KR20220011377A - 엘이디 구동장치 및 엘이디 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 실시예는 엘이디 구동기술에 관한 것으로, 엘이디의 순방향전압을 센싱하고 순방향전압과 비교대상전압을 비교하여 엘이디의 불량을 판단하되, 센싱된 순방향전압을 이용하여 비교대상전압을 지속적으로 업데이트함으로써 비교대상전압을 고정되지 않은 값, 현재의 엘이디 상태를 반영하는 값으로 설정할 수 있게 되고, 이를 통해 엘이디의 불량을 보다 정확하게 탐지할 수 있게 된다.

Description

엘이디 구동장치 및 엘이디 구동방법{LED DRIVER AND LED DRIVING METHOD}
본 실시예는 엘이디 구동 기술에 관한 것이다.
정보화가 진전되면서 정보를 시각화할 수 있는 다양한 표시장치들이 개발되고 있다. 액정표시장치(LCD : Liquid Crystal Display), OLED(Organic Light Emitting Diode) 표시장치, PDP(Plasma Display Panel) 표시장치 등이 최근까지 개발되었거나 개발되고 있는 표시장치들의 대표적인 예이다. 이러한 표시장치들은 고해상 이미지를 적절히 표시할 수 있도록 발전하고 있다.
그런데, 전술한 표시장치들은 고해상화에는 유리한 점이 있지만 대형화가 어렵다는 단점을 가지고 있다. 예를 들어, 현재까지 개발된 대형 OLED 표시장치는 80인치(대략 2m), 100인치(대략 2.5m) 수준이어서 가로가 10m가 넘는 대형 표시장치를 만드는 데에는 적합하지 않다.
이러한 대형화의 문제를 해결하기 위한 방법으로 최근 엘이디(LED : Light Emitting Diode) 표시장치에 대한 관심이 높아지고 있다. 엘이디 표시장치 기술에서는 모듈화된 엘이디화소가 필요한 수만큼 배치되면서 하나의 대형 패널을 구성할 수 있다. 혹은 엘이디 표시장치 기술에서는 다수의 엘이디화소로 구성된 단위패널이 필요한 수만큼 배치되면서 하나의 대형 패널 구조체를 형성할 수 있다. 이와 같이 엘이디 표시장치 기술에서는 엘이디화소를 필요한 만큼 확장시켜 배치함으로써 대형 표시장치를 쉽게 구현할 수 있게 된다.
엘이디 표시장치는 대형화 뿐만 아니라 패널 크기의 다양화에도 유리한 점이 있는데, 엘이디 표시장치 기술에서는 엘이디화소의 적절한 배치에 따라 가로, 세로의 크기를 다양하게 조정할 수 있게 된다.
한편, 표시장치가 대형화되거나 커스터마이징되면 표시장치의 제작 비용이 증가하게 되는데, 이러한 비용의 증가는 표시장치의 유지관리에 대한 관심을 증가시키게 된다. 비용의 측면을 고려하는 경우, 사용자는 표시장치의 일부 화소가 불량이 될 때, 종래와 같이 표시장치를 폐기시키지 않고 불량이 난 화소에 대한 수선을 시도하거나 불량이 다른 화소로 더 확대되는 것을 방지하려는 시도를 할 가능성이 높다.
이러한 배경에서, 본 실시예의 목적은, 일 측면에서, 엘이디 표시장치에서 화소의 불량을 탐지하는 기술을 제공하는 것이다. 다른 측면에서, 본 실시예의 목적은, 엘이디 표시장치에서 화소의 단락 여부를 판단하는 기술을 제공하는 것이다. 또 다른 측면에서, 본 실시예의 목적은, 엘이디 표시장치에서 불완전 단락 상태에 있는 화소를 탐지하는 기술을 제공하는 것이다.
전술한 목적을 달성하기 위하여, 일 실시예는, 일 측면에서, 스캔신호에 따라 서로 다른 시간에서 복수의 엘이디(LED : light emitting diode)를 각각 구동하는 구동회로; 제1시간에서 제1엘이디의 순방향전압에 대응되는 제1전압을 센싱하고 제2시간에서 제2엘이디의 순방향전압에 대응되는 제2전압을 센싱하며 상기 제1전압과 상기 제2전압을 이용하여 상기 제2엘이디의 불량을 판단하는 보호회로를 포함하는 엘이디 구동장치를 제공한다.
상기 제1엘이디와 상기 제2엘이디는 서로 다른 엘이디이고 하나의 구동라인 혹은 하나의 채널에 연결될 수 있다.
상기 제1전압은 상기 제1엘이디의 애노드 측에 형성되는 전압이고, 상기 제2전압은 상기 제2엘이디의 애노드 측에 형성되는 전압이며, 상기 보호회로는 상기 제1전압에서 일정 전압 차감한 전압과 상기 제2전압을 비교하여 상기 제2엘이디의 불량을 판단할 수 있다.
상기 제1전압은 상기 복수의 엘이디의 애노드 측에 형성되는 전압 중 가장 큰 전압에 대응되는 전압일 수 있다.
일 실시예는, 다른 측면에서, 엘이디(LED : light emitting diode)를 포함하는 복수의 화소를 스캔라인별로 순차적으로 구동하는 구동회로; 각 화소의 일 위치에 형성되는 전압을 제1전압으로 센싱하고, 각 화소에 대한 상기 제1전압 중 가장 큰 전압을 전압강하소자가 배치된 경로를 통해 제2전압으로 센싱하며, 상기 제1전압과 상기 제2전압을 비교하여 각 화소의 불량을 판단하는 보호회로를 포함하는 엘이디 구동장치를 제공한다.
상기 보호회로는 각 화소에 배치되는 상기 엘이디의 애노드 측에서 상기 제1전압을 센싱할 수 있다.
상기 전압강하소자는 다이오드소자이거나 다이오드 연결 구조의 FET(Field Effect Transistor)소자일 수 있다.
상기 보호회로는 히스테리시스루푸를 가지는 비교기에 상기 제1전압과 상기 제2전압을 입력하고 상기 비교기의 출력에 따라 각 화소의 불량을 판단할 수 있다.
상기 구동회로는 PWM(Pulse Width Modulation)신호에 따라 각 화소의 밝기를 조절하기 위한 스위치를 포함하고, 상기 스위치는 상기 비교기의 출력신호와 상기 PWM신호가 조합된 신호에 따라 온오프가 제어될 수 있다.
상기 제2전압은 캐패시터에 저장되고 상기 캐패시터와 병렬로 연결되는 리셋스위치의 주기적 혹은 비주기적 턴온에 따라 리셋될 수 있다.
상기 복수의 화소와 상기 구동회로는 하나의 구동라인으로 연결되고, 상기 보호회로는 상기 화소로 구동전류가 공급되는 시간에는 상기 구동라인을 통해 상기 제1전압 혹은 상기 제2전압이 센싱되도록 하고, 상기 화소로 구동전류가 공급되지 않는 시간에서는 상기 구동라인으로 일정 전압을 공급할 수 있다. 여기서, 상기 일정 전압은 상기 화소가 턴온되지 않는 전압레벨을 가질 수 있다.
일 실시예는, 또 다른 측면에서, 하나의 채널을 이용하여, 서로 다른 시간에서 복수의 엘이디(LED : light emitting diode)를 각각 구동하는 단계; 각각의 구동시간마다 상기 채널을 통해 각 엘이디의 순방향전압을 센싱하는 단계; 비교대상전압을 저장하되, 일 구동시간에서의 상기 순방향전압이 저장된 상기 비교대상전압보다 일정 전압 이상 크면, 상기 일 구동시간에서의 상기 순방향전압에서 상기 일정 전압을 차감한 전압으로 상기 비교대상전압을 업데이트하는 단계; 상기 순방향전압과 상기 비교대상전압을 비교하고 상기 엘이디의 불량 여부를 판단하는 단계; 및 상기 엘이디가 불량으로 판단되는 경우, 보호신호를 생성하는 단계를 포함하는 엘이디 구동방법을 제공한다.
상기 비교대상전압은 캐패시터에 저장되고 기생성분에 의해 자연방전될 수 있다.
상기 엘이디 구동방법은 상기 보호신호가 생성되는 시점을 인식하여 불량으로 판단된 상기 엘이디의 위치를 파악하거나 저장하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 엘이디 구동방법은 상기 비교대상전압을 리셋하는 단계를 더 포함하되, 상기 비교대상전압은 프레임시간 혹은 프레임시간의 배수와는 다른 시간간격으로 리셋될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 실시예에 의하면, 엘이디 표시장치에서 화소의 불량을 탐지할 수 있게 된다. 그리고, 본 실시예에 의하면, 엘이디 표시장치에서 화소의 단락 여부를 판단할 수 있게 되고, 불완전 단락 상태에 있는 화소를 탐지할 수 있게 된다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시장치의 구성도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시장치에서의 스캔신호의 파형을 나타내는 도면이다.
도 3은 일 실시예에 따른 구동장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 일 실시예에 따른 보호회로의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 일반적인 보호회로의 구성도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 구동장치의 주요 파형도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 피크감지회로의 구성도이다.
도 8은 일 실시예의 전압강하소자의 제1예시를 나타내는 도면이다.
도 9는 일 실시예의 전압강하소자의 제2예시를 나타내는 도면이다.
도 10은 일 실시예에 따른 엘이디 구동방법의 흐름도이다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시장치의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치(100)는 구동장치(110) 및 패널(120)을 포함할 수 있다.
패널(120)에는 다수의 화소(P)가 제1방향(예를 들어, 도 1에서 가로방향)과 제2방향(예를 들어, 도 1에서 세로방향)으로 매트릭스를 구성하면서 배치될 수 있다.
각각의 화소(P)에는 적어도 하나의 엘이디(LED : light emitting diode)가 배치될 수 있고, 엘이디의 밝기에 따라 화소(P)의 밝기가 결정될 수 있다.
패널(120)에는 구동라인(DL)과 스캔라인(SL)이 배치될 수 있는데, 구동라인(DL)은 화소들의 일측을 제2방향으로 연결시키고, 스캔라인(SL)은 화소들의 타측을 제1방향으로 연결시킬 수 있다. 예를 들어, 화소(P) 내에 배치되는 엘이디의 애노드 측은 구동라인(DL)과 전기적으로 연결되고, 엘이디의 캐소드 측은 스캔라인(SL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 엘이디의 캐소드 측이 공통적으로 연결된다는 측면에서 도 1에 도시된 예시는 커먼 캐소드 구조라고 부르기도 하는데, 본 실시예가 이러한 구조로 한정되는 것은 아니다.
각 스캔라인(SL)에는 스캔스위치(SWc1, SWc2, ..., SWcN)가 배치될 수 있고, 스캔스위치(SWc1, SWc2, ..., SWcN)의 개폐에 따라 구동전류(Ie)가 공급되는 스캔라인(SL)이 결정될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시장치에서의 스캔신호의 파형을 나타내는 도면이다.
도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 프레임 단위마다 각 스캔스위치(SWc1, SWc2, ..., SWcN)별로 순차적으로 스캔신호(Scan<1>, Scan<2>, ..., Scan<N>)가 공급될 수 있다. 이러한 스캔신호(Scan<1>, Scan<2>, ..., Scan<N>)에 제1스캔라인, 제2스캔라인, ..., 제N스캔라인으로 순차적으로 구동전류(Ie)가 공급될 수 있다.
스캔라인(SL)은 그라운드와 같이 표시장치(100)에서 저전압파트에 연결될 수 있다. 그리고, 스캔스위치(SWc1, SWc2, ..., SWcN)는 패널(120)에 형성되거나 별도의 기판에 형성될 수 있고, 실시예에 따라서는 구동장치(110) 내에 형성될 수도 있다.
스캔신호(Scan<1>, Scan<2>, ..., Scan<N>)는 구동장치(110)에 의해 공급될 수 있고, 별도의 제어장치에 의해 공급될 수 있다.
각 화소(P)에 배치되는 엘이디는 일정 시간 내에 공급되는 구동전력량에 따라 밝기가 결정될 수 있다. 엘이디는 PWM(Pulse Width Modulation) 구동될 수 있는데, PWM제어시간에서의 턴온시간의 비율에 따라 밝기가 결정될 수 있다. 구동전류(Ie)에 의해 엘이디가 턴온될 때, 엘이디에는 순방향전압(forward voltage)이 형성될 수 있는데, 순방향전압과 구동전류(Ie)의 곱을 PWM제어시간 내에서의 턴온시간으로 누적시키면 엘이디로 공급되는 구동전력량이 되고, 이러한 구동전력량에 따라 엘이디의 밝기가 결정될 수 있다. 엘이디의 순방향전압 및 구동전류(Ie)의 크기를 고정변수라고 가정할 때, 구동전력량은 PWM제어시간에서의 턴온시간에 비례하는 값으로 볼 수 있는데, 이러한 원리에 따라 구동장치(110)는 PWM제어시간에서의 턴온시간을 제어하여 엘이디의 밝기, 그리고, 화소(P)의 밝기를 제어할 수 있다.
구동장치(110)는 구동라인(DL)과 연결되는 다수(N)의 채널을 포함할 수 있고, 각각의 채널에서 각 화소(P)로 구동전류(Ie)를 공급할 수 있다.
한편, 화소(P)에 불량이 발생하면, 화소(P)에 정상 상태와 다른 전압이 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소(P)에 불량이 발생하면, 엘이디의 순방향전압이 정상 상태보다 낮게 형성될 수 있다. 구동장치(110)는 화소(P)에 형성되는 이러한 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 바탕으로 화소(P)의 불량을 탐지할 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 구동장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 구동장치(110)는 입출력의 측면에서, 영상데이터(RGB)가 입력되는 입력단자(Ti) 및 영상데이터(RGB)에 포함된 계조값에 따라 제어되는 구동전류(Ie)가 출력되는 출력단자(To)를 포함할 수 있다. 그리고, 구동장치(110)는 구동회로(310) 및 보호회로(320)를 포함할 수 있다.
구동회로(310)는 하나의 채널(CH)을 이용하여 스캔신호(Scan<1>, Scan<2>, Scan<3>)에 따라 서로 다른 시간에서 복수의 엘이디(LED1, LED2, LED3)를 각각 구동할 수 있다. 예를 들어, 구동회로(310)는 하나의 채널(CH)을 이용하여 제1스캔신호(Scan<1>)가 공급되는 제1스캔시간에서 제1엘이디(LED1)를 구동하고, 제2스캔신호(Scan<2>)가 공급되는 제2스캔시간에서 제2엘이디(LED2)를 구동하고, 제3스캔신호(Scan<3>)가 공급되는 제3스캔시간에서 제3엘이디(LED3)를 구동할 수 있다.
하나의 채널(CH)에는 구동전류원(330) 및 구동스위치(SWp)가 직렬로 배치되고 하나의 채널(CH)의 출력은 출력단자(To)와 연결될 수 있다.
구동회로(310)는 영상데이터(RGB) 혹은 외부에서 수신되는 제어신호에 따라 엘이디(LED1, LED2, LED3)의 밝기를 제어하기 위한 PWM신호(SP)를 생성할 수 있다. 그리고, 구동회로(310)는 PWM신호(SP)에 따라 각 채널(CH)의 구동스위치(SWp)의 턴온시간을 제어할 수 있다. 구동스위치(SWp)가 턴온되면 구동전류원(330)에서 출력되는 구동전류(Ie)가 출력단자(To) 및 구동라인(DL)을 거쳐 엘이디(LED1, LED2, LED3)로 공급될 수 있다.
구동회로(310)는 각 화소의 계조값을 포함하는 영상데이터(RGB)를 PWM신호(SP)로 변환하는 PWM발생기(312)를 포함할 수 있다. 그리고, 구동회로(310)는 AND논리소자(314)를 더 포함할 수 있다. AND논리소자(314)는 PWM신호(SP)와 보호신호(SF) 혹은 보호신호(SF)의 반전신호를 AND 연산하여 출력할 수 있는데, 이러한 AND 연산에 따라 구동스위치(SWp)에 대한 PWM신호(SP)의 공급이 차단될 수 있다.
보호회로(320)는 보호신호(SF)를 구동회로(310)로 공급하여 구동스위치(SWp)를 턴오프시키거나 턴오프상태로 유지시킬 수 있다.
보호회로(320)는 화소의 일 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 이용하여 화소의 불량을 판단하고 판단결과에 따라 보호신호(SF)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 보호회로(320)는 엘이디(LED1, LED2, LED3)의 순방향전압 혹은 순방향전압에 대응되는 전압을 센싱하고 센싱된 전압을 이용하여 엘이디(LED1, LED2, LED3)의 불량을 판단할 수 있다. 그리고, 보호회로(320)는 그 판단결과에 따라 보호신호(SF)를 생성할 수 있다.
보호회로(320)는 각 채널(CH)의 출력에 형성되는 전압-예를 들어, 출력단자(TO)에 형성되는 전압-을 센싱할 수 있다. 각 채널(CH)의 출력은 엘이디(LED1, LED2, LED3)의 애노드 측과 연결될 수 있는데, 이러한 경우, 각 채널(CH)의 출력에 형성되는 전압은 실질적으로 각 엘이디(LED1, LED2, LED3)의 애노드 측에 형성되는 전압과 같을 수 있다. 이러한 예시에서, 엘이디(LED1, LED2, LED3)의 캐소드 측이 그라운드와 연결된다면 각 채널(CH)의 출력에 형성되는 전압은 실질적으로 각 엘이디(LED1, LED2, LED3)의 순방향전압과 같을 수 있다.
보호회로(320)는 센싱된 전압을 일 전압과 비교하고 센싱된 전압이 일 전압과 일정 이상의 차이를 나타내는 경우, 해당 화소 혹은 해당 엘이디(LED1, LED2, LED3)를 불량으로 판단할 수 있다. 여기서, 보호회로(320)는 비교 대상이 되는 일 전압을 이전 시간에 센싱된 전압으로 설정할 수 있다.
예를 들어, 보호회로(320)는 제1시간에서 제1엘이디(LED1)의 순방향전압에 대응되는 제1전압을 센싱하고 제2시간에서 제2엘이디(LED2)의 순방향전압에 대응되는 제2전압을 센싱할 수 있다. 그리고, 보호회로(320)는 제1전압을 비교 대상이 되는 일 전압으로 설정하고 제2전압을 제1전압과 비교하여 제2엘이디(LED2)의 불량을 판단할 수 있다.
도 3을 참조하면, 순차적으로 제1스캔신호(Scan<1>), 제2스캔신호(Scan<2>), 제3스캔신호(Scan<3>)가 공급될 수 있다. 보호회로(320)는 하나의 채널(CH)을 통해 제1스캔신호(Scan<1>)가 공급되는 제1스캔시간에서 제1엘이디(LED1)의 순방향전압에 대응되는 제1전압을 센싱할 수 있다. 그리고, 하나의 채널(CH)을 통해 제2스캔신호(Scan<2>)가 공급되는 제2스캔시간에서 제2엘이디(LED2)의 순방향전압에 대응되는 제2전압을 센싱할 수 있고, 하나의 채널(CH)을 통해 제3스캔신호(Scan<3>)가 공급되는 제3스캔시간에서 제3엘이디(LED3)의 순방향전압에 대응되는 제3전압을 센싱할 수 있다.
보호회로(320)는 각 스캔시간에 센싱되는 전압을 비교대상전압과 비교하고 비교 결과에 따라 각 스캔시간에 대응되는 화소 혹은 엘이디의 불량을 판단할 수 있다. 여기서, 보호회로(320)는 비교대상전압을 이전 스캔시간들 중 일 스캔시간에 센싱되는 전압을 이용하여 생성할 수 있다. 예를 들어, 보호회로(320)는 제1스캔시간에서 제1전압을 이용하여 비교대상전압을 생성하고 생성된 비교대상전압을 제2스캔시간에서 제2전압과 비교할 수 있다. 그리고, 순차적으로 보호회로(320)는 제2스캔시간에서 제2전압을 이용하여 비교대상전압을 생성하고 생성된 비교대상전압을 제3스캔시간에서 제3전압과 비교할 수 있다. 그리고, 순차적으로 보호회로(320)는 제3스캔시간에서 제3전압을 이용하여 비교대상전압을 생성하고 생성된 비교대상전압을 제1스캔시간에서 제1전압과 비교할 수 있다.
비교대상전압은 저장되고 업데이트되는 전압일 수 있다. 보호회로(320)는 센싱한 전압을 그대로 혹은 일정 전압 차감하여 저장하여 비교대상전압을 형성시키고, 매 스캔시간마다 비교대상전압을 업데이트할 수 있다.
보호회로(320)는 센싱되는 전압이 비교대상전압보다 낮은 경우 해당 엘이디에 불량이 발생했다고 판단할 수 있다. 엘이디(LED1, LED2, LED3)가 정상으로 구동되는 경우, 순방향전압은 일정 이상의 전압을 유지한다. 그런데, 이러한 순방향전압이 일정 전압-비교대상전압-보다 낮아진다면 이는 엘이디(LED1, LED2, LED3)가 단락되었거나 불완전단락된 상태를 나타낼 수 있다. 보호회로(320)는 스캔시간마다 센싱되는 전압을 비교대상전압과 비교하여 이러한 엘이디(LED1, LED2, LED3)의 상태를 파악할 수 있다.
엘이디의 순방향전압은 일반적으로 일정한 전압-예를 들어, 2~3V 등- 수준을 유지할 수 있다. 그래서, 종래의 구동장치는 엘이디의 순방향전압을 측정하고 이를 고정된 기준전압과 비교하여 엘이디의 단락 여부를 판단하였다. 그런데, 엘이디의 순방향전압은 노화현상에 따라 변할 수 있는데, 종래의 방법은 이러한 순방향전압의 변화를 반영하지 못하는 문제가 있었다. 노화에 따라 순방향전압이 낮아지면 정상적인 경우에도 구동장치가 엘이디를 불량으로 판단하는 문제가 발생할 수 있는데, 이러한 문제를 최소화하기 위해 종래의 구동장치는 비교 대상이 되는 기준전압을 낮게 설정하는 경향이 있었다. 그런데, 기준전압이 낮아지면 엘이디가 불완전하게 단락되는 상태-순방향전압이 정상보다는 낮으나 일정 정도의 값은 가지는 상태-는 감지되지 못하는 다른 문제가 발생할 수 있다.
종래의 이런 문제를 개선하기 위해 일 실시예에 따른 구동장치는 비교대상전압을 현재의 엘이디 상태가 반영되도록 생성할 수 있다. 예를 들어, 일 실시에에 따른 구동장치는 하나의 채널에서 이전 스캔시간들에서 센싱한 전압을 이용하여 비교대상전압을 생성할 수 있고, 이전 스캔시간들에서 센싱한 전압 중 대표값을 비교대상전압으로 생성할 수 있다. 여기서, 대표값이란 평균값, 중간값, 최대값 등일 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 보호회로의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 보호회로(320)는 피크감지회로(410), 비교회로(420), AND논리소자(430), 글리치제거회로(440), 보호로직회로(450) 등을 포함할 수 있다.
비교회로(420)의 일 단자-예를 들어, 마이너스 입력단자-로는 화소의 일 위치에 형성되는 전압-예를 들어, 엘이디(LED1, LED2, LED3)의 애노드에 형성되는 전압-이 제1전압으로 입력될 수 있다. 그리고, 각각의 스캔시간마다 제1전압이 비교회로(420)의 일 단자로 입력될 수 있다.
피크감지회로(410)는 각 화소에 대한 전술한 제1전압 중 가장 큰 전압을 전압강하소자가 배치된 경로를 통해 제2전압으로 센싱할 수 있다. 그리고, 피크감지회로(410)는 제2전압을 비교회로(420)의 다른 단자-예를 들어, 플러스 입력단자-로 입력시킬 수 있다.
비교회로(420)는 제1전압과 제2전압을 비교하고 제1전압이 제2전압보다 낮은 경우 현재 화소를 불량으로 판단할 수 있다. 그리고, 비교회로(420)는 판단결과를 비교신호(CM)로 출력할 수 있다. 비교신호(CM)는 화소가 불량일 경우 고전압레벨을 나타내고 화소가 정상일 경우 저전압레벨을 나타낼 수 있다. 혹은 반전된 형태로서, 비교회로(420)는 화소가 불량일 경우-제1전압이 제2전압보다 낮은 경우- 저전압레벨의 비교신호(CM)를 출력하고, 화소가 정상일 경우 고전압레벨의 비교신호(CM)를 출력할 수 있다.
비교회로(420)는 비교신호(CM)를 생성하기 위한 비교기를 내포할 수 있는데, 비교기는 제1전압과 제2전압을 입력으로 받고, 내부에 히스테리시스루푸를 가지고 있어 제1전압과 제2전압이 유사한 수준을 나타내는 경우에도 안정적인 신호를 출력할 수 있다.
AND논리소자(430)는 비교신호(CM)와 PWM신호(SP)를 AND 연산으로 조합시킨 조합신호(CM')를 생성할 수 있다. 보호회로(320)는 비교신호(CM)와 PWM신호(SP)를 AND 연산함으로써 PWM신호(SP)가 고전압레벨이 되는 구간에서만 비교신호(CM)를 통과시켜 조합신호(CM')를 형성할 수 있다. 보호회로(320)는 엘이디(LED1, LED2, LED3)가 구동되는 구간에서 화소의 불량을 판단할 수 있는데, 엘이디(LED1, LED2, LED3)가 구동되는 구간은 PWM신호(SP)가 고전압레벨인 구간으로 인식될 수 있다.
글리치제거회로(440)는 조합신호(CM')에 포함되는 글리치를 제거하여 안정적인 신호를 생성할 수 있고, 보호로직회로(450)는 일련의 구성들을 거쳐 온 신호를 최종적으로 처리하여 보호신호(SF)를 생성할 수 있다. 보호로직회로(450)는 입력받은 신호를 반전시켜 보호신호(SF)를 생성할 수도 있고, 추가적인 다른 판단을 부가하여 보호신호(SF)를 생성할 수도 있다.
도 5는 일반적인 보호회로의 구성도이고, 도 6은 일 실시예에 따른 구동장치의 주요 파형도이다.
도 4, 도 5 및 도 6을 참조하면, 보호회로에 형성되는 제2전압(Vp)은 일반적인 보호회로에서 사용되는 기준전압(Vr)보다 높은 전압레벨을 가질 수 있다. 이러한 특성에 따라 일 실시예에 따른 구동장치는 불완전한 단락 상태에 있는 화소도 탐지해 낼 수 있다.
도 5에 도시된 일반적인 보호회로(50)는 출력단자(To)를 통해 센싱한 전압과 미리 설정된 기준전압(Vr)을 비교하여 보호신호(SF')를 생성할 수 있다. 그런데, 이러한 일반적인 보호회로(50)는 노화에 따른 센싱전압의 하강을 고려해야하기 때문에 기준전압(Vr)을 높게 설정할 수 없다. 그래서, 일반적인 보호회로(50)는 기준전압(Vr)을 낮게 설정하였다. 그런데, 이러한 낮은 기준전압(Vr)은 전술한 바와 같이 불완전한 단락 상태를 검출하지 못하게 하는 원인이 될 수 있다.
일 실시예에 따른 구동장치는 비교대상전압으로서 엘이디의 현재 상태를 반영하는 전압을 사용하기 때문에 전압레벨이 상대적으로 높을 수 있다. 비교대상전압으로서 제2전압이 높게 형성되고 추후 엘이디에 노화가 발생하여 센싱전압이 내려가는 경우에, 제2전압 또한 같이 내려가기 때문에 노화에 따른 불량의 오판단 문제는 발생하지 않게 된다.
구체적인 구동 예시를 확인하기 위해 도 4 및 도 6을 참조하면, 제1스캔신호(Scan<1>)가 공급되는 시간(제1스캔시간)에서 구동전류(Ie)는 제1엘이디(LED1)으로 흐를 수 있다. 그리고, 제1스캔시간, 특히, PWM신호(SP)가 고전압레벨인 시간에서 출력단자에 형성되는 전압(Vt)은 제1엘이디(LED1)의 순방향전압을 나타낼 수 있다. 구동장치는 출력단자에 형성되는 전압(Vt, 제1전압)과 피크감지회로(410)에서 생성한 피크전압(Vp, 제2전압)을 비교하여 보호신호(SF)를 생성할 수 있다. 제1스캔시간에서 출력단자에 형성되는 전압(Vt, 제1전압)이 피크전압(Vp, 제2전압)보다 높기 때문에, 보호신호(SF)는 저전압레벨을 나타낼 수 있다. 한편, 제2스캔시간에서 출력단자에 형성되는 전압(Vt, 제1전압)이 피크전압(Vp, 제2전압)보다 낮게 형성되고 있는데, 이때에는 보호신호(SF)가 화소의 불량을 나타내는 고전압레벨을 나타낼 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 피크감지회로의 구성도이다.
도 7을 참조하면, 피크감지회로(410)는 일측은 출력단자(To)와 연결되면서 출력단자(To)에 형성되는 전압(Vt)을 입력받을 수 있고, 타측으로 피크전압(Vp)을 출력할 수 있다.
피크감지회로(410)에서 일측과 타측 사이에는 전압강하소자(710)가 배치될 수 있다. 출력단자(To)에 형성되는 전압(Vt)은 전압강하소자(710)에 의해 일정 전압(Vd)만큼 전압이 강하된 후 타측의 피크전압(Vp)을 형성할 수 있다.
피크감지회로(410)는 피크전압(Vp)을 저장하기 위한 캐패시터(Cp)를 더 포함할 수 있다. 피크전압(Vp)은 일 스캔시간에서 캐패시터(Cp)에 저장된 후 다른 스캔시간에서 비교회로의 일 입력전압으로 사용될 수 있다.
캐패시터(Cp)는 내부저항 혹은 누설저항을 가지고 있어서 시간의 경과와 함께 저장된 전압이 내려갈 수 있는데, 매 스캔시간마다 출력단자(To)로부터 추가적인 전하가 공급될 수 있기 때문에 일정 수준의 전압을 지속적으로 유지할 수 있다.
캐패시터(Cp)의 자연적인 방전 속도가 너무 느린 경우, 캐패시터(Cp)에 저장되는 전압이 현재의 엘이디 상태를 적절히 반영하지 못할 수 있는데, 이러한 문제를 보완하기 위해 캐패시터(Cp)와 병렬로 리셋스위치(Sr)가 배치될 수 있다. 구동장치는 리셋스위치(Sr)를 주기적으로 혹은 비주기적으로 턴온시켜 캐패시터(Cp)에 저장된 전하를 방전시키고 캐패시터(Cp)에 저장되는 피크전압(Vp)을 새로운 것으로 교체할 수 있다.
출력단자(To)에는 샘플링타임제한회로(720)가 연결되어 있을 수 있는데, 샘플링타임제한회로(720)는 PWM신호(SP)가 고전압레벨을 나타내는 시간에는 엘이디에 형성되는 전압이 그대로 센싱되도록 할 수 있다. 그러나, 샘플링타임제한회로(720)는 PWM신호(SP)가 저전압레벨을 나타내는 시간에는 출력단자(To)를 강제적으로 일정 전압(Vds)으로 유지시켜 출력단자(To)의 전압이 피크전압(Vp)에 영향을 미치지 못하도록 할 수 있다.
또한, 샘플링타임제한회로(720)는 PWM신호(SP)가 저전압레벨을 나타내는 시간에서 출력단자(To)로 일정 전압(Vds)을 출력시켜 구동라인의 전압을 일정하게 유지시킬 수 있다.
샘플링타임제한회로(720)는 출력단자(To)와 일정 전압(Vds)의 연결을 제어하는 제한스위치(Sds)와 제한스위치(Sds)의 게이트를 PWM신호(Sp)의 반전신호로 제어하는 게이트구동회로(722)를 포함할 수 있다.
도 8은 일 실시예의 전압강하소자의 제1예시를 나타내는 도면이고, 도 9는 일 실시예의 전압강하소자의 제2예시를 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 전압강하소자는 적어도 하나의 다이오드(810)를 포함할 수 있다. 이때, 다이오드(810)의 애노드는 출력단자(To)와 연결되고 캐소드는 캐패시터(Cp)와 연결될 수 있다.
도 9를 참조하면, 전압강하소자는 다이오드 연결된 트랜지스터(910)를 적어도 하나 포함할 수 있다. 이때, 다이오드 연결된 트랜지스터(910)의 게이트와 드레인이 연결되어 있을 수 있고, 드레인은 출력단자(To)와 연결되고 캐소드는 캐패시터(Cp)와 연결될 수 있다. 여기서, 트랜지스터(910)는 FET(Field Effect Transistor)일 수 있다.
도 10은 일 실시예에 따른 엘이디 구동방법의 흐름도이다.
도 10을 참조하면, 엘이디 구동장치는 채널별로 비교대상전압을 저장할 수 있다(S1000). 비교대상전압은 캐패시터에 저장될 수 있고, 다른 소자에 저장될 수도 있다. 각각의 채널은 하나의 구동라인과 연결되고, 하나의 구동라인에는 복수의 엘이디가 연결될 수 있다.
엘이디 구동장치는 하나의 채널을 이용하여, 서로 다른 시간에서 복수의 엘이디를 각각 구동할 수 있다(S1002). 각각의 엘이디는 스캔신호에 따라 각각 서로 다른 시간에서 구동라인과 연결되고 채널로부터 구동전류를 공급받을 수 있다.
엘이디 구동장치는 각각의 구동시간마다 채널을 통해 각 엘이디의 순방향전압을 센싱할 수 있다(S1004).
그리고, 엘이디 구동장치는 각 구동시간마다 센싱된 순방향전압에서 일정 전압을 차감한 전압과 비교대상전압을 비교하고(S1006), 순방향전압에서 일정 전압을 차감한 전압이 비교대상전압보다 큰 경우(S1006에서 YES), 순방향전압에서 일정 전압을 차감한 전압으로 비교대상전압을 업데이트할 수 있다(S1008).
비교대상전압은 캐패시터에 저장될 수 있는데, 캐패시터의 기생성분에 의해 비교대상전압은 자연방전될 수 있고, 이러한 자연방전에 따라 비교대상전압이 자주 업데이트될 수 있다.
비교대상전압은 주기적으로 혹은 비주기적으로 리셋될 수 있는데, 매 프레임에서 동일한 시점에서 리셋되는 것을 방지하기 위해 프레임시간 혹은 프레임시간의 배수와는 다른 시간간격으로 리셋될 수 있다.
비교대상전압이 확정된 후에, 엘이디 구동장치는 센싱된 순방향전압과 비교대상전압을 비교하고(S1010), 순방향전압이 비교대상전압보다 작은 경우(S1010에서, YES), 엘이디가 불량인 것으로 판단하고 보호신호를 발생시킬 수 있다(S1012).
이상에서 일 실시예에 따른 엘이디 구동기술에 대해 설명하였는데, 이러한 실시예에 의하면, 엘이디 표시장치에서 화소의 불량을 탐지할 수 있게 되고, 엘이디 표시장치에서 화소의 단락 여부를 판단할 수 있게 되며, 불완전 단락 상태에 있는 화소를 탐지할 수 있게 된다.

Claims (15)

  1. 스캔신호에 따라 서로 다른 시간에서 복수의 엘이디(LED : light emitting diode)를 각각 구동하는 구동회로;
    제1시간에서 제1엘이디의 순방향전압에 대응되는 제1전압을 센싱하고 제2시간에서 제2엘이디의 순방향전압에 대응되는 제2전압을 센싱하며 상기 제1전압과 상기 제2전압을 이용하여 상기 제2엘이디의 불량을 판단하는 보호회로
    를 포함하는 엘이디 구동장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1엘이디와 상기 제2엘이디는 서로 다른 엘이디이고 하나의 구동라인 혹은 하나의 채널에 연결되는 엘이디 구동장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1전압은 상기 제1엘이디의 애노드 측에 형성되는 전압이고,
    상기 제2전압은 상기 제2엘이디의 애노드 측에 형성되는 전압이며,
    상기 보호회로는 상기 제1전압에서 일정 전압 차감한 전압과 상기 제2전압을 비교하여 상기 제2엘이디의 불량을 판단하는 엘이디 구동장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1전압은 상기 복수의 엘이디의 애노드 측에 형성되는 전압 중 가장 큰 전압에 대응되는 전압인 엘이디 구동장치.
  5. 엘이디(LED : light emitting diode)를 포함하는 복수의 화소를 스캔라인별로 순차적으로 구동하는 구동회로;
    각 화소의 일 위치에 형성되는 전압을 제1전압으로 센싱하고, 각 화소에 대한 상기 제1전압 중 가장 큰 전압을 전압강하소자가 배치된 경로를 통해 제2전압으로 센싱하며, 상기 제1전압과 상기 제2전압을 비교하여 각 화소의 불량을 판단하는 보호회로
    를 포함하는 엘이디 구동장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 보호회로는 각 화소에 배치되는 상기 엘이디의 애노드 측에서 상기 제1전압을 센싱하는 엘이디 구동장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 전압강하소자는 다이오드소자이거나 다이오드 연결 구조의 FET(Field Effect Transistor)소자인 엘이디 구동장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 보호회로는 히스테리시스루푸를 가지는 비교기에 상기 제1전압과 상기 제2전압을 입력하고 상기 비교기의 출력에 따라 각 화소의 불량을 판단하는 엘이디 구동장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 구동회로는 PWM(Pulse Width Modulation)신호에 따라 각 화소의 밝기를 조절하기 위한 스위치를 포함하고,
    상기 스위치는 상기 비교기의 출력신호와 상기 PWM신호가 조합된 신호에 따라 온오프가 제어되는 엘이디 구동장치.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 제2전압은 캐패시터에 저장되고 상기 캐패시터와 병렬로 연결되는 리셋스위치의 주기적 혹은 비주기적 턴온에 따라 리셋되는 엘이디 구동장치.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 화소와 상기 구동회로는 하나의 구동라인으로 연결되고,
    상기 보호회로는 상기 화소로 구동전류가 공급되는 시간에는 상기 구동라인을 통해 상기 제1전압 혹은 상기 제2전압이 센싱되도록 하고, 상기 화소로 구동전류가 공급되지 않는 시간에서는 상기 구동라인으로 일정 전압을 공급하는 엘이디 구동장치-상기 일정 전압은 상기 화소가 턴온되지 않는 전압레벨을 가짐.
  12. 하나의 채널을 이용하여, 서로 다른 시간에서 복수의 엘이디(LED : light emitting diode)를 각각 구동하는 단계;
    각각의 구동시간마다 상기 채널을 통해 각 엘이디의 순방향전압을 센싱하는 단계;
    비교대상전압을 저장하되, 일 구동시간에서의 상기 순방향전압이 저장된 상기 비교대상전압보다 일정 전압 이상 크면, 상기 일 구동시간에서의 상기 순방향전압에서 상기 일정 전압을 차감한 전압으로 상기 비교대상전압을 업데이트하는 단계;
    상기 순방향전압과 상기 비교대상전압을 비교하고 상기 엘이디의 불량 여부를 판단하는 단계; 및
    상기 엘이디가 불량으로 판단되는 경우, 보호신호를 생성하는 단계
    를 포함하는 엘이디 구동방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 비교대상전압은 캐패시터에 저장되고 기생성분에 의해 자연방전되는 엘이디 구동방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 보호신호가 생성되는 시점을 인식하여 불량으로 판단된 상기 엘이디의 위치를 파악하거나 저장하는 단계를 더 포함하는 엘이디 구동방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 비교대상전압을 리셋하는 단계를 더 포함하되,
    상기 비교대상전압은 프레임시간 혹은 프레임시간의 배수와는 다른 시간간격으로 리셋되는 엘이디 구동방법.
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