate in which a plurality of materials are laminated. Moreover, the shape of a base material is also not specifically limited, What is necessary is just to select according to a use, For example, a plate-shaped base material (it is also referred to as "substrate" hereafter) is mentioned. It does not specifically limit also about the thickness of a board|substrate, etc.

<<유기층>><<Organic Layer>>

유기층은, 유기 재료를 포함하는 층이다. 구체적인 유기 재료는, 유기층의 용도나 기능에 따라, 적절히 선택된다. 유기층이 상정되는 기능으로서는, 예를 들면, 반도체 특성, 발광 특성, 광전변환 특성, 광흡수 특성, 전기 절연성, 강유전성, 투명성, 절연성 등을 들 수 있다. 적층체에 있어서, 유기층은 기재보다 위에 포함되어 있으면 되고, 기재와 유기층이 접하고 있어도 되며, 유기층과 기재의 사이에 다른 층이 더 포함되어 있어도 된다.The organic layer is a layer containing an organic material. A specific organic material is suitably selected according to the use and function of an organic layer. Examples of the functions assumed for the organic layer include semiconductor properties, light emission properties, photoelectric conversion properties, light absorption properties, electrical insulation properties, ferroelectric properties, transparency, and insulation properties. In the laminate, the organic layer may be included above the substrate, the substrate and the organic layer may be in contact, and another layer may be further included between the organic layer and the substrate.

유기층의 두께는, 특별히 제한되지 않으며, 이용되는 전자 디바이스의 종류 등에 따라 상이하지만, 바람직하게는 1nm~50μm, 보다 바람직하게는 1nm~5μm, 더 바람직하게는 1nm~500nm이다.The thickness of the organic layer is not particularly limited and varies depending on the type of electronic device used, but is preferably 1 nm to 50 µm, more preferably 1 nm to 5 µm, and still more preferably 1 nm to 500 nm.

이하에서는, 특히, 유기층이 유기 반도체층인 예에 대하여 자세하게 설명한다. 유기 반도체층은, 반도체의 특성을 나타내는 유기 재료를 포함하는 층이다.Hereinafter, in particular, an example in which the organic layer is an organic semiconductor layer will be described in detail. An organic semiconductor layer is a layer containing the organic material which shows the characteristic of a semiconductor.

유기 반도체층은, 유기 반도체를 포함하는 유기층이며, 유기 반도체는, 반도체의 특성을 나타내는 유기 화합물이다. 유기 반도체에는, 무기 화합물로 이루어지는 반도체의 경우와 동일하게, 홀(정공)을 캐리어로 하여 전도하는 p형 반도체와, 전자를 캐리어로 하여 전도하는 n형 반도체가 있다. 유기 반도체층 중의 캐리어의 흐름 용이성은 캐리어 이동도 μ로 나타난다. 용도에 따라서도 다르지만, 일반적으로 캐리어 이동도는 높은 편이 바람직하며, 10-7cm2/Vs 이상인 것이 바람직하고, 10-6cm2/Vs 이상인 것이 보다 바람직하며, 10-5cm2/Vs 이상인 것이 더 바람직하다. 캐리어 이동도는, 전계 효과 트랜지스터(FET) 소자를 제작했을 때의 특성이나 비행 시간 계측(TOF)법의 계측값에 근거하여 구할 수 있다.An organic semiconductor layer is an organic layer containing an organic semiconductor, and an organic semiconductor is an organic compound which shows the characteristic of a semiconductor. Similar to the case of semiconductors made of inorganic compounds, organic semiconductors include p-type semiconductors that conduct with holes (holes) as carriers and n-type semiconductors that conduct with electrons as carriers. The ease of flow of carriers in the organic semiconductor layer is indicated by the carrier mobility μ. Although it varies depending on the application, in general, the carrier mobility is preferably high, preferably 10 -7 cm 2 /Vs or more, more preferably 10 -6 cm 2 /Vs or more, and 10 -5 cm 2 /Vs or more. it is more preferable Carrier mobility can be calculated|required based on the characteristic at the time of producing a field effect transistor (FET) element, and the measured value of the time-of-flight measurement (TOF) method.

유기 반도체층에 사용할 수 있는 p형 유기 반도체로서는, 홀 수송성을 갖는 재료이면, 어떠한 재료를 이용해도 된다. p형 유기 반도체는, 바람직하게는, p형 π공액 고분자, 축합 다환 화합물, 트라이아릴아민 화합물, 헤테로 5원환 화합물, 프탈로사이아닌 화합물, 포피린 화합물, 카본 나노 튜브, 및 그래핀 중 어느 하나이다. 또, p형 유기 반도체로서, 이들 화합물 중 복수 종의 화합물을 조합하여 사용해도 된다. p형 유기 반도체는, 보다 바람직하게는, p형 π공액 고분자, 축합 다환 화합물, 트라이아릴아민 화합물, 헤테로 5원환 화합물, 프탈로사이아닌 화합물, 및 포피린 화합물 중 적어도 1종이며, 더 바람직하게는, p형 π공액 고분자 및 축합 다환 화합물 중 적어도 1종이다.As the p-type organic semiconductor that can be used for the organic semiconductor layer, any material may be used as long as it has a hole transport property. The p-type organic semiconductor is preferably any one of a p-type ?-conjugated polymer, a condensed polycyclic compound, a triarylamine compound, a hetero 5-membered ring compound, a phthalocyanine compound, a porphyrin compound, a carbon nanotube, and graphene. Moreover, you may use combining multiple types of compounds among these compounds as a p-type organic semiconductor. The p-type organic semiconductor is more preferably at least one of a p-type π-conjugated polymer, a condensed polycyclic compound, a triarylamine compound, a hetero 5-membered ring compound, a phthalocyanine compound, and a porphyrin compound, more preferably , at least one of a p-type π-conjugated polymer and a condensed polycyclic compound.

p형 π공액 고분자는, 예를 들면, 치환 또는 무치환의 폴리싸이오펜(예를 들면, 폴리(3-헥실싸이오펜)(P3HT, 시그마 알드리치 재팬 합동회사제) 등), 폴리셀레노펜, 폴리피롤, 폴리파라페닐렌, 폴리파라페닐렌바이닐렌, 폴리싸이오펜바이닐렌, 폴리아닐린 등이다. 축합 다환 화합물은, 예를 들면, 치환 또는 무치환의 안트라센, 테트라센, 펜타센, 안트라다이싸이오펜, 헥사벤조코로넨 등이다.The p-type π-conjugated polymer is, for example, a substituted or unsubstituted polythiophene (for example, poly(3-hexylthiophene) (P3HT, manufactured by Sigma-Aldrich Japan Co., Ltd.), etc.), polyselenophene, polypyrrole, polyparaphenylene, polyparaphenylenevinylene, polythiophenevinylene, polyaniline, and the like. The condensed polycyclic compound is, for example, a substituted or unsubstituted anthracene, tetracene, pentacene, anthradithiophene, hexabenzocoronene or the like.

트라이아릴아민 화합물은, 예를 들면, m-MTDATA(4,4',4''-Tris[(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4''-Tris[2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine), NPD(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine), TPD(N,N'-Diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)benzidine), mCP(1,3-bis(9-carbazolyl)benzene), CBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-biphenyl) 등이다.The triarylamine compound is, for example, m-MTDATA (4,4',4''-Tris[(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine), 2-TNATA (4,4',4''-Tris[ 2-naphthyl(phenyl)amino]triphenylamine), NPD(N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine), TPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)benzidine), mCP(1,3-bis(9-carbazolyl)benzene), CBP(4,4'-bis(9-carbazolyl) -2,2'-biphenyl) and the like.

헤테로 5원환 화합물은, 예를 들면, 치환 또는 무치환의 올리고싸이오펜, TTF(Tetrathiafulvalene) 등이다.The hetero 5-membered ring compound is, for example, a substituted or unsubstituted oligothiophene, tetrathiafulvalene (TTF), or the like.

프탈로사이아닌 화합물은, 각종 중심 금속을 갖는 치환 또는 무치환의 프탈로사이아닌, 나프탈로사이아닌, 안트라사이아닌, 테트라피라지노포피라진 등이다. 포피린 화합물은, 각종 중심 금속을 갖는 치환 또는 무치환의 포피린이다. 또, 카본 나노 튜브는, 반도체 폴리머가 표면에 수식된 카본 나노 튜브여도 된다.The phthalocyanine compound is a substituted or unsubstituted phthalocyanine, naphthalocyanine, anthracyanine, tetrapyrazinopopyrazine, etc. which have various central metals. The porphyrin compound is a substituted or unsubstituted porphyrin having various central metals. Further, the carbon nanotube may be a carbon nanotube in which a semiconductor polymer is modified on the surface.

유기 반도체층에 사용할 수 있는 n형 유기 반도체로서는, 전자 수송성을 갖는 재료이면, 어떠한 재료를 이용해도 된다. n형 유기 반도체는, 바람직하게는, 풀러렌 화합물, 전자 결핍성 프탈로사이아닌 화합물, 축환 다환 화합물(나프탈렌테트라카보닐 화합물, 페릴렌테트라카보닐 화합물 등), TCNQ 화합물(테트라사이아노퀴노다이메테인 화합물), 폴리싸이오펜계 화합물, 벤지딘계 화합물, 카바졸계 화합물, 페난트롤린계 화합물, 피리딘페닐 배위자 이리듐계 화합물, 퀴놀린올 배위자 알루미늄계 화합물, n형 π공액 고분자, 및 그래핀 중 어느 하나이다. 또, n형 유기 반도체로서, 이들 화합물 중 복수 종의 화합물을 조합하여 사용해도 된다. n형 유기 반도체는, 보다 바람직하게는, 풀러렌 화합물, 전자 결핍성 프탈로사이아닌 화합물, 축환 다환 화합물, 및 n형 π공액 고분자 중 적어도 1종이며, 특히 바람직하게는, 풀러렌 화합물, 축환 다환 화합물 및 n형 π공액 고분자 중 적어도 1종이다.As the n-type organic semiconductor that can be used for the organic semiconductor layer, any material may be used as long as it has an electron transport property. The n-type organic semiconductor is preferably a fullerene compound, an electron-deficient phthalocyanine compound, a condensed polycyclic compound (naphthalenetetracarbonyl compound, perylenetetracarbonyl compound, etc.), a TCNQ compound (tetracyanoquinodimethane) phosphorus compound), polythiophene-based compound, benzidine-based compound, carbazole-based compound, phenanthroline-based compound, pyridinephenyl ligand iridium-based compound, quinolinol ligand aluminum-based compound, n-type π-conjugated polymer, and graphene. Moreover, you may use combining multiple types of compounds among these compounds as an n-type organic semiconductor. The n-type organic semiconductor is more preferably at least one of a fullerene compound, an electron-deficient phthalocyanine compound, a condensed polycyclic compound, and an n-type π-conjugated polymer, particularly preferably a fullerene compound, a condensed polycyclic compound and at least one of n-type π-conjugated polymers.

풀러렌 화합물이란, 치환 또는 무치환의 풀러렌을 의미하고, 풀러렌으로서는 C60, C70, C76, C78, C80, C82, C84, C86, C88, C90, C96, C116, C180, C240, C540 등으로 나타나는 풀러렌 중 어느 하나여도 된다. 풀러렌 화합물은, 바람직하게는, 치환 또는 무치환의 C60, C70, C86 풀러렌이며, 특히 바람직하게는, PCBM([6,6]-페닐-C61-뷰티르산 메틸에스터, 시그마 알드리치 재팬 합동회사제 등) 및 그 유연체(類緣體)(예를 들면, C60 부분을 C70, C86 등으로 치환한 것, 치환기의 벤젠환을 다른 방향환 또는 헤테로환으로 치환한 것, 메틸에스터를 n-뷰틸에스터, i-뷰틸에스터 등으로 치환한 것)이다.The fullerene compound means a substituted or unsubstituted fullerene, and the fullerene is C 60 , C 70 , C 76 , C 78 , C 80 , C 82 , C 84 , C 86 , C 88 , C 90 , C 96 , C Any one of fullerenes represented by 116 , C 180 , C 240 , C 540 and the like may be sufficient. The fullerene compound is preferably a substituted or unsubstituted C 60 , C 70 , C 86 fullerene, particularly preferably PCBM ([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester, Sigma-Aldrich Japan Joint Association manufactured by the company, etc.) and analogs thereof (for example, those in which the C 60 moiety is substituted with C 70 , C 86 , etc., the benzene ring of the substituent is substituted with another aromatic ring or a hetero ring, methyl ester is substituted with n-butyl ester, i-butyl ester, etc.).

전자 결핍성 프탈로사이아닌 화합물이란, 전자 구인성기가 4개 이상 결합하고 또한 각종 중심 금속을 갖는 치환 또는 무치환의 프탈로사이아닌, 나프탈로사이아닌, 안트라사이아닌, 테트라피라지노포피라진 등이다. 전자 결핍성 프탈로사이아닌 화합물은, 예를 들면, 불소화 프탈로사이아닌(F16MPc), 및 염소화 프탈로사이아닌(Cl16MPc) 등이다. 여기에서, M은 중심 금속을, Pc는 프탈로사이아닌을 나타낸다.The electron-deficient phthalocyanine compound refers to a substituted or unsubstituted phthalocyanine, naphthalocyanine, anthracyanine, tetrapyrazinopopyrazine, etc. having four or more electron withdrawing groups bonded thereto and having various central metals. to be. The electron-deficient phthalocyanine compound is, for example, a fluorinated phthalocyanine (F 16 MPc), a chlorinated phthalocyanine (Cl 16 MPc), or the like. Here, M represents the central metal and Pc represents phthalocyanine.

나프탈렌테트라카보닐 화합물로서는 어떠한 것이어도 되지만, 바람직하게는 나프탈렌테트라카복실산 무수물(NTCDA), 나프탈렌비스이미드 화합물(NTCDI), 페린온 안료(Pigment Orange 43, Pigment Red 194 등)이다.The naphthalenetetracarbonyl compound may be any, but preferably naphthalenetetracarboxylic anhydride (NTCDA), naphthalenebisimide compound (NTCDI), and perinone pigments (Pigment Orange 43, Pigment Red 194, etc.).

페릴렌테트라카보닐 화합물로서는 어떠한 것이어도 되지만, 바람직하게는 페릴렌테트라카복실산 무수물(PTCDA), 페릴렌비스이미드 화합물(PTCDI), 벤즈이미다졸 축환체(PV)이다.The perylene tetracarbonyl compound may be any, but preferably perylene tetracarboxylic acid anhydride (PTCDA), perylene bisimide compound (PTCDI), and benzimidazole condensed product (PV).

TCNQ 화합물이란, 치환 또는 무치환의 TCNQ 및, TCNQ의 벤젠환 부분을 다른 방향환이나 헤테로환으로 치환한 것이다. TCNQ 화합물은, 예를 들면, TCNQ, TCNAQ(테트라사이아노안트라퀴노다이메테인), TCN3T(2,2'-((2E,2''E)-3',4'-Alkyl substituted-5H,5''H-[2,2':5',2''-terthiophene]-5,5''-diylidene)dimalononitrile derivatives) 등이다.The TCNQ compound is a compound in which substituted or unsubstituted TCNQ and the benzene ring portion of TCNQ are substituted with other aromatic rings or heterocycles. TCNQ compounds are, for example, TCNQ, TCNAQ (tetracyanoanthraquinodimethane), TCN3T (2,2'-((2E,2''E)-3',4'-Alkyl substituted-5H, 5''H-[2,2':5',2''-terthiophene]-5,5''-diylidene)dimalononitrile derivatives).

폴리싸이오펜계 화합물이란, 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜) 등의 폴리싸이오펜 구조를 갖는 화합물이다. 폴리싸이오펜계 화합물은, 예를 들면, PEDOT:PSS(폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)(PEDOT) 및 폴리스타이렌설폰산(PSS)으로 이루어지는 복합물) 등이다.The polythiophene-based compound is a compound having a polythiophene structure such as poly(3,4-ethylenedioxythiophene). The polythiophene-based compound is, for example, PEDOT:PSS (composite composed of poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrenesulfonic acid (PSS)) and the like.

벤지딘계 화합물이란, 분자 내에 벤지딘 구조를 갖는 화합물이다. 벤지딘계 화합물은, 예를 들면, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐벤지딘(TPD), N,N'-다이-[(1-나프틸)-N,N'-다이페닐]-1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(NPD) 등이다.A benzidine-type compound is a compound which has a benzidine structure in a molecule|numerator. The benzidine-based compound is, for example, N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenylbenzidine (TPD), N,N'-di-[(1-naphthyl)-N, N'-diphenyl]-1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (NPD) and the like.

카바졸계 화합물이란, 분자 내에 카바졸환 구조를 갖는 화합물이다. 카바졸계 화합물은, 예를 들면, 4,4'-비스(N-카바졸일)-1,1'-바이페닐(CBP) 등이다.A carbazole-type compound is a compound which has a carbazole ring structure in a molecule|numerator. The carbazole-based compound is, for example, 4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl (CBP) or the like.

페난트롤린계 화합물이란, 분자 내에 페난트롤린환 구조를 갖는 화합물이며, 예를 들면, 2,9-다이메틸-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(BCP) 등이다.A phenanthroline-based compound is a compound having a phenanthroline ring structure in a molecule, for example, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP).

피리딘페닐 배위자 이리듐계 화합물이란, 페닐피리딘 구조를 배위자로 하는 이리듐 착체 구조를 갖는 화합물이다. 피리딘페닐 배위자 이리듐계 화합물은, 예를 들면, 비스(3,5-다이플루오로-2-(2-피리딜페닐(2-카복시피리딜)이리듐(III)(FIrpic), 트리스(2-페닐피리디네이토)이리듐(III)(Ir(ppy)3) 등이다.The pyridinephenyl ligand iridium-based compound is a compound having an iridium complex structure having a phenylpyridine structure as a ligand. The pyridinephenyl ligand iridium-based compound is, for example, bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridylphenyl(2-carboxypyridyl)iridium(III)(FIrpic), tris(2-phenyl) pyridinato) iridium (III) (Ir(ppy) 3 ) and the like.

퀴놀린올 배위자 알루미늄계 화합물이란, 퀴놀린올 구조를 배위자로 하는 알루미늄 착체 구조를 갖는 화합물이며, 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리노레이토)알루미늄 등이다.The quinolinol ligand aluminum-based compound is a compound having an aluminum complex structure having a quinolinol structure as a ligand, for example, tris(8-quinolinolato)aluminum.

n형 유기 반도체 재료의 특히 바람직한 예를 이하에 나타낸다. 또한, 식 중의 R로서는, 어떠한 것이어도 상관없지만, 수소 원자, 치환 또는 무치환이며 분기 또는 직쇄의 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~18, 보다 바람직하게는 1~12, 더 바람직하게는 1~8의 것), 치환 또는 무치환의 아릴기(바람직하게는 탄소수 6~30, 보다 바람직하게는 6~20, 더 바람직하게는 6~14의 것) 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 구조식 중의 Me는 메틸기를 나타내고, M은 금속 원자를 나타낸다.Particularly preferred examples of the n-type organic semiconductor material are shown below. R in the formula may be any, but is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted, branched or straight-chain alkyl group (preferably having 1 to 18 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, still more preferably 1 to 8 carbon atoms). of), a substituted or unsubstituted aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, still more preferably 6 to 14 carbon atoms). In the structural formula, Me represents a methyl group, and M represents a metal atom.

[화학식 7][Formula 7]

Figure pct00007
Figure pct00007

[화학식 8][Formula 8]

Figure pct00008
Figure pct00008

유기 반도체층에 포함되는 유기 반도체는, 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. 또, 유기 반도체층은, p형의 층과 n형의 층의 적층 또는 혼합층이어도 된다.The number of organic semiconductors contained in an organic-semiconductor layer may be one, and 2 or more types may be sufficient as them. The organic semiconductor layer may be a lamination or mixed layer of a p-type layer and an n-type layer.

유기층의 형성 방법은, 기상(氣相)법이어도 되고 액상법이어도 된다. 기상법의 경우에는, 증착법(진공 증착법, 분자선 에피택시법 등), 스퍼터링법, 및 이온 플레이팅법 등의 물리 기상 성장(PVD)법이나, 플라즈마 중합법 등의 화학 기상 성장(CVD)법을 사용할 수 있으며, 특히 증착법이 바람직하다.A gas phase method or a liquid phase method may be sufficient as the formation method of an organic layer. In the case of the vapor phase method, a physical vapor deposition (PVD) method such as a vapor deposition method (vacuum deposition method, molecular beam epitaxy method, etc.), sputtering method, and ion plating method, or a chemical vapor deposition (CVD) method such as plasma polymerization method can be used. and a vapor deposition method is particularly preferred.

한편, 액상법의 경우에는, 유기 재료는, 통상, 용제 중에 배합되어, 유기층을 형성하는 조성물(유기층 형성용 조성물)이 된다. 그리고, 이 조성물을 기재 상에 공급하고 건조하여, 유기층이 성막된다. 공급 방법으로서는, 도포가 바람직하다. 적용 방법의 예로서는, 슬릿 코트법, 캐스트법, 블레이드 코팅법, 와이어 바 코팅법, 스프레이 코팅법, 디핑(침지) 코팅법, 비드 코팅법, 에어 나이프 코팅법, 커튼 코팅법, 잉크젯법, 스핀 코트법, 랭뮤어 블로젯(Langmuir-Blodgett)(LB)법, 에지 캐스트법(상세는, 일본 특허공보 제6179930호) 등을 들 수 있다. 캐스트법, 스핀 코트법, 및 잉크젯법을 이용하는 것이 더 바람직하다. 이와 같은 프로세스에 의하여, 표면이 평활하고 대면적의 유기층을 저비용으로 생산하는 것이 가능해진다.On the other hand, in the case of a liquid phase method, an organic material is mix|blended in a solvent normally, and turns into a composition (composition for organic layer formation) which forms an organic layer. Then, the composition is supplied on the substrate and dried to form an organic layer. As a supply method, application|coating is preferable. Examples of the application method include a slit coating method, a casting method, a blade coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a dipping (dipping) coating method, a bead coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, an inkjet method, a spin coating method method, the Langmuir-Blodgett (LB) method, the edge casting method (for details, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6179930), etc. are mentioned. It is more preferable to use the casting method, the spin coating method, and the inkjet method. By such a process, it becomes possible to produce the organic layer of a large area with a smooth surface at low cost.

또, 유기층 형성용 조성물에 사용하는 용제로서는, 유기 용제가 바람직하다. 유기 용제로서는, 예를 들면, 헥세인, 옥테인, 데케인, 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 1,2-다이클로로벤젠 등의 탄화 수소계 용제; 예를 들면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤계 용제; 예를 들면, 다이클로로메테인, 클로로폼, 테트라클로로메테인, 다이클로로에테인, 트라이클로로에테인, 테트라클로로에테인, 클로로벤젠, 다이클로로벤젠, 클로로톨루엔 등의 할로젠화 탄화 수소계 용제; 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸, 아세트산 아밀 등의 에스터계 용제; 예를 들면, 메탄올, 프로판올, 뷰탄올, 펜탄올, 헥산올, 사이클로헥산올, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 에틸렌글라이콜 등의 알코올계 용제; 예를 들면, 다이뷰틸에터, 테트라하이드로퓨란, 다이옥세인, 아니솔 등의 에터계 용제; 예를 들면, N,N-다이메틸폼아마이드, N,N-다이메틸아세트아마이드, 1-메틸-2-피롤리돈, 1-메틸-2-이미다졸리딘온, 다이메틸설폭사이드 등의 극성 용제 등을 들 수 있다. 이들 용제는 1종만을 이용해도 되고, 2종 이상을 이용해도 된다. 유기층 형성용 조성물에 있어서의 유기 재료의 비율은, 바람직하게는 1~95질량%, 보다 바람직하게는 5~90질량%이며, 이로써 임의의 두께의 막을 형성할 수 있다.Moreover, as a solvent used for the composition for organic layer formation, an organic solvent is preferable. Examples of the organic solvent include hydrocarbon solvents such as hexane, octane, decane, toluene, xylene, ethylbenzene, 1-methylnaphthalene, and 1,2-dichlorobenzene; For example, Ketone solvents, such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; For example, halogenated hydrocarbon solvents such as dichloromethane, chloroform, tetrachloromethane, dichloroethane, trichloroethane, tetrachloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene and chlorotoluene; For example, Ester solvents, such as ethyl acetate, a butyl acetate, and an amyl acetate; For example, alcohol solvents, such as methanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, cyclohexanol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, ethylene glycol; For example, Ether solvents, such as dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, anisole; For example, polarity of N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, 1-methyl-2-pyrrolidone, 1-methyl-2-imidazolidinone, dimethyl sulfoxide, etc. A solvent etc. are mentioned. These solvents may use only 1 type, and may use 2 or more types. Preferably the ratio of the organic material in the composition for organic layer formation is 1-95 mass %, More preferably, it is 5-90 mass %, Thereby, the film|membrane of arbitrary thickness can be formed.

또, 유기층 형성용 조성물에는, 수지 바인더를 배합해도 된다. 이 경우, 막을 형성하는 재료와 바인더 수지를 상술한 적당한 용제에 용해시켜, 또는 분산시켜 도포액으로 하고, 각종 도포법에 의하여 박막을 형성할 수 있다. 수지 바인더로서는, 폴리스타이렌, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에스터, 폴리아마이드, 폴리이미드, 폴리유레테인, 폴리실록세인, 폴리설폰, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리메틸아크릴레이트, 셀룰로스, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 절연성 폴리머, 및 이들의 공중합체, 폴리바이닐카바졸, 폴리실레인 등의 광전도성 폴리머, 폴리싸이오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리파라페닐렌바이닐렌 등의 도전성 폴리머 등을 들 수 있다. 수지 바인더는, 단독으로 사용해도 되고, 혹은 복수 병용해도 된다. 박막의 기계적 강도를 고려하면 유리 전이 온도가 높은 수지 바인더가 바람직하고, 전하 이동도를 고려하면 극성기를 포함하지 않는 구조의 광전도성 폴리머 또는 도전성 폴리머로 이루어지는 수지 바인더가 바람직하다.Moreover, you may mix|blend a resin binder with the composition for organic layer formation. In this case, the film-forming material and the binder resin are dissolved or dispersed in the above-mentioned suitable solvent to obtain a coating solution, and a thin film can be formed by various coating methods. Examples of the resin binder include polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyimide, polyurethane, polysiloxane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, cellulose, polyethylene, polypropylene Insulating polymers, such as these, and these copolymers, photoconductive polymers, such as polyvinylcarbazole and polysilane, conductive polymers, such as polythiophene, polypyrrole, polyaniline, polyparaphenylene vinylene, etc. are mentioned. A resin binder may be used independently and may use two or more together. In consideration of the mechanical strength of the thin film, a resin binder having a high glass transition temperature is preferable, and in consideration of charge mobility, a resin binder made of a photoconductive polymer or a conductive polymer having a structure not including a polar group is preferable.

수지 바인더를 배합하는 경우, 그 배합량은, 유기층 중, 바람직하게는 0.1~30질량%로 이용된다. 수지 바인더는, 1종만 이용해도 되고, 2종 이상 이용해도 된다. 수지 바인더를 2종 이상 이용하는 경우에는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.When mix|blending a resin binder, the compounding quantity is in an organic layer, Preferably it is used in 0.1-30 mass %. Only 1 type may be used for a resin binder, and 2 or more types may be used for it. When using 2 or more types of resin binders, it is preferable that those total amounts become the said range.

유기층은, 용도에 따라서는 단독 및 다양한 유기 재료나 첨가제를 첨가한 혼합 용액을 이용한, 복수의 재료종으로 이루어지는 블렌드막이어도 된다. 예를 들면, 광전변환층을 제작하는 경우, 복수 종의 반도체 재료를 사용한 혼합 용액을 이용하는 것 등을 할 수 있다.The organic layer may be a blend film composed of a plurality of material types, either individually or in a mixed solution to which various organic materials or additives are added, depending on the application. For example, when producing the photoelectric conversion layer, it is possible to use a mixed solution using a plurality of types of semiconductor materials.

또, 제막 시, 기재를 가열 또는 냉각해도 되고, 기재의 온도를 변화시킴으로써 막질이나 막중에서의 분자의 패킹을 제어하는 것이 가능하다. 기재의 온도로서는 특별히 제한은 없지만, 바람직하게는 -200℃~400℃, 보다 바람직하게는 -100℃~300℃, 더 바람직하게는 0℃~200℃이다.Further, during film formation, the substrate may be heated or cooled, and by changing the temperature of the substrate, it is possible to control the film quality and the packing of molecules in the film. Although there is no restriction|limiting in particular as temperature of a base material, Preferably it is -200 degreeC - 400 degreeC, More preferably, it is -100 degreeC - 300 degreeC, More preferably, it is 0 degreeC - 200 degreeC.

형성된 유기층은, 후처리에 의하여 특성을 조정할 수 있다. 예를 들면, 가열 처리나 증기화한 용제에 노출시킴으로써 막의 모폴로지나 막중에서의 분자의 패킹을 변화시킴으로써 특성을 향상시키는 것이 가능하다. 또, 산화성 또는 환원성의 가스나 용제, 물질 등에 노출시키거나, 혹은 이들 수법을 병용함으로써 산화 혹은 환원 반응을 일으켜, 막중에서의 캐리어 밀도 등을 조정할 수 있다.The formed organic layer can adjust the characteristic by post-processing. For example, it is possible to improve the properties by changing the morphology of the film or packing of molecules in the film by heat treatment or exposure to a vaporized solvent. In addition, by exposing to an oxidizing or reducing gas, solvent, substance, or the like, or by using these methods in combination, an oxidation or reduction reaction is caused, and the carrier density in the film can be adjusted.

<<보호층>><<Protective Layer>>

보호층은, 보호층 형성용 조성물에 의하여 형성되는 층이다. 보호층은, 예를 들면, 보호층 형성용 조성물을 유기층 상에 적용하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다.A protective layer is a layer formed with the composition for protective layer formation. A protective layer can be formed by applying the composition for protective layer formation on an organic layer, and drying, for example.

보호층 형성용 조성물의 적용 방법으로서는, 도포가 바람직하다. 적용 방법의 예로서는, 슬릿 코트법, 캐스트법, 블레이드 코팅법, 와이어 바 코팅법, 스프레이 코팅법, 디핑(침지) 코팅법, 비드 코팅법, 에어 나이프 코팅법, 커튼 코팅법, 잉크젯법, 스핀 코트법, 랭뮤어 블로젯(Langmuir-Blodgett)(LB)법 등을 들 수 있다. 캐스트법, 스핀 코트법, 및 잉크젯법을 이용하는 것이 더 바람직하다. 이와 같은 프로세스에 의하여, 표면이 평활하고 대면적의 보호층을 저비용으로 생산하는 것이 가능해진다.As an application method of the composition for forming a protective layer, application|coating is preferable. Examples of the application method include a slit coating method, a casting method, a blade coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a dipping (dipping) coating method, a bead coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, an inkjet method, a spin coating method method, and the Langmuir-Blodgett (LB) method. It is more preferable to use the casting method, the spin coating method, and the inkjet method. By such a process, it becomes possible to produce a protective layer with a smooth surface and a large area at low cost.

보호층 형성용 조성물의 도포막을 건조시킬 때에는, 기재를 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도는, 예를 들면 50~200℃의 범위로부터 적절히 선택된다.When drying the coating film of the composition for protective layer formation, it is preferable to heat a base material. Heating temperature is suitably selected from the range of 50-200 degreeC, for example.

또, 보호층 형성용 조성물은, 미리 가(假)지지체 상에 상기 부여 방법 등에 의하여 부여하여 형성한 도막을, 적용 대상(예를 들면, 유기층) 상에 전사(轉寫)하는 방법에 의하여 형성할 수도 있다. 전사 방법에 관해서는, 일본 공개특허공보 2006-023696호의 단락 0023, 0036~0051, 일본 공개특허공보 2006-047592호의 단락 0096~0108 등의 기재를 참조할 수 있다.In addition, the composition for forming a protective layer is formed by a method of transferring a coating film formed in advance on a provisional support by the above application method or the like, onto an application target (eg, an organic layer). You may. Regarding the transcription|transfer method, description of Paragraphs 0023, 0036-0051 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-023696, Paragraph 0096-0108 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-047592, etc. can be referred.

보호층의 두께는, 0.1μm 이상인 것이 바람직하고, 0.5μm 이상인 것이 보다 바람직하며, 1.0μm 이상인 것이 더 바람직하고, 2.0μm 이상이 한층 바람직하다. 보호층의 두께의 상한값으로서는, 10μm 이하가 바람직하고, 5.0μm 이하가 보다 바람직하며, 3.0μm 이하가 더 바람직하다.It is preferable that it is 0.1 micrometer or more, and, as for the thickness of a protective layer, it is more preferable that it is 0.5 micrometer or more, It is more preferable that it is 1.0 micrometer or more, and its 2.0 micrometers or more are still more preferable. As an upper limit of the thickness of a protective layer, 10 micrometers or less are preferable, 5.0 micrometers or less are more preferable, and 3.0 micrometers or less are still more preferable.

보호층은, 현상액에 대한 용해량이 23℃에 있어서 10nm/s 이하의 층인 것이 바람직하고, 1nm/sg/L 이하의 층인 것이 보다 바람직하다. 상기 용해량의 하한은 특별히 한정되지 않고, 0nm/s 이상이면 된다.It is preferable that it is a layer whose dissolution amount with respect to a developing solution is 10 nm/s or less in 23 degreeC, and, as for a protective layer, it is more preferable that it is a layer of 1 nm/sg/L or less. The lower limit of the amount of dissolution is not particularly limited, and may be 0 nm/s or more.

보호층은, 박리액을 이용한 제거에 제공된다. 박리액을 이용한 보호층의 제거 방법에 대해서는 후술한다.The protective layer is provided for removal using a stripper. A method of removing the protective layer using a stripper will be described later.

박리액으로서는, 물, 물과 수용성 용제의 혼합물, 수용성 용제 등을 들 수 있고, 물 또는 물과 수용성 용제의 혼합물인 것이 바람직하다. 수용성 용제로서는, 보호층 형성용 조성물에 첨가하는 수용성 용제와 동일하다.Examples of the stripper include water, a mixture of water and a water-soluble solvent, a water-soluble solvent, and the like, and a mixture of water or water and a water-soluble solvent is preferable. The water-soluble solvent is the same as the water-soluble solvent added to the composition for forming a protective layer.

상기 박리액의 전체 질량에 대한 물의 함유량은, 90~100질량%인 것이 바람직하고, 95~100질량%인 것이 바람직하다. 또, 상기 박리액은 물만으로 이루어지는 박리액이어도 된다.It is preferable that it is 90-100 mass %, and, as for content of water with respect to the total mass of the said peeling liquid, it is preferable that it is 95-100 mass %. Moreover, the peeling liquid which consists only of water may be sufficient as the said peeling liquid.

또, 박리액은, 보호층의 제거성을 향상시키기 위하여, 계면활성제를 함유해도 된다. 계면활성제로서는 공지의 화합물을 이용할 수 있지만, 비이온계 계면활성제를 바람직하게 들 수 있다.Moreover, in order to improve the removability of a protective layer, the peeling liquid may contain surfactant. Although a well-known compound can be used as surfactant, A nonionic surfactant is mentioned preferably.

<<감광층>><<Photosensitive layer>>

감광층은 현상액을 이용한 현상에 제공되는 층이다. 상기 현상은, 네거티브형 현상인 것이 바람직하다. 감광층으로서는, 본 기술분야에서 사용되는 공지의 감광층(예를 들면, 포토레지스트층)을 적절히 이용할 수 있다. 적층체에 있어서, 감광층은, 네거티브형 감광층이어도 되고, 포지티브형 감광층이어도 된다.The photosensitive layer is a layer provided for development using a developer. It is preferable that the said development is negative type development. As a photosensitive layer, a well-known photosensitive layer (for example, a photoresist layer) used in this technical field can be used suitably. The laminate WHEREIN: A negative photosensitive layer may be sufficient as a photosensitive layer, and a positive photosensitive layer may be sufficient as it.

감광층은, 그 노광부가 유기 용제를 포함하는 현상액에 대하여 난용인 것이 바람직하다. 난용이란, 노광부가 현상액에 용해되기 어려운 것을 말한다. 노광부에 있어서의 감광층의 현상액에 대한 용해 속도는, 미노광부에 있어서의 감광층의 현상액에 대한 용해 속도보다 작아지는(난용이 되는) 것이 바람직하다. 구체적으로는, 파장 365nm(i선), 파장 248nm(KrF선) 및 파장 193nm(ArF선) 중 적어도 하나의 파장의 광을 50mJ/cm2 이상의 조사량으로 노광함으로써 극성이 변화하여, sp값(용해도 파라미터)이 19.0(MPa)1/2 미만인 용제에 대하여 난용이 되는 것이 바람직하고, 18.5(MPa)1/2 이하의 용제에 대하여 난용이 되는 것이 보다 바람직하며, 18.0(MPa)1/2 이하의 용제에 대하여 난용이 되는 것이 더 바람직하다.It is preferable that the photosensitive layer is poorly soluble with respect to the developing solution in which the exposure part contains the organic solvent. A poorly soluble means that an exposed part is hard to melt|dissolve in a developing solution. It is preferable that the dissolution rate of the photosensitive layer with respect to the developing solution in an exposed part becomes smaller (it becomes difficult to soluble) than the dissolution rate with respect to the developing solution of the photosensitive layer in an unexposed part. Specifically, the polarity changes by exposing light of at least one wavelength among wavelength 365 nm (i-line), wavelength 248 nm (KrF line), and wavelength 193 nm (ArF line) with an irradiation dose of 50 mJ/cm 2 or more, so that the sp value (solubility) parameter) is preferably poorly soluble to a solvent of less than 19.0 (MPa) 1/2 , more preferably poorly soluble to a solvent of 18.5 (MPa) 1/2 or less, and 18.0 (MPa) 1/2 or less It is more preferable that it becomes poorly soluble with respect to a solvent.

용해도 파라미터(sp값)는, 오키쓰법에 의하여 구해지는 값〔단위: (MPa)1/2〕이다. 오키쓰법은, 종래 주지의 sp값의 산출 방법 중 하나이며, 예를 들면, 일본 접착 학회지 Vol. 29, No. 6(1993년) 249~259페이지에 상세하게 설명되어 있는 방법이다.A solubility parameter (sp value) is a value [unit: (MPa) 1/2 ] calculated|required by the Okitsu method. The Okitsu method is one of the conventionally well-known methods for calculating the sp value, and for example, the Japanese Adhesion Society Vol. 29, No. 6 (1993) pp. 249-259, the method described in detail.

또한, 파장 365nm(i선), 파장 248nm(KrF선) 및 파장 193nm(ArF선) 중 적어도 하나의 파장의 광을 50~250mJ/cm2의 조사량으로 노광함으로써, 상기와 같이 극성이 변화하는 것이 보다 바람직하다.In addition, by exposing light of at least one wavelength of wavelength 365 nm (i-line), wavelength 248 nm (KrF line), and wavelength 193 nm (ArF line) with an irradiation dose of 50 to 250 mJ/cm 2 , the polarity changes as described above more preferably.

감광층은, i선의 조사에 대하여 감광능을 갖는 것이 바람직하다. 감광능이란, 활성광선 및 방사선 중 적어도 일방의 조사(i선의 조사에 대하여 감광능을 갖는 경우는, i선의 조사)에 의하여, 유기 용제(바람직하게는, 아세트산 뷰틸)에 대한 용해 속도가 변화하는 것을 말한다.It is preferable that the photosensitive layer has photosensitivity with respect to irradiation of i line|wire. Photosensitivity means that the rate of dissolution in an organic solvent (preferably butyl acetate) changes with irradiation of at least one of actinic ray and radiation (irradiation of i-ray when photosensitive to i-ray irradiation) say that

감광층으로서는, 산의 작용에 의하여 현상액에 대한 용해 속도가 변화하는 수지(이하, "감광층용 특정 수지"라고도 한다.)를 포함하는 감광층을 들 수 있다.Examples of the photosensitive layer include a photosensitive layer containing a resin whose dissolution rate in a developer is changed by the action of an acid (hereinafter, also referred to as "specific resin for photosensitive layer").

감광층용 특정 수지에 있어서의 용해 속도의 변화는, 용해 속도의 저하인 것이 바람직하다.It is preferable that the change of the dissolution rate in specific resin for photosensitive layers is a fall of a dissolution rate.

감광층용 특정 수지의, 용해 속도가 변화하기 전의, sp값이 18.0(MPa)1/2 이하인 유기 용제에 대한 용해 속도는, 40nm/초 이상인 것이 보다 바람직하다.As for the dissolution rate of specific resin for photosensitive layers with respect to the organic solvent whose sp value is 18.0 (MPa) 1/2 or less before the dissolution rate changes, it is more preferable that it is 40 nm/sec or more.

감광층용 특정 수지의, 용해 속도가 변화한 후의, sp값이 18.0(MPa)1/2 이하인 유기 용제에 대한 용해 속도는, 1nm/초 미만인 것이 보다 바람직하다.As for the dissolution rate with respect to the organic solvent whose sp value is 18.0 (MPa) 1/2 or less after the dissolution rate of specific resin for photosensitive layers changes, it is more preferable that it is less than 1 nm/sec.

감광층용 특정 수지는, 또, 용해 속도가 변화하기 전에는, sp값(용해도 파라미터)이 18.0(MPa)1/2 이하인 유기 용제에 가용이며, 또한, 용해 속도가 변화한 후에는, sp값이 18.0(MPa)1/2 이하인 유기 용제에 난용인 수지인 것이 바람직하다.The specific resin for the photosensitive layer is soluble in an organic solvent having an sp value (solubility parameter) of 18.0 (MPa) 1/2 or less before the dissolution rate changes, and after the dissolution rate changes, the sp value is 18.0 (MPa) It is preferable that it is resin which is hardly soluble in the organic solvent of 1/2 or less.

여기에서, "sp값(용해도 파라미터)이 18.0(MPa)1/2 이하인 유기 용제에 가용"이란, 화합물(수지)의 용액을 기재 상에 도포하고, 100℃에서 1분간 가열함으로써 형성되는 화합물(수지)의 도막(두께 1μm)의, 23℃에 있어서의 현상액에 대하여 침지했을 때의 용해 속도가, 20nm/초 이상인 것을 말하며, "sp값이 18.0(MPa)1/2 이하인 유기 용제에 난용"이란, 화합물(수지)의 용액을 기재 상에 도포하고, 100℃에서 1분간 가열함으로써 형성되는 화합물(수지)의 도막(두께 1μm)의, 23℃에 있어서의 현상액에 대한 용해 속도가, 10nm/초 미만인 것을 말한다.Here, "soluble in an organic solvent having an sp value (solubility parameter) of 18.0 (MPa) 1/2 or less" means a compound (resin) formed by coating a solution of a compound (resin) on a substrate and heating at 100° C. for 1 minute ( The dissolution rate of the coating film (thickness 1 μm) of the resin) when immersed in a developer at 23° C. is 20 nm/sec or more, and “sparsely soluble in organic solvents having an sp value of 18.0 (MPa) 1/2 or less” The dissolution rate of the coating film (thickness 1 μm) of the compound (resin) formed by applying a solution of a compound (resin) on a substrate and heating at 100° C. for 1 minute to a developer at 23° C. is 10 nm/ means less than a second.

감광층으로서는, 예를 들면, 감광층용 특정 수지 및 광산발생제를 포함하는 감광층, 중합성 화합물 및 광중합 개시제 등을 포함하는 감광층 등을 들 수 있다.As a photosensitive layer, the photosensitive layer etc. containing the photosensitive layer containing specific resin for photosensitive layers, and a photo-acid generator, a polymeric compound, a photoinitiator, etc. are mentioned, for example.

또, 감광층은, 높은 보존 안정성과 미세한 패턴 형성성을 양립시키는 관점에서는, 화학 증폭형 감광층인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that a photosensitive layer is a chemically amplified photosensitive layer from a viewpoint of making high storage stability and fine pattern formation compatible.

이하, 감광층용 특정 수지 및 광산발생제를 포함하는 감광층의 예에 대하여 설명한다.Hereinafter, the example of the photosensitive layer containing the specific resin for photosensitive layers and a photo-acid generator is demonstrated.

〔감광층용 특정 수지〕[Specific resin for photosensitive layer]

감광층용 특정 수지는, 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다.It is preferable that specific resin for photosensitive layers is an acrylic polymer.

"아크릴계 중합체"는, 부가 중합형의 수지이고, (메트)아크릴산 또는 그 에스터에서 유래하는 반복 단위를 포함하는 중합체이며, (메트)아크릴산 또는 그 에스터에서 유래하는 반복 단위 이외의 반복 단위, 예를 들면, 스타이렌류에서 유래하는 반복 단위나 바이닐 화합물에서 유래하는 반복 단위 등을 포함하고 있어도 된다. 아크릴계 중합체는, (메트)아크릴산 또는 그 에스터에서 유래하는 반복 단위를, 중합체에 있어서의 전체 반복 단위에 대하여, 50몰% 이상 포함하는 것이 바람직하고, 80몰% 이상 포함하는 것이 보다 바람직하며, (메트)아크릴산 또는 그 에스터에서 유래하는 반복 단위만으로 이루어지는 중합체인 것이 특히 바람직하다."Acrylic polymer" is an addition polymerization type resin, is a polymer containing repeating units derived from (meth)acrylic acid or an ester thereof, and repeating units other than repeating units derived from (meth)acrylic acid or an ester thereof, e.g. For example, the repeating unit derived from styrene, the repeating unit derived from a vinyl compound, etc. may be included. The acrylic polymer preferably contains 50 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, of repeating units derived from (meth)acrylic acid or an ester thereof, with respect to all repeating units in the polymer, ( It is especially preferable that it is a polymer which consists only of repeating units derived from meth)acrylic acid or its ester.

감광층용 특정 수지로서는, 산기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조를 갖는 반복 단위를 갖는 수지를 바람직하게 들 수 있다. 상기 산기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조로서는, 카복시기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조, 페놀성 수산기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조 등을 들 수 있다.As the specific resin for the photosensitive layer, a resin having a repeating unit having a structure in which an acid group is protected by an acid-decomposable group is preferably mentioned. Examples of the structure in which the acid group is protected by the acid-decomposable group include a structure in which a carboxy group is protected by an acid-decomposable group, a structure in which a phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group, and the like.

또, 산기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조를 갖는 반복 단위로서는, (메트)아크릴산에서 유래하는 모노머 단위에 있어서의 카복시기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조를 갖는 반복 단위, p-하이드록시스타이렌, α-메틸-p-하이드록시스타이렌 등의 하이드록시스타이렌류에서 유래하는 모노머 단위에 있어서의 페놀성 수산기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조를 갖는 반복 단위 등을 들 수 있다.Further, examples of the repeating unit having a structure in which an acid group is protected by an acid-decomposable group include a repeating unit having a structure in which a carboxy group in a monomer unit derived from (meth)acrylic acid is protected by an acid-decomposable group, p-hydroxystyrene; and a repeating unit having a structure in which the phenolic hydroxyl group in a monomer unit derived from hydroxystyrene such as α-methyl-p-hydroxystyrene is protected by an acid-decomposable group.

산기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조를 갖는 반복 단위로서는, 아세탈 구조를 포함하는 반복 단위 등을 들 수 있고, 측쇄에 환상 에터에스터 구조를 포함하는 반복 단위가 바람직하다. 환상 에터에스터 구조로서는, 환상 에터 구조에 있어서의 산소 원자와 에스터 결합에 있어서의 산소 원자가 동일한 탄소 원자에 결합하여, 아세탈 구조를 형성하고 있는 것이 바람직하다.Examples of the repeating unit having a structure in which an acid group is protected by an acid-decomposable group include a repeating unit having an acetal structure, and a repeating unit having a cyclic etherester structure in its side chain is preferable. As the cyclic ether ester structure, the oxygen atom in the cyclic ether structure and the oxygen atom in the ester bond are preferably bonded to the same carbon atom to form an acetal structure.

또, 산기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조를 갖는 반복 단위로서는, 하기 식 (1)로 나타나는 반복 단위가 바람직하다.Moreover, as a repeating unit which has a structure in which an acidic radical is protected by the acid-decomposable group, the repeating unit represented by following formula (1) is preferable.

이하, "식 (1)로 나타나는 반복 단위" 등을, "반복 단위 (1)" 등이라고도 한다.Hereinafter, "repeating unit represented by Formula (1)" etc. is also called "repeating unit (1)" or the like.

[화학식 9][Formula 9]

Figure pct00009
Figure pct00009

식 (1) 중, R8은 수소 원자 또는 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다)를 나타내고, L1은 카보닐기 또는 페닐렌기를 나타내며, R1~R7은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다.In formula (1), R8 represents a hydrogen atom or an alkyl group (C1-C12 is preferable, 1-6 are more preferable, and 1-3 are more preferable), L< 1 > represents a carbonyl group or a phenylene group. and R 1 to R 7 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group.

식 (1) 중, R8은, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하고, 메틸기인 것이 보다 바람직하다.In formula (1), it is preferable that it is a hydrogen atom or a methyl group, and, as for R< 8 >, it is more preferable that it is a methyl group.

식 (1) 중, L1은, 카보닐기 또는 페닐렌기를 나타내고, 카보닐기인 것이 바람직하다.In Formula (1), L 1 represents a carbonyl group or a phenylene group, and is preferably a carbonyl group.

식 (1) 중, R1~R7은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. R1~R7에 있어서의 알킬기는, R8과 동일한 의미이며, 바람직한 양태도 동일하다. 또, R1~R7 중, 1개 이상이 수소 원자인 것이 바람직하고, R1~R7의 모두가 수소 원자인 것이 보다 바람직하다. In Formula ( 1 ), R1-R7 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group. The alkyl group in R1 -R7 has the same meaning as R8 , and a preferable aspect is also the same. Moreover, it is preferable that one or more of R1 -R7 is a hydrogen atom, and it is more preferable that all of R1 -R7 are hydrogen atoms.

반복 단위 (1)로서는, 하기 식 (1-A)로 나타나는 반복 단위, 또는, 하기 식 (1-B)로 나타나는 반복 단위가 바람직하다.As the repeating unit (1), a repeating unit represented by the following formula (1-A) or a repeating unit represented by the following formula (1-B) is preferable.

[화학식 10][Formula 10]

Figure pct00010
Figure pct00010

반복 단위 (1)을 형성하기 위하여 이용되는 라디칼 중합성 단량체는, 시판 중인 것을 이용해도 되고, 공지의 방법으로 합성한 것을 이용할 수도 있다. 예를 들면, (메트)아크릴산을 산촉매의 존재하에서 다이하이드로퓨란 화합물과 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 혹은, 전구체 모노머와 중합한 후에, 카복시기 또는 페놀성 수산기를 다이하이드로퓨란 화합물과 반응시킴으로써도 형성할 수 있다.A commercially available thing may be used for the radically polymerizable monomer used in order to form the repeating unit (1), and what was synthesize|combined by a well-known method can also be used. For example, it can be synthesized by reacting (meth)acrylic acid with a dihydrofuran compound in the presence of an acid catalyst. Alternatively, after polymerization with a precursor monomer, it can also be formed by reacting a carboxy group or a phenolic hydroxyl group with a dihydrofuran compound.

또, 산기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조를 갖는 반복 단위로서는, 하기 식 (2)로 나타나는 반복 단위도 바람직하게 들 수 있다.Moreover, as a repeating unit which has a structure in which an acidic radical is protected by the acid-decomposable group, the repeating unit represented by following formula (2) is also mentioned preferably.

[화학식 11][Formula 11]

Figure pct00011
Figure pct00011

식 (2) 중, A는, 수소 원자 또는 산의 작용에 의하여 탈리되는 기를 나타낸다. 산의 작용에 의하여 탈리되는 기로서는, 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~3이 더 바람직하다), 알콕시알킬기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴옥시알킬기(총 탄소수 7~40이 바람직하고, 7~30이 보다 바람직하며, 7~20이 더 바람직하다), 알콕시카보닐기(탄소수 2~12가 바람직하고, 2~6이 보다 바람직하며, 2~3이 더 바람직하다), 아릴옥시카보닐기(탄소수 7~23이 바람직하고, 7~19가 보다 바람직하며, 7~11이 더 바람직하다)가 바람직하다. A는 치환기를 더 갖고 있어도 되고, 치환기로서 상기 치환기 T의 예를 들 수 있다.In the formula (2), A represents a hydrogen atom or a group detached by the action of an acid. Examples of the group detached by the action of an acid include an alkyl group (preferably having 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms), an alkoxyalkyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms, 2 to 6 is more preferable, and 2-3 are more preferable), an aryloxyalkyl group (7-40 carbon atoms in total are preferable, 7-30 are more preferable, and 7-20 are still more preferable), an alkoxycarbonyl group (the number of carbon atoms) 2-12 are preferable, 2-6 are more preferable, 2-3 are more preferable), aryloxycarbonyl group (C7-23 are preferable, 7-19 are more preferable, 7-11 are more preferred) is preferred. A may further have a substituent, and the example of the said substituent T is mentioned as a substituent.

식 (2) 중, R10은 치환기를 나타내고, 치환기 T의 예를 들 수 있다. R9는 식 (1)에 있어서의 R8과 동일한 의미의 기를 나타낸다.In formula (2), R 10 represents a substituent, and examples of the substituent T are given. R 9 represents a group having the same meaning as R 8 in Formula (1).

식 (2) 중, nx는, 0~3의 정수를 나타낸다.In Formula (2), nx represents the integer of 0-3.

산의 작용에 의하여 탈리되는 기로서는, 일본 공개특허공보 2008-197480호의 단락 번호 0039~0049에 기재된 화합물 중, 산에 의하여 탈리되는 기를 포함하는 반복 단위도 바람직하고, 또, 일본 공개특허공보 2012-159830호(일본 특허공보 제5191567호)의 단락 번호 0052~0056에 기재된 화합물도 바람직하며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As the group that is released by the action of an acid, a repeating unit containing a group that is released by an acid among the compounds described in Paragraph Nos. 0039 to 0049 of JP 2008-197480 A is also preferable. The compounds described in Paragraph Nos. 0052 to 0056 of 159830 (Japanese Patent Publication No. 5191567) are also preferable, the contents of which are incorporated herein by reference.

반복 단위 (2)의 구체적인 예를 이하에 나타내지만, 본 발명이 이것에 의하여 한정되어 해석되는 것은 아니다.Although the specific example of a repeating unit (2) is shown below, this invention is not limited and interpreted by this.

[화학식 12][Formula 12]

Figure pct00012
Figure pct00012

[화학식 13][Formula 13]

Figure pct00013
Figure pct00013

감광층용 특정 수지에 포함되는, 산기가 산분해성기에 의하여 보호된 구조를 갖는 반복 단위(바람직하게는, 반복 단위 (1) 또는 반복 단위 (2))의 함유량은, 5~80몰%가 바람직하고, 10~70몰%가 보다 바람직하며, 10~60몰%가 더 바람직하다. 아크릴계 중합체는, 반복 단위 (1) 또는 반복 단위 (2)를 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 상기 반복 단위가 2종 이상 포함되는 경우에는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The content of the repeating unit (preferably repeating unit (1) or repeating unit (2)) having a structure in which an acid group is protected by an acid-decomposable group contained in the specific resin for photosensitive layer is preferably 5 to 80 mol%, , 10-70 mol% is more preferable, and 10-60 mol% is still more preferable. The acrylic polymer may contain only 1 type of repeating unit (1) or repeating unit (2), and may contain it 2 or more types. When two or more types of the said repeating unit are contained, it is preferable that their total amount becomes the said range.

감광층용 특정 수지는, 가교성기를 포함하는 반복 단위를 함유해도 된다. 가교성기의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2011-209692호의 단락 번호 0032~0046의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.Specific resin for photosensitive layers may contain the repeating unit containing a crosslinkable group. For the detail of a crosslinkable group, Paragraph No. 0032 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-209692 - description of 0046 can be considered into consideration, and these content is integrated in this specification.

감광층용 특정 수지는, 가교성기를 포함하는 반복 단위(반복 단위 (3))를 포함하는 양태도 바람직하지만, 가교성기를 포함하는 반복 단위 (3)을 실질적으로 포함하지 않는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 패터닝 후에, 감광층을 보다 효과적으로 제거하는 것이 가능해진다. 여기에서, 실질적으로 포함하지 않는다란, 예를 들면, 감광층용 특정 수지의 전체 반복 단위의 3몰% 이하를 말하고, 바람직하게는 1몰% 이하를 말한다.Although it is also preferable that the specific resin for photosensitive layers contains a repeating unit (repeating unit (3)) containing a crosslinkable group, it is preferable to set it as the structure which does not contain the repeating unit (3) containing a crosslinkable group substantially. . By setting it as such a structure, it becomes possible to remove a photosensitive layer more effectively after patterning. Here, "not substantially included" means 3 mol% or less of all the repeating units of the specific resin for photosensitive layers, for example, Preferably it says 1 mol% or less.

감광층용 특정 수지는, 그 외의 반복 단위(반복 단위 (4))를 함유해도 된다. 반복 단위 (4)를 형성하기 위하여 이용되는 라디칼 중합성 단량체로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2004-264623호의 단락 번호 0021~0024에 기재된 화합물을 들 수 있다. 반복 단위 (4)의 바람직한 예로서는, 수산기 함유 불포화 카복실산 에스터, 지환 구조 함유 불포화 카복실산 에스터, 스타이렌, 및, N 치환 말레이미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에서 유래하는 반복 단위를 들 수 있다. 이들 중에서도, 벤질(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산 트라이사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, (메트)아크릴산 트라이사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, (메트)아크릴산 아이소보닐, (메트)아크릴산 사이클로헥실, (메트)아크릴산 2-메틸사이클로헥실과 같은 지환 구조 함유의 (메트)아크릴산 에스터류, 또는, 스타이렌과 같은 소수성의 모노머가 바람직하다.Specific resin for photosensitive layers may contain another repeating unit (repeating unit (4)). As a radically polymerizable monomer used in order to form the repeating unit (4), the compound of Paragraph Nos. 0021 - 0024 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-264623 is mentioned, for example. Preferred examples of the repeating unit (4) include repeating units derived from at least one selected from the group consisting of hydroxyl group-containing unsaturated carboxylic acid esters, alicyclic structure-containing unsaturated carboxylic acid esters, styrene, and N-substituted maleimides. Among these, benzyl (meth)acrylate, (meth)acrylic acid tricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-yl, (meth)acrylic acid tricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-yloxy (meth)acrylic acid esters containing an alicyclic structure such as ethyl, (meth)acrylic acid isobornyl, (meth)acrylic acid cyclohexyl, (meth)acrylic acid 2-methylcyclohexyl, or hydrophobic monomers such as styrene are preferable do.

반복 단위 (4)는, 1종 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 감광층용 특정 수지를 구성하는 전체 모노머 단위 중, 반복 단위 (4)를 함유시키는 경우에 있어서의 반복 단위 (4)를 형성하는 모노머 단위의 함유율은, 1~60몰%가 바람직하고, 5~50몰%가 보다 바람직하며, 5~40몰%가 더 바람직하다. 상기 반복 단위가 2종 이상 포함되는 경우에는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.The repeating unit (4) can be used 1 type or in combination of 2 or more types. Among all the monomer units constituting the specific resin for photosensitive layer, the content rate of the monomer unit forming the repeating unit (4) in the case of containing the repeating unit (4) is preferably 1 to 60 mol%, and 5 to 50 mol%. mol% is more preferable, and 5-40 mol% is still more preferable. When two or more types of the said repeating unit are contained, it is preferable that their total amount becomes the said range.

감광층용 특정 수지의 합성법에 대해서는 다양한 방법이 알려져 있지만, 일례를 들면, 적어도 반복 단위 (1), 반복 단위 (2) 등을 형성하기 위하여 이용되는 라디칼 중합성 단량체를 포함하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을, 유기 용제 중, 라디칼 중합 개시제를 이용하여 중합함으로써 합성할 수 있다.Various methods are known about the method of synthesizing the specific resin for the photosensitive layer, but for example, a radically polymerizable monomer mixture containing at least a radically polymerizable monomer used to form the repeating unit (1), the repeating unit (2), etc. , it can synthesize|combine by superposing|polymerizing using a radical polymerization initiator in an organic solvent.

감광층용 특정 수지로서는, 불포화 다가 카복실산 무수물류를 공중합시킨 전구 공중합체 중의 산무수물기에, 2,3-다이하이드로퓨란을, 산촉매의 부존재하, 실온(25℃)~100℃ 정도의 온도에서 부가시킴으로써 얻어지는 공중합체도 바람직하다.As the specific resin for the photosensitive layer, 2,3-dihydrofuran is added to the acid anhydride group in the precursor copolymer obtained by copolymerizing unsaturated polyhydric carboxylic acid anhydrides, in the absence of an acid catalyst, at room temperature (25°C) to 100°C. The copolymer obtained is also preferable.

이하의 수지도 감광층용 특정 수지의 바람직한 예로서 들 수 있다.The following resin is also mentioned as a preferable example of specific resin for photosensitive layers.

BzMA/THFMA/t-BuMA(몰비: 20~60:35~65:5~30)BzMA/THFMA/t-BuMA (molar ratio: 20~60:35~65:5~30)

BzMA/THFAA/t-BuMA(몰비: 20~60:35~65:5~30)BzMA/THFAA/t-BuMA (molar ratio: 20~60:35~65:5~30)

BzMA/THPMA/t-BuMA(몰비: 20~60:35~65:5~30)BzMA/THPMA/t-BuMA (molar ratio: 20~60:35~65:5~30)

BzMA/PEES/t-BuMA(몰비: 20~60:35~65:5~30)BzMA/PEES/t-BuMA (molar ratio: 20~60:35~65:5~30)

BzMA는, 벤질메타크릴레이트이고, THFMA는, 테트라하이드로퓨란-2-일 메타크릴레이트이며, t-BuMA는, t-뷰틸메타크릴레이트이고, THFAA는, 테트라하이드로퓨란-2-일 아크릴레이트이며, THPMA는, 테트라하이드로-2H-피란-2-일 메타크릴레이트이고, PEES는, p-에톡시에톡시스타이렌이다.BzMA is benzyl methacrylate, THFMA is tetrahydrofuran-2-yl methacrylate, t-BuMA is t-butyl methacrylate, THFAA is tetrahydrofuran-2-yl acrylate , THPMA is tetrahydro-2H-pyran-2-yl methacrylate, and PEES is p-ethoxyethoxystyrene.

또, 포지티브형 현상에 이용되는 감광층용 특정 수지로서는, 일본 공개특허공보 2013-011678호에 기재된 것이 예시되며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.Moreover, as specific resin for photosensitive layers used for positive image development, the thing of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-011678 is illustrated, and these content is integrated in this specification.

현상 시의 패턴 형성성을 양호하게 하는 관점에서, 감광층용 특정 수지의 함유량은, 감광층의 전체 질량에 대하여, 20~99질량%인 것이 바람직하고, 40~99질량%인 것이 보다 바람직하며, 70~99질량%인 것이 더 바람직하다. 감광층용 특정 수지는 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상 포함하고 있어도 된다. 감광층용 특정 수지를 2종 이상 이용하는 경우에는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.From the viewpoint of improving the pattern formability at the time of development, the content of the specific resin for the photosensitive layer is preferably 20 to 99 mass%, more preferably 40 to 99 mass%, with respect to the total mass of the photosensitive layer, It is more preferable that it is 70-99 mass %. The specific resin for photosensitive layers may contain only 1 type, and may contain it 2 or more types. When using 2 or more types of specific resin for photosensitive layers, it is preferable that those total amounts become the said range.

또, 감광층용 특정 수지의 함유량은, 감광층에 포함되는 수지 성분의 전체 질량에 대하여, 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 50질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 90질량% 이상인 것이 더 바람직하다.Moreover, it is preferable that it is 10 mass % or more, and, as for content of the specific resin for photosensitive layers, it is more preferable that it is 50 mass % or more, It is more preferable that it is 90 mass % or more with respect to the total mass of the resin component contained in the photosensitive layer.

감광층용 특정 수지의 중량 평균 분자량은, 10,000 이상인 것이 바람직하고, 20,000 이상이 보다 바람직하며, 35,000 이상이 더 바람직하다. 상한값으로서는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 100,000 이하인 것이 바람직하고, 70,000 이하로 해도 되며, 50,000 이하로 해도 된다.It is preferable that it is 10,000 or more, as for the weight average molecular weight of specific resin for photosensitive layers, 20,000 or more are more preferable, 35,000 or more are still more preferable. Although it does not specifically set as an upper limit, It is preferable that it is 100,000 or less, and it is good also as 70,000 or less, and is good also as 50,000 or less.

또, 감광층용 특정 수지에 포함되는 중량 평균 분자량 1,000 이하의 성분의 양이, 감광층용 특정 수지의 전체 질량에 대하여, 10질량% 이하인 것이 바람직하고, 5질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is preferable that it is 10 mass % or less, and, as for the quantity of the component with a weight average molecular weight of 1,000 or less contained in the specific resin for photosensitive layers with respect to the total mass of the specific resin for photosensitive layers, it is more preferable that it is 5 mass % or less.

감광층용 특정 수지의 분자량 분산도(중량 평균 분자량/수평균 분자량)는, 1.0~4.0이 바람직하고, 1.1~2.5가 보다 바람직하다.1.0-4.0 are preferable and, as for the molecular weight dispersion degree (weight average molecular weight/number average molecular weight) of specific resin for photosensitive layers, 1.1-2.5 are more preferable.

〔광산발생제〕[Mine generator]

감광층은, 광산발생제를 더 포함하는 것이 바람직하다. 광산발생제는, 파장 365nm에 있어서 100mJ/cm2의 노광량으로 감광층이 노광되면 80몰% 이상 분해되는 광산발생제인 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive layer further contains a photo-acid generator. The photo-acid generator is preferably a photo-acid generator that decomposes by 80 mol% or more when the photosensitive layer is exposed at an exposure amount of 100 mJ/cm 2 at a wavelength of 365 nm.

광산발생제의 분해도는, 이하의 방법에 의하여 구할 수 있다. 하기 감광층 형성용 조성물의 상세에 대해서는 후술한다.The decomposition degree of a photo-acid generator can be calculated|required with the following method. Details of the composition for forming the photosensitive layer will be described later.

감광층 형성용 조성물을 이용하여, 실리콘 웨이퍼 기판 상에 감광층을 제막하여, 100℃에서 1분간 가열하고, 가열 후에 상기 감광층을 파장 365nm의 광을 이용하여 100mJ/cm2의 노광량으로 노광한다. 가열 후의 감광층의 두께는 700nm로 한다. 그 후, 상기 감광층이 형성된 상기 실리콘 웨이퍼 기판을, 메탄올/테트라하이드로퓨란(THF)=50/50(질량비) 용액에 초음파를 가하면서 10분 침지시킨다. 상기 침지 후에, 상기 용액에 추출된 추출물을 HPLC(고속 액체 크로마토그래피)를 이용하여 분석함으로써 광산발생제의 분해율을 이하의 식으로부터 산출한다.Using the composition for forming a photosensitive layer, a photosensitive layer is formed on a silicon wafer substrate, heated at 100° C. for 1 minute, and after heating, the photosensitive layer is exposed at an exposure dose of 100 mJ/cm 2 using light having a wavelength of 365 nm. . The thickness of the photosensitive layer after heating is set to 700 nm. Thereafter, the silicon wafer substrate on which the photosensitive layer is formed is immersed in a methanol/tetrahydrofuran (THF)=50/50 (mass ratio) solution while applying ultrasonic waves for 10 minutes. After the said immersion, the decomposition rate of a photo-acid generator is computed from the following formula by analyzing the extract extracted into the said solution using HPLC (high-performance liquid chromatography).

분해율(%)=분해물량(몰)/노광 전의 감광층에 포함되는 광산발생제량(몰)×100Decomposition rate (%) = amount of decomposition product (mol) / amount of photoacid generator contained in the photosensitive layer before exposure (mol) x 100

광산발생제로서는, 파장 365nm에 있어서, 100mJ/cm2의 노광량으로 감광층을 노광했을 때에, 85몰% 이상 분해되는 것인 것이 바람직하다.The photo-acid generator is preferably one that decomposes by 85 mol% or more when the photosensitive layer is exposed at an exposure amount of 100 mJ/cm 2 at a wavelength of 365 nm.

-옥심설포네이트 화합물--Oximesulfonate compound-

광산발생제는, 옥심설포네이트기를 포함하는 화합물(이하, 간단히 "옥심설포네이트 화합물"이라고도 한다)인 것이 바람직하다.The photo-acid generator is preferably a compound containing an oxime sulfonate group (hereinafter, also simply referred to as "oxime sulfonate compound").

옥심설포네이트 화합물은, 옥심설포네이트기를 갖고 있으면 특별히 제한은 없지만, 하기 식 (OS-1), 후술하는 식 (OS-103), 식 (OS-104), 또는, 식 (OS-105)로 나타나는 옥심설포네이트 화합물인 것이 바람직하다.Although there will be no restriction|limiting in particular as long as an oxime sulfonate compound has an oxime sulfonate group, The following formula (OS-1), a formula (OS-103) mentioned later, a formula (OS-104), or a formula (OS-105) It is preferable that it is an oxime sulfonate compound which appears.

[화학식 14][Formula 14]

Figure pct00014
Figure pct00014

식 (OS-1) 중, X3은, 알킬기, 알콕실기, 또는, 할로젠 원자를 나타낸다. X3이 복수 존재하는 경우는, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다. 상기 X3에 있어서의 알킬기 및 알콕실기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 상기 X3에 있어서의 알킬기로서는, 탄소수 1~4의, 직쇄상 또는 분기상 알킬기가 바람직하다. 상기 X3에 있어서의 알콕실기로서는, 탄소수 1~4의 직쇄상 또는 분기상 알콕실기가 바람직하다. 상기 X3에 있어서의 할로젠 원자로서는, 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.In formula (OS-1), X 3 represents an alkyl group, an alkoxyl group, or a halogen atom. When two or more X< 3 > exists, respectively, it may be same or different. The alkyl group and the alkoxyl group in X 3 may have a substituent. As the alkyl group for X 3 , a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable. As an alkoxyl group in said X< 3 >, a C1-C4 linear or branched alkoxyl group is preferable. As a halogen atom in said X< 3 >, a chlorine atom or a fluorine atom is preferable.

식 (OS-1) 중, m3은, 0~3의 정수를 나타내고, 0 또는 1이 바람직하다. m3이 2 또는 3일 때, 복수의 X3은 동일해도 되고 상이해도 된다.In formula (OS-1), m3 represents the integer of 0-3, 0 or 1 is preferable. When m3 is 2 or 3, a plurality of X 3 may be the same or different.

식 (OS-1) 중, R34는, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 알콕실기, 탄소수 1~5의 할로젠화 알킬기, 탄소수 1~5의 할로젠화 알콕실기, W로 치환되어 있어도 되는 페닐기, W로 치환되어 있어도 되는 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 되는 안트라닐기인 것이 바람직하다. W는, 할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기, 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수 1~10의 알콕실기, 탄소수 1~5의 할로젠화 알킬기 또는 탄소수 1~5의 할로젠화 알콕실기, 탄소수 6~20의 아릴기, 탄소수 6~20의 할로젠화 아릴기를 나타낸다.In formula (OS-1), R 34 represents an alkyl group or an aryl group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or halogen having 1 to 5 carbon atoms. It is preferable that it is an alkoxyl group, the phenyl group which may be substituted with W, the naphthyl group which may be substituted with W, or the anthranyl group which may be substituted with W. W is a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. , an aryl group having 6 to 20 carbon atoms or a halogenated aryl group having 6 to 20 carbon atoms.

식 (OS-1) 중, m3이 3이고, X3이 메틸기이며, X3의 치환 위치가 오쏘위이고, R34가 탄소수 1~10의 직쇄상 알킬기, 7,7-다이메틸-2-옥소노보닐메틸기, 또는, p-톨릴기인 화합물이 특히 바람직하다.In formula (OS-1), m3 is 3, X 3 is a methyl group, the substitution position of X 3 is ortho, R 34 is a linear alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and 7,7-dimethyl-2- A compound which is an oxonobonylmethyl group or a p-tolyl group is especially preferable.

식 (OS-1)로 나타나는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2011-209692호의 단락 번호 0064~0068, 일본 공개특허공보 2015-194674호의 단락 번호 0158~0167에 기재된 이하의 화합물이 예시되며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As a specific example of the oxime sulfonate compound represented by Formula (OS-1), Paragraph No. 0064 - 0068 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-209692, Paragraph No. 0158 - 0167 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-194674 The following compounds are illustrated and these contents are incorporated herein by reference.

[화학식 15][Formula 15]

Figure pct00015
Figure pct00015

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, Rs1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 복수 존재하는 경우가 있는 Rs2는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로젠 원자를 나타내며, 복수 존재하는 경우가 있는 Rs6은 각각 독립적으로, 할로젠 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 설폰산기, 아미노설폰일기 또는 알콕시설폰일기를 나타내고, Xs는 O 또는 S를 나타내며, ns는 1 또는 2를 나타내고, ms는 0~6의 정수를 나타낸다.In formulas (OS-103) to (OS-105), R s1 represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group, and R s2 that may be present in a plurality is each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a Represents a rosen atom, and R s6 , which may be present in plurality, each independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, Xs represents O or S, ns represents 1 or 2, and ms represents an integer of 0-6.

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, Rs1로 나타나는 알킬기(탄소수 1~30이 바람직하다), 아릴기(탄소수 6~30이 바람직하다) 또는 헤테로아릴기(탄소수 4~30이 바람직하다)는, 치환기 T를 갖고 있어도 된다.In formulas (OS-103) to (OS-105), an alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms), an aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms) or a heteroaryl group (having 4 to 30 carbon atoms) represented by R s1 This is preferable) may have a substituent T.

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, Rs2는, 수소 원자, 알킬기(탄소수 1~12가 바람직하다) 또는 아릴기(탄소수 6~30이 바람직하다)인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다. 화합물 중에 2 이상 존재하는 경우가 있는 Rs2 중, 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로젠 원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로젠 원자인 것이 보다 바람직하며, 1개가 알킬기이고, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다. Rs2로 나타나는 알킬기 또는 아릴기는, 치환기 T를 갖고 있어도 된다.In formulas (OS-103) to (OS-105), R s2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group (preferably having 1 to 12 carbon atoms) or an aryl group (preferably having 6 to 30 carbon atoms), and hydrogen It is more preferable that it is an atom or an alkyl group. Among R s2 that may exist in two or more in the compound, one or two of them are preferably an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom, more preferably one is an alkyl group, an aryl group or a halogen atom, and one is an alkyl group , and it is particularly preferable that the remainder is a hydrogen atom. The alkyl group or aryl group represented by R s2 may have a substituent T.

식 (OS-103), 식 (OS-104), 또는, 식 (OS-105) 중, Xs는 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다. 상기 식 (OS-103)~(OS-105)에 있어서, Xs를 환원으로서 포함하는 환은, 5원환 또는 6원환이다.In formula (OS-103), formula (OS-104), or formula (OS-105), Xs represents O or S, and it is preferable that it is O. In the formulas (OS-103) to (OS-105), the ring containing Xs as a reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, ns는 1 또는 2를 나타내며, Xs가 O인 경우, ns는 1인 것이 바람직하고, 또, Xs가 S인 경우, ns는 2인 것이 바람직하다.In formulas (OS-103) to (OS-105), ns represents 1 or 2, and when Xs is O, ns is preferably 1, and when Xs is S, ns is 2 desirable.

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, Rs6으로 나타나는 알킬기(탄소수 1~30이 바람직하다) 및 알킬옥시기(탄소수 1~30이 바람직하다)는, 치환기를 갖고 있어도 된다.In formulas (OS-103) to (OS-105), the alkyl group (preferably having 1 to 30 carbon atoms) and the alkyloxy group (preferably having 1 to 30 carbon atoms) represented by R s6 may have a substituent.

식 (OS-103)~식 (OS-105) 중, ms는 0~6의 정수를 나타내며, 0~2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하며, 0인 것이 특히 바람직하다.In formula (OS-103) - formula (OS-105), ms represents the integer of 0-6, It is preferable that it is an integer of 0-2, It is more preferable that it is 0 or 1, It is especially preferable that it is 0.

또, 상기 식 (OS-103)으로 나타나는 화합물은, 하기 식 (OS-106), 식 (OS-110) 또는 식 (OS-111)로 나타나는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 상기 식 (OS-104)로 나타나는 화합물은, 하기 식 (OS-107)로 나타나는 화합물인 것이 특히 바람직하며, 상기 식 (OS-105)로 나타나는 화합물은, 하기 식 (OS-108) 또는 식 (OS-109)로 나타나는 화합물인 것이 특히 바람직하다.Moreover, it is especially preferable that the compound represented by the said formula (OS-103) is a compound represented by a following formula (OS-106), a formula (OS-110), or a formula (OS-111), The said formula (OS-104) The compound represented by ) is particularly preferably a compound represented by the following formula (OS-107), and the compound represented by the formula (OS-105) is represented by the following formula (OS-108) or (OS-109) It is particularly preferred that it is a compound.

[화학식 16][Formula 16]

Figure pct00016
Figure pct00016

식 (OS-106)~식 (OS-111) 중, Rt1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, Rt7은, 수소 원자 또는 브로민 원자를 나타내며, Rt8은 수소 원자, 탄소수 1~8의 알킬기, 할로젠 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, Rt9는 수소 원자, 할로젠 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내며, Rt2는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.In formulas (OS-106) to (OS-111), R t1 represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group, R t7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, R t8 represents a hydrogen atom, and has 1 to 8 represents an alkyl group, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, R t9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and R t2 is A hydrogen atom or a methyl group is represented.

식 (OS-106)~식 (OS-111) 중, Rt7은, 수소 원자 또는 브로민 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.In formulas (OS-106) to (OS-111), R t7 represents a hydrogen atom or a bromine atom, and is preferably a hydrogen atom.

식 (OS-106)~식 (OS-111) 중, Rt8은, 수소 원자, 탄소수 1~8의 알킬기, 할로젠 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내며, 탄소수 1~8의 알킬기, 할로젠 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 보다 바람직하며, 탄소수 1~6의 알킬기인 것이 더 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.In formulas (OS-106) to (OS-111), R t8 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group, or represents a chlorophenyl group, preferably an alkyl group, halogen atom or phenyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, still more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and particularly preferably a methyl group desirable.

식 (OS-106)~식 (OS-111) 중, Rt9는, 수소 원자, 할로젠 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.In formulas (OS-106) to (OS-111), R t9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and is preferably a hydrogen atom.

Rt2는, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R t2 represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a hydrogen atom.

또, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심의 입체 구조(E, Z)에 대해서는, 어느 일방이어도 되고, 혼합물이어도 된다.Moreover, the said oxime sulfonate compound WHEREIN: About the three-dimensional structure (E, Z) of an oxime, either may be sufficient and a mixture may be sufficient.

상기 식 (OS-103)~식 (OS-105)로 나타나는 옥심설포네이트 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2011-209692호의 단락 번호 0088~0095, 일본 공개특허공보 2015-194674호의 단락 번호 0168~0194에 기재된 화합물이 예시되며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As a specific example of the oxime sulfonate compound represented by the said Formula (OS-103) - Formula (OS-105), Paragraph No. 0088-0095 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-209692, Paragraph No. 0168- of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-194674 0194 is exemplified, the contents of which are incorporated herein by reference.

옥심설포네이트기를 적어도 하나를 포함하는 옥심설포네이트 화합물의 적합한 다른 양태로서는, 하기 식 (OS-101), 식 (OS-102)로 나타나는 화합물을 들 수 있다.As another suitable aspect of the oxime sulfonate compound containing at least 1 oxime sulfonate group, the compound represented by a following formula (OS-101) and a formula (OS-102) is mentioned.

[화학식 17][Formula 17]

Figure pct00017
Figure pct00017

식 (OS-101) 또는 식 (OS-102) 중, Ru9는, 수소 원자, 알킬기, 알켄일기, 알콕실기, 알콕시카보닐기, 아실기, 카바모일기, 설파모일기, 설포기, 사이아노기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타낸다. Ru9가 사이아노기 또는 아릴기인 양태가 보다 바람직하며, Ru9가 사이아노기, 페닐기 또는 나프틸기인 양태가 더 바람직하다.In formula (OS-101) or formula (OS-102), R u9 is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxyl group, an alkoxycarbonyl group, an acyl group, a carbamoyl group, a sulfamoyl group, a sulfo group, or a cyano group group, an aryl group or a heteroaryl group. An embodiment in which R u9 is a cyano group or an aryl group is more preferable, and an embodiment in which R u9 is a cyano group, a phenyl group or a naphthyl group is still more preferable.

식 (OS-101) 또는 식 (OS-102) 중, Ru2a는, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.In formula (OS-101) or formula (OS-102), R u2a represents an alkyl group or an aryl group.

식 (OS-101) 또는 식 (OS-102) 중, Xu는, -O-, -S-, -NH-, -NRu5-, -CH2-, -CRu6H- 또는 CRu6Ru7-을 나타내고, Ru5~Ru7은 각각 독립적으로, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.In formula (OS-101) or formula (OS-102), Xu is -O-, -S-, -NH-, -NR u5 -, -CH 2 -, -CR u6 H- or CR u6 R u7 represents -, and R u5 to R u7 each independently represent an alkyl group or an aryl group.

식 (OS-101) 또는 식 (OS-102) 중, Ru1~Ru4는 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 알킬기, 알켄일기, 알콕실기, 아미노기, 알콕시카보닐기, 알킬카보닐기, 아릴카보닐기, 아마이드기, 설포기, 사이아노기 또는 아릴기를 나타낸다. Ru1~Ru4 중 2개가 각각 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. 이때, 환이 축환하여 벤젠환과 함께 축합환을 형성하고 있어도 된다. Ru1~Ru4로서는, 수소 원자, 할로젠 원자 또는 알킬기가 바람직하고, 또, Ru1~Ru4 중 적어도 2개가 서로 결합하여 아릴기를 형성하는 양태도 바람직하다. 그중에서도, Ru1~Ru4가 모두 수소 원자인 양태가 바람직하다. 상기한 치환기는, 모두, 치환기를 더 갖고 있어도 된다.In formula (OS-101) or formula (OS-102), R u1 to R u4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkoxyl group, an amino group, an alkoxycarbonyl group, an alkylcarbonyl group, An arylcarbonyl group, an amide group, a sulfo group, a cyano group, or an aryl group is represented. Two of R u1 to R u4 may combine with each other to form a ring. At this time, the ring may be condensed to form a condensed ring together with the benzene ring. As R u1 to R u4 , a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group is preferable, and an embodiment in which at least two of R u1 to R u4 combine with each other to form an aryl group is also preferable. Among these, the aspect in which R u1 to R u4 are all hydrogen atoms is preferable. All of the above-described substituents may further have a substituent.

상기 식 (OS-101)로 나타나는 화합물은, 식 (OS-102)로 나타나는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The compound represented by the formula (OS-101) is more preferably a compound represented by the formula (OS-102).

또, 상기 옥심설포네이트 화합물에 있어서, 옥심이나 벤조싸이아졸환의 입체 구조(E, Z 등)에 대해서는 각각, 어느 일방이어도 되고, 혼합물이어도 된다.Moreover, the said oxime sulfonate compound WHEREIN: About the three-dimensional structure (E, Z, etc.) of an oxime or a benzothiazole ring, either one may be sufficient, respectively, and a mixture may be sufficient.

식 (OS-101)로 나타나는 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2011-209692호의 단락 번호 0102~0106, 일본 공개특허공보 2015-194674호의 단락 번호 0195~0207에 기재된 화합물이 예시되며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.As a specific example of the compound represented by Formula (OS-101), Paragraph No. 0102 - 0106 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-209692, Paragraph No. 0195 - 0207 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2015-194674 are illustrated, These contents are It is incorporated herein by reference.

상기 화합물 중에서도, b-9, b-16, b-31, b-33이 바람직하다.Among the above compounds, b-9, b-16, b-31 and b-33 are preferable.

시판품으로서는, WPAG-336(후지필름 와코 준야쿠(주)제), WPAG-443(후지필름 와코 준야쿠(주)제), MBZ-101(미도리 가가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.As a commercial item, WPAG-336 (made by Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd.), WPAG-443 (made by Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd.), MBZ-101 (made by Midori Chemical Co., Ltd.) etc. are mentioned .

활성광선에 감응하는 광산발생제로서 1,2-퀴논다이아자이드 화합물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 그 이유는, 1,2-퀴논다이아자이드 화합물은, 축차형 광화학 반응에 의하여 카복시기를 생성하지만, 그 양자 수율은 1 이하이며, 옥심설포네이트 화합물에 비하여 감도가 낮기 때문이다.It is preferable not to contain a 1,2-quinonediazide compound as a photo-acid generator sensitive to actinic light. The reason is that the 1,2-quinonediazide compound generates a carboxyl group by a sequential photochemical reaction, but the quantum yield is 1 or less, and the sensitivity is lower than that of the oxime sulfonate compound.

이에 대하여, 옥심설포네이트 화합물은, 활성광선에 감응하여 생성되는 산이 보호된 산기의 탈보호에 대하여 촉매로서 작용하므로, 1개의 광양자의 작용으로 생성된 산이, 다수의 탈보호 반응에 기여하여, 양자 수율은 1을 초과하고, 예를 들면, 10의 수 제곱과 같은 큰 값이 되어, 이른바 화학 증폭의 결과로서, 고감도가 얻어진다고 추측된다.On the other hand, in the oxime sulfonate compound, since the acid generated in response to actinic light acts as a catalyst for the deprotection of the protected acid group, the acid generated by the action of one photon contributes to a number of deprotection reactions, The yield exceeds 1, for example, becomes a large value such as a number square of 10, and it is estimated that high sensitivity is obtained as a result of so-called chemical amplification.

또, 옥심설포네이트 화합물은, 확산이 있는 π공액계를 갖고 있기 때문에, 장파장 측에까지 흡수를 갖고 있으며, 원자외선(DUV), ArF선, KrF선, i선뿐만 아니라, g선에 있어서도 매우 높은 감도를 나타낸다.Moreover, since the oxime sulfonate compound has a π-conjugated system with diffusion, it has absorption to the long wavelength side, and is very high not only in deep ultraviolet (DUV) rays, ArF rays, KrF rays, and i rays, but also in g rays. indicates sensitivity.

감광층에 있어서의 산분해성기로서 테트라하이드로퓨란일기를 이용함으로써, 아세탈 또는 케탈에 비하여 동등하거나 또는 그 이상의 산분해성을 얻을 수 있다. 이로써, 보다 단시간의 포스트베이크로 확실히 산분해성기를 소비할 수 있다. 또한, 광산발생제인 옥심설포네이트 화합물을 조합하여 이용함으로써, 설폰산 발생 속도가 올라가기 때문에, 산의 생성이 촉진되어, 수지의 산분해성기의 분해가 촉진된다. 또, 옥심설포네이트 화합물이 분해됨으로써 얻어지는 산은, 분자가 작은 설폰산인 점에서, 경화막 중에서의 확산성도 높아, 보다 고감도화할 수 있다.By using a tetrahydrofuranyl group as an acid-decomposable group in the photosensitive layer, an acid-decomposable property equivalent to or higher than that of acetal or ketal can be obtained. Thereby, an acid-decomposable group can be consumed reliably by post-baking for a shorter time. Moreover, by using in combination the oxime sulfonate compound which is a photo-acid generator, since the sulfonic acid generation rate increases, generation|occurrence|production of an acid is accelerated|stimulated, and decomposition|disassembly of the acid-decomposable group of resin is accelerated|stimulated. Moreover, since the acid obtained by decomposing|disassembling an oxime sulfonate compound is a sulfonic acid with a small molecule|numerator, the diffusivity in a cured film is also high, and it can make it highly sensitive.

광산발생제는, 감광층의 전체 질량에 대하여, 0.1~20질량% 사용하는 것이 바람직하고, 0.5~18질량% 사용하는 것이 보다 바람직하며, 0.5~10질량% 사용하는 것이 더 바람직하고, 0.5~3질량% 사용하는 것이 한층 바람직하며, 0.5~1.2질량% 사용하는 것이 보다 한층 바람직하다.It is preferable to use 0.1-20 mass % of a photo-acid generator with respect to the total mass of a photosensitive layer, It is more preferable to use 0.5-18 mass %, It is more preferable to use 0.5-10 mass %, 0.5- It is still more preferable to use 3 mass %, and it is still more preferable to use 0.5-1.2 mass %.

광산발생제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 광산발생제를 2종 이상 이용하는 경우에는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.A photo-acid generator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. When using 2 or more types of photo-acid generators, it is preferable that those total amounts become the said range.

〔염기성 화합물〕[Basic compound]

감광층은, 후술하는 감광층 형성용 조성물의 액보존 안정성의 관점에서, 염기성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that a photosensitive layer contains a basic compound from a viewpoint of the liquid storage stability of the composition for photosensitive layer formation mentioned later.

염기성 화합물로서는, 공지의 화학 증폭 레지스트에서 이용되는 것 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 헤테로환식 아민, 제4급 암모늄하이드록사이드, 및, 카복실산의 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다.As the basic compound, it can be arbitrarily selected from those used in known chemically amplified resists. Examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium salts of carboxylic acids.

지방족 아민으로서는, 예를 들면, 트라이메틸아민, 다이에틸아민, 트라이에틸아민, 다이-n-프로필아민, 트라이-n-프로필아민, 다이-n-펜틸아민, 트라이-n-펜틸아민, 다이에탄올아민, 트라이에탄올아민, 다이사이클로헥실아민, 다이사이클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanol An amine, triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, etc. are mentioned.

방향족 아민으로서는, 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-다이메틸아닐린, 다이페닐아민 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N,N-dimethylaniline, and diphenylamine.

헤테로환식 아민으로서는, 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-다이메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트라이페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아마이드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 퓨린, 피롤리딘, 피페리딘, 사이클로헥실모폴리노에틸싸이오유레아, 피페라진, 모폴린, 4-메틸모폴린, 1,5-다이아자바이사이클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-다이아자바이사이클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8 -Oxyquinoline, pyrazine, pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, cyclohexylmorpholinoethylthiourea, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabi Cyclo[4.3.0]-5-nonene, 1,8-diazabicyclo[5.3.0]-7-undecene, etc. are mentioned.

제4급 암모늄하이드록사이드로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-뷰틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-헥실암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, and tetra-n-hexylammonium hydroxide. have.

카복실산의 제4급 암모늄염으로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-뷰틸암모늄아세테이트, 테트라-n-뷰틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.Examples of the quaternary ammonium salt of carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.

감광층이, 염기성 화합물을 포함하는 경우, 염기성 화합물의 함유량은, 감광층용 특정 수지 100질량부에 대하여, 0.001~1질량부인 것이 바람직하고, 0.002~0.5질량부인 것이 보다 바람직하다.When a photosensitive layer contains a basic compound, it is preferable that it is 0.001-1 mass part with respect to 100 mass parts of specific resin for photosensitive layers, and, as for content of a basic compound, it is more preferable that it is 0.002-0.5 mass part.

염기성 화합물은, 1종을 단독으로 사용해도 되며, 2종 이상을 병용해도 되지만, 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하며, 헤테로환식 아민을 2종 병용하는 것이 더 바람직하다. 염기성 화합물을 2종 이상 이용하는 경우에는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.A basic compound may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together, It is preferable to use 2 or more types together, It is more preferable to use 2 types together, Using 2 types of heterocyclic amines together more preferably. When using 2 or more types of basic compounds, it is preferable that those total amounts become the said range.

〔계면활성제〕〔Surfactants〕

감광층은, 후술하는 감광층 형성용 조성물의 도포성을 향상시키는 관점에서, 계면활성제를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that a photosensitive layer contains surfactant from a viewpoint of improving the applicability|paintability of the composition for photosensitive layer formation mentioned later.

계면활성제로서는, 음이온계, 양이온계, 비이온계, 또는, 양성 중 어느 것이든 사용할 수 있지만, 바람직한 계면활성제는 비이온계 계면활성제이다.As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic, and amphoteric surfactants can be used, but preferred surfactants are nonionic surfactants.

비이온계 계면활성제의 예로서는, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에터류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에터류, 폴리옥시에틸렌글라이콜의 고급 지방산 다이에스터류, 불소계, 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다.Examples of the nonionic surfactant include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkylphenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, fluorine-based surfactants, and silicone-based surfactants.

계면활성제로서, 불소계 계면활성제, 또는 실리콘계 계면활성제를 포함하는 것이 보다 바람직하다.As surfactant, it is more preferable that a fluorochemical surfactant or silicone type surfactant is included.

이들 불소계 계면활성제, 또는, 실리콘계 계면활성제로서, 예를 들면, 일본 공개특허공보 소62-036663호, 일본 공개특허공보 소61-226746호, 일본 공개특허공보 소61-226745호, 일본 공개특허공보 소62-170950호, 일본 공개특허공보 소63-034540호, 일본 공개특허공보 평07-230165호, 일본 공개특허공보 평08-062834호, 일본 공개특허공보 평09-054432호, 일본 공개특허공보 평09-005988호, 일본 공개특허공보 2001-330953호의 각 공보에 기재된 계면활성제를 들 수 있고, 시판 중인 계면활성제를 이용할 수도 있다.As these fluorine-based surfactants or silicone-based surfactants, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-036663, Japanese Unexamined Patent Publication No. 61-226746, Japanese Unexamined Patent Publication No. 61-226745, and Japanese Patent Application Laid-Open Nos. No. 62-170950, Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-034540, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 07-230165, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 08-062834, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 09-054432, Japanese Unexamined Patent Publication No. The surfactant described in each publication of Hei 09-005988 and Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-330953 is mentioned, A commercially available surfactant can also be used.

사용할 수 있는 시판 중인 계면활성제로서, 예를 들면, 에프톱 EF301, EF303(이상, 신아키타 가세이(주)제), 플루오라드 FC430, 431(이상, 스미토모 3M(주)제), 메가팍 F171, F173, F176, F189, R08(이상, DIC(주)제), 서프론 S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106(이상, AGC 세이미 케미컬(주)제), PF-6320 등의 PolyFox 시리즈(OMNOVA사제) 등의 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다. 또, 폴리실록세인 폴리머 KP-341(신에쓰 가가쿠 고교(주)제)도, 실리콘계 계면활성제로서 이용할 수 있다.As commercially available surfactants that can be used, for example, EFTOP EF301, EF303 (above, manufactured by Shin-Akita Chemical Co., Ltd.), Fluorad FC430, 431 (above, manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Megapac F171, F173, F176, F189, R08 (above, manufactured by DIC Corporation), Sufflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (above, manufactured by AGC Semi Chemical Co., Ltd.), PF-6320 and fluorine-based surfactants or silicone-based surfactants such as PolyFox series (manufactured by OMNOVA). Moreover, polysiloxane polymer KP-341 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicone type surfactant.

또, 계면활성제로서, 하기 식 (41)로 나타나는 반복 단위 A 및 반복 단위 B를 포함하고, 테트라하이드로퓨란(THF)을 용제로 한 경우의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피로 측정되는 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.Moreover, the weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography in the case of using tetrahydrofuran (THF) as a solvent containing the repeating unit A and the repeating unit B represented by the following formula (41) as surfactant. A copolymer having (Mw) of 1,000 or more and 10,000 or less is exemplified as a preferable example.

[화학식 18][Formula 18]

Figure pct00018
Figure pct00018

식 (41) 중, R41 및 R43은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R42는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내며, R44는 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내고, L4는 탄소수 3 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내며, p4 및 q4는 중합비를 나타내는 질량 백분율이고, p4는 10질량% 이상 80질량% 이하의 수치를 나타내며, q4는 20질량% 이상 90질량% 이하의 수치를 나타내고, r4는 1 이상 18 이하의 정수를 나타내며, n4는 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다.In the formula (41), R 41 and R 43 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 42 represents a linear alkylene group having 1 or more and 4 or less carbon atoms, and R 44 is a hydrogen atom or a C 1 or more and 4 or less group. represents an alkyl group, L 4 represents an alkylene group having 3 or more and 6 or less carbon atoms, p4 and q4 are mass percentages representing the polymerization ratio, p4 represents a numerical value of 10 mass% or more and 80 mass% or less, q4 is 20 mass% A numerical value of 90 mass % or more is shown, r4 shows an integer of 1 or more and 18 or less, n4 shows an integer of 1 or more and 10 or less.

식 (41) 중, L4는, 하기 식 (42)로 나타나는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식 (42)에 있어서의 R45는, 탄소수 1 이상 4 이하의 알킬기를 나타내며, 피도포면에 대한 젖음성의 점에서, 탄소수 1 이상 3 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2 또는 3의 알킬기가 보다 바람직하다. In formula (41), it is preferable that L4 is a branched alkylene group represented by following formula (42). R 45 in the formula (42) represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and from the viewpoint of wettability to the surface to be coated, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 2 or 3 carbon atoms is more preferable. do.

-CH2-CH(R45)- (42)-CH 2 -CH(R 45 )- (42)

상기 공중합체의 중량 평균 분자량은, 1,500 이상 5,000 이하인 것이 보다 바람직하다.As for the weight average molecular weight of the said copolymer, it is more preferable that they are 1,500 or more and 5,000 or less.

감광층이 계면활성제를 포함하는 경우, 계면활성제의 첨가량은, 감광층용 특정 수지 100질량부에 대하여, 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01~10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.01~1질량부인 것이 더 바람직하다.When the photosensitive layer contains a surfactant, the addition amount of the surfactant is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 0.01 to 10 parts by mass, and 0.01 to 1 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the specific resin for the photosensitive layer. more preferably.

계면활성제는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 계면활성제를 2종 이상 이용하는 경우에는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.Surfactant can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. When using 2 or more types of surfactant, it is preferable that those total amounts become the said range.

〔그 외의 성분〕[Other ingredients]

감광층에는, 추가로, 필요에 따라, 산화 방지제, 가소제, 열라디칼 발생제, 열산발생제, 산증식제, 자외선 흡수제, 증점제, 및, 유기 또는 무기의 침전 방지제 등의 공지의 첨가제를, 각각, 1종 또는 2종 이상 더할 수 있다. 이들의 상세는, 일본 공개특허공보 2011-209692호의 단락 번호 0143~0148의 기재를 참조할 수 있고, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다.The photosensitive layer further contains, if necessary, known additives such as antioxidants, plasticizers, thermal radical generators, thermal acid generators, acid proliferators, ultraviolet absorbers, thickeners, and organic or inorganic precipitation inhibitors, respectively. , one type or two or more types may be added. For these details, Paragraph No. 0143 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-209692 - description of 0148 can be considered into consideration, and these content is integrated in this specification.

감광층의 두께는, 해상력 향상의 관점에서, 0.1μm 이상이 바람직하고, 0.5μm 이상이 보다 바람직하며, 0.75μm 이상이 더 바람직하고, 0.8μm 이상이 특히 바람직하다. 감광층의 두께의 상한값으로서는, 10μm 이하가 바람직하고, 5.0μm 이하가 보다 바람직하며, 2.0μm 이하가 더 바람직하다.From the viewpoint of improving the resolution, the thickness of the photosensitive layer is preferably 0.1 µm or more, more preferably 0.5 µm or more, still more preferably 0.75 µm or more, and particularly preferably 0.8 µm or more. As an upper limit of the thickness of a photosensitive layer, 10 micrometers or less are preferable, 5.0 micrometers or less are more preferable, and 2.0 micrometers or less are still more preferable.

감광층과 보호층의 두께의 합계는, 0.2μm 이상인 것이 바람직하고, 1.0μm 이상인 것이 보다 바람직하며, 2.0μm 이상인 것이 더 바람직하다. 상한값으로서는, 20.0μm 이하인 것이 바람직하고, 10.0μm 이하인 것이 보다 바람직하며, 5.0μm 이하인 것이 더 바람직하다.It is preferable that it is 0.2 micrometer or more, and, as for the sum total of the thickness of a photosensitive layer and a protective layer, it is more preferable that it is 1.0 micrometer or more, It is more preferable that it is 2.0 micrometers or more. As an upper limit, it is preferable that it is 20.0 micrometers or less, It is more preferable that it is 10.0 micrometers or less, It is more preferable that it is 5.0 micrometers or less.

〔현상액〕〔developer〕

감광층은, 현상액을 이용한 현상에 제공된다.The photosensitive layer is provided for development using a developer.

현상액으로서는, 유기 용제를 포함하는 현상액이 바람직하다.As a developing solution, the developing solution containing an organic solvent is preferable.

현상액의 전체 질량에 대한 유기 용제의 함유량은, 90~100질량%인 것이 바람직하고, 95~100질량%인 것이 보다 바람직하다. 또, 현상액은 유기 용제만으로 이루어지는 현상액이어도 된다.It is preferable that it is 90-100 mass %, and, as for content of the organic solvent with respect to the total mass of a developing solution, it is more preferable that it is 95-100 mass %. Moreover, the developing solution which consists only of an organic solvent may be sufficient as a developing solution.

현상액을 이용한 감광층의 현상 방법에 대해서는 후술한다.A method of developing the photosensitive layer using a developer will be described later.

-유기 용제--Organic solvent-

현상액에 포함되는 유기 용제의 sp값은, 19MPa1/2 미만인 것이 바람직하고, 18MPa1/2 이하인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is less than 19 MPa 1/2 , and, as for the sp value of the organic solvent contained in a developing solution, it is more preferable that it is 18 MPa 1/2 or less.

현상액에 포함되는 유기 용제로서는, 케톤계 용제, 에스터계 용제, 아마이드계 용제 등의 극성 용제, 및 탄화 수소계 용제를 들 수 있다.As an organic solvent contained in a developing solution, polar solvents, such as a ketone type solvent, an ester type solvent, an amide type solvent, and a hydrocarbon type solvent are mentioned.

케톤계 용제로서는, 예를 들면, 1-옥탄온, 2-옥탄온, 1-노난온, 2-노난온, 2-헵탄온(메틸아밀케톤), 4-헵탄온, 1-헥산온, 2-헥산온, 다이아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온, 메틸사이클로헥산온, 페닐아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 아세틸아세톤, 아세톤일아세톤, 아이오논, 다이아세톤일알코올, 아세틸카비놀, 아세토페논, 메틸나프틸케톤, 아이소포론, 프로필렌카보네이트 등을 들 수 있다.Examples of the ketone solvent include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, 2-heptanone (methylamyl ketone), 4-heptanone, 1-hexanone, 2 -hexanone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, methylethylketone, methylisobutylketone, acetylacetone, acetonylacetone, ionone, diacetonyl alcohol, acetylcarbinol, aceto phenone, methyl naphthyl ketone, isophorone, propylene carbonate, and the like.

에스터계 용제로서는, 예를 들면, 아세트산 메틸, 아세트산 뷰틸, 아세트산 에틸, 아세트산 아이소프로필, 아세트산 펜틸, 아세트산 아이소펜틸, 아세트산 아밀, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 3-메톡시뷰틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시뷰틸아세테이트, 폼산 메틸, 폼산 에틸, 폼산 뷰틸, 폼산 프로필, 락트산 에틸, 락트산 뷰틸, 락트산 프로필 등을 들 수 있다.Examples of the ester solvent include methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, pentyl acetate, isopentyl acetate, amyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether. Acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl-3-ethoxypropionate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, propyl lactate, and the like.

아마이드계 용제로서는, 예를 들면, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드, 헥사메틸포스포릭 트라이아마이드, 1,3-다이메틸-2-이미다졸리딘온 등을 사용할 수 있다.Examples of the amide solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, hexamethylphosphoric triamide, 1,3-dimethyl -2-imidazolidinone and the like can be used.

탄화 수소계 용제로서는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화 수소계 용제, 펜테인, 헥세인, 옥테인, 데케인 등의 지방족 탄화 수소계 용제를 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon-based solvent include aromatic hydrocarbon-based solvents such as toluene and xylene, and aliphatic hydrocarbon-based solvents such as pentane, hexane, octane, and decane.

상기 유기 용제는, 1종만이어도 되고, 2종 이상 이용해도 된다. 또, 상기 이외의 유기 용제와 혼합하여 사용해도 된다. 단, 현상액의 전체 질량에 대한 물의 함유량이 10질량% 미만인 것이 바람직하고, 실질적으로 물을 함유하지 않는 것이 보다 바람직하다. 여기에서의 실질적으로 물을 함유하지 않는다란, 예를 들면, 현상액의 전체 질량에 대한 물의 함유량이 3질량% 이하인 것을 말하며, 보다 바람직하게는 측정 한계 이하인 것을 말한다.One type may be sufficient as the said organic solvent, and 2 or more types may be used for it. Moreover, you may use it, mixing with organic solvents other than the above. However, it is preferable that content of water with respect to the total mass of a developing solution is less than 10 mass %, and it is more preferable that it does not contain water substantially. Here, "substantially not containing water" means, for example, that the content of water with respect to the total mass of the developer is 3% by mass or less, and more preferably it is less than the measurement limit.

즉, 유기 현상액에 대한 유기 용제의 사용량은, 현상액의 전량에 대하여, 90질량% 이상 100질량% 이하인 것이 바람직하고, 95질량% 이상 100질량% 이하인 것이 보다 바람직하다.That is, it is preferable that it is 90 mass % or more and 100 mass % or less, and, as for the usage-amount of the organic solvent with respect to an organic developing solution, it is more preferable that they are 95 mass % or more and 100 mass % or less with respect to the whole quantity of a developing solution.

특히, 유기 현상액은, 케톤계 용제, 에스터계 용제 및 아마이드계 용제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 유기 용제를 포함하는 것이 바람직하다.In particular, the organic developer preferably contains at least one organic solvent selected from the group consisting of a ketone solvent, an ester solvent, and an amide solvent.

또, 유기 현상액은, 필요에 따라 염기성 화합물을 적당량 함유하고 있어도 된다. 염기성 화합물의 예로서는, 상기의 염기성 화합물의 항에서 설명한 것을 들 수 있다.Moreover, the organic developing solution may contain the basic compound in an appropriate amount as needed. As an example of a basic compound, what was demonstrated in the term of said basic compound is mentioned.

유기 현상액의 증기압은, 23℃에 있어서, 5kPa 이하인 것이 바람직하고, 3kPa 이하가 보다 바람직하며, 2kPa 이하가 더 바람직하다. 유기 현상액의 증기압을 5kPa 이하로 함으로써, 현상액의 감광층 상 혹은 현상컵 내에서의 증발이 억제되어, 감광층의 면내에 있어서의 온도 균일성이 향상되고, 결과적으로 현상 후의 감광층의 치수 균일성이 개선된다.The vapor pressure of the organic developer is preferably 5 kPa or less at 23°C, more preferably 3 kPa or less, and still more preferably 2 kPa or less. By setting the vapor pressure of the organic developer to 5 kPa or less, evaporation of the developer on the photosensitive layer or in the developing cup is suppressed, and the temperature uniformity in the surface of the photosensitive layer is improved, as a result, the dimensional uniformity of the photosensitive layer after development This is improved.

5kPa 이하의 증기압을 갖는 용제의 구체적인 예로서는, 1-옥탄온, 2-옥탄온, 1-노난온, 2-노난온, 2-헵탄온(메틸아밀케톤), 4-헵탄온, 2-헥산온, 다이아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온, 메틸사이클로헥산온, 페닐아세톤, 메틸아이소뷰틸케톤 등의 케톤계 용제, 아세트산 뷰틸, 아세트산 펜틸, 아세트산 아이소펜틸, 아세트산 아밀, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 3-메톡시뷰틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시뷰틸아세테이트, 폼산 뷰틸, 폼산 프로필, 락트산 에틸, 락트산 뷰틸, 락트산 프로필 등의 에스터계 용제, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드 등의 아마이드계 용제, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화 수소계 용제, 옥테인, 데케인 등의 지방족 탄화 수소계 용제를 들 수 있다.Specific examples of the solvent having a vapor pressure of 5 kPa or less include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, 2-heptanone (methylamylketone), 4-heptanone, 2-hexanone. , diisobutyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, ketone solvents such as methyl isobutyl ketone, butyl acetate, pentyl acetate, isopentyl acetate, amyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate , ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl-3-ethoxypropionate, 3-methoxybutyl acetate, Ester solvents such as 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, propyl lactate, N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, and amide-based solvents such as N,N-dimethylformamide, aromatic hydrocarbon-based solvents such as toluene and xylene, and aliphatic hydrocarbon-based solvents such as octane and decane.

특히 바람직한 범위인 2kPa 이하의 증기압을 갖는 용제의 구체적인 예로서는, 1-옥탄온, 2-옥탄온, 1-노난온, 2-노난온, 4-헵탄온, 2-헥산온, 다이아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온, 메틸사이클로헥산온, 페닐아세톤 등의 케톤계 용제, 아세트산 뷰틸, 아세트산 아밀, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 3-메톡시뷰틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시뷰틸아세테이트, 락트산 에틸, 락트산 뷰틸, 락트산 프로필 등의 에스터계 용제, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드 등의 아마이드계 용제, 자일렌 등의 방향족 탄화 수소계 용제, 옥테인, 데케인 등의 지방족 탄화 수소계 용제를 들 수 있다.Specific examples of the solvent having a vapor pressure of 2 kPa or less, which is a particularly preferable range, include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, 4-heptanone, 2-hexanone, diisobutyl ketone, Ketone solvents such as cyclohexanone, methylcyclohexanone, and phenylacetone, butyl acetate, amyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl Ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl-3-ethoxypropionate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, ethyl lactate, butyl lactate, lactic acid Ester solvents such as propyl, amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, and N,N-dimethylformamide, aromatic hydrocarbon solvents such as xylene; and aliphatic hydrocarbon solvents such as octane and decane.

-계면활성제--Surfactants-

현상액은, 계면활성제를 함유해도 된다.The developing solution may contain surfactant.

계면활성제로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 상기의 보호층의 항에서 설명한 계면활성제가 바람직하게 이용된다.Although it does not specifically limit as surfactant, For example, the surfactant demonstrated in the term of the said protective layer is used preferably.

현상액에 계면활성제를 배합하는 경우, 그 배합량은 현상액의 전량에 대하여, 통상 0.001~5질량%이며, 바람직하게는 0.005~2질량%이고, 보다 바람직하게는 0.01~0.5질량%이다.When mix|blending surfactant with a developing solution, the compounding quantity is 0.001-5 mass % normally with respect to the whole quantity of a developing solution, Preferably it is 0.005-2 mass %, More preferably, it is 0.01-0.5 mass %.

〔감광층 형성용 조성물〕[Composition for photosensitive layer formation]

감광층 형성용 조성물은, 적층체에 포함되는 감광층의 형성에 이용되는 조성물이다.The composition for photosensitive layer formation is a composition used for formation of the photosensitive layer contained in a laminated body.

적층체에 있어서, 감광층은, 예를 들면, 감광층 형성용 조성물을 보호층 상에 적용하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 적용 방법으로서는, 예를 들면, 후술하는 보호층에 있어서의 보호층 형성용 조성물의 적용 방법에 대한 기재를 참조할 수 있다.A laminate WHEREIN: The photosensitive layer can be formed by applying the composition for photosensitive layer formation on a protective layer, and drying, for example. As an application method, the description about the application method of the composition for protective layer formation in the protective layer mentioned later can be referred, for example.

감광층 형성용 조성물은, 상술한 감광층에 포함되는 성분(예를 들면, 감광층용 특정 수지, 광산발생제, 염기성 화합물, 계면활성제, 및, 그 외의 성분 등)과, 용제를 포함하는 것이 바람직하다. 이들 감광층에 포함되는 성분은, 용제에 용해 또는 분산되어 있는 것이 바람직하고, 용해되어 있는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the composition for forming a photosensitive layer contains a component (for example, a specific resin for a photosensitive layer, a photo-acid generator, a basic compound, a surfactant, and other components, etc.) contained in the above-mentioned photosensitive layer, and a solvent do. It is preferable to melt|dissolve or disperse|distribute to the solvent, and, as for the component contained in these photosensitive layers, it is more preferable to melt|dissolve.

감광층 형성용 조성물에 포함되는 성분의 함유량은, 상술한 각 성분의 감광층의 전체 질량에 대한 함유량을, 감광층 형성용 조성물의 고형분량에 대한 ?유량으로 대체한 것으로 하는 것이 바람직하다.As for content of the component contained in the composition for photosensitive layer formation, it is preferable to substitute content with respect to the total mass of the photosensitive layer of each component mentioned above with the -flow rate with respect to the solid content of the composition for photosensitive layer formation.

-유기 용제--Organic solvent-

감광층 형성용 조성물에 사용되는 유기 용제로서는, 공지의 유기 용제를 이용할 수 있고, 에틸렌글라이콜모노알킬에터류, 에틸렌글라이콜다이알킬에터류, 에틸렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류, 프로필렌글라이콜모노알킬에터류, 프로필렌글라이콜다이알킬에터류, 프로필렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류, 다이에틸렌글라이콜다이알킬에터류, 다이에틸렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류, 다이프로필렌글라이콜모노알킬에터류, 다이프로필렌글라이콜다이알킬에터류, 다이프로필렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류, 에스터류, 케톤류, 아마이드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다.As an organic solvent used for the composition for photosensitive layer formation, a well-known organic solvent can be used, Ethylene glycol monoalkyl ether, ethylene glycol dialkyl ether, ethylene glycol monoalkyl ether acetate, Propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates , dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, and the like can be exemplified.

유기 용제로서는, 예를 들면,As an organic solvent, for example,

(1) 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 에틸렌글라이콜모노프로필에터, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터 등의 에틸렌글라이콜모노알킬에터류;(1) ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether and ethylene glycol monobutyl ether;

(2) 에틸렌글라이콜다이메틸에터, 에틸렌글라이콜다이에틸에터, 에틸렌글라이콜다이프로필에터 등의 에틸렌글라이콜다이알킬에터류;(2) ethylene glycol dialkyl ethers such as ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, and ethylene glycol dipropyl ether;

(3) 에틸렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 에틸렌글라이콜모노프로필에터아세테이트, 에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트 등의 에틸렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류;(3) Ethylene glycol monoalkyl, such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether acetate, and ethylene glycol monobutyl ether acetate ether acetates;

(4) 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노에틸에터, 프로필렌글라이콜모노프로필에터, 프로필렌글라이콜모노뷰틸에터 등의 프로필렌글라이콜모노알킬에터류;(4) propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, and propylene glycol monobutyl ether;

(5) 프로필렌글라이콜다이메틸에터, 프로필렌글라이콜다이에틸에터 등의 프로필렌글라이콜다이알킬에터류;(5) propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether and propylene glycol diethyl ether;

(6) 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트 등의 프로필렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류;(6) Propylene glycol monoalkyl, such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, and propylene glycol monobutyl ether acetate ether acetates;

(7) 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 다이에틸렌글라이콜다이에틸에터, 다이에틸렌글라이콜에틸메틸에터 등의 다이에틸렌글라이콜다이알킬에터류;(7) diethylene glycol dialkyl ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether;

(8) 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노프로필에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트 등의 다이에틸렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류;(8) Diethylene such as diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, and diethylene glycol monobutyl ether acetate glycol monoalkyl ether acetates;

(9) 다이프로필렌글라이콜모노메틸에터, 다이프로필렌글라이콜모노에틸에터, 다이프로필렌글라이콜모노프로필에터, 다이프로필렌글라이콜모노뷰틸에터 등의 다이프로필렌글라이콜모노알킬에터류;(9) Dipropylene glycol monomethyl ether, such as dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, and dipropylene glycol monobutyl ether alkyl ethers;

(10) 다이프로필렌글라이콜다이메틸에터, 다이프로필렌글라이콜다이에틸에터, 다이프로필렌글라이콜에틸메틸에터 등의 다이프로필렌글라이콜다이알킬에터류;(10) dipropylene glycol dialkyl ethers such as dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, and dipropylene glycol ethyl methyl ether;

(11) 다이프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 다이프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 다이프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트, 다이프로필렌글라이콜모노뷰틸에터아세테이트 등의 다이프로필렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류;(11) Dipropylene such as dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol monopropyl ether acetate, and dipropylene glycol monobutyl ether acetate glycol monoalkyl ether acetates;

(12) 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 n-프로필, 락트산 아이소프로필, 락트산 n-뷰틸, 락트산 아이소뷰틸, 락트산 n-아밀, 락트산 아이소아밀 등의 락트산 에스터류;(12) lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, isopropyl lactate, n-butyl lactate, isobutyl lactate, n-amyl lactate, and isoamyl lactate;

(13) 아세트산 n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 아세트산 n-아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 n-헥실, 아세트산 2-에틸헥실, 프로피온산 에틸, 프로피온산 n-프로필, 프로피온산 아이소프로필, 프로피온산 n-뷰틸, 프로피온산 아이소뷰틸, 뷰티르산 메틸, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 n-프로필, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 n-뷰틸, 뷰티르산 아이소뷰틸 등의 지방족 카복실산 에스터류;(13) n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, n-hexyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, ethyl propionate, n-propyl propionate, isopropyl propionate, n-butyl propionic acid, propionic acid aliphatic carboxylic acid esters such as isobutyl, methyl butyrate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate, isopropyl butyrate, n-butyl butyrate, and isobutyl butyrate;

(14) 하이드록시아세트산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 2-하이드록시-3-메틸뷰티르산 에틸, 메톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 3-메톡시뷰틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시뷰틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시뷰틸프로피오네이트, 3-메틸-3-메톡시뷰틸뷰티레이트, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸 등의 다른 에스터류;(14) Ethyl hydroxyacetate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl 3-methoxypropionate, 3- Ethyl methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methoxybutylacetate, 3-methyl-3-methoxybutylacetate, 3-methyl-3-methoxybutylpropionate, other esters such as 3-methyl-3-methoxybutylbutyrate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl pyruvate, and ethyl pyruvate;

(15) 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸-n-뷰틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 2-헵탄온, 3-헵탄온, 4-헵탄온, 사이클로헥산온 등의 케톤류;(15) ketones such as methyl ethyl ketone, methyl propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, methyl isobutyl ketone, 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, and cyclohexanone;

(16) N-메틸폼아마이드, N,N-다이메틸폼아마이드, N-메틸아세트아마이드, N,N-다이메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈 등의 아마이드류;(16) amides such as N-methylformamide, N,N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N,N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone;

(17) γ-뷰티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.(17) Lactones, such as (gamma)-butyrolactone, etc. are mentioned.

또, 이들 유기 용제에 추가로 필요에 따라, 벤질에틸에터, 다이헥실에터, 에틸렌글라이콜모노페닐에터아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 아이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아니솔, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 다이에틸, 말레산 다이에틸, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌 등의 유기 용제를 첨가할 수도 있다.In addition to these organic solvents, if necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ter, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate, propylene carbonate, etc. An organic solvent may also be added.

상기한 유기 용제 중, 프로필렌글라이콜모노알킬에터아세테이트류, 또는, 다이에틸렌글라이콜다이알킬에터류가 바람직하고, 다이에틸렌글라이콜에틸메틸에터, 또는, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트가 특히 바람직하다.Among the organic solvents described above, propylene glycol monoalkyl ether acetates or diethylene glycol dialkyl ethers are preferable, and diethylene glycol ethyl methyl ether or propylene glycol monomethyl ether is preferable. Etheracetate is particularly preferred.

감광층 형성용 조성물이, 유기 용제를 포함하는 경우, 유기 용제의 함유량은, 감광층용 특정 수지 100질량부당, 1~3,000질량부인 것이 바람직하고, 5~2,000질량부인 것이 보다 바람직하며, 10~1,500질량부인 것이 더 바람직하다.When the composition for photosensitive layer formation contains an organic solvent, it is preferable that content of the organic solvent is 1-3,000 mass parts per 100 mass parts of specific resin for photosensitive layers, It is more preferable that it is 5-2,000 mass parts, It is more preferable, 10-1,500 It is more preferable that it is a mass part.

이들 유기 용제는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.These organic solvents can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

유기 용제를 2종 이상 이용하는 경우에는, 그들의 합계량이 상기 범위가 되는 것이 바람직하다.When using 2 or more types of organic solvents, it is preferable that those total amounts become the said range.

<적층체 형성용 키트><Kit for forming a laminate>

적층체 형성용 키트는, 예를 들면, 상술한 보호층 형성용 조성물 및 감광층 형성용 조성물을 포함한다. 또, 적층체 형성용 키트는, 상술한 유기층 형성용 조성물을 더 포함해도 된다.The kit for forming a laminate includes, for example, the above-described composition for forming a protective layer and a composition for forming a photosensitive layer. Moreover, the kit for laminated body formation may further contain the composition for organic layer formation mentioned above.

<적층체의 제조 방법과 유기층의 패터닝 방법><Method for manufacturing laminate and patterning method for organic layer>

적층체의 제조 방법은, 하기 공정 (1)을 적어도 포함한다. 또, 유기층의 패터닝 방법은, 하기 공정 (1)~(5)를 적어도 포함한다.The manufacturing method of a laminated body includes the following process (1) at least. Moreover, the patterning method of an organic layer includes the following processes (1)-(5) at least.

(1) 기판 상의 유기층 상에, 보호층을 형성하는 공정,(1) a step of forming a protective layer on the organic layer on the substrate;

(2) 보호층의 유기층과 반대 측 상에, 감광층을 제막하는 공정,(2) a step of forming a photosensitive layer on the side opposite to the organic layer of the protective layer;

(3) 감광층을 노광하는 공정,(3) exposing the photosensitive layer;

(4) 유기 용제를 포함하는 현상액을 이용하여 감광층을 현상하여 마스크 패턴을 제작하는 공정,(4) a process of producing a mask pattern by developing the photosensitive layer using a developer containing an organic solvent;

(5) 비마스크부의 보호층 및 유기층을 제거하는 공정,(5) a step of removing the protective layer and the organic layer of the non-mask portion;

(6) 박리액을 이용하여 보호층을 제거하는 공정,(6) a step of removing the protective layer using a stripper;

<<(1) 유기층 상에, 보호층을 제막하는 공정>><<(1) Step of forming a protective layer into a film on the organic layer >>

본 실시형태의 유기층의 패터닝 방법은, 유기층 상에 보호층을 제막하는 공정을 포함한다. 통상은, 기재 상에 유기층을 제막한 후에, 본 공정을 행한다. 이 경우, 보호층은, 유기층의 기재 측의 면과 반대 측의 면에 제막한다. 보호층은, 유기층과 직접 접하도록 제막되는 것이 바람직하지만, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 다른 층이 사이에 마련되어도 된다. 다른 층으로서는, 불소계의 언더코팅층 등을 들 수 있다. 또, 보호층은 1층만 마련되어도 되고, 2층 이상 마련되어도 된다. 보호층은, 상술한 바와 같이, 바람직하게는, 보호층 형성용 조성물을 이용하여 형성된다.The patterning method of the organic layer of this embodiment includes the process of forming a protective layer into a film on the organic layer. Usually, after forming an organic layer into a film on a base material, this process is performed. In this case, a protective layer is formed into a film on the surface on the opposite side to the surface on the side of a base material of an organic layer. The protective layer is preferably formed so as to be in direct contact with the organic layer, but other layers may be provided therebetween without departing from the spirit of the present invention. As another layer, a fluorine-type undercoat layer etc. are mentioned. Moreover, only one layer of a protective layer may be provided, and two or more layers may be provided. The protective layer is preferably formed using the composition for forming a protective layer as described above.

형성 방법의 상세는, 상술한 적층체에 있어서의 보호층 형성용 조성물의 적용 방법을 참조할 수 있다.For the detail of a formation method, the application method of the composition for protective layer formation in the laminated body mentioned above can be referred.

<<(2) 보호층의 유기층과 반대 측 상에, 감광층을 제막하는 공정>><<(2) Step of forming a photosensitive layer on the side opposite to the organic layer of the protective layer >>

상기 (1)의 공정 후, 보호층의 유기층 측의 면과 반대 측 상(바람직하게는 표면 상)에, 감광층을 제막한다. 감광층은, 상술한 바와 같이, 바람직하게는, 감광층 형성용 조성물을 이용하여 형성된다. 형성 방법의 상세는, 상술한 적층체에 있어서의 감광층 형성용 조성물의 적용 방법을 참조할 수 있다.After the step (1) above, a photosensitive layer is formed on the side opposite to the surface of the protective layer on the organic layer side (preferably on the surface). The photosensitive layer is preferably formed using the composition for photosensitive layer formation as described above. For the detail of a formation method, the application method of the composition for photosensitive layer formation in the laminated body mentioned above can be referred.

<<(3) 감광층을 노광하는 공정>><<(3) Step of exposing the photosensitive layer >>

(2)의 공정에서 감광층을 제막 후, 상기 감광층을 노광한다. 구체적으로는, 예를 들면, 감광층의 적어도 일부에 활성광선을 조사(노광)한다.After the photosensitive layer is formed in the step (2), the photosensitive layer is exposed to light. Specifically, for example, at least a part of the photosensitive layer is irradiated (exposed) with actinic rays.

상기 노광은 소정의 패턴이 되도록 행하는 것이 바람직하다. 또, 노광은 포토마스크를 통하여 행해도 되고, 소정의 패턴을 직접 묘화해도 된다.The exposure is preferably performed so as to form a predetermined pattern. Moreover, exposure may be performed through a photomask, and a predetermined|prescribed pattern may be drawn directly.

노광 시의 활성광선의 파장으로서는, 바람직하게는 180nm 이상 450nm 이하의 파장, 보다 바람직하게는 365nm(i선), 248nm(KrF선) 또는 193nm(ArF선)의 파장을 갖는 활성광선을 사용할 수 있다.As the wavelength of actinic ray during exposure, preferably 180 nm or more and 450 nm or less, more preferably, an actinic ray having a wavelength of 365 nm (i-line), 248 nm (KrF line) or 193 nm (ArF line) can be used. .

활성광선의 광원으로서는, 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, 레이저 발생 장치, 발광 다이오드(LED) 광원 등을 이용할 수 있다.As the light source of the actinic ray, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a chemical lamp, a laser generator, a light emitting diode (LED) light source, or the like can be used.

광원으로서 수은등을 이용하는 경우에는, g선(436nm), i선(365nm), h선(405nm) 등의 파장을 갖는 활성광선을 바람직하게 사용할 수 있으며, i선을 이용하는 것이 보다 바람직하다.When a mercury lamp is used as the light source, actinic rays having a wavelength such as g-line (436 nm), i-line (365 nm), or h-line (405 nm) can be preferably used, and i-ray is more preferably used.

광원으로서 레이저 발생 장치를 이용하는 경우에는, 고체(YAG) 레이저에서는 343nm, 355nm의 파장을 갖는 활성광선이 적합하게 이용되고, 엑시머 레이저에서는, 193nm(ArF선), 248nm(KrF선), 351nm(Xe선)의 파장을 갖는 활성광선이 적합하게 이용되며, 또한 반도체 레이저에서는 375nm, 405nm의 파장을 갖는 활성광선이 적합하게 이용된다. 이 중에서도, 안정성, 비용 등의 점에서 355nm, 또는, 405nm의 파장을 갖는 활성광선이 보다 바람직하다. 레이저는, 1회 혹은 복수 회로 나누어, 감광층에 조사할 수 있다.When a laser generator is used as the light source, actinic rays having wavelengths of 343 nm and 355 nm are suitably used for solid-state (YAG) lasers, and for excimer lasers, 193 nm (ArF line), 248 nm (KrF line), 351 nm (Xe) Actinic ray having a wavelength of line) is suitably used, and in a semiconductor laser, actinic ray having a wavelength of 375 nm or 405 nm is suitably used. Among these, the actinic ray which has a wavelength of 355 nm or 405 nm from points, such as stability and cost, is more preferable. The laser can be irradiated to the photosensitive layer once or divided into a plurality of times.

노광량은, 40~120mJ이 바람직하고, 60~100mJ이 보다 바람직하다.40-120 mJ is preferable and, as for an exposure amount, 60-100 mJ is more preferable.

레이저의 1펄스당 에너지 밀도는, 0.1mJ/cm2 이상 10,000mJ/cm2 이하인 것이 바람직하다. 도막을 충분히 경화시키기 위해서는, 0.3mJ/cm2 이상이 보다 바람직하며, 0.5mJ/cm2 이상이 더 바람직하다. 어블레이션 현상에 의한 감광층 등의 분해를 억제하는 관점에서는, 노광량을 1,000mJ/cm2 이하로 하는 것이 바람직하고, 100mJ/cm2 이하가 보다 바람직하다.The energy density per pulse of the laser is preferably 0.1 mJ/cm 2 or more and 10,000 mJ/cm 2 or less. In order to sufficiently harden the coating film, 0.3 mJ/cm 2 or more is more preferable, and 0.5 mJ/cm 2 or more is still more preferable. From a viewpoint of suppressing decomposition|disassembly of the photosensitive layer etc. by an ablation phenomenon, it is preferable to make an exposure amount into 1,000 mJ/cm< 2 > or less, and 100 mJ/cm< 2 > or less is more preferable.

또, 펄스폭은, 0.1나노초(이하, "ns"라고 칭한다) 이상 30,000ns 이하인 것이 바람직하다. 어블레이션 현상에 의하여 색 도막을 분해시키지 않도록 하기 위해서는, 0.5ns 이상이 보다 바람직하며, 1ns 이상이 한층 바람직하다. 스캔 노광 시에 맞춤 정밀도를 향상시키기 위해서는, 1,000ns 이하가 보다 바람직하며, 50ns 이하가 더 바람직하다.Moreover, it is preferable that a pulse width is 0.1 nanosecond (henceforth "ns") or more and 30,000 ns or less. In order not to decompose the color coating film by the ablation phenomenon, 0.5 ns or more is more preferable, and 1 ns or more is still more preferable. In order to improve the alignment precision at the time of scan exposure, 1,000 ns or less is more preferable, and 50 ns or less is still more preferable.

광원으로서 레이저 발생 장치를 이용하는 경우, 레이저의 주파수는, 1Hz 이상 50,000Hz 이하가 바람직하고, 10Hz 이상 1,000Hz 이하가 보다 바람직하다.When using a laser generator as a light source, 1 Hz or more and 50,000 Hz or less are preferable and, as for the frequency of a laser, 10 Hz or more and 1,000 Hz or less are more preferable.

또한, 노광 처리 시간을 짧게 하기 위해서는, 레이저의 주파수는, 10Hz 이상이 보다 바람직하며, 100Hz 이상이 더 바람직하고, 스캔 노광 시에 맞춤 정밀도를 향상시키기 위해서는, 10,000Hz 이하가 보다 바람직하며, 1,000Hz 이하가 더 바람직하다.In addition, in order to shorten the exposure processing time, the frequency of the laser is more preferably 10 Hz or more, more preferably 100 Hz or more, and in order to improve the alignment accuracy during scan exposure, more preferably 10,000 Hz or less, and 1,000 Hz or more. The following are more preferable.

레이저는, 수은등과 비교하면 초점을 맞추는 것이 용이하고, 또, 노광 공정에서의 패턴 형성에 있어서 포토마스크의 사용을 생략할 수 있다는 점에서도 바람직하다.Compared with a mercury lamp, a laser is easy to focus, and it is preferable also from the point which can abbreviate|omit use of a photomask in pattern formation in an exposure process.

노광 장치로서는, 특별히 제한은 없지만, 시판되고 있는 것으로서는, Callisto((주)브이·테크놀로지제), AEGIS((주)브이·테크놀로지제), DF2200G(다이닛폰 스크린 세이조(주)제) 등을 사용하는 것이 가능하다. 또 상기 이외의 장치도 적합하게 이용된다.Although there is no restriction|limiting in particular as an exposure apparatus, As what is marketed, Callisto (made by V Technology Co., Ltd.), AEGIS (made by V Technology Co., Ltd.), DF2200G (made by Dainippon Screen Seijo Co., Ltd.) etc. It is possible to use Moreover, devices other than the above are also used suitably.

또, 필요에 따라, 장파장 차단 필터, 단파장 차단 필터, 밴드 패스 필터와 같은 분광 필터를 통하여, 조사광량을 조정할 수도 있다.Moreover, the amount of irradiation light can also be adjusted through a spectral filter like a long wavelength cut off filter, a short wavelength cut off filter, and a band pass filter as needed.

또, 상기 노광 후, 필요에 따라 노광 후 가열 공정(PEB)을 행해도 된다.Moreover, after the said exposure, you may perform a post-exposure heating process (PEB) as needed.

<<(4) 유기 용제를 포함하는 현상액을 이용하여 감광층을 현상하여 마스크 패턴을 제작하는 공정>><<(4) Process of manufacturing a mask pattern by developing a photosensitive layer using a developer containing an organic solvent >>

(3)의 공정에서 감광층을 포토마스크를 통하여 노광 후, 현상액을 이용하여 감광층을 현상한다.After exposing the photosensitive layer through a photomask in the step (3), the photosensitive layer is developed using a developer.

현상은 네거티브형이 바람직하다. 현상액의 상세는, 상술한 감광층의 설명에 있어서 기재한 바와 같다.As for development, negative type is preferable. The details of the developer are as described above in the description of the photosensitive layer.

현상 방법으로서는, 예를 들면, 현상액이 채워진 조(槽) 내에 기재를 일정 시간 침지하는 방법(딥법), 기재 표면에 현상액을 표면 장력에 의하여 융기시켜 일정 시간 정지시킴으로써 현상하는 방법(퍼들법), 기재 표면에 현상액을 분무하는 방법(스프레이법), 일정 속도로 회전하고 있는 기재 상에 일정 속도로 현상액 토출 노즐을 스캔하면서 현상액을 계속 토출하는 방법(다이나믹 디스펜스법) 등을 적용할 수 있다.As the developing method, for example, a method of immersing the substrate in a tank filled with a developer for a certain period of time (dip method), a method of developing by raising the developer on the surface of the substrate by surface tension and stopping for a certain period of time (puddle method); A method of spraying a developer on the surface of a substrate (spray method), a method of continuously discharging a developer while scanning a developer discharge nozzle at a constant speed on a substrate rotating at a constant speed (dynamic dispensing method), etc. can be applied.

상기 각종 현상 방법이, 현상 장치의 현상 노즐로부터 현상액을 감광층을 향하여 토출하는 공정을 포함하는 경우, 토출되는 현상액의 토출압(토출되는 현상액의 단위 면적당 유속)은, 바람직하게는 2mL/초/mm2 이하, 보다 바람직하게는 1.5mL/초/mm2 이하, 더 바람직하게는 1mL/초/mm2 이하이다. 토출압의 하한은 특별히 없지만, 스루풋을 고려하면 0.2mL/초/mm2 이상이 바람직하다. 토출되는 현상액의 토출압을 상기의 범위로 함으로써, 현상 후의 레지스트 잔사에서 유래하는 패턴의 결함을 현저하게 저감시킬 수 있다.When the above various developing methods include a step of discharging the developer from the developing nozzle of the developing device toward the photosensitive layer, the discharge pressure of the discharged developer (flow rate per unit area of the discharged developer) is preferably 2 mL/sec/ mm 2 or less, more preferably 1.5 mL/sec/mm 2 or less, and still more preferably 1 mL/sec/mm 2 or less. Although there is no particular lower limit of the discharge pressure, 0.2 mL/sec/mm 2 or more is preferable in consideration of throughput. By setting the discharge pressure of the discharged developer within the above range, it is possible to remarkably reduce defects in the pattern derived from the resist residue after development.

이 메커니즘의 상세는 확실하지는 않지만, 아마도, 토출압을 상기 범위로 함으로써, 현상액이 감광층에 부여하는 압력이 작아져, 감광층 상의 레지스트 패턴이 부주의하게 깎이거나 붕괴되는 것이 억제되기 때문이라고 생각된다. 또한, 현상액의 토출압(mL/초/mm2)은, 현상 장치 중의 현상 노즐 출구에 있어서의 값이다.Although the details of this mechanism are not certain, it is probably because by setting the discharge pressure within the above range, the pressure applied by the developer to the photosensitive layer is reduced, and the resist pattern on the photosensitive layer is suppressed from being inadvertently scraped or collapsed. . The discharge pressure (mL/sec/mm 2 ) of the developer is a value at the outlet of the developing nozzle in the developing device.

현상액의 토출압을 조정하는 방법으로서는, 예를 들면, 펌프 등으로 토출압을 조정하는 방법이나, 가압 탱크로부터의 공급으로 압력을 조정함으로써 변경하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of adjusting the discharge pressure of a developing solution, the method of adjusting the discharge pressure with a pump etc., the method of changing by adjusting the pressure by supply from a pressurization tank, etc. are mentioned, for example.

또, 유기 용제를 포함하는 현상액을 이용하여 현상하는 공정 후에, 다른 유기 용제로 치환하면서, 현상을 정지하는 공정을 실시해도 된다.Moreover, you may implement the process of stopping image development, replacing with another organic solvent after the process of developing using the developing solution containing an organic solvent.

<<(5) 비마스크부의 보호층 및 유기층을 제거하는 공정>><<(5) Step of removing the protective layer and the organic layer of the non-mask part >>

감광층을 현상하여 마스크 패턴을 제작한 후, 에칭 처리에서 적어도 비마스크부의 상기 보호층 및 상기 유기층을 제거한다. 비마스크부란, 감광층을 현상하여 형성된 마스크 패턴에 의하여 마스크되어 있지 않은 영역(감광층이 현상에 의하여 제거된 영역)을 말한다.After the photosensitive layer is developed to produce a mask pattern, at least the protective layer and the organic layer of the non-mask portion are removed in an etching process. The non-masked portion refers to a region that is not masked by the mask pattern formed by developing the photosensitive layer (the region in which the photosensitive layer is removed by development).

상기 에칭 처리는 복수의 단계로 나누어 행해져도 된다. 예를 들면, 상기 보호층 및 상기 유기층은, 한 번의 에칭 처리에 의하여 제거되어도 되고, 보호층의 적어도 일부가 에칭 처리에 의하여 제거된 후에, 유기층(및, 필요에 따라 보호층의 잔부)이 에칭 처리에 의하여 제거되어도 된다.The etching treatment may be performed in a plurality of steps. For example, the protective layer and the organic layer may be removed by one etching process, and after at least a part of the protective layer is removed by the etching process, the organic layer (and, if necessary, the remainder of the protective layer) is etched. It may be removed by treatment.

또, 상기 에칭 처리는 드라이 에칭 처리여도 되고 웨트 에칭 처리여도 되며, 에칭을 복수 회로 나누어 드라이 에칭 처리와 웨트 에칭 처리를 행하는 양태여도 된다. 예를 들면, 보호층의 제거는 드라이 에칭에 의한 것이어도 되고 웨트 에칭에 의한 것이어도 된다.Moreover, dry etching process or wet etching process may be sufficient as the said etching process, and the aspect which divides etching into a plurality of times to perform dry etching process and wet etching process may be sufficient as it. For example, the protective layer may be removed by dry etching or wet etching.

상기 보호층 및 상기 유기층을 제거하는 방법으로서는, 예를 들면, 상기 보호층 및 상기 유기층을 한 번의 드라이 에칭 처리에 의하여 제거하는 방법 A, 상기 보호층의 적어도 일부를 웨트 에칭 처리에 의하여 제거하고, 그 후에 상기 유기층(및, 필요에 따라 상기 보호층의 잔부)을 드라이 에칭에 의하여 제거하는 방법 B 등의 방법을 들 수 있다.As a method of removing the protective layer and the organic layer, for example, method A in which the protective layer and the organic layer are removed by a single dry etching treatment, at least a part of the protective layer is removed by a wet etching treatment, Methods, such as method B, which removes the said organic layer (and the remainder of the said protective layer as needed) by dry etching after that, are mentioned.

상기 방법 A에 있어서의 드라이 에칭 처리, 상기 방법 B에 있어서의 웨트 에칭 처리 및 드라이 에칭 처리 등은, 공지의 에칭 처리 방법에 따라 행하는 것이 가능하다.The dry etching treatment in the method A, the wet etching treatment in the method B, the dry etching treatment, and the like can be performed according to a known etching treatment method.

이하, 상기 방법 A의 일 양태의 상세에 대하여 설명한다. 상기 방법 B의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2014-098889호의 기재 등을 참조할 수 있다Hereinafter, the detail of one aspect of the said method A is demonstrated. As a specific example of the said method B, the description of Unexamined-Japanese-Patent No. 2014-098889, etc. can be referred.

상기 방법 A에 있어서, 구체적으로는, 레지스트 패턴을 에칭 마스크(마스크 패턴)로 하여, 드라이 에칭을 행함으로써, 비마스크부의 보호층 및 유기층을 제거할 수 있다. 드라이 에칭의 대표적인 예로서는, 일본 공개특허공보 소59-126506호, 일본 공개특허공보 소59-046628호, 일본 공개특허공보 소58-009108호, 일본 공개특허공보 소58-002809호, 일본 공개특허공보 소57-148706호, 일본 공개특허공보 소61-041102호에 기재된 방법이 있다.In the said method A, specifically, the protective layer and organic layer of a non-mask part can be removed by dry etching using a resist pattern as an etching mask (mask pattern). As a representative example of dry etching, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-126506, Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-046628, Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-009108, Japanese Unexamined Patent Publication No. 58-002809, Japanese Patent Laid-Open No. There is a method described in So 57-148706 and Japanese Patent Laid-Open No. 61-041102.

드라이 에칭으로서는, 형성되는 유기층의 패턴의 단면을 보다 직사각형에 가깝게 형성하는 관점이나 유기층에 대한 대미지를 보다 저감시키는 관점에서, 이하의 형태로 행하는 것이 바람직하다.As dry etching, it is preferable to perform in the following form from a viewpoint of forming the cross section of the pattern of the organic layer to be formed close|similar to a rectangle, or a viewpoint of further reducing the damage to an organic layer.

불소계 가스와 산소 가스(O2)의 혼합 가스를 이용하여, 유기층이 노출되지 않는 영역(깊이)까지 에칭을 행하는 제1 단계 에칭과, 이 제1 단계 에칭 후에, 질소 가스(N2)와 산소 가스(O2)의 혼합 가스를 이용하여, 바람직하게는 유기층이 노출되는 영역(깊이) 부근까지 에칭을 행하는 제2 단계 에칭과, 유기층이 노출된 후에 행하는 오버 에칭을 포함하는 형태가 바람직하다. 이하, 드라이 에칭의 구체적 수법, 및 제1 단계 에칭, 제2 단계 에칭, 및 오버 에칭에 대하여 설명한다.A first step etching in which etching is performed to a region (depth) where the organic layer is not exposed using a mixed gas of a fluorine-based gas and oxygen gas (O 2 ), and after the first step etching, nitrogen gas (N 2 ) and oxygen It is preferable to use a gas mixture of a gas (O 2 ) to etch a second-stage etching in which the organic layer is preferably etched to the vicinity of the exposed region (depth), and an over-etching performed after the organic layer is exposed. Hereinafter, the specific method of dry etching, and 1st step etching, 2nd step etching, and over etching are demonstrated.

드라이 에칭에 있어서의 에칭 조건은, 하기 수법에 의하여, 에칭 시간을 산출하면서 행하는 것이 바람직하다.It is preferable to perform etching conditions in dry etching, calculating etching time by the following method.

(A) 제1 단계 에칭에 있어서의 에칭 레이트(nm/분)와, 제2 단계 에칭에 있어서의 에칭 레이트(nm/분)를 각각 산출한다.(A) The etching rate (nm/min) in 1st-step etching and the etching rate (nm/min) in 2nd-step etching are computed, respectively.

(B) 제1 단계 에칭에서 원하는 두께를 에칭하는 시간과, 제2 단계 에칭에서 원하는 두께를 에칭하는 시간을 각각 산출한다.(B) The time for etching the desired thickness in the first step etching and the time for etching the desired thickness in the second step etching are respectively calculated.

(C) 상기 (B)에서 산출한 에칭 시간에 따라 제1 단계 에칭을 실시한다.(C) The first step etching is performed according to the etching time calculated in (B) above.

(D) 상기 (B)에서 산출한 에칭 시간에 따라 제2 단계 에칭을 실시한다. 혹은 엔드 포인트 검출로 에칭 시간을 결정하고, 결정한 에칭 시간에 따라 제2 단계 에칭을 실시해도 된다.(D) A second step etching is performed according to the etching time calculated in (B) above. Alternatively, the etching time may be determined by endpoint detection, and the second step etching may be performed according to the determined etching time.

(E) 상기 (C), (D)의 합계 시간에 대하여 오버 에칭 시간을 산출하여, 오버 에칭을 실시한다.(E) Over-etching is performed by calculating over-etching time with respect to the total time of said (C) and (D).

상기 제1 단계 에칭에 있어서 이용하는 혼합 가스로서는, 피에칭막인 유기 재료를 직사각형으로 가공하는 관점에서, 불소계 가스 및 산소 가스(O2)를 포함하는 것이 바람직하다. 또, 제1 단계 에칭에 있어서는, 적층체가 유기층이 노출되지 않는 영역까지 에칭된다. 그 때문에, 이 단계에서는 유기층은 대미지를 받고 있지 않거나, 대미지는 경미하다고 생각된다.The mixed gas used in the first-step etching preferably contains a fluorine-based gas and an oxygen gas (O 2 ) from the viewpoint of processing an organic material as a film to be etched into a rectangular shape. Moreover, in a 1st-step etching, the laminated body is etched to the area|region to which an organic layer is not exposed. Therefore, at this stage, the organic layer is not receiving any damage, or it is considered that the damage is slight.

또, 상기 제2 단계 에칭 및 상기 오버 에칭에 있어서는, 유기층의 대미지 회피의 관점에서, 질소 가스 및 산소 가스의 혼합 가스를 이용하여 에칭 처리를 행하는 것이 바람직하다.Moreover, in the said 2nd step etching and the said over-etching, it is preferable to perform an etching process using the mixed gas of nitrogen gas and oxygen gas from a viewpoint of avoiding damage to an organic layer.

제1 단계 에칭에 있어서의 에칭양과, 제2 단계 에칭에 있어서의 에칭양의 비율은, 제1 단계 에칭에 있어서의 유기층의 패턴의 단면에 있어서의 직사각형성이 우수하도록 결정하는 것이 중요하다.It is important to determine the ratio of the etching amount in the first step etching to the etching amount in the second step etching so that the rectangularity in the cross section of the organic layer pattern in the first step etching is excellent.

전체 에칭양(제1 단계 에칭에 있어서의 에칭양과 제2 단계 에칭에 있어서의 에칭양의 총합) 중에 있어서의, 제2 단계 에칭에 있어서의 에칭양의 비율은, 0%보다 크고 50% 이하인 것이 바람직하며, 10~20%가 보다 바람직하다. 에칭양이란, 피에칭막의 잔존하는 막두께와 에칭 전의 막두께의 차로부터 산출되는 양을 말한다.The ratio of the etching amount in the second step etching in the total etching amount (the sum of the etching amount in the first step etching and the etching amount in the second step etching) is greater than 0% and 50% or less It is preferable, and 10 to 20% is more preferable. The etching amount means an amount calculated from the difference between the remaining film thickness of the etched film and the film thickness before etching.

또, 에칭은, 오버 에칭 처리를 포함하는 것이 바람직하다. 오버 에칭 처리는, 오버 에칭 비율을 설정하여 행하는 것이 바람직하다. 오버 에칭 비율은 임의로 설정할 수 있지만, 포토레지스트의 에칭 내성과 피에칭 패턴(유기층)의 직사각형성 유지의 점에서, 에칭 공정에 있어서의 에칭 처리 시간 전체의 30% 이하인 것이 바람직하고, 5~25%인 것이 보다 바람직하며, 10~15%인 것이 특히 바람직하다.Moreover, it is preferable that etching includes an over-etching process. It is preferable to perform an over-etching process by setting an over-etching ratio. Although the over-etching ratio can be set arbitrarily, it is preferable that it is 30% or less of the whole etching processing time in an etching process from the point of the etching resistance of a photoresist and the point of maintaining the rectangularity of a pattern to be etched (organic layer), 5-25% It is more preferable that it is, and it is especially preferable that it is 10 to 15 %.

<<(6) 박리액을 이용하여 보호층을 제거하는 공정>><<(6) Step of removing the protective layer using a stripper >>

에칭 후, 박리액(예를 들면, 물)을 이용하여 보호층을 제거한다. 박리액의 상세는, 상술한 보호층의 설명에 있어서 기재한 바와 같다.After etching, the protective layer is removed using a stripper (eg, water). The details of the stripper are as described above in the description of the protective layer.

보호층을 박리액으로 제거하는 방법으로서는, 예를 들면, 스프레이식 또는 샤워식의 분사 노즐로부터 레지스트 패턴에 박리액을 분사하여, 보호층을 제거하는 방법을 들 수 있다. 박리액으로서는, 순수를 바람직하게 이용할 수 있다. 또, 분사 노즐로서는, 그 분사 범위 내에 기재 전체가 포함되는 분사 노즐이나, 가동식의 분사 노즐이며 그 가동 범위가 기재 전체를 포함하는 분사 노즐을 들 수 있다. 또 다른 양태로서, 기계적으로 보호층을 박리한 후에, 유기층 상에 잔존하는 보호층의 잔사를 용해 제거하는 양태를 들 수 있다.As a method of removing a protective layer with a stripper, the method of removing a protective layer by spraying stripping liquid to a resist pattern from a spray type or shower type spray nozzle, for example is mentioned. As the stripper, pure water can be preferably used. Moreover, as a spray nozzle, the spray nozzle in which the whole base material is contained within the spraying range, It is a movable spray nozzle, and the spray nozzle whose movable range contains the whole base material is mentioned. As another aspect, after mechanically peeling a protective layer, the aspect which melt|dissolves and removes the residue of the protective layer which remain|survives on an organic layer is mentioned.

분사 노즐이 가동식인 경우, 보호층을 제거하는 공정 중에 기재 중심부부터 기재 단부까지를 2회 이상 이동하여 박리액을 분사함으로써, 보다 효과적으로 레지스트 패턴을 제거할 수 있다.When the spray nozzle is of a movable type, the resist pattern can be removed more effectively by moving the stripping solution from the center of the substrate to the end of the substrate twice or more during the process of removing the protective layer.

보호층을 제거한 후, 건조 등의 공정을 행하는 것도 바람직하다. 건조 온도로서는, 80~120℃로 하는 것이 바람직하다.It is also preferable to perform a process, such as drying, after removing a protective layer. As a drying temperature, it is preferable to set it as 80-120 degreeC.

<용도><Use>

보호층 형성용 조성물을 응용한 적층체는, 유기 반도체를 이용한 반도체 소자(전자 디바이스)의 제조에 이용할 수 있다. 여기에서, 전자 디바이스란, 반도체를 함유하고, 또한 2개 이상의 전극을 가지며, 그 전극 사이에 흐르는 전류나 발생하는 전압을, 전기, 광, 자기, 화학 물질 등에 의하여 제어하는 디바이스, 혹은, 인가한 전압이나 전류에 의하여, 광이나 전장(電場), 자장(磁場) 등을 발생시키는 디바이스이다.The laminate to which the composition for forming a protective layer is applied can be used for manufacturing a semiconductor element (electronic device) using an organic semiconductor. Here, the electronic device is a device containing a semiconductor, having two or more electrodes, and controlling the current flowing between the electrodes or the voltage generated by electricity, light, magnetism, a chemical substance, or the like, or It is a device which generates light, an electric field, a magnetic field, etc. by voltage or current.

예로서는, 유기 광전변환 소자, 유기 전계 효과 트랜지스터, 유기 전계 발광 소자, 가스 센서, 유기 정류 소자, 유기 인버터, 정보 기록 소자 등을 들 수 있다. 유기 광전변환 소자는 광센서 용도, 에너지 변환 용도(태양 전지) 중 어느 것에도 이용할 수 있다. 이들 중에서, 용도로서 바람직하게는 유기 전계 효과 트랜지스터, 유기 광전변환 소자, 유기 전계 발광 소자이고, 보다 바람직하게는 유기 전계 효과 트랜지스터, 유기 광전변환 소자이며, 특히 바람직하게는 유기 전계 효과 트랜지스터이다.Examples include an organic photoelectric conversion element, an organic field effect transistor, an organic electroluminescent element, a gas sensor, an organic rectifying element, an organic inverter, and an information recording element. The organic photoelectric conversion element can be used for any of an optical sensor application and an energy conversion application (solar cell). Among these, as a use, Preferably they are an organic field effect transistor, an organic photoelectric conversion element, and an organic electroluminescent element, More preferably, they are an organic field effect transistor and an organic photoelectric conversion element, Especially preferably, they are an organic field effect transistor.

실시예Example

이하에, 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한, 적절히, 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는, 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. 실시예에 있어서, 특별히 설명하지 않는 한, "부" 및 "%"는 질량 기준이며, 각 공정의 환경 온도(실온)는 23℃이다.Hereinafter, the present invention will be more specifically described by way of Examples. Materials, amounts of use, ratios, processing contents, processing procedures, etc. shown in the Examples can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the specific examples shown below. In Examples, unless otherwise specified, "parts" and "%" are based on mass, and the environmental temperature (room temperature) of each process is 23°C.

폴리바이닐알코올 등의 수용성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, GPC 측정에 의한 폴리에터옥사이드 환산값으로서 산출했다. 장치로서 HLC-8220(도소(주)제)을 사용하고, 칼럼으로서 SuperMultiporePW-N(도소(주)제)을 사용했다.The weight average molecular weight (Mw) of water-soluble resins, such as polyvinyl alcohol, was computed as polyether oxide conversion value by GPC measurement. HLC-8220 (manufactured by Tosoh Corporation) was used as an apparatus, and SuperMultiporePW-N (manufactured by Tosoh Corporation) was used as a column.

(메트)아크릴 수지 등의 비수용성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, GPC 측정에 의한 폴리스타이렌 환산값으로서 산출했다. 장치로서 HLC-8220(도소(주)제)을 이용하고, 칼럼으로서 TSKgel Super AWM-H(도소(주)제, 6.0mmID×15.0cm)를 이용했다.The weight average molecular weight (Mw) of water-insoluble resins, such as (meth)acrylic resin, was computed as polystyrene conversion value by GPC measurement. HLC-8220 (manufactured by Tosoh Corporation) was used as an apparatus, and TSKgel Super AWM-H (manufactured by Tosoh Corporation, 6.0 mmID x 15.0 cm) was used as a column.

<보호층 형성용 조성물의 조제와 보존><Preparation and storage of the composition for forming a protective layer>

보호층 형성용 조성물 (S-1~S-24)에 대하여, 하기의 원료를 각각 혼합했다. 혼합 후, 교반기(핫 마그넷 스터러, C-MAG HS4, IKA사제)를 사용하여, 하기의 교반 조건하, 보호층 형성용 조성물을 각각 교반했다. 교반이 종료된 후, 스테인리스 프레셔 필터 홀더(sartorius사제)에, 구멍 직경 5μm의 PVDF(폴리 불화 바이닐리덴) 멤브레인 필터(듀라포어(Durapore), Merck사제)를 설치하고, 이것을 이용하여 2MPa로 가압하면서 각 조성물을 여과했다. 이 여과 후, 대기하에서, 충전율이 80%가 되도록, 유리제 용기(용적 250mL)에 상기 조성물을 각각 충전하여, 나사식 캡으로 용기를 밀봉했다. 그 후, 하기 표 1 및 표 2에 기재된 각 보존 조건하, 조성물이 충전된 용기를 냉장고 내에서 각각 보존했다(실시예 1~36 및 비교예 1~5).For the compositions for forming a protective layer (S-1 to S-24), the following raw materials were mixed, respectively. After mixing, the composition for forming a protective layer was each stirred under the following stirring conditions using a stirrer (hot magnet stirrer, C-MAG HS4, manufactured by IKA Corporation). After the stirring was completed, a PVDF (polyvinylidene fluoride) membrane filter (Durapore, Merck) with a pore diameter of 5 μm was installed in a stainless steel pressure filter holder (manufactured by Sartorius), and pressurized to 2 MPa using this. While filtering each composition. After this filtration, each of the compositions was filled in glass containers (volume of 250 mL) under the atmosphere so that the filling rate was 80%, and the containers were sealed with screw caps. Then, under each storage condition shown in following Table 1 and Table 2, the container with which the composition was filled was each preserve|saved in a refrigerator (Examples 1-36 and Comparative Examples 1-5).

<<교반 조건>><<Stirring conditions>>

·분위기: 대기・Atmosphere: Atmosphere

·교반 시간: 240분・Stirring time: 240 minutes

·교반 온도: 50℃・Stirring temperature: 50℃

·교반 부재의 회전 속도: 500rpm· Rotational speed of the stirring member: 500 rpm

<<보호층 형성용 조성물 S-1, S-10, S-20, S-24>><<Composition for forming a protective layer S-1, S-10, S-20, S-24>>

·표에 기재된 각 수용성 수지 15.000질량부・15.000 parts by mass of each water-soluble resin listed in the table

·표에 기재된 각 계면활성제 0.008질량부· 0.008 parts by mass of each surfactant listed in the table

·물 84.992질량부· 84.992 parts by mass of water

<<보호층 형성용 조성물 S-2~S-7>><<Composition for forming a protective layer S-2 to S-7>>

·표에 기재된 각 수용성 수지 15.000질량부・15.000 parts by mass of each water-soluble resin listed in the table

·표에 기재된 각 계면활성제 0.008질량부· 0.008 parts by mass of each surfactant listed in the table

·표에 기재된 각 곰팡이 방지제 0.002 질량부· 0.002 parts by mass of each fungicide listed in the table

·물 84.990질량부· 84.990 parts by mass of water

<<보호층 형성용 조성물 S-8, S-9, S-11~S-19, S-21~S-23>><<Composition for forming a protective layer S-8, S-9, S-11 to S-19, S-21 to S-23>>

·표에 기재된 각 고분자량체 15.000질량부×표에 기재된 각 비율· 15.000 parts by mass of each high molecular weight substance listed in the table × each ratio listed in the table

·표에 기재된 각 저분자량체 15.000질량부×표에 기재된 각 비율· 15.000 parts by mass of each low molecular weight substance listed in the table × each ratio listed in the table

·표에 기재된 각 계면활성제 0.008질량부· 0.008 parts by mass of each surfactant listed in the table

·표에 기재된 각 곰팡이 방지제 0.002 질량부· 0.002 parts by mass of each fungicide listed in the table

·물 84.990질량부· 84.990 parts by mass of water

[표 1][Table 1]

Figure pct00019
Figure pct00019

[표 2][Table 2]

Figure pct00020
Figure pct00020

각 원료의 사양은, 하기와 같다. 또, 수용성 수지가 고분자량체와 저분자량체를 포함하는 실시예 및 비교예에 대해서는, 저분자량체의 분자량비(=저분자량체의 중량 평균 분자량/고분자량체의 중량 평균 분자량)를 표 1 및 표 2에 나타냈다.The specifications of each raw material are as follows. In addition, for Examples and Comparative Examples in which the water-soluble resin contains a high molecular weight substance and a low molecular weight substance, the molecular weight ratio of the low molecular weight substance (= weight average molecular weight of low molecular weight substance / weight average molecular weight of high molecular weight substance) is shown in Tables 1 and 2 .

<수용성 수지><Water-soluble resin>

<<폴리바이닐알코올(PVA)>><<Polyvinyl Alcohol (PVA)>>

·PVA-1: 구라레사제 PVA-203, Mw=15,000.-PVA-1: PVA-203 manufactured by Kuraray Co., Ltd., Mw=15,000.

·PVA-2: 구라레사제 PVA-205, Mw=24,000.-PVA-2: PVA-205 manufactured by Kuraray Co., Ltd., Mw=24,000.

·PVA-3: 구라레사제 PVA-210, Mw=50,000.· PVA-3: PVA-210 manufactured by Kuraray Co., Ltd., Mw = 50,000.

<<폴리바이닐피롤리돈(PVP)>><<Polyvinylpyrrolidone (PVP)>>

·PVP-1: 다이이치 고교 세이야쿠사제 핏츠콜 K-30, Mw=45,000.·PVP-1: Daiichi High School Seiyaku Co., Ltd. Fitzcall K-30, Mw = 45,000.

·PVP-2: 다이이치 고교 세이야쿠사제 핏츠콜 K-50, Mw=250,000.·PVP-2: Daiichi High School Seiyaku Co., Ltd. Fitzcall K-50, Mw=250,000.

·PVP-3: 다이이치 고교 세이야쿠사제 핏츠콜 K-80, Mw=900,000.·PVP-3: Daiichi High School Seiyaku Co., Ltd. Fitzcall K-80, Mw = 900,000.

·PVP-4: 다이이치 고교 세이야쿠사제 핏츠콜 K-90, Mw=1200,000.·PVP-4: Daiichi High School Seiyaku Co., Ltd. Fitzcall K-90, Mw=1200,000.

<<2-하이드록시에틸셀룰로스(HEC)>><<2-Hydroxyethylcellulose (HEC)>>

·HEC-1: 후지필름 와코 준야쿠사제, Mw=90,000.·HEC-1: Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd., Mw=90,000.

·HEC-2: 후지필름 와코 준야쿠사제, Mw=380,000.·HEC-2: Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd., Mw=380,000.

·HEC-3: 후지필름 와코 준야쿠사제, Mw=720,000.·HEC-3: Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd., Mw=720,000.

·HEC-4: 후지필름 와코 준야쿠사제, Mw=1300,000.·HEC-4: Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd., Mw=1300,000.

<<PVP로 그래프트화된 PVA(GRA)>><<PVA (GRA) grafted to PVP>>

·GRA-1: 다이이치 고교 세이야쿠사제 핏츠콜 V-7154.・GRA-1: Fitzcall V-7154 manufactured by Daiichi High School Seiyaku.

<계면활성제><Surfactant>

·계면활성제 E-1: 하기 구조를 갖는 화합물. 가와켄 파인 케미컬사제 아세틸렌올 E00.· Surfactant E-1: A compound having the following structure. Acetyleneol E00 manufactured by Kawaken Fine Chemicals.

·계면활성제 E-2: 폴리옥시에틸렌라우릴에터. 니혼 에멀션사제 EMALEX710.· Surfactant E-2: polyoxyethylene lauryl ether. EMALEX710 made by Nippon Emulsion Corporation.

[화학식 19][Formula 19]

Figure pct00021
Figure pct00021

<곰팡이 방지제><Anti-fungal agent>

·F-1: 메틸아이소싸이아졸린온.-F-1: methyl isothiazolinone.

·F-2: 2-브로모-2-나이트로프로페인-1,3-다이올.• F-2: 2-bromo-2-nitropropane-1,3-diol.

·F-3: 메틸설폰일테트라클로로피리딘.·F-3: methylsulfonyltetrachloropyridine.

·F-4: 2-(다이클로로-플루오로메틸)설판일아이소인돌-1,3-다이온.·F-4: 2-(dichloro-fluoromethyl)sulfanylisoindole-1,3-dione.

·F-5: 이아세트산 나트륨.·F-5: sodium diacetate.

·F-6: 다이아이오도메틸파라톨릴설폰.-F-6: diiodomethylparatolylsulfone.

<평가><Evaluation>

본 발명의 제조 방법의 효과를 평가하기 위하여, 실시예 및 비교예의 각 보호층 형성용 조성물에 대하여, 보존 후의 보호층 형성용 조성물을 사용하여 형성된 보호층의 결함수 및 잔사율을 계측했다.In order to evaluate the effect of the production method of the present invention, for each composition for forming a protective layer in Examples and Comparative Examples, the number of defects and the residual ratio of the protective layer formed using the composition for forming a protective layer after storage were measured.

<<적층체의 형성>><<Formation of laminate >>

보호층의 결함수 및 잔사율을 측정할 때에, 실시예 및 비교예의 각 보호층 형성용 조성물을 사용하여, 다음과 같이 하여 적층체를 준비했다. 한 변이 5cm인 사각형 유리 기판 상에, 유기 재료로서 유기 반도체 재료를 포함하는 하기 조성의 유기층 형성용 조성물을 스핀 코트하고, 80℃에서 10분간 건조시킴으로써, 두께 150nm의 유기 반도체층을 형성했다. 이어서, 상기 유기 반도체층 상에, 실시예 및 비교예의 각 보호층 형성용 조성물을 스핀 코트하고, 80℃에서 1분간 건조시킴으로써, 두께 2μm의 보호층을 형성했다. 이때, 보호층 형성용 조성물로서, 보존을 개시한 일로부터 1년 경과한 조성물 및 3년 경과한 조성물을 각각 사용했다. 또한, 상기 보호층 상에, 하기 조성의 감광성 수지 조성물을 스핀 코트하고, 80℃에서 1분간 건조시킴으로써, 두께 2μm의 감광성 수지층을 형성했다. 이상에 의하여, 유리 기판, 유기 반도체층(두께 150nm), 보호층(두께 2μm) 및 감광성 수지층(두께 2μm)을 순서대로 갖는 적층체가 얻어진다.When measuring the number of defects and the residual ratio of the protective layer, using the respective protective layer-forming compositions of Examples and Comparative Examples, laminates were prepared as follows. On a rectangular glass substrate having a side of 5 cm, a composition for forming an organic layer of the following composition containing an organic semiconductor material as an organic material was spin-coated and dried at 80° C. for 10 minutes to form an organic semiconductor layer having a thickness of 150 nm. Next, on the said organic semiconductor layer, each composition for protective layer formation of an Example and a comparative example was spin-coated, and by drying at 80 degreeC for 1 minute, the protective layer with a thickness of 2 micrometers was formed. At this time, as a composition for forming a protective layer, a composition having passed one year and a composition having been three years from the start of storage were used, respectively. Moreover, on the said protective layer, the photosensitive resin composition of the following composition was spin-coated, and the 2 micrometers-thick photosensitive resin layer was formed by drying at 80 degreeC for 1 minute. By the above, the laminated body which has a glass substrate, an organic-semiconductor layer (150 nm in thickness), a protective layer (2 micrometers in thickness), and the photosensitive resin layer (2 micrometers in thickness) in order is obtained.

<<<유기층 형성용 조성물>>><<<Composition for forming an organic layer >>>

·P3HT(시그마 알드리치 재팬 합동회사제) 10질량%・P3HT (manufactured by Sigma-Aldrich Japan Co., Ltd.) 10% by mass

·PCBM(시그마 알드리치 재팬 합동회사제) 10질량%・PCBM (manufactured by Sigma-Aldrich Japan Co., Ltd.) 10% by mass

·클로로폼(후지필름 와코 준야쿠사제) 80질량%・Chloroform (manufactured by Fujifilm Wako Junyaku Co., Ltd.) 80% by mass

<<<감광성 수지 조성물>>><<<photosensitive resin composition >>>

·하기 방법으로 합성된 감광성 수지 A-1 25.09 질량부· 25.09 parts by mass of photosensitive resin A-1 synthesized by the following method

·하기의 광산발생제 X 0.26 질량부The following photoacid generator X 0.26 parts by mass

·하기의 염기성 화합물 Y 0.08질량부0.08 parts by mass of the following basic compound Y

·하기의 계면활성제 B 0.08질량부0.08 parts by mass of the following surfactant B

·PGMEA 74.50질량부74.50 parts by mass of PGMEA

감광성 수지 A-1의 합성 방법.A method for synthesizing the photosensitive resin A-1.

먼저, BzMA(벤질메타크릴레이트, 16.65g), THFMA(메타크릴산 테트라하이드로퍼퓨릴, 21.08g), t-BuMA(t-뷰틸메타크릴레이트, 5.76g), 및 V-601(0.4663g, 후지필름 와코 준야쿠사제)을 PGMEA(32.62g)에 용해하여, PGMEA 용액을 조제했다. 이어서, 질소 도입관 및 냉각관을 장착한 3구 플라스크에 PGMEA(32.62g)를 넣고, 86℃로 승온시키며, 여기에, 상기 PGMEA 용액을 2시간 동안 적하했다. 이어서, 그 용액을 2시간 교반하고, 그 후, 반응을 종료시켰다. 반응 종료 후의 용액을 헵테인 중에 주입하여 폴리머 성분을 재침시키고, 이로써 발생한 백색 분체를 여과에 의하여 회수했다. 이 결과, 중량 평균 분자량 Mw가 45000인 감광성 수지 A-1을 얻었다.First, BzMA (benzyl methacrylate, 16.65 g), THFMA (tetrahydrofurfuryl methacrylate, 21.08 g), t-BuMA (t-butyl methacrylate, 5.76 g), and V-601 (0.4663 g, Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was dissolved in PGMEA (32.62 g) to prepare a PGMEA solution. Next, PGMEA (32.62 g) was put into a three-necked flask equipped with a nitrogen inlet tube and a cooling tube, and the temperature was raised to 86° C., and the PGMEA solution was added dropwise thereto for 2 hours. Then, the solution was stirred for 2 hours, after which the reaction was terminated. The solution after completion of the reaction was poured into heptane to reprecipitate the polymer component, and the resulting white powder was collected by filtration. As a result, the weight average molecular weight Mw obtained photosensitive resin A-1 whose weight average molecular weight Mw is 45000.

광산발생제 X: 하기 구조(식 중, R11은 톨릴기, R18은 메틸기를 나타낸다.)를 갖는 화합물. 다이토 케믹스사제. Photoacid generator X: A compound having the following structure (wherein R 11 represents a tolyl group and R 18 represents a methyl group.). Made by Daito Chemix.

[화학식 20][Formula 20]

Figure pct00022
Figure pct00022

염기성 화합물 Y: 하기 구조를 갖는 싸이오 요소 유도체. DSP 고쿄 푸드&케미컬사제. Basic compound Y: a thiourea derivative having the following structure. DSP Gokyo Foods & Chemicals.

[화학식 21][Formula 21]

Figure pct00023
Figure pct00023

·계면활성제 B: OMNOVA사제, PF-6320.- Surfactant B: OMNOVA company make, PF-6320.

<<결함수의 계측>><<Measurement of defect function>>

상기 적층체의 형성 공정 중, 보호층의 형성 후, 감광성 수지층의 형성 전에, 광학 현미경을 사용하여, 2.6mm×3.8mm의 시야(배율 5배)로 보호층의 표면을 기판 상의 전체 범위에 걸쳐 관찰하여, 시인 가능한 미생물의 콜로니수를 계수했다.During the formation process of the laminate, after the formation of the protective layer and before the formation of the photosensitive resin layer, using an optical microscope, the surface of the protective layer was applied to the entire area on the substrate with a field of view of 2.6 mm × 3.8 mm (magnification 5). The number of colonies of visible microorganisms was counted over observation.

<<잔사율의 계측>><<Measurement of residual rate>>

보존을 개시한 일로부터 1년 경과한 보호층 형성용 조성물을 이용한 경우의 적층체에 대하여, 보호층을 제거했을 때의 잔사율을 평가했다. 구체적으로는 다음과 같다.The residual ratio when the protective layer was removed was evaluated for the laminate in the case of using the composition for forming a protective layer after one year from the start of storage. Specifically, it is as follows.

상기 적층체를 형성할 때, 보호층의 형성 후, 감광성 수지층의 형성 전에, TOF-SIMS(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry) 장치(ION-TOF사제 TOF.SIMS5)를 이용하여 보호층의 표면에 대하여 측정을 실시하고, 수용성 수지 유래의 시그널 강도 I0을 계측했다. 예를 들면, 수용성 수지가 PVA를 포함하는 경우에는 C4H5O- 유래의 시그널을 측정하고, 수용성 수지가 PVP를 포함하는 경우에는 C6H10NO+(112) 유래의 시그널을 측정하며, 및, 수용성 수지가 HEC를 포함하는 경우에는 [C6H10O5][H+](163) 유래의 시그널을 측정함으로써, 수용성 수지 유래의 시그널 강도 I0이 얻어진다.When forming the laminate, after the formation of the protective layer and before the formation of the photosensitive resin layer, the protective layer using a TOF-SIMS (Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry) apparatus (TOF.SIMS5 manufactured by ION-TOF) It measured about the surface of , and the signal intensity I 0 derived from a water-soluble resin was measured. For example, when the water-soluble resin contains PVA, a signal derived from C 4 H 5 O is measured, and when the water-soluble resin contains PVP, a signal derived from C 6 H 10 NO + (112) is measured, , and, when the water-soluble resin contains HEC, the signal intensity I 0 derived from the water-soluble resin is obtained by measuring the signal derived from [C 6 H 10 O 5 ][H + ](163).

이어서, 이 적층체에 대하여, nBA(아세트산 n-뷰틸)를 이용한 30초간의 퍼들 현상을 2회 실시하여, 감광성 수지층을 제거했다. 그 후, 이 적층체에 대하여, 물을 이용한 30초간의 퍼들 현상을 2회 실시하고, 추가로 물로 샤워 세정을 행하여, 보호층을 제거했다. 이로써, 유리 기판 상에 유기층이 남은 적층체가 얻어진다.Next, with respect to this laminated body, puddle development for 30 second using nBA (n-butyl acetate) was performed twice, and the photosensitive resin layer was removed. Then, with respect to this laminated body, the puddle image development for 30 second using water was performed twice, and also shower washing was performed with water, and the protective layer was removed. Thereby, the laminated body in which the organic layer remained on the glass substrate is obtained.

그리고, 재차 TOF-SIMS 장치를 이용하여, 이 유기층의 표면에 대하여 측정을 실시하여, 수용성 수지 유래의 시그널 강도 I를 계측했다. 보호층 형성용 조성물의 잔사율을 다음의 식으로 정의했다. 평가값이 작을수록, 잔사의 발생이 억제되어 있다고 할 수 있다.And again using TOF-SIMS apparatus, the surface of this organic layer was measured and the signal intensity I derived from water-soluble resin was measured. The residual ratio of the composition for forming a protective layer was defined by the following formula. It can be said that generation|occurrence|production of a residue is suppressed, so that an evaluation value is small.

잔사율(%)=Residual rate (%) =

(보호층 제거 처리 실시 후의 유기층 표면의 수용성 수지 유래의 시그널 강도 I)/(보호층 표면의 수용성 수지 유래의 시그널 강도 I0)×100(Signal intensity I derived from the water-soluble resin on the surface of the organic layer after carrying out the protective layer removal treatment) / (Signal intensity I 0 derived from the water-soluble resin on the surface of the protective layer) x 100

<평가 결과><Evaluation result>

실시예 및 비교예의 각 결과를 상기 표 1 및 표 2에 나타낸다. 이 결과로부터, 본 발명의 보호층 형성용 조성물의 제조 방법에 의하여, 장기간의 보관에 대해서도 품질이 저하되기 어려운 보호층 형성용 조성물이 얻어지는 것을 알 수 있었다.The respective results of Examples and Comparative Examples are shown in Tables 1 and 2 above. From this result, it was found that, by the method for producing the composition for forming a protective layer of the present invention, a composition for forming a protective layer in which the quality hardly deteriorates even after long-term storage can be obtained.

또, 실시예 21의 잔사율에 대하여, "물을 이용한 30초간의 퍼들 현상을 2회 실시하고, 추가로 물로 샤워 세정을 행한다"라는 물 박리의 공정을, "물을 적층체 상에 올려, 그대로 5분간 정치하고, 그 후 추가로 물로 샤워 세정을 행한다"라는 공정으로 변경한 경우, 잔사율은 0.18%로 매우 양호한 결과였다.Moreover, with respect to the residual rate of Example 21, the process of water peeling of "performing the puddle development for 30 seconds using water twice, and shower washing with water further" was "putting water on the laminated body, In the case of changing to the process of "leaving still for 5 minutes as it is, and then further shower washing with water", the residual ratio was 0.18%, which was a very good result.

또한, 각 실시예에 관한 보호층 형성용 조성물로부터 얻어지는 보호층을 포함하는 적층체를 이용하여, 유기 반도체 소자를 각각 제작했다. 어느 유기 반도체 소자도, 성능에 문제는 없었다.Furthermore, organic semiconductor elements were respectively produced using the laminated body containing the protective layer obtained from the composition for protective layer formation which concerns on each Example. None of the organic semiconductor elements had a problem in performance.

1 감광층
1a 노광 현상 후의 감광층
2 보호층
3 유기층
3a 가공 후의 유기층
4 기재
5 제거부
5a 에칭 후의 제거부
1 photosensitive layer
1a Photosensitive layer after exposure development
2 protective layer
3 organic layer
3a Organic layer after processing
4 description
5 remover
5a Removal after etching

Claims (20)

유기층 상에 적층되고 또한 유기층을 약액으로부터 보호하기 위한 수용성 보호층의 형성에 사용되는 보호층 형성용 조성물의 제조 방법으로서,
수용성 수지 및 용제를 포함하는 조성물을 교반한 후, 교반 후의 상기 조성물이 들어간 용기를, 0~18℃의 온도 범위의 환경하에 연속하여 24시간 이상 노출시키는 것을 포함하고,
상기 환경하에 노출시키는 기간의 개시 시기가, 상기 교반의 종료 후 72시간 이내인, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
A method for producing a composition for forming a protective layer laminated on an organic layer and used for forming a water-soluble protective layer for protecting the organic layer from a chemical, comprising:
After stirring the composition containing the water-soluble resin and the solvent, the container containing the composition after stirring is continuously exposed to an environment in a temperature range of 0 to 18 ° C. for 24 hours or more,
A method for producing a composition for forming a protective layer, wherein the start time of the period of exposure to the environment is within 72 hours after the end of the stirring.
청구항 1에 있어서,
상기 환경하에 노출시키는 기간의 개시 시기가, 상기 교반의 종료 후 24시간 이내인, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
The method according to claim 1,
The method for producing a composition for forming a protective layer, wherein the start time of the period of exposure to the environment is within 24 hours after the end of the stirring.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 환경하에 연속하여 노출시키는 기간이 1개월 이상인, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
The method according to claim 1 or 2,
A method for producing a composition for forming a protective layer, wherein the period of continuous exposure to the environment is 1 month or more.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 용기를 상기 환경에 노출시킬 때의 온도 범위가 0~10℃인, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
A method for producing a composition for forming a protective layer, wherein the temperature range when exposing the container to the environment is 0 to 10°C.
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
상기 교반의 종료 후, 상기 환경하에 노출시키기 전에, 상기 조성물을 여과하는 것을 포함하는, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
After completion of the stirring, before exposing to the environment, the method for producing a composition for forming a protective layer comprising filtering the composition.
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
상기 교반 시의 상기 조성물이, 곰팡이 방지제를 포함하는, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The manufacturing method of the composition for protective layer formation in which the said composition at the time of the said stirring contains a fungicide.
청구항 6에 있어서,
상기 보호층 형성용 조성물이, 상기 곰팡이 방지제로서, 아이소싸이아졸린온계 화합물, 2-브로모-2-나이트로프로페인-1,3-다이올, 메틸설폰일테트라클로로피리딘, 2-(다이클로로-플루오로메틸)설판일아이소인돌-1,3-다이온, 이아세트산 나트륨 및 다이아이오도메틸파라톨릴설폰 중 적어도 1종을 포함하는, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
7. The method of claim 6,
The composition for forming a protective layer, as the fungicide, isothiazolinone-based compound, 2-bromo-2-nitropropane-1,3-diol, methylsulfonyltetrachloropyridine, 2-(di A method for producing a composition for forming a protective layer, comprising at least one of chloro-fluoromethyl)sulfanylisoindole-1,3-dione, sodium diacetate and diiodomethylparatolylsulfone.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수용성 수지가, 폴리바이닐알코올, 폴리바이닐피롤리돈 및 수용성 다당류로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The method for producing a composition for forming a protective layer, wherein the water-soluble resin includes at least one selected from the group consisting of polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone and water-soluble polysaccharides.
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수용성 수지로서, 고분자량체와, 상기 고분자량체의 중량 평균 분자량보다 작은 중량 평균 분자량을 갖는 저분자량체를 포함하고,
상기 저분자량체의 중량 평균 분자량이, 상기 고분자량체의 중량 평균 분자량의 절반 이하인, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
As the water-soluble resin, it contains a high molecular weight material and a low molecular weight material having a weight average molecular weight smaller than the weight average molecular weight of the high molecular weight material,
The method for producing a composition for forming a protective layer, wherein the weight average molecular weight of the low molecular weight material is half or less of the weight average molecular weight of the high molecular weight material.
청구항 9에 있어서,
상기 고분자량체의 함유량이, 전체 수용성 수지에 대하여 30질량% 이하인, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
10. The method of claim 9,
The content of the high molecular weight substance is 30 mass % or less with respect to all the water-soluble resins, the manufacturing method of the composition for protective layer formation.
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
상기 고분자량체로서, 중량 평균 분자량이 20,000 이상인 폴리바이닐알코올을 포함하는, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
11. The method according to claim 9 or 10,
As the high molecular weight material, a method for producing a composition for forming a protective layer comprising polyvinyl alcohol having a weight average molecular weight of 20,000 or more.
청구항 9 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서,
상기 고분자량체로서, 중량 평균 분자량이 300,000 이상인 폴리바이닐피롤리돈을 포함하는, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
12. The method according to any one of claims 9 to 11,
As the high molecular weight material, a method for producing a composition for forming a protective layer comprising polyvinylpyrrolidone having a weight average molecular weight of 300,000 or more.
청구항 9 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서,
상기 고분자량체로서, 중량 평균 분자량이 300,000 이상인 수용성 다당류를 포함하는, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
13. The method according to any one of claims 9 to 12,
A method for producing a composition for forming a protective layer, comprising, as the high molecular weight material, a water-soluble polysaccharide having a weight average molecular weight of 300,000 or more.
청구항 13에 있어서,
상기 수용성 다당류가 셀룰로스인, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
14. The method of claim 13,
The method for producing a composition for forming a protective layer, wherein the water-soluble polysaccharide is cellulose.
청구항 1 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수용성 수지의 분자량 분포에 있어서, 2개 이상의 피크 톱이 존재하고, 상기 2개 이상의 피크 톱 중, 1개의 피크 톱에 대응하는 분자량이, 다른 1개의 피크 톱에 대응하는 분자량의 절반 이하인, 보호층 형성용 조성물의 제조 방법.
15. The method according to any one of claims 1 to 14,
In the molecular weight distribution of the water-soluble resin, two or more peak tops exist, and among the two or more peak tops, the molecular weight corresponding to one peak top is half or less of the molecular weight corresponding to the other peak top, protection, A method for producing a composition for forming a layer.
유기층 상에 적층되고 또한 유기층을 약액으로부터 보호하기 위한 수용성 보호층의 형성에 사용되는 보호층 형성용 조성물의 보존 방법으로서,
수용성 수지 및 용제를 포함하는 조성물을 교반한 후, 교반 후의 상기 조성물이 들어간 용기를, 0~18℃의 온도 범위의 환경하에 연속하여 24시간 이상 노출시키면서 보존하는 것을 포함하고,
상기 환경하에 노출시키는 기간의 개시 시기가, 상기 교반의 종료 후 72시간 이내인, 보호층 형성용 조성물의 보존 방법.
A method of preserving a composition for forming a protective layer laminated on an organic layer and used for forming a water-soluble protective layer for protecting the organic layer from a chemical, comprising:
After stirring the composition containing the water-soluble resin and the solvent, the container containing the composition after stirring is continuously exposed to an environment in a temperature range of 0 to 18 ° C. for 24 hours or more, including storing,
The method for preserving the composition for forming a protective layer, wherein the start time of the period of exposure to the environment is within 72 hours after the end of the stirring.
청구항 16에 기재된 보존 방법에 의하여 보존된 보호층 형성용 조성물을 유기층 상에 적용하는 것을 포함하는, 적층체의 제조 방법.A method for producing a laminate, comprising applying the composition for forming a protective layer preserved by the preservation method according to claim 16 on an organic layer. 청구항 17에 기재된 적층체의 제조 방법을 공정으로서 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor device comprising the method for manufacturing the laminate according to claim 17 as a process. 청구항 16에 기재된 보존 방법에 의하여 보존된 보호층 형성용 조성물로부터 얻어진 보호층.A protective layer obtained from the composition for forming a protective layer preserved by the storage method according to claim 16 . 청구항 19에 기재된 보호층과 유기층을 포함하는 적층체.
A laminate comprising the protective layer according to claim 19 and an organic layer.
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