KR20210028177A - Flexible display device - Google Patents

Flexible display device Download PDF

Info

Publication number
KR20210028177A
KR20210028177A KR1020210028298A KR20210028298A KR20210028177A KR 20210028177 A KR20210028177 A KR 20210028177A KR 1020210028298 A KR1020210028298 A KR 1020210028298A KR 20210028298 A KR20210028298 A KR 20210028298A KR 20210028177 A KR20210028177 A KR 20210028177A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
inorganic
electrode
substrate
organic
Prior art date
Application number
KR1020210028298A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102303603B1 (en
Inventor
김광년
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020200159979A external-priority patent/KR102225595B1/en
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020210028298A priority Critical patent/KR102303603B1/en
Publication of KR20210028177A publication Critical patent/KR20210028177A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102303603B1 publication Critical patent/KR102303603B1/en

Links

Images

Classifications

    • H01L51/5246—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H01L51/0097—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

A display device according to one embodiment of the present invention comprises: a transistor positioned on a substrate and including a semiconductor pattern; a first inorganic layer positioned between the semiconductor pattern and the substrate; a light emitting device including a first electrode electrically connected to the transistor; a thin film encapsulation layer covering the light emitting device, a second inorganic layer positioned between the first electrode and the semiconductor pattern; and an organic material layer positioned along at least one edge of the substrate and spaced apart from the thin film encapsulation layer.

Description

가요성 표시 장치{FLEXIBLE DISPLAY DEVICE}Flexible display device {FLEXIBLE DISPLAY DEVICE}

본 기재는 가요성 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 가요성 원장 기판의 절단 과정을 거쳐 제조되는 가요성 표시 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a flexible display device, and more particularly, to a flexible display device manufactured through a cutting process of a flexible ledger substrate.

평판 표시 장치는 기판과, 기판 상에 형성된 복수의 화소를 포함하는 표시부로 구성되며, 유리와 같은 단단한 기판 대신 플라스틱 필름과 같은 가요성 기판을 사용하는 경우 휘어지는 특성이 있을 수 있다. 가요성 표시 장치는 자체 발광형인 유기 발광 표시 장치일 수 있다.A flat panel display device includes a substrate and a display unit including a plurality of pixels formed on the substrate. When a flexible substrate such as a plastic film is used instead of a rigid substrate such as glass, a flexible substrate such as a plastic film may be bent. The flexible display device may be a self-emission type organic light emitting display device.

가요성 표시 장치는 가요성 원장 기판 상에 복수의 표시부와 복수의 박막 봉지층을 형성하고, 가요성 원장 기판에 상부 보호 필름과 하부 보호 필름을 적층하고, 복수의 박막 봉지층 사이를 절단하여 개별 가요성 표시 장치로 분리시키는 과정을 거쳐 제조된다. 상, 하부 보호 필름과 가요성 원장 기판은 주로 절단 나이프를 이용한 프레스 방식으로 절단된다.In a flexible display device, a plurality of display units and a plurality of thin film encapsulation layers are formed on a flexible ledger substrate, an upper protective film and a lower protective film are laminated on the flexible ledger substrate, and the plurality of thin film encapsulation layers are cut to separate them. It is manufactured through a process of separating it into a flexible display device. The upper and lower protective films and the flexible ledger substrate are mainly cut by a press method using a cutting knife.

그런데 강한 프레스 절삭력이 가요성 표시 장치에 충격량으로 전해짐과 동시에 절단 과정에서 가요성 표시 장치에 휘어지는 힘이 작용한다. 따라서 절단선 주위의 무기막(베리어층과 버퍼층 및 각종 절연층 등)이 파괴되어 크랙이 발생한다. 무기막에 발생한 크랙은 절단 이후의 후속 공정에서 박막 봉지층을 향해 전파되며, 박막 봉지층의 봉지 기능 상실을 초래하여 패널 수축 등의 불량을 유발한다.However, a strong press cutting force is transmitted to the flexible display device as an impact amount, and a bending force acts on the flexible display device during the cutting process. Therefore, the inorganic film (barrier layer, buffer layer, various insulating layers, etc.) around the cutting line is destroyed, causing cracks. Cracks generated in the inorganic film propagate toward the thin film encapsulation layer in a subsequent process after cutting, and cause loss of the encapsulation function of the thin film encapsulation layer, causing defects such as panel shrinkage.

본 기재는 절단 과정에서 크랙이 발생하는 것을 최소화하며, 크랙이 발생하더라도 박막 봉지층을 향해 전파되는 것을 차단하여 패널 수축 등의 불량을 방지할 수 있는 가요성 표시 장치를 제공하고자 한다.An object of the present disclosure is to provide a flexible display device capable of minimizing the occurrence of cracks during the cutting process and preventing defects such as panel shrinkage by blocking propagation toward the thin film encapsulation layer even if cracks occur.

본 기재의 일 실시예에 따른 가요성 표시 장치는 가요성 기판과, 가요성 기판 상에 형성되는 무기막과, 무기막 상에 형성된 복수의 유기 발광 다이오드를 포함하는 표시부와, 표시부를 덮는 박막 봉지층과, 박막 봉지층 외측의 무기막 상에서 가요성 기판의 가장자리를 따라 형성되는 크랙 억제층을 포함한다.A flexible display device according to an embodiment of the present disclosure includes a flexible substrate, an inorganic film formed on the flexible substrate, a display including a plurality of organic light emitting diodes formed on the inorganic film, and a thin film encapsulating the display. A layer and a crack suppression layer formed along the edge of the flexible substrate on the inorganic film outside the thin film encapsulation layer.

크랙 억제층은 가요성 기판의 가장자리와 접하도록 형성될 수 있으며, 가요성 기판의 가장자리 최상부에 위치할 수 있다. 무기막은 배리어층, 버퍼층, 게이트 절연막, 및 층간 절연막을 포함할 수 있다.The crack suppression layer may be formed to be in contact with the edge of the flexible substrate, and may be positioned at the top of the edge of the flexible substrate. The inorganic layer may include a barrier layer, a buffer layer, a gate insulating layer, and an interlayer insulating layer.

배리어층, 버퍼층, 게이트 절연막, 및 층간 절연막은 가요성 기판의 상면 전체에 형성될 수 있다. 다른 한편으로, 배리어층과 버퍼층은 가요성 기판의 상면 전체에 형성될 수 있고, 게이트 절연막과 층간 절연막은 가요성 기판의 가장자리로부터 안쪽으로 이격 형성될 수 있다.The barrier layer, the buffer layer, the gate insulating layer, and the interlayer insulating layer may be formed on the entire upper surface of the flexible substrate. On the other hand, the barrier layer and the buffer layer may be formed on the entire upper surface of the flexible substrate, and the gate insulating layer and the interlayer insulating layer may be formed to be spaced inward from the edge of the flexible substrate.

다른 한편으로, 크랙 억제층은 가요성 기판의 가장자리로부터 안쪽으로 이격 형성될 수 있다. 무기막은 배리어층, 버퍼층, 게이트 절연막, 및 층간 절연막을 포함할 수 있다.On the other hand, the crack suppression layer may be formed to be spaced inward from the edge of the flexible substrate. The inorganic layer may include a barrier layer, a buffer layer, a gate insulating layer, and an interlayer insulating layer.

배리어층과 버퍼층은 가요성 기판의 상면 전체에 형성될 수 있고, 게이트 절연막과 층간 절연막은 가요성 기판의 가장자리로부터 크랙 억제층보다 더 안쪽으로 이격 형성될 수 있다. 다른 한편으로, 배리어층, 버퍼층, 게이트 절연막, 및 층간 절연막은 가요성 기판의 가장자리로부터 크랙 억제층보다 더 안쪽으로 이격 형성될 수 있다.The barrier layer and the buffer layer may be formed on the entire upper surface of the flexible substrate, and the gate insulating layer and the interlayer insulating layer may be formed further inwardly spaced apart from the edge of the flexible substrate than the crack suppression layer. On the other hand, the barrier layer, the buffer layer, the gate insulating layer, and the interlayer insulating layer may be formed further inwardly spaced apart from the edge of the flexible substrate than the crack suppression layer.

크랙 억제층은 유기물로 형성될 수 있다. 표시부는 평탄화층과 화소 정의막을 포함할 수 있으며, 크랙 억제층은 평탄화층과 화소 정의막 중 적어도 하나와 같은 물질로 형성될 수 있다. 크랙 억제층은 평탄화층과 같은 물질로 형성되는 제1층과, 화소 정의막과 같은 물질로 형성되는 제2층을 포함할 수 있다. 다른 한편으로, 크랙 억제층은 밀봉재로 사용되는 자외선 경화 수지와 열 경화 수지 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The crack suppression layer may be formed of an organic material. The display unit may include a planarization layer and a pixel definition layer, and the crack suppression layer may be formed of the same material as at least one of the planarization layer and the pixel definition layer. The crack suppression layer may include a first layer formed of the same material as the planarization layer and a second layer formed of the same material as the pixel defining layer. On the other hand, the crack suppression layer may include any one of an ultraviolet curing resin and a thermosetting resin used as a sealing material.

본 실시예의 가요성 표시 장치에서는 절단 과정에서 무기막의 크랙 발생을 최소화할 수 있으며, 절단 이후의 후속 공정에서 크랙이 무기막을 타고 박막 봉지층을 향해 전파되는 것을 억제할 수 있다. 따라서 크랙 전파로 인한 박막 봉지층의 봉지 기능 상실을 방지할 수 있으며, 패널 수축과 표시 불량을 예방할 수 있다.In the flexible display device of the present embodiment, it is possible to minimize the occurrence of cracks in the inorganic film during the cutting process, and it is possible to suppress the propagation of the cracks along the inorganic film toward the thin film encapsulation layer in a subsequent process after cutting. Accordingly, loss of the sealing function of the thin film sealing layer due to crack propagation can be prevented, and panel shrinkage and display defects can be prevented.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 절개한 부분 단면도이다.
도 3은 가요성 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 개략 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.
도 5a와 도 5b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.1 is a plan view of a flexible display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a flexible display device.
4 is a partially enlarged cross-sectional view of a flexible display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
5A and 5B are partially enlarged cross-sectional views of a flexible display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.
6 is a partially enlarged cross-sectional view of a flexible display device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those of ordinary skill in the art may easily implement the present invention. The present invention may be implemented in various different forms and is not limited to the embodiments described herein.

명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “상에” 또는 “위에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분의 “바로 위에” 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, “~ 상에” 또는 “~ 위에”라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것을 의미하며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상측에 위치하는 것을 의미하지 않는다.When a certain part in the specification "includes" certain constituent elements, it means that other constituent elements may be further included unless otherwise specified. In addition, when a part such as a layer, film, region, or plate throughout the specification is said to be “on” or “on” another part, it is not only “directly above” the other part, but also if there is another part in the middle. Includes cases. In addition, "above" or "above" means that it is located above or below the target part, and does not necessarily mean that it is located above the direction of gravity.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 절개한 부분 단면도이다.1 is a plan view of a flexible display device according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1.

도 1과 도 2를 참고하면, 제1 실시예의 가요성 표시 장치(100)는 가요성 기판(10)과, 가요성 기판(10) 상에 형성된 표시부(20)와, 표시부(20)를 덮는 박막 봉지층(30)을 포함한다. 표시부(20)는 복수의 화소(PE)를 구비하며, 복수의 화소(PE)에서 방출되는 빛들의 조합으로 이미지를 표시한다. 각 화소(PE)는 화소 회로와, 화소 회로에 의해 발광이 제어되는 유기 발광 다이오드(40)로 구성된다.Referring to FIGS. 1 and 2, the flexible display device 100 of the first embodiment includes a flexible substrate 10, a display unit 20 formed on the flexible substrate 10, and covering the display unit 20. It includes a thin film encapsulation layer 30. The display unit 20 includes a plurality of pixels PE, and displays an image with a combination of lights emitted from the plurality of pixels PE. Each pixel PE includes a pixel circuit and an organic light emitting diode 40 whose light emission is controlled by the pixel circuit.

가요성 기판(10)은 폴리이미드 또는 폴리카보네이트와 같은 플라스틱 필름으로 형성될 수 있다. 그런데 플라스틱 필름은 통상의 기판 재질인 유리보다 높은 투습률과 높은 산소 투과율을 가지므로, 가요성 기판(10)을 통해 외부의 수분과 산소가 침투하는 것을 막아야 한다. 이를 위해 가요성 기판(10) 상에 배리어층(11)과 버퍼층(12)이 형성된다.The flexible substrate 10 may be formed of a plastic film such as polyimide or polycarbonate. However, since the plastic film has a higher moisture permeability and higher oxygen permeability than glass, which is a conventional substrate material, it is necessary to prevent external moisture and oxygen from penetrating through the flexible substrate 10. To this end, a barrier layer 11 and a buffer layer 12 are formed on the flexible substrate 10.

배리어층(11)은 복수의 무기막으로 구성되며, 예를 들어 실리콘산화물층과 실리콘질화물층이 교대로 반복 적층된 구조로 형성될 수 있다. 배리어층(11)은 플라스틱 필름으로 형성된 가요성 기판(10)보다 낮은 투습률과 낮은 산소 투과율을 가지므로, 가요성 기판(10)을 투과한 수분과 산소가 표시부(20)로 침투하는 것을 억제한다.The barrier layer 11 may be formed of a plurality of inorganic layers, and may be formed in a structure in which, for example, a silicon oxide layer and a silicon nitride layer are alternately stacked. Since the barrier layer 11 has a lower moisture permeability and lower oxygen permeability than the flexible substrate 10 formed of a plastic film, moisture and oxygen that has passed through the flexible substrate 10 can be prevented from penetrating into the display unit 20 do.

버퍼층(12) 또한 무기막으로 형성되며, 예를 들어 실리콘산화물 또는 실리콘질화물을 포함할 수 있다. 버퍼층(12)은 화소 회로를 형성하기 위한 평탄면을 제공하고, 화소 회로와 유기 발광 다이오드(40)로 수분과 이물질이 침투하는 것을 억제한다.The buffer layer 12 is also formed of an inorganic layer, and may include, for example, silicon oxide or silicon nitride. The buffer layer 12 provides a flat surface for forming a pixel circuit and suppresses penetration of moisture and foreign substances into the pixel circuit and the organic light emitting diode 40.

버퍼층(12) 상에 박막 트랜지스터(50)와 커패시터(도시하지 않음)가 형성된다. 박막 트랜지스터(50)는 반도체층(51)과 게이트 전극(52) 및 소스/드레인 전극(53, 54)을 포함한다.A thin film transistor 50 and a capacitor (not shown) are formed on the buffer layer 12. The thin film transistor 50 includes a semiconductor layer 51, a gate electrode 52, and source/drain electrodes 53 and 54.

반도체층(51)은 폴리실리콘 또는 산화물 반도체로 형성되며, 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(511)과, 채널 영역(511)의 양옆으로 불순물이 도핑된 소스 영역(512) 및 드레인 영역(513)을 포함한다. 반도체층(51)이 산화물 반도체로 형성되는 경우 반도체층(51)을 보호하기 위한 별도의 보호층이 추가될 수 있다.The semiconductor layer 51 is formed of polysilicon or an oxide semiconductor, and includes a channel region 511 that is not doped with impurities, and a source region 512 and a drain region 513 doped with impurities on both sides of the channel region 511 Includes. When the semiconductor layer 51 is formed of an oxide semiconductor, a separate protective layer for protecting the semiconductor layer 51 may be added.

반도체층(51)과 게이트 전극(52) 사이에 게이트 절연막(13)이 형성되고, 게이트 전극(52)과 소스/드레인 전극(53, 54) 사이에 층간 절연막(14)이 형성된다. 게이트 절연막(13)과 층간 절연막(14)은 무기막으로 형성된다.A gate insulating film 13 is formed between the semiconductor layer 51 and the gate electrode 52, and an interlayer insulating film 14 is formed between the gate electrode 52 and the source/drain electrodes 53 and 54. The gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 14 are formed of an inorganic film.

도 2에 도시한 박막 트랜지스터(50)는 구동 박막 트랜지스터이며, 화소 회로는 스위칭 박막 트랜지스터(도시하지 않음)를 더 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용되고, 구동 박막 트랜지스터는 선택된 화소를 발광시키기 위한 전원을 해당 화소로 인가한다.The thin film transistor 50 shown in FIG. 2 is a driving thin film transistor, and the pixel circuit further includes a switching thin film transistor (not shown). The switching thin film transistor is used as a switching element for selecting a pixel to emit light, and the driving thin film transistor applies power to the pixel to emit light for the selected pixel.

도 2에서는 탑 게이트 구조의 박막 트랜지스터(50)를 예로 들어 도시하였으나, 박막 트랜지스터(50)의 구조는 도시한 예로 한정되지 않는다. 또한, 화소 회로는 세 개 이상의 박막 트랜지스터와 두 개 이상의 커패시터를 구비할 수도 있다.In FIG. 2, the thin film transistor 50 having a top gate structure is illustrated as an example, but the structure of the thin film transistor 50 is not limited to the illustrated example. Further, the pixel circuit may include three or more thin film transistors and two or more capacitors.

소스/드레인 전극(53, 54) 상에 평탄화층(15)이 형성된다. 평탄화층(15)은 유기물로 형성되며, 예를 들어 아크릴 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 및 폴리아미드 수지 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 평탄화층(15)은 드레인 전극(54)의 일부를 노출시키는 비아 홀을 형성하며, 평탄화층(15) 위로 유기 발광 다이오드(40)가 형성된다.A planarization layer 15 is formed on the source/drain electrodes 53 and 54. The planarization layer 15 is formed of an organic material, and may include, for example, any one of an acrylic resin, an epoxy resin, a phenol resin, and a polyamide resin. The planarization layer 15 forms a via hole exposing a part of the drain electrode 54, and an organic light emitting diode 40 is formed on the planarization layer 15.

유기 발광 다이오드(40)는 화소 전극(41)과 유기 발광층(42) 및 공통 전극(43)을 포함한다. 화소 전극(41)은 화소마다 개별로 형성되고, 비아 홀을 통해 박막 트랜지스터(50)의 드레인 전극(54)과 연결된다. 공통 전극(43)은 가요성 기판(10)의 표시 영역(DA) 전체에 형성된다. 화소 전극(41)은 화소 영역을 구획하는 화소 정의막(16)으로 둘러싸이며, 유기 발광층(42)은 화소 전극(41) 위에 형성된다. 화소 정의막(16)은 폴리이미드와 같은 유기물로 형성될 수 있다.The organic light emitting diode 40 includes a pixel electrode 41, an organic emission layer 42, and a common electrode 43. The pixel electrode 41 is formed individually for each pixel, and is connected to the drain electrode 54 of the thin film transistor 50 through a via hole. The common electrode 43 is formed over the entire display area DA of the flexible substrate 10. The pixel electrode 41 is surrounded by a pixel defining layer 16 that partitions a pixel area, and the organic emission layer 42 is formed on the pixel electrode 41. The pixel defining layer 16 may be formed of an organic material such as polyimide.

유기 발광층(42)은 적색 발광층과 녹색 발광층 및 청색 발광층 가운데 어느 하나일 수 있다. 다른 한편으로, 유기 발광층(42)은 백색 발광층 단독 또는 적색 발광층과 녹색 발광층 및 청색 발광층의 적층막으로 형성되어 백색을 구현할 수 있다. 후자의 경우 가요성 표시 장치(100)는 색 필터(도시하지 않음)를 더 포함할 수 있다.The organic emission layer 42 may be any one of a red emission layer, a green emission layer, and a blue emission layer. On the other hand, the organic emission layer 42 may be formed of a white emission layer alone or a stacked layer of a red emission layer, a green emission layer, and a blue emission layer to implement white color. In the latter case, the flexible display device 100 may further include a color filter (not shown).

화소 전극(41)과 공통 전극(43) 중 어느 하나는 정공 주입 전극(애노드)이고, 다른 하나는 전자 주입 전극(캐소드)이다. 애노드로부터 주입된 정공과 캐소드로부터 주입된 전자가 유기 발광층(42)에서 결합하여 여기자(exciton)를 생성하며, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광이 이루어진다.One of the pixel electrode 41 and the common electrode 43 is a hole injection electrode (anode), and the other is an electron injection electrode (cathode). Holes injected from the anode and electrons injected from the cathode combine in the organic emission layer 42 to generate excitons, and the excitons emit energy to emit light.

정공 주입층과 정공 수송층 가운데 적어도 한 층이 애노드와 유기 발광층(42) 사이에 위치할 수 있고, 전자 주입층과 전자 수송층 가운데 적어도 한 층이 유기 발광층(42)과 캐소드 사이에 위치할 수 있다. 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층은 가요성 기판(10)의 표시 영역(DA) 전체에 형성될 수 있다.At least one of the hole injection layer and the hole transport layer may be positioned between the anode and the organic light emitting layer 42, and at least one of the electron injection layer and the electron transport layer may be positioned between the organic light emitting layer 42 and the cathode. The hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be formed on the entire display area DA of the flexible substrate 10.

화소 전극(41)과 공통 전극(43) 중 어느 하나는 금속 반사막으로 형성될 수 있고, 다른 하나는 반투과막 또는 투명 도전막으로 형성될 수 있다. 유기 발광층(42)에서 방출된 빛은 금속 반사막에서 반사되고, 반투과막 또는 투명 도전막을 투과하여 외부로 방출된다. 반투과막의 경우 유기 발광층(42)에서 방출된 빛의 일부가 금속 반사막으로 재반사되면서 공진 구조를 이룬다.One of the pixel electrode 41 and the common electrode 43 may be formed of a metal reflective layer, and the other may be formed of a transflective layer or a transparent conductive layer. The light emitted from the organic emission layer 42 is reflected by the metal reflective layer, passes through the semi-transmissive layer or the transparent conductive layer, and is emitted to the outside. In the case of the semi-transmissive layer, a part of light emitted from the organic emission layer 42 is reflected back to the metal reflective layer to form a resonance structure.

박막 봉지층(30)은 수분과 산소를 포함하는 외부 환경으로부터 유기 발광 다이오드(40)를 밀봉시켜 수분과 산소에 의한 유기 발광 다이오드(40)의 열화를 억제한다. 박막 봉지층(30)은 복수의 유기막과 복수의 무기막이 하나씩 교대로 적층된 구성으로 이루어질 수 있다.The thin film encapsulation layer 30 seals the organic light emitting diode 40 from an external environment including moisture and oxygen to suppress deterioration of the organic light emitting diode 40 due to moisture and oxygen. The thin film encapsulation layer 30 may have a configuration in which a plurality of organic layers and a plurality of inorganic layers are alternately stacked one by one.

박막 봉지층(30)의 유기막은 고분자로 형성되며, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌, 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 박막 봉지층(30)의 무기막은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 적층막일 수 있다. 예를 들어, 무기막은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The organic film of the thin film encapsulation layer 30 is formed of a polymer, and may be, for example, a single film or a laminate film made of any one of polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, epoxy, polyethylene, and polyacrylate. The inorganic layer of the thin film encapsulation layer 30 may be a single layer or a stacked layer including metal oxide or metal nitride. For example, the inorganic layer may include any one of SiNx, Al 2 O 3 , SiO 2 , and TiO 2.

가요성 기판(10)은 표시부(20) 및 박막 봉지층(30)이 위치하는 표시 영역(DA)과, 박막 봉지층(30) 외측의 패드 영역(PA)을 포함한다. 패드 영역(PA)에는 화소 회로와 연결되는 패드 전극들(도시하지 않음)이 위치하며, 패드 전극들은 패드 영역(PA)에 부착된 칩 온 필름(61) 또는 가요성 인쇄회로기판과 전기적으로 연결된다. 도 1에서 부호 62는 패드 영역(PA)에 실장된 집적회로 칩을 나타낸다.The flexible substrate 10 includes a display area DA where the display unit 20 and the thin film encapsulation layer 30 are located, and a pad area PA outside the thin film encapsulation layer 30. Pad electrodes (not shown) connected to the pixel circuit are located in the pad area PA, and the pad electrodes are electrically connected to the chip-on film 61 or the flexible printed circuit board attached to the pad area PA. do. In FIG. 1, reference numeral 62 denotes an integrated circuit chip mounted in the pad area PA.

가요성 표시 장치(100)에서 배리어층(11), 버퍼층(12), 게이트 절연막(13), 및 층간 절연막(14)을 포함하는 무기막(19)은 가요성 기판(10)의 상면 전체에 형성된다. 그리고 박막 봉지층(30)은 가요성 기판(10)의 가장자리로부터 일정 거리 안쪽에 위치하여 박막 봉지층(30)의 바깥으로 무기막(19)이 노출된다. 박막 봉지층(30)은 대략 600㎛ 내지 700㎛의 간격을 두고 가요성 기판(10)의 가장자리 안쪽에 위치할 수 있다.In the flexible display device 100, the inorganic layer 19 including the barrier layer 11, the buffer layer 12, the gate insulating layer 13, and the interlayer insulating layer 14 is formed on the entire upper surface of the flexible substrate 10. Is formed. In addition, the thin film encapsulation layer 30 is located inside a predetermined distance from the edge of the flexible substrate 10 to expose the inorganic film 19 to the outside of the thin film encapsulation layer 30. The thin film encapsulation layer 30 may be positioned inside the edge of the flexible substrate 10 with an interval of approximately 600 μm to 700 μm.

도 3은 가요성 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 개략 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view illustrating a method of manufacturing a flexible display device.

도 3을 참고하면, 가요성 표시 장치(100)는 가요성 원장 기판(110) 상에 복수의 표시부(20)와 복수의 박막 봉지층(30)을 형성하고, 가요성 원장 기판(110)에 상부 보호 필름(65)과 하부 보호 필름(66)을 적층하고, 복수의 박막 봉지층(30) 사이를 절단하여 개별 가요성 표시 장치로 분리하고, 분리된 가요성 표시 장치에서 상부 보호 필름(65)과 하부 보호 필름(66)을 제거하는 과정을 거쳐 제조될 수 있다.Referring to FIG. 3, the flexible display device 100 forms a plurality of display units 20 and a plurality of thin film encapsulation layers 30 on the flexible ledger substrate 110, and The upper protective film 65 and the lower protective film 66 are stacked, the plurality of thin film encapsulation layers 30 are cut to separate them into individual flexible display devices, and the upper protective film 65 is separated from the separated flexible display device. ) And the lower protective film 66 may be removed.

상부 보호 필름(65)과 하부 보호 필름(66)은 적어도 한 층의 플라스틱 필름과 접착층을 구성될 수 있다.The upper protective film 65 and the lower protective film 66 may include at least one layer of a plastic film and an adhesive layer.

가요성 원장 기판(110)을 절단할 때에는 유리와 같은 단단한 기판의 절단에 사용되는 휠 커팅(wheel cutting) 방법과 레이저 커팅 방법을 적용하기 어렵다. 휠 커팅 방법의 경우 상, 하부 보호 필름(65, 66)이 절단 과정에서 찢어지며, 레이저 커팅 방법의 경우 레이저의 열로 인해 유기 발광 다이오드(40)가 초기에 열화된다. 따라서 가요성 원장 기판(110)은 주로 절단 나이프(67)를 이용한 프레스 방식으로 절단된다.When cutting the flexible ledger substrate 110, it is difficult to apply a wheel cutting method and a laser cutting method used for cutting a rigid substrate such as glass. In the case of the wheel cutting method, the upper and lower protective films 65 and 66 are torn during the cutting process, and in the case of the laser cutting method, the organic light emitting diode 40 is initially deteriorated due to the heat of the laser. Therefore, the flexible ledger substrate 110 is mainly cut by a press method using a cutting knife 67.

그런데 절단 과정에서 가요성 원장 기판(110)에 5톤 내지 15톤에 달하는 절상력이 충격량으로 직접 전달되므로 절단선(CL)에 위치하는 무기막(19)에 스트레스가 집중된다. 또한, 절단 나이프(67)가 상부 보호 필름(65)을 관통하여 무기막(19)을 직접 절단함에 따라 가요성 원장 기판(110)에 휨 응력이 발생한다. 이로 인해 취성이 강한 무기막(19)이 파괴되어 크랙이 발생한다.However, in the cutting process, since a cutting force of 5 to 15 tons is directly transmitted to the flexible ledger substrate 110 as an impulse, stress is concentrated on the inorganic film 19 positioned at the cutting line CL. In addition, as the cutting knife 67 penetrates the upper protective film 65 and directly cuts the inorganic film 19, a bending stress is generated in the flexible ledger substrate 110. As a result, the brittle inorganic film 19 is destroyed and cracks are generated.

도 1 내지 도 3을 참고하면, 본 실시예의 가요성 표시 장치(100)는 박막 봉지층(30)의 외측의 무기막(19) 상에서 가요성 기판(10)의 가장자리를 따라 형성되는 크랙 억제층(70)을 포함한다. 크랙 억제층(70)은 절단선(CL)에 대응하는 가요성 기판(10)의 가장자리와 접하도록 형성되며, 가요성 기판(10)의 가장자리 최상부에 위치한다.Referring to FIGS. 1 to 3, the flexible display device 100 of the present embodiment is a crack suppression layer formed along the edge of the flexible substrate 10 on the inorganic film 19 outside the thin film encapsulation layer 30. Includes (70). The crack suppression layer 70 is formed to come into contact with the edge of the flexible substrate 10 corresponding to the cutting line CL, and is positioned at the top of the edge of the flexible substrate 10.

표시 영역(DA) 외측에서 크랙 억제층(70)은 박막 봉지층(30)과 접하도록 형성되거나 박막 봉지층(30)과 소정의 거리를 두고 떨어져 위치할 수 있다. 패드 영역(PA) 외측에서 크랙 억제층(70)은 가요성 기판(10)의 가장자리를 따라 소정의 폭으로 형성된다.Outside the display area DA, the crack suppression layer 70 may be formed to contact the thin film encapsulation layer 30 or may be located apart from the thin film encapsulation layer 30 by a predetermined distance. Outside the pad area PA, the crack suppression layer 70 is formed with a predetermined width along the edge of the flexible substrate 10.

크랙 억제층(70)은 유기물로 형성되며, 평탄화층(15)과 화소 정의막(16) 중 적어도 하나와 같은 물질로 형성될 수 있다. 크랙 억제층(70)은 평탄화층(15)과 같은 물질로 형성된 제1층(71)과, 화소 정의막(16)과 같은 물질로 형성된 제2층(72)을 포함할 수 있다. 제1층(71)은 평탄화층(15)과 같거나 이보다 큰 두께로 형성될 수 있고, 제2층(72)은 화소 정의막(16)과 같거나 이보다 큰 두께로 형성될 수 있다.The crack suppression layer 70 may be formed of an organic material, and may be formed of the same material as at least one of the planarization layer 15 and the pixel defining layer 16. The crack suppression layer 70 may include a first layer 71 formed of the same material as the planarization layer 15 and a second layer 72 formed of the same material as the pixel defining layer 16. The first layer 71 may be formed to have a thickness equal to or greater than the planarization layer 15, and the second layer 72 may be formed to have a thickness equal to or greater than the pixel defining layer 16.

크랙 억제층(70)은 별도의 패턴 마스크를 사용하지 않고 평탄화층(15) 및 화소 정의막(16)과 동시에 형성될 수 있다. 즉 제1층(71)은 평탄화층(15)과 동시에 형성될 수 있고, 제2층(72)은 화소 정의막(16)과 동시에 형성될 수 있다.The crack suppression layer 70 may be formed simultaneously with the planarization layer 15 and the pixel defining layer 16 without using a separate pattern mask. That is, the first layer 71 may be formed at the same time as the planarization layer 15, and the second layer 72 may be formed at the same time as the pixel defining layer 16.

유기물로 형성된 크랙 억제층(70)이 가요성 기판(10)의 가장자리 최상부에 위치함에 따라, 도 3에 도시한 절단 과정에서 절단 나이프(67)는 무기막(19)보다 크랙 억제층(70)과 먼저 접촉한다. 크랙 억제층(70)은 절단 나이프(67)와 접하는 순간 하부에 위치하는 무기막(19)의 완충재 역할을 하므로 무기막(19)의 크랙 발생을 최소화할 수 있다.As the crack suppression layer 70 formed of an organic material is located at the top of the edge of the flexible substrate 10, the cutting knife 67 in the cutting process shown in FIG. 3 is more than the inorganic film 19. First contact with The crack suppression layer 70 serves as a buffer material for the inorganic film 19 positioned below the moment when it comes into contact with the cutting knife 67, so that the occurrence of cracks in the inorganic film 19 can be minimized.

또한, 절단선(CL)에 대응하는 가요성 기판(10)의 가장자리에서 두 개의 유기 구조물(크랙 억제층(70)과 가요성 기판(10))이 무기막(19)을 잡아 주는 기능을 하므로, 크랙이 무기막(19)을 타고 박막 봉지층(30)을 향해 전파되는 것을 억제할 수 있다. 따라서 크랙 전파로 인한 박막 봉지층(30)의 봉지 기능 상실을 방지할 수 있으며, 패널 수축과 표시 불량을 예방할 수 있다.In addition, since the two organic structures (crack suppression layer 70 and flexible substrate 10) at the edge of the flexible substrate 10 corresponding to the cutting line CL function to hold the inorganic film 19 , It is possible to suppress the propagation of the crack toward the thin film encapsulation layer 30 along the inorganic film 19. Accordingly, loss of the sealing function of the thin film sealing layer 30 due to crack propagation can be prevented, and panel shrinkage and display defects can be prevented.

다른 한편으로, 크랙 억제층(70)은 밀봉재로 사용되는 자외선 경화 수지 또는 열 경화 수지로 형성될 수 있다. 자외선 경화형 수지는 광중합 개시제를 함유한 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리에테르 수지, 또는 폴리아크릴 수지일 수 있다. 열 경화 수지는 에폭시 수지, 아미노 수지, 페놀 수지, 또는 폴리에스테르 수지일 수 있다.On the other hand, the crack suppression layer 70 may be formed of an ultraviolet curing resin or a heat curing resin used as a sealing material. The ultraviolet curable resin may be a polyester resin, an epoxy resin, a urethane resin, a polyether resin, or a polyacrylic resin containing a photoinitiator. The thermosetting resin may be an epoxy resin, an amino resin, a phenolic resin, or a polyester resin.

통상의 밀봉재는 평탄화층(15) 및 화소 정의막(16)보다 외부 충격에 강하므로, 밀봉재로 형성된 크랙 억제층(70)은 절단 과정에서 가해지는 충격량을 보다 효과적으로 저감시킬 수 있다.Since the conventional sealing material is more resistant to external impact than the planarization layer 15 and the pixel defining layer 16, the crack suppression layer 70 formed of the sealing material can more effectively reduce the amount of impact applied during the cutting process.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.4 is a partially enlarged cross-sectional view of a flexible display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참고하면, 제2 실시예의 가요성 표시 장치(200)는 무기막(19)의 일부가 가요성 기판(10)의 가장자리로부터 안쪽으로 이격 형성되는 것을 제외하고 전술한 제1 실시예와 같은 구성으로 이루어진다. 제1 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 도면 부호를 사용한다.Referring to FIG. 4, the flexible display device 200 of the second exemplary embodiment is similar to the first exemplary embodiment except that a part of the inorganic layer 19 is formed to be spaced inward from the edge of the flexible substrate 10. It consists of the same composition. The same reference numerals are used for the same members as in the first embodiment.

무기막(19) 가운데 수분과 산소 침투를 차단하는 배리어층(11)과 버퍼층(12)은 가요성 기판(10)의 상면 전체에 형성되고, 절연층으로 기능하는 게이트 절연막(13)과 층간 절연막(14)은 가장자리 일부가 제거되어 가요성 기판(10)의 가장자리로부터 일정 거리 안쪽에 위치할 수 있다.Among the inorganic layers 19, the barrier layer 11 and the buffer layer 12 that block moisture and oxygen penetration are formed on the entire upper surface of the flexible substrate 10, and the gate insulating layer 13 and the interlayer insulating layer function as an insulating layer. A portion of the edge of 14 may be removed to be positioned inside a predetermined distance from the edge of the flexible substrate 10.

게이트 절연막(13)과 층간 절연막(14)의 가장자리는 가요성 기판(10)의 가장자리와 박막 봉지층(30) 사이에 위치한다. 크랙 억제층(70)은 노출된 버퍼층(12)의 상면 및 층간 절연막(14)의 상부 일부와 접할 수 있다.Edges of the gate insulating layer 13 and the interlayer insulating layer 14 are positioned between the edge of the flexible substrate 10 and the thin film encapsulation layer 30. The crack suppression layer 70 may contact the exposed upper surface of the buffer layer 12 and the upper part of the interlayer insulating layer 14.

절단선(CL)에 대응하는 가요성 기판(10)의 가장자리에서 무기막(19)의 두께가 감소함에 따라, 제2 실시예의 가요성 표시 장치(200)는 절단 시 크랙 발생 및 절단 이후의 후속 공정에서 크랙 전파를 보다 효과적으로 억제할 수 있다.As the thickness of the inorganic film 19 decreases at the edge of the flexible substrate 10 corresponding to the cutting line CL, the flexible display device 200 of the second embodiment generates cracks during cutting and subsequent subsequent cutting. Crack propagation can be more effectively suppressed in the process.

도 5a와 도 5b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.5A and 5B are partially enlarged cross-sectional views of a flexible display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 5a와 도 5b를 참고하면, 제3 실시예의 가요성 표시 장치(300)는 크랙 억제층(70)이 가요성 기판(10)의 가장자리로부터 안쪽으로 이격 형성되는 것을 제외하고 전술한 제1 실시예와 유사한 구성으로 이루어진다. 제1 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 도면 부호를 사용한다.Referring to FIGS. 5A and 5B, in the flexible display device 300 of the third exemplary embodiment, the first embodiment described above except that the crack suppression layer 70 is formed to be spaced inward from the edge of the flexible substrate 10. It has a configuration similar to the example. The same reference numerals are used for the same members as in the first embodiment.

크랙 억제층(70)이 가요성 기판(10)의 가장자리로부터 일정 거리 안쪽에 위치하여도 절단선(CL)과 크랙 억제층(70) 사이의 간격이 극히 좁기 때문에 절단 과정에서 절단 나이프(67)는 절단선(CL) 양쪽의 크랙 억제층(70)과 접한다. 따라서 크랙 억제층(70)은 절단 나이프(67)와 접하는 순간 하부에 위치하는 무기막(19)의 완충재 역할을 하여 무기막(19)의 크랙 발생을 최소화할 수 있다.Even if the crack suppression layer 70 is located inside a certain distance from the edge of the flexible substrate 10, the gap between the cutting line CL and the crack suppression layer 70 is extremely narrow. Is in contact with the crack suppression layer 70 on both sides of the cutting line CL. Therefore, the crack suppression layer 70 acts as a buffer material for the inorganic film 19 positioned below the moment when it comes into contact with the cutting knife 67, thereby minimizing the occurrence of cracks in the inorganic film 19.

제3 실시예의 가요성 표시 장치(300)에서 무기막(19)의 일부, 예를 들어 게이트 절연막(13)과 층간 절연막(14)은 가장자리 일부가 제거되어 가요성 기판(10)의 가장자리로부터 크랙 억제층(70)보다 더 안쪽으로 이격 형성될 수 있다. 가요성 기판(10)의 가장자리에서 무기막(19)의 두께가 감소함에 따라 크랙 발생 및 크랙 전파를 억제할 수 있다.In the flexible display device 300 of the third exemplary embodiment, a part of the inorganic film 19, for example, the gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 14, are partially removed to crack from the edge of the flexible substrate 10. It may be formed spaced further inward than the suppression layer 70. As the thickness of the inorganic film 19 at the edge of the flexible substrate 10 decreases, generation of cracks and propagation of cracks may be suppressed.

도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 가요성 표시 장치의 부분 확대 단면도이다.6 is a partially enlarged cross-sectional view of a flexible display device according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 6을 참고하면, 제4 실시예의 가요성 표시 장치(400)는 무기막(19) 전체가 가요성 기판(10)의 가장자리로부터 크랙 억제층(70)보다 더 안쪽으로 이격 형성되는 것을 제외하고 전술한 제3 실시예와 동일한 구성으로 이루어진다. 제3 실시예와 같은 부재에 대해서는 같은 도면 부호를 사용한다.Referring to FIG. 6, in the flexible display device 400 of the fourth exemplary embodiment, except that the entire inorganic film 19 is formed further inwardly spaced apart from the edge of the flexible substrate 10 than the crack suppression layer 70. It has the same configuration as the third embodiment described above. The same reference numerals are used for the same members as in the third embodiment.

무기막(19) 전체는 가장자리 일부가 제거되어 가요성 기판(10)의 가장자리로부터 크랙 억제층(70)보다 더 안쪽에 위치한다. 따라서 절단선(CL) 주위로 가요성 기판(10)이 노출되며, 크랙 억제층(70)은 무기막(19)의 측면과 무기막(19)의 상면 일부를 덮는다.A portion of the edge of the entire inorganic film 19 is removed and is positioned further inside the crack suppression layer 70 from the edge of the flexible substrate 10. Accordingly, the flexible substrate 10 is exposed around the cutting line CL, and the crack suppression layer 70 covers the side surface of the inorganic layer 19 and a part of the upper surface of the inorganic layer 19.

제4 실시예에서는 절단선(CL) 주위로 무기막(19)이 제거됨에 따라 절단 과정에서 절단 나이프(67)는 무기막(19)과 접촉하지 않는다. 즉 절단 나이프(67)는 가요성 기판(10) 및 절단선(CL) 양측의 크랙 억제층(70)과 접촉한다. 이로써 절단 과정에서 무기막(19)의 크랙 발생을 최소화할 수 있고, 절단 이후의 후속 공정에서 크랙의 전파 또한 효과적으로 억제할 수 있다.In the fourth embodiment, as the inorganic film 19 is removed around the cutting line CL, the cutting knife 67 does not contact the inorganic film 19 during the cutting process. That is, the cutting knife 67 contacts the flexible substrate 10 and the crack suppression layer 70 on both sides of the cutting line CL. Accordingly, it is possible to minimize the occurrence of cracks in the inorganic film 19 during the cutting process, and it is possible to effectively suppress the propagation of cracks in a subsequent process after cutting.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited thereto, and it is possible to implement various modifications within the scope of the claims, the detailed description of the invention, and the accompanying drawings. It is natural to fall within the range of.

100, 200, 300, 400: 가요성 표시 장치
10: 가요성 기판
19: 무기막
20: 표시부
30: 박막 봉지층
40: 유기 발광 다이오드
50: 박막 트랜지스터
65: 상부 보호 필름
66: 하부 보호 필름
70: 크랙 억제층(유기 물질층)100, 200, 300, 400: flexible display device
10: flexible substrate
19: inorganic membrane
20: display
30: thin film encapsulation layer
40: organic light emitting diode
50: thin film transistor
65: upper protective film
66: lower protective film
70: crack suppression layer (organic material layer)

Claims (20)

기판,
상기 기판 위에 위치하며, 반도체 패턴을 포함하는 트랜지스터,
상기 반도체 패턴과 상기 기판 사이에 위치하는 제1 무기막,
상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극을 포함하는 발광 소자,
상기 발광 소자를 덮는 박막 봉지층,
상기 제1 전극과 상기 반도체 패턴 사이에 위치하는 제2 무기막, 그리고
상기 기판의 적어도 일측 가장자리를 따라 위치하며, 상기 박막 봉지층과 이격되어 있는 유기 물질층
을 포함하는 표시 장치.Board,
A transistor positioned on the substrate and including a semiconductor pattern,
A first inorganic layer positioned between the semiconductor pattern and the substrate,
A light emitting device comprising a first electrode electrically connected to the transistor,
A thin film encapsulation layer covering the light emitting device,
A second inorganic layer positioned between the first electrode and the semiconductor pattern, and
An organic material layer positioned along at least one edge of the substrate and spaced apart from the thin film encapsulation layer
Display device comprising a. 제1항에서,
상기 유기 물질층은 상기 제2 무기막의 측면과 접촉하는 표시 장치.In claim 1,
The organic material layer is in contact with a side surface of the second inorganic layer. 제2항에서,
상기 유기 물질층은 상기 제2 무기막의 상면과 접촉하는 표시 장치.In paragraph 2,
The organic material layer is in contact with an upper surface of the second inorganic layer. 제3항에서,
상기 유기 물질층은 상기 제1 무기막의 상면과 접촉하는 표시 장치.In paragraph 3,
The organic material layer is in contact with an upper surface of the first inorganic layer. 제1항에서,
상기 발광 소자는 상기 제1 전극 위에 위치하는 발광층 및 상기 발광층 위에 위치하는 제2 전극을 더 포함하고,
상기 표시 장치는 상기 제2 무기막과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 제1 유기막, 그리고 상기 제1 유기막과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 상기 제1 전극과 중첩하는 개구를 가진 제2 유기막을 더 포함하고,
상기 유기 물질층은 상기 제1 유기막 또는 상기 제2 유기막과 동일 물질로 이루어진 표시 장치.In claim 1,
The light-emitting device further includes a light-emitting layer disposed on the first electrode and a second electrode disposed on the light-emitting layer,
The display device includes a first organic layer disposed between the second inorganic layer and the first electrode, and a second organic layer disposed between the first organic layer and the second electrode and having an opening overlapping the first electrode. It further includes an organic film,
The organic material layer is formed of the same material as the first organic layer or the second organic layer. 제1항에서,
상기 유기 물질층은 상기 기판의 상기 적어도 일측 가장자리로부터 일정 거리 이격되어 있는 표시 장치.In claim 1,
The organic material layer is spaced apart from an edge of the at least one side of the substrate by a predetermined distance. 제1항에서,
상기 제1 무기막과 상기 반도체 패턴 사이에 제3 무기막을 더 포함하며,
상기 제1 무기막과 상기 제3 무기막은 상기 기판의 상기 적어도 일측 가장자리까지 연장하는 표시 장치.In claim 1,
Further comprising a third inorganic layer between the first inorganic layer and the semiconductor pattern,
The first inorganic layer and the third inorganic layer extend to at least one edge of the substrate. 제1항에서,
상기 제2 무기막과 상기 반도체 패턴 사이에 제4 무기막을 더 포함하며,
상기 유기 물질층은 상기 제4 무기막의 측면과 접촉하는 표시 장치.In claim 1,
Further comprising a fourth inorganic layer between the second inorganic layer and the semiconductor pattern,
The organic material layer is in contact with a side surface of the fourth inorganic layer. 제8항에서,
상기 제2 무기막의 가장자리와 상기 제4 무기막의 가장자리는 상기 기판의 상기 적어도 일측 가장자리로부터 일정 거리 이격되어 위치하는 표시 장치.In clause 8,
An edge of the second inorganic layer and an edge of the fourth inorganic layer are positioned at a predetermined distance apart from the at least one edge of the substrate. 제1항에서,
상기 기판을 기준으로, 상기 유기 물질층의 높이가 상기 박막 봉지층의 높이보다 낮은 표시 장치.In claim 1,
A display device in which a height of the organic material layer is lower than a height of the thin film encapsulation layer based on the substrate. 기판,
상기 기판 위에 위치하며, 반도체 패턴을 포함하는 트랜지스터,
상기 반도체 패턴과 상기 기판 사이에 위치하는 제1 무기막,
상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1 전극을 포함하는 발광 소자,
상기 발광 소자를 덮는 박막 봉지층,
상기 제1 전극과 상기 반도체 패턴 사이에 위치하는 제2 무기막, 그리고
상기 제2 무기막의 측면과 접촉하는 유기 물질층
을 포함하는 표시 장치.Board,
A transistor positioned on the substrate and including a semiconductor pattern,
A first inorganic layer positioned between the semiconductor pattern and the substrate,
A light emitting device comprising a first electrode electrically connected to the transistor,
A thin film encapsulation layer covering the light emitting device,
A second inorganic layer positioned between the first electrode and the semiconductor pattern, and
An organic material layer in contact with a side surface of the second inorganic layer
Display device comprising a. 제11항에서,
상기 제2 무기막과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 제3 무기막을 더 포함하며,
상기 유기 물질층은 상기 제3 무기막의 측면과 접촉하는 표시 장치.In clause 11,
Further comprising a third inorganic film positioned between the second inorganic film and the first electrode,
The organic material layer is in contact with a side surface of the third inorganic layer. 제12항에서,
상기 유기 물질층은 상기 기판의 일측 가장자리와 상기 제2 무기막 사이에 위치하는 제1 부분과 상기 제2 무기막 위에 위치하는 제2 부분을 포함하는 표시 장치.In claim 12,
The organic material layer includes a first portion positioned between one edge of the substrate and the second inorganic layer, and a second portion positioned on the second inorganic layer. 제13항에서,
상기 유기 물질층의 상기 제1 부분은 상기 제1 무기막의 상면과 접촉하는 표시 장치.In claim 13,
The first portion of the organic material layer is in contact with an upper surface of the first inorganic layer. 제13항에서,
상기 유기 물질층의 상기 제2 부분은 상기 제3 무기막의 상면과 접촉하는 표시 장치.In claim 13,
The second portion of the organic material layer contacts an upper surface of the third inorganic layer. 제13항에서,
상기 유기 물질층은 상기 기판의 상기 일측 가장자리로부터 이격되어 있는 표시 장치.In claim 13,
The organic material layer is spaced apart from the edge of the one side of the substrate. 제12항에서,
상기 기판과 상기 제1 무기막 사이에 위치하는 제4 무기막을 더 포함하며,
상기 제1 무기막 및 상기 제4 무기막은 상기 기판의 적어도 일측 가장자리까지 위치하는 표시 장치.In claim 12,
Further comprising a fourth inorganic film positioned between the substrate and the first inorganic film,
The first inorganic layer and the fourth inorganic layer are disposed to at least one edge of the substrate. 제11항에서,
상기 제2 무기막과 상기 제1 전극 사이에 위치하는 제1 유기막, 그리고
상기 제1 전극 위에 위치하는 제2 유기막
을 더 포함하며,
상기 유기 물질층은 상기 제1 유기막 또는 상기 제2 유기막과 동일 물질로 이루어진 표시 장치.In clause 11,
A first organic layer positioned between the second inorganic layer and the first electrode, and
A second organic layer on the first electrode
It further includes,
The organic material layer is formed of the same material as the first organic layer or the second organic layer. 제18항에서,
상기 발광 소자는 상기 제1 전극 위에 위치하는 발광층 및 상기 발광층 위에 위치하는 제2 전극을 더 포함하고,
상기 제1 유기막은 상기 트랜지스터와 상기 제1 전극 사이에 위치하고,
상기 제2 유기막은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하며 상기 제1 전극과 중첩하는 개구를 가진 표시 장치.In paragraph 18,
The light-emitting device further includes a light-emitting layer disposed on the first electrode and a second electrode disposed on the light-emitting layer,
The first organic layer is located between the transistor and the first electrode,
The second organic layer is positioned between the first electrode and the second electrode and has an opening overlapping the first electrode. 제11항에서,
상기 유기 물질층 및 상기 박막 봉지층은 각각 상기 기판을 기준으로 제1 높이 및 제2 높이를 갖고, 상기 제1 높이가 상기 제2 높이보다 낮은 표시 장치.In clause 11,
The organic material layer and the thin film encapsulation layer each have a first height and a second height based on the substrate, and the first height is lower than the second height.
KR1020210028298A 2020-11-25 2021-03-03 Flexible display device KR102303603B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210028298A KR102303603B1 (en) 2020-11-25 2021-03-03 Flexible display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200159979A KR102225595B1 (en) 2020-11-25 2020-11-25 Flexible display device
KR1020210028298A KR102303603B1 (en) 2020-11-25 2021-03-03 Flexible display device

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200159979A Division KR102225595B1 (en) 2020-11-25 2020-11-25 Flexible display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210028177A true KR20210028177A (en) 2021-03-11
KR102303603B1 KR102303603B1 (en) 2021-09-17

Family

ID=75142804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210028298A KR102303603B1 (en) 2020-11-25 2021-03-03 Flexible display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102303603B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040002561A (en) * 2002-06-17 2004-01-07 산요덴키가부시키가이샤 Organic el panel and manufacturing method thereof
JP2005093396A (en) * 2003-09-19 2005-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its manufacturing method
KR20090027456A (en) * 2007-09-12 2009-03-17 엘지디스플레이 주식회사 Display device
KR20090054676A (en) * 2007-11-27 2009-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040002561A (en) * 2002-06-17 2004-01-07 산요덴키가부시키가이샤 Organic el panel and manufacturing method thereof
JP2005093396A (en) * 2003-09-19 2005-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device and its manufacturing method
KR20090027456A (en) * 2007-09-12 2009-03-17 엘지디스플레이 주식회사 Display device
KR20090054676A (en) * 2007-11-27 2009-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display

Also Published As

Publication number Publication date
KR102303603B1 (en) 2021-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
USRE49770E1 (en) Flexible display having a crack suppressing layer
US10962814B2 (en) Flexible display device
CN110352627B (en) Display device and method for manufacturing the same
KR102062842B1 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
WO2020191875A1 (en) Display panel and display device
WO2018179047A1 (en) Display device and method for producing same
KR20150001441A (en) Manufacturing method of flexible display device
KR102631975B1 (en) Organic Light Emitting Display device having an adhesive layer between a lower substrate and an upper substrate
WO2020049811A1 (en) Display device and display device manufacturing method
KR20140084919A (en) Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same
KR102225595B1 (en) Flexible display device
KR102185251B1 (en) Flexible display device
KR102303603B1 (en) Flexible display device
KR102016017B1 (en) Flexible display device
KR102104590B1 (en) Flexible display device
KR102175154B1 (en) Manufacturing method of organic light emitting diode display
KR102656389B1 (en) Apparatus comprising light emitting device
KR102312315B1 (en) Organic light emitting diode display
KR20210079898A (en) Display device
KR20200025579A (en) Apparatus comprising light emitting device
KR20150066792A (en) Organic Light Emitting Diode Display

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant