KR20210103092A - 광 변조기 및 이를 이용한 광 모듈 - Google Patents

광 변조기 및 이를 이용한 광 모듈 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광 변조기 및 이를 이요한 광 모듈에 관한 것으로, 기판, 상기 기판의 상부에 형성되는 하부 클래드, 상기 하부 클래드의 상부에 형성되는 제 1 광도파로, 제 2 광도파로, 제 1 도전 라인 및 제 2 도전 라인, 및 상기 하부 클래드의 상부에 형성된 상기 제 1 및 제 2 광도파로를 감싸도록 형성된 상부 클래드를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 도전 라인 각각에 서로 다른 극성의 전기 에너지를 인가할 경우 상기 제 1 광도파로를 통과하는 광의 위상과 상기 제 2 광도파로를 통과하는 광의 위상이 서로 반대로 변하도록 구성된 것을 특징으로 한다.

Description

광 변조기 및 이를 이용한 광 모듈{OPTICAL INTENSITY MODULATOR AND OPTICAL MODULE USING THE SAME}
본 발명은 광통신에 이용되는 광 변조기 및 이를 이용한 광 모듈에 관한 것이다.
광 변조기는 광도파로를 따라 전파하는 광파의 위상 또는 강도를 외부 신호로 제어하는 소자이다.
광 변조기는 광도파로를 형성하는 매질의 전기광학 효과 또는 열광학 효과를 이용한다.
대표적인 전기광학 재료로는 반도체(GaAs, InP), 강유전체(LiNbO3, LiTaO3), 분극화된 폴리머(Poled Polymer)등이 있다. 이들 재료에 전계를 일정방향으로 가하는 경우 전계 방향 또는 이와 수직한 방향의 굴절률이 변화하게 된다. 굴절률의 변화는 매질내 전파하는 광파의 위상 변화를 의미하기 때문에 이를 이용하여 위상 변조기 및 강도 변조기를 구현할 수 있다.
이러한 광 변조기는 광 통신 분야에서 사용되고 있으며, 광 통신이 고속화됨에 따라 광 변조기 또한 고속으로 동작하여야 하지만, 굴절률을 변화시키기 위한 전계 발생 전압 레벨이 높기 때문에 광 변조기는 광 통신의 고속화에 걸림돌로 작용하고 있다.
본 발명의 실시예는 전기장을 발생시키기 위한 전압 레벨을 낮춘 광 변조기 및 이를 이용한 광 모듈을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 고속의 광 통신에 적합한 광 변조기 및 이를 이용한 광 모듈을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 사이즈(size)가 작은 광 변조기 및 이를 이용한 광 모듈을 제공하고자 한다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재들로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 광 변조기는, 기판, 상기 기판의 상부에 형성되는 하부 클래드, 상기 하부 클래드의 상부에 형성되는 제 1 광도파로, 제 2 광도파로, 제 1 도전 라인 및 제 2 도전 라인, 및 상기 하부 클래드의 상부에 형성된 상기 제 1 및 제 2 광도파로를 감싸도록 형성된 상부 클래드를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 도전 라인 각각에 서로 다른 극성의 전기 에너지를 인가할 경우 상기 제 1 광도파로를 통과하는 광의 위상과 상기 제 2 광도파로를 통과하는 광의 위상이 서로 반대로 변하도록 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 광 모듈은, 기판, 상기 기판의 상부에 배치되어 광을 방출하도록 구성된 광원 구조체, 및 상기 기판의 상부에 배치되고, 상기 광원 구조체로부터 방출되는 상기 광이 통과되는 제 1 광도파로 및 제 2 광도파로를 포함하는 광 변조기를 포함하며, 상기 광 변조기는 전기 에너지를 공급할 경우 상기 제 1 광도파로를 통과하는 광의 위상과 상기 제 2 광도파로를 통과하는 광의 위상이 서로 반대로 변하도록 구성되고, 상기 광 변조기에 기설정된 전압 레벨의 상기 전기 에너지를 공급할 경우 상기 제 1 광도파로를 통과하는 광과 상기 제 2 광도파로를 통과하는 광이 상쇄 간섭되어 상기 광 변조기의 광 방출을 차단시키는 것을 특징으로 한다.
본 기술은 전기장을 발생시키기 위한 전압 레벨을 낮추어 고속 동작이 가능하기 때문에 고속 광통신에 적합할 수 있다.
또한, 본 기술은 작은 사이즈(size)로 구현될 수 있어 전력 소모가 적고, 비교적 간단한 공정으로 생산될 수 있어 원가절감이 가능할 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기를 적용한 광 모듈의 측면도를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기를 적용한 광 모듈의 평면도를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가진 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 실시예들을 구체적으로 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기를 적용한 광 모듈의 측면도를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기를 적용한 광 모듈은 기판(100), 광원 구조체(200) 및 광 변조기(300)를 포함할 수 있다.
기판(100)은 실리콘(silicon) 또는 실리카(silica) 기반으로 형성될 수 있으며, 기판(100)의 상부에 광원 구조체(200) 및 광 변조기(300)가 배치될 수 있다. 이때, 기판(100)과 광원 구조체(200)를 전기적으로 연결시키고 물리적으로 고정시킬 수 있도록 숄더링(soldering)할 수 있다. 또한 기판(100)과 광 변조기(300)를 전기적으로 연결시키고 물리적으로 고정시킬 수 있도록 은 소재의 접착제(silver adhesive)를 이용할 수 있다.
광원 구조체(200)는 광 변조기(300)에 광을 방출할 수 있다.
광원 구조체(200)로부터 방출되는 광은 레이저를 포함할 수 있으며, 광원 구조체(200)는 레이저를 방출하는 레이저 다이오드를 포함할 수 있다.
광 변조기(300)는 광도파로(310)를 포함할 수 있으며, 광원 구조체(200)로부터 방출된 광이 광도파로를 통해 출력되도록 구성될 수 있다. 이때, 광 변조기(300)는 전기장을 발생시켜 광도파로를 통해 입사되는 광의 위상을 가변시킴으로써, 광 변조기(300)로부터 출력되는 광의 위상(phase) 또는 강도(intensity)를 변화시킬 수 있다.
광 변조기(300)는 광도파로(310)를 기준으로 광도파로(310)의 하부를 하부 클래드, 광도파로(310)의 상부를 상부 클래드로 구분할 수 있다. 이때, 광도파로(310)를 코어라 명칭할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 광 변조기(300)는 코어와 클래드(상부 및 하부를 포함)의 전기 광학 계수의 차이가 기존에 비해 큰 재질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 광 변조기(300)의 코어 재질은 강유전체인 리튬나오베이트(LiNbO3)를 포함할 수 있고, 광 변조기(300)의 상부 및 하부 클래드의 재질은 실리카(SiO2)를 포함할 수 있다. 이때, 리튬나오베이트(LiNbO3)의 전기 광학 계수는 약 2.2이고 실리카(SiO2)의 전기 광학 계수는 약 1.45이며, 광 변조기(300)의 코어 재질인 리튬나오베이트(LiNbO3)와 클래드 재질인 실리카(Silica)의 전기 광학 계수 차이는 약 0.67로서, 기존 광 변조기의 코어와 클래드의 전기 광학 계수 차이(약 0.0001)보다 매우 크다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 광 변조기(300)에 전기장을 발생시켰을 경우 기존 광 변조기보다 입사되는 광의 위상을 더 큰 폭으로 가변시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따른 광 변조기(300)를 이용한 광 모듈은 하나의 기판(100)에 광원 구조체(200)와 광 변조기(300)를 배치할 수 있기 때문에, 광원 구조체(200)와 광 변조기(300) 사이의 거리를 일정하게 유지시킬 수 있다. 따라서, 광원 구조체(200)와 광 변조기(300) 사이의 거리를 일정하게 유지시킬 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 광 모듈은 광 결합 손실을 줄일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기를 적용한 광 모듈의 평면도를 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광 변조기를 적용한 광 모듈은 기판(100)에 광원 구조체(200)와 광 변조기(300)가 배치될 수 있다.
광 변조기(300)는 광도파로(310), 제 1 도전 라인(321) 및 제 2 도전 라인(322)을 포함할 수 있다. 이때, 광도파로(310), 제 1 도전 라인(321) 및 제 2 도전 라인(322)은 광 변조기(300)의 내부에 형성될 수 있다.
광 변조기(300)는 내부에 광도파로(310)가 형성되고, 광도파로(310)의 양 측면에 제 1 도전 라인(321)과 제 2 도전 라인(322)이 배치되도록 구성될 수 있다.
예를 들어, 광 변조기(300) 내부의 광도파로(310)는 광원 구조체(200)로부터 방출되는 광이 입사되는 하나의 입력단(IN)과 입사된 광을 외부로 출력시키는 하나의 출력단(OUT)으로 구성될 수 있다. 이때, 광도파로(310)는 입력단(IN)으로 입사된 광이 두 개의 도파로(310A, 310B)로 분배되었다가 다시 하나의 출력단(OUT)으로 합쳐지도록 구성될 수 있다.
제 1 도전 라인(321) 및 제 2 도전 라인(322)은 두 개의 도파로(310A, 310B)에 전기장을 발생시키기 위해 배치될 수 있다.
예를 들어, 제 1 및 제 2 도전 라인(321, 322)은 두 개의 도파로(310A, 310B) 각각에 서로 다른 방향의 전기장을 발생시키기 위해 배치될 수 있다.
제 1 도전 라인(321)은 도파로(310A, 310B)의 외측면에 형성될 수 있다.
예를 들어, 제 1 도전 라인(321)은 두 개의 도파로(310A, 310) 각각 외측면에 각 도파로(310A, 310B)와 평행하도록 각각 형성될 수 있다.
더욱 상세히 설명하면, 제 1 도전 라인(321)은 각각의 도파로(310A, 310B)에 평행하도록 형성된 도전 라인(321A, 321B)과 도전 라인(321A, 321B)을 연결시켜 전기 에너지를 제공하기 위해 형성된 도전 라인(321C)을 포함할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 도전 라인(321)은 ㄷ자 형태로 형성될 수 있다.
제 2 도전 라인(322)은 두 개의 도파로(310A, 310B) 내측면 사이에 형성될 수 있다.
예를 들어, 제 2 도전 라인(322)은 두 개의 도파로(310A, 310B) 내측면 사이에 도파로(310A, 310B)와 평행하도록 형성될 수 있다.
더욱 상세히 설명하면, 제 2 도전 라인(322)은 도파로(310A, 310B) 내측면 사이에 도파로(310A, 310B)와 평행하도록 형성된 도전 라인(322A)과 도전 라인(322A)에 전기 에너지를 제공하기 위해 형성된 도전 라인(322B)을 포함할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 2 도전 라인(322)은 역 ㄱ자 형태로 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기의 단면도를 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 광 변조기(300)를 A-B방향으로 절단한 단면도를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 광 변조기(300)는 기판(100) 상부에 배치될 수 있다.
광 변조기(300)는 광도파로(310), 제 1 도전 라인(321), 제 2 도전 라인(322), 하부 클래드(331) 및 상부 클래드(332)를 포함할 수 있다.
하부 클래드(331)는 기판(100) 상부에 배치될 수 있다.
광도파로(310), 제 1 도전 라인(321) 및 제 2 도전 라인(322)은 하부 클래드(331) 상부에 형성될 수 있다.
상부 클래드(332)는 하부 클래드(331) 상부에 형성된 광도파로(310), 제 1 도전 라인(321) 및 제 2 도전 라인(322)을 감싸도록 형성될 수 있다.
이때, 광도파로(310)와 제 1 및 제 2 도전 라인(321, 322)의 배치를 더욱 상세히 설명하면, 도파로(310A)는 제 1 도전 라인(321A)와 제 2 도전 라인(322A) 사이에 형성되며, 도파로(310B)는 제 2 도전 라인(322A)과 제 1 도전 라인(321B) 사이에 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기의 제조 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기의 제조 공정 중 제 1 및 제 2 도전 라인(321, 322) 사이에 광도파로(310)를 형성하는 것을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 4의 (A)를 참조하면 실리콘(Silicon, Si) 재질로 형성된 기판(100) 상부에 실리카(SiO2) 재질의 하부 클래드(331)를 형성하고, 하부 클래드(331) 상부에 리튬나오베이트(LiNbO3) 층을 형성한다.
도 4의 (B)를 참조하면, 포토 공정(photo-lithography)을 통해 리튬나오베이트(LiNbO3) 층의 상부에 포토레지스트(PR, photoresist)를 배치시킨다. 이때, 배치되는 포토레지스트(PR)의 폭은 광도파로(310, LN)의 두께일 수 있다.
도 4의 (C)를 참조하면, 포토레지스트(PR)가 배치된 리튬나오베이트(LiNbO3) 층을 제외한 나머지 리튬나오베이트(LiNbO3) 층을 제거하기 위해 에칭(etching) 공정이 수행될 수 있다.
도 4의 (D)를 참조하면, 도 4의 (C)의 에칭 공정 이후 포토 공정(photo-lithography)을 통해 실리카(SiO2) 재질의 하부 클래드(331) 상부에 포토레지스트(PR)를 배치시킬 수 있다. 이때, 하부 클래드(331, SiO2) 상부는 포토레지스트(PR)가 배치된 영역과 포토레지스트(PR)가 배치되지 않은 영역으로 나누어질 수 있다.
도 4의 (E)를 참조하면, 증착 공정(deposition)을 통해 도체(예를 들어, 금)를 포토레지스트(PR)가 배치되지 않은 하부 클래드(331, SiO2) 상부에 증착시킬 수 있다.
도 4의 (F)를 참조하면, 증착 공정 이후 도 4의 (D)에서 배치된 포토레지스트(PR)를 제거하는 공정(Lift-off)을 수행할 수 있다.
도 4의 (G)를 참조하면, 도 4의 (F)에서 제거된 포토레지스트(PR)이 배치된 영역에 실리카(SiO2)를 증착시켜 상부 클래드(332)를 형성할 수 있다.
이와 같은 공정으로 통해, 기판(100) 상부에 하부 클래드(331)를 배치하고, 하부 클래드(331) 상부에 제 1 및 제 2 도전 라인(321, 322)을 형성하며, 제 1 및 제 2 도전 라인(321, 322) 사이에 광도파로(310, LN)를 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 변조기의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 설명하기 전에, 도 2을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 광 변조기를 적용한 광 모듈의 동작을 정리하면 다음과 같다.
광원 구조체(200)로부터 방출된 광은 광 변조기(300)의 입력단으로 입사되어 광도파로(310)을 거쳐 출력단(OUT)으로 방출될 수 있다. 이때, 광도파로(310)에 전기장을 발생시킴으로써, 광도파로(310)를 통과하는 광의 위상을 가변시킬 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 광 변조기(300)는 전기장을 발생시키기 위한 전기 에너지을 인가할 경우 출력단(OUT)으로 출력되는 광을 차단시킬 수 있고, 전기장을 발생시키지 않을 경우 즉, 전기 에너지을 인가하지 않을 경우 입력단(IN)으로부터 입사된 광은 광도파로(310)를 거쳐 출력단(OUT)으로 방출할 수 있다.
도 5를 참조하여, 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시예에 따른 광 변조기(300)가 입력단(IN)으로 입사된 광이 출력단(OUT)으로 방출되지 않도록 광을 차단하는 경우 제 1 도전 라인(321)과 제 2 도전 라인(322)에 서로 다른 극성의 전기 에너지를 인가한다.
예를 들어, 도 5의 (A)와 같이, 제 1 도전 라인(321)에는 양(+)의 전기 에너지를 인가시키고 제 2 도전 라인(322)에는 음(-)의 전기 에너지를 인가시킨다.
제 1 도전 라인(321)에 양의 전기 에너지를 인가시키고, 제 2 도전 라인(322)에 음의 전기 에너지를 인가시키면, 도파로(310A)와 도파로(310B) 각각에는 도 5와 같이 서로 반대 방향의 전기장이 발생된다. 따라서, 도파로(310A)를 통과하는 광의 위상과 도파로(310B)를 통과하는 광의 위상은 서로 반대로 발생된다.
이때, 도파로(310A)를 통과하는 광의 위상과 도파로(310B)를 통과하는 광의 위상이 역위상이면 두 개의 도파로(310A, 310B)를 통과한 광이 상쇄 간섭되어 출력단(OUT)으로는 광이 출력되지 않는다.
본 발명의 실시 예에 따른 광 변조기(300)는 두 개의 도파로(310A, 310B)에 서로 다른 방향의 전기장이 발생되도록 구성되어 각 도파로(310A, 310B)를 통과하는 광의 위상이 서로 반대로 변화하게 함으로써, 두 도파로(310A, 310B)를 통과하는 광의 위상이 낮은 전압 레벨의 전기 에너지에서도 역위상을 가질 수 있도록 구성될 수 있다.
또한, 도 5의 (B)를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 광 변조기(300)는 도파로(310A, 310B)와 도전 라인(321, 322)이 하부 클래드(331) 상부에 일렬로 형성되고, 도전 라인(321, 322)들 사이에 각 도파로(310A, 310B)가 형성됨으로써, 낮은 전압 레벨의 전기 에너지에서도 도파로(310A, 310B)에서 전기장이 발생될 수 있다.
더불어, 본 발명의 실시 예에 따른 광 변조기(300)는 광도파로(310)와 광도파로(310)를 감싸는 클래드(상부 및 하부 클래드 포함)의 전기 광학 계수 차이가 큰 재질로 형성되어 전기장을 발생시켰을 경우 기존 광 변조기보다 입사되는 광의 위상을 더 큰 폭으로 가변시킬 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에서는 광도파로(310)의 재질로 리튬나이오베이트(LiNbO3)를 이용하고, 상부 및 하부 클래드(331, 332)의 재질로 실리카(silica, SiO2)를 이용할 수 있다.
결국, 본 발명의 실시 예에 따른 광 변조기(300)는 낮은 전압 레벨의 전기 에너지를 이용하여 광원 구조체(200)로부터 방출되는 광을 차단시키거나 출력할 수 있어, 본 발명에 따른 광 변조기(300)는 사이즈(size) 감소와 소모 전력을 낮출 수 있을 뿐만 아니라 고속으로 광의 출력과 차단을 반복할 수 있다. 그러므로, 본 발명에 따른 광 변조기(300)를 이용한 광 모듈은 전력 소모를 줄이고, 작은 사이즈로 구현 가능하며 고속 통신에 적합할 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 기판;
    상기 기판의 상부에 형성되는 하부 클래드;
    상기 하부 클래드의 상부에 형성되는 제 1 광도파로, 제 2 광도파로, 제 1 도전 라인 및 제 2 도전 라인; 및
    상기 하부 클래드의 상부에 형성된 상기 제 1 및 제 2 광도파로를 감싸도록 형성된 상부 클래드를 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2 도전 라인 각각에 서로 다른 극성의 전기 에너지를 인가할 경우 상기 제 1 광도파로를 통과하는 광의 위상과 상기 제 2 광도파로를 통과하는 광의 위상이 서로 반대로 변하도록 구성된 것을 특징으로 하는 광 변조기.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 도전 라인은,
    상기 제 1 광도파로를 통과하는 광의 위상과 제 2 광도파로를 통과하는 광의 위상이 서로 역위상이 되도록 하는 서로 극성이 다른 전기 에너지를 각각 인가 받는 것을 특징으로 하는 광 변조기.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 상부 클래드 및 상기 하부 클래드 각각의 재질은,
    실리카를 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 광도파로의 재질은,
    리튬나오베이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 변조기.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 광도파로는,
    서로 평행하게 배치되며 하나의 입력단과 하나의 출력단으로 연결된 것을 특징으로 하는 광 변조기.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제 1 도전 라인은,
    상기 제 1 및 제 2 광도파로 각각의 외측면에 배치되고
    상기 제 2 도전 라인은,
    상기 제 1 및 제 2 광도파로의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 광 변조기.
  6. 기판;
    상기 기판의 상부에 배치되어 광을 방출하도록 구성된 광원 구조체; 및
    상기 기판의 상부에 배치되고, 상기 광원 구조체로부터 방출되는 상기 광이 통과되는 제 1 광도파로 및 제 2 광도파로를 포함하는 광 변조기를 포함하며,
    상기 광 변조기는 전기 에너지를 공급할 경우 상기 제 1 광도파로를 통과하는 광의 위상과 상기 제 2 광도파로를 통과하는 광의 위상이 서로 반대로 변하도록 구성되고,
    상기 광 변조기에 기설정된 전압 레벨의 상기 전기 에너지를 공급할 경우 상기 제 1 광도파로를 통과하는 광과 상기 제 2 광도파로를 통과하는 광이 상쇄 간섭되어 상기 광 변조기의 광 방출을 차단시키는 것을 특징으로 하는 광 모듈.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 광도파로는,
    하나의 입력단과 하나의 출력단에 공통 연결되며, 서로 평행하게 배치되고,
    상기 제 1 및 제 2 광도파로 각각의 외측면에 제 1 도전 라인이 배치되며, 상기 제 1 및 제 2 광도파로 사이에 제 2 도전 라인이 배치되는 것을 특징으로 하는 광 모듈.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 도전 라인은,
    서로 다른 극성의 상기 전기 에너지가 인가되는 것을 특징으로 하는 광 모듈.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 광 변조기는,
    실리카 재질의 클래드, 및
    리튬나오베이트 재질의 상기 제 1 및 제 2 광도파로를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 모듈.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 클래드는,
    상기 제 1 및 제 2 광도파로를 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 광 모듈.
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