KR20210035204A - 분리 가능한 열 레벨러 - Google Patents
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Abstract
공정 챔버 또는 다른 용도에서 기판을 지지하고 원하는 열 레벨링 프로파일을 제공하기에 적합한 장치가 여기에 도시되고 설명된다. 그 장치는 그 장치로부터 분리 가능한 열 레벨러를 제공하도록 구성된다.
Description
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2018 년 8 월 1 일에 출원된 "분리형 열 레벨러 (Detachable Thermal Leveler)"라는 발명 명칭의 미국 가 특허 출원 제 62/713,169 호에 대한 우선권과 이익을 주장하며, 그 개시 내용은 그 전체가 본원에 참조 문헌으로 통합된다.
본 발명은 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 장치로부터 분리 및 제거가 가능한 열 레벨러를 갖는 장치에 관한 것이다.
열분해 흑연(thermal pyrolytic graphite; TPG) 기반 열 레벨러 또는 열 스프레더(spreader)는, 히터 또는 쿨러와 함께 다양한 열 방출, 레벨링, 확산 및 집중(focusing) 용도(applications)에 사용된다. 이러한 레벨러를 사용하는 목표는 TPG 재료의 향상된 열전도도를 활용하여 원하는 온도 프로파일을 달성하는 것이다. 이 레벨러는 네이키드(naked) TPG 구조의 형태, 또는 예를 들어 각각 알루미늄, 구리, 스테인리스 스틸, 실리콘, 질화 알루미늄, 산화 알미늄 또는 텅스텐-구리와 같은, 금속, 반금속(semimetal), 세라믹 또는 합금에 의해 캡슐화된 TPG 구조의 형태일 수 있다. TPG 기반 열 스프레더는 일반적으로 시스템의 신뢰성을 향상시키기 위해 고급 전자 장치를 냉각하는데 사용된다. 이러한 용도에서 열 스프레더는 시스템의 수명 동안 약해지지 않는 성능을 제공하며, 그에 따라 열 스프레더는 설비 투자(capital expenditure)의 일부이다.
TPG 기반 열 레벨러는 반도체 장비 생산에 사용된다. 많은 반도체 공정은 일반적으로 진공 환경, 즉 내부에 배치된 웨이퍼 기판(들)을 지지하기 위한 어셈블리를 포함하여 구성되는 밀봉 챔버내에서 수행된다. 반도체 공정에서, 가열 장치는 일반적으로 지지체를 가열하기 위해 내부에 배치된 전극을 가질 수 있는 세라믹 지지체를 포함하고, 추가로 세라믹 지지체, 즉 정전기 척(chuck) 또는 ESC[또한 때때로 서셉터(susceptor)라고 함]에 대해 웨이퍼 또는 기판을 정전기적으로 받치는 전극을 가질 수 있다. 증착, 에칭, 주입, 산화 등을 포함하는 반도체 장치 제조 공정이 챔버에서 수행될 수 있다. 증착 공정의 예로서는, 스퍼터 증착(sputter deposition)으로 알려진 물리적 기상 증착(physical vapor deposition; PVD) 공정이 있으며, 이 공정에서는 일반적으로 웨이퍼 기판에 증착될 재료로 구성된 목적물(target)이 웨이퍼 기판 위에 지지되는데, 일반적으로 챔버의 상단에 고정된다. 플라즈마는 기판과 목적물 사이에 공급되는 아르곤과 같은 가스로부터 형성된다. 목적물이 바이어스되어 플라즈마 내의 이온이 목적물을 향해 가속된다. 플라즈마의 이온이 목적물 물질과 상호 작용하여 그 물질의 원자가 스퍼터링되어, 챔버를 통해 웨이퍼를 향해 이동하며, 집적 회로(IC)로 처리되는 반도체 웨이퍼의 표면에 재증착되도록 해준다. 다른 증착 공정에는 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD), 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착(HDP-CVD), 저압 화학 기상 증착 (LPCVD), 부압(sub-atmospheric pressure) 화학 기상 증착(SACVD), 금속 유기 화학 기상 증착 (MOCVD), 분자 빔 증착(molecular beam evaporation; MBE) 등이 포함되나 그에 한정되지 않는다.
상기 공정들 중 일부에서는 지지체를 가열하여 웨이퍼를 가열하는 것이 바람직하다. 다른 경우에는 공정으로 인해 웨이퍼에서 발생하는 열을 제거해야 한다. 증착, 에칭, 주입(implant) 등이 되는 재료의 화학 반응 속도는 웨이퍼의 온도에 의해 어느 정도 제어된다. 웨이퍼 표면에 대한 증착, 에칭, 주입 등에서 바람직하지 않은 불균일성이 웨이퍼의 구역에 걸친 온도가 너무 많이 변하면 쉽게 발생할 수 있다. 대부분의 경우 증착, 에칭, 주입이 거의 완벽한 정도로 균일한 것이 매우 바람직하며, 그렇지 않으면 웨이퍼의 다양한 위치에서 제조되는 IC가 바람직한 것보다 더 많이 표준에서 벗어나는 전자적 특성을 갖게 되기 때문이다.
이러한 응용 분야에서 열 레벨러는 태양 방향으로 열을 발산하고 전체 웨이퍼에 걸쳐 온도 분포를 개선하는 것을 돕는다. 그러나 열 레벨러는 부식성 프로세스 화학(process chemistries)에 노출된다. 이러한 부식 환경은 열 레벨러 또는 레벨러가 포함된 구성품을 마모시키므로 레벨러 또는 레벨러를 포함하는 부품이 "소모성"이 되고. 즉, 성능이 저하됨에 따라 레벨러를 새로 만든 부품으로 교체해야 한다. 그러한 교체는, 열 레벨러의 성능 저하 또는 히터 또는 열 레벨러를 캡슐화하는 층의 부식과 같은 일부 다른 하위 부품의 고장으로 인해 시작될 수 있다. 레벨러의 캡슐화 층의 부식은 또한 구멍 발생(pitting)을 유발할 수 있고 그리고/또는 평탄도가 규격을 벗어나도록 할 수 있다. 이러한 메커니즘은, 웨이퍼/기판과의 접촉 불량을 유도하여 열 레벨러의 열 성능을 감소시킬 수 있다. 노후된 열 레벨러를 새로 만든 열 레벨러 또는 열 레벨러를 구비한 새로 만든 부품으로 교체하는 것은 기술적으로 가능하지만, 열 레벨러 제조 비용이 매우 높기 때문에 경제적으로 실용적인 솔루션이 아니다. 열 레벨러의 가격은 제조 공정에 포함된 뱃치 공정(batch process)의 수로 인해 비싸다. 그 제조에는 본딩, 기계 가공, 래핑 및 마무리가공의 여러 단계가 포함된다. 이러한 공정 외에도 CVD 및 고온 처리와 같은 뱃치 공정으로 인해 TPG 재료 가격이 높다.
다음은 일부 태양들의 기본적인 이해를 제공하기 위해 본 발명의 요약을 제공한다. 이 요약은 핵심 또는 중요한 요소를 확인하거나 실시예 또는 청구 범위의 제한을 정의하는 것으로 의도된 것이 아니다. 더욱이, 이 요약은 본 명세서의 다른 부분에서 더 상세하게 설명될 수 있는 일부 태양들의 단순화된 개요를 제공할 수 있다.
프로세스 챔버 또는 다른 용도에서 기판을 지지하고 원하는 열 레벨링 프로파일(thermal leveling profile)을 제공하기에 적합한 장치가 제공된다. 그 장치는 그로부터 분리 가능한(detachable) 열 레벨러를 제공하도록 구성된다. 이와 같이, 그 장치의 일부, 예를 들어 그 장치의 외부 표면이, 그 장치를 더 이상 사용하기에 적합하지 않게 만을 정도의 성능저하되는(예를 들어, 부식, 소모 등) 경우, 장치에서 열 레벨러를 제거할 수 있다. 열 레벨러는 장치로부터 제거되고 원하는 열 레벨링 프로파일을 제공하기 위해 다른 장치로 옮겨 재사용될 수 있다.
하나의 태양에서, 기판을 지지하기 위한 상부 표면 및 그 상부 표면 반대편의 하부 표면을 갖는 커버 플레이트, 및 열분해 흑연을 포함하여 구성되는 열 레벨러를 포함하여 구성되는 기판 지지 장치가 제공되며, 그 열 레벨러는 커버 플레이트의 하부 표면에 인접하게 배치되고 그리고 커버 플레이트로부터 분리 가능하다.
하나의 태양에서, 커버 플레이트와 분리 가능하게 결합된 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치가 제공된다.
하나의 실시예에서, 열 레벨러는, 클램프, 볼트, 나사산(thread), 캠 잠금 장치(cam lock), 고정 홈, 고정 링, 스프링, 진공, 정전기력, 전자기력, 자기력, 접착제, 땜납 또는 페이스트을 통해 커버 플레이트와 분리 가능하게 결합된다.
하나의 실시예에서, 열 레벨러는 커버 플레이트와 베이스 플레이트 사이에 배치된다.
하나의 실시예에서, 열 레벨러는 베이스 플레이트와 분리 가능하게 결합된다.
하나의 실시 예에서, 베이스 플레이트는, 하부 표면, 베이스 플레이트의 둘레 주위로 연장되는 하나 이상의 측벽, 및 그 하나 이상의 측벽 사이에 구획된 개구를 포함하여 구성되고, 열 레벨러는 그 개구 내에 배치되며, 그 하나 이상의 측벽은 그 상단부에 인접한 나삿니 형성 표면을 가지며; 여기서 커버 플레이트는 베이스 플레이트의 개구 내에 끼워지는 크기를 가지며, 베이스 플레이트의 나삿니 형성 표면과 맞물리는 나삿니 형성 표면을 포함한다.
하나의 실시예에서, 베이스 플레이트는, 열 레벨러를 지지하는 상부 표면, 하부 표면 및 나삿니 형성 태양을 포함하여 구성되고; 커버 플레이트는, 상부 표면, 그 상부 표면으로부터 아래로 연장되고 커버 플레이트의 둘레를 따라 연장되는 하나 이상의 측벽, 및 그 하나 이상의 측벽 사이에 구획되고 열 레벨러와 베이스 플레이트를 둘러싸는 크기를 가지는 개구를 포함하며, 여기서 커버 플레이트의 하나 이상의 측벽은 베이스 플레이트의 나삿니 형성 표면과 결합하기 위한 나삿니 형성 표면을 포함한다.
하나의 실시예에서, 커버 플레이트는 하나 이상의 개구를 포함하고; 열 레벨러는 커버 플레이트의 하나 이상의 개구와 정렬된 하나 이상의 개구를 포함하고; 그리고 베이스 플레이트는 열 레벨러의 하나 이상의 개구와 정렬된 하나 이상의 홈부를 포함하고, 여기서 커버 플레이트, 열 레벨러 및 베이스 플레이트는, 커버 플레이트와 열 레벨러의 하나 이상의 개구와 베이스 플레이트의 홈부를 통해 배치된 패스너를 통해 서로 분리 가능하게 연결된다.
하나의 실시예에서, 패스너 중 적어도 하나는 베이스 플레이트의 하나 이상의 홈부 중 하나에 잠궈지는 핀이다.
하나의 실시 예에서, 베이스 플레이트의 하나 이상의 홈부 중 적어도 하나는 나삿니 형성 표면을 갖고, 그리고 패스너 중 적어도 하나는, 나삿니 형성 표면과 적어도 하나 이상의 홈부의 나사 결합에 적합한 나삿니 형성 패스너이다.
하나의 실시예에서, 열 레벨러의 상부 표면은 홈부를 포함하고, 그리고 커버 플레이트의 하부 표면은, 열 레벨러의 상부 표면의 홈부와 정합하도록 정렬되고 그에 맞는 크기를 가지는 돌기를 포함한다.
하나의 실시예에서, 열 레벨러는 열 열분해 흑연을 포함하여 구성된다.
하나의 실시예에서, 열 레벨러는 상부 시트와 하부 시트 사이에 배치된 열 열분해 흑연 시트를 포함하여 구성된다.
하나의 실시예에서, 열 레벨러는 커버 층에 의해 캡슐화된다.
하나의 실시예에서, 상부 시트, 하부 시트, 또는 커버 층은 금속 또는 세라믹 재료로부터 독립적으로 선택된다.
하나의 실시예에서, 상부 시트, 하부 시트 또는 커버 층은 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 베릴륨, 주석, 납, 강철, 강철 합금, 구리-텅스텐, 구리-몰리브덴, 불변강(Invar), 알루미늄-베릴륨, 주석-납; B, Al, Si, Ga, Y, 내화성 경질 금속, 전이 금속으로 이루어진 군으로부터 선택된 원소의 산화물, 질화물, 탄화물, 탄질화물(carbonitride) 또는 산질화물(oxynitride)로부터 독립적으로 선택된다.
하나의 실시예에서, 열 레벨러는 열 열분해 흑연의 복수 시트를 포함하여 구성된다.
하나의 실시예에서, 열 열분해 흑연의 복수 시트는 기판 표면에 평행하거나 수직인 그래핀 기저면(basal plane)을 갖는다.
하나의 실시예에서, 본 발명의 장치는 복수의 열 레벨러를 포함하여 구성된다.
하나의 실시예에서, 복수의 열 레벨러는 기판 표면에 평행하거나 수직인 그래핀 기저면을 갖는 열 열분해 흑연을 포함하여 구상된다.
하나의 실시 예에서, 베이스 플레이트는 히터 및/또는 냉각기를 포함하여 구성된다.
하나의 실시예에서, 본 발명의 장치는 내부에 배치된 전극을 포함하여 구성된다.
다른 태양에서, 임의의 이전 실시예의 커버 플레이트의 상부 표면 상에 배치된 기판을 가열 또는 냉각하는 단계를 포함하여 구성되는 기판을 가열 또는 냉각하는 방법이 제공된다.
하나의 실시예에서, 본 발명의 방법은 기판을 종료점(end point)까지 가열하고, 기판을 장치로부터 제거하고, 열 레벨러로부터 커버 플레이트를 분리하고, 새로운 커버 플레이트를 제공하여 이를 열 레벨러에 분리 가능하게 연결하고, 그리고 제 2 기판을 장치에 제공하여 제2 기판을 가열하는 단계를 포함하여 구성된다.
다음의 설명 및 도면은, 다양한 예시적인 태양을 개시한다. 일부 개선 및 새로운 태양은 명시적으로 확인될 수 있는 반면, 다른 태양은 설명 및 도면으로부터 명백할 수 있다.
첨부된 도면은 다양한 시스템, 장치, 디바이스 및 관련 방법을 설명하며, 유사한 참조 문자는 전체적으로 유사한 부분을 지칭하며, 첨부 도면에서:
도 1은 가열 장치의 하나의 실시예를 도시한 사시도;
도 2는 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 3은 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 4A는 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 4B는 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 5는 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 6은 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 7은 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 8A-8D는 열 레벨러의 실시예의 단면도;
도 9A-9C는 열 레벨러의 실시예의 평면도; 그리고
도 10은 열 레벨러의 실시예의 단면도이다.
도 1은 가열 장치의 하나의 실시예를 도시한 사시도;
도 2는 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 3은 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 4A는 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 4B는 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 5는 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 6은 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 7은 분리 가능한 열 레벨러를 포함하여 구성되는 장치의 하나의 실시예의 단면도;
도 8A-8D는 열 레벨러의 실시예의 단면도;
도 9A-9C는 열 레벨러의 실시예의 평면도; 그리고
도 10은 열 레벨러의 실시예의 단면도이다.
이제, 그 예가 첨부 도면에 도시되어 있는, 예시적인 실시예에 대하여 설명하기로 한다. 다른 실시예가 이용될 수 있고, 구조적 및 기능적 변경이 이루어질 수 있음을 이해해야 한다. 더욱이, 다양한 실시예의 특징이 결합되거나 변경될 수 있다. 이와 같이, 다음의 설명은 단지 예시로서 제시된 것으로서, 예시된 실시예에 대해 이루어질 수 있는 다양한 대안 및 수정을 어떤 식으로든 제한해서는 안 된다. 이 명세서에서, 다수의 특정 세부 사항은 본 발명의 철저한 이해를 제공한다. 본 발명의 태양은 본 명세서에 기술된 모든 태양 등을 반드시 포함하지 않는 다른 실시예로 실시될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
본 명세서에서 사용되는 "예" 및 "예시적인"이라는 단어는 실례 또는 예시를 의미한다. 단어 "예" 또는 "예시적인"은 핵심적인 또는 바람직한 태양 또는 실시예를 나타내지 않는다. 문맥에서 달리 암시하지 않는 한, "또는"이라는 단어는 배타적이 아닌 포괄적인 것으로 의도된 것이다. 예를 들어, "A는 B 또는 C를 사용한다"라는 문구는 임의의 포괄적 치환을 포함하다(예를 들어, A는 B를 사용한다; A는 C를 사용한다; 또는 A는 B와 C를 모두 사용한다). 또 다른 문제로서, 관사 "하나의"(a 및 an)는 문맥에서 달리 암시하지 않는 한 일반적으로 "하나 이상의"를 의미하는 것으로 의도된 것이다.
본 명세서에서 사용되는, "가열 장치"는, 그 위에 지지된 기판의 온도를, 특히 기판을 가열 또는 냉각함으로써, 조절하는 적어도 하나의 가열 및/또는 냉각 소자를 포함하는 장치를 가리키는. "처리 장치(treating apparatus)", "히터", "정전기 척", "척" 또는 "가공 장치(processing apparatus)", "받침(pedestal), 상부 또는 하부 전극"과 상호 교환적으로 사용될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "기판"은, 본 발명의 처리 장치에 의해 지지/가열되는 반도체 웨이퍼 또는 유리 몰드를 지칭한다. 본 명세서에서 사용되는 용어 "시트"는 "층"과 상호 교환적으로 사용될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "회로"는 "전극"과 상호 교환적으로 사용될 수 있고, "가열 소자"라는 용어는 "가열 전극", "전극", "저항기", "가열 저항기" 또는 "히터"와 상호 교환적으로 사용될 수 있다. " 용어 "회로"는 단일 또는 복수 형태로 사용될 수 있으며, 이는 적어도 하나의 유닛이 존재함을 나타낸다.
열 레벨러에는 여러 영역이 있을 수 있다. 서로 다른 구역의 온도는 TPG의 구성 및 레이아웃(도 8 및 9에 예시됨) 및 TPG에 대한 히터 및 냉각기의 레이아웃 및 위치에 따라 다를 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 열적 균일성(thermal uniformity) 또는 상대적으로 균일한 온도는, 구역 내의 특정 길이에 걸친 최대 및 최소 온도점(temperature points) 간의 차이를 의미한다. 구역 내의 열 균일성은 중요하며, 이것은 300mm에 걸쳐 3 %로부터 300mm에 걸쳐 0.5 % 미만까지의 범위일 수 있다.
반도체 웨이퍼 또는 유리 렌즈와 같은 기판을 처리하기 위한 플라즈마 챔버에서, 기판 온도는 공정에 상당한 영향을 미친다. 처리 장치가 처리되는 기판의 온도를 균일하게 조절함에 있어서, 처리 장치가 기판의 표면 온도의 시간적 및 공간적 제어를 제공하는 것이 바람직하다. 흑연은 원하는 방향으로 열을 전달하는 고유한 능력을 가진 이방성 재료이다. 열분해 흑연(TPG)은 상당한 크기의 미결정(crystallites)으로 이루어진 독특한 흑연 재료이며, 그 미결정은 서로에 대해 고도로 정렬되거나 배향되고, 잘 정렬된(ordered) 탄소 층 또는 고도의 바람직한 결정자 배향(crystallite orientation)을 가지고 있다. TPG는 "고 배향(highly oriented) 열분해 흑연"("HOPG") 또는 압축 어닐링 열분해 흑연 ("CAPG")과 상호 교환적으로 사용될 수 있다. TPG는, 면내(in-plane)(a-b 방향) 열전도도가 1000W/ mK보다 커서, 극도로 열전도성이 있는 반면, 면외(out-of-plane)(z 방향)의 열전도도는 5 내지 30 W/mK의 범위이다. 하나의 실시예에서, TPG는 1,500 W/m-K보다 큰 면내 열전도도를 가진다.
하나의 실시예에서, 가열 장치(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 매입된(buried) 전극(도시되지 않음)을 가지는 디스크-형 금속 또는 세라믹 기판을 포함하여 구성되며, 그 상부 표면(112)은 기판, 예를 들어 웨이퍼(W)를 위한 지지 표면 역할을 한다. 하나의 실시예에서, 상부 표면(112)은, 기판(W)의 온도 제어를 더욱 향상시키기 위해 높은 평탄도[0.05 mm 이내의 표면 편차(surface variation)]로 만들어진다. 가열 저항기에 전기를 공급하기 위한 전기 단자(130)는 기판의 바닥 표면 중앙에, 또는 하나의 실시예서 기판의 측면에 부착될 수 있다.
하나의 실시예에서, 상부 표면(112)은 상대적으로 온도가 균일하며, 즉, 상부 표면의 최대 온도와 최소 온도 사이의 차이는 10 ℃ 미만이다. 제 2 실시예에서, 온도 차이는 5 ℃ 미만이다. 상부 표면(112)의 온도 균일성은 가열되는 기판(W)의 균일한 온도에 상응한다. 하나의 실시예에서, 기판 (W)은 5 ℃의 최대 온도 편차를 갖고, 제 2 실시예에서 2 ℃의 최대 온도 편차를 갖는다.
히터 장치에서, 하나 이상의 전극이 사용될 수 있다. 용도에 따라, 전극은 저항성 가열 요소, 플라즈마 발생 전극, 정전기 척 전극 또는 전자 빔 전극으로 기능할 수 있다. 전극은 상부(웨이퍼 기판 근처) 또는 하부(웨이퍼 기판으로부터 멀어짐)를 향해 히터의 기판 내에 매입될 수 있다. 바닥 위치는 전극의 패턴을 확산시키는 것을 돕고, 웨이퍼 기판으로의 열 분배를 도울 수 있다.
하나의 실시예에서, 전극은 필름 전극의 형태이고, 스크린-프린팅, 스핀 코팅, 플라즈마 스프레이, 스프레이 열분해, 반응성 스프레이 증착, 졸-겔, 연소 토치, 전기 아크, 이온 도금, 이온 주입, 스퍼터링 증착, 레이저 절제(laser ablation), 증발, 전기 도금 및 레이저 표면 합금화를 포함하는 당 업계에 공지된 공정에 의해 만들어진다. 하나의 실시예에서, 필름 전극은, 예를 들어 텅스텐, 몰리브덴, 레늄 및 백금 또는 이들의 합금과 같은, 높은 융점을 갖는 금속을 포함하여 구성된다. 다른 실시예에서, 필름 전극은, 하프늄, 지르코늄, 세륨 및 이들의 혼합물의 탄화물 또는 산화물 중 적어도 하나를 포함하여 구성된다.
다른 실시예에서, 전극 층은 열분해 흑연의 신장된 연속 스트립 형태이다. 열분해 흑연("PG")은, 먼저 화학 기상 증착과 같은 당 업계에 공지된 공정을 통해 히터베이스, 예를 들어 열분해 질화 붕소 코팅 흑연 베이스 상에 증착된다. 그 다음에, PG는 미리 결정된 패턴, 예를 들어 나선형, 구불구불형(serpentine) 등으로 기계 가공된다. 가열 영역의 전기 패턴, 즉, 전기적으로 절연된, 저항성 히터 경로의 형성은, 마이크로 기계 가공, 마이크로 브레이딩(micro-brading), 레이저 절단, 화학적 에칭 또는 전자빔 에칭을 포함하지만 이에 한정되지 않는 기술에 의해 수행될 수 있다. .
다시 도 1을 참조하면, 장치(100)는, 상부 표면(112) 및 베이스 플레이트(120)를 구획하는 커버 플레이트(110)를 포함한다. 본 발명에 따라, 장치는, 커버 플레이트와 베이스 플레이트 사이에 배치된 TPG 기반 레벨러와 같은, 열 레벨러를 포함한다. 열 레벨러는 장치에서 분리할 수 있으며, 원하는 대로 장치에서 제거할 수 있다. 예를 들어, 상부 표면(112)이 원하는 가열 작업에 사용하기에 더 이상 적합하지 않은 것으로 간주될 때, 열 레벨러는 장치로부터 제거될 수 있다. 열 레벨러는 제거된 후 열 레벨러를 수용하고 고정하도록 구성된 다른 장치로 이송될 수 있다.
열 레벨러는 장치에서 탈착 가능하다. 열 레벨러는 임의의 적합한 패스너 또는 체결 메커니즘에 의해 장치와 결합되거나 장치에 고정될 수 있다. 여기에는 클램프, 볼트, 나삿니, 캠 잠금 장치, 고정 홈, 고정 링, 스프링, 진공, 정전기력, 전자기력, 자기력, 접착제, 땜납, 페이스트 등이 포함되지만 이에 한정되지는 않는다. 접착식 패스너(예: 접착제, 땜납, 페이스트 등)의 경우, 접착 패스너는, 열 레벨러가 커버 플레이트 및/또는 베이스 플레이트로부터 분리될 수 있도록 충분히 "리플로우될(reflowed)" 수 있어야 한다.
도 2-7은 본 발명의 태양에 따른 장치의 상이한 실시예를 도시한다. 도 2는 커버 플레이트(210) 및 베이스 플레이트(220)를 갖는 장치(200)의 실시예를 도시한다. 열 레벨러(230)는 커버 플레이트와 베이스 플레이트 사이에 배치된다. 장치는 핀(240)에 의해 함께 고정된다. 핀은 커버 플레이트의 밑면의 일부로서 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 핀은 베이스 플레이트의 일부로서 형성되고 그 상부 표면으로부터 연장될 수 있다. 핀은 열 레벨러의 구멍을 통해 배치되며, 필요에 따라 베이스 플레이트(또는 커버 플레이트)의 홈부에 잠그어질 수 있다.
도 3은 커버 플레이트(310), 베이스 플레이트 (320) 및 커버 플레이트(310)와 베이스 플레이트(320) 사이에 배치된 열 레벨러(330)를 갖는 장치(300)를 나타낸다. 커버 플레이트는 나삿니 형성 패스너(340)를 통해 베이스 플레이트에 고정된다. 커버 플레이트 및 열 레벨러는, 패스너가 관통하여 삽입될 수 있는 구멍을 갖도록 구성되고, 베이스 플레이트는 패스너의 나사부를 수용하기 위한 나삿니 형성 슬롯(322)을 갖도록 구성된다. 커버 플레이트는, 그 개구의 일부가, 파스너의 헤드가 커버 플레이트의 상부 표면(312)에 대해 같은 높이이거나(flush) 또는 오목하게 되는(recessed) 것을 허용하는 크기를 가질 수 있도록 구성될 수 있다. 커버 플레이트가 베이스 플레이트 및 열 레벨러의 구멍을 통해 삽입된 나삿니 형성 패스너를 수용하도록 구성된 나삿니 형성 부분을 포함하도록, 그 구성이 반대로 될(reversed) 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 4A는 커버 플레이트(410), 베이스 플레이트(420) 및 커버 플레이트베이스 플레이트 사이에 배치된 열 레벨러(430)를 갖는 장치(400)를 나타낸다. 도 4A의 실시예에서, 베이스 플레이트는 열 레벨러가 베이스 플레이트 내에 삽입되고 위치될 수 있는 개구를 포함한다. 베이스 플레이트는 베이스 플레이트의 나사산 부분과 짝을 이루는 나삿니 형성 표면을 갖는 커버 플레이트를 수용하도록 구성된 나사산 구멍(424)을 포함한다. 이 실시예에서, 베이스 플레이트는 커버 플레이트가 베이스 플레이트에 고정되어 장치의 전체 상부 표면을 형성할 때, 커버 플레이트의 상부 표면(412)과 함께 확장되는 상부 표면(422)을 갖도록 되어 있다.
이 구성은 도 4B에 도시된 바와 같이 반대로도 될 수 있고, 장치(400')는 커버 플레이트(410')가 베이스 플레이트(420')에 놓인 열 레벨러(430')의 상부에 끼워지도록 구성될 수 있음을 이해할 것이다. 베이스 플레이트(420') 및 커버 플레이트(410')는 나사산으로 구성되며, 장치는 커버 플레이트(410')와 베이스 플레이트 (420')의 나사 결합에 의해 고정될 수 있다.
도 5는 커버 플레이트(510) 및 열 레벨러(520)만을 포함하여 구성되는 장치 (500)를 나타낸다. 커버 플레이트 및 열 레벨러는 열 레벨러에 대한 커버 플레이트의 나사 결합을 허용하기 위해 나사산(512 및 522)을 갖도록 구성된다.
도 6은 커버 플레이트(610), 베이스 플레이트(620), 및 커버 플레이트와 베이스 플레이트 사이에 배치된 열 레벨러(630)를 포함하여 구성되는 장치 (600)를 나타낸다. 이 장치에는 커버 플레이트를 베이스 플레이트에 고정하고 열 레벨러를 제자리에 고정하는 캠 잠금(cam lock) 시스템이 포함되어 있다. 캠 잠금 시스템은 핀 또는 맞춤 핀(dowel)(640) 및 맞춤 핀과 맞닿아 맞물리는 캠(650)을 포함한다. 맞춤 핀은 베이스 플레이트의 홈부(622)에 나사 결합되도록 구성된 나사산을 가질 수 있다.
커버 플레이트, 열 레벨러 및/또는 베이스 플레이트는 추가 지지, 센터링 또는 잠금 기능(capabilities)을 제공할 수 있는 추가 특징부를 갖도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 열 레벨러의 표면에는 커버 플레이트 및/또는 베이스 플레이트의 표면에 구획된 돌출부를 수용할 수 있는 슬롯이 형성될 수 있다. 도 7을 참조하면, 장치(700)는 커버 플레이트(710), 베이스 플레이트(720) 및 커버 플레이트와 베이스 플레이트 사이에 배치된 열 레벨러(730)를 포함한다. 열 레벨러의 표면(732)은 슬롯 또는 오목부(734)를 포함하고, 열 레벨러의 표면(732)과 맞닿는 커버 플레이트의 표면(712)은 열 레벨러의 슬롯(734)에 끼워지도록 구성된 돌출부(714)를 포함한다. 다시 말하면, 베이스 플레이트의 상부 표면과 열 레벨러의 대향 표면은 위와 유사한 결합을 허용하도록 된 프로파일로 구성될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 이러한 특징부의 모양 및/또는 수는 일반적으로 제한되지 않으며, 특정 목적 또는 의도된 적용을 위해 원하는대로 선택될 수 있다.
열 레벨러는 열분해 흑연을 포함하여 구성된다. 열 레벨러의 구성은 특별히 제한되지 않으며 특정 용도 또는 최종 용도를 위해 원하는 대로 선택할 수 있다. 구체적으로, 열 레벨러의 구성은 원하는 열 프로파일(thermal profile)을 제공하도록 선택된다. TPG 층은 그 자체로 단일 층으로서 본 발명의 히터에 매입될 수 있거나, 또는 금속 기판을 갖는 히터에 대한 하나의 실시예에서, TPG 층이 캡슐화된 형태, 예를 들어 구조적 금속 쉘(structural metallic shell) 내부에 캡슐화된 TPG 코어일 수 있다. 캡슐화된 TPG는 Momentive Performance Materials Inc.의 TC1050® 캡슐화된 TPG로서 상업적으로 구입할 수 있다. TPG는 인접한 단일 시트로서 히터에 결합되거나 또는 하나의 실시예에서, 중첩/모자이크 구조의 복수의 작은 TPG 조각으로서 히터에 결합될 수 있다. 도 8A-8D는 열 레벨러 구성의 예의 단면도를 보여준다. 도 8A에서, 열 레벨러(800a)는 TPG 시트이다. 도 8B에서, 열 레벨러(800b)는 금속 또는 세라믹 상층(820b)과 금속 또는 세라믹 하층(830b) 사이에 배치된 TPG (810b) 시트를 포함하여 구성된다. 도 8C에서, 열 레벨러(800c)는 금속 또는 세라믹 층(820c)에 의해 캡슐화된 TPG 시트(810c)를 포함한다.
열 레벨러의 TPG 시트의 배향 및 수는 특별히 제한되지 않는다. 시트의 수, 배향 및 위치는, 특정 열 프로파일을 제공하기 위해 필요한 대로 선택할 수 있다. 도 8D에 도시된 바와 같이, 열 레벨러(800d)는, 금속 또는 세라믹(830d)에 배치되거나 둘러싸인(encased) TPG 시트(810d 및 820d)로 나타나 있다.
도 9A-9C는 상이한 열 레벨러 구성의 실시예의 평면도를 도시한다. 도 9A에서, 열 레벨러(900a)는 TPG 시트(910a)를 포함하여 구성된다. 도 9B에서, 열 레벨러(900b)는 중앙 TPG 시트(910b) 및 열 레벨러의 둘레 주위에 링을 구획하는 TPG 시트(920b)를 포함하여 구성된다. 도 9C에서, TPG 시트(910c, 920c, 930c)는 인접한 시트 사이에 공간이 있는 삼각형 형상으로 제공된다. 다시 말하면, 이들은 열 레벨러의 TPG 시트에 대해 가능한 구성의 예일 뿐이다. 시트의 수, 모양 및 배향은, 원하는 열 프로파일을 제공하기 위해 필요한 대로 선택될 수 있다. 나아가, 열 프로파일은 TPG 시트의 그래핀 층의 평면의 배향에 의해 구성될 수 있고, 예를 들어, 그래핀 평면이 시트의 표면에 평행하게 또는 시트의 표면에 수직으로 배향되도록 시트를 제공할 수 있다.
열 레벨러에는 홈부가 제공될 수도 있다. 홈부는 가스, O - 링, 유체, 히터 부착물, 냉각기 부착물 등을 수용하도록 제공될 수 있다. 도 10은 열 레벨러의 표면에 배치된 홈부(1010)를 갖는 열 레벨러(1000)를 나타낸다. 도 10에서 열 레벨러는 일반적으로 블록으로 표시된다. 열 레벨러가 TPG 자체로 형성되는 경우 홈이 TPG 재료의 표면에 있을 수 있고, 또는 TPG 시트가 금속 또는 세라믹 재료 사이에 배치되거나 금속 또는 세라믹 재료로 둘러싸인 경우 홈부가 금속 또는 세라믹 층에 배치될 수 있음을 알 수 있을 것이다. 홈부는 원하는 대로 열 레벨러의 임의의 표면에 형성될 수도 있다.
열 레벨러의 TPG는 특별히 제한되지 않는다. TPG는 "고 배향 열분해 흑연"( "HOPG") 또는 압축 어닐링 열분해 흑연("CAPG")과 상호 교환적으로 사용될 수 있다. TPG는 면내(a-b 방향) 열전도도가 1000W/mK보다 큰 극도로 열 전도성 있는 반면, 면외(z-방향)의 열전도도는 5 ~ 30W/mK 범위이다. 하나의 실시예에서, TPG는 1,500 W/m-K보다 큰, 면내 열 전도도를 갖는다. 하나의 실시예에서, TPG 층은, 0.005 mm 이내의 두께 편차[평행성(parallelism)]로, 약 0.5 mm 내지 15 mm 범위의 두께를 가진다. 다른 실시예에서, TPG 층은 1mm 내지 10mm 범위의 두께를 갖는다. 제 3 실시예에서, TPG 층은 2 내지 8 mm 범위의 두께를 갖는다.
하나의 실시예에서, TPG는, 하부 기재 및/또는 그들이 접촉하는 오버코트의 단순 접착에 의해 제자리에 고정되고 열 레벨러 내에 매입된다. 다른 실시예에서, TPG(순수 TPG 시트 형태로, 또는 금속 케이싱에 캡슐화된 TPG 코어로서, 직사각형, 정사각형 조각과 같은 작은 조각 크기의 순수 열분해 흑연으로, 임의 크기로; 또는 "스트립"으로 )는 당 업계에 공지된 고온 접착제를 사용하여 제자리에 접착된다(glued).
열 레벨러의 외부 층 또는 캡슐화 층은, 열 레벨러의 원하는 열 프로파일에 기여하도록 원하는 대로 선택될 수 있다. 열 레벨러의 외부 층 또는 캡슐화 층은, 예를 들어 금속 또는 세라믹 재료일 수 있다. TPG를 코팅, 피복 및/또는 둘러싸기에 적합한 재료의 예에는 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 베릴륨, 주석, 납 및 강철 또는 그들의 합금 또는 Kovar와 같은 복합재, 구리-텅스텐, 구리-몰리브덴, 불변강Invar), 인코넬(Inconel), 하스텔로이(Hastelloy), 알루미늄-베릴륨 및 주석-납; B, Al, Si, Ga, Y로 구성된 군에서 선택된 원소의 산화물, 질화물, 탄화물, 탄질화물 또는 산질화물; 내화성 경질금속(refractory hard metals), 전이 금속; 알루미늄의 산화물, 산질화물이 포함되나 이에 한정되지 않는다.
커버 플레이트 및/또는 베이스 플레이트는 특정 목적 또는 의도된 용도를 위해 필요한, 임의의 적절한 재료로 형성될 수 있다. 커버 플레이트 및/또는 베이스 플레이트는 히터 구성의 일부를 형성할 수 있다. 커버 플레이트 및/또는 베이스 플레이트는 금속 또는 세라믹 재료로 형성될 수 있다. 적합한 금속의 예는, 구리 또는 알루미늄 합금과 같은 고온 재료를 포함하지만 이에 한정되지는 않는다. 적합한 세라믹 재료의 예는, B, Al, Si, Ga, Y로 이루어지는 군으로부터 선택된 원소의 산화물, 질화물, 탄화물, 탄질화물 또는 산질화물; 내화성 경질 금속, 전이 금속; 알루미늄의 산화물, 산 질화물; 및 이들의 조합을 포함하지만 이에 한정되지는 않는다.
베이스 플레이트 또는 커버 플레이트는 장치의 온도 제어에 기여하는 특징을 선택적으로 포함할 수 있다. 베이스 플레이트 또는 커버 플레이트는 예를 들어 히터 튜브, 냉각 튜브 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
장치의 조립은 특정 패스너 또는 고정 메커니즘에 의해 서로 고정되도록 구성된 각 구성 요소(예를 들어, 커버 플레이트, 열 레벨러 및 임의선택적으로 베이스 플레이트)를 제공하고, 패스너를 부착하고, 구성 요소를 함께 고정함으로써 달성될 수 있다. 장치는 패스너 또는 고정 장치를 분리하여 유사하게 분해된다. 열 레벨러는 시스템에서 제거하여 후속 공정에 사용하거나, 다른 열 레벨러를 장치에 삽입할 수 있다. 부품의 분해(decomposition)(예를 들어, 가공 조건에 노출됨으로 인한 커버 플레이트의 마모/분해)로 인해 필요한 경우, 필요에 따라 각 구성 요소를 교체할 수 있다. 따라서, 하나의 실시예에서, 가공 작업에 사용하기 위해 커버 플레이트를 교체할 필요가 있을 수 있다.
장치는 특정 목적 또는 용도를 위해 원하는 대로 다른 특징부를 포함할 수 있다. 하나의 실시예에서, 장치는 베이스 플레이트 및/또는 열 레벨러를 통해 배치된 리프터 핀(lifter pins)을 포함한다. 커버 플레이트는 베이스 플레이트 및/또는 열 레벨러를 통해 밀려난 리프터 핀을 수용하기 위한 홈부를 포함할 수 있다. 핀은 홈부를 통해 커버 플레이트와 맞물리고, 그리고 힘이 가해질 대, 커버 플레이트를 밀거나 장치로부터 분리시킨다.
이상에서 설명한 것은 본 발명의 상세 내용의 예를 포함한다. 물론, 본 발명의 상세 내용을 설명할 목적으로 생각할 수 있는 모든 구성 요소 또는 방법론의 조합을 설명하는 것은 가능하지 않지만, 이 분야에 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 상세 내용의 많은 추가 조합 및 치환이 가능하다는 것을 인식할 수 있다. 따라서, 본 명세서는 첨부된 청구 범위의 사상 및 범위 내에 있는 그러한 모든 변경, 수정 및 변경을 포함하도록 의도된 것이다. 더욱이, "포함한다(include)"라는 용어가 상세한 설명 또는 청구 범위에서 사용되는 한, 이러한 용어는 "포함하여 구성되는(comprising)"이 청구범위에서 전이어(transitional word)로 사용될 때 "포함하여 구성되는"이라는 용어와 유사한 방식으로 포괄적이도록 의도된 것이다.
전술한 설명은 열 관리 어셈블리의 다양한, 비제한적인 실시예를 설명한 것이다. 이 분야에 통상의 지식을 가진 자 및 본 발명의 물품을 만들고 사용할 수 있는 사람들에게 수정이 일어날 수 있다. 개시된 실시예는 단지 예시를 위한 것이며, 본 발명의 범위 또는 청구 범위에 기재된 주제를 제한하는 것으로 의도된 것이 아니다.
Claims (23)
- 커버 플레이트와 분리 가능하게 결합된 열 레벨러를 포함하여 구성되는, 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 열 레벨러가 클램프, 볼트, 나사산, 캠 잠금 장치, 리테이닝 홈, 리테이닝 링, 스프링, 진공, 정전기력, 전자기력, 자기력, 접착제, 땜납 또는 페이스트를 통해 상기 커버 플레이트와 분리 가능하게 결합되는, 장치.
- 제1항에 있어서, 베이스 플레이트를 포함하여 구성되고, 상기 열 레벨러가 상기 커버 플레이트와 상기 베이스 플레이트 사이에 배치되는, 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 열 레벨러가 상기 베이스 플레이트와 분리 가능하게 결합되는, 장치.
- 제4항에 있어서,
상기 베이스 플레이트가, 하부 표면, 상기 베이스 플레이트의 둘레 주위로 연장되는 하나 이상의 측벽, 및 상기 하나 이상의 측벽 사이에 구획된 개구부를 포함하여 구성되고, 상기 열 레벨러가 상기 개구부 내에 배치되고, 그리고 상기 하나 이상의 측벽이 그 상단부에 인접하여 나삿니가 형성된 표면을 구비하며;
상기 커버 플레이트가 상기 베이스 플레이트의 개구 내에 끼워지는 크기이고, 상기 베이스 플레이트의 나삿니 형성 표면과 맞물리는 나삿니 형성 표면을 포함하는, 장치. - 제4항에 있어서,
상기 베이스 플레이트가 상부 표면, 하부 표면 및 나삿니 형성 표면을 포함하고, 상기 상부 표면이 상기 열 레벨러를 지지하며;
상기 커버 플레이트가 상부 표면, 및 상기 커버 플레이트의 상부 표면으로부터 아래로 연장되고, 그 둘레 주위로 연장되는 하나 이상의 측벽을 포함하고, 그리고 하나의 개구가 상기 하나 이상의 측벽의 사이에 개구되고, 상기 열 레벨러와 상기 베이스 플레이트를 둘러싸는 크기를 가지며, 여기서 커버 플레이트의 하나 이상의 벽이, 상기 베이스 플레이트의 나삿니 형성 표면과 맞물리는 나삿니 형성 표면을 포함하여 구성되는, 장치 - 제4항에 있어서,
상기 커버 플레이트가 하나 이상의 구멍을 포함하고;
상기 열 레벨러가 상기 커버 플레이트의 하나 이상의 구멍과 정렬된 하나 이상의 구멍을 포함하며; 그리고
상기 베이스 플레이트가 상기 열 레벨러의 하나 이상의 구멍과 정렬된 하나 이상의 홈부를 포함하며, 여기서 상기 커버 플레이트, 상기 열 레벨러 및 상기 베이스 플레이트가 상기 커버 플레이트의 하나 이상의 구멍, 상기 열 레벨러 및 상기 베이스 플레이트의 홈부를 통해 배치된 패스너를 통해 서로 분리 가능하게 연결되는, 장치 - 제7항에 있어서, 상기 패스너 중 적어도 하나가 상기 베이스 플레이트의 하나 이상의 홈부 중 하나에 잠그어지는 핀인, 장치.
- 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 베이스 플레이트의 하나 이상의 홈부 중 적어도 하나가 나삿니 형성 표면을 갖고, 그리고 상기 패스너 중 적어도 하나가, 상기 적어도 하나 이상의 홈부의 상기 나삿니 형성 표면과의 나사 결합에 적합한 나삿니 형성 패스너인, 장치.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열 레벨러의 상부 표면이 홈부를 포함하고, 그리고 상기 커버 플레이트의 하부 표면이, 상기 열 레벨러의 상부 표면의 홈부와 정합하도록 정렬되고, 그렇게 정합하는 크기를 가지는 돌출부를 포함하는, 장치.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열 레벨러가 열 열분해 흑연을 포함하여 구성되는, 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 열 레벨러가 상부 시트와 하부 시트 사이에 배치된 열분해 흑연 시트를 포함하여 구성되는, 장치.
- 제11항에 있어서, 상기 열 레벨러가 커버 층에 의해 캡슐화되는, 장치.
- 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 상부 시트, 상기 하부 시트, 또는 상기 커버 층이 금속 또는 세라믹 재료로부터 독립적으로 선택되는, 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 상부 시트, 상기 하부 시트 또는 상기 커버 층이 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 베릴륨, 주석, 납, 강철, 강철 합금, 구리-텅스텐, 구리-몰리브덴, 불변강, 알루미늄-베릴륨, 주석-납; B, Al, Si, Ga, Y로 이루어지는 군으로부터 선택된 원소의 산화물, 질화물, 탄화물, 탄질화물 또는 산 질화물; 내화성 경질 금속, 전이 금속으로부터 독립적으로 선택되는, 장치.
- 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열 레벨러가 열 열분해 흑연의 복수의 시트를 포함하여 구성되는, 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 열 열분해 흑연의 복수 시트가 상기 기판 표면에 평행하거나 수직인 그래핀 기저면을 가지는, 장치.
- 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 복수의 열 레벨러를 포함하여 구성되는, 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 복수의 열 레벨러가 상기 기판 표면에 평행하거나 수직인 그래핀 기저 평면을 갖는 열 열분해 흑연을 포함하여 구성되는, 장치.
- 제3항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 베이스 플레이트가 히터 및/또는 냉각기를 포함하는, 장치.
- 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 내부에 배치된 전극을 더 포함하여 구성되는, 장치.
- 제1항 내지 제21항 중 어느 한 항의 상기 커버 플레이트의 상기 상부 표면에 배치된 기판을 가열 또는 냉각하는 단계를 포함하여 구성되는, 기판의 가열 또는 냉각 방법.
- 제22항에 있어서,
상기 기판을 종료점까지 가열하는 단계;
상기 장치로부터 상기 기판을 제거하는 단계;
그 열 레벨러로부터 상기 커버 플레이트를 분리하는 단계;
새로운 커버 플레이트을 제공하여, 상기 열 레벨러에 분리 가능하게 연결하는 단계; 및
상기 장치에 제2 기판을 제공하고 상기 제2 기판을 가열하는 단계;를 포함하여 구성되는, 방법.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal |