KR20200136109A - Substrate support apparatus and substrate process apparatus having the same - Google Patents

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이재훈
공철민
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차명준
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Abstract

The present invention relates to a substrate support device and a substrate processing device having the same and, more specifically, to a substrate support device capable of controlling the temperature of an RF rode and a substrate processing device having the same. The substrate support device comprises: a substrate support unit (100) installed in a process chamber (10) and including a substrate plate (110) including a ground electrode (140) therein and a substrate support (120) penetrating the process chamber (10) and supporting the substrate plate (110); a rod unit (300) installed in the substrate support (120) and including an RF rod (310) physically and electrically connecting an external ground (40) and the ground electrode (140); and a temperature control means (400) installed adjacent to the RF rod (310) to control the temperature of the RF rod (310).

Description

기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치{Substrate support apparatus and substrate process apparatus having the same}Substrate support apparatus and substrate processing apparatus having the same

본 발명은 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 RF로드의 온도제어가 가능한 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate supporting apparatus and a substrate processing apparatus having the same, and more particularly, to a substrate supporting apparatus capable of controlling the temperature of an RF rod, and a substrate processing apparatus having the same.

일반적으로, 반도체 소자의 제조에 있어서 플라즈마를 이용한 공정이 적용되고 있으며, 이러한 플라즈마를 이용한 공정은 공정 기체를 활성화함으로써 낮은 공정 온도에서도 빠른 속도로 증착 또는 에칭 등의 공정을 수행할 수 있다.In general, in manufacturing a semiconductor device, a process using plasma is applied, and in this process, a process such as deposition or etching can be performed at a high speed even at a low process temperature by activating a process gas.

이러한 플라즈마 환경을 조성하기 위해서, 기판이 지지되는 기판지지대에 접지전극이 구비되고, 이에 대향하는 가스분사부에 RF전원이 인가되는 상부전극이 구비되며, 이로써 기판지지대와 가스분사부 사이에 플라즈마가 형성되고 이를 활용하여 기판에 박막을 형성할 수 있다.In order to create such a plasma environment, a ground electrode is provided on a substrate support on which the substrate is supported, and an upper electrode to which RF power is applied to a gas injection unit facing the substrate is provided, thereby generating plasma between the substrate support and the gas injection unit. It is formed and can be used to form a thin film on the substrate.

또한 이 경우, 적절한 온도 환경을 조성하기 위하여, 기판지지대 내부에 히터가 추가로 설치될 수 있으며, 이를 통해 기판이 처리되는 공정챔버 및 기판의 온도를 제어할 수 있다. In addition, in this case, in order to create an appropriate temperature environment, a heater may be additionally installed inside the substrate support, thereby controlling the temperature of the process chamber and the substrate in which the substrate is processed.

한편, 기판지지대 내부의 접지전극을 접지상태로 유지하기 위해서는, 외부접지와 접지전극이 물리적, 전기적으로 연결될 필요가 있고, 이를 위하여 기판지지대 내부에 접지전극과 외부접지를 연결하는 RF로드가 설치된다.Meanwhile, in order to maintain the ground electrode inside the substrate support in a grounded state, the external ground and the ground electrode need to be physically and electrically connected, and for this purpose, an RF rod connecting the ground electrode and the external ground is installed inside the substrate support. .

그러나, 종래와 같이 접지전극과 외부접지를 단순히 RF로드를 통해 연결한 경우 히터를 통해 온도가 변화하는 접지전극 및 RF로드는 열팽창 및 수축을 반복함으로써 히터 또는 접지전극에 크랙이 발생하여 내구성이 저하되는 문제점이 있다.However, when the ground electrode and the external ground are simply connected through an RF rod as in the prior art, the ground electrode and the RF rod whose temperature changes through the heater repeat thermal expansion and contraction, causing cracks in the heater or the ground electrode, resulting in reduced durability. There is a problem.

특히, RF로드의 주변 온도변화에 따른 수축, 팽창의 반복으로 RF로드 또는 그 체결부가 파손되거나, 고온으로 인해 탄화가 발생하거나 고착화되어 내구성이 저하되는 문제점이 있다.In particular, there is a problem in that the RF rod or its fastening portion is damaged due to repetition of contraction and expansion according to a change in ambient temperature of the RF rod, or carbonization occurs due to high temperature or is fixed, thereby reducing durability.

또한, 종래의 경우, RF로드를 통해 접지전극으로부터 외부접지로 흐르는 RF전류량을 임피던스 조절을 통해 제어함으로써, 공정챔버 내의 플라즈마를 조절하는 IMS(Impedance Matching System)을 추가로 포함할 수 있다.In addition, in the conventional case, by controlling the amount of RF current flowing from the ground electrode to the external ground through the RF rod through impedance control, an Impedance Matching System (IMS) for controlling plasma in the process chamber may be additionally included.

그러나 RF로드의 주변 온도변화에 따른 임피던스의 변화, RF로드의 열팽창 및 수축의 반복으로 인한 파손으로 인한 금속의 임피던스 변화로 인해 IMS를 통한 RF전류량 조절을 통한 공정챔버 내 플라즈마 조절의 정밀도가 저하되는 문제점이 있다.However, the accuracy of plasma control in the process chamber through the control of the amount of RF current through IMS is degraded due to the change in impedance due to the change in the ambient temperature of the RF rod, and the change in the impedance of the metal due to damage due to repeated thermal expansion and contraction of the RF rod There is a problem.

즉, RF로드의 온도변화에 따른 파손 및 임피던스의 변화로 공정챔버 내의 플라즈마의 안정적인 제어가 불가능한 문제점이 있다. In other words, there is a problem in that it is impossible to stably control the plasma in the process chamber due to damage due to temperature change of the RF rod and change in impedance.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, RF로드의 온도제어를 통해 내구성이 향상되고, 정밀한 플라즈마 제어가 가능한 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate support apparatus capable of improving durability and precise plasma control through temperature control of an RF rod, and a substrate processing apparatus including the same, in order to solve the above problems.

본 발명은, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10) 내의 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지장치(30)와; 상기 기판지지장치(30)에 대향하여 배치되고 RF전원이 인가되는 가스분사부(20)를 포함하는 기판처리장치의 기판지지장치로서, 상기 공정챔버(10) 내에 설치되며, 내부에 접지전극(140)을 포함하는 기판플레이트(110)와, 상기 공정챔버(10)를 관통하여 상기 기판플레이트(110)를 지지하는 기판지지대(120)를 포함하는 기판지지부(100)와; 상기 기판지지대(120) 내부에 설치되어, 외부접지(40)와 상기 접지전극(140) 사이를 물리적, 전기적으로 연결하는 RF로드(310)를 포함하는 로드부(300)와; 상기 RF로드(310)에 인접하여 설치되어, 상기 RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도제어수단(400)을 포함하는 기판지지장치를 개시한다.The present invention, as created to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, the process chamber 10 to form a processing space (S) in which the substrate (1) is processed; A substrate support device (30) for supporting the substrate (1) in the process chamber (10); A substrate support device of a substrate processing apparatus including a gas injection unit 20 disposed opposite the substrate support apparatus 30 and to which RF power is applied, and is installed in the process chamber 10, and a ground electrode ( A substrate support portion 100 including a substrate plate 110 including 140 and a substrate support 120 penetrating the process chamber 10 to support the substrate plate 110; A load unit 300 installed inside the substrate support 120 and including an RF rod 310 physically and electrically connecting the external ground 40 and the ground electrode 140; It is installed adjacent to the RF rod 310, discloses a substrate support device including a temperature control means 400 for controlling the temperature of the RF rod 310.

상기 기판지지부(100)는, 상기 기판플레이트(110)의 내부에 설치되어, 상기 처리공간(S)에 기판(1)이 처리되는 고온환경을 조성하기 위한 히터(130)를 더 포함할 수 있다.The substrate support part 100 may further include a heater 130 installed inside the substrate plate 110 to create a high-temperature environment in which the substrate 1 is processed in the processing space S. .

상기 로드부(300)는, 상기 기판지지대(120) 내부에 설치되어, 외부의 히터전원(50)과 상기 히터(130)를 물리적, 전기적으로 연결하는 히터로드(320)를 포함할 수 있다.The rod part 300 may include a heater rod 320 installed inside the substrate support 120 to physically and electrically connect the external heater power supply 50 and the heater 130.

상기 히터전원(50)과 상기 히터로드(320) 사이에서 RF전류를 차단하도록 설치되는 RF필터(200)를 포함하며, 상기 RF필터(200)는, 상기 기판지지대(120) 내부에 삽입되어, 일단이 상기 히터로드(320)와 연결되고, 타단이 RF전류를 차단하기 위한 회로와 연결되는 RF필터연결부(210)를 포함할 수 있다.Includes an RF filter 200 installed to block an RF current between the heater power supply 50 and the heater rod 320, the RF filter 200 is inserted into the substrate support 120, One end may be connected to the heater rod 320, and the other end may include an RF filter connector 210 connected to a circuit for blocking the RF current.

상기 RF로드(310)와 상기 외부접지(40) 사이에 연결되어, 상기 접지전극(140)으로부터 상기 외부접지(40)로 흐르는 RF전류를 제어하는 임피던스제어부(60)를 포함할 수 있다.An impedance control unit 60 connected between the RF rod 310 and the external ground 40 to control an RF current flowing from the ground electrode 140 to the external ground 40 may be included.

상기 RF로드(310)의 온도를 직접 또는 간접적으로 측정하는 온도측정부와, 상기 온도측정부를 통해 측정된 RF로드(310)의 온도를 기초로 상기 온도제어수단(400)을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. A temperature measuring unit that directly or indirectly measures the temperature of the RF rod 310, and a control unit that controls the temperature control means 400 based on the temperature of the RF rod 310 measured through the temperature measuring unit. can do.

상기 제어부는, 상기 온도제어수단(400)을 통해 상기 RF로드(310)와 열교환하는 냉매제의 유량을 조절하여 상기 온도제어수단(400)을 제어할 수 있다.The control unit may control the temperature control unit 400 by adjusting the flow rate of the refrigerant to heat exchange with the RF rod 310 through the temperature control unit 400.

상기 온도제어수단(400)은, 상기 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부로부터 냉매제를 공급받는 공급유로(421)와, 상기 공급유로(421)에 구비되어, 상기 RF로드(310)를 향해 상기 냉매제를 분사하는 적어도 하나의 분사노즐(430)을 포함할 수 있다.The temperature control means 400 is provided in a supply passage 421 installed in the substrate support 120 to receive a refrigerant from the outside, and the supply passage 421 is provided in the RF rod 310. It may include at least one spray nozzle 430 for spraying the refrigerant.

상기 온도제어수단(400)은, 상기 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부와 냉매제를 교환하는 유로부(420)와, 상기 RF로드(310) 중 적어도 일부를 둘러싸고 설치되며, 내부에 상기 유로부(420)로부터 공급받은 상기 냉매제가 흐르는 냉각유로(450)가 구비되어 상기 RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도조절부(440)를 포함할 수 있다.The temperature control means 400 is installed in the substrate support 120 and surrounds at least a portion of a flow path part 420 for exchanging a refrigerant with the outside, and the RF rod 310, and the flow path part therein A cooling flow path 450 through which the refrigerant supplied from 420 flows may be provided to include a temperature controller 440 for controlling the temperature of the RF rod 310.

상기 온도제어수단(400)은, 상기 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부와 냉매제를 교환하는 유로부(420)와, 상기 RF로드(310) 중 적어도 일부를 둘러싸고 설치되며, 내부에 상기 유로부(420)로부터 공급받은 상기 냉매제가 흐르는 냉각유로(450)가 구비되어 상기 RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도조절부(440)를 포함하며, 상기 유로부(420)는, 상기 RF필터연결부(210) 및 상기 히터로드(320) 중 적어도 하나에 인접하게 설치되어, 상기 RF필터연결부(210) 또는 상기 히터로드(320)의 온도조절을 통해 상기 RF필터(200)의 온도를 간접적으로 제어할 수 있다.The temperature control means 400 is installed in the substrate support 120 and surrounds at least a portion of a flow path part 420 for exchanging a refrigerant with the outside, and the RF rod 310, and the flow path part therein A cooling flow path 450 through which the refrigerant supplied from 420 flows is provided to include a temperature control unit 440 for controlling the temperature of the RF rod 310, and the flow path 420 includes the RF filter It is installed adjacent to at least one of the connection part 210 and the heater rod 320, and indirectly controls the temperature of the RF filter 200 through temperature control of the RF filter connection part 210 or the heater rod 320. Can be controlled.

상기 온도제어수단(400)은, 상기 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부와 냉매제를 교환하는 유로부(420)와, 상기 RF로드(310) 중 적어도 일부를 둘러싸고 설치되며, 내부에 상기 유로부(420)로부터 공급받은 상기 냉매제가 흐르는 냉각유로(450)가 구비되어 상기 RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도조절부(440)를 포함하며, 상기 온도조절부(440)는, 상기 RF필터연결부(210)를 둘러싸고 설치되어, 상기 RF필터연결부(210)의 온도조절을 통해 상기 RF필터(200)의 온도를 간접적으로 제어할 수 있다.The temperature control means 400 is installed in the substrate support 120 and surrounds at least a portion of a flow path part 420 for exchanging a refrigerant with the outside, and the RF rod 310, and the flow path part therein A cooling flow path 450 through which the refrigerant supplied from 420 flows is provided to include a temperature control unit 440 for controlling a temperature of the RF rod 310, and the temperature control unit 440 includes the RF It is installed surrounding the filter connection part 210, and the temperature of the RF filter 200 may be indirectly controlled through temperature control of the RF filter connection part 210.

상기 온도제어수단(400)은, 상기 RF로드(310)와 상기 온도조절부(440) 사이에 설치되어, 상기 RF로드(310)의 열을 상기 온도조절부(440) 측으로 방출하는 방열부재(460)를 포함할 수 있다.The temperature control means 400 is installed between the RF rod 310 and the temperature control unit 440, the heat dissipation member for dissipating the heat of the RF rod 310 toward the temperature control unit 440 ( 460).

또한 본 발명은, 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10) 내의 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지장치(30)와; 상기 기판지지장치(30)에 대향하여 배치되고 RF전원이 인가되며, 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 공급하는 가스분사부(20)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.In addition, the present invention includes a process chamber 10 forming a processing space S in which the substrate 1 is processed; A substrate support device (30) supporting the substrate (1) in the process chamber (10); Disclosed is a substrate processing apparatus including a gas injection unit 20 disposed opposite to the substrate supporting apparatus 30, applied with RF power, and supplying a process gas to the processing space S.

본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 체결부를 포함하는 RF로드의 온도제어를 통해 RF로드의 수축, 팽창을 억제함으로써, 기판플레이트 내에 위치하는 접지전극 및 히터의 크랙을 방지하여 내구성이 증대되는 이점이 있다.The substrate support device and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention suppress the contraction and expansion of the RF rod through temperature control of the RF rod including the fastening part, thereby preventing cracking of the ground electrode and heater located in the substrate plate. Thus, there is an advantage of increasing the durability.

또한 본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치는, RF로드의 온도제어를 통해 RF로드의 온도를 적정수준(섭씨 60~80도)으로 유지함으로써 RF로드 및 그 체결부가 파손되거나, 고온으로 인해 탄화가 발생하거나 고착화되는 문제를 방지할 수 있다.In addition, the substrate support device and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention maintain the temperature of the RF rod at an appropriate level (60 to 80 degrees Celsius) through the temperature control of the RF rod, so that the RF rod and its fastening part are damaged, It is possible to prevent the problem of carbonization or sticking due to high temperature.

또한 본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치는, RF로드의 온도제어를 통해 임피던스 변동을 억제함으로써 공정챔버 내의 플라즈마를 원활히 제어하여 공정 안정성을 담보하고, 이를 통해 공정 재현성이 확보되는 이점이 있다.In addition, the substrate supporting apparatus and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention, by controlling the impedance fluctuation through the temperature control of the RF rod, smoothly control the plasma in the process chamber to ensure process stability, thereby ensuring process reproducibility. There is an advantage.

또한, 본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치는, RF로드의 온도제어와 함께 히터와 히터전원 사이에 배치되는 RF필터의 온도를 간접적으로 제어함으로써, RF필터의 기능을 담보하고 히터전원을 보호할 수 있는 이점이 있다.In addition, the substrate supporting apparatus and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention secure the function of the RF filter by indirectly controlling the temperature of the RF filter disposed between the heater and the heater power source together with the temperature control of the RF rod. There is an advantage to protect the heater power.

도 1은, 본 발명에 따른 기판지지장치를 구비하는 기판처리장치의 모습을 보여주는 개략도이다.
도 2는, 도 1의 기판지지장치 중 로드부 및 온도제어수단의 제1실시예를 보여주는 확대단면도이다.
도 3은, 도 1의 기판지지장치 중 로드부 및 온도제어수단의 제2실시예를 보여주는 확대단면도이다.
도 4는, 도 1의 기판지지장치 중 로드부 및 온도제어수단의 제3실시예를 보여주는 확대단면도이다.
도 5는, 도 3의 온도제어수단의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 6은, 도 1의 기판지지장치 중 로드부 및 온도제어수단의 다른 실시예에 따른 평면도 상의 모습을 보여주는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a state of a substrate processing apparatus having a substrate supporting apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view showing a first embodiment of a rod part and a temperature control means among the substrate supporting apparatus of FIG. 1.
3 is an enlarged cross-sectional view showing a second embodiment of a rod portion and a temperature control means of the substrate supporting apparatus of FIG. 1.
4 is an enlarged cross-sectional view showing a third embodiment of a rod portion and a temperature control means of the substrate supporting apparatus of FIG. 1.
5 is a perspective view showing the state of the temperature control means of FIG. 3.
6 is a schematic diagram showing a plan view according to another embodiment of a load unit and a temperature control means of the substrate supporting apparatus of FIG. 1.

이하 본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate support apparatus and a substrate processing apparatus having the same according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 개시된 바와 같이, 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10) 내의 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지장치(30)와; 상기 기판지지장치(30)에 대향하여 배치되고 RF전원이 인가되는 가스분사부(20)를 포함한다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 10 forming a processing space S in which a substrate 1 is processed, as disclosed in FIG. 1; A substrate support device (30) supporting the substrate (1) in the process chamber (10); It includes a gas injection unit 20 disposed opposite the substrate support device 30 and to which RF power is applied.

본 발명의 처리대상인 기판(1)은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.The substrate 1 to be treated according to the present invention is a configuration in which substrate treatment such as deposition and etching is performed, and any substrate such as a semiconductor manufacturing substrate, an LCD manufacturing substrate, an OLED manufacturing substrate, a solar cell manufacturing substrate, and a transparent glass substrate may be used.

특히, 상기 기판(1)은, 플라즈마를 활용하여 기판처리됨으로써, 비교적 낮은 제조 온도에서 향상된 증착 속도로서 처리될 수 있다.In particular, the substrate 1 can be processed at an improved deposition rate at a relatively low manufacturing temperature by processing the substrate using plasma.

상기 공정챔버(10)는, 내부에 기판(1)이 처리되는 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 10 is configured to form a closed processing space S in which the substrate 1 is processed, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 공정챔버(10)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(11)와, 챔버본체(11)의 개구에 탈착가능하게 결합되어, 챔버본체(11)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(12)를 포함할 수 있다.For example, the process chamber 10 is detachably coupled to the chamber body 11 having an opening formed on the upper side and the opening of the chamber body 11, and is sealed together with the chamber body 11 ( It may include an upper lead 12 forming S).

한편 상기 공정챔버(10)는, 본 발명에 따른 기판지지장치 중 일부가 하부면을 관통하여 설치되며, 내부에 기판(1)이 처리되는 밀폐된 처리공간(S)이 형성되는 구성이면 공지된 어떠한 형태도 적용 가능하다.Meanwhile, in the process chamber 10, a part of the substrate support device according to the present invention is installed through the lower surface, and a closed processing space S in which the substrate 1 is processed is formed. Any form can be applied.

상기 가스분사부(20)는, 기판지지장치(30)에 대향하여 배치되고 RF전원이 인가되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas injection unit 20 is disposed opposite to the substrate support device 30 and is configured to apply RF power, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스분사부(20)는, 샤워헤드 형태, 노즐 형태 등 본 발명에 적용가능한 어떠한 형태도 가능하며, 샤워헤드 형태인 경우 공정챔버(10)의 상부를 덮는 형태로 공정챔버(10)에 결합될 수 있으며, 다른 예로서, 상부리드(12)를 관통하여 설치될 수 있다.For example, the gas injection unit 20 may have any shape applicable to the present invention, such as a showerhead shape and a nozzle shape, and in the case of a showerhead shape, the process chamber ( 10), and as another example, it may be installed through the upper lead 12.

또한 상기 가스분사부(20)는, 공정챔버(10) 내의 처리공간(S)에 플라즈마 분위기를 형성하기 위하여, 후술하는 기판플레이트(110)와 대향되어 설치되고, 기판플레이트(110) 내부의 접지전극(140)과의 관계에서 전위차가 형성되도록, RF전원이 인가될 수 있다. In addition, the gas injection unit 20 is installed to face the substrate plate 110 to be described later in order to form a plasma atmosphere in the processing space S in the process chamber 10, and the inside of the substrate plate 110 is grounded. RF power may be applied so that a potential difference is formed in the relationship with the electrode 140.

즉, 상기 가스분사부(20)는, 공정챔버(10) 내의 처리공간(S)에 플라즈마 분위기를 형성하기 위하여, 기판지지장치의 접지전극(140)과의 관계에서 상부전극으로 이용될 수 있다.That is, the gas injection unit 20 may be used as an upper electrode in relation to the ground electrode 140 of the substrate supporting device in order to form a plasma atmosphere in the processing space S in the process chamber 10. .

한편, 본 발명에 따른 기판지지장치(30)는, 접지전극(140) 및 히터(130)를 포함함으로써, 공정챔버(10) 내의 처리공간(S)에서의 기판처리를 위한 적정 온도 및 적정 플라즈마 환경을 조성할 수 있다.On the other hand, the substrate support device 30 according to the present invention includes the ground electrode 140 and the heater 130, thereby providing an appropriate temperature and proper plasma for substrate treatment in the processing space S in the process chamber 10. You can create an environment.

이를 위해, 종래의 상기 기판지지장치(30)는, 접지전극(140)과 외부접지(40)를 로드부(300)를 통해 전기적, 물리적으로 연결함으로써, 접지전극(140)에서 외부접지(40)로 RF전류가 흐르도록 하였으나, 히터(130)의 온도상승으로 로드부(300)의 열 팽창 및 수축이 동반됨으로써, 접지전극(140) 및 히터(130)를 포함하는 기판플레이트(110)에 크랙이 발생하는 등 내구성에 문제점이 있었다.To this end, the conventional substrate support device 30 electrically and physically connects the ground electrode 140 and the external ground 40 through the load unit 300, so that the ground electrode 140 is connected to the external ground 40 ), but due to the increase in temperature of the heater 130, thermal expansion and contraction of the rod unit 300 are accompanied, so that the substrate plate 110 including the ground electrode 140 and the heater 130 There was a problem in durability such as cracking.

또한, 이 경우, 로드부(300)의 온도변화는 로드부(300)의 저항변화를 야기하여 공정챔버(10) 내의 플라즈마 정밀제어가 불가능한 문제점이 있었다.In addition, in this case, the temperature change of the rod part 300 causes a change in the resistance of the rod part 300, so that precise plasma control in the process chamber 10 is impossible.

이러한 문제점을 극복하기 위하여, 본 발명에 따른 기판지지장치는, 도 2 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 공정챔버(10) 내에 설치되며, 내부에 접지전극(140)을 포함하는 기판플레이트(110)와, 상기 공정챔버(10)를 관통하여 상기 기판플레이트(110)를 지지하는 기판지지대(120)를 포함하는 기판지지부(100)와; 상기 기판지지대(120) 내부에 설치되어, 외부접지(40)와 상기 접지전극(140) 사이를 물리적, 전기적으로 연결하는 RF로드(310)를 포함하는 로드부(300)와; 상기 로드부(300)에 인접하여 설치되어, 상기 로드부(300)의 온도를 제어하는 온도제어수단(400)을 포함하는 기판지지장치를 개시한다.In order to overcome this problem, the substrate support device according to the present invention is installed in the process chamber 10, as shown in FIGS. 2 to 6, and includes a ground electrode 140 therein. ), and a substrate support 100 including a substrate support 120 that passes through the process chamber 10 and supports the substrate plate 110; A load unit 300 installed inside the substrate support 120 and including an RF rod 310 physically and electrically connecting the external ground 40 and the ground electrode 140; Disclosed is a substrate supporting apparatus including a temperature control means 400 installed adjacent to the load part 300 and controlling the temperature of the load part 300.

즉, 상기 기판지지장치(30)는, 공정챔버(10) 내의 기판(1)을 지지하고, 처리공간(S) 내에 기판처리를 위한 적절한 온도와 플라즈마 환경을 제공하기 위한 구성일 수 있다.That is, the substrate support device 30 may be configured to support the substrate 1 in the process chamber 10 and to provide an appropriate temperature and plasma environment for substrate processing in the processing space S.

상기 기판지지부(100)는, 기판(1)이 처리공간(S) 내에서 안착되기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support 100 is a configuration for mounting the substrate 1 in the processing space S, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판지지부(100)는, 공정챔버(10) 내에 설치되며, 내부에 접지전극(140)을 포함하는 기판플레이트(110)와, 상기 공정챔버(10)를 관통하여 상기 기판플레이트(110)를 지지하는 기판지지대(120)를 포함할 수 있다.For example, the substrate support part 100 is installed in the process chamber 10, the substrate plate 110 including the ground electrode 140 therein, and the substrate plate 110 passing through the process chamber 10 It may include a substrate support 120 for supporting (110).

상기 기판플레이트(110)는, 공정챔버(10) 내에서 전술한 가스분사부(20)와 대향되도록 설치되어, 가스분사부(20)와의 사이에 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The substrate plate 110 is installed so as to face the above-described gas injection unit 20 in the process chamber 10 to form a processing space S between the gas injection unit 20 and has various configurations. This is possible.

상기 기판플레이트(110)는, 기판(1)이 안착되는 기판안착면(111)과, 기판안착면(111)의 하측 내부에 설치되는 접지전극(140)을 포함할 수 있다.The substrate plate 110 may include a substrate mounting surface 111 on which the substrate 1 is mounted, and a ground electrode 140 disposed inside the lower side of the substrate mounting surface 111.

또한 상기 기판플레이트(110)는, 접지전극(140)의 하측에 구비되어, 기판(1)을 가열하기 위한 히터(130)를 더 포함할 수 있다.In addition, the substrate plate 110 may further include a heater 130 provided under the ground electrode 140 to heat the substrate 1.

상기 접지전극(140)은, RF전원이 인가되는 가스분사부(20)와의 사이에 플라즈마 환경을 조성하기 위하여, 상부전극과의 전위차가 발생하도록 접지상태를 유지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The ground electrode 140 is configured to maintain a grounded state such that a potential difference with the upper electrode occurs in order to create a plasma environment between the gas injection unit 20 to which the RF power is applied, and various configurations are possible. .

예를 들면, 상기 접지전극(140)은, 얇은 플레이트, 얇은 시트 혹은 막으로 제조될 수 있으며, 스크린 프린팅 방법 등 다양한 방법을 이용한 코팅을 통해서 기판플레이트(110)의 내부에 형성될 수 있다.For example, the ground electrode 140 may be made of a thin plate, a thin sheet, or a film, and may be formed inside the substrate plate 110 through coating using various methods such as a screen printing method.

또한 상기 접지전극(140)은, 소정 면적이 채워진 구조로 제조될 수도 있고, 복수의 개구가 형성된 메쉬구조로 형성될 수 있으며, 금속을 포함하는 전기 전도성 재질로서, 텅스텐, 몰리브덴, 구리, 써스, 은, 금, 백금, 니켈 등이 사용될 수 있다.In addition, the ground electrode 140 may be manufactured in a structure filled with a predetermined area, may be formed in a mesh structure in which a plurality of openings are formed, and is an electrically conductive material including a metal, including tungsten, molybdenum, copper, Silver, gold, platinum, nickel, and the like may be used.

상기 히터(130)는, 접지전극(140)의 하측에 구비되어, 처리공간(S)을 기판(1)이 처리되는 고온환경으로 조성하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The heater 130 is provided under the ground electrode 140 and is configured to create the processing space S in a high-temperature environment in which the substrate 1 is processed, and various configurations are possible.

또한 상기 히터(130)는, 처리대상인 기판(1)의 크기 및 개수에 따라서 다양한 형상으로 기판플레이트(110) 내부에 설치될 수 있으며, 이를 통해 처리되는 기판(1) 및 공정챔버(10) 내부의 처리공간(S)에 고온환경을 제공할 수 있다.In addition, the heater 130 may be installed inside the substrate plate 110 in various shapes depending on the size and number of the substrate 1 to be processed, and the inside of the substrate 1 and the process chamber 10 processed through this It is possible to provide a high-temperature environment to the processing space (S) of.

예로서, 기판처리를 위한 처리공간(S)의 온도가 섭씨 400~500도 사이가 유지되도록 히터(130)를 통해 온도를 제어할 수 있다.For example, the temperature of the processing space S for substrate processing may be controlled through the heater 130 so that the temperature of the processing space S is maintained between 400 to 500 degrees Celsius.

상기 기판지지대(120)는, 공정챔버(10)를 관통하여 기판플레이트(110)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support 120 is configured to support the substrate plate 110 through the process chamber 10, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판지지대(120)는, 공정챔버(10)의 하부면을 관통하여 기판플레이트(110)를 지지하는 지지부(121)와, 지지부(121)의 하측에 결합되며, 후술하는 로드부(300)가 내부에 설치되는 마운트부(122)와, 마운트부(122)의 외측을 둘러싸고 결합되어 공정챔버(10) 내부를 밀폐하는 벨로우즈(123)를 포함할 수 있다.For example, the substrate support 120 is coupled to a support portion 121 supporting the substrate plate 110 by penetrating the lower surface of the process chamber 10 and a lower side of the support portion 121, which will be described later. It may include a mount part 122 in which the part 300 is installed therein, and a bellows 123 that surrounds the outside of the mount part 122 and is coupled to seal the inside of the process chamber 10.

또한 상기 기판지지대(120)는, 상하이동이 가능한 구성으로서, 기판플레이트(110)를 상하구동하여 가스분사부(20)와 기판플레이트(110) 사이의 거리를 조절할 수 있다. In addition, the substrate support 120 is a configuration capable of moving up and down, and the distance between the gas injection unit 20 and the substrate plate 110 may be adjusted by vertically driving the substrate plate 110.

상기 지지부(121)는, 공정챔버(10)의 바닥면을 관통하여 기판플레이트(110)의 하부면에 접촉되며, 기판플레이트(110)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The support part 121 penetrates the bottom surface of the process chamber 10 and contacts the lower surface of the substrate plate 110, and supports the substrate plate 110, and various configurations are possible.

상기 지지부(121)는, 내부에 접지전극(140)과 외부접지(40)를 연결하기 위한 제1로드(330)가 설치될 수 있다.The support part 121 may be provided with a first rod 330 for connecting the ground electrode 140 and the external ground 40 therein.

상기 마운트부(122)는, 지지부(121)의 하측에 결합되며, 접지전극(140)과 외부접지(40)를 전기적, 물리적으로 연결하기 위한 로드부(300) 및 로드부(300)에 인접하여 설치되어 로드부(300)의 온도를 제어하는 온도제어수단(400)이 설치될 수 있다. The mount part 122 is coupled to the lower side of the support part 121 and is adjacent to the rod part 300 and the rod part 300 for electrically and physically connecting the ground electrode 140 and the external ground 40 A temperature control means 400 that is installed to control the temperature of the rod unit 300 may be installed.

상기 로드부(300)는, 기판지지대(120) 내부에 설치되어, 외부접지(40)와 접지전극(140) 사이를 물리적, 전기적으로 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The load unit 300 is installed in the substrate support 120 to physically and electrically connect the external ground 40 and the ground electrode 140, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 로드부(300)는, 일단이 접지전극(140)에 접촉되고, 타단이 RF로드(310)에 연결되는 제1로드(330)와, 일단이 외부접지(40)에 연결되고, 타단이 RF로드(310)에 연결되는 제2로드(340)와, 일단이 제1로드(330)에 연결되고, 타단이 제2로드(340)에 연결되어, 접지전극(140)과 외부접지(40) 사이를 물리적, 전기적으로 연결하는 RF로드(310)를 포함할 수 있다.For example, the rod part 300 has one end connected to the ground electrode 140, the other end connected to the RF rod 310, the first rod 330, and one end connected to the external ground 40 The second rod 340 is connected to the other end to the RF rod 310, one end is connected to the first rod 330, the other end is connected to the second rod 340, the ground electrode 140 and It may include an RF rod 310 that physically and electrically connects the external grounds 40.

또한, 상기 로드부(300)는, 기판지지대(120) 내부에 설치되어, 외부의 히터전원(50)과 히터(130)를 물리적, 전기적으로 연결하는 히터로드(320)를 포함할 수 있다.In addition, the rod unit 300 may include a heater rod 320 installed inside the substrate support 120 to physically and electrically connect the external heater power supply 50 and the heater 130.

상기 RF로드(310)는, 기판지지대(120) 내부에 설치되어, 접지전극(140)과 외부접지(40) 사이를 물리적, 전기적으로 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The RF rod 310 is installed in the substrate support 120 to physically and electrically connect the ground electrode 140 and the external ground 40, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 RF로드(310)는, 접지전극(140)과 외부접지(40)가 서로 통전되도록 도체일 수 있으며, 이를 통해 RF전원이 인가되는 상부전극과 접지전극(140) 사이에 발생된 전위차에 의해 접지전극(140)에서 외부접지(40) 방향으로 RF전류가 흐르도록 할 수 있다. For example, the RF rod 310 may be a conductor so that the ground electrode 140 and the external ground 40 are energized with each other, through which the RF power is applied between the upper electrode and the ground electrode 140 The RF current may flow from the ground electrode 140 toward the external ground 40 by the difference in potential.

상기 히터로드(320)는, 기판지지대(120) 내부에 설치되어, 외부의 히터전원(50)과 히터(130)를 물리적, 전기적으로 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The heater rod 320 is installed inside the substrate support 120 to physically and electrically connect the external heater power supply 50 and the heater 130, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 히터로드(330)는, 일단이 히터(130)에 접촉되고, 타단이 히터전원(50)에 연결될 수 있으며, 보다 바람직하게는 일단이 히터(130)에 접촉되고, 타단이 후술하는 RF필터(200)의 RF필터연결부(210)에 접촉됨으로써 외부의 히터전원(50)과 연결되는 RF필터(200)를 통해 히터(130)에 전원을 공급할 수 있다.For example, the heater rod 330 may have one end in contact with the heater 130 and the other end in contact with the heater power supply 50, more preferably one end in contact with the heater 130, and the other end Power may be supplied to the heater 130 through the RF filter 200 connected to the external heater power supply 50 by contacting the RF filter connector 210 of the RF filter 200 to be described later.

한편 이 경우, 상기 히터전원(50)은, 히터(130)에 전력을 공급하기 위한 구성으로서, AC전원일 수 있다.Meanwhile, in this case, the heater power supply 50 is a component for supplying power to the heater 130 and may be an AC power source.

상기 제1로드(330)는, 일단이 접지전극(140)에 접촉되고, 타단이 RF로드(310)에 연결되어, 접지전극(140)과 RF로드(310)를 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The first rod 330 is a configuration in which one end is in contact with the ground electrode 140 and the other end is connected to the RF rod 310 to connect the ground electrode 140 and the RF rod 310, and various configurations This is possible.

예를 들면, 상기 제1로드(330)는, RF로드(310)와 접지전극(140)이 통전되도록 도체로 구성될 수 있으며, RF로드(310)와 클램프(350)를 통해 결합될 수 있다. For example, the first rod 330 may be formed of a conductor so that the RF rod 310 and the ground electrode 140 are energized, and may be coupled through the RF rod 310 and the clamp 350. .

상기 제2로드(340)는, 기판지지대(120) 외부에서 일단이 RF로드(310)에 연결되고, 타단이 외부접지(40)와 연결되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The second rod 340 is a configuration in which one end is connected to the RF rod 310 and the other end is connected to the external ground 40 from the outside of the substrate support 120, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 제2로드(340)는, RF로드(310) 및 제1로드(330)와 같이 접지전극(140)과 외부접지(40) 사이가 통전되도록 도체로 구성되며, RF로드(310)와 클램프(350)를 통해 결합될 수 있다.For example, the second rod 340, like the RF rod 310 and the first rod 330, is composed of a conductor so that the ground electrode 140 and the external ground 40 are energized, and the RF rod ( 310) and may be coupled through the clamp 350.

한편 상기 제2로드(340)는, 외부접지(40)와 연결되어, 접지전극(140)으로부터 외부접지(40)로 흐르는 RF전류를 제어하는 임피던스제어부(60)와 RF로드(310)를 연결하는 구성일 수 있다. Meanwhile, the second rod 340 is connected to the external ground 40 and connects the impedance control unit 60 and the RF rod 310 to control the RF current flowing from the ground electrode 140 to the external ground 40 It may be a configuration to do.

한편, 전술한 바와 달리 제1로드(330) 및 제2로드(340) 구성이 생략되고, RF로드(310)가 임피던스매칭부(210) 또는 외부접지(40)와 직접 연결될 수 있음은 또한 물론이다. On the other hand, unlike the above, the configuration of the first rod 330 and the second rod 340 is omitted, and the RF rod 310 may be directly connected to the impedance matching unit 210 or the external ground 40. to be.

또한, 본 발명에 따른 기판지지장치는, 기판지지대(120) 내부에 삽입되어 히터로드(320)와 연결되는 RF필터연결부(210)가 구비되며, 히터전원(50)과 히터로드(320) 사이에서 RF전류를 차단하는 RF필터(200)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate support device according to the present invention includes an RF filter connector 210 inserted into the substrate support 120 and connected to the heater rod 320, and between the heater power supply 50 and the heater rod 320 It may include an RF filter 200 to block the RF current.

상기 RF필터(200)는, 히터전원(50)과 히터로드(320) 사이에 구비되어, 히터(130)로부터 히터전원(50) 측으로 흐르는 RF전류를 차단하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The RF filter 200 is provided between the heater power supply 50 and the heater rod 320 and blocks RF current flowing from the heater 130 to the heater power supply 50, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 RF필터(200)는, RF전류의 일부 주파수 대역을 필터링 하기위한 회로가 내부에 구비되는 RF필터본체(220)와, RF필터본체(220)의 끝단에서 기판지지대(120) 내부에 삽입되어 히터로드(320)와 연결되는 RF필터연결부(210)를 포함할 수 있다. For example, the RF filter 200 includes an RF filter body 220 in which a circuit for filtering some frequency bands of RF current is provided, and a substrate support 120 at the end of the RF filter body 220 It may include an RF filter connector 210 that is inserted inside and connected to the heater rod 320.

상기 RF필터본체(220)는, 히터(130)로부터 히터전원(50) 측으로 흐르는 RF전류를 필터링하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The RF filter body 220 is configured to filter the RF current flowing from the heater 130 to the heater power supply 50 side, and various configurations are possible.

에를 들면, 상기 RF필터본체(220)는, 내부에 RF전류를 필터링할 수 있는 회로인 대역저지필터 등이 내부에 구비됨으로써, 히터(130)로부터 히터전원(50) 측으로 흐르는 고조파 대역의 RF전류를 필터링 할 수 있으며, 더 나아가 히터전원(50)으로부터 히터(130)로 공급되는 AC전원의 전류는 통과하도록 할 수 있다.For example, the RF filter body 220 is provided with a band blocking filter, which is a circuit capable of filtering RF current therein, so that the RF current in the harmonic band flowing from the heater 130 to the heater power source 50 Can be filtered, and further, the current of AC power supplied from the heater power 50 to the heater 130 can pass.

상기 RF필터연결부(210)는, RF필터본체(220)의 끝단에서 기판지지대(120) 내부에 삽입되어 히터로드(320)와 연결되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The RF filter connector 210 is inserted into the substrate support 120 at the end of the RF filter body 220 and connected to the heater rod 320, and various configurations are possible.

즉, 상기 RF필터연결부(210)는, 기판지지대(120) 내부에 RF로드(310)와 인접하여 배치되고 히터로드(330)와 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다.That is, the RF filter connector 210 may be disposed adjacent to the RF rod 310 in the substrate support 120 and may be physically and electrically connected to the heater rod 330.

예를 들면, 상기 RF필터연결부(210)는, 기판지지대(120) 내부에 삽입되어, 일단이 히터로드(320)와 연결되고, 타단이 RF전류를 차단하기 위한 회로와 연결될 수 있다.For example, the RF filter connection part 210 may be inserted into the substrate support 120, one end connected to the heater rod 320, and the other end connected to a circuit for blocking RF current.

한편, 상기 RF필터(200)는, 온도 변화에 따라 임피던스값이 변화하면서 차단주파수가 변경되어 RF전류를 완전히 차단하지 못해 히터전원(50)을 보호하지 못하는 문제점이 있을 수 있는 바, RF필터(200) 온도제어의 필요성이 있다. On the other hand, the RF filter 200 may have a problem in that the cutoff frequency is changed as the impedance value changes according to the temperature change, so that the RF current cannot be completely blocked, so that the heater power supply 50 cannot be protected. 200) There is a need for temperature control.

이 경우, 상기 RF필터연결부(210)는 RF필터본체(220)와 연결되는 바, 온도제어수단(400)의 RF필터연결부(210)의 온도제어를 통해 간접적으로 RF필터(200)의 온도를 제어할 수 있다. In this case, the RF filter connection part 210 is connected to the RF filter body 220, and the temperature of the RF filter 200 is indirectly controlled through the temperature control of the RF filter connection part 210 of the temperature control means 400. Can be controlled.

또한, 본 발명에 따른 기판지지장치는, 정전척으로 이용되는 접지전극(140)에 DC전원을 공급하기 위하여, 외부DC전원(미도시)이 구비될 수 있으며, RF로드(310)를 통하여 접지전극(140)에 DC전원을 공급하기 위하여, 후술하는 임피던스제어부(60)와 외부 DC전원 사이에 DC필터(미도시)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate support device according to the present invention may be provided with an external DC power source (not shown) to supply DC power to the ground electrode 140 used as an electrostatic chuck, and ground through the RF rod 310 To supply DC power to the electrode 140, a DC filter (not shown) may be additionally included between the impedance control unit 60 to be described later and the external DC power source.

이 경우 상기 DC필터는, DC전원을 RF전류로부터 보호하기 위하여, 접지전극(140)으로부터 흐르는 RF전류를 차단하며, 접지전극(140)으로 공급되는 정전척용 DC전원은 통과되도록 할 수 있다. In this case, the DC filter may block the RF current flowing from the ground electrode 140 in order to protect the DC power from the RF current, and allow the electrostatic chuck DC power supplied to the ground electrode 140 to pass.

이때, RF전류는 후술하는 임피던스제어부(60)를 통해 외부접지(40)로 흐를 수 있다. In this case, the RF current may flow to the external ground 40 through the impedance control unit 60 to be described later.

또한 본 발명에 따른 기판지지장치는, RF로드(310)와 외부접지(40) 사이에 연결되어, 접지전극(140)으로부터 외부접지(40)로 흐르는 RF전류를 제어하는 임피던스제어부(60)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate support device according to the present invention includes an impedance control unit 60 connected between the RF rod 310 and the external ground 40 to control the RF current flowing from the ground electrode 140 to the external ground 40. Can include.

상기 임피던스제어부(60)는, RF로드(310)와 외부접지(40) 사이에 설치되어, 접지전극(140)으로부터 외부접지(40)로 흐르는 RF전류를 제어함으로써, 처리공간(S) 내의 플라즈마를 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The impedance control unit 60 is installed between the RF rod 310 and the external ground 40, and controls the RF current flowing from the ground electrode 140 to the external ground 40, thereby controlling plasma in the processing space S. As a configuration to control, various configurations are possible.

예를 들면, 상기 임피던스제어부(60)는, 저항, 인덕터 및 커패시터 군에서 선택된 둘 또는 그 이상의 직렬 또는 병렬 조합으로 구성되어, RF전력의 주파수와 공정 조건에 따라서 그 임피던스 값이 가변되도록 하여, RF전류를 제어할 수 있다.For example, the impedance control unit 60 is composed of a combination of two or more selected from a group of resistors, inductors, and capacitors in series or parallel, so that the impedance value is varied according to the frequency and process conditions of RF power, Current can be controlled.

즉, 상기 임피던스제어부(60)는, RF전류를 제어함으로써 처리공간(S) 내의 플라즈마를 최적의 공정 조건에 맞게 제어할 수 있다.That is, the impedance control unit 60 may control the plasma in the processing space S according to optimal process conditions by controlling the RF current.

또한 본 발명에 따른 기판지지장치는, 후술하는 온도제어수단(400)을 통한 RF로드(310)의 온도제어를 위한 온도측정수단을 포함할 수 있다.In addition, the substrate supporting apparatus according to the present invention may include a temperature measuring means for controlling the temperature of the RF rod 310 through a temperature control means 400 to be described later.

예를 들면, 상기 온도측정수단은, RF로드(310)의 온도를 직접 또는 간접적으로 측정하는 온도측정부와, 온도측정부를 통해 측정된 RF로드(310)의 온도를 기초로 후술하는 온도제어수단(400)을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.For example, the temperature measuring means includes a temperature measuring unit that directly or indirectly measures the temperature of the RF rod 310, and a temperature control unit to be described later based on the temperature of the RF rod 310 measured through the temperature measuring unit. It may include a control unit that controls 400.

상기 온도측정부는, RF로드(310)의 온도를 직접 또는 간접적으로 측정하는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The temperature measuring unit may be configured in any configuration as long as it directly or indirectly measures the temperature of the RF rod 310.

예를 들면, 상기 온도측정부는, RF로드(310)에 접촉하여 설치됨으로써 RF로드(310)의 온도를 직접 측정하는 측정센서일 수 있으며, 다른 예로서 제1로드(330) 또는 기판지지대(120) 외부의 제2로드(340)의 온도를 측정함으로써 RF로드(310)의 온도를 간접적으로 측정 또는 산출하는 구성일 수 있다.For example, the temperature measurement unit may be a measurement sensor that directly measures the temperature of the RF rod 310 by being installed in contact with the RF rod 310. As another example, the first rod 330 or the substrate support 120 ) By measuring the temperature of the external second rod 340, the temperature of the RF rod 310 may be indirectly measured or calculated.

또한, 상기 온도측정부는, 기판지지대(120) 내부의 공간온도를 측정함으로써 RF로드(310)의 온도를 간접적으로 측정 또는 산출할 수 있으며, 더 나아가 히터(130) 및 히터로드(320)의 온도를 측정하여 RF로드(310)의 온도를 측정할 수 있음은 또한 물론이다.In addition, the temperature measuring unit may indirectly measure or calculate the temperature of the RF rod 310 by measuring the space temperature inside the substrate support 120, and furthermore, the temperature of the heater 130 and the heater rod 320 Of course, it is also possible to measure the temperature of the RF rod 310 by measuring.

더 나아가, 상기 온도측정부는, RF로드(310)의 냉각을 위해 RF로드(310)와 열교환이 완료된 냉매제의 반출온도를 측정함으로써, RF로드(310)의 온도를 간접적으로 측정할 수 있다. Further, the temperature measuring unit may indirectly measure the temperature of the RF rod 310 by measuring the carrying temperature of the refrigerant that has been heat-exchanged with the RF rod 310 for cooling the RF rod 310.

상기 제어부는, 온도측정부를 통해 측정된 RF로드(310)의 온도를 기초로, RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도제어수단(400)을 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The control unit controls the temperature control means 400 for controlling the temperature of the RF rod 310 based on the temperature of the RF rod 310 measured through the temperature measuring unit, and various configurations are possible.

보다 바람직하게는 상기 제어부는, 측정된 RF로드(310)의 온도가 섭씨 60 내지 80도를 유지하도록 온도제어수단(400)을 제어할 수 있으며, 이보다 높은 온도에서는 온도제어수단(400)을 활용하여 RF로드(310)를 냉각하도록 할 수 있다.More preferably, the control unit may control the temperature control means 400 so that the measured temperature of the RF rod 310 is maintained at 60 to 80 degrees Celsius, and at higher temperatures, the temperature control means 400 is used. Thus, the RF rod 310 may be cooled.

보다 구체적으로, 상기 제어부는, 온도측정부를 통해 측정된 RF로드(310)의 온도를 기초로 냉매제의 유입량을 조절하거나, 기판지지대(120) 내부로 유입되는 냉매제의 온도를 조절하는 방식을 통해 온도제어수단(400)을 제어할 수 있다.More specifically, the control unit adjusts the inflow amount of the refrigerant based on the temperature of the RF rod 310 measured through the temperature measuring unit or adjusts the temperature of the refrigerant flowing into the substrate support 120. It is possible to control the control means 400.

한편, 전술한 로드부(300)의 구성에서, 히터(130)의 온도상승에 따른 열이 히터로드(320) 및 RF로드(310)에 전달됨으로써, 히터로드(320) 및 RF로드(310)에 열 팽창 또는 수축이 일어날 수 있다. On the other hand, in the configuration of the rod unit 300 described above, the heat according to the temperature increase of the heater 130 is transferred to the heater rod 320 and the RF rod 310, so that the heater rod 320 and the RF rod 310 Thermal expansion or contraction may occur.

이 경우, RF로드(310)의 임피던스제어부(60) 측 끝단이 고정된 상태에서 RF로드(310), 제1로드(330) 및 제2로드(340)가 열팽창함으로써, 접지전극(140) 및 히터(130)에 크랙이 발생하는 문제점이 있으며, 이러한 문제는 섭씨 100도 이상의 경우 발생한다. In this case, the RF rod 310, the first rod 330, and the second rod 340 thermally expand while the end of the RF rod 310 on the side of the impedance control unit 60 is fixed, so that the ground electrode 140 and the There is a problem that a crack occurs in the heater 130, and this problem occurs when the temperature is 100 degrees Celsius or more.

이러한 문제점을 극복하기 위하여, 본 발명에 따른 기판지지장치는, RF로드(310)에 인접하여 설치되어, RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도제어수단(400)을 포함한다.In order to overcome this problem, the substrate supporting apparatus according to the present invention includes a temperature control means 400 installed adjacent to the RF rod 310 and controlling the temperature of the RF rod 310.

상기 온도제어수단(400)은, 로드부(300)에 인접하여 설치되어, 로드부(300)의 온도를 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The temperature control means 400 is installed adjacent to the rod portion 300 and controls the temperature of the rod portion 300, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 온도제어수단(400)은, 외부 또는 기판지지대(120) 내부에 위치하는 냉매저장부(410)와, 냉매저장부(410)와 냉매제를 교환하기 위한 유로부(420)를 포함할 수 있다. For example, the temperature control means 400 includes a refrigerant storage unit 410 located outside or inside the substrate support 120, and a flow path unit 420 for exchanging a refrigerant agent with the refrigerant storage unit 410. Can include.

상기 냉매제는, 액체 또는 기체상태로서, 히터(130)에 의해 온도가 상승된 RF로드(310) 및 RF필터연결부(210)의 주변에 분사 또는 통과되어 RF로드(310) 및 RF필터연결부(210)와 열교환을 통해 온도를 제어하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The refrigerant is in a liquid or gaseous state, and is sprayed or passed around the RF rod 310 and the RF filter connection 210 whose temperature is increased by the heater 130, so that the RF rod 310 and the RF filter connection 210 ) And heat exchange to control the temperature, and various configurations are possible.

상기 냉매제는, 종래 개시된 구성으로서, 본 발명에 적용가능한 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The refrigerant is a conventionally disclosed configuration, and any configuration is possible as long as the configuration is applicable to the present invention.

상기 냉매저장부(410)는, 냉매제가 저장되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The refrigerant storage unit 410 is a configuration in which a refrigerant is stored, and various configurations are possible.

상기 냉매저장부(410)는, 기판지지장치의 외부 또는 기판지지대(120)의 내부에 설치되어, 냉매제를 로드부(300) 측으로 공급할 수 있으며, 보다 바람직하게는 냉매제의 보충 및 유지보수를 고려하여 기판지지대(120)의 외부에 위치할 수 있다.The refrigerant storage unit 410 is installed outside the substrate support device or inside the substrate support 120 to supply a refrigerant to the load unit 300, and more preferably, supplementation and maintenance of the refrigerant agent are considered. Thus, it may be located outside the substrate support 120.

한편, 상기 냉매저장부(410)는, 고온의 사용이 완료된 냉매제를 열교환을 통해 다시 냉각시킴으로써, 냉매제를 순환하여 재사용할 수 있도록 구성될 수 있다.Meanwhile, the refrigerant storage unit 410 may be configured to circulate and reuse the refrigerant by re-cooling the refrigerant after heat exchange through heat exchange.

상기 유로부(420)는, 냉매저장부(410)와 연결되어, 저장된 냉매제를 기판지지대(120) 내부와 교환하여, RF로드(310) 측으로 냉매제를 투입 및 배출하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다. The flow path unit 420 is connected to the refrigerant storage unit 410 and exchanges the stored refrigerant with the inside of the substrate support 120 to inject and discharge the refrigerant toward the RF rod 310, and various configurations are possible. Do.

예를 들면, 상기 유로부(420)는, 냉매저장부(410)로부터 저장된 냉매제를 공급받은 공급유로(421)와, 냉매저장부(410)로 냉매제를 배출하는 배출유로(422)를 포함할 수 있다.For example, the flow path part 420 may include a supply flow path 421 receiving the refrigerant stored from the refrigerant storage unit 410 and a discharge flow path 422 for discharging the refrigerant to the refrigerant storage unit 410. I can.

한편, 상기 유로부(420)는, 필요에 따라 배출유로(422)가 생략되고, 냉매저장부(410)로부터 저장된 냉매제를 기판지지대(120) 내부로 공급하는 공급유로(421)만으로 구성될 수 있음은 또한 물론이다. Meanwhile, the flow path part 420 may consist of only a supply flow path 421 for supplying the refrigerant stored from the refrigerant storage unit 410 to the inside of the substrate support 120 by omitting the discharge flow path 422 as necessary. Yes, of course.

이하 본 발명에 따른 온도제어수단(400)의 각 실시예에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, each embodiment of the temperature control means 400 according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

상기 온도제어수단(400)은, 제1실시예로서 도 2에 도시된 바와 같이, 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부로부터 냉매제를 공급받는 공급유로(421)와, 공급유로(421)에 구비되어, RF로드(310) 측으로 냉매제를 분사하는 적어도 하나의 분사노즐(430)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 2 as a first embodiment, the temperature control means 400 is provided in a supply passage 421 installed in the substrate support 120 to receive a refrigerant from the outside, and a supply passage 421 As a result, it may include at least one spray nozzle 430 for spraying the refrigerant toward the RF rod 310.

상기 공급유로(421)는, 외부에 구비되는 냉매저장부(410)로부터 냉매제를 공급받을 수 있으며, 이때 냉매제는 보다 바람직하게는 기체상태일 수 있다.The supply passage 421 may receive a refrigerant from the refrigerant storage unit 410 provided outside, and the refrigerant may be more preferably in a gaseous state.

또한, 상기 공급유로(421)는, 냉매저장부(410) 반대측에 냉매제를 분사하는 적어도 하나의 분사노즐(430)을 구비함으로써, 냉매저장부(410)로부터 공급받은 냉매제를 RF로드(310)를 향해 분사할 수 있다.In addition, the supply passage 421 includes at least one spray nozzle 430 for spraying the refrigerant on the opposite side of the refrigerant storage unit 410, so that the refrigerant supplied from the refrigerant storage unit 410 is supplied to the RF rod 310 Can be sprayed toward.

이 경우, RF로드(310) 뿐만 아니라, RF로드(310)에 인접하여 설치되는 RF필터연결부(210) 및 기판지지대(120) 내부의 온도를 분사하는 냉매제를 통해 제어할 수 있다.In this case, it is possible to control not only the RF rod 310 but also the RF filter connector 210 installed adjacent to the RF rod 310 and a refrigerant spraying the temperature inside the substrate support 120.

상기 분사노즐(430)은 보다 바람직하게는 복수개 형성될 수 있으며, 이를 통해 RF로드(310)의 길이방향으로 적절히 냉매제가 분사되도록 할 수 있다.More preferably, a plurality of the injection nozzles 430 may be formed, through which the refrigerant may be appropriately injected in the longitudinal direction of the RF rod 310.

상기 온도제어수단(400)은, 제2실시예로서 도 3에 도시된 바와 같이, 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부와 냉매제를 교환하는 유로부(420)와, RF로드(310)를 둘러싸고 설치되며, 내부에 유로부(420)로부터 공급받은 냉매제가 흐르는 냉각유로(450)가 구비되어 RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도조절부(440)를 포함할 수 있다.The temperature control means 400, as shown in FIG. 3 as a second embodiment, is installed in the substrate support 120 and surrounds the flow path part 420 for exchanging the refrigerant with the outside, and the RF rod 310 It is installed, and a cooling flow path 450 through which the refrigerant supplied from the flow path part 420 flows may be provided to include a temperature control part 440 that controls the temperature of the RF rod 310.

또한, 상기 온도제어수단(400)은, RF로드(310)와 온도조절부(440) 사이에 설치되어, 상기 RF로드(310)의 열을 온도조절부(440) 측으로 방출하는 방열부재(460)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the temperature control means 400 is installed between the RF rod 310 and the temperature control unit 440, the heat dissipation member 460 for dissipating the heat of the RF rod 310 toward the temperature control unit 440 ) May be additionally included.

상기 유로부(420)는, 냉매저장부(410)로부터 냉매제를 공급받아 기판지지대(120) 내의 온도조절부(440)에 냉매제를 공급하는 공급유로(421)와, 온도조절부(440)의 냉각유로(450)를 순환하고 배출되는 냉매제를 전달받아 냉매저장부(410) 또는 외부로 배출하는 배출유로(422)를 포함할 수 있다.The flow path part 420 includes a supply flow path 421 for receiving a refrigerant from the refrigerant storage unit 410 and supplying the refrigerant to the temperature control unit 440 in the substrate support 120 and the temperature control unit 440. It may include a refrigerant storage unit 410 or a discharge passage 422 for circulating the cooling passage 450 and receiving the discharged refrigerant.

이 경우, 상기 유로부(420)는, 온도조절부(440) 내에 구비되는 냉각유로(450)와 연결될 수 있다. In this case, the flow path part 420 may be connected to the cooling flow path 450 provided in the temperature control part 440.

한편, 이때 상기 유로부(420)는, RF필터연결부(210) 및 히터로드(320) 중 적어도 하나에 인접하게 설치되어, RF필터연결부(210) 또는 히터로드(320)의 온도조절을 통해 RF필터(200)의 온도를 간접적으로 제어할 수 있다.On the other hand, at this time, the flow path part 420 is installed adjacent to at least one of the RF filter connection part 210 and the heater rod 320, and the RF filter connection part 210 or the heater rod 320 The temperature of the filter 200 can be indirectly controlled.

예를 들면, 냉매저장부(410)와 온도조절부(440)를 연결하여 냉매제를 교환하는 공급유로(421) 및 배출유로(422)가 RF필터연결부(210) 또는 히터로드(320)의 주변을 지나도록 설치하거나, RF필터연결부(210) 또는 히터로드(320)와 접촉하도록 설치함으로써, RF필터연결부(210) 또는 히터로드(320)와 열교환을 통해 RF필터(200)를 간접적으로 냉각할 수 있다.For example, the supply passage 421 and the discharge passage 422 for exchanging the refrigerant by connecting the refrigerant storage unit 410 and the temperature control unit 440 are connected to the RF filter connection unit 210 or the heater rod 320. The RF filter 200 can be indirectly cooled through heat exchange with the RF filter connection part 210 or the heater rod 320 by installing it so as to pass through or contacting the RF filter connection part 210 or the heater rod 320. I can.

이 경우, 상기 유로부(420)는, RF필터연결부(210) 또는 히터로드(320)와의 효과적인 열교환을 위하여 열전도율이 뛰어난 알루미늄이 이용될 수 있다.In this case, the flow path part 420 may be formed of aluminum having excellent thermal conductivity for effective heat exchange with the RF filter connection part 210 or the heater rod 320.

상기 온도조절부(440)는, RF로드(310)를 둘러싸고 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The temperature control unit 440 is a configuration installed surrounding the RF rod 310, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 온도조절부(440)는, RF로드(310)의 형상에 대응되어, RF로드(310)가 내부에 삽입되는 중공(441)이 형성된 원기둥 형상일 수 있다.For example, the temperature control unit 440 may have a cylindrical shape in which a hollow 441 into which the RF rod 310 is inserted is formed corresponding to the shape of the RF rod 310.

또한 상기 온도조절부(440)는, 냉매제가 중공(441)을 축으로 선회류의 형상으로 흐를 수 있도록, 내부에 나선형으로 냉각유로(450)가 구비될 수 있으며, 이를 통해 냉매제가 냉각유로(450)를 RF로드(310)를 둘러싸고 흐르도록 하여 효율적인 냉각이 가능하도록 할 수 있다.In addition, the temperature control unit 440 may be provided with a cooling flow path 450 in a spiral shape therein so that the refrigerant flows in the shape of a swirling flow around the hollow 441, through which the refrigerant is a cooling flow path ( 450) may surround the RF rod 310 and flow to enable efficient cooling.

한편, 상기 온도조절부(440)는, 공급유로(421)와 결합되어, 공급유로(421)로부터 냉매제를 공급받는 유입구(442)와, 배출유로(422)와 결합되어, 배출유로(422)로 냉매제를 배출하는 배출구(443)를 포함할 수 있다.On the other hand, the temperature control unit 440 is coupled with the supply passage 421, the inlet 442 receiving the refrigerant from the supply passage 421, and the discharge passage 422, the discharge passage 422 It may include an outlet 443 for discharging the furnace refrigerant.

이 경우, 냉각유로(450)의 원활한 냉매제의 흐름을 위하여 유입구(442)는 상단에, 배출구(443)는 하단에 각각 설치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In this case, the inlet 442 may be installed at the upper end and the outlet 443 may be installed at the lower end for smooth flow of the refrigerant through the cooling channel 450, but the present invention is not limited thereto.

상기 냉각유로(450)는, 온도조절부(440) 내에 설치되거나, 온도조절부(440)에 형성되어 냉매제가 흐를수 있도록 하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The cooling passage 450 is installed in the temperature control unit 440 or is formed in the temperature control unit 440 to allow a refrigerant to flow, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 냉각유로(450)는, 온도조절부(440)에 나선형으로 구비되어, RF로드(310)와의 효과적인 열교환이 가능하도록 할 수 있다.For example, the cooling channel 450 may be provided in a spiral shape in the temperature control unit 440 to enable effective heat exchange with the RF rod 310.

상기 방열부재(460)는, RF로드(310)와 온도조절부(440) 사이에 설치되어 RF로드(310)의 열을 온도조절부(440) 측으로 방출하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The heat dissipation member 460 is installed between the RF rod 310 and the temperature control unit 440 to radiate heat from the RF rod 310 toward the temperature control unit 440, and various configurations are possible.

상기 방열부재(460)는, RF로드(310)의 열을 외부로 방출함으로써, 온도조절부(440)의 냉각유로(450)를 통한 RF로드(310)와의 열교환의 효율을 증대함으로써, RF로드(310)의 온도제어를 보다 용이하게 하도록 할 수 있다.The heat dissipation member 460 radiates heat from the RF rod 310 to the outside, thereby increasing the efficiency of heat exchange with the RF rod 310 through the cooling passage 450 of the temperature controller 440, The temperature control of (310) can be made easier.

상기 온도제어수단(400)은, 제3실시예로서 도 4에 도시된 바와 같이, 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부와 냉매제를 교환하는 유로부(420)와, RF로드(310) 중 적어도 일부를 둘러싸고 설치되며, 내부에 유로부(420)로부터 공급받은 냉매제가 흐르는 냉각유로(450)가 구비되어 RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도조절부(440)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4 as a third embodiment, the temperature control means 400 includes at least a flow path part 420 installed in the substrate support 120 to exchange a refrigerant agent with the outside, and an RF rod 310 A cooling flow path 450 which is installed surrounding a part and flowing the refrigerant supplied from the flow path part 420 may include a temperature control part 440 that controls the temperature of the RF rod 310.

이 경우, 특히 온도조절부(440)는, RF필터연결부(210)를 둘러싸고 설치되어, RF필터연결부(210)의 온도조절을 통해 RF필터(200)의 온도를 간접적으로 제어할 수 있다. In this case, in particular, the temperature control unit 440 is installed surrounding the RF filter connection unit 210, and may indirectly control the temperature of the RF filter 200 through temperature control of the RF filter connection unit 210.

예를 들면, 상기 온도조절부(440)는, 내부에 RF로드(310)가 설치되는 중공(441)과, RF필터연결부(210)가 삽입되어 설치되는 중공(444)이 형성되어, 내부에 RF로드(310)와 RF필터연결부(210)가 삽입되도록 형성될 수 있다.For example, the temperature control unit 440 has a hollow 441 in which an RF rod 310 is installed, and a hollow 444 in which the RF filter connection 210 is inserted and installed, The RF rod 310 and the RF filter connection 210 may be formed to be inserted.

이때 냉각유로(450)는 전술한 바와 같이 내부에 구비됨으로써, 냉각유로(450)를 흐르는 냉매제를 통해 RF필터연결부(210)와 RF로드(310)를 함께 직접 온도제어할 수 있다.At this time, the cooling passage 450 is provided inside as described above, so that the temperature of the RF filter connection part 210 and the RF rod 310 can be directly controlled through the refrigerant flowing through the cooling passage 450.

한편, 상기 온도조절부(440)는, RF필터연결부(210)를 둘러싸고 설치되어, RF필터연결부(210)의 온도조절을 통해 RF필터(200) 및 히터로드(320)의 온도를 간접적으로 제어할 수 있을 뿐만 아니라, 히터로드(320) 또는 RF필터(200)의 일부 또는 전부를 직접 둘러싸고 설치되어, 히터로드(320) 또는 RF필터(200)의 온도를 직접적으로 제어할 수도 있다.On the other hand, the temperature control unit 440 is installed surrounding the RF filter connection unit 210, and indirectly controls the temperature of the RF filter 200 and the heater rod 320 through temperature control of the RF filter connection unit 210 In addition, it is possible to directly surround a part or all of the heater rod 320 or the RF filter 200 to directly control the temperature of the heater rod 320 or the RF filter 200.

보다 구체적으로, 상기 온도조절부(440)는, RF필터연결부(210)와, RF필터연결부(210)의 상측에서 접촉되는 히터로드(320)를 함께 둘러싸고 설치될 수 있으며, 이 경우 RF필터연결부(210)가 삽입되어 설치되는 중공(444)이 히터로드(320)가 함께 삽입 설치될 수 있도록 단차를 가지고 형성될 수 있다.More specifically, the temperature control unit 440 may be installed to surround the RF filter connection unit 210 and the heater rod 320 that is in contact with the upper side of the RF filter connection unit 210. In this case, the RF filter connection unit The hollow 444 into which the 210 is inserted may be formed with a step so that the heater rod 320 may be inserted and installed together.

또한, 이때 상기 방열부재(460)는, 도 4에 도시한 바와 같이 RF로드(310)와 온도조절부(440) 사이에 설치될 수 있으며, 더 나아가 RF필터연결부(210)와의 사이에도 설치될 수 있음은 또한 물론이다.In addition, at this time, the heat dissipation member 460 may be installed between the RF rod 310 and the temperature control unit 440 as shown in FIG. 4, and furthermore, the heat dissipation member 460 may be installed between the RF filter connection unit 210. Of course you can also.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above is only described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as well known, the scope of the present invention should not be limited to the above embodiments and should not be interpreted. It will be said that both the technical idea and the technical idea together with the fundamental are included in the scope of the present invention.

10: 공정챔버 20: 가스분사부
30: 기판지지장치 100: 기판지지부
200: RF필터 300: 로드부
400: 온도제어수단10: process chamber 20: gas injection unit
30: substrate support device 100: substrate support
200: RF filter 300: rod part
400: temperature control means

Claims (13)

내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10) 내의 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지장치(30)와; 상기 기판지지장치(30)에 대향하여 배치되고 RF전원이 인가되는 가스분사부(20)를 포함하는 기판처리장치의 기판지지장치로서,
상기 공정챔버(10) 내에 설치되며, 내부에 접지전극(140)을 포함하는 기판플레이트(110)와, 상기 공정챔버(10)를 관통하여 상기 기판플레이트(110)를 지지하는 기판지지대(120)를 포함하는 기판지지부(100)와;
상기 기판지지대(120) 내부에 설치되어, 외부접지(40)와 상기 접지전극(140) 사이를 물리적, 전기적으로 연결하는 RF로드(310)를 포함하는 로드부(300)와;
상기 RF로드(310)에 인접하여 설치되어, 상기 RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도제어수단(400)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.A process chamber 10 forming a processing space S in which the substrate 1 is processed; A substrate support device (30) supporting the substrate (1) in the process chamber (10); A substrate support device of a substrate processing apparatus including a gas injection unit 20 disposed opposite the substrate support device 30 and to which an RF power is applied,
A substrate plate 110 installed in the process chamber 10 and including a ground electrode 140 therein, and a substrate support 120 passing through the process chamber 10 to support the substrate plate 110 A substrate support portion 100 comprising a;
A load unit 300 installed inside the substrate support 120 and including an RF rod 310 physically and electrically connecting the external ground 40 and the ground electrode 140;
And a temperature control means (400) installed adjacent to the RF rod (310) and controlling the temperature of the RF rod (310). 청구항 1에 있어서,
상기 기판지지부(100)는,
상기 기판플레이트(110)의 내부에 설치되어, 상기 처리공간(S)에 기판(1)이 처리되는 고온환경을 조성하기 위한 히터(130)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치. The method according to claim 1,
The substrate support part 100,
And a heater 130 installed inside the substrate plate 110 to create a high-temperature environment in which the substrate 1 is processed in the processing space S. 청구항 2에 있어서,
상기 로드부(300)는,
상기 기판지지대(120) 내부에 설치되어, 외부의 히터전원(50)과 상기 히터(130)를 물리적, 전기적으로 연결하는 히터로드(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치. The method according to claim 2,
The rod part 300,
And a heater rod (320) installed inside the substrate support (120) and physically and electrically connecting the external heater power source (50) and the heater (130). 청구항 3에 있어서,
상기 히터전원(50)과 상기 히터로드(320) 사이에서 RF전류를 차단하도록 설치되는 RF필터(200)를 포함하며,
상기 RF필터(200)는,
상기 기판지지대(120) 내부에 삽입되어, 일단이 상기 히터로드(320)와 연결되고, 타단이 RF전류를 차단하기 위한 회로와 연결되는 RF필터연결부(210)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.The method of claim 3,
Including an RF filter 200 installed to block an RF current between the heater power supply 50 and the heater rod 320,
The RF filter 200,
A substrate support, characterized in that it includes an RF filter connector 210 inserted into the substrate support 120, one end connected to the heater rod 320 and the other end connected to a circuit for blocking RF current Device. 청구항 1에 있어서,
상기 RF로드(310)와 상기 외부접지(40) 사이에 연결되어, 상기 접지전극(140)으로부터 상기 외부접지(40)로 흐르는 RF전류를 제어하는 임피던스제어부(60)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.The method according to claim 1,
And an impedance control unit 60 connected between the RF rod 310 and the external ground 40 to control an RF current flowing from the ground electrode 140 to the external ground 40. Substrate support device. 청구항 1에 있어서,
상기 RF로드(310)의 온도를 직접 또는 간접적으로 측정하는 온도측정부와, 상기 온도측정부를 통해 측정된 RF로드(310)의 온도를 기초로 상기 온도제어수단(400)을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.The method according to claim 1,
A temperature measuring unit that directly or indirectly measures the temperature of the RF rod 310, and a control unit that controls the temperature control means 400 based on the temperature of the RF rod 310 measured through the temperature measuring unit. A substrate support device, characterized in that. 청구항 6에 있어서,
상기 제어부는,
상기 온도제어수단(400)을 통해 상기 RF로드(310)와 열교환하는 냉매제의 유량을 조절하여 상기 온도제어수단(400)을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.The method of claim 6,
The control unit,
The substrate support device, characterized in that controlling the temperature control means (400) by controlling the flow rate of the refrigerant to heat exchange with the RF rod (310) through the temperature control means (400). 청구항 1에 있어서,
상기 온도제어수단(400)은,
상기 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부로부터 냉매제를 공급받는 공급유로(421)와, 상기 공급유로(421)에 구비되어, 상기 RF로드(310)를 향해 상기 냉매제를 분사하는 적어도 하나의 분사노즐(430)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.The method according to claim 1,
The temperature control means 400,
A supply passage 421 installed in the substrate support 120 to receive a refrigerant from the outside, and at least one spray nozzle provided in the supply passage 421 to inject the refrigerant toward the RF rod 310 A substrate supporting device comprising (430). 청구항 1에 있어서,
상기 온도제어수단(400)은,
상기 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부와 냉매제를 교환하는 유로부(420)와, 상기 RF로드(310) 중 적어도 일부를 둘러싸고 설치되며, 내부에 상기 유로부(420)로부터 공급받은 상기 냉매제가 흐르는 냉각유로(450)가 구비되어 상기 RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도조절부(440)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.The method according to claim 1,
The temperature control means 400,
A flow path part 420 installed in the substrate support 120 to exchange a refrigerant with the outside, and surrounding at least a part of the RF rod 310, and the refrigerant supplied from the flow path part 420 therein A substrate support device comprising a temperature controller 440 provided with a flowing cooling channel 450 to control the temperature of the RF rod 310. 청구항 4에 있어서,
상기 온도제어수단(400)은,
상기 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부와 냉매제를 교환하는 유로부(420)와, 상기 RF로드(310) 중 적어도 일부를 둘러싸고 설치되며, 내부에 상기 유로부(420)로부터 공급받은 상기 냉매제가 흐르는 냉각유로(450)가 구비되어 상기 RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도조절부(440)를 포함하며,
상기 유로부(420)는,
상기 RF필터연결부(210) 및 상기 히터로드(320) 중 적어도 하나에 인접하게 설치되어, 상기 RF필터연결부(210) 또는 상기 히터로드(320)의 온도조절을 통해 상기 RF필터(200)의 온도를 간접적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.The method of claim 4,
The temperature control means 400,
A flow path part 420 installed in the substrate support 120 to exchange a refrigerant with the outside, and surrounding at least a part of the RF rod 310, and the refrigerant supplied from the flow path part 420 therein Includes a temperature control unit 440 provided with a flowing cooling passage 450 to control the temperature of the RF rod 310,
The flow path part 420,
It is installed adjacent to at least one of the RF filter connector 210 and the heater rod 320, the temperature of the RF filter 200 by controlling the temperature of the RF filter connector 210 or the heater rod 320 A substrate support device, characterized in that indirectly controlling the. 청구항 4에 있어서,
상기 온도제어수단(400)은,
상기 기판지지대(120) 내에 설치되어 외부와 냉매제를 교환하는 유로부(420)와, 상기 RF로드(310) 중 적어도 일부를 둘러싸고 설치되며, 내부에 상기 유로부(420)로부터 공급받은 상기 냉매제가 흐르는 냉각유로(450)가 구비되어 상기 RF로드(310)의 온도를 제어하는 온도조절부(440)를 포함하며,
상기 온도조절부(440)는,
상기 RF필터연결부(210)를 둘러싸고 설치되어, 상기 RF필터연결부(210)의 온도조절을 통해 상기 RF필터(200)의 온도를 간접적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치. The method of claim 4,
The temperature control means 400,
A flow path part 420 installed in the substrate support 120 to exchange a refrigerant with the outside, and surrounding at least a part of the RF rod 310, and the refrigerant supplied from the flow path part 420 therein Includes a temperature control unit 440 provided with a flowing cooling passage 450 to control the temperature of the RF rod 310,
The temperature control unit 440,
A substrate supporting apparatus, characterized in that it is installed surrounding the RF filter connection part 210 and indirectly controls the temperature of the RF filter 200 through temperature control of the RF filter connection part 210. 청구항 9 내지 청구항 11 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 온도제어수단(400)은,
상기 RF로드(310)와 상기 온도조절부(440) 사이에 설치되어, 상기 RF로드(310)의 열을 상기 온도조절부(440) 측으로 방출하는 방열부재(460)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.The method according to any one of claims 9 to 11,
The temperature control means 400,
It is installed between the RF rod 310 and the temperature control unit 440, characterized in that it comprises a heat dissipation member 460 for dissipating the heat of the RF rod 310 toward the temperature control unit 440 Substrate support device. 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(10)와;
상기 공정챔버(10) 내의 상기 기판(1)을 지지하는 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 하나의 항에 따른 기판지지장치(30)와;
상기 기판지지장치(30)에 대향하여 배치되고 RF전원이 인가되며, 상기 처리공간(S)으로 공정가스를 공급하는 가스분사부(20)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. A process chamber 10 forming a processing space S in which the substrate 1 is processed;
A substrate support device (30) according to any one of claims 1 to 11 for supporting the substrate (1) in the process chamber (10);
And a gas injection unit (20) disposed opposite the substrate support device (30), applied with RF power, and supplying a process gas to the processing space (S).
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