KR20210055823A - Etching apparatus and method of manufacturing display device - Google Patents

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KR20210055823A
KR20210055823A KR1020190141470A KR20190141470A KR20210055823A KR 20210055823 A KR20210055823 A KR 20210055823A KR 1020190141470 A KR1020190141470 A KR 1020190141470A KR 20190141470 A KR20190141470 A KR 20190141470A KR 20210055823 A KR20210055823 A KR 20210055823A
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vacuum chamber
disposed
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KR1020190141470A
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김규범
김도선
박재석
이정섭
홍경호
임재하
한규완
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

An etching apparatus is provided. The etching device includes a vacuum chamber in which an etching process for a target substrate is performed, and including a light-transmitting window on the upper surface; a substrate transfer unit disposed inside the vacuum chamber and seating the target substrate on the lower part; and at least one laser module disposed outside the vacuum chamber and including a laser irradiation unit for performing the etching process by emitting a laser beam into the vacuum chamber through the light-transmitting window. It is possible to increase the efficiency of the etching process.

Description

에칭 장치 및 표시 장치의 제조 방법{ETCHING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}Manufacturing method of an etching apparatus and a display apparatus TECHNICAL FIELD

본 발명은 에칭 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an etching device and a method of manufacturing a display device.

정보 통신 기술의 비약적인 발전과 시장의 팽창에 따라 디스플레이 소자로 평판표시소자(Flat Panel Display)가 각광받고 있다. With the rapid development of information and communication technology and the expansion of the market, flat panel displays are in the spotlight as display devices.

이러한 평판표시소자(Flat Panel Display)에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이장치(Plasma Display Panel), 유기발광다이오드 디스플레이(Organic Light Emitting Diode Display) 등이 있다. 이 중에서 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)는, 빠른 응답속도, 기존의 액정표시장치(LCD)보다 낮은 소비 전력, 경량성, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어서 초박형으로 만들 수 있는 점, 고휘도 등의 매우 좋은 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 소자로 각광받고 있다.Such flat panel displays include a liquid crystal display, a plasma display panel, and an organic light emitting diode display. Among them, the OLED display has a fast response speed, lower power consumption than a conventional liquid crystal display (LCD), light weight, and the point that it can be made ultra-thin because it does not require a separate back light device. It has very good advantages such as high luminance, so it is receiving attention as a next-generation display device.

이러한 유기발광다이오드 디스플레이(OLED display)는 패턴(Pattern) 형성 공정, 유기박막 증착 공정, 에칭 공정, 봉지 공정, 그리고 유기박막이 증착된 기판과 봉지 공정을 거친 기판을 붙이는 합착 공정 등을 통해 제품으로 생산될 수 있다. 한편, 다양한 공정들 중에서 에칭 공정은, 기판의 표면에서 불필요한 부분을 에칭함으로써, 원하는 모양을 얻어내는 공정이다.These OLED displays are made into products through a pattern formation process, an organic thin film deposition process, an etching process, an encapsulation process, and a bonding process in which the substrate on which the organic thin film is deposited and the substrate that has undergone the sealing process are attached. Can be produced. On the other hand, among various processes, the etching process is a process of obtaining a desired shape by etching unnecessary portions on the surface of the substrate.

레이저 조사 유닛을 진공 챔버 상부에 위치시킴으로써, 대상 기판에서 분리되어 진공 챔버 하부로 낙하하는 파티클에 영향을 받지 않아 에칭 공정의 효율이 증가한 에칭 장치를 제공하는 것이다.By placing the laser irradiation unit above the vacuum chamber, there is provided an etching apparatus in which the efficiency of the etching process is increased because it is not affected by particles separated from the target substrate and falling below the vacuum chamber.

레이저 조사 유닛을 진공 챔버 상부에 위치시킴으로써, 대상 기판에서 분리되어 진공 챔버 하부로 낙하하는 파티클에 영향을 받지 않아 에칭 공정의 효율이 증가한 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a method of manufacturing a display device using an etching apparatus in which the efficiency of an etching process is increased because the laser irradiation unit is positioned above the vacuum chamber and is not affected by particles separated from the target substrate and falling below the vacuum chamber.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other technical problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결 하기 위한 일 실시예에 따른 에칭 장치는 내부에서 대상 기판에 대한 에칭 공정이 수행되는 진공 챔버로서, 상면에 투광창을 포함하는 진공 챔버, 상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 하부에 상기 대상 기판이 안착되는 기판 이송 유닛, 및 상기 진공 챔버의 외부에 배치되고, 상기 투광창을 통해 상기 진공 챔버 내부로 레이저 빔(Laser Beam)을 조사하여 상기 에칭 공정을 수행하는 레이저 조사 유닛을 포함하는 적어도 하나의 레이저 모듈을 포함한다. An etching apparatus according to an embodiment for solving the above problem is a vacuum chamber in which an etching process is performed on a target substrate, a vacuum chamber including a transparent window on an upper surface, and disposed inside the vacuum chamber, and A substrate transfer unit on which the target substrate is mounted, and a laser irradiation unit disposed outside the vacuum chamber and performing the etching process by irradiating a laser beam into the vacuum chamber through the transparent window And at least one laser module.

상기 레이저 모듈은 제1 광학계, 제2 광학계 및 스캐너를 더 포함하고, 상기 제1 광학계 및 상기 제2 광학계는 상기 레이저 조사 유닛에서 방출된 레이저 빔의 경로를 변경하여, 레이저 빔을 상기 스캐너로 전달하고, 상기 스캐너는 상기 레이저 빔을 상기 대상 기판을 향해 방출할 수 있다. The laser module further includes a first optical system, a second optical system, and a scanner, and the first optical system and the second optical system change the path of the laser beam emitted from the laser irradiation unit, and transmit the laser beam to the scanner. And, the scanner may emit the laser beam toward the target substrate.

상기 제1 광학계는 상기 레이저 빔을 반사하는 제1 미러부를 포함하고, 상기 제2 광학계는 상기 레이저 빔을 반사하는 제2 미러부를 포함할 수 있다.The first optical system may include a first mirror unit that reflects the laser beam, and the second optical system may include a second mirror unit that reflects the laser beam.

상기 기판 이송 유닛은 스테이지 유닛 및 척킹 유닛을 포함하고, 상기 대상 기판은 상기 척킹 유닛의 하면에 안착될 수 있다. The substrate transfer unit includes a stage unit and a chucking unit, and the target substrate may be mounted on a lower surface of the chucking unit.

상기 척킹 유닛은 상기 척킹 유닛을 관통하는 적어도 하나의 빔 투과용 홀을 포함할 수 있다. The chucking unit may include at least one beam transmitting hole penetrating the chucking unit.

상기 스테이지 유닛은 스테이지 상판 및 스테이지 하판을 포함하고, 상기 스테이지 상판은 틀 형상의 상판 테두리부 및 상기 상판 테두리부에 의해 둘러싸이며, 상기 레이저 빔을 투과시키는 상판 윈도우를 포함할 수 있다. The stage unit may include a stage upper plate and a stage lower plate, and the stage upper plate may include a frame-shaped upper plate rim and an upper plate window surrounded by the upper plate rim and transmitting the laser beam.

상기 스테이지 하판은 제1 방향 양측에 배치되는 하판 테두리부, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 양측에 배치되는 하판 단차부 및 상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부를 연결하는 하판 연결부를 포함하고, 상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부 사이에는 단차가 있을 수 있다. The stage lower plate includes a lower plate rim disposed on both sides in a first direction, a lower plate stepped part disposed on both sides in a second direction crossing the first direction, and a lower plate connecting part connecting the lower plate rim and the lower plate stepped part, There may be a step difference between the lower plate rim portion and the lower plate step portion.

상기 하판 단차부는 상기 하판 테두리부의 상부에 위치할 수 있다. The lower plate stepped portion may be located above the lower plate rim portion.

상기 진공 챔버의 외부에 배치되며, 상기 진공 챔버를 둘러싸는 광학계 정반을 더 포함할 수 있다. It is disposed outside the vacuum chamber and may further include an optical system platen surrounding the vacuum chamber.

상기 광학계 정반은 상기 진공 챔버 하부에 배치되는 하부 지지대, 상기 진공 챔버의 상부에 배치되는 상부 브릿지, 및 상기 하부 지지대와 상기 상부 브릿지를 연결하는 정반 연결부로 포함할 수 있다.The optical system platen may include a lower support disposed below the vacuum chamber, an upper bridge disposed above the vacuum chamber, and a platen connecting portion connecting the lower supporter and the upper bridge.

상기 레이저 모듈은 상기 상부 브릿지 상에 배치될 수 있다. The laser module may be disposed on the upper bridge.

상기 진공 챔버 내부에 배치되며, 상기 대상 기판을 검사하는 검사용 광학 유닛을 더 포함할 수 있다. It is disposed inside the vacuum chamber, and may further include an inspection optical unit for inspecting the target substrate.

상기 검사용 광학 유닛은 대상 기판의 하부에 위치할 수 있다.The inspection optical unit may be located under the target substrate.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 복수의 화소 및 상기 각 화소마다 배치된 발광 소자를 포함하는 대상 기판을 상면에 투광창을 포함하는 진공 챔버 내부로 투입하는 단계, 상기 대상 기판을 이송하여 기판 이송 유닛의 하부에 안착시키는 단계 및 상기 기판 이송 유닛의 외부에 배치된 레이저 조사 유닛으로부터 방출된 레이저 빔(Laser Beam)을 상기 투광창을 통해 상기 대상 기판에 조사하여 상기 대상 기판에 대한 에칭 공정을 수행하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a display device according to an exemplary embodiment for solving the above problem includes the steps of introducing a target substrate including a plurality of pixels and a light emitting device disposed for each pixel into a vacuum chamber including a light-transmitting window on an upper surface thereof, Transferring the target substrate to the lower portion of the substrate transfer unit and irradiating a laser beam emitted from a laser irradiation unit disposed outside the substrate transfer unit to the target substrate through the light transmitting window. And performing an etching process on the target substrate.

상기 기판 이송 유닛은 스테이지 유닛 및 척킹 유닛으로 이루어지고, 상기 척킹 유닛은 상기 척킹 유닛을 관통하는 적어도 하나의 빔 투과용 홀을 포함하며, 상기 척킹 유닛의 하면에 상기 대상 기판을 안착할 수 있다. The substrate transfer unit includes a stage unit and a chucking unit, and the chucking unit includes at least one beam transmission hole penetrating through the chucking unit, and the target substrate may be mounted on a lower surface of the chucking unit.

상기 스테이지 유닛은 스테이지 상판 및 스테이지 하판을 포함하고, 상기 스테이지 상판은 틀 형상의 상판 테두리부 및 상기 상판 테두리부에 의해 둘러싸이며, 레이저 빔을 투과시키는 상판 윈도우를 포함할 수 있다. The stage unit may include a stage upper plate and a stage lower plate, and the stage upper plate may include a frame-shaped upper plate rim and an upper plate window that is surrounded by the upper plate rim and transmits a laser beam.

상기 스테이지 하판은 제1 방향 양측에 배치되는 하판 테두리부, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 양측에 배치되는 하판 단차부 및 상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부를 연결하는 하판 연결부를 포함하고, 상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부 사이에는 단차가 있을 수 있다. The stage lower plate includes a lower plate rim disposed on both sides in a first direction, a lower plate stepped part disposed on both sides in a second direction crossing the first direction, and a lower plate connecting part connecting the lower plate rim and the lower plate stepped part, There may be a step difference between the lower plate rim portion and the lower plate step portion.

상기 하판 단차부는 상기 하판 테두리부의 상부에 위치할 수 있다. The lower plate stepped portion may be located above the lower plate rim portion.

상기 대상 기판을 에칭하는 단계 이후 상기 대상 기판을 검사하는 단계를 더 포함하되, 대상 기판을 검사하는 검사용 광학 유닛은 상기 하판 단차부의 하부를 지나가면서, 상기 하판 테두리부 사이를 통과할 수 있다. After the step of etching the target substrate, the step of inspecting the target substrate may be further included, wherein the inspection optical unit for inspecting the target substrate may pass between the lower edge portions while passing a lower portion of the lower plate stepped portion.

상기 대상 기판을 에칭하는 단계는 상기 대상 기판의 일부를 관통하는 홀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Etching the target substrate may include forming a hole penetrating a portion of the target substrate.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

레이저 조사 유닛을 진공 챔버 상부에 위치시킴으로써, 대상 기판에서 분리되어 진공 챔버 하부로 낙하하는 파티클에 영향을 받지 않아, 에칭 공정의 효율이 증가한 에칭 장치를 제공할 수 있다.By placing the laser irradiation unit in the upper part of the vacuum chamber, it is possible to provide an etching apparatus with increased efficiency of the etching process since it is not affected by particles separated from the target substrate and falling below the vacuum chamber.

레이저 조사 유닛을 진공 챔버 상부에 위치시킴으로써, 대상 기판에서 분리되어 진공 챔버 하부로 낙하하는 파티클에 영향을 받지 않아, 에칭 공정의 효율이 증가한 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.By placing the laser irradiation unit above the vacuum chamber, it is possible to provide a method of manufacturing a display device using an etching apparatus in which the efficiency of the etching process is increased because it is not affected by particles separated from the target substrate and falling below the vacuum chamber.

실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects according to the embodiments are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

도 1은 일 실시예에 따른 에칭 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 광학계 정반의 사시도이다.
도 4는 도 2의 A영역을 확대하여 도시한 확대도이다.
도 5는 도 2의 B영역을 확대하여 도시한 확대도이다.
도 6은 도 5의 C영역을 확대한 확대도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 결합된 기판 이동 유닛과 대상 기판 및 검사용 광학 유닛의 사시도이다.
도 8은 도 7의 측면도이다.
도 9은 일 실시예에 따른 스테이지 유닛, 척킹 유닛 및 대상 기판 간의 결합 관계를 나타내는 분해 사시도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 척킹 유닛의 사시도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 상부에서 바라본 평면도이다.
도 12는 도 11의 ⅩⅡ-ⅩⅡ'선을 따라 자른 단면도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.
도 14 내지 도 16은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 17은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용하여 제조한 표시 장치의 사시도이다.
도 18은 도 17의 ⅩⅧ-ⅩⅧ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 19는 다른 실시예에 따른 에칭 장치의 사시도이다.
도 20은 도 19의 ⅩⅩ-ⅩⅩ' 선을 따라 자른 단면도이다.
도 21은 또 다른 실시예에 따른 에칭 장치의 단면도이다.
1 is a perspective view of an etching apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 1.
3 is a perspective view of an optical system base according to an embodiment.
4 is an enlarged view showing an enlarged area A of FIG. 2.
5 is an enlarged view showing an enlarged area B of FIG. 2.
6 is an enlarged view of an enlarged area C of FIG. 5.
7 is a perspective view of a combined substrate moving unit, a target substrate, and an optical unit for inspection according to an exemplary embodiment.
8 is a side view of FIG. 7.
9 is an exploded perspective view illustrating a coupling relationship between a stage unit, a chucking unit, and a target substrate according to an exemplary embodiment.
10 is a perspective view of a chucking unit according to an embodiment.
11 is a plan view as viewed from above of an etching apparatus according to an exemplary embodiment.
12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII' of FIG. 11.
13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device using an etching device according to an exemplary embodiment.
14 to 16 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using an etching device according to an exemplary embodiment.
17 is a perspective view of a display device manufactured using an etching apparatus according to an exemplary embodiment.
FIG. 18 is a cross-sectional view taken along the line XVIII-XVIII' of FIG. 17.
19 is a perspective view of an etching apparatus according to another embodiment.
FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX' in FIG. 19;
21 is a cross-sectional view of an etching apparatus according to another embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms different from each other, and only these embodiments make the disclosure of the present invention complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to the possessor, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.When elements or layers are referred to as “on” of another element or layer includes all cases of interposing another layer or another element directly on or in the middle of another element. The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, and the like are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical idea of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.Hereinafter, specific embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일 실시예에 따른 에칭 장치의 사시도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 자른 단면도이다.1 is a perspective view of an etching apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II' of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 에칭 장치(10)는 내부에서 대상 기판에 대한 에칭 공정이 수행되는 진공 챔버(100), 진공 챔버(100)의 외부에 배치되며 진공 챔버(100) 내의 대상 기판으로 레이저 빔(L)(Laser Beam)을 조사(照射, irradiation)하여 에칭 공정을 수행하는 레이저 광학계(200), 상기 레이저 광학계(200)가 배치되는 광학계 정반(300)을 포함할 수 있다.1 and 2, the etching apparatus 10 according to an embodiment is disposed outside the vacuum chamber 100 and the vacuum chamber 100 in which an etching process for a target substrate is performed therein, and the vacuum chamber ( Including a laser optical system 200 that performs an etching process by irradiating a laser beam (L) to a target substrate within 100), and an optical system base 300 on which the laser optical system 200 is disposed. can do.

진공 챔버(100)의 내부에는 스테이지 유닛(120), 척킹 유닛(130), 파티클 포집 유닛(140) 및 검사용 광학 유닛(150)이 배치될 수 있다. 도시하진 않았으나, 대상 기판(20)은 진공 챔버(100)의 외부로부터 로봇 암(Robot Arm) 등에 의해 진공 챔버(100) 내부로 이송될 수 있다. 진공 챔버(100) 내부로 이송된 대상 기판(20)은 척킹 유닛(130) 및 스테이지 유닛(120)과 어태치(Attach)될 수 있다. A stage unit 120, a chucking unit 130, a particle collecting unit 140, and an inspection optical unit 150 may be disposed inside the vacuum chamber 100. Although not shown, the target substrate 20 may be transferred into the vacuum chamber 100 from the outside of the vacuum chamber 100 by a robot arm or the like. The target substrate 20 transferred into the vacuum chamber 100 may be attached to the chucking unit 130 and the stage unit 120.

대상 기판(20) 상에는 척킹 유닛(130)이 배치되고, 척킹 유닛(130) 상에는 스테이지 유닛(120)이 배치된다. 즉, 척킹 유닛(130)은 대상 기판(20)과 스테이지 유닛(120) 사이에 위치할 수 있다. The chucking unit 130 is disposed on the target substrate 20, and the stage unit 120 is disposed on the chucking unit 130. That is, the chucking unit 130 may be positioned between the target substrate 20 and the stage unit 120.

도면에서 제1 방향(DR1)은 광학계 정반(300)의 정반 연결부(330)가 일부를 덮고 있는 진공 챔버(100)의 측면이 연장된 방향을 나타내고, 제2 방향(DR2)은 광학계 정반(300)의 정반 연결부(330)가 덮고 있지 않는 진공 챔버(100)의 측면이 연장된 방향을 나타낸다. 또한, 제3 방향(DR3)은 진공 챔버(100)의 두께방향을 나타낸다. 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)는 서로 수직으로 교차하며, 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 놓이는 평면에 교차하는 방향으로, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 모두 수직으로 교차한다.In the drawing, the first direction DR1 indicates the direction in which the side surface of the vacuum chamber 100 in which the platen connection part 330 of the optical system platen 300 covers a part is extended, and the second direction DR2 is the optical system platen 300 ) Indicates the direction in which the side surface of the vacuum chamber 100 that is not covered by the platen connection part 330 is extended. In addition, the third direction DR3 represents the thickness direction of the vacuum chamber 100. The first direction DR1 and the second direction DR2 cross each other perpendicularly, and the third direction DR3 is a direction crossing a plane on which the first and second directions DR1 and DR2 are placed. Both the first direction DR1 and the second direction DR2 intersect perpendicularly.

다른 정의가 없는 한, 본 명세서에서 제3 방향(DR3)을 기준으로 표현된 “상부”, “상면”, "상측"은 대상 기판(20)을 기준으로 척킹 유닛(130) 측을 의미하고, “하부”, “하면”, "하측"은 대상 기판(20)을 기준으로 척킹 유닛(130)의 반대측을 의미하는 것으로 한다.Unless otherwise defined, "upper", "upper surface", and "upper side" expressed with respect to the third direction DR3 in this specification mean the chucking unit 130 side with respect to the target substrate 20, “Lower”, “lower”, and “lower” refer to the opposite side of the chucking unit 130 with respect to the target substrate 20.

진공 챔버(100)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 박스(box)형 구조물로서, 그 내부에서 대상 기판(20)에 대한 에칭 공정이 진행될 수 있다. 즉, 진공 챔버(100)는 대상 기판(20)에 대한 에칭 공정이 진행되는 공간을 제공할 수 있다. 진공 챔버(100)의 일측 벽면에는 기판이 출입되는 게이트 밸브(110)가 배치될 수 있다. As shown in FIGS. 1 and 2, the vacuum chamber 100 is a box-type structure, and an etching process for the target substrate 20 may be performed therein. That is, the vacuum chamber 100 may provide a space in which an etching process for the target substrate 20 is performed. A gate valve 110 through which a substrate enters and exits may be disposed on one wall of the vacuum chamber 100.

진공 챔버(100)의 상면에는 제1 챔버 윈도우(101a) 및 제2 챔버 윈도우(101b)가 마련된다. 제1 챔버 윈도우(101a) 및 제2 챔버 윈도우(101b)는, 특정 파장의 레이저 빔(L)을 통과시킬 수 있는 투광창으로서, 진공 챔버(100) 외부에 배치된 레이저 조사 유닛(190)으로부터의 레이저 빔(L)이 진공 챔버(100)의 제1 챔버 윈도우(101a) 및 제2 챔버 윈도우(101b)를 통하여 진공 챔버(100)의 내부로 입사될 수 있다.A first chamber window 101a and a second chamber window 101b are provided on the upper surface of the vacuum chamber 100. The first chamber window 101a and the second chamber window 101b are transparent windows through which a laser beam L of a specific wavelength can pass, and from the laser irradiation unit 190 disposed outside the vacuum chamber 100. The laser beam L of may be incident into the vacuum chamber 100 through the first chamber window 101a and the second chamber window 101b of the vacuum chamber 100.

본 실시예에서 진공 챔버(100)의 상면에는 다수개의 챔버 윈도우가 마련될 수 있다. 또한, 진공 챔버(100)의 상면에는 제1 챔버 윈도우(101a) 및 제2 챔버 윈도우(101b)를 차폐하는 보호 윈도우(미도시)를 구비하는 챔버 윈도우 보호부(미도시)가 더 배치될 수 있다.In this embodiment, a plurality of chamber windows may be provided on the upper surface of the vacuum chamber 100. In addition, a chamber window protection unit (not shown) having a protection window (not shown) shielding the first chamber window 101a and the second chamber window 101b may be further disposed on the upper surface of the vacuum chamber 100. have.

아울러, 도시하진 않았으나, 진공 챔버(100)의 저면에는 검사용 챔버 윈도우(미도시)가 더 배치될 수 있다. 검사용 챔버 윈도우(미도시)는, 제1 챔버 윈도우(101a) 및 제2 챔버 윈도우(101b)와 마찬가지로 특정 파장의 레이저 빔(L)을 통과시킬 수 있는 창으로서, 진공 챔버(100) 내부를 통과한 레이저 빔(L)이 검사용 챔버 윈도우(미도시)를 통하여 진공 챔버(100) 외부에 배치된 레이저 출력 측정 유닛(미도시)에 전달될 수 있다.In addition, although not shown, an inspection chamber window (not shown) may be further disposed on the bottom surface of the vacuum chamber 100. The inspection chamber window (not shown), like the first chamber window 101a and the second chamber window 101b, is a window through which a laser beam L of a specific wavelength can pass, and the inside of the vacuum chamber 100 is The passed laser beam L may be transmitted to a laser output measuring unit (not shown) disposed outside the vacuum chamber 100 through an inspection chamber window (not shown).

진공 챔버(100)의 내부에는 기판 이송 유닛(STU)이 배치될 수 있다. 기판 이송 유닛(STU)은 진공 챔버(100)의 내부에서 기판을 이송한다. 기판 이송 유닛(STU)(120)은, 진공 챔버(100)의 내부로 로딩된 대상 기판(20)을 어태치(attach)하는 척킹 유닛(130), 척킹 유닛(130) 상면에 배치되는 스테이지 유닛(120) 및 스테이지 이동 유닛(미도시)을 포함한다.A substrate transfer unit (STU) may be disposed inside the vacuum chamber 100. The substrate transfer unit STU transfers a substrate in the vacuum chamber 100. The substrate transfer unit (STU) 120 is a chucking unit 130 for attaching a target substrate 20 loaded into the vacuum chamber 100, and a stage unit disposed on the upper surface of the chucking unit 130 120 and a stage moving unit (not shown).

스테이지 유닛(120)은 스테이지 유닛(120)의 하부에 척킹 유닛(130) 및 대상 기판(20)이 결합된 상태에서 이동하거나 회전함으로써, 에칭 공정이 진행될 대상 기판(20)의 위치 및 방향을 조정할 수 있다. 이에 따라, 레이저 조사 유닛에서 방출된 레이저 빔(L)을 대상 기판(20)의 원하는 영역에 도달하도록 할 수 있다.The stage unit 120 moves or rotates while the chucking unit 130 and the target substrate 20 are combined under the stage unit 120 to adjust the position and direction of the target substrate 20 on which the etching process is to be performed. I can. Accordingly, the laser beam L emitted from the laser irradiation unit may reach a desired area of the target substrate 20.

상기 스테이지 유닛(120) 하면에는 진공 챔버(100)의 내부로 로딩된 기판이 안착되는 척킹 유닛(130)이 배치될 수 있다. 척킹 유닛(130)은 스테이지 유닛(120)의 하부에 배치되어 대상 기판(20)의 상면부와 접촉할 수 있으며, 대상 기판(20)을 스테이지 유닛(120)과 결합시킬 수 있다. 본 실시예에서 척킹 유닛(130)에는 정전척(Electrostatic Chuck, ESC)이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 기판을 어태치할 수 있는 다양한 척킹 장치가 척킹 유닛(130)으로 사용될 수 있다. A chucking unit 130 on which a substrate loaded into the vacuum chamber 100 is mounted may be disposed on a lower surface of the stage unit 120. The chucking unit 130 may be disposed under the stage unit 120 to contact the upper surface of the target substrate 20 and may couple the target substrate 20 to the stage unit 120. In the present embodiment, an electrostatic chuck (ESC) may be used for the chucking unit 130, but is not limited thereto, and various chucking devices capable of attaching a substrate may be used as the chucking unit 130.

스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.A detailed description of the stage unit 120 and the chucking unit 130 will be described later.

아울러, 도시하진 않았으나, 진공 챔버(100) 내부에는 스테이지 유닛(120)에 연결되어 스테이지 유닛(120)을 지지하는 스테이지 이동 유닛(미도시)이 더 배치될 수 있다. 스테이지 이동 유닛(미도시)은, 스테이지 유닛(120)에 연결되며 스테이지 유닛(120)의 이동을 안내하는 스테이지용 가이드레일(미도시)과, 전자기력에 의해 스테이지 유닛(120)을 이동시키는 구동부(미도시)를 포함할 수 있다. 구동부(미도시)는 스테이지 유닛(120)에 마련되는 스테이지용 제1 자성체(미도시)에 상호 작용하여 스테이지 유닛(120)에 전자기력에 의한 추진력을 발생시키도록 스테이지용 가이드레일(미도시)의 길이방향을 따라 배치되는 스테이지용 제2 자성체(미도시)를 포함한다. 스테이지용 제1 자성체는 영구자석으로 마련되고 스테이지용 제2 자성체는 전자석으로 마련된다.In addition, although not shown, a stage moving unit (not shown) connected to the stage unit 120 and supporting the stage unit 120 may be further disposed inside the vacuum chamber 100. The stage moving unit (not shown) includes a guide rail for a stage (not shown) connected to the stage unit 120 and guiding the movement of the stage unit 120, and a driving unit for moving the stage unit 120 by electromagnetic force ( (Not shown) may be included. The driving unit (not shown) interacts with the first magnetic body (not shown) for the stage provided in the stage unit 120 to generate a propulsion force by the electromagnetic force to the stage unit 120. It includes a second magnetic material (not shown) for the stage disposed along the longitudinal direction. The first magnetic body for the stage is provided as a permanent magnet, and the second magnetic body for the stage is provided as an electromagnet.

대상 기판(20)의 하부에는 파티클 포집 유닛(140)이 배치될 수 있다. 파티클 포집 유닛(140)은 레이저 조사 유닛에 의한 에칭 공정시 대상 기판(20)에서 분리되는 파티클(P)을 포집할 수 있다. 즉, 대상 기판(20)으로부터 분리되는 파티클(P)을 포집하여, 상기 파티클(P)이 챔버 내부에 쌓이는 것을 방지하며, 진공 챔버(100) 내부에서 에칭 공정이 원활히 진행될 수 있도록 진공 챔버(100)의 내부 상태를 유지할 수 있다.A particle collecting unit 140 may be disposed under the target substrate 20. The particle collecting unit 140 may collect particles P separated from the target substrate 20 during an etching process by the laser irradiation unit. That is, by collecting the particles P separated from the target substrate 20, the particles P are prevented from accumulating in the chamber, and the vacuum chamber 100 so that the etching process proceeds smoothly inside the vacuum chamber 100. ) To maintain its internal state.

진공 챔버(100)의 내부에는 검사용 광학 유닛(150)이 배치될 수 있다. 검사용 광학 유닛(150)은 진공 챔버(100)의 하측에 배치되어 기판을 검사한다. An inspection optical unit 150 may be disposed inside the vacuum chamber 100. The inspection optical unit 150 is disposed under the vacuum chamber 100 to inspect the substrate.

진공 챔버(100) 외부에는 광학계 정반(300)이 배치될 수 있다. 광학계 정반(300)에 대해 상세히 설명하기 위해 도 3이 더 참조된다. An optical system platen 300 may be disposed outside the vacuum chamber 100. 3 is further referred to in order to describe the optical system base 300 in detail.

도 3은 일 실시예에 따른 광학계 정반의 사시도이다. 도 3에는 에칭 장치(10)의 광학계 정반(300)을 도시하였다.3 is a perspective view of an optical system base according to an embodiment. In FIG. 3, the optical system platen 300 of the etching apparatus 10 is shown.

광학계 정반(300)은 진공 챔버(100) 하부에 위치하며 진공 챔버(100)를 지지하는 하부 지지대(310), 진공 챔버(100) 상부에 위치하며 레이저 모듈이 배치된 상부 브릿지(320) 및 진공 챔버(100)의 측면에 위치하며 상기 하부 지지대(310)와 상기 상부 브릿지(320)를 연결하는 정반 연결부(330)를 포함할 수 있다. 즉, 광학계 정반(300)의 하부 지지대(310), 상부 브릿지(320) 및 정반 연결부(330)는 진공 챔버(100)를 둘러싸고 있을 수 있다. 또한, 하부 지지대(310), 상부 브릿지(320) 및 정반 연결부(330)는 각각 따로 형성되어 결합될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 일체로 형성될 수도 있다. 광학계 정반(300)은 그라나이트(Granite) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The optical system platen 300 is located under the vacuum chamber 100 and is a lower support 310 supporting the vacuum chamber 100, an upper bridge 320 located above the vacuum chamber 100 and on which a laser module is disposed, and a vacuum It is located on the side of the chamber 100 and may include a platen connecting portion 330 connecting the lower support 310 and the upper bridge 320. That is, the lower support 310, the upper bridge 320, and the base connection part 330 of the optical system base 300 may surround the vacuum chamber 100. In addition, the lower support 310, the upper bridge 320, and the platen connection part 330 may be separately formed and combined, but are not limited thereto and may be integrally formed. The optical system platen 300 may be made of granite, but is not limited thereto.

광학계 정반(300)의 하부 지지대(310)는 진공 챔버(100) 하부에 위치하면서, 진공 챔버(100)를 지지하는 역할을 수행하고, 레이저 출력 검사 유닛(미도시)와 같은 별도의 구성을 포함할 수 있다. 하부 지지대(310)의 평면상 형상은 진공 챔버(100)의 평면상 형상과 대체로 유사할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The lower support 310 of the optical system base 300 is positioned under the vacuum chamber 100 and serves to support the vacuum chamber 100, and includes a separate configuration such as a laser output inspection unit (not shown). can do. The planar shape of the lower support 310 may be substantially similar to the planar shape of the vacuum chamber 100, but is not limited thereto.

광학계 정반(300)의 정반 연결부(330)는 하부 지지대(310)로부터 돌출되어 상부로 연장될 수 있다. 상부로 연장되는 정반 연결부(330)는 진공 챔버(100)의 측면을 덮을 수 있다. 정반 연결부(330)의 하측은 하부 지지대(310)의 측면 중 일부와 결합하며, 정반 연결부(330)의 제1 방향(DR1) 폭은 정반 연결부(330)와 연결된 하부 지지대(310)의 제2 방향(DR2) 양 측면이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이보다 작을 수 있다. 아울러, 정반 연결부(330)의 하부는 상기 양 측면의 중앙부와 결합될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 정반 연결부(330)의 상측은 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)의 하면과 결합될 수 있으며, 정반 연결부(330)는 상부 브릿지(320)를 지지하는 역할을 할 수 있다.The base connection part 330 of the optical system base 300 may protrude from the lower support 310 and extend upward. The platen connection part 330 extending upward may cover a side surface of the vacuum chamber 100. The lower side of the platen connection part 330 is coupled with some of the side surfaces of the lower supporter 310, and the width of the first direction DR1 of the platen connection part 330 is the second of the lower supporter 310 connected to the platen connection 330. Both side surfaces of the direction DR2 may be smaller than the length extending in the first direction DR1. In addition, the lower portion of the platen connection portion 330 may be coupled to the central portions of both sides, but is not limited thereto. The upper side of the platen connection part 330 may be coupled to the lower surface of the upper bridge 320 of the optical system platen 300, and the platen connection part 330 may serve to support the upper bridge 320.

광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)는 정반 연결부(330)의 상측과 연결되며, 진공 챔버(100)의 상측에 배치될 수 있다. 상부 브릿지(320)는 진공 챔버(100)와 일정 거리 이격되어 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상부 브릿지(320)는 진공 챔버(100)의 상측 일부를 덮을 수 있으며, 상부 브릿지(320)가 제1 방향(DR1)으로 연장된 폭은 진공 챔버(100)의 상면이 제1 방향(DR1)으로 연장된 폭보다 작을 수 있다. 상부 브릿지(320)는 진공 챔버(100) 상면의 중앙 부근에 위치할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The upper bridge 320 of the optical system platen 300 is connected to the upper side of the platen connection part 330 and may be disposed on the upper side of the vacuum chamber 100. The upper bridge 320 may be disposed to be spaced apart from the vacuum chamber 100 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The upper bridge 320 may cover a part of the upper side of the vacuum chamber 100, and the width of the upper bridge 320 extending in the first direction DR1 is the upper surface of the vacuum chamber 100 in the first direction DR1 May be smaller than the extended width. The upper bridge 320 may be located near the center of the upper surface of the vacuum chamber 100, but is not limited thereto.

광학계 정반(300)의 하부 지지대(310)의 하면 및 정반 연결부(330)의 제2 방향(DR2) 외측에는 일정 패턴으로 이루어지는 복수의 홈을 포함할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 하부 지지대(310)의 하면에는 복수의 삼각형 형상의 제1 홈 패턴(HP1)을 포함할 수 있으며, 정반 연결부(330)의 외측면에는 삼각형 형상과 사각형 형상으로 이루어진 제2 홈 패턴(HP2)을 포함할 수 있다. A plurality of grooves formed in a predetermined pattern may be included on a lower surface of the lower support 310 of the optical system platen 300 and outside the second direction DR2 of the platen connection part 330. Although not limited thereto, for example, a plurality of triangular first groove patterns HP1 may be included on a lower surface of the lower support 310, and a triangular shape and a square shape may be formed on the outer surface of the base connection part 330. It may include a second groove pattern HP2 made of.

하부 지지대(310) 및 정반 연결부(330)에 제1 홈 패턴(HP1) 및 제2 홈 패턴(HP2)을 포함함으로써, 광학계 정반(300)의 전체적인 무게를 감소시켜 에칭 장치(10)의 이동 및 조립을 용이하게 할 수 있으며, 광학계 정반(300)의 형성에 필요한 재료를 감소시켜 재료 원가를 절감할 수 있다. 아울러, 하부 지지대(310) 및 정반 연결부(330)가 제1 홈 패턴(HP1) 및 제2 홈 패턴(HP2)을 포함하더라도, 각 복수의 홈 사이에 일정 두께를 유지하는 부분이 남아있어, 광학계 정반(300)의 진동에 대한 강성을 유지할 수 있다. 따라서, 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)에 배치되는 레이저 모듈은 외부로부터 진동을 전달받더라도 흔들리지 않으며, 대상 기판(20)의 원하는 영역에 레이저 빔(L)을 전달할 수 있다.By including the first groove pattern HP1 and the second groove pattern HP2 in the lower support 310 and the platen connection part 330, the overall weight of the optical system platen 300 is reduced, thereby moving the etching apparatus 10 and Assembly may be facilitated, and material cost may be reduced by reducing materials required for formation of the optical system platen 300. In addition, even if the lower support 310 and the base connection part 330 include the first groove pattern HP1 and the second groove pattern HP2, a portion maintaining a certain thickness between each of the plurality of grooves remains, so that the optical system It is possible to maintain the rigidity of the surface plate 300 against vibration. Accordingly, the laser module disposed on the upper bridge 320 of the optical system base 300 does not shake even when vibration is transmitted from the outside, and can transmit the laser beam L to a desired region of the target substrate 20.

광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)에는 레이저 광학계(200)가 배치될 수 있다. 레이저 광학계(200) 및 레이저 빔(L)의 경로를 상세히 설명하기 위해 도 4 및 도 5가 참조된다.The laser optical system 200 may be disposed on the upper bridge 320 of the optical system base 300. 4 and 5 are referred to in order to describe the paths of the laser optical system 200 and the laser beam L in detail.

도 4는 도 2의 A영역을 확대하여 도시한 확대도이다. 도 5는 도 2의 B영역을 확대하여 도시한 확대도이다.4 is an enlarged view showing an enlarged area A of FIG. 2. 5 is an enlarged view showing an enlarged area B of FIG. 2.

도 1 내지 도 5을 참조하면, 레이저 광학계(200)는 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b)을 포함할 수 있다. 레이저 광학계(200)는 진공 챔버(100)의 상부에 위치하며, 진공 챔버(100)와 일정거리 이격될 수 있다. 또한, 레이저 광학계(200)는 진공 챔버(100) 내에 위치하는 대상 기판(20), 척킹 유닛(130) 및 스테이지 유닛(120)의 상부에 위치하며, 레이저 광학계(200)와 대상 기판(20) 사이에는 스테이지 유닛(120)과 척킹 유닛(130)이 위치할 수 있다.1 to 5, the laser optical system 200 may include a first laser module 200a and a second laser module 200b. The laser optical system 200 is located above the vacuum chamber 100 and may be spaced apart from the vacuum chamber 100 by a predetermined distance. In addition, the laser optical system 200 is located above the target substrate 20, the chucking unit 130 and the stage unit 120 located in the vacuum chamber 100, and the laser optical system 200 and the target substrate 20 Between the stage unit 120 and the chucking unit 130 may be positioned.

제1 레이저 모듈(200a)은 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 일측 변에 배치되며 제2 레이저 모듈(200b)은 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 타측 변에 배치될 수 있다. 제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b)은 각각 둘 이상의 복수일 수 있다. 복수의 제1 레이저 모듈(200a)은 각각 일정거리를 유지하며 제2 방향(DR2)으로 이격 배치될 수 있으며, 복수의 제2 레이저 모듈(200b)은 각각 일정거리를 유지하며 제2 방향(DR2)으로 이격 배치될 수 있다. 일 실시예에 따른 에칭 장치(10)에서, 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b)은 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 일측 및 타측에 각각 4개가 배치된 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The first laser module 200a is disposed on one side of the first direction DR1 of the upper bridge 320, and the second laser module 200b is disposed on the other side of the first direction DR1 of the upper bridge 320. I can. Each of the first laser module 200a and the second laser module 200b may be a plurality of two or more. The plurality of first laser modules 200a may each maintain a predetermined distance and may be spaced apart in the second direction DR2, and the plurality of second laser modules 200b each maintain a predetermined distance, and the second direction DR2 ) Can be spaced apart. In the etching apparatus 10 according to an embodiment, four first and second laser modules 200a and 200b are disposed on one side and the other side of the first direction DR1 of the upper bridge 320, respectively. Although shown, it is not limited thereto.

제1 레이저 모듈(200a)은 레이저 빔(L)을 방출하는 제1 레이저 조사 유닛(210a), 방출된 레이저 빔(L)의 경로를 변경하는 제1 광학계(220a)과 제2 광학계(230a), 레이저 조사 유닛으로부터 전달받은 레이저 빔(L)을 대상 기판(20)의 원하는 위치에 전달하는 제1 스캐너(240a)를 포함할 수 있다. 제2 레이저 모듈(200b)은 레이저 빔(L)을 방출하는 제2 레이저 조사 유닛(210b), 레이저 빔(L)의 경로를 변경하는 제3 광학계(220b)과 제4 광학계(230b), 레이저 조사 유닛으로부터 전달받은 레이저 빔(L)을 대상 기판(20)의 원하는 위치에 전달하는 제2 스캐너(240b)를 포함할 수 있다.The first laser module 200a includes a first laser irradiation unit 210a that emits a laser beam L, a first optical system 220a and a second optical system 230a that change the path of the emitted laser beam L. , It may include a first scanner (240a) for transmitting the laser beam (L) received from the laser irradiation unit to a desired position of the target substrate 20. The second laser module 200b includes a second laser irradiation unit 210b that emits a laser beam L, a third optical system 220b and a fourth optical system 230b that change the path of the laser beam L, and a laser. It may include a second scanner (240b) for transmitting the laser beam (L) received from the irradiation unit to a desired position on the target substrate 20.

에칭 장치(10)는 레이저 빔(L)을 방출할 수 있는 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b)을 구비함에 따라, 대상 기판(20)의 보다 많은 영역에 레이저 빔(L)을 조사하여 에칭 또는 리프트-오프할 수 있다. 아울러, 제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b) 중 일부가 정상적으로 작동하지 않더라도, 나머지가 정상적으로 작동한다면, 대상 기판(20)이 이동함에 따라, 대상 기판(20)의 원하는 부분에 레이저 빔(L)을 조사할 수 있다. 즉, 제1 레이저 모듈(200a) 또는 제2 레이저 모듈(200b)의 고장에 의한 영향을 보다 적게 받을 수 있다. 결과적으로, 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320) 제1 방향(DR1) 일측 및 타측에 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b) 각각을 구비함에 따라, 공정의 효율이 상승할 수 있다.As the etching apparatus 10 includes a first laser module 200a and a second laser module 200b capable of emitting a laser beam L, the laser beam L is applied to a larger area of the target substrate 20. ) Can be etched or lifted off. In addition, even if some of the first laser module 200a and the second laser module 200b do not operate normally, if the rest of the first laser module 200a and the second laser module 200b operate normally, as the target substrate 20 moves, a desired portion of the target substrate 20 The laser beam L can be irradiated. That is, it may be less affected by the failure of the first laser module 200a or the second laser module 200b. As a result, as each of the first laser module 200a and the second laser module 200b is provided on one side and the other side of the upper bridge 320 of the optical system base 300 in the first direction DR1, the efficiency of the process is increased. can do.

상술한 바와 같이, 제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b)은 실질적으로 동일한 구성으로 이루어지며, 상기 구성들은 실질적으로 동일한 역할을 수행할 수 있다. 즉, 이하에서, 별도의 언급없이 제1 레이저 모듈(200a)을 기준으로 설명하되, 상기 설명은 제2 레이저 모듈(200b)에도 적용될 수 있음은 물론이다.As described above, the first laser module 200a and the second laser module 200b have substantially the same configuration, and the configurations may perform substantially the same role. That is, hereinafter, the description will be made on the basis of the first laser module 200a without a separate reference, but the description may be applied to the second laser module 200b as well.

제1 레이저 조사 유닛(210a)은 대상 기판(20)을 에칭할 수 있는 레이저 빔(L)을 방출할 수 있다. 제1 레이저 조사 유닛(210a)은 상기 레이저 빔(L)을 제1 광학계(220a)를 향해 방출한다. 제1 레이저 조사 유닛(210a)은 상부 브릿지(320)의 상면에 배치될 수 있다.The first laser irradiation unit 210a may emit a laser beam L capable of etching the target substrate 20. The first laser irradiation unit 210a emits the laser beam L toward the first optical system 220a. The first laser irradiation unit 210a may be disposed on the upper surface of the upper bridge 320.

제1 광학계(220a)는 제1 레이저 조사 유닛(210a)으로부터 방출된 레이저 빔(L)의 경로를 제2 광학계(230a)를 향하도록 변경할 수 있다. 즉, 제1 광학계(220a)는 제1 방향(DR1)으로 진행하는 레이저 빔(L)의 경로를 변경하여, 레이저 빔(L)이 제3 방향(DR3) 하측을 향하도록 가이드할 수 있다. 제1 광학계(220a)는 제1 레이저 조사 유닛(210a)으로부터 제1 방향(DR1)으로 일정거리 이격되어 배치될 수 있다.The first optical system 220a may change the path of the laser beam L emitted from the first laser irradiation unit 210a to face the second optical system 230a. That is, the first optical system 220a may change the path of the laser beam L traveling in the first direction DR1 and guide the laser beam L to face downward in the third direction DR3. The first optical system 220a may be disposed to be spaced a predetermined distance from the first laser irradiation unit 210a in the first direction DR1.

제2 광학계(230a)는 제1 광학계(220a)로부터 전달받은 레이저 빔(L)의 경로를 제1 스캐너(240a)를 향하도록 변경할 수 있다. 즉, 제2 광학계(230a)는 제3 방향(DR3) 하측으로 진행하는 레이저 빔(L)의 경로를 변경하여, 레이저 빔(L)이 제1 방향(DR1) 타측을 향하도록 가이드할 수 있다. 제2 광학계(230a)는 제1 광학계(220a)의 하부에 배치되며, 일정거리 이격될 수 있다.The second optical system 230a may change the path of the laser beam L transmitted from the first optical system 220a to face the first scanner 240a. That is, the second optical system 230a may change the path of the laser beam L traveling downward in the third direction DR3 and guide the laser beam L toward the other side in the first direction DR1. . The second optical system 230a is disposed under the first optical system 220a and may be spaced apart by a predetermined distance.

상술한 바와 같은 레이저 빔(L)의 경로변경을 위해, 제1 광학계(220a)에는 레이저 빔(L)을 반사하는 제1 미러부(미도시)가 마련될 수 있으며, 제2 광학계(230a)에도 레이저 빔(L)을 반사하는 제2 미러부(미도시)가 마련될 수 있다. 본 실시예에서 제1 미러부(미도시) 및 제2 미러부(미도시)는 하나 또는 다수개의 레이저용 반사거울을 구비할 수 있다.In order to change the path of the laser beam L as described above, a first mirror unit (not shown) reflecting the laser beam L may be provided in the first optical system 220a, and the second optical system 230a Also, a second mirror unit (not shown) that reflects the laser beam L may be provided. In this embodiment, the first mirror unit (not shown) and the second mirror unit (not shown) may include one or a plurality of reflective mirrors for lasers.

본 실시예에 따른 제1 광학계(220a) 및 제2 광학계(230a) 중 적어도 어느 하나는, 제1 미러부(미도시) 또는 제2 미러부(미도시)의 배치각도를 조절하는 각도 조절부(미도시)를 포함할 수 있다. 각도 조절부(미도시)는, 제1 광학계(220a) 및/또는 제2 광학계(230a) 내부에 회전 가능하게 마련되며 제1 미러부(미도시) 및/또는 제2 미러부(미도시)가 결합되는 회전축(미도시)과, 회전축(미도시)에 연결되며 회전축(미도시)을 회전시키는 조작부(미도시)를 포함한다. 사용자는 조작부(미도시)를 통해 회전축(미도시)을 회전시켜 제1 미러부 및/또는 제2 미러부(미도시)의 배치각도를 조절할 수 있다.At least one of the first optical system 220a and the second optical system 230a according to the present embodiment is an angle adjusting unit that adjusts the arrangement angle of the first mirror unit (not shown) or the second mirror unit (not shown) (Not shown) may be included. The angle adjustment unit (not shown) is rotatably provided inside the first optical system 220a and/or the second optical system 230a, and the first mirror unit (not shown) and/or the second mirror unit (not shown) And a rotation shaft (not shown) to which the is coupled, and an operation unit (not shown) connected to the rotation shaft (not shown) and rotating the rotation shaft (not shown). The user may adjust the arrangement angle of the first mirror unit and/or the second mirror unit (not shown) by rotating the rotation shaft (not shown) through the operation unit (not shown).

이러한 각도 조절부(미도시)는 제2 미러부(미도시)의 배치각도를 조절하여 제1 스캐너(240a)로 반사되는 레이저 빔(L)의 반사각도를 조절한다. 이와 같이 본 실시예에 따른 제1 광학계(220a) 및/또는 제2 광학계(230a)는, 제1 미러부(미도시) 및/또는 제2 미러부(미도시)의 배치각도를 조절하여 할 수 있는 각도 조절부(미도시)를 구비함으로써, 제1 레이저 조사 유닛(210a)에서 방출되는 레이저 빔(L)의 방출각도가 변경되더라도 제1 광학계(220a) 및/또는 제2 광학계(230a)에서 반사되는 레이저 빔(L)의 반사각도를 조절하여 레이저 빔(L)을 제1 스캐너(240a)에 용이하게 전달할 수 있다.The angle adjustment unit (not shown) adjusts the angle of arrangement of the second mirror unit (not shown) to adjust the reflection angle of the laser beam L reflected by the first scanner 240a. As described above, the first optical system 220a and/or the second optical system 230a according to the present embodiment can be controlled by adjusting the arrangement angle of the first mirror unit (not shown) and/or the second mirror unit (not shown). By providing an angle adjusting unit (not shown) that can be used, even if the emission angle of the laser beam L emitted from the first laser irradiation unit 210a is changed, the first optical system 220a and/or the second optical system 230a It is possible to easily transmit the laser beam L to the first scanner 240a by adjusting the reflection angle of the laser beam L reflected from.

제1 스캐너(240a)는 제1 광학계(220a) 및 제2 광학계(230a)를 통해 제1 레이저 조사 유닛(210a)으로부터 방출된 레이저 빔(L)을 전달받을 수 있으며, 전달받은 레이저 빔(L)의 경로를 변경할 수 있다. 제1 스케너는 전달받은 레이저 빔(L)을 하부를 향하도록 방출하며, 상기 레이저 빔(L)은 진공 챔버(100)의 제1 챔버 윈도우(101a)를 통해 진공 챔버(100) 내부로 입사한다. 이어서, 진공 챔버(100) 내부로 입사한 레이저 빔(L)은 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)을 통과하여 대상 기판(20)이 도달할 수 있다. 즉, 제1 스캐너(240a)는 대상 기판(20)의 원하는 위치에 레이저 빔(L)을 도달할 수 있도록 조절하는 역할을 수행한다. The first scanner 240a may receive the laser beam L emitted from the first laser irradiation unit 210a through the first optical system 220a and the second optical system 230a, and the received laser beam L ), you can change the path. The first scanner emits the received laser beam L toward the bottom, and the laser beam L enters the vacuum chamber 100 through the first chamber window 101a of the vacuum chamber 100. . Subsequently, the laser beam L incident into the vacuum chamber 100 may pass through the stage unit 120 and the chucking unit 130 to reach the target substrate 20. That is, the first scanner 240a serves to adjust the laser beam L to reach a desired position of the target substrate 20.

제1 스캐너(240a)는 제2 광학계(230a)로부터 일정거리 이격되며, 제2 광학계(230a)의 제1 방향(DR1) 타측에 위치할 수 있다. 또한, 제1 스캐너(240a)는 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)의 하부에 배치될 수 있다. 즉, 제1 스캐너(240a)는 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320)와 진공 챔버(100) 사이에 배치될 수 있다. 제1 스캐너(240a)는 진공 챔버(100)의 제1 챔버 윈도우(101a)와 제3 방향(DR3)으로 중첩할 수 있다.The first scanner 240a may be spaced apart from the second optical system 230a by a predetermined distance, and may be located on the other side of the second optical system 230a in the first direction DR1. In addition, the first scanner 240a may be disposed under the upper bridge 320 of the optical system base 300. That is, the first scanner 240a may be disposed between the upper bridge 320 of the optical system base 300 and the vacuum chamber 100. The first scanner 240a may overlap the first chamber window 101a of the vacuum chamber 100 in a third direction DR3.

대상 기판(20)에 도달한 레이저 빔(L)은 대상 기판(20)을 에칭할 수 있다. 대상 기판(20)을 에칭함에 따라, 대상 기판(20)으로부터 파티클(P)이 박리될 수 있고, 상기 파티클(P)은 중력에 의해 진공 챔버(100) 하부를 향해 떨어질 수 있다. The laser beam L reaching the target substrate 20 may etch the target substrate 20. As the target substrate 20 is etched, the particles P may be separated from the target substrate 20, and the particles P may fall toward the lower portion of the vacuum chamber 100 by gravity.

이하에서, 대상 기판(20)에 대해 상세히 설명하기 위해 도 6이 참조된다. In the following, reference is made to FIG. 6 to describe the target substrate 20 in detail.

도 6은 도 5의 C영역을 확대한 확대도이다. 도 6은 대상 기판(20)의 적층 구조에 대해 도시한다.6 is an enlarged view of an enlarged area C of FIG. 5. 6 shows a stacked structure of the target substrate 20.

도 6을 참조하면, 대상 기판(20)은 하부 부재(21), 표시 패널(22), 터치 부재(23), 편광 부재(24) 및 커버 윈도우(25)를 포함할 수 있으며, 하부 부재(21), 표시 패널(22), 터치 부재(23), 편광 부재(24) 및 커버 윈도우(25)가 순차 적층될 수 있다. 각 적층 부재들 사이에는 접착층이나 점착층과 같은 적어도 하나의 결합 부재가 배치되어 인접한 적층 부재들을 결합할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 각 층 사이에는 다른 층이 더 배치될 수도 있고, 각 적층 부재들 중 일부는 생략될 수도 있다.Referring to FIG. 6, the target substrate 20 may include a lower member 21, a display panel 22, a touch member 23, a polarizing member 24, and a cover window 25, and the lower member ( 21), the display panel 22, the touch member 23, the polarizing member 24, and the cover window 25 may be sequentially stacked. At least one bonding member such as an adhesive layer or an adhesive layer is disposed between each of the stacking members to couple adjacent stacking members. However, the present invention is not limited thereto, and other layers may be further disposed between each layer, and some of the stacking members may be omitted.

표시 패널(22)은 화면이나 영상을 표시하는 패널로서, 그 예로는 유기 발광 표시 패널(OLED), 무기 발광 표시 패널(inorganic EL), 퀀텀닷 발광 표시 패널(QED), 마이크로 LED 표시 패널(micro-LED), 나노 LED 표시 패널(nano-LED), 플라즈마 표시 패널(PDP), 전계 방출 표시 패널(FED), 음극선 표시 패널(CRT)등의 자발광 표시 패널 뿐만 아니라, 액정 표시 패널(LCD), 전기 영동 표시 패널(EPD) 등의 수광 표시 패널을 포함할 수 있다. 이하에서는 표시 패널로서 유기 발광 표시 패널을 예로 하여 설명하며, 특별한 구분을 요하지 않는 이상 실시예에 적용된 유기 발광 표시 패널을 단순히 표시 패널(22)로 약칭할 것이다. 그러나, 실시예가 유기 발광 표시 패널에 제한되는 것은 아니고, 기술적 사상을 공유하는 범위 내에서 상기 열거된 또는 본 기술분야에 알려진 다른 표시 패널이 적용될 수도 있다. The display panel 22 is a panel that displays a screen or an image, and examples thereof include an organic light-emitting display panel (OLED), an inorganic light-emitting display panel (inorganic EL), a quantum dot light-emitting display panel (QED), and a micro LED display panel (micro -LED), nano-LED display panel (nano-LED), plasma display panel (PDP), field emission display panel (FED), cathode ray display panel (CRT), as well as self-luminous display panels, as well as liquid crystal display panels (LCD) And a light-receiving display panel such as an electrophoretic display panel (EPD). Hereinafter, an organic light emitting display panel will be described as an example of the display panel, and the organic light emitting display panel applied to the embodiment will be simply referred to as the display panel 22 unless special classification is required. However, the embodiment is not limited to the organic light emitting display panel, and other display panels listed above or known in the art may be applied within a range that shares the technical idea.

표시 패널(22)은 기판(SUB1), 버퍼층(SUB2), 반도체층(ACT), 제1 절연층(221), 제1 게이트 도전층(230), 제2 절연층(222), 제2 게이트 도전층(230), 제3 절연층(223), 데이터 도전층(250), 제4 절연층(224), 애노드 전극(260), 애노드 전극(260)을 노출하는 개구부를 포함하는 뱅크층(226), 뱅크층(226)의 개구부 내에 배치된 발광층(270), 발광층(270)과 뱅크층(226) 상에 배치된 캐소드 전극(280), 캐스드 전극(280) 상에 배치된 박막 봉지층(290)을 포함할 수 있다. 상술한 각 층들은 단일막으로 이루어질 수 있지만, 복수의 막을 포함하는 적층막으로 이루어질 수도 있다. 각 층들 사이에는 다른 층이 더 배치될 수도 있다.The display panel 22 includes a substrate SUB1, a buffer layer SUB2, a semiconductor layer ACT, a first insulating layer 221, a first gate conductive layer 230, a second insulating layer 222, and a second gate. A bank layer including an opening exposing the conductive layer 230, the third insulating layer 223, the data conductive layer 250, the fourth insulating layer 224, the anode electrode 260, and the anode electrode 260 ( 226), the light emitting layer 270 disposed in the opening of the bank layer 226, the cathode electrode 280 disposed on the light emitting layer 270 and the bank layer 226, a thin film encapsulation disposed on the cathode electrode 280 A layer 290 may be included. Each of the above-described layers may be formed of a single layer, but may be formed of a laminated layer including a plurality of layers. Another layer may be further disposed between each layer.

기판(SUB1)은 그 위에 배치되는 각 층들을 지지할 수 있다. 기판(SUB1)은 고분자 수지 등의 절연 물질 또는 유리나 석영 등과 같은 무기 물질로 이루어질 수도 있다.The substrate SUB1 may support respective layers disposed thereon. The substrate SUB1 may be made of an insulating material such as a polymer resin or an inorganic material such as glass or quartz.

기판(SUB1) 상에는 버퍼층(SUB2)이 배치된다. 버퍼층(SUB2)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.A buffer layer SUB2 is disposed on the substrate SUB1. The buffer layer SUB2 may include silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.

버퍼층(SUB2) 상에는 반도체층(ACT)이 배치된다. 반도체층(ACT)은 화소의 박막 트랜지스터의 채널을 이룬다.The semiconductor layer ACT is disposed on the buffer layer SUB2. The semiconductor layer ACT forms a channel of a thin film transistor of a pixel.

반도체층(ACT) 상에는 제1 절연층(221)이 배치된다. 제1 절연층(221)은 게이트 절연 기능을 갖는 제1 게이트 절연막일 수 있다.A first insulating layer 221 is disposed on the semiconductor layer ACT. The first insulating layer 221 may be a first gate insulating layer having a gate insulating function.

제1 절연층(221) 상에는 제1 게이트 도전층(230)이 배치된다. 제1 게이트 도전층(230)은 화소(PX)의 박막 트랜지스터의 게이트 전극(GAT)과 그에 연결된 스캔 라인, 및 유지 커패시터 제1 전극(CE1)을 포함할 수 있다. A first gate conductive layer 230 is disposed on the first insulating layer 221. The first gate conductive layer 230 may include a gate electrode GAT of the thin film transistor of the pixel PX, a scan line connected thereto, and a storage capacitor first electrode CE1.

제1 게이트 도전층(230) 상에는 제2 절연층(222)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(222)은 층간 절연막 또는 제2 게이트 절연막일 수 있다.A second insulating layer 222 may be disposed on the first gate conductive layer 230. The second insulating layer 222 may be an interlayer insulating layer or a second gate insulating layer.

제2 절연층(222) 상에는 제2 게이트 도전층(240)이 배치된다. 제2 게이트 도전층(240)은 유지 커패시터 제2 전극(CE2)을 포함할 수 있다.A second gate conductive layer 240 is disposed on the second insulating layer 222. The second gate conductive layer 240 may include a storage capacitor second electrode CE2.

제2 게이트 도전층(240) 상에는 제3 절연층(223)이 배치된다. 제3 절연층(223)은 층간 절연막일 수 있다.A third insulating layer 223 is disposed on the second gate conductive layer 240. The third insulating layer 223 may be an interlayer insulating layer.

제3 절연층(223) 상에는 데이터 도전층(250)이 배치된다. 데이터 도전층(250)은 화소(PX)의 박막 트랜지스터의 제1 전극(SD1)과 제2 전극(SD2)을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터의 제1 전극(SD1)과 제2 전극(SD2)은 제3 절연층(223), 제2 절연층(222) 및 제1 절연층(221)을 관통하는 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 반도체층(210)의 소스 영역 및 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다.A data conductive layer 250 is disposed on the third insulating layer 223. The data conductive layer 250 may include a first electrode SD1 and a second electrode SD2 of the thin film transistor of the pixel PX. The first electrode SD1 and the second electrode SD2 of the thin film transistor are a first contact hole CNT1 penetrating the third insulating layer 223, the second insulating layer 222, and the first insulating layer 221. Through this, the source region and the drain region of the semiconductor layer 210 may be electrically connected.

데이터 도전층(250) 상에는 제4 절연층(224)이 배치된다. 제4 절연층(224)은 데이터 도전층(250)을 덮는다. 제4 절연층(224)은 비아층일 수 있다.A fourth insulating layer 224 is disposed on the data conductive layer 250. The fourth insulating layer 224 covers the data conductive layer 250. The fourth insulating layer 224 may be a via layer.

제4 절연층(224) 상에는 애노드 전극(260)이 배치된다. 애노드 전극(260)은 화소(PX)마다 마련된 화소 전극일 수 있다. 애노드 전극(260)은 제4 절연층(224)을 관통하는 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 박막 트랜지스터의 제2 전극(SD2)과 연결될 수 있다. An anode electrode 260 is disposed on the fourth insulating layer 224. The anode electrode 260 may be a pixel electrode provided for each pixel PX. The anode electrode 260 may be connected to the second electrode SD2 of the thin film transistor through the second contact hole CNT2 penetrating the fourth insulating layer 224.

애노드 전극(260)은 이에 제한되는 것은 아니지만 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3)의 일함수가 높은 물질층과 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 반사성 물질층이 적층된 적층막 구조를 가질 수 있다. 일함수가 높은층이 반사성 물질층보다 위층에 배치되어 발광층(270)에 가깝게 배치될 수 있다. 애노드 전극(260)은 ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO의 복수층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The anode electrode 260 is not limited thereto, but indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), Material layer with high work function of indium oxide (In2O3) and silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), platinum (Pt), lead (Pd), gold (Au), nickel (Ni) , Neodium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), or a mixture thereof may have a laminated layer structure. A layer having a high work function may be disposed above the reflective material layer and may be disposed closer to the light emitting layer 270. The anode electrode 260 may have a multilayer structure of ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, and ITO/Ag/ITO, but is not limited thereto.

애노드 전극(260) 상에는 뱅크층(226)이 배치될 수 있다. 뱅크층(226)은 애노드 전극(270) 상에 배치되며, 애노드 전극(270)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 뱅크층(226) 및 그 개구부에 의해 발광 영역(EMA)과 비발광 영역(NEM)이 구분될 수 있다.A bank layer 226 may be disposed on the anode electrode 260. The bank layer 226 is disposed on the anode electrode 270 and may include an opening exposing the anode electrode 270. The emission area EMA and the non-emission area NEM may be divided by the bank layer 226 and the opening thereof.

뱅크층(226) 상에는 스페이서(227)가 배치될 수 있다. 스페이서(227)는 상부에 배치되는 구조물과의 간격을 유지시키는 역할을 할 수 있다.A spacer 227 may be disposed on the bank layer 226. The spacer 227 may serve to maintain a gap with a structure disposed thereon.

뱅크층(226)이 노출하는 애노드 전극(270) 상에는 발광층(270)이 배치된다. 발광층(270)은 유기 물질층을 포함할 수 있다. 발광층의 유기 물질층은 유기 발광층을 포함하며, 정공 주입/수송층 및/또는, 전자 주입/수송층을 더 포함할 수 있다. The emission layer 270 is disposed on the anode electrode 270 exposed by the bank layer 226. The emission layer 270 may include an organic material layer. The organic material layer of the emission layer includes an organic emission layer, and may further include a hole injection/transport layer and/or an electron injection/transport layer.

발광층(270) 상에는 캐소드 전극(280)이 배치될 수 있다. 캐소드 전극(280)은 화소(PX)의 구별없이 전면적으로 배치된 공통 전극일 수 있다. 애노드 전극(270), 발광층(270) 및 캐소드 전극(280)은 각각 유기 발광 소자를 구성할 수 있다. A cathode electrode 280 may be disposed on the emission layer 270. The cathode electrode 280 may be a common electrode that is entirely disposed without distinction of the pixels PX. The anode electrode 270, the emission layer 270, and the cathode electrode 280 may each constitute an organic light emitting device.

캐소드 전극(280)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)과 같은 일함수가 작은 물질층을 포함할 수 있다. 캐소드 전극(280)은 상기 일함수가 작은 물질층 상에 배치된 투명 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다. The cathode electrode 280 is Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba, or a compound or mixture thereof (for example, , A mixture of Ag and Mg, etc.). The cathode electrode 280 may further include a transparent metal oxide layer disposed on the material layer having a small work function.

캐소드 전극(280) 상부에는 제1 무기막(291), 제1 유기막(292) 및 제2 무기막(293)을 포함하는 박막 봉지층(290)이 배치된다. 박막 봉지층(290)의 단부에서 제1 무기막(291)과 제2 무기막(293)은 서로 접할 수 있다. 제1 유기막(292)은 제1 무기막(291)과 제2 무기막(293)에 의해 밀봉될 수 있다.A thin film encapsulation layer 290 including a first inorganic layer 291, a first organic layer 292 and a second inorganic layer 293 is disposed on the cathode electrode 280. At the end of the thin film encapsulation layer 290, the first inorganic layer 291 and the second inorganic layer 293 may contact each other. The first organic layer 292 may be sealed by the first inorganic layer 291 and the second inorganic layer 293.

제1 무기막(291) 및 제2 무기막(293)은 각각 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 제1 유기막(292)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.The first inorganic layer 291 and the second inorganic layer 293 may each include silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. The first organic layer 292 may include an organic insulating material.

표시 패널(22) 상에는 터치 부재(23)가 배치될 수 있다. 터치 부재(23)는 터치 입력을 감지할 수 있다. 터치 부재(23)는 도시된 바와 같이 표시 패널(22)과 별도의 패널이나 필름으로 제공되어 표시 패널(22) 상에 부착될 수도 있지만, 표시 패널(22) 내부에 터치층의 형태로 제공될 수도 있다. The touch member 23 may be disposed on the display panel 22. The touch member 23 may sense a touch input. The touch member 23 may be provided as a panel or film separate from the display panel 22 and attached to the display panel 22 as shown, but may be provided in the form of a touch layer inside the display panel 22. May be.

터치 부재(23) 상에는 편광 부재(24)가 배치될 수 있다. 편광 부재(24)는 통과하는 빛을 편광시킨다. 편광 부재(24)는 외광 반사를 감소시키는 역할을 할 수 있다.A polarizing member 24 may be disposed on the touch member 23. The polarizing member 24 polarizes the passing light. The polarizing member 24 may serve to reduce reflection of external light.

터치 부재(23) 상에는 커버 윈도우(25)가 배치될 수 있다. 커버 윈도우(25)는 표시 패널(22)을 커버하여 보호하는 역할을 한다. 커버 윈도우(25)는 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 커버 윈도우(25)는 예를 들어, 유리나 플라스틱을 포함하여 이루어질 수 있다.A cover window 25 may be disposed on the touch member 23. The cover window 25 covers and protects the display panel 22. The cover window 25 may be made of a transparent material. The cover window 25 may be made of, for example, glass or plastic.

표시 패널(22)의 하부에는 하부 부재(21)가 배치될 수 있다. 하부 부재(21)는 차광 역할을 수행할 수 있다. 즉, 하부 부재(21)는 빛이 외부로부터 표시 패널(22)을 향해 들어오는 것을 차단할 수 있다. 아울러, 하부 부재(21)는 차광 기능 이외의 충격 흡수 기능 등을 수행할 수 있다. The lower member 21 may be disposed under the display panel 22. The lower member 21 may perform a light blocking role. That is, the lower member 21 may block light from entering the display panel 22 from the outside. In addition, the lower member 21 may perform a shock absorbing function other than a light blocking function.

이에 제한되는 것은 아니나, 표시 패널(22)은 상부를 향하여 빛을 발광할 수 있다. 즉, 표시 패널(22)로부터 발광되는 빛의 경로에는 척킹 유닛(130), 스테이지 유닛(120) 및 레이저를 방출하는 레이저 광학계(200)가 위치할 수 있다. Although not limited thereto, the display panel 22 may emit light toward the top. That is, in the path of light emitted from the display panel 22, the chucking unit 130, the stage unit 120, and the laser optical system 200 that emits a laser may be positioned.

대상 기판(20)을 에칭하는 레이저 빔(L)은 대상 기판(20)의 상부로부터 대상 기판(20)을 향하여 진행하며, 대상 기판(20)의 적층 부재들 중 적어도 일부를 에칭 또는 리프트-오프(Lift-off)시킬 수 있다. 이 과정에서 에칭 또는 리프트-오프된 적층 부재로부터 파티클(P)(Particle)들이 박리될 수 있다. 대상 기판(20)에서 박리되어 분리된 파티클(P)은 대상 기판(20)의 하부를 향하여 낙하한다. 즉, 레이저 빔(L)을 방출하는 제1 레이저 모듈(200a)을 대상 기판(20)의 상부에 배치함으로써, 레이저 빔(L)이 진행하는 경로 상에는 대상 기판(20)에서 박리된 파티클(P)이 적층되지 않을 수 있다. 이에 따라, 에칭 공정이 지속적으로 진행되더라도, 대상 기판(20)을 에칭하는 레이저 빔(L)은 대상 기판(20)에서 박리된 파티클(P)에 의해 영향을 받지 않을 수 있다. 즉, 파티클(P)에 의한 레이저 빔(L)의 굴절, 경시 변화 및 에너지 밀도 변화 등을 방지할 수 있어, 실제 가공되는 영역의 가공 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있으며, 에칭 공정의 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.The laser beam L for etching the target substrate 20 proceeds toward the target substrate 20 from the top of the target substrate 20, and at least some of the stacked members of the target substrate 20 are etched or lifted off. (Lift-off) can be made. In this process, particles P (Particles) may be peeled off from the laminated member that has been etched or lifted off. Particles P peeled off and separated from the target substrate 20 fall toward the bottom of the target substrate 20. That is, by arranging the first laser module 200a that emits the laser beam L above the target substrate 20, particles P separated from the target substrate 20 on the path where the laser beam L travels. ) May not be stacked. Accordingly, even if the etching process is continuously performed, the laser beam L for etching the target substrate 20 may not be affected by the particles P separated from the target substrate 20. In other words, it is possible to prevent the refraction of the laser beam L caused by the particles P, change over time, and change in energy density, thereby preventing deterioration of the processing quality of the actual processed area, and the efficiency of the etching process. It can be prevented from being deteriorated.

상술한 바와 같이 레이저 빔(L)은 스테이지 유닛(120)과 척킹 유닛(130)을 관통하여 대상 기판(20)에 도달할 수 있다. 또한, 대상 기판(20)에 원하는 위치에 에칭 공정이 진행되었는지 여부를 판단하기 위해 검사용 광학 유닛(150)이 배치될 수 있다. 이하에서 스테이지 유닛(120), 척킹 유닛(130) 및 검사용 광학 유닛(150) 간의 관계를 설명하기 위해 도 7 내지 도 9이 참조된다.As described above, the laser beam L may penetrate the stage unit 120 and the chucking unit 130 to reach the target substrate 20. In addition, an inspection optical unit 150 may be disposed to determine whether an etching process has been performed at a desired position on the target substrate 20. Hereinafter, FIGS. 7 to 9 are referred to to describe the relationship between the stage unit 120, the chucking unit 130, and the inspection optical unit 150.

도 7은 일 실시예에 따른 결합된 기판 이동 유닛과 대상 기판 및 검사용 광학 유닛의 사시도이다. 도 8은 도 7의 측면도이다. 도 9은 일 실시예에 따른 스테이지 유닛, 척킹 유닛 및 대상 기판 간의 결합 관계를 나타내는 분해 사시도이다. 7 is a perspective view of a combined substrate moving unit, a target substrate, and an inspection optical unit according to an exemplary embodiment. 8 is a side view of FIG. 7. 9 is an exploded perspective view illustrating a coupling relationship between a stage unit, a chucking unit, and a target substrate according to an exemplary embodiment.

도 7 내지 도 9를 참조하면, 대상 기판(20), 척킹 유닛(130) 및 스테이지 유닛(120)은 순차적으로 배치될 수 있으며, 대상 기판(20)의 하부에는 검사용 광학 유닛(150)이 배치될 수 있다. 7 to 9, the target substrate 20, the chucking unit 130, and the stage unit 120 may be sequentially disposed, and an inspection optical unit 150 is provided under the target substrate 20. Can be placed.

스테이지 유닛(120)의 스테이지 상판(121)은 평면상 직사각형의 형상으로 형성될 수 있으며, 상판 테두리부(121a) 및 상판 테두리부(121a)에 의해 둘러싸인 상판 윈도우(121b)로 이루어질 수 있다. 상판 테두리부(121a)는 중앙이 개방된 틀 형상으로 이루어질 수 있으며, 상기 개방된 중앙 부근에 상판 윈도우(121b)가 위치할 수 있다. 상판 윈도우(121b)는 스테이지 상판(121)의 형상에 상응할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The stage top plate 121 of the stage unit 120 may be formed in a rectangular shape in plan view, and may include a top plate rim portion 121a and a top plate window 121b surrounded by the top plate rim portion 121a. The upper plate rim portion 121a may be formed in a frame shape with an open center, and the upper plate window 121b may be positioned near the open center. The upper window 121b may correspond to the shape of the stage upper plate 121, but is not limited thereto.

대상 기판(20)의 상부로부터 전달되는 레이저 빔(L)은 스테이지 상판(121)의 상판 윈도우(121b)를 투과하여 스테이지 상판(121)의 하부로 진행할 수 있다.The laser beam L transmitted from the upper portion of the target substrate 20 may pass through the upper window 121b of the stage upper plate 121 and proceed to the lower portion of the stage upper plate 121.

스테이지 하판(122)은 스테이지 유닛(120)의 스테이지 상판(121) 하부에 배치될 수 있다. 스테이지 하판(122)은 하판 테두리, 하판 단차부(122b) 및 하판 연결부(122c)로 이루어질 수 있다. 스테이지 하판(122)은 평면도상 중앙이 개방된 직사각형의 틀 형상으로 이루어질 수 있다. 또한, 스테이지 하판(122)은 하판 테두리부(122a)와 하판 단차부(122b) 사이에 단차가 있을 수 있다. 즉, 하판 테두리와 하판 단차부(122b)는 서로 다른 높이를 가지며, 하판 테두리와 하판 단차부(122b)는 하판 연결부(122c)에 의해 연결될 수 있다. The lower stage plate 122 may be disposed under the upper stage plate 121 of the stage unit 120. The stage lower plate 122 may include a lower plate rim, a lower plate stepped portion 122b, and a lower plate connecting portion 122c. The lower stage of the stage 122 may have a rectangular frame shape with an open center in a plan view. In addition, the stage lower plate 122 may have a step difference between the lower plate edge portion 122a and the lower plate step portion 122b. That is, the lower plate rim and the lower plate stepped portion 122b have different heights, and the lower plate rim and the lower plate stepped portion 122b may be connected by the lower plate connecting portion 122c.

상세히 설명하면, 하판 테두리부(122a)는 스테이지 하판(122)의 제2 방향(DR2) 양측에 위치하고 제1 방향(DR1)으로 연장되며, 제2 방향(DR2)으로 일정한 폭을 가질 수 있다. 하판 테두리부(122a)는 상판 테두리부(121a)의 하부에서 상판 테두리부(121a)와 일정 간격 이격될 수 있다. 하판 테두리부(122a)의 제2 방향(DR2) 폭은 상판 테두리부(121a)의 제2 방향(DR2) 폭보다 클 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In detail, the lower plate rim portion 122a is positioned on both sides of the stage lower plate 122 in the second direction DR2 and extends in the first direction DR1, and may have a constant width in the second direction DR2. The lower plate rim portion 122a may be spaced apart from the upper plate rim portion 121a at a predetermined interval under the upper plate rim portion 121a. The width of the lower edge portion 122a in the second direction DR2 may be greater than the width of the upper edge portion 121a in the second direction DR2, but is not limited thereto.

하판 단차부(122b)는 스테이지 하판(122)의 제1 방향(DR1) 양측에 위치하고, 제2 방향(DR2)으로 연장되며, 제1 방향(DR1)으로 일정한 폭을 가질 수 있다. 하판 단차부(122b)와 하판 테두리부(122a)는 서로 다른 높이를 가질 수 있으며, 하판 단차부(122b)는 하판 테두리부(122a) 보다 상부에 위치할 수 있다. 하판 단차부(122b)는 스테이지 상판(121)의 제1 방향(DR1) 양측 변의 외측에 위치할 수 있으며, 스테이지 상판(121)과 동일한 높이를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The lower stepped portions 122b are located on both sides of the first direction DR1 of the stage lower plate 122, extend in the second direction DR2, and may have a constant width in the first direction DR1. The lower plate stepped portion 122b and the lower plate rim portion 122a may have different heights, and the lower plate stepped portion 122b may be positioned above the lower plate rim portion 122a. The stepped portion 122b of the lower plate may be located outside both sides of the first direction DR1 of the upper stage plate 121 and may have the same height as the upper stage plate 121, but is not limited thereto.

하판 연결부(122c)는 하판 테두리부(122a)와 하판 단차부(122b) 사이에서 하판 테두리부(122a)와 하판 단차부(122b)를 연결할 수 있다. 하판 연결부(122c)는 하판 테두리부(122a)의 제1 방향(DR1) 일측 및 타측 끝단으로부터 하판 테두리부(122a)의 상부를 향해 돌출될 수 있다. 하판 연결부(122c)는 제1 방향(DR1)으로 일정한 폭을 가질 수 있으며, 하판 연결부(122c)의 제1 방향(DR1) 폭은 하판 테두리부(122a)의 제1 방향(DR1) 폭과 동일할 수 있다.The lower plate connecting part 122c may connect the lower plate rim part 122a and the lower plate stepped part 122b between the lower plate rim part 122a and the lower plate stepped part 122b. The lower plate connection part 122c may protrude from one end of the lower plate rim part 122a in the first direction DR1 and the other end toward the upper part of the lower plate rim part 122a. The lower plate connection part 122c may have a certain width in the first direction DR1, and the width of the lower plate connection part 122c in the first direction DR1 is the same as the width in the first direction DR1 of the lower plate rim part 122a. can do.

상술한 바와 같이, 하판 단차부(122b)와 하판 테두리부(122a)는 하판 테두리부(122a) 및 하판 연결부(122c)의 제3 방향(DR3)의 두께만큼의 높이 차이가 있을 수 있다. 검사용 광학 유닛(150)은 하판 단차부(122b)의 하부를 지나면서, 제2 방향(DR2) 양측의 하판 연결부(122c) 및 하판 테두리부(122a) 사이를 통과할 수 있다. 이에 따라, 검사용 광학 유닛(150)과 대상 기판(20) 사이의 거리가 감소할 수 있다. 검사용 광학 유닛(150)과 대상 기판(20) 사이의 거리가 감소함에 따라, 워킹 디스턴스(Working Distance)가 작은 고해상도 렌즈를 사용하여 대상 기판(20)을 검사할 수 있고, 대상 기판(20)의 검사 정밀도가 향상될 수 있다. As described above, the lower plate stepped portion 122b and the lower plate edge portion 122a may have a height difference equal to the thickness of the lower plate edge portion 122a and the lower plate connecting portion 122c in the third direction DR3. The inspection optical unit 150 may pass between the lower plate connection portion 122c and the lower plate edge portion 122a on both sides of the second direction DR2 while passing the lower portion of the lower plate step portion 122b. Accordingly, the distance between the inspection optical unit 150 and the target substrate 20 may be reduced. As the distance between the inspection optical unit 150 and the target substrate 20 decreases, the target substrate 20 can be inspected using a high-resolution lens having a small working distance, and the target substrate 20 The inspection precision of can be improved.

상세히 설명하면, 하판 단차부(122b)와 하판 테두리부(122a)의 높이 차이에 의해 형성된 공간 즉, 하판 단차부(122b)의 하부이면서 두개의 하판 연결부(122c) 사이인 공간으로 검사용 광학 유닛(150)이 통과할 수 있다. 이 때, 검사용 광학 유닛(150)은 스테이지 하판(122)의 두개의 하판 테두리부(122a) 사이를 가로지를 수 있으므로, 스테이지 상판(121)과 척킹 유닛(130)의 하면에 위치하는 대상 기판(20)과 검사용 광학 유닛(150) 사이의 거리를 줄일 수 있다. 즉, 고해상도의 렌즈를 사용하는 검사용 광학 유닛(150)은 워킹 디스턴스가 작음에도 불구하고, 상기와 같은 하판 단차부(122b)와 하판 테두리부(122a)의 높이 차이에 의해 형성된 공간으로 검사용 광학 유닛(150)이 지나갈 수 있으므로, 고해상도의 렌즈에 필요한 워킹 디스턴스를 획득할 수 있다. 이에 따라, 고해상도의 렌즈를 이용한 검사용 광학 유닛(150)을 사용할 수 있고, 대상 기판(20)을 보다 정밀하게 검사할 수 있다. In detail, a space formed by the difference in height between the lower plate stepped portion 122b and the lower plate rim portion 122a, that is, a space below the lower plate stepped portion 122b and between the two lower plate connecting portions 122c. 150 can pass. At this time, since the inspection optical unit 150 can cross between the two lower plate rims 122a of the stage lower plate 122, the target substrate located on the lower surface of the stage upper plate 121 and the chucking unit 130 It is possible to reduce the distance between the 20 and the optical unit for inspection 150. That is, the inspection optical unit 150 using a high-resolution lens is a space formed by the difference in height between the lower plate step part 122b and the lower plate rim part 122a, even though the working distance is small. Since the optical unit 150 can pass, it is possible to obtain a working distance required for a high-resolution lens. Accordingly, the optical unit 150 for inspection using a high-resolution lens can be used, and the target substrate 20 can be inspected more precisely.

척킹 유닛(130)은 스테이지 유닛(120)의 하면에 배치될 수 있으며, 상기 척킹 유닛(130) 하면에는 대상 기판(20)이 어태치될 수 있다. 척킹 유닛(130)을 상세히 설명하기 위해, 도 10 내지 도 12이 참조된다. The chucking unit 130 may be disposed on the lower surface of the stage unit 120, and the target substrate 20 may be attached to the lower surface of the chucking unit 130. To describe the chucking unit 130 in detail, FIGS. 10 to 12 are referred.

도 10은 일 실시예에 따른 척킹 유닛의 사시도이다. 도 11은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 상부에서 바라본 평면도이며, 도 12는 도 11의 ⅩⅡ-ⅩⅡ'선을 따라 자른 단면도이다. 도 11 및 도 12에서는 설명의 편의를 위해 척킹 유닛(130), 광학계 정반(300)의 상부 브릿지(320), 제1 레이저 모듈(200a)의 제1 스캐너(240a) 및 제2 레이저 모듈(200b)의 제2 스캐너(240b)만을 도시하였다.10 is a perspective view of a chucking unit according to an embodiment. 11 is a plan view as viewed from above of an etching apparatus according to an exemplary embodiment, and FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII' of FIG. 11. 11 and 12, for convenience of description, the chucking unit 130, the upper bridge 320 of the optical system base 300, the first scanner 240a and the second laser module 200b of the first laser module 200a. ) Of the second scanner 240b.

도 7 내지 도 12를 참조하면, 척킹 유닛(130)은 스테이지 유닛(120)의 스테이지 상판(121)의 하면 상에 배치될 수 있으며, 스테이지 하판(122)의 양 하판 테두리부(122a) 사이 및 양 하판 단차부(122b) 사이에 배치될 수 있다. 7 to 12, the chucking unit 130 may be disposed on the lower surface of the stage upper plate 121 of the stage unit 120, and between both lower plate rims 122a of the stage lower plate 122 and It may be disposed between the stepped portions 122b of both lower plates.

척킹 유닛(130)은 복수의 빔 투과용 홀(BHL)을 포함할 수 있다. 상기 빔 투과용 홀(BHL)은 척킹 유닛(130)에 의해 둘러싸이며, 척킹 유닛(130)을 두께 방향으로 관통할 수 있다. 일 실시예에서 빔 투과용 홀(BHL)은 제1 방향(DR1)으로 8개가 상호 이격되어 나열되고 제2 방향(DR2)으로 4개가 상호 이격되어 나열될 수 있어, 총 32개의 빔 투과용 홀(BHL)이 척킹 유닛(130)에 배치되는 것으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니고, 빔 투과용 홀(BHL)의 개수 및 위치는 다양할 수 있다. 다만, 제2 방향(DR2)으로 나열된 빔 투과용 홀(BHL)의 개수는 제2 방향(DR2)으로 나열된 제1 레이저 모듈(200a) 및/또는 제2 레이저 모듈(200b)의 개수와 동일할 수 있다. The chucking unit 130 may include a plurality of beam transmission holes BHL. The beam transmission hole BHL is surrounded by the chucking unit 130 and may pass through the chucking unit 130 in the thickness direction. In one embodiment, 8 beam-transmitting holes BHL are arranged to be spaced apart from each other in the first direction DR1, and four are arranged to be spaced apart from each other in the second direction DR2, so a total of 32 beam-transmitting holes. Although (BHL) is shown to be disposed in the chucking unit 130, it is not limited thereto, and the number and position of the beam transmission holes BHL may vary. However, the number of beam transmission holes BHL arranged in the second direction DR2 may be the same as the number of the first laser modules 200a and/or the second laser modules 200b arranged in the second direction DR2. I can.

에칭 공정이 진행되는 과정에서 척킹 유닛(130)은 제1 방향(DR1)으로 이동할 수 있고, 척킹 유닛(130)이 이동함에 따라, 척킹 유닛(130)의 빔 투과용 홀(BHL)과 제1 스캐너(240a) 및 제2 스캐너(240b)는 제3 방향(DR3)으로 중첩할 수 있으며, 제1 스캐너(240a) 및 제2 스캐너(240b)의 위치는 척킹 유닛(130)의 빔 투과용 홀(BHL)의 위치와 상호 대응될 수 있다. During the etching process, the chucking unit 130 may move in the first direction DR1, and as the chucking unit 130 moves, the beam transmission hole BHL of the chucking unit 130 and the first The scanner 240a and the second scanner 240b may overlap in the third direction DR3, and the positions of the first scanner 240a and the second scanner 240b are holes for beam transmission of the chucking unit 130 It may correspond to the location of (BHL).

아울러, 척킹 유닛(130)에 배치된 빔 투과용 홀(BHL)은 모두 척킹 유닛(130)의 상면에 배치된 스테이지 상판(121)의 상판 윈도우(121b)와 중첩할 수 있다. 이에 따라, 스테이지 상판(121)의 상판 윈도우(121b)를 투과한 레이저 빔(L)은 척킹 유닛(130)의 빔 투과용 홀(BHL)을 통과하여, 척킹 유닛(130)의 하면에 배치된 대상 기판(20)에 도달할 수 있다.In addition, all of the beam transmission holes BHL disposed in the chucking unit 130 may overlap the upper window 121b of the stage upper plate 121 disposed on the upper surface of the chucking unit 130. Accordingly, the laser beam L transmitted through the upper window 121b of the stage upper plate 121 passes through the beam transmission hole BHL of the chucking unit 130 and is disposed on the lower surface of the chucking unit 130. The target substrate 20 can be reached.

따라서, 대상 기판(20)은 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)의 하부에 안착되어 있고, 레이저 빔(L)은 스테이지 유닛(120), 척킹 유닛(130) 및 대상 기판(20)의 상부로부터 전달됨에도 불구하고, 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)의 상부에서 전달되는 레이저 빔(L)은 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)을 관통하여 대상 기판(20)에 도달할 수 있다.Accordingly, the target substrate 20 is seated under the stage unit 120 and the chucking unit 130, and the laser beam L is applied to the stage unit 120, the chucking unit 130, and the target substrate 20. Despite being transmitted from the top, the laser beam L transmitted from the top of the stage unit 120 and the chucking unit 130 penetrates the stage unit 120 and the chucking unit 130 to reach the target substrate 20 can do.

이하에서, 도 13 내지 도 15를 참조하여, 상기 에칭 장치(10)를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a display device using the etching device 10 will be described with reference to FIGS. 13 to 15.

도 13은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 14 내지 도 16은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device using an etching device according to an exemplary embodiment. 14 to 16 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display device using an etching device according to an exemplary embodiment.

도 13 내지 도 16를 참조하면, 우선, 에칭할 대상 기판(20)을 준비(S01)하고, 상기 대상 기판(20)을 진공 챔버(100) 내로 삽입(S02)한다. 13 to 16, first, a target substrate 20 to be etched is prepared (S01), and the target substrate 20 is inserted into the vacuum chamber 100 (S02).

상기 대상 기판(20)을 진공 챔버(100) 외부에서 진공 챔버(100) 내부로 이송할 때, 로봇 암(Robot Arm)이 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. When transferring the target substrate 20 from the outside of the vacuum chamber 100 to the inside of the vacuum chamber 100, a robot arm may be used, but is not limited thereto.

이어, 진공 챔버(100) 내로 삽입된 대상 기판(20)은 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)을 포함하는 기판 이송 유닛(STU)의 하부로 이송되고, 척킹 유닛(130)의 하면 상에 안착(S03)된다. Subsequently, the target substrate 20 inserted into the vacuum chamber 100 is transferred to the lower portion of the substrate transfer unit (STU) including the stage unit 120 and the chucking unit 130, and the lower surface of the chucking unit 130 It is settled in (S03).

진공 챔버(100) 내에서 대상 기판(20)은 기판 이송 유닛(STU)의 척킹 유닛(130)의 하면 상에 안착되어 레이저 광학계(200)의 하부로 이송된다. 레이저 광학계(200)의 하부로 이송된 대상기판 및 기판 이송 유닛(STU)은 스테이지 유닛(120)을 통하여 회전함으로써, 레이저 광학계(200)의 제1 스캐너(240a) 및 제2 스캐너(240b)와 정렬되어 레이저 빔(L)이 대상 기판(20)의 원하는 부분에 조사되도록 할 수 있다.In the vacuum chamber 100, the target substrate 20 is mounted on the lower surface of the chucking unit 130 of the substrate transfer unit STU and transferred to the lower portion of the laser optical system 200. The target substrate and the substrate transfer unit (STU) transferred to the lower portion of the laser optical system 200 are rotated through the stage unit 120, so that the first scanner 240a and the second scanner 240b of the laser optical system 200 Aligned so that the laser beam (L) is irradiated to a desired portion of the target substrate (20).

이어, 제1 스캐너(240a) 및 제2 스캐너(240b)와 정렬된 대상 기판(20)에 레이저 빔(L)이 조사되어 대상 기판(20)이 에칭 또는 리프트-오프(S04)된다. Subsequently, the laser beam L is irradiated to the target substrate 20 aligned with the first scanner 240a and the second scanner 240b, so that the target substrate 20 is etched or lifted off (S04).

레이저 빔(L)은 광학계 정반(300)에 배치된 레이저 조사 유닛으로부터 방출될 수 있으며, 상기 레이저 빔(L)은 제1 광학계(220a) 및 제2 광학계(230a)에 의해 경로가 변경되어 제1 스캐너(240a)로 향할 수 있다. 제1 스캐너(240a)로 향한 레이저 빔(L)의 경로는 제1 스캐너(240a) 내에서 다시 변경되어 대상 기판(20)을 향하도록 즉, 하부 방향을 향하도록 진행 방향이 변경될 수 있다.The laser beam L may be emitted from the laser irradiation unit disposed on the optical system base 300, and the path of the laser beam L is changed by the first optical system 220a and the second optical system 230a. 1 can be directed to the scanner 240a. The path of the laser beam L directed to the first scanner 240a may be changed again within the first scanner 240a and the traveling direction may be changed to face the target substrate 20, that is, to face the lower direction.

대상 기판(20)은 제1 방향(DR1)으로 이동할 수 있고, 이에 따라, 레이저 광학계(200)가 고정되더라도, 대상 기판(20)이 이동하여 대상 기판(20)의 원하는 영역에 레이저 빔(L)이 도달할 수 있다.The target substrate 20 may move in the first direction DR1, and accordingly, even if the laser optical system 200 is fixed, the target substrate 20 moves and the laser beam L is applied to a desired area of the target substrate 20. ) Can be reached.

대상 기판(20)을 향하는 레이저 빔(L)은 스테이지 유닛(120) 및 척킹 유닛(130)을 통과하여 대상 기판(20)에 도달할 수 있다. 레이저 빔(L)은 특정 파장을 갖도록 조절될 수 있으며, 해당 파장에 따라, 대상 기판(20)에서 에칭되는 적층 부재가 달라질 수 있다. 특정 파장에 의해, 대상 기판(20)의 적층 부재 중 적어도 일부가 에칭 또는 리프트-오프될 수 있다. 에칭 공정에 의해 적층 부재 중 하나만 리프트-오프될 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니고, 대상 기판(20)의 적층 부재 중 특정 파장에 의해 리프트-오프되는 일부 적층 부재 뿐만 아니라 상기 일부 적층 부재의 하부에 배치된 다른 적층 부재도 함께 에칭될 수 있다.The laser beam L directed to the target substrate 20 may pass through the stage unit 120 and the chucking unit 130 to reach the target substrate 20. The laser beam L may be adjusted to have a specific wavelength, and the laminated member etched on the target substrate 20 may vary according to the corresponding wavelength. At least some of the stacked members of the target substrate 20 may be etched or lifted off by a specific wavelength. Only one of the stacked members may be lifted off by the etching process, and is not limited thereto, and not only some of the stacking members lifted off by a specific wavelength among the stacking members of the target substrate 20, but also the lower portion of the stacked members. Other stacked members placed may also be etched together.

이어, 레이저 빔(L)에 의해 에칭 또는 리프트-오프된 대상 기판(20)은 다시 제1 방향(DR1) 일측으로 이동할 수 있다. 대상 기판(20)이 이동함에 따라, 진공 챔버(100) 저면에 배치된 검사용 광학 유닛(150)의 상부를 지나갈 수 있다. 대상 기판(20)이 검사용 광학 유닛(150)의 상부를 지나갈 때, 검사용 광학 유닛(150)은 대상 기판(20)에 에칭 또는 리프트-오프된 영역을 검사(S05)할 수 있다. Subsequently, the target substrate 20 etched or lifted off by the laser beam L may move back to one side of the first direction DR1. As the target substrate 20 moves, it may pass through the upper portion of the inspection optical unit 150 disposed on the bottom surface of the vacuum chamber 100. When the target substrate 20 passes the upper portion of the inspection optical unit 150, the inspection optical unit 150 may inspect a region etched or lifted off on the target substrate 20 (S05).

이하에서 도 17 및 도 18을 참조하여, 일 실시예에 따른 에칭 장치(10)를 이용하여 제조할 수 있는 표시 장치에 대하여 설명한다. Hereinafter, a display device that can be manufactured using the etching apparatus 10 according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 17 and 18.

도 17은 일 실시예에 따른 에칭 장치를 이용하여 제조한 표시 장치의 사시도이다. 도 18은 도 17의 ⅩⅧ-ⅩⅧ' 선을 따라 자른 단면도이다. 17 is a perspective view of a display device manufactured using an etching apparatus according to an exemplary embodiment. FIG. 18 is a cross-sectional view taken along the line XVIII-XVIII' of FIG. 17.

도 17 및 도 18을 참조하면, 표시 장치(30)는 활성 영역(AAR)을 통해 화면이나 영상을 표시하며, 활성 영역(AAR)을 포함하는 다양한 장치가 그에 포함될 수 있다. 표시 장치(30)의 예는, 이에 제한되는 것은 아니지만, 스마트폰, 휴대 전화기, 태블릿 PC, PDA(Personal Digital Assistant), PMP(Portable Multimedia Player), 텔레비전, 게임기, 손목 시계형 전자 기기, 헤드 마운트 디스플레이, 퍼스널 컴퓨터의 모니터, 노트북 컴퓨터, 자동차 네비게이션, 자동차 계기판, 디지털 카메라, 캠코더, 외부 광고판, 전광판, 각종 의료 장치, 각종 검사 장치, 냉장고나 세탁기 등과 같은 활성 영역(AAR)를 포함하는 다양한 가전 제품, 사물 인터넷 장치 등을 포함할 수 있다.17 and 18, the display device 30 displays a screen or an image through the active area AAR, and various devices including the active area AAR may be included therein. Examples of the display device 30 are, but are not limited to, a smartphone, a mobile phone, a tablet PC, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a television, a game machine, a wrist watch type electronic device, and a head mount. Various home appliances including active area (AAR) such as displays, personal computer monitors, notebook computers, car navigation, car dashboards, digital cameras, camcorders, external billboards, billboards, various medical devices, various inspection devices, refrigerators, washing machines, etc. , Internet of Things devices, and the like.

활성 영역(AAR)과 비활성 영역(NAR)을 포함한다. 표시 장치(30)의 활성 영역(AAR)은 표시 영역을 포함할 수 있다. 또한, 표시 장치(30)가 터치 기능을 갖는 경우에 터치 입력의 감지가 이루어지는 영역인 터치 영역 또한 활성 영역(AAR)에 포함될 수 있다.It includes an active area AAR and an inactive area NAR. The active area AAR of the display device 30 may include a display area. In addition, when the display device 30 has a touch function, a touch area, which is an area in which a touch input is sensed, may also be included in the active area AAR.

비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 주변을 둘러쌀 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 표시가 이루어지지 않는 비표시 영역을 포함할 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 모든 변을 둘러쌀 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 활성 영역(AAR)의 네 변들 중 적어도 일부 부근에는 비활성 영역(NAR)이 배치되지 않을 수도 있다. 표시 장치(30)의 베젤 영역은 비활성 영역(NAR)으로 구성될 수 있다.The non-active area NAR may surround the active area AAR. The inactive area NAR may include a non-display area in which no display is made. The non-active area NAR may surround all sides of the active area AAR, but is not limited thereto, and the non-active area NAR may not be disposed near at least some of the four sides of the active area AAR. . The bezel area of the display device 30 may be configured as an inactive area NAR.

표시 장치(30)는 적어도 하나의 홀(HLE)을 포함할 수 있다. 홀(HLE)은 광학 소자와 표시 장치(30)의 두께 방향으로 중첩하여 배치되어, 광학 소자의 수광부에 광을 투과시키는 역할을 한다. 홀(HLE)은 활성 영역(AAR)의 내부에 배치될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The display device 30 may include at least one hole HLE. The hole HLE is disposed to overlap the optical element and the display device 30 in the thickness direction, and serves to transmit light to the light receiving portion of the optical element. The hole HLE may be disposed inside the active area AAR, but is not limited thereto.

홀(HLE)은 물리적으로 관통된 관통홀일 수 있다. 홀(HLE)은 하부 부재(21), 표시 패널(22), 터치 부재(23) 및 편광 부재(24)를 물리적으로 관통할 수 있다. 홀(HLE)이 상기 적층 부재들을 물리적으로 관통함에 따라, 홀(HLE)이 형성된 영역에서 상기 부재들이 제거되고, 해당 영역에서 광 투과도가 개선될 수 있다.The hole HLE may be a physically penetrated through hole. The hole HLE may physically penetrate the lower member 21, the display panel 22, the touch member 23, and the polarization member 24. As the hole HLE physically penetrates the stacked members, the members are removed from the region where the hole HLE is formed, and light transmittance may be improved in the region.

표시 장치(30)는 수광부를 포함하는 광학 소자(OPS)를 더 포함할 수 있다. 수광부를 포함하는 광학 소자(OPS)의 예로는 카메라, 렌즈(집광 렌즈나 광 경로 가이드 렌즈 등), 적외선 센서, 홍채 인식 센서, 조도 센서 등의 광학 센서 등을 들 수 있다. 광학 소자(OPS)의 수광부는 일부 또는 전부가 홀(HLE) 내에 위치할 수 있다. 표시 장치(30) 외부의 빛은 커버 윈도우(25)를 통과하여 그 하부의 홀(HLE)을 통해 수광부에 입사될 수 있다. 커버 윈도우(25)가 높은 투과율을 나타내는 경우, 외부의 빛은 큰 손실 없이 상기한 광 경로를 통해 광학 소자(OPS)의 수광부에 도달할 수 있다. The display device 30 may further include an optical element OPS including a light receiving unit. Examples of the optical element OPS including the light receiving unit include a camera, a lens (such as a condensing lens or a light path guide lens), an infrared sensor, an iris recognition sensor, and an optical sensor such as an illuminance sensor. Part or all of the light receiving part of the optical element OPS may be located in the hole HLE. Light outside the display device 30 may pass through the cover window 25 and enter the light receiving unit through a hole HLE under the cover window 25. When the cover window 25 exhibits a high transmittance, external light may reach the light receiving unit of the optical element OPS through the above-described optical path without significant loss.

이하, 에칭 장치(10)의 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략하거나 간략화하고, 차이점을 위주로 설명하기로 한다.Hereinafter, other embodiments of the etching apparatus 10 will be described. In the following embodiments, descriptions of the same configurations as those of the previously described embodiments will be omitted or simplified, and differences will be mainly described.

도 19는 다른 실시예에 따른 에칭 장치의 사시도이다. 도 20은 도 19의 ⅩⅩ-ⅩⅩ' 선을 따라 자른 단면도이다.19 is a perspective view of an etching apparatus according to another embodiment. FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX' of FIG. 19;

도 19 및 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 에칭 장치(10_1)는 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b) 뿐만 아니라 제3 레이저 모듈(200c)과 제4 레이저 모듈(200d)을 더 포함한다는 점에서 도 1의 실시예와 차이가 있다.19 and 20, the etching apparatus 10_1 according to the present embodiment includes not only the first laser module 200a and the second laser module 200b, but also the third laser module 200c and the fourth laser module ( It is different from the embodiment of FIG. 1 in that it further includes 200d).

구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 레이저 광학계(200)는 제1 내지 제4 레이저 모듈을(200a, 200b, 200c, 200d) 포함할 수 있다. 또한, 광학계 정반(300)은 제1 상부 브릿지(320)와 제2 상부 브릿지(320)를 포함할 수 있으며, 제1 상부 브릿지(320)와 제2 상부 브릿지(320)는 정반 연결부(330)에 의해 지지되며 정반 연결부(330)에 의해 하부 지지대(310)와 물리적으로 연결된다. Specifically, the laser optical system 200 according to the present embodiment may include first to fourth laser modules 200a, 200b, 200c, and 200d. In addition, the optical system surface plate 300 may include a first upper bridge 320 and a second upper bridge 320, and the first upper bridge 320 and the second upper bridge 320 are connected to the surface plate 330. It is supported by and is physically connected to the lower support 310 by the platen connection part 330.

제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b)은 제1 상부 브릿지(320)에 배치되고, 제3 레이저 모듈(200c)과 제4 레이저 모듈(200d)은 제2 상부 브릿지(320)에 배치될 수 있다. 제1 레이저 모듈(200a)은 제1 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 일측에 배치되며, 제2 레이저 모듈(200b)은 제1 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 타측에 배치될 수 있다. 제3 레이저 모듈(200c)은 제2 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 일측에 배치되며, 제4 레이저 모듈(200d)은 제2 상부 브릿지(320)의 제1 방향(DR1) 타측에 배치될 수 있다.The first laser module 200a and the second laser module 200b are disposed on the first upper bridge 320, and the third laser module 200c and the fourth laser module 200d are the second upper bridge 320 Can be placed on The first laser module 200a is disposed on one side of the first upper bridge 320 in the first direction DR1, and the second laser module 200b is the other side in the first direction DR1 of the first upper bridge 320 Can be placed on The third laser module 200c is disposed on one side of the second upper bridge 320 in the first direction DR1, and the fourth laser module 200d is the other side in the first direction DR1 of the second upper bridge 320 Can be placed on

제1 내지 제4 레이저 모듈(200a, 200b, 200c, 200d)은 각각 2 이상의 복수일 수 있으며, 제2 방향(DR2)으로 상호 이격되어 배치될 수 있다.Each of the first to fourth laser modules 200a, 200b, 200c, and 200d may be a plurality of two or more, and may be disposed to be spaced apart from each other in the second direction DR2.

이 경우에도 대상 기판(20)을 에칭 또는 리프트-오프 할 수 있는 레이저 빔(L)을 방출하는 제1 내지 제4 레이저 모듈(200a, 200b, 200c, 200d)이 대상 기판(20)의 상부에 배치되고, 제1 내지 제4 레이저 모듈(200a, 200b, 200c, 200d)로부터 방출된 레이저 빔(L)은 대상 기판(20)의 상부를 향해 방출된다. 따라서, 대상 기판(20)으로부터 박리된 파티클(P)은 대상 기판(20)의 하부를 향해 낙하하므로, 레이저 빔(L)은 파티클(P)의 영향을 받지 않으며, 에칭 공정의 효율이 감소하는 것을 방지할 수 있다. 아울러, 제3 레이저 모듈(200c)과 제4 레이저 모듈이 추가적으로 배치됨에 따라, 대상 기판(20)의 보다 많은 영역을 동시에 에칭 또는 리프트-오프 할 수 있어, 에칭 공정의 효율이 증가할 수 있다.Even in this case, the first to fourth laser modules 200a, 200b, 200c, and 200d emitting a laser beam L capable of etching or lifting-off the target substrate 20 are placed on the target substrate 20. The laser beam L is disposed and emitted from the first to fourth laser modules 200a, 200b, 200c, and 200d is emitted toward the top of the target substrate 20. Therefore, since the particles P peeled off from the target substrate 20 fall toward the bottom of the target substrate 20, the laser beam L is not affected by the particles P, and the efficiency of the etching process is reduced. Can be prevented. In addition, as the third laser module 200c and the fourth laser module are additionally disposed, more areas of the target substrate 20 can be simultaneously etched or lifted off, thereby increasing the efficiency of the etching process.

도 21은 또 다른 실시예에 따른 에칭 장치의 단면도이다. 21 is a cross-sectional view of an etching apparatus according to another embodiment.

도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 에칭 장치(10_2)는 대상 기판(20)의 상부에 배치되는 제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b) 뿐만 아니라 대상 기판(20)의 하부에 배치되는 하부 레이저 모듈(250)을 더 포함할 수 있다는 점에서 도 2의 실시예와 차이가 있다.Referring to FIG. 21, the etching apparatus 10_2 according to the present embodiment includes not only the first laser module 200a and the second laser module 200b disposed on the target substrate 20, but also the target substrate 20. It is different from the embodiment of FIG. 2 in that it may further include a lower laser module 250 disposed below.

구체적으로 설명하면, 본 실시예에 따른 에칭 장치(10)는 대상 기판(20)의 하부에 배치되면서, 진공 챔버(100)의 외부에 배치되는 하부 레이저 모듈(250)을 더 포함할 수 있다. 하부 레이저 모듈(250)은 광학계 정반(300)의 하부 지지대(310) 상에 배치될 수 있다. 또한, 에칭 장치(10)의 진공 챔버(100)는 진공 챔버(100)의 저면에 하부 챔버 윈도우(101c)를 더 포함할 수 있다. 상기 하부 챔버 윈도우(101c)는 하부 레이저 모듈(250) 상부에 위치하여, 하부 레이저 모듈(250)로부터 방출된 레이저 빔(L)을 진공 챔버(100)의 내부로 입사할 수 있도록 한다. 즉, 하부 레이저 모듈(250)로부터 방출된 레이저 빔(L)은 하부 챔버 윈도우(101c)를 통해 진공 챔버(100)의 내부로 들어갈 수 있다.Specifically, the etching apparatus 10 according to the present exemplary embodiment may further include a lower laser module 250 disposed outside the vacuum chamber 100 while being disposed under the target substrate 20. The lower laser module 250 may be disposed on the lower support 310 of the optical system base 300. In addition, the vacuum chamber 100 of the etching apparatus 10 may further include a lower chamber window 101c on the bottom surface of the vacuum chamber 100. The lower chamber window 101c is positioned above the lower laser module 250 to allow the laser beam L emitted from the lower laser module 250 to enter the inside of the vacuum chamber 100. That is, the laser beam L emitted from the lower laser module 250 may enter the inside of the vacuum chamber 100 through the lower chamber window 101c.

대상 기판(20)의 하부에 배치되는 하부 레이저 모듈(250)은 대상 기판(20)의 상부에 배치되는 제1 레이저 모듈(200a)과 제2 레이저 모듈(200b)과 제3 방향(DR3)으로 중첩하지 않을 수 있다. 이에 따라, 하부 레이저 모듈(250)과 제1 레이저 모듈(200a) 및 제2 레이저 모듈(200b)이 서로 간섭되는 것을 방지할 수 있다.The lower laser module 250 disposed under the target substrate 20 is disposed in the first laser module 200a and the second laser module 200b disposed on the target substrate 20 and in a third direction DR3. May not overlap. Accordingly, it is possible to prevent the lower laser module 250, the first laser module 200a, and the second laser module 200b from interfering with each other.

이 경우에도 대상 기판(20)을 에칭 또는 리프트-오프 할 수 있는 레이저 빔(L)을 방출하는 제1, 제2 레이저 모듈(200a, 200b)이 대상 기판(20)의 상부에 배치되고, 제1, 제2 레이저 모듈(200a, 200b)로부터 방출된 레이저 빔(L)은 대상 기판(20)의 상부를 향해 방출된다. 따라서, 대상 기판(20)으로부터 박리된 파티클(P)은 대상 기판(20)의 하부를 향해 낙하하므로, 레이저 빔(L)은 파티클(P)의 영향을 받지 않으며, 에칭 공정의 효율이 감소하는 것을 방지할 수 있다. 아울러, 대상 기판(20)의 하부에도 하부 레이저 모듈(250)이 배치됨으로써, 대상 기판(20)의 하측을 좀더 정밀하게 에칭 또는 리프트-오프할 수 있어, 에칭 공정의 신뢰도가 향상될 수 있다.Even in this case, the first and second laser modules 200a and 200b emitting a laser beam L capable of etching or lift-off the target substrate 20 are disposed on the target substrate 20 and the first The laser beam L emitted from the first and second laser modules 200a and 200b is emitted toward the top of the target substrate 20. Therefore, since the particles P peeled off from the target substrate 20 fall toward the bottom of the target substrate 20, the laser beam L is not affected by the particles P, and the efficiency of the etching process is reduced. Can be prevented. In addition, since the lower laser module 250 is disposed under the target substrate 20, the lower side of the target substrate 20 can be etched or lifted off more precisely, so that the reliability of the etching process can be improved.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. You will be able to understand. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative and non-limiting in all respects.

10: 에칭 장치
20: 대상 기판
30: 표시 장치
100: 진공 챔버
200: 레이저 광학계
300: 광학계 정반
10: etching device
20: target substrate
30: display device
100: vacuum chamber
200: laser optical system
300: optical system platen

Claims (20)

내부에서 대상 기판에 대한 에칭 공정이 수행되는 진공 챔버로서, 상면에 투광창을 포함하는 진공 챔버;
상기 진공 챔버의 내부에 배치되며, 하부에 상기 대상 기판이 안착되는 기판 이송 유닛; 및
상기 진공 챔버의 외부에 배치되고, 상기 투광창을 통해 상기 진공 챔버 내부로 레이저 빔(Laser Beam)을 조사하여 상기 에칭 공정을 수행하는 레이저 조사 유닛을 포함하는 적어도 하나의 레이저 모듈을 포함하는 에칭 장치.
A vacuum chamber in which an etching process is performed on a target substrate, the vacuum chamber including a light-transmitting window on an upper surface thereof;
A substrate transfer unit disposed inside the vacuum chamber and on which the target substrate is seated under the vacuum chamber; And
An etching apparatus including at least one laser module disposed outside the vacuum chamber and including a laser irradiation unit for performing the etching process by irradiating a laser beam into the vacuum chamber through the transparent window .
제1 항에 있어서,
상기 레이저 모듈은,
제1 광학계;
제2 광학계; 및
스캐너를 더 포함하고,
상기 제1 광학계 및 상기 제2 광학계는 상기 레이저 조사 유닛에서 방출된 레이저 빔의 경로를 변경하여, 레이저 빔을 상기 스캐너로 전달하고,
상기 스캐너는 상기 레이저 빔을 상기 대상 기판을 향해 방출하는 에칭 장치.
The method of claim 1,
The laser module,
A first optical system;
A second optical system; And
Further includes a scanner,
The first optical system and the second optical system change the path of the laser beam emitted from the laser irradiation unit, and transmit the laser beam to the scanner,
The scanner emits the laser beam toward the target substrate.
제2 항에 있어서,
상기 제1 광학계는 상기 레이저 빔을 반사하는 제1 미러부를 포함하고, 상기 제2 광학계는 상기 레이저 빔을 반사하는 제2 미러부를 포함하는 에칭 장치.
The method of claim 2,
The first optical system includes a first mirror unit that reflects the laser beam, and the second optical system includes a second mirror unit that reflects the laser beam.
제1 항에 있어서,
상기 기판 이송 유닛은 스테이지 유닛 및 척킹 유닛을 포함하고, 상기 대상 기판은 상기 척킹 유닛의 하면에 안착되는 에칭 장치.
The method of claim 1,
The substrate transfer unit includes a stage unit and a chucking unit, and the target substrate is mounted on a lower surface of the chucking unit.
제4 항에 있어서,
상기 척킹 유닛은 상기 척킹 유닛을 관통하는 적어도 하나의 빔 투과용 홀을 포함하는 에칭 장치.
The method of claim 4,
The chucking unit includes at least one beam transmission hole passing through the chucking unit.
제4 항에 있어서,
상기 스테이지 유닛은 스테이지 상판 및 스테이지 하판을 포함하고,
상기 스테이지 상판은 틀 형상의 상판 테두리부 및
상기 상판 테두리부에 의해 둘러싸이며, 상기 레이저 빔을 투과시키는 상판 윈도우를 포함하는 에칭 장치.
The method of claim 4,
The stage unit includes a stage upper plate and a stage lower plate,
The stage upper plate has a frame-shaped upper plate rim and
An etching apparatus including an upper plate window surrounded by the upper plate rim and transmitting the laser beam.
제6 항에 있어서,
상기 스테이지 하판은,
제1 방향 양측에 배치되는 하판 테두리부;
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 양측에 배치되는 하판 단차부; 및
상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부를 연결하는 하판 연결부를 포함하고,
상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부 사이에는 단차가 있는 에칭 장치.
The method of claim 6,
The lower plate of the stage,
Lower plate rims disposed on both sides in the first direction;
Lower plate steps disposed on both sides of the second direction crossing the first direction; And
And a lower plate connecting portion connecting the lower plate rim portion and the lower plate stepped portion,
An etching apparatus having a step difference between the lower plate edge portion and the lower plate step portion.
제7 항에 있어서,
상기 하판 단차부는 상기 하판 테두리부의 상부에 위치하는 에칭 장치.
The method of claim 7,
The lower plate stepped portion is an etching apparatus located above the lower plate rim portion.
제1 항에 있어서,
상기 진공 챔버의 외부에 배치되며, 상기 진공 챔버를 둘러싸는 광학계 정반을 더 포함하는 에칭 장치.
The method of claim 1,
An etching apparatus disposed outside the vacuum chamber and further comprising an optical system platen surrounding the vacuum chamber.
제9 항에 있어서,
상기 광학계 정반은 상기 진공 챔버 하부에 배치되는 하부 지지대,
상기 진공 챔버의 상부에 배치되는 상부 브릿지, 및
상기 하부 지지대와 상기 상부 브릿지를 연결하는 정반 연결부로 포함하는 에칭 장치.
The method of claim 9,
The optical system platen is a lower support disposed under the vacuum chamber,
An upper bridge disposed above the vacuum chamber, and
Etching apparatus comprising a plate connecting portion connecting the lower support and the upper bridge.
제10 항에 있어서,
상기 레이저 모듈은 상기 상부 브릿지 상에 배치되는 에칭 장치.
The method of claim 10,
The laser module is an etching apparatus disposed on the upper bridge.
제1 항에 있어서,
상기 진공 챔버 내부에 배치되며, 상기 대상 기판을 검사하는 검사용 광학 유닛을 더 포함하는 에칭 장치.
The method of claim 1,
An etching apparatus further comprising an inspection optical unit disposed inside the vacuum chamber and inspecting the target substrate.
제12 항에 있어서,
상기 검사용 광학 유닛은 대상 기판의 하부에 위치하는 에칭 장치.
The method of claim 12,
The inspection optical unit is an etching apparatus located under the target substrate.
복수의 화소 및 상기 각 화소마다 배치된 발광 소자를 포함하는 대상 기판을 상면에 투광창을 포함하는 진공 챔버 내부로 투입하는 단계;
상기 대상 기판을 이송하여 기판 이송 유닛의 하부에 안착시키는 단계; 및
상기 기판 이송 유닛의 외부에 배치된 레이저 조사 유닛으로부터 방출된 레이저 빔(Laser Beam)을 상기 투광창을 통해 상기 대상 기판에 조사하여 상기 대상 기판에 대한 에칭 공정을 수행하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
Introducing a target substrate including a plurality of pixels and a light emitting device disposed for each pixel into a vacuum chamber including a light-transmitting window on an upper surface;
Transferring the target substrate and seating it under the substrate transfer unit; And
A display device comprising the step of performing an etching process on the target substrate by irradiating a laser beam emitted from a laser irradiation unit disposed outside the substrate transfer unit to the target substrate through the transparent window. Manufacturing method.
제14 항에 있어서,
상기 기판 이송 유닛은 스테이지 유닛 및 척킹 유닛으로 이루어지고, 상기 척킹 유닛은 상기 척킹 유닛을 관통하는 적어도 하나의 빔 투과용 홀을 포함하며, 상기 척킹 유닛의 하면에 상기 대상 기판을 안착하는 표시 장치의 제조 방법.
The method of claim 14,
The substrate transfer unit includes a stage unit and a chucking unit, the chucking unit includes at least one beam transmission hole penetrating through the chucking unit, and the target substrate is mounted on a lower surface of the chucking unit. Manufacturing method.
제15 항에 있어서,
상기 스테이지 유닛은 스테이지 상판 및 스테이지 하판을 포함하고,
상기 스테이지 상판은 틀 형상의 상판 테두리부 및 상기 상판 테두리부에 의해 둘러싸이며, 레이저 빔을 투과시키는 상판 윈도우를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
The method of claim 15,
The stage unit includes a stage upper plate and a stage lower plate,
The stage upper plate is a method of manufacturing a display device including a frame-shaped upper plate edge portion and an upper plate window surrounded by the upper plate edge portion and transmitting a laser beam.
제16 항에 있어서,
상기 스테이지 하판은,
제1 방향 양측에 배치되는 하판 테두리부;
상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향 양측에 배치되는 하판 단차부; 및
상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부를 연결하는 하판 연결부를 포함하고,
상기 하판 테두리부와 상기 하판 단차부 사이에는 단차가 있는 표시 장치의 제조 방법.
The method of claim 16,
The lower plate of the stage,
Lower plate rims disposed on both sides in the first direction;
Lower plate steps disposed on both sides of the second direction crossing the first direction; And
And a lower plate connecting portion connecting the lower plate rim portion and the lower plate stepped portion,
A method of manufacturing a display device having a step difference between the lower plate edge portion and the lower plate step portion.
제17 항에 있어서,
상기 하판 단차부는 상기 하판 테두리부의 상부에 위치하는 표시 장치의 제조 방법.
The method of claim 17,
A method of manufacturing a display device in which the stepped portion of the lower plate is positioned above an edge portion of the lower plate.
제18 항에 있어서,
상기 대상 기판을 에칭하는 단계 이후 상기 대상 기판을 검사하는 단계를 더 포함하되,
대상 기판을 검사하는 검사용 광학 유닛은 상기 하판 단차부의 하부를 지나가면서, 상기 하판 테두리부 사이를 통과하는 표시 장치의 제조 방법.
The method of claim 18,
Further comprising the step of inspecting the target substrate after the step of etching the target substrate,
A method of manufacturing a display device, wherein an inspection optical unit for inspecting a target substrate passes between the lower edge portions while passing a lower portion of the lower plate stepped portion.
제14 항에 있어서,
상기 대상 기판을 에칭하는 단계는 상기 대상 기판의 일부를 관통하는 홀을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
The method of claim 14,
The etching of the target substrate includes forming a hole penetrating a portion of the target substrate.
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