KR20210127024A - Polyamide resin composition, and polymer film, resin laminate using the same - Google Patents

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박순용
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Abstract

The present invention relates to a polyamide resin composition that suppress excessive growth of a crystalline polymer chain length and thus enables transparency, surface hardness, and optical properties such as a yellowness, permeability, and refractive index to be improved. More specifically, the present invention relates to a polyamide resin wherein the average particle diameter of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device is 8.0 nm or less, and an amorphous polymer chain exists between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less, a polyamide resin composition containing a silica-based filler, and a polymer film and a resin laminate using the same.

Description

폴리아미드 수지 조성물, 및 이를 이용한 고분자 필름 및 수지 적층체{POLYAMIDE RESIN COMPOSITION, AND POLYMER FILM, RESIN LAMINATE USING THE SAME}Polyamide resin composition, and polymer film and resin laminate using the same

본 발명은 결정성의 고분자 사슬 길이의 과도한 성장을 억제시켜 투명성이 향상되면서도, 표면 경도가 향상되고, 황색도, 투과도, 굴절률 등의 광학 물성이 개선된 폴리아미드 수지 조성물, 및 이를 이용한 고분자 필름 및 수지 적층체에 관한 것이다.The present invention provides a polyamide resin composition with improved transparency, improved surface hardness, and improved optical properties such as yellowness, transmittance, and refractive index by inhibiting excessive growth of a crystalline polymer chain length, and a polymer film and resin using the same It relates to a laminate.

방향족 폴리이미드 수지는 대부분 비결정성 구조를 갖는 고분자로서, 강직한 사슬 구조로 인해 뛰어난 내열성, 내화학성, 전기적 특성, 및 치수 안정성을 나타낸다. 이러한 폴리이미드 수지는 전기/전자 재료로 널리 사용되고 있다.Aromatic polyimide resins are mostly polymers having an amorphous structure, and exhibit excellent heat resistance, chemical resistance, electrical properties, and dimensional stability due to a rigid chain structure. Such polyimide resins are widely used as electrical/electronic materials.

그러나, 폴리이미드 수지는 이미드 사슬 내에 존재하는 Pi-전자들의 CTC (charge transfer complex) 형성으로 인해 짙은 갈색을 띠어 투명성을 확보하기 어려운 한계가 있고, 이를 포함하는 폴리이미드 필름의 경우 표면이 쉽게 긁혀 내스크래치성이 매우 약한 단점을 갖고 있다. However, the polyimide resin has a dark brown color due to the formation of a charge transfer complex (CTC) of Pi-electrons in the imide chain, and thus has a limitation in that it is difficult to secure transparency. It has a very weak scratch resistance.

이러한 폴리이미드 수지의 한계점을 개선하고자 아미드 그룹이 도입된 폴리 아미드 수지에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 아미드 구조는 분자간 또는 분자내 수소결합을 유발하여 수소결합 등의 상호작용으로 내스크래치성이 개선되어졌다.In order to improve the limitations of such polyimide resins, studies on polyamide resins having amide groups introduced therein are being actively conducted. The amide structure induces intermolecular or intramolecular hydrogen bonds, and the scratch resistance is improved through interactions such as hydrogen bonds.

하지만, 폴리아미드 수지 합성에 사용되는 테레프탈로일 클로라이드, 또는 이소프탈로일 클로라이드의 용해도 차이 및 반응성(입체장애), 반응속도 차이로 인해 폴리아미드 중합시 테레프탈로일 클로라이드로부터 유래한 아미드 반복단위와 이소프탈로일 클로라이드로부터 유래한 아미드 반복단위가 블록을 형성하지 않으면서, 이상적으로(ideal), 교차적으로(alternatively) 중합되기 어렵다. However, due to the difference in solubility, reactivity (steric hindrance), and reaction rate of terephthaloyl chloride or isophthaloyl chloride used for polyamide resin synthesis, amide repeating units derived from terephthaloyl chloride and isopropyl during polyamide polymerization An amide repeating unit derived from taloyl chloride is difficult to ideally and alternatively polymerize without forming a block.

이에, para 아실 클로라이드 단량체로부터 유래한 아미드 반복단위에 의한 블록이 형성되어, 폴리아미드 수지의 결정성이 증가함에 따라 헤이즈에 의해 투명성이 불량해지는 한계가 있다.Accordingly, a block is formed by the amide repeating unit derived from the para acyl chloride monomer, and as the crystallinity of the polyamide resin increases, the transparency becomes poor due to haze.

뿐만 아니라, 폴리아미드 수지 합성에 사용되는 단량체가 용매에 용해된 상태로 중합반응이 진행됨에 따라, 수분에 의한 변질 또는 용매와의 혼성으로 인해 최종 합성되는 폴리아미드 수지의 분자량이 충분한 수준으로 확보되기 어렵다.In addition, as the polymerization reaction proceeds while the monomer used for synthesizing the polyamide resin is dissolved in the solvent, the molecular weight of the final synthesized polyamide resin may be secured at a sufficient level due to deterioration due to moisture or mixing with the solvent. difficult.

이에, 투명성과 기계적 물성을 동시에 구현할 수 있는 폴리아미드 수지의 개발이 요구되고 있다.Accordingly, there is a demand for the development of a polyamide resin capable of simultaneously implementing transparency and mechanical properties.

본 발명은 결정성의 고분자 사슬 길이의 과도한 성장을 억제시켜 투명성이 향상되면서도, 표면 경도가 향상되고, 황색도, 투과도, 굴절률 등의 광학 물성이 개선된 폴리아미드 수지 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a polyamide resin composition in which transparency is improved by suppressing excessive growth of a crystalline polymer chain length, surface hardness is improved, and optical properties such as yellowness, transmittance, and refractive index are improved.

또한, 본 발명은 상기의 폴리아미드 수지 조성물을 이용한 고분자 필름 및 수지 적층체를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a polymer film and a resin laminate using the polyamide resin composition.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 명세서에서는, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하이고, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에는 무정형의 고분자 사슬이 존재하는 폴리아미드 수지; 및 실리카계 필러;를 포함하는 폴리아미드 수지 조성물을 제공한다.In order to solve the above problems, in the present specification, the average particle diameter of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device is 8.0 nm or less, and an amorphous polymer chain is formed between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less. polyamide resins present; and a silica-based filler; provides a polyamide resin composition comprising.

본 명세서에서는 또한, 상기 폴리아미드 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 고분자 필름이 제공된다.In the present specification, there is also provided a polymer film comprising a cured product of the polyamide resin composition.

본 명세서에서는 또한, 상기 고분자 필름을 포함한 기재; 및 상기 기재의 적어도 일면에 형성되는 하드 코팅층;을 포함하는 수지 적층체가 제공된다.In the present specification, the substrate including the polymer film; and a hard coating layer formed on at least one surface of the substrate.

이하 발명의 구체적인 구현예에 따른 폴리아미드 수지 조성물, 및 이를 이용한 고분자 필름 및 수지 적층체에 대하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, a polyamide resin composition according to a specific embodiment of the present invention, and a polymer film and a resin laminate using the same will be described in more detail.

본 명세서에서 특별한 제한이 없는 한 다음 용어는 하기와 같이 정의될 수 있다.Unless otherwise limited herein, the following terms may be defined as follows.

본 명세서에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에서, 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the present specification, examples of the substituent are described below, but is not limited thereto.

본 명세서에서, "치환"이라는 용어는 화합물 내의 수소 원자 대신 다른 작용기가 결합하는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정되지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.In the present specification, the term "substitution" means that another functional group is bonded instead of a hydrogen atom in the compound, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent is substituted, is not limited, and when two or more substituted , two or more substituents may be the same as or different from each other.

본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 1차 아미노기; 카르복시기; 술폰산기; 술폰아미드기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 할로알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알콕시실릴알킬기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다. 바람직하게는 상기 치환기로는 할로알킬기를 사용할 수 있으며, 상기 할로알킬기의 예로는 트리플루오로메틸기를 들 수 있다.As used herein, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxyl group; carbonyl group; ester group; imid; amide group; primary amino group; carboxyl group; sulfonic acid group; sulfonamide group; phosphine oxide group; alkoxy group; aryloxy group; alkyl thiooxy group; arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; arylsulfoxy group; silyl group; boron group; an alkyl group; haloalkyl group; cycloalkyl group; alkenyl group; aryl group; aralkyl group; aralkenyl group; an alkylaryl group; alkoxysilylalkyl group; an arylphosphine group; or N, O, and S atom means that it is substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group containing one or more atoms, or substituted or unsubstituted with two or more substituents connected among the above-exemplified substituents . For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected. Preferably, a haloalkyl group may be used as the substituent, and examples of the haloalkyl group include a trifluoromethyl group.

본 명세서에서,

Figure pat00001
, 또는
Figure pat00002
는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미하고, 직접결합은 L 로 표시되는 부분에 별도의 원자가 존재하지 않은 경우를 의미한다. In this specification,
Figure pat00001
, or
Figure pat00002
denotes a bond connected to another substituent, and a direct bond denotes a case in which a separate atom does not exist in the portion represented by L .

본 명세서에 있어서, 알킬기는 알케인(alkane)으로부터 유래한 1가의 작용기로, 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 상기 직쇄 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 20인 것이 바람직하다. 또한, 상기 분지쇄 알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실, 2,6-디메틸헵탄-4-일 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다. 상기 알킬기는 치환 또는 비치환될 수 있다.In the present specification, the alkyl group is a monovalent functional group derived from an alkane, and may be straight-chain or branched, and the number of carbon atoms in the straight-chain alkyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20. In addition, the number of carbon atoms of the branched chain alkyl group is 3 to 20. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 1-ethyl- propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, 2,6-dimethylheptan-4-yl, and the like. The alkyl group may be substituted or unsubstituted.

본 명세서에 있어서, 아릴기는 아렌(arene)으로부터 유래한 1가의 작용기로, 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 20인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 아릴기는 치환 또는 비치환될 수 있다.In the present specification, the aryl group is a monovalent functional group derived from arene, and is not particularly limited, but preferably has 6 to 20 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. The aryl group may be a monocyclic aryl group such as a phenyl group, a biphenyl group, or a terphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a perylenyl group, a chrysenyl group, a fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto. The aryl group may be substituted or unsubstituted.

본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아렌(arene)으로부터 유래한 2가의 작용기로, 이들은 2가의 작용기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 예를 들어, 페닐렌기, 바이페닐렌기, 터페닐렌기, 나프탈렌기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 페릴렌기, 테트라세닐기, 안트라센닐기 등이 될 수 있다. 상기 아릴렌기는 치환 또는 비치환될 수 있다.In the present specification, the arylene group is a divalent functional group derived from arene, and the description of the aryl group described above may be applied, except that these are divalent functional groups. For example, it may be a phenylene group, a biphenylene group, a terphenylene group, a naphthalene group, a fluorenyl group, a pyrenyl group, a phenanthrenyl group, a perylene group, a tetracenyl group, an anthracenyl group, and the like. The arylene group may be substituted or unsubstituted.

본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 4 내지 20인 것이 바람직하며, 상기 헤테로아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨라닐기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 피리딜기, 바이피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 트리아졸릴기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미딜기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌릴기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤리닐기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기, 아지리딜기, 아자인돌릴기, 이소인돌릴기, 인다졸릴기, 퓨린기(purine), 프테리딜기(pteridine), 베타-카볼릴기, 나프티리딜기(naphthyridine), 터-피리딜기, 페나지닐기, 이미다조피리딜기, 파이로피리딜기, 아제핀기, 피라졸릴기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 헤테로아릴기는 치환 또는 비치환될 수 있다.In the present specification, the heteroaryl group includes one or more atoms other than carbon and heteroatoms, and specifically, the heteroatoms may include one or more atoms selected from the group consisting of O, N, Se and S, and the like. The number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably has 4 to 20 carbon atoms, and the heteroaryl group may be monocyclic or polycyclic. Examples of the heterocyclic group include a thiophene group, a furanyl group, a pyrrole group, an imidazolyl group, a thiazolyl group, an oxazolyl group, an oxadiazolyl group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, a triazinyl group, a triazinyl group Jolyl group, acridyl group, pyridazinyl group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyrido pyrimidyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group , isoquinolinyl group, indolyl group, carbazolyl group, benzoxazolyl group, benzimidazolyl group, benzothiazolyl group, benzocarbazolyl group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, pe Nonthrolinyl group (phenanthroline), thiazolyl group, isoxazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, benzothiazolyl group, phenothiazinyl group, aziridyl group, azaindolyl group, isoindolyl group, inda Zolyl group, purine group, pteridine group, beta-carbolyl group, naphthyridine group, ter-pyridyl group, phenazinyl group, imidazopyridyl group, pyropyridyl group, azepine group , a pyrazolyl group and a dibenzofuranyl group, but is not limited thereto. The heteroaryl group may be substituted or unsubstituted.

본 명세서에서, 헤테로 아릴렌기는, 탄소수는 2 내지 20, 또는 2 내지 10, 또는 6 내지 20 이다. 이종원자로 O, N 또는 S를 함유한 아릴렌기로, 2가의 작용기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다. 상기 헤테로 아릴렌기는 치환 또는 비치환될 수 있다.In the present specification, the hetero arylene group has 2 to 20, or 2 to 10, or 6 to 20 carbon atoms. As an arylene group containing O, N or S as a heteroatom, the description of the heteroaryl group described above may be applied, except that it is a divalent functional group. The hetero arylene group may be substituted or unsubstituted.

본 명세서에 있어서, 할로겐의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In the present specification, examples of halogen include fluorine, chlorine, bromine or iodine.

본 명세서에서, (메트)아크릴은 아크릴 및 메타크릴을 모두 포함하는 의미이다.In the present specification, (meth) acryl is meant to include both acryl and methacryl.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

1. 폴리아미드 수지 조성물1. Polyamide resin composition

발명의 일 구현예에 따르면, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하이고, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에는 무정형의 고분자 사슬이 존재하는 폴리아미드 수지; 및 실리카계 필러;를 포함하는 폴리아미드 수지 조성물이 제공될 수 있다.According to one embodiment of the invention, the average particle diameter of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device is 8.0 nm or less, and an amorphous polymer chain exists between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less. amide resins; and a silica-based filler. A polyamide resin composition comprising may be provided.

본 발명자들은 상술한 바와 같이, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하이고, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에는 무정형의 고분자 사슬이 존재하는 폴리아미드 수지는 결정성 폴리머가 갖는 우수한 기계적 물성을 가지면서도, 결정 구조를 이루는 개별 결정의 성장이 둔화되어 상대적으로 작은 크기를 가짐에 따라, 현저히 낮은 수준의 헤이즈값 및 황색도 등을 가지며, 이와 함께 높은 유연성 및 굽힘 내구성을 가질 수 있다는 점을 실험을 통해서 확인하고 발명을 완성하였다. As described above, the present inventors have found that the average particle diameter of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device is 8.0 nm or less, and an amorphous polymer chain exists between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less. While the amide resin has excellent mechanical properties of the crystalline polymer, as the growth of individual crystals constituting the crystal structure is slowed and has a relatively small size, the amide resin has a remarkably low level of haze and yellowness, along with It was confirmed through an experiment that it can have high flexibility and bending durability, and the invention was completed.

이와 달리, 상기 폴리아미드 수지에서 개별 결정들 사이에 무정형의 고분자 사슬이 존재하지 않을 경우, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균입경이 8.0 nm 초과로 지나치게 증가함에 따라, 상기 폴리아마이드 수지 내부에서 결정성을 갖는 부분이 차지하는 비율이나 그 크기가 과도하게 성장하게 되어 결정특성이 강하게 구현되어, 고분자 자체의 유연성이나 굽힘 내구성이 저하되고 또한 헤이즈값이 급격히 증가하게되어 투명성이 감소하게 될 수 있다.On the other hand, when an amorphous polymer chain does not exist between individual crystals in the polyamide resin, as the average particle diameter of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device increases to more than 8.0 nm, the polyamide The proportion or size of the portion having crystallinity in the resin is excessively grown, so that the crystal properties are strongly realized, the flexibility or bending durability of the polymer itself is lowered, and the haze value is sharply increased, which leads to a decrease in transparency. can

또한, 상기 폴리아미드 수지와 함께 첨가되는 실리카계 필러는 폴리아미드 수지 조성물로부터 얻어지는 고분자 필름의 표면 경도를 향상시킬 수 있을 뿐 아니라 황색 변성이 감소하여 투명성을 높일 수 있음을 실험을 통해서 확인하고 발명을 완성하였다.In addition, it was confirmed through experiments that the silica-based filler added together with the polyamide resin can improve the surface hardness of the polymer film obtained from the polyamide resin composition, as well as increase transparency by reducing yellowing denaturation. completed.

특히, 상기 실리카계 필러는 굴절률이 약 1.45로 폴리아미드 수지(굴절률: 1.66) 대비 낮아 실리카계 필러 첨가시 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지 조성물 또는 이로부터 얻어지는 고분자 필름의 전체 굴절률이 감소하게 되어, 전체 투과도가 향상되며 황색지수(YI)가 감소하게 되고, 하드코팅시 하드코팅층(굴절률 : 1.55) 과의 굴절률 차이를 좁혀 레인보우 현상을 방지할 수 있다.In particular, the silica-based filler has a refractive index of about 1.45, which is lower than that of the polyamide resin (refractive index: 1.66), so that when the silica-based filler is added, the total refractive index of the polyamide resin composition of the embodiment or the polymer film obtained therefrom is reduced, The transmittance is improved, the yellow index (YI) is reduced, and the rainbow phenomenon can be prevented by narrowing the refractive index difference with the hard coating layer (refractive index: 1.55) during hard coating.

구체적으로, 상기 폴리아미드 수지는 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하를 만족할 수 있다. 상기 폴리아미드 수지는 다수의 개별 결정을 포함할 수 있다. 상기 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 평균 입경은 상기 폴리아미드 수지에 포함되는 전체 결정의 입경을 확인하고, 이들 입경의 합계를 개별 결정의 개수로 나눈 수 평균 입경 계산 방법을 통해 구할 수 있다.Specifically, the polyamide resin may satisfy an average particle diameter of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device of 8.0 nm or less. The polyamide resin may comprise a plurality of individual crystals. The average particle diameter of the individual crystals contained in the polyamide resin can be obtained by checking the particle sizes of all crystals included in the polyamide resin, and calculating the number average particle size by dividing the sum of these particle sizes by the number of individual crystals.

상기 개별 결정의 평균 입경은 소각 X선 산란 장치에서 10 KeV 내지 20 KeV, 또는 10 KeV 내지 14 KeV, 또는 16 KeV 내지 20 KeV 의 에너지를 갖는 X선을 조사하여 얻어지는 산란 패턴을 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 분석장비를 통해 측정가능하다. The average particle diameter of the individual crystals is a scattering pattern obtained by irradiating X-rays with an energy of 10 KeV to 20 KeV, or 10 KeV to 14 KeV, or 16 KeV to 20 KeV in a small-angle X-ray scattering device using a solid sphere model. model) and can be measured through analysis equipment.

상기 조사되는 X선은 예를 들어, 10 KeV 내지 14 KeV 의 에너지를 갖는 X선과 16 KeV 내지 20 KeV 의 에너지를 갖는 X선을 함께 조사하는 방법을 사용할 수 있다.The irradiated X-rays may be irradiated with, for example, X-rays having an energy of 10 KeV to 14 KeV and X-rays having an energy of 16 KeV to 20 KeV.

상기 소각 X선 산란 장치로부터 얻어진 데이터인 산란 패턴은 20

Figure pat00003
내지 30
Figure pat00004
온도에서, 소각 X선 산란 장치를 이용하여 10 KeV 내지 20 KeV 에너지의 X선을 조사하여 측정되는 결과일 수 있다. 상기 소각 X선 산란 장치 내에서 검출기로서, 이미지 판(imaging Plate), 위치-민감성 검출기(PSPC; Position-sensitive detector) 등이 사용 가능하다.The scattering pattern, which is data obtained from the small-angle X-ray scattering device, is 20
Figure pat00003
to 30
Figure pat00004
At temperature, it may be a result measured by irradiating X-rays of 10 KeV to 20 KeV energy using a small-angle X-ray scattering device. As a detector in the small-angle X-ray scattering apparatus, an imaging plate, a position-sensitive detector (PSPC), or the like can be used.

이후, 상기 소각 X선 산란 장치 내부 또는 외부에 별도로 장착된 분석장비를 통해 상기 개별 결정의 평균 입경 분석이 진행될 수 있다. 상기 소각 X선 산란 장치의 예로는 PLS 9A beamline를 들 수 있고, 상기 분석장비의 예로는 컴퓨터 프로그램인 NIST SANS package을 들 수 있다.Thereafter, analysis of the average particle size of the individual crystals may be performed through an analysis equipment separately mounted inside or outside the small-angle X-ray scattering device. An example of the small-angle X-ray scattering device may include a PLS 9A beamline, and an example of the analysis device may include a computer program NIST SANS package.

구체적으로, 상기 개별 결정의 평균 입경은 시료에 함유된 개별 결정의 형태를 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 얻어지는 파수 q(단위:Å-1)와 산란 강도 I(단위:a.u.)의 플롯을 Schulz-Zimm distribution로 중첩적분(convolution)하여 얻어지는 결정의 직경분포곡선에 대하여, 컴퓨터 프로그램(NIST SANS package)의 계산을 통해 구할 수 있다. Specifically, the average particle diameter of the individual crystals is a plot of the wavenumber q (unit: Å -1 ) and the scattering intensity I (unit: au) obtained by fitting the shape of the individual crystals contained in the sample to a solid sphere model. The diameter distribution curve of the crystal obtained by convolution with the Schulz-Zimm distribution can be obtained through calculation of the computer program (NIST SANS package).

상기 결정은 0.1 nm 내지 15 nm의 입경을 갖는 개별 결정의 군(group)일 수 있으며, 이러한 군(group)에 포함되는 개별 결정은 0.8 nm 이하의 평균 입경을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 군(group)에 포함되는 개별 결정의 95%, 또는 99%가 0.8 nm 이하의 입경을 가질 수 있다. 즉, 상기 개별 결정의 대다수가 0.8 nm 이하, 또는 7 nm 이하, 또는 0.1 nm 내지 8.0 nm, 또는 0.1 nm 내지 7 nm, 또는 1 nm 내지 8 nm, 또는 1 nm 내지 7 nm, 또는 3 nm 내지 8 nm, 또는 3 nm 내지 7 nm, 또는 5 nm 내지 6.8 nm의 입경을 가짐에 따라, 개별 결정의 평균 입경 또한 상술한 범위를 만족할 수 있다.The crystals may be a group of individual crystals having a particle diameter of 0.1 nm to 15 nm, and individual crystals included in this group may have an average particle diameter of 0.8 nm or less. More specifically, 95%, or 99% of the individual crystals included in the group may have a particle size of 0.8 nm or less. That is, the majority of said individual crystals are 0.8 nm or less, or 7 nm or less, or 0.1 nm to 8.0 nm, or 0.1 nm to 7 nm, or 1 nm to 8 nm, or 1 nm to 7 nm, or 3 nm to 8 nm. As it has a particle diameter of nm, or 3 nm to 7 nm, or 5 nm to 6.8 nm, the average particle diameter of individual crystals may also satisfy the above-mentioned range.

보다 구체적으로, 상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경은 8.0 nm 이하, 또는 7 nm 이하, 또는 0.1 nm 내지 8.0 nm, 또는 0.1 nm 내지 7 nm, 또는 1 nm 내지 8 nm, 또는 1 nm 내지 7 nm, 또는 3 nm 내지 8 nm, 또는 3 nm 내지 7 nm, 또는 5 nm 내지 6.8 nm 일 수 있다.More specifically, the average particle diameter of the individual crystals measured by the small-angle X-ray scattering device is 8.0 nm or less, or 7 nm or less, or 0.1 nm to 8.0 nm, or 0.1 nm to 7 nm, or 1 nm to 8 nm, or 1 nm to 7 nm, or 3 nm to 8 nm, or 3 nm to 7 nm, or 5 nm to 6.8 nm.

구체적으로, 상기 소각 X선 산란 장치를 이용해 폴리아미드 수지 시료에 X선을 조사하게되면, 검출기를 통해 소각 X선 산란 패턴이 확보되며, 이를 분석장비를 통해 분석하게 되면, 폴리아미드 수지 시료내에 함유된 개별 결정의 평균 반입경(Rc) 값을 구할 수 있다. 이를 통해 최종적으로 상기 개별 결정의 평균 입경은 상술한 개별 결정의 평균 반입경(Rc)의 2배값을 계산하여 구할 수 있다. Specifically, when X-rays are irradiated to a polyamide resin sample using the small-angle X-ray scattering device, a small-angle X-ray scattering pattern is secured through a detector, and when it is analyzed through an analysis device, it is contained in the polyamide resin sample The average semi-diameter (R c ) value of individual crystals can be obtained. Through this, the average particle diameter of the individual crystals can be finally obtained by calculating a double value of the average half diameter (R c ) of the aforementioned individual crystals.

보다 구체적으로, 하기 도1에 기재된 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지의 결정 구조를 참조하여 설명하면, 상기 폴리아미드 수지는 다수의 개별 결정(1)과 함께, 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬(3)으로 구성되며, 상기 개별 결정에 대해 입경(2)이 정의될 수 있다. More specifically, referring to the crystal structure of the polyamide resin of one embodiment described in FIG. 1 below, the polyamide resin is an amorphous polymer present between individual crystals together with a plurality of individual crystals (1). Consisting of chains (3), a particle size (2) can be defined for each individual crystal.

한편, 상기 개별 결정(1)은 폴리아미드 수지 사슬들이 다발로 모여 형성될 수 있다. 특히, 폴리아미드 수지에 함유된 결정성의 고분자 블록간의 중첩을 통해 상기 개별 결정의 길이가 성장할 수 있으며, 중첩된 개별 결정의 형상을 구체적으로 특정하기 어려우나, 대략적으로 3차원 성장에 의한 구형(spherulite) 구조, 2차원 성장에 의한 라멜라(lamella) 구조, 또는 3차원과 2차원의 중간 형태의 구조를 가진다고 볼 수 있다. Meanwhile, the individual crystal 1 may be formed by gathering polyamide resin chains in a bundle. In particular, the length of the individual crystals can grow through the overlap between the crystalline polymer blocks contained in the polyamide resin, and it is difficult to specify the shape of the individual overlapped crystals, but it is approximately spherulite by three-dimensional growth. It can be considered to have a structure, a lamellar structure by two-dimensional growth, or a structure intermediate between three-dimensional and two-dimensional.

바람직하게는 상기 폴리아미드 수지는 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 차원수가 3.0 이상, 또는 3.0 내지 4.0일 수 있다. 상기 폴리아미드 수지의 개별 결정의 차원수는 소각 X선 산란 장치에서 10 KeV 내지 20 KeV, 또는 10 KeV 내지 14 KeV, 또는 16 KeV 내지 20 KeV 의 에너지를 갖는 X선을 조사하여 얻어지는 산란 패턴을 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 분석장비를 통해 측정가능하다. 상기 소각 X선 산란 장치와 이에 대한 분석 내용은 상기 개별 결정의 평균 입경에서 상술한 내용을 포함한다.Preferably, the polyamide resin may have a dimension number of 3.0 or more, or 3.0 to 4.0, of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device. The dimensional number of the individual crystals of the polyamide resin is a spherical scattering pattern obtained by irradiating X-rays having an energy of 10 KeV to 20 KeV, or 10 KeV to 14 KeV, or 16 KeV to 20 KeV in a small-angle X-ray scattering device. It can be measured through analysis equipment by fitting it to a solid sphere model. The small-angle X-ray scattering device and the analysis thereof include the above-mentioned contents in the average particle diameter of the individual crystals.

한편, 상기 폴리아미드 수지는, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬을 더 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 하기 도1에 기재된 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지의 결정 구조를 참조하여 설명하면, 상기 폴리아미드 수지는 다수의 개별 결정(1)과 함께, 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬(3)으로 구성될 수 있다.Meanwhile, the polyamide resin may further include an amorphous polymer chain existing between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less. More specifically, referring to the crystal structure of the polyamide resin of one embodiment described in FIG. 1 below, the polyamide resin is an amorphous polymer present between individual crystals together with a plurality of individual crystals (1). It may consist of a chain (3).

상기 무정형의 고분자 사슬에 의해, 상술한 개별 결정의 평균 입경 성장이 억제되어, 상기 폴리아미드 수지는 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하를 만족할 수 있다.The amorphous polymer chain suppresses the growth of the average particle size of the individual crystals described above, and the polyamide resin may satisfy the average particle size of the individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device of 8.0 nm or less.

이때, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이의 거리는 0.1 nm 내지 100 nm, 또는 1 nm 내지 100 nm, 또는 30 nm 내지 100 nm일 수 있다. 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이의 거리 또한, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정될 수 있다.In this case, the distance between the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less may be 0.1 nm to 100 nm, or 1 nm to 100 nm, or 30 nm to 100 nm. The distance between the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less may also be measured by a small-angle X-ray scattering device.

상기 폴리아미드 수지에서, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정의 구체적인 성분의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 결정성 폴리아미드 수지 제조에 사용되는 다양한 방향족 아미드 반복단위가 제한없이 적용될 수 있다.In the polyamide resin, examples of specific components of individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less as measured by a small-angle X-ray scattering device are not particularly limited, and various aromatic amide repeating units used for preparing the crystalline polyamide resin are limited. can be applied without

상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정의 성분의 일례를 들면, 1,4-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 제1 방향족 아미드 반복 단위를 포함할 수 있다. 상기 제1 방향족 아미드 반복단위로 이루어진 고분자 사슬들이 다발로 모여 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정을 형성할 수 있다.To give an example of a component of an individual crystal having an average particle diameter of 8.0 nm or less as measured by the small-angle X-ray scattering device, a first aromatic amide repeating unit derived from a combination of a 1,4-aromatic diacyl compound and an aromatic diamine compound may include Polymer chains composed of the first aromatic amide repeating unit may be gathered into bundles to form individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less.

상기 1,4-방향족 디아실 화합물의 구체적인 예로는 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산를 들 수 있다. 또한, 상기 방향족 디아민 단량체의 예로는, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), m-자일리렌디아민(m-xylylenediamine), p-자일리렌디아민(p-xylylenediamine) 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.Specific examples of the 1,4-aromatic diacyl compound include terephthaloyl chloride or terephthalic acid. In addition, examples of the aromatic diamine monomer include 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine), 4,4'-diaminodiphenyl sulfone (4,4'-diaminodiphenyl sulfone) , 4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline (4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone (bis(4-( 4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine (2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-diaminofluorene (2,7-diaminofluorene) ), 4,4-diaminooctafluorobiphenyl (4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-phenylenediamine (m-phenylenediamine), p-phenylenediamine (p-phenylenediamine), 4,4'-oxydianiline (4,4'-oxydianiline), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-bis[4-( 4-aminophenoxy) phenyl] propane (2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (1,3-bis (4- aminophenoxy)benzene), m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, and 4,4'-diaminobenzanilide selected from the group consisting of One or more types can be mentioned.

바람직하게는 상기 1,4-방향족 디아실 화합물은 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산을 포함하며, 상기 방향족 디아민 화합물은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민을 포함할 수 있다.Preferably, the 1,4-aromatic diacyl compound comprises terephthaloyl chloride or terephthalic acid, and the aromatic diamine compound is 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine may include.

보다 구체적으로, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정은 하기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제1폴리아미드 세그먼트를 포함할 수 있다.More specifically, the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less may include a repeating unit represented by the following Chemical Formula 1 or a first polyamide segment including a block consisting of the repeating unit.

[화학식1][Formula 1]

Figure pat00005
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상기 화학식1 에서, Ar1 는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다. In Formula 1, Ar 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms.

상기 화학식1에서, Ar1 는 알킬기, 할로알킬기, 및 아미노기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, 보다 바람직하게는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐렌기 일 수 있다.In Formula 1, Ar 1 is an arylene group having 6 to 20 carbon atoms substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an alkyl group, a haloalkyl group, and an amino group, more preferably 2,2′-bis(trifluoro methyl) -4,4'-biphenylene group.

보다 구체적으로, 상기 화학식1 에서, Ar1 는 방향족 디아민 단량체로부터 유도된 2가의 유기 작용기일 수 있으며, 상기 방향족 디아민 단량체의 구체적인 예로는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 방향족 디아민 단량체는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB) 또는 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine)일 수 있다.More specifically, in Formula 1, Ar 1 may be a divalent organic functional group derived from an aromatic diamine monomer, and specific examples of the aromatic diamine monomer include 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4 '-Biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine (2,2'-dimethyl-4,4 '- diaminobenzidine), 4,4'-diaminodiphenyl sulfone (4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-fluorenylidene) dianiline (4,4'-(9-fluorenylidene) ) dianiline), bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone (bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone), 2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine (2,2 ',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-diaminofluorene (2,7-diaminofluorene), 4,4-diaminooctafluorobiphenyl (4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-phenylenediamine ( m-phenylenediamine), p-phenylenediamine (p-phenylenediamine), 4,4'-oxydianiline (4,4'-oxydianiline), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl ( 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane ), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene), and 4,4'-diaminobenzanilide (4,4'-diaminobenzanilide) consisting of at least one selected from the group may be mentioned. More preferably, the aromatic diamine monomer is 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB ) or 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine).

상기 제1폴리아미드 세그먼트는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위로 이루어진 블록을 포함할 수 있다. The first polyamide segment may include a block including the repeating unit represented by Formula 1 or the repeating unit represented by Formula 1 above.

상기 화학식1로 표시되는 반복단위의 구체적인 예로는 하기 화학식1-1로 표시되는 반복단위를 들 수 있다.Specific examples of the repeating unit represented by the formula (1) include a repeating unit represented by the following formula (1-1).

[화학식1-1][Formula 1-1]

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식1로 표시되는 반복단위는 1,4-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 아미드 반복 단위, 구체적으로 테레프탈로일 클로라이드 또는 테레프탈산과 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 형성된 아미드 반복단위이며, 선형 분자 구조로 인하여, 고분자 내에서 체인 패킹과 배열(Align)이 일정하게 유지될 수 있고, 폴리아미드 필름의 표면 경도 및 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.The repeating unit represented by Formula 1 is an amide repeating unit derived from a combination of a 1,4-aromatic diacyl compound and an aromatic diamine compound, specifically, an amide formed by the amidation reaction of terephthaloyl chloride or terephthalic acid and an aromatic diamine monomer. It is a repeating unit, and due to its linear molecular structure, chain packing and alignment can be kept constant in the polymer, and the surface hardness and mechanical properties of the polyamide film can be improved.

상기 1,4-방향족 디아실 화합물의 구체적인 예로는 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산를 들 수 있다. 또한, 상기 방향족 디아민 단량체의 예로는, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), m-자일리렌디아민(m-xylylenediamine), p-자일리렌디아민(p-xylylenediamine) 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.Specific examples of the 1,4-aromatic diacyl compound include terephthaloyl chloride or terephthalic acid. In addition, examples of the aromatic diamine monomer include 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine), 4,4'-diaminodiphenyl sulfone (4,4'-diaminodiphenyl sulfone) , 4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline (4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone (bis(4-( 4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine (2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-diaminofluorene (2,7-diaminofluorene) ), 4,4-diaminooctafluorobiphenyl (4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-phenylenediamine (m-phenylenediamine), p-phenylenediamine (p-phenylenediamine), 4,4'-oxydianiline (4,4'-oxydianiline), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-bis[4-( 4-aminophenoxy) phenyl] propane (2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (1,3-bis (4- aminophenoxy)benzene), m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, and 4,4'-diaminobenzanilide selected from the group consisting of One or more types can be mentioned.

바람직하게는 상기 1,4-방향족 디아실 화합물은 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산을 포함하며, 상기 방향족 디아민 화합물은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민을 포함할 수 있다.Preferably, the 1,4-aromatic diacyl compound comprises terephthaloyl chloride or terephthalic acid, and the aromatic diamine compound is 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine may include.

상기 제1 폴리아미드 세그먼트의 수평균 분자량이 100 g/mol 내지 5000 g/mol, 또는 100 g/mol 내지 3000 g/mol, 또는 100 g/mol 내지 2500 g/mol, 또는 100 g/mol 내지 2450 g/mol일 수 있다. 상기 제1 폴리아미드 세그먼트의 수평균 분자량이 5000 g/mol 초과로 증가하게 되면, 상기 제1 폴리아미드 세그먼트의 사슬이 지나치게 길어짐에 따라, 폴리아미드 수지의 결정성이 증가할 수 있고, 이에 따라 높은 헤이즈값을 가져 투명성을 확보하기 어려울 수 있다. 상기 제1 폴리아미드 세그먼트의 수평균 분자량은 측정하는 방법의 예가 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, SAXS(Small-angle X-ray scattering) 분석을 통해 확인할 수 있다.The number average molecular weight of the first polyamide segment is from 100 g/mol to 5000 g/mol, or from 100 g/mol to 3000 g/mol, or from 100 g/mol to 2500 g/mol, or from 100 g/mol to 2450 g/mol. When the number average molecular weight of the first polyamide segment is increased to more than 5000 g/mol, as the chain of the first polyamide segment becomes excessively long, the crystallinity of the polyamide resin may increase, and thus high It may be difficult to secure transparency by having a haze value. Although an example of a method for measuring the number average molecular weight of the first polyamide segment is not limited, for example, it may be confirmed through small-angle X-ray scattering (SAXS) analysis.

상기 제1폴리아미드 세그먼트는 하기 화학식5로 표시될 수 있다. The first polyamide segment may be represented by Formula 5 below.

[화학식5][Formula 5]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식5 에서, Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이고, a는 1 내지 5의 정수이다. 상기 화학식 5에서, a가 1인 경우, 상기 화학식5는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위일 수 있다. 상기 화학식 5에서, a가 2 내지 5인 경우, 상기 화학식5는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위로 이루어진 블록일 수 있다. 상기 화학식5 에서, Ar1에 대한 설명은 상기 화학식1에서 상술한 내용을 포함한다.In Formula 5, Ar 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms, and a is an integer of 1 to 5. In Formula 5, when a is 1, Formula 5 may be a repeating unit represented by Formula 1 above. In Formula 5, when a is 2 to 5, Formula 5 may be a block composed of the repeating unit represented by Formula 1 above. In Formula 5, the description of Ar 1 includes the contents described above in Formula 1 above.

상기 폴리아미드 수지에 함유된 모든 반복단위를 기준으로, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위의 비율이 40 몰% 내지 95 몰%, 50 몰% 내지 95 몰%, 또는 60 몰% 내지 95 몰%, 또는 70 몰% 내지 95 몰%, 또는 50 몰% 내지 90 몰%, 또는 50 몰% 내지 85 몰%, 또는 60 몰% 내지 85 몰%, 또는 70 몰% 내지 85 몰%, 또는 80 몰% 내지 85 몰%, 또는 82 몰% 내지 85 몰%일 수 있다. Based on all the repeating units contained in the polyamide resin, the proportion of the repeating unit represented by Formula 1 is 40 mol% to 95 mol%, 50 mol% to 95 mol%, or 60 mol% to 95 mol%, or from 70 mol% to 95 mol%, or from 50 mol% to 90 mol%, or from 50 mol% to 85 mol%, or from 60 mol% to 85 mol%, or from 70 mol% to 85 mol%, or from 80 mol% to 85 mole %, or 82 mole % to 85 mole %.

이처럼, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위가 상술한 함량으로 함유된 폴리아미드 수지는 충분한 수준의 분자량을 확보하여 우수한 기계적 물성을 확보할 수 있다.As such, the polyamide resin containing the repeating unit represented by Chemical Formula 1 in the above content may secure a sufficient level of molecular weight to secure excellent mechanical properties.

또한, 상기 폴리아미드 수지에서, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬의 구체적인 성분의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 무정형 폴리아미드 수지 제조에 사용되는 다양한 방향족 아미드 반복단위가 제한없이 적용될 수 있다. In addition, in the polyamide resin, examples of specific components of the amorphous polymer chain present between the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less are not particularly limited, and various aromatic amides used in the preparation of the amorphous polyamide resin The repeating unit can be applied without limitation.

상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬 성분의 일례를 들면, 1,2-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 제2 방향족 아미드 반복 단위, 또는 1,3-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 제3 방향족 아미드 반복 단위, 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상술한 제2 방향족 아미드 반복단위 또는 제3 방향족 아미드 반복단위로 이루어진 고분자 사슬들은 무정형의 특성을 구현할 수 있다.An example of an amorphous polymer chain component existing between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less as measured by the small-angle X-ray scattering device is derived from a combination of a 1,2-aromatic diacyl compound and an aromatic diamine compound a second aromatic amide repeating unit, or a third aromatic amide repeating unit derived from a combination of a 1,3-aromatic diacyl compound and an aromatic diamine compound, or a mixture thereof. Polymer chains composed of the above-described second aromatic amide repeating unit or third aromatic amide repeating unit may implement amorphous characteristics.

상기 1,2-방향족 디아실 화합물의 구체적인 예로는 프탈로일 클로라이드, 또는 프탈산을 들 수 있다. 또한, 상기 1,3-방향족 디아실 화합물의 구체적인 예로는 이소프탈로일 클로라이드 또는 이소프탈산을 들 수 있다. 상기 방향족 디아민 단량체의 예로는, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), m-자일리렌디아민(m-xylylenediamine), p-자일리렌디아민(p-xylylenediamine) 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.Specific examples of the 1,2-aromatic diacyl compound include phthaloyl chloride or phthalic acid. In addition, specific examples of the 1,3-aromatic diacyl compound may include isophthaloyl chloride or isophthalic acid. Examples of the aromatic diamine monomer include 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2, 2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine), 4,4'-diaminodiphenyl sulfone (4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4 ,4'-(9-fluorenylidene)dianiline (4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone (bis(4-(4- aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine (2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-diaminofluorene (2,7-diaminofluorene), 4,4-diaminooctafluorobiphenyl (4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-phenylenediamine (m-phenylenediamine), p-phenylenediamine (p-phenylenediamine), 4,4'-oxydianiline (4 ,4'-oxydianiline), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-bis[4-(4- Aminophenoxy) phenyl] propane (2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (1,3-bis (4-aminophenoxy) One selected from the group consisting of benzene), m-xylylenediamine, p-xylylenediamine, and 4,4'-diaminobenzanilide more can be mentioned.

바람직하게는 상기 1,2-방향족 디아실 화합물은 프탈로일 클로라이드, 또는 프탈산을 포함하며, 상기 1,3-방향족 디아실 화합물은 이소프탈로일 클로라이드 또는 이소프탈산을 포함하고, 상기 방향족 디아민 화합물은 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민을 포함할 수 있다.Preferably, the 1,2-aromatic diacyl compound comprises phthaloyl chloride or phthalic acid, the 1,3-aromatic diacyl compound comprises isophthaloyl chloride or isophthalic acid, and the aromatic diamine compound comprises: 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine.

보다 구체적으로, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제1폴리아미드 세그먼트를 포함한 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬은, 하기 화학식2로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제2폴리아미드 세그먼트를 포함할 수 있다.More specifically, the amorphous polymer chain present between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less including the first polyamide segment including the repeating unit represented by the formula (1) or a block consisting of the repeating unit is represented by the following formula (2) It may include a second polyamide segment including a repeating unit represented by or a block consisting of the repeating unit.

[화학식2][Formula 2]

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 2 에서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.In Formula 2, Ar 2 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms.

상기 화학식2에서, Ar2 는 알킬기, 할로알킬기, 및 아미노기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 치환기로 치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며, 보다 바람직하게는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐렌기 일 수 있다.In Formula 2, Ar 2 is an arylene group having 6 to 20 carbon atoms substituted with one or more substituents selected from the group consisting of an alkyl group, a haloalkyl group, and an amino group, more preferably 2,2'-bis(trifluoro methyl) -4,4'-biphenylene group.

보다 구체적으로, 상기 화학식2 에서, Ar2 는 방향족 디아민 단량체로부터 유도된 2가의 유기 작용기일 수 있으며, 상기 방향족 디아민 단량체의 구체적인 예로는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 방향족 디아민 단량체는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB) 또는 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine)일 수 있다.More specifically, in Formula 2, Ar 2 may be a divalent organic functional group derived from an aromatic diamine monomer, and specific examples of the aromatic diamine monomer include 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4 '-Biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine (2,2'-dimethyl-4,4 '- diaminobenzidine), 4,4'-diaminodiphenyl sulfone (4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-fluorenylidene) dianiline (4,4'-(9-fluorenylidene) ) dianiline), bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone (bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone), 2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine (2,2 ',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-diaminofluorene (2,7-diaminofluorene), 4,4-diaminooctafluorobiphenyl (4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-phenylenediamine ( m-phenylenediamine), p-phenylenediamine (p-phenylenediamine), 4,4'-oxydianiline (4,4'-oxydianiline), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl ( 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane ), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene), and 4,4'-diaminobenzanilide (4,4'-diaminobenzanilide) consisting of at least one selected from the group may be mentioned. More preferably, the aromatic diamine monomer is 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB ) or 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine).

상기 제2폴리아미드 세그먼트는 상기 화학식2로 표시되는 반복단위, 또는 상기 화학식2로 표시되는 반복단위로 이루어진 블록을 포함할 수 있다. The second polyamide segment may include a block composed of the repeating unit represented by the formula (2) or the repeating unit represented by the formula (2).

보다 구체적으로, 상기 화학식2로 표시되는 반복단위는, 하기 화학식2-1로 표시되는 반복단위; 또는 하기 화학식2-2로 표시되는 반복단위; 중 1종의 반복단위를 포함할 수 있다.More specifically, the repeating unit represented by the formula (2) may include a repeating unit represented by the following formula (2-1); or a repeating unit represented by the following formula 2-2; One type of repeating unit may be included.

[화학식2-1][Formula 2-1]

Figure pat00009
Figure pat00009

[화학식2-2][Formula 2-2]

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 화학식2-1 내지 2-2에서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다. Ar2에 관한 자세한 설명은 상기 화학식2에서 상술한 내용을 포함한다.In Formulas 2-1 to 2-2, Ar 2 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms. A detailed description of Ar 2 includes the details described above in Formula 2 above.

상기 화학식2-1로 표시되는 반복단위는 이소프탈로일 클로라이드 또는 이소프탈산과 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 형성된 반복단위이며, 상기 화학식2-2로 표시되는 반복단위는 프탈로일 클로라이드 또는 프탈산와 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 형성된 반복단위이다.The repeating unit represented by Formula 2-1 is a repeating unit formed by the amidation reaction of isophthaloyl chloride or isophthalic acid with an aromatic diamine monomer, and the repeating unit represented by Formula 2-2 is phthaloyl chloride or phthalic acid and an aromatic It is a repeating unit formed by the amidation reaction of a diamine monomer.

상기 화학식2-1로 표시되는 반복단위의 구체적인 예로는 하기 화학식2-4로 표시되는 반복단위를 들 수 있다.Specific examples of the repeating unit represented by Formula 2-1 may include a repeating unit represented by Formula 2-4 below.

[화학식2-4][Formula 2-4]

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식2-2로 표시되는 반복단위의 구체적인 예로는 하기 화학식2-5로 표시되는 반복단위를 들 수 있다.Specific examples of the repeating unit represented by Formula 2-2 include a repeating unit represented by Formula 2-5 below.

[화학식2-5][Formula 2-5]

Figure pat00012
Figure pat00012

한편, 상기 제2폴리아미드 세그먼트는 하기 화학식6으로 표시될 수 있다.Meanwhile, the second polyamide segment may be represented by the following formula (6).

[화학식6][Formula 6]

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 화학식6 에서, Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이고, b는 1 내지 3, 또는 1 내지 2의 정수이다. 상기 화학식 6에서, b가 1인 경우, 상기 화학식6는 상기 화학식2로 표시되는 반복단위일 수 있다. 상기 화학식6에서, b가 2 내지 3인 경우, 상기 화학식6는 상기 화학식2로 표시되는 반복단위로 이루어진 블록일 수 있다. In Formula 6, Ar 2 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms, and b is an integer of 1 to 3, or 1 to 2 . In Formula 6, when b is 1, Formula 6 may be a repeating unit represented by Formula 2 above. In Formula 6, when b is 2 to 3, Formula 6 may be a block composed of the repeating unit represented by Formula 2 above.

상기 화학식2로 표시되는 반복단위는 이소프탈로일 클로라이드, 이소프탈산 또는 프탈로일 클로라이드, 프탈산과 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 형성된 반복단위이며, 굽은형 분자 구조로 인하여, 고분자 내에서 체인 패킹과 배열(Align)을 방해하는 성격을 가지고 있으며, 폴리아미드 수지에 무정형 영역을 증가시켜, 폴리아미드 필름의 광학적 물성 및 내절 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위와 함께 폴리아미드 수지에 포함됨에 따라, 폴리아미드 수지의 분자량을 증가시킬 수 있다.The repeating unit represented by Formula 2 is a repeating unit formed by the amidation reaction of isophthaloyl chloride, isophthalic acid or phthaloyl chloride, phthalic acid and an aromatic diamine monomer, and due to the curved molecular structure, chain packing and It has a property of disturbing alignment, and by increasing the amorphous area in the polyamide resin, it is possible to improve the optical properties and bending strength of the polyamide film. In addition, by being included in the polyamide resin together with the repeating unit represented by Chemical Formula 1, the molecular weight of the polyamide resin may be increased.

상기 폴리아미드 수지에 함유된 모든 반복단위를 기준으로, 상기 화학식2로 표시되는 반복단위의 비율이 5 몰% 내지 60 몰%, 5 몰% 내지 50 몰%, 또는 5 몰% 내지 40 몰%, 또는 5 몰% 내지 30 몰%, 또는 10 몰% 내지 50 몰%, 또는 15 몰% 내지 50 몰%, 또는 15 몰% 내지 40 몰%, 또는 15 몰% 내지 30 몰%, 또는 15 몰% 내지 20 몰%, 또는 15 몰% 내지 18 몰%일 수 있다. Based on all the repeating units contained in the polyamide resin, the proportion of the repeating unit represented by Formula 2 is 5 mol% to 60 mol%, 5 mol% to 50 mol%, or 5 mol% to 40 mol%, or from 5 mol% to 30 mol%, or from 10 mol% to 50 mol%, or from 15 mol% to 50 mol%, or from 15 mol% to 40 mol%, or from 15 mol% to 30 mol%, or from 15 mol% to 20 mol %, or 15 mol % to 18 mol %.

이처럼, 상기 화학식2로 표시되는 반복단위가 상술한 함량으로 함유된 폴리아미드 수지는 상기 화학식1로 표시되는 특정 반복단위만로 이루어진 사슬의 길이성장을 저해하여, 수지의 결정성을 낮출 수 있고, 이에 따라 낮은 헤이즈값을 가져 우수한 투명성을 확보할 수 있다.As such, the polyamide resin containing the repeating unit represented by Chemical Formula 2 in the above content inhibits the length growth of a chain consisting of only the specific repeating unit represented by Chemical Formula 1, thereby lowering the crystallinity of the resin, Accordingly, it is possible to secure excellent transparency by having a low haze value.

보다 구체적으로, 상기 폴리아미드 수지에 함유된 모든 반복단위를 기준으로, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위의 함량이 60 몰% 내지 95 몰%, 또는 70 몰% 내지 95 몰%, 또는 50 몰% 내지 90 몰%, 또는 50 몰% 내지 85 몰%, 또는 60 몰% 내지 85 몰%, 또는 70 몰% 내지 85 몰%, 또는 80 몰% 내지 85 몰%, 또는 82 몰% 내지 85 몰%이고, 상기 화학식2로 표시되는 반복단위의 함량이 5 몰% 내지 40 몰%, 또는 5 몰% 내지 30 몰%, 또는 10 몰% 내지 50 몰%, 또는 15 몰% 내지 50 몰%, 또는 15 몰% 내지 40 몰%, 또는 15 몰% 내지 30 몰%, 또는 15 몰% 내지 20 몰%, 또는 15 몰% 내지 18 몰%일 수 있다.More specifically, based on all the repeating units contained in the polyamide resin, the content of the repeating unit represented by Formula 1 is 60 mol% to 95 mol%, or 70 mol% to 95 mol%, or 50 mol% to 90 mol%, or from 50 mol% to 85 mol%, or from 60 mol% to 85 mol%, or from 70 mol% to 85 mol%, or from 80 mol% to 85 mol%, or from 82 mol% to 85 mol%; , wherein the content of the repeating unit represented by Formula 2 is 5 mol% to 40 mol%, or 5 mol% to 30 mol%, or 10 mol% to 50 mol%, or 15 mol% to 50 mol%, or 15 mol% % to 40 mol%, alternatively from 15 mol% to 30 mol%, alternatively from 15 mol% to 20 mol%, alternatively from 15 mol% to 18 mol%.

즉, 상기 폴리아미드 수지는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위의 몰 함량을 높여, 화학식1로 표시되는 반복단위의 선형 분자 구조에 의한 고분자 내에서 체인 패킹과 배열(Align)에 따른 폴리아미드 필름의 표면 경도 및 기계적 물성 향상효과를 극대화 시키면서도, 화학식2로 표시되는 반복단위가 상대적으로 적은 몰 함량임에도 불구하고 상기 화학식1로 표시되는 특정 반복단위만로 이루어진 사슬의 길이성장을 저해하여, 수지의 결정성을 낮출 수 있고, 이에 따라 낮은 헤이즈값을 가져 우수한 투명성을 확보할 수 있다.That is, the polyamide resin increases the molar content of the repeating unit represented by the formula (1), and the polyamide film according to the chain packing and alignment in the polymer by the linear molecular structure of the repeating unit represented by the formula (1). While maximizing the effect of improving surface hardness and mechanical properties, even though the repeating unit represented by Formula 2 has a relatively small molar content, it inhibits the length growth of a chain composed of only a specific repeating unit represented by Formula 1, thereby determining the resin The properties can be lowered, and thus, excellent transparency can be secured by having a low haze value.

한편, 상기 제1폴리아미드 세그먼트 및 제2폴리아미드 세그먼트는 하기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위를 포함한 주쇄를 형성할 수 있다. 즉, 상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정에 포함된 제1 폴리아미드 세그먼트는 상기 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬에 포함된 제2 폴리아미드 세그먼트와 하기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위를 형성할 수 있다.Meanwhile, the first polyamide segment and the second polyamide segment may form a main chain including a cross repeating unit represented by Formula 3 below. That is, the first polyamide segment included in the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less measured by the small-angle X-ray scattering device is the second polyamide segment included in the amorphous polymer chain present between the individual crystals and A cross repeating unit represented by the following Chemical Formula 3 may be formed.

이에 따라, 상기 일 구현예의 폴리아미드수지는 하기 도1에 나타난 결정 구조와 같이, 다수의 개별결정과 무정형의 고분자 사슬이 반복되는 구조를 가지게 되며, 개별결정만의 지속적인 크기 성장을 억제할 수 있다. 이를 통해, 상기 개별 결정은 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하로 축소될 수 있다.Accordingly, the polyamide resin of one embodiment has a structure in which a plurality of individual crystals and amorphous polymer chains are repeated, as shown in the crystal structure shown in FIG. 1 below, and the continuous size growth of only individual crystals can be suppressed. . Through this, the individual crystals may have an average particle diameter measured by a small-angle X-ray scattering device to be reduced to 8.0 nm or less.

[화학식3][Formula 3]

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 화학식3에서, A는 상기 제1폴리아미드 세그먼트이고, B는 상기 제2폴리아미드 세그먼트이다.In Formula 3, A is the first polyamide segment, and B is the second polyamide segment.

구체적으로, 상기 폴리아미드 수지의 주쇄는 상기 화학식3과 같이, 테레프탈로일 클로라이드 또는 테레프탈산으로부터 유도된 제1 폴리아미드 세그먼트와 이소프탈로일 클로라이드, 이소프탈산 또는 프탈로일 클로라이드, 프탈산으로부터 유도된 제2 폴리아미드 세그먼트가 서로 번갈아가며(alternatively) 중합사슬을 이룰 수 있다. 즉, 상기 제2 폴리아미드 세그먼트가 제1폴리아미드 세그먼트 사이에 위치하며, 제1폴리아미드 세그먼트의 길이 성장을 억제하는 역할을 할 수 있다.Specifically, as shown in Formula 3, the main chain of the polyamide resin comprises a first polyamide segment derived from terephthaloyl chloride or terephthalic acid and a second polyamide segment derived from isophthaloyl chloride, isophthalic acid or phthaloyl chloride, and phthalic acid. Polyamide segments may alternately form polymeric chains with each other. That is, the second polyamide segment is positioned between the first polyamide segments, and may serve to inhibit the length growth of the first polyamide segment.

상기 제2 폴리아미드 세그먼트는 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬에 포함되며, 상기 제1폴리아미드 세그먼트는 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정에 포함되기 때문에, 상기 폴리아미드 수지에서 상기 무정형의 고분자 사슬이 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정 사이에 위치하면서, 개별 결정의 크기 성장을 억제하는 역할을 할 수 있다. 이는 하기 도1에 나타난 결정 구조를 통해서도 확인할 수 있다.The second polyamide segment is included in the amorphous polymer chain existing between the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less, and the first polyamide segment is included in the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less. Because it is included, in the polyamide resin, the amorphous polymer chain is positioned between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less, and can serve to inhibit the size growth of individual crystals. This can also be confirmed through the crystal structure shown in Figure 1 below.

이처럼, 상기 개별 결정의 크기 성장이 억제되면, 개별 결정에 의한 결정특성이 감소하면서, 폴리아미드 수지의 헤이즈값을 현저히 낮출 수 있기 때문에, 우수한 투명성 구현이 가능하다. As such, when the size growth of the individual crystals is suppressed, the haze value of the polyamide resin can be significantly lowered while the crystal properties of the individual crystals are reduced, so that excellent transparency can be realized.

한편, 상기 폴리아미드 수지의 주쇄가 상기 화학식3과 같이, 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산으로부터 유도된 제1 폴리아미드 세그먼트와 이소프탈로일 클로라이드, 이소프탈산 또는 프탈로일 클로라이드, 프탈산으로부터 유도된 제2 폴리아미드 세그먼트가 서로 번갈아가며(alternatively) 중합사슬을 이루는 것은, 후술하는 본 발명의 폴리아미드 수지 제조방법상 용융혼련복합체 형성에 따른 것으로 보인다.On the other hand, as shown in Formula 3, the main chain of the polyamide resin has a first polyamide segment derived from terephthaloyl chloride or terephthalic acid and a second polyamide segment derived from isophthaloyl chloride, isophthalic acid or phthaloyl chloride, and phthalic acid. The fact that the polyamide segments alternately form a polymer chain appears to be due to the formation of a melt-kneaded complex in the polyamide resin manufacturing method of the present invention, which will be described later.

보다 구체적인 예를 들어 설명하면, 상기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위는 하기 화학식4로 표시되는 반복단위일 수 있다.As a more specific example, the cross-repeating unit represented by Formula 3 may be a repeating unit represented by Formula 4 below.

[화학식4][Formula 4]

Figure pat00015
Figure pat00015

상기 화학식4 에서, Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이고, a1 및 a2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 10, 또는 1 내지 5의 정수이고, b1 및 b2는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 1 내지 5, 또는 1 내지 3의 정수이다.In Formula 4, Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms, and a1 and a2 are the same as each other or different, each independently an integer of 1 to 10, or 1 to 5, b1 and b2 are the same as or different from each other, and are each independently an integer of 1 to 5, or 1 to 3;

상기 화학식4에서, a1, 또는 a2의 반복단위수를 갖는 결정성의 고분자 블록(테레프탈로일 클로라이드 또는 테레프탈산로부터 유도됨)은 상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정을 이룰 수 있다. 또한, 상기 화학식4에서, b1, 또는 b2의 반복단위수를 갖는 비결정성의 고분자 블록(이소프탈로일 클로라이드, 이소프탈산 또는 프탈로일 클로라이드, 프탈산으로부터 유도됨)은 상기 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 평균 입경이 8.0 nm 이하인 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬을 이룰 수 있다.In the above formula (4), the crystalline polymer block (derived from terephthaloyl chloride or terephthalic acid) having a number of repeating units of a1 or a2 is an individual crystal having an average particle diameter of 8.0 nm or less as measured by the small-angle X-ray scattering device. can be achieved In addition, in Formula 4, the amorphous polymer block having the number of repeating units of b1 or b2 (derived from isophthaloyl chloride, isophthalic acid or phthaloyl chloride, phthalic acid) is produced by the small-angle X-ray scattering device. It is possible to form an amorphous polymer chain existing between individual crystals having a measured average particle diameter of 8.0 nm or less.

즉, 상기 폴리아미드 수지는 상기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제1폴리아미드 세그먼트; 및 상기 화학식2로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제2폴리아미드 세그먼트;를 포함하고, 상기 제1폴리아미드 세그먼트 및 제2폴리아미드 세그먼트는 상기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위를 포함한 주쇄를 형성할 수 있다.That is, the polyamide resin may include a first polyamide segment including a repeating unit represented by Chemical Formula 1 or a block thereof; and a second polyamide segment including the repeating unit represented by the formula (2) or a block consisting of the repeating unit represented by the formula (2), wherein the first polyamide segment and the second polyamide segment include the cross repeating unit represented by the formula (3) can form a main chain.

본 발명자들은 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지와 같이, 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하로 감소함에 따라, 폴리아미드 수지 내부에 테레프탈로일 클로라이드 또는 테레프탈산으로부터 유도된 반복단위로 이루어진 고분자 블록(이하, 제1 폴리아미드 세그먼트)의 길이 성장을 최소화하여, 폴리아미드 수지의 결정성을 낮춰 투명한 폴리아미드 수지를 구현할 수 있음을 실험을 통해 확인하고 발명을 완성하였다.The present inventors found that as the average particle diameter of individual crystals decreases to 8.0 nm or less, as in the polyamide resin of one embodiment, a polymer block (hereinafter, The invention was completed after confirming through experiments that a transparent polyamide resin could be realized by reducing the crystallinity of the polyamide resin by minimizing the length growth of the first polyamide segment).

구체적으로, 상기 폴리아미드 수지의 주쇄는 테레프탈로일 클로라이드 또는 테레프탈산으로부터 유도된 결정성의 고분자 블록(이하, 제1 폴리아미드 세그먼트)과 이소프탈로일 클로라이드, 이소프탈산 또는 프탈로일 클로라이드, 프탈산으로부터 유도된 비결정성의 고분자 블록(제2 폴리아미드 세그먼트)이 서로 번갈아가며(alternatively) 중합사슬을 이룰 수 있다. 즉, 상기 제2 폴리아미드 세그먼트가 제1폴리아미드 세그먼트 사이에 위치하며, 제1폴리아미드 세그먼트의 길이 성장을 억제하는 역할을 할 수 있다.Specifically, the main chain of the polyamide resin is a crystalline polymer block derived from terephthaloyl chloride or terephthalic acid (hereinafter, the first polyamide segment) and isophthaloyl chloride, isophthalic acid or phthaloyl chloride, derived from phthalic acid. Amorphous polymer blocks (second polyamide segments) may alternately form a polymer chain. That is, the second polyamide segment is positioned between the first polyamide segments, and may serve to inhibit the length growth of the first polyamide segment.

이때, 상기 제1폴리아미드 세그먼트는 폴리아미드 수지의 개별 결정에 포함되어 결정 특성을 발현하며, 상기 제2폴리아미드 세그먼트는 상기 개별 결정들 사이에는 무정형의 고분자 사슬에 포함되어 비정질의 특성을 발현하게 된다.In this case, the first polyamide segment is included in individual crystals of the polyamide resin to express crystal properties, and the second polyamide segment is included in an amorphous polymer chain between the individual crystals to express amorphous properties. do.

따라서, 상기 제1폴리아미드 세그먼트의 길이 성장이 억제되면, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 상대적으로 작게 측정되며, 상기 폴리아미드 수지는 제1폴리아미드 세그먼트의 결정특성이 감소하면서, 헤이즈값을 현저히 낮출 수 있기 때문에, 우수한 투명성 구현이 가능하다. Therefore, when the length growth of the first polyamide segment is suppressed, the average particle diameter of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device is measured to be relatively small, and the polyamide resin has a crystal characteristic of the first polyamide segment. Since the haze value can be significantly lowered while decreasing, excellent transparency can be realized.

반대로, 상기 제2 폴리아미드 세그먼트에 의한 제1폴리아미드 세그먼트의 길이 성장 억제효과가 감소하여, 제1폴리아미드 세그먼트의 길이 성장이 과도하게 진행될 경우, 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 상대적으로 크게 측정되며, 상기 폴리아미드 수지는 제1폴리아미드 세그먼트의 결정특성이 증가하면서, 헤이즈값을 급격히 증가하면서 투명성이 불량해질 수 있다. Conversely, when the length growth inhibitory effect of the first polyamide segment by the second polyamide segment is decreased and the length growth of the first polyamide segment is excessively progressed, the individual crystals measured by the small-angle X-ray scattering device The average particle diameter is measured to be relatively large, and the transparency of the polyamide resin may be deteriorated while the haze value of the first polyamide segment is increased and the haze value is rapidly increased.

그러면서도 상기 폴리아미드 수지는 충분한 수준의 중량평균 분자량을 가질 수 있어, 이를 통해 충분한 수준의 기계적 물성도 달성할 수 있다.Nevertheless, the polyamide resin may have a sufficient level of weight average molecular weight, thereby achieving a sufficient level of mechanical properties.

한편, 상기 폴리아미드 수지는 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 결정화도가 20% 이하, 또는 1% 내지 20%일 수 있다. 상기 폴리아미드 수지의 결정화도는 소각 X선 산란 장치에서 10 KeV 내지 20 KeV, 또는 10 KeV 내지 14 KeV, 또는 16 KeV 내지 20 KeV 의 에너지를 갖는 X선을 조사하여 얻어지는 산란 패턴을 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 분석장비를 통해 측정가능하다. 상기 소각 X선 산란 장치와 이에 대한 분석 내용은 상기 개별 결정의 평균 입경에서 상술한 내용을 포함한다.Meanwhile, the polyamide resin may have a degree of crystallinity measured by a small-angle X-ray scattering device of 20% or less, or 1% to 20%. The crystallinity of the polyamide resin is determined by irradiating X-rays having an energy of 10 KeV to 20 KeV, or 10 KeV to 14 KeV, or 16 KeV to 20 KeV in a small-angle X-ray scattering device using a solid sphere model. model) and can be measured through analysis equipment. The small-angle X-ray scattering device and the analysis thereof include the above-mentioned contents in the average particle diameter of the individual crystals.

상기 폴리아미드 수지의 중량평균 분자량이 330000 g/mol 이상, 420000 g/mol 이상, 또는 500000 g/mol 이상, 또는 330000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 500000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 800000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 600000 g/mol, 또는 450000 g/mol 내지 550000 g/mol 일 수 있다.The weight average molecular weight of the polyamide resin is 330000 g/mol or more, 420000 g/mol or more, or 500000 g/mol or more, or 330000 g/mol to 1000000 g/mol, or 420000 g/mol to 1000000 g/mol, or 500000 g/mol to 1000000 g/mol, or 420000 g/mol to 800000 g/mol, or 420000 g/mol to 600000 g/mol, or 450000 g/mol to 550000 g/mol.

상기 폴리아미드 수지의 중량평균 분자량이 높게 측정되는 것은, 후술하는 본 발명의 다른 구현예의 폴리아미드 수지 제조방법상 용융혼련복합체 형성에 따른 것으로 보인다. 상기 폴리아미드 수지는 중량평균 분자량이 330000 g/mol 미만으로 감소하게 되면, 굴곡성, 연필경도 등의 기계적 물성이 감소하는 문제가 있다. The high weight average molecular weight of the polyamide resin appears to be due to the formation of a melt-kneaded complex in the polyamide resin manufacturing method according to another embodiment of the present invention, which will be described later. When the weight average molecular weight of the polyamide resin is reduced to less than 330000 g/mol, there is a problem in that mechanical properties such as flexibility and pencil hardness are reduced.

상기 폴리아미드 수지의 분자량 분포가 3.0 이하, 또는 2.9 이하, 또는 2.8 이하, 또는 1.5 내지 3.0, 또는 1.5 내지 2.9, 또는 1.6 내지 2.8, 또는 1.8 내지 2.8일 수 있다. 이러한 좁은 범위의 분자량분포를 통해 상기 폴리아미드 수지는 굴곡특성 내지 경도특성과 같은 기계적 물성이 향상될 수 있다. 상기 폴리아미드 수지의 분자량 분포가 3.0 초과로 지나치게 넓어지게 되면, 상술한 기계적물성을 충분한 수준까지 향상시키기 어려운 한계가 있다.The molecular weight distribution of the polyamide resin may be 3.0 or less, or 2.9 or less, or 2.8 or less, or 1.5 to 3.0, or 1.5 to 2.9, or 1.6 to 2.8, or 1.8 to 2.8. Through such a narrow molecular weight distribution, the polyamide resin may have improved mechanical properties such as flexural properties and hardness properties. When the molecular weight distribution of the polyamide resin is excessively wide beyond 3.0, there is a limit in that it is difficult to improve the above-described mechanical properties to a sufficient level.

상기 폴리아미드 수지의 ASTM D1003에 의해 측정한 헤이즈가 3.0% 이하, 또는 1.5% 이하, 1.00% 이하, 또는 0.85%이하, 또는 0.10% 내지 3.0%, 또는 0.10% 내지 1.5%, 또는 0.10% 내지 1.00%, 또는 0.50% 내지 1.00%, 또는 0.80% 내지 1.00%, 또는 0.81% 내지 0.97%일 수 있다. 상기 폴리아미드 수지의 ASTM D1003에 의해 측정한 헤이즈가 3.0% 초과로 증가하게 되면, 불투명성이 증대되어 충분한 수준의 투명성을 확보하기 어렵다.The polyamide resin has a haze measured by ASTM D1003 of 3.0% or less, or 1.5% or less, 1.00% or less, or 0.85% or less, or 0.10% to 3.0%, or 0.10% to 1.5%, or 0.10% to 1.00 %, alternatively from 0.50% to 1.00%, alternatively from 0.80% to 1.00%, alternatively from 0.81% to 0.97%. When the haze measured by ASTM D1003 of the polyamide resin is increased to more than 3.0%, opacity is increased and it is difficult to secure a sufficient level of transparency.

바람직하게는, 상기 폴리아미드 수지는 중량평균 분자량이 330000 g/mol 이상, 420000 g/mol 이상, 또는 500000 g/mol 이상, 또는 330000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 500000 g/mol 내지 1000000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 800000 g/mol, 또는 420000 g/mol 내지 600000 g/mol, 또는 450000 g/mol 내지 550000 g/mol을 만족하면서, 동시에 ASTM D1003에 의해 측정한 헤이즈가 3.0% 이하, 또는 1.5% 이하, 1.00% 이하, 또는 0.85%이하, 또는 0.10% 내지 3.0%, 또는 0.10% 내지 1.5%, 또는 0.10% 내지 1.00%, 또는 0.50% 내지 1.00%, 또는 0.80% 내지 1.00%, 또는 0.81% 내지 0.97%일 수 있다.Preferably, the polyamide resin has a weight average molecular weight of at least 330000 g/mol, at least 420000 g/mol, or at least 500000 g/mol, or from 330000 g/mol to 1000000 g/mol, or from 420000 g/mol to 1000000 g/mol, or 500000 g/mol to 1000000 g/mol, or 420000 g/mol to 800000 g/mol, or 420000 g/mol to 600000 g/mol, or 450000 g/mol to 550000 g/mol , at the same time a haze measured by ASTM D1003 of 3.0% or less, or 1.5% or less, 1.00% or less, or 0.85% or less, or 0.10% to 3.0%, or 0.10% to 1.5%, or 0.10% to 1.00%, or 0.50% to 1.00%, or 0.80% to 1.00%, or 0.81% to 0.97%.

상기 폴리아미드 수지의 상대점도(ASTM D 2196 기준에 따라 측정)가 45000 cps 이상, 60000 cps 이상, 또는 45000 cps 내지 500000 cps, 또는 60000 cps 내지 500000 cps, 또는 70000 cps 내지 400000 cps, 또는 80000 cps 내지 300000 cps, 또는 100000 cps 내지 200000 cps, 또는 110000 cps 내지 174000 cps일 수 있다. 상기 폴리아미드 수지의 상대점도(ASTM D 2196 기준에 따라 측정)가 45000 cps 미만으로 감소하게 되면, 상기 폴리아미드 수지를 이용한 필름 성형공정에서, 성형가공성이 감소하여 성형 공정의 효율성이 감소하는 한계가 있다.The relative viscosity of the polyamide resin (measured according to ASTM D 2196 standard) is 45000 cps or more, 60000 cps or more, or 45000 cps to 500000 cps, or 60000 cps to 500000 cps, or 70000 cps to 400000 cps, or 80000 cps to 300000 cps, or 100000 cps to 200000 cps, or 110000 cps to 174000 cps. When the relative viscosity of the polyamide resin (measured according to ASTM D 2196 standard) is reduced to less than 45000 cps, in the film forming process using the polyamide resin, the moldability decreases and the efficiency of the molding process decreases. have.

상기 폴리아미드 수지를 제조하는 방법의 예로는, 하기 화학식7로 표시되는 화합물 및 하기 화학식8로 표시되는 화합물을 용융혼련시키고, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성하는 단계; 및 상기 복합체를 방향족 디아민 단량체와 반응시키는 단계;를 포함하는, 폴리아미드 수지의 제조방법을 사용할 수 있다.Examples of the method for preparing the polyamide resin include: melt-kneading a compound represented by the following Chemical Formula 7 and a compound represented by the following Chemical Formula 8, and solidifying the melt-kneaded product to form a composite; and reacting the complex with an aromatic diamine monomer.

[화학식7][Formula 7]

Figure pat00016
Figure pat00016

[화학식8][Formula 8]

Figure pat00017
Figure pat00017

상기 화학식7 내지 8 에서, X는 할로겐, 또는 수산화기이다.In Formulas 7 to 8, X is a halogen or a hydroxyl group.

본 발명자들은 상기 폴리아미드 수지의 제조방법에서와 같이, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 녹는점 이상의 온도에서 혼합하게 되면, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 용융을 통해 균일하게 혼합된 단량체의 복합체를 제조할 수 있고, 이를 방향족 디아민 단량체와 반응시킴에 따라, 상기 화학식7로 표시되는 화합물로부터 유래한 아미드 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록과, 상기 화학식8로 표시되는 화합물로부터 유래한 아미드 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록이 번갈아가며(alternatively) 중합할 수 있음을 실험을 통해 확인하고 발명을 완성하였다.The present inventors, as in the production method of the polyamide resin, when the compound represented by the formula 7 and the compound represented by the formula 8 are mixed at a temperature higher than the melting point, the compound represented by the formula 7 and the formula 8 A complex of uniformly mixed monomers can be prepared through melting of the compound represented by , the amide repeating unit derived from the compound represented by the above formula (8), or blocks consisting of it, can be alternately polymerized, and the invention has been completed.

즉, 상기 폴리아미드 수지 제조방법에 의해, 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지가 얻어질 수 있다.That is, the polyamide resin of the embodiment can be obtained by the method for preparing the polyamide resin.

구체적으로, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물 각각은 화학구조적인 차이로 인해, 용해도 및 반응성에 있어 상이한 양상을 나타내기 때문에, 이들을 동시에 투입하더라도 상기 화학식7로 표시되는 화합물로부터 유래한 아미드 반복단위가 앞도적으로 우세하게 형성되면서 길이가 긴 블록을 형성하여 폴리아미드 수지의 결정성이 증가하고, 투명성을 확보하기 어려워지는 한계가 있었다.Specifically, since the compound represented by Formula 7 and the compound represented by Formula 8 each exhibit different aspects in solubility and reactivity due to chemical structural differences, the compound represented by Formula 7 even if they are simultaneously added As the amide repeating unit derived from

이에, 상기 폴리아미드 수지 제조방법에서는 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 단순히 물리적으로 혼합하지 않고, 각각의 녹는점 보다 높은 온도에서의 용융혼련에 의한 복합체 형성을 통해, 각각의 단량체가 방향족 디아민 단량체와 상대적으로 균등하게 반응하도록 유도하였다.Accordingly, in the polyamide resin manufacturing method, the compound represented by Formula 7 and the compound represented by Formula 8 are not simply physically mixed, but through the formation of a complex by melt-kneading at a temperature higher than their respective melting points, Each monomer was induced to react relatively equally with the aromatic diamine monomer.

한편, 기존 폴리아미드 수지 합성시에는, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 용매에 용해시킨 후 용액상태로 방향족 디아민 단량체와 반응시킴에 따라, 수분에 의한 변질이나, 용매와의 혼성으로 인해 최종 합성되는 폴리아미드 수지의 분자량이 감소하는 한계가 있었고, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 용해도 차이로 인해 상기 화학식7로 표시되는 화합물로부터 유래한 아미드 반복단위가 앞도적으로 우세하게 형성되면서 길이가 긴 블록을 형성하여 폴리아미드 수지의 결정성이 증가하고, 투명성을 확보하기 어려워지는 한계가 있었다.On the other hand, when synthesizing the existing polyamide resin, the compound represented by the formula 7 and the compound represented by the formula 8 are dissolved in a solvent and then reacted with the aromatic diamine monomer in a solution state. There was a limit in that the molecular weight of the finally synthesized polyamide resin decreased due to the hybridization with As the amide repeating unit is formed predominantly, a long block is formed, thereby increasing the crystallinity of the polyamide resin and making it difficult to secure transparency.

이에, 상기 폴리아미드 수지 제조방법에서는 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 용융혼련으로 얻어지는 복합체를 각각의 녹는점보다 낮은 온도(영하 10 ℃ 내지 영상 30℃, 또는 0 ℃ 내지 영상 30 ℃, 또는 영상10 ℃ 내지 영상30 ℃에서의 냉각을 통한 고형 분말 형태로 유기용매에 용해된 방향족 디아민 단량체와 반응시킴에 따라, 최종 합성되는 폴리아미드 수지의 분자량이 향상됨을 확인하였고, 이를 통해 우수한 기계적물성이 확보됨을 실험을 통해 확인하였다. Therefore, in the polyamide resin manufacturing method, the composite obtained by melt-kneading the compound represented by the formula 7 and the compound represented by the formula 8 is heated at a temperature lower than the respective melting point (-10 °C to +30 °C, or 0 °C). It was confirmed that the molecular weight of the finally synthesized polyamide resin was improved by reacting it with an aromatic diamine monomer dissolved in an organic solvent in the form of a solid powder through cooling at a temperature of 30 ° C. to +30 ° C. or 10 ° C. to 30 ° C. Through this, it was confirmed through the experiment that excellent mechanical properties were secured.

구체적으로, 상기 폴리아미드 수지의 제조방법은 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 용융혼련시키고, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Specifically, the method for preparing the polyamide resin may include melt-kneading the compound represented by Formula 7 and the compound represented by Formula 8, and solidifying the melt-kneaded product to form a composite.

상기 화학식7로 표시되는 화합물에서, X는 할로겐, 또는 수산화기이다. 바람직하게는 상기 화학식7에서, X는 염소이다. 상기 화학식7로 표시되는 화합물의 구체적인 예로는 테레프탈로일 클로라이드, 또는 테레프탈산을 들 수 있다. In the compound represented by Formula 7, X is a halogen or a hydroxyl group. Preferably, in Formula 7, X is chlorine. Specific examples of the compound represented by Formula 7 may include terephthaloyl chloride or terephthalic acid.

상기 화학식7로 표시되는 화합물은 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 상기 화학식1로 표시되는 반복단위를 형성할 수 있으며, 선형 분자 구조로 인하여, 고분자 내에서 체인 패킹과 배열(Align)이 일정하게 유지될 수 있고, 폴리아미드 필름의 표면 경도 및 기계적 물성을 향상시킬 수 있다.The compound represented by Formula 7 may form the repeating unit represented by Formula 1 through the amidation reaction of the aromatic diamine monomer, and due to the linear molecular structure, chain packing and alignment in the polymer are kept constant. and can improve the surface hardness and mechanical properties of the polyamide film.

상기 화학식8로 표시되는 화합물에서, X는 할로겐, 또는 수산화기이다. 바람직하게는 상기 화학식8에서, X는 염소이다. 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 구체적인 예로는 프탈로일 클로라이드, 프탈산, 이소프탈로일 클로라이드, 또는 이소프탈산을 들 수 있다. In the compound represented by the above formula (8), X is a halogen or a hydroxyl group. Preferably, in Formula 8, X is chlorine. Specific examples of the compound represented by Formula 8 may include phthaloyl chloride, phthalic acid, isophthaloyl chloride, or isophthalic acid.

상기 화학식8로 표시되는 화합물은 방향족 디아민 단량체의 아미드화 반응으로 상기 화학식2로 표시되는 반복단위를 형성할 수 있으며, 굽은형 분자 구조로 인하여, 고분자 내에서 체인 패킹과 배열(Align)을 방해하는 성격을 가지고 있으며, 폴리아미드 수지에 무정형 영역을 증가시켜, 폴리아미드 필름의 광학적 물성 및 내절 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 화학식8로 표시되는 화합물로부터 유래된 상기 화학식2로 표시되는 반복단위가 화학식1로 표시되는 반복단위와 함께 폴리아미드 수지에 포함됨에 따라, 폴리아미드 수지의 분자량을 증가시킬 수 있다.The compound represented by Formula 8 can form the repeating unit represented by Formula 2 by the amidation reaction of the aromatic diamine monomer, and due to the curved molecular structure, it is a compound that interferes with chain packing and alignment in the polymer. It has a character, and by increasing the amorphous area in the polyamide resin, it is possible to improve the optical properties and bending strength of the polyamide film. In addition, since the repeating unit represented by Formula 2 derived from the compound represented by Formula 8 is included in the polyamide resin together with the repeating unit represented by Formula 1, the molecular weight of the polyamide resin can be increased.

한편, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 용융혼련시키고, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성하는 단계에서, 상기 용융혼련은 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 녹는점 이상의 온도에서 혼합하는 것을 의미한다.On the other hand, in the step of melt-kneading the compound represented by the formula 7 and the compound represented by the formula 8, and solidifying the melt-kneaded product to form a complex, the melt-kneading is the compound represented by the formula 7 and the formula It means mixing the compound represented by 8 at a temperature above the melting point.

이처럼, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 단순히 물리적으로 혼합하지 않고, 각각의 녹는점 보다 높은 온도에서의 용융혼련에 의한 복합체 형성을 통해, 각각의 단량체가 방향족 디아민 단량체와 상대적으로 균등하게 반응하도록 유도할 수 있다.As such, without simply physically mixing the compound represented by the formula 7 and the compound represented by the formula 8, through the formation of a complex by melt-kneading at a temperature higher than the respective melting point, each monomer is an aromatic diamine monomer and can be induced to react relatively equally.

이에 따라, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 용해도 차이로 인해 상기 화학식7로 표시되는 화합물로부터 유래한 아미드 반복단위가 앞도적으로 우세하게 형성되면서 길이가 긴 블록을 형성하여 폴리아미드 수지의 결정성이 증가하고, 투명성을 확보하기 어려워지는 한계를 극복하고, 상기 일 구현예와 같이, 제1폴리아미드 세그먼트 및 제2폴리아미드 세그먼트가 서로 번갈아가며(alternatively) 상기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위를 포함한 주쇄를 형성할 수 있게 된다.Accordingly, due to the difference in solubility between the compound represented by the formula 7 and the compound represented by the formula 8, the amide repeating unit derived from the compound represented by the formula 7 is predominantly formed to form a long block, The crystallinity of the polyamide resin is increased, and the limitation that it is difficult to secure transparency is overcome, and as in the above embodiment, the first polyamide segment and the second polyamide segment are alternately represented by Formula 3 It is possible to form a main chain including the indicated cross-repeating unit.

이때, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 화학식8로 표시되는 화합물이 5 중량부 내지 60 중량부, 또는 5 중량부 내지 50 중량부, 또는 5 중량부 내지 25 중량부, 또는 10 중량부 내지 30 중량부, 또는 15 중량부 내지 25 중량부로 혼합될 수 있다. 이를 통해, 투과도 및 clarity가 증가하는 기술적 효과가 구현될 수 있다. 상기 화학식7로 표시되는 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 화학식8로 표시되는 화합물이 5 중량부 미만으로 지나치게 적게 혼합될 경우, 불투명해지며, Hazeness가 증가하는 기술적 문제가 발생하며, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 100 중량부에 대하여, 상기 화학식8로 표시되는 화합물이 60 중량부 초과로 지나치게 과량 혼합될 경우 물리적인 특성(경도, 인장강도 등)이 감소하는 기술적 문제가 발생할 수 있다.In this case, based on 100 parts by weight of the compound represented by the formula 7, 5 parts by weight to 60 parts by weight, or 5 parts by weight to 50 parts by weight, or 5 parts by weight to 25 parts by weight, or 10 parts by weight to 30 parts by weight, or 15 parts by weight to 25 parts by weight may be mixed. Through this, a technical effect of increasing transmittance and clarity may be realized. With respect to 100 parts by weight of the compound represented by Formula 7, when the compound represented by Formula 8 is mixed in less than 5 parts by weight, it becomes opaque and technical problems of increasing hazeness occur, With respect to 100 parts by weight of the compound represented, when the compound represented by Formula 8 is excessively mixed in excess of 60 parts by weight, a technical problem in which physical properties (hardness, tensile strength, etc.) decrease may occur.

또한, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성함에 있어, 상기 응고란 용융상태의 용융혼련물을 녹는점 이하의 온도로 냉각시켜 고체화 시키는 물리적 변화를 의미하며, 이로인해 형성되는 복합체는 고체상태일 수 있다. 보다 바람직하게는 상기 복합체는 추가적인 분쇄공정등을 통해 얻어지는 고체분말일 수 있다.In addition, in solidifying the melt-kneaded material to form a composite, the solidification means a physical change in which the melt-kneaded material in a molten state is cooled to a temperature below the melting point to be solidified, and the composite formed thereby is in a solid state can More preferably, the composite may be a solid powder obtained through an additional pulverization process.

한편, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 용융혼련시키고, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성하는 단계는, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 50 ℃이상의 온도에서 혼합시키는 단계; 및 상기 혼합단계의 결과물을 냉각시키는 단계;를 포함할 수 있다.On the other hand, the step of melt-kneading the compound represented by the formula 7 and the compound represented by the formula 8, and solidifying the melt-kneaded product to form a complex, the compound represented by the formula 7 and the compound represented by the formula 8 mixing the compound at a temperature of 50° C. or higher; and cooling the resultant of the mixing step.

상기 테레프탈로일 클로라이드(Terephthaloyl chloride)는 81.3 ℃내지 83 ℃의 녹는점을 가지며, 상기 이소프탈로일 클로라이드(Isophthaloyl chloride)는 43 ℃내지 44 ℃의 녹는점을 가지며, 상기 프탈로일 클로라이드(Phthaloyl chloride)는 6 ℃내지 12 ℃의 녹는점을 가질 수 있다. 이에 따라, 이들을 50 ℃이상, 또는 90 ℃이상, 또는 50 ℃내지 120 ℃, 또는 90 ℃ 내지 120 ℃, 또는 95 ℃ 내지 110 ℃, 또는 100 ℃ 내지 110 ℃의 온도에서 혼합할 경우, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물 모두의 녹는점 보다 높은 온도조건이므로 용융혼련이 진행될 수 있다.The terephthaloyl chloride has a melting point of 81.3 °C to 83 °C, the isophthaloyl chloride has a melting point of 43 °C to 44 °C, and the phthaloyl chloride ) may have a melting point of 6 ℃ to 12 ℃. Accordingly, when they are mixed at a temperature of 50 °C or higher, or 90 °C or higher, or 50 °C to 120 °C, or 90 °C to 120 °C, or 95 °C to 110 °C, or 100 °C to 110 °C, the above formula (7) Since the temperature condition is higher than the melting point of both the compound represented by and the compound represented by Formula 8, melt-kneading may proceed.

상기 혼합 단계의 결과물을 냉각시키는 단계에서는, 상기 용융혼련 단계의 결과물을 영상 5 ℃이하, 또는 영하10 ℃내지 영상5 ℃, 또는 영하 5 ℃내지 영상5 ℃에 방치함으로써, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물 모두의 녹는점 보다 낮은 온도조건이므로 냉각을 통해 보다 균일한 고형분말을 수득할 수 있다.In the step of cooling the result of the mixing step, by leaving the result of the melt-kneading step at 5 ° C. or less, or -10 ° C. to 5 ° C., or -5 ° C. to 5 ° C. Since the temperature condition is lower than the melting point of both the compound and the compound represented by Formula 8, a more uniform solid powder can be obtained through cooling.

한편, 상기 혼합 단계의 결과물을 냉각시키는 단계 이후에, 상기 냉각단계의 결과물을 분쇄시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 분쇄단계를 통해, 고형분의 복합체를 분말 형태로 제조할 수 있으며, 분쇄 단계 후 얻어지는 분말은 평균입경이 1 mm 내지 10 mm일 수 있다. On the other hand, after the step of cooling the result of the mixing step, the step of pulverizing the result of the cooling step may be further included. Through the pulverization step, the composite of the solid content may be prepared in the form of a powder, and the powder obtained after the pulverization step may have an average particle diameter of 1 mm to 10 mm.

이와 같은 입경으로 분쇄하기 위해 사용되는 분쇄기는 구체적으로, 핀 밀(pin mill), 해머 밀(hammer mill), 스크류 밀(screw mill), 롤 밀(roll mill), 디스크 밀(disc mill), 조그 밀(jog mill) 또는 시브(sieve), jaw crusher 등을 사용할 수 있으나, 상술한 예에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the pulverizer used for pulverizing to such a particle size is a pin mill, a hammer mill, a screw mill, a roll mill, a disc mill, a jog. A mill (jog mill), sieve (sieve), jaw crusher, etc. may be used, but is not limited to the above-described example.

이처럼, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 용융혼합물을 녹는점보다 낮은 온도에서의 냉각을 통한 고형분, 구체적으로 고형분말 형태로 방향족 디아민 단량체와 반응시킴에 따라, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 수분에 의한 변질이나, 용매와의 혼성을 최소화하여 최종 합성되는 폴리아미드 수지의 분자량을 향상시킴에 따라, 폴리아미드 수지의 우수한 기계적물성이 확보될 수 있다.As such, by reacting the molten mixture of the compound represented by Formula 7 and the compound represented by Formula 8 with the aromatic diamine monomer in the form of solid content, specifically solid powder, through cooling at a temperature lower than the melting point, the formula Excellent mechanical properties of the polyamide resin are secured by improving the molecular weight of the finally synthesized polyamide resin by minimizing the deterioration of the compound represented by 7 and the compound represented by the formula 8 due to moisture or mixing with a solvent can be

또한, 상기 폴리아미드 수지의 제조방법은 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물을 용융혼련시키고, 상기 용융혼련물을 응고시켜 복합체를 형성하는 단계 이후, 상기 복합체를 방향족 디아민 단량체와 반응시키는 단계를 포함할 수 있다.In addition, in the method for preparing the polyamide resin, after melt-kneading the compound represented by Formula 7 and the compound represented by Formula 8, and solidifying the melt-kneaded product to form a composite, the composite is mixed with an aromatic diamine monomer It may include a step of reacting with.

상기 복합체를 방향족 디아민 단량체와 반응시키는 단계에서의 반응은, 영하 25 ℃내지 영상 25 ℃의 온도 조건, 또는 영하 25 ℃내지 0 ℃의 온도 조건에서, 불활성 기체 분위기 하에 수행될 수 있다. The reaction in the step of reacting the complex with the aromatic diamine monomer may be performed under an inert gas atmosphere under a temperature condition of minus 25 °C to 25 °C, or a temperature condition of minus 25 °C to 0 °C.

상기 방향족 디아민 단량체는, 구체적으로 예를 들어2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-diaminodiphenyl sulfone), 4,4'-(9-플루오레닐리덴)디아닐린(4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐) 술폰(bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-테트라클로로벤지딘(2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-디아미노플루오렌(2,7-diaminofluorene), 4,4-디아미노옥타플루오로비페닐(4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-페닐렌디아민(m-phenylenediamine), p-페닐렌디아민(p-phenylenediamine), 4,4'-옥시다이아닐린(4,4'-oxydianiline), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane), 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene), m-자일리렌디아민(m-xylylenediamine), p-자일리렌디아민(p-xylylenediamine) 및 4,4'-디아미노벤즈아닐라이드(4,4'-diaminobenzanilide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. The aromatic diamine monomer is specifically, for example, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine) , 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine), 4,4'-diaminodiphenyl sulfone (4,4'-diaminodiphenyl sulfone) ), 4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline (4,4'-(9-fluorenylidene)dianiline), bis(4-(4-aminophenoxy)phenyl)sulfone (bis(4- (4-aminophenoxy)phenyl)sulfone), 2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine (2,2',5,5'-tetrachlorobenzidine), 2,7-diaminofluorene (2,7- diaminofluorene), 4,4-diaminooctafluorobiphenyl (4,4-diaminooctafluorobiphenyl), m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-oxydi Aniline (4,4'-oxydianiline), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl), 2,2-bis[4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane), 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene (1,3-bis (4 -aminophenoxy)benzene), m-xylylenediamine (m-xylylenediamine), p-xylylenediamine (p-xylylenediamine) and 4,4'-diaminobenzanilide from the group consisting of (4,4'-diaminobenzanilide) It may include one or more selected.

보다 바람직하게는, 상기 방향족 디아민 단량체로는 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노벤지딘(2,2'-dimethyl-4,4'- diaminobenzidine), m-자일리렌디아민(m-xylylenediamine), 또는 p-자일리렌디아민(p-xylylenediamine)을 사용할 수 있다.More preferably, as the aromatic diamine monomer, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine; TFDB), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine (2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobenzidine), m-xylylenediamine, or p-xylylene Diamine (p-xylylenediamine) may be used.

보다 구체적으로, 상기 복합체를 방향족 디아민 단량체와 반응시키는 단계는, 상기 방향족 디아민 단량체를 유기 용매에 용해시켜 디아민 용액을 제조하는 단계; 및 상기 디아민 용액에 복합체 분말을 첨가하는 단계;를 포함할 수 있다.More specifically, the step of reacting the complex with the aromatic diamine monomer may include dissolving the aromatic diamine monomer in an organic solvent to prepare a diamine solution; and adding the complex powder to the diamine solution.

상기 방향족 디아민 단량체를 유기 용매에 용해시켜 디아민 용액을 제조하는 단계에서, 상기 디아민 용액에 포함된 방향족 디아민 단량체는 유기 용매에 용해된 상태로 존재할 수 있다. 상기 용매의 예가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸프로피온아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 디메틸설폭사이드, 아세톤, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, 테트라하이드로퓨란, 클로로포름, 감마-부티로락톤, 에틸락테이트, 메틸3-메톡시프로피오네이트, 메틸 이소부틸 케톤, 톨루엔, 자일렌, 메탄올, 에탄올 등 일반적인 범용 유기용매가 제한없이 사용될 수 있다.In the step of preparing a diamine solution by dissolving the aromatic diamine monomer in an organic solvent, the aromatic diamine monomer included in the diamine solution may exist in a dissolved state in the organic solvent. Examples of the solvent are not particularly limited, but for example, N-methylformamide, N,N-dimethylformamide, N,N-diethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N,N-di Ethylacetamide, N,N-dimethylpropionamide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropionamide, dimethylsulfoxide, acetone, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone , tetrahydrofuran, chloroform, gamma-butyrolactone, ethyl lactate, methyl 3-methoxypropionate, methyl isobutyl ketone, toluene, xylene, methanol, ethanol, etc. general general-purpose organic solvents can be used without limitation. .

상기 디아민 용액에 복합체 분말을 첨가하는 단계에서, 상기 복합체 분말은 디아민 용액내에 용해된 방향족 디아민 단량체와 반응하게 된다. 이에 따라, 상기 화학식7로 표시되는 화합물 및 상기 화학식8로 표시되는 화합물의 수분에 의한 변질이나, 용매와의 혼성을 최소화하여 최종 합성되는 폴리아미드 수지의 분자량을 향상시킴에 따라, 폴리아미드 수지의 우수한 기계적물성이 확보될 수 있다.In the step of adding the complex powder to the diamine solution, the complex powder is reacted with the aromatic diamine monomer dissolved in the diamine solution. Accordingly, by improving the molecular weight of the finally synthesized polyamide resin by minimizing the deterioration of the compound represented by the formula 7 and the compound represented by the formula 8 due to moisture or mixing with a solvent, the Excellent mechanical properties can be secured.

상기 복합체 분말은 상기 혼합 단계의 결과물을 냉각시키는 단계 이후, 상기 냉각단계의 결과물을 분쇄시키는 단계를 통해, 고형분의 복합체를 분말 형태로 제조할 수 있으며, 분쇄 단계 후 얻어지는 분말은 평균입경이 1 mm 내지 10 mm일 수 있다.The composite powder can be prepared in the form of a powder of the composite powder through the step of pulverizing the result of the cooling step after the step of cooling the result of the mixing step, and the powder obtained after the pulverizing step has an average particle diameter of 1 mm to 10 mm.

한편, 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지 조성물은 실리카계 필러를 포함할 수 있다. 상기 실리카계 필러는 상기 폴리아미드 수지와 함께 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지 조성물에 첨가되어 폴리아미드 수지 조성물로부터 얻어지는 고분자 필름의 표면 경도를 향상시키며, 황색 변성을 최소화할 수 있다.Meanwhile, the polyamide resin composition of the embodiment may include a silica-based filler. The silica-based filler may be added to the polyamide resin composition of the embodiment together with the polyamide resin to improve the surface hardness of the polymer film obtained from the polyamide resin composition, and to minimize yellowing.

특히, 상기 실리카계 필러는 굴절률이 약 1.45로 폴리아미드 수지(굴절률: 1.66) 대비 낮아 실리카계 필러 첨가시 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지 조성물 또는 이로부터 얻어지는 고분자 필름의 전체 굴절률이 감소하게 되어, 전체 투과도가 향상되며 황색지수(YI)가 감소하게 되고, 하드코팅시 하드코팅층(굴절률 : 1.55) 과의 굴절률 차이를 좁혀 레인보우 현상을 방지할 수 있는 효과가 구현 가능하다.In particular, the silica-based filler has a refractive index of about 1.45, which is lower than that of the polyamide resin (refractive index: 1.66), so that when the silica-based filler is added, the total refractive index of the polyamide resin composition of the embodiment or the polymer film obtained therefrom is reduced, The transmittance is improved, the yellow index (YI) is reduced, and the effect of preventing the rainbow phenomenon can be realized by narrowing the refractive index difference with the hard coating layer (refractive index: 1.55) during hard coating.

상기 실리카계 필러는 0.1 nm 이상 500 nm 이하, 또는 0.1 nm 이상 300 nm 이하, 또는 0.1 nm 이상 100 nm 이하, 또는 0.1 nm 이상 50 nm 이하, 또는 10 nm 이상 15 nm 이하의 직경을 갖는 나노 실리카 입자를 포함할 수 있다. 상기 실리카계 필러는 0.1 nm 이상 500 nm 이하의 직경을 갖는 나노 실리카 입자를 단독으로 첨가하여 사용하거나, 임의의 유기용매에 분산된 0.1 nm 이상 500 nm 이하의 직경을 갖는 나노 실리카 입자의 분산액을 첨가하여 사용할 수 있으며, 상기 분산액 제조에 사용되는 유기용매의 구체적인 종류, 함량은 제한없이 기존의 무기 입자 분산액 분야에 널리 알려진 방법을 적용가능하다.The silica-based filler is a nano silica particle having a diameter of 0.1 nm or more and 500 nm or less, or 0.1 nm or more and 300 nm or less, or 0.1 nm or more and 100 nm or less, or 0.1 nm or more and 50 nm or less, or 10 nm or more and 15 nm or less. may include. The silica-based filler is used by adding nano silica particles having a diameter of 0.1 nm or more and 500 nm or less alone, or a dispersion of 0.1 nm or more and 500 nm or less dispersed in an organic solvent is added. The specific type and content of the organic solvent used for preparing the dispersion is not limited, and a method widely known in the field of inorganic particle dispersion is applicable.

다만, 상기 나노 실리카 입자 분산액에 사용되는 유기용매의 예를 들면, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸프로피온아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 디메틸설폭사이드, 아세톤, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, 테트라하이드로퓨란, 클로로포름, 감마-부티로락톤, 에틸락테이트, 메틸3-메톡시프로피오네이트, 메틸 이소부틸 케톤, 톨루엔, 자일렌, 메탄올, 에탄올 등 유기용매가 사용될 수 있다.However, examples of the organic solvent used in the nano silica particle dispersion include N-methylformamide, N,N-dimethylformamide, N,N-diethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N,N-dimethylpropionamide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropionamide, dimethylsulfoxide, acetone, N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2- An organic solvent such as pyrrolidone, tetrahydrofuran, chloroform, gamma-butyrolactone, ethyl lactate, methyl 3-methoxypropionate, methyl isobutyl ketone, toluene, xylene, methanol, and ethanol may be used.

상기 나노 실리카 입자 분산액은 고형분 함량이 1% 이상 50% 이하, 또는 10% 이상 50% 이하, 또는 10% 이상 30% 이하일 수 있으며, 상기 고형분은 상기 나노 실리카 입자를 포함할 수 있다. 필요에 따라 상기 나노 실리카 입자 분산액은 분산성을 높이기 위한 분산제가 추가로 포함될 수 있다.The nano silica particle dispersion may have a solid content of 1% or more and 50% or less, or 10% or more and 50% or less, or 10% or more and 30% or less, and the solid content may include the nano silica particles. If necessary, the nano-silica particle dispersion may further contain a dispersing agent to increase dispersibility.

상기 나노 실리카 입자는 유기 용매에 보다 용이하게 분산되기 위해서 표면에 치환된 소정의 작용기를 포함할 수 있다. 상기 나노 실리카 입자 표면에 치환 가능한 유기 작용기의 예가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 (메트)아크릴레이트기, 비닐기, 히드록시기, 아민기, 알릴기(allyl), 에폭시기, 이소시아네이트기, 아민기, 또는 불소 등이 상기 나노 실리카 입자 표면에 치환될 수 있다.The nano silica particles may include a predetermined functional group substituted on the surface in order to be more easily dispersed in an organic solvent. Examples of organic functional groups that can be substituted on the surface of the nano-silica particles are not particularly limited, for example, a (meth) acrylate group, a vinyl group, a hydroxyl group, an amine group, an allyl group, an epoxy group, an isocyanate group, an amine group, Alternatively, fluorine or the like may be substituted on the surface of the nano-silica particles.

상기 나노 실리카 입자의 형태가 크게 한정되는 것은 아니며, 예를 들어, 중공형, 솔리드형, 구형, 타원 구형, 막대형 또는 부정형 등의 다양한 형태를 가질 수 있다. 상기 중공형 나노 실리카 입자라 함은 무기 입자의 표면 및/또는 내부에 빈 공간이 존재하는 형태의 입자를 의미한다. 상기 솔리드형 나노 실리카 입자는 그 내부에 빈 공간이 존재하지 않는 형태의 입자를 의미한다.The shape of the nano silica particles is not particularly limited, and for example, may have various shapes such as hollow, solid, spherical, elliptical, rod-shaped, or irregular shape. The hollow nano silica particle means a particle having an empty space on the surface and/or inside of the inorganic particle. The solid nano silica particle means a particle in which an empty space does not exist therein.

상기 나노 실리카 입자 직경은, 예를 들면 동적 광 산란법, 레이저 회절법, 원심 침강법, FFF(Field Flow Fractionation)법, 세공(細孔) 전기 저항법 등에 의해 측정할 수가 있다. 예를 들어, 상기 나노 실리카 입자의 형태가 막대형이나 무정형인 경우, 가장 큰 차원의 길이가 상기 범위의 입경 등을 만족할 수 있다.The said nano silica particle diameter can be measured by the dynamic light scattering method, a laser diffraction method, a centrifugal sedimentation method, FFF (Field Flow Fractionation) method, a pore electrical resistance method, etc., for example. For example, when the shape of the nano silica particles is rod-shaped or amorphous, the length of the largest dimension may satisfy the particle diameter of the above range.

상기 실리카계 필러는 폴리아미드 수지 100 중량부에 대하여 50 중량부 이하, 또는 1 중량부 이상 50 중량부 이하, 또는 3 중량부 이상 50 중량부 이하, 또는 20 중량부 이상 40 중량부 이하로 함유될 수 있다. 상기 실리카계 필러가 폴리아미드 수지 대비 지나치게 소량으로 함유될 경우, 상기 실리카계 필러에 의한 표면 경도와 황색 변성 억제효과가 충분히 구현되기 어렵다. 또한, 상기 실리카계 필러가 폴리아미드 수지 대비 지나치게 과량으로 함유될 경우, 고분자 필름의 헤이즈나 투과도가 증가하는 등 투명성 충분히 확보되기 어렵고, 굴곡성 등의 기계적 물성이 감소할 수 있다. The silica-based filler may be contained in an amount of 50 parts by weight or less, or 1 part by weight or more and 50 parts by weight or less, or 3 parts by weight or more and 50 parts by weight or less, or 20 parts by weight or more and 40 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the polyamide resin. can When the silica-based filler is contained in an excessively small amount compared to the polyamide resin, it is difficult to sufficiently realize the effect of inhibiting surface hardness and yellowing of the silica-based filler by the silica-based filler. In addition, when the silica-based filler is contained in an excessive amount compared to the polyamide resin, it is difficult to sufficiently ensure transparency such as haze or transmittance of the polymer film increases, and mechanical properties such as flexibility may decrease.

상기 실리카계 필러의 굴절률이 1.4 이상 1.5 이하이고, 상기 폴리아미드 수지의 굴절률이 1.6 이상 1.7 이하일 수 있다. 즉, 상기 실리카계 필러의 굴절률이 상기 폴리아미드 수지의 굴절률보다 작아, 실리카계 필러 첨가시 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지 조성물 또는 이로부터 얻어지는 고분자 필름의 전체 굴절률이 감소하게 되어, 전체 투과도가 향상되며 황색지수(YI)가 감소하게 되고, 하드코팅시 하드코팅층(굴절률 : 1.55) 과의 굴절률 차이를 좁혀 레인보우 현상을 방지할 수 있다.The silica-based filler may have a refractive index of 1.4 or more and 1.5 or less, and the polyamide resin may have a refractive index of 1.6 or more and 1.7 or less. That is, the refractive index of the silica-based filler is smaller than the refractive index of the polyamide resin, and when the silica-based filler is added, the total refractive index of the polyamide resin composition of one embodiment or the polymer film obtained therefrom is reduced, and the total transmittance is improved, The yellow index (YI) is reduced, and the rainbow phenomenon can be prevented by narrowing the difference in refractive index with the hard coating layer (refractive index: 1.55) during hard coating.

2. 고분자 필름 2. Polymer Film

발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지 조성물의 경화물을 포함하는 고분자 필름을 제공한다. 상기 경화물이란, 상기 다른 구현예의 폴리아미드 수지 조성물의 건조공정 및/또는 경화공정을 거쳐 얻어지는 물질을 의미한다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a polymer film including a cured product of the polyamide resin composition of the embodiment. The cured product means a material obtained through a drying process and/or a curing process of the polyamide resin composition of the other embodiment.

상기 폴리아미드 수지 조성물에 관한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함한다.The content regarding the polyamide resin composition includes all of the content described above in the embodiment.

상기 일 구현예의 폴리아미드 수지 조성물을 이용하여 고분자 필름을 제조하는 경우, 우수한 광학적 물성 및 기계적 물성을 구현할 수 있는 동시에, 유연성까지 구비하게 되어, 다양한 성형품의 재료로 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 고분자 필름은 디스플레이용 기판, 디스플레이용 보호 필름, 터치 패널, 폴더블 기기의 윈도우 커버 등에 적용될 수 있다.In the case of manufacturing a polymer film using the polyamide resin composition of the embodiment, excellent optical and mechanical properties can be realized, and at the same time, flexibility is provided, so that it can be used as a material for various molded articles. For example, the polymer film may be applied to a display substrate, a display protective film, a touch panel, a window cover of a foldable device, and the like.

상기 고분자 필름의 두께가 크게 한정되는 것은 아니나, 예를 들어, 0.01 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하 범위내에서 자유롭게 조절 가능하다. 상기 고분자 필름의 두께가 특정 수치만큼 증가하거나 감소하는 경우 고분자 필름에서 측정되는 물성 또한 일정 수치만큼 변화할 수 있다.The thickness of the polymer film is not particularly limited, but can be freely adjusted within, for example, 0.01 μm or more and 1000 μm or less. When the thickness of the polymer film increases or decreases by a specific value, physical properties measured in the polymer film may also change by a specific value.

구체적으로, 상기 고분자 필름은, 50 ± 5 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해 ASTM D1003에 의거하여 측정된 헤이즈(haze) 값이 3.0% 이하, 또는 1.5% 이하, 또는 1.00% 이하, 또는 0.85%이하, 또는 0.10% 이상 3.0% 이하, 또는 0.10% 이상 1.5% 이하, 또는 0.10% 이상 1.00% 이하, 또는 0.10% 이상 0.70% 이하, 또는 0.27% 이상 0.67% 이하일 수 있다. 상기 고분자 필름의 ASTM D1003에 의해 측정한 헤이즈가 3.0% 초과로 증가하게 되면, 불투명성이 증대되어 충분한 수준의 투명성을 확보하기 어렵다.Specifically, the polymer film has a haze value of 3.0% or less, or 1.5% or less, or 1.00% or less, or 0.85% or less, measured according to ASTM D1003 for a specimen having a thickness of 50 ± 5 μm. , or 0.10% or more and 3.0% or less, or 0.10% or more and 1.5% or less, or 0.10% or more and 1.00% or less, or 0.10% or more and 0.70% or less, or 0.27% or more and 0.67% or less. When the haze measured by ASTM D1003 of the polymer film increases to more than 3.0%, opacity is increased and it is difficult to secure a sufficient level of transparency.

그리고, 상기 고분자 필름은, 50 ± 5 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해 ASTM E313에 의거하여 측정된 황색 지수 값(yellow index, YI)이, 4.0 이하, 또는 3.0 이하, 또는 0.5 이상 4.0 이하, 또는 0.5 이상 3.0 이하, 또는 1.97 이상 2.26 이하일 수 있다. 상기 고분자 필름의 ASTM E313에 의거하여 측정된 황색 지수 값(yellow index, YI)이 4.0 초과로 증가하게 되면, 불투명성이 증대되어 충분한 수준의 투명성을 확보하기 어렵다.And, the polymer film has a yellow index value (yellow index, YI) measured according to ASTM E313 for a specimen having a thickness of 50 ± 5 μm, 4.0 or less, or 3.0 or less, or 0.5 or more and 4.0 or less, or 0.5 or more and 3.0 or less, or 1.97 or more and 2.26 or less. When the yellow index value (yellow index, YI) measured according to ASTM E313 of the polymer film increases to more than 4.0, opacity increases and it is difficult to secure a sufficient level of transparency.

그리고, 상기 고분자 필름은 50 ± 5 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해, 550 nm 파장의 가시광선에 대한 투과율(T, @550nm)이 89% 이상, 또는 89% 이상 92% 이하, 또는 89.29% 이상 90.36% 이하일 수 있다.In addition, the polymer film has a transmittance (T, @550nm) of 89% or more, or 89% or more and 92% or less, or 89.29% or more for a specimen having a thickness of 50 ± 5 μm for a 550 nm wavelength visible light. 90.36% or less.

그리고, 상기 고분자 필름은 50 ± 5 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해, ISO 527-3에 의거하여 측정한 인장 모듈러스가 7.5 GPa 이상, 또는 7.5 GPa 이상 10 GPa 이하, 또는 7.84 GPa 이상 8.36 GPa 이하일 수 있다. In addition, the polymer film may have a tensile modulus of 7.5 GPa or more, or 7.5 GPa or more and 10 GPa or less, or 7.84 GPa or more and 8.36 GPa or less for a specimen having a thickness of 50 ± 5 µm, measured according to ISO 527-3. have.

그리고, 상기 고분자 필름은 50 ± 5 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해, ISO 527-3에 의거하여 측정한 인장강도가 240 MPa 이상, 또는 240 MPa 이상 270 MPa 이하, 또는 245 MPa 내지 266 MPa 일 수 있다. And, the polymer film has a tensile strength of 240 MPa or more, or 240 MPa or more and 270 MPa or less, or 245 MPa to 266 MPa for a specimen having a thickness of 50 ± 5 μm, measured according to ISO 527-3. have.

그리고, 상기 고분자 필름은 50 ± 5 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해, ISO 527-3에 의거하여 측정한 신율이 15% 이상, 또는 15% 이상 25% 이하, 또는 17% 이상 20% 이하일 수 있다. In addition, the polymer film may have an elongation of 15% or more, or 15% or more and 25% or less, or 17% or more and 20% or less, for a specimen having a thickness of 50 ± 5 μm, measured according to ISO 527-3. .

그리고, 상기 고분자 필름은, 50 ± 5 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해 측정된 내절 강도(175 rpm의 속도로 135°의 각도, 0.8 mm의 곡률 반경 및 250 g의 하중에서의 파단 왕복굽힙횟수) 값이 10000 Cycle 이상, 또는 10000 Cycle 이상 100000 Cycle 이하, 또는 10000 Cycle 이상 20000 Cycle 이하일 수 있다. And, the polymer film, the bending strength measured for a specimen having a thickness of 50 ± 5 μm (at a speed of 175 rpm, an angle of 135°, a radius of curvature of 0.8 mm, and the number of reciprocating bending at break at a load of 250 g) The value may be 10000 Cycles or more, or 10000 Cycles or more and 100000 Cycles or less, or 10000 Cycles or more and 20000 Cycles or less.

그리고, 상기 고분자 필름은, 50 ± 5 ㎛의 두께를 갖는 시편에 대해 ASTM D3363에 의거하여 측정된 연필 경도 (Pencil Hardness) 값이 1H 이상, 2H 이상, 또는 1 H 이상 4H 이하, 또는 2 H 이상 4H 이하일 수 있다.In addition, the polymer film has a pencil hardness value of 1H or more, 2H or more, or 1 H or more and 4H or less, or 2 H or more, measured according to ASTM D3363 for a specimen having a thickness of 50 ± 5 μm. 4H or less.

상기 고분자 필름은 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지 조성물을 사용하여 건식법, 습식법과 같은 통상적인 방법에 의해 제조될 수 있다. 예컨대, 상기 고분자 필름은, 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지 조성물을 임의의 지지체 상에 코팅하여 막을 형성하고, 상기 막으로부터 용매를 증발시켜 건조하는 방법으로 얻어질 수 있으며, 필요에 따라, 상기 고분자 필름에 대한 연신 및 열 처리가 더 수행될 수도 있다.The polymer film may be prepared by a conventional method such as a dry method or a wet method using the polyamide resin composition of the embodiment. For example, the polymer film may be obtained by coating the polyamide resin composition of the embodiment on an arbitrary support to form a film, and evaporating a solvent from the film to dry it, and if necessary, the polymer film Stretching and heat treatment may be further performed.

구체적으로, 상기 고분자 필름은 상기 폴리아미드 수지 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성하는 단계; 상기 도막을 건조하는 단계; 및 상기 건조된 도막을 열처리하여 경화하는 단계를 포함하는 고분자 필름 제조방법을 통해 제조될 수 있다.Specifically, the polymer film is formed by applying the polyamide resin composition to a substrate to form a coating film; drying the coating film; and curing the dried coating film by heat treatment.

상기 폴리아미드 수지 조성물을 기판에 도포하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 예컨대 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄, 잉크젯 등의 방법이 이용될 수 있다.A method of applying the polyamide resin composition to the substrate is not particularly limited, and for example, methods such as screen printing, offset printing, flexographic printing, and inkjet printing may be used.

그리고, 상기 폴리아미드 수지 조성물은 유기 용매에 용해 또는 분산시킨 상태로 기판에 도포될 수 있다. 상기 유기 용매의 구체적인 예로는 톨루엔, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N-메틸카프로락탐, 2-피롤리돈, N-에틸피롤리돈, N-비닐피롤리돈, 디메틸술폭사이드, 테트라메틸우레아, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸술폭사이드, 감마-부티로락톤, 3-메톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-에톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로판아미드, 1,3-디메틸-이미다졸리디논, 에틸아밀케톤, 메틸노닐케톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소아밀케톤, 메틸이소프로필케톤, 사이클로헥사논, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 디글라임, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜타논, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르 아세테이트, 에틸렌 글리콜 모노뷰틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노뷰틸 에테르 아세테이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용될 수도 있고, 혼합하여 사용될 수도 있다.In addition, the polyamide resin composition may be applied to the substrate in a state of being dissolved or dispersed in an organic solvent. Specific examples of the organic solvent include toluene, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, 2-pyrrolidone, N-ethyl Pyrrolidone, N-vinylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, pyridine, dimethylsulfone, hexamethylsulfoxide, gamma-butyrolactone, 3-methoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3- Ethoxy-N,N-dimethylpropanamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropanamide, 1,3-dimethyl-imidazolidinone, ethyl amyl ketone, methyl nonyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isoa Milk ketone, methyl isopropyl ketone, cyclohexanone, ethylene carbonate, propylene carbonate, diglyme, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobutyl ether Acetate etc. are mentioned. These may be used alone or may be used in combination.

또한, 막 두께의 균일성이나 표면 평활성을 향상시키거나, 혹은 기판과의 밀착성을 향상시킬 수 있는 첨가제가 추가로 포함될 수 있다. 이러한 첨가제로는 각종 용매, 계면 활성제, 실란계 화합물, 유전체 또는 가교성 화합물 등이 예시될 수 있다.In addition, an additive capable of improving film thickness uniformity or surface smoothness, or improving adhesion to a substrate may be further included. Examples of such additives include various solvents, surfactants, silane-based compounds, dielectrics or crosslinking compounds.

상기 도막을 건조하는 단계는, 핫 플레이트, 열풍 순환로, 적외선로 등의 가열 수단에 의해 실시될 수 있고, 50 ℃내지 150 ℃, 또는 50 ℃내지 100 ℃온도로 수행할 수 있다.The drying of the coating film may be carried out by a heating means such as a hot plate, a hot air circulation furnace, an infrared furnace, and may be performed at a temperature of 50 °C to 150 °C, or 50 °C to 100 °C.

상기 건조된 도막을 열처리하여 경화하는 단계에서, 상기 열처리는 핫 플레이트, 열풍 순환로, 적외선로 등의 가열 수단에 의해 실시될 수 있고, 180 ℃내지 300 ℃, 또는 200 ℃내지 300 ℃온도로 수행할 수 있다.In the step of curing the dried coating film by heat treatment, the heat treatment may be carried out by a heating means such as a hot plate, a hot air circulation furnace, an infrared furnace, etc. can

3. 수지 적층체3. Resin laminate

발명의 또 다른 구현예에 따르면, 상기 다른 구현예의 고분자 필름을 포함한 기재; 및 상기 기재의 적어도 일면에 형성되는 하드 코팅층;을 포함하는 수지 적층체가 제공될 수 있다.According to another embodiment of the invention, the substrate including the polymer film of the other embodiment; and a hard coating layer formed on at least one surface of the substrate.

상기 기재는 상기 일 구현예의 폴리아미드 수지를 포함할 수 있고, 상기 다른 구현예의 고분자 필름을 포함할 수도 있다. 상기 폴리아미드 수지에 관한 내용은 상기 일 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있고, 상기 고분자 필름에 관한 내용은 상기 다른 구현예에서 상술한 내용을 모두 포함할 수 있다.The substrate may include the polyamide resin of the one embodiment, and may include the polymer film of the other embodiment. The content regarding the polyamide resin may include all of the above-described contents in the one embodiment, and the contents regarding the polymer film may include all of the above-described contents in the other embodiment.

상기 기재의 적어도 일면에는 하드 코팅층이 형성될 수 있다. 상기 기재의 일면, 또는 양면 모두에 하드 코팅층이 형성될 수 있다. 상기 기재의 일면에만 하드 코팅층이 형성될 경우, 상기 기재의 반대면에는 폴리이미드계, 폴리카보네이트계, 폴리에스터계, 폴리알킬(메트)아크릴레이트계, 폴리올레핀계 및 폴리사이클릭올레핀계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함한 고분자 필름이 형성될 수 있다.A hard coating layer may be formed on at least one surface of the substrate. A hard coating layer may be formed on one or both surfaces of the substrate. When the hard coating layer is formed on only one surface of the substrate, the opposite surface of the substrate is made of a polyimide-based, polycarbonate-based, polyester-based, polyalkyl (meth)acrylate-based, polyolefin-based and polycyclic olefin-based polymer. A polymer film including one or more polymers selected from the group may be formed.

상기 하드 코팅층은 0.1㎛ 이상 100㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. The hard coating layer may have a thickness of 0.1 μm or more and 100 μm or less.

상기 하드 코팅층은 하드코팅분야에서 알려진 재질이면 큰 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 상기 하드 코팅층은 광경화성 수지의 바인더 수지; 및 상기 바인더 수지에 분산된 무기 입자 또는 유기 입자를 포함할 수 있다. The hard coating layer can be used without great limitation as long as it is a known material in the hard coating field, for example, the hard coating layer is a binder resin of a photocurable resin; and inorganic particles or organic particles dispersed in the binder resin.

상기 하드코팅층에 포함되는 광경화형 수지는 자외선 등의 광이 조사되면 중합 반응을 일으킬 수 있는 광경화형 화합물의 중합체로서, 당업계에서 통상적인 것일 수 있다. 다만, 바람직하게는, 상기 광경화형 화합물은 다관능성 (메트)아크릴레이트계 단량체 또는 올리고머일 수 있고, 이때 (메트)아크릴레이트계 관능기의 수는 2 내지 10, 또는 2 내지 8, 또는 2 내지 7인 것이, 하드코팅층의 물성 확보 측면에서 유리하다. 또는, 상기 광경화형 화합물은 펜타에리스리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헵타(메트)아크릴레이트, 트리펜타에리스리톨 헵타(메트)아크릴레이트, 트릴렌 디이소시아네이트, 자일렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 및 트리메틸올프로판 폴리에톡시 트리(메트)아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.The photocurable resin included in the hard coating layer is a polymer of a photocurable compound that can cause a polymerization reaction when irradiated with light such as ultraviolet rays, and may be conventional in the art. However, preferably, the photocurable compound may be a polyfunctional (meth)acrylate-based monomer or oligomer, wherein the number of (meth)acrylate-based functional groups is 2 to 10, or 2 to 8, or 2 to 7 It is advantageous in terms of securing the physical properties of the hard coating layer. Alternatively, the photocurable compound is pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol hepta ( Meth)acrylate, tripentaerythritol hepta(meth)acrylate, torylene diisocyanate, xylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, and trimethylolpropane polyethoxy tri(meth) ) may be at least one selected from the group consisting of acrylates.

상기 무기 입자는 예를 들어 실리카, 알루미늄, 티타늄, 징크 등의 금속 원자, 또는 이의 산화물, 질화물 등일 수 있으며, 각각 독립적으로 실리카 미립자, 알루미늄 옥사이드 입자, 티타늄 옥사이드 입자, 또는 징크 옥사이드 입자 등을 사용할 수 있다.The inorganic particles may be, for example, metal atoms such as silica, aluminum, titanium, zinc, or oxides and nitrides thereof, and each independently silica particles, aluminum oxide particles, titanium oxide particles, or zinc oxide particles, etc. can be used. have.

상기 무기 입자는 100 nm 이하, 또는 5 nm 이상 100 nm 이하의 평균반경을 가질 수 있다. 상기 유기 입자의 종류 또한 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 10 nm 이상 100 ㎛이하의 평균 입경을 갖는 고분자 입자를 사용할 수 있다. The inorganic particles may have an average radius of 100 nm or less, or 5 nm or more and 100 nm or less. The type of the organic particles is also not limited, and for example, polymer particles having an average particle diameter of 10 nm or more and 100 μm or less may be used.

상기 수지 적층체는 디스플레이 장치의 기판 또는 커버 윈도우 등으로 사용 가능하고, 높은 광투과성 및 낮은 헤이즈 특성과 함께 높은 유연성 및 굽힘 내구성을 가져서 플렉서블 디스플레이 장치의 기판 또는 커버 윈도우로 사용 가능하다. 즉, 상기 수지 적층체가 포함된 디스플레이 장치, 또는 상기 수지 적층체가 포함된 플렉서블 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.The resin laminate can be used as a substrate or cover window of a display device, and has high flexibility and bending durability along with high light transmittance and low haze characteristics, so that it can be used as a substrate or cover window of a flexible display device. That is, a display device including the resin laminate or a flexible display device including the resin laminate may be implemented.

본 발명에 따르면, 결정성의 고분자 사슬 길이의 과도한 성장을 억제시켜 투명성이 향상되면서도, 표면 경도가 향상되고, 황색도, 투과도, 굴절률 등의 광학 물성이 개선된 폴리아미드 수지 조성물, 및 이를 이용한 고분자 필름 및 수지 적층체가 제공될 수 있다.According to the present invention, a polyamide resin composition with improved optical properties such as yellowness, transmittance, and refractive index while improving transparency while suppressing excessive growth of a crystalline polymer chain length, and a polymer film using the same and a resin laminate may be provided.

도 1은 실시예1의 (1)에서 얻은 폴리아미드 수지의 결정 구조의 모식도를 나타낸 것이다.
도 2은 실시예1의 (1)에서 얻은 폴리아미드 수지의 13C-NMR 스펙트럼을 나타낸 것이다.
1 shows a schematic diagram of the crystal structure of the polyamide resin obtained in Example 1 (1).
Figure 2 shows the 13 C-NMR spectrum of the polyamide resin obtained in (1) of Example 1.

발명을 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.The invention is described in more detail in the following examples. However, the following examples only illustrate the present invention, and the content of the present invention is not limited by the following examples.

<제조예 : 아실클로라이드 복합체의 제조><Preparation Example: Preparation of acyl chloride complex>

제조예1Preparation Example 1

교반기, 질소 주입기, 적하 깔대기, 및 온도 조절기가 구비된 1000 mL의 4-neck 둥근 플라스크(반응기)에, 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC; 녹는점 : 83 ℃) 549.4 g(2.704 몰)과 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC; 녹는점 44 ℃) 120.6 g(0.594 몰)를 첨가하여, 100 ℃에서 3 시간 동안 용융혼련시킨다음, 0 ℃에서 12 시간 동안 냉각시켜 아실클로라이드(구체적으로, 테레프탈로일 클로라이드 및 이소프탈로일 클로라이드)의 복합체를 제조하였다. In a 1000 mL 4-neck round flask (reactor) equipped with a stirrer, nitrogen injector, dropping funnel, and temperature controller, 549.4 g (2.704 mol) of terephthaloyl chloride (TPC; melting point: 83 ° C.) and 120.6 g (0.594 mol) of isophthaloyl chloride (IPC; melting point 44° C.) was added, melt-kneaded at 100° C. for 3 hours, and then cooled at 0° C. for 12 hours to acyl chloride (specifically, A complex of terephthaloyl chloride and isophthaloyl chloride) was prepared.

이후, 상기 아실클로라이드 복합체를 jaw crusher로 분쇄하여 평균입경이 5mm인 분말로 제조하였다.Thereafter, the acyl chloride complex was crushed with a jaw crusher to prepare a powder having an average particle diameter of 5 mm.

<실시예: 폴리아미드 수지 및 고분자 필름의 제조><Example: Preparation of polyamide resin and polymer film>

실시예 1Example 1

(1) 폴리아미드 수지(1) polyamide resin

교반기, 질소 주입기, 적하 깔대기, 및 온도 조절기가 구비된 500 mL의 4-neck 둥근 플라스크(반응기)에 질소를 천천히 불어주면서, N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide, DMAc) 262 g을 채우고, 반응기의 온도를 0 ℃로 맞춘 후 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB) 14.153 g(0.0442 몰)을 용해시켰다. 262 g of N,N-dimethylacetamide (DMAc) while slowly blowing nitrogen into a 500 mL 4-neck round flask (reactor) equipped with a stirrer, nitrogen injector, dropping funnel, and temperature controller After setting the temperature of the reactor to 0 °C, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine , TFDB) was dissolved in 14.153 g (0.0442 mol).

여기에, 상기 제조예1에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말 8.972 g(0.0442 몰)을 첨가하면서 교반하고, 0 ℃조건에서 12 시간 동안 아미드 형성 반응을 진행하였다. Here, 8.972 g (0.0442 mol) of the acyl chloride complex powder obtained in Preparation Example 1 was added and stirred, and the amide formation reaction was carried out at 0° C. for 12 hours.

반응을 완료한 후, N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide, DMAc)를 투입하여 고형분 함량을 5% 이하가 되도록 희석하고, 이를 1L의 메탄올로 침전시키고, 침전된 고형분을 여과한 후, 100℃의 진공 상태에서 6시간 이상 건조하여 고형분 형태의 폴리아미드 수지를 제조하였다. After completion of the reaction, N,N-dimethylacetamide (N,N-dimethylacetamide, DMAc) was added to dilute the solid content to 5% or less, precipitated with 1 L of methanol, and the precipitated solid was filtered. Thereafter, the polyamide resin in the form of a solid was prepared by drying it in a vacuum at 100° C. for 6 hours or more.

하기 도2에 기재된 13C-NMR을 통해, 상기 실시예1의 (1)에서 얻은 폴리아미드 수지에는 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC)와 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB)의 아미드반응으로 얻어지는 제1반복단위 82몰%, 그리고 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC)와 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB)의 아미드반응으로 얻어지는 제2반복단위 18몰%이 함유되어 있음을 확인하였다. Through 13 C-NMR as shown in FIG. 2, the polyamide resin obtained in (1) of Example 1 contains terephthaloyl chloride (TPC) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)- 82 mol% of the first repeating unit obtained by the amide reaction of 4,4'-biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB), and isophthaloyl chloride, IPC) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB) It was confirmed that 18 mol% of 2 repeating units were contained.

(2) 폴리아미드 수지 조성물(2) Polyamide resin composition

상기 실시예1의 (1)에서 얻은 폴리아미드 수지(굴절률: 1.66)를 N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide)에 녹여 약 10%(w/V)의 고분자 용액을 제조하고, 나노실리카(DMAC-ST, 제조사 : Nissan Chemical, 입경: 10~15 nm, 굴절률: 1.45, 20% in N,N-디메틸아세트아미드(DMAC))를 폴리아미드 수지 100 중량부 대비 20 중량부(20 phr)로 투입하여 폴리아미드 수지 조성물을 제조하였다.Dissolving the polyamide resin (refractive index: 1.66) obtained in (1) of Example 1 in N,N-dimethylacetamide (N,N-dimethylacetamide) to prepare a polymer solution of about 10% (w/V), Nanosilica (DMAC-ST, manufacturer: Nissan Chemical, particle diameter: 10-15 nm, refractive index: 1.45, 20% in N,N-dimethylacetamide (DMAC)) is added in 20 parts by weight (20 parts by weight) based on 100 parts by weight of polyamide resin. phr) to prepare a polyamide resin composition.

(3) 고분자 필름(3) polymer film

상기 실시예1의 (2)에서 얻은 폴리아미드 수지 조성물을 폴리이미드 기재필름(UPILEX-75s, UBE 사) 상에 도포하고, 필름 어플리케이터를 이용하여 두께를 균일하게 조절하였다. The polyamide resin composition obtained in (2) of Example 1 was applied on a polyimide base film (UPILEX-75s, UBE), and the thickness was uniformly controlled using a film applicator.

이후, 80 ℃ 마티즈 오븐에서 15분 동안 건조한 후, 질소를 흘려주면서 250 ℃에서 30분 동안 경화시킨 후, 상기 기재필름으로부터 박리하여, 고분자 필름을 얻었다.Thereafter, after drying in a Matiz oven at 80° C. for 15 minutes, and curing at 250° C. for 30 minutes while flowing nitrogen, it was peeled off from the base film to obtain a polymer film.

실시예2Example 2

나노실리카(DMAC-ST, 제조사 : Nissan Chemical, 입경: 10~15 nm, 20% in N,N-디메틸아세트아미드 (DMAC))를 폴리아미드 수지 100 중량부 대비 30 중량부(30 phr)로 투입한 것을 제외하고는, 상기 실시예1 과 동일한 방법으로 폴리아미드 수지, 폴리아미드 수지 조성물 및 고분자 필름을 제조하였다.Nanosilica (DMAC-ST, manufacturer: Nissan Chemical, particle size: 10-15 nm, 20% in N,N-dimethylacetamide (DMAC)) is added in an amount of 30 parts by weight (30 phr) based on 100 parts by weight of polyamide resin Except for the above, a polyamide resin, a polyamide resin composition, and a polymer film were prepared in the same manner as in Example 1.

실시예3Example 3

나노실리카(DMAC-ST, 제조사 : Nissan Chemical, 입경: 10~15 nm, 20% in N,N-디메틸아세트아미드 (DMAC))를 폴리아미드 수지 100 중량부 대비 40 중량부(40 phr)로 투입한 것을 제외하고는, 상기 실시예1 과 동일한 방법으로 폴리아미드 수지, 폴리아미드 수지 조성물 및 고분자 필름을 제조하였다.Nanosilica (DMAC-ST, manufacturer: Nissan Chemical, particle diameter: 10-15 nm, 20% in N,N-dimethylacetamide (DMAC)) is added in an amount of 40 parts by weight (40 phr) based on 100 parts by weight of polyamide resin Except for the above, a polyamide resin, a polyamide resin composition, and a polymer film were prepared in the same manner as in Example 1.

<비교예: 폴리아미드 수지 및 고분자 필름의 제조><Comparative Example: Preparation of polyamide resin and polymer film>

비교예1Comparative Example 1

(1) 폴리아미드 수지(1) polyamide resin

상기 제조예1에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말 대신, 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC) 7.358 g(0.0362 몰) 및 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC) 1.615 g(0.0080 몰)을 동시에 첨가하여 아미드 형성 반응을 진행한 것을 제외하고는, 상기 실시예1의 (1)과 동일한 방법으로 폴리아미드 수지를 제조하였다.Instead of the acyl chloride complex powder obtained in Preparation Example 1, 7.358 g (0.0362 mol) of terephthaloyl chloride (TPC) and 1.615 g (0.0080 mol) of isophthaloyl chloride (IPC) were simultaneously added to the amide A polyamide resin was prepared in the same manner as in Example 1 (1), except that the formation reaction was performed.

(2) 고분자 필름(2) polymer film

상기 비교예1의 (1)에서 얻은 폴리아미드 수지를 N,N-디메틸아세트아미드(N,N-dimethylacetamide)에 녹여 약 10%(w/V)의 고분자 용액을 제조하였다.The polyamide resin obtained in (1) of Comparative Example 1 was dissolved in N,N-dimethylacetamide to prepare a polymer solution of about 10% (w/V).

상기 고분자 용액을 폴리이미드 기재필름(UPILEX-75s, UBE 사) 상에 도포하고, 필름 어플리케이터를 이용하여 고분자 용액의 두께를 균일하게 조절하였다. The polymer solution was applied on a polyimide base film (UPILEX-75s, UBE), and the thickness of the polymer solution was uniformly adjusted using a film applicator.

이후, 80 ℃마티즈 오븐에서 15분 동안 건조한 후, 질소를 흘려주면서 250 ℃에서 30분 동안 경화시킨 후, 상기 기재필름으로부터 박리하여, 고분자 필름을 얻었다.Then, after drying for 15 minutes in a 80 ℃ Matiz oven, and after curing at 250 ℃ for 30 minutes while flowing nitrogen, peeled from the base film to obtain a polymer film.

비교예2Comparative Example 2

(1) 폴리아미드 수지(1) polyamide resin

상기 제조예1에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말 대신, 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC) 7.358 g(0.0362 몰)을 먼저 첨가한 후, 약 5분 간격을 두고, 순차적으로 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC) 1.615 g(0.0080 몰)을 첨가하여 아미드 형성 반응을 진행한 것을 제외하고는, 상기 실시예1의 (1)과 동일한 방법으로 폴리아미드 수지를 제조하였다.Instead of the acyl chloride complex powder obtained in Preparation Example 1, 7.358 g (0.0362 mol) of terephthaloyl chloride (TPC) was first added, followed by an interval of about 5 minutes, and sequentially isophthaloyl chloride (isophthaloyl chloride) , IPC) was added to prepare a polyamide resin in the same manner as in Example 1 (1), except that the amide formation reaction was carried out by adding 1.615 g (0.0080 mol).

(2) 고분자 필름(2) polymer film

상기 비교예1의 (1)에서 얻은 폴리아미드 수지 대신, 상기 비교예2의 (1)에서 얻은 폴리아미드 수지를 사용한 것을 제외하고는, 상기 비교예1의 (2)와 동일한 방법으로 고분자 필름을 제조하였다.A polymer film was prepared in the same manner as in (2) of Comparative Example 1, except that the polyamide resin obtained in (1) of Comparative Example 2 was used instead of the polyamide resin obtained in (1) of Comparative Example 1 prepared.

비교예3Comparative Example 3

(1) 폴리아미드 수지(1) polyamide resin

상기 제조예1에서 얻어진 아실클로라이드 복합체 분말 대신, 이소프탈로일 클로라이드(isophthaloyl chloride, IPC) 1.615 g(0.0080 몰)을 먼저 첨가한 후, 약 5분 간격을 두고, 순차적으로 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC) 7.358 g(0.0362 몰)을 첨가하여 아미드 형성 반응을 진행한 것을 제외하고는, 상기 실시예1의 (1)과 동일한 방법으로 폴리아미드 수지를 제조하였다.Instead of the acyl chloride complex powder obtained in Preparation Example 1, 1.615 g (0.0080 mol) of isophthaloyl chloride (IPC) was first added, followed by an interval of about 5 minutes, and sequentially terephthaloyl chloride (terephthaloyl chloride) was added. , TPC), 7.358 g (0.0362 mol) of the polyamide resin was prepared in the same manner as in Example 1 (1), except that the amide formation reaction was carried out.

(2) 고분자 필름(2) polymer film

상기 비교예1의 (1)에서 얻은 폴리아미드 수지 대신, 상기 비교예3의 (1)에서 얻은 폴리아미드 수지를 사용한 것을 제외하고는, 상기 비교예1의 (2)와 동일한 방법으로 고분자 필름을 제조하였다.A polymer film was prepared in the same manner as in (2) of Comparative Example 1, except that the polyamide resin obtained in (1) of Comparative Example 3 was used instead of the polyamide resin obtained in (1) of Comparative Example 1 prepared.

<실험예1><Experimental Example 1>

소각 X선 산란법(Small-angle X-ray scattering, SAXS)을 이용하여, 상기 실시예, 비교예에서 얻어진 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 특성을 하기 방법으로 측정하였고, 그 결과를 아래 표 1 에 나타내었다.Using small-angle X-ray scattering (SAXS), the properties of individual crystals contained in the polyamide resins obtained in Examples and Comparative Examples were measured by the following method, and the results are shown in the table below. 1 is shown.

상기 실시예, 및 비교예에서 얻어진 고분자 필름을 이용하여 가로 1cm * 세로 1cm의 크기로 시료를 제조하고, 실온(23 ℃에서, 2.5 m, 6.5m의 카메라 길이를 갖는 소각 X선 산란 장치(PLS-9A USAXS beam line)에 상기 시료를 세팅하고, 11.1KeV, 19.9 KeV의 에너지를 갖는 X선을 조사하여 산란패턴을 얻은 뒤, 상기 소각 X선 산란 장치에 장착된 분석장비(NIST SANS package)를 통해 산란패턴을 분석하여, 개별 결정의 평균입경(2Rc), 차원수(dimensionality), 및 결정화도를 구하였다.Using the polymer films obtained in Examples and Comparative Examples, samples were prepared in a size of 1 cm in width * 1 cm in length, and a small-angle X-ray scattering device (PLS at 23 ° C., having a camera length of 2.5 m and 6.5 m). -9A USAXS beam line), set the sample, irradiate X-rays with energies of 11.1 KeV and 19.9 KeV to obtain a scattering pattern, and then analyze the small-angle X-ray scattering device (NIST SANS package) The average particle diameter (2Rc), dimensionality, and crystallinity of individual crystals were obtained by analyzing the scattering pattern.

구체적으로, 상기 개별 결정의 평균입경, 차원수(dimensionality), 및 결정화도의 분석은 소각 X선 산란 장치(PLS 9A beamline)에서 획득된 data를 이용하여 컴퓨터 프로그램(NIST SANS package)을 통해 수행되며, 보다 구체적으로 상기 개별 결정의 평균 입경은 시료에 함유된 개별 결정의 형태를 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 얻어지는 파수 q(단위:Å-1)와 산란 강도 I(단위:a.u.)의 플롯을 Schulz-Zimm distribution로 중첩적분(convolution)하여 얻어지는 결정의 직경분포곡선에 대하여, 컴퓨터 프로그램(NIST SANS package)의 계산을 통해 구할 수 있다.Specifically, the analysis of the average particle diameter, dimensionality, and crystallinity of the individual crystals is performed through a computer program (NIST SANS package) using data obtained from a small-angle X-ray scattering device (PLS 9A beamline), More specifically, the average particle diameter of the individual crystals is a plot of the wavenumber q (unit: Å −1 ) and the scattering intensity I (unit: au) obtained by fitting the shape of the individual crystals contained in the sample to a solid sphere model. The diameter distribution curve of the crystal obtained by convolution with the Schulz-Zimm distribution can be obtained through calculation of the computer program (NIST SANS package).

결정의 평균입경(nm)Average grain size of crystals (nm) 차원수(dimensionality)dimensionality 결정화도(%)Crystallinity (%) 실시예1Example 1 5.05.0 3.73.7 20% 미만으로 측정 어려움Less than 20% difficult to measure 실시예2Example 2 5.05.0 3.73.7 20% 미만으로 측정 어려움Less than 20% difficult to measure 실시예3Example 3 5.05.0 3.73.7 20% 미만으로 측정 어려움Less than 20% difficult to measure 비교예1Comparative Example 1 8.48.4 4.04.0 20% 미만으로 측정 어려움Less than 20% difficult to measure 비교예2Comparative Example 2 13.413.4 3.23.2 2424 비교예3Comparative Example 3 8.18.1 -- 20% 미만으로 측정 어려움Less than 20% difficult to measure

상기 표1에 나타난 바와 같이, 실시예에서 얻어진 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 평균입경이 5 nm 내지 6.8 nm로 작게 측정된 반면, 비교예1에서 얻어진 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 평균입경은 8.4 nm, 비교예2에서 얻어진 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 평균입경은 13.4 nm, 비교예3에서 얻어진 폴리아미드 수지에 함유된 개별 결정의 평균입경은 7.8 nm로 실시예에 비해 증가한 것을 확인할 수 있었다.또한, 실시예에서 얻어진 폴리아미드 수지의 결정화도는 20% 미만으로 낮은 결정특성을 보인 반면, 비교예2에서 얻어진 폴리아미드 수지의 결정화도는 24%로 실시예에 비해 증가한 것을 확인할 수 있었다.이를 통해, 상기 실시예에서 얻어진 폴리아미드 수지는 테레프탈로일 클로라이드(terephthaloyl chloride, TPC)와 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-비페닐디아민(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB)의 아미드반응으로 얻어지는 반복단위로 이루어진 결정성 블록의 길이 성장이 비교예에 비해 억제된 것을 확인할 수 있었다.As shown in Table 1 above, while the average particle diameter of individual crystals contained in the polyamide resin obtained in Example was measured as small as 5 nm to 6.8 nm, the average of individual crystals contained in the polyamide resin obtained in Comparative Example 1 The particle diameter was 8.4 nm, the average particle diameter of the individual crystals contained in the polyamide resin obtained in Comparative Example 2 was 13.4 nm, and the average particle diameter of the individual crystals contained in the polyamide resin obtained in Comparative Example 3 was 7.8 nm. In addition, it can be seen that the crystallinity of the polyamide resin obtained in Example was less than 20%, showing low crystallinity, while the crystallinity of the polyamide resin obtained in Comparative Example 2 was 24%, which was increased compared to the Example. Through this, the polyamide resin obtained in the above example was terephthaloyl chloride (TPC) and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine (2,2). It was confirmed that the length growth of the crystalline block composed of repeating units obtained by the amide reaction of '-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine, TFDB) was inhibited compared to the comparative example.

<실험예2><Experimental Example 2>

상기 실시예, 비교예에서 얻어진 폴리아미드 수지 또는 고분자 필름에 대하여 아래의 특성을 측정 또는 평가하였고, 그 결과를 아래 표 2 에 나타내었다.The following properties were measured or evaluated for the polyamide resin or polymer film obtained in Examples and Comparative Examples, and the results are shown in Table 2 below.

(1) 두께: 두께측정장비를 이용하여 고분자 필름의 두께를 측정하였다.(1) Thickness: The thickness of the polymer film was measured using a thickness measuring device.

(2) 황색 지수(Y.I.): COH-400 Spectrophotometer (NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES)를 이용하여 ASTM E313의 측정법에 따라 고분자 필름의 황색 지수를 측정하였다.(2) Yellow index (Y.I.): The yellow index of the polymer film was measured according to ASTM E313 using a COH-400 Spectrophotometer (NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES).

(3) 광 투과율(transmittance): Shimadzu UV-2600 UV-vis spectrometer를 이용하여 고분자 필름에 대한 전 광선 투과율을 측정하였다. 측정 결과 중 388 nm 파장의 자외선에 대한 투과율(T, @388nm)과 550 nm 파장의 가시광선에 대한 투과율(T, @550nm)을 나타내었다.(3) Light transmittance: Total light transmittance of the polymer film was measured using a Shimadzu UV-2600 UV-vis spectrometer. Among the measurement results, transmittance (T, @388nm) for ultraviolet light with a wavelength of 388 nm and transmittance for visible light with a wavelength of 550 nm (T, @550nm) were shown.

(4) Haze: COH-400 Spectrophotometer (NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES)를 이용하여 ASTM D1003의 측정법에 따라 고분자 필름의 헤이즈 값을 측정하였다.(4) Haze: The haze value of the polymer film was measured according to the measurement method of ASTM D1003 using a COH-400 Spectrophotometer (NIPPON DENSHOKU INDUSTRIES).

(5) 굴곡성 : MIT 타입의 내절 강도 시험기 (folding endurance tester)를 이용하여 고분자 필름의 내절 강도를 평가하였다. 구체적으로, 고분자 필름의 시편(1cm*7cm)을 내절 강도 시험기에 로딩하고 시편의 왼쪽과 오른쪽에서 175 rpm의 속도로 135°의 각도, 0.8 mm의 곡률 반경 및 250 g의 하중으로 굽혀서 파단할 때까지 왕복 굽힘 횟수(cycle)를 측정하였다.(5) Flexibility: The bending strength of the polymer film was evaluated using an MIT-type folding endurance tester. Specifically, when a specimen of a polymer film (1 cm * 7 cm) is loaded into a bending strength tester and fractured by bending at an angle of 135°, a radius of curvature of 0.8 mm and a load of 250 g at a speed of 175 rpm on the left and right sides of the specimen. The number of reciprocating bending cycles (cycle) was measured.

(6) 인장모듈러스, 인장강도 및 신율 : Universal Testing Systems (Instron® 3360)을 이용하여 ISO 527-3에 의거하여 모듈러스(GPa), 강도(MPa) 및 신율(%)를 측정하였다.(6) Tensile modulus, tensile strength and elongation: Modulus (GPa), strength (MPa) and elongation (%) were measured according to ISO 527-3 using Universal Testing Systems (Instron® 3360).

(7) 연필 경도: Pencil Hardness Tester를 이용하여 ASTM D3363의 측정법에 따라 고분자 필름의 연필 경도를 측정하였다. 구체적으로, 상기 테스터에 다양한 경도의 연필을 고정하여 상기 고분자 필름에 긁은 후, 상기 고분자 필름에 흠집이 발생한 정도를 육안이나 현미경으로 관찰하여, 총 긁은 횟수의 70 % 이상 긁히지 않았을 때, 그 연필의 경도에 해당하는 값을 상기 고분자 필름의 연필 경도로 평가하였다.(7) Pencil hardness: The pencil hardness of the polymer film was measured according to the measurement method of ASTM D3363 using a Pencil Hardness Tester. Specifically, after fixing pencils of various hardnesses to the tester and scratching the polymer film, the degree of scratching on the polymer film was observed with the naked eye or a microscope. A value corresponding to the hardness was evaluated as the pencil hardness of the polymer film.

상기 연필경도는 B등급, F등급, H등급 순으로 경도가 증가하게되며, 같은 등급내에서는 숫자가 커질수록 경도가 증가하게 된다. 등급내에서는 숫자가 커질수록 경도가 증가하게 된다.The pencil hardness increases in the order of B grade, F grade, and H grade, and within the same grade, the hardness increases as the number increases. Within the grade, the higher the number, the higher the hardness.

구분division 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 두께(㎛)Thickness (㎛) 5050 5050 5050 5151 5151 5050 Y.I.Y.I. 2.262.26 2.172.17 1.971.97 8.558.55 25.1025.10 4.594.59 T (%)@550nmT(%)@550nm 89.2989.29 89.8389.83 90.3690.36 85.6385.63 75.9475.94 87.5787.57 Haze(%)Haze (%) 0.270.27 0.460.46 0.670.67 3.433.43 24.2124.21 1.611.61 굴곡성(Cycle)Flexibility (Cycle) 1152411524 1118311183 1041210412 52105210 785785 45134513 인장 모듈러스(GPa)Tensile Modulus (GPa) 7.847.84 8.098.09 8.368.36 7.47.4 -- -- 인장강도(MPa)Tensile strength (MPa) 266266 253253 245245 -- -- -- 신율(%)Elongation (%) 2020 1919 1717 1111 -- -- 연필경도pencil hardness 3H3H 3H3H 3H3H 1H1H FF 1H1H

상기 표 2를 살펴보면, 상기 제조예 1에 따른 아실클로라이드 복합체 분말을 이용하여 제조된 실시예의 폴리아미드 수지로부터 얻어진 고분자 필름의 경우, 대략 50 ㎛의 두께에서 1.97 내지 2.26의 낮은 황색 지수, 0.27% 내지 0.67%의 낮은 헤이즈값, 89.29% 내지 90.36%의 높은 투과도(@550nm)를 통해 우수한 투명성을 확보할 수 있음을 확인하였고, 7.84 GPa 내지 8.36 GPa의 높은 인장 모듈러스, 245 MPa 내지 266 MPa의 높은 인장강도, 17% 내지 20%의 높은 신율, 3H 등급의 높은 연필 경도 및 10412 내지 11524의 왕복 굽힘 횟수(cycle)에서 파단되는 내절강도를 통해 우수한 기계적 물성이 확보됨을 확인하였다.반면, 폴리아미드 수지 합성과정에서 상기 제조예 1에 따른 아실클로라이드 복합체 분말이 전혀 사용되지 않고, TPC 분말 및 IPC 분말을 각각 동시 또는 순차적으로 투입한 비교예1, 2, 3의 폴리아미드 수지로부터 얻어진 고분자 필름의 경우, 대략 50 ㎛의 두께에서 황색 지수가 4.59 내지 25.10, 헤이즈값이 1.61% 내지 24.21%, 투과도(@550nm)가 75.94% 내지 87.57%로 실시예보다 증가하여 투명성이 불량함을 확인하였다. 이는 비교예 1, 2, 3의 경우, TPC 분말과 IPC 분말간의 용해도 및 반응성 차이로 인해, TPC에 의한 블록이 과도하게 형성되어 폴리아미드 수지의 결정성이 증가됨에 따른 것으로 보인다.Looking at Table 2, in the case of the polymer film obtained from the polyamide resin of the example prepared using the acyl chloride complex powder according to Preparation Example 1, a low yellow index of 1.97 to 2.26 at a thickness of about 50 μm, 0.27% to It was confirmed that excellent transparency could be secured through a low haze value of 0.67% and a high transmittance (@550nm) of 89.29% to 90.36%, a high tensile modulus of 7.84 GPa to 8.36 GPa, and a high tensile strength of 245 MPa to 266 MPa It was confirmed that excellent mechanical properties were secured through strength, high elongation of 17% to 20%, high pencil hardness of 3H grade, and breaking strength at 10412 to 11524 reciprocating bending cycles. On the other hand, polyamide resin In the case of the polymer film obtained from the polyamide resins of Comparative Examples 1, 2, and 3 in which the acyl chloride complex powder according to Preparation Example 1 was not used at all in the synthesis process, and the TPC powder and IPC powder were added simultaneously or sequentially, At a thickness of approximately 50 μm, the yellow index was 4.59 to 25.10, the haze value was 1.61% to 24.21%, and the transmittance (@550nm) was increased to 75.94% to 87.57%, confirming that the transparency was poor. In Comparative Examples 1, 2, and 3, due to the difference in solubility and reactivity between the TPC powder and the IPC powder, the block by TPC was excessively formed and the crystallinity of the polyamide resin was increased.

또한, 1F 내지 1H 등급의 낮은 연필 경도 및 785 내지 5210의 왕복 굽힘 횟수(cycle)에서 파단되는 내절강도를 통해 실시예 대비 불량한 기계적 물성을 가짐을 확인하였다.In addition, it was confirmed that it had poor mechanical properties compared to the examples through the low pencil hardness of 1F to 1H grade and the bending resistance to break at 785 to 5210 reciprocal bending cycles.

1: 개별 결정
2: 개별 결정의 평균 입경
3: 무정형의 고분자 사슬
1: Individual decision
2: Average particle size of individual crystals
3: Amorphous polymer chain

Claims (20)

소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 개별 결정의 평균 입경이 8.0 nm 이하이고, 상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에는 무정형의 고분자 사슬이 존재하는 폴리아미드 수지; 및
실리카계 필러;를 포함하는, 폴리아미드 수지 조성물.
a polyamide resin in which an average particle diameter of individual crystals measured by a small-angle X-ray scattering device is 8.0 nm or less, and an amorphous polymer chain exists between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less; and
A polyamide resin composition comprising a silica-based filler.
제1항에 있어서,
상기 개별 결정의 평균 입경은, 상기 소각 X선 산란 장치에서 10 KeV 이상 20 KeV 이하의 에너지를 갖는 X선을 조사하여 얻어지는 산란 패턴을 구형 모델(solid sphere model)로 피팅하여 분석장비를 통해 측정하는, 폴리아미드 수지 조성물.
According to claim 1,
The average particle diameter of the individual crystals is measured through analysis equipment by fitting a scattering pattern obtained by irradiating X-rays having an energy of 10 KeV to 20 KeV in the small-angle X-ray scattering device with a solid sphere model. , a polyamide resin composition.
제1항에 있어서,
상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이의 거리는 0.1 nm 이상 100 nm 이하인, 폴리아미드 수지 조성물.
According to claim 1,
The distance between the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less is 0.1 nm or more and 100 nm or less, the polyamide resin composition.
제1항에 있어서,
상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정은 1,4-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 제1방향족 아미드 반복 단위를 포함하는, 폴리아미드 수지 조성물.
According to claim 1,
The polyamide resin composition, wherein the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less include a first aromatic amide repeating unit derived from a combination of a 1,4-aromatic diacyl compound and an aromatic diamine compound.
제1항에 있어서,
상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정은 하기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제1폴리아미드 세그먼트를 포함하는, 폴리아미드 수지 조성물.
[화학식1]
Figure pat00018

상기 화학식1 에서, Ar1 는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.
According to claim 1,
The polyamide resin composition, wherein the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less include a first polyamide segment including a repeating unit represented by the following Chemical Formula 1, or a block consisting of the repeating unit.
[Formula 1]
Figure pat00018

In Formula 1, Ar 1 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms.
제5항에 있어서,
상기 제1폴리아미드 세그먼트는 100 g/mol 이상 5000 g/mol 이하의 수평균분자량을 갖는, 폴리아미드 수지 조성물.
6. The method of claim 5,
The first polyamide segment has a number average molecular weight of 100 g/mol or more and 5000 g/mol or less, a polyamide resin composition.
제5항에 있어서,
상기 폴리아미드 수지에 함유된 모든 반복단위를 기준으로, 상기 제1폴리아미드 세그먼트를 40 몰% 이상 95 몰%이하로 포함하는, 폴리아미드 수지 조성물.
6. The method of claim 5,
A polyamide resin composition comprising 40 mol% or more and 95 mol% or less of the first polyamide segment based on all repeating units contained in the polyamide resin.
제1항에 있어서,
상기 폴리아미드 수지는 소각 X선 산란 장치에 의해 측정되는 결정화도가 20% 이하인, 폴리아미드 수지 조성물.
According to claim 1,
The polyamide resin composition has a crystallinity of 20% or less as measured by a small-angle X-ray scattering apparatus.
제1항에 있어서,
상기 무정형의 고분자 사슬은 1,2-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 제2방향족 아미드 반복 단위, 또는 1,3-방향족 디아실 화합물과 방향족 디아민 화합물의 결합물로부터 유래된 제3방향족 아미드 반복 단위를 포함하는, 폴리아미드 수지 조성물.
According to claim 1,
The amorphous polymer chain is a second aromatic amide repeating unit derived from a combination of a 1,2-aromatic diacyl compound and an aromatic diamine compound, or a combination of a 1,3-aromatic diacyl compound and an aromatic diamine compound. A polyamide resin composition comprising a third aromatic amide repeating unit.
제1항에 있어서,
상기 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에는 무정형의 고분자 사슬은,
하기 화학식2로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제2폴리아미드 세그먼트를 포함하는, 폴리아미드 수지 조성물:
[화학식2]
Figure pat00019

상기 화학식 2 에서,
Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.
According to claim 1,
Between the individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less, an amorphous polymer chain is
A polyamide resin composition comprising a second polyamide segment including a repeating unit represented by the following formula (2) or a block consisting of the repeating unit:
[Formula 2]
Figure pat00019

In Formula 2,
Ar 2 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms.
제10항에 있어서,
폴리아미드 수지에 함유된 모든 반복단위를 기준으로, 상기 화학식2로 표시되는 반복단위의 함량이 5 몰% 이상 60 몰% 이하인, 폴리아미드 수지 조성물.
11. The method of claim 10,
The content of the repeating unit represented by the formula (2) is 5 mol% or more and 60 mol% or less, based on all repeating units contained in the polyamide resin.
제5항에 있어서,
상기 화학식1로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제1폴리아미드 세그먼트를 포함한 8.0 nm 이하의 평균 입경을 갖는 개별 결정들 사이에 존재하는 무정형의 고분자 사슬은,
하기 화학식2로 표시되는 반복단위, 또는 이로 이루어진 블록을 포함한 제2폴리아미드 세그먼트를 포함하는, 폴리아미드 수지 조성물:
[화학식2]
Figure pat00020

상기 화학식 2 에서,
Ar2는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이다.
6. The method of claim 5,
The amorphous polymer chain existing between individual crystals having an average particle diameter of 8.0 nm or less including the repeating unit represented by Formula 1 or the first polyamide segment including a block consisting of the same is,
A polyamide resin composition comprising a second polyamide segment including a repeating unit represented by the following formula (2) or a block consisting of the repeating unit:
[Formula 2]
Figure pat00020

In Formula 2,
Ar 2 is a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms.
제12항에 있어서,
상기 제1폴리아미드 세그먼트 및 제2폴리아미드 세그먼트는 하기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위를 포함한 주쇄를 형성하는, 폴리아미드 수지 조성물:
[화학식3]
Figure pat00021

상기 화학식3에서,
A는 상기 제1폴리아미드 세그먼트이고,
B는 상기 제2폴리아미드 세그먼트이다.
13. The method of claim 12,
A polyamide resin composition, wherein the first polyamide segment and the second polyamide segment form a main chain including a cross repeating unit represented by the following formula (3):
[Formula 3]
Figure pat00021

In Formula 3,
A is the first polyamide segment,
B is the second polyamide segment.
제13항에 있어서,
상기 화학식 3으로 표시되는 교차반복단위는 하기 화학식4로 표시되는 반복단위인, 폴리아미드 수지 조성물:
[화학식4]
Figure pat00022

상기 화학식4 에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로아릴렌기이고,
a1 및 a2는 각각 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
b1 및 b2는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다.
14. The method of claim 13,
The cross-repeating unit represented by the formula (3) is a repeating unit represented by the following formula (4), a polyamide resin composition:
[Formula 4]
Figure pat00022

In the above formula (4),
Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 2 to 20 carbon atoms,
a1 and a2 are each independently an integer of 1 to 10,
b1 and b2 are each independently an integer of 1 to 5;
제12항에 있어서,
폴리아미드 수지에 함유된 모든 반복단위를 기준으로, 상기 화학식1로 표시되는 반복단위의 함량이 60 몰% 내지 95 몰%이고, 상기 화학식2로 표시되는 반복단위의 함량이 5 몰% 내지 40 몰%인, 폴리아미드 수지 조성물.
13. The method of claim 12,
Based on all the repeating units contained in the polyamide resin, the content of the repeating unit represented by the formula (1) is 60 mol% to 95 mol%, and the content of the repeating unit represented by the formula (2) is 5 mol% to 40 mol% %, the polyamide resin composition.
제1항에 있어서,
상기 실리카계 필러는
0.1 nm 이상 500 nm 이하의 직경을 갖는 나노 실리카 입자를 포함하는, 폴리아미드 수지 조성물.
According to claim 1,
The silica-based filler is
A polyamide resin composition comprising nano silica particles having a diameter of 0.1 nm or more and 500 nm or less.
제1항에 있어서,
상기 실리카계 필러는 폴리아미드 수지 100 중량부에 대하여 50 중량부 이하로 함유되는, 폴리아미드 수지 조성물.
According to claim 1,
The silica-based filler is contained in an amount of 50 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the polyamide resin, the polyamide resin composition.
제1항에 있어서,
상기 실리카계 필러의 굴절률이 1.4 이상 1.5 이하이고, 상기 폴리아미드 수지의 굴절률이 1.6 이상 1.7 이하인, 폴리아미드 수지 조성물.
According to claim 1,
The silica-based filler has a refractive index of 1.4 or more and 1.5 or less, and the polyamide resin has a refractive index of 1.6 or more and 1.7 or less.
제1항의 폴리아미드 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 고분자 필름.
A polymer film comprising a cured product of the polyamide resin composition of claim 1 .
제19항의 고분자 필름을 포함한 기재; 및
상기 기재의 적어도 일면에 형성되는 하드 코팅층;을 포함하는, 수지 적층체.
A substrate comprising the polymer film of claim 19; and
A resin laminate comprising a; a hard coating layer formed on at least one surface of the substrate.
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