KR20210112128A - Method for manufacturing of electronic device based on post-treatment using acid - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a manufacturing method of an electronic element, wherein the manufacturing method of the electronic element according to one embodiment comprises: a step of forming an electrode on a substrate; and a step of performing post-treatment using benzoic acid on the substrate on which the electrode is formed. Therefore, the present invention is capable of improving a conductivity of an electrode without damaging the substrate.

Description

산을 이용한 후처리에 기반하는 전자소자의 제조방법{METHOD FOR MANUFACTURING OF ELECTRONIC DEVICE BASED ON POST-TREATMENT USING ACID}Method for manufacturing an electronic device based on post-treatment using acid

본 발명은 전자소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 산을 이용한 후처리가 수행된 전극을 구비하는 전자소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an electronic device, and more particularly, to a method of manufacturing an electronic device having an electrode subjected to post-treatment using an acid.

플렉시블 전자소자는 형태의 변형을 통해 공간 활용성을 높일 수 있고, 얇고 가벼우며 깨지지 않다는 장점으로 인해 최근 많은 연구가 진행되고 있다.Flexible electronic devices can increase space utilization through shape deformation, and have the advantage of being thin, light, and unbreakable.

특히 플렉시블 전자소자에 구비되는 플렉시블 전극에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는데, 기존 ITO 전극은 굽히거나 휘어질 때 발생하는 크랙 현상으로 인하여 플렉시블 소자에 적용하기가 어렵다. 따라서 ITO 전극을 대체할 수 있는 새로운 플렉시블 전극에 대한 연구가 요구된다. In particular, research on flexible electrodes provided in flexible electronic devices is being actively conducted, but the existing ITO electrodes are difficult to apply to flexible devices due to cracks occurring when they are bent or bent. Therefore, research on a new flexible electrode that can replace the ITO electrode is required.

차세대 플렉시블 전극으로서 연구되고 있는 은(Ag) 나노와이어는 우수한 광학적 특성, 유연성과 높은 전도도를 가지고 있어서 투명 전극 소재로 각광 받고 있다. 하지만 은 나노와이어를 사용한 전극은 헤이즈 현상이 발생되어 디스플레이 소자에 사용하기 어렵고, 표면 거칠기가 좋지 않기 때문에 높은 암전류가 나타나 광전자 소자에 적용하기에는 효율성이 낮다는 단점이 있다.Silver (Ag) nanowire, which is being researched as a next-generation flexible electrode, has excellent optical properties, flexibility, and high conductivity, so it is in the spotlight as a transparent electrode material. However, electrodes using silver nanowires have a haze phenomenon, which makes them difficult to use in display devices, and exhibits high dark current due to poor surface roughness, resulting in low efficiency for application to optoelectronic devices.

CNT(carbon nanotube) 전극의 경우는 우수한 기계적 강도, 강성, 열과 전기 전도도, 낮은 밀도를 가지고 있어서 고분자, 탄소 섬유 및 금속의 장점을 두루 가지고 있는 이상적인 재료이다. 하지만 CNT는 각각 소자 특성에 맞게 CNT를 분리해내는 기술이 필요한데 CNT의 크기가 굉장히 작아 균일하게 분산하기가 어려워 분산을 위한 추가적인 방법을 필요로 한다는 단점이 있다.CNT (carbon nanotube) electrode has excellent mechanical strength, rigidity, thermal and electrical conductivity, and low density, making it an ideal material that has the advantages of polymers, carbon fibers, and metals. However, CNTs require a technology to separate CNTs according to device characteristics, but the size of CNTs is very small, making it difficult to uniformly disperse them, so an additional method for dispersion is required.

이에, 전도성 고분자를 이용하여 전극을 형성하는 연구가 주목을 받고 있다. 전도성 고분자 전극은 주로 PEDOT:PSS 전극을 사용하는데, 전도성 고분자인 PEDOT:PSS는 낮은 전도도를 특성을 갖는다는 문제가 있다. Accordingly, research on forming an electrode using a conductive polymer is attracting attention. The conductive polymer electrode mainly uses a PEDOT:PSS electrode, but the conductive polymer, PEDOT:PSS, has a problem in that it has low conductivity.

이를 해결하고자, PEDOT:PSS에 황산을 이용한 후처리를 수행하여 전도도를 4000 S/cm 수준까지 높이는 기술이 제안된 바가 있으나, 황산과 같은 강산을 이용한 후처리 공정은 기판의 손상과 잔여물로 인하여 소자의 수명이 단축 시킨다는 문제가 있다.To solve this problem, a technique has been proposed to increase the conductivity up to 4000 S/cm by performing post-treatment using sulfuric acid on PEDOT:PSS. There is a problem that the life of the device is shortened.

한국공개특허 제10-2017-0124674호, "과불소화산 처리된 전도성 고분자 박막의 제조방법 및 이의 용도"Korean Patent Laid-Open Patent No. 10-2017-0124674, "Method for manufacturing perfluorinated conductive polymer thin film and use thereof"

본 발명은 벤조산을 이용한 후처리를 통해 기판의 손상 없이 전극의 전도도를 향상 시킬 수 있는 전자소자의 제조방법을 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electronic device capable of improving the conductivity of an electrode without damaging the substrate through post-treatment using benzoic acid.

또한, 본 발명은 높은 전도도를 갖는 고효율의 플렉시블 투명 전극을 포함하는 전자소자의 제조방법을 제공하고자 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic device including a highly efficient flexible transparent electrode having high conductivity.

본 발명의 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 기판 상에 전극을 형성하는 단계 및 전극이 형성된 기판에 벤조산(benzoic acid)을 이용한 후처리를 수행하는 단계를 포함할 수 있다. The method of manufacturing an electronic device according to an embodiment of the present invention may include forming an electrode on a substrate and performing post-treatment using benzoic acid on the substrate on which the electrode is formed.

일측에 따르면, 기판은 유리(glass), PDMS(polydimethylsiloane), PEN(polyethlene naphthalate), PES(polyethersulfone) 및 PI(polyimide) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. According to one side, the substrate may include at least one of glass, polydimethylsiloane (PDMS), polyethlene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), and polyimide (PI).

일측에 따르면, 전극은 PEODT:PSS 전극일 수 있다. According to one side, the electrode may be a PEODT:PSS electrode.

일측에 따르면, PEODT:PSS 전극은 은(Ag) 나노 와이어, SCNT(single layer carbon nanotube), MCNT(multi layer carbon nanotube), DCNT(discrete carbon nanotube), BN, MoS2, MoTe2, WTe2, MoSe2, WS2, WSe2, 그래핀 및 그래핀옥사이드 중 적어도 하나의 물질과 혼합되어 형성될 수 있다.According to one side, PEODT:PSS electrode is silver (Ag) nanowire, SCNT (single layer carbon nanotube), MCNT (multi layer carbon nanotube), DCNT (discrete carbon nanotube), BN, MoS 2 , MoTe 2 , WTe 2 , MoSe 2 , WS 2 , WSe 2 , It may be formed by mixing with at least one material of graphene and graphene oxide.

일측에 따르면, 전극을 형성하는 단계는 바 코팅(bar coating), 스핀 코팅(spin coating) 및 스프레이 코팅(spray coating) 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 기판 상에 전극을 형성할 수 있다. According to one side, the forming of the electrode may include forming the electrode on the substrate using at least one of bar coating, spin coating, and spray coating.

일측에 따르면, 후처리를 수행하는 단계는 벤조산의 용매와 DMSO(dimethyl sulfoxide), EG(ethylene glycol), MeOH(methanol) 및 EtOH(ethylalcohol) 중 적어도 하나의 용매가 혼합된 용액을 이용하여 후처리를 수행할 수 있다. According to one side, the step of performing the post-treatment is a post-treatment using a solution in which a solvent of benzoic acid and at least one solvent of DMSO (dimethyl sulfoxide), EG (ethylene glycol), MeOH (methanol), and EtOH (ethylalcohol) are mixed. can be performed.

일측에 따르면, 후처리를 수행하는 단계는 벤조산의 용액을 디핑(dipping) 또는 드로핑(dropping)하여 후처리를 수행할 수 있다. According to one side, in the step of performing the post-treatment, the post-treatment may be performed by dipping or dropping a solution of benzoic acid.

일측에 따르면, 전극을 형성하는 단계는 전극이 형성된 기판을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to one side, the step of forming the electrode may further include the step of heat-treating the substrate on which the electrode is formed.

일측에 따르면, 후처리를 수행하는 단계는 후처리가 수행된 기판을 열처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to one side, the performing of the post-processing may further include the step of heat-treating the substrate on which the post-processing has been performed.

일측에 따르면, 후처리를 수행하는 단계는 DMSO(dimethyl sulfoxide) 용액을 이용하여 후처리가 수행된 기판을 세정하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to one side, performing the post-treatment may further include cleaning the substrate on which the post-treatment has been performed using a dimethyl sulfoxide (DMSO) solution.

일측에 따르면, 전자소자의 제조방법은 후처리가 수행된 기판 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극을 순차적으로 적층 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.According to one side, the method of manufacturing an electronic device may further include sequentially stacking and forming a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode on the substrate on which the post-processing is performed.

일실시예에 따르면, 본 발명은 벤조산을 이용한 후처리를 통해 기판의 손상 없이 전극의 전도도를 향상 시킬 수 있다. According to one embodiment, the present invention can improve the conductivity of the electrode without damaging the substrate through the post-treatment using benzoic acid.

일실시예에 따르면, 본 발명은 높은 전도도를 갖는 고효율의 플렉시블 투명 전극을 포함하는 전자소자를 제조할 수 있다.According to one embodiment, the present invention can manufacture an electronic device including a highly efficient flexible transparent electrode having high conductivity.

도 1은 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2a 내지 도 2e는 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법의 구현예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 일실시예에 따른 후처리 공정의 수행에 따른 기판의 상태 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 일실시예에 따른 후처리 공정이 수행된 전극의 투과도 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 5 내지 도 6은 일실시예에 따른 후처리 공정이 수행된 전극의 면저항 특성을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 일실시예에 따른 후처리 공정이 수행된 전극의 AFM 분석 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 일실시예에 따른 후처리 공정이 수행된 전극의 XPS 스펙트라 분석 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 통해 유기 발광소자를 형성하는 예시를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 일실시예에 따른 전자소의 제조방법을 통해 형성된 유기 발광소자의 특성을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment.
2A to 2E are diagrams for explaining an embodiment of a method of manufacturing an electronic device according to an exemplary embodiment.
3 is a view for explaining a state change of a substrate according to the execution of a post-processing process according to an embodiment.
4 is a view for explaining transmittance characteristics of an electrode on which a post-treatment process is performed according to an embodiment.
5 to 6 are diagrams for explaining the sheet resistance characteristics of an electrode on which a post-treatment process is performed according to an exemplary embodiment.
7 is a view for explaining an AFM analysis result of an electrode subjected to a post-treatment process according to an embodiment.
8 is a view for explaining an XPS spectra analysis result of an electrode subjected to a post-treatment process according to an embodiment.
9 is a view for explaining an example of forming an organic light emitting device through a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment.
10 is a view for explaining characteristics of an organic light emitting device formed through a method of manufacturing an electronic device according to an exemplary embodiment.

이하, 본 문서의 다양한 실시 예들이 첨부된 도면을 참조하여 기재된다.Hereinafter, various embodiments of the present document will be described with reference to the accompanying drawings.

실시 예 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Examples and terms used therein are not intended to limit the technology described in this document to specific embodiments, and should be understood to include various modifications, equivalents, and/or substitutions of the embodiments.

하기에서 다양한 실시 예들을 설명에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다.Hereinafter, when it is determined that a detailed description of a known function or configuration related to various embodiments may unnecessarily obscure the gist of the present invention, a detailed description thereof will be omitted.

그리고 후술되는 용어들은 다양한 실시 예들에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In addition, the terms to be described later are terms defined in consideration of functions in various embodiments, which may vary according to intentions or customs of users and operators. Therefore, the definition should be made based on the content throughout this specification.

도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.In connection with the description of the drawings, like reference numerals may be used for like components.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다.The singular expression may include the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

본 문서에서, "A 또는 B" 또는 "A 및/또는 B 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다.In this document, expressions such as "A or B" or "at least one of A and/or B" may include all possible combinations of items listed together.

"제1," "제2," "첫째," 또는 "둘째," 등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다.Expressions such as "first," "second," "first," or "second," can modify the corresponding elements regardless of order or importance, and to distinguish one element from another element. It is used only and does not limit the corresponding components.

어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.When an (eg, first) component is referred to as being “connected (functionally or communicatively)” or “connected” to another (eg, second) component, that component is It may be directly connected to the element, or may be connected through another element (eg, a third element).

본 명세서에서, "~하도록 구성된(또는 설정된)(configured to)"은 상황에 따라, 예를 들면, 하드웨어적 또는 소프트웨어적으로 "~에 적합한," "~하는 능력을 가지는," "~하도록 변경된," "~하도록 만들어진," "~를 할 수 있는," 또는 "~하도록 설계된"과 상호 호환적으로(interchangeably) 사용될 수 있다.As used herein, "configured to (or configured to)" according to the context, for example, hardware or software "suitable for," "having the ability to," "modified to ," "made to," "capable of," or "designed to" may be used interchangeably.

어떤 상황에서는, "~하도록 구성된 장치"라는 표현은, 그 장치가 다른 장치 또는 부품들과 함께 "~할 수 있는" 것을 의미할 수 있다.In some circumstances, the expression “a device configured to” may mean that the device is “capable of” with other devices or parts.

예를 들면, 문구 "A, B, 및 C를 수행하도록 구성된(또는 설정된) 프로세서"는 해당 동작을 수행하기 위한 전용 프로세서(예: 임베디드 프로세서), 또는 메모리 장치에 저장된 하나 이상의 소프트웨어 프로그램들을 실행함으로써, 해당 동작들을 수행할 수 있는 범용 프로세서(예: CPU 또는 application processor)를 의미할 수 있다.For example, the phrase “a processor configured (or configured to perform) A, B, and C” refers to a dedicated processor (eg, an embedded processor) for performing the operations, or by executing one or more software programs stored in a memory device. , may refer to a general-purpose processor (eg, a CPU or an application processor) capable of performing corresponding operations.

또한, '또는' 이라는 용어는 배타적 논리합 'exclusive or' 이기보다는 포함적인 논리합 'inclusive or' 를 의미한다.Also, the term 'or' means 'inclusive or' rather than 'exclusive or'.

즉, 달리 언급되지 않는 한 또는 문맥으로부터 명확하지 않는 한, 'x가 a 또는 b를 이용한다' 라는 표현은 포함적인 자연 순열들(natural inclusive permutations) 중 어느 하나를 의미한다.That is, unless stated otherwise or clear from context, the expression 'x employs a or b' means any one of natural inclusive permutations.

상술한 구체적인 실시 예들에서, 발명에 포함되는 구성 요소는 제시된 구체적인 실시 예에 따라 단수 또는 복수로 표현되었다.In the specific embodiments described above, elements included in the invention are expressed in singular or plural according to the specific embodiments presented.

그러나, 단수 또는 복수의 표현은 설명의 편의를 위해 제시한 상황에 적합하게 선택된 것으로서, 상술한 실시 예들이 단수 또는 복수의 구성 요소에 제한되는 것은 아니며, 복수로 표현된 구성 요소라 하더라도 단수로 구성되거나, 단수로 표현된 구성 요소라 하더라도 복수로 구성될 수 있다.However, the singular or plural expression is appropriately selected for the situation presented for convenience of description, and the above-described embodiments are not limited to the singular or plural component, and even if the component is expressed in plural, it is composed of a singular or , even a component expressed in a singular may be composed of a plural.

한편 발명의 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 다양한 실시 예들이 내포하는 기술적 사상의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다.On the other hand, although specific embodiments have been described in the description of the invention, various modifications are possible without departing from the scope of the technical idea contained in the various embodiments.

그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니되며 후술하는 청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the following claims as well as the claims and equivalents.

도 1은 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 벤조산을 이용한 후처리를 통해 기판의 손상 없이 전극의 전도도를 향상 시킬 수 있다. Referring to FIG. 1 , in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, the conductivity of the electrode can be improved without damaging the substrate through post-treatment using benzoic acid.

또한, 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 높은 전도도를 갖는 고효율의 플렉시블 투명 전극을 포함하는 전자소자를 제조할 수 있다. In addition, the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment may manufacture an electronic device including a highly efficient flexible transparent electrode having high conductivity.

예를 들면, 일실시예에 따른 전자소자는 발광소자, 태양전지, 센서, 탐지기, 배터리, 압전 소자, 메모리, 멤리스터 및 시냅스 소자 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 일실시예에 따른 전자소자는 이에 한정되지 않고 플렉시블 투명 전극을 포함하는 다양한 광전자 소자, 플렉시블 소자 및 웨어러블 소자를 포함할 수 있다.For example, the electronic device according to an embodiment may include at least one of a light emitting device, a solar cell, a sensor, a detector, a battery, a piezoelectric device, a memory, a memristor, and a synaptic device, but the electronic device according to an embodiment is not limited thereto, and may include various optoelectronic devices including flexible transparent electrodes, flexible devices, and wearable devices.

구체적으로, 110 단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 기판 상에 전극을 형성할 수 있다. Specifically, in step 110 , the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment may form an electrode on a substrate.

120 단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 전극이 형성된 기판에 대한 1차 열처리를 수행할 수 있다.In step 120, the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment may perform a first heat treatment on the substrate on which the electrode is formed.

130 단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 전극이 형성된 기판에 벤조산(benzoic acid)을 이용한 후처리를 수행할 수 있다. In step 130, in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, a post-treatment using benzoic acid may be performed on the substrate on which the electrode is formed.

다시 말해, 130 단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 120 단계를 통해 열처리된 전극에 대하여 벤조산을 이용한 후처리를 수행할 수 있다.In other words, in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment in step 130 , a post-treatment using benzoic acid may be performed on the heat-treated electrode in step 120 .

한편, 130 단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 DMSO(dimethyl sulfoxide) 용액을 이용하여 후처리가 수행된 기판을 세정할 수 있다.Meanwhile, in step 130 , in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, the substrate on which the post-treatment has been performed may be cleaned using a dimethyl sulfoxide (DMSO) solution.

140 단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 130 단계를 통해 후처리가 수행된 기판에 대한 2차 열처리를 수행할 수 있다. In step 140 , the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment may perform secondary heat treatment on the substrate on which the post-processing has been performed in step 130 .

다시 말해, 140 단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 130 단계를 통해 세정된 전극 및 기판에 대한 2차 열처리를 수행할 수 있다. In other words, in step 140 , the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment may perform secondary heat treatment on the electrode and substrate cleaned in step 130 .

150 단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 기판 상에 증착된 전극을 패터닝하여 플렉시블 투명 전극을 완성할 수 있다.In step 150 , in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, a flexible transparent electrode may be completed by patterning an electrode deposited on a substrate.

일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 이후 도 2a 내지 도 2e를 통해 보다 구체적으로 설명하기로 한다. A method of manufacturing an electronic device according to an embodiment will be described in more detail later with reference to FIGS. 2A to 2E .

도 2a 내지 도 2e는 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법의 구현예를 설명하기 위한 도면이다. 2A to 2E are diagrams for explaining an embodiment of a method of manufacturing an electronic device according to an exemplary embodiment.

도 2a 내지 도 2e를 참조하면, 210단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 기판(202) 상에 전극을 형성할 수 있다. 2A to 2E , in step 210 , in the method of manufacturing an electronic device according to an exemplary embodiment, an electrode may be formed on a substrate 202 .

예를 들면, 기판(202)은 유리(glass), PDMS(polydimethylsiloane), PEN(polyethlene naphthalate), PES(polyethersulfone) 및 PI(polyimide) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으며, 전극은 PEODT:PSS 전극일 수 있다.For example, the substrate 202 may include at least one of glass, polydimethylsiloane (PDMS), polyethlene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), and polyimide (PI), and the electrode is PEODT:PSS. It may be an electrode.

일측에 따르면, PEODT:PSS 전극은 은(Ag) 나노 와이어, SCNT(single layer carbon nanotube), MCNT(multi layer carbon nanotube), DCNT(discrete carbon nanotube), BN, MoS2, MoTe2, WTe2, MoSe2, WS2, WSe2, 그래핀 및 그래핀옥사이드 중 적어도 하나의 물질과 혼합되어 형성될 수 있다. According to one side, PEODT:PSS electrode is silver (Ag) nanowire, SCNT (single layer carbon nanotube), MCNT (multi layer carbon nanotube), DCNT (discrete carbon nanotube), BN, MoS 2 , MoTe 2 , WTe 2 , MoSe 2 , WS 2 , WSe 2 , It may be formed by mixing with at least one material of graphene and graphene oxide.

일측에 따르면, 210단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 바 코팅(bar coating), 스핀 코팅(spin coating) 및 스프레이 코팅(spray coating) 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 기판(202) 상에 전극을 형성할 수 있다. 바람직하게는, 스핀 코팅을 통해 기판(202) 상에 전극을 형성할 수 있다. According to one side, in step 210 , the method of manufacturing an electronic device according to an exemplary embodiment uses at least one of bar coating, spin coating, and spray coating on the substrate 202 . An electrode may be formed thereon. Preferably, the electrode may be formed on the substrate 202 through spin coating.

220단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 전극(204)이 형성된 기판(202)을 열처리할 수 있다.In step 220 , the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment may heat-treat the substrate 202 on which the electrode 204 is formed.

예를 들면, 220단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 전극(204)이 형성된 기판(202)에 대하여 140℃에서 20분간의 열처리 과정을 수행할 수 있다. For example, in step 220 , in the method of manufacturing an electronic device according to an exemplary embodiment, a heat treatment process may be performed at 140° C. for 20 minutes on the substrate 202 on which the electrode 204 is formed.

230단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 전극(204)이 형성된 기판(202)에 벤조산(benzoic acid)을 이용한 후처리를 수행할 수 있다. In step 230 , in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, a post-treatment using benzoic acid may be performed on the substrate 202 on which the electrode 204 is formed.

일측에 따르면, 230단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 벤조산의 용매와 DMSO(dimethyl sulfoxide), EG(ethylene glycol), MeOH(methanol) 및 EtOH(ethylalcohol) 중 적어도 하나의 용매가 혼합된 용액을 이용하여 후처리를 수행할 수 있다. According to one side, in step 230, in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, a solvent of benzoic acid and at least one solvent of DMSO (dimethyl sulfoxide), EG (ethylene glycol), MeOH (methanol) and EtOH (ethylalcohol) is mixed. Post-treatment can be performed using the prepared solution.

또한, 230단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 벤조산의 용액을 디핑(dipping) 또는 드로핑(dropping)하여 후처리를 수행할 수 있으며, 230단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 벤조산의 용액을 PEDOT:PSS 용액과 혼합(mixing)하여 후처리를 수행할 수도 있으나, 바람직하게는, 벤조산의 용액을 디핑하여 후처리를 수행할 수 있다.In addition, in step 230, the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment may perform post-treatment by dipping or dropping a solution of benzoic acid, and in step 230, the electronic device according to an embodiment In the manufacturing method, the post-treatment may be performed by mixing a solution of benzoic acid with a PEDOT:PSS solution, but preferably, the post-treatment may be performed by dipping a solution of benzoic acid.

예를 들면, 230단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 220단계에서 열처리한 전극(204)을 벤조산 용매를 DMSO 용매에 녹인 용액에 넣은 후에 상온에서 60분간 디핑 처리를 수행할 수 있다. For example, in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment in step 230, the electrode 204 heat-treated in step 220 is put in a solution in which a benzoic acid solvent is dissolved in a DMSO solvent, and then a dipping treatment can be performed at room temperature for 60 minutes. .

230단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 스크리닝 효과(screening effect)로 인해 PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene))와 PSS(poly(styrenesulfonate))의 쿨롱 힘(Coulomb force)을 낮추어 PEDOT과 PSS의 상 분리를 유도하고 벤조산의 양전하와 PSS의 음전하가 결합하면서 절연체인 PSS의 양이 감소하여 전도성을 띈 PEDOT이 응집하게 되면서 전도도가 향상될 수 있다.In step 230, the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment lowers the Coulomb force of PEDOT (Poly (3,4-ethylenedioxythiophene)) and PSS (poly (styrenesulfonate)) due to a screening effect. Inducing the phase separation of PEDOT and PSS, the positive charge of benzoic acid and the negative charge of PSS combine to decrease the amount of PSS, an insulator, so that the conductive PEDOT aggregates and the conductivity can be improved.

다시 말해, 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 약산인 벤조산을 이용한 후처리 공정을 통해 기판의 손상 없이 고효율의 PEDOT:PSS 투명 전극을 형성할 수 있다. In other words, in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, a high-efficiency PEDOT:PSS transparent electrode can be formed without damaging the substrate through a post-treatment process using benzoic acid, which is a weak acid.

230단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 DMSO(dimethyl sulfoxide) 용액을 이용하여 후처리가 수행된 기판(202)을 세정할 수 있다.In step 230 , in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, the substrate 202 on which the post-processing has been performed may be cleaned using a dimethyl sulfoxide (DMSO) solution.

예를 들면, 230단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 DMSO 용액에 후처리가 수행된 기판(202)을 넣어 30분간 세척 공정을 진행할 수 있다. For example, in step 230 , in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, the substrate 202 on which the post-treatment has been performed is put into a DMSO solution, and a washing process may be performed for 30 minutes.

240단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 후처리가 수행된 기판(202)을 열처리할 수 있다.In step 240 , the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment may heat-treat the substrate 202 on which the post-processing has been performed.

다시 말해, 240단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 기판(202) 및 기판(202) 상에 증착된 후처리된 전극(206)에 대하여 열처리를 수행할 수 있다. In other words, in step 240 , in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, heat treatment may be performed on the substrate 202 and the post-processed electrode 206 deposited on the substrate 202 .

예를 들면, 240단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 세정이 완료된 기판(202)과 후처리된 전극(206)에 대하여 140℃에서 20분간의 열처리 과정을 수행할 수 있다.For example, in step 240 , the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment may perform a heat treatment process at 140° C. for 20 minutes on the cleaned substrate 202 and the post-processed electrode 206 .

250단계에서 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 기판(202) 상에 증착 형성된 후처리된 전극(206)을 패터닝하여 플렉시블 투명 전극을 완성할 수 있다. In step 250 , in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, a flexible transparent electrode may be completed by patterning the post-processed electrode 206 deposited on the substrate 202 .

한편, 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 후처리가 수행된 기판 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극을 순차적으로 적층 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. Meanwhile, the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment may further include sequentially stacking and forming a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode on the substrate on which the post-processing is performed. have.

다시 말해, 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 250단계를 통해 후처리된 전극(206)이 패터닝 되어 있는 기판(202) 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극을 순차적으로 적층 형성하여 유기 발광소자를 형성할 수 있다. In other words, in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are formed on the substrate 202 on which the electrode 206 is patterned after being processed through step 250 . and a cathode may be sequentially stacked to form an organic light emitting device.

예를 들면, 유기 발광소자는 후처리된 전극(206)을 양극으로 사용할 수 있으며, 1.2 Х 10-6 압력에서 열 증착을 통해 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극이 적층 형성될 수 있다.For example, the organic light emitting device may use the post-processed electrode 206 as an anode, and a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode through thermal evaporation at a pressure of 1.2 Х 10 -6 This can be laminated.

한편, 유기 발광소자는 후처리된 전극(206)을 정공 수송층으로 사용할 수도 있다.Meanwhile, the organic light emitting device may use the post-processed electrode 206 as a hole transport layer.

도 3은 일실시예에 따른 후처리 공정의 수행에 따른 기판의 상태 변화를 설명하기 위한 도면이다. 3 is a view for explaining a state change of a substrate according to the execution of a post-processing process according to an embodiment.

도 3의 (a)는 PEDOT:PSS 전극에 약산인 벤조산을 이용한 후처리를 수행하였을 때 PEN 기판의 상태 변화를 나타내고, 도 3의 (b)는 PEDOT:PSS 전극에 강산인 황산을 이용한 후처리를 수행하였을 때 PEN 기판의 상태 변화를 나타낸다. Figure 3 (a) shows the change in the state of the PEN substrate when the PEDOT: PSS electrode is post-processed using benzoic acid, a weak acid, shows the change in the state of the PEN substrate when

도 3에 따르면, 벤조산을 이용하여 후처리를 진행하였을 때에는 기판에 아무런 손상이 없었으나, 황산을 이용하여 후처리를 진행하였을 때에는 기판의 손상이 확인 되었다.According to FIG. 3 , there was no damage to the substrate when the post-treatment was performed using benzoic acid, but damage to the substrate was confirmed when the post-treatment was performed using sulfuric acid.

도 4는 일실시예에 따른 후처리 공정이 수행된 전극의 투과도 특성을 설명하기 위한 도면이다. 4 is a view for explaining transmittance characteristics of an electrode on which a post-treatment process is performed according to an embodiment.

도 4의 참조부호 400은 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 전극과, 벤조산을 이용한 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 전극의 투과도 특성을 나타낸다. Reference numeral 400 of FIG. 4 denotes the transmittance characteristics of the PEDOT:PSS electrode on which the post-treatment is not performed and the PEDOT:PSS electrode on which the post-treatment using benzoic acid is performed.

도 4를 참조하면, 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 전극과 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 전극 모두 가시광선 대역에서 80% 이상의 높은 투과도를 보이는 것을 확인 하였다. 즉, 일실시예에 따른 후처리 공정을 진행하더라도 PEDOT:PSS 전극의 투과도는 거의 감소되지 않았다.Referring to FIG. 4 , it was confirmed that both the PEDOT:PSS electrode without post-treatment and the PEDOT:PSS electrode on which the post-treatment was performed showed high transmittance of 80% or more in the visible light band. That is, the transmittance of the PEDOT:PSS electrode was hardly reduced even when the post-treatment process according to the embodiment was performed.

다시 말해, 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 통해 수행되는 후처리 공정은 PEDOT:PSS 전극의 투과도 특성에 대한 손실 없이 전도도를 향상시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. In other words, it was confirmed that the post-treatment process performed through the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment can improve the conductivity without loss of the transmittance characteristics of the PEDOT:PSS electrode.

도 5 내지 도 6은 일실시예에 따른 후처리 공정이 수행된 전극의 면저항 특성을 설명하기 위한 도면이다.5 to 6 are diagrams for explaining the sheet resistance characteristics of an electrode on which a post-treatment process is performed according to an exemplary embodiment.

도 5의 참조부호 500은 복수의 후처리 농도(0.1wt%, 0.5wt%, 1wt%, 5wt%, 10wt%)에 따른 PEDOT:PSS 전극의 면저항을 나타낸다. Reference numeral 500 of FIG. 5 denotes the sheet resistance of the PEDOT:PSS electrode according to a plurality of post-treatment concentrations (0.1wt%, 0.5wt%, 1wt%, 5wt%, 10wt%).

또한, 도 6의 (a)는 벤조산을 10wt%의 농도로 후처리 하였을 때 PEDOT:PSS 전극의 면저항을 나타내고, 도 5의 (b)는 아세트산(acetic acid) 을 10wt%의 농도로 후처리 하였을 때 PEDOT:PSS 전극의 면저항을 나타낸다.In addition, (a) of FIG. 6 shows the sheet resistance of the PEDOT:PSS electrode when benzoic acid was post-treated at a concentration of 10 wt%, and (b) of FIG. 5 shows acetic acid was post-treated at a concentration of 10 wt%. When PEDOT:PSS represents the sheet resistance of the electrode.

도 5를 참조하면, 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 전극의 면저항은 150Kohm/sp으로 나타났고, 벤조산의 농도가 높아질수록 면저항이 감소되는 것으로 나타났으며, 특히, 10wt%의 농도로 처리했을 때 면저항이 212ohm/sq로 최소가 되는 것으로 나타났다. Referring to FIG. 5 , the sheet resistance of the PEDOT:PSS electrode without post-treatment was found to be 150 Kohm/sp, and as the concentration of benzoic acid increased, the sheet resistance was decreased. When the sheet resistance was 212 ohm/sq, it was found to be the minimum.

다시 말해, 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법은 5wt% 내지 10wt% 농도의 벤조산을 이용한 후처리를 진행하여, PEDOT:PSS 전극의 전도도를 극대화할 수 있음을 확인할 수 있었다.In other words, in the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment, it was confirmed that the conductivity of the PEDOT:PSS electrode could be maximized by performing post-treatment using benzoic acid at a concentration of 5 wt% to 10 wt%.

도 6을 참조하면, 아세트산으로 후처리를 진행한 PEDOT:PSS 전극은 면저항이 283ohm/sq으로 감소하고, 벤조산으로 후처리를 진행한 PEDOT:PSS 전극은 면저항이 212ohm/sq으로 감소한 것으로 나타났다. Referring to FIG. 6 , the PEDOT:PSS electrode post-treated with acetic acid had a sheet resistance decreased to 283 ohm/sq, and the PEDOT:PSS electrode post-treated with benzoic acid had a sheet resistance decreased to 212 ohm/sq.

즉, 약산인 아세트산으로 후처리를 진행한 경우에도 면저항이 낮아져서 전도도가 향상될 수 있으나, 아세트산 보다 벤조산으로 후처리를 진행한 경우에 전도도 특성이 더 많이 향상되는 것을 확인할 수 있었다.That is, even when the post-treatment was performed with acetic acid, which is a weak acid, the sheet resistance was lowered and the conductivity could be improved.

도 7은 일실시예에 따른 후처리 공정이 수행된 전극의 AFM 분석 결과를 설명하기 위한 도면이다. 7 is a view for explaining an AFM analysis result of an electrode subjected to a post-treatment process according to an embodiment.

도 7의 (a)는 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 전극의 표면에 대한 AFM(atomic force microscope) 이미지를 나타내고, 도 7의 (b)는 벤조산을 이용한 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 전극의 표면에 대한 AFM 이미지를 나타낸다.FIG. 7(a) shows an atomic force microscope (AFM) image of the surface of the PEDOT:PSS electrode on which post-treatment is not performed, and FIG. 7(b) shows the PEDOT:PSS electrode on which post-treatment using benzoic acid is performed. AFM images for the surface of

도 7을 참조하면, 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 전극의 표면 거칠기 값은 0.87이고, 벤조산을 이용한 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 전극의 표면 거칠기 값은 1.59로 증가하였음을 확인할 수 있었다. Referring to FIG. 7 , it was confirmed that the surface roughness value of the PEDOT:PSS electrode on which the post-treatment was not performed was 0.87, and the surface roughness value of the PEDOT:PSS electrode on which the post-treatment using benzoic acid was performed increased to 1.59.

이러한 표면 거칠기의 증가는 PEDOT:PSS 전극의 PSS가 제거되어 스크리닝 효과로 인하여 PEDOT과 PSS간의 쿨롱 힘이 약해지면서 PEDOT 간의 응집으로 인한 것으로 분석된다.This increase in surface roughness is analyzed to be due to aggregation between PEDOT and PEDOT as the PSS of the PEDOT:PSS electrode is removed and the Coulombic force between PEDOT and PSS is weakened due to the screening effect.

도 8은 일실시예에 따른 후처리 공정이 수행된 전극의 XPS 스펙트라 분석 결과를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining an XPS spectra analysis result of an electrode subjected to a post-treatment process according to an embodiment.

도 8의 참조부호 800은 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 전극과, 벤조산을 이용한 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 전극에 대한 XPS 스펙트라 분석 결과를 나타낸다. Reference numeral 800 in FIG. 8 denotes XPS spectra analysis results for a PEDOT:PSS electrode that is not post-processed and a PEDOT:PSS electrode that is post-processed using benzoic acid.

도 8을 참조하면, 벤조산을 이용한 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 전극의 168eV 부근의 결합에너지는 PSS의 황 원자 피크치(sulfur atom peak)를 나타내고, 163 eV 부근의 결합에너지는 PEDOT의 황 원자 피크치를 나타낸다.Referring to FIG. 8 , the binding energy near 168 eV of the PEDOT:PSS electrode subjected to post-treatment using benzoic acid represents the sulfur atom peak of PSS, and the binding energy near 163 eV is the peak value of the sulfur atom of PEDOT. indicates

구체적으로, 참조부호 800의 XPS 스펙트라를 살펴보면, 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 전극의 PEDOT 피크의 세기가 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 전극의 PEDOT 피크의 세기 보다 높은 것을 확인할 수 있었다. Specifically, looking at the XPS spectra of reference numeral 800, it was confirmed that the intensity of the PEDOT peak of the PEDOT:PSS electrode on which the post-treatment was performed was higher than the intensity of the PEDOT peak of the PEDOT:PSS electrode on which the post-treatment was not performed.

이는 PSS가 제거되어 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 전극의 PEDOT의 함량 증가함에 따른 결과로 확인되며, 절연체인 PSS가 제거되면서 전도성인 PEDOT 간의 응집으로 인하여 전도도가 향상됨을 의미한다.This is confirmed as a result of an increase in the content of PEDOT in the PEDOT:PSS electrode subjected to post-treatment with PSS removed, and it means that conductivity is improved due to aggregation between conductive PEDOTs while PSS, an insulator, is removed.

도 9는 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 통해 유기 발광소자를 형성하는 예시를 설명하기 위한 도면이다. 9 is a view for explaining an example of forming an organic light emitting device through a method of manufacturing an electronic device according to an embodiment.

다시 말해, 도 9는 도 1 내지 도 8를 통해 설명한 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 통해 유기 발광소자를 형성하는 예시를 설명하는 도면으로, 이후 도 9를 통해 설명하는 내용 중 도 1 내지 도 8을 통해 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다. In other words, FIG. 9 is a view for explaining an example of forming an organic light emitting device through the method of manufacturing an electronic device according to an exemplary embodiment described with reference to FIGS. 1 to 8 , and FIG. 1 among the contents described later with reference to FIG. 9 . A description that overlaps with the content described with reference to FIGS. 8 to 8 will be omitted.

도 9를 참조하면, 일실시예에 따른 전자소자의 제조방법을 통해 형성되는 유기 발광소자(900)는 기판(910), 양극(920), 정공 주입층(930), 정공 수송층(940), 발광층(950), 전자 수송층(960), 전자 주입층(970) 및 음극(980)이 순차적으로 적층 형성될 수 있다. Referring to FIG. 9 , the organic light emitting device 900 formed by the method of manufacturing an electronic device according to an embodiment includes a substrate 910 , an anode 920 , a hole injection layer 930 , a hole transport layer 940 , The emission layer 950 , the electron transport layer 960 , the electron injection layer 970 , and the cathode 980 may be sequentially stacked.

구체적으로, 양극(920)은 PEDOT:PSS 물질을 기판(910) 상에 증착하고, 기판(910) 상에 증착된 PEDOT:PSS 물질에 대하여 벤조산(benzoic acid)을 이용한 후처리를 수행함으로써 형성될 수 있다. Specifically, the anode 920 may be formed by depositing a PEDOT:PSS material on the substrate 910 and performing post-treatment with benzoic acid on the PEDOT:PSS material deposited on the substrate 910 . can

정공 주입층(930)은 HAT-CN(hexaaza-triphenylene-hexacarbon nitrile), MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), CuPc(copper phthalocyanine) 및 PEDOT:PSS 중 적어도 하나의 물질을 포함하고, 5nm의 두께로 증착 형성될 수 있다. The hole injection layer 930 is at least one of hexaaza-triphenylene-hexacarbon nitrile (HAT-CN), MTDATA (4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), copper phthalocyanine (CuPc), and PEDOT:PSS. of the material, and can be formed by deposition to a thickness of 5 nm.

정공 수송층(940)은 NPB,

Figure pat00001
, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2'-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB,
Figure pat00002
, HMTPD,
Figure pat00003
, α-TNB,
Figure pat00004
, PEDOT:PSS, PVK, WO3, NiO2, Mo 및 MoO3 중 적어도 하나의 물질을 포함하고, 40nm의 두께로 증착 형성될 수 있다.The hole transport layer 940 is NPB,
Figure pat00001
, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, DMFL-TPD, DMFL-NPB, DPFL-TPD, DPFL-NPB, α-NPD, Spiro-TAD, BPAPF, NPAPF, NPBAPF, Spiro-2NPB, PAPB, 2,2 '-Spiro-DBP, Spiro-BPA, TAPC, Spiro-TTB,
Figure pat00002
, HMTPD,
Figure pat00003
, α-TNB,
Figure pat00004
, PEDOT:PSS, PVK, WO 3 , NiO 2 , Mo and MoO 3 At least one of the materials may be deposited and formed to a thickness of 40 nm.

발광층(950)은 mCP:Firpic, Alq3, CBP:Ir(ppy)3, mCP:Ir(bt)2(acac), CBP:Rubrene 및 Alq3:PtOEP 중 적어도 하나의 물질을 포함하고, 30nm의 두께로 증착 형성될 수 있다. The light emitting layer 950 includes at least one of mCP:Firpic, Alq 3 , CBP:Ir(ppy) 3 , mCP:Ir(bt) 2 (acac), CBP:Rubrene and Alq 3 :PtOEP, and has a thickness of 30 nm. It may be formed by deposition to a thickness.

전자 수송층(960)은 C60, C70, PCBM(C60), PCBM(C70), PCBM(C75), PCBM(C80), Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy-OXD, BP-OXD-Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy2, BP4mPy, TmPyPB 및 BTB 중 적어도 하나의 물질을 포함하고, 30nm의 두께로 증착 형성될 수 있다.The electron transport layer 960 is C 60 , C 70 , PCBM(C 60 ), PCBM(C 70 ), PCBM(C 75 ), PCBM(C 80 ), Liq, TPBi, PBD, BCP, Bphen, BAlq, Bpy- at least one of OXD, BP-OXD-Bpy, TAZ, NTAZ, NBphen, Bpy-FOXD, OXD-7, 3TPYMB, 2-NPIP, PADN, HNBphen, POPy 2 , BP 4 mPy, TmPyPB and BTB; , can be formed by deposition to a thickness of 30 nm.

전자 주입층(970)은 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 및 Liq 중 적어도 하나의 물질을 포함하고, 0.5nm 두께로 형성될 수 있다. The electron injection layer 970 includes at least one of LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, and Liq, and may be formed to a thickness of 0.5 nm.

음극(980)은 Al, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd, Pd, 그래핀, SWCNT(single walled carbon nanotube), DWCNT(double walled CNT), MWCNT(multi walled CNT), C60 중 적어도 하나의 물질을 포함하고, 100nm 두께로 형성될 수 있다.The cathode 980 is Al, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd, Pd, graphene, SWCNT (single walled carbon nanotube), DWCNT (double walled CNT), MWCNT (multi walled CNT) and C 60 including at least one material, and may be formed to a thickness of 100 nm.

한편, 발광층(950)은 제1 발광층 및 제1 발광층 상에 형성되는 제2 발광층으로 구성될 수 있다.Meanwhile, the emission layer 950 may include a first emission layer and a second emission layer formed on the first emission layer.

또한, 제1 발광층 및 제2 발광층은 서로 다른 물질로 이루어져 온/오프(on/off) 상태에 따라 발광층(850)의 광량 및 색이 제어되고, 온/오프 상태에 따른 큰 광량 차이를 얻지 못할 경우, 발광층(850)의 색 제어를 통해 데이터를 검출할 수 있다. In addition, since the first light emitting layer and the second light emitting layer are made of different materials, the light amount and color of the light emitting layer 850 are controlled according to the on/off state, and a large difference in the amount of light according to the on/off state cannot be obtained. In this case, data may be detected through color control of the emission layer 850 .

예를 들면, 제1 발광층은 mCP:Firpic, Alq3 및 CBP:Ir(ppy)3 중 적어도 하나의 물질을 포함하고, 제2 발광층은 mCP:Ir(bt)2(acac), CBP:Rubrene 및 Alq3:PtOEP 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. For example, the first light emitting layer is mCP:Firpic, Alq 3 and CBP:Ir(ppy) 3 and at least one material, and the second emission layer may include at least one of mCP:Ir(bt) 2 (acac), CBP:Rubrene, and Alq 3 :PtOEP.

구체적으로, 발광층(950)은 제1 발광층과 제2 발광층이 서로 상이한 물질로 되어, 유기 발광소자(900)가 오프 상태일 경우에는 주로 제2 발광층에서 광량을 나타내고, 온 상태일 경우에는 오프 상태의 제2 발광층에서 나타내는 광량에 더해 제1 발광층에서 나타내는 추가적인 광량이 합쳐진 색이 발광되어, 발광층(950)의 색을 용이하게 제어할 수 있다.Specifically, the light emitting layer 950 is made of different materials from the first light emitting layer and the second light emitting layer, so that when the organic light emitting device 900 is in the off state, the light quantity is mainly displayed in the second light emitting layer, and in the on state, it is in the off state. A color obtained by adding an additional amount of light represented by the first light-emitting layer to the amount of light shown in the second light-emitting layer of the light-emitting layer 950 is emitted, so that the color of the light-emitting layer 950 can be easily controlled.

즉, 유기 발광소자(900)는 두 개의 발광층(제1 발광층, 제2 발광층)을 구비함으로써, 멀티레벨의 색을 제어할 수 있다. 보다 구체적으로, 유기 발광소자(900)는 두 개의 발광층(제1 발광층, 제2 발광층)을 이용하기 때문에, 온/오프 상태가 낮은 휘도 차이를 갖더라도 색 변화를 정확하게 검출할 수 있다.That is, the organic light emitting device 900 includes two light emitting layers (a first light emitting layer and a second light emitting layer), so that multi-level colors can be controlled. More specifically, since the organic light emitting device 900 uses two light emitting layers (a first light emitting layer and a second light emitting layer), a color change can be accurately detected even if the on/off state has a low luminance difference.

또한, 유기 발광소자(900)는 데이터를 읽고 전송하는 경우, 온/오프 상태 변화를 색 변화로 검출하여 데이터를 병렬 처리할 수 있다.In addition, when reading and transmitting data, the organic light emitting device 900 may detect an on/off state change as a color change and process data in parallel.

또한, 유기 발광소자(900)는 소자의 읽기 전압에 따라 두 개의 발광층(제1 발광층, 제2 발광층)에서 생성되는 각각의 광량이 달라지기 때문에, 읽기 전압의 변화에 따라 각각 다른 색을 표현할 수 있어 다중 준위 메모리로 적용할 수 있다.In addition, since the amount of light generated by the two light emitting layers (the first light emitting layer and the second light emitting layer) varies according to the read voltage of the organic light emitting device 900, different colors can be expressed according to the change of the read voltage. Therefore, it can be applied as a multi-level memory.

도 10은 일실시예에 따른 전자소의 제조방법을 통해 형성된 유기 발광소자의 특성을 설명하기 위한 도면이다. 10 is a view for explaining characteristics of an organic light emitting device formed through a method of manufacturing an electronic device according to an exemplary embodiment.

도 10의 (a)는 벤조산을 이용한 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 물질을 포함하는 유기 발광소자와 벤조산을 이용한 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 물질을 포함하는 유기 발광소자의 전류밀도(current density) 특성을 나타내고, 도 10의 (b)는 벤조산을 이용한 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 물질을 포함하는 유기 발광소자와 벤조산을 이용한 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 물질을 포함하는 유기 발광소자의 휘도(luminance) 특성을 나타낸다. 10 (a) is a current density (current) of an organic light emitting device including a PEDOT:PSS material that has not been post-treated using benzoic acid and an organic light-emitting device including a PEDOT:PSS material that has been post-treated with benzoic acid density) characteristics, and (b) of FIG. 10 shows an organic light emitting device including a PEDOT:PSS material that is not post-treated with benzoic acid and an organic light-emitting device comprising a PEDOT:PSS material that has been post-treated with benzoic acid. Shows the luminance characteristics of the device.

도 10을 참조하면, 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 물질을 사용하였을 경우 최대 전류 밀도는 10V에서 5 mA/cm2로 나타나고, 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 물질을 사용하였을 경우 최대 전류 밀도는 10V에서 67 mA/cm2로 나타났다. Referring to FIG. 10 , when the PEDOT:PSS material without post-treatment was used, the maximum current density was 5 mA/cm 2 at 10V, and when the post-treatment PEDOT:PSS material was used, the maximum current density was used. was 67 mA/cm 2 at 10V.

즉, 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 물질을 사용한 경우에 PEDOT:PSS 물질을 사용하지 않았을 경우 보다 PEDOT:PSS 물질의 전류밀도가 약 13배 증가한 것을 확인할 수 있었다.That is, when the PEDOT:PSS material subjected to the post-treatment was used, it was confirmed that the current density of the PEDOT:PSS material was increased by about 13 times compared to the case where the PEDOT:PSS material was not used.

또한, 후처리가 수행되지 않은 PEDOT:PSS 물질을 사용하였을 경우 최대 휘도는 10 V에서 약 1400 cd/m2로 나타나고, 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 물질을 사용하였을 경우 최대 휘도는 10 V에서 약 14700 cd/m2로 나타났다.In addition, when the PEDOT:PSS material without post-treatment was used, the maximum luminance was about 1400 cd/m 2 at 10 V, and when the post-treatment PEDOT:PSS material was used, the maximum luminance was at 10 V. It was found to be about 14700 cd/m 2 .

즉, 후처리가 수행된 PEDOT:PSS 물질을 사용한 경우에 PEDOT:PSS 물질을 사용하지 않았을 경우 보다 PEDOT:PSS 물질의 휘도가 약 14배 증가한 것을 확인할 수 있었다.That is, it was confirmed that the luminance of the PEDOT:PSS material increased by about 14 times when the post-processed PEDOT:PSS material was used, compared to the case where the PEDOT:PSS material was not used.

결국 본 발명을 이용하면, 벤조산을 이용한 후처리를 통해 기판의 손상 없이 전극의 전도도를 향상 시킬 수 있다.After all, if the present invention is used, the conductivity of the electrode can be improved without damaging the substrate through the post-treatment using benzoic acid.

또한, 높은 전도도를 갖는 고효율의 투명 전극을 구비하는 전자소자를 제조할 수 있다. In addition, it is possible to manufacture an electronic device having a high-efficiency transparent electrode having high conductivity.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with reference to the limited drawings, various modifications and variations are possible by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques are performed in a different order than the described method, and/or the described components of the system, structure, apparatus, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components Or substituted or substituted by equivalents may achieve an appropriate result.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

110: 전극 형성 단계
120: 전극이 형성된 기판에 대한 1차 열처리 단계
130: 벤조산을 이용한 후처리 단계
140: 후처리가 수행된 기판에 대한 2차 열처리 단계
150: 전극에 대한 패터닝 단계110: electrode formation step
120: first heat treatment step for the substrate on which the electrode is formed
130: post-treatment step with benzoic acid
140: Second heat treatment step for the substrate on which the post-treatment is performed
150: patterning step for the electrode

Claims (10)

기판 상에 전극을 형성하는 단계 및
상기 전극이 형성된 기판에 벤조산(benzoic acid)을 이용한 후처리를 수행하는 단계
를 포함하는 전자소자의 제조방법.forming an electrode on the substrate; and
performing post-treatment using benzoic acid on the substrate on which the electrode is formed
A method of manufacturing an electronic device comprising a. 제1항에 있어서,
상기 후처리를 수행하는 단계는,
상기 벤조산의 용매와 DMSO(dimethyl sulfoxide), EG(ethylene glycol), MeOH(methanol) 및 EtOH(ethylalcohol) 중 적어도 하나의 용매가 혼합된 용액을 이용하여 상기 후처리를 수행하는 것을 특징으로 하는
전자소자의 제조방법.According to claim 1,
Performing the post-processing step,
The post-treatment is characterized in that the post-treatment is performed using a solution in which the solvent of benzoic acid and at least one solvent of DMSO (dimethyl sulfoxide), EG (ethylene glycol), MeOH (methanol) and EtOH (ethylalcohol) are mixed.
A method for manufacturing an electronic device. 제1항에 있어서,
상기 후처리를 수행하는 단계는,
상기 벤조산의 용액을 디핑(dipping) 또는 드로핑(dropping)하여 상기 후처리를 수행하는 것을 특징으로 하는
전자소자의 제조방법.According to claim 1,
Performing the post-processing step,
Characterized in performing the post-treatment by dipping or dropping the solution of benzoic acid
A method for manufacturing an electronic device. 제1항에 있어서,
상기 전극을 형성하는 단계는,
상기 전극이 형성된 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하고,
상기 후처리를 수행하는 단계는,
상기 후처리가 수행된 기판을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는
전자소자의 제조방법.According to claim 1,
The step of forming the electrode,
Further comprising the step of heat-treating the substrate on which the electrode is formed,
Performing the post-processing step,
Heat-treating the substrate on which the post-processing has been performed, characterized in that it further comprises
A method for manufacturing an electronic device. 제1항에 있어서,
상기 후처리를 수행하는 단계는,
DMSO(dimethyl sulfoxide) 용액을 이용하여 상기 후처리가 수행된 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는
전자소자의 제조방법.According to claim 1,
Performing the post-processing step,
The method further comprising cleaning the substrate on which the post-treatment has been performed using a DMSO (dimethyl sulfoxide) solution.
A method for manufacturing an electronic device. 제1항에 있어서,
상기 기판은 유리(glass), PDMS(polydimethylsiloane), PEN(polyethlene naphthalate), PES(polyethersulfone) 및 PI(polyimide) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는
전자소자의 제조방법.According to claim 1,
wherein the substrate includes at least one of glass, polydimethylsiloane (PDMS), polyethlene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), and polyimide (PI).
A method for manufacturing an electronic device. 제1항에 있어서,
상기 전극은 PEODT:PSS 전극인 것을 특징으로 하는
전자소자의 제조방법.According to claim 1,
The electrode is a PEODT: PSS electrode, characterized in that
A method for manufacturing an electronic device. 제7항에 있어서,
상기 PEODT:PSS 전극은 은(Ag) 나노 와이어, SCNT(single layer carbon
nanotube), MCNT(multi layer carbon nanotube), DCNT(discrete carbon nanotube), BN, MoS2, MoTe2, WTe2, MoSe2, WS2, WSe2, 그래핀 및 그래핀옥사이드 중 적어도 하나의 물질과 혼합되어 형성되는 것을 특징으로 하는
전자소자의 제조방법.8. The method of claim 7,
The PEODT:PSS electrode is a silver (Ag) nanowire, SCNT (single layer carbon)
nanotube), MCNT (multi layer carbon nanotube), DCNT (discrete carbon nanotube), BN, MoS 2 , MoTe 2 , WTe 2 , MoSe 2 , WS 2 , WSe 2 , graphene and graphene oxide with at least one material and characterized in that it is formed by mixing
A method for manufacturing an electronic device. 제1항에 있어서,
상기 전극을 형성하는 단계는,
바 코팅(bar coating), 스핀 코팅(spin coating) 및 스프레이 코팅(spray coating) 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 기판 상에 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는
전자소자의 제조방법.According to claim 1,
The step of forming the electrode,
An electrode is formed on the substrate by using at least one of bar coating, spin coating, and spray coating.
A method for manufacturing an electronic device. 제1항에 있어서,
상기 후처리가 수행된 기판 상에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극을 순차적으로 적층 형성하는 단계를 더 포함하는
전자소자의 제조방법.
According to claim 1,
Further comprising the step of sequentially stacking a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer and a cathode on the post-processed substrate
A method for manufacturing an electronic device.
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