KR20210055823A - Etching apparatus and method of manufacturing display device - Google Patents
Etching apparatus and method of manufacturing display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210055823A KR20210055823A KR1020190141470A KR20190141470A KR20210055823A KR 20210055823 A KR20210055823 A KR 20210055823A KR 1020190141470 A KR1020190141470 A KR 1020190141470A KR 20190141470 A KR20190141470 A KR 20190141470A KR 20210055823 A KR20210055823 A KR 20210055823A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- unit
- target substrate
- lower plate
- vacuum chamber
- disposed
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/162—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using laser ablation
-
- H01L51/0009—
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure
- B23K26/1224—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special atmosphere, e.g. in an enclosure in vacuum
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/60—Preliminary treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H01L2251/56—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 에칭 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an etching device and a method of manufacturing a display device.
정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광받고 있다. With the rapid development of information and communication technology and the expansion of the market, flat panel displays are in the spotlight as display devices.
이러한 평판표시소자(Flat Panel Display)에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이장치(Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 디스플레이(Organic Light Emitting Diode Display) 등이 있다. 이 중에서 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)는, 빠른 응답속도, 기존의 액정표시장치(LCD)보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 소자로 각광받고 있다.Such flat panel displays include a liquid crystal display, a plasma display panel, and an organic light emitting diode display. Among them, the OLED display has a fast response speed, lower power consumption than a conventional liquid crystal display (LCD), light weight, and the point that it can be made ultra-thin because it does not require a separate back light device. It has very good advantages such as high luminance, so it is receiving attention as a next-generation display device.
이러한 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)는 패턴(Pattern) 형성 공정, 유기박막 증착 공정, 에칭 공정, 봉지 공정, 그리고 유기박막이 증착된 기판과 봉지 공정을 거친 기판을 붙이는 합착 공정 등을 통해 제품으로 생산될 수 있다. 한편, 다양한 공정들 중에서 에칭 공정은, 기판의 표면에서 불필요한 부분을 에칭함으로써, 원하는 모양을 얻어내는 공정이다.These OLED displays are made into products through a pattern formation process, an organic thin film deposition process, an etching process, an encapsulation process, and a bonding process in which the substrate on which the organic thin film is deposited and the substrate that has undergone the sealing process are attached. Can be produced. On the other hand, among various processes, the etching process is a process of obtaining a desired shape by etching unnecessary portions on the surface of the substrate.
레이저 조사 유닛을 진공 챔버 상부에 위치시킴으로써, 대상 기판에서 분리되어 진공 챔버 하부로 낙하하는 파티클에 영향을 받지 않아 에칭 공정의 효율이 증가한 에칭 장치를 제공하는 것이다.By placing the laser irradiation unit above the vacuum chamber, there is provided an etching apparatus in which the efficiency of the etching process is increased because it is not affected by particles separated from the target substrate and falling below the vacuum chamber.
레이저 조사 유닛을 진공 챔버 상부에 위치시킴으로써, 대상 기판에서 분리되어 진공 챔버 하부로 낙하하는 파티클에 영향을 받지 않아 에칭 공정의 효율이 증가한 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a method of manufacturing a display device using an etching apparatus in which the efficiency of an etching process is increased because the laser irradiation unit is positioned above the vacuum chamber and is not affected by particles separated from the target substrate and falling below the vacuum chamber.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other technical problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상기 과제를 해결 하기 위한 일 실시예에 따른 에칭 장치는 내부에서 대상 기판에 대한 에칭 공정이 수행되는 진공 챔버로서, 상면에 투광창을 포함하는 진공 챔버, 상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 하부에 상기 대상 기판이 안착되는 기판 이송 유닛, 및 상기 진공 챔버의 외부에 배치되고, 상기 투광창을 통해 상기 진공 챔버 내부로 레이저 빔(Laser Beam)을 조사하여 상기 에칭 공정을 수행하는 레이저 조사 유닛을 포함하는 적어도 하나의 레이저 모듈을 포함한다. An etching apparatus according to an embodiment for solving the above problem is a vacuum chamber in which an etching process is performed on a target substrate, a vacuum chamber including a transparent window on an upper surface, and disposed inside the vacuum chamber, and A substrate transfer unit on which the target substrate is mounted, and a laser irradiation unit disposed outside the vacuum chamber and performing the etching process by irradiating a laser beam into the vacuum chamber through the transparent window And at least one laser module.
상기 레이저 모듈은 제1 광학계, 제2 광학계 및 스캐너를 더 포함하고, 상기 제1 광학계 및 상기 제2 광학계는 상기 레이저 조사 유닛에서 방출된 레이저 빔의 경로를 변경하여, 레이저 빔을 상기 스캐너로 전달하고, 상기 스캐너는 상기 레이저 빔을 상기 대상 기판을 향해 방출할 수 있다. The laser module further includes a first optical system, a second optical system, and a scanner, and the first optical system and the second optical system change the path of the laser beam emitted from the laser irradiation unit, and transmit the laser beam to the scanner. And, the scanner may emit the laser beam toward the target substrate.
상기 제1 광학계는 상기 레이저 빔을 반사하는 제1 미러부를 포함하고, 상기 제2 광학계는 상기 레이저 빔을 반사하는 제2 미러부를 포함할 수 있다.The first optical system may include a first mirror unit that reflects the laser beam, and the second optical system may include a second mirror unit that reflects the laser beam.
상기 기판 이송 유닛은 스테이지 유닛 및 척킹 유닛을 포함하고, 상기 대상 기판은 상기 척킹 유닛의 하면에 안착될 수 있다. The substrate transfer unit includes a stage unit and a chucking unit, and the target substrate may be mounted on a lower surface of the chucking unit.
상기 척킹 유닛은 상기 척킹 유닛을 관통하는 적어도 하나의 빔 투과용 홀을 포함할 수 있다. The chucking unit may include at least one beam transmitting hole penetrating the chucking unit.
상기 스테이지 유닛은 스테이지 상판 및 스테이지 하판을 포함하고, 상기 스테이지 상판은 틀 형상의 상판 테두리부 및 상기 상판 테두리부에 의해 둘러싸이며, 상기 레이저 빔을 투과시키는 상판 윈도우를 포함할 수 있다. The stage unit may include a stage upper plate and a stage lower plate, and the stage upper plate may include a frame-shaped upper plate rim and an upper plate window surrounded by the upper plate rim and transmitting the laser beam.
상기 스테이지 하판은 제1 방향 양측에 배치되는 하판 테두리부, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 양측에 배치되는 하판 단차부 및 상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부를 연결하는 하판 연결부를 포함하고, 상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부 사이에는 단차가 있을 수 있다. The stage lower plate includes a lower plate rim disposed on both sides in a first direction, a lower plate stepped part disposed on both sides in a second direction crossing the first direction, and a lower plate connecting part connecting the lower plate rim and the lower plate stepped part, There may be a step difference between the lower plate rim portion and the lower plate step portion.
상기 하판 단차부는 상기 하판 테두리부의 상부에 위치할 수 있다. The lower plate stepped portion may be located above the lower plate rim portion.
상기 진공 챔버의 외부에 배치되며, 상기 진공 챔버를 둘러싸는 광학계 정반을 더 포함할 수 있다. It is disposed outside the vacuum chamber and may further include an optical system platen surrounding the vacuum chamber.
상기 광학계 정반은 상기 진공 챔버 하부에 배치되는 하부 지지대, 상기 진공 챔버의 상부에 배치되는 상부 브릿지, 및 상기 하부 지지대와 상기 상부 브릿지를 연결하는 정반 연결부로 포함할 수 있다.The optical system platen may include a lower support disposed below the vacuum chamber, an upper bridge disposed above the vacuum chamber, and a platen connecting portion connecting the lower supporter and the upper bridge.
상기 레이저 모듈은 상기 상부 브릿지 상에 배치될 수 있다. The laser module may be disposed on the upper bridge.
상기 진공 챔버 내부에 배치되며, 상기 대상 기판을 검사하는 검사용 광학 유닛을 더 포함할 수 있다. It is disposed inside the vacuum chamber, and may further include an inspection optical unit for inspecting the target substrate.
상기 검사용 광학 유닛은 대상 기판의 하부에 위치할 수 있다.The inspection optical unit may be located under the target substrate.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 복수의 화소 및 상기 각 화소마다 배치된 발광 소자를 포함하는 대상 기판을 상면에 투광창을 포함하는 진공 챔버 내부로 투입하는 단계, 상기 대상 기판을 이송하여 기판 이송 유닛의 하부에 안착시키는 단계 및 상기 기판 이송 유닛의 외부에 배치된 레이저 조사 유닛으로부터 방출된 레이저 빔(Laser Beam)을 상기 투광창을 통해 상기 대상 기판에 조사하여 상기 대상 기판에 대한 에칭 공정을 수행하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment for solving the above problem includes the steps of introducing a target substrate including a plurality of pixels and a light emitting device disposed for each pixel into a vacuum chamber including a light-transmitting window on an upper surface thereof, Transferring the target substrate to the lower portion of the substrate transfer unit and irradiating a laser beam emitted from a laser irradiation unit disposed outside the substrate transfer unit to the target substrate through the light transmitting window. And performing an etching process on the target substrate.
상기 기판 이송 유닛은 스테이지 유닛 및 척킹 유닛으로 이루어지고, 상기 척킹 유닛은 상기 척킹 유닛을 관통하는 적어도 하나의 빔 투과용 홀을 포함하며, 상기 척킹 유닛의 하면에 상기 대상 기판을 안착할 수 있다. The substrate transfer unit includes a stage unit and a chucking unit, and the chucking unit includes at least one beam transmission hole penetrating through the chucking unit, and the target substrate may be mounted on a lower surface of the chucking unit.
상기 스테이지 유닛은 스테이지 상판 및 스테이지 하판을 포함하고, 상기 스테이지 상판은 틀 형상의 상판 테두리부 및 상기 상판 테두리부에 의해 둘러싸이며, 레이저 빔을 투과시키는 상판 윈도우를 포함할 수 있다. The stage unit may include a stage upper plate and a stage lower plate, and the stage upper plate may include a frame-shaped upper plate rim and an upper plate window that is surrounded by the upper plate rim and transmits a laser beam.
상기 스테이지 하판은 제1 방향 양측에 배치되는 하판 테두리부, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 양측에 배치되는 하판 단차부 및 상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부를 연결하는 하판 연결부를 포함하고, 상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부 사이에는 단차가 있을 수 있다. The stage lower plate includes a lower plate rim disposed on both sides in a first direction, a lower plate stepped part disposed on both sides in a second direction crossing the first direction, and a lower plate connecting part connecting the lower plate rim and the lower plate stepped part, There may be a step difference between the lower plate rim portion and the lower plate step portion.
상기 하판 단차부는 상기 하판 테두리부의 상부에 위치할 수 있다. The lower plate stepped portion may be located above the lower plate rim portion.
상기 대상 기판을 에칭하는 단계 이후 상기 대상 기판을 검사하는 단계를 더 포함하되, 대상 기판을 검사하는 검사용 광학 유닛은 상기 하판 단차부의 하부를 지나가면서, 상기 하판 테두리부 사이를 통과할 수 있다. After the step of etching the target substrate, the step of inspecting the target substrate may be further included, wherein the inspection optical unit for inspecting the target substrate may pass between the lower edge portions while passing a lower portion of the lower plate stepped portion.
상기 대상 기판을 에칭하는 단계는 상기 대상 기판의 일부를 관통하는 홀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Etching the target substrate may include forming a hole penetrating a portion of the target substrate.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.
레이저 조사 유닛을 진공 챔버 상부에 위치시킴으로써, 대상 기판에서 분리되어 진공 챔버 하부로 낙하하는 파티클에 영향을 받지 않아, 에칭 공정의 효율이 증가한 에칭 장치를 제공할 수 있다.By placing the laser irradiation unit in the upper part of the vacuum chamber, it is possible to provide an etching apparatus with increased efficiency of the etching process since it is not affected by particles separated from the target substrate and falling below the vacuum chamber.
레이저 조사 유닛을 진공 챔버 상부에 위치시킴으로써, 대상 기판에서 분리되어 진공 챔버 하부로 낙하하는 파티클에 영향을 받지 않아, 에칭 공정의 효율이 증가한 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.By placing the laser irradiation unit above the vacuum chamber, it is possible to provide a method of manufacturing a display device using an etching apparatus in which the efficiency of the etching process is increased because it is not affected by particles separated from the target substrate and falling below the vacuum chamber.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the embodiments are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.
도 1은 일 실시예에 따른 에칭 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 광학계 정반의 사시도이다.
도 4는 도 2의 A영역을 확대하여 도시한 확대도이다.
도 5는 도 2의 B영역을 확대하여 도시한 확대도이다.
도 6은 도 5의 C영역을 확대한 확대도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 결합된 기판 이동 유닛과 대상 기판 및 검사용 광학 유닛의 사시도이다.
도 8은 도 7의 측면도이다.
도 9은 일 실시예에 따른 스테이지 유닛, 척킹 유닛 및 대상 기판 간의 결합 관계를 나타내는 분해 사시도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 척킹 유닛의 사시도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 상부에서 바라본 평면도이다.
도 12는 도 11의 ⅩⅡ-ⅩⅡ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 14 내지 도 16은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 17은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용하여 제조한 표시 장치의 사시도이다.
도 18은 도 17의 ⅩⅧ-ⅩⅧ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 19는 다른 실시예에 따른 에칭 장치의 사시도이다.
도 20은 도 19의 ⅩⅩ-ⅩⅩ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 21은 또 다른 실시예에 따른 에칭 장치의 단면도이다.1 is a perspective view of an etching apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 1.
3 is a perspective view of an optical system base according to an embodiment.
4 is an enlarged view showing an enlarged area A of FIG. 2.
5 is an enlarged view showing an enlarged area B of FIG. 2.
6 is an enlarged view of an enlarged area C of FIG. 5.
7 is a perspective view of a combined substrate moving unit, a target substrate, and an optical unit for inspection according to an exemplary embodiment.
8 is a side view of FIG. 7.
9 is an exploded perspective view illustrating a coupling relationship between a stage unit, a chucking unit, and a target substrate according to an exemplary embodiment.
10 is a perspective view of a chucking unit according to an embodiment.
11 is a plan view as viewed from above of an etching apparatus according to an exemplary embodiment.
12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII' of FIG. 11.
13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device using an etching device according to an exemplary embodiment.
14 to 16 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using an etching device according to an exemplary embodiment.
17 is a perspective view of a display device manufactured using an etching apparatus according to an exemplary embodiment.
FIG. 18 is a cross-sectional view taken along the line XVIII-XVIII' of FIG. 17.
19 is a perspective view of an etching apparatus according to another embodiment.
FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX' in FIG. 19;
21 is a cross-sectional view of an etching apparatus according to another embodiment.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms different from each other, and only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to the possessor, and the invention is only defined by the scope of the claims.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.When elements or layers are referred to as “on” of another element or layer includes all cases of interposing another layer or another element directly on or in the middle of another element. The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, and the like are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical idea of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.Hereinafter, specific embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 일 실시예에 따른 에칭 장치의 사시도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.1 is a perspective view of an etching apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 에칭 장치(10)는 내부에서 대상 기판에 대한 에칭 공정이 수행되는 진공 챔버(100), 진공 챔버(100)의 외부에 배치되며 진공 챔버(100) 내의 대상 기판으로 레이저 빔(L)(Laser Beam)을 조사(照射, irradiation)하여 에칭 공정을 수행하는 레이저 광학계(200), 상기 레이저 광학계(200)가 배치되는 광학계 정반(300)을 포함할 수 있다.1 and 2, the
진공 챔버(100)의 내부에는 스테이지 유닛(120), 척킹 유닛(130), 파티클 포집 유닛(140) 및 검사용 광학 유닛(150)이 배치될 수 있다. 도시하진 않았으나, 대상 기판(20)은 진공 챔버(100)의 외부로부터 로봇 암(Robot Arm) 등에 의해 진공 챔버(100) 내부로 이송될 수 있다. 진공 챔버(100) 내부로 이송된 대상 기판(20)은 척킹 유닛(130) 및 스테이지 유닛(120)과 어태치(Attach)될 수 있다. A
대상 기판(20) 상에는 척킹 유닛(130)이 배치되고, 척킹 유닛(130) 상에는 스테이지 유닛(120)이 배치된다. 즉, 척킹 유닛(130)은 대상 기판(20)과 스테이지 유닛(120) 사이에 위치할 수 있다. The
도면에서 제1 방향(DR1)은 광학계 정반(300)의 정반 연결부(330)가 일부를 덮고 있는 진공 챔버(100)의 측면이 연장된 방향을 나타내고, 제2 방향(DR2)은 광학계 정반(300)의 정반 연결부(330)가 덮고 있지 않는 진공 챔버(100)의 측면이 연장된 방향을 나타낸다. 또한, 제3 방향(DR3)은 진공 챔버(100)의 두께방향을 나타낸다. 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)는 서로 수직으로 교차하며, 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 놓이는 평면에 교차하는 방향으로, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 모두 수직으로 교차한다.In the drawing, the first direction DR1 indicates the direction in which the side surface of the
다른 정의가 없는 한, 본 명세서에서 제3 방향(DR3)을 기준으로 표현된 “상부”, “상면”, "상측"은 대상 기판(20)을 기준으로 척킹 유닛(130) 측을 의미하고, “하부”, “하면”, "하측"은 대상 기판(20)을 기준으로 척킹 유닛(130)의 반대측을 의미하는 것으로 한다.Unless otherwise defined, "upper", "upper surface", and "upper side" expressed with respect to the third direction DR3 in this specification mean the
진공 챔버(100)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 박스(box)형 구조물로서, 그 내부에서 대상 기판(20)에 대한 에칭 공정이 진행될 수 있다. 즉, 진공 챔버(100)는 대상 기판(20)에 대한 에칭 공정이 진행되는 공간을 제공할 수 있다. 진공 챔버(100)의 일측 벽면에는 기판이 출입되는 게이트 밸브(110)가 배치될 수 있다. As shown in FIGS. 1 and 2, the
진공 챔버(100)의 상면에는 제1 챔버 윈도우(101a) 및 제2 챔버 윈도우(101b)가 마련된다. 제1 챔버 윈도우(101a) 및 제2 챔버 윈도우(101b)는, 특정 파장의 레이저 빔(L)을 통과시킬 수 있는 투광창으로서, 진공 챔버(100) 외부에 배치된 레이저 조사 유닛(190)으로부터의 레이저 빔(L)이 진공 챔버(100)의 제1 챔버 윈도우(101a) 및 제2 챔버 윈도우(101b)를 통하여 진공 챔버(100)의 내부로 입사될 수 있다.A
본 실시예에서 진공 챔버(100)의 상면에는 다수개의 챔버 윈도우가 마련될 수 있다. 또한, 진공 챔버(100)의 상면에는 제1 챔버 윈도우(101a) 및 제2 챔버 윈도우(101b)를 차폐하는 보호 윈도우(미도시)를 구비하는 챔버 윈도우 보호부(미도시)가 더 배치될 수 있다.In this embodiment, a plurality of chamber windows may be provided on the upper surface of the
아울러, 도시하진 않았으나, 진공 챔버(100)의 저면에는 검사용 챔버 윈도우(미도시)가 더 배치될 수 있다. 검사용 챔버 윈도우(미도시)는, 제1 챔버 윈도우(101a) 및 제2 챔버 윈도우(101b)와 마찬가지로 특정 파장의 레이저 빔(L)을 통과시킬 수 있는 창으로서, 진공 챔버(100) 내부를 통과한 레이저 빔(L)이 검사용 챔버 윈도우(미도시)를 통하여 진공 챔버(100) 외부에 배치된 레이저 출력 측정 유닛(미도시)에 전달될 수 있다.In addition, although not shown, an inspection chamber window (not shown) may be further disposed on the bottom surface of the
진공 챔버(100)의 내부에는 기판 이송 유닛(STU)이 배치될 수 있다. 기판 이송 유닛(STU)은 진공 챔버(100)의 내부에서 기판을 이송한다. 기판 이송 유닛(STU)(120)은, 진공 챔버(100)의 내부로 로딩된 대상 기판(20)을 어태치(attach)하는 척킹 유닛(130), 척킹 유닛(130) 상면에 배치되는 스테이지 유닛(120) 및 스테이지 이동 유닛(미도시)을 포함한다.A substrate transfer unit (STU) may be disposed inside the
스테이지 유닛(120)은 스테이지 유닛(120)의 하부에 척킹 유닛(130) 및 대상 기판(20)이 결합된 상태에서 이동하거나 회전함으로써, 에칭 공정이 진행될 대상 기판(20)의 위치 및 방향을 조정할 수 있다. 이에 따라, 레이저 조사 유닛에서 방출된 레이저 빔(L)을 대상 기판(20)의 원하는 영역에 도달하도록 할 수 있다.The
상기 스테이지 유닛(120) 하면에는 진공 챔버(100)의 내부로 로딩된 기판이 안착되는 척킹 유닛(130)이 배치될 수 있다. 척킹 유닛(130)은 스테이지 유닛(120)의 하부에 배치되어 대상 기판(20)의 상면부와 접촉할 수 있으며, 대상 기판(20)을 스테이지 유닛(120)과 결합시킬 수 있다. 본 실시예에서 척킹 유닛(130)에는 정전척(Electrostatic Chuck, ESC)이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 기판을 어태치할 수 있는 다양한 척킹 장치가 척킹 유닛(130)으로 사용될 수 있다. A
스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.A detailed description of the
아울러, 도시하진 않았으나, 진공 챔버(100) 내부에는 스테이지 유닛(120)에 연결되어 스테이지 유닛(120)을 지지하는 스테이지 이동 유닛(미도시)이 더 배치될 수 있다. 스테이지 이동 유닛(미도시)은, 스테이지 유닛(120)에 연결되며 스테이지 유닛(120)의 이동을 안내하는 스테이지용 가이드레일(미도시)과, 전자기력에 의해 스테이지 유닛(120)을 이동시키는 구동부(미도시)를 포함할 수 있다. 구동부(미도시)는 스테이지 유닛(120)에 마련되는 스테이지용 제1 자성체(미도시)에 상호 작용하여 스테이지 유닛(120)에 전자기력에 의한 추진력을 발생시키도록 스테이지용 가이드레일(미도시)의 길이방향을 따라 배치되는 스테이지용 제2 자성체(미도시)를 포함한다. 스테이지용 제1 자성체는 영구자석으로 마련되고 스테이지용 제2 자성체는 전자석으로 마련된다.In addition, although not shown, a stage moving unit (not shown) connected to the
대상 기판(20)의 하부에는 파티클 포집 유닛(140)이 배치될 수 있다. 파티클 포집 유닛(140)은 레이저 조사 유닛에 의한 에칭 공정시 대상 기판(20)에서 분리되는 파티클(P)을 포집할 수 있다. 즉, 대상 기판(20)으로부터 분리되는 파티클(P)을 포집하여, 상기 파티클(P)이 챔버 내부에 쌓이는 것을 방지하며, 진공 챔버(100) 내부에서 에칭 공정이 원활히 진행될 수 있도록 진공 챔버(100)의 내부 상태를 유지할 수 있다.A
진공 챔버(100)의 내부에는 검사용 광학 유닛(150)이 배치될 수 있다. 검사용 광학 유닛(150)은 진공 챔버(100)의 하측에 배치되어 기판을 검사한다. An inspection
진공 챔버(100) 외부에는 광학계 정반(300)이 배치될 수 있다. 광학계 정반(300)에 대해 상세히 설명하기 위해 도 3이 더 참조된다. An
도 3은 일 실시예에 따른 광학계 정반의 사시도이다. 도 3에는 에칭 장치(10)의 광학계 정반(300)을 도시하였다.3 is a perspective view of an optical system base according to an embodiment. In FIG. 3, the
광학계 정반(300)은 진공 챔버(100) 하부에 위치하며 진공 챔버(100)를 지지하는 하부 지지대(310), 진공 챔버(100) 상부에 위치하며 레이저 모듈이 배치된 상부 브릿지(320) 및 진공 챔버(100)의 측면에 위치하며 상기 하부 지지대(310)와 상기 상부 브릿지(320)를 연결하는 정반 연결부(330)를 포함할 수 있다. 즉, 광학계 정반(300)의 하부 지지대(310), 상부 브릿지(320) 및 정반 연결부(330)는 진공 챔버(100)를 둘러싸고 있을 수 있다. 또한, 하부 지지대(310), 상부 브릿지(320) 및 정반 연결부(330)는 각각 따로 형성되어 결합될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 일체로 형성될 수도 있다. 광학계 정반(300)은 그라나이트(Granite) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The
광학계 정반(300)의 하부 지지대(310)는 진공 챔버(100) 하부에 위치하면서, 진공 챔버(100)를 지지하는 역할을 수행하고, 레이저 출력 검사 유닛(미도시)와 같은 별도의 구성을 포함할 수 있다. 하부 지지대(310)의 평면상 형상은 진공 챔버(100)의 평면상 형상과 대체로 유사할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The
광학계 정반(300)의 정반 연결부(330)는 하부 지지대(310)로부터 돌출되어 상부로 연장될 수 있다. 상부로 연장되는 정반 연결부(330)는 진공 챔버(100)의 측면을 덮을 수 있다. 정반 연결부(330)의 하측은 하부 지지대(310)의 측면 중 일부와 결합하며, 정반 연결부(330)의 제1 방향(DR1) 폭은 정반 연결부(330)와 연결된 하부 지지대(310)의 제2 방향(DR2) 양 측면이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이보다 작을 수 있다. 아울러, 정반 연결부(330)의 하부는 상기 양 측면의 중앙부와 결합될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 정반 연결부(330)의 상측은 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)의 하면과 결합될 수 있으며, 정반 연결부(330)는 상부 브릿지(320)를 지지하는 역할을 할 수 있다.The
광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)는 정반 연결부(330)의 상측과 연결되며, 진공 챔버(100)의 상측에 배치될 수 있다. 상부 브릿지(320)는 진공 챔버(100)와 일정 거리 이격되어 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상부 브릿지(320)는 진공 챔버(100)의 상측 일부를 덮을 수 있으며, 상부 브릿지(320)가 제1 방향(DR1)으로 연장된 폭은 진공 챔버(100)의 상면이 제1 방향(DR1)으로 연장된 폭보다 작을 수 있다. 상부 브릿지(320)는 진공 챔버(100) 상면의 중앙 부근에 위치할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The
광학계 정반(300)의 하부 지지대(310)의 하면 및 정반 연결부(330)의 제2 방향(DR2) 외측에는 일정 패턴으로 이루어지는 복수의 홈을 포함할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 하부 지지대(310)의 하면에는 복수의 삼각형 형상의 제1 홈 패턴(HP1)을 포함할 수 있으며, 정반 연결부(330)의 외측면에는 삼각형 형상과 사각형 형상으로 이루어진 제2 홈 패턴(HP2)을 포함할 수 있다. A plurality of grooves formed in a predetermined pattern may be included on a lower surface of the
하부 지지대(310) 및 정반 연결부(330)에 제1 홈 패턴(HP1) 및 제2 홈 패턴(HP2)을 포함함으로써, 광학계 정반(300)의 전체적인 무게를 감소시켜 에칭 장치(10)의 이동 및 조립을 용이하게 할 수 있으며, 광학계 정반(300)의 형성에 필요한 재료를 감소시켜 재료 원가를 절감할 수 있다. 아울러, 하부 지지대(310) 및 정반 연결부(330)가 제1 홈 패턴(HP1) 및 제2 홈 패턴(HP2)을 포함하더라도, 각 복수의 홈 사이에 일정 두께를 유지하는 부분이 남아있어, 광학계 정반(300)의 진동에 대한 강성을 유지할 수 있다. 따라서, 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)에 배치되는 레이저 모듈은 외부로부터 진동을 전달받더라도 흔들리지 않으며, 대상 기판(20)의 원하는 영역에 레이저 빔(L)을 전달할 수 있다.By including the first groove pattern HP1 and the second groove pattern HP2 in the
광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)에는 레이저 광학계(200)가 배치될 수 있다. 레이저 광학계(200) 및 레이저 빔(L)의 경로를 상세히 설명하기 위해 도 4 및 도 5가 참조된다.The laser
도 4는 도 2의 A영역을 확대하여 도시한 확대도이다. 도 5는 도 2의 B영역을 확대하여 도시한 확대도이다.4 is an enlarged view showing an enlarged area A of FIG. 2. 5 is an enlarged view showing an enlarged area B of FIG. 2.
도 1 내지 도 5을 참조하면, 레이저 광학계(200)는 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b)을 포함할 수 있다. 레이저 광학계(200)는 진공 챔버(100)의 상부에 위치하며, 진공 챔버(100)와 일정거리 이격될 수 있다. 또한, 레이저 광학계(200)는 진공 챔버(100) 내에 위치하는 대상 기판(20), 척킹 유닛(130) 및 스테이지 유닛(120)의 상부에 위치하며, 레이저 광학계(200)와 대상 기판(20) 사이에는 스테이지 유닛(120)과 척킹 유닛(130)이 위치할 수 있다.1 to 5, the laser
제1 레이저 모듈(200a)은 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 일측 변에 배치되며 제2 레이저 모듈(200b)은 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 타측 변에 배치될 수 있다. 제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b)은 각각 둘 이상의 복수일 수 있다. 복수의 제1 레이저 모듈(200a)은 각각 일정거리를 유지하며 제2 방향(DR2)으로 이격 배치될 수 있으며, 복수의 제2 레이저 모듈(200b)은 각각 일정거리를 유지하며 제2 방향(DR2)으로 이격 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 에칭 장치(10)에서, 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b)은 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 일측 및 타측에 각각 4개가 배치된 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The
제1 레이저 모듈(200a)은 레이저 빔(L)을 방출하는 제1 레이저 조사 유닛(210a), 방출된 레이저 빔(L)의 경로를 변경하는 제1 광학계(220a)과 제2 광학계(230a), 레이저 조사 유닛으로부터 전달받은 레이저 빔(L)을 대상 기판(20)의 원하는 위치에 전달하는 제1 스캐너(240a)를 포함할 수 있다. 제2 레이저 모듈(200b)은 레이저 빔(L)을 방출하는 제2 레이저 조사 유닛(210b), 레이저 빔(L)의 경로를 변경하는 제3 광학계(220b)과 제4 광학계(230b), 레이저 조사 유닛으로부터 전달받은 레이저 빔(L)을 대상 기판(20)의 원하는 위치에 전달하는 제2 스캐너(240b)를 포함할 수 있다.The
에칭 장치(10)는 레이저 빔(L)을 방출할 수 있는 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b)을 구비함에 따라, 대상 기판(20)의 보다 많은 영역에 레이저 빔(L)을 조사하여 에칭 또는 리프트-오프할 수 있다. 아울러, 제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b) 중 일부가 정상적으로 작동하지 않더라도, 나머지가 정상적으로 작동한다면, 대상 기판(20)이 이동함에 따라, 대상 기판(20)의 원하는 부분에 레이저 빔(L)을 조사할 수 있다. 즉, 제1 레이저 모듈(200a) 또는 제2 레이저 모듈(200b)의 고장에 의한 영향을 보다 적게 받을 수 있다. 결과적으로, 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320) 제1 방향(DR1) 일측 및 타측에 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b) 각각을 구비함에 따라, 공정의 효율이 상승할 수 있다.As the
상술한 바와 같이, 제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b)은 실질적으로 동일한 구성으로 이루어지며, 상기 구성들은 실질적으로 동일한 역할을 수행할 수 있다. 즉, 이하에서, 별도의 언급없이 제1 레이저 모듈(200a)을 기준으로 설명하되, 상기 설명은 제2 레이저 모듈(200b)에도 적용될 수 있음은 물론이다.As described above, the
제1 레이저 조사 유닛(210a)은 대상 기판(20)을 에칭할 수 있는 레이저 빔(L)을 방출할 수 있다. 제1 레이저 조사 유닛(210a)은 상기 레이저 빔(L)을 제1 광학계(220a)를 향해 방출한다. 제1 레이저 조사 유닛(210a)은 상부 브릿지(320)의 상면에 배치될 수 있다.The first
제1 광학계(220a)는 제1 레이저 조사 유닛(210a)으로부터 방출된 레이저 빔(L)의 경로를 제2 광학계(230a)를 향하도록 변경할 수 있다. 즉, 제1 광학계(220a)는 제1 방향(DR1)으로 진행하는 레이저 빔(L)의 경로를 변경하여, 레이저 빔(L)이 제3 방향(DR3) 하측을 향하도록 가이드할 수 있다. 제1 광학계(220a)는 제1 레이저 조사 유닛(210a)으로부터 제1 방향(DR1)으로 일정거리 이격되어 배치될 수 있다.The first
제2 광학계(230a)는 제1 광학계(220a)로부터 전달받은 레이저 빔(L)의 경로를 제1 스캐너(240a)를 향하도록 변경할 수 있다. 즉, 제2 광학계(230a)는 제3 방향(DR3) 하측으로 진행하는 레이저 빔(L)의 경로를 변경하여, 레이저 빔(L)이 제1 방향(DR1) 타측을 향하도록 가이드할 수 있다. 제2 광학계(230a)는 제1 광학계(220a)의 하부에 배치되며, 일정거리 이격될 수 있다.The second
상술한 바와 같은 레이저 빔(L)의 경로변경을 위해, 제1 광학계(220a)에는 레이저 빔(L)을 반사하는 제1 미러부(미도시)가 마련될 수 있으며, 제2 광학계(230a)에도 레이저 빔(L)을 반사하는 제2 미러부(미도시)가 마련될 수 있다. 본 실시예에서 제1 미러부(미도시) 및 제2 미러부(미도시)는 하나 또는 다수개의 레이저용 반사거울을 구비할 수 있다.In order to change the path of the laser beam L as described above, a first mirror unit (not shown) reflecting the laser beam L may be provided in the first
본 실시예에 따른 제1 광학계(220a) 및 제2 광학계(230a) 중 적어도 어느 하나는, 제1 미러부(미도시) 또는 제2 미러부(미도시)의 배치각도를 조절하는 각도 조절부(미도시)를 포함할 수 있다. 각도 조절부(미도시)는, 제1 광학계(220a) 및/또는 제2 광학계(230a) 내부에 회전 가능하게 마련되며 제1 미러부(미도시) 및/또는 제2 미러부(미도시)가 결합되는 회전축(미도시)과, 회전축(미도시)에 연결되며 회전축(미도시)을 회전시키는 조작부(미도시)를 포함한다. 사용자는 조작부(미도시)를 통해 회전축(미도시)을 회전시켜 제1 미러부 및/또는 제2 미러부(미도시)의 배치각도를 조절할 수 있다.At least one of the first
이러한 각도 조절부(미도시)는 제2 미러부(미도시)의 배치각도를 조절하여 제1 스캐너(240a)로 반사되는 레이저 빔(L)의 반사각도를 조절한다. 이와 같이 본 실시예에 따른 제1 광학계(220a) 및/또는 제2 광학계(230a)는, 제1 미러부(미도시) 및/또는 제2 미러부(미도시)의 배치각도를 조절하여 할 수 있는 각도 조절부(미도시)를 구비함으로써, 제1 레이저 조사 유닛(210a)에서 방출되는 레이저 빔(L)의 방출각도가 변경되더라도 제1 광학계(220a) 및/또는 제2 광학계(230a)에서 반사되는 레이저 빔(L)의 반사각도를 조절하여 레이저 빔(L)을 제1 스캐너(240a)에 용이하게 전달할 수 있다.The angle adjustment unit (not shown) adjusts the angle of arrangement of the second mirror unit (not shown) to adjust the reflection angle of the laser beam L reflected by the
제1 스캐너(240a)는 제1 광학계(220a) 및 제2 광학계(230a)를 통해 제1 레이저 조사 유닛(210a)으로부터 방출된 레이저 빔(L)을 전달받을 수 있으며, 전달받은 레이저 빔(L)의 경로를 변경할 수 있다. 제1 스케너는 전달받은 레이저 빔(L)을 하부를 향하도록 방출하며, 상기 레이저 빔(L)은 진공 챔버(100)의 제1 챔버 윈도우(101a)를 통해 진공 챔버(100) 내부로 입사한다. 이어서, 진공 챔버(100) 내부로 입사한 레이저 빔(L)은 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)을 통과하여 대상 기판(20)이 도달할 수 있다. 즉, 제1 스캐너(240a)는 대상 기판(20)의 원하는 위치에 레이저 빔(L)을 도달할 수 있도록 조절하는 역할을 수행한다. The
제1 스캐너(240a)는 제2 광학계(230a)로부터 일정거리 이격되며, 제2 광학계(230a)의 제1 방향(DR1) 타측에 위치할 수 있다. 또한, 제1 스캐너(240a)는 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)의 하부에 배치될 수 있다. 즉, 제1 스캐너(240a)는 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)와 진공 챔버(100) 사이에 배치될 수 있다. 제1 스캐너(240a)는 진공 챔버(100)의 제1 챔버 윈도우(101a)와 제3 방향(DR3)으로 중첩할 수 있다.The
대상 기판(20)에 도달한 레이저 빔(L)은 대상 기판(20)을 에칭할 수 있다. 대상 기판(20)을 에칭함에 따라, 대상 기판(20)으로부터 파티클(P)이 박리될 수 있고, 상기 파티클(P)은 중력에 의해 진공 챔버(100) 하부를 향해 떨어질 수 있다. The laser beam L reaching the
이하에서, 대상 기판(20)에 대해 상세히 설명하기 위해 도 6이 참조된다. In the following, reference is made to FIG. 6 to describe the
도 6은 도 5의 C영역을 확대한 확대도이다. 도 6은 대상 기판(20)의 적층 구조에 대해 도시한다.6 is an enlarged view of an enlarged area C of FIG. 5. 6 shows a stacked structure of the
도 6을 참조하면, 대상 기판(20)은 하부 부재(21), 표시 패널(22), 터치 부재(23), 편광 부재(24) 및 커버 윈도우(25)를 포함할 수 있으며, 하부 부재(21), 표시 패널(22), 터치 부재(23), 편광 부재(24) 및 커버 윈도우(25)가 순차 적층될 수 있다. 각 적층 부재들 사이에는 접착층이나 점착층과 같은 적어도 하나의 결합 부재가 배치되어 인접한 적층 부재들을 결합할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 각 층 사이에는 다른 층이 더 배치될 수도 있고, 각 적층 부재들 중 일부는 생략될 수도 있다.Referring to FIG. 6, the
표시 패널(22)은 화면이나 영상을 표시하는 패널로서, 그 예로는 유기 발광 표시 패널(OLED), 무기 발광 표시 패널(inorganic EL), 퀀텀닷 발광 표시 패널(QED), 마이크로 LED 표시 패널(micro-LED), 나노 LED 표시 패널(nano-LED), 플라즈마 표시 패널(PDP), 전계 방출 표시 패널(FED), 음극선 표시 패널(CRT)등의 자발광 표시 패널 뿐만 아니라, 액정 표시 패널(LCD), 전기 영동 표시 패널(EPD) 등의 수광 표시 패널을 포함할 수 있다. 이하에서는 표시 패널로서 유기 발광 표시 패널을 예로 하여 설명하며, 특별한 구분을 요하지 않는 이상 실시예에 적용된 유기 발광 표시 패널을 단순히 표시 패널(22)로 약칭할 것이다. 그러나, 실시예가 유기 발광 표시 패널에 제한되는 것은 아니고, 기술적 사상을 공유하는 범위 내에서 상기 열거된 또는 본 기술분야에 알려진 다른 표시 패널이 적용될 수도 있다. The
표시 패널(22)은 기판(SUB1), 버퍼층(SUB2), 반도체층(ACT), 제1 절연층(221), 제1 게이트 도전층(230), 제2 절연층(222), 제2 게이트 도전층(230), 제3 절연층(223), 데이터 도전층(250), 제4 절연층(224), 애노드 전극(260), 애노드 전극(260)을 노출하는 개구부를 포함하는 뱅크층(226), 뱅크층(226)의 개구부 내에 배치된 발광층(270), 발광층(270)과 뱅크층(226) 상에 배치된 캐소드 전극(280), 캐스드 전극(280) 상에 배치된 박막 봉지층(290)을 포함할 수 있다. 상술한 각 층들은 단일막으로 이루어질 수 있지만, 복수의 막을 포함하는 적층막으로 이루어질 수도 있다. 각 층들 사이에는 다른 층이 더 배치될 수도 있다.The
기판(SUB1)은 그 위에 배치되는 각 층들을 지지할 수 있다. 기판(SUB1)은 고분자 수지 등의 절연 물질 또는 유리나 석영 등과 같은 무기 물질로 이루어질 수도 있다.The substrate SUB1 may support respective layers disposed thereon. The substrate SUB1 may be made of an insulating material such as a polymer resin or an inorganic material such as glass or quartz.
기판(SUB1) 상에는 버퍼층(SUB2)이 배치된다. 버퍼층(SUB2)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.A buffer layer SUB2 is disposed on the substrate SUB1. The buffer layer SUB2 may include silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
버퍼층(SUB2) 상에는 반도체층(ACT)이 배치된다. 반도체층(ACT)은 화소의 박막 트랜지스터의 채널을 이룬다.The semiconductor layer ACT is disposed on the buffer layer SUB2. The semiconductor layer ACT forms a channel of a thin film transistor of a pixel.
반도체층(ACT) 상에는 제1 절연층(221)이 배치된다. 제1 절연층(221)은 게이트 절연 기능을 갖는 제1 게이트 절연막일 수 있다.A first insulating
제1 절연층(221) 상에는 제1 게이트 도전층(230)이 배치된다. 제1 게이트 도전층(230)은 화소(PX)의 박막 트랜지스터의 게이트 전극(GAT)과 그에 연결된 스캔 라인, 및 유지 커패시터 제1 전극(CE1)을 포함할 수 있다. A first gate
제1 게이트 도전층(230) 상에는 제2 절연층(222)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(222)은 층간 절연막 또는 제2 게이트 절연막일 수 있다.A second insulating
제2 절연층(222) 상에는 제2 게이트 도전층(240)이 배치된다. 제2 게이트 도전층(240)은 유지 커패시터 제2 전극(CE2)을 포함할 수 있다.A second gate
제2 게이트 도전층(240) 상에는 제3 절연층(223)이 배치된다. 제3 절연층(223)은 층간 절연막일 수 있다.A third insulating
제3 절연층(223) 상에는 데이터 도전층(250)이 배치된다. 데이터 도전층(250)은 화소(PX)의 박막 트랜지스터의 제1 전극(SD1)과 제2 전극(SD2)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터의 제1 전극(SD1)과 제2 전극(SD2)은 제3 절연층(223), 제2 절연층(222) 및 제1 절연층(221)을 관통하는 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 반도체층(210)의 소스 영역 및 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다.A data
데이터 도전층(250) 상에는 제4 절연층(224)이 배치된다. 제4 절연층(224)은 데이터 도전층(250)을 덮는다. 제4 절연층(224)은 비아층일 수 있다.A fourth insulating
제4 절연층(224) 상에는 애노드 전극(260)이 배치된다. 애노드 전극(260)은 화소(PX)마다 마련된 화소 전극일 수 있다. 애노드 전극(260)은 제4 절연층(224)을 관통하는 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 박막 트랜지스터의 제2 전극(SD2)과 연결될 수 있다. An
애노드 전극(260)은 이에 제한되는 것은 아니지만 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3)의 일함수가 높은 물질층과 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 반사성 물질층이 적층된 적층막 구조를 가질 수 있다. 일함수가 높은층이 반사성 물질층보다 위층에 배치되어 발광층(270)에 가깝게 배치될 수 있다. 애노드 전극(260)은 ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO의 복수층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The
애노드 전극(260) 상에는 뱅크층(226)이 배치될 수 있다. 뱅크층(226)은 애노드 전극(270) 상에 배치되며, 애노드 전극(270)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 뱅크층(226) 및 그 개구부에 의해 발광 영역(EMA)과 비발광 영역(NEM)이 구분될 수 있다.A
뱅크층(226) 상에는 스페이서(227)가 배치될 수 있다. 스페이서(227)는 상부에 배치되는 구조물과의 간격을 유지시키는 역할을 할 수 있다.A
뱅크층(226)이 노출하는 애노드 전극(270) 상에는 발광층(270)이 배치된다. 발광층(270)은 유기 물질층을 포함할 수 있다. 발광층의 유기 물질층은 유기 발광층을 포함하며, 정공 주입/수송층 및/또는, 전자 주입/수송층을 더 포함할 수 있다. The
발광층(270) 상에는 캐소드 전극(280)이 배치될 수 있다. 캐소드 전극(280)은 화소(PX)의 구별없이 전면적으로 배치된 공통 전극일 수 있다. 애노드 전극(270), 발광층(270) 및 캐소드 전극(280)은 각각 유기 발광 소자를 구성할 수 있다. A
캐소드 전극(280)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)과 같은 일함수가 작은 물질층을 포함할 수 있다. 캐소드 전극(280)은 상기 일함수가 작은 물질층 상에 배치된 투명 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다. The
캐소드 전극(280) 상부에는 제1 무기막(291), 제1 유기막(292) 및 제2 무기막(293)을 포함하는 박막 봉지층(290)이 배치된다. 박막 봉지층(290)의 단부에서 제1 무기막(291)과 제2 무기막(293)은 서로 접할 수 있다. 제1 유기막(292)은 제1 무기막(291)과 제2 무기막(293)에 의해 밀봉될 수 있다.A thin film encapsulation layer 290 including a first
제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)은 각각 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 제1 유기막(292)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.The first
표시 패널(22) 상에는 터치 부재(23)가 배치될 수 있다. 터치 부재(23)는 터치 입력을 감지할 수 있다. 터치 부재(23)는 도시된 바와 같이 표시 패널(22)과 별도의 패널이나 필름으로 제공되어 표시 패널(22) 상에 부착될 수도 있지만, 표시 패널(22) 내부에 터치층의 형태로 제공될 수도 있다. The
터치 부재(23) 상에는 편광 부재(24)가 배치될 수 있다. 편광 부재(24)는 통과하는 빛을 편광시킨다. 편광 부재(24)는 외광 반사를 감소시키는 역할을 할 수 있다.A polarizing
터치 부재(23) 상에는 커버 윈도우(25)가 배치될 수 있다. 커버 윈도우(25)는 표시 패널(22)을 커버하여 보호하는 역할을 한다. 커버 윈도우(25)는 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 커버 윈도우(25)는 예를 들어, 유리나 플라스틱을 포함하여 이루어질 수 있다.A
표시 패널(22)의 하부에는 하부 부재(21)가 배치될 수 있다. 하부 부재(21)는 차광 역할을 수행할 수 있다. 즉, 하부 부재(21)는 빛이 외부로부터 표시 패널(22)을 향해 들어오는 것을 차단할 수 있다. 아울러, 하부 부재(21)는 차광 기능 이외의 충격 흡수 기능 등을 수행할 수 있다. The
이에 제한되는 것은 아니나, 표시 패널(22)은 상부를 향하여 빛을 발광할 수 있다. 즉, 표시 패널(22)로부터 발광되는 빛의 경로에는 척킹 유닛(130), 스테이지 유닛(120) 및 레이저를 방출하는 레이저 광학계(200)가 위치할 수 있다. Although not limited thereto, the
대상 기판(20)을 에칭하는 레이저 빔(L)은 대상 기판(20)의 상부로부터 대상 기판(20)을 향하여 진행하며, 대상 기판(20)의 적층 부재들 중 적어도 일부를 에칭 또는 리프트-오프(Lift-off)시킬 수 있다. 이 과정에서 에칭 또는 리프트-오프된 적층 부재로부터 파티클(P)(Particle)들이 박리될 수 있다. 대상 기판(20)에서 박리되어 분리된 파티클(P)은 대상 기판(20)의 하부를 향하여 낙하한다. 즉, 레이저 빔(L)을 방출하는 제1 레이저 모듈(200a)을 대상 기판(20)의 상부에 배치함으로써, 레이저 빔(L)이 진행하는 경로 상에는 대상 기판(20)에서 박리된 파티클(P)이 적층되지 않을 수 있다. 이에 따라, 에칭 공정이 지속적으로 진행되더라도, 대상 기판(20)을 에칭하는 레이저 빔(L)은 대상 기판(20)에서 박리된 파티클(P)에 의해 영향을 받지 않을 수 있다. 즉, 파티클(P)에 의한 레이저 빔(L)의 굴절, 경시 변화 및 에너지 밀도 변화 등을 방지할 수 있어, 실제 가공되는 영역의 가공 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있으며, 에칭 공정의 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.The laser beam L for etching the
상술한 바와 같이 레이저 빔(L)은 스테이지 유닛(120)과 척킹 유닛(130)을 관통하여 대상 기판(20)에 도달할 수 있다. 또한, 대상 기판(20)에 원하는 위치에 에칭 공정이 진행되었는지 여부를 판단하기 위해 검사용 광학 유닛(150)이 배치될 수 있다. 이하에서 스테이지 유닛(120), 척킹 유닛(130) 및 검사용 광학 유닛(150) 간의 관계를 설명하기 위해 도 7 내지 도 9이 참조된다.As described above, the laser beam L may penetrate the
도 7은 일 실시예에 따른 결합된 기판 이동 유닛과 대상 기판 및 검사용 광학 유닛의 사시도이다. 도 8은 도 7의 측면도이다. 도 9은 일 실시예에 따른 스테이지 유닛, 척킹 유닛 및 대상 기판 간의 결합 관계를 나타내는 분해 사시도이다. 7 is a perspective view of a combined substrate moving unit, a target substrate, and an inspection optical unit according to an exemplary embodiment. 8 is a side view of FIG. 7. 9 is an exploded perspective view illustrating a coupling relationship between a stage unit, a chucking unit, and a target substrate according to an exemplary embodiment.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 대상 기판(20), 척킹 유닛(130) 및 스테이지 유닛(120)은 순차적으로 배치될 수 있으며, 대상 기판(20)의 하부에는 검사용 광학 유닛(150)이 배치될 수 있다. 7 to 9, the
스테이지 유닛(120)의 스테이지 상판(121)은 평면상 직사각형의 형상으로 형성될 수 있으며, 상판 테두리부(121a) 및 상판 테두리부(121a)에 의해 둘러싸인 상판 윈도우(121b)로 이루어질 수 있다. 상판 테두리부(121a)는 중앙이 개방된 틀 형상으로 이루어질 수 있으며, 상기 개방된 중앙 부근에 상판 윈도우(121b)가 위치할 수 있다. 상판 윈도우(121b)는 스테이지 상판(121)의 형상에 상응할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The stage
대상 기판(20)의 상부로부터 전달되는 레이저 빔(L)은 스테이지 상판(121)의 상판 윈도우(121b)를 투과하여 스테이지 상판(121)의 하부로 진행할 수 있다.The laser beam L transmitted from the upper portion of the
스테이지 하판(122)은 스테이지 유닛(120)의 스테이지 상판(121) 하부에 배치될 수 있다. 스테이지 하판(122)은 하판 테두리, 하판 단차부(122b) 및 하판 연결부(122c)로 이루어질 수 있다. 스테이지 하판(122)은 평면도상 중앙이 개방된 직사각형의 틀 형상으로 이루어질 수 있다. 또한, 스테이지 하판(122)은 하판 테두리부(122a)와 하판 단차부(122b) 사이에 단차가 있을 수 있다. 즉, 하판 테두리와 하판 단차부(122b)는 서로 다른 높이를 가지며, 하판 테두리와 하판 단차부(122b)는 하판 연결부(122c)에 의해 연결될 수 있다. The
상세히 설명하면, 하판 테두리부(122a)는 스테이지 하판(122)의 제2 방향(DR2) 양측에 위치하고 제1 방향(DR1)으로 연장되며, 제2 방향(DR2)으로 일정한 폭을 가질 수 있다. 하판 테두리부(122a)는 상판 테두리부(121a)의 하부에서 상판 테두리부(121a)와 일정 간격 이격될 수 있다. 하판 테두리부(122a)의 제2 방향(DR2) 폭은 상판 테두리부(121a)의 제2 방향(DR2) 폭보다 클 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In detail, the lower
하판 단차부(122b)는 스테이지 하판(122)의 제1 방향(DR1) 양측에 위치하고, 제2 방향(DR2)으로 연장되며, 제1 방향(DR1)으로 일정한 폭을 가질 수 있다. 하판 단차부(122b)와 하판 테두리부(122a)는 서로 다른 높이를 가질 수 있으며, 하판 단차부(122b)는 하판 테두리부(122a) 보다 상부에 위치할 수 있다. 하판 단차부(122b)는 스테이지 상판(121)의 제1 방향(DR1) 양측 변의 외측에 위치할 수 있으며, 스테이지 상판(121)과 동일한 높이를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The lower stepped
하판 연결부(122c)는 하판 테두리부(122a)와 하판 단차부(122b) 사이에서 하판 테두리부(122a)와 하판 단차부(122b)를 연결할 수 있다. 하판 연결부(122c)는 하판 테두리부(122a)의 제1 방향(DR1) 일측 및 타측 끝단으로부터 하판 테두리부(122a)의 상부를 향해 돌출될 수 있다. 하판 연결부(122c)는 제1 방향(DR1)으로 일정한 폭을 가질 수 있으며, 하판 연결부(122c)의 제1 방향(DR1) 폭은 하판 테두리부(122a)의 제1 방향(DR1) 폭과 동일할 수 있다.The lower
상술한 바와 같이, 하판 단차부(122b)와 하판 테두리부(122a)는 하판 테두리부(122a) 및 하판 연결부(122c)의 제3 방향(DR3)의 두께만큼의 높이 차이가 있을 수 있다. 검사용 광학 유닛(150)은 하판 단차부(122b)의 하부를 지나면서, 제2 방향(DR2) 양측의 하판 연결부(122c) 및 하판 테두리부(122a) 사이를 통과할 수 있다. 이에 따라, 검사용 광학 유닛(150)과 대상 기판(20) 사이의 거리가 감소할 수 있다. 검사용 광학 유닛(150)과 대상 기판(20) 사이의 거리가 감소함에 따라, 워킹 디스턴스(Working Distance)가 작은 고해상도 렌즈를 사용하여 대상 기판(20)을 검사할 수 있고, 대상 기판(20)의 검사 정밀도가 향상될 수 있다. As described above, the lower plate stepped
상세히 설명하면, 하판 단차부(122b)와 하판 테두리부(122a)의 높이 차이에 의해 형성된 공간 즉, 하판 단차부(122b)의 하부이면서 두개의 하판 연결부(122c) 사이인 공간으로 검사용 광학 유닛(150)이 통과할 수 있다. 이 때, 검사용 광학 유닛(150)은 스테이지 하판(122)의 두개의 하판 테두리부(122a) 사이를 가로지를 수 있으므로, 스테이지 상판(121)과 척킹 유닛(130)의 하면에 위치하는 대상 기판(20)과 검사용 광학 유닛(150) 사이의 거리를 줄일 수 있다. 즉, 고해상도의 렌즈를 사용하는 검사용 광학 유닛(150)은 워킹 디스턴스가 작음에도 불구하고, 상기와 같은 하판 단차부(122b)와 하판 테두리부(122a)의 높이 차이에 의해 형성된 공간으로 검사용 광학 유닛(150)이 지나갈 수 있으므로, 고해상도의 렌즈에 필요한 워킹 디스턴스를 획득할 수 있다. 이에 따라, 고해상도의 렌즈를 이용한 검사용 광학 유닛(150)을 사용할 수 있고, 대상 기판(20)을 보다 정밀하게 검사할 수 있다. In detail, a space formed by the difference in height between the lower plate stepped
척킹 유닛(130)은 스테이지 유닛(120)의 하면에 배치될 수 있으며, 상기 척킹 유닛(130) 하면에는 대상 기판(20)이 어태치될 수 있다. 척킹 유닛(130)을 상세히 설명하기 위해, 도 10 내지 도 12이 참조된다. The
도 10은 일 실시예에 따른 척킹 유닛의 사시도이다. 도 11은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 상부에서 바라본 평면도이며, 도 12는 도 11의 ⅩⅡ-ⅩⅡ'선을 따라 자른 단면도이다. 도 11 및 도 12에서는 설명의 편의를 위해 척킹 유닛(130), 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320), 제1 레이저 모듈(200a)의 제1 스캐너(240a) 및 제2 레이저 모듈(200b)의 제2 스캐너(240b)만을 도시하였다.10 is a perspective view of a chucking unit according to an embodiment. 11 is a plan view as viewed from above of an etching apparatus according to an exemplary embodiment, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII' of FIG. 11. 11 and 12, for convenience of description, the
도 7 내지 도 12를 참조하면, 척킹 유닛(130)은 스테이지 유닛(120)의 스테이지 상판(121)의 하면 상에 배치될 수 있으며, 스테이지 하판(122)의 양 하판 테두리부(122a) 사이 및 양 하판 단차부(122b) 사이에 배치될 수 있다. 7 to 12, the
척킹 유닛(130)은 복수의 빔 투과용 홀(BHL)을 포함할 수 있다. 상기 빔 투과용 홀(BHL)은 척킹 유닛(130)에 의해 둘러싸이며, 척킹 유닛(130)을 두께 방향으로 관통할 수 있다. 일 실시예에서 빔 투과용 홀(BHL)은 제1 방향(DR1)으로 8개가 상호 이격되어 나열되고 제2 방향(DR2)으로 4개가 상호 이격되어 나열될 수 있어, 총 32개의 빔 투과용 홀(BHL)이 척킹 유닛(130)에 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 빔 투과용 홀(BHL)의 개수 및 위치는 다양할 수 있다. 다만, 제2 방향(DR2)으로 나열된 빔 투과용 홀(BHL)의 개수는 제2 방향(DR2)으로 나열된 제1 레이저 모듈(200a) 및/또는 제2 레이저 모듈(200b)의 개수와 동일할 수 있다. The
에칭 공정이 진행되는 과정에서 척킹 유닛(130)은 제1 방향(DR1)으로 이동할 수 있고, 척킹 유닛(130)이 이동함에 따라, 척킹 유닛(130)의 빔 투과용 홀(BHL)과 제1 스캐너(240a) 및 제2 스캐너(240b)는 제3 방향(DR3)으로 중첩할 수 있으며, 제1 스캐너(240a) 및 제2 스캐너(240b)의 위치는 척킹 유닛(130)의 빔 투과용 홀(BHL)의 위치와 상호 대응될 수 있다. During the etching process, the
아울러, 척킹 유닛(130)에 배치된 빔 투과용 홀(BHL)은 모두 척킹 유닛(130)의 상면에 배치된 스테이지 상판(121)의 상판 윈도우(121b)와 중첩할 수 있다. 이에 따라, 스테이지 상판(121)의 상판 윈도우(121b)를 투과한 레이저 빔(L)은 척킹 유닛(130)의 빔 투과용 홀(BHL)을 통과하여, 척킹 유닛(130)의 하면에 배치된 대상 기판(20)에 도달할 수 있다.In addition, all of the beam transmission holes BHL disposed in the
따라서, 대상 기판(20)은 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)의 하부에 안착되어 있고, 레이저 빔(L)은 스테이지 유닛(120), 척킹 유닛(130) 및 대상 기판(20)의 상부로부터 전달됨에도 불구하고, 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)의 상부에서 전달되는 레이저 빔(L)은 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)을 관통하여 대상 기판(20)에 도달할 수 있다.Accordingly, the
이하에서, 도 13 내지 도 15를 참조하여, 상기 에칭 장치(10)를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a display device using the
도 13은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 14 내지 도 16은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device using an etching device according to an exemplary embodiment. 14 to 16 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using an etching device according to an exemplary embodiment.
도 13 내지 도 16를 참조하면, 우선, 에칭할 대상 기판(20)을 준비(S01)하고, 상기 대상 기판(20)을 진공 챔버(100) 내로 삽입(S02)한다. 13 to 16, first, a
상기 대상 기판(20)을 진공 챔버(100) 외부에서 진공 챔버(100) 내부로 이송할 때, 로봇 암(Robot Arm)이 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. When transferring the
이어, 진공 챔버(100) 내로 삽입된 대상 기판(20)은 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)을 포함하는 기판 이송 유닛(STU)의 하부로 이송되고, 척킹 유닛(130)의 하면 상에 안착(S03)된다. Subsequently, the
진공 챔버(100) 내에서 대상 기판(20)은 기판 이송 유닛(STU)의 척킹 유닛(130)의 하면 상에 안착되어 레이저 광학계(200)의 하부로 이송된다. 레이저 광학계(200)의 하부로 이송된 대상기판 및 기판 이송 유닛(STU)은 스테이지 유닛(120)을 통하여 회전함으로써, 레이저 광학계(200)의 제1 스캐너(240a) 및 제2 스캐너(240b)와 정렬되어 레이저 빔(L)이 대상 기판(20)의 원하는 부분에 조사되도록 할 수 있다.In the
이어, 제1 스캐너(240a) 및 제2 스캐너(240b)와 정렬된 대상 기판(20)에 레이저 빔(L)이 조사되어 대상 기판(20)이 에칭 또는 리프트-오프(S04)된다. Subsequently, the laser beam L is irradiated to the
레이저 빔(L)은 광학계 정반(300)에 배치된 레이저 조사 유닛으로부터 방출될 수 있으며, 상기 레이저 빔(L)은 제1 광학계(220a) 및 제2 광학계(230a)에 의해 경로가 변경되어 제1 스캐너(240a)로 향할 수 있다. 제1 스캐너(240a)로 향한 레이저 빔(L)의 경로는 제1 스캐너(240a) 내에서 다시 변경되어 대상 기판(20)을 향하도록 즉, 하부 방향을 향하도록 진행 방향이 변경될 수 있다.The laser beam L may be emitted from the laser irradiation unit disposed on the
대상 기판(20)은 제1 방향(DR1)으로 이동할 수 있고, 이에 따라, 레이저 광학계(200)가 고정되더라도, 대상 기판(20)이 이동하여 대상 기판(20)의 원하는 영역에 레이저 빔(L)이 도달할 수 있다.The
대상 기판(20)을 향하는 레이저 빔(L)은 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)을 통과하여 대상 기판(20)에 도달할 수 있다. 레이저 빔(L)은 특정 파장을 갖도록 조절될 수 있으며, 해당 파장에 따라, 대상 기판(20)에서 에칭되는 적층 부재가 달라질 수 있다. 특정 파장에 의해, 대상 기판(20)의 적층 부재 중 적어도 일부가 에칭 또는 리프트-오프될 수 있다. 에칭 공정에 의해 적층 부재 중 하나만 리프트-오프될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니고, 대상 기판(20)의 적층 부재 중 특정 파장에 의해 리프트-오프되는 일부 적층 부재 뿐만 아니라 상기 일부 적층 부재의 하부에 배치된 다른 적층 부재도 함께 에칭될 수 있다.The laser beam L directed to the
이어, 레이저 빔(L)에 의해 에칭 또는 리프트-오프된 대상 기판(20)은 다시 제1 방향(DR1) 일측으로 이동할 수 있다. 대상 기판(20)이 이동함에 따라, 진공 챔버(100) 저면에 배치된 검사용 광학 유닛(150)의 상부를 지나갈 수 있다. 대상 기판(20)이 검사용 광학 유닛(150)의 상부를 지나갈 때, 검사용 광학 유닛(150)은 대상 기판(20)에 에칭 또는 리프트-오프된 영역을 검사(S05)할 수 있다. Subsequently, the
이하에서 도 17 및 도 18을 참조하여, 일 실시예에 따른 에칭 장치(10)를 이용하여 제조할 수 있는 표시 장치에 대하여 설명한다. Hereinafter, a display device that can be manufactured using the
도 17은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용하여 제조한 표시 장치의 사시도이다. 도 18은 도 17의 ⅩⅧ-ⅩⅧ' 선을 따라 자른 단면도이다. 17 is a perspective view of a display device manufactured using an etching apparatus according to an exemplary embodiment. FIG. 18 is a cross-sectional view taken along the line XVIII-XVIII' of FIG. 17.
도 17 및 도 18을 참조하면, 표시 장치(30)는 활성 영역(AAR)을 통해 화면이나 영상을 표시하며, 활성 영역(AAR)을 포함하는 다양한 장치가 그에 포함될 수 있다. 표시 장치(30)의 예는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 스마트폰, 휴대 전화기, 태블릿 PC, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 텔레비전, 게임기, 손목 시계형 전자 기기, 헤드 마운트 디스플레이, 퍼스널 컴퓨터의 모니터, 노트북 컴퓨터, 자동차 네비게이션, 자동차 계기판, 디지털 카메라, 캠코더, 외부 광고판, 전광판, 각종 의료 장치, 각종 검사 장치, 냉장고나 세탁기 등과 같은 활성 영역(AAR)를 포함하는 다양한 가전 제품, 사물 인터넷 장치 등을 포함할 수 있다.17 and 18, the
활성 영역(AAR)과 비활성 영역(NAR)을 포함한다. 표시 장치(30)의 활성 영역(AAR)은 표시 영역을 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(30)가 터치 기능을 갖는 경우에 터치 입력의 감지가 이루어지는 영역인 터치 영역 또한 활성 영역(AAR)에 포함될 수 있다.It includes an active area AAR and an inactive area NAR. The active area AAR of the
비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 주변을 둘러쌀 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 표시가 이루어지지 않는 비표시 영역을 포함할 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 모든 변을 둘러쌀 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 활성 영역(AAR)의 네 변들 중 적어도 일부 부근에는 비활성 영역(NAR)이 배치되지 않을 수도 있다. 표시 장치(30)의 베젤 영역은 비활성 영역(NAR)으로 구성될 수 있다.The non-active area NAR may surround the active area AAR. The inactive area NAR may include a non-display area in which no display is made. The non-active area NAR may surround all sides of the active area AAR, but is not limited thereto, and the non-active area NAR may not be disposed near at least some of the four sides of the active area AAR. . The bezel area of the
표시 장치(30)는 적어도 하나의 홀(HLE)을 포함할 수 있다. 홀(HLE)은 광학 소자와 표시 장치(30)의 두께 방향으로 중첩하여 배치되어, 광학 소자의 수광부에 광을 투과시키는 역할을 한다. 홀(HLE)은 활성 영역(AAR)의 내부에 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The
홀(HLE)은 물리적으로 관통된 관통홀일 수 있다. 홀(HLE)은 하부 부재(21), 표시 패널(22), 터치 부재(23) 및 편광 부재(24)를 물리적으로 관통할 수 있다. 홀(HLE)이 상기 적층 부재들을 물리적으로 관통함에 따라, 홀(HLE)이 형성된 영역에서 상기 부재들이 제거되고, 해당 영역에서 광 투과도가 개선될 수 있다.The hole HLE may be a physically penetrated through hole. The hole HLE may physically penetrate the
표시 장치(30)는 수광부를 포함하는 광학 소자(OPS)를 더 포함할 수 있다. 수광부를 포함하는 광학 소자(OPS)의 예로는 카메라, 렌즈(집광 렌즈나 광 경로 가이드 렌즈 등), 적외선 센서, 홍채 인식 센서, 조도 센서 등의 광학 센서 등을 들 수 있다. 광학 소자(OPS)의 수광부는 일부 또는 전부가 홀(HLE) 내에 위치할 수 있다. 표시 장치(30) 외부의 빛은 커버 윈도우(25)를 통과하여 그 하부의 홀(HLE)을 통해 수광부에 입사될 수 있다. 커버 윈도우(25)가 높은 투과율을 나타내는 경우, 외부의 빛은 큰 손실 없이 상기한 광 경로를 통해 광학 소자(OPS)의 수광부에 도달할 수 있다. The
이하, 에칭 장치(10)의 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략화하고, 차이점을 위주로 설명하기로 한다.Hereinafter, other embodiments of the
도 19는 다른 실시예에 따른 에칭 장치의 사시도이다. 도 20은 도 19의 ⅩⅩ-ⅩⅩ' 선을 따라 자른 단면도이다.19 is a perspective view of an etching apparatus according to another embodiment. FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX' of FIG. 19;
도 19 및 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 에칭 장치(10_1)는 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b) 뿐만 아니라 제3 레이저 모듈(200c)과 제4 레이저 모듈(200d)을 더 포함한다는 점에서 도 1의 실시예와 차이가 있다.19 and 20, the etching apparatus 10_1 according to the present embodiment includes not only the
구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 레이저 광학계(200)는 제1 내지 제4 레이저 모듈을(200a, 200b, 200c, 200d) 포함할 수 있다. 또한, 광학계 정반(300)은 제1 상부 브릿지(320)와 제2 상부 브릿지(320)를 포함할 수 있으며, 제1 상부 브릿지(320)와 제2 상부 브릿지(320)는 정반 연결부(330)에 의해 지지되며 정반 연결부(330)에 의해 하부 지지대(310)와 물리적으로 연결된다. Specifically, the laser
제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b)은 제1 상부 브릿지(320)에 배치되고, 제3 레이저 모듈(200c)과 제4 레이저 모듈(200d)은 제2 상부 브릿지(320)에 배치될 수 있다. 제1 레이저 모듈(200a)은 제1 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 일측에 배치되며, 제2 레이저 모듈(200b)은 제1 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 타측에 배치될 수 있다. 제3 레이저 모듈(200c)은 제2 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 일측에 배치되며, 제4 레이저 모듈(200d)은 제2 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 타측에 배치될 수 있다.The
제1 내지 제4 레이저 모듈(200a, 200b, 200c, 200d)은 각각 2 이상의 복수일 수 있으며, 제2 방향(DR2)으로 상호 이격되어 배치될 수 있다.Each of the first to
이 경우에도 대상 기판(20)을 에칭 또는 리프트-오프 할 수 있는 레이저 빔(L)을 방출하는 제1 내지 제4 레이저 모듈(200a, 200b, 200c, 200d)이 대상 기판(20)의 상부에 배치되고, 제1 내지 제4 레이저 모듈(200a, 200b, 200c, 200d)로부터 방출된 레이저 빔(L)은 대상 기판(20)의 상부를 향해 방출된다. 따라서, 대상 기판(20)으로부터 박리된 파티클(P)은 대상 기판(20)의 하부를 향해 낙하하므로, 레이저 빔(L)은 파티클(P)의 영향을 받지 않으며, 에칭 공정의 효율이 감소하는 것을 방지할 수 있다. 아울러, 제3 레이저 모듈(200c)과 제4 레이저 모듈이 추가적으로 배치됨에 따라, 대상 기판(20)의 보다 많은 영역을 동시에 에칭 또는 리프트-오프 할 수 있어, 에칭 공정의 효율이 증가할 수 있다.Even in this case, the first to
도 21은 또 다른 실시예에 따른 에칭 장치의 단면도이다. 21 is a cross-sectional view of an etching apparatus according to another embodiment.
도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 에칭 장치(10_2)는 대상 기판(20)의 상부에 배치되는 제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b) 뿐만 아니라 대상 기판(20)의 하부에 배치되는 하부 레이저 모듈(250)을 더 포함할 수 있다는 점에서 도 2의 실시예와 차이가 있다.Referring to FIG. 21, the etching apparatus 10_2 according to the present embodiment includes not only the
구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 에칭 장치(10)는 대상 기판(20)의 하부에 배치되면서, 진공 챔버(100)의 외부에 배치되는 하부 레이저 모듈(250)을 더 포함할 수 있다. 하부 레이저 모듈(250)은 광학계 정반(300)의 하부 지지대(310) 상에 배치될 수 있다. 또한, 에칭 장치(10)의 진공 챔버(100)는 진공 챔버(100)의 저면에 하부 챔버 윈도우(101c)를 더 포함할 수 있다. 상기 하부 챔버 윈도우(101c)는 하부 레이저 모듈(250) 상부에 위치하여, 하부 레이저 모듈(250)로부터 방출된 레이저 빔(L)을 진공 챔버(100)의 내부로 입사할 수 있도록 한다. 즉, 하부 레이저 모듈(250)로부터 방출된 레이저 빔(L)은 하부 챔버 윈도우(101c)를 통해 진공 챔버(100)의 내부로 들어갈 수 있다.Specifically, the
대상 기판(20)의 하부에 배치되는 하부 레이저 모듈(250)은 대상 기판(20)의 상부에 배치되는 제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b)과 제3 방향(DR3)으로 중첩하지 않을 수 있다. 이에 따라, 하부 레이저 모듈(250)과 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b)이 서로 간섭되는 것을 방지할 수 있다.The
이 경우에도 대상 기판(20)을 에칭 또는 리프트-오프 할 수 있는 레이저 빔(L)을 방출하는 제1, 제2 레이저 모듈(200a, 200b)이 대상 기판(20)의 상부에 배치되고, 제1, 제2 레이저 모듈(200a, 200b)로부터 방출된 레이저 빔(L)은 대상 기판(20)의 상부를 향해 방출된다. 따라서, 대상 기판(20)으로부터 박리된 파티클(P)은 대상 기판(20)의 하부를 향해 낙하하므로, 레이저 빔(L)은 파티클(P)의 영향을 받지 않으며, 에칭 공정의 효율이 감소하는 것을 방지할 수 있다. 아울러, 대상 기판(20)의 하부에도 하부 레이저 모듈(250)이 배치됨으로써, 대상 기판(20)의 하측을 좀더 정밀하게 에칭 또는 리프트-오프할 수 있어, 에칭 공정의 신뢰도가 향상될 수 있다.Even in this case, the first and
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. You will be able to understand. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative and non-limiting in all respects.
10: 에칭 장치
20: 대상 기판
30: 표시 장치
100: 진공 챔버
200: 레이저 광학계
300: 광학계 정반10: etching device
20: target substrate
30: display device
100: vacuum chamber
200: laser optical system
300: optical system platen
Claims (20)
상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 하부에 상기 대상 기판이 안착되는 기판 이송 유닛; 및
상기 진공 챔버의 외부에 배치되고, 상기 투광창을 통해 상기 진공 챔버 내부로 레이저 빔(Laser Beam)을 조사하여 상기 에칭 공정을 수행하는 레이저 조사 유닛을 포함하는 적어도 하나의 레이저 모듈을 포함하는 에칭 장치.A vacuum chamber in which an etching process is performed on a target substrate, the vacuum chamber including a light-transmitting window on an upper surface thereof;
A substrate transfer unit disposed inside the vacuum chamber and on which the target substrate is seated under the vacuum chamber; And
An etching apparatus including at least one laser module disposed outside the vacuum chamber and including a laser irradiation unit for performing the etching process by irradiating a laser beam into the vacuum chamber through the transparent window .
상기 레이저 모듈은,
제1 광학계;
제2 광학계; 및
스캐너를 더 포함하고,
상기 제1 광학계 및 상기 제2 광학계는 상기 레이저 조사 유닛에서 방출된 레이저 빔의 경로를 변경하여, 레이저 빔을 상기 스캐너로 전달하고,
상기 스캐너는 상기 레이저 빔을 상기 대상 기판을 향해 방출하는 에칭 장치.The method of claim 1,
The laser module,
A first optical system;
A second optical system; And
Further includes a scanner,
The first optical system and the second optical system change the path of the laser beam emitted from the laser irradiation unit, and transmit the laser beam to the scanner,
The scanner emits the laser beam toward the target substrate.
상기 제1 광학계는 상기 레이저 빔을 반사하는 제1 미러부를 포함하고, 상기 제2 광학계는 상기 레이저 빔을 반사하는 제2 미러부를 포함하는 에칭 장치.The method of claim 2,
The first optical system includes a first mirror unit that reflects the laser beam, and the second optical system includes a second mirror unit that reflects the laser beam.
상기 기판 이송 유닛은 스테이지 유닛 및 척킹 유닛을 포함하고, 상기 대상 기판은 상기 척킹 유닛의 하면에 안착되는 에칭 장치.The method of claim 1,
The substrate transfer unit includes a stage unit and a chucking unit, and the target substrate is mounted on a lower surface of the chucking unit.
상기 척킹 유닛은 상기 척킹 유닛을 관통하는 적어도 하나의 빔 투과용 홀을 포함하는 에칭 장치.The method of claim 4,
The chucking unit includes at least one beam transmission hole passing through the chucking unit.
상기 스테이지 유닛은 스테이지 상판 및 스테이지 하판을 포함하고,
상기 스테이지 상판은 틀 형상의 상판 테두리부 및
상기 상판 테두리부에 의해 둘러싸이며, 상기 레이저 빔을 투과시키는 상판 윈도우를 포함하는 에칭 장치.The method of claim 4,
The stage unit includes a stage upper plate and a stage lower plate,
The stage upper plate has a frame-shaped upper plate rim and
An etching apparatus including an upper plate window surrounded by the upper plate rim and transmitting the laser beam.
상기 스테이지 하판은,
제1 방향 양측에 배치되는 하판 테두리부;
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 양측에 배치되는 하판 단차부; 및
상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부를 연결하는 하판 연결부를 포함하고,
상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부 사이에는 단차가 있는 에칭 장치.The method of claim 6,
The lower plate of the stage,
Lower plate rims disposed on both sides in the first direction;
Lower plate steps disposed on both sides of the second direction crossing the first direction; And
And a lower plate connecting portion connecting the lower plate rim portion and the lower plate stepped portion,
An etching apparatus having a step difference between the lower plate edge portion and the lower plate step portion.
상기 하판 단차부는 상기 하판 테두리부의 상부에 위치하는 에칭 장치.The method of claim 7,
The lower plate stepped portion is an etching apparatus located above the lower plate rim portion.
상기 진공 챔버의 외부에 배치되며, 상기 진공 챔버를 둘러싸는 광학계 정반을 더 포함하는 에칭 장치.The method of claim 1,
An etching apparatus disposed outside the vacuum chamber and further comprising an optical system platen surrounding the vacuum chamber.
상기 광학계 정반은 상기 진공 챔버 하부에 배치되는 하부 지지대,
상기 진공 챔버의 상부에 배치되는 상부 브릿지, 및
상기 하부 지지대와 상기 상부 브릿지를 연결하는 정반 연결부로 포함하는 에칭 장치.The method of claim 9,
The optical system platen is a lower support disposed under the vacuum chamber,
An upper bridge disposed above the vacuum chamber, and
Etching apparatus comprising a plate connecting portion connecting the lower support and the upper bridge.
상기 레이저 모듈은 상기 상부 브릿지 상에 배치되는 에칭 장치.The method of claim 10,
The laser module is an etching apparatus disposed on the upper bridge.
상기 진공 챔버 내부에 배치되며, 상기 대상 기판을 검사하는 검사용 광학 유닛을 더 포함하는 에칭 장치.The method of claim 1,
An etching apparatus further comprising an inspection optical unit disposed inside the vacuum chamber and inspecting the target substrate.
상기 검사용 광학 유닛은 대상 기판의 하부에 위치하는 에칭 장치.The method of claim 12,
The inspection optical unit is an etching apparatus located under the target substrate.
상기 대상 기판을 이송하여 기판 이송 유닛의 하부에 안착시키는 단계; 및
상기 기판 이송 유닛의 외부에 배치된 레이저 조사 유닛으로부터 방출된 레이저 빔(Laser Beam)을 상기 투광창을 통해 상기 대상 기판에 조사하여 상기 대상 기판에 대한 에칭 공정을 수행하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.Introducing a target substrate including a plurality of pixels and a light emitting device disposed for each pixel into a vacuum chamber including a light-transmitting window on an upper surface;
Transferring the target substrate and seating it under the substrate transfer unit; And
A display device comprising the step of performing an etching process on the target substrate by irradiating a laser beam emitted from a laser irradiation unit disposed outside the substrate transfer unit to the target substrate through the transparent window. Manufacturing method.
상기 기판 이송 유닛은 스테이지 유닛 및 척킹 유닛으로 이루어지고, 상기 척킹 유닛은 상기 척킹 유닛을 관통하는 적어도 하나의 빔 투과용 홀을 포함하며, 상기 척킹 유닛의 하면에 상기 대상 기판을 안착하는 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 14,
The substrate transfer unit includes a stage unit and a chucking unit, the chucking unit includes at least one beam transmission hole penetrating through the chucking unit, and the target substrate is mounted on a lower surface of the chucking unit. Manufacturing method.
상기 스테이지 유닛은 스테이지 상판 및 스테이지 하판을 포함하고,
상기 스테이지 상판은 틀 형상의 상판 테두리부 및 상기 상판 테두리부에 의해 둘러싸이며, 레이저 빔을 투과시키는 상판 윈도우를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 15,
The stage unit includes a stage upper plate and a stage lower plate,
The stage upper plate is a method of manufacturing a display device including a frame-shaped upper plate edge portion and an upper plate window surrounded by the upper plate edge portion and transmitting a laser beam.
상기 스테이지 하판은,
제1 방향 양측에 배치되는 하판 테두리부;
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 양측에 배치되는 하판 단차부; 및
상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부를 연결하는 하판 연결부를 포함하고,
상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부 사이에는 단차가 있는 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 16,
The lower plate of the stage,
Lower plate rims disposed on both sides in the first direction;
Lower plate steps disposed on both sides of the second direction crossing the first direction; And
And a lower plate connecting portion connecting the lower plate rim portion and the lower plate stepped portion,
A method of manufacturing a display device having a step difference between the lower plate edge portion and the lower plate step portion.
상기 하판 단차부는 상기 하판 테두리부의 상부에 위치하는 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 17,
A method of manufacturing a display device in which the stepped portion of the lower plate is positioned above an edge portion of the lower plate.
상기 대상 기판을 에칭하는 단계 이후 상기 대상 기판을 검사하는 단계를 더 포함하되,
대상 기판을 검사하는 검사용 광학 유닛은 상기 하판 단차부의 하부를 지나가면서, 상기 하판 테두리부 사이를 통과하는 표시 장치의 제조 방법.The method of claim 18,
Further comprising the step of inspecting the target substrate after the step of etching the target substrate,
A method of manufacturing a display device, wherein an inspection optical unit for inspecting a target substrate passes between the lower edge portions while passing a lower portion of the lower plate stepped portion.
상기 대상 기판을 에칭하는 단계는 상기 대상 기판의 일부를 관통하는 홀을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
The method of claim 14,
The etching of the target substrate includes forming a hole penetrating a portion of the target substrate.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190141470A KR20210055823A (en) | 2019-11-07 | 2019-11-07 | Etching apparatus and method of manufacturing display device |
CN202010552348.7A CN112775555A (en) | 2019-11-07 | 2020-06-17 | Etching apparatus and method for manufacturing display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190141470A KR20210055823A (en) | 2019-11-07 | 2019-11-07 | Etching apparatus and method of manufacturing display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210055823A true KR20210055823A (en) | 2021-05-18 |
Family
ID=75750109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190141470A KR20210055823A (en) | 2019-11-07 | 2019-11-07 | Etching apparatus and method of manufacturing display device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20210055823A (en) |
CN (1) | CN112775555A (en) |
-
2019
- 2019-11-07 KR KR1020190141470A patent/KR20210055823A/en active Search and Examination
-
2020
- 2020-06-17 CN CN202010552348.7A patent/CN112775555A/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112775555A (en) | 2021-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11342390B2 (en) | Display panel, display device and a method for manufacturing a display panel | |
US11800746B2 (en) | Electronic devices with light sensors and displays | |
US10658441B2 (en) | Organic light-emitting diode displays with reflectors | |
US8525404B2 (en) | Organic light emitting diode display having improved visibility | |
TW201837895A (en) | Display device and display module comprising a display screen having a first display zone and a light transmitting zone and a second display zone arranged between the display screen and a bottom of a main body to make the light transmitting zone displaying image information | |
WO2018103195A1 (en) | Display module and usage method thereof | |
WO2021170006A1 (en) | Display panel and manufacturing method therefor, and display apparatus | |
WO2018103193A1 (en) | Display module and usage method thereof | |
US11818911B2 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display apparatus | |
KR100438797B1 (en) | Organic Electroluminescent Device | |
CN110426859A (en) | A kind of optical diaphragm, display component and display device | |
WO2022111076A1 (en) | Display substrate, manufacturing method therefor, and display device | |
CN113099732A (en) | Display substrate, preparation method thereof and display device | |
CN108899356B (en) | OLED display substrate, manufacturing method thereof and display device | |
CN109244112B (en) | Display panel and display device | |
KR20210055823A (en) | Etching apparatus and method of manufacturing display device | |
KR102135933B1 (en) | Method of fabricating flexible organic light emitting diode display device | |
WO2023108688A1 (en) | Display panel and electronic device | |
KR20220118578A (en) | Display device and method for manufaturing the same | |
KR20210044946A (en) | Apparatus and method for manufacturing a display apparatus | |
KR20190081661A (en) | Stereoscopic Display apparatus | |
WO2023151127A1 (en) | Oled display panel and manufacturing method therefor, and oled display module | |
US11990361B2 (en) | Electrostatic chuck, etching apparatus, and method of manufacturing display device | |
US20240081134A1 (en) | Hybrid Displays | |
US20230165108A1 (en) | Display panel and display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination |