KR20210050254A - Conductive substrate and thermoacoustic loudspeaker comprising the same - Google Patents

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Abstract

Provided is a conductive substrate that comprises: a resin substrate; and a conductive layer coated on the resin substrate. The resin substrate includes a poly (urethane-urea) resin. The conductive layer includes a silver nano-wire (AgNW, Ag nano-wire). In addition, provided is a thermoacoustic loudspeaker that comprises: the conductive substrate; and an electrode on the conductive substrate. The conductive substrate has high transparency and can simultaneously implement flexibility and self-healing performance, so it has the advantage of being applicable to a next-generation wearable small electronic device. In addition, the thermoacoustic loudspeaker to which the conductive substrate is applied can be thinned and miniaturized, and has excellent sound wave generation performance, so that it can be applied as a new acoustic application for a flexible or wearable device.

Description

전도성 기판 및 이를 포함하는 열음파 확성기 {CONDUCTIVE SUBSTRATE AND THERMOACOUSTIC LOUDSPEAKER COMPRISING THE SAME}Conductive substrate and hot acoustic loudspeaker including the same {CONDUCTIVE SUBSTRATE AND THERMOACOUSTIC LOUDSPEAKER COMPRISING THE SAME}

본 발명은 전도성 기판에 관한 것으로, 예를 들어, 열음파 확성기에 적용 가능한 전도성 기판에 관한 것이다. The present invention relates to a conductive substrate, for example, to a conductive substrate applicable to a hot acoustic loudspeaker.

최근 인공 전자 피부, 인공 목소리 등과 같이 사람의 감각 기관을 모사한 다양한 전자 소자들이 개발되고 있다. 이러한 전자 소자는 로보틱스(Robotics), 플렉서블(Flexible) 전자기기, 헬스케어 모니터링(Healthcare Monitoring), 센서(Sensor) 산업 등에서 핵심 기술이며, 그 활용도가 매우 높다. Recently, various electronic devices that simulate human sense organs, such as artificial electronic skin and artificial voice, have been developed. These electronic devices are key technologies in the robotics, flexible electronic devices, healthcare monitoring, and sensor industries, and their utilization is very high.

플렉서블 전자기기들이 활발하게 개발되면서, 소리를 입력 및 출력할 수 있는 음향 소자에서도 휴대성, 유연성 및 소형화 등이 요구되고 있다. 기존의 딱딱한 형태의 마이크로폰 또는 스피커의 한계를 탈피하고자 두께가 매우 얇으면서 압전, 마찰전기 등의 특성을 이용하여 구동이 가능한 플렉시블 음향 소자들이 다양한 연구팀에서 개발되고 있다. 그러나, 음향기기의 자가구동, 고성능화 및 다기능화 등의 기술적인 진보에도 불구하고, 차세대 웨어러블 또는 신체부착형 전자 소자로 활용하기에는 여전히 휴대성, 소형화 및 유연성 등의 측면에서 외형적인 한계가 존재하는 실정이다. As flexible electronic devices are actively developed, portability, flexibility, and miniaturization are required even in acoustic devices capable of inputting and outputting sound. In order to escape the limitations of the existing rigid microphone or speaker, various research teams are developing flexible acoustic devices that are very thin and can be driven using characteristics such as piezoelectricity and triboelectricity. However, despite technological advances such as self-driving, high-performance, and multifunctional audio equipment, there are still external limitations in terms of portability, miniaturization, and flexibility to be used as a next-generation wearable or body-attached electronic device. to be.

이러한 전자 소자의 음향 소자로 활용하기 위해 도입된 개념이 열음파(Thermoacoustic)이다. 열음파는 교류 전류를 이용해 금속을 급격히 가열하고 냉각시키면서 발생하는 열적 변화를 통해 주변 공기를 팽창하고 수축시켜 소리를 발생시키는 현상을 말한다. 열음파(TA, Thermoacoustic) 확성기의 개념은 1세기 전에 처음 제안되었다. 최초의 열음파 확성기는 납(Pb) 전극에 고정된 백금(Pt) 스트립에 의해 구현되었으나, 열용량이 매우 높아서 용도가 제한적이었다. 이와 같이, 열용량이 높은 경우에는 주변 공기를 진동시키는 과정에서 효율이 현저히 저하된다. 이에 따라, 최근에는 단위 면적 당 열용량을 감소시키기 위하여 탄소나노튜브(CNT, Carbon nano tube), 그래핀 등의 나노 소재를 전도성 충진재로 적용하는 기술이 활발하게 연구 중이다. 다만, 탄소나노튜브 등을 전도성 충진재로 적용하는 경우에는 기판으로서 실리콘(Si) 웨이퍼 등을 사용하는 것이 일반적인데, 이는 기계적 충격에 취약하다는 단점이 있다. The concept introduced to utilize as an acoustic device of such an electronic device is thermoacoustic. Hot sound waves are a phenomenon that generates sound by expanding and contracting the surrounding air through thermal changes that occur when metal is rapidly heated and cooled using alternating current. The concept of a thermoacoustic (TA) loudspeaker was first proposed a century ago. The first hot sonic loudspeakers were implemented with a platinum (Pt) strip fixed to a lead (Pb) electrode, but their use was limited due to their very high heat capacity. In this way, when the heat capacity is high, the efficiency is significantly lowered in the process of vibrating the surrounding air. Accordingly, in recent years, in order to reduce the heat capacity per unit area, a technology of applying nanomaterials such as carbon nanotubes (CNTs) and graphene as a conductive filler is being actively studied. However, in the case of applying carbon nanotubes or the like as a conductive filler, it is common to use a silicon (Si) wafer or the like as a substrate, which has a disadvantage in that it is vulnerable to mechanical impact.

본 발명의 일 구현예는 투명하고 유연하면서 자가 치유 성능을 바탕으로 한 기계적 내구성까지 우수한 전도성 기판을 제공하고자 한다.An embodiment of the present invention is to provide a conductive substrate that is transparent and flexible and has excellent mechanical durability based on self-healing performance.

본 발명의 다른 구현예는 상기 전도성 기판을 제공하여 내구성, 유연성 및 투명성이 동시에 우수하게 구현되는 열음파 확성기를 제공하고자 한다.Another embodiment of the present invention is to provide the conductive substrate to provide a hot sonic loudspeaker having excellent durability, flexibility and transparency at the same time.

본 발명의 일 구현예에서, 수지 기재; 및 상기 수지 기재 상에 코팅된 전도층을 포함하고, 상기 수지 기재가 폴리(우레탄-우레아) 수지를 포함하며, 상기 전도층이 은 나노-와이어(AgNW, Ag Nano-Wire)를 포함하는 전도성 기판을 제공한다.In one embodiment of the present invention, a resin substrate; And a conductive layer coated on the resin substrate, wherein the resin substrate includes a poly(urethane-urea) resin, and the conductive layer includes a silver nano-wire (AgNW, Ag Nano-Wire). Provides.

본 발명의 다른 구현예에서, 전도성 기판; 및 상기 전도성 기판 상의 전극을 포함하고, 상기 전도성 기판은 수지 기재; 및 상기 수지 기재 상에 코팅된 전도층을 포함하고, 상기 수지 기재가 폴리(우레탄-우레아) 수지를 포함하며, 상기 전도층이 은 나노-와이어(AgNW)를 포함하는 열음파 확성기를 제공한다.In another embodiment of the present invention, a conductive substrate; And an electrode on the conductive substrate, wherein the conductive substrate includes a resin substrate; And a conductive layer coated on the resin substrate, wherein the resin substrate includes a poly(urethane-urea) resin, and the conductive layer includes a silver nano-wire (AgNW).

상기 전도성 기판은 투명성이 높으면서 유연성과 자가 치유 성능을 동시에 구현 가능하여 차세대 웨어러블(wearable) 소형 전자 기기에 적용이 가능한 이점을 갖는다. The conductive substrate has an advantage of being able to implement flexibility and self-healing performance at the same time while having high transparency, so that it can be applied to a next-generation wearable small electronic device.

또한, 상기 전도성 기판을 적용한 열음파 확성기는 박막화 및 소형화가 가능하고 음파 발생 성능이 우수하여 플렉서블 또는 웨어러블 장치의 새로운 음향 어플리케이션으로서 적용 가능한 이점을 갖는다. In addition, the hot-sound loudspeaker to which the conductive substrate is applied can be made thinner and downsized, and has excellent sound wave generation performance, so that it can be applied as a new acoustic application for a flexible or wearable device.

도 1은 일 구현예에 따른 전도성 기판의 전도층 SEM 사진을 도시한 것이다.
도 2는 일 구현예에 따른 전도성 기판의 광투과율을 나타낸 그래프이다.
도 3은 일 구현예에 따른 전도성 기판의 자가 치유 과정을 도식화 한 것이다.
도 4는 일 구현예에 따른 전도성 기판에 대하여 실험예 2에 의한 자가 치유 전후의 광학현미경(OM, Optical Microscope) 사진을 게재한 것이다.
도 5 및 도 6은 실험예 2에 따른 결과 그래프를 도시한 것이다.
도 7은 일 구현예에 따른 전도성 기판에 대하여 스크래치 가공 후 자가 치유 과정을 LED 램프의 점등을 통하여 간접적으로 보여주는 사진을 도시한 것이다
도 8은 실험예 3에 따른 탭핑 전후의 전도성 기판의 표면 변화를 나타낸 SEM 사진이다.
도 9는 실험예 3에 따른 탭핑 횟수가 증가함에 따라 저항 값의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 10은 실험예 4의 (1)에 따른 결과 그래프를 나타낸 것이다.
도 11은 실험예 4의 (2)에 따른 결과 그래프를 나타낸 것이다.
도 12는 실험예 4에 따른 (a) 굴곡 시험 전, (b) 5mm의 곡률 반경으로 굴곡시킨 후, (c) 5mm의 곡률 반경으로 10,000회 굴곡 시험 완료 후의 전도성 네트워크를 확인할 수 있는 사진을 게재한 것이다.
도 13은 상기 실시예 2에서 제조된 열음파 확성기 샘플의 사진을 게재한 것이다.
도 14는 도 13의 열음파 확성 원리를 개략적으로 도시한 것이다.
도 15는 실험예 5에서 열음파 확성기에서 방출된 소리의 음압 수준(SPL, Sound Pressure Level)을 측정하기 위한 실험 설정 사진을 게재한 것이다.
도 16은 실험예 5의 결과 그래프로서 1kHZ에서 20kHZ의 각 주파수 영역의 상기 전도성 기판의 상태별 SPL 그래프를 도시한 것이다.
도 17은 위에서부터 순차적으로 상기 열음파 확성기의 전도성 기판을 (a) 스크래치 가공하기 전, (b) 스크래치 가공한 직후, (c) 자가 치유 완료 후의 저항 측정 값을 나타낸 사진이다.
도 18은 실험예 2의 스크래치 형상을 그래프로 도시한 것이다.
도 19는 실시예 1 및 비교예 1의 전도성 기판에 대한 XPS 데이터를 도시한 것이다.
1 shows a SEM photograph of a conductive layer of a conductive substrate according to an embodiment.
2 is a graph showing light transmittance of a conductive substrate according to an embodiment.
3 is a schematic diagram of a self-healing process of a conductive substrate according to an embodiment.
4 is a view showing an optical microscope (OM) photograph before and after self-healing according to Experimental Example 2 with respect to a conductive substrate according to an embodiment.
5 and 6 show graphs of results according to Experimental Example 2.
7 is a diagram illustrating a photograph indirectly showing a self-healing process after scratch processing on a conductive substrate according to an embodiment through lighting of an LED lamp.
8 is a SEM photograph showing a surface change of a conductive substrate before and after tapping according to Experimental Example 3. FIG.
9 is a graph showing a change in resistance value as the number of tappings increases according to Experimental Example 3;
10 shows a graph of the results according to (1) of Experimental Example 4.
11 shows a graph of the results according to (2) of Experimental Example 4.
FIG. 12 is a photograph showing a photo that can confirm the conductive network after (a) bending test according to Experimental Example 4, (b) bending with a radius of curvature of 5 mm, and (c) completing 10,000 bending tests with a radius of curvature of 5 mm I did it.
13 is a photograph showing a sample of the hot-sound loudspeaker prepared in Example 2. FIG.
14 schematically shows the principle of amplifying the hot sound wave of FIG. 13.
15 shows a photograph of an experiment setup for measuring a sound pressure level (SPL) of sound emitted from a hot-sound loudspeaker in Experimental Example 5. FIG.
16 is a graph of the results of Experimental Example 5, showing an SPL graph for each state of the conductive substrate in each frequency range of 1 kHz to 20 kHz.
FIG. 17 is a photograph showing the resistance measurement values after (a) scratch processing, (b) immediately after scratch processing, and (c) self-healing of the conductive substrates of the hot sonic loudspeaker sequentially from above.
18 is a graph showing the scratch shape of Experimental Example 2.
19 shows XPS data for the conductive substrates of Example 1 and Comparative Example 1.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 후술하는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments to be described later. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, However, these embodiments are provided to complete the disclosure of the present invention, and to fully inform the scope of the invention to a person skilled in the art to which the present invention pertains, and the present invention is defined by the scope of the claims. It just becomes.

적어도 일부 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.In at least some of the drawings, the thickness is enlarged to clearly express various layers and regions. In addition, in the drawings, for convenience of description, the thicknesses of some layers and regions are exaggerated.

또한, 본 명세서에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 '위에', '상에' 또는 '상부' 있다고 할 때, 이는 다른 부분 '바로 위에' 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 '바로 위에' 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 아울러, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 '아래에', '하에' 또는 '하부에' 있다고 할 때, 이는 다른 부분 '바로 아래에' 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 '바로 아래에' 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In addition, in the present specification, when a portion such as a layer, film, region, plate, etc. is said to be'on','on' or'top' of another portion, this Includes cases where there are parts. Conversely, when one part is said to be'right above' another part, it means that there is no other part in the middle. In addition, when a part such as a layer, film, region, or plate is said to be'below','below' or'lower' another part, it is not only the case that the other part is'directly below', but also another part in the middle. This includes cases where there is. Conversely, when one part is said to be'right below' another part, it means that there is no other part in the middle.

본 발명의 일 구현예에서, 수지 기재; 및 상기 수지 기재 상에 코팅된 전도층을 포함하고, 상기 수지 기재가 폴리(우레탄-우레아) 수지를 포함하며, 상기 전도층이 은 나노-와이어(AgNW, Ag Nano-Wire)를 포함하는, 전도성 기판을 제공한다. In one embodiment of the present invention, a resin substrate; And a conductive layer coated on the resin substrate, wherein the resin substrate includes a poly(urethane-urea) resin, and the conductive layer includes a silver nano-wire (AgNW, Ag Nano-Wire). Provide a substrate.

상기 전도성 기판은 열음파 확성기 등에 적용하기 적합한 열적 특성과 투명성 및 유연성을 모두 우수하게 구현함과 동시에, 손상에 대한 자가 치유 성능을 구현하는 이점을 갖는다. 이는, 상기 수지 기재로서 폴리(우레탄-우레아) 수지를 적용함과 동시에 상기 전도층으로 은나노와이어를 적용함으로써 가능할 수 있다. 전도성 재료로서 그래핀, 탄소나노튜브(CNT) 등을 적용하거나, 수지로서 다른 종류의 수지를 적용하는 경우에는 이러한 이점을 얻을 수 없다. The conductive substrate has the advantage of implementing excellent thermal properties, transparency, and flexibility suitable for application to a hot sonic loudspeaker, and at the same time implementing self-healing performance against damage. This may be possible by applying a poly(urethane-urea) resin as the resin substrate and at the same time applying a silver nanowire as the conductive layer. In the case of applying graphene, carbon nanotubes (CNT), or the like as a conductive material, or applying other types of resins as a resin, these advantages cannot be obtained.

일 구현예에서, 상기 폴리(우레탄-우레아) 수지는 하기 화학식 1의 구조를 가질 수 있다.In one embodiment, the poly(urethane-urea) resin may have a structure represented by Formula 1 below.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

상기 화학식 1에서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 헤테로알킬렌기, 탄소수 5 내지 30의 치환 또는 비치환된 사이클로알킬렌기, 탄소수 5 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기 중 선택된 하나일 수 있다. In Formula 1, R 1 and R 2 are each independently a linear or branched alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a linear or branched heteroalkylene group having 1 to 20 carbon atoms, or substituted or unsubstituted with 5 to 30 carbon atoms. It may be one selected from a cyclic cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group having 5 to 30 carbon atoms.

예를 들어, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 메틸렌, 에틸렌, n-프로필렌, 이소프로필렌, n-부틸렌, 이소부틸렌, sec-부틸렌, 펜틸렌, 헥실렌 중에서 선택된 하나일 수 있다. 일 구현예에서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 펜틸렌 또는 헥실렌 중에서 선택된 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 R1는 펜틸렌이고, 상기 R2는 헥실렌일 수 있다.For example, the R 1 and R 2 may each independently be one selected from methylene, ethylene, n-propylene, isopropylene, n-butylene, isobutylene, sec-butylene, pentylene, and hexylene have. In one embodiment, R 1 and R 2 may each independently be one selected from pentylene or hexylene. For example, R 1 may be pentylene, and R 2 may be hexylene.

상기 화학식 1에서 상기 R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 헤테로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기 중 선택된 하나일 수 있다. 예를 들어, 상기 R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로, 수소, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, 펜틸기, 헥실기 중에서 선택된 하나일 수 있다. 일 구현예에서, 상기 R3, R4 및 R5는 메틸기일 수 있다. In Formula 1, R 3 , R 4 and R 5 are each independently hydrogen, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear or branched heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and a carbon number of 5 to 30 It may be one selected from a substituted or unsubstituted cycloalkyl group and a substituted or unsubstituted aryl group having 5 to 30 carbon atoms. For example, the R 3 , R 4 and R 5 are each independently hydrogen, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, pentyl group, It may be one selected from hexyl groups. In one embodiment, R 3 , R 4 and R 5 may be a methyl group.

상기 화학식 1에서, 상기 R6는 탄소수 3 내지 10의 분지형 알킬기일 수 있다. 상기 R6가 탄소수 3 내지 10의 분지형 알킬기인 경우, 탄소수 1 내지 2의 선형 알킬기 또는 탄소수 3 내지 10의 선형 알칼기인 경우에 비하여 상기 폴리(우레탄-우레아) 수지에 적절한 입체적 효과(Steric effect)를 제공하여 자가 치유 성능을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 R6는 이소프로필기, sec-부틸기, tert-부틸기 중 선택된 하나일 수 있다. 일 구현예에서, 상기 R6는 tert-부틸기일 수 있다. In Formula 1, R 6 may be a branched alkyl group having 3 to 10 carbon atoms. When R 6 is a branched alkyl group having 3 to 10 carbon atoms, compared to a linear alkyl group having 1 to 2 carbon atoms or a linear alkaline group having 3 to 10 carbon atoms, a stereoscopic effect suitable for the poly(urethane-urea) resin (Steric effect) Can improve self-healing performance. For example, R 6 may be one selected from isopropyl group, sec-butyl group, and tert-butyl group. In one embodiment, R 6 may be a tert-butyl group.

상기 화학식 1에서, 상기 n는 1 내지 10일 수 있다. 예를 들어, 상기 n은 1 내지 9일 수 있고, 예를 들어, 1 내지 8일 수 있고, 예를 들어, 1 내지 5일 수 있고, 예를 들어, 1.5 내지 4.5일 수 있고, 예를 들어, 2.5 내지 4.5일 수 있고, 예를 들어, 3.5 내지 4.5일 수 있다. In Formula 1, n may be 1 to 10. For example, n may be 1 to 9, for example, 1 to 8, for example, 1 to 5, for example, 1.5 to 4.5, for example , It may be 2.5 to 4.5, for example, it may be 3.5 to 4.5.

열음파(TA, Thermoacoustic) 확성기는 스피커 진동에 의존하지 않고 소리를 내는 새로운 형태의 스피커로서, 최근 큰 관심을 받고 있다. 열음파 확성기는 전도성 네트워크에 교류(AC) 전압을 적용하여 소리를 발생시킬 수 있다. 상기 교류 전압의 적용은 전도성 네트워크의 줄-가열(Joule-heating)과 주변 공기의 진동으로 열을 발생시켜 음파를 발생시킨다. 고효율의 열음파 확성기를 제작하기 위해서는 주변 공기로의 열전도를 용이하게 하는 열용량이 낮은 재료가 필요하다. A thermoacoustic (TA) loudspeaker is a new type of speaker that produces sound without relying on speaker vibration, and has recently received great interest. Hot acoustic loudspeakers can generate sound by applying an alternating current (AC) voltage to a conductive network. The application of the AC voltage generates heat by Joule-heating of the conductive network and vibration of the surrounding air to generate sound waves. In order to manufacture a high-efficiency hot sonic loudspeaker, a material with a low heat capacity that facilitates heat conduction to the surrounding air is required.

다양한 소재 중에서 상기 전도층에 적용된 은나노와이어(AgNW, Ag-Nano-Wire)는 열용량이 낮은 열음파 확성기를 제작하기 유리한 소재로서, 상기 전도성 기판은 이를 적용한 전도층을 통하여 열음파 확성기에 적용하기 유리한 이점을 가질 수 있다. Among various materials, silver nanowire (AgNW, Ag-Nano-Wire) applied to the conductive layer is an advantageous material for manufacturing a hot acoustic loudspeaker with low heat capacity, and the conductive substrate is advantageous to be applied to a hot acoustic loudspeaker through the conductive layer to which it is applied. It can have an advantage.

도 1은 일 구현예에 따른 전도성 기판의 전도층 SEM 사진을 도시한 것이다. 도 1을 참조할 때, 일 구현예에서, 상기 전도층은 상기 은나노와이어의 3차원 망상 구조를 포함할 수 있다. 상기 은나노와이어가 밀도 높은 3차원 망상 구조를 형성함으로써 촘촘한 전도성 네트워크를 구성할 수 있고, 그 결과, 표면 손상 등에 의해 상기 은나노와이어가 끊어진 후에도 소정의 시간 내에 네트워크 회복이 가능할 수 있다. 1 shows a SEM photograph of a conductive layer of a conductive substrate according to an embodiment. Referring to FIG. 1, in one embodiment, the conductive layer may include a three-dimensional network structure of the silver nanowire. The silver nanowires form a dense three-dimensional network structure, thereby constructing a dense conductive network, and as a result, network recovery may be possible within a predetermined time even after the silver nanowires are disconnected due to surface damage or the like.

일 구현예에서, 상기 전도층 중의 상기 은나노와이어는 길이 방향에 수직한 단면의 평균 직경이 약 20nm 내지 약 100nm일 수 있고, 예를 들어, 약 20nm 내지 약 80nm일 수 있고, 예를 들어, 약 20nm 내지 약 60nm일 수 있고, 예를 들어, 약 20nm 내지 약 45nm일 수 있다. In one embodiment, the silver nanowires in the conductive layer may have an average diameter of about 20 nm to about 100 nm in a cross section perpendicular to the length direction, for example, about 20 nm to about 80 nm, for example, about It may be 20 nm to about 60 nm, for example, it may be about 20 nm to about 45 nm.

일 구현예에서, 상기 전도층 중의 상기 은나노와이어는 길이가 약 7㎛ 내지 약 100㎛일 수 있고, 예를 들어, 약 7㎛ 내지 약 80㎛일 수 있고, 예를 들어, 약 7㎛ 내지 약 60㎛일 수 있고, 예를 들어, 약 7㎛ 내지 약 40㎛일 수 있고, 예를 들어, 약 7㎛ 내지 약 35㎛일 수 있고, 예를 들어, 약 7㎛ 내지 약 30㎛일 수 있고, 예를 들어, 약 7㎛ 내지 약 28㎛일 수 있다.In one embodiment, the silver nanowire in the conductive layer may have a length of about 7 μm to about 100 μm, for example, about 7 μm to about 80 μm, for example, about 7 μm to about It may be 60 μm, for example, from about 7 μm to about 40 μm, for example, from about 7 μm to about 35 μm, for example, from about 7 μm to about 30 μm, , For example, it may be about 7 μm to about 28 μm.

상기 은나노와이어가 전술한 길이를 만족하고, 상기 단면의 평균 직경에 상응하는 굵기를 가짐으로써 상기 폴리(우레탄-우레아) 수지가 상기 은나노와이어의 3차원 망상 구조 사이 사이에 침투되어 전체적으로 치밀한 구조를 형성할 수 있고, 적합한 열전도성, 전기전도성 및 자가 치유 성능을 동시에 구현할 수 있다.As the silver nanowire satisfies the above-described length and has a thickness corresponding to the average diameter of the cross section, the poly(urethane-urea) resin penetrates between the three-dimensional network structures of the silver nanowire to form a dense structure as a whole. It can be done, and suitable thermal conductivity, electrical conductivity, and self-healing performance can be realized at the same time.

일 구현예에서, 상기 은나노와이어(AgNW)는 그 표면에 피복층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 피복층은 상기 은나노와이어(AgNW) 가닥 가닥의 표면을 둘러싸는 수지층일 수 있다. 일 구현예에서, 상기 피복층은 중량평균분자량이 약 10 kg/mol 내지 약 100 kg/mol인 수지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 피복층은 폴리비닐피롤리돈(PVP, Polyvinylpyrrolidone) 수지를 포함할 수 있고, 상기 폴리비닐피롤리돈 수지의 중량평균분자량은 약 10 kg/mol 내지 약 100 kg/mol일 수 있다. 상기 피복층을 통하여 상기 은나노와이어(AgNW)와 상기 폴리(우레탄-우레아) 수지를 포함하는 기재 사이의 부착성을 향상시켜 상기 전도성 기판이 우수한 내구성을 구현할 수 있다.In one embodiment, the silver nanowire (AgNW) may include a coating layer on its surface. For example, the coating layer may be a resin layer surrounding the surface of the silver nanowire (AgNW) strand. In one embodiment, the coating layer may include a resin having a weight average molecular weight of about 10 kg/mol to about 100 kg/mol. For example, the coating layer may include a polyvinylpyrrolidone (PVP) resin, and the weight average molecular weight of the polyvinylpyrrolidone resin may be about 10 kg/mol to about 100 kg/mol. . Through the coating layer, adhesion between the silver nanowire (AgNW) and the substrate including the poly(urethane-urea) resin may be improved, so that the conductive substrate may have excellent durability.

다른 구현예에서, 전도성 기판; 및 상기 전도성 기판 상의 전극을 포함하고, 상기 전도성 기판은 수지 기재; 및 상기 수지 기재 상에 코팅된 전도층을 포함하고, 상기 수지 기재가 폴리(우레탄-우레아) 수지를 포함하며, 상기 전도층이 은나노와이어(AgNW, Ag Nano-Wire)를 포함하는, 열음파 확성기를 제공할 수 있다. In another embodiment, a conductive substrate; And an electrode on the conductive substrate, wherein the conductive substrate includes a resin substrate; And a conductive layer coated on the resin substrate, wherein the resin substrate includes a poly(urethane-urea) resin, and the conductive layer includes a silver nanowire (AgNW, Ag Nano-Wire). Can provide.

상기 전도성 기판, 상기 수지 기재 및 상기 전도층에 관한 사항은 모두 전술한 바와 같다. 즉, 상기 열음파 확성기는 상기 폴리(우레탄-우레아) 수지가 적용된 수지 기재 및 상기 은나노와이어가 적용된 전도층을 포함한 전도성 기판을 구성 부품으로 포함함으로써 자가 치유 성능에 기반한 우수한 내구성을 구현할 수 있고, 동시에 음향 효율을 극대화할 수 있다. All of the conductive substrate, the resin substrate, and the conductive layer are as described above. That is, the hot sonic loudspeaker includes a conductive substrate including a resin substrate to which the poly(urethane-urea) resin is applied and a conductive layer to which the silver nanowire is applied as a component, thereby implementing excellent durability based on self-healing performance, and at the same time The sound efficiency can be maximized.

종래의 스피커는 다이어프램(diaphragm)이라는 별도 부속 부품이 필요하며, 이의 진동에 의존하여 소리를 발생시킨다. 이와 달리, 열음파(TA, Thermoacoustic) 확성기를 사용하는 스피커는 다이어프램 없이 주변 공기를 진동시켜 발생하는 열에 의해 소리를 발생시킬 수 있다. 상기 열음파 확성기는 전술한 전도성 기판에 전극 박막을 적용한 단순한 구조를 통하여 열음파 스피커 용도에 최적화된 성능을 구현할 수 있다. A conventional speaker requires a separate accessory component called a diaphragm, and generates sound by relying on its vibration. In contrast, a speaker using a thermoacoustic (TA) loudspeaker can generate sound by heat generated by vibrating the surrounding air without a diaphragm. The hot-sound loudspeaker can implement a performance optimized for a hot-sound speaker through a simple structure in which an electrode thin film is applied to the above-described conductive substrate.

상기 전도성 기판은 상기 열음파 확성기의 용도에 따라 달라질 수 있으나, 최근 음향기기의 박막화 및 유연성이 중요시 되는 점을 고려할 때, 성능 구현을 전제로 한 가능한 최소 두께가 약 40㎛ 이하일 수 있고, 예를 들어, 약 30㎛ 이하일 수 있고, 예를 들어, 약 30㎛ 이하일 수 있고, 예를 들어, 약 15㎛ 내지 약 25㎛일 수 있다. 상기 전도성 기판의 성능 구현 최소 두께가 이와 같은 범위를 만족함으로써 상기 열음파 확성기는 웨어러블(wearable) 장치 등 유연성과 박막화가 요구되는 다양한 소형 기기에 적용 가능할 수 있다. The conductive substrate may vary depending on the use of the hot-sound loudspeaker, but considering the importance of thinning and flexibility of an acoustic device in recent years, the minimum possible thickness on the premise of performance implementation may be about 40 μm or less, for example. For example, it may be about 30 μm or less, for example, about 30 μm or less, and for example, it may be about 15 μm to about 25 μm. Since the minimum thickness for implementing the performance of the conductive substrate satisfies the above range, the hot-sound loudspeaker can be applied to various small devices requiring flexibility and thinness, such as a wearable device.

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로 인해 본 발명이 제한되지 않는다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention are presented. However, the examples described below are only intended to specifically illustrate or describe the present invention, and thus the present invention is not limited.

<실시예 및 비교예><Examples and Comparative Examples>

실시예 1: 전도성 기판의 제조Example 1: Preparation of conductive substrate

(1) 폴리(우레탄-우레아) 수지의 합성(1) Synthesis of poly(urethane-urea) resin

2-부타논(2-butanone) 20mL 중의 N,N'-디-터셔리-부틸에틸렌디아민(N,N'-di-tert-butyl ethylene diamine) 3.00g(17.4mmol) 용액을 2-부타논 10mL 중의 이소포론디이소시아네이트(IPDI, Isophorone diisocyanate) 7.74g(34.8mmol) 용액에 드롭핑 펀넬(dropping funnel)을 이용하여 적하(dropwise) 방식으로 첨가한 후 35℃에서 2시간 동안 교반하였다. 이어서, 2-부타논 50mL 중의 폴리카보네이트 디올(PCD-diol) 27.8g 용액에 교반된 용액을 넣고 70℃에서 1시간, 150℃에서 30분 동안 교반하였다. 이어서, 감압 조건 하에 회전 증발기를 사용하여 반응 혼합물이 농축되었고, 그 결과, 무색 점성의 폴리(우레탄-우레아) 수지가 획득되었다. 상기 폴리(우레탄-우레아) 수지는 상기 화학식 1에서, R1이 펜틸렌이고, R2가 헥실렌이며, R3, R4 및 R5는 메틸기이고, R6는 tert-부틸기이고, n=4.3인 화합물이었다. A solution of 3.00 g (17.4 mmol) of N,N'-di-tert-butyl ethylene diamine (N,N'-di-tert-butyl ethylene diamine) in 20 mL of 2-butanone was added to 2-butanone. A solution of 7.74 g (34.8 mmol) of isophorone diisocyanate (IPDI) in 10 mL was added dropwise using a dropping funnel, followed by stirring at 35° C. for 2 hours. Then, the stirred solution was added to a solution of 27.8 g of polycarbonate diol (PCD-diol) in 50 mL of 2-butanone, followed by stirring at 70° C. for 1 hour and 150° C. for 30 minutes. Then, the reaction mixture was concentrated using a rotary evaporator under reduced pressure conditions, as a result of which a colorless viscous poly(urethane-urea) resin was obtained. The poly(urethane-urea) resin in Formula 1, R 1 is pentylene, R 2 is hexylene, R 3 , R 4 and R 5 are methyl groups, R 6 is tert-butyl group, n It was a compound of =4.3.

(2) 수지 기재의 제조(2) Preparation of resin substrate

상기 (1)에서 획득된 폴리(우레탄-우레아) 수지를 미리 준비된 2.5㎠ X 2.5㎠ 크기의 130㎛ 두께의 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, Polyethylene Naphthalate) 필름 기재에 붓는다. 부어진 폴리(우레탄-우레아) 수지는 잘 펼쳐진 후 상온에서 20분 동안 보관한다. 이어서, 50℃의 오븐에 20분 동안 보관한다. 이어서, 70℃, 100℃ 및 150℃ 각각의 온도에서 40분 (20분 온도 상승 및 20분 온도 유지) 동안 열처리 하여 폴리(우레탄-우레아)수지를 포함하는 80㎛ 두께의 기재를 제조한다. The poly(urethane-urea) resin obtained in (1) is poured onto a 130 µm-thick polyethylene naphthalate (PEN) film base material having a size of 2.5 cm 2 x 2.5 cm 2 prepared in advance. The poured poly(urethane-urea) resin is well spread out and stored at room temperature for 20 minutes. Then, it is stored in an oven at 50° C. for 20 minutes. Subsequently, heat treatment was performed at 70° C., 100° C., and 150° C. for 40 minutes (20 minutes temperature rise and 20 minutes temperature maintenance) to prepare a substrate having a thickness of 80 μm including a poly(urethane-urea) resin.

(3) 전도층의 제조(3) Preparation of conductive layer

상기 (2)에서 제조된 폴리(우레탄-우레아) 수지 기재의 표면을 18W의 RF 전력을 가진 산소 플라즈마를 이용하여 10분 동안 표면 처리한다. 평균 길이가 23㎛이고, 평균 직경 23㎚이며, 표면에 폴리비닐피롤리돈(PVP) 피복층을 갖는 은나노와이어(AgNW)를 0.5wt% 함유한 용액(nandb Coporation) 200㎕를 60초 동안 2000rpm의 스핀속도에서 2번 스핀 코팅하여 전도층을 제조하였다. The surface of the poly(urethane-urea) resin substrate prepared in (2) was surface-treated for 10 minutes using oxygen plasma having an RF power of 18 W. An average length of 23㎛, an average diameter of 23nm, a solution containing 0.5wt% silver nanowire (AgNW) having a polyvinylpyrrolidone (PVP) coating layer on the surface (nandb Corporation) 200 µl for 60 seconds at 2000 rpm. A conductive layer was prepared by spin coating twice at a spin speed.

실시예 2: 열음파 확성기의 제조Example 2: Preparation of a hot sonic loudspeaker

상기 실시예 1의 (2)에서 제조된 폴리(우레탄-우레아) 수지 기재의 표면을 18W의 RF 전력을 가진 산소 플라즈마를 이용하여 10분 동안 표면 처리한다. 상기 기재의 표면에 폴리이미드(PI) 테이프를 붙여 0.1㎠ X 2.5㎠ 면적의 10개 구역으로 분할한다. 그 위에 평균 길이 23㎛, 평균 직경 23㎚의 은나노와이어(AgNW)를 0.5wt% 함유한 용액(nandb Coporation) 200㎕를 60초 동안 2000rpm의 스핀속도에서 2번 스핀 코팅하여 전도층을 제조하였다. 이어서, 수성 은 전도성 코팅제(SUPER SHIELD, MG Chemicals)를 이용하여 0.5㎠ X 7.5㎠ 크기의 구리(Cu) 전극을 양 말단에 부착하고, 2시간 동안 건조시켰다. 이로써 열음파 확성기를 제조하였다. The surface of the poly(urethane-urea) resin substrate prepared in Example 1 (2) was surface-treated for 10 minutes using oxygen plasma having an RF power of 18 W. A polyimide (PI) tape is applied to the surface of the substrate and divided into 10 zones with an area of 0.1 cm 2 x 2.5 cm 2. A conductive layer was prepared by spin coating 200 µl of a solution containing 0.5 wt% of silver nanowires (AgNW) having an average length of 23 μm and an average diameter of 23 nm (nandb Corporation) for 60 seconds at a spin speed of 2000 rpm. Then, a copper (Cu) electrode having a size of 0.5 cm 2 X 7.5 cm 2 was attached to both ends using an aqueous silver conductive coating agent (SUPER SHIELD, MG Chemicals), and dried for 2 hours. This produced a hot sonic loudspeaker.

비교예 1Comparative Example 1

상기 실시예 1에서 폴리(우레탄-우레아) 수지를 포함하는 기재 없이, 상기 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 기재 상에 평균 길이 23㎛, 평균 직경 23㎚의 은나노와이어(AgNW)를 0.5wt% 함유한 용액(nandb Coporation) 200㎕를 60초 동안 2000rpm의 스핀속도에서 2번 스핀 코팅하여 전도층을 제조하였다. In Example 1, a solution containing 0.5 wt% of silver nanowires (AgNW) having an average length of 23 μm and an average diameter of 23 nm on the polyethylene naphthalate (PEN) substrate without a substrate containing a poly(urethane-urea) resin (nandb Coporation) 200 µl was spin-coated twice at a spin speed of 2000 rpm for 60 seconds to prepare a conductive layer.

<평가><Evaluation>

실험예 1: 광투과율 평가Experimental Example 1: Light transmittance evaluation

상기 실시예 1과 같이 제조된 210㎛ 두께의 전도성 기판과 수지 기재 자체에 대하여, 측정 장비(Technologies, Cary 5000 UV-Vis-NIR spectroscopy)를 이용하여 550nm의 광투과율을 측정하였다. 도 2는 그 결과를 나타낸 그래프이다. 도 2를 참조할 때, 상기 수지 기재(Polymer)는 파장 550nm에서 광투과율이 약 85% 이상, 예를 들어, 약 90% 이상, 예를 들어, 약 95% 이상임을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 수지 기재에 상기 전도층까지 형성된 전체 적층 구조의 상기 전도성 기판(Polymer/AgNW)은 파장 550nm에서 광투과율이 약 70% 이상, 예를 들어, 약 75% 이상임을 확인할 수 있었다.For the 210 μm-thick conductive substrate and the resin substrate itself prepared as in Example 1, the light transmittance of 550 nm was measured using a measurement equipment (Technologies, Cary 5000 UV-Vis-NIR spectroscopy). 2 is a graph showing the results. 2, it was confirmed that the resin substrate (Polymer) had a light transmittance of about 85% or more, for example, about 90% or more, for example, about 95% or more at a wavelength of 550 nm. In addition, it was confirmed that the conductive substrate (Polymer/AgNW) of the entire laminated structure formed on the resin substrate to the conductive layer had a light transmittance of about 70% or more, for example, about 75% or more at a wavelength of 550 nm.

실험예 2: 자가 치유 성능 평가Experimental Example 2: Self-healing performance evaluation

상기 실시예 1에서 제조된 전도성 기판에 대하여, 그 표면을 면도날(ST-300, DORCO)을 이용하여 100mN 이하의 힘으로 긁어 도 18에 도시된 바와 같이, 폭 0.75㎛, 깊이 1.00㎛의 스크래치를 주었다. 이어서, 95℃의 온도 및 80%의 상대 습도 조건 하에 배치하여 자가 치유 여부를 확인하였다. With respect to the conductive substrate prepared in Example 1, the surface was scratched with a force of 100 mN or less using a razor blade (ST-300, DORCO), and as shown in FIG. 18, a scratch having a width of 0.75 μm and a depth of 1.00 μm was obtained. gave. Then, it was placed under conditions of a temperature of 95° C. and a relative humidity of 80% to check whether or not self-healing.

도 3은 상기 전도성 기판의 자가 치유 과정을 도식화 한 것이다. 도 3을 참조할 때, 상기 스크래치 가공을 통해 상기 전도성 기판의 폴리(우레탄-우레아) 수지를 포함하는 기재 및 은나노와이어(AgNW)를 포함하는 전도층은 그 일부가 모두 절단되었다가 소정의 환경 하에서 소정의 시간 동안 배치된 후에 다시 결합되어 자가 치유된 것을 확인할 수 있다. 3 is a schematic diagram of the self-healing process of the conductive substrate. 3, the substrate including the poly(urethane-urea) resin of the conductive substrate and the conductive layer including silver nanowires (AgNW) through the scratch processing are partially cut and then under a predetermined environment. After being placed for a predetermined period of time, it can be confirmed that it is recombined and self-healing.

도 4는 상기 실시예 1의 전도성 기판에 대하여 상기 스크래치 가공 후 95℃의 온도 및 80%의 상대 습도 조건 하에서 20분 동안 배치한 후의 광학현미경(OM, Optical Microscope) 사진을 게재한 것이다. 도 4의 (a) 및 (b)를 참조할 때, 상기 실시예 1의 전도성 기판 중의 수지 기재와 은나노와이어(AgNW)는 스크래치 가공으로 끊어졌다가 다시 복구되었음을 확인할 수 있다. 4 shows an optical microscope (OM) photograph of the conductive substrate of Example 1 after the scratch processing was placed for 20 minutes at a temperature of 95° C. and a relative humidity of 80%. 4A and 4B, it can be seen that the resin substrate and silver nanowire (AgNW) in the conductive substrate of Example 1 were broken by scratch processing and then recovered again.

도 5는 상기 스크래치 가공 후 95℃의 온도 및 80%의 상대 습도 조건 하에서 배치한 시간이 지남에 따라 저항 값을 측정한 결과를 그래프로 나타낸 것이다. 도 5의 (a) 및 (b)를 참조할 때, 상기 스크래치 가공에 의하여 은나노와이어(AgNW)가 끊어지기 때문에 저항이 크게 상승하지만, 이후, 95℃의 온도 및 80%의 상대 습도 조건 하에서 배치하는 시간이 지남에 따라 자가 치유 과정이 진행되어 저항 값이 점차 스크래치 공정 이전의 초기 저항 값에 근사한 값으로 회복되는 것을 알 수 있다. 도 5를 참조할 때, 스크래치 가공 이전의 초기 저항 값 Ri와, 상기 표면 스크래치 가공 후 95℃ 온도 및 80% 상대 습도 조건에서 20분 동안 자가 치유된 후의 저항 값 Rf의 비인, Rf/Ri 값이 2.0 이하임을 확인할 수 있다. FIG. 5 is a graph showing the results of measuring resistance values over time after the scratch processing was placed under conditions of a temperature of 95° C. and a relative humidity of 80%. 5A and 5B, since the silver nanowire (AgNW) is broken by the scratch processing, the resistance is greatly increased, but after that, it is placed under conditions of a temperature of 95°C and a relative humidity of 80%. It can be seen that the self-healing process proceeds over time, and the resistance value gradually recovers to a value approximating the initial resistance value before the scratch process. Referring to FIG. 5, the Rf/Ri value, which is the ratio of the initial resistance value Ri before scratch processing and the resistance value Rf after self-healing for 20 minutes at 95°C temperature and 80% relative humidity condition after the surface scratch processing is It can be confirmed that it is 2.0 or less.

도 6은 상기 스크래치 가공을 반복적으로 수행한 후에도 모두 자가 치유가 가능한 결과를 저항 값 회복을 통해 보여준 그래프를 도시한 것이다. 도 6을 참조할 때, 상기 실시예 1의 전도성 기판은 상기 스크래치 가공을 5회 연속적으로 반복한 경우 모두에 대하여, 증가하였던 저항 값이 자가 치유 과정을 통해 회복되었음을 확인할 수 있었다. 6 is a graph showing a result of self-healing through the recovery of resistance values even after repeatedly performing the scratch processing. Referring to FIG. 6, it was confirmed that the increased resistance value of the conductive substrate of Example 1 was recovered through the self-healing process for all cases where the scratch processing was continuously repeated 5 times.

도 7은 상기 실시예 1의 전도성 기판에 대하여 스크래치 가공 후 자가 치유 과정을 LED 램프의 점등을 통하여 간접적으로 보여주는 사진을 도시한 것이다. 도 7의 사진은, 상기 전도성 기판에 스크래치 가공 전에는 LED 램프를 점등시킬 만큼 전기가 흘렀다가, 스크래치 가공 이후 은나노와이어(AgNW)가 끊어지면서 저항 값이 올라가 LED 램프의 점등에 실패하였으나, 95℃ 온도 및 80% 상대 습도 조건에서 20분 동안 자가 치유된 후 다시 LED 램프의 점등에 성공한 것을 위에서부터 순차적으로 보여주고 있다.FIG. 7 is a photograph showing a self-healing process after scratch processing on the conductive substrate of Example 1 through lighting of an LED lamp. The photo of FIG. 7 shows that electricity flowed enough to turn on the LED lamp before scratch processing on the conductive substrate, and after the scratch processing, the silver nanowire (AgNW) was cut off and the resistance value increased and the LED lamp failed to light, but at 95°C. And it is shown sequentially from above that after self-healing for 20 minutes under 80% relative humidity condition, the LED lamps succeeded in lighting again.

도 3 내지 도 7을 참조할 때, 상기 실시예 1의 전도성 기판은 폴리(우레탄-우레아) 수지 기재와 은나노와이어(AgNW)를 포함한 전도층을 함께 적용함으로써 수지 기재 자체뿐만 아니라, 은나노와이어(AgNW) 전도성 네트워크까지 우수한 자가 치유 성능을 구현함을 알 수 있었다.3 to 7, the conductive substrate of Example 1 is a poly(urethane-urea) resin substrate and a conductive layer including silver nanowires (AgNW), and thus not only the resin substrate itself, but also silver nanowires (AgNW). ) It was found that the excellent self-healing performance was realized up to the conductive network.

실험예 3: 부착력 평가Experimental Example 3: Evaluation of adhesion

상기 실시예 1의 전도성 기판에 대하여, 그 표면에 접착 테이프(3M, Scotch Tape)를 1,000회 테이핑(taping)하는 과정에서 저항 값을 측정하여 상기 폴리(우레탄-우레아) 수지를 포함하는 기재와 상기 은나노와이어(AgNW)를 포함하는 전도층 사이의 계면 내구성을 확인하였다. With respect to the conductive substrate of Example 1, a resistance value was measured in the process of taping an adhesive tape (3M, Scotch Tape) 1,000 times on its surface, and the substrate containing the poly(urethane-urea) resin and the The interfacial durability between the conductive layers including silver nanowires (AgNW) was confirmed.

도 8은 테이핑 전후의 상기 전도성 기판의 표면 변화를 나타낸 SEM 사진이다. 도 8을 참조할 때, 상기 전도성 기판 표면 상의 은나노와이어(AgNW)는 1,000회 테이핑 전(a)에 비해 테이핑 후(b)에 살짝 벗겨진 것을 확인할 수 있었다.8 is an SEM photograph showing a change in the surface of the conductive substrate before and after taping. Referring to FIG. 8, it was confirmed that the silver nanowires (AgNW) on the surface of the conductive substrate were slightly peeled off after taping (b) compared to before (a) taping 1,000 times.

도 9는 테이핑 횟수가 증가함에 따라 저항 값의 변화를 나타낸 그래프이다. 도 8을 참조할 때, 상기 전도성 기판의 표면에 대한 테이핑 횟수가 200회에서 1,000회까지 증가함에 따라 저항 값이 점진적으로 조금씩 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 결과적으로, 테이핑 이전의 초기 저항 값 Ri와, 1,000회 테이핑 후의 저항 값 Rx의 비인, Rx/Ri가 3.0 미만인 것을 확인할 수 있었고, 이는 수지 기재에 대한 은나노와이어(AgNW)의 부착 내구성이 우수한 것을 확인할 수 있는 결과였다.9 is a graph showing a change in resistance value as the number of taping increases. Referring to FIG. 8, as the number of taping on the surface of the conductive substrate increased from 200 to 1,000 times, it was confirmed that the resistance value gradually increased little by little. As a result, it was confirmed that Rx/Ri, which is the ratio of the initial resistance value Ri before taping and the resistance value Rx after 1,000 taping, was less than 3.0, which confirmed that the adhesion durability of silver nanowires (AgNW) to the resin substrate was excellent. It was a possible result.

실험예 4: 기계적 물성 평가Experimental Example 4: Evaluation of mechanical properties

상기 실시예 1의 전도성 기판에 대하여 굴곡 시험(Bending test)를 수행하였다. The conductive substrate of Example 1 was subjected to a bending test.

(1) 곡률 반경에 따른 굴곡 시험 결과(1) Results of bending tests according to the radius of curvature

상기 실시예 1과 같이 제조된 총 두께 210㎛의 제1 샘플(Thick Sample)과 총 두께 150㎛ 두께의 제2 샘플(Thin Sample)로 제작하여 준비하였다. 각각의 샘플에 대하여 곡률 반경(Bending radius)을 8mm에서 1.4mm까지 변화시키면서 굴곡 테스트를 수행하였고, 그 결과는 도 10에 도시된 그래프와 같다. 도 10을 참조할 때, 상기 제1 샘플 및 상기 제2 샘플 모두에 대하여 굴곡 전의 초기 저항 값 Ri와 1.4mm의 곡률 반경으로 굴곡시킨 후의 저항 값 Rm의 비인 Rm/Ri 값이 1.5 미만, 예를 들어, 1.3 이하, 예를 들어, 1.2 이하인 것을 확인할 수 있었다. A first sample having a total thickness of 210 µm and a second sample having a total thickness of 150 µm were prepared and prepared as in Example 1 above. For each sample, a bending test was performed while changing a bending radius from 8mm to 1.4mm, and the result is as shown in the graph shown in FIG. 10. Referring to FIG. 10, for both the first sample and the second sample, the Rm/Ri value, which is the ratio of the initial resistance value Ri before bending and the resistance value Rm after bending with a radius of curvature of 1.4mm, is less than 1.5, for example. For example, it was confirmed that it was 1.3 or less, for example, 1.2 or less.

(2) 반복 굴곡에 따른 굴곡 시험 결과(2) Results of bending test according to repeated bending

상기 실시예 1과 같이 제조된 총 두께 210㎛의 전도성 기판에 대하여 곡률 반경 5mm로 10,000회 굴곡 시험을 수행하였다. 그 결과는 도 11에 도시된 그래프와 같다. 도 11을 참조할 때, 굴곡 횟수(Bending Cycles)를 2,000회에서 10,000회까지 증가시키며 저항 값을 측정하였고, 굴곡 전의 초기 저항 값 Ri와 곡률 반경 5mm로 10,000회 굴곡 시킨 후의 저항 값 Rt의 비인 Rt/Ri 값이 2.0 미만, 예를 들어, 1.8 이하인 것을 확인할 수 있었다. A bending test was performed 10,000 times with a radius of curvature of 5 mm on the conductive substrate having a total thickness of 210 μm prepared as in Example 1. The result is the same as the graph shown in FIG. 11. Referring to FIG. 11, the resistance value was measured by increasing the bending cycles from 2,000 to 10,000 times, and Rt, which is the ratio of the initial resistance value Ri before bending and the resistance value Rt after bending 10,000 times with a radius of curvature of 5 mm. It was confirmed that the /Ri value was less than 2.0, for example, 1.8 or less.

도 12는 (a) 굴곡 시험 전, (b) 5mm의 곡률 반경으로 굴곡시킨 후, (c) 5mm의 곡률 반경으로 10,000회 굴곡 시험 완료 후 모두 은나노와이어(AgNW)의 전도성 네트워크가 견고함을 보여주는 사진으로서, 상기 (a), (b) 및 (c) 경우 모두 LED 램프의 점등이 가능한 것을 확인하였다. Figure 12 shows that (a) before the bending test, (b) after bending with a radius of curvature of 5 mm, (c) after completing the bending test 10,000 times with a radius of curvature of 5 mm, all the conductive networks of silver nanowires (AgNW) are robust. As a photograph, it was confirmed that the LED lamps can be turned on in all cases (a), (b) and (c) above.

실험예 5: 열음파 확성 성능 평가Experimental Example 5: Evaluation of hot sonic amplification performance

상기 실시예 2와 같이 제조된 열음파 확성기에 대하여, 열음파 확성 성능을 평가하였다. 도 13은 상기 실시예 2에서 제조된 열음파 확성기 샘플의 사진이다. 상기 샘플의 열음파 확성 원리는 도 14에 도시된 바와 같다. 도 14를 참조할 때, 직류(DC) 및 교류(AC) 전압을 소정의 주파수로 가해주면, 상기 열음파 확성기가 줄-가열(Joule heating)에 의해 열을 발생시킨다. 발생된 열 웨이브(Temperature wave)는 주변 기체 분자(Gas molecules)를 진동시켜 소정의 주파수의 음파(Sound waves)를 생성한다. 도 15는 열음파 확성기에서 방출된 소리의 음압 수준(SPL, Sound Pressure Level)을 측정하기 위한 실험 설정 사진이고, 도 16은 1kHZ에서 20kHZ의 각 주파수 영역의 상기 전도성 기판의 상태별 SPL 그래프를 도시한 것이다. 상기 열음파 확성기 중의 전도성 기판을 스크래치 가공하기 전(Before Scratching), 스크래치 가공한 직후(After scratching), 자가 치유 완료 후(After healing) 시점에서 각각 SPL를 평가하였다. 상기 스크래치 가공 및 자가 치유 환경 조건은 시험예 2와 관련하여 전술한 바와 같다.With respect to the hot-sound loudspeaker manufactured as in Example 2, the hot-sound loudspeaker performance was evaluated. 13 is a photograph of a sample of the hot-sound loudspeaker prepared in Example 2. FIG. The principle of amplifying the hot sound wave of the sample is as shown in FIG. 14. Referring to FIG. 14, when direct current (DC) and alternating current (AC) voltages are applied at a predetermined frequency, the hot acoustic loudspeaker generates heat by Joule heating. The generated temperature wave vibrates surrounding gas molecules to generate sound waves of a predetermined frequency. 15 is a photograph of an experiment setup for measuring the sound pressure level (SPL) of sound emitted from a hot-sound loudspeaker, and FIG. 16 is a SPL graph for each state of the conductive substrate in each frequency range from 1 kHz to 20 kHz. I did it. The SPL was evaluated at the points of before scratching, after scratching, and after self-healing of the conductive substrate in the hot sonic loudspeaker. The scratch processing and self-healing environmental conditions are as described above with respect to Test Example 2.

이 시험은 주변의 소음 신호를 무시할 수 있는 무반향실(anechoic room)에서 수행되었다. 열음파 확성기는 함수 발생기(function generator)에 연결되어 sin 파형으로 전압이 인가된다. 마이크는 상기 열음파 확성기에서 2cm 떨어진 곳에 배치하여 소리를 수집했다. 도 16을 참조할 때, 일반적으로 조용한 방에서 소음 수준이 28dB 내지 33dB 범위인 것을 고려하면, 스크래치 가공 직후에는 생성된 소리가 실질적으로 없다는 것을 알 수 있다. 반면, 자가 치유 과정을 거친 후에는 스크래치 가공 전과 거의 유사한 SPL을 보여주었다.This test was conducted in an anechoic room where the ambient noise signal could be neglected. The hot-sound loudspeaker is connected to a function generator and a voltage is applied in a sin waveform. The microphone was placed 2 cm away from the hot sonic loudspeaker to collect sound. Referring to FIG. 16, considering that the noise level is in the range of 28dB to 33dB in a generally quiet room, it can be seen that there is substantially no sound generated immediately after scratch processing. On the other hand, after going through the self-healing process, it showed almost the same SPL as before scratch processing.

도 17은 위에서부터 순차적으로 상기 열음파 확성기의 전도성 기판을 (a) 스크래치 가공하기 전, (b) 스크래치 가공한 직후, (c) 자가 치유 완료 후의 저항 측정 값을 나타낸 사진이다. 도 17에서도 확인할 수 있는 바와 같이, 스크래치 가공 직후 전도성이 사라졌으나, 자가 치유 과정을 거친 후 스크래치 가공 전의 저항 값(Ri) 대비 2.0배 미만의 저항 값을 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 즉, 상기 전도성 기판을 이용하여 제조된 열음파 확성기의 경우 자가 치유 과정을 통해 전도성 네트워크를 복구하는 성능을 구현함을 명확히 알 수 있었다. FIG. 17 is a photograph showing the resistance measurement values after (a) scratch processing, (b) immediately after scratch processing, and (c) self-healing of the conductive substrates of the hot sonic loudspeaker sequentially from above. As can be seen in FIG. 17, the conductivity disappeared immediately after the scratch processing, but it was confirmed that the resistance value was less than 2.0 times compared to the resistance value (Ri) before the scratch processing after undergoing the self-healing process. That is, in the case of a hot-sound loudspeaker manufactured using the conductive substrate, it can be clearly seen that the ability to restore a conductive network through a self-healing process is realized.

실험예 6: XPS 측정Experimental Example 6: XPS measurement

도 19의 (a) 및 (b)는 각각 상기 실시예 1 및 상기 비교예 1의 전도성 기판에 대한 XPS 데이터를 도시한 것이다. 도 19를 참조할 때, 상기 실시예 1은 상기 비교예 1과 달리 C 1s 피크에서 폴리(우레탄-우레아)로부터 유래된 C-O-(C=0)에 해당하는 피크가 나타남을 확인할 수 있었다. 전술한 실험예 1 내지 5에서 상기 피크가 나타나는 상기 실시예 1의 전도성 기판이 우수한 성능을 구현함을 확인할 수 있었다. 19A and 19B show XPS data for the conductive substrates of Example 1 and Comparative Example 1, respectively. Referring to FIG. 19, it was confirmed that, unlike Comparative Example 1, in Example 1, a peak corresponding to C-O-(C=0) derived from poly(urethane-urea) appeared in the C 1s peak. In Experimental Examples 1 to 5 described above, it was confirmed that the conductive substrate of Example 1, in which the peak appears, implements excellent performance.

상기 실험예에서 알 수 있는 바와 같이, 일 구현예에 따른 상기 전도성 기판은 폴리(우레탄-우레아) 수지 기재 상에 은나노와이어(AgNW)의 전도층을 포함함으로써 투명성 및 유연성과 동시에 견고한 전도성 네트워크를 구현할 수 있다. 이로써, 플렉서블 소자 또는 웨어러블 소자 등에 적용되어 반복적인 굴곡 등에 의하여 은나노와이어(AgNW)의 코팅 전극이 손상된 경우, 초기 저항 값의 2배까지 저항을 치유할 수 있고, 연속적인 손상에도 모두 복구가 가능한 이점을 가질 수 있다. As can be seen from the experimental example, the conductive substrate according to one embodiment includes a conductive layer of silver nanowire (AgNW) on a poly(urethane-urea) resin substrate, thereby implementing a robust conductive network with transparency and flexibility. I can. In this way, when the coated electrode of silver nanowire (AgNW) is damaged by repetitive bending applied to a flexible device or a wearable device, the resistance can be healed up to twice the initial resistance value, and all can be recovered even from continuous damage. Can have.

나아가, 상기 전도성 기판을 적용한 열음파 확성기의 경우, 손상 전후에 모두 50dB 이상의 SPL로 1kHZ에서 20kHZ까지의 소리를 생성할 수 있다. 또한, 상기 열음파 확성기는 기존의 복잡한 구조를 단순화할 수 있고, 박막화 및 소형화 성능을 극대화하여 진보한 유형의 스피커 어플리케이션을 제공할 수 있다. Further, in the case of the hot acoustic loudspeaker to which the conductive substrate is applied, sound from 1 kHz to 20 kHz can be generated with an SPL of 50 dB or more before and after damage. In addition, the hot-sound loudspeaker can simplify an existing complex structure and maximize the performance of thinning and miniaturization to provide an advanced type of speaker application.

Claims (8)

수지 기재; 및 상기 수지 기재 상에 코팅된 전도층을 포함하고,
상기 수지 기재가 폴리(우레탄-우레아) 수지를 포함하며,
상기 전도층이 은나노와이어(AgNW, Ag Nano Wire)를 포함하는,
전도성 기판.
Resin substrate; And a conductive layer coated on the resin substrate,
The resin substrate comprises a poly (urethane-urea) resin,
The conductive layer comprises a silver nanowire (AgNW, Ag Nano Wire),
Conductive substrate.
제1항에 있어서,
상기 폴리(우레탄-우레아) 수지는 하기 화학식 1의 구조를 갖는,
전도성 기판.
[화학식 1]
Figure pat00002

상기 화학식 1에서,
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 알킬렌기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 헤테로알킬렌기, 탄소수 5 내지 30의 치환 또는 비치환된 사이클로알킬렌기, 탄소수 5 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴렌기 중 선택된 하나이고,
상기 R3, R4 및 R5는 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 선형 또는 분지형의 헤테로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 탄소수 5 내지 30의 치환 또는 비치환된 아릴기 중 선택된 하나이고,
상기 R6는 탄소수 3 내지 10의 분지형 알킬기이고,
상기 n는 1 내지 10인,
전도성 기판.
The method of claim 1,
The poly(urethane-urea) resin has the structure of the following formula (1),
Conductive substrate.
[Formula 1]
Figure pat00002

In Chemical Formula 1,
The R 1 and R 2 are each independently a linear or branched alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a linear or branched heteroalkylene group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkylene group having 5 to 30 carbon atoms , Is one selected from a substituted or unsubstituted arylene group having 5 to 30 carbon atoms,
The R 3 , R 4 and R 5 are each independently hydrogen, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a linear or branched heteroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted group having 5 to 30 carbon atoms Is one selected from a cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 5 to 30 carbon atoms,
R 6 is a branched alkyl group having 3 to 10 carbon atoms,
Wherein n is 1 to 10,
Conductive substrate.
제1항에 있어서,
상기 전도층이 상기 은나노와이어의 3차원 망상 구조인,
전도성 기판.
The method of claim 1,
The conductive layer is a three-dimensional network structure of the silver nanowire,
Conductive substrate.
제1항에 있어서,
상기 수지 기재의 550nm의 파장에서 광투과율이 85% 이상이고,
전체 적층 구조의 550nm 파장에서 광투과율이 70% 이상인,
전도성 기판.
The method of claim 1,
The resin substrate has a light transmittance of 85% or more at a wavelength of 550 nm,
Light transmittance of 70% or more at 550nm wavelength of the entire stacked structure,
Conductive substrate.
제1항에 있어서,
초기 저항 값 Ri와,
폭 0.75㎛, 깊이 1.00㎛의 표면 스크래치 가공 후 95℃ 온도 및 80% 상대 습도 조건에서 20분 동안 자가 치유된 후의 저항 값 Rf의 비인,
Rf/Ri 값이 2.0 이하인,
전도성 기판.
The method of claim 1,
With the initial resistance value Ri,
The ratio of the resistance value Rf after self-healing for 20 minutes at 95°C temperature and 80% relative humidity condition after surface scratch processing with a width of 0.75 μm and a depth of 1.00 μm,
Rf/Ri value is 2.0 or less,
Conductive substrate.
제1항에 있어서,
초기 저항 값 Ri와,
곡률 반경 5mm로 10,000회 굴곡 시험 후 저항 값 Rt의 비인,
Rt/Ri 값이 2.0 이하인,
전도성 기판.
The method of claim 1,
With the initial resistance value Ri,
The ratio of the resistance value Rt after 10,000 bending tests with a radius of curvature of 5 mm,
Rt/Ri value is 2.0 or less,
Conductive substrate.
전도성 기판; 및 상기 전도성 기판 상의 전극을 포함하고,
상기 전도성 기판은 수지 기재; 및 상기 수지 기재 상에 코팅된 전도층을 포함하고,
상기 수지 기재가 폴리(우레탄-우레아) 수지를 포함하며,
상기 전도층이 은 나노-와이어(AgNW, Ag Nano-Wire)를 포함하는,
열음파 확성기.
A conductive substrate; And an electrode on the conductive substrate,
The conductive substrate is a resin substrate; And a conductive layer coated on the resin substrate,
The resin substrate comprises a poly (urethane-urea) resin,
The conductive layer comprises a silver nano-wire (AgNW, Ag Nano-Wire),
Hot sonic loudspeaker.
제7항에 있어서,
상기 전도성 기판의 폭 0.75㎛, 깊이 1.00㎛의 표면 스크래치 가공 후 95℃ 온도 및 80% 상대 습도 조건에서 20분 동안 자가 치유된 후의 발생 소리 음압 수준(SPL, Sound Pressure Level)이 1kHZ 내지 20kHZ 전 범위에서 50dB 이상인,
열음파 확성기.
The method of claim 7,
The sound pressure level (SPL, Sound Pressure Level) generated after self-healing for 20 minutes at 95°C temperature and 80% relative humidity conditions after surface scratch processing with a width of 0.75 μm and a depth of 1.00 μm of the conductive substrate ranges from 1 kHz to 20 kHz. More than 50dB at,
Hot sonic loudspeaker.
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