KR20210049078A - Microchip type laser apparatus and driving method thereof - Google Patents

Microchip type laser apparatus and driving method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20210049078A
KR20210049078A KR1020210054615A KR20210054615A KR20210049078A KR 20210049078 A KR20210049078 A KR 20210049078A KR 1020210054615 A KR1020210054615 A KR 1020210054615A KR 20210054615 A KR20210054615 A KR 20210054615A KR 20210049078 A KR20210049078 A KR 20210049078A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser diode
microchip
laser
current
driving
Prior art date
Application number
KR1020210054615A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
허두창
김광훈
이병학
박설원
Original Assignee
한국전기연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전기연구원 filed Critical 한국전기연구원
Priority to KR1020210054615A priority Critical patent/KR20210049078A/en
Publication of KR20210049078A publication Critical patent/KR20210049078A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1106Mode locking
    • H01S3/1112Passive mode locking
    • H01S3/1115Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • H01S5/02461Structure or details of the laser chip to manipulate the heat flow, e.g. passive layers in the chip with a low heat conductivity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

The present application provides a microchip type laser device. The microchip type laser device includes a microchip formed by integrating a gain medium on a saturable absorber mirror; a laser diode emitting pumping light in the direction of the microchip; a heat sink block on which the microchip is mounted to dissipate heat generated from the microchip by the pumping light; a dichroic mirror for emitting a pulse laser generated according to the resonance of the pumping light to the outside; and a laser diode driving part for driving the laser diode by supplying a pulsed current. It is possible to control a pulse repetition rate while ensuring the stability of the pulsed laser.

Description

마이크로 칩 타입 레이저 장치 및 이를 구동하는 방법{MICROCHIP TYPE LASER APPARATUS AND DRIVING METHOD THEREOF}Microchip type laser device and method of driving it {MICROCHIP TYPE LASER APPARATUS AND DRIVING METHOD THEREOF}

본 발명은 마이크로 칩 타입 레이저 장치 및 이를 구동하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a microchip type laser device and a method of driving the same.

일반적으로 수 나노(ns)의 펄스 폭을 가지는 펄스 레이저를 만들기 위해서는 비교적 긴 펄스 폭을 가지는 고출력의 광 소스를 SBS(Stimulated Brillouin Scattering) 셀에 주입하여 SBS에 의해 발생한 Stokes 광 펄스의 압축을 유도하는 방법을 사용하여 왔다.In general, in order to make a pulsed laser with a pulse width of several nanos (ns), a high-power light source with a relatively long pulse width is injected into the SBS (Stimulated Brillouin Scattering) cell to induce compression of the Stokes light pulse generated by SBS. Have been using the method.

이러한 SBS 셀을 이용하는 방법은 고출력의 긴 펄스 폭의 광원이 필요하기 때문에 광학계 구성이 복잡하고 크기 때문에 그에 따른 안정성에 대한 신뢰와 가격이 비싸다는 문제점이 있다.This method of using the SBS cell requires a light source of a high output and a long pulse width, and thus the optical system configuration is complicated and large, and thus reliability and cost for stability are high.

이에 대해 광학계 구성이 간단하고 높은 광 세기 입력에 대한 광 흡수 포화 현상을 이용하는 레이저 장치에 대해 연구되어 왔다.On the other hand, a laser device having a simple optical system configuration and using a light absorption saturation phenomenon for high light intensity input has been studied.

그러나 대부분의 이러한 레이저 장치가 연속적으로 펌프 레이저 다이오드를 펌핑하고, 펌핑 레이저 다이오드의 광 세기에 따라 반복율이 증가하는 특징을 가지고 있다. 이러한 연속형 펌프 레이저는 광 세기가 작아지면 반복율이 감소하는 대신 공진기 내에 충분한 에너지가 축적되지 않아 광 출력이 불안정하고 반복율 또한 일정하지 않은 문제점이 있다.However, most of these laser devices continuously pump a pump laser diode, and a repetition rate increases according to the light intensity of the pumping laser diode. As the light intensity of the continuous pump laser decreases, the repetition rate decreases, but sufficient energy is not accumulated in the resonator, so that the light output is unstable and the repetition rate is not constant.

따라서 원하는 응용분야에 따라 반복율을 변화시키려면 외부에 AOM(Acoustic Optical Modulator)과 같은 외부 모듈레이터를 추가하여 반복율을 제어해야 하고, 이에 따라 광학계 구성이 추가되기 때문에 안정성이 떨어지고 AOM과 AOM 드라이브 등 구성 품이 증가하여 생산비용도 상승하는 문제점이 있다.Therefore, in order to change the repetition rate according to the desired application, it is necessary to control the repetition rate by adding an external modulator such as AOM (Acoustic Optical Modulator) to the outside. Due to this increase, there is a problem that the production cost also increases.

공개특허 10-2005-0061006 (공개일 : 2005년 06월 22일)Patent Publication 10-2005-0061006 (Publication date: June 22, 2005)

본 발명의 실시예에 따른 마이크로 칩 타입 레이저 장치 및 이에 대한 구동 방법은 펄스 레이저의 안정성을 확보하면서 펄스의 반복율을 제어할 수 있도록 하기 위한 것이다.A microchip-type laser device and a driving method therefor according to an embodiment of the present invention are to ensure the stability of the pulsed laser and control the repetition rate of the pulse.

본 출원의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 과제는 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The subject of the present application is not limited to the subject mentioned above, and another subject that is not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일측면에 따른 마이크로 칩 타입 레이저 장치는 이득 매질이 포화 흡수체 미러 상에 집적화되어 형성된 마이크로 칩; 상기 마이크로 칩 방향으로 펌핑 광을 조사하는 레이저 다이오드; 상기 펌핑 광에 의해 상기 마이크로 칩으로부터 발생된 열을 방출하기 위하여 상기 마이크로 칩이 마운팅 된 히트 싱크; 상기 펌핑 광의 공진에 따라 발생된 펄스 레이저를 외부로 방출하기 위한 이색성 미러; 및 펄스형 전류를 공급하여 상기 레이저 다이오드를 구동시키는 레이저 다이오드 구동부를 포함한다.A microchip-type laser device according to an aspect of the present invention includes a microchip formed by integrating a gain medium on a saturation absorber mirror; A laser diode that irradiates the pumping light in the direction of the microchip; A heat sink on which the microchip is mounted to dissipate heat generated from the microchip by the pumping light; A dichroic mirror for emitting a pulsed laser generated according to the resonance of the pumped light to the outside; And a laser diode driving unit that drives the laser diode by supplying a pulsed current.

레이저 다이오드 구동부는 상기 레이저 다이오드의 전류 구동을 위한 전류 구동기와 동기 신호를 입력하여 상기 전류 구동기에서 펄스형 전류를 만들기 위한 파형 발생기를 포함할 수 있다.The laser diode driver may include a current driver for driving a current of the laser diode and a waveform generator for generating a pulsed current in the current driver by inputting a synchronization signal.

레이저 다이오드 구동부는 시간에 따라 일정 주기를 갖는 상기 펄스형 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급할 수 있다.The laser diode driver may supply the pulsed current having a predetermined period according to time to the laser diode.

레이저 다이오드 구동부는 시간에 따라 랜덤 주기를 갖는 상기 펄스형 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급할 수 있다.The laser diode driver may supply the pulsed current having a random period according to time to the laser diode.

레이저 다이오드 구동부는 0보다 큰 임계값 이상에서부터 시작된 상기 펄스형 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급할 수 있다.The laser diode driver may supply the pulsed current starting from a threshold value greater than 0 to the laser diode.

본 발명의 다른 측면에 따른 마이크로 칩 타입 레이저 장치의 구동방법은 이득 매질이 포화흡수체 미러 상에 집적화되어 형성된 마이크로 칩, 상기 마이크로 칩 방향으로 펌핑 광을 조사하는 레이저 다이오드를 포함하고, 상기 레이저 다이오드에 펄스형 전류를 공급하여 상기 레이저 다이오드로부터 펌핑 광을 생성한다.A method of driving a microchip-type laser device according to another aspect of the present invention includes a microchip formed by integrating a gain medium on a saturation absorber mirror, and a laser diode for irradiating pumping light in the direction of the microchip, and the laser diode A pulsed current is supplied to generate pumping light from the laser diode.

본 발명의 실시예에 따른 마이크로 칩 타입 레이저 장치 및 이에 대한 구동 방법은 종래 연속형 펌프 레이저 다이오드의 펌핑 방법과 달리 펄스 레이저의 반복률을 안정적으로 제어할 수 있다.The microchip type laser device and a driving method therefor according to an exemplary embodiment of the present invention can stably control the repetition rate of a pulsed laser unlike a conventional pumping method of a continuous pump laser diode.

또한, 레이저 장치의 이득매질 내부의 열적 에너지를 제어함으로써 열에 따른 굴절율 변화를 제어하고 이에 따라 이득 매질을 지나는 펄스 레이저의 공간적 모드의 안정성을 확보할 수 있다.In addition, by controlling the thermal energy inside the gain medium of the laser device, it is possible to control the change in the refractive index according to heat and thereby secure the stability of the spatial mode of the pulsed laser passing through the gain medium.

또한, 펄스 레이저의 공간적 모드 안정성에 따라 공진기 내의 에너지 분포가 안정적으로 유지되기 때문에 전체 펄스 레이저의 안정성을 확보할 수 있다.In addition, since the energy distribution in the resonator is stably maintained according to the spatial mode stability of the pulsed laser, the stability of the entire pulsed laser can be ensured.

본 출원의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present application are not limited to the effects mentioned above, and other effects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로칩 타입 레이저 장치를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 다이오드의 펌핑을 위한 블록 다이어그램을 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 다이오드 구동 회로를 나타낸 도이다.
도 4는 종래 및 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 다이오드의 펌핑방법을 나타낸 도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 다이오드 구동과 출력 펄스의 관계를 설명하기 위한 도이다.
도 6a 본 발명의 일 실시예에 따른 복합형 펌프 레이저 다이오드 펌핑에 따른 포화흡수체 및 이득매질을 포함한 마이크로 칩의 열분포도를 나타낸 도이다.
도 6b은 도 6a의 복합형 펌프 레이저 다이오드 펌핑에 따른 마이크로칩의 시간에 따른 온도변화를 나타낸 도이다.
1 is a schematic diagram of a microchip type laser device according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram showing a block diagram for pumping a laser diode according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram showing a laser diode driving circuit according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a conventional pumping method of a laser diode according to an embodiment of the present invention.
5 is a diagram illustrating a relationship between driving a laser diode and an output pulse according to an embodiment of the present invention.
6A is a diagram showing a thermal distribution diagram of a microchip including a saturation absorber and a gain medium according to the hybrid pump laser diode pumping according to an embodiment of the present invention.
6B is a diagram illustrating a temperature change of a microchip according to time according to pumping of the hybrid pump laser diode of FIG. 6A.

이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the accompanying drawings are only described in order to more easily disclose the contents of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to the scope of the accompanying drawings, and those of ordinary skill in the art can easily You will know.

또한, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. In addition, terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but one or more other features. It is to be understood that the presence or addition of elements or numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof does not preclude in advance.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 칩 타입 레이저 장치를 개략적으로 나타낸 도이다.1 is a schematic diagram of a microchip type laser device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 마이크로 칩 타입 레이저 장치는 포화흡수체 미러(SESAM: Semiconductor Saturable Absorber Mirror)(100)와 이득 매질이 직접화된 마이크로 칩(Microchip)(200), 펌핑 광에 의해 마이크로 칩(200)으로부터 발생하는 열을 효과적으로 방출하기 위해서 마이크로 칩(200)에 마운팅 된 히트 싱크 블록(예를 들어, Cu Block)(300), 마이크로 칩(200) 방향으로 펌핑 광을 조사하는 레이저 다이오드(Pump LD)(400), 펌핑 광 경로에 배치되어 레이저 다이오드(400)로부터 발생한 펌핑 광을 집광하기 위한 렌즈(500), 펌핑 광의 공진에 따라 발생된 펄스 레이저를 외부로 방출하기 위한 이색성 미러(Dichroic mirror)(600)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a microchip-type laser device includes a semiconductor saturable absorber mirror (SESAM) 100, a microchip 200 in which a gain medium is directly applied, and a microchip 200 by pumping light. ), a heat sink block mounted on the microchip 200 (for example, Cu Block) 300, a laser diode (Pump LD) that irradiates pumping light in the direction of the microchip 200 in order to effectively dissipate the heat generated from the microchip 200. ) 400, a lens 500 for condensing the pumping light generated from the laser diode 400 by being disposed in the pumping light path, a dichroic mirror for emitting a pulsed laser generated according to the resonance of the pumping light to the outside. ) (600).

이득 매질은 Nd:YVO4 레이저 이득 매질일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 포화흡수체 미러(100)는 1064nm 펄스 레이저를 발생하기 위한 것일 수 있다. 레이저 다이오드(400)는 808 nm 펌핑 광을 출력하나 이와 같은 파장에 한정되는 것은 아니다. 이색성 미러(600)는 1064nm 펄스 레이저를 외부로 방출할 수 있으나 이와 같은 파장에 한정되는 것은 아니다. The gain medium may be an Nd:YVO4 laser gain medium, but is not limited thereto. In addition, the saturation absorber mirror 100 may be for generating a 1064 nm pulsed laser. The laser diode 400 outputs 808 nm pumped light, but is not limited to this wavelength. The dichroic mirror 600 may emit a 1064 nm pulsed laser to the outside, but is not limited to such a wavelength.

이러한 마이크로 칩 타입의 레이저 장치는 펌핑 광을 소스인 레이저 다이오드(400)를 구동하기 위하여 도 2와 같은 레이저 다이오드 구동부(700)를 포함한다. 레이저 다이오드 구동부(700)는 펄스형 전류를 공급하여 레이저 다이오드(400)를 구동시킨다. The microchip type laser device includes a laser diode driving unit 700 as shown in FIG. 2 to drive the laser diode 400, which is a source of pumping light. The laser diode driver 700 drives the laser diode 400 by supplying a pulsed current.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 다이오드(400)의 펌핑을 위한 블록 다이어그램을 나타낸 도이다.2 is a diagram showing a block diagram for pumping a laser diode 400 according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, 레이저 다이오드 구동부(700)는 파형 발생기(710)와 레이저 다이오드 전류 구동기(730)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the laser diode driver 700 includes a waveform generator 710 and a laser diode current driver 730.

파형 발생기(710)는 레이저 다이오드 전류 구동기(730)에서 레이저 다이오드 펄스형 전류를 생성하도록 외부 전압 동기 신호를 레이저 다이오드 전류 구동기(730)에 공급한다.The waveform generator 710 supplies an external voltage synchronization signal to the laser diode current driver 730 so that the laser diode current driver 730 generates a laser diode pulsed current.

레이저 다이오드 전류 구동기(730)는 레이저 다이오드(400)가 전류 광구동소자이기 때문에 전류를 제어하여 레이저 다이오드(400)로부터 펌핑 광이 발생할 수 있도록 펄스 형태의 구동전류를 생성한다. 이때, 전류는 DC 전류 구동형태를 띠고 있고, 이를 펄스형으로 구동하기 위해 외부 동기신호와 싱크된다.Since the laser diode 400 is a current optical driving device, the laser diode current driver 730 controls the current to generate a driving current in the form of a pulse so that pumping light can be generated from the laser diode 400. At this time, the current has a DC current driving type, and is synchronized with an external synchronization signal to drive it in a pulse type.

도 3은 본 명의 일 실시예에 따른 레이저 다이오드 구동부(700)의 구동 회로를 나타낸 도이다.3 is a diagram showing a driving circuit of the laser diode driving unit 700 according to an embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 레이저 다이오드 구동부(700)의 구동회로는 pump LD에 흐르는 전류, 즉, IpumpLD는 I1과 I2의 합으로 나타난다. 기본적으로 복합형 펌프 레이저 다이오드 펌핑 방법의 경우 DC 전류는 R1과 R2에 의해서 정의되는 Voltage Divider값에 의한 M2의 게이트 전압 값에 의해 I2로 흐르고 펄스 전류는 M1 게이트에 인가되는 펄스 전압값에 의해서 I1의 값이 결정된다.As shown, in the driving circuit of the laser diode driving unit 700, the current flowing through the pump LD, that is, IpumpLD, is represented by the sum of I1 and I2. Basically, in the case of the hybrid pump laser diode pumping method, the DC current flows to I2 by the gate voltage value of M2 by the voltage divider value defined by R1 and R2, and the pulse current flows to I1 by the pulse voltage value applied to the M1 gate. The value of is determined.

따라서 DC 전류 I2와 펄스 전류 I1에 의해서 원하는 펄스 전류값이 가능하다. 그리고 R1과 R2는 가변저항을 적용가능하기 때문에 I2의 값을 임의로 조정도 가능하다.Therefore, the desired pulse current value is possible by the DC current I2 and the pulse current I1. And since R1 and R2 can apply variable resistance, the value of I2 can be arbitrarily adjusted.

도 4는 종래 및 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 다이오드(400)의 펌핑방법을 나타낸 도이다. 도 4에서 가로축은 시간을 나타내고, 세로축은 광출력을 나타낸다. 4 is a view showing a conventional pumping method of the laser diode 400 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 4, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents light output.

도 4의 (a)는 종래 레이저 다이오드 펌핑방법에 관한 것으로, (a)와 같이 연속적으로 펌프 레이저 다이오드(400)를 펌핑하여 사용하면 펌핑 레이저 다이오드(400)의 광세기에 따라서 반복율이 증가하는 특징을 가지고 있다. 그러나 광세기를 작게 하면 반복율이 감소하고, 공진기 내에 충분한 에너지가 축적되지 않아 광 출력이 불안정하며 반복율 또한 일정하지 않게된다. 따라서 원하는 응용분야에 따라서 반복율을 변화시키려면 외부에 AOM(Acoustic Optical Modulator)과 같은 external modulator를 추가적으로 적용하여 반복율을 제어해야 한다. 이에 따라 광학계 구성이 추가되기 때문에 안정성이 떨어지고 AOM과 AOM 드라이브 등 구성품이 증가하여 생산비가 상승하게 되는 문제점이 있다.Figure 4 (a) relates to a conventional laser diode pumping method. When the pump laser diode 400 is continuously pumped and used as in (a), the repetition rate increases according to the light intensity of the pumping laser diode 400. Have. However, if the light intensity is decreased, the repetition rate decreases, and sufficient energy is not accumulated in the resonator, resulting in an unstable light output and an uneven repetition rate. Therefore, in order to change the repetition rate according to the desired application field, an external modulator such as AOM (Acoustic Optical Modulator) must be additionally applied to control the repetition rate. Accordingly, since the optical system configuration is added, stability is deteriorated, and the production cost increases due to an increase in components such as AOM and AOM drives.

반면, 도 4의 (b) 및 (c)는 본 발명에 따른 레이저 다이오드 펌핑방법에 관한 것으로, (b)와 같이, 펄스형 펌핑 레이저 다이오드 펌핑 방법으로 일정 시간 간격으로 펌핑을 하면, 광 에너지가 주입되는 동안 1064 nm의 펄스 레이저를 발생 시킬 수 있다. On the other hand, (b) and (c) of Figure 4 relates to the laser diode pumping method according to the present invention, as shown in (b), when pumping at a predetermined time interval by the pulse-type pumping laser diode pumping method, light energy is During implantation, a pulsed laser of 1064 nm can be generated.

또한 (c) 방법과 같이 연속형과 펄스형을 합쳐놓은 복합형 펌프 레이저 다이오드 펌핑 방법으로도 임의의 반복율을 구현하는 펌핑하는 방법을 제안할 수 있다. 이 때 레이저 다이오드(400)에 0보다 큰 임계값 이상에서부터 시작된 펄스형 전류가 공급되므로 연속형 광의 세기는 0보다 클 수 있으며, 펌프 광의 펄스 역시 0보다 큰 광세기에서 상승을 시작할 수 있다. In addition, it is possible to propose a pumping method that implements an arbitrary repetition rate by using a hybrid pump laser diode pumping method that combines a continuous type and a pulse type as in method (c). At this time, since a pulsed current starting from a threshold value greater than 0 is supplied to the laser diode 400, the intensity of the continuous light may be greater than 0, and the pulse of the pump light may also start to rise at the intensity of light greater than 0.

이러한 펌핑 방법은 도 3에서와 같이, 레이저 다이오드 드라이브의 간단한 회로를 구성하여 구현 가능하며 외부 신호를 받아 External trigger를 통해서 구현가능하다.This pumping method can be implemented by configuring a simple circuit of a laser diode drive, as shown in FIG. 3, and can be implemented through an external trigger by receiving an external signal.

특히 (c) 방법의 경우 일정한 수준으로 계속해서 Nd:YVO4 이득 매질에 펌프 광원이 주입되고 있기 때문에 (b)방법과 비교해서 Nd;YVO4 이득매질의 온도의 변화가 상대적으로 크지 않기 때문에 안정적인 공간 모드를 가지게 된다. 다시 말해 펌핑 광원의 세기 변화에 따른 Nd:YVO4 이득매질의 온도 변화는 펌핑광원의 세기 변화보다 느리기 때문에 온도 변화에 따른 내부 굴절율 변화가 상대적으로 느리기 때문에 (b)방법과 같이 펌핑을 하게 되면 공간적으로 굴절율 느린 변화를 가져오게 되에 안정적인 공간 모드 형성을 어렵게 한다.In particular, in the case of method (c), since the pump light source is continuously injected into the Nd:YVO4 gain medium at a constant level, the temperature change of the Nd;YVO4 gain medium is relatively small compared to the method (b), so it is a stable spatial mode. Will have. In other words, since the temperature change of the Nd:YVO4 gain medium according to the change in the intensity of the pumping light source is slower than the change in the intensity of the pumping light source, the internal refractive index change according to the temperature change is relatively slow. It is difficult to form a stable spatial mode because it causes a slow change in the refractive index.

또한 (b)방법의 경우 이득-손실의 균형에 의해서 발생하는 레이저의 특성상 발진을 위한 문턱 광세기 수준(Pth)을 최소 펌핑 광원 수준으로 하면 실제 출력광이 없으므로 공간적으로 안정한 그리고 출력광에는 영향이 전형 없는 복합형 펌프 레이저 다이오드 펌핑 방법이 될 수 있다.In the case of method (b), if the threshold light intensity level (Pth) for oscillation is set to the minimum pumping light source level due to the characteristics of the laser generated by the gain-loss balance, it is spatially stable because there is no actual output light, and the output light is affected. It could be a hybrid pump laser diode pumping method without the typical.

즉, 본 발명에 따른 레이저 다이오드(400)의 펌핑 방법은 레이저 다이오드 구동부(700)에서 (b)와 같이 시간에 따라 일정 주기를 갖는 상기 펄스형 전류를 상기 레이저 다이오드(400)에 공급거나 도면에 도시되어 있지 않지만, 레이저 다이오드 구동부(700)는 시간에 따라 랜덤 주기를 갖는 상기 펄스형 전류를 상기 레이저 다이오드(400)에 공급할 수 있다.That is, in the pumping method of the laser diode 400 according to the present invention, in the laser diode driving unit 700, as shown in (b), the pulsed current having a predetermined period according to time is supplied to the laser diode 400 or shown in the drawing. Although not shown, the laser diode driver 700 may supply the pulsed current having a random period according to time to the laser diode 400.

또한, (c) 와 같이, 레이저 다이오드 구동부(700)는 0보다 큰 임계값 이상에서부터 시작된 상기 펄스형 전류를 상기 레이저 다이오드(400)에 공급하고, 이때, 펄스형 전류는 시간에 따라 일정 주기를 갖거나 시간에 따라 랜덤 주기를 갖을 수 있다.In addition, as shown in (c), the laser diode driving unit 700 supplies the pulsed current starting from a threshold value greater than 0 or higher to the laser diode 400, and at this time, the pulsed current has a certain period according to time. Or have a random period over time.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 다이오드(400)의 구동과 출력 펄스의 관계를 설명하기 위한 도이다.5 is a diagram for explaining the relationship between the driving of the laser diode 400 and the output pulse according to an embodiment of the present invention.

본 발명에 따른 레이저 다이오드(400)의 구동은 도 5의 레이저 다이오드(400)의 구동과 출력 펄스와의 관계와 같이 레이저 다이오드(400)의 출력을 Pth에와 Ppeak 사이에서 구동을 하게 되지만 출력 펄스 트레인은 최소값이 0인 출력 값을 갖게 됨을 알 수 있다.The driving of the laser diode 400 according to the present invention drives the output of the laser diode 400 between Pth and Ppeak as in the relationship between the driving of the laser diode 400 and the output pulse of FIG. 5, but the output pulse It can be seen that the train has an output value of which the minimum value is 0.

도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 복합형 펌프 레이저 다이오드(400)의 펌핑에 따른 포화흡수체 미러(100) 및 이득매질을 포함한 마이크로 칩(200)의 열분포도를 나타낸 도이고, 도 6b는 도 6a의 복합형 펌프 레이저 다이오드(400)의 펌핑에 따른 마이크로칩의 시간에 따른 온도변화를 나타낸 도이다.6A is a diagram showing a thermal distribution diagram of a microchip 200 including a saturation absorber mirror 100 and a gain medium according to pumping of the hybrid pump laser diode 400 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6B is A diagram showing a temperature change of a microchip according to time according to pumping of the hybrid pump laser diode 400 of FIG. 6A.

도 6a의 Cu-Block은 히트 싱크 블록(300)에 해당되는 것으로 본 발명의 실시예에서 히트 싱크 블록(300)의 재질은 구리이나 이에 한정되는 것은 아니며 무산소동, 황동, 니켈, 실리콘, SiN과 같이 열전도도가 높은 물질로 이루어질 수 있다. The Cu-Block of FIG. 6A corresponds to the heat sink block 300, and the material of the heat sink block 300 in the embodiment of the present invention is copper, but is not limited thereto, and oxygen-free copper, brass, nickel, silicon, SiN and Likewise, it may be made of a material having high thermal conductivity.

도 6a에서 보는 바와 같이, 포화흡수체 미러(100)와 이득매질을 포함하는microchip에 열적분포가 스프레드 되어 있지 않다. 또한, 도 6b은 복합형 펌핑 방법에 따른 실제 Nd:YVO4 이득 매질의 펌핑 중심의 온도변화를 시간에 따라 나타낸 것인데, 레이저 다이오드(400)의 펌프 세기의 변화는 ~ ns로 구동이 가능한 것에 비해 Nd:YVO4 이득 매질의 온도변화는 수십 ms 빠르기로 변화하는 것을 알 수 있다. As shown in FIG. 6A, the thermal distribution is not spread over the microchip including the saturation absorber mirror 100 and the gain medium. In addition, Figure 6b shows the actual temperature change of the pumping center of the Nd:YVO4 gain medium according to the hybrid pumping method over time. : It can be seen that the temperature change of the YVO4 gain medium changes as fast as several tens of ms.

따라서 이러한 온도 변화는 실제로 Nd:YVO4 내부의 굴절율 변화가 레이저 다이오드(400)의 광원 세기의 변화를 따라 오지 못하게 된다. 따라서 이를 극복하기 위해서 본 발명은 일정 수준 이상의 펌프 광세기가 유지되는 레이저 다이오드(400)의 펌핑 방법을 제공한다.Therefore, such a temperature change does not actually follow the change in the intensity of the light source of the laser diode 400 with the change in the refractive index inside the Nd:YVO4. Therefore, in order to overcome this, the present invention provides a pumping method of the laser diode 400 in which the pump light intensity is maintained above a certain level.

Thermal lens 효과가 있어야 레이저 모드 형성이 가능한데, 평평한 거울을 가지는 있는 본 발명의 구조의 경우, thermal lens가 형성되기 어려워 레이저 모드 형성에 따른 동작의 안정성을 가져가기 힘들게 된다. The laser mode can be formed only when there is a thermal lens effect. In the case of the structure of the present invention having a flat mirror, it is difficult to form a thermal lens, so it is difficult to obtain stability of operation according to the laser mode formation.

즉, Thermal lens형성은 ms 시간대여서 펌핑 속도 보다 느리기 때문에 안정적인 레이저 모드 형성이 어렵게 된다. Thermal lens 형성을 안정적으로 가져가기 위해서는 기본적으로 thermal lens를 형성하기 위한 일정수준의 펌핑 광원이 필요하게 된다.That is, since the thermal lens formation is slower than the pumping speed in the ms time range, it is difficult to form a stable laser mode. In order to stably form a thermal lens, a pumping light source of a certain level is basically required to form a thermal lens.

본 발명에 따른 레이저 다이오드(400)의 펌핑 방법은 앞서 설명된 바와 같이 레이저 다이오드 구동부(700)는 0보다 큰 임계값 이상에서부터 시작된 상기 펄스형 전류를 상기 레이저 다이오드(400)에 공급하고, 이때, 펄스형 전류는 시간에 따라 일정 주기를 갖거나 시간에 따라 랜덤 주기를 가짐으로써 thermal lens를 형성할 수 있다.In the pumping method of the laser diode 400 according to the present invention, as described above, the laser diode driver 700 supplies the pulsed current starting from a threshold value greater than 0 to the laser diode 400, and at this time, The pulsed current may have a predetermined period over time or a random period over time to form a thermal lens.

이상과 같이 본 발명에 따른 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.As described above, the embodiments according to the present invention have been looked at, and the fact that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from its spirit or scope in addition to the above-described embodiments is understood by those of ordinary skill in the art. It is self-evident to Therefore, the above-described embodiments are to be regarded as illustrative rather than restrictive, and accordingly, the present invention is not limited to the above description and may be modified within the scope of the appended claims and their equivalents.

포화흡수체 미러(100)
마이크로 칩(200)
히트 싱크 블록(300)
레이저 다이오드(400)
렌즈(500)
이색성 미리(600)
레이저 다이오드 구동부(700)
파형 발생기(710)
레이저 다이오드 전류 구동기(730)
Saturated absorber mirror (100)
Microchip(200)
Heat sink block 300
Laser diode 400
Lens (500)
Dichroic Miri (600)
Laser diode driver 700
Waveform Generator(710)
Laser diode current driver(730)

Claims (5)

이득 매질이 포화흡수체 미러 상에 집적화되어 형성된 마이크로 칩과;
상기 마이크로 칩 방향으로 펌핑 광을 조사하는 레이저 다이오드와;
상기 펌핑 광에 의해 상기 마이크로 칩으로부터 발생된 열을 방출하기 위하여 상기 마이크로 칩이 마운팅된 히트 싱크 블럭과;
상기 펌핑 광의 공진에 따라 발생된 펄스 레이저를 외부로 방출하기 위한 이색성 미러; 및
0 보다 큰 임계값 이상에서부터 시작되는 것으로 외부 전압 동기 신호와 싱크 된 펄스 형태의 구동전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하여, 상기 레이저 다이오드를 구동시키는 레이저 다이오드 구동부를 포함하며,
상기 이득 매질이 Nd:YVO4 레이저 이득 매질로 이루어지고, 상기 Nd:YVO4 레이저 이득 매질에 흡수된 상기 펌핑 광에 의하여 레이저가 형성되는 것을 특징으로 하는 마이크로 칩 타입 레이저 장치.
A microchip formed by integrating a gain medium on a saturation absorber mirror;
A laser diode that irradiates pumping light in the direction of the microchip;
A heat sink block on which the microchip is mounted to dissipate heat generated from the microchip by the pumping light;
A dichroic mirror for emitting a pulsed laser generated according to the resonance of the pumped light to the outside; And
It includes a laser diode driving unit that starts from above a threshold value greater than 0 and supplies a driving current in the form of a pulse synchronized with an external voltage synchronization signal to the laser diode, and drives the laser diode,
The microchip type laser device, wherein the gain medium is made of an Nd:YVO4 laser gain medium, and a laser is formed by the pumping light absorbed by the Nd:YVO4 laser gain medium.
제1항에 있어서,
상기 레이저 다이오드 구동부는,
상기 레이저 다이오드의 전류 구동을 위한 전류 구동기와;
동기 신호를 입력하여 상기 전류 구동기에서 펄스형 전류를 만들기 위한 파형 발생기를 포함하는 마이크로 칩 타입 레이저 장치.
The method of claim 1,
The laser diode driving unit,
A current driver for driving current of the laser diode;
Microchip type laser device comprising a waveform generator for generating a pulsed current in the current driver by inputting a synchronization signal.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 레이저 다이오드 구동부는,
시간에 따라 일정 주기 또는 랜덤 주기를 갖는 상기 펄스형 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하는 것을 특징으로 하는 마이크로 칩 타입 레이저 장치.
The method according to claim 1 or 2,
The laser diode driving unit,
The microchip type laser device, characterized in that supplying the pulsed current having a predetermined period or a random period to the laser diode according to time.
제1항 또는 제2항의 마이크로 칩 타입 레이저 장치를 구동하는 방법에 있어서,
상기 레이저 다이오드 구동부가 0 보다 큰 임계값 이상에서부터 시작된 펄스형 전류를 상기 레이저 다이오드에 공급하여, 상기 레이저 다이오드로부터 펌핑 광을 생성하는 단계를 포함하는 마이크로 칩 타입 레이저 장치의 구동방법.
In the method of driving the microchip type laser device of claim 1 or 2,
And generating a pumped light from the laser diode by supplying a pulsed current starting at a threshold value greater than or equal to zero by the laser diode driving unit to the laser diode.
제4항에 있어서,
상기 펄스형 전류는 시간에 따라 일정 주기 또는 랜덤 주기로 공급되는 것을 특징으로 하는 마이크로 칩 타입 레이저 장치의 구동방법.
The method of claim 4,
The method of driving a microchip type laser device, characterized in that the pulsed current is supplied at a predetermined or random period depending on time.
KR1020210054615A 2021-04-27 2021-04-27 Microchip type laser apparatus and driving method thereof KR20210049078A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210054615A KR20210049078A (en) 2021-04-27 2021-04-27 Microchip type laser apparatus and driving method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210054615A KR20210049078A (en) 2021-04-27 2021-04-27 Microchip type laser apparatus and driving method thereof

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190071519A Division KR20190071662A (en) 2019-06-17 2019-06-17 Microchip type laser apparatus and driving method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210049078A true KR20210049078A (en) 2021-05-04

Family

ID=75914005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210054615A KR20210049078A (en) 2021-04-27 2021-04-27 Microchip type laser apparatus and driving method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20210049078A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050061006A (en) 2003-12-17 2005-06-22 삼성에스디아이 주식회사 Method for irradiating stabilized pulse laser and apparatus for the method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050061006A (en) 2003-12-17 2005-06-22 삼성에스디아이 주식회사 Method for irradiating stabilized pulse laser and apparatus for the method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5226051A (en) Laser pump control for output power stabilization
US9478931B2 (en) Method for actively controlling the optical output of a seed laser
US20130154160A1 (en) Stereolithography Systems and Methods Using Internal Laser Modulation
CN103650262B (en) High power pulse light generating device
US6931047B2 (en) Laser light source
US8717670B2 (en) Fiber-MOPA apparatus for delivering pulses on demand
KR20150119054A (en) System and method for adjusting seed laser pulse width to control euv output energy
WO2010018574A1 (en) Laser assembly and method and system for its operation
CN110165539B (en) Method for realizing adjustable sub-pulse group interval output by multi-step pumping and laser
WO2006011039A1 (en) Laser burst boosting method and apparatus
JP2009130143A (en) Laser oscillation apparatus and method of controlling the same
CN110932075A (en) Dual-wavelength pulse pair laser output method and laser
JP6562464B2 (en) Passive Q-switched laser device
JP2010502007A (en) Driving method of pump light source provided with diode laser
KR20210049078A (en) Microchip type laser apparatus and driving method thereof
KR20190071662A (en) Microchip type laser apparatus and driving method thereof
KR20180049795A (en) Microchip type laser apparatus and driving method thereof
JP2004500709A (en) Mode-coupled laser
JP6341308B2 (en) Solid state pulse laser equipment
JP2001185794A (en) Semiconductor laser excitation solid laser
KR20150112651A (en) Apparatus And Mathod for outputting Opticcal fiber laser
WO2016139978A1 (en) Control device, light source device, laser light-emitting device, and control method
Lührmann et al. High-average power Nd: YVO4 regenerative amplifier seeded by a gain switched diode laser
JP5903740B2 (en) Laser emitting pulses with variable period and stabilized energy
JP6651718B2 (en) Q switch laser device

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application