KR20210070637A - 유기발광다이오드 표시장치 - Google Patents

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KR20210070637A
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Abstract

본 발명은, 제1 내지 제4부화소를 포함하는 기판과; 상기 기판 상부의 상기 제2, 제3 및 제4부화소에 각각 배치되는 제1, 제2 및 제3컬러필터층과; 상기 기판 상부의 제1부화소에 배치되는 제1파장변환층과, 상기 제1 및 제2컬러필터층 상부에 각각 배치되는 제2 및 제3파장변환층과; 상기 제1 내지 제3파장변환층 상부의 상기 제1 내지 제4부화소에 각각 배치되는 발광다이오드를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.

Description

유기발광다이오드 표시장치 {Organic Light Emitting Diode Display Device}
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 특히, 파장변환층을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.
최근, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)가 널리 개발되어 다양한 분야에 적용되고 있다.
평판표시장치 중에서, 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED) 표시장치는 발광다이오드의 전자(electron) 주입 전극인 음극(cathode)과 정공(hole) 주입 전극인 양극(anode) 사이에 배치된 발광층에 전자 및 정공을 주입하여 전자와 정공의 결합에 의해 여기자(exciton)가 형성된 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다.
한편, 가상현실(virtual reality: VR)이나 증강현실(augmented reality: AR) 등에 사용되는 고해상도 소형 표시장치나 텔레비전에 사용되는 대형 표시장치에 적용하기 위한 백색 유기발광다이오드 표시장치가 연구 개발되고 있다.
백색 유기발광다이오드 표시장치는, 백색광을 방출하는 발광층과 백색광 중 특정색(특정파장)의 광만 투과하는 컬러필터층으로 구성되는데, 예를 들어, 백색광, 적색광, 녹색광, 청색광을 각각 방출하는 백색부화소, 적색부화소, 녹색부화소, 청색부화소를 포함한다.
이러한 백색 유기발광다이오드 표시장치에서는, 상대적으로 높은 색온도 및 휘도의 백색광을 방출하도록, 발광층이 다수의 스택(stack)을 포함하는 탠덤(tandem)구조를 갖고, 다수의 스택 중 하나는 2가지 이상의 색상의 광을 방출하도록 2가지 이상의 도펀트를 포함할 수 있다.
그런데, 하나의 스택에 포함되는 2가지 이상의 도펀트의 조합에 의하여 전류밀도에 따른 전하 분포의 차이와 백색 스펙트럼의 차이가 발생하고, 그 결과 백색 유기발광다이오드 표시장치의 계조별 백색 색온도 차이가 극명하게 나타나는 문제가 있다.
이를 해결하기 위하여, 백색광을 방출하는 발광층의 재료를 변경하거나 재료의 조성비를 조절할 수 있는데, 재료 변경 또는 재료의 조성비 조절의 범위는 매우 제한적이고 개발 난이도가 상당히 높다는 문제가 있다.
본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 파장변환층을 이용하여 발광층의 백색광을 상이한 색상의 광으로 변환함으로써, 고색온도 및 고휘도의 백색 스펙트럼이 안정적으로 구현되는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
그리고, 본 발명은, 파장변환층을 이용하여 발광층의 백색광을 상이한 색상의 광으로 변환하고, 컬러필터층을 이용하여 발광층의 백색광 중 특정 색상의 광을 투과시킴으로써, 다양한 백색 스펙트럼이 구현되고 색재현성이 향상되는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은, 제1 내지 제4부화소를 포함하는 기판과; 상기 기판 상부의 상기 제2, 제3 및 제4부화소에 각각 배치되는 제1, 제2 및 제3컬러필터층과; 상기 기판 상부의 제1부화소에 배치되는 제1파장변환층과, 상기 제1 및 제2컬러필터층 상부에 각각 배치되는 제2 및 제3파장변환층과; 상기 제1 내지 제3파장변환층 상부의 상기 제1 내지 제4부화소에 각각 배치되는 발광다이오드를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.
그리고, 상기 제1파장변환층은, 제1파장변환물질의 제1파장변환패턴과, 제2파장변환물질의 제2파장변환패턴을 포함하고, 상기 제2 및 제3파장변환층은 각각 제3 및 제4파장변환물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 내지 제4파장변환물질은, 양자점 또는 나노복합체 일 수 있다.
그리고, 상기 제1 내지 제4파장변환물질은, 350nm 내지 650nm의 흡수파장대를 갖고, 450nm 내지 750nm의 발광파장대를 가질 수 있다.
또한, 상기 제1 및 제2파장변환패턴은, 각각 다수의 바 형상, 그물 형상, 사각형 형상 중 하나를 가질 수 있다.
그리고, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4부화소는 각각 백색, 적색, 녹색 및 청색에 대응되고, 상기 제1, 제2 및 제3컬러필터층은 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 선택적으로 투과시키고, 상기 제1 및 제3파장변환물질은 청색광을 흡수하여 적색광을 방출하고, 상기 제2 및 제4파장변환물질은 청색광을 흡수하여 녹색광을 방출할 수 있다.
또한, 상기 발광다이오드는, 제1전극, 발광층 및 제2전극을 포함하고, 상기 발광층은, 제1청색광, 황록색광 및 제2청색광을 각각 방출하는 제1, 제2 및 제3발광물질층을 포함하거나, 제1청색광, 황록색광, 녹색광 및 제2청색광을 각각 방출하는 제1, 제2, 제3 및 제4발광물질층을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 유기발광다이오드 표시장치는, 상기 기판과 상기 발광다이오드 사이에 배치되고 요철형상을 갖는 다수의 마이크로 렌즈를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 다수의 마이크로 렌즈는 각각 볼록렌즈 형상 또는 오목렌즈 형상을 가질 수 있다.
그리고, 상기 유기발광다이오드 표시장치는, 상기 제1, 제2 및 제3파장변환층과 상기 발광다이오드 사이에 배치되는 제1평탄화층을 더 포함하고, 상기 다수의 마이크로 렌즈는 상기 제1평탄화층 상부에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1평탄화층과 상기 다수의 마이크로 렌즈는 동일한 굴절률을 가질 수 있다.
그리고, 상기 제1평탄화층은 상기 다수의 마이크로 렌즈보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
또한, 유기발광다이오드 표시장치는, 상기 제1, 제2 및 제3컬러필터층과 상기 제1, 제2 및 제3파장변환층 사이에 배치되는 제1평탄화층과; 상기 제1, 제2 및 제3파장변환층과 상기 발광다이오드 사이에 배치되는 제2평탄화층을 더 포함하고, 상기 다수의 마이크로 렌즈는 상기 기판과 상기 제1평탄화층 사이에 배치될 수 있다.
그리고, 상기 다수의 마이크로 렌즈는 상기 제1, 제2 및 제3컬러필터층과 상기 제1평탄화층 사이에 배치될 수 있다.
또한, 상기 다수의 마이크로 렌즈는 상기 기판과 상기 제1, 제2 및 제3컬러필터층 사이에 배치될 수 있다.
본 발명은, 파장변환층을 이용하여 발광층의 백색광을 상이한 색상의 광으로 변환함으로써, 고색온도 및 고휘도의 백색 스펙트럼이 안정적으로 구현되는 효과를 갖는다.
그리고, 본 발명은, 파장변환층을 이용하여 발광층의 백색광을 상이한 색상의 광으로 변환하고, 컬러필터층을 이용하여 발광층의 백색광 중 특정 색상의 광을 투과시킴으로써, 다양한 백색 스펙트럼이 구현되고 색재현성이 향상되는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 부화소를 도시한 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제1파장변환층을 도시한 평면도이다.
도 5은 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제1파장변환층을 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제1파장변환층을 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 발광다이오드를 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제4실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 발광다이오드를 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제1부화소의 제4광의 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제2, 제3 및 제4부화소의 제5, 제6 및 제7광의 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제5실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제6실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제7실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제8실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제9실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 블럭도이고, 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 부화소를 도시한 회로도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)는, 타이밍제어부(180), 데이터구동부(182), 게이트구동부(184) 및 표시패널(186)을 포함한다.
타이밍제어부(180)는, 그래픽카드 또는 TV시스템과 같은 외부시스템으로부터 전달되는 영상신호와 다수의 타이밍신호를 이용하여, 게이트제어신호, 데이터제어신호 및 영상데이터를 생성하고, 생성된 데이터제어신호 및 영상데이터는 데이터구동부(182)로 공급하고, 생성된 게이트제어신호는 게이트구동부(184)로 공급한다.
데이터구동부(182)는, 타이밍제어부(180)로부터 공급되는 데이터제어신호 및 영상데이터를 이용하여 데이터신호(데이터전압)를 생성하고, 생성된 데이터신호를 표시패널(186)의 데이터배선(DL)에 공급한다.
게이트구동부(184)는, 타이밍제어부(180)로부터 공급되는 게이트제어신호를 이용하여 게이트신호(게이트전압)를 생성하고, 생성된 게이트신호를 표시패널(186)의 게이트배선(GL)에 공급한다.
표시패널(186)은, 게이트신호 및 데이터신호를 이용하여 영상을 표시하는데, 서로 교차하는 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DL)과, 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DL)에 연결되는 부화소(도 2의 SP)를 포함한다.
예를 들어, 부화소(SP)는, 서로 교차하는 게이트배선(GL) 및 데이터배선(DL)에 의하여 정의될 수 있고, 각각이 백색, 적색, 녹색 및 청색에 대응되는 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)를 포함할 수 있다.
부화소(SP)는 다수의 박막트랜지스터를 포함하는데, 예를 들어, 부화소(SP)는 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터, 스토리지 커패시터 및 발광다이오드를 포함할 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)의 부화소(SP)는, 스위칭 박막트랜지스터(Ts), 구동 박막트랜지스터(Td), 스토리지 커패시터(Cs) 및 발광다이오드(De)를 포함한다.
스위칭 박막트랜지스터(Ts)는 게이트배선(GL)의 게이트신호에 따라 데이터배선(DL)의 데이터신호를 구동 박막트랜지스터(Td)에 공급하고, 구동 박막트랜지스터(Td)는 스위칭 박막트랜지스터(Ts)를 통하여 게이트전극에 인가되는 데이터신호에 따라 고전위전압(ELVDD)을 발광 다이오드(De)에 공급한다.
발광다이오드(De)는 데이터신호의 전압과 저전위전압(ELVSS)의 전압차에 따른 상이한 전류를 이용하여 다양한 계조(gray level)를 표시한다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도로서, 하부발광(bottom emission) 방식을 예로 들어 설명한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)는, 기판(120), 절연막(122, 124, 126), 컬러필터층(132, 134, 136), 파장변환층(146, 148, 150), 제1전극(160), 발광층(162), 제2전극(164)을 포함한다.
기판(120)은 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)를 포함하는데, 예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 각각 백색, 적색, 녹색 및 청색에 대응될 수 있다.
예를 들어, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)는 하나의 화소를 구성하고, 제1부화소(SP1)는 하나의 화소에 대하여 약 0.3(약 30%) ~ 약 0.7(약 70%)의 면적비를 갖고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)는 각각 하나의 화소에 대하여 약 0.1(약 10%) ~ 약 0.3(약 30%)의 면적비를 가질 수 있다.
기판(120) 상부의 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 게이트절연층(122), 층간절연층(124), 보호층(126)이 배치되고, 게이트절연층(122), 층간절연층(124), 보호층(126) 사이에는 스위칭 박막트랜지스터(도 2의 Ts), 구동 박막트랜지스터(도 2의 Td) 및 스토리지 커패시터(도 2의 Cs)가 배치 될 수 있다.
예를 들어, 게이트절연층(122)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 반도체층 사이에 배치되고, 층간절연층(124)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극 사이에 배치되고, 보호층(126)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스전극 및 드레인전극 상부에 배치될 수 있다.
보호층(126) 상부의 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1, 제2 및 제3컬러필터층(122, 124, 126)이 배치되는데, 예를 들어, 제1, 제2 및 제3컬러필터층(122, 124, 126)은 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 선택적으로 투과시킬 수 있다.
보호층(126) 상부의 제1부화소(SP1)에는 제1파장변환층(146)이 배치되고, 제1 및 제2컬러필터층(132, 134) 상부에는 각각 제2 및 제3파장변환층(148, 150)이 배치된다.
제1파장변환층(146)은 제1 및 제2파장변환물질을 포함하고, 제2파장변환층(148)은 제3파장변환물질을 포함하고, 제3파장변환층(150)은 제4파장변환물질을 포함한다.
제1, 제2 및 제3파장변환층(146, 148, 150)의 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은, 단파장의 광을 흡수하여 장파장의 광을 방출하는 역할을 한다.
예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은 농도 또는 재료에 따라 흡수파장대 및 발광파장대를 조절할 수 있는 양자점(quantum dot) 또는 나노복합체(nanocomposite) 일 수 있다.
제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은, 약 350nm 내지 약 650nm의 흡수파장대를 갖고, 약 450nm 내지 약 750nm의 발광파장대를 가질 수 있는데, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 파장 별 흡수비율 및 파장 별 발광비율은 재료의 조성비 또는 종류에 따라 조절할 수 있다.
제1 및 제3파장변환물질은 동일물질 일 수 있고, 제2 및 제4파장변환물질은 동일물질 일 수 있다.
그리고, 제1 및 제2파장변환물질은 서로 상이한 흡수파장대 및 발광파장대를 가질 수 있고, 제3 및 제4파장변환물질은 서로 상이한 흡수파장대 및 발광파장대를 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제3파장변환물질은 약 450nm 내지 약 650nm의 흡수파장대와 약 550nm 내지 약 750nm의 발광파장대를 갖고, 제2 및 제4파장변환물질은 약 350nm 내지 약 550nm의 흡수파장대와 약 450nm 내지 약 650nm의 발광파장대를 가질 수 있다.
즉, 제1 및 제3파장변환물질은 청색광을 흡수하여 적색광을 방출하고, 제2 및 제4파장변환물질은 청색광을 흡수하여 녹색광을 방출할 수 있다.
그리고, 다른 실시예에서는, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제2 및 제3파장변환층(148, 150) 상부에 각각 청색 컬러필터층을 배치함으로써, 제2 및 제3파장변환층(148, 150)에 대한 입사광을 청색광으로 한정하여 파장변환효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 제1파장변환층(146)은 제1파장변환물질의 제1파장변환패턴(142)과 제2파장변환물질의 제2파장변환패턴(144)을 포함할 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.
도 4, 도 5 및 도 6은 각각 본 발명의 제1, 제2 및 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제1파장변환층을 도시한 평면도이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)의 제1부화소(SP1)에는, 제1파장변환물질의 제1파장변환패턴(142)과 제2파장변환물질의 제2파장변환패턴(144)을 포함하는 제1파장변환층(146)이 배치된다.
제1 및 제2파장변환패턴(142, 144)은, 각각 다수의 바(bar) 형상을 갖고, 서로 평행하게 이격되어 교대로 배치될 수 있다.
이에 따라, 제1부화소(SP1)는 제1파장변환물질이 배치되는 제1영역, 제2파장변환물질이 배치되는 제2영역, 제1 및 제2파장변환물질이 배치되지 않는 제1 및 제2파장변환패턴(142, 144) 사이의 제3영역으로 구분되고, 제1 내지 제3영역의 면적비를 변경하여 제1부화소(SP1)로부터 방출되는 백색광의 백색 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제1부화소(SP1)에는, 제1파장변환물질의 제1파장변환패턴(242)과 제2파장변환물질의 제2파장변환패턴(244)을 포함하는 제1파장변환층(246)이 배치된다.
제1 및 제2파장변환패턴(242, 244)은, 각각 그물(net) 형상을 가질 수 있다.
이에 따라, 제1부화소(SP1)는 제1파장변환물질이 배치되는 제1영역, 제2파장변환물질이 배치되는 제2영역, 제1 및 제2파장변환물질이 배치되지 않는 제1 및 제2파장변환패턴(242, 244) 사이의 제3영역으로 구분되고, 제1 내지 제3영역의 면적비를 변경하여 제1부화소(SP1)로부터 방출되는 백색광의 백색 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있다.
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제1부화소(SP1)에는, 제1파장변환물질의 제1파장변환패턴(342)과 제2파장변환물질의 제2파장변환패턴(344)을 포함하는 제1파장변환층(346)이 배치된다.
제1 및 제2파장변환패턴(342, 344)은, 각각 사각형 형상을 갖고, 서로 평행하게 이격되어 제1부화소(SP1)의 양측부에 배치될 수 있다.
이에 따라, 제1부화소(SP1)는 제1파장변환물질이 배치되는 제1영역, 제2파장변환물질이 배치되는 제2영역, 제1 및 제2파장변환물질이 배치되지 않는 제1 및 제2파장변환패턴(342, 344) 사이의 제3영역으로 구분되고, 제1 내지 제3영역의 면적비를 변경하여 제1부화소(SP1)로부터 방출되는 백색광의 백색 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 제1, 제2 및 제3파장변환층(146, 148, 150)과 제3컬러필터층(136) 상부에는 제1평탄화층(152)이 배치된다.
예를 들어, 제1평탄화층(152)은 포토아크릴과 같은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
제1평탄화층(152) 상부의 제1, 제2, 제3 내지 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1전극(160), 발광층(162) 및 제2전극(164)이 순차적으로 배치된다.
제1전극(160), 발광층(162) 및 제2전극(164)은 백색광을 방출하는 발광다이오드를 구성하는데, 제1전극(160)은 제1, 제2, 제3 내지 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에 각각 분리되어 배치되고, 발광층(162) 및 제2전극(164)은 각각 제1, 제2, 제3 내지 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4) 전면에 배치될 수 있다.
제1 및 제2전극(160, 164)은 각각 양극(anode) 및 음극(cathode) 일 수 있다.
도시하지는 않았지만, 제2전극(164) 상부에는 봉지층 및 봉지기판이 배치될 수 있다.
한편, 발광층(162)은 다수의 스택을 포함할 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.
도 7 및 도 8은 각각 본 발명의 제1 및 제4실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 발광다이오드를 도시한 단면도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)의 발광다이오드는 제1전극(160), 발광층(162) 및 제2전극(164)을 포함한다.
발광층(162)은 제1전극(160) 상부에 순차적으로 배치되는 제1, 제2 및 제3발광물질층(emitting material layer: EML)(166, 168, 170)을 포함하는데, 제1, 제2 및 제3발광물질층(166, 168, 170)은 각각 제1청색광, 황록색광 및 제2청색광을 방출할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 제1전극(160)과 제1발광물질층(166) 사이에는 정공주입층(hole injecting layer: HIL) 및 제1정공수송층(hole transporting layer: HTL)이 배치될 수 있다.
제1발광물질층(166)과 제2발광물질층(168) 사이에는 제1전자수송층(electron transporting layer: ETL), 제1전하생성층(charge generating layer: CGL) 및 제2정공수송층이 배치될 수 있다.
제2발광물질층(168)과 제3발광물질층(170) 사이에는 제2전자수송층, 제2전하생성층 및 제3정공수송층이 배치될 수 있다.
제3발광물질층(170)과 제2전극(164) 사이에는 제3전자수송층 및 전자주입층(electron injecting layer: EIL)이 배치될 수 있다.
정공주입층, 제1정공수송층, 제1발광물질층(166) 및 제1전자수송층은 제1청색광을 방출하기 위한 제1스택을 구성하고, 제2정공수송층, 제2발광물질층(168) 및 제2전자수송층은 황록색광을 방출하기 위한 제2스택을 구성하고, 제3정공수송층, 제3발광물질층(170), 제3전자수송층 및 전자주입층은 제2청색광을 방출하기 위한 제3스택을 구성할 수 있다.
즉, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)의 발광다이오드는, 제1, 제2 및 제3스택의 제1청색광, 황록색광, 제2청색광이 혼합된 백색광을 방출할 수 있다.
도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제4실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 발광다이오드는 제1전극(460), 발광층(462) 및 제2전극(464)을 포함한다.
발광층(462)은 제1전극(160) 상부에 순차적으로 배치되는 제1, 제2, 제3 및 제4발광물질층(emitting material layer: EML)(466, 468, 470, 472)을 포함하는데, 제1, 제2, 제3 및 제4발광물질층(466, 468, 470, 472)은 각각 제1청색광, 황록색광, 녹색광 및 제2청색광을 방출할 수 있다.
도시하지는 않았지만, 제1전극(460)과 제1발광물질층(466) 사이에는 정공주입층(hole injecting layer: HIL) 및 제1정공수송층(hole transporting layer: HTL)이 배치될 수 있다.
제1발광물질층(466)과 제2발광물질층(468) 사이에는 제1전자수송층(electron transporting layer: ETL), 제1전하생성층(charge generating layer: CGL) 및 제2정공수송층이 배치될 수 있다.
제2발광물질층(468)과 제3발광물질층(470)은 서로 직접 접촉할 수 있다.
제3발광물질층(470)과 제4발광물질층(472) 사이에는 제2전자수송층, 제2전하생성층 및 제3정공수송층이 배치될 수 있다.
제4발광물질층(472)과 제2전극(464) 사이에는 제3전자수송층 및 전자주입층(electron injecting layer: EIL)이 배치될 수 있다.
정공주입층, 제1정공수송층, 제1발광물질층(466) 및 제1전자수송층은 제1청색광을 방출하기 위한 제1스택을 구성하고, 제2정공수송층, 제2발광물질층(468), 제3발광물질층(470) 및 제2전자수송층은 황록색광 및 녹색광을 방출하기 위한 제2스택을 구성하고, 제3정공수송층, 제4발광물질층(472), 제3전자수송층 및 전자주입층은 제2청색광을 방출하기 위한 제3스택을 구성할 수 있다.
즉, 본 발명의 제4실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 발광다이오드는, 제1, 제2, 제3 및 제4스택의 제1청색광, 황록색광, 녹색광 및 제2청색광이 혼합된 백색광을 방출할 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 발광층(162)의 제1광(L1)은 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)로부터 각각 제4, 제5, 제6 및 제7광(L4, L5, L6, L7)으로 변환되어 방출된다.
제1부화소(SP1)에서, 발광층(162)의 제1광(L1)은, 제1파장변환층(146)의 제1 및 제2파장변환패턴(142, 144) 사이의 영역을 통과하여 변환 없이 제1광(L1)으로 방출되고, 제1파장변환층(146)의 제1파장변환패턴(142)에 의하여 변환되어 제2광(L2)으로 방출되고, 제1파장변환층(146)의 제2파장변환패턴(144)에 의하여 변환되어 제3광(L3)으로 방출된다.
즉, 발광층(162)의 제1광(L1)은, 제1 및 제2파장변환패턴(142, 144) 사이의 영역을 통과하는 제1광(L1)과, 제1파장변환패턴(142)에 의한 제2광(L2)과, 제2파장변환패턴(144)에 의한 제3광(L3)이 혼합된 제4광(L4)으로 변환되어 제1부화소(SP1)로부터 방출된다.
제2부화소(SP2)에서, 발광층(162)의 제1광(L1)은 제2파장변환층(148)에 의하여 제2광(L2)으로 변환되고, 제2파장변환층(148)의 제2광(L2)은 제1컬러필터층(132)에 의하여 변환되어 제5광(L5)으로 방출된다.
즉, 발광층(162)의 제1광(L1)은, 제2파장변환층(148) 및 제1컬러필터층(132)에 의하여 제5광(L5)으로 변환되어 제2부화소(SP2)로부터 방출된다.
제3부화소(SP3)에서, 발광층(162)의 제1광(L1)은 제3파장변환층(150)에 의하여 제3광(L3)으로 변환되고, 제3파장변환층(150)의 제3광(L3)은 제2컬러필터층(134)에 의하여 변환되어 제6광(L6)으로 방출된다.
즉, 발광층(162)의 제1광(L1)은, 제3파장변환층(150) 및 제2컬러필터층(134)에 의하여 제6광(L6)으로 변환되어 제3부화소(SP3)로부터 방출된다.
제4부화소(SP4)에서, 발광층(162)의 제1광(L1)은 제3컬러필터층(136)에 의하여 변환되어 제7광(L7)으로 방출된다.
즉, 발광층(162)의 제1광(L1)은, 제3컬러필터층(136)에 의하여 제7광(L7)으로 변환되어 제4부화소(SP4)로부터 방출된다.
한편, 제4, 제5, 제6 및 제7광(L4, L5, L6, L7)은 각각 백색광, 적색광, 녹색광 및 청색광 일 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.
도 9는 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제1부화소의 제4광의 스펙트럼을 도시한 도면이고, 도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 제2, 제3 및 제4부화소의 제5, 제6 및 제7광의 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)의 제1부화소(SP1)로부터 방출되는 제4광(L4)은, 청색광에 대응되는 제1성분(C1), 녹색광에 대응되는 제2성분(C2), 적색광에 대응되는 제3성분(C3)을 포함하는 백색광 일 수 있다.
여기서, 제1파장변환층(146)의 제1 및 제2파장변환패턴(142, 144)의 제1 및 제2파장변환물질의 재료의 조성비 또는 종류를 변경하여 제2 및 제3성분(C2, C3)의 스펙트럼(파장에 대한 세기)을 다양하게 조절할 수 있으며, 그 결과 제1부화소(SP1)로부터 방출되는 제4광(L4)의 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있다.
도 10에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)의 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)로부터 방출되는 제5, 제6 및 제7광(L5, L6, L7)은, 각각 적색광, 녹색광 및 청색광 일 수 있다.
여기서, 제2파장변환층(148)의 제3파장변환물질의 재료의 조성비 또는 종류를 변경하여 제2부화소(SP2)로부터 방출되는 제5광(L5)의 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있다.
그리고, 제3파장변환층(150)의 제4파장변환물질의 재료의 조성비 또는 종류를 변경하여 제3부화소(SP3)로부터 방출되는 제6광(L6)의 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 재료의 조성비 또는 종류를 변경하여 제1부화소(SP1)의 제4광(L4)의 백색 스펙트럼, 제2부화소(SP2)의 제5광(L5)의 적색 스펙트럼, 제3부화소(SP3)의 제6광(L6)의 녹색 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있으며, 그 결과 고색온도 및 고휘도의 다양한 백색 스펙트럼을 구현할 수 있다.
그리고, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제2 및 제3파장변환패턴(148, 150)을 이용하여 발광층(162)의 백색광을 각각 적색광 및 녹색광으로 변환하므로, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제1 및 제2컬러필터층(132, 134)의 두께를 감소시킬 수 있으며, 그 결과 광효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)의 제1, 제2 및 제3컬러필터층(132, 134, 136)을 통하여 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출하므로, 색재현성을 향상시킬 수 있다.
한편, 다른 실시예에서는 마이크로 렌즈를 이용하여 광추출효율을 향상시킬 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.
도 11은 본 발명의 제5실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도로서, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.
도 11에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제5실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치(510)는, 기판(520), 절연막(522, 524, 526), 컬러필터층(532, 534, 536), 파장변환층(546, 548, 550), 다수의 마이크로 렌즈(538), 제1전극(560), 발광층(562), 제2전극(564)을 포함한다.
기판(520)은 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)를 포함하는데, 예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 각각 백색, 적색, 녹색 및 청색에 대응될 수 있다.
예를 들어, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)는 하나의 화소를 구성하고, 제1부화소(SP1)는 하나의 화소에 대하여 약 0.3(약 30%) ~ 약 0.7(약 70%)의 면적비를 갖고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)는 각각 하나의 화소에 대하여 약 0.1(약 10%) ~ 약 0.3(약 30%)의 면적비를 가질 수 있다.
기판(520) 상부의 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 게이트절연층(522), 층간절연층(524), 보호층(526)이 배치되고, 게이트절연층(522), 층간절연층(524), 보호층(526) 사이에는 스위칭 박막트랜지스터(도 2의 Ts), 구동 박막트랜지스터(도 2의 Td) 및 스토리지 커패시터(도 2의 Cs)가 배치 될 수 있다.
예를 들어, 게이트절연층(522)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 반도체층 사이에 배치되고, 층간절연층(524)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극 사이에 배치되고, 보호층(526)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스전극 및 드레인전극 상부에 배치될 수 있다.
보호층(526) 상부의 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1, 제2 및 제3컬러필터층(522, 524, 526)이 배치된다.
보호층(526) 상부의 제1부화소(SP1)에는 제1파장변환층(546)이 배치되고, 제1 및 제2컬러필터층(532, 534) 상부에는 각각 제2 및 제3파장변환층(548, 550)이 배치된다.
제1파장변환층(546)은 제1 및 제2파장변환물질을 포함하고, 제2파장변환층(548)은 제3파장변환물질을 포함하고, 제3파장변환층(550)은 제4파장변환물질을 포함한다.
예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은 농도 또는 재료에 따라 흡수파장대 및 발광파장대를 조절할 수 있는 양자점(quantum dot) 또는 나노복합체(nanocomposite) 일 수 있다.
제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은, 약 350nm 내지 약 650nm의 흡수파장대를 갖고, 약 450nm 내지 약 450nm 내지 약 750nm의 발광파장대를 가질 수 있는데, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 파장 별 흡수비율 및 파장 별 발광비율은 재료의 조성비 또는 종류에 따라 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제3파장변환물질은 청색광을 흡수하여 적색광을 방출하고, 제2 및 제4파장변환물질은 청색광을 흡수하여 녹색광을 방출할 수 있다.
제1, 제2 및 제3파장변환층(546, 548, 550)과 제3컬러필터층(536) 상부에는 제1평탄화층(552)이 배치되고, 제1평탄화층(552) 상면에는 요철형상을 갖는 다수의 마이크로 렌즈(538)가 배치된다.
예를 들어, 제1평탄화층(552)은 포토아크릴과 같은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
그리고, 투과영역, 반투과영역, 차단영역을 포함하는 반투과 마스크를 이용하는 1회의 노광공정을 통하여 제1평탄화층(552)과 다수의 마이크로 렌즈(538)를 형성할 수 있다.
여기서, 제1평탄화층(552)과 다수의 마이크로 렌즈(538)는 동일한 굴절률을 가질 수 있으며, 예를 들어, 제1평탄화층(552)과 다수의 마이크로 렌즈(538)는 각각 약 1.45 내지 약 1.55의 굴절률을 가질 수 있다.
그리고, 다수의 마이크로 렌즈(538)은 각각 볼록렌즈 형상을 가질 수 있다.
제5실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(538)가 서로 이격되어 있는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(538) 중 적어도 2개가 서로 밀착하여 접촉하도록 배치될 수도 있다.
제1평탄화층(552) 상부의 제1, 제2, 제3 내지 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1전극(560), 발광층(562) 및 제2전극(564)이 순차적으로 배치되는데, 제1전극(560), 발광층(562) 및 제2전극(564)은 백색광을 방출하는 발광다이오드를 구성한다.
이때, 제1전극(560), 발광층(562) 및 제2전극(564)은 다수의 마이크로 렌즈(538)에 의하여 요철형상을 가질 수 있다.
이러한 본 발명의 제5실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(510)에서는, 다수의 마이크로 렌즈(538)에 의하여 제1전극(560) 및 제1평탄화층(552) 사이의 계면에서 전반사되어 소멸되는 광을 최소화 할 수 있으며, 그 결과 광추출효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 재료의 조성비 또는 종류를 변경하여 제1부화소(SP1)의 백색 스펙트럼, 제2부화소(SP2)의 적색 스펙트럼, 제3부화소(SP3)의 녹색 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있으며, 그 결과 고색온도 및 고휘도의 다양한 백색 스펙트럼을 구현할 수 있다.
또한, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제2 및 제3파장변환패턴(548, 550)을 이용하여 발광층(562)의 백색광을 각각 적색광 및 녹색광으로 변환하므로, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제1 및 제2컬러필터층(532, 534)의 두께를 감소시킬 수 있으며, 그 결과 광효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)의 제1, 제2 및 제3컬러필터층(532, 534, 536)을 통하여 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출하므로, 색재현성을 향상시킬 수 있다.
한편, 다른 실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈가 오목렌즈 형상을 갖고 서로 접촉하여 배치 될 수 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.
도 12는 본 발명의 제6실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도로서, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.
도 12에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제6실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치(610)는, 기판(620), 절연막(622, 624, 626), 컬러필터층(632, 634, 636), 파장변환층(646, 648, 650), 다수의 마이크로 렌즈(638), 제1전극(660), 발광층(662), 제2전극(664)을 포함한다.
기판(620)은 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)를 포함하는데, 예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 각각 백색, 적색, 녹색 및 청색에 대응될 수 있다.
예를 들어, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)는 하나의 화소를 구성하고, 제1부화소(SP1)는 하나의 화소에 대하여 약 0.3(약 30%) ~ 약 0.7(약 70%)의 면적비를 갖고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)는 각각 하나의 화소에 대하여 약 0.1(약 10%) ~ 약 0.3(약 30%)의 면적비를 가질 수 있다.
기판(620) 상부의 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 게이트절연층(622), 층간절연층(624), 보호층(626)이 배치되고, 게이트절연층(622), 층간절연층(624), 보호층(626) 사이에는 스위칭 박막트랜지스터(도 2의 Ts), 구동 박막트랜지스터(도 2의 Td) 및 스토리지 커패시터(도 2의 Cs)가 배치 될 수 있다.
예를 들어, 게이트절연층(622)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 반도체층 사이에 배치되고, 층간절연층(624)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극 사이에 배치되고, 보호층(626)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스전극 및 드레인전극 상부에 배치될 수 있다.
보호층(626) 상부의 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1, 제2 및 제3컬러필터층(632, 634, 636)이 배치된다.
보호층(626) 상부의 제1부화소(SP1)에는 제1파장변환층(646)이 배치되고, 제1 및 제2컬러필터층(632, 634) 상부에는 각각 제2 및 제3파장변환층(648, 650)이 배치된다.
제1파장변환층(646)은 제1 및 제2파장변환물질을 포함하고, 제2파장변환층(648)은 제3파장변환물질을 포함하고, 제3파장변환층(650)은 제4파장변환물질을 포함한다.
예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은 농도 또는 재료에 따라 흡수파장대 및 발광파장대를 조절할 수 있는 양자점(quantum dot) 또는 나노복합체(nanocomposite) 일 수 있다.
제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은, 약 350nm 내지 약 650nm의 흡수파장대를 갖고, 약 450nm 내지 약 450nm 내지 약 750nm의 발광파장대를 가질 수 있는데, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 파장 별 흡수비율 및 파장 별 발광비율은 재료의 조성비 또는 종류에 따라 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제3파장변환물질은 청색광을 흡수하여 적색광을 방출하고, 제2 및 제4파장변환물질은 청색광을 흡수하여 녹색광을 방출할 수 있다.
제1, 제2 및 제3파장변환층(646, 648, 650)과 제3컬러필터층(636) 상부에는 제1평탄화층(652)이 배치되고, 제1평탄화층(652) 상면에는 요철형상을 갖는 다수의 마이크로 렌즈(638)가 배치된다.
예를 들어, 제1평탄화층(652)은 포토아크릴과 같은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
그리고, 투과영역, 반투과영역, 차단영역을 포함하는 반투과 마스크를 이용하는 1회의 노광공정을 통하여 제1평탄화층(652)과 다수의 마이크로 렌즈(638)를 형성할 수 있다.
여기서, 제1평탄화층(652)과 다수의 마이크로 렌즈(638)는 동일한 굴절률을 가질 수 있으며, 예를 들어, 제1평탄화층(652)과 다수의 마이크로 렌즈(638)는 각각 약 1.45 내지 약 1.55의 굴절률을 가질 수 있다.
그리고, 다수의 마이크로 렌즈(638)는, 각각 오목렌즈 형상을 가질 수 있고, 서로 밀착하여 접촉하도록 배치될 수 있다.
제6실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(638)가 서로 밀착하여 접촉하는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(638) 중 적어도 2개가 서로 이격되도록 배치될 수도 있다.
제1평탄화층(652) 상부의 제1, 제2, 제3 내지 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1전극(660), 발광층(662) 및 제2전극(664)이 순차적으로 배치되는데, 제1전극(660), 발광층(662) 및 제2전극(664)은 백색광을 방출하는 발광다이오드를 구성한다.
이때, 제1전극(660), 발광층(662) 및 제2전극(664)은 다수의 마이크로 렌즈(638)에 의하여 요철형상을 가질 수 있다.
이러한 본 발명의 제6실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(610)에서는, 다수의 마이크로 렌즈(638)에 의하여 제1전극(660) 및 제1평탄화층(662) 사이의 계면에서 전반사되어 소멸되는 광을 최소화 할 수 있으며, 그 결과 광추출효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 재료의 조성비 또는 종류를 변경하여 제1부화소(SP1)의 백색 스펙트럼, 제2부화소(SP2)의 적색 스펙트럼, 제3부화소(SP3)의 녹색 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있으며, 그 결과 고색온도 및 고휘도의 다양한 백색 스펙트럼을 구현할 수 있다.
또한, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제2 및 제3파장변환패턴(648, 650)을 이용하여 발광층(662)의 백색광을 각각 적색광 및 녹색광으로 변환하므로, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제1 및 제2컬러필터층(632, 634)의 두께를 감소시킬 수 있으며, 그 결과 광효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)의 제1, 제2 및 제3컬러필터층(632, 634, 636)을 통하여 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출하므로, 색재현성을 향상시킬 수 있다.
도 13은 본 발명의 제7실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도로서, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.
도 13에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제7실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치(710)는, 기판(720), 절연막(722, 724, 726), 컬러필터층(732, 734, 736), 파장변환층(746, 748, 750), 다수의 마이크로 렌즈(738), 제1전극(760), 발광층(762), 제2전극(764)을 포함한다.
기판(720)은 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)를 포함하는데, 예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 각각 백색, 적색, 녹색 및 청색에 대응될 수 있다.
예를 들어, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)는 하나의 화소를 구성하고, 제1부화소(SP1)는 하나의 화소에 대하여 약 0.3(약 30%) ~ 약 0.7(약 70%)의 면적비를 갖고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)는 각각 하나의 화소에 대하여 약 0.1(약 10%) ~ 약 0.3(약 30%)의 면적비를 가질 수 있다.
기판(720) 상부의 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 게이트절연층(722), 층간절연층(724), 보호층(726)이 배치되고, 게이트절연층(722), 층간절연층(724), 보호층(726) 사이에는 스위칭 박막트랜지스터(도 2의 Ts), 구동 박막트랜지스터(도 2의 Td) 및 스토리지 커패시터(도 2의 Cs)가 배치 될 수 있다.
예를 들어, 게이트절연층(722)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 반도체층 사이에 배치되고, 층간절연층(724)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극 사이에 배치되고, 보호층(726)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스전극 및 드레인전극 상부에 배치될 수 있다.
보호층(726) 상부의 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1, 제2 및 제3컬러필터층(732, 734, 736)이 배치된다.
보호층(726) 상부의 제1부화소(SP1)에는 제1파장변환층(746)이 배치되고, 제1 및 제2컬러필터층(732, 734) 상부에는 각각 제2 및 제3파장변환층(748, 750)이 배치된다.
제1파장변환층(746)은 제1 및 제2파장변환물질을 포함하고, 제2파장변환층(748)은 제3파장변환물질을 포함하고, 제3파장변환층(750)은 제4파장변환물질을 포함한다.
예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은 농도 또는 재료에 따라 흡수파장대 및 발광파장대를 조절할 수 있는 양자점(quantum dot) 또는 나노복합체(nanocomposite) 일 수 있다.
제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은, 약 350nm 내지 약 650nm의 흡수파장대를 갖고, 약 450nm 내지 약 450nm 내지 약 750nm의 발광파장대를 가질 수 있는데, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 파장 별 흡수비율 및 파장 별 발광비율은 재료의 조성비 또는 종류에 따라 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제3파장변환물질은 청색광을 흡수하여 적색광을 방출하고, 제2 및 제4파장변환물질은 청색광을 흡수하여 녹색광을 방출할 수 있다.
제1, 제2 및 제3파장변환층(746, 748, 750)과 제3컬러필터층(736) 상부에는 제1평탄화층(752)이 배치되고, 제1평탄화층(752) 상부에는 요철형상을 갖는 다수의 마이크로 렌즈(738)가 배치된다.
예를 들어, 제1평탄화층(752)과 다수의 마이크로 렌즈(738)는 포토아크릴과 같은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
여기서, 제1평탄화층(752)과 다수의 마이크로 렌즈(738)는 상이한 굴절률을 가질 수 있는데, 예를 들어, 제1평탄화층(752)은 다수의 마이크로 렌즈(738)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
예를 들어, 제1평탄화층(752)은 약 1.45 내지 약 1.55의 굴절률을 갖고, 다수의 마이크로 렌즈(738)는 약 1.4 이하의 굴절률을 가질 수 있다.
제7실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(738)가 각각 볼록렌즈 형상을 갖는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(738)가 각각 오목렌즈 형상을 가질 수 있다.
제7실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(738)가 서로 이격되어 있는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(738) 중 적어도 2개가 서로 밀착하여 접촉하도록 배치될 수도 있다.
제1평탄화층(752)과 다수의 마이크로 렌즈(738) 상부의 제1, 제2, 제3 내지 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1전극(760), 발광층(762) 및 제2전극(764)이 순차적으로 배치되는데, 제1전극(760), 발광층(762) 및 제2전극(764)은 백색광을 방출하는 발광다이오드를 구성한다.
이때, 제1전극(760), 발광층(762) 및 제2전극(764)은 다수의 마이크로 렌즈(738)에 의하여 요철형상을 가질 수 있다.
이러한 본 발명의 제7실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(710)에서는, 다수의 마이크로 렌즈(738)에 의하여 제1전극(760) 및 제1평탄화층(752) 사이의 계면에서 전반사되어 소멸되는 광을 최소화 할 수 있으며, 그 결과 광추출효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 재료의 조성비 또는 종류를 변경하여 제1부화소(SP1)의 백색 스펙트럼, 제2부화소(SP2)의 적색 스펙트럼, 제3부화소(SP3)의 녹색 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있으며, 그 결과 고색온도 및 고휘도의 다양한 백색 스펙트럼을 구현할 수 있다.
또한, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제2 및 제3파장변환패턴(748, 750)을 이용하여 발광층(762)의 백색광을 각각 적색광 및 녹색광으로 변환하므로, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제1 및 제2컬러필터층(732, 734)의 두께를 감소시킬 수 있으며, 그 결과 광효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)의 제1, 제2 및 제3컬러필터층(732, 734, 736)을 통하여 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출하므로, 색재현성을 향상시킬 수 있다.
도 14는 본 발명의 제8실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도로서, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.
도 14에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제8실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치(810)는, 기판(820), 절연막(822, 824, 826), 컬러필터층(832, 834, 836), 파장변환층(846, 848, 850), 다수의 마이크로 렌즈(838), 제1전극(860), 발광층(862), 제2전극(864)을 포함한다.
기판(820)은 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)를 포함하는데, 예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 각각 백색, 적색, 녹색 및 청색에 대응될 수 있다.
예를 들어, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)는 하나의 화소를 구성하고, 제1부화소(SP1)는 하나의 화소에 대하여 약 0.3(약 30%) ~ 약 0.7(약 70%)의 면적비를 갖고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)는 각각 하나의 화소에 대하여 약 0.1(약 10%) ~ 약 0.3(약 30%)의 면적비를 가질 수 있다.
기판(820) 상부의 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 게이트절연층(822), 층간절연층(824), 보호층(826)이 배치되고, 게이트절연층(822), 층간절연층(824), 보호층(826) 사이에는 스위칭 박막트랜지스터(도 2의 Ts), 구동 박막트랜지스터(도 2의 Td) 및 스토리지 커패시터(도 2의 Cs)가 배치 될 수 있다.
예를 들어, 게이트절연층(822)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 반도체층 사이에 배치되고, 층간절연층(824)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극 사이에 배치되고, 보호층(826)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스전극 및 드레인전극 상부에 배치될 수 있다.
보호층(826) 상부의 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1, 제2 및 제3컬러필터층(822, 824, 826)이 배치된다.
제1부화소(SP1)의 보호층(826) 상부와 제1, 제2 및 제3컬러필터층(832, 834, 836) 상부에는 요철형상을 갖는 다수의 마이크로 렌즈(838)가 배치되고, 다수의 마이크로 렌즈(838) 상부에는 제1평탄화층(840)이 배치된다.
제1평탄화층(840) 상부의 제1, 제2 및 제3부화소(SP1, SP2, SP3)에는 각각 제1, 제2 및 제3파장변환층(846, 848, 850)이 배치된다.
제1파장변환층(846)은 제1 및 제2파장변환물질을 포함하고, 제2파장변환층(848)은 제3파장변환물질을 포함하고, 제3파장변환층(850)은 제4파장변환물질을 포함한다.
예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은 농도 또는 재료에 따라 흡수파장대 및 발광파장대를 조절할 수 있는 양자점(quantum dot) 또는 나노복합체(nanocomposite) 일 수 있다.
제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은, 약 350nm 내지 약 650nm의 흡수파장대를 갖고, 약 450nm 내지 약 450nm 내지 약 750nm의 발광파장대를 가질 수 있는데, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 파장 별 흡수비율 및 파장 별 발광비율은 재료의 조성비 또는 종류에 따라 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제3파장변환물질은 청색광을 흡수하여 적색광을 방출하고, 제2 및 제4파장변환물질은 청색광을 흡수하여 녹색광을 방출할 수 있다.
제1, 제2 및 제3파장변환층(846, 848, 850)과 제4부화소(SP4)의 제1평탄화층(840) 상부에는 제2평탄화층(852)이 배치된다.
예를 들어, 제1 및 제2평탄화층(840, 852)과 다수의 마이크로 렌즈(838)는 포토아크릴과 같은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
여기서, 제1 및 제2평탄화층(840, 852)은 동일한 굴절률을 갖고, 제1 및 제2평탄화층(840, 852)과 다수의 마이크로 렌즈(838)는 상이한 굴절률을 가질 수 있으며, 예를 들어, 제1 및 제2평탄화층(840, 852)은 각각 약 1.45 내지 약 1.55의 굴절률을 갖고, 다수의 마이크로 렌즈(838)는 약 1.4 이하의 굴절률을 가질 수 있다.
제8실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(838)가 각각 볼록렌즈 형상을 갖는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(838)가 각각 오목렌즈 형상을 가질 수 있다.
제7실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(838)가 서로 이격되어 있는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(838) 중 적어도 2개가 서로 밀착하여 접촉하도록 배치될 수도 있다.
제2평탄화층(852) 상부의 제1, 제2, 제3 내지 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1전극(860), 발광층(862) 및 제2전극(864)이 순차적으로 배치되는데, 제1전극(860), 발광층(862) 및 제2전극(864)은 백색광을 방출하는 발광다이오드를 구성한다.
이러한 본 발명의 제8실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(810)에서는, 다수의 마이크로 렌즈(838)에 의하여 제1평탄화층(840) 및 기판(820) 사이의 계면과 제1평탄화층(840) 및 컬러필터층(832, 834, 836) 사이의 계면에서 전반사되어 소멸되는 광을 최소화 할 수 있으며, 그 결과 광추출효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 재료의 조성비 또는 종류를 변경하여 제1부화소(SP1)의 백색 스펙트럼, 제2부화소(SP2)의 적색 스펙트럼, 제3부화소(SP3)의 녹색 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있으며, 그 결과 고색온도 및 고휘도의 다양한 백색 스펙트럼을 구현할 수 있다.
또한, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제2 및 제3파장변환패턴(848, 850)을 이용하여 발광층(862)의 백색광을 각각 적색광 및 녹색광으로 변환하므로, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제1 및 제2컬러필터층(832, 834)의 두께를 감소시킬 수 있으며, 그 결과 광효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)의 제1, 제2 및 제3컬러필터층(832, 834, 836)을 통하여 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출하므로, 색재현성을 향상시킬 수 있다.
도 15는 본 발명의 제9실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 단면도로서, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.
도 15에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제9실시예에 따른 유기발광 다이오드 표시장치(910)는, 기판(920), 절연막(922, 924, 926), 컬러필터층(922, 924, 926), 파장변환층(946, 948, 950), 다수의 마이크로 렌즈(938), 제1전극(960), 발광층(962), 제2전극(964)을 포함한다.
기판(920)은 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)를 포함하는데, 예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)는 각각 백색, 적색, 녹색 및 청색에 대응될 수 있다.
예를 들어, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)는 하나의 화소를 구성하고, 제1부화소(SP1)는 하나의 화소에 대하여 약 0.3(약 30%) ~ 약 0.7(약 70%)의 면적비를 갖고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)는 각각 하나의 화소에 대하여 약 0.1(약 10%) ~ 약 0.3(약 30%)의 면적비를 가질 수 있다.
기판(920) 상부의 제1, 제2, 제3 및 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 게이트절연층(922), 층간절연층(924), 보호층(926)이 배치되고, 게이트절연층(922), 층간절연층(924), 보호층(926) 사이에는 스위칭 박막트랜지스터(도 2의 Ts), 구동 박막트랜지스터(도 2의 Td) 및 스토리지 커패시터(도 2의 Cs)가 배치 될 수 있다.
예를 들어, 게이트절연층(922)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 반도체층 사이에 배치되고, 층간절연층(924)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 게이트전극과 소스전극 및 드레인전극 사이에 배치되고, 보호층(926)은 스위칭 박막트랜지스터(Ts) 및 구동 박막트랜지스터(Td)의 소스전극 및 드레인전극 상부에 배치될 수 있다.
보호층(922) 상부의 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에는 요철형상을 갖는 다수의 마이크로 렌즈(938)가 배치된다.
다수의 마이크로 렌즈(938) 상부의 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1, 제2 및 제3컬러필터층(932, 934, 936)이 배치된다.
제1부화소(SP1)의 다수의 마이크로 렌즈(938) 상부와 제1, 제2 및 제3컬러필터층(932, 934, 936) 상부에는 제1평탄화층(940)이 배치된다.
제1평탄화층(940) 상부의 제1, 제2 및 제3부화소(SP1, SP2, SP3)에는 각각 제1, 제2 및 제3파장변환층(946, 948, 950)이 배치된다.
제1파장변환층(946)은 제1 및 제2파장변환물질을 포함하고, 제2파장변환층(948)은 제3파장변환물질을 포함하고, 제3파장변환층(950)은 제4파장변환물질을 포함한다.
예를 들어, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은 농도 또는 재료에 따라 흡수파장대 및 발광파장대를 조절할 수 있는 양자점(quantum dot) 또는 나노복합체(nanocomposite) 일 수 있다.
제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질은, 약 350nm 내지 약 650nm의 흡수파장대를 갖고, 약 450nm 내지 약 450nm 내지 약 750nm의 발광파장대를 가질 수 있는데, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 파장 별 흡수비율 및 파장 별 발광비율은 재료의 조성비 또는 종류에 따라 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제3파장변환물질은 청색광을 흡수하여 적색광을 방출하고, 제2 및 제4파장변환물질은 청색광을 흡수하여 녹색광을 방출할 수 있다.
제1, 제2 및 제3파장변환층(946, 948, 950)과 제4부화소(SP4)의 제1평탄화층(940) 상부에는 제2평탄화층(952)이 배치된다.
예를 들어, 제1 및 제2평탄화층(940, 952)과 다수의 마이크로 렌즈(938)는 포토아크릴과 같은 유기절연물질을 포함할 수 있다.
여기서, 제1 및 제2평탄화층(940, 952)은 동일한 굴절률을 갖고, 제1 및 제2평탄화층(940, 952)과 다수의 마이크로 렌즈(938)는 상이한 굴절률을 가질 수 있으며, 예를 들어, 제1 및 제2평탄화층(940, 952)은 각각 약 1.45 내지 약 1.55의 굴절률을 갖고, 다수의 마이크로 렌즈(938)는 약 1.4 이하의 굴절률을 가질 수 있다.
제9실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(938)은 각각 볼록렌즈 형상을 갖는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(938)가 각각 오목렌즈 형상을 가질 수 있다.
제9실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(938)가 서로 이격되어 있는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 다수의 마이크로 렌즈(938) 중 적어도 2개가 서로 밀착하여 접촉하도록 배치될 수도 있다.
제2평탄화층(952) 상부의 제1, 제2, 제3 내지 제4부화소(SP1, SP2, SP3, SP4)에는 각각 제1전극(960), 발광층(962) 및 제2전극(964)이 순차적으로 배치되는데, 제1전극(960), 발광층(962) 및 제2전극(964)은 백색광을 방출하는 발광다이오드를 구성한다.
이러한 본 발명의 제9실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(910)에서는, 다수의 마이크로 렌즈(938)에 의하여 제1평탄화층(940) 및 기판(920) 사이의 계면과 컬러필터층(932, 934, 936) 및 기판(920) 사이의 계면에서 전반사되어 소멸되는 광을 최소화 할 수 있으며, 그 결과 광추출효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제1, 제2, 제3 및 제4파장변환물질의 재료의 조성비 또는 종류를 변경하여 제1부화소(SP1)의 백색 스펙트럼, 제2부화소(SP2)의 적색 스펙트럼, 제3부화소(SP3)의 녹색 스펙트럼을 다양하게 조절할 수 있으며, 그 결과 고색온도 및 고휘도의 다양한 백색 스펙트럼을 구현할 수 있다.
또한, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제2 및 제3파장변환패턴(948, 950)을 이용하여 발광층(962)의 백색광을 각각 적색광 및 녹색광으로 변환하므로, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3)의 제1 및 제2컬러필터층(932, 934)의 두께를 감소시킬 수 있으며, 그 결과 광효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 제2, 제3 및 제4부화소(SP2, SP3, SP4)의 제1, 제2 및 제3컬러필터층(932, 934, 936)을 통하여 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출하므로, 색재현성을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110: 유기발광 다이오드 표시장치 120: 기판
SP1, SP2, SP3, SP4: 제1, 제2, 제3, 제4부화소
132, 134, 136: 제1, 제2, 제3컬러필터층
146, 148, 150: 제1, 제2, 제3파장변환층
160: 제1전극 162: 발광층
164: 제2전극

Claims (15)

  1. 제1 내지 제4부화소를 포함하는 기판과;
    상기 기판 상부의 상기 제2, 제3 및 제4부화소에 각각 배치되는 제1, 제2 및 제3컬러필터층과;
    상기 기판 상부의 제1부화소에 배치되는 제1파장변환층과, 상기 제1 및 제2컬러필터층 상부에 각각 배치되는 제2 및 제3파장변환층과;
    상기 제1 내지 제3파장변환층 상부의 상기 제1 내지 제4부화소에 각각 배치되는 발광다이오드
    를 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1파장변환층은, 제1파장변환물질의 제1파장변환패턴과, 제2파장변환물질의 제2파장변환패턴을 포함하고,
    상기 제2 및 제3파장변환층은 각각 제3 및 제4파장변환물질을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4파장변환물질은, 양자점 또는 나노복합체인 유기발광다이오드 표시장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4파장변환물질은, 350nm 내지 650nm의 흡수파장대를 갖고, 450nm 내지 750nm의 발광파장대를 갖는 유기발광다이오드 표시장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2파장변환패턴은, 각각 다수의 바 형상, 그물 형상, 사각형 형상 중 하나를 갖는 유기발광다이오드 표시장치.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1, 제2, 제3 및 제4부화소는 각각 백색, 적색, 녹색 및 청색에 대응되고,
    상기 제1, 제2 및 제3컬러필터층은 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 선택적으로 투과시키고,
    상기 제1 및 제3파장변환물질은 청색광을 흡수하여 적색광을 방출하고,
    상기 제2 및 제4파장변환물질은 청색광을 흡수하여 녹색광을 방출하는 유기발광다이오드 표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광다이오드는, 제1전극, 발광층 및 제2전극을 포함하고,
    상기 발광층은, 제1청색광, 황록색광 및 제2청색광을 각각 방출하는 제1, 제2 및 제3발광물질층을 포함하거나, 제1청색광, 황록색광, 녹색광 및 제2청색광을 각각 방출하는 제1, 제2, 제3 및 제4발광물질층을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 발광다이오드 사이에 배치되고 요철형상을 갖는 다수의 마이크로 렌즈를 더 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 다수의 마이크로 렌즈는 각각 볼록렌즈 형상 또는 오목렌즈 형상을 갖는 유기발광다이오드 표시장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1, 제2 및 제3파장변환층과 상기 발광다이오드 사이에 배치되는 제1평탄화층을 더 포함하고,
    상기 다수의 마이크로 렌즈는 상기 제1평탄화층 상부에 배치되는 유기발광다이오드 표시장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1평탄화층과 상기 다수의 마이크로 렌즈는 동일한 굴절률을 갖는 유기발광다이오드 표시장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1평탄화층은 상기 다수의 마이크로 렌즈보다 큰 굴절률을 갖는 유기발광다이오드 표시장치.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1, 제2 및 제3컬러필터층과 상기 제1, 제2 및 제3파장변환층 사이에 배치되는 제1평탄화층과;
    상기 제1, 제2 및 제3파장변환층과 상기 발광다이오드 사이에 배치되는 제2평탄화층
    을 더 포함하고,
    상기 다수의 마이크로 렌즈는 상기 기판과 상기 제1평탄화층 사이에 배치되는 유기발광다이오드 표시장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 다수의 마이크로 렌즈는 상기 제1, 제2 및 제3컬러필터층과 상기 제1평탄화층 사이에 배치되는 유기발광다이오드 표시장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 다수의 마이크로 렌즈는 상기 기판과 상기 제1, 제2 및 제3컬러필터층 사이에 배치되는 유기발광다이오드 표시장치.
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