KR20200144150A - Polymers for use in electronic devices - Google Patents

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KR20200144150A
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비아체슬라프 브이 디에프
노라 사비나 라두
조나단 티모시 메이어
차이 깃 응아이
존 러셀 주니어 크롬프튼
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듀폰 일렉트로닉스, 인크.
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Abstract

화학식 IV:
[화학식 IV]

Figure pct00152
를 갖는 산 이무수물이 개시된다. 화학식 IV에서, Rd는 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고; Re는 디아민 잔기를 나타내고; m은 1 내지 20의 정수이다.Formula IV:
[Formula IV]
Figure pct00152
An acid dianhydride is disclosed. In formula IV, R d represents a tetracarboxylic acid component moiety; R e represents a diamine moiety; m is an integer from 1 to 20.

Description

전자 장치에 사용하기 위한 중합체Polymers for use in electronic devices

선행 출원에 대한 이익의 주장Claim of profit on prior application

본 출원은 2018년 5월 16일자로 출원된 미국 가출원 제62/672,272호의 이익을 주장하며, 상기 미국 가출원은 그 전체가 본원에 참고로 포함된다.This application claims the benefit of U.S. Provisional Application No. 62/672,272, filed May 16, 2018, which U.S. Provisional Application is incorporated herein by reference in its entirety.

기술분야Technical field

본 발명은 신규한 중합체 화합물에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 이러한 중합체 화합물의 제조 방법, 및 이러한 재료를 포함하는 적어도 하나의 층을 갖는 전자 장치에 관한 것이다.The present invention relates to novel polymeric compounds. The invention also relates to a method for producing such a polymer compound, and to an electronic device having at least one layer comprising such a material.

전자기기 응용 분야에 사용하기 위한 재료는 종종 그 구조적 특성, 광학적 특성, 열적 특성, 전자적 특성 및 기타 특성 면에서 엄격한 요건을 갖는다. 상업용 전자기기 응용의 수가 지속적으로 증가함에 따라, 필수적인 특성의 폭과 특이성에 있어서 새로운 및/또는 개선된 특성을 갖는 혁신적인 재료가 요구된다. 폴리이미드는 다양한 전자기기 응용 분야에 널리 사용되어 온 중합체 화합물 부류를 대표한다. 폴리이미드는 적절한 특성을 갖는 경우 전자 디스플레이 장치에서 가요성 유리 대체재로서의 역할을 할 수 있다. 이러한 재료는 적당한 전력 소모, 경량성, 및 층 평탄도가 효율적 사용에 중요한 특성인 액정 디스플레이("LCD")의 구성요소로서 기능할 수 있다. 이러한 파라미터들을 중요시하는 전자 디스플레이 장치에서의 다른 용도는 장치 기판, 컬러 필터 시트용 기판, 커버 필름, 터치 스크린 패널 등을 포함한다. Materials for use in electronic device applications often have stringent requirements in terms of their structural properties, optical properties, thermal properties, electronic properties and other properties. As the number of commercial electronics applications continues to increase, innovative materials with new and/or improved properties in the breadth and specificity of essential properties are required. Polyimides represent a class of polymer compounds that have been widely used in a variety of electronics applications. Polyimide can serve as a flexible glass substitute in electronic display devices if it has appropriate properties. Such a material can function as a component of a liquid crystal display ("LCD") where moderate power consumption, light weight, and layer flatness are important properties for efficient use. Other uses in electronic display devices that value these parameters include device substrates, substrates for color filter sheets, cover films, touch screen panels, and the like.

많은 이러한 구성요소는 유기 발광 다이오드("OLED")를 갖는 유기 전자 장치의 구성과 작동에도 중요하다. OLED는 전력 변환 효율이 높고 광범위한 최종 용도에 응용할 수 있기 때문에 많은 디스플레이 응용 분야에 유망하다. 휴대전화, 태블릿 장치, 휴대용/노트북 컴퓨터, 및 기타 상용 제품에서 OLED의 사용은 점점 증가하고 있다. 이러한 응용 분야에는 낮은 전력 소모 외에도, 많은 정보를 담을 수 있고 풀 컬러이면서, 비디오 레이트 응답 시간이 빠른 디스플레이가 요구된다.Many of these components are also important for the construction and operation of organic electronic devices with organic light-emitting diodes ("OLEDs"). OLEDs are promising for many display applications because they have high power conversion efficiency and can be applied to a wide range of end uses. The use of OLEDs in mobile phones, tablet devices, portable/notebook computers, and other commercial products is increasing. In addition to low power consumption, these applications require displays that can hold a lot of information, are full color, and have a fast video rate response time.

폴리이미드 필름은 일반적으로, 이러한 용도를 고려하기에 충분한 열 안정성, 높은 유리 전이 온도, 및 기계적 인성을 갖는다. 또한, 폴리이미드는 일반적으로, 휨이 반복되었을 때 헤이즈를 발생시키지 않으므로, 플렉서블 디스플레이 응용 분야에서 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 및 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)와 같은 다른 투명 기판보다 선호되는 경우가 많다.Polyimide films generally have sufficient thermal stability, high glass transition temperatures, and mechanical toughness to contemplate these applications. In addition, since polyimide generally does not generate haze when bending is repeated, it is often preferred over other transparent substrates such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN) in flexible display applications.

그러나, 기존의 호박색의 폴리이미드는 광 투과성이 중요한 컬러 필터 및 터치 스크린 패널과 같은 일부 디스플레이 응용 분야에는 사용될 수 없다. 또한, 폴리이미드는 일반적으로 강성의 고도 방향족 재료이며, 필름/코팅이 형성되고 있을 때 필름/코팅의 면에 중합체 사슬이 배향되는 경향이 있다. 이는 필름의 평행 방향과 수직 방향 간의 굴절률 차이(복굴절률)를 초래하여, 디스플레이 성능에 부정적인 영향을 줄 수 있는 광학 위상지연이 생기게 한다. 디스플레이 시장에서 폴리이미드의 추가 응용 분야를 찾으려면, 폴리이미드의 바람직한 특성을 유지하는 동시에, 광 투과성의 개선 및 호박색 및 복굴절률(광학 위상지연을 초래함)의 감소를 위한 해결책이 필요하다.However, the conventional amber polyimide cannot be used in some display applications such as color filters and touch screen panels where light transmission is important. In addition, polyimides are generally rigid, highly aromatic materials, and when the film/coating is being formed, the polymer chains tend to be oriented on the side of the film/coating. This causes a difference in refractive index (birefringence) between the parallel direction and the vertical direction of the film, resulting in an optical phase delay that may negatively affect display performance. To find further applications of polyimide in the display market, there is a need for solutions to improve light transmittance and reduce amber and birefringence (causing optical phase delay) while maintaining the desired properties of polyimide.

따라서, 전자 장치에 사용하기에 적합한 저색도 재료에 대한 지속적인 요구가 있다.Therefore, there is a continuing need for low-chrominance materials suitable for use in electronic devices.

폴리이미드를 위한 이미드-함유 단량체가 제공된다.Imide-containing monomers for polyimides are provided.

하기 화학식 I을 갖는 디아민이 또한 제공된다:Also provided are diamines having the formula (I):

[화학식 I][Formula I]

Figure pct00001
Figure pct00001

여기서, here,

Ra는 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고;R a represents a tetracarboxylic acid component residue;

Rb는 디아민 잔기를 나타내고;R b represents a diamine moiety;

m은 1 내지 20의 정수이다.m is an integer from 1 to 20.

하나 이상의 테트라카르복실산 성분과 하나 이상의 디아민의 반응 생성물인 폴리아믹산 조성물이 추가로 제공되며, 여기서, 디아민은 1 내지 100 몰%의, 화학식 I을 갖는 디아민을 포함한다.Further provided is a polyamic acid composition, which is the reaction product of at least one tetracarboxylic acid component and at least one diamine, wherein the diamine comprises 1 to 100 mole% of a diamine having formula (I).

하기 화학식 IV를 갖는 산 이무수물이 추가로 제공된다:There is further provided an acid dianhydride having formula IV:

[화학식 IV][Formula IV]

Figure pct00002
Figure pct00002

여기서, here,

Rd는 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고;R d represents a tetracarboxylic acid component residue;

Re는 디아민 잔기를 나타내고;R e represents a diamine moiety;

m은 1 내지 20의 정수이다.m is an integer from 1 to 20.

하나 이상의 테트라카르복실산 성분과 하나 이상의 디아민의 반응 생성물인 폴리아믹산 조성물이 추가로 제공되며, 여기서, 테트라카르복실산 성분은 1 내지 100 몰%의, 화학식 IV를 갖는 테트라카르복실산 이무수물을 포함한다.A polyamic acid composition, which is a reaction product of at least one tetracarboxylic acid component and at least one diamine, is further provided, wherein the tetracarboxylic acid component comprises 1 to 100 mol% of a tetracarboxylic dianhydride having formula IV. Include.

(a) 상기 폴리아믹산 및 (b) 적어도 하나의 고비점 비양성자성 용매를 포함하는 조성물이 추가로 제공된다.A composition comprising (a) the polyamic acid and (b) at least one high boiling point aprotic solvent is further provided.

상기 폴리아믹산 중 어느 하나의 이미드화로 인해 생성된 폴리이미드가 추가로 제공된다. A polyimide produced by imidation of any one of the polyamic acids is further provided.

상기 폴리이미드를 포함하는 폴리이미드 필름이 추가로 제공된다. A polyimide film comprising the polyimide is further provided.

상기 폴리이미드 필름을 제조하기 위한 하나 이상의 방법이 추가로 제공된다.One or more methods for making the polyimide film are further provided.

전자 장치에서의 가요성 유리 대체재로서, 상기 폴리이미드 필름인 가요성 유리 대체재가 추가로 제공된다.As a flexible glass substitute in an electronic device, a flexible glass substitute which is the polyimide film is further provided.

상기 폴리이미드 필름을 포함하는 적어도 하나의 층을 갖는 전자 장치가 추가로 제공된다.An electronic device having at least one layer including the polyimide film is further provided.

OLED와 같은 유기 전자 장치로서, 본원에 개시된 가요성 유리 대체재를 포함하는 유기 전자 장치가 추가로 제공된다.An organic electronic device such as an OLED, further provided is an organic electronic device comprising the flexible glass substitute disclosed herein.

전술한 일반적인 설명 및 다음의 상세한 설명은 단지 예시적이고 설명적인 것이며, 첨부된 청구범위에서 정의되는 본 발명을 제한하지 않는다.The foregoing general description and the following detailed description are illustrative and illustrative only, and do not limit the invention as defined in the appended claims.

본원에 제시된 개념의 이해를 높이기 위해 첨부 도면에서 실시 형태가 예시된다.
도 1은 가요성 유리 대체재로서 작용할 수 있는 폴리이미드 필름의 일례에 대한 도시를 포함한다.
도 2는 가요성 유리 대체재를 포함하는 전자 장치의 일례에 대한 도시를 포함한다.
당업자라면 도면의 물체가 간결하고 명료하게 도시되어 있으며 반드시 축척대로 도시된 것이 아님을 이해한다. 예를 들어, 도면에서 일부 물체의 치수는 실시 형태의 이해를 높이는 것을 돕기 위해 다른 물체에 비해 과장될 수 있다.
Embodiments are illustrated in the accompanying drawings to enhance the understanding of the concepts presented herein.
1 includes an illustration of an example of a polyimide film that can serve as a flexible glass substitute.
2 includes an illustration of an example of an electronic device including a flexible glass substitute.
Those skilled in the art will understand that the objects in the drawings have been drawn for conciseness and clarity and are not necessarily drawn to scale. For example, in the drawings, dimensions of some objects may be exaggerated compared to other objects to help improve understanding of the embodiments.

많은 양태 및 실시 형태가 위에서 설명되었고, 이는 단지 예시적인 것이며 제한적인 것은 아니다. 본 명세서를 읽은 후에, 당업자는 본 발명의 범주를 벗어나지 않고 다른 양태 및 실시 형태가 가능하다는 것을 이해한다.Many aspects and embodiments have been described above, which are illustrative only and not limiting. After reading this specification, those skilled in the art understand that other aspects and embodiments are possible without departing from the scope of the invention.

임의의 하나 이상의 실시 형태에 대한 다른 특징 및 이점은 다음의 상세한 설명 및 청구범위로부터 명백해질 것이다. 상세한 설명은 먼저 용어의 정의 및 설명, 이어서 이미드-함유 단량체, 화학식 I을 갖는 디아민, 화학식 IV를 갖는 산 이무수물, 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리이미드 필름의 제조 방법, 전자 장치, 및 실시예를 다룬다.Other features and advantages of any one or more embodiments will become apparent from the following detailed description and claims. The detailed description first includes definition and description of terms, followed by an imide-containing monomer, a diamine having the formula I, an acid dianhydride having the formula IV, a polyamic acid, a polyimide, a method for preparing a polyimide film, an electronic device, and examples. Deals with

1. 용어의 정의 및 설명1. Definition and explanation of terms

이하에서 기술되는 실시 형태의 상세 사항을 다루기 전에, 일부 용어를 정의하거나 설명한다. Before addressing the details of the embodiments described below, some terms are defined or described.

"용어의 정의 및 설명"에서 사용되는 바와 같이, R, Ra, Rb, R', R", 및 임의의 기타 변수들은 일반적인 명칭이며, 화학식에서 정의되는 것과 동일하거나 다를 수 있다.As used in "Definition and Description of Terms", R, R a , R b , R', R", and any other variables are generic names and may be the same as or different from those defined in the formula.

용어 "배향층(alignment layer)"은 액정 장치(LCD) 제조 공정 중에 플레이트를 하나의 우선 방향으로 LCD 유리에 문질러 각각의 플레이트에 가장 가깝게 분자를 정렬시키는, LCD 내 유기 중합체의 층을 의미하고자 한다.The term "alignment layer" is intended to mean a layer of organic polymers in an LCD that aligns molecules closest to each plate by rubbing the plate against the LCD glass in one preferred direction during the liquid crystal device (LCD) manufacturing process. .

본원에서 사용되는 바와 같이, 용어 "알킬"은 분지형 및 직쇄 포화 지방족 탄화수소 기를 포함한다. 달리 명시되지 않는 한, 이 용어는 또한 환형 기를 포함하고자 한다. 알킬 기의 예는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 이소부틸, 2차 부틸, 3차 부틸, 펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, 헥실, 시클로헥실, 이소헥실 등을 포함한다. 용어 "알킬"은 치환 탄화수소 기와 비치환 탄화수소 기 둘 다를 추가로 포함한다. 일부 실시 형태에서, 알킬 기는 단일 치환, 이중 치환, 및 삼중 치환형일 수 있다. 치환 알킬 기의 일례로는 트리플루오로메틸이 있다. 기타 치환 알킬 기는 본원에 기술된 치환체 중 하나 이상으로부터 형성된다. 특정 실시 형태에서, 알킬 기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는다. 다른 실시 형태에서, 알킬 기는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다. 이 용어는 헤테로알킬 기를 포함하고자 한다. 헤테로알킬 기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 가질 수 있다.As used herein, the term “alkyl” includes branched and straight chain saturated aliphatic hydrocarbon groups. Unless otherwise specified, this term is also intended to include cyclic groups. Examples of alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, isobutyl, secondary butyl, tertiary butyl, pentyl, isopentyl, neopentyl, cyclopentyl, hexyl, cyclohexyl, isohexyl, and the like. The term “alkyl” further includes both substituted and unsubstituted hydrocarbon groups. In some embodiments, alkyl groups can be single, double, and triple substituted. An example of a substituted alkyl group is trifluoromethyl. Other substituted alkyl groups are formed from one or more of the substituents described herein. In certain embodiments, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. In other embodiments, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. This term is intended to include heteroalkyl groups. Heteroalkyl groups can have 1 to 20 carbon atoms.

용어 "비양성자성"은 산성 수소 원자가 결여되어 수소 공여체로서 작용할 수 없는 부류의 용매를 지칭한다. 일반적인 비양성자성 용매에는 알칸, 사염화탄소(CCl4), 벤젠, 디메틸 포름아미드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸아세트아미드(DMAc), 및 많은 기타의 것이 포함된다. The term “aprotic” refers to a class of solvents that lack acidic hydrogen atoms and thus cannot act as hydrogen donors. Common aprotic solvents include alkanes, carbon tetrachloride (CCl4), benzene, dimethyl formamide (DMF), N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), dimethylacetamide (DMAc), and many others.

용어 "방향족 화합물"은 4n+2개의 비편재화 π 전자를 갖는 적어도 하나의 불포화 환형 기를 포함하는 유기 화합물을 의미하고자 한다. 이 용어는 탄소 원자와 수소 원자만을 갖는 방향족 화합물, 및 환형 기 내의 탄소 원자 중 하나 이상이 질소, 산소, 황 등과 같은 다른 원자로 대체된 헤테로방향족 화합물 둘 다를 포함하고자 한다.The term "aromatic compound" is intended to mean an organic compound comprising at least one unsaturated cyclic group having 4n+2 delocalized π electrons. The term is intended to include both aromatic compounds having only carbon and hydrogen atoms, and heteroaromatic compounds in which at least one of the carbon atoms in the cyclic group is replaced with another atom such as nitrogen, oxygen, sulfur, and the like.

용어 "아릴" 또는 "아릴 기"는 방향족 화합물로부터 하나 이상의 수소("H") 또는 중수소("D")를 제거하여 형성된 모이어티를 지칭한다. 아릴 기는 단일 고리(단환)이거나, 함께 융합되거나 공유 결합된 다중 고리(이환 이상)를 가질 수 있다. "탄화수소 아릴"은 방향족 고리(들) 내에 탄소 원자만을 갖는다. "헤테로아릴"은 적어도 하나의 방향족 고리 내에 하나 이상의 헤테로원자를 갖는다. 일부 실시 형태에서, 탄화수소 아릴 기는 6 내지 60개의 고리 탄소 원자를 갖고, 일부 실시 형태에서는 6 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는다. 일부 실시 형태에서, 헤테로아릴 기는 4 내지 50개의 고리 탄소 원자를 갖고, 일부 실시 형태에서는 4 내지 30개의 고리 탄소 원자를 갖는다. The term "aryl" or "aryl group" refers to a moiety formed by removing one or more hydrogen ("H") or deuterium ("D") from an aromatic compound. The aryl group may be a single ring (monocyclic), or may have multiple rings (bicyclic or more) fused together or covalently bonded. “Hydrocarbon aryl” has only carbon atoms in the aromatic ring(s). “Heteroaryl” has one or more heteroatoms within at least one aromatic ring. In some embodiments, hydrocarbon aryl groups have 6 to 60 ring carbon atoms, and in some embodiments 6 to 30 ring carbon atoms. In some embodiments, heteroaryl groups have 4 to 50 ring carbon atoms, and in some embodiments 4 to 30 ring carbon atoms.

용어 "알콕시"는 R이 알킬인 -OR 기를 의미하고자 한다. The term "alkoxy" is intended to mean the group -OR where R is alkyl.

용어 "아릴옥시"는 R이 아릴인 -OR 기를 의미하고자 한다.The term "aryloxy" is intended to mean the group -OR where R is aryl.

용어 "알릴"은 -CH2-CH=CH2 기를 의미하고자 한다.The term "allyl" is intended to mean the group -CH 2 -CH=CH 2 .

용어 "비닐"은 -CH=CH2 기를 의미하고자 한다.The term "vinyl" is intended to mean the group -CH=CH 2 .

달리 명시되지 않는 한, 모든 기는 치환 또는 비치환될 수 있다. 알킬 또는 아릴과 같은, 그러나 이에 한정되지 않는 선택적으로 치환된 기는 동일하거나 상이할 수 있는 하나 이상의 치환체로 치환될 수 있다. 적합한 치환체에는, 알킬, 아릴, 니트로, 시아노, -N(R')(R"), 할로, 히드록시, 카르복시, 알케닐, 알키닐, 시클로알킬, 헤테로아릴, 알콕시, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시, 알콕시카르보닐, 퍼플루오로알킬, 퍼플루오로알콕시, 아릴알킬, 실릴, 실록시, 실록산, 티오알콕시, -S(O)2-, -C(=O)-N(R')(R"), (R')(R")N-알킬, (R')(R")N-알콕시알킬, (R')(R")N-알킬아릴옥시알킬, -S(O)s-아릴(여기서, s는 0 내지 2임), 또는 -S(O)s-헤테로아릴(여기서, s는 0 내지 2임)이 포함된다. 각각의 R' 및 R"은 독립적으로, 선택적으로 치환된 알킬, 시클로알킬, 또는 아릴 기이다. 소정 실시 형태에서, R' 및 R"은 이들이 결합된 질소 원자와 함께 고리 시스템을 형성할 수 있다. 치환체는 또한 가교결합 기일 수 있다. Unless otherwise specified, all groups may be substituted or unsubstituted. An optionally substituted group, such as, but not limited to, alkyl or aryl may be substituted with one or more substituents, which may be the same or different. Suitable substituents include alkyl, aryl, nitro, cyano, -N(R')(R"), halo, hydroxy, carboxy, alkenyl, alkynyl, cycloalkyl, heteroaryl, alkoxy, aryloxy, heteroaryl Oxy, alkoxycarbonyl, perfluoroalkyl, perfluoroalkoxy, arylalkyl, silyl, siloxy, siloxane, thioalkoxy, -S(O) 2 -, -C(=O)-N(R')( R"), (R')(R")N-alkyl, (R')(R")N-alkoxyalkyl, (R')(R")N-alkylaryloxyalkyl, -S(O) s -Aryl (where s is 0 to 2), or -S(O) s -heteroaryl (where s is 0 to 2). Each of R'and R" is independently, optionally Substituted alkyl, cycloalkyl, or aryl groups. In certain embodiments, R'and R", together with the nitrogen atom to which they are attached, may form a ring system. The substituent may also be a crosslinking group.

용어 "아민"은 고립 쌍(lone pair)을 갖는 염기성 질소 원자를 함유하는 것을 의미하고자 한다. 용어 "아미노"는 작용기 -NH2, -NHR, 또는 -NR2를 지칭하며, 여기서 R은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 알킬 기이거나 아릴 기일 수 있다. 용어 "디아민"은 결합된 고립 쌍들을 갖는 2개의 염기성 질소 원자를 함유하는 화합물을 의미하고자 한다. 용어 "방향족 디아민"은 2개의 아미노기를 갖는 방향족 화합물을 의미하고자 한다. 용어 "구부러진 디아민(bent diamine)"은 2개의 염기성 질소 원자 및 결합된 고립 쌍들이 상응 화합물 또는 작용기의 대칭 중심 둘레에 비대칭으로 배치된 디아민을 의미하고자 한다(예를 들어 m-페닐렌디아민:

Figure pct00003
).The term “amine” is intended to mean containing basic nitrogen atoms with lone pairs. The term “amino” refers to the functional group -NH 2 , -NHR, or -NR 2 , where R is the same or different at each occurrence and may be an alkyl group or an aryl group. The term "diamine" is intended to mean a compound containing two basic nitrogen atoms with lone pairs bonded. The term "aromatic diamine" is intended to mean an aromatic compound having two amino groups. The term "bent diamine" is intended to mean a diamine in which two basic nitrogen atoms and bonded lone pairs are arranged asymmetrically around the center of symmetry of the corresponding compound or functional group (eg m -phenylenediamine:
Figure pct00003
).

용어 "방향족 디아민 잔기"는 방향족 디아민 내의 2개의 아미노 기에 결합된 모이어티를 의미하고자 한다. 용어 "방향족 디이소시아네이트 잔기"는 방향족 디이소시아네이트 화합물 내의 2개의 이소시아네이트 기에 결합된 모이어티를 의미하고자 한다. 이는 아래에 추가로 예시된다.The term "aromatic diamine moiety" is intended to mean a moiety bonded to two amino groups in the aromatic diamine. The term “aromatic diisocyanate moiety” is intended to mean a moiety bonded to two isocyanate groups in an aromatic diisocyanate compound. This is further illustrated below.

Figure pct00004
Figure pct00004

용어 "b*"는 황색/청색의 보색을 나타내는 CIELab 색 공간에서의 b* 축을 의미하고자 한다. 황색은 양의 b* 값으로 표시되고, 청색은 음의 b* 값으로 표시된다. 측정된 b* 값은, 특히 용매의 선택이 고온의 처리 조건에 노출된 재료에서 측정되는 색도에 영향을 줄 수 있으므로, 용매에 영향을 받을 수 있다. 이는 용매의 고유한 특성 및/또는 다양한 용매에 함유된 낮은 수준의 불순물과 연관된 특성의 결과로서 발생할 수 있다. 특정 용매는 특정 응용 분야에 요구되는 b* 값을 달성하기 위해 종종 미리 선택된다. The term “b*” is intended to mean the b* axis in the CIELab color space representing the complementary colors of yellow/blue. Yellow is represented by a positive b* value, and blue is represented by a negative b* value. The measured b* value can be influenced by the solvent, especially since the choice of solvent can affect the chromaticity measured in materials exposed to high temperature processing conditions. This can occur as a result of the inherent properties of the solvent and/or the properties associated with the low levels of impurities contained in the various solvents. Certain solvents are often preselected to achieve the required b* value for a particular application.

용어 "복굴절률"은 중합체 필름 또는 코팅에서 서로 다른 방향에서의 굴절률 차이를 의미하고자 한다. 이 용어는 일반적으로 x-축 또는 y-축(평면 내) 굴절률과 z-축(평면 외) 굴절률 간의 차이를 지칭한다. The term "birefringence" is intended to mean the difference in refractive index in different directions in a polymer film or coating. This term generally refers to the difference between the index of refraction in the x-axis or y-axis (in-plane) and the index of refraction in the z-axis (out of plane).

층, 재료, 부재 또는 구조체를 언급할 때, 용어 "전하 수송"은, 이러한 층, 재료, 부재 또는 구조체가, 상대적 효율과 적은 전하 손실로 이러한 층, 재료, 부재, 또는 구조체의 두께를 통해 이러한 전하가 이동하는 것을 용이하게 함을 의미하고자 한다. 정공 수송 재료는 양 전하의 이동을 용이하게 하고, 전자 수송 재료는 음 전하의 이동을 용이하게 한다. 발광 재료도 약간의 전하 수송 특성을 가질 수 있지만, 용어 "전하 수송 층, 전하 수송 재료, 전하 수송 부재, 또는 전하 수송 구조체"가 발광을 주된 기능으로 하는 층, 재료, 부재 또는 구조체를 포함하고자 하는 것은 아니다. When referring to a layer, material, member, or structure, the term "charge transport" means that such a layer, material, member or structure is It is intended to mean that it facilitates the transfer of charges. The hole transport material facilitates the transfer of positive charges, and the electron transport material facilitates the transfer of negative charges. Light-emitting materials may also have some charge transport properties, but the term "charge transport layer, charge transport material, charge transport member, or charge transport structure" is intended to include a layer, material, member or structure whose main function is light emission. It is not.

용어 "화합물"은, 화학 결합을 끊지 않고는 물리적 수단에 의해 해당 분자로부터 분리될 수 없는 원자를 더 포함하는 분자로 이루어진 전기적 비하전 물질을 의미하고자 한다. 이 용어는 올리고머 및 중합체를 포함하고자 한다.The term "compound" is intended to mean an electrically uncharged material consisting of molecules that further contain atoms that cannot be separated from the molecule by physical means without breaking a chemical bond. The term is intended to include oligomers and polymers.

용어 "선형 열팽창 계수(CTE 또는 α)"는 재료가 팽창하거나 수축하는 양을 온도의 함수로서 정의하는 파라미터를 의미하고자 한다. 이는 1℃당 길이의 변화로서 표현되며, 일반적으로 ㎛/m/℃ 또는 ppm/℃의 단위로 표현된다. The term "linear coefficient of thermal expansion (CTE or α)" is intended to mean a parameter defining the amount by which a material expands or contracts as a function of temperature. This is expressed as a change in length per 1°C, and is generally expressed in units of μm/m/°C or ppm/°C.

Figure pct00005
Figure pct00005

본원에 개시된 CTE 측정값은 알려진 방법을 통해 제1 또는 제2 가열 스캔 중에 측정된 것이다. 재료의 상대 팽창/수축 특성의 이해는 전자 장치의 제조 및/또는 신뢰성에 있어서 중요한 고려 사항일 수 있다.The CTE measurements disclosed herein are those measured during the first or second heating scan through known methods. Understanding the relative expansion/contraction properties of a material can be an important consideration in the fabrication and/or reliability of electronic devices.

용어 "도펀트"는 호스트 재료를 포함하는 층 내에서, 그 층의 전자 특성(들), 또는 방사선 방출, 흡수, 또는 필터링의 목표 파장(들)을, 이러한 재료가 존재하지 않는 층의 전자 특성(들), 또는 방사선 방출, 흡수, 또는 필터링의 파장(들)에 비해 변화시키는 재료를 의미하고자 한다. The term “dopant” refers to the electronic property(s) of that layer, or the target wavelength(s) of radiation emission, absorption, or filtering, within a layer comprising a host material, the electronic properties of a layer in which such material is not present ( S), or a material that changes relative to the wavelength(s) of radiation emission, absorption, or filtering.

층 또는 재료를 언급할 때의 용어 "전기 활성"은 장치의 작동을 전자적으로 용이하게 하는 층 또는 재료를 나타내고자 한다. 전기 활성 재료의 예는 전자 또는 정공일 수 있는 전하를 전도, 주입, 수송, 또는 차단하는 재료, 또는 방사선 흡수시 전자-정공 쌍의 농도 변화를 나타내거나 방사선을 방출하는 재료를 포함하지만 이로 한정되는 것은 아니다. 불활성 재료의 예에는 평탄화 재료, 절연 재료, 및 환경 차폐 재료가 포함되지만 이로 한정되지 않는다.The term “electroactive” when referring to a layer or material is intended to refer to a layer or material that electronically facilitates the operation of the device. Examples of electroactive materials include, but are not limited to, materials that conduct, inject, transport, or block charges, which may be electrons or holes, or materials that exhibit a change in concentration of electron-hole pairs or emit radiation upon absorption of radiation. no. Examples of inert materials include, but are not limited to, planarizing materials, insulating materials, and environmental shielding materials.

용어 "인장 연신율" 또는 "인장 변형률"은 인장 응력 인가시 재료가 파단되기 전에 발생하는 길이 증가의 백분율을 의미하고자 한다. 이는, 예를 들어 ASTM 방법 D882에 의해 측정될 수 있다.The term "tensile elongation" or "tensile strain" is intended to mean the percentage of length increase that occurs before the material breaks upon application of tensile stress. This can be measured, for example, by ASTM method D882.

접두어 "플루오로"는 하나의 기에서 하나 이상의 수소가 불소로 대체되었음을 나타내고자 한다.The prefix "fluoro" is intended to indicate that one or more hydrogens in a group have been replaced by fluorine.

용어 "유리 전이 온도(또는 Tg)"는 비정질 중합체에서 또는 반결정질 중합체의 비정질 영역에서 가역적 변화가 일어나는, 즉 경질, 유리질, 또는 취성인 상태에서 가요성 또는 탄성인 상태로 갑작스러운 재료 변화가 일어나는 온도를 의미하고자 한다. 미시적으로, 유리 전이는 정상적으로 감긴 이동성 없는 중합체 사슬들이 자유롭게 회전하게 되어 서로 지나쳐 이동할 수 있을 때 발생한다. Tg는 시차주사 열량측정법(DSC), 열기계 분석(TMA), 또는 동적 기계 분석(DMA), 또는 다른 방법을 사용하여 측정될 수 있다. The term “glass transition temperature (or T g )” refers to a reversible change in the amorphous polymer or in the amorphous region of a semi-crystalline polymer, ie a sudden change in material from a hard, glassy, or brittle state to a flexible or elastic state. I want to mean the temperature that occurs. Microscopically, the glass transition occurs when the normally wound, immobile polymer chains are free to rotate and can move past each other. T g can be measured using differential scanning calorimetry (DSC), thermomechanical analysis (TMA), or dynamic mechanical analysis (DMA), or other methods.

접두어 "헤테로"는 하나 이상의 탄소 원자가 다른 원자로 대체되었음을 나타낸다. 일부 실시 형태에서, 헤테로원자는 O, N, S, 또는 이들의 조합이다.The prefix "hetero" indicates that one or more carbon atoms have been replaced by another atom. In some embodiments, the heteroatom is O, N, S, or combinations thereof.

용어 "고비점"은 130℃보다 높은 비점을 나타내고자 한다.The term “high boiling point” is intended to denote a boiling point higher than 130°C.

용어 "호스트 재료"는 도펀트가 첨가되는 재료를 의미하고자 한다. 호스트 재료는 전자 특성(들), 또는 방사선을 방출, 흡수, 또는 필터링하는 능력을 갖거나 갖지 않을 수 있다. 일부 실시 형태에서, 호스트 재료는 더 높은 농도로 존재한다. The term "host material" is intended to mean a material to which a dopant is added. The host material may or may not have electronic property(s) or the ability to emit, absorb, or filter radiation. In some embodiments, the host material is present in a higher concentration.

용어 "등온 중량 손실"은 재료의 열 안정성과 직접적으로 관련된 재료의 특성을 의미하고자 한다. 이는 일반적으로, 관심 있는 일정한 온도에서 열중량 분석(TGA)을 통해 측정된다. 높은 열 안정성을 갖는 재료는 일반적으로, 요구되는 기간 동안 요구되는 사용 또는 처리 온도에서 매우 낮은 등온 중량 손실률을 나타내므로, 유의한 강도 손실, 가스 방출, 및/또는 구조 변화 없이 이러한 온도에서 응용 분야에서 사용될 수 있다. The term "isothermal weight loss" is intended to mean a property of a material that is directly related to the thermal stability of the material. This is generally measured via thermogravimetric analysis (TGA) at a constant temperature of interest. Materials with high thermal stability generally exhibit very low isothermal weight loss rates at the required use or processing temperatures for the required period of time, and therefore in applications at these temperatures without significant loss of strength, outgassing, and/or structural changes. Can be used.

용어 "액체 조성물"은 재료가 용해되어 용액을 형성하는 액체 매질, 재료가 분산되어 분산액을 형성하는 액체 매질, 또는 재료가 현탁되어 현탁액 또는 에멀젼을 형성하는 액체 매질을 의미하고자 한다.The term "liquid composition" is intended to mean a liquid medium in which a material is dissolved to form a solution, a liquid medium in which the material is dispersed to form a dispersion, or a liquid medium in which the material is suspended to form a suspension or emulsion.

용어 "매트릭스"는, 예를 들어 전자 장치의 형성 중에 하나 이상의 층이 증착되는 토대를 의미하고자 한다. 비제한적 예에는 유리, 실리콘 등이 포함된다.The term "matrix" is intended to mean the basis on which one or more layers are deposited, for example during formation of an electronic device. Non-limiting examples include glass, silicon, and the like.

용어 "1% TGA 중량 손실"은 분해로 인해 원래 중합체 중량의 1%가 손실되는 온도를 의미고자 한다(흡수된 물은 제외). The term “1% TGA weight loss” is intended to mean the temperature at which 1% of the original polymer weight is lost due to decomposition (excluding absorbed water).

용어 "광학 위상지연(또는 RTH)"은 평균 면내(in-plane) 굴절률과 면외(out-of-plane) 굴절률의 차이(즉, 복굴절률)와 필름 또는 코팅의 두께의 곱을 의미하고자 한다. 광학 위상지연은 전형적으로 소정 주파수의 광에 대해 측정되며, 단위는 나노미터로 보고된다. 이는 Metricon 또는 Axoscan으로 측정될 수 있다.The term "optical phase delay (or R TH )" is intended to mean the product of the difference between the average in-plane and out-of-plane refractive index (ie, birefringence) and the thickness of the film or coating. Optical phase delay is typically measured for a given frequency of light, and the units are reported in nanometers. This can be measured with Metricon or Axoscan.

용어 "유기 전자 장치" 또는 때로는 "전자 장치"는 본원에서 하나 이상의 유기 반도체 층 또는 재료를 포함하는 장치를 의미하고자 한다.The term "organic electronic device" or sometimes "electronic device" is intended herein to mean a device comprising one or more organic semiconductor layers or materials.

용어 "입자 함량"은 용액에 존재하는 불용성 입자의 수 또는 개수를 의미하고자 한다. 입자 함량은 용액 자체에 대해 측정되거나, 이러한 필름으로 제조된 최종 재료(피스(piece), 필름 등)에 대해 측정될 수 있다. 이러한 특성을 평가하기 위해 다양한 광학적 방법이 사용될 수 있다. The term "particle content" is intended to mean the number or number of insoluble particles present in the solution. The particle content can be measured for the solution itself, or it can be measured for the final material (piece, film, etc.) made from such a film. Various optical methods can be used to evaluate these properties.

용어 "광활성"은 (발광 다이오드 또는 화학전지에서와 같이) 인가 전압에 의해 활성화될 때 발광하거나, (다운컨버팅 인광 장치(down-converting phosphor device)에서와 같이) 광자를 흡수한 후 발광하거나, (광검출기 또는 광전지에서와 같이) 방사 에너지에 응답하여 인가 바이어스 전압의 존재 또는 부재 하에 신호를 생성하는 재료 또는 층을 지칭한다.The term “photoactive” means emit light when activated by an applied voltage (such as in a light-emitting diode or chemical cell), or after absorbing a photon (as in a down-converting phosphor device), or ( Refers to a material or layer that generates a signal in the presence or absence of an applied bias voltage in response to radiant energy (as in a photodetector or photovoltaic cell).

용어 "폴리아믹산 용액"은 분자내 환화에 의해 이미드 기를 형성하는 능력을 갖는 아믹산 단위를 함유하는 중합체의 용액을 지칭한다.The term “polyamic acid solution” refers to a solution of a polymer containing amic acid units having the ability to form imide groups by intramolecular cyclization.

용어 "폴리이미드"는 하나 이상의 2작용성 카르복실산 성분과 하나 이상의 1차 디아민 또는 디이소시아네이트의 반응으로부터 생성되는 축합 중합체를 지칭한다. 이들은 중합체 백본의 주쇄를 따라 선형 또는 헤테로시클릭 단위로서 이미드 구조 -CO-NR-CO-를 함유한다. The term “polyimide” refers to a condensation polymer resulting from the reaction of at least one difunctional carboxylic acid component with at least one primary diamine or diisocyanate. They contain the imide structure -CO-NR-CO- as linear or heterocyclic units along the backbone of the polymer.

재료의 특성 또는 특징과 관련하여 "만족스러운"이란 용어는 특성 또는 특징이 사용 중인 재료에 대한 모든 요건/요구를 충족시킴을 의미하고자 한다. 예를 들어, 질소에서 350℃에서 3시간 동안 1% 미만의 등온 중량 손실은 본원에 개시된 폴리이미드 필름과 관련하여 "만족스러운" 특성의 비제한적 예로서 간주될 수 있다.The term "satisfied" with respect to a property or characteristic of a material is intended to mean that the property or characteristic meets all requirements/requirements for the material being used. For example, an isothermal weight loss of less than 1% for 3 hours at 350° C. in nitrogen can be considered as a non-limiting example of “satisfactory” properties with respect to the polyimide films disclosed herein.

용어 "소프트 베이킹"은 전자기기 제조에서 일반적으로 사용되는 공정으로서, 스핀 코팅된 재료를 가열하여 용매를 제거하고 필름을 고화시키는 공정을 의미하고자 한다. 소프트 베이킹은 코팅된 층 또는 필름의 후속 열처리를 위한 준비 단계로서 일반적으로 90℃ 내지 110℃의 온도의 핫플레이트 또는 배기식 오븐에서 수행된다. The term "soft baking" is a process commonly used in the manufacture of electronic devices, and is intended to mean a process of heating a spin-coated material to remove a solvent and solidify a film. Soft baking is a preparatory step for the subsequent heat treatment of the coated layer or film and is generally carried out in a hot plate or vented oven at a temperature of 90°C to 110°C.

용어 "기판"은 강성이거나 가요성일 수 있는 기재(base material)로서, 유리, 중합체, 금속 또는 세라믹 재료, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있지만 이들로 한정되지 않는 하나 이상의 재료로 이루어진 하나 이상의 층을 포함할 수 있는 기재를 지칭한다. 기판은 전자 부품, 회로, 또는 전도성 부재를 포함할 수 있거나 포함하지 않을 수 있다.The term “substrate” is a base material that may be rigid or flexible, and includes one or more layers of one or more materials, which may include, but are not limited to, glass, polymer, metal or ceramic materials, or combinations thereof. It refers to a substrate that may be included. The substrate may or may not include electronic components, circuits, or conductive members.

용어 "실록산"은 R3SiOR2Si- 기를 지칭하며, 여기서 R은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, C1-20 알킬, 플루오로알킬, 또는 아릴이다. 일부 실시 형태에서, R 알킬 기의 하나 이상의 탄소는 Si로 대체된다. The term “siloxane” refers to the group R 3 SiOR 2 Si-, where R is the same or different at each occurrence and is H, C1-20 alkyl, fluoroalkyl, or aryl. In some embodiments, one or more carbons of the R alkyl group are replaced with Si.

용어 "실록시"는 R3SiO- 기를 지칭하며, 여기서 R은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, C1-20 알킬, 플루오로알킬, 또는 아릴이다. The term “siloxy” refers to the group R 3 SiO-, where R is the same or different at each occurrence and is H, C1-20 alkyl, fluoroalkyl, or aryl.

용어 "실릴"은 R3Si- 기를 지칭하며, 여기서 R은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, C1-20 알킬, 플루오로알킬, 또는 아릴이다. 일부 실시 형태에서, R 알킬 기의 하나 이상의 탄소는 Si로 대체된다. The term “silyl” refers to the group R 3 Si-, wherein R is the same or different at each occurrence and is H, C1-20 alkyl, fluoroalkyl, or aryl. In some embodiments, one or more carbons of the R alkyl group are replaced with Si.

용어 "스핀 코팅"은 편평한 기판 위에 균일한 박막을 증착하는 데 사용되는 공정을 의미하고자 한다. 일반적으로는, 저속으로 회전하거나 전혀 회전하지 않는 기판의 중심에 소량의 코팅 재료가 도포된다. 이어서, 원심력에 의해 코팅 재료를 균일하게 도포하기 위해 기판을 특정 속도로 회전시킨다. The term “spin coating” is intended to mean a process used to deposit a uniform thin film on a flat substrate. Typically, a small amount of coating material is applied to the center of a substrate that rotates at low speed or does not rotate at all. Then, the substrate is rotated at a specific speed in order to uniformly apply the coating material by centrifugal force.

용어 "레이저 입자 계수기 시험"은 시험 용액의 대표 샘플을 5" 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅하고 소프트 베이킹/건조시켜 폴리아믹산 및 기타 중합체 용액의 입자 함량을 평가하는 데 사용되는 방법을 지칭한다. 이렇게 제조된 필름은 많은 표준 측정 기술에 의해 입자 함량에 대해 평가된다. 이러한 기술은 레이저 입자 검출 및 당업계에 알려진 다른 기술을 포함한다.The term "laser particle counter test" refers to a method used to evaluate the particle content of polyamic acid and other polymer solutions by spin coating a representative sample of the test solution onto a 5" silicon wafer and soft baking/drying. Films are evaluated for particle content by a number of standard measurement techniques, including laser particle detection and other techniques known in the art.

용어 "인장 탄성률"은 필름과 같은 재료에서 응력(단위 면적당 힘)과 변형률(비례 변형) 간의 초기 관계를 정의하는, 고체 재료의 강성의 척도를 의미하고자 한다. 일반적으로 사용되는 단위는 기가 파스칼(GPa)이다.The term "tensile modulus" is intended to mean a measure of the stiffness of a solid material, defining the initial relationship between stress (force per unit area) and strain (proportional strain) in a film-like material. A commonly used unit is Giga Pascal (GPa).

용어 "테트라카르복실산 성분"은 다음 중 임의의 하나 이상을 의미하고자 한다: 테트라카르복실산, 테트라카르복실산 일무수물, 테트라카르복실산 이무수물, 테트라카르복실산 모노에스테르, 또는 테트라카르복실산 디에스테르.The term "tetracarboxylic acid component" is intended to mean any one or more of the following: tetracarboxylic acid, tetracarboxylic acid monoanhydride, tetracarboxylic dianhydride, tetracarboxylic acid monoester, or tetracarboxylic acid Acid diester.

용어 "테트라카르복실산 성분 잔기"는 모이어티가 테트라카르복실산 성분 내의 4개의 카르복시 기에 결합된 것을 의미하고자 한다. 이는 아래에 추가로 예시된다.The term “tetracarboxylic acid component moiety” is intended to mean that the moiety is bonded to four carboxy groups in the tetracarboxylic acid component. This is further illustrated below.

Figure pct00006
Figure pct00006

용어 "투과율"은 필름에 입사한 소정 파장의 광 중 필름을 통과하여 타측에서 검출될 수 있는 비율을 지칭한다. 가시 영역(380 nm 내지 800 nm)에서의 광 투과율 측정은 본원에 개시된 폴리이미드 필름의 사용 중 특성을 이해하는 데 가장 중요한 필름 색도 특성을 특성화하는 데 특히 유용하다.The term "transmittance" refers to a ratio of light of a predetermined wavelength incident on the film that can pass through the film and be detected from the other side. Measurement of light transmittance in the visible region (380 nm to 800 nm) is particularly useful for characterizing film chromaticity properties that are most important for understanding the in-use properties of the polyimide films disclosed herein.

용어 "황변도(또는 YI)"는 표준에 대한 황변의 등급을 지칭한다. 양의 YI 값은 황색의 존재 및 등급을 나타낸다. 음의 YI를 갖는 재료는 푸른빛을 띤다. 특히 고온에서 수행되는 중합 및/또는 경화 공정의 경우, YI는 용매 의존적일 수 있음을 또한 주목해야 한다. 예를 들어, 용매로 DMAC를 사용해 도입되는 색의 등급은 용매로 NMP를 사용해 도입되는 것과 다를 수 있다. 이는 용매의 고유한 특성 및/또는 다양한 용매에 함유된 낮은 수준의 불순물과 연관된 특성의 결과로서 발생할 수 있다. 특정 응용 분야에 요구되는 YI 값을 달성하기 위해 특정 용매가 종종 미리 선택된다. The term “yellowing degree (or YI)” refers to the degree of yellowing relative to the standard. Positive YI values indicate the presence and grade of yellow. Materials with negative YI have a bluish tint. It should also be noted that YI can be solvent dependent, especially for polymerization and/or curing processes carried out at high temperatures. For example, the grade of color introduced using DMAC as a solvent may differ from that introduced using NMP as a solvent. This can occur as a result of the inherent properties of the solvent and/or the properties associated with the low levels of impurities contained in the various solvents. Certain solvents are often preselected to achieve the YI values required for a particular application.

치환체 결합이 아래에 나타낸 바와 같이 하나 이상의 고리를 관통하는 구조에서는, 치환체 R은 하나 이상의 고리 상의 임의의 유효 위치에서 결합될 수 있음을 의미한다:In structures in which substituent bonds penetrate more than one ring as shown below, it means that substituent R may be bonded at any effective position on one or more rings:

Figure pct00007
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장치 내의 층을 지칭하는 데 사용되는 경우 어구 "~에 인접한"은, 반드시 하나의 층이 다른 층의 바로 옆에 있음을 의미하는 것은 아니다. 한편, "인접 R 기"란 어구는 화학식에서 서로 인접해 있는 R 기(즉, 결합에 의해 연결된 원자 상에 있는 R 기)를 지칭하는 데 사용된다. 예시적인 인접 R 기는 아래에 예시되어 있다:The phrase “adjacent to” when used to refer to a layer within a device does not necessarily mean that one layer is immediately next to another. On the other hand, the phrase "adjacent R group" is used to refer to an R group adjacent to each other in the formula (ie, an R group on an atom linked by a bond). Exemplary adjacent R groups are illustrated below:

Figure pct00008
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본 명세서에서, 명시적으로 달리 언급하거나 용법의 맥락에서 반하여 나타내지 않는 한, 본원 요지의 실시 형태가 특정 특징 또는 요소를 포함하거나, 내포하거나, 함유하거나, 갖거나, 이로 이루어지거나 또는 이에 의해 또는 이로 구성되는 것으로 언급되거나 기술되는 경우, 명시적으로 언급하거나 기술한 것 이외의 하나 이상의 특징 또는 요소가 실시 형태에 존재할 수 있다. 개시된 본원 요지의 대안적인 실시 형태는 특정 특징 또는 요소로 본질적으로 이루어지는 것으로 기술되는데, 이러한 실시 형태에는 실시 형태의 작동 원리 또는 구별되는 특징을 실질적으로 변화시키는 특징 또는 요소가 존재하지 않는다. 기술된 본원 요지의 또 다른 대안적인 실시 형태는 특정 특징 또는 요소로 이루어지는 것으로 기술되는데, 이러한 실시 형태 또는 그 비실질적인 변형예에는 구체적으로 언급되거나 기술된 특징 또는 요소만이 존재한다. In this specification, unless expressly stated otherwise or indicated to the contrary in the context of usage, embodiments of the subject matter include, contain, contain, have, consist of, or are made by or by certain features or elements. When stated or described as being constituted, one or more features or elements other than those explicitly stated or described may be present in an embodiment. Alternative embodiments of the disclosed subject matter are described as consisting essentially of specific features or elements, in which there are no features or elements that substantially change the principle of operation or distinct features of the embodiments. Another alternative embodiment of the disclosed subject matter is described as consisting of specific features or elements, in which only those features or elements specifically mentioned or described are present in such embodiments or non-substantial variations thereof.

더욱이, 명백히 반대로 기술되지 않는다면, "또는"은 포괄적인 '또는'을 말하며, 배타적인 '또는'을 말하는 것은 아니다. 예를 들어, 조건 A '또는' B는 다음 중 어느 하나에 의해 충족된다: A가 참(또는 존재)이고 B가 거짓(또는 부존재), A가 거짓(또는 부존재)이고 B가 참(또는 존재), 및 A와 B가 모두 참(또는 존재).Moreover, unless explicitly stated to the contrary, "or" refers to an inclusive'or' and not an exclusive'or'. For example, condition A'or' B is satisfied by any of the following: A is true (or exists), B is false (or does not exist), A is false (or does not exist), and B is true (or is not present). ), and both A and B are true (or present).

또한, 본원에 기술된 요소들 및 성분들을 설명하기 위해 단수형 명사가 사용된다. 이는 단지 편의상 그리고 본 발명의 범주의 일반적인 의미를 제공하기 위해 행해진다. 이러한 설명은 하나 또는 적어도 하나를 포함하는 것으로 읽혀져야 하며, 단수형은 명백하게 단수임을 의미하는 것이 아니라면 복수형도 포함한다.In addition, singular nouns are used to describe the elements and components described herein. This is done for convenience only and to give a general meaning of the scope of the invention. Such descriptions should be read as including one or at least one, and the singular also includes the plural unless explicitly meant to be singular.

원소의 주기율표 내의 열(column)에 대응하는 족(group) 번호는 문헌[CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition(2000-2001)]에 있는 "새로운 표기(New Notation)" 규칙을 사용한다.The group numbers corresponding to the columns in the periodic table of the elements use the "New Notation" rule in CRC Handbook of Chemistry and Physics , 81 st Edition (2000-2001).

달리 정의되지 않는 한, 본원에 사용된 모든 기술 및 과학 용어는 본 발명이 속하는 분야의 당업자에 의해 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 본원에 기술된 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 형태의 실시 또는 시험에서 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 아래에 기술된다. 특정 구절을 인용하지 않는 한, 본원에 언급된 모든 간행물, 특허 출원, 특허, 및 기타 참고 문헌은 그 전체가 참고로 포함된다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선한다. 또한, 재료, 방법, 및 예는 단지 예시적인 것이며, 제한하고자 하는 것은 아니다.Unless otherwise defined, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Although methods and materials similar or equivalent to those described herein may be used in the practice or testing of embodiments of the present invention, suitable methods and materials are described below. Unless specific passages are cited, all publications, patent applications, patents, and other references mentioned herein are incorporated by reference in their entirety. In case of conflict, the present specification, including definitions, will control. In addition, the materials, methods, and examples are illustrative only and are not intended to be limiting.

본원에 기술되지 않은 경우, 특정 재료, 처리 동작 및 회로에 대한 많은 세부 사항은 통상적인 것이며, 유기 발광 다이오드 디스플레이, 광검출기, 광전지 및 반도체 부재 기술 분야의 교본 및 다른 자료에서 찾을 수 있다.Unless described herein, many details of specific materials, processing operations and circuits are conventional and can be found in textbooks and other materials in the field of organic light emitting diode displays, photodetectors, photovoltaic and semiconductor member technologies.

2. 이미드-함유 단량체2. Imide-containing monomer

낮은 반응성, 가공성, 및 중합체 구조 제어 능력으로 인한 어려움은 폴리이미드 합성에서 일부 잠재적으로 유용한 부류의 단량체의 적용을 방해한다. 이무수물 단량체 및 디아민 단량체 둘 모두가 문제를 일으킬 수 있다. 반응성이 낮은 일부 단량체는 오직 가혹한 반응 조건 하에서만 중합될 수 있다. 이러한 조건은 최종 폴리이미드 필름의 품질에 악영향을 주는 부반응의 형성을 촉진할 수 있다. 광학적 특성 및 기계적 특성이 모두 감소될 수 있다.Difficulties due to low reactivity, processability, and ability to control polymer structure hinder the application of some potentially useful classes of monomers in polyimide synthesis. Both dianhydride monomers and diamine monomers can cause problems. Some monomers with low reactivity can only be polymerized under severe reaction conditions. These conditions can promote the formation of side reactions that adversely affect the quality of the final polyimide film. Both optical and mechanical properties can be reduced.

본원에 기재된 이미드-함유 단량체는 반응성이 낮은 단량체로 인한 문제를 극복하여, 중합체 구조(예컨대 위치규칙성(regioregularity) 및 입체규칙성(tacticity))를 제어하여, 개선된 특성을 갖는 폴리이미드에 대해 더 적은 결함 수로 이미드화를 달성하는 데 사용될 수 있는 것으로 밝혀졌다. The imide-containing monomer described herein overcomes the problem due to the low reactivity monomer, and controls the polymer structure (e.g., regioregularity and tacticity) to provide a polyimide having improved properties. It has been found that it can be used to achieve imidization with fewer defects.

일부 실시 형태에서, 본원에 기재된 이미드-함유 단량체는 감소된 응력을 갖는 폴리이미드를 제공하는 데 사용될 수 있다.In some embodiments, the imide-containing monomers described herein can be used to provide polyimides with reduced stress.

일부 실시 형태에서, 이미드-함유 단량체는 단리되고, 결함 및 부산물로부터 정제된다. 따라서 정확하게 정의된 올리고머 구조를 갖는 고순도 화합물이 단량체로서 사용될 수 있다.In some embodiments, the imide-containing monomer is isolated and purified from defects and by-products. Thus, high-purity compounds with precisely defined oligomer structures can be used as monomers.

일부 실시 형태에서, 이미드-함유 단량체는 형성된 그대로 사용되며, 사전 이미드화된 화합물들의 혼합물이다.In some embodiments, the imide-containing monomer is used as formed and is a mixture of pre-imidated compounds.

본원에 기재된 이미드-함유 단량체는 반응성 말단 기와 함께 이미드화된 코어를 갖는 화합물이다. The imide-containing monomers described herein are compounds having an imidized core with reactive end groups.

일부 실시 형태에서, 이미드-함유 단량체는 디아민이고, 반응성 말단 기는 아미노 기, -NH2이다.In some embodiments, the imide-containing monomer is a diamine and the reactive end group is an amino group, -NH 2 .

일부 실시 형태에서, 이미드-함유 단량체는 디이소시아네이트이고, 반응성 말단 기는 이소시아네이트 기, -NCO이다.In some embodiments, the imide-containing monomer is a diisocyanate and the reactive end group is an isocyanate group, -NCO.

일부 실시 형태에서, 이미드-함유 단량체는 테트라카르복실산 이무수물이고, 반응성 말단 기는 무수물이다.In some embodiments, the imide-containing monomer is a tetracarboxylic dianhydride and the reactive end group is an anhydride.

일부 실시 형태에서, 이미드화된 코어는 2개의 이미드 기를 함유한다(이하에서 "디-이미드"로 지칭됨).In some embodiments, the imidized core contains two imide groups (hereinafter referred to as “di-imide”).

일부 실시 형태에서, 이미드화된 코어는 4 내지 20개의 이미드 기를 갖는 폴리이미드 올리고머이다.In some embodiments, the imidized core is a polyimide oligomer having 4 to 20 imide groups.

사전 이미드화된 (이미드-함유) 단량체로부터 수득되는 정확하게 정의된 이미드-함유 중합체의 합성 방법이 본원에 개시되어 있다. 이는 도식 I 및 도식 II로서 하기에 기재되어 있다. A method for the synthesis of precisely defined imide-containing polymers obtained from pre-imide-imide-containing monomers is disclosed herein. This is described below as Scheme I and Scheme II.

도식 I에서, 제1 단계는 과량의 제2 디아민을 사용한 제1 이무수물의 사전 이미드화이다. 그렇게 형성된 사전 이미드화된 디아민 단량체를 단리하고 정제할 수 있다. 사전 이미드화된 디아민은 단계 2에서 하나 이상의 추가적인 이무수물(이는 제1 이무수물과 동일하거나 상이할 수 있음)과 반응하여 이미드-함유 폴리아믹산을 형성하기에 충분한 반응성을 갖는다. 심지어 높은 몰 비의 이미드 기의 존재에도 불구하고, 이러한 이미드-함유 중합체는 용해성이며 가공 가능하다. 단계 3은 열경화와 같은 통상적인 이미드화 기술을 사용하여 폴리이미드 중합체를 형성하기 위한 최종 이미드화이다. 도식 I의 일 실시 형태가 하기에 나타나 있으며, 여기서, 제2 이무수물은 제1 이무수물과는 상이하다.In Scheme I, the first step is the preimidation of the first dianhydride with an excess of the second diamine. The preimidated diamine monomer so formed can be isolated and purified. The pre-imidated diamine has sufficient reactivity to react in step 2 with one or more additional dianhydrides, which may be the same or different from the first dianhydride, to form an imide-containing polyamic acid. Even in the presence of a high molar ratio of imide groups, these imide-containing polymers are soluble and processable. Step 3 is the final imidization to form the polyimide polymer using conventional imidization techniques such as thermosetting. One embodiment of Scheme I is shown below, wherein the second dianhydride is different from the first dianhydride.

[도식 I] 일 실시 형태[Scheme I] One embodiment

Figure pct00009
Figure pct00009

상기 도식에서, Y는 제1 테트라카르복실산 성분(이무수물)로부터의 잔기를 나타내고, Z는 디아민으로부터의 잔기를 나타내고, X1은 제2 테트라카르복실산 성분(이무수물)으로부터의 잔기를 나타내고, n1은 1 내지 20의 정수를 나타내고, n은 50 초과의 정수를 나타낸다.In the above scheme, Y represents the residue from the first tetracarboxylic acid component (dianhydride), Z represents the residue from the diamine, and X1 represents the residue from the second tetracarboxylic acid component (dianhydride). , n1 represents an integer of 1 to 20, and n represents an integer of more than 50.

도식 I의 일부 실시 형태에서, n1은 1이고 디아민은 단일의 이미드화된 코어를 갖는다. In some embodiments of Scheme I, n1 is 1 and the diamine has a single imidized core.

도식 I의 일부 실시 형태에서, n1은 2 내지 20이고, 디아민은 올리고머성 이미드화된 코어를 갖는다. 일부 실시 형태에서, n1은 2 내지 5; 일부 실시 형태에서, 6 내지 10; 일부 실시 형태에서 11 내지 20이다.In some embodiments of Scheme I, n1 is between 2 and 20, and the diamine has an oligomeric imidized core. In some embodiments, n1 is 2-5; In some embodiments, 6-10; 11 to 20 in some embodiments.

도식 II에서, 제1 단계는 과량의 이무수물을 사용한 제1 디아민의 사전 이미드화이다. 그렇게 형성된 사전 이미드화된 이무수물 단량체는 단계 2에서 하나 이상의 추가적인 디아민(이는 제1 디아민과 동일하거나 상이할 수 있음)과 반응하여 이미드-함유 폴리아믹산을 형성하기에 충분한 반응성을 갖는다. 심지어 높은 몰 비의 이미드 기의 존재에도 불구하고, 이러한 이미드-함유 중합체는 용해성이며 가공 가능하다. 단계 3은 열경화와 같은 통상적인 이미드화 기술을 사용하여 폴리이미드 중합체를 형성하기 위한 최종 이미드화이다. 도식 II의 일 실시 형태가 하기에 나타나 있으며, 여기서, 제2 디아민은 제1 디아민과는 상이하다. In Scheme II, the first step is the pre-imidization of the first diamine with an excess of dianhydride. The pre-imide dianhydride monomer so formed has sufficient reactivity to react in step 2 with one or more additional diamines, which may be the same or different from the first diamine, to form an imide-containing polyamic acid. Even in the presence of a high molar ratio of imide groups, these imide-containing polymers are soluble and processable. Step 3 is the final imidization to form the polyimide polymer using conventional imidization techniques such as thermosetting. One embodiment of Scheme II is shown below, wherein the second diamine is different from the first diamine.

[도식 II] 일 실시 형태[Scheme II] One embodiment

Figure pct00010
Figure pct00010

상기 도식에서, Y는 테트라카르복실산 성분(이무수물)로부터의 잔기를 나타내고, Z는 디아민으로부터의 잔기를 나타내고, X2는 제2 디아민으로부터의 잔기를 나타내고, n1은 1 내지 20의 정수를 나타내고, n은 50 초과의 정수를 나타낸다.In the above scheme, Y represents a residue from a tetracarboxylic acid component (dianhydride), Z represents a residue from a diamine, X2 represents a residue from a second diamine, and n1 represents an integer from 1 to 20. , n represents an integer greater than 50.

도식 II의 일부 실시 형태에서, n1은 1이고 이무수물은 단일의 이미드화된 코어를 갖는다. In some embodiments of Scheme II, n1 is 1 and the dianhydride has a single imidized core.

도식 II의 일부 실시 형태에서, n1은 2 내지 20이고, 이무수물은 올리고머성 이미드화된 코어를 갖는다. 일부 실시 형태에서, n1은 2 내지 5; 일부 실시 형태에서, 6 내지 10; 일부 실시 형태에서 11 내지 20이다.In some embodiments of Scheme II, n1 is between 2 and 20 and the dianhydride has an oligomeric imidized core. In some embodiments, n1 is 2-5; In some embodiments, 6-10; 11 to 20 in some embodiments.

대안적으로, 사전 이미드화된 단량체는 단리 및 특성화 없이 원위치에서(in situ) 사용될 수 있다. 이는 도식 III 및 도식 IV로서 하기에 기재되어 있다.Alternatively, pre-imidated monomers can be used in situ without isolation and characterization. This is described below as Scheme III and Scheme IV.

도식 III에서, 제1 단계는 큰 과량의 제2 디아민을 사용한 제1 이무수물의 사전 이미드화이다. 사전 이미드화된 디아민과 과량의 제1 디아민의 생성된 혼합물을, 단계 2에서, 하나 이상의 이무수물 및, 선택적으로, 하나 이상의 추가적인 디아민과 반응시킨다. 생성된 이미드-함유 폴리아믹산을, 단계 3에서, 통상적인 이미드화 기술을 사용하여 이미드화한다. In Scheme III, the first step is the preimidation of the first dianhydride with a large excess of the second diamine. The resulting mixture of pre-imidated diamine and excess first diamine is reacted in step 2 with one or more dianhydrides and, optionally, one or more additional diamines. The resulting imide-containing polyamic acid is imidized in step 3 using a conventional imidization technique.

도식 III에서, 단계 1에서 제조된 사전 이미드화된 디아민은 하기에 나타낸 화학식을 갖는다:In Scheme III, the pre-imidated diamine prepared in step 1 has the formula shown below:

Figure pct00011
Figure pct00011

여기서, m1은 1 내지 20의 정수를 나타낸다. 상이한 m1 값을 갖는 단량체들의 혼합물이 존재할 수 있다. 폴리아믹산 및 폴리이미드에서, m1은 각각의 경우에 동일하거나 상이할 수 있다. 일부 실시 형태에서, m1은 2 내지 5; 일부 실시 형태에서, 6 내지 10; 일부 실시 형태에서, 11 내지 20이다. Y는 제1 테트라카르복실산 성분(이무수물)으로부터의 잔기를 나타내고 Z는 제1 디아민으로부터의 잔기를 나타낸다.Here, m1 represents an integer of 1 to 20. Mixtures of monomers with different m1 values may be present. In polyamic acids and polyimides, m1 may be the same or different in each case. In some embodiments, m1 is 2-5; In some embodiments, 6-10; In some embodiments, 11-20. Y represents the residue from the first tetracarboxylic acid component (dianhydride) and Z represents the residue from the first diamine.

도식 IV에서, 제1 단계는 큰 과량의 제1 이무수물을 사용한 제1 디아민의 사전 이미드화이다. 사전 이미드화된 이무수물 단량체와 과량의 제1 이무수물의 생성된 혼합물을, 단계 2에서, 하나 이상의 디아민 및, 선택적으로, 하나 이상의 추가적인 이무수물과 반응시킨다. 생성된 이미드-함유 폴리아믹산을, 단계 3에서, 통상적인 이미드화 기술을 사용하여 이미드화한다. In Scheme IV, the first step is the preimidation of the first diamine with a large excess of the first dianhydride. The resulting mixture of pre-imidated dianhydride monomer and excess first dianhydride is reacted in step 2 with one or more diamines and, optionally, one or more additional dianhydrides. The resulting imide-containing polyamic acid is imidized in step 3 using a conventional imidization technique.

도식 IV에서, 단계 1에서 제조된 사전 이미드화된 이무수물은 하기에 나타낸 화학식을 갖는다:In Scheme IV, the pre-imidated dianhydride prepared in step 1 has the formula shown below:

Figure pct00012
Figure pct00012

여기서, m1은 1 내지 20의 정수를 나타낸다. 상이한 m1 값을 갖는 단량체들의 혼합물이 존재할 수 있다. 폴리아믹산 및 폴리이미드에서, m1은 각각의 경우에 동일하거나 상이할 수 있다. 일부 실시 형태에서, m1은 2 내지 5; 일부 실시 형태에서, 6 내지 10; 일부 실시 형태에서, 11 내지 20이다. Y는 제1 테트라카르복실산 성분(이무수물)으로부터의 잔기를 나타내고 Z는 제1 디아민으로부터의 잔기를 나타낸다.Here, m1 represents an integer of 1 to 20. Mixtures of monomers with different m1 values may be present. In polyamic acids and polyimides, m1 may be the same or different in each case. In some embodiments, m1 is 2-5; In some embodiments, 6-10; In some embodiments, 11-20. Y represents the residue from the first tetracarboxylic acid component (dianhydride) and Z represents the residue from the first diamine.

3. 화학식 I을 갖는 디아민3. Diamine of Formula I

본원에 기재된 디아민은 화학식 I을 갖는다:The diamines described herein have formula I:

[화학식 I][Formula I]

Figure pct00013
Figure pct00013

여기서, here,

Ra는 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고;R a represents a tetracarboxylic acid component residue;

Rb는 디아민 잔기를 나타내고;R b represents a diamine moiety;

m은 1 내지 20의 정수이다. m is an integer from 1 to 20.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, m은 1이다.In some embodiments of Formula I, m is 1.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, m은 2 내지 20이다.In some embodiments of Formula I, m is 2-20.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, m은 2 내지 5이다.In some embodiments of Formula I, m is 2-5.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, m은 6 내지 10이다.In some embodiments of Formula I, m is 6-10.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, m은 11 내지 20이다.In some embodiments of Formula I, m is 11-20.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 방향족이다.In some embodiments of Formula I, R a is aromatic.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 지방족; 일부 실시 형태에서, 지환족이다. In some embodiments of Formula I, R a is aliphatic; In some embodiments, it is cycloaliphatic.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 폴리시클릭 지환족 기이다.In some embodiments of Formula I, R a is a polycyclic alicyclic group.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 방향족; 일부 실시 형태에서, 폴리시클릭 방향족이다.In some embodiments of Formula I, R a is aromatic; In some embodiments, it is a polycyclic aromatic.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 방향족 기 및 지환족 기를 모두 갖는다.In some embodiments of Formula I, R a has both an aromatic group and an alicyclic group.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 테트라카르복실산 이무수물의 잔기를 나타낸다.In some embodiments of Formula I, R a represents a moiety of a tetracarboxylic dianhydride.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 피로멜리트산 이무수물(PMDA), 3,3',4,4'-비페닐 테트라카르복실산 이무수물(BPDA), 4,4'-옥시디프탈산 무수물(ODPA), 4,4'-헥사플루오로이소-프로필리덴비스프탈산 이무수물(6FDA), 3,3',4,4'-벤조페논 테트라카르복실산 이무수물(BTDA), 3,3',4,4'-디페닐술폰 테트라카르복실산 이무수물(DSDA), 4,4'-비스페놀-A 이무수물(BPADA), 히드로퀴논 디프탈산 무수물(HQDEA), 에틸렌 글리콜 비스 (트리멜리트산 무수물)(TMEG-100), 4-(2,5-디옥소테트라히드로푸란-3-일)-1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-1,2-디카르복실산 무수물(DTDA); 4,4'-비스페놀 A 이무수물(BPADA); 시클로부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물(CBDA); 잔텐 테트라카르복실산 이무수물 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 테트라카르복실산 이무수물의 잔기를 나타낸다. 이러한 방향족 이무수물은 알킬, 아릴, 니트로, 시아노, -N(R')(R"), 할로, 히드록시, 카르복시, 알케닐, 알키닐, 시클로알킬, 헤테로아릴, 알콕시, 아릴옥시, 헤테로아릴옥시, 알콕시카르보닐, 플루오로알킬, 퍼플루오로알킬, 플루오로알콕시, 퍼플루오로알콕시, 아릴알킬, 실릴, 실록시, 실록산, 티오알콕시, -S(O)2-, -C(=O)-N(R')(R"), (R')(R")N-알킬, (R')(R")N-알콕시알킬, (R')(R")N-알킬아릴옥시알킬, -S(O)s-아릴(여기서, s는 0 내지 2임), 또는 -S(O)s-헤테로아릴(여기서, s는 0 내지 2임)을 포함하는, 당업계에 알려진 기로 선택적으로 치환될 수 있다. 각각의 R' 및 R"은 독립적으로, 선택적으로 치환된 알킬, 시클로알킬, 또는 아릴 기이다. 소정 실시 형태에서, R' 및 R"은 이들이 결합된 질소 원자와 함께 고리 시스템을 형성할 수 있다. 치환체는 또한 가교결합 기일 수 있다.In some embodiments of Formula I, R a is pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride (BPDA), 4,4'-oxydiphthalic acid. Anhydride (ODPA), 4,4'-hexafluoroiso-propylidenebisphthalic dianhydride (6FDA), 3,3',4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride (BTDA), 3,3 ',4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride (DSDA), 4,4'-bisphenol-A dianhydride (BPADA), hydroquinone diphthalic anhydride (HQDEA), ethylene glycol bis (trimellitic anhydride) )(TMEG-100), 4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic anhydride (DTDA); 4,4'-bisphenol A dianhydride (BPADA); Cyclobutane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride (CBDA); It represents a residue of a tetracarboxylic dianhydride selected from the group consisting of xanthene tetracarboxylic dianhydride and the like. These aromatic dianhydrides are alkyl, aryl, nitro, cyano, -N(R')(R " ), halo, hydroxy, carboxy, alkenyl, alkynyl, cycloalkyl, heteroaryl, alkoxy, aryloxy, hetero Aryloxy, alkoxycarbonyl, fluoroalkyl, perfluoroalkyl, fluoroalkoxy, perfluoroalkoxy, arylalkyl, silyl, siloxy, siloxane, thioalkoxy, -S(O) 2 -, -C(= O)-N(R')(R"), (R')(R")N-alkyl, (R')(R")N-alkoxyalkyl, (R')(R")N-alkylaryl Known in the art, including oxyalkyl, -S(O) s -aryl (where s is 0 to 2), or -S(O) s -heteroaryl, where s is 0 to 2 May be optionally substituted with a group. Each of R′ and R″ is independently an optionally substituted alkyl, cycloalkyl, or aryl group. In certain embodiments, R'and R", together with the nitrogen atom to which they are attached, may form a ring system. The substituent may also be a crosslinking group.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 PMDA, BPDA, 6FDA, BTDA, 및 CBDA로 이루어진 군으로부터 선택되는 테트라카르복실산 이무수물로부터의 잔기를 나타낸다.In some embodiments of Formula I, R a represents a moiety from a tetracarboxylic dianhydride selected from the group consisting of PMDA, BPDA, 6FDA, BTDA, and CBDA.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 지방족 테트라카르복실산 이무수물 또는 폴리시클릭 테트라카르복실산 이무수물의 잔기를 나타낸다.In some embodiments of Formula I, R a represents a residue of an aliphatic tetracarboxylic dianhydride or a polycyclic tetracarboxylic dianhydride.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 화학식 A1 내지 A36으로 이루어진 군으로부터 선택된다:In some embodiments of Formula I, R a is selected from the group consisting of Formulas A1-A36:

Figure pct00014
Figure pct00014

Figure pct00015
Figure pct00015

Figure pct00016
Figure pct00016

Figure pct00017
Figure pct00017

Figure pct00018
Figure pct00018

여기서,here,

R1은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 알킬, 플루오로알킬 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접한 R1 기들은 함께 결합되어 이중 결합을 형성할 수 있고;R 1 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of alkyl, fluoroalkyl and silyl, and adjacent R 1 groups may be joined together to form a double bond;

R2, R3, 및 R4는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 F, 알킬, 플루오로알킬, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 2 , R 3 , and R 4 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of F, alkyl, fluoroalkyl, and silyl;

R5는 H, 할로겐, 시아노, 히드록실, 알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 헤테로알콕시, 플루오로알킬, 실릴, 탄화수소 아릴, 치환된 탄화수소 아릴, 헤테로아릴, 치환된 헤테로아릴, 비닐, 및 알릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 5 is H, halogen, cyano, hydroxyl, alkyl, heteroalkyl, alkoxy, heteroalkoxy, fluoroalkyl, silyl, hydrocarbon aryl, substituted hydrocarbon aryl, heteroaryl, substituted heteroaryl, vinyl, and allyl Is selected from the group consisting of;

R6은 할로겐, 시아노, 히드록실, 알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 헤테로알콕시, 플루오로알킬, 실릴, 탄화수소 아릴, 치환된 탄화수소 아릴, 헤테로아릴, 치환된 헤테로아릴, 비닐, 및 알릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 6 is a group consisting of halogen, cyano, hydroxyl, alkyl, heteroalkyl, alkoxy, heteroalkoxy, fluoroalkyl, silyl, hydrocarbon aryl, substituted hydrocarbon aryl, heteroaryl, substituted heteroaryl, vinyl, and allyl Is selected from;

R8 및 R9는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 H, F, 알킬, 플루오로알킬, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 8 and R 9 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of H, F, alkyl, fluoroalkyl, and silyl;

Q는 CR8R9, SiR8R9, S, SR8R9, S=O, SO2, 및 C=O로 이루어진 군으로부터 선택되고;Q is selected from the group consisting of CR 8 R 9 , SiR 8 R 9 , S, SR 8 R 9 , S=O, SO 2 , and C=O;

a는 0 내지 6의 정수이고; a is an integer from 0 to 6;

b는 0 내지 3의 정수이고;b is an integer from 0 to 3;

c, d, 및 e는 동일하거나 상이하며 0 내지 2의 정수이고; c, d, and e are the same or different and are integers from 0 to 2;

f는 0 내지 4의 정수이고; f is an integer from 0 to 4;

z는 1 내지 6의 정수이고;z is an integer from 1 to 6;

z1은 0 내지 6의 정수이고;z1 is an integer from 0 to 6;

*는 부착점을 나타낸다.* Indicates the point of attachment.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Ra는 지방족; 일부 실시 형태에서, 지환족이다.In some embodiments of Formula I, R a is aliphatic; In some embodiments, it is cycloaliphatic.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Rb는 폴리시클릭 지방족 기이다.In some embodiments of Formula I, R b is a polycyclic aliphatic group.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Rb는 방향족; 일부 실시 형태에서, 폴리시클릭 방향족이다.In some embodiments of Formula I, R b is aromatic; In some embodiments, it is a polycyclic aromatic.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Rb는 지환족 기 및 방향족 기를 모두 갖는다.In some embodiments of Formula I, R b has both alicyclic and aromatic groups.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Rb는 화학식 D1을 갖는 디아민의 잔기를 나타낸다:In some embodiments of Formula I, R b represents a moiety of a diamine having Formula D1:

[화학식 D1][Formula D1]

Figure pct00019
Figure pct00019

여기서,here,

R10은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 플루오로알킬 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 10 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of fluoroalkyl and fluoroalkoxy;

R11은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 F, 알킬, 플루오로알킬, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 11 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of F, alkyl, fluoroalkyl, and silyl;

b는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하며 0 내지 3의 정수이고;b is the same or different in each case and is an integer from 0 to 3;

c는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하며 0 내지 2의 정수이고;c is the same or different in each case and is an integer from 0 to 2;

y는 0 내지 2의 정수이다.y is an integer from 0 to 2.

화학식 D1의 일부 실시 형태에서, R10은 C1-5 퍼플루오로알킬이다.In some embodiments of Formula D1, R 10 is C 1-5 perfluoroalkyl.

화학식 D1의 일부 실시 형태에서, y는 0이다.In some embodiments of Formula D1, y is 0.

화학식 D1의 일부 실시 형태에서, y는 1이다.In some embodiments of Formula D1, y is 1.

화학식 D1의 일부 실시 형태에서, b = c = 0이다.In some embodiments of Formula D1, b = c = 0.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Rb는 p-페닐렌 디아민(PPD), 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(m-톨리딘), 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐(o-톨리딘), 3,3'-디히드록시-4,4'-디아미노비페닐(HAB), 9,9'-비스(4-아미노페닐)플루오렌(FDA), o-톨리딘 술폰(TSN), 2,3,5,6-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민(TMPD), 2,4-디아미노-1,3,5-트리메틸 벤젠(DAM), 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘(3355TMB), 2,2'-비스(트리플루오로메틸) 벤지딘(22TFMB 또는 TFMB), 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판(BAPP), 4,4'-메틸렌 디아닐린(MDA), 4,4'-[1,3-페닐렌비스(1-메틸-에틸리덴)]비스아닐린(비스-M), 4,4'-[1,4-페닐렌비스(1-메틸-에틸리덴)]비스아닐린(비스-P), 4,4'-옥시디아닐린(4,4'-ODA), m-페닐렌 디아민(MPD), 3,4'-옥시디아닐린(3,4'-ODA), 3,3'-디아미노디페닐 술폰(3,3'-DDS), 4,4'-디아미노디페닐 술폰(4,4'-DDS), 4,4'-디아미노디페닐 술피드(ASD), 2,2-비스[4-(4-아미노-페녹시)페닐]술폰(BAPS), 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)-페닐]술폰(m-BAPS), 1,4'-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-Q), 1,3'-비스(4-아미노페녹시)벤젠(TPE-R), 1,3'-비스(4-아미노-페녹시)벤젠(APB-133), 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐(BAPB), 4,4'-디아미노벤즈아닐리드(DABA), 메틸렌 비스(안트라닐산)(MBAA), 1,3'-비스(4-아미노페녹시)-2,2-디메틸프로판(DANPG), 1,5-비스(4-아미노페녹시)펜탄(DA5MG), 2,2'-비스[4-(4-아미노페녹시 페닐)]헥사플루오로프로판(HFBAPP), 2,2-비스(4-아미노페닐) 헥사플루오로프로판(비스-A-AF), 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐) 헥사플루오로프로판(비스-AP-AF), 2,2-비스(3-아미노-4-메틸페닐) 헥사플루오로프로판(비스-AT-AF), 4,4'-비스(4-아미노-2-트리플루오로메틸 페녹시)비페닐(6BFBAPB), 3,3'5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노 디페닐메탄(TMMDA) 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방향족 디아민의 잔기를 나타낸다.In some embodiments of Formula I, R b is p-phenylene diamine (PPD), 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-tolidine), 3,3'-dimethyl- 4,4'-diaminobiphenyl (o-tolidine), 3,3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl (HAB), 9,9'-bis (4-aminophenyl) Fluorene (FDA), o-tolidine sulfone (TSN), 2,3,5,6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine (TMPD), 2,4-diamino-1,3,5- Trimethyl benzene (DAM), 3,3',5,5'-tetramethylbenzidine (3355TMB), 2,2'-bis(trifluoromethyl) benzidine (22TFMB or TFMB), 2,2-bis[4- (4-aminophenoxy)phenyl]propane (BAPP), 4,4'-methylene dianiline (MDA), 4,4'-[1,3-phenylenebis(1-methyl-ethylidene)]bisaniline (Bis-M), 4,4'-[1,4-phenylenebis(1-methyl-ethylidene)]bisaniline (bis-P), 4,4'-oxydianiline (4,4'- ODA), m-phenylene diamine (MPD), 3,4'-oxydianiline (3,4'-ODA), 3,3'-diaminodiphenyl sulfone (3,3'-DDS), 4, 4'-diaminodiphenyl sulfone (4,4'-DDS), 4,4'-diaminodiphenyl sulfide (ASD), 2,2-bis[4-(4-amino-phenoxy)phenyl] Sulfone (BAPS), 2,2-bis[4-(3-aminophenoxy)-phenyl]sulfone (m-BAPS), 1,4'-bis(4-aminophenoxy)benzene (TPE-Q), 1,3'-bis(4-aminophenoxy)benzene (TPE-R), 1,3'-bis(4-amino-phenoxy)benzene (APB-133), 4,4'-bis(4- Aminophenoxy)biphenyl (BAPB), 4,4'-diaminobenzanilide (DABA), methylene bis(anthranylic acid) (MBAA), 1,3'-bis(4-aminophenoxy)-2,2 -Dimethylpropane (DANPG), 1,5-bis(4-aminophenoxy)pentane (DA5MG), 2,2'-bis[4-(4-aminophenoxy phenyl)]hexafluoropropane (HFBAPP), 2,2-bis(4-aminophenyl) hexafluoropropane (bis-A-AF), 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (bis-AP-AF) , 2,2-bis(3-amino -4-methylphenyl) hexafluoropropane (bis-AT-AF), 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethyl phenoxy) biphenyl (6BFBAPB), 3,3'5,5 It represents a residue of an aromatic diamine selected from the group consisting of'-tetramethyl-4,4'-diamino diphenylmethane (TMMDA) and the like.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, Rb는 PPD, MPD, m-톨리딘, o-톨리딘, 벤지딘, 및 TFMB로 이루어진 군으로부터 선택되는 방향족 디아민의 잔기를 나타낸다.In some embodiments of Formula I, R b represents a moiety of an aromatic diamine selected from the group consisting of PPD, MPD, m-tolidine, o-tolidine, benzidine, and TFMB.

상호 배타적이지 않는 한, 화학식 I에 대한 상기 실시 형태 중 임의의 것을 하나 이상의 다른 실시 형태와 조합할 수 있다. Any of the above embodiments for Formula I may be combined with one or more other embodiments, unless mutually exclusive.

화학식 I의 일부 실시 형태에서, 디아민은 화합물 1 내지 화합물 24로 이루어진 군으로부터 선택된다:In some embodiments of Formula I, the diamine is selected from the group consisting of Compound 1 to Compound 24:

화합물 1Compound 1

Figure pct00020
Figure pct00020

화합물 2Compound 2

Figure pct00021
Figure pct00021

화합물 3Compound 3

Figure pct00022
Figure pct00022

화합물 4Compound 4

Figure pct00023
Figure pct00023

화합물 5Compound 5

Figure pct00024
Figure pct00024

화합물 6Compound 6

Figure pct00025
Figure pct00025

화합물 6aCompound 6a

Figure pct00026
Figure pct00026

화합물 7Compound 7

Figure pct00027
Figure pct00027

화합물 8Compound 8

Figure pct00028
Figure pct00028

화합물 9Compound 9

Figure pct00029
Figure pct00029

화합물 10Compound 10

Figure pct00030
Figure pct00030

화합물 11Compound 11

Figure pct00031
Figure pct00031

화합물 12Compound 12

Figure pct00032
Figure pct00032

화합물 13Compound 13

Figure pct00033
Figure pct00033

화합물 14Compound 14

Figure pct00034
Figure pct00034

화합물 15Compound 15

Figure pct00035
Figure pct00035

화합물 16Compound 16

Figure pct00036
Figure pct00036

화합물 17Compound 17

Figure pct00037
Figure pct00037

화합물 18Compound 18

Figure pct00038
Figure pct00038

화합물 19Compound 19

Figure pct00039
Figure pct00039

화합물 20Compound 20

Figure pct00040
Figure pct00040

화합물 21Compound 21

Figure pct00041
Figure pct00041

화합물 22Compound 22

Figure pct00042
Figure pct00042

화합물 23Compound 23

Figure pct00043
Figure pct00043

화합물 24Compound 24

Figure pct00044
Figure pct00044

4. 화학식 IV를 갖는 무수물4. Anhydrides having Formula IV

본원에 기재된 이무수물은 화학식 IV를 갖는다:The dianhydrides described herein have formula IV:

[화학식 IV][Formula IV]

Figure pct00045
Figure pct00045

여기서, here,

Rd는 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고;R d represents a tetracarboxylic acid component residue;

Re는 디아민 잔기를 나타내고;R e represents a diamine moiety;

m은 1 내지 20의 정수이다.m is an integer from 1 to 20.

화학식 IV의 일부 실시 형태에서, m은 1이다.In some embodiments of Formula IV, m is 1.

화학식 IV의 일부 실시 형태에서, m은 2 내지 20이다.In some embodiments of Formula IV, m is 2-20.

화학식 IV의 일부 실시 형태에서, m은 2 내지 5이다.In some embodiments of Formula IV, m is 2-5.

화학식 IV의 일부 실시 형태에서, m은 6 내지 10이다.In some embodiments of Formula IV, m is 6-10.

화학식 IV의 일부 실시 형태에서, m은 11 내지 20이다.In some embodiments of Formula IV, m is 11-20.

화학식 I의 잔기 Ra를 형성하는 데 적합한 상기에 열거된 테트라카르복실산 이무수물 중 임의의 것이 또한 화학식 IV의 잔기 Rd를 형성하는 데 적합하다.Any of the above listed tetracarboxylic dianhydrides suitable for forming moieties R a of formula I are also suitable for forming moieties R d of formula IV.

화학식 IV의 일부 실시 형태에서, Rd는 PMDA, BPDA, 6FDA, BTDA, 및 CBDA로 이루어진 군으로부터 선택되는 테트라카르복실산 이무수물로부터의 잔기를 나타낸다.In some embodiments of Formula IV, R d represents a moiety from a tetracarboxylic dianhydride selected from the group consisting of PMDA, BPDA, 6FDA, BTDA, and CBDA.

화학식 I의 잔기 Rb를 형성하는 데 적합한, 상기에 열거된 디아민 중 임의의 것이 또한 화학식 IV의 잔기 Re를 형성하는 데 적합하다.Any of the diamines listed above, suitable for forming the moiety R b of formula I, are also suitable for forming the moiety R e of formula IV.

화학식 IV의 일부 실시 형태에서, Re는 플루오르화된 방향족 디아민의 잔기를 나타낸다.In some embodiments of Formula IV, R e represents the moiety of a fluorinated aromatic diamine.

화학식 IV의 일부 실시 형태에서, Re는 화학식 E1 내지 E16으로 이루어진 군으로부터 선택된다:In some embodiments of Formula IV, R e is selected from the group consisting of Formulas E1-E16:

Figure pct00046
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Figure pct00047
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Figure pct00048
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Figure pct00049
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Figure pct00050
Figure pct00050

여기서,here,

R7은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 F, 알킬, 아릴, Rf, 및 ORf로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 7 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of F, alkyl, aryl, R f , and OR f ;

R8 및 R9는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 H, F, 알킬, 플루오로알킬, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 8 and R 9 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of H, F, alkyl, fluoroalkyl, and silyl;

R10은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 플루오로알킬 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 10 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of fluoroalkyl and fluoroalkoxy;

R11은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 F, 알킬, 플루오로알킬, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;R 11 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of F, alkyl, fluoroalkyl, and silyl;

Rf는 C1-3 퍼플루오로알킬이고; R f is C 1-3 perfluoroalkyl;

Q는 CR8R9, SiR8R9, S, SR8R9, S=O, SO2, 및 C=O로 이루어진 군으로부터 선택되고;Q is selected from the group consisting of CR 8 R 9 , SiR 8 R 9 , S, SR 8 R 9 , S=O, SO 2 , and C=O;

b는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하며 0 내지 3의 정수이고;b is the same or different in each case and is an integer from 0 to 3;

c는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하며 0 내지 2의 정수이고;c is the same or different in each case and is an integer from 0 to 2;

g는 0 내지 4의 정수이고; g is an integer from 0 to 4;

h는 0 내지 6의 정수이고;h is an integer from 0 to 6;

p는 1 내지 10의 정수이고; p is an integer from 1 to 10;

q는 0 내지 5의 정수이고; q is an integer from 0 to 5;

y는 0 내지 2의 정수이고; y is an integer from 0 to 2;

*는 부착점을 나타낸다.* Indicates the point of attachment.

E1 내지 E16의 일부 실시 형태에서, R7은 F, Rf, 및 ORf로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments of E1 through E16, R 7 is selected from the group consisting of F, R f , and OR f .

E1 내지 E16의 일부 실시 형태에서, g는 1 내지 4의 정수이다.In some embodiments of E1 to E16, g is an integer from 1 to 4.

상호 배타적이지 않는 한, 화학식 IV에 대한 상기 실시 형태 중 임의의 것을 하나 이상의 다른 실시 형태와 조합할 수 있다. Unless mutually exclusive, any of the above embodiments for Formula IV may be combined with one or more other embodiments.

화학식 IV의 일부 실시 형태에서, 이무수물은 화합물 25 내지 화합물 38로 이루어진 군으로부터 선택된다:In some embodiments of Formula IV, the dianhydride is selected from the group consisting of compounds 25 to 38:

화합물 25Compound 25

Figure pct00051
Figure pct00051

화합물 26Compound 26

Figure pct00052
Figure pct00052

화합물 27Compound 27

Figure pct00053
Figure pct00053

화합물 28Compound 28

Figure pct00054
Figure pct00054

화합물 29Compound 29

Figure pct00055
Figure pct00055

화합물 30Compound 30

Figure pct00056
Figure pct00056

화합물 31Compound 31

Figure pct00057
Figure pct00057

화합물 32Compound 32

Figure pct00058
Figure pct00058

화합물 33Compound 33

Figure pct00059
Figure pct00059

화합물 34Compound 34

Figure pct00060
Figure pct00060

화합물 35Compound 35

Figure pct00061
Figure pct00061

화합물 36Compound 36

Figure pct00062
Figure pct00062

화합물 37Compound 37

Figure pct00063
Figure pct00063

화합물 38Compound 38

Figure pct00064
Figure pct00064

5. 폴리아믹산5. Polyamic acid

본원에 기재된 폴리아믹산은 하나 이상의 테트라카르복실산 성분과 하나 이상의 디아민의 반응 생성물이며, (a) 디아민은 1 내지 100 몰%의 화학식 I을 갖는 디아민을 포함하고/하거나, (b) 테트라카르복실산 성분은 1 내지 100 몰%의 화학식 IV을 갖는 테트라카르복실산 이무수물을 포함한다. 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산은 하나 이상의 테트라카르복실산 성분과 하나 이상의 디아민의 반응 생성물이며, (a) 디아민은 1 내지 100 몰%의 화학식 I을 갖는 디아민을 포함하거나, 아니면 (b) 테트라카르복실산 성분은 1 내지 100 몰%의 화학식 IV을 갖는 테트라카르복실산 이무수물을 포함한다.The polyamic acid described herein is the reaction product of at least one tetracarboxylic acid component and at least one diamine, wherein (a) the diamine comprises 1 to 100 mol% of a diamine having formula I, and/or (b) a tetracarboxylic acid The acid component comprises from 1 to 100 mole percent of a tetracarboxylic dianhydride having formula IV. In some embodiments, the polyamic acid is the reaction product of at least one tetracarboxylic acid component and at least one diamine, and (a) the diamine comprises 1 to 100 mole percent of a diamine having Formula I, or (b) a tetracar The acid component comprises from 1 to 100 mole percent of a tetracarboxylic dianhydride having formula IV.

제1 폴리아믹산은 하나 이상의 테트라카르복실산 성분과 하나 이상의 디아민의 반응 생성물이며, 디아민은 1 내지 100 몰%의 화학식 I을 갖는 디아민을 포함한다.The first polyamic acid is the reaction product of at least one tetracarboxylic acid component and at least one diamine, and the diamine comprises 1 to 100 mol% of a diamine having formula (I).

제1 폴리아믹산의 일부 실시 형태에서, 화학식 I을 갖는 디아민은 총 디아민의 1 내지 5 몰%; 일부 실시 형태에서, 6 내지 10 몰%; 일부 실시 형태에서, 10 내지 25 몰%; 일부 실시 형태에서 25 내지 50 몰%; 일부 실시 형태에서, 50 내지 75 몰%; 일부 실시 형태에서, 75 내지 100 몰%; 일부 실시 형태에서, 100 몰%이다.In some embodiments of the first polyamic acid, the diamine having Formula (I) comprises 1 to 5 mole percent of the total diamine; In some embodiments, 6-10 mole percent; In some embodiments, 10 to 25 mole percent; From 25 to 50 mole percent in some embodiments; In some embodiments, 50-75 mole percent; In some embodiments, 75 to 100 mole percent; In some embodiments, it is 100 mole percent.

제1 폴리아믹산의 일부 실시 형태에서, 단일 테트라카르복실산 성분이 존재한다.In some embodiments of the first polyamic acid, a single tetracarboxylic acid component is present.

제1 폴리아믹산의 일부 실시 형태에서, 2종의 테트라카르복실산 성분이 존재한다.In some embodiments of the first polyamic acid, two tetracarboxylic acid components are present.

제1 폴리아믹산의 일부 실시 형태에서, 3종의 테트라카르복실산 성분이 존재한다.In some embodiments of the first polyamic acid, there are three tetracarboxylic acid components.

일부 실시 형태에서, 제1 폴리아믹산은 화학식 I을 갖는 단일 디아민과 단일 테트라카르복실산 성분의 반응 생성물이다. In some embodiments, the first polyamic acid is the reaction product of a single diamine having Formula (I) and a single tetracarboxylic acid component.

제1 폴리아믹산은 화학식 II의 반복 단위를 갖는다:The first polyamic acid has a repeating unit of formula II:

[화학식 II][Formula II]

Figure pct00065
Figure pct00065

여기서, here,

Ra 및 Rc는 동일하거나 상이하며 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고;R a and R c are the same or different and represent a tetracarboxylic acid component moiety;

Rb는 디아민 잔기를 나타내고;R b represents a diamine moiety;

m은 1 내지 20의 정수이다.m is an integer from 1 to 20.

화학식 I에서 Ra, Rb, 및 m에 대해 상기에 기재된 실시 형태는 모두 화학식 II에서 Ra, Rb, 및 m에 동일하게 적용된다. The embodiments described above for R a , R b , and m in Formula I all apply equally to R a , R b , and m in Formula II.

화학식 I의 잔기 Ra를 형성하는 데 적합한 상기에 열거된 테트라카르복실산 이무수물 중 임의의 것이 또한 화학식 II의 잔기 Rc를 형성하는 데 적합하다.Any of the above listed tetracarboxylic dianhydrides suitable for forming moiety R a of formula I are also suitable for forming moiety R c of formula II.

화학식 II의 일부 실시 형태에서, Rc는 PMDA, BPDA, 6FDA, BTDA, 및 CBDA로 이루어진 군으로부터 선택되는 테트라카르복실산 이무수물로부터의 잔기를 나타낸다.In some embodiments of Formula II, R c represents a moiety from a tetracarboxylic dianhydride selected from the group consisting of PMDA, BPDA, 6FDA, BTDA, and CBDA.

제2 폴리아믹산은 하나 이상의 테트라카르복실산 성분과 하나 이상의 디아민의 반응 생성물이며, 테트라카르복실산 성분은 1 내지 100 몰%의 화학식 IV를 갖는 테트라카르복실산 이무수물을 포함한다.The second polyamic acid is a reaction product of at least one tetracarboxylic acid component and at least one diamine, and the tetracarboxylic acid component comprises 1 to 100 mol% of a tetracarboxylic dianhydride having formula IV.

제2 폴리아믹산의 일부 실시 형태에서, 화학식 IV를 갖는 이무수물은 총 이무수물의 1 내지 5 몰%; 일부 실시 형태에서, 6 내지 10 몰%; 일부 실시 형태에서, 10 내지 25 몰%; 일부 실시 형태에서 25 내지 50 몰%; 일부 실시 형태에서, 50 내지 75 몰%; 일부 실시 형태에서, 75 내지 100 몰%; 일부 실시 형태에서, 100 몰%이다.In some embodiments of the second polyamic acid, the dianhydride having Formula IV comprises 1 to 5 mole percent of the total dianhydride; In some embodiments, 6-10 mole percent; In some embodiments, 10 to 25 mole percent; From 25 to 50 mole percent in some embodiments; In some embodiments, 50-75 mole percent; In some embodiments, 75 to 100 mole percent; In some embodiments, it is 100 mole percent.

제2 폴리아믹산의 일부 실시 형태에서, 단일 디아민 성분이 존재한다.In some embodiments of the second polyamic acid, a single diamine component is present.

제2 폴리아믹산의 일부 실시 형태에서, 2종의 디아민 성분이 존재한다.In some embodiments of the second polyamic acid, two diamine components are present.

제2 폴리아믹산의 일부 실시 형태에서, 3종의 디아민 성분이 존재한다.In some embodiments of the second polyamic acid, three diamine components are present.

일부 실시 형태에서, 제2 폴리아믹산은 화학식 IV을 갖는 단일 이무수물과 단일 디아민 성분의 반응 생성물이다. In some embodiments, the second polyamic acid is the reaction product of a single dianhydride having Formula IV and a single diamine component.

제2 폴리아믹산은 화학식 V의 반복 단위를 갖는다: The second polyamic acid has a repeating unit of formula V:

[화학식 V][Formula V]

Figure pct00066
Figure pct00066

여기서, here,

Rd는 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고;R d represents a tetracarboxylic acid component residue;

Re 및 Rf는 동일하거나 상이하며 디아민 잔기를 나타내고;R e and R f are the same or different and represent a diamine moiety;

m은 1 내지 20의 정수이다.m is an integer from 1 to 20.

화학식 IV에서 Rd, Re, 및 m에 대해 상기에 기재된 실시 형태는 모두 화학식 V에서 Rd, Re, 및 m에 동일하게 적용된다. The embodiments described above for R d , R e , and m in Formula IV all apply equally to R d , R e , and m in Formula V.

화학식 IV의 잔기 Re를 형성하는 데 적합한, 상기에 열거된 디아민 중 임의의 것이 또한 화학식 V의 잔기 Rf를 형성하는 데 적합하다.Any of the diamines listed above, suitable for forming the moiety R e of Formula IV, are also suitable for forming the moiety R f of Formula V.

화학식 V의 일부 실시 형태에서, Rf는 PPD, MPD, m-톨리딘, o-톨리딘, 벤지딘, 및 TFMB로 이루어진 군으로부터 선택되는 방향족 디아민의 잔기를 나타낸다.In some embodiments of Formula V, R f represents a moiety of an aromatic diamine selected from the group consisting of PPD, MPD, m-tolidine, o-tolidine, benzidine, and TFMB.

상기 폴리아믹산의 일부 실시 형태에서, 일무수물 단량체로부터 기인한 모이어티가 말단-캡핑 기로서 존재한다.In some embodiments of the above polyamic acid, moieties resulting from monoanhydride monomers are present as end-capping groups.

일부 실시 형태에서, 일무수물 단량체는 프탈산 무수물 등 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the monoanhydride monomer is selected from the group consisting of phthalic anhydride and the like and derivatives thereof.

일부 실시 형태에서, 일무수물은 전체 테트라카르복실산 조성물의 5 몰% 이하의 양으로 존재한다.In some embodiments, the monoanhydride is present in an amount of 5 mole percent or less of the total tetracarboxylic acid composition.

상기 폴리아믹산의 일부 실시 형태에서, 모노아민 단량체로부터 기인한 모이어티가 말단-캡핑 기로서 존재한다.In some embodiments of the above polyamic acid, moieties resulting from monoamine monomers are present as end-capping groups.

일부 실시 형태에서, 모노아민 단량체는 아닐린 등 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the monoamine monomer is selected from the group consisting of aniline and the like and derivatives thereof.

일부 실시 형태에서, 모노아민은 전체 아민 조성물의 5 몰% 이하의 양으로 존재한다.In some embodiments, the monoamine is present in an amount of 5 mole percent or less of the total amine composition.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산은 폴리스티렌 표준물을 사용한 겔 투과 크로마토그래피에 기초하여 중량 평균 분자량(MW)이 100,000 초과이다.In some embodiments, the polyamic acid has a weight average molecular weight (M W ) greater than 100,000 based on gel permeation chromatography using polystyrene standards.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산은 폴리스티렌 표준물을 사용한 겔 투과 크로마토그래피에 기초하여 중량 평균 분자량(MW)이 150,000 초과이다.In some embodiments, the polyamic acid has a weight average molecular weight (M W ) greater than 150,000 based on gel permeation chromatography using polystyrene standards.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산은 폴리스티렌 표준물을 사용한 겔 투과 크로마토그래피에 기초하여 분자량(MW)이 200,000 초과이다.In some embodiments, the polyamic acid has a molecular weight (M W ) greater than 200,000 based on gel permeation chromatography using polystyrene standards.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산은 폴리스티렌 표준물을 사용한 겔 투과 크로마토그래피에 기초하여 중량 평균 분자량(MW)이 250,000 초과이다.In some embodiments, the polyamic acid has a weight average molecular weight (M W ) greater than 250,000 based on gel permeation chromatography using polystyrene standards.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산은 폴리스티렌 표준물을 사용한 겔 투과 크로마토그래피에 기초하여 중량 평균 분자량(MW)이 300,000 초과이다.In some embodiments, the polyamic acid has a weight average molecular weight (M W ) greater than 300,000 based on gel permeation chromatography using polystyrene standards.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산은 폴리스티렌 표준물을 사용한 겔 투과 크로마토그래피에 기초하여 중량 평균 분자량(MW)이 100,000 내지 400,000이다.In some embodiments, the polyamic acid has a weight average molecular weight (M W ) of 100,000 to 400,000 based on gel permeation chromatography using polystyrene standards.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산은 폴리스티렌 표준물을 사용한 겔 투과 크로마토그래피에 기초하여 중량 평균 분자량(MW)이 150,000 내지 350,000이다.In some embodiments, the polyamic acid has a weight average molecular weight (M W ) of 150,000 to 350,000 based on gel permeation chromatography using polystyrene standards.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산은 폴리스티렌 표준물을 사용한 겔 투과 크로마토그래피에 기초하여 중량 평균 분자량(MW)이 200,000 내지 300,000이다.In some embodiments, the polyamic acid has a weight average molecular weight (M W ) of 200,000 to 300,000 based on gel permeation chromatography using polystyrene standards.

전반적인 폴리아믹산 조성은 당업계에서 일반적으로 사용되는 표기법을 통해 표기될 수 있다. 예를 들어, 100% ODPA인 테트라카르복실산 성분과 90 몰% 비스-P와 10 몰% TFMB인 디아민 성분을 갖는 폴리아믹산은 다음과 같이 표시될 것이다:The overall polyamic acid composition may be indicated through a notation commonly used in the art. For example, a polyamic acid with a tetracarboxylic acid component of 100% ODPA and a diamine component of 90 mol% bis-P and 10 mol% TFMB would be represented as follows:

ODPA//비스-P/22TFMB 100//90/10.ODPA//bis-P/22TFMB 100//90/10.

(a) 화학식 II의 반복 단위를 갖는 폴리아믹산 및 (b) 적어도 하나의 고비점 비양성자성 용매를 포함하는 제1 액체 조성물이 또한 제공된다. 제1 액체 조성물은 본원에서 "제1 폴리아믹산 용액"으로도 지칭된다.A first liquid composition is also provided comprising (a) a polyamic acid having repeating units of formula II and (b) at least one high boiling point aprotic solvent. The first liquid composition is also referred to herein as “first polyamic acid solution”.

(a) 화학식 V의 반복 단위를 갖는 폴리아믹산 및 (b) 적어도 하나의 고비점 비양성자성 용매를 포함하는 제2 액체 조성물이 또한 제공된다. 제2 액체 조성물은 본원에서 "제2 폴리아믹산 용액"으로도 지칭된다.There is also provided a second liquid composition comprising (a) a polyamic acid having repeating units of formula (V) and (b) at least one high boiling point aprotic solvent. The second liquid composition is also referred to herein as “second polyamic acid solution”.

일부 실시 형태에서, 고비점 비양성자성 용매는 비점이 150℃ 이상이다.In some embodiments, the high boiling point aprotic solvent has a boiling point of 150° C. or higher.

일부 실시 형태에서, 고비점 비양성자성 용매는 비점이 175℃ 이상이다.In some embodiments, the high boiling point aprotic solvent has a boiling point of 175° C. or higher.

일부 실시 형태에서, 고비점 비양성자성 용매는 비점이 200℃ 이상이다.In some embodiments, the high boiling point aprotic solvent has a boiling point of 200° C. or higher.

일부 실시 형태에서, 고비점 비양성자성 용매는 극성 용매이다. 일부 실시 형태에서, 용매는 유전 상수가 20 초과이다.In some embodiments, the high boiling point aprotic solvent is a polar solvent. In some embodiments, the solvent has a dielectric constant greater than 20.

고비점 비양성자성 용매의 일부 예에는 N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 디메틸 아세트아미드(DMAc), 디메틸 술폭시드(DMSO), 디메틸 포름아미드(DMF), N-부틸피롤리디논(NBP), N,N-디에틸아세트아미드(DEAc), 테트라메틸우레아, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, γ-부티로락톤, 디부틸 카르비톨, 부틸 카르비톨 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 등, 및 이들의 조합이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. Some examples of high boiling point aprotic solvents include N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), dimethyl acetamide (DMAc), dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethyl formamide (DMF), and N-butylpyrrolidinone. (NBP), N,N-diethylacetamide (DEAc), tetramethylurea, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, γ-butyrolactone, dibutyl carbitol, butyl carbitol acetate, di Ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and the like, and combinations thereof.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 NMP, DMAc, 및 DMF로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some embodiments of the liquid composition, the solvent is selected from the group consisting of NMP, DMAc, and DMF.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 NMP이다.In some embodiments of the liquid composition, the solvent is NMP.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 DMAc이다.In some embodiments of the liquid composition, the solvent is DMAc.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 DMF이다. In some embodiments of the liquid composition, the solvent is DMF.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 NBP이다. In some embodiments of the liquid composition, the solvent is NBP.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 DEAc이다. In some embodiments of the liquid composition, the solvent is DEAc.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 테트라메틸우레아이다. In some embodiments of the liquid composition, the solvent is tetramethylurea.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논이다. In some embodiments of the liquid composition, the solvent is 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 γ-부티로락톤이다. In some embodiments of the liquid composition, the solvent is γ-butyrolactone.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 디부틸 카르비톨이다.In some embodiments of the liquid composition, the solvent is dibutyl carbitol.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 부틸 카르비톨 아세테이트이다.In some embodiments of the liquid composition, the solvent is butyl carbitol acetate.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트이다.In some embodiments of the liquid composition, the solvent is diethylene glycol monoethyl ether acetate.

액체 조성물의 일부 실시 형태에서, 용매는 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트이다. In some embodiments of the liquid composition, the solvent is propylene glycol monoethyl ether acetate.

일부 실시 형태에서, 상기에서 확인된 고비점 비양성자성 용매 중 하나 초과가 액체 조성물에 사용된다. In some embodiments, more than one of the high boiling point aprotic solvents identified above are used in the liquid composition.

일부 실시 형태에서, 추가적인 공용매가 액체 조성물에 사용된다. In some embodiments, additional co-solvents are used in the liquid composition.

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 99 중량% 초과의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 1 중량% 미만의 폴리아믹산이다. 본원에 사용되는 바와 같이, 용어 "용매(들)"는 하나 이상의 용매를 지칭한다.In some embodiments, the liquid composition is less than 1% by weight polyamic acid in greater than 99% by weight high boiling point aprotic solvent(s). As used herein, the term “solvent(s)” refers to one or more solvents.

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 95 내지 99 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 1 내지 5 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 1 to 5% by weight of polyamic acid in 95 to 99% by weight of high boiling point aprotic solvent(s).

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 90 내지 95 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 5 내지 10 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 5-10% by weight polyamic acid in 90-95% by weight high boiling point aprotic solvent(s).

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 85 내지 90 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 10 내지 15 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 10-15% by weight polyamic acid in 85-90% by weight high boiling point aprotic solvent(s).

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 80 내지 85 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 15 내지 20 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 15-20% polyamic acid by weight in 80-85% by weight high boiling point aprotic solvent(s).

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 75 내지 80 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 20 내지 25 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 20-25% by weight polyamic acid in 75-80% by weight high boiling aprotic solvent(s).

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 70 내지 75 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 25 내지 30 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 25 to 30 weight percent polyamic acid in 70 to 75 weight percent high boiling point aprotic solvent(s).

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 65 내지 70 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 30 내지 35 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 30 to 35 weight percent polyamic acid in 65 to 70 weight percent high boiling point aprotic solvent(s).

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 60 내지 65 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 35 내지 40 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 35 to 40 weight percent polyamic acid in 60 to 65 weight percent high boiling point aprotic solvent(s).

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 55 내지 60 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 40 내지 45 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 40 to 45 weight percent polyamic acid in 55 to 60 weight percent high boiling point aprotic solvent(s).

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 50 내지 55 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 45 내지 50 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 45 to 50% by weight polyamic acid in 50 to 55% by weight of high boiling point aprotic solvent(s).

일부 실시 형태에서, 액체 조성물은 50 중량%의 고비점 비양성자성 용매(들) 중의 50 중량%의 폴리아믹산이다.In some embodiments, the liquid composition is 50% by weight polyamic acid in 50% by weight high boiling point aprotic solvent(s).

폴리아믹산 용액은 선택적으로 다수의 첨가제 중 어느 하나를 추가로 함유할 수 있다. 이러한 첨가제는, 원하는 폴리이미드 특성에 악영향을 미치지 않는 한, 산화방지제, 열 안정제, 접착 촉진제, 커플링제(예컨대, 실란), 무기 충전제, 또는 다양한 강화제일 수 있다.The polyamic acid solution may optionally further contain any one of a number of additives. Such additives may be antioxidants, heat stabilizers, adhesion promoters, coupling agents (eg, silanes), inorganic fillers, or various reinforcing agents, as long as they do not adversely affect the desired polyimide properties.

폴리아믹산 용액은 성분(즉, 단량체 및 용매)의 도입과 관련하여 이용가능한 다양한 방법을 사용하여 제조될 수 있다. 폴리아믹산 용액을 제조하는 일부 방법은 다음의 방법을 포함한다: Polyamic acid solutions can be prepared using a variety of methods available in connection with the introduction of components (ie, monomers and solvents). Some methods of preparing polyamic acid solutions include the following methods:

(a) 디아민 성분과 이무수물 성분을 미리 함께 혼합한 후, 교반하면서 혼합물을 용매에 조금씩 첨가하는 방법. (a) After mixing the diamine component and the dianhydride component together in advance, the mixture is gradually added to the solvent while stirring.

(b) 디아민과 이무수물 성분의 교반하는 혼합물에 용매를 첨가하는 방법 (상기 (a)와는 반대임) (b) Method of adding a solvent to the stirring mixture of diamine and dianhydride component (as opposed to (a) above)

(c) 오로지 디아민만 용매에 용해시킨 다음, 여기에 반응 속도를 조절할 수 있도록 하는 비율로 이무수물을 첨가하는 방법; (c) a method of dissolving only diamine in a solvent, and then adding a dianhydride thereto at a rate such that the reaction rate can be controlled;

(d) 오로지 이무수물 성분만 용매에 용해시킨 다음, 여기에 반응 속도를 조절할 수 있도록 하는 비율로 아민 성분을 첨가하는 방법; (d) a method of dissolving only the dianhydride component in a solvent, and then adding the amine component thereto in a ratio such that the reaction rate can be controlled;

(e) 디아민 성분과 이무수물 성분을 별도로 용매에 용해시킨 다음 이들 용액을 반응기에서 혼합하는 방법; (e) a method of separately dissolving a diamine component and a dianhydride component in a solvent and then mixing these solutions in a reactor;

(f) 과량의 아민 성분을 갖는 폴리아믹산과 과량의 이무수물 성분을 갖는 또 다른 폴리아믹산을 미리 형성한 다음, 특히 비-랜덤 공중합체 또는 블록 공중합체를 생성하는 방식으로, 반응기에서 서로 반응시키는 방법; (f) a polyamic acid having an excess of amine component and another polyamic acid having an excess of dianhydride component are formed in advance, and then reacted with each other in a reactor, especially in a manner to produce a non-random copolymer or block copolymer. Way;

(g) 아민 성분의 특정 부분과 이무수물 성분을 먼저 반응시킨 다음, 나머지 디아민 성분과 반응시키거나, 그 반대인 방법; (g) a method of first reacting a specific portion of an amine component with a dianhydride component and then reacting with the remaining diamine component, or vice versa;

(h) 성분들을 용매의 일부 또는 전부에 임의의 순서로 부분적으로 또는 전체적으로 첨가하는(또한 임의의 성분의 일부 또는 전부를 용액으로서 용매의 일부 또는 전부에 첨가할 수 있는) 방법;(h) adding the components to some or all of the solvent partially or wholly in any order (and also allowing some or all of the optional components to be added to some or all of the solvent as a solution);

(i) 이무수물 성분 중 하나를 디아민 성분 중 하나와 먼저 반응시켜 제1 폴리아믹산을 제공하고, 이어서 다른 이무수물 성분을 다른 아민 성분과 반응시켜 제2 폴리아믹산을 제공하고, 이어서, 필름 형성 전에 다수의 방식 중 어느 하나의 방식으로 폴리아믹산들을 합하는 방법.(i) one of the dianhydride components is first reacted with one of the diamine components to provide a first polyamic acid, and then the other dianhydride component is reacted with another amine component to provide a second polyamic acid, and then before film formation A method of combining polyamic acids in any one of a number of ways.

일반적으로, 폴리아믹산 용액은 상기에 개시된 폴리아믹산 용액 제조 방법 중 어느 하나로부터 수득될 수 있다. In general, the polyamic acid solution can be obtained from any one of the methods for preparing the polyamic acid solution disclosed above.

이어서, 입자 함량을 감소시키기 위해 폴리아믹산 용액을 1회 이상 여과할 수 있다. 이러한 여과된 용액으로부터 생성된 폴리이미드 필름은 결함 수의 감소를 나타냄으로써, 본원에 개시된 전자기기 응용 분야에서 우수한 성능을 나타낼 수 있다. 여과 효율의 평가는 폴리아믹산 용액의 대표적인 샘플을 5" 실리콘 웨이퍼 상에 캐스팅하는 레이저 입자 계수기 시험에 의해 수행될 수 있다. 소프트 베이킹/건조 후, 구매가능하며 당업계에 알려진 장비에서 다수의 레이저 입자 계수 기술에 의해 입자 함량에 대해 필름을 평가한다. Subsequently, the polyamic acid solution may be filtered one or more times to reduce the particle content. The polyimide film produced from such a filtered solution may exhibit a reduction in the number of defects, thereby exhibiting excellent performance in the electronic device applications disclosed herein. Evaluation of the filtration efficiency can be performed by a laser particle counter test in which a representative sample of a polyamic acid solution is cast onto a 5" silicon wafer. After soft baking/drying, the film is evaluated for particle content by a number of laser particle counting techniques in equipment commercially available and known in the art.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액을 제조하고, 레이저 입자 계수기 시험에 의해 측정 시 40개 미만의 입자의 입자 함량을 산출하도록 여과한다.In some embodiments, a polyamic acid solution is prepared and filtered to yield a particle content of less than 40 particles as measured by a laser particle counter test.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액을 제조하고, 레이저 입자 계수기 시험에 의해 측정 시 30개 미만의 입자의 입자 함량을 산출하도록 여과한다.In some embodiments, a polyamic acid solution is prepared and filtered to yield a particle content of less than 30 particles as measured by a laser particle counter test.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액을 제조하고, 레이저 입자 계수기 시험에 의해 측정 시 20개 미만의 입자의 입자 함량을 산출하도록 여과한다.In some embodiments, a polyamic acid solution is prepared and filtered to yield a particle content of less than 20 particles as measured by a laser particle counter test.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액을 제조하고, 레이저 입자 계수기 시험에 의해 측정 시 10개 미만의 입자의 입자 함량을 산출하도록 여과한다.In some embodiments, a polyamic acid solution is prepared and filtered to yield a particle content of less than 10 particles as measured by a laser particle counter test.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액을 제조하고, 레이저 입자 계수기 시험에 의해 측정 시 2개의 입자 내지 8개의 입자의 입자 함량을 산출하도록 여과한다.In some embodiments, a polyamic acid solution is prepared and filtered to yield a particle content of 2 to 8 particles as measured by a laser particle counter test.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액을 제조하고, 레이저 입자 계수기 시험에 의해 측정 시 4개의 입자 내지 6개의 입자의 입자 함량을 산출하도록 여과한다.In some embodiments, a polyamic acid solution is prepared and filtered to yield a particle content of 4 to 6 particles as measured by a laser particle counter test.

폴리아믹산 용액의 예시적인 제조가 실시예에서 제공된다. An exemplary preparation of a polyamic acid solution is provided in the Examples.

6. 폴리이미드 6. Polyimide

하기 화학식 III의 반복 단위 구조를 갖는 제1 폴리이미드가 제공된다:There is provided a first polyimide having a repeating unit structure of formula III:

[화학식 III][Formula III]

Figure pct00067
Figure pct00067

여기서, here,

Ra 및 Rc는 동일하거나 상이하며 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고;R a and R c are the same or different and represent a tetracarboxylic acid component moiety;

Rb는 디아민 잔기를 나타내고; R b represents a diamine moiety;

m은 1 내지 20의 정수이다.m is an integer from 1 to 20.

화학식 II에서 Ra, Rb, Rc, 및 m에 대해 상기에 기재된 실시 형태가 모두 화학식 III에서 Ra, Rb, Rc, 및 m에 동일하게 적용된다. The embodiment described in the above for R a, R b, R c , and m in formula II are all the same for R a, R b, R c , and m in formula III.

하기 화학식 VI의 반복 단위 구조를 갖는 제2 폴리이미드가 제공된다:There is provided a second polyimide having a repeating unit structure of formula (VI):

[화학식 VI][Formula VI]

Figure pct00068
Figure pct00068

여기서, here,

Rd는 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고;R d represents a tetracarboxylic acid component residue;

Re 및 Rf는 동일하거나 상이하며 디아민 잔기를 나타내고;R e and R f are the same or different and represent a diamine moiety;

m은 1 내지 20의 정수이다.m is an integer from 1 to 20.

화학식 IV에서 Rd, Re, Rf, 및 m에 대해 상기에 기재된 실시 형태는 모두 화학식 V에서 Rd, Re, Rf, 및 m에 동일하게 적용된다. The embodiments described above for R d , R e , R f , and m in Formula IV all apply equally to R d , R e , R f , and m in Formula V.

전술한 바와 같이, 폴리이미드가 화학식 III 또는 화학식 VI의 반복 단위 구조를 갖는, 폴리이미드 필름이 또한 제공된다.As described above, a polyimide film is also provided, wherein the polyimide has a repeating unit structure of formula III or formula VI.

폴리이미드 필름은 기판 상에 폴리이미드 전구체를 코팅하고 후속하여 이미드화함으로써 제조될 수 있다. 이는 열적 변환 공정 또는 화학적 변환 공정에 의해 달성될 수 있다. Polyimide films can be prepared by coating a polyimide precursor on a substrate and subsequently imidizing. This can be achieved by a thermal conversion process or a chemical conversion process.

또한, 폴리이미드가 적합한 코팅 용매에 용해성인 경우, 폴리이미드는 적합한 코팅 용매에 용해된 이미 이미드화된 중합체로서 제공되고 폴리이미드로서 코팅될 수 있다.Further, if the polyimide is soluble in a suitable coating solvent, the polyimide can be provided as an imidized polymer dissolved in a suitable coating solvent and coated as a polyimide.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 면내 열팽창 계수(CTE)는 50℃ 내지 200℃에서 45 ppm/℃ 미만이고, 일부 실시 형태에서 30 ppm/℃ 미만이고, 일부 실시 형태에서 20 ppm/℃ 미만이고, 일부 실시 형태에서 15 ppm/℃ 미만이고, 일부 실시 형태에서는 0 ppm/℃ 내지 15 ppm/℃이다.In some embodiments of the polyimide film, the coefficient of in-plane thermal expansion (CTE) is less than 45 ppm/°C at 50°C to 200°C, less than 30 ppm/°C in some embodiments, and less than 20 ppm/°C in some embodiments , Less than 15 ppm/°C in some embodiments, and 0 ppm/°C to 15 ppm/°C in some embodiments.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 유리 전이 온도(Tg)는 300℃ 초과의 온도에서 경화된 폴리이미드 필름에 대해 250℃ 초과, 일부 실시 형태에서, 300℃ 초과, 일부 실시 형태에서 350℃ 초과이다.In some embodiments of the polyimide film, the glass transition temperature (T g ) is greater than 250° C., in some embodiments, greater than 300° C., and in some embodiments, greater than 350° C. for a polyimide film cured at a temperature greater than 300° C. to be.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 1% TGA 중량 손실 온도는 350℃ 초과, 일부 실시 형태에서 400℃ 초과, 일부 실시 형태에서 450℃ 초과이다.In some embodiments of the polyimide film, the 1% TGA weight loss temperature is greater than 350°C, in some embodiments greater than 400°C, and in some embodiments greater than 450°C.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 인장 탄성률은 1.5 GPa 내지 8.0 GPa, 일부 실시 형태에서 1.5 GPa 내지 5.0 GPa이다.In some embodiments of the polyimide film, the tensile modulus is between 1.5 GPa and 8.0 GPa, and in some embodiments between 1.5 GPa and 5.0 GPa.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 파단 연신율은 10% 초과이다.In some embodiments of the polyimide film, the elongation at break is greater than 10%.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 광학 위상지연은 2000 nm 미만, 일부 실시 형태에서 1500 nm 미만, 일부 실시 형태에서 1000 nm 미만, 일부 실시 형태에서 500 nm 미만이다.In some embodiments of the polyimide film, the optical retardation is less than 2000 nm, in some embodiments less than 1500 nm, in some embodiments less than 1000 nm, and in some embodiments less than 500 nm.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 550 또는 633 nm에서의 복굴절률은 0.15 미만, 일부 실시 형태에서 0.10 미만, 일부 실시 형태에서 0.05 미만, 일부 실시 형태에서 0.010 미만, 일부 실시 형태에서 0.005 미만이다. In some embodiments of the polyimide film, the birefringence at 550 or 633 nm is less than 0.15, less than 0.10 in some embodiments, less than 0.05 in some embodiments, less than 0.010 in some embodiments, and less than 0.005 in some embodiments.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 헤이즈는 1.0% 미만, 일부 실시 형태에서 0.5% 미만, 일부 실시 형태에서 0.1% 미만이다.In some embodiments of the polyimide film, the haze is less than 1.0%, in some embodiments less than 0.5%, and in some embodiments less than 0.1%.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, b*는 10 미만, 일부 실시 형태에서 7.5 미만, 일부 실시 형태에서 5.0 미만, 일부 실시 형태에서 3.0 미만이다.In some embodiments of the polyimide film, b* is less than 10, less than 7.5 in some embodiments, less than 5.0 in some embodiments, and less than 3.0 in some embodiments.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, YI는 12 미만, 일부 실시 형태에서 10 미만, 일부 실시 형태에서 5 미만이다.In some embodiments of the polyimide film, YI is less than 12, in some embodiments less than 10, and in some embodiments less than 5.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 400 nm에서의 투과율은 40% 초과, 일부 실시 형태에서 50% 초과, 일부 실시 형태에서 60% 초과이다.In some embodiments of the polyimide film, the transmittance at 400 nm is greater than 40%, in some embodiments greater than 50%, and in some embodiments greater than 60%.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 430 nm에서의 투과율은 60% 초과, 일부 실시 형태에서 70% 초과이다.In some embodiments of the polyimide film, the transmittance at 430 nm is greater than 60%, and in some embodiments greater than 70%.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 450 nm에서의 투과율은 70% 초과, 일부 실시 형태에서 80% 초과이다.In some embodiments of the polyimide film, the transmittance at 450 nm is greater than 70%, and in some embodiments greater than 80%.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 550 nm에서의 투과율은 70% 초과, 일부 실시 형태에서 80% 초과이다.In some embodiments of the polyimide film, the transmittance at 550 nm is greater than 70%, and in some embodiments greater than 80%.

폴리이미드 필름의 일부 실시 형태에서, 750 nm에서의 투과율은 70% 초과, 일부 실시 형태에서 80% 초과, 일부 실시 형태에서 90% 초과이다.In some embodiments of the polyimide film, the transmittance at 750 nm is greater than 70%, in some embodiments greater than 80%, and in some embodiments greater than 90%.

상호 배타적이지 않는 한, 폴리이미드 필름에 대한 상기 실시 형태 중 임의의 것을 하나 이상의 다른 실시 형태와 조합할 수 있다. Unless mutually exclusive, any of the above embodiments for a polyimide film may be combined with one or more other embodiments.

4. 폴리이미드 필름의 제조 방법4. Manufacturing method of polyimide film

일반적으로, 폴리이미드 필름은 폴리이미드 전구체로부터 화학적 또는 열적 변환에 의해 제조될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 필름은 상응하는 폴리아믹산 용액으로부터 화학적 또는 열적 변환 공정에 의해 제조된다. 본원에 개시된 폴리이미드 필름은, 특히 전자 장치에서 가요성 유리 대체재로서 사용되는 경우, 열적 변환 공정에 의해 제조된다. In general, polyimide films can be prepared by chemical or thermal conversion from a polyimide precursor. In some embodiments, the film is made by a chemical or thermal conversion process from the corresponding polyamic acid solution. The polyimide films disclosed herein are produced by a thermal conversion process, particularly when used as a flexible glass substitute in electronic devices.

일반적으로, 폴리이미드 필름은 상응하는 폴리아믹산 용액으로부터 화학적 또는 열적 변환 공정에 의해 제조될 수 있다. 본원에 개시된 폴리이미드 필름은, 특히 전자 장치에서 가요성 유리 대체재로서 사용되는 경우, 화학적 변환 공정에 비해 열적 변환 공정 또는 변형된 열적 변환 공정에 의해 제조된다. In general, polyimide films can be prepared from a corresponding polyamic acid solution by a chemical or thermal conversion process. The polyimide films disclosed herein are produced by a thermal conversion process or a modified thermal conversion process compared to a chemical conversion process, particularly when used as a flexible glass substitute in an electronic device.

화학적 변환 공정은, 전체적으로 참고로 포함된 미국 특허 제5,166,308호 및 제5,298,331호에 기재되어 있다. 이러한 공정에서는, 변환 화학물질이 폴리아믹산 용액에 첨가된다. 본 발명에 유용한 것으로 밝혀진 변환 화학물질에는 (i) 하나 이상의 탈수제, 예컨대 지방족 산 무수물(아세트산 무수물 등) 및 산 무수물; 및 (ii) 하나 이상의 촉매, 예컨대 지방족 3차 아민(트리에틸아민 등), 3차 아민(디메틸아닐린 등), 및 헤테로시클릭 3차 아민(피리딘, 피콜린, 이소퀴놀린 등)이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 무수 탈수 재료는 전형적으로 폴리아믹산 용액에 존재하는 아미드 산 기의 양보다 다소 몰 과량으로 사용된다. 사용되는 아세트산 무수물의 양은 전형적으로 폴리아믹산 당량당 2.0 내지 3.0 몰이다. 일반적으로, 비슷한 양의 3차 아민 촉매가 사용된다. Chemical conversion processes are described in US Pat. Nos. 5,166,308 and 5,298,331, which are incorporated by reference in their entirety. In this process, a conversion chemical is added to the polyamic acid solution. Conversion chemicals found to be useful in the present invention include (i) one or more dehydrating agents, such as aliphatic acid anhydrides (such as acetic anhydride) and acid anhydrides; And (ii) one or more catalysts such as aliphatic tertiary amines (such as triethylamine), tertiary amines (such as dimethylaniline), and heterocyclic tertiary amines (such as pyridine, picoline, isoquinoline, etc.). Not limited. The anhydrous dehydration material is typically used in a somewhat molar excess than the amount of amic acid groups present in the polyamic acid solution. The amount of acetic anhydride used is typically 2.0 to 3.0 moles per equivalent of polyamic acid. In general, similar amounts of tertiary amine catalyst are used.

열적 변환 공정은 폴리아믹산 캐스팅 용액을 폴리이미드로 변환하기 위해 변환 화학물질(즉, 촉매)을 사용하거나 사용하지 않을 수 있다. 변환 화학물질이 사용되는 경우, 공정은 변형된 열적 변환 공정으로 간주될 수 있다. 두 유형의 열적 변환 공정 모두에서, 오직 열에너지만을 사용하여 필름을 가열하여, 필름에서 용매를 건조시키고 이미드화 반응을 수행한다. 본원에 개시된 폴리이미드 필름을 제조하기 위해 변환 촉매의 유무에 관계없이 열적 변환 공정이 일반적으로 사용된다.The thermal conversion process may or may not use conversion chemicals (ie, catalysts) to convert the polyamic acid casting solution to polyimide. If conversion chemicals are used, the process can be considered a modified thermal conversion process. In both types of thermal conversion processes, only thermal energy is used to heat the film, drying the solvent in the film and performing the imidation reaction. A thermal conversion process is generally used with or without a conversion catalyst to prepare the polyimide films disclosed herein.

관심 있는 특성을 산출하는 것이 필름 조성만은 아님을 고려하여 구체적인 방법 파라미터가 미리 선택된다. 오히려, Specific method parameters are preselected taking into account that it is not just the film composition that yields the properties of interest. rather,

경화 온도 및 온도-램프(ramp) 프로파일이 또한 본원에 개시된 의도된 용도에 가장 바람직한 특성을 달성하는 데 중요한 역할을 한다. 폴리아믹산은 임의의 후속 가공 단계(예를 들어, 기능성 디스플레이를 제조하는 데 필요한 무기 또는 기타 층(들)의 증착)의 가장 높은 온도 이상이지만, 폴리이미드의 심각한 열적 열화/변색이 발생하는 온도보다 낮은 온도에서 이미드화되어야 한다. 불활성 분위기가 일반적으로 바람직하며, 이미드화를 위해 더 높은 가공 온도가 사용되는 경우에 특히 바람직하다는 것에 또한 유의하여야 한다.The curing temperature and temperature-ramp profile also play an important role in achieving the most desirable properties for the intended use disclosed herein. Polyamic acid is above the highest temperature of any subsequent processing steps (e.g., deposition of inorganic or other layer(s) required to manufacture a functional display), but above the temperature at which severe thermal degradation/discoloration of the polyimide occurs. It should be imidized at low temperatures. It should also be noted that an inert atmosphere is generally preferred, and is particularly preferred when higher processing temperatures are used for imidization.

본원에 개시된 폴리아믹산/폴리이미드에 대해, 300℃를 초과하는 후속 가공 온도가 필요한 경우 300℃ 내지 400℃의 온도가 전형적으로 사용된다. 적절한 경화 온도를 선택하면 열적 특성과 기계적 특성이 최적의 균형을 이루는 완전히 경화된 폴리이미드를 생성할 수 있다. 이렇게 매우 높은 온도 때문에 불활성 분위기가 요구된다. 전형적으로, 오븐 내에서는 100 ppm 미만의 산소 수준이 사용되어야 한다. 매우 낮은 산소 수준에서는 중합체의 심각한 열화/변색 없이 가장 높은 경화 온도가 사용될 수 있다. 이미드화 공정을 촉진하는 촉매는 약 200℃ 내지 300℃의 경화 온도에서 더 높은 수준의 이미드화를 달성하는 데 효과적이다. 이러한 접근법은 가요성 장치가 폴리이미드의 Tg 미만인 상한 경화 온도로 제조되는 경우 선택적으로 사용될 수 있다. For the polyamic acid/polyimide disclosed herein, temperatures of 300° C. to 400° C. are typically used if subsequent processing temperatures in excess of 300° C. are required. Choosing an appropriate curing temperature can result in a fully cured polyimide with an optimal balance of thermal and mechanical properties. Because of this very high temperature, an inert atmosphere is required. Typically, oxygen levels of less than 100 ppm should be used within the oven. At very low oxygen levels the highest curing temperature can be used without significant degradation/discoloration of the polymer. Catalysts that promote the imidation process are effective in achieving higher levels of imidation at curing temperatures of about 200°C to 300°C. This approach can optionally be used if the flexible device is made with an upper cure temperature that is less than the T g of the polyimide.

각각의 잠재적 경화 단계의 시간의 양이 또한 중요한 공정 고려 사항이다. 일반적으로, 최고 온도의 경화에 사용되는 시간은 최소로 유지되어야 한다. 예를 들어, 320℃ 경화의 경우, 경화 시간은 불활성 분위기 하에서 최대 1시간가량일 수 있지만, 더 높은 경화 온도에서는 열적 열화를 피하기 위해 이 시간이 단축되어야 한다. 일반적으로, 온도가 높을수록 시간이 단축되어야 한다. 당업자는 특정 최종 용도에 대해 폴리이미드의 특성을 최적화하기 위한 온도와 시간 사이의 균형을 인식할 것이다.The amount of time for each potential curing step is also an important process consideration. In general, the time used for curing at the highest temperature should be kept to a minimum. For example, in the case of curing at 320° C., the curing time may be up to 1 hour in an inert atmosphere, but at higher curing temperatures this time should be shortened to avoid thermal degradation. In general, the higher the temperature, the shorter the time should be. One of skill in the art will recognize the balance between temperature and time to optimize the properties of a polyimide for a particular end use.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 열적 변환 공정을 통해 폴리이미드 필름으로 변환된다.In some embodiments, the polyamic acid solution is converted to a polyimide film through a thermal conversion process.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 50 ㎛ 미만이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of less than 50 μm.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 40 ㎛ 미만이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of less than 40 μm.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 30 ㎛ 미만이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of less than 30 μm.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 20 ㎛ 미만이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of less than 20 μm.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 10 ㎛ 내지 20 ㎛이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of 10 μm to 20 μm.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 15 ㎛ 내지 20 ㎛이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of 15 μm to 20 μm.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 18 ㎛이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of 18 μm.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 10 ㎛ 미만이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of less than 10 μm.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 근접 모드로 핫플레이트 상에서 소프트 베이킹되며, 스핀 코팅된 매트릭스를 핫플레이트 바로 위에 유지시키기 위해 질소 가스가 사용된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked on the hotplate in proximity mode, and nitrogen gas is used to hold the spin coated matrix directly above the hotplate.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 완전 접촉 모드로 핫플레이트 상에서 소프트 베이킹되며, 스핀 코팅된 매트릭스는 핫플레이트 표면과 직접 접촉한다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked on the hotplate in full contact mode, and the spin coated matrix is in direct contact with the hotplate surface.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 근접 모드와 완전 접촉 모드의 조합을 사용하여 핫플레이트 상에서 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked on a hotplate using a combination of proximity mode and full contact mode.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 80℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 80°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 90℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 90°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 100℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 100°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 110℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 110°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 120℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 120°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 130℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 130°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 140℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 140°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 10분 초과의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time greater than 10 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 10분 미만의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of less than 10 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 8분 미만의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of less than 8 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 6분 미만의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of less than 6 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 4분의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of 4 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 4분 미만의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of less than 4 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 2분 미만의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of less than 2 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 2개의 미리 선택된 온도에서 2개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at two preselected temperatures for two preselected time intervals, and the preselected time intervals may be the same or different.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 3개의 미리 선택된 온도에서 3개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured for three preselected time intervals at three preselected temperatures, each of which may be the same or different.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 4개의 미리 선택된 온도에서 4개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured for four preselected time intervals at four preselected temperatures, each of which may be the same or different.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 5개의 미리 선택된 온도에서 5개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured for five preselected time intervals at five preselected temperatures, each of which may be the same or different.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 6개의 미리 선택된 온도에서 6개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured for six preselected time intervals at six preselected temperatures, each of which may be the same or different.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 7개의 미리 선택된 온도에서 7개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at 7 preselected temperatures for 7 preselected time intervals, each of which may be the same or different.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 8개의 미리 선택된 온도에서 8개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at eight preselected temperatures for eight preselected time intervals, each of which may be the same or different.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 9개의 미리 선택된 온도에서 9개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at nine preselected temperatures for nine preselected time intervals, each of which may be the same or different.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 10개의 미리 선택된 온도에서 10개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at 10 preselected temperatures for 10 preselected time intervals, each of which may be the same or different.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 80℃ 초과이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 80°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 100℃이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is 100°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 100℃ 초과이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 100°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 150℃이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is 150°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 150℃ 초과이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 150°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 200℃이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is 200°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 200℃ 초과이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 200°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 250℃이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is 250°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 250℃ 초과이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 250°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 300℃이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is 300°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 300℃ 초과이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 300°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 350℃이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is 350°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 350℃ 초과이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 350°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 400℃이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is 400°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 400℃ 초과이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 400°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 450℃이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is 450°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 450℃ 초과이다.In some embodiments of the thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 450°C.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 2분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 2 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 5분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 5 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 10분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 10 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 15분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 15 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 20분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 20 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 25분이다. In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 25 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 30분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 30 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 35분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 35 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 40분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 40 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 45분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 45 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 50분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 50 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 55분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 55 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 60분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 60 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 60분 초과이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is greater than 60 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 2분 내지 60분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is between 2 and 60 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 2분 내지 90분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is between 2 minutes and 90 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 2분 내지 120분이다.In some embodiments of the thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is between 2 minutes and 120 minutes.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리이미드 필름의 제조 방법은 순서대로 다음 단계들: 고비점 비양성자성 용매 중에 2개 이상의 테트라카르복실산 성분 및 하나 이상의 디아민 성분을 포함하는 폴리아믹산 용액을 매트릭스 상에 스핀 코팅하는 단계; 스핀 코팅된 매트릭스를 소프트 베이킹하는 단계; 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스를 미리 선택된 복수의 온도에서 미리 선택된 복수의 시간 간격 동안 처리하는 단계를 포함하며, 이로써 폴리이미드 필름은 본원에 개시된 바와 같은 전자기기 응용 분야에 사용하기에 만족스러운 특성을 나타낸다.In some embodiments of the thermal conversion process, the method of making a polyimide film comprises the following steps in sequence: a polyamic acid solution comprising at least two tetracarboxylic acid components and at least one diamine component in a high boiling point aprotic solvent is matrixed. Spin coating on the top; Soft baking the spin coated matrix; Treating the soft baked spin coated matrix at a plurality of preselected temperatures for a plurality of preselected time intervals, whereby the polyimide film exhibits satisfactory properties for use in electronic device applications as disclosed herein. Show.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리이미드 필름의 제조 방법은 순서대로 다음 단계들: 고비점 비양성자성 용매 중에 2개 이상의 테트라카르복실산 성분 및 하나 이상의 디아민 성분을 포함하는 폴리아믹산 용액을 매트릭스 상에 스핀 코팅하는 단계; 스핀 코팅된 매트릭스를 소프트 베이킹하는 단계; 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스를 미리 선택된 복수의 온도에서 미리 선택된 복수의 시간 간격 동안 처리하는 단계로 이루어지며, 이로써 폴리이미드 필름은 본원에 개시된 바와 같은 전자기기 응용 분야에 사용하기에 만족스러운 특성을 나타낸다.In some embodiments of the thermal conversion process, the method of making a polyimide film comprises the following steps in sequence: a polyamic acid solution comprising at least two tetracarboxylic acid components and at least one diamine component in a high boiling point aprotic solvent is matrixed. Spin coating on the top; Soft baking the spin coated matrix; It consists of treating the soft baked spin coated matrix at a plurality of preselected temperatures for a plurality of preselected time intervals, whereby the polyimide film has satisfactory properties for use in electronic device applications as disclosed herein. Show.

열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리이미드 필름의 제조 방법은 순서대로 다음 단계들: 고비점 비양성자성 용매 중에 2개 이상의 테트라카르복실산 성분 및 하나 이상의 디아민 성분을 포함하는 폴리아믹산 용액을 매트릭스 상에 스핀 코팅하는 단계; 스핀 코팅된 매트릭스를 소프트 베이킹하는 단계; 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스를 미리 선택된 복수의 온도에서 미리 선택된 복수의 시간 간격 동안 처리하는 단계로 본질적으로 이루어지며, 이로써 폴리이미드 필름은 본원에 개시된 바와 같은 전자기기 응용 분야에 사용하기에 만족스러운 특성을 나타낸다.In some embodiments of the thermal conversion process, the method of making a polyimide film comprises the following steps in sequence: a polyamic acid solution comprising at least two tetracarboxylic acid components and at least one diamine component in a high boiling point aprotic solvent is matrixed. Spin coating on the top; Soft baking the spin coated matrix; It consists essentially of processing the soft baked spin coated matrix at a plurality of preselected temperatures for a plurality of preselected time intervals, whereby the polyimide film is satisfactory for use in electronic device applications as disclosed herein. Characteristics.

전형적으로, 본원에 개시된 폴리아믹산 용액/폴리이미드는 나머지 디스플레이 제조 공정을 통한 가공을 용이하게 하기 위해 지지 유리 기판에 코팅/경화된다. 디스플레이 제조업체에 의해 결정되는 바와 같은 공정의 어느 시점에, 폴리이미드 코팅이 기계적 또는 레이저 리프트 오프(lift off) 공정에 의해 지지 유리 기판으로부터 떼어진다. 이러한 공정은 디스플레이 층이 증착된 필름으로서 폴리이미드를 유리로부터 분리시켜 가요성 형태를 가능하게 한다. 보통, 증착 층을 갖는 이러한 폴리이미드 필름은 이어서, 디스플레이의 후속 제조를 위한 지지를 제공하기 위해 더 두껍지만 여전히 가요성인 플라스틱 필름에 접합된다.Typically, the polyamic acid solution/polyimide disclosed herein is coated/cured onto a supporting glass substrate to facilitate processing through the rest of the display manufacturing process. At some point in the process as determined by the display manufacturer, the polyimide coating is peeled off the supporting glass substrate by a mechanical or laser lift off process. This process separates the polyimide from the glass as a film on which the display layer is deposited, thereby enabling a flexible form. Usually, this polyimide film with a deposited layer is then bonded to a thicker but still flexible plastic film to provide support for the subsequent manufacture of the display.

변환 촉매가 일반적으로 이러한 변환 촉매 없이 이미드화 반응이 일어날 수 있는 온도보다 낮은 온도에서 이미드화 반응을 일으키는 변형된 열적 변환 공정이 또한 제공된다.A modified thermal conversion process is also provided wherein the conversion catalyst generally causes the imidation reaction at a temperature lower than the temperature at which the imidation reaction can occur without such conversion catalyst.

일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 변형된 열적 변환 공정을 통해 폴리이미드 필름으로 변환된다. In some embodiments, the polyamic acid solution is converted to a polyimide film through a modified thermal conversion process.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 변환 촉매를 추가로 함유한다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution further contains a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 3차 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 변환 촉매를 추가로 함유한다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution further contains a conversion catalyst selected from the group consisting of tertiary amines.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 트리부틸아민, 디메틸에탄올아민, 이소퀴놀린, 1,2-디메틸이미다졸, N-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-이미다졸, 3,5-디메틸피리딘, 3,4-디메틸피리딘, 2,5-디메틸피리딘, 5-메틸벤즈이미다졸 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 변환 촉매를 추가로 함유한다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution is tributylamine, dimethylethanolamine, isoquinoline, 1,2-dimethylimidazole, N-methylimidazole, 2-methylimidazole, 2 -A conversion catalyst selected from the group consisting of ethyl-4-imidazole, 3,5-dimethylpyridine, 3,4-dimethylpyridine, 2,5-dimethylpyridine, 5-methylbenzimidazole, and the like is further contained.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 변환 촉매는 폴리아믹산 용액의 5 중량% 이하로 존재한다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the conversion catalyst is present at no more than 5% by weight of the polyamic acid solution.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 변환 촉매는 폴리아믹산 용액의 3 중량% 이하로 존재한다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the conversion catalyst is present at no more than 3% by weight of the polyamic acid solution.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 변환 촉매는 폴리아믹산 용액의 1 중량% 이하로 존재한다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the conversion catalyst is present at no more than 1% by weight of the polyamic acid solution.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 변환 촉매는 폴리아믹산 용액의 1 중량%로 존재한다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the conversion catalyst is present at 1% by weight of the polyamic acid solution.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 트리부틸아민을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains tributylamine as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 디메틸에탄올아민을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains dimethylethanolamine as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 이소퀴놀린을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains isoquinoline as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 1,2-디메틸이미다졸을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains 1,2-dimethylimidazole as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 3,5-디메틸피리딘을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains 3,5-dimethylpyridine as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 5-메틸벤즈이미다졸을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains 5-methylbenzimidazole as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 N-메틸이미다졸을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains N-methylimidazole as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 2-메틸이미다졸을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains 2-methylimidazole as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 2-에틸-4-이미다졸을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains 2-ethyl-4-imidazole as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 3,4-디메틸피리딘을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains 3,4-dimethylpyridine as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, In some embodiments of the modified thermal conversion process,

폴리아믹산 용액은 변환 촉매로서 2,5-디메틸피리딘을 추가로 함유한다.The polyamic acid solution further contains 2,5-dimethylpyridine as a conversion catalyst.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 50 ㎛ 미만이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of less than 50 μm.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 40 ㎛ 미만이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of less than 40 μm.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 30 ㎛ 미만이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of less than 30 μm.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 20 ㎛ 미만이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of less than 20 μm.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 10 ㎛ 내지 20 ㎛이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of 10 μm to 20 μm.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 15 ㎛ 내지 20 ㎛이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of 15 μm to 20 μm.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 18 ㎛이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of 18 μm.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리아믹산 용액은 생성되는 필름의 소프트 베이킹된 두께가 10 ㎛ 미만이 되도록 매트릭스 상에 스핀 코팅된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the polyamic acid solution is spin coated onto the matrix such that the resulting film has a soft baked thickness of less than 10 μm.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 근접 모드로 핫플레이트 상에서 소프트 베이킹되며, 스핀 코팅된 매트릭스를 핫플레이트 바로 위에 유지시키기 위해 질소 가스가 사용된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked on the hotplate in proximity mode, and nitrogen gas is used to hold the spin coated matrix directly above the hotplate.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 완전 접촉 모드로 핫플레이트 상에서 소프트 베이킹되며, 스핀 코팅된 매트릭스는 핫플레이트 표면과 직접 접촉한다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked on the hotplate in full contact mode, and the spin coated matrix is in direct contact with the hotplate surface.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 근접 모드와 완전 접촉 모드의 조합을 사용하여 핫플레이트 상에서 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked on a hotplate using a combination of proximity mode and full contact mode.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 80℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 80°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 90℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 90°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 100℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 100°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 110℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 110°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 120℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 120°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 130℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 130°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 140℃로 설정된 핫플레이트를 사용하여 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked using a hotplate set at 140°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 10분 초과의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time greater than 10 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 10분 미만의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of less than 10 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 8분 미만의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of less than 8 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 6분 미만의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of less than 6 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 4분의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of 4 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 4분 미만의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of less than 4 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 스핀 코팅된 매트릭스는 2분 미만의 총 시간 동안 소프트 베이킹된다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the spin coated matrix is soft baked for a total time of less than 2 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 2개의 미리 선택된 온도에서 2개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured for two preselected time intervals at two preselected temperatures, and the preselected time intervals may be the same or different.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 3개의 미리 선택된 온도에서 3개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured for three preselected time intervals at three preselected temperatures, each of which may be the same or different.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 4개의 미리 선택된 온도에서 4개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured for four preselected time intervals at four preselected temperatures, each of which may be the same or different.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 5개의 미리 선택된 온도에서 5개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at 5 preselected temperatures for 5 preselected time intervals, each of which may be the same or different.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 6개의 미리 선택된 온도에서 6개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at six preselected temperatures for six preselected time intervals, each of which may be the same or different.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 7개의 미리 선택된 온도에서 7개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at 7 preselected temperatures for 7 preselected time intervals, each of which may be the same or different.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 8개의 미리 선택된 온도에서 8개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at eight preselected temperatures for eight preselected time intervals, each of which may be the same or different.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 9개의 미리 선택된 온도에서 9개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at nine preselected temperatures for nine preselected time intervals, each of which may be the same or different.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스는 후속하여 10개의 미리 선택된 온도에서 10개의 미리 선택된 시간 간격 동안 경화되며, 미리 선택된 시간 간격은 각각 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the soft baked spin coated matrix is subsequently cured at 10 preselected temperatures for 10 preselected time intervals, each of which may be the same or different.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 80℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is above 80°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 100℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 100°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 100℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 100°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 150℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 150°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 150℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 150°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 200℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 200°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 200℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is above 200°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 220℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 220°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 220℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 220°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 230℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 230°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 230℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is above 230°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 240℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 240°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 240℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 240°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 250℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 250°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 250℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 250°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 260℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 260°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 260℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 260°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 270℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 270°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 270℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 270°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 280℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 280°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 280℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 280°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 290℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 290°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 290℃ 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is greater than 290°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 300℃이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is 300°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 300℃ 미만이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is less than 300°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 290℃ 미만이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is less than 290°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 280℃ 미만이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is less than 280°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 270℃ 미만이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is less than 270°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 260℃ 미만이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is less than 260°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 온도는 250℃ 미만이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the preselected temperature is less than 250°C.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 2분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 2 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 5분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 5 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 10분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 10 minutes.

변형된 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 15분이다.In some embodiments of the modified conversion process, at least one of the preselected time intervals is 15 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 20분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 20 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 25분이다. In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 25 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 30분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 30 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 35분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 35 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 40분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 40 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 45분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 45 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 50분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 50 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 55분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 55 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 60분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is 60 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 60분 초과이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is greater than 60 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 2분 내지 60분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is between 2 and 60 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 2분 내지 90분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is between 2 minutes and 90 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 미리 선택된 시간 간격 중 하나 이상은 2분 내지 120분이다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, at least one of the preselected time intervals is between 2 minutes and 120 minutes.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리이미드 필름의 제조 방법은 순서대로 다음 단계들: 고비점 비양성자성 용매 중에 2개 이상의 테트라카르복실산 성분 및 하나 이상의 디아민 성분 및 변환 화학물질을 포함하는 폴리아믹산 용액을 매트릭스 상에 스핀 코팅하는 단계; 스핀 코팅된 매트릭스를 소프트 베이킹하는 단계; 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스를 미리 선택된 복수의 온도에서 미리 선택된 복수의 시간 간격 동안 처리하는 단계를 포함하며, 이로써 폴리이미드 필름은 본원에 개시된 바와 같은 전자기기 응용 분야에 사용하기에 만족스러운 특성을 나타낸다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the method of making a polyimide film comprises the following steps in sequence: at least two tetracarboxylic acid components and at least one diamine component and conversion chemicals in a high boiling point aprotic solvent. Spin coating the resulting polyamic acid solution onto a matrix; Soft baking the spin coated matrix; Treating the soft baked spin coated matrix at a plurality of preselected temperatures for a plurality of preselected time intervals, whereby the polyimide film exhibits satisfactory properties for use in electronic device applications as disclosed herein. Show.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리이미드 필름의 제조 방법은 순서대로 다음 단계들: 고비점 비양성자성 용매 중에 2개 이상의 테트라카르복실산 성분 및 하나 이상의 디아민 성분 및 변환 화학물질을 포함하는 폴리아믹산 용액을 매트릭스 상에 스핀 코팅하는 단계; 스핀 코팅된 매트릭스를 소프트 베이킹하는 단계; 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스를 미리 선택된 복수의 온도에서 미리 선택된 복수의 시간 간격 동안 처리하는 단계로 이루어지며, 이로써 폴리이미드 필름은 본원에 개시된 바와 같은 전자기기 응용 분야에 사용하기에 만족스러운 특성을 나타낸다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the method of making a polyimide film comprises the following steps in sequence: at least two tetracarboxylic acid components and at least one diamine component and conversion chemicals in a high boiling point aprotic solvent. Spin coating the resulting polyamic acid solution onto a matrix; Soft baking the spin coated matrix; It consists of treating the soft baked spin coated matrix at a plurality of preselected temperatures for a plurality of preselected time intervals, whereby the polyimide film has satisfactory properties for use in electronic device applications as disclosed herein. Show.

변형된 열적 변환 공정의 일부 실시 형태에서, 폴리이미드 필름의 제조 방법은 순서대로 다음 단계들: 고비점 비양성자성 용매 중에 2개 이상의 테트라카르복실산 성분 및 하나 이상의 디아민 성분 및 변환 화학물질을 포함하는 폴리아믹산 용액을 매트릭스 상에 스핀 코팅하는 단계; 스핀 코팅된 매트릭스를 소프트 베이킹하는 단계; 소프트 베이킹된 스핀 코팅된 매트릭스를 미리 선택된 복수의 온도에서 미리 선택된 복수의 시간 간격 동안 처리하는 단계로 본질적으로 이루어지며, 이로써 폴리이미드 필름은 본원에 개시된 바와 같은 전자기기 응용 분야에 사용하기에 만족스러운 특성을 나타낸다.In some embodiments of the modified thermal conversion process, the method of making a polyimide film comprises the following steps in sequence: at least two tetracarboxylic acid components and at least one diamine component and conversion chemicals in a high boiling point aprotic solvent. Spin coating the resulting polyamic acid solution onto a matrix; Soft baking the spin coated matrix; It consists essentially of processing the soft baked spin coated matrix at a plurality of preselected temperatures for a plurality of preselected time intervals, whereby the polyimide film is satisfactory for use in electronic device applications as disclosed herein. Characteristics.

5. 전자 장치5. Electronic device

본원에 개시된 폴리이미드 필름은 OLED 및 LCD 디스플레이와 같은 전자 디스플레이 장치의 여러 층에 사용하기에 적합할 수 있다. 이러한 층의 비제한적 예에는 장치 기판, 터치 패널, 컬러 필터 시트용 기판, 커버 필름 등이 포함된다. 각각의 응용 분야에 대한 특정 재료의 특성 요건은 고유하며, 본원에 개시된 폴리이미드 필름에 적절한 조성(들) 및 가공 조건(들)에 의해 다루어질 수 있다.The polyimide films disclosed herein may be suitable for use in various layers of electronic display devices such as OLED and LCD displays. Non-limiting examples of such layers include device substrates, touch panels, substrates for color filter sheets, cover films, and the like. The specific material property requirements for each application are unique and can be addressed by the composition(s) and processing condition(s) appropriate for the polyimide films disclosed herein.

일부 실시 형태에서, 전자 장치에서 가요성 유리 대체재는 상기에 상세히 기재된 바와 같은 화학식 III의 반복 단위를 갖는 폴리이미드 필름이다.In some embodiments, the flexible glass substitute in the electronic device is a polyimide film having repeating units of Formula III as detailed above.

본원에 기재된 바와 같은 적어도 하나의 화합물을 포함하는 하나 이상의 층을 가짐으로써 이득을 얻을 수 있는 유기 전자 장치에는 (1) 전기에너지를 방사선으로 변환하는 장치(예컨대, 발광 다이오드, 발광 다이오드 디스플레이, 점등 장치(lighting device), 조명기구(luminaire), 또는 다이오드 레이저); (2) 전자 프로세스를 통해 신호를 검출하는 장치(예컨대, 광검출기, 광전도성 전지, 포토레지스터, 광스위치, 포토트랜지스터, 광튜브, IR 검출기, 바이오센서); (3) 방사선을 전기에너지로 변환하는 장치(예컨대, 광전지 장치 또는 태양전지); (4) 하나의 파장의 광을 더 긴 파장의 광으로 변환하는 장치(예컨대, 다운컨버팅 인광 장치); 및 (5) 하나 이상의 유기 반도체 층을 포함하는 하나 이상의 전자 부품을 포함하는 장치(예컨대, 트랜지스터 또는 다이오드)가 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 조성물의 다른 용도에는 메모리 저장 장치, 정전기 방지 필름, 바이오센서, 전기 변색 장치, 고체 전해질 커패시터, 충전지와 같은 에너지 저장 장치, 및 전자기 차폐 응용 분야를 위한 코팅 재료가 포함된다.Organic electronic devices that can benefit from having one or more layers containing at least one compound as described herein include (1) devices that convert electrical energy into radiation (e.g., light-emitting diodes, light-emitting diode displays, lighting devices) (lighting device, luminaire, or diode laser); (2) a device that detects a signal through an electronic process (eg, a photodetector, a photoconductive battery, a photoresistor, an optical switch, a phototransistor, an optical tube, an IR detector, a biosensor); (3) devices that convert radiation into electrical energy (eg, photovoltaic devices or solar cells); (4) a device for converting light of one wavelength into light of a longer wavelength (eg, a downconverting phosphorescent device); And (5) a device (eg, a transistor or a diode) comprising one or more electronic components comprising one or more organic semiconductor layers. Other uses of the composition according to the invention include memory storage devices, antistatic films, biosensors, electrochromic devices, solid electrolyte capacitors, energy storage devices such as rechargeable batteries, and coating materials for electromagnetic shielding applications.

본원에 기재된 바와 같은, 가요성 유리 대체재로서 작용할 수 있는 폴리이미드 필름의 일례가 도 1에 도시되어 있다. 가요성 필름(100)은 본 발명의 실시 형태에 기재된 바와 같은 특성을 가질 수 있다. 일부 실시 형태에서, 가요성 유리 대체재로서 기능할 수 있는 폴리이미드 필름은 전자 장치에 포함된다. 도 2는 전자 장치(200)가 유기 전자 장치인 경우를 도시한다. 장치(200)는 기판(100), 애노드 층(110) 및 제2 전기 접촉 층인 캐소드 층(130), 그리고 이들 사이의 광활성 층(120)을 갖는다. 추가 층이 선택적으로 존재할 수 있다. 애노드에 인접하여, 때때로 완충 층으로서 지칭되는 정공 주입 층(도시되지 않음)이 있을 수 있다. 정공 주입 층에 인접하여, 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 층(도시되지 않음)이 있을 수 있다. 캐소드에 인접하여, 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 층(도시되지 않음)이 있을 수 있다. 선택적으로, 장치에는, 애노드(110) 옆의 하나 이상의 추가적인 정공 주입 층 또는 정공 수송 층(도시되지 않음), 및/또는 캐소드(130) 옆의 하나 이상의 추가적인 전자 주입 층 또는 전자 수송 층(도시되지 않음)이 사용될 수 있다. 110과 130 사이의 층들은 개별적으로 그리고 총칭하여, 유기 활성 층으로 지칭된다. 존재하거나 존재하지 않을 수 있는 추가 층에는 컬러 필터, 터치 패널, 및/또는 커버 시트가 포함된다. 기판(100)에 더하여, 이러한 층들 중 하나 이상이 또한, 본원에 개시된 폴리이미드 필름으로 만들어질 수 있다.An example of a polyimide film that can serve as a flexible glass substitute, as described herein, is shown in FIG. 1. The flexible film 100 may have properties as described in the embodiments of the present invention. In some embodiments, a polyimide film that can function as a flexible glass substitute is included in the electronic device. 2 illustrates a case where the electronic device 200 is an organic electronic device. The device 200 has a substrate 100, an anode layer 110 and a second electrical contact layer, a cathode layer 130, and a photoactive layer 120 therebetween. Additional layers may optionally be present. Adjacent to the anode, there may be a hole injection layer (not shown), sometimes referred to as a buffer layer. Adjacent to the hole injection layer, there may be a hole transport layer (not shown) comprising a hole transport material. Adjacent to the cathode, there may be an electron transport layer (not shown) comprising an electron transport material. Optionally, the device includes one or more additional hole injection layers or hole transport layers (not shown) next to the anode 110, and/or one or more additional electron injection layers or electron transport layers (not shown) next to the cathode 130. Not) can be used. The layers between 110 and 130 individually and collectively are referred to as the organic active layer. Additional layers that may or may not be present include color filters, touch panels, and/or cover sheets. In addition to the substrate 100, one or more of these layers may also be made of the polyimide film disclosed herein.

상이한 층들이 도 2를 참조하여 본원에서 추가로 논의될 것이다. 그러나, 논의는 다른 구성에도 적용된다.Different layers will be discussed further herein with reference to FIG. 2. However, the discussion also applies to other configurations.

일부 실시 형태에서, 상이한 층들은 다음과 같은 두께 범위를 갖는다: 기판(100), 5 내지 100 미크론; 애노드(110), 500 내지 5000 Å, 일부 실시 형태에서, 1000 내지 2000 Å; 정공 주입 층(도시되지 않음), 50 내지 2000 Å, 일부 실시 형태에서 200 내지 1000 Å); 정공 수송 층(도시되지 않음), 50 내지 3000 Å, 일부 실시 형태에서 200 내지 2000 Å; 광활성 층(120), 10 내지 2000 Å, 일부 실시 형태에서 100 내지 1000 Å; 전자 수송 층(도시되지 않음), 50 내지 2000 Å, 일부 실시 형태에서 100 내지 1000 Å); 캐소드(130), 200 내지 10000 Å, 일부 실시 형태에서 300 내지 5000 Å. 층 두께의 바람직한 비율은 사용되는 재료의 정확한 성질에 따라 좌우될 것이다.In some embodiments, the different layers have the following thickness range: substrate 100, 5-100 microns; Anode 110, 500-5000 Å, in some embodiments, 1000-2000 Å; Hole injection layer (not shown), 50-2000 Å, in some embodiments 200-1000 Å); Hole transport layer (not shown), 50-3000 Å, in some embodiments 200-2000 Å; Photoactive layer 120, 10-2000 Å, in some embodiments 100-1000 Å; Electron transport layer (not shown), 50-2000 Å, in some embodiments 100-1000 Å); Cathode 130, 200-10000 Å, in some embodiments 300-5000 Å. The preferred ratio of layer thickness will depend on the exact nature of the material used.

일부 실시 형태에서, 유기 전자 장치(OLED)는 본원에서 개시된 바와 같은, 가요성 유리 대체재를 함유한다.In some embodiments, the organic electronic device (OLED) contains a flexible glass substitute, as disclosed herein.

일부 실시 형태에서, 유기 전자 장치는 기판, 애노드, 캐소드, 및 애노드와 캐소드 사이의 광활성 층을 포함하고, 하나 이상의 추가적인 유기 활성 층을 추가로 포함한다. 일부 실시 형태에서, 추가적인 유기 활성 층은 정공 수송 층이다. 일부 실시 형태에서, 추가적인 유기 활성 층은 전자 수송 층이다. 일부 실시 형태에서, 추가적인 유기 층은 정공 수송 층 및 전자 수송 층 둘 모두이다.In some embodiments, the organic electronic device includes a substrate, an anode, a cathode, and a photoactive layer between the anode and the cathode, and further includes one or more additional organic active layers. In some embodiments, the additional organic active layer is a hole transport layer. In some embodiments, the additional organic active layer is an electron transport layer. In some embodiments, the additional organic layer is both a hole transport layer and an electron transport layer.

애노드(110)는 양전하 캐리어를 주입하는 데 특히 효율적인 전극이다. 이는, 예를 들어 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합 금속 산화물을 함유하는 재료로 만들어질 수 있거나, 전도성 중합체 및 이들의 혼합물일 수 있다. 적합한 금속에는 11족 금속, 4족, 5족 및 6족의 금속, 및 8족 내지 10족의 전이 금속이 포함된다. 애노드가 투광성이어야 하는 경우, 인듐-주석-산화물과 같은 12족, 13족 및 14족 금속의 혼합 금속 산화물이 일반적으로 사용된다. 애노드는 또한 문헌["Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer," Nature vol. 357, pp 477 479 (11 June 1992)]에 기재된 바와 같이 폴리아닐린과 같은 유기 재료를 포함할 수 있다. 애노드와 캐소드 중 적어도 하나는, 생성된 광이 관찰될 수 있도록 적어도 부분적으로 투명해야 한다.The anode 110 is a particularly efficient electrode for injecting positive charge carriers. It can be made, for example, of a material containing a metal, mixed metal, alloy, metal oxide or mixed metal oxide, or it may be a conductive polymer and mixtures thereof. Suitable metals include Group 11 metals, Groups 4, 5 and 6 metals, and transition metals of Groups 8 to 10. When the anode is to be light-transmitting, mixed metal oxides of Group 12, Group 13 and Group 14 metals such as indium-tin-oxide are generally used. The anode is also described in "Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer," Nature vol. 357, pp 477 479 (11 June 1992)], and may include organic materials such as polyaniline. At least one of the anode and cathode must be at least partially transparent so that the generated light can be observed.

선택적인 정공 주입 층은 정공 주입 재료를 포함할 수 있다. 용어 "정공 주입 층" 또는 "정공 주입 재료"는 전기 전도성 또는 반전도성 재료를 의미하고자 하는 것이며, 유기 전자 장치에서 하나 이상의 기능(하층의 평탄화, 전하 수송 및/또는 전하 주입 특성, 산소 또는 금속 이온과 같은 불순물의 제거, 및 유기 전자 장치의 성능을 촉진하거나 개선하기 위한 기타 측면을 포함하지만 이로 한정되지는 않음)을 가질 수 있다. 정공 주입 재료는 중합체, 올리고머, 또는 소분자일 수 있고, 용액, 분산액, 현탁액, 에멀젼, 콜로이드 혼합물, 또는 다른 조성물 형태일 수 있다. The optional hole injection layer may include a hole injection material. The term “hole injection layer” or “hole injection material” is intended to mean an electrically conductive or semiconducting material, and one or more functions in organic electronic devices (planarization of the underlying layer, charge transport and/or charge injection properties, oxygen or metal ions Removal of impurities such as, and other aspects for promoting or improving the performance of organic electronic devices). The hole injection material may be a polymer, oligomer, or small molecule, and may be in the form of a solution, dispersion, suspension, emulsion, colloidal mixture, or other composition.

정공 주입 층은, 보통 프로톤산으로 도핑되는, 폴리아닐린(PANI) 또는 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT)과 같은 중합체 재료로 형성될 수 있다. 프로톤산은, 예를 들어 폴리(스티렌술폰산), 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판술폰산) 등일 수 있다. 정공 주입 층(120)은 구리 프탈로시아닌 및 테트라티아풀발렌-테트라시아노퀴노디메탄 시스템(TTF-TCNQ)과 같은 전하 수송 화합물 등을 포함할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 정공 주입 층(120)은 전도성 중합체와 콜로이드-형성 중합체 산의 분산액으로 제조된다. 이러한 재료는, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2004-0102577호, 제2004-0127637호, 및 제2005-0205860호에 기재되어 있다.The hole injection layer may be formed of a polymeric material such as polyaniline (PANI) or polyethylenedioxythiophene (PEDOT), which is usually doped with protonic acid. The protonic acid may be, for example, poly(styrenesulfonic acid), poly(2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid), or the like. The hole injection layer 120 may include a charge transport compound such as copper phthalocyanine and tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane system (TTF-TCNQ). In some embodiments, hole injection layer 120 is made of a dispersion of a conductive polymer and a colloid-forming polymeric acid. Such materials are described in, for example, published US patent applications 2004-0102577, 2004-0127637, and 2005-0205860.

다른 층이 정공 수송 재료를 포함할 수 있다. 정공 수송 층을 위한 정공 수송 재료의 예는, 예를 들어, 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol.18, p.837-860, 1996, by Y. Wang]에 요약되어 있다. 정공 수송 소분자 및 중합체 둘 모두가 사용될 수 있다. 일반적으로 사용되는 정공 수송 분자는 다음을 포함하지만 이로 한정되지 않는다: 4,4',4"-트리스(N,N-디페닐-아미노)-트리페닐아민(TDATA); 4,4',4"-트리스(N-3-메틸페닐-N-페닐-아미노)-트리페닐아민(MTDATA); N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민(TPD); 4,4'-비스(카르바졸-9-일)비페닐(CBP); 1,3-비스(카르바졸-9-일)벤젠(mCP); 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노) 페닐]시클로헥산(TAPC); N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-디메틸)비페닐]-4,4'-디아민(ETPD); 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌디아민(PDA); α-페닐-4-N,N-디페닐아미노스티렌(TPS); p-(디에틸아미노)벤즈알데히드 디페닐히드라존(DEH); 트리페닐아민(TPA); 비스[4-(N,N-디에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄(MPMP); 1-페닐-3-[p-(디에틸아미노)스티릴]-5-[p-(디에틸아미노)페닐] 피라졸린(PPR 또는 DEASP); 1,2-트랜스-비스(9H-카르바졸-9-일)시클로부탄(DCZB); N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(TTB); N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스-(페닐)벤지딘(α-NPB); 및 구리 프탈로시아닌과 같은 포르피린 화합물. 일반적으로 사용되는 정공 수송 중합체에는 폴리비닐카르바졸, (페닐메틸)폴리실란, 폴리(디옥시티오펜), 폴리아닐린, 및 폴리피롤이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 폴리스티렌 및 폴리카르보네이트와 같은 중합체에 상기 언급된 것과 같은 정공 수송 분자를 도핑함으로써, 정공 수송 중합체를 얻는 것이 또한 가능하다. 일부 경우에, 트리아릴아민 중합체, 특히 트리아릴아민-플루오렌 공중합체가 사용된다. 일부 경우에, 중합체와 공중합체는 가교결합 가능하다. 가교결합성 정공 수송 중합체의 예는, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 제2005-0184287호 및 국제특허 공개 WO 2005/052027호에서 확인할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 정공 수송 층은 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄 및 페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복실산-3,4,9,10-이무수물과 같은 p-도펀트로 도핑된다.Another layer may include a hole transport material. Examples of hole transport materials for the hole transport layer are summarized, for example, in Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p.837-860, 1996, by Y. Wang. . Both hole transporting small molecules and polymers can be used. Commonly used hole transport molecules include, but are not limited to: 4,4',4"-tris(N,N-diphenyl-amino)-triphenylamine (TDATA); 4,4',4 "-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine (MTDATA); N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine (TPD); 4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP); 1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene (mCP); 1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane (TAPC); N,N'-bis(4-methylphenyl)-N,N'-bis(4-ethylphenyl)-[1,1'-(3,3'-dimethyl)biphenyl]-4,4'-diamine ( ETPD); Tetrakis-(3-methylphenyl)-N,N,N',N'-2,5-phenylenediamine (PDA); α-phenyl-4-N,N-diphenylaminostyrene (TPS); p-(diethylamino)benzaldehyde diphenylhydrazone (DEH); Triphenylamine (TPA); Bis[4-(N,N-diethylamino)-2-methylphenyl](4-methylphenyl)methane (MPMP); 1-phenyl-3-[p-(diethylamino)styryl]-5-[p-(diethylamino)phenyl] pyrazoline (PPR or DEASP); 1,2-trans-bis(9H-carbazol-9-yl)cyclobutane (DCZB); N,N,N',N'-tetrakis(4-methylphenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (TTB); N,N'-bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis-(phenyl)benzidine (α-NPB); And porphyrin compounds such as copper phthalocyanine. Hole transport polymers commonly used include, but are not limited to, polyvinylcarbazole, (phenylmethyl)polysilane, poly(dioxythiophene), polyaniline, and polypyrrole. It is also possible to obtain a hole transport polymer by doping a polymer such as polystyrene and polycarbonate with hole transport molecules such as those mentioned above. In some cases, triarylamine polymers, especially triarylamine-fluorene copolymers are used. In some cases, the polymer and copolymer are crosslinkable. Examples of crosslinkable hole transport polymers can be found in, for example, US Patent Application Publication No. 2005-0184287 and International Patent Application Publication No. WO 2005/052027. In some embodiments, the hole transport layer is a p-dopant such as tetrafluorotetracyanoquinodimethane and perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid-3,4,9,10-dianhydride. Doped with.

장치의 응용 분야에 따라, 광활성 층(120)은 (발광 다이오드 또는 발광 전기화학전지에서와 같이) 인가 전압에 의해 활성화되는 발광 층, (다운컨버팅 인광 장치에서와 같이) 광을 흡수하여 더 긴 파장의 광을 방출하는 재료의 층, 또는 (광검출기 또는 광전지 장치에서와 같이) 방사 에너지에 응답하여 인가 바이어스 전압의 존재 또는 부재 하에 신호를 생성하는 재료의 층일 수 있다. Depending on the application of the device, the photoactive layer 120 is a light-emitting layer that is activated by an applied voltage (as in a light-emitting diode or a light-emitting electrochemical cell), and absorbs light (as in a down-converting phosphorescent device) to a longer wavelength Or a layer of material that generates a signal in the presence or absence of an applied bias voltage in response to radiant energy (as in photodetectors or photovoltaic devices).

일부 실시 형태에서, 광활성 층은 광활성 재료를 갖는 발광 화합물을 포함하는 화합물을 포함한다. 일부 실시 형태에서, 광활성 층은 호스트 재료를 추가로 포함한다. 호스트 재료의 예에는 크리센, 페난트렌, 트리페닐렌, 페난트롤린, 나프탈렌, 안트라센, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴녹살린, 페닐피리딘, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 푸란, 벤조푸란, 디벤조푸란, 벤조디푸란, 및 금속 퀴놀리네이트 착물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 일부 실시 형태에서, 호스트 재료는 중수소화된다.In some embodiments, the photoactive layer comprises a compound comprising a light emitting compound having a photoactive material. In some embodiments, the photoactive layer further comprises a host material. Examples of host materials include chrysene, phenanthrene, triphenylene, phenanthroline, naphthalene, anthracene, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, phenylpyridine, carbazole, indolocarbazole, furan, benzofuran, dibenzofuran. , Benzodifuran, and metal quinolinate complexes. In some embodiments, the host material is deuterated.

일부 실시 형태에서, 광활성 층은 (a) 380 nm 내지 750 nm에서 발광 최대값을 갖는 전계발광이 가능한 도펀트, (b) 제1 호스트 화합물, 및 (c) 제2 호스트 화합물을 포함한다. 적합한 제2 호스트 화합물이 상기에 기재되어 있다.In some embodiments, the photoactive layer includes (a) a dopant capable of electroluminescence having a maximum emission value from 380 nm to 750 nm, (b) a first host compound, and (c) a second host compound. Suitable second host compounds are described above.

일부 실시 형태에서, 광활성 층은 오직 (a) 380 nm 내지 750 nm에서 발광 최대값을 갖는 전계발광이 가능한 도펀트, (b) 제1 호스트 화합물, 및 (c) 제2 호스트 화합물만을 포함하며, 층의 작동 원리 또는 구별되는 특징을 실질적으로 변경하는 추가 재료는 존재하지 않는다.In some embodiments, the photoactive layer comprises only (a) an electroluminescent dopant having an emission maximum from 380 nm to 750 nm, (b) a first host compound, and (c) a second host compound, and the layer There are no additional materials that substantially alter the principle of operation or the distinguishing characteristics of the.

일부 실시 형태에서, 제1 호스트는 광활성 층에서의 중량을 기준으로 제2 호스트보다 높은 농도로 존재한다.In some embodiments, the first host is present in a higher concentration than the second host based on the weight in the photoactive layer.

일부 실시 형태에서, 광활성 층에서 제1 호스트 대 제2 호스트의 중량비는 10:1 내지 1:10의 범위이다. 일부 실시 형태에서, 중량비는 6:1 내지 1:6, 일부 실시 형태에서는, 5:1 내지 1:2, 일부 실시 형태에서는 3:1 내지 1:1의 범위이다.In some embodiments, the weight ratio of the first host to the second host in the photoactive layer ranges from 10:1 to 1:10. In some embodiments, the weight ratio ranges from 6:1 to 1:6, in some embodiments from 5:1 to 1:2, and in some embodiments from 3:1 to 1:1.

일부 실시 형태에서, 도펀트 대 총 호스트의 중량비는 1:99 내지 20:80, 일부 실시 형태에서는, 5:95 내지 15:85의 범위이다. In some embodiments, the weight ratio of dopant to total host ranges from 1:99 to 20:80, and in some embodiments, 5:95 to 15:85.

일부 실시 형태에서, 광활성 층은 (a) 적색 발광 도펀트, (b) 제1 호스트 화합물, 및 (c) 제2 호스트 화합물을 포함한다.In some embodiments, the photoactive layer comprises (a) a red emitting dopant, (b) a first host compound, and (c) a second host compound.

일부 실시 형태에서, 광활성 층은 (a) 녹색 발광 도펀트, (b) 제1 호스트 화합물, 및 (c) 제2 호스트 화합물을 포함한다.In some embodiments, the photoactive layer comprises (a) a green light emitting dopant, (b) a first host compound, and (c) a second host compound.

일부 실시 형태에서, 광활성 층은 (a) 황색 발광 도펀트, (b) 제1 호스트 화합물, 및 (c) 제2 호스트 화합물을 포함한다.In some embodiments, the photoactive layer comprises (a) a yellow light emitting dopant, (b) a first host compound, and (c) a second host compound.

선택적인 층은 전자 수송을 용이하게 할 뿐만 아니라 층 계면에서 엑시톤의 켄칭을 방지하는 구속 층의 역할을 하도록 기능할 수 있다. 바람직하게는, 이러한 층은 전자 이동성을 촉진하고 엑시톤 켄칭을 감소시킨다. The optional layer not only facilitates electron transport, but can also function to serve as a confinement layer preventing quenching of excitons at the layer interface. Preferably, this layer promotes electron mobility and reduces exciton quenching.

일부 실시 형태에서, 이러한 층은 다른 전자 수송 재료를 포함한다. 선택적인 전자 수송 층에 사용될 수 있는 전자 수송 재료의 예에는 트리스(8-히드록시퀴놀라토)알루미늄(AlQ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)(p-페닐페놀라토)알루미늄(BAlq), 테트라키스-(8-히드록시퀴놀라토)하프늄(HfQ), 및 테트라키스-(8-히드록시퀴놀라토)지르코늄(ZrQ)과 같은 금속 퀴놀레이트 유도체를 포함하는 금속 킬레이트 옥시노이드 화합물; 2-(4-비페닐일)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD), 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ), 및 1,3,5-트리(페닐-2-벤즈이미다졸)벤젠(TPBI)과 같은 아졸 화합물; 2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살린과 같은 퀴녹살린 유도체; 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(DPA) 및 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(DDPA)과 같은 페난트롤린; 트리아진; 풀러렌; 및 이들의 혼합물이 포함된다. 일부 실시 형태에서, 전자 수송 재료는 금속 퀴놀레이트 및 페난트롤린 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된다. 일부 실시 형태에서, 전자 수송 층은 n-도펀트를 추가로 포함한다. n-도펀트 재료는 잘 알려져 있다. n-도펀트는 1족 및 2족 금속; 1족 및 2족 금속염, 예컨대 LiF, CsF, 및 Cs2CO3; 1족 및 2족 금속 유기 화합물, 예컨대 Li 퀴놀레이트; 및 분자 n-도펀트, 예컨대 류코 염료, 금속 착물, 예컨대 W2(hpp)4(여기서, hpp=1,3,4,6,7,8-헥사히드로-2H-피리미도-[1,2-a]-피리미딘) 및 코발토센, 테트라티아나프타센, 비스(에틸렌디티오)테트라티아풀발렌, 헤테로시클릭 라디칼 또는 디라디칼, 및 헤테로시클릭 라디칼 또는 디라디칼의 이량체, 올리고머, 중합체, 디스피로 화합물 및 폴리사이클을 포함하지만 이로 한정되지 않는다.In some embodiments, these layers include other electron transport materials. Examples of electron transport materials that can be used in the optional electron transport layer include tris(8-hydroxyquinolato)aluminum (AlQ), bis(2-methyl-8-quinolinolato)(p-phenylphenolato) Metal chelates comprising metal quinolate derivatives such as aluminum (BAlq), tetrakis-(8-hydroxyquinolato)hafnium (HfQ), and tetrakis-(8-hydroxyquinolato)zirconium (ZrQ) Oxinoid compounds; 2-(4-biphenylyl)-5-(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (PBD), 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5- Azole compounds such as (4-t-butylphenyl)-1,2,4-triazole (TAZ), and 1,3,5-tri(phenyl-2-benzimidazole)benzene (TPBI); Quinoxaline derivatives such as 2,3-bis(4-fluorophenyl)quinoxaline; Phenanthrolines such as 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (DPA) and 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (DDPA); Triazine; Fullerene; And mixtures thereof. In some embodiments, the electron transport material is selected from the group consisting of metal quinolate and phenanthroline derivatives. In some embodiments, the electron transport layer further comprises an n-dopant. n-dopant materials are well known. n-dopants are Group 1 and Group 2 metals; Group 1 and Group 2 metal salts such as LiF, CsF, and Cs 2 CO 3 ; Group 1 and Group 2 metal organic compounds such as Li quinolate; And molecular n-dopants such as leuco dyes, metal complexes such as W 2 (hpp) 4 (where hpp=1,3,4,6,7,8-hexahydro-2H-pyrimido-[1,2- a)-pyrimidine) and cobaltocene, tetrathianapthacene, bis(ethylenedithio)tetrathiafulvalene, heterocyclic radical or diradical, and heterocyclic radical or diradical dimer, oligomer, polymer , Dispyro compounds, and polycycles.

전자 수송 층 상에 선택적인 전자 주입 층이 증착될 수 있다. 전자 주입 재료의 예에는 Li-함유 유기금속 화합물, LiF, Li2O, Li 퀴놀레이트, Cs-함유 유기금속 화합물, CsF, Cs2O, 및 Cs2CO3이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 이러한 층은 하부 전자 수송 층, 상부 캐소드, 또는 둘 모두와 반응할 수 있다. 전자 주입 층이 존재하는 경우, 증착되는 재료의 양은 일반적으로 1 내지 100 Å, 일부 실시 형태에서 1 내지 10 Å의 범위이다.An optional electron injection layer may be deposited on the electron transport layer. Examples of electron injection materials include, but are not limited to, Li-containing organometallic compounds, LiF, Li 2 O, Li quinolate, Cs-containing organometallic compounds, CsF, Cs 2 O, and Cs 2 CO 3 . This layer can react with the lower electron transport layer, the upper cathode, or both. When an electron injection layer is present, the amount of material deposited is generally in the range of 1 to 100 Å, in some embodiments 1 to 10 Å.

캐소드(130)는 전자 또는 음전하 캐리어를 주입하는 데 특히 효율적인 전극이다. 캐소드는 애노드보다 낮은 일 함수(work function)를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 캐소드용 재료는 1족의 알칼리 금속(예를 들어 Li, Cs), 2족 금속(알칼리 토금속), 희토류 원소 및 란탄족 원소를 포함하는 12족 금속, 및 악티늄족 원소부터 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 재료뿐만 아니라 그 조합이 사용될 수 있다. The cathode 130 is a particularly efficient electrode for injecting electron or negative charge carriers. The cathode can be any metal or non-metal with a lower work function than the anode. The material for the cathode may be selected from a group 1 alkali metal (eg Li, Cs), a group 2 metal (alkaline earth metal), a rare earth element and a group 12 metal including a lanthanide element, and an actinium group element. Materials such as aluminum, indium, calcium, barium, samarium and magnesium, as well as combinations thereof, can be used.

유기 전자 장치는 다른 층들을 갖는 것으로 알려져 있다. 예를 들어, 애노드(110)와 정공 주입 층(도시되지 않음) 사이에, 양전하의 주입량을 제어하고/하거나, 층들의 밴드갭 매칭을 제공하거나, 보호 층으로서 기능하는 층(도시되지 않음)이 있을 수 있다. 구리 프탈로시아닌, 산질화규소, 플로오로카본, 실란, 또는 Pt와 같은 금속의 초박막층과 같은 당업계에 알려진 층이 사용될 수 있다. 대안적으로, 애노드 층(110), 활성 층(120), 또는 캐소드 층(130)의 일부 또는 전부는 전하 캐리어 수송 효율을 증가시키기 위해 표면처리될 수 있다. 각각의 구성요소 층을 위한 재료의 선택은 바람직하게는, 높은 전계발광 효율을 갖는 장치를 제공하도록 이미터 층에서의 양전하와 음전하의 균형을 맞춤으로써 결정된다.Organic electronic devices are known to have different layers. For example, between the anode 110 and the hole injection layer (not shown), a layer (not shown) that controls the injection amount of positive charge and/or provides bandgap matching of the layers, or functions as a protective layer is provided. There may be. Layers known in the art such as copper phthalocyanine, silicon oxynitride, fluorocarbon, silane, or ultra-thin layers of metals such as Pt may be used. Alternatively, some or all of the anode layer 110, the active layer 120, or the cathode layer 130 may be surface treated to increase charge carrier transport efficiency. The choice of material for each component layer is preferably determined by balancing the positive and negative charges in the emitter layer to provide a device with high electroluminescent efficiency.

각각의 기능 층은 하나를 초과하는 층으로 구성될 수 있는 것으로 이해된다.It is understood that each functional layer may consist of more than one layer.

장치 층들은 일반적으로 기상 증착, 액상 증착, 및 열 전사를 포함하는, 임의의 증착 기술 또는 기술들의 조합에 의해 형성될 수 있다. 유리, 플라스틱, 및 금속과 같은 기판이 사용될 수 있다. 열 증발, 화학 기상 증착 등과 같은 통상적인 기상 증착 기술이 사용될 수 있다. 유기 층은, 스핀-코팅, 딥-코팅, 롤-투-롤 기술, 잉크젯 인쇄, 연속 노즐 인쇄, 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄 등을 포함하지만 이로 한정되지 않는 통상적인 코팅 또는 인쇄 기술을 사용하여 적합한 용매 중의 용액 또는 분산액으로부터 도포될 수 있다. The device layers may generally be formed by any deposition technique or combination of techniques, including vapor deposition, liquid deposition, and thermal transfer. Substrates such as glass, plastic, and metal can be used. Conventional vapor deposition techniques such as thermal evaporation, chemical vapor deposition and the like can be used. The organic layer is a suitable solvent using conventional coating or printing techniques including, but not limited to, spin-coating, dip-coating, roll-to-roll technology, inkjet printing, continuous nozzle printing, screen printing, gravure printing, and the like. It can be applied from a solution or dispersion in.

액상 증착 방법의 경우, 특정 화합물 또는 관련된 부류의 화합물에 적합한 용매는 당업자에 의해 용이하게 결정될 수 있다. 일부 응용 분야의 경우, 화합물이 비수성 용매에 용해되는 것이 바람직하다. 이러한 비수성 용매는 C1 내지 C20 알코올, 에테르, 및 산 에스테르와 같이 비교적 극성일 수 있거나, C1 내지 C12 알칸, 또는 톨루엔, 자일렌, 및 트리플루오로톨루엔 등과 같은 방향족과 같이 비교적 비극성일 수 있다. 본원에 기재된 바와 같은 용액 또는 분산액으로서, 신규 화합물을 포함하는 액체 조성물을 제조하는 데 사용하기에 적합한 다른 액체에는 염소화된 탄화수소(예컨대, 염화메틸렌, 클로로포름, 클로로벤젠), 방향족 탄화수소(예컨대, 트리플루오로톨루엔을 포함하는, 치환 및 비치환된 톨루엔 및 자일렌), 극성 용매(예컨대, 테트라히드로푸란(THP), N-메틸 피롤리돈), 에스테르(예컨대, 에틸아세테이트), 알코올(이소프로판올), 케톤(시클로펜타논), 및 이들의 혼합물이 포함되지만 이로 한정되지 않는다. 전계발광 재료에 적합한 용매는, 예를 들어 국제특허 공개 WO 2007/145979호에 기재되어 있다.In the case of liquid deposition methods, suitable solvents for a particular compound or a related class of compounds can be readily determined by a person skilled in the art. For some applications, it is desirable for the compound to be dissolved in a non-aqueous solvent. Such non-aqueous solvents may be relatively polar, such as C 1 to C 20 alcohols, ethers, and acid esters, or relatively non-polar, such as C 1 to C 12 alkanes, or aromatics such as toluene, xylene, and trifluorotoluene. Can be Other liquids suitable for use in preparing liquid compositions comprising the novel compounds as solutions or dispersions as described herein include chlorinated hydrocarbons (e.g. methylene chloride, chloroform, chlorobenzene), aromatic hydrocarbons (e.g. trifluoro. Substituted and unsubstituted toluene and xylene, including rotoluene), polar solvents (e.g. tetrahydrofuran (THP), N-methyl pyrrolidone), esters (e.g. ethyl acetate), alcohols (isopropanol), Ketones (cyclopentanone), and mixtures thereof are included, but are not limited thereto. Suitable solvents for electroluminescent materials are described, for example, in WO 2007/145979.

일부 실시 형태에서, 장치는 가요성 기판 상에 정공 주입 층, 정공 수송 층, 및 광활성 층을 액상 증착함으로써, 그리고 애노드, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 캐소드를 기상 증착함으로써 제조된다.In some embodiments, the device is fabricated by liquid phase deposition of a hole injection layer, a hole transport layer, and a photoactive layer on a flexible substrate, and by vapor deposition of an anode, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode.

장치의 효율성은 장치의 다른 층들을 최적화함으로써 개선될 수 있는 것으로 이해된다. 예를 들어, Ca, Ba 또는 LiF와 같은 더 효율적인 캐소드가 사용될 수 있다. 동작 전압을 감소시키거나 양자 효율을 증가시키는 신규 정공 수송 재료 및 성형된 기판이 또한 적용 가능하다. 다양한 층의 에너지 준위를 맞추고 전계발광을 용이하게 하기 위해 추가 층이 또한 추가될 수 있다.It is understood that the efficiency of the device can be improved by optimizing the different layers of the device. For example, more efficient cathodes such as Ca, Ba or LiF can be used. New hole transport materials and molded substrates that reduce the operating voltage or increase quantum efficiency are also applicable. Additional layers may also be added to match the energy levels of the various layers and facilitate electroluminescence.

일부 실시 형태에서, 장치는 다음의 구조를 순서대로 갖는다: 기판, 애노드, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 광활성 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층, 캐소드. In some embodiments, the device has the following structures in order: a substrate, an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a photoactive layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a cathode.

본원에 기재된 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에서 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료를 하기에 설명한다. 또한, 재료, 방법, 및 예는 단지 예시적인 것이며, 제한하고자 하는 것은 아니다. 본원에 언급된 모든 간행물, 특허 출원, 특허 및 기타 참고 문헌은 전체적으로 참고로 포함된다.Although methods and materials similar or equivalent to those described herein may be used in the practice or testing of the present invention, suitable methods and materials are described below. In addition, the materials, methods, and examples are illustrative only and are not intended to be limiting. All publications, patent applications, patents and other references mentioned herein are incorporated by reference in their entirety.

실시예Example

본원에 기재된 개념이 다음의 실시예에서 추가로 설명되지만, 이는 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하지 않는다.The concepts described herein are further illustrated in the following examples, but this does not limit the scope of the invention as set forth in the claims.

실시예에서, Mw는 중량 평균 분자량이고; Mn은 수 평균 분자량이고; Mz는 Z-평균 분자량이고; Mp는 피크 분자량이다.In examples, Mw is the weight average molecular weight; Mn is the number average molecular weight; Mz is the Z-average molecular weight; Mp is the peak molecular weight.

약어Abbreviation

APB-133 = 1,3'-비스(3-아미노-페녹시)벤젠APB-133 = 1,3'-bis(3-amino-phenoxy)benzene

BPDA =3,3',4,4'-비페닐 테트라카르복실산 이무수물BPDA =3,3',4,4'-biphenyl tetracarboxylic dianhydride

4,4'-DDS = 4,4'-디아미노디페닐 술폰4,4'-DDS = 4,4'-diaminodiphenyl sulfone

6FDA = 4,4'-헥사플루오로이소-프로필리덴비스프탈산 이무수물6FDA = 4,4'-hexafluoroiso-propylidenebisphthalic acid dianhydride

ODPA = 4,4'-옥시디프탈산 무수물ODPA = 4,4'-oxydiphthalic anhydride

PMDA = 피로멜리트산 이무수물PMDA = pyromellitic dianhydride

TFMB = 2,2'-비스(트리플루오로메틸) 벤지딘TFMB = 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine

XFDA = 1H-디푸로[3,4-b:3',4'-i]잔텐-1,3,7,9(11H)-테트론, 11-메틸-11-(트리플루오로메틸)- XFDA = 1H-difuro[3,4-b:3',4'-i]xanthene-1,3,7,9(11H)-tetron, 11-methyl-11-(trifluoromethyl)-

합성 실시예Synthetic Example

이들 실시예는 화학식 I을 갖는 화합물의 제조를 예시한다.These examples illustrate the preparation of compounds having Formula I.

합성 실시예 1Synthesis Example 1

Figure pct00069
Figure pct00069

2,6-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)-헥사히드로-벤조[1,2-c:4,5-c']디피롤-1,3,5,7(2H,6H)-테트론 (2).2,6-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)-hexahydro-benzo[1,2-c:4, 5-c']dipyrrole-1,3,5,7(2H,6H)-tetron (2).

2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(171.4 g, 535.3 mmol, 4 당량), 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물(5 g), 피리딘(50 ml) 및 N-메틸피롤리디논(200 ml)의 혼합물을 질소 분위기 하에 1시간 동안 130℃에서 가열하였다. 그 후에, 나머지 양의 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물을 130℃에서 5시간의 기간에 걸쳐 5 g씩 나누어 첨가하였다(총 30 g, 총 133.8 mmol). 그 후에 혼합물을 150℃에서 2일 동안 그리고 180℃에서 1일 동안 가열하였다. 혼합물을 주위 온도로 냉각시키고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 증류시켜 제거하고, 잔사를 10% 에틸 아세테이트와 헵탄의 뜨거운 혼합물로 수회 추출하여 과량의 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘을 회수하였다. 잔사를 셀리트(celite) 상에 흡수시키고, 에틸 아세테이트와 헥산의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피로 처리하였다. 디이미드-디아민을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 잔사를 에틸 아세테이트와 헥산 1:1의 혼합물에 용해시키고, 결정화된 생성물을 여과에 의해 합하고, 진공에서 건조시켜 40.2 g의 화합물 2를 얻었다. 화합물 2는 또한 조(crude) 반응 혼합물로부터의 직접 결정화에 의해 수득될 수 있다. 이러한 방식으로, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(171.4 g, 535.3 mmol, 4 당량), 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물(5 g), 피리딘(50 ml) 및 N-메틸피롤리디논(200 ml)의 혼합물을 질소 분위기 하에 1시간 동안 130℃에서 가열하였다. 그 후에 추가량의 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물을 130℃에서 5시간의 기간에 걸쳐 5 g씩 나누어 첨가하였다(총 30 g). 그 후에 혼합물을 150℃에서 16시간 동안 가열하였다. 혼합물을 주위 온도로 냉각시키고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 증류시켜 제거하고, 잔사를 1L의 1:1 에틸 아세테이트와 헥산 중에 용해시키고 주위 온도에서 정치시켜 침전된 생성물을 주기적으로 수집하여 33.36 g의 생성물을 얻었다. 생성물을 프로필 아세테이트로부터 추가로 재결정화할 수 있다. 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 2.02-2.09 (m, 2H), 2.29-2.34 (m, 2H), 3.25-3.30 (m, 4H), 5.71 (s, 4H), 6.77 (dd, 2H, J1 = 9 Hz, J2 = 2 Hz), 6.94-6.96 (m, 4H), 7.39-7.41 (m, 2H), 7.52 (2, 2H, J = 9 Hz), 7.68-7.70 (m, 2H). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 178.4, 149.5, 138.4, 133.6, 132.6, 132.1, 130.1, 128.3, 122.8, 122.2, 116.1, 110.7, 38.4, 22.3. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 57.4, 57.1. 매트릭스 보조 레이저 탈착(Matrix Assisted Laser Desorption)/이온화 비행시간형 질량 분석(Ionization time-of-flight mass spectrometry)("MALDI TOF MS"): 829.1671 (MH+).2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (171.4 g, 535.3 mmol, 4 eq), 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride (5 g), pyridine (50 ml) And a mixture of N-methylpyrrolidinone (200 ml) was heated at 130° C. for 1 hour under a nitrogen atmosphere. Thereafter, the remaining amount of 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride was added in portions of 5 g at 130° C. over a period of 5 hours (total 30 g, total 133.8 mmol). The mixture was then heated at 150° C. for 2 days and at 180° C. for 1 day. The mixture was cooled to ambient temperature, the solvent was distilled off using a rotary evaporator, and the residue was extracted several times with a hot mixture of 10% ethyl acetate and heptane to give an excess of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine. Was recovered. The residue was taken up on celite and subjected to chromatography on silica gel using gradient elution with a mixture of ethyl acetate and hexane. Fractions containing diimide-diamine were combined, the eluent was evaporated, the residue was dissolved in a mixture of ethyl acetate and hexane 1:1, and the crystallized product was combined by filtration and dried in vacuo to give 40.2 g of compound 2 Got it. Compound 2 can also be obtained by direct crystallization from a crude reaction mixture. In this way, 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (171.4 g, 535.3 mmol, 4 eq), 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride (5 g), pyridine A mixture of (50 ml) and N-methylpyrrolidinone (200 ml) was heated at 130° C. for 1 hour under a nitrogen atmosphere. Then, an additional amount of 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride was added in portions of 5 g each over a period of 5 hours at 130°C (total 30 g). The mixture was then heated at 150° C. for 16 hours. The mixture was cooled to ambient temperature, the solvent was distilled off using a rotary evaporator, and the residue was dissolved in 1 L of 1:1 ethyl acetate and hexane and allowed to stand at ambient temperature to periodically collect the precipitated product to collect 33.36 g of the product. The product was obtained. The product can be further recrystallized from propyl acetate. 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 2.02-2.09 (m, 2H), 2.29-2.34 (m, 2H), 3.25-3.30 (m, 4H), 5.71 (s, 4H), 6.77 ( dd, 2H, J1 = 9 Hz, J2 = 2 Hz), 6.94-6.96 (m, 4H), 7.39-7.41 (m, 2H), 7.52 (2, 2H, J = 9 Hz), 7.68-7.70 (m , 2H). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 178.4, 149.5, 138.4, 133.6, 132.6, 132.1, 130.1, 128.3, 122.8, 122.2, 116.1, 110.7, 38.4, 22.3. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 57.4, 57.1. Matrix Assisted Laser Desorption/Ionization time-of-flight mass spectrometry ("MALDI TOF MS"): 829.1671 (MH+).

합성 실시예 2Synthesis Example 2

Figure pct00070
Figure pct00070

2,6-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)-헥사히드로-4,8-에타노벤조[1,2-c:4,5-c']디피롤-1,3,5,7(2H,6H)-테트론 (4).2,6-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)-hexahydro-4,8-ethanobenzo[1, 2-c:4,5-c']dipyrrole-1,3,5,7(2H,6H)-tetron (4).

방법 A:Method A:

피리딘(30 ml) 및 N-메틸피롤리디논(150 ml) 중 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(76.86 g, 240 mmol, 4 당량)의 교반되는 용액에 질소 분위기 하에서 50 ml 중 비시클로[2.2.2]옥탄-2,3:5,6-테트라카르복실산 이무수물("비시클로옥탄테트라카르복실산 이무수물")(15 g, 60 mmol)의 현탁액을 조금씩 첨가하였다. 생성된 혼합물을 180℃에서 2일 동안 가열하였다. 혼합물을 주위 온도로 냉각시키고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 증류시켜 제거하고, 잔사를 10% 에틸 아세테이트와 헵탄의 뜨거운 혼합물로 수회 추출하여 과량의 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘을 회수하였다. 잔사를 셀리트 상에 흡수시키고, 에틸 아세테이트와 헥산의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피로 처리하였다. 디이미드-디아민을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 진공에서 건조시켜 21.23 g의 화합물 4를 얻었다.In a stirred solution of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (76.86 g, 240 mmol, 4 equivalents) in pyridine (30 ml) and N-methylpyrrolidinone (150 ml) 50 ml under nitrogen atmosphere A suspension of bicyclo[2.2.2]octane-2,3:5,6-tetracarboxylic dianhydride ("bicyclooctanetetracarboxylic dianhydride") (15 g, 60 mmol) was added little by little. . The resulting mixture was heated at 180° C. for 2 days. The mixture was cooled to ambient temperature, the solvent was distilled off using a rotary evaporator, and the residue was extracted several times with a hot mixture of 10% ethyl acetate and heptane to give an excess of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine. Was recovered. The residue was taken up on celite and subjected to chromatography on silica gel using gradient elution with a mixture of ethyl acetate and hexane. Fractions containing diimide-diamine were combined and the eluent was evaporated and dried in vacuo to give 21.23 g of compound 4 .

방법 B:Method B:

혼합물 of 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(51.2 g, 4 당량) 및 비시클로[2.2.2]옥탄-2,3:5,6-테트라카르복실산 이무수물(10 g, 39.97 mmol)을 불활성 분위기 하에 220℃에서 2시간 동안 가열하였다. 혼합물을 주위 온도로 냉각시키고, 에틸 아세테이트에 용해시키고, 셀리트 상에 흡수시키고, 프로필 아세테이트와 헥산의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피로 처리하였다. 디이미드-디아민을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 진공에서 건조시켜 21.82 g의 화합물 4를 얻었다.Mixture of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (51.2 g, 4 eq) and bicyclo[2.2.2]octane-2,3:5,6-tetracarboxylic dianhydride (10 g, 39.97 mmol) was heated at 220° C. for 2 hours under an inert atmosphere. The mixture was cooled to ambient temperature, dissolved in ethyl acetate, taken up on celite, and subjected to chromatography on silica gel using gradient elution with a mixture of propyl acetate and hexane. Fractions containing diimide-diamine were combined and the eluent was evaporated and dried in vacuo to give 21.82 g of compound 4 .

1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 1.53 (s, 4H), 2.61 (s, 2H), 3.40 (s, 4H), 5.73 (s, 4H), 6.80 (dd, 2H, J1 = 2 Hz, J2 = 8 Hz), 6.97 (s, 2H), 6.98 (d, 2H, J = 7 Hz), 7.46 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.67 (dd, 2H, J1 = 2 Hz, J2 = 8 Hz), 7.80 (d, 2H, J = 2 Hz). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 177.9, 149.6, 138.6, 133.8, 132.6, 132.2, 130.3, 129.0, 128.8, 128.2, 128.0, 125.7, 125.0, 124.7, 123.5, 122.9, 122.2, 116.2, 110.7, 43.1, 28.8, 17.6. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 57.3, 57.0. MALDI TOF MS: 855.1810 (MH+). 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 1.53 (s, 4H), 2.61 (s, 2H), 3.40 (s, 4H), 5.73 (s, 4H), 6.80 (dd, 2H, J1 = 2 Hz, J2 = 8 Hz), 6.97 (s, 2H), 6.98 (d, 2H, J = 7 Hz), 7.46 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.67 (dd, 2H, J1 = 2 Hz , J2 = 8 Hz), 7.80 (d, 2H, J = 2 Hz). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 177.9, 149.6, 138.6, 133.8, 132.6, 132.2, 130.3, 129.0, 128.8, 128.2, 128.0, 125.7, 125.0, 124.7, 123.5, 122.9, 122.2, 116.2, 110.7, 43.1, 28.8, 17.6. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 57.3, 57.0. MALDI TOF MS: 855.1810 (MH+).

합성 실시예 3Synthesis Example 3

Figure pct00071
Figure pct00071

2,6-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)-헥사히드로-4,8-에테노벤조[1,2-c:4,5-c']디피롤-1,3,5,7(2H,6H)-테트론 (5).2,6-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)-hexahydro-4,8-ethenobenzo[1, 2-c:4,5-c']dipyrrole-1,3,5,7(2H,6H)-tetron (5).

피리딘(30 ml) 및 N-메틸피롤리디논(150 ml) 중 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(77.43 g, 241.8 mmol, 4 당량)의 교반되는 용액에 질소 분위기 하에서 50 ml N-메틸피롤리디논 중 비시클로옥텐테트라카르복실산 이무수물(15 g, 60.45 mmol)의 현탁액을 조금씩 첨가하였다. 생성된 혼합물을 180℃에서 7일 동안 가열하였다. 혼합물을 주위 온도로 냉각시키고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 증류시켜 제거하고, 잔사를 10% 에틸 아세테이트와 헵탄의 뜨거운 혼합물로 수회 추출하여 과량의 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘을 회수하였다. 잔사를 셀리트 상에 흡수시키고, 에틸 아세테이트와 헥산의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피로 처리하였다. 디이미드-디아민을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 진공에서 건조시켜 21.23 g의 화합물 5를 얻었다. 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 3.49 (s, 4H), 3.57 (br. S, 2H), 5.72 (s, 4H), 6.37 (t, 2H, J = 4 Hz), 6.78 (dd, 2H, J1 = 8Hz, J2 = 2 Hz), 6.95-6.97 (m, 4H), 7.43 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.47 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.61 (d, 2H, J = 2 Hz). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 176.9, 149.6, 138.5, 133.5, 133.9, 132.6, 132.0, 131.6, 129.9, 129.0, 128.7, 128.2, 128.0, 125.7, 125.0, 124.2, 123.5, 122.8, 122.1, 116.2, 110.6, 43.0, 34.5. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 57.4, 57.1. MALDI TOF MS: 853.1654 (MH+).In a stirred solution of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (77.43 g, 241.8 mmol, 4 equivalents) in pyridine (30 ml) and N-methylpyrrolidinone (150 ml), 50 ml under nitrogen atmosphere A suspension of bicyclooctenetetracarboxylic dianhydride (15 g, 60.45 mmol) in N-methylpyrrolidinone was added little by little. The resulting mixture was heated at 180° C. for 7 days. The mixture was cooled to ambient temperature, the solvent was distilled off using a rotary evaporator, and the residue was extracted several times with a hot mixture of 10% ethyl acetate and heptane to give an excess of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine. Was recovered. The residue was taken up on celite and subjected to chromatography on silica gel using gradient elution with a mixture of ethyl acetate and hexane. Fractions containing diimide-diamine were combined and the eluent was evaporated and dried in vacuo to give 21.23 g of compound 5 . 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 3.49 (s, 4H), 3.57 (br.S, 2H), 5.72 (s, 4H), 6.37 (t, 2H, J = 4 Hz), 6.78 (dd, 2H, J1 = 8Hz, J2 = 2 Hz), 6.95-6.97 (m, 4H), 7.43 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.47 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.61 (d, 2H, J = 2 Hz). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 176.9, 149.6, 138.5, 133.5, 133.9, 132.6, 132.0, 131.6, 129.9, 129.0, 128.7, 128.2, 128.0, 125.7, 125.0, 124.2, 123.5, 122.8, 122.1, 116.2, 110.6, 43.0, 34.5. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 57.4, 57.1. MALDI TOF MS: 853.1654 (MH+).

합성 실시예 4Synthesis Example 4

Figure pct00072
Figure pct00072

2,2'-(6-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4,4'-디일)비스[6-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)-헥사히드로-4,8-에테노벤조[1,2-c:4,5-c']디피롤-1,3,5,7(2H,6H)-테트론] (7).2,2'-(6-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4,4'-diyl)bis[6-bis(2 ,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)-hexahydro-4,8-ethenobenzo[1,2-c:4,5 -c']dipyrrole-1,3,5,7(2H,6H)-tetron] (7).

2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(77.43 g, 241.8 mmol, 2 당량), 피리딘(20 ml), N-메틸피롤리디논(100 ml) 및 비시클로옥텐테트라카르복실산 이무수물(15 g, 60.45 mmol)의 혼합물을 질소 분위기 하에 180℃에서 6일 동안 가열하면서 교반하였다. 혼합물을 주위 온도로 냉각시키고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 증류시켜 제거하고, 잔사를 셀리트 상에 흡수시키고, 에틸 아세테이트와 헥산의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피로 처리하였다. 디이미드-디아민을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 진공에서 건조시켜 14.8 g의 화합물 5를 얻었다. 테트라이미드-디아민을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 진공에서 건조시켜 8.75 g의 화합물 7을 얻었다. 화합물 7: 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 3.50 (s, 4H), 3.51 (s, 4H), 3.58 (br. S, 4H), 5.72 (s, 4H), 6.38 (t, 4H, J = 4 Hz), 6.78 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 6.95-6.97 (m, 4H), 7.43 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.47 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.56-7.61 (m, 6H), 7.72 (s, 2H). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 176.92, 176.86, 149.6, 138.6, 136.1, 133.9, 133.0, 132.9, 132.6, 132.0, 131.7, 130.2, 129.9, 128.2, 128.0, 125.7, 1245.0, 124.8, 124.5, 124.4, 124.2, 123.5, 122.8, 122.6, 122.1, 116.2, 110.67, 110.62, 48.9, 43.00, 42.96, 34.5. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 57.4, 57.2, 57.1. MALDI TOF MS: 1385.2532 (MH+).2,2′-bis(trifluoromethyl)benzidine (77.43 g, 241.8 mmol, 2 eq), pyridine (20 ml), N-methylpyrrolidinone (100 ml) and bicyclooctenetetracarboxylic dianhydride A mixture of (15 g, 60.45 mmol) was stirred while heating at 180° C. for 6 days under a nitrogen atmosphere. The mixture was cooled to ambient temperature, the solvent was distilled off using a rotary evaporator, and the residue was taken up on celite and subjected to chromatography on silica gel using gradient elution with a mixture of ethyl acetate and hexane. . Fractions containing diimide-diamine were combined and the eluent was evaporated and dried in vacuo to give 14.8 g of compound 5 . Fractions containing tetraimide-diamine were combined and the eluent was evaporated and dried in vacuo to give 8.75 g of compound 7 . Compound 7 : 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 3.50 (s, 4H), 3.51 (s, 4H), 3.58 (br. S, 4H), 5.72 (s, 4H), 6.38 (t , 4H, J = 4 Hz), 6.78 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 6.95-6.97 (m, 4H), 7.43 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.47 (dd , 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.56-7.61 (m, 6H), 7.72 (s, 2H). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 176.92, 176.86, 149.6, 138.6, 136.1, 133.9, 133.0, 132.9, 132.6, 132.0, 131.7, 130.2, 129.9, 128.2, 128.0, 125.7, 1245.0, 124.8, 124.5, 124.4, 124.2, 123.5, 122.8, 122.6, 122.1, 116.2, 110.67, 110.62, 48.9, 43.00, 42.96, 34.5. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 57.4, 57.2, 57.1. MALDI TOF MS: 1385.2532 (MH+).

합성 실시예 5Synthesis Example 5

Figure pct00073
Figure pct00073

3a,3b,4,4a,7a,8,8a,8b-옥타히드로-9-(1,1-디메틸에틸)-4,8-에테노푸로[3',4':3,4]시클로부트[1,2-f]이소벤조푸란-1,3,5,7-테트론.3a,3b,4,4a,7a,8,8a,8b-octahydro-9-(1,1-dimethylethyl)-4,8-ethenofuro[3',4':3,4]cyclobut [1,2-f]isobenzofuran-1,3,5,7-tetron.

말레산 무수물(37.4 g, 0.38 mol) 및 아세토페논(22.9 g, 0.191 mol)을 tert-부틸벤젠(대략 0.8 L)에 용해시키고, 1 L 광화학 반응기에 넣고, 붕규산염 유리 침지 웰을 사용하여 200W 중압 Hanovia 수은 램프로 조사하였다. 침전물을 여과에 의해 수집하였다. 42시간 동안 조사 후의 조 생성물 수득량 - 33.3 g. 생성물을 뜨거운 아세톤으로부터 재결정화할 수 있다. 1H-NMR (아세톤-d6, 500 MHz): 1.14 (s, 9H), 2.99-3.09 (m, 4H), 3.31 (dd, 1H, J1 = 9 Hz, J2 = 3 Hz), 3.41 (dd, 1H, J1 = 9 Hz, J2 = 3 Hz), 3.45-3.48 (m, 1H), 3.71-3.72 (m, 1H), 6.29 (dd, 1H, J1 = 7 Hz, J2 = 2 Hz).Maleic anhydride (37.4 g, 0.38 mol) and acetophenone (22.9 g, 0.191 mol) were dissolved in tert-butylbenzene (approximately 0.8 L), placed in a 1 L photochemical reactor, and 200 W using a borosilicate glass immersion well. It was irradiated with a medium pressure Hanovia mercury lamp. The precipitate was collected by filtration. The yield of crude product after irradiation for 42 hours-33.3 g. The product can be recrystallized from hot acetone. 1 H-NMR (acetone-d 6 , 500 MHz): 1.14 (s, 9H), 2.99-3.09 (m, 4H), 3.31 (dd, 1H, J1 = 9 Hz, J2 = 3 Hz), 3.41 (dd , 1H, J1 = 9 Hz, J2 = 3 Hz), 3.45-3.48 (m, 1H), 3.71-3.72 (m, 1H), 6.29 (dd, 1H, J1 = 7 Hz, J2 = 2 Hz).

대조군 실험에서, tert-부틸트리시클로테트라데센테트라카르복실산 이무수물은 심지어 승온에서조차 BPDA와 비반응성인 것으로 밝혀졌다.In a control experiment, tert-butyltricyclotetradecenetetracarboxylic dianhydride was found to be non-reactive with BPDA even at elevated temperatures.

2,6-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)-9-(1,1-디메틸에틸)-3a,3b,4,4a,7a,8,8a,8b-옥타히드로-4,8-에테노피롤로[3',4':3,4]시클로부트[1,2-f]이소인돌-1,3,5,7(2H,6H)-테트론 (6).2,6-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)-9-(1,1-dimethylethyl)-3a, 3b,4,4a,7a,8,8a,8b-octahydro-4,8-ethenopyrrolo[3',4':3,4]cyclobut[1,2-f]isoindole-1,3 ,5,7(2H,6H)-tetron (6).

피리딘(10 ml) 및 N-메틸피롤리디논(80 ml) 중 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(19.4 g, 60.55 mmol, 4 당량)의 교반되는 용액에 질소 분위기 하에 100℃에서 6시간에 걸쳐 N-메틸피롤리디논(50 ml) 중 tert-부틸트리시클로테트라데센테트라카르복실산 이무수물(5 g, 15.14 mmol)의 용액을 적가하였다. 그 후에 혼합물을 180℃에서 8일 동안 가열하였다. 혼합물을 주위 온도로 냉각시키고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 증류시켜 제거하고, 잔사를 셀리트 상에 흡수시키고, 헥산과 디클로로메탄 및 헥산과 에틸 아세테이트의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피로 처리하였다. 디이미드-디아민을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 잔사를 진공에서 건조시켜 8.7 g의 화합물 6을 얻었다. 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 1.06 (s, 9H), 2.77 (dd, 1H, J1 = 7 Hz, J2 = 3 Hz), 2.83 - 2.85 (m, 1H), 2.93-2.96 (m, 2H), 3.02 (dd, 1H, J1= 9 Hz, J2 = 2 Hz), 3.07-3.09 (m, 1H), 3.33-3.35 (m, 1H), 3.52 (br.s, 1H), 5.73 (s, 4H), 6.22 (dd, 1H, J1 = 7 Hz, J2 = 1.5 Hz), 6.80 (t, 2H, J = 8 Hz), 6.97-7.00 (m, 4H), 7.45-7.47 (m, 3H), 7.59-7.61 (m, 2H), 7.80 (s, 1H). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 177.9, 177.85, 177.5, 177.1, 152.1, 149.57, 149.54, 138.44, 138.37, 134.0, 133.7, 132.8, 132.6, 132.2, 130.2, 129.8, 129.7, 129.9, 128.96, 128.3, 128.0, 125.7, 125.68, 125.11, 1245.0, 124.9, 124.8, 123.53, 123.5, 122.9, 122.8, 122.3, 122.2, 122.1, 116.2, 110.7, 110.66, 43.3, 43.2, 41.8, 41.2, 36.4, 34.5, 34.0, 29.8. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 57.6, 57.3, 57.1, 57.0. MALDI TOF MS: 935.2439 (MH+).In a stirred solution of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (19.4 g, 60.55 mmol, 4 equivalents) in pyridine (10 ml) and N-methylpyrrolidinone (80 ml) at 100° C. under nitrogen atmosphere A solution of tert-butyltricyclotetradecenetetracarboxylic dianhydride (5 g, 15.14 mmol) in N-methylpyrrolidinone (50 ml) was added dropwise over 6 hours. Then the mixture was heated at 180° C. for 8 days. The mixture is cooled to ambient temperature, the solvent is distilled off using a rotary evaporator, and the residue is taken up on celite and on silica gel using gradient elution with hexane and dichloromethane and a mixture of hexane and ethyl acetate. It was subjected to chromatography. Fractions containing diimide-diamine were combined, the eluent was evaporated and the residue was dried in vacuo to give 8.7 g of compound 6 . 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 1.06 (s, 9H), 2.77 (dd, 1H, J1 = 7 Hz, J2 = 3 Hz), 2.83-2.85 (m, 1H), 2.93-2.96 (m, 2H), 3.02 (dd, 1H, J1= 9 Hz, J2 = 2 Hz), 3.07-3.09 (m, 1H), 3.33-3.35 (m, 1H), 3.52 (br.s, 1H), 5.73 (s, 4H), 6.22 (dd, 1H, J1 = 7 Hz, J2 = 1.5 Hz), 6.80 (t, 2H, J = 8 Hz), 6.97-7.00 (m, 4H), 7.45-7.47 (m) , 3H), 7.59-7.61 (m, 2H), 7.80 (s, 1H). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 177.9, 177.85, 177.5, 177.1, 152.1, 149.57, 149.54, 138.44, 138.37, 134.0, 133.7, 132.8, 132.6, 132.2, 130.2, 129.8, 129.7, 129.9, 128.96, 128.3, 128.0, 125.7, 125.68, 125.11, 1245.0, 124.9, 124.8, 123.53, 123.5, 122.9, 122.8, 122.3, 122.2, 122.1, 116.2, 110.7, 110.66, 43.3, 43.2, 41.8, 41.2, 36.4, 34.5, 34.0, 29.8. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 57.6, 57.3, 57.1, 57.0. MALDI TOF MS: 935.2439 (MH+).

합성 실시예 6Synthesis Example 6

Figure pct00074
Figure pct00074

3a,3b,4,4a,7a,8,8a,8b-옥타히드로-9-메틸-4,8-에테노푸로[3',4':3,4]시클로부트[1,2-f]이소벤조푸란-1,3,5,7-테트론.3a,3b,4,4a,7a,8,8a,8b-octahydro-9-methyl-4,8-ethenofuro[3',4':3,4]cyclobut[1,2-f] Isobenzofuran-1,3,5,7-tetron.

말레산 무수물(37.4 g, 0.38 mol) 및 아세토페논(22.9 g, 0.191 mol)을 톨루엔(대략 0.8 L)에 용해시키고, 1 L 광화학 반응기에 넣고, 200W 중압 Hanovia 수은 램프로 조사하였다. 침전물을 여과에 의해 수집하였다. 28.5시간 동안 조사 후의 조 생성물 수득량 - 9-메틸 및 3- 메틸 위치이성질체의 혼합물로서 24 g 생성물을 뜨거운 아세톤으로부터 재결정화할 수 있다. 9-메틸 위치이성질체에 대한 데이터: 1H-NMR (아세톤-d6, 500 MHz): 1.97 (s, 3H), 2.96-3.00 (m, 2H), 3.02-3.05 (m, 1H), 3.10-3.12 (m, 1H), 3.31-3.34 (m, 2H), 3.40-3.44 (m, 2H), 6.18 (d, 1H, J = 6 Hz). 13C-NMR (아세톤-d6, 125 MHz): 173.1, 173.0, 172.5, 172.3, 142.2, 123.6, 43.1, 42.8, 41,7, 41.5, 39.9, 38.8, 38.4, 35.0, 22.0.Maleic anhydride (37.4 g, 0.38 mol) and acetophenone (22.9 g, 0.191 mol) were dissolved in toluene (approximately 0.8 L), placed in a 1 L photochemical reactor, and irradiated with a 200 W medium pressure Hanovia mercury lamp. The precipitate was collected by filtration. The crude product yield after irradiation for 28.5 hours-24 g product as a mixture of 9-methyl and 3-methyl regioisomers can be recrystallized from hot acetone. Data for 9-methyl regioisomer: 1 H-NMR (acetone-d 6 , 500 MHz): 1.97 (s, 3H), 2.96-3.00 (m, 2H), 3.02-3.05 (m, 1H), 3.10- 3.12 (m, 1H), 3.31-3.34 (m, 2H), 3.40-3.44 (m, 2H), 6.18 (d, 1H, J = 6 Hz). 13 C-NMR (acetone-d 6 , 125 MHz): 173.1, 173.0, 172.5, 172.3, 142.2, 123.6, 43.1, 42.8, 41,7, 41.5, 39.9, 38.8, 38.4, 35.0, 22.0.

대조군 실험에서, 메틸트리시클로테트라데센테트라카르복실산 이무수물은 심지어 승온에서조차 BPDA와 비반응성인 것으로 밝혀졌다.In control experiments, methyltricyclotetradecenetetracarboxylic dianhydride was found to be non-reactive with BPDA, even at elevated temperatures.

2,6-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)-9-(1,1-디메틸에틸)-3a,3b,4,4a,7a,8,8a,8b-옥타히드로-4,8-에테노피롤로[3',4':3,4]시클로부트[1,2-f]이소인돌-1,3,5,7(2H,6H)-테트론 (6a).2,6-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)-9-(1,1-dimethylethyl)-3a, 3b,4,4a,7a,8,8a,8b-octahydro-4,8-ethenopyrrolo[3',4':3,4]cyclobut[1,2-f]isoindole-1,3 ,5,7(2H,6H)-tetron (6a).

2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(66.66 g, 208.15 mmol, 4 당량), 메틸트리시클로테트라데센테트라카르복실산 이무수물(2.5 g, 1:0.2 비의 9-메틸 및 3-메틸 위치이성질체의 혼합물), 피리딘(20 ml) 및 N-메틸피롤리디논(100 ml)의 혼합물을 질소 분위기 하에 150℃에서 1시간 동안 가열하였다. 그 후에, 추가량의 메틸트리시클로테트라데센테트라카르복실산 이무수물을 130℃에서 5시간의 기간에 걸쳐 2.5 g씩 나누어 첨가하였다(총 15 g). 그 후에 혼합물을 180℃에서 6일 동안 가열하였다. 혼합물을 주위 온도로 냉각시키고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 증류시켜 제거하고, 잔사를 10% 프로필 아세테이트와 헵탄의 뜨거운 혼합물로 수회 추출하여 과량의 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘을 회수하였다. 잔사를 셀리트 상에 흡수시키고, 프로필 아세테이트와 헥산의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피로 처리하였다. 디이미드-디아민을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 진공에서 건조시켜 20.1 g의 화합물 6a를 얻었다. 9-메틸 위치이성질체에 대한 데이터: 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 1.92 (s, 3H), 2.72-2.74 (m, 1H), 2.84-2.86 (m, 1H), 2.89-2.92 (m, 1H), 2.94-2.98 (m, 1H), 3.03 (dd, 1H, J1 = 8 Hz, J2 = 3 Hz), 3.11 (dd, 1H, J1 = 8 Hz, J2 = 3 Hz), 3.16 (br. s, 1H), 3.25 (p, 1H, J = 3 Hz), 7.73 (s, 4H), 6.11 (br. s, 1H), 6.78-6.81 (m, 2H), 6.97-6.99 (m, 4H), 7.41-7.47 (m, 3H), 7.56-7.62 (m, 2H), 7.80 (d, 1H, J = 1.5 Hz). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 177.9, 177.8, 177.5, 177.3, 149.58, 149.55, 141.2, 138.5, 138.4, 134.0, 133.7, 132.7, 132.6, 132.2, 130.3, 129.9, 128.9, 128.7, 128.3, 128.0, 127.3, 125.7, 125.1, 125.0, 124.9, 124.8, 124.2, 123.5, 122.9, 122.8, 122.3, 122.1, 116.2, 110.7, 43.11, 42.35, 41.6, 41.3, 39.2, 35.7, 22.8. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 57.5, 57.3, 57.04, 57.02. MALDI TOF: 893.1969 (MH+).2,2′-bis(trifluoromethyl)benzidine (66.66 g, 208.15 mmol, 4 eq), methyltricyclotetradecenetetracarboxylic dianhydride (2.5 g, 1 :0.2 ratio of 9-methyl and 3- A mixture of methyl regioisomers), a mixture of pyridine (20 ml) and N-methylpyrrolidinone (100 ml) was heated at 150° C. for 1 hour under a nitrogen atmosphere. Thereafter, an additional amount of methyltricyclotetradecenetetracarboxylic dianhydride was added in portions of 2.5 g each over a period of 5 hours at 130°C (total 15 g). Then the mixture was heated at 180° C. for 6 days. The mixture was cooled to ambient temperature, the solvent was distilled off using a rotary evaporator, and the residue was extracted several times with a hot mixture of 10% propyl acetate and heptane to give an excess of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine. Was recovered. The residue was taken up on celite and subjected to chromatography on silica gel using gradient elution with a mixture of propyl acetate and hexane. Fractions containing diimide-diamine were combined and the eluent was evaporated and dried in vacuo to give 20.1 g of compound 6a . Data for 9-methyl regioisomer: 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 1.92 (s, 3H), 2.72-2.74 (m, 1H), 2.84-2.86 (m, 1H), 2.89- 2.92 (m, 1H), 2.94-2.98 (m, 1H), 3.03 (dd, 1H, J1 = 8 Hz, J2 = 3 Hz), 3.11 (dd, 1H, J1 = 8 Hz, J2 = 3 Hz), 3.16 (br.s, 1H), 3.25 (p, 1H, J = 3 Hz), 7.73 (s, 4H), 6.11 (br. s, 1H), 6.78-6.81 (m, 2H), 6.97-6.99 ( m, 4H), 7.41-7.47 (m, 3H), 7.56-7.62 (m, 2H), 7.80 (d, 1H, J = 1.5 Hz). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 177.9, 177.8, 177.5, 177.3, 149.58, 149.55, 141.2, 138.5, 138.4, 134.0, 133.7, 132.7, 132.6, 132.2, 130.3, 129.9, 128.9, 128.7, 128.3, 128.0, 127.3, 125.7, 125.1, 125.0, 124.9, 124.8, 124.2, 123.5, 122.9, 122.8, 122.3, 122.1, 116.2, 110.7, 43.11, 42.35, 41.6, 41.3, 39.2, 35.7, 22.8. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 57.5, 57.3, 57.04, 57.02. MALDI TOF: 893.1969 (MH+).

합성 실시예 7Synthesis Example 7

Figure pct00075
Figure pct00075

2,5-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)-헥사히드로-벤조[1,2-c:4,5-c']디피롤-1,3,5,7(2H,6H)-테트론 (8). 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(153 g, 477.8 mmol), 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물(5 g), 피리딘 (20 ml) 및 N-메틸피롤리디논(150 ml)의 혼합물을 질소 분위기 하에 1시간 동안 150℃에서 가열하였다. 그 후에, 나머지 양의 1,2,3,4-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물을 150℃에서 4시간의 기간에 걸쳐 5 g씩 나누어 첨가하였다(총 25 g, 총 118.97 mmol). 그 후에 혼합물을 180℃에서 2.5주 동안 가열하였다. 혼합물을 주위 온도로 냉각시키고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 증류시켜 제거하고, 잔사를 20% 에틸 아세테이트와 헵탄의 뜨거운 혼합물로 수회 추출하여 과량의 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘을 회수하였다. 잔사를 셀리트 상에 흡수시키고, 에틸 아세테이트와 헥산의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피로 (2회) 처리하였다. 디이미드-디아민을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 진공에서 건조시켜 3 g의 화합물 8을 얻었다. 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 2.56 (t, 2H, J = 9 Hz), 3.73 (q, 2H, J = 8 Hz), 3.80 (d, 2H, J = 8 Hz), 5.73 (s, 4H), 6.80 (dd, 2H, J1 = 9 Hz, J2 = 2 Hz), 6.97-6.99 (m, 4H), 7.46 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.65 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.85 (s, 2H). 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 57.0, 57.2. 2,5-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)-hexahydro-benzo[1,2-c:4, 5-c']dipyrrole-1,3,5,7(2H,6H)-tetron (8) . 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (153 g, 477.8 mmol), 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride (5 g), pyridine (20 ml) and N- A mixture of methylpyrrolidinone (150 ml) was heated at 150° C. for 1 hour under a nitrogen atmosphere. Thereafter, the remaining amount of 1,2,3,4-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride was added in 5 g portions at 150° C. over a period of 4 hours (total 25 g, total 118.97 mmol). The mixture was then heated at 180° C. for 2.5 weeks. The mixture was cooled to ambient temperature, the solvent was distilled off using a rotary evaporator, and the residue was extracted several times with a hot mixture of 20% ethyl acetate and heptane to give an excess of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine. Was recovered. The residue was taken up on celite and subjected to chromatography on silica gel (twice) using gradient elution with a mixture of ethyl acetate and hexane. Fractions containing diimide-diamine were combined and the eluent was evaporated and dried in vacuo to give 3 g of compound 8 . 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 2.56 (t, 2H, J = 9 Hz), 3.73 (q, 2H, J = 8 Hz), 3.80 (d, 2H, J = 8 Hz), 5.73 (s, 4H), 6.80 (dd, 2H, J1 = 9 Hz, J2 = 2 Hz), 6.97-6.99 (m, 4H), 7.46 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.65 (d, 2H , J = 9 Hz), 7.85 (s, 2H). 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 57.0, 57.2.

합성 실시예 8Synthesis Example 8

Figure pct00076
Figure pct00076

화합물 9. 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(132.6 g, 414.08 mmol), 3a,4,5,9b-테트라히드로-5-(테트라히드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-c]푸란-1,3-디온(5 g), 피리딘(20 ml) 및 N-메틸피롤리디논(150 ml)의 혼합물을 질소 분위기 하에 1시간 동안 150℃에서 가열하였다. 그 후에, 나머지 양의 이무수물을 150℃에서 2.5시간의 기간에 걸쳐 5 g씩 나누어 첨가하였다(총 30 g, 총 118.97 mmol). 그 후에 혼합물을 180℃에서 3일 동안 가열하였다. 혼합물을 주위 온도로 냉각시키고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 증류시켜 제거하고, 잔사를 10% 프로필 아세테이트와 헵탄의 뜨거운 혼합물로 수회 추출하여 과량의 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘을 회수하였다. 잔사를 셀리트 상에 흡수시키고, 프로필 아세테이트와 헥산의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피로 처리하였다. 디이미드-디아민을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 진공에서 건조시켜 총 34.1 g의 화합물 9를 얻었다.Compound 9 . 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (132.6 g, 414.08 mmol), 3a,4,5,9b-tetrahydro-5-(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl) -A mixture of naphtho[1,2-c]furan-1,3-dione (5 g), pyridine (20 ml) and N-methylpyrrolidinone (150 ml) at 150° C. for 1 hour under a nitrogen atmosphere Heated. Thereafter, the remaining amount of dianhydride was added in portions of 5 g at 150° C. over a period of 2.5 hours (total 30 g, total 118.97 mmol). The mixture was then heated at 180° C. for 3 days. The mixture was cooled to ambient temperature, the solvent was distilled off using a rotary evaporator, and the residue was extracted several times with a hot mixture of 10% propyl acetate and heptane to give an excess of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine. Was recovered. The residue was taken up on celite and subjected to chromatography on silica gel using gradient elution with a mixture of propyl acetate and hexane. Fractions containing diimide-diamine were combined, and the eluent was evaporated and dried in vacuo to give a total of 34.1 g of compound 9 .

합성 실시예 9Synthesis Example 9

Figure pct00077
Figure pct00077

5,5'-옥시비스[2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일]-1H-이소인돌-1,3(2H)-디온( 10 ) 및 화합물 11 . 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(61.94 g, 6 당량) 및 옥시디프탈산 이무수물(10 g, 32.24 mmol)의 혼합물을 불활성 분위기 하에 220℃에서 1시간 동안 가열하였다. 그 후에, 과량의 디아민을 진공에서 260 내지 265℃에서 승화시켰다. 잔사를 150 ml의 에틸 아세테이트에 용해시키고, 셀리트 상에 흡수시키고, 헥산과 에틸 아세테이트의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피로 처리하였다. 순수한 삼량체를 함유하는 분획들을 합하고, 회전 증발기를 사용하여 용리액을 증발시키고, 잔사를 글러브박스 내에서 진공에서 1시간 동안 150℃에서 건조시켜 16.13 g의 생성물 10을 얻었다. 다소 불순한 삼량체를 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 회전 증발기를 사용하여 잔사를 건조시켜 3.53 g의 화합물 10을 얻었다. 순수한 화합물 11을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 잔사를 진공에서 150℃에서 건조시켜 2.24 g의 화합물 11을 얻었다. 5,5'-oxybis[2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl]-1H-isoindole-1,3(2H) -Dione ( 10 ) and compound 11 . A mixture of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (61.94 g, 6 equivalents) and oxydiphthalic dianhydride (10 g, 32.24 mmol) was heated at 220° C. for 1 hour under an inert atmosphere. Thereafter, the excess diamine was sublimed at 260-265° C. in vacuum. The residue was dissolved in 150 ml of ethyl acetate, taken up on celite, and subjected to chromatography on silica gel using gradient elution with a mixture of hexane and ethyl acetate. Fractions containing pure trimer were combined, the eluent was evaporated using a rotary evaporator, and the residue was dried at 150° C. for 1 hour in vacuum in a glovebox to give 16.13 g of product 10 . Fractions containing somewhat impure trimers were combined, the eluent was evaporated and the residue was dried using a rotary evaporator to give 3.53 g of compound 10 . Fractions containing pure compound 11 were combined, the eluent was evaporated and the residue was dried at 150° C. in vacuo to give 2.24 g of compound 11 .

화합물 10: 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 5.73 (s, 4H), 6.80 (dd, 2H, J1 = 9 Hz, J2 = 2 Hz), 6.98 (d, 2H, J = 3 Hz), 7.00 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.48 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.65-7.68 (m, 4H), 7.75 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.94 (d, 2H, J = 2 Hz), 8.11-8.13 (m, 2H). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 166.4, 166.3, 161.4, 149.5, 138.0, 135.0, 133.7, 132.7, 132.0, 130.0, 129.0, 128.7, 128.3, 128.0, 127.7, 126.7, 125.7, 125.6, 125.1, 124.8, 123.6, 122.6, 122.9, 122.33, 122.31, 116.2, 114.3, 110.69, 110.65, 110.61. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 56.97, 56.98, 57.3.Compound 10 : 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 5.73 (s, 4H), 6.80 (dd, 2H, J1 = 9 Hz, J2 = 2 Hz), 6.98 (d, 2H, J = 3 Hz), 7.00 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.48 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.65-7.68 (m, 4H), 7.75 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.94 (d, 2H, J = 2 Hz), 8.11-8.13 (m, 2H). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 166.4, 166.3, 161.4, 149.5, 138.0, 135.0, 133.7, 132.7, 132.0, 130.0, 129.0, 128.7, 128.3, 128.0, 127.7, 126.7, 125.7, 125.6, 125.1, 124.8, 123.6, 122.6, 122.9, 122.33, 122.31, 116.2, 114.3, 110.69, 110.65, 110.61. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 56.97, 56.98, 57.3.

화합물 11: 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 5.73 (s, 4H), 6.80 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 6.98 (d, 2H, J = 2 Hz), 7.00 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.48 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.67-7.69 (m, 10 H), 7.75 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.86 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.94 (d, 2H, J = 2 Hz), 8.05 (d, 2H, J = 2 Hz), 8.11-8.15 (m, 4H).Compound 11: 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 5.73 (s, 4H), 6.80 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 6.98 (d, 2H, J = 2 Hz), 7.00 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.48 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.67-7.69 (m, 10 H), 7.75 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.86 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.94 (d, 2H, J = 2 Hz), 8.05 (d, 2H, J = 2 Hz), 8.11-8.15 (m , 4H).

합성 실시예 10.Synthesis Example 10.

Figure pct00078
Figure pct00078

5,5'-옥시비스[1,3-페닐렌비스(옥시-3,1-페닐렌)일]-1H-이소인돌-1,3(2H)-디온 (12). 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(56.55 g, 193.44 mmol, 6 당량)과 옥시디프탈산 이무수물 (10 g, 32.24 mmol)의 혼합물을 불활성 분위기 하에 220℃에서 1시간 동안 가열한 다음, 진공에서 265℃에서 가열하였다. 잔사를 150 ml의 에틸 아세테이트에 용해시키고, 셀리트 상에 흡수시키고, 헥산과 에틸 아세테이트의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 부분 크로마토그래피 정제로 처리하였다. 순수한 삼량체를 함유하는 분획들을 합하고, 회전 증발기를 사용하여 용리액을 증발시키고, 잔사를 글러브박스 내에서 진공에서 1시간 동안 150℃에서 건조시켰다. 화합물 12: 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 5.21 (s, 4H), 6.16 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 3 Hz), 6.22 (t, 2H, J = 2 Hz), 6.33 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 6.66 (t, 2H, J = 2 Hz), 6.74-6.78 (m, 4H), 6.98 (t, 2H, J= 8 Hz), 7.11 (dd, 2H, J1 = 8Hz, J2 = 2 Hz), 7.16 (t, 2H, J = 2Hz), 7.23 (br d, 2H, J = 8 Hz), 7.36 (t, 2H, J = 8 Hz), 7.53 (t, 2H, J = 8 Hz), 7.59-7.52 (m, 4H), 8.04 (d, 2H, J = ). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 166.5, 166.3, 161.3, 159.0, 157.7, 157.3, 156.9, 156.0, 134.9, 133.7, 131.5, 130.7, 130.6, 127.6, 126.56, 125.4, 122.9, 118.6, 117.9, 114.2, 114.0, 113.4, 110.4, 109.4, 106.6, 104.6. 5,5'-oxybis[1,3-phenylenebis(oxy-3,1-phenylen)yl]-1H-isoindole-1,3(2H)-dione (12) . A mixture of 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene (56.55 g, 193.44 mmol, 6 equivalents) and oxydiphthalic dianhydride (10 g, 32.24 mmol) was heated at 220° C. for 1 hour under an inert atmosphere. Then it was heated at 265° C. in vacuum. The residue was dissolved in 150 ml of ethyl acetate, taken up on celite, and subjected to partial chromatographic purification on silica gel using gradient elution with a mixture of hexane and ethyl acetate. Fractions containing pure trimer were combined, the eluent was evaporated using a rotary evaporator, and the residue was dried at 150° C. for 1 hour in vacuum in a glovebox. Compound 12 : 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 5.21 (s, 4H), 6.16 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 3 Hz), 6.22 (t, 2H, J = 2 Hz), 6.33 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 6.66 (t, 2H, J = 2 Hz), 6.74-6.78 (m, 4H), 6.98 (t, 2H, J= 8 Hz), 7.11 (dd, 2H, J1 = 8Hz, J2 = 2 Hz), 7.16 (t, 2H, J = 2Hz), 7.23 (br d, 2H, J = 8 Hz), 7.36 (t, 2H, J = 8 Hz), 7.53 (t, 2H, J = 8 Hz), 7.59-7.52 (m, 4H), 8.04 (d, 2H, J = ). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 166.5, 166.3, 161.3, 159.0, 157.7, 157.3, 156.9, 156.0, 134.9, 133.7, 131.5, 130.7, 130.6, 127.6, 126.56, 125.4, 122.9, 118.6, 117.9, 114.2, 114.0, 113.4, 110.4, 109.4, 106.6, 104.6.

합성 실시예 11Synthesis Example 11

Figure pct00079
Figure pct00079

2,2''-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)(도데카히드로-1,1'',2',3,3''-펜타옥소디스피로[4,7-메타노-5H-이소인돌-5,1'-시클로펜탄-3',5''-[4,7]메타노[5H]-이소인돌 (13). 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(41.66 g, 130.08 mmol, 10 당량) 및 상응하는 스피로시클릭 이무수물(5 g, 13.01 mmol)의 혼합물을 불활성 분위기 하에 220℃에서 1.5시간 동안 가열하였다. 잔사를 에틸 아세테이트에 용해시키고, 셀리트 상에 흡수시키고, 헥산과 에틸 아세테이트 및 헥산과 프로필 아세테이트의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피 정제로 처리하였다. 순수한 생성물을 함유하는 분획들을 합하고, 회전 증발기를 사용하여 용리액을 증발시키고, 잔사를 글러브박스 내에서 진공에서 1시간 동안 150℃에서 건조시켜 8.59 g의 화합물 13을 얻었다. 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 1.30-1.47 (m, 4H), 1.75-2.13 (m, 8H), 2.65 (br. s, 4H), 2.97-3.26 (m, 4H), 5.72 (s, 4H), 6.79 (d, 2H, J = 9 Hz), 6.96-6.97 (m, 4H), 7.43 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.58 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.74 (s ,2H). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 223.8, 223.3, 117.97, 117.93, 117.75, 117.81, 149.5, 138.5, 133.8, 132.6, 132.3, 130.2, 130.1, 129.2, 129.0, 128.75, 128.5, 128.0, 127.9, 127.8, 127.2, 125.7, 125.0, 124.7, 124.6, 123.5, 122.9, 122.2, 121.3, 120.7, 120.0, 116.2, 110.7, 110.6, 66.7, 53.6, 48.0, 47.9, 47.4, 46.7, 45.6, 45.1, 42.0, 33.2, 21.2, 31.9, 30.8, 21.9, 21.1, 10.7. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 57.3, 57.0. 2,2''-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)(dodecahydro-1,1'',2 ',3,3''-pentaoxodispiro[4,7-methano-5H-isoindole-5,1'-cyclopentane-3',5''-[4,7]methano[5H] -Isoindole ( 13 ).A mixture of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (41.66 g, 130.08 mmol, 10 eq) and the corresponding spirocyclic dianhydride (5 g, 13.01 mmol) was placed in an inert atmosphere. And heated for 1.5 h at 220° C. The residue was dissolved in ethyl acetate, taken up on celite, and chromatographic purification on silica gel using gradient elution with hexane and ethyl acetate and a mixture of hexane and propyl acetate. Fractions containing pure product were combined, the eluent was evaporated using a rotary evaporator, and the residue was dried in a glovebox in vacuo at 150° C. for 1 hour to give 8.59 g of compound 13. 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 1.30-1.47 (m, 4H), 1.75-2.13 (m, 8H), 2.65 (br. s, 4H), 2.97-3.26 (m, 4H), 5.72 (s, 4H), 6.79 (d, 2H, J = 9 Hz), 6.96-6.97 (m, 4H), 7.43 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.58 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.74 ( . s, 2H) 13 C- NMR (DMSO-d 6, 125 MHz): 223.8, 223.3, 117.97, 117.93, 117.75, 117.81, 149.5, 138.5, 133.8, 132.6, 132.3, 130.2, 130.1, 129.2, 129.0, 128.75 , 128.5, 128.0, 127.9, 127.8, 127.2, 125.7, 125.0, 124.7, 124.6, 123.5, 122.9, 122.2, 121.3, 120.7, 120.0, 116.2, 110.7, 110.6, 66.7, 53.6, 48. 0, 47.9, 47.4, 46.7, 45.6, 45.1, 42.0, 33.2, 21.2, 31.9, 30.8, 21.9, 21.1, 10.7. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 57.3, 57.0.

합성 실시예 12Synthesis Example 12

Figure pct00080
Figure pct00080

2,2'-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)-[5,5'-비-1H-이소인돌]-1,1',3,3'(2H,2'H)-테트론 (14). 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(113.7 g, 355.1 mmol, 6.3 당량) 및 비페닐테트라카르복실산 이무수물(16.58 g, 56.35 mmol)과 소량의 N-메틸피롤리디논의 혼합물을 불활성 분위기 하에 220℃에서 1시간 동안 가열한 다음, 진공에서 동일한 온도에서 3시간 동안 가열하였다. 혼합물을 냉각시키고, 에틸 아세테이트에 용해시키고, 셀리트 상에 흡수시키고, 헥산과 에틸 아세테이트의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피 정제로 처리하였다. 순수한 생성물을 함유하는 분획들을 합하고, 회전 증발기를 사용하여 200 ml 부피까지 용리액을 증발시키고 결정화된 생성물을 여과에 의해 수집하여 17.57 g의 화합물 14를 얻었다. 순도가 더 낮은 생성물을 함유하는 분획들을 합하고, 용리액을 증발시키고, 잔사를 에틸 아세테이트에 용해시킨 후에, 1 부피의 헥산을 첨가하고, 느린 결정화를 위해 주위 온도에서 정치시켰다. 올리고머 불순물을 함유하는 침전된 생성물을 여과에 의해 수집하여 12.95 g의 순도가 더 낮은 재료를 얻었다. 초기 조 혼합물을 에틸 아세테이트에 용해시키고, 1 부피의 헥산을 첨가하고, 형성된 침전물을 수집함으로써 직접 결정화에 의해, 소량의 올리고머를 함유하는 생성물을 또한 얻을 수 있다. 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 5.73 (s, 4H), 6.81 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 6.99 (d, 2H, J = 2 Hz), 7.02 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.50 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.79 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.98 (d, 2H, J = 2 Hz), 8.14 (d, 2H, J = 8 Hz), 8.43 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 8.50 (s, 2H). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 166.8, 149.6, 144.9, 138.0, 134.4, 133.7, 133.2, 132.7, 132.1, 131.9, 130.3, 128.9, 128.3, 125.1, 124.8, 124.8, 123.0, 122.9, 116.2, 110.7, 110.66. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 57.3, 57.0. 2,2'-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)-[5,5'-bi-1H-isoindole ]-1,1',3,3'(2H,2'H)-tetron ( 14 ). A mixture of 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (113.7 g, 355.1 mmol, 6.3 eq) and biphenyltetracarboxylic dianhydride (16.58 g, 56.35 mmol) with a small amount of N-methylpyrrolidinone Was heated at 220° C. for 1 hour in an inert atmosphere and then heated at the same temperature in vacuum for 3 hours. The mixture was cooled, dissolved in ethyl acetate, taken up on celite, and subjected to chromatographic purification on silica gel using gradient elution with a mixture of hexane and ethyl acetate. Fractions containing pure product were combined, the eluent was evaporated to a volume of 200 ml using a rotary evaporator and the crystallized product was collected by filtration to give 17.57 g of compound 14 . Fractions containing the lower purity product were combined, the eluent was evaporated and the residue was dissolved in ethyl acetate, then 1 volume of hexane was added and allowed to stand at ambient temperature for slow crystallization. The precipitated product containing oligomeric impurities was collected by filtration to give 12.95 g of a lower purity material. The product containing a small amount of oligomer can also be obtained by direct crystallization by dissolving the initial crude mixture in ethyl acetate, adding 1 volume of hexane and collecting the formed precipitate. 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 5.73 (s, 4H), 6.81 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 6.99 (d, 2H, J = 2 Hz), 7.02 (d, 2H, J = 9 Hz), 7.50 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.79 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 7.98 (d, 2H, J = 2 Hz), 8.14 (d, 2H, J = 8 Hz), 8.43 (dd, 2H, J1 = 8 Hz, J2 = 2 Hz), 8.50 (s, 2H). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 166.8, 149.6, 144.9, 138.0, 134.4, 133.7, 133.2, 132.7, 132.1, 131.9, 130.3, 128.9, 128.3, 125.1, 124.8, 124.8, 123.0, 122.9, 116.2, 110.7, 110.66. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 57.3, 57.0.

합성 실시예 13Synthesis Example 13

Figure pct00081
Figure pct00081

도데카히드로-2,2'-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)-[5,5'-비-1H-이소인돌]-1,1',3,3'(2H,2'H)-테트론 (15). 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(52.27 g, 163.24 mmol, 10 당량), 디시클로헥실-3,4,3',4'-테트라카르복실산 이무수물(5 g, 16.32 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(5 ml)의 혼합물을 불활성 분위기 하에 220℃에서 1시간 동안 가열한 다음, 진공에서 동일한 온도에서 1시간 동안 가열하였다. 혼합물을 냉각시키고, 에틸 아세테이트에 용해시키고, 셀리트 상에 흡수시키고, 헥산과 에틸 아세테이트의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피 정제로 처리하였다. 순수한 생성물을 함유하는 분획들을 합하고, 회전 증발기를 사용하여 용리액을 증발시키고, 잔사를 진공에서 150℃에서 건조시켜 8.92 g의 화합물 15를 얻었다. 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 0.99 (br s, 2H), 1.32 (br. s, 4H), 1.61-1.63 (m, 4H), 1.97-2.04 (m, 2H), 2.14-2.17 (m, 2H), 2.99-3.05 (m, 2H), 3.22-3.26 (m, 2H), 5.71 (s, 4H), 6.79 (dd, 2H, J1 = 9 Hz, J2 = 2 Hz), 6.96-6.97 (m, 4H), 7.42 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.61 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.78 (s, 2H). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 179.0, 178.4, 149.5, 138.1, 133.6, 132.64, 132.57, 132.55, 130.1, 128.3, 125.7, 123.5, 122.3, 120.0, 116.2, 110.67, 110.63, 110.59, 29.34, 29.25, 25.52, 21.69, 21.66. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 57.25, 57.22, 57.06, 57.04. Dodecahydro-2,2'-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)-[5,5'-bi- 1H-isoindole]-1,1',3,3'(2H,2'H)-tetron ( 15 ). 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (52.27 g, 163.24 mmol, 10 eq), dicyclohexyl-3,4,3',4'-tetracarboxylic dianhydride (5 g, 16.32 mmol) ) And N-methylpyrrolidinone (5 ml) were heated under an inert atmosphere at 220° C. for 1 hour, and then heated in vacuum at the same temperature for 1 hour. The mixture was cooled, dissolved in ethyl acetate, taken up on celite, and subjected to chromatographic purification on silica gel using gradient elution with a mixture of hexane and ethyl acetate. Fractions containing pure product were combined, the eluent was evaporated using a rotary evaporator, and the residue was dried at 150° C. in vacuo to give 8.92 g of compound 15 . 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 0.99 (br s, 2H), 1.32 (br. s, 4H), 1.61-1.63 (m, 4H), 1.97-2.04 (m, 2H), 2.14 -2.17 (m, 2H), 2.99-3.05 (m, 2H), 3.22-3.26 (m, 2H), 5.71 (s, 4H), 6.79 (dd, 2H, J1 = 9 Hz, J2 = 2 Hz), 6.96-6.97 (m, 4H), 7.42 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.61 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.78 (s, 2H). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 179.0, 178.4, 149.5, 138.1, 133.6, 132.64, 132.57, 132.55, 130.1, 128.3, 125.7, 123.5, 122.3, 120.0, 116.2, 110.67, 110.63, 110.59, 29.34, 29.25, 25.52, 21.69, 21.66. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 57.25, 57.22, 57.06, 57.04.

합성 실시예 14Synthesis Example 14

Figure pct00082
Figure pct00082

11-메틸-2,8-비스(2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4'-아미노-1,1'-비페닐-4-일)-11-(트리플루오로메틸)-1H-피라노[2,3-f:5,6-f']디이소인돌-1,3,7,9(2H,8H,11H)-테트론 (16). 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(51 g, 159.26 mmol, 10 당량), 상응하는 잔텐 테트라카르복실산 이무수물(10.2 g, 25.23 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(25 ml)의 혼합물을 불활성 분위기 하에 220℃에서 1시간 동안 가열한 다음, 진공에서 동일한 온도에서 1시간 동안 가열하였다. 혼합물을 에틸 아세테이트에 용해시키고, 셀리트 상에 흡수시키고, 헥산과 에틸 아세테이트의 혼합물에 의한 구배 용리를 사용하여 실리카 겔 상의 크로마토그래피 정제로 처리하였다. 순수한 생성물을 함유하는 분획들을 합하고, 회전 증발기를 사용하여 용리액을 증발시키고, 잔사를 진공에서 건조시켜 16.62 g의 화합물 16을 얻었다. 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 2.39 (s, 3H), 5.74 (s, 4H), 6.82 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.00-7.03 (m, 4H), 7.51 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.78 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.91 (s, 2H), 7.97 (d, 2H, J = 2 Hz), 8.51 (s, 2H). 13C-NMR (DMSO-d6, 125 MHz): 170.8, 166.1, 165.7, 155.5, 149.6, 138.2, 134.8, 133.8, 132.7, 132.0, 130.3, 128.8, 128.1, 127.9, 125.8, 125.6, 125.1, 124.9, 124.6, 123.6, 122.6, 122.3, 121.4, 120.8, 116.2, 112.9, 110.73, 110.69, 110.64, 45.0, 19.8. 19F-NMR (DMSO-d6, 470 MHz): 75.5, 57,4, 57.0. 11-Methyl-2,8-bis(2,2'-bis(trifluoromethyl)-4'-amino-1,1'-biphenyl-4-yl)-11-(trifluoromethyl)- 1H-pyrano[2,3-f:5,6-f']diisoindole-1,3,7,9(2H,8H,11H)-tetron ( 16 ). 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (51 g, 159.26 mmol, 10 eq), the corresponding xanthene tetracarboxylic dianhydride (10.2 g, 25.23 mmol) and N-methylpyrrolidinone (25 ml) ) Was heated at 220° C. for 1 hour under an inert atmosphere, and then heated in vacuum at the same temperature for 1 hour. The mixture was dissolved in ethyl acetate, taken up on celite, and subjected to chromatographic purification on silica gel using gradient elution with a mixture of hexane and ethyl acetate. Fractions containing pure product were combined, the eluent was evaporated using a rotary evaporator, and the residue was dried in vacuo to give 16.62 g of compound 16 . 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 2.39 (s, 3H), 5.74 (s, 4H), 6.82 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.00-7.03 (m, 4H), 7.51 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.78 (d, 2H, J = 8 Hz), 7.91 (s, 2H), 7.97 (d, 2H, J = 2 Hz), 8.51 (s, 2H). 13 C-NMR (DMSO-d 6 , 125 MHz): 170.8, 166.1, 165.7, 155.5, 149.6, 138.2, 134.8, 133.8, 132.7, 132.0, 130.3, 128.8, 128.1, 127.9, 125.8, 125.6, 125.1, 124.9, 124.6, 123.6, 122.6, 122.3, 121.4, 120.8, 116.2, 112.9, 110.73, 110.69, 110.64, 45.0, 19.8. 19 F-NMR (DMSO-d 6 , 470 MHz): 75.5, 57,4, 57.0.

합성 실시예 15Synthesis Example 15

Figure pct00083
Figure pct00083

2,6-비스[4-[(4-아미노페닐)술포닐]페닐]-벤조[1,2-c:4,5-c']디피롤-1,3,5,7(2H,6H)-테트론 (17). 4,4'-술포닐비스[벤젠아민](56.92 g, 229.2 mmol, 5 당량), 피로멜리트산 이무수물(10 g, 45.84 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(100 ml)을 1.5시간 동안 질소 분위기 하에서 교반하면서 177℃에서 가열하였다. 반응 혼합물을 냉각시키고, 에틸 아세테이트(200 ml)로 희석하고, 여과하고, 에틸 아세테이트로 세척하고, 진공에서 건조시켜, 대략 10%의 더 고차 올리고머 생성물을 함유하는 26 g의 조 생성물을 얻었고, 이를 추가 정제 없이 중합에 사용하였다. 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 6.22 (s 4H), 6.64 (d, 4H, J = 9 Hz), 7.59 (d, 4H, J = 9 Hz), 7.72 (d, 4H, J = 9 Hz), 8.02 (d, 4H, J = 9 Hz), 8.40 (s, 2H). 2,6-bis[4-[(4-aminophenyl)sulfonyl]phenyl]-benzo[1,2-c:4,5-c']dipyrrole-1,3,5,7(2H,6H )-Tetron ( 17 ). 4,4'-sulfonylbis[benzeneamine] (56.92 g, 229.2 mmol, 5 eq), pyromellitic dianhydride (10 g, 45.84 mmol) and N-methylpyrrolidinone (100 ml) for 1.5 hours It was heated at 177°C while stirring under a nitrogen atmosphere. The reaction mixture was cooled, diluted with ethyl acetate (200 ml), filtered, washed with ethyl acetate and dried in vacuo to give 26 g of crude product containing approximately 10% higher oligomer product, which It was used for polymerization without further purification. 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 6.22 (s 4H), 6.64 (d, 4H, J = 9 Hz), 7.59 (d, 4H, J = 9 Hz), 7.72 (d, 4H, J = 9 Hz), 8.02 (d, 4H, J = 9 Hz), 8.40 (s, 2H).

합성 실시예 16Synthesis Example 16

질소 스위프 하에서의 딘-스타크(Dean-Stark) 트랩, 및 교반 막대가 장착된 500 mL 둥근바닥 플라스크를 22.41 g의 TFMB(0.07 mol) 및 250.71 g의 1-메틸-2-피롤리디논(NMP)으로 충전하였다. 혼합물을 약 30분 동안 실온에서 질소 하에 교반하였다. 그 후에, 디아민의 교반하는 용액에 26.74 g(0.06 mol)의 6FDA를 조금씩 천천히 첨가하였다. 이무수물 첨가의 완료 후에, 추가 27.86 g의 NMP를 사용하여 용기 및 플라스크의 벽으로부터 임의의 잔류 이무수물 분말을 세척하고 생성된 혼합물을 실온에서 하룻밤 교반하였다. 그 후에, 80 mL의 m-자일렌을 혼합물에 첨가하고 8시간 동안 환류시켜 딘-스타크 트랩으로 물을 제거하였다. 혼합물을 실온으로 냉각시킨 후에, 교반하면서 1,500 mL의 메탄올 중에 침전시키고, 생성된 현탁액을 여과하고, 수집된 고체를 진공 하에 건조시켰다.A 500 mL round-bottom flask equipped with a Dean-Stark trap under a nitrogen sweep, and a stir bar, with 22.41 g of TFMB (0.07 mol) and 250.71 g of 1-methyl-2-pyrrolidinone (NMP). Charged. The mixture was stirred for about 30 minutes at room temperature under nitrogen. After that, 26.74 g (0.06 mol) of 6FDA was slowly added little by little to the stirring solution of diamine. After completion of the dianhydride addition, an additional 27.86 g of NMP was used to wash any residual dianhydride powder from the walls of the vessel and flask and the resulting mixture was stirred at room temperature overnight. Thereafter, 80 mL of m-xylene was added to the mixture and refluxed for 8 hours to remove water with a Dean-Stark trap. After the mixture was cooled to room temperature, it was precipitated in 1,500 mL of methanol with stirring, the resulting suspension was filtered and the collected solid was dried under vacuum.

생성된 디아민 단량체는 분자량이 약 5,000 Da였다. 따라서, 코어에 약 7개의 반복 디이미드를 가졌다(화학식 I에서 m이 약 7임). 이 고체를 추가 분리 또는 정제 없이 이무수물(들)과의 반응에 사용하여 폴리아믹산 중합체를 형성하였다.The resulting diamine monomer had a molecular weight of about 5,000 Da. Thus, it had about 7 repeating diimides in the core (m is about 7 in Formula I). This solid was used for reaction with the dianhydride(s) without further separation or purification to form a polyamic acid polymer.

합성 실시예 17Synthesis Example 17

Figure pct00084
Figure pct00084

6,6'-(술포닐디-4,1-페닐렌)비스-1H-푸로[3,4-f]이소인돌-1,3,5,7(6H)-테트론 (33). 피로멜리트산 일무수물의 합성. 400 ml의 THF 중 피로멜리트산 이무수물(43.6 g, 0.2 mol)의 교반되는 용액에 주위 온도에서 48시간의 기간에 걸쳐 30 ml의 테트라히드로푸란과 5 ml의 물의 혼합물을 첨가하였다. 그 후에, 회전 증발기를 사용하여 250 ml의 테트라히드로푸란을 증발시키고, 생성된 용액을 침전이 일어날 때까지 헥산(100 ml)으로 처리하였다. 침전물을 여과에 의해 제거하였다. 여과액을 -24℃에서 3시간 동안 유지하였다. 침전물을 여과하고, 진공에서 건조시켜 14.9 g의 생성물을 얻었다. -24℃에서 하룻밤 형성된 추가량의 생성물을 여과하고, 진공에서 건조시켜 6.85 g의 생성물을 얻었다. 1H-NMR (아세톤-d6, 500 MHz): 6.39 (s 2H), 12.46 (br. s, 2H). 6,6'-(sulfonyldi-4,1-phenylene)bis-1H-furo[3,4-f]isoindole-1,3,5,7(6H)-tetron ( 33 ). Synthesis of pyromellitic anhydride. To a stirred solution of pyromellitic dianhydride (43.6 g, 0.2 mol) in 400 ml THF was added a mixture of 30 ml tetrahydrofuran and 5 ml water over a period of 48 hours at ambient temperature. After that, 250 ml of tetrahydrofuran was evaporated using a rotary evaporator, and the resulting solution was treated with hexane (100 ml) until precipitation occurred. The precipitate was removed by filtration. The filtrate was maintained at -24°C for 3 hours. The precipitate was filtered and dried in vacuo to give 14.9 g of product. An additional amount of product formed overnight at -24° C. was filtered and dried in vacuo to give 6.85 g of product. 1 H-NMR (acetone-d 6 , 500 MHz): 6.39 (s 2H), 12.46 (br. s, 2H).

상기 피로멜리트산 일무수물(28.16 g, 119.26 mmol, 2.3 당량)을 주위 온도에서 1시간 동안 200 ml의 건조 테트라히드로푸란 중 4,4'-술포닐비스[벤젠아민](12.97 g, 52.2 mmol)과 함께 교반하였다. 혼합물을 아세톤(100 ml)으로 희석하고, 아세톤으로 세척하면서, 실리카 겔로 충전된 컬럼에 통과시켰다. 생성물을 함유하는 분획들을 합하고, 회전 증발기를 사용하여 용매를 증발시키고, 잔사를 대략 500 ml의 물로 처리하고, 미세한 침전물을 여과하고, 물로 세척하고, 진공에서 건조시켜 아믹 헥사산(amic hexaacid)(31.1 g)을 얻었다: 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 7.78 (s, 2H), 7.86 (d, 4H, J = 9 Hz), 7.91 (d, 4H, J = 9 Hz), 8.16 (s, 2H), 10.89 (s, 2H), 13.56 (br. s, 6H).The pyromellitic monoanhydride (28.16 g, 119.26 mmol, 2.3 eq) was added to 4,4'-sulfonylbis[benzeneamine] (12.97 g, 52.2 mmol) in 200 ml of dry tetrahydrofuran for 1 hour at ambient temperature. And stirred together. The mixture was diluted with acetone (100 ml), washed with acetone, and passed through a column packed with silica gel. The fractions containing the product are combined, the solvent is evaporated using a rotary evaporator, the residue is treated with approximately 500 ml of water, the fine precipitate is filtered off, washed with water and dried in vacuo to amic hexaacid ( 31.1 g) was obtained: 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 7.78 (s, 2H), 7.86 (d, 4H, J = 9 Hz), 7.91 (d, 4H, J = 9 Hz) , 8.16 (s, 2H), 10.89 (s, 2H), 13.56 (br. s, 6H).

상기 아믹 헥사산(31.1 g)을 질소 분위기 하에 2시간 동안 아세트산 무수물(300 ml) 중에서 환류에서 가열하면서 교반하였다. 뜨거운 반응 혼합물을 여과하고, 50 ml의 아세트산 무수물, 디클로로메탄(50 ml)으로 세척하고, 150 ml의 클로로포름 중에 현탁시키고, 여과하고, 진공에서 건조시켜 20.9 g의 화합물 33을 얻었다: 1H-NMR (DMSO-d6, 500 MHz): 7.81 (d, 4H, J = 9 Hz), 8.23 (d, 4H, J = 9 Hz), 8.57 (s, 4H).The amic hexa acid (31.1 g) was stirred while heating at reflux in acetic anhydride (300 ml) for 2 hours under a nitrogen atmosphere. The hot reaction mixture was filtered, washed with 50 ml of acetic anhydride, dichloromethane (50 ml), suspended in 150 ml of chloroform, filtered and dried in vacuo to give 20.9 g of compound 33 : 1 H-NMR (DMSO-d 6 , 500 MHz): 7.81 (d, 4H, J = 9 Hz), 8.23 (d, 4H, J = 9 Hz), 8.57 (s, 4H).

중합체 실시예Polymer Example

이들 실시예는 화학식 II를 갖는 폴리아믹산의 제조를 예시한다.These examples illustrate the preparation of polyamic acids having Formula II.

중합체 실시예 1 Polymer Example 1

Figure pct00085
Figure pct00085

중합체 1. 화합물 6과 BPDA의 중합: Polymer 1. Polymerization of compound 6 and BPDA:

디이미드-디아민 단량체 6(5.23 g, 5.60 mmol), BPDA(1.616 g, 5.488 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(38 ml)을 250 ml 유리 반응기에 첨가하고, 7283 cP의 폴리아믹산의 최종 점도까지 혼합물을 질소 분위기 하에 주위 온도에서 교반하였다. GPC: Mn = 73713, Mw = 139448, Mp = 121967, Mz = 222437, PDI = 1.89. 1H-NMR: (DMSO-d6, 500 MHz): 1.08 (s, 9H), 2.78-3.10 (m, 6H), 3.36 (br. s, 1H), 3.54 (br. s, 1H), 6.24 (br. d, 1H, J = 6 Hz), 7.44-8.36 (m, 18H), 10.90 (br. s, 2H), 13.30 (br. s, 2H).Diimide-diamine monomer 6 (5.23 g, 5.60 mmol), BPDA (1.616 g, 5.488 mmol) and N-methylpyrrolidinone (38 ml) were added to a 250 ml glass reactor, and the final viscosity of 7283 cP polyamic acid Until the mixture was stirred at ambient temperature under a nitrogen atmosphere. GPC: Mn = 73713, Mw = 139448, Mp = 121967, Mz = 222437, PDI = 1.89. 1 H-NMR: (DMSO-d 6 , 500 MHz): 1.08 (s, 9H), 2.78-3.10 (m, 6H), 3.36 (br. s, 1H), 3.54 (br. s, 1H), 6.24 (br. d, 1H, J = 6 Hz), 7.44-8.36 (m, 18H), 10.90 (br. s, 2H), 13.30 (br. s, 2H).

중합체 실시예 2 Polymer Example 2

Figure pct00086
Figure pct00086

중합체 2. 화합물 2와 BPDA의 중합: Polymer 2. Polymerization of Compound 2 and BPDA:

조 반응 혼합물로부터의 직접 결정화에 의해 수득하고 프로필 아세테이트로부터 재결정화한 디이미드-디아민 단량체 2(2 g, 2.41 mmol), BPDA(0.689 g, 2.34 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(15.2 g)을, 롤러를 사용하여 혼합하고, 11620 cP의 폴리아믹산의 최종 점도까지 주위 온도에서 반응되게 두었다. GPC: Mn=127781, Mw=300128, Mp=258512, Mz=496954, PDI=2.35. 1H-NMR: (DMSO-d6, 500 MHz): 2.05 (br. s, 2H), 2.35 (br. s,24H), 3.30 (br. s, 4H), 7.41-8.34 (m, 18H), 10.89 (br. s, 2H), 13.30 (br. s, 2H).Diimide-diamine monomer 2 (2 g, 2.41 mmol), BPDA (0.689 g, 2.34 mmol) and N-methylpyrrolidinone (15.2 g) obtained by direct crystallization from the crude reaction mixture and recrystallized from propyl acetate Was mixed using a roller and allowed to react at ambient temperature to a final viscosity of 11620 cP of polyamic acid. GPC: Mn=127781, Mw=300128, Mp=258512, Mz=496954, PDI=2.35. 1 H-NMR: (DMSO-d 6 , 500 MHz): 2.05 (br. s, 2H), 2.35 (br. s, 24H), 3.30 (br. s, 4H), 7.41-8.34 (m, 18H) , 10.89 (br. s, 2H), 13.30 (br. s, 2H).

중합체 실시예 3 Polymer Example 3

Figure pct00087
Figure pct00087

중합체 3. 화합물 4와 BPDA의 중합: Polymer 3. Polymerization of Compound 4 and BPDA:

디이미드-디아민 단량체 4(6.70 g, 7.84 mmol), BPDA(2.237 g, 7.60 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(50 ml)을 250 ml 유리 반응기에 첨가하고, 7890 cP의 폴리아믹산의 최종 점도까지, 혼합물을 질소 분위기 하에 주위 온도에서 교반한 후에 최종 PMDA(39 mg)를 첨가하였다. GPC: Mn = 88795, Mw = 175396, Mp = 168430, Mz = 282955, PDI = 1.98. 1H-NMR: (DMSO-d6, 500 MHz): 1.56 (br. s, 4H), 2.63 (br. s, 2H), 3.43 (br. s, 4H), 7.44-8.36 (m, 18H), 10.90 (br. s, 2H), 13.30 (br. s, 2H).Diimide-diamine monomer 4 (6.70 g, 7.84 mmol), BPDA (2.237 g, 7.60 mmol) and N-methylpyrrolidinone (50 ml) were added to a 250 ml glass reactor, and the final viscosity of 7890 cP polyamic acid Until, the mixture was stirred at ambient temperature under a nitrogen atmosphere before the final PMDA (39 mg) was added. GPC: Mn = 88795, Mw = 175396, Mp = 168430, Mz = 282955, PDI = 1.98. 1 H-NMR: (DMSO-d 6 , 500 MHz): 1.56 (br. s, 4H), 2.63 (br. s, 2H), 3.43 (br. s, 4H), 7.44-8.36 (m, 18H) , 10.90 (br. s, 2H), 13.30 (br. s, 2H).

중합체 실시예 4Polymer Example 4

Figure pct00088
Figure pct00088

중합체 4. 화합물 5와 BPDA의 중합: Polymer 4. Polymerization of compound 5 and BPDA:

디이미드-디아민 단량체 5(6.71 g, 7.87 mmol), BPDA (2.246 g, 7.63 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(50 ml)을 250 ml 유리 반응기에 첨가하고, 6033 cP의 폴리아믹산의 최종 점도까지, 혼합물을 질소 분위기 하에 주위 온도에서 교반한 후에 최종 PMDA(39 mg)를 첨가하였다. GPC: Mn = 93567, Mw = 184524, Mp = 178922, Mz = 297891, PDI = 1.97. 1H-NMR: (DMSO-d6, 500 MHz): 3.49 (br. s, 4H), 3.59 (br. s, 2H), 6.40 (s, 2H), 7.41-8.34 (m, 18H), 10.89 (br. s, 2H), 13.26 (br. s, 2H).Diimide-diamine monomer 5 (6.71 g, 7.87 mmol), BPDA (2.246 g, 7.63 mmol) and N-methylpyrrolidinone (50 ml) were added to a 250 ml glass reactor, and the final viscosity of 6033 cP polyamic acid Until, the mixture was stirred at ambient temperature under a nitrogen atmosphere before the final PMDA (39 mg) was added. GPC: Mn = 93567, Mw = 184524, Mp = 178922, Mz = 297891, PDI = 1.97. 1 H-NMR: (DMSO-d 6 , 500 MHz): 3.49 (br. s, 4H), 3.59 (br. s, 2H), 6.40 (s, 2H), 7.41-8.34 (m, 18H), 10.89 (br. s, 2H), 13.26 (br. s, 2H).

중합체 실시예 5 Polymer Example 5

Figure pct00089
Figure pct00089

중합체 5. 화합물 9와 BPDA의 중합:Polymer 5. Polymerization of compound 9 and BPDA:

디이미드-디아민 단량체 9(3 g, 3.316 mmol), BPDA(0.956 g, 3.25 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(22.6 g)을 불활성 분위기 하에 롤러를 사용하여 혼합하고, 3135 cP의 폴리아믹산의 최종 점도까지, 주위 온도에서 반응되게 둔 후에 PMDA(7 mg)를 첨가하였다. GPC: Mn= 106690, Mw= 240045, Mp= 210783, Mz= 420038, PDI=2.25.Diimide-diamine monomer 9 (3 g, 3.316 mmol), BPDA (0.956 g, 3.25 mmol) and N-methylpyrrolidinone (22.6 g) were mixed using a roller under an inert atmosphere, and 3135 cP of polyamic acid PMDA (7 mg) was added after allowing to react at ambient temperature to final viscosity. GPC: Mn = 106690, Mw = 240045, Mp = 210783, Mz = 420038, PDI = 2.25.

중합체 실시예 6 Polymer Example 6

Figure pct00090
Figure pct00090

중합체 6. 화합물 8과 BPDA의 중합:Polymer 6. Polymerization of compound 8 and BPDA:

디이미드-디아민 단량체 8(2.572 g, 3.157 mmol), BPDA(0.91 g, 3.093 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(19.8 g)을 불활성 분위기 하에 롤러를 사용하여 혼합하고, 7779 cP의 폴리아믹산의 최종 점도까지, 주위 온도에서 반응되게 둔 후에 PMDA(10 mg)를 첨가하였다. GPC: Mn= 92903, Mw= 175925, Mp= 165061, Mz= 278182, PDI=1.89.Diimide-diamine monomer 8 (2.572 g, 3.157 mmol), BPDA (0.91 g, 3.093 mmol) and N-methylpyrrolidinone (19.8 g) were mixed using a roller under an inert atmosphere, and 7779 cP of polyamic acid PMDA (10 mg) was added after allowing to react at ambient temperature to final viscosity. GPC: Mn = 92903, Mw = 175925, Mp = 165061, Mz = 278182, PDI = 1.89.

중합체 실시예 7 Polymer Example 7

Figure pct00091
Figure pct00091

중합체 7. 화합물 11 및 12와 옥시디프탈산 무수물의 중합Polymer 7. Polymerization of compounds 11 and 12 with oxydiphthalic anhydride

디이미드-디아민 단량체 11(1.799 g, 1.192 mmol), 디이미드 단량체 12(0.171 g, 0.199 mmol), 옥시디프탈산 무수물(0.42 g, 1.354 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(13.6 g)을 불활성 분위기 하에 롤러를 사용하여 혼합하고, 주위 온도에서 반응되게 둔 후에 옥시디프탈산 무수물(10 mg)을 첨가하였다. GPC: Mn= 52301, Mw= 124710, Mp= 109452, Mz= 205698, PDI=2.38.Diimide-diamine monomer 11 (1.799 g, 1.192 mmol), diimide monomer 12 (0.171 g, 0.199 mmol), oxydiphthalic anhydride (0.42 g, 1.354 mmol) and N-methylpyrrolidinone (13.6 g) are inactive Mixing using a roller under atmosphere, and after allowing to react at ambient temperature, oxydiphthalic anhydride (10 mg) was added. GPC: Mn = 52301, Mw = 124710, Mp = 109452, Mz = 205698, PDI = 2.38.

중합체 실시예 8 Polymer Example 8

Figure pct00092
Figure pct00092

중합체 8. 화합물 15와 BPDA의 중합:Polymer 8. Polymerization of compound 15 and BPDA:

디이미드-디아민 단량체 15(8.5 g, 9.33 mmol), BPDA(2.73 g, 9.29 mmol) 및 N-메틸피롤리디논(63.6 g)을 250 ml 유리 반응기에 첨가하고, 4339 cP의 폴리아믹산의 최종 점도까지 혼합물을 질소 분위기 하에 주위 온도에서 교반하였다. GPC: Mn = 104310, Mw = 234898, Mp = 222275, Mz = 378468, PDI = 2.25.Diimide-diamine monomer 15 (8.5 g, 9.33 mmol), BPDA (2.73 g, 9.29 mmol) and N-methylpyrrolidinone (63.6 g) were added to a 250 ml glass reactor, and the final viscosity of 4339 cP polyamic acid Until the mixture was stirred at ambient temperature under a nitrogen atmosphere. GPC: Mn = 104310, Mw = 234898, Mp = 222275, Mz = 378468, PDI = 2.25.

중합체 실시예 9 Polymer Example 9

중합체 9:Polymer 9:

질소 입구 및 출구, 및 기계적 교반기가 장착된 250 mL 반응 플라스크에, 3.46 g의 TFMB(0.0108 mol), 6.51 g의 화합물 9(0.0072 mol), 및 88.58 g의 1-메틸-2-피롤리디논(NMP)을 충전하였다. 혼합물을 약 30분 동안 실온에서 질소 하에 교반하였다. 그 후에, 디아민의 교반하는 용액에 3.64 g(0.009 mol)의 XFDA를 조금씩 천천히 첨가한 후에 3.76 g(0.00846 mol)의 6FDA를 첨가하였다. 이무수물 첨가의 완료 후에, 추가 9.84 g의 NMP를 사용하여 용기 및 반응 플라스크의 벽으로부터 임의의 잔류 이무수물 분말을 세척하였다. 그리고 생성된 혼합물을 6일 동안 교반하였다. 별도로, NMP 중 6FDA의 5% 용액을 제조하고, 시간에 걸쳐 소량씩(약 0.8 g) 첨가하여 중합체의 분자량과 중합체 용액의 점도를 증가시켰다. 시험을 위해 반응 플라스크로부터 소량의 샘플을 꺼내 Brookfield 원추 평판 점도계(cone and plate viscometry)를 사용해 용액 점도를 모니터링하였다. 총 3.2 g의 이러한 피니싱 용액(finishing solution)을 첨가하였다(0.16 g, 0.00036 mol 6FDA). 온건한 교반 하에 실온에서 하룻밤 반응을 진행시켜 중합체 평형이 되도록 하였다. 중합체 용액의 최종 점도는 25℃에서 1,100 cP였다.In a 250 mL reaction flask equipped with a nitrogen inlet and outlet, and a mechanical stirrer, 3.46 g of TFMB (0.0108 mol), 6.51 g of compound 9 (0.0072 mol), and 88.58 g of 1-methyl-2-pyrrolidinone ( NMP) was charged. The mixture was stirred for about 30 minutes at room temperature under nitrogen. Then, 3.64 g (0.009 mol) of XFDA was slowly added little by little to the stirring solution of diamine, followed by the addition of 3.76 g (0.00846 mol) of 6FDA. After completion of the dianhydride addition, an additional 9.84 g of NMP was used to wash the vessel and any residual dianhydride powder from the walls of the reaction flask. And the resulting mixture was stirred for 6 days. Separately, a 5% solution of 6FDA in NMP was prepared and added in small portions (about 0.8 g) over time to increase the molecular weight of the polymer and the viscosity of the polymer solution. For testing, a small sample was taken from the reaction flask and the solution viscosity was monitored using a Brookfield cone and plate viscometry. A total of 3.2 g of this finishing solution was added (0.16 g, 0.00036 mol 6FDA). The reaction was allowed to proceed overnight at room temperature under gentle agitation to bring the polymer to equilibrium. The final viscosity of the polymer solution was 1,100 cP at 25°C.

중합체 실시예 10 내지 14Polymer Examples 10-14

중합체 실시예 9와 유사한 절차를 사용하여 중합체 10 내지 14를 제조하였다. 중합체 조성물이 하기 표 1에 제공되어 있다.Polymers 10-14 were prepared using a procedure similar to Polymer Example 9. The polymer composition is provided in Table 1 below.

[표 1] [Table 1]

중합체 조성물Polymer composition

Figure pct00093
Figure pct00093

Figure pct00094
Figure pct00094

중합체 실시예 15 Polymer Example 15

중합체 15. 원위치에서 사전 이미드화된 비시클로옥탄테트라카르복실산 이무수물과 6FDA, BPDA의 중합.Polymer 15. Polymerization of 6FDA and BPDA with pre-imidated bicyclooctanetetracarboxylic dianhydride in situ.

2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(11.902 g, 37.17 mmol), 비시클로[2.2.2]옥탄-2,3:5,6-테트라카르복실산 이무수물(6.51 g, 26.02 mmol) 및 20 ml의 N-메틸피롤리디논의 혼합물을 불활성 분위기 하에 2.5시간 동안 딘-스타크 장치로 180℃에서 가열하였다. 그 후에, N-메틸피롤리디논을 진공에서 증류시켰다. 생성된 유리질 잔사의 NMR 스펙트럼 데이터는 완전한 이미드화를 나타내었다. 고형물을 150℃에서 N-메틸피롤리디논에 재용해시키고, 유리 반응기로 옮기고, 주위 온도에서 질소 분위기 하에 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물 BPDA(1.094 g, 3.717 mmol), 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴비스프탈산 이무수물 6FDA(2.808 g, 6.32 mmol)과 함께 교반하였는데, N-메틸피롤리디논의 총량은 129 g이었다. 그 후에, 10430 cP의 최종 점도까지 추가량의 6FDA(총 480 mg, 1.08 mmol)를 첨가하였다. GPC: Mn = 88006, Mw = 205641, Mp = 201618, Mz = 335818, PDI = 2.34.2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (11.902 g, 37.17 mmol), bicyclo[2.2.2]octane-2,3:5,6-tetracarboxylic dianhydride (6.51 g, 26.02 mmol) ) And 20 ml of N-methylpyrrolidinone were heated at 180° C. with a Dean-Stark apparatus for 2.5 hours under an inert atmosphere. After that, N-methylpyrrolidinone was distilled off in vacuo. The NMR spectral data of the resulting glassy residue showed complete imidization. The solid was redissolved in N-methylpyrrolidinone at 150° C., transferred to a glass reactor, and 3,3′,4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride BPDA (1.094 g, under nitrogen atmosphere at ambient temperature, 3.717 mmol), 4,4'-hexafluoroisopropylidenebisphthalic acid dianhydride 6FDA (2.808 g, 6.32 mmol) was stirred, and the total amount of N-methylpyrrolidinone was 129 g. Then, an additional amount of 6FDA (total 480 mg, 1.08 mmol) was added to a final viscosity of 10430 cP. GPC: Mn = 88006, Mw = 205641, Mp = 201618, Mz = 335818, PDI = 2.34.

중합체 실시예 16Polymer Example 16

중합체 16. 원위치에서 사전 이미드화된 노르보르난-2-스피로-α-시클로펜타논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산 이무수물(CpODA)과 BPDA의 중합.Polymer 16. Norbornane-2-spiro-α-cyclopentanone-α'-spiro-2''-norbornane-5,5'',6,6''-tetracar pre-imidated in situ Polymerization of acid dianhydride (CpODA) and BPDA.

2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(5.95 g, 18.58 mmol), 노르보르난-2-스피로-α-시클로펜타논-α'-스피로-2''-노르보르난-5,5'',6,6''-테트라카르복실산 이무수물 CpODA(5.0 g, 13.08 mmol) 및 6 ml의 N-메틸피롤리디논의 혼합물을 불활성 분위기 하에 3시간 동안 딘-스타크 장치로 180℃에서 가열한 후에, 6 ml의 N-메틸피롤리디논을 첨가하고 혼합물을 추가 3시간 동안 가열하였다. 그 후에, N-메틸피롤리디논을 진공에서 증류시켰다. 고형물을 N-메틸피롤리디논(71 g)에 재용해시키고, 유리 반응기로 옮기고, 22860 cP의 최종 점도까지, 질소 분위기 하에 주위 온도에서 3,3',4,4'-비페닐테트라카르보시클릭 이무수물 BPDA(1.53 g, 5.20 mmol)와 함께 교반한 후에 피로멜리트산 이무수물 PMDA(62 mg)를 첨가하였다. GPC: Mn = 80956, Mw = 188020, Mp = 169907, Mz = 313930, PDI = 2.32.2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (5.95 g, 18.58 mmol), norbornane-2-spiro-α-cyclopentanone-α'-spiro-2''-norbornane-5, A mixture of 5``,6,6''-tetracarboxylic dianhydride CpODA (5.0 g, 13.08 mmol) and 6 ml of N-methylpyrrolidinone was added at 180° C. for 3 hours under an inert atmosphere with a Dean-Stark apparatus. After heating at, 6 ml of N-methylpyrrolidinone were added and the mixture was heated for an additional 3 hours. After that, N-methylpyrrolidinone was distilled off in vacuo. The solid was redissolved in N-methylpyrrolidinone (71 g), transferred to a glass reactor, and 3,3',4,4'-biphenyltetracarbosi at ambient temperature under a nitrogen atmosphere to a final viscosity of 22860 cP. After stirring with click dianhydride BPDA (1.53 g, 5.20 mmol), pyromellitic dianhydride PMDA (62 mg) was added. GPC: Mn = 80956, Mw = 188020, Mp = 169907, Mz = 313930, PDI = 2.32.

중합체 실시예 17 Polymer Example 17

중합체 17. 원위치에서 사전 이미드화된 비시클로옥탄테트라카르복실산 이무수물과 PMDA, BPDA의 중합.Polymer 17. Polymerization of PMDA and BPDA with pre-imidated bicyclooctanetetracarboxylic dianhydride in situ.

PMDA를 6FDA 대신에 사용한 점을 제외하고는, 중합체15에 대해 상기에 기재된 바와 같이 중합체 17을 제조하였다. Polymer 17 was prepared as described above for Polymer 15, except that PMDA was used in place of 6FDA.

중합체 실시예 18Polymer Example 18

중합체 18:Polymer 18:

Figure pct00095
Figure pct00095

디이미드-이무수물 단량체 33(2.485 g), 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘(1.179 g) 및 N-메틸피롤리디논(20 g)을 용해시키고, 불활성 분위기 하에 롤러를 사용하여 혼합하고, 7112 cP의 최종 점도까지, 주위 온도에서 반응되게 둔 후에 피로멜리트산 이무수물(25 mg)을 첨가하였다. GPC: Mn = 92432, Mw = 197099, Mp = 173514. Mz = 347413, PDI = 2.13Diimide-dianhydride monomer 33 (2.485 g), 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine (1.179 g) and N-methylpyrrolidinone (20 g) were dissolved, and a roller was used under an inert atmosphere. The mixture was mixed and allowed to react at ambient temperature to a final viscosity of 7112 cP, and then pyromellitic dianhydride (25 mg) was added. GPC: Mn = 92432, Mw = 197099, Mp = 173514.Mz = 347413, PDI = 2.13

필름 실시예Film example

이들 실시예는 화학식 IV를 갖는 폴리이미드 필름의 제조를 예시한다.These examples illustrate the preparation of a polyimide film having Formula IV.

Hunter Lab 분광광도계를 사용하여 350 nm 내지 780 nm의 파장 범위에 걸쳐 투과율 %(%T)와 함께 b* 및 황변도를 측정하였다. 본원에 보고된 특정 파라미터에 적합한 열중량 분석 및 열역학적 분석의 조합을 사용하여 필름에 대한 열측정을 수행하였다. Instron으로부터의 장비를 사용하여 기계적 특성을 측정하였다.A Hunter Lab spectrophotometer was used to measure b* and yellowness with% transmittance (%T) over the wavelength range of 350 nm to 780 nm. Thermometry was performed on the film using a combination of thermogravimetric analysis and thermodynamic analysis suitable for the specific parameters reported herein. Mechanical properties were measured using equipment from Instron.

필름 실시예 1 내지 7Film Examples 1 to 7

상기 폴리아믹산을 사용하여 화학식 IV를 갖는 폴리이미드 필름을 제조하였다.Using the polyamic acid, a polyimide film having Formula IV was prepared.

마이크로필터를 통해 폴리아믹산 용액을 여과하고, 깨끗한 규소 웨이퍼 상에 스핀 코팅하고, 핫플레이트 상에서 90℃에서 소프트-베이킹하고, 퍼니스에 넣었다. 퍼니스를 질소로 퍼징하고 단계적으로 최대 경화 온도까지 가열하였다. 퍼니스에서 웨이퍼를 꺼내고, 물에 담그고, 수동으로 탈층시켜 폴리이미드 필름의 샘플을 수득하였다. 필름 조성물이 하기 표 2에 제공되어 있다. 필름 특성이 하기 표 3에 제공되어 있다.The polyamic acid solution was filtered through a microfilter, spin coated on a clean silicon wafer, soft-baked at 90° C. on a hot plate, and placed in a furnace. The furnace was purged with nitrogen and heated step by step to the maximum curing temperature. The wafer was removed from the furnace, immersed in water, and manually delaminated to obtain a sample of the polyimide film. The film composition is provided in Table 2 below. Film properties are provided in Table 3 below.

[표 2] [Table 2]

폴리이미드 필름 Polyimide film

Figure pct00096
Figure pct00096

[표 3] [Table 3]

필름 특성Film properties

Figure pct00097
Figure pct00097

상기 실시예로부터 알 수 있는 바와 같이, 사전 이미드화된 단량체를 사용하면 통상적인 중합 기술을 사용하여 고분자량 중합체를 생성할 수 있다. As can be seen from the above examples, the use of pre-imidated monomers can produce high molecular weight polymers using conventional polymerization techniques.

표 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 사전 이미드화된 이미드-함유 단량체로부터 수득되는 폴리이미드 필름은 유익한 특성, 예컨대, 감소된 색도 b*/황변도 YI, 증가된 열안정성 Td(1%), 개선된 기계적 특성 및 기타 특성을 갖는다.As can be seen from Table 3, polyimide films obtained from pre-imide-imide-containing monomers have beneficial properties, such as reduced chromaticity b*/yellowing degree YI, increased thermal stability Td (1%), It has improved mechanical properties and other properties.

필름 실시예 8~13Film Examples 8-13

필름 실시예 9를 제외하고는, 상기 폴리아믹산을 사용하여 필름 실시예 1 내지 7에 기재된 바와 같이, 화학식 IV를 갖는 폴리이미드 필름을 제조하였다. 필름 실시예 9에서는, 필름을 260℃의 최대 온도에서 공기 중에서 경화시켰다. Except for Film Example 9, the polyamic acid was used to prepare a polyimide film having Formula IV as described in Film Examples 1 to 7. In Film Example 9, the film was cured in air at a maximum temperature of 260°C.

필름 조성물이 하기 표 4에 제공되어 있다. 필름 특성이 하기 표 5에 제공되어 있다.The film composition is provided in Table 4 below. Film properties are provided in Table 5 below.

[표 4] [Table 4]

폴리이미드 필름 Polyimide film

Figure pct00098
Figure pct00098

[표 5] [Table 5]

필름 특성Film properties

Figure pct00099
Figure pct00099

Figure pct00100
Figure pct00100

필름 실시예 15 내지 17Film Examples 15-17

이들 실시예는 원위치에서 사전 이미드화된 단량체로부터의 폴리이미드 필름의 형성을 예시한다. These examples illustrate the formation of polyimide films from monomers that have been preimidated in situ.

필름 실시예 1 내지 7에 기재된 바와 같이 폴리이미드 필름을 제조하였다. 필름 조성물이 하기 표 6에 제공되어 있다. 필름 특성이 하기 표 7에 제공되어 있다.Polyimide films were prepared as described in Film Examples 1 to 7. The film composition is provided in Table 6 below. Film properties are provided in Table 7 below.

[표 6] [Table 6]

폴리이미드 필름 Polyimide film

Figure pct00101
Figure pct00101

[표 7] [Table 7]

필름 특성 Film properties

Figure pct00102
Figure pct00102

전반적인 설명 또는 실시예에서 전술한 모든 행위가 요구되는 것은 아니며, 특정 행위의 일부가 요구되지 않을 수 있고, 기재된 것 이외에 하나 이상의 추가 행위가 수행될 수 있음에 유의한다. 또한, 열거된 행위들의 순서가 반드시 행위의 수행 순서는 아니다.Note that not all of the above-described actions are required in the overall description or embodiments, some of the specific actions may not be required, and one or more additional actions may be performed in addition to those described. Also, the order of the listed actions is not necessarily the order in which the actions are performed.

전술한 명세서에서, 특정 실시 형태를 참조하여 개념을 설명하였다. 그러나, 당업자는 하기 청구범위에 기재된 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서 다양한 수정 및 변경이 이루어질 수 있음을 이해한다. 따라서, 본 명세서 및 도면은 제한적인 의미라기보다는 예시적인 의미로 간주되어야 하고, 그러한 모든 수정은 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.In the foregoing specification, the concept has been described with reference to specific embodiments. However, those skilled in the art understand that various modifications and changes may be made without departing from the scope of the invention as set forth in the following claims. Accordingly, the specification and drawings are to be regarded in an illustrative rather than a restrictive sense, and all such modifications are intended to be included within the scope of the present invention.

이득, 다른 이점, 및 문제 해결책을 특정 실시 형태와 관련하여 상기에 기술하였다. 그러나, 이득, 이점, 문제 해결책, 그리고 임의의 이득, 이점, 또는 해결책을 발생시키거나 더 명확하게 할 수 있는 임의의 특징(들)은, 임의의 또는 모든 청구범위의 중요하거나 필수적이거나 본질적인 특징인 것으로 해석되어서는 안 된다.Benefits, other advantages, and problem solutions have been described above in connection with specific embodiments. However, any benefit, advantage, problem solution, and any feature(s) that may result in or clarify any benefit, advantage, or solution is an important, essential or essential feature of any or all claims. It should not be interpreted as.

명확성을 위해 개별적인 실시 형태의 맥락에서 본원에 기재된 특정 특징들이 또한 단일 실시 형태에서 조합으로 제공될 수 있음을 이해해야 한다. 반대로, 간결성을 위해 단일 실시 형태의 맥락에서 기재된 다양한 특징들이 또한 개별적으로 또는 임의의 하위 조합으로 제공될 수 있다. 본원에 명시된 다양한 범위의 수치의 사용은 언급된 범위 내의 최소값과 최대값 모두의 앞에 "약"이라는 단어가 붙은 것처럼 근사치로서 언급된다. 이러한 방식으로, 언급된 범위 위아래의 약간의 변동을 사용하여 범위 내 값과 실질적으로 동일한 결과를 달성할 수 있다. 또한, 이들 범위의 개시는, 하나의 값의 성분의 일부가 상이한 값의 성분과 혼합될 때 나타날 수 있는 분수 값을 포함하는, 최소 평균값과 최대 평균값 사이의 모든 값을 포함하는 연속 범위로서 의도된다. 또한, 더 넓은 범위 및 더 좁은 범위가 개시되는 경우, 한 범위의 최소값을 다른 범위의 최대값과 일치시키는 것 및 그 반대의 경우가 본 발명의 고려 내에 있다.For the sake of clarity, it should be understood that certain features described herein in the context of separate embodiments may also be provided in combination in a single embodiment. Conversely, for the sake of brevity the various features described in the context of a single embodiment may also be provided individually or in any subcombination. Use of the numerical ranges of the various ranges specified herein is referred to as an approximation, as if both the minimum and maximum values within the stated range were preceded by the word “about”. In this way, a slight variation above and below the stated range can be used to achieve substantially the same results as the values within the range. Further, the disclosure of these ranges is intended as a continuous range that includes all values between the minimum and maximum average values, including fractional values that may appear when some of the components of one value are mixed with components of different values. . Also, where wider and narrower ranges are disclosed, matching the minimum value of one range to the maximum value of another range and vice versa is within the consideration of the present invention.

Claims (10)

화학식 I을 갖는 디아민:
[화학식 I]
Figure pct00103

(여기서,
Ra는 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고;
Rb는 디아민 잔기를 나타내고;
m은 1 내지 20의 정수임).
Diamines of Formula I:
[Formula I]
Figure pct00103

(here,
R a represents a tetracarboxylic acid component residue;
R b represents a diamine moiety;
m is an integer from 1 to 20).
제1항에 있어서, Ra는 지방족 테트라카르복실산 이무수물 또는 폴리시클릭 테트라카르복실산 이무수물의 잔기를 나타내는, 디아민.The diamine according to claim 1, wherein R a represents a residue of an aliphatic tetracarboxylic dianhydride or a polycyclic tetracarboxylic dianhydride. 제1항에 있어서, Ra는 화학식 A1 내지 A36으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 디아민:
Figure pct00104

Figure pct00105

Figure pct00106

Figure pct00107

(여기서,
R1은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 알킬, 플루오로알킬 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고, 인접한 R1 기들은 함께 결합되어 이중 결합을 형성할 수 있고;
R2, R3, 및 R4는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 F, 알킬, 플루오로알킬, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R5는 H, 할로겐, 시아노, 히드록실, 알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 헤테로알콕시, 플루오로알킬, 실릴, 탄화수소 아릴, 치환된 탄화수소 아릴, 헤테로아릴, 치환된 헤테로아릴, 비닐, 및 알릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R6은 할로겐, 시아노, 히드록실, 알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 헤테로알콕시, 플루오로알킬, 실릴, 탄화수소 아릴, 치환된 탄화수소 아릴, 헤테로아릴, 치환된 헤테로아릴, 비닐, 및 알릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R8 및 R9는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 H, F, 알킬, 플루오로알킬, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Q는 CR8R9, SiR8R9, S, SR8R9, S=O, SO2, 및 C=O로 이루어진 군으로부터 선택되고;
a는 0 내지 6의 정수이고;
b는 0 내지 3의 정수이고;
c, d, 및 e는 동일하거나 상이하며 0 내지 2의 정수이고;
f는 0 내지 4의 정수이고;
z는 1 내지 6의 정수이고;
z1은 0 내지 6의 정수이고;
*는 부착점을 나타냄).
The diamine of claim 1, wherein R a is selected from the group consisting of formulas A1 to A36:
Figure pct00104

Figure pct00105

Figure pct00106

Figure pct00107

(here,
R 1 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of alkyl, fluoroalkyl and silyl, and adjacent R 1 groups may be joined together to form a double bond;
R 2 , R 3 , and R 4 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of F, alkyl, fluoroalkyl, and silyl;
R 5 is H, halogen, cyano, hydroxyl, alkyl, heteroalkyl, alkoxy, heteroalkoxy, fluoroalkyl, silyl, hydrocarbon aryl, substituted hydrocarbon aryl, heteroaryl, substituted heteroaryl, vinyl, and allyl Is selected from the group consisting of;
R 6 is a group consisting of halogen, cyano, hydroxyl, alkyl, heteroalkyl, alkoxy, heteroalkoxy, fluoroalkyl, silyl, hydrocarbon aryl, substituted hydrocarbon aryl, heteroaryl, substituted heteroaryl, vinyl, and allyl Is selected from;
R 8 and R 9 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of H, F, alkyl, fluoroalkyl, and silyl;
Q is selected from the group consisting of CR 8 R 9 , SiR 8 R 9 , S, SR 8 R 9 , S=O, SO 2 , and C=O;
a is an integer from 0 to 6;
b is an integer from 0 to 3;
c, d, and e are the same or different and are integers from 0 to 2;
f is an integer from 0 to 4;
z is an integer from 1 to 6;
z1 is an integer from 0 to 6;
* Indicates the point of attachment).
제1항에 있어서, 화합물 1 내지 화합물 24로 이루어진 군으로부터 선택되는, 디아민:
화합물 1
Figure pct00108

화합물 2
Figure pct00109

화합물 3
Figure pct00110

화합물 4
Figure pct00111

화합물 5
Figure pct00112

화합물 6
Figure pct00113

화합물 6a
Figure pct00114

화합물 7
Figure pct00115

화합물 8
Figure pct00116

화합물 9
Figure pct00117

화합물 10
Figure pct00118

화합물 11
Figure pct00119

화합물 12
Figure pct00120

화합물 13
Figure pct00121

화합물 14
Figure pct00122

화합물 15
Figure pct00123

화합물 16
Figure pct00124

화합물 17
Figure pct00125

화합물 18
Figure pct00126

화합물 19
Figure pct00127

화합물 20
Figure pct00128

화합물 21
Figure pct00129

화합물 22
Figure pct00130

화합물 23
Figure pct00131

화합물 24
Figure pct00132
.
The diamine of claim 1, selected from the group consisting of compounds 1 to 24:
Compound 1
Figure pct00108

Compound 2
Figure pct00109

Compound 3
Figure pct00110

Compound 4
Figure pct00111

Compound 5
Figure pct00112

Compound 6
Figure pct00113

Compound 6a
Figure pct00114

Compound 7
Figure pct00115

Compound 8
Figure pct00116

Compound 9
Figure pct00117

Compound 10
Figure pct00118

Compound 11
Figure pct00119

Compound 12
Figure pct00120

Compound 13
Figure pct00121

Compound 14
Figure pct00122

Compound 15
Figure pct00123

Compound 16
Figure pct00124

Compound 17
Figure pct00125

Compound 18
Figure pct00126

Compound 19
Figure pct00127

Compound 20
Figure pct00128

Compound 21
Figure pct00129

Compound 22
Figure pct00130

Compound 23
Figure pct00131

Compound 24
Figure pct00132
.
화학식 IV를 갖는 산 이무수물:
[화학식 IV]
Figure pct00133

(여기서,
Rd는 테트라카르복실산 성분 잔기를 나타내고;
Re는 디아민 잔기를 나타내고;
m은 1 내지 20의 정수임).
Acid dianhydride having formula IV:
[Formula IV]
Figure pct00133

(here,
R d represents a tetracarboxylic acid component residue;
R e represents a diamine moiety;
m is an integer from 1 to 20).
제5항에 있어서, Re는 플루오르화된 방향족 디아민의 잔기를 나타내는, 산 이무수물.The acid dianhydride of claim 5, wherein R e represents the residue of a fluorinated aromatic diamine. 제5항에 있어서, Re는 화학식 E1 내지 E16으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 산 이무수물:
Figure pct00134

Figure pct00135

Figure pct00136

Figure pct00137

(여기서,
R7은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 F, 알킬, 아릴, Rf, 및 ORf로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R8 및 R9는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 H, F, 알킬, 플루오로알킬, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R10은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 플루오로알킬 및 플루오로알콕시로 이루어진 군으로부터 선택되고;
R11은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 F, 알킬, 플루오로알킬, 및 실릴로 이루어진 군으로부터 선택되고;
Rf는 C1-3 퍼플루오로알킬이고;
Q는 CR8R9, SiR8R9, S, SR8R9, S=O, SO2, 및 C=O로 이루어진 군으로부터 선택되고;
b는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하며 0 내지 3의 정수이고;
c는 각각의 경우에서 동일하거나 상이하며 0 내지 2의 정수이고;
g는 0 내지 4의 정수이고;
h는 0 내지 6의 정수이고;
p는 1 내지 10의 정수이고;
q는 0 내지 5의 정수이고;
y는 0 내지 2의 정수이고;
*는 부착점을 나타냄).
The acid dianhydride of claim 5, wherein R e is selected from the group consisting of formulas E1 to E16:
Figure pct00134

Figure pct00135

Figure pct00136

Figure pct00137

(here,
R 7 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of F, alkyl, aryl, R f , and OR f ;
R 8 and R 9 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of H, F, alkyl, fluoroalkyl, and silyl;
R 10 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of fluoroalkyl and fluoroalkoxy;
R 11 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of F, alkyl, fluoroalkyl, and silyl;
R f is C 1-3 perfluoroalkyl;
Q is selected from the group consisting of CR 8 R 9 , SiR 8 R 9 , S, SR 8 R 9 , S=O, SO 2 , and C=O;
b is the same or different in each case and is an integer from 0 to 3;
c is the same or different in each case and is an integer from 0 to 2;
g is an integer from 0 to 4;
h is an integer from 0 to 6;
p is an integer from 1 to 10;
q is an integer from 0 to 5;
y is an integer from 0 to 2;
* Indicates the point of attachment).
제5항에 있어서, 화합물 25 내지 화합물 38로 이루어진 군으로부터 선택되는, 산 이무수물:
화합물 25
Figure pct00138

화합물 26
Figure pct00139

화합물 27
Figure pct00140

화합물 28
Figure pct00141

화합물 29
Figure pct00142

화합물 30
Figure pct00143

화합물 31
Figure pct00144

화합물 32
Figure pct00145

화합물 33
Figure pct00146

화합물 34
Figure pct00147

화합물 35
Figure pct00148

화합물 36
Figure pct00149

화합물 37
Figure pct00150

화합물 38
Figure pct00151
.
The acid dianhydride of claim 5, selected from the group consisting of compounds 25 to 38:
Compound 25
Figure pct00138

Compound 26
Figure pct00139

Compound 27
Figure pct00140

Compound 28
Figure pct00141

Compound 29
Figure pct00142

Compound 30
Figure pct00143

Compound 31
Figure pct00144

Compound 32
Figure pct00145

Compound 33
Figure pct00146

Compound 34
Figure pct00147

Compound 35
Figure pct00148

Compound 36
Figure pct00149

Compound 37
Figure pct00150

Compound 38
Figure pct00151
.
하나 이상의 테트라카르복실산 성분과 하나 이상의 디아민의 반응 생성물인 폴리아믹산 조성물로서, (a) 상기 디아민은 1 내지 100 몰%의 제1항에 따른 화학식 I을 갖는 디아민을 포함하거나, 아니면 (b) 상기 테트라카르복실산 성분은 1 내지 100 몰%의 제5항에 따른 화학식 IV을 갖는 테트라카르복실산 이무수물을 포함하는, 폴리아믹산 조성물.A polyamic acid composition that is a reaction product of at least one tetracarboxylic acid component and at least one diamine, wherein (a) the diamine comprises 1 to 100 mol% of a diamine having the formula I according to claim 1, or (b) The tetracarboxylic acid component comprises 1 to 100 mol% of a tetracarboxylic acid dianhydride having the formula IV according to claim 5, a polyamic acid composition. 제9항의 폴리아믹산의 이미드화로 인해 생성된 폴리이미드.A polyimide produced by imidization of the polyamic acid of claim 9.
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