KR20210068922A - Low temperature atmospheric plasma generator for promoting prosthetic bonding - Google Patents

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KR20210068922A
KR20210068922A KR1020190158534A KR20190158534A KR20210068922A KR 20210068922 A KR20210068922 A KR 20210068922A KR 1020190158534 A KR1020190158534 A KR 1020190158534A KR 20190158534 A KR20190158534 A KR 20190158534A KR 20210068922 A KR20210068922 A KR 20210068922A
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고경탁
조영옥
이현승
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(주)폴리바이오텍
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Abstract

The present invention relates to a low-temperature atmospheric plasma generating device for prosthetic bonding promotion, which applies argon gas as plasma generating gas, applies oxygen gas as reactive gas, and can adjust a plasma driving voltage and a driving frequency in accordance with a use condition to vary the length of the plasma jet. According to the present invention, plasma properties (wettability, adhesion, bonding, biocompatibility, surface reinforcement, surface heat resistance modification, sterilization, removal of harmful proteins and bacteria, etc.) which are already verified in an industrial field are applied. Accordingly, surface treatment and bonding strength of a dental prosthesis, such as medical resin, which is mostly used among dental prosthesis manufacturing materials.

Description

보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치{Low temperature atmospheric plasma generator for promoting prosthetic bonding}Low temperature atmospheric plasma generator for promoting prosthetic bonding

본 발명은 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로서, 플라즈마 발생가스로서 아르곤가스를 적용하고, 반응성 가스로 산소가스를 적용하며, 플라즈마 제트의 길이를 가변하기 위해서 플라즈마 구동전압과 구동 주파수를 사용 조건에 따라 조절할 수 있는 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.The present invention relates to a low-temperature atmospheric pressure plasma generator for facilitating bonding of a prosthesis. Argon gas is applied as a plasma generating gas, oxygen gas is applied as a reactive gas, and a plasma driving voltage and driving frequency to vary the length of a plasma jet. It relates to a low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting prosthetic bonding, which can be adjusted according to the conditions of use.

플라즈마는 기체에 에너지를 가함에 따라 전자와 이온으로 분리되어 공간 중에 전자와 이온으로 공존하는 입자들의 집합체이며, 자유 입자에 가까운 브라운 동동을 하면서도 전기적으로 중성을 유지하므로 전기적으로 이온화된 전도성 가스라고 할 수 있다. Plasma is an aggregate of particles that are separated into electrons and ions as energy is applied to the gas and coexist as electrons and ions in space. can

이러한 플라즈마의 극대화된 반응성을 이용하는 기술은 만성 상처나 피부 질환 치료, 조직 공학, 종양 치료, 치과 치료 등을 예로 들 수는 있는 바이오 메디칼 분야, 플라즈마 발생에 의해 생성되는 활성종의 살균이나 탈취 기능을 이용한 공기질 제어 또는 오염 물체의 멸균/소독 분야, 새로운 물질의 합성이나 가공 방법의 개선을 위한 공업 분야 등의 다양한 분야에서 그 활용 가치가 대두되고 있다.The technology using the maximized reactivity of this plasma has the sterilization or deodorization function of active species generated by plasma generation in the biomedical field, such as chronic wound or skin disease treatment, tissue engineering, tumor treatment, dental treatment, etc. Its utility value is emerging in various fields such as used air quality control or sterilization/disinfection of polluting substances, and industrial fields for the improvement of synthesis or processing methods of new substances.

상업적 또는 공업적으로는 장벽 방전(Barrier Discharge), 플라즈마 제트 또는 코로나 방전 방식으로 발생시킨 대기압 저온 플라즈마가 많이 연구되고 응용되며, 특히, 인간 생활에 직접으로 관련된 바이오 메디컬 분야 또는 멸균/소독 분야 등에서는 불활성 가스를 주입하면서 바늘 전극 구조에 고전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 제트 기술 또는 국내등록특허 제10-1407672호에 개시한 바와 같이 고전압을 인가하는 평행 평판의 두 전극 사이에 유전체를 개재하여 플라즈마를 발생시키는 유전체 장벽 방전(Dielectric Barrier Discharge)을 이용한 대기압 저온 플라즈마 발생기가 많이 개발되어 사용되고 있다.Commercially or industrially, atmospheric pressure low-temperature plasma generated by barrier discharge, plasma jet, or corona discharge method has been studied and applied a lot, and in particular, in the field of biomedical or sterilization/disinfection directly related to human life, Plasma jet technology that generates plasma by applying a high voltage to the needle electrode structure while injecting an inert gas, or as disclosed in Korean Patent No. 10-1407672, plasma by interposing a dielectric between two electrodes of a parallel plate that applies a high voltage Atmospheric pressure low-temperature plasma generators using dielectric barrier discharge that generate

그러나, 종래 기술에 따른 플라즈마 발생기는 가스 주입을 위한 구조 및 플라즈마 생성을 위한 구조가 복잡하게 구성되거나, 또는 발생시킨 전자와 이온의 재결합에 의한 플라즈마의 소멸을 고려하여 플라즈마가 발생하는 부위를 플라즈마 처리 대상물에 근접시키는 구조로 실제 다양한 용도로 사용하는 데 제한이 있다.However, in the plasma generator according to the prior art, a structure for gas injection and a structure for plasma generation are complicatedly configured, or a plasma treatment region is treated in consideration of the annihilation of plasma by recombination of generated electrons and ions. It is a structure that is close to the object, and there is a limit to its practical use for various purposes.

한편, 기판의 표면을 처리하는 방법에는 예를 들면 기판의 표면으로부터 유기 물질과 같은 오염물의 제거, 레지스트(resist)의 제거, 유기 필름의 접착, 표면 변형, 필름 형성의 향상, 금속 산화물의 환원, 또는 액정용 유리 기판의 세정 등은 크게 화학 약품을 이용한 방법과 플라즈마를 이용한 방법이 있다. 이 중에서 화학 약품을 이용한 방법은 화학약품이 환경에 악영향을 미친다는 단점이 있다.On the other hand, methods for treating the surface of the substrate include, for example, removal of contaminants such as organic substances from the surface of the substrate, removal of resist, adhesion of organic film, surface modification, improvement of film formation, reduction of metal oxide, Alternatively, cleaning of the glass substrate for liquid crystal is largely divided into a method using a chemical agent and a method using a plasma. Among them, the method using chemicals has a disadvantage that chemicals adversely affect the environment.

플라즈마를 이용한 표면처리의 일 예로는 저온 및 저압 상태의 플라즈마를 이용하는 방법을 들 수 있다. 저온 및 저압 플라즈마를 이용한 표면처리 방법은 저온 및 저압의 진공조 내에 플라즈마를 발생시켜 이들을 기판의 표면과 접촉시켜 기판 표면을 처리하는 것이다. An example of the surface treatment using plasma may be a method using plasma in a low temperature and low pressure state. A surface treatment method using low-temperature and low-pressure plasma is to generate plasma in a low-temperature and low-pressure vacuum chamber and contact them with the surface of the substrate to treat the surface of the substrate.

이러한 저온 및 저압 상태의 플라즈마를 이용하는 표면처리방법은 우수한 효과에도 불구하고 널리 이용되지는 않고 있는 실정인데, 이는 저압을 유지하기 위해 진공 장치가 필요하게 되고, 따라서 대기압 상태에서 수행되는 연속 공정에 적용하기 곤란하기 때문이다. 이에 따라 최근에는 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 표면처리에 이용하고자 하는 연구가 매우 활발히 이루어지고 있다.The surface treatment method using such low-temperature and low-pressure plasma is a situation that is not widely used despite its excellent effect, which requires a vacuum device to maintain a low pressure, and thus is applied to a continuous process performed at atmospheric pressure. because it is difficult to do. Accordingly, recently, studies to generate plasma under atmospheric pressure and use it for surface treatment have been actively conducted.

대한민국 공개특허 제10-2011-0123750호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2011-0123750 대한민국 공개특허 제10-2012-0005870호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2012-0005870 대한민국 공개특허 제10-2012-0005862호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2012-0005862

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 플라즈마 발생가스로서 아르곤가스를 적용하고, 반응성 가스로 산소가스를 적용하며, 플라즈마 제트의 길이를 가변하기 위해서 플라즈마 구동 전압과, 구동 주파수, 가스 유량을 사용 조건에 따라 조절할 수 있는 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the conventional problems as described above, by applying argon gas as a plasma generating gas, oxygen gas as a reactive gas, and a plasma driving voltage, a driving frequency, and a plasma driving voltage to vary the length of the plasma jet. An object of the present invention is to provide a low-temperature atmospheric pressure plasma generator for facilitating bonding of a prosthesis, in which a gas flow rate can be adjusted according to usage conditions.

또한, 본 발명은 저온 대기압하에서 처리대상물의 표면 처리를 신속 및 정확하게 할 수 있고, 플라즈마의 분출에 직진성을 부여하여 플라즈마에 노출시킬 처리대상물 또는 설정된 위치에 대량의 플라즈마를 발생시킬 수 있는 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. In addition, the present invention can rapidly and accurately treat the surface of the object to be treated under low-temperature atmospheric pressure, and promote bonding of the object to be treated or a prosthesis capable of generating a large amount of plasma at a set position by imparting straightness to the ejection of plasma. An object of the present invention is to provide a low-temperature atmospheric pressure plasma generator for

또한, 본 발명은 산업현장에서 이미 검증된 플라즈마의 특성을 적용하여 치과 보철물 제작 재료 중 가장 많이 사용되는 의료용 레진의 결합력 향상 및 기존 공정의 문제점을 개선하여, 효율적이고 경제적인 치과용 보철물의 표면처리 및 접합을 위한 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.In addition, the present invention applies the properties of plasma that have already been verified in the industrial field to improve the bonding strength of medical resin, which is the most used among the materials for manufacturing dental prostheses, and improve the problems of the existing process, so that the surface treatment of the dental prosthesis is efficient and economical. and to provide a low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting bonding of a prosthesis for bonding.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치는 적어도 하나 이상의 가스 및 전원을 공급받아 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 제트유닛과; 적어도 하나 이상의 가스를 혼합하여 상기 플라즈마 제트유닛에 공급하는 가스공급부와; 상기 플라즈마 제트유닛에 전원을 공급하는 전원공급부와; 상기 플라즈마 제트유닛으로 인가되는 전원 및 상기 가스공급부의 동작을 제어하는 컨트롤러;를 구비하고, 상기 플라즈마 제트유닛은 상기 가스공급부에서 공급되는 가스가 통과할 수 있도록 내측에 길이방향을 따라 중공부가 형성되고 석영으로 형성된 석영튜브와, 상기 석영튜브의 일 측 단부에서 중공부를 통해 상기 석영튜브의 타 측 단부를 향해 일정 길이 삽입되고 상기 전원공급부를 통해 전원이 인가되는 제1전극부와, 상기 제1전극부의 단부와 일정 거리 이격된 상기 석영튜브의 타 측에 상기 석영튜브의 외주면을 감싸도록 상기 석영튜브의 원주방향을 따라 링 형상으로 설치되고 상기 전원공급부를 통해 전원이 인가되는 제2전극부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In accordance with the present invention for achieving the above object, there is provided a low-temperature atmospheric pressure plasma generator for facilitating bonding of a prosthesis, comprising: a plasma jet unit for generating plasma by receiving at least one or more gases and power; a gas supply unit for mixing at least one gas and supplying it to the plasma jet unit; a power supply unit for supplying power to the plasma jet unit; and a controller for controlling the power applied to the plasma jet unit and the operation of the gas supply unit, wherein the plasma jet unit has a hollow portion formed therein along the longitudinal direction to allow the gas supplied from the gas supply unit to pass therethrough, A quartz tube formed of quartz, a first electrode part inserted for a predetermined length from one end of the quartz tube toward the other end of the quartz tube through a hollow part, and to which power is applied through the power supply, the first electrode; A second electrode part installed in a ring shape along the circumferential direction of the quartz tube so as to surround the outer circumferential surface of the quartz tube on the other side of the quartz tube spaced apart from the end of the part by a predetermined distance and receiving power through the power supply part. characterized in that

상기 가스공급부는 제1가스가 저장된 제1가스저장부와, 상기 제1가스저장부에서 공급되는 제1가스의 압력을 조정하는 제1레귤레이터와, 상기 제1레귤레이터를 통과하는 제1가스의 유량을 조절하는 제1유량제어기와, 제2가스가 저장된 제2가스저장부와, 상기 제2가스저장부에서 공급되는 제2가스의 압력을 조정하는 제2레귤레이터와, 상기 제2레귤레이터를 통과하는 제2가스의 유량을 조절하는 제2유량제어기와, 상기 제1유량제어기 및 상기 제2유량제어기를 각각 통과한 제1가스와 제2가스를 혼합시시켜 상기 플라즈마 제트유닛으로 공급하는 가스혼합부와, 상기 가스혼합기에서 상기 플라즈마 제트유닛으로 공급되는 혼합된 가스의 유량을 측정하는 유량계를 구비하는 것을 특징으로 한다.The gas supply unit includes a first gas storage unit storing a first gas, a first regulator adjusting the pressure of the first gas supplied from the first gas storage unit, and a flow rate of the first gas passing through the first regulator. A first flow controller for controlling the flow rate, a second gas storage unit storing a second gas, a second regulator adjusting the pressure of the second gas supplied from the second gas storage unit, and the second regulator passing through A second flow controller for controlling the flow rate of the second gas, and a gas mixing unit for mixing the first gas and the second gas that have passed through the first flow controller and the second flow controller, respectively, and supplying the mixture to the plasma jet unit and a flow meter for measuring the flow rate of the mixed gas supplied from the gas mixer to the plasma jet unit.

상기 컨트롤러는 상기 전원공급부의 SMPS에서 출력되는 전압을 설정된 제1전압값으로 변환하여 출력하는 제1전압조정기와, 상기 전원공급부의 SMPS에서 출력되는 전압을 설정된 제2전압값으로 변환하여 출력하는 제2전압조정기와, 상기 제1전압조정기에서 출력되는 전원을 받아 상기 플라즈마 제트유닛의 제1전극부 및 제2전극부에 전원을 인가하는 플라즈마 구동부와, 상기 제2전압조정기에서 출력되는 전압값에 따라 상기 제1전압조정기를 제어하고 상기 플라즈마 구동부를 제어하며 상기 유량계에서 측정된 혼합가스의 유량을 디스플레이에 표시하고 상기 제1유량제어기 및 상기 제2유량제어기를 제어하는 마이크로프로세서를 포함하는 것을 특징으로 한다.The controller includes a first voltage regulator that converts the voltage output from the SMPS of the power supply unit into a set first voltage value and outputs a first voltage regulator that converts the voltage output from the SMPS of the power supply unit into a set second voltage value 2 voltage regulator, a plasma driving part receiving power output from the first voltage regulator and applying power to the first electrode part and the second electrode part of the plasma jet unit, and the voltage value output from the second voltage regulator and a microprocessor for controlling the first voltage regulator, controlling the plasma driving unit, displaying the flow rate of the mixed gas measured by the flow meter on a display, and controlling the first flow rate controller and the second flow rate controller do it with

상기 플라즈마 제트유닛에서 발생하는 플라즈마에 의해 플라즈마 주변에 발생하는 오존을 제거하는 오존제거유닛을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it further comprises an ozone removal unit for removing ozone generated around the plasma by the plasma generated from the plasma jet unit.

상기 오존제거유닛은 상기 내부를 따라 유로가 형성된 덕트부와, 상기 플라즈마 제트유닛의 단부에서 플라즈마와 함께 생성되는 오존을 상기 덕트부 내부로 흡입하여 외부로 배출시킬 수 있도록 상기 덕트부 내에 설치되는 흡입팬과, 상기 덕트부 내부에 설치되어 상기 덕트부의 유로를 따라 흐르는 공기를 가열하여 오존을 환원시키는 가열부와, 상기 덕트부 내부에 설치되어 상기 덕트부의 유로를 따라 흐르는 공기가 통과할 수 있게 형성되고, 공기에 포함된 오존을 환원시켜 분해 및 제거하는 이산화망간류 촉매가 마련된 오존제거부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The ozone removal unit includes a duct part having a flow path formed along the inside, and a suction installed in the duct part so that ozone generated together with plasma from the end of the plasma jet unit can be sucked into the duct part and discharged to the outside. a fan, a heating unit installed inside the duct unit to reduce ozone by heating the air flowing along the flow path of the duct unit; and a heating unit installed inside the duct unit to allow air flowing along the flow path of the duct unit to pass through and an ozone removal unit provided with a manganese dioxide catalyst for decomposition and removal by reducing ozone contained in air.

본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치는 표면 활성화 및 세정, 표면 개질 이외에도 치과나 기공소에서 사용되는 의료용 레진의 접착성 강화 등과 관련된 의료산업 분야에도 확장 적용 가능하며, 고가의 진공 장비가 필요 없고, 실온 대기압에서 2차 오염물 발생 없이 짧은 시간에 국부적인 표면처리 공정이 가능하며, 플라즈마 구동 전압과 구동 주파수를 가변하여 생산공정 또는 적용부의 형상에 맞게 제트의 길이를 가변할 수 있는 장점이 있다.The low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting the bonding of prostheses according to the present invention can be extended and applied to the medical industry related to strengthening the adhesiveness of medical resins used in dentistry or laboratories in addition to surface activation, cleaning, and surface modification, and expensive vacuum equipment The advantage of being able to change the length of the jet according to the shape of the production process or the application part by changing the plasma driving voltage and driving frequency is possible in a short time without the need for a surface treatment system without secondary contaminants at room temperature and atmospheric pressure. There is this.

또한, 본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치는 산업현장에서 이미 검증된 플라즈마의 특성(젖음성, 접착성, 결합성, 생체 적합성, 표면강화, 표면 열저항성의 개질, 살균, 유해 단백질 및 박테리아 제거 등)을 적용하여 치과 보철물 제작 재료 중 가장 많이 사용되는 의료용 레진과 같은 치과용 보철물의 표면처리 및 접합력을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, the low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting the bonding of prostheses according to the present invention provides plasma properties (wettability, adhesion, bondability, biocompatibility, surface reinforcement, modification of surface heat resistance, sterilization, and harmfulness) that have already been verified in the industrial field. Protein and bacteria removal, etc.) has the advantage of improving the surface treatment and bonding strength of dental prostheses such as medical resin, which is the most used material for making dental prostheses.

도 1은 본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치를 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치의 제어계통을 나타낸 블록도.
도 3은 본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치의 플라즈마 제트유닛을 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치의 오존제거유닛을 나타낸 단면도.
1 is a schematic view showing a low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting the bonding of a prosthesis according to the present invention.
Figure 2 is a block diagram showing the control system of the low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting the bonding of the prosthesis according to the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view showing a plasma jet unit of the low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting the bonding of the prosthesis according to the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view showing the ozone removal unit of the low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting the bonding of the prosthesis according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치에 대하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a low-temperature atmospheric pressure plasma generating apparatus for facilitating bonding of a prosthesis according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 4에는 본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치가 도시되어 있다. 도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치는 플라즈마 제트유닛(100)과, 가스공급부(200)와, 전원공급부(300)와, 컨트롤러(400)와, 오존제거유닛(500)을 구비한다.1 to 4 show a low-temperature atmospheric pressure plasma generator for facilitating bonding of a prosthesis according to the present invention. 1 to 4, the low-temperature atmospheric pressure plasma generating apparatus for promoting bonding of the prosthesis according to the present invention includes a plasma jet unit 100, a gas supply unit 200, a power supply unit 300, and a controller 400. and an ozone removal unit 500 .

플라즈마 제트유닛(100)은 적어도 하나 이상의 가스 및 전원을 공급받아 플라즈마를 발생시키는 것으로서, 하우징(101)과, 석영튜브(102)와, 제1전극부(103)와, 제2전극부(104)를 포함하여 구성된다.The plasma jet unit 100 generates plasma by receiving at least one or more gases and power, and includes a housing 101 , a quartz tube 102 , a first electrode part 103 , and a second electrode part 104 . ) is included.

하우징(101)은 내부에 장착공간이 형성되고, 하단 측에 플라즈마 제트가 방출되는 방출구가 형성되어 있으며, 상단 측에는 가스공급부(200)에서 공급되는 가스가 유입되는 유입부 및 제1전극부(103) 및 제2전극부(104)에 전원을 인가하기 위한 전선이 인입되는 인입부가 각각 마련된다.The housing 101 has a mounting space formed therein, an outlet for emitting a plasma jet is formed on the lower side, and an inlet and a first electrode unit through which the gas supplied from the gas supply unit 200 is introduced at the upper end ( 103) and the second electrode unit 104 are provided with lead-in portions through which electric wires for applying power are introduced, respectively.

석영튜브(102)는 하우징(101) 내부의 장착공간에 삽입 장착되고, 가스공급부(200)에서 공급되는 가스가 통과할 수 있도록 내측에 길이방향을 따라 중공부가 형성되며, 석영으로 형성된다.The quartz tube 102 is inserted and mounted in the mounting space inside the housing 101 , and a hollow portion is formed inside along the longitudinal direction so that the gas supplied from the gas supply unit 200 can pass therethrough, and is formed of quartz.

제1전극부(103)는 방전전극으로서, 석영튜브(102)의 일 측 단부에서 중공부를 통해 석영튜브(102)의 타 측 단부를 향해 일정 길이 삽입되고, 전선을 통해 전원공급부(300)에서 인가되는 전원을 공급받는다. 제1전극부(103)는 고전압에 사용 가능한 HV Elecrode(High Voltage Elecrode)를 적용하는 것이 바람직하다. 그리고, 석영튜브(102) 내측으로 진입된 제1전극부(103)의 단부는 안정적인 플라즈마 발생을 위해 날카롭게 형성된다.The first electrode unit 103 is a discharge electrode, which is inserted from one end of the quartz tube 102 toward the other end of the quartz tube 102 through a hollow portion at a certain length, and is inserted in the power supply unit 300 through an electric wire. The applied power is supplied. It is preferable that the first electrode part 103 applies an HV Elecrode (High Voltage Elecrode) that can be used for high voltage. In addition, the end of the first electrode part 103 that enters the quartz tube 102 is sharply formed for stable plasma generation.

제2전극부(104)는 유도전극으로서, 제1전극부(103)의 단부와 일정 거리 이격된 석영튜브(102)의 타 측에 석영튜브(102)의 외주면을 감싸도록 석영튜브(102)의 원주방향을 따라 링 형상으로 설치되고, 전선을 통해 전원공급부(300)에서 인가되는 전원을 공급받는다.The second electrode part 104 is an induction electrode, and the quartz tube 102 surrounds the outer circumferential surface of the quartz tube 102 on the other side of the quartz tube 102 spaced apart from the end of the first electrode part 103 by a predetermined distance. It is installed in a ring shape along the circumferential direction of , and receives power applied from the power supply unit 300 through an electric wire.

플라즈마 제트유닛(100)은 가스공급부(200)에서 공급되는 가스와, 제1전극부(103) 및 제2전극부(104)에 공급되는 고주파 전원에 의해 하우징(101)의 단부측에 마련된 방출구로 플라즈마 제트가 발생하며, 전원공급부(300) 및 가스 공급량을 제어하여 플라즈마 제트의 길이를 조절할 수 있다.The plasma jet unit 100 emits the gas supplied from the gas supply unit 200 and the high-frequency power supplied to the first electrode unit 103 and the second electrode unit 104, which is provided on the end side of the housing 101. Guro generates a plasma jet, and the length of the plasma jet can be adjusted by controlling the power supply 300 and the gas supply amount.

가스공급부(200)는 적어도 하나 이상의 가스를 혼합하여 플라즈마 제트유닛(100)에 공급하는 것으로서, 제1가스가 저장된 제1가스저장부(211)와, 제1가스저장부(211)에서 공급되는 제1가스의 압력을 조정하는 제1레귤레이터(212)와, 제1레귤레이터(212)를 통과하는 제1가스의 유량을 조절하는 제1유량제어기(213)와, 제2가스가 저장된 제2가스저장부(221)와, 제2가스저장부(221)에서 공급되는 제2가스의 압력을 조정하는 제2레귤레이터(222)와, 제2레귤레이터(222)를 통과하는 제2가스의 유량을 조절하는 제2유량제어기(223)와, 제1유량제어기(213) 및 제2유량제어기(223)를 각각 통과한 제1가스와 제2가스를 혼합시시켜 플라즈마 제트유닛(100)으로 공급하는 가스혼합부(230)와, 가스혼합기에서 플라즈마 제트유닛(100)으로 공급되는 혼합된 가스의 유량을 측정하는 유량계(240)를 구비한다.The gas supply unit 200 mixes at least one gas and supplies it to the plasma jet unit 100 , and a first gas storage unit 211 in which the first gas is stored, and the first gas storage unit 211 supplied from the first gas storage unit 211 . The first regulator 212 for adjusting the pressure of the first gas, the first flow controller 213 for adjusting the flow rate of the first gas passing through the first regulator 212, and the second gas stored in the second gas The storage unit 221 , the second regulator 222 regulating the pressure of the second gas supplied from the second gas storage unit 221 , and controlling the flow rate of the second gas passing through the second regulator 222 . The gas supplied to the plasma jet unit 100 by mixing the first gas and the second gas that have passed through the second flow controller 223 and the first flow controller 213 and the second flow controller 223 , respectively. It includes a mixing unit 230 and a flow meter 240 for measuring a flow rate of the mixed gas supplied from the gas mixer to the plasma jet unit 100 .

가스공급부(200)의 제1가스저장부(211)에는 산소가스가 저장되고, 제2가스저장부(221)에는 아르곤가스가 저장된다.Oxygen gas is stored in the first gas storage unit 211 of the gas supply unit 200 , and argon gas is stored in the second gas storage unit 221 .

제1유량제어기(213)는 가스혼합부(230)로 공급되는 산소가스의 유량을 가변시키고, 제2유량제어기(223)는 가스혼합부(230)로 공급되는 아르곤가스의 유량을 가변시키며, 제1유량제어기(213) 및 제2유량제어기(223)는 각각 후술하는 컨트롤러(400)의 마이크로프로세서(415)에 의해 제어된다. The first flow controller 213 varies the flow rate of the oxygen gas supplied to the gas mixing unit 230, and the second flow controller 223 varies the flow rate of the argon gas supplied to the gas mixing unit 230, The first flow controller 213 and the second flow controller 223 are each controlled by a microprocessor 415 of the controller 400 to be described later.

제1레귤레이터(212)와 제1유량제어기(213) 사이의 제1가스공급배관에는 제1가스의 역류방지를 위한 제1체크밸브가 설치되고, 제2레귤레이터(222)와 제2유량제어기(223) 사이의 제2가스공급배관에는 제2가스의 역류방지를 위한 제2체크밸브가 설치된다.A first check valve for preventing a reverse flow of the first gas is installed in the first gas supply pipe between the first regulator 212 and the first flow controller 213, and the second regulator 222 and the second flow controller ( 223), a second check valve for preventing the backflow of the second gas is installed in the second gas supply pipe.

그리고, 가스혼합부(230)와 유량계(240) 사이의 혼합가스공급배관에는 혼합가스공급배관의 유로를 개폐할 수 있는 차단밸브가 설치된다.In addition, a shut-off valve capable of opening and closing the flow path of the mixed gas supply pipe is installed in the mixed gas supply pipe between the gas mixing unit 230 and the flow meter 240 .

앞서 설명한 제1체크밸브 및 제2체크밸브와, 차단밸브는 후술하는 컨트롤러(400)에 의해 작동이 제어된다.The operation of the first check valve and the second check valve and the shut-off valve described above is controlled by the controller 400 to be described later.

전원공급부(300)는 플라즈마 제트유닛(100)에 전원을 공급하기 위한 것으로서, 플라즈마 구동부(413)에 플라즈바 발생을 위한 전원을 공급한다. The power supply unit 300 is for supplying power to the plasma jet unit 100 , and supplies power for generating a plasma bar to the plasma driving unit 413 .

컨트롤러(400)는 플라즈마 발생을 위해 플라즈마 제트유닛(100)을 구동하는 플라즈마 구동부(413)를 제어 및 가스공급부(200)의 동작을 제어한다.The controller 400 controls the plasma driving unit 413 that drives the plasma jet unit 100 to generate plasma and controls the operation of the gas supply unit 200 .

컨트롤러(400)는 전원공급부(300)의 SMPS에서 출력되는 전압을 설정된 제1전압값으로 변환하여 출력하는 제1전압조정기(411)와, 전원공급부(300)의 SMPS에서 출력되는 전압을 설정된 제2전압값으로 변환하여 출력하는 제2전압조정기(412)와, 제1전압조정기(411)에서 출력되는 전원을 받아 플라즈마 제트유닛(100)의 제1전극부(103) 및 제2전극부(104)에 전원을 인가하는 플라즈마 구동부(413)와, 제1유량제어기 및 제2유량제어기를 제어하는 유량제어부(414)와, 마이크로프로세서(415) 및 작동모드 선택부(416)를 포함한다.The controller 400 converts the voltage output from the SMPS of the power supply unit 300 into a set first voltage value and outputs the first voltage regulator 411, and sets the voltage output from the SMPS of the power supply unit 300. A second voltage regulator 412 that converts and outputs two voltage values, and a first electrode part 103 and a second electrode part of the plasma jet unit 100 receiving power output from the first voltage regulator 411 ( It includes a plasma driving unit 413 for applying power to 104 , a flow rate control unit 414 for controlling the first and second flow rate controllers, a microprocessor 415 , and an operation mode selection unit 416 .

마이크로프로세서(415)는 제2전압조정기(412)에서 출력되는 전압값에 따라 제1전압조정기(411)를 제어하고, 플라즈마 구동부(413)를 제어하며, 유량계(240)에서 측정된 혼합가스의 유량을 디스플레이(500)에 표시하고, 유량계(240)에서 측정되는 유량 정보를 토대로 제1유량제어기(213) 및 제2유량제어기(223)를 제어하여 플라즈마 제트유닛(100)으로 공급되는 혼합가스의 유량을 가변시킬 수 있다.The microprocessor 415 controls the first voltage regulator 411 according to the voltage value output from the second voltage regulator 412 , controls the plasma driver 413 , and controls the mixed gas measured by the flow meter 240 . The mixed gas supplied to the plasma jet unit 100 by displaying the flow rate on the display 500 and controlling the first flow rate controller 213 and the second flow rate controller 223 based on the flow rate information measured by the flow meter 240 . flow rate can be varied.

오존제거유닛(500)은 플라즈마 제트유닛(100)에서 발생하는 플라즈마 제트에 의해 플라즈마 제트 주변에 발생하는 오존을 제거하는 것으로서, 덕트부(510)와, 흡입팬(520)과, 가열부(530)와, 오존제거부(540)를 구비한다.The ozone removal unit 500 removes ozone generated around the plasma jet by the plasma jet generated from the plasma jet unit 100 , and includes a duct unit 510 , a suction fan 520 , and a heating unit 530 . ) and an ozone removal unit 540 .

덕트부(510)는 내부를 따라 유로가 형성되고, 플라즈마 제트유닛(100)이 수용된 챔버에 일 측이 연결된다. A flow path is formed along the inside of the duct part 510, and one side is connected to the chamber in which the plasma jet unit 100 is accommodated.

흡입팬(520)은 플라즈마 제트유닛(100)의 단부에서 플라즈마와 함께 생성되는 오존을 덕트부(510) 내부로 흡입하여 외부로 배출시킬 수 있도록 덕트부(510) 내에 설치된다. The suction fan 520 is installed in the duct part 510 to suck ozone generated together with plasma from the end of the plasma jet unit 100 into the duct part 510 and discharge it to the outside.

가열부(530)는 덕트부(510) 내부에 설치되어 덕트부(510)의 유로를 따라 흐르는 공기를 가열하여 공기에 포함된 오존을 환원시킨다.The heating unit 530 is installed inside the duct unit 510 to heat the air flowing along the flow path of the duct unit 510 to reduce ozone contained in the air.

오존제거부(540)는 덕트부(510) 내부에 설치되어 덕트부(510)의 유로를 따라 흐르는 공기가 통과할 수 있게 형성되고, 공기에 포함된 오존을 환원시켜 분해 및 제거하는 이산화망간류 촉매가 마련된다.The ozone removal unit 540 is installed inside the duct unit 510 to allow air flowing along the flow path of the duct unit 510 to pass therethrough, and a manganese dioxide catalyst for decomposing and removing ozone contained in the air by reducing it. is provided

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치의 작동 과정은 다음과 같다.The operation process of the low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting the bonding of the prosthesis according to the present invention as described above is as follows.

먼저, 전원 스위치를 켜고, 시스템을 초기화시킨 후, 외부 통신 기기와 연결 여부를 확인한다. 이후, 대기상태로 진입되며, 이 상태에서는 플라즈마 제트의 발생 시간 설정 및 파워 설정이 가능하다.First, turn on the power switch, initialize the system, and check whether it is connected to an external communication device. Thereafter, it enters the standby state, and in this state, it is possible to set the generation time and power of the plasma jet.

플라즈마 발생을 위한 작동 스위치를 켜면, 제1체크밸브 및 제2체크밸브가 개방되면서 제1가스와 제2가스가 가스혼합기에 공급되어 혼합된다. 이때, 컨트롤러(400)에서는 제1가스와 제2가스의 유량을 모니터링하고, 이상 발생시 디스플레이(500)에 에러를 표시 및 대기상태로 전환된다. 제1가스와 제2가스의 유량이 이상이 없는 경우 플라즈마 제트를 발생시키기 위한 스타트 버튼을 누르면 플라즈마 구동부(413)를 통해 제1전극부(103) 및 제2전극부(104)에 고주파 전원이 인가되고, 컨트롤러(400)의 마이크로프로세서(415)는 플라즈마 구동부(413)의 구동전압을 모니터링하고, 이상 발생시 디스플레이(500)에 에러를 표시 및 대기 상태로 전환된다. 설정된 시간이 지나면 플라즈마 제트 발생이 중단되는데, 설정된 시간 도중에도 스타트 버튼을 길게 누르면 비상정지시킬 수 있다.When the operation switch for plasma generation is turned on, the first check valve and the second check valve are opened, and the first gas and the second gas are supplied to the gas mixer and mixed. At this time, the controller 400 monitors the flow rates of the first gas and the second gas, and when an abnormality occurs, an error is displayed on the display 500 and converted to a standby state. When the flow rate of the first gas and the second gas is not abnormal, when the start button for generating the plasma jet is pressed, the high frequency power is supplied to the first electrode part 103 and the second electrode part 104 through the plasma driving part 413 . is applied, and the microprocessor 415 of the controller 400 monitors the driving voltage of the plasma driving unit 413 , and displays an error on the display 500 when an abnormality occurs and is converted to a standby state. Plasma jet generation stops after the set time has elapsed, and you can make an emergency stop by pressing and holding the start button even during the set time.

이상에서 설명한 본 발명에 따른 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치는 첨부된 도면을 참조로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. The low-temperature atmospheric pressure plasma generating apparatus for facilitating the bonding of the prosthesis according to the present invention described above has been described with reference to the accompanying drawings, but this is merely an example, and those of ordinary skill in the art can perform various modifications and equivalents therefrom. It will be appreciated that other embodiments are possible.

따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호의 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해서만 정해져야 할 것이다.Accordingly, the scope of true technical protection of the present invention should be defined only by the technical spirit of the appended claims.

100 : 플라즈마 제트유닛 101 : 하우징
102 : 석영튜브 103 : 제1전극부
104 : 제2전극부 200 : 가스공급부
211 : 제1가스저장부 212 : 제1레귤레이터
213 : 제1유량제어기 221 : 제2가스저장부
222 : 제2레귤레이터 223 : 제2유량제어기
230 : 가스혼합부 240 : 유량계
300 : 전원공급부 400 : 컨트롤러
411 : 제1전압조정기 412 : 제2전압조정기
413 : 플라즈마 구동부 414 : 유량제어부
415 : 마이크로프로세서 500 : 오존제거유닛
510 : 덕트부 520 : 흡입팬
530 : 가열부 540 : 오존제거부
100: plasma jet unit 101: housing
102: quartz tube 103: first electrode part
104: second electrode part 200: gas supply part
211: first gas storage unit 212: first regulator
213: first flow controller 221: second gas storage unit
222: second regulator 223: second flow controller
230: gas mixing unit 240: flow meter
300: power supply 400: controller
411: first voltage regulator 412: second voltage regulator
413: plasma driving unit 414: flow control unit
415: microprocessor 500: ozone removal unit
510: duct part 520: suction fan
530: heating unit 540: ozone removal unit

Claims (5)

적어도 하나 이상의 가스 및 전원을 공급받아 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 제트유닛과;
적어도 하나 이상의 가스를 혼합하여 상기 플라즈마 제트유닛에 공급하는 가스공급부와;
상기 플라즈마 제트유닛에 전원을 공급하는 전원공급부와;
상기 플라즈마 제트유닛으로 인가되는 전원 및 상기 가스공급부의 동작을 제어하는 컨트롤러;를 구비하고,
상기 플라즈마 제트유닛은 상기 가스공급부에서 공급되는 가스가 통과할 수 있도록 내측에 길이방향을 따라 중공부가 형성되고 석영으로 형성된 석영튜브와, 상기 석영튜브의 일 측 단부에서 중공부를 통해 상기 석영튜브의 타 측 단부를 향해 일정 길이 삽입되고 상기 전원공급부를 통해 전원이 인가되는 제1전극부와, 상기 제1전극부의 단부와 일정 거리 이격된 상기 석영튜브의 타 측에 상기 석영튜브의 외주면을 감싸도록 상기 석영튜브의 원주방향을 따라 링 형상으로 설치되고 상기 전원공급부를 통해 전원이 인가되는 제2전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치.
a plasma jet unit for generating plasma by receiving at least one or more gases and power;
a gas supply unit for mixing at least one gas and supplying it to the plasma jet unit;
a power supply unit for supplying power to the plasma jet unit;
A controller for controlling the power applied to the plasma jet unit and the operation of the gas supply unit;
The plasma jet unit includes a quartz tube having a hollow portion formed along the longitudinal direction on the inside so that the gas supplied from the gas supply unit can pass therethrough and formed of quartz, and the other side of the quartz tube through a hollow portion at one end of the quartz tube. a first electrode part inserted by a predetermined length toward the side end and to which power is applied through the power supply part, and the other side of the quartz tube spaced apart from the end of the first electrode part by a predetermined distance to surround the outer circumferential surface of the quartz tube A low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting bonding of a prosthesis, characterized in that it includes a second electrode part installed in a ring shape along the circumferential direction of the quartz tube and to which power is applied through the power supply part.
제1항에 있어서,
상기 가스공급부는 제1가스가 저장된 제1가스저장부와, 상기 제1가스저장부에서 공급되는 제1가스의 압력을 조정하는 제1레귤레이터와, 상기 제1레귤레이터를 통과하는 제1가스의 유량을 조절하는 제1유량제어기와, 제2가스가 저장된 제2가스저장부와, 상기 제2가스저장부에서 공급되는 제2가스의 압력을 조정하는 제2레귤레이터와, 상기 제2레귤레이터를 통과하는 제2가스의 유량을 조절하는 제2유량제어기와, 상기 제1유량제어기 및 상기 제2유량제어기를 각각 통과한 제1가스와 제2가스를 혼합시시켜 상기 플라즈마 제트유닛으로 공급하는 가스혼합부와, 상기 가스혼합기에서 상기 플라즈마 제트유닛으로 공급되는 혼합된 가스의 유량을 측정하는 유량계를 구비하는 것을 특징으로 하는 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치.
According to claim 1,
The gas supply unit includes a first gas storage unit storing a first gas, a first regulator adjusting the pressure of the first gas supplied from the first gas storage unit, and a flow rate of the first gas passing through the first regulator. A first flow controller for controlling the flow rate, a second gas storage unit storing a second gas, a second regulator adjusting the pressure of the second gas supplied from the second gas storage unit, and the second regulator passing through A second flow controller for adjusting the flow rate of the second gas, and a gas mixing unit for mixing the first gas and the second gas that have passed through the first flow controller and the second flow controller, respectively, and supplying the mixture to the plasma jet unit and a flow meter for measuring a flow rate of the mixed gas supplied from the gas mixer to the plasma jet unit.
제2항에 있어서,
상기 컨트롤러는 상기 전원공급부의 SMPS에서 출력되는 전압을 설정된 제1전압값으로 변환하여 출력하는 제1전압조정기와, 상기 전원공급부의 SMPS에서 출력되는 전압을 설정된 제2전압값으로 변환하여 출력하는 제2전압조정기와, 상기 제1전압조정기에서 출력되는 전원을 받아 상기 플라즈마 제트유닛의 제1전극부 및 제2전극부에 전원을 인가하는 플라즈마 구동부와, 상기 제2전압조정기에서 출력되는 전압값에 따라 상기 제1전압조정기를 제어하고 상기 플라즈마 구동부를 제어하며 상기 유량계에서 측정된 혼합가스의 유량을 디스플레이에 표시하고 상기 제1유량제어기 및 상기 제2유량제어기를 제어하는 마이크로프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치.
3. The method of claim 2,
The controller includes a first voltage regulator that converts the voltage output from the SMPS of the power supply unit into a set first voltage value and outputs a first voltage regulator that converts the voltage output from the SMPS of the power supply unit into a set second voltage value 2 voltage regulator, a plasma driving part receiving power output from the first voltage regulator and applying power to the first electrode part and the second electrode part of the plasma jet unit, and the voltage value output from the second voltage regulator and a microprocessor for controlling the first voltage regulator, controlling the plasma driving unit, displaying the flow rate of the mixed gas measured by the flow meter on a display, and controlling the first flow rate controller and the second flow rate controller Low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting prosthetic bonding.
제1항에 있어서,
상기 플라즈마 제트유닛에서 발생하는 플라즈마에 의해 플라즈마 주변에 발생하는 오존을 제거하는 오존제거유닛을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치.
According to claim 1,
A low-temperature atmospheric pressure plasma generator for promoting bonding of a prosthesis, characterized in that it further comprises an ozone removal unit for removing ozone generated around the plasma by the plasma generated from the plasma jet unit.
제4항에 있어서,
상기 오존제거유닛은
상기 내부를 따라 유로가 형성된 덕트부와,
상기 플라즈마 제트유닛의 단부에서 플라즈마와 함께 생성되는 오존을 상기 덕트부 내부로 흡입하여 외부로 배출시킬 수 있도록 상기 덕트부 내에 설치되는 흡입팬과,
상기 덕트부 내부에 설치되어 상기 덕트부의 유로를 따라 흐르는 공기를 가열하여 오존을 환원시키는 가열부와,
상기 덕트부 내부에 설치되어 상기 덕트부의 유로를 따라 흐르는 공기가 통과할 수 있게 형성되고, 공기에 포함된 오존을 환원시켜 분해 및 제거하는 이산화망간류 촉매가 마련된 오존제거부를 포함하는 것을 특징으로 하는 보철물 접합 촉진을 위한 저온 대기압 플라즈마 발생장치.
5. The method of claim 4,
The ozone removal unit
a duct part having a flow path formed along the inside;
a suction fan installed in the duct part to suck ozone generated together with plasma from the end of the plasma jet unit into the duct part and discharge it to the outside;
a heating unit installed inside the duct unit to heat the air flowing along the flow path of the duct unit to reduce ozone;
The prosthesis, characterized in that it is installed inside the duct part, is formed to allow air flowing along the flow path of the duct part to pass through, and includes an ozone removal part provided with a manganese dioxide catalyst for reducing and decomposing and removing ozone contained in the air. Low-temperature atmospheric pressure plasma generator to promote bonding.
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