KR20200118376A - Organic electroluminescent materials and devices - Google Patents

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KR20200118376A
KR20200118376A KR1020200040451A KR20200040451A KR20200118376A KR 20200118376 A KR20200118376 A KR 20200118376A KR 1020200040451 A KR1020200040451 A KR 1020200040451A KR 20200040451 A KR20200040451 A KR 20200040451A KR 20200118376 A KR20200118376 A KR 20200118376A
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ligand
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KR1020200040451A
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피에르 뤽 티 부드로
베르트 알레인
지치앙 지
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유니버셜 디스플레이 코포레이션
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Abstract

Disclosed is a novel compound comprising a ligand LA of chemical formula I, chemical formula II, chemical formula III or chemical formula IV. A device manufactured according to embodiments of the present invention can be included in a wide variety of electronic component modules (or units).

Description

유기 전계발광 재료 및 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES}Organic electroluminescent materials and devices {ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MATERIALS AND DEVICES}

관련 사건에 대한 상호 참조Cross-reference to related events

본원은 2019년 11월 5일 출원된 미국 가출원 번호 62/930,837에 대해 U.S.C. § 1.119(e) 하에서의 우선권을 청구한다. 본원은 또한, 2016년 10월 3일 출원된 미국 가출원 번호 62/403,424에 대한 우선권을 청구하는, 2017년 9월 5일 출원된 동시계류 중인 미국 특허 출원 번호 15/706,186의 부분계속출원인, 2017년 11월 29일 출원된 미국 특허 출원 번호 15/825,297의 부분계속출원인, 2018년 4월 11일 출원된 미국 특허 출원 번호 15/950,351의 부분계속출원인, 2019년 4월 4일 출원된 미국 특허 출원 번호 16/375,467의 부분계속출원이다.This application is filed on November 5, 2019, for U.S. Provisional Application No. 62/930,837. Claims priority under § 1.119(e). This application is also a part-continuing applicant of co-pending U.S. Patent Application No. 15/706,186 filed Sep. 5, 2017, claiming priority to U.S. Provisional Application No. 62/403,424 filed Oct. 3, 2016. Partial Continuing Applicants of U.S. Patent Application No. 15/825,297 filed on November 29, 2018, Partial Continuing Applicants of U.S. Patent Application No. 15/950,351 filed April 11, 2018, U.S. Patent Application No. filed on April 4, 2019 It is a continuing partial application of 16/375,467.

분야Field

본 개시는 일반적으로 유기 금속 화합물 및 배합물, 및 유기 발광 다이오드 및 관련 전자 디바이스와 같은 디바이스에서의 이미터로서의 용도를 비롯한 이들의 다양한 용도에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to organometallic compounds and formulations, and to a variety of uses thereof, including use as emitters in devices such as organic light emitting diodes and related electronic devices.

유기 물질을 사용하는 광전자 디바이스는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 디바이스를 제조하는데 사용되는 다수의 물질들은 비교적 저렴하기 때문에, 유기 광전자 디바이스는 무기 디바이스에 비하여 비용 잇점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 특성, 예컨대 이의 가요성은 그 유기 물질이 가요성 기판 상에서의 제작과 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 할 수 있다. 유기 광전자 디바이스의 예로는 유기 발광 다이오드/디바이스(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능 면에서의 잇점을 가질 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층이 광을 방출하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트로 용이하게 조절될 수 있다. Optoelectronic devices using organic materials are becoming increasingly important for several reasons. Because many of the materials used to make such devices are relatively inexpensive, organic optoelectronic devices have the potential in terms of cost advantages over inorganic devices. In addition, the inherent properties of organic materials, such as their flexibility, can make them well suited for certain applications such as fabrication on flexible substrates. Examples of organic optoelectronic devices include organic light emitting diodes/devices (OLEDs), organic phototransistors, organic photovoltaic cells and organic photodetectors. In the case of OLEDs, organic materials can have performance advantages over conventional materials. For example, the wavelength at which the organic light-emitting layer emits light can be easily adjusted with an appropriate dopant in general.

OLED는 디바이스를 가로질러 전압을 인가할 때 광을 방출하는 유기 박막을 사용한다. OLED는 평면 패널 디스플레이, 조명 및 백라이팅(backlighting)과 같은 적용예의 용도에 있어 점차로 중요해지는 기술이다. 여러가지의 OLED 재료 및 구성은 미국 특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. OLEDs use thin organic films that emit light when a voltage is applied across the device. OLED is an increasingly important technology for applications such as flat panel displays, lighting and backlighting. Various OLED materials and configurations are described in US Pat. Nos. 5,844,363, 6,303,238, and 5,707,745, which patent documents are incorporated herein by reference in their entirety.

인광 방출 분자에 대한 하나의 적용예는 풀 컬러 디스플레이이다. 이러한 디스플레이에 대한 산업적 기준은 "포화" 색상으로 지칭되는 특정 색상을 방출하도록 조정된 픽셀을 필요로 한다. 특히, 이러한 기준은 포화 적색, 녹색 및 청색 픽셀을 필요로 한다. 대안적으로 OLED는 백색 광을 방출하도록 설계될 수 있다. 통상적인 액정 디스플레이에서, 백색 백라이트에서 나온 방출이 흡수 필터를 사용하여 여과되어 적색, 녹색 및 청색 방출을 생성한다. 동일한 기법이 또한 OLED에도 사용될 수 있다. 백색 OLED는 단일 EML 디바이스 또는 스택 구조일 수 있다. 색상은 당업계에 주지된 CIE 좌표를 사용하여 측정될 수 있다. One application for phosphorescent emitting molecules is full color displays. Industry standards for such displays require pixels that are tuned to emit a specific color referred to as "saturated" color. In particular, these criteria require saturated red, green and blue pixels. Alternatively, OLEDs can be designed to emit white light. In conventional liquid crystal displays, emission from a white backlight is filtered using an absorption filter to produce red, green and blue emission. The same technique can also be used for OLEDs. The white OLED can be a single EML device or a stack structure. Color can be measured using CIE coordinates well known in the art.

녹색 방출 분자의 한 예는, Ir(ppy)3으로 표기되는, 하기 구조를 갖는 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐이다: One example of a green emitting molecule is tris(2-phenylpyridine) iridium, denoted Ir(ppy) 3 , having the structure:

Figure pat00001
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본원에서의 이와 같은 화학식 및 하기의 화학식에서, 본 출원인은 질소로부터 금속(여기에서는 Ir)에의 배위 결합을 직선으로 도시한다. In this formula and the following formulas herein, the applicant shows a coordination bond from nitrogen to a metal (here, Ir) in a straight line.

본원에서 사용한 바와 같이, 용어 "유기"는 유기 광전자 디바이스를 제작하는 데 사용될 수 있는 중합체 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질도 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬기를 사용하는 것은 "소분자" 유형으로부터 분자를 제외시키지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄 상에서의 펜던트 기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 혼입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 모이어티 상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 모이어티로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 모이어티는 형광 또는 인광 소분자 이미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 현재 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 여겨진다. As used herein, the term “organic” includes not only polymeric materials that can be used to fabricate organic optoelectronic devices, but also small molecule organic materials. “Small molecule” refers to any organic material that is not a polymer, and “small molecule” may actually be quite large. Small molecules may contain repeat units in some situations. For example, the use of a long chain alkyl group as a substituent does not exclude a molecule from the "small molecule" type. Small molecules can also be incorporated into the polymer, for example as pendant groups on the polymer backbone or as part of the backbone. Small molecules can also act as the core moiety of a dendrimer consisting of a series of chemical shells created on the core moiety. The core moiety of the dendrimer may be a fluorescent or phosphorescent small molecule emitter. Dendrimers may be "small molecules", and all dendrimers currently used in the OLED field are believed to be small molecules.

본원에서 사용한 바와 같이, "상단부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하단부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1층이 제2층의 "상부에 배치되는" 것으로 기재되는 경우, 제1층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1층이 제2층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1층과 제2층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재한다고 해도, 캐소드는 애노드의 "상부에 배치되는" 것으로 기재될 수 있다. As used herein, “top” means furthest away from the substrate, and “bottom” means closest to the substrate. When the first layer is described as being "disposed over" the second layer, the first layer is disposed away from the substrate. Other layers may exist between the first layer and the second layer unless the first layer is specified as being “in contact with” the second layer. For example, even if there are various organic layers between the cathode and the anode, the cathode may be described as being "disposed above" the anode.

본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있고/있거나 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.As used herein, “solution processability” means that it can be dissolved, dispersed or transported in a liquid medium in the form of a solution or suspension and/or deposited from a liquid medium.

리간드가 방출 물질의 광활성 특성에 직접적으로 기여하는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 특성을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 방출 물질의 광활성 특성에 기여하지 않는 것으로 여겨지는 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.When the ligand is believed to directly contribute to the photoactive properties of the emissive material, the ligand may be referred to as “photoactive”. Although auxiliary ligands may alter the properties of the photoactive ligand, the ligand may be referred to as being “supplementary” if it is believed that the ligand does not contribute to the photoactive properties of the emissive material.

본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 더 근접하는 경우, 제1 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 준위는 제2 HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 준위에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절댓값을 갖는 IP(더 적게 음성인 IP)에 해당한다. 마찬가지로, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 절댓값이 더 작은 전자 친화도(EA)(더 적게 음성인 EA)에 해당한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 다이아그램의 상단부에 더 근접하게 나타난다.As used herein, and as generally understood by one of skill in the art, when the first energy level is closer to the vacuum energy level, the first “highest occupied molecular orbital” (HOMO) or “lowest unoccupied molecular orbital” The (LUMO) energy level is “greater” or “higher” than the second HOMO or LUMO energy level. Since the ionization potential (IP) is measured as negative energy relative to the vacuum level, a higher HOMO energy level corresponds to an IP with a smaller absolute value (less negative IP). Likewise, a higher LUMO energy level corresponds to an electron affinity (EA) with a smaller absolute value (a less negative EA). In a typical energy level diagram with a vacuum level at the top, the LUMO energy level of a material is higher than the HOMO energy level of the same material. The “higher” HOMO or LUMO energy level appears closer to the top of the diagram than the “lower” HOMO or LUMO energy level.

본원에서 사용한 바와 같이, 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1 일함수의 절댓값이 더 클 경우, 제1 일함수는 제2 일함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일함수는 일반적으로 진공 준위에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일함수가 더 음성임을 의미한다. 상단부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, "더 높은" 일함수는 진공 준위로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 예시된다. 따라서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일함수와는 상이한 관례를 따른다.As used herein, and as generally understood by one of ordinary skill in the art, when the absolute value of the first work function is greater, the first work function is “greater” or “higher” than the second work function. Since the work function is generally measured as a negative number with respect to the vacuum level, this means that the "higher" work function is more negative. In a typical energy level diagram with a vacuum level at the top, the “higher” work function is illustrated as further away from the vacuum level in the downward direction. Thus, the definition of HOMO and LUMO energy levels follows a different convention than work functions.

OLED에 대한 더욱 상세한 내용 및 전술한 정의는, 미국 특허 제7,279,704호에서 찾을 수 있으며, 이의 전문은 본원에 참고로 포함된다.More details and the foregoing definitions of OLEDs can be found in US Pat. No. 7,279,704, the entirety of which is incorporated herein by reference.

개요summary

일양태에서, 본 개시는 하기 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 또는 화학식 IV의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 제공한다:In one embodiment, the present disclosure provides a compound comprising a ligand L A of Formula I, Formula II, Formula III or Formula IV:

Figure pat00002
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Figure pat00003
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Figure pat00004
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Figure pat00005
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식 중, 고리 B는 독립적으로 5원 또는 6원 탄소환식 또는 헤테로환식 고리이고; X1 내지 X4는 각각 독립적으로 C, N 및 CR로 이루어진 군에서 선택되며; 인접한 X1 내지 X4 중 적어도 한쌍은 각각 C이고, 화학식 V

Figure pat00006
의 구조의 "
Figure pat00007
"로 표시된 부분에 융합되며; X5 내지 X12는 각각 독립적으로 C 또는 N이고; Z 및 Y는 각각 독립적으로 O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" 및 GeR'R"로 이루어진 군에서 선택되고; RB 및 RC는 각각 독립적으로 이의 관련된 고리에 대한 무치환, 일치환 또는 최대까지 허용되는 치환을 나타내며; RB, RC, R, R' 및 R" 각각은 독립적으로 수소, 또는 본원에 정의된 일반적인 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 2개의 치환기가 결합 또는 융합하여 고리를 형성할 수 있으며; 리간드 LA는 각각의 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 및 화학식 IV의 2개의 표시된 점선을 통해 금속 M에 착물화하고; 리간드 LA는 다른 리간드와 결합하여, 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 형성할 수 있다.In the formula, Ring B is independently a 5- or 6-membered carbocyclic or heterocyclic ring; X 1 to X 4 are each independently selected from the group consisting of C, N and CR; At least one pair of adjacent X 1 to X 4 is each C, and formula V
Figure pat00006
Of the structure of "
Figure pat00007
Fused to the moiety indicated by "; X 5 to X 12 are each independently C or N; Z and Y are each independently O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" and GeR'R" is selected from the group consisting of; R B and R C each independently represent an unsubstituted, monosubstituted or maximum permissible substitution for its associated ring; Each of R B , R C , R, R'and R" is independently hydrogen or a substituent selected from the group consisting of general substituents as defined herein; two substituents may be bonded or fused to form a ring; Ligand L A complexes to metal M via two marked dotted lines of Formula I, Formula II, Formula III and Formula IV, respectively; Ligand L A binds to other ligands, resulting in three, four, five or six Can form site ligands.

다른 양태에서, 본 개시는 본원에 기재된 바의 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 또는 화학식 IV의 리간드 LA를 포함하는 화합물의 배합물을 제공한다.In another aspect, the present disclosure provides a combination of compounds comprising a ligand L A of Formula I, Formula II, Formula III or Formula IV as described herein.

또 다른 양태에서, 본 개시는 본원에 기재된 바의 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 또는 화학식 IV의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 유기층을 갖는 OLED를 제공한다.In another aspect, the present disclosure provides an OLED having an organic layer comprising a compound comprising a ligand L A of Formula I, Formula II, Formula III or Formula IV as described herein.

또 다른 양태에서, 본 개시는 본원에 기재된 바의 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 또는 화학식 IV의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 유기층을 갖는 OLED를 포함하는 소비자 제품을 제공한다.In another aspect, the present disclosure provides a consumer product comprising an OLED having an organic layer comprising a compound comprising a ligand L A of Formula I, Formula II, Formula III or Formula IV as described herein.

도 1은 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 2는 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 역구조 유기 발광 디바이스를 도시한다.
도 3은 실온에서 2-메틸THF 용액 중에서 취한 본 발명의 실시예 화합물 1 및 2 및 비교예 화합물 1의 포토루미네센스(PL)의 플롯이다.
1 shows an organic light emitting device.
2 shows an inverted structure organic light emitting device that does not have a separate electron transport layer.
3 is a plot of the photoluminescence (PL) of Example Compounds 1 and 2 and Comparative Example Compound 1 of the present invention taken in a 2-methylTHF solution at room temperature.

상세한 설명details

일반적으로, OLED는 애노드와 캐소드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 하나 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 유기층(들)에 정공을 주입하고, 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자와 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공 쌍인 "엑시톤"이 생성된다. 엑시톤이 광방출 메카니즘을 통해 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메카니즘, 예컨대 열 이완이 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다. Typically, OLEDs comprise one or more organic layers disposed between and electrically connected to an anode and a cathode. When current is applied, the anode injects holes into the organic layer(s), and the cathode injects electrons. The injected holes and electrons move toward oppositely charged electrodes, respectively. When electrons and holes are localized on the same molecule, “excitons”, which are localized electron-hole pairs with excited energy states, are produced. Light is emitted when excitons are relaxed through a light emission mechanism. In some cases, excitons may be localized on excimers or exciplexes. Non-radiative mechanisms, such as thermal relaxation, can also occur, but are generally considered undesirable.

초기 OLED는 예를 들면 미국 특허 제4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 방출 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 프레임으로 발생한다. Early OLEDs used emissive molecules that emit light (“fluorescence”) from a singlet state as disclosed in, for example, US Pat. No. 4,769,292, the patent document being incorporated by reference in its entirety. Fluorescence emission generally occurs in a time frame of less than 10 nanoseconds.

보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 방출 물질을 갖는 OLED가 제시되었다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998; ("Baldo-I")] 및 문헌[Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")]은 그 전문이 참고로 포함된다. 인광은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 5-6에 보다 구체적으로 기재되어 있다.More recently, OLEDs with emitting materials that emit light from the triplet state ("phosphorescence") have been presented. See Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998; (“Baldo-I”)] and in Baldo et al., “Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence,” Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999) ("Baldo-II")] is incorporated by reference in its entirety. Phosphorescence is described in more detail in columns 5-6 of US Pat. No. 7,279,704, which is incorporated by reference.

도 1은 유기 발광 디바이스(100)를 나타낸다. 도면은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 디바이스(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 캐소드(160) 및 배리어층(170)을 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1 전도층(162) 및 제2 전도층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 디바이스(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시 물질의 특성 및 기능은 참고로 포함되는 US 제7,279,704호의 컬럼 6-10에 보다 구체적으로 기재되어 있다.1 shows an organic light emitting device 100. The drawings are not necessarily drawn to scale. The device 100 includes a substrate 110, an anode 115, a hole injection layer 120, a hole transport layer 125, an electron blocking layer 130, a light emitting layer 135, a hole blocking layer 140, an electron transport layer ( 145, an electron injection layer 150, a protective layer 155, a cathode 160, and a barrier layer 170. The cathode 160 is a compound cathode having a first conductive layer 162 and a second conductive layer 164. Device 100 may be fabricated by depositing layers in the order described. The properties and functions of these various layers, as well as exemplary materials, are described in more detail in US 7,279,704 at columns 6-10, which are incorporated by reference.

이들 층 각각에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 가요성이고 투명한 기판-애노드 조합은 미국 특허 제5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 한 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 방출 및 호스트 물질의 예는 미국 특허 제6,303,238호(Thompson 등)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 그 전문이 참고로 포함되는 미국 특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는, 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국 특허 제6,097,147호 및 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 주입층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 보호층의 설명은 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. More examples for each of these layers are also available. For example, a flexible and transparent substrate-anode combination is disclosed in US Pat. No. 5,844,363, which patent document is incorporated by reference in its entirety. An example of a p-doped hole transport layer is m-MTDATA doped with F 4 -TCNQ at a molar ratio of 50:1, as disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2003/0230980, and this patent document is in its entirety. Included for reference. Examples of emissive and host materials are disclosed in US Pat. No. 6,303,238 (Thompson et al.), which patent document is incorporated by reference in its entirety. An example of an n-doped electron transport layer is BPhen doped with Li at a molar ratio of 1:1, as disclosed in US Patent Application Publication No. 2003/0230980, and this patent document is incorporated by reference in its entirety. U.S. Patent Nos. 5,703,436 and 5,707,745, which are incorporated by reference in their entirety, disclose examples of cathodes, including compound cathodes having a thin layer of metal such as Mg:Ag with a layered transparent, electrically conductive sputter-deposited ITO layer. Has been. The theory and use of the barrier layer are described in more detail in US Pat. No. 6,097,147 and US Patent Application Publication No. 2003/0230980, and these patent documents are incorporated by reference in their entirety. Examples of injection layers are provided in US Patent Application Publication No. 2004/0174116, which patent document is incorporated by reference in its entirety. A description of the protective layer can be found in US Patent Application Publication No. 2004/0174116, which patent document is incorporated by reference in its entirety.

도 2는 역구조 OLED(200)를 나타낸다. 디바이스는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 디바이스(200)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제작될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구성이 애노드의 위에 캐소드가 배치되어 있는 것이고, 디바이스(200)는 애노드(230)의 아래에 배치된 캐소드(215)를 갖고 있으므로, 디바이스(200)는 "역구조" OLED로 지칭될 수 있다. 디바이스(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 디바이스(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 디바이스(100)의 구조로부터 일부 층이 어떻게 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다. 2 shows an inverted structure OLED 200. The device includes a substrate 210, a cathode 215, a light emitting layer 220, a hole transport layer 225 and an anode 230. Device 200 may be fabricated by depositing layers in the order described. The most common OLED configuration is that the cathode is disposed above the anode, and the device 200 has a cathode 215 disposed below the anode 230, so the device 200 will be referred to as an "inverse structure" OLED. I can. Materials similar to those described with respect to device 100 may be used in the corresponding layers of device 200. 2 provides an example of how some layers may be omitted from the structure of device 100.

도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조는 비제한적인 예로서 제공되며, 본 발명의 구체예는 다양한 기타의 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 기타의 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 기능성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나, 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략될 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 구체적으로 기재된 물질과 다른 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질의 조합, 예컨대 호스트와 도펀트의 혼합물, 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 층은 다양한 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 디바이스(200)에서, 정공 수송층(225)은 정공을 수송하고 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 한 구체예에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일 층을 포함할 수 있거나, 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질들의 복수의 층을 더 포함할 수 있다. The simple stacked structures shown in FIGS. 1 and 2 are provided as non-limiting examples, and it is understood that embodiments of the present invention may be used in connection with a variety of other structures. The specific materials and structures described are for illustrative purposes only, and other materials and structures may be used. Functional OLEDs can be achieved by combining the various layers described in different ways, or layers can be omitted entirely based on design, performance and cost factors. Other layers not specifically described may also be included. Materials different from those specifically described may be used. While many of the examples provided herein describe various layers as comprising a single material, it is understood that combinations of materials, such as mixtures of hosts and dopants, or more generally mixtures, may be used. Also, the layer may have various sublayers. The names given to the various layers herein are not intended to be strictly limiting. For example, in the device 200, the hole transport layer 225 transports holes and injects holes into the light emitting layer 220, and may be described as a hole transport layer or a hole injection layer. In one embodiment, an OLED may be described as having an “organic layer” disposed between the cathode and the anode. This organic layer may comprise a single layer, or may further comprise a plurality of layers of different organic materials as described in connection with FIGS. 1 and 2 for example.

구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국 특허 제5,247,190호(Friend 등)에 개시된 바와 같은 중합체 물질을 포함하는 OLED(PLED)를 또한 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국 특허 제5,707,745호(Forrest 등)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국 특허 제6,091,195호(Forrest 등)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국 특허 제5,834,893호(Bulovic 등)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃-커플링(out-coupling)을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. Structures and materials not specifically described, such as OLEDs (PLEDs) comprising polymeric materials as disclosed in U.S. Patent No. 5,247,190 (Friend et al.), can also be used, which patent document is incorporated by reference in its entirety. As a further example, an OLED with a single organic layer can be used. OLEDs can be stacked, for example, as described in US Pat. No. 5,707,745 (Forrest et al.), which patent document is incorporated herein by reference in its entirety. The OLED structure can deviate from the simple stacked structure shown in FIGS. 1 and 2. For example, the substrate may be an out-coupled structure such as a mesa structure as described in U.S. Patent No. 6,091,195 (Forrest et al.) and/or a pit structure as described in U.S. Patent No. 5,834,893 (Bulovic et al.). It may include an angled reflective surface to improve out-coupling, and these patent documents are incorporated herein by reference in their entirety.

반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 구체예의 임의의 층은 임의의 적합한 방법에 의하여 증착될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국 특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌들은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크-제트, 미국 특허 제6,337,102호(Forrest 등)(이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 기상 증착(OVPD) 및 미국 특허 제7,431,968호(이 특허 문헌은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적합한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액계 공정을 포함한다. 용액계 공정은 질소 또는 불활성 분위기 중에서 실시되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국 특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌들은 그 전문이 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및 잉크-제트 및 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)과 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 다른 방법들도 또한 사용될 수 있다. 증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴기와 같은 치환기는 소분자에 사용되어 이의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3개 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 물질은 더 낮은 재결정화 경향성을 가질 수 있기 때문에, 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 물질보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있다. 덴드리머 치환기를 사용하여 소분자의 용액 가공 처리 능력을 향상시킬 수 있다. Unless stated to the contrary, any layer of various embodiments may be deposited by any suitable method. In the case of organic layers, preferred methods include thermal evaporation, ink-jet, US Pat. No. 6,337,102 (Forrest et al.) as described in US Pat. Nos. 6,013,982 and 6,087,196 (these patent documents are incorporated by reference in their entirety) ( Organic vapor deposition (OVPD) as described in this patent document is incorporated by reference in its entirety) and organic vapor jet printing (OVJP) as described in U.S. Patent No. 7,431,968 (this patent document is incorporated by reference in its entirety). Evaporation is mentioned. Other suitable deposition methods include spin coating and other solution based processes. The solution-based process is preferably carried out in nitrogen or an inert atmosphere. For other layers, a preferred method includes thermal evaporation. Preferred patterning methods include vapor deposition through a mask, cold welding and ink-jet and organic vapor jet printing (OVJP) as described in U.S. Patents 6,294,398 and 6,468,819 (these patent documents are incorporated by reference in their entirety). Includes pattern formation associated with some deposition methods such as. Other methods can also be used. The material to be deposited can be modified to have compatibility with a specific deposition method. For example, substituents such as branched or unbranched, preferably alkyl and aryl groups containing 3 or more carbons can be used in small molecules to improve their solution processing capability. Substituents having 20 or more carbons can be used, with 3 to 20 carbons being a preferred range. Since the asymmetric material may have a lower tendency to recrystallize, a material with an asymmetric structure may have better solution processability than a material with a symmetric structure. Dendrimer substituents can be used to improve the solution processing capability of small molecules.

본 발명의 구체예에 따라 제작된 디바이스는 배리어층을 임의로 더 포함할 수 있다. 배리어층의 한 목적은 전극 및 유기층이 수분, 증기 및/또는 기체 등을 포함하는 환경에서 유해한 종에 대한 노출로 인하여 손상되지 않도록 보호하는 것이다. 배리어층은 엣지를 포함하는 디바이스의 임의의 기타 부분의 위에서, 전극 또는, 기판의 위에서, 기판의 아래에서 또는 기판의 옆에서 증착될 수 있다. 배리어층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 배리어층은 다양한 공지의 화학 기상 증착 기법에 의하여 형성될 수 있으며 복수의 상을 갖는 조성물뿐 아니라 단일 상을 갖는 조성물을 포함할 수 있다. 임의의 적합한 물질 또는 물질의 조합을 배리어층에 사용할 수 있다. 배리어층은 무기 또는 유기 화합물 또는 둘 다를 포함할 수 있다. 바람직한 배리어층은 미국 특허 제7,968,146호, PCT 특허 출원 번호 PCT/US2007/023098 및 PCT/US2009/042829에 기재된 바와 같은 중합체 물질 및 비-중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 이들 문헌은 본원에 그 전문이 참고로 포함된다. "혼합물"로 간주되기 위해, 배리어층을 포함하는 전술한 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 반응 조건 하에서 및/또는 동일한 시간에 증착되어야만 한다. 중합체 대 비-중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95 범위 내일 수 있다. 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 전구체 물질로부터 생성될 수 있다. 한 예에서, 중합체 및 비-중합체 물질의 혼합물은 본질적으로 중합체 규소 및 무기 규소로 이루어진다. A device manufactured according to an embodiment of the present invention may optionally further include a barrier layer. One purpose of the barrier layer is to protect the electrode and the organic layer from being damaged by exposure to harmful species in an environment containing moisture, vapor and/or gas. The barrier layer may be deposited over any other portion of the device including the edge, over the electrode or over the substrate, under the substrate, or next to the substrate. The barrier layer may include a single layer or multiple layers. The barrier layer may be formed by various known chemical vapor deposition techniques and may include a composition having a plurality of phases as well as a composition having a single phase. Any suitable material or combination of materials may be used in the barrier layer. The barrier layer may include inorganic or organic compounds or both. Preferred barrier layers comprise mixtures of polymeric and non-polymeric materials as described in U.S. Patent No. 7,968,146, PCT Patent Application Nos. PCT/US2007/023098 and PCT/US2009/042829, which are incorporated herein in its entirety. Included for reference. In order to be considered a “mixture”, the above-described polymeric and non-polymeric materials comprising the barrier layer must be deposited under the same reaction conditions and/or at the same time. The weight ratio of polymer to non-polymeric material may range from 95:5 to 5:95. Polymeric and non-polymeric materials can be produced from the same precursor material. In one example, the mixture of polymeric and non-polymeric materials consists essentially of polymeric silicon and inorganic silicon.

본 발명의 구체예에 따라 제작된 디바이스는 다양한 전자 제품 또는 중간 부품 내에 포함될 수 있는 광범위하게 다양한 전자 부품 모듈(또는 유닛) 내에 포함될 수 있다. 이러한 전자 제품 또는 중간 부품의 예는 디스플레이 스크린, 발광 디바이스, 예컨대 개별 광원 디바이스 또는 최종 소비자 제품 생산자에 의해 사용될 수 있는 조명 패널 등을 포함한다. 이러한 전자 부품 모듈은 임의로 구동 전자 장치 및/또는 동력원(들)을 포함할 수 있다. 본 발명의 구체예에 따라 제작된 디바이스는 하나 이상의 전자 부품 모듈(또는 유닛)을 그 안에 포함하는 광범위하게 다양한 소비자 제품 내에 포함될 수 있다. OLED 내 유기층에 본 개시의 화합물을 포함하는 OLED를 포함하는 소비자 제품이 개시된다. 이러한 소비자 제품은 하나 이상의 광원(들) 및/또는 하나 이상의 어떤 종류의 영상 디스플레이를 포함하는 임의 종류의 제품을 포함할 것이다. 이러한 소비자 제품의 몇몇 예로는 평면 패널 디스플레이, 곡면 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 실외 조명 및/또는 신호용 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 또는 부분 투명 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 롤러블 디스플레이, 폴더블 디스플레이, 스트레처블 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 태블릿, 패블릿, 개인용 정보 단말기(PDA), 웨어러블 디바이스, 랩톱 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로 디스플레이(대각선이 2인치 미만인 디스플레이), 3D 디스플레이, 가상 현실 또는 증강 현실 디스플레이, 차량, 함께 타일링된(tiled) 다중 디스플레이를 포함하는 비디오 월, 극장 또는 스타디움 스크린, 광 요법 디바이스 및 간판이 있다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 조절 메카니즘을 사용하여 본 발명에 따라 제작된 디바이스를 조절할 수 있다. 다수의 디바이스는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하고자 하지만, 상기 온도 범위 밖의 온도, 예컨대 -40℃ 내지 +80℃에서도 사용될 수 있다. Devices fabricated according to embodiments of the present invention may be incorporated into a wide variety of electronic component modules (or units) that may be incorporated into various electronic products or intermediate components. Examples of such electronic products or intermediate parts include display screens, light-emitting devices, such as individual light source devices or lighting panels that can be used by end consumer product manufacturers. Such electronic component modules may optionally include drive electronics and/or power source(s). Devices fabricated in accordance with embodiments of the present invention may be incorporated into a wide variety of consumer products including one or more electronic component modules (or units) therein. A consumer product is disclosed comprising an OLED comprising a compound of the present disclosure in an organic layer within the OLED. Such consumer products will include any kind of product including one or more light source(s) and/or one or more of some kind of visual display. Some examples of such consumer products include flat panel displays, curved displays, computer monitors, medical monitors, televisions, billboards, indoor or outdoor lighting and/or signaling lights, head-up displays, fully or partially transparent displays, flexible displays, rollable displays. , Foldable display, stretchable display, laser printer, telephone, mobile phone, tablet, phablet, personal digital assistant (PDA), wearable device, laptop computer, digital camera, camcorder, viewfinder, micro display (2 inches diagonally) Displays), 3D displays, virtual reality or augmented reality displays, vehicles, video walls including multiple displays tiled together, theater or stadium screens, light therapy devices and signage. A variety of control mechanisms, including passive and active matrices, can be used to control devices fabricated in accordance with the present invention. Many devices are intended to be used in a comfortable temperature range for humans, such as 18 to 30° C., more preferably at room temperature (20 to 25° C.), but outside this temperature range, such as -40 to +80° C. Can also be used.

본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED 이외의 디바이스에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 디바이스, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 디바이스, 예컨대 유기 트랜지스터는 상기 물질 및 구조를 사용할 수 있다. The materials and structures described herein may have applications in devices other than OLEDs. For example, other optoelectronic devices such as organic solar cells and organic photodetectors can use the materials and structures. More generally, organic devices, such as organic transistors, may use the above materials and structures.

용어 "할로", "할로겐" 및 "할라이드"는 상호교환적으로 사용되며, 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 지칭한다. The terms “halo”, “halogen” and “halide” are used interchangeably and refer to fluorine, chlorine, bromine and iodine.

용어 "아실"은 치환된 카르보닐 라디칼 (C(O)-RS)을 지칭한다.The term “acyl” refers to a substituted carbonyl radical (C(O)-R S ).

용어 "에스테르"는 치환된 옥시카르보닐 (-O-C(O)-RS 또는 -C(O)-O-RS) 라디칼을 지칭한다.The term “ester” refers to a substituted oxycarbonyl (-OC(O)-R S or -C(O)-OR S ) radical.

용어 "에테르"는 -ORS 라디칼을 지칭한다.The term "ether" refers to the -OR S radical.

용어 "술파닐" 또는 "티오-에테르"는 상호교환적으로 사용되며, -SRS 라디칼을 지칭한다.The terms "sulfanyl" or "thio-ether" are used interchangeably and refer to the -SR S radical.

용어 "술피닐"은 -S(O)-RS 라디칼을 지칭한다.The term "sulfinyl" refers to the -S(O)-R S radical.

용어 "술포닐"은 -SO2-RS 라디칼을 지칭한다.The term "sulfonyl" refers to the -SO 2 -R S radical.

용어 "포스피노"는 -P(RS)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 RS는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.The term “phosphino” refers to a -P(R S ) 3 radical, and each R S may be the same or different.

용어 "실릴"은 -Si(RS)3 라디칼을 지칭하고, 각각의 RS는 동일하거나 또는 상이할 수 있다.The term “silyl” refers to a -Si(R S ) 3 radical, and each R S may be the same or different.

용어 "보릴"은 -B(Rs)2 라디칼 또는 이의 루이스 부가물 -B(Rs)3 라디칼을 지칭하며, 여기서 Rs는 동일하거나 상이할 수 있다.The term “boryl” refers to a -B(R s ) 2 radical or a Lewis adduct thereof -B(R s ) 3 radical, wherein R s may be the same or different.

상기의 것 중 각각에서, RS는 수소 또는 치환기일 수 있고, 상기 치환기는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 바람직한 RS는 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In each of the above, R S may be hydrogen or a substituent, and the substituent is deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl , Cycloalkenyl, heteroalkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, and combinations thereof. Preferred R S is selected from the group consisting of alkyl, cycloalkyl, aryl, heteroaryl, and combinations thereof.

용어 "알킬"은 직쇄 또는 분지쇄 알킬 라디칼을 모두를 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 알킬기는 1∼15개의 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 메틸, 에틸, 프로필, 1-메틸에틸, 부틸, 1-메틸프로필, 2-메틸프로필, 펜틸, 1-메틸부틸, 2-메틸부틸, 3-메틸부틸, 1,1-디메틸프로필, 1,2-디메틸프로필, 2,2-디메틸프로필 등을 포함한다. 추가로, 알킬기는 임의로 치환된다.The term “alkyl” refers to and includes both straight or branched chain alkyl radicals. Preferred alkyl groups are those containing 1 to 15 carbon atoms, methyl, ethyl, propyl, 1-methylethyl, butyl, 1-methylpropyl, 2-methylpropyl, pentyl, 1-methylbutyl, 2-methylbutyl, 3 -Methylbutyl, 1,1-dimethylpropyl, 1,2-dimethylpropyl, 2,2-dimethylpropyl, and the like. Additionally, the alkyl group is optionally substituted.

용어 "시클로알킬"은 단환, 다환, 및 스피로 알킬 라디칼을 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 시클로알킬기는 3∼12개의 고리 탄소 원자를 함유하는 것으로서, 시클로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 비시클로[3.1.1]헵틸, 스피로[4.5]데실, 스피로[5.5]운데실, 아다만틸 등을 포함한다. 추가로, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다. The term “cycloalkyl” refers to and includes monocyclic, polycyclic, and spiroalkyl radicals. Preferred cycloalkyl groups are those containing 3 to 12 ring carbon atoms, cyclopropyl, cyclopentyl, cyclohexyl, bicyclo[3.1.1]heptyl, spiro[4.5]decyl, spiro[5.5]undecyl, adamantyl And the like. Additionally, the cycloalkyl group may be optionally substituted.

용어 "헤테로알킬" 또는 "헤테로시클로알킬"은 각각 헤테로원자에 의해 치환된 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 알킬 또는 시클로알킬 라디칼을 지칭한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 추가로, 헤테로알킬 또는 헤테로시클로알킬기는 임의로 치환된다.The terms “heteroalkyl” or “heterocycloalkyl” refer to an alkyl or cycloalkyl radical having one or more carbon atoms each substituted by a heteroatom. Optionally, one or more heteroatoms are selected from O, S, N, P, B, Si, and Se, preferably O, S, or N. Additionally, the heteroalkyl or heterocycloalkyl group is optionally substituted.

용어 "알케닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼 모두를 지칭하고, 이를 포함한다. 알케닐기는 본질적으로 알킬 사슬에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 알킬기이다. 시클로알케닐기는 본질적으로 시클로알킬 고리 내에 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 시클로알킬기이다. 본원에 사용되는 용어 "헤테로알케닐"은 헤테로원자에 의해 치환된 하나 이상의 탄소 원자를 갖는 알케닐 라디칼을 지칭한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 바람직한 알케닐, 시클로알케닐, 또는 헤테로알케닐기는 2 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알케닐, 시클로알케닐, 또는 헤테로알케닐기는 임의로 치환된다.The term “alkenyl” refers to and includes both straight and branched chain alkene radicals. Alkenyl groups are essentially alkyl groups containing one or more carbon-carbon double bonds in the alkyl chain. Cycloalkenyl groups are essentially cycloalkyl groups containing one or more carbon-carbon double bonds within the cycloalkyl ring. The term “heteroalkenyl” as used herein refers to an alkenyl radical having one or more carbon atoms substituted by heteroatoms. Optionally, one or more heteroatoms are selected from O, S, N, P, B, Si, and Se, preferably O, S, or N. Preferred alkenyl, cycloalkenyl, or heteroalkenyl groups are those containing 2 to 15 carbon atoms. Additionally, alkenyl, cycloalkenyl, or heteroalkenyl groups are optionally substituted.

용어 "알키닐"은 직쇄 및 분지쇄 알켄 라디칼 모두를 지칭하고, 이를 포함한다. 바람직한 알키닐기는 2 내지 15개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 추가로, 알키닐기는 임의로 치환된다.The term “alkynyl” refers to and includes both straight and branched chain alkene radicals. Preferred alkynyl groups are those containing 2 to 15 carbon atoms. Additionally, an alkynyl group is optionally substituted.

용어 "아르알킬" 또는 "아릴알킬"은 상호교환적으로 사용되며, 아릴기로 치환된 알킬기를 지칭한다. 추가로, 아르알킬기는 임의로 치환된다.The terms “aralkyl” or “arylalkyl” are used interchangeably and refer to an alkyl group substituted with an aryl group. Additionally, aralkyl groups are optionally substituted.

용어 "헤테로환식 기"는 하나 이상의 헤테로원자를 함유하는 방향족 및 비방향족 환식 라디칼을 지칭하고, 이를 포함한다. 임의로, 하나 이상의 헤테로원자는 O, S, N, P, B, Si, 및 Se, 바람직하게는, O, S, 또는 N으로부터 선택된다. 헤테로방향족 환식 라디칼은 또한 헤테로아릴과 상호교환적으로 사용될 수 있다. 바람직한 헤테로비방향족 환식 기는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하고, 모르폴리노, 피페리디노, 피롤리디노 등과 같은 환식 아민, 및 테트라히드로푸란, 테트라히드로피란, 테트라히드로티오펜 등과 같은 환식 에테르/티오-에테르를 포함하는 3 내지 7개의 고리 원자를 함유하는 것들이다. 추가로, 헤테로환식 기는 임의로 치환될 수 있다.The term “heterocyclic group” refers to and includes aromatic and non-aromatic cyclic radicals containing one or more heteroatoms. Optionally, one or more heteroatoms are selected from O, S, N, P, B, Si, and Se, preferably O, S, or N. Heteroaromatic cyclic radicals can also be used interchangeably with heteroaryl. Preferred heteronon-aromatic cyclic groups contain one or more heteroatoms, and cyclic amines such as morpholino, piperidino, pyrrolidino and the like, and cyclic ethers/thio- such as tetrahydrofuran, tetrahydropyran, tetrahydrothiophene, and the like. They are those containing 3 to 7 ring atoms including ethers. Additionally, the heterocyclic group may be optionally substituted.

용어 "아릴"은 단일 고리 방향족 히드로카르빌기 및 다환식 방향족 고리계 모두를 지칭하고, 이를 포함한다. 다환식 고리는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 방향족 히드로카르빌기이고, 예를 들면, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 바람직한 아릴기는 6~30개의 탄소 원자, 바람직하게는 6~20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 6~12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 6개의 탄소, 10개의 탄소 또는 12개의 탄소를 가진 아릴기가 특히 바람직하다. 적합한 아릴기는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 펜안트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌, 바람직하게는 페닐, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 플루오렌 및 나프탈렌을 포함한다. 추가로, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다.The term “aryl” refers to and includes both single ring aromatic hydrocarbyl groups and polycyclic aromatic ring systems. Polycyclic rings may have two or more rings in which two carbons are common to two adjacent rings (these rings are “fused”), wherein at least one of the rings is an aromatic hydrocarbyl group, for example, Other rings may be cycloalkyl, cycloalkenyl, aryl, heterocycle and/or heteroaryl. Preferred aryl groups are those containing 6 to 30 carbon atoms, preferably 6 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms. Particular preference is given to aryl groups having 6 carbons, 10 carbons or 12 carbons. Suitable aryl groups are phenyl, biphenyl, triphenyl, triphenylene, tetraphenylene, naphthalene, anthracene, phenalene, phenanthrene, fluorene, pyrene, chrysene, perylene and azulene, preferably phenyl, biphenyl , Triphenyl, triphenylene, fluorene and naphthalene. Additionally, the aryl group may be optionally substituted.

용어 "헤테로아릴"은 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 단일 고리 헤테로 방향족기 및 다환식 방향족 고리계 모두를 포함한다. 헤테로원자는, 비제한적으로, O, S, N, P, B, Si, 및 Se를 포함한다. 다수의 경우에서, O, S, 또는 N은 바람직한 헤테로원자이다. 헤테로 방향족 단일 고리계는 바람직하게는 5 또는 6개의 고리 원자를 갖는 단일 고리이고, 상기 고리는 1 내지 6개의 헤테로원자를 가질 수 있다. 헤테로 다환식 고리계는 2개의 탄소가 두 인접 고리(이들 고리는 "융합됨")에 공통인 2개 이상의 고리를 가질 수 있으며, 여기서, 고리들 중 하나 이상은 헤테로아릴이고, 예를 들면, 다른 고리들은 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴, 헤테로사이클 및/또는 헤테로아릴일 수 있다. 헤테로 다환식 방향족 고리계는 다환식 방향족 고리계의 고리당 1 내지 6개의 헤테로원자를 가질 수 있다. 바람직한 헤테로아릴기는 3~30개의 탄소 원자, 바람직하게는 3~20개의 탄소 원자, 더 바람직하게는 3~12개의 탄소 원자를 함유하는 것이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 펜아진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘, 바람직하게는 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 트리아진, 벤즈이미다졸, 1,2-아자보린, 1,3-아자보린, 1,4-아자보린, 보라진 및 이의 아자-유사체를 포함한다. 추가로, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.The term “heteroaryl” includes both single ring heteroaromatic groups and polycyclic aromatic ring systems comprising one or more heteroatoms. Heteroatoms include, but are not limited to, O, S, N, P, B, Si, and Se. In many cases, O, S, or N is a preferred heteroatom. The heteroaromatic single ring system is preferably a single ring having 5 or 6 ring atoms, and the ring may have 1 to 6 heteroatoms. Heteropolycyclic ring systems may have two or more rings in which two carbons are common to two adjacent rings (these rings are “fused”), wherein at least one of the rings is heteroaryl, for example, Other rings may be cycloalkyl, cycloalkenyl, aryl, heterocycle and/or heteroaryl. The hetero polycyclic aromatic ring system may have 1 to 6 heteroatoms per ring of the polycyclic aromatic ring system. Preferred heteroaryl groups are those containing 3 to 30 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms. Suitable heteroaryl groups are dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, benzoselenophene, carbazole, indolocarbazole, pyridylindole, pyrrolodipyridine , Pyrazole, imidazole, triazole, oxazole, thiazole, oxadiazole, oxatriazole, dioxazole, thiadiazole, pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, triazine, oxazine, oxathia Gin, oxadiazine, indole, benzimidazole, indazole, indoxazine, benzoxazole, benzisoxazole, benzothiazole, quinoline, isoquinoline, cinnoline, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, phthalazine , Pteridine, xanthene, acridine, phenazine, phenothiazine, phenoxazine, benzofuropyridine, furodipyridine, benzothienopyridine, thienodipyridine, benzoselenophenopyridine and selenophenodipyridine, Preferably dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, carbazole, indolocarbazole, imidazole, pyridine, triazine, benzimidazole, 1,2-azaborine, 1,3-azaborine , 1,4-azaborine, borazine and aza-analogues thereof. Additionally, the heteroaryl group may be optionally substituted.

상기 열거된 아릴기 및 헤테로아릴기 중, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 이미다졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 트리아진, 및 벤즈이미다졸, 및 이들 각각의 각 아자-유사체가 특히 관심대상의 것이다.Among the aryl groups and heteroaryl groups listed above, triphenylene, naphthalene, anthracene, dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, carbazole, indolocarbazole, imidazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine , Triazine, and benzimidazole, and their respective aza-analogues are of particular interest.

본원에 사용되는 용어 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아르알킬, 헤테로환식 기, 아릴 및 헤테로아릴은 독립적으로 비치환되거나, 또는 독립적으로 하나 이상의 일반 치환기로 치환된다.As used herein, the terms alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, alkenyl, cycloalkenyl, heteroalkenyl, alkynyl, aralkyl, heterocyclic group, aryl and heteroaryl are independently unsubstituted, or Independently substituted with one or more common substituents.

다수의 경우에서, 일반 치환기는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 보릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In many cases, general substituents are deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl, cycloalkenyl, heteroalkenyl, alkynyl, Aryl, heteroaryl, acyl, carboxylic acid, ether, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, boryl, and combinations thereof.

일부 경우에서, 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 보릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some cases, preferred general substituents are deuterium, fluorine, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl, cycloalkenyl, heteroalkenyl, aryl, heteroaryl, nitrile, isonitrile, It is selected from the group consisting of sulfanyl, boryl, and combinations thereof.

일부 경우에서, 더욱 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 아릴, 헤테로아릴, 술파닐, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In some cases, more preferred general substituents are selected from the group consisting of deuterium, fluorine, alkyl, cycloalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, aryl, heteroaryl, sulfanyl, and combinations thereof.

다른 경우에서, 가장 바람직한 일반 치환기는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 아릴, 헤테로아릴, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In other cases, the most preferred general substituents are selected from the group consisting of deuterium, fluorine, alkyl, cycloalkyl, aryl, heteroaryl, and combinations thereof.

용어 "치환된" 및 "치환"은 관련된 위치, 예컨대 탄소 또는 질소에 결합되는 H 이외의 치환기를 나타낸다. 예를 들면, R1이 일치환을 나타내는 경우, 하나의 R1은 H 이외의 것이어야 한다(즉, 치환). 유사하게, R1이 이치환을 나타내는 경우, R1 중 2개는 H 이외의 것이어야 한다. 유사하게, R1이 비치환을 나타내는 경우, R1은 예를 들어 벤젠의 탄소 원자 및 피롤의 질소 원자와 같이 고리 원자의 이용가능한 원자가에 대해 수소일 수 있거나, 또는 단순히 완전히 충전된 원자가를 갖는 고리 원자, 예컨대 피리딘의 질소 원자에 대해 아무 것도 나타내지 않을 수 있다. 고리 구조에서 가능한 최대수의 치환은 고리 원자에서 이용가능한 원자가의 총 갯수에 따라 달라진다.The terms “substituted” and “substituted” refer to substituents other than H bonded to the relevant position, such as carbon or nitrogen. For example, when R 1 represents a monocyclic ring, one R 1 must be other than H (ie, substitution). Similarly, if R 1 represents a disubstituted, then two of R 1 must be other than H. Similarly, when R 1 represents unsubstituted, R 1 may be hydrogen relative to the available valency of the ring atom, such as the carbon atom of benzene and the nitrogen atom of pyrrole, or simply having a fully charged valency. It may indicate nothing about the ring atom, such as the nitrogen atom of pyridine. The maximum number of substitutions possible in a ring structure depends on the total number of valences available on the ring atom.

본원에 사용되는 "이들의 조합"은 해당되는 목록 중 하나 이상의 구성요소가 조합되어 본 기술분야의 당업자가 해당하는 목록으로부터 구상할 수 있는 공지되거나 또는 화학적으로 안정한 배열을 형성하는 것을 나타낸다. 예를 들면, 알킬 및 중수소는 조합되어 부분적 또는 전체적 중수소화된 알킬기를 형성할 수 있고; 할로겐 및 알킬은 조합되어 할로겐화된 알킬 치환기를 형성할 수 있고; 할로겐, 알킬, 및 아릴은 조합되어 할로겐화된 아릴알킬을 형성할 수 있다. 하나의 경우에서, 용어 치환은 열거된 기들 중의 2 내지 4개의 조합을 포함한다. 다른 경우에서, 용어 치환은 2 내지 3개의 기의 조합을 포함한다. 또 다른 경우에서, 용어 치환은 2개의 기의 조합을 포함한다. 치환기의 바람직한 조합은 수소 또는 중수소가 아닌 최대 50개의 원자를 함유하는 것이거나, 또는 수소 또는 중수소가 아닌 최대 40개의 원자를 포함하는 것이거나, 또는 수소 또는 중수소가 아닌 최대 30개의 원자를 포함하는 것이다. 다수의 경우에서, 치환기의 바람직한 조합은 수소 또는 중수소가 아닌 최대 20개의 원자를 포함할 것이다.As used herein, “combination of these” refers to the combination of one or more elements of the corresponding list to form a known or chemically stable arrangement that one of ordinary skill in the art would envision from that list. For example, alkyl and deuterium may be combined to form partially or wholly deuterated alkyl groups; Halogen and alkyl can be combined to form halogenated alkyl substituents; Halogen, alkyl, and aryl can be combined to form a halogenated arylalkyl. In one case, the term substitution includes combinations of 2 to 4 of the listed groups. In other cases, the term substitution includes a combination of 2 to 3 groups. In another case, the term substitution includes a combination of two groups. Preferred combinations of substituents are those containing up to 50 atoms that are not hydrogen or deuterium, or those that contain up to 40 atoms that are not hydrogen or deuterium, or those that contain up to 30 atoms that are not hydrogen or deuterium. . In many cases, the preferred combination of substituents will contain up to 20 atoms that are not hydrogen or deuterium.

본원에 기재된 분절(fragment), 즉 아자디벤조푸란, 아자디벤조티오펜 등에서 "아자" 표기는 각각의 방향족 고리에서의 C-H 기 중 하나 이상이 질소 원자로 치환될 수 있다는 것을 의미하며, 예를 들면 아자트리페닐렌은 디벤조[f,h]퀴녹살린 및 디벤조[f,h]퀴놀린 모두를 포함하나, 이에 제한되지 않는다. 당업자는 전술된 아자-유도체의 기타 질소 유사체를 용이하게 고려할 수 있으며, 상기 모든 유사체는 본원에 기술된 용어들을 포괄하는 것으로 의도된다."Aza" in the fragments described herein, ie azadibenzofuran, azadibenzothiophene, etc., means that one or more of the CH groups in each aromatic ring may be substituted with a nitrogen atom, for example Azatriphenylene includes, but is not limited to, both dibenzo[ f,h ]quinoxaline and dibenzo[ f,h ]quinoline. One of skill in the art can readily contemplate other nitrogen analogs of the aza-derivatives described above, all of which are intended to cover the terms described herein.

본원에 사용되는 "중수소"는 수소의 동위원소를 지칭한다. 중수소화된 화합물은 본 기술분야에 공지된 방법을 사용하여 용이하게 제조될 수 있다. 예를 들면, 그 전문이 본원에 참조로 포함된 미국특허 제8,557,400호, 특허공개번호 WO 2006/095951, 및 미국특허출원 공개번호 US 2011/0037057은 중수소-치환된 유기금속 착물의 제조를 기술하고 있다. 추가로 문헌[Ming Yan, et al., Tetrahedron 2015, 71, 1425-30] 및 문헌[Atzrodt et al., Angew. Chem. Int. Ed. (Reviews) 2007, 46, 7744-65]을 참조하며, 이는 본원에 그 전문이 참조로 포함되어 있으며, 이는 각각 벤질 아민에서 메틸렌 수소의 중수소화 및 중수소로 방향족 고리 수소를 치환하기 위한 효율적인 경로를 기술하고 있다.As used herein, “deuterium” refers to an isotope of hydrogen. Deuterated compounds can be readily prepared using methods known in the art. For example, U.S. Patent No. 8,557,400, Patent Publication No. WO 2006/095951, and U.S. Patent Application Publication No. US 2011/0037057, which are incorporated herein by reference in their entirety, describe the preparation of deuterium-substituted organometallic complexes. have. In addition, Ming Yan, et al ., Tetrahedron 2015, 71, 1425-30 and Atzrodt et al ., Angew. Chem. Int. Ed. (Reviews) 2007, 46, 7744-65, which are incorporated herein by reference in their entirety, each of which describes an efficient route for deuteration of methylene hydrogens in benzylamine and substitution of aromatic ring hydrogens with deuterium. Is described.

분자 분절이 치환기인 것으로 기재되거나 그렇지 않은 경우 또다른 모이어티에 결합되는 것으로 기술되는 경우, 이의 명칭은 분절(예를 들어, 페닐, 페닐렌, 나프틸, 디벤조푸릴)인 것처럼 또는 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌, 디벤조푸란)인 것처럼 기재될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 본원에서 사용한 바와 같이, 이러한 치환기 또는 결합된 분절의 상이한 표기 방식은 동등한 것으로 간주된다.When a molecular segment is described as being a substituent or otherwise described as being bound to another moiety, its name is as if it were a segment (e.g., phenyl, phenylene, naphthyl, dibenzofuryl) or the entire molecule (e.g. It should be understood that it may be described as, for example, benzene, naphthalene, dibenzofuran). As used herein, different ways of designating such substituents or bonded segments are considered equivalent.

일부 경우, 인접한 치환기의 쌍은 임의로 고리에 결합 또는 융합될 수 있다. 바람직한 고리는 5, 6 또는 7원 탄소환식 또는 헤테로환식 고리이며, 치환기의 쌍에 의해 형성된 고리의 일부가 포화된 경우 및 치환기의 쌍에 이해 형성된 고리의 일부가 불포화된 경우 둘다를 포함한다. 본원에서 사용되는 바의 "인접한"은, 관련되는 2개의 치환기가 나란히 동일한 고리 상에 있을 수 있거나, 또는 이들이 안정한 융합환계를 항성할 수 있는 한, 비페닐에서의 2,2' 위치, 또는 나프탈렌에서의 1,8 위치와 같은 2개의 가장 가까운 이용가능한 치환가능 위치를 갖는 2개의 이웃 고리 상에 있을 수 있음을 의미한다.In some cases, pairs of adjacent substituents may optionally be bonded or fused to a ring. Preferred rings are 5, 6 or 7 membered carbocyclic or heterocyclic rings, including both when part of the ring formed by a pair of substituents is saturated and when part of the ring formed by the pair of substituents is unsaturated. As used herein, "adjacent" refers to the 2,2' position in biphenyl, or naphthalene, so long as the two substituents concerned may be on the same ring side by side, or they are capable of stabilizing a stable fused ring system. It means that it may be on two neighboring rings with the two closest available substitutable positions, such as the 1,8 position in

본 개시의 화합물Compounds of the present disclosure

일양태에서, 본 개시는 하기 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 또는 화학식 IV의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 제공한다:In one embodiment, the present disclosure provides a compound comprising a ligand L A of Formula I, Formula II, Formula III or Formula IV:

Figure pat00008
Figure pat00008

Figure pat00009
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Figure pat00010
Figure pat00010

Figure pat00011
Figure pat00011

식 중, 고리 B는 독립적으로 5원 또는 6원 탄소환식 또는 헤테로환식 고리이고; X1 내지 X4는 각각 독립적으로 C, N 및 CR로 이루어진 군에서 선택되며; 인접한 X1 내지 X4 중 적어도 한쌍은 각각 C이고, 화학식 V

Figure pat00012
의 구조의 "
Figure pat00013
"로 표시된 부분에 융합되며; X5 내지 X12는 각각 독립적으로 C 또는 N이고; Z 및 Y는 각각 독립적으로 O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" 및 GeR'R"로 이루어진 군에서 선택되고; RB 및 RC는 각각 독립적으로 이의 관련된 고리에 대한 무치환, 일치환 또는 최대까지 허용되는 치환을 나타내며; RB, RC, R, R' 및 R" 각각은 독립적으로 수소, 또는 본원에 정의된 일반적인 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 2개의 치환기가 결합 또는 융합하여 고리를 형성할 수 있으며; 리간드 LA는 각각의 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 및 화학식 IV의 2개의 표시된 점선을 통해 금속 M에 착물화하고; 리간드 LA는 다른 리간드와 결합하여, 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 형성할 수 있다.In the formula, Ring B is independently a 5- or 6-membered carbocyclic or heterocyclic ring; X 1 to X 4 are each independently selected from the group consisting of C, N and CR; At least one pair of adjacent X 1 to X 4 is each C, and formula V
Figure pat00012
Of the structure of "
Figure pat00013
Fused to the moiety indicated by "; X 5 to X 12 are each independently C or N; Z and Y are each independently O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" and GeR'R" is selected from the group consisting of; R B and R C each independently represent an unsubstituted, monosubstituted or maximum permissible substitution for its associated ring; Each of R B , R C , R, R'and R" is independently hydrogen or a substituent selected from the group consisting of general substituents as defined herein; two substituents may be bonded or fused to form a ring; Ligand L A complexes to metal M via two marked dotted lines of Formula I, Formula II, Formula III and Formula IV, respectively; Ligand L A binds to other ligands, resulting in three, four, five or six Can form site ligands.

화합물의 일부 구체예에서, 리간드 LA 중 고리 내 N의 최대 수는 2이다.In some embodiments of the compound, the maximum number of N in the ring in ligand L A is 2.

화합물의 일부 구체예에서, RB, RC, R, R' 및 R" 각각은 독립적으로 수소, 또는 본원에 정의된 바람직한 일반적인 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이다.In some embodiments of the compound, each of R B , R C , R, R'and R" is independently hydrogen or a substituent selected from the group consisting of preferred general substituents as defined herein.

화합물의 일부 구체예에서, 고리 B는 6원 고리이다. 일부 구체예에서, 고리 B는 6원 고리이고, 각각의 R은 H이다.In some embodiments of the compound, Ring B is a 6 membered ring. In some embodiments, Ring B is a 6 membered ring, and each R is H.

화합물의 일부 구체예에서, 리간드 LA는 하기 구조로 이루어진 군에서 선택된다:In some embodiments of the compound, the ligand L A is selected from the group consisting of:

Figure pat00014
Figure pat00014

Figure pat00015
Figure pat00015

식 중, 화학식 I 및 II에 대한 관련 조건이 화학식 VI 및 VII에 적용된다.In the formulas, the relevant conditions for formulas I and II apply to formulas VI and VII.

상기 언급된 화합물의 구체예 중 어느 것에서, X1 내지 X4 각각은 독립적으로 C 또는 CR이다.In any of the embodiments of the aforementioned compounds, each of X 1 to X 4 is independently C or CR.

화합물의 일부 구체예에서, 각각의 화학식 내 X1 내지 X4 중 적어도 하나는 N이다.In some embodiments of the compound, at least one of X 1 to X 4 in each formula is N.

화합물의 일부 구체예에서, X5 내지 X8 각각은 C이다.In some embodiments of the compound, each of X 5 to X 8 is C.

화합물의 일부 구체예에서, X9 내지 X12 각각은 C이다.In some embodiments of the compound, each of X 9 to X 12 is C.

화합물의 일부 구체예에서, X5 내지 X12 각각은 C이다.In some embodiments of the compound, each of X 5 to X 12 is C.

화합물의 일부 구체예에서, 각각의 화학식 내 X5 내지 X12 중 적어도 하나는 N이다.In some embodiments of the compound, at least one of X 5 to X 12 in each formula is N.

화합물의 일부 구체예에서, 각각의 화학식 내 X5 내지 X8 중 적어도 하나는 N이다.In some embodiments of the compound, at least one of X 5 to X 8 in each formula is N.

화합물의 일부 구체예에서, 각각의 화학식 내 X9 내지 X12 중 적어도 하나는 N이다.In some embodiments of the compound, at least one of X 9 to X 12 in each formula is N.

화합물의 일부 구체예에서, 각각의 경우에 대해 Z는 독립적으로 X1에 대한 직접 결합을 형성한다. 일부 구체예에서, 각각의 경우에 대해 Z는 독립적으로 X2에 대한 직접 결합을 형성한다. 일부 구체예에서, 각각의 경우에 대해 Z는 독립적으로 X3에 대한 직접 결합을 형성한다. 일부 구체예에서, 각각의 경우에 대해 Z는 독립적으로 X4에 대한 직접 결합을 형성한다. 일부 구체예에서, 각각의 경우에 대해 Z는 독립적으로 O 또는 S이다.In some embodiments of the compound, for each occurrence Z independently forms a direct bond to X 1 . In some embodiments, for each occurrence Z independently forms a direct bond to X 2 . In some embodiments, for each occurrence Z independently forms a direct bond to X 3 . In some embodiments, for each occurrence Z independently forms a direct bond to X 4 . In some embodiments, for each occurrence Z is independently O or S.

화합물의 일부 구체예에서, 화학식 I, II, III 및 IV 각각에서 각각의 RC는 H이다. 일부 구체예에서, 화학식 I, II, III, IV, VI 및 VII 각각에서 적어도 하나의 RB는 독립적으로 알킬 또는 시클로알킬 기이다. 일부 구체예에서, 화학식 I, II, III 및 IV 각각에서 적어도 하나의 RB는 독립적으로 3급 알킬기이다.In some embodiments of the compound, each R C in each of Formulas I, II, III and IV is H. In some embodiments, at least one R B in each of Formulas I, II, III, IV, VI and VII is independently an alkyl or cycloalkyl group. In some embodiments, at least one R B in each of Formulas I, II, III and IV is independently a tertiary alkyl group.

화합물의 일부 구체예에서, 각각의 경우에 대해 Y는 독립적으로 O 또는 S이다.In some embodiments of the compound, Y for each occurrence is independently O or S.

화합물의 일부 구체예에서, 리간드 LA는 하기 구조로 이루어진 리간드군 A에서 선택된다:In some embodiments of the compound, ligand L A is selected from group A of ligands consisting of:

Figure pat00016
.
Figure pat00016
.

화합물의 일부 구체예에서, 화합물은 하기 구조로 이루어진 리간드군 B에서 선택되는 리간드 LA를 포함한다:In some embodiments of the compound, the compound comprises a ligand L A selected from ligand group B consisting of:

Figure pat00017
.
Figure pat00017
.

화합물의 일부 구체예에서, 리간드 LA가 리간드군 A 및 리간드군 B에서 선택되는 경우, 각각의 화학식에 대해 RB, RC, R, R', 및 R" 각각은 독립적으로 수소, 또는 본원에 정의된 바람직한 일반적인 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이다. In some embodiments of the compound, when ligand L A is selected from ligand group A and ligand group B, for each formula each of R B , R C , R, R′, and R” is independently hydrogen, or herein It is a substituent selected from the group consisting of preferred general substituents defined in.

화합물의 일부 구체예에서, 리간드 LA가 리간드군 B에서 선택되는 경우, RB 치환기는 금속에 대해 파라 위치에 있고, 알킬, 시클로알킬 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.In some embodiments of the compound, when the ligand L A is selected from ligand group B, the R B substituent is in a position para to the metal and is selected from the group consisting of alkyl, cycloalkyl, and combinations thereof.

화합물의 일부 구체예에서, 리간드 LA가 리간드군 B에서 선택되는 경우, RB 치환기는 금속에 대해 파라 위치에 있고, 3급 알킬이다. 일부 구체예에서, RB 치환기는 금속에 대해 파라 위치에 있고, tert-부틸이다.In some embodiments of the compound, when ligand L A is selected from ligand group B, the R B substituent is in the para position to the metal and is tertiary alkyl. In some embodiments, the R B substituent is in the para position to the metal and is tert-butyl.

리간드 LA가 리간드군 A에서 선택되는 화합물의 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 X1 내지 X4는 독립적으로 C 또는 CR이다. 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 각각의 R은 독립적으로 H이다. 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 X5 내지 X8 각각은 독립적으로 C이다. 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 X9 내지 X12 각각은 독립적으로 C이다. 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 X5 내지 X12 각각은 독립적으로 C이다. 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 X5 내지 X12 중 적어도 하나는 독립적으로 N이다. 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 X5 내지 X8 중 적어도 하나는 독립적으로 N이다. 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 X9 내지 X12 중 적어도 하나는 독립적으로 N이다. 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 각각의 RC는 독립적으로 H이다. 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 적어도 하나의 RB는 독립적으로 알킬, 시클로알킬, 또는 이들의 조합이다. 일부 구체예에서, 리간드군 A 중 각각의 화학식에 대해 적어도 하나의 RB는 독립적으로 3급 알킬기이다. 일부 구체예에서, 각각의 경우에 대해 Z는 독립적으로 O 또는 S이다.In some embodiments of the compound wherein ligand L A is selected from ligand group A, for each formula in ligand group A, X 1 to X 4 are independently C or CR. In some embodiments, for each formula in Ligand Group A, each R is independently H. In some embodiments, for each formula in Ligand Group A, each of X 5 to X 8 is independently C. In some embodiments, each of X 9 to X 12 is independently C for each formula in Ligand Group A. In some embodiments, for each formula in Ligand Group A, each of X 5 to X 12 is independently C. In some embodiments, at least one of X 5 to X 12 for each formula in Ligand Group A is independently N. In some embodiments, at least one of X 5 to X 8 for each formula in Ligand Group A is independently N. In some embodiments, at least one of X 9 to X 12 is independently N for each formula in Ligand Group A. In some embodiments, for each formula in Ligand Group A, each R C is independently H. In some embodiments, at least one R B for each formula in Ligand Group A is independently alkyl, cycloalkyl, or a combination thereof. In some embodiments, at least one R B for each formula in Ligand Group A is independently a tertiary alkyl group. In some embodiments, for each occurrence Z is independently O or S.

화합물의 일부 구체예에서, 화합물은 치환 또는 비치환 아세틸아세토네이트 리간드를 포함한다. 화합물의 일부 구체예에서, 금속 M은 Os, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag 및 Au로 이루어진 군에서 선택된다. 화합물의 일부 구체예에서, 금속 M은 Ir 및 Pt로 이루어진 군에서 선택된다. 화합물의 일부 구체예에서, 화합물은 하기로 이루어진 군에서 선택되는 리간드 LA를 포함한다:In some embodiments of the compound, the compound comprises a substituted or unsubstituted acetylacetonate ligand. In some embodiments of the compound, the metal M is selected from the group consisting of Os, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag and Au. In some embodiments of the compound, the metal M is selected from the group consisting of Ir and Pt. In some embodiments of the compound, the compound comprises a ligand L A selected from the group consisting of:

Figure pat00018
Figure pat00018

Figure pat00019
Figure pat00019

식 중, RB 각각은 동일 또는 상이할 수 있고, RC 각각은 동일 또는 상이할 수 있으며, 각각의 경우에 대해 RB 및 RC는 독립적으로 본원에 정의된 일반적인 치환기로 이루어진 군에서 선택된다.In the formula, each of R B may be the same or different, and each of R C may be the same or different, and for each case R B and R C are independently selected from the group consisting of the general substituents defined herein .

화합물의 일부 구체예에서, 화합물은 구조 1

Figure pat00020
를 베이스로 하는 L Ai -1, 구조 2
Figure pat00021
를 베이스로 하는 L Ai -2, 구조 3
Figure pat00022
를 베이스로 하는 L Ai -3, 구조 4
Figure pat00023
를 베이스로 하는 L Ai -4, 구조 5
Figure pat00024
를 베이스로 하는 L Ai -5, 구조 6
Figure pat00025
를 베이스로 하는 L Ai -6, 구조 7
Figure pat00026
를 베이스로 하는 L Ai -7, 구조 8
Figure pat00027
를 베이스로 하는 L Ai -8, 구조 9
Figure pat00028
를 베이스로 하는 L Ai -9, 구조 10
Figure pat00029
를 베이스로 하는 L Ai -10, 구조 11
Figure pat00030
를 베이스로 하는 L Ai -11, 구조 12
Figure pat00031
를 베이스로 하는 L Ai -12, 구조 13
Figure pat00032
를 베이스로 하는 L Ai -13, 구조 14
Figure pat00033
를 베이스로 하는 L Ai -14, 구조 15
Figure pat00034
를 베이스로 하는 L Ai -15, 구조 16
Figure pat00035
를 베이스로 하는 L Ai -16, 구조 17
Figure pat00036
를 베이스로 하는 L Ai -17, 구조 18
Figure pat00037
를 베이스로 하는 L Ai -18, 구조 19
Figure pat00038
를 베이스로 하는 L Ai -19, 구조 20
Figure pat00039
를 베이스로 하는 L Ai -20, 구조 21
Figure pat00040
를 베이스로 하는 L Ai -21, 구조 22
Figure pat00041
를 베이스로 하는 L Ai -22, 구조 23
Figure pat00042
를 베이스로 하는 L Ai -23, 구조 24
Figure pat00043
를 베이스로 하는 L Ai -24, 구조 25
Figure pat00044
를 베이스로 하는 L Ai -25, 구조 26
Figure pat00045
를 베이스로 하는 L Ai -26, 구조 27
Figure pat00046
를 베이스로 하는 L Ai -27, 구조 28
Figure pat00047
를 베이스로 하는 L Ai -28, 구조 29
Figure pat00048
를 베이스로 하는 L Ai -29, 구조 30
Figure pat00049
를 베이스로 하는 L Ai -30, 구조 31
Figure pat00050
를 베이스로 하는 L Ai -31, 구조 32
Figure pat00051
를 베이스로 하는 L Ai -32, 구조 33
Figure pat00052
를 베이스로 하는 L Ai -33, 구조 34
Figure pat00053
를 베이스로 하는 L Ai -34, 및 구조 35
Figure pat00054
를 베이스로 하는 L Ai -35로 이루어진 군에서 선택되는 리간드 LA를 포함하며, 여기서 i는 1 내지 1336의 정수이고, 각각의 i에 대해, RE, RF 및 G는 하기와 같이 정의되며:In some embodiments of the compound, the compound is structure 1
Figure pat00020
L Ai -1 based on , structure 2
Figure pat00021
L Ai -2 based on , structure 3
Figure pat00022
L Ai -3 based on , structure 4
Figure pat00023
L Ai -4 based on , structure 5
Figure pat00024
L Ai -5 based on , structure 6
Figure pat00025
L Ai -6 based on , structure 7
Figure pat00026
L Ai -7 based on , structure 8
Figure pat00027
L Ai -8 based on , structure 9
Figure pat00028
L Ai -9 based on , structure 10
Figure pat00029
L Ai -10 based on , structure 11
Figure pat00030
L Ai -11 based on , structure 12
Figure pat00031
L Ai -12 based on , structure 13
Figure pat00032
L Ai -13 based on , structure 14
Figure pat00033
L Ai -14 based on , structure 15
Figure pat00034
L Ai -15 based on , structure 16
Figure pat00035
L Ai -16 based on , structure 17
Figure pat00036
L Ai -17 based on , structure 18
Figure pat00037
L Ai -18 based on , structure 19
Figure pat00038
L Ai -19 based on , structure 20
Figure pat00039
L Ai -20 based on , structure 21
Figure pat00040
L Ai -21 based on , structure 22
Figure pat00041
L Ai -22 based on , structure 23
Figure pat00042
L Ai- 23 based on , structure 24
Figure pat00043
L Ai -24 based on , structure 25
Figure pat00044
L Ai -25 based on , structure 26
Figure pat00045
L Ai -26 based on , structure 27
Figure pat00046
L Ai -27 based on , structure 28
Figure pat00047
L Ai -28 based on , structure 29
Figure pat00048
L Ai -29 based on , structure 30
Figure pat00049
L Ai- 30 based on , structure 31
Figure pat00050
L Ai -31 based on , structure 32
Figure pat00051
L Ai -32 based on , structure 33
Figure pat00052
L Ai -33 based on , structure 34
Figure pat00053
L Ai -34 based on , and structure 35
Figure pat00054
It includes a ligand L A selected from the group consisting of L Ai -35 based on, where i is an integer from 1 to 1336, and for each i , R E , R F and G are defined as follows :

Figure pat00055
Figure pat00055

Figure pat00056
Figure pat00056

Figure pat00057
Figure pat00057

Figure pat00058
Figure pat00058

Figure pat00059
Figure pat00059

Figure pat00060
Figure pat00060

Figure pat00061
Figure pat00061

Figure pat00062
Figure pat00062

Figure pat00063
Figure pat00063

Figure pat00064
Figure pat00064

Figure pat00065
Figure pat00065

Figure pat00066
Figure pat00066

Figure pat00067
Figure pat00067

Figure pat00068
Figure pat00068

Figure pat00069
Figure pat00069

Figure pat00070
Figure pat00070

Figure pat00071
Figure pat00071

여기서, RE 및 RF는 하기 구조를 가지며:Wherein R E and R F have the following structure:

Figure pat00072
;
Figure pat00072
;

식 중, G1 내지 G14는 하기 구조를 갖는다:In the formula, G 1 to G 14 have the following structure:

Figure pat00073
Figure pat00073

Figure pat00074
.
Figure pat00074
.

화합물이 M(LA)p(LB)q(LC)r의 화학식을 가지며, 식 중, LB 및 LC는 각각 두자리 리간드이고; 여기서 p는 1, 2 또는 3이고; q는 0, 1 또는 2이며; r은 0, 1 또는 2이고; p+q+r은 금속 M의 산화 상태인 화합물의 일부 구체예에서, LB 및 LC는 각각 독립적으로 하기 리간드군 C로 이루어진 군에서 선택된다:The compound has the formula M(L A ) p (L B ) q (L C ) r , wherein L B and L C are each bidentate ligand; Where p is 1, 2 or 3; q is 0, 1 or 2; r is 0, 1 or 2; In some embodiments of the compound in which p+q+r is the oxidation state of metal M, L B and L C are each independently selected from the group consisting of the following ligand group C:

Figure pat00075
Figure pat00075

Figure pat00076
Figure pat00076

식 중, 각각의 Y1 내지 Y13은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되며; Y'는 BRe, NRe, PRe, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CReRf, SiReRf 및 GeReRf로 이루어진 군에서 선택되고;In the formula, each of Y 1 to Y 13 is independently selected from the group consisting of carbon and nitrogen; Y'is selected from the group consisting of BR e , NR e , PR e , O, S, Se, C=O, S=O, SO 2 , CR e R f , SiR e R f and GeR e R f ;

Re 및 Rf는 융합 또는 결합되어 고리를 형성할 수 있고;R e and R f may be fused or bonded to form a ring;

각각의 Ra, Rb, Rc, 및 Rd는 독립적으로 이의 관련된 고리에 대한 무치환, 일치환 또는 최대까지 허용되는 치환을 나타내며; Each of R a , R b , R c , and R d independently represents an unsubstituted, mono- or up to maximum permissible substitution for its associated ring;

Ra, Rb, Rc, Rd, Re 및 Rf 각각은 독립적으로 수소, 또는 본원에 정의된 일반적인 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이며; Ra, Rb, Rc, 및 Rd 중 2개의 인접한 치환기는 융합 또는 결합되어, 고리를 형성하거나 또는 여러자리 리간드를 형성할 수 있다.Each of R a , R b , R c , R d , R e and R f is independently hydrogen or a substituent selected from the group consisting of general substituents as defined herein; Two adjacent substituents of R a , R b , R c , and R d may be fused or bonded to form a ring or a multidentate ligand.

화합물이 M(LA)p(LB)q(LC)r의 화학식을 가지며, 식 중, LB 및 LC는 각각 두자리 리간드이고; 여기서 p는 1, 2 또는 3이고; q는 0, 1 또는 2이며; r은 0, 1 또는 2이고; p+q+r은 금속 M의 산화 상태인 화합물의 일부 구체예에서, LB 및 LC는 각각 독립적으로 하기 리간드군 D로 이루어진 군에서 선택될 수 있다:The compound has the formula M(L A ) p (L B ) q (L C ) r , wherein L B and L C are each bidentate ligand; Where p is 1, 2 or 3; q is 0, 1 or 2; r is 0, 1 or 2; In some embodiments of the compound in which p+q+r is the oxidation state of metal M, L B and L C may each independently be selected from the group consisting of the following ligand group D:

Figure pat00077
Figure pat00077

Figure pat00078
Figure pat00078

Figure pat00079
.
Figure pat00079
.

화합물의 일부 구체예에서, 화합물은 M(LA)p(LB)q(LC)r의 화학식을 가지며, 식 중, LB 및 LC는 각각 두자리 리간드이고; 여기서 p는 1, 2 또는 3이고; q는 0, 1 또는 2이며; r은 0, 1 또는 2이고; p+q+r은 금속 M의 산화 상태이다. 일부 구체예에서, LB는 LB k 의 일반식을 갖는 하기 도시된 LB1 내지 LB263으로 이루어진 군에서 선택되며, 여기서 k는 1 내지 263의 정수이다:In some embodiments of the compound, the compound has the formula M(L A ) p (L B ) q (L C ) r , wherein L B and L C are each a bidentate ligand; Where p is 1, 2 or 3; q is 0, 1 or 2; r is 0, 1 or 2; p+q+r is the oxidation state of metal M. In some embodiments, L B is selected from the group consisting of L B1 to L B263 shown below having the general formula of L B k , wherein k is an integer from 1 to 263:

Figure pat00080
Figure pat00080

Figure pat00081
Figure pat00081

Figure pat00082
Figure pat00082

Figure pat00083
Figure pat00083

Figure pat00084
Figure pat00084

Figure pat00085
Figure pat00085

Figure pat00086
Figure pat00086

Figure pat00087
Figure pat00087

Figure pat00088
Figure pat00088

Figure pat00089
Figure pat00089

Figure pat00090
.
Figure pat00090
.

일부 구체예에서, LB는 하기로 이루어진 군에서 선택된다: LB1, LB2, LB18, LB28, LB38, LB108, LB118, LB122, LB124, LB126, LB128, LB130, LB32, LB134, LB136, LB138, LB140, LB142, LB144, LB156, LB58, LB160, LB162, LB164, LB168, LB172, LB175, LB204, LB206, LB214, LB216, LB218, LB220, LB222, LB231, LB233, LB235, LB237, LB240, LB242, LB244, LB246, LB248, LB250, LB252, LB254, LB256, LB258, LB260, LB262, 및 LB263. In some embodiments, L B is selected from the group consisting of: L B1, L B2, L B18, L B28, L B38, L B108, L B118, L B122, L B124, L B126, L B128, L B130, L B32, L B134, L B136, L B138, L B140, L B142, L B144, L B156, L B58, L B160, L B162, L B164, L B168, L B172, L B175, L B204, L B206, L B214, L B216 , L B218, L B220, L B222, L B231, L B233, L B235, L B237, L B240, L B242, L B244, L B246, L B248, L B250, L B252 , L B254, B256 L, L B258, B260 L, L B262, B263 and L.

일부 구체예에서, LB는 하기로 이루어진 군에서 선택된다: LB1, LB2, LB18, LB28, LB38, LB108, LB118, LB122, LB124, LB126, LB128, LB132, LB136, LB138, LB142, LB156, LB162, LB204, LB206, LB214, LB216, LB218, LB220, LB231, LB233, 및 LB237.In some embodiments, L B is selected from the group consisting of: L B1, L B2, L B18, L B28, L B38, L B108, L B118, L B122, L B124, L B126, L B128, L B132, B136 L, L B138, B142 L, L B156, B162 L, L B204, B206 L, L B214, B216 L, L B218, B220 L, L B231, B233 L, and L B237.

LB 및 LC는 각각 두자리 리간드이고; p는 1, 2 또는 3이고; q는 0, 1 또는 2이며; r은 0, 1 또는 2이고; p+q+r은 금속 M의 산화 상태인 M(LA)p(LB)q(LC)r의 화학식을 갖는 화합물의 일부 구체예에서, LC는 LC j -I 및 LC j -II로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 여기서 j는 1 내지 768의 정수이고, LC j -I

Figure pat00091
의 구조를 베이스로 하는 넘버링 일반식 LC j- I를 갖는 LC1-I 내지 LC768-I의 화합물로 이루어지고, LC j -II
Figure pat00092
의 구조를 베이스로 하는 넘버링 일반식 LC j- II를 갖는 LC1-II 내지 LC768-II의 화합물로 이루어지며, 여기서 LC j -I 및 LC j -II에 대해 R1' 및 R2'는 각각 독립적으로 하기와 같이 정의되며:L B and L C are each a bidentate ligand; p is 1, 2 or 3; q is 0, 1 or 2; r is 0, 1 or 2; p+q+r is the oxidation state of the metal M, in some embodiments of the compound having the formula M(L A ) p (L B ) q (L C ) r , L C is L C j -I and L C j -II may be selected from the group consisting of, where j is an integer from 1 to 768, and L C j -I is
Figure pat00091
Consists of a compound of L C1-I to L C768-I having the numbering general formula L C j- I based on the structure of, L C j -II is
Figure pat00092
Consists of compounds of L C1-II to L C768-II having the numbering general formula L C j- II based on the structure of, wherein R 1′ and R for L C j -I and L C j -II 2 'is defined as follows, each independently:

Figure pat00093
Figure pat00093

Figure pat00094
Figure pat00094

Figure pat00095
Figure pat00095

Figure pat00096
Figure pat00096

Figure pat00097
Figure pat00097

Figure pat00098
Figure pat00098

Figure pat00099
Figure pat00099

Figure pat00100
Figure pat00100

여기서, RD1 내지 RD192는 하기 구조를 갖는다:Wherein R D1 to R D192 have the following structure:

Figure pat00101
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Figure pat00102
Figure pat00102

Figure pat00103
Figure pat00103

Figure pat00104
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Figure pat00104
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화합물의 일부 구체예에서, 리간드 LC j- I 및 LC j- II는, 상응하는 R1' 및 R2'가 하기 구조로부터 선택되는 것으로 정의되는 이들 리간드만으로 이루어진다: RD1, RD3, RD4, RD5, RD9, RD10, RD17, RD18, RD20, RD22, RD37, RD40, RD41, RD42, RD43, RD48, RD49, RD50, RD54, RD55, RD58, RD59, RD78, RD79, RD81, RD87, RD88, RD89, RD93, RD116, RD117, RD118, RD119, RD120, RD133, RD134, RD135, RD136, RD143, RD144, RD145, RD146, RD147, RD149, RD151, RD154, RD155, RD161, RD175, 및 RD190.In some embodiments of the compound, the ligands L C j- I and L C j- II consist only of these ligands, wherein the corresponding R 1′ and R 2′ are selected from the following structures: R D1 , R D3 , R D4 , R D5 , R D9 , R D10 , R D17 , R D18 , R D20 , R D22 , R D37 , R D40 , R D41 , R D42 , R D43 , R D48 , R D49 , R D50 , R D54 , R D55 , R D58 , R D59 , R D78 , R D79 , R D81 , R D87 , R D88 , R D89 , R D93 , R D116 , R D117 , R D118 , R D119 , R D120 , R D133 , R D134, D135 R, R D136, D143 R, R D144, D145 R, R D146, D147 R, R D149, D151 R, R D154, D155 R, R D161, D175 R, R and D190.

화합물의 일부 구체예에서, 리간드 LC j- I 및 LC j- II는, 상응하는 R1' 및 R2'가 하기 구조로부터 선택되는 것으로 정의되는 이들 리간드만으로 이루어진다: RD1, RD3, RD4, RD5, RD9, RD17, RD22, RD43, RD50, RD78, RD116, RD118, RD133, RD134, RD135, RD136, RD143, RD144, RD145, RD146, RD149, RD151, RD154, RD155, 및 RD190.In some embodiments of the compound, the ligands L C j- I and L C j- II consist only of these ligands, wherein the corresponding R 1′ and R 2′ are selected from the following structures: R D1 , R D3 , R D4, R D5, R D9 , R D17, R D22, R D43, R D50, R D78, R D116, R D118, R D133, R D134, R D135, R D136, R D143, R D144, R D145 , R D146 , R D149 , R D151 , R D154 , R D155 , and R D190 .

화합물의 일부 구체예에서, 리간드 LC는 하기로 이루어진 군에서 선택된다:In some embodiments of the compound, the ligand L C is selected from the group consisting of:

Figure pat00105
Figure pat00105

Figure pat00106
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화합물의 일부 구체예에서, 화합물은 Ir(LA)3, Ir(LA)(LB)2, Ir(LA)2(LB), Ir(LA)2(LC), 및 Ir(LA)(LB)(LC)로 이루어진 군에서 선택되는 화학식을 가지며; 식 중, LA, LB, 및 LC는 서로 상이하고, LB는 본원에 정의된 LB1 내지 LB263으로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, LC는 LC j -I 및 LC j -II로 이루어진 군에서 선택될 수 있고, 여기서 j는 1 내지 768의 정수이고, LC j -I는 본원에 정의된 LC1-I 내지 LC768-I의 화합물로 이루어지며, LC j -II는 본원에 정의된 LC1-II 내지 LC768-II의 화합물로 이루어진다.In some embodiments of the compound, the compound is Ir(L A ) 3 , Ir(L A )(L B ) 2 , Ir(L A ) 2 (L B ), Ir(L A ) 2 (L C ), and Ir(L A )(L B )(L C ) has a formula selected from the group consisting of; In the formula, L A , L B , and L C are different from each other, L B may be selected from the group consisting of L B1 to L B263 as defined herein, and L C is L C j -I and L C j may be selected from the group consisting of -II, where j is an integer from 1 to 768, j -I L C is made of a compound in a C1 L-I to L-C768 I as defined herein, L C j - II consists of compounds of L C1-II to L C768-II as defined herein.

화합물의 일부 구체예에서, 화합물은 Pt(LA)(LB)의 화학식을 가지며; 식 중, LA 및 LB 동일 또는 상이할 수 있고, LB는 본원에 정의된 LB1 내지 LB263으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 일부 구체예에서, LA 및 LB는 연결되어 네자리 리간드를 형성한다. In some embodiments of the compound, the compound has the formula Pt(L A )(L B ); In the formula, L A and L B may be the same or different, and L B may be selected from the group consisting of L B1 to L B263 as defined herein. In some embodiments, L A and L B are joined to form a four-dentate ligand.

일부 구체예에서, 화합물은 일반식 Ir(LA i - m )3을 베이스로 하는 Ir(LA 1 - 1 )3 내지 Ir(LA 1336 - 35 )3, 일반식 Ir(LA i - m )(LB k )2를 베이스로 하는 Ir(LA 1 - 1 )(LB 1 )2 내지 Ir(LA 1336 - 35 )(LB 263 )2, 일반식 Ir(LA i - m )2(LC j-I )를 베이스로 하는 Ir(LA 1 - 1 )2(LC 1-I ) 내지 Ir(LA 1336 - 35 )2(LC 768-I ), 및 일반식 Ir(LA i - m )2(LC j-II )을 베이스로 하는 Ir(LA 1 - 1 )2(LC 1-II ) 내지 Ir(LA 1336 - 35 )2(LC 768-II )로 이루어진 군에서 선택되며, 식 중, i는 1 내지 1336의 정수이고, m은 1 내지 35의 정수이며, j는 1 내지 768의 정수이고, k는 1 내지 263의 정수이며, 각각의 LA i - m , LB k , LC j-I , 및 LC j-II 는 상기 정의된 바와 같다. In some embodiments, the compound of the general formula Ir (L A i - m) Ir to the third base (L A 1 - 1) 3 to Ir (L A 1336 - 35) 3, the formula Ir (L A i - m) (L B k) Ir (L a 1 to 2 for the base - 1) (L B 1) 2 to Ir (L a 1336 - 35) (L B 263) 2, the formula Ir (L a i - m) 2 (L C jI) to Ir (L a 1 to the base - 1) 2 (L C 1 -I) to Ir (L a 1336 - 35) 2 (L C 768-I), and formula Ir (L a i - m) 2 Ir of the (C j L-II) to the base (L a 1 - 1) 2 (L C 1-II) to Ir (L a 1336 - 35) 2 (L C 768- II ) is selected from the group consisting of, in the formula, i is an integer of 1 to 1336, m is an integer of 1 to 35, j is an integer of 1 to 768, k is an integer of 1 to 263, each L a i - m, L B k, L C jI, and L C j-II are as defined above.

화합물의 일부 구체예에서, LB k 중에서 하기 구조만이 포함된다: LB1, LB2, LB18, LB28, LB38, LB108, LB118, LB122, LB124, LB126, LB128, LB130, LB32, LB134, LB136, LB138, LB140, LB142, LB144, LB156, LB58, LB160, LB162, LB164, LB168, LB172, LB175, LB204, LB206, LB214, LB216, LB218, LB220, LB222, LB231, LB233, LB235, LB237, LB240, LB242, LB244, LB246, LB248, LB250, LB252, LB254, LB256, LB258, LB260, 및 LB262.In some embodiments of the compound, to from L B k is only the structure comprising the: L B1, L B2, L B18, L B28, L B38, L B108, L B118, L B122, L B124, L B126, L B128 , L B130, L B32, L B134, L B136, L B138, L B140, L B142, L B144, L B156, L B58, L B160, L B162, L B164, L B168, L B172, L B175, L B204, L B206, L B214, L B216, L B218, L B220, L B222, L B231, L B233, L B235, L B237, L B240, L B242, L B244, L B246, L B248, L B250, L B252, B254 L, L B256, B258 L, L B260, B262 and L.

화합물의 일부 구체예에서, LB k 중에서 하기 구조만이 포함된다: LB1, LB2, LB18, LB28, LB38, LB108, LB118, LB122, LB126, LB128, LB132, LB136, LB138, LB142, LB156, LB162, LB204, LB206, LB214, LB216, LB218, LB220, LB231, LB233, 및 LB237. In some embodiments of the compound, to from L B k is only the structure comprising the: L B1, L B2, L B18, L B28, L B38, L B108, L B118, L B122, L B126, L B128, L B132 , L B136, B138 L, L B142, B156 L, L B162, B204 L, L B206, B214 L, L B216, B218 L, L B220, B231 L, L B233, B237 and L.

화합물의 일부 구체예에서, 상응하는 R1' 및 R2'가 하기 구조로부터 선택되는 것으로 정의되는 이들 LC j- I 및 LC j- II 구조 리간드만이 포함된다: 본원에 정의된 RD1, RD3, RD4, RD5, RD9, RD10, RD17, RD18, RD20, RD22, RD37, RD40, RD41, RD42, RD43, RD48, RD49, RD50, RD54, RD55, RD58, RD59, RD78, RD79, RD81, RD87, RD88, RD89, RD93, RD116, RD117, RD118, RD119, RD120, RD133, RD134, RD135, RD136, RD143, RD144, RD145, RD146, RD147, RD149, RD151, RD154, RD155, RD161, RD175, 및 RD190.In some embodiments of the compound, only those L C j- I and L C j- II structural ligands are included, where the corresponding R 1′ and R 2′ are defined as being selected from the following structures: R D1 as defined herein , R D3 , R D4 , R D5 , R D9 , R D10 , R D17 , R D18 , R D20 , R D22 , R D37 , R D40 , R D41 , R D42 , R D43 , R D48 , R D49 , R D50 , R D54 , R D55 , R D58 , R D59 , R D78 , R D79 , R D81 , R D87 , R D88 , R D89 , R D93 , R D116 , R D117 , R D118 , R D119 , R D120 , D133 R, R D134, D135 R, R D136, D143 R, R D144, D145 R, R D146, D147 R, R D149, D151 R, R D154, D155 R, R D161, D175 R, R and D190.

화합물의 일부 구체예에서, 상응하는 R1' 및 R2'가 하기 구조로부터 선택되는 것으로 정의되는 이들 LC j- I 및 LC j- II 구조 리간드만이 포함된다: 본원에 정의된 RD1, RD3, RD4, RD5, RD9, RD17, RD22, RD43, RD50, RD78, RD116, RD118, RD133, RD134, RD135, RD136, RD143, RD144, RD145, RD146, RD149, RD151, RD154, RD155, 및 RD190.In some embodiments of the compound, only those L C j- I and L C j- II structural ligands are included, where the corresponding R 1′ and R 2′ are defined as being selected from the following structures: R D1 as defined herein , R D3, R D4, R D5, R D9, R D17, R D22, R D43, R D50, R D78, R D116, R D118, R D133, R D134, R D135, R D136, R D143, R D144 , R D145 , R D146 , R D149 , R D151 , R D154 , R D155 , and R D190 .

리간드 LC j -I를 포함하는 화합물의 일부 구체예에서, LC j- I 중에서 하기 구조만이 포함된다: 본원에 정의된 LC1-1, LC4-1, LC9-1, LC10-1, LC17-1, LC50-1, LC55-1, LC116-1, LC143-1, LC144-1, LC145-1, LC190-1, LC230-1, LC231-1, LC232-1, LC277-1, LC278-1, LC279-1, LC325-1, LC412-1, LC413-1 LC414-1, 및 LC457-1.In some embodiments of the compound comprising the ligand L C j -I , only the following structures are included among L C j- I : L C1-1 , L C4-1 , L C9-1 , L C10 as defined herein -1 , L C17-1 , L C50-1 , L C55-1 , L C116-1 , L C143-1 , L C144-1 , L C145-1 , L C190-1 , L C230-1 , L C231 -1 , L C232-1 , L C277-1 , L C278-1 , L C279-1 , L C325-1 , L C412-1 , L C413-1 L C414-1 , and L C457-1 .

일부 구체예에서, 화합물은 하기로 이루어진 군에서 선택된다:In some embodiments, the compound is selected from the group consisting of:

Figure pat00107
Figure pat00107

Figure pat00108
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Figure pat00108
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일부 구체예에서, 화합물은 하기로 이루어진 군에서 선택된다:In some embodiments, the compound is selected from the group consisting of:

Figure pat00109
Figure pat00109

Figure pat00110
Figure pat00110

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Figure pat00113
Figure pat00113

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다른 양태에서, 화합물은 하기로 이루어진 군에서 선택된다: In another embodiment, the compound is selected from the group consisting of:

Figure pat00117
Figure pat00117

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Figure pat00118

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Figure pat00120
Figure pat00120

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Figure pat00121

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Figure pat00122

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Figure pat00123

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Figure pat00124

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Figure pat00125

Figure pat00126
Figure pat00126

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Figure pat00128
Figure pat00128

Figure pat00129
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Figure pat00129
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본 개시의 OLED 및 디바이스OLED and device of the present disclosure

다른 양태에서, 본 개시는 또한, 본 개시의 상기 화합물 섹션에 개시된 바의 화합물을 포함하는 제1 유기층을 포함하는 OLED를 제공한다. 일부 구체예에서, OLED는 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함하며, 상기 유기층은 하기 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 또는 화학식 IV의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함한다:In another aspect, the present disclosure also provides an OLED comprising a first organic layer comprising a compound as disclosed in the above compound section of the present disclosure. In some embodiments, the OLED is an anode; Cathode; And an organic layer disposed between the anode and the cathode, wherein the organic layer includes a compound comprising a ligand L A of Formula I, Formula II, Formula III or Formula IV:

Figure pat00130
Figure pat00130

Figure pat00131
Figure pat00131

Figure pat00132
Figure pat00132

Figure pat00133
Figure pat00133

식 중, 고리 B는 독립적으로 5원 또는 6원 탄소환식 또는 헤테로환식 고리이고; X1 내지 X4는 각각 독립적으로 C, N 및 CR로 이루어진 군에서 선택되며; 인접한 X1 내지 X4 중 적어도 한쌍은 각각 C이고, 화학식 V

Figure pat00134
의 구조의 "
Figure pat00135
"로 표시된 부분에 융합되며; X5 내지 X12는 각각 독립적으로 C 또는 N이고; Z 및 Y는 각각 독립적으로 O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" 및 GeR'R"로 이루어진 군에서 선택되고; RB 및 RC는 각각 독립적으로 이의 관련된 고리에 대한 무치환, 일치환 또는 최대까지 허용되는 치환을 나타내며; RB, RC, R, R' 및 R" 각각은 독립적으로 수소, 또는 본원에 정의된 일반적인 치환기로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 2개의 치환기가 결합 또는 융합하여 고리를 형성할 수 있으며; 리간드 LA는 각각의 화학식의 2개의 표시된 점선을 통해 금속 M에 착물화하고; 리간드 LA는 다른 리간드와 결합하여, 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 형성할 수 있다.In the formula, Ring B is independently a 5- or 6-membered carbocyclic or heterocyclic ring; X 1 to X 4 are each independently selected from the group consisting of C, N and CR; At least one pair of adjacent X 1 to X 4 is each C, and formula V
Figure pat00134
Of the structure of "
Figure pat00135
Fused to the moiety indicated by "; X 5 to X 12 are each independently C or N; Z and Y are each independently O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" and GeR'R" is selected from the group consisting of; R B and R C each independently represent an unsubstituted, monosubstituted or maximum permissible substitution for its associated ring; Each of R B , R C , R, R'and R" is independently hydrogen or a substituent selected from the group consisting of general substituents as defined herein; two substituents may be bonded or fused to form a ring; Ligand L A complexes to metal M via the two indicated dotted lines of each formula; Ligand L A can bind with other ligands to form a three-, four-, five- or six-dentate ligand.

일부 구체예에서, OLED는 플렉시블, 롤러블(rollable), 폴더블(foldable), 스트레처블(stretchable) 및 만곡(curved) 특성으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 특성을 갖는다. 일부 구체예에서, OLED는 투명 또는 반투명하다. 일부 구체예에서, OLED는 탄소 나노튜브를 포함하는 층을 더 포함한다.In some embodiments, the OLED has one or more properties selected from the group consisting of flexible, rollable, foldable, stretchable and curved properties. In some embodiments, the OLED is transparent or translucent. In some embodiments, the OLED further comprises a layer comprising carbon nanotubes.

일부 구체예에서, OLED는 지연 형광 이미터를 포함하는 층을 더 포함한다. 일부 구체예에서, OLED는 RGB 픽셀 배열, 또는 화이트 플러스 컬러 필터 픽셀 배열을 포함한다. 일부 구체예에서, OLED는 모바일 디바이스, 핸드 헬드 디바이스, 또는 웨어러블 디바이스이다. 일부 구체예에서, OLED는 대각선이 10 인치 미만이거나 면적이 50 제곱인치 미만인 디스플레이 패널이다. 일부 구체예에서, OLED는 대각선이 10 인치 이상이거나 면적이 50 제곱인치 이상인 디스플레이 패널이다. 일부 구체예에서, OLED는 조명 패널이다.In some embodiments, the OLED further comprises a layer comprising a delayed fluorescence emitter. In some embodiments, the OLED comprises an RGB pixel arrangement, or a white plus color filter pixel arrangement. In some embodiments, the OLED is a mobile device, a handheld device, or a wearable device. In some embodiments, the OLED is a display panel with a diagonal of less than 10 inches or an area of less than 50 square inches. In some embodiments, the OLED is a display panel with a diagonal of 10 inches or more or an area of 50 square inches or more. In some embodiments, the OLED is a lighting panel.

일부 구체예에서, 상기 화합물은 발광 도펀트일 수 있다. 일부 구체예에서, 상기 화합물은 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨; 예를 들어 전문이 본원에 참조로 포함된, 미국특허출원공개번호 2019/0081248로서 2019년 3월 14일 공개된, 미국출원번호 15/700,352를 참조), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 발광을 생성할 수 있다. 일부 구체예에서, 발광 도펀트는 라세믹 혼합물일 수 있거나, 또는 하나의 거울상 이성질체가 농후할 수 있다. 일부 구체예에서, 화합물은 동종리간드성(각 리간드가 동일)일 수 있다. 일부 구체예에서, 화합물은 이종리간드성(적어도 하나의 리간드가 나머지와 상이)일 수 있다.In some embodiments, the compound may be a light emitting dopant. In some embodiments, the compound is phosphorescent, fluorescent, thermally activated delayed fluorescence, i.e., TADF (also referred to as type E delayed fluorescence; for example, U.S. Patent Application Publication No. 2019/, incorporated herein by reference in its entirety. Luminescence can be generated through triplet-triplet extinction or a combination of these processes, see U.S. Application No. 15/700,352, published March 14, 2019 as 0081248). In some embodiments, the luminescent dopant can be a racemic mixture, or can be enriched in one enantiomer. In some embodiments, the compound may be homoligand (each ligand is the same). In some embodiments, the compound may be heteroligand (at least one ligand is different from the others).

금속에 배위결합된 하나 이상의 리간드가 있는 경우, 리간드는 일부 구체예에서 모두 동일할 수 있다. 일부 다른 구체예에서, 적어도 하나의 리간드는 다른 리간드(들)와 상이하다. 일부 구체예에서, 모든 리간드는 서로 상이할 수 있다. 이는 금속에 배위결합된 리간드가 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 형성하기 위해 금속에 배위결합되는 다른 리간드와 연결될 수 있는 구체예에서도 마찬가지이다. 따라서, 배위결합 리간드가 서로 연결된 경우, 일부 구체예에서 모든 리간드가 동일할 수 있고, 연결된 다른 리간드 중 하나 이상이 일부 다른 구체예에서 다른 리간드(들)와 상이할 수 있다.When there is more than one ligand coordinated to the metal, the ligands may all be the same in some embodiments. In some other embodiments, at least one ligand is different from the other ligand(s). In some embodiments, all ligands can be different from each other. This is also the case in embodiments in which a ligand coordinated to a metal can be linked to another ligand that is coordinated to a metal to form a three-, four-, five- or six-dentate ligand. Thus, when the coordination binding ligands are linked to each other, in some embodiments all of the ligands may be the same, and in some other embodiments, one or more of the other ligands linked may be different from the other ligand(s).

일부 구체예에서, 화합물은 OLED에서 인광 증감제로서 사용될 수 있으며, 여기서 OLED의 하나 또는 복수의 층은 하나 이상의 형광 및/또는 지연 형광 이미터 형태의 억셉터를 함유한다. 일부 구체예에서, 화합물은 증감제로 사용되는 엑시플렉스의 하나의 성분으로서 사용될 수 있다. 인광 증감제로서, 화합물은 억셉터로 에너지를 전달할 수 있어야 하고, 억셉터는 에너지를 방출하거나 최종 이미터로 에너지를 추가로 전달한다. 억셉터 농도는 0.001% 내지 100%의 범위일 수 있다. 억셉터는 인광 증감제와 동일한 층 또는 하나 이상의 상이한 층일 수 있다. 일부 구체예에서, 억셉터는 TADF 이미터이다. 일부 구체예에서, 억셉터는 형광 이미터이다. 일부 구체예에서, 방출은 임의의 또는 모든 증감제, 억셉터 및 최종 이미터로부터 발생할 수 있다.In some embodiments, the compound can be used as a phosphorescence sensitizer in an OLED, wherein one or more layers of the OLED contain one or more fluorescent and/or delayed fluorescent emitters in the form of acceptors. In some embodiments, the compound can be used as a component of Exiplex used as a sensitizer. As a phosphorescence sensitizer, the compound must be able to transfer energy to the acceptor, and the acceptor either releases energy or transfers additional energy to the final emitter. The acceptor concentration may range from 0.001% to 100%. The acceptor can be the same layer as the phosphorescent sensitizer or one or more different layers. In some embodiments, the acceptor is a TADF emitter. In some embodiments, the acceptor is a fluorescent emitter. In some embodiments, release can occur from any or all sensitizers, acceptors and final emitters.

일부 구체예에서, 본 개시의 화합물은 중성으로 하전된다.In some embodiments, a compound of the present disclosure is neutrally charged.

다른 양태에 따르면, 본원에 기술된 화합물을 포함하는 배합물이 또한 개시된다.According to another aspect, formulations comprising the compounds described herein are also disclosed.

본원에 개시된 OLED는 소비자 제품, 전자 부품 모듈 및 조명 패널 중 하나 이상에 포함될 수 있다. 유기층은 발광층일 수 있고, 상기 화합물은 일부 구체예에서 발광 도펀트일 수 있고, 한편 상기 화합물은 다른 구체예에서 비발광 도펀트일 수 있다. The OLEDs disclosed herein can be included in one or more of consumer products, electronic component modules, and lighting panels. The organic layer may be an emissive layer, and the compound may be an emissive dopant in some embodiments, while the compound may be a non-emission dopant in other embodiments.

유기층은 또한 호스트를 포함할 수 있다. 일부 구체예에서, 2개 이상의 호스트가 바람직하다. 일부 구체예에서, 사용되는 호스트는 a) 바이폴라 물질, b) 전자 수송 물질, c) 정공 수송 물질 또는 d) 전하 수송에서의 역할이 거의 없는 와이드 밴드 갭 물질일 수 있다. 일부 구체예에서, 호스트는 금속 착물을 포함할 수 있다. 호스트는 트리페닐렌 함유 벤조 융합 티오펜 또는 벤조 융합 푸란일 수 있다. 호스트 중의 임의의 치환기는 독립적으로 CnH2n+1, OCnH2n+1, OAr1, N(CnH2n+1)2, N(Ar1)(Ar2), CH=CH-CnH2n+1, C≡C-CnH2n+1, Ar1, Ar1-Ar2, 및 CnH2n-Ar1으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 비융합 치환기일 수 있거나, 또는 호스트는 치환기를 가지지 않는다. 상기 치환기에서, n은 1 내지 10 범위일 수 있고; Ar1 및 Ar2는 독립적으로 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 트리페닐렌, 카르바졸, 및 이의 헤테로방향족 유사체로 이루어지는 군으로부터 선택될 수 있다. 호스트는 무기 화합물일 수 있다. 예를 들어, Zn 함유 무기 물질, 예컨대 ZnS일 수 있다.The organic layer can also include a host. In some embodiments, two or more hosts are preferred. In some embodiments, the host used may be a) a bipolar material, b) an electron transport material, c) a hole transport material, or d) a wide band gap material that has little role in charge transport. In some embodiments, the host may comprise a metal complex. The host may be a triphenylene-containing benzo-fused thiophene or a benzo-fused furan. Any substituent in the host is independently C n H 2n+1 , OC n H 2n+1 , OAr 1 , N(C n H 2n+1 ) 2 , N(Ar 1 )(Ar 2 ), CH=CH- C n H 2n+1 , C≡CC n H 2n+1 , Ar 1 , Ar 1 -Ar 2 , and C n H 2n -Ar 1 may be a non-fused substituent selected from the group consisting of, or the host is a substituent Does not have In the above substituents, n may range from 1 to 10; Ar 1 and Ar 2 may be independently selected from the group consisting of benzene, biphenyl, naphthalene, triphenylene, carbazole, and heteroaromatic analogs thereof. The host can be an inorganic compound. For example, it may be a Zn-containing inorganic material such as ZnS.

호스트는 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자트리페닐렌, 아자카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 화학 기를 포함하는 화합물일 수 있다. 호스트는 금속 착물을 포함할 수 있다. 호스트는 하기 화학식 및 이들의 조합으로 이루어진 호스트 군으로부터 선택되는 특정 화합물일 수 있으나 이에 한정되지 않는다:Hosts are triphenylene, carbazole, dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, azatriphenylene, azacarbazole, aza-dibenzothiophene, aza-dibenzofuran and aza-dibenzosele It may be a compound containing at least one chemical group selected from the group consisting of nopene. The host may comprise a metal complex. The host may be a specific compound selected from the host group consisting of the following formula and combinations thereof, but is not limited thereto:

Figure pat00136
Figure pat00136

Figure pat00137
Figure pat00137

Figure pat00138
Figure pat00138

가능한 호스트에 대한 추가의 정보를 이하에 제공한다.Additional information on possible hosts is provided below.

일부 구체예에서, 발광 영역은 하기 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 또는 화학식 IV의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다:In some embodiments, the light emitting region may comprise a compound comprising a ligand L A of Formula I, Formula II, Formula III or Formula IV:

Figure pat00139
Figure pat00139

Figure pat00140
Figure pat00140

Figure pat00141
Figure pat00141

Figure pat00142
Figure pat00142

식 중, 고리 B는 독립적으로 5원 또는 6원 탄소환식 또는 헤테로환식 고리이고; X1 내지 X4는 각각 독립적으로 C, N 및 CR로 이루어진 군에서 선택되며; 인접한 X1 내지 X4 중 적어도 한쌍은 각각 C이고, 화학식 V

Figure pat00143
의 구조의 "
Figure pat00144
"로 표시된 부분에 융합되며; X5 내지 X12는 각각 독립적으로 C 또는 N이고; 고리 내 N의 최대 수는 2이고; Z 및 Y는 각각 독립적으로 O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" 및 GeR'R"로 이루어진 군에서 선택되고; RB 및 RC는 각각 독립적으로 이의 관련된 고리에 대한 무치환, 일치환 또는 최대까지 허용되는 치환을 나타내며; RB, RC, R, R' 및 R" 각각은 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 보릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 2개의 치환기가 결합 또는 융합하여 고리를 형성할 수 있으며; 리간드 LA는 각각의 화학식의 2개의 표시된 점선을 통해 금속 M에 착물화하고; 리간드 LA는 다른 리간드와 결합하여, 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 형성할 수 있다.In the formula, Ring B is independently a 5- or 6-membered carbocyclic or heterocyclic ring; X 1 to X 4 are each independently selected from the group consisting of C, N and CR; At least one pair of adjacent X 1 to X 4 is each C, and formula V
Figure pat00143
Of the structure of "
Figure pat00144
Fused to the moiety indicated by "; X 5 to X 12 are each independently C or N; the maximum number of N in the ring is 2; Z and Y are each independently O, S, Se, NR', CR' Is selected from the group consisting of R", SiR'R" and GeR'R"; R B and R C each independently represent an unsubstituted, monosubstituted or maximum permissible substitution for its associated ring; Each of R B , R C , R, R'and R" is independently hydrogen, or deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl , Cycloalkenyl, heteroalkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, acyl, carboxylic acid, ether, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, boryl, and combinations thereof It is a substituent selected from the group consisting of; Two substituents can be bonded or fused to form a ring; Ligand L A is complexed to metal M through two indicated dotted lines in each formula; Ligand L A is another ligand Can form a three-, four-, five- or six-dentate ligand.

발광 영역의 일부 구체예에서, 화합물은 발광성 도펀트 또는 비발광성 도펀트일 수 있다.In some embodiments of the luminescent region, the compound can be a luminescent dopant or a non-luminescent dopant.

발광 영역의 일부 구체예에서, 발광 영역은 호스트를 더 포함하며, 여기서 호스트는 금속 착물, 트리페닐렌, 카르바졸, 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 아자-트리페닐렌, 아자-카르바졸, 아자-디벤조티오펜, 아자-디벤조푸란 및 아자-디벤조셀레노펜으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 화학적 기를 포함한다.In some embodiments of the luminescent region, the luminescent region further comprises a host, wherein the host is a metal complex, triphenylene, carbazole, dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, aza-triphenylene, And at least one chemical group selected from the group consisting of aza-carbazole, aza-dibenzothiophene, aza-dibenzofuran, and aza-dibenzoselenophene.

일부 구체예에서, 호스트는 본원에 정의된 호스트기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.In some embodiments, the host may be selected from the group consisting of host groups as defined herein.

다른 양태에 따르면, OLED를 포함하는 소비자 제품이 개시되며, 여기서 OLED는 애노드; 캐소드; 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층을 포함하며, 상기 유기층은 하기 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 또는 화학식 IV의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함한다:According to another aspect, a consumer product is disclosed comprising an OLED, wherein the OLED comprises an anode; Cathode; And an organic layer disposed between the anode and the cathode, wherein the organic layer includes a compound comprising a ligand L A of Formula I, Formula II, Formula III or Formula IV:

Figure pat00145
Figure pat00145

Figure pat00146
Figure pat00146

Figure pat00147
Figure pat00147

Figure pat00148
Figure pat00148

식 중, 고리 B는 독립적으로 5원 또는 6원 탄소환식 또는 헤테로환식 고리이고; X1 내지 X4는 각각 독립적으로 C, N 및 CR로 이루어진 군에서 선택되며; 인접한 X1 내지 X4 중 적어도 한쌍은 각각 C이고, 화학식 V

Figure pat00149
의 구조의 "
Figure pat00150
"로 표시된 부분에 융합되며; X5 내지 X12는 각각 독립적으로 C 또는 N이고; 고리 내 N의 최대 수는 2이고; Z 및 Y는 각각 독립적으로 O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" 및 GeR'R"로 이루어진 군에서 선택되고; RB 및 RC는 각각 독립적으로 이의 관련된 고리에 대한 무치환, 일치환 또는 최대까지 허용되는 치환을 나타내며; RB, RC, R, R' 및 R" 각각은 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 보릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 2개의 치환기가 결합 또는 융합하여 고리를 형성할 수 있으며; 리간드 LA는 각각의 화학식의 2개의 표시된 점선을 통해 금속 M에 착물화하고; 리간드 LA는 다른 리간드와 결합하여, 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 형성할 수 있다. In the formula, Ring B is independently a 5- or 6-membered carbocyclic or heterocyclic ring; X 1 to X 4 are each independently selected from the group consisting of C, N and CR; At least one pair of adjacent X 1 to X 4 is each C, and formula V
Figure pat00149
Of the structure of "
Figure pat00150
Fused to the moiety indicated by "; X 5 to X 12 are each independently C or N; the maximum number of N in the ring is 2; Z and Y are each independently O, S, Se, NR', CR' Is selected from the group consisting of R", SiR'R" and GeR'R"; R B and R C each independently represent an unsubstituted, monosubstituted or maximum permissible substitution for its associated ring; Each of R B , R C , R, R'and R" is independently hydrogen, or deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl , Cycloalkenyl, heteroalkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, acyl, carboxylic acid, ether, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, boryl, and combinations thereof It is a substituent selected from the group consisting of; Two substituents can be bonded or fused to form a ring; Ligand L A is complexed to metal M through two indicated dotted lines in each formula; Ligand L A is another ligand Can form a three-, four-, five- or six-dentate ligand.

본 개시의 또 하나의 다른 양태에서, 본원에 개시된 신규한 화합물을 포함하는 배합물이 기재된다. 배합물은 본 명세서에 개시된 용매, 호스트, 정공 주입 물질, 정공 수송 물질, 전자 차단 물질, 정공 차단 물질, 및 전자 수송층 물질로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 성분을 포함할 수 있다.In yet another aspect of the present disclosure, formulations comprising the novel compounds disclosed herein are described. The blend may include one or more components selected from the group consisting of a solvent, a host, a hole injection material, a hole transport material, an electron blocking material, a hole blocking material, and an electron transport layer material disclosed herein.

본 개시는 본 개시의 신규 화합물, 또는 이의 1가 또는 다가 변형체를 포함하는 임의의 화학 구조를 포함한다. 즉, 본 발명의 화합물, 또는 이의 1가 또는 다가 변형체는 더 큰 화학 구조의 일부일 수 있다. 그러한 화학 구조는 단량체, 중합체, 거대분자 및 초분자(supramolecule 또는 supermolecule)로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 본원에 사용된 바와 같이, "화합물의 1가 변형체"는 하나의 수소가 제거되고 나머지 화학 구조에 대한 결합으로 대체된 것을 제외하고는 화합물과 동일한 모이어티를 나타낸다. 본원에 사용된 바와 같이, "화합물의 다가 변형체"는 하나 이상의 수소가 제거되고 나머지 화학 구조에 대한 결합(들)으로 대체된 것을 제외하고는 화합물과 동일한 모이어티를 나타낸다. 초분자의 경우, 본 발명의 화합물은 또한 공유 결합 없이 초분자 착물에 혼입될 수도 있다.The present disclosure includes any chemical structure including the novel compounds of the present disclosure, or monovalent or polyvalent variants thereof. That is, the compounds of the present invention, or monovalent or polyvalent variants thereof, may be part of a larger chemical structure. Such chemical structures can be selected from the group consisting of monomers, polymers, macromolecules and supramolecules or supermolecules. As used herein, "a monovalent variant of a compound" refers to a moiety that is identical to a compound except that one hydrogen has been removed and replaced by a bond to the remaining chemical structure. As used herein, “multivalent variant of a compound” refers to a moiety that is the same as a compound except that one or more hydrogens have been removed and replaced by bond(s) to the remaining chemical structure. In the case of supramolecular, the compounds of the present invention may also be incorporated into supramolecular complexes without covalent bonds.

기타 물질과의 조합Combination with other substances

유기 발광 디바이스에서 특정 층에 대하여 유용한 것으로 본원에 기재된 물질은 디바이스에 존재하는 매우 다양한 기타 물질과의 조합으로 사용될 수 있다. 예를 들면, 본원에 개시된 발광 도펀트는 매우 다양한 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타 층과 결합되어 사용될 수 있다. 하기에 기재되거나 또는 참조된 물질은 본원에 개시된 화합물과의 조합에 유용할 수 있는 물질의 비제한적인 예시이며, 당업자는 조합에 유용할 수 있는 기타 물질을 식별하기 위해 문헌을 용이하게 참조할 수 있다.Materials described herein as useful for certain layers in organic light emitting devices can be used in combination with a wide variety of other materials present in the device. For example, the luminescent dopants disclosed herein can be used in combination with a wide variety of hosts, transport layers, blocking layers, injection layers, electrodes, and other layers that may be present. The materials described or referenced below are non-limiting examples of materials that may be useful in combination with the compounds disclosed herein, and those skilled in the art can readily refer to the literature to identify other materials that may be useful in combination. have.

전도성 도펀트:Conductive Dopant:

전하 수송층은 전도성 도펀트로 도핑되어 이의 전하 캐리어 밀도를 실질적으로 변화시킬 수 있고, 이는 결과적으로 이의 전도성을 변화시킬 것이다. 전도성은 매트릭스 물질에서 전하 캐리어를 생성시킴으로써 증가되며, 도펀트의 유형에 따라, 반도체의 페르미 준위에서의 변화가 또한 달성될 수 있다. 정공 수송층은 p형 전도성 도펀트로 도핑될 수 있고 n형 전도성 도펀트는 전자 수송층에서 사용된다. The charge transport layer can be doped with a conductive dopant to substantially change its charge carrier density, which will in turn change its conductivity. Conductivity is increased by creating charge carriers in the matrix material, and depending on the type of dopant, a change in the Fermi level of the semiconductor can also be achieved. The hole transport layer may be doped with a p-type conductive dopant and an n-type conductive dopant is used in the electron transport layer.

본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 전도성 도펀트의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP01617493, EP01968131, EP2020694, EP2684932, US20050139810, US20070160905, US20090167167, US2010288362, WO06081780, WO2009003455, WO2009008277, WO2009011327, WO2014009310, US2007252140, US2015060804, US20150123047, 및 US2012146012.Non-limiting examples of conductive dopants that can be used in OLEDs in combination with the materials disclosed herein are exemplified below with references disclosing those materials: EP01617493, EP01968131, EP2020694, EP2684932, US20050139810, US20070160905, US20090167167, US2010288362, WO06081780, WO2009003455, WO2009008277, WO2009011327, WO2014009310, US2007252140, US2015060804, US20150123047, and US2012146012.

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HIL/HTL:HIL/HTL:

본 발명에서 사용하고자 하는 정공 주입/수송 물질은 특정하게 제한되지 않으며, 화합물이 통상적으로 정공 주입/수송 물질로서 사용되는 한 임의의 화합물을 사용할 수 있다. 물질의 비제한적인 예로는 프탈로시아닌 또는 포르피린 유도체; 방향족 아민 유도체; 인돌로카르바졸 유도체; 플루오로히드로카본을 포함하는 중합체; 전도성 도펀트를 갖는 중합체; 전도성 중합체, 예컨대 PEDOT/PSS; 포스폰산 및 실란 유도체와 같은 화합물로부터 유도된 자체조립 단량체; 금속 산화물 유도체, 예컨대 MoOx; p-형 반도체 유기 화합물, 예컨대 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴; 금속 착물 및 가교성 화합물을 들 수 있다. The hole injection/transport material to be used in the present invention is not particularly limited, and any compound may be used as long as the compound is generally used as a hole injection/transport material. Non-limiting examples of substances include phthalocyanine or porphyrin derivatives; Aromatic amine derivatives; Indolocarbazole derivatives; Polymers containing fluorohydrocarbons; Polymers with conductive dopants; Conductive polymers such as PEDOT/PSS; Self-assembled monomers derived from compounds such as phosphonic acids and silane derivatives; Metal oxide derivatives such as MoO x ; p-type semiconductor organic compounds such as 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile; Metal complexes and crosslinkable compounds.

HIL 또는 HTL에 사용된 방향족 아민 유도체의 비제한적인 예로는 하기 구조식을 들 수 있다:Non-limiting examples of aromatic amine derivatives used in HIL or HTL include the following structural formulas:

Figure pat00153
Figure pat00153

각각의 Ar1 내지 Ar9는 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌과 같은 방향족 탄화수소 환식 화합물로 이루어진 군; 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤족사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 펜옥사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘과 같은 방향족 헤테로환식 화합물로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 환식 기 및 방향족 헤테로환식 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 군이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 환식 기 중 하나 이상을 통해 결합되거나 서로 직접 결합되는 2 내지 10개의 환식 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 Ar은 비치환될 수 있거나, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 치환기로 치환될 수 있다.Each of Ar 1 to Ar 9 is an aromatic hydrocarbon cyclic compound such as benzene, biphenyl, triphenyl, triphenylene, naphthalene, anthracene, phenalene, phenanthrene, fluorene, pyrene, chrysene, perylene and azulene. Group consisting of; Dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, benzoselenophene, carbazole, indolocarbazole, pyridylindole, pyrrolodipyridine, pyrazole, Imidazole, triazole, oxazole, thiazole, oxadiazole, oxatriazole, dioxazole, thiadiazole, pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, triazine, oxazine, oxathiazine, oxadia Gin, indole, benzimidazole, indazole, indoxazine, benzoxazole, benzisoxazole, benzothiazole, quinoline, isoquinoline, cinnoline, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, phthalazine, pteridine Aromatic heterocyclic compounds such as xanthene, acridine, phenazine, phenothiazine, phenoxazine, benzofuropyridine, furodipyridine, benzothienopyridine, thienodipyridine, benzoselenophenopyridine and selenophenodipyridine Group consisting of; And groups of the same type or different types selected from aromatic hydrocarbon cyclic groups and aromatic heterocyclic groups, and through at least one of an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a silicon atom, a phosphorus atom, a boron atom, a chain structural unit and an aliphatic cyclic group. It is selected from the group consisting of 2 to 10 cyclic structural units bonded or directly bonded to each other. Each Ar may be unsubstituted, or deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl, cycloalkenyl, heteroalkenyl, Alkynyl, aryl, heteroaryl, acyl, carboxylic acid, ether, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, and combinations thereof.

일양태에서, Ar1 내지 Ar9은 독립적으로 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택된다:In one embodiment, Ar 1 to Ar 9 are independently selected from the group consisting of the formula:

Figure pat00154
Figure pat00154

여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N이고; Z101은 NAr1, O 또는 S이고; Ar1은 상기 정의된 바와 동일한 기를 가진다.Where k is an integer from 1 to 20; X 101 to X 108 are C (including CH) or N; Z 101 is NAr 1 , O or S; Ar 1 has the same group as defined above.

HIL 또는 HTL에 사용된 금속 착물의 비제한적인 예는 하기 화학식을 들 수 있다:Non-limiting examples of metal complexes used in HIL or HTL include the following formula:

Figure pat00155
Figure pat00155

여기서 Met는 금속이며, 40 초과의 원자량을 가질 수 있고; (Y101-Y102)는 두자리 리간드이고, Y101 및 Y102는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 보조적 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드 최대수이다.Wherein Met is a metal and may have an atomic weight greater than 40; (Y 101 -Y 102 ) is a bidentate ligand, Y 101 and Y 102 are independently selected from C, N, O, P and S; L 101 is an auxiliary ligand; k'is an integer value from 1 to the maximum number of ligands that can be attached to the metal; k'+k" is the maximum number of ligands that can be attached to the metal.

일양태에서, (Y101-Y102)는 2-페닐피리딘 유도체이다. 또 다른 양태에서, (Y101-Y102)는 카르벤 리간드이다. 또 다른 양태에서, Met는 Ir, Pt, Os 및 Zn로부터 선택된다. 추가 양태에서, 금속 착물은 약 0.6 V 미만의 용액 중의 최소 산화 전위 대 Fc+/Fc 커플을 가진다.In one embodiment, (Y 101 -Y 102 ) is a 2-phenylpyridine derivative. In another embodiment, (Y 101 -Y 102 ) is a carbene ligand. In another embodiment, Met is selected from Ir, Pt, Os and Zn. In a further aspect, the metal complex has a minimum oxidation potential in solution of less than about 0.6 V versus Fc + /Fc couple.

본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 HIL 및 HTL 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN102702075, DE102012005215, EP01624500, EP01698613, EP01806334, EP01930964, EP01972613, EP01997799, EP02011790, EP02055700, EP02055701, EP1725079, EP2085382, EP2660300, EP650955, JP07-073529, JP2005112765, JP2007091719, JP2008021687, JP2014-009196, KR20110088898, KR20130077473, TW201139402, US06517957, US20020158242, US20030162053, US20050123751, US20060182993, US20060240279, US20070145888, US20070181874, US20070278938, US20080014464, US20080091025, US20080106190, US20080124572, US20080145707, US20080220265, US20080233434, US20080303417, US2008107919, US20090115320, US20090167161, US2009066235, US2011007385, US20110163302, US2011240968, US2011278551, US2012205642, US2013241401, US20140117329, US2014183517, US5061569, US5639914, WO05075451, WO07125714, WO08023550, WO08023759, WO2009145016, WO2010061824, WO2011075644, WO2012177006, WO2013018530, WO2013039073, WO2013087142, WO2013118812, WO2013120577, WO2013157367, WO2013175747, WO2014002873, WO2014015935, WO2014015937, WO2014030872, WO2014030921, WO2014034791, WO2014104514, WO2014157018.Non-limiting examples of HIL and HTL materials that can be used in OLEDs in combination with the materials disclosed herein are exemplified below with references disclosing those materials: CN102702075, DE102012005215, EP01624500, EP01698613, EP01806334, EP01930964, EP01972613, EP01997799, EP02011790, EP02055700, EP02055701, EP1725079, EP2085382, EP2660300, EP650955, JP07-073529, JP2005112765, JP2007091719, JP2008021687, JP2014-009196, JP2008021687, JP2014-009196, KR20110088898, KR2013390077473, US200601, US20040279, US20040279, US200937 US20070145888, US20070181874, US20070278938, US20080014464, US20080091025, US20080106190, US20080124572, US20080145707, US20080220265, US20080233434, US20080303417, US2008107919, US20090115320, US20090167161, US2009066235, US20090115320, US20090167161, US2009066235, US2011007385,2012205, and US2011007385, US201420205 WO05075451, WO07125714, WO08023550, WO08023759, WO2009145016, WO2010061824, WO2011075644, WO2012177006, WO2013018530, WO2013039073, WO2013087142, WO2013118812, WO2013120 577, WO2013157367, WO2013175747, WO2014002873, WO2014015935, WO2014015937, WO2014030872, WO2014030921, WO2014034791, WO2014104514, WO2014157018.

Figure pat00156
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Figure pat00157
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Figure pat00159
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Figure pat00161
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Figure pat00163
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EBL:EBL:

전자 차단층(EBL)은 발광층을 떠나는 전자 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 상당히 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 구체예에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 높은 LUMO(진공 수준에 보다 가까움) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 구체예에서, EBL 물질은 EBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 높은 LUMO(진공 수준에 보다 가까움) 및/또는 보다 더 삼중항 에너지를 갖는다. 일양태에서, EBL에 사용되는 화합물은 이하에 기재된 호스트들 중 하나와 동일한 사용 분자 또는 작용기를 함유한다.The electron blocking layer EBL may be used to reduce the number of electrons and/or excitons leaving the emission layer. The presence of such a blocking layer in the device can lead to significantly higher efficiency and/or longer lifetime compared to similar devices without a blocking layer. Also, a blocking layer can be used to confine the light emission to a desired area of the OLED. In some embodiments, the EBL material has a higher LUMO (closer to the vacuum level) and/or higher triplet energy than the emitter closest to the EBL interface. In some embodiments, the EBL material has a higher LUMO (closer to vacuum level) and/or more triplet energy than one or more of the hosts closest to the EBL interface. In one embodiment, the compound used for EBL contains the same molecule or functional group used as one of the hosts described below.

호스트:Host:

본 발명의 유기 EL 디바이스의 발광층은 바람직하게는 발광 물질로서 적어도 금속 착물을 포함하며, 도펀트 물질로서 금속 착물을 사용하는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 호스트 물질의 예는 특별히 제한되지 않으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 호스트의 삼중항 에너지가 도펀트의 삼중항 에너지보다 더 크기만 하다면 사용될 수 있다. 삼중항 기준을 충족하는 한, 임의의 호스트 물질은 임의의 도펀트와 함께 사용될 수 있다.The light-emitting layer of the organic EL device of the present invention preferably contains at least a metal complex as the light-emitting material, and may contain a host material using the metal complex as the dopant material. Examples of the host material are not particularly limited, and any metal complex or organic compound may be used as long as the triplet energy of the host is greater than the triplet energy of the dopant. Any host material can be used with any dopant as long as it meets the triplet criterion.

호스트로서 사용된 금속 착물의 예는 하기 화학식을 갖는 것이 바람직하다:Examples of metal complexes used as host preferably have the following formula:

Figure pat00164
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여기서 Met는 금속이고; (Y103-Y104)는 두자리 리간드이고, Y103 및 Y104는 독립적으로 C, N, O, P 및 S로부터 선택되며; L101은 또 다른 리간드이며; k'는 1 내지 금속에 결합될 수 있는 리간드의 최대 수의 정수값이고; k'+k"는 금속에 결합될 수 있는 리간드의 최대 수이다.Where Met is a metal; (Y 103 -Y 104 ) is a bidentate ligand, Y 103 and Y 104 are independently selected from C, N, O, P and S; L 101 is another ligand; k'is an integer value from 1 to the maximum number of ligands that can be attached to the metal; k'+k" is the maximum number of ligands that can be attached to the metal.

일양태에서, 금속 착물은

Figure pat00165
이며, 여기서 (O-N)은 원자 O 및 N에 배위 결합된 금속을 갖는 두자리 리간드이다.In one embodiment, the metal complex is
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Where (ON) is a bidentate ligand having a metal coordinarily bonded to atoms O and N.

또 다른 양태에서, Met는 Ir 및 Pt로부터 선택된다. 추가 양태에서, (Y103-Y104)는 카르벤 리간드이다.In another embodiment, Met is selected from Ir and Pt. In a further aspect, (Y 103 -Y 104 ) is a carbene ligand.

일양태에서, 호스트 화합물은 방향족 탄화수소 환식 화합물, 예컨대 벤젠, 비페닐, 트리페닐, 트리페닐렌, 테트라페닐렌, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 플루오렌, 피렌, 크리센, 페릴렌 및 아줄렌으로 이루어진 군; 방향족 헤테로환식 화합물, 예컨대 디벤조티오펜, 디벤조푸란, 디벤조셀레노펜, 푸란, 티오펜, 벤조푸란, 벤조티오펜, 벤조셀레노펜, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딜인돌, 피롤로디피리딘, 피라졸, 이미다졸, 트리아졸, 옥사졸, 티아졸, 옥사디아졸, 옥사트리아졸, 디옥사졸, 티아디아졸, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 옥사진, 옥사티아진, 옥사디아진, 인돌, 벤즈이미다졸, 인다졸, 인독사진, 벤즈옥사졸, 벤즈이속사졸, 벤조티아졸, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 신놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 프탈라진, 프테리딘, 크산텐, 아크리딘, 페나진, 페노티아진, 페녹사진, 벤조푸로피리딘, 푸로디피리딘, 벤조티에노피리딘, 티에노디피리딘, 벤조셀레노페노피리딘 및 셀레노페노디피리딘으로 이루어진 군; 및 방향족 탄화수소 환식 기 및 방향족 헤테로환식 기로부터 선택된 동일한 유형 또는 상이한 유형의 기이며 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 붕소 원자, 쇄 구조 단위 및 지방족 환식 기 중 하나 이상을 통해 결합되거나 서로 직접 결합되는 2 내지 10개의 환식 구조 단위로 이루어진 군으로부터 선택된다. 각각의 기 내의 각 선택지는 비치환될 수 있거나 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 기 중 적어도 하나를 포함한다.In one embodiment, the host compound is an aromatic hydrocarbon cyclic compound such as benzene, biphenyl, triphenyl, triphenylene, tetraphenylene, naphthalene, anthracene, phenalene, phenanthrene, fluorene, pyrene, chrysene, perylene and The group consisting of azulene; Aromatic heterocyclic compounds such as dibenzothiophene, dibenzofuran, dibenzoselenophene, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, benzoselenophene, carbazole, indolocarbazole, pyridylindole, pyrrolo Dipyridine, pyrazole, imidazole, triazole, oxazole, thiazole, oxadiazole, oxatriazole, dioxazole, thiadiazole, pyridine, pyridazine, pyrimidine, pyrazine, triazine, oxazine, Oxathiazine, oxadiazine, indole, benzimidazole, indazole, indoxazine, benzoxazole, benzisoxazole, benzothiazole, quinoline, isoquinoline, cinnoline, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, p Thalazine, pteridine, xanthene, acridine, phenazine, phenothiazine, phenoxazine, benzofuropyridine, furodipyridine, benzothienopyridine, thienodipyridine, benzoselenophenopyridine and selenophenodi The group consisting of pyridine; And groups of the same or different types selected from aromatic hydrocarbon cyclic groups and aromatic heterocyclic groups, and through at least one of an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a silicon atom, a phosphorus atom, a boron atom, a chain structural unit and an aliphatic cyclic group. It is selected from the group consisting of 2 to 10 cyclic structural units bonded or directly bonded to each other. Each option in each group may be unsubstituted or deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl, cycloalkenyl, heteroalkenyl , Alkynyl, aryl, heteroaryl, acyl, carboxylic acid, ether, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, and at least one of the groups selected from the group consisting of combinations thereof do.

일양태에서, 호스트 화합물은 분자에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:In one embodiment, the host compound contains one or more of the following groups in the molecule:

Figure pat00166
Figure pat00166

Figure pat00167
Figure pat00167

여기서 R101은 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 갖는다. k는 0 내지 20 또는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 독립적으로 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다. Z101 및 Z102는 독립적으로 NR101, O 또는 S로부터 선택된다.Wherein R 101 is hydrogen, deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl, cycloalkenyl, heteroalkenyl, alkynyl, aryl, Selected from the group consisting of heteroaryl, acyl, carboxylic acid, ether, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, and combinations thereof, in the case of aryl or heteroaryl, as described above It has a similar definition to Ar. k is an integer of 0 to 20 or 1 to 20. X 101 to X 108 are independently selected from C (including CH) or N. Z 101 and Z 102 are independently selected from NR 101 , O or S.

본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 추가의 호스트 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: EP2034538, EP2034538A, EP2757608, JP2007254297, KR20100079458, KR20120088644, KR20120129733, KR20130115564, TW201329200, US20030175553, US20050238919, US20060280965, US20090017330, US20090030202, US20090167162, US20090302743, US20090309488, US20100012931, US20100084966, US20100187984, US2010187984, US2012075273, US2012126221, US2013009543, US2013105787, US2013175519, US2014001446, US20140183503, US20140225088, US2014034914, US7154114, WO2001039234, WO2004093207, WO2005014551, WO2005089025, WO2006072002, WO2006114966, WO2007063754, WO2008056746, WO2009003898, WO2009021126, WO2009063833, WO2009066778, WO2009066779, WO2009086028, WO2010056066, WO2010107244, WO2011081423, WO2011081431, WO2011086863, WO2012128298, WO2012133644, WO2012133649, WO2013024872, WO2013035275, WO2013081315, WO2013191404, WO2014142472, US20170263869, US20160163995, US9466803,Non-limiting examples of additional host materials that can be used in OLEDs in combination with the materials disclosed herein are exemplified below along with references disclosing those materials: EP2034538, EP2034538A, EP2757608, JP2007254297, KR20100079458, KR20120088644, KR20120129733, KR20130115564, TW201329200, US20030175553, US20050238919, US20060280965, US20090017330, US20090030202, US20090167162, US20090302743, US20090309488, US20100012931, US20100084966, US20100187984, US2010187984, US20100084966, US20100187984, US2013, US2012173984, US20120700, US2013, US2012173984, US2013, US2013 WO2001039234, WO2004093207, WO2005014551, WO2005089025, WO2006072002, WO2006114966, WO2007063754, WO2008056746, WO2009003898, WO2009021126, WO2009063833, WO2009066778, WO2009066779, WO2009086028, WO2010056066, WO2009066779, WO2009086028, WO2010056066, WO2010107244, WO2011133, WO2012, and WO2013, WO2011081423, WO2012, and WO2011081423, WO2013081423, WO2013081423 WO2013191404, WO2014142472, US20170263869, US20160163995, US9466803,

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추가의Additional 이미터:Emitter:

하나 이상의 추가의 이미터 도펀트는 본 개시의 화합물과 결합하여 사용될 수 있다. 추가의 이미터 도펀트의 예는 특별히 한정되지 않으며, 이미터 재료로서 전형적으로 사용되는 한 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 적합한 이미터 물질의 예는, 인광, 형광, 열 활성화 지연 형광, 즉, TADF(또한 E형 지연 형광으로도 지칭됨), 삼중항-삼중항 소멸 또는 이들 과정의 조합을 통해 방출을 생성할 수 있는 화합물을 포함하지만, 이에 제한되지 않는다.One or more additional emitter dopants may be used in combination with the compounds of the present disclosure. Examples of additional emitter dopants are not particularly limited, and any compound may be used as long as it is typically used as an emitter material. Examples of suitable emitter materials are phosphorescence, fluorescence, thermally activated delayed fluorescence, i.e. TADF (also referred to as type E delayed fluorescence), triplet-triplet extinction, or a combination of these processes to produce emission. Compounds with, but are not limited to.

본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에 사용될 수 있는 이미터 물질의 비제한적인 예시는 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103694277, CN1696137, EB01238981, EP01239526, EP01961743, EP1239526, EP1244155, EP1642951, EP1647554, EP1841834, EP1841834B, EP2062907, EP2730583, JP2012074444, JP2013110263, JP4478555, KR1020090133652, KR20120032054, KR20130043460, TW201332980, US06699599, US06916554, US20010019782, US20020034656, US20030068526, US20030072964, US20030138657, US20050123788, US20050244673, US2005123791, US2005260449, US20060008670, US20060065890, US20060127696, US20060134459, US20060134462, US20060202194, US20060251923, US20070034863, US20070087321, US20070103060, US20070111026, US20070190359, US20070231600, US2007034863, US2007104979, US2007104980, US2007138437, US2007224450, US2007278936, US20080020237, US20080233410, US20080261076, US20080297033, US200805851, US2008161567, US2008210930, US20090039776, US20090108737, US20090115322, US20090179555, US2009085476, US2009104472, US20100090591, US20100148663, US20100244004, US20100295032, US2010102716, US2010105902, US2010244004, US2010270916, US20110057559, US20110108822, US20110204333, US2011215710, US2011227049, US2011285275, US2012292601, US20130146848, US2013033172, US2013165653, US2013181190, US2013334521, US20140246656, US2014103305, US6303238, US6413656, US6653654, US6670645, US6687266, US6835469, US6921915, US7279704, US7332232, US7378162, US7534505, US7675228, US7728137, US7740957, US7759489, US7951947, US8067099, US8592586, US8871361, WO06081973, WO06121811, WO07018067, WO07108362, WO07115970, WO07115981, WO08035571, WO2002015645, WO2003040257, WO2005019373, WO2006056418, WO2008054584, WO2008078800, WO2008096609, WO2008101842, WO2009000673, WO2009050281, WO2009100991, WO2010028151, WO2010054731, WO2010086089, WO2010118029, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2012020327, WO2012163471, WO2013094620, WO2013107487, WO2013174471, WO2014007565, WO2014008982, WO2014023377, WO2014024131, WO2014031977, WO2014038456, WO2014112450.Non-limiting examples of emitter materials that can be used in OLEDs in combination with the materials disclosed herein are exemplified below with references disclosing those materials: CN103694277, CN1696137, EB01238981, EP01239526, EP01961743, EP1239526, EP1244155 , EP1642951, EP1647554, EP1841834, EP1841834B, EP2062907, EP2730583, JP2012074444, JP2013110263, JP4478555, KR1020090133652, KR20120032054, KR20130043460, TW201332980, US06699599, US06916554, TW201332980, US06699599, US200449, US20065634, US200,2005, US200,656,200, US200, and2005 , US20060065890, US20060127696, US20060134459, US20060134462, US20060202194, US20060251923, US20070034863, US20070087321, US20070103060, US20070111026, US20070190359, US20070231600, US2007034863, US2007034863, US2007104979, US20078022007450, US2007034863, US2007034863, US2007104979, US200805334980, US20071384,278, US200805334800 , US20090039776, US20090108737, US20090115322, US20090179555, US2009085476, US2009104472, US20100090591, US20100148663, US2010024400 4, US20100295032, US2010102716, US2010105902, US2010244004, US2010270916, US20110057559, US20110108822, US20110204333, US2011215710, US2011227049, US2011285275, US2012292601, US20130146848, US2013033172, US2013165653, US2013181190, US201365666, US20136566, US2013656, US2013656, US2013656 US6835469, US6921915, US7279704, US7332232, US7378162, US7534505, US7675228, US7728137, US7740957, US7759489, US7951947, US8067099, US8592586, US8871361, WO06081973, WO06121811, WO07018067, WO06081973, WO06121811, WO07018067, WO07108362, WO0711598,200, WO200355, WO07115970, WO3355, WO07115970, WO3355 WO2008054584, WO2008078800, WO2008096609, WO2008101842, WO2009000673, WO2009050281, WO2009100991, WO2010028151, WO2010054731, WO2010086089, WO2010118029, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2011044988, WO2011051404, WO2011107491, WO2011044988, WO2011051404, WO2011051404, WO2011107491, WO2012020327, WO201216327, WO201403471, WO20140347, WO2014112450.

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HBL:HBL:

정공 차단층(HBL)은 발광층을 떠나는 정공 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 디바이스 내의 이러한 차단층의 존재는 차단층이 없는 유사한 디바이스와 비교했을 때 상당히 더 높은 효율 및/또는 더 긴 수명을 유도할 수 있다. 또한, 차단층은 OLED의 원하는 영역에 발광을 국한시키기 위해 사용될 수 있다. 일부 구체예에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 이미터보다 더 낮은 HOMO(진공 수준으로부터 보다 먼) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다. 일부 구체예에서, HBL 물질은 HBL 계면에 가장 가까운 호스트들 중 하나 이상보다 더 낮은 HOMO(진공 수준으로부터 보다 먼) 및/또는 더 높은 삼중항 에너지를 갖는다.The hole blocking layer HBL may be used to reduce the number of holes and/or excitons leaving the emission layer. The presence of such a blocking layer in the device can lead to significantly higher efficiency and/or longer lifetime compared to similar devices without a blocking layer. Also, a blocking layer can be used to confine the light emission to a desired area of the OLED. In some embodiments, the HBL material has a lower HOMO (farther from the vacuum level) and/or higher triplet energy than the emitter closest to the HBL interface. In some embodiments, the HBL material has a lower HOMO (farther from the vacuum level) and/or higher triplet energy than one or more of the hosts closest to the HBL interface.

일양태에서, HBL에 사용되는 화합물은 전술한 호스트와 동일한 사용 분자 또는 작용기를 함유한다.In one embodiment, the compound used for HBL contains the same molecule or functional group used as the host described above.

또 다른 양태에서, HBL에 사용되는 화합물은 분자에 하기 기들 중 하나 이상을 함유한다:In another embodiment, the compound used for HBL contains one or more of the following groups in the molecule:

Figure pat00180
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여기서 k는 1 내지 20의 정수이며; L101은 또 다른 리간드이고, k'은 1 내지 3의 정수이다.Where k is an integer from 1 to 20; L 101 is another ligand, and k'is an integer from 1 to 3.

ETL:ETL:

전자 수송층(ETL)은 전자를 수송할 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 전자 수송층은 고유하거나(도핑되지 않음) 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도성을 향상시키는데 사용될 수 있다. ETL 물질의 예는 특별히 제한되지는 않으며, 임의의 금속 착물 또는 유기 화합물은 이들이 통상적으로 전자를 수송하는데 사용되는 한 사용될 수 있다.The electron transport layer ETL may include a material capable of transporting electrons. The electron transport layer may be unique (not doped) or may be doped. Doping can be used to improve conductivity. Examples of the ETL material are not particularly limited, and any metal complex or organic compound can be used as long as they are usually used to transport electrons.

일양태에서, ETL에 사용되는 화합물은 분자에서 하기 기 중 하나 이상을 포함한다:In one embodiment, the compound used for ETL comprises one or more of the following groups in the molecule:

Figure pat00181
Figure pat00181

여기서 R101은 수소, 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 아릴 또는 헤테로아릴인 경우, 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. Ar1 내지 Ar3는 상기 기술한 Ar과 유사한 정의를 가진다. k는 1 내지 20의 정수이다. X101 내지 X108은 C(CH 포함) 또는 N으로부터 선택된다. Wherein R 101 is hydrogen, deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl, cycloalkenyl, heteroalkenyl, alkynyl, aryl, Selected from the group consisting of heteroaryl, acyl, carboxylic acid, ether, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, and combinations thereof, in the case of aryl or heteroaryl, as described above It has a similar definition to Ar. Ar 1 to Ar 3 have similar definitions to Ar described above. k is an integer from 1 to 20. X 101 to X 108 are selected from C (including CH) or N.

또 다른 양태에서, ETL에 사용되는 금속 착물은 하기 화학식을 포함하나, 이에 제한되지 않는다:In another embodiment, the metal complexes used in ETL include, but are not limited to, the formula:

Figure pat00182
Figure pat00182

여기서 (O-N) 또는 (N-N)은 원자 O, N 또는 N, N에 배위 결합한 금속을 갖는 두자리 리간드이며; L101은 또 다른 리간드이며; k'은 1 내지 금속이 결합될 수 있는 리간드의 최대 수인 정수 값이다.Where (ON) or (NN) is a bidentate ligand having a metal coordinarily bonded to atoms O, N or N, N; L 101 is another ligand; k'is an integer value from 1 to the maximum number of ligands to which the metal can be attached.

본원에 개시된 물질과의 조합으로 OLED에서 사용될 수 있는 ETL 물질의 비제한적인 예는, 그 물질들을 개시하는 참조문헌과 함께 하기에 예시되어 있다: CN103508940, EP01602648, EP01734038, EP01956007, JP2004-022334, JP2005149918, JP2005-268199, KR0117693, KR20130108183, US20040036077, US20070104977, US2007018155, US20090101870, US20090115316, US20090140637, US20090179554, US2009218940, US2010108990, US2011156017, US2011210320, US2012193612, US2012214993, US2014014925, US2014014927, US20140284580, US6656612, US8415031, WO2003060956, WO2007111263, WO2009148269, WO2010067894, WO2010072300, WO2011074770, WO2011105373, WO2013079217, WO2013145667, WO2013180376, WO2014104499, WO2014104535,Non-limiting examples of ETL materials that can be used in OLEDs in combination with the materials disclosed herein are exemplified below with references disclosing those materials: CN103508940, EP01602648, EP01734038, EP01956007, JP2004-022334, JP2005149918 , JP2005-268199, KR0117693, KR20130108183, US20040036077, US20070104977, US2007018155, US20090101870, US20090115316, US20090140637, US20090179554, US2009218940, US2010108990, US2011156017, US2011210320, US2012193612, US201284150111, US2012193612, US201284150, US2003, US2014566014, US2012, US2014, US2003 , WO2010067894, WO2010072300, WO2011074770, WO2011105373, WO2013079217, WO2013145667, WO2013180376, WO2014104499, WO2014104535,

Figure pat00183
Figure pat00183

Figure pat00184
Figure pat00184

Figure pat00185
Figure pat00185

전하 생성층(CGL):Charge Generation Layer (CGL):

탠덤형(tandem) 또는 적층형 OLED에서, CGL은 성능 면에서 필수적인 역할을 수행하며, 이는 각각 전자와 정공을 주입하기 위한 n-도핑된 층 및 p-도핑된 층으로 이루어진다. 전자와 정공은 CGL 및 전극으로부터 공급된다. CGL에서 소모된 전자와 정공은 각각 캐소드와 애노드로부터 주입된 전자와 정공에 의해 다시 채워지며; 그 후, 바이폴라 전류는 점차적으로 정상 상태에 도달한다. 통상의 CGL 물질은 수송층에서 사용되는 n 및 p 전도성 도펀트를 포함한다.In a tandem or stacked OLED, CGL plays an essential role in performance, which consists of an n-doped layer and a p-doped layer for injecting electrons and holes, respectively. Electrons and holes are supplied from the CGL and electrodes. The electrons and holes consumed in CGL are refilled by electrons and holes injected from the cathode and anode, respectively; After that, the bipolar current gradually reaches a steady state. Typical CGL materials include n and p conductive dopants used in the transport layer.

OLED 디바이스의 각 층에서 사용되는 임의의 상기 언급한 화합물들에서, 수소 원자는 부분적으로 또는 완전하게 중수소화될 수 있다. 따라서, 임의의 구체적으로 열거된 치환기, 예컨대, 비제한적으로, 메틸, 페닐, 피리딜 등은 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다. 마찬가지로, 치환기 유형, 예컨대, 비제한적으로, 알킬, 아릴, 시클로알킬, 헤테로아릴 등은 또한 이의 비중수소화, 부분 중수소화 및 완전 중수소화된 형태일 수 있다.In any of the aforementioned compounds used in each layer of the OLED device, the hydrogen atom may be partially or completely deuterated. Thus, any specifically listed substituents such as, but not limited to, methyl, phenyl, pyridyl, and the like can be in their deuterated, partially deuterated and fully deuterated forms. Likewise, types of substituents such as, but not limited to, alkyl, aryl, cycloalkyl, heteroaryl, and the like may also be in their deuterated, partially deuterated and fully deuterated forms.

실험Experiment

Ir(LA66-1)2LC17의 화학식을 갖는 본 발명의 실시예 화합물 1의 합성Synthesis of Example Compound 1 of the present invention having the formula of Ir(L A66-1 ) 2 L C17

[반응식][Reaction Scheme]

Figure pat00186
Figure pat00186

2-에톡시에탄올(125 mL) 및 탈이온 초여과(DIUF)수(80 mL) 중 1-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-8-이소부틸벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘(8.43 g, 19.9 mmol, 2.1 당량)의 용액에 10 분 동안 질소를 살포하였다. 염화이리듐(III) 수화물(3.019 g, 9.54 mmol, 1.0 당량)을 첨가하고, 반응 혼합물을 18 시간 동안 95℃에서 가열하였다. 용액을 50℃로 냉각시키고, 고체를 여과하고, DIUF수(125 mL) 및 메탄올(125 mL)로 세정한 후, 공기 건조시켜 용매 습윤 디-μ-클로로-테트라키스-[(1-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-1'-일)-8-이소-부틸벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘-6-일]디이리듐(III)을 얻었다.1-(4-( tert -butyl)naphthalen-2-yl)-8-isobutylbenzo[4,5] in 2-ethoxyethanol (125 mL) and deionized ultrafiltration (DIUF) water (80 mL) A solution of thieno[2,3- c ]pyridine (8.43 g, 19.9 mmol, 2.1 equiv) was sparged with nitrogen for 10 minutes. Iridium(III) chloride hydrate (3.019 g, 9.54 mmol, 1.0 eq) was added and the reaction mixture was heated at 95° C. for 18 hours. The solution was cooled to 50° C., the solid was filtered, washed with DIUF water (125 mL) and methanol (125 mL), and dried in air to wet the solvent di- μ -chloro-tetrakis-[(1-(4 -( tert -butyl)naphthalen-2-yl)-1'-yl)-8-iso-butylbenzo[4,5]thieno[2,3- c ]pyridin-6-yl]diiridium(III) Got it.

다음으로, 2-에톡시에탄올(150 mL) 중 디-μ-클로로-테트라키스-[(1-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-1'-일)-8-이소부틸벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘-6-일]이리듐(III)(10.23 g, 4.77 mmol, 1.0 당량)의 용액에, 주사기를 통해 3,7-디-에틸노난-4,6-디온(5.516 g, 26.0 mmol, 5.45 당량)을 첨가하고, 반응 혼합물에 10 분 동안 질소를 살포하였다. 분말화된 탄산칼륨(5.317 g, 38.5 mmol, 8.07 당량)을 첨가하고, 반응 혼합물을 실온에서 72 시간 동안 교반하였다. DIUF수(150 mL)를 첨가하고, 혼합물을 30 분 동안 교반하였다. 현탁액을 여과하고, 고체를 DIUF수(250 mL) 및 메탄올(200 mL)로 세정한 후, 공기 건조시켰다. 미정제 적색 고체(16.6 g)를, 헥산 중 40% 디클로로메탄으로 용리하면서, 염기성 알루미나(468 g)로 층화된 실리카 겔(843 g) 상에서 크로마토그래프하여, 비스[(1-(4-(tert-부틸)나프탈렌-2-일)-1'-일)-8-이소부틸벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘-2-일]-(3,7-디에틸노난-4,6-디네이토-κ2O,O')이리듐(II)을 얻었다.Next, di- μ -chloro-tetrakis-[(1-(4-( tert -butyl)naphthalen-2-yl)-1'-yl)-8-iso in 2-ethoxyethanol (150 mL) To a solution of butylbenzo[4,5]thieno[2,3- c ]pyridin-6-yl]iridium(III) (10.23 g, 4.77 mmol, 1.0 equiv), 3,7-di-ethyl via syringe Nonane-4,6-dione (5.516 g, 26.0 mmol, 5.45 eq) was added, and the reaction mixture was sparged with nitrogen for 10 minutes. Powdered potassium carbonate (5.317 g, 38.5 mmol, 8.07 eq) was added, and the reaction mixture was stirred at room temperature for 72 hours. DIUF water (150 mL) was added and the mixture was stirred for 30 minutes. The suspension was filtered, and the solid was washed with DIUF water (250 mL) and methanol (200 mL), and then air dried. The crude red solid (16.6 g) was chromatographed on silica gel (843 g) layered with basic alumina (468 g), eluting with 40% dichloromethane in hexane, and bis[(1-(4-( tert -Butyl)naphthalen-2-yl)-1'-yl)-8-isobutylbenzo[4,5]thieno[2,3- c ]pyridin-2-yl]-(3,7-diethylnonane -4,6-dinato-κ 2 O,O') iridium (II) was obtained.

본 발명의 실시예 화합물 2의 합성:Synthesis of Example Compound 2 of the Invention:

Figure pat00187
Figure pat00187

8-이소부틸-1-(나프탈렌-2-일)벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘(2.40 g, 6.53 mmol, 2.2 당량) 및 염화이리듐(III) 사수화물(1.1 g, 2.97 mmol, 1.0 당량)을 40 mL 반응 바이알에 채웠다. 2-에톡시에탄올(15 mL) 및 DIUF수(5 mL)를 첨가하고, 반응 혼합물을 약 60 시간 동안 90℃에서 교반하였다. 1H-NMR 분석은, 출발 리간드의 완전한 소비를 나타냈다. 혼합물을 실온으로 냉각시키고, DIUF수(5 mL)로 희석하였다. 고체를 여과하고, 메탄올(20 mL)로 세정하여, 디-μ-클로로-테트라키스[1-(나프탈렌-2-일)-3'-일)-8-이소부틸-벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘-2-일)]-디이리듐(III)(1.42 g, 52% 수율)을 오렌지색 고체로서 얻었다.8-isobutyl-1-(naphthalen-2-yl)benzo[4,5]thieno[2,3- c ]pyridine (2.40 g, 6.53 mmol, 2.2 eq) and iridium(III) chloride tetrahydrate (1.1 g, 2.97 mmol, 1.0 eq) was charged into a 40 mL reaction vial. 2-Ethoxyethanol (15 mL) and DIUF water (5 mL) were added, and the reaction mixture was stirred at 90° C. for about 60 hours. 1 H-NMR analysis indicated complete consumption of the starting ligand. The mixture was cooled to room temperature and diluted with DIUF water (5 mL). The solid was filtered, washed with methanol (20 mL), and di- μ -chloro-tetrakis[1-(naphthalen-2-yl)-3'-yl)-8-isobutyl-benzo[4,5] Thieno[2,3- c ]pyridin-2-yl)]-diiridium(III) (1.42 g, 52% yield) was obtained as an orange solid.

3,7-디에틸노난-4,6-디온(1.180 g, 5.56 mmol, 8 당량), 미정제 디-μ-클로로-테트라키스[1-(나프탈렌-2-일)-3'-일)-8-이소부틸-벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘-2-일)]-디이리듐(III)(1.39 g, 0.722 mmol, 1.0 당량), 디클로로메탄(1 mL) 및 메탄올(25 mL)의 혼합물을 40 mL 바이알에 채웠다. 분말화된 탄산칼륨(1.152 g, 8.34 mmol, 12 당량)을 첨가하고, 혼합물에 5 분 동안 질소를 살포하였다. 밤새 45℃에서 가열한 후, 반응물을 실온으로 냉각시키고, DIUF수(50 mL)로 희석시켰다. 10 분 동안 교반한 후, 적오렌지색 고체를 여과하고, 물(20 mL)로, 그 다음 메탄올(100 mL)로 세정하고, 진공 하에서 건조시켰다. 고체를 디클로로메탄(200 mL)에 용해시키고, 셀라이트(50 g) 상에 건조 로딩시켰다. 생성물을 염기성 알루미나 상에서 크로마토그래프하여, 비스[(1-(나프탈렌-2-일)-3'-일)-8-이소부틸-벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘-2-일)]-(3,7-디에틸-4,6-노난디네이토-κ2O,O')이리듐(III)(0.705 g, 97.2% 순도, 43% 수율)을 적오렌지색 고체로서 얻었다.3,7-diethylnonane-4,6-dione (1.180 g, 5.56 mmol, 8 eq), crude di- μ -chloro-tetrakis[1-(naphthalen-2-yl)-3'-yl) -8-isobutyl-benzo[4,5]thieno[2,3- c ]pyridin-2-yl)]-diiridium(III) (1.39 g, 0.722 mmol, 1.0 equiv), dichloromethane (1 mL ) And methanol (25 mL) was charged into a 40 mL vial. Powdered potassium carbonate (1.152 g, 8.34 mmol, 12 eq) was added, and the mixture was sparged with nitrogen for 5 minutes. After heating at 45° C. overnight, the reaction was cooled to room temperature and diluted with DIUF water (50 mL). After stirring for 10 minutes, the red-orange solid was filtered, washed with water (20 mL), then methanol (100 mL), and dried under vacuum. The solid was dissolved in dichloromethane (200 mL) and dry loaded onto Celite (50 g). The product was chromatographed on basic alumina to obtain bis[(1-(naphthalen-2-yl)-3'-yl)-8-isobutyl-benzo[4,5]thieno[2,3-c]pyridine- 2-day)]-(3,7-diethyl-4,6-nonanedineto-κ 2 O,O') iridium (III) (0.705 g, 97.2% purity, 43% yield) red-orange solid Obtained as.

비교예 1 화합물의 합성:Synthesis of Comparative Example 1 Compound:

Figure pat00188
Figure pat00188

2-에톡시에탄올(12 mL) 및 DIUF수(4 mL) 중 8-이소부틸-1-(나프탈렌-1-일)벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘(1.695 g, 4.61 mmol, 2.0 당량)의 현탁액에 10 분 동안 질소를 살포하였다. 염화이리듐(III) 수화물(0.73 g, 2.31 mmol, 1.0 당량)을 첨가하고, 반응 혼합물을 18 시간 동안 100℃에서 가열하였다. 반응을 중지시키고, 실온으로 냉각시켰다. 생성된 적색 고체를 여과하고, 메탄올(3×5 mL)로 세정하여, 미정제의 추정된 중간체인 디-μ-클로로-테트라키스[1-(나프탈렌-1-일)-2'-일)-8-이소부틸-벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘-1-일)]-디이리듐(III)(추정치 1.153 mmol, 습윤)을 적색 고체로서 얻었다.8-isobutyl-1-(naphthalen-1-yl)benzo[4,5]thieno[2,3-c]pyridine (1.695 g) in 2-ethoxyethanol (12 mL) and DIUF water (4 mL) , 4.61 mmol, 2.0 eq) was sparged with nitrogen for 10 minutes. Iridium(III) chloride hydrate (0.73 g, 2.31 mmol, 1.0 eq) was added and the reaction mixture was heated at 100° C. for 18 hours. The reaction was stopped and cooled to room temperature. The resulting red solid was filtered, washed with methanol (3 x 5 mL), and the crude estimated intermediate, di- μ -chloro-tetrakis[1-(naphthalen-1-yl)-2'-yl) -8-Isobutyl-benzo[4,5]thieno[2,3-c]pyridin-1-yl)]-diiridium(III) (estimated 1.153 mmol, wet) was obtained as a red solid.

다음으로, 미정제 디-μ-클로로-테트라키스[1-(나프탈렌-1-일)-2'-일)-8-이소부틸-벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘-1-일)]-디이리듐(III)(추정치 1.153 mmol, 1.0 당량)을 메탄올(12 mL) 및 디클로로메탄(1 mL)에 현탁시켰다. 3,7-디에틸노난-4,6-디온(0.98 g, 4.61 mmol, 4.0 당량) 및 분말화된 탄산칼륨(0.96 g, 6.92 mmol, 6.0 당량)을 첨가하고, 반응 혼합물을 2 시간 동안 50℃에서 가열하여, 새로운 적색 현탁액을 형성시켰다. 반응물을 실온으로 냉각시키고, 물(10 mL)로 희석시켰다. 고체를 여과하고, 물(2×3 mL) 및 메탄올(3×1 mL)로 세정하였다. 적색 고체를 헵탄 중 0 내지 50% 디클로로메탄의 구배로 용리하면서 실리카 겔 컬럼 상에서 정제하여, 비스[(1-(나프탈렌-1-일)-2'-일)-8-이소부틸-벤조[4,5]티에노[2,3-c]피리딘-1-일)]-(3,7-디에틸-4,6-노난디네이토-κ2O,O')이리듐(III)을 얻었다.Next, crude di- μ -chloro-tetrakis[1-(naphthalen-1-yl)-2'-yl)-8-isobutyl-benzo[4,5]thieno[2,3-c] Pyridine-1-yl)]-diiridium(III) (estimated 1.153 mmol, 1.0 eq) was suspended in methanol (12 mL) and dichloromethane (1 mL). 3,7-diethylnonane-4,6-dione (0.98 g, 4.61 mmol, 4.0 eq) and powdered potassium carbonate (0.96 g, 6.92 mmol, 6.0 eq) were added, and the reaction mixture was 50 for 2 hours. Heating at °C forms a new red suspension. The reaction was cooled to room temperature and diluted with water (10 mL). The solid was filtered, washed with water (2 x 3 mL) and methanol (3 x 1 mL). The red solid was purified on a silica gel column, eluting with a gradient of 0-50% dichloromethane in heptane, and bis[(1-(naphthalen-1-yl)-2'-yl)-8-isobutyl-benzo[4 ,5] thieno[2,3- c ]pyridin-1-yl)]-(3,7-diethyl-4,6-nonanedineto-κ 2 O,O') iridium (III) was obtained. .

본 발명의 실시예 I, 본 발명의 실시예 2 및 비교예 1의 화합물의 포토루미네센스(PL) 스펙트럼을 실온에서 2-메틸THF 용액 중에서 취하고, 데이터를 도 3에 플롯으로 도시하였다. PL 강도를 제1 발광 피크의 최대로 정규화하였다. 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1 모두 포화된 적색을 나타냈다. 비교예 1과 비교하면, 본 발명의 실시예 1이 훨씬 좁은 발광을 나타냈다. 본 발명의 실시예 1의 제2 PL 피크의 강도가 비교예 1보다 낮음을 알 수 있다. 포화된 발광 색상, 더 좁은 발광 스펙트럼, 보다 구체적으로 제2 발광 피크로부터의 더 낮은 기여도가, 높은 전계발광 효율 및 더 낮은 전력 소비와 같은 향상된 장치 성능을 제공한다.Photoluminescence (PL) spectra of the compounds of Inventive Example I, Inventive Example 2, and Comparative Example 1 were taken in 2-methylTHF solution at room temperature, and the data are plotted in FIG. 3. PL intensity was normalized to the maximum of the first emission peak. Both of Example 1 and Comparative Example 1 of the present invention exhibited saturated red color. Compared with Comparative Example 1, Example 1 of the present invention exhibited a much narrower light emission. It can be seen that the intensity of the second PL peak of Example 1 of the present invention is lower than that of Comparative Example 1. Saturated emission color, narrower emission spectrum, more specifically a lower contribution from the second emission peak, provides improved device performance such as high electroluminescence efficiency and lower power consumption.

본원에 기술된 다양한 구체예는 단지 예시이며, 본 발명의 범위를 한정하려는 것이 아님을 이해해야 한다. 예를 들어, 본원에 기술된 다수의 물질 및 구조는 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않으면서 다른 물질 및 구조로 대체될 수 있다. 따라서, 특허 청구된 본 발명은 당업자에게 명백한 바와 같이, 본원에 기술된 특정 실시예 및 바람직한 구체예로부터 유래하는 변형예를 포함할 수도 있다. 본 발명이 왜 효과가 있는지에 관한 다양한 이론을 한정하려는 의도는 없음을 이해하여야 한다.It should be understood that the various embodiments described herein are by way of example only and are not intended to limit the scope of the invention. For example, many of the materials and structures described herein may be replaced with other materials and structures without departing from the spirit of the invention. Accordingly, the claimed invention may include variations derived from the specific and preferred embodiments described herein, as will be apparent to those skilled in the art. It should be understood that there is no intention to limit the various theories as to why the invention works.

Claims (20)

하기 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 또는 화학식 IV의 리간드 LA를 포함하는 화합물:
Figure pat00189

Figure pat00190

Figure pat00191

Figure pat00192

식 중,
고리 B는 독립적으로 5원 또는 6원 탄소환식 또는 헤테로환식 고리이고;
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 C, N 및 CR로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 X1 내지 X4 중 적어도 한쌍은 각각 C이고, 화학식 V
Figure pat00193
의 구조의 "
Figure pat00194
"로 표시된 부분에 융합되며;
X5 내지 X12는 각각 독립적으로 C 또는 N이고;
Z 및 Y는 각각 독립적으로 O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" 및 GeR'R"로 이루어진 군에서 선택되고;
RB 및 RC는 각각 독립적으로 이의 관련된 고리에 대한 무치환, 일치환 또는 최대까지 허용되는 치환을 나타내며;
RB, RC, R, R' 및 R" 각각은 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 보릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 2개의 치환기가 결합 또는 융합하여 고리를 형성할 수 있으며;
리간드 LA는 각각의 화학식의 2개의 표시된 점선을 통해 금속 M에 착물화하고;
리간드 LA는 다른 리간드와 결합하여, 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 형성할 수 있다.
Compounds comprising ligand L A of formula I, formula II, formula III or formula IV:
Figure pat00189

Figure pat00190

Figure pat00191

Figure pat00192

In the formula,
Ring B is independently a 5 or 6 membered carbocyclic or heterocyclic ring;
X 1 to X 4 are each independently selected from the group consisting of C, N and CR;
At least one pair of adjacent X 1 to X 4 is each C, and formula V
Figure pat00193
Of the structure of "
Figure pat00194
Fused to the portion marked with ";
Each of X 5 to X 12 is independently C or N;
Z and Y are each independently selected from the group consisting of O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" and GeR'R";
R B and R C each independently represent an unsubstituted, monosubstituted or maximum permissible substitution for its associated ring;
Each of R B , R C , R, R'and R" is independently hydrogen, or deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl , Cycloalkenyl, heteroalkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, acyl, carboxylic acid, ether, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, boryl, and combinations thereof It is a substituent selected from the group consisting of, Two substituents may be bonded or fused to form a ring;
Ligand L A complexes to metal M through the two indicated dotted lines of each formula;
Ligand L A can combine with other ligands to form a three-, four-, five- or six-dentate ligand.
제1항에 있어서, RB, RC, R, R' 및 R" 각각은 독립적으로 수소, 또는 중수소, 불소, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 아릴, 헤테로아릴, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 보릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기인 화합물.The method of claim 1, wherein each of R B , R C , R, R'and R" is independently hydrogen, or deuterium, fluorine, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl, A compound that is a substituent selected from the group consisting of cycloalkenyl, heteroalkenyl, aryl, heteroaryl, nitrile, isonitrile, sulfanyl, boryl, and combinations thereof. 제1항에 있어서, 고리 B는 6원 고리인 화합물.The compound of claim 1, wherein Ring B is a 6-membered ring. 제1항에 있어서, X1 내지 X4 각각은 독립적으로 C 또는 CR인 화합물.The compound of claim 1, wherein each of X 1 to X 4 is independently C or CR. 제1항에 있어서, 각각의 화학식 내 X1 내지 X4 중 적어도 하나는 N인 화합물.The compound of claim 1, wherein at least one of X 1 to X 4 in each formula is N. 제1항에 있어서, X5 내지 X12 각각은 C인 화합물.The compound of claim 1, wherein each of X 5 to X 12 is C. 제1항에 있어서, 각각의 화학식 내 X5 내지 X12 중 적어도 하나는 N인 화합물.The compound of claim 1, wherein at least one of X 5 to X 12 in each formula is N. 제1항에 있어서, 각각의 경우에 대해 Z는 독립적으로 O 또는 S인 화합물.The compound of claim 1, wherein for each occurrence Z is independently O or S. 제1항에 있어서, 각각의 화학식 내 적어도 하나의 RB는 독립적으로 알킬 또는 시클로알킬 기인 화합물.The compound of claim 1, wherein at least one R B in each formula is independently an alkyl or cycloalkyl group. 제1항에 있어서, 리간드 LA는 하기 구조로 이루어진 군에서 선택되는 화합물:
Figure pat00195

Figure pat00196
.
The compound of claim 1, wherein the ligand L A is selected from the group consisting of the following structures:
Figure pat00195

Figure pat00196
.
제1항에 있어서, 금속 M은 Os, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag 및 Au로 이루어진 군에서 선택되는 화합물.The compound of claim 1, wherein the metal M is selected from the group consisting of Os, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag and Au. 제1항에 있어서, 하기로 이루어진 군에서 선택되는 리간드 LA를 포함하는 화합물:
Figure pat00197

Figure pat00198

Figure pat00199

식 중, RB 각각은 동일 또는 상이할 수 있고, RC 각각은 동일 또는 상이할 수 있고,
각각의 경우에 대해 RB 및 RC는 독립적으로 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 보릴 및 이들의 조합에서 선택된다.
The compound according to claim 1, comprising a ligand L A selected from the group consisting of:
Figure pat00197

Figure pat00198

Figure pat00199

In the formula, each of R B may be the same or different, and each of R C may be the same or different,
For each occurrence R B and R C are independently deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl, cycloalkenyl, heteroal Kenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, acyl, carboxylic acid, ether, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, boryl, and combinations thereof.
제1항에 있어서, 화합물은 구조 1
Figure pat00200
를 베이스로 하는 L Ai -1, 구조 2
Figure pat00201
를 베이스로 하는 L Ai -2, 구조 3
Figure pat00202
를 베이스로 하는 L Ai -3, 구조 4
Figure pat00203
를 베이스로 하는 L Ai -4, 구조 5
Figure pat00204
를 베이스로 하는 L Ai -5, 구조 6
Figure pat00205
를 베이스로 하는 L Ai -6, 구조 7
Figure pat00206
를 베이스로 하는 L Ai -7, 구조 8
Figure pat00207
를 베이스로 하는 L Ai -8, 구조 9
Figure pat00208
를 베이스로 하는 L Ai -9, 구조 10
Figure pat00209
를 베이스로 하는 L Ai -10, 구조 11
Figure pat00210
를 베이스로 하는 L Ai -11, 구조 12
Figure pat00211
를 베이스로 하는 L Ai -12, 구조 13
Figure pat00212
를 베이스로 하는 L Ai -13, 구조 14
Figure pat00213
를 베이스로 하는 L Ai -14, 구조 15
Figure pat00214
를 베이스로 하는 L Ai -15, 구조 16
Figure pat00215
를 베이스로 하는 L Ai -16, 구조 17
Figure pat00216
를 베이스로 하는 L Ai -17, 구조 18
Figure pat00217
를 베이스로 하는 L Ai -18, 구조 19
Figure pat00218
를 베이스로 하는 L Ai -19, 구조 20
Figure pat00219
를 베이스로 하는 L Ai -20, 구조 21
Figure pat00220
를 베이스로 하는 L Ai -21, 구조 22
Figure pat00221
를 베이스로 하는 L Ai -22, 구조 23
Figure pat00222
를 베이스로 하는 L Ai -23, 구조 24
Figure pat00223
를 베이스로 하는 L Ai -24, 구조 25
Figure pat00224
를 베이스로 하는 L Ai -25, 구조 26
Figure pat00225
를 베이스로 하는 L Ai -26, 구조 27
Figure pat00226
를 베이스로 하는 L Ai -27, 구조 28
Figure pat00227
를 베이스로 하는 L Ai -28, 구조 29
Figure pat00228
를 베이스로 하는 L Ai -29, 구조 30
Figure pat00229
를 베이스로 하는 L Ai -30, 구조 31
Figure pat00230
를 베이스로 하는 L Ai -31, 구조 32
Figure pat00231
를 베이스로 하는 L Ai -32, 구조 33
Figure pat00232
를 베이스로 하는 L Ai -33, 구조 34
Figure pat00233
를 베이스로 하는 L Ai -34, 및 구조 35
Figure pat00234
를 베이스로 하는 L Ai -35로 이루어진 군에서 선택되는 리간드 LA를 포함하며, 여기서 i는 1 내지 1336의 정수이고, 각각의 i에 대해, RE, RF 및 G는 하기와 같이 정의되며:
Figure pat00235

Figure pat00236

Figure pat00237

Figure pat00238

Figure pat00239

Figure pat00240

Figure pat00241

Figure pat00242

Figure pat00243

Figure pat00244

Figure pat00245

Figure pat00246

Figure pat00247

Figure pat00248

Figure pat00249

Figure pat00250

Figure pat00251

여기서, RE 및 RF는 구조
Figure pat00252

Figure pat00253

를 가지며,
여기서, G1 내지 G14는 구조
Figure pat00254

를 갖는 화합물.
The method of claim 1, wherein the compound is structure 1
Figure pat00200
L Ai -1 based on , structure 2
Figure pat00201
L Ai -2 based on , structure 3
Figure pat00202
L Ai -3 based on , structure 4
Figure pat00203
L Ai -4 based on , structure 5
Figure pat00204
L Ai -5 based on , structure 6
Figure pat00205
L Ai -6 based on , structure 7
Figure pat00206
L Ai -7 based on , structure 8
Figure pat00207
L Ai -8 based on , structure 9
Figure pat00208
L Ai -9 based on , structure 10
Figure pat00209
L Ai -10 based on , structure 11
Figure pat00210
L Ai -11 based on , structure 12
Figure pat00211
L Ai -12 based on , structure 13
Figure pat00212
L Ai -13 based on , structure 14
Figure pat00213
L Ai -14 based on , structure 15
Figure pat00214
L Ai -15 based on , structure 16
Figure pat00215
L Ai -16 based on , structure 17
Figure pat00216
L Ai -17 based on , structure 18
Figure pat00217
L Ai -18 based on , structure 19
Figure pat00218
L Ai -19 based on , structure 20
Figure pat00219
L Ai -20 based on , structure 21
Figure pat00220
L Ai -21 based on , structure 22
Figure pat00221
L Ai -22 based on , structure 23
Figure pat00222
L Ai- 23 based on , structure 24
Figure pat00223
L Ai -24 based on , structure 25
Figure pat00224
L Ai -25 based on , structure 26
Figure pat00225
L Ai -26 based on , structure 27
Figure pat00226
L Ai -27 based on , structure 28
Figure pat00227
L Ai -28 based on , structure 29
Figure pat00228
L Ai -29 based on , structure 30
Figure pat00229
L Ai- 30 based on , structure 31
Figure pat00230
L Ai -31 based on , structure 32
Figure pat00231
L Ai -32 based on , structure 33
Figure pat00232
L Ai -33 based on , structure 34
Figure pat00233
L Ai -34 based on , and structure 35
Figure pat00234
It includes a ligand L A selected from the group consisting of L Ai -35 based on, where i is an integer from 1 to 1336, and for each i , R E , R F and G are defined as follows :
Figure pat00235

Figure pat00236

Figure pat00237

Figure pat00238

Figure pat00239

Figure pat00240

Figure pat00241

Figure pat00242

Figure pat00243

Figure pat00244

Figure pat00245

Figure pat00246

Figure pat00247

Figure pat00248

Figure pat00249

Figure pat00250

Figure pat00251

Where R E and R F are structures
Figure pat00252

Figure pat00253

Has,
Here, G 1 to G 14 are structures
Figure pat00254

Compound having.
제1항에 있어서, 화합물은 M(LA)p(LB)q(LC)r의 화학식을 가지며, 식 중, LB 및 LC는 각각 두자리 리간드이고; 여기서 p는 1, 2 또는 3이고; q는 0, 1 또는 2이며; r은 0, 1 또는 2이고; p+q+r은 금속 M의 산화 상태인 화합물.The compound of claim 1, wherein the compound has the formula M(L A ) p (L B ) q (L C ) r , wherein L B and L C are each bidentate ligand; Where p is 1, 2 or 3; q is 0, 1 or 2; r is 0, 1 or 2; p+q+r is a compound in the oxidation state of metal M. 제14항에 있어서, LB 및 LC는 각각 독립적으로 하기로 이루어진 군에서 선택되는 화합물:
Figure pat00255

Figure pat00256

식 중,
각각의 Y1 내지 Y13은 독립적으로 탄소 및 질소로 이루어진 군에서 선택되며; Y'는 BRe, NRe, PRe, O, S, Se, C=O, S=O, SO2, CReRf, SiReRf 및 GeReRf로 이루어진 군에서 선택되고;
Re 및 Rf는 융합 또는 결합되어 고리를 형성할 수 있고;
각각의 Ra, Rb, Rc 및 Rd는 독립적으로 이의 관련된 고리에 대한 무치환, 일치환 또는 최대까지 허용되는 치환을 나타내며;
Ra, Rb, Rc, Rd, Re 및 Rf 각각은 독립적으로 수소, 또는 수소, 중수소, 할라이드, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 보릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고;
Ra, Rb, Rc 및 Rd 중 2개의 인접한 치환기는 융합 또는 결합되어, 고리를 형성하거나 또는 여러자리 리간드를 형성할 수 있다.
The compound of claim 14, wherein L B and L C are each independently selected from the group consisting of:
Figure pat00255

Figure pat00256

In the formula,
Each of Y 1 to Y 13 is independently selected from the group consisting of carbon and nitrogen; Y'is selected from the group consisting of BR e , NR e , PR e , O, S, Se, C=O, S=O, SO 2 , CR e R f , SiR e R f and GeR e R f ;
R e and R f may be fused or bonded to form a ring;
Each of R a , R b , R c and R d independently represents an unsubstituted, mono- or up to maximum permissible substitution for its associated ring;
Each of R a , R b , R c , R d , R e and R f is independently hydrogen, or hydrogen, deuterium, halide, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, Alkenyl, cycloalkenyl, heteroalkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, acyl, carbonyl, carboxylic acid, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, boryl and these It is a substituent selected from the group consisting of a combination of;
Two adjacent substituents of R a , R b , R c and R d may be fused or bonded to form a ring or a multidentate ligand.
제13항에 있어서, 화합물은 일반식 Ir(LA i - m )2(LC j-I )를 베이스로 하는 Ir(LA 1 - 1 )2(LC 1-I ) 내지 Ir(LA 1336 - 35 )2(LC 768-I ), 및 일반식 Ir(LA i - m )2(LC j-II )를 베이스로 하는 Ir(LA 1 - 1 )2(LC 1-II ) 내지 Ir(LA 1336 - 35 )2(LC 768-II )로 이루어진 군에서 선택되고, 식 중, i는 1 내지 1336의 정수이고, m은 1 내지 35의 정수이며, j는 1 내지 768의 정수이고, 여기서 LC j -I
Figure pat00257
의 구조를 베이스로 하는 넘버링 일반식 LC j- I를 갖는 LC1-I 내지 LC768-I의 화합물로 이루어지고, LC j -II
Figure pat00258
의 구조를 베이스로 하는 넘버링 일반식 LC j- II를 갖는 LC1-II 내지 LC768-II의 화합물로 이루어지며, 여기서 LC j -I 및 LC j -II에 대해 R1' 및 R2'는 각각 독립적으로 하기와 같이 정의되며:
Figure pat00259

Figure pat00260

Figure pat00261

Figure pat00262

Figure pat00263

Figure pat00264

Figure pat00265

Figure pat00266

여기서, RD1 내지 RD192는 구조
Figure pat00267

Figure pat00268

Figure pat00269

Figure pat00270

를 갖는 화합물.
14. The method of claim 13 wherein the compound of the general formula Ir (L A i - m) 2 Ir of the (L C jI) to the base (L A 1 - 1) 2 (L C 1-I) to Ir (L A 1336 - 35) 2 (L C 768 -I), and formula Ir (L a i - m) 2 (L C j-II Ir (L a 1 to the base) - 1) 2 (L C 1-II ) to Ir (L a 1336 - 35) 2 ( is selected from the group consisting of L C 768-II), wherein, i is an integer from 1 to 1336, m is an integer from 1 to 35, j is 1 to Is an integer of 768, where L C j -I is
Figure pat00257
Consists of a compound of L C1-I to L C768-I having the numbering general formula L C j- I based on the structure of, L C j -II is
Figure pat00258
Consists of compounds of L C1-II to L C768-II having the numbering general formula L C j- II based on the structure of, wherein R 1′ and R for L C j -I and L C j -II 2 'is defined as follows, each independently:
Figure pat00259

Figure pat00260

Figure pat00261

Figure pat00262

Figure pat00263

Figure pat00264

Figure pat00265

Figure pat00266

Here, R D1 to R D192 are structures
Figure pat00267

Figure pat00268

Figure pat00269

Figure pat00270

Compound having.
제1항에 있어서, 하기로 이루어진 군에서 선택되는 화합물:
Figure pat00271

Figure pat00272
.
The compound of claim 1 selected from the group consisting of:
Figure pat00271

Figure pat00272
.
제1항에 있어서, 하기로 이루어진 군에서 선택되는 화합물:
Figure pat00273

Figure pat00274

Figure pat00275

Figure pat00276

Figure pat00277

Figure pat00278

Figure pat00279
.
The compound of claim 1 selected from the group consisting of:
Figure pat00273

Figure pat00274

Figure pat00275

Figure pat00276

Figure pat00277

Figure pat00278

Figure pat00279
.
하기로 이루어진 군에서 선택되는 화합물:
Figure pat00280

Figure pat00281

Figure pat00282

Figure pat00283

Figure pat00284

Figure pat00285

Figure pat00286

Figure pat00287

Figure pat00288

Figure pat00289

Figure pat00290

Figure pat00291

Figure pat00292
.
Compounds selected from the group consisting of:
Figure pat00280

Figure pat00281

Figure pat00282

Figure pat00283

Figure pat00284

Figure pat00285

Figure pat00286

Figure pat00287

Figure pat00288

Figure pat00289

Figure pat00290

Figure pat00291

Figure pat00292
.
애노드;
캐소드; 및
애노드와 캐소드 사이에 배치된 유기층
을 포함하며,
상기 유기층은 하기 화학식 I, 화학식 II, 화학식 III 또는 화학식 IV의 리간드 LA를 포함하는 화합물을 포함하는 유기 발광 디바이스(OLED):
Figure pat00293

Figure pat00294

Figure pat00295

Figure pat00296

식 중,
고리 B는 독립적으로 5원 또는 6원 탄소환식 또는 헤테로환식 고리이고;
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 C, N 및 CR로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 X1 내지 X4 중 적어도 한쌍은 각각 C이고, 화학식 V
Figure pat00297
의 구조의 "
Figure pat00298
"로 표시된 부분에 융합되며;
X5 내지 X12는 각각 독립적으로 C 또는 N이고;
Z 및 Y는 각각 독립적으로 O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" 및 GeR'R"로 이루어진 군에서 선택되고;
RB 및 RC는 각각 독립적으로 이의 관련된 고리에 대한 무치환, 일치환 또는 최대까지 허용되는 치환을 나타내며;
RB, RC, R, R' 및 R" 각각은 독립적으로 수소, 또는 중수소, 할로겐, 알킬, 시클로알킬, 헤테로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴알킬, 알콕시, 아릴옥시, 아미노, 실릴, 알케닐, 시클로알케닐, 헤테로알케닐, 알키닐, 아릴, 헤테로아릴, 아실, 카르복실산, 에테르, 에스테르, 니트릴, 이소니트릴, 술파닐, 술피닐, 술포닐, 포스피노, 보릴 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 치환기이고; 2개의 치환기가 결합 또는 융합하여 고리를 형성할 수 있으며;
리간드 LA는 각각의 화학식의 2개의 표시된 점선을 통해 금속 M에 착물화하고;
리간드 LA는 다른 리간드와 결합하여, 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리 리간드를 형성할 수 있다.
Anode;
Cathode; And
Organic layer disposed between anode and cathode
Including,
The organic layer is an organic light emitting device (OLED) comprising a compound comprising a ligand L A of the following formula (I), (II), (III) or (IV):
Figure pat00293

Figure pat00294

Figure pat00295

Figure pat00296

In the formula,
Ring B is independently a 5 or 6 membered carbocyclic or heterocyclic ring;
X 1 to X 4 are each independently selected from the group consisting of C, N and CR;
At least one pair of adjacent X 1 to X 4 is each C, and formula V
Figure pat00297
Of the structure of "
Figure pat00298
Fused to the portion marked with ";
Each of X 5 to X 12 is independently C or N;
Z and Y are each independently selected from the group consisting of O, S, Se, NR', CR'R", SiR'R" and GeR'R";
R B and R C each independently represent an unsubstituted, monosubstituted or maximum permissible substitution for its associated ring;
Each of R B , R C , R, R'and R" is independently hydrogen, or deuterium, halogen, alkyl, cycloalkyl, heteroalkyl, heterocycloalkyl, arylalkyl, alkoxy, aryloxy, amino, silyl, alkenyl , Cycloalkenyl, heteroalkenyl, alkynyl, aryl, heteroaryl, acyl, carboxylic acid, ether, ester, nitrile, isonitrile, sulfanyl, sulfinyl, sulfonyl, phosphino, boryl, and combinations thereof It is a substituent selected from the group consisting of, Two substituents may be bonded or fused to form a ring;
Ligand L A complexes to metal M through the two indicated dotted lines of each formula;
Ligand L A can combine with other ligands to form a three-, four-, five- or six-dentate ligand.
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