KR20210004426A - Substrate bonding press apparatus and method - Google Patents

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Abstract

According to the present invention, provided is a press device. The press device supports a first substrate and a second substrate in a processing chamber, and depressurizes the inside of the processing chamber to bond the first substrate and the second substrate. The press device comprises: a first support member for supporting a first support plate for supporting a first substrate from the outside of a processing chamber; a second support member for further supporting the first support member; a plurality of load cells disposed between the first support member and the second support member; a second support plate for supporting a second substrate; and a driving means for horizontally moving the second support plate while maintaining airtightness in the processing chamber. When the first substrate and the second substrate are bonded, the pressurization is performed by the weight of the first support member and the first support plate. The load cells output a measured value obtained by reducing the reaction force when the first substrate and the second substrate are bonded from the total pressure applied to the load cells. Accordingly, manufacturing defects of a bonded substrate can be reduced.

Description

기판 접합 프레스 장치 및 방법{Substrate bonding press apparatus and method}Substrate bonding press apparatus and method TECHNICAL FIELD

본 발명은 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD) 등의 2개의 기판을 그들 사이의 갭을 소정 값으로 하여 접합시킨 기판(패널)을 제조하는 접합 기판 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a bonded substrate for manufacturing a substrate (panel) in which two substrates, such as a liquid crystal display (LCD), are bonded with a gap between them as a predetermined value.

최근, LCD 등의 패널은 표시 영역의 확대에 따라 면적이 증대되고 있다. 또한, 미세한 표시를 위해 단위 면적당의 화소 수가 증가하고 있다. 따라서, 2개의 기판을 접합시킨 패널을 제조하는 접합 장치에 있어서, 큰 기판을 취급하는 동시에, 정확한 위치 맞춤이 요구되고 있다.Recently, the area of panels such as LCDs is increasing as the display area is expanded. In addition, the number of pixels per unit area is increasing for fine display. Therefore, in a bonding apparatus for manufacturing a panel in which two substrates are bonded, a large substrate is handled and accurate positioning is required.

도 35는 액정 표시 패널의 일부 평면도이며, TFT(박막트랜지스터)를 스위칭 소자로서 사용한 액티브 매트릭스형 액정 표시 패널을 컬러 필터 기판 측으로부터 본 상면의 일부를 나타내고 있다.Fig. 35 is a partial plan view of a liquid crystal display panel, showing a part of an upper surface of an active matrix liquid crystal display panel using a TFT (thin film transistor) as a switching element as viewed from the color filter substrate side.

액정 표시 패널(10)은, 어레이 기판(11) 측에 매트릭스 형태로 배치된 복수의 화소 영역(12)이 형성되고, 각 화소 영역(12) 내에는 TFT(13)가 형성되어 있다. 그리고, 복수의 화소 영역(12)에 의해 화상의 표시 영역(14)이 구성되고 있다. 또한, 상세한 도시는 생략했으나, 각 화소 영역(12)의 TFT(13)의 게이트 전극은 게이트 라인에 접속되고, 드레인 전극은 데이터 라인에 각각 접속되며, 소스 전극은 화소 영역(12) 내에 형성된 화소 전극에 접속되고 있다. 복수의 데이터 라인 및 게이트 라인은, 어레이 기판(11)의 외주위에 형성된 단자부(15)에 접속되고, 외부에 설치된 구동회로(도시 생략)에 접속된다.In the liquid crystal display panel 10, a plurality of pixel regions 12 arranged in a matrix form on the side of the array substrate 11 are formed, and TFTs 13 are formed in each pixel region 12. Then, the display area 14 of an image is formed by the plurality of pixel areas 12. Further, although detailed illustration is omitted, the gate electrode of the TFT 13 of each pixel region 12 is connected to the gate line, the drain electrode is connected to the data line, and the source electrode is a pixel formed in the pixel region 12. It is connected to the electrode. The plurality of data lines and gate lines are connected to the terminal portion 15 formed on the outer periphery of the array substrate 11 and connected to a driving circuit (not shown) provided outside.

어레이 기판(11)보다 대략 단자부(15) 영역분만큼 작게 형성되어 있는 컬러 필터(CF) 기판(16)이 소정의 셀 두께(셀 갭)로 액정을 밀봉시켜 어레이 기판(11)에 대향하여 설치되어 있다. CF 기판(16)에는, 공통(common) 전극(도시 생략)과 함께, 컬러 필터(도면 중에서 R(적색), G(녹색), B(청색)의 문자로 나타내고 있음) 또는 Cr(크롬)막 등을 사용한 차광막(블랙 매트릭스: BM)(17) 등이 형성되어 있다. BM(17)은, 표시 영역(14) 내의 복수의 화소 영역(12)을 획정하여 콘트라스트를 얻고, TFT(13)를 차광하여 광 누설 전류의 발생을 방지하기 위해 사용된다. 또한, BM 프레임부(18)는 표시 영역(14) 외측으로부터의 불필요한 광을 차광하기 위해 설치되어 있다.A color filter (CF) substrate 16 formed substantially smaller than the array substrate 11 by the area of the terminal portion 15 is installed to face the array substrate 11 by sealing the liquid crystal with a predetermined cell thickness (cell gap). Has been. On the CF substrate 16, a color filter (indicated by letters R (red), G (green), and B (blue) in the drawing) or a Cr (chrome) film together with a common electrode (not shown) A light-shielding film (black matrix: BM) 17 and the like using the same are formed. The BM 17 is used to define a plurality of pixel regions 12 in the display region 14 to obtain contrast, and to shield the TFT 13 to prevent generation of a light leakage current. Further, the BM frame portion 18 is provided to shield unnecessary light from outside the display area 14.

어레이 기판(11)과 CF 기판(16)은 열경화성 수지를 포함하는 밀봉재(19)에 의해 접합되어 있다.The array substrate 11 and the CF substrate 16 are bonded to each other by a sealing material 19 containing a thermosetting resin.

그런데, 액정표시장치의 제조 공정은, 크게 나누면, 유리 기판 상에 배선 패턴 또는 스위칭 소자(액티브 매트릭스형의 경우) 등을 형성하는 어레이 공정과, 배향 처리 또는 스페이서의 배치, 및 대향하는 유리 기판 사이에 액정을 봉입(封入)하는 셀 공정과, 드라이버 IC의 설비 또는 백라이트 장착 등을 행하는 모듈 공정으로 이루어진다.By the way, the manufacturing process of a liquid crystal display device is broadly divided into an array process of forming a wiring pattern or a switching element (in the case of an active matrix type), etc. on a glass substrate, alignment treatment or arrangement of spacers, and an opposing glass substrate. It consists of a cell process of encapsulating a liquid crystal into the device, and a module process of mounting a driver IC or a backlight.

이 중에서, 셀 공정에서 실행되는 액정 주입 공정에서는, 예를 들어, TFT(13)가 형성된 어레이 기판(11)과 그것에 대향하는 CF 기판(대향 기판)(16)을 밀봉재(19)를 통하여 접합시킨 후에 밀봉재(19)를 경화시킨다. 다음으로, 액정과 기판(11, 16)을 진공조에 넣어 밀봉재(19)에 개구한 주입구(도시 생략)를 액정에 침지하고 나서 조내를 대기압으로 되돌림으로써 기판(11, 16) 사이에 액정을 주입하고, 주입구를 밀봉시키는 방법(진공 주입법)이 이용되었다.Among them, in the liquid crystal implantation process performed in the cell process, for example, the array substrate 11 on which the TFT 13 is formed and the CF substrate (counter substrate) 16 opposed thereto are bonded through a sealing material 19. Afterwards, the sealing material 19 is hardened. Next, the liquid crystal and the substrates 11 and 16 are placed in a vacuum bath, and an injection hole (not shown) opened in the sealing material 19 is immersed in the liquid crystal, and the liquid crystal is injected between the substrates 11 and 16 by returning the chamber to atmospheric pressure. Then, a method of sealing the injection port (vacuum injection method) was used.

이것에 대하여, 최근에는, 예를 들어, 어레이 기판(11) 주위에 프레임 형상으로 형성한 밀봉재(19)의 프레임 내의 기판면 상에 규정 양의 액정을 적하하고, 진공 중에서 어레이 기판(11)과 CF 기판(16)을 접합시켜 액정 봉입을 행하는 적하 주입법이 주목되고 있다. 이 적하 주입법은, 진공 주입법과 비교하여, 액정 재료의 사용량을 대폭으로 저감시킬 수 있고, 액정 주입 시간을 단축시킬 수 있는 등의 이점이 있어, 패널의 제조 비용 저감 또는 생산성 향상의 가능성을 갖고 있다.On the other hand, in recent years, for example, a prescribed amount of liquid crystal is dropped on the substrate surface in the frame of the sealing material 19 formed in a frame shape around the array substrate 11, and the array substrate 11 and the A drop injection method in which a CF substrate 16 is bonded to encapsulate a liquid crystal is attracting attention. Compared with the vacuum injection method, this drop injection method has advantages such as being able to significantly reduce the amount of liquid crystal material used and shortening the liquid crystal injection time, and thus has the possibility of reducing the manufacturing cost of the panel or improving the productivity. .

그런데, 종래의 적하법에 의한 제조 장치에서는, 다음의 문제가 있다.By the way, in the manufacturing apparatus by the conventional dropping method, the following problem exists.

[1: 기판 변형과 표시 불량 및 흡착 불량][1: Substrate deformation, display defect, and adsorption defect]

기판 파지는 진공 척, 정전 척, 또는 기계식 척을 이용하여 실행되고 있다.Substrate grasping is performed using a vacuum chuck, an electrostatic chuck, or a mechanical chuck.

진공 척에 의한 기판 파지는, 기판을 평행 정반(定盤; surface plate) 상의 흡착면에 배치하여 기판 뒷면을 진공 흡인하여 고정시킨다. 이 파지 방법에 의해, 예를 들어, 어레이 기판을 파지하고, 디스펜서 등에 의해 적당한 양의 액정을 밀봉재를 프레임 형상으로 형성한 어레이 기판면 상에 적하한다. 다음으로, 진공 분위기 중에서 CF 기판을 위치 결정하여 어레이 기판과 접합시킨다.In the holding of the substrate by a vacuum chuck, the substrate is placed on a suction surface on a parallel surface plate, and the back side of the substrate is vacuum-sucked and fixed. By this holding method, for example, the array substrate is held, and an appropriate amount of liquid crystal is dropped onto the surface of the array substrate in which the sealing material is formed in a frame shape by a dispenser or the like. Next, the CF substrate is positioned in a vacuum atmosphere and bonded to the array substrate.

그런데, 진공 척에 의한 기판 파지에서는, 진공도가 어느 정도 높아지면 진공 척이 기능하지 않게 되기 때문에, 기판 접합 시의 처리실 내의 진공도를 충분히 높이는 것이 불가능하다. 따라서, 양 기판에 충분한 접합 압력을 가할 수 없게 되어, 양 기판을 균일하게 접합시키는 것이 곤란해진다. 이것은 표시 불량을 발생시킨다.By the way, in the case of holding a substrate by a vacuum chuck, since the vacuum chuck does not function when the degree of vacuum is increased to some extent, it is impossible to sufficiently increase the degree of vacuum in the processing chamber during substrate bonding. Therefore, sufficient bonding pressure cannot be applied to both substrates, and it becomes difficult to uniformly bond both substrates. This causes display failure.

또한, 기계식 척에서는, 기판을 클로(claw) 또는 링 등을 이용하여 파지하기 때문에, 그 파지 부분에만 응력이 가해지고, 그것에 의해 기판에 휨 또는 왜곡 등의 변형이 생기게 된다. 따라서, 액정 적하 후의 기판의 접합시에 양 기판을 평행하게 파지할 수 없게 된다. 양 기판이 변형된 상태에서 접합시키면 위치 어긋남이 커져, 각 화소의 개구율 감소 또는 차광부로부터의 광 누설 등의 불량이 발생하게 된다는 문제를 발생시킨다.In addition, in the mechanical chuck, since the substrate is gripped using a claw or a ring, stress is applied only to the gripped portion, thereby causing deformation such as warpage or distortion to the substrate. Therefore, at the time of bonding the substrates after liquid crystal dropping, both substrates cannot be held in parallel. When both substrates are bonded in a deformed state, the positional shift increases, resulting in a problem that a defect such as a decrease in the aperture ratio of each pixel or light leakage from the light-shielding portion occurs.

정전 척에 의한 기판 파지는, 평행 정반 상에 형성한 전극과 유리 기판에 형성된 도전막의 사이에 전압을 인가하여, 유리와 전극 사이에 쿨롬(coulomb)력을 발생시킴으로써 유리 기판을 흡착한다. 이 방식에서는, 기판 접합을 위해 대향시켜 파지한 2종류의 기판(유리 기판과 CF 기판)에 대하여 대기압으로부터 감압하는 도중에 글로(glow) 방전이 발생하게 되고, 그것에 의해 기판 상의 회로 또는 TFT 소자를 파손시켜 불량이 발생한다는 문제가 있다. 또한, 정전 척과 기판 사이에 공기가 잔류하고, 그것에 의해 대기압으로부터 감압하는 과정에서 기판이 정전 척으로부터 이탈되는 경우가 있다.In the holding of the substrate by the electrostatic chuck, a voltage is applied between the electrode formed on the parallel surface plate and the conductive film formed on the glass substrate to generate a coulomb force between the glass and the electrode, thereby adsorbing the glass substrate. In this method, a glow discharge occurs in the middle of reducing pressure from atmospheric pressure to two types of substrates (glass substrate and CF substrate) that are held opposite to each other for substrate bonding, thereby damaging circuits or TFT elements on the substrate. There is a problem that a defect occurs due to the problem. In addition, air remains between the electrostatic chuck and the substrate, whereby the substrate may be separated from the electrostatic chuck in the process of reducing the pressure from atmospheric pressure.

[2: 액정의 열화와 기판 어긋남][2: Deterioration of liquid crystal and substrate misalignment]

종래의 진공 주입법 또는 적하 주입법에서는, 밀봉재를 단시간에 경화시키기 위해, 그 밀봉재에 광경화 수지 또는 광+열경화 수지가 사용된다. 따라서, 액정표시장치에는, 밀봉재와 액정이 접하는 밀봉 시에 표시 불균일이 발생하게 된다는 문제가 있다. 그 원인 중의 하나는, 밀봉재를 경화시키기 위해 조사하는 UV 광이 밀봉재 근방의 액정에 조사되는 것이다.In the conventional vacuum injection method or drop injection method, in order to cure the sealing material in a short time, a photocurable resin or a photo+thermosetting resin is used as the sealing material. Accordingly, in the liquid crystal display device, there is a problem that display unevenness occurs during sealing where the sealing material and the liquid crystal are in contact with each other. One of the causes is that UV light irradiated to cure the sealing material is irradiated to the liquid crystal in the vicinity of the sealing material.

제조 과정에 있어서, 주입된 액정은 미(未)경화의 밀봉재에 접한다. 미경화 밀봉재는 그 성분이 용출되어 액정재료를 오염시킬 가능성이 있다. 따라서, 밀봉재를 신속하게 경화시키기 위해 강한 UV 광을 조사하면, 기판 등에 의해 확산된 UV 광이 액정에 조사된다.In the manufacturing process, the injected liquid crystal comes into contact with the uncured sealing material. In the uncured sealing material, the component may be eluted and contaminate the liquid crystal material. Therefore, when strong UV light is irradiated to quickly cure the sealing material, UV light diffused by the substrate or the like is irradiated to the liquid crystal.

일반적으로, 액정 재료에 UV 광을 조사하면, 액정의 특성, 특히, 비저항이 감소되는 경향이 있어, TFT를 사용한 LCD 등에서 요구되는 높은 전압 유지율을 유지할 수 없게 된다. 이것에 의해, UV 광이 조사되지 않은 부분(패널의 중앙부)과 비교하여 액정 셀의 구동 전압이 상이하기 때문에 표시 불균일이 발생한다. 이 표시 불균일은 중간조 표시에서 특히 두드러지게 나타난다.In general, when a liquid crystal material is irradiated with UV light, the characteristics of the liquid crystal, in particular, the specific resistance tend to decrease, so that it is impossible to maintain the high voltage retention required in an LCD using TFT. As a result, since the driving voltage of the liquid crystal cell is different from that of the portion not irradiated with UV light (the center portion of the panel), display unevenness occurs. This display non-uniformity is particularly noticeable in the halftone display.

상기의 액정과 미경화 밀봉재와의 접촉을 방지하기 위해, 도 37에 나타낸 바와 같이, 기판(11, 16) 에지에 프레임 형상 스페이서(20)를 설치하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 이 구조에서는, 액정 주입 시에 프레임 형상 스페이서(20)를 충족시키는 양 이상의 액정(21)이 적하되었을 경우에는, 도 37에 나타낸 바와 같이, 잉여 액정이 프레임 형상 스페이서(20)로부터 비어져 나와, 예를 들어, 위치(22)에서 미경화 밀봉재(19)와 접촉하게 된다.In order to prevent contact between the liquid crystal and the uncured sealing material, it is conceivable to provide frame-shaped spacers 20 at the edges of the substrates 11 and 16 as shown in FIG. 37. However, in this structure, when the liquid crystal 21 that satisfies the frame-shaped spacer 20 is dropped when liquid crystal is injected, as shown in FIG. 37, excess liquid crystal is protruded from the frame-shaped spacer 20. Comes out and comes into contact with the uncured sealant 19 at, for example, position 22.

또한, 프레임 형상 스페이서(20)를 설치한 패널에서는, 기판 접합 후에 처리실을 대기 개방하면, 대기압은 기판전면(全面)에 균일하게 작용한다. 따라서, 기판(16) 중앙이 움푹 들어가고, 그 결과, 프레임 형상 스페이서(20)가 부상하게 되어, 액정(21)이 밀봉재(19)와 접촉하게 된다. 또한, 도 37 중의 「·」은 액정(21)의 적하 위치를 나타낸다.Further, in the panel provided with the frame-shaped spacers 20, when the processing chamber is opened to the atmosphere after bonding the substrates, atmospheric pressure uniformly acts on the entire surface of the substrate. Accordingly, the center of the substrate 16 is recessed, and as a result, the frame-shaped spacer 20 floats, and the liquid crystal 21 comes into contact with the sealing material 19. In addition, "·" in FIG. 37 indicates the dropping position of the liquid crystal 21.

또한, 경화 시에 기판이 본래 갖고 있는 기복(起伏) 또는 휨에 의한 응력이 잔류하기 쉽다. 따라서, 밀봉재로서 광+열경화 수지를 사용한 경우, 광에 의한 경화 후에 기판에 열처리를 행하면, 그 때에 응력이 해방되어 기판의 위치 어긋남이 발생한다.Further, during curing, stress due to undulations or warping inherent in the substrate tends to remain. Therefore, in the case of using a light+thermosetting resin as a sealing material, when heat treatment is performed on the substrate after curing by light, the stress is released at that time, resulting in a displacement of the substrate.

또한, 기판을 진공 중에서 접합시키고 대기 개방한 후, 밀봉재를 경화시킬 때까지의 환경 변화나 기판의 상태 변화, 또는 갭 형성 시의 기판 자세의 불안정 등에 의해, 대향하는 2개의 기판 사이에 접합 어긋남 또는 기판 왜곡에 의한 어긋남이 발생하거나, 갭 불량이 발생한다. 따라서, 안정된 제품을 만드는 것이 곤란하다는 문제를 갖고 있다.In addition, after the substrates are bonded in a vacuum and opened to the atmosphere, the bonding is misaligned between the two opposing substrates due to changes in the environment until the sealing material is cured, changes in the state of the substrate, or instability of the substrate posture during gap formation. A shift occurs due to substrate distortion or a gap defect occurs. Therefore, it has a problem that it is difficult to make a stable product.

[3: 셀 두께의 편차와 기판에 대한 영향][3: Variation of cell thickness and influence on substrate]

적하 주입 공정에서 액정을 양 기판면 내에서 균일하게 분산시키기 위해서는, 디스펜서 등에 의해 기판면 상에 액정을 다점(多點) 적하할 필요가 있다. 그러나, 기판 1면당의 액정 적하량은 적기 때문에, 적하 위치를 다점으로 분산시킨 경우에는 극소량의 액정을 양호한 정밀도로 적하시켜야만 한다. 그러나, 적하 시의 온도 등의 환경 변화는, 액정의 점도나 체적의 변화, 또는 적하 장치(디스펜서)의 성능 편차를 초래하고, 그것에 의해 액정 적하량은 변동하게 된다. 그 결과, 양 기판 사이의 셀 두께의 편차가 발생하게 된다.In order to uniformly disperse the liquid crystal in both the substrate surfaces in the drop injection process, it is necessary to drop the liquid crystal at multiple points on the substrate surface by a dispenser or the like. However, since the dropping amount of liquid crystal per side of the substrate is small, when the dropping positions are dispersed in multiple points, a very small amount of liquid crystal must be dropped with good precision. However, changes in the environment such as temperature at the time of dripping cause a change in viscosity or volume of the liquid crystal, or a performance deviation of the dripping device (dispenser), and thereby the amount of liquid crystal dripping fluctuates. As a result, variations in the cell thickness between the two substrates occur.

도 38은 액정 패널면에 수직인 방향으로 절단한 단면도로서, 셀 두께의 편차 예를 나타내는 도면이다. 도 38a는 최적의 액정 적하에 의해 원하는 셀 두께가 얻어진 상태를 나타낸다. 도 38에 있어서, 어레이 기판(11)과 CF 기판(16)이 밀봉재(19)에 의해 접합되어 있으며, 스페이서로서의 비즈(bead)(23)에 의해 소정의 셀 두께가 확보되어 있다.38 is a cross-sectional view taken in a direction perpendicular to the liquid crystal panel surface, and is a diagram illustrating an example of variation in cell thickness. 38A shows a state in which a desired cell thickness is obtained by optimal liquid crystal dropping. In Fig. 38, the array substrate 11 and the CF substrate 16 are bonded to each other by a sealing material 19, and a predetermined cell thickness is ensured by beads 23 as spacers.

그런데, 액정의 적하량이 많아지면, 도 38b에 나타낸 바와 같이, 여분의 액정에 의해 밀봉재(19)가 목표 갭까지 프레스할 수 없게 되어, 패널 주변부(프레임부 주변)에 표시 불균일이 발생하게 된다. 액정의 적하량이 더 많아지면, 도 38c에 나타낸 바와 같이, 프레스 불량을 일으킨 밀봉재보다도 패널 중앙부가 팽창되는 현상이 일어나 전면에 표시 불균일이 발생한다는 문제를 발생시킨다.By the way, when the dropping amount of the liquid crystal increases, as shown in Fig. 38B, the sealing material 19 cannot be pressed to the target gap due to the excess liquid crystal, and display unevenness occurs in the periphery of the panel (periphery of the frame). When the dropping amount of the liquid crystal increases, as shown in Fig. 38C, a phenomenon in which the central portion of the panel expands rather than the sealing material that caused the press failure, resulting in a problem that display unevenness occurs on the entire surface.

[4: 접합 시의 접촉 불량][4: Poor contact during bonding]

진공 중에서의 적하 주입 접합 작업에 있어서, 한쪽 기판에 적하된 액정에 접촉하지 않고 상호의 위치 맞춤 마크를 카메라의 동일 시야에 포착하지 않으면 위치 맞춤 얼라인먼트(alignment) 시에 액정을 질질 끌어 셀 두께불량 또는 밀봉재와의 접촉을 야기시키게 된다.In the drop injection bonding operation in vacuum, if the liquid crystal dropped on one substrate is not contacted and the alignment marks are not captured in the same field of view of the camera, the liquid crystal is dragged during alignment alignment, resulting in poor cell thickness or This will cause contact with the sealing material.

일반적으로 액정 표시 패널의 접합 정밀도는 수㎛ 오더의 높은 위치 맞춤 정밀도가 필요하여, 기판에는 미크론 사이즈의 위치 맞춤 마크가 형성되어 있다. 이간(離間)된 2개의 기판에 각각 형성된 위치 맞춤 마크의 상을 동시에 포착하기 위해서는 초점거리가 긴 렌즈가 필요하지만, 그러한 렌즈는 구조가 복잡하며 용이하게 실현할 수 없다. 이것은 진공 중에서의 안정된 접합 가공을 곤란하게 하여, 기판 불량을 발생시키는 요인으로 된다.In general, the bonding accuracy of a liquid crystal display panel requires a high alignment accuracy on the order of several micrometers, and a micron-sized alignment mark is formed on the substrate. A lens having a long focal length is required to simultaneously capture images of alignment marks respectively formed on two separated substrates, but such a lens has a complicated structure and cannot be easily realized. This makes it difficult to perform a stable bonding process in a vacuum, and causes a substrate defect.

[5: 프레스 압력의 불균일][5: Uneven press pressure]

안정된 셀 두께를 확보하면서 가압하는 접합 공정에 있어서, 대향하는 기판 사이의 평행도 유지와 등하중 가압은 중요한 관리 요소이다. 실제로 주목되고 있는 적하 주입 접합은 진공 처리실 내에서 실행되나, 프레스를 위한 유압 실린더 등의 장치는 처리실 외, 즉, 대기 중에 있기 때문에, 그들 도입 단면적에 대응하는 대기압력이 프레스면에 부가된다. 따라서, 프레스하는 압력을 미리 실험 등에 의해 구한 값(예를 들어, 압입 양과 힘의 상대값 등)으로 제어한 경우, 설비의 열화나 변화에 의해 동일한 압력을 기판에 부가할 수 없고, 재현성이 없어져 프레스 불량을 발생시킨다는 문제가 있다.In the bonding process of pressing while securing a stable cell thickness, maintaining parallelism between opposing substrates and pressing with an equal load are important management factors. In practice, the drip injection bonding, which has been attracting attention, is performed in the vacuum processing chamber, but since devices such as hydraulic cylinders for pressing are outside the processing chamber, that is, in the atmosphere, atmospheric pressure corresponding to the introduction cross-sectional area is added to the press surface. Therefore, when the pressure to be pressed is controlled to a value obtained by an experiment in advance (for example, the relative value of the press-in amount and force, etc.), the same pressure cannot be applied to the substrate due to deterioration or change in the equipment, and reproducibility is lost. There is a problem that press failure occurs.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 그 목적은 접합 기판의 제조 불량을 저감시킬 수 있는 접합 기판 제조 장치를 제공함에 있다.The present invention has been conceived to solve the above problems, and an object thereof is to provide an apparatus for manufacturing a bonded substrate capable of reducing manufacturing defects of a bonded substrate.

본 발명에 따른 프레스 장치는, 처리실 내에 제1 기판 및 제2 기판을 지지하고, 그 처리실 내를 감압하여 상기 제1 기판 및 제2 기판을 접합시킨다. 상기 프레스 장치는, 상기 제1 기판을 지지하는 제1 지지판을 상기 처리실의 외부로부터 지지하는 제1 지지부재와, 상기 제1 지지부재를 더욱 지지하는 제2 지지부재와, 상기 제1 지지부재와 상기 제2 지지부재 사이에 배치된 복수의 로드 셀과, 상기 제2 기판을 지지하는 제2 지지판과, 상기 제2 지지판을 상기 처리실 내의 기밀(氣密)을 유지한 채 수평으로 이동시키는 구동 수단을 구비한다. 상기 제1 기판 및 제2 기판을 접합시킬 때에는 상기 제1 지지부재 및 상기 제1 지지판의 중량으로 가압하는 구성으로 이루어지고, 상기 복수의 로드 셀은, 그 복수의 로드 셀에 가해지는 총 압력으로부터 상기 제1 기판 및 제2 기판을 접합시킬 때의 반력(反力)을 감소시킨 측정치를 출력한다.In the press apparatus according to the present invention, the first substrate and the second substrate are supported in a processing chamber, and the inside of the processing chamber is depressurized to bond the first substrate and the second substrate. The press device includes: a first support member for supporting a first support plate for supporting the first substrate from the outside of the processing chamber, a second support member for further supporting the first support member, and the first support member Driving means for horizontally moving the plurality of load cells disposed between the second support members, a second support plate for supporting the second substrate, and the second support plate while maintaining airtightness in the processing chamber It is equipped with. When the first substrate and the second substrate are bonded together, it is configured to pressurize with the weight of the first support member and the first support plate, and the plurality of load cells are formed from the total pressure applied to the plurality of load cells. A measured value obtained by reducing a reaction force when bonding the first and second substrates is output.

상기 제2 지지부재를 상하 이동시키는 액추에이터를 구비할 수 있다.An actuator for vertically moving the second support member may be provided.

상기 제1 지지판을 더욱 가압하는 가압 수단을 구비할 수 있다.It may be provided with a pressing means for further pressing the first support plate.

상기 총 압력은, 적어도 상기 제1 지지판에 가해지는 대기압과, 상기 제1 지지부재 및 상기 제1 지지판의 중량을 포함하는 총합 값일 수 있다.The total pressure may be a total value including at least an atmospheric pressure applied to the first support plate and a weight of the first support member and the first support plate.

상기 측정치에 기초하여 압력을 상기 제1 기판과 상기 제2 기판에 가하도록 제어하는 제어 수단을 구비할 수 있다.A control means may be provided for controlling pressure to be applied to the first and second substrates based on the measured value.

본 발명에 의하면, 접합 기판의 제조 불량을 저감시킬 수 있는 접합 기판 제조 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a bonded substrate manufacturing apparatus capable of reducing manufacturing defects of a bonded substrate.

도 1은 접합 장치의 개략 구성도.
도 2는 반송 장치의 개략 구성도.
도 3은 액정 적하(滴下)장치의 개략 구성도.
도 4는 디스펜서의 설명도.
도 5는 적하량 계측부의 개략 설명도.
도 6은 기판 반송의 설명도.
도 7은 진공 분위기에서의 기판 흡착을 설명하기 위한 개략도.
도 8은 평판의 설명도.
도 9는 정전(靜電) 척(chuck)의 설명도.
도 10은 정전 척의 등가회로도.
도 11은 정전 척에 인가하는 전압의 파형도.
도 12는 기판 박리(剝離)의 순서를 나타내는 설명도.
도 13은 위치 맞춤 장치의 개략 구성도.
도 14는 위치 맞춤 제어의 설명도.
도 15는 프레스 장치의 개략 구성도.
도 16은 상측 평판 및 하측 평판의 사시도.
도 17은 밀봉재 경화 장치에 기판을 반송하는 반송 장치의 개략도.
도 18은 밀봉재 경화 장치의 개략 구성도.
도 19는 기판 파지장치의 개략 구성도.
도 20은 기판 반송 및 기판에 발생하는 왜곡(distortion)의 설명도.
도 21은 기판 파지의 순서를 설명하는 설명도.
도 22는 기판 반송의 설명도.
도 23은 위치 맞춤 장치의 개략 구성도.
도 24는 평판의 설명도.
도 25는 보정 반송의 설명도.
도 26은 다른 형태의 접합 기판 제조 장치의 개략 구성도.
도 27은 위치 맞춤 마크의 설명도.
도 28은 다른 위치 맞춤 제어의 설명도.
도 29는 다른 위치 맞춤 제어의 설명도.
도 30은 다른 보정 반송의 설명도.
도 31은 다른 챔버의 개략 구성도.
도 32는 도 31에 대한 종래예의 개략 구성도.
도 33은 도 31에 대한 종래예의 개략 구성도.
도 34는 다른 밀봉재 경화 장치의 개략 구성도.
도 35는 접합 기판(액정 표시 패널)의 단면도.
도 36은 종래의 다른 접합 기판의 단면도.
도 37은 종래 방법에 의한 접합의 설명도.
도 38은 종래 방법에 의한 접합 기판의 단면도.
1 is a schematic configuration diagram of a bonding device.
2 is a schematic configuration diagram of a conveying device.
3 is a schematic configuration diagram of a liquid crystal dropping device.
4 is an explanatory diagram of a dispenser.
5 is a schematic explanatory diagram of a dripping amount measurement unit.
6 is an explanatory diagram of substrate transfer.
7 is a schematic diagram for explaining adsorption of a substrate in a vacuum atmosphere.
8 is an explanatory diagram of a flat plate.
9 is an explanatory diagram of an electrostatic chuck.
10 is an equivalent circuit diagram of an electrostatic chuck.
11 is a waveform diagram of a voltage applied to an electrostatic chuck.
Fig. 12 is an explanatory diagram showing a procedure of substrate peeling.
13 is a schematic configuration diagram of a positioning device.
14 is an explanatory diagram of positioning control.
15 is a schematic configuration diagram of a press device.
16 is a perspective view of an upper plate and a lower plate.
Fig. 17 is a schematic diagram of a transfer device for transferring a substrate to a sealing material curing device.
18 is a schematic configuration diagram of a sealing material curing device.
Fig. 19 is a schematic configuration diagram of a substrate holding device.
Fig. 20 is an explanatory diagram of substrate transport and distortion occurring in the substrate.
Fig. 21 is an explanatory diagram for explaining the procedure of holding the substrate.
22 is an explanatory diagram of substrate transport.
Fig. 23 is a schematic configuration diagram of a positioning device.
24 is an explanatory diagram of a flat plate.
25 is an explanatory diagram of correction conveyance.
26 is a schematic configuration diagram of a bonded substrate manufacturing apparatus of another embodiment.
Fig. 27 is an explanatory diagram of an alignment mark.
Fig. 28 is an explanatory diagram of another positioning control;
29 is an explanatory diagram of another positioning control;
30 is an explanatory diagram of another correction conveyance.
31 is a schematic configuration diagram of another chamber.
Fig. 32 is a schematic configuration diagram of a conventional example of Fig. 31;
Fig. 33 is a schematic configuration diagram of a conventional example to Fig. 31;
Fig. 34 is a schematic configuration diagram of another sealing material curing device.
35 is a cross-sectional view of a bonded substrate (liquid crystal display panel).
36 is a cross-sectional view of another conventional bonded substrate.
37 is an explanatory diagram of bonding by a conventional method.
38 is a cross-sectional view of a bonded substrate according to a conventional method.

이하, 본 발명을 구체화한 일 실시형태를 도 1 내지 도 18에 따라 설명한다.Hereinafter, an embodiment embodying the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 18.

도 1은 액정표시장치의 제조 공정 중의 셀 공정에서의 액정 주입 및 접합을 행하는 공정을 실시하는 접합 기판제조 장치의 개략 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a bonded substrate manufacturing apparatus that performs a process of injecting and bonding liquid crystal in a cell process during a manufacturing process of a liquid crystal display device.

접합 기판 제조 장치는, 공급되는 2종류의 기판(W1, W2) 사이에 액정을 밀봉시켜 액정 표시 패널을 제조한다.The laminated substrate manufacturing apparatus manufactures a liquid crystal display panel by sealing a liquid crystal between the two types of substrates W1 and W2 supplied.

또한, 본 실시형태의 장치에 의해 제조되는 액정 표시 패널은 액티브 매트릭스형 액정 표시 패널로서, 제 1 기판(W1)은 TFT 등이 형성된 어레이 기판이고, 제 2 기판(W2)은 컬러 필터 또는 차광막 등이 형성된 컬러 필터 기판이다. 이들 기판(W1, W2)은 각각의 공정에 의해 제조되어 공급된다.In addition, the liquid crystal display panel manufactured by the device of this embodiment is an active matrix type liquid crystal display panel, wherein the first substrate W1 is an array substrate on which TFTs, etc. are formed, and the second substrate W2 is a color filter or a light shielding film, etc. This is the formed color filter substrate. These substrates W1 and W2 are manufactured and supplied by respective processes.

접합 기판 제조 장치(30)는, 제어장치(31)와, 그것이 제어하는 밀봉(seal) 묘화(描畵)장치(32)와 액정 적하 장치(33)와 접합 장치(34)와 검사장치(35)를 포함한다. 접합 장치(34)는 프레스 장치(36)와 경화 장치(37)로 구성되고, 그들 장치(36, 37)는 제어장치(31)에 의해 제어된다.The bonded substrate manufacturing apparatus 30 includes a control apparatus 31, a seal drawing apparatus 32 controlled therein, a liquid crystal dropping apparatus 33, a bonding apparatus 34, and an inspection apparatus 35. ). The bonding device 34 is composed of a press device 36 and a curing device 37, and these devices 36 and 37 are controlled by a control device 31.

또한, 접합 기판 제조 장치(30)는, 공급되는 기판(W1, W2)을 반송하는 반송 장치(38a∼38d)를 구비한다. 제어장치(31)는 이들 반송 장치(38a∼38d) 및 반송 로봇을 제어하고, 기판(W1, W2)과 그것에 의해 제조된 접합 기판을 반송한다.Moreover, the laminated substrate manufacturing apparatus 30 is provided with the conveyance apparatus 38a-38d which conveys the board|substrates W1 and W2 supplied. The control device 31 controls these transfer devices 38a to 38d and a transfer robot, and transfers the substrates W1 and W2 and the bonded substrate produced therefrom.

제 1 및 제 2 기판(W1, W2)은 밀봉 묘화 장치(32)에 공급된다. 밀봉 묘화 장치(32)는, 제 1 및 제 2 기판(W1, W2) 중의 어느 한쪽(예를 들어, 유리 기판(W1))의 상면에 주변을 따라 소정 위치에 밀봉재를 프레임 형상으로도포한다. The first and second substrates W1 and W2 are supplied to the sealing drawing device 32. The sealing drawing device 32 applies a sealing material in a frame shape at a predetermined position along the periphery on the upper surface of either of the first and second substrates W1 and W2 (for example, the glass substrate W1).

밀봉재에는 적어도 광경화성 접착제를 함유하는 접착제가 사용된다. 그리고, 기판(W1, W2)은 반송장치(38a)에 공급되며, 그 반송 장치(38a)는 기판(W1, W2)을 1세트로 하여 액정 적하 장치(33)에 반송한다.An adhesive containing at least a photocurable adhesive is used for the sealing material. And the board|substrates W1, W2 are supplied to the conveyance device 38a, The conveyance device 38a conveys the board|substrates W1, W2 as a set to the liquid crystal dropping device 33.

액정 적하 장치(33)는, 반송된 기판(W1, W2) 중에서 밀봉재가 도포된 기판(W1) 상면의 미리 설정된 복수의 소정 위치에 액정을 점적한다. 액정이 점적된 기판(W1) 및 기판(W2)은 반송 장치(38b)에 의해 프레스 장치(36)에 반송된다.The liquid crystal dropping device 33 drips liquid crystal onto a plurality of predetermined positions on the upper surface of the substrate W1 to which the sealing material has been applied among the conveyed substrates W1 and W2. The substrate W1 and the substrate W2 on which the liquid crystal has been sprayed are conveyed to the press device 36 by the conveying device 38b.

프레스 장치(36)는 진공 챔버를 구비하고, 그 챔버 내에는 기판(W1, W2)을 각각 흡착 파지하는 척이 설치되어있다. 프레스 장치(36)는, 반입된 기판(W1, W2)을 각각 하측 척과 상측 척에 흡착 파지한 후, 챔버 내를 진공 배기시킨다. 그리고, 프레스 장치(36)는 챔버 내에 소정의 가스를 공급한다. 공급하는 가스는, PDP(Plasma Display Panel)를 위한 여기 가스 등의 반응 가스, 질소 가스 등의 불활성 가스를 포함하는 치환 가스이다. 이들 가스에 의해, 기판 또는 표시 소자의 표면에 부착된 불순물이나 생성물을 반응 가스 또는 치환 가스에 일정시간 노출시키는 전처리를 행한다.The press device 36 is provided with a vacuum chamber, and in the chamber, a chuck for suction-holding the substrates W1 and W2, respectively, is provided. The press device 36 sucks and grips the carried substrates W1 and W2 by the lower chuck and the upper chuck, respectively, and then evacuates the inside of the chamber. Then, the press device 36 supplies a predetermined gas into the chamber. The gas to be supplied is a reaction gas such as an excitation gas for a plasma display panel (PDP), and a substitution gas containing an inert gas such as nitrogen gas. With these gases, a pretreatment is performed in which impurities or products adhering to the surface of a substrate or display element are exposed to a reactive gas or a substitution gas for a certain time.

이 처리는 접합 후에 개봉 불가능한 접합면의 성질을 유지하여 안정화한다. 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)은 그들 표면에 산화막 등의 막이 생성되거나 공기 중의 부유물이 부착되어, 표면의 상태가 변화한다. 이 상태의 변화는 기판마다 서로 다르기 때문에, 안정된 패널을 제조할 수 없게 된다. 따라서, 이들 처리는, 막의 생성 또는 불순물의 부착을 억제하며, 부착된 불순물을 처리함으로써 기판 표면의 상태 변화를 억제하여, 패널의 품질 안정화를 도모하고 있다.This treatment stabilizes by maintaining the property of the bonded surface that cannot be opened after bonding. In the first and second substrates W1 and W2, a film such as an oxide film is formed on their surfaces, or a floating substance in the air is attached to them, so that the state of the surface changes. Since the change in this state is different for each substrate, it becomes impossible to manufacture a stable panel. Accordingly, these treatments suppress film formation or adhesion of impurities, suppress changes in the state of the substrate surface by treating the adhering impurities, and stabilize the quality of the panel.

다음으로, 프레스 장치(36)는 위치 맞춤 마크를 이용하여 광학적으로 양 기판(W1, W2)의 위치 맞춤을 비접촉으로(기판(W1) 상면의 밀봉재 및 액정에 기판(W2)의 하면을 접촉시키지 않고) 행한다. 그 후, 프레스 장치(36)는 양 기판(W1, W2)에 소정 압력을 가하여 소정의 셀 두께까지 프레스한다. 그리고, 프레스 장치(36)는 진공 챔버 내를 대기 개방한다.Next, the press device 36 optically aligns the position of both substrates W1 and W2 using the alignment mark in a non-contact manner (does not contact the lower surface of the substrate W2 with the sealing material and the liquid crystal on the upper surface of the substrate W1). Without). After that, the press device 36 applies a predetermined pressure to both substrates W1 and W2 to press to a predetermined cell thickness. Then, the press device 36 opens the inside of the vacuum chamber to the atmosphere.

또한, 제어장치(31)는 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)의 반입으로부터의 시간 경과를 감시하여, 프레스 장치(36) 내에 공급한 가스에 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)을 노출시키는 시간(반입으로부터 접합을 행할 때까지의 시간)을 제어한다. 이것에 의해, 접합 후에 개봉 불가능한 접합면의 성질을 유지하여 안정화한다.Further, the control device 31 monitors the passage of time from the carrying in of the first and second substrates W1 and W2, and supplies the first and second substrates W1 and W2 to the gas supplied into the press device 36. The time to expose (the time from carrying in until bonding is performed) is controlled. Thereby, the property of the bonding surface that cannot be opened after bonding is maintained and stabilized.

반송 장치(38c)는 프레스 장치(36) 내로부터 접합된 액정 패널을 꺼내어, 그것을 경화 장치(37)에 반송한다.The conveying device 38c takes out the bonded liquid crystal panel from the inside of the press device 36 and conveys it to the curing device 37.

이 때, 제어장치(31)는 액정 패널을 프레스하고 나서의 시간 경과를 감시하여, 미리 정한 시간이 경과하면 반송 장치(38c)를 구동시켜 기판을 경화 장치(37)에 공급한다. 경화 장치(37)는 반송된 액정 패널에 소정 파장을 갖는 광을 조사하여, 밀봉재를 경화시킨다.At this time, the control device 31 monitors the lapse of time after pressing the liquid crystal panel, and when a predetermined time elapses, the transfer device 38c is driven to supply the substrate to the curing device 37. The curing device 37 irradiates the conveyed liquid crystal panel with light having a predetermined wavelength to cure the sealing material.

즉, 접합된 액정 패널은 프레스로부터 소정 시간 경과 후에 밀봉재를 경화시키기 위한 광이 조사된다. 이 소정 시간은, 액정의 확산 속도와, 프레스에 의해 기판에 잔류하는 응력의 해방에 필요한 시간에 의해 미리 실험에 의해 구해지고 있다.That is, the bonded liquid crystal panel is irradiated with light for curing the sealing material after a predetermined time has elapsed from the press. This predetermined time is determined in advance by an experiment based on the diffusion rate of the liquid crystal and the time required to release the stress remaining on the substrate by pressing.

프레스 장치(36)에 의해 기판(W1, W2) 사이에 봉입된 액정은 프레스 및 대기 개방에 의해 확산된다. 이 액정의 확산이 종료되기 전에, 즉, 액정이 밀봉재까지 확산되기 전에 그 밀봉재를 경화시킨다.The liquid crystal enclosed between the substrates W1 and W2 by the press device 36 is diffused by pressing and opening to the atmosphere. The sealing material is cured before the diffusion of the liquid crystal is complete, that is, before the liquid crystal diffuses to the sealing material.

또한, 기판(W1, W2)은 프레스에서의 가압 등에 의해 변형된다. 반송 장치(38c)에 의해 반송 중인 액정 패널은, 밀봉재가 경화되어 있지 않기 때문에, 기판(W1, W2)에 잔류하는 응력은 해방된다. 따라서, 밀봉재의 경화 시에는 잔존하는 응력이 적기 때문에, 위치 어긋남이 억제된다.Further, the substrates W1 and W2 are deformed by pressing or the like in a press. In the liquid crystal panel being conveyed by the conveying device 38c, since the sealing material is not cured, the stress remaining in the substrates W1 and W2 is released. Therefore, since the residual stress is small at the time of hardening of the sealing material, positional displacement is suppressed.

밀봉재가 경화된 액정 패널은 반송 장치(38d)에 의해 검사장치(35)에 반송된다. 검사장치(35)는 반송된 액정 패널의 기판(W1, W2)의 위치 어긋남(어긋나 있는 방향 및 어긋남 양)을 측정하여, 그 측정 값을 제어장치(31)에 출력한다.The liquid crystal panel in which the sealing material is cured is conveyed to the inspection device 35 by the conveying device 38d. The inspection device 35 measures the positional shift (the direction and the amount of shift) of the substrates W1 and W2 of the conveyed liquid crystal panel, and outputs the measured value to the control device 31.

제어장치(31)는 검사장치(35)의 검사 결과에 의거하여, 프레스 장치(36)에서의 위치 맞춤에 보정을 가한다.The control device 31 applies correction to the alignment in the press device 36 based on the inspection result of the inspection device 35.

즉, 밀봉재가 경화된 액정 패널에서의 양 기판(W1, W2)의 어긋남 양을 그 위치 어긋남 방향과 반대 방향으로 미리 이동시켜 둠으로써, 다음에 제조되는 액정 패널의 위치 어긋남을 방지한다.That is, by moving the amount of displacement of both substrates W1 and W2 in the liquid crystal panel on which the sealing material is cured in a direction opposite to the direction of the displacement thereof, displacement of the liquid crystal panel to be manufactured next is prevented.

다음으로, 각 장치(33∼37), 각 반송 장치(38a∼38d)의 구성 및 제어를 설명한다.Next, the configuration and control of each of the devices 33 to 37 and each of the conveying devices 38a to 38d will be described.

먼저, 반송 장치(38a, 38b)의 구성을 도 2에 따라 설명한다.First, the configuration of the conveyance devices 38a and 38b will be described with reference to FIG. 2.

반송 장치(38a)는 슬라이더(41)를 구비하고, 그것에 의해 각 기판(W1, W2)을 수용한 트레이(42)를 반송 방향을 따라 반송하도록 구성되어 있다. 각 기판(W1, W2)은 한쪽 면에 TFT 또는 컬러 필터 등과 함께 전극이 각각 형성되고, 그들을 보호하기 위해 전극이 형성된 면을 위로 하여 트레이(42)에 수용된다. 또한, 양 기판(W1, W2)에는 종류를 구별하기 위한 식별 정보(예를 들어, 바코드)(I1, I2)가 각각에 첨부되어 있다.The conveyance device 38a is provided with the slider 41, and is comprised so that the tray 42 which accommodates each board|substrate W1, W2 may be conveyed along the conveyance direction by it. Each of the substrates W1 and W2 has electrodes formed on one side thereof together with a TFT or a color filter, and is accommodated in the tray 42 with the side on which the electrodes are formed to protect them. In addition, identification information (eg, barcode) I1 and I2 for distinguishing types is attached to both substrates W1 and W2.

이와 같이, 2종류의 기판(W1, W2)을 1세트로 하여 반송함으로써, 생산 효율을 향상시킨다. 기판(W1, W2)은 각각 서로 다른 공정을 거쳐 공급되기 때문에, 한쪽 기판만이 공급되는 상태에서는, 접합 공정에서의 각 처리가 중단되어, 생산 효율이 나빠진다. 따라서, 필요로 하는 양 기판(W1, W2)을 1세트로 하여 공급함으로써, 처리의 중단을 없애 생산 효율을 향상시키고 있다.In this way, production efficiency is improved by conveying the two types of substrates W1 and W2 as one set. Since the substrates W1 and W2 are supplied through different processes, respectively, in a state in which only one substrate is supplied, each process in the bonding process is interrupted, resulting in poor production efficiency. Therefore, by supplying both the required substrates W1 and W2 as a set, the production efficiency is improved by eliminating interruptions in processing.

반송 장치(38b)는 트레이(42)를 반송하는 슬라이더(43)와 반송 로봇(44, 45)을 포함한다. 반송 장치(38b)는 슬라이더(43)에 의해 트레이(42)를 소정 반송 방향을 따라 반송하고, 반송 로봇(44, 45)에 의해 양 기판(W1, W2)을 수취한다. 또한, 반송 로봇은 양 기판(W1, W2) 중의 어느 한쪽(본 실시형태에서는 밀봉재가 도포되어 있지 않은 기판(W2))의 상하를 반전시켜, 양 기판(W1, W2)의 전극이 형성된 면을 대향시킨다. 그리고, 반송 로봇(44, 45)은 대향시킨 양 기판(W1, W2)을 프레스 장치(36) 내에 반입한다.The conveying device 38b includes a slider 43 that conveys the tray 42 and conveying robots 44 and 45. The conveyance device 38b conveys the tray 42 along a predetermined conveyance direction by the slider 43, and receives both the board|substrates W1, W2 by the conveyance robot 44,45. In addition, the transfer robot reverses the top and bottom of either of the substrates W1 and W2 (substrate W2 to which the sealing material is not applied in the present embodiment), so that the surfaces of the electrodes W1 and W2 are formed. Face it. Then, the transfer robots 44 and 45 carry the opposing substrates W1 and W2 into the press device 36.

제어장치(31)는 ID 리더(46, 47), 반송측 콘트롤러(48), 로봇측 콘트롤러(49)를 포함한다. 양 기판(W1, W2)이 반송되면, 그들의 식별 정보가 ID 리더(46, 47)에 의해 판독되어, 콘트롤러(48)에 송신된다. 콘트롤러(48)는 각각의 식별 정보에 의해 반전을 필요로 하는 기판을 판단하여, 그 판단 결과를 로봇측 콘트롤러(49)에 송신한다.The control device 31 includes ID readers 46 and 47, a conveyance controller 48, and a robot controller 49. When both substrates W1 and W2 are conveyed, their identification information is read by the ID readers 46 and 47 and transmitted to the controller 48. The controller 48 determines the substrate that needs to be reversed based on the respective identification information, and transmits the determination result to the robot-side controller 49.

로봇측 콘트롤러(49)는, 반송 로봇(44, 45)에 의해 기판(W1, W2)을 각각 수취하는 동시에, 콘트롤러(48)로부터 수취한 판정 결과에 의거하여 기판(W2)을 수취한 반송 로봇(45)을 구동시켜 그 기판(W2)을 반전 시킨다. 또한, 콘트롤러(49)는 반송 로봇(44, 45)을 구동 제어하여 대향시킨 기판(W1, W2)을 프레스 장치(36) 내에 반입한다.The robot side controller 49 is a transfer robot that receives the substrates W1 and W2 by the transfer robots 44 and 45, respectively, and receives the substrate W2 based on the determination result received from the controller 48. Drive 45 to invert the substrate W2. Further, the controller 49 drives and controls the transfer robots 44 and 45 to carry the substrates W1 and W2 opposed to each other into the press device 36.

다음으로, 액정 적하 장치(33)를 도 3 내지 도 5에 따라 설명한다.Next, the liquid crystal dropping device 33 will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

도 3은 액정 적하 장치(33)의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.3 is a plan view showing a schematic configuration of the liquid crystal dropping device 33.

액정 적하 장치(33)는 디스펜서(51), 이동기구(52), 제어장치(53), 및 계측장치(54)를 포함한다. 디스펜서(51)는 이동기구(52)에 의해 수평 이동 가능하게 지지되고, 내부에 액정이 충전되어 있다.The liquid crystal dropping device 33 includes a dispenser 51, a moving mechanism 52, a control device 53, and a measuring device 54. The dispenser 51 is supported to be horizontally movable by a moving mechanism 52, and liquid crystal is filled therein.

제어장치(53)는 도 1의 제어장치(31)로부터의 제어 신호에 응답하여 반송된 기판(W1) 상에 액정을 양호한 정밀도로 점적한다. 상세하게 설명하면, 제어장치(53)는 디스펜서(51) 내의 액정을 일정 온도로 제어한다. 제어장치(53)는 이동기구(52)를 제어하여 반송된 기판(W1) 상면의 복수의 소정 위치에 디스펜서(51)를 이동시키고, 기판(W1) 상에 액정을 점적한다. 또한, 제어장치(53)는 이동기구(52)를 제어하여 디스펜서(51)를 계측장치(54)상에 이동시키고, 계측장치(54) 상에 액정을 적하시킨다. 계측장치(54)는 적하된 액정의 중량을 계측하고, 그 계측 결과를 제어장치(53)에 출력한다. 제어장치(53)는 그 계측 결과에 의거하여 일정 양의 액정을 적하하도록 디스펜서(51)의 제어량을 조정한다. 이것에 의해, 액정의 온도 변화를 억제하는 동시에, 환경 변화에 대응하여 디스펜서(51)의 제어량을 조정함으로써, 항상 일정 양의 액정을 점적한다.The control device 53 drips liquid crystal with good precision on the conveyed substrate W1 in response to the control signal from the control device 31 of FIG. 1. In detail, the control device 53 controls the liquid crystal in the dispenser 51 to a constant temperature. The control device 53 controls the movement mechanism 52 to move the dispenser 51 to a plurality of predetermined positions on the upper surface of the conveyed substrate W1, and drip liquid crystal onto the substrate W1. Further, the control device 53 controls the moving mechanism 52 to move the dispenser 51 on the measuring device 54, and liquid crystal is dropped onto the measuring device 54. The measurement device 54 measures the weight of the dropped liquid crystal, and outputs the measurement result to the control device 53. The control device 53 adjusts the control amount of the dispenser 51 so as to drip a certain amount of liquid crystal based on the measurement result. Thereby, the temperature change of the liquid crystal is suppressed and the control amount of the dispenser 51 is adjusted in response to environmental changes, so that a certain amount of liquid crystal is always instilled.

도 4는 디스펜서(51)의 구성을 설명하기 위한 설명도이다.4 is an explanatory diagram for explaining the configuration of the dispenser 51.

도 4a에 나타낸 바와 같이, 디스펜서(51)는 액정(LC)이 충전된 대략 원통형상의 시린지(55)를 구비하고, 도 3의 제어장치(53)는 플런저(56)에 의해 액정(LC)에 압력을 가하여, 시린지(55) 선단의 노즐(57)로부터 소정 양의 액정(LC)을 적하시킨다.As shown in FIG. 4A, the dispenser 51 includes a syringe 55 in a substantially cylindrical shape filled with liquid crystal LC, and the control device 53 of FIG. 3 is applied to the liquid crystal LC by the plunger 56. By applying pressure, a predetermined amount of liquid crystal LC is dripped from the nozzle 57 at the tip of the syringe 55.

디스펜서(51)에는 시린지(55)에 충전된 액정(LC)을 가열하기 위한 히터(58)가 설치되어 있다. 히터(58)는 시린지(55)의 외형에 따른 대략 둥근 링 형상으로 형성되어 있다. 그리고, 시린지(55) 내에는 선단 부근에 액정(LC)의 온도를 계측하기 위한 열전쌍(59)이 설치되어 있다. 히터(58) 및 열전쌍(59)은 도 3의 제어장치(53)에 설치된 온도 조절기(60)에 접속되어 있다. 온도 조절기(60)는 열전쌍(59)으로부터의 신호에 의거하여 계측한 액정(LC)의 온도에 의해 그 액정(LC)의 온도를 일정하게 하도록 히터(58)를 제어한다.The dispenser 51 is provided with a heater 58 for heating the liquid crystal LC filled in the syringe 55. The heater 58 is formed in a substantially round ring shape according to the external shape of the syringe 55. In addition, in the syringe 55, a thermocouple 59 for measuring the temperature of the liquid crystal LC is provided near the tip. The heater 58 and the thermocouple 59 are connected to a temperature controller 60 installed in the control device 53 of FIG. 3. The temperature controller 60 controls the heater 58 to make the temperature of the liquid crystal LC constant by the temperature of the liquid crystal LC measured based on a signal from the thermocouple 59.

시린지(55)에는 로터리 밸브(61)가 설치되어 있다. 로터리 밸브(61)는 시린지(55)의 축선(도면에서의 종방향 중심선)을 통과하는 평면을 따라 수직 회전 가능하게 설치된 회전체(61a)를 구비하고 있다. 도 4b에 나타낸 바와 같이, 회전체(61a)에는 시린지(55)의 내경(內徑)과 대략 동일한 내경을 갖는 연통구멍(61b)이 형성되어 있다. 로터리 밸브(61)는 도 3의 제어장치(53)에 의해 회전 위치가 제어된다.A rotary valve 61 is installed in the syringe 55. The rotary valve 61 is provided with a rotating body 61a installed so as to be vertically rotatable along a plane passing through the axis of the syringe 55 (the longitudinal center line in the drawing). As shown in Fig. 4B, the rotating body 61a is formed with a communication hole 61b having an inner diameter substantially the same as the inner diameter of the syringe 55. The rotational position of the rotary valve 61 is controlled by the control device 53 of FIG. 3.

즉, 제어장치(53)는 연통구멍(61b)의 중심선을 시린지(55)의 그것과 일치하도록 회전체(61a)를 회전시킴으로써, 시린지(55)의 상부와 선단부를 대략 직관(直管)(내벽이 직선적으로 연속되어 있는 관)으로 한다. 이것에 의해, 플런저(56)의 압력이 시린지(55)의 선단에 손실 없이 전달되고, 그 압력에 의해 액정(LC)이 선단의 노즐(57)로부터 적하된다.That is, the control device 53 rotates the rotating body 61a so that the center line of the communication hole 61b coincides with that of the syringe 55, so that the upper and the tip of the syringe 55 are substantially straight pipes (直管) The inner wall is a straight pipe). Thereby, the pressure of the plunger 56 is transmitted to the tip end of the syringe 55 without loss, and the liquid crystal LC is dropped from the nozzle 57 at the tip end by the pressure.

또한, 제어장치(53)는, 시린지(55)의 상부와 선단부가 연통하지 않도록, 예를 들어, 연통구멍(61b)의 중심선이 시린지(55)의 그것과 대략 직교하도록 회전체(61a)를 회전시킨다. 이것에 의해, 플런저(56)에 의한 압력을 감소시키거나, 또는 플런저(56)를 상승시킬 때에, 선단의 노즐(57)로부터 공기가 시린지(55) 내에 들어가는 것을 방지한다. 이것에 의해, 완전하게 기포가 제거된 액정(LC)을 적하할 수 있다.In addition, the control device 53 has the rotating body 61a so that the upper and the tip of the syringe 55 do not communicate, for example, the center line of the communication hole 61b is substantially perpendicular to that of the syringe 55. Rotate. Thereby, when the pressure by the plunger 56 is reduced or the plunger 56 is raised, air is prevented from entering the syringe 55 from the nozzle 57 at the tip end. Thereby, the liquid crystal (LC) from which bubbles have been completely removed can be dripped.

또한, 로터리 밸브(61)는 액정(LC)의 자동 공급을 가능하게 한다. 즉, 플런저(56)와 로터리 밸브(61) 사이에 배관의 한쪽을 접속하고, 그 배관의 다른쪽을 액정이 봉입된 용기에 접속한다. 로터리 밸브(61)를 폐쇄하고, 플런저(56)를 상승시키면, 용기로부터 시린지(55) 내에 액정(LC)이 공급된다. 따라서, 로터리 밸브(61)를 폐쇄함으로써 선단의 노즐(57)로부터 기포가 들어가는 것을 방지하고, 그 액정(LC)을 자동으로 공급할 수 있다. 이것에 의해, 연속 운전이 가능해진다.In addition, the rotary valve 61 enables automatic supply of the liquid crystal LC. That is, one side of the pipe is connected between the plunger 56 and the rotary valve 61, and the other side of the pipe is connected to a container filled with liquid crystal. When the rotary valve 61 is closed and the plunger 56 is raised, the liquid crystal LC is supplied from the container into the syringe 55. Therefore, by closing the rotary valve 61, bubbles can be prevented from entering from the nozzle 57 at the tip end, and the liquid crystal LC can be automatically supplied. Thereby, continuous operation becomes possible.

또한, 로터리 밸브(61) 대신에, 시린지(55)의 내경과 대략 동일한 내경을 갖는 관통구멍이 수직 방향으로 형성된 밸브 보디를 수평 방향으로 이동시키도록 구성된 밸브를 사용하여 실시할 수도 있다.In addition, instead of the rotary valve 61, a valve configured to move a valve body formed in a vertical direction with a through hole having an inner diameter substantially the same as the inner diameter of the syringe 55 in the horizontal direction may be used.

또한, 시린지(55)의 노즐(57) 근방에는, 에어 노즐(62) 및 흡입구(63)가 노즐(57)을 사이에 두고 대향하여 설치되어 있다. 에어 노즐(62)은 컴프레서(compressor) 등에 접속되고, 액정(LC)의 토출 방향과 수직으로 에어 커튼을 형성하도록 횡방향으로 길게 형성되어 있다. 이 에어 노즐(62)에 의해 노즐(57) 선단 부근에 부착된 액정(LC)을 분출시킨다. 이것에 의해, 비산하여 적하되는 액정(LC)이 선단 주변에 부착되어 이후의 토출 정밀도를 손상시키는 것을 방지한다.Further, in the vicinity of the nozzle 57 of the syringe 55, an air nozzle 62 and a suction port 63 are provided to face each other with the nozzle 57 interposed therebetween. The air nozzle 62 is connected to a compressor or the like, and is elongated in the transverse direction to form an air curtain perpendicular to the discharge direction of the liquid crystal LC. The liquid crystal LC adhered to the vicinity of the tip of the nozzle 57 is ejected by the air nozzle 62. Thereby, the liquid crystal (LC) scattered and dropped is prevented from adhering to the periphery of the tip and impairing the subsequent ejection accuracy.

또한, 흡입구(63)는 진공 펌프 등에 접속되고, 에어 노즐(62)로부터 분사되는 에어를 회수하도록 형성되어 있다. 이 흡입구(63)에 의해, 에어에 의해 비산하여 적하된 액정(LC)을 회수한다. 이것에 의해, 액정(LC)이 토출면(기판(W1)의 상면)에 부착되는 것을 방지한다.Further, the suction port 63 is connected to a vacuum pump or the like, and is formed so as to recover the air injected from the air nozzle 62. The liquid crystal LC which has been scattered by air and dropped by this suction port 63 is recovered. This prevents the liquid crystal LC from adhering to the discharge surface (the upper surface of the substrate W1).

제어장치(53)는 액정(LC)의 적하와 적하 사이(소정 위치에 액정(LC)을 적하한 후, 다음 적하 위치까지 이동하는 사이 등)에 에어 노즐(62)과 흡입구(63)에 의해 노즐(57) 선단 부근에 잔존하는 액정(LC)을 회수한다. 이와 같이 하여, 토출면의 오염 방지와 토출량의 제어를 고정밀도로 행할 수 있다.The control device 53 is placed between the dropping and dropping of the liquid crystal LC (after dropping the liquid crystal LC at a predetermined position and then moving to the next dropping position, etc.) by the air nozzle 62 and the inlet 63. The liquid crystal (LC) remaining near the tip of the nozzle 57 is recovered. In this way, contamination of the discharge surface and control of the discharge amount can be performed with high precision.

또한, 디스펜서(51)에 흡입구(63)만을 설치하는 구성으로 할 수도 있으며, 그러한 구성에 있어서도, 토출면의 오염 방지와 토출량 제어의 정밀도를 높일 수 있다.Further, the dispenser 51 may be configured with only the suction port 63, and even in such a configuration, it is possible to prevent contamination of the discharge surface and increase the accuracy of the discharge amount control.

도 5는 계측장치(54)의 구성을 설명하는 설명도이다.5 is an explanatory diagram illustrating the configuration of the measurement device 54.

계측장치(54)는, 예를 들어, 전자 천칭이며, 디스펜서(51)로부터 적하된 액정(LC)의 중량을 측정하여, 그 측정값을 제어장치(53)에 출력한다. 제어장치(53)는 CPU(64), 펄스 발진기(65), 모터 드라이버(66)를 포함한다.The measurement device 54 is, for example, an electronic balance, measures the weight of the liquid crystal LC dropped from the dispenser 51 and outputs the measured value to the control device 53. The control device 53 includes a CPU 64, a pulse oscillator 65 and a motor driver 66.

CPU(64)는 디스펜서(51)로부터 적하되는 액정(LC)의 양에 따른 제어 신호를 펄스 발진기(65)에 출력하고, 그 펄스 발진기(65)는 제어 신호에 응답하여 생성한 펄스 신호를 모터 드라이버(66)에 출력한다. 그 모터 드라이버(66)는 입력한 펄스 신호에 응답하여 모터(67)의 구동 신호를 생성한다. 이 모터(67)에는, 예를 들어, 펄스 모터가 사용되고, 구동 신호에 응답하여 그 구동 신호의 펄스에 대응하는 만큼 플런저(56)를 하측 또는 상측으로 이동시킨다. 플런저(56)가 하측으로 이동됨으로써, 액정(LC)이 적하된다. 즉, 액정(LC)의 적하량은 플런저(56)의 이동량에 대응한다.The CPU 64 outputs a control signal according to the amount of liquid crystal (LC) dropped from the dispenser 51 to the pulse oscillator 65, and the pulse oscillator 65 transmits a pulse signal generated in response to the control signal to a motor. It outputs to the driver 66. The motor driver 66 generates a drive signal of the motor 67 in response to the input pulse signal. In this motor 67, for example, a pulse motor is used, and in response to a drive signal, the plunger 56 is moved downward or upward as much as corresponding to the pulse of the drive signal. When the plunger 56 is moved downward, the liquid crystal LC is dropped. That is, the amount of dropping of the liquid crystal LC corresponds to the amount of movement of the plunger 56.

따라서, CPU(64)는 계측장치(54)의 측정 값을 입력하고, 그것에 의해 액정(LC)의 적하량을 산출한다. 또한, CPU(64)는 그 적하량을 일정하게 하도록 펄스 발진기(65)에 공급하는 제어 신호를 보정한다. 이것에 의해, 액정(LC)의 상태(점도 등) 또는 플런저(56)의 이동량 변동(슬라이딩 저항, 모터(67)의 상태 등)에 의해 토출 상태나 양이 정해지지 않아 불안정해지는 것을 방지하고, 자동으로 연속된 액정 토출이 가능해진다.Accordingly, the CPU 64 inputs the measured value of the measurement device 54, and thereby calculates the dripping amount of the liquid crystal LC. Further, the CPU 64 corrects the control signal supplied to the pulse oscillator 65 so as to make the drop amount constant. In this way, the state of the liquid crystal LC (viscosity, etc.) or the movement amount of the plunger 56 (sliding resistance, the state of the motor 67, etc.) prevents the discharge state or amount from being unstable due to unstable. As a result, continuous liquid crystal discharge becomes possible.

다음으로, 기판(W1, W2)의 프레스 장치(36)로의 반입에 대해서 설명한다.Next, carrying of the board|substrates W1, W2 into the press apparatus 36 is demonstrated.

도 6은 기판 반입의 설명도이다.6 is an explanatory diagram of carrying in a substrate.

프레스 장치(36)는 진공 챔버(71)를 구비하고, 그 진공 챔버(71)는 상하로 분할되어, 상측 용기(71a)와 하측 용기(71b)로 구성되어 있다. 상측 용기(71a)는 기동기구(도시 생략)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 지지되고 있다.The press device 36 is provided with a vacuum chamber 71, and the vacuum chamber 71 is divided up and down, and is composed of an upper container 71a and a lower container 71b. The upper container 71a is supported so as to be movable in the vertical direction by a starting mechanism (not shown).

챔버 내에는 기판(W1, W2)을 흡착하기 위해 상측 평판(72a)과 하측 평판(72b)이 설치되고, 상측 평판(72a)은 이동기구(도시 생략)에 의해 상하로 진동 가능하게 지지되고 있다. 한편, 하측 평판(72b)은 이동기구(도시 생략)에 의해 수평 방향(XY축 방향)으로 이동 가능하게 지지되는 동시에, 수평 회전(θ방향) 가능하게 지지되고 있다.In the chamber, an upper plate 72a and a lower plate 72b are installed to adsorb the substrates W1 and W2, and the upper plate 72a is supported so as to vibrate vertically by a moving mechanism (not shown). . On the other hand, the lower flat plate 72b is supported so as to be movable in the horizontal direction (XY-axis direction) by a moving mechanism (not shown), and is supported so as to be horizontally rotated (theta direction).

프레스 장치(36)에는 상하 이동 가능하게 지지된 리프트 핀(73)이 설치되어 있다. 반송 로봇(44)에 의해 반입된 기판(W1)은 상승된 복수의 리프트 핀(73)에 의해 수취된다. 또한, 리프트 핀(73)이 하강함으로써, 기판(W1)이 하측 평판(72b) 상에 배치된다. 그리고, 후술하는 방법에 의해 기판(W1)이 하측 평판(72b)에 흡착 고정된다.The press device 36 is provided with a lift pin 73 supported so as to move up and down. The substrate W1 carried in by the transfer robot 44 is received by a plurality of lift pins 73 raised. Further, as the lift pin 73 descends, the substrate W1 is disposed on the lower flat plate 72b. Then, the substrate W1 is adsorbed and fixed to the lower flat plate 72b by a method described later.

또한, 프레스 장치(36)에는 인도 암(74)이 설치되어 있다. 반송 로봇(45)에 의해 반입된 기판(W2)은 인도 암(74)에 일단 인도된다. 그리고, 기판(W2)은 후술하는 방법에 의해 상측 평판(72a)에 흡착 고정된다.Further, the press device 36 is provided with a guide arm 74. The substrate W2 carried in by the transfer robot 45 is once delivered to the delivery arm 74. Then, the substrate W2 is adsorbed and fixed to the upper flat plate 72a by a method described later.

상측 평판(72a)과 하측 평판(72b)에 있어서, 기판(W2, W1)을 흡착 고정시키는 면은 평면도 100㎛ 이하로 가공되어 있다. 또한, 양 평판(72a, 72b)의 흡착면은 평행도가 50㎛ 이하로 조정되어 있다.In the upper flat plate 72a and the lower flat plate 72b, the surfaces on which the substrates W2 and W1 are adsorbed and fixed are processed to have a plan view of 100 μm or less. Further, the adsorption surfaces of both flat plates 72a and 72b have a degree of parallelism adjusted to 50 mu m or less.

다음으로, 기판(W1, W2)을 흡착 고정시키는 구성에 대해서 설명한다.Next, a configuration for adsorbing and fixing the substrates W1 and W2 will be described.

도 7은 프레스 장치(36)의 흡착기구를 설명하는 개략 구성도이다.7 is a schematic configuration diagram illustrating an adsorption mechanism of the press device 36.

상측 평판(72a)은 뒷면 파지판(75a)과 그 하면에 설치된 정전 척부(76a)로 구성되어 있다. 또한, 상측 평판(72a)에는 기판(W2)을 진공 흡착하기 위한 흡착 관로(管路)(77a)가 형성되어 있다. 흡착 관로(77a)는 정전 척부(76a)의 하면에 형성된 복수의 흡착구멍과, 뒷면 파지판(75a) 내에 수평 방향을 따라 형성된 흡착구멍과 연통하는 수평 관로와, 수평 관로로부터 위쪽으로 연장되는 복수의 배기로로 구성되어 있다. 흡착 관로(77a)는 배관(78a)을 개재시켜 진공 펌프(79a)에 접속되어 있다. 배관(78a)에는 도중에 밸브(80a)가 설치되고, 그 밸브(80a)는 제어장치(84)에 접속되어 있다.The upper flat plate 72a is constituted by a rear gripping plate 75a and an electrostatic chuck portion 76a provided on the lower surface thereof. Further, the upper flat plate 72a is provided with an adsorption conduit 77a for vacuum adsorption of the substrate W2. The suction pipe 77a includes a plurality of suction holes formed on the lower surface of the electrostatic chuck portion 76a, a horizontal pipe communicating with the suction holes formed in the rear gripping plate 75a along a horizontal direction, and a plurality of extending upward from the horizontal pipe. It consists of an exhaust path. The adsorption pipe 77a is connected to the vacuum pump 79a through a pipe 78a. A valve 80a is provided in the middle of the pipe 78a, and the valve 80a is connected to the control device 84.

배관(78a)에는 그 배관(78a) 내와 챔버(71) 내를 연통하는 등압 배관(81a)이 접속되고, 그 등압 배관(81a)에는 밸브(82a)가 설치되어 있다. 또한, 배관(78a) 내에는 그 배관(78a) 내의 압력을 측정하기 위한 압력 센서(83a)가 설치되고, 그 압력 센서(83a)는 제어장치(84)에 접속되어 있다.The piping 78a is connected to an isostatic piping 81a that communicates the inside of the piping 78a and the inside of the chamber 71, and a valve 82a is provided in the isostatic piping 81a. Further, a pressure sensor 83a for measuring the pressure in the pipe 78a is provided in the pipe 78a, and the pressure sensor 83a is connected to the control device 84.

상기와 동일하게, 하측 평판(72b)은 뒷면 파지판(75b)과 그 하면에 설치된 정전 척부(76b)로 구성되어 있다.Similarly to the above, the lower flat plate 72b is constituted by a rear gripping plate 75b and an electrostatic chuck portion 76b provided on the lower surface thereof.

또한, 상측 평판(72b)에는 기판(W2)을 진공 흡착하기 위한 흡착 관로(77b)가 형성되어 있다. 흡착 관로(77b)는 정전 척부(76b)의 하면에 형성된 복수의 흡착구멍과, 뒷면 파지판(75b) 내에 수평 방향을 따라 형성된 흡착구멍과 연통하는 수평 관로와, 수평 관로로부터 아래쪽으로 연장되는 복수의 배기로로 구성되어 있다. 흡착 관로(77b)는 배관(78b)을 개재시켜 진공 펌프(79b)에 접속되어 있다. 배관(78b)에는 도중에 밸브(80b)가 설치되고, 그 밸브(80b)는 제어장치(84)에 접속되어 있다.Further, an adsorption pipe 77b for vacuum adsorption of the substrate W2 is formed on the upper flat plate 72b. The suction pipe 77b includes a plurality of suction holes formed on the lower surface of the electrostatic chuck portion 76b, a horizontal pipe communicating with the suction holes formed in the rear gripping plate 75b along a horizontal direction, and a plurality of downwardly extending from the horizontal pipe. It consists of an exhaust path. The adsorption pipe 77b is connected to the vacuum pump 79b via a pipe 78b. A valve 80b is provided in the middle of the pipe 78b, and the valve 80b is connected to the control device 84.

배관(78b)에는 그 배관(78b) 내와 챔버(71) 내를 연통하는 등압 배관(81b)이 접속되고, 그 등압 배관(81b)에는 밸브(82b)가 설치되어 있다. 또한, 배관(78b) 내에는 그 배관(78b) 내의 압력을 측정하기 위한 압력 센서(83b)가 설치되고, 그 압력 센서(83b)는 제어장치(84)에 접속되어 있다.The piping 78b is connected to an isostatic piping 81b that communicates the inside of the piping 78b and the inside of the chamber 71, and a valve 82b is provided in the isostatic piping 81b. Further, a pressure sensor 83b for measuring the pressure in the piping 78b is provided in the piping 78b, and the pressure sensor 83b is connected to the control device 84.

챔버(71)는 그 챔버(71) 내를 진공 배기시키기 위한 배관(85)을 개재시켜 진공 펌프(86)와 접속되고, 그 배관(85)의 도중에는 밸브(87)가 설치되어 있다. 그 밸브(87)는 제어장치(84)에 의해 개폐 제어되고, 그것에 의해 챔버(71) 내를 진공 배기 또는 대기 개방한다. 챔버(71) 내에는 그 챔버(71) 내의 압력을 측정하기 위한 압력센서(88)가 설치되고, 그 압력 센서(88)는 제어장치(84)에 접속되어 있다.The chamber 71 is connected to the vacuum pump 86 through a pipe 85 for evacuating the inside of the chamber 71, and a valve 87 is provided in the middle of the pipe 85. The valve 87 is controlled to open and close by the control device 84, thereby evacuating or opening the chamber 71 to the atmosphere. In the chamber 71, a pressure sensor 88 for measuring the pressure in the chamber 71 is provided, and the pressure sensor 88 is connected to the control device 84.

제어장치(84)는 진공 펌프(79a, 79b)를 구동시키는 동시에 밸브(80a, 80b)를 개방함으로써, 흡착 관로(77a, 77b) 및 배관(78a, 78b) 내를 진공 배기시키고, 기판(W2, W1)을 진공 흡착한다. 또한, 제어장치(84)는 정전 척부(76a, 76b)에 후술하는 전압을 인가함으로써 발생하는 쿨롬력에 의해 기판(W2, W1)을 정전 흡착한다.The control device 84 drives the vacuum pumps 79a and 79b and at the same time opens the valves 80a and 80b to evacuate the suction pipes 77a and 77b and the pipes 78a and 78b to evacuate the substrate W2 , W1) is vacuum-adsorbed. Further, the control device 84 electrostatically adsorbs the substrates W2 and W1 by the coulomb force generated by applying a voltage to be described later to the electrostatic chuck portions 76a and 76b.

제어장치(84)는 챔버(71) 내의 압력(진공도)에 의해 진공 흡착과 정전 흡착을 전환 제어한다. 상세하게 설명하면, 제어장치(84)는 기판(W1, W2)을 수취할 때에 도 6에 나타낸 바와 같이 챔버(71)를 분할한다. 따라서, 챔버(71) 내의 압력은 대기압으로 되어 있다.The control device 84 switches and controls vacuum adsorption and electrostatic adsorption according to the pressure (vacuum degree) in the chamber 71. In detail, the control device 84 divides the chamber 71 as shown in FIG. 6 when receiving the substrates W1 and W2. Therefore, the pressure in the chamber 71 is atmospheric pressure.

다음으로, 제어장치(84)는 정전 척부(76a, 76b)에 전압을 공급하여 쿨롬력을 발생시키고, 진공 분위기 내에서 양 기판(W1, W2)을 접합시키기 위해, 진공 펌프(86) 및 밸브(87)를 제어하여 챔버(71)를 진공 배기시킨다. 그리고, 제어장치(84)는, 각 압력 센서(83a, 83b, 88)로부터의 신호에 의거하여, 챔버(71) 내의 압력이 배관(78a, 78b) 내의 압력보다도 낮아지면, 진공 배기를 위한 배관(78a, 78b)의 밸브(80a, 80b)를 폐쇄하고, 등압 배관(81a, 81b)의 밸브(82a, 82b)를 개방한다. 이것에 의해, 진공 배기를 위한 배관(78a, 78b) 및 흡착 관로(77a, 77b) 내의 압력과 챔버(71) 내의 압력이 등압으로 되어, 기판(W2, W1)의 탈락 및 위치 어긋남을 방지한다.Next, the control device 84 supplies voltage to the electrostatic chuck portions 76a and 76b to generate a coulomb force, and in order to bond both substrates W1 and W2 in a vacuum atmosphere, the vacuum pump 86 and the valve The chamber 71 is evacuated by controlling 87. And, the control device 84 is a pipe for evacuation when the pressure in the chamber 71 is lower than the pressure in the pipes 78a, 78b based on signals from the pressure sensors 83a, 83b, 88 The valves 80a and 80b of 78a and 78b are closed, and the valves 82a and 82b of the isostatic pipes 81a and 81b are opened. Thereby, the pressure in the pipes 78a and 78b for evacuation and the adsorption pipes 77a and 77b and the pressure in the chamber 71 are equalized, thereby preventing the substrates W2 and W1 from falling off and shifting their position. .

이것은 기판(W1, W2)을 진공 척만으로 흡착 파지한 경우, 챔버 내를 진공 배기시키면, 그 챔버 압력이 진공 배기를 위한 배관 내의 압력보다도 낮아졌을 때에 그 배관 내의 기체가 흡입구로부터 챔버 내에 유입된다. 이 기체의 유입에 의해 상측 평판에서는 기판이 척으로부터 탈락되고, 하측 평판에서는 기판이 이동하게 되기 때문이다.In this case, when the substrates W1 and W2 are sucked and held only by a vacuum chuck, when the chamber is evacuated, the gas in the pipe flows into the chamber from the suction port when the chamber pressure is lower than the pressure in the pipe for evacuation. This is because the inflow of the gas causes the substrate to come off the chuck on the upper flat plate and the substrate to move on the lower flat plate.

도 8a 및 도 8b에 나타낸 바와 같이, 정전 척부(76a)의 흡착면 측에는 복수의 흡착 홈(89)이 형성되어 있다.As shown in Figs. 8A and 8B, a plurality of suction grooves 89 are formed on the suction surface side of the electrostatic chuck portion 76a.

복수의 흡착 홈(89)은 기판(W2)을 흡착하는 영역 내에 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 흡착 홈(89)은 폭에 대하여 깊이가 폭의 1/2로 되도록 형성되어 있다.The plurality of adsorption grooves 89 are formed in a region for adsorbing the substrate W2. In this embodiment, the suction groove 89 is formed so that the depth with respect to the width becomes 1/2 of the width.

이와 같이, 흡착 홈(89)을 형성함으로써, 흡착면과 기판(W2) 사이에 기체가 잔존하는 것을 방지하고, 그것에 의해 상기와 동일하게 감압 하에서의 기판(W2)의 탈락 및 이동을 방지할 수 있다.By forming the adsorption groove 89 in this way, it is possible to prevent the gas from remaining between the adsorption surface and the substrate W2, thereby preventing the substrate W2 from falling off and moving under reduced pressure as described above. .

복수의 흡착 홈(89)은 소정 방향을 따라 형성되어 있다. 이것에 의해, 격자형상으로 흡착 홈을 형성한 경우에 비하여, 진공 흡착에 의해 기판(W2)이 기복하는 것을 방지할 수 있다.A plurality of suction grooves 89 are formed along a predetermined direction. Thereby, compared with the case where the adsorption groove is formed in a lattice shape, it is possible to prevent the substrate W2 from undulating by vacuum adsorption.

또한, 흡착면에 복수의 흡착 홈(89)을 형성함으로써, 기판(W2)의 접촉 면적이 감소된다. 흡착 홈(89)을 형성하지 않을 경우, 기판(W2)을 면에 의해 밀착 흡착하여 가압 처리하면, 기판(W2)이 수축하여 흡착력과의 균형에 의해 응력이 축적된다. 이 축적된 응력은 가압력을 해방할(기판(W2)을 접합 후에 정전 척부(76a)로부터 박리시킬) 때에 무작위의 변이(어긋남)를 발생시킨다. 따라서, 흡착 홈(89)을 형성함으로써, 접촉 면적을 감소시키면서 일정 방향의 신축을 방지하여, 변위량이 적은 접합 가공을 행할 수 있다.Further, by forming a plurality of adsorption grooves 89 on the adsorption surface, the contact area of the substrate W2 is reduced. When the adsorption groove 89 is not formed, when the substrate W2 is closely adsorbed by the surface and subjected to pressure treatment, the substrate W2 contracts and stress is accumulated due to balance with the adsorption force. This accumulated stress generates a random shift (displacement) when the pressing force is released (the substrate W2 is peeled from the electrostatic chuck portion 76a after bonding). Therefore, by forming the adsorption groove 89, the expansion and contraction in a certain direction can be prevented while reducing the contact area, and bonding processing with a small amount of displacement can be performed.

또한, 도 7의 정전 척부(76b)의 흡착면에도 정전 척부(76a)와 동일하게 홈(도시 생략)이 형성되고, 그것에 의해 기판(W1)의 낙하, 이동, 변형을 방지하고 있다.Further, a groove (not shown) is formed on the suction surface of the electrostatic chuck portion 76b in FIG. 7 in the same manner as the electrostatic chuck portion 76a, thereby preventing the substrate W1 from falling, moving, and deforming.

다음으로, 정전 흡착에 대해서 상세하게 설명한다.Next, electrostatic adsorption will be described in detail.

도 9a는 정전 척부(76a)에 전압을 인가하기 위한 개략 회로도이다.9A is a schematic circuit diagram for applying a voltage to the electrostatic chuck portion 76a.

정전 척부(76a)는 복수(도면에서는 4개)의 유전층(91a∼91d)으로 구성되고, 각 유전층(91a∼91d)에는 표면으로부터 소정 깊이에 전극(92a∼92d)이 매설되어 있다. 또한, 전극(92a∼92d)은 흡착면으로부터 전극(92a∼92d)까지의 유전층 두께가 1㎜ 이상으로 되도록 매설되어 있다.The electrostatic chuck portion 76a is composed of a plurality of (four in the drawing) dielectric layers 91a to 91d, and electrodes 92a to 92d are buried at a predetermined depth from the surface in each of the dielectric layers 91a to 91d. Further, the electrodes 92a to 92d are embedded so that the thickness of the dielectric layer from the adsorption surface to the electrodes 92a to 92d is 1 mm or more.

각 유전층(91a∼91d)의 전극(92a∼92d)은 번갈아 제 1 및 제 2 전원(93a, 93b)에 접속되어 있다. 즉, 제 1 및 제 3 유전층(91a, 91c)의 전극(92a, 92c)은 제 1 전원(93a)에 접속되고, 제 2 및 제 4 유전층(91b, 91d)의 전극(92b, 92d)은 제 2 전원(93b)에 접속되어 있다.The electrodes 92a to 92d of each of the dielectric layers 91a to 91d are alternately connected to the first and second power sources 93a and 93b. That is, the electrodes 92a and 92c of the first and third dielectric layers 91a and 91c are connected to the first power source 93a, and the electrodes 92b and 92d of the second and fourth dielectric layers 91b and 91d are It is connected to the second power supply 93b.

도 7의 제어장치(84)는, 제 1 및 제 2 전원(93a, 93b)을 제어하여, 각 유전층(91a∼91d)의 인접한 전극(92a∼92d)에 번갈아 플러스 및 마이너스의 전압을 인가하여 높은 전위차를 발생시킨다. 또한, 제어장치(84)는, 정전 척부(76a)를 이러한 구조로 함으로써, 흡착력을 단계적으로 강약 조절한다. 이것에 의해, 기판(W2)의 흡착 및 박리가 용이해진다.The control device 84 of FIG. 7 controls the first and second power sources 93a and 93b to alternately apply positive and negative voltages to the adjacent electrodes 92a to 92d of each dielectric layer 91a to 91d. It generates a high potential difference. Further, the control device 84 adjusts the strength and weakness of the adsorption force stepwise by making the electrostatic chuck portion 76a such a structure. Thereby, adsorption and peeling of the substrate W2 becomes easy.

정전 척부(76a)의 수평 방향 단면, 상세하게는 제 1 유전층(91a)의 단면과 제 4 유전층(91d)의 단면에는 각각 도전물(94a, 94b)이 접속되어 있다. 도전물(94a)은 스위칭 전원(95a)에 접속되고, 도전물(94b)은 전환 스위치(96)를 개재시켜 스위칭 전원(95b)에 접속되어 있다.Conductive materials 94a and 94b are connected to the horizontal cross-section of the electrostatic chuck portion 76a, specifically, the cross-section of the first dielectric layer 91a and the cross-section of the fourth dielectric layer 91d, respectively. The conductive material 94a is connected to the switching power supply 95a, and the conductive material 94b is connected to the switching power supply 95b through a changeover switch 96.

전환 스위치(96)는 도전물(94b)에 접속된 공통 단자와, 프레임 그라운드(FG)에 접속된 제 1 접속 단자와, 스위칭 전원(95b)에 접속된 제 2 접속 단자를 갖는다.The changeover switch 96 has a common terminal connected to the conductive material 94b, a first connection terminal connected to the frame ground FG, and a second connection terminal connected to the switching power supply 95b.

도 7의 제어장치(84)는 인가 전압에 따라 스위칭 전원(95a, 95b)의 출력 전압을 단계적으로 제어한다. 이것에 의해, 정전 흡착력에 의해 발생한 전하를 활성화시킨다. 상세하게 설명하면, 제어장치(84)는 기판(W2)의 박리시에 전압의 인가를 정지시키는 동시에, 전환 스위치(96)를 제어하여 도전물(94b)을 프레임 그라운드(FG)에 접속하거나, 또는 스위칭 전원(95b)으로부터 도전물(94b), 유전층(91d∼91a), 도전물(94a)을 개재시켜 스위칭 전원(95b)으로 향하여 전류를 흐르게 한다. 이것에 의해, 각 유전층(91a∼91d)에 정전 흡착 시에 축적된 전하를 강제적으로 제거할 수 있다. 이것은, 흡착면으로부터 기판(W2)을 박리시킬 때에, 그들의 갭 거리의 변화에 따라 축적된 전하에 의해 발생하는 전압(전위차)의 급격한 증가에 의해 일어나는 박리 대전(방전)을 방지한다.The control device 84 of FIG. 7 controls the output voltages of the switching power supplies 95a and 95b in stages according to the applied voltage. Thereby, the electric charge generated by the electrostatic adsorption force is activated. In detail, the control device 84 stops the application of voltage when the substrate W2 is peeled off, and at the same time controls the changeover switch 96 to connect the conductive material 94b to the frame ground FG, or Alternatively, a current flows from the switching power supply 95b toward the switching power supply 95b through the conductive material 94b, the dielectric layers 91d to 91a, and the conductive material 94a. This makes it possible to forcibly remove the charges accumulated during electrostatic adsorption on the respective dielectric layers 91a to 91d. This prevents peeling charging (discharging) caused by a sharp increase in voltage (potential difference) caused by charges accumulated in accordance with changes in their gap distance when peeling the substrate W2 from the adsorption surface.

이것에 의해, 방전에 의해 기판(W2)( 및 기판(W1))에 형성한 TFT 등의 회로 소자 또는 패턴의 손상을 방지하여, 불량 발생을 방지할 수 있다.Thereby, damage to circuit elements or patterns such as TFTs formed on the substrate W2 (and the substrate W1) by discharge can be prevented, and the occurrence of defects can be prevented.

도 10a는 유전층(91a∼91d), 기판(W2), 및 그들의 접촉면에서의 등가회로도이다. 여기서, 기판이 유리 등의 절연물에 가까운 물질일 경우에 생각하기 어려운 회로도이지만, 발명자들은 이 회로를 원리 원칙으로 하여 LCD 액정표시장치의 구성 기판을 흡착할 수 있음을 확인하고 있다. 이것에 의해, 유리와 같은 절연물일지라도 저항과 콘덴서 성분은 존재함을 나타냈다.10A is an equivalent circuit diagram of the dielectric layers 91a to 91d, the substrate W2, and their contact surfaces. Here, it is a circuit diagram that is difficult to think of when the substrate is a material close to an insulator such as glass, but the inventors have confirmed that it is possible to adsorb the constituent substrate of an LCD liquid crystal display device using this circuit as a principle. This indicates that even insulators such as glass have resistance and capacitor components.

도 10b는 도 10a의 등가회로와 동일하게 정전 척의 흡착 원리를 설명하는 도면을 나타내고 있다. 도면 중에서 V는 인가 전압, Vg는 기판의 흡착에 기여하는 전압, Rf는 유전층의 막 저항, Rs는 유전층과 기판의 접촉 저항, C는 기판과 척 표면 사이의 커패시턴스를 나타낸다. 또한, 전압 Vg는, Vg=(Rs/(Rf+Rs))×V로 된다.Fig. 10B shows a diagram for explaining the suction principle of the electrostatic chuck in the same manner as in the equivalent circuit of Fig. 10A. In the figure, V is an applied voltage, Vg is a voltage that contributes to adsorption of the substrate, Rf is the film resistance of the dielectric layer, Rs is the contact resistance between the dielectric layer and the substrate, and C is the capacitance between the substrate and the chuck surface. Further, the voltage Vg is set to Vg = (Rs/(Rf+Rs))×V.

도 9b는 박리 대전을 방지하는 구성의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 9a에서 파선으로 둘러싼 부분의 확대도이다.Fig. 9B is a view showing another example of a configuration for preventing peeling and charging, and is an enlarged view of a portion surrounded by a broken line in Fig. 9A.

유전층(91a)은 정전 척의 흡착층이고, 그 표면(흡착면)에는 기판(W2)과 접촉하는 도전물(97)이 설치되어 있다.The dielectric layer 91a is an adsorption layer of an electrostatic chuck, and a conductive material 97 in contact with the substrate W2 is provided on its surface (adsorbing surface).

도전물(97)은 기판(W2)의 외주를 따라 설치되어 있다. 또한, 도전물(97)은 기판(W2)의 소자 형성 영역(소자 및 배선이 형성된 영역)과 겹치도록 그 폭 및 형성 위치가 설정되어 있다. 도전물(97)은 스위치(98)를 개재시켜 프레임 그라운드(FG)에 접속되어 있다.The conductive material 97 is provided along the outer periphery of the substrate W2. Further, the width and formation position of the conductive material 97 are set so as to overlap the element formation region (region in which elements and wirings are formed) of the substrate W2. The conductive material 97 is connected to the frame ground FG through the switch 98.

도 7의 제어장치(84)는, 기판(W2)을 박리시킬 때에, 스위치(98)를 제어하여 도전물(97)을 프레임 그라운드(FG)에 접속한다. 이것에 의해, 정전 흡착 시에 유전층(91a) 및 기판(W2)에 축적된 전하를 프레임 그라운드(FG)에 놓아줌으로써, 기판의 박리를 용이하게 하는 동시에, 박리 대전을 방지하여 기판(W2)의 파손(소자 및 배선 등의 파손)을 방지할 수 있다.The control device 84 in FIG. 7 controls the switch 98 to connect the conductive material 97 to the frame ground FG when the substrate W2 is peeled off. Thereby, the electric charge accumulated in the dielectric layer 91a and the substrate W2 during electrostatic adsorption is placed on the frame ground FG, thereby facilitating peeling of the substrate and preventing peeling charging, thereby preventing the substrate W2 from being peeled off. It can prevent damage (damage to devices and wiring).

또한, 스위치(98)는 프레임 그라운드(FG) 대신에 스위칭 전원(99)에 접속될 수도 있다. 제어장치(84)는 도전물(97)에 스위치(98)를 개재시켜 전원(99)에 의해 유전층(91a) 및 기판(W2)에 축적된 전하를 소거하도록 전류를 흐르게 한다. 이와 같이 하여도, 정전 흡착 시에 유전층(91a) 및 기판(W2)에 축적된 전하를 프레임 그라운드(FG)에 놓아줌으로써, 기판(W2)의 박리를 용이하게 하는 동시에, 박리 대전을 방지하여 기판(W2)의 파손(소자 및 배선 등의 파손)을 방지할 수 있다.Also, the switch 98 may be connected to the switching power supply 99 instead of the frame ground FG. The control device 84 allows a current to flow through the conductive material 97 through the switch 98 so as to erase the electric charges accumulated in the dielectric layer 91a and the substrate W2 by the power source 99. Even in this way, by placing the electric charge accumulated in the dielectric layer 91a and the substrate W2 on the frame ground FG during electrostatic adsorption, the substrate W2 can be easily peeled off, while preventing peeling charging, thereby preventing the substrate. (W2) can be prevented from being damaged (damage to devices and wiring).

또한, 도전물(97)을 스위치(100)를 개재시켜 접촉 핀 등에 접속하고, 그 접촉 핀을 기판(W2)에 형성한 배선과 접촉시킨다. 정전 흡착에 의해, 기판(W2)의 표면(도면 중의 상면)은 플러스(또는 마이너스)로 대전하고, 뒷면(하면)은 마이너스(또는 플러스)로 대전한다. 따라서, 기판(W2)의 양면에 축적된 전하를 스위치(100)를 온(on)하여 소거함으로써, 기판(W2)의 박리를 용이하게 하는 동시에, 박리 대전을 방지하여 기판(W2)의 파손(소자 및 배선 등의 파손)을 방지할 수 있다.Further, the conductive material 97 is connected to a contact pin or the like through the switch 100, and the contact pin is brought into contact with the wiring formed on the substrate W2. By electrostatic adsorption, the surface (upper surface in the drawing) of the substrate W2 is charged positively (or negatively), and the rear surface (lower surface) is charged negatively (or positively). Therefore, by erasing the electric charge accumulated on both sides of the substrate W2 by turning on the switch 100, it facilitates peeling of the substrate W2 and prevents peeling charging, thereby damaging the substrate W2 ( Damage of elements and wiring) can be prevented.

또한, 스위치(98)를 전환 스위치로 하여, 도면에 나타낸 바와 같이 도전물(97)을 프레임 그라운드(FG) 또는 전원(99)에 전환 접속 가능하게 구성하거나, 접촉 핀을 프레임 그라운드(FG)에 접속하도록 구성하는 것처럼, 상기와 같이 설명한 구성을 적절히 조합하여 실시할 수도 있다.In addition, by using the switch 98 as a changeover switch, as shown in the figure, the conductive material 97 is configured to be switchable to the frame ground (FG) or the power supply 99, or the contact pin is connected to the frame ground (FG). As with the configuration to be connected, the configuration described above may be appropriately combined and implemented.

도 11은 정전 척(76)에 공급하는 전압의 단계적인 제어를 나타내는 파형도이다. 이 파형도에 있어서, 실선은 도 9a의 전원(93a, 93b)에 의해 유전층(91a∼91d)에 인가하는 전압의 파형을 나타내고, 왼쪽의 축(단위: ㎸)에 의해 도시되어 있다. 또한, 2점쇄선은 스위칭 전원(95a, 95b)에 의해 인가하는 전압의 파형을 나타내고, 오른쪽의 축(단위: V)에 의해 도시되어 있다.11 is a waveform diagram showing stepwise control of the voltage supplied to the electrostatic chuck 76. In this waveform diagram, the solid line represents the waveform of the voltage applied to the dielectric layers 91a to 91d by the power sources 93a and 93b in Fig. 9A, and is shown by the left axis (unit: kV). In addition, the dashed-dotted line represents the waveform of the voltage applied by the switching power supplies 95a and 95b, and is shown by the right axis (unit: V).

기판을 흡착할 경우, 도 7의 제어장치(84)는 전원(93a, 93b)에 의해 정전 흡착에 필요한 전압을 인가한다. 다음으로, 박리 준비에 들어가면, 제어장치(84)는 전원(93a, 93b)의 전압을 낮추어 스위칭 전원(95a, 95b)보다 낮은 전압을 공급한다. 그리고, 기판을 박리시킬 때에, 제어장치(84)는 인가 전압을 마이너스 전압으로 제어하고 스위칭 전원(95a, 95b)에 의해 공급하는 전압을 높게 한다. 이 마이너스 전압을 공급하는 시간은 유전층(91a) 및 기판(W2)에 축적된 전하를 활성화하는데 필요한 시간이며, 미리 실험 등에 의해 구해지고 있다. 이와 같이, 유전층(91a) 및 기판(W2)에 축적된 전하를 검출하지 않고, 시간 관리에 의해 기판(W2)을 용이하게 이탈시킬 수 있다.When adsorbing the substrate, the control device 84 of FIG. 7 applies a voltage required for electrostatic adsorption by the power sources 93a and 93b. Next, when the preparation for peeling is started, the control device 84 lowers the voltage of the power sources 93a and 93b to supply a voltage lower than that of the switching power supplies 95a and 95b. Then, when the substrate is peeled off, the control device 84 controls the applied voltage to a negative voltage and increases the voltage supplied by the switching power supplies 95a and 95b. The time for supplying this negative voltage is a time required to activate the electric charges accumulated in the dielectric layer 91a and the substrate W2, and has been obtained in advance by experiment or the like. In this way, the substrate W2 can be easily separated by time management without detecting the charges accumulated in the dielectric layer 91a and the substrate W2.

이와 같이 하면, 급격한 전압 변화를 억제하는 동시에 유전층(91a∼91d) 및 기판(W2)에 전하가 잔존하는 것을 방지하여, 기판(W2)의 박리를 용이하게 하는 동시에, 박리 대전을 방지하여 기판(W2)의 파손(소자 및 배선 등의 파손)을 방지할 수 있다.In this way, a sudden voltage change is suppressed, and electric charges are prevented from remaining in the dielectric layers 91a to 91d and the substrate W2, thereby facilitating peeling of the substrate W2, and preventing peeling and charging. W2) damage (damage to devices and wiring) can be prevented.

도 7의 정전 척부(76b)는 도시는 생략되어 있지만 상기한 정전 척부(76a)와 동일하게 구성되며, 동일하게 도 7의 제어장치(84)에 의해 제어된 전압이 인가된다.The electrostatic chuck portion 76b of FIG. 7 is omitted, but is configured in the same manner as the electrostatic chuck portion 76a described above, and a voltage controlled by the control device 84 of FIG. 7 is applied.

도 12는 상측 평판(정전 척)(72a)의 박리 방법을 설명하기 위한 설명이다.12 is an explanation for explaining a method of peeling the upper flat plate (electrostatic chuck) 72a.

도 12a에 나타낸 바와 같이, 프레스 시에는, 도 7의 제어장치(84)는 상측 평판(72a)과 하측 평판(72b)의 정전척부(76a, 76b)에 온(on)한 스위치(101a, 101b)를 개재시켜 전원(102a, 102b)으로부터 전압을 인가한다.As shown in Fig. 12A, when pressing, the control device 84 of Fig. 7 is turned on to the electrostatic chuck portions 76a and 76b of the upper flat plate 72a and the lower flat plate 72b. ) Is interposed to apply a voltage from the power sources 102a and 102b.

다음으로, 박리 준비에 들어가면, 도 12b에 나타낸 바와 같이, 제어장치(84)는 상측 평판(72a)의 정전 척부(76a)에 접속한 스위치(101a)를 오프(off)로 하여 전압의 인가를 정지시킨다.Next, when preparation for peeling is started, as shown in Fig. 12B, the control device 84 turns off the switch 101a connected to the electrostatic chuck portion 76a of the upper flat plate 72a to apply the voltage. Stop.

그리고, 도 12c에 나타낸 바와 같이, 제어장치(84)는 상측 평판(72a)을 상승시킨다. 이 때, 제어장치(84)는 하측 평판(72b)의 정전 척부(76b)에 접속한 스위치(101b)를 온으로 유지하여, 전원(102b)으로부터 전압을 인가하고 있다. 이것에 의해, 기판(W1, W2)을 하측 평판(72b)에 흡착함으로써, 기판(W1, W2)의 어긋남을 방지하고, 상측 평판(72a)의 이간(박리)을 용이하게 하고 있다.Then, as shown in Fig. 12C, the control device 84 raises the upper flat plate 72a. At this time, the control device 84 keeps the switch 101b connected to the electrostatic chuck portion 76b of the lower flat plate 72b on, and applies a voltage from the power source 102b. Thereby, by adsorbing the substrates W1 and W2 to the lower flat plate 72b, shifting of the substrates W1 and W2 is prevented, and separation (separation) of the upper flat plate 72a is facilitated.

이와 같이, 상측 평판(72a)을 이간시킨 후, 도 7의 챔버(71) 내를 대기 개방(대기압 하)으로 한다. 이 때, 접합시킨 기판(W1, W2)은 하측 평판(72b)에 흡착 파지되어 있기 때문에, 대기 개방했을 때의 기판(W1, W2)의 변형을 억제할 수 있다.In this way, after the upper flat plate 72a is separated, the inside of the chamber 71 in Fig. 7 is opened to the atmosphere (under atmospheric pressure). At this time, since the bonded substrates W1 and W2 are adsorbed and held by the lower flat plate 72b, deformation of the substrates W1 and W2 when open to the atmosphere can be suppressed.

다음으로, 기판(W1, W2)의 위치 맞춤을 도 13 및 도 14에 따라 설명한다.Next, alignment of the substrates W1 and W2 will be described with reference to FIGS. 13 and 14.

도 13은 위치 맞춤 장치(36a)의 구성을 나타내는 개략도이다.13 is a schematic diagram showing the configuration of the positioning device 36a.

위치 맞춤 장치(36a)는 촬상 장치(111), 제 1 및 제 2 이동기구(112, 113), 제어장치(114)로 구성되고, 촬상 장치(111)는 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)를 구비하고 있다. 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)는 각각의 배율이 서로 다른 것을 선택하여 설치되어 있으며, 제 1 카메라 렌즈(115)는 제 2 카메라 렌즈(116)보다도 넓은 시야를 포착할 수 있도록(배율이 낮게) 설정되어 있다. 이것에 의해, 렌즈 특성에 의해 제 1 카메라 렌즈(115)는 제 2 카메라 렌즈(116)보다도 깊은 초점 심도(피사계 심도)를 갖는다.The positioning device 36a is composed of an imaging device 111, first and second moving mechanisms 112 and 113, and a control device 114, and the imaging device 111 includes first and second camera lenses 115 , 116). The first and second camera lenses 115 and 116 are installed by selecting different magnifications, and the first camera lens 115 can capture a wider field of view than the second camera lens 116 ( Low magnification) is set. Accordingly, the first camera lens 115 has a deeper depth of focus (depth of field) than the second camera lens 116 due to the lens characteristics.

제 1 이동기구(112)는 상측 평판(72a)을 지지하는 동시에, 촬상 장치(111)를 상측 평판(72a)보다 위쪽에 지지하고 있다. 제 1 이동기구(112)는 상측 평판(72a)과 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)를 그들의 수직 방향 거리를 일정하게 유지하면서 상하 이동시키는 기구를 갖고 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)와 상측 평판(72a)의 상대 위치는 변화하지 않는다. 그리고, 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)와 상측 평판(72a)의 거리는, 상측 평판(72a)에 흡착 파지한 기판(W2)과 합초점하는 동시에, 하측 평판(72b)에 흡착 파지한 기판(W1)과 합초점하는 거리로 설정되어 있다.The first moving mechanism 112 supports the upper flat plate 72a and supports the imaging device 111 above the upper flat plate 72a. The first moving mechanism 112 has a mechanism for vertically moving the upper flat plate 72a and the first and second camera lenses 115 and 116 while maintaining their vertical distance constant. Accordingly, the relative positions of the first and second camera lenses 115 and 116 and the upper flat plate 72a do not change. And, the distance between the first and second camera lenses 115 and 116 and the upper flat plate 72a is in focus with the substrate W2 sucked and held by the upper flat plate 72a, and the lower plate 72b is sucked and held. It is set to a distance that focuses on one substrate W1.

제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)는 소정 간격에 의해 수평 방향으로 배치되어 있다. 그리고, 제 1 이동기구(112)는, 상측 평판(72a)에 수직 방향으로 형성한 투과구멍(117)과 동축 상에 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)를 전환 배치하도록 촬상 장치(111)를 수평 이동시키는 기구를 갖고 있다.The first and second camera lenses 115 and 116 are disposed in a horizontal direction at predetermined intervals. In addition, the first moving mechanism 112 is an imaging device so that the first and second camera lenses 115 and 116 are switched and disposed coaxially with the through hole 117 formed in the vertical direction on the upper flat plate 72a. 111) has a mechanism to move horizontally.

제 2 이동기구(113)는 하측 평판(72b)을 지지하고, 수평 방향(X 및 Y방향)으로 이동시키는 기구와, 수평 회전(θ방향)시키는 기구를 갖고 있다.The second moving mechanism 113 has a mechanism for supporting the lower flat plate 72b and moving in the horizontal direction (X and Y directions), and a mechanism for horizontal rotation (theta direction).

기판(W1, W2)에는 각각 대응하는 위치에 위치 맞춤 마크(M1, M2)가 설치되어 있다. 본 실시형태에서는, 기판(W1)의 제 1 위치 맞춤 마크(M1)는 흑색 원형이고, 기판(W2)의 제 2 위치 맞춤 마크(M2)는 2중 원형이다.Alignment marks M1 and M2 are provided on the substrates W1 and W2 at corresponding positions, respectively. In this embodiment, the first alignment mark M1 of the substrate W1 is a black circle, and the second alignment mark M2 of the substrate W2 is a double circle.

제어장치(114)는 초점 심도가 깊은 제 1 카메라 렌즈(115)를 사용하여 기판(W1, W2)을 이간시킨 상태에서 개략의 위치 맞춤을 행하고, 초점 심도가 얕은 제 2 카메라 렌즈(116)를 사용하여 근접시킨 기판(W1, W2)의 위치 맞춤을 정밀하게 행한다.The control device 114 roughly aligns the substrates W1 and W2 using the first camera lens 115 having a deep depth of focus, and uses the second camera lens 116 with a shallow depth of focus. The position of the substrates W1 and W2 that are brought close together is precisely aligned.

상세하게 설명하면, 제어장치(114)는, 먼저, 제 1 이동기구(112)를 제어하여 상측 평판(72a)과 하측 평판(72b)과의 거리를 제 1 상하 거리(A)로 한다. 이 때, 도 14에 나타낸 바와 같이, 제 1 카메라 렌즈(115)의 시야(118a)에는 제 1 마크(M1)와 제 2 마크(M2)의 중심이 어긋나게 보이고 있다. 제어장치(114)는 제 1 및 제 2 마크(M1, M2)의 중심을 일치시키도록 제 2 이동기구(113)를 제어한다(시야(118b)) 이 때, 제 2 마크(M2)는 실제로는 2중 원형이지만, 제 1 카메라 렌즈(115)의 배율 및 선의 간격에 의해 단순한 원형으로 보이고 있다.In detail, the control device 114 first controls the first moving mechanism 112 to set the distance between the upper flat plate 72a and the lower flat plate 72b as the first vertical distance A. At this time, as shown in Fig. 14, the center of the first mark M1 and the second mark M2 is shifted in the field of view 118a of the first camera lens 115. The control device 114 controls the second moving mechanism 113 to match the centers of the first and second marks M1 and M2 (field of view 118b). At this time, the second mark M2 is actually Is a double circle, but is shown as a simple circle due to the magnification of the first camera lens 115 and the spacing of lines.

또한, 제 1 상하 거리(A)는 반송된 기판(W1, W2)의 제 1 및 제 2 마크(M1, M2)가 확실하게 시야 내에 들어가는 것과 같은 거리이며, 미리 실험 등에 의해 구해지고 있다. 기판(W1, W2)을 반송할 때에, 그들의 외형 치수의 오차 등에 의해 반송되는 위치에 어긋남이 생기고, 그 위치 어긋남의 양은 실험이나 테스트 가동에 의해 구해진다. 이와 같이, 위치가 어긋난 경우에도, 제 1 카메라 렌즈(115)의 시야에 제 1 및 제 2 마크(M1, M2)가 들어가도록 제 1 상하 거리(A) 및 제 1 카메라 렌즈(115)의 시야(배율)가 미리 설정되어 있다.Further, the first vertical distance A is a distance such that the first and second marks M1 and M2 of the conveyed substrates W1 and W2 reliably enter the field of view, and is obtained in advance by an experiment or the like. When the substrates W1 and W2 are transported, a deviation occurs in the transported position due to an error in their external dimensions or the like, and the amount of the positional deviation is determined by experiment or test operation. In this way, even when the position is shifted, the first vertical distance A and the field of view of the first camera lens 115 so that the first and second marks M1 and M2 enter the field of view of the first camera lens 115 (Magnification) is set in advance.

다음으로, 제어장치(114)는 제 1 이동기구(112)를 제어하여 제 1 상하 거리(A)보다도 짧은 제 2 상하 거리(B)에 상측 평판(72a) 및 촬상 장치(111)를 하측 방향으로 이동시키고, 제 2 카메라 렌즈(116)를 사용하도록 촬상 장치(111)를 수평 이동시킨다. 이것에 의해, 제 2 카메라 렌즈(116)의 시야(119a)에는 제 1 마크(M1)와 제 2 마크(M2)의 중심이 어긋나게 보이고 있다. 제어장치(114)는 제 1 및 제 2 마크(M1, M2)의 중심을 일치시키도록 제 2 이동기구(113)를 제어한다(시야(119b)) 다음으로, 제어장치(114)는 제 1 이동기구(112)를 제어하여 제 2 상하 거리(B)보다도 짧은 제 3 상하 거리(C)에 상측 평판(72a) 및 촬상 장치(111)를 하측 방향으로 이동시킨다. 이 때의 제 3 상하 거리(C)는 기판(W2)과 기판(W1)에 도포한 밀봉재 및 액정(도시 생략)이 접촉하지 않는 거리로 설정되어 있다. 이것에 의해, 제 2 카메라 렌즈(116)의 시야(120a)에는 제 1 마크(M1)와 제 2 마크(M2)의 중심이 어긋나게 보이고 있다. 제어장치(114)는 제 1 및 제 2 마크(M1, M2)의 중심을 일치시키도록 제 2 이동기구(113)를 제어한다(시야(120b)) 또한, 제 3 상하 거리(C)에 의해 시야(120b) 중의 제 1 및 제 2 마크(M1, M2)의 중심이 일치하여도, 실제로는 기판(W1)과 기판(W2)의 위치는 어긋나 있는 경우가 있다. 그러나, 이 어긋남 양은 허용 범위 내이며, 그와 같이 제 3 상하 거리(C)가 설정되어 있다.Next, the control device 114 controls the first moving mechanism 112 to move the upper flat plate 72a and the imaging device 111 downward to a second vertical distance B shorter than the first vertical distance A. And horizontally move the imaging device 111 to use the second camera lens 116. As a result, in the field of view 119a of the second camera lens 116, the centers of the first mark M1 and the second mark M2 are shifted. The control device 114 controls the second moving mechanism 113 to match the centers of the first and second marks M1 and M2 (field of view 119b). Next, the control device 114 is a first The moving mechanism 112 is controlled to move the upper flat plate 72a and the imaging device 111 downward in a third vertical distance C shorter than the second vertical distance B. The third vertical distance C at this time is set to a distance at which the substrate W2 and the sealing material applied to the substrate W1 and the liquid crystal (not shown) do not contact. As a result, in the field of view 120a of the second camera lens 116, the centers of the first mark M1 and the second mark M2 are shifted. The control device 114 controls the second movement mechanism 113 to match the centers of the first and second marks M1 and M2 (field of view 120b), and the third vertical distance C Even if the centers of the first and second marks M1 and M2 in the visual field 120b coincide, the positions of the substrate W1 and the substrate W2 may actually be shifted. However, this shift amount is within the allowable range, and the third vertical distance C is set as such.

이와 같이, 시야가 서로 다른 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)를 바꾸어 사용함으로써, 그들 렌즈(115, 116)의 초점 심도에 따라 기판(W1, W2)의 상하 거리를 조정하여, 기판(W1, W2)이 비접촉 중에 어긋남 허용 범위내까지 위치 맞춤을 행할 수 있다.In this way, by using the first and second camera lenses 115 and 116 having different fields of view interchangeably, the vertical distances of the substrates W1 and W2 are adjusted according to the depth of focus of the lenses 115 and 116. Position alignment can be performed within the allowable deviation range while (W1, W2) is not in contact.

다음으로, 프레스 기구에 대해서 설명한다.Next, the press mechanism will be described.

도 15는 접합 시에 기판(W1, W2)에 압력을 가하는 기구를 측면으로부터 본 개략도이다.15 is a schematic diagram viewed from the side of a mechanism for applying pressure to the substrates W1 and W2 during bonding.

프레스 기구는, 게이트 형상으로 형성되어 소정 높이에 고정된 지지 프레임(121)을 구비하고, 그 지지 프레임(121)의 지주부 내측에는 양측에 리니어 레일(122a, 122b)이 설치되며, 그것에 의해 리니어 가이드(123a, 123b)가 상하 이동 가능하게 지지되고 있다. 양측의 리니어 가이드(123a, 123b) 사이에는 판(124a, 124b)이 걸쳐지고, 상측 판(124a)은 지지 프레임(121) 상부에 장치된 모터(125)에 의해 상하 이동하는 지지판(126)에 의해 매달려 있다.The press mechanism includes a support frame 121 formed in a gate shape and fixed to a predetermined height, and linear rails 122a and 122b are provided on both sides inside the support frame 121 of the support frame 121, thereby The guides 123a and 123b are supported so as to be able to move up and down. Plates 124a and 124b are spanned between the linear guides 123a and 123b on both sides, and the upper plate 124a is attached to the support plate 126 that moves up and down by the motor 125 installed on the support frame 121. Is hanging by.

상세하게 설명하면, 모터(125)의 출력 축에는 볼 나사(127)가 일체 회전 가능하게 연결되고, 그 볼 나사(127)에는 지지판(126)에 형성된 암나사부(128)가 나사 결합되어 있다. 따라서, 모터(125)가 구동되어 볼 나사(127)가 정역(正逆) 회전됨으로써, 지지판(126)이 상하 이동한다.In detail, a ball screw 127 is integrally rotatably connected to the output shaft of the motor 125, and a female screw portion 128 formed on the support plate 126 is screwed to the ball screw 127. Therefore, the motor 125 is driven and the ball screw 127 is rotated forward and backward, so that the support plate 126 moves up and down.

지지판(126)은 コ자 형상으로 형성되고, 상부의 판에 상기 암나사부(128)가 형성되어 있다. 지지판(126)의 하부판 상면에는 로드 셀(129)이 부착되고, 그 로드 셀(129) 상에 상측 판(124a)의 하면이 맞닿아져 있다.The support plate 126 is formed in a U shape, and the female threaded portion 128 is formed on the upper plate. A load cell 129 is attached to the upper surface of the lower plate of the support plate 126, and the lower surface of the upper plate 124a abuts on the load cell 129.

하측 판(124b)에는 챔버(71) 내에 설치된 상측 평판(72a)이 매달려 있다. 상세하게 설명하면, 하측 판(124b)에는 소정 위치에 상하 방향으로 관통한 복수(본 실시형태에서는 4개)의 구멍이 형성되고, 그 구멍에 지주(支柱)(130)가 삽입되어 있다. 지주(130)는 상단(上端)의 직경이 확대되어 하측 방향으로 빠져나가지 않도록 형성되고, 하단에 상측 평판(72a)이 부착되어 있다.The upper plate 72a installed in the chamber 71 is suspended from the lower plate 124b. In detail, a plurality of holes (four in this embodiment) penetrating in the vertical direction at a predetermined position are formed in the lower plate 124b, and a post 130 is inserted into the holes. The post 130 is formed so that the diameter of the upper end is enlarged so that it does not slip out in the lower direction, and an upper flat plate 72a is attached to the lower end.

지주(130)의 상단과 하측 판(124b) 사이에는 레벨 조정부(131)가 설치되어 있다. 레벨 조정부(131)는, 예를 들어, 지주(130)에 형성된 나사와 나사 결합하는 너트이며, 이것을 회전시킴으로써 지주(130)를 상승 또는 하강시켜, 상측 평판(72a)의 수평 레벨을 조정한다. 이 레벨 조정부(131)에 의해, 도 16에 나타낸 바와 같이, 하측 평판(72b)과 상측 평판(72a)과의 평행도가 50㎛ 이하로 조정되고 있다.A level adjustment part 131 is provided between the upper end of the post 130 and the lower plate 124b. The level adjustment part 131 is, for example, a screw formed on the post 130 and a nut screwed, and by rotating this, the post 130 is raised or lowered to adjust the horizontal level of the upper flat plate 72a. By this level adjustment unit 131, as shown in Fig. 16, the degree of parallelism between the lower flat plate 72b and the upper flat plate 72a is adjusted to 50 µm or less.

지지판(126)의 하면에는 상측 평판(72a)에 가공압을 가하기 위한 실린더(132)가 부착되어 있다. 실린더(132)는 그 피스톤(133)이 하부를 향하여 돌출되도록 설치되어 있고, 그 피스톤(133)의 선단은 커플링재(134)를 개재시켜 상측 평판(72a)에 부착된 가압부재(135)에 맞닿아져 있다. 커플링재(134)는 원통형상으로 형성되고, 실린더(132)의 누름 방향(실린더(132)의 축 방향)과 상측 평판(72a)의 이동 방향과의 축 어긋남을 허용하도록 구성되어 있다.A cylinder 132 for applying a processing pressure to the upper plate 72a is attached to the lower surface of the support plate 126. The cylinder 132 is installed so that the piston 133 protrudes toward the lower side, and the tip of the piston 133 is attached to the pressing member 135 attached to the upper plate 72a through the coupling material 134. They are in contact. The coupling member 134 is formed in a cylindrical shape, and is configured to allow an axial shift between the pressing direction of the cylinder 132 (axial direction of the cylinder 132) and the moving direction of the upper flat plate 72a.

로드 셀(129)은 상측 판(124a)에 의해 가해지는 압력을 측정하고, 그 측정 결과를 콘트롤러 지시계(136)에 출력한다. 그 압력은 지지판(126)에 의해 지지된 부재(상측 판(124a), 리니어 가이드(123a, 123b), 하측 판(124b), 지주(130), 상측 평판(72a) 및 실린더(132))의 중량(자중)과, 실린더(132)에 의해 상측 평판(72a)에 부가되는 가공압과, 대기압에 의한 압력이다.The load cell 129 measures the pressure applied by the upper plate 124a, and outputs the measurement result to the controller indicator 136. The pressure of the members supported by the support plate 126 (upper plate 124a, linear guides 123a, 123b, lower plate 124b, post 130, upper plate 72a, and cylinder 132) These are the weight (self weight), the working pressure applied to the upper flat plate 72a by the cylinder 132, and the pressure due to atmospheric pressure.

챔버(71a, 71b) 내가 진공 배기되면, 상측 평판(72a)에는 지주(130)를 통하여 1㎏/㎠의 대기압력이 부가되고, 그 대기압력은 하측 판(124b), 리니어 가이드(123a, 123b) 및 상측 판(124a)을 통하여 로드 셀(129)에 부가된다. 따라서, 로드 셀(129)은 자중(A)과 가공압(B)과 대기압(C)과의 총합(=A+B+C)을 검출한다. 그리고, 로드 셀(129)에 가해지는 압력의 총합은 모터(125)를 구동시켜 지지판(126)을 하강시킴으로써 양 기판(W1, W2)을 접합시킬 때에, 그 기판(W1, W2)에 의한 반력(D)에 의해 감소된다. 따라서, 이와 같이 로드 셀(129)을 설치하고, 그 계측 값(총합 값)이 감소됨으로써, 그때그때 실제로 기판에 부가되는 부하 가중을 알 수 있다.When the inside of the chambers 71a and 71b is evacuated, an atmospheric pressure of 1 kg/cm2 is added to the upper flat plate 72a through the post 130, and the atmospheric pressure is the lower plate 124b and the linear guides 123a and 123b. ) And is added to the load cell 129 through the upper plate 124a. Accordingly, the load cell 129 detects the sum (=A+B+C) of the self-weight (A), the processing pressure (B), and the atmospheric pressure (C). In addition, the sum of the pressure applied to the load cell 129 is the reaction force caused by the substrates W1 and W2 when bonding the two substrates W1 and W2 by lowering the support plate 126 by driving the motor 125 It is reduced by (D). Therefore, by installing the load cell 129 in this way and reducing its measured value (total value), it is possible to know the load weight actually applied to the substrate at that time.

콘트롤러 지시계(136)는 로드 셀(129)에 의해 측정한 압력을 CPU(콘트롤러)(137)에 출력한다. 그 CPU(137)에는 전공 레귤레이터(regulator)(138)가 접속되어 있다. CPU(137)에는 로드 셀(129)에 의해 그때그때 상측 평판(72a)과 하측 평판(72b) 사이에서 접합시키는 기판(W1, W2)(도시 생략)에 가해지는 압력을 측정한 결과가 입력된다. 그리고, CPU(137)는, 그 측정 결과에 의거하여, 일정 압력을 기판(W1, W2)(도시 생략)에 부가하도록 생성한 신호를 전공 레귤레이터(138)에 출력한다. 전공 레귤레이터(138)는 가변 압력 제어 레귤레이터이며, CPU(137)로부터의 전기 신호에 응답하여 실린더(132)에 공급하는 공기압을 조정한다. 이와 같이, 로드 셀(129)의 측정 결과에 의거하여 실린더(132)에 공급하는 공기압을 제어함으로써, 항상 일정한 압력을 상측 평판(72a)과 하측 평판(72b) 사이에서 접합시키는 기판(W1, W2)(도시 생략)에 부가하도록 구성되어 있다.The controller indicator 136 outputs the pressure measured by the load cell 129 to the CPU (controller) 137. A major regulator 138 is connected to the CPU 137. The CPU 137 receives the result of measuring the pressure applied to the substrates W1 and W2 (not shown) to be bonded between the upper plate 72a and the lower plate 72b at that time by the load cell 129. . Then, the CPU 137 outputs a signal generated to add a constant pressure to the substrates W1 and W2 (not shown) based on the measurement result to the electric power regulator 138. The electric power regulator 138 is a variable pressure control regulator, and adjusts the air pressure supplied to the cylinder 132 in response to an electric signal from the CPU 137. In this way, by controlling the air pressure supplied to the cylinder 132 based on the measurement result of the load cell 129, the substrates W1 and W2 to which a constant pressure is always bonded between the upper plate 72a and the lower plate 72b ) (Not shown).

또한, 상측 평판(72a) 및 하측 평판(72b)의 평행도 또는 이물의 혼입이나 기계적인 어긋남 등의 외적 요인은, 반력(D)과 동일하게 로드 셀(129)에 가해지는 압력의 총합(자중(A))을 감소시킨다. 따라서, 이와 같이 로드 셀(129)의 계측 값(총합 값)이 감소됨으로써, 실제로 기판에 부가되는 그때그때의 부하 가중을 알 수 있다. 따라서, CPU(137)는 로드 셀(129)의 계측 값에 대응하여 전공 레귤레이터(138)에 출력하는 전기 신호를 제어함으로써, 외적 요인의 영향에 관계없이 항상 일정한 압력을 상측 평판(72a)에 부가할 수 있다.In addition, external factors such as parallelism of the upper flat plate 72a and the lower flat plate 72b, mixing of foreign matters, or mechanical deviation are the sum of the pressures applied to the load cell 129 in the same way as the reaction force D (self-weight ( A)). Therefore, by reducing the measured value (total value) of the load cell 129 in this way, it is possible to know the in-time load weight actually applied to the substrate. Therefore, the CPU 137 controls the electric signal output to the electric power regulator 138 in response to the measured value of the load cell 129, so that a constant pressure is always added to the upper plate 72a regardless of the influence of external factors. can do.

또한, CPU(137)에는 모터 펄스 제너레이터(generator)(139)가 접속되고, 그 제너레이터(139)에 상측 평판(72a)을 상하 이동시키도록 생성한 신호를 출력한다. 모터 펄스 제너레이터(139)는 CPU(137)로부터의 신호에 응답하여 생성한 펄스 신호를 모터(125)에 출력하고, 모터(125)는 그 펄스 신호에 응답하여 회전 구동시킨다.Further, a motor pulse generator 139 is connected to the CPU 137, and a generated signal is output to the generator 139 to move the upper flat plate 72a up and down. The motor pulse generator 139 outputs a pulse signal generated in response to a signal from the CPU 137 to the motor 125, and the motor 125 rotates in response to the pulse signal.

또한, 가공압을 가하는 수단으로서 실린더(132)를 사용했으나, 모터 등의 다른 액추에이터를 사용하여 상측 평판(72a)에 가공압을 가하도록 구성할 수도 있다. 또한, 유압 실린더를 사용하여 가압력을 가하도록 구성할 수도 있다.Further, although the cylinder 132 was used as a means for applying the processing pressure, it may be configured to apply the processing pressure to the upper flat plate 72a using another actuator such as a motor. Further, it may be configured to apply a pressing force using a hydraulic cylinder.

또한, 하측 평판(72b)을 상측 평판(72a)에 대하여 평행도를 조정할 수 있도록 구성할 수도 있다.In addition, the lower flat plate 72b may be configured to adjust the degree of parallelism with respect to the upper flat plate 72a.

또한, 지지판(126)에 지지한 부재의 중량(자중)에 의해 접합시키는 기판에 충분한 압력을 부가할 수 있는 것이라면, 실린더(132) 등의 가공압을 가하는 수단을 생략하여 실시할 수도 있다. 이 경우, 로드 셀(129)은, 상측 평판(72a)과 그것을 지지하는 부재와의 자중(A)과, 챔버(71) 내를 감압함으로써 부가되는 대기압(C)을 받는다.Further, as long as sufficient pressure can be applied to the substrate to be bonded by the weight (self-weight) of the member supported on the support plate 126, the means for applying a processing pressure such as the cylinder 132 may be omitted. In this case, the load cell 129 receives the self-weight A of the upper flat plate 72a and the member supporting it, and the atmospheric pressure C added by depressurizing the inside of the chamber 71.

따라서, CPU(137)는 로드 셀(129)에 가해지는 압력의 총합(=A+C)이 기판(W1, W2)으로부터의 반력(D)에 의해 감소됨으로써, 그때그때 기판(W1, W2)에 가해지는 압력을 알 수 있다.Accordingly, the CPU 137 reduces the sum of the pressures applied to the load cell 129 (=A+C) by the reaction force D from the substrates W1 and W2, so that the substrates W1 and W2 at that time. You can see the pressure applied to it.

도 17은 도 1의 프레스 장치(36)로부터 경화 장치(37)에 패널을 반송하는 반송 장치(38c)의 개략도이다. 도면의 상단에는 패널을 반송하는 기구를 나타내고, 하단에는 도 1의 제어장치(31)의 처리를 나타내고 있다.FIG. 17 is a schematic diagram of a conveying device 38c that conveys a panel from the press device 36 of FIG. 1 to the curing device 37. The upper part of the figure shows a mechanism for conveying the panel, and the lower part shows the processing of the control device 31 of FIG. 1.

반송 장치(38c)는 이동 암(141)을 구비하고, 프레스 장치(36)에 의해 접합된 기판(W1, W2)으로 이루어진 패널(P1)을 이동 암(141)에 진공 흡착하여 하측 평판(72b)으로부터 수취하며, 챔버(71)로부터 반출한다. 또한, 도6에 나타낸 바와 같이, 챔버(71)에는 리프트 핀(73)이 구비되어 있기 때문에, 이것에 의해 패널(P1)을 하측 평판(72b)으로부터 이간시키고, 하측으로부터 떠올려 잡아 반출하는 구성으로 할 수도 있다. 또한, 기판(W2, W1)을 상측 평판(72a) 및 하측 평판(72b)으로부터 박리시킬 경우에, 하측 평판(72b)을 박리시키고, 상측 평판(72a)에 의해 패널(P1)을 들어올려, 하측으로 떠올려 잡아 반송하는 구성으로 할 수도 있다.The conveying device 38c is provided with a moving arm 141, and the panel P1 made of the substrates W1 and W2 bonded by the press device 36 is vacuum-adsorbed to the moving arm 141, and the lower flat plate 72b ), and taken out from the chamber 71. In addition, as shown in Fig. 6, since the chamber 71 is provided with a lift pin 73, this allows the panel P1 to be separated from the lower flat plate 72b, lifted from the lower side, and carried out. You may. Further, in the case of peeling the substrates W2 and W1 from the upper flat plate 72a and the lower flat plate 72b, the lower flat plate 72b is peeled off, and the panel P1 is lifted by the upper flat plate 72a, It is also possible to have a configuration in which it is lifted to the bottom and held and transported.

반송 장치(38c)는 복수의 반송용 평판(142a∼142z)과 리프트 기구(143)를 구비하고 있다. 반송용 평판(142a∼142z)은 이동 위치에 설치된 리프트 기구(143)에 차례로 장착되고, 리프트 기구(143)는 반송용 평판(142a∼142z)을 패널(P1)을 배치하는 높이로 들어올린다. 그리고, 반송 장치(38c)는 반송용 평판(142a∼142z) 상에 패널(P1)을 배치한다.The conveying device 38c is provided with a plurality of conveying flat plates 142a to 142z and a lift mechanism 143. The conveyance flat plates 142a to 142z are sequentially attached to the lift mechanism 143 provided in the moving position, and the lift mechanism 143 lifts the conveyance flat plates 142a to 142z to a height at which the panel P1 is disposed. And the conveyance device 38c arranges the panel P1 on the conveyance flat plates 142a-142z.

반송용 평판(142a∼142z)은 평활판(144a)과 그 평활판(144a)의 하면에 구비된 진공 파지기구(144b)를 포함한다.The conveyance flat plates 142a to 142z include a smoothing plate 144a and a vacuum gripping mechanism 144b provided on a lower surface of the smoothing plate 144a.

또한, 도면에는 평활판(124z)에만 부호가 첨부되어 있다.In addition, in the drawing, only the smoothing plate 124z is denoted with a reference numeral.

평활판(144a)의 상면은 평면도가 100㎛ 이하로 가공되어 있다. 또한, 평활판(144a)은 도 9c 및 도 9d에 나타낸 바와 같이 복수의 흡착구멍(145)이 형성되어 있다. 진공 파지기구(144b)는 역지 밸브를 내장하고 있고, 평활판(144a) 상면에 배치된 패널(P1)을 진공 흡착한 후, 그것을 파지하도록 구성되어 있다.The top surface of the smoothing plate 144a is processed to have a plan view of 100 μm or less. Further, as shown in Figs. 9C and 9D, the smoothing plate 144a has a plurality of suction holes 145 formed therein. The vacuum gripping mechanism 144b has a built-in check valve, and is configured to hold the panel P1 disposed on the upper surface of the smoothing plate 144a after vacuum suction.

즉, 반송용 평판(142a∼142z)을 리프트 기구(143)에 장착하면, 도 9c의 흡착구멍(145)이 진공 펌프(도시 생략)등의 배기장치에 접속되고, 그것에 의해 패널(P1)이 진공 흡착된다. 그 후, 반송용 평판(142a∼142z)을 리프트 기구(143)로부터 착탈시키면, 진공 파지기구(144b)의 역지 밸브에 의해 기체의 역류가 방지되고, 그것에 의해 평활판(144a) 상면에 흡착된 패널(P1)이 그 상태에서 파지된다.That is, when the conveyance flat plates 142a to 142z are mounted on the lift mechanism 143, the suction hole 145 in Fig. 9C is connected to an exhaust device such as a vacuum pump (not shown), whereby the panel P1 is Vacuum is adsorbed. Thereafter, when the conveying flat plates 142a to 142z are attached and detached from the lift mechanism 143, the backflow of gas is prevented by the check valve of the vacuum gripping mechanism 144b, thereby being adsorbed on the upper surface of the smoothing plate 144a. The panel P1 is held in that state.

흡착구멍(145)은 원형 구멍이며, 그 직경은

Figure pat00001
Figure pat00002
2㎜ 이하로 설정되어 있다. 이것에 의해, 프레스 장치(36)의 상측 평판(72a) 및 하측 평판(72b)과 동일하게, 흡착한 패널(P1)이 변형되는(기복하는) 것을 방지하고 있다.The suction hole 145 is a circular hole, and its diameter is
Figure pat00001
Figure pat00002
It is set to 2 mm or less. Thereby, similarly to the upper flat plate 72a and the lower flat plate 72b of the press device 36, the adsorbed panel P1 is prevented from being deformed (orientated).

반송 장치(38c)는 패널(P1)을 흡착 파지한 반송용 평판(142a∼142z)을 경화 장치(37)에 반입한다. 이 때, 도 1의 제어장치(31)는 진공 접합 완료로부터의 시간을 각 반송용 평판(142a∼142z)마다 관리하여, 일정 시간 경과한 반송용 평판을 경화 장치(37)에 반입한다.The conveyance device 38c carries in the curing device 37 the conveyance flat plates 142a to 142z on which the panel P1 is adsorbed and held. At this time, the control device 31 of FIG. 1 manages the time from completion of vacuum bonding for each of the conveying flat plates 142a to 142z, and carries the flat plate for conveyance after a certain period of time into the curing device 37.

프레스 장치(36)에 의해 접합된 패널(P1)의 각 기판(W1, W2)은 그 접합 가공에 의한 응력이 잔존하고, 이 응력은 패널(P1)의 밀봉재를 경화시킬 때까지의 시간에 따라 완화된다. 따라서, 경화 장치(37)에 반입할 때까지의 시간을 관리하는 것은, 패널(P1)에 잔존하는 응력의 완화를 관리하는 것과 실질적으로 동일하다. 즉, 반송 장치(38c)는 패널(P1)을 흡착 파지한 반송용 평판(142a∼142z)을 일정 시간 대기시킴으로써, 패널(P1)에 잔존하는 응력을 완화시킨다. 이것에 의해, 밀봉재 경화 후에 잔존하는 응력이 적어져, 패널(P1)의 불량률이 저감된다.In each of the substrates W1 and W2 of the panel P1 bonded by the press device 36, the stress due to the bonding process remains, and this stress depends on the time until the sealing material of the panel P1 is hardened. It is alleviated. Therefore, managing the time until carrying in the curing device 37 is substantially the same as managing the relaxation of the stress remaining in the panel P1. That is, the conveyance device 38c relieves the stress remaining in the panel P1 by waiting for the conveyance flat plates 142a to 142z on which the panel P1 is adsorbed and held for a predetermined time. Thereby, the stress remaining after curing of the sealing material is reduced, and the defective rate of the panel P1 is reduced.

또한, 각 패널(P1)을 경화 전에 일정 시간 대기시킴으로써, 각 패널(P1)의 응력은 동일한 정도 완화된다. 따라서, 각 패널(P1)에서의 기판(W1, W2)의 변형량이 균일해져, 각 패널(P1)의 편차가 적어진다. 이것에 의해, 높은 가공의 재현성과 안정성이 얻어진다.Further, by waiting for a predetermined time before curing each panel P1, the stress of each panel P1 is relieved to the same extent. Accordingly, the amount of deformation of the substrates W1 and W2 in each panel P1 becomes uniform, and the deviation of each panel P1 is reduced. Thereby, high processing reproducibility and stability are obtained.

경화 장치(37)는 UV 램프(146)를 구비하고, 그것에 의해, 소정 파장을 갖는 광을 패널(P1)에 조사한다. 이 UV램프(146)로부터 조사되는 광은, 파장이 밀봉재가 경화되는 영역을 남기도록 제어되고 있다. 또한, 패널(P1)은 컬러 필터 또는 차광막 등이 형성된 컬러 필터 기판인 기판(W2)이 상측으로 하여 접합되고, 그 상측으로부터 광이 조사된다. 따라서, 액정에 대한 영향이 적은 파장의 광을 조사하는 동시에, 광이 직접 조사되지 않도록 함으로써, 액정의 열화를 저감시킬 수 있다.The curing device 37 is provided with a UV lamp 146, thereby irradiating the panel P1 with light having a predetermined wavelength. The light irradiated from the UV lamp 146 is controlled so that the wavelength remains in the region where the sealing material is cured. In addition, the panel P1 is bonded with the substrate W2, which is a color filter substrate on which a color filter or a light-shielding film is formed, as an upper side, and light is irradiated from the upper side. Therefore, deterioration of the liquid crystal can be reduced by irradiating light of a wavelength having little influence on the liquid crystal and preventing the light from being directly irradiated.

밀봉재가 경화된 패널(P1)은 경화 장치(37)로부터 검사장치(35)로 반송 장치(38d)(도 1 참조)에 의해 반송된다.The panel P1 on which the sealing material is cured is conveyed from the curing device 37 to the inspection device 35 by a conveying device 38d (see FIG. 1 ).

검사장치(35)는 위치 맞춤 검사 공정을 실시하는 장치이며, 패널(P1)을 구성하는 기판(W1, W2)의 위치 어긋남을 검사하여, 그 어긋남 양을 도 1의 제어장치(31)에 출력한다.The inspection device 35 is a device that performs an alignment inspection process, inspects the positional displacement of the substrates W1 and W2 constituting the panel P1, and outputs the amount of the displacement to the control device 31 of FIG. do.

제어장치(31)는 수취한 어긋남 양을 각 반송용 평판(142a∼142z)마다 그들 고유의 처리 정보로서 관리한다. 그리고, 제어장치(31)는 각 반송용 평판(142a∼142z)마다 관리한 어긋남 양을 프레스 장치(36)에서의 위치 맞춤에 피드백한다. 상세하게 설명하면, 각 반송용 평판(142a∼142z)은 평활판(144a) 상면이 대략 균일하게 가공되어 있으나, 그런데도 각 반송용 평판(142a∼142z)마다 평활판(144a) 상면의 평면도 등에는 차가 있다. 그 차는 각 반송용 평판(142a∼142z)마다 경화 장치(37)에 투입할 때까지의 기판(W1, W2)의 위치 어긋남에 어긋남 양의 차를 발생시킨다. 그리고, 프레스 장치(36)에 의해 다음에 접합시키는 패널(P1)을 흡착 고정시키는 반송용 평판은, 이동 위치에 배치됨(본 실시형태에서는 이동 위치에 구비된 리프트 기구(143)에 장착됨)으로써, 어느 반송용 평판에 흡착 고정되는지를 알 수 있다. 따라서, 패널(P1)을 흡착 고정시키는 반송용 평판(142a∼142z)에서의 어긋남 양을 보정 값으로 하여 그만큼 이동시켜 위치 맞춤한다.The control device 31 manages the received shift amount for each conveyance flat plate 142a to 142z as their own processing information. Then, the control device 31 feeds back the amount of displacement managed for each of the conveying flat plates 142a to 142z to the alignment of the press device 36. In detail, the upper surface of the smoothing plate 144a is roughly uniformly processed in each of the conveying flat plates 142a to 142z. However, the plan view of the upper surface of the smoothing plate 144a for each conveying flat plate 142a to 142z, etc. There is a car. The difference causes a difference in the amount of displacement to the displacement of the substrates W1 and W2 until they are put into the curing device 37 for each of the conveying flat plates 142a to 142z. And the conveyance flat plate for adsorbing and fixing the panel P1 to be joined next by the press device 36 is disposed at the moving position (in this embodiment, it is attached to the lift mechanism 143 provided at the moving position). , It is possible to know which plate for conveyance is adsorbed and fixed. Therefore, the amount of shift in the conveyance flat plates 142a to 142z for adsorbing and fixing the panel P1 is used as a correction value, and the amount is moved and aligned.

도 17의 하단 왼쪽에 나타낸 바와 같이, 제어장치(31)는 각 반송용 평판(142a∼142z)마다 관리한 처리 정보(147)를 기억한다. 예를 들어, 제어장치(31)는 반송용 평판(142a)에 대한 처리 정보로서 (X:+1, Y:-1)을 기억하고 있다. 이것에 의거하여, 제어장치(31)는, 반송용 평판(142a)에 흡착 고정시키는 패널(P1)을 접합시킬 때에, 예를 들어, (X:-1, Y:+1)을 보정 값으로서 진공 접합 시의 이동량에 부가한다. 이와 같이, 검사장치(35)에서의 검사 결과를 위치 맞춤에 피드백함으로써, 위치 어긋남이 보다 적은 패널(P1)을 제조할 수 있다.As shown in the lower left of Fig. 17, the control device 31 stores the managed processing information 147 for each of the conveying flat plates 142a to 142z. For example, the control device 31 stores (X:+1, Y:-1) as processing information for the conveyance flat plate 142a. Based on this, when bonding the panel P1 to be adsorbed and fixed to the conveyance flat plate 142a, the control device 31, for example, (X:-1, Y:+1) as a correction value. It is added to the amount of movement during vacuum bonding. In this way, by feeding back the inspection result by the inspection apparatus 35 to alignment, the panel P1 with less displacement can be manufactured.

도 18은 경화 장치(37)의 구성을 설명하기 위한 개략도이다.18 is a schematic diagram for explaining the configuration of the coining device 37.

경화 장치(37)는 광원(148), 조도계(149), 콘트롤러(150), 상하기구(151)를 포함한다. 광원(148)은 UV 램프(146)와 그 UV 램프(146)로부터의 조사 광을 패널(P1) 전면에 대략 균등하게 조사하기 위해 설치된 제 1 및 제 2 반사판(152, 153)을 포함한다. 이 제 1 반사판(152)이 없을 경우에는, 패널(P1)의 중심에 조사되는 광이 주변의 그것에 비하여 많아진다. 이것을 방지하여 액정의 열화를 억제하면서, 패널(P1) 전면에 대략 균등한 에너지를 공급하도록 구성되어 있다.The curing device 37 includes a light source 148, an illuminometer 149, a controller 150, and a top and bottom mouth 151. The light source 148 includes a UV lamp 146 and first and second reflecting plates 152 and 153 installed to irradiate the irradiated light from the UV lamp 146 substantially evenly on the front surface of the panel P1. In the absence of the first reflecting plate 152, the light irradiated to the center of the panel P1 increases compared to that of the surrounding area. It is configured to supply substantially equal energy to the entire surface of the panel P1 while preventing this and suppressing deterioration of the liquid crystal.

경화 장치(37)에 반입된 반송용 평판(142a)은 상하기구(151)에 의해 지지되고 있다. 그 반송용 평판(142a)에는 조도 센서(154)가 설치되고, 그 조도 센서(154)는 패널(P1)에 조사되는 광의 양에 대응하는 값(예를 들어, 전압)을 갖는 신호를 조도계(149)에 출력한다. 또한, 도 17의 각 반송용 평판(142b∼142z)에도 동일하게 조도센서(154)가 설치되어 있다.The flat plate 142a for conveyance carried in to the coin device 37 is supported by the upper and lower mouths 151. An illuminance sensor 154 is installed on the conveyance flat plate 142a, and the illuminance sensor 154 transmits a signal having a value (e.g., voltage) corresponding to the amount of light irradiated to the panel P1. 149). In addition, the illuminance sensor 154 is similarly provided to each of the conveying flat plates 142b to 142z in FIG. 17.

조도계(149)는 입력 신호에 의거하여 패널(P1)에 조사되는 광의 조도량을 콘트롤러(150)에 출력한다. 콘트롤러(150)는 입력된 조도량에 의거하여 생성한 제어 신호를 상하기구(151)에 출력한다. 예를 들면, 콘트롤러(150)는 조도량이 일정해지도록 제어 신호를 생성한다. 또한, 콘트롤러(150)는 조도량을 시간의 경과와 함께 변경시키도록 제어 신호를 생성할 수도 있다.The illuminometer 149 outputs an illuminance amount of light irradiated to the panel P1 to the controller 150 based on the input signal. The controller 150 outputs a control signal generated based on the input illuminance to the upper and lower spheres 151. For example, the controller 150 generates a control signal so that the amount of illuminance becomes constant. In addition, the controller 150 may generate a control signal to change the amount of illuminance over time.

상하기구(151)는 제어 신호에 응답하여 반송용 평판(142a)을 상하 이동시킨다. 이와 같이 하여, 광원(148)으로부터 반송용 평판(142a)까지의 거리가 변경된다. 이와 같이 구성함으로써, 광원(148)으로부터의 조사 광량이 변화(예를 들어, UV 램프(146)의 열화, 교환, 제 1 및 제 2 반사판(152, 153)의 반사면 변화)하여도, 패널(P1)로의 조사 광량을 용이하게 제어하고, 밀봉재의 경화 불균일을 억제하여 불량 발생을 저감시킬 수 있다.The upper and lower spheres 151 move the carrier flat plate 142a up and down in response to the control signal. In this way, the distance from the light source 148 to the conveyance flat plate 142a is changed. By configuring in this way, even if the amount of irradiated light from the light source 148 changes (for example, the UV lamp 146 is deteriorated, exchanged, and the reflective surfaces of the first and second reflecting plates 152 and 153 are changed), the panel It is possible to easily control the amount of light irradiated to (P1), suppress uneven curing of the sealing material, and reduce the occurrence of defects.

또한, 경화 장치(37)는 광원(148)과 동일하게 구성된 제 2 광원(155)을 반송용 평판(142a)의 하측에 구비하는 구성으로 할 수도 있다. 이 제 2 광원(155)에 의해 반송용 평판(142a) 측으로부터 패널(P1)에 광을 조사함으로써, 밀봉재의 경화 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 상하기구(151)는 제 1 및 제 2 광원(148, 155)을 반송용 평판(142a)에 대하여 상대적으로 상하 이동시키도록 구성할 수도 있다.In addition, the curing device 37 may be configured to include a second light source 155 configured in the same manner as the light source 148 under the flat plate 142a for conveyance. The curing time of the sealing material can be shortened by irradiating the panel P1 with light from the side of the flat plate 142a for conveyance by the second light source 155. In addition, the upper and lower spheres 151 may be configured to move the first and second light sources 148 and 155 relatively up and down with respect to the transport flat plate 142a.

또한, 콘트롤러(150)는 조도량에 의거하여 기판(W1, W2)의 조도량을 대략 일정하게 하도록 광원(148, 155)의 구동 전압 또는 구동 전류를 제어할 수도 있다. 또한, 반송용 평판(142a) 상에 조도 센서(156)를 설치하고, 콘트롤러(150)는 그 조도 센서(156)에 의해 검출한 조도량에 따라 광원(148, 155)의 구동 전압 또는 구동 전류를 제어할 수도 있다. 이것에 의해, 조사 기기가 열화하여 조사 강도가 저하되어도 밀봉재의 경화 불량을 억제할 수 있다.Further, the controller 150 may control the driving voltage or the driving current of the light sources 148 and 155 so as to make the amount of illuminance of the substrates W1 and W2 substantially constant based on the amount of illuminance. In addition, an illuminance sensor 156 is installed on the conveyance flat plate 142a, and the controller 150 controls the driving voltage or driving current of the light sources 148 and 155 according to the amount of illuminance detected by the illuminance sensor 156. You can also control. Thereby, even if the irradiation device deteriorates and the irradiation strength decreases, the curing failure of the sealing material can be suppressed.

상술한 바와 같이, 본 실시형태에 의하면, 다음의 효과를 나타낸다.As described above, according to the present embodiment, the following effects are obtained.

(1) 챔버(71) 내가 대기압 하에서는 기판(W1, W2)을 상측 평판(72a) 및 하측 평판(72b)에서 진공 흡착에 의해 각각 흡착 파지하고, 챔버(71) 내가 감압 하에서는 각 평판(72a, 72b)에 전압을 인가하여 정전 흡착에 의해 각각을 흡착 파지한다. 그리고, 대기압 하에서 감압 하로의 전환 시에 기판(W1, W2)을 흡착 파지하기 위한 배압을 챔버(71) 내의 압력과 등일하게 하도록 했다. 그 결과, 정전 흡착한 기판(W1, W2)의 탈락 및 이동을 방지할 수 있어, 기판(W1, W2)의 접합 불량을 저감시킬 수 있다.(1) Under atmospheric pressure in the chamber 71, the substrates W1 and W2 are respectively sucked and held by vacuum adsorption on the upper flat plate 72a and the lower flat plate 72b, and when the inside of the chamber 71 is under reduced pressure, each flat plate 72a, A voltage is applied to 72b) and each is sucked and held by electrostatic adsorption. Then, the back pressure for adsorbing and holding the substrates W1 and W2 at the time of switching under the atmospheric pressure to the reduced pressure was made equal to the pressure in the chamber 71. As a result, it is possible to prevent the substrates W1 and W2 from being electrostatically adsorbed from falling off and moving, thereby reducing bonding failures between the substrates W1 and W2.

(2) 정전 척부(76a)의 흡착면에는, 기판(W2)에 배압을 가하는 홈(89)을 소정 방향을 따라 연장되도록 형성했다.(2) On the suction surface of the electrostatic chuck portion 76a, a groove 89 for applying a back pressure to the substrate W2 is formed to extend along a predetermined direction.

그 결과, 흡착한 기판(W2)이 기복하는 것을 방지할 수 있다.As a result, it is possible to prevent the adsorbed substrate W2 from undulating.

(3) 정전 척부(76a)는 유전층(91a∼91d)으로 이루어지고, 유전층(91a∼91d) 내에 흡착면으로부터 소정 깊이에 매설된 전극(92a∼92d)에 전압을 인가하여 기판(W2)을 흡착한다. 유전층(91a) 측면에 도전물(94a)을 접속하고, 그 도체를 개재시켜 유전층(91a)에 박리를 위한 전압을 공급하도록 했다. 그 결과, 흡착한 기판(W2)을 안전하게 박리시킬 수 있다.(3) The electrostatic chuck portion 76a is made of dielectric layers 91a to 91d, and a voltage is applied to the electrodes 92a to 92d buried in the dielectric layers 91a to 91d at a predetermined depth from the adsorption surface to apply a voltage to the substrate W2. Adsorbs. A conductive material 94a was connected to the side surface of the dielectric layer 91a, and the conductor was interposed to supply a voltage for peeling to the dielectric layer 91a. As a result, the adsorbed substrate W2 can be safely peeled off.

(4) 밀봉재는 적어도 광경화성 접착제를 함유하는 접착제로서 그 밀봉재에 기판(W1, W2)의 상측 및 하측의 적어도 한쪽에 구비한 광원으로부터 광을 조사하여 경화시키는 경화 장치를 구비하고, 그 장치에서는 조도 센서에 의해 기판(W1, W2)에 조사되는 광량을 측정하여, 그 측정 결과에 의거하여 광원과 기판(W1, W2)과의 거리를 제어하도록 했다. 그 결과, 밀봉재에 조사하는 광량을 제어하여 경화시키고, 밀봉재의 경화 불균일을 억제하여 불량 발생을 저감시킬 수 있다.(4) The sealing material is an adhesive containing at least a photocurable adhesive, and includes a curing device for curing the sealing material by irradiating light with light from a light source provided on at least one of the upper and lower sides of the substrates W1 and W2. The amount of light irradiated to the substrates W1 and W2 was measured by the illuminance sensor, and the distance between the light source and the substrates W1 and W2 was controlled based on the measurement result. As a result, it is possible to cure by controlling the amount of light irradiated to the sealing material, suppress uneven curing of the sealing material, and reduce the occurrence of defects.

(5) 기판(W1, W2) 사이에 봉입하는 액정(LC)을 기판(W1) 상에 적하하는 액정 적하 장치를 구비한다. 액정 적하 장치는 충전된 액정(LC)에 압력을 가하여 노즐로부터 토출시키는 시린지(55)를 구비하고, 그 시린지(55)에 충전된 액정(LC)을 온도 제어하도록 했다. 그 결과, 외기 온도의 영향을 받지 않고 미소한 양의 액정(LC)을 적하할 수 있다. 또한, 액정(LC)의 기포를 제거하여 적하량의 변동을 억제할 수 있다.(5) A liquid crystal dropping device for dropping liquid crystal LC sealed between the substrates W1 and W2 onto the substrate W1 is provided. The liquid crystal dropping device includes a syringe 55 that applies pressure to the filled liquid crystal LC to discharge it from the nozzle, and controls the temperature of the liquid crystal LC filled in the syringe 55. As a result, a small amount of liquid crystal LC can be dripped without being affected by the outside temperature. Further, by removing air bubbles in the liquid crystal LC, fluctuations in the dropping amount can be suppressed.

(6) 촬상 장치(111)는 시야가 서로 다른 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)를 구비하고, 그들 카메라 렌즈(115, 116)를 전환시키는 동시에, 기판(W1, W2)의 간격을 사용하는 카메라 렌즈(115, 116)에 대응하여 변경시켜 위치 맞춤을 행하도록 했다. 그 결과, 비접촉으로 기판(W1, W2)의 위치 맞춤을 행할 수 있다. 또한, 시야를 바꾸어 기판(W1, W2)을 근접시킴으로써, 보다 정밀하게 위치 맞춤을 행할 수 있다.(6) The imaging device 111 is provided with first and second camera lenses 115 and 116 having different fields of view, and at the same time switching the camera lenses 115 and 116, the distance between the substrates W1 and W2 It was changed to correspond to the camera lenses 115 and 116 to be used for positioning. As a result, it is possible to align the substrates W1 and W2 without contact. Further, by changing the field of view and bringing the substrates W1 and W2 closer together, more precise alignment can be performed.

(7) 로드 셀(129)은, 상측 평판(72a)과 그것을 상하 이동 가능하게 지지하는 부재의 자중과, 챔버(71) 내를 감압함으로써 받는 대기압(C)과, 실린더(132)에 의한 가공압(B)의 총합을 검출한다. 그 총합 값이 감소됨으로써, 실제로 기판에 부가되는 그때그때의 부하 가중을 알 수 있다. 따라서, CPU(137)는 로드 셀(129)의 계측 값에 대응하여 전공 레귤레이터(138)에 출력하는 전기 신호를 제어함으로써, 외적 요인의 영향에 관계없이 항상 일정한 압력을 상측 평판(72a)에 부가할 수 있다.(7) The load cell 129 is processed by the upper plate 72a, the self-weight of the member supporting it so as to move up and down, the atmospheric pressure C received by depressurizing the inside of the chamber 71, and the cylinder 132 The sum of pressure (B) is detected. By decreasing the total value, it is possible to know the in-time load weighting actually applied to the substrate. Therefore, the CPU 137 controls the electric signal output to the electric power regulator 138 in response to the measured value of the load cell 129, so that a constant pressure is always added to the upper plate 72a regardless of the influence of external factors. can do.

(8) 기판(W2)을 그 상면을 상측 평판(72a)에 흡착할 때에, 흡착하는 기판(W2)을 들어올려 왜곡을 교정하도록 했다. 그 결과, 기판(W2)을 상측 평판(72a)에 확실하게 흡착할 수 있다. 또한, 위치 어긋남을 일으키지 않고 기판(W2)을 흡착할 수 있다.(8) When the substrate W2 is adsorbed on its upper surface to the upper flat plate 72a, the adsorbed substrate W2 is lifted to correct distortion. As a result, the substrate W2 can be reliably adsorbed onto the upper flat plate 72a. Further, the substrate W2 can be adsorbed without causing a positional shift.

또한, 상기 실시형태는 다음의 형태로 변경시킬 수도 있다.In addition, the above embodiment can also be changed to the following form.

일반적으로, 기판(W1, W2)의 소자 등이 형성된 면(소자 형성면)은, 그들 소자가 형성된 영역의 오염 또는 파손을 방지하기 위해, 도 20a에 나타낸 바와 같이, 그 소자 형성면의 뒷면을 흡착하거나 소자 등이 형성된 영역(161)을 제외한 주변의 접촉 가능 영역(162)을 파지부재(163)(도 6에서의 인도 암(74))에 의해 파지한다. 그리하면, 도 20b에 나타낸 바와 같이, 기판(W2)은 그 크기에 따라 휘어진다. 이 기판(W2)의 왜곡은 상측 평판(72a)에 의한 흡착 시에 파지 위치에 어긋남을 발생시키거나, 흡착 불가능을 발생시킨다. 위치 어긋남은 기판의 위치 맞춤 불량 등의 영향을 준다. 이 영향을 없애기 위해, 프레스 장치에 도 19a 및 도 19b에 나타낸 바와 같은 왜곡 교정기구(165)를 구비하여 실시할 수도 있다.In general, the surfaces of the substrates W1 and W2 on which the elements, etc. are formed (element formation surfaces), as shown in Fig. 20A, in order to prevent contamination or damage of the regions where the elements are formed, The surrounding contactable area 162 except for the area 161 in which the element is adsorbed or is formed is gripped by the gripping member 163 (guide arm 74 in FIG. 6). Then, as shown in Fig. 20B, the substrate W2 is bent according to its size. This distortion of the substrate W2 causes a shift in the gripping position during adsorption by the upper flat plate 72a or inability to adsorb. The misalignment affects the misalignment of the substrate. In order to eliminate this influence, the press device may be provided with a distortion correction mechanism 165 as shown in Figs. 19A and 19B.

왜곡 교정기구(165)는 기판(W2)의 중앙부를 위쪽으로 들어올리는 리프트 기구이며, 흡착 패드(166)와, 그것을 파지하는 암(167)과, 암(167)을 상하로 이동시키는 상하기구(도시 생략)를 구비한다. 제어장치(예를 들어, 도 7의 제어장치(84))는 상측 평판(72a)에 의해 기판(W2)을 진공 흡착할 때에, 왜곡 교정기구(165)에 의해 기판The distortion correction mechanism 165 is a lift mechanism that lifts the central portion of the substrate W2 upward, and the suction pad 166, the arm 167 holding it, and the upper and lower spheres for moving the arm 167 up and down ( (Not shown) is provided. When the control device (for example, the control device 84 of FIG. 7) vacuum-sucks the substrate W2 by the upper flat plate 72a, the distortion correction mechanism 165

(W2)의 왜곡을 교정한다.Correct the distortion of (W2).

즉, 제어장치(84)는, 도 21a에 나타낸 바와 같이 휘어진 기판(W2)을 왜곡 교정기구(165)에 의해 도 21b에 나타낸 바와 같이 그 기판(W2)의 왜곡을 교정한다. 다음으로, 제어장치(84)는, 도 21c에 나타낸 바와 같이, 상측 평판(72a)을 하강시키고, 진공 흡착에 의해 기판(W2)을 상측 평판(72a)에 흡착시킨다. 다음으로, 도 21d에 나타낸 바와 같이, 상측 평판(72a)을 상승시키고, 왜곡 교정기구(165) 및 파지부재(163)를 퇴피시킨다. 이것에 의해, 도 21e에 나타낸 바와 같이, 기판(W2)을 상측 평판(72a)에 확실하게 흡착할 수 있다. 또한, 위치 어긋남이 없어, 재현성이 있는 기판 흡착을 행할 수 있다.That is, the control device 84 corrects the distortion of the substrate W2, as shown in FIG. 21B, by the distortion correction mechanism 165 on the curved substrate W2 as shown in FIG. 21A. Next, as shown in Fig. 21C, the control device 84 lowers the upper flat plate 72a and adsorbs the substrate W2 to the upper flat plate 72a by vacuum adsorption. Next, as shown in Fig. 21D, the upper flat plate 72a is raised, and the distortion correcting mechanism 165 and the holding member 163 are retracted. Thereby, as shown in Fig. 21E, the substrate W2 can be reliably adsorbed onto the upper flat plate 72a. In addition, there is no position shift, and the substrate can be adsorbed with reproducibility.

또한, 도 19 및 도 20에서는 흡착 패드(166)를 사용했으나, 왜곡을 교정할 수 있으면 어떠한 구성이어도 상관없으며, 비접촉으로 왜곡을 교정하도록 할 수도 있고, 상기와 동일한 효과를 얻을 수 있다.In addition, although the adsorption pad 166 is used in FIGS. 19 and 20, any configuration may be used as long as the distortion can be corrected, and the distortion may be corrected without contact, and the same effect as described above can be obtained.

상기 실시형태에서는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 반송 로봇(45, 45)에 의해 기판(W1, W2)을 챔버(71) 내에 반송했으나, 도 22에 나타낸 바와 같이, 테이블(171)을 사용하여 기판(W1, W2)을 동시에 반송하도록 할 수도 있다. 테이블(171)에는, 상측 기판(W2)을 접합면(소자 형성면)을 아래로 한 상태에서 파지하도록 형성된 상측 파지부재(172)와 하측 기판(W1)을 접합면을 위로 한 상태에서 파지하도록 구성된 하측 파지부재(173)를 구비한다. 또한, 상측 파지부재(172)는 제 1 기판(W1) 상면에 묘화된 밀봉재의 외측에 대응하는 위치에서 제 2 기판(W2)을 파지하도록 구성되어 있다. 이와 같이 하여 반송된 기판(W2)을 상측 평판(72a)에서 직접 흡착 파지하고, 제 1 기판(W1)을 리프트 핀(73)에 의해 일단 수취한 후에 하측 평판(72b)에 흡착 파지한다.In the above embodiment, as shown in Fig. 6, the substrates W1 and W2 are transferred into the chamber 71 by the transfer robots 45 and 45, but as shown in Fig. 22, the table 171 is used. The substrates W1 and W2 may be simultaneously transported. On the table 171, the upper holding member 172 and the lower substrate W1, which are formed to hold the upper substrate W2 with the bonding surface (element formation surface) down, are gripped with the bonding surface upward. It includes a configured lower gripping member 173. Further, the upper gripping member 172 is configured to grip the second substrate W2 at a position corresponding to the outside of the sealing material drawn on the upper surface of the first substrate W1. The substrate W2 conveyed in this way is directly suction-held by the upper flat plate 72a, and the first substrate W1 is once received by the lift pin 73, and then suction-held by the lower flat plate 72b.

이와 같이 구성된 테이블(171)을 사용하면, 2개의 기판(W1, W2)을 동시에 프레스 장치(36) 내에 반입할 수 있기 때문에, 반송에 필요할 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 제 1 실시형태의 반송 로봇(44, 45)에 의해 2개의 기판(W1, W2)을 처리실(71) 내에 반입하는 경우에 비하여, 상측에 파지한 제 2 기판(W2)의 핸들링이 용이해져, 반송(반입)에 필요한 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 미리 기판(W1, W2)의 위치 맞춤을 행하여, 양 기판(W1, W2)의 상대 위치를 유지한 상태에서, 즉, 위치가 어긋나지 않게 2개를 동시에 반송할 수 있기 때문에, 프레스장치(36)에서의 위치 맞춤 시간을 단축(또는 생략)시키는 것이 가능해진다.If the table 171 configured in this way is used, the two substrates W1 and W2 can be simultaneously carried into the press device 36, so that the time required for transport can be shortened. In addition, compared to the case where two substrates W1 and W2 are carried into the processing chamber 71 by the transfer robots 44 and 45 of the first embodiment, handling of the second substrate W2 held on the upper side is easier. It becomes possible to shorten the time required for conveyance (carry-in). In addition, since the substrates W1 and W2 are aligned in advance and the relative positions of the substrates W1 and W2 are maintained, that is, two can be simultaneously conveyed so that the positions are not shifted. It becomes possible to shorten (or omit) the positioning time in 36).

상기 실시형태에서는, 도 13에 나타낸 바와 같이, 하측 평판(72b)을 이동기구(113)에 의해 지지했으나, 이 하측 평판(72b)을 착탈 가능하게 구성할 수도 있다. 도 23은 위치 맞춤 장치(36b)의 개략 구성도이다. 이 위치 맞춤 장치(36b)의 이동기구(113)는 스테이지(175)를 지지하고, 그 스테이지(175)에 설치한 위치 결정 핀(176)을 하측 평판(72b)에 형성한 위치 결정 구멍(177)에 삽입하여 하측 평판(72b)을 스테이지(175) 상에 수평 방향으로 상대 이동 불가능하게 부착시킨다. 이와 같이 하측 평판(72b)을 착탈 가능하게 형성함으로써, 접합시킨 기판(W1, W2)을 하측 평판(72b)으로부터 박리시키지 않고 도 1의 반송 장치(38c)에 의해 경화 장치(37)에 반송할 수 있다. 이것에 의해, 도 17에 나타낸 바와 같이 경화 전의 밀봉재에 의해 기판(W1, W2)이 접합된 패널(P1)을 이동시킬 필요가 없어지기 때문에, 보다 안정된 패널(P1)을 제조할 수 있다.In the above embodiment, as shown in Fig. 13, the lower flat plate 72b is supported by the moving mechanism 113, but the lower flat plate 72b can also be configured to be detachable. 23 is a schematic configuration diagram of the positioning device 36b. The moving mechanism 113 of this positioning device 36b supports the stage 175, and a positioning hole 177 formed in the lower flat plate 72b with a positioning pin 176 installed on the stage 175 ) To attach the lower flat plate 72b to the stage 175 in a horizontal direction to prevent relative movement. By forming the lower plate 72b detachably in this way, the bonded substrates W1 and W2 can be transferred to the curing device 37 by the transfer device 38c of FIG. 1 without being peeled from the lower flat plate 72b. I can. This eliminates the need to move the panel P1 to which the substrates W1 and W2 are bonded by the sealing material before curing, as shown in Fig. 17, so that a more stable panel P1 can be manufactured.

상기 실시형태에서는 정전 척부(76a)의 흡착면에 흡착 홈(89)을 형성했으나(도 8a 및 도 8b 참조), 도 24a 내지 도 24c에 나타낸 바와 같이, 흡착 홈(89)과 기판(W2)의 주변부 뒷면을 그 기판(W2)의 분위기와 동일하게 하는 배기 홈(178)을 형성할 수도 있다.In the above embodiment, the suction groove 89 is formed on the suction surface of the electrostatic chuck portion 76a (see Figs. 8A and 8B), but as shown in Figs. 24A to 24C, the suction groove 89 and the substrate W2 It is also possible to form an exhaust groove 178 that makes the back side of the periphery of the same as the atmosphere of the substrate W2.

배기 홈(178)은 흡착 홈(89)의 형성 방향과 동일한 방향을 따라 형성되어 있다. 또한, 배기 홈(178)은 기판(W2)을 흡착하는 영역 내로부터 정전 척부(76a)의 단면까지 연장되도록 변을 노치(notch)하여 형성되어 있다.The exhaust groove 178 is formed along the same direction as the direction in which the suction groove 89 is formed. In addition, the exhaust groove 178 is formed by notching a side so as to extend from the region where the substrate W2 is adsorbed to the end surface of the electrostatic chuck portion 76a.

이 배기 홈(178)에 의해, 기판(W2)의 주변부 접촉 계면에 잔존하는 기포에 의해 기판(W2)이 이동 또는 탈락되는 것을 방지할 수 있다.With this exhaust groove 178, it is possible to prevent the substrate W2 from moving or falling off due to bubbles remaining in the contact interface of the peripheral portion of the substrate W2.

또한, 배기 홈(178)을 형성함으로써, 상기 실시형태에 비하여 기판(W2)의 접촉 면적이 더 감소된다. 이것에 의해, 변위량이 보다 적은 접합 가공을 행할 수 있다.Further, by forming the exhaust groove 178, the contact area of the substrate W2 is further reduced compared to the above embodiment. Thereby, the bonding process with a smaller displacement amount can be performed.

또한, 상기 실시형태에서 설명한 바와 같이, 정전 척부(76b)의 흡착면에도 동일하게 흡착 홈(89)과 배기 홈(178)을 형성함으로써, 기판(W1)의 이동 또는 탈락을 방지할 수 있다.Further, as described in the above embodiment, by forming the suction groove 89 and the exhaust groove 178 on the suction surface of the electrostatic chuck portion 76b in the same manner, movement or dropping of the substrate W1 can be prevented.

또한, 배기 홈(178)은 기판(W2)의 주변부 뒷면의 압력과 챔버(71) 내의 분위기(압력)를 동일하게 할 수 있으면 되고, 정전 척부(76a)의 단면을 노치할 필요는 없다.Further, the exhaust groove 178 only needs to be able to equalize the pressure on the back side of the peripheral portion of the substrate W2 and the atmosphere (pressure) in the chamber 71, and it is not necessary to notch the end face of the electrostatic chuck portion 76a.

상기 실시형태에 있어서, 프레스 장치(36)에 기판(W1, W2)을 반입하기 전(예를 들어, 액정 적하 전)에 기판(W1, W2)의 얼라인먼트를 행하는 얼라인먼트 장치를 구비하여 실시한다. 이 얼라인먼트 장치는 화상 인식 카메라와 X축 및 θ방향(X축은 반송 방향과 직교하는 방향이고, θ방향은 회전 방향)으로 이동 가능한 스테이지를 구비한다. 화상 인식 카메라는 도 13의 제 1 카메라 렌즈(115)보다도 낮은 배율의 렌즈를 구비하고 있다. 따라서, 이 얼라인먼트 장치를 구비한 접합 기판 제조 장치는, 미세한 얼라인먼트를 행하는 제 2 카메라 렌즈(116)(도 13 참조)보다도 배율이 낮은 렌즈를 적어도 2세트 갖고 있다.In the above embodiment, an alignment device for aligning the substrates W1 and W2 is provided before carrying the substrates W1 and W2 into the press device 36 (for example, before liquid crystal dropping). This alignment device includes an image recognition camera and a stage movable in the X-axis and θ directions (the X-axis is a direction orthogonal to the conveyance direction, and the θ-direction is a rotational direction). The image recognition camera is provided with a lens having a lower magnification than the first camera lens 115 of FIG. 13. Therefore, the bonded substrate manufacturing apparatus provided with this alignment device has at least two sets of lenses having a lower magnification than the second camera lens 116 (refer to FIG. 13) performing fine alignment.

얼라인먼트 장치에는 기준 화상이 기억되고, 카메라로 촬영한 기판(W1, W2)의 화상과 기준 화상을 비교함으로써, 반송된 기판(W1, W2)의 X축, Y축 및 θ축의 어긋남 양(X, Y, θ)을 측정한다. 그리고, 스테이지에 의해 X축 방향의 위치 어긋남과 θ축의 어긋남을 보정하는 동시에, Y축의 어긋남 양을 보정 값으로서 도 1의 프레스 장치(36)에 기판(W1, W2)을 반송하는 반송 장치에 출력한다. 그 반송 장치는 보정 값으로서 수취한 Y축 방향의 어긋남 양을 반송량 부가하여 기판(W1, W2)을 반송한다. 이와 같이 얼라인먼트 장치 및 반송 장치를 구성하면, Y축 방향의 어긋남을 반송 중에 보정함으로써, 얼라인먼트 장치에서의 얼라인먼트 시간이 짧아지고, 투입된 기판(W1, W2)을 프레스 장치(36)에 반입할 때까지 필요한 시간을 단축시켜 제조 효율을 향상시킬 수 있다.The reference image is stored in the alignment device, and by comparing the image of the substrates W1 and W2 photographed with the camera with the reference image, the amount of displacement (X, W2) of the conveyed substrates W1, W2 Y, θ) is measured. And, the position shift in the X-axis direction and the shift in the θ-axis are corrected by the stage, and the amount of the shift in the Y-axis is output to a conveying device that transports the substrates W1 and W2 to the press device 36 in FIG. 1 as a correction value. do. The conveying device conveys the substrates W1 and W2 by adding the conveyance amount to the amount of deviation in the Y-axis direction received as a correction value. When the alignment device and the transfer device are configured in this way, by correcting the shift in the Y-axis direction during transfer, the alignment time in the alignment device is shortened, until the input substrates W1 and W2 are carried into the press device 36. It is possible to improve the manufacturing efficiency by shortening the required time.

또한, 얼라인먼트 장치에 기억한 기준 화상은, 프레스 장치(36)의 위치 맞춤 장치(도 13 참조)에서 얼라인먼트한 기판(W1, W2)을 얼라인먼트 장치에 반송 방향에 대하여 역류시켜 반송하고, 그 반송한 기판(W1, W2)을 화상인식 카메라로 촬상한 화상이다.In addition, the reference image stored in the alignment device is conveyed by returning the substrates W1 and W2 aligned with the alignment device (refer to FIG. 13) of the press device 36 to the alignment device in the conveying direction, and the conveyed It is an image imaged by the board|substrates W1 and W2 by an image recognition camera.

도 25의 상단은 프레스 장치(36)에 의해 위치 맞춤이 종료된 기판의 위치(181), 그것을 액정 적하 장치(33)에 반송한 기판의 위치(182), 그것을 다시 투입 위치(얼라인먼트 장치)에 반송한 기판의 위치(183)를 나타낸다.The upper end of Fig. 25 shows the position 181 of the substrate where the alignment has been completed by the press device 36, the position 182 of the substrate transported to the liquid crystal dropping device 33, and the position 182 in which it is placed again (alignment device). The position 183 of the conveyed substrate is shown.

이 기판 위치(183)에 반송된 기판(W1, W2)의 화상을 기준 화상으로서 기억시킨다.Images of the substrates W1 and W2 transferred to this substrate position 183 are stored as reference images.

다음으로, 도 25 하단의 오른쪽으로부터 기판(W1, W2)을 반송한다. 즉, 투입된 기판(W1, W2)은 그 중심 위치가 위치(183)의 중심 위치와 어긋나 있다. 이들 중심 위치의 어긋남 양(X, Y, θ)을 기준 화상과 기판(W1, W2)을 촬영한 화상을 비교함으로써 산출한다. 또한, X축 방향의 어긋남과 θ방향의 어긋남을 스테이지에 의해 보정하는 동시에, Y축 방향의 어긋남 양을 보정 값으로서 반송 장치에 출력한다. 그 반송 장치는 보정 값을 반송량에 부가하여 기판(W1, W2)을 액정 적하 장치(33)에 반송한다. 이 때, 반송된 기판(W1, W2)의 위치는 상단의 위치(182)와 대략 일치하고 있다. 또한, 액정 적하 장치(33)로부터 반송 장치에 의해 기판(W1, W2)을 프레스 장치(36)에 반송한다. 이 때의 반송된 기판(W1, W2) 위치는 상단의 위치(181)와 대략 일치하고 있다.Next, the board|substrates W1 and W2 are conveyed from the right side of FIG. 25 bottom. That is, the injected substrates W1 and W2 have their central position deviated from the central position of the position 183. The shift amounts (X, Y, θ) of these central positions are calculated by comparing the reference image and the image taken of the substrates W1 and W2. Further, the shift in the X-axis direction and the shift in the θ direction are corrected by the stage, and the amount of the shift in the Y-axis direction is output to the conveying device as a correction value. The conveying device adds the correction value to the conveyance amount, and conveys the substrates W1 and W2 to the liquid crystal dropping device 33. At this time, the positions of the transported substrates W1 and W2 substantially coincide with the positions 182 at the upper end. Further, the substrates W1 and W2 are conveyed from the liquid crystal dropping device 33 to the press device 36 by a conveying device. The positions of the transported substrates W1 and W2 at this time substantially coincide with the positions 181 at the upper end.

이와 같이, 얼라인먼트 장치 및 반송 장치를 구성함으로써, 기판(W1, W2)을 프레스 장치(36)까지 반송하는데 필요한 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 프레스 장치(36)에 반송된 기판(W1, W2)의 위치는, 그 프레스 장치(36)에 의해 위치 맞춤을 행한 기판의 위치(181)와 대략 일치하고 있다. 따라서, 프레스 장치(36)에 의해 복잡한 위치 맞춤을 행하는 시간이 짧아진다.By configuring the alignment device and the transfer device in this way, the time required to transfer the substrates W1 and W2 to the press device 36 can be shortened. In addition, the positions of the substrates W1 and W2 conveyed to the press device 36 substantially coincide with the positions 181 of the substrates aligned by the press device 36. Therefore, the time required for complicated positioning by the press device 36 is shortened.

또한, 얼라인먼트 장치는 화상 인식 카메라로 촬상한 기판(W1, W2)의 화상에 의해 얼라인먼트를 행하기 때문에, 기판(W1, W2)의 단면에는 접촉하지 않는다. 이것에 의해, 단면 상태가 나쁜 기판과의 접촉에 의해 발생하는 파티클을 억제할 수 있다.In addition, since the alignment device performs alignment based on the images of the substrates W1 and W2 captured by the image recognition camera, it does not contact the end surfaces of the substrates W1 and W2. Thereby, it is possible to suppress particles generated by contact with a substrate having a poor cross-sectional state.

또한, 미리 프레스 장치(36)로부터 기판(W1, W2)을 얼라인먼트 장치에 반송함으로써, 프레스 장치(36)의 Y축과 얼라인먼트 장치의 Y축을 대략 일치시킬 수 있다. 이것에 의해, 반입된 기판(W1, W2)을 1개의 축(Y축)을 따라 반송하면 되고, 반송 장치의 구성 및 제어를 간략화할 수 있고, 프레스 장치(36)로의 반송 도중에 다른 처리장치를 용이하게 설치할 수 있다.Further, by transferring the substrates W1 and W2 from the press device 36 to the alignment device in advance, the Y axis of the press device 36 and the Y axis of the alignment device can be substantially matched. Thereby, it is only necessary to transfer the carried-in substrates W1 and W2 along one axis (Y-axis), and the configuration and control of the transfer device can be simplified, and other processing devices can be installed during transfer to the press device 36. It can be installed easily.

상기 실시형태는 액정 표시 패널을 제조하기 위한 접합 기판 제조 장치로 구체화했으나, PDP(Plasma Display Panel) 또는 EL 디스플레이(Electroluminescence Display) 패널, 유기 EL 디스플레이 패널 등의 다른 접합 기판을 제조하는 장치로 구체화할 수도 있다.The above embodiment was embodied as a device for manufacturing a bonded substrate for manufacturing a liquid crystal display panel, but it will be embodied as a device for manufacturing other bonded substrates such as a plasma display panel (PDP) or an electroluminescence display panel, and an organic EL display panel. May be.

상기 실시형태에서는 프레스 장치(36)에서 하측 평판(72b)을 기준으로 했으나, 상측 평판(72a)을 기준으로 하는 구성으로 할 수도 있다.In the above embodiment, the press device 36 uses the lower flat plate 72b as a reference, but the upper flat plate 72a can be used as a reference.

상기 실시형태에서는 경화 장치(37)에서 밀봉재를 경화시키기 위해 UV 램프(146)를 사용했으나, 온도 변화에 의한 경화 방법을 실시하는 경화 장치를 사용할 수도 있다.In the above embodiment, the UV lamp 146 is used to cure the sealing material in the curing device 37, but a curing device that performs a curing method by temperature change may also be used.

상기 실시형태에서는 도 17에서 반송용 평판(142a∼142z)을 리프트 기구(143)로부터 이탈시켜 반송했으나, 이것을 리프트 기구(143)와 함께 반송하는 구성으로 할 수도 있다.In the above embodiment, the flat plates 142a to 142z for conveyance are separated from the lift mechanism 143 in FIG. 17 and are conveyed. However, this may be conveyed together with the lift mechanism 143.

상기 실시형태에서는 도 7에서 밸브(82a, 82b)를 개폐 조작하여 기판(W1, W2)의 배압을 챔버(71) 내의 압력과 동일하게 했으나, 기판(W1, W2)의 탈락 및 이동을 방지하기 위해 배압을 챔버(71) 내의 압력과 동일하게 하거나 그 이하로 하는 것이 좋고, 그를 위해 구성 및 제어를 적절히 변경시켜 실시할 수도 있다. 예를 들면, 제어장치(84)는 챔버(71) 내를 감압 분위기로 할 때에 진공 흡착을 위한 밸브(80a, 80b)를 개방하여 둔다. 이와 같이 하여도, 기판(W1, W2)의 탈락 및 이동을 방지할 수 있다.In the above embodiment, the valves 82a and 82b are opened and closed to make the back pressure of the substrates W1 and W2 equal to the pressure in the chamber 71, but to prevent the substrates W1 and W2 from dropping and moving. Hazardous back pressure is preferably equal to or less than the pressure in the chamber 71, and configuration and control may be appropriately changed for this purpose. For example, the control device 84 opens the valves 80a and 80b for vacuum adsorption when the inside of the chamber 71 is brought into a reduced pressure atmosphere. Even in this way, it is possible to prevent the substrates W1 and W2 from falling off and moving.

상기 실시형태에서는 프레스 이외의 공정을 대기압에서 행하도록 했으나, 일부의 공정을 감압 분위기에서 행하는 구성으로 할 수도 있다. 예를 들면, 도 26에 나타낸 접합 기판 제조 장치(201)를 사용한다. 이 장치(201)는 밀봉 묘화 장치(32), 반입 로봇(202), 제 1 예비 진공실(203), 접합 처리실(204), 제 2 예비 진공실(205), 반출 로봇(206), 검사장치(35), 제어장치(207)를 구비한다.In the above embodiment, steps other than press are performed at atmospheric pressure, but some steps may be performed in a reduced pressure atmosphere. For example, the bonded substrate manufacturing apparatus 201 shown in FIG. 26 is used. This device 201 includes a sealing drawing device 32, a carry-in robot 202, a first preliminary vacuum chamber 203, a bonding processing chamber 204, a second preliminary vacuum chamber 205, a take-out robot 206, and an inspection device ( 35), and a control device 207.

제 1 예비 진공실(203)에는 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)을 반입하기 위한 제 1 게이트 밸브(211)가 설치되어 있다. 제 1 예비 진공실(203)은 접합 처리실(204)과 제 2 게이트 밸브(212)에 의해 구획되어 있고, 접합 처리실(204)은 제 2 예비 진공실(205)과 제 3 게이트 밸브(213)에 의해 구획되어 있다. 그 제 2 예비 진공실(205)에는 2개의 기판(W1, W2)을 접합시킨 패널을 반출하기 위한 제 4 게이트 밸브(214)가 설치되어 있다.The first preliminary vacuum chamber 203 is provided with a first gate valve 211 for carrying in the first and second substrates W1 and W2. The first preliminary vacuum chamber 203 is partitioned by the bonding processing chamber 204 and the second gate valve 212, and the bonding processing chamber 204 is formed by the second preliminary vacuum chamber 205 and the third gate valve 213. It is divided. The second preliminary vacuum chamber 205 is provided with a fourth gate valve 214 for carrying out a panel in which two substrates W1 and W2 are bonded together.

제어장치(207)는 기판 접합 공정의 제어를 행한다. 예를 들면, 제어장치(207)는 각 게이트 밸브(211∼214)의 개폐 제어, 제 1 및 제 2 예비 진공실(203, 205) 내의 분위기 제어(감압화, 대기압화), 접합 처리실(204) 내의 분위기 제어, 반입 로봇(202) 및 반출 로봇(206)의 제어를 행한다.The control device 207 controls the substrate bonding process. For example, the control device 207 controls the opening/closing of each of the gate valves 211 to 214, controlling the atmosphere in the first and second preliminary vacuum chambers 203, 205 (depressurizing, atmospheric pressure), and bonding processing chamber 204 The inside atmosphere is controlled, the carry-in robot 202, and the carry-out robot 206 are controlled.

제 1 기판(W1)은 그 상면에 밀봉 묘화 장치(32)에 의해 밀봉재가 묘화되고, 반입 로봇(202)에 의해 제 1 예비진공실(203) 내에 반입된다. 제 2 기판(W2)은 밀봉 묘화의 공정을 패스(통과)하여 반입 로봇(202)에 의해 제 1 예비 진공실(203) 내에 반입된다.The sealing material is drawn on the upper surface of the first substrate W1 by the sealing drawing device 32 and carried into the first preliminary vacuum chamber 203 by the carry-in robot 202. The second substrate W2 is carried into the first preliminary vacuum chamber 203 by the carry-in robot 202 after passing (passing) the process of sealing drawing.

제어장치(207)는 제 1 예비 진공실(203)에 반입된 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)에 대하여 전처리를 실시한다. 전처리는 가스 처리이며, 기판 또는 표시 소자의 표면에 부착된 불순물이나 생성물을 반응 가스 또는 치환 가스에 일정 시간 노출시키는 처리이다. 반응 가스는 PDP(Plasma Display Panel)를 위한 여기 가스 등이다. 치환 가스는 질소 가스 등의 불활성 가스이다.The control device 207 performs pretreatment on the first and second substrates W1 and W2 carried in the first preliminary vacuum chamber 203. The pretreatment is gas treatment, and is a treatment in which impurities or products adhering to the surface of a substrate or display element are exposed to a reactive gas or a substitution gas for a certain period of time. The reaction gas is an excitation gas for plasma display panel (PDP). The substitution gas is an inert gas such as nitrogen gas.

또한, 제 1 예비 진공실(203) 내에 전처리 장치를 구비하고, 상기 가스 처리, 열처리, 플라즈마 처리 중의 적어도 하나를 실시하도록 할 수도 있다. 열처리는 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)을 가열함으로써, 표면 개질, 접합면의 활성화, 수분 제거 등을 행하기 위해 실시된다. 플라즈마 처리는, 가스 치환이나 가스 반응 또는 열처리에 의해 활성화할 수 없는 기판 상의 생성물을 발생시키는 플라즈마에 의해 처리하기 위해 실시된다.Further, a pretreatment device may be provided in the first preliminary vacuum chamber 203, and at least one of the gas treatment, heat treatment, and plasma treatment may be performed. The heat treatment is performed by heating the first and second substrates W1 and W2 to modify the surface, activate the bonding surface, and remove moisture. Plasma treatment is performed for treatment with plasma that generates a product on the substrate that cannot be activated by gas substitution or gas reaction or heat treatment.

이들 처리는 접합 후에 개봉 불가능한 접합면의 성질을 유지하여 안정화한다. 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)은 그들 표면에 산화막 등의 막이 생성되거나 공기 중의 부유물이 부착되어, 표면의 상태가 변화한다. 이 상태의 변화는 기판마다 서로 다르기 때문에, 안정된 패널을 제조할 수 없게 된다. 따라서, 이들 처리는, 막의 생성 또는 불순물의 부착을 억제하며, 부착된 불순물을 처리함으로써 기판 표면의 상태 변화를 억제하여, 패널의 품질안정화를 도모하고 있다. 또한, 이 접합 기판 제조 장치(201)에 의하면, 별도로 전처리를 행하는 장치를 필요로 하지 않기 때문에, 상기 장치(201)에서의 응답(response)을 요구하면 높은 생산성을 얻을 수 있다.These treatments stabilize by maintaining the property of the bonded surface that cannot be opened after bonding. In the first and second substrates W1 and W2, a film such as an oxide film is formed on their surfaces, or a floating substance in the air is attached to them, so that the state of the surface changes. Since the change in this state is different for each substrate, it becomes impossible to manufacture a stable panel. Accordingly, these treatments suppress formation of a film or adhesion of impurities, suppress changes in the state of the substrate surface by treating the adhering impurities, and stabilize the quality of the panel. Further, according to the laminated substrate manufacturing apparatus 201, since a separate pretreatment apparatus is not required, high productivity can be obtained by requesting a response from the apparatus 201.

또한, 플라즈마 처리에 의해 기판(W1)에 묘화한 밀봉재가 영향을 받을 경우, 그 밀봉재를 마스크하거나, 또는 밀봉재 이외의 부분에 플라즈마를 발생시키도록 한다. 또한, 액정 표시 패널을 제조할 경우, 제 1 진공 예비실(203)에는 도 1에 나타낸 액정 적하 장치(33)가 구비된다.In addition, when the sealing material drawn on the substrate W1 is affected by the plasma treatment, the sealing material is masked or plasma is generated in portions other than the sealing material. In the case of manufacturing a liquid crystal display panel, the liquid crystal dropping device 33 shown in FIG. 1 is provided in the first vacuum preliminary chamber 203.

전처리가 실행된 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)은 제 1 예비 진공실(203)로부터 접합 처리실(204)에 반송된다.The first and second substrates W1 and W2 on which the pretreatment has been performed are transferred from the first preliminary vacuum chamber 203 to the bonding processing chamber 204.

접합 처리실(204)에는 도 1에 나타낸 프레스 장치(36)가 구비되고, 상기 프레스 장치(36)는 도 13에 나타낸 위치 맞춤 장치(36a)(또는 도 23에 나타낸 위치 맞춤 장치(36b))를 포함한다.The bonding processing chamber 204 is provided with a press device 36 shown in FIG. 1, and the press device 36 includes a positioning device 36a shown in FIG. 13 (or a positioning device 36b shown in FIG. 23 ). Include.

제어장치(207)는 접합 처리실(204) 내의 압력 제어와 처리실 내로의 가스 공급 제어를 행한다. 공급하는 가스는 상기의 반응 가스 또는 치환 가스이다.The control device 207 controls the pressure in the bonding processing chamber 204 and controls the gas supply into the processing chamber. The gas to be supplied is the reaction gas or substitution gas described above.

제어장치(207)는 반입된 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)의 위치 맞춤 및 접합을 실시한다. 또한, 제어장치(207)는 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)의 반입으로부터의 시간 경과를 감시하여, 접합 처리실(204) 내에 공급한 가스에 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)을 노출시키는 시간(반입으로부터 접합을 행할 때까지의 시간)을 제어한다. 이것에 의해, 접합 후에 개봉 불가능한 접합면의 성질을 유지하여 안정화한다.The control device 207 performs alignment and bonding of the carried first and second substrates W1 and W2. In addition, the control device 207 monitors the passage of time from the carrying in of the first and second substrates W1 and W2, and supplies the first and second substrates W1 and W2 to the gas supplied into the bonding processing chamber 204. The time to expose (the time from carrying in until bonding is performed) is controlled. Thereby, the property of the bonding surface that cannot be opened after bonding is maintained and stabilized.

접합된 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)(패널)은 접합 처리실(204)로부터 제 2 예비 진공실(205)에 반송된다. 제 2 예비 진공실(205)에는 도 1에 나타낸 반송 장치(38c) 및 경화 장치(37)가 구비된다. 제어장치(207)는, 먼저, 제 2 예비 진공실(205) 내를 감압(진공)하고, 이어서 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)을 상기 예비 진공실(205) 내에 반송한다. 그리고, 제어장치(207)는 경화 장치(37)를 제어하고, 상기 제 2 예비 진공실(205)에 반입된 제 1 및 제 2 기판(W1, W2) 사이의 밀봉재를 감압 분위기에서 경화시킨다. 이와 같이, 밀봉재를 경화시킴으로써, 대기 개방할 때의 기류 또는 압력 분포에 의한 어긋남을 방지한다.The bonded first and second substrates W1 and W2 (panels) are transferred from the bonding processing chamber 204 to the second preliminary vacuum chamber 205. The second preliminary vacuum chamber 205 is provided with a conveying device 38c and a curing device 37 shown in FIG. 1. The control device 207 first decompresses (vacuum) the inside of the second preliminary vacuum chamber 205, and then transfers the first and second substrates W1 and W2 into the preliminary vacuum chamber 205. Then, the control device 207 controls the curing device 37, and cures the sealing material between the first and second substrates W1 and W2 carried in the second preliminary vacuum chamber 205 in a reduced pressure atmosphere. By curing the sealing material in this way, deviation due to airflow or pressure distribution at the time of opening to the atmosphere is prevented.

또한, 제 1 및 제 2 예비 진공실(203, 205) 중의 어느 한쪽만을 구비한 접합 기판 제조 장치로 구체화할 수도있다. 또한, 복수의 제 1 예비 진공실(203)을 병렬로 배치할 수도 있다. 각 제 1 예비 진공실(203)에서 전처리한 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)을 차례로 접합 처리실(204) 내에 반입하여 접합 처리를 실시한다. 이 구성에 의해, 1세트의 기판(W1, W2)당의 제조 시간을 단축시킬 수 있다.Further, it can also be embodied as a bonded substrate manufacturing apparatus provided with only one of the first and second preliminary vacuum chambers 203 and 205. Further, a plurality of first preliminary vacuum chambers 203 may be arranged in parallel. The first and second substrates W1 and W2 pre-processed in each of the first preliminary vacuum chambers 203 are sequentially carried into the bonding processing chamber 204 to perform bonding processing. With this configuration, the manufacturing time per set of substrates W1 and W2 can be shortened.

·상기 실시형태에 있어서, 도 13의 촬상 장치(111)의 시야 내에 포착한 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)을 접합시키기 위해 설치된 마크(위치 맞춤 마크)의 위치(시야 내 위치)를 미리 기억하여 두고, 반송된 기판에 설치된 위치 맞춤 마크의 시야 내 위치와의 차(좌표 차분)에 의해 촬상 장치(111)를 수평 이동시키도록 할 수도 있다.In the above embodiment, the position (in-field position) of the mark (position alignment mark) provided to bond the first and second substrates W1 and W2 captured in the field of view of the imaging device 111 in FIG. 13 It is also possible to store in advance and to move the imaging device 111 horizontally by the difference (coordinate difference) from the position in the field of view of the alignment mark provided on the conveyed substrate.

먼저, 기준으로 하는 기판을 반송하고, 상기 기판에 설치된 위치 맞춤 마크를 제 1 카메라 렌즈(115)에서 포착한다. 또한, 기준으로 하는 기판은 도 25에 나타낸 방법에 의해 보정되어 반송되기 때문에, 반송 오차가 생겨도 그 기판의 위치 맞춤 마크는 시야로부터 벗어나지 않고, 또한, 시야로부터 벗어나지 않도록 카메라 렌즈의 배율이 미리 설정되어 있다. 그리고, 도 13의 제어장치(114)는, 도 27a에 나타낸 제 1 카메라 렌즈(115)에 의한 촬상 시야(F1) 내에 묘사된 마크(M0)의 시야 내 위치(좌표값(X, Y))를 기억한다. 이 때의 마크(M0) 위치는, 촬상 장치(111)를 소정 거리 이동시켜 바꾼 제 2 카메라 렌즈(116)에 의해 마크(M0)를 시야 내에 포착할 수 있는 위치이다.First, the substrate as a reference is conveyed, and the alignment mark provided on the substrate is captured by the first camera lens 115. In addition, since the substrate as a reference is corrected and transported by the method shown in Fig. 25, the alignment mark of the substrate does not deviate from the field of view even if a transport error occurs, and the magnification of the camera lens is preset so that it does not deviate from the field of view. have. In addition, the control device 114 of FIG. 13 is the position in the field of view (coordinate values (X, Y)) of the mark M0 depicted in the imaging field F1 by the first camera lens 115 shown in FIG. 27A. I remember. The position of the mark M0 at this time is a position at which the mark M0 can be captured in the field of view by the second camera lens 116 changed by moving the imaging device 111 a predetermined distance.

다음으로, 기판(여기서는 제 1 기판(W1)을 이용하여 설명함)을 반송하고, 상기 기판(W1)에 설치된 위치 맞춤 마크(M1)를 제 1 카메라 렌즈(115)에 의해 촬상한다. 그리고, 제어장치(114)는 도 27b에 나타낸 촬상 시야(F2)내의 마크(M1)의 시야 내 위치(좌표값(x, y))를 산출하고, 상기 위치와 기억한 시야 내 위치와의 좌표 차분에 의해, 도 27c에 나타낸 바와 같이 제 1 카메라 렌즈(115)를 이동시켜 새로운 촬상 시야(F2a) 내의 마크(M1)의 시야 내 위치를 마크(M0)의 그것과 일치시킨다. 이것에 의해, 다음에 제 2 카메라 렌즈(116)로 바꾼 경우에 마크(M1)를 시야 내에 확실하게 포착할 수 있다.Next, the substrate (described here using the first substrate W1) is conveyed, and the alignment mark M1 provided on the substrate W1 is imaged with the first camera lens 115. Then, the control device 114 calculates the in-view position (coordinate values (x, y)) of the mark M1 in the imaging field F2 shown in FIG. 27B, and the coordinates between the position and the stored in-view position Due to the difference, the first camera lens 115 is moved as shown in Fig. 27C to match the position of the mark M1 in the field of view of the mark M1 in the new field of view F2a with that of the mark M0. This makes it possible to reliably capture the mark M1 in the field of view when switching to the second camera lens 116 next.

또한, 산출한 좌표 차분에 의해 제 1 카메라 렌즈(115)로부터 제 2 카메라 렌즈(116)로 바꾸도록 촬상 장치(111)를 이동시키는 그 이동량을 보정하도록 할 수도 있다.Further, it is also possible to correct the amount of movement of the imaging device 111 so as to change from the first camera lens 115 to the second camera lens 116 based on the calculated coordinate difference.

또한, 상기의 시야 내 위치를 기억하여 행하는 위치 맞춤은, 저배율의 제 1 카메라 렌즈(115)에서 포착하는 마크와, 고배율의 제 2 카메라 렌즈(116)에서 포착하는 마크를 각각 별도로 설치한 기판에 적용할 수 있다. 도 28에 나타낸 바와 같이, 제 3 기판(W3)(제 1 기판(W1) 또는 제 2 기판(W2))에는, 제 1 카메라 렌즈(115)에서 포착하는 마크(이하, 성긴(rough) 마크)(Ma)와 제 2 카메라 렌즈(116)에서 포착하는 마크(이하, 미세한(fine) 마크)(Mb)가 기판(W3)의 얼라인먼트에 적합한 위치(예를 들어, 4개의 코너)에 설치되어 있다. 성긴 마크(Ma)와 미세한 마크(Mb)는 소정 간격을 두고 설치되어 있다. 또한, 제 3 기판(W3)에 대하여 위치 맞춤하는 기판(예를들어, 성긴 마크(Ma) 및 미세한 마크(Mb)가 제 1 기판(W1)에 설치되어 있을 경우에는 제 2 기판(W2)이 그것에 상당한다)에는, 성긴 마크(Ma)와 미세한 마크(Mb)에 대응하는 얼라인먼트 마크가 설치되어 있다.In addition, the alignment performed by storing the above-described position in the field of view can be performed on a substrate in which a mark captured by the low magnification first camera lens 115 and a mark captured by the high magnification second camera lens 116 are separately provided. Can be applied. As shown in FIG. 28, on the third substrate W3 (the first substrate W1 or the second substrate W2), marks captured by the first camera lens 115 (hereinafter, rough marks) (Ma) and a mark (hereinafter, a fine mark) (Mb) captured by the second camera lens 116 is provided at a position suitable for alignment of the substrate W3 (eg, four corners). . The coarse marks Ma and the fine marks Mb are provided at predetermined intervals. In addition, when a substrate that is positioned with respect to the third substrate W3 (for example, when the coarse marks Ma and the fine marks Mb are installed on the first substrate W1), the second substrate W2 is Corresponding to that), alignment marks corresponding to the coarse marks Ma and the fine marks Mb are provided.

도 29a에 나타낸 바와 같이, 제 1 카메라 렌즈(115)와 제 2 카메라 렌즈(116)의 중심축 사이의 거리는 고정되어 있다. 또한, 제 1 카메라 렌즈(115)에서 성긴 마크(Ma)를 포착한 시야 화상(도 29b), 제 2 카메라 렌즈(116)에서 미세한 마크(Mb)를 포착한 시야 화상(도 29c), 성긴 마크(Ma)를 포착한 촬상 장치(111)의 위치와 미세한 마크(Mb)를 포착한 촬상 장치(111)의 위치의 상대 좌표를 제어장치(114)에 기록한다.As shown in Fig. 29A, the distance between the central axis of the first camera lens 115 and the second camera lens 116 is fixed. In addition, a field-of-view image in which the coarse mark Ma is captured by the first camera lens 115 (Fig. 29B), a field-of-view image in which the minute mark Mb is captured by the second camera lens 116 (Fig. 29C), and a coarse mark The relative coordinates of the position of the imaging device 111 that captured (Ma) and the position of the imaging device 111 that captured the fine mark Mb are recorded in the control device 114.

도 13에 나타낸 위치 맞춤 장치(36a)는, 먼저, 제 1 카메라 렌즈(115)에서 성긴 마크(Ma)를 포착하고(도 29d), 그 성긴 마크(Ma)를 기준 위치에 포착하도록 촬상 장치(111)를 이동시키는 그 이동량을 산출한다. 즉, 위치 맞춤 장치(36a)는 제 1 카메라 렌즈(115)가 포착한 성긴 마크(Ma)의 시야 내 위치와 미리 기억한 시야 내 위치로 부터 촬상 장치(111)의 이동에 필요한 거리 및 각도(X, Y, θ)를 산출한다. 또한, 위치 맞춤 장치(36a)는 산출한 거리 및 각도로 촬상 장치(111)를 이동시킨다.The positioning device 36a shown in Fig. 13 first captures the coarse mark Ma by the first camera lens 115 (Fig. 29D), and the imaging device (Fig. 29D) captures the coarse mark Ma at a reference position. Calculate the amount of movement that moves 111). That is, the positioning device 36a is the distance and angle required for the movement of the imaging device 111 from the position in the field of view of the sparse mark Ma captured by the first camera lens 115 and the position in the field of view previously stored. X, Y, θ) is calculated. Further, the positioning device 36a moves the imaging device 111 at the calculated distance and angle.

다음으로, 위치 맞춤 장치(36a)는 촬상 장치(111)를 이동시키고, 제 1 카메라 렌즈(115)로부터 제 2 카메라 렌즈(116)로 바꾼다. 그리고, 이 때에 이동시키는 촬상 장치(111)의 이동 거리는 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)에서 화상을 등록했을 때의 이동 거리이며, 기억되어 있다. 따라서, 기판(W3)을 이동시키지 않을 경우, 제 1 카메라 렌즈(115)에서 포착한 성긴 마크(Ma)의 시야 내 위치로부터 제 2 카메라 렌즈(116)의 시야 내에 포착하는 미세한 마크(Mb)의 위치의 어긋남 양을 예측할 수 있다.Next, the positioning device 36a moves the imaging device 111 and changes from the first camera lens 115 to the second camera lens 116. The moving distance of the imaging device 111 to be moved at this time is a moving distance when an image is registered by the first and second camera lenses 115 and 116, and is stored. Therefore, when the substrate W3 is not moved, the fine mark Mb captured in the field of view of the second camera lens 116 from the position in the field of view of the coarse mark Ma captured by the first camera lens 115 It is possible to predict the amount of positional displacement.

이것에 의해, 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116)의 시야에 대하여 반송에 의해 생기는 어긋남(반송 오차)을 흡수할 수 있어, 접합 가공 시에 미세한 마크(Mb)를 확실하게 시야에 포착할 수 있다(도 29e) 촬상 장치(111)의 이동량을 펄스 등에 의해 위치 관리할 수 있기 때문에, 교정(calibration)은 제 1 및 제 2 카메라 렌즈(115, 116) 사이의 상대 거리에 의해 얼라인먼트를 행하는 경우에도 보정할 수 있으며, 목표를 놓치지 않는다.Thereby, it is possible to absorb the deviation (transport error) caused by transport with respect to the field of view of the first and second camera lenses 115 and 116, and reliably capture the minute mark Mb in the field of view during bonding (Fig. 29E) Since the amount of movement of the imaging device 111 can be position controlled by pulses or the like, calibration is performed by adjusting the alignment by the relative distance between the first and second camera lenses 115 and 116. It can be corrected even when doing so, and the goal is not missed.

따라서, 통상에서는 시야 내로 옮기는 것이 불가능한 비율의 마크를 사용할 수 있기 때문에, 고분해능 시야에 대하여 판정 확립이 높은 얼라인먼트 인식을 실현하는 것이 가능해진다.Therefore, since marks with a ratio that cannot be moved into the field of view can be used in general, it becomes possible to realize alignment recognition with high determination establishment for a high-resolution field of view.

또한, 제 1 카메라 렌즈(115)와 제 2 카메라 렌즈(116)를 각각 서로 다른 카메라에 장착하고, 그들 카메라의 거리(제 1 카메라 렌즈(115)와 제 2 카메라 렌즈(116)의 광축 거리)를 고정시켜 실시할 수도 있다.In addition, the first camera lens 115 and the second camera lens 116 are mounted on different cameras, respectively, and the distance of the cameras (the optical axis distance between the first camera lens 115 and the second camera lens 116) It can also be carried out by fixing.

또한, 기판(W1, W2)의 어긋남(X축, Y축, θ방향)을 검출할 수 있으면 성긴 마크(Ma)와 미세한 마크(Mb)의 수, 위치, 형상을 적절히 변경시킬 수도 있다. 예를 들면, 도 27에 있어서, 성긴 마크(Ma)를 2개소로 하며, 그 위치를 도면에서 상하 2변 중앙 부근으로 한다. 또한, 성긴 마크(Ma), 미세한 마크(Mb) 및 상기 각 형태에서의 마크를 원형 이외의 형상(예를 들어, 사각형, 십자형)으로 변경시킬 수도 있다. 더 나아가서는, 1개의 기판에 설치된 복수의 마크 형상이 상이할 수도 있고, 기판의 방향을 용이하게 확인하는 것이 가능해진다.In addition, if the deviation (X-axis, Y-axis, θ direction) of the substrates W1 and W2 can be detected, the number, position, and shape of the coarse marks Ma and the fine marks Mb can be appropriately changed. For example, in FIG. 27, the sparse mark Ma is set to two places, and the positions are set to be near the center of the upper and lower sides in the drawing. In addition, it is also possible to change the sparse mark Ma, the fine mark Mb, and the mark in each shape to a shape other than a circular shape (for example, a square shape or a cross shape). Furthermore, the shape of a plurality of marks provided on one substrate may be different, and it becomes possible to easily confirm the direction of the substrate.

상기 성긴 마크(Ma)를 프레스 장치(36)에 기판을 반입하기 전에 실시하는 얼라인먼트에 사용할 수도 있다.The coarse mark Ma can also be used for alignment performed before carrying the substrate into the press device 36.

도 30은 반입 전에 얼라인먼트를 실시하는 위치 맞춤 장치(221)로부터 프레스 장치(36)까지의 공정을 개략적으로 나타내는 도면이다. 프레스 장치(36)에는 도 13에 나타낸 위치 맞춤 장치(36a)가 설치되어 있다. 또한, 도 30에서는 프레스 장치(36)(위치 맞춤 장치(36a))의 요부를 나타낸다.Fig. 30 is a diagram schematically showing a process from the alignment device 221 to the press device 36 for performing alignment before carrying in. The press device 36 is provided with a positioning device 36a shown in FIG. 13. In addition, in FIG. 30, the main part of the press device 36 (positioning device 36a) is shown.

위치 맞춤 장치(221)는 촬상 장치(222), 그것을 이동시키기 위한 이동기구(223), 이동기구(223)를 제어하기 위한 제어장치(224), 기판(W)을 흡착 파지하는 평판(225)을 X축, Y축 및 θ방향(X축은 반송 방향과 평행한 방향, Y축은 반송 방향과 직교하는 방향, θ방향은 회전 방향) 이동시키는 스테이지(도시 생략)를 구비한다. 촬상 장치(222)는 제 1 카메라 렌즈(115)보다도 낮은 배율의 렌즈(제 3 카메라 렌즈)(226)를 구비하고 있다. 예를 들면, 제 1 카메라 렌즈(115)는 배율×6, 제 2 카메라 렌즈(116)는 배율×10, 제 3 카메라 렌즈(226)는 배율×2이다. 도 30에 있어서, 시야(F11, F12, F13)는 각각 제 1 카메라 렌즈(115), 제 2 카메라 렌즈(116), 제 3 카메라 렌즈(226)에서 성긴 마크(Ma)를 포착한 상태를 나타내고 있다. 따라서, 이 위치 맞춤 장치(221)를 구비한 접합 기판 제조 장치는, 미세한 얼라인먼트를 행하는 제 2 카메라 렌즈(116)보다도 배율이 낮은 렌즈를 적어도 2세트 갖고 있다. 또한, 위치 맞춤 장치(221)는 복수 설치되고, 성긴 마크(Ma)와 대응하는 위치에 설치되어 있다.The positioning device 221 includes an imaging device 222, a moving mechanism 223 for moving it, a control device 224 for controlling the moving mechanism 223, and a flat plate 225 for holding and adsorbing the substrate W. A stage (not shown) for moving the X-axis, Y-axis, and θ directions (X-axis is a direction parallel to the transport direction, Y-axis is a direction orthogonal to the transport direction, and θ direction is a rotational direction). The imaging device 222 is provided with a lens (third camera lens) 226 having a lower magnification than the first camera lens 115. For example, the first camera lens 115 has a magnification x 6, the second camera lens 116 has a magnification x 10, and the third camera lens 226 has a magnification x 2. In Fig. 30, the field of view (F11, F12, F13) represents a state in which the coarse mark Ma is captured by the first camera lens 115, the second camera lens 116, and the third camera lens 226, respectively. have. Therefore, the bonded substrate manufacturing apparatus provided with this alignment device 221 has at least two sets of lenses having a lower magnification than the second camera lens 116 performing fine alignment. Further, a plurality of alignment devices 221 are provided, and are provided at positions corresponding to the sparse marks Ma.

위치 맞춤 장치(221)의 제어장치(224)에는, 제 3 카메라 렌즈(226)에서 성긴 마크(Ma)를 촬상한 기준 화상이 기억되어 있다. 기준 화상은, 제 2 카메라 렌즈(116)에서 미세한 마크(Mb)를 포착한 상태의 기판을 도 25에서 나타낸 역송(逆送)에 의해 위치 맞춤 장치(221)에 반송하고, 그 기판(W)의 성긴 마크를 포착한 화상이다.In the control device 224 of the positioning device 221, a reference image obtained by capturing the sparse mark Ma by the third camera lens 226 is stored. As for the reference image, the substrate in the state in which the minute mark Mb is captured by the second camera lens 116 is conveyed to the positioning device 221 by reverse feed shown in FIG. 25, and the substrate W This is the image that captured the loose mark of.

다음으로, 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)(도면에서는 제 1 기판(W1)을 나타냄)을 위치 맞춤 장치(221)에 반입한다.Next, the 1st and 2nd board|substrates W1, W2 (the 1st board|substrate W1 is shown in the figure) is carried into the positioning apparatus 221.

위치 맞춤 장치(221)는, 제 3 카메라 렌즈(226)에서 촬영한 기판(W1)의 화상과 기준 화상을 비교함으로써, 반송된 기판(W)의 X축, Y축 및 θ축의 어긋남 양(X, Y, θ)을 측정한다. 이 어긋남 양은 반송된 기판(W)을 그대로의 상태(위치 맞춤하지 않은 상태)에서 프레스 장치(36)에 반송했을 때의 제 2 카메라 렌즈(116)의 위치에 대한 미세한 마크(Mb)의 위치의 상대 좌표 위치(어긋남 양)와 실질적으로 동일하다. 즉, 위치 맞춤 장치(221)에 의해 위치 맞춤 장치(36a)에서의 기판(W)의 위치 어긋남을 예측하고 있는 것과 동일하다.The positioning device 221 compares the image of the substrate W1 photographed by the third camera lens 226 with the reference image, so that the amount of displacement (X) of the X-axis, Y-axis, and θ-axis of the conveyed substrate W , Y, θ) are measured. The amount of deviation is the position of the minute mark Mb with respect to the position of the second camera lens 116 when the conveyed substrate W is conveyed to the press device 36 in an unaligned state (a state not aligned). It is substantially the same as the relative coordinate position (displacement amount). That is, it is the same as predicting the positional shift of the substrate W in the positioning device 36a by the positioning device 221.

그리고, 위치 맞춤 장치(221)는 스테이지에 의해 X축 방향 및 Y축 방향의 위치 어긋남과 θ방향의 각도 어긋남을 보정한다. 이 위치를 보정한 기판(W)을 반송 장치(227)에 의해 반송하여 테이블(171)의 상측 파지부재(172)와 하측 파지부재(173)에 각각 파지시키고(제 2 기판(W2)과 제 1 기판(W1)), 프레스 장치(36)에 반입한다.Then, the positioning device 221 corrects the positional deviation in the X-axis direction and the Y-axis direction and the angular deviation in the θ direction by the stage. The substrate W having this position corrected is transferred by the transfer device 227 and held by the upper gripping member 172 and the lower gripping member 173 of the table 171, respectively (the second substrate W2 and the second 1 It is carried in to the board|substrate W1) and the press apparatus 36.

이 프레스 장치(36)에 반입된 기판(W1, W2)은 위치 맞춤 장치(221)에 의해 위치가 보정되어 있기 때문에, 제 2 카메라 렌즈(116)에 의한 미세한 마크(Mb)의 검출 시에는 카메라 시야의 대략 중앙(렌즈 광축의 대략 중앙)에 미세한 마크(Mb)가 포착된다. 이와 같이, 제 2 카메라 렌즈(116)의 광축 중앙에서 미세한 마크(Mb)를 포착할 수 있다. 그리고, 미세한 마크(Mb)가 제 2 카메라 렌즈(116)의 광축 부근에 근접함으로써 화상 왜곡의 영향을 저감시킬 수 있고, 위치 맞춤 오차를 적게 하는, 즉, 고정밀화를 실현할 수 있다. 또한, 미세한 마크(Mb)의 검출 위치의 재현성이 향상됨으로써, 미세한 마크(Mb)가 시야 범위 내에 포착되기 쉬워지기 때문에, 미세한 마크(Mb)의 위치를 탐색하는 시간을 단축시킬 수 있다. 따라서, 투입된 기판(W1, W2)을 프레스 장치(36)에 반입할때까지 필요한 시간을 짧게 하여 제조 효율을 향상시킬 수 있다.Since the positions of the substrates W1 and W2 carried in the press device 36 are corrected by the positioning device 221, when the second camera lens 116 detects the minute mark Mb, the camera A fine mark Mb is captured at approximately the center of the field of view (approximately the center of the lens optical axis). In this way, the minute mark Mb can be captured at the center of the optical axis of the second camera lens 116. Further, when the minute mark Mb approaches the optical axis of the second camera lens 116, the influence of image distortion can be reduced, and alignment errors can be reduced, that is, high precision can be achieved. Further, since the reproducibility of the detection position of the minute mark Mb is improved, the minute mark Mb is easily captured within the viewing range, so that the time for searching for the position of the minute mark Mb can be shortened. Therefore, the time required until the inputted substrates W1 and W2 are carried into the press device 36 can be shortened, thereby improving manufacturing efficiency.

또한, 스테이지에 의한 기판(W(W1, W2))의 X축, Y축 및 θ방향의 위치 맞춤을 스테이지 이외에 의해 행할 수도있다. 예를 들면, 도 25에 의해 설명한 반송 방법과 같이 반송 방향(도 30에서 X축 방향)의 어긋남에 따른 보정을 반송 장치(227)의 이송 거리에 가한다. 또한, θ방향의 어긋남을 반송 장치(227)의 암을 반송 방향에 대하여 각도 어긋남에 대응하여 기울여 기판(W)을 수취한다. 이와 같이 하여도, 미세한 마크(Mb)(성긴 마크(Ma))가 제 2 카메라 렌즈(116)(제 1 카메라 렌즈(115))의 시야 내에 들어가도록 기판(W)(제 1 및 제 2 기판(W1, W2))을 반송할 수 있다.Further, alignment of the substrates W(W1, W2) by the stage in the X-axis, Y-axis, and θ directions may be performed by other than the stage. For example, as in the conveying method described with reference to FIG. 25, correction according to the shift in the conveying direction (the X-axis direction in FIG. 30) is applied to the conveying distance of the conveying device 227. Further, the shift in the θ direction is inclined to correspond to the angular shift of the arm of the transfer device 227 with respect to the transfer direction, and the substrate W is received. Even in this way, the substrate W (the first and second substrates) so that the fine mark Mb (coarse mark Ma) enters the field of view of the second camera lens 116 (first camera lens 115). (W1, W2)) can be conveyed.

·상기 실시형태에서는, 도 15에 나타낸 바와 같이 진공 챔버(71) 내에 구비한 하측 평판(72b)을 이동기구(113)에 의해 이동시켜 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)의 얼라인먼트(위치 맞춤)를 행하도록 했으나, 챔버(71)를 하측 평판(72b)과 함께 이동시키는 구성으로 할 수도 있다.In the above embodiment, as shown in FIG. 15, the lower flat plate 72b provided in the vacuum chamber 71 is moved by the movement mechanism 113 to align the first and second substrates W1 and W2 (position Alignment), but the chamber 71 may be moved together with the lower flat plate 72b.

도 31은 그 위치 맞춤 장치(230)의 개략 구성도이다. 위치 맞춤 장치(230)는 진공 챔버(231)와 이동기구(232)를 포함한다. 진공 챔버(231)는 상측 용기(231a)와 하측 용기(231b)로 이루어진다. 진공 챔버(231)는 배관(233), 밸브(234), 배관(235)을 개재시켜 펌프(236)에 접속되고, 그 펌프(236)의 구동 및 밸브(234)의 개폐에 의해 진공 챔버(231)의 내부를 감압할 수 있도록 구성되어 있다.31 is a schematic configuration diagram of the positioning device 230. The positioning device 230 includes a vacuum chamber 231 and a moving mechanism 232. The vacuum chamber 231 is composed of an upper container 231a and a lower container 231b. The vacuum chamber 231 is connected to the pump 236 through a pipe 233, a valve 234, and a pipe 235, and the vacuum chamber 231 is operated by driving the pump 236 and opening and closing the valve 234. It is configured to decompress the inside of 231).

상측 용기(231a)는 개폐기구(도시 생략)에 의해 하측 용기(231b)에 대하여 개폐 가능하게 지지되고, 하측 용기(231b)는 그 저부 주변에서 이동기구(232)에 의해 수평 2축 방향으로 이동 가능하게, 또한, θ방향으로 회동 가능하게 지지되고 있다.The upper container 231a is supported to be opened and closed with respect to the lower container 231b by an opening/closing mechanism (not shown), and the lower container 231b is moved in the horizontal biaxial direction by a moving mechanism 232 around the bottom. It is supported so that it can be rotated in the θ direction.

진공 챔버(231) 내에는 상측 평판(237a)과 하측 평판(237b)이 배치되어 있다. 상측 평판(237a)은 복수의 지주(238)를 개재시켜 지지판(239)에 매달려 지지되고, 그 지지판(239)은 고정되어 있다. 지지판(239)과 상측 용기(231a) 사이에는, 각 지주(238)를 포위하여 챔버(231)의 기밀을 유지하기 위한 벨로(240)가 설치되어 있다. 하측 평판(237b)은 하측 용기(231b)의 내부 저면에 고착되어 있다.In the vacuum chamber 231, an upper flat plate 237a and a lower flat plate 237b are disposed. The upper flat plate 237a is supported by hanging from the support plate 239 through a plurality of posts 238, and the support plate 239 is fixed. A bellow 240 is provided between the support plate 239 and the upper container 231a to surround each post 238 and maintain airtightness of the chamber 231. The lower flat plate 237b is fixed to the inner bottom surface of the lower container 231b.

진공 챔버(231)의 개구부, 즉, 상측 용기(231a)와 하측 용기(231b)가 맞닿는 개소에는 O링(241)과 임시 고정 핀(242)이 설치되어 있다. O링(241)은 상측 용기(231a)와 하측 용기(231b) 사이를 밀봉시키기 위해 설치되고, 임시 고정 핀(242)은 이동기구(232)에 의한 하측 용기(231b)의 이동에 상측 용기(231a)를 추종시키기 위해 설치되어 있다.An O-ring 241 and a temporary fixing pin 242 are provided in the opening of the vacuum chamber 231, that is, a location where the upper container 231a and the lower container 231b abut. The O-ring 241 is installed to seal the space between the upper container 231a and the lower container 231b, and the temporary fixing pin 242 is used for the movement of the lower container 231b by the moving mechanism 232. It is installed to follow 231a).

이와 같이 구성된 위치 맞춤 장치(230)는, 먼저, 챔버(231)를 개방하여 반입한 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)을 하측 평판(237b) 및 상측 평판(237a)에 각각 흡착 파지한다. 다음으로, 위치 맞춤 장치(230)는 진공 챔버(231)를 폐색하고, 밸브(234)를 개방 조작하여 펌프(236)를 구동시켜 상기 챔버(231) 내를 진공으로 한다.The positioning device 230 configured as described above firstly opens the chamber 231 and holds the first and second substrates W1 and W2 carried in on the lower plate 237b and the upper plate 237a, respectively. . Next, the positioning device 230 closes the vacuum chamber 231 and operates the valve 234 to open to drive the pump 236 to vacuum the inside of the chamber 231.

그리고, 위치 맞춤 장치(230)는 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)의 위치 맞춤을 행한다. 이 위치 맞춤에 있어서, 진공 챔버(231)는 내부가 감압되어 있기 때문에, 진공 챔버(231) 전체가 이동한다. 이 구성은, 후술하는 2가지 예와 비교하여, 부품 수의 대폭적인 삭감과 밀봉재로부터의 파티클 발생을 억제할 수 있다.Then, the alignment device 230 aligns the first and second substrates W1 and W2. In this alignment, since the inside of the vacuum chamber 231 is depressurized, the entire vacuum chamber 231 is moved. This configuration can significantly reduce the number of components and suppress the generation of particles from the sealing material, as compared with the two examples described later.

또한, 임시 고정 핀(242)은, 진공 챔버(231) 내를 감압함으로써 상측 용기(231a)와 하측 용기(231b)가 밀착되어 진공 챔버(231) 전체가 이동하기 때문에, 생략하여도 동등한 효과를 나타낸다. 그러나, 임시 고정 핀(242)에 의해, 상측 용기(231a)와 하측 용기(231b)의 위치 맞춤을 양호한 정밀도로 행할 수 있다.In addition, since the temporary fixing pin 242 depressurizes the inside of the vacuum chamber 231, the upper container 231a and the lower container 231b are in close contact and the entire vacuum chamber 231 is moved. Show. However, by the temporary fixing pin 242, the position of the upper container 231a and the lower container 231b can be performed with good precision.

도 32 및 도 33은 도 31에 대한 제 1 및 제 2 종래예의 개략 구성도이다.32 and 33 are schematic configuration diagrams of the first and second conventional examples of FIG. 31.

제 1 종래예의 위치 맞춤 장치(250)의 진공 챔버(251)는 상측 용기(251a)와 하측 용기(251b)로 이루어지고, 상측 용기(251a)는 이동 불가능하게 지지된 하측 용기(251b)에 대하여 이동기구(도시 생략)에 의해 개폐 가능하게 지지되고 있다.The vacuum chamber 251 of the positioning device 250 of the first conventional example is composed of an upper container 251a and a lower container 251b, and the upper container 251a is relative to the lower container 251b supported so as to be immovably supported. It is supported to be openable and closed by a moving mechanism (not shown).

진공 챔버(251) 내에는 상측 평판(252a)과 하측 평판(252b)이 배치되어 있다. 상측 평판(252a)은 복수의 지주(253)를 개재시켜 지지판(254)에 매달려 지지되고, 그 지지판(254)은 고정되어 있다. 지지판(254)과 상측 용기(251a) 사이에는, 각 지주(253)를 포위하여 챔버(251)의 기밀을 유지하기 위한 벨로(255)가 설치되어 있다.In the vacuum chamber 251, an upper flat plate 252a and a lower flat plate 252b are disposed. The upper flat plate 252a is supported by hanging from the support plate 254 through a plurality of posts 253, and the support plate 254 is fixed. Between the support plate 254 and the upper container 251a, a bellow 255 for enclosing each post 253 and maintaining airtightness of the chamber 251 is provided.

하측 평판(252b)은 복수의 지주(256)를 개재시켜 지지판(257)에 연결되고, 상기 지지판(257)은 이동기구(도시 생략)에 의해 수평 2축 방향으로 이동되며, θ방향으로 회동된다. 지지판(257)과 하측 용기(251b) 사이에는, 각 지주를 포위하여 챔버 내의 기밀을 유지하기 위한 벨로(258)가 각각 설치되어 있다.The lower plate 252b is connected to the support plate 257 through a plurality of posts 256, and the support plate 257 is moved in the horizontal biaxial direction by a moving mechanism (not shown), and is rotated in the θ direction. . Between the support plate 257 and the lower container 251b, bellows 258 for surrounding each post and maintaining airtightness in the chamber are provided, respectively.

진공 챔버(251)의 개구부, 즉, 상측 용기(251a)와 하측 용기(251b)가 맞닿는 개소에는 O링(259)이 설치되어 있다.An O-ring 259 is provided in the opening of the vacuum chamber 251, that is, a location where the upper container 251a and the lower container 251b abut.

따라서, 이 제 1 종래예는, 도 31에 나타낸 위치 맞춤 장치(230)에 비하여 구성하는 부품 수가 많고 복잡하여 메인티넌스성이 우려된다. 환언하면, 도 31의 위치 맞춤 장치(230)는, 제 1 종래예에 비하여 부품 수를 대폭으로 삭감할 수 있어, 메인티넌스성이 양호하다.Therefore, this first conventional example has a greater number of components and more complicated than the positioning device 230 shown in Fig. 31, and there is a concern about maintainability. In other words, the positioning device 230 of Fig. 31 can significantly reduce the number of parts compared to the first conventional example, and maintain good maintenance properties.

제 2 종래예의 위치 맞춤 장치(260)의 진공 챔버(261)는, 이동 불가능하게 지지된 상측 용기(261a)와, 이동기구(도시 생략)에 의해 수평 2축 방향으로 이동 가능하게, 또한, θ방향으로 회동 가능하게 지지된 하측 용기(261b)로 이루어진다. 그 상측 용기(261a) 내에는 상측 평판(262a)이, 하측 용기(261b) 내에는 하측 평판(262b)이 이동 불가능하게 지지되고 있다. 진공 챔버(261)의 개구부, 즉, 상측 용기(261a)와 하측 용기(261b)가 맞닿는 개소에는 O링(263)이 설치되어 있다.The vacuum chamber 261 of the positioning device 260 of the second conventional example is movable in the horizontal biaxial direction by the upper container 261a supported immovably and a moving mechanism (not shown), and further, θ It consists of a lower container (261b) supported so as to be rotatable in the direction. The upper flat plate 262a is supported in the upper container 261a, and the lower flat plate 262b is supported in the lower container 261b so as not to be movable. An O-ring 263 is provided in the opening of the vacuum chamber 261, that is, a location where the upper container 261a and the lower container 261b abut.

따라서, 이 제 2 종래예는, 제 1 종래예에 비하여 부품 수가 대폭으로 삭감되어 있어, 메인티넌스성도 우수하다고 생각된다. 그러나, 제 1 기판(W1)과 제 2 기판(W2)의 위치 맞춤에 있어서, 상측 용기(261a)에 대하여 하측 용기(261b)가 이동하기 때문에, 진공을 유지하는 밀봉 부품(O링(263))의 유지와 관리가 곤란하다. 또한, 하측 용기(261b)의 이동에 의해 상기 하측 용기(261b)와 상측 용기(261a)가 맞닿아 파티클이 발생한다. 접합 전의 기판(W1, W2)은 오염을 싫어하기 때문에, 장시간 가동하는 대량생산 장치로서는 적합하지 않다. 환언하면, 도 31의 위치 맞춤 장치(230)는, 제 2 종래예에 비하여 O링(241)의 유지와 관리가 용이하며, 파티클도 발생하지 않기 때문에 장시간 가동하는 대량생산 장치에 적합하다.Accordingly, it is considered that the second conventional example has significantly reduced the number of parts compared to the first conventional example, and is also excellent in maintainability. However, in the alignment of the first substrate W1 and the second substrate W2, since the lower container 261b moves with respect to the upper container 261a, a sealing component (O-ring 263) that maintains vacuum ) Is difficult to maintain and manage. Further, by the movement of the lower container 261b, the lower container 261b and the upper container 261a come into contact with each other to generate particles. Since the substrates W1 and W2 before bonding do not like contamination, they are not suitable as mass-produced devices that operate for a long time. In other words, the positioning device 230 of Fig. 31 is suitable for a mass-produced device that operates for a long time because it is easier to maintain and manage the O-ring 241 and does not generate particles compared to the second conventional example.

상기 실시형태에 있어서, 경화 장치의 구성을 적절히 변경시킬 수도 있다. 도 34는 경화 장치(270)의 구성을 설명하기 위한 개략도이다.In the above embodiment, the configuration of the curing device may be appropriately changed. 34 is a schematic diagram for explaining the configuration of the coining device 270.

경화 장치(270)는 광원(271), 콘트롤러(273), 냉각기구(274)를 포함한다. 광원(271)은 도 18에 나타낸 광원(148)과 동일하게 구성되고, 경화 장치(270)는 평판(275)에 흡착 파지된 패널(P1)의 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)사이의 밀봉재를 경화시킨다. 또한, 상기 실시형태와 동일하게, 경화 장치(270)는 도 18의 광원(155)과 동일하게 구성된 제 2 광원(276)을 평판(275)의 하측에 구비하는 구성으로 할 수도 있다.The curing device 270 includes a light source 271, a controller 273, and a cooling mechanism 274. The light source 271 is configured in the same manner as the light source 148 shown in FIG. 18, and the curing device 270 is formed between the first and second substrates W1 and W2 of the panel P1 that is sucked and held by the flat plate 275. Cure the sealing material. In addition, similarly to the above-described embodiment, the curing device 270 may be configured to include a second light source 276 configured in the same manner as the light source 155 of FIG. 18 under the flat plate 275.

패널(P1)을 흡착 파지하는 평판(275)은 조사되는 광의 반사 광량을 낮게 억제하도록 제작되어 있다. 예를들면, 표면을 흑색 등으로 함으로써 광을 흡수한다. 이것은 패널(P1)의 밀봉재의 경화 시간을 일정 범위로 유지하기 때문에 효과적이다. 즉, 평판(275)이 광을 반사, 패널(P1)의 밀봉재는 광원(148)으로부터의 조사광과 평판(275)으로부터의 반사광을 받는다. 따라서, 밀봉재는 조사광만에 의한 경화 시간보다도 짧은 시간으로 경화되기 때문에, 그 경화 시간의 관리가 어려워지기 때문이다.The flat plate 275 which adsorbs and holds the panel P1 is made so as to suppress the amount of reflected light of the irradiated light low. For example, light is absorbed by making the surface black or the like. This is effective because the curing time of the sealing material of the panel P1 is kept within a certain range. That is, the flat plate 275 reflects light, and the sealing material of the panel P1 receives irradiation light from the light source 148 and reflected light from the flat plate 275. Therefore, since the sealing material is cured in a shorter time than the curing time only by irradiation light, management of the curing time becomes difficult.

냉각기구(274)는 상기 평판(275)의 표면 온도를 미리 설정한 온도와 하기 위해 설치되어 있다. 평판(275)의 표면 온도를 소정 온도로 하는 것은, 패널(P1)에 설치된 밀봉재의 경화 시간을 일정 범위로 유지하기 위함이다.The cooling mechanism 274 is provided to set the surface temperature of the flat plate 275 to a preset temperature. The surface temperature of the flat plate 275 is set to a predetermined temperature in order to maintain the curing time of the sealing material provided on the panel P1 within a predetermined range.

상세하게 설명하면, 패널(P1)에 설치된 밀봉재는 조사되는 광에 의해 부가되는 열에 의해 경화된다. 따라서, 평판(275)은 패널(P1)을 구성하는 제 1 및 제 2 기판(W1, W2)을 투과하는 광, 패널(P1)로부터 전도되는 열에 의해 그 표면 온도가 상승한다. 또한, 평판(275)은 광을 흡수하여 반사 광량을 억제하고 있기 때문에, 온도가 상승하기 쉽다.In detail, the sealing material provided on the panel P1 is cured by heat added by the irradiated light. Accordingly, the surface temperature of the flat plate 275 is increased by light passing through the first and second substrates W1 and W2 constituting the panel P1 and heat conducted from the panel P1. Further, since the flat plate 275 absorbs light and suppresses the amount of reflected light, the temperature is liable to rise.

그 표면 온도가 상승한 평판(275)에 프레스 장치로부터 반송한 패널(P1)을 배치하면, 패널(P1)의 밀봉재는 평판(275)으로부터 전도되는 열에 의해 경화되기 시작한다. 따라서, 경화의 개시 시간이 불명확해져, 그 밀봉재의 경화 시간을 관리할 수 없게 되기 때문이다. 또한, 온도가 상승한 평판(275)에 대하여 평판(275)의 온도가 낮을 때와 동일한 시간만큼 광을 조사하면, 패널(P1)의 액정이나 드라이버 IC나 트랜지스터 등의 소자가 그 온도에 의해 열화하거나 파손되는 경우가 있다.When the panel P1 conveyed from the press device is placed on the flat plate 275 whose surface temperature has risen, the sealing material of the panel P1 starts to harden by heat conducted from the flat plate 275. This is because the curing start time becomes unclear, and the curing time of the sealing material cannot be managed. In addition, if light is irradiated to the flat plate 275 in which the temperature is increased for the same time as when the temperature of the flat plate 275 is low, the liquid crystal of the panel P1, elements such as driver ICs or transistors are deteriorated due to the temperature. It may be damaged.

냉각기구(274)는 온도 검출기구(281)와 표면 냉각기구(282)를 포함한다. 온도 검출기구(281)는 표면 온도를 검출하기 위한 센서(283)와 콘트롤러(273)를 포함하고, 센서(283)는 센서 헤드(284)와 온도계(285)로 구성되어 있다. 센서 헤드(284)는 평판(275)의 표면 온도를 비접촉으로 검출하여, 상기 검출 신호를 출력한다. 온도계(285)는 센서 헤드(284)의 검출 신호를 온도 데이터로 변환시킨다. 콘트롤러(273)는 온도계(285)로부터의 온도 데이터와 미리 기억한 설정 온도 데이터를 비교한다.The cooling mechanism 274 includes a temperature detector mechanism 281 and a surface cooling mechanism 282. The temperature detector 281 includes a sensor 283 and a controller 273 for detecting a surface temperature, and the sensor 283 is composed of a sensor head 284 and a thermometer 285. The sensor head 284 detects the surface temperature of the flat plate 275 non-contact and outputs the detection signal. The thermometer 285 converts the detection signal of the sensor head 284 into temperature data. The controller 273 compares the temperature data from the thermometer 285 with the preset temperature data stored in advance.

표면 냉각기구(282)는 콘트롤러(273), 컴프레서(286), 송풍 헤드(287), 흡기 헤드(288), 흡기 펌프(289)로 구성되어 있다. 콘트롤러(273)는 상기 비교 결과에 의거하여 컴프레서(286)를 제어하고, 그 컴프레서(286)에 접속된 송풍 헤드(287)로부터 평판(275)의 표면에 기체가 닿게 된다. 이 기체에 의해 평판(275)이 냉각된다. 흡기헤드(288)에는 흡기 펌프(289)가 접속되어 있고, 그 흡기 펌프(289)의 구동에 의해 송풍 헤드(287)로부터 배출되어 평판(275)에 분무되는 기체를 흡인함으로써, 냉각 효율을 향상시키고 있다.The surface cooling mechanism 282 includes a controller 273, a compressor 286, a blowing head 287, an intake head 288, and an intake pump 289. The controller 273 controls the compressor 286 based on the comparison result, and the gas comes into contact with the surface of the flat plate 275 from the blowing head 287 connected to the compressor 286. The flat plate 275 is cooled by this gas. An intake pump 289 is connected to the intake head 288, and by driving the intake pump 289, the gas discharged from the blowing head 287 and sprayed on the flat plate 275 is sucked to improve cooling efficiency. I'm making it.

이상의 다양한 실시형태를 정리하면, 다음과 같이 된다.When the above various embodiments are put together, it becomes as follows.

(부기 1) 처리실 내에 2개의 제 1 및 제 2 기판을 반입하고, 상기 처리실 내를 감압하여 상기 제 1 및 제 2 기판을 접합시키는 접합 기판 제조 장치에 있어서, 대기압 하에서 감압 하로의 전환 시에, 상기 제 1 및 제 2 기판을 파지하는 대향하여 배치된 제 1 및 제 2 파지판의 적어도 한쪽에서, 상기 기판을 흡착 파지하기 위한 배압을 상기 처리실 내의 압력과 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 접합 기판 제조 장치.(Note 1) In a bonded substrate manufacturing apparatus in which two first and second substrates are carried into a processing chamber, and the inside of the processing chamber is decompressed to bond the first and second substrates, when switching under reduced pressure under atmospheric pressure, A bonded substrate manufacturing, characterized in that at least one of the first and second gripping plates disposed opposite to gripping the first and second substrates, the back pressure for suctioning and gripping the substrate is equal to the pressure in the processing chamber Device.

(부기 2) 상기 처리실 내가 대기압 하에서는 상기 제 1 및 제 2 기판을 상기 제 1 및 제 2 파지판에 압력차 흡착에 의해 각각 흡착 파지하고, 상기 처리실 내가 감압 하에서는 상기 제 1 및 제 2 파지판에 전압을 인가하여 정전 흡착에 의해 각각을 흡착 파지하는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 2) Under atmospheric pressure in the processing chamber, the first and second substrates are respectively adsorbed and held by pressure differential adsorption to the first and second gripping plates, and the first and second gripping plates in the processing chamber under reduced pressure. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to Appendix 1, wherein voltage is applied and each of them is sucked and held by electrostatic adsorption.

(부기 3) 상기 제 1 및 제 2 파지판 중의 적어도 한쪽 흡착면에는, 상기 기판에 배압을 가하는 제 1 홈과 동일한 압력으로 되는 제 2 홈을 소정 방향을 따라 연장되도록 형성한 것을 특징으로 하는 부기 1 또는 2에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 3) Note that at least one of the first and second gripping plates is provided with a second groove having the same pressure as the first groove applying back pressure to the substrate so as to extend along a predetermined direction. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to 1 or 2.

(부기 4) 상기 흡착한 상기 기판이 상기 제 2 홈의 일부를 덮도록 상기 제 2 홈을 형성한 것을 특징으로 하는 부기 3에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 4) The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to Note 3, wherein the second groove is formed so that the adsorbed substrate covers a part of the second groove.

(부기 5) 상기 제 1 및 제 2 파지판의 흡착면 측에는 상기 정전 흡착을 위한 유전층이 형성되고, 상기 유전층 내에 상기 흡착면으로부터 소정 깊이에 매설된 전극에 전압을 인가하여 상기 기판을 흡착하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 4 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Appendix 5) A dielectric layer for electrostatic adsorption is formed on the side of the adsorption surface of the first and second gripping plates, and a voltage is applied to an electrode buried at a predetermined depth from the adsorption surface in the dielectric layer to adsorb the substrate. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of Appendix 1 to 4, characterized in that.

(부기 6) 상기 유전층 측면에 도체를 접속하고, 상기 도체를 개재시켜 상기 유전층에 박리를 위한 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 부기 5에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Appendix 6) The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to Appendix 5, wherein a conductor is connected to a side surface of the dielectric layer, and a voltage for peeling is supplied to the dielectric layer through the conductor.

(부기 7) 상기 유전층 표면에 상기 기판의 측방으로부터 상기 기판의 소자 형성 영역과 겹치도록 도체를 형성하고, 상기 기판의 박리 시에, 상기 도체를 접지하거나 또는 상기 도체에 소정 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 부기 5 또는 6에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Annex 7) A conductor is formed on the surface of the dielectric layer so as to overlap with the element formation region of the substrate from the side of the substrate, and when the substrate is peeled off, the conductor is grounded or a predetermined voltage is supplied to the conductor. The bonded substrate manufacturing apparatus according to Note 5 or 6 to be used.

(부기 8) 상기 유전층 표면에 상기 기판의 측방으로부터 상기 기판의 소자 형성 영역과 겹치도록 도체를 형성하고, 상기 기판의 박리 시에, 상기 도체에 접속한 단자를 상기 기판에 형성되어 있는 도체와 접촉시키는 것을 특징으로 하는 부기 5 또는 6에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 8) A conductor is formed on the surface of the dielectric layer so as to overlap the element formation region of the substrate from the side of the substrate, and when the substrate is peeled off, a terminal connected to the conductor is brought into contact with the conductor formed on the substrate. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to Appendix 5 or 6, characterized in that it is made.

(부기 9) 감압 하에서 상기 제 1 및 제 2 파지판 중의 어느 한쪽을 접합시킨 제 1 및 제 2 기판으로부터 이간시키고, 다른쪽 파지판에 상기 제 1 및 제 2 기판을 흡착 파지한 상태에서 상기 처리실 내를 대기 개방하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 8 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 9) The processing chamber in a state in which the first and second substrates are separated from the first and second substrates bonded to one of the first and second gripping plates under reduced pressure, and the first and second substrates are adsorbed and held by the other gripping plate. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of Appendix 1 to 8, wherein the inside is opened to the atmosphere.

(부기 10) 상기 처리실에 대향시킨 상기 제 1 및 제 2 기판을 동시에 반입하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 9 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 10) The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of notes 1 to 9, wherein the first and second substrates opposed to the processing chamber are simultaneously carried in.

(부기 11) 상기 제 1 및 제 2 파지판에 각각 흡착 파지한 제 1 및 제 2 기판을 위치 맞춤하는 제 1 위치 맞춤 장치를 구비하고, 상기 제 1 위치 맞춤 장치는, 상기 제 1 및 제 2 파지판에 각각 흡착 파지한 상기 제 1 및 제 2 기판을 상기 제 1 및 제 2 기판 중의 어느 한쪽에 설치한 촬상 장치에 의해 상기 제 1 및 제 2 기판에 설치한 위치 맞춤 마크를 촬상하여 상기 양 기판의 위치 맞춤을 행하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 10 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 11) A first positioning device for positioning the first and second substrates respectively sucked and gripped on the first and second gripping plates, wherein the first positioning device includes the first and second gripping plates. The alignment marks provided on the first and second substrates are imaged by an image pickup device in which the first and second substrates respectively adsorbed and gripped by the gripping plate are mounted on either of the first and second substrates, The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of Appendix 1 to 10, wherein the substrate is aligned.

(부기 12) 상기 제 1 및 제 2 기판보다 먼저 상기 처리실에 반입된 제 3 기판에 상기 제 1 및 제 2 기판과 동일한 위치에 설치된 위치 맞춤 마크를 상기 촬상 장치에 의해 촬상하여 상기 위치 맞춤 마크의 시야 내 위치를 미리 기억하고, 상기 제 1 시야 내 위치와 반입한 상기 제 1 및 제 2 기판의 촬상한 위치 맞춤 마크의 제 2 시야 내 위치의 좌표 차분에 의해 상기 촬상 장치를 이동시키는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 11 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 12) The alignment mark installed at the same position as the first and second substrates on a third substrate carried into the processing chamber prior to the first and second substrates is imaged by the imaging device, and the alignment mark is A position in the field of view is stored in advance, and the imaging device is moved by a difference in coordinates between the position in the first field of view and a position in the second field of view of the imaged alignment marks of the first and second substrates brought in. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of Appendix 1 to 11.

(부기 13) 접합시킬 때의 촬상 배율보다도 낮은 촬상 배율의 렌즈를 적어도 2세트 갖고, 상기 제 1 및 제 2 기판을 접합시키기 전에 각 배율의 렌즈를 사용하여 단계적으로 위치 맞춤을 행하는 것을 특징으로 하는 부기 11 또는 12에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Annex 13) It has at least two sets of lenses with an imaging magnification lower than the imaging magnification at the time of bonding, and before bonding the first and second substrates, positioning is performed step by step using lenses of each magnification. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to Appendix 11 or 12.

(부기 14) 상기 제 1 및 제 2 기판을 상기 처리실에 반입하기 전에 위치 맞춤을 행하는 제 2 위치 맞춤 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 부기 11 내지 13 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 14) The laminated substrate manufacturing apparatus according to any one of notes 11 to 13, comprising: a second alignment device that performs alignment before carrying the first and second substrates into the processing chamber.

(부기 15) 위치 맞춤하는 상기 제 1 및 제 2 기판의 제 1 기준 위치와, 상기 제 2 위치 맞춤 장치에서의 제 1 및 제 2 기판의 제 2 기준 위치를 기억하고, 상기 제 2 위치 맞춤 장치에 반입한 상기 제 1 또는 제 2 기판의 위치와 상기 제 2 기준 위치의 차에 따른 보정을 상기 제 1 또는 제 2 기판을 상기 제 1 기준 위치로 반송할 때에 가하는 것을 특징으로 하는 부기 13 또는 14에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 15) A first reference position of the first and second substrates to be aligned and a second reference position of the first and second substrates in the second alignment device are stored, and the second alignment device Note 13 or 14, characterized in that correction according to the difference between the position of the first or second substrate carried in to the second reference position and the second reference position is applied when transporting the first or second substrate to the first reference position. The laminated substrate manufacturing apparatus described in.

(부기 16) 상기 처리실은 2개의 용기로 분할되어, 각각의 용기에는 상기 제 1 및 제 2 기판을 파지하는 제 1 및 제 2 파지판이 고착되고, 한쪽 용기는 위치 맞춤 시에 이동 가능한 기구에 부착되며, 다른쪽 용기는 상기 처리실 내를 감압 후에 상기 한쪽 용기와 함께 이동하는 것을 특징으로 하는 부기 11 내지 15 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Appendix 16) The processing chamber is divided into two containers, each of which is fixed with first and second gripping plates for gripping the first and second substrates, and one container is attached to a movable mechanism during alignment. And the other container moves together with the one container after depressurizing the inside of the processing chamber.

(부기 17) 상기 제 1 및 제 2 기판을 접합시키는 접착제는 적어도 광경화성 접착제를 함유하는 접착제로서 상기 접착제에 상기 제 1 및 제 2 기판의 적어도 한쪽 측에 구비한 광원으로부터 광을 조사하여 경화시키는 경화 장치를 구비하고, 상기 장치에서는 조도 센서에 의해 상기 제 1 및 제 2 기판에 조사되는 광량을 측정하며, 그 측정 결과에 의거하여 상기 광원과 상기 제 1 및 제 2 기판과의 거리를 제어하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 16 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 17) The adhesive for bonding the first and second substrates is an adhesive containing at least a photocurable adhesive, wherein the adhesive is cured by irradiating light from a light source provided on at least one side of the first and second substrates to the adhesive. A curing device is provided, and in the device, the amount of light irradiated to the first and second substrates is measured by an illuminance sensor, and the distance between the light source and the first and second substrates is controlled based on the measurement result. The laminated substrate manufacturing apparatus according to any one of Appendix 1 to 16, characterized in that.

(부기 18) 상기 제 1 및 제 2 기판을 접합시키는 접착제는 적어도 광경화성 접착제를 함유하는 접착제로서 상기 접착제에 상기 제 1 및 제 2 기판의 적어도 한쪽 측에 구비한 광원으로부터 광을 조사하여 경화시키는 경화 장치를 구비하고, 상기 장치에서는 조도 센서에 의해 상기 제 1 및 제 2 기판에 조사되는 광량을 측정하며, 그 측정 결과에 의거하여 상기 광원과 상기 제 1 및 제 2 기판에 조사되는 강도를 일정하게 유지하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 16 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 18) The adhesive for bonding the first and second substrates is an adhesive containing at least a photocurable adhesive, wherein the adhesive is cured by irradiating light from a light source provided on at least one side of the first and second substrates. A curing device is provided, and in the device, an amount of light irradiated to the first and second substrates is measured by an illuminance sensor, and the intensity irradiated to the light source and the first and second substrates is constant based on the measurement result. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of appendices 1 to 16, characterized in that the control is controlled so as to maintain the same.

(부기 19) 상기 경화 장치는 상기 접합된 제 1 및 제 2 기판을 흡착 파지하는 파지판을 냉각시키는 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 부기 17 또는 18에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 19) The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to note 17 or 18, wherein the curing device includes a mechanism for cooling a holding plate for adsorbing and holding the bonded first and second substrates.

(부기 20) 상기 파지판은 광을 흡수하기 어려운 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 부기 19에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 20) The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to Appendix 19, wherein the gripping plate is made of a material that is difficult to absorb light.

(부기 21) 감압되는 상기 처리실 내에 설치된 상기 한쪽 파지판을 상하 이동 가능하게 지지하기 위한 상기 처리실 외에 설치된 지지부재와, 상기 지지부재를 매다는 지지판과, 상기 지지판을 상하 이동시키는 액추에이터와, 상기 지지판과 상기 지지부재 사이에 상기 지지부재 및 상기 상측 파지판의 중량이 가해지도록 설치된 로드 셀을 구비하고, 상기 로드 셀은, 상기 처리실 내를 감압함으로써 상기 상측 파지판에 부가되는 대기압과 상기 지지부재 및 상기 상측 파지판의 자중과의 총합을 계측 값으로서 출력하여, 상기 계측 값이 감소된 값을 상기 제 1 및 제 2 기판에 가해지는 압력으로서 인식하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 20 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 21) A support member installed outside the processing chamber for vertically supporting the one holding plate installed in the processing chamber to be depressurized, a support plate for suspending the support member, an actuator for vertically moving the support plate, and the support plate A load cell is provided between the support members so that the weight of the support member and the upper gripping plate is applied, and the load cell includes atmospheric pressure added to the upper gripping plate by depressurizing the inside of the processing chamber, and the support member and the According to any one of appendices 1 to 20, characterized in that the total sum of the self-weight of the upper gripping plate is output as a measured value, and the value by which the measured value is reduced is recognized as the pressure applied to the first and second substrates. Bonded substrate manufacturing apparatus.

(부기 22) 상기 상측의 파지판에 가공압을 가하는 액추에이터를 구비하고, 상기 액추에이터는 상기 가공압이 상기 로드 셀에 가해지도록 상기 지지판에 설치되며, 상기 로드 셀은, 상기 자중과 상기 대기압과 상기 가공압의 총합을 계측 값으로서 출력하여, 상기 계측 값이 감소되는 값에 의거하여 상기 액추에이터의 가공압을 제어하는것을 특징으로 하는 부기 21에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 22) An actuator for applying a processing pressure to the upper gripping plate, the actuator is installed on the support plate so that the processing pressure is applied to the load cell, and the load cell includes the self-weight, the atmospheric pressure, and the The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to note 21, wherein the total of the processing pressure is output as a measured value, and the processing pressure of the actuator is controlled based on a value at which the measured value is decreased.

(부기 23) 상기 접합시킨 제 1 및 제 2 기판을 배치하는 면이 평활하게 형성된 반송용 평판을 적어도 1개 갖고, 상기 반송용 평판에 상기 접합 후의 제 1 및 제 2 기판을 이동시켜 상기 접착제를 경화시키는 경화 장치에 반송하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 22 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Annex 23) Having at least one flat plate for conveyance on which the surfaces on which the bonded first and second substrates are disposed are formed smoothly, and the first and second substrates after the bonding are moved to the flat plate for transfer, and the adhesive is applied. The bonded substrate manufacturing apparatus according to any one of Appendix 1 to 22, which is conveyed to a curing device to be cured.

(부기 24) 상기 경화 장치에서 상기 접착제에 광을 조사시킬 때까지의 시간을 관리하는 것을 특징으로 하는 부기 23에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 24) The laminated substrate manufacturing apparatus according to note 23, wherein the time until irradiating light to the adhesive in the curing device is controlled.

(부기 25) 접합시킨 제 1 및 제 2 기판을 배치하는 면이 소정 평면도로 가공된 복수의 반송용 평판과, 상기 복수의 반송용 평판에 상기 파지판으로부터 상기 제 1 및 제 2 기판을 이동시키고, 각 반송용 평판마다 접합으로 부터의 시간을 관리하여, 소정 시간 경과한 제 1 및 제 2 기판을 흡착 파지한 반송용 평판을 접착제를 경화시키는 장치에 반입하는 이동기구를 구비한 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 22 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Appendix 25) The first and second substrates are moved from the gripping plate to a plurality of conveying flat plates in which the surfaces on which the bonded first and second substrates are disposed are processed into a predetermined plan view, and the plurality of conveying flat plates are moved. , It is characterized in that it has a moving mechanism for carrying in a device for curing the adhesive by managing the time from bonding for each of the conveying plates, and carrying the conveying plates obtained by adsorbing and holding the first and second substrates after a predetermined period of time has elapsed. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of Appendix 1 to 22.

(부기 26) 상기 각 반송용 평판마다 상기 접착제 경화 후의 제 1 및 제 2 기판의 위치 어긋남을 반송 정보로서 기억하고, 상기 반송 정보에 의거하여 상기 기판을 이동시켜 위치 맞춤을 행하는 것을 특징으로 하는 부기 23 내지 25 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 26) Note that the positional shift of the first and second substrates after curing of the adhesive is stored for each of the conveying flat plates as conveying information, and the substrate is moved to perform alignment based on the conveying information. The bonded substrate manufacturing apparatus according to any one of 23 to 25.

(부기 27) 상기 접착제 경화 후의 제 1 및 제 2 기판의 위치 어긋남을 검사하는 검사장치를 구비하고, 상기 검사장치에 의해 검출한 위치 어긋남 양에 따라 상기 제 1 및 제 2 기판을 이동시켜 위치 맞춤하는 그 위치 맞춤 어긋남 양을 보정하는 것을 특징으로 하는 부기 26에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 27) An inspection device for inspecting the positional displacement of the first and second substrates after curing of the adhesive is provided, and the first and second substrates are moved according to the amount of positional displacement detected by the inspection device to align the position. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to note 26, wherein the amount of the alignment shift is corrected.

(부기 28) 상기 검사장치를 상기 기판의 반송 라인 상에 배치하는 것을 특징으로 하는 부기 27에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 28) The laminated substrate manufacturing apparatus according to note 27, wherein the inspection device is disposed on a conveyance line of the substrate.

(부기 29) 상기 한쪽 파지판은 착탈 가능하게 설치되고, 상기 접합 후의 제 1 및 제 2 기판을 흡착 파지한 상기 파지판을 착탈시켜 다음 공정으로 반송하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 28 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 29) Any one of notes 1 to 28, wherein the one gripping plate is detachably installed, and the gripping plate having the bonded first and second substrates adsorbed and gripped is detached and transported to the next step. The laminated substrate manufacturing apparatus described in.

(부기 30) 상기 접합을 행하는 처리실과는 별도로 감압 형성 가능하게 형성된 용기를 구비하고, 상기 용기에서 상기 제 1 및 제 2 기판의 적어도 한쪽에 대하여 접합의 전처리를 행하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 29 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Appendix 30) A container formed to be depressurized separately from the processing chamber in which the bonding is performed, and pretreatment of bonding is performed on at least one of the first and second substrates in the container. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of.

(부기 31) 상기 제 1 및 제 2 기판 사이를 밀봉시키는 밀봉재를 묘화하는 기구를 구비하고, 상기 전처리는, 상기 밀봉재 묘화 후의 제 1 및 제 2 기판을 선택한 가스에 노출시키는 처리인 것을 특징으로 하는 부기 30에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 31) A mechanism for drawing a sealing material for sealing between the first and second substrates is provided, and the pretreatment is a process of exposing the first and second substrates after drawing the sealing material to a selected gas. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to Appendix 30.

(부기 32) 상기 전처리는, 상기 제 1 및 제 2 기판의 적어도 한쪽에 대하여 실시하는 열처리인 것을 특징으로 하는 부기 30에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 32) The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to Note 30, wherein the pretreatment is a heat treatment performed on at least one of the first and second substrates.

(부기 33) 상기 전처리는, 상기 제 1 또는 제 2 기판에 대하여 실시하는 플라즈마 처리인 것을 특징으로 하는 부기 30에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 33) The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to note 30, wherein the pretreatment is a plasma treatment performed on the first or second substrate.

(부기 34) 상기 접합을 행하는 처리실과는 별도로 감압 형성 가능하게 형성된 용기를 구비하고, 상기 밀봉의 경화 처리, 상기 경화 처리까지의 반송 처리, 접합 후의 제 1 및 제 2 기판을 상기 제 1 및 제 2 파지판으로부터 박리시키는 처리 중의 적어도 하나의 처리를 상기 용기 내에서 실시하는 것을 특징으로 하는 부기 30 내지 33 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Appendix 34) A container formed so as to be formed under reduced pressure is provided separately from the processing chamber for bonding, and the first and second substrates after the curing treatment of the sealing, the transfer treatment up to the curing treatment, and bonding are provided with the first and second substrates. 2 The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of Appendixes 30 to 33, wherein at least one of the treatments to be peeled off from the holding plate is performed in the container.

(부기 35) 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 봉입하는 액체를 상기 제 1 또는 제 2 기판 상에 적하하는 액체 적하장치를 구비하고, 상기 액체의 토출량을 자동 계측하는 기구를 가져, 기판 상으로의 토출 전에 최적의 적하량을 교정함으로써 도포량을 일정하게 관리하는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 34 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Appendix 35) A liquid dropping device for dropping the liquid sealed between the first and second substrates onto the first or second substrate, and having a mechanism for automatically measuring the discharge amount of the liquid onto the substrate. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of Appendix 1 to 34, wherein the coating amount is constantly managed by correcting the optimal dripping amount before discharging of.

(부기 36) 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 봉입하는 액체를 상기 제 1 또는 제 2 기판 상에 적하하는 액체 적하 장치를 구비하고,(Note 36) A liquid dropping device for dropping a liquid sealed between the first and second substrates onto the first or second substrate is provided,

상기 액체 적하 장치는 충전된 액체에 압력을 가하여 노즐로부터 토출시키는 시린지를 구비하며, 상기 시린지는, 상기 액체의 흐름을 차단 가능한 개폐 밸브를 갖는 것, 상기 액체가 접하는 관이 상기 액체의 변화에 관계없이 상기 압력에 대하여 균등한 것, 상기 액체를 온도 제어하는 것 중의 적어도 하나를 갖는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 34 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.The liquid dropping device includes a syringe that applies pressure to the filled liquid and discharges it from the nozzle, and the syringe has an opening/closing valve capable of blocking the flow of the liquid, and the pipe in contact with the liquid is related to the change of the liquid. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of Annex 1 to 34, characterized by having at least one of equal to the pressure and controlling the temperature of the liquid.

(부기 37) 상기 시린지의 노즐 부근에, 상기 노즐에 부착되는 액체를 흡입하는 흡입구를 설치한 것을 특징으로하는 부기 36에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 37) The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to note 36, wherein a suction port for sucking the liquid attached to the nozzle is provided near the nozzle of the syringe.

(부기 38) 상기 노즐 선단에 기체를 분무하는 기체 분사 노즐을 상기 흡입구와 대향하여 설치한 것을 특징으로하는 부기 37에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 38) The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to note 37, wherein a gas injection nozzle for spraying gas at the tip of the nozzle is provided to face the suction port.

(부기 39) 상기 시린지로부터 적하하는 액체의 양을 계측하는 계측장치를 구비하고, 상기 계측장치에서의 계측결과에 의거하여 상기 액체를 토출시키는 압력을 가하는 플런저의 이동량을 제어하도록 한 것을 특징으로 하는 부기 35 내지 38 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Annex 39) comprising a measuring device for measuring the amount of liquid dropped from the syringe, and controlling the amount of movement of the plunger for applying pressure to discharge the liquid based on the measurement result of the measuring device. The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of Appendix 35 to 38.

(부기 40) 상기 제 1 및 제 2 기판은 각각 서로 다른 공정에 의해 제조되고, 상기 제 1 및 제 2 기판을 동시에 수취하여 상기 공정에 반입하는 반송 로봇을 구비하며, 상기 제 1 및 제 2 기판의 각각에는 인식 정보가 마련되어, 상기 반송 로봇은 상기 각 인식 정보에 의거하여 상기 제 1 또는 제 2 기판을 상하 반전시키는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 39 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 40) Each of the first and second substrates is manufactured by a different process, and includes a transfer robot that simultaneously receives the first and second substrates and carries them into the process, and the first and second substrates Recognition information is provided in each of, and the transfer robot vertically inverts the first or second substrate based on the respective recognition information. The laminated substrate manufacturing apparatus according to any one of notes 1 to 39.

(부기 41) 상기 제 1 또는 제 2 기판을 한쪽 파지판에 흡착할 때, 상기 흡착하는 기판의 왜곡을 교정하는 기구를 갖는 것을 특징으로 하는 부기 1 내지 40 중의 어느 하나에 기재된 접합 기판 제조 장치.(Note 41) The apparatus for manufacturing a bonded substrate according to any one of notes 1 to 40, comprising a mechanism for correcting distortion of the adsorbed substrate when adsorbing the first or second substrate to one holding plate.

55 : 시린지(syringe)
71 : 처리실로서의 챔버
72a, 72b : 파지판으로서의 상측 평판 및 하측 평판
76a, 76b : 파지판을 구성하는 정전 척부
89 : 흡착 홈
91a∼91d : 유전층
92a∼92d : 전극
94a : 도전물
111 : 촬상(撮像)장치
115, 116 : 카메라 렌즈
129 : 로드 셀
132 : 액추에이터로서의 실린더
165 : 왜곡 교정기구
W1, W2 : 제 1 및 제 2 기판
55: syringe
71: chamber as a processing chamber
72a, 72b: upper and lower flat plates as gripping plates
76a, 76b: electrostatic chuck part constituting the gripping plate
89: suction groove
91a-91d: dielectric layer
92a-92d: electrode
94a: Challenge
111: imaging device
115, 116: camera lens
129: load cell
132: cylinder as actuator
165: distortion correction mechanism
W1, W2: first and second substrates

Claims (4)

처리실(71) 내에 제1 기판 및 제2 기판을 반입하고, 상기 처리실 내를 감압하여 상기 제1 기판 및 제2 기판을 접합시키는 프레스 장치에 있어서,
상기 처리실 내에 설치된 상측 평판(72a)을 지지하기 위한 제1 지지부재(123a, 123b, 124a, 124b, 130)와,
상기 제1 지지부재를 아래로부터 받치는 제2 지지부재(126)와,
상기 제1 지지부재 및 상기 상측 평판의 중량의 적어도 일부가 가해지도록 설치된 로드 셀(129)을 구비하고,
상기 로드 셀은 상기 제2 지지부재의 상면 부분에 부착되고, 상기 로드 셀의 위에 상기 제1 지지부재의 상측 판(124a)의 하면이 맞닿아져 있고,
상기 로드 셀은, 상기 로드 셀에 가해지는 총 압력으로부터 상기 제1 기판 및 제2 기판을 접합시킬 때의 반력(反力)을 감소시킨 측정치를 출력하고,
상기 측정치에 기초하여 압력을 상기 제1 기판과 제2 기판에 가하도록 제어하는 제어 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 프레스 장치.
A press apparatus for carrying in a first substrate and a second substrate into a processing chamber 71 and bonding the first substrate and the second substrate by decompressing the interior of the processing chamber,
First support members 123a, 123b, 124a, 124b, 130 for supporting the upper flat plate 72a installed in the processing chamber,
A second support member 126 supporting the first support member from below,
And a load cell 129 installed so that at least a part of the weight of the first support member and the upper plate is applied,
The load cell is attached to an upper surface portion of the second support member, and a lower surface of the upper plate 124a of the first support member abuts on the load cell,
The load cell outputs a measured value obtained by reducing a reaction force when bonding the first substrate and the second substrate from the total pressure applied to the load cell,
And control means for controlling pressure to be applied to the first and second substrates based on the measured value.
제 1 항에 있어서,
상기 총 압력은, 상기 상측 평판에 가해지는 대기압, 상기 제1 지지부재 및 상기 상측 평판의 자중의 총합인 것을 특징으로 하는 프레스 장치.
The method of claim 1,
The total pressure is an atmospheric pressure applied to the upper flat plate, and the total weight of the first support member and the upper flat plate is a sum of the weights.
제 2 항에 있어서,
상기 상측 평판에 압력을 가하는 가압 수단(132)을 더 구비하고, 상기 총 압력에 상기 가압 수단의 가압력을 추가하는 것을 특징으로 하는 프레스 장치.
The method of claim 2,
And a pressing means (132) for applying pressure to the upper flat plate, and adding a pressing force of the pressing means to the total pressure.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1 지지부재를 아래로부터 받치는 상기 제2 지지부재를 상하 이동시키는 모터(125)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 프레스 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
And a motor (125) for vertically moving the second support member supporting the first support member from below.
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