KR20210111628A - 라인 이미지 센서, 이의 성능을 테스트하는 방법 및 프로그램 - Google Patents

라인 이미지 센서, 이의 성능을 테스트하는 방법 및 프로그램 Download PDF

Info

Publication number
KR20210111628A
KR20210111628A KR1020200026800A KR20200026800A KR20210111628A KR 20210111628 A KR20210111628 A KR 20210111628A KR 1020200026800 A KR1020200026800 A KR 1020200026800A KR 20200026800 A KR20200026800 A KR 20200026800A KR 20210111628 A KR20210111628 A KR 20210111628A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
light receiving
image sensor
line image
receiving cell
Prior art date
Application number
KR1020200026800A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102329484B1 (ko
Inventor
육영춘
이응식
허행팔
Original Assignee
한국항공우주연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국항공우주연구원 filed Critical 한국항공우주연구원
Priority to KR1020200026800A priority Critical patent/KR102329484B1/ko
Publication of KR20210111628A publication Critical patent/KR20210111628A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102329484B1 publication Critical patent/KR102329484B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/701—Line sensors
    • H04N5/3692—
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N17/00—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details
    • H04N17/002—Diagnosis, testing or measuring for television systems or their details for television cameras
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N5/372—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서는 어레이 영역 및 상기 어레이 영역에 인접하는 테스트 영역을 포함하는 기판; 상기 어레이 영역에 제1 방향을 따라 일렬로 배열되는 복수의 수광 셀; 및 상기 테스트 영역에 배치되고, 상기 복수의 수광 셀 각각의 일측에 배열되는 복수의 제1 모니터링 센서;를 포함한다.

Description

라인 이미지 센서, 이의 성능을 테스트하는 방법 및 프로그램{LINE IMAGE SENSOR, METHOD AND PROGRAM FOR TESTING PERFORMANCE OF THE SAME}
본 발명의 실시예들은 라인 이미지 센서, 이의 성능을 테스트하는 방법 및 프로그램에 관한 것으로, 구체적으로는 모니터링 센서를 포함하는 라인 이미지 센서, 이의 성능을 테스트하는 방법 및 프로그램에 관한 것이다.
이미지 센서는 광자를 전자로 전환하여 디스플레이로 표시하거나 저장 장치에 저장할 수 있게 하는 반도체 소자이다. 이미지 센서는 수광 신호를 전기적 신호로 변환시키는 수광 소자, 변환된 전기 신호를 증폭 및 압축하는 회로부, 및 전술한 바와 같이 전처리된 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 이미지 신호를 처리하는 반도체 등을 포함할 수 있다. 이미지 센서의 종류로는 전하 결합 소자(Charge Coupled Device; CCD), 상보성 금속 산화막 반도체 소자(Complementary Metal Oxide Semiconductor; CMOS), 밀착형 이미지 센서(Contact Image Sensor; CIS), 포토 커플러(Photo Coupler) 등이 있다.
수광 소자란 외부로부터 광(light)을 받아 전기적 신호로 변화시키는 소자이므로, 이미지 센서의 성능을 테스트하기 위해서는 입력원으로서 광원(light source)이 사용될 수 있다. 이때 광원의 수광 소자에 대한 상대적인 위치 변화나 수광 소자가 광원으로부터 수광하는 광량의 변화 등이 일정하지 않을 수 있다. 이러한 불안정한 외부 환경으로 인해 이미지 센서가 포함하는 수광 소자의 성능을 테스트하는 방법에 있어서, 안정적인 측정 결과를 획득하기 어려운 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명은 모니터링 센서를 포함함으로써 수광 셀의 수광 또는 차광 비율에 대한 광량의 데이터를 산출하여 수광 셀의 성능 테스트의 정확성 및 정밀성이 향상된 라인 이미지 센서, 이를 테스트하는 방법 및 프로그램을 제공하고자 한다.
본 발명은 라인 이미지 센서가 모니터링 센서를 포함함으로써 차단막의 제어와 같은 외부 환경 변화에 민감히 반응하여, 라인 이미지 센서에 대한 테스트의 정확도를 높일 수 있는 라인 이미지 센서, 이를 테스트하는 방법 및 프로그램을 제공하고자 한다.
본 발명은 모니터링 센서를 수광 셀로 입사하는 광의 방향과 다른 방향에 설치함으로써 수광 셀을 향하는 입사광과 간섭을 일으키지 않으면서 수광 셀의 수광 또는 차광 비율에 대한 광량 데이터를 산출하여 수광 셀의 성능을 효과적이고 정확, 정밀하게 테스트할 수 있는 라인 이미지 센서의 테스트 인터페이스 장치, 방법 및 프로그램을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서는 어레이 영역 및 상기 어레이 영역에 인접하는 테스트 영역을 포함하는 기판; 상기 어레이 영역에 제1 방향을 따라 일렬로 배열되는 복수의 수광 셀; 및 상기 테스트 영역에 배치되고, 상기 복수의 수광 셀 각각의 일측에 배열되는 복수의 제1 모니터링 센서;를 포함한다.
상기 복수의 제1 모니터링 센서는 상기 제1 방향을 따라 균등하게 이격 되어 배열될 수 있다.
상기 수광 셀은 전하 결합 소자(Charge Coupled Device; CCD)이고, 상기 모니터링 센서는 포토다이오드일 수 있다.
상기 복수의 수광 셀 각각에 대하여 소정 개수의 상기 제1 모니터링 센서가 균등하게 배열되고, 상기 소정 개수는 10 이상 100 이하에서 미리 설정될 수 있다.
상기 복수의 수광 셀 각각의 타측에 배열되는 복수의 제2 모니터링 센서를 더 포함하고, 상기 복수의 제1 모니터링 센서와 상기 복수의 제2 모니터링 센서는 상기 제1 방향을 따라 서로 쌍으로 배열될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 테스트 인터페이스 장치는, 라인 이미지 센서의 제1 방향을 따라 일렬로 배열되는 복수의 수광 셀 중에서 적어도 하나의 수광 셀 상에 배치되도록 구성되는 테스트 인터페이스 장치로서, 상기 적어도 하나의 수광 셀을 향하는 제1 면, 및 광을 방출하는 광원을 향하고 상기 제1 면의 반대면인 제2 면을 갖는 하우징; 상기 하우징의 제2 면으로 입사된 광을 상기 제1 면으로 투과시키고, 상기 적어도 하나의 수광 셀로부터 반사되어 상기 제1 면으로 입사된 반사광을 제3 면으로 반사시키는 빔 분리기(Beam Splitter); 및 상기 하우징의 상기 제3 면에 상기 제1 방향을 따라 배열되는 복수의 모니터링 센서; 를 포함한다.
상기 제3 면은 상기 제1 면 및 상기 제2 면에 수직할 수 있다.
상기 빔 분리기는 상기 제1 면과 상기 제3 면에 대하여 90도 이하의 경사각을 가질 수 있다.
상기 복수의 모니터링 센서는 상기 제1 방향을 따라 균등하게 이격 되어 배열될 수 있다.
상기 수광 셀은 전하 결합 소자(Charge Coupled Device; CCD)이고, 상기 모니터링 센서는 포토다이오드일 수 있다.
상기 복수의 수광 셀 각각에 대하여 소정 개수의 상기 모니터링 센서가 균등하게 배열되고, 상기 소정 개수는 10 이상 100 이하에서 미리 설정될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 방법은 전술한 내용의 라인 이미지 센서를 준비하는 단계; 상기 라인 이미지 센서에 대하여 수직인 제2 방향에 배치된 광원을 이용하여 상기 라인 이미지 센서를 향하여 광을 조사하는 단계; 상기 라인 이미지 센서 및 상기 광원 사이에서 차단막을 상기 제2 방향에 수직한 제1 방향으로 이동하는 단계; 상기 라인 이미지 센서의 복수의 수광 셀 중 제1 수광 셀로부터 광량 신호를 수신하고, 상기 라인 이미지 센서의 복수의 모니터링 센서 중에서 상기 제1 수광 셀의 일측에 배열되는 소정 개수의 제1 모니터링 센서들로부터 모니터링 신호들을 각각 수신하는 단계; 및 상기 광량 신호 및 상기 모니터링 신호들을 이용하여, 상기 제1 수광 셀의 성능을 평가하는 단계;를 포함한다.
상기 제1 수광 셀의 성능을 평가하는 단계는, 상기 모니터링 신호들에 기초하여 상기 차단막의 에지가 상기 제1 수광 셀 상에서 상기 제1 방향으로 이동한 거리를 감지하는 단계; 상기 광량 신호를 기초로 상기 제1 수광 셀이 감지한 광량을 산출하는 단계; 및 상기 차단막의 이동 거리 및 상기 광량을 이용하여 상기 제1 수광 셀의 차광 비율에 대한 광량의 데이터를 산출하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 모니터링 신호들에 기초하여 상기 차단막이 상기 제1 방향으로 이동한 거리를 감지하는 단계는, 상기 복수의 모니터링 센서 중 상기 제1 방향으로 상기 차단막과 겹치는 모니터링 센서의 개수에 기초하여 상기 차단막의 이동 거리를 산출하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 수광 셀의 성능을 평가하는 단계는, 상기 모니터링 신호들에 기초하여 상기 제1 수광 셀의 전체 면적에 대한 상기 광원으로부터 방출된 상기 광이 입사되는 면적의 수광 비율을 계산하는 단계; 상기 광량 신호를 기초로 상기 제1 수광 셀이 감지한 광량을 산출하는 단계; 및 상기 제1 수광 셀의 수광 비율에 대한 광량의 데이터를 산출하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 라인 이미지 센서의 복수의 모니터링 센서 중에서 상기 제1 수광 셀의 타측에 배열되는 소정 개수의 제2 모니터링 센서들로부터 모니터링 신호들을 각각 수신하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 방법은 전술한 내용의 라인 이미지 센서의 테스트 인터페이스 장치를 준비하는 단계; 상기 라인 이미지 센서에 대하여 수직인 제2 방향에 배치된 광원을 이용하여 상기 라인 이미지 센서를 향하여 광을 조사하는 단계; 상기 라인 이미지 센서 및 상기 광원 사이에서 차단막을 상기 제2 방향에 수직한 제1 방향으로 이동하는 단계; 상기 라인 이미지 센서의 복수의 수광 셀 중 제1 수광 셀로부터 광량 신호를 수신하고, 상기 테스트 인터페이스 장치의 복수의 모니터링 센서들로부터 모니터링 신호들을 각각 수신하는 단계; 및 상기 광량 신호 및 상기 모니터링 신호들을 이용하여 상기 제1 수광 셀의 성능을 평가하는 단계를 포함한다.
상기 제1 수광 셀의 성능을 평가하는 단계는, 상기 모니터링 신호들에 기초하여 상기 차단막의 에지가 상기 제1 수광 셀 상에서 상기 제1 방향으로 이동한 거리를 감지하는 단계; 상기 광량 신호를 기초로 상기 제1 수광 셀이 감지한 광량을 산출하는 단계; 및 상기 차단막의 이동 거리 및 상기 광량을 이용하여 상기 제1 수광 셀의 차광 비율에 대한 광량의 데이터를 산출하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 모니터링 신호들에 기초하여 상기 차단막이 상기 제1 방향으로 이동한 거리를 감지하는 단계는, 상기 복수의 모니터링 센서들 중 상기 제1 방향으로 상기 차단막과 겹치는 모니터링 센서의 개수에 기초하여 상기 차단막의 이동 거리를 산출하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 수광 셀의 성능을 평가하는 단계는, 상기 모니터링 신호들에 기초하여 상기 제1 수광 셀의 전체 면적에 대한 상기 광원으로부터 방출된 상기 광이 입사되는 면적의 수광 비율을 계산하는 단계; 상기 광량 신호를 기초로 상기 제1 수광 셀이 감지한 광량을 산출하는 단계; 및 상기 제1 수광 셀의 수광 비율에 대한 광량의 데이터를 산출하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 라인 이미지 센서가 모니터링 센서를 포함함으로써 수광 셀의 수광 또는 차광 비율에 대한 광량의 데이터를 산출하여 수광 셀의 성능을 정확하고 정밀하게 테스트할 수 있다.
또한, 라인 이미지 센서가 모니터링 센서를 포함함으로써 차단막의 제어와 같은 외부 환경 변화에 민감히 반응하여, 라인 이미지 센서에 대한 테스트의 정확도를 높일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 모니터링 센서를 수광 셀로 입사하는 광의 방향과 다른 방향에 설치함으로써 수광 셀을 향하는 입사광과 간섭을 일으키지 않으면서 수광 셀의 수광 또는 차광 비율에 대한 광량 데이터를 산출하여 수광 셀의 성능을 효과적이고 정밀하게 테스트할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서를 상측에서 바라본 상면도이다.
도 2는 도 1의 일부분을 확대 도시한 확대도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 구성을 간략히 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 인터페이스 장치를 설명하기 위한 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 형태는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 3을 사용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서에 관하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서를 상측(도 1에서 제2 방향(DR2))에서 바라본 상면도이다.
라인 이미지 센서(100)는 기판(110), 복수의 수광 셀(200), 복수의 모니터링 센서(300), 제어부(400)를 포함할 수 있다. 이하, 도 1 내지 도 3에서 복수의 모니터링 센서(300)를 제1 모니터링 센서(300)로 설명할 수 있다.
기판(110)은 라인 이미지 센서(100)의 구동에 필요한 회로나 반도체를 포함하는 반도체 기판을 포함할 수 있다.
기판(110)은 어레이 영역(AA) 및 어레이 영역(AA)에 인접하는 테스트 영역(TA)을 포함한다.
어레이 영역(AA)은 복수의 수광 셀(200)을 포함할 수 있다. 어레이 영역(AA)의 평면 형상은 장축 및 단축을 갖는 직사각형 형상일 수 있다. 도 1에서는 일 예로, 제1 방향(DR1)으로 연장되는 장축과 제3 방향(DR3)으로 연장되는 단축을 갖는 매트릭스 형태로 도시하였으나, 어레이 영역(AA)의 형상은 본 발명을 한정하지 않는다.
테스트 영역(TA)은 어레이 영역(AA)의 주변 영역에 위치하며, 기판(110)에서 어레이 영역(AA)을 제외한 나머지 영역으로 나타낼 수 있다. 테스트 영역(TA)은 복수의 제1 모니터링 센서(300)를 포함할 수 있다.
복수의 수광 셀(200)은 기판(100)의 어레이 영역(AA)에 제1 방향(DR1)을 따라 일렬로 배열될 수 있다. 수광 셀(200)은 전하 결합 소자(Charge Coupled Device; CCD)일 수 있다. 본 발명의 이미지 센서는 CCD 소자를 활용한 라인 이미지 센서(100)로서, 다양한 광학 스캔 시스템 등에 활용될 수 있다.
실시예에 따라서, 수광 셀(200)은 상보성 금속 산화막 반도체 소자(Complementary Metal Oxide Semiconductor; CMOS), 밀착형 이미지 센서(Contact Image Sensor; CIS), 포토 커플러(Photo Coupler)일 수도 있다.
복수의 제1 모니터링 센서(300)는 기판(100)의 테스트 영역(TA)에 배치되고, 복수의 수광 셀(200) 각각의 일측에 배열될 수 있다. 도 1에서, 상기 일측은 복수의 수광 셀(200)의 좌측일 수 있다. 복수의 제1 모니터링 센서(300)는 제1 방향(DR1)을 따라 균등하게 이격 되어 배열될 수 있다. 도 1에서 복수의 제1 모니터링 센서(300)가 하나의 수광 셀(200) 당 12개로 도시되어 있으나, 제1 모니터링 센서(300)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
제1 모니터링 센서(300)는 광을 검출하는 포토다이오드(Photodiode)일 수 있다.
제어부(400)는 복수의 수광 셀(200) 각각에 연결되어 수광 셀(200)의 수광 신호를 처리하는 제1 제어부(410) 및 복수의 제1 모니터링 센서(300) 각각에 연결되어 제1 모니터링 센서(300)의 모니터링 신호를 처리하는 제2 제어부(420)를 포함할 수 있다. 도 1에서는 설명의 편의상 제어부(400)가 기판(110)의 외부에 배치된 것처럼 도시하였으나, 제어부(400)는 기판(110) 내의 회로 기판이나 반도체 기판 상에 포함된 구성요소일 수 있다.
이하, 도 2를 사용하여 복수의 수광 셀(200) 중 하나의 수광 셀인 제1 수광 셀(201)을 기준으로 더 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 도 1의 일부분을 확대 도시한 확대도이다. 제1 수광 셀(201) 및 이에 대응하는 영역에 배열된 소정 개수의 제1 모니터링 센서(300)가 도시되어 있다.
제1 수광 셀(201)은 제1 방향(DR1)으로 제1 길이(d1)를 가질 수 있다. 제1 길이(d1)는 약 2 ㎛ 내지 약 15 ㎛일 수 있으며, 일 예로 8 ㎛일 수 있다.
제1 수광 셀(201)의 일측에 n개의 제1 모니터링 센서(300)가 제1 방향(DR1)으로 균등하게 이격 되어 배열되어 있다. 이때, n은 자연수이다. 다시 말해, n개의 제1 모니터링 센서(300)가 제1 수광 셀(201)의 제1 길이(d1) 내에 서 균등한 간격으로 배치될 수 있다. 즉, 인접한 제1 모니터링 센서(300)들 간의 간격(d2)은 동일할 수 있다. 실시예에 따라서, 상기 간격(d2)들은 서로 규칙성을 가지면서 서로 다른 값을 가질 수도 있다.
제1 수광 셀(201)에 대하여 이의 일측에 배열되는 제1 모니터링 센서(300)의 개수(n)는 10 이상 100 이하에서 미리 설정될 수 있다. 다시 말해, d1/d2의 비율이 약 0.01 이상 약 0.1 이하일 수 있다. 일 예로, n은 50일 수 있다.
복수의 제1 모니터링 센서(300)는 각 위치(P1, P2, P3, …, P(n-2), P(n-1), Pn; P) 별로 차단막의 유무 등을 센싱함으로써 후술하는 차단막의 제1 방향(DR1)으로의 이동 거리 등을 감지하여 제1 수광 셀(201)의 수광 성능을 테스트할 수 있다. 또는, 복수의 제1 모니터링 센서(300)는 각 위치(P)에 따라 산출된 면적 비율에 따라 제1 수광 셀(201)의 수광량을 감지하여, 제1 수광 셀(201)의 수광 성능을 테스트할 수 있다.
복수의 수광 셀(200)이 포함하는 다른 수광 셀들에 대하여도 전술한 제1 수광 셀(201)과 동일한 내용이 적용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 구성을 간략히 도시한 도면이다. 이하, 도 1 및 도 2에서 전술한 내용과 동일한 내용은 설명을 간략히 하거나 생략하고, 특징되는 부분을 중심으로 설명할 수 있다.
도 3의 라인 이미지 센서(100)는 도 1의 라인 이미지 센서(100)에서 복수의 제2 모니터링 센서(310) 및 제3 제어부(430)를 더 포함할 수 있다.
복수의 제2 모니터링 센서(310)는 복수의 수광 셀(200) 각각의 타측에 배열될 수 있다. 도 3에서 상기 타측은 복수의 수광 셀(200)의 우측일 수 있다. 복수의 제2 모니터링 센서(310)는 제1 방향(DR1)을 따라 균등하게 이격 되어 배열될 수 있다. 도 3에서 복수의 제2 모니터링 센서(310)가 하나의 수광 셀(200) 당 12개로 도시되어 있으나, 제2 모니터링 센서(310)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
복수의 제2 모니터링 센서(310)는 전술한 복수의 제1 모니터링 센서(300)와 제1 방향(DR1)을 따라 사이에 수광 셀(200)을 두고 서로 쌍으로 배열될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 모니터링 센서(300, 310)는 제1 방향(DR1)에 수직한 제3 방향(DR3)으로 서로 대응하는 위치에 배치될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 인터페이스 장치를 설명하기 위한 사시도이다. 이하, 도 1 내지 도 3에서 전술한 내용과 동일한 내용은 설명을 간략히 하거나 생략할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 인터페이스 장치(1000)는 라인 이미지 센서(100)의 제1 방향(DR1)을 따라 일렬로 배열되는 복수의 수광 셀(200) 중에서 적어도 하나의 수광 셀(201) 상에 배치되도록 구성될 수 있다. 라인 이미지 센서(100)는 기판(110) 및 기판(110) 상에 배열된 복수의 수광 셀(200)을 포함할 수 있다.
복수의 수광 셀(200)은 전하 결합 소자(Charge Coupled Device; CCD)일 수 있다.
적어도 하나의 수광 셀(201)은 제1 방향(DR1)으로 제1 길이(d1)를 가질 수 있다. 제1 길이(d1)는 약 2 ㎛ 내지 약 15 ㎛일 수 있으며, 일 예로 8 ㎛일 수 있다.
테스트 인터페이스 장치(1000)는 하우징(500), 빔 분리기(Beam Splitter)(600), 복수의 모니터링 센서(300) 및 제어부(400)를 포함할 수 있다.
하우징(500)은 적어도 하나의 수광 셀(201)을 향하는 제1 면(S1), 제1 면(S1)의 반대면인 제2 면(S2), 및 제1 면(S1)과 제2 면(S2)에 각각 수직한 제3 면(S3)을 가질 수 있다. 제2 면(S2)은 광을 방출하는 광원(800; 도 6 참고)을 향할 수 있다. 제1 면(S1) 및 제2 면(S2)은 서로 평행할 수 있다. 제1, 제2, 제3 방향(DR1, DR2, DR3)을 각각 X, Y, Z축 방향이라 하면, 제1 면(S1) 및 제2 면(S2)은 XZ 평면과 평행하고, 제3 면(S3)은 XY 평면과 평행할 수 있다.
빔 분리기(600)는 광원으로부터 방출되는 광의 경로를 조절하는 역할을 할 수 있다. 빔 분리기(600)는 하우징(500)의 제2 면(S2)으로 입사된 광을 제1 면(S1)으로 투과시킬 수 있다. 이후, 적어도 하나의 수광 셀(201)로부터 반사되어 제1 면(S1)으로 입사된 반사광을 다시 제3 면(S3)으로 반사시킬 수 있다.
이때, 빔 분리기(600)는 하우징(500)의 제1 면(S1)과 제3 면(S3)에 대하여 소정의 경사각(TA1, TA2)을 가질 수 있다. 빔 분리기(600)가 제1 면(S1)에 대하여 가지는 경사각(TA1) 및 빔 분리기(600)가 제3 면(S3)에 대하여 가지는 경사각(TA2)은 90도(˚) 이하일 수 있다. 이와 같이, 빔 분리기(600)가 제1 면(S1) 및 제3 면(S3) 모두에 대하여 90도 이하의 경사각을 가져야 하우징(500)의 제2 면(S2)으로 입사된 광이 그대로 제1 면(S1)으로 투과될 수 있다.
복수의 모니터링 센서(300)는 하우징(500)의 제3 면(S3)에 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 복수의 모니터링 센서(300)는 제1 방향(DR1)을 따라 균등하게 이격 되어 배열될 수 있다. 즉, 인접한 제1 모니터링 센서(300)들 간의 간격(d2)은 동일할 수 있다.
도 2에서 전술한 바와 같이, 적어도 하나의 수광 셀(201)에 대하여 소정 개수의 모니터링 센서(300)가 균등하게 배열될 수 있다. 상기 소정 개수는 10 이상 100 이하에서 미리 설정될 수 있다. 다시 말해, d1/d2의 비율이 약 0.01 이상 약 0.1 이하일 수 있다. 일 예로, n은 50일 수 있다.
모니터링 센서(300)는 포토다이오드일 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 1 내지 도 3에서 전술한 내용과 동일한 내용은 설명을 간략히 하거나 생략할 수 있다.
도 5에서는 도 1의 실시예에 따라, 복수의 제1 모니터링 센서(300)가 복수의 수광 셀(200) 각각의 일측에 제1 방향(DR1)으로 배열된 라인 이미지 센서(100)가 준비되어 있다. 이하, 제1 수광 셀(201)을 기준으로 라인 이미지 센서(100)를 테스트하는 방법에 대하여 설명한다.
라인 이미지 센서(100)에 대하여 수직인 제2 방향(DR2)(가령, 도 5에서 지면을 뚫고 나오는 방향)에 배치된 광원(미도시)을 이용하여 라인 이미지 센서(100)를 향하여 광을 조사할 수 있다. 이때, 라인 이미지 센서(100) 및 광원(미도시) 사이에서 차단막(700)을 이동시키며 제1 수광 셀(201)의 수광 성능을 테스트할 수 있다.
도 5에서는 설명의 편의를 위해 제1 제어부(410) 및 제2 제어부(420)를 포함하는 제어부(400)의 도시는 생략하였으며, 제어부(400)에 관하여는 도 1을 참고할 수 있다.
복수의 수광 셀(200) 각각에 연결된 제1 제어부(410)는 제1 수광 셀(201)로부터 광량 신호를 수신할 수 있다. 제1 제어부(410)는 제1 수광 셀(201)로부터 수신한 상기 광량 신호를 기초로 제1 수광 셀(201)이 감지한 광량을 산출할 수 있다. 그리고, 복수의 제1 모니터링 센서(300) 각각에 연결된 제2 제어부(420)는 제1 모니터링 센서(300) 각각으로부터 모니터링 신호들을 수신할 수 있다.
구체적으로, 차단막(700)은 라인 이미지 센서(100) 및 광원(미도시) 사이에서 제2 방향(DR2)으로는 일정한 위치를 유지하며 제1 방향(DR1)으로 이동할 수 있다. 차단막(700)의 제1 수광 셀(201)의 아래쪽 에지에 가까운 에지를 제1 에지(e1)라고 하고, 제1 에지(e1)의 반대쪽 에지를 제2 에지(e2)라고 한다.
제2 제어부(420)는 제1 모니터링 센서(300) 각각으로부터 수신한 모니터링 신호들에 기초하여 차단막(700)의 에지(e1 또는 e2)가 제1 수광 셀(201) 상에서 제1 방향(DR1)으로 이동한 거리(md)를 감지할 수 있다. 도 5에서는 제1 에지(el)가 제1 수광 셀(201) 영역 내에서 이동하는 경우를 기준으로 하여 설명한다.
구체적으로, 제1 수광 셀(201) 영역 내에 배열된 소정 개수의 제1 모니터링 센서(300) 중 제1 에지(el)의 위치와 겹치는 특정한 제1 모니터링 센서(300)가 반응하여 반응 모니터링 신호를 제2 제어부(420)로 송신할 수 있다. 그러면 제2 제어부(420)가 상기 반응 모니터링 신호와 미리 설정된 상기 소정 개수의 제1 모니터링 센서(300)들 각각의 위치에 기초하여, 제1 에지(el)의 위치, 다시 말해 차단막(700)의 제1 방향(DR1)으로의 이동 거리(md)를 산출할 수 있다.
또는 차단막(700)의 제1 에지(el)의 위치(또는 차단막(700)의 이동 거리(md))를 이용하여 후술하는 제1 수광 셀(201)의 차광 비율 또는 수광 비율을 구하여, 차광 또는 수광 비율에 따른 광량의 데이터를 산출할 수도 있다.
예를 들어, 제1 수광 셀(201)이 차단막(700)으로부터 노출되어 광원으로부터 수광하는 영역의 면적을 M1, 제1 수광 셀(201)이 차단막(700)과 겹쳐 차광되는 영역의 면적을 M2라고 한다. 이때, 제1 수광 셀(201)의 전체 면적은 M1+M2이다.
제1 방향(DR1)으로의 전체 길이는 d1이고, 차단막(700)의 제1 방향(DR1)으로의 이동 거리가 md일 때, 제1 수광 셀(201)의 제3 방향(DR3)으로의 길이는 일정하므로, 면적 M1, M2를 구할 수 있다. 따라서, 제1 수광 셀(201)의 전체 면적(M1+M2)에 대한 차광 비율(M2/(M1+M2))도 구할 수 있다. 상기 차광 비율과 상기 제1 수광 셀(201)이 감지한 광량을 이용하여, 상기 차광 비율에 따른 제1 수광 셀(201)의 광량의 데이터를 산출할 수 있다.
실시예에 따라서, 제1 수광 셀(201)의 전체 면적(M1+M2)에 대한 수광 비율(M1/(M1+M2))을 구하고, 상기 수광 비율에 따른 제1 수광 셀(201)의 광량의 데이터를 산출할 수도 있다.
실시예에 따라서, 제2 제어부(420)가 모니터링 신호들에 기초하여 차단막(700)의 이동 거리(md)를 감지할 때, 복수의 제1 모니터링 센서(300)와 차단막(700)이 중첩되는 비율을 이용하여 감지할 수도 있다. 예를 들어, 제1 수광 셀(201) 영역 내의 소정 개수의 제1 모니터링 센서(300) 중 차단막(700)과 중첩하지 않는 제1 모니터링 센서(300)의 개수를 C1, 차단막(700)과 중첩하는 제1 모니터링 센서(300)의 개수를 C2라 한다. 이때, 상기 소정 개수는 C1+C2가 된다. 중첩되는 비율(C2/(C1+C2)), 또는 중첩되지 않는 비율(C1/(C1+C2))에 기초하여, 차단막(700)의 제1 방향(DR1)으로의 이동 거리(md)를 산출할 수 있다.
이와 같이, 제어부(400)는 수광 셀(201)로부터 수신한 광량 신호 및 모니터링 센서(300)로부터 수신한 모니터링 신호들을 이용하여 제1 수광 셀(201)의 성능을 평가할 수 있다. 예를 들어, 상기 광량 신호 및 상기 모니터링 신호들을 이용하여 산출된 데이터를 레퍼런스(Reference) 데이터와 비교하여 비교 및 조정할 수 있다.
이상에서, 복수의 수광 셀(200) 각각의 일측에 배열된 복수의 제1 모니터링 센서(300)를 사용하여 라인 이미지 센서(100)를 테스트하는 방법을 설명하였으나, 복수의 수광 셀(200) 각각의 타측에 배열된 복수의 제2 모니터링 센서(310; 도 3 참고)를 동시에 사용하여 테스트할 수도 있다. 즉, 복수의 제2 모니터링 센서(310) 각각에 연결된 제3 제어부(430; 도 3 참고)가 제1 수광 셀(201)의 타측에 배열되는 소정 개수의 제2 모니터링 센서(310)들로부터 모니터링 신호들을 수신할 수 있다.
또한, 이상에서는 제1 에지(e1)를 기준으로 설명하였으나, 제2 에지(e2)가 제1 수광 셀(201) 영역 내에서 이동하는 경우에는 제2 에지(e2)의 위치를 기초로 차단막(700)의 이동 거리(md)를 산출할 수도 있다.
이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 라인 이미지 센서(100)가 모니터링 센서(300, 310)를 포함함으로써 수광 셀(200)의 수광 또는 차광 비율에 따른 광량의 데이터를 산출하여 수광 셀의 성능을 더 정확하고 정밀하게 테스트할 수 있다. 본 발명의 라인 이미지 센서(100)가 모니터링 센서(300, 310)를 구비함으로써 별도의 테스트 장치만으로 테스트할 때 발생할 수 있는 오류를 파악하고 보상, 제거함으로써 오차를 최소화하여 테스트의 정확성 및 안정성을 향상시킬 수 있다.
또한, 라인 이미지 센서(100)가 모니터링 센서(300, 310)를 포함함으로써 차단막(700)의 제어와 같은 외부 환경 변화에 민감히 반응하여, 라인 이미지 센서(100)에 대한 테스트의 정확도를 높일 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 4 및 도 5에서 전술한 내용과 동일한 내용은 설명을 간략히 하거나 생략할 수 있고, 도 5와 비교하여 특징이 되는 부분 위주로 설명할 수 있다.
도 6에서는 도 4의 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 인터페이스 장치(1000)가 준비되어 있다. 이하, 제1 수광 셀(201)을 기준으로 테스트 인터페이스 장치(1000)를 이용하여 라인 이미지 센서(100)를 테스트하는 방법에 대하여 설명한다.
기판(110) 및 기판(110) 상에 제1 방향(DR1)을 배열된 복수의 수광 셀(200)을 포함하는 라인 이미지 센서(100)가 배치된 XZ 평면은 바닥면일 수 있다.
제1 방향(DR1)에 수직한 제2 방향(DR2)에 배치된 광원(800)을 이용하여 라인 이미지 센서(100)를 향하여 광을 조사할 수 있다.
광원(800)은 하우징(500)의 제2 면(S2)을 향하여 제1 광(L1)을 방출하여 빔 분리기(600)로 입사시킬 수 있다. 이때, 빔 분리기(600)의 경사각(TA1, TA2)이 모두 90도 이하이므로, 빔 분리기(600)로 입사된 제1 광(L1)은 하우징(500)의 제1 면(S1)을 향하여 투과될 수 있다. 제1 면(S1)은 라인 이미지 센서(100)의 제1 수광 셀(201)을 향하는 면일 수 있다. 즉, 제1 광(L1)은 빔 분리기(600)를 투과하여 라인 이미지 센서(100)로 직행할 수 있다.
이후, 제1 광(L1)은 제1 수광 셀(201)로부터 반사되어 제2 광(L2)이 되어 제1 면(S1)으로 입사된 후 빔 분리기(600)를 향하여 진행할 수 있다. 빔 분리기(600)는 제2 광(L2)을 다시 제3 면(S3)으로 반사시킬 수 있다. 제3 면(S3)으로 입사되는 광을 제3 광(L3)이라 한다. 이때, 빔 분리기(600)의 경사각(TA1, TA2)이 모두 90도 이하이므로, 제2 광(L2)이 제3 면(S3) 상으로 입사될 수 있다.
복수의 모니터링 센서(300)는 제3 광(L3)이 도달하는 제3 면(S3) 상에 제1 방향(DR1)을 따라 일렬로 배열될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 모니터링 센서(300)를 수광 셀(200)로 입사하는 광(L1)의 방향과 다른 방향에 배열함으로써 수광 셀(200)로 향하는 입사광(L1)과 간섭을 일으키지 않으면서 수광 셀(200)의 성능을 더 정확하게 테스트할 수 있다.
이하, 도 5의 실시예와 유사하게 라인 이미지 센서(100) 및 광원(800) 사이에서 차단막(700)을 이동시키며 제1 수광 셀(201)의 수광 성능을 테스트할 수 있다.
복수의 수광 셀(200) 각각에 연결된 제1 제어부(410)는 제1 수광 셀(201)로부터 광량 신호를 수신할 수 있다. 제1 제어부(410)는 제1 수광 셀(201)로부터 수신한 상기 광량 신호를 기초로 제1 수광 셀(201)이 감지한 광량을 산출할 수 있다. 그리고, 복수의 모니터링 센서(300) 각각에 연결된 제2 제어부(420)는 모니터링 센서(300) 각각으로부터 모니터링 신호들을 수신할 수 있다.
구체적으로, 차단막(700)은 라인 이미지 센서(100) 및 광원(800) 사이에서 제2 방향(DR2)으로는 일정한 위치를 유지하며 제1 방향(DR1)으로 이동할 수 있다. 도 5에서와 마찬가지로, 차단막(700)의 지면을 뚫고 나오는 방향에 가까운 에지를 제1 에지(e1)라고 하고, 제1 에지(e1)의 반대쪽 에지를 제2 에지(e2)라고 한다.
제2 제어부(420)는 제1 모니터링 센서(300) 각각으로부터 수신한 모니터링 신호들에 기초하여 차단막(700)의 에지(e1 또는 e2)가 제1 수광 셀(201) 상에서 제1 방향(DR1)으로 이동한 거리(md)를 감지할 수 있다. 도 6에서는 제1 에지(el)가 제1 수광 셀(201) 영역 내에서 이동하는 경우를 기준으로 하여 설명한다.
구체적으로, 제1 수광 셀(201) 영역 내에 배열된 소정 개수의 모니터링 센서(300) 중 제1 에지(el)의 위치와 겹치는 특정한 제1 모니터링 센서(300)가 반응하여 반응 모니터링 신호를 제2 제어부(420)로 송신할 수 있다. 그러면 제2 제어부(420)가 상기 반응 모니터링 신호와 미리 설정된 상기 소정 개수의 모니터링 센서(300)들 각각의 위치에 기초하여, 제1 에지(el)의 위치, 다시 말해 차단막(700)의 제1 방향(DR1)으로의 이동 거리(md)를 산출할 수 있다.
또는 차단막(700)의 제1 에지(el)의 위치(또는 차단막(700)의 이동 거리(md))를 이용하여 제1 수광 셀(201)의 차광 비율 또는 수광 비율을 구하여, 차광 또는 수광 비율에 따른 광량의 데이터를 산출할 수도 있다. 제1 수광 셀(201)의 상기 차광 또는 수광 비율 및 차단막(700)의 제1 방향(DR1)으로의 이동 거리(md)는 도 5에서와 유사하므로 설명을 생략하기로 한다. 참고로, 도 6의 라인 이미지 센서(100), 차단막(700) 및 광원(800)을 XZ 평면에서 바라본 구조는 모니터링 센서(300)의 위치를 제외하고 도 5와 실질적으로 동일할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면, 모니터링 센서(300)를 수광 셀(200)과 다른 방향에 설치함으로써 수광 셀(200)을 향하는 입사광(L1)과 간섭을 일으키지 않으면서, 수광 셀(201)의 수광 또는 차광 비율에 대한 광량 데이터를 산출하여 수광 셀의 성능을 효과적이고 정확, 정밀하게 테스트할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 이하, 도 4를 함께 참고하여 설명한다.
도 1 내지 도 3에서 설명한 실시예에 따른 라인 이미지 센서(100)를 준비할 수 있다 (S110).
이후, 라인 이미지 센서(100)에 대하여 수직인 제2 방향(DR2)에 배치된 광원(미도시)을 이용하여 라인 이미지 센서(100)를 향하여 광을 조사할 수 있다 (S120).
이후, 라인 이미지 센서(100) 및 광원(미도시) 사이에서 차단막(700)을 제2 방향(DR2)으로는 일정한 위치를 유지하며 제1 방향(DR1)으로 이동할 수 있다 (S130).
이후, 라인 이미지 센서(100)의 복수의 수광 셀(200) 중 제1 수광 셀(201)로부터 광량 신호를 수신할 수 있다. 그리고, 라인 이미지 센서(100)의 제1 수광 셀(201)의 일측에 배열되는 소정 개수의 제1 모니터링 센서(300)들로부터 모니터링 신호들을 각각 수신할 수 있다 (S140).
이후, 상기 광량 신호 및 모니터링 신호들을 이용하여 제1 수광 셀(201)의 성능을 평가할 수 있다 (S150). 구체적으로는, 상기 광량 신호를 기초로 제1 수광 셀(201)이 감지한 광량을 산출할 수 있다. 그리고, 상기 모니터링 신호들을 이용하여 차단막(700), 또는 차단막(700)의 에지(e1 또는 e2)가 제1 방향(DR1)으로 이동한 거리(md)를 감지할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 라인 이미지 센서의 테스트 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 이하, 도 6을 함께 참고하여 설명한다.
도 4에서 설명한 실시예에 따른 라인 이미지 센서(100)를 테스트하는 라인 이미지 센서의 테스트 인터페이스 장치(1000)를 준비할 수 있다 (S210).
이후, 라인 이미지 센서(100)에 대하여 수직인 제2 방향(DR2)에 배치된 광원(800)을 이용하여 라인 이미지 센서(100)를 향하여 광을 조사할 수 있다 (S220). 광원(800)이 테스트 인터페이스 장치(1000)의 하우징(500)의 제2 면(S2)을 향하여 조사하는 광은 제1 광(L1)일 수 있다.
이때, 제1 광(L1)은 빔 분리기(600)를 투과하여 하우징(500)의 제1 면(S1)으로 진행할 수 있다. 이후, 제1 광(L1)은 제1 수광 셀(201)에서 반사되어 제2 광(L2)이 되어 빔 분리기(600)를 향하여 진행할 수 있다. 빔 분리기(600)는 제2 광(L2)을 다시 하우징(500)의 제3 면(S3)으로 반사시킬 수 있다. 상기 제3 면(S3)으로 반사되어 도달한 광을 제3 광(L3)이라 할 수 있다. 테스트 인터페이스 장치(1000)의 복수의 모니터링 센서(300)는 이러한 제3 광(L3)을 이용하여 모니터링 신호를 생성할 수 있다. 이와 같이, 본 실시예에 따르면 모니터링 센서(300)를 수광 셀(200)로 입사하는 광의 방향과 다른 방향에 배열함으로써 수광 셀(200)로 향하는 입사광과 간섭을 일으키지 않게 되어 수광 셀(201)의 성능을 테스트함에 있어 오차를 최소화할 수 있다.
이후, 라인 이미지 센서(100) 및 광원(800) 사이에서 차단막(700)을 제2 방향(DR2)에 수직한 제1 방향(DR1)으로 이동할 수 있다 (S230). 차단막(700)이 이동함에 따라 차단막(700)의 각 새로운 위치마다 전술한 S220 단계가 반복 수행될 수 있다.
이후, 라인 이미지 센서(100)의 복수의 수광 셀(200) 중 제1 수광 셀(201)로부터 광량 신호를 수신하고, 테스트 인터페이스 장치(1000)의 복수의 모니터링 센서들(300)로부터 모니터링 신호들을 각각 수신할 수 있다 (S240).
이후, 상기 광량 신호 및 상기 모니터링 신호들을 이용하여, 제1 수광 셀(201)의 성능을 평가할 수 있다 (S250). 구체적으로는, 상기 광량 신호를 기초로 제1 수광 셀(201)이 감지한 광량을 산출할 수 있다. 그리고, 상기 모니터링 신호들을 이용하여 차단막(700), 또는 차단막(700)의 에지(e1 또는 e2)가 제1 방향(DR1)으로 이동한 거리(md)를 감지할 수 있다.
이상 설명된 본 발명에 따른 실시예는 컴퓨터 상에서 다양한 구성요소를 통하여 실행될 수 있는 컴퓨터 프로그램의 형태로 구현될 수 있으며, 이와 같은 컴퓨터 프로그램은 컴퓨터로 판독 가능한 매체에 기록될 수 있다. 이때, 매체는 컴퓨터로 실행 가능한 프로그램을 저장하는 것일 수 있다. 매체의 예시로는, 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체, CD-ROM 및 DVD와 같은 광기록 매체, 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical medium), 및 ROM, RAM, 플래시 메모리 등을 포함하여 프로그램 명령어가 저장되도록 구성된 것이 있을 수 있다.
한편, 상기 컴퓨터 프로그램은 본 발명을 위하여 특별히 설계되고 구성된 것이거나 컴퓨터 소프트웨어 분야의 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수 있다. 컴퓨터 프로그램의 예에는, 컴파일러에 의하여 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용하여 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드도 포함될 수 있다.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
따라서, 본 발명의 사상은 앞에서 설명된 실시 예들에 국한하여 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 또는 이로부터 등가적으로 변경된 모든 범위가 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
100: 라인 이미지 센서
110: 기판
200: 수광 셀
300, 310: 모니터링 센서
400: 제어부
500: 하우징
600: 빔 분리기
700: 차단막
800: 광원

Claims (11)

  1. 어레이 영역 및 상기 어레이 영역에 인접하는 테스트 영역을 포함하는 기판;
    상기 어레이 영역에 제1 방향을 따라 일렬로 배열되는 복수의 수광 셀; 및
    상기 테스트 영역에 배치되고, 상기 복수의 수광 셀 각각의 일측에 배열되는 복수의 제1 모니터링 센서;를 포함하는, 라인 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 모니터링 센서는 상기 제1 방향을 따라 균등하게 이격 되어 배열되는, 라인 이미지 센서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 수광 셀은 전하 결합 소자(Charge Coupled Device; CCD)이고, 상기 모니터링 센서는 포토다이오드인, 라인 이미지 센서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 수광 셀 각각에 대하여 소정 개수의 상기 제1 모니터링 센서가 균등하게 배열되고,
    상기 소정 개수는 10 이상 100 이하에서 미리 설정되는, 라인 이미지 센서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 수광 셀 각각의 타측에 배열되는 복수의 제2 모니터링 센서를 더 포함하고,
    상기 복수의 제1 모니터링 센서와 상기 복수의 제2 모니터링 센서는 상기 제1 방향을 따라 서로 쌍으로 배열되는, 라인 이미지 센서.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 라인 이미지 센서를 준비하는 단계;
    상기 라인 이미지 센서에 대하여 수직인 제2 방향에 배치된 광원을 이용하여 상기 라인 이미지 센서를 향하여 광을 조사하는 단계;
    상기 라인 이미지 센서 및 상기 광원 사이에서 차단막을 상기 제2 방향에 수직한 제1 방향으로 이동하는 단계;
    상기 라인 이미지 센서의 복수의 수광 셀 중 제1 수광 셀로부터 광량 신호를 수신하고, 상기 라인 이미지 센서의 복수의 모니터링 센서 중에서 상기 제1 수광 셀의 일측에 배열되는 소정 개수의 제1 모니터링 센서들로부터 모니터링 신호들을 각각 수신하는 단계; 및
    상기 광량 신호 및 상기 모니터링 신호들을 이용하여, 상기 제1 수광 셀의 성능을 평가하는 단계;를 포함하는, 라인 이미지 센서의 테스트 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 수광 셀의 성능을 평가하는 단계는,
    상기 모니터링 신호들에 기초하여 상기 차단막의 에지가 상기 제1 수광 셀 상에서 상기 제1 방향으로 이동한 거리를 감지하는 단계;
    상기 광량 신호를 기초로 상기 제1 수광 셀이 감지한 광량을 산출하는 단계; 및
    상기 차단막의 이동 거리 및 상기 광량을 이용하여 상기 제1 수광 셀의 차광 비율에 대한 광량의 데이터를 산출하는 단계;를 포함하는, 라인 이미지 센서의 테스트 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 모니터링 신호들에 기초하여 상기 차단막이 상기 제1 방향으로 이동한 거리를 감지하는 단계는,
    상기 복수의 모니터링 센서 중 상기 제1 방향으로 상기 차단막과 겹치는 모니터링 센서의 개수에 기초하여 상기 차단막의 이동 거리를 산출하는 단계를 포함하는, 라인 이미지 센서의 테스트 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 수광 셀의 성능을 평가하는 단계는,
    상기 모니터링 신호들에 기초하여 상기 제1 수광 셀의 전체 면적에 대한 상기 광원으로부터 방출된 상기 광이 입사되는 면적의 수광 비율을 계산하는 단계;
    상기 광량 신호를 기초로 상기 제1 수광 셀이 감지한 광량을 산출하는 단계; 및
    상기 제1 수광 셀의 수광 비율에 대한 광량의 데이터를 산출하는 단계;를 포함하는, 라인 이미지 센서의 테스트 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 라인 이미지 센서의 복수의 모니터링 센서 중에서 상기 제1 수광 셀의 타측에 배열되는 소정 개수의 제2 모니터링 센서들로부터 모니터링 신호들을 각각 수신하는 단계;를 더 포함하는, 라인 이미지 센서의 테스트 방법.
  11. 컴퓨터를 이용하여 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법을 실행하기 위하여 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램.
KR1020200026800A 2020-03-03 2020-03-03 라인 이미지 센서, 이의 성능을 테스트하는 방법 및 프로그램 KR102329484B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200026800A KR102329484B1 (ko) 2020-03-03 2020-03-03 라인 이미지 센서, 이의 성능을 테스트하는 방법 및 프로그램

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200026800A KR102329484B1 (ko) 2020-03-03 2020-03-03 라인 이미지 센서, 이의 성능을 테스트하는 방법 및 프로그램

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200028589A Division KR102186316B1 (ko) 2020-03-06 2020-03-06 라인 이미지 센서의 테스트 인터페이스 장치, 테스트 방법 및 프로그램

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210111628A true KR20210111628A (ko) 2021-09-13
KR102329484B1 KR102329484B1 (ko) 2021-11-22

Family

ID=77796802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200026800A KR102329484B1 (ko) 2020-03-03 2020-03-03 라인 이미지 센서, 이의 성능을 테스트하는 방법 및 프로그램

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102329484B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010140933A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ラインセンサの補正方法、アライメント装置及び基板搬送装置
KR20190036136A (ko) * 2017-09-27 2019-04-04 에스케이하이닉스 주식회사 테스트영역을 구비한 이미지 센서

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010140933A (ja) * 2008-12-09 2010-06-24 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ラインセンサの補正方法、アライメント装置及び基板搬送装置
KR20190036136A (ko) * 2017-09-27 2019-04-04 에스케이하이닉스 주식회사 테스트영역을 구비한 이미지 센서

Also Published As

Publication number Publication date
KR102329484B1 (ko) 2021-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8390793B2 (en) Optical ranging sensor and electronic equipment
KR102050632B1 (ko) 다채널 라이다 센서 모듈
US7582888B2 (en) Reflection type optical sensor and method for detecting surface roughness
KR102259759B1 (ko) 동시 입출력이 가능한 ROIC 구조와 이를 포함하는 Lidar ToF 센서
WO2012147496A1 (ja) 物体検出装置および情報取得装置
US9835740B2 (en) Apparatus and method for PET detector
US9329025B2 (en) Measuring device
US6111649A (en) Thickness measuring apparatus using light from slit
JPH0248872B2 (ko)
KR102329484B1 (ko) 라인 이미지 센서, 이의 성능을 테스트하는 방법 및 프로그램
US20210025819A1 (en) Optical Reflective Edge or Contrast Sensor
KR102186316B1 (ko) 라인 이미지 센서의 테스트 인터페이스 장치, 테스트 방법 및 프로그램
US5357335A (en) Optical detection device for screening magnetic tape
JPH02278103A (ja) 印刷回路基板の三次元検査方法及び装置
CN101939667A (zh) 用于记录图像的设备和方法
US20220155442A1 (en) Light detection device, lidar device including the same, and method of measuring distance
KR20090098666A (ko) 광학식 센서 장치
JPH0511257B2 (ko)
CN113932908A (zh) Mems扫描振镜振动参数的测量系统和测量方法
JP2013047658A (ja) 光検出装置
CN113030912A (zh) 一种基于扫描振镜的激光雷达系统
CN111508941B (zh) 光学感测芯片封装结构
JP2009156782A (ja) 放射線検出器
CN217332836U (zh) 距离感测设备
US20220283307A1 (en) Depth sensor calibration using internal reflections

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant