KR20210026452A - Light emitting display apparatus - Google Patents

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KR20210026452A
KR20210026452A KR1020190107240A KR20190107240A KR20210026452A KR 20210026452 A KR20210026452 A KR 20210026452A KR 1020190107240 A KR1020190107240 A KR 1020190107240A KR 20190107240 A KR20190107240 A KR 20190107240A KR 20210026452 A KR20210026452 A KR 20210026452A
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light emitting
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display device
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KR1020190107240A
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한경훈
구원회
조영덕
김용철
심동민
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

According to one embodiment of the present invention, a light emitting display device comprises: a substrate on which a plurality of sub-pixels are disposed, and including a first region and a second region; an overcoating layer disposed on the substrate; a plurality of first electrodes disposed on the plurality of sub-pixels on the overcoating layer; a bank layer disposed on partial regions of the plurality of first electrodes on the overcoating layer and defining light emitting regions and non-emission regions of the plurality of sub-pixels; a light emitting layer disposed to cover the first electrode and the bank layer; and a second electrode disposed on the light emitting layer. The overcoating layer may include a base unit disposed in the first region and the second region and a plurality of protrusion units protruding from the base unit in the second region. According to the present invention, the decrease in luminance according to a viewing angle of the light emitting display device can be improved by disposing the protrusion units in a curved region or a bending region.

Description

발광 표시 장치{LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS}Light emitting display device {LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS}

본 발명은 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 휘도 및 시야각이 개선된 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light-emitting display device, and more particularly, to a light-emitting display device with improved luminance and viewing angle.

현재 본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시 장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러 가지 표시 장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다.As the current information age enters, the field of display devices that visually display electrical information signals is rapidly developing, and research is continuing to develop performances such as thinner, lighter, and low power consumption for various display devices.

이러한 다양한 표시 장치 중, 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 발광 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비 전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각(viewing angle), 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용이 기대되고 있다.Among these various display devices, a light-emitting display device is a self-illuminating display device, and unlike a liquid crystal display device, since a separate light source is not required, it can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, the light emitting display device is not only advantageous in terms of power consumption by low voltage driving, but also has excellent color realization, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), so it is expected to be used in various fields. Has become.

탑 에미션(top emission) 방식의 발광 표시 장치의 경우, 발광층에서 발광된 빛을 상부로 발광시키기 위해 캐소드로 투과 특성을 갖는 물질을 사용한다. 캐소드가 투과 특성을 갖더라도, 발광층에서 발광된 광의 일부는 투과 특성을 갖는 캐소드에서 반사되어 애노드 측으로 향하게 되고, 애노드에서 다시 반사되어, 애노드와 캐소드 사이에서 반복적으로 반사되는 광이 발생한다. 이때, 발광층에서 발광되는 광이 반복적으로 반사되는 층들 사이의 거리에 기초하여 발광층에서 발광되는 광 중 특정 파장의 광이 보강 간섭을 통해 휘도가 개선되는 마이크로 캐비티(micro cavity)가 구현될 수 있다.In the case of a top emission type light emitting display device, a material having a transmissive property is used as a cathode in order to emit light emitted from the emission layer upward. Even if the cathode has a transmissive property, some of the light emitted from the light emitting layer is reflected from the cathode having the transmissive property and is directed toward the anode, and is reflected again at the anode, thereby generating light that is repeatedly reflected between the anode and the cathode. In this case, a microcavity may be implemented in which luminance of light of a specific wavelength among light emitted from the emission layer is improved through constructive interference based on a distance between layers through which light emitted from the emission layer is repeatedly reflected.

본 발명의 발명자들은 발광 표시 장치에 마이크로 캐비티를 구현하는 경우, 발광 표시 장치는 정면 방향으로의 휘도가 증가하여, 정면에서의 광 추출 효율이 개선된다는 것을 인식하였다. 그러나, 본 발명의 발명자들은 마이크로 캐비티 구현 시, 정면 휘도가 개선되는 것과는 반대로 측면에서의 휘도가 감소하며 색좌표가 변동된다는 것을 인식하였다. 즉, 마이크로 캐비티 구현 시, 시야각에 따라 휘도 및 색변화(color shift)가 발생하는 것을 확인하였다.The inventors of the present invention have recognized that when a micro-cavity is implemented in a light-emitting display device, the luminance in the front direction of the light-emitting display device is increased, so that light extraction efficiency from the front side is improved. However, the inventors of the present invention recognized that when implementing a micro-cavity, as opposed to improving the front luminance, the luminance at the side decreases and the color coordinate changes. That is, when implementing the micro-cavity, it was confirmed that luminance and color shift occurred according to the viewing angle.

본 발명의 발명자들은 가장자리가 벤딩(bending)되는 엣지 벤딩(edge bending)의 발광 표시 장치를 구현하는 경우, 발광 표시 장치의 벤딩 영역에 배치된 화소들이 벤딩 각도에 따라 측부를 향하도록 배치되어, 벤딩 영역에서의 휘도 및 시야각이 저하되는 것을 인식하였다. 예를 들면, 사용자가 정면 방향에서 발광 표시 장치를 바라보더라도, 벤딩 영역에 배치된 화소에 대해서는 정면 방향이 아닌 경사진 방향으로 화소를 바라보는 것과 동일한 현상이 발생한다. 이에, 마이크로 캐비티가 구현된 엣지 벤딩의 발광 표시 장치를 사용자가 정면에서 바라보는 경우, 평면부와 곡면부 간에 휘도 및 색좌표 차이가 발생한다. 예를 들면, 발광 표시 장치의 외곽부를 향할수록 벤딩되는 각도가 증가함에 따라, 휘도 및 시야각 저하 현상이 심하게 발생할 수 있다. When the inventors of the present invention implement an edge bending light emitting display device with an edge bending, the pixels disposed in the bending area of the light emitting display device are disposed to face the side according to the bending angle, and bend. It was recognized that the luminance and viewing angle in the region were lowered. For example, even if the user looks at the light emitting display device from the front direction, the same phenomenon occurs with respect to the pixels arranged in the bending area as when looking at the pixels in an oblique direction instead of the front direction. Accordingly, when a user views the edge-bending light emitting display device in which the micro-cavity is implemented from the front, a difference in luminance and color coordinates occurs between the flat portion and the curved portion. For example, as the bending angle increases toward the outer periphery of the light emitting display device, luminance and viewing angle may be severely deteriorated.

이에, 본 발명의 발명자들은 발광 표시 장치의 벤딩 영역에서의 광 추출 효율을 개선함과 동시에, 휘도 및 시야각에 따른 균일도 저하를 개선할 수 있는 새로운 구조의 발광 표시 장치를 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present invention invented a new structure of a light emitting display device capable of improving light extraction efficiency in a bending area of a light emitting display device and reducing uniformity according to luminance and viewing angle.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 곡면 영역 또는 벤딩 영역에 화소의 기울어짐을 보정하는 패턴을 배치하여, 곡면 영역 또는 벤딩 영역에서의 시야각에 따른 휘도 저하를 개선할 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.An object to be solved by the present invention is to provide a light emitting display device capable of improving luminance reduction according to a viewing angle in a curved area or a bending area by arranging a pattern for correcting inclination of a pixel in a curved area or a bending area.

또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 곡면 영역 또는 벤딩 영역에서의 광 추출 효율 및 정면 효율을 향상시켜, 소비 전력을 개선할 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.In addition, another problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting display device capable of improving power consumption by improving light extraction efficiency and front efficiency in a curved area or a bending area.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소가 배치되고, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 오버 코팅층, 오버 코팅층 상에서 복수의 서브 화소에 배치되는 복수의 제1 전극, 오버 코팅층 상에서 복수의 제1 전극의 일부 영역에 배치되며, 복수의 서브 화소의 발광 영역 및 비발광 영역을 정의하는 뱅크층, 제1 전극 및 뱅크층을 덮도록 배치되는 발광층, 및 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 오버 코팅층은, 제1 영역 및 제2 영역에 배치된 베이스부, 및 제2 영역에서 베이스부로부터 돌출된 복수의 돌출부를 포함할 수 있다.In the light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, a plurality of sub-pixels are disposed, and a substrate including a first region and a second region, an over-coating layer disposed on the substrate, and a plurality of sub-pixels disposed on the over-coating layer. A light emitting layer disposed on a plurality of first electrodes and an overcoat layer in a partial area of the plurality of first electrodes and disposed to cover the bank layer defining the light emitting area and the non-emitting area of the plurality of sub-pixels, the first electrode, and the bank layer , And a second electrode disposed on the emission layer, and the overcoat layer may include a base portion disposed in the first region and the second region, and a plurality of protrusions protruding from the base portion in the second region.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 평면부 및 곡면부를 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 절연층, 절연층 상에 배치되고, 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자, 및 제1 전극의 일부 영역에 배치되는 뱅크층을 포함하고, 절연층은 곡면부에서 뱅크층과 서로 다른 위치에 배치되는 복수의 시야각 개선 패턴을 포함할 수 있다.A light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention includes a substrate including a flat portion and a curved portion, an insulating layer disposed on the substrate, and a light emitting device disposed on the insulating layer, and including a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode. , And a bank layer disposed in a partial region of the first electrode, and the insulating layer may include a plurality of viewing angle improvement patterns disposed at different positions from the bank layer in the curved portion.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 곡면 영역 또는 벤딩 영역에 돌출부를 배치하여, 발광 표시 장치의 시야각에 따른 휘도 저하를 개선할 수 있다.According to the present invention, by disposing the protrusion in the curved area or the bent area, it is possible to improve the reduction in luminance according to the viewing angle of the light emitting display device.

본 발명은 곡면 영역 또는 벤딩 영역의 발광층에서 발광된 광의 경로를 변경하여 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다.According to the present invention, light extraction efficiency may be increased by changing a path of light emitted from a light emitting layer in a curved area or a bent area.

본 발명은 광 추출 효율 및 정면 효율을 향상시켜, 소비 전력이 개선된 발광 표시 장치를 구현할 수 있다.The present invention can improve light extraction efficiency and frontal efficiency, thereby implementing a light emitting display device with improved power consumption.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 II-II'에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 3a는 도 1의 III-III'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 전의 단면도이다.
도 3b는 도 1의 III-III'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 후의 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 전의 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 후의 단면도이다.
도 5는 비교예에 따른 발광 표시 장치에서의 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치에서의 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치에서의 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다.
도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 표시 장치에서의 기판의 경사각, 돌출부의 높이 및 제3 각에 따른 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다.
1 is a perspective view of a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a light emitting display according to II-II' of FIG. 1.
3A is a cross-sectional view of the light emitting display according to III-III' of FIG. 1 before bending.
3B is a cross-sectional view of the light emitting display according to III-III' of FIG. 1 after bending.
4A is a cross-sectional view of a light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention before bending.
4B is a cross-sectional view of a light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention after bending.
5 is an image for explaining light extraction efficiency in a light emitting display device according to a comparative example.
6 is an image illustrating light extraction efficiency in a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is an image illustrating light extraction efficiency in a light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention.
8A to 8C are images for explaining light extraction efficiency according to an inclination angle of a substrate, a height of a protrusion, and a third angle in the light emitting display device according to example embodiments.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Advantages and features of the present invention, and a method of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different shapes, only these embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to completely inform the scope of the invention to those who have, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, areas, ratios, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are exemplary, and thus the present invention is not limited to the illustrated matters. The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification. In addition, in describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When'include','have','consists of' and the like mentioned in the present invention are used, other parts may be added unless'only' is used. In the case of expressing the constituent elements in the singular, it includes the case of including the plural unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. In interpreting the constituent elements, it is interpreted as including an error range even if there is no explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as'upper','upper of','lower of','next to','right' Or, unless'direct' is used, one or more other parts may be located between the two parts.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.When an element or layer is referred to as “on” another element or layer, it includes all cases in which another layer or another element is interposed directly on or in the middle of another element.

또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.Also, the first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another component. Accordingly, the first constituent element mentioned below may be a second constituent element within the technical idea of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.The same reference numerals refer to the same elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The area and thickness of each component shown in the drawings are illustrated for convenience of description, and the present invention is not necessarily limited to the area and thickness of the illustrated component.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each of the features of the various embodiments of the present invention can be partially or entirely combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be independently implemented with respect to each other or can be implemented together in an association relationship. May be.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 도 1의 II-II'에 따른 발광 표시 장치의 단면도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 박막 트랜지스터(120), 오버 코팅층(130), 뱅크층(140), 발광 소자(150) 및 봉지부(170)를 포함할 수 있다. 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션(top emission) 방식의 발광 표시 장치로 구현된다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 발광 표시 장치(100)의 다양한 구성요소 중 기판(110)만을 도시하였다.1 is a perspective view of a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of a light emitting display according to II-II' of FIG. 1. 1 and 2, the light emitting display device 100 includes a substrate 110, a thin film transistor 120, an overcoat layer 130, a bank layer 140, a light emitting device 150, and an encapsulation unit 170. It may include. The light emitting display device 100 is implemented as a top emission type light emitting display device. In FIG. 1, only the substrate 110 is illustrated among various components of the light emitting display device 100 for convenience of description.

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판(110)은 발광 표시 장치(100)의 여러 구성요소들을 지지하고 보호할 수 있다. 기판(110)은 유리 또는 플렉서빌리티(flexibility)를 갖는 플라스틱 물질로 이루어질 수 있다. 기판(110)이 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 예를 들어, 폴리이미드(polyimide; PI)로 이루어질 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다. 기판(110)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함한다. 제1 영역(A1)은 평면으로 이루어지는 영역이고, 제2 영역(A2)은 곡면으로 이루어지는 영역이다. 제1 영역(A1)은 평면 영역일 수 있으며, 제2 영역(A2)은 곡면 영역일 수 있다. 제1 영역(A1)은 평면부일 수 있으며, 제2 영역(A2)은 곡면부 또는 벤딩부일 수 있다. 제1 영역(A1)은 예를 들면, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)의 양 측에 배치되어, 제1 영역(A1)으로부터 멀어질수록 기울기가 증가할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 제1 영역(A1)의 양 측에 배치되는 제2 영역(A2) 각각은 서로 다른 곡률을 가지고 배치될 수 있다. 또한, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)의 한 변에만 배치될 수도 있고, 제1 영역(A1)의 모든 변에 배치될 수도 있다. 예를 들면, 제1 영역(A1)이 네 개의 변을 가질 경우, 제2 영역(A2)은 네 개의 변 중에서 하나 이상의 변에 배치되거나, 네 개의 변의 모든 변에 배치될 수 있다. 1 and 2, the substrate 110 may support and protect various components of the light emitting display device 100. The substrate 110 may be made of glass or a plastic material having flexibility. When the substrate 110 is made of a plastic material, for example, it may be made of polyimide (PI). However, it is not limited thereto. The substrate 110 includes a first area A1 and a second area A2. The first area A1 is a planar area, and the second area A2 is a curved area. The first area A1 may be a flat area, and the second area A2 may be a curved area. The first area A1 may be a flat portion, and the second area A2 may be a curved portion or a bent portion. In the first region A1, for example, the second region A2 is disposed on both sides of the first region A1, and the slope may increase as the distance from the first region A1 increases. However, the present invention is not limited thereto, and each of the second regions A2 disposed on both sides of the first region A1 may be disposed with a different curvature. Also, the second area A2 may be disposed on only one side of the first area A1 or may be disposed on all sides of the first area A1. For example, when the first area A1 has four sides, the second area A2 may be disposed on one or more of the four sides, or may be disposed on all sides of the four sides.

기판(110)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함한다. 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)은 기판(110)의 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에 각각 배치될 수 있다.The substrate 110 includes a display area AA and a non-display area NA. The display area AA and the non-display area NA may be disposed in the first area A1 and the second area A2 of the substrate 110, respectively.

표시 영역(AA)은 발광 표시 장치(100)에서 영상이 표시되는 영역으로서, 표시 영역(AA)에서는 표시 소자 및 표시 소자를 구동하기 위한 다양한 구동 소자들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 표시 소자는 제1 전극(151), 발광층(152), 및 제2 전극(153)을 포함하는 발광 소자(150)로 구성될 수 있다. 또한, 표시 소자를 구동하기 위한 박막 트랜지스터(120), 커패시터, 및 배선 등과 같은 다양한 구동 소자가 표시 영역(AA)에 배치될 수 있다.The display area AA is an area in which an image is displayed in the light emitting display device 100, and a display element and various driving elements for driving the display element may be disposed in the display area AA. For example, the display device may include a light emitting device 150 including a first electrode 151, a light emitting layer 152, and a second electrode 153. In addition, various driving elements such as a thin film transistor 120 for driving the display element, a capacitor, and a wiring may be disposed in the display area AA.

표시 영역(AA)에는 복수의 서브 화소(SP)가 포함될 수 있다. 서브 화소(SP)는 화면을 구성하는 최소 단위로, 복수의 서브 화소(SP) 각각은 발광 소자(150) 및 구동 회로를 포함할 수 있다. 그리고, 복수의 서브 화소(SP) 각각은 서로 다른 파장의 광을 발광할 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)는 적어도 하나의 적색 서브 화소, 녹색 서브 화소, 및 청색 서브 화소를 포함할 수 있다. 이에 제한되지 않고 복수의 서브 화소(SP)는 백색 서브 화소를 더 포함할 수도 있다.A plurality of sub-pixels SP may be included in the display area AA. The sub-pixel SP is a minimum unit constituting a screen, and each of the plurality of sub-pixels SP may include a light emitting element 150 and a driving circuit. In addition, each of the plurality of sub-pixels SP may emit light having a different wavelength. For example, the plurality of sub-pixels SP may include at least one red sub-pixel, a green sub-pixel, and a blue sub-pixel. This is not limited thereto, and the plurality of sub-pixels SP may further include a white sub-pixel.

서브 화소(SP)의 구동 회로는 발광 소자(150)의 구동을 제어하기 위한 회로이다. 예를 들면, 구동 회로는 박막 트랜지스터(120) 및 커패시터를 포함하여 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The driving circuit of the sub-pixel SP is a circuit for controlling driving of the light emitting element 150. For example, the driving circuit may include the thin film transistor 120 and a capacitor, but is not limited thereto.

비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로서, 표시 영역(AA)에 배치된 복수의 서브 화소(SP)를 구동하기 위한 다양한 구성요소들이 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 서브 화소(SP)의 구동을 위한 신호를 공급하는 구동 IC, 및 플렉서블 필름 등이 배치될 수도 있다.The non-display area NA is an area in which an image is not displayed, and various components for driving the plurality of sub-pixels SP disposed in the display area AA may be disposed. For example, a driving IC that supplies signals for driving the plurality of sub-pixels SP, a flexible film, and the like may be disposed.

비표시 영역(NA)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역일 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않는다. 예를 들면, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에서 연장되는 영역일 수도 있다.The non-display area NA may be an area surrounding the display area AA as illustrated in FIG. 1. However, it is not limited thereto. For example, the non-display area NA may be an area extending from the display area AA.

도 2를 참조하여 제1 영역(A1)에 배치된 서브 화소(SP)에 대해 설명한다. 기판(110) 상에 버퍼층(111)이 배치된다. 버퍼층(111)은 버퍼층(111) 상에 형성되는 층들과 기판(110) 간의 접착력을 향상시키고, 기판(110)으로부터 유출되는 알칼리 성분 등을 차단할 수 있다. 버퍼층(111)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx) 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 버퍼층(111)은 기판(110)의 종류 및 물질, 박막 트랜지스터(120)의 구조 및 타입 등에 기초하여 생략될 수도 있다.The sub-pixel SP disposed in the first area A1 will be described with reference to FIG. 2. The buffer layer 111 is disposed on the substrate 110. The buffer layer 111 may improve adhesion between layers formed on the buffer layer 111 and the substrate 110, and may block an alkali component, etc., leaking out from the substrate 110. The buffer layer 111 may be formed of a single layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), or a multiple layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), but is not limited thereto. The buffer layer 111 may be omitted based on the type and material of the substrate 110 and the structure and type of the thin film transistor 120.

기판(110) 상에 박막 트랜지스터(120)가 배치된다. 박막 트랜지스터(120)는 발광 표시 장치(100)의 구동 소자로 사용될 수 있다. 박막 트랜지스터(120)는 게이트 전극(121), 액티브층(122), 소스 전극(123), 및 드레인 전극(124)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서 박막 트랜지스터(120)는 게이트 전극(121) 상에 액티브층(122)이 배치되고, 액티브층(122) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치된 구조로, 게이트 전극(121)이 가장 하부에 배치된 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막 트랜지스터(120)일 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.The thin film transistor 120 is disposed on the substrate 110. The thin film transistor 120 may be used as a driving element of the light emitting display device 100. The thin film transistor 120 includes a gate electrode 121, an active layer 122, a source electrode 123, and a drain electrode 124. In the light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, in the thin film transistor 120, an active layer 122 is disposed on a gate electrode 121, and a source electrode 123 and a source electrode 123 are disposed on the active layer 122. A structure in which the drain electrode 124 is disposed, and may be a thin film transistor 120 having a bottom gate structure in which the gate electrode 121 is disposed at the bottom. However, it is not limited thereto.

박막 트랜지스터(120)의 게이트 전극(121)은 기판(110) 상에 배치된다. 게이트 전극(121)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The gate electrode 121 of the thin film transistor 120 is disposed on the substrate 110. The gate electrode 121 is a variety of metal materials, for example, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and Any one of copper (Cu), an alloy of two or more, or a multilayer thereof may be used, but the present invention is not limited thereto.

게이트 전극(121) 상에 게이트 절연층(112)이 배치된다. 게이트 절연층(112)은 게이트 전극(121)과 액티브층(122)을 전기적으로 절연시키기 위한 층으로, 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 게이트 절연층(112)은 무기물인 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.A gate insulating layer 112 is disposed on the gate electrode 121. The gate insulating layer 112 is a layer for electrically insulating the gate electrode 121 and the active layer 122 and may be made of an insulating material. For example, the gate insulating layer 112 may be composed of a single layer of inorganic silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), or a multilayer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), but is limited thereto. It does not become.

게이트 절연층(112) 상에 액티브층(122)이 배치된다. 액티브층(122)은 게이트 전극(121)과 중첩하도록 배치된다. 예를 들어, 액티브층(122)은 산화물 반도체로 형성될 수도 있고, 비정질 실리콘(amorphous silicon, a-Si), 다결정 실리콘(polycrystalline silicon, poly-Si), 또는 유기물(organic) 반도체 등으로 형성될 수 있다. The active layer 122 is disposed on the gate insulating layer 112. The active layer 122 is disposed to overlap the gate electrode 121. For example, the active layer 122 may be formed of an oxide semiconductor, amorphous silicon (a-Si), polycrystalline silicon (poly-Si), or an organic semiconductor. I can.

액티브층(122) 상에 에치 스토퍼(etch stopper; 113)가 배치된다. 에칭 방법으로 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)을 패터닝하여 형성하는 경우, 에치 스토퍼(113)에 의해 액티브층(122)의 표면이 플라즈마로 인한 손상을 방지할 수 있다. 에치 스토퍼(113)의 일측은 소스 전극(123)과 중첩하고, 타측은 드레인 전극(124)과 중첩할 수 있다. 그러나, 에치 스토퍼(113)는 생략될 수도 있다.An etch stopper 113 is disposed on the active layer 122. When the source electrode 123 and the drain electrode 124 are patterned and formed by an etching method, the surface of the active layer 122 may be prevented from being damaged due to plasma by the etch stopper 113. One side of the etch stopper 113 may overlap the source electrode 123 and the other side may overlap the drain electrode 124. However, the etch stopper 113 may be omitted.

액티브층(122) 및 에치 스토퍼(113) 상에 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)이 배치된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 동일 층에서 이격되어 배치된다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 액티브층(122)과 접하는 방식으로 액티브층(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 소스 전극(123) 및 드레인 전극(124)은 다양한 금속 물질, 예를 들어, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 및 구리(Cu) 중 어느 하나이거나 둘 이상의 합금, 또는 이들의 다중층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The source electrode 123 and the drain electrode 124 are disposed on the active layer 122 and the etch stopper 113. The source electrode 123 and the drain electrode 124 are disposed to be spaced apart on the same layer. The source electrode 123 and the drain electrode 124 may be electrically connected to the active layer 122 in a manner that contacts the active layer 122. The source electrode 123 and the drain electrode 124 are various metal materials, for example, molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), Any one of neodymium (Nd) and copper (Cu), an alloy of two or more, or a multilayer thereof may be used, but the present invention is not limited thereto.

박막 트랜지스터(120) 상에 오버 코팅층(130)이 배치된다. 오버 코팅층(130)은 박막 트랜지스터(120)를 보호하고, 기판(110) 상에 배치되는 층들의 단차를 완만하게 할 수 있다. 오버 코팅층(130)은 아크릴계 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 폴리페닐렌계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 벤조사이클로부텐, 및 포토레지스트 중 하나로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The overcoat layer 130 is disposed on the thin film transistor 120. The overcoat layer 130 may protect the thin film transistor 120 and smooth a step difference between layers disposed on the substrate 110. The overcoat layer 130 is an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, a polyimide resin, an unsaturated polyester resin, a polyphenylene resin, a polyphenylene sulfide resin, a benzocyclobutene, and a photoresist. It may be formed of one of, but is not limited thereto.

오버 코팅층(130)은 베이스부(131)를 포함한다. 베이스부(131)는 기판(110)의 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에서 박막 트랜지스터(120) 상에 배치된다. 베이스부(131)의 상면은 기판(110)과 실질적으로 평행한 면을 갖는다. 이에, 베이스부(131)는 박막 트랜지스터(120)를 보호하고, 기판(110) 상에 배치되는 층들의 단차를 평탄화할 수 있다. The overcoat layer 130 includes a base portion 131. The base portion 131 is disposed on the thin film transistor 120 in the first region A1 and the second region A2 of the substrate 110. The upper surface of the base portion 131 has a surface substantially parallel to the substrate 110. Accordingly, the base portion 131 may protect the thin film transistor 120 and may flatten a level difference between layers disposed on the substrate 110.

도 2를 참조하면, 오버 코팅층(130) 상에 발광 소자(150)가 배치된다. 발광 소자(150)는 오버 코팅층(130) 상에 배치된 제1 전극(151), 제1 전극(151) 상에 배치된 발광층(152), 및 발광층(152) 상에 배치된 제2 전극(153)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the light emitting device 150 is disposed on the overcoat layer 130. The light emitting device 150 includes a first electrode 151 disposed on the overcoat layer 130, a light emitting layer 152 disposed on the first electrode 151, and a second electrode disposed on the light emitting layer 152 ( 153).

제1 전극(151)은 오버 코팅층(130) 상에 배치되어 베이스부(131)의 상면의 일부를 덮도록 배치된다. 제1 전극(151)은 오버 코팅층(130)의 베이스부(131) 상에서 박막 트랜지스터(120)와 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 151 is disposed on the overcoat layer 130 and disposed to cover a part of the upper surface of the base portion 131. The first electrode 151 may be electrically connected to the thin film transistor 120 on the base portion 131 of the overcoat layer 130.

제1 전극(151)은 반사층 및 반사층 상에 배치된 투명 도전층을 포함하여 구성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치이므로, 반사층은 발광 소자(150)에서 발광된 광을 상부로 반사시킬 수 있다. 반사층은 금속 물질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 마그네슘-은 합금(Mg:Ag) 등과 같은 금속 물질로 이루어질 수도 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다. 반사층은 오버 코팅층(130)에 형성된 컨택홀을 통해 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 제한되지 않고, 반사층은 오버 코팅층(130)에 형성된 컨택홀을 통해 소스 전극(123)과 전기적으로 연결될 수도 있다.The first electrode 151 may include a reflective layer and a transparent conductive layer disposed on the reflective layer. Since the light emitting display device 100 according to the exemplary embodiment of the present invention is a top emission type light emitting display device, the reflective layer may reflect light emitted from the light emitting element 150 upward. The reflective layer may be made of a metal material, and for example, may be made of a metal material such as aluminum (Al), silver (Ag), palladium (Pd), copper (Cu), and magnesium-silver alloy (Mg:Ag). . However, it is not limited thereto. The reflective layer may be electrically connected to the drain electrode 124 through a contact hole formed in the overcoat layer 130. The present invention is not limited thereto, and the reflective layer may be electrically connected to the source electrode 123 through a contact hole formed in the overcoat layer 130.

제1 전극(151)의 투명 도전층은 반사층 상에 배치되어, 반사층을 통해 드레인 전극(124)과 전기적으로 연결된다. 투명 도전층은(151b)은 발광층(152)에 정공을 공급하기 위하여 일함수가 높은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TO) 계열의 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The transparent conductive layer of the first electrode 151 is disposed on the reflective layer and is electrically connected to the drain electrode 124 through the reflective layer. The transparent conductive layer 151b may be made of a conductive material having a high work function to supply holes to the light emitting layer 152. For example, the transparent conductive layer is Indium Tin Oxide (ITO), Indium Zinc Oxide (IZO), Indium Tin Zinc Oxide (ITZO), Zinc Oxide (ZnO). ) And tin oxide (TO)-based transparent conductive oxide, but is not limited thereto.

도 2를 참조하면, 제1 전극(151) 및 오버 코팅층(130) 상에 뱅크층(140)이 배치된다. 뱅크층(140)은 발광 소자(150)의 제1 전극(151)의 일부 영역에서 끝단을 덮도록 배치되어, 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(140)은 비발광 영역(NEA)에서 제1 전극(151)과 발광층(152) 사이에 배치되어 비발광 영역(NEA)에서의 광의 생성을 차단할 수 있다. 또한, 발광 영역(EA))에는 뱅크층(140)이 배치되지 않으므로, 제1 전극(151) 상에 발광층(152)이 바로 위치하여 발광층(152)에서 광이 생성될 수 있다. Referring to FIG. 2, a bank layer 140 is disposed on the first electrode 151 and the overcoat layer 130. The bank layer 140 may be disposed so as to cover an end portion of the first electrode 151 of the light emitting device 150 and may include a light emitting area EA and a non-emissive area NEA. For example, the bank layer 140 may be disposed between the first electrode 151 and the emission layer 152 in the non-emissive area NEA to block light generation in the non-emissive area NEA. In addition, since the bank layer 140 is not disposed in the emission area EA, the emission layer 152 is directly positioned on the first electrode 151 to generate light from the emission layer 152.

뱅크층(140)은 유기물로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 뱅크층(140)은 폴리이미드, 아크릴 또는 벤조사이클로부텐계 수지로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 뱅크층(140)의 두께는 약 1.2㎛로 형성될 수 있으나. 이에 제한되는 것은 아니다.The bank layer 140 may be formed of an organic material. For example, the bank layer 140 may be made of polyimide, acrylic, or benzocyclobutene-based resin, but is not limited thereto. In addition, the thickness of the bank layer 140 may be about 1.2 μm. It is not limited thereto.

뱅크층(140)은 상면과 하면 및 측면을 포함하여, 상면이 하면보다 작게 배치될 수 있다. 뱅크층(140)의 상면은 뱅크층(140)에서 최상부에 위치하는 면으로, 오버 코팅층(130)의 베이스부(131) 또는 기판(110)과 실질적으로 평행한 면일 수 있다. 뱅크층(140)의 하면은 뱅크층(140)의 최하부에서 베이스부(131)와 접하는 면일 수 있다. 뱅크층(140)의 측면은 뱅크층(140)의 상면과 오버 코팅층(130)의 베이스부(131)를 연결하는 면일 수 있다. 뱅크층(140)의 측면은 상면에서 베이스부(131)를 향하여 경사진 형상을 가질 수 있다.The bank layer 140 may include an upper surface, a lower surface, and a side surface, and the upper surface thereof may be disposed smaller than the lower surface. The top surface of the bank layer 140 is a surface positioned at the top of the bank layer 140 and may be a surface substantially parallel to the base portion 131 of the overcoat layer 130 or the substrate 110. The lower surface of the bank layer 140 may be a surface in contact with the base portion 131 at the lowermost portion of the bank layer 140. The side surface of the bank layer 140 may be a surface connecting the top surface of the bank layer 140 and the base portion 131 of the overcoat layer 130. The side surface of the bank layer 140 may have a shape inclined toward the base portion 131 from the upper surface.

발광층(152)은 제1 전극(151) 및 뱅크층(140) 상에 배치된다. 예를 들면, 발광층(152)은 발광 영역(EA)에서는 제1 전극(151) 상에 배치되고, 비발광 영역(NEA)에서는 뱅크층(140) 상에 배치된다. The emission layer 152 is disposed on the first electrode 151 and the bank layer 140. For example, the light-emitting layer 152 is disposed on the first electrode 151 in the light-emitting area EA, and is disposed on the bank layer 140 in the non-emissive area NEA.

발광층(152)은 특정 색의 광을 발광하기 위한 층으로서, 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층 및 백색 발광층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 발광층(152)은 정공 수송층, 정공 주입층, 정공 저지층, 전자 주입층, 전자 저지층, 전자 수송층 등과 같은 다양한 층을 더 포함할 수도 있다. 발광층(152)은 유기물로 이루어지는 유기 발광층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 발광층(152)은 양자점 발광층 또는 마이크로 LED일 수 있다.The emission layer 152 is a layer for emitting light of a specific color, and may include at least one of a red emission layer, a green emission layer, a blue emission layer, and a white emission layer. In addition, the emission layer 152 may further include various layers such as a hole transport layer, a hole injection layer, a hole blocking layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, and the like. The emission layer 152 may be an organic emission layer made of an organic material, but is not limited thereto. For example, the light emitting layer 152 may be a quantum dot light emitting layer or a micro LED.

발광층(152)이 비발광 영역(NEA)에서 뱅크층(140) 상에 배치됨에 따라, 발광층(152) 또한 뱅크층(140)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 발광층(152)은 발광 영역(EA)의 제1 전극(151)의 상면 및 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.As the emission layer 152 is disposed on the bank layer 140 in the non-emission area NEA, the emission layer 152 may also be disposed along the shape of the bank layer 140. Accordingly, the emission layer 152 has a flat top surface on the top surface of the first electrode 151 in the emission area EA and the bank layer 140 in the non-emission area NEA, and on the side of the bank layer 140 It can have an inclined top surface.

제2 전극(153)은 발광층(152) 상에 배치된다. 제2 전극(153)은 발광층(152)으로 전자를 공급한다. 제2 전극(153)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TO) 계열의 투명 도전성 산화물 또는 이테르븀(Yb) 합금으로 이루어질 수도 있다. 또한, 제2 전극(153)은 은(Ag), 구리(Cu), 마그네슘-은 합금(Mg:Ag) 등과 같은 금속 물질 또는 매우 얇은 두께의 금속 물질로 이루어질 수도 있다. 발광 표시 장치(100)가 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치임에 따라, 제2 전극(153)은 매우 얇은 두께를 가지므로, 제2 전극(133)의 굴절률은 광의 진행에 영향을 주지 않을 수 있다.The second electrode 153 is disposed on the emission layer 152. The second electrode 153 supplies electrons to the emission layer 152. The second electrode 153 is indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), and zinc oxide (ZnO). And a tin oxide (TO)-based transparent conductive oxide or a ytterbium (Yb) alloy. In addition, the second electrode 153 may be made of a metal material such as silver (Ag), copper (Cu), magnesium-silver alloy (Mg:Ag), or a metal material having a very thin thickness. As the light emitting display device 100 is a top emission type light emitting display device, the second electrode 153 has a very thin thickness, so the refractive index of the second electrode 133 may not affect the progress of light. have.

제2 전극(153)이 비발광 영역(NEA)에서 발광층(152) 상에 배치됨에 따라, 제2 전극(153) 또한 뱅크층(140)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 제2 전극(153)은 발광 영역(EA)의 제1 전극(151)의 상면 및 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.As the second electrode 153 is disposed on the emission layer 152 in the non-emission area NEA, the second electrode 153 may also be disposed along the shape of the bank layer 140. Accordingly, the second electrode 153 has a flat top surface on the top surface of the first electrode 151 in the light-emitting area EA and the top surface of the bank layer 140 in the non-emission area NEA. It may have an inclined top surface on the side.

도 2를 참조하면, 발광 소자(150) 상에는 봉지부(170)가 배치된다. 봉지부(170)는 제2 전극(153)을 덮도록 배치될 수 있다. 봉지부(170)는 발광 표시 장치(100) 외부로부터 침투하는 수분이나 산소 등으로부터 발광층(150)을 보호할 수 있다.Referring to FIG. 2, an encapsulation part 170 is disposed on the light emitting device 150. The encapsulation part 170 may be disposed to cover the second electrode 153. The encapsulation unit 170 may protect the light emitting layer 150 from moisture or oxygen penetrating from the outside of the light emitting display device 100.

봉지부(170)는 제1 봉지층(171), 제2 봉지층(172), 및 제3 봉지층(173)을 포함한다.The encapsulation part 170 includes a first encapsulation layer 171, a second encapsulation layer 172, and a third encapsulation layer 173.

제1 봉지층(171)은 제2 전극(153) 상에 배치되어 수분이나 산소의 침투를 억제할 수 있다. 제1 봉지층(171)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The first encapsulation layer 171 is disposed on the second electrode 153 to suppress penetration of moisture or oxygen. The first encapsulation layer 171 may be made of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiNxOy), or aluminum oxide (AlyOz), but is not limited thereto.

제1 봉지층(171)은 제2 전극(153) 상에 배치됨에 따라, 제1 봉지층(171) 또한 제2 전극(153)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 제1 봉지층(171)은 발광 영역(EA)의 제1 전극(151)의 상면 및 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.As the first encapsulation layer 171 is disposed on the second electrode 153, the first encapsulation layer 171 may also be disposed along the shape of the second electrode 153. Accordingly, the first encapsulation layer 171 has a flat top surface on the top surface of the first electrode 151 in the light-emitting area EA and the top surface of the bank layer 140 in the non-emission area NEA, and the bank layer 140 It may have an inclined top surface on the side of.

제2 봉지층(172)은 제1 봉지층(171) 상에 배치되어 표면을 평탄화한다. 또한, 제2 봉지층(172)은 제조 공정 상 발생할 수 있는 이물 또는 파티클을 커버할 수 있다. 제2 봉지층(172)은 유기물, 예를 들어, 실리콘옥시카본(SiOxCz), 아크릴 또는 에폭시 계열의 레진(Resin) 등으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The second encapsulation layer 172 is disposed on the first encapsulation layer 171 to planarize the surface. In addition, the second encapsulation layer 172 may cover foreign substances or particles that may occur during the manufacturing process. The second encapsulation layer 172 may be formed of an organic material such as silicon oxycarbon (SiOxCz), acrylic or epoxy resin, but is not limited thereto.

제3 봉지층(173)은 제2 봉지층(172) 상에 배치되고, 제1 봉지층(171)과 같이 수분이나 산소의 침투를 억제할 수 있다. 제3 봉지층(173)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiNxOy), 실리콘 산화물(SiOx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 등과 같은 무기물로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제3 봉지층(173)은 제1 봉지층(171)과 동일한 물질로 이루어질 수도 있고, 상이한 물질로 이루어질 수도 있다. The third encapsulation layer 173 is disposed on the second encapsulation layer 172 and, like the first encapsulation layer 171, can suppress penetration of moisture or oxygen. The third encapsulation layer 173 may be formed of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiNxOy), silicon oxide (SiOx), or aluminum oxide (AlyOz), but is not limited thereto. The third encapsulation layer 173 may be made of the same material as the first encapsulation layer 171 or may be made of a different material.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)는 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치이므로, 마이크로 캐비티가 구현되도록 제조될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 제1 전극(151)의 반사층과 제2 전극(153) 사이의 거리를 설정함으로써, 발광층(152)에서 발광되는 광에 대한 보강 간섭을 구현하여, 광 효율을 향상시킬 수 있다.Since the light emitting display device 100 according to the exemplary embodiment of the present invention is a top emission type light emitting display device, it may be manufactured to implement a micro-cavity. For example, in the light emitting display device 100 according to the exemplary embodiment, by setting a distance between the reflective layer of the first electrode 151 and the second electrode 153, the light emitted from the light emitting layer 152 is By implementing constructive interference against, it is possible to improve light efficiency.

이하에서는, 제2 영역(A2)에 배치된 서브 화소(SP)에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 3a 및 도 3b를 참조한다.Hereinafter, for a more detailed description of the sub-pixel SP disposed in the second area A2, refer to FIGS. 3A and 3B.

도 3a는 도 1의 III-III'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 전의 단면도이다. 도 3b는 도 1의 III-III'에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 후의 단면도이다. 제1 영역(A1)의 서브 화소(SP)와 비교하여 제2 영역(A2)의 서브 화소(SP)는 오버 코팅층(130), 발광 소자(150) 및 봉지부(170)의 형상만이 상이하므로, 중복 설명은 생략한다. 벤딩 후의 제2 영역(A2)은 곡면 형상을 갖지만, 하나의 서브 화소(SP)의 크기가 매우 작으므로, 도 3b에서는 벤딩 후의 기판(110)이 곡면 형상이 아닌 평면 형상을 갖는 것으로 도시하였다. 3A is a cross-sectional view of the light emitting display according to III-III' of FIG. 1 before bending. 3B is a cross-sectional view of the light emitting display according to III-III' of FIG. 1 after bending. Compared to the sub-pixel SP of the first region A1, the sub-pixel SP of the second region A2 differs only in the shape of the overcoat layer 130, the light emitting device 150, and the encapsulation part 170. Therefore, redundant description is omitted. Although the second area A2 after bending has a curved shape, since the size of one sub-pixel SP is very small, FIG. 3B shows that the substrate 110 after bending has a planar shape rather than a curved shape.

도 3a를 참조하면, 오버 코팅층(130)은 기판(110)의 제2 영역(A2)에서 복수의 돌출부(132)를 포함한다. 복수의 돌출부(132)는 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에서 베이스부(131)로부터 돌출되어 형성될 수 있다. 이때, 복수의 돌출부(132)와 베이스부(131)는 일체로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스부(131)와 돌출부(132)는 동일한 물질로 이루어져 동시에 동일한 공정, 예를 들어, 마스크 공정을 통해 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 복수의 돌출부(132)에 의해 기판(110)의 제2 영역(A2)에서의 시야각에 따른 색좌표 변화를 개선할 수 있으므로, 시야각 개선 패턴일 수도 있다.Referring to FIG. 3A, the overcoat layer 130 includes a plurality of protrusions 132 in the second area A2 of the substrate 110. The plurality of protrusions 132 may be formed to protrude from the base portion 131 in the light emitting area EA of the second area A2. In this case, the plurality of protrusions 132 and the base 131 may be integrally formed. For example, the base portion 131 and the protrusion portion 132 may be formed of the same material and may be simultaneously formed through the same process, for example, a mask process, but is not limited thereto. Since the color coordinate change according to the viewing angle in the second region A2 of the substrate 110 can be improved by the plurality of protrusions 132, a viewing angle improvement pattern may be used.

복수의 돌출부(132)는 하나의 서브 화소(SP)에 복수 개로 배치된다. 예를 들어, 복수의 돌출부(132)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 하나의 서브 화소(SP)에 5개의 돌출부(132)가 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 복수의 돌출부(132)의 개수는 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다. A plurality of protrusions 132 are disposed in one sub-pixel SP. For example, in the plurality of protrusions 132, as illustrated in FIGS. 3A and 3B, five protrusions 132 may be disposed in one sub-pixel SP. However, the present invention is not limited thereto, and the number of the plurality of protrusions 132 may be variously changed according to design.

복수의 돌출부(132)는 단면은 직각 삼각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출부(132)의 단면은 상대적으로 기판(110)의 제1 영역(A2)에 근접하게 배치되는 제1 변(S1) 및 제1 변(S1)과 베이스부(131)를 연결하고, 상대적으로 기판(110)의 외측에 근접하게 배치되는 제2 변(S2)으로 이루어지고, 제1 변(S1) 및 제2 변(S2)이 이루는 제1 각(θ1)이 직각일 수 있다. 도 3a 및 도 3b에서는, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1) 및 제2 변(S2)이 만나는 지점(P)이 각진 형상으로 형성되는 것으로 도시되었으나, 제조 공정 상 제1 변(S1) 및 제2 변(S2)이 만나는 지점(P)의 형상은 라운드 형상일 수 있다.The plurality of protrusions 132 may have a right triangle shape in cross section. For example, the cross section of the plurality of protrusions 132 is a first side (S1) and a first side (S1) and the base portion 131 disposed relatively close to the first area (A2) of the substrate 110 And the second side S2 disposed relatively close to the outer side of the substrate 110, and the first angle θ1 formed by the first side S1 and the second side S2 is a right angle. Can be In FIGS. 3A and 3B, it is shown that the point P where the first side S1 and the second side S2 of the plurality of protrusions 132 meet is formed in an angular shape, but the first side ( The shape of the point P where S1) and the second side S2 meet may be round.

복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1) 및 제2 변(S2)이 만나는 지점(P)으로부터 베이스부(131)의 상면과 수직을 이루는 지점까지의 거리, 예를 들면, 복수의 돌출부(132)의 높이(h)는 광 추출 효율을 향상시키기 위해 약 0.75㎛일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 복수의 돌출부(132)의 높이(h)는 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다. The distance from the point P where the first side (S1) and the second side (S2) of the plurality of protrusions 132 meet to a point perpendicular to the upper surface of the base part 131, for example, a plurality of protrusions The height h of 132 may be about 0.75 μm to improve light extraction efficiency. However, the present invention is not limited thereto, and the height h of the plurality of protrusions 132 may be variously changed according to design.

복수의 돌출부(132) 상에 제1 전극(151)이 배치된다. 제1 전극(151)은 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에서 복수의 돌출부(132) 상에 배치되어, 복수의 돌출부(132)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 제1 전극(151)은 발광 영역(EA)의 복수의 돌출부(132)의 상면의 형상과 대응하는 형상을 갖고, 비발광 영역(NEA)의 베이스부(131) 상에서 평탄한 상면을 가질 수 있다.The first electrode 151 is disposed on the plurality of protrusions 132. The first electrode 151 may be disposed on the plurality of protrusions 132 in the light emitting area EA of the second area A2 and may be disposed along the shape of the plurality of protrusions 132. Accordingly, the first electrode 151 may have a shape corresponding to the shape of the top surfaces of the plurality of protrusions 132 of the emission area EA, and may have a flat top surface on the base portion 131 of the non-emission area NEA. have.

제1 전극(151) 상에 뱅크층(140)이 배치된다. 뱅크층(140)은 비발광 영역(NEA)에서 제1 전극(151)의 끝단의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 이에, 뱅크층(140)은 복수의 돌출부(132)와 서로 다른 위치에 배치될 수 있다.The bank layer 140 is disposed on the first electrode 151. The bank layer 140 may be disposed to cover a part of the end of the first electrode 151 in the non-emission area NEA. Accordingly, the bank layer 140 may be disposed at different positions from the plurality of protrusions 132.

제1 전극(151) 및 뱅크층(140) 상에 발광층(152)이 배치된다. 발광층(152)은 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에서 제1 전극(151) 상에 배치됨에 따라, 발광층(152) 또한 복수의 돌출부(132)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 발광층(152)은 발광 영역(EA)의 복수의 돌출부(132)의 상면의 형상과 대응하는 형상을 갖고, 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.The emission layer 152 is disposed on the first electrode 151 and the bank layer 140. As the emission layer 152 is disposed on the first electrode 151 in the emission area EA of the second area A2, the emission layer 152 may also be disposed along the shape of the plurality of protrusions 132. Accordingly, the light-emitting layer 152 has a shape corresponding to the shape of the top surfaces of the plurality of protrusions 132 of the light-emitting area EA, and has a flat top surface on the top surface of the bank layer 140 of the non-light-emitting area NEA, The bank layer 140 may have an inclined top surface on the side surface.

발광층(152) 상에 제2 전극(153)이 배치된다. 제2 전극(153)은 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에서 발광층(152) 상에 배치됨에 따라, 제2 전극(153) 또한 복수의 돌출부(132)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 제2 전극(153)은 발광 영역(EA)의 복수의 돌출부(132)의 상면의 형상과 대응하는 형상을 갖고, 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.The second electrode 153 is disposed on the emission layer 152. As the second electrode 153 is disposed on the emission layer 152 in the emission area EA of the second area A2, the second electrode 153 may also be disposed along the shape of the plurality of protrusions 132. have. Accordingly, the second electrode 153 has a shape corresponding to the shape of the top surfaces of the plurality of protrusions 132 of the light emitting area EA, and has a flat top surface on the top surface of the bank layer 140 of the non-emissive area NEA. And may have an inclined upper surface on the side surface of the bank layer 140.

제2 전극(153) 상에 제1 봉지층(171)이 배치된다. 제1 봉지층(171)은 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에서 제2 전극(153) 상에 배치됨에 따라, 제1 봉지층(171) 또한 복수의 돌출부(132)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 제1 봉지층(171)은 발광 영역(EA)의 복수의 돌출부(132)의 상면의 형상과 대응하는 형상을 갖고, 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.A first encapsulation layer 171 is disposed on the second electrode 153. As the first encapsulation layer 171 is disposed on the second electrode 153 in the light emission area EA of the second area A2, the first encapsulation layer 171 also has a shape of the plurality of protrusions 132. Can be arranged accordingly. Accordingly, the first encapsulation layer 171 has a shape corresponding to the shape of the top surfaces of the plurality of protrusions 132 of the emission area EA, and a flat top surface on the top surface of the bank layer 140 of the non-emission area NEA. And may have an inclined top surface on the side of the bank layer 140.

도 3b를 참조하면, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2)은 해당 발광 영역(EA)이 배치되는 기판(110)이 기울어지는 각도와 동일할 수 있다. 이에, 제2 각(θ2)은 해당 발광 영역(EA)이 배치되는 기판(110)이 작은 경사각으로 벤딩된 경우보다 큰 경사각으로 벤딩된 경우 더 클 수 있다. 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이 기판(110)이 벤딩되는 경우, 제1 영역(A1)에 상대적으로 인접하게 배치된 발광 영역(EA)에 배치된 복수의 돌출부(132)의 제2 각(θ2)은 제1 영역(A1)으로부터 상대적으로 멀리 배치된 발광 영역(EA)에 배치된 복수의 돌출부(132)의 제2 각(θ2)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 발광 영역(EA)이 배치되는 기판(110)의 제2 영역(A2)이 제1 영역(A2)과 평행한 가상의 면(PS)으로부터 약 15°의 각도로 기울어지는 경우, 예를 들면, 복수의 돌출부(132)가 위치한 기판(110)의 경사각(θ4)이 약 15°인 경우, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2) 또한 약 15°일 수 있고, 복수의 돌출부(132)의 제2 변(S2)과 베이스부(131)가 이루는 제3 각(θ3)은 약 75°일 수 있다. 이에, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)이 기판(110)의 제1 영역(A2)과 평행한 가상의 면(PS)과 평행하게 배치되어, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1) 상에 배치된 발광층(152)에서 발광된 광이 발광 표시 장치(100)의 정면을 향하여 발광될 수 있다.Referring to FIG. 3B, the second angle θ2 formed by the first side S1 of the plurality of protrusions 132 and the base 131 is inclined at the substrate 110 on which the corresponding light emitting area EA is disposed. It can be the same as the angle. Accordingly, the second angle θ2 may be larger when the substrate 110 on which the corresponding light emitting area EA is disposed is bent at a larger inclination angle than when the substrate 110 is bent at a small inclination angle. For example, when the substrate 110 is bent as shown in FIG. 1, the second of the plurality of protrusions 132 disposed in the light emitting area EA disposed relatively adjacent to the first area A1 The angle θ2 may be smaller than the second angle θ2 of the plurality of protrusions 132 disposed in the light emitting area EA disposed relatively far from the first area A1. For example, when the second area A2 of the substrate 110 on which the light emitting area EA is disposed is inclined at an angle of about 15° from the virtual surface PS parallel to the first area A2, For example, when the inclination angle θ4 of the substrate 110 on which the plurality of protrusions 132 is located is about 15°, the first side S1 of the plurality of protrusions 132 and the base part 131 The second angle θ2 may also be about 15°, and the third angle θ3 formed by the second side S2 of the plurality of protrusions 132 and the base portion 131 may be about 75°. Accordingly, the first side S1 of the plurality of protrusions 132 is disposed in parallel with the virtual surface PS parallel to the first region A2 of the substrate 110, so that the plurality of protrusions 132 are formed in parallel. Light emitted from the light emitting layer 152 disposed on the first side S1 may be emitted toward the front of the light emitting display device 100.

기존의 엣지 벤딩의 발광 표시 장치에 마이크로 캐비티가 구현되는 경우, 기판의 벤딩 영역에 배치되는 발광 소자가 함께 기울어져, 발광 소자로부터 발광되는 광 중 발광 표시 장치의 정면으로 추출되는 광의 양이 감소하여 벤딩 영역과 평면 영역 간의 휘도 차이가 발생할 수 있다. 또한, 정면 방향에 대한 벤딩 영역에서의 제1 전극과 제2 전극 사이의 광학 거리와 정면 방향에 대한 평면 영역에서의 제1 전극과 제2 전극 사이의 광학 거리가 상이하여, 벤딩 영역과 평면 영역 간의 색좌표의 변화가 심한 현상이 발생할 수 있다.When a micro-cavity is implemented in a conventional edge-bending light-emitting display device, the light-emitting elements disposed in the bending area of the substrate are inclined together, and the amount of light emitted from the light-emitting element to the front of the light-emitting display device decreases. A difference in luminance may occur between the bending area and the planar area. In addition, the optical distance between the first electrode and the second electrode in the bending area in the front direction and the optical distance between the first electrode and the second electrode in the planar area in the front direction are different, so that the bending area and the flat area A severe change in the color coordinates of the liver may occur.

이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 기판(110)의 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에 직각 삼각형 형상의 복수의 돌출부(132)를 배치하여, 발광 표시 장치(100)의 제2 영역(A2)에서의 시야각에 따른 휘도 저하를 개선할 수 있다. 예를 들면, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2)은 기판(110)의 경사각(θ4)과 동일할 수 있다. 예를 들면, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2)은 돌출부(132)에 대응하는 기판(110)의 경사각(θ4)과 동일할 수 있다. 이에, 기판(110)이 벤딩되는 경우, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)이 기판(110)의 제1 영역(A2)과 평행한 가상의 면(PS)과 평행하게 배치되어, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)이 발광 표시 장치(100)의 정면을 향할 수 있다. 이에, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1) 상에 배치된 발광층(152)으로부터 발광된 광이 발광 표시 장치(100)의 정면을 향하여 발광될 수 있다. 또한, 복수의 돌출부(132)의 제2 변(S2) 상에 배치된 발광층(152)으로부터 발광된 광 중 일부는 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1) 상에 배치된 제1 전극(151)에 의해 반사되어 정면 방향으로 진행할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 복수의 돌출부(132)의 제2 각(θ2)이 기판(110)의 경사각(θ4)과 동일하도록 복수의 돌출부(132)를 배치하여, 발광 표시 장치(100)의 제2 영역(A2)에서의 정면 휘도 및 시야각을 개선할 수 있고, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 간의 휘도 불균일 및 색좌표 변동 문제를 해결할 수 있다. 또한, 발광층(152)에서 발광된 광을 추가적으로 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 추출되도록 하여, 발광 표시 장치(100)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.Accordingly, in the light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment, a plurality of protrusions 132 having a right-angled triangle shape are disposed in the light emitting area EA of the second area A2 of the substrate 110 to emit light. A decrease in luminance according to the viewing angle in the second area A2 of the display device 100 may be improved. For example, the second angle θ2 formed by the first side S1 of the plurality of protrusions 132 and the base part 131 may be the same as the inclination angle θ4 of the substrate 110. For example, the second angle θ2 formed by the first side S1 of the plurality of protrusions 132 and the base part 131 is the same as the inclination angle θ4 of the substrate 110 corresponding to the protrusions 132 can do. Accordingly, when the substrate 110 is bent, the first side S1 of the plurality of protrusions 132 is disposed in parallel with the virtual surface PS parallel to the first region A2 of the substrate 110. , The first side S1 of the plurality of protrusions 132 may face the front side of the light emitting display device 100. Accordingly, light emitted from the light emitting layer 152 disposed on the first side S1 of the plurality of protrusions 132 may be emitted toward the front of the light emitting display device 100. In addition, some of the light emitted from the light emitting layer 152 disposed on the second side S2 of the plurality of protrusions 132 is a first electrode disposed on the first side S1 of the plurality of protrusions 132 It is reflected by 151 and can proceed in the front direction. Accordingly, in the light emitting display device 100 according to the exemplary embodiment, the plurality of protrusions 132 are formed so that the second angle θ2 of the plurality of protrusions 132 is the same as the inclination angle θ4 of the substrate 110. By arranging, it is possible to improve the front luminance and viewing angle in the second region A2 of the light emitting display device 100, and solve the problem of luminance unevenness and color coordinate fluctuation between the first region A1 and the second region A2. I can. In addition, light emitted from the light emitting layer 152 may be additionally extracted in the front direction of the light emitting display device 100, thereby improving light extraction efficiency of the light emitting display device 100.

도 4a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 전의 단면도이다. 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치의 벤딩 후의 단면도이다. 도 4a 및 도 4b의 발광 표시 장치(400)는 도 1 내지 도 3b의 발광 표시 장치(400)와 비교하여, 오버 코팅층(430), 발광 소자(450) 및 봉지부(470)가 상이하며, 다른 구성은 실질적으로 동일하므로 중복 설명을 생략하거나 간략히 할 수 있다.4A is a cross-sectional view of a light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention before bending. 4B is a cross-sectional view of a light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention after bending. The light emitting display device 400 of FIGS. 4A and 4B differs from the light emitting display device 400 of FIGS. 1 to 3B in the overcoat layer 430, the light emitting element 450, and the encapsulation part 470, Since other configurations are substantially the same, redundant descriptions may be omitted or simplified.

도 4a를 참조하면, 오버 코팅층(430)의 복수의 돌출부(432)는 단면은 둔각 삼각형 형상일 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출부(432)의 단면은 제1 변(S1) 및 제2 변(S2)으로 이루어지고, 제1 변(S1) 및 제2 변(S2)이 이루는 제1 각(θ1)이 둔각일 수 있다. 도 4a 및 도 4b에서는, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1) 및 제2 변(S2)이 만나는 지점(P)이 각진 형상으로 형성되는 것으로 도시되었으나, 제조 공정 상 제1 변(S1) 및 제2 변(S2)이 만나는 지점(P)이 이루는 형상은 라운드 형상일 수 있다.Referring to FIG. 4A, the plurality of protrusions 432 of the overcoat layer 430 may have an obtuse triangle shape in cross section. For example, the cross section of the plurality of protrusions 432 is composed of a first side (S1) and a second side (S2), and a first angle (θ1) formed by the first side (S1) and the second side (S2) ) Can be an obtuse angle. In FIGS. 4A and 4B, it is shown that the point P where the first side S1 and the second side S2 of the plurality of protrusions 432 meet is formed in an angular shape, but the first side ( The shape formed by the point P where S1) and the second side S2 meet may be a round shape.

복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1) 및 제2 변(S2)이 만나는 지점(P) 으로부터 베이스부(131)의 상면과 수직을 이루는 지점까지의 거리, 예를 들면, 복수의 돌출부(432)의 높이(h)는 광 추출 효율을 향상시키기 위해 약 0.75㎛일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 복수의 돌출부(432)의 높이(h)는 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다. The distance from the point P where the first side (S1) and the second side (S2) of the plurality of protrusions 432 meet to a point perpendicular to the upper surface of the base part 131, for example, a plurality of protrusions The height h of 432 may be about 0.75 μm to improve light extraction efficiency. However, the present invention is not limited thereto, and the height h of the plurality of protrusions 432 may be variously changed according to design.

복수의 돌출부(432) 상에 제1 전극(451)이 배치된다. 제1 전극(451)은 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에서 복수의 돌출부(432) 상에 배치되어, 복수의 돌출부(432)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 제1 전극(451)은 발광 영역(EA)의 복수의 돌출부(432)의 상면의 형상과 대응하는 형상을 갖고, 비발광 영역(NEA)의 베이스부(131) 상에서 평탄한 상면을 가질 수 있다.The first electrode 451 is disposed on the plurality of protrusions 432. The first electrode 451 may be disposed on the plurality of protrusions 432 in the light emitting area EA of the second area A2 and may be disposed along the shape of the plurality of protrusions 432. Accordingly, the first electrode 451 may have a shape corresponding to the shape of the top surfaces of the plurality of protrusions 432 of the light-emitting area EA, and may have a flat top surface on the base portion 131 of the non-emissive area NEA. have.

제1 전극(451) 상에 뱅크층(140)이 배치된다. 뱅크층(140)은 비발광 영역(NEA)에서 제1 전극(451)의 끝단의 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 이에, 뱅크층(140)은 복수의 돌출부(432)와 서로 다른 위치에 배치될 수 있다.The bank layer 140 is disposed on the first electrode 451. The bank layer 140 may be disposed to cover a part of the end of the first electrode 451 in the non-emission area NEA. Accordingly, the bank layer 140 may be disposed at different positions from the plurality of protrusions 432.

제1 전극(451) 및 뱅크층(140) 상에 발광층(452)이 배치된다. 발광층(452)은 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에서 제1 전극(451) 상에 배치됨에 따라, 발광층(452) 또한 복수의 돌출부(432)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 발광층(452)은 발광 영역(EA)의 복수의 돌출부(432)의 상면의 형상과 대응하는 형상을 갖고, 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.The emission layer 452 is disposed on the first electrode 451 and the bank layer 140. As the emission layer 452 is disposed on the first electrode 451 in the emission area EA of the second area A2, the emission layer 452 may also be disposed along the shape of the plurality of protrusions 432. Accordingly, the light emitting layer 452 has a shape corresponding to the shape of the top surfaces of the plurality of protrusions 432 of the light emitting area EA, and has a flat top surface on the top surface of the bank layer 140 of the non-emissive area NEA, The bank layer 140 may have an inclined top surface on the side surface.

발광층(452) 상에 제2 전극(453)이 배치된다. 제2 전극(453)은 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에서 발광층(452) 상에 배치됨에 따라, 제2 전극(453) 또한 복수의 돌출부(432)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 제2 전극(453)은 발광 영역(EA)의 복수의 돌출부(432)의 상면의 형상과 대응하는 형상을 갖고, 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.The second electrode 453 is disposed on the emission layer 452. As the second electrode 453 is disposed on the emission layer 452 in the emission area EA of the second area A2, the second electrode 453 may also be disposed along the shape of the plurality of protrusions 432. have. Accordingly, the second electrode 453 has a shape corresponding to the shape of the top surfaces of the plurality of protrusions 432 of the light emitting area EA, and has a flat top surface on the top surface of the bank layer 140 of the non-emissive area NEA. And may have an inclined upper surface on the side surface of the bank layer 140.

제2 전극(453) 상에 제1 봉지층(471)이 배치된다. 제1 봉지층(471)은 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에서 제2 전극(453) 상에 배치됨에 따라, 제1 봉지층(471) 또한 복수의 돌출부(432)의 형상을 따라 배치될 수 있다. 이에, 제1 봉지층(471)은 발광 영역(EA)의 복수의 돌출부(432)의 상면의 형상과 대응하는 형상을 갖고, 비발광 영역(NEA)의 뱅크층(140)의 상면 상에서 평탄한 상면을 갖고, 뱅크층(140)의 측면 상에서 경사진 상면을 가질 수 있다.A first encapsulation layer 471 is disposed on the second electrode 453. As the first encapsulation layer 471 is disposed on the second electrode 453 in the light emission area EA of the second area A2, the first encapsulation layer 471 also has a shape of the plurality of protrusions 432. Can be arranged accordingly. Accordingly, the first encapsulation layer 471 has a shape corresponding to the shape of the top surfaces of the plurality of protrusions 432 of the light-emitting area EA, and a flat top surface on the top surface of the bank layer 140 of the non-emissive area NEA. And may have an inclined top surface on the side of the bank layer 140.

도 4b를 참조하면, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2)은 해당 발광 영역(EA)이 배치되는 기판(110)이 기울어지는 각도와 동일할 수 있다. 이에, 제2 각(θ2)은 해당 발광 영역(EA)이 배치되는 기판(110)이 작은 경사각으로 벤딩된 경우보다 큰 경사각으로 벤딩된 경우 더 클 수 있다. 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이 기판(110)이 벤딩되는 경우, 제1 영역(A1)에 상대적으로 인접하게 배치된 발광 영역(EA)에 배치된 복수의 돌출부(432)의 제2 각(θ2)은 제1 영역(A1)으로부터 상대적으로 멀리 배치된 발광 영역(EA)에 배치된 복수의 돌출부(132)의 제2 각(θ2)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 발광 영역(EA)이 배치되는 기판(110)의 제2 영역(A2)이 제1 영역(A2)과 평행한 가상의 면(PS)으로부터 약 15°의 각도로 기울어지는 경우, 예를 들면, 복수의 돌출부(432)가 위치한 기판(110)의 경사각(θ4)이 약 15°인 경우, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2) 또한 약 15°일 수 있다. 이에, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1)이 기판(110)의 제1 영역(A2)과 평행한 가상의 면(PS)과 평행하게 배치되어, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1) 상에 배치된 발광층(152)에서 발광된 광이 발광 표시 장치(100)의 정면을 향하여 발광될 수 있다.Referring to FIG. 4B, the second angle θ2 formed by the first side S1 of the plurality of protrusions 432 and the base portion 131 is inclined at the substrate 110 on which the corresponding light emitting area EA is disposed. It can be the same as the angle. Accordingly, the second angle θ2 may be larger when the substrate 110 on which the corresponding light emitting area EA is disposed is bent at a larger inclination angle than when the substrate 110 is bent at a small inclination angle. For example, when the substrate 110 is bent as shown in FIG. 1, the second of the plurality of protrusions 432 disposed in the light emitting area EA disposed relatively adjacent to the first area A1 The angle θ2 may be smaller than the second angle θ2 of the plurality of protrusions 132 disposed in the light emitting area EA disposed relatively far from the first area A1. For example, when the second area A2 of the substrate 110 on which the light emitting area EA is disposed is inclined at an angle of about 15° from the virtual surface PS parallel to the first area A2, For example, when the inclination angle θ4 of the substrate 110 on which the plurality of protrusions 432 is located is about 15°, the first side S1 of the plurality of protrusions 432 and the base part 131 2 The angle θ2 may also be about 15°. Accordingly, the first side S1 of the plurality of protrusions 432 is disposed in parallel with the virtual surface PS parallel to the first region A2 of the substrate 110, so that the plurality of protrusions 432 are formed in parallel. Light emitted from the light emitting layer 152 disposed on the first side S1 may be emitted toward the front of the light emitting display device 100.

도 4b를 참조하면, 복수의 돌출부(432)의 제2 변(S2)과 베이스부(131)가 이루는 제3 각(θ3)은 90°와 제2 각(θ2)의 차보다 작을 수 있다. 상술한 바와 같이 기판(110)의 경사각(θ4)이 증가할수록 제2 각(θ2)이 증가하므로, 제3 각(θ3)은 감소할 수 있다. 예를 들어, 발광 영역(EA)이 배치되는 기판(110)의 제2 영역(A2)이 제1 영역(A2)과 평행한 가상의 면(PS)으로부터 약 15°의 각도로 기울어지는 경우, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2) 또한 약 15°일 수 있고, 복수의 돌출부(432)의 제2 변(S2)과 베이스부(131)가 이루는 제3 각(θ3)은 약 75°일 수 있다. 이에, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1) 상에 배치된 발광층(452)에서 발광된 광 중 일부가 인접하는 돌출부(432)의 제2 변(S2)에 의해 광 경로가 변경되어, 발광 표시 장치(400)의 정면 방향으로 추출될 수 있다.Referring to FIG. 4B, the third angle θ3 formed by the second side S2 of the plurality of protrusions 432 and the base part 131 may be smaller than a difference between 90° and the second angle θ2. As described above, since the second angle θ2 increases as the inclination angle θ4 of the substrate 110 increases, the third angle θ3 may decrease. For example, when the second area A2 of the substrate 110 on which the light emitting area EA is disposed is inclined at an angle of about 15° from the virtual surface PS parallel to the first area A2, The second angle θ2 formed by the first side S1 and the base portion 131 of the plurality of protrusions 432 may also be about 15°, and the second side S2 and the base of the plurality of protrusions 432 The third angle θ3 formed by the portion 131 may be about 75°. Accordingly, some of the light emitted from the light emitting layer 452 disposed on the first side S1 of the plurality of protrusions 432 is changed by the second side S2 of the adjacent protrusion 432 , May be extracted in the front direction of the light emitting display device 400.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 기판(110)의 제2 영역(A2)의 발광 영역(EA)에 둔각 삼각형 형상의 복수의 돌출부(432)를 배치하여, 발광 표시 장치(400)의 제2 영역(A2)에서의 시야각에 따른 휘도 저하를 개선할 수 있다. 예를 들면, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2)은 기판(110)의 경사각(θ4)과 동일할 수 있다. 이에, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1) 상에 배치된 발광층(452)으로부터 발광된 광이 발광 표시 장치(400)의 정면을 향하여 발광될 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 발광 표시 장치(400)의 제2 영역(A2)에서의 정면 휘도 및 시야각을 개선할 수 있고, 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 간의 휘도 불균일 및 색시야각 변동 문제를 해결할 수 있다.In the light-emitting display device 400 according to another exemplary embodiment of the present invention, a plurality of protrusions 432 having an obtuse triangle shape are disposed in the light-emitting area EA of the second area A2 of the substrate 110, It is possible to improve the reduction in luminance according to the viewing angle in the second area A2 of 400. For example, the second angle θ2 formed by the first side S1 of the plurality of protrusions 432 and the base portion 131 may be the same as the inclination angle θ4 of the substrate 110. Accordingly, light emitted from the light emitting layer 452 disposed on the first side S1 of the plurality of protrusions 432 may be emitted toward the front of the light emitting display device 400. Accordingly, in the light emitting display device 400 according to another exemplary embodiment of the present invention, the front luminance and the viewing angle in the second area A2 of the light emitting display device 400 can be improved, and the first area A1 and the first area It is possible to solve the problem of luminance non-uniformity and color viewing angle variation between the two areas A2.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는, 복수의 돌출부(432)를 둔각 삼각형 형상으로 배치하여, 발광 표시 장치(400)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출부(432)의 제2 변(S2)과 베이스부(131)가 이루는 제3 각(θ3)은 90°와 제2 각(θ2)의 차보다 작을 수 있다. 이에, 발광 표시 장치(400)의 제2 영역(A2)이 벤딩된 상태에서 복수의 돌출부(432)의 제2 변(S2)은 기울어진 형상으로 배치될 수 있다. 이에, 복수의 돌출부(432)의 제2 변(S2) 상에 배치된 발광층(452)에서 발광된 광 중 일부는 정면 방향으로 추출될 수 있다. 또한, 복수의 돌출부(432)와 인접하는 돌출부(432)의 제1 변(S1) 상에 배치된 발광층(452)에서 발광된 광 중 일부는 복수의 돌출부(432)의 제2 변(S2) 상에 배치된 제1 전극(451)에 의해 반사되어 광 경로가 변경되어, 발광 표시 장치(400)의 정면 방향으로 추출될 수 있다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 둔각 삼각형 형상의 복수의 돌출부(432)를 배치하여, 발광층(452)에서 발광된 광을 추가적으로 발광 표시 장치(400)의 정면 방향으로 추출되도록 하여, 발광 표시 장치(400)의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. In addition, in the light-emitting display device 400 according to another exemplary embodiment of the present invention, the plurality of protrusions 432 are arranged in an obtuse triangle shape to improve light extraction efficiency of the light-emitting display device 400. For example, the third angle θ3 formed by the second side S2 of the plurality of protrusions 432 and the base portion 131 may be smaller than a difference between 90° and the second angle θ2. Accordingly, while the second area A2 of the light emitting display device 400 is bent, the second side S2 of the plurality of protrusions 432 may be disposed in an inclined shape. Accordingly, some of the light emitted from the light emitting layer 452 disposed on the second side S2 of the plurality of protrusions 432 may be extracted in the front direction. In addition, some of the light emitted from the light emitting layer 452 disposed on the first side S1 of the protrusion 432 adjacent to the plurality of protrusions 432 is the second side S2 of the plurality of protrusions 432 The light path is changed by being reflected by the first electrode 451 disposed thereon, so that it may be extracted in the front direction of the light emitting display device 400. Accordingly, in the light emitting display device 400 according to another exemplary embodiment of the present invention, a plurality of protrusions 432 having an obtuse triangle shape are disposed to additionally transmit light emitted from the light emitting layer 452 in the front direction of the light emitting display device 400. By allowing the light to be extracted, light extraction efficiency of the light emitting display device 400 may be improved.

도 5는 비교예에 따른 발광 표시 장치에서의 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치에서의 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다. 도 5 및 도 6은 시간영역유한차분법(Finite Difference Time Domain, FDTD)을 사용하여 비교예 및 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(10, 100)에서의 광 추출 효율을 시뮬레이션한 이미지이다. 도 5 및 도 6의 발광 표시 장치(10, 100)는 모두 벤딩된 상태이다. 도 5 및 도 6의 발광 표시 장치(10, 100)는 동일한 물질을 사용하여 동일한 두께로 형성하였으며, 기판(110)의 경사각(θ4)이 약 15°인 것을 가정하여 기판(110)의 제2 영역(A2)이 벤딩된 것을 나타낸 이미지이다. 또한, 도 6의 발광 표시 장치(100)에서의 복수의 돌출부(132)의 높이(h)는 약 0.75㎛인 것으로 가정하였다. 또한, 도 5 및 도 6의 발광 표시 장치(10, 100)에서 추출되는 광은 하얀색으로 나타내었다. 도 6의 설명의 편의를 위하여, 도 3a 및 도 3b를 참조할 수 있다. 5 is an image for explaining light extraction efficiency in a light emitting display device according to a comparative example. 6 is an image illustrating light extraction efficiency in a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 5 and 6 are images simulating light extraction efficiency in the light emitting display devices 10 and 100 according to a comparative example and an embodiment of the present invention using a finite difference time domain (FDTD) method. to be. The light emitting display devices 10 and 100 of FIGS. 5 and 6 are all bent. The light emitting display devices 10 and 100 of FIGS. 5 and 6 are formed of the same material and have the same thickness, and the second of the substrate 110 is assumed to have an inclination angle θ4 of about 15°. This is an image showing that the area A2 is bent. In addition, it is assumed that the height h of the plurality of protrusions 132 in the light emitting display device 100 of FIG. 6 is about 0.75 μm. In addition, light extracted from the light emitting display devices 10 and 100 of FIGS. 5 and 6 is shown in white. For convenience of description of FIG. 6, reference may be made to FIGS. 3A and 3B.

먼저, 도 5를 참조하면, 비교예에 따른 발광 표시 장치(10)에서는 오버 코팅층(30) 상에 발광 소자(50)가 배치되고, 발광 소자(50) 상에 봉지부(70)가 배치된다. 기판이 벤딩된 상태에서 오버 코팅층(30)의 상면은 평탄하다. 이에, 발광층(52)에서 발광된 광 중 일부는 발광 표시 장치(10)의 정면으로 추출될 수 있으나, 발광 영역(EA)에는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)의 복수의 돌출부(132)에 대응하는 구성이 배치되지 않는다. 따라서, 비교예에 따른 발광 표시 장치(10)에서는 발광 영역(EA)에서 발광된 광 중 발광 표시 장치(10)의 측면을 향하여 발광되는 광을 정면으로 반사하기 위한 구성이 존재하지 않는다. First, referring to FIG. 5, in the light-emitting display device 10 according to the comparative example, the light-emitting element 50 is disposed on the overcoat layer 30, and the encapsulation part 70 is disposed on the light-emitting element 50. . When the substrate is bent, the top surface of the overcoat layer 30 is flat. Accordingly, some of the light emitted from the light emitting layer 52 may be extracted to the front of the light emitting display device 10, but in the light emitting area EA, a plurality of light emitting display devices 100 according to an embodiment of the present invention may be The configuration corresponding to the protrusion 132 is not disposed. Accordingly, in the light emitting display device 10 according to the comparative example, there is no structure for reflecting the light emitted toward the side of the light emitting display device 10 among the light emitted from the light emitting area EA.

도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 오버 코팅층(130)의 베이스부(131) 상에 복수의 돌출부(132)가 배치되고, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)과 제2 변(S2)이 이루는 제1 각(θ1)이 직각이고, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2)이 기판(110)의 경사각(θ4)과 동일하도록 배치된다. 이에, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)이 발광 표시 장치(100)의 상부를 향하도록 배치되어, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1) 상에 배치된 발광층(152)으로부터 발광된 광 중 발광 표시 장치(100)의 정면으로 향하는 광의 비율이 높은 것을 확인할 수 있다. 따라서, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2)이 기판(110)의 경사각(θ4)과 동일하도록 복수의 돌출부(132)를 배치함에 따라, 복수의 돌출부(132)의 제1 변(S1) 상에 배치되는 발광층(152)으로부터 발광된 광 중 발광 표시 장치(100)의 정면 방향으로 향하는 광의 양이 증가한 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6, in the light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention, a plurality of protrusions 132 are disposed on the base part 131 of the overcoat layer 130, and the plurality of protrusions 132 The first angle (θ1) formed by the first side (S1) and the second side (S2) of is a right angle, and the second angle formed by the first side (S1) and the base part 131 of the plurality of protrusions 132 (θ2) is disposed so as to be the same as the inclination angle (θ4) of the substrate 110. Accordingly, the light emitting layer 152 disposed on the first side S1 of the plurality of protrusions 132 is disposed so that the first side S1 of the plurality of protrusions 132 faces the top of the light emitting display device 100. It can be seen that the ratio of light directed to the front of the light emitting display device 100 is high among the light emitted from ). Accordingly, the plurality of protrusions 132 are arranged so that the second angle θ2 formed by the first side S1 of the plurality of protrusions 132 and the base part 131 is the same as the inclination angle θ4 of the substrate 110 Accordingly, it can be seen that among the light emitted from the light emitting layer 152 disposed on the first side S1 of the plurality of protrusions 132, the amount of light directed toward the front of the light emitting display device 100 is increased.

하기 [표 1]은 도 5의 비교예에 따른 발광 표시 장치(10)와 비교하여 도 6의 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서의 광 추출 효율 향상량을 비교하는 표이다. 하기 [표 1]은 시간영역유한차분법(Finite Difference Time Domain, FDTD) 시뮬레이션을 사용하여, 도 5의 비교예에 따른 발광 표시 장치(10)에서의 광 추출 효율이 1인 것을 기준으로 하여 계산한 결과이다. [Table 1] is a table comparing the amount of improvement in light extraction efficiency in the light emitting display device 100 according to the exemplary embodiment of the present invention of FIG. 6 compared to the light emitting display device 10 according to the comparative example of FIG. 5 to be. [Table 1] is calculated based on the light extraction efficiency of 1 in the light emitting display device 10 according to the comparative example of FIG. 5 using a finite difference time domain (FDTD) simulation. It is one result.

하기 [표 1]을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는 도 5의 비교예에 따른 발광 표시 장치(10)에서보다 광 추출 효율이 약 12.00% 증가함을 확인할 수 있다.Referring to Table 1 below, it can be seen that in the light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention, the light extraction efficiency is increased by about 12.00% compared to the light emitting display device 10 according to the comparative example of FIG. 5. I can.

비교예Comparative example 발광 표시 장치(100)Light-emitting display device 100 증가율Rate of increase 광 추출 효율Light extraction efficiency 1.001.00 1.121.12 12.00%12.00%

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서의 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다. 도 7은 시간영역유한차분법(Finite Difference Time Domain, FDTD)을 사용하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서의 광 추출 효율을 시뮬레이션한 이미지이다. 도 7의 발광 표시 장치(400)는 기판(110)의 경사각(θ4) 및 제2 각(θ2)이 약 15°이고, 제3 각(θ3)이 약 45°인 것을 가정하여, 기판(110)의 제2 영역(A2)이 벤딩된 것을 나타낸 이미지이다. 또한, 도 7의 발광 표시 장치(400)에서의 복수의 돌출부(432)의 높이(h)는 약 0.75㎛인 것으로 가정하였다. 또한, 도 7의 발광 표시 장치(400)에서 추출되는 광은 하얀색으로 나타내었다. 도 7의 설명의 편의를 위하여, 도 4a 및 도 4b를 참조할 수 있다.도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 오버 코팅층(430)의 베이스부(131) 상에 복수의 돌출부(432)가 배치되고, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1)과 제2 변(S2)이 이루는 제1 각(θ1)이 둔각이고, 복수의 돌출부(432)의 제1 변(S1)과 베이스부(131)가 이루는 제2 각(θ2)이 기판(110)의 경사각(θ4)과 동일하도록 배치된다. 복수의 돌출부(432)의 제2 변(S2)은 인접하는 돌출부(432)의 제1 변(S1)을 향하여 기울어진 형상으로 배치된다. 복수의 돌출부(432)와 인접하는 돌출부(432)의 제1 변(S1) 상에 배치된 발광층(452)에서 발광된 광 중 일부는 복수의 돌출부(432)의 제2 변(S2)으로 향하여, 광 경로가 변경될 수 있다. 따라서, 복수의 돌출부(432)가 둔각 삼각형 형상으로 배치됨에 따라, 복수의 돌출부(432)와 인접하는 돌출부(432)의 제1 변(S1) 상에 배치된 발광층(452)에서 발광된 광 중 일부가 복수의 돌출부(432)의 제2 변(S2)에 의해 광 경로가 변경되어, 발광 표시 장치(400)의 정면 방향으로 향하는 광의 양이 증가하고, 이에, 발광 표시 장치(400)의 외부로 추출된 광의 양이 증가한 것을 확인할 수 있다.7 is an image for explaining light extraction efficiency in the light emitting display device 400 according to another exemplary embodiment of the present invention. 7 is an image simulating light extraction efficiency in the light emitting display device 400 according to another exemplary embodiment of the present invention using a finite difference time domain (FDTD) method. The light emitting display device 400 of FIG. 7 assumes that the inclination angle θ4 and the second angle θ2 of the substrate 110 are about 15°, and the third angle θ3 is about 45°, and the substrate 110 This is an image showing that the second area A2 of) is bent. In addition, it is assumed that the height h of the plurality of protrusions 432 in the light emitting display device 400 of FIG. 7 is about 0.75 μm. In addition, light extracted from the light emitting display device 400 of FIG. 7 is shown in white. For convenience of description of FIG. 7, reference may be made to FIGS. 4A and 4B. Referring to FIG. 7, in the light emitting display device 400 according to another exemplary embodiment of the present invention, the base portion of the overcoat layer 430 ( A plurality of protrusions 432 are disposed on the 131, and a first angle θ1 formed by the first side S1 and the second side S2 of the plurality of protrusions 432 is an obtuse angle, and the plurality of protrusions ( The second angle θ2 formed by the first side S1 of the 432 and the base portion 131 is disposed to be the same as the inclination angle θ4 of the substrate 110. The second side S2 of the plurality of protrusions 432 is disposed in an inclined shape toward the first side S1 of the adjacent protrusions 432. Some of the light emitted from the light emitting layer 452 disposed on the first side S1 of the protrusion 432 adjacent to the plurality of protrusions 432 is directed to the second side S2 of the plurality of protrusions 432. , The optical path can be changed. Therefore, as the plurality of protrusions 432 are arranged in an obtuse triangle shape, among the light emitted from the light emitting layer 452 disposed on the first side S1 of the protrusion 432 adjacent to the plurality of protrusions 432 Part of the light path is changed by the second side S2 of the plurality of protrusions 432, so that the amount of light directed to the front direction of the light emitting display device 400 increases, and thus, the outside of the light emitting display device 400 It can be seen that the amount of light extracted by is increased.

하기 [표 2]는 도 5의 비교예에 따른 발광 표시 장치(10)와 비교하여 도 7의 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서의 광 추출 효율 향상량을 비교하기 위한 표이다. 하기 [표 2]은 시간영역유한차분법(Finite Difference Time Domain, FDTD) 시뮬레이션을 사용하여, 도 5의 비교예에 따른 발광 표시 장치(10)에서의 광 추출 효율이 1인 것을 기준으로 하여 계산한 결과이다. [Table 2] is for comparing the amount of improvement in light extraction efficiency in the light-emitting display device 400 according to another embodiment of the present invention of FIG. 7 compared to the light-emitting display device 10 according to the comparative example of FIG. 5. It is a table. [Table 2] is calculated based on the light extraction efficiency of 1 in the light emitting display device 10 according to the comparative example of FIG. 5 using a finite difference time domain (FDTD) simulation. It is one result.

하기 [표 2]를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는 도 5의 비교예에 따른 발광 표시 장치(10)에서보다 광 추출 효율이 약 39.00% 증가함을 확인할 수 있다.Referring to Table 2 below, it can be seen that in the light emitting display device 400 according to another embodiment of the present invention, the light extraction efficiency is increased by about 39.00% compared to the light emitting display device 10 according to the comparative example of FIG. 5. I can.

비교예Comparative example 발광 표시 장치(400)Light-emitting display device 400 증가율Rate of increase 광 추출 효율Light extraction efficiency 1.001.00 1.391.39 39.00%39.00%

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 실시예들에 따른 발광 표시 장치에서의 기판의 경사각, 돌출부의 높이 및 제3 각에 따른 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다. 도 8a는 기판(110)의 경사각(θ4)이 약 10°인 경우의 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서의 돌출부(432)의 높이(h) 및 제3 각(θ3)에 따른 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다. 도 8b는 기판(110)의 경사각(θ4)이 약 15°인 경우의 본 발명의 실시예들에 따른 발광 표시 장치(100, 400)에서의 돌출부(132, 432)의 높이(h) 및 제3 각(θ3)에 따른 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다. 도 8c는 기판(110)의 경사각(θ4)이 약 20°인 경우의 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서의 돌출부(432)의 높이(h) 및 제3 각(θ3)에 따른 광 추출 효율을 설명하기 위한 이미지이다. 도 8a 내지 8c에서 X축은 돌출부(432)의 높이(h)이고, Y축은 돌출부(432)의 제2 변(S2)과 베이스부(131)가 이루는 제3 각(θ3)이다. 도 8a 내지 도 8c에서 색상은 광 추출 효율이며, 빨간색에 가까울수록 돌출부(432)에 의해 추출되는 광의 양이 증가하는 것을 의미한다. 도 8a 및 도 8c에서 제3 각(θ3)은 약 30° 내지 60° 구간에서 측정되었으며, 도 8b에서 제3 각(θ3)은 약 30° 내지 75° 구간에서 측정되었다. 도 8a 내지 도 8c의 설명의 편의를 위하여, 도 3a 내지 도 4b를 참조할 수 있다.도 8a 내지 도 8c를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 표시 장치(100, 400)에서는 기판(110)의 경사각(θ4)이 증가할수록 발광 표시 장치(400)의 최대 광 추출량을 나타내는 제3 각(θ3)의 각도가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 기판(110)의 경사각(θ4)이 증가할수록 복수의 돌출부(132, 432)에 의해 추출되는 광의 양이 증가하는 것을 확인할 수 있다.8A to 8C are images for explaining light extraction efficiency according to an inclination angle of a substrate, a height of a protrusion, and a third angle in the light emitting display device according to example embodiments. 8A shows the height h and the third angle θ3 of the protrusion 432 in the light emitting display device 400 according to another exemplary embodiment of the present invention when the inclination angle θ4 of the substrate 110 is about 10°. This image is for explaining the light extraction efficiency according to ). FIG. 8B shows the height h and the lengths of the protrusions 132 and 432 in the light emitting display devices 100 and 400 according to the embodiments of the present invention when the inclination angle θ4 of the substrate 110 is about 15°. This image is for explaining the light extraction efficiency according to the 3 angle (θ3). 8C illustrates a height h and a third angle θ3 of the protrusion 432 in the light emitting display device 400 according to another exemplary embodiment of the present invention when the inclination angle θ4 of the substrate 110 is about 20°. This image is for explaining the light extraction efficiency according to ). In FIGS. 8A to 8C, the X-axis is the height h of the protrusion 432, and the Y-axis is the third angle θ3 formed by the second side S2 of the protrusion 432 and the base 131. In FIGS. 8A to 8C, the color is the light extraction efficiency, and the closer to red, the more the amount of light extracted by the protrusion 432 increases. In FIGS. 8A and 8C, the third angle θ3 was measured in a range of about 30° to 60°, and in FIG. 8B, the third angle θ3 was measured in a range of about 30° to 75°. For convenience of description of FIGS. 8A to 8C, reference may be made to FIGS. 3A to 4B. Referring to FIGS. 8A to 8C, a substrate It can be seen that as the inclination angle θ4 of 110 increases, the angle of the third angle θ3 representing the maximum light extraction amount of the light emitting display device 400 increases. In addition, it can be seen that as the inclination angle θ4 of the substrate 110 increases, the amount of light extracted by the plurality of protrusions 132 and 432 increases.

도 8a를 참조하면, 기판(110)의 경사각(θ4)이 약 10°인 경우, 제3 각(θ3)의 크기가 감소할수록 광 추출 효율이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 특히, 복수의 돌출부(432)의 높이(h)가 약 0.5㎛에 근접하고, 제3 각(θ3)이 약 30° 내지 35°인 영역에서, 광 추출 효율이 최대로 증가한 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 8A, when the inclination angle θ4 of the substrate 110 is about 10°, it can be seen that the light extraction efficiency increases as the size of the third angle θ3 decreases. In particular, in a region where the height h of the plurality of protrusions 432 is close to about 0.5 μm and the third angle θ3 is about 30° to 35°, it can be seen that the light extraction efficiency is maximized.

도 8b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치(100)에서는, 기판(110)의 경사각(θ4)이 약 15°인 경우, 복수의 돌출부(132)의 높이(h)가 약 0.75㎛에 근접하고, 제3 각(θ3)이 약 75°인 영역에서, 광 추출 효율이 증가하는 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 8B, in the light emitting display device 100 according to the exemplary embodiment of the present invention, when the inclination angle θ4 of the substrate 110 is about 15°, the height h of the plurality of protrusions 132 is It can be seen that the light extraction efficiency increases in a region close to about 0.75 μm and the third angle θ3 is about 75°.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치(400)에서는, 기판(110)의 경사각(θ4)이 약 15°인 경우, 제3 각(θ3)의 크기가 30° 내지 60°이고 돌출부(432)의 높이(h)가 약 0.5㎛ 내지 0.9㎛인 영역에서 광 추출 효율이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 특히, 복수의 돌출부(432)의 높이(h)가 약 0.6㎛에 근접하고, 제3 각(θ3)이 약 35° 내지 50°인 영역에서, 광 추출 효율이 최대로 증가한 것을 확인할 수 있다. In addition, in the light emitting display device 400 according to another embodiment of the present invention, when the inclination angle θ4 of the substrate 110 is about 15°, the size of the third angle θ3 is 30° to 60°, and the protrusion It can be seen that the light extraction efficiency increases in a region where the height h of 432 is about 0.5 μm to 0.9 μm. In particular, in a region where the height h of the plurality of protrusions 432 is close to about 0.6 μm and the third angle θ3 is about 35° to 50°, it can be seen that the light extraction efficiency is maximized.

도 8c를 참조하면, 기판(110)의 경사각(θ4)이 약 20°인 경우, 돌출부(432)의 높이(h)가 약 0.5㎛ 이하인 영역에서, 돌출부(432)의 높이(h)가 낮아지고, 제3 각(θ3)의 크기가 증가할수록 광 추출 효율이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 또한, 돌출부(432)의 높이(h)가 약 0.6㎛ 이상인 영역에서, 돌출부(432)의 높이(h)가 높아지고, 제3 각(θ3)의 크기가 증가할수록 광 추출 효율이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 특히, 복수의 돌출부(432)의 높이(h)가 약 0.25㎛ 이하이고, 제3 각(θ3)이 약 45° 내지 60°인 영역에서, 광 추출 효율이 최대로 증가한 것을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 8C, when the inclination angle θ4 of the substrate 110 is about 20°, in a region where the height h of the protrusion 432 is less than about 0.5 μm, the height h of the protrusion 432 is low. It can be seen that as the size of the third angle θ3 increases, the light extraction efficiency increases. In addition, in the region where the height h of the protrusion 432 is about 0.6 μm or more, it is confirmed that the height h of the protrusion 432 increases and the light extraction efficiency increases as the size of the third angle θ3 increases. I can. In particular, in the region where the height h of the plurality of protrusions 432 is about 0.25 μm or less and the third angle θ3 is about 45° to 60°, it can be seen that the light extraction efficiency is increased to the maximum.

본 발명의 다양한 실시예들에 따른 발광 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.A light emitting display device according to various embodiments of the present invention may be described as follows.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 표시 장치는 복수의 서브 화소가 배치되고, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 오버 코팅층, 오버 코팅층 상에서 복수의 서브 화소에 배치되는 복수의 제1 전극, 오버 코팅층 상에서 복수의 제1 전극의 일부 영역에 배치되며, 복수의 서브 화소의 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 뱅크층, 제1 전극 및 뱅크층을 덮도록 배치되는 발광층, 및 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고, 오버 코팅층은, 제1 영역 및 제2 영역에 배치된 베이스부, 및 제2 영역에서 베이스부로부터 돌출된 복수의 돌출부를 포함할 수 있다.In the light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, a plurality of sub-pixels are disposed, and a substrate including a first region and a second region, an over-coating layer disposed on the substrate, and a plurality of sub-pixels disposed on the over-coating layer. A light emitting layer disposed on a plurality of first electrodes and an overcoat layer in a partial area of the plurality of first electrodes and disposed to cover the bank layer including the light emitting area and the non-emitting area of the plurality of sub-pixels, the first electrode, and the bank layer , And a second electrode disposed on the emission layer, and the overcoat layer may include a base portion disposed in the first region and the second region, and a plurality of protrusions protruding from the base portion in the second region.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 영역은 평면 영역이고, 제2 영역은 곡면 영역일 수 있다.According to another feature of the present invention, the first region may be a planar region, and the second region may be a curved region.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 돌출부는 발광 영역에 배치될 수 있다. According to another feature of the present invention, a plurality of protrusions may be disposed in the light emitting area.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 돌출부는 하나의 서브 화소에 복수 개 배치될 수 있다. According to another feature of the present invention, a plurality of protrusions may be disposed in one sub-pixel.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 돌출부의 일 변과 베이스부가 이루는 각도는 돌출부에 대응하는 기판의 경사각과 동일할 수 있다.According to another feature of the present invention, an angle between one side of the protrusion and the base may be the same as the inclination angle of the substrate corresponding to the protrusion.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 돌출부의 단면은 직각삼각형 형상일 수 있다.According to another feature of the present invention, the cross section of the protrusion may have a right triangle shape.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 돌출부의 단면은 둔각삼각형 형상일 수 있다.According to another feature of the present invention, the cross section of the protrusion may have an obtuse triangle shape.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 돌출부의 단면은 제1 영역과 근접하게 배치되는 제1 변 및 제1 변과 베이스부를 연결하는 제2 변을 포함하고, 제2 변과 베이스부가 이루는 각은 90° 및 제1 변과 베이스부가 이루는 각의 차 이하일 수 있다.According to another feature of the present invention, the cross section of the protrusion includes a first side disposed adjacent to the first region and a second side connecting the first side and the base, and the angle formed by the second side and the base portion is 90 It may be less than or equal to the difference between ° and the angle formed by the first side and the base portion.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 표시 장치는 평면부 및 곡면부를 포함하는 기판, 기판 상에 배치되는 절연층, 절연층 상에 배치되고, 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자, 및 제1 전극의 일부 영역에 배치되는 뱅크층을 포함하고, 절연층은 곡면부에서 뱅크층과 서로 다른 위치에 배치되는 복수의 시야각 개선 패턴을 포함할 수 있다.A light emitting display device according to another exemplary embodiment of the present invention includes a substrate including a flat portion and a curved portion, an insulating layer disposed on the substrate, and a light emitting device disposed on the insulating layer, and including a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode. , And a bank layer disposed in a partial region of the first electrode, and the insulating layer may include a plurality of viewing angle improvement patterns disposed at different positions from the bank layer in the curved portion.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 뱅크층은 비발광 영역에 배치되고, 복수의 시야각 개선 패턴은 곡면부에서 발광 영역에 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, the bank layer may be disposed in the non-emission area, and a plurality of viewing angle improvement patterns may be disposed in the light emitting area in the curved portion.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 발광 표시 장치는 기판에 배치되는 복수의 서브 화소를 더 포함하고, 복수의 시야각 개선 패턴은 복수의 서브 화소 각각에 복수 개로 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, the light emitting display device further includes a plurality of sub-pixels disposed on a substrate, and a plurality of viewing angle improvement patterns may be disposed in a plurality of each of the plurality of sub-pixels.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 시야각 개선 패턴의 단면은 삼각 형상일 수 있다.According to still another feature of the present invention, a cross section of the plurality of viewing angle improvement patterns may have a triangular shape.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 시야각 개선 패턴의 일 변은 평면부의 평행한 면과 평행하게 배치될 수 있다.According to another feature of the present invention, one side of the plurality of viewing angle improvement patterns may be disposed in parallel with a parallel plane of the planar portion.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 발광 표시 장치는 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치이고, 발광 소자는 마이크로 캐비티로 구현될 수 있다.According to another feature of the present invention, the light emitting display device is a top emission type light emitting display device, and the light emitting device may be implemented as a micro-cavity.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and are not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100, 400: 발광 표시 장치
110: 기판
111: 버퍼층
112: 게이트 절연층
113: 에치 스토퍼
120: 박막 트랜지스터
121: 게이트 전극
122: 액티브층
123: 소스 전극
124: 드레인 전극
130, 430: 오버 코팅층
131: 베이스부
132, 432: 돌출부
140: 뱅크층
150, 450: 발광 소자
151, 451: 제1 전극
152, 452: 발광층
153, 453: 제2 전극
170, 470: 봉지부
171, 471: 제1 봉지층
172: 제2 봉지층
173: 제3 봉지층
AA: 표시 영역
NA: 비표시 영역
SP: 서브 화소
A1: 제1 영역
A2: 제2 영역
EA: 발광 영역
NEA: 발광 영역
S1: 제1 변
S2: 제2 변
θ1: 제1 각
θ2: 제2 각
θ3: 제3 각
θ4: 기판의 경사각
P: 제1 변과 제2 변이 만나는 지점
PS: 제2 영역이 제1 영역과 평행한 가상의 면
h: 돌출부의 높이
100, 400: light-emitting display device
110: substrate
111: buffer layer
112: gate insulating layer
113: etch stopper
120: thin film transistor
121: gate electrode
122: active layer
123: source electrode
124: drain electrode
130, 430: overcoat layer
131: base portion
132, 432: protrusions
140: bank layer
150, 450: light-emitting element
151, 451: first electrode
152, 452: light emitting layer
153, 453: second electrode
170, 470: bag
171, 471: first encapsulation layer
172: second encapsulation layer
173: third encapsulation layer
AA: display area
NA: Non-display area
SP: sub pixel
A1: first area
A2: second area
EA: light-emitting area
NEA: light emitting area
S1: first side
S2: second side
θ1: first angle
θ2: second angle
θ3: third angle
θ4: inclination angle of the substrate
P: the point where the first and second sides meet
PS: a virtual plane in which the second area is parallel to the first area
h: height of the protrusion

Claims (14)

복수의 서브 화소가 배치되고, 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 배치되는 오버 코팅층;
상기 오버 코팅층 상에서 상기 복수의 서브 화소에 배치되는 복수의 제1 전극;
상기 오버 코팅층 상에서 상기 복수의 제1 전극의 일부 영역에 배치되며, 상기 복수의 서브 화소의 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하는 뱅크층;
상기 제1 전극 및 상기 뱅크층을 덮도록 배치되는 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극을 포함하고,
상기 오버 코팅층은,
상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 배치된 베이스부; 및
상기 제2 영역에서 상기 베이스부로부터 돌출된 복수의 돌출부를 포함하는, 발광 표시 장치.
A substrate on which a plurality of sub-pixels are disposed and including a first region and a second region;
An overcoat layer disposed on the substrate;
A plurality of first electrodes disposed on the plurality of sub-pixels on the overcoat layer;
A bank layer disposed on the overcoat layer in some regions of the plurality of first electrodes and including an emission region and a non-emission region of the plurality of sub-pixels;
A light emitting layer disposed to cover the first electrode and the bank layer; And
Including a second electrode disposed on the emission layer,
The overcoat layer,
A base portion disposed in the first area and the second area; And
A light emitting display device comprising a plurality of protrusions protruding from the base in the second region.
제1항에 있어서,
상기 제1 영역은 평면 영역이고,
상기 제2 영역은 곡면 영역인, 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
The first region is a planar region,
The second area is a curved area.
제2항에 있어서,
상기 복수의 돌출부는 상기 발광 영역에 배치되는, 발광 표시 장치.
The method of claim 2,
The plurality of protrusions are disposed in the light emitting area.
제2항에 있어서,
상기 복수의 돌출부는 하나의 서브 화소에 복수 개 배치되는, 발광 표시 장치.
The method of claim 2,
A light emitting display device, wherein a plurality of the plurality of protrusions are disposed in one sub-pixel.
제1항에 있어서,
상기 돌출부의 일 변과 상기 베이스부가 이루는 각도는 상기 돌출부에 대응하는 상기 기판의 경사각과 동일한, 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
An angle formed by one side of the protrusion and the base part is the same as an inclination angle of the substrate corresponding to the protrusion.
제1항에 있어서,
상기 돌출부의 단면은 직각삼각형 형상인, 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
The cross-section of the protrusion has a right triangle shape.
제1항에 있어서,
상기 돌출부의 단면은 둔각삼각형 형상인, 발광 표시 장치.
The method of claim 1,
The cross-section of the protrusion has an obtuse triangle shape.
제7항에 있어서,
상기 돌출부의 단면은 상기 제1 영역과 근접하게 배치되는 제1 변 및 상기 제1 변과 상기 베이스부를 연결하는 제2 변을 포함하고,
상기 제2 변과 상기 베이스부가 이루는 각은 90° 및 상기 제1 변과 상기 베이스부가 이루는 각의 차 이하인, 발광 표시 장치.
The method of claim 7,
The cross section of the protrusion includes a first side disposed adjacent to the first region and a second side connecting the first side and the base part,
An angle formed by the second side and the base portion is equal to or less than 90° and a difference between an angle between the first side and the base portion.
평면부 및 곡면부를 포함하는 기판;
상기 기판 상에 배치되는 절연층;
상기 절연층 상에 배치되고, 제1 전극, 발광층 및 제2 전극을 포함하는 발광 소자; 및
상기 제1 전극의 일부 영역에 배치되는 뱅크층을 포함하고,
상기 절연층은 상기 곡면부에서 상기 뱅크층과 서로 다른 위치에 배치되는 복수의 시야각 개선 패턴을 포함하는, 발광 표시 장치.
A substrate including a flat portion and a curved portion;
An insulating layer disposed on the substrate;
A light emitting device disposed on the insulating layer and including a first electrode, a light emitting layer, and a second electrode; And
A bank layer disposed in a partial region of the first electrode,
The insulating layer includes a plurality of viewing angle improvement patterns disposed at different positions from the bank layer on the curved portion.
제9항에 있어서,
상기 뱅크층은 비발광 영역에 배치되고,
상기 복수의 시야각 개선 패턴은 상기 곡면부에서 발광 영역에 배치되는, 발광 표시 장치.
The method of claim 9,
The bank layer is disposed in the non-emission area,
The plurality of viewing angle improvement patterns are disposed in a light emitting area in the curved portion.
제9항에 있어서,
상기 기판에 배치되는 복수의 서브 화소를 더 포함하고,
상기 복수의 시야각 개선 패턴은 상기 복수의 서브 화소 각각에 복수 개로 배치되는, 발광 표시 장치.
The method of claim 9,
Further comprising a plurality of sub-pixels disposed on the substrate,
The plurality of viewing angle improvement patterns are disposed in plurality in each of the plurality of sub-pixels.
제11항에 있어서,
상기 복수의 시야각 개선 패턴의 단면은 삼각 형상인, 발광 표시 장치.
The method of claim 11,
The plurality of viewing angle improvement patterns have a triangular cross-section.
제12항에 있어서,
상기 복수의 시야각 개선 패턴의 일 변은 상기 평면부의 평행한 면과 평행하게 배치되는, 발광 표시 장치.
The method of claim 12,
One side of the plurality of viewing angle improvement patterns is disposed in parallel with a parallel surface of the planar portion.
제9항에 있어서,
상기 발광 표시 장치는 탑 에미션 방식의 발광 표시 장치이고,
상기 발광 소자는 마이크로 캐비티로 구현된, 발광 표시 장치.
The method of claim 9,
The light emitting display device is a top emission type light emitting display device,
The light emitting device is a light emitting display device implemented as a micro-cavity.
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