KR20220007004A - Phase modulator and phase modulator array including the same - Google Patents

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KR20220007004A
KR20220007004A KR1020210037549A KR20210037549A KR20220007004A KR 20220007004 A KR20220007004 A KR 20220007004A KR 1020210037549 A KR1020210037549 A KR 1020210037549A KR 20210037549 A KR20210037549 A KR 20210037549A KR 20220007004 A KR20220007004 A KR 20220007004A
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phase modulator
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KR1020210037549A
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박정현
이페이 왕
마크 엘 브롱거스마
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삼성전자주식회사
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더 보드 어브 트러스티스 어브 더 리랜드 스탠포드 주니어 유니버시티
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Abstract

The present invention is to provide a phase modulator and a phase modulator array which can reliably maintain an over-coupling state. The phase modulator comprises: an antenna pattern; a guide layer spaced, in a first direction, from the antenna pattern; a spacer provided between the antenna pattern and the guide layer; and a phase change pattern inserted in the spacer. The phase change pattern includes a phase change material.

Description

위상 변조기 및 이를 포함하는 위상 변조기 어레이{PHASE MODULATOR AND PHASE MODULATOR ARRAY INCLUDING THE SAME}PHASE MODULATOR AND PHASE MODULATOR ARRAY INCLUDING THE SAME

본 개시는 위상 변조기 및 위상 변조기 어레이에 관한 것이다.The present disclosure relates to phase modulators and phase modulator arrays.

광의 투과/반사/산란 특성, 위상, 진폭, 편광, 세기, 경로 등을 변화시키는 광변조 장치는 다양한 광학 장치에 활용된다. 광학 시스템 내에서 원하는 방식으로 광의 성질을 제어하기 위해, 다양한 구조의 광변조 장치들이 제시되었다. 예컨대, 광학적 이방성을 가지는 액정(liquid crystal)이나, 광차단/반사 요소의 미소 기계적 움직임을 이용하는 MEMS(microelectromechanical system) 구조 등이 일반적인 광변조 장치에 사용되고 있다. 이러한 광변조 장치들은 구동 방식의 특성상 동작 응답시간에 한계가 있다. MEMS 구조의 경우, 전압-변위의 특성의 비선형성을 보정할 필교가 있으며, 운동계의 진동의 영향을 보정하기 위한 최적화된 구동 전압 프로파일이 확보되어야 한다.An optical modulation device that changes transmission/reflection/scattering characteristics, phase, amplitude, polarization, intensity, path, etc. of light is used in various optical devices. In order to control the properties of light in a desired manner in an optical system, various structures of light modulation devices have been proposed. For example, a liquid crystal having optical anisotropy or a microelectromechanical system (MEMS) structure using micro-mechanical movement of a light blocking/reflecting element is used in a general light modulation device. These optical modulation devices have a limit in their operation response time due to the characteristics of the driving method. In the case of the MEMS structure, it is necessary to correct the nonlinearity of the voltage-displacement characteristic, and an optimized driving voltage profile must be secured to correct the effect of vibration of the motion system.

최근에는, 입사광에 대한 표면 플라즈몬(surface plasmonance) 또는 갭 플라즈몬(gap surface plasmon)을 이용하는 메타 구조를 광 변조 장치에 활용하려는 시도가 있다.Recently, an attempt has been made to utilize a meta-structure using a surface plasmon or a gap plasmon for incident light in an optical modulation device.

해결하고자 하는 과제는 오버 커플링(over-coupling) 상태를 안정적으로 유지하는 위상 변조기 및 위상 변조기 어레이를 제공하는 것에 있다.An object to be solved is to provide a phase modulator and a phase modulator array stably maintaining an over-coupling state.

해결하고자 하는 과제는 개선된 광 반사 특성을 가지는 위상 변조기 및 위상 변조기 어레이를 제공하는 것에 있다.An object to be solved is to provide a phase modulator and a phase modulator array having improved light reflection characteristics.

해결하고자 하는 과제는 안테나 패턴과 상변이 물질 패턴 사이의 거리에 대한 자유도를 갖는 위상 변조기 및 위상 변조기 어레이를 제공하는 것에 있다. An object to be solved is to provide a phase modulator and a phase modulator array having a degree of freedom with respect to a distance between an antenna pattern and a phase change material pattern.

다만, 해결하고자 하는 과제는 상기 개시에 한정되지 않는다.However, the problem to be solved is not limited to the above disclosure.

일 측면에 있어서, 안테나 패턴; 상기 안테나 패턴으로부터 제1 방향으로 이격되는 가이드층; 상기 안테나 패턴과 상기 가이드층 사이에 제공되는 스페이서; 및 상기 스페이서 내에 삽입되는 상변이 패턴;을 포함하되, 상기 상변이 패턴은 상변이 물질을 포함하는 위상 변조기가 제공될 수 있다.In one aspect, the antenna pattern; a guide layer spaced apart from the antenna pattern in a first direction; a spacer provided between the antenna pattern and the guide layer; and a phase change pattern inserted into the spacer, wherein the phase change pattern may include a phase modulator including a phase change material.

상기 상변이 패턴은 상기 스페이서에 의해 둘러싸일 수 있다.The phase change pattern may be surrounded by the spacer.

상기 상변이 패턴과 상기 안테나 패턴 사이에 배치되는 상기 스페이서의 일 부분의 상기 제1 방향을 따르는 두께는, 상기 상변이 패턴과 상기 가이드층 사이에 배치되는 상기 스페이서의 다른 부분의 상기 제1 방향을 따르는 두께보다 두꺼울 수 있다.A thickness of a portion of the spacer disposed between the phase-change pattern and the antenna pattern in the first direction may be determined by the first direction of another portion of the spacer disposed between the phase-change pattern and the guide layer. It may be thicker than the following thickness.

상기 상변이 패턴은 상기 안테나 패턴과 상기 제1 방향을 따라 중첩할 수 있다.The phase change pattern may overlap the antenna pattern along the first direction.

상기 상변이 패턴은 갭 플라즈몬이 생성되는 상기 스페이서 내의 유효 공진기 영역에 배치될 수 있다.The phase change pattern may be disposed in an effective resonator region in the spacer where a gap plasmon is generated.

상기 안테나 패턴의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따르는 폭은 상기 유효 공진기 영역의 상기 제2 방향을 따르는 폭보다 작을 수 잇다.A width of the antenna pattern along a second direction crossing the first direction may be smaller than a width of the effective resonator region along the second direction.

상기 상변이 패턴의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따르는 폭은 상기 안테나 패턴의 상기 제2 방향을 따르는 폭과 동일할 수 있다.A width of the phase change pattern along a second direction crossing the first direction may be the same as a width of the antenna pattern along the second direction.

상기 안테나 패턴에 전압을 인가하는 전원 요소;를 더 포함하되, 상기 전압을 상기 안테나 패턴에 인가하는 것에 의해 상기 안테나 패턴에서 열이 생성될 수 있다.A power supply element for applying a voltage to the antenna pattern may be further included, wherein heat may be generated in the antenna pattern by applying the voltage to the antenna pattern.

상기 상변이 패턴은 상기 안테나 패턴에서 상기 열이 생성될 때 상기 상변이 패턴이 가지는 최고 온도와 최저 온도의 차이가 최소가 되도록 상기 안테나 패턴으로부터 이격될 수 있다.The phase change pattern may be spaced apart from the antenna pattern such that a difference between a maximum temperature and a minimum temperature of the phase change pattern when the heat is generated in the antenna pattern is minimized.

상기 상변이 패턴은 상기 안테나 패턴에서 상기 열이 생성될 때, 상기 상변이 패턴이 갖는 최저 온도가 280 도(℃) 이상이 되도록 상기 안테나 패턴으로부터 이격될 수 있다.The phase change pattern may be spaced apart from the antenna pattern so that, when the heat is generated in the antenna pattern, a minimum temperature of the phase change pattern is 280 degrees (°C) or more.

상기 안테나 패턴은, 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 안테나 패턴들을 포함하고, 상기 상변이 패턴은, 상기 복수의 안테나 패턴들과 상기 가이드층 사이에 제공되는 복수의 상변이 패턴들을 포함하며, 상기 복수의 안테나 패턴들은 서로 동일한 형상을 가지고, 상기 복수의 상변이 패턴들은 상기 제2 방향을 따라 배열될 수 있다.The antenna pattern may include a plurality of antenna patterns arranged along a second direction intersecting the first direction, and the phase change pattern may include a plurality of phase change patterns provided between the plurality of antenna patterns and the guide layer. Including these patterns, the plurality of antenna patterns may have the same shape, and the plurality of phase change patterns may be arranged along the second direction.

상기 복수의 안테나 패턴들에 동일한 전압들을 각각 인가하는 전원 요소;를 더 포함하되, 상기 전압을 상기 복수의 안테나 패턴들에 인가하는 것에 의해 상기 복수의 안테나 패턴들에서 열이 생성될 수 있다.It further includes a power supply element for applying the same voltages to the plurality of antenna patterns, respectively, wherein heat may be generated in the plurality of antenna patterns by applying the voltage to the plurality of antenna patterns.

일 측면에 있어서, 제1 위상 변조기; 상기 제1 위상 변조기로부터 제1 방향을 따라 이격되는 제2 위상 변조기; 및 상기 제1 위상 변조기 및 상기 제2 위상 변조기에 전압을 인가하는 전원 요소;를 포함하되, 상기 제1 위상 변조기 및 상기 제2 위상 변조기의 각각은, 상기 제1 방향을 따라 배열되는 안테나 패턴들, 상기 안테나 패턴들로부터 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 이격되는 가이드층, 상기 안테나 패턴들과 상기 가이드층 사이에 제공되는 스페이서, 및 상기 스페이서 내에 삽입되고, 상기 제1 방향을 따라 배열되는 상변이 패턴들을 포함하되, 상기 상변이 패턴들은 상변이 물질을 포함하는 위상 변조기 어레이가 제공될 수 있다.In one aspect, there is provided a first phase modulator; a second phase modulator spaced apart from the first phase modulator in a first direction; and a power supply element for applying a voltage to the first phase modulator and the second phase modulator, wherein each of the first phase modulator and the second phase modulator includes antenna patterns arranged in the first direction , a guide layer spaced apart from the antenna patterns in a second direction intersecting the first direction, a spacer provided between the antenna patterns and the guide layer, and a spacer inserted into the spacer and arranged along the first direction A phase modulator array including phase change patterns may be provided, wherein the phase change patterns include a phase change material.

상기 전원 요소는, 상기 제1 위상 변조기의 상기 안테나 패턴들에 제1 전압을 인가하고, 상기 제2 위상 변조기의 상기 안테나 패턴들에 제2 전압을 인가하되, 상기 제1 전압과 상기 제2 전압은 서로 독립적일 수 있다.The power element applies a first voltage to the antenna patterns of the first phase modulator and applies a second voltage to the antenna patterns of the second phase modulator, the first voltage and the second voltage may be independent of each other.

상기 제1 위상 변조기의 상기 상변이 패턴들의 수와 상기 제2 위상 변조기의 상기 상변이 패턴들의 수는 동일할 수 있다.The number of the phase change patterns of the first phase modulator may be the same as the number of the phase change patterns of the second phase modulator.

상기 제1 위상 변조기의 상기 스페이서와 상기 제2 위상 변조기의 상기 스페이서는 하나의 유전막의 서로 다른 부분들일 수 있다.The spacer of the first phase modulator and the spacer of the second phase modulator may be different portions of one dielectric layer.

상기 제1 위상 변조기와 상기 제2 위상 변조기 사이에 제공되는 트렌치;를 더 포함하되, 상기 트렌치는 상기 가이드층을 노출하도록 상기 제2 방향을 따라 연장할 수 있다.A trench may be provided between the first phase modulator and the second phase modulator, wherein the trench may extend along the second direction to expose the guide layer.

상기 트렌치 내에 제공되는 단열 패턴;을 더 포함하되, 상기 단열 패턴은 상기 스페이서보다 낮은 열 전도율을 가질 수 있다.A thermal insulation pattern provided in the trench; further including, wherein the thermal insulation pattern may have a lower thermal conductivity than that of the spacer.

상기 제1 위상 변조기 및 상기 제2 위상 변조기의 각각에서, 상기 상변이 패턴들은 상기 스페이서에 의해 둘러싸일 수 있다.In each of the first phase modulator and the second phase modulator, the phase change patterns may be surrounded by the spacer.

상기 제1 위상 변조기 및 상기 제2 위상 변조기의 각각에서, 상기 상변이 패턴들과 상기 안테나 패턴들 사이에 배치되는 상기 스페이서의 일 부분의 상기 제2 방향을 따르는 두께는, 상기 상변이 패턴들과 상기 가이드층 사이에 배치되는 상기 스페이서의 다른 부분의 상기 제2 방향을 따르는 두께보다 두꺼울 수 있다.In each of the first phase modulator and the second phase modulator, a thickness of a portion of the spacer disposed between the phase-change patterns and the antenna patterns in the second direction may be equal to that of the phase-change patterns and A thickness of another portion of the spacer disposed between the guide layers in the second direction may be thicker.

본 개시는 오버 커플링(over-coupling) 상태를 안정적으로 유지하는 위상 변조기 및 위상 변조기 어레이를 제공할 수 있다.The present disclosure may provide a phase modulator and a phase modulator array stably maintaining an over-coupling state.

본 개시는 개선된 광 반사 특성을 가지는 위상 변조기 및 위상 변조기 어레이를 제공할 수 있다.The present disclosure may provide a phase modulator and a phase modulator array having improved light reflection characteristics.

본 개시는 안테나 패턴과 상변이 물질 패턴 사이의 거리에 대한 자유도를 갖는 위상 변조기 및 위상 변조기 어레이를 제공할 수 있다.The present disclosure may provide a phase modulator and a phase modulator array having degrees of freedom for a distance between an antenna pattern and a phase-change material pattern.

다만, 발명의 효과는 상기 개시에 한정되지 않는다.However, the effect of the invention is not limited to the above disclosure.

도 1은 예시적인 실시예에 따른 위상 변조기의 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따르는 단면도이다.
도 3a는 도 1의 상변이 패턴의 굴절률의 실수부를 나타낸 그래프이다.
도 3b는 도 1의 상변이 패턴의 굴절률의 허수부를 나타낸 그래프이다.
도 4a는 도 1의 상변이 패턴의 상에 따른 위상 변조기의 반사율을 나타낸 그래프이다.
도 4b는 도 1의 상변이 패턴의 상에 따른 위상 변조기의 변조 위상을 나타낸 그래프이다.
도 5는 도 1의 위상 변조기의 변조 위상의 범위를 나타내는 그래프이다.
도 6은 예시적인 실시예에 따른 위상 변조기의 사시도이다.
도 7은 도 6의 II-II'선을 따르는 단면도이다.
도 8은 예시적인 실시예에 따른 위상 변조기 어레이의 사시도이다.
도 9는 예시적인 실시예에 따른 위상 변조기 어레이의 사시도이다.
도 10은 예시적인 실시예에 따른 위상 변조기 어레이의 사시도이다.
도 11은 예시적인 실시예에 따른 빔 스티어링 장치(beam steering device)를 설명하기 위한 개념도이다.
도 12는 예시적인 실시예에 따른 빔 스티어링 장치(beam steering device)를 설명하기 위한 개념도이다.
도 13은 예시적인 실시예에 따른 전자 장치를 설명하기 위한 블럭도이다.
도 14 및 도 15은 예시적인 실시예에 따른 라이다(LiDAR) 장치를 차량에 적용한 경우를 보여주는 개념도들이다.
도 16은 예시적인 실시예에 따른 홀로그래픽 디스플레이 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 17은 예시적인 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 구성을 보이는 블록도이다.
도 18은 도 17의 전자 장치에 구비되는 카메라 모듈의 개략적인 구성을 예시적으로 보이는 블록도이다.
도 19는 도 17의 전자 장치에 구비되는 3D 센서의 개략적인 구성을 보이는 블록도이다.
도 20은 예시적인 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 구성을 보이는 블록도이다.
도 21은 도 20의 전자 장치에 구비되는 시선 추적 센서의 개략적인 구성을 보이는 블록도이다.
1 is a perspective view of a phase modulator according to an exemplary embodiment;
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1 .
3A is a graph illustrating a real part of a refractive index of the phase change pattern of FIG. 1 .
3B is a graph illustrating an imaginary part of a refractive index of the phase change pattern of FIG. 1 .
4A is a graph illustrating reflectance of a phase modulator according to the phase of the phase change pattern of FIG. 1 .
4B is a graph illustrating a modulation phase of the phase modulator according to the phase of the phase change pattern of FIG. 1 .
5 is a graph illustrating a range of a modulation phase of the phase modulator of FIG. 1 .
6 is a perspective view of a phase modulator according to an exemplary embodiment.
7 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 6 .
8 is a perspective view of a phase modulator array according to an exemplary embodiment.
9 is a perspective view of a phase modulator array according to an exemplary embodiment.
10 is a perspective view of a phase modulator array according to an exemplary embodiment.
11 is a conceptual diagram for explaining a beam steering device according to an exemplary embodiment.
12 is a conceptual diagram for explaining a beam steering device according to an exemplary embodiment.
13 is a block diagram illustrating an electronic device according to an exemplary embodiment.
14 and 15 are conceptual views illustrating a case in which a LiDAR device according to an exemplary embodiment is applied to a vehicle.
16 is a conceptual diagram for explaining a holographic display device according to an exemplary embodiment.
17 is a block diagram showing a schematic configuration of an electronic device according to an exemplary embodiment.
18 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a camera module included in the electronic device of FIG. 17 .
19 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a 3D sensor provided in the electronic device of FIG. 17 .
20 is a block diagram showing a schematic configuration of an electronic device according to an exemplary embodiment.
21 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a gaze tracking sensor provided in the electronic device of FIG. 20 .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다. 한편, 이하에 설명되는 실시예는 단지 예시적인 것에 불과하며, 이러한 실시예들로부터 다양한 변형이 가능하다. Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same reference numerals refer to the same components, and the size of each component in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience of description. Meanwhile, the embodiments described below are merely exemplary, and various modifications are possible from these embodiments.

이하에서, "상"이라고 기재된 것은 접촉하여 바로 위에 있는 것뿐만 아니라 비접촉으로 위에 있는 것도 포함할 수 있다.Hereinafter, what is referred to as "on" may include those directly over in contact as well as over non-contact.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. Also, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated.

또한, 명세서에 기재된 “...부” 등의 용어는 적어도 하나의 기능이나 동작을 처리하는 단위를 의미한다.In addition, terms such as “…unit” described in the specification mean a unit that processes at least one function or operation.

도 1은 예시적인 실시예에 따른 위상 변조기의 사시도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선을 따르는 단면도이다. 도 3a는 도 1의 상변이 패턴의 굴절률의 실수부를 나타낸 그래프이다. 도 3b는 도 1의 상변이 패턴의 굴절률의 허수부를 나타낸 그래프이다. 도 4a는 도 1의 상변이 패턴의 상에 따른 위상 변조기의 반사율을 나타낸 그래프이다. 도 4b는 도 1의 상변이 패턴의 상에 따른 위상 변조기의 변조 위상을 나타낸 그래프이다. 도 5는 도 1의 위상 변조기의 변조 위상의 조절 범위를 나타내는 그래프이다. 1 is a perspective view of a phase modulator according to an exemplary embodiment; FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1 . 3A is a graph illustrating a real part of a refractive index of the phase change pattern of FIG. 1 . 3B is a graph illustrating an imaginary part of a refractive index of the phase change pattern of FIG. 1 . 4A is a graph illustrating reflectance of a phase modulator according to the phase of the phase change pattern of FIG. 1 . 4B is a graph illustrating a modulation phase of the phase modulator according to the phase of the phase change pattern of FIG. 1 . 5 is a graph illustrating an adjustment range of a modulation phase of the phase modulator of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 위상 변조기(10)가 제공될 수 있다. 위상 변조기(10)는 가이드층(100), 안테나 패턴(200), 스페이서(300), 상변이 패턴(400), 및 전원 요소(500)를 포함할 수 있다. 가이드층(100)은 서로 교차하는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 연장할 수 있다. 가이드층(100)은 전기 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가이드층(100)은 Cu, Al, Ni, Fe, Co, Zn, Ti, Ru, Rh, Pd, Pt, Os, Ir, Ag, Au 등으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있고, 이들 중 적어도 하나를 구비하는 합금을 포함할 수도 있다. 또는, 가이드층(100)은 Ag, Au 등의 금속 나노입자가 분산된 박막, 그래핀(graphene)이나 CNT(carbon nanotube) 등의 탄소 나노구조체, PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PPy(polypyrrole), P3HT(poly(3-hexylthiophene)) 등의 전도성 고분자를 포함하거나, 전도성 산화물 등을 포함할 수도 있다. 가이드층(100)은 후술되는 갭 플라즈몬을 위상 변조기(10) 내에서 공진시킬 수 있다. 가이드층(100)은 열을 방출할 수 있다.1 and 2 , a phase modulator 10 may be provided. The phase modulator 10 may include a guide layer 100 , an antenna pattern 200 , a spacer 300 , a phase change pattern 400 , and a power supply element 500 . The guide layer 100 may extend in a first direction DR1 and a second direction DR2 crossing each other. The guide layer 100 may include an electrically conductive material. For example, the guide layer 100 includes at least one metal selected from the group consisting of Cu, Al, Ni, Fe, Co, Zn, Ti, Ru, Rh, Pd, Pt, Os, Ir, Ag, Au, etc. It may include, and may include an alloy having at least one of them. Alternatively, the guide layer 100 is a thin film in which metal nanoparticles such as Ag and Au are dispersed, a carbon nanostructure such as graphene or CNT (carbon nanotube), PEDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), A conductive polymer such as polypyrrole (PPy) or poly(3-hexylthiophene) (P3HT) may be included, or a conductive oxide may be included. The guide layer 100 may resonate a gap plasmon to be described later in the phase modulator 10 . The guide layer 100 may dissipate heat.

가이드층(100) 상에 안테나 패턴(200)이 제공될 수 있다. 안테나 패턴(200)은 가이드층(100)으로부터 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 수직하는 제3 방향(DR3)을 따라 제1 거리(d1)만큼 이격될 수 있다. 안테나 패턴(200)은 제1 폭(w1) 및 제1 두께(t1)를 가질 수 있다. 제1 폭(w1)은 제1 방향(DR1)을 따르는 안테나 패턴(200)의 크기일 수 있다. 제1 두께(t1)는 제3 방향(DR3)을 따르는 안테나 패턴(200)의 크기일 수 있다. 제1 폭(w1) 및 제1 두께(t1)는 위상 변조기(10)에 입사하는 전자기파의 파장보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 폭(w1) 및 제1 두께(t1)은 수십 내지 수백 나노미터(nm)일 수 있다. 안테나 패턴(200)은 제1 방향(DR1)을 향하는 제1 측면(201) 및 제1 방향(DR1)과 반대되는 제4 방향(DR4)을 향하는 제2 측면(202)을 가질 수 있다. 안테나 패턴(200)은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 안테나 패턴(200)은 Cu, Al, Ni, Fe, Co, Zn, Ti, Ru, Rh, Pd, Pt, Os, Ir, Ag, Au 등으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 금속이 채용될 수 있고, 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어질 수도 있다. 또는, 안테나 패턴(200)은 Ag, Au 등의 금속 나노입자가 분산된 박막, 그래핀(graphene)이나 CNT(carbon nanotube) 등의 탄소 나노구조체, PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PPy(polypyrrole), P3HT(poly(3-hexylthiophene)) 등의 전도성 고분자를 포함하거나, 전도성 산화물 등을 포함할 수도 있다. 일 예에서, 안테나 패턴(200)은 가이드층(100)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 안테나 패턴(200)은 요구되는 파장의 전자기파를 수용하도록 구성될 수 있다. 안테나 패턴(200)은 전원 요소(500)로부터 인가되는 전압에 의해 열을 생성할 수 있다. An antenna pattern 200 may be provided on the guide layer 100 . The antenna pattern 200 may be spaced apart from the guide layer 100 by a first distance d1 in a third direction DR3 perpendicular to the first direction DR1 and the second direction DR2 . The antenna pattern 200 may have a first width w1 and a first thickness t1. The first width w1 may be the size of the antenna pattern 200 in the first direction DR1 . The first thickness t1 may be the size of the antenna pattern 200 in the third direction DR3 . The first width w1 and the first thickness t1 may be smaller than the wavelength of the electromagnetic wave incident on the phase modulator 10 . For example, the first width w1 and the first thickness t1 may be tens to hundreds of nanometers (nm). The antenna pattern 200 may have a first side surface 201 facing the first direction DR1 and a second side surface 202 facing a fourth direction DR4 opposite to the first direction DR1 . The antenna pattern 200 may include a conductive material. For example, the antenna pattern 200 includes at least one metal selected from the group consisting of Cu, Al, Ni, Fe, Co, Zn, Ti, Ru, Rh, Pd, Pt, Os, Ir, Ag, Au, etc. may be employed, and may be made of an alloy including at least one of them. Alternatively, the antenna pattern 200 is a thin film in which metal nanoparticles such as Ag and Au are dispersed, a carbon nanostructure such as graphene or CNT (carbon nanotube), PEDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), A conductive polymer such as polypyrrole (PPy) or poly(3-hexylthiophene) (P3HT) may be included, or a conductive oxide may be included. In one example, the antenna pattern 200 may include the same material as the guide layer 100 . The antenna pattern 200 may be configured to receive electromagnetic waves of a required wavelength. The antenna pattern 200 may generate heat by a voltage applied from the power element 500 .

가이드층(100)과 안테나 패턴(200) 사이에 스페이서(300)가 제공될 수 있다. 스페이서(300)는 유전체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 스페이서(300)는 유전성 실리콘 화합물(예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SixNy), 실리콘 산질화물(SiON)) 또는 유전성 금속 화합물(예를 들어, 알루미늄 산화물(Al2O3), 하프늄 산화물(HfO), 지르코늄 산화물(ZrO), 하프늄 실리콘 산화물(HfSiO))을 포함할 수 있다.A spacer 300 may be provided between the guide layer 100 and the antenna pattern 200 . The spacer 300 may include a dielectric. For example, the spacer 300 may be formed of a dielectric silicon compound (eg, silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SixNy), silicon oxynitride (SiON)) or a dielectric metal compound (eg, aluminum oxide (Al2O3). , hafnium oxide (HfO), zirconium oxide (ZrO), hafnium silicon oxide (HfSiO)).

안테나 패턴(200)에 의해 스페이서(300) 내에 제1 반사 경계(301) 및 제2 반사 경계(302)가 결정될 수 있다. 제1 반사 경계(301)는 스페이서(300) 내에서 제1 방향(DR1)을 따라 진행하는 갭 플라즈몬이 제4 방향(DR4)으로 반사되는 경계일 수 있다. 갭 플라즈몬은 후술된다. 제2 반사 경계(302)는 스페이서(300) 내에서 제4 방향(DR4)을 따라 진행하는 갭 플라즈몬이 제1 방향(DR1)으로 반사되는 경계일 수 있다. 제1 반사 경계(301)는 안테나 패턴(200)의 제1 측면(201)으로부터 제1 방향(DR1)을 따라 이격되는 위치에 정렬될 수 있다. 제2 반사 경계(302)는 안테나 패턴(200)의 제2 측면(202)으로부터 제4 방향(DR4)을 따라 이격되는 위치에 정렬될 수 있다. 일 예에서, 제1 반사 경계(301) 및 제2 반사 경계(302)는 각각 안테나 패턴(200)의 제1 측면(201) 및 제2 측면(202)으로부터 상기 안테나 패턴(200)의 폭 방향으로 동일한 거리만큼 이격된 위치에 정렬될 수 있다. 제1 반사 경계(301)와 제2 반사 경계(302) 사이의 영역은 유효 공진기 영역으로 지칭될 수 있다. 제1 반사 경계(301)와 제2 반사 경계(302)는 제1 방향(DR1)을 따라 제2 거리(d2)만큼 이격될 수 있다. 제2 거리(d2)는 유효 공진기 길이로 지칭될 수 있다. 제2 거리(d2)는 제1 폭(w1)보다 클 수 있다. A first reflection boundary 301 and a second reflection boundary 302 in the spacer 300 may be determined by the antenna pattern 200 . The first reflection boundary 301 may be a boundary where gap plasmons traveling in the first direction DR1 within the spacer 300 are reflected in the fourth direction DR4 . The gap plasmon will be described later. The second reflection boundary 302 may be a boundary where gap plasmons traveling in the fourth direction DR4 within the spacer 300 are reflected in the first direction DR1 . The first reflection boundary 301 may be arranged at a position spaced apart from the first side surface 201 of the antenna pattern 200 in the first direction DR1 . The second reflection boundary 302 may be arranged at a position spaced apart from the second side surface 202 of the antenna pattern 200 in the fourth direction DR4 . In one example, the first reflective boundary 301 and the second reflective boundary 302 are in the width direction of the antenna pattern 200 from the first side 201 and the second side 202 of the antenna pattern 200 , respectively. may be aligned at positions spaced apart by the same distance. The region between the first reflective boundary 301 and the second reflective boundary 302 may be referred to as an effective resonator region. The first reflective boundary 301 and the second reflective boundary 302 may be spaced apart from each other by a second distance d2 in the first direction DR1 . The second distance d2 may be referred to as an effective resonator length. The second distance d2 may be greater than the first width w1.

가이드층(100), 스페이서(300), 및 안테나 패턴(200)은 금속-유전체-금속(MIM) 구조를 갖는 갭 플라즈몬 공진기를 형성할 수 있다. 갭 플라즈몬은 메탈-유전체-메탈 구조의 유전체 내부에서 공진하는 광자와 전자의 공진의 결합이다. 갭 플라즈몬을 생성하기 위한 가이드층(100), 안테나 패턴(200), 및 스페이서(300)를 포함하는 갭 플라즈몬 공진기의 공진 조건은 아래의 식과 같을 수 있다.The guide layer 100 , the spacer 300 , and the antenna pattern 200 may form a gap plasmon resonator having a metal-dielectric-metal (MIM) structure. Gap plasmon is a combination of resonance of photons and electrons resonating inside a dielectric of a metal-dielectric-metal structure. The resonance condition of the gap plasmon resonator including the guide layer 100 , the antenna pattern 200 , and the spacer 300 for generating the gap plasmon may be as follows.

Figure pat00001
Figure pat00001

(

Figure pat00002
: 입사 전자기파의 파장,
Figure pat00003
: 안테나 패턴(200)의 길이,
Figure pat00004
: 갭 플라즈몬에 대한 유효 굴절률,
Figure pat00005
: 갭 플라즈몬이 제1 반사 경계(301) 및 제2 반사 경계(302)에서 반사될 때 느끼는 위상,
Figure pat00006
=1)(
Figure pat00002
: the wavelength of the incident electromagnetic wave,
Figure pat00003
: the length of the antenna pattern 200;
Figure pat00004
: effective refractive index for gap plasmons,
Figure pat00005
: the phase felt when the gap plasmon is reflected from the first reflection boundary 301 and the second reflection boundary 302;
Figure pat00006
=1)

스페이서(300) 내에 상변이 패턴(400)이 제공될 수 있다. 상변이 패턴(400)은 스페이서(300) 내에 삽입될 수 있다. 상변이 패턴(400)은 스페이서(300)에 의해 둘러싸일 수 있다. 다시 말해, 상변이 패턴(400)의 상면, 하면, 양 측면들 상에 스페이서(300)가 제공될 수 있다. 상변이 패턴(400)은 안테나 패턴(200)과 제3 방향(DR3)을 따라 중첩할 수 있다. 상변이 패턴(400)은 가이드층(100)으로부터 제3 방향(DR3)을 따라 제3 거리(d3)만큼 이격될 수 있다. 상변이 패턴(400)과 안테나 패턴(200)은 제3 방향(DR3)을 따라 제4 거리(d4)만큼 서로 이격될 수 있다. 제4 거리(d4)는 제3 거리(d3)보다 클 수 있다. 상변이 패턴(400)은 제1 반사 경계(301) 및 제2 반사 경계(302) 내에 위치할 수 있다. 상변이 패턴(400)은 제2 폭(w2) 및 제2 두께(t2)를 가질 수 있다. 제2 폭(w2)은 제1 방향(DR1)을 따르는 상변이 패턴(400)의 크기일 수 있다. 제2 폭(w2)은 제3 방향(DR3)을 따르는 상변이 패턴(400)의 크기일 수 있다. 제2 폭(w2)은 제1 폭(w1)과 같거나 그보다 크되, 제2 거리(d2)와 같거나 그보다 작을 수 있다. 상변이 패턴(400)은 상변이 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상변이 패턴(400)은 GeSbTe 또는 VO2를 포함할 수 있다. 상변이 패턴(400)은 안테나 패턴(200)으로부터 제공되는 열에 의해 그 상(phase)이 변할 수 있다. A phase change pattern 400 may be provided in the spacer 300 . The phase change pattern 400 may be inserted into the spacer 300 . The phase change pattern 400 may be surrounded by the spacer 300 . In other words, the spacers 300 may be provided on the upper surface, the lower surface, and both side surfaces of the phase change pattern 400 . The phase change pattern 400 may overlap the antenna pattern 200 along the third direction DR3 . The phase change pattern 400 may be spaced apart from the guide layer 100 by a third distance d3 in the third direction DR3 . The phase change pattern 400 and the antenna pattern 200 may be spaced apart from each other by a fourth distance d4 along the third direction DR3 . The fourth distance d4 may be greater than the third distance d3. The phase change pattern 400 may be located within the first reflection boundary 301 and the second reflection boundary 302 . The phase change pattern 400 may have a second width w2 and a second thickness t2 . The second width w2 may be the size of the phase change pattern 400 in the first direction DR1 . The second width w2 may be the size of the phase change pattern 400 along the third direction DR3 . The second width w2 may be equal to or larger than the first width w1, but may be equal to or smaller than the second distance d2. The phase change pattern 400 may include a phase change material. For example, the phase change pattern 400 may include GeSbTe or VO 2 . A phase of the phase change pattern 400 may be changed by heat provided from the antenna pattern 200 .

전원 요소(500)는 안테나 패턴(200)에 전기적으로 연결될 수 있다. 전원 요소(500)는 안테나 패턴(200)의 양 단부들에 교류 전압을 인가할 수 있다. 예를 들어, 안테나 패턴(200)의 양 단부들은 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격될 수 있다. 전원 요소(500)가 안테나 패턴(200)에 교류 전압을 인가하면, 안테나 패턴(200)에서 열이 생성될 수 있다. 안테나 패턴(200)에서 발생하는 열은 상변이 패턴(400)에 도달하여 상변이 패턴(400)의 온도를 바꿀 수 있다. 따라서, 전원 요소(500)는 상변이 패턴(400)의 온도를 조절할 수 있다. The power element 500 may be electrically connected to the antenna pattern 200 . The power element 500 may apply an AC voltage to both ends of the antenna pattern 200 . For example, both ends of the antenna pattern 200 may be spaced apart from each other in the second direction DR2 . When the power element 500 applies an AC voltage to the antenna pattern 200 , heat may be generated in the antenna pattern 200 . Heat generated from the antenna pattern 200 may reach the phase change pattern 400 to change the temperature of the phase change pattern 400 . Accordingly, the power element 500 may adjust the temperature of the phase change pattern 400 .

안테나 패턴(200)이 열을 생성할 때, 이에 따른 상변이 패턴(400)의 온도는 상변이 패턴(400)의 부분별로 다르게 변할 수 있다. 예를 들어, 안테나 패턴(200)에 상대적으로 가까운 상변이 패턴(400)의 일 부분은 온도가 상대적으로 빠르게 상승하고, 안테나 패턴(200)으로부터 상대적으로 먼 상변이 패턴(400)의 다른 부분은 온도가 상대적으로 느리게 상승할 수 있다. 제4 거리(d4)는 위상 변조기(10)를 최적화하도록 결정될 수 있다. 예를 들어, 제4 거리(d4)는 안테나 패턴(200)으로부터 열이 발생할 때, 상변이 패턴(400)이 갖는 최고 온도와 최저 온도의 차이가 최저가 되도록 결정될 수 있다. 상변이 패턴(400)이 가지는 최저 온도는 약 280도(℃)일 수 있다. 본 개시의 위상 변조기(10)는 제조 시, 스페이서(300)를 이용하여 제4 거리(d4)를 조절할 수 있으므로, 제4 거리(d4)에 대한 자유도를 가질 수 있다. When the antenna pattern 200 generates heat, the temperature of the phase-change pattern 400 may change differently for each part of the phase-change pattern 400 . For example, a portion of the phase-change pattern 400 that is relatively close to the antenna pattern 200 has a relatively fast temperature rise, and another portion of the phase-change pattern 400 that is relatively far from the antenna pattern 200 has a higher temperature. The temperature can rise relatively slowly. The fourth distance d4 may be determined to optimize the phase modulator 10 . For example, the fourth distance d4 may be determined such that, when heat is generated from the antenna pattern 200 , the difference between the maximum temperature and the minimum temperature of the phase change pattern 400 is the lowest. The lowest temperature of the phase change pattern 400 may be about 280 degrees (°C). Since the phase modulator 10 of the present disclosure may adjust the fourth distance d4 using the spacer 300 during manufacturing, it may have a degree of freedom with respect to the fourth distance d4 .

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상변이 패턴(400)이 GST를 포함하는 경우, 상변이 패턴(400)의 상(Phase)에 따라 상변이 패턴(400)의 굴절률이 결정될 수 있다. 상변이 패턴(400)의 상에 따른 굴절률의 실수부의 그래프들(A1, C1)은 도 3a에 도시되고, 굴절률의 허수부의 그래프들(A2, C2)은 도 3b에 도시된다. 상변이 패턴(400)의 상은 상변이 패턴의 온도에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 상변이 패턴(400)의 온도에 따라 비정질(Amorphous) 상, 정질(Crystalline) 상, 및 그 중간 상을 가질 수 있다. 비정질 상을 갖는 상변이 패턴(400)의 굴절률의 실수부 그래프(A1)와 정질 상을 갖는 상변이 패턴(400)의 굴절률의 실수부 그래프(C1)는 도 3a에 도시된다. 비정질 상을 갖는 상변이 패턴(400)의 굴절률의 허수부 그래프(A2)와 정질 상을 갖는 상변이 패턴(400)의 굴절률의 허수부 그래프(C2)는 도 3b에 도시된다. 중간 상을 갖는 상변이 패턴(400)의 굴절률의 실수부와 허수부는 비정질 상을 갖는 상변이 패턴(400)과 정질 상을 갖는 상변이 패턴(400)의 굴절률의 실수부들과 허수부들 사이의 값을 가질 수 있다. 3A and 3B , when the phase change pattern 400 includes GST, the refractive index of the phase change pattern 400 may be determined according to a phase of the phase change pattern 400 . Graphs A1 and C1 of the real part of the refractive index according to the phase of the phase change pattern 400 are shown in FIG. 3A , and the graphs A2 and C2 of the imaginary part of the refractive index are shown in FIG. 3B . The phase of the phase change pattern 400 may be determined according to the temperature of the phase change pattern. For example, it may have an amorphous phase, a crystalline phase, and an intermediate phase thereof depending on the temperature of the phase change pattern 400 . A real part graph A1 of the refractive index of the phase change pattern 400 having an amorphous phase and a real part graph C1 of the refractive index of the phase change pattern 400 having a crystalline phase are shown in FIG. 3A . The imaginary part graph A2 of the refractive index of the phase change pattern 400 having an amorphous phase and the imaginary part graph C2 of the refractive index of the phase change pattern 400 having the crystalline phase are illustrated in FIG. 3B . The real part and the imaginary part of the refractive index of the phase change pattern 400 having an intermediate phase are the values between the real parts and the imaginary parts of the refractive index of the phase change pattern 400 having an amorphous phase and the phase change pattern 400 having a crystalline phase can have

상변이 패턴(400)의 상에 따른 굴절률의 실수부 차이는 위상 변조기(10)의 파장에 따른 위상 변조 프로파일의 파장 축에 따른 이동 정도와 연관될 수 있다. 굴절률의 실수부가 클수록, 위상 변조기의 위상 변조 프로파일은 파장 축을 따라 많이 이동할 수 있다. 예를 들어, 도 3a에 도시된 것과 같이, 상변이 패턴(400)이 GST를 포함하는 경우, 중적외선 파장 대역(약 1550 나노미터(nm) 대역)에서 굴절률의 실수부의 차이는 1 내지 1.1일 수 있다. 도 4b를 참조하면, 상변이 패턴(400)이 정질 상을 가질 때의 위상 변조 프로파일(C4)은 상변이 패턴(400)이 비정질 상을 가질 때의 위상 변조 프로파일(A4)로부터 파장 축을 따라 이동된 것일 수 있다. 다시 말해, 도 4b에서 상변이 패턴(400)이 비정질 상을 가질 때의 위상 변조 프로파일(A4)이 파장 축을 따라 오른쪽으로 이동하면 상변이 패턴(400)이 정질 상을 가질 때의 위상 변조 프로파일(C4)이 될 수 있다. 도 5를 참조하면, 본 개시의 위상 변조기(10)는 중적외선 파장 대역에서 약 260 도(°) 범위에서 위상을 변조할 수 있다. 따라서, 본 개시는 큰 위상 변조폭을 갖는 위상 변조기(10)를 제공할 수 있다.The difference in the real part of the refractive index according to the phase of the phase change pattern 400 may be related to the degree of movement along the wavelength axis of the phase modulation profile according to the wavelength of the phase modulator 10 . The larger the real part of the refractive index, the more the phase modulation profile of the phase modulator can shift along the wavelength axis. For example, as shown in FIG. 3A , when the phase change pattern 400 includes GST, the difference in the real part of the refractive index in the mid-infrared wavelength band (about 1550 nanometer (nm) band) is 1 to 1.1 days can Referring to FIG. 4B , the phase modulation profile C4 when the phase change pattern 400 has a crystalline phase moves along the wavelength axis from the phase modulation profile A4 when the phase change pattern 400 has an amorphous phase it may have been In other words, if the phase modulation profile A4 when the phase change pattern 400 has an amorphous phase in FIG. 4B moves to the right along the wavelength axis, the phase modulation profile when the phase change pattern 400 has an amorphous phase ( C4) can be Referring to FIG. 5 , the phase modulator 10 of the present disclosure may modulate a phase in a range of about 260 degrees (°) in a mid-infrared wavelength band. Accordingly, the present disclosure can provide the phase modulator 10 having a large phase modulation width.

상변이 패턴(400)의 상에 따른 굴절률의 허수부의 크기는 상변이 패턴(400)의 광 흡수율과 연관될 수 있다. 굴절률의 허수부가 작을수록 상변이 패턴(400)의 광 흡수율도 작을 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 것과 같이, 상변이 패턴(400)의 굴절률의 허수부는 비정질 상에서 약 0.1이고, 정질 상에서 약 0.5 내지 2로, 작은 값을 가질 수 있다. The size of the imaginary part of the refractive index according to the phase of the phase change pattern 400 may be related to the light absorptivity of the phase change pattern 400 . As the imaginary part of the refractive index is smaller, the light absorptivity of the phase change pattern 400 may also be smaller. For example, as illustrated in FIG. 3B , the imaginary part of the refractive index of the phase change pattern 400 may be about 0.1 in the amorphous phase and about 0.5 to 2 in the crystalline phase, and may have a small value.

본 개시의 상변이 패턴(400)은 스페이서(300)에 의해 둘러싸일 수 있다. 스페이서(300)는 유전체를 포함하므로, 그 굴절률의 허수부는 상변이 패턴(400)의 굴절률의 허수부보다 작을 수 있다. 이에 따라, 가이드층(100)과 안테나 패턴(200) 사이의 굴절률의 허수부는 작은 값을 가질 수 있다. 도 4a를 참조하면, 상변이 패턴(400)이 비정질 상을 가질 때의 반사율 그래프(A3) 및 상변이 패턴(400)이 정질 상을 가질 때의 반사율 그래프(C3)이 도시된다. 본 개시의 위상 변조기(10)는 중적외선 파장 대역(약 1550 나노미터(nm) 대역)에서 40 % 이상의 높은 반사율을 가질 수 있다. 다시 말해, 본 개시의 위상 변조기(10)는 낮은 광 흡수율을 가질 수 있다. The phase change pattern 400 of the present disclosure may be surrounded by the spacer 300 . Since the spacer 300 includes a dielectric, the imaginary part of the refractive index may be smaller than the imaginary part of the refractive index of the phase change pattern 400 . Accordingly, the imaginary part of the refractive index between the guide layer 100 and the antenna pattern 200 may have a small value. Referring to FIG. 4A , a reflectance graph A3 when the phase change pattern 400 has an amorphous phase and a reflectance graph C3 when the phase change pattern 400 has an amorphous phase are illustrated. The phase modulator 10 of the present disclosure may have a high reflectance of 40% or more in a mid-infrared wavelength band (about 1550 nanometers (nm) band). In other words, the phase modulator 10 of the present disclosure may have a low light absorptivity.

위상 변조기(10) 내에서 광자와 전자는 오버-커플링(over-coupling) 상태를 가질 수 있다. 이 경우, 위상 변조기(10)의 위상 변조 프로파일은 약 360 도(°) 범위에서 점진적으로 변할 수 있다. 광자와 전자가 오버-커플링이 아닌 언더 커플링(under-coupling) 상태를 갖는 경우, 최대 위상차는 약 180°일 수 있다. 위상 변조기(10)의 광 흡수율이 낮을수록 위상 변조기(10) 내에서 광자와 전자의 오버-커플링 상태가 안정적으로 유지될 수 있다. 본 개시는 굴절률의 허수부가 작은 상변이 패턴(400) 및 상변이 패턴(400)을 둘러싸는 스페이서(300)를 이용하므로, 위상 변조기(10)의 광 흡수율을 낮출 수 있다. 이에 따라, 위상 변조기(10) 내에서 광자와 전자는 안정적으로 오버-커플링 상태를 가질 수 있다.In the phase modulator 10 , a photon and an electron may have an over-coupling state. In this case, the phase modulation profile of the phase modulator 10 may be gradually changed in a range of about 360 degrees (°). When the photon and the electron have an under-coupling state rather than an over-coupling state, the maximum phase difference may be about 180°. As the light absorption rate of the phase modulator 10 is lower, the over-coupling state of photons and electrons in the phase modulator 10 may be stably maintained. Since the present disclosure uses the phase change pattern 400 with a small imaginary part of the refractive index and the spacer 300 surrounding the phase change pattern 400 , the light absorption rate of the phase modulator 10 can be reduced. Accordingly, photons and electrons in the phase modulator 10 may stably have an over-coupling state.

도 6은 예시적인 실시예에 따른 위상 변조기의 사시도이다. 도 7은 도 6의 II-II'선을 따르는 단면도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.6 is a perspective view of a phase modulator according to an exemplary embodiment. 7 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 6 . For brevity of description, contents substantially the same as those described with reference to FIGS. 1 and 2 may not be described.

도 6 및 도 7을 참조하면, 가이드층(100), 안테나 패턴들(200), 스페이서(300), 상변이 패턴들(400), 및 전원 요소(500)가 제공될 수 있다. 가이드층(100), 스페이서(300), 및 전원 요소(500)는 도 1 및 도 2를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일할 수 있다. 6 and 7 , the guide layer 100 , the antenna patterns 200 , the spacer 300 , the phase change patterns 400 , and the power supply element 500 may be provided. Guide layer 100 , spacer 300 , and power element 500 may be substantially the same as described with reference to FIGS. 1 and 2 .

안테나 패턴들(200)은 스페이서(300) 상에 제공될 수 있다. 안테나 패턴들(200)의 각각은 도 1 및 도 2를 참조하여 설명되는 안테나 패턴(200)과 실질적으로 동일할 수 있다. 안테나 패턴들(200)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 예를 들어, 안테나 패턴들(200)은 일정한 주기(ap)로 배열될 수 있다. 안테나 패턴들(200)은 실질적으로 동일한 형상 및 크기를 가질 수 있다. 이에 따라, 안테나 패턴들(200)을 각각 포함하는 표면 플라즈몬 공진기들은 실질적으로 동일한 파장의 전자기파를 수신하여 갭 플라즈몬을 형성할 수 있다. 안테나 패턴들(200)에 동일한 교류 전압들이 인가될 수 있다. 이에 따라, 안테나 패턴들(200)은 동일한 수준의 열을 생성할 수 있다. The antenna patterns 200 may be provided on the spacer 300 . Each of the antenna patterns 200 may be substantially the same as the antenna pattern 200 described with reference to FIGS. 1 and 2 . The antenna patterns 200 may be arranged along the first direction DR1 . For example, the antenna patterns 200 may be arranged at a constant period ap. The antenna patterns 200 may have substantially the same shape and size. Accordingly, the surface plasmon resonators each including the antenna patterns 200 may receive electromagnetic waves of substantially the same wavelength to form gap plasmons. The same AC voltages may be applied to the antenna patterns 200 . Accordingly, the antenna patterns 200 may generate the same level of heat.

상변이 패턴들(400)은 스페이서(300) 내에 제공될 수 있다. 상변이 패턴들(400)의 각각은 도 1 및 도 2를 참조하여 설명되는 상변이 패턴(400)과 실질적으로 동일할 수 있다. 상변이 패턴들(400)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 예를 들어, 상변이 패턴들(400)은 일정한 주기로 배열될 수 있다. 상변이 패턴들(400)은 안테나 패턴들(200)과 각각 제3 방향(DR3)을 따라 중첩할 수 있다. 상변이 패턴들(400)은 안테나 패턴들(200)에 대응하는 제1 반사 경계들(301) 및 제2 반사 경계들(302) 사이에 각각 배치될 수 있다. 제3 거리들(도 2의 d3) 및 제4 거리들(도 2의 d4)은 상변이 패턴들(400) 각각에 대해 실질적으로 동일할 수 있다. 안테나 패턴들(200)이 동일한 수준의 열을 생성하고, 제4 거리들(도 2의 d4)이 서로 동일하므로, 상변이 패턴들(400)의 온도 변화는 동일할 수 있다.The phase change patterns 400 may be provided in the spacer 300 . Each of the phase change patterns 400 may be substantially the same as the phase change pattern 400 described with reference to FIGS. 1 and 2 . The phase change patterns 400 may be arranged along the first direction DR1 . For example, the phase change patterns 400 may be arranged at a constant period. The phase change patterns 400 may overlap the antenna patterns 200 along the third direction DR3, respectively. The phase change patterns 400 may be respectively disposed between the first reflection boundaries 301 and the second reflection boundaries 302 corresponding to the antenna patterns 200 . The third distances ( d3 of FIG. 2 ) and the fourth distances ( d4 of FIG. 2 ) may be substantially the same for each of the phase change patterns 400 . Since the antenna patterns 200 generate the same level of heat and the fourth distances (d4 of FIG. 2 ) are the same, the temperature change of the phase change patterns 400 may be the same.

도 8은 예시적인 실시예에 따른 위상 변조기 어레이의 사시도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.8 is a perspective view of a phase modulator array according to an exemplary embodiment. For brevity of description, contents substantially the same as those described with reference to FIGS. 6 and 7 may not be described.

도 8을 참조하면, 위상 변조기 어레이(12)가 제공될 수 있다. 위상 변조기 어레이(12)는 2차원으로 배열되는 위상 변조기들(10)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 위상 변조기 어레이(12)는 제1 방향(DR1)으로 배열되는 위상 변조기들(12a) 및 이들로부터 각각 제2 방향(DR2)으로 배열되는 위상 변조기들(12a)을 포함할 수 있다. 위상 변조기들(12a)의 각각은 도 6 및 도 7을 참조하여 설명되는 위상 변조기(11)와 실질적으로 동일할 수 있다. 위상 변조기들(12a)의 가이드층들(100) 및 스페이서들(300)은 서로 연결될 수 있다. 다시 말해, 가이드층들(100)은 하나의 가이드층(100)의 서로 다른 부분들일 수 있고, 스페이서들(300)은 하나의 스페이서(300)의 서로 다른 부분들일 수 있다. 위상 변조기들(12a)에 각각 서로 독립적인 전원 요소들(미도시)에 의해 교류 전압들이 인가될 수 있다. 전원 요소들의 각각은 도 1 또는 도 6에 도시된 전원 요소(도 1, 도 6의 500)와 실질적으로 동일할 수 있다. 교류 전압들은 서로 독립적일 수 있다. 예를 들어, 어느 하나의 위상 변조기(12a)에 제1 교류 전압이 인가되고, 다른 하나의 위상 변조기(12a)에 제1 교류 전압과 같거나 다른 제2 교류 전압이 인가될 수 있다. Referring to FIG. 8 , a phase modulator array 12 may be provided. The phase modulator array 12 may include the phase modulators 10 arranged in two dimensions. For example, the phase modulator array 12 may include phase modulators 12a arranged in a first direction DR1 and phase modulators 12a arranged in a second direction DR2 therefrom, respectively. . Each of the phase modulators 12a may be substantially the same as the phase modulator 11 described with reference to FIGS. 6 and 7 . The guide layers 100 and the spacers 300 of the phase modulators 12a may be connected to each other. In other words, the guide layers 100 may be different portions of one guide layer 100 , and the spacers 300 may be different portions of one spacer 300 . AC voltages may be applied to the phase modulators 12a by mutually independent power supply elements (not shown). Each of the power elements may be substantially the same as the power element 500 of FIGS. 1 and 6 shown in FIG. 1 or FIG. 6 . The alternating voltages may be independent of each other. For example, a first AC voltage may be applied to one of the phase modulators 12a, and a second AC voltage equal to or different from the first AC voltage may be applied to the other phase modulator 12a.

위상 변조기들(12a)의 각각은 서브 위상 변조기들(12a)을 포함할 수 있다. 서브 위상 변조기들(12a)의 각각은 도 1 및 도 2를 참조하여 설명되는 위상 변조기(12a)와 실질적으로 동일할 수 있다. 위상 변조기들(12a)이 각각에 인가되는 교류 전압은 그 위상 변조기(12a)에 포함되는 서브 위상 변조기들(12a)의 안테나 패턴들(200)에 인가될 수 있다. 하나의 위상 변조기(12a)에 포함되는 서브 위상 변조기들(12a)의 안테나 패턴들(200)은 서로 동일한 수준의 열을 발생시킬 수 있다. 위상 변조기들(12a)은 서로 독립적인 광 변조 특성을 가질 수 있다.Each of the phase modulators 12a may include sub-phase modulators 12a. Each of the sub-phase modulators 12a may be substantially the same as the phase modulator 12a described with reference to FIGS. 1 and 2 . The AC voltage applied to each of the phase modulators 12a may be applied to the antenna patterns 200 of the sub-phase modulators 12a included in the phase modulator 12a. The antenna patterns 200 of the sub-phase modulators 12a included in one phase modulator 12a may generate heat at the same level. The phase modulators 12a may have optical modulation characteristics independent of each other.

위상 변조기 어레이(12)는 2차원으로 배열되는 위상 변조기들(12a)을 포함하는 것으로 한정되지 않는다. 다른 예에서, 위상 변조기 어레이(12)는 1차원으로 배열(예를 들어, 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)으로 배열)되는 위상 변조기들(12a)을 포함할 수 있다.The phase modulator array 12 is not limited to including the phase modulators 12a arranged in two dimensions. In another example, the phase modulator array 12 may include the phase modulators 12a arranged in one dimension (eg, arranged in the first direction DR1 or the second direction DR2 ).

도 9는 예시적인 실시예에 따른 위상 변조기 어레이의 사시도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 8을 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.9 is a perspective view of a phase modulator array according to an exemplary embodiment. For brevity of description, contents substantially the same as those described with reference to FIG. 8 may not be described.

도 9를 참조하면, 위상 변조기 어레이(13)가 제공될 수 있다. 위상 변조기 어레이(13)는 2차원으로 배열되는 위상 변조기들(13a)을 포함할 수 있다. 도 8을 참조하여 설명된 것과 달리, 위상 변조기들(13a)의 스페이서들(300) 사이에 트렌치들(TR)이 제공될 수 있다. 트렌치들(TR)은 스페이서들(300)을 서로 이격시킬 수 있다. 트렌치들(TR)은 스페이서들(300) 사이에서 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 연장할 수 있다. 트렌치들(TR)은 서로 연결될 수 있다. 트렌치들(TR)은 가이드층(100)을 노출할 수 있다. 트렌치들(TR)은 공기로 채워질 수 있다. 공기는 스페이서보다 열 전도율이 낮으므로, 이웃한 위상 변조기들(13a)은 열적으로 서로 격리될 수 있다. 다시 말해, 하나의 위상 변조기(13a) 내의 안테나 패턴들(200)에서 발생한 열이 상기 하나의 위상 변조기(13a)에 이웃한 다른 하나의 위상 변조기(13a) 내의 상변이 패턴들(400)에 영향을 미치는 것이 감소하거나 방지될 수 있다.Referring to FIG. 9 , a phase modulator array 13 may be provided. The phase modulator array 13 may include phase modulators 13a arranged in two dimensions. Unlike described with reference to FIG. 8 , trenches TR may be provided between the spacers 300 of the phase modulators 13a. The trenches TR may separate the spacers 300 from each other. The trenches TR may extend in the first direction DR1 and the second direction DR2 between the spacers 300 . The trenches TR may be connected to each other. The trenches TR may expose the guide layer 100 . The trenches TR may be filled with air. Since air has a lower thermal conductivity than the spacer, the adjacent phase modulators 13a may be thermally isolated from each other. In other words, heat generated from the antenna patterns 200 in one phase modulator 13a affects the phase change patterns 400 in another phase modulator 13a adjacent to the one phase modulator 13a. impact can be reduced or prevented.

위상 변조기 어레이(13)는 2차원으로 배열되는 위상 변조기들(13a)을 포함하는 것으로 한정되지 않는다. 다른 예에서, 위상 변조기 어레이(13)는 1차원으로 배열(예를 들어, 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)으로 배열)되는 위상 변조기들(13a)을 포함할 수 있다.The phase modulator array 13 is not limited to including the phase modulators 13a arranged in two dimensions. In another example, the phase modulator array 13 may include the phase modulators 13a arranged in one dimension (eg, arranged in the first direction DR1 or the second direction DR2 ).

도 10은 예시적인 실시예에 따른 위상 변조기 어레이의 사시도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 9를 참조하여 설명된 것과 실질적으로 동일한 내용은 설명되지 않을 수 있다.10 is a perspective view of a phase modulator array according to an exemplary embodiment. For brevity of description, contents substantially the same as those described with reference to FIG. 9 may not be described.

도 10을 참조하면, 위상 변조기 어레이(14)가 제공될 수 있다. 위상 변조기 어레이(14)는 2차원으로 배열되는 위상 변조기들(14a)을 포함할 수 있다. 도 9를 참조하여 설명된 것과 달리, 트렌치들(TR)에 단열 패턴들(14b)이 제공될 수 있다. 예를 들어, 단열 패턴들(14b)은 트렌치들(TR)을 채울 수 있다. 단열 패턴들(14b)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장되어, 서로 연결될 수 있다. 단열 패턴들(14b)은 스페이서들(300)보다 열전도율이 낮은 유전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 스페이서들(300)이 Al2O3를 포함하는 경우, 단열 패턴들(14b)은 Al2O3보다 낮은 열전도율을 갖는 비정질 SiO2를 포함할 수 있다. 이에 따라, 이웃한 위상 변조기들(14a)은 열적으로 서로 격리될 수 있다. 다시 말해, 하나의 위상 변조기(14a) 내의 안테나 패턴들(200)에서 발생한 열이 상기 하나의 위상 변조기(14a)에 이웃한 다른 하나의 위상 변조기(14a) 내의 상변이 패턴들(400)에 영향을 미치는 것이 감소하거나 방지될 수 있다.Referring to FIG. 10 , a phase modulator array 14 may be provided. The phase modulator array 14 may include two-dimensionally arranged phase modulators 14a. Unlike described with reference to FIG. 9 , heat insulation patterns 14b may be provided in the trenches TR. For example, the heat insulation patterns 14b may fill the trenches TR. The heat insulation patterns 14b may extend in the first direction DR1 and the second direction DR2 to be connected to each other. The heat insulating patterns 14b may include a dielectric material having lower thermal conductivity than the spacers 300 . For example, when the spacers 300 include Al 2 O 3 , the heat insulation patterns 14b may include amorphous SiO2 having lower thermal conductivity than Al 2 O 3 . Accordingly, the adjacent phase modulators 14a may be thermally isolated from each other. In other words, heat generated from the antenna patterns 200 in one phase modulator 14a affects the phase change patterns 400 in another phase modulator 14a adjacent to the one phase modulator 14a. impact can be reduced or prevented.

위상 변조기 어레이(14)는 2차원으로 배열되는 위상 변조기들(14a)을 포함하는 것으로 한정되지 않는다. 다른 예에서, 위상 변조기 어레이(14)는 1차원으로 배열(예를 들어, 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)으로 배열)되는 위상 변조기들(14a)을 포함할 수 있다.The phase modulator array 14 is not limited to including the phase modulators 14a arranged in two dimensions. In another example, the phase modulator array 14 may include phase modulators 14a arranged in one dimension (eg, arranged in a first direction DR1 or a second direction DR2 ).

도 11은 예시적인 실시예에 따른 빔 스티어링 장치(beam steering device)를 설명하기 위한 개념도이다. 11 is a conceptual diagram for explaining a beam steering device according to an exemplary embodiment.

도 11을 참조하면, 빔 스티어링 장치(1000A)가 제공될 수 있다. 빔 스티어링 장치(1000A)는 비기계식 빔 스캔 장치(non-mechanical beam scanning apparatus)일 수 있다. 빔 스티어링 장치(1000A)를 이용해서 빔(beam)을 1차원적 방향으로 조향할 수 있다. 빔 스티어링 장치(1000A)는 피사체(OBJ)를 향하여 빔을 제1 조절 방향(DD1)을 따라 조향할 수 있다. 빔 스티어링 장치(1000A)는 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명되는 1차원으로 배열되는 위상 변조기 어레이들(12, 13, 14) 중 하나를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 11 , a beam steering apparatus 1000A may be provided. The beam steering apparatus 1000A may be a non-mechanical beam scanning apparatus. A beam may be steered in a one-dimensional direction using the beam steering apparatus 1000A. The beam steering apparatus 1000A may steer the beam toward the subject OBJ along the first adjustment direction DD1 . The beam steering apparatus 1000A may include one of the one-dimensionally arranged phase modulator arrays 12 , 13 , and 14 described with reference to FIGS. 10 to 12 .

도 12는 예시적인 실시예에 따른 빔 스티어링 장치(beam steering device)(1000B)를 설명하기 위한 개념도이다. 12 is a conceptual diagram for explaining a beam steering device 1000B according to an exemplary embodiment.

도 12를 참조하면, 빔 스티어링 장치(1000B)가 제공될 수 있다. 빔 스티어링 장치(1000B)는 비기계식 빔 스캔 장치일 수 있다. 빔 스티어링 장치(1000B)를 이용해서 빔(beam)을 2차원적 방향으로 조향할 수 있다. 다시 말해, 빔 스티어링 장치(1000B)는 피사체(OBJ)를 향하여 빔을 제1 조절 방향(DD1) 및 제1 조절 방향(DD1)과 교차하는 제2 조절 방향(DD2)을 따라 조향할 수 있다. 빔 스티어링 장치(1000A)는 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명되는 2차원으로 배열되는 위상 변조기 어레이들(12, 13, 14) 중 하나를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 12 , a beam steering apparatus 1000B may be provided. The beam steering apparatus 1000B may be a non-mechanical beam scanning apparatus. A beam may be steered in a two-dimensional direction using the beam steering apparatus 1000B. In other words, the beam steering apparatus 1000B may steer the beam toward the subject OBJ along the first adjustment direction DD1 and the second adjustment direction DD2 intersecting the first adjustment direction DD1. The beam steering apparatus 1000A may include one of the two-dimensionally arranged phase modulator arrays 12 , 13 , and 14 described with reference to FIGS. 10 to 12 .

도 13은 예시적인 실시예에 따른 전자 장치를 설명하기 위한 블럭도이다. 13 is a block diagram illustrating an electronic device according to an exemplary embodiment.

도 13을 참조하면, 전자 장치(A1)가 제공될 수 있다. 전자 장치(A1)는 빔 스티어링 장치(1000)를 포함할 수 있다. 빔 스티어링 장치(1000)는 도 13 및 도 14에 도시된 빔 스티어링 장치들(1000A, 1000B)과 실질적으로 동일할 수 있다. 전자 장치(A1)는 빔 스티어링 장치(1000) 내에 광원부를 포함하거나, 빔 스티어링 장치(1000)와 별도로 구비된 광원부를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 13 , an electronic device A1 may be provided. The electronic device A1 may include the beam steering device 1000 . The beam steering apparatus 1000 may be substantially the same as the beam steering apparatuses 1000A and 1000B illustrated in FIGS. 13 and 14 . The electronic device A1 may include a light source unit in the beam steering apparatus 1000 or a light source unit provided separately from the beam steering apparatus 1000 .

전자 장치(A1)는 빔 스티어링 장치(1000)에 의해 조향된 광이 피사체(미도시)에 의해 반사된 광을 검출하기 위한 검출부(1100)를 포함할 수 있다. 검출부(1100)는 복수의 광 검출요소를 포함할 수 있고, 그 밖에 다른 광학 부재를 더 포함할 수 있다. 또한, 전자 장치(A1)는 빔 스티어링 장치(1000) 및 검출부(1100) 중 적어도 하나에 연결된 회로부(1200)를 더 포함할 수 있다. 회로부(1200)는 데이터를 획득하여 연산하는 연산부를 포함할 수 있고, 구동부 및 제어부 등을 더 포함할 수 있다. 또한, 회로부(1200)는 전원부 및 메모리 등을 더 포함할 수 있다. The electronic device A1 may include a detection unit 1100 for detecting light steered by the beam steering apparatus 1000 reflected by a subject (not shown). The detection unit 1100 may include a plurality of light detection elements, and may further include other optical members. Also, the electronic device A1 may further include a circuit unit 1200 connected to at least one of the beam steering apparatus 1000 and the detection unit 1100 . The circuit unit 1200 may include an arithmetic unit that obtains and calculates data, and may further include a driving unit and a control unit. Also, the circuit unit 1200 may further include a power supply unit, a memory, and the like.

도 13에서는 전자 장치(A1)가 하나의 장치 내에 빔 스티어링 장치(1000) 및 검출부(1100)를 포함하는 경우를 도시하였지만, 빔 스티어링 장치(1000) 및 검출부(1100)는 하나의 장치로 구비되지 않고, 별도의 장치에 분리되어 구비될 수도 있다. 또한, 회로부(1200)는 빔 스티어링 장치(1000)나 검출부(1100)에 유선으로 연결되지 않고, 무선 통신으로 연결될 수 있다. 그 밖에도 도 15의 구성은 다양하게 변화될 수 있다. 13 illustrates a case in which the electronic device A1 includes the beam steering device 1000 and the detector 1100 in one device, but the beam steering device 1000 and the detector 1100 are not provided as one device. Instead, it may be provided separately in a separate device. In addition, the circuit unit 1200 may be connected to the beam steering apparatus 1000 or the detection unit 1100 through wireless communication rather than by wire. In addition, the configuration of FIG. 15 may be variously changed.

이상에서 설명한 실시예에 따른 빔 스티어링 장치는 다양한 전자 장치에 적용될 수 있다. 일례로, 상기 빔 스티어링 장치는 라이다(Light Detection And Ranging, LiDAR) 장치에 적용될 수 있다. 상기 라이다(LiDAR) 장치는 위상 천이(phase-shift) 방식 또는 TOF(time-of-flight) 방식의 장치일 수 있다. 또한, 실시예에 따른 위상 변조기 또는 이를 포함하는 빔 스티어링 장치는 스마트폰, 웨어러블 기기(증강 현실 및 가상 현실 구현 안경형 기기 등), 사물 인터넷(Internet of Things(IoT)) 기기, 가전 기기, 태블릿 PC(Personal Computer), PDA(Personal Digital Assistant), PMP(portable Multimedia Player), 네비게이션(navigation), 드론(drone), 로봇, 무인자동차, 자율주행차, 첨단 운전자 보조 시스템(Advanced Drivers Assistance System; ADAS) 등과 같은 전자 기기에 탑재될 수 있다.The beam steering apparatus according to the above-described embodiment may be applied to various electronic devices. For example, the beam steering apparatus may be applied to a LiDAR (Light Detection And Ranging, LiDAR) apparatus. The LiDAR device may be a phase-shift device or a time-of-flight (TOF) device. In addition, the phase modulator or the beam steering device including the same according to the embodiment is a smart phone, a wearable device (such as augmented reality and virtual reality glasses-type device), an Internet of Things (IoT) device, a home appliance, a tablet PC (Personal Computer), PDA (Personal Digital Assistant), PMP (portable multimedia player), navigation, drone, robot, driverless vehicle, autonomous vehicle, advanced driver assistance system (ADAS) It may be mounted on an electronic device, such as.

도 14 및 도 15은 예시적인 실시예에 따른 라이다(LiDAR) 장치를 차량에 적용한 경우를 보여주는 개념도들이다. 14 and 15 are conceptual views illustrating a case in which a LiDAR device according to an exemplary embodiment is applied to a vehicle.

도 14 및 도 15을 참조하면, 차량(50)에 라이다(LiDAR) 장치(51)를 적용할 수 있고, 이를 이용해서 피사체(60)에 대한 정보를 획득할 수 있다. 차량(50)은 자율 주행 기능을 갖는 자동차일 수 있다. 라이다(LiDAR) 장치(51)는 차량(50)이 진행하는 방향에 있는 물체나 사람, 즉, 피사체(60)를 탐지할 수 있다. 라이다(LiDAR) 장치(51)는 송신 신호와 검출 신호 사이의 시간 차이 등의 정보를 이용해서, 피사체(60)까지의 거리를 측정할 수 있다. 라이다(LiDAR) 장치(51)는, 도 15에 도시된 바와 같이, 스캔 범위 내에 있는 가까운 피사체(61)와 멀리 있는 피사체(62)에 대한 정보를 획득할 수 있다. 14 and 15 , the LiDAR device 51 may be applied to the vehicle 50 , and information on the subject 60 may be obtained using the LiDAR device 51 . The vehicle 50 may be a vehicle having an autonomous driving function. The LiDAR device 51 may detect an object or person in a direction in which the vehicle 50 travels, that is, the subject 60 . The LiDAR device 51 may measure the distance to the subject 60 using information such as a time difference between the transmission signal and the detection signal. As illustrated in FIG. 15 , the LiDAR device 51 may acquire information about a nearby subject 61 and a distant subject 62 within a scan range.

도 16은 예시적인 실시예에 따른 홀로그래픽 디스플레이 장치를 설명하기 위한 개념도이다.16 is a conceptual diagram for explaining a holographic display device according to an exemplary embodiment.

도 16을 참조하면, 홀로그래픽 디스플레이 장치(70)가 제공될 수 있다. 홀로그래픽 디스플레이 장치(70)는 백라이트 유닛(71), 푸리에 렌즈(72), 위상 변조 장치(73), 및 영상 처리기(74)를 포함할 수 있다. 위상 변조 장치(73)는 2차원 배열된 다수의 화소를 구비할 수 있다. 위상 변조 장치(73)는 도 8 내지 도 10에 도시된 위상 변조 어레이들(12, 13, 14) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 예에서, 위상 변조 어레이들(12, 13, 14)에 포함되는 위상 변조기들(12a, 13a, 14a)은 위상 변조 장치(73)의 화소들에 각각 대응할 수 있다. 다른 예에서, 위상 변조 어레이들(12, 13, 14)에 포함되는 위상 변조기들(12a, 13a, 14a)이 위상 변조기 그룹들로 분류되고, 위상 변조기 그룹들이 위상 변조 장치(73)의 화소들에 각각 대응될 수 있다. 위상 변조기 그룹들의 각각은 서로 인접하는 위상 변조기들을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 16 , a holographic display device 70 may be provided. The holographic display device 70 may include a backlight unit 71 , a Fourier lens 72 , a phase modulation device 73 , and an image processor 74 . The phase modulation device 73 may include a plurality of two-dimensionally arranged pixels. The phase modulation device 73 may include any one of the phase modulation arrays 12 , 13 , and 14 illustrated in FIGS. 8 to 10 . In an example, the phase modulators 12a , 13a , and 14a included in the phase modulation arrays 12 , 13 and 14 may correspond to pixels of the phase modulation device 73 , respectively. In another example, the phase modulators 12a , 13a , 14a included in the phase modulation arrays 12 , 13 and 14 are classified into phase modulator groups, and the phase modulator groups are the pixels of the phase modulation device 73 . may correspond to each. Each of the phase modulator groups may include phase modulators adjacent to each other.

영상 처리기(74)는 위상 변조 장치(73)와 유선 또는 무선으로 연결될 수 있다. 위상 변조 장치(73)는 영상 처리기(74)로부터 홀로그램 데이터 신호를 수신할 수 있다. 위상 변조 장치(73)는 영상 처리기(74)로부터 홀로그램 데이터 신호에 따라 광의 위상을 제어할 수 있다.The image processor 74 may be connected to the phase modulator 73 by wire or wirelessly. The phase modulator 73 may receive a hologram data signal from the image processor 74 . The phase modulator 73 may control the phase of light according to the hologram data signal from the image processor 74 .

백라이트 유닛(71)은 가간섭성 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 백라이트 유닛(71)은 높은 가간섭성을 갖는 광을 제공하기 위하여 레이저 다이오드를 포함할 수 있다. 백라이트 유닛(71)은, 레이저 다이오드 이외에도, 공간 간섭성을 갖는 광을 방출한다면 다른 어떤 광원도 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았지만, 백라이트 유닛(71)은 레이저 다이오드에서 방출된 빛을 확대하여 균일한 세기 분포를 갖는 콜리메이팅된 평행광을 만드는 광학계를 더 포함할 수 있다. 따라서, 백라이트 유닛(71)은 공간적으로 균일한 세기 분포를 갖는 평행한 가간섭성 광을 위상 변조 장치(73)의 전체 영역에 제공할 수 있다.The backlight unit 71 may emit coherent light. For example, the backlight unit 71 may include a laser diode to provide light having high coherence. In addition to the laser diode, the backlight unit 71 may include any other light source as long as it emits light having spatial coherence. Also, although not shown, the backlight unit 71 may further include an optical system for generating collimated parallel light having a uniform intensity distribution by magnifying light emitted from the laser diode. Accordingly, the backlight unit 71 may provide parallel coherent light having a spatially uniform intensity distribution to the entire area of the phase modulation device 73 .

푸리에 렌즈(72)는 홀로그래픽 이미지 또는 영상을 공간 상에 포커싱할 수 있다. 예를 들어, 푸리에 렌즈(72)의 초점면(focal plane) 상에 홀로그래픽 영상이 재생되고, 사용자의 눈(E)은 초점면에 배치되어, 홀로그래픽 영상을 볼 수 있다. 푸리에 렌즈(72)가 위상 변조 장치(73)의 입광면 상에, 다시 말해 백라이트 유닛(71)과 위상 변조 장치(73) 사이에 배치된 것으로 도시되었지만, 푸리에 렌즈(72)의 위치가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 푸리에 렌즈(72)는 위상 변조 장치(73)의 출광면 상에 배치될 수도 있다. The Fourier lens 72 may focus a holographic image or image in space. For example, a holographic image is reproduced on a focal plane of the Fourier lens 72 , and the user's eye E is disposed on the focal plane to view the holographic image. Although the Fourier lens 72 is shown to be disposed on the light incident surface of the phase modulation device 73, that is, between the backlight unit 71 and the phase modulation device 73, the position of the Fourier lens 72 is limited to this. it is not going to be For example, the Fourier lens 72 may be disposed on the light exit surface of the phase modulation device 73 .

도 17은 예시적인 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 구성을 보이는 블록도이다.17 is a block diagram showing a schematic configuration of an electronic device according to an exemplary embodiment.

도 17을 참조하면, 네트워크 환경(2200)에서 전자 장치(2201)는 제1 네트워크(2298)(근거리 무선 통신 네트워크 등)를 통하여 다른 전자 장치(2202)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(2299)(원거리 무선 통신 네트워크 등)를 통하여 또 다른 전자 장치(2204) 및/또는 서버(2208)와 통신할 수 있다. 전자 장치(2201)는 서버(2208)를 통하여 전자 장치(2204)와 통신할 수 있다. 전자 장치(2201)는 프로세서(2220), 메모리(2230), 입력 장치(2250), 음향 출력 장치(2255), 표시 장치(2260), 오디오 모듈(2270), 센서 모듈(2210), 인터페이스(2277), 햅틱 모듈(2279), 카메라 모듈(2280), 전력 관리 모듈(2288), 배터리(2289), 통신 모듈(2290), 가입자 식별 모듈(2296), 및/또는 안테나 모듈(2297)을 포함할 수 있다. 전자 장치(2201)에는, 이 구성요소들 중 일부(표시 장치(2260) 등)가 생략되거나, 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 이 구성요소들 중 일부는 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(2210)의 지문 센서(2211)나 또는, 홍채 센서, 조도 센서 등은 표시 장치(2260)(디스플레이 등)에 임베디드되어 구현될 수 있다.Referring to FIG. 17 , in a network environment 2200 , an electronic device 2201 communicates with another electronic device 2202 through a first network 2298 (such as a short-range wireless communication network) or a second network 2299 . It may communicate with another electronic device 2204 and/or the server 2208 via (a long-distance wireless communication network, etc.). The electronic device 2201 may communicate with the electronic device 2204 through the server 2208 . The electronic device 2201 includes a processor 2220 , a memory 2230 , an input device 2250 , an audio output device 2255 , a display device 2260 , an audio module 2270 , a sensor module 2210 , and an interface 2277 . ), a haptic module 2279 , a camera module 2280 , a power management module 2288 , a battery 2289 , a communication module 2290 , a subscriber identification module 2296 , and/or an antenna module 2297 . can In the electronic device 2201 , some of these components (eg, the display device 2260 ) may be omitted or other components may be added. Some of these components may be implemented as one integrated circuit. For example, the fingerprint sensor 2211 of the sensor module 2210, an iris sensor, or an illuminance sensor may be implemented by being embedded in the display device 2260 (display, etc.).

프로세서(2220)는, 소프트웨어(프로그램(2240) 등)를 실행하여 전자 장치(2201)의 하나 또는 복수개의 다른 구성요소들(하드웨어, 소프트웨어 구성요소 등)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 데이터 처리 또는 연산의 일부로, 프로세서(2220)는 다른 구성요소(센서 모듈(2210), 통신 모듈(2290) 등)로부터 수신된 명령 및/또는 데이터를 휘발성 메모리(2232)에 로드하고, 휘발성 메모리(2232)에 저장된 명령 및/또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(2234)에 저장할 수 있다. 프로세서(2220)는 메인 프로세서(2221)(중앙 처리 장치, 어플리케이션 프로세서 등) 및 이와 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(2223)(그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 커뮤니케이션 프로세서 등)를 포함할 수 있다. 보조 프로세서(2223)는 메인 프로세서(2221)보다 전력을 작게 사용하고, 특화된 기능을 수행할 수 있다. The processor 2220 may control one or a plurality of other components (hardware, software components, etc.) of the electronic device 2201 by executing software (eg, a program 2240 ), and may process or operate various data can be performed. As part of data processing or computation, the processor 2220 loads commands and/or data received from other components (sensor module 2210, communication module 2290, etc.) into the volatile memory 2232, and It may process commands and/or data stored in 2232 , and store the resulting data in non-volatile memory 2234 . The processor 2220 includes a main processor 2221 (central processing unit, application processor, etc.) and a secondary processor 2223 (graphic processing unit, image signal processor, sensor hub processor, communication processor, etc.) that can be operated independently or together therewith. may include The auxiliary processor 2223 may use less power than the main processor 2221 and may perform a specialized function.

보조 프로세서(2223)는, 메인 프로세서(2221)가 인액티브 상태(슬립 상태)에 있는 동안 메인 프로세서(2221)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(2221)가 액티브 상태(어플리케이션 실행 상태)에 있는 동안 메인 프로세서(2221)와 함께, 전자 장치(2201)의 구성요소들 중 일부 구성요소(표시 장치(2260), 센서 모듈(2210), 통신 모듈(2290) 등)와 관련된 기능 및/또는 상태를 제어할 수 있다. 보조 프로세서(2223)(이미지 시그널 프로세서, 커뮤니케이션 프로세서 등)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(카메라 모듈(2280), 통신 모듈(2290) 등)의 일부로서 구현될 수도 있다. The secondary processor 2223 is configured to replace the main processor 2221 while the main processor 2221 is in the inactive state (sleep state), or to the main processor 2221 while the main processor 2221 is in the active state (the application execution state). Together with the processor 2221 , functions and/or states related to some of the components of the electronic device 2201 (display device 2260 , sensor module 2210 , communication module 2290 , etc.) may be controlled. can The auxiliary processor 2223 (image signal processor, communication processor, etc.) may be implemented as a part of other functionally related components (camera module 2280, communication module 2290, etc.).

메모리(2230)는, 전자 장치(2201)의 구성요소(프로세서(2220), 센서모듈(2276) 등)가 필요로 하는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(프로그램(2240) 등) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 및/또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(2230)는, 휘발성 메모리(2232) 및/또는 비휘발성 메모리(2234)를 포함할 수 있다.The memory 2230 may store various data required by components of the electronic device 2201 (the processor 2220 , the sensor module 2276 , etc.). Data may include, for example, input data and/or output data for software (such as program 2240) and instructions related thereto. The memory 2230 may include a volatile memory 2232 and/or a non-volatile memory 2234 .

프로그램(2240)은 메모리(2230)에 소프트웨어로 저장될 수 있으며, 운영 체제(2242), 미들 웨어(2244) 및/또는 어플리케이션(2246)을 포함할 수 있다. The program 2240 may be stored as software in the memory 2230 , and may include an operating system 2242 , middleware 2244 , and/or applications 2246 .

입력 장치(2250)는, 전자 장치(2201)의 구성요소(프로세서(2220) 등)에 사용될 명령 및/또는 데이터를 전자 장치(2201)의 외부(사용자 등)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(2250)는, 마이크, 마우스, 키보드, 및/또는 디지털 펜(스타일러스 펜 등)을 포함할 수 있다. The input device 2250 may receive commands and/or data to be used in a component (eg, the processor 2220 ) of the electronic device 2201 from an external (eg, a user) of the electronic device 2201 . The input device 2250 may include a microphone, a mouse, a keyboard, and/or a digital pen (such as a stylus pen).

음향 출력 장치(2255)는 음향 신호를 전자 장치(2201)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(2255)는, 스피커 및/또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 리시버는 스피커의 일부로 결합되어 있거나 또는 독립된 별도의 장치로 구현될 수 있다.The sound output device 2255 may output a sound signal to the outside of the electronic device 2201 . The sound output device 2255 may include a speaker and/or a receiver. The speaker can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback, and the receiver can be used to receive an incoming call. The receiver may be integrated as a part of the speaker or may be implemented as an independent separate device.

표시 장치(2260)는 전자 장치(2201)의 외부로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 표시 장치(2260)는, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 표시 장치(2260)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로(Touch Circuitry), 및/또는 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(압력 센서 등)를 포함할 수 있다. The display device 2260 may visually provide information to the outside of the electronic device 2201 . The display device 2260 may include a control circuit for controlling a display, a hologram device, or a projector and a corresponding device. The display device 2260 may include a touch circuitry configured to sense a touch, and/or a sensor circuitry configured to measure the intensity of force generated by the touch (such as a pressure sensor).

오디오 모듈(2270)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 오디오 모듈(2270)은, 입력 장치(2250)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(2255), 및/또는 전자 장치(2201)와 직접 또는 무선으로 연결된 다른 전자 장치(전자 장치(2102) 등)의 스피커 및/또는 헤드폰을 통해 소리를 출력할 수 있다.The audio module 2270 may convert a sound into an electric signal or, conversely, convert an electric signal into a sound. The audio module 2270 obtains a sound through the input device 2250 or other electronic device (such as the electronic device 2102 ) directly or wirelessly connected to the sound output device 2255 and/or the electronic device 2201 . ) through the speaker and/or headphones.

센서 모듈(2210)은 전자 장치(2201)의 작동 상태(전력, 온도 등), 또는 외부의 환경 상태(사용자 상태 등)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 및/또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(2210)은, 지문 센서(2211), 가속도 센서(2212), 위치 센서(2213), 3D 센서(2214)등을 포함할 수 있고, 이 외에도 홍채 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(Infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 및/또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The sensor module 2210 detects an operating state (power, temperature, etc.) of the electronic device 2201 or an external environmental state (user state, etc.), and generates an electrical signal and/or data value corresponding to the sensed state. can do. The sensor module 2210 may include a fingerprint sensor 2211 , an acceleration sensor 2212 , a position sensor 2213 , a 3D sensor 2214 , and the like, in addition to an iris sensor, a gyro sensor, a barometric pressure sensor, and a magnetic sensor. , a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an infrared (IR) sensor, a biometric sensor, a temperature sensor, a humidity sensor, and/or an illuminance sensor.

3D 센서(2214)는 대상체에 소정의 광을 조사하고 대상체에서 반사된 광을 분석하여 대상체의 형상, 움직임등을 센싱하는 것으로, 전술한 실시예들에 따른 위상 변조기들 중 어느 하나를 구비할 수 있다. The 3D sensor 2214 irradiates a predetermined light to the object and analyzes the light reflected from the object to sense the shape and movement of the object, and may include any one of the phase modulators according to the above-described embodiments. have.

인터페이스(2277)는 전자 장치(2201)가 다른 전자 장치(전자 장치(2102) 등)와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 인터페이스(2277)는, HDMI(High Definition Multimedia Interface), USB(Universal Serial Bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The interface 2277 may support one or more designated protocols that may be used by the electronic device 2201 to directly or wirelessly connect with another electronic device (such as the electronic device 2102 ). The interface 2277 may include a High Definition Multimedia Interface (HDMI), a Universal Serial Bus (USB) interface, an SD card interface, and/or an audio interface.

연결 단자(2278)는, 전자 장치(2201)가 다른 전자 장치(전자 장치(2102) 등)와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 연결 단자(2278)는, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 및/또는 오디오 커넥터(헤드폰 커넥터 등)를 포함할 수 있다.The connection terminal 2278 may include a connector through which the electronic device 2201 may be physically connected to another electronic device (eg, the electronic device 2102 ). The connection terminal 2278 may include an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, and/or an audio connector (such as a headphone connector).

햅틱 모듈(2279)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(진동, 움직임 등) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 햅틱 모듈(2279)은, 모터, 압전 소자, 및/또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The haptic module 2279 may convert an electrical signal into a mechanical stimulus (vibration, movement, etc.) or an electrical stimulus that the user can perceive through tactile or kinesthetic sense. The haptic module 2279 may include a motor, a piezoelectric element, and/or an electrical stimulation device.

카메라 모듈(2280)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 카메라 모듈(2280)은 하나 이상의 렌즈를 포함하는 렌즈 어셈블리, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 및/또는 플래시들을 포함할 수 있다. 카메라 모듈(2280)에 포함된 렌즈 어셈블리는 이미지 촬영의 대상인 피사체로부터 방출되는 빛을 수집할 수 있으며, 이러한 렌즈 어셈블리에는 전술한 실시예들에 따른 위상 변조기들 중 어느 하나가 포함될 수 있다. The camera module 2280 may capture still images and moving images. The camera module 2280 may include a lens assembly including one or more lenses, image sensors, image signal processors, and/or flashes. The lens assembly included in the camera module 2280 may collect light emitted from a subject, which is an image capturing object, and the lens assembly may include any one of the phase modulators according to the above-described embodiments.

전력 관리 모듈(2288)은 전자 장치(2201)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 전력 관리 모듈(2288)은, PMIC(Power Management Integrated Circuit)의 일부로서 구현될 수 있다.The power management module 2288 may manage power supplied to the electronic device 2201 . The power management module 2288 may be implemented as part of a Power Management Integrated Circuit (PMIC).

배터리(2289)는 전자 장치(2201)의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 배터리(2289)는, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 및/또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The battery 2289 may supply power to components of the electronic device 2201 . Battery 2289 may include a non-rechargeable primary cell, a rechargeable secondary cell, and/or a fuel cell.

통신 모듈(2290)은 전자 장치(2201)와 다른 전자 장치(전자 장치(2102), 전자 장치(2104), 서버(2108) 등)간의 직접(유선) 통신 채널 및/또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(2290)은 프로세서(2220)(어플리케이션 프로세서 등)와 독립적으로 운영되고, 직접 통신 및/또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 통신 모듈(2290)은 무선 통신 모듈(2292)(셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, GNSS(Global Navigation Satellite System 등) 통신 모듈) 및/또는 유선 통신 모듈(2294)(LAN(Local Area Network) 통신 모듈, 전력선 통신 모듈 등)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(2298)(블루투스, WiFi Direct 또는 IrDA(Infrared Data Association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(2299)(셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(LAN, WAN 등)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 다른 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(단일 칩 등)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(2292)은 가입자 식별 모듈(2296)에 저장된 가입자 정보(국제 모바일 가입자 식별자(IMSI) 등)를 이용하여 제1 네트워크(2298) 및/또는 제2 네트워크(2299)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(2201)를 확인 및 인증할 수 있다. Communication module 2290 establishes a direct (wired) communication channel and/or wireless communication channel between the electronic device 2201 and other electronic devices (electronic device 2102, electronic device 2104, server 2108, etc.); and performing communication through an established communication channel. The communication module 2290 may include one or more communication processors that operate independently of the processor 2220 (such as an application processor) and support direct communication and/or wireless communication. The communication module 2290 may include a wireless communication module 2292 (a cellular communication module, a short-range wireless communication module, a Global Navigation Satellite System (GNSS, etc.) communication module) and/or a wired communication module 2294 (Local Area Network (LAN) communication). module, power line communication module, etc.). Among these communication modules, the corresponding communication module may be a first network 2298 (a short-range communication network such as Bluetooth, WiFi Direct, or Infrared Data Association (IrDA)) or a second network 2299 (a cellular network, the Internet, or a computer network (LAN). , WAN, etc.) through a telecommunication network) and may communicate with other electronic devices. These various types of communication modules may be integrated into one component (single chip, etc.) or implemented as a plurality of components (plural chips) separate from each other. The wireless communication module 2292 may use subscriber information stored in the subscriber identification module 2296 (such as an International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) within a communication network, such as the first network 2298 and/or the second network 2299 . may identify and authenticate the electronic device 2201 .

안테나 모듈(2297)은 신호 및/또는 전력을 외부(다른 전자 장치 등)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 안테나는 기판(PCB 등) 위에 형성된 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함할 수 있다. 안테나 모듈(2297)은 하나 또는 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 복수의 안테나가 포함된 경우, 통신 모듈(2290)에 의해 복수의 안테나들 중에서 제1 네트워크(2298) 및/또는 제2 네트워크(2299)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 안테나가 선택될 수 있다. 선택된 안테나를 통하여 통신 모듈(2290)과 다른 전자 장치 간에 신호 및/또는 전력이 송신되거나 수신될 수 있다. 안테나 외에 다른 부품(RFIC 등)이 안테나 모듈(2297)의 일부로 포함될 수 있다.The antenna module 2297 may transmit or receive signals and/or power to the outside (eg, other electronic devices). The antenna may include a radiator having a conductive pattern formed on a substrate (PCB, etc.). The antenna module 2297 may include one or a plurality of antennas. When a plurality of antennas are included, an antenna suitable for a communication method used in a communication network such as the first network 2298 and/or the second network 2299 is selected from among the plurality of antennas by the communication module 2290 . can Signals and/or power may be transmitted or received between the communication module 2290 and another electronic device through the selected antenna. In addition to the antenna, other components (such as RFIC) may be included as part of the antenna module 2297 .

구성요소들 중 일부는 주변 기기들간 통신 방식(버스, GPIO(General Purpose Input and Output), SPI(Serial Peripheral Interface), MIPI(Mobile Industry Processor Interface) 등)을 통해 서로 연결되고 신호(명령, 데이터 등)를 상호 교환할 수 있다.Some of the components are connected to each other through communication methods between peripheral devices (bus, GPIO (General Purpose Input and Output), SPI (Serial Peripheral Interface), MIPI (Mobile Industry Processor Interface), etc.) and signals (commands, data, etc.) ) are interchangeable.

명령 또는 데이터는 제2 네트워크(2299)에 연결된 서버(2108)를 통해서 전자 장치(2201)와 외부의 전자 장치(2204)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 다른 전자 장치들(2202, 2204)은 전자 장치(2201)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 전자 장치(2201)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 다른 전자 장치들(2202, 2204, 2208) 중 하나 이상의 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(2201)가 어떤 기능이나 서비스를 수행해야 할 때, 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 하나 이상의 다른 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 일부 또는 전체를 수행하라고 요청할 수 있다. 요청을 수신한 하나 이상의 다른 전자 장치들은 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(2201)로 전달할 수 있다. 이를 위하여, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 및/또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다.The command or data may be transmitted or received between the electronic device 2201 and the external electronic device 2204 through the server 2108 connected to the second network 2299 . The other electronic devices 2202 and 2204 may be the same or different types of devices as the electronic device 2201 . All or some of the operations executed in the electronic device 2201 may be executed in one or more of the other electronic devices 2202 , 2204 , and 2208 . For example, when the electronic device 2201 needs to perform a function or service, it requests one or more other electronic devices to perform part or all of the function or service instead of executing the function or service itself. can One or more other electronic devices that have received the request may execute an additional function or service related to the request, and transmit a result of the execution to the electronic device 2201 . To this end, cloud computing, distributed computing, and/or client-server computing technologies may be used.

도 18은 도 17의 전자 장치에 구비되는 카메라 모듈의 개략적인 구성을 예시적으로 보이는 블록도이다.18 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a camera module included in the electronic device of FIG. 17 .

도 18을 참조하면, 카메라 모듈(2280)은 렌즈 어셈블리(2310), 플래쉬(2320), 이미지 센서(2330), 이미지 스태빌라이저(2340), 메모리(2350)(버퍼 메모리 등), 및/또는 이미지 시그널 프로세서(2360)를 포함할 수 있다. 렌즈 어셈블리(2310)는 이미지 촬영의 대상인 피사체로부터 방출되는 빛을 수집할 수 있으며, 전술한 위상 변조기중 어느 하나가 포함될 수 있다. 렌즈 어셈블리(2310)는 하나 이상의 굴절 렌즈와 위상 변조기를 포함할 수 있다. 이에 구비되는 위상 변조기는 소정의 위상 프로파일을 가지며 보상구조물을 구비하여 위상 불연속성이 감소하는 렌즈로 설계될 수 있다. 이러한 위상 변조기를 구비하는 렌즈 어셈블리(2310)는 원하는 광학 성능을 구현하며 짧은 광학 전장을 가질 수 있다. Referring to FIG. 18 , the camera module 2280 includes a lens assembly 2310 , a flash 2320 , an image sensor 2330 , an image stabilizer 2340 , a memory 2350 (such as a buffer memory), and/or an image signal. A processor 2360 may be included. The lens assembly 2310 may collect light emitted from a subject, which is an image capturing object, and may include any one of the above-described phase modulators. The lens assembly 2310 may include one or more refractive lenses and a phase modulator. The phase modulator provided therein may be designed as a lens having a predetermined phase profile and a compensation structure to reduce phase discontinuity. The lens assembly 2310 having such a phase modulator may realize a desired optical performance and have a short optical length.

카메라 모듈(2280)은 이외에도, 액츄에이터를 더 구비할 수 있다. 액츄에이터는 예를 들어, 주밍(zooming) 및/또는 오토포커스(AF)를 위해 렌즈 어셈블리(2310)를 구성하는 렌즈 요소들의 위치를 구동하고 렌즈 요소들간 이격 거리를 조절할 수 있다. The camera module 2280 may further include an actuator. The actuator may drive a position of lens elements constituting the lens assembly 2310 for zooming and/or autofocus (AF) and may adjust a separation distance between the lens elements, for example.

카메라 모듈(2280)은 복수의 렌즈 어셈블리(2310)들을 포함할 수도 있으며, 이런 경우, 카메라 모듈(2280)은, 듀얼 카메라, 360도 카메라, 또는 구형 카메라(Spherical Camera)가 될 수 있다. 복수의 렌즈 어셈블리(2310)들 중 일부는 동일한 렌즈 속성(화각, 초점 거리, 자동 초점, F 넘버(F Number), 광학 줌 등)을 갖거나, 또는 다른 렌즈 속성들을 가질 수 있다. 렌즈 어셈블리(2310)는, 광각 렌즈 또는 망원 렌즈를 포함할 수 있다. The camera module 2280 may include a plurality of lens assemblies 2310 . In this case, the camera module 2280 may be a dual camera, a 360 degree camera, or a spherical camera. Some of the plurality of lens assemblies 2310 may have the same lens property (angle of view, focal length, auto focus, F number, optical zoom, etc.) or may have different lens properties. The lens assembly 2310 may include a wide-angle lens or a telephoto lens.

플래쉬(2320)는 피사체로부터 방출 또는 반사되는 빛을 강화하기 위하여 사용되는 빛을 방출할 수 있다. 플래쉬(2320)는 하나 이상의 발광 다이오드들(RGB(Red-Green-Blue) LED, White LED, Infrared LED, Ultraviolet LED 등), 및/또는 Xenon Lamp를 포함할 수 있다. 이미지 센서(2330)는 피사체로부터 방출 또는 반사되어 렌즈 어셈블리(2310)를 통해 전달된 빛을 전기적인 신호로 변환함으로써, 피사체에 대응하는 이미지를 획득할 수 있다. 이미지 센서(2330)는, RGB 센서, BW(Black and White) 센서, IR 센서, 또는 UV 센서와 같이 속성이 다른 이미지 센서들 중 선택된 하나 또는 복수의 센서들을 포함할 수 있다. 이미지 센서(2330)에 포함된 각각의 센서들은, CCD(Charged Coupled Device) 센서 및/또는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 센서로 구현될 수 있다.The flash 2320 may emit light used to enhance light emitted or reflected from the subject. The flash 2320 may include one or more light emitting diodes (RGB (Red-Green-Blue) LED, White LED, Infrared LED, Ultraviolet LED, etc.), and/or a Xenon Lamp. The image sensor 2330 may acquire an image corresponding to the subject by converting light emitted or reflected from the subject and transmitted through the lens assembly 2310 into an electrical signal. The image sensor 2330 may include one or a plurality of sensors selected from image sensors having different properties, such as an RGB sensor, a black and white (BW) sensor, an IR sensor, or a UV sensor. Each of the sensors included in the image sensor 2330 may be implemented as a CCD (Charged Coupled Device) sensor and/or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor.

이미지 스태빌라이저(2340)는 카메라 모듈(2280) 또는 이를 포함하는 전자 장치(2301)의 움직임에 반응하여, 렌즈 어셈블리(2310)에 포함된 하나 또는 복수개의 렌즈 또는 이미지 센서(2330)를 특정한 방향으로 움직이거나 이미지 센서(2330)의 동작 특성을 제어(리드 아웃(Read-Out) 타이밍의 조정 등)하여 움직임에 의한 부정적인 영향이 보상되도록 할 수 있다. 이미지 스태빌라이저(2340)는 카메라 모듈(2280)의 내부 또는 외부에 배치된 자이로 센서(미도시) 또는 가속도 센서(미도시)를 이용하여 카메라 모듈(2280) 또는 전자 장치(2301)의 움직임을 감지할 수 있다. 이미지 스태빌라이저(2340)는, 광학식으로 구현될 수도 있다. In response to the movement of the camera module 2280 or the electronic device 2301 including the same, the image stabilizer 2340 moves one or a plurality of lenses or image sensors 2330 included in the lens assembly 2310 in a specific direction. Alternatively, the negative influence due to movement may be compensated for by controlling the operating characteristics of the image sensor 2330 (adjustment of read-out timing, etc.). The image stabilizer 2340 detects the movement of the camera module 2280 or the electronic device 2301 using a gyro sensor (not shown) or an acceleration sensor (not shown) disposed inside or outside the camera module 2280. can The image stabilizer 2340 may be implemented optically.

메모리(2350)는 이미지 센서(2330)을 통하여 획득된 이미지의 일부 또는 전체 데이터가 다음 이미지 처리 작업을 위하여 저장할 수 있다. 예를 들어, 복수의 이미지들이 고속으로 획득되는 경우, 획득된 원본 데이터(Bayer-Patterned 데이터, 고해상도 데이터 등)는 메모리(2350)에 저장하고, 저해상도 이미지만을 디스플레이 해준 후, 선택된(사용자 선택 등) 이미지의 원본 데이터가 이미지 시그널 프로세서(2360)로 전달되도록 하는데 사용될 수 있다. 메모리(2350)는 전자 장치(2201)의 메모리(2230)로 통합되어 있거나, 또는 독립적으로 운영되는 별도의 메모리로 구성될 수 있다.The memory 2350 may store some or all data of an image acquired through the image sensor 2330 for a next image processing operation. For example, when a plurality of images are acquired at high speed, the acquired original data (Bayer-Patterned data, high-resolution data, etc.) is stored in the memory 2350, only the low-resolution image is displayed, and then selected (user selection, etc.) It may be used to cause the original data of the image to be transmitted to the image signal processor 2360 . The memory 2350 may be integrated into the memory 2230 of the electronic device 2201 or may be configured as a separate memory operated independently.

이미지 시그널 프로세서(2360)는 이미지 센서(2330)을 통하여 획득된 이미지 또는 메모리(2350)에 저장된 이미지 데이터에 대하여 하나 이상의 이미지 처리들을 수행할 수 있다. 하나 이상의 이미지 처리들은, 깊이 지도(Depth Map) 생성, 3차원 모델링, 파노라마 생성, 특징점 추출, 이미지 합성, 및/또는 이미지 보상(노이즈 감소, 해상도 조정, 밝기 조정, 블러링(Blurring), 샤프닝(Sharpening), 소프트닝(Softening) 등)을 포함할 수 있다. 이미지 시그널 프로세서(2360)는 카메라 모듈(2280)에 포함된 구성 요소들(이미지 센서(2330) 등)에 대한 제어(노출 시간 제어, 또는 리드 아웃 타이밍 제어 등)를 수행할 수 있다. 이미지 시그널 프로세서(2360)에 의해 처리된 이미지는 추가 처리를 위하여 메모리(2350)에 다시 저장 되거나 카메라 모듈(2280)의 외부 구성 요소(메모리(2230), 표시 장치(2260), 전자 장치(2202), 전자 장치(2204), 서버(2208) 등)로 제공될 수 있다. 이미지 시그널 프로세서(2360)는 프로세서(2220)에 통합되거나, 프로세서(2220)와 독립적으로 운영되는 별도의 프로세서로 구성될 수 있다. 이미지 시그널 프로세서(2360)가 프로세서(2220)와 별도의 프로세서로 구성된 경우, 이미지 시그널 프로세서(2360)에 의해 처리된 이미지는 프로세서(2220)에 의하여 추가의 이미지 처리를 거친 후 표시 장치(2260)를 통해 표시될 수 있다.The image signal processor 2360 may perform one or more image processing on an image acquired through the image sensor 2330 or image data stored in the memory 2350 . One or more image processing may be performed by generating a depth map, 3D modeling, creating a panorama, extracting feature points, synthesizing an image, and/or compensating an image (noise reduction, resolution adjustment, brightness adjustment, blurring), sharpening ( sharpening), softening (Softening, etc.) may be included. The image signal processor 2360 may perform control (exposure time control, readout timing control, etc.) on components (such as the image sensor 2330 ) included in the camera module 2280 . The image processed by the image signal processor 2360 is stored back in the memory 2350 for further processing or external components of the camera module 2280 (memory 2230, display device 2260, electronic device 2202) , the electronic device 2204 , the server 2208 , etc.). The image signal processor 2360 may be integrated into the processor 2220 or configured as a separate processor operated independently of the processor 2220 . When the image signal processor 2360 is configured as a processor 2220 and a separate processor, the image processed by the image signal processor 2360 is subjected to additional image processing by the processor 2220 and then displayed on the display device 2260 . can be displayed through

전자 장치(2201)는 각각 다른 속성 또는 기능을 가진 복수의 카메라 모듈(2280)들을 포함할 수 있다. 이런 경우, 복수의 카메라 모듈(2280)들 중 하나는 광각 카메라이고, 다른 하나는 망원 카메라일 수 있다. 유사하게, 복수의 카메라 모듈(2280)들 중 하나는 전면 카메라이고, 다른 하나는 후면 카메라일 수 있다.The electronic device 2201 may include a plurality of camera modules 2280 each having different properties or functions. In this case, one of the plurality of camera modules 2280 may be a wide-angle camera, and the other may be a telephoto camera. Similarly, one of the plurality of camera modules 2280 may be a front camera and the other may be a rear camera.

도 19는 도 17의 전자 장치에 구비되는 3D 센서의 개략적인 구성을 보이는 블록도이다.19 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a 3D sensor provided in the electronic device of FIG. 17 .

도 19를 참조하면, 3D 센서(2214)는 대상체에 소정의 광을 조사하고 대상체에서 반사된 광을 수신, 분석하여 대상체의 형상, 움직임 등을 센싱하는 것이다. 3D 센서(2214)는 광원(2420), 위상 변조기(2410), 광 검출부(2430), 신호처리부(2440) 메모리(2450)를 포함한다. 위상 변조기(2410)로는 전술한 실시예들에 따른 위상 변조기들 중 어느 하나가 채용될 수 있고, 빔 디플렉터 또는 빔 쉐이퍼로 기능하도록 타겟 위상 지연 프로파일이 설정될 수 있다. Referring to FIG. 19 , the 3D sensor 2214 senses the shape, movement, etc. of the object by irradiating a predetermined light to the object and receiving and analyzing the light reflected from the object. The 3D sensor 2214 includes a light source 2420 , a phase modulator 2410 , a light detector 2430 , a signal processor 2440 , and a memory 2450 . Any one of the phase modulators according to the above-described embodiments may be employed as the phase modulator 2410 , and a target phase delay profile may be set to function as a beam deflector or a beam shaper.

광원(2420)는 대상체의 형상이나 위치 분석에 사용할 광을 조사한다. 광원(2420)는 소장 파장의 광을 생성, 조사하는 광원을 포함할 수 있다. 광원(2420)는 대상체의 위치, 형상 분석에 적합한 파장 대역의 광, 예를 들어, 적외선 대역 파장의 광을 생성 조사하는 LD(laser diode), LED(light emitting diode), SLD(super luminescent diode)등의 광원을 포함할 수 있다. 광원(2420)은 파장 가변의 레이저 다이오드일 수 있다. 광원(2420)는 복수의 서로 다른 파장 대역의 광을 생성 조사할 수도 있다. 광원(2420)는 펄스광 또는 연속광을 생성 조사할 수 있다.The light source 2420 irradiates light to be used to analyze the shape or position of the object. The light source 2420 may include a light source that generates and irradiates light of a small wavelength. The light source 2420 is a laser diode (LD), light emitting diode (LED), or super luminescent diode (SLD) that generates and irradiates light of a wavelength band suitable for analyzing the position and shape of an object, for example, light of an infrared band wavelength. It may include a light source, such as. The light source 2420 may be a tunable laser diode. The light source 2420 may generate and irradiate light of a plurality of different wavelength bands. The light source 2420 may generate and irradiate pulsed light or continuous light.

위상 변조기(2410)는 광원(2420)에서 조사한 광을 변조하여 대상체로 전달한다. 위상 변조기(2410)가 빔 디플렉터인 경우, 위상 변조기(2410)는 입사광을 소정 방향으로 편향시켜 대상체를 향하게 할 수 있다. 위상 변조기(2410)가 빔 쉐이퍼인 경우, 위상 변조기(2410)는 입사광이 소정 패턴을 가지는 분포를 갖도록 입사광을 변조한다. 위상 변조기(2410)는 3차원 형상 분석에 적합한 구조광(structured light)을 형성할 수도 있다.The phase modulator 2410 modulates the light irradiated from the light source 2420 and transmits the modulated light to the object. When the phase modulator 2410 is a beam deflector, the phase modulator 2410 may deflect incident light in a predetermined direction to direct it toward the object. When the phase modulator 2410 is a beam shaper, the phase modulator 2410 modulates the incident light so that the incident light has a distribution having a predetermined pattern. The phase modulator 2410 may form structured light suitable for 3D shape analysis.

위상 변조기(2410)는 전술한 바와 같이, 위상 지연 분산(∂

Figure pat00007
Figure pat00008
/∂λ)을 0 또는 양수, 음수로 설정하고, 연속적인 위상 지연 프로파일을 구현할 수 있다. 따라서, 파장에 따른 편차가 없는(achromatic) 광 변조를 수행할 수 있다. 또는 반대로, 파장에 따른 편차가 강화되게 하여, 파장별로 편향 방향을 달리하거나, 파장별로 다른 빔 패턴을 형성하여 대상체에 조사할 수도 있다. The phase modulator 2410, as described above, the phase delay dispersion (∂
Figure pat00007
Figure pat00008
/∂λ) can be set to 0 or a positive or negative number, and a continuous phase delay profile can be implemented. Accordingly, it is possible to perform achromatic light modulation according to wavelength. Or, conversely, the deviation according to the wavelength may be strengthened, so that the deflection direction may be changed for each wavelength, or a different beam pattern may be formed for each wavelength and irradiated to the object.

광검출부(2430)는 위상 변조기(2410)를 경유하여 대상체에 조사된 광의 반사광을 수신한다. 광검출부(24430)는 광을 센싱하는 복수의 센서들의 어레이를 포함할 수 있고 또는 하나의 센서만으로 이루어질 수도 있다. The photodetector 2430 receives the reflected light of the light irradiated to the object via the phase modulator 2410 . The photodetector 24430 may include an array of a plurality of sensors for sensing light, or may consist of only one sensor.

신호처리부(2440)는 광검출부(2430)에서 센싱된 신호를 처리하여 대상체의 형상 등을 분석할 수 있다. 신호처리부(2440)는 대상체의 깊이 위치를 포함하는 3차원 형상을 분석할 수 있다. The signal processing unit 2440 may process the signal sensed by the photodetector 2430 to analyze the shape of the object. The signal processing unit 2440 may analyze a 3D shape including the depth position of the object.

3차원 형상 분석을 위해, 광 비행 시간(Time of Flight) 측정을 위한 연산이 수행될 수 있다. 광 비행 시간 측정을 위해 다양한 연산법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 직접 시간 측정 방법은 대상체에 펄스광을 투사하고 피사체에 반사되어 광이 돌아오는 시간을 타이머로 측정하여 거리를 구한다. 상관법(correlation)은 펄스광을 대상체에 투사하고 대상체로부터 반사되어 돌아오는 반사광의 밝기로부터 거리를 측정한다. 위상지연 측정 방법은 사인파와 같은 연속파(continuous wave) 광을 대상체에 투사하고 반사되어 돌아오는 반사광의 위상차를 감지하여 거리로 환산하는 방법이다. For the 3D shape analysis, an operation for measuring the optical time of flight may be performed. Various arithmetic methods can be used for optical time-of-flight measurement. For example, in the direct time measurement method, a distance is obtained by projecting pulsed light onto an object and measuring the time it takes for the light to return after being reflected by the object with a timer. In the correlation method, a pulsed light is projected onto an object, and a distance is measured from the brightness of the reflected light reflected from the object. The phase delay measurement method is a method of projecting continuous wave light, such as a sine wave, onto an object, detecting the phase difference of the reflected light and converting it into a distance.

대상체에 구조광이 조사된 경우, 대상체에서 반사된 구조광의 패턴 변화, 즉, 입사된 구조광 패턴과 비교한 결과로부터 대상체의 깊이 위치를 연산할 수 있다. 대상체에서 반사된 구조광의 좌표별 패턴 변화를 추적하여 대상체의 깊이 정보를 추출할 수 있고, 이로부터 대상체의 형상, 움직임과 관련된 3차원 정보를 추출할 수 있다. When the structured light is irradiated to the object, the depth position of the object may be calculated based on a change in the pattern of the structured light reflected from the object, that is, a result of comparison with the incident structured light pattern. Depth information of the object may be extracted by tracking the pattern change for each coordinate of structured light reflected from the object, and 3D information related to the shape and movement of the object may be extracted therefrom.

메모리(2450)에는 신호처리부(2440)의 연산에 필요한 프로그램 및 기타 데이터들이 저장될 수 있다. The memory 2450 may store programs and other data necessary for the operation of the signal processing unit 2440 .

신호처리부(2440)에서의 연산 결과, 즉, 대상체의 형상, 위치에 대한 정보는 전자 장치(2200)내의 다른 유닛으로 또는 다른 전자 장치로 전송될 수 있다. 예를 들어, 메모리(2230)에 저장된 어플리케이션(2246)에서 이러한 정보가 사용될 수 있다. 결과가 전송되는 다른 전자 장치는 결과를 출력하는 디스플레이 장치나 프린터일 수도 있다. 이외에도, 무인자동차, 자율주행차, 로봇, 드론 등과 같은 자율 구동 기기, 스마트 폰(smart phone), 스마트 워치(smart watch), 휴대폰, PDA(personal digital assistant), 랩톱(laptop), PC, 다양한 웨어러블(wearable) 기기, 기타 모바일 또는 비모바일 컴퓨팅 장치 및 사물 인터넷 기기일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The operation result of the signal processing unit 2440 , that is, information on the shape and position of the object may be transmitted to another unit in the electronic device 2200 or to another electronic device. For example, this information may be used by the application 2246 stored in the memory 2230 . Another electronic device to which the result is transmitted may be a display device or a printer that outputs the result. In addition, autonomous driving devices such as unmanned vehicles, autonomous vehicles, robots, drones, etc., smart phones, smart watches, mobile phones, personal digital assistants (PDAs), laptops, PCs, and various wearable devices (wearable) devices, other mobile or non-mobile computing devices, and Internet of Things devices.

도 20은 예시적인 실시예에 따른 전자 장치의 개략적인 구성을 보이는 블록도이다.20 is a block diagram showing a schematic configuration of an electronic device according to an exemplary embodiment.

도 20을 참조하면, 전자 장치(3000)가 제공될 수 있다. 전자 장치(3000)는 증강 현실(Augmented Reality, AR) 장치일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(3000)는 안경형 증강 현실 장치일 수 있다. 전자 장치(3000)는 디스플레이 엔진(3400), 프로세서(3300), 시선 추적 센서(3100), 인터페이스(3500), 및 메모리(3220)를 포함한다. Referring to FIG. 20 , an electronic device 3000 may be provided. The electronic device 3000 may be an augmented reality (AR) device. For example, the electronic device 3000 may be a glasses-type augmented reality device. The electronic device 3000 includes a display engine 3400 , a processor 3300 , an eye tracking sensor 3100 , an interface 3500 , and a memory 3220 .

프로세서(3300)는 운영체제 또는 응용 프로그램을 구동하여 디스플레이 엔진(3400)을 포함한 증강 현실 장치의 전반적인 동작을 제어할 수 있고, 영상 데이터를 포함한 각종 데이터 처리 및 연산을 수행할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(3300)는 양안 시차를 갖도록 랜더링된 좌안 가상 이미지와 우안 가상 이미지를 포함하는 영상 데이터를 처리할 수 있다. The processor 3300 may control the overall operation of the augmented reality device including the display engine 3400 by driving an operating system or an application program, and may perform various data processing and operations including image data. For example, the processor 3300 may process image data including a left-eye virtual image and a right-eye virtual image rendered to have binocular disparity.

인터페이스(3500)는 외부로부터 데이터나 조작명령이 입출력되는 것으로서, 예를 들어 사용자가 조작 가능한 터치 패드, 컨트롤러, 조작 버튼 등과 같은 사용자 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스(3500)는 USB 모듈과 같은 유선통신 모듈이나, 블루투스와 같은 무선통신 모듈을 포함하고 이들을 통해 외부 기기에 포함된 인터페이스로부터 전달되는 사용자의 조작 정보나 가상 이미지의 데이터를 수신할 수도 있다.The interface 3500 is an input/output of data or operation commands from the outside, and may include, for example, a user interface such as a touch pad, a controller, and an operation button that can be operated by a user. The interface 3500 may include a wired communication module such as a USB module or a wireless communication module such as Bluetooth, and may receive user manipulation information or virtual image data transmitted from an interface included in an external device through these.

메모리(3200)는 휘발성 메모리나 비휘발성 메모리와 같은 내장 메모리를 포함할 수 있다. 메모리(3200)는 프로세서(3300)의 제어에 의해 증강 현실 장치를 구동하고 제어하는 다양한 데이터, 프로그램 또는 어플리케이션과, 입력/출력되는 신호 또는 가상 이미지의 데이터를 저장할 수 있다.The memory 3200 may include an embedded memory such as a volatile memory or a non-volatile memory. The memory 3200 may store various data, programs, or applications for driving and controlling the augmented reality device under the control of the processor 3300 , and data of input/output signals or virtual images.

디스플레이 엔진(3400)은 프로세서(3300)에서 생성되는 영상 데이터를 전달받아 가상 이미지의 광을 생성하도록 구성된 것으로서, 좌안 광학 엔진(3410), 우안 광학 엔진(3420)을 포함한다. 좌안 광학 엔진(3410), 우안 광학 엔진(3420) 각각은 광을 출력하는 광원과 광원으로부터 출력되는 광을 이용하여 가상 이미지를 형성하는 디스플레이 패널로 구성되며 소형 프로젝터와 같은 기능을 가진다. 광원은 예를 들어 LED로 구현 가능하며, 디스플레이 패널은 예를 들어 LCoS (Liquid Crystal on Silicon)로 구현 가능하다.The display engine 3400 is configured to receive image data generated by the processor 3300 to generate light of a virtual image, and includes a left eye optical engine 3410 and a right eye optical engine 3420 . Each of the left eye optical engine 3410 and the right eye optical engine 3420 includes a light source that outputs light and a display panel that forms a virtual image using the light output from the light source, and has a function like a small projector. The light source may be implemented as, for example, an LED, and the display panel may be implemented as, for example, LCoS (Liquid Crystal on Silicon).

시선 추적 센서(3100)는 증강 현실 장치를 착용한 사용자의 동공이 추적 가능한 위치에 장착되어, 사용자의 시선 정보에 대응되는 신호를 프로세서(3100)에 전송할 수 있다. 이와 같은 시선 추적 센서(3100)는 사용자 눈이 향하는 시선 방향, 사용자 눈의 동공 위치 또는 동공의 중심점 좌표 등 시선 정보를 검출할 수 있다. 프로세서(3300)는 시선 추적 센서(3100)에서 검출된 사용자의 시선 정보에 기초하여, 안구 움직임(eye movement) 형태를 판단할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(3300)는 시선 추적 센서로부터 획득된 시선 정보에 기초하여, 어느 한 곳을 주시하는 고정(fixation), 움직이는 객체를 쫓는 추적(pursuit), 한 응시 지점에서 다른 응시 지점으로 신속하게 시선이 이동하는 도약(saccade) 등을 포함한 다양한 형태의 시선 움직임을 판단할 수 있다.The eye tracking sensor 3100 may be mounted at a position where the pupil of the user wearing the augmented reality device can be tracked, and may transmit a signal corresponding to the user's gaze information to the processor 3100 . Such a gaze tracking sensor 3100 may detect gaze information such as a gaze direction toward which the user's eye is directed, a pupil position of the user's eye, or coordinates of a central point of the pupil. The processor 3300 may determine an eye movement type based on the user's gaze information detected by the gaze tracking sensor 3100 . For example, based on the gaze information obtained from the gaze tracking sensor, the processor 3300 may perform a fixation of gazing at a certain place, a pursuit of chasing a moving object, and a rapid movement from one gaze point to another gaze point. It is possible to determine various types of gaze movements, including a saccade in which the gaze moves.

도 21은 도 20의 전자 장치에 구비되는 시선 추적 센서의 개략적인 구성을 보이는 블록도이다. 21 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a gaze tracking sensor provided in the electronic device of FIG. 20 .

시선 추적 센서(3100)는 조명 광학부(3110), 검출 광학부(3120), 신호처리부(3150), 메모리(3160)를 포함한다. 조명 광학부(3110)는 대상체(사용자의 눈) 위치에 광, 예를 들어, 적외선 광을 조사하는 광원을 포함할 수 있다. 검출 광학부(3150)는 반사된 광을 검출하는 것으로, 메타 렌즈(3130), 센서부(3140)를 포함할 수 있다. 신호처리부(3150)는 검출 광학부(3120)에서 센싱한 결과로부터 사용자 눈의 동공 위치 등을 연산한다.The eye tracking sensor 3100 includes an illumination optical unit 3110 , a detection optical unit 3120 , a signal processing unit 3150 , and a memory 3160 . The illumination optical unit 3110 may include a light source that irradiates light, for example, infrared light, to the position of the object (user's eye). The detection optical unit 3150 detects the reflected light, and may include a meta lens 3130 and a sensor unit 3140 . The signal processing unit 3150 calculates the pupil position of the user's eye from the result sensed by the detection optical unit 3120 .

메타 렌즈(3130)로는 전술한 실시예들에 따른 위상 변조기들 및 위상 변조기 어레이들 중의 어느 하나 또는 조합, 변형된 예가 사용될 수 있다. 메타 렌즈(3130)는 대상체로부터의 광을 센서부(3140)에 집광할 수 있다. 사용자의 눈에 매우 가깝게 위치하게 되는 시선 추적 센서(3100)에서 센서부(3140)에 입사하는 광의 입사각은 예를 들어, 30도 이상, 또는 그 이상으로 클 수 있다. 메타 렌즈(3130)는 보상 영역을 구비한 구조를 가지며 입사각이 큰 광에 대해서도 효율 저하가 감소한다. 따라서, 시선 추적의 정확성이 높아질 수 있다. As the meta lens 3130, any one, combination, or modified example of the phase modulators and the phase modulator arrays according to the above-described embodiments may be used. The meta lens 3130 may focus the light from the object on the sensor unit 3140 . An incident angle of light incident on the sensor unit 3140 from the eye tracking sensor 3100 positioned very close to the user's eye may be, for example, 30 degrees or more, or more. The meta lens 3130 has a structure having a compensation area, and the efficiency degradation is reduced even for light having a large incident angle. Accordingly, the accuracy of eye tracking may be increased.

전자 장치는, 증강 현실(AR)뿐만 아니라 가상 현실(Virtual Reality, VR) 장치로도 사용되어, 장치로부터 제공되는 가상 현실 이미지(VR image)에 대한 사용자의 시선을 추적도 가능할 수 있다.The electronic device may be used not only as an augmented reality (AR) but also as a virtual reality (VR) device, so that it may be possible to track a user's gaze on a virtual reality image provided from the device.

본 개시의 기술적 사상의 실시예들에 대한 이상의 설명은 본 개시의 기술적 사상의 설명을 위한 예시를 제공한다. 따라서 본 개시의 기술적 사상은 이상의 실시예들에 한정되지 않으며, 본 개시의 기술적 사상 내에서 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 상기 실시예들을 조합하여 실시하는 등 여러 가지 많은 수정 및 변경이 가능함은 명백하다.The above description of embodiments of the technical idea of the present disclosure provides examples for the description of the technical idea of the present disclosure. Therefore, the technical spirit of the present disclosure is not limited to the above embodiments, and within the technical spirit of the present disclosure, a person skilled in the art may perform various modifications and changes such as combining the above embodiments. It is clear that this is possible.

Claims (20)

안테나 패턴;
상기 안테나 패턴으로부터 제1 방향으로 이격되는 가이드층;
상기 안테나 패턴과 상기 가이드층 사이에 제공되는 스페이서; 및
상기 스페이서 내에 삽입되는 상변이 패턴;을 포함하되,
상기 상변이 패턴은 상변이 물질을 포함하는 위상 변조기.
antenna pattern;
a guide layer spaced apart from the antenna pattern in a first direction;
a spacer provided between the antenna pattern and the guide layer; and
A phase change pattern inserted into the spacer; including,
The phase change pattern includes a phase change material.
제 1 항에 있어서,
상기 상변이 패턴은 상기 스페이서에 의해 둘러싸이는 위상 변조기.
The method of claim 1,
The phase change pattern is surrounded by the spacer.
제 1 항에 있어서,
상기 상변이 패턴과 상기 안테나 패턴 사이에 배치되는 상기 스페이서의 일 부분의 상기 제1 방향을 따르는 두께는, 상기 상변이 패턴과 상기 가이드층 사이에 배치되는 상기 스페이서의 다른 부분의 상기 제1 방향을 따르는 두께보다 두꺼운 위상 변조기.
The method of claim 1,
A thickness of a portion of the spacer disposed between the phase-change pattern and the antenna pattern in the first direction may correspond to the first direction of another portion of the spacer disposed between the phase-change pattern and the guide layer. A phase modulator thicker than the thickness it follows.
제 1 항에 있어서,
상기 상변이 패턴은 상기 안테나 패턴과 상기 제1 방향을 따라 중첩하는 위상 변조기.
The method of claim 1,
The phase change pattern overlaps the antenna pattern along the first direction.
제 1 항에 있어서,
상기 상변이 패턴은 갭 플라즈몬이 생성되는 상기 스페이서 내의 유효 공진기 영역에 배치되는 위상 변조기.
The method of claim 1,
The phase change pattern is disposed in an effective resonator region in the spacer where a gap plasmon is generated.
제 5 항에 있어서,
상기 안테나 패턴의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따르는 폭은 상기 유효 공진기 영역의 상기 제2 방향을 따르는 폭보다 작은 위상 변조기.
6. The method of claim 5,
A width of the antenna pattern along a second direction crossing the first direction is smaller than a width of the effective resonator region along the second direction.
제 1 항에 있어서,
상기 상변이 패턴의 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따르는 폭은 상기 안테나 패턴의 상기 제2 방향을 따르는 폭과 동일한 위상 변조기.
The method of claim 1,
A width of the phase-change pattern along a second direction crossing the first direction is the same as a width of the antenna pattern along the second direction.
제 1 항에 있어서,
상기 안테나 패턴에 전압을 인가하는 전원 요소;를 더 포함하되,
상기 전압을 상기 안테나 패턴에 인가하는 것에 의해 상기 안테나 패턴에서 열이 생성되는 위상 변조기.
The method of claim 1,
Further comprising; a power element for applying a voltage to the antenna pattern;
A phase modulator in which heat is generated in the antenna pattern by applying the voltage to the antenna pattern.
제 8 항에 있어서,
상기 상변이 패턴은 상기 안테나 패턴에서 상기 열이 생성될 때 상기 상변이 패턴이 가지는 최고 온도와 최저 온도의 차이가 최소가 되도록 상기 안테나 패턴으로부터 이격되는 위상 변조기.
9. The method of claim 8,
The phase change pattern is spaced apart from the antenna pattern such that a difference between a maximum temperature and a minimum temperature of the phase change pattern when the heat is generated in the antenna pattern is minimized.
제 8 항에 있어서,
상기 상변이 패턴은 상기 안테나 패턴에서 상기 열이 생성될 때, 상기 상변이 패턴이 갖는 최저 온도가 280 도(℃) 이상이 되도록 상기 안테나 패턴으로부터 이격되는 위상 변조기.
9. The method of claim 8,
The phase change pattern is a phase modulator that is spaced apart from the antenna pattern such that, when the heat is generated in the antenna pattern, a minimum temperature of the phase change pattern is 280 degrees (℃) or more.
제 1 항에 있어서,
상기 안테나 패턴은, 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향을 따라 배열되는 복수의 안테나 패턴들을 포함하고,
상기 상변이 패턴은, 상기 복수의 안테나 패턴들과 상기 가이드층 사이에 제공되는 복수의 상변이 패턴들을 포함하며,
상기 복수의 안테나 패턴들은 서로 동일한 형상을 가지고,
상기 복수의 상변이 패턴들은 상기 제2 방향을 따라 배열되는 위상 변조기.
The method of claim 1,
The antenna pattern includes a plurality of antenna patterns arranged along a second direction intersecting the first direction,
The phase change pattern includes a plurality of phase change patterns provided between the plurality of antenna patterns and the guide layer,
The plurality of antenna patterns have the same shape as each other,
The plurality of phase change patterns are arranged along the second direction.
제 11 항에 있어서,
상기 복수의 안테나 패턴들에 동일한 전압들을 각각 인가하는 전원 요소;를 더 포함하되,
상기 전압을 상기 복수의 안테나 패턴들에 인가하는 것에 의해 상기 복수의 안테나 패턴들에서 열이 생성되는 위상 변조기.
12. The method of claim 11,
A power supply element for applying the same voltages to the plurality of antenna patterns, respectively;
A phase modulator in which heat is generated in the plurality of antenna patterns by applying the voltage to the plurality of antenna patterns.
제1 위상 변조기;
상기 제1 위상 변조기로부터 제1 방향을 따라 이격되는 제2 위상 변조기; 및
상기 제1 위상 변조기 및 상기 제2 위상 변조기에 전압을 인가하는 전원 요소;를 포함하되,
상기 제1 위상 변조기 및 상기 제2 위상 변조기의 각각은, 상기 제1 방향을 따라 배열되는 안테나 패턴들, 상기 안테나 패턴들로부터 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 이격되는 가이드층, 상기 안테나 패턴들과 상기 가이드층 사이에 제공되는 스페이서, 및 상기 스페이서 내에 삽입되고, 상기 제1 방향을 따라 배열되는 상변이 패턴들을 포함하되,
상기 상변이 패턴들은 상변이 물질을 포함하는 위상 변조기 어레이.
a first phase modulator;
a second phase modulator spaced apart from the first phase modulator in a first direction; and
a power supply element for applying a voltage to the first phase modulator and the second phase modulator;
Each of the first phase modulator and the second phase modulator includes antenna patterns arranged in the first direction, a guide layer spaced apart from the antenna patterns in a second direction crossing the first direction, and the antenna a spacer provided between the patterns and the guide layer, and phase change patterns inserted in the spacer and arranged in the first direction,
The phase change patterns are a phase modulator array including a phase change material.
제 13 항에 있어서,
상기 전원 요소는, 상기 제1 위상 변조기의 상기 안테나 패턴들에 제1 전압을 인가하고, 상기 제2 위상 변조기의 상기 안테나 패턴들에 제2 전압을 인가하되,
상기 제1 전압과 상기 제2 전압은 서로 독립적인 위상 변조기 어레이.
14. The method of claim 13,
The power element applies a first voltage to the antenna patterns of the first phase modulator and applies a second voltage to the antenna patterns of the second phase modulator,
The first voltage and the second voltage are independent of each other in a phase modulator array.
제 13 항에 있어서,
상기 제1 위상 변조기의 상기 상변이 패턴들의 수와 상기 제2 위상 변조기의 상기 상변이 패턴들의 수는 동일한 위상 변조기 어레이.
14. The method of claim 13,
A phase modulator array wherein the number of the phase change patterns of the first phase modulator is the same as the number of the phase change patterns of the second phase modulator.
제 13 항에 있어서,
상기 제1 위상 변조기의 상기 스페이서와 상기 제2 위상 변조기의 상기 스페이서는 하나의 유전막의 서로 다른 부분들인 위상 변조기 어레이.
14. The method of claim 13,
wherein the spacer of the first phase modulator and the spacer of the second phase modulator are different portions of one dielectric film.
제 13 항에 있어서,
상기 제1 위상 변조기와 상기 제2 위상 변조기 사이에 제공되는 트렌치;를 더 포함하되,
상기 트렌치는 상기 가이드층을 노출하도록 상기 제2 방향을 따라 연장하는 위상 변조기 어레이.
14. The method of claim 13,
a trench provided between the first phase modulator and the second phase modulator;
and the trenches extend along the second direction to expose the guide layer.
제 17 항에 있어서,
상기 트렌치 내에 제공되는 단열 패턴;을 더 포함하되,
상기 단열 패턴은 상기 스페이서보다 낮은 열 전도율을 갖는 위상 변조기 어레이.
18. The method of claim 17,
Further comprising; a thermal insulation pattern provided in the trench;
wherein the insulating pattern has a lower thermal conductivity than that of the spacer.
제 13 항에 있어서,
상기 제1 위상 변조기 및 상기 제2 위상 변조기의 각각에서, 상기 상변이 패턴들은 상기 스페이서에 의해 둘러싸이는 위상 변조기 어레이.
14. The method of claim 13,
in each of the first phase modulator and the second phase modulator, wherein the phase change patterns are surrounded by the spacer.
제 19 항에 있어서,
상기 제1 위상 변조기 및 상기 제2 위상 변조기의 각각에서, 상기 상변이 패턴들과 상기 안테나 패턴들 사이에 배치되는 상기 스페이서의 일 부분의 상기 제2 방향을 따르는 두께는, 상기 상변이 패턴들과 상기 가이드층 사이에 배치되는 상기 스페이서의 다른 부분의 상기 제2 방향을 따르는 두께보다 두꺼운 위상 변조기 어레이.
20. The method of claim 19,
In each of the first phase modulator and the second phase modulator, a thickness of a portion of the spacer disposed between the phase-change patterns and the antenna patterns in the second direction may be equal to that of the phase-change patterns and A phase modulator array greater than a thickness along the second direction of another portion of the spacer disposed between the guide layers.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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