KR20210050093A - Micro LED and Method for Manufacturing Thereof - Google Patents

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KR20210050093A
KR20210050093A KR1020190134253A KR20190134253A KR20210050093A KR 20210050093 A KR20210050093 A KR 20210050093A KR 1020190134253 A KR1020190134253 A KR 1020190134253A KR 20190134253 A KR20190134253 A KR 20190134253A KR 20210050093 A KR20210050093 A KR 20210050093A
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polymer
type semiconductor
semiconductor layer
manufacturing
led
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KR1020190134253A
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김영우
김정현
김진모
문성재
고명진
신현호
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한국광기술원
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Abstract

Disclosed are a micro LED and a method for manufacturing the same. According to one aspect of the present embodiment, a method for manufacturing a flip-chip-type micro LED includes an application process of applying a polymer to a micro LED grown on a temporary substrate, a formation process of forming a via hole on the applied polymer, and a deposition process of depositing an electrode in the formed via hole. The micro LED can have low brittleness and can be manufactured at low cost.

Description

미세 LED 및 그의 제조방법{Micro LED and Method for Manufacturing Thereof}Micro LED and Method for Manufacturing Thereof}

본 발명은 미세 LED 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a fine LED and a method of manufacturing the same.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information on the present embodiment and does not constitute the prior art.

최근 부각되는 디스플레이 기술로서, 마이크로 LED가 있다. 미세 크기의 RGB LED를 이용하여 제작되는 디스플레이 패널로서, 작으면서도 반응속도와 밝기가 높고 저전력을 소모하기 때문에 많은 각광을 받고 있다. 특히, 별도의 금속 와이어나 연결구조 없이 미세 LED의 전극이 직접 회로기판에 전사되는 플립칩(Flip Chip) 형태의 미세 LED가 등장하고 있다.As a display technology that has emerged recently, there is a micro LED. As a display panel manufactured using fine-sized RGB LEDs, it is receiving a lot of attention because it is small, has high response speed, high brightness, and consumes low power. In particular, a flip chip type of micro LED in which the electrode of the micro LED is directly transferred to a circuit board without a separate metal wire or connection structure is emerging.

이와 같은 플립칩 형태의 미세 LED(일 예로, 마이크로 LED)는 도 1a 및 도 1b에 도시되어 있다.Micro LEDs in the form of such a flip chip (for example, micro LEDs) are shown in FIGS. 1A and 1B.

도 1은 종래의 미세 LED를 도시한 도면이다.1 is a view showing a conventional fine LED.

도 1a를 참조하면, 종래의 미세 LED(100)는 n타입 반도체층(110)과 p타입 반도체층(130) 상에 전극(140a, 145a)이 접합되어 있는 형태이다. 다중양자우물(MQW: Multi Quantum Well, 120)층과 p타입 반도체층(130)의 일부분으로 n타입 반도체층(110)이 드러날 정도의 식각이 진행되고, 드러난 n타입 반도체층(110)과 p타입 반도체층(130) 상에 전극(140a, 145a)이 접합된다. 이러한 과정으로 미세 LED(100)가 제조된다. 미세 LED의 전극부분이 (미세 LED를 제어할) 다른 회로에 전사되며 미세 LED가 동작한다.Referring to FIG. 1A, in a conventional micro LED 100, electrodes 140a and 145a are bonded on an n-type semiconductor layer 110 and a p-type semiconductor layer 130. As a part of the multi-quantum well (MQW) layer and the p-type semiconductor layer 130, etching is performed to the extent that the n-type semiconductor layer 110 is exposed, and the exposed n-type semiconductor layer 110 and p The electrodes 140a and 145a are bonded on the type semiconductor layer 130. Through this process, the fine LED 100 is manufactured. The electrode part of the micro LED is transferred to another circuit (which will control the micro LED) and the micro LED operates.

도 1b를 참조하면, 다중양자우물(MQW: Multi Quantum Well, 120)층과 p타입 반도체층(130)의 일부분으로 n타입 반도체층(110)이 드러날 정도의 식각이 진행된 후, 각 층(110 내지 130) 상에 폴리머 층(150)이 도포된다. 그 후, n타입 반도체층(110)과 p타입 반도체층(130)의 상방으로 폴리머 층(150)에 비아홀이 형성되고, 형성된 비아홀로 전극(140b, 145b)이 각각 증착된다. 도 1b에 도시된 미세 LED(100)는 각 층(110) 내지 130)상에 폴리머 층(150)이 추가로 도포된 형태를 갖는다.Referring to FIG. 1B, after etching to the extent that the n-type semiconductor layer 110 is exposed as a part of the multi-quantum well (MQW) 120 and the p-type semiconductor layer 130 is performed, each layer 110 A polymer layer 150 is applied on to 130). Thereafter, via holes are formed in the polymer layer 150 above the n-type semiconductor layer 110 and the p-type semiconductor layer 130, and electrodes 140b and 145b are respectively deposited through the formed via holes. The micro LED 100 shown in FIG. 1B has a form in which a polymer layer 150 is additionally applied on each of the layers 110 to 130.

그러나 이와 같은 종래의 미세 LED(100)는 미세 LED의 제조가 완료되기까지 모두 반도체 제작공정(FAB: Fabrication) 상에서 제조되어야 하는 불편이 존재한다. 종래의 미세 LED(100)는 최종적으로 제조되기까지 반도체 층(110, 130)이나 다중양자우물층(120)이 모두 외부로 드러난 채 제조되기 때문에, 품질의 유지를 위해 반드시 반도체 제작공정상에서 제조가 진행되어야 한다. 그러나 장시간의 반도체 제작공정의 유지는 상당한 비용 소모를 유발하기에, 최종적으로 제조되는 미세 LED의 단가가 높아지는 문제가 발생한다.However, such a conventional micro LED 100 has an inconvenience that must be manufactured in a semiconductor fabrication process (FAB) until the manufacture of the micro LED is completed. Since the conventional micro LED 100 is manufactured with both the semiconductor layers 110 and 130 and the multi-quantum well layer 120 exposed to the outside until it is finally manufactured, it must be manufactured in the semiconductor manufacturing process to maintain quality. Should proceed. However, since maintenance of the semiconductor manufacturing process for a long time causes considerable cost consumption, there is a problem that the unit cost of the finally manufactured micro LED is increased.

또한, 플립칩 형태의 미세 LED(100)가 회로 기판에 전사되는 과정에서 종종 소자의 파손이 발생하는 문제가 있다. 이는 도 1c에 도시되어 있다. In addition, there is a problem that the device is often damaged in the process of transferring the micro LED 100 in the form of a flip chip to a circuit board. This is shown in Fig. 1C.

도 1c를 참조하면, 미세 LED(100)는 높은 취성(Brittleness)을 갖는데, 미세 LED(100)가 회로 기판(170)으로 전사된 후, 미세 LED(100)가 성장한 임시 기판(160)과 미세 LED(100)이 분리된다. 미세 LED(100)는 성장한 임시 기판(160)째로 이동할 수도 있고, 미세 LED(100)의 일 끝단 또는 양 끝단에 앵커(Anhor)가 접합되어 앵커와 함께 이동할 수도 있다. 이러한 상황에서 미세 LED(100)의 모든 부분이 동시에 임시 기판(170)과 분리되는 것이 아니라, 일 부분(도 1c에서는 전극(140))이 먼저 임시 기판(170)으로부터 분리되고 나머지 부분(도 1c에서는 전극(145))이 나중에 분리되는 현상이 발생한다. 이러한 현상은 미세 LED(도 1에서는 n타입 반도체층)에 휘어짐을 유발하여, 미세 LED의 일 부분에 파손(180)이 발생하게 된다. 파손(180)은 미세 LED의 양 끝단에서 발생할 수도 있고, 일부 층이 식각되어 상대적으로 다른 부분에 비해 두께가 얇아진 부분에서 발생할 수도 있다.Referring to FIG. 1C, the fine LED 100 has high brittleness. After the fine LED 100 is transferred to the circuit board 170, the temporary substrate 160 on which the fine LED 100 is grown and the fine The LED 100 is separated. The fine LED 100 may move to the grown temporary substrate 160, or an anchor is bonded to one or both ends of the fine LED 100 to move together with the anchor. In this situation, not all parts of the micro LED 100 are simultaneously separated from the temporary substrate 170, but one part (electrode 140 in FIG. 1C) is first separated from the temporary substrate 170 and the remaining part (FIG. 1C) In a phenomenon in which the electrode 145 is separated later, a phenomenon occurs. This phenomenon causes warping of the fine LED (n-type semiconductor layer in FIG. 1), and a break 180 occurs in a part of the fine LED. The breakage 180 may occur at both ends of the micro LED, or may occur in a portion whose thickness is relatively thinner than that of other portions due to etching of some layers.

본 발명의 일 실시예는, 낮은 취성을 가지며 저가로도 제조될 수 있는 미세 LED 및 그의 제조방법을 제공하는 데 일 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a fine LED and a method of manufacturing the same, which has low brittleness and can be manufactured at low cost.

본 발명의 일 측면에 의하면, 플립칩(Flip Chip) 타입의 미세 LED 제조방법에 있어서, 임시기판 상에 성장한 미세 LED에 폴리머를 도포하는 도포과정과 도포된 폴리머 상에 비아홀을 형성하는 형성과정 및 형성된 비아홀에 전극을 증착하는 증착과정을 포함하는 미세 LED 제조방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, in a method of manufacturing a micro LED of a flip chip type, a coating process of applying a polymer to a micro LED grown on a temporary substrate, a forming process of forming a via hole on the applied polymer, and It provides a method of manufacturing a fine LED including a deposition process of depositing an electrode in the formed via hole.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 폴리머는 단단하게 경화되는 성질을 갖는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the polymer is characterized in that it has a property to harden.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 폴리머는 폴리미드(Polymide), 유기물, 에폭시 또는 실리콘인 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the polymer is characterized in that it is polymide, organic material, epoxy or silicone.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 폴리머는 상기 미세 LED의 상부뿐만 아니라 양 측면에도 함께 도포되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the polymer is characterized in that it is applied to both sides as well as the upper portion of the fine LED.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 폴리머는 감광특성을 갖는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the polymer is characterized in that it has a photosensitive property.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 비아홀은 상기 폴리머에 포토 리소그라피(Photo Lithography)가 수행됨으로써 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the via hole is formed by performing photo lithography on the polymer.

본 발명의 일 측면에 의하면, 전술한 방법에 따라 제조되는 미세 LED를 제공한다.According to an aspect of the present invention, it provides a fine LED manufactured according to the above-described method.

본 발명의 일 측면에 의하면, 플립칩(Flip Chip) 타입의 미세 LED 제조방법에 있어서, 임시 기판 상에 버퍼층, n타입 반도체층, 다중양자우물층 및 p타입 반도체층을 성장시키는 성장과정과 다중양자우물층 및 p타입 반도체층 일부를 식각하는 식각과정과 상기 임시 기판 상에 성장한 모든 층에 폴리머를 도포하는 도포과정과 도포된 폴리머 상에 비아홀을 형성하는 형성과정 및 형성된 비아홀에 전극을 증착하는 증착과정을 포함하는 미세 LED 제조방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, in a method of manufacturing a micro LED of a flip chip type, a growth process of growing a buffer layer, an n-type semiconductor layer, a multiple quantum well layer, and a p-type semiconductor layer on a temporary substrate and multiplex The etching process of etching a part of the quantum well layer and the p-type semiconductor layer, the coating process of applying a polymer to all the layers grown on the temporary substrate, the formation process of forming a via hole on the applied polymer, and depositing an electrode in the formed via hole. It provides a method of manufacturing a fine LED including the deposition process.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 폴리머는 폴리미드(Polymide), 유기물, 에폭시 또는 실리콘인 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the polymer is characterized in that it is polymide, organic material, epoxy or silicone.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 폴리머는 상기 미세 LED의 상부뿐만 아니라 양 측면에도 함께 도포되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the polymer is characterized in that it is applied to both sides as well as the upper portion of the fine LED.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 폴리머는 감광특성을 갖는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the polymer is characterized in that it has a photosensitive property.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 비아홀은 상기 n타입 반도체층 및 p타입 반도체층의 상방으로 폴리머 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the via hole is formed on the polymer above the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 전극은 상기 비아홀에 의해 각각 상기 n타입 반도체층 및 p타입 반도체층과 연결되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the electrode is connected to the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, respectively, by the via hole.

본 발명의 일 측면에 의하면, 전술한 방법에 따라 제조되는 미세 LED를 제공한다.According to an aspect of the present invention, it provides a fine LED manufactured according to the above-described method.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 측면에 따르면, 제조되는 미세 LED의 취성이 낮아 파손확률이 현저히 감소하며, 저가로 제조될 수 있는 장점이 있다.As described above, according to an aspect of the present invention, there is an advantage in that the fabrication of the fine LED has a low brittleness and thus the probability of damage is significantly reduced, and can be manufactured at low cost.

도 1은 종래의 미세 LED를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 임시기판에 버퍼층이 성장하는 공정을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 버퍼층 상에 n타입 반도체층이 성장하는 공정을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 n타입 반도체층 상에 다중양자우물층이 성장하는 공정을 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 다중양자우물층 상에 p타입 반도체층이 성장하는 공정을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 다중양자우물층 및 p타입 반도체층의 일부가 식각되는 공정을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 임시기판 상으로 폴리머를 도포하는 공정을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머에 비아홀을 형성하는 공정을 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 비아홀에 전극을 증착하는 공정을 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 임시 기판을 미세 LED의 크기에 따라 다이싱하는 공정을 도시한 도면이다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 LED가 회로기판으로 전사되며 임시기판이 분리된 모습을 도시한 도면이다.
도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 LED가 회로기판으로 전사되는 모습을 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 LED를 제조하는 방법을 도시한 순서도이다.
도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 미세 LED를 제조하는 방법을 도시한 순서도이다.1 is a view showing a conventional fine LED.
2 is a diagram illustrating a process of growing a buffer layer on a temporary substrate according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a process of growing an n-type semiconductor layer on a buffer layer according to an embodiment of the present invention.
4 is a diagram illustrating a process of growing a multi-quantum well layer on an n-type semiconductor layer according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a process of growing a p-type semiconductor layer on a multi-quantum well layer according to an embodiment of the present invention.
6 is a diagram illustrating a process of etching a part of a multi-quantum well layer and a p-type semiconductor layer according to an embodiment of the present invention.
7 is a diagram illustrating a process of applying a polymer onto a temporary substrate according to an embodiment of the present invention.
8 is a diagram illustrating a process of forming a via hole in a polymer according to an embodiment of the present invention.
9 is a diagram illustrating a process of depositing an electrode in a via hole according to an embodiment of the present invention.
10 is a diagram illustrating a process of dicing a temporary substrate according to the size of a fine LED according to an embodiment of the present invention.
11A is a diagram illustrating a state in which a micro LED according to an embodiment of the present invention is transferred to a circuit board and a temporary board is separated.
11B is a diagram illustrating a state in which a micro LED according to an embodiment of the present invention is transferred to a circuit board.
12 is a flow chart showing a method of manufacturing a fine LED according to an embodiment of the present invention.
13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a micro LED according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.In the present invention, various changes may be made and various embodiments may be provided, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it should be understood to include all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each drawing, similar reference numerals have been used for similar elements.

제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms such as first, second, A, and B may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be referred to as a second element, and similarly, a second element may be referred to as a first element. The term and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에서, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in the middle. It should be. On the other hand, when a component is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present application, terms such as "comprise" or "have" should be understood as not precluding the possibility of existence or addition of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification. .

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.Unless otherwise defined, all terms including technical or scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. Does not.

또한, 본 발명의 각 실시예에 포함된 각 구성, 과정, 공정 또는 방법 등은 기술적으로 상호간 모순되지 않는 범위 내에서 공유될 수 있다.In addition, each configuration, process, process, or method included in each embodiment of the present invention may be shared within a range not technically contradictory to each other.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 임시기판에 버퍼층이 성장하는 공정을 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a process of growing a buffer layer on a temporary substrate according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 임시기판(210) 상으로 버퍼층(220)이 성장한다. Referring to FIG. 2, a buffer layer 220 is grown on the temporary substrate 210.

임시기판(210)은 미세 LED(1010, 도 10을 참조하여 후술)가 제조되기 위한 공간을 제공하며, 미세 LED가 제조되어 회로기판(170)으로 전사되는 경우 미세 LED로부터 분리된다. 임시기판(210)은 통상적으로 사파이어 기판(Al2O3)이 사용되나 이에 한정되는 것은 아니고, 미세 LED를 제조할 수 있는 기판이라면 어떠한 기판이 사용되어도 무방하다.The temporary substrate 210 provides a space for manufacturing a fine LED 1010 (to be described later with reference to FIG. 10 ), and is separated from the fine LED when the fine LED is manufactured and transferred to the circuit board 170. The temporary substrate 210 is typically a sapphire substrate (Al 2 O 3 ), but is not limited thereto, and any substrate may be used as long as it is a substrate capable of manufacturing a fine LED.

버퍼층(220)은 미세 LED가 최종적으로 제조된 후, 미세 LED와 임시기판(210)이 분리될 수 있도록 한다. 버퍼층(220)은 LLO(Laser Lift Off) 또는 CLO(Chemical Lift Off)방식으로 제거될 수 있는 성분(예를 들어, 도핑되지 않은 GaN)으로 구현되어, 임시기판(210)에서 제조된 미세 LED가 회로기판(170)으로 전사된 후 임시 기판(210)과 미세 LED가 분리될 수 있도록 한다.The buffer layer 220 allows the micro LED and the temporary substrate 210 to be separated after the micro LED is finally manufactured. The buffer layer 220 is implemented with a component that can be removed by LLO (Laser Lift Off) or CLO (Chemical Lift Off) method (for example, undoped GaN), so that the fine LED manufactured on the temporary substrate 210 is After being transferred to the circuit board 170, the temporary board 210 and the fine LED can be separated.

버퍼층(220)은 n타입 반도체층(110, 도 3을 참조하여 후술)의 길이만큼 또는 그 이상의 길이를 가져 n타입 반도체층(110)이 성장할 수 있도록 한다. 또한, 각 버퍼층(220)은 임시기판(210) 상에 일정 간격을 가지며 성장함으로써, 미세 LED가 제조된 후 온전히 다이싱될 수 있도록 한다.The buffer layer 220 has a length equal to or longer than the length of the n-type semiconductor layer 110 (described later with reference to FIG. 3) so that the n-type semiconductor layer 110 can grow. In addition, each buffer layer 220 grows at a predetermined interval on the temporary substrate 210 so that it can be completely diced after the fine LED is manufactured.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 버퍼층 상에 n타입 반도체층이 성장하는 공정을 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 n타입 반도체층 상에 다중양자우물층이 성장하는 공정을 도시한 도면이며, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 다중양자우물층 상에 p타입 반도체층이 성장하는 공정을 도시한 도면이다.3 is a diagram showing a process of growing an n-type semiconductor layer on a buffer layer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a multi-quantum well layer on the n-type semiconductor layer according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram illustrating a growing process, and FIG. 5 is a diagram illustrating a process of growing a p-type semiconductor layer on a multi-quantum well layer according to an embodiment of the present invention.

도 3 내지 5를 참조하면, 버퍼층(220) 상으로 n타입 반도체층(110), 다중양자우물층(120) 및 p타입 반도체층(130)이 순차적으로 성장한다.3 to 5, an n-type semiconductor layer 110, a multi-quantum well layer 120, and a p-type semiconductor layer 130 are sequentially grown on the buffer layer 220.

n타입 반도체층(110)은 n형 도펀트가 도핑된 반도체 물질로 구성되고, p타입 반도체층(130)은 p형 도펀트가 도핑된 반도체 물질로 구성된다. 각 반도체층(110, 130)은 GaN으로 구현될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, GaAs, GaInP 또는 InP로 구현될 수도 있고 각 성분에 Al이 추가로 포함될 수도 있다.The n-type semiconductor layer 110 is made of a semiconductor material doped with an n-type dopant, and the p-type semiconductor layer 130 is made of a semiconductor material doped with a p-type dopant. Each of the semiconductor layers 110 and 130 may be implemented with GaN, but is not limited thereto, and may be implemented with GaAs, GaInP, or InP, or Al may be additionally included in each component.

다중양자우물층(120)은 n타입 반도체층(110)에서 생성된 전자와 p타입 반도체층(130)에서 생성된 정공이 만나 재결합하는 층으로서, 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 생성된다. 다중양자우물층(120)은 AlGaInP/AlGaInP, AlGaInP/AlInP, AlGaAs/AlGaAs, AlGaAs/GaAs 또는 AlGaAs/InGaAs 등으로 구현될 수 있다.The multiple quantum well layer 120 is a layer in which electrons generated in the n-type semiconductor layer 110 and holes generated in the p-type semiconductor layer 130 meet and recombine, and light is generated by recombination of electrons and holes. The multi-quantum well layer 120 may be implemented with AlGaInP/AlGaInP, AlGaInP/AlInP, AlGaAs/AlGaAs, AlGaAs/GaAs, or AlGaAs/InGaAs.

버퍼층(220) 상에 전술한 n타입 반도체층(110), 다중양자우물층(120) 및 p타입 반도체층(130)이 순차적으로 성장한다.On the buffer layer 220, the n-type semiconductor layer 110, the multi-quantum well layer 120, and the p-type semiconductor layer 130 are sequentially grown.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 다중양자우물층 및 p타입 반도체층의 일부가 식각되는 공정을 도시한 도면이다.6 is a diagram illustrating a process of etching a part of a multi-quantum well layer and a p-type semiconductor layer according to an embodiment of the present invention.

n타입 반도체층(110), 다중양자우물층(120) 및 p타입 반도체층(130)이 버퍼층(220) 상에 성장한 후, p타입 반도체층(130) 및 다중양자우물층(120)의 일 면적(610, 620)이 식각된다. 식각은 n타입 반도체층(110)이 드러날 때까지 진행된다. n타입 반도체층(110)과 p타입 반도체층(130)은 각각 전극과 연결되어야 하기에, n타입 반도체층(110)이 드러날 때까지 p타입 반도체층(130) 및 다중양자우물층(120)의 일 면적(610, 620)에 식각이 진행된다. 이에 따라, n타입 반도체층(110)의 일부가 상부로 드러나게 된다.After the n-type semiconductor layer 110, the multiple quantum well layer 120, and the p-type semiconductor layer 130 are grown on the buffer layer 220, the work of the p-type semiconductor layer 130 and the multiple quantum well layer 120 Areas 610 and 620 are etched. Etching is performed until the n-type semiconductor layer 110 is exposed. Since the n-type semiconductor layer 110 and the p-type semiconductor layer 130 must be connected to an electrode, respectively, the p-type semiconductor layer 130 and the multi-quantum well layer 120 until the n-type semiconductor layer 110 is exposed. Etching is performed on one area 610 and 620 of. Accordingly, a part of the n-type semiconductor layer 110 is exposed to the top.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 임시기판 상으로 폴리머를 도포하는 공정을 도시한 도면이다.7 is a diagram illustrating a process of applying a polymer onto a temporary substrate according to an embodiment of the present invention.

p타입 반도체층(130) 및 다중양자우물층(120)에 식각이 진행된 후, 임시기판(210) 상으로 폴리머(710)가 도포된다. After etching is performed on the p-type semiconductor layer 130 and the multi-quantum well layer 120, a polymer 710 is applied onto the temporary substrate 210.

폴리머(710)는 단단하게 경화되는 성질을 가져, 임시기판(210)에 성장한 각 층(110 내지 130 및 210)이 외력을 받거나 외부로 드러나는 것을 방지한다. 폴리머(710)는 단단하게 경화될 수 있는 물질이면 어떠한 것으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 폴리미드(Polymide), 유기물, 에폭시 또는 실리콘으로 구현될 수 있고, 코팅소재나 프린팅 소재 어떠한 것이라도 사용될 수 있다. 특히, 유기물은 기 설정된 기준치 이상의 탄성을 갖기 때문에, 폴리머(710)가 유기물로 구현될 경우 추후 공정(후술할 회로 기판으로의 전사공정)에서 미세 LED 전체에 휘어짐이 발생하더라도 폴리머(710)가 이를 탄성으로 완화할 수 있다. 휘어짐이 폴리머(710)에 의해 완화되기 때문에, 미세 LED가 휘어짐으로 인한 파손이 최소화될 수 있다.The polymer 710 has a hardening property, and prevents each of the layers 110 to 130 and 210 grown on the temporary substrate 210 from receiving an external force or being exposed to the outside. The polymer 710 may be implemented with any material that can be hardly cured, for example, polymide, organic material, epoxy or silicone, and any coating material or printing material may be used. I can. In particular, since the organic material has elasticity greater than or equal to a preset reference value, when the polymer 710 is implemented as an organic material, even if the entire micro LED is warped in a later process (transfer process to a circuit board to be described later), the polymer 710 does this. It can be relieved with elasticity. Since the curvature is alleviated by the polymer 710, damage due to the curvature of the fine LED can be minimized.

폴리머(710)는 임시기판(210)의 모든 부분으로 도포된다. 이에 따라, 폴리머(710)는 p타입 반도체층(130)의 상단에만 도포되는 것이 아니라, 각 층의 양 측면에까지 모두 도포된다. 폴리머(710)가 임시기판(210)의 모든 부분으로 도포됨으로써 다음과 같은 효과를 불러올 수 있다. 먼저, 폴리머(710)가 이처럼 도포되므로, 미세 LED를 구성하는 각 층은 외부 환경과의 접촉이 차단된다. 외부 환경과 접촉이 차단되기 때문에, 폴리머(710)가 도포된 이후의 공정은 더 이상 반도체 제작공정상으로 진행되지 않아도 무방하여 미세 LED의 제조 단가가 저렴해질 수 있다. 또한, 회로기판으로의 전사 후 미세 LED와 임시 기판(210)이 분리되는 과정에서 미세 LED에 휘어짐이 발생하더라도, 미세 LED의 양 측면에도 폴리머(710)가 존재하기에 미세 LED가 파손되는 문제가 발생하지 않는다. The polymer 710 is applied to all portions of the temporary substrate 210. Accordingly, the polymer 710 is not applied only to the top of the p-type semiconductor layer 130, but is applied to both sides of each layer. Since the polymer 710 is applied to all portions of the temporary substrate 210, the following effects can be brought about. First, since the polymer 710 is applied in this way, each layer constituting the fine LED is blocked from contact with the external environment. Since the contact with the external environment is blocked, the process after the polymer 710 is applied may no longer proceed to the semiconductor manufacturing process, and thus the manufacturing cost of the micro LED may be reduced. In addition, even if the micro LED is bent in the process of separating the micro LED and the temporary substrate 210 after transfer to the circuit board, the polymer 710 is present on both sides of the micro LED, so the micro LED is damaged Does not occur.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리머에 비아홀을 형성하는 공정을 도시한 도면이다.8 is a diagram illustrating a process of forming a via hole in a polymer according to an embodiment of the present invention.

폴리머(710)가 임시기판(210) 상으로 도포되어 경화된 후, 폴리머(710)에 각각 비아홀(810, 820)을 형성한다.After the polymer 710 is applied and cured on the temporary substrate 210, via holes 810 and 820 are formed in the polymer 710, respectively.

비아홀(810, 820)은 폴리머(710) 상에 식각되어 상부가 드러난 n타입 반도체층(110)의 부분과 p타입 반도체층(130) 상방으로 형성된다. 전극이 n타입 반도체층(110)과 p타입 반도체층(130)에 각각 연결될 수 있도록, 비아홀(810, 820)은 각 반도체층의 상부와 연결될 수 있는 위치에 형성된다. 비아홀(810, 820)은 인쇄공정 또는 웹 프로세스를 거치며 형성되기 때문에, 별도의 반도체 제작공정없이 간단하게 형성될 수 있다. The via holes 810 and 820 are formed on the polymer 710 and above the n-type semiconductor layer 110 and the p-type semiconductor layer 130 that are exposed on the upper portion of the polymer 710. Via holes 810 and 820 are formed at positions that can be connected to the top of each semiconductor layer so that the electrodes can be connected to the n-type semiconductor layer 110 and the p-type semiconductor layer 130, respectively. Since the via holes 810 and 820 are formed through a printing process or a web process, they can be simply formed without a separate semiconductor manufacturing process.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 비아홀에 전극을 증착하는 공정을 도시한 도면이다.9 is a diagram illustrating a process of depositing an electrode in a via hole according to an embodiment of the present invention.

전극(910, 920)은 형성된 비아홀(810, 820)에 증착된다. 전극(910, 920)은 각 비아홀(810, 820)에 전극을 형성하는 물질이 충진되거나, 도금방식으로 전극(910, 920)이 비아홀(810, 820)에 형성되거나, 전극을 형성하는 물질이 충진되며 형성될 수 있다. 이에 따라, 각 반도체층(110, 130)과 연결되는 전극(910, 920)이 형성된다. The electrodes 910 and 920 are deposited in the formed via holes 810 and 820. In the electrodes 910 and 920, a material forming an electrode is filled in each of the via holes 810 and 820, the electrodes 910 and 920 are formed in the via holes 810 and 820 by a plating method, or a material forming the electrode is formed. Filled and can be formed. Accordingly, electrodes 910 and 920 connected to the respective semiconductor layers 110 and 130 are formed.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 임시 기판을 미세 LED의 크기에 따라 다이싱하는 공정을 도시한 도면이다.10 is a diagram illustrating a process of dicing a temporary substrate according to the size of a fine LED according to an embodiment of the present invention.

전극(910, 920)이 형성된 후, 임시 기판은 다이싱된다. 임시 기판(210) 상으로 미세 LED(1010, 1020)에 필요한 모든 구성이 형성되었기 때문에, 임시 기판(210)에는 미세 LED(1010, 1020)가 가져야할 길이 간격으로 다이싱이 수행된다. 애초에 임시 기판(210) 상에 버퍼층(220)이 성장함에 있어 각 버퍼층(220)이 일정한 간격을 갖은 채 성장하였기 때문에, 다이싱이 원활히 수행될 수 있고, 미세 LED(1010, 1020)이 다이싱에 따른 피해없이 온전히 제조될 수 있다. 다이싱 공정에 따라, 복수의 미세 LED(1010, 1020)들이 일시에 제조된다.After the electrodes 910 and 920 are formed, the temporary substrate is diced. Since all components necessary for the fine LEDs 1010 and 1020 have been formed on the temporary substrate 210, dicing is performed on the temporary substrate 210 at length intervals that the fine LEDs 1010 and 1020 should have. In the beginning, when the buffer layer 220 is grown on the temporary substrate 210, since each buffer layer 220 has grown with a certain interval, dicing can be performed smoothly, and the fine LEDs 1010 and 1020 are diced. It can be manufactured intact without any damage caused by it. According to the dicing process, a plurality of fine LEDs 1010 and 1020 are manufactured at the same time.

도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 LED가 회로기판으로 전사되며 임시기판이 분리된 모습을 도시한 도면이다.11A is a diagram illustrating a state in which a micro LED is transferred to a circuit board and a temporary board is separated according to an embodiment of the present invention.

다이싱 공정을 거쳐 제조된 미세 LED들은 회로 기판으로 전사되고, 전사 후 버퍼층이 LLO 또는 CLO 공정을 거치며 제거되면서 미세 LED(1110, 1120)와 임시기판(210)은 분리된다. 분리 시, 미세 LED(1110, 1120)에는 폴리머(710)가 전체적으로 형성되어 있기 때문에 미세 LED 소자가 취성으로 인해 파손되는 문제의 발생이 최소화된다.The micro LEDs manufactured through the dicing process are transferred to the circuit board, and after the transfer, the buffer layer is removed through the LLO or CLO process, so that the micro LEDs 1110 and 1120 and the temporary substrate 210 are separated. When separating, since the polymer 710 is entirely formed in the fine LEDs 1110 and 1120, the occurrence of a problem in which the fine LED element is damaged due to brittleness is minimized.

도 11b는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 LED가 회로기판으로 전사되는 모습을 도시한 도면이다.11B is a diagram illustrating a state in which a micro LED according to an embodiment of the present invention is transferred to a circuit board.

본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 미세 LED(1110, 1120)들에도 임시 기판(210)으로부터 회로 기판(170)으로 전사되는 과정에서 휘어짐이 발생할 수 있다. 그러나 미세 LED(1110, 1120)는 상부 뿐만 아니라 양 측면까지 모두 폴리머(710)로 덮여 있어, 휘어짐은 모두 폴리머(710)에 작용하게 된다. 이에 미세 LED(1110, 1120)는 전사 과정에서 휘어짐이 발생하더라도, 미세 LED에 작용하는 물리적 영향을 최소화할 수 있다.Even in the fine LEDs 1110 and 1120 manufactured according to an embodiment of the present invention, warpage may occur in the process of being transferred from the temporary substrate 210 to the circuit board 170. However, since the fine LEDs 1110 and 1120 are covered with the polymer 710 not only on the upper side but also on both sides, all the bending acts on the polymer 710. Accordingly, even if the micro LEDs 1110 and 1120 are warped during the transfer process, the physical influence acting on the micro LEDs can be minimized.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 미세 LED를 제조하는 방법을 도시한 순서도이다.12 is a flow chart showing a method of manufacturing a fine LED according to an embodiment of the present invention.

임시 기판(210)상에 성장한 미세 LED에 폴리머(710)를 도포한다(S1210). 폴리머(710)는 미세 LED의 상부 뿐만 아니라 양 측면에도 도포될 수 있도록, 임시기판(210)의 모든 부분으로 도포된다. A polymer 710 is applied to the micro LEDs grown on the temporary substrate 210 (S1210). The polymer 710 is applied to all portions of the temporary substrate 210 so that it can be applied to both sides as well as the top of the micro LED.

도포된 폴리머(710) 상에 비아홀이 형성된다(S1220). 폴리머가 도포된 미세 LED와 전극이 연결될 수 있도록 폴리머(710)에 비아홀(810, 820)이 형성된다.A via hole is formed on the applied polymer 710 (S1220). Via holes 810 and 820 are formed in the polymer 710 so that the polymer-coated micro LED and the electrode can be connected.

형성된 비아홀에 전극이 증착된다(S1230).An electrode is deposited in the formed via hole (S1230).

도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 미세 LED를 제조하는 방법을 도시한 순서도이다.13 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a micro LED according to another embodiment of the present invention.

임시 기판(210)상에 버퍼층(220), n타입 반도체층(110), 다중양자우물층(120) 및 p타입 반도체층(130)이 성장한다(S1310).A buffer layer 220, an n-type semiconductor layer 110, a multi-quantum well layer 120, and a p-type semiconductor layer 130 are grown on the temporary substrate 210 (S1310).

다중양자우물층(120) 및 p타입 반도체층(130)의 일부분이 식각된다(S1320).Part of the multi-quantum well layer 120 and the p-type semiconductor layer 130 are etched (S1320).

임시 기판(210)상에 성장한 모든 층에 폴리머를 도포한다(S1330). 폴리머(710)는 모든 층의 전부분에 도포될 수 있도록, 임시기판(210)의 모든 부분으로 도포된다. A polymer is applied to all the layers grown on the temporary substrate 210 (S1330). The polymer 710 is applied to all parts of the temporary substrate 210 so that the polymer 710 can be applied to all parts of all layers.

n타입 반도체층(110) 및 p타입 반도체층(130)의 상방으로 폴리머 상에 비아홀이 형성된다(S1340).Via holes are formed on the polymer above the n-type semiconductor layer 110 and the p-type semiconductor layer 130 (S1340).

형성된 비아홀에 전극이 증착된다(S1350).An electrode is deposited in the formed via hole (S1350).

도 2 내지 13을 참조하여 설명한 모든 공정은 미세 LED 제조장치에 의해 동작한다. 미세 LED 제조장치는 장치 내에서 모든 공정을 수행할 수도 있고, 복수의 모듈 또는 장치로 구비되어 각각의 공정을 각 모듈 또는 장치가 분리하여 수행할 수도 있다.All processes described with reference to FIGS. 2 to 13 are operated by a micro LED manufacturing apparatus. The micro LED manufacturing apparatus may perform all processes within the device, or may be provided with a plurality of modules or devices, and each module or device may perform each process separately.

도 12 및 13에서는 각각의 과정을 순차적으로 실행하는 것으로 기재하고 있으나, 이는 본 발명의 일 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것이다. 다시 말해, 본 발명의 일 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 일 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 각각의 도면에 기재된 과정의 순서를 변경하여 실행하거나 과정 중 하나 이상의 과정을 병렬적으로 실행하는 것으로 다양하게 수정 및 변형하여 적용 가능할 것이므로, 도 12 및 13은 시계열적인 순서로 한정되는 것은 아니다.12 and 13 describe that each process is sequentially executed, but this is merely illustrative of the technical idea of an embodiment of the present invention. In other words, a person of ordinary skill in the art to which an embodiment of the present invention belongs can change the order of the processes described in each drawing without departing from the essential characteristics of the embodiment of the present invention, or perform one or more of the processes. Since the process is executed in parallel and may be applied by various modifications and modifications, FIGS. 12 and 13 are not limited to a time series order.

한편, 도 12 및 13에 도시된 과정들은 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 즉, 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 마그네틱 저장매체(예를 들면, 롬, 플로피 디스크, 하드디스크 등), 광학적 판독 매체(예를 들면, 시디롬, 디브이디 등) 및 캐리어 웨이브(예를 들면, 인터넷을 통한 전송)와 같은 저장매체를 포함한다. 또한 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다.Meanwhile, the processes shown in FIGS. 12 and 13 can be implemented as computer-readable codes on a computer-readable recording medium. The computer-readable recording medium includes all types of recording devices that store data that can be read by a computer system. That is, the computer-readable recording medium is a magnetic storage medium (e.g., ROM, floppy disk, hard disk, etc.), optical reading medium (e.g., CD-ROM, DVD, etc.), and carrier wave (e.g., Internet It includes a storage medium such as (transmitted through). In addition, the computer-readable recording medium can be distributed over a computer system connected through a network to store and execute computer-readable codes in a distributed manner.

이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present embodiment, and those of ordinary skill in the technical field to which the present embodiment belongs will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of this embodiment. Accordingly, the present embodiments are not intended to limit the technical idea of the present embodiment, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present embodiment is not limited by these embodiments. The scope of protection of this embodiment should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present embodiment.

100: 종래의 미세 LED
110: n타입 반도체층
120: 다중양자우물층
130: n타입 반도체층
140, 145: 전극
150, 710: 폴리머층
210: 임시 기판
220: 버퍼층
810, 820: 비아홀
910, 920: 전극
1010, 1020, 1110, 1120: 미세 LED100: conventional fine LED
110: n-type semiconductor layer
120: multiple quantum well layer
130: n-type semiconductor layer
140, 145: electrode
150, 710: polymer layer
210: temporary substrate
220: buffer layer
810, 820: via hole
910, 920: electrode
1010, 1020, 1110, 1120: fine LED

Claims (14)

플립칩(Flip Chip) 타입의 미세 LED 제조방법에 있어서,
임시기판 상에 성장한 미세 LED에 폴리머를 도포하는 도포과정;
도포된 폴리머 상에 비아홀을 형성하는 형성과정; 및
형성된 비아홀에 전극을 증착하는 증착과정
을 포함하는 미세 LED 제조방법.In the flip chip type micro LED manufacturing method,
A coating process of applying a polymer to the micro LEDs grown on the temporary substrate;
Forming a via hole on the applied polymer; And
Deposition process of depositing an electrode in the formed via hole
Fine LED manufacturing method comprising a. 제1항에 있어서,
상기 폴리머는,
단단하게 경화되는 성질을 갖는 것을 특징으로 하는 미세 LED 제조방법.The method of claim 1,
The polymer,
A method of manufacturing a fine LED, characterized in that it has a hard curing property. 제2항에 있어서,
상기 폴리머는,
폴리미드(Polymide), 유기물, 에폭시 또는 실리콘인 것을 특징으로 하는 미세 LED 제조방법.The method of claim 2,
The polymer,
Polymide (Polymide), organic material, a fine LED manufacturing method, characterized in that the epoxy or silicon. 제1항에 있어서,
상기 폴리머는,
상기 미세 LED의 상부뿐만 아니라 양 측면에도 함께 도포되는 것을 특징으로 하는 미세 LED 제조방법.The method of claim 1,
The polymer,
A method of manufacturing a fine LED, characterized in that it is applied to both sides as well as the top of the fine LED. 제1항에 있어서,
상기 폴리머는,
감광특성을 갖는 것을 특징으로 하는 미세 LED 제조방법.The method of claim 1,
The polymer,
Fine LED manufacturing method, characterized in that it has photosensitive characteristics. 제1항에 있어서,
상기 비아홀은,
상기 폴리머에 포토 리소그라피(Photo Lithography)가 수행됨으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 LED 제조방법. The method of claim 1,
The via hole,
A method of manufacturing a fine LED, characterized in that formed by performing photo lithography on the polymer. 제1 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조되는 미세 LED.A fine LED manufactured according to the method of any one of claims 1 to 6. 플립칩(Flip Chip) 타입의 미세 LED 제조방법에 있어서,
임시 기판 상에 버퍼층, n타입 반도체층, 다중양자우물층 및 p타입 반도체층을 성장시키는 성장과정;
다중양자우물층 및 p타입 반도체층 일부를 식각하는 식각과정;
상기 임시 기판 상에 성장한 모든 층에 폴리머를 도포하는 도포과정;
도포된 폴리머 상에 비아홀을 형성하는 형성과정; 및
형성된 비아홀에 전극을 증착하는 증착과정
을 포함하는 미세 LED 제조방법.In the flip chip type micro LED manufacturing method,
A growth process of growing a buffer layer, an n-type semiconductor layer, a multi-quantum well layer, and a p-type semiconductor layer on a temporary substrate;
An etching process of etching a part of the multi-quantum well layer and the p-type semiconductor layer;
A coating process of applying a polymer to all layers grown on the temporary substrate;
Forming a via hole on the applied polymer; And
Deposition process of depositing an electrode in the formed via hole
Fine LED manufacturing method comprising a. 제8항에 있어서,
상기 폴리머는,
폴리미드(Polymide), 유기물, 에폭시 또는 실리콘인 것을 특징으로 하는 미세 LED 제조방법.The method of claim 8,
The polymer,
Polymide (Polymide), organic material, a fine LED manufacturing method, characterized in that the epoxy or silicon. 제8항에 있어서,
상기 폴리머는,
상기 미세 LED의 상부뿐만 아니라 양 측면에도 함께 도포되는 것을 특징으로 하는 미세 LED 제조방법.The method of claim 8,
The polymer,
A method of manufacturing a fine LED, characterized in that it is applied to both sides as well as the top of the fine LED. 제8항에 있어서,
상기 폴리머는,
감광특성을 갖는 것을 특징으로 하는 미세 LED 제조방법.The method of claim 8,
The polymer,
Fine LED manufacturing method, characterized in that it has photosensitive characteristics. 제8항에 있어서,
상기 비아홀은,
상기 n타입 반도체층 및 p타입 반도체층의 상방으로 폴리머 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 LED 제조방법.The method of claim 8,
The via hole,
Micro LED manufacturing method, characterized in that formed on the polymer above the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer. 제12항에 있어서,
상기 전극은,
상기 비아홀에 의해 각각 상기 n타입 반도체층 및 p타입 반도체층과 연결되는 것을 특징으로 하는 미세 LED 제조방법.The method of claim 12,
The electrode,
Micro LED manufacturing method, characterized in that connected to the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, respectively, by the via hole. 제8 내지 제13항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조되는 미세 LED.A fine LED manufactured according to the method of any one of claims 8 to 13.
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