KR20210079458A - 레이저 장치 - Google Patents

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KR20210079458A
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서종오
소병수
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

제1 입사 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생기 및 제1 입사 레이저 빔을 가공하는 빔 믹서를 포함하고, 빔 믹서는 제1 입사 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하고, 제1 입사 레이저 빔을 제1 투과 빔 및 제1 반사 빔으로 분할하는 제1 빔 스플리터, 제1 투과 빔이 투과되고, 제1 빔 스플리터로부터 제1 방향으로 이격하여 위치하는 제1 프리즘 및 제1 프리즘을 투과한 제1 투과 빔이 제1 빔 스플리터에 입사하도록 제1 프리즘을 투과한 제1 투과 빔을 반사하고, 제1 빔 스플리터로부터 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 이격하여 위치하는 제1 미러를 포함한다.

Description

레이저 장치{LASER APPARATUS}
본 발명은 레이저 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 장축 및 단축 반전 모듈을 포함하는 레이저 장치에 관한 것이다.
비정질 실리콘층(amorphous silicon layer)을 다결정 실리콘층(poly-crystal silicon layer)으로 결정화하는 방법으로는 고상 결정화법(solid phase crystallization), 금속유도 결정화법(metal induced crystallization), 금속유도측면 결정화법(metal induced lateral crystallization), 엑시머 레이저 열처리법(excimer laser annealing) 등이 있다. 특히, 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display) 또는 액정 표시 장치(liquid crystal display)의 제조 공정에서는 레이저 빔을 이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화하는 엑시머 레이저 열처리법을 사용한다.
이러한 엑시머 레이저 열처리법에 사용되는 레이저 장치는 소스 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생기를 포함한다. 소스 레이저 빔은 가공되지 않은 최초의 레이저 빔으로서, 소스 레이저 빔의 단면은 장축 및 단축을 가질 수 있다. 소스 레이저 빔은 장축 방향 및 단축 방향으로 모두 가우시안 분포(Gaussian distribution)의 에너지 분포를 가진다. 가우시안 분포는 평균을 중심으로 좌우 대칭인 정규 분포를 의미한다.
그러나, 레이저 장치의 복수개의 샷(shot)간에 흔들림(shaking)이 발생하는 경우, 소스 레이저 빔의 에너지 분포는 정규 분포를 벗어나게 되어 좌우 비대칭이 될 수 있다. 이 경우 다결정 실리콘층에 결정화 불량이 발생할 수 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 빔 균일성이 향상된 레이저 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 빔 균일성이 향상된 레이저 장치를 이용하여 결정화 불량이 감소된 다결정 실리콘을 형성하는 것이다.
다만, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 레이저 장치는 제1 입사 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생기 및 상기 제1 입사 레이저 빔을 가공하는 빔 믹서를 포함하고, 상기 빔 믹서는 상기 제1 입사 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하고, 상기 제1 입사 레이저 빔을 제1 투과 빔 및 제1 반사 빔으로 분할하는 제1 빔 스플리터, 상기 제1 투과 빔이 투과되고, 상기 제1 빔 스플리터로부터 제1 방향으로 이격하여 위치하는 제1 프리즘 및 상기 제1 프리즘을 투과한 상기 제1 투과 빔이 상기 제1 빔 스플리터에 입사하도록 상기 제1 프리즘을 투과한 상기 제1 투과 빔을 반사하고, 상기 제1 빔 스플리터로부터 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 이격하여 위치하는 제1 미러를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 프리즘은 상기 제1 투과 빔을 장축 반전시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 미러는 상기 제1 프리즘을 투과한 상기 제1 투과 빔을 단축 반전시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 빔 믹서는 상기 제1 반사 빔을 제2 반사 빔 및 제2 투과 빔으로 분할하고, 상기 제1 빔 스플리터를 투과한 상기 제1 투과 빔을 제3 반사 빔 및 제3 투과 빔으로 분할하며, 상기 제1 빔 스플리터로부터 상기 제2 방향과 반대되는 제3 방향으로 이격하여 위치하는 제2 빔 스플리터를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 반사 빔 및 상기 제3 반사 빔이 제1 출사 레이저 빔으로 방출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 빔 믹서는 상기 제2 투과 빔 및 상기 제3 투과 빔을 반사시키고, 상기 제2 빔 스플리터로부터 상기 제3 방향으로 이격되어 위치하는 제2 미러를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 투과 빔 및 상기 제3 투과 빔이 제2 출사 레이저 빔으로 방출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 피처리 박막이 형성된 기판을 지지하는 스테이지를 더 포함하고, 상기 제1 출사 레이저 빔 및 상기 제2 출사 레이저 빔이 상기 기판 상의 상기 피처리 박막 상으로 방출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 피처리 박막은 비정질 실리콘층일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 빔 믹서는 상기 레이저 발생기에서 발생하는 제2 입사 레이저 빔의 경로 상에 위치하고, 상기 제2 입사 레이저 빔을 제4 투과 빔과 제4 반사 빔으로 분할하는 제3 빔 스플리터, 상기 제4 투과 빔을 반사하고, 상기 제3 빔 스플리터로부터 상기 제1 방향으로 이격하여 위치하는 제2 프리즘 및 상기 제2 프리즘을 투과한 상기 제4 투과 빔이 상기 제3 빔 스플리터에 입사하도록 상기 제2 프리즘을 투과한 상기 제4 투과 빔을 반사하고, 상기 제3 빔 스플리터로부터 상기 제2 방향과 반대되는 제3 방향으로 이격하여 위치하는 제3 미러를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 프리즘은 상기 제4 투과 빔을 장축 반전시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제3 미러는 상기 제4 투과 빔을 단축 반전시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 빔 믹서는 상기 제4 반사 빔 및 상기 제4 투과 빔을 반사하고, 상기 제3 빔 스플리터의 상기 제2 방향으로 이격하여 위치하는 제4 미러를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제4 미러에서 반사된 제4 반사 빔은 제2 빔 스플리터에 의해 제5 투과 빔 및 제5 반사 빔으로 분할되고, 상기 제4 미러에서 반사된 상기 제4 투과 빔은 상기 제2 스플리터에 의해 제6 반사 빔 및 제6 투과 빔으로 분할될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제5 투과 빔 및 상기 제6 투과 빔이 제3 출사 레이저 빔으로 방출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제5 반사 빔 및 상기 제6 반사 빔은 제2 미러에 의해 반사될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제5 반사 빔 및 상기 제6 반사 빔이 제4 출사 레이저 빔으로 방출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 피처리 박막이 형성된 기판을 지지하는 스테이지를 더 포함하고, 상기 제3 출사 레이저 빔 및 상기 제4 출사 레이저 빔이 상기 기판 상의 상기 피처리 박막 상으로 방출될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 피처리 박막은 비정질 실리콘층일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 레이저 장치는 제1 입사 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생기 및 제1 입사 레이저 빔을 가공하는 빔 믹서를 포함하고, 빔 믹서는 제1 입사 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하고, 제1 입사 레이저 빔을 제1 투과 빔 및 제1 반사 빔으로 분할하는 제1 빔 스플리터, 제1 투과 빔을 반사하고, 제1 빔 스플리터로부터 제1 방향으로 이격하여 위치하는 제1 프리즘 및 제1 프리즘을 투과한 제1 투과 빔이 제 1 빔 스플리터에 입사하도록 제1 투과 빔을 반사하고, 제1 빔 스플리터로부터 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 이격하여 위치하는 제1 미러를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 빔 스플리터에 의해 반사된 제1 반사 빔과 제1 빔 스플리터를 투과하고, 제1 프리즘 및 제1 미러를 거친 제1 투과 빔이 혼합될 수 있다. 제1 투과 빔은 제1 반사 빔에 비해 장축 및 단축이 반전될 수 있다. 따라서, 제1 반사 빔과 제1 투과 빔이 혼합되어 레이저 장치에서 방출되는 레이저 빔의 균일성을 향상시킬 수 있고, 균일성이 향상된 레이저 빔을 통해 형성되는 다결정 실리콘층의 결정화 불량을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 장치를 나타내는 구성도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 레이저 장치에 포함된 빔 믹서를 설명하기 위한 구성도들이다.
도 4는 도 1의 레이저 장치가 사용되는 일 실시예를 나타내는 개략도이다.
도 5 및 도 6은 도 1의 레이저 장치로부터 방출된 레이저 빔이 피처리 박막에 조사되는 과정을 도시한 사시도들이다.
도 7은 도 6의 피처리 박막이 사용되는 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 1의 레이저 장치에 사용되는 프리즘의 장축 반전 원리를 설명하기 위한 구성도이다.
도 9는 도 1의 레이저 장치에서 장축 반전과 단축 반전을 설명하기 위한 구성도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대하여는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대한 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 장치(1000)를 나타내는 구성도이고, 도 2 및 도 3은 도 1의 레이저 장치(1000)에 포함된 빔 믹서(1200)를 설명하기 위한 구성도들이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 레이저 장치(1000)는 제1 입사 레이저 빔(300a) 및 제2 입사 레이저 빔(300b)을 발생시키는 레이저 발생기(1100) 및 제1 입사 레이저 빔(300a) 및 제2 입사 레이저 빔(300b)을 가공하는 빔 믹서(beam mixer)(1200) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 빔 믹서(1200)는 제1 빔 스플리터(beam splitter)(100), 제1 프리즘(110), 제1 미러(120), 제2 빔 스플리터(130), 제2 미러(140), 제3 빔 스플리터(200), 제2 프리즘(210), 제3 미러(220), 제4 미러(230) 등을 포함할 수 있다. 제1 빔 스플리터(100), 제1 프리즘(110) 및 제1 미러(120)를 제1 장축 및 단축 반전 모듈(1300)로 정의할 수 있다. 또한, 제3 빔 스플리터(200), 제2 프리즘(210) 및 제3 미러(220)를 제2 장축 및 단축 반전 모듈(1400)로 정의할 수 있다.
레이저 발생기(1100)는 제1 방향(DR1)으로 제1 입사 레이저 빔(300a)및 제2 입사 레이저 빔(300b)을 방출할 수 있다. 다시 말하면, 레이저 발생기(1100)는 제1 입사 레이저 빔(300a)을 제1 빔 스플리터(100)로 방출할 수 고, 제2 입사 레이저 빔(300b)을 제3 빔 스플리터(200)로 방출할 수 있다. 제1 입사 레이저 빔(300a) 및 제2 입사 레이저 빔(300b)의 단면은 장축 및 단축을 가질 수 있다.
제1 빔 스플리터(100)는 제1 입사 레이저 빔(300a)의 진행 경로 상에 위치하고, 제1 입사 레이저 빔(300a)을 제1 반사 빔(310a) 및 제1 투과 빔(310b)으로 분할할 수 있다. 예를 들면, 제1 빔 스플리터(100)는 제1 입사 레이저 빔(300a)의 일부를 반사시켜 제1 반사 빔(310a)을 만들고, 제1 빔 스플리터(100)는 제1 입사 레이저 빔(300a)의 상기 일부를 제외한 나머지를 투과시켜 제1 투과 빔(310b)을 만들 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 빔 스플리터(100)는 제1 반사 빔(310a)을 제2 빔 스플리터(130)로 반사시키며 제1 투과 빔(310b)을 제1 프리즘(110)으로 입사시키도록 레이저 발생기(1100)에 대하여 고정된 각도를 가질 수 있다. 제1 빔 스플리터(100)가 레이저 빔을 분할하는 비율은 다양할 수 있다.
제1 프리즘(110)은 제1 빔 스플리터(100)로부터 제1 방향(DR1)으로 이격하여 위치할 수 있다. 제1 프리즘(110)은 제1 투과 빔(310b)을 투과한 제1 투과 빔(310b)을 제1 미러(120)로 입사시키도록 제1 빔 스플리터(100)로부터 고정된 각도를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 프리즘(110)의 단면은 삼각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 제1 프리즘(110)은 제1 면(110a), 제2 면(110b) 및 제3 면(110c)을 포함할 수 있다. 제1 프리즘(110)의 제3 면(110c)의 일측으로 투과된 제1 투과 빔(310b)은 제1 면(110a) 및 제2 면(110b)으로부터 반사되어 제3 면(110c)의 타측으로 방출될 수 있다. 이러한 과정에서, 제1 프리즘(110)은 제1 투과 빔(310b)을 장축 반전시킬 수 있다. 일 실시예에서, 제1 프리즘(110)의 제1 면(110a) 및 제2 면(110b)에는 반사 물질이 코팅될 수 있다. 선택적으로, 제1 투과 빔(310b)이 제1 면(110a) 및 제2 면(110b)으로부터 반사되도록 제1 면(110a) 및 제2 면(110b) 상에 미러들이 각기 배치될 수도 있다.
제1 미러(120)는 제1 빔 스플리터(100)로부터 제1 방향(DR1)에 직교하는 제2 방향(DR2)으로 이격하여 위치할 수 있다. 제1 미러(120)는 제1 프리즘(110)으로부터 투과된 제1 투과 빔(310b)을 제1 빔 스플리터(100)에 입사시키도록 제1 프리즘(110) 및 제1 빔 스플리터(100)에 대하여 각기 고정된 각도들을 가질 수 있다. 제1 미러(120)는 입사하는 빔을 소정의 각도로 모두 반사시킬 수 있다. 예를 들면, 제1 미러(120)는 제1 프리즘(110)을 투과한 제1 투과 빔(310b)이 제1 빔 스플리터(100)에 입사하도록 제1 프리즘(110)을 투과한 제1 투과 빔(310b)을 모두 반사시킬 수 있다. 이러한 과정에서, 제1 미러(120)는 제1 프리즘(110)을 투과한 제1 투과 빔(310b)을 단축 반전시킬 수 있다. 제1 미러(120)는 거울, 반사율이 높은 금속 등을 포함할 수 있다.
제1 반사 빔(310a)과 제1 미러(120)로부터 반사되어 제1 빔 스플리터(100)를 재투과한 제1 투과 빔(310b)을 비교할 경우, 제1 반사 빔(310a)과 제1 빔 스플리터(100)를 재투과한 제1 투과 빔(310b)은 서로 레이저 빔의 장축 및 단축이 반전된 형상을 가질 수 있다.
제2 빔 스플리터(130)는 제1 반사 빔(310a)을 제2 반사 빔(320a) 및 제2 투과 빔(320b)으로 분할할 수 있다. 제2 빔 스플리터(130)는 제1 빔 스플리터(100)를 재투과한 제1 투과 빔(310b)을 제3 반사 빔(330a) 및 제3 투과 빔(330b)으로 분할할 수 있다. 제2 빔 스플리터(130)는 제1 빔 스플리터(100)로부터 제2 방향(DR2)과 반대되는 제3 방향(DR3)으로 이격하여 위치할 수 있다. 제2 빔 스플리터(130)는 제2 투과 빔(320b) 및 제3 투과 빔(330b)을 제2 미러(140)로 투과시키고, 제2 반사 빔(320a) 및 제3 반사 빔(330a)를 레이저 장치(1000) 외부로 방출시키기 위해, 제1 빔 스플리터(100)에 대하여 고정된 각도를 가질 수 있다.
제2 빔 스플리터(130)는 제1 반사 빔(310a)의 일부를 제2 반사 빔(320a)으로 반사시키고, 제1 반사 빔(310a)의 상기 일부를 제외한 나머지를 제2 투과 빔(320b)으로 투과시킴으로써 제1 반사 빔(310a)을 분할할 수 있다. 또한, 제2 빔 스플리터(130)는 제1 프리즘(110)을 투과한 제1 투과 빔(310b)의 일부를 제3 반사 빔(330a)으로 반사시키고, 제1 투과 빔(310b)의 상기 일부를 제외한 나머지를 제3 투과 빔(330b)으로 투과시킴으로써 제1 투과 빔(310b)을 분할할 수 있다. 제2 빔 스플리터(130)가 레이저 빔들을 분할하는 비율은 다양할 수 있다.
제2 미러(140)는 제2 투과 빔(320b) 및 제3 투과 빔(330b)을 반사시킬 수 있다. 제2 미러(140)는 제2 빔 스플리터(130)로부터 제3 방향(DR3)으로 이격되어 위치할 수 있다. 제2 미러(140)는 제2 투과 빔(320b) 및 제3 투과 빔(330b)을 반사시켜, 레이저 장치(1000)의 외부로 방출시키기 위해 제2 빔 스플리터(130)에 대해 고정된 각도를 가질 수 있다. 제2 미러(140), 제2 빔 스플리터(130), 제1 빔 스플리터(100) 및 제1 미러(120)는 제2 방향(DR2)으로 연장되는 동일선 상에 위치할 수 있다. 제2 미러(140)는 거울, 반사율이 높은 금속 등을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 반사 빔(320a) 및 제3 반사 빔(330a)이 제1 출사 레이저 빔(325)으로 방출될 수 있다. 즉, 제2 빔 스플리터(130)에서 반사된 제2 반사 빔(320a) 및 제3 반사 빔(330a)이 레이저 장치(1000)의 외부로 방출될 때, 제2 반사 빔(320a) 및 제3 반사 빔(330a)이 합쳐져서 제1 출사 레이저 빔(325)으로 방출될 수 있다. 제2 반사 빔(320a) 및 제3 반사 빔(330a)은 서로 장축 및 단축이 반전된 형상을 가지기 때문에, 제2 반사 빔(320a) 및 제3 반사 빔(330a)이 합쳐진 제1 출사 레이저 빔(325)은 제1 입사 레이저 빔(300a)에 비해 향상된 빔 균일성을 가질 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 제2 투과 빔(320b) 및 제3 투과 빔(330b)이 제2 출사 레이저 빔(335)으로 방출될 수 있다. 제2 빔 스플리터(130)를 투과한 제2 투과 빔(320b) 및 제3 투과 빔(330b)은 제2 미러(140)에 의해 반사될 수 있다. 제2 미러(140)에서 반사된 제2 투과 빔(320b) 및 제3 투과 빔(330b)이 레이저 장치(1000)의 외부로 방출될 때, 제2 투과 빔(320b) 및 제3 투과 빔(330b)이 합쳐져서 제2 출사 레이저 빔(335)으로 방출될 수 있다. 제2 투과 빔(320b) 및 제3 투과 빔(330b)은 서로 장축 및 단축이 반전된 형상을 가지기 때문에, 제2 투과 빔(320b) 및 제3 투과 빔(330b)이 합쳐진 제2 출사 레이저 빔(335)은 제1 입사 레이저 빔(300a)에 비해 향상된 빔 균일성을 가질 수 있다.
레이저 장치(1000)가 제1 장축 및 단축 반전 모듈(1300)을 포함함으로써, 기존 사용되던 장축 또는 단축 반전 모듈보다 적은 수의 미러들 및 빔 스플리터들을 이용하여 제1 입사 레이저 빔(300a)의 장축 및 단축을 반전 시킬 수 있다. 이 경우, 레이저 장치(1000)의 크기가 감소될 수 있고 및 레이저 장치(1000)의 제조 비용이 절감될 수 있다.
제3 빔 스플리터(200)는 제2 입사 레이저 빔(300b)의 진행 경로 상에 위치하고, 제2 입사 레이저 빔(300b)을 제4 반사 빔(340a) 및 제4 투과 빔(340b)으로 분할할 수 있다. 예를 들면, 제3 빔 스플리터(200)는 제2 입사 레이저 빔(300b)의 일부를 반사시켜 제4 반사 빔(340a)을 만들고, 제2 입사 레이저 빔(300b)의 상기 일부를 제외한 나머지를 투과시켜 제4 투과 빔(340b)을 만들 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제3 빔 스플리터(200)는 제4 반사 빔(340a)을 제4 미러(240)로 반사시키며 제4 투과 빔(340b)을 제2 프리즘(210)으로 입사시키도록 레이저 발생기(1100)에 대하여 고정된 각도를 가질 수 있다. 제3 빔 스플리터(200)가 레이저 빔을 분할하는 비율은 다양할 수 있다.
제2 프리즘(210)은 제3 빔 스플리터(200)로부터 제1 방향(DR1)으로 이격하여 위치할 수 있다. 제2 프리즘(210)은 제3 빔 스플리터(200)를 투과한 제4 투과 빔(340)을 투과시킨 후, 상기 투과된 제4 투과 빔(340b)을 제3 미러(220)로 입사시키도록 제3 빔 스플리터(200)에 대하여 고정된 각도를 가질 수 있다. 예를 들면, 제2 프리즘(210)의 단면은 삼각형의 평면 형상을 가질 수 있다. 제2 프리즘(210)은 제1 면(210a), 제2 면(210b) 및 제3 면(210c)을 포함할 수 있다. 제2 프리즘(210)의 제3 면(210c)의 일측으로 투과된 제4 투과 빔(340b)은 제1 면(210a) 및 제2 면(210b)으로부터 반사되어 제3 면(210c)의 타측으로 방출될 수 있다. 이러한 과정에서, 제2 프리즘(210)은 제4 투과 빔(340b)을 장축 반전시킬 수 있다. 일 실시예에서 제2 프리즘(210)의 제1 면(210a) 및 제2 면(210b)에는 반사 물질이 코팅될 수 있다. 선택적으로, 제4 투과 빔(340b)이 제1 면(210a) 및 제2 면(210b)으로부터 반사되도록 제1 면(210a) 및 제2 면(210b) 상에 미러들이 각기 배치될 수도 있다.
제3 미러(220)는 제3 빔 스플리터(200)로부터 제3 방향(DR3)으로 이격하여 위치할 수 있다. 제3 미러(220)는 제2 프리즘(210)으로부터 투과된 제4 투과 빔(340b)을 제3 빔 스플리터(200)에 입사시키도록 제2 프리즘(210) 및 제3 빔 스플리터(200)에 대하여 각기 고정된 각도들을 가질 수 있다. 제3 미러(220)는 입사하는 빔을 소정의 각도로 모두 반사시킬 수 있다. 예를 들면, 제3 미러(220)는 제2 프리즘(210)을 투과한 제4 투과 빔(340b)이 제3 빔 스플리터(200)에 입사하도록 제2 프리즘(210)을 투과한 제4 투과 빔(340b)을 반사시킬 수 있다. 이러한 과정에서, 제3 미러(220)는 제2 프리즘(210)을 투과한 제4 투과 빔(340b)을 단축 반전시킬 수 있다. 제3 미러(220)는 거울, 반사율이 높은 금속 등을 포함할 수 있다.
제4 반사 빔(340a)과 제3 미러(220)로부터 반사되어 제3 빔 스플리터(200)를 재투과한 제4 투과 빔(340b)을 비교할 경우, 제4 반사 빔(340a)과 제3 빔 스플리터(200)를 재투과한 제4 투과 빔(340b)은 서로 레이저 빔의 장축 및 단축이 반전된 형상을 가질 수 있다.
제4 미러(230)는 제3 빔 스플리터(200)로부터 제2 방향으로 이격하고, 제2 빔 스플리터(130)로부터 제1 방향(DR1)에 반대되는 제4 방향(DR4)으로 이격하여 위치할 수 있다. 제4 미러(230)는 제4 반사 빔(340a)과 제3 빔 스플리터(200)를 재투과한 제4 투과 빔(340b)을 반사하여 제2 빔 스플리터(130)로 보낼 수 있다. 또한, 제4 미러(230)는 제4 반사 빔(340a)과 제3 빔 스플리터(200)를 재투과한 제4 투과 빔(340b)을 반사하여 제2 빔 스플리터(130)로 보내기 위하여 제2 빔 스플리터(130) 및 제3 빔 스플리터(200)에 대해 고정된 각도를 가질 수 있다. 제4 미러(230)는 거울, 반사율이 높은 금속 등을 포함할 수 있다.
제4 미러(230)와 제2 빔 스플리터(130)는 제1 방향(DR1)으로 연장되는 동일선 상에 위치할 수 있다. 또한, 제4 미러(230)는 제3 미러(220) 및 제3 빔 스플리터(200)와 제3 방향(DR3)으로 연장되는 동일선 상에 위치할 수 있다.
제2 빔 스플리터(130)는 제4 미러(230)에서 반사된 제4 반사 빔(340a)의 일부를 제5 반사 빔(350a)으로 반사시키고, 제4 반사 빔(340a)의 상기 일부를 제외한 나머지를 제5 투과 빔(350b)으로 투과시킴으로써 제4 반사 빔(340a)을 분할할 수 있다. 또한, 제2 빔 스플리터(130)는 제4 미러(230)에서 반사된 제4 투과 빔(340b)의 일부를 제6 반사 빔(360a)으로 반사시키고, 제4 투과 빔(340b)의 상기 일부를 제외한 나머지를 제6 투과 빔(360b)으로 투과시킴으로써 제4 투과 빔(340b)을 분할할 수 있다. 제2 빔 스플리터(130)가 레이저 빔들을 분할하는 비율은 다양할 수 있다. 제2 빔 스플리터(130)는 제5 반사 빔(350a) 및 제6 반사 빔(360a)을 제2 미러(140)로 반사시키고, 제5 투과 빔(350b) 및 제6 투과 빔(360b)을 레이저 장치(1000)의 외부로 방출시키기 위해, 제4 미러(230)에 대하여 고정된 각도를 가질 수 있다.
제2 빔 스플리터(130)에 의해 투과된 제5 투과 빔(350b) 및 제 6 투과 빔(360b)은 빔 믹서(1200)의 외부로 방출될 수 있다. 일 실시예에서, 제5 투과 빔(350b) 및 제6 투과 빔(360b)이 레이저 장치(1000)의 외부로 방출될 때, 제5 투과 빔(350b) 및 제6 투과 빔(360b)이 합쳐져서 제3 출사 레이저 빔(355)으로 방출될 수 있다. 제5 투과 빔(350b) 및 제 6 투과 빔(360b)은 서로 장축 및 단축이 반전된 형상을 가지기 때문에, 제5 투과 빔(350b) 및 제 6 투과 빔(360b)이 합쳐진 제3 출사 레이저 빔(355)은 제2 입사 레이저 빔(300b)에 비해 향상된 빔 균일성을 가질 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 제5 반사 빔(350a) 및 제6 반사 빔(360a)은 제2 미러(140)에 의해 반사될 수 있다. 제2 미러(140)는 제5 반사 빔(350a) 및 제6 반사 빔(360a)의 진행 경로를 변경할 수 있다. 제2 미러에(140)에 의해 제5 반사 빔(350a) 및 제6 반사 빔(360a)은 레이저 장치(1000)의 외부로 방출될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에서, 제5 반사 빔(350a) 및 제6 반사 빔(360a)이 레이저 장치(1000)의 외부로 방출될 때, 제5 반사 빔(350a) 및 제6 반사 빔(360a)이 합쳐져서 제4 출사 레이저 빔(365)으로 방출될 수 있다. 제5 반사 빔(350a) 및 제6 반사 빔(360a)은 서로 장축 및 단축이 반전된 형상을 가지기 때문에, 제5 반사 빔(350a) 및 제6 반사 빔(360a)이 합쳐진 제4 출사 레이저 빔(365)은 제2 입사 레이저 빔(300b)에 비해 향상된 빔 균일성을 가질 수 있다.
레이저 장치(1000)가 제2 장축 및 단축 반전 모듈(1400)을 포함함으로써, 기존 사용되던 장축 또는 단축 반전 모듈보다 적은 수의 미러들 및 빔 스플리터들을 이용하여 제2 입사 레이저 빔(300a)의 장축 및 단축을 반전 시킬 수 있다. 이 경우, 레이저 장치(1000)의 크기가 감소될 수 있고 및 레이저 장치(1000)의 제조 비용이 절감될 수 있다.
제2 입사 레이저 빔(300b)은 제1 입사 레이저 빔(300a)과 동일한 사양을 갖는 레이저 빔일 수 있다. 레이저 장치(1000)의 외부로 레이저 빔이 방출되는 경우, 제1 입사 레이저 빔(300a)으로부터 만들어진 레이저 빔들과 제2 입사 레이저 빔(300b)으로부터 만들어진 레이저 빔이 병합될 수 있다. 이 경우, 레이저 장치(1000)에서 방출되는 레이저 빔의 출력이 높아질 수 있다. 즉, 제1 내지 제4 출사 레이저 빔들(325, 335, 355, 365)이 서로 합쳐져서 레이저 빔의 출력이 증가할 수 있다.
도 4는 도 1의 레이저 장치(1000)가 사용되는 일 실시예를 나타내는 개략도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 레이저 장치(1000)는 레이저 발생기(1100), 빔 믹서(1200), 스테이지(2000), 기판(10), 피처리 박막(30) 등을 포함할 수 있다.
레이저 장치(1000)에서 제1 내지 제4 출사 레이저 빔들(325, 335, 355, 365)이 방출될 수 있다. 방출된 제1 내지 제4 출사 레이저 빔들(325, 335, 355, 365)이 스테이지(2000) 상으로 조사될 수 있다. 스테이지(2000) 상에는 기판(10)이 놓일 수 있다. 기판(10) 상에는 피처리 박막(30)이 배치될 수 있다.
제1 출사 레이저 빔(325) 및 제2 출사 레이저 빔(335)이 기판(10) 상의 피처리 박막(30) 상으로 방출될 수 있다. 제3 출사 레이저 빔(355) 및 제4 출사 레이저 빔(365)이 기판(10) 상의 피처리 박막(30) 상으로 방출될 수 있다.
도 5 및 도 6은 도 1의 레이저 장치(1000)로부터 방출된 레이저 빔이 피처리 박막(30)에 조사되는 과정을 도시한 사시도들이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 일 실시예에서, 피처리 박막(30)은 비정질 실리콘층(30a)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제4 출사 레이저 빔들(325, 335, 355, 365)이 스테이지(2000) 상에 배치된 기판(10) 상의 비정질 실리콘층(30a)으로 방출되는 경우, 비정질 실리콘층(30a)은 제1 내지 제4 출사 레이저 빔(325, 335, 355, 365)에 의해 다결정 실리콘층(30b)으로 결정화 된다. 결정화 과정의 결과는 레이저 빔의 균일성의 영향을 받는다. 따라서, 본 발명의 레이저 장치(1000)는 제1 및 제2 장축 및 단축 반전 모듈(1300, 1400)을 통해 레이저 빔의 균일성을 향상시킬 수 있고, 균일성의 향상된 레이저 빔을 통해 다결정 실리콘층(30b)의 결정화 불량을 방지할 수 있다. 결정화 과정에 대한 설명은 도 7에서 후술하기로 한다.
결정화 과정에서, 스테이지(2000)가 고정된 상태에서 레이저 장치(1000)가 제2 방향(DR2)으로 이동할 수 있다. 또한, 상기 결정화 과정에서, 레이저 장치(1000)가 고정된 상태에서, 스테이지(2000)가 제3 방향(DR3)으로 이동할 수도 있다.
도 7은 도 6의 피처리 박막(30)이 사용되는 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 7을 참조하면, 레이저 장치(1000)에서 방출된 레이저 빔에 의해 결정화 과정을 거친 다결정 실리콘층(30b)은 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 소자에 사용될 수 있다. 기판(10) 상에는 불순물 이온의 확산 및 수분이나 외기의 침투를 방지하고, 평탄화된 표면을 제공하기 위한 버퍼층(20)이 형성될 수 있다. 이 때, 기판(10)은 유리, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판일 수 있다. 버퍼층(20)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 등과 같은 무기 절연 물질 및/또는 폴리이미드, 폴리에스테르, 아크릴 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(20)은 필수 구성 요소는 아니므로 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(20) 상에는 채널 영역(43)과 채널 영역(43)을 중심으로 양쪽에 형성되어 있는 소스 및 드레인 영역(41, 42)을 포함하여 다결정 실리콘으로 이루어진 반도체층(40)이 형성되어 있다. 여기서, 소스 및 드레인 영역(41, 42)은 n형 또는 p형 불순물이 도핑되어 있으며 실리사이드층을 포함할 수 있다. 이하에서는 본 반도체층(40)을 형성하는 방법에 대하여 좀 더 상세히 설명하기로 한다.
기판(10) 상에 비정질 실리콘을 저압 화학 기상 증착 또는 플라즈마 화학 기상 증착 또는 스퍼터링 방법 등으로 적층하여 비정질 실리콘층(30a)를 형성한다. 실리콘은 결정 상태에 따라 비정질 실리콘과 다결정 실리콘으로 구분될 수 있는데, 비정질 실리콘은 비교적 낮은 온도에서 박막으로 증착 가능한 장점이 있는 반면, 원자 배열에 규칙이 없어 전기적 특성이 비교적 떨어지고 대면 적화가 어려운 단점이 있을 수 있다. 그러나 다결정 실리콘은 전류의 흐름도가 비정질 실리콘에 비해 우수하며, 특히 결정립(grain)의 크기가 증가할수록 전기적 특성이 개선될 수 있다. 이 때, 용융점이 낮은 유리 등의 절연 기판(10)을 활용하는 경우 기판(10)상에 비정질 실리콘층(30a)을 증착한 후 이를 다결정 실리콘층(30b)으로 결정화하여 사용하게 되는데, 증착된 다결정 실리콘층(30b)의 결정화도를 향상시키기 위하여 통상적으로 레이저 어닐링(laser annealing)에 의한 열처리 공정이 수반 될 수 있다. 레이저 장치(1000)에서 방출되는 제1 내지 제4 출사 레이저 빔들(325, 335, 355, 365)에 의해 레이저 어닐링이 진행될 수 있다.
다결정 실리콘으로 이루어진 반도체층(40) 상에는 반도체층(40)을 덮는 게이트 절연막(60)을 비롯하여 게이트 전극(50), 층간 절연막(70), 소스 전극(41a), 드레인 전극(42a), 보호막(80) 및 하부 전극(90) 등이 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이, 레이저 장치(1000)는 제1 입사 레이저 빔(300a)을 발생시키는 레이저 발생기(1100) 및 제1 입사 레이저 빔(300a)을 가공하는 빔 믹서(1200)를 포함하고, 빔 믹서(1200)는 제1 입사 레이저 빔(300a)의 진행 경로 상에 위치하고, 제1 입사 레이저 빔(300a)을 제1 투과 빔(310b) 및 제1 반사 빔(310a)으로 분할하는 제1 빔 스플리터(100), 제1 투과 빔(310b)을 반사하고, 제1 빔 스플리터(100)로부터 제1 방향(DR1)으로 이격하여 위치하는 제1 프리즘(110) 및 제1 프리즘(110)을 투과한 제1 투과 빔(310b)이 제 1 빔 스플리터(100)에 입사하도록 제1 투과 빔(310b)을 반사하고, 제1 빔 스플리터(100)로부터 제1 방향(DR1)에 직교하는 제2 방향(DR2)으로 이격하여 위치하는 제1 미러(120)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 빔 스플리터(100)에 의해 반사된 제1 반사 빔(310a)과 제1 빔 스플리터(100)를 투과하고, 제1 프리즘(110) 및 제1 미러(120)를 거친 제1 투과 빔(310b)이 혼합될 수 있다. 제1 빔 스플리터(100)를 다시 투과한 제1 투과 빔(310b)은 제1 반사 빔(310a)에 비해 장축 및 단축이 반전될 수 있다. 따라서, 제1 반사 빔(310a)과 제1 빔 스플리터(100)를 다시 투과한 제1 투과 빔(310b)이 혼합되어 레이저 장치(1000)에서 방출되는 레이저 빔의 균일성을 향상시킬 수 있고, 균일성이 향상된 레이저 빔을 통해 형성되는 다결정 실리콘의 결정화 불량을 방지할 수 있다.
도 8은 도 1의 레이저 장치(1000)에 사용되는 프리즘의 장축 반전 원리를 설명하기 위한 구성도이다.
도 8을 참조하면, 제1 프리즘(110)을 투과한 레이저 빔의 장축이 반전되는 모습을 파악할 수 있다. 예를 들어, 제1 입사 레이저 빔(300a)은 제1 프리즘(110)으로 입사될 수 있다. 제1 입사 레이저 빔(300a)은 설명의 편의를 위하여 단축(a)과 장축(b)을 갖는 직사각형의 단면을 갖고, 제1 입사 레이저 빔(300a)의 단면을 1 내지 4구역 사등분하여 도시하였다. 이는 예시적인 것으로, 제1 입사 레이저 빔(300a)의 단면의 형상은 다양할 수 있다. 제1 입사 레이저 빔(300a)은 제1 프리즘(110)의 중심축(110d)의 일 측에 위치하는 제1 면(110a)으로 입사될 수 있다. 제1 입사 레이저 빔(300a)에서 2 및 3구역은 1 및 4구역보다 제1 면(110a)에서 중심축(110d)으로부터 먼 부분에 입사될 수 있다. 이에 따라, 1 및 4구역과 2 및 3구역이 제1 면(110a)에서 반사된 후 제2 면(110b)에 도달하는 위치에서 차이가 발생할 수 있다. 2 및 3구역은 제1 면(110a)에서 중심축(110d)으로부터 먼 부분에 입사되기 때문에 제2 면(110b)에서 중심축(110c)으로부터 먼 부분에 도달한 후 제1 프리즘(110)의 외부로 반사될 수 있다. 이에 반해, 1 및 4구역은 제1 면(110a)에서 중심축(110d)으로부터 가까운 부분에 입사되기 때문에 제2 면(110b)에서 중심축(110d)으로부터 가까운 부분에 도달한 후 제1 프리즘(110)의 외부로 반사될 수 있다. 즉, 제1 프리즘(110)을 투과한 제1 입사 레이저 빔(300a)은 제1 프리즘(110)을 투과하기 전의 제1 입사 레이저 빔(300a)에 비해 장축(b)이 반전될 수 있다. 도 1 및 도 3에 도시된 제2 프리즘(210)도 동일한 원리에 의해 레이저 빔의 장축이 반전될 수 있다.
도 9는 도 1의 레이저 장치(1000)에서 장축 반전과 단축 반전을 설명하기 위한 구성도이다.
도 9를 참조하면, 제2 장축 및 단축 반전 모듈들(1400)에서 장축(b) 및 단축(a)이 반전되는 모습을 볼 수 있다. 제3 빔 스플리터(200)는 제2 입사 레이저 빔(300b)을 제4 반사 빔(340a)과 제4 투과 빔(340b)으로 분할할 수 있다. 제4 반사 빔(340a)은 제2 입사 레이저 빔(300b)에 비해 장축(b) 및 단축(a)의 반전이 되지 않을 수 있다. 이에 반해, 제4 투과 빔(340b)은, 도 8에서 전술한 바와 같이, 제2 프리즘(210)을 투과한 후 장축(b)이 반전이 될 수 있고, 다시 한 번 제3 미러(220)에서 반사되면서 단축(a)이 반전이 된 후 다시 제3 빔 스플리터(200)를 투과할 수 있다. 결과적으로 제3 빔 스플리터(200)를 다시 투과한 제4 투과 빔(340b)은 제4 반사 빔(340a)와 비교하면 장축(b) 및 단축(a)이 모두 반전될 수 있다. 제4 반사 빔(340a)과 제4 투과 빔(340b)이 레이저 장치(1000)의 외부로 나가는 방출되는 과정에서 합쳐지는 경우, 레이저 빔의 균일성이 향상될 수 있다. 따라서, 레이저 장치(1000)가 균일성이 향상된 레이저 빔을 이용하여 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 결정화할 경우, 다결정 실리콘의 결정화 불량을 방지할 수 있다. 이는 도 1 및 도 2에 도시된 제1 장축 및 단축 반전 모듈(1300)에도 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명은 레이저 장치 및 이를 포함하는 다양한 장치 등에 적용될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
10: 기판 20: 버퍼층
30: 피처리 박막 30a: 비정질 실리콘층
30b: 다결정 실리콘층 100: 제1 빔 스플리터
110: 제1 프리즘 120: 제1 미러
130: 제2 빔 스플리터 140: 제2 미러
200: 제3 빔 스플리터 210: 제2 프리즘
220: 제3 미러 230: 제4 미러
300a: 제1 입사 레이저 빔 300b: 제2 입사 레이저 빔
310a, 320a, 330a, 340a, 350a, 360a: 제1 내지 제6 반사 빔
310b, 320b, 330b, 340b, 350b, 360b: 제1 내지 제6 투과 빔
325: 제1 출사 레이저 빔 335: 제2 출사 레이저 빔
355: 제3 출사 레이저 빔 365: 제4 출사 레이저 빔
1000: 레이저 장치 1100: 레이저 발생기
1200: 빔 믹서
1300, 1400: 제1 및 제2 장축 및 단축 반전 모듈
2000: 스테이지
DR1, DR2, DR3, DR4: 제1 내지 제4 방향

Claims (19)

  1. 제1 입사 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생기; 및
    상기 제1 입사 레이저 빔을 가공하는 빔 믹서(beam mixer)를 포함하고,
    상기 빔 믹서는,
    상기 제1 입사 레이저 빔의 진행 경로 상에 위치하고, 상기 제1 입사 레이저 빔을 제1 투과 빔 및 제1 반사 빔으로 분할하는 제1 빔 스플리터(beam splitter);
    상기 제1 투과 빔이 투과되고, 상기 제1 빔 스플리터로부터 제1 방향으로 이격하여 위치하는 제1 프리즘; 및
    상기 제1 프리즘을 투과한 상기 제1 투과 빔이 상기 제1 빔 스플리터에 입사하도록 상기 제1 프리즘을 투과한 상기 제1 투과 빔을 반사하고, 상기 제1 빔 스플리터로부터 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 이격하여 위치하는 제1 미러를 포함하는 레이저 장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 프리즘은 상기 제1 투과 빔을 장축 반전시키는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제1 미러는 상기 제1 프리즘을 투과한 상기 제1 투과 빔을 단축 반전시키는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 빔 믹서는,
    상기 제1 반사 빔을 제2 반사 빔 및 제2 투과 빔으로 분할하고, 상기 제1 빔 스플리터를 투과한 상기 제1 투과 빔을 제3 반사 빔 및 제3 투과 빔으로 분할하며, 상기 제1 빔 스플리터로부터 상기 제2 방향과 반대되는 제3 방향으로 이격하여 위치하는 제2 빔 스플리터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 제2 반사 빔 및 상기 제3 반사 빔이 제1 출사 레이저 빔으로 방출되는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 빔 믹서는,
    상기 제2 투과 빔 및 상기 제3 투과 빔을 반사시키고, 상기 제2 빔 스플리터로부터 상기 제3 방향으로 이격되어 위치하는 제2 미러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 제2 투과 빔 및 상기 제3 투과 빔이 제2 출사 레이저 빔으로 방출되는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    피처리 박막이 형성된 기판을 지지하는 스테이지를 더 포함하고,
    상기 제1 출사 레이저 빔 및 상기 제2 출사 레이저 빔이 상기 기판 상의 상기 피처리 박막 상으로 방출되는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 피처리 박막은 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 빔 믹서는,
    상기 레이저 발생기에서 발생하는 제2 입사 레이저 빔의 경로 상에 위치하고, 상기 제2 입사 레이저 빔을 제4 투과 빔과 제4 반사 빔으로 분할하는 제3 빔 스플리터;
    상기 제4 투과 빔을 반사하고, 상기 제3 빔 스플리터로부터 상기 제1 방향으로 이격하여 위치하는 제2 프리즘; 및
    상기 제2 프리즘을 투과한 상기 제4 투과 빔이 상기 제3 빔 스플리터에 입사하도록 상기 제2 프리즘을 투과한 상기 제4 투과 빔을 반사하고, 상기 제3 빔 스플리터로부터 상기 제2 방향과 반대되는 제3 방향으로 이격하여 위치하는 제3 미러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 제2 프리즘은 상기 제4 투과 빔을 장축 반전시키는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  12. 제10 항에 있어서, 상기 제3 미러는 상기 제4 투과 빔을 단축 반전시키는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  13. 제10 항에 있어서, 상기 빔 믹서는 상기 제4 반사 빔 및 상기 제4 투과 빔을 반사하고, 상기 제3 빔 스플리터의 상기 제2 방향으로 이격하여 위치하는 제4 미러를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제4 미러에서 반사된 제4 반사 빔은 제2 빔 스플리터에 의해 제5 투과 빔 및 제5 반사 빔으로 분할되고, 상기 제4 미러에서 반사된 상기 제4 투과 빔은 상기 제2 스플리터에 의해 제6 반사 빔 및 제6 투과 빔으로 분할되는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  15. 제14 항에 있어서, 상기 제5 투과 빔 및 상기 제6 투과 빔이 제3 출사 레이저 빔으로 방출되는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 제5 반사 빔 및 상기 제6 반사 빔은 제2 미러에 의해 반사되는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  17. 제16 항에 있어서, 상기 제5 반사 빔 및 상기 제6 반사 빔이 제4 출사 레이저 빔으로 방출되는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    피처리 박막이 형성된 기판을 지지하는 스테이지를 더 포함하고,
    상기 제3 출사 레이저 빔 및 상기 제4 출사 레이저 빔이 상기 기판 상의 상기 피처리 박막 상으로 방출되는 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 피처리 박막은 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 하는 레이저 장치.
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