KR20210054910A - Lighting device - Google Patents

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KR20210054910A
KR20210054910A KR1020190141170A KR20190141170A KR20210054910A KR 20210054910 A KR20210054910 A KR 20210054910A KR 1020190141170 A KR1020190141170 A KR 1020190141170A KR 20190141170 A KR20190141170 A KR 20190141170A KR 20210054910 A KR20210054910 A KR 20210054910A
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윤덕현
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

A lighting device according to an embodiment may include: a substrate; a plurality of light emitting devices disposed on the substrate; a resin layer disposed on the substrate to surround the light emitting device and including a first outer surface overlapping the light emitting device in a horizontal direction; a second reflective member disposed on the resin layer; a diffusion layer including one side in contact with the first outer side of the resin layer; and a wavelength conversion layer in contact with the other side corresponding to one side of the diffusion layer. Accordingly, the light extraction efficiency can be improved.

Description

조명 장치{LIGHTING DEVICE}Lighting device {LIGHTING DEVICE}

발명의 실시예는 선 광원을 구현할 수 있는 조명장치에 관한 것이다.An embodiment of the invention relates to a lighting device capable of implementing a line light source.

발명의 실시예는 광 효율을 향상 시킬 수 있는 조명장치에 관한 것이다.An embodiment of the invention relates to a lighting device capable of improving light efficiency.

통상적인 조명 응용은 차량용 조명(light)뿐만 아니라 디스플레이 및 간판용 백라이트를 포함한다.Typical lighting applications include vehicle lights as well as backlights for displays and signs.

발광소자 예컨대, 발광 다이오드(LED)는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성 등의 장점이 있다. 이러한 발광 다이오드는 각종 표시 장치, 실내등 또는 실외등과 같은 각종 조명장치에 적용되고 있다.Light-emitting devices, such as light-emitting diodes (LEDs), have advantages such as low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps. Such light-emitting diodes are applied to various display devices, various lighting devices such as indoor or outdoor lights.

최근에는 차량용 조명으로서, 발광 다이오드를 채용하는 램프가 제안되고 있으며, 백열등과 비교하면, 발광 다이오드는 소비 전력이 작다는 점에서 유리하다. 또한, 최근의 차량용 조명에서는 선광원을 구현할 수 있는 조명모듈을 사용하여 차량의 심미적 가치를 향상 시킬 수 있는 점이 차량의 사용자에게 선호되고 있다. 그러나, 선광원을 구현하는 차량용 조명에서는 핫스팟 현상이 발생하여 차량의 외관 이미지가 저하될 수 있고, 집광효과가 없어 광 추출 효율이 저하되며, 외부로 출사되는 빛의 방향을 특정하기 어려워 광 효율이 저하되는 문제점이 발생하였다.Recently, as vehicle lighting, a lamp employing a light-emitting diode has been proposed, and compared with an incandescent lamp, the light-emitting diode is advantageous in that power consumption is small. In addition, in recent vehicle lighting, a point of improving the aesthetic value of a vehicle by using a lighting module capable of implementing a line light source is preferred by vehicle users. However, in vehicle lighting that implements a linear light source, a hot spot phenomenon may occur and the exterior image of the vehicle may be deteriorated, and the light extraction efficiency decreases due to no condensing effect. There was a problem of deterioration.

실시예는 광 추출 효율을 향상 시킬 수 있는 조명장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a lighting device capable of improving light extraction efficiency.

실시예는 광의 출사 방향을 특정할 수 있는 조명장치를 제공할 수 있다.The embodiment may provide a lighting device capable of specifying an emission direction of light.

실시예는 선광원을 구현한 조명장치를 제공할 수 있다.The embodiment can provide a lighting device implementing a line light source.

실시 예에 따른 조명장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 복수의 발광소자, 상기 기판 상에 배치되어 상기 발광소자를 감싸고 상기 발광소자와 수평 방향으로 중첩되는 제1외측면을 포함하는 레진층, 상기 레진층 상에 배치되는 제2 반사부재, 상기 레진층의 제1외측면과 접촉하는 일측면을 포함하는 확산층 및 상기 확산층의 일측면에 대응되는 타측면과 접촉하는 파장 변환층을 포함 할 수 있다.The lighting apparatus according to the embodiment includes a resin layer including a substrate, a plurality of light emitting devices disposed on the substrate, a first outer surface disposed on the substrate to surround the light emitting device and overlap the light emitting device in a horizontal direction, A second reflective member disposed on the resin layer, a diffusion layer including a side surface in contact with the first outer surface of the resin layer, and a wavelength conversion layer in contact with the other surface corresponding to the side surface of the diffusion layer. have.

실시 예에 따른 조명장치는 상기 제2 반사부재의 일측면 및 상기 레진층의 제1외측면은 동일 평면 상에 배치 될 수 있다.In the lighting device according to the embodiment, one side of the second reflective member and the first outer side of the resin layer may be disposed on the same plane.

실시 예에 따른 조명장치는 상기 제2 반사부재의 일측면은 상기 확산층의 일측면과 접촉 할 수 있다.In the lighting device according to the embodiment, one side of the second reflective member may contact one side of the diffusion layer.

실시 예에 따른 조명장치는 상기 제2 반사부재의 일측면 및 상기 확산층의 타측면은 동일 평면 상에 배치 될 수 있다.In the lighting device according to the embodiment, one side of the second reflective member and the other side of the diffusion layer may be disposed on the same plane.

실시 예에 따른 조명장치는 상기 파장 변환층은 상기 확산층의 타측면과 접촉하는 일측면 및 상기 일측면과 대향하는 타측면을 포함하고, 상기 제2 반사부재의 일측면 및 상기 파장 변환층의 일측면은 접촉 할 수 있다.In the lighting device according to the embodiment, the wavelength conversion layer includes one side in contact with the other side of the diffusion layer and the other side opposite to the one side, and one side of the second reflective member and one of the wavelength conversion layer The sides can touch.

실시 예에 따른 조명장치는 상기 제2 반사부재는 상기 레진층, 상기 확산층, 상기 파장 변환층 상에 배치 될 수 있다.In the lighting device according to the embodiment, the second reflective member may be disposed on the resin layer, the diffusion layer, and the wavelength conversion layer.

실시 예에 따른 조명장치는 상기 파장 변환층은 상기 확산층의 타측면과 접촉하는 일측면 및 상기 일측면과 대향하는 타측면을 포함하고, 상기 제2 반사부재의 일측면 및 상기 파장 변환층의 타측면은 동일 평면 상에 배치 될 수 있다.In the lighting device according to the embodiment, the wavelength conversion layer includes one side in contact with the other side of the diffusion layer and the other side opposite to the one side, and one side of the second reflective member and the other side of the wavelength conversion layer. The sides can be placed on the same plane.

실시 예에 따른 조명장치는 상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재를 포함하고, 상기 제1 반사부재는 상기 기판에 수직한 방향으로 상기 레진층과 오버랩 될 수 있다.The lighting apparatus according to the embodiment includes a first reflective member disposed on the substrate, and the first reflective member may overlap the resin layer in a direction perpendicular to the substrate.

실시 예에 따른 조명장치는 상기 제1 반사부재는 상기 기판에 수직한 방향으로 상기 파장 변환층과 오버랩 되지 않을 수 있다.In the lighting apparatus according to the embodiment, the first reflective member may not overlap the wavelength conversion layer in a direction perpendicular to the substrate.

실시 예에 따른 조명장치는 상기 제1 반사부재는 상기 기판에 수직한 방향으로 상기 확산층과 오버랩 되지 않을 수 있다.In the lighting apparatus according to the embodiment, the first reflective member may not overlap the diffusion layer in a direction perpendicular to the substrate.

실시예에 따른 조명장치는 레진층에 의해 발광소자에서 출사되는 광의 집광 효과를 향상 시킬 수 있다.The lighting device according to the embodiment may improve the condensing effect of light emitted from the light emitting device by the resin layer.

실시예에 따른 조명장치는 레진층의 일측면과 대응되어 확산층 및 파장 변환층이 배치됨으로써 핫 스팟 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In the lighting device according to the embodiment, a diffusion layer and a wavelength conversion layer are disposed to correspond to one side of the resin layer, thereby preventing the occurrence of a hot spot phenomenon.

실시예에 따른 조명장치는 레진층 및 확산층과 파장 변환층에 의해 외부로 출사되는 광의 진행거리가 늘어나 외부로 출사되는 광 분포가 균일할 수 있다.In the lighting device according to the embodiment, a traveling distance of light emitted to the outside by the resin layer, the diffusion layer, and the wavelength conversion layer is increased, so that the distribution of light emitted to the outside may be uniform.

도 1은 실시예에 따른 조명장치의 평면도이다.
도 2는 실시예에 따른 조명장치의 C라인의 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 조명장치의 A영역의 사시도이다.
도 4는 실시예에 따른 조명장치의 A영역의 평면도이다.
도 5는 실시예에 따른 조명장치의 B라인의 단면도이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 조명장치의 B라인의 단면도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 조명장치의 B라인의 단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 조명자치의 B라인의 단면도이다.
도 9는 실시 예에 다른 조명장치를 포함하는 램프가 적용된 차량의 평면도이다.
도 10은 실시 예에 따른 조명장치를 갖는 램프를 나타낸 도면이다.1 is a plan view of a lighting device according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view of line C of the lighting device according to the embodiment.
3 is a perspective view of area A of the lighting device according to the embodiment.
4 is a plan view of area A of the lighting device according to the embodiment.
5 is a cross-sectional view of line B of the lighting device according to the embodiment.
6 is a cross-sectional view of a line B of a lighting device according to another exemplary embodiment.
7 is a cross-sectional view of line B of a lighting device according to another exemplary embodiment.
8 is a cross-sectional view of a line B of an illumination device according to another embodiment.
9 is a plan view of a vehicle to which a lamp including another lighting device is applied to the embodiment.
10 is a view showing a lamp having a lighting device according to an embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

다만, 본 발명의 기술 사상은 설명되는 일부 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있고, 본 발명의 기술 사상 범위 내에서라면, 실시 예들간 그 구성 요소들 중 하나 이상을 선택적으로 결합, 치환하여 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에서 사용되는 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는, 명백하게 특별히 정의되어 기술되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해될 수 있는 의미로 해석될 수 있으며, 사전에 정의된 용어와 같이 일반적으로 사용되는 용어들은 관련 기술의 문맥상의 의미를 고려하여 그 의미를 해석할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 실시예에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. However, the technical idea of the present invention is not limited to some embodiments to be described, but may be implemented in various different forms, and within the scope of the technical idea of the present invention, one or more of the constituent elements may be selectively selected. It can be combined with and substituted for use. In addition, terms (including technical and scientific terms) used in the embodiments of the present invention are generally understood by those of ordinary skill in the art, unless explicitly defined and described. It can be interpreted as a meaning, and terms generally used, such as terms defined in a dictionary, may be interpreted in consideration of the meaning in the context of the related technology. In addition, terms used in the embodiments of the present invention are for describing the embodiments and are not intended to limit the present invention.

본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함할 수 있고, “A 및(와) B, C중 적어도 하나(또는 한 개 이상)”로 기재되는 경우 A, B, C로 조합할 수 있는 모든 조합 중 하나이상을 포함 할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등으로 확정되지 않는다. 그리고, 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 '연결', '결합' 또는 '접속'된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결, 결합 또는 접속되는 경우뿐만 아니라, 그 구성 요소와 그 다른 구성요소 사이에 있는 또 다른 구성 요소로 인해 '연결', '결합' 또는 '접속＇되는 경우도 포함할 수 있다. In the present specification, the singular form may also include the plural form unless specifically stated in the phrase, and when described as "at least one (or more than one) of A and (and) B and C", it is combined with A, B, and C. It can contain one or more of all possible combinations. In addition, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used in describing the constituent elements of the embodiment of the present invention. These terms are only for distinguishing the component from other components, and the nature, order, or order of the component is not determined by the term. And, when a component is described as being'connected','coupled' or'connected' to another component, the component is not only directly connected, coupled, or connected to the other component, but also with the component. The case of being'connected','coupled', or'connected' due to another component between the other components may also be included.

또한, 각 구성 요소의 " 상(위) 또는 하(아래)"에 형성 또는 배치되는 것으로 기재되는 경우, 상(위) 또는 하(아래)는 두 개의 구성 요소들이 서로 직접 접촉되는 경우뿐만 아니라 하나 이상의 또 다른 구성 요소가 두 개의 구성 요소들 사이에 형성 또는 배치되는 경우도 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)”으로 표현되는 경우 하나의 구성 요소를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다. In addition, when it is described as being formed or disposed on the “top (top) or bottom (bottom)” of each component, the top (top) or bottom (bottom) is one as well as when the two components are in direct contact with each other. It also includes the case where the above other component is formed or disposed between the two components. In addition, when expressed as "upper (upper) or lower (lower)", it may include not only an upward direction but also a downward direction based on one component.

본 발명에 따른 조명장치는 조명이 필요로 하는 다양한 램프장치, 이를테면 차량용 램프, 가정용 조명장치, 또는 산업용 조명장치에 적용이 가능하다. 예를 들면, 상기 조명장치가 차량용 램프에 적용되는 경우, 헤드 램프, 차폭등, 사이드 미러등, 안개등, 테일등(Tail lamp), 제동등, 주간 주행등, 차량 실내 조명, 도어 스카프(door scar), 리어 콤비네이션 램프, 백업 램프 등에 적용 가능하다. 본 발명의 조명장치는 실내, 실외의 광고장치, 표시 장치, 및 각 종 전동차 분야에도 적용 가능하며, 이외에도 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 조명관련 분야나 광고관련 분야 등에 적용 가능하다고 할 것이다.The lighting device according to the present invention can be applied to various lamp devices that require lighting, such as a vehicle lamp, a home lighting device, or an industrial lighting device. For example, when the lighting device is applied to a vehicle lamp, a head lamp, a vehicle width lamp, a side mirror lamp, a fog lamp, a tail lamp, a brake lamp, a daytime running lamp, a vehicle interior lighting, a door scar , It can be applied to rear combination lamp, backup lamp, etc. The lighting device of the present invention can be applied to indoor and outdoor advertising devices, display devices, and various electric vehicle fields, and in addition, it can be applied to all lighting-related fields or advertisement-related fields that are currently developed and commercialized or that can be implemented according to future technological developments. I would say.

도 1은 실시예에 따른 조명장치(1000)의 평면도이고, 도 2는 실시예에 따른 조명장치(1000)의 C라인의 단면도이고, 도 3은 실시예에 따른 조명장치(1000)의 A영역의 사시도이고, 도 4는 실시예에 따른 조명장치(1000)의 A영역의 평면도이고, 도 5는 실시예에 따른 조명장치(1000)의 B라인의 단면도이다.1 is a plan view of a lighting device 1000 according to an embodiment, FIG. 2 is a cross-sectional view of line C of the lighting device 1000 according to the embodiment, and FIG. 3 is a region A of the lighting device 1000 according to the embodiment. 4 is a plan view of area A of the lighting device 1000 according to the embodiment, and FIG. 5 is a cross-sectional view of line B of the lighting device 1000 according to the embodiment.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 실시예에 따른 조명장치(1000)는 기판(200), 상기 기판(200) 상에 배치된 제1반사부재(210), 상기 제1반사부재(210)를 관통하여 상기 기판(200) 상에 배치되는 발광소자(100), 상기 기판(200) 및 상기 제1반사부재(210) 상에 배치되며 상기 발광소자(100)를 감싸는 레진층(220), 상기 레진층(220) 상에 배치되는 제2반사부재(230), 상기 제1반사부재(210) 상에 배치되며 상기 제2반사부재(230) 및 상기 레진층(220)의 일측면에 대응되어 배치되는 확산층(240), 상기 반사부재(210) 상에 배치되며 상기 확산층(240)의 일측면에 대응되어 배치되는 파장 변환층(250)을 포함할 수 있다. 1 to 5, the lighting apparatus 1000 according to the embodiment includes a substrate 200, a first reflective member 210 disposed on the substrate 200, and the first reflective member 210. A resin layer 220 disposed on the light emitting device 100 through and disposed on the substrate 200, the resin layer 220 disposed on the substrate 200 and the first reflective member 210 and surrounding the light emitting device 100, the A second reflecting member 230 disposed on the resin layer 220, disposed on the first reflecting member 210, and corresponding to one side of the second reflecting member 230 and the resin layer 220 It may include a diffusion layer 240 disposed, a wavelength conversion layer 250 disposed on the reflective member 210 and disposed to correspond to one side of the diffusion layer 240.

그리고, 실시예에 따른 조명장치(1000)는 상기 복수의 발광소자(100)으로부터 방출된 광이 라인 폭을 갖는 광원으로 조사될 수 있다. 상기 발광소자(100)으로부터 방출된 광은 라인 또는 얇은 높이를 갖는 면 광원으로 방출될 수 있다. 상기 조명장치(1000)는 연성한 모듈이거나 리지드(rigid)한 모듈일 수 있다. 상기 조명장치(1000)는 기판(200)의 길이방향 또는 너비 방향에 대해 평탄하거나 굽어질 수 있다. 이러한 조명장치(1000)는 직선, 곡선 또는 물결 형상과 같은 모듈로 제공될 수 있어, 조명 디자인의 자유도가 개선될 수 있으며, 브라켓이나 하우징의 램프 위치에 효과적으로 설치될 수 있다. In addition, in the lighting apparatus 1000 according to the embodiment, light emitted from the plurality of light emitting devices 100 may be irradiated with a light source having a line width. The light emitted from the light emitting device 100 may be emitted as a line or a surface light source having a thin height. The lighting device 1000 may be a flexible module or a rigid module. The lighting device 1000 may be flat or bent with respect to the length direction or the width direction of the substrate 200. Since the lighting device 1000 may be provided as a module such as a straight line, a curved line, or a wave shape, the degree of freedom of lighting design may be improved, and may be effectively installed at a lamp position of a bracket or a housing.

도 1 및 2 도를 참조하면, 기판(200)은 제1반사부재(210), 발광소자(100), 레진층(220), 제2반사부재(230), 확산층(240), 파장 변환층(250) 아래에 위치한 베이스 부재 또는 지지 부재로서 기능할 수 있다. 상기 기판(200)은 인쇄회로 기판(PCB: Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(200)은 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, 또는 FR-4 기판 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 1 and 2, the substrate 200 includes a first reflecting member 210, a light emitting device 100, a resin layer 220, a second reflecting member 230, a diffusion layer 240, and a wavelength conversion layer. It may function as a base member or a support member located below 250. The substrate 200 may include a printed circuit board (PCB). For example, the substrate 200 may include at least one of a resin-based printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, or an FR-4 substrate. .

상기 기판(200)의 상면은 X축-Y축 평면을 가지며, 상기 기판(200)의 두께(z1)는 X방향과 Y방향에 직교하는 Z방향의 높이일 수 있다. 여기서, X방향은 제1방향이며, Y방향은 X방향과 직교하는 제2방향이며, 상기 Z방향은 X방향과 Y방향에 직교하는 제3방향일 수 있다.The upper surface of the substrate 200 has an X-axis-Y-axis plane, and the thickness z1 of the substrate 200 may be a height in the Z direction orthogonal to the X and Y directions. Here, the X direction may be a first direction, the Y direction may be a second direction orthogonal to the X direction, and the Z direction may be a third direction orthogonal to the X and Y directions.

상기 기판(200)은 상부에 배선층(미도시)을 포함하며, 상기 배선층은 발광소자(100)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 복수의 발광소자(100)는 상기 기판(200)의 배선층에 의해 직렬, 병렬, 또는 직-병렬로 연결될 수 있다. 상기 복수의 발광소자(100)는 2개 이상을 갖는 그룹이 직렬 또는 병렬로 연결되거나, 상기 그룹들 간이 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다.The substrate 200 includes a wiring layer (not shown) thereon, and the wiring layer may be electrically connected to the light emitting device 100. The plurality of light emitting devices 100 may be connected in series, parallel, or in series-parallel by a wiring layer of the substrate 200. In the plurality of light emitting devices 100, two or more groups may be connected in series or in parallel, or the groups may be connected in series or in parallel.

상기 기판(200)의 제1방향(X방향) 길이(x1)와 제2방향(Y방향) 길이(y1)는 서로 다를 수 있으며, 예컨대 제1방향(X)의 길이(x1)가 제2방향의 길이(y1)보다 길게 배치될 수 있다. 상기 기판(200)의 하면에서 제2반사부재(230)의 상면까지의 간격은 조명장치(1000)의 두께(z5)일 수 있다. 상기 조명장치(1000)의 두께(z5)는 상기 기판(200)의 제1방향(X방향) 및 제2방향(Y방향)의 길이(x1, y1) 중에서 짧은 길이의 1/3 이하일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 조명장치(1000)의 두께(z5)는 상기 기판(200)의 하면에서 제2반사부재(600)의 상면 사이의 직선 거리일 수 있다.The first direction (X direction) length (x1) and the second direction (Y direction) length (y1) of the substrate 200 may be different, for example, the length (x1) of the first direction (X) is a second It may be disposed longer than the length y1 of the direction. The distance from the lower surface of the substrate 200 to the upper surface of the second reflective member 230 may be the thickness z5 of the lighting device 1000. The thickness z5 of the lighting device 1000 may be less than 1/3 of the shorter length of the lengths (x1, y1) in the first direction (X direction) and the second direction (Y direction) of the substrate 200, and However, it is not limited thereto. The thickness z5 of the lighting device 1000 may be a linear distance between the lower surface of the substrate 200 and the upper surface of the second reflective member 600.

상기 조명장치(200)의 두께(z5)는 3mm 이하 예컨대, 3mm 이하이거나, 2.4mm 내지 3mm의 범위일 수 있으며, 레진층(220)의 두께(z3)가 3mm 미만 예컨대, 1.5mm 내지 1.9mm의 범위로 제공될 수 있어, 발광소자(100)에서 출사되는 광의 라인 폭은 더 좁아질 수 있다. 다른 예로서, 상기 조명장치(200)의 두께(z5)는 2mm 내지 6mm의 범위일 수 있으며, 이 경우에는 레진층(220)의 두께(z3)를 더 두껍게 제공하여 라인 폭을 증가시키고 배광 영역을 증가시켜 줄 수 있다.The thickness z5 of the lighting device 200 may be 3mm or less, for example, 3mm or less, or may be in the range of 2.4mm to 3mm, and the thickness z3 of the resin layer 220 is less than 3mm, such as 1.5mm to 1.9mm. Since it can be provided in the range of, the line width of light emitted from the light emitting device 100 may be narrower. As another example, the thickness z5 of the lighting device 200 may be in the range of 2mm to 6mm, and in this case, the thickness z3 of the resin layer 220 is provided to increase the line width and the light distribution area Can increase.

제1반사부재(210)는 상기 기판(200) 상에 배치될 수 있다. 상기 제1반사부재(210)는 상기 기판(200)과 레진층(220) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1반사부재(210)는 상기 기판(200)의 상면에 접착될 수 있다. 상기 제1반사부재(210)는 상기 기판(200)의 상면 면적보다 작은 면적을 가질 수 있다. 상기 제1반사부재(210)는 상기 발광소자(100)의 하부가 배치되는 개구부를 포함할 수 있다. 상기 제1반사부재(210)의 개구부에는 상기 기판(200)의 상면이 노출되며 상기 발광소자(100)의 하부가 본딩되는 부분이 배치될 수 있다. 상기 개구부의 크기는 상기 발광소자(100)의 사이즈와 같거나 크게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1반사부재(210)는 상기 기판(200)의 상면에 접촉되거나, 상기 레진층(220)과 상기 기판(200) 사이에서 접착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1반사부재(210)는 상기 발광소자(100)의 두께보다 얇은 두께(z2)로 형성될 수 있지만, 이에 한정하지는 않는다, 예를 들어, 상기 제1반사부재(210)의 두께(z2)는 0.2mm±0.02mm의 범위를 포함할 수 있다. The first reflective member 210 may be disposed on the substrate 200. The first reflective member 210 may be disposed between the substrate 200 and the resin layer 220. The first reflective member 210 may be adhered to the upper surface of the substrate 200. The first reflective member 210 may have an area smaller than an area of the upper surface of the substrate 200. The first reflective member 210 may include an opening in which the lower portion of the light emitting device 100 is disposed. In the opening of the first reflective member 210, a portion to which the upper surface of the substrate 200 is exposed and the lower portion of the light emitting device 100 is bonded may be disposed. The size of the opening may be equal to or larger than the size of the light emitting device 100, but is not limited thereto. The first reflective member 210 may be in contact with the upper surface of the substrate 200 or may be bonded between the resin layer 220 and the substrate 200, but is not limited thereto. The first reflective member 210 may be formed to have a thickness z2 thinner than the thickness of the light emitting device 100, but is not limited thereto. For example, the thickness z2 of the first reflective member 210 ) May include a range of 0.2mm±0.02mm.

상기 제1반사부재(210)는 은(Ag) 필름 등의 필름 형태를 형성될 수 있으며, 또한 빛의 반사 및 분산을 촉진하는 특성을 위해 백색안료를 분산 함유하는 합성수지로 형성될 수 있다. 예를 들면, 백색안료로는 산화티탄, 산화알루미늄, 산화 아연, 탄산염, 황산바륨, 탄산칼슘 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 합성수지로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (Polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphthalate, PEN), 아크릴 (Acrylic), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리스티렌(Polystyrene), 폴리올레핀(Polyolefin), 셀룰로우스 아세테이트(Cellulose acetate), 염화비닐(Vinyl chloride) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The first reflective member 210 may be formed in the form of a film such as a silver (Ag) film, and may also be formed of a synthetic resin containing a white pigment dispersed in order to promote reflection and dispersion of light. For example, the white pigment may include any one of titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, carbonate, barium sulfate, and calcium carbonate. For example, synthetic resins include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), acrylic, polycarbonate, polystyrene, polyolefin, and cellulose. It may contain any one of cellulose acetate and vinyl chloride.

상기 발광소자(100)는 상기 기판(200) 상에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(100)는 상기 기판(200)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광소자(100)는 상기 제1반사부재(210)의 개구부에 배치되어 상기 개구부에 의해 노출된 상기 기판(200)의 상면과 접착될 수 있다. 상기 발광소자(100)는 상면과 다수의 측면을 가지며, 상기 다수의 측면은 적어도 네 개의 측면을 포함하며, 발광소자(100)의 측 방향으로 광을 출사하게 된다. 상기 발광소자(100)의 상면은 제2반사부재(230)의 하면과 대면하며, 상기 발광소자(100)는 제2반사부재(230) 및 확산층(240) 방향으로 광을 출사할 수 있다. 상기 발광소자(100)는 상기 기판(200) 상에 플립 칩 형태로 배치되거나 사이드뷰 형태의 패키지로 배치될 수 있지만, 이에 한정하지는 않는다. The light emitting device 100 may be disposed on the substrate 200. The light emitting device 100 may be electrically connected to the substrate 200, but the embodiment is not limited thereto. The light emitting device 100 may be disposed in the opening of the first reflective member 210 and adhered to the upper surface of the substrate 200 exposed by the opening. The light emitting device 100 has an upper surface and a plurality of side surfaces, and the plurality of side surfaces includes at least four side surfaces, and light is emitted in a lateral direction of the light emitting device 100. The upper surface of the light emitting device 100 faces the lower surface of the second reflecting member 230, and the light emitting device 100 may emit light toward the second reflecting member 230 and the diffusion layer 240. The light emitting device 100 may be disposed on the substrate 200 in a flip chip form or a side view package, but is not limited thereto.

상기 발광소자(100)는 발광 다이오드(LED) 칩으로서, 청색, 적색, 녹색, 자외선(UV), 또는 적외선 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 발광소자(100)는 예컨대 청색, 적색, 녹색 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. The light emitting device 100 is a light emitting diode (LED) chip and may emit at least one of blue, red, green, ultraviolet (UV), and infrared rays. The light emitting device 100 may emit at least one of blue, red, and green light, for example.

상기 복수의 발광소자(100)는 상기 기판(200) 상에 제1방향(X)으로 배열될 수 있다. 상기 발광소자(100)는 하나의 행으로 배치되거나, 또는 2행 이상이 서로 다른 열로 배열될 수 있지만, 이에 한정하지는 않는다. 상기 복수의 발광소자(100)는 제1방향(X)으로 연장되는 직선 또는 곡선 상에 배열될 수 있다. The plurality of light emitting devices 100 may be arranged in the first direction X on the substrate 200. The light emitting device 100 may be arranged in one row, or two or more rows may be arranged in different columns, but the present invention is not limited thereto. The plurality of light emitting devices 100 may be arranged on a straight line or curved line extending in the first direction X.

상기 기판(200) 상에 인접하여 배치된 발광소자(100) 간의 간격(x2)은 발광소자(100)에서 방출된 광이 균일하게 분포되기 위해 서로 동일할 수 있다. 예를 들면, 인접한 발광소자(100)를 연결한 라인 간의 간격(x2)이 동일할 경우, 조명장치(1000)에서 방출되는 광의 균일도는 개선될 수 있다.The spacing (x2) between the light emitting devices 100 disposed adjacent to the substrate 200 may be equal to each other so that light emitted from the light emitting devices 100 is uniformly distributed. For example, when the distance x2 between lines connecting adjacent light emitting devices 100 is the same, the uniformity of light emitted from the lighting device 1000 may be improved.

인접하여 배치된 발광소자(100) 간의 간격(x2)은, 상기 기판(200)의 하면에서 상기 제2반사부재(230)의 상면까지의 수직 거리인 상기 조명장치(1000)의 두께(z5)보다 클 수 있다. 예를 들어, 인접하여 배치된 발광소자(100) 간의 간격(x2)은 10mm 이상 또는 10mm 내지 20mm의 범위일 수 있다. 상기 인접하여 배치된 발광소자(100) 간의 간격(x2)이 10mm 내지 20mm의 범위보다 클 경우, 광도가 저하될 수 있고, 10mm 내지 20mm의 범위보다 작을 경우 발광소자(100)의 개수가 증가되어 조명장치의 제조비용이 상승될 수 있다. 다른 예로서, 상기 기판(200) 상에 복수의 발광소자(100)가 제1방향(X)으로 연장된 직성 상에 배치되지 않을 경우, 인접한 발광소자(100)를 연결한 가상의 라인은 곡선 또는 변곡점을 갖는 곡선으로 제공될 수 있다. 상기 발광소자(100)의 제1방향(X) 길이(x3)는 2mm 이상, 예를 들면, 2mm 내지 7mm의 범위일 수 있다. 상기 발광소자(100)의 제1방향 길이(x3)는 장변의 길이이며, 각 볼록부(222)의 폭(r0)보다 작은 길이이며, 발광소자의 두께, 즉, 상기 발광소자(100)의 제3방향(Z) 길이보다 클 수 있다.The distance x2 between the adjacent light emitting devices 100 is the thickness z5 of the lighting device 1000, which is a vertical distance from the lower surface of the substrate 200 to the upper surface of the second reflective member 230 Can be greater than For example, the distance x2 between the adjacent light emitting devices 100 may be 10 mm or more or in a range of 10 mm to 20 mm. When the distance (x2) between the adjacent light emitting devices 100 is greater than the range of 10mm to 20mm, the luminosity may decrease, and if it is less than the range of 10mm to 20mm, the number of light emitting devices 100 increases. The manufacturing cost of the lighting device may increase. As another example, when the plurality of light emitting devices 100 on the substrate 200 are not disposed on a straight line extending in the first direction (X), a virtual line connecting the adjacent light emitting devices 100 is curved Alternatively, it may be provided as a curve having an inflection point. The length (x3) in the first direction (X) of the light emitting device 100 may be 2 mm or more, for example, in a range of 2 mm to 7 mm. The first direction length (x3) of the light-emitting device 100 is a length of a long side and is smaller than the width (r0) of each convex portion 222, and the thickness of the light-emitting device, that is, the light-emitting device 100 It may be larger than the length in the third direction (Z).

상기 제1반사부재(210) 및 상기 발광소자(100) 상에 레진층(220)이 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 제1반사부재(210)의 상면에 접착될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 발광소자(100)의 측면에 배치되거나, 인접한 발광소자(100) 사이에 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 기판(200)과 상기 제2반사부재(230) 사이에 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 제1반사부재(210)와 상기 제2반사부재(230) 사이에 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 기판(200) 상에는 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 기판(200)과 대면할 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 기판(200)의 상면 전체 또는 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)의 하면 면적은 상기 기판(200)의 상면 면적과 동일하거나 작을 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 발광소자(100) 상에 배치되므로, 상기 발광소자(100)를 보호할 수 있고, 상기 발광소자(100)로부터 방출된 광의 손실을 줄일 수 있다. 상기 레진층(220)의 하부에는 상기 발광소자(100)가 매립될 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 발광소자(100)의 표면에 접촉될 수 있고 상기 발광소자(100)의 출사면과 접촉될 수 있다.A resin layer 220 may be disposed on the first reflective member 210 and the light emitting device 100. The resin layer 220 may be adhered to the upper surface of the first reflective member 210. The resin layer 220 may be disposed on a side surface of the light emitting device 100 or may be disposed between adjacent light emitting devices 100. The resin layer 220 may be disposed between the substrate 200 and the second reflective member 230. The resin layer 220 may be disposed between the first reflective member 210 and the second reflective member 230. The resin layer 220 may be disposed on the substrate 200. The resin layer 220 may face the substrate 200. The resin layer 220 may be disposed on the whole or part of the upper surface of the substrate 200. The lower surface area of the resin layer 220 may be equal to or smaller than the upper surface area of the substrate 200. Since the resin layer 220 is disposed on the light-emitting device 100, it is possible to protect the light-emitting device 100 and reduce loss of light emitted from the light-emitting device 100. The light emitting device 100 may be buried under the resin layer 220. The resin layer 220 may contact the surface of the light emitting device 100 and may contact the exit surface of the light emitting device 100.

상기 레진층(220)의 두께(z3)는 상기 조명장치(1000)의 두께(z5)보다 작게 제공될 수 있으며, 이에 따라, 조명장치(1000)에서 출사되는 광의 라인 폭은 더 작아질 수 있다. 예를 들어, 조명장치(100)에서 출사되는 광의 라인 폭은 상기 레진층(220)의 두께(z3)일 수 있다. 상기 레진층(220)의 두께(z3)는 1.8mm 이상, 예를 들면, 1.8mm 내지 2.5mm 범위일 수 있다. 상기 레진층(220)의 두께(z3)가 상기 범위보다 두꺼울 경우 광도가 저하될 수 있고 모듈 두께의 증가로 인해 연성한 모듈로 제공하는 데 어려움이 있을 수 있다. 상기 레진층(220)의 두께(z3)가 상기 범위보다 작은 경우, 균일한 광도의 면 광원을 제공하는 데 어려움이 있다.The thickness z3 of the resin layer 220 may be provided smaller than the thickness z5 of the lighting device 1000, and accordingly, the line width of light emitted from the lighting device 1000 may be smaller. . For example, the line width of light emitted from the lighting device 100 may be the thickness z3 of the resin layer 220. The thickness z3 of the resin layer 220 may be 1.8 mm or more, for example, in the range of 1.8 mm to 2.5 mm. When the thickness z3 of the resin layer 220 is thicker than the above range, the luminous intensity may be lowered, and it may be difficult to provide a flexible module due to an increase in the module thickness. When the thickness z3 of the resin layer 220 is smaller than the above range, it is difficult to provide a surface light source having a uniform light intensity.

도 3 및 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 조명장치(1000)의 A 영역에서 상기 레진층(220)은 네 개의 외측면(S1, S2, S3, S4)를 포함할 수 있다. 상기 레진층(220)의 외측면(S1, S2, S3, S4)은 상기 기판(200), 상기 제1반사부재(210), 상기 제2반사부재(230), 상기 확산층(240), 상기 파장 변환층(250)의 각 측면에 대해 수직 방향으로 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)의 외측면(S1, S2, S3, S4)은 서로 대응되는 제3외측면(S3) 및 제4외측면(S4)과, 상기 제3외측면(S3) 및 상기 제4외측면(S4)에서 수직방향으로 연장되는 제2외측면(S2), 상기 제2외측면(S2)과 대응되며 상기 복수의 발광소자(100)에서 출사되는 광의 방향에 대응되는 제1외측면(S1)을 포함할 수 있다. 3 and 4, the resin layer 220 in area A of the lighting device 1000 according to the embodiment may include four outer surfaces S1, S2, S3, and S4. The outer surfaces (S1, S2, S3, S4) of the resin layer 220 are the substrate 200, the first reflective member 210, the second reflective member 230, the diffusion layer 240, the It may be disposed in a vertical direction with respect to each side of the wavelength conversion layer 250. The outer surfaces (S1, S2, S3, S4) of the resin layer 220 include a third outer surface (S3) and a fourth outer surface (S4) corresponding to each other, and the third outer surface (S3) and the 4 A second outer surface (S2) extending in a vertical direction from the outer surface (S4), corresponding to the second outer surface (S2) and corresponding to the direction of light emitted from the plurality of light emitting devices (100) It may include a side (S1).

상기 발광소자(100)에서 출사되는 광은 상기 제1외측면(S1)을 통해 방출되며, 일부 광은 제2외측면(S2), 제3외측면(S3), 제4외측면(S4) 중 적어도 하나를 통해 방출될 수 있다. 즉, 상기 발광소자(100)에서 방출된 대부분의 광은 제2반사부재(230) 및 제1반사부재(210)에 반사되어 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1)을 통해 방출될 수 있다.The light emitted from the light emitting device 100 is emitted through the first outer side (S1), and some light is emitted from the second outer side (S2), the third outer side (S3), and the fourth outer side (S4). It may be released through at least one of. That is, most of the light emitted from the light emitting device 100 is reflected by the second reflecting member 230 and the first reflecting member 210 and emitted through the first outer surface S1 of the resin layer 220 Can be.

상기 레진층(220)은 상기 제2외측면(S2)에서 상기 제1외측면(S1) 방향으로 돌출된 복수의 볼록부(222)와 상기 제1외측면(S1)에서 상기 제2외측면(S2) 방향으로 오목한 복수의 오목부(221)를 포함할 수 있다. 상기 레진층(220)은 상기 제1외측면(S1)에 오목부(221) 및 볼록부(222)가 배치되며, 상기 볼록부(222)들 사이의 영역에 오목부(221)가 배치될 수 있다. 상기 오목부(221)는 오목한 면이거나, 평탄한 면을 포함할 수 있다. 상기 볼록부(222)의 중심은 발광소자(100)의 제1방향(X)의 중심과 대응되어 배치될 수 있다. 상기 복수의 볼록부(222)는 상기 복수의 발광소자(100)와 제2방향(Y)으로 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 복수의 오목부(221)는 상기 복수의 발광소자(100)와 제2방향(Y)으로 중첩되지 않을 수 있다. The resin layer 220 includes a plurality of convex portions 222 protruding from the second outer side S2 in the direction of the first outer side S1 and the second outer side from the first outer side S1 It may include a plurality of concave portions 221 concave in the (S2) direction. In the resin layer 220, a concave portion 221 and a convex portion 222 are disposed on the first outer surface S1, and a concave portion 221 is disposed in a region between the convex portions 222. I can. The concave portion 221 may be a concave surface or may include a flat surface. The center of the convex portion 222 may be disposed to correspond to the center of the first direction X of the light emitting device 100. The plurality of convex portions 222 may be disposed to overlap the plurality of light emitting devices 100 in the second direction (Y). The plurality of concave portions 221 may not overlap with the plurality of light emitting devices 100 in the second direction (Y).

도 4를 참조하면, 상기 발광소자(100)를 기준으로 상기 발광소자(100)와 상기 제1외측면(S1) 사이의 최대 거리(D2)와 상기 발광소자(100)와 상기 제2외측면(S2) 사이의 거리(D3)는 서로 다를 수 있다. 상기 발광소자(100)와 상기 제2외측면(S2) 사이의 거리(D3)는 2mm 이상, 예를 들면, 2mm 내지 20mm의 범위일 수 있다. 상기 발광소자(100)와 상기 제2외측면(S2) 사이의 거리(D3)가 상기 범위보다 작으면 습기가 침투되거나 배선층 배치될 수 있는 영역이 작아질 수 있으며, 상기 범위보다 크면 조명장치(1000)의 사이즈가 커질 수 있다. 상기 발광소자(100)와 상기 제1외측면(S1) 사이의 최대 거리(D2)는 상기 볼록부(222)와 상기 발광소자(100) 사이의 최대 간격이거나, 발광소자(100)의 제1방향(X)의 중심과 볼록부(222) 사이의 수직 거리일 수 있다. 상기 발광소자(100)와 상기 제1외측면(S1) 사이의 최대 거리(D2)는 5mm 이상일 수 있으며, 예를 들어, 5mm 내지 20mm의 범위 또는 8mm 내지 20mm의 범위일 수 있다. 상기 발광소자(100)와 상기 제1외측면(S1) 사이의 최대 거리(D2)가 상기 범위보다 작으면 핫 스팟이 발생될 수 있고, 상기 범위보다 크면 조명장치의 사이즈가 커질 수 있다.4, the maximum distance D2 between the light emitting device 100 and the first outer surface S1 and the light emitting device 100 and the second outer surface based on the light emitting device 100 The distance D3 between (S2) may be different from each other. The distance D3 between the light emitting device 100 and the second outer surface S2 may be 2 mm or more, for example, in a range of 2 mm to 20 mm. If the distance D3 between the light emitting device 100 and the second outer surface S2 is less than the above range, the area in which moisture can penetrate or the wiring layer can be disposed may be reduced, and if it is larger than the above range, the lighting device ( 1000) can be increased in size. The maximum distance D2 between the light emitting device 100 and the first outer surface S1 is the maximum distance between the convex portion 222 and the light emitting device 100, or the first It may be a vertical distance between the center of the direction X and the convex portion 222. The maximum distance D2 between the light emitting device 100 and the first outer surface S1 may be 5 mm or more, for example, 5 mm to 20 mm or 8 mm to 20 mm. If the maximum distance D2 between the light emitting device 100 and the first outer surface S1 is smaller than the above range, a hot spot may occur, and if it is larger than the above range, the size of the lighting device may increase.

상기 기판(200) 상에 배치된 복수의 발광소자(100)가 제1방향(X)으로 연장된 직선상에 배치된 경우, 상기 인접한 오목부(221)들을 연결한 직선과 상기 각 발광소자(100) 사이의 최단 거리(D1)는 5mm 이상, 예를 들면, 5mm 내지 12mm의 범위일 수 있으며, 상기 최단 거리(D1)가 상기 범위보다 작은 경우 상기 볼록부(222)의 깊이(D4)가 깊어지거나 상기 볼록부(222)와 상기 발광소자(100) 사이의 최대 거리(D2)가 좁아질 수 있어, 상기 오목부(221)에서 암부가 발생될 수 있다. 상기 오목부(221)와 상기 발광소자(100) 사이의 최단 거리(D1)는 상기 각 발광소자(100)의 광 지향각에 의해 달라질 수 있다. 즉, 볼록부(222)의 양단을 연결한 직선과 상기 각 발광소자(100) 사이의 간격이 너무 가까울 경우, 볼록부(222)의 센터 영역으로 광이 집광될 수 있고, 너무 먼 경우 오목부(221)으로 광이 조사되어 볼록부(222)을 통한 광도가 저하될 수 있다.When the plurality of light emitting devices 100 disposed on the substrate 200 are disposed on a straight line extending in the first direction (X), a straight line connecting the adjacent concave portions 221 and each of the light emitting devices ( The shortest distance (D1) between 100) may be 5mm or more, for example, in the range of 5mm to 12mm, and when the shortest distance (D1) is less than the range, the depth (D4) of the convex portion 222 is It may become deeper or the maximum distance D2 between the convex portion 222 and the light emitting device 100 may be narrowed, so that a dark portion may be generated in the concave portion 221. The shortest distance D1 between the concave portion 221 and the light emitting device 100 may vary depending on the light directivity angle of each light emitting device 100. That is, when the distance between the straight line connecting both ends of the convex part 222 and the respective light emitting devices 100 is too close, light may be condensed to the center area of the convex part 222, and if it is too far, the concave part Light is irradiated to 221, so that the luminous intensity through the convex portion 222 may be reduced.

상기 오목부(221)들 사이의 간격(W1)은 상기 발광소자(100)들의 간격(x2)과 같거나 작을 수 있다. 상기 간격(W1)이 상기 발광소자(100) 간의 간격(x2)보다 큰 경우, 상기 볼록부(222)의 영역에 2개 이상의 발광소자(100)이 배치되어 광도가 증가되지만 광 분포를 제어하는 데 어려움을 있을 수 있다. 상기 간격(W1)이 상기 발광소자(100) 간의 간격(x2)보다 작은 경우, 볼록부(222)의 크기가 작아 광의 균일한 분포를 제공할 수 있으나 광도 감소될 수 있다. The spacing W1 between the concave portions 221 may be equal to or smaller than the spacing x2 of the light emitting devices 100. When the spacing W1 is greater than the spacing x2 between the light emitting devices 100, two or more light emitting devices 100 are disposed in the convex portion 222 to increase the luminous intensity, but to control the light distribution. Can be having difficulty. When the spacing W1 is smaller than the spacing x2 between the light emitting devices 100, the size of the convex portions 222 is small to provide a uniform distribution of light, but the light may also be reduced.

상기 오목부(221)들 간의 간격(W1)은 15mm 이상, 예를 들어, 15mm 내지 20mm의 범위일 수 있다. 상기 오목부(221)들 사이의 간격(W1)은 상기 볼록부(222)의 깊이(D4)보다 클 수 있다. 상기 오목부(221)의 간격(W1)과 상기 볼록부(222)의 깊이(D4)의 비율은 1: 0.4 내지 1:0.7의 범위일 수 있다. 상기 볼록부(222의 깊이(D4)가 상기 범위보다 작은 경우, 인접한 볼록부들 사이에서 암부 영역이 증가될 수 있다. 상기 볼록부(221)의 깊이(D4)가 상기 범위보다 큰 경우 상기 발광소자(100)에 인접한 영역까지 진행되어 발광소자(100) 간의 광 간섭이 증가될 수 있다. 상기 볼록부(222)의 깊이(D4)는 상기 오목부(221)들을 연결한 직선으로부터 상기 볼록부(222)의 제2방향으로의 최고점 사이의 직선 거리일 수 있다. The spacing W1 between the concave portions 221 may be 15 mm or more, for example, in a range of 15 mm to 20 mm. The distance W1 between the concave portions 221 may be greater than the depth D4 of the convex portion 222. The ratio of the distance W1 of the concave portion 221 to the depth D4 of the convex portion 222 may range from 1:0.4 to 1:0.7. When the depth D4 of the convex portion 222 is smaller than the above range, the dark area may increase between adjacent convex portions. When the depth D4 of the convex portion 221 is greater than the above range, the light emitting device Optical interference between the light emitting devices 100 may be increased by proceeding to a region adjacent to 100. The depth D4 of the convex part 222 is from a straight line connecting the concave parts 221 to the convex part ( 222) may be a linear distance between the highest points in the second direction.

그리고, 발광소자(100)는 각각의 볼록부(222)가 이루는 가상의 원(Vc) 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 볼록부(222)와 상기 발광소자(100) 사이의 최대 거리(D2)는 상기 가상의 원(Vc)의 직경(r0)보다 작을 수 있다. 상기 발광소자(100)에서 출사되는 광은 가상의 원(Vc)에 의해 형성되는 볼록부(222)들을 통해 출사되므로, 타겟 영역 또는 광의 진행 방향으로의 집광 효과가 향상될 수 있다. In addition, the light emitting device 100 may be disposed in a virtual circle Vc region formed by each of the convex portions 222. For example, the maximum distance D2 between the convex portion 222 and the light emitting device 100 may be smaller than the diameter r0 of the virtual circle Vc. Since the light emitted from the light emitting device 100 is emitted through the convex portions 222 formed by the virtual circle Vc, a condensing effect in the target area or the light traveling direction may be improved.

상기 볼록부(222)는 반구 형상, 반 타원 형상 또는 비구면을 갖는 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 볼록부(222)가 이루는 가상의 원(Vc)은 원 형상, 타원 형상, 비구면을 갖는 링 형상 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 볼록부(222)가 이루는 가상의 원(Vc)의 곡률은 인접한 오목부(221) 사이의 간격(W1)에 따라 달라질 수 있다.The convex portion 222 may include at least one of a hemispherical shape, a semi-elliptical shape, or an aspherical shape. The virtual circle Vc formed by the convex portion 222 may include at least one of a circular shape, an elliptical shape, and a ring shape having an aspherical surface. The curvature of the virtual circle Vc formed by the convex portion 222 may vary according to the distance W1 between adjacent concave portions 221.

상기 레진층(220)은 투명한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 레진층(220)은 투명한 수지 재질 예컨대, UV(Ultra violet) 레진(Resin), 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질일 수 있다. 상기 UV 레진은 예컨대, 주재료로서 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 주원료로 하는 레진(올리고머타입)을 이용할 수 있다. 이를테면, 합성올리고머인 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 이용할 수 있다. 상기 주 재료에 저비점 희석형 반응성 모노머인 IBOA(isobornyl acrylate), HBA(Hydroxybutyl Acrylate), HEMA(Hydroxy Metaethyl Acrylate) 등이 혼합된 모노머를 더 포함할 수 있으며, 첨가제로서 광개시제(이를 테면, 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone,Diphenyl), Diphwnyl(2,4,6-trimethylbenzoyl phosphine oxide) 등 또는 산화방지제 등을 혼합할 수 있다. 상기 UV 레진은 올리고머 10~21%, 모노머 30~63%, 첨가제 1.5~6% 를 포함하여 구성되는 조성물로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 모노머는 IBOA(isobornyl Acrylate) 10~21%, HBA(Hydroxybutyl Acrylate) 10~21%, HEMA (Hydroxy Metaethyl Acrylate) 10~21%의 혼합물로 구성될 수 있다. 상기 첨가제는, 광개시제 1~5%를 첨가하여 광반응성을 개시하는 기능을 수행하게 할 수 있으며, 산화방지제 0.5~1%를 첨가하여 황변 현상을 개선할 수 있는 혼합물로 형성될 수 있다. 상술한 조성물을 이용한 상기 레진층의 형성은 도광판 대신 UV 레진 등의 레진으로 층을 형성하여, 굴절율, 두께 조절이 가능하도록 함과 동시에, 상술한 조성물을 이용하여 점착특성과 신뢰성 및 양산속도를 모두 충족할 수 있도록 할 수 있다. 상기 레진층(220)은 굴절률이 1.7 이하, 예를 들면, 1.25 내지 1.70의 범위일 수 있다. 상기 레진층(220)의 굴절률이 상기 범위를 벗어난 경우, 광 추출 효율이 저하될 수 있다.The resin layer 220 may be formed of a transparent material. For example, the resin layer 220 may be a transparent resin material, for example, a resin material such as UV (Ultra violet) resin, silicone, or epoxy. The UV resin may be, for example, a resin (oligomer type) containing a urethane acrylate oligomer as a main material as a main material. For example, it is possible to use a synthetic oligomer urethane acrylate oligomer. The main material may further include a monomer in which a low-boiling-point dilution reactive monomer such as IBOA (isobornyl acrylate), HBA (Hydroxybutyl Acrylate), HEMA (Hydroxy Metaethyl Acrylate), etc. may be further included. Phenyl-ketone, Diphenyl), Diphwnyl (2,4,6-trimethylbenzoyl phosphine oxide), or an antioxidant may be mixed. The UV resin may be formed of a composition comprising 10 to 21% oligomer, 30 to 63% monomer, and 1.5 to 6% additive. In this case, the monomer may be composed of a mixture of IBOA (isobornyl Acrylate) 10 to 21%, HBA (Hydroxybutyl Acrylate) 10 to 21%, and HEMA (Hydroxy Metaethyl Acrylate) 10 to 21%. The additive may be formed into a mixture capable of initiating photoreactivity by adding 1 to 5% of a photoinitiator, and improving the yellowing phenomenon by adding 0.5 to 1% of an antioxidant. In the formation of the resin layer using the above-described composition, it is possible to control the refractive index and thickness by forming a layer with a resin such as UV resin instead of a light guide plate, and at the same time, adhesive properties, reliability, and mass production speed are all achieved by using the above-described composition. It can be made to be satisfied. The resin layer 220 may have a refractive index of 1.7 or less, for example, in the range of 1.25 to 1.70. When the refractive index of the resin layer 220 is out of the above range, light extraction efficiency may decrease.

상기 레진층(220)은 레진으로 광을 가이드하는 층으로 제공되므로, 글래스의 경우에 비해 얇은 두께로 제공될 수 있고 연성의 플레이트로 제공될 수 있다. 상기 레진층(220)은 발광소자(100)로부터 방출된 점 광원을 선 광원 또는 면 광원 형태로 방출할 수 있다. 상기 발광소자(100)로부터 방출된 광은 상기 레진층(220)과 상기 레진층(220)의 일측면, 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1)에 대응되어 배치된 확산층(240)을 통해 외부로 방출될 수 있다. 상기 발광소자(100)에서 방출된 광이 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1)에 배치되는 볼록부(222) 및 오목부(221)에 집광되어 확산층(240)으로 진행되므로, 상기 볼록부(222) 및 상기 오목부(221)에 의해 발광소자(100)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다. Since the resin layer 220 is provided as a layer for guiding light with resin, it may be provided with a thinner thickness compared to the case of glass and may be provided as a flexible plate. The resin layer 220 may emit a point light source emitted from the light emitting device 100 in the form of a line light source or a surface light source. The light emitted from the light emitting device 100 is a diffusion layer 240 disposed to correspond to the resin layer 220 and one side of the resin layer 220 and the first outer side S1 of the resin layer 220. ) Can be released to the outside. Since the light emitted from the light emitting device 100 is condensed on the convex portion 222 and the concave portion 221 disposed on the first outer surface S1 of the resin layer 220 and proceeds to the diffusion layer 240, The light extraction efficiency of the light emitting device 100 may be improved by the convex portion 222 and the concave portion 221.

도 2, 도 4 및 도 5를 참조하면, 제2반사부재(230)는 상기 레진층(220) 상에 배치될 수 있다. 상기 제2반사부재(230)는 상기 발광소자(100)와 제3방향(Z)으로 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 제2반사부재(230)의 면적은 상기 기판(200) 및 상기 제1반사부재(210)의 면적보다 작을 수 있지만, 이에 한정하지는 않는다. 상기 제2반사부재(230)은 상기 발광소자(100) 상에 배치되어 상기 발광소자(100)에서 상부로 방출된 광을 반사시켜 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1) 및 상기 확산층(240) 방향으로 진행시킬 수 있다. 상기 제2반사부재(230)의 일측면은 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1)의 일부와 동일 평면에 배치될 수 있다.2, 4, and 5, the second reflective member 230 may be disposed on the resin layer 220. The second reflective member 230 may be disposed to overlap the light emitting device 100 in the third direction Z. An area of the second reflective member 230 may be smaller than that of the substrate 200 and the first reflective member 210, but is not limited thereto. The second reflective member 230 is disposed on the light emitting device 100 and reflects the light emitted from the light emitting device 100 upwardly to reflect the first outer surface (S1) of the resin layer 220 and the It may proceed in the direction of the diffusion layer 240. One side surface of the second reflective member 230 may be disposed on the same plane as a part of the first outer side surface S1 of the resin layer 220.

상기 제2반사부재(230)는 상기 제1반사부재(210)와 동일한 재질일 수 있지만, 이에 한정하지는 않는다. 상기 제2반사부재(230)는 광을 반사하고 광의 투과 손실을 줄이기 위해, 상기 제1반사부재(210)의 재질보다 광 반사율이 높은 재질이거나 더 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 상기 제2반사부재(230)의 두께(z4)는 상기 기판(200)의 두께(z1)와 같거나 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제2반사부재(230)의 두께(z4)는 상기 기판(200)의 두께(z1)의 0.5배 이상 또는 0.5배 내지 1배의 범위일 때, 입사되는 광의 투과 손실을 줄여줄 수 있다. 상기 제2반사부재(230)의 두께(z4)는 0.2mm 내지 0.4mm의 범위일 수 있으며, 상기 범위보다 작은 경우 광 투과 손실이 발생될 수 있고 상기 범위보다 두꺼운 경우 조명 장치(1000)의 두께(z5)가 증가할 수 있다. The second reflective member 230 may be made of the same material as the first reflective member 210, but is not limited thereto. The second reflective member 230 may be a material having a higher light reflectance than a material of the first reflecting member 210 or may have a thicker thickness in order to reflect light and reduce transmission loss of light. The thickness z4 of the second reflective member 230 may be equal to or smaller than the thickness z1 of the substrate 200. For example, when the thickness z4 of the second reflective member 230 is 0.5 times or more or 0.5 to 1 times the thickness z1 of the substrate 200, transmission loss of incident light is reduced. Can give. The thickness z4 of the second reflective member 230 may be in the range of 0.2mm to 0.4mm, and if it is smaller than the above range, light transmission loss may occur, and if it is thicker than the above range, the thickness of the lighting device 1000 (z5) can increase.

상기 제2반사부재(230)는 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 상기 제2반사부재(230)는 광을 반사하는 물질 예컨대, 금속 또는 비 금속 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2반사부재(230)가 금속인 경우 스테인레스, 알루미늄(Al), 은(Ag)과 같은 금속 층을 포함할 수 있으며, 비 금속 물질인 경우 백색 수지 재질이거나 플라스틱 재질을 포함할 수 있다. 상기 제2반사부재(230)는 백색 수지 재질이거나 폴리에스테르(PET) 재질을 포함할 수 있다. 상기 제2반사부재(230)는 저반사 필름, 고반사 필름, 난반사 필름, 또는 정반사 필름 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제2반사부재(230)는 발광소자(100)로부터 출사되어 상기 제2반사부재(230)의 하면으로 입사된 광이 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1) 방향으로 진행하도록 정반사 필름으로 제공될 수 있다.The second reflective member 230 may be formed in a single layer or multilayer structure. The second reflective member 230 may include a material that reflects light, for example, a metal or a non-metal material. When the second reflective member 230 is a metal, it may include a metal layer such as stainless steel, aluminum (Al), and silver (Ag), and when it is a non-metallic material, it may include a white resin material or a plastic material. The second reflective member 230 may include a white resin material or a polyester (PET) material. The second reflective member 230 may include at least one of a low reflective film, a high reflective film, a diffusely reflective film, or a regular reflective film. The second reflective member 230 is so that the light emitted from the light emitting device 100 and incident on the lower surface of the second reflective member 230 proceeds toward the first outer surface S1 of the resin layer 220. It may be provided as a specular reflective film.

도 1 및 도 5를 참조하면, 상기 확산층(240)은 상기 기판(200)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 확산층(240)은 상기 제1반사부재(210)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 확산층(240)은 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1)에 대응되어 배치될 수 있다. 상기 확산층(240)은 상기 제2반사부재(230)의 일측면과 접촉할 수 있다. 상기 확산층(240)은 상기 제2반사부재(230)과 제3방향(Z)으로 중첩되지 않고 배치될 수 있다. 1 and 5, the diffusion layer 240 may be disposed on a partial area of the substrate 200. The diffusion layer 240 may be disposed on a partial area of the first reflective member 210. The diffusion layer 240 may be disposed to correspond to the first outer surface S1 of the resin layer 220. The diffusion layer 240 may contact one side surface of the second reflective member 230. The diffusion layer 240 may be disposed without overlapping with the second reflective member 230 in the third direction Z.

상기 확산층(240)은 광의 광도가 높을 경우 특정 컬러가 혼색되지 않을 수 있으므로, 광들을 확산시켜 혼합되도록 할 수 있다. 상기 확산층(240)은 비드와 같은 확산제를 포함할 수 있다. 상기 확산층(240)의 재질은 투광성 재질일 수 있다. 예를 들면, 상기 확산층(240)은 폴리에스테르(PET) 필름, PMMA(Poly Methyl Methacrylate) 소재나 PC(Poly Carbonate) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산층(240)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질의 필름으로 제공될 수 있다. 상기 확산층(240)은 단층 또는 다층을 포함할 수 있다. When the light intensity of the diffusion layer 240 is high, a specific color may not be mixed, and thus the light may be diffused and mixed. The diffusion layer 240 may include a diffusion agent such as beads. The material of the diffusion layer 240 may be a light-transmitting material. For example, the diffusion layer 240 may include at least one of a polyester (PET) film, a polymethyl methacrylate (PMMA) material, or a polycarbonate (PC). The diffusion layer 240 may be provided as a film made of a resin material such as silicone or epoxy. The diffusion layer 240 may include a single layer or multiple layers.

도 1 및 도 5를 참조하면, 파장 변환층(250)은 상기 기판(200) 및 상기 제1반사부재(210) 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)의 일부는 상기 기판(200) 및 상기 제1반사부재(210)의 일부와 제3방향(Z)으로 중첩되어 배치되고, 상기 파장 변환층(250)의 다른 일부는 상기 기판(200) 및 상기 제1반사부재(210)와 제3방향(Z)으로 중첩되지 않을 수 있다.1 and 5, the wavelength conversion layer 250 may be disposed on the substrate 200 and a partial region of the first reflective member 210. Part of the wavelength conversion layer 250 is disposed to overlap with a part of the substrate 200 and the first reflective member 210 in a third direction (Z), and another part of the wavelength conversion layer 250 The substrate 200 and the first reflective member 210 may not overlap in the third direction Z.

상기 파장 변환층(250)의 일부는 상기 발광소자(100)와 제2방향(Y)으로 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)의 일부는 상기 레진층(220)과 제2방향(Y)으로 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)은 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1)에 대응되어 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)의 일부는 상기 제2반사부재(230)와 제2방향(Y)으로 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 상기 파장 변환층(250)의 일부는 상기 제2반사부재(230)의 일측면에 대응되어 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)은 상기 확산층(240)의 일측면에 대응되어 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)은 상기 확산층(240)의 마주보는 측면은 서로 접촉될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)은 상기 제2반사부재(230)와 제3방향(Z)으로 중첩되지 않고 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)의 일측면은 상기 발광소자(100)에서 출사된 광의 진행방향에 대응되어 배치될 수 있다. 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1)에 대응되어 외부에 노출된 상기 파장 변환층(250)의 일측면은 널링(knurling) 패턴을 포함할 수 있지만, 이에 한정하지는 않는다. 상기 발광소자(100)에서 출사된 광의 진행방향과 대응되어 배치되며 외부에 노출된 상기 파장 변환층(250)의 일측면이 널링 패턴을 포함함으로써 조명장치(1000)의 집광 효과를 더욱 향상 시킬 수 있다. A portion of the wavelength conversion layer 250 may be disposed to overlap the light emitting device 100 in the second direction Y. A portion of the wavelength conversion layer 250 may be disposed to overlap the resin layer 220 in the second direction Y. The wavelength conversion layer 250 may be disposed to correspond to the first outer surface S1 of the resin layer 220. A portion of the wavelength conversion layer 250 may be disposed to overlap with the second reflective member 230 in the second direction Y. A portion of the wavelength conversion layer 250 may be disposed to correspond to one side surface of the second reflective member 230. The wavelength conversion layer 250 may be disposed to correspond to one side of the diffusion layer 240. The wavelength conversion layer 250 may have opposite sides of the diffusion layer 240 in contact with each other. The wavelength conversion layer 250 may be disposed without overlapping with the second reflective member 230 in the third direction Z. One side of the wavelength conversion layer 250 may be disposed to correspond to a traveling direction of light emitted from the light emitting device 100. One side surface of the wavelength conversion layer 250 exposed to the outside corresponding to the first outer side surface S1 of the resin layer 220 may include a knurling pattern, but is not limited thereto. The light-converging effect of the lighting device 1000 can be further improved by having a side surface of the wavelength conversion layer 250 exposed to the outside including a knurled pattern, which is disposed in correspondence with the traveling direction of the light emitted from the light emitting device 100. have.

상기 파장 변환층(250)은 실리콘 재질일 수 있으며, 서로 다른 화학적 결합을 가지는 실리콘 재질일 수 있다. 실리콘은 무기물인 규소와 유기물인 탄소가 결합된 중합체로서, 무기물의 열안정성, 화학적 안정성, 내마모성, 광택성등과 유기물의 특성인 반응성, 용해성, 탄력성, 가공성 등의 물성을 갖고 있다. 실리콘을 일반 실리콘, 불소 비율을 높인 불소 실리콘을 포함할 수 있다. 불소 실리콘의 불소 비율을 높이면 방습성을 개선시킬 수 있는 효과가 있다. The wavelength conversion layer 250 may be made of silicon, and may be made of silicon having different chemical bonds. Silicone is a polymer in which silicon as an inorganic substance and carbon as an organic substance are bonded to each other and has physical properties such as thermal stability, chemical stability, abrasion resistance, and glossiness of inorganic substances and reactivity, solubility, elasticity, and processability, which are characteristics of organic substances. Silicone may include general silicone, and fluorine silicone with an increased fluorine ratio. Increasing the fluorine ratio of fluorine silicone has an effect of improving moisture-proof properties.

상기 파장 변환층(250)은 상기 발광소자(100)으로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 수단을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 파장 변환층(250)은 형광체, 양자점 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 형광체 또는 양자점은 청색, 녹색, 적색의 광을 발광할 수 있다. 형광체는 상기 파장 변환층(250) 내부에 고르게 배치될 수 있다. 형광체는 불화물(fluoride) 화합물의 형광체를 포함할 수 있으며, 예컨대 MGF계 형광체, KSF계 형광체 또는 KTF계 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 파장 변환층(250)은 실리콘과 형광체의 혼합물로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 파장 변환층(250)에서 상기 형광체의 비율은 파장 변환층(250)의 중량 대비하여 10% 내지 100%일 수 있지만, 이에 한정하지는 않는다. 상기 파장 변환층(250)이 형광체를 포함하고 있어, 실시예에 따른 조명장치(1000)는 사용자가 원하는 색상의 광을 방출할 수 있다.The wavelength conversion layer 250 may include a wavelength conversion means for receiving light emitted from the light-emitting device 100 and providing wavelength-converted light. For example, the wavelength conversion layer 250 may include at least one selected from a group including a phosphor, a quantum dot, and the like. The phosphor or quantum dot may emit blue, green, or red light. The phosphor may be evenly disposed inside the wavelength conversion layer 250. The phosphor may include a phosphor of a fluoride compound, and may include, for example, at least one of an MGF-based phosphor, a KSF-based phosphor, or a KTF-based phosphor. The wavelength conversion layer 250 may be formed of a mixture of silicon and phosphor. For example, the ratio of the phosphor in the wavelength conversion layer 250 may be 10% to 100% based on the weight of the wavelength conversion layer 250, but is not limited thereto. Since the wavelength conversion layer 250 includes a phosphor, the lighting device 1000 according to the embodiment may emit light having a color desired by the user.

실시예에 따른 조명장치(1000)에서는 발광소자(100)에서 방출된 광이 제2반사부재(230) 및 제1반사부재(210)에 의해 반사되어 레진층(220)의 제1외측면(S1) 방향으로 진행되며, 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1)은 볼록부(222) 및 오목부(221)를 포함하고 있어 발광소자(100)에서 방출된 광의 집광 효과를 향상 시킬 수 있다. 또한, 발광소자(100)에서 출사된 광이 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1) 방향으로 진행되며, 상기 레진층(220), 상기 확산층(240), 상기 파장 변환층(250)을 통과하여 외부로 출사되므로, 광의 진행거리가 증가하여 충분히 확산된 후에 외부로 출사될 수 있어 발광소자(100)에 의한 핫 스팟 현상이 발생하여 조명장치(1000)의 외관 이미지가 저하되는 것을 방지하고 발광소자(100)의 광 추출 효율을 향상 시킬 수 있다.In the lighting device 1000 according to the embodiment, the light emitted from the light emitting device 100 is reflected by the second reflecting member 230 and the first reflecting member 210 to reflect the first outer surface of the resin layer 220 ( It proceeds in the direction S1), and the first outer surface (S1) of the resin layer 220 includes a convex portion 222 and a concave portion 221 to improve the condensing effect of light emitted from the light emitting device 100 I can make it. In addition, the light emitted from the light emitting device 100 proceeds toward the first outer surface (S1) of the resin layer 220, the resin layer 220, the diffusion layer 240, the wavelength conversion layer 250 ), so that the traveling distance of light increases and can be emitted to the outside after being sufficiently diffused, so that a hot spot phenomenon occurs by the light emitting device 100 and the appearance image of the lighting device 1000 is deteriorated. It is possible to prevent and improve the light extraction efficiency of the light emitting device 100.

도 6은 다른 실시예에 따른 조명장치(1100)에 B라인의 단면도이다. 도 6에서는 도 1 내지 도 5에 도시된 실시예에 따른 조명장치(1000)에서 기설명한 내용을 채택할 수 있다.6 is a cross-sectional view of line B in the lighting device 1100 according to another embodiment. In FIG. 6, the contents previously described in the lighting device 1000 according to the embodiment illustrated in FIGS. 1 to 5 may be adopted.

도 6에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 따른 조명장치(1100)에서는 상기 기판(200), 상기 기판(200) 상에 배치되는 제1반사부재(210), 상기 제1반사부재(210)의 개구부 상에 노출된 상기 기판(200) 상에 배치되는 발광소자(100), 상기 기판(200)의 일부 영역 상에 배치되며 상기 발광소자(100)를 감싸는 레진층(220), 상기 기판의 일부 영역 상에 배치되는 확산층(240), 상기 레진층(220) 및 상기 확산층(240) 상에 배치되는 제2반사부재(230), 일측면이 상기 제2반사부재(230)의 측면 및 상기 확산층(240)의 측면과 동일 평면에 배치되며 상기 기판(200) 및 상기 제1반사부재(210)의 일부 영역 상에 배치되는 파장 변환층(250)을 포함할 수 있다.6, in the lighting device 1100 according to another embodiment, the substrate 200, a first reflective member 210 disposed on the substrate 200, and the first reflective member 210 The light emitting device 100 disposed on the substrate 200 exposed on the opening of the substrate 200, a resin layer 220 disposed on a partial area of the substrate 200 and surrounding the light emitting device 100, A diffusion layer 240 disposed on a partial area, a second reflecting member 230 disposed on the resin layer 220 and the diffusion layer 240, and one side thereof is a side surface of the second reflecting member 230 and the A wavelength conversion layer 250 may be disposed on the same plane as the side surface of the diffusion layer 240 and disposed on a partial region of the substrate 200 and the first reflective member 210.

다른 실시예에 따른 조명장치(1100)에서는 상기 기판(200)의 제1영역 상에 레진층(220)이 배치되고, 상기 기판(200)의 제1영역과 이격된 제3영역 상에 파장 변환층(250)이 배치되며, 상기 제1영역과 상기 제3영역 사이의 제2영역 상에 상기 확산층(240)이 배치될 수 있다. 상기 제2반사부재(230)은 상기 레진층(220) 및 상기 확산층(240) 상에 배치될 수 있다. 상기 확산층(240)은 상기 제2반사부재(230)의 하면과 상기 제1반사부재(210)의 상면 사이에 배치될 수 있다. 상기 확산층(240)은 상기 제2반사부재(230) 및 상기 기판(200), 상기 제1반사부재(210)와 제3방향(Z)으로 중첩되어 배치될 수 있다. 상기 확산층(240)은 상기 제2반사부재(230) 및 상기 기판(200), 상기 제1반사부재(210)와 수직방향으로 중첩되어 배치될 수 있다. In the lighting apparatus 1100 according to another embodiment, the resin layer 220 is disposed on the first region of the substrate 200, and the wavelength is converted on a third region spaced apart from the first region of the substrate 200. The layer 250 may be disposed, and the diffusion layer 240 may be disposed on a second area between the first area and the third area. The second reflective member 230 may be disposed on the resin layer 220 and the diffusion layer 240. The diffusion layer 240 may be disposed between a lower surface of the second reflecting member 230 and an upper surface of the first reflecting member 210. The diffusion layer 240 may be disposed to overlap the second reflective member 230 and the substrate 200 and the first reflective member 210 in a third direction Z. The diffusion layer 240 may be disposed to overlap the second reflective member 230, the substrate 200, and the first reflective member 210 in a vertical direction.

상기 파장 변환층(250)은 상기 기판(200)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)은 상기 제1반사부재(210)의 일부 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)은 상기 제2반사부재(230)과 제3방향(Z)으로 중첩되지 않을 수 있다. 상기 파장 변환층(250)은 상기 제2반사부재(230)와 수직방향으로 중첩되지 않을 수 있다.The wavelength conversion layer 250 may be disposed on a partial region of the substrate 200. The wavelength conversion layer 250 may be disposed on a partial region of the first reflective member 210. The wavelength conversion layer 250 may not overlap with the second reflective member 230 in the third direction Z. The wavelength conversion layer 250 may not overlap the second reflective member 230 in a vertical direction.

도 7은 다른 실시예에 따른 조명장치(1200)에 B라인의 단면도이다. 도 6에서는 도 1 내지 도 5에 도시된 실시예에 따른 조명장치(1000)에서 기설명한 내용을 채택할 수 있다.7 is a cross-sectional view of line B in the lighting device 1200 according to another exemplary embodiment. In FIG. 6, the contents previously described in the lighting device 1000 according to the embodiment illustrated in FIGS. 1 to 5 may be adopted.

도 7에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 따른 조명장치(1200)에서는 상기 기판(200), 상기 기판(200) 상에 배치되는 제1반사부재(210), 상기 제1반사부재(210)의 개구부 상에 노출된 상기 기판(200) 상에 배치되는 발광소자(100), 상기 기판(200)의 일부 영역 상에 배치되며 상기 발광소자(100)를 감싸는 레진층(220), 상기 기판(200)의 일부 영역 상에 배치되는 확산층(240), 일측면이 상기 확산층(240)의 측면과 동일 평면에 배치되고, 타측면은 제2반사부재(230)의 측면과 동일 평면에 배치되며 상기 기판(200) 및 상기 제1반사부재(210)의 일부 영역 상에 배치되는 파장 변환층(250), 상기 레진층(220), 상기 확산층(240), 상기 파장 변환층(250) 상에 배치되는 제2반사부재(230)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 7, in the lighting device 1200 according to another embodiment, the substrate 200, a first reflective member 210 disposed on the substrate 200, and the first reflective member 210 The light emitting device 100 disposed on the substrate 200 exposed on the opening of the substrate 200, a resin layer 220 disposed on a partial region of the substrate 200 and surrounding the light emitting device 100, the substrate ( The diffusion layer 240 disposed on a partial area of 200), one side is disposed on the same plane as the side of the diffusion layer 240, the other side is disposed on the same plane as the side of the second reflective member 230, and the The wavelength conversion layer 250, the resin layer 220, the diffusion layer 240, and the wavelength conversion layer 250 are disposed on a partial region of the substrate 200 and the first reflective member 210 A second reflective member 230 may be included.

상기 제2반사부재(230)는 상기 레진층(220), 상기 확산층(240) 상기 파장 변환층(250)과 제3방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 상기 제2반사부재(230)는 상기 레진층(220), 상기 확산층(240) 상기 파장 변환층(250)과 수직방향으로 중첩될 수 있다. 상기 제2반사부재(230)의 일부는 상기 기판(200) 및 상기 제1반사부재(210)와 제3방향(Z)으로 중첩되지 않을 수 있다. The second reflective member 230 may overlap the resin layer 220 and the diffusion layer 240 and the wavelength conversion layer 250 in a third direction Z. The second reflective member 230 may vertically overlap the resin layer 220 and the diffusion layer 240 and the wavelength conversion layer 250. A portion of the second reflective member 230 may not overlap with the substrate 200 and the first reflective member 210 in the third direction Z.

도 8은 다른 실시예에 따른 조명장치(1300)에 B라인의 단면도이다. 도 6에서는 도 1 내지 도 5에 도시된 실시예에 따른 조명장치(1000)에서 기설명한 내용을 채택할 수 있다.8 is a cross-sectional view of line B in the lighting device 1300 according to another embodiment. In FIG. 6, the contents previously described in the lighting device 1000 according to the embodiment illustrated in FIGS. 1 to 5 may be adopted.

도 8에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 따른 조명장치(1100)에서는 상기 기판(200), 상기 기판(200) 상에 배치되는 제1반사부재(210), 상기 제1반사부재(210)의 개구부 상에 노출된 상기 기판(200) 상에 배치되는 발광소자(100), 상기 기판(200)의 상에 배치되며 상기 발광소자(100)를 감싸는 레진층(220), 상기 레진층(220)의 제1외측면(S1)에 대응되어 배치되는 확산층(240), 상기 레진층(220) 및 상기 확산층(240) 상에 배치되는 제2반사부재(230), 일측면이 상기 제2반사부재(230)의 측면 및 상기 확산층(240)의 측면과 동일 평면에 배치되는 파장 변환층(250)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 8, in the lighting device 1100 according to another embodiment, the substrate 200, a first reflective member 210 disposed on the substrate 200, and the first reflective member 210 The light emitting device 100 disposed on the substrate 200 exposed on the opening of the light emitting device 100, a resin layer 220 disposed on the substrate 200 and surrounding the light emitting device 100, and the resin layer 220 ), a diffusion layer 240 disposed to correspond to the first outer surface S1 of), a second reflective member 230 disposed on the resin layer 220 and the diffusion layer 240, and one side thereof is the second reflection A wavelength conversion layer 250 disposed on the same plane as the side surface of the member 230 and the side surface of the diffusion layer 240 may be included.

상기 제2반사부재(230)는 상기 기판(200), 상기 제1반사부재(210)와 제3방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 상기 제2반사부재(230)는 상기 확산층(240)과 제3방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 상기 제2반사부재(230)는 상기 기판(200) 및 상기 제1반사부재(210)와 제3방향(Z)으로 중첩되지 않을 수 있다. 상기 파장 변환층(250)은 상기 확산층(240) 및 상기 제2반사부재(230)의 일측면에 대응되어 배치될 수 있다. 상기 파장 변환층(250)은 상기 기판(200) 및 상기 제1반사부재(210), 상기 제2반사부재(230)와 제3방향(Z)으로 중첩되지 않을 수 있다. The second reflective member 230 may overlap the substrate 200 and the first reflective member 210 in a third direction Z. The second reflective member 230 may overlap the diffusion layer 240 in a third direction Z. The second reflective member 230 may not overlap with the substrate 200 and the first reflective member 210 in a third direction Z. The wavelength conversion layer 250 may be disposed to correspond to one side surface of the diffusion layer 240 and the second reflective member 230. The wavelength conversion layer 250 may not overlap with the substrate 200, the first reflective member 210, and the second reflective member 230 in a third direction Z.

도 9는 실시 예에 따른 조명 모듈이 적용된 차량 램프가 적용된 차량의 평면도이며, 도 10은 실시 예에 개시된 조명 모듈 또는 조명 장치를 갖는 차량 램프를 나타낸 도면이다.9 is a plan view of a vehicle to which a vehicle lamp to which a lighting module is applied according to an embodiment is applied, and FIG. 10 is a view showing a vehicle lamp having a lighting module or a lighting device disclosed in the embodiment.

도 9 및 도 10을 참조하면, 차량(900)에서 후미등(800)은 제1램프 유닛(812), 제2램프 유닛(814), 제3램프 유닛(816), 및 하우징(810)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1램프 유닛(812)은 방향 지시등 역할을 위한 광원일 수 있으며, 제2램프 유닛(814)은 차폭등의 역할을 위한 광원일 수 있고, 제3램프 유닛(816)은 제동등 역할을 위한 광원일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1램프 유닛 내지 제3램프 유닛(812,814,816) 중 적어도 하나 또는 모두는 실시 예에 개시된 조명 모듈을 포함할 수 있다. 상기 하우징(810)은 제1램프 유닛 내지 제3램프 유닛(812, 814, 816)들을 수납하며, 투광성 재질로 이루어질 수 있다. 이때, 하우징(810)은 차량 몸체의 디자인에 따라 굴곡을 가질 수 있고, 제1램프 유닛 내지 제3램프 유닛(812, 814,816)은 하우징(810)의 형상에 따라, 곡면을 갖는 수 있는 면 광원을 구현할 수 있다. 이러한 차량 램프는 상기 램프 유닛이 차량의 테일등, 제동등이나, 턴 시그널 램프에 적용될 경우, 차량의 턴 시그널 램프에 적용될 수 있다. 9 and 10, the rear light 800 in the vehicle 900 includes a first lamp unit 812, a second lamp unit 814, a third lamp unit 816, and a housing 810. can do. Here, the first lamp unit 812 may be a light source for the role of a turn indicator, the second lamp unit 814 may be a light source for the role of a vehicle width lamp, and the third lamp unit 816 serves as a brake light. It may be a light source for, but is not limited thereto. At least one or all of the first to third lamp units 812, 814, and 816 may include the lighting module disclosed in the embodiment. The housing 810 accommodates the first to third lamp units 812, 814, and 816, and may be made of a light-transmitting material. At this time, the housing 810 may have a curvature according to the design of the vehicle body, and the first to third lamp units 812, 814, and 816 may have a curved surface according to the shape of the housing 810. Can be implemented. Such a vehicle lamp may be applied to a turn signal lamp of a vehicle when the lamp unit is applied to a tail lamp, a brake lamp, or a turn signal lamp of a vehicle.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the embodiments above are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified for other embodiments by a person having ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the embodiments have been described above, these are only examples and do not limit the present invention, and those of ordinary skill in the field to which the present invention belongs are illustrated above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be seen that various modifications and applications that have not been made are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100: 발광소자 200: 기판 210: 제1반사부재 220: 레진층
230: 제2반사부재 240: 확산층 250: 파장 변환층100: light emitting device 200: substrate 210: first reflective member 220: resin layer
230: second reflective member 240: diffusion layer 250: wavelength conversion layer

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 배치되는 복수의 발광소자;
상기 기판 상에 배치되어 상기 발광소자를 감싸고 상기 발광소자와 수평 방향으로 중첩되는 제1외측면을 포함하는 레진층;
상기 레진층 상에 배치되는 제2 반사부재;
상기 레진층의 제1외측면과 접촉하는 일측면을 포함하는 확산층; 및
상기 확산층의 일측면에 대응되는 타측면과 접촉하는 파장 변환층을 포함하는 조명장치.
Board;
A plurality of light emitting devices disposed on the substrate;
A resin layer disposed on the substrate to surround the light emitting device and including a first outer surface overlapping the light emitting device in a horizontal direction;
A second reflective member disposed on the resin layer;
A diffusion layer including a side surface in contact with the first outer surface of the resin layer; And
Lighting device comprising a wavelength conversion layer in contact with the other side corresponding to the one side of the diffusion layer.
 제1항에 있어서,
상기 제2 반사부재의 일측면 및 상기 레진층의 제1외측면은 동일 평면 상에 배치되는 조명장치.
The method of claim 1,
A lighting device in which one side of the second reflective member and the first outer side of the resin layer are disposed on the same plane.
 제2항에 있어서,
상기 제2 반사부재의 일측면은 상기 확산층의 일측면과 접촉하는 조명장치.
The method of claim 2,
One side of the second reflective member is a lighting device in contact with the side of the diffusion layer.
 제1항에 있어서,
상기 제2 반사부재의 일측면 및 상기 확산층의 타측면은 동일 평면 상에 배치되는 조명장치.
The method of claim 1,
A lighting device in which one side of the second reflective member and the other side of the diffusion layer are disposed on the same plane.
 제4항에 있어서,
상기 파장 변환층은 상기 확산층의 타측면과 접촉하는 일측면 및 상기 일측면과 대향하는 타측면을 포함하고,
상기 제2 반사부재의 일측면 및 상기 파장 변환층의 일측면은 접촉하는 조명장치.
The method of claim 4,
The wavelength conversion layer includes one side in contact with the other side of the diffusion layer and the other side opposite to the one side,
A lighting device in which one side surface of the second reflective member and one side surface of the wavelength conversion layer are in contact with each other.
 제1항에 있어서,
상기 제2 반사부재는 상기 레진층, 상기 확산층, 상기 파장 변환층 상에 배치되는 조명장치.
The method of claim 1,
The second reflective member is disposed on the resin layer, the diffusion layer, and the wavelength conversion layer.
 제6항에 있어서,
상기 파장 변환층은 상기 확산층의 타측면과 접촉하는 일측면 및 상기 일측면과 대향하는 타측면을 포함하고,
상기 제2 반사부재의 일측면 및 상기 파장 변환층의 타측면은 동일 평면 상에 배치되는 조명장치.
The method of claim 6,
The wavelength conversion layer includes one side in contact with the other side of the diffusion layer and the other side opposite to the one side,
A lighting device in which one side of the second reflective member and the other side of the wavelength conversion layer are disposed on the same plane.
 제1항 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 상에 배치되는 제1 반사부재를 포함하고,
상기 제1 반사부재는 상기 기판에 수직한 방향으로 상기 레진층과 오버랩 되는 조명장치.
The method according to any one of claims 1 to 7,
Including a first reflective member disposed on the substrate,
The first reflective member overlaps the resin layer in a direction perpendicular to the substrate.
 제8항에 있어서,
상기 제1 반사부재는 상기 기판에 수직한 방향으로 상기 파장 변환층과 오버랩 되지 않는 조명장치.
The method of claim 8,
The first reflective member does not overlap the wavelength conversion layer in a direction perpendicular to the substrate.
 제9항에 있어서,
상기 제1 반사부재는 상기 기판에 수직한 방향으로 상기 확산층과 오버랩 되지 않는 조명장치.

The method of claim 9,
The first reflective member does not overlap the diffusion layer in a direction perpendicular to the substrate.
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