KR20210107932A - 직하형 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 - Google Patents

직하형 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 Download PDF

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KR20210107932A
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Abstract

직하형 백라이트 유닛이 개시된다. 상기 직하형 백라이트 유닛은 회로기판 및 회로기판 상에 실장되는 다수의 엘이디를 포함하는 광원어레이; 상기 다수의 엘이디 각각을 에워싸도록 구성되는 반사층; 상기 다수의 엘이디 및 상기 반사층을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 적층 높이 중 상기 엘이디에 가까운 일부 구간에서는 광을 투과시키고 상기 엘이디에서 먼 다른 구간에서는 투과된 광을 확산시키도록 구성되는 출광제어층; 및 상기 출광제어층을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 상기 각각의 엘이디에 마주하는 다수의 반사패턴을 포함하는 광학시트층을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

직하형 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치{DIRECT TYPE BACKLIGHT UNIT AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 백라이트 유닛에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 출광 효율이 개선된 백라이트 유닛에 관한 것이다.
영상을 표시하는 장치의 한 종류인 디스플레이 장치는 디스플레이 패널을 이용하여 영상을 표시하는 장치로서 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 스마트폰, 각종 스마트 패드 등과 같은 각종 장치에 사용된다.
하지만, 일반적인 디스플레이 장치는 자체적으로 발광하지 못하기 때문에 직하형 백라이트 유닛과 같은 별도의 광원을 필요로 하며, 이러한 직하형 백라이트 유닛은 디스플레이 패널의 후방에 배치되는 것이 일반적이다.
직하형 백라이트 유닛은 광원으로부터 조사된 광을 디스플레이 패널로 균일하게 인도하는 도광판(LGP, Light Guide Panel)이 필요한 에지형 방식과 도광판이 필요하지 않는 직하형 방식으로 분류될 수 있다.
직하형 타입의 직하형 백라이트 유닛의 경우 확산판의 배면에서 다수의 엘이디가 발광하여 확산판에 광이 전달되고, 확산판은 광을 패널 방향으로 확산시키는 구조를 갖는다.
최근, 이러한 직하형 타입의 직하형 백라이트 유닛에서 엘이디를 보호하면서도 광을 확산시킬 수 있도록 하기 위해, 상기 확산판을 엘이디를 덮는 몰딩 구조로 개선되고 있다.
그런데, 몰딩 구조의 확산판을 갖는 대부분의 직하형 타입의 직하형 백라이트 유닛은 몰딩 구조의 확산판이 엘이디를 덮고 있으므로 엘이디로부터 방출되는 광은 즉시 확산이 개시되며, 이에 따라 엘이디로부터 패널 방향으로 광이 확산될 때 광 확산에 따른 광 손실이 발생될 수 있으며, 패널 방향으로 균일하게 광을 전달 및 광을 확산시키기 어려운 문제가 있었다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 출사되는 광의 높은 밀도가 균일하게 보장되어 출광 효율을 높일 수 있도록 한 직하형 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 직하형 백라이트 유닛은 회로기판 및 회로기판 상에 실장되는 다수의 엘이디를 포함하는 광원어레이; 상기 다수의 엘이디 각각을 에워싸도록 구성되는 반사층; 상기 다수의 엘이디 및 상기 반사층을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 적층 높이 중 상기 엘이디에 가까운 일부 구간에서는 광을 투과시키고 상기 엘이디에서 먼 다른 구간에서는 투과된 광을 확산시키도록 구성되는 출광제어층; 및 상기 출광제어층을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 상기 각각의 엘이디에 마주하는 다수의 반사패턴을 포함하는 광학시트층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 출광제어층은, 상기 엘이디를 덮도록 적층되고, 상기 엘이디로부터 방출되는 광이 투과되도록 구성되는 제1 몰딩부; 및 상기 제1 몰딩부를 덮도록 적층되고, 상기 제1 몰딩부에서 투과된 광을 상기 광학시트층 방향으로 확산시키도록 구성되는 제2 몰딩부를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 몰딩부는, 상기 제1 몰딩부를 덮고, 광 확산재를 포함하는 제1 광확산부; 및 상기 제1 광확산부를 덮고, 광 확산재를 포함하고, 광 확산재의 밀도가 상기 제1 광확산부보다 높은 제2 광확산부를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 몰딩부 및 상기 제2 몰딩부는 고투명 재료로 구성되고, 상기 고투명 재료는 Glass, Sapphire, PMMA, PUA, PET, PI, PDMS, PO, PVC, PC, PE, PP, PS, Si, SiOx, Al, Al2Ox, ZnO, POE, EVA, Epoxy, OCA 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광 확산재는 Si, TiOx, Al2Ox, SiOx, ZrOx, Ni, Ag, SiC, Cr 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 반사층은, 각각의 엘이디를 에워싸도록 상기 회로기판 상에 적층되는 제1 반사부; 및 각각의 엘이디를 에워싸도록 상기 제1 반사부 상에 적층되고, 상기 제1 반사부보다 반사율이 높은 재료로 구성되는 제2 반사부를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 반사부를 구성하는 재료는 TiO2가 포함된 반사시트일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 반사부는 상기 각각의 엘이디를 에워싸는 측벽부들을 포함하고, 상기 측벽부들은 상기 각각의 엘이디의 높이보다 높을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 몰딩부는 형광체를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 형광체의 발광 파장이 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 400~ 480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 파장을 발광할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 형광체는 상기 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 400~ 480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 각각의 파장 영역 중 1가지 이상의 발광 파장으로 파장 변환될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 엘이디의 발광 파장은 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 380~ 480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 파장을 발광할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 엘이디는 상기 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 380~ 480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 각각의 파장 영역 중 2가지 이상의 파장을 발광할 수 있다.
다른 실시예로, 직하형 백라이트 유닛; 및 상기 직하형 백라이트 유닛에 결합되는 디스플레이 패널을 포함하고, 상기 직하형 백라이트 유닛은, 회로기판 및 회로기판 상에 실장되는 다수의 엘이디를 포함하는 광원어레이; 상기 다수의 엘이디 각각을 에워싸도록 구성되는 반사층; 상기 다수의 엘이디 및 상기 반사층을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 적층 높이 중 상기 엘이디에 가까운 일부 구간에서는 광을 투과시키고 상기 엘이디에서 먼 다른 구간에서는 투과된 광을 확산시키도록 구성되는 출광제어층; 및 상기 출광제어층을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 상기 각각의 엘이디에 마주하는 다수의 반사패턴을 포함하는 광학시트층을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 직하형 백라이트 유닛에 의하면, 광 확산에 따른 광량의 큰 손실 없이 엘이디로부터 멀게 위치하는 광학시트층까지 높은 밀도로 광이 도달될 수 있고, 이에 따라 광학시트층에서 출사되는 광의 높은 밀도가 보장되어 광학시트층에서의 출광 효율을 높일 수 있다.
또한, 엘이디의 개수를 적게 하여도 광학시트층 전체에 균일한 광을 제공할 수 있으므로 엘이디의 개수를 감소시켜서 직하형 백라이트 유닛의 제조 단가를 낮출 수 있는 이점이 있다.
또한, 반사층은 엘이디의 높이 보다 높은 제2 측벽부를 포함하는 제2 반사부를 포함하므로 엘이디의 측면에서 방출되는 광이 제2 반사부의 제2 측벽부에서 반사되어 광학시트층 방향으로 진행될 수 있어서 엘이디로부터 방출되는 광의 손실이 더욱 방지되며, 이에 따라 광학시트층에서의 출광 효율이 더욱 증대될 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 직하형 백라이트 유닛의 구성을 나타낸 부분 확대 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 직하형 백라이트 유닛의 엘이디로부터 방출되는 광의 반사 및 확산에 따른 광 경로를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 직하형 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 디스플레이 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 직하형 백라이트 유닛의 구성을 나타낸 부분 확대 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 직하형 백라이트 유닛은 광원어레이(110), 반사층(120), 출광제어층(130), 광학시트층(140)을 포함할 수 있다.
광원어레이(110)는 회로기판(111) 및 회로기판(111) 상에 실장되는 다수의 엘이디(LED)(112)를 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 엘이디(112)의 발광 파장은 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 380~ 480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 파장을 발광할 수 있다. 또는, 상기 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 380~ 480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 각각의 파장 영역 중 2가지 이상의 파장을 발광할 수 있다.
일 예로, 회로기판(111) 상에 실장되는 다수의 엘이디(LED)(112)는 발광 파장이 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 블루컬러인 380~480nm 중 450nm, 그린칼라인 510~580nm 중 540nm 또는 레드칼라인 600nm~655nm 중 630nm의 파장을 발광할 수 있는 조합으로 구성되어 있다. 또는, 상기 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 블루 칼라인 380~ 480nm을 가지는 엘이디(LED)(112) 발광 파장에 의해 여기되는 그린 칼라 인 510~580nm를 발광하는 형광체 또는 레드 컬러 인 600nm~655nm를 발광하는 형광체의 조합으로 구성될 수 있으며, 각각의 파장 영역 중 2가지 이상의 파장을 발광할 수 있다.
반사층(120)은 다수의 엘이디(112) 각각을 에워싸도록 구성될 수 있다. 일 예로, 반사층(120)은 제1 반사부(121) 및 제2 반사부(122)를 포함할 수 있다.
제1 반사부(121)는 각각의 엘이디(112)를 감싸도록 회로기판(111) 상에 적층될 수 있다. 이때, 제1 반사부(121)는 다수의 엘이디(112)를 수용하는 제1 측벽부(121a)들을 포함할 수 있고, 상기 제1 측벽부(121a)들은 엘이디(112)의 높이 보다 낮은 높이를 가질 수 있다. 상기 제1 측벽부(121a)들은 홀 형태일 수 있다. 예를 들어, 제1 반사부(121)는 광원어레이(110)와 일체화 되어 백색의 DFSR(Dry film solder resist) 또는 PSR(Photo solder resist)이 라미네이트(Laminate) 되거나, 코팅되는 방법으로 적층될 수 있다.
제2 반사부(122)는 각각의 엘이디(112)를 감싸도록 제1 반사부(121) 상에 적층될 수 있다. 이때, 제2 반사부(122)는 각각의 엘이디를 에워싸는 제2 측벽부(122a)들을 포함할 수 있고, 상기 제2 측벽부(122a)들은 엘이디(112)의 높이 보다 높은 높이를 가질 수 있다. 상기 제2 측벽부(122a)들은 홀 형태일 수 있고, 제2 측벽부(122a)들 홀의 직경은 제1 측벽부(121a)들보다 클 수 있다. 예를 들어, 제2 반사부(122)는 제1 반사부(121) 상에 코팅되는 방법으로 적층될 수 있다.
또한, 제2 반사부(122)는 제1 반사부(121)보다 반사율이 높은 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 제2 반사부(122)를 구성하는 재료는 TiO2 함량이 높은 반사 시트 전용의 필름일 수 있으며, 또는 고반사를 위한 Ag, TiOx 등이 증착된 반사시트 일 수 있다.
출광제어층(130)은 다수의 엘이디 및 반사층(120)을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 적층 높이 중 엘이디(112)에 가까운 일부 구간에서는 광을 투과시키고 엘이디(112)에서 먼 다른 구간에서는 투과된 광을 확산시키도록 구성될 수 있다.
일 예로, 출광제어층(130)은 제1 몰딩부(131) 및 제2 몰딩부(132)를 포함할 수 있다.
제1 몰딩부(131)는 엘이디(112)를 덮도록 적층되고, 엘이디(112)로부터 방출되는 광이 투과되도록 구성될 수 있다.
제2 몰딩부(132)는 제1 몰딩부(131)를 덮도록 적층되고, 제1 몰딩부(131)에서 투과된 광을 광학시트층(140) 방향으로 확산시키도록 구성될 수 있다.
제2 몰딩부(132)는 광 확산재를 포함하는 제1 광확산부(1321) 및 광 확산재를 포함하는 제2 광확산부(1322)를 포함할 수 있다. 제1 광확산부(1321)는 제1 몰딩부(131)를 덮고, 제2 광확산부(1322)는 제1 광확산부(1321)를 덮도록 광원어레이(110) 전체 면적을 덮을 수 있다. 이때, 제2 광확산부(1322)는 광 확산재의 밀도가 제1 광확산부(1321)보다 높을 수 있다. 예를 들어, 상기 광 확산재는 Si, TiOx, Al2Ox, SiOx, ZrOx, Ni, Ag, SiC, Cr 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1 몰딩부(131) 및 제2 몰딩부(132)는 고투명 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 고투명 재료는 Glass, Sapphire, PMMA, PUA, PET, PI, PDMS, PO, PVC, PC, PE, PP, PS, Si, SiOx, Al, Al2Ox, ZnO, POE, EVA, Epoxy, OCA 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
한편, 제2 몰딩부(132)는 형광체를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 제1 광확산부(1321) 및 제2 광확산부(1322)에 포함될 수 있다.
상기 형광체는 상기 엘이디(112)의 발광파장에 의해 여기되며, 발광 파장이 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 400~480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 파장을 발광할 수 있다. 또는, 상기 형광체는 상기 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 400~480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 각각의 파장 영역 중 1가지 이상의 발광 파장으로 파장 변환될 수 있다.
광학시트층(140)은 출광제어층(130)을 덮도록 소정의 높이로 적층될 수 있다. 즉, 광학시트층(140)은 출광제어층(130)의 제2 몰딩부(132)의 제2 광확산부(1322) 전체를 덮도록 적층될 수 있다.
또한, 광학시트층(140)은 각각의 엘이디(112)에 마주하는 다수의 반사패턴(141)을 포함할 수 있다. 상기 반사패턴(141)은 엘이디(112)의 중심에서 방출되는 광을 반사시키며, 이에 의해 광학시트층(140) 방향에서 각각의 엘이디(112)에 의한 점광원이 시인되는 것을 차단할 수 있다.
이하에서는 이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 직하형 백라이트 유닛의 광 진행 경로를 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 직하형 백라이트 유닛의 엘이디로부터 방출되는 광의 반사 및 확산에 따른 광 경로를 나타내는 단면도이다.
먼저, 각각의 엘이디(112)에서 광학시트층(140) 방향으로 광이 방출된다. 이때, 엘이디(112)로부터 방출되는 광 중에서 반사층(120)에 도달하지 않는 광의 일부는 출광제어층(130)의 제1 몰딩부(131) 및 제2 몰딩부(132)를 통과하여 광학시트층(140)을 향해 진행될 수 있고, 반사층(120)에 도달하는 광의 일부는 반사층(120)의 제1 반사부(121) 및 제2 반사부(122)에서 반사되어 광학시트층(140)을 향해 진행될 수 있다.
이하에서는 설명의 편의를 위해, 상기 반사층(120)에 도달하지 않는 광의 일부를 "제1 방출광"으로 명명하여 설명하고, 상기 반사층(120)에 도달하는 광의 일부는 "제2 방출광"으로 명명하여 설명하기로 한다.
제1 방출광이 출광제어층(130)의 제1 몰딩부(131) 및 제2 몰딩부(132)를 통과할 때, 먼저 제1 몰딩부(131)에서 광의 확산 없이 제1 몰딩부(131)를 통과하여 제2 몰딩부(132)로 입사되고, 제2 몰딩부(132)로 입사된 제1 방출광은, 순차적으로, 제1 광확산부(1321)로 입사되어 제1 광확산부(1321)에서 어느 정도 확산되면서 제2 광확산부(1322)로 입사되고, 제2 광확산부(1322)로 입사되면 제1 방출광은 제1 광확산부(1321)에서의 광확산 정도보다 넓게 확산되면서 광학시트층(140)에 도달된다.
이러한 제1 방출광의 진행 과정에서 엘이디(112)의 중심부 주변의 광은 엘이디(112)에 마주하는 광학시트층(140)의 반사패턴(141)에 도달한 후 반사패턴(141)에 의해 반사되어서 반사층(120) 방향으로 진행하여 반사층(120)에 도달되며, 반사층(120)에서 다시 반사된 후 제2 몰딩부(132)를 통과하여 광학시트층(140)에 도달된다.
제2 방출광이 반사층(120)에 도달되면 제1 반사부(121) 및 제2 반사부(122)에서 반사되어 광학시트층(140) 방향으로 진행된다. 이때, 제2 방출광의 일부는 제2 반사부(122)의 제2 측벽부(122a)에서 반사된 후 광학시트층(140) 방향으로 진행될 수 있다.
마지막으로, 광학시트층(140)에 도달한 제1 방출광 및 제2 방출광은 광학시트층(140)에서 광학시트층(140)의 상부로 진행될 수 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 직하형 백라이트 유닛은 출광제어층(130)을 통해 엘이디(112)에 가까운 위치에서는 광이 확산 없이 진행되도록 하고, 엘이디(112)에서 멀어질수록 광 확산 정도 및 광 확산 범위가 점차 넓어지는 형태로 광이 출사되므로 광 확산에 따른 광량의 큰 손실 없이 엘이디(112)로부터 멀게 위치하는 광학시트층(140)까지 높은 밀도로 광이 도달될 수 있고, 이에 따라 광학시트층(140)에서 출사되는 광의 높은 밀도가 보장되어 광학시트층(140)에서의 출광 효율을 높일 수 있다.
또한, 제2 몰딩부(132)의 제2 광확산부(1322)에 의해 광학시트층(140)에 근접한 위치에서 높은 밀도 및 넓은 범위로 광을 확산시킬 수 있으므로 광학시트층(140) 전체에 균일하게 광이 도달할 수 있고, 이에 따라 엘이디(112)의 개수를 적게 하여도 광학시트층(140) 전체에 균일한 광을 제공할 수 있으므로 엘이디(112)의 개수를 감소시켜서 직하형 백라이트 유닛의 제조 단가를 낮출 수 있는 이점이 있다.
또한, 반사층(120)은 엘이디(112)의 높이 보다 높은 제2 측벽부(122a)를 포함하는 제2 반사부(122)를 포함하므로 엘이디(112)의 측면에서 방출되는 광이 제2 반사부(122)의 제2 측벽부(122a)에서 반사되어 광학시트층(140) 방향으로 진행될 수 있어서 엘이디(112)로부터 방출되는 광의 손실이 더욱 방지되며, 이에 따라 광학시트층(140)에서의 출광 효율이 더욱 증대될 수 있는 이점이 있다.
이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 직하형 백라이트 유닛에 디스플레이 패널을 결합하여 디스플레이 장치를 구성할 수 있으며, 이러한 경우 상기 직하형 백라이트 유닛의 이점들과 같이 직하형 백라이트 유닛의 개선된 출광 효율로서 화질이 개선된 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.

Claims (19)

  1. 회로기판 및 회로기판 상에 실장되는 다수의 엘이디를 포함하는 광원어레이;
    상기 다수의 엘이디 각각을 에워싸도록 구성되는 반사층;
    상기 다수의 엘이디 및 상기 반사층을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 적층 높이 중 상기 엘이디에 가까운 일부 구간에서는 광을 투과시키고 상기 엘이디에서 먼 다른 구간에서는 투과된 광을 확산시키도록 구성되는 출광제어층; 및
    상기 출광제어층을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 상기 각각의 엘이디에 마주하는 다수의 반사패턴을 포함하는 광학시트층을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 출광제어층은,
    상기 엘이디를 덮도록 적층되고, 상기 엘이디로부터 방출되는 광이 투과되도록 구성되는 제1 몰딩부; 및
    상기 제1 몰딩부를 덮도록 적층되고, 상기 제1 몰딩부에서 투과된 광을 상기 광학시트층 방향으로 확산시키도록 구성되는 제2 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부는,
    상기 제1 몰딩부를 덮고, 광 확산재를 포함하는 제1 광확산부; 및
    상기 제1 광확산부를 덮고, 광 확산재를 포함하고, 광 확산재의 밀도가 상기 제1 광확산부보다 높은 제2 광확산부를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부 및 상기 제2 몰딩부는 고투명 재료로 구성되고,
    상기 고투명 재료는 Glass, Sapphire, PMMA, PUA, PET, PI, PDMS, PO, PVC, PC, PE, PP, PS, Si, SiOx, Al, Al2Ox, ZnO, POE, EVA, Epoxy, OCA 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 광 확산재는 Si, TiOx, Al2Ox, SiOx, ZrOx, Ni, Ag, SiC, Cr 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 반사층은,
    각각의 엘이디를 에워싸도록 상기 회로기판 상에 적층되는 제1 반사부; 및
    각각의 엘이디를 에워싸도록 상기 제1 반사부 상에 적층되고, 상기 제1 반사부보다 반사율이 높은 재료로 구성되는 제2 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 반사부를 구성하는 재료는 TiO2가 포함된 반사시트인 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제2 반사부는 상기 각각의 엘이디를 에워싸는 측벽부들을 포함하고,
    상기 측벽부들은 상기 각각의 엘이디의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 형광체의 발광 파장이 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 400~480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 파장을 발광하는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 형광체는 상기 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 400~480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 각각의 파장 영역 중 1가지 이상의 발광 파장으로 파장 변환되는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 엘이디의 발광 파장은 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 380~480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 파장을 발광하는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 엘이디는 상기 피크 파장(Peak wavelength) 기준으로 380~480nm 또는 510~580nm 또는 600nm~655nm의 각각의 파장 영역 중 2가지 이상의 파장을 발광하는 것을 특징으로 하는,
    직하형 백라이트 유닛.
  14. 백라이트 유닛; 및
    상기 백라이트 유닛에 결합되는 디스플레이 패널을 포함하고,
    상기 백라이트 유닛은,
    회로기판 및 회로기판 상에 실장되는 다수의 엘이디를 포함하는 광원어레이;
    상기 다수의 엘이디 각각을 에워싸도록 구성되는 반사층;
    상기 다수의 엘이디 및 상기 반사층을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 적층 높이 중 상기 엘이디에 가까운 일부 구간에서는 광을 투과시키고 상기 엘이디에서 먼 다른 구간에서는 투과된 광을 확산시키도록 구성되는 출광제어층; 및
    상기 출광제어층을 덮도록 소정의 높이로 적층되고, 상기 각각의 엘이디에 마주하는 다수의 반사패턴을 포함하는 광학시트층을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    디스플레이 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 출광제어층은,
    상기 엘이디를 덮도록 적층되고, 상기 엘이디로부터 방출되는 광이 투과되도록 구성되는 제1 몰딩부; 및
    상기 제1 몰딩부를 덮도록 적층되고, 상기 제1 몰딩부에서 투과된 광을 상기 광학시트층 방향으로 확산시키도록 구성되는 제2 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    디스플레이 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2 몰딩부는,
    상기 제1 몰딩부를 덮고, 광 확산재를 포함하는 제1 광확산부; 및
    상기 제1 광확산부를 덮고, 광 확산재를 포함하고, 광 확산재의 밀도가 상기 제1 광확산부보다 높은 제2 광확산부를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    디스플레이 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 반사층은,
    각각의 엘이디를 에워싸도록 상기 회로기판 상에 적층되는 제1 반사부; 및
    각각의 엘이디를 에워싸도록 상기 제1 반사시트 상에 적층되고, 상기 제1 반사부보다 반사율이 높은 재료로 구성되는 제2 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    디스플레이 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 반사부를 구성하는 재료는 TiO2가 포함된 반사시트인 것을 특징으로 하는,
    디스플레이 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제2 반사부는 상기 각각의 엘이디를 에워싸는 측벽부들을 포함하고,
    상기 측벽부들은 상기 각각의 엘이디의 높이보다 높은 것을 특징으로 하는,
    디스플레이 장치.
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