KR20210078443A - laminate - Google Patents

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KR20210078443A
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마코토 사토
히로유키 우에바야시
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도레이 카부시키가이샤
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Abstract

기재의 적어도 편측에 A층을 갖고, 상기 A층은 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소, 및, 산소를 포함하고, 상기 A층 표면의 원자간력 현미경(AFM)에 의해 산출되는 산술 평균 거칠기(Ra)가 5.0nm 이하인 적층체. 저비용이며 또한 심플한 구성으로도 고도한 가스 배리어성을 갖는 적층체를 제공한다.An A layer is provided on at least one side of a substrate, wherein the A layer contains at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and groups 12 to 14 of the periodic table, and oxygen; A laminate having an arithmetic mean roughness (Ra) of 5.0 nm or less as calculated by an atomic force microscope (AFM) on the surface of the layer. A laminate having high gas barrier properties even with a low cost and simple configuration is provided.

Description

적층체laminate

본 발명은 높은 가스 배리어성이 필요로 되는 식품, 의약품의 포장재료나, 태양 전지, 전자 페이퍼, 유기 일렉트로루미네선스(EL) 디스플레이 등의 전자부품의 재료에 사용되는 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a laminate used for packaging materials for foods and pharmaceuticals requiring high gas barrier properties, and materials for electronic components such as solar cells, electronic papers, and organic electroluminescence (EL) displays.

필름 기재의 표면에 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 물리 기상 성장법(PVD법), 또는 플라즈마 화학 기상 성장법, 열화학 기상 성장법, 광화학 기상 성장법 등의 화학 기상 성장법(CVD법) 등을 이용해서 무기물(무기 산화물을 포함한다)의 무기층을 형성해서 이루어지는 가스 배리어성 필름은 수증기나 산소 등의 각종 가스의 차단을 필요로 하는 식품이나 의약품 등의 포장재 및 전자 페이퍼, 태양 전지 등의 전자 디바이스 부재로서 사용되고 있으며, 이들 부재에 있어서, 수증기 투과도로 5.0×10-2g/㎡·24hr·atm 이하의 높은 가스 배리어성이 요구되고 있다.Physical vapor deposition method (PVD method) such as vacuum deposition method, sputtering method, ion plating method, etc., or chemical vapor deposition method (CVD method) such as plasma chemical vapor deposition method, thermochemical vapor deposition method, and photochemical vapor deposition method on the surface of the film substrate ), etc. to form an inorganic layer of inorganic substances (including inorganic oxides), gas barrier films that require blocking of various gases such as water vapor and oxygen, packaging materials for food and pharmaceutical products, electronic paper, and solar cells It is used as electronic device members, such as these, and these members WHEREIN: High gas-barrier property of 5.0x10 -2 g/m<2>*24hr*atm or less is calculated|required by water vapor transmission rate.

높은 가스 배리어성을 충족시키는 방법의 하나로서, 유기층과 무기층을 교대로 다층 적층시킴으로써, 구멍 메움 효과에 의해 결함의 발생을 방지한 가스 배리어성 필름(특허문헌 1)이나, ZnO와 SiO2를 주성분으로 하는 타겟을 사용해서 스퍼터링함으로써, ZnO-SiO2계와 같은 복합 산화물막을 필름 기재 상에 형성한 간편한 막구성의 가스 배리어성 필름(특허문헌 2)이 제안되고 있다.As one of the methods for satisfying the high gas barrier properties, a gas barrier film (Patent Document 1) that prevents the occurrence of defects due to the pore filling effect by alternately laminating an organic layer and an inorganic layer in multiple layers, or ZnO and SiO 2 A gas barrier film (patent document 2) having a simple film structure in which a composite oxide film such as a ZnO-SiO 2 system is formed on a film substrate by sputtering using a target as a main component has been proposed.

일본 특허공개 2005-324406호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2005-324406 일본 특허공개 2013-147710호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2013-147710

그러나, 특허문헌 1과 같이 유기층과 무기층을 교대로 다층 적층시킴으로써, 높은 배리어성을 발현시키는 것은 가능하지만, 적층시키는 점에서 공정수가 많아져 고비용이 되는 문제점이 있었다. 또한, 특허문헌 2와 같이 복합 산화물을 스퍼터링에 의해 형성하는 적층체는 특허문헌 1에 비하면 저비용으로 제조할 수 있지만, 제조 방법의 성질 상, 성막속도의 고속화에 한계가 있는 점 등에서 저비용화하는 것이 곤란했다.However, although it is possible to express high barrier properties by alternately laminating an organic layer and an inorganic layer in multiple layers as in Patent Document 1, there is a problem in that the number of steps increases and the cost becomes high at the point of lamination. In addition, as in Patent Document 2, a laminate in which a complex oxide is formed by sputtering can be manufactured at a lower cost compared to Patent Document 1, but due to the nature of the manufacturing method, there is a limitation in increasing the film formation speed. It was difficult.

본 발명은 이러한 종래 기술의 배경을 감안하여, 저비용이며 또한 심플한 구성으로도 고도한 가스 배리어성을 갖는 적층체를 제공하고자 하는 것이다.An object of the present invention is to provide a laminate having high gas barrier properties even with a low cost and simple configuration in view of the background of the prior art.

본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서, 다음과 같은 수단을 채용한다. 즉, 이하이다.In order to solve this problem, the present invention employs the following means. That is, below.

(1)기재의 적어도 편측에 A층을 갖고, 상기 A층은 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소, 및, 산소를 포함하고, 상기 A층 표면의 원자간력 현미경(AFM)에 의해 산출되는 산술 평균 거칠기(Ra)가 5.0nm 이하인 적층체.(1) having an A layer on at least one side of the substrate, wherein the A layer contains at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table, and oxygen; , The laminate having an arithmetic mean roughness (Ra) of 5.0 nm or less calculated by atomic force microscopy (AFM) of the surface of the layer A.

(2)기재의 적어도 편측에 A층을 갖고, 상기 A층은 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소, 및, 산소를 포함하고, 상기 A층은 양전자 빔법에 의해 측정되는 평균 수명이 0.935ns 이하인 적층체.(2) having an A layer on at least one side of the substrate, wherein the A layer contains at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table, and oxygen; , The layer A has an average lifetime measured by a positron beam method of 0.935 ns or less.

본 발명에 의하면, 수증기에 대한 고도의 가스 배리어성을 갖는 적층체를 저비용으로 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the laminated body which has high gas-barrier property with respect to water vapor|steam can be provided at low cost.

도 1은 본 발명의 적층체의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 적층체의 다른 일례를 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 적층체를 제조하기 위한 권취식 전자선 증착 장치를 모식적으로 나타내는 개략도이다.
도 4는 본 발명의 적층체를 제조하기 위한 재료 배치를 상부로부터 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 적층체를 제조하기 위한 재료 배치를 옆으로부터 모식적으로 나타내는 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which showed an example of the laminated body of this invention.
2 is a cross-sectional view showing another example of the laminate of the present invention.
3 is a schematic diagram schematically showing a winding-up electron beam vapor deposition apparatus for manufacturing a laminate of the present invention.
It is a figure which shows typically the material arrangement|positioning for manufacturing the laminated body of this invention from the top.
It is a figure which shows typically the material arrangement|positioning for manufacturing the laminated body of this invention from the side.

이하에 본 발명의 상세를 설명한다.The details of the present invention will be described below.

또한, 본 발명 1이라고 기재한 경우, 그것은 이하의 양태의 본 발명을 의미한다.In addition, when it describes as this invention 1, it means this invention of the following aspects.

기재의 적어도 편측에 A층을 갖고, 상기 A층은 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소, 및, 산소를 포함하고, 상기 A층 표면의 원자간력 현미경(이하, AFM)에 의해 산출되는 산술 평균 거칠기(Ra)가 5.0nm 이하인 적층체.An A layer is provided on at least one side of a substrate, wherein the A layer contains at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and groups 12 to 14 of the periodic table, and oxygen; A laminate having an arithmetic mean roughness (Ra) of 5.0 nm or less as calculated by an atomic force microscope (hereinafter, AFM) on the surface of the layer.

또한, 본 발명 2라고 기재한 경우, 그것은 이하의 양태의 본 발명을 의미한다.In addition, when it describes as this invention 2, it means this invention of the following aspects.

기재의 적어도 편측에 A층을 갖고, 상기 A층은 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소, 및, 산소를 포함하고, 상기 A층은 양전자 빔법에 의해 측정되는 평균 수명이 0.935ns 이하인 적층체.An A layer is provided on at least one side of a substrate, wherein the A layer contains at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and groups 12 to 14 of the periodic table, and oxygen; The layer is a laminate having an average lifetime of 0.935 ns or less as measured by a positron beam method.

그리고, 단지 본 발명이라고 기재한 경우에는 그것은 본 발명 1과 본 발명 2의 총칭이다.Incidentally, in the case where only the present invention is described, it is a generic term for the present invention 1 and the present invention 2.

[적층체][Laminate]

본 발명 1의 적층체는 기재의 적어도 편측에 A층을 갖고, 상기 A층은 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소, 및, 산소를 포함하고, 상기 A층 표면의 원자간력 현미경(AFM)에 의해 산출되는 산술 평균 거칠기(Ra)가 5.0nm 이하인 적층체이다. 또 본 발명 2의 적층체는 기재의 적어도 편측에 A층을 갖고, 상기 A층은 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소, 및, 산소를 포함하고, 상기 A층은 양전자 빔법에 의해 측정되는 평균 수명이 0.935ns 이하인 적층체이다.The laminate of the present invention 1 has an A layer on at least one side of the substrate, wherein the A layer includes at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table; It is a laminated body which contains oxygen and whose arithmetic mean roughness (Ra) computed by the atomic force microscope (AFM) of the said A-layer surface is 5.0 nm or less. In addition, the laminate of the present invention 2 has an A layer on at least one side of the substrate, wherein the A layer is at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table; and , oxygen, and the layer A is a laminate having an average lifetime measured by a positron beam method of 0.935 ns or less.

A층에 포함되는 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소는 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 스칸듐, 티타늄, 지르코늄, 탄탈, 아연, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 규소, 게르마늄, 주석 등을 들 수 있다. 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소의 조합으로서는 한정되지 않지만, 가스 배리어성, 비정질막을 형성하는 것 등의 관점에서 적어도 2종의 원소로서 마그네슘 및 규소, 아연 및 규소, 주석 및 아연, 칼슘 및 규소, 지르코늄 및 규소, 알루미늄 및 규소인 것이 바람직하다. 가스 배리어성, 실리케이트 결합을 갖는 관점에서 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소로서는 마그네슘 및 규소의 조합, 또는 아연 및 규소의 조합인 것이 보다 바람직하다.Elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table included in layer A include magnesium, calcium, strontium, scandium, titanium, zirconium, tantalum, zinc, aluminum, gallium, indium, silicon, germanium, tin, etc. can be heard The combination of at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table is not limited, but from the viewpoint of gas barrier properties and formation of an amorphous film, at least two kinds of elements Preferred elements are magnesium and silicon, zinc and silicon, tin and zinc, calcium and silicon, zirconium and silicon, aluminum and silicon. At least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table from the viewpoint of gas barrier properties and silicate bonding are a combination of magnesium and silicon, or a combination of zinc and silicon more preferably.

A층에 포함되는 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소의 형태는 산화물, 질화물, 산화 질화물, 탄화물 등을 들 수 있고, 특별히 한정되지 않지만, 가스 배리어성, 광학특성 등의 관점에서 산화물, 질화물, 산화 질화물의 형태로서 존재하는 것이 바람직하다. 비정질막을 형성하는 것이나 가스 배리어성의 관점에서 산화물, 질화물, 산화 질화물 및 탄화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1개의 화합물로서 함유되어 있는 것이 보다 바람직하다.The form of at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table included in layer A includes oxides, nitrides, oxynitrides, carbides, and the like, and is particularly limited However, it is preferable to exist in the form of oxides, nitrides, and oxynitrides from the viewpoints of gas barrier properties, optical properties, and the like. It is more preferable to contain as at least one compound selected from the group consisting of oxides, nitrides, oxynitrides and carbides from the viewpoint of forming an amorphous film and gas barrier properties.

본 발명의 적층체의 A층이 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소, 및 산소를 포함하고 있으면, 그 밖의 무기 화합물이 포함되어 있어도 상관없다.When layer A of the laminate of the present invention contains oxygen and at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table, other inorganic compounds are included. it doesn't matter if

본 발명 1의 적층체의 A층 표면의 AFM에 의해 산출되는 산술 평균 거칠기(Ra)는 5.0nm 이하이다. Ra가 5.0nm보다 커지면, A층이 치밀하지 않게 되므로, 가스 배리어성이 발현되지 않게 될 가능성이 있다. 가스 배리어성의 관점에서 Ra는 3.0nm 이하인 것이 바람직하고, 2.0nm 이하가 보다 바람직하다. 또한, Ra의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 0.1nm 이상인 것이 바람직하다. Ra가 0.1nm보다 작으면 밀착성이 나빠지는 경우가 있다. 또한, 산술 평균 거칠기(Ra)를 산출할 때의 AFM의 분석 범위는 1㎛×1㎛로 한다.The arithmetic mean roughness (Ra) calculated by AFM of the surface of A-layer of the laminated body of this invention 1 is 5.0 nm or less. When Ra becomes larger than 5.0 nm, since A-layer will not become dense, gas barrier property may not be expressed. It is preferable that it is 3.0 nm or less from a viewpoint of gas barrier property, and, as for Ra, it is more preferable that it is 2.0 nm or less. In addition, although the lower limit of Ra is not specifically limited, It is preferable that it is 0.1 nm or more. When Ra is smaller than 0.1 nm, adhesiveness may worsen. In addition, the analysis range of AFM at the time of calculating arithmetic mean roughness Ra shall be 1 micrometer x 1 micrometer.

본 발명 1에서 규정하는 A층 표면의 원자간력 현미경(AFM)에 의해 산출되는 산술 평균 거칠기(Ra)를 5.0nm 이하로 하기 위해서는 예를 들면 Ra가 5.0nm 이하인 기재 상에 복합 산화물막을 적합한 조성 비율로 형성함으로써 달성된다. A층으로서 복합 산화물막을 형성함으로써, A층으로서 단일 금속의 산화물막을 형성한 경우보다 평활한 막을 형성할 수 있다.In order to make the arithmetic mean roughness (Ra) calculated by atomic force microscopy (AFM) of the surface of the layer A defined in the present invention 1 to 5.0 nm or less, for example, a composition suitable for a composite oxide film on a substrate having an Ra of 5.0 nm or less. This is achieved by forming in proportions. By forming the composite oxide film as the A layer, it is possible to form a smoother film than when a single metal oxide film is formed as the A layer.

본 발명 2의 적층체의 A층은 양전자 빔법(박막 대응 양전자 소멸 수명 측정법)(「양전자 계측의 과학」(일본 아이소토프 협회) I장 1절, V장 2절 참조)에 의해 측정되는 평균 수명이 0.935ns 이하이다. 양전자 빔법은 양전자 소멸 수명 측정법의 하나이며, 양전자가 시료에 입사하고나서 소멸할 때까지의 시간(수백ps∼수십ns 오더)을 측정하고, 그 소멸 수명으로부터 약 0.1∼10nm의 공공의 크기, 수농도, 또한 크기의 분포에 관한 정보를 비파괴적으로 평가하는 방법이다. 양전자 선원으로서 방사성 동위체(22Na) 대신에 양전자 빔을 사용하는 점이 통상의 양전자 소멸법과 크게 다르고, 실리콘이나 석영 기판 상에 제막된 수백nm 두께 정도의 박막의 측정을 가능하게 한 방법이다. 얻어진 측정값으로부터 비선형 최소 2승 프로그램 POSITRONFIT에 의해, 평균 세공 반지름이나 세공의 수농도를 구할 수 있다. 서브 nm 오더의 세공이나 기본 골격에 대응하는 것은 제3성분 및 제4성분의 평균 수명을 해석함으로써 얻어진다.Layer A of the laminate of the present invention 2 has an average lifetime measured by the positron beam method (a thin-film-corresponding positron annihilation lifetime measurement method) (see "Science of Positron Measurement" (Japan Isotope Association) Section I Section 1, Section V Section 2) 0.935ns or less. The positron beam method is one of the positron annihilation lifetime measurement methods, measures the time (in the order of several hundred ps to several tens of ns) from when a positron is incident on a sample until it disappears, and the size and number of pores of about 0.1 to 10 nm from the extinction lifetime It is a method of non-destructively evaluating information about the distribution of concentrations and sizes. The use of a positron beam instead of a radioisotope (22 Na) as a positron source is significantly different from the conventional positron annihilation method, and it is a method that enables measurement of thin films with a thickness of several hundred nm formed on a silicon or quartz substrate. From the obtained measured value, an average pore radius and the number density of pores can be calculated|required by the nonlinear least square program POSITRONFIT. Corresponding to sub-nm order pores and basic skeletons are obtained by analyzing the average lifetimes of the third and fourth components.

여기에서, 제3성분이란 양전자 빔법에 의한 평균 수명의 측정 조건으로서 3성분에 대한 해석을 선택함으로써 얻어진 평균 수명을 말하고, 제4성분이란 양전자 빔법에 의한 평균 수명의 측정 조건으로서 4성분에 대한 해석을 선택함으로써 얻어진 평균 수명을 말한다. POSITRONFIT에 의해 해석을 할 때는 역라플라스 변환법에 의거한 분포 해석 프로그램 CONTIN을 사용해서 산출한 세공 반지름 분포 곡선으로 얻어진 피크수로부터 POSITRONFIT의 성분수를 결정한다. POSITRONFIT로부터 산출한 평균 세공 반지름과 CONTIN의 세공 반지름 분포 곡선의 피크 위치가 일치하고 있음으로써, 해석이 타당한 것을 판단한다. 본 발명 2에서 말하는 평균 수명은 제3성분의 평균 수명을 가리킨다.Here, the third component refers to the average lifetime obtained by selecting the analysis for three components as the measurement conditions for the average lifetime by the positron beam method, and the fourth component refers to the analysis for the four components as the measurement conditions for the average lifetime by the positron beam method refers to the average lifespan obtained by selecting When analyzing with POSITRONFIT, the number of components of POSITRONFIT is determined from the number of peaks obtained from the pore radius distribution curve calculated using the distribution analysis program CONTIN based on the inverse Laplace transform method. When the average pore radius calculated from POSITRONFIT and the peak position of the pore radius distribution curve of CONTIN coincide, it is judged that the analysis is reasonable. The average lifespan as used in the present invention 2 refers to the average lifespan of the third component.

평균 수명이 0.935ns보다 커지면, A층이 치밀하지 않게 되므로, 가스 배리어성이 발현되지 않게 될 가능성이 있다. 가스 배리어성의 관점에서 양전자 빔법에 의해 측정되는 평균 수명은 0.912ns 이하인 것이 바람직하고, 0.863ns 이하가 보다 바람직하다. 또한, 평균 수명의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 0.542ns 이상인 것이 바람직하다. 평균 수명이 0.542ns보다 작으면 굴곡성이 저하되는 경우가 있다.If the average lifetime is greater than 0.935 ns, the A layer will not be dense, so there is a possibility that the gas barrier properties will not be expressed. From the viewpoint of gas barrier properties, the average lifetime measured by the positron beam method is preferably 0.912 ns or less, and more preferably 0.863 ns or less. In addition, although the lower limit of an average lifetime is not specifically limited, It is preferable that it is 0.542 ns or more. When the average lifetime is less than 0.542 ns, the flexibility may decrease.

본 발명 2에서 규정하는 A층의 양전자 빔법에 의해 측정되는 평균 수명을 0.935ns 이하로 하기 위해서는 예를 들면 Ra가 3.0nm 이하인 기재 상에 복합 산화물막을 적합한 조성 비율로 치밀하게 형성함으로써 달성된다. 여기에서 말하는 치밀하게 형성한다란 각각의 산화물이 원자 레벨로 서로 섞여 치밀한 네트워크를 형성하고 있는 상태를 말한다.In order to make the average lifetime of the layer A measured by the positron beam method defined in the second aspect of the present invention 0.935 ns or less, for example, it is achieved by densely forming a composite oxide film at a suitable composition ratio on a substrate having an Ra of 3.0 nm or less. The dense formation as used herein refers to a state in which each oxide is mixed with each other at the atomic level to form a dense network.

본 발명의 적층체의 A층은 비정질막인 것이 바람직하다. 비정질이란 원자나 분자가 결정과 같이 장거리적으로 규칙 바른 질서 구조를 취하지 않고, 불규칙한 구조인 것을 말한다. 결정 구조이면, 결정립계가 생기는 점에서 수증기 투과 경로로 되어 가스 배리어성이 나빠지거나, 깨지기 쉬워지는 점에서 비정질인 것이 바람직하다. 비정질인지 아닌지는 단면 TEM이나 X선 회절(XRD) 등의 분석 방법에 의해 확인할 수 있다. 단면 TEM의 경우, 비정질막에서는 콘트라스트는 균일하게 되고, 결정립계는 보여지지 않는 한편, 결정막에서는 미결정 상태나 기둥형상 구조 등 결정 구조에 따른 결정립계가 관찰된다.It is preferable that layer A of the laminated body of this invention is an amorphous film. Amorphous means that atoms or molecules do not have an ordered structure over long distances like crystals, but have an irregular structure. If it is a crystal structure, it becomes a water vapor|steam permeation path|route from the point which a crystal grain boundary arises, and it is preferable that it is an amorphous thing from the point which gas barrier property worsens or becomes brittle. Whether or not it is amorphous can be confirmed by an analysis method such as cross-sectional TEM or X-ray diffraction (XRD). In the case of cross-sectional TEM, the contrast becomes uniform in the amorphous film, and grain boundaries are not observed, whereas in the crystalline film, grain boundaries depending on the crystal structure such as a microcrystalline state or a columnar structure are observed.

본 발명의 A층은 X선 광전자 분광에 의해 측정되는 산소 원자(O1s)의 피크의 반값폭이 3.25eV 이하인 것이 바람직하다. 반값폭은 피크의 최대값을 Fmax로 한 경우, 피크의 강도가 Fmax/2일 때의 피크폭을 말한다. O1s의 피크의 반값폭이 좁은 쪽이 균일한 결합의 네트워크 구조가 형성되는 점에서 치밀한 막으로 되기 쉽다. 결합의 균일성, 배리어성의 관점에서 3.00eV 이하가 보다 바람직하고, 2.75eV 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 하한은 특별히 한정되지 않지만, 1.65eV 이상인 것이 바람직하다.In the layer A of the present invention, the half width of the peak of the oxygen atom (O1s) measured by X-ray photoelectron spectroscopy is preferably 3.25 eV or less. Half band width refers to the peak width at the time when the maximum value of the peak to F max, the intensity of the peak F max / 2 days. The narrower the half width of the O1s peak tends to form a dense film because a network structure of uniform bonds is formed. From the viewpoints of bonding uniformity and barrier properties, 3.00 eV or less is more preferable, and 2.75 eV or less is still more preferable. Moreover, although a lower limit is not specifically limited, It is preferable that it is 1.65 eV or more.

본 발명의 적층체는 수증기 투과도가 5.0×10-2g/㎡/day 미만인 것이 바람직하다. 비교적 높은 가스 배리어성이 요구되는 고급 포장 재료나 전자 디바이스 용도로 사용되는 관점에서 본 발명의 적층체의 수증기 투과도는 1.0×10-2g/㎡/day 미만인 것이 보다 바람직하다. 또 수증기 투과도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 막이 필요 이상으로 치밀해지면 크랙이 생기기 쉬워지는 점에서 본 발명의 적층체의 수증기 투과도는 1.0×10-4g/㎡/day 이상인 것이 바람직하다.The laminate of the present invention preferably has a water vapor transmission rate of less than 5.0×10 −2 g/m 2 /day. It is more preferable that the water vapor permeability of the laminate of the present invention is less than 1.0×10 −2 g/m 2 /day from the viewpoint of being used for high-quality packaging materials or electronic devices requiring relatively high gas barrier properties. In addition, the lower limit of the water vapor permeability is not particularly limited, but the water vapor permeability of the laminate of the present invention is preferably 1.0×10 −4 g/m 2 /day or more, since cracks are likely to occur when the film becomes denser than necessary.

상기 A층은 실리케이트 결합을 갖는 것이 바람직하다. 실리케이트 결합이란 규소(Si)와 금속(M)의 산소(O)를 통한 결합이며, Si-O-M이라고 기재할 수 있다. 예를 들면, 아연실리케이트 결합(Si-O-Zn), 마그네슘 실리케이트 결합(Si-O-Mg), 알루미늄 실리케이트 결합(Si-O-Al) 등을 들 수 있다. A층 중에 실리케이트 결합을 가짐으로써, 치밀한 구조로 되어 높은 가스 배리어성이 얻어진다. 실리케이트 결합의 유무의 분석 방법(확인 방법)으로서 X선 광전자 분광이나 X선 흡수 미세 구조(XAFS) 등의 방법을 들 수 있다.The layer A preferably has a silicate bond. The silicate bond is a bond between silicon (Si) and metal (M) through oxygen (O), and may be described as Si-O-M. For example, a zinc silicate bond (Si-O-Zn), a magnesium silicate bond (Si-O-Mg), an aluminum silicate bond (Si-O-Al), etc. are mentioned. By having a silicate bond in A-layer, it becomes a dense structure and high gas-barrier property is acquired. Methods, such as X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray absorption microstructure (XAFS), are mentioned as an analysis method (confirmation method) of the presence or absence of a silicate bond.

A층이 실리케이트 결합을 갖기 위해서는 상술한 대로, 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소로서 A층이 마그네슘 및 규소의 조합, 또는 아연 및 규소의 조합을 포함하고, 산소를 더 포함하는 것이 바람직하다. 또한 실리케이트 결합의 유무는 X선 광전자 분광으로 확인 가능하며, 그 상세한 방법은 실시예의 항에 기재한다.In order for the A layer to have a silicate bond, as described above, the A layer is a combination of magnesium and silicon, or zinc as at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table. and a combination of silicon, and preferably further contains oxygen. In addition, the presence or absence of a silicate bond can be confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy, and the detailed method is described in the section of Examples.

A층의 막밀도는 가스 배리어성 및 치밀성의 관점에서 2.0∼7.0g/㎤인 것이 바람직하다. 2.0g/㎤보다 작으면 얻어진 A층은 치밀하지 않고, 충분한 가스 배리어성이 얻어지지 않는 경우가 있다. 한편, A층의 막밀도가 7.0g/㎤보다 크면 A층이 단단해지기 쉽고, 크랙이 형성되기 쉬워지거나 갈라지기 쉬워지거나 하는 경우가 있다. 가스 배리어성이나 갈라지기 쉬움의 관점에서 A층의 막밀도는 2.5∼6.0g/㎤인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the film density of A-layer is 2.0-7.0 g/cm<3> from a viewpoint of gas barrier property and compactness. When it is smaller than 2.0 g/cm<3>, the obtained layer A is not dense and sufficient gas-barrier property may not be acquired. On the other hand, when the film density of A-layer is larger than 7.0 g/cm<3>, A-layer will become hard easily, and a crack may become easy to form or it may become easy to crack. It is more preferable that the film density of A-layer is 2.5-6.0 g/cm<3> from a viewpoint of gas barrier property and brittleness.

본 발명에 있어서, A층의 막밀도는 X선 반사율법(XRR법)(「X선 반사율 입문」 (사쿠라이 켄지 편집) p.51∼78)에 의해 측정하는 값이다. 구체적으로는 우선 X선원으로부터 X선을 발생시키고, 다층막 미러로 평행 빔으로 한 후, 입사 슬릿을 통과시켜서 X선 각도를 제한하고, 측정 시료에 입사시킨다. X선의 시료에의 입사 각도를 측정하는 시료 표면과 거의 평행한 얕은 각도로 입사시킴으로써, 시료의 각 층, 기재 계면에서 반사, 간섭한 X선의 반사 빔이 발생한다. 발생한 반사 빔을 수광 슬릿에 통과시켜서 필요한 X선 각도로 제한한 후, 디텍터에 입사시킴으로써 X선 강도를 측정한다. 본 방법을 사용해서 X선의 입사 각도를 연속적으로 변화시킴으로써, 각 입사 각도에 있어서의 전반사 X선 강도 프로파일을 얻을 수 있다.In the present invention, the film density of the layer A is a value measured by the X-ray reflectance method (XRR method) (“Introduction to X-ray reflectance” (Edited by Kenji Sakurai) p.51 to 78). Specifically, first, X-rays are generated from an X-ray source, and the beams are collimated by a multilayer mirror, then passed through an incident slit to limit the X-ray angle, and are incident on a measurement sample. By making the X-rays incident at a shallow angle substantially parallel to the surface of the sample for measuring the incident angle of the X-rays, a reflected beam of X-rays reflected and interfered with each layer of the sample and the interface of the substrate is generated. The X-ray intensity is measured by passing the generated reflected beam through a light-receiving slit, restricting it to a required X-ray angle, and entering it on a detector. By continuously changing the angle of incidence of X-rays using this method, a total reflection X-ray intensity profile at each angle of incidence can be obtained.

각 층의 막밀도의 해석 방법으로서는 얻어진 X선의 입사 각도에 대한 전반사 X선 강도 프로파일의 실측 데이터를 Parratt의 이론식에 비선형 최소 2승법으로 피팅시킴으로써 구해진다(「X선 반사율 입문」(사쿠라이 켄지 편집) p.81∼141 참조).As an analysis method of the film density of each layer, it is obtained by fitting the obtained actual measurement data of the total reflection X-ray intensity profile with respect to the incident angle of X-rays to Parratt's theoretical equation by the nonlinear least square method (“Introduction to X-ray reflectance” (Edited by Kenji Sakurai) See p.81-141).

A층의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 스퍼터링법, 진공 증착법, 이온 플레이팅법, CVD법, 원자층 퇴적(ALD) 등의 형성 방법이 이용된다. 이들 방법 중에서도 저렴하고, 간편하고 또한 소망의 성질이 얻어지는 방법으로서 진공 증착법이 바람직하다. 즉 A층은 진공 증착법에 의해 형성되는 층인 것이 바람직하다. 진공 증착법 중에서도 화합물을 증착하여 막조성을 제어하는 관점에서 전자선(EB) 증착법이 더욱 바람직하다. 또한, 반응성 가스로서 산소, 질소, 수증기 등을 도입하거나, 이온 어시스트 등을 사용한 반응성 증착으로 해도 좋다. 또한, 진공 증착법은 매엽식, 권취식 등의 성막 양식 어느 것이라도 좋다. 도 3에는 권취식 장치의 일례를 나타낸다.The formation method of the A layer is not particularly limited, and a formation method such as a sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, a CVD method, or an atomic layer deposition (ALD) is used. Among these methods, the vacuum vapor deposition method is preferable as a method for obtaining a desired property because it is inexpensive and simple. That is, it is preferable that layer A is a layer formed by the vacuum deposition method. Among the vacuum deposition methods, the electron beam (EB) deposition method is more preferable from the viewpoint of controlling the film composition by depositing a compound. Moreover, it is good also as reactive vapor deposition using oxygen, nitrogen, water vapor|steam etc. as a reactive gas, or using ion assist etc. In addition, the vacuum deposition method may be any of film-forming modes, such as a single-wafer type and a winding type. Fig. 3 shows an example of a winding-up device.

[A층의 제조 방법 일례][Example of manufacturing method of layer A]

권취식 증착 장치 도 3에 의한 A층의 형성 방법의 일례를 나타낸다. 전자선 증착법에 의해, 기재(1)의 표면에 A층으로서 재료 B와 C의 화합물 박막을 형성한다. 우선, 증착 재료로서 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 재료 B와 재료 C를 도 4, 도 5와 같이 교대로 배치한다. 교대로 배치할 때의 면적비율은 A층의 목표 막조성이나 EB 조사 방법 등에 따라서 배치한다. 그 때의 배치하는 재료마다의 폭은 10∼100mm인 것이 바람직하다. 100mm보다 크면 재료 B와 C의 폭방향에 있어서의 조성비나 막질의 불균일이 커지기 쉽다. 10mm 미만이면 재료를 배치할 때의 작업성이 저하될 가능성이 있다. 폭방향의 조성비나 막질의 불균일, 작업성 등의 관점에서 10∼80mm인 것이 보다 바람직하다. 또한, 증착 재료는 과립에 한정되지 않고, 각형이나 태블릿형 등의 성형체 등의 형상의 것을 사용해도 좋다. 또한, 증착 재료가 흡습하고 있으면 재료 중의 수분이 A층 중에 도입되어 소망의 막조성이나 물성이 얻어지지 않게 될 가능성이 있는 점에서 재료를 사용전에 가열에 의한 탈수 처리를 행하는 것이 바람직하다. 권취실(5) 안에서 권출 롤(6)에 상기 기재(1)의 A층을 형성하는 측의 면이 하스 라이너(11)에 대향하도록 세팅하고, 권출하고, 가이드 롤(7,8,9)을 통해 메인 드럼(10)에 통과시킨다. 이어서, 진공 펌프에 의해, 증착 장치(4) 내를 감압하고, 5.0×10-3Pa 이하를 얻는다. 도달 진공도는 5.0×10-3Pa 이하가 바람직하다. 도달 진공도는 5.0×10-3Pa보다 크면 잔류 가스가 A층 중에 도입되어 소망의 막조성이나 물성이 얻어지지 않게 될 가능성이 있다. 메인 드럼(10)의 온도는 일례로서 -15℃로 설정한다. 기재의 열손실을 막는 관점에서 20℃ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0℃ 이하이다. 이어서, 가열원으로서 1대의 전자총(이하, EB총)(13)을 사용하고, 재료 B, C 표면을 균일하게 가열했다. EB 총은 가속 전압 6kV, 인가 전류 50∼200mA, 증착 레이트 1nm/sec이 되도록 하고, EB 증착에 의해 상기 기재(1)의 표면상에 A층을 형성한다. 또한, 형성하는 A층의 두께는 필름 반송 속도에 의해 조정했다. 그 후, 가이드 롤(15,16,17)을 통해 권취 롤(18)에 권취한다.Wind-up vapor deposition apparatus An example of the formation method of A-layer by FIG. 3 is shown. A thin film of the compound of materials B and C is formed as an A layer on the surface of the base material 1 by the electron beam vapor deposition method. First, as deposition materials, granular material B and material C having a size of about 2 to 5 mm are alternately arranged as shown in FIGS. 4 and 5 . The area ratio at the time of alternate arrangement is arranged according to the target film composition of the A layer, the EB irradiation method, and the like. It is preferable that the width|variety for every material to arrange|position in that case is 10-100 mm. When it is larger than 100 mm, the composition ratio in the width direction of the materials B and C and the nonuniformity of a film|membrane quality become large easily. If it is less than 10 mm, the workability at the time of arranging a material may fall. It is more preferable that it is 10-80 mm from a viewpoint of the composition ratio of the width direction, the nonuniformity of film|membrane quality, workability, etc. In addition, the vapor deposition material is not limited to granules, You may use the thing of shapes, such as a molded object, such as a square shape and a tablet shape. In addition, if the vapor deposition material absorbs moisture, moisture in the material is introduced into the layer A, and there is a possibility that the desired film composition or physical properties may not be obtained. Therefore, it is preferable to dehydrate the material by heating before use. In the winding chamber 5, on the unwinding roll 6, the surface of the base material 1 on the side forming the layer A is set to face the hearth liner 11, is unwound, and the guide rolls 7, 8, 9 is passed through the main drum (10). Next, the inside of the vapor deposition apparatus 4 is pressure-reduced with a vacuum pump, and 5.0x10 -3 Pa or less is obtained. The achieved vacuum degree is preferably 5.0×10 -3 Pa or less. When the achieved vacuum degree is larger than 5.0 x 10 -3 Pa, residual gas is introduced into the A layer, and there is a possibility that the desired film composition and physical properties cannot be obtained. The temperature of the main drum 10 is set to -15°C as an example. From a viewpoint of preventing the heat loss of a base material, 20 degrees C or less is preferable, More preferably, it is 0 degrees C or less. Next, one electron gun (hereinafter, EB gun) 13 was used as a heating source, and the surfaces of the materials B and C were uniformly heated. The EB gun was set to have an accelerating voltage of 6 kV, an applied current of 50 to 200 mA, and a deposition rate of 1 nm/sec, to form a layer A on the surface of the substrate 1 by EB deposition. In addition, the thickness of A-layer to form was adjusted with the film conveyance speed. Thereafter, it is wound on the winding roll 18 via the guide rolls 15 , 16 , and 17 .

A층의 조성 비율은 X선 광전자 분광법(XPS법)이나 형광 X선(XRF) 분석에 의해 측정할 수 있다. X선 광전자 분광법을 사용할 경우, 최표면에는 공기 중에 포함되는 탄화수소나 물이 흡착되고, A층의 바른 조성을 반영하지 않는 점에서 최표면으로부터 5nm 정도 아르곤 이온 에칭에 의해 층을 제거해서 각 원소의 함유 비율을 측정한다. 형광 X선 분광법을 사용할 경우, 펀더멘털 파라미터법(FP법)에 의해 구성원소의 함유 비율을 측정한다.The composition ratio of the layer A can be measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS method) or fluorescence X-ray (XRF) analysis. When using X-ray photoelectron spectroscopy, hydrocarbons and water contained in the air are adsorbed on the outermost surface, and since the correct composition of the A layer is not reflected, the layer is removed by argon ion etching about 5 nm from the outermost surface to contain each element. measure the ratio. When fluorescence X-ray spectroscopy is used, the content ratio of the constituent elements is measured by the fundamental parameter method (FP method).

A층은 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소로서 마그네슘 및 규소를 포함하고, X선 광전자 분광에 의해 측정되는 마그네슘(Mg) 원자 농도가 5∼50atm%, 규소(Si) 원자 농도가 2∼30atm%, 및 산소(O) 원자 농도가 45∼70atm%인 것이 바람직하다. 막질이나 가스 배리어성의 관점에서 마그네슘(Mg) 원자 농도가 8∼35atm%, 규소(Si) 원자 농도가 6∼25atm%, 및 산소(O) 원자 농도가 50∼65atm%인 것이 보다 바람직하다. 마그네슘 원자 농도가 50atm%보다 많거나, 또는 규소 원자 농도가 2atm%보다 적으면, 규소 원자의 비율이 적어지는 점에서 A층은 결정층으로 되기 쉽고, 크랙이 형성되기 쉬워지는 경우가 있다. 마그네슘 원자 농도가 5atm%보다 적거나, 또는 규소 원자 농도가 30atm%보다 많으면 A층 중의 실리케이트 결합의 비율이 적어지므로, 치밀성이 저하되어 가스 배리어성이 발현되지 않는 경우가 있다. 산소 원자 농도가 45atm%보다 적으면, 마그네슘, 규소는 산화 부족으로 되어 광선 투과율이 저하되는 경우가 있다. 또한, 산소 원자 농도가 70atm%보다 많으면, 산소가 과잉으로 도입되므로, 공극이나 결함이 증가하여 가스 배리어성이 저하되는 경우가 있다.Layer A contains magnesium and silicon as at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table, and magnesium (Mg) atoms measured by X-ray photoelectron spectroscopy. It is preferable that the concentration is 5 to 50 atm%, the silicon (Si) atom concentration is 2 to 30 atm%, and the oxygen (O) atom concentration is 45 to 70 atm%. From the viewpoints of film quality and gas barrier properties, it is more preferable that the magnesium (Mg) atom concentration is 8 to 35 atm%, the silicon (Si) atom concentration is 6 to 25 atm%, and the oxygen (O) atom concentration is 50 to 65 atm%. When the magnesium atom concentration is more than 50 atm% or the silicon atom concentration is less than 2 atm%, since the ratio of silicon atoms decreases, the A layer tends to become a crystalline layer, and cracks are likely to be formed in some cases. When the magnesium atom concentration is less than 5 atm% or the silicon atom concentration is more than 30 atm%, the proportion of silicate bonds in the A layer decreases. When the oxygen atom concentration is less than 45 atm%, magnesium and silicon become insufficiently oxidized, and the light transmittance may decrease. In addition, when the oxygen atom concentration is more than 70 atm%, oxygen is introduced excessively, so that voids and defects increase and the gas barrier property may decrease.

상기 A층은 마그네슘(Mg) 원자와 규소(Si) 원자의 원자 농도(atm%)의 비율(Mg/Si)이 0.30∼11.00인 것이 바람직하다. 원자 농도(atm%)의 비율(Mg/Si)<0.30인 경우, A층 중의 실리케이트 결합의 비율이 적어지므로, 치밀성이 저하되어 가스 배리어성이 발현되지 않는 경우가 있다. 원자 농도(atm%)의 비율(Mg/Si)>11.00인 경우, A층은 결정층으로 되기 쉬워 크랙이 형성되기 쉬워지는 경우가 있다. 가스 배리어성의 관점에서 원자 농도(atm%)의 비율(Mg/Si)은 0.50∼4.60이 보다 바람직하고, 0.80∼2.70이 더욱 보다 바람직하다.In the layer A, the ratio (Mg/Si) of the atomic concentration (atm%) of magnesium (Mg) atoms to silicon (Si) atoms is preferably 0.30 to 11.00. When the ratio of the atomic concentration (atm%) (Mg/Si) < 0.30, the ratio of silicate bonds in the A-layer decreases, so that the compactness is lowered and the gas barrier property is not expressed in some cases. When the ratio (Mg/Si) of the atomic concentration (atm%)>11.00, the A layer tends to become a crystalline layer, and cracks are likely to be formed in some cases. From a viewpoint of gas barrier property, 0.50-4.60 are more preferable, and, as for the ratio (Mg/Si) of atomic concentration (atm%), 0.80-2.70 are still more preferable.

본 발명에 있어서의 A층의 두께는 투과형 전자현미경(TEM) 및 X선 반사율법(XRR법)에 의한 평가로 얻을 수 있다. A층의 두께는 5nm 이상이 바람직하고, 10nm 이상이 보다 바람직하다. 두께가 5nm보다 얇으면 층으로서 형성되지 않는 영역이 발생하고, 충분한 가스 배리어성을 확보할 수 없는 경우가 있다. 또한, A층의 두께는 500nm 이하가 바람직하고, 300nm 이하가 보다 바람직하다. A층의 두께가 500nm보다 두꺼우면 크랙이 형성되기 쉬워지거나 내굴곡성이나 연신성이 저하되거나 하는 경우가 있다.The thickness of the layer A in the present invention can be obtained by evaluation by a transmission electron microscope (TEM) and an X-ray reflectance method (XRR method). 5 nm or more is preferable and, as for the thickness of A-layer, 10 nm or more is more preferable. When the thickness is thinner than 5 nm, a region not formed as a layer occurs, and sufficient gas barrier properties cannot be ensured in some cases. Moreover, 500 nm or less is preferable and, as for the thickness of A-layer, 300 nm or less is more preferable. When the thickness of A-layer is thicker than 500 nm, a crack may be easy to form, or bending resistance and ductility may fall.

[기재][materials]

본 발명에 사용되는 기재는 유연성을 확보하는 관점에서 필름 형태를 갖는 것이 바람직하다. 필름의 구성으로서는 단층 필름, 또는 2층 이상의, 예를 들면, 공압출법으로 제막한 필름이어도 좋다. 필름의 종류로서는 무연신, 1축 연신 또는 2축 연신 필름 등을 사용해도 좋다.The substrate used in the present invention preferably has a film form from the viewpoint of securing flexibility. As a structure of a film, a single-layer film or the film formed into a film by the coextrusion method of two or more layers, for example may be sufficient. As the kind of the film, a non-stretched, uniaxially stretched, or biaxially stretched film may be used.

본 발명에 사용되는 기재의 소재는 특별히 한정되지 않지만, 유기 고분자를 주된 구성 성분으로 하는 것이 바람직하다. 본 발명에 적합하게 사용할 수 있는 유기 고분자로서는 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 결정성 폴리올레핀, 환상 구조를 갖는 비결정성 환상 폴리올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리비닐알콜, 에틸렌 아세트산비닐 공중합체의 비누화물, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아세탈 등의 각종 폴리머 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 투명성이나 범용성, 기계특성이 우수한 비결정성 환상 폴리올레핀 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 유기 고분자는 단독 중합체, 공중합체 중 어느 것이라도 좋고, 유기 고분자로서 1종류만을 사용해도 좋고, 복수 종류를 블렌드해서 사용해도 좋다.Although the raw material of the base material used for this invention is not specifically limited, It is preferable to use organic polymer as a main component. Examples of the organic polymer that can be suitably used in the present invention include crystalline polyolefins such as polyethylene and polypropylene, amorphous cyclic polyolefins having a cyclic structure, polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polyamides, and poly Various polymers, such as carbonate, polystyrene, polyvinyl alcohol, the saponified material of ethylene vinyl acetate copolymer, polyacrylonitrile, polyacetal, etc. are mentioned. Among these, it is preferable to use an amorphous cyclic polyolefin or polyethylene terephthalate excellent in transparency, versatility, and mechanical properties. In addition, any of a homopolymer and a copolymer may be sufficient as the said organic polymer, and only one type may be used as an organic polymer, and multiple types may be blended and used for it.

기재의 A층을 형성하는 측의 표면에는 밀착성이나 평활성을 좋게 하기 위해서 코로나 처리, 플라즈마 처리, 자외선 처리, 이온 봄바드 처리, 용제 처리, 유기물 또는 무기물 또는 이들의 혼합물로 구성되는 앵커 코트층의 형성 처리 등의 전처리가 실시되어 있어도 좋다. 또한, A층을 형성하는 측의 반대측에는 기재의 권취시의 활성의 향상이나 기재의 내찰상성을 목적으로 해서 유기물이나 무기물 또는 이들의 혼합물의 코팅층이 적층되어 있어도 좋다.On the surface of the substrate on the side on which the layer A is to be formed, corona treatment, plasma treatment, ultraviolet treatment, ion bombardment treatment, solvent treatment, an anchor coat layer composed of an organic material or an inorganic material or a mixture thereof is formed in order to improve adhesion and smoothness. Pre-processing, such as a process, may be performed. Further, on the opposite side of the side on which the layer A is formed, a coating layer of an organic substance, an inorganic substance, or a mixture thereof may be laminated for the purpose of improving the activity during winding of the substrate and scratch resistance of the substrate.

본 발명에 사용하는 기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 유연성을 확보하는 관점에서 500㎛ 이하가 바람직하고, 인장이나 충격에 대한 강도를 확보하는 관점에서 5㎛ 이상이 바람직하다. 또한, 필름의 가공이나 핸들링의 용이성으로부터 기재의 두께는 10㎛ 이상, 200㎛ 이하가 보다 바람직하다.Although the thickness of the base material used in this invention is not specifically limited, From a viewpoint of ensuring flexibility, 500 micrometers or less are preferable, and 5 micrometers or more are preferable from a viewpoint of ensuring strength with respect to tension or an impact. Moreover, as for the thickness of a base material, 10 micrometers or more and 200 micrometers or less are more preferable from the easiness of processing and handling of a film.

[앵커 코트층][Anchor Court Floor]

본 발명의 적층체는 앵커 코트층을 갖고, 상기 앵커 코트층은 한쪽의 면이 상기 기재와 접하고, 다른쪽의 면이 상기 A층과 접하고 있는 것이 바람직하다. 또한 앵커 코트층은 방향족환 구조를 갖는 폴리우레탄 화합물을 가교해서 얻어지는 구조를 포함하고 있는 것이 보다 바람직하다. 기재 상에 돌기나 상처 등의 결점이 존재할 경우, 상기 결점을 기점으로 기재 상에 적층하는 A층에도 핀홀이나 크랙이 발생해서 가스 배리어성이나 내굴곡성이 손상되는 경우가 있으므로, 앵커 코트층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 기재와 A층의 열치수 안정성차가 큰 경우도 가스 배리어성이나 굴곡성이 저하되는 경우가 있으므로, 앵커 코트층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 사용되는 앵커 코트층은 열치수 안정성, 내굴곡성의 관점에서 방향족환 구조를 갖는 폴리우레탄 화합물을 가교해서 얻어지는 구조를 함유하는 것이 바람직하고, 또한, 에틸렌성 불포화 화합물, 광중합 개시제, 유기 규소 화합물 및/ 또는 무기 규소 화합물을 함유하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that the laminate of the present invention has an anchor coat layer, and one side of the anchor coat layer is in contact with the substrate and the other side is in contact with the layer A. Moreover, it is more preferable that the anchor-coat layer contains the structure obtained by bridge|crosslinking the polyurethane compound which has an aromatic ring structure. When defects such as protrusions and scratches exist on the substrate, pinholes or cracks may occur in the A layer laminated on the substrate with the above defects as a starting point, and gas barrier properties and bending resistance may be impaired, so an anchor coat layer is formed It is preferable to do Moreover, since gas barrier property and flexibility may fall also when the thermal dimensional stability difference between a base material and A-layer is large, it is preferable to form an anchor-coat layer. In addition, the anchor coat layer used in the present invention preferably contains a structure obtained by crosslinking a polyurethane compound having an aromatic ring structure from the viewpoint of thermal dimensional stability and bending resistance, and further, an ethylenically unsaturated compound, a photopolymerization initiator, It is more preferable to contain an organosilicon compound and/or an inorganic silicon compound.

본 발명의 적층체의 A층에 사용되는 방향족환 구조를 갖는 폴리우레탄 화합물은 주쇄 또는 측쇄에 방향족환 및 우레탄 결합을 갖는 것이며, 예를 들면, 분자 내에 수산기와 방향족환을 갖는 에폭시(메타)아크릴레이트, 디올 화합물, 디이소시아네이트 화합물을 중합해서 얻을 수 있다.The polyurethane compound having an aromatic ring structure used in the layer A of the laminate of the present invention is one having an aromatic ring and a urethane bond in a main chain or a side chain, for example, an epoxy (meth)acrylic having a hydroxyl group and an aromatic ring in the molecule. It can be obtained by superposing|polymerizing a rate, a diol compound, and a diisocyanate compound.

분자 내에 수산기와 방향족환을 갖는 에폭시(메타)아크릴레이트로서는 비스페놀A형, 수소 첨가 비스페놀A형, 비스페놀F형, 수소 첨가 비스페놀F형, 레조르신, 히드로퀴논 등의 방향족 글리콜의 디에폭시 화합물과 (메타)아크릴산 유도체를 반응시켜서 얻을 수 있다.Examples of the epoxy (meth)acrylate having a hydroxyl group and an aromatic ring in the molecule include diepoxy compounds of aromatic glycols such as bisphenol A, hydrogenated bisphenol A, bisphenol F, hydrogenated bisphenol F, resorcin, and hydroquinone, and (meth) ) by reacting an acrylic acid derivative.

디올 화합물로서는 예를 들면, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,7-헵탄디올, 1,8-옥탄디올, 1,9-노난디올, 1,10-데칸디올, 2,4-디메틸-2-에틸헥산-1,3-디올, 네오펜틸글리콜, 2-에틸-2-부틸-1,3-프로판디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 1,2-시클로헥산디메탄올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 2,2,4,4-테트라메틸-1,3-시클로부탄디올, 4,4'-티오디페놀, 비스페놀A, 4,4'-메틸렌디페놀, 4,4'-(2-노르보르닐리덴)디페놀, 4,4'-디히드록시비페놀, o-, m-, 및 p-디히드록시벤젠, 4,4'-이소프로필리덴페놀, 4,4'-이소프로필리덴빈디올, 시클로펜탄-1,2-디올, 시클로헥산-1,2-디올, 시클로헥산-1,4-디올, 비스페놀A 등을 사용할 수 있다. 이들은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다.Examples of the diol compound include ethylene glycol, diethylene glycol, polyethylene glycol, propylene glycol, 1,3-propanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6- Hexanediol, 1,7-heptanediol, 1,8-octanediol, 1,9-nonanediol, 1,10-decanediol, 2,4-dimethyl-2-ethylhexane-1,3-diol, neopentyl Glycol, 2-ethyl-2-butyl-1,3-propanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 1,2-cyclohexanedimethanol, 1,4-cyclohexanedimethanol, 2,2, 4,4-tetramethyl-1,3-cyclobutanediol, 4,4'-thiodiphenol, bisphenol A, 4,4'-methylenediphenol, 4,4'-(2-norbornylidene)diphenol , 4,4'-dihydroxybiphenol, o-, m-, and p-dihydroxybenzene, 4,4'-isopropylidenephenol, 4,4'-isopropylidenebindiol, cyclopentane- 1,2-diol, cyclohexane-1,2-diol, cyclohexane-1,4-diol, bisphenol A and the like can be used. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

디이소시아네이트 화합물로서는 예를 들면, 1,3-페닐렌디이소시아네이트, 1,4-페닐렌디이소시아네이트, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 2,4-디페닐메탄디이소시아네이트, 4,4-디페닐메탄디이소시아네이트 등의 방향족계 디이소시아네이트, 에틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트, 리신트리이소시아네이트 등의 지방족계 디이소시아네이트 화합물, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4-디이소시아네이트, 메틸시클로헥실렌디이소시아네이트 등의 지환족계 이소시아네이트 화합물, 크실렌디이소시아네이트, 테트라메틸크실릴렌디이소시아네이트 등의 방향지방족계 이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다.Examples of the diisocyanate compound include 1,3-phenylene diisocyanate, 1,4-phenylene diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 2,4-diphenylmethane diisocyanate, Aromatic diisocyanate such as 4,4-diphenylmethane diisocyanate, ethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, lysine Aliphatic diisocyanate compounds, such as syndiisocyanate and lysine triisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4-diisocyanate, alicyclic isocyanate compounds, such as methylcyclohexylene diisocyanate, xylene diisocyanate, tetramethyl Aroaliphatic isocyanate compounds, such as xylylene diisocyanate, etc. are mentioned. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

상기 분자 내에 수산기와 방향족환을 갖는 에폭시(메타)아크릴레이트, 디올 화합물, 디이소시아네이트 화합물의 성분비율은 소망의 중량 평균 분자량이 되는 범위이면 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에 있어서의 방향족환 구조를 갖는 폴리우레탄 화합물의 중량 평균 분자량(Mw)은 5,000∼100,000인 것이 바람직하다. 중량 평균 분자량(Mw)이 5,000∼100,000이면, 얻어지는 경화 피막의 열치수 안정성, 내굴곡성이 우수하므로 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서의 중량 평균 분자량(Mw)은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피법을 사용해서 측정되어 표준 폴리스티렌으로 환산된 값이다.The component ratio of the epoxy (meth)acrylate which has a hydroxyl group and an aromatic ring in the said molecule|numerator, a diol compound, and a diisocyanate compound will not be specifically limited if it becomes a range used as a desired weight average molecular weight. It is preferable that the weight average molecular weights (Mw) of the polyurethane compound which has an aromatic ring structure in this invention are 5,000-100,000. Since it is excellent in the thermal dimensional stability of the cured film obtained as a weight average molecular weight (Mw) is 5,000-100,000, and bending resistance, it is preferable. In addition, the weight average molecular weight (Mw) in this invention is the value converted into standard polystyrene measured using the gel permeation chromatography method.

에틸렌성 불포화 화합물로서는 예를 들면, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트 등의 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 다관능 (메타)아크릴레이트, 비스페놀A형 에폭시디(메타)아크릴레이트, 비스페놀F형 에폭시디(메타)아크릴레이트, 비스페놀S형 에폭시디(메타)아크릴레이트 등의 에폭시아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 열치수 안정성, 표면 보호 성능이 우수한 다관능 (메타)아크릴레이트가 바람직하다. 또한, 이들은 단일의 조성으로 사용해도 좋고, 2성분 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.Examples of the ethylenically unsaturated compound include di(meth)acrylates such as 1,4-butanediol di(meth)acrylate and 1,6-hexanedioldi(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate , pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, polyfunctional (meth) acrylate, such as dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, bisphenol Epoxy acrylates, such as A-type epoxy di(meth)acrylate, a bisphenol F-type epoxy di(meth)acrylate, and a bisphenol S-type epoxy di(meth)acrylate, etc. are mentioned. Among these, polyfunctional (meth)acrylate excellent in thermal dimensional stability and surface protection performance is preferable. In addition, these may be used by a single composition, and may mix and use two or more components.

에틸렌성 불포화 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 열치수 안정성, 표면 보호 성능의 관점에서 방향족환 구조를 갖는 폴리우레탄 화합물과의 합계량 100질량% 중, 5∼90질량%의 범위인 것이 바람직하고, 10∼80질량%의 범위인 것이 보다 바람직하다.The content of the ethylenically unsaturated compound is not particularly limited, but from the viewpoint of thermal dimensional stability and surface protection performance, it is preferably in the range of 5 to 90% by mass among 100% by mass of the total amount with the polyurethane compound having an aromatic ring structure, It is more preferable that it is the range of 10-80 mass %.

광중합 개시제로서는 본 발명의 적층체의 가스 배리어성 및 내굴곡성을 유지할 수 있으면 소재는 특별히 한정되지 않는다. 본 발명에 적합하게 사용할 수 있는 광중합 개시제로서는 예를 들면, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-히드록시-시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐}-2-메틸-프로판-1-온, 페닐글리옥실릭애시드메틸에스테르, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논 등의 알킬페논계 광중합 개시제, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제, 비스(η5-2,4-시클로펜타디엔-1-일)-비스(2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)-페닐)티타늄 등의 티타노센계 광중합 개시제, 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-, 2-(0-벤조일옥심)] 등 옥심 에스테르 구조를 갖는 광중합 개시제 등을 들 수 있다.As a photoinitiator, if the gas barrier property and bending resistance of the laminated body of this invention can be maintained, a raw material will not be specifically limited. As a photoinitiator which can be used suitably for this invention, for example, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 1-hydroxy-cyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2 -Methyl-1-phenyl-propan-1-one, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 2-hydroxy Roxy-1-{4-[4-(2-hydroxy-2-methyl-propionyl)-benzyl]phenyl}-2-methyl-propan-1-one, phenylglyoxylic acid methyl ester, 2-methyl -1-(4-methylthiophenyl)-2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1,2-( Alkylphenone-based photopolymerization initiators such as dimethylamino)-2-[(4-methylphenyl)methyl]-1-[4-(4-morpholinyl)phenyl]-1-butanone, 2,4,6-trimethylbenzoyl -Acyl phosphine oxide-based photopolymerization initiator such as diphenyl-phosphine oxide and bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide, bis(η5-2,4-cyclopentadien-1-yl) -Bis(2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)-phenyl) titanocene-based photopolymerization initiator such as titanium, 1,2-octanedione, 1-[4-(phenylthio)- , 2-(0-benzoyloxime)] and the like, and a photopolymerization initiator having an oxime ester structure.

이들 중에서도, 경화성, 표면 보호 성능의 관점에서 1-히드록시-시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드로부터 선택되는 광중합 개시제가 바람직하다. 또한, 이들은 단일의 조성으로 이용해도 좋고, 2성분 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.Among these, 1-hydroxy-cyclohexylphenyl ketone, 2-methyl-1-(4-methylthiophenyl)-2-morpholinopropan-1-one, 2,4, A photoinitiator selected from 6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide and bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide is preferable. In addition, these may be used by a single composition, and may mix and use two or more components.

광중합 개시제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 경화성, 표면 보호 성능의 관점에서 중합성 성분의 합계량 중 0.01∼10질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.1∼5질량%의 범위인 것이 보다 바람직하다.Although content of a photoinitiator is not specifically limited, It is preferable that it is the range of 0.01-10 mass % in the total amount of a polymerizable component from a viewpoint of sclerosis|hardenability and surface protection performance, It is more preferable that it is a range of 0.1-5 mass %.

유기 규소 화합물로서는 예를 들면, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the organosilicon compound include vinyl trimethoxysilane, vinyl triethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3- Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethyl Toxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldime oxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-isocyanatepropyltriethoxysilane, etc. are mentioned. can

이들 중에서도, 경화성, 활성 에너지선 조사에 의한 중합 활성의 관점에서 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란 및 비닐트리에톡시실란으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1개의 유기 규소 화합물이 바람직하다. 또한, 이들은 단일의 조성으로 사용해도 좋고, 2성분 이상을 혼합해서 사용해도 좋다.Among these, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, and vinyltriethoxysilane from the viewpoint of curability and polymerization activity by active energy ray irradiation. At least one organosilicon compound selected from the group consisting of is preferable. In addition, these may be used by a single composition, and may mix and use two or more components.

유기 규소 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 경화성, 표면 보호 성능의 관점에서 중합성 성분의 합계량 중 0.01∼10질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.1∼5질량%의 범위인 것이 보다 바람직하다.Although content of an organosilicon compound is not specifically limited, It is preferable that it is the range of 0.01-10 mass % in the total amount of a polymerizable component from a viewpoint of sclerosis|hardenability and surface protection performance, It is more preferable that it is a range of 0.1-5 mass %.

무기 규소 화합물로서는 표면 보호 성능, 투명성의 관점에서 실리카 입자가 바람직하고, 또한 실리카 입자의 1차 입자 지름이 1∼300nm의 범위인 것이 바람직하고, 5∼80nm의 범위인 것이 보다 바람직하다. 또한, 여기에서 말하는 1차 입자 지름이란 가스 흡착법에 의해 구한 비표면적(s)을 하기의 식(1)에 적용함으로써 구해지는 입자직경(d)을 가리킨다.As the inorganic silicon compound, silica particles are preferable from the viewpoint of surface protection performance and transparency, and the primary particle diameter of the silica particles is preferably in the range of 1 to 300 nm, more preferably in the range of 5 to 80 nm. In addition, the primary particle diameter here refers to the particle diameter (d) calculated|required by applying the specific surface area (s) calculated|required by a gas adsorption method to following formula (1).

d=6/ρs ···( 1)d=6/ρs ... ( 1)

ρ:밀도.ρ: density.

앵커 코트층의 두께는 200nm 이상, 4,000nm 이하가 바람직하고, 300nm 이상, 2,000nm 이하가 보다 바람직하고, 500nm 이상, 1,000nm 이하가 더욱 바람직하다. 앵커 코트층의 두께가 200nm보다 얇아지면, 기재 상에 존재하는 돌기나 상처 등의 결점의 악영향을 억제할 수 없는 경우가 있다. 앵커 코트층의 두께가 4,000nm보다 두꺼워지면, 앵커 코트층의 평활성이 저하되어 상기 앵커 코트층 상에 적층하는 A층 표면의 요철형상도 커지고, 적층되는 증착막이 치밀해지기 어려워 가스 배리어성의 향상 효과가 얻어지기 어렵게 되는 경우가 있다. 여기에서 앵커 코트층의 두께는 투과형 전자현미경(TEM)에 의한 단면 관찰 화상으로부터 측정하는 것이 가능하다.200 nm or more and 4,000 nm or less are preferable, as for the thickness of an anchor-coat layer, 300 nm or more and 2,000 nm or less are more preferable, 500 nm or more and 1,000 nm or less are still more preferable. When the thickness of the anchor coat layer is thinner than 200 nm, the adverse effect of defects such as protrusions and scratches on the substrate cannot be suppressed in some cases. When the thickness of the anchor coat layer is thicker than 4,000 nm, the smoothness of the anchor coat layer is lowered, the uneven shape of the surface of the layer A laminated on the anchor coat layer is increased, and the deposited film to be laminated is difficult to be dense, and the gas barrier property is improved. may be difficult to obtain. Here, the thickness of the anchor coat layer can be measured from a cross-sectional observation image with a transmission electron microscope (TEM).

앵커 코트층의 산술 평균 거칠기(Ra)는 10nm 이하인 것이 바람직하다. Ra를 10nm 이하로 하면, 앵커 코트층 상에 균질한 A층을 형성하기 쉬워져서 가스 배리어성의 반복 재현성이 향상되므로 바람직하다. 앵커 코트층의 표면의 Ra가 10nm보다 커지면, 앵커 코트층 상의 A층 표면의 요철형상도 커지고, 증착막이 치밀해지기 어려워 가스 배리어성의 향상 효과가 얻어지기 어려워지는 경우가 있고, 또한, 요철이 많은 부분에서 응력집중에 의한 크랙이 발생하기 쉽기 때문에, 가스 배리어성의 반복 재현성이 저하되는 원인이 되는 경우가 있다. 따라서, 본 발명에 있어서는 앵커 코트층의 Ra를 10nm 이하로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5nm 이하이다. 본 발명에 있어서의 앵커 코트층의 Ra는 원자간력 현미경(AFM) 등을 사용해서 측정할 수 있다.It is preferable that the arithmetic mean roughness (Ra) of an anchor-coat layer is 10 nm or less. When Ra is 10 nm or less, it is preferable to form a homogeneous layer A on the anchor coat layer and to improve the repeatability of gas barrier properties. When the Ra of the surface of the anchor coat layer is greater than 10 nm, the uneven shape of the surface of the A layer on the anchor coat layer is also large, and the vapor deposition film is difficult to be dense, and the effect of improving the gas barrier properties may be difficult to obtain. Since cracks are likely to occur in the portion due to stress concentration, it may cause a decrease in the repeatability of gas barrier properties. Therefore, in the present invention, Ra of the anchor coat layer is preferably 10 nm or less, and more preferably 5 nm or less. Ra of the anchor coat layer in the present invention can be measured using an atomic force microscope (AFM) or the like.

본 발명의 적층체에 앵커 코트층을 적용하는 경우, 앵커 코트층을 형성하는 수지를 포함하는 도포액의 도포수단으로서는 우선 기재 상에 방향족환 구조를 갖는 폴리우레탄 화합물을 포함하는 도료를 건조 후의 두께가 소망의 두께가 되도록 고형분 농도를 조정하고, 예를 들면 리버스 코트법, 그라비어 코트법, 로드 코트법, 바 코트법, 다이 코트법, 스프레이 코트법, 스핀 코트법 등에 의해 도포하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서는 도공 적성의 관점에서 유기 용제를 사용해서 방향족환 구조를 갖는 폴리우레탄 화합물을 포함하는 도료를 희석하는 것이 바람직하다.When the anchor coat layer is applied to the laminate of the present invention, as a means for applying the coating liquid containing the resin forming the anchor coat layer, first, the thickness after drying the paint containing the polyurethane compound having an aromatic ring structure on the substrate. It is preferable to adjust the solid content concentration so as to have a desired thickness, and apply, for example, by a reverse coating method, a gravure coating method, a rod coating method, a bar coating method, a die coating method, a spray coating method, a spin coating method, or the like. Moreover, in this invention, it is preferable to dilute the coating material containing the polyurethane compound which has an aromatic ring structure using an organic solvent from a viewpoint of coating suitability.

구체적으로는 크실렌, 톨루엔, 메틸시클로헥산, 펜탄, 헥산 등의 탄화수소계 용제, 디부틸에테르, 에틸부틸에테르, 테트라히드로푸란 등의 에테르계 용제 등을 사용해서 고형분 농도가 10질량% 이하로 희석해서 사용하는 것이 바람직하다. 이들 용제는 단독 또는 2종 이상을 혼합해서 사용해도 좋다. 또한, 앵커 코트층을 형성하는 도료에는 각종 첨가제를 필요에 따라 배합할 수 있다. 예를 들면, 촉매, 산화 방지제, 광안정제, 자외선 흡수제 등의 안정제, 계면활성제, 레벨링제, 대전 방지제 등을 사용할 수 있다.Specifically, the solid content concentration is diluted to 10% by mass or less using a hydrocarbon solvent such as xylene, toluene, methylcyclohexane, pentane or hexane, or an ether solvent such as dibutyl ether, ethylbutyl ether or tetrahydrofuran. It is preferable to use These solvents may be used individually or in mixture of 2 or more types. Moreover, various additives can be mix|blended with the coating material which forms an anchor-coat layer as needed. For example, stabilizers, such as a catalyst, antioxidant, a light stabilizer, and a ultraviolet absorber, surfactant, a leveling agent, an antistatic agent, etc. can be used.

이어서, 도포 후의 도막을 건조시켜서 희석 용제를 제거하는 것이 바람직하다. 여기에서, 건조에 사용되는 열원으로서는 특별히 제한은 없고, 스팀 히터, 전기 히터, 적외선 히터 등 임의의 열원을 사용할 수 있다. 또한, 가스 배리어성 향상을 위해서 가열 온도는 50∼150℃에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 가열 처리 시간은 수초∼1시간 행하는 것이 바람직하다. 또한, 가열 처리 중에는 온도가 일정해도 좋고, 서서히 온도를 변화시켜도 좋다. 또한, 건조 처리 중에는 습도를 상대습도로 20∼90%RH의 범위로 조정하면서 가열 처리해도 좋다. 상기 가열 처리는 대기 중 또는 불활성 가스를 봉입하면서 행해도 좋다.Next, it is preferable to dry the coating film after application|coating and to remove a dilution solvent. Here, there is no restriction|limiting in particular as a heat source used for drying, Arbitrary heat sources, such as a steam heater, an electric heater, an infrared heater, can be used. Moreover, in order to improve gas barrier property, it is preferable to perform heating temperature at 50-150 degreeC. In addition, it is preferable to perform heat processing time for several seconds - 1 hour. In addition, the temperature may be constant during heat processing, and you may change the temperature gradually. In addition, you may heat-process, adjusting humidity to the range of 20-90 %RH with a relative humidity during a drying process. The heat treatment may be performed in the air or while sealing an inert gas.

이어서, 건조 후의 방향족환 구조를 갖는 폴리우레탄 화합물을 포함하는 도막에 활성 에너지선 조사 처리를 실시해서 상기 도막을 가교시켜서 앵커 코트층을 형성하는 것이 바람직하다.Next, it is preferable to crosslink the said coating film by giving an active energy ray irradiation process to the coating film containing the polyurethane compound which has an aromatic ring structure after drying, and to form an anchor-coat layer.

이러한 경우에 적용하는 활성 에너지선으로서는 앵커 코트층을 경화시킬 수 있으면 특별히 제한은 없지만, 범용성, 효율의 관점에서 자외선 처리를 사용하는 것이 바람직하다. 자외선 발생원으로서는 고압 수은 램프 메탈 할라이드 램프, 마이크로파 방식 무전극 램프, 저압 수은 램프, 크세논 램프 등, 기지의 것을 사용할 수 있다. 또한, 활성 에너지선은 경화 효율의 관점에서 질소나 아르곤 등의 불활성 가스 분위기 하에서 사용하는 것이 바람직하다. 자외선 처리로서는 대기압 하 또는 감압 하 중 어느 쪽이라도 상관없지만, 범용성, 생산 효율의 관점에서 본 발명에서는 대기압 하에서 자외선 처리를 행하는 것이 바람직하다. 상기 자외선 처리를 행할 때의 산소 농도는 앵커 코트층의 가교도 제어의 관점에서 산소 가스 분압은 1.0% 이하가 바람직하고, 0.5% 이하가 보다 바람직하다. 상대습도는 임의이어도 좋다.Although there will be no restriction|limiting in particular as an active energy ray applied in such a case as long as an anchor-coat layer can be hardened, It is preferable to use ultraviolet treatment from a viewpoint of versatility and efficiency. As the ultraviolet generating source, known ones such as a high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a microwave type electrodeless lamp, a low-pressure mercury lamp, and a xenon lamp can be used. Moreover, it is preferable to use an active energy ray in inert gas atmosphere, such as nitrogen and argon, from a viewpoint of hardening efficiency. The ultraviolet treatment may be either under atmospheric pressure or under reduced pressure, but in the present invention, from the viewpoint of versatility and production efficiency, it is preferable to perform ultraviolet treatment under atmospheric pressure. From the viewpoint of controlling the degree of crosslinking of the anchor coat layer, the oxygen concentration during the ultraviolet treatment is preferably 1.0% or less, and more preferably 0.5% or less, as for the partial pressure of oxygen gas. The relative humidity may be arbitrary.

자외선 발생원으로서는 고압 수은 램프 메탈할라이드 램프, 마이크로파 방식 무전극 램프, 저압 수은 램프, 크세논 램프 등 기지의 것을 사용할 수 있다.As the ultraviolet generating source, known ones such as a high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a microwave type electrodeless lamp, a low-pressure mercury lamp, and a xenon lamp can be used.

자외선 조사의 적산 광량은 0.1∼1.0J/㎠인 것이 바람직하고, 0.2∼0.6J/㎠가 보다 바람직하다. 상기 적산 광량이 0.1J/㎠ 이상이면 소망의 앵커 코트층의 가교도가 얻어지므로 바람직하다. 또한, 상기 적산 광량이 1.0J/㎠ 이하이면 기재에의 데미지를 적게 할 수 있으므로 바람직하다.It is preferable that it is 0.1-1.0 J/cm<2>, and, as for the accumulated light quantity of ultraviolet irradiation, 0.2-0.6 J/cm<2> is more preferable. Since the desired degree of crosslinking of the anchor coat layer can be obtained, it is preferable that the said integrated light amount is 0.1 J/cm<2> or more. Moreover, since the damage to a base material can be decreased that the said integrated light amount is 1.0 J/cm<2> or less, it is preferable.

[그 밖의 층][Other floors]

본 발명의 적층체의 최표면 상, 즉 A층 상에는 가스 배리어성이 저하되지 않는 범위에서 내찰상성이나 내약품성, 인쇄성 등의 향상을 목적으로 한 오버코트층을 형성해도 좋고, 소자 등에 접합하기 위한 유기 고분자 화합물로 이루어지는 점착층이나 필름을 라미네이트한 적층 구성으로 해도 좋다. 또한, 광학특성을 향상시키기 위한 저굴절률층을 형성해도 좋다. 또한, 여기에서 말하는 최표면이란 기재 상에 A층이 적층된 후의 A층의 표면을 말한다.On the outermost surface of the laminate of the present invention, that is, on the layer A, an overcoat layer for the purpose of improving scratch resistance, chemical resistance, printability, etc. may be formed in the range in which gas barrier properties do not decrease, and for bonding to elements, etc. It is good also as a laminated structure which laminated the adhesive layer which consists of an organic high molecular compound, or a film. Moreover, you may form the low-refractive-index layer for improving an optical characteristic. In addition, the outermost surface here means the surface of A-layer after A-layer is laminated|stacked on a base material.

[적층체의 용도][Use of laminate]

본 발명의 적층체는 높은 가스 배리어성을 가지므로, 가스 배리어성 필름으로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 적층체는 여러가지 전자 디바이스에 사용할 수 있다. 예를 들면, 태양 전지나 플렉시블 회로 기재, 유기 EL 조명, 플렉시블 유기 EL 디스플레이, 신틸레이터와 같은 전자 디바이스에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 높은 배리어성을 살려서 리튬 이온 전지의 외장재나 의약품의 포장재 등으로서도 적합하게 사용할 수 있다.Since the laminate of the present invention has high gas barrier properties, it can be suitably used as a gas barrier film. Moreover, the laminated body of this invention can be used for various electronic devices. For example, it can use suitably for electronic devices, such as a solar cell, a flexible circuit base material, organic electroluminescent illumination, a flexible organic electroluminescent display, and a scintillator. Moreover, it can be used suitably also as a packaging material of a lithium ion battery, a packaging material of a pharmaceutical, etc. taking advantage of high barrier property.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의거해서 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be specifically described based on Examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

[평가 방법][Assessment Methods]

(1)각 층의 두께(1) Thickness of each layer

단면관찰용 샘플을 마이크로 샘플링 시스템(Hitachi, Ltd.제 FB-2000A)을 사용해서 FIB법에 의해 (구체적으로는 「고분자 표면 가공학」(이와모리 아카츠키 저) p.118∼119에 기재된 방법에 의거해서) 제작했다. 투과형 전자현미경(Hitachi, Ltd.제 H-9000UHRII)에 의해, 가속 전압 300kV로서 관찰용 샘플의 단면을 관찰하고, 적층체의 A층, 앵커 코트층의 두께를 측정했다.The cross-sectional observation sample was subjected to the FIB method using a microsampling system (FB-2000A manufactured by Hitachi, Ltd.) (specifically, based on the method described in "Polymer surface processing" (Iwamori Akatsuki) p.118 to 119). so) was made. With a transmission electron microscope (H-9000UHRII manufactured by Hitachi, Ltd.), the cross section of the observation sample was observed at an acceleration voltage of 300 kV, and the thickness of the layer A and the anchor coat layer of the laminate was measured.

(2)A층의 조성, 산소 원자(O1s) 피크의 반값폭, 실리케이트 결합의 유무(A층 중의 원자의 원자 농도, 원자 농도의 비율(Mg/Si))(2) Composition of layer A, half width of oxygen atom (O1s) peak, presence or absence of silicate bond (atomic concentration of atoms in layer A, ratio of atomic concentration (Mg/Si))

적층체의 A층의 조성 분석은 X선 광전자 분광법(XPS법)에 의해 행했다. 최표면으로부터 5nm 정도 아르곤 이온 에칭에 의해 층을 제거해서 하기의 조건으로 각 원소의 함유 비율을 측정했다. XPS법의 측정 조건은 하기 대로로 했다.The composition analysis of the layer A of the laminate was performed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS method). The layer was removed by argon ion etching about 5 nm from the outermost surface, and the content ratio of each element was measured under the following conditions. The measurement conditions of the XPS method were as follows.

·장치:PHI5000VersaProbe2(알백파이사제)・Device: PHI5000VersaProbe2 (manufactured by ALBAEKPA)

·여기 X선:monochromatic AlKαExcitation X-ray: monochromatic AlKα

·분석 범위:φ100㎛・Analysis range: φ100㎛

·광전자 탈출 각도:45°·Photoelectron escape angle: 45°

·Ar 이온 에칭:2.0kV, 래스터 사이즈 2×2, 에칭 시간 1min.· Ar ion etching: 2.0 kV, raster size 2 x 2, etching time 1 min.

산소 원자(O1s) 피크의 반값폭은 측정 장치 부착 띠의 해석 소프트 Multipak에 의해 산출되는 값으로 했다.The half width of the oxygen atom (O1s) peak was taken as the value calculated by the analysis software Multipak of the band with a measuring device.

또 실리케이트 결합의 유무에 대해서는 상술의 조건으로 XPS법에 의한 분석 후, O1s의 피크톱을 531.0eV로 교정한 후, Si2p의 피크톱 위치를 확인하고, 101.0∼103.0eV의 범위에 들어 있으면 실리케이트 결합 있음(Y), 범위 밖이면 실리케이트 결합 없음(N), Si가 함유되어 있지 않은 경우에는 Si 피크 없음(-)으로 했다.In addition, as for the presence or absence of silicate bonding, after analysis by XPS method under the above conditions, the peak top of O1s is corrected to 531.0 eV, the position of the peak top of Si2p is confirmed, and if it is in the range of 101.0 to 103.0 eV, silicate bonding If it was present (Y), outside the range, there was no silicate bond (N), and when Si was not contained, it was set as no Si peak (-).

(3)수증기 투과도(g/㎡/day)(3) Water vapor permeability (g/m2/day)

적층체의 수증기 투과도는 온도 40℃, 습도 90%RH, 측정 면적 50c㎡의 조건으로, 영국, 테크노록스(Technolox)사제의 수증기 투과율 측정 장치(기종명:DELTAPERM(등록상표))를 사용해서 측정했다. 샘플수는 수준당 2샘플 행했다. 2샘플의 측정을 행해서 얻은 데이터를 평균하여 소수점 제2자리를 사사 오입하고, 상기 수준에 있어서의 평균값을 구하고, 그 값을 수증기 투과도(g/㎡/day)로 했다.The water vapor transmission rate of the laminate was measured using a water vapor transmission rate measuring device (model name: DELTAPERM (registered trademark)) manufactured by Technolox, UK, under the conditions of a temperature of 40° C., a humidity of 90% RH, and a measurement area of 50 cm2. . The number of samples was 2 samples per level. The data obtained by measuring two samples were averaged, the second decimal place was rounded off, the average value in the said level was calculated|required, and the value was made into water vapor transmission rate (g/m<2>/day).

(4)표면 거칠기의 측정(4) Measurement of surface roughness

산술 평균 거칠기(Ra)는 원자간력 현미경(AFM)을 사용해서 측정을 행했다. 적층체를 임의의 크기로 잘라내고, A층 표면의 1㎛×1㎛의 시야에 관해서 하기의 조건으로 측정을 행했다. 측정 n=2로 행하고, Ra의 값은 n=2의 평균값을 사용했다. 또한, A층 위에 하드 코트층 등의 다른 층이 존재하는 경우는 상기 다른 층을 제거한 후에, A층 표면에 있어서 측정을 행하는 것으로 한다.Arithmetic mean roughness (Ra) was measured using an atomic force microscope (AFM). The laminate was cut out to an arbitrary size, and measurement was performed under the following conditions with respect to a field of view of 1 µm × 1 µm on the surface of the A layer. Measurement was performed with n=2, and the average value of n=2 was used for the value of Ra. In addition, when other layers, such as a hard-coat layer, exist on A-layer, after removing said other layer, it shall measure in A-layer surface.

·측정 장치:Bruker제 Demens icon・Measuring device: Demens icon made by Bruker

·측정 범위:1㎛×1㎛・Measurement range: 1 μm × 1 μm

·scan rate:1HzScan rate: 1Hz

·scan line:512・scan line:512

·해석 소프트:Nanoscope Analysis.· Analysis software: Nanoscope Analysis.

(5)양전자 수명 및 세공 반지름 분포(5) Positron lifetime and pore radius distribution

양전자 수명 및 세공 반지름 분포는 양전자 빔법(박막 대응 양전자 소멸 수명 측정법)에 의해 측정을 행했다. 측정하는 샘플을 15mm×15mm의 Si 웨이퍼에 붙여서 실온에서 진공 탈기한 후, 측정을 행했다. 측정 조건은 하기의 대로이다.Positron lifetime and pore radius distribution were measured by the positron beam method (a thin-film-corresponding positron annihilation lifetime measurement method). The measurement was performed after the sample to be measured was pasted on a 15 mm x 15 mm Si wafer and vacuum degassed at room temperature. Measurement conditions are as follows.

·장치:후지인백제 소형 양전자 빔 발생 장치 PALS200A・Apparatus: PALS200A, a compact positron beam generator made by Fuji Inbaek

·양전자선원:22Na 베이스의 양전자 빔Positron source: 22 Na-based positron beam

·γ선 검출기:BaF2제 신틸레이터+광전자 증배관・γ-ray detector: BaF 2 scintillator + photomultiplier tube

·장치정수:255∼278ps,24.55ps/chDevice constant: 255 to 278 ps, 24.55 ps/ch

·빔 강도:1keV·Beam intensity: 1keV

·측정 깊이:0∼100nm 부근(추정)・Measurement depth: around 0 to 100 nm (estimated)

·측정 온도:실온・Measurement temperature: room temperature

·측정 분위기:진공・Measurement atmosphere: vacuum

·측정 카운트수:약 5,000,000카운트・Measured counts: Approx. 5,000,000 counts

측정 결과에 대해서, 비선형 최소 2승 프로그램 POSITRONFIT에 의해, 3성분 또는 4성분 해석을 행했다.About the measurement result, 3-component or 4-component analysis was performed by the nonlinear least square program POSITRONFIT.

(실시예 1)(Example 1)

(방향족환 구조를 갖는 폴리우레탄 화합물의 합성)(Synthesis of a polyurethane compound having an aromatic ring structure)

5리터의 4구 플라스크에 비스페놀A디글리시딜에테르아크릴산 부가물(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제, 상품명:에폭시에스테르3000A)을 300질량부, 아세트산 에틸 710질량부를 넣고, 실온 60℃가 되도록 가온했다. 합성 촉매로서 디라우르산 디-n-부틸주석 0.2질량부를 첨가하고, 교반하면서 디시클로헥실메탄4,4'-디이소시아네이트(도쿄 카세이 고교사제) 200질량부를 1시간에 걸쳐서 적하했다. 적하 종료후 2시간 반응을 속행하고, 계속해서 디에틸렌글리콜(와코 준야쿠 고교사제) 25질량부를 1시간에 걸쳐서 적하했다. 적하후 5시간 반응을 속행하고, 중량 평균 분자량 20,000의 방향족환 구조를 갖는 폴리우레탄 화합물을 얻었다.In a 5-liter 4-neck flask, 300 parts by mass of bisphenol A diglycidyl ether acrylic acid adduct (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: epoxy ester 3000A) and 710 parts by mass of ethyl acetate were placed, and the temperature was set to 60°C. warmed up 0.2 mass parts of di-n-butyltin dilaurate was added as a synthesis catalyst, and 200 mass parts of dicyclohexylmethane 4,4'- diisocyanate (made by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.) was dripped over 1 hour, stirring. The reaction was continued for 2 hours after completion|finish of dripping, and then, 25 mass parts of diethylene glycol (made by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was dripped over 1 hour. The reaction was continued for 5 hours after dripping, and the polyurethane compound which has an aromatic ring structure with a weight average molecular weight of 20,000 was obtained.

(앵커 코트층의 형성)(Formation of Anchor Coat Layer)

기재로서 두께 100㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이 가부시키가이샤제 "루미러"(등록상표)U48)를 사용했다.A polyethylene terephthalate film ("Lumiror" (registered trademark) U48, manufactured by Toray Corporation) having a thickness of 100 mu m was used as the substrate.

앵커 코트층 형성용의 도포액으로서 상기 폴리우레탄 화합물을 150질량부, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(Kyoeisha Chemical Co., Ltd.제, 상품명:라이트 아크릴레이트 DPE-6A)를 20질량부, 1-히드록시-시클로헥실페닐케톤(BASF 재팬사제, 상품명: 「IRGACURE」(등록상표)184)을 5질량부, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란(신에츠 실리콘사제, 상품명:KBM-503)을 3질량부, 아세트산 에틸을 170질량부, 톨루엔을 350질량부, 시클로헥사논을 170질량부 배합해서 도포액을 조정했다. 이어서, 도포액을 기재 상에 마이크로 그라비어 코터(그라비어 선번 150UR, 그라비어 회전비 100%)로 도포, 100℃에서 1분간 건조하고, 건조후, 하기 조건으로 자외선 처리를 실시해서 두께 1㎛의 앵커 코트층을 형성했다.As a coating liquid for forming an anchor coat layer, 150 parts by mass of the polyurethane compound, 20 parts by mass of dipentaerythritol hexaacrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., trade name: light acrylate DPE-6A), 1- 5 parts by mass of hydroxycyclohexylphenyl ketone (manufactured by BASF Japan, trade name: "IRGACURE" (registered trademark) 184), 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Silicone, trade name: KBM-503) 3 mass parts, 170 mass parts of ethyl acetate, 350 mass parts of toluene, and 170 mass parts of cyclohexanone were mix|blended, and the coating liquid was adjusted. Next, the coating solution is applied on the substrate with a micro gravure coater (gravure turn 150UR, gravure rotation ratio 100%), dried at 100° C. for 1 minute, dried, UV-treated under the following conditions, and an anchor coat layer with a thickness of 1 μm has formed

자외선 처리 장치:LH10-10Q-G(퓨전 UV 시스템즈 재팬사제)Ultraviolet rays processing device: LH10-10Q-G (product made in fusion UV systems Japan company)

도입 가스:N2(질소 이너트 BOX)Introduced gas: N 2 (nitrogen inert BOX)

자외선 발생원:마이크로파 방식 무전극 램프Ultraviolet light source: Microwave method electrodeless lamp

적산 광량:400mJ/㎠Integrated light intensity: 400mJ/cm2

시료 온조:실온.Sample temperature control: room temperature.

(A층의 형성)(Formation of layer A)

도 3에 나타내는 권취식 증착 장치를 사용하고, 전자선(EB) 증착법에 의해, 기재의 앵커 코트층 표면에 A층으로서 MgO+SiO2층을 두께 150nm로 형성했다. A MgO+SiO 2 layer having a thickness of 150 nm was formed as an A layer on the surface of the anchor coat layer of the substrate by electron beam (EB) vapor deposition using the winding-up vapor deposition apparatus shown in FIG. 3 .

구체적인 조작은 이하와 같다. 우선, 증착 재료로서 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 산화 마그네슘 MgO(순도 99.9%)와 이산화 규소 SiO2(순도 99.99%)를 사전에 각각 100℃, 8시간 가열을 행했다. 계속해서, 각각의 재료를 도 4와 같이 카본제 하스 라이너(11)에 세팅했다. MgO와 SiO2의 재료 면적 비율은 MgO:SiO2=4:1이 되도록 했다. 권취실(5) 중에서 권출 롤(6)에 상기 기재(1)의 A층을 형성하는 측(앵커 코트가 형성된 측)의 면이 하스 라이너(11)에 대향하도록 세팅하고, 권출하고, 가이드 롤(7,8,9)을 통해 메인 드럼(10)에 통과시켰다. 이 때, 메인 드럼은 온도 -15℃로 제어했다. 이어서, 진공 펌프에 의해, 증착 장치(4) 내를 감압하고, 5.0×10-3Pa 이하를 얻었다. 이어서, 가열원으로서 1대의 전자총(이하, EB총)(13)을 사용하고, MgO와 SiO2를 균일 가열했다. EB총은 가속 전압 6kV, 인가 전류 50∼200mA, 증착 레이트 1nm/sec이 되도록 했다. EB 증착에 의해 상기 기재의 앵커 코트층 표면 상에 A층을 형성했다. 또한, 형성하는 A층의 두께는 필름 반송 속도에 의해 조정했다. 그 후, 가이드 롤(15,16,17)을 통해 권취 롤(18)에 권취했다.Specific operation is as follows. First, as vapor deposition materials, granular magnesium oxide MgO (purity 99.9%) and silicon dioxide SiO 2 (purity 99.99%) having a size of about 2 to 5 mm were previously heated at 100° C. for 8 hours, respectively. Then, each material was set to the hearth liner 11 made of carbon as shown in FIG. The material area ratio of MgO and SiO 2 was MgO:SiO 2 =4:1. In the winding chamber 5, on the unwinding roll 6, the surface of the substrate 1 on the side where the A layer is formed (the side on which the anchor coat is formed) is set to face the hearth liner 11, unwinded, and a guide roll (7, 8, 9) passed through the main drum (10). At this time, the main drum was controlled to the temperature of -15 degreeC. Then, the inside of the vapor deposition apparatus 4 was pressure-reduced with the vacuum pump, and 5.0x10 -3 Pa or less was obtained. Next, MgO and SiO 2 were uniformly heated using one electron gun (hereinafter, EB gun) 13 as a heating source. The EB gun was set to have an acceleration voltage of 6 kV, an applied current of 50 to 200 mA, and a deposition rate of 1 nm/sec. A layer was formed on the surface of the anchor coat layer of the substrate by EB deposition. In addition, the thickness of A-layer to form was adjusted with the film conveyance speed. Then, it wound on the take-up roll 18 via the guide rolls 15, 16, and 17.

계속해서, 얻어진 적층체로부터 시험편을 잘라내고, 각종 평가를 실시했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Then, the test piece was cut out from the obtained laminated body, and various evaluation was performed. A result is shown in Table 1.

(실시예 2)(Example 2)

A층인 MgO+SiO2층의 형성에 있어서, MgO와 SiO2의 재료 면적 비율을 MgO:SiO2=3:1이 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that in the formation of the MgO+SiO 2 layer as the A layer, the material area ratio of MgO and SiO 2 was MgO:SiO 2 =3:1 to control the composition. A result is shown in Table 1.

(실시예 3)(Example 3)

A층인 MgO+SiO2층의 형성에 있어서, MgO와 SiO2의 재료 면적 비율을 MgO:SiO2=7:3이 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition was controlled by making the material area ratio of MgO and SiO 2 to be MgO:SiO 2 =7:3 in the formation of the MgO+SiO 2 layer as the A layer. A result is shown in Table 1.

(실시예 4)(Example 4)

A층인 MgO+SiO2층의 형성에 있어서, MgO와 SiO2의 재료 면적 비율을 MgO:SiO2=2:1이 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition was controlled by making the material area ratio of MgO and SiO 2 to MgO:SiO 2 =2:1 in the formation of the MgO+SiO 2 layer as the A layer. A result is shown in Table 1.

(실시예 5)(Example 5)

A층인 MgO+SiO2층의 형성에 있어서, MgO와 SiO2의 재료 면적 비율을 MgO:SiO2=6.5:3.5가 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition was controlled so that the material area ratio of MgO and SiO 2 was MgO:SiO 2 =6.5:3.5 in the formation of the MgO+SiO 2 layer as the A layer. A result is shown in Table 1.

(실시예 6)(Example 6)

A층인 MgO+SiO2층의 형성에 있어서, MgO와 SiO2의 재료 면적 비율을 MgO:SiO2=5.5:4.5가 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 1, except that the composition was controlled so that the material area ratio of MgO and SiO 2 was MgO:SiO 2 =5.5:4.5 in the formation of the MgO+SiO 2 layer as the A layer. A result is shown in Table 1.

(실시예 7)(Example 7)

증착 재료로서 1∼3mm 정도의 크기의 과립상의 산화 아연 ZnO(순도 99.9%)와 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 산화 규소 SiO(순도 99.9%)를 사용하고, A층인 ZnO+SiO층을 형성함에 있어서, ZnO와 SiO의 재료 면적 비율을 ZnO:SiO=3:1이 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.As the deposition material, granular zinc oxide ZnO (purity 99.9%) with a size of about 1 to 3 mm and granular silicon oxide SiO (purity 99.9%) with a size of about 2 to 5 mm are used, and the ZnO+SiO layer, which is layer A, is formed. A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition was controlled so that the material area ratio of ZnO and SiO was ZnO:SiO=3:1. A result is shown in Table 1.

(실시예 8)(Example 8)

A층인 ZnO+SiO층의 형성에 있어서, ZnO와 SiO의 재료 면적 비율을 ZnO:SiO=2:1이 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 7과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 7 except that in the formation of the ZnO+SiO layer, which is the A layer, the composition was controlled by making the material area ratio of ZnO and SiO to ZnO:SiO=2:1. A result is shown in Table 1.

(실시예 9)(Example 9)

A층인 ZnO+SiO층의 형성에 있어서, ZnO와 SiO의 재료 면적 비율을 ZnO:SiO=1:1이 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 7과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 7, except that in the formation of the ZnO+SiO layer, which is the A layer, the composition was controlled such that the material area ratio of ZnO and SiO was ZnO:SiO=1:1. A result is shown in Table 1.

(실시예 10)(Example 10)

증착 재료로서 1∼3mm 정도의 크기의 과립상의 산화 아연 ZnO(순도 99.9%)와 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 산화 주석 SnO(순도 99.9%)를 사용하고, A층인 ZnO+SnO층의 형성에 있어서, ZnO와 SnO의 재료 면적 비율을 ZnO:SnO=3:1이 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.As the deposition material, granular zinc oxide ZnO (purity 99.9%) with a size of about 1 to 3 mm and granular tin oxide SnO (purity 99.9%) with a size of about 2 to 5 mm are used, and the A-layer ZnO+SnO layer is formed. A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition was controlled so that the material area ratio of ZnO and SnO was ZnO:SnO=3:1. A result is shown in Table 1.

(실시예 11)(Example 11)

기재로서 두께 12㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이 가부시키가이샤제 "루미러"(등록상표)P60)를 사용하고, 앵커 코트층을 형성하지 않고 직접 A층을 형성한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.As in Example 1, except that a 12 µm-thick polyethylene terephthalate film (“Lumiror” (registered trademark) P60 manufactured by Toray Corporation) was used as the base material, and the A layer was directly formed without forming an anchor coat layer. Thus, a laminate was obtained. A result is shown in Table 1.

(실시예 12)(Example 12)

기재로서 두께 12㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이 가부시키가이샤제 "루미러"(등록상표)P60)를 사용하고, 앵커 코트층을 형성하지 않고 직접 A층을 형성한 이외는 실시예 5와 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.As in Example 5, except that a 12 µm-thick polyethylene terephthalate film (“Lumiror” (registered trademark) P60 manufactured by Toray Corporation) was used as the base material, and the A layer was directly formed without forming an anchor coat layer. Thus, a laminate was obtained. A result is shown in Table 1.

(실시예 13)(Example 13)

증착 재료로서 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 산화 칼슘 CaO(순도 99.9%)와 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 이산화 규소 SiO2(순도 99.9%)를 사용하고, A층인 CaO+SiO2층의 형성에 있어서, CaO와 SiO2의 재료 면적 비율을 CaO:SiO2=8:1이 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.As the deposition material, granular calcium oxide CaO (purity 99.9%) with a size of about 2-5 mm and granular silicon dioxide SiO 2 (purity 99.9%) with a size of about 2-5 mm are used, and CaO+SiO 2 layer, which is layer A In the formation of , a laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the material area ratio of CaO and SiO 2 was set to CaO:SiO 2 =8:1 and the composition was controlled. A result is shown in Table 1.

(실시예 14)(Example 14)

증착 재료로서 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 산화 지르코늄 ZrO2(순도 99.9%)와 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 이산화 규소 SiO2(순도 99.9%)를 사용하고, A층인 ZrO2+SiO2층의 형성에 있어서, ZrO2와 SiO의 재료 면적 비율을 ZrO2:SiO2=8:1이 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.As a deposition material, a granular zirconium oxide ZrO 2 (purity 99.9%) of a size of about 2-5 mm and a granular silicon dioxide SiO 2 (purity of 99.9%) of a size of about 2-5 mm are used, and the A-layer ZrO 2 +SiO in the formation of the second layer, the material area ratio of ZrO 2 and SiO ZrO 2: SiO 2 = 8 : 1 except that the composition controls to ensure that this is likewise to obtain a layered product in example 1. A result is shown in Table 1.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

증착 재료로서 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 산화 마그네슘 MgO(순도 99.9%)를 사용하고, 구획이 없는 카본제 하스 라이너(11)에 세팅하고, EB총은 가속 전압 6kV, 인가 전류 50∼200mA, 증착 레이트 1nm/sec로 증착 재료를 가열한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.Granular magnesium oxide MgO (purity 99.9%) of about 2 to 5 mm is used as a vapor deposition material, and it is set in a carbon hearth liner 11 without partitions, and the EB gun has an acceleration voltage of 6 kV and an applied current of 50 to 200 mA. , A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the deposition material was heated at a deposition rate of 1 nm/sec. A result is shown in Table 1.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

증착 재료로서 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 이산화 규소 SiO2(순도 99.99%)를 사용한 이외는 비교예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that granular silicon dioxide SiO 2 (purity of 99.99%) having a size of about 2 to 5 mm was used as the vapor deposition material. A result is shown in Table 1.

(비교예 3)(Comparative Example 3)

증착 재료로서 1∼3mm 정도의 크기의 과립상의 산화 아연 ZnO(순도 99.99%)를 사용한 이외는 비교예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that granular zinc oxide ZnO (purity of 99.99%) having a size of about 1 to 3 mm was used as the vapor deposition material. A result is shown in Table 1.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

기재 상에 앵커 코트층을 형성하지 않고 직접 A층을 형성한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the A layer was directly formed without forming an anchor coat layer on the substrate. A result is shown in Table 1.

(비교예 5)(Comparative Example 5)

기재 상에 앵커 코트층을 형성하지 않고 직접 A층을 형성한 이외는 실시예 5와 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Example 5 except that the A layer was directly formed without forming the anchor coat layer on the substrate. A result is shown in Table 1.

(비교예 6)(Comparative Example 6)

증착 재료로서 2∼5mm 정도의 크기의 박편상의 마그네슘 Mg(순도 99.9%)과 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 규소 Si(순도 99.9%)를 사용하고, A층인 Mg+Si층의 형성에 있어서, Mg과 Si의 재료 면적 비율을 Mg:Si=5:1이 되도록 하여 조성을 제어한 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.Flake-like magnesium Mg (purity 99.9%) with a size of 2-5 mm and granular silicon Si (purity 99.9%) of a size of 2-5 mm are used as deposition materials, and in the formation of the Mg+Si layer, which is the A layer, , A laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition was controlled by making the material area ratio of Mg and Si to Mg:Si=5:1. A result is shown in Table 1.

(비교예 7)(Comparative Example 7)

증착 재료로서 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 산화 주석 SnO(순도 99.99%)를 사용한 이외는 비교예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that granular tin oxide SnO (purity 99.99%) of a size of about 2 to 5 mm was used as the vapor deposition material. A result is shown in Table 1.

(비교예 8)(Comparative Example 8)

증착 재료로서 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 산화 칼슘 CaO(순도 99.99%)을 사용한 이외는 비교예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that granular calcium oxide CaO (purity of 99.99%) having a size of about 2 to 5 mm was used as the vapor deposition material. A result is shown in Table 1.

(비교예 9)(Comparative Example 9)

증착 재료로서 2∼5mm 정도의 크기의 과립상의 산화 지르코늄 ZrO2(순도 99.99%)를 사용한 이외는 비교예 1과 마찬가지로 해서 적층체를 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A laminate was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that granular zirconium oxide ZrO 2 (purity 99.99%) of about 2 to 5 mm was used as the vapor deposition material. A result is shown in Table 1.

Figure pct00001
Figure pct00001

Figure pct00002
Figure pct00002

또한, 표에 있어서 (1)이 Mg이고, (2)가 Si인 경우의 (1)/(2)은 마그네슘(Mg) 원자와 규소(Si) 원자의 원자 농도(atm%)의 비율(Mg/Si)을 의미한다.In the table, (1)/(2) when (1) is Mg and (2) is Si is the ratio (Mg) of the atomic concentration (atm%) of magnesium (Mg) atoms and silicon (Si) atoms. /Si).

실시예 1∼6은 A층 표면의 Ra가 2.0nm 이하인 산화 마그네슘과 이산화 규소의 복합 산화물막을 형성하고, 수증기 투과도가 5.0×10-2(g/㎡/day) 미만으로 양호하다. 또한, 실시예 2∼5에 있어서는 양전자 빔법에 있어서의 제3성분의 평균 수명이 0.860ns 이하(평균 세공 반지름이 0.138nm 이하)이며, 수증기 투과도가 5.0×10-3(g/㎡/day) 미만으로 더욱 양호하다.Examples 1 to 6 form a composite oxide film of magnesium oxide and silicon dioxide having an Ra of 2.0 nm or less on the surface of the layer A, and have a good water vapor transmission rate of less than 5.0 × 10 -2 (g/m 2 /day). Further, in Examples 2 to 5, the average lifetime of the third component in the positron beam method is 0.860 ns or less (average pore radius is 0.138 nm or less), and the water vapor transmission rate is 5.0 × 10 -3 (g/m 2 /day) less is better.

실시예 7∼10, 13, 14와 같이, 다른 복합 산화물(산화 아연과 산화 규소, 및 산화 아연과 산화 주석, 산화 칼슘과 이산화 규소, 산화 지르코늄과 이산화 규소)에 있어서도, 수증기 투과도가 5.0×10-2(g/㎡/day) 미만으로 양호하다.As in Examples 7 to 10, 13 and 14, also in other composite oxides (zinc oxide and silicon oxide, zinc oxide and tin oxide, calcium oxide and silicon dioxide, zirconium oxide and silicon dioxide), the water vapor permeability was 5.0 × 10 Less than -2 (g/m 2 /day) is good.

또한, 실시예 11, 12와 같이, 앵커 코트층이 없어도 A층 표면의 Ra가 5.0nm 이하인 것에 의해, 수증기 투과도가 1.0×10-1(g/㎡/day) 미만을 발현한다.Moreover, as in Examples 11 and 12, even without an anchor coat layer, when Ra of the surface of A layer is 5.0 nm or less, water vapor transmission rate expresses less than 1.0x10 -1 (g/m<2>/day).

한편, 비교예 1, 2, 8, 9는 단일재료이며, 2종류의 증착 재료를 혼합한 실시예에 비해서 가스 배리어성이 떨어진다. 또한, 비교예 3, 7은 밀착성이 나쁘고, 가스 배리어성도 발현하지 않는다. 또한, 비교예 4, 5는 A층 표면의 표면 거칠기가 큰 것에 의해, 치밀한 막이 형성되지 않고 가스 배리어성은 발현되지 않는다. 비교예 6은 복합 금속막을 형성하지만, 가스 배리어성은 발현되지 않는다.On the other hand, Comparative Examples 1, 2, 8, and 9 were a single material, and the gas barrier properties were inferior to those of Examples in which two types of vapor deposition materials were mixed. Moreover, the comparative examples 3 and 7 have poor adhesiveness and do not express gas barrier property either. Moreover, in Comparative Examples 4 and 5, since the surface roughness of the A-layer surface is large, a dense film|membrane is not formed and gas-barrier property is not expressed. Comparative Example 6 formed a composite metal film, but gas barrier properties were not expressed.

(산업상의 이용 가능성)(Industrial Applicability)

본 발명의 적층체는 산소 가스, 수증기 등에 대한 가스 배리어성이 우수하므로, 예를 들면, 식품, 의약품 등의 포장재 및 유기 EL 텔레비전, 태양 전지 등의 전자 디바이스용 부재로서 유용하게 사용할 수 있지만, 용도가 이들에 한정되는 것은 아니다.Since the laminate of the present invention has excellent gas barrier properties against oxygen gas, water vapor, etc., it can be usefully used, for example, as a packaging material for food and pharmaceutical products, and as a member for electronic devices such as organic EL televisions and solar cells. is not limited to these.

1 기재
2 A층
3 앵커 코트층
4 권취식 전자선(EB) 증착 장치
5 권취실
6 권출 롤
7, 8, 9 권출측 가이드 롤
10 메인 드럼
11 하스 라이너
12 증착 재료
13 전자총
14 전자선
15, 16, 17 권취측 가이드 롤
18 권취 롤
19 증착 재료 B
20 증착 재료 C
1 description
2A floor
3 Anchor coat layer
4 Winding Electron Beam (EB) Deposition Apparatus
5 winding thread
6 Unwind Roll
7, 8, 9 Unwind side guide roll
10 main drum
11 hearth liner
12 deposition material
13 electron gun
14 electron beam
15, 16, 17 Winding-side guide roll
18 winding roll
19 Deposition material B
20 deposition material C

Claims (12)

기재의 적어도 편측에 A층을 갖고,
상기 A층은 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소, 및, 산소를 포함하고,
상기 A층 표면의 원자간력 현미경(AFM)에 의해 산출되는 산술 평균 거칠기(Ra)가 5.0nm 이하인 적층체.
having an A layer on at least one side of the substrate,
The A layer contains at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table, and oxygen;
The laminated body whose arithmetic mean roughness (Ra) computed by atomic force microscope (AFM) of the said A-layer surface is 5.0 nm or less.
기재의 적어도 편측에 A층을 갖고,
상기 A층은 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소, 및, 산소를 포함하고,
상기 A층은 양전자 빔법에 의해 측정되는 평균 수명이 0.935ns 이하인 적층체.
having an A layer on at least one side of the substrate,
The A layer contains at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table, and oxygen;
The layer A has an average lifetime measured by a positron beam method of 0.935 ns or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 A층은 마그네슘, 칼슘, 티타늄, 지르코늄, 아연, 및 알루미늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종, 및, 규소 또는 주석 또는 게르마늄 중 어느 하나를 포함하는 적층체.
3. The method according to claim 1 or 2,
The layer A is a laminate including one selected from the group consisting of magnesium, calcium, titanium, zirconium, zinc, and aluminum, and any one of silicon, tin, or germanium.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 A층은 비정질막인 적층체.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The layer A is a laminate of an amorphous film.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 A층은 X선 광전자 분광에 의해 측정되는 산소 원자(O1s)의 피크의 반값폭이 3.25eV 이하인 적층체.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The layer A is a laminate having a half width of the peak of oxygen atoms (O1s) measured by X-ray photoelectron spectroscopy of 3.25 eV or less.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
수증기 투과도가 5.0×10-2g/㎡/day 미만인 적층체.
6. The method according to any one of claims 1 to 5,
A laminate having a water vapor permeability of less than 5.0×10 -2 g/m 2 /day.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 A층은 상기 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소로서 마그네슘 및 규소, 또는 아연 및 규소를 포함하는 적층체.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The layer A is a laminate comprising magnesium and silicon, or zinc and silicon as at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 A층은 실리케이트 결합을 갖는 적층체.
8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The layer A is a laminate having a silicate bond.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
앵커 코트층을 갖고, 상기 앵커 코트층은 한쪽의 면이 상기 기재와 접하고, 다른쪽의 면이 상기 A층과 접하고 있는 적층체.
9. The method according to any one of claims 1 to 8,
A laminate comprising an anchor coat layer, wherein one side of the anchor coat layer is in contact with the substrate and the other side is in contact with the layer A.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 A층은 상기 주기표의 제2∼5, 및, 12∼14족의 원소로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2종의 원소로서 마그네슘 및 규소를 포함하고, X선 광전자 분광에 의해 측정되는 마그네슘(Mg) 원자 농도가 5∼50atm%, 규소(Si) 원자 농도가 2∼30atm%, 및 산소(O) 원자 농도가 45∼70atm%인 적층체.
10. The method according to any one of claims 1 to 9,
The layer A contains magnesium and silicon as at least two elements selected from the group consisting of elements of groups 2 to 5 and 12 to 14 of the periodic table, and magnesium (Mg) measured by X-ray photoelectron spectroscopy. ) A laminate having an atomic concentration of 5 to 50 atm%, a silicon (Si) atomic concentration of 2 to 30 atm%, and an oxygen (O) atomic concentration of 45 to 70 atm%.
제 10 항에 있어서,
상기 A층은 마그네슘(Mg) 원자와 규소(Si) 원자의 원자 농도(atm%)의 비율(Mg/Si)이 0.30∼11.00인 적층체.
11. The method of claim 10,
In the layer A, a ratio (Mg/Si) of an atomic concentration (atm%) of magnesium (Mg) atoms to silicon (Si) atoms is 0.30 to 11.00.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 A층이 진공 증착법에 의해 형성되는 층인 적층체.
12. The method according to any one of claims 1 to 11,
A laminate in which the layer A is a layer formed by vacuum deposition.
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