KR20210013803A - Curved Radiation Detector Using Flexible Grid - Google Patents

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KR20210013803A
KR20210013803A KR1020190091460A KR20190091460A KR20210013803A KR 20210013803 A KR20210013803 A KR 20210013803A KR 1020190091460 A KR1020190091460 A KR 1020190091460A KR 20190091460 A KR20190091460 A KR 20190091460A KR 20210013803 A KR20210013803 A KR 20210013803A
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차보경
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한국전기연구원
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Abstract

The present invention relates to a curved radiation detector using a flexible grid. According to the present invention, the radiation detector substitutes an existing planar detector by the curved detector to sense an image of an affected area at high sensitivity without inconvenience of rephotographing to maximize convenience of a patient and uses the curved grid for restraining scattering of radiation so as to be capable of providing the clear high resolution image.

Description

유연한 그리드를 이용한 곡면형 방사선 디텍터{Curved Radiation Detector Using Flexible Grid}Curved Radiation Detector Using Flexible Grid

본 발명은 간접 방식의 디지털 방사선 디텍터에 관한 것으로서, 특히, X-선 등 방사선 영상센서로서 유연한 그리드를 이용하여 영상 왜곡을 최소화한 곡면형 고해상도 방사선 디텍터에 관한 것이다. The present invention relates to an indirect digital radiation detector, and in particular, to a curved high-resolution radiation detector that minimizes image distortion using a flexible grid as a radiation image sensor such as X-ray.

간접 방식 디지털 방사선 디텍터는 X-선 등 방사선을 흡수하여 가시광선을 발생하는 섬광체, 및 발생한 가시광선을 전기적 신호로 읽기 위한 포토다이오드(PD)를 포함하는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 및 CCD(Charge Coupled Device) 등의 이미지 센서로 구성된다. 간접 방식의 방사선 디텍터에 사용되는 섬광체로서 수십 내지 수백 μm의 두께를 가지는 Gd2O2S(Tb), Gd2O2(Eu) 물질 등 다양한 분말형 섬광체(powdered phosphor)가 시도되고 있으며, 또한, 빛의 퍼짐을 줄여 공간 분해능을 향상시키기 위한 섬광체로서 물리적 기상증착장비(physical vapor deposition, PVD)를 통하여 바늘기둥형태(columnar or needle shape)로 형성되는 미세구조형 섬광체(structured phosphor)가 시도되고 있다. The indirect digital radiation detector is a scintillator that generates visible light by absorbing radiation such as X-rays, and a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) and CCD (Charge) including a photodiode (PD) for reading the generated visible light as an electrical signal. Coupled Device) and other image sensors. Various powdered phosphors, such as Gd2O2S(Tb) and Gd2O2(Eu) materials having a thickness of tens to hundreds of μm, are being tried as scintillators used for indirect radiation detectors, and also reduce the spread of light to reduce space. As a scintillator to improve resolution, a microstructured phosphor formed in a column or needle shape through physical vapor deposition (PVD) has been attempted.

바늘기둥형태의 미세구조를 가지는 섬광체를 사용할지라도, 여전히 빛의 퍼짐이 존재하기 때문에 좀 더 완전하게 빛의 산란을 방지하기 위한 방법이 요구되고 있다. 또한 실리콘 웨이퍼의 RIE(deep reactive ion etching) 공정이나 글래스 위의 절연체에 대한 PDP(Plasma Display Panel) 격벽 구조 공정 등을 통하여 픽셀 구조체를 먼저 제작하고, 이후 격벽으로 구분된 픽셀들의 홈들에 섬광물질 분말을 페이스트와 섞어 채우거나 분말을 녹여 고화시킴으로써 픽셀 구조형 섬광체를 이용하여 선명한 영상화질을 구현하는 연구가 존재한다.Even if a scintillator having a needle columnar microstructure is used, since light spreading still exists, a method for more completely preventing light scattering is required. In addition, a pixel structure is first fabricated through a deep reactive ion etching (RIE) process of a silicon wafer or a PDP (Plasma Display Panel) barrier structure process for an insulator on the glass, and then scintillation material powder in the grooves of the pixels divided by the barrier ribs. There is a research on realizing clear image quality using a pixel structure type scintillator by mixing and filling with a paste or dissolving and solidifying the powder.

분말형 섬광체내에서 발생한 가시광선은 산란을 통해 영상의 공간분해능을 저하시키기 때문에, 이에 대한 대책으로 물리적 기상 증착장비를 통하여 바늘기둥형태(columnar structure)의 미세구조를 형성하여 섬광체내에서 발생하는 빛의 퍼짐을 최소화하는 방법이다. 여기서 사용된 섬광체는 CsI(Na) 또는 CsI(Tl) 등 원자번호와 밀도가 높은 물질이여야 하며, 방출되는 가시광선의 파장이 아래의 광전도체와 Quantum efficiency(양자효율)가 좋은 도핑 물질이어야 한다. Since visible light generated in the powder scintillator decreases the spatial resolution of the image through scattering, as a countermeasure for this, light generated in the scintillator is formed by forming a microstructure of a columnar structure through physical vapor deposition equipment. This is how to minimize the spread of The scintillator used here should be a material with high atomic number and density such as CsI(Na) or CsI(Tl), and the wavelength of emitted visible light should be a photoconductor below and a doping material with good quantum efficiency.

하지만 바늘기둥형태의 미세구조를 가지는 섬광체를 사용할지라도 여전히 빛의 퍼짐이 존재하기 때문에 완벽한 빛의 산란을 방지하는 방법이 요구되고 있다. 또한 기존의 픽셀 구조형 섬광체를 이용하는 방식에서, 해상도는 향상되지만 민감도가 떨어지는 문제점이 존재한다. 그리고, X선이 섬광체에서 흡수되지 않고 광다이오드까지 투과되는 X선을 차단하기 위해서 FOP(fiber optic plate) 소재를 섬광체와 광다이오드 사이에 삽입하여 사용하는 경우도 있으나 높은 비용이 요구되는 문제점이 있다.However, even if a scintillator having a fine structure in the form of a needle column is used, light spreading still exists, so a method of preventing perfect light scattering is required. In addition, in the method of using the conventional pixel structure type scintillator, there is a problem that the resolution is improved but the sensitivity is decreased. In addition, in some cases, a fiber optic plate (FOP) material is inserted between the scintillator and the photodiode to block X-rays transmitted to the photodiode without being absorbed by the scintillator, but there is a problem that requires high cost. .

그러나, 기존의 간접 방식 디지털 방사선 디텍터는, 뻣뻣한 고형의 평면형(flat) 센서를 이용함으로써, 신체 크기나 형태에 따라 환자마다 영상의 해상도가 달라져 재촬영해야 하는 경우가 빈번해 불편하고, 방사선의 산란으로 인한 영상의 왜곡은 계속해서 개선해야 할 문제이다. However, the conventional indirect digital radiation detector uses a stiff solid flat sensor, so the resolution of the image varies for each patient according to the size or shape of the body, so it is inconvenient to retake the image. The distortion of the resulting image is a problem that needs to be continuously improved.

관련 문헌으로서 미국특허 US 2016/0370303A1, US 2017/0003401A1, WO2015099422A1 등이 참조될 수 있다. As related documents, reference may be made to US patents US 2016/0370303A1, US 2017/0003401A1, WO2015099422A1, and the like.

따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 기존의 평면형 디텍터를 곡면형(curved) 디텍터로 대체하여 재촬영의 불편함 없이 환부 영상에 대한 고민감도의 센싱으로 환자의 편의성을 극대화할 수 있으며, 방사선의 산란을 억제하기 위한 곡면형 그리드를 채용함으로써 선명한 고해상도의 영상 제공이 가능한 곡면형 방사선 디텍터를 제공하는 데 있다. Accordingly, the present invention was conceived to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to replace the existing flat detector with a curved detector to sense high sensitivity for an affected area image without the inconvenience of re-taking. The goal is to provide a curved radiation detector capable of providing clear, high-resolution images by employing a curved grid to suppress radiation scattering and maximizing patient convenience.

먼저, 본 발명의 특징을 요약하면, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면에 따른 방사선 디텍터는, 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는, 곡면형 또는 유연한 이미지 센서 기판; 상기 이미지 센서 기판의 상부에 구비되며, 방사선을 받아 가시광으로 변환하기 위한, 곡면형 또는 유연한 섬광체 구조물; 및 산란 방사선의 영향을 제거해 영상의 대조도를 높이기 위한 곡면형 또는 유연한 그리드를 포함하고, 상기 이미지 센서 기판은, 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하기 위한 것으로서, 상기 섬광체 구조물은, 직접 형성되는 방식에 의해 곡면형 또는 유연하게 형성되어, 상기 이미지 센서 기판, 상기 섬광체 구조물 및 상기 그리드를 포함하는 전체적인 구조물이 곡면형 또는 유연하게 형성된 것을 특징으로 한다.First, summarizing the features of the present invention, a radiation detector according to an aspect of the present invention for achieving the above object includes: a curved or flexible image sensor substrate having a plurality of pixel sensors in an array form; A curved or flexible scintillator structure provided on the image sensor substrate and configured to receive radiation and convert it into visible light; And a curved or flexible grid for increasing the contrast of the image by removing the influence of scattered radiation, wherein the image sensor substrate is for reading an electrical signal proportional to the visible light from each pixel, and the scintillator structure , It is characterized in that the entire structure including the image sensor substrate, the scintillator structure, and the grid is formed to be curved or flexible by being formed in a curved or flexible manner by a direct formation method.

상기 이미지 센서 기판은, 회로 어레이가 형성된, 곡면형 또는 유연한 플라스틱 기판으로 제작될 수 있다.The image sensor substrate may be made of a curved or flexible plastic substrate having a circuit array formed thereon.

상기 이미지 센서 기판은, 곡면형 또는 유연한 유리 기판 상에 회로 어레이가 형성된 형태, 또는 유리 기판 상에 회로 어레이를 형성한 후 상기 유리 기판의 후면을 식각하거나 연마하여 곡면형 또는 유연한 기판으로 제작될 수도 있다.The image sensor substrate may be manufactured as a curved or flexible substrate by etching or polishing the rear surface of the glass substrate after forming a circuit array on a curved or flexible glass substrate, or after forming a circuit array on a glass substrate. have.

상기 이미지 센서 기판은, 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하기 위해 포토다이오드를 포함할 수 있다.The image sensor substrate may include a photodiode to read an electrical signal proportional to the visible light from each pixel.

상기 그리드는, 섬광체 쉬트에 레이저 가공으로 형성된, 에어갭에 의해 구분된 섬광체 픽셀 어레이를 포함한다.The grid includes a scintillator pixel array formed by laser processing on a scintillator sheet, separated by an air gap.

상기 그리드는, 섬광체 쉬트에 소잉 장비에 의한 가공으로 형성된, 에어갭에 의해 구분된 섬광체 픽셀 어레이를 포함할 수 있다.The grid may include a scintillator pixel array formed by processing by a sawing device on the scintillator sheet, separated by an air gap.

상기 섬광체 픽셀 어레이는, 픽셀의 가로 또는 세로 피치가 30~500μm, 픽셀간 이격거리 2~50μm 인 구조를 포함한다.The scintillator pixel array includes a structure in which a horizontal or vertical pitch of pixels is 30 to 500 μm, and a separation distance between pixels is 2 to 50 μm.

상기 그리드는,상기 에어갭에 도포된 투과물질을 더 포함할 수 있다.The grid may further include a permeable material applied to the air gap.

상기 섬광체는 GOS(Gd2O2S:Tb) 또는 CsI:Tl 섬광체를 포함할 수 있다.The scintillator may include a GOS (Gd2O2S:Tb) or a CsI:Tl scintillator.

그리고, 본 발명의 다른 일면에 따른, 방사선 디텍터의 제작 방법은, 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는, 곡면형 또는 유연한 이미지 센서 기판을 제작하는 단계; 상기 이미지 센서 기판의 상부에 직접 형성되는 방식에 의해 곡면형 또는 유연한 섬광체 구조물을 형성하는 단계; 및 상기 섬광체 구조물 상에 산란 방사선의 영향을 제거해 영상의 대조도를 높이기 위한 곡면형 또는 유연한 그리드를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 섬광체 구조물은 방사선을 받아 가시광으로 변환하고, 상기 이미지 센서 기판은, 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하기 위한 것으로서, 상기 이미지 센서 기판, 상기 섬광체 구조물 및 상기 그리드를 포함하는 전체적인 구조물이 곡면형 또는 유연하게 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, according to another aspect of the present invention, a method of manufacturing a radiation detector includes: manufacturing a curved or flexible image sensor substrate having a plurality of pixel sensors in an array form; Forming a curved or flexible scintillator structure by a method formed directly on the image sensor substrate; And forming a curved or flexible grid on the scintillator structure to increase the contrast of the image by removing the influence of the scattered radiation, wherein the scintillator structure receives the radiation and converts it into visible light, and the image sensor substrate, For reading an electrical signal proportional to the visible light from each pixel, the entire structure including the image sensor substrate, the scintillator structure, and the grid is formed in a curved or flexible shape.

본 발명에 따른 곡면형 방사선 디텍터는, 기존의 평면형 디텍터를 곡면형(curved) 디텍터로 대체하여 재촬영의 불편함 없이 환부 영상에 대한 고민감도의 센싱으로 환자의 편의성을 극대화할 수 있으며, 방사선의 산란을 억제하기 위한 곡면형 그리드를 채용함으로써 선명한 고해상도의 영상 제공이 가능하다.The curved radiation detector according to the present invention can maximize the convenience of the patient by sensing high sensitivity for the affected area image without the inconvenience of re-taking by replacing the existing flat detector with a curved detector. By employing a curved grid to suppress scattering, it is possible to provide a clear, high-resolution image.

본 발명에 관한 이해를 돕기 위해 상세한 설명의 일부로 포함되는 첨부도면은, 본 발명에 대한 실시예를 제공하고 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 설명한다.
도 1은 본 발명의 곡면형(curved) 또는 유연한(flexible) 그리드를 이용한 간접 방식 디지털 방사선 디텍터의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 간접 방식 디지털 방사선 디텍터에서 곡면형 또는 유연한 그리드의 형성을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 그리드의 섬광체 픽셀 어레이의 다양한 형태를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 간접 방식 디지털 방사선 디텍터의 제작 과정을 설명하기 위한 흐름도이다.
The accompanying drawings, which are included as part of the detailed description to aid understanding of the present invention, provide embodiments of the present invention and describe the technical spirit of the present invention together with the detailed description.
1 is a view for explaining an example of an indirect digital radiation detector using a curved or flexible grid of the present invention.
2 is a view for explaining the formation of a curved or flexible grid in the indirect digital radiation detector according to an embodiment of the present invention.
3 is a view for explaining various forms of the scintillator pixel array of the grid of the present invention.
4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of the indirect digital radiation detector of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 대해서 자세히 설명한다. 이때, 각각의 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타낸다. 또한, 이미 공지된 기능 및/또는 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다. 이하에 개시된 내용은, 다양한 실시 예에 따른 동작을 이해하는데 필요한 부분을 중점적으로 설명하며, 그 설명의 요지를 흐릴 수 있는 요소들에 대한 설명은 생략한다. 또한 도면의 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시될 수 있다. 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니며, 따라서 각각의 도면에 그려진 구성요소들의 상대적인 크기나 간격에 의해 여기에 기재되는 내용들이 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this case, the same components in each drawing are indicated by the same reference numerals as possible. In addition, detailed descriptions of functions and/or configurations already known are omitted. In the following, a part necessary for understanding an operation according to various embodiments will be mainly described, and a description of elements that may obscure the subject matter of the description will be omitted. In addition, some elements in the drawings may be exaggerated, omitted, or schematically illustrated. The size of each component does not entirely reflect the actual size, and therefore, the contents described herein are not limited by the relative size or spacing of the components drawn in each drawing.

본 발명의 실시예들을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 상세한 설명에서 사용되는 용어는 단지 본 발명의 실시 예들을 기술하기 위한 것이며, 결코 제한적이어서는 안 된다. 명확하게 달리 사용되지 않는 한, 단수 형태의 표현은 복수 형태의 의미를 포함한다. 본 설명에서, "포함" 또는 "구비"와 같은 표현은 어떤 특성들, 숫자들, 단계들, 동작들, 요소들, 이들의 일부 또는 조합을 가리키기 위한 것이며, 기술된 것 이외에 하나 또는 그 이상의 다른 특성, 숫자, 단계, 동작, 요소, 이들의 일부 또는 조합의 존재 또는 가능성을 배제하도록 해석되어서는 안 된다. In describing the embodiments of the present invention, when it is determined that a detailed description of a known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted. In addition, terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the present invention and may vary according to the intention or custom of users or operators. Therefore, the definition should be made based on the contents throughout this specification. The terms used in the detailed description are merely for describing the embodiments of the present invention, and should not be limiting. Unless explicitly used otherwise, expressions in the singular form include the meaning of the plural form. In this description, expressions such as "comprising" or "feature" are intended to refer to certain features, numbers, steps, actions, elements, some or combination thereof, and one or more It should not be construed to exclude the presence or possibility of other features, numbers, steps, actions, elements, any part or combination thereof.

또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니며, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.In addition, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms, and the terms are used to distinguish one component from other components. Is only used.

도 1은 본 발명의 곡면형(curved) 또는 유연한(flexible) 그리드를 이용한 간접 방식 디지털 방사선 디텍터(100)의 일례를 설명하기 위한 도면이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 간접 방식 디지털 방사선 디텍터(100)는, 곡면형 또는 유연한 이미지 센서 기판(110), 곡면형 또는 유연한 섬광체 구조물(120), 및 곡면형 또는 유연한 그리드(130)를 포함한다. 1 is a view for explaining an example of an indirect digital radiation detector 100 using a curved or flexible grid of the present invention. Referring to Figure 1, the indirect type digital radiation detector 100 according to an embodiment of the present invention, a curved or flexible image sensor substrate 110, a curved or flexible scintillator structure 120, and a curved or flexible It includes a grid 130.

섬광체 구조물(120)은 곡면형 또는 유연한 이미지 센서 기판(110) 상부에 구비되며, 그 구조물 자체에 직접 형성되는 방식에 의해 곡면형 또는 유연하게 형성될 수 있다. 그리드(130)는 입사되는 산란 방사선의 영향을 제거해 영상의 대조도를 높이기 위하여 방사선 흡수부분(예, Pb 등)과 방사선 투과부분(예, Al, Carbon, 나무 등)을 교대로 반복 배치한 구조이며, 섬광체 구조물(120) 상에 곡면형 또는 유연한 해당 구조물을 부착 또는 접합시킬 수도 있고, 특히, GOS(Gd2O2S:Tb) 또는 CsI:Tl 섬광체 등으로 된 섬광체 쉬트를 섬광체 구조물(120)에 접합한 후 가공된 에어갭(131)에 의해 구분된 1차원 또는 2차원 섬광체 픽셀 어레이를 포함하도록 형성되어 곡면형 또는 유연하도록 구성될 수도 있다. 이때 GOS(Gd2O2S:Tb) 또는 CsI:Tl 섬광체 등이 방사선 흡수부분 역할이 가능하고 에어갭(131)이 방사선 투과부분 역할이 가능하다. 결국, 본 발명의 일 실시예에 따른 간접 방식 디지털 방사선 디텍터(100)는, 이미지 센서 기판(110), 섬광체 구조물(120), 그리드(130)를 포함하는 전체적인 구조물이 곡면형 또는 유연하게 형성된다. The scintillator structure 120 is provided on the curved or flexible image sensor substrate 110, and may be formed in a curved or flexible manner by being formed directly on the structure itself. The grid 130 has a structure in which a radiation absorbing part (eg, Pb, etc.) and a radiation transmitting part (eg, Al, Carbon, wood, etc.) are alternately and repeatedly arranged to increase the contrast of the image by removing the effect of the incident scattered radiation. In addition, a curved or flexible structure may be attached or bonded on the scintillator structure 120, and in particular, a scintillator sheet made of GOS (Gd2O2S:Tb) or CsI:Tl scintillator, etc., is bonded to the scintillator structure 120. It may be formed to include a one-dimensional or two-dimensional scintillator pixel array divided by the post-processed air gap 131 and configured to be curved or flexible. At this time, a GOS (Gd2O2S:Tb) or a CsI:Tl scintillator may serve as a radiation absorbing part, and the air gap 131 may serve as a radiation transmitting part. As a result, in the indirect digital radiation detector 100 according to an embodiment of the present invention, the entire structure including the image sensor substrate 110, the scintillator structure 120, and the grid 130 is formed in a curved or flexible manner. .

이와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 간접 방식 디지털 방사선 디텍터(100)는, 환자(20)의 머리, 흉부, 골반, 무릎 등 다양한 환부나 병변의 상태(예, 뼈골절, 크랙 등)를 진단하기 위하여 X-선 및 감마선 등 방사선(50)을 구강 내 치아에 조사하고 해당 영상을 획득하기 위한 방사선 촬영 장치에 이용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 간접 방식 디지털 방사선 디텍터(100)는, 주로 저가형 대면적 방사선 촬영 장치에 적용이 바람직하지만, 경우에 따라서는 구강 내 치아를 투과한 방사선을 검출하기 위한 치과용 구강 방사선 디텍터 등 소형으로 제작되어 활용될 수도 있다. Such an indirect digital radiation detector 100 according to an embodiment of the present invention diagnoses the condition of various affected areas or lesions (eg, bone fractures, cracks, etc.) of the patient 20 such as the head, chest, pelvis, and knees. In order to do so, radiation 50 such as X-rays and gamma rays may be irradiated to teeth in the oral cavity and used in a radiographic apparatus for obtaining a corresponding image. The indirect digital radiation detector 100 according to an embodiment of the present invention is preferably applied mainly to a low-cost large-area radiographic apparatus, but in some cases, dental oral radiation for detecting radiation transmitted through the teeth in the oral cavity It may be manufactured and used in a small size such as a detector.

X-선, 감마선 등의 방사선이 그리드(130)로 입사되면 섬광체 구조물(120)의 섬광체들에서 가시광으로 변환되어 이미지 센서 기판(110)으로 출사될 수 있다. 일부 방사선은 섬광체 구조물(120)의 섬광체를 투과하여 직접 이미지 센서 기판(110)으로 출사될 수도 있다. 다만, 이미지 센서 기판(110)으로 도달되는 X-선 등 방사선을 차단하기 위해서 FOP(fiber optic plate) 소재를 섬광체 구조물(120)과 이미지 센서 기판(110) 사이에 삽입할 수도 있다. 일정 밴드갭(Eg)을 갖는 섬광체 구조물(120)의 섬광물질에 입사된 X-선 등 방사선은 섬광 물질을 여기시켜서 가전자대의 전자를 여기자(exciton) 밴드를 거쳐 전도대로 올리며, 전도대의 전자가 트랩이나 활성화 센터(activation center)를 거쳐 낮은 에너지 상태로 내려올 때 200~600nm 파장대의 가시광을 방출시킬 수 있게 된다. When radiation such as X-rays and gamma rays is incident on the grid 130, the scintillators of the scintillator structure 120 are converted into visible light and emitted to the image sensor substrate 110. Some radiation may pass through the scintillator of the scintillator structure 120 and be directly emitted to the image sensor substrate 110. However, in order to block radiation such as X-rays reaching the image sensor substrate 110, a fiber optic plate (FOP) material may be inserted between the scintillator structure 120 and the image sensor substrate 110. Radiation such as X-rays incident on the scintillation material of the scintillator structure 120 having a certain band gap (E g ) excites the scintillation material and raises the electrons in the valence band through the exciton band to the conduction band. It is possible to emit visible light in a wavelength range of 200 to 600 nm when is lowered to a low energy state through a trap or an activation center.

도 1 에서, 이미지 센서 기판(110)는 1차원 또는 2차원 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 포함하며, 각각의 픽셀 센서는 각 픽셀에서의 위와 같이 도달하는 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하기 위해 포토다이오드를 포함하는 간접 방식으로 이루어질 수 있다. 이미지 센서 기판(110)의 회로 어레이(112)는 포토다이오드를 통해 출력되는 전기적 신호를 독출한다. 다만, 경우에 따라 이미지 센서 기판(110)가 광전도체층(미도시)을 포함하여 각각의 픽셀 센서가 이미지 센서 기판(110)의 회로 어레이(112)를 이용해 광전도체층에서 발생된 전자-정공에 대응하는 전기적 신호를 독출하는 방식의 하이브리드 방식으로 구동될 수도 있다. 소형의 치과용 구강 방사선 디텍터로서 작동을 위하여는 저선량으로 고속, 고감도 및 고해상도를 실현하여야 하므로 위와 같은 광전도체층 등 없이 간접 방식으로 구동되는 것이 바람직하다.In FIG. 1, the image sensor substrate 110 includes a plurality of pixel sensors in the form of a one-dimensional or two-dimensional array, and each pixel sensor reads an electrical signal proportional to the visible light arriving at each pixel. It can be made in an indirect manner including a photodiode. The circuit array 112 of the image sensor substrate 110 reads out an electrical signal output through the photodiode. However, in some cases, the image sensor substrate 110 includes a photoconductor layer (not shown), and each pixel sensor uses the circuit array 112 of the image sensor substrate 110 to generate electron-holes in the photoconductor layer. It may be driven in a hybrid method of reading an electrical signal corresponding to. In order to operate as a small dental oral radiation detector, it is desirable to be driven in an indirect manner without a photoconductor layer as described above, since it must realize high speed, high sensitivity, and high resolution at a low dose.

이하, 도 1 내지 도 3의 도면과 도 4의 공정 흐름도를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 간접 방식 디지털 방사선 디텍터(100)의 제작 과정과 원리를 좀 더 자세히 설명한다. Hereinafter, a manufacturing process and principle of the indirect digital radiation detector 100 according to an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings of FIGS. 1 to 3 and the process flow diagram of FIG. 4.

도 4는 본 발명의 간접 방식 디지털 방사선 디텍터(100)의 제작 과정을 설명하기 위한 흐름도이다. 4 is a flowchart illustrating a manufacturing process of the indirect digital radiation detector 100 of the present invention.

도 4를 참조하면, 먼저, 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는, 곡면형 또는 유연한 이미지 센서 기판(110)을 제작한다(S110).Referring to FIG. 4, first, a curved or flexible image sensor substrate 110 having a plurality of pixel sensors in an array form is manufactured (S110).

도 1 내지 도 3과 같이, 곡면형 또는 유연한 이미지 센서 기판(110)는 1차원 또는 2차원 어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 포함하며, 이를 위하여 곡면형 또는 유연한 플라스틱 또는 유리 기판(111) 위에 이미지 센서 기판(110)의 각 픽셀 센서에 대응되도록 1차원 또는 2차원 어레이 형태로 형성된 포토다이오드와 회로 어레이(112)를 포함한다. 회로 어레이(112) 위에는, 섬광체 구조물(120)로부터 들어오는 가시광 등을 투과시킬 수 있는, 투명 절연막 등의 보호층이 포함될 수 있다. 또한, 이미지 센서 기판(110)는 유연성이 부족한 두꺼운 유리 기판(111) 상에 회로 어레이(112)를 형성한 후 유리 기판(111)의 후면을 식각하거나 연마하여 곡면형 또는 유연한 기판으로 제작된 형태일 수도 있다. 1 to 3, the curved or flexible image sensor substrate 110 includes a plurality of pixel sensors in the form of a one-dimensional or two-dimensional array, and for this purpose, an image on a curved or flexible plastic or glass substrate 111 A photodiode and a circuit array 112 formed in a one-dimensional or two-dimensional array to correspond to each pixel sensor of the sensor substrate 110 are included. A protective layer, such as a transparent insulating film, may be included on the circuit array 112 to transmit visible light from the scintillator structure 120. In addition, the image sensor substrate 110 is formed into a curved or flexible substrate by etching or polishing the rear surface of the glass substrate 111 after forming the circuit array 112 on a thick glass substrate 111 that lacks flexibility. May be.

여기서, 회로 어레이(112)는 비정질 실리콘을 활성층으로 사용하여 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조로 형성되는 TFT(Thin Film Transistor) 어레이, 또는 CCD(Charge Coupled Device) 어레이 등의 회로 어레이를 포함할 수 있다. 다만, 치과용 구강 방사선 디텍터로서 작동을 위하여 저선량으로 고속, 고감도 및 고해상도를 실현하여야 하므로 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 회로 어레이(112) 방식으로 구동되는 것이 바람직하다.Here, the circuit array 112 includes a circuit array such as a TFT (Thin Film Transistor) array or a CCD (Charge Coupled Device) array formed in a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure using amorphous silicon as an active layer. can do. However, it is preferable to be driven in a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) circuit array 112 method because it is required to realize high speed, high sensitivity, and high resolution with low dose in order to operate as a dental oral radiation detector.

다음에, 섬광체 구조물(120)은 이미지 센서 기판(110)의 상부에 직접 형성된다(S120).Next, the scintillator structure 120 is directly formed on the image sensor substrate 110 (S120).

제1예로서, 섬광체 구조물(120)은 이미지 센서 기판(110)의 상부에 CsI:Tl 섬광체 등(경우에 따라, YAG:Ce, LuAG:Ce, LSO:Tb, LYSO, GSO, BGO, 또는 GAGG 등의 섬광체 이용 가능)을 진공 증착 장비를 이용하여 직접 코팅한 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 쵸크랄스키 방식, 브릿지만 방식, Liquid Phase Epitaxy(LPE)법 등 성장 방식을 이용하여 이미지 센서 기판(110)의 상에 단결정 또는 다결정 섬광체 구조체를 형성할 수 있다. 이에 따라 결정립계(Grain boundary)가 많이 존재하지 않기 때문에 빛의 산란이 없고, 즉 영상의 해상도를 크게 향상시킬 수 있다. 이와 같은 단결정/다결정 구조물은 밀도가 높기 때문에, X-선 등 방사선을 많이 흡수하기 때문에 X-선 차폐를 위한 추가적인 FOP가 필요 없을 수도 있다.As a first example, the scintillator structure 120 is a CsI:Tl scintillator or the like (in some cases, YAG:Ce, LuAG:Ce, LSO:Tb, LYSO, GSO, BGO, or GAGG) on the image sensor substrate 110 It can be formed by directly coating a scintillator such as) using a vacuum evaporation equipment. For example, a single crystal or polycrystalline scintillator structure may be formed on the image sensor substrate 110 by using a growth method such as a Czochralski method, a Bridgeman method, and a Liquid Phase Epitaxy (LPE) method. Accordingly, since there are not many grain boundaries, there is no scattering of light, that is, the resolution of an image can be greatly improved. Since such a single crystal/polycrystalline structure has a high density, it may not require an additional FOP for X-ray shielding because it absorbs a lot of radiation such as X-rays.

다른 예로서, 섬광체 구조물(120)은 GOS(Gd2O2S:Tb) 등의 섬광체(경우에 따라, YAG:Ce, LuAG:Ce, LSO:Tb, LYSO, GSO, BGO, 또는 GAGG 등의 섬광체 이용 가능) 입자를 페이스트 형태로 제작한 후 스프레이 또는 스크린 프린팅 방식으로 코팅하여 형성될 수도 있다. GOS(Gd2O2S:Tb) 등의 섬광체 입자는 마이크로입자 또는 나노분말 형태일 수 있다. 나노분말 형태는 수 마이크로미터 이내 크기의 분말을 파쇄 또는 그라인딩 공정, 또는 나노 분말 합성을 통해서 획득될 수 있다. 마이크로미터 크기를 가진 섬광체를 사용할 경우, 섬광체 내에서 빛의 산란이 매우 높기 때문에, 블러링(Blurring) 발생 등으로 인해 최종적인 영상의 해상도가 떨어질 수 있으나, 나노 분말의 사용으로 훨씬 높은 해상도를 가진 영상 구현이 가능하게 된다.As another example, the scintillator structure 120 is a scintillator such as GOS (Gd2O2S:Tb) (in some cases, a scintillator such as YAG:Ce, LuAG:Ce, LSO:Tb, LYSO, GSO, BGO, or GAGG may be used) The particles may be formed in a paste form and then coated by spraying or screen printing. Scintillator particles such as GOS (Gd2O2S:Tb) may be in the form of microparticles or nanopowder. The nanopowder form may be obtained through crushing or grinding a powder having a size within a few micrometers, or by synthesizing a nanopowder. When using a scintillator having a micrometer size, since the scattering of light within the scintillator is very high, the final image resolution may be degraded due to blurring, but the use of nano powders has a much higher resolution. Video implementation becomes possible.

섬광체 구조물(120)은 곡면형 또는 유연하게 개별적으로 제작하여 압착 공정을 통해 센서와 부착할 수도 있지만, 이와 같이 본 발명에서는 특히 이미지 센서 기판(110) 상에 직접 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같은 직접 성장 또는 코팅방식으로 곡면형태가 되었을 때, 뒤틀림 방지가 가능하고, 정렬을 할 필요가 없는 이점이 있다. 또한, 기존 공정 대비 직접 코팅시, 가시광 발광량 및 해상도를 향상시킬 수 있다. Although the scintillator structure 120 may be individually manufactured in a curved or flexible manner and attached to the sensor through a pressing process, it is particularly preferable that the scintillator structure 120 is formed directly on the image sensor substrate 110 in the present invention. When a curved surface is formed by such a direct growth or coating method, there is an advantage in that distortion can be prevented and there is no need for alignment. In addition, when coating directly compared to the existing process, the amount of visible light emission and resolution can be improved.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 간접 방식 디지털 방사선 디텍터(100)에서 곡면형 또는 유연한 그리드(130)의 형성을 설명하기 위한 도면이다. 2 is a diagram for explaining the formation of a curved or flexible grid 130 in the indirect digital radiation detector 100 according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 그리드(130)는 GOS(Gd2O2S:Tb) 또는 CsI:Tl 섬광체 등으로 된 섬광체 쉬트를 섬광체 구조물(120)에 접합한 후 가공된 에어갭(131)에 의해 구분된 1차원 또는 2차원 섬광체 픽셀 어레이를 포함하도록 형성되어 곡면형 또는 유연하도록 구성될 수 있다(S130). 이때 GOS(Gd2O2S:Tb) 또는 CsI:Tl 섬광체 등이 방사선 흡수부분 역할이 가능하고 에어갭(131)이 방사선 투과부분 역할이 가능하다. 결국, 본 발명의 일 실시예에 따른 간접 방식 디지털 방사선 디텍터(100)는, 이미지 센서 기판(110), 섬광체 구조물(120), 그리드(130)를 포함하는 전체적인 구조물이 곡면형 또는 유연하게 형성된다. 2, the grid 130 is a one-dimensional divided by an air gap 131 processed after bonding a scintillator sheet made of GOS (Gd2O2S:Tb) or CsI:Tl scintillator to the scintillator structure 120 Alternatively, it may be formed to include a two-dimensional scintillator pixel array and configured to be curved or flexible (S130). At this time, a GOS (Gd2O2S:Tb) or a CsI:Tl scintillator may serve as a radiation absorbing part, and the air gap 131 may serve as a radiation transmitting part. As a result, in the indirect digital radiation detector 100 according to an embodiment of the present invention, the entire structure including the image sensor substrate 110, the scintillator structure 120, and the grid 130 is formed in a curved or flexible manner. .

여기서, 에어갭(131)의 가공은, 섬광체 쉬트를 반도체 소잉(sawing) 장비로 가공함으로써 이루어질 수도 있고, 도 2와 같이 레이저 발생기(10)에서 섬광체 쉬트로 조사되는 피코초 또는 펨토초 펄스 레이저에 의한 가공으로 형성될 수도 있다. 에어갭(131)에 의해 구분된 1차원 또는 2차원 섬광체 픽셀 어레이를 포함하는 형태일 수 있다. 이를 통해 입사되는 산란 방사선의 영향을 제거해 영상의 대조도를 높일 수 있다. 에어갭(131)에 의해 구분된 섬광체 픽셀 어레이는 도 3과 같이, 예를 들어, 복수의 가로 어레이(a), 복수의 세로 어레이(b), 또는 격자 어레이(c) 등으로 형성될 수 있다. Here, the processing of the air gap 131 may be performed by processing the scintillator sheet with a semiconductor sawing equipment, or by a picosecond or femtosecond pulse laser irradiated from the laser generator 10 to the scintillator sheet as shown in FIG. It can also be formed by processing. It may be a form including a one-dimensional or two-dimensional scintillator pixel array divided by the air gap 131. Through this, it is possible to increase the contrast of the image by removing the influence of the incident scattered radiation. The scintillator pixel array divided by the air gap 131 may be formed as, for example, a plurality of horizontal arrays (a), a plurality of vertical arrays (b), or a grid array (c), as shown in FIG. 3. .

예를 들어, 소잉(sawing) 장비 또는 레이저를 이용하는 경우에, 픽셀 가로/세로 피치 30~500μm 정도(예, 50μm, 100μm, 150μm, 200μm), 픽셀간 이격 거리(간격) 2~50μm 정도로, 정사각형, 직사각형, 벌집형, 일자형(linear), 원형(circle) 등 그 응용 분야에 맞게 설계된 다양한 픽셀 모양이 형성되도록 미세가공(micro machining)이 가능하다. 예를 들어, 수십~수백 와트 또는 수십~수백 mJ 고출력 에너지의 다양한 피코초 또는 펨토초 펄스 레이저 등 적절한 파워의 레이저, 예를 들어, 엑시머(Excimer) 레이저, 반도체(예, GaAs) 레이저, 기체레이저(예, CO2 레이저), 고체레이저(예, Nd:YAG) 등을 이용하여 섬광체 픽셀 어레이를 위한 패터닝 식각 공정이 이루어질 수 있다. For example, in the case of using a sawing device or laser, a pixel horizontal/vertical pitch of about 30 to 500 μm (e.g., 50 μm, 100 μm, 150 μm, 200 μm), a separation distance between pixels (interval) of about 2 to 50 μm, square , Rectangle, honeycomb, linear, circular, etc. It is possible to micro-machining to form various pixel shapes designed for the application field. For example, lasers of appropriate power, such as various picosecond or femtosecond pulsed lasers of tens to hundreds of watts or tens to hundreds of mJ high power energy, for example, excimer lasers, semiconductor (e.g., GaAs) lasers, gas lasers ( For example, a CO 2 laser) or a solid state laser (eg, Nd:YAG) may be used to perform a patterning etching process for the scintillator pixel array.

필요에 따라 위와 같이 형성된 에어갭(131)에는 Al, Carbon 등 투과 물질이 도포될 수 있다. 위와 같은 에어갭만으로도 산란 방사선의 영향을 줄일 수 있지만, 에어갭(131)에 Al, Carbon 등 투과 물질을 도포(또는 코팅)할 수도 있다. 예를 들어, CVD(chemical vapor deposition) 등을 위한 진공 증착장비에 의한 반도체 공정을 이용하여 에어갭 부분이 선택적으로 도포되도록 할 수 있으며, 경우에 따라서는 스프레이 방식으로도 투과물질의 도포가 가능할 수 있다. If necessary, a permeable material such as Al or Carbon may be applied to the air gap 131 formed as above. Although the effect of scattered radiation can be reduced with only the air gap as described above, a transparent material such as Al or Carbon may be applied (or coated) to the air gap 131. For example, the air gap can be selectively applied using a semiconductor process by vacuum deposition equipment for CVD (chemical vapor deposition), and in some cases, the permeable material can be applied by spraying. have.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 간접 방식의 구강 방사선 디텍터(100, 200)는, 곡면형 또는 유연한 이미지 센서 기판(110) 상에 직접 형성된 섬광체 구조물(120)을 형성함으로써, 기존의 평면형 디텍터를 곡면형(curved) 디텍터로 대체하여 재촬영의 불편함 없이 환부 영상에 대한 고민감도의 센싱으로 환자의 편의성을 극대화할 수 있으며, 섬광체 쉬트에 에어갭(131)을 구성한 그리드(130)를 구성해 방사선의 산란을 억제함으로써 선명한 고해상도의 영상 제공이 가능하다.As described above, the indirect type oral radiation detectors 100 and 200 according to the present invention form the scintillator structure 120 directly formed on the curved or flexible image sensor substrate 110, thereby preventing the existing planar detector. By replacing it with a curved detector, it is possible to maximize the convenience of the patient by sensing high sensitivity to the affected area image without the inconvenience of re-taking, and by configuring the grid 130 comprising the air gap 131 on the scintillator sheet. By suppressing the scattering of radiation, it is possible to provide a clear, high-resolution image.

이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.As described above, in the present invention, specific matters such as specific components, etc., and limited embodiments and drawings have been described, but this is provided only to help a more general understanding of the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiments , Anyone having ordinary knowledge in the field to which the present invention belongs will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the spirit of the present invention is limited to the described embodiments and should not be defined, and all technical ideas that have equivalent or equivalent modifications to the claims as well as the claims to be described later are included in the scope of the present invention. Should be interpreted as.

이미지 센서(110)
기판(111)
회로 어레이(112)
섬광체 구조물(120)
그리드 (130)
Image sensor (110)
Substrate (111)
Circuit Array(112)
Scintillator structure(120)
Grid (130)

Claims (10)

어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는, 곡면형 또는 유연한 이미지 센서 기판;
상기 이미지 센서 기판의 상부에 구비되며, 방사선을 받아 가시광으로 변환하기 위한, 곡면형 또는 유연한 섬광체 구조물; 및
산란 방사선의 영향을 제거해 영상의 대조도를 높이기 위한 곡면형 또는 유연한 그리드를 포함하고,
상기 이미지 센서 기판은, 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하기 위한 것으로서,
상기 섬광체 구조물은, 직접 형성되는 방식에 의해 곡면형 또는 유연하게 형성되어,
상기 이미지 센서 기판, 상기 섬광체 구조물 및 상기 그리드를 포함하는 전체적인 구조물이 곡면형 또는 유연하게 형성된 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터.
A curved or flexible image sensor substrate having a plurality of pixel sensors in the form of an array;
A curved or flexible scintillator structure provided on the image sensor substrate and configured to receive radiation and convert it into visible light; And
It includes a curved or flexible grid to increase the contrast of the image by removing the effect of scattered radiation,
The image sensor substrate is for reading an electrical signal proportional to the visible light from each pixel,
The scintillator structure is formed in a curved or flexible manner by a direct formation method,
The radiation detector, characterized in that the entire structure including the image sensor substrate, the scintillator structure, and the grid is curved or flexible.
제1항에 있어서,
상기 이미지 센서 기판은, 회로 어레이가 형성된, 곡면형 또는 유연한 플라스틱 기판으로 제작된 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터.
The method of claim 1,
The image sensor substrate is a radiation detector, characterized in that made of a curved or flexible plastic substrate on which a circuit array is formed.
제1항에 있어서,
상기 이미지 센서 기판은, 곡면형 또는 유연한 유리 기판 상에 회로 어레이가 형성된 형태, 또는 유리 기판 상에 회로 어레이를 형성한 후 상기 유리 기판의 후면을 식각하거나 연마하여 곡면형 또는 유연한 기판으로 제작된 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터.
The method of claim 1,
The image sensor substrate is manufactured as a curved or flexible substrate by etching or polishing the rear surface of the glass substrate after forming a circuit array on a curved or flexible glass substrate, or after forming a circuit array on a glass substrate. Radiation detector characterized by.
제1항에 있어서,
상기 이미지 센서 기판은, 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하기 위해 포토다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터.
The method of claim 1,
And the image sensor substrate includes a photodiode to read an electrical signal proportional to the visible light from each pixel.
제1항에 있어서,
상기 그리드는,
섬광체 쉬트에 레이저 가공으로 형성된, 에어갭에 의해 구분된 섬광체 픽셀 어레이
를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터.
The method of claim 1,
The grid,
Scintillator pixel array formed by laser processing on scintillator sheet, separated by air gap
Radiation detector comprising a.
제1항에 있어서,
상기 그리드는,
섬광체 쉬트에 소잉 장비에 의한 가공으로 형성된, 에어갭에 의해 구분된 섬광체 픽셀 어레이
를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터.
The method of claim 1,
The grid,
Scintillator pixel array formed by processing by sawing equipment on the scintillator sheet, separated by air gaps
Radiation detector comprising a.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 섬광체 픽셀 어레이는,
픽셀의 가로 또는 세로 피치가 30~500μm, 픽셀간 이격거리 2~50μm 인 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터.
The method of claim 5 or 6,
The scintillator pixel array,
A radiation detector comprising a structure having a horizontal or vertical pitch of a pixel of 30 to 500 μm and a separation distance between pixels of 2 to 50 μm.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 그리드는,
상기 에어갭에 도포된 투과물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터.
The method of claim 5 or 6,
The grid,
A radiation detector further comprising a transmissive material applied to the air gap.
제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 섬광체는 GOS(Gd2O2S:Tb) 또는 CsI:Tl 섬광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터.
The method of claim 5 or 6,
The scintillator is a radiation detector comprising a GOS (Gd2O2S:Tb) or CsI:Tl scintillator.
어레이 형태의 복수의 픽셀 센서를 가지는, 곡면형 또는 유연한 이미지 센서 기판을 제작하는 단계;
상기 이미지 센서 기판의 상부에 직접 형성되는 방식에 의해 곡면형 또는 유연한 섬광체 구조물을 형성하는 단계; 및
상기 섬광체 구조물 상에 산란 방사선의 영향을 제거해 영상의 대조도를 높이기 위한 곡면형 또는 유연한 그리드를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 섬광체 구조물은 방사선을 받아 가시광으로 변환하고, 상기 이미지 센서 기판은, 각 픽셀에서의 상기 가시광에 비례하는 전기적 신호를 독출하기 위한 것으로서,
상기 이미지 센서 기판, 상기 섬광체 구조물 및 상기 그리드를 포함하는 전체적인 구조물이 곡면형 또는 유연하게 형성된 것을 특징으로 하는 방사선 디텍터의 제작 방법.
Manufacturing a curved or flexible image sensor substrate having a plurality of pixel sensors in the form of an array;
Forming a curved or flexible scintillator structure by a method formed directly on the image sensor substrate; And
And forming a curved or flexible grid on the scintillator structure to increase the contrast of the image by removing the influence of the scattered radiation,
The scintillator structure receives radiation and converts it into visible light, and the image sensor substrate is for reading an electrical signal proportional to the visible light from each pixel,
A method of manufacturing a radiation detector, wherein the image sensor substrate, the scintillator structure, and the entire structure including the grid are curved or flexible.
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