KR20200127480A - Crystalline Forms of Teneligliptin Edisylate and Process of Preparing the Same - Google Patents

Crystalline Forms of Teneligliptin Edisylate and Process of Preparing the Same Download PDF

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신아름
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신현익
문형욱
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Abstract

The present invention provides a novel crystalline form of teneligliptin edisylate and a method for preparing the same. The tenerigliptin edicylate crystalline form according to the present invention has excellent stability against heat and moisture, and thus can be usefully used in the preparation of pharmaceutical preparations.

Description

테네리글립틴 에디실산염 결정형 및 이의 제조방법 {Crystalline Forms of Teneligliptin Edisylate and Process of Preparing the Same}Teneligliptin Edisylate and Process of Preparing the Same {Crystalline Forms of Teneligliptin Edisylate and Process of Preparing the Same}

본 발명은 테네리글립틴 에디실산염 결정형 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 열 및 수분에 대하여 안정성이 뛰어난 테네리글립틴 에디실산염의 신규한 결정형 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a crystalline form of tenerigliptin edisylate and a method for preparing the same. More specifically, the present invention relates to a novel crystalline form of tenerigliptin edicylate excellent in stability against heat and moisture, and a method for preparing the same.

당뇨병은 체내 혈당이 정상적으로 조절되지 못하여 기준치 이상의 높은 농도로 존재하여 신장기능 이상, 심혈관 질환, 뇌혈관 질환 등의 합병증을 유발하는 질환이다. 당뇨병은 제1형 당뇨병과 제2형 당뇨병으로 구분되며, 제2형 당뇨병은 인슐린이 분비되나 그 양이 충분하지 못하거나 분비되는 인슐린이 제대로 사용되지 못하여 생기는 경우로 전체 당뇨병의 90% 내지 95%를 차지하고 있다.Diabetes is a disease that causes complications such as kidney dysfunction, cardiovascular disease, and cerebrovascular disease because blood sugar in the body is not regulated normally and is present in a concentration higher than the standard value. Diabetes is classified into type 1 diabetes and type 2 diabetes, and type 2 diabetes is caused by the secretion of insulin, but insufficient amount of insulin or insufficient use of secreted insulin, and 90% to 95% of all diabetes mellitus. Occupies.

제2형 당뇨병 환자는 식사요법 및 운동요법의 보조제로 경구용 혈당강하제를 복용하게 되는데, 그 종류로는 비구아나이드(biguanide), 설포닐유레아(sulfonylurea), 비설폰요소제(non-sulfonylurea), 티아졸리딘디온(thiazolidinedione, TZD), 알파-글루코시다제 억제제(α-glucosidase inhibitor, α-GI), 글루카곤 유사 펩티드-1 유사체(glucagon-like peptide-1 analogues, GLP-1 analogues), 디펩티딜 펩티다제-4 억제제 (DPP-4 inhibitor), 나트륨/포도당 공동수송체-2 억제제 (sodium/glucose co-transporter-2 inhibitor, SGLT-2 inhibitor) 등이 있다. 이 중, 디펩티딜 펩티다제-4 억제제는 체내 혈당을 낮춰주는 글루카곤 유사 펩티드-1 (GLP-1)의 분해를 억제함으로써 GLP-1의 작용기간을 연장하여 당뇨병을 치료하는 약물이다.Type 2 diabetes patients take oral hypoglycemic drugs as an adjunct to diet and exercise therapy, and the types include biguanide, sulfonylurea, non-sulfonylurea, and thiazoli. Thiazolidinedione (TZD), alpha-glucosidase inhibitor (α-GI), glucagon-like peptide-1 analogues, GLP-1 analogues, dipeptidyl peptida 4th inhibitor (DPP-4 inhibitor), sodium/glucose co-transporter-2 inhibitor (sodium/glucose co-transporter-2 inhibitor, SGLT-2 inhibitor), and the like. Among them, dipeptidyl peptidase-4 inhibitors are drugs that treat diabetes by prolonging the duration of action of GLP-1 by inhibiting the degradation of glucagon-like peptide-1 (GLP-1), which lowers blood sugar in the body.

하기 화학식 Ⅰ의 테네리글립틴(Teneligliptin)(3-{(2S,4S)-4-[4-(3-메틸-1-페닐-1H-피라졸-5-일)피페라진-1-일]피롤리딘-2-일카르보닐}티아졸리딘)은 제2형 당뇨병 환자의 혈당조절을 위한 식사요법 및 운동요법의 보조제로서 사용되는 디펩티딜 펩티다제-4 억제제 계열의 약물이다.Tenerigliptin (3-{(2 S ,4 S )-4-[4-(3-methyl-1-phenyl-1H-pyrazol-5-yl) piperazine-1 of the following formula I -Yl]pyrrolidin-2-ylcarbonyl}thiazolidine) is a dipeptidyl peptidase-4 inhibitor family drug used as an adjunct to diet and exercise therapy for blood sugar control in type 2 diabetes patients. .

Figure pat00001
Figure pat00001

(Ⅰ)(Ⅰ)

이러한 테네리글립틴 및 이의 염은 대한민국 등록 특허 제817,378호 및 대한민국 등록 특허 제1,352,650호에 개시되어 있다. 또한, 테네리글립틴은 하기 화학식 Ⅱ의 테네리글립틴 브롬화수소산염 수화물(teneligliptin hydrobromide hydrate)의 형태로 테넬리아(Tenelia)라는 상품명으로 시판되고 있다.Tenerigliptin and salts thereof are disclosed in Korean Patent No. 817,378 and Korean Patent No. 1,352,650. In addition, teneligliptin is marketed under the brand name Tenelia in the form of teneligliptin hydrobromide hydrate of the following formula II.

Figure pat00002
Figure pat00002

(Ⅱ)(Ⅱ)

그러나, 약학적으로 유용한 화합물의 결정형이 독특한 물리화학적 특성을 토대로 약학조성물의 성능을 개선시킬 수 있음에도 불구하고, 테네리글립틴 에디실산염 결정형에 대한 연구는 미비한 실정이다.However, although the crystalline form of a pharmaceutically useful compound can improve the performance of a pharmaceutical composition based on its unique physicochemical properties, studies on the crystalline form of teneligliptin edisylate are insufficient.

대한민국 등록 특허 제817,378호Korean Registered Patent No. 817,378 대한민국 등록 특허 제1,352,650호Registered Korean Patent No. 1,352,650

본 발명의 목적은 열에 대하여 안정하고 흡습성이 상대적으로 적은 테네리글립틴 에디실산염 결정형을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a teneligliptin edicylate crystalline form that is stable against heat and has relatively little hygroscopicity.

본 발명의 다른 목적은 상기 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for preparing the teneligliptin edicylate crystalline form.

본 발명의 또 다른 목적은 유효성분으로서 상기 테네리글립틴 에디실산염 결정형을 포함하는 약제학적 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a pharmaceutical composition comprising the teneligliptin edicylate crystalline form as an active ingredient.

본 발명의 일 실시형태는 X-선 분말 회절분석에서 I/I0(I: 각 회절각에서의 피크의 강도, I0: 가장 큰 피크의 강도)가 10% 이상인 회절각(2θ)의 값이 9.3±0.2, 11.8±0.2, 12.5±0.2, 13.0±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 14.6±0.2, 15.7±0.2, 17.1±0.2, 17.9±0.2, 18.7±0.2, 19.4±0.2, 20.6±0.2, 20.9±0.2, 21.5±0.2, 22.2±0.2, 22.5±0.2, 23.0±0.2, 24.1±0.2, 24.3±0.2, 25.0±0.2, 25.7±0.2, 26.9±0.2, 27.3±0.2 및 28.0±0.2인 하기 화학식 1로 표시되는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형에 관한 것이다. One embodiment of the present invention is a value of the diffraction angle (2θ) in which I/I 0 (I: intensity of the peak at each diffraction angle, I 0 : intensity of the largest peak) is 10% or more in X-ray powder diffraction analysis. 9.3±0.2, 11.8±0.2, 12.5±0.2, 13.0±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 14.6±0.2, 15.7±0.2, 17.1±0.2, 17.9±0.2, 18.7±0.2, 19.4±0.2, 20.6 ±0.2, 20.9±0.2, 21.5±0.2, 22.2±0.2, 22.5±0.2, 23.0±0.2, 24.1±0.2, 24.3±0.2, 25.0±0.2, 25.7±0.2, 26.9±0.2, 27.3±0.2 and 28.0±0.2 Phosphorus relates to a crystalline form Ⅲ of teneligliptin edicylate represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00003
Figure pat00003

본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형은 상기 X선 분말 회절피크 이외에 약한 강도로, 10.8±0.2, 28.7±0.2, 32.9±0.2, 35.2±0.2의 회절각(2θ)에서 X선 분말 회절피크를 추가로 가질 수 있다. 이때, "약한 강도"란 I/I0(상대강도)가 10% 미만인 피크를 나타낸다.Tenerigliptin edisylate crystalline form Ⅲ according to an embodiment of the present invention has a weak intensity other than the X-ray powder diffraction peak, and diffraction angles of 10.8±0.2, 28.7±0.2, 32.9±0.2, 35.2±0.2 (2θ) ) May additionally have an X-ray powder diffraction peak. At this time, "weak intensity" refers to a peak in which I/I 0 (relative intensity) is less than 10%.

본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형은 시차주사열량 분석에서, 첫번째 흡열점은 199.40℃, 두번째 흡열점은 281.16℃, 발열점은 206.69℃의 값을 나타낸다.Teneligliptin edicylate crystalline form Ⅲ according to an embodiment of the present invention shows a value of 199.40°C for a first endothermic point, 281.16°C for a second endothermic point, and 206.69°C for a differential scanning calorie analysis.

본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형은 테네리글립틴 에디실산염 무정형을 아세토니트릴에 현탁시키고, 열을 가하여 교반하거나 상온에서 교반한 후, 여과하여 감압 건조함으로써 제조될 수 있다.Tenerigliptin edicylate crystalline form Ⅲ according to an embodiment of the present invention is obtained by suspending teneligliptin edicylate amorphous form in acetonitrile, stirring by applying heat or stirring at room temperature, filtration and drying under reduced pressure. Can be manufactured.

본 발명의 다른 실시형태는 X-선 분말 회절분석에서 I/I0(I: 각 회절각에서의 피크의 강도, I0: 가장 큰 피크의 강도)가 10% 이상인 회절각(2θ)의 값이 10.7±0.2, 11.5±0.2, 12.6±0.2, 13.9±0.2, 14.8±0.2, 15.2±0.2, 16.2±0.2, 17.8±0.2, 18.3±0.2, 19.1±0.2, 19.8±0.2, 20.4±0.2, 21.1±0.2, 21.6±0.2, 22.1±0.2, 22.4±0.2, 23.2±0.2, 24.0±0.2, 24.7±0.2, 26.8±0.2, 28.1±0.2, 28.2±0.2, 29.8±0.2, 30.0±0.2, 및 32.2±0.2인 상기 화학식 1로 표시되는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형에 관한 것이다.Another embodiment of the present invention is the value of the diffraction angle (2θ) in which I/I 0 (I: intensity of the peak at each diffraction angle, I 0 : intensity of the largest peak) is 10% or more in X-ray powder diffraction analysis. 10.7±0.2, 11.5±0.2, 12.6±0.2, 13.9±0.2, 14.8±0.2, 15.2±0.2, 16.2±0.2, 17.8±0.2, 18.3±0.2, 19.1±0.2, 19.8±0.2, 20.4±0.2, 21.1 ±0.2, 21.6±0.2, 22.1±0.2, 22.4±0.2, 23.2±0.2, 24.0±0.2, 24.7±0.2, 26.8±0.2, 28.1±0.2, 28.2±0.2, 29.8±0.2, 30.0±0.2, and 32.2± It relates to a crystalline form IV of teneligliptin edisylate represented by Chemical Formula 1, which is 0.2.

본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형은 상기 X선 분말 회절피크 이외에 약한 강도로 9.0±0.2, 9.5±0.2, 16.9±0.2, 25.4±0.2, 26.1±0.2, 31.2±0.2 및 33.9±0.2의 회절각(2θ)에서 X선 분말 회절피크를 추가로 가질 수 있다.Tenerigliptin edicylate crystalline form IV according to an embodiment of the present invention has a weak intensity in addition to the X-ray powder diffraction peak, and is 9.0±0.2, 9.5±0.2, 16.9±0.2, 25.4±0.2, 26.1±0.2, 31.2. It may additionally have an X-ray powder diffraction peak at diffraction angles (2θ) of ±0.2 and 33.9±0.2.

본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형은 시차주사열량 분석에서, 첫번째 흡열점은 93.29℃, 두번째 흡열점은 281.93℃의 값을 나타낸다.Tenerigliptin edisylate crystalline form IV according to an embodiment of the present invention shows a value of 93.29°C for a first endothermic point and 281.93°C for a second endothermic point in differential scanning calorimetry analysis.

본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형은 테네리글립틴 에디실산염 무정형으로부터 제조될 수 있다.Tenerigliptin edicylate crystalline form IV according to an embodiment of the present invention may be prepared from tenerigliptin edicylate amorphous form.

구체적으로, 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형은 테네리글립틴 에디실산염 무정형을 아세토니트릴에 현탁시키고, 열을 가하여 교반하거나 상온에서 교반한 후, 여과하여 물과 아세토니트릴의 혼합용매에 현탁시키고 상온에서 교반한 다음, 여과하여 감압 건조 또는 60 내지 80℃에서 오븐 건조함으로써 제조될 수 있다. 대안적으로, 테네리글립틴 에디실산염 무정형을 아세토니트릴에 현탁시키고, 열을 가하여 교반하거나 상온에서 교반한 후, 여과하여 40℃, 75% RH 또는 25℃, 60% RH에서 보관함으로써 제조될 수 있다. 상기 보관은 1일 이상 수행될 수 있다.Specifically, for teneligliptin edicylate crystalline form IV, teneligliptin edicylate amorphous form is suspended in acetonitrile and stirred by heating or stirred at room temperature, followed by filtration in a mixed solvent of water and acetonitrile. It can be prepared by suspending and stirring at room temperature, followed by filtration and drying under reduced pressure or oven drying at 60 to 80°C. Alternatively, teneligliptin edisylate amorphous form is suspended in acetonitrile, stirred by heating or stirred at room temperature, and then filtered and stored at 40° C., 75% RH or 25° C., 60% RH. I can. The storage may be performed for one or more days.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형은 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형으로부터 제조될 수 있다.In addition, teneligliptin edisylate crystalline form IV according to an embodiment of the present invention may be prepared from teneligliptin edicylate crystalline form III.

구체적으로, 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형은 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형을 물과 아세토니트릴의 혼합용매에 현탁시키고 상온에서 교반한 다음, 여과하여 감압 건조 또는 60 내지 80℃에서 오븐 건조함으로써 제조될 수 있다. 대안적으로, 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형을 40℃, 75% RH 또는 25℃, 60% RH에서 보관함으로써 제조될 수 있다. 상기 보관은 1일 이상 수행될 수 있다.Specifically, for teneligliptin edicylate crystalline form IV, teneligliptin edicylate crystalline form Ⅲ is suspended in a mixed solvent of water and acetonitrile, stirred at room temperature, filtered and dried under reduced pressure or at 60 to 80°C. It can be prepared by drying in the oven. Alternatively, it can be prepared by storing tenerigliptin edicylate crystalline form III at 40°C, 75% RH or 25°C, 60% RH. The storage may be performed for one or more days.

본 발명의 또 다른 실시형태는 X-선 분말 회절분석에서 I/I0(I: 각 회절각에서의 피크의 강도, I0: 가장 큰 피크의 강도)가 10% 이상인 회절각(2θ)의 값이 11.9±0.2, 14.0±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 16.4±0.2, 17.5±0.2, 20.2±0.2, 20.8±0.2, 21.6±0.2, 21.8±0.2, 22.4±0.2, 23.1±0.2, 25.1±0.2, 25.4±0.2, 26.5±0.2 및 27.2±0.2인 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형에 관한 것이다.In another embodiment of the present invention, in X-ray powder diffraction analysis, I/I 0 (I: intensity of the peak at each diffraction angle, I 0 : intensity of the largest peak) is 10% or more of the diffraction angle (2θ). Values are 11.9±0.2, 14.0±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 16.4±0.2, 17.5±0.2, 20.2±0.2, 20.8±0.2, 21.6±0.2, 21.8±0.2, 22.4±0.2, 23.1±0.2, 25.1±0.2, 25.4±0.2, 26.5±0.2 and 27.2±0.2 of tenerigliptin edicylate crystalline form VI.

본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형은 상기 X선 분말 회절피크 이외에 약한 강도로 5.9±0.2, 10.2±0.2, 13.3±0.2, 18.9±0.2, 24.0±0.2, 24.6±0.2, 25.6±0.2, 28.8±0.2, 28.9±0.2, 30.0±0.2, 31.0±0.2, 31.5±0.2, 31.8±0.2, 32.3±0.2, 32.8±0.2, 34.2±0.2, 35.1±0.2, 38.4±0.2 및 39.1±0.2의 회절각(2θ)에서 X선 분말 회절피크를 추가로 가질 수 있다.Tenerigliptin edisylate crystalline form VI according to an embodiment of the present invention has a weak intensity other than the X-ray powder diffraction peak, 5.9±0.2, 10.2±0.2, 13.3±0.2, 18.9±0.2, 24.0±0.2, 24.6 ±0.2, 25.6±0.2, 28.8±0.2, 28.9±0.2, 30.0±0.2, 31.0±0.2, 31.5±0.2, 31.8±0.2, 32.3±0.2, 32.8±0.2, 34.2±0.2, 35.1±0.2, 38.4±0.2 And an X-ray powder diffraction peak at a diffraction angle (2θ) of 39.1±0.2.

본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형은 시차주사열량 분석에서, 흡열점이 285.26℃의 값을 나타낸다.Teneligliptin edisylate crystalline form VI according to an embodiment of the present invention exhibits a value of 285.26°C in an endothermic point in differential scanning calorimetry analysis.

본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형은 테네리글립틴 에디실산염 무정형으로부터 제조될 수 있다.Tenerigliptin edisylate crystalline form VI according to an embodiment of the present invention may be prepared from tenerigliptin edisylate amorphous form.

구체적으로, 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형은 테네리글립틴 에디실산염 무정형을 물과 아세토니트릴의 혼합용매에 현탁시키고, 열을 가하여 교반한 후, 여과하여 감압 건조함으로써 제조될 수 있다. 대안적으로, 테네리글립틴 에디실산염 무정형을 아세토니트릴에 현탁시키고, 열을 가하여 교반한 후, 물을 적가하고 열을 가하여 교반한 다음, 여과하여 감압 건조 또는 60 내지 80℃에서 오븐 건조함으로써 제조될 수 있다.Specifically, teneligliptin edicylate crystalline form VI can be prepared by suspending tenerigliptin edicylate amorphous in a mixed solvent of water and acetonitrile, stirring by applying heat, filtering and drying under reduced pressure. . Alternatively, teneligliptin edisylate amorphous form is suspended in acetonitrile and stirred by applying heat, followed by adding water dropwise and stirring by applying heat, followed by filtration and drying under reduced pressure or oven drying at 60 to 80°C. Can be manufactured.

본 발명의 일 실시형태에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형은 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물로부터 제조될 수 있다.Tenerigliptin edisylate crystalline form VI according to an embodiment of the present invention may be prepared from a dimethylformamide solvate of tenerigliptin edisylate.

구체적으로, 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형은 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물을 물과 아세토니트릴의 혼합용매에 현탁시키고, 열을 가하여 교반하거나 상온에서 교반한 후, 여과하여 감압 건조 또는 60 내지 80℃에서 오븐 건조함으로써 제조될 수 있다.Specifically, for tenerigliptin edicylate crystalline form VI, a dimethylformamide solvate of tenerigliptin edicylate is suspended in a mixed solvent of water and acetonitrile, and stirred by heating or stirred at room temperature, It can be prepared by filtration and drying under reduced pressure or oven drying at 60 to 80°C.

상기 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물은 테네리글립틴 유리염기로부터 제조될 수 있다.The dimethylformamide solvate of the teneligliptin edicyl acid salt may be prepared from the teneligliptin free base.

구체적으로, 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물은 테네리글립틴 유리염기를 디메틸포름아마이드에 용해하여 교반한 후, 에탄-1,2-디설폰산을 디메틸포름아마이드에 용해시켜 적가한 후, 생성된 고체를 여과하여 감압 건조함으로써 제조될 수 있다.Specifically, the dimethylformamide solvate of teneligliptin edicyl acid salt is added dropwise by dissolving tenerigliptin free base in dimethylformamide and stirring, then dissolving ethane-1,2-disulfonic acid in dimethylformamide. After that, it can be prepared by filtering the resulting solid and drying under reduced pressure.

또한, 상기 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물은 테네리글립틴 에디실산염의 무정형, 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅰ형 내지 Ⅴ형, 또는 상기 유리염기로부터 제조된 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물로부터 제조될 수 있다.In addition, the dimethylformamide solvate of teneligliptin edicylate is an amorphous form of teneligliptin edicylate, crystalline form I to V of teneligliptin edicylate, or Tenerie prepared from the free base. It can be prepared from a dimethylformamide solvate of gliptin edicylate.

구체적으로, 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물은, 테네리글립틴 에디실산염의 무정형, 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅰ형 내지 Ⅴ형, 또는 상기 유리염기로부터 제조된 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물을 디메틸포름아마이드와 물의 혼합용매에 넣은 후, 열을 가하여 완전히 용해시킨 후, 천천히 상온으로 온도를 내려 생성된 고체를 여과함으로써 제조될 수 있다.Specifically, the dimethylformamide solvate of teneligliptin edicylate is an amorphous form of teneligliptin edicylate, crystalline form I to V of teneligliptin edicylate, or te prepared from the free base. It can be prepared by putting the dimethylformamide solvate of nerigliptin edicylate in a mixed solvent of dimethylformamide and water, then completely dissolving it by applying heat, and then slowly lowering the temperature to room temperature and filtering the resulting solid.

본 발명의 일 실시형태에서, 테네리글립틴 에디실산염 무정형은 테네리글립틴 유리염기를 에탄-1,2-디설폰산과 반응시켜 제조할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the teneligliptin edisylate amorphous form can be prepared by reacting the teneligliptin free base with ethane-1,2-disulfonic acid.

상기 반응용매로는 알코올계 용매, 니트릴계 용매, 에스테르계 용매, 케톤계 용매, 탄화수소계 용매 또는 이들의 혼합용매를 사용할 수 있다. 상기 알코올계 용매로는 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, t-부틸 알코올 등을 예로 들 수 있으며, 니트릴계 용매로는 아세토니트릴 등을 예로 들 수 있다. 또한, 에스테르계 용매로는 에틸아세테이트 등을 예로 들 수 있으며, 케톤계 용매로는 아세톤, 메틸에틸케톤 등을 예로 들 수 있고, 탄화수소계 용매로는 헥산 등을 예로 들 수 있다. 또한, 상기 용매들과 물의 혼합용매가 사용될 수 있다.As the reaction solvent, an alcohol-based solvent, a nitrile-based solvent, an ester-based solvent, a ketone-based solvent, a hydrocarbon-based solvent, or a mixed solvent thereof may be used. Examples of the alcohol-based solvent include methanol, ethanol, isopropanol, and t -butyl alcohol, and examples of the nitrile-based solvent include acetonitrile. In addition, ethyl acetate and the like may be exemplified as the ester solvent, acetone and methyl ethyl ketone may be exemplified as the ketone solvent, and hexane may be exemplified as the hydrocarbon solvent. In addition, a mixed solvent of the solvents and water may be used.

상기 에탄-1,2-디설폰산은 테네리글립틴 유기염기 1 당량에 대해 0.5 내지 3 당량, 바람직하게는 0.6 내지 1.2 당량의 양으로 사용될 수 있다.The ethane-1,2-disulfonic acid may be used in an amount of 0.5 to 3 equivalents, preferably 0.6 to 1.2 equivalents, based on 1 equivalent of teneligliptin organic base.

본 발명의 또 다른 실시형태는 상기 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형, 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형 및 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 결정형을 약제학적으로 허용되는 담체와 함께 포함하는 제2형 당뇨병을 치료하기 위한 약제학적 조성물에 관한 것이다.Another embodiment of the present invention is one or more crystalline forms selected from the group consisting of the teneligliptin edicylate crystalline form Ⅲ, tenerigliptin edicylate crystalline form IV, and tenerigliptin edicylate crystalline form VI. It relates to a pharmaceutical composition for treating type 2 diabetes comprising, together with a pharmaceutically acceptable carrier.

본 발명의 약제학적 조성물은 테네리글립틴 에디실산염 결정형 이외에 또 다른 생리활성물질을 함께 포함할 수 있다.The pharmaceutical composition of the present invention may contain another physiologically active substance in addition to the teneligliptin edicylate crystalline form.

본 발명에 따른 약제학적 조성물은 경구적으로 투여될 수 있으며, 정제, 캡슐제, 과립제, 산제, 유탁액제, 현탁액제, 시럽제 등 여러 형태로 제형화될 수 있다. 상기 여러 형태의 약제학적 조성물은 부형제, 충진제, 증량제, 결합제, 붕해제(disintegrator), 활택제, 윤활제, 방부제, 항산화제, 등장제(isotonic agent), 완충제, 피막제, 감미제, 용해제, 기제(base), 분산제, 습윤제, 현탁제, 안정제, 착색제, 방향제 등 각 제형에 통상적으로 사용되는 약제학적으로 허용되는 담체(carrier)를 사용하여 공지 기술에 의해 제조될 수 있다.The pharmaceutical composition according to the present invention may be administered orally, and may be formulated in various forms such as tablets, capsules, granules, powders, emulsions, suspensions, and syrups. The various types of pharmaceutical compositions include excipients, fillers, bulking agents, binders, disintegrators, lubricants, lubricants, preservatives, antioxidants, isotonic agents, buffers, coating agents, sweetening agents, solubilizing agents, base agents. ), a dispersing agent, a wetting agent, a suspending agent, a stabilizer, a colorant, a fragrance, etc., and may be prepared by a known technique using a pharmaceutically acceptable carrier commonly used in each formulation.

상기 약제의 제조에 있어서 본 발명의 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 함량은 약제의 형태에 따라 다르지만, 바람직하게는 10 내지 90 중량%의 농도, 보다 바람직하게는 30 내지 80 중량%의 농도이다.In the manufacture of the drug, the content of the crystalline form of teneligliptin edisylate of the present invention varies depending on the form of the drug, but is preferably a concentration of 10 to 90% by weight, more preferably 30 to 80% by weight. .

본 발명의 약제학적 조성물의 투여량은 치료받는 사람을 포함한 포유동물의 종류, 투여경로, 체중, 성별, 나이, 질환의 정도, 의사의 판단 등에 따라 넓은 범위에서 다양하게 변화된다. 일반적으로 경구투여의 경우에는 60kg 정도의 일반 성인을 기준으로 활성성분의 투여량이 1일 약 1 내지 240mg, 바람직하게는 5 내지 180mg, 보다 바람직하게는 10 내지 120mg이 투여될 수 있다. 상술한 일일 투여량은 질환의 정도, 의사의 판단 등에 따라 한번에 또는 나누어서 사용될 수 있다.The dosage of the pharmaceutical composition of the present invention varies in a wide range depending on the type of mammal including the person to be treated, the route of administration, weight, sex, age, degree of disease, judgment of a doctor, and the like. In general, in the case of oral administration, the active ingredient may be administered in an amount of about 1 to 240 mg per day, preferably 5 to 180 mg, and more preferably 10 to 120 mg, based on an adult of about 60 kg. The above-described daily dosage may be used at one time or dividedly depending on the degree of disease, judgment of a doctor, and the like.

본 발명에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형, Ⅳ형 및 Ⅵ형은 열 및 수분에 대하여 안정성이 뛰어난 성질을 가지므로, 이를 함유하는 제제에서 유연물질의 발생을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 흡습성이 낮아 원료 보관 및 제조 공정이 편리하고 안전하다. 아울러, 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형, Ⅳ형 및 Ⅵ형은 기존의 브롬화수소산염보다 작은 분자량을 가져 약제학적 조성물의 크기를 줄일 수 있는 이점이 있다.Tenerigliptin edicylate crystalline forms Ⅲ, Ⅳ, and Ⅵ forms according to the present invention have excellent stability against heat and moisture, and thus the generation of related substances in a formulation containing them can be suppressed. , Low hygroscopicity, convenient and safe raw material storage and manufacturing process In addition, teneligliptin edicylate crystalline forms Ⅲ, Ⅳ and Ⅵ have an advantage of reducing the size of the pharmaceutical composition by having a molecular weight smaller than that of conventional hydrobromide.

도 1은 테네리글립틴 에디실산염 무정형의 X선 분말 회절도이다.
도 2는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅰ형의 X선 분말 회절도이다.
도 3은 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형의 X선 분말 회절도이다.
도 4는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형의 X선 분말 회절도이다.
도 5는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형의 X선 분말 회절도이다.
도 6은 테네리글립틴 에디실산염 무정형의 시차주사열량 분석도이다.
도 7은 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅰ형의 시차주사열량 분석도이다.
도 8은 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형의 시차주사열량 분석도이다.
도 9는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형의 시차주사열량 분석도이다.
도 10은 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형의 시차주사열량 분석도이다.
도 11은 테네리글립틴 에디실산염 무정형의 열중량 분석도이다.
도 12는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅰ형의 열중량 분석도이다.
도 13은 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형의 열중량 분석도이다.
도 14는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형의 열중량 분석도이다.
도 15는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ의 열중량 분석도이다.
1 is an X-ray powder diffraction diagram of teneligliptin edicylate amorphous.
FIG. 2 is an X-ray powder diffraction diagram of tenerigliptin edicylate crystalline Form I.
3 is an X-ray powder diffraction diagram of teneligliptin edicylate crystalline form III.
4 is an X-ray powder diffraction diagram of tenerigliptin edicylate crystalline form IV.
5 is an X-ray powder diffraction diagram of tenerigliptin edicylate crystalline form VI.
Figure 6 is a differential scanning calorie analysis diagram of teneligliptin edicylate amorphous.
7 is a differential scanning calorie analysis diagram of tenerigliptin edicylate crystalline Form I.
Figure 8 is a differential scanning calorie analysis diagram of tenerigliptin edicylate crystalline form Ⅲ.
9 is a differential scanning calorie analysis diagram of tenerigliptin edicylate crystalline form IV.
Figure 10 is a differential scanning calorie analysis diagram of tenerigliptin edicylate crystalline form VI.
11 is a thermogravimetric analysis diagram of tenerigliptin edicylate amorphous.
Fig. 12 is a thermogravimetric analysis of tenerigliptin edicylate crystalline form I.
13 is a thermogravimetric analysis diagram of crystalline form III of teneligliptin edicylate.
14 is a thermogravimetric analysis diagram of crystalline form IV of teneligliptin edicylate.
15 is a thermogravimetric analysis diagram of crystalline form VI of tenerigliptin edicylate.

이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오직 본 발명을 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 국한되지 않는다는 것은 당업자에게 있어서 자명하다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by examples. These examples are for illustrative purposes only, and it will be apparent to those skilled in the art that the scope of the present invention is not limited to these examples.

비교예Comparative example 1: One: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 무정형의 제조 Amorphous manufacture

테네리글립틴 유리염기(3 g)를 이소프로판올(80 mL) 중에서 상온에서 교반하고, 에탄-1,2-디설폰산(3.3 g)을 이소프로판올(20 mL)에 용해시켜 상기 교반액에 적가하였다. 이 후, 생성된 고체를 여과하여 이소프로판올로 세척하였다. 이렇게 수득한 고체를 감압 건조하여 테네리글립틴 에디실산염을 수득하였다.Tenerigliptin free base (3 g) was stirred in isopropanol (80 mL) at room temperature, and ethane-1,2-disulfonic acid (3.3 g) was dissolved in isopropanol (20 mL) and added dropwise to the stirring solution. Thereafter, the resulting solid was filtered and washed with isopropanol. The thus obtained solid was dried under reduced pressure to obtain teneligliptin edisylate.

수득한 테네리글립틴 에디실산염의 X선 분말 회절분석, 시차주사열량 분석 및 열중량 분석을 수행하여, 그 결과를 각각 도 1, 도 6 및 도 11에 나타내었으며, 이로부터 무정형임을 확인하였다.X-ray powder diffraction analysis, differential scanning calorimetry, and thermogravimetric analysis of the obtained teneligliptin edisylate were performed, and the results are shown in Figs. 1, 6 and 11, respectively, and it was confirmed that it is amorphous. .

비교예Comparative example 2: 2: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅰ형의 제조 Preparation of crystalline form I

테네리글립틴 에디실산염 무정형(1 g)을 에탄올(5 mL)에 현탁시킨 후, 가열하여 생성된 고체를 교반하였다. 이 후, 이를 여과하여 에탄올로 세척하였다. 이렇게 수득한 결정을 감압 건조 또는 70℃에서 오븐 건조하여 결정형을 수득하였다.Tenerigliptin edisylate amorphous (1 g) was suspended in ethanol (5 mL), followed by heating, and the resulting solid was stirred. Thereafter, it was filtered and washed with ethanol. The crystals thus obtained were dried under reduced pressure or oven dried at 70° C. to obtain a crystal form.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절분석, 시차주사열량 분석 및 열중량 분석을 수행하여, 그 결과를 각각 도 2, 도 7 및 도 12에 나타내었으며, 이를 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅰ형이라 하였다.X-ray powder diffraction analysis, differential scanning calorimetry, and thermogravimetric analysis of the obtained teneligliptin edisylate crystalline form were performed, and the results are shown in FIGS. 2, 7 and 12, respectively, and this It was called edicylate crystalline form I.

도 2의 X선 분말 회절도에 나타난 특징적인 피크(peak)를 하기 표 1에 나타내었으며, 여기서 ‘2θ’는 회절각을, ‘I/I0'는 피크(peak)의 상대강도를 의미한다. 회절각은 ±0.2°편차 범위를 갖는다.To the characteristic peaks (peak) appeared in the X-ray powder diffraction diagram of Figure 2 were shown in Table 1, where '2θ' is 'I / I 0' the diffraction angle, denotes the relative intensity of the peaks (peak) . The diffraction angle has a deviation range of ±0.2°.

흡열점(시차주사열량법, DSC): 276.95℃Endothermic point (differential scanning calorimetry, DSC): 276.95°C

No.No. I/I0 (%)I/I 0 (%) No.No. I/I0 (%)I/I 0 (%) 1One 5.8715.871 2.72.7 1414 21.99121.991 36.536.5 22 9.0509.050 19.119.1 1515 22.29222.292 80.480.4 33 10.31410.314 23.023.0 1616 23.13823.138 26.426.4 44 11.41411.414 34.934.9 1717 23.53623.536 7.07.0 55 11.86811.868 30.230.2 1818 25.29025.290 8.78.7 66 13.11913.119 49.049.0 1919 25.84625.846 6.76.7 77 14.58514.585 16.616.6 2020 26.30926.309 6.96.9 88 17.14117.141 27.627.6 2121 26.67526.675 8.38.3 99 17.81517.815 59.459.4 2222 27.62227.622 7.57.5 1010 18.74118.741 27.727.7 2323 28.43328.433 4.64.6 1111 19.86419.864 100.0100.0 2424 29.12629.126 5.05.0 1212 20.36520.365 81.281.2 2525 29.87029.870 7.77.7 1313 21.45421.454 36.036.0 2626 31.15331.153 7.97.9

비교예Comparative example 3: 3: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅰ형의 제조 Preparation of crystalline form I

테네리글립틴 에디실산염 무정형(1 g)을 에탄올(5 mL)에 현탁시킨 후, 5일 이상 교반하였다. 이후, 이를 여과하여 에탄올로 세척하였다. 이렇게 수득한 결정을 감압 건조 또는 70℃에서 오븐 건조하여 결정형을 수득하였다.Tenerigliptin edisylate amorphous (1 g) was suspended in ethanol (5 mL), followed by stirring for 5 days or more. Then, it was filtered and washed with ethanol. The crystals thus obtained were dried under reduced pressure or oven dried at 70° C. to obtain a crystal form.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절도를 측정하여, 비교예 2에서 얻은 결정형과 동일한 결정형임을 확인하였다.The obtained teneligliptin edisylate crystalline form was measured for X-ray powder diffraction, and it was confirmed that it was the same crystalline form as the crystalline form obtained in Comparative Example 2.

비교예Comparative example 4: 4: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅱ형의 제조 Preparation of crystalline form Ⅱ

테네리글립틴 에디실산염 무정형(1 g)을 아세토니트릴(5 mL)에 현탁시키고, 열을 가하여 2시간 동안 교반하였다. 이후, 이를 여과하여 아세토니트릴로 세척하여 결정형을 수득하였다.Tenerigliptin edisylate amorphous (1 g) was suspended in acetonitrile (5 mL), and heated to stir for 2 hours. Thereafter, it was filtered and washed with acetonitrile to obtain a crystalline form.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절분석 및 시차주사열량 분석을 수행하여, 그 결과를 하기에 나타내었으며, 이를 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅱ형이라 하였다.X-ray powder diffraction analysis and differential scanning calorimetry analysis of the obtained teneligliptin edicylate crystalline form were performed, and the results are shown below, and this was referred to as tenerigliptin edicylate crystalline form Ⅱ.

X선 분말 회절도 (2θ): 9.2, 9.9, 10.7, 11.6, 12.4, 12.9, 13.8, 14.4, 15.0, 15.4, 15.5, 16.8, 17.2, 17.6, 18.4, 19.1, 20.1, 20.9, 21.5, 22.0, 22.8, 23.1, 23.6, 23.9, 24.8, 26.5, 27.6, 28.8X-ray powder diffractogram (2θ): 9.2, 9.9, 10.7, 11.6, 12.4, 12.9, 13.8, 14.4, 15.0, 15.4, 15.5, 16.8, 17.2, 17.6, 18.4, 19.1, 20.1, 20.9, 21.5, 22.0, 22.8 , 23.1, 23.6, 23.9, 24.8, 26.5, 27.6, 28.8

흡열점(시차주사열량법, DSC): 206.98℃, 282.21℃Endothermic point (differential scanning calorimetry, DSC): 206.98°C, 282.21°C

발열점(시차주사열량법, DSC): 200.61℃Heating point (differential scanning calorimetry, DSC): 200.61°C

비교예Comparative example 5: 5: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅱ형의 제조 Preparation of crystalline form Ⅱ

테네리글립틴 에디실산염 무정형(1 g)을 아세토니트릴(5 mL)에 현탁시켜 상온에서 2일 내지 3일 동안 교반하였다. 이후, 이를 여과하여 아세토니트릴로 세척하였다.Tenerigliptin edisylate amorphous (1 g) was suspended in acetonitrile (5 mL) and stirred at room temperature for 2 to 3 days. Then, it was filtered and washed with acetonitrile.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절도를 측정하여, 비교예 4에서 얻은 결정형과 동일한 결정형임을 확인하였다.The obtained teneligliptin edisylate crystalline form was measured for X-ray powder diffraction, and it was confirmed that it was the same crystalline form as the crystalline form obtained in Comparative Example 4.

실시예Example 1: One: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅲ형의 제조 Preparation of crystalline form Ⅲ

테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅱ형을 감압 건조하였다.Tenerigliptin edisylate crystalline Form II was dried under reduced pressure.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절분석, 시차주사열량 분석 및 열중량 분석을 수행하여, 그 결과를 각각 도 3, 도 8 및 도 13에 나타내었으며, 이를 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형이라 하였다.X-ray powder diffraction analysis, differential scanning calorimetry, and thermogravimetric analysis of the obtained teneligliptin edisylate crystalline form were performed, and the results are shown in Figs. 3, 8 and 13, respectively, and this It was called edicylate crystalline form Ⅲ.

도 3의 X선 분말 회절도에 나타난 특징적인 피크(peak)를 하기 표 2에 나타내었으며, 여기서 ‘2θ’는 회절각을, ‘I/I0'는 피크(peak)의 상대강도를 의미한다. 회절각은 ±0.2°편차 범위를 갖는다.To the characteristic peaks (peak) shown in FIG. X-ray powder diffraction pattern of Figure 3 were shown in Table 2, where '2θ' is 'I / I 0' the diffraction angle, denotes the relative intensity of the peaks (peak) . The diffraction angle has a deviation range of ±0.2°.

흡열점(시차주사열량법, DSC): 199.40℃, 281.16℃Endothermic point (differential scanning calorimetry, DSC): 199.40°C, 281.16°C

발열점(시차주사열량법, DSC): 206.69℃Exothermic point (differential scanning calorimetry, DSC): 206.69°C

No.No. I/I0 (%)I/I 0 (%) No.No. I/I0 (%)I/I 0 (%) 1One 9.3469.346 45.545.5 1616 21.45921.459 40.040.0 22 10.80610.806 7.67.6 1717 22.15622.156 21.821.8 33 11.75011.750 38.338.3 1818 22.48622.486 39.139.1 44 12.50912.509 10.110.1 1919 23.01023.010 45.545.5 55 12.96512.965 59.759.7 2020 24.08124.081 12.812.8 66 13.55413.554 40.340.3 2121 24.25824.258 14.414.4 77 14.00914.009 23.523.5 2222 24.97424.974 20.420.4 88 14.63914.639 20.620.6 2323 25.72025.720 26.726.7 99 15.73715.737 27.227.2 2424 26.87926.879 22.222.2 1010 17.11617.116 11.811.8 2525 27.33227.332 10.310.3 1111 17.87617.876 45.245.2 2626 28.00428.004 15.215.2 1212 18.68818.688 100.0100.0 2727 28.67428.674 4.14.1 1313 19.44219.442 13.313.3 2828 32.88732.887 6.66.6 1414 20.55520.555 47.847.8 2929 35.18835.188 4.14.1 1515 20.94120.941 71.471.4

실시예Example 2: 2: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅳ형의 제조 Preparation of crystalline form IV

테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅱ형(1 g) 또는 Ⅲ형(1 g)을 물/아세토니트릴=2/98(5 mL)에 현탁시킨 후, 상온에서 2시간 동안 교반하였다. 이후, 이를 여과하여 아세토니트릴로 세척하였다. 이렇게 수득한 결정을 감압 건조 또는 70℃에서 오븐 건조하여 결정형을 수득하였다.Tenerigliptin edicylate crystalline form II (1 g) or III form (1 g) was suspended in water/acetonitrile = 2/98 (5 mL), followed by stirring at room temperature for 2 hours. Then, it was filtered and washed with acetonitrile. The crystals thus obtained were dried under reduced pressure or oven dried at 70° C. to obtain a crystal form.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절분석, 시차주사열량 분석 및 열중량 분석을 수행하여, 그 결과를 각각 도 4, 도 9 및 도 14에 나타내었으며, 이를 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형이라 하였다.X-ray powder diffraction analysis, differential scanning calorimetry, and thermogravimetric analysis of the obtained teneligliptin edisylate crystal form were performed, and the results are shown in FIGS. 4, 9 and 14, respectively, and It was called edicylate crystal form IV.

도 4의 X선 분말 회절도에 나타난 특징적인 피크(peak)를 하기 표 3에 나타내었으며, 여기서 ‘2θ’는 회절각을, ‘I/I0'는 피크(peak)의 상대강도를 의미한다. 회절각은 ±0.2°편차 범위를 갖는다.To the characteristic peaks (peak) appeared in the X-ray powder diffraction pattern of FIG. 4 were shown in Table 3, where the '2θ' is 'I / I 0' the diffraction angle, denotes the relative intensity of the peaks (peak) . The diffraction angle has a deviation range of ±0.2°.

흡열점(시차주사열량법, DSC): 93.29℃, 281.93℃Endothermic point (differential scanning calorimetry, DSC): 93.29°C, 281.93°C

No.No. I/I0 (%)I/I 0 (%) No.No. I/I0 (%)I/I 0 (%) 1One 8.9558.955 7.67.6 1818 21.59121.591 46.546.5 22 9.4939.493 4.44.4 1919 22.10322.103 69.269.2 33 10.74310.743 10.310.3 2020 22.37622.376 88.288.2 44 11.49111.491 10.310.3 2121 23.22723.227 31.331.3 55 11.47911.479 11.211.2 2222 24.00524.005 64.464.4 66 12.63912.639 90.590.5 2323 24.73124.731 10.910.9 77 13.91013.910 12.012.0 2424 25.42425.424 5.35.3 88 14.84014.840 13.813.8 2525 26.05826.058 5.55.5 99 15.15415.154 50.750.7 2626 26.81726.817 29.129.1 1010 16.21816.218 54.754.7 2727 28.05228.052 21.621.6 1111 16.93616.936 8.58.5 2828 28.24628.246 23.923.9 1212 17.80117.801 47.547.5 2929 29.84629.846 19.719.7 1313 18.27618.276 61.761.7 3030 29.96929.969 16.916.9 1414 19.06719.067 11.511.5 3131 31.24131.241 9.09.0 1515 19.76119.761 17.017.0 3232 32.24932.249 10.310.3 1616 20.39020.390 100.0100.0 3333 33.92733.927 7.17.1 1717 21.10121.101 12.312.3

실시예Example 3: 3: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅳ형의 제조 Preparation of crystalline form IV

테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅱ형(1 g) 또는 Ⅲ형(1 g)을 40℃, 75% RH 또는 25℃, 60% RH에서 1일 이상 보관하였다.Tenerigliptin edicylate crystalline form II (1 g) or III form (1 g) was stored at 40°C, 75% RH or 25°C, 60% RH for 1 day or longer.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절도를 측정하여, 실시예 2에서 얻은 결정형과 동일한 결정형임을 확인하였다.X-ray powder diffraction diagram of the obtained teneligliptin edisylate crystalline form was measured, and it was confirmed that it was the same crystalline form as the crystalline form obtained in Example 2.

비교예Comparative example 6: 6: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅴ형의 제조 Preparation of crystalline form V

테네리글립틴 에디실산염 무정형(1 g)을 물/아세토니트릴=2/98(5 mL)에 현탁시킨 후, 열을 가하여 2시간 동안 교반하였다. 이후, 이를 여과하여 아세토니트릴로 세척하여 결정형을 수득하였다.Tenerigliptin edicylate amorphous (1 g) was suspended in water/acetonitrile = 2/98 (5 mL), and then heated and stirred for 2 hours. Thereafter, it was filtered and washed with acetonitrile to obtain a crystalline form.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절분석 및 시차주사열량 분석을 수행하여, 그 결과를 하기에 나타내었으며, 이를 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅴ형이라 하였다.X-ray powder diffraction analysis and differential scanning calorimetry analysis of the obtained teneligliptin edisylate crystalline form were performed, and the results are shown below, and this was referred to as tenerigliptin edicylate crystalline form V.

X선 분말 회절도(2θ): 8.9, 9.5, 10.7, 11.4, 11.5, 12.6, 13.8, 14.3, 14.8, 15.1, 16.2, 16.9, 17.3, 17.8, 18.2, 19.0, 19.7, 20.4, 21.1, 21.5, 22.1, 22.2, 22.5, 23.2, 24.0, 24.7, 25.4, 26.8, 27.2, 28.0, 29.8, 31.2, 32.3, 33.9, 35.2X-ray powder diffractogram (2θ): 8.9, 9.5, 10.7, 11.4, 11.5, 12.6, 13.8, 14.3, 14.8, 15.1, 16.2, 16.9, 17.3, 17.8, 18.2, 19.0, 19.7, 20.4, 21.1, 21.5, 22.1 , 22.2, 22.5, 23.2, 24.0, 24.7, 25.4, 26.8, 27.2, 28.0, 29.8, 31.2, 32.3, 33.9, 35.2

흡열점(시차주사열량법, DSC): 74.32, 283.53℃Endothermic point (differential scanning calorimetry, DSC): 74.32, 283.53℃

실시예Example 4: 4: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅵ형의 제조 Preparation of crystalline form VI

테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅴ형을 감압 건조하여 결정형을 수득하였다.Tenerigliptin edisylate crystalline form V was dried under reduced pressure to obtain a crystalline form.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절분석, 시차주사열량 분석 및 열중량 분석을 수행하여, 그 결과를 각각 도 5, 도 10 및 도 15에 나타내었으며, 이를 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형이라 하였다.X-ray powder diffraction analysis, differential scanning calorimetry, and thermogravimetric analysis of the obtained teneligliptin edisylate crystalline form were performed, and the results are shown in Figs. 5, 10 and 15, respectively, and this It was called edicylate crystalline form VI.

도 5의 X선 분말 회절도에 나타난 특징적인 피크(peak)를 하기 표 4에 나타내었으며, 여기서 ‘2θ’는 회절각을, ‘I/I0'는 피크(peak)의 상대강도를 의미한다. 회절각은 ±0.2°편차 범위를 갖는다.To the characteristic peaks (peak) appeared in the X-ray powder diffraction pattern of Figure 5 also were shown in Table 4, where '2θ' is 'I / I 0' the diffraction angle, denotes the relative intensity of the peaks (peak) . The diffraction angle has a deviation range of ±0.2°.

흡열점(시차주사열량법, DSC): 285.25℃Endothermic point (differential scanning calorimetry, DSC): 285.25°C

No.No. I/I0 (%)I/I 0 (%) No.No. I/I0 (%)I/I 0 (%) 1One 5.8505.850 8.78.7 1919 25.09725.097 14.514.5 22 10.16110.161 4.84.8 2020 25.38025.380 26.526.5 33 11.88911.889 10.510.5 2121 25.62925.629 7.87.8 44 13.27213.272 6.96.9 2222 26.49026.490 16.816.8 55 13.97013.970 88.488.4 2323 27.21227.212 20.420.4 66 14.50214.502 100.0100.0 2424 28.84528.845 6.06.0 77 15.46915.469 48.248.2 2525 28.92028.920 5.85.8 88 16.42216.422 31.831.8 2626 29.95929.959 5.45.4 99 17.50717.507 95.895.8 2727 31.00031.000 2.42.4 1010 18.86718.867 9.29.2 2828 31.51631.516 7.47.4 1111 20.17120.171 75.275.2 2929 31.81631.816 6.26.2 1212 20.78820.788 62.662.6 3030 32.31932.319 4.74.7 1313 21.64521.645 26.926.9 3131 32.79532.795 8.38.3 1414 21.77521.775 33.633.6 3232 34.19734.197 6.96.9 1515 22.36222.362 40.340.3 3333 35.09235.092 4.54.5 1616 23.09023.090 51.251.2 3434 38.43338.433 4.34.3 1717 24.04524.045 8.18.1 3535 39.08039.080 2.82.8 1818 24.56224.562 9.39.3

실시예Example 5: 5: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅵ형의 제조 Preparation of crystalline form VI

테네리글립틴 에디실산염 무정형(1 g)을 아세토니트릴(5 mL)에 현탁시킨 후, 열을 가하여 2시간 동안 교반하였다. 이 후, 물(0.1 mL)을 적가하고 열을 가하여 2시간 동안 교반하고, 이를 여과하여 아세토니트릴로 세척하였다. 이렇게 수득한 결정을 감압 건조 또는 70℃에서 오븐 건조하여 결정형을 수득하였다.Tenerigliptin edicylate amorphous (1 g) was suspended in acetonitrile (5 mL), and then heated and stirred for 2 hours. Thereafter, water (0.1 mL) was added dropwise, heat was added, and the mixture was stirred for 2 hours, which was filtered and washed with acetonitrile. The crystals thus obtained were dried under reduced pressure or oven dried at 70° C. to obtain a crystal form.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절도를 측정하여, 실시예 4에서 얻은 결정형과 동일한 결정형임을 확인하였다.The obtained teneligliptin edisylate crystalline form was measured for X-ray powder diffraction, and it was confirmed that it was the same crystalline form as the crystalline form obtained in Example 4.

제조예Manufacturing example 1: One: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염의Edicylate 디메틸포름아마이드Dimethylformamide 용매화물의 제조 Preparation of solvate

테네리글립틴 유리염기(3 g)를 디메틸포름아마이드(18 mL)에 용해하여 교반한 후, 에탄-1,2-디설폰산(3.3 g)을 디메틸포름아마이드(6 mL)에 용해시켜 상기 교반액에 적가하였다. 이 후, 생성된 고체를 여과하여 디메틸포름아마이드로 세척하였다. 이렇게 수득한 고체를 감압 건조하여 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물을 수득하였다.Tenerigliptin free base (3 g) was dissolved in dimethylformamide (18 mL) and stirred, and then ethane-1,2-disulfonic acid (3.3 g) was dissolved in dimethylformamide (6 mL). It was added dropwise to half the price. Thereafter, the resulting solid was filtered and washed with dimethylformamide. The thus obtained solid was dried under reduced pressure to obtain a dimethylformamide solvate of teneligliptin edicylate.

수득한 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물의 X선 분말 회절분석, 시차주사열량 분석 및 열중량 분석을 수행하여, 그 결과를 하기에 나타내었다.X-ray powder diffraction analysis, differential scanning calorimetry, and thermogravimetric analysis of the obtained teneligliptin edicylate solvate in dimethylformamide were performed, and the results are shown below.

X선 분말 회절도(2θ): 9.8, 11.1, 11.6, 12.7, 13.7, 14.4, 15.3, 15.8, 16.6, 17.0, 17.7, 18.0, 18.6, 19.6, 20.0, 20.6, 21.3, 21.7, 22.2, 22.9, 23.3, 23.8, 24.7, 25.3, 25.7, 26.0, 26.6, 27.3, 27.6, 28.2, 28.6, 28.8, 29.3, 29.7, 31.2, 32.0, 33.4, 33.7, 35.0, 36.4, 37.2, 38.2, 38.7, 39.7X-ray powder diffractogram (2θ): 9.8, 11.1, 11.6, 12.7, 13.7, 14.4, 15.3, 15.8, 16.6, 17.0, 17.7, 18.0, 18.6, 19.6, 20.0, 20.6, 21.3, 21.7, 22.2, 22.9, 23.3 , 23.8, 24.7, 25.3, 25.7, 26.0, 26.6, 27.3, 27.6, 28.2, 28.6, 28.8, 29.3, 29.7, 31.2, 32.0, 33.4, 33.7, 35.0, 36.4, 37.2, 38.2, 38.7, 39.7

흡열점(시차주사열량법, DSC): 175℃, 287℃Endothermic point (differential scanning calorimetry, DSC): 175℃, 287℃

중량감소(열중량분석법, TGA): 10%(175℃)Weight reduction (thermogravimetric analysis, TGA): 10% (175℃)

제조예Manufacturing example 2: 2: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염의Edicylate 디메틸포름아마이드Dimethylformamide 용매화물의 제조 Preparation of solvate

테네리글립틴 에디실산염 무정형(1 g)을 디메틸포름아마이드/물=7/1(6 mL)에 넣은 후, 열을 가하여 완전히 용해시켰다. 이 후, 천천히 상온으로 온도를 내려 생성된 고체를 여과하고 이를 디메틸포름아마이드로 세척하여 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물을 수득하였다.Tenerigliptin edisylate amorphous (1 g) was added to dimethylformamide/water = 7/1 (6 mL), and then heated to completely dissolve. Thereafter, the temperature was slowly lowered to room temperature, and the resulting solid was filtered and washed with dimethylformamide to obtain a dimethylformamide solvate of teneligliptin edicylate.

수득한 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물의 X선 분말 회절도를 측정하여, 제조예 1에서 얻은 용매화물과 동일한 결정형임을 확인하였다.The X-ray powder diffraction diagram of the obtained dimethylformamide solvate of teneligliptin edisylate was measured to confirm that it had the same crystal form as the solvate obtained in Preparation Example 1.

실시예Example 6: 6: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅵ형의 제조 Preparation of crystalline form VI

제조예 1 또는 2에서 얻은 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물(1 g)을 물/아세토니트릴=2/98(5 mL)에 현탁시킨 후, 열을 가하여 2시간 동안 교반하였다. 이후, 이를 여과하여 아세토니트릴로 세척하였다. 이렇게 수득한 결정을 감압 건조 또는 70℃에서 오븐 건조하여 결정형을 수득하였다.After suspending the dimethylformamide solvate (1 g) of teneligliptin edisylate obtained in Preparation Example 1 or 2 in water/acetonitrile = 2/98 (5 mL), heat was added and stirred for 2 hours. . Then, it was filtered and washed with acetonitrile. The crystals thus obtained were dried under reduced pressure or oven dried at 70° C. to obtain a crystal form.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절도를 측정하여, 실시예 4 에서 얻은 결정형과 동일한 결정형임을 확인하였다.The obtained teneligliptin edisylate crystalline form was measured for X-ray powder diffraction, and it was confirmed that it was the same crystalline form as the crystalline form obtained in Example 4.

실시예Example 7: 7: 테네리글립틴Tenerigliptin 에디실산염Edicylate 결정형 Ⅵ형의 제조 Preparation of crystalline form VI

제조예 1 또는 2에서 얻은 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물(1 g)을 물/아세토니트릴=2/98(5 mL)에 현탁시킨 후, 상온에서 2일 내지 3일 동안 교반하거나, 시드(seed)(0.1wt%, 결정형 Ⅵ형)를 넣고 2시간 동안 교반하였다. 이후, 이를 여과하여 아세토니트릴로 세척하였다. 이렇게 수득한 결정을 감압 건조 또는 70℃에서 오븐 건조하여 결정형을 수득하였다.After suspending the dimethylformamide solvate (1 g) of teneligliptin edisylate obtained in Preparation Example 1 or 2 in water/acetonitrile = 2/98 (5 mL), at room temperature for 2 to 3 days Stirring or seed (0.1wt%, crystalline form VI) was added and stirred for 2 hours. Then, it was filtered and washed with acetonitrile. The crystals thus obtained were dried under reduced pressure or oven dried at 70° C. to obtain a crystal form.

수득한 테네리글립틴 에디실산염 결정형의 X선 분말 회절도를 측정하여, 실시예 4 에서 얻은 결정형과 동일한 결정형임을 확인하였다.The obtained teneligliptin edisylate crystalline form was measured for X-ray powder diffraction, and it was confirmed that it was the same crystalline form as the crystalline form obtained in Example 4.

X선 분말 X-ray powder 회절분석Diffraction analysis

X선 분말 회절분석(XRD)은 분말 X선 회절기를 사용하여 3~40 °2θ의 범위에서 회절 패턴을 얻었다. 분말 X선 회절분석 조건은 다음과 같다.X-ray powder diffraction analysis (XRD) obtained a diffraction pattern in the range of 3 to 40 °2θ using a powder X-ray diffractometer. Powder X-ray diffraction analysis conditions are as follows.

- 기기: Bruker A26X1 D2 Phaser-Device: Bruker A26X1 D2 Phaser

- Time per step: 0.5 s-Time per step: 0.5 s

- 주사방식: Continuous PSD fast-Scanning method: Continuous PSD fast

- 검출기: Lynxeye(1D mode)-Detector: Lynxeye (1D mode)

시차주사열량 분석Differential Scanning Calorie Analysis

시차주사열량 분석(DSC)은 TA instrument의 Q2000 model을 사용하여 수행하였다. 약 2~3 mg의 시료를 알루미늄 팬에 넣고, 구멍 뚫린 뚜껑으로 덮어 DSC 실험에 필요한 시료를 준비하였다. 정확한 무게를 기록한 후, 질소 하에 10 ℃/min의 속도로 25 ~ 250℃까지 가열하였다.Differential scanning calorimetry (DSC) was performed using the Q2000 model of the TA instrument. About 2-3 mg of a sample was put in an aluminum pan, covered with a perforated lid, and a sample required for a DSC experiment was prepared. After recording the correct weight, it was heated to 25 to 250° C. at a rate of 10° C./min under nitrogen.

열중량Thermal weight 분석 analysis

열중량 분석(TGA)은 TA instrument의 Q50 model을 사용하여 수행하였다. 약 10 mg의 시료를 백금 팬에 넣어, TGA 실험에 필요한 시료를 준비하였다. 질소 하에 10 ℃/min의 속도로 25 ~ 600 ℃까지 가열하였다.Thermogravimetric analysis (TGA) was performed using the Q50 model of the TA instrument. About 10 mg of a sample was put in a platinum pan to prepare a sample required for a TGA experiment. It was heated to 25 ~ 600 ℃ at a rate of 10 ℃ / min under nitrogen.

실험예Experimental example 1: 열 안정성 시험 1: thermal stability test

비교예 및 실시예에서 수득한 테네리글립틴 에디실산염 무정형, 결정형 Ⅰ형, Ⅲ형, Ⅳ형, Ⅵ형을 각각 20 mg씩 폴리에틸렌 봉투(polyethylene bag)에 넣고 알루미늄 파우치로 40±2℃, 75±5% RH에서 보관하였다. 4주, 8주, 16주 후에 각 시료를 꺼내어 결정형의 안정성 평가를 위해 분말 X선 회절분석을 수행하고 유연물질의 발생과 증가 여부를 평가하기 위해 고성능 액체크로마토그래피로 분석하였다.Tenerigliptin edicylate amorphous, crystalline form I, III, IV, and VI obtained in Comparative Examples and Examples were each 20 mg in a polyethylene bag and 40±2℃ with an aluminum pouch, Stored at 75±5% RH. After 4, 8, and 16 weeks, each sample was taken out, and powder X-ray diffraction analysis was performed to evaluate the stability of the crystal form, and analyzed by high-performance liquid chromatography to evaluate the occurrence and increase of related substances.

분말 X선 회절분석 결과 및 고성능 액체크로마토그래피 분석 결과를 각각 하기 표 5 및 표 6에 나타냈다.Powder X-ray diffraction analysis results and high-performance liquid chromatography analysis results are shown in Tables 5 and 6, respectively.

시간(주)Time (weeks) 40℃/75% RH40℃/75% RH 00 무정형Amorphous 결정형 ⅠCrystalline Ⅰ 결정형 ⅢCrystalline Ⅲ 결정형 ⅣCrystalline Ⅳ 결정형 ⅥCrystalline VI 44 무정형Amorphous 결정형 유지Keep crystalline 결정형 유지Keep crystalline 결정형 유지Keep crystalline 결정형 유지Keep crystalline 88 무정형Amorphous 결정형 유지Keep crystalline 결정형 유지Keep crystalline 결정형 유지Keep crystalline 결정형 유지Keep crystalline 1616 무정형Amorphous 결정형 유지Keep crystalline 결정형 유지Keep crystalline 결정형 유지Keep crystalline 결정형 유지Keep crystalline

시간(주)Time (weeks) 40℃/75% RH40℃/75% RH 무정형Amorphous 결정형 ⅠCrystalline Ⅰ 결정형 ⅢCrystalline Ⅲ 결정형 ⅣCrystalline 결정형 ⅥCrystalline VI 00 99.3999.39 99.3299.32 99.4099.40 99.2799.27 99.1999.19 44 98.1198.11 98.8498.84 99.4799.47 99.2599.25 99.2399.23 88 97.2597.25 97.1197.11 99.3499.34 99.1099.10 99.3399.33 1616 96.7096.70 94.2194.21 99.3899.38 99.3799.37 99.3899.38

상기 표 5에서 보듯이, 무정형 및 모든 결정형은 40℃, 75% RH에서 16주간 성상의 변화가 발생하지 않았다.As shown in Table 5, the amorphous and all crystalline forms did not change in properties for 16 weeks at 40°C and 75% RH.

그러나, 상기 표 6에서 보듯이, 무정형 및 결정형 Ⅰ형은 40℃, 75% RH에서 지속적인 순도 변화가 발생하는 반면, 결정형 Ⅲ, Ⅳ, Ⅵ형은 순도 변화가 발생하지 않는 것을 확인하였다.However, as shown in Table 6, it was confirmed that the purity of the amorphous and crystalline form I was continuously changed at 40°C and 75% RH, whereas the crystalline forms Ⅲ, Ⅳ, and Ⅵ did not change in purity.

특히, 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형은 결정형 중에서 유연물질의 발생이나 증가 없이 16주까지 가장 우수한 안정성을 나타냄을 알 수 있었다.In particular, it was found that tenerigliptin edicylate crystalline form VI showed the best stability up to 16 weeks without the occurrence or increase of related substances among crystalline forms.

실험예Experimental example 2: 흡습성 시험 2: hygroscopicity test

비교예 및 실시예에서 수득한 테네리글립틴 에디실산염 무정형과 결정형 Ⅰ형, Ⅲ형, Ⅳ형, Ⅵ형을 각각 동적 증기 흡착 및 탈착 장치인 DVS(dynamic vapor absorption, VTI SGA-100, TA Instruments)를 이용하여 25℃의 등온 조건 및 상대습도 2~98% 범위에서 5% RH 간격으로 흡습과 탈습을 1회 반복하여 실험하였으며 그 결과를 표 7에 나타냈다.The teneligliptin edisylate amorphous and crystalline forms I, III, IV, and VI obtained in Comparative Examples and Examples were respectively used as dynamic vapor absorption and desorption devices, DVS (dynamic vapor absorption, VTI SGA-100, TA). Instruments) under isothermal conditions of 25°C and relative humidity of 2 to 98% at intervals of 5% RH by repeating moisture absorption and dehumidification once, and the results are shown in Table 7.

결정형Crystal form 25℃/80% RH25℃/80% RH 무정형Amorphous 16.5%16.5% 결정형 Ⅰ형Crystal form Ⅰ 17.5%17.5% 결정형 Ⅲ형Crystalline Ⅲ 5.7%5.7% 결정형 Ⅳ형Crystal form Ⅳ 3.8%3.8% 결정형 Ⅵ형Crystalline form VI 4.2%4.2%

DVS 분석 결과, 무정형과 결정형 Ⅰ형보다 Ⅲ형, Ⅳ형, Ⅵ형이 상대적으로 적은 흡습성을 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 특히 Ⅳ형, Ⅵ형은 EP 기준(25℃, 상대습도 80%)으로 무정형과 결정형 Ⅰ형보다 낮은 흡습성을 나타냈다.As a result of DVS analysis, it was confirmed that the types Ⅲ, Ⅳ, and Ⅵ showed relatively less hygroscopicity than the amorphous and crystalline types Ⅰ. Particularly, the types Ⅳ and Ⅵ showed lower hygroscopicity than the amorphous and crystalline type Ⅰ based on EP (25℃, 80% relative humidity).

따라서, 상기한 열 안정성 시험과 흡습성 시험을 통해 결정형 Ⅵ형이 가장 안정함을 확인하였으며, Ⅵ형은 수분에 대하여 안정성이 뛰어난 성질을 가지므로, 이를 함유하는 제제에서 수분에 대한 유연물질의 발생을 억제함으로써 테네리글립틴 에디실산염 제제의 안정성을 크게 개선할 수 있을 뿐만 아니라, 원료 보관 및 제조 공정이 편리하고 안전함을 알 수 있다.Therefore, through the thermal stability test and hygroscopicity test described above, it was confirmed that crystalline form VI is the most stable, and since form VI has excellent properties with respect to moisture, the generation of related substances to moisture in the formulation containing it was confirmed. By suppressing it, not only can the stability of the teneligliptin edisylate formulation be greatly improved, but it can be seen that the raw material storage and manufacturing process are convenient and safe.

Claims (15)

X-선 분말 회절분석에서 I/I0(I: 각 회절각에서의 피크의 강도, I0: 가장 큰 피크의 강도)가 10% 이상인 회절각(2θ)의 값이 9.3±0.2, 11.8±0.2, 12.5±0.2, 13.0±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 14.6±0.2, 15.7±0.2, 17.1±0.2, 17.9±0.2, 18.7±0.2, 19.4±0.2, 20.6±0.2, 20.9±0.2, 21.5±0.2, 22.2±0.2, 22.5±0.2, 23.0±0.2, 24.1±0.2, 24.3±0.2, 25.0±0.2, 25.7±0.2, 26.9±0.2, 27.3±0.2 및 28.0±0.2인 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형.In X-ray powder diffraction analysis, the value of the diffraction angle (2θ) at which I/I 0 (I: intensity of the peak at each diffraction angle, I 0 : intensity of the largest peak) is 10% or more is 9.3±0.2, 11.8± 0.2, 12.5±0.2, 13.0±0.2, 13.6±0.2, 14.0±0.2, 14.6±0.2, 15.7±0.2, 17.1±0.2, 17.9±0.2, 18.7±0.2, 19.4±0.2, 20.6±0.2, 20.9±0.2, Tenerigliptin Edisil with 21.5±0.2, 22.2±0.2, 22.5±0.2, 23.0±0.2, 24.1±0.2, 24.3±0.2, 25.0±0.2, 25.7±0.2, 26.9±0.2, 27.3±0.2 and 28.0±0.2 Salt crystalline form Ⅲ. 제1항에 있어서, 시차주사열량 분석에서, 첫번째 흡열점은 199.40℃, 두번째 흡열점은 281.16℃, 발열점은 206.69℃의 값을 나타내는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형.According to claim 1, In the differential scanning calorimetry analysis, the first endothermic point is 199.40°C, the second endothermic point is 281.16°C, and the exothermic point is 206.69°C. Tenerigliptin edicylate crystalline form Ⅲ. X-선 분말 회절분석에서 I/I0(I: 각 회절각에서의 피크의 강도, I0: 가장 큰 피크의 강도)가 10% 이상인 회절각(2θ)의 값이 10.7±0.2, 11.5±0.2, 12.6±0.2, 13.9±0.2, 14.8±0.2, 15.2±0.2, 16.2±0.2, 17.8±0.2, 18.3±0.2, 19.1±0.2, 19.8±0.2, 20.4±0.2, 21.1±0.2, 21.6±0.2, 22.1±0.2, 22.4±0.2, 23.2±0.2, 24.0±0.2, 24.7±0.2, 26.8±0.2, 28.1±0.2, 28.2±0.2, 29.8±0.2, 30.0±0.2 및 32.2±0.2인 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형.In X-ray powder diffraction analysis, the value of the diffraction angle (2θ) at which I/I 0 (I: intensity of the peak at each diffraction angle, I 0 : intensity of the largest peak) is 10% or more is 10.7±0.2, 11.5± 0.2, 12.6±0.2, 13.9±0.2, 14.8±0.2, 15.2±0.2, 16.2±0.2, 17.8±0.2, 18.3±0.2, 19.1±0.2, 19.8±0.2, 20.4±0.2, 21.1±0.2, 21.6±0.2, Tenerigliptin Edisil with 22.1±0.2, 22.4±0.2, 23.2±0.2, 24.0±0.2, 24.7±0.2, 26.8±0.2, 28.1±0.2, 28.2±0.2, 29.8±0.2, 30.0±0.2 and 32.2±0.2 Salt crystalline form IV. 제3항에 있어서, 시차주사열량 분석에서, 첫번째 흡열점은 93.29℃, 두번째 흡열점은 281.93℃의 값을 나타내는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형.According to claim 3, In the differential scanning calorimetry analysis, the first endothermic point is 93.29 ℃, the second endothermic point is 281.93 ℃ Tenerigliptin edicylate crystalline form IV. X-선 분말 회절분석에서 I/I0(I: 각 회절각에서의 피크의 강도, I0: 가장 큰 피크의 강도)가 10% 이상인 회절각(2θ)의 값이 11.9±0.2, 14.0±0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 16.4±0.2, 17.5±0.2, 20.2±0.2, 20.8±0.2, 21.6±0.2, 21.8±0.2, 22.4±0.2, 23.1±0.2, 25.1±0.2, 25.4±0.2, 26.5±0.2 및 27.2±0.2인 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형.In X-ray powder diffraction analysis, the value of the diffraction angle (2θ) at which I/I 0 (I: intensity of the peak at each diffraction angle, I 0 : intensity of the largest peak) is 10% or more is 11.9±0.2, 14.0± 0.2, 14.5±0.2, 15.5±0.2, 16.4±0.2, 17.5±0.2, 20.2±0.2, 20.8±0.2, 21.6±0.2, 21.8±0.2, 22.4±0.2, 23.1±0.2, 25.1±0.2, 25.4±0.2, Tenerigliptin edisylate crystalline form VI with 26.5±0.2 and 27.2±0.2. 제5항에 있어서, 시차주사열량 분석에서, 흡열점이 285.26℃의 값을 나타내는 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형.The teneligliptin edisylate crystalline form VI according to claim 5, wherein the endothermic point is 285.26°C in the differential scanning calorimetry analysis. 테네리글립틴 에디실산염 무정형을 아세토니트릴에 현탁시키고, 열을 가하여 교반하거나 상온에서 교반한 후, 여과하여 감압 건조하는 단계를 포함하는 제1항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형의 제조방법.Tenerigliptin edicylate crystalline form Ⅲ according to claim 1 comprising the step of suspending teneligliptin edisylate amorphous in acetonitrile, stirring by heating or stirring at room temperature, and then filtering and drying under reduced pressure. Method of manufacturing. 테네리글립틴 에디실산염 무정형을 아세토니트릴에 현탁시키고, 열을 가하여 교반하거나 상온에서 교반한 후, 여과하여 물과 아세토니트릴의 혼합용매에 현탁시키고 상온에서 교반한 다음, 여과하여 감압 건조 또는 60 내지 80℃에서 오븐 건조하는 단계를 포함하는 제3항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형의 제조방법.Tenerigliptin edisylate amorphous form is suspended in acetonitrile, stirred by heating or stirred at room temperature, filtered, suspended in a mixed solvent of water and acetonitrile, stirred at room temperature, filtered and dried under reduced pressure or 60 A method for producing tenerigliptin edicylate crystalline form IV according to claim 3, comprising oven drying at 80°C. 테네리글립틴 에디실산염 무정형을 아세토니트릴에 현탁시키고, 열을 가하여 교반하거나 상온에서 교반한 후, 여과하여 40℃, 75% RH 또는 25℃, 60% RH에서 보관하는 단계를 포함하는 제3항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형의 제조방법.A third comprising the step of suspending teneligliptin edicylate amorphous in acetonitrile, stirring by applying heat or stirring at room temperature, and then filtering and storing at 40°C, 75% RH or 25°C, 60% RH Method for producing tenerigliptin edicylate crystalline form IV according to claim. 제1항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형을 물과 아세토니트릴의 혼합용매에 현탁시키고 상온에서 교반한 다음, 여과하여 감압 건조 또는 60 내지 80℃에서 오븐 건조하는 단계를 포함하는 제3항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형의 제조방법.A preparation comprising the step of suspending the teneligliptin edicylate crystalline form Ⅲ according to claim 1 in a mixed solvent of water and acetonitrile, stirred at room temperature, filtered and dried under reduced pressure or oven dried at 60 to 80°C. Method for producing tenerigliptin edicylate crystalline form IV according to item 3. 제1항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형을 40℃, 75% RH 또는 25℃, 60% RH에서 보관하는 단계를 포함하는 제3항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형의 제조방법.Tenerigliptin edicylate crystalline form Ⅳ according to claim 3, comprising the step of storing the teneligliptin edicylate crystalline form Ⅲ according to claim 1 at 40°C, 75% RH or 25°C, 60% RH Mold manufacturing method. 테네리글립틴 에디실산염 무정형을 물과 아세토니트릴의 혼합용매에 현탁시키고, 열을 가하여 교반한 후, 여과하여 감압 건조하는 단계를 포함하는 제5항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형의 제조방법.Tenerigliptin edicylate crystalline form VI according to claim 5 comprising the step of suspending teneligliptin edisylate amorphous in a mixed solvent of water and acetonitrile, stirring by applying heat, filtering and drying under reduced pressure. Mold manufacturing method. 테네리글립틴 에디실산염 무정형을 아세토니트릴에 현탁시키고, 열을 가하여 교반한 후, 물을 적가하고 열을 가하여 교반한 다음, 여과하여 감압 건조 또는 60 내지 80℃에서 오븐 건조하는 단계를 포함하는 제5항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형의 제조방법.Suspending teneligliptin edicylate amorphous in acetonitrile, stirring by applying heat, adding water dropwise, stirring by applying heat, filtering and drying under reduced pressure or oven drying at 60 to 80°C. The method for producing tenerigliptin edicylate crystalline form VI according to claim 5. 테네리글립틴 에디실산염의 디메틸포름아마이드 용매화물을 물과 아세토니트릴의 혼합용매에 현탁시키고, 열을 가하여 교반하거나 상온에서 교반한 후, 여과하여 감압 건조 또는 60 내지 80℃에서 오븐 건조하는 단계를 포함하는 제5항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형의 제조방법.A step of suspending the dimethylformamide solvate of teneligliptin edicyl acid salt in a mixed solvent of water and acetonitrile, stirring by heating or stirring at room temperature, filtering and drying under reduced pressure or oven drying at 60 to 80°C. The method for producing tenerigliptin edicylate crystalline form VI according to claim 5 comprising a. 제1항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅲ형, 제3항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅳ형 및 제5항에 따른 테네리글립틴 에디실산염 결정형 Ⅵ형으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 결정형을 약제학적으로 허용되는 담체와 함께 포함하는 제2형 당뇨병을 치료하기 위한 약제학적 조성물.The group consisting of tenerigliptin edicylate crystalline form Ⅲ according to claim 1, tenerigliptin edicylate crystalline form Ⅳ according to claim 3, and tenerigliptin edicylate crystalline form VI according to claim 5 A pharmaceutical composition for treating type 2 diabetes comprising at least one crystalline form selected from together with a pharmaceutically acceptable carrier.
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