KR20200117651A - Apparatus for Micro Electrode Array for Neural Signals Measurement and Optical Stimulus - Google Patents

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Abstract

Disclosed are a device for micro electrode array for neural signal measurement and photic simulation. According to an embodiment of the present invention, the device for micro electrode array may comprise: a substrate; a light emitting diode disposed on part of the substrate and emitting light; a first wiring connected to the light emitting diode; a first insulating layer applied on the substrate and applied on the light emitting diode and the first wiring on the substrate; an electrode disposed on part of the first insulating layer to transmit and receive neural signals; a second wiring connected to the electrode; and a second insulating layer applied on the first insulating layer excluding a partial region of the electrode.

Description

신경 신호 측정 및 광자극용 미세 전극 배열장치{Apparatus for Micro Electrode Array for Neural Signals Measurement and Optical Stimulus}[Apparatus for Micro Electrode Array for Neural Signals Measurement and Optical Stimulus}

본 발명은 대상체에 광자극을 전달하고, 대상체의 신경을 활성화하거나 대상체로부터 신경 신호를 획득하기 위한 미세 전극 배열 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for arranging microelectrodes for transmitting photostimulation to an object, activating nerves of the object, or acquiring nerve signals from the object.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 발명의 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information on the embodiments of the present invention and does not constitute the prior art.

미세 전극 배열장치(MEA: Micro Electrode Array)는 신경 신호를 얻거나 전달하는 다중 미세 전극을 포함하는 장치로, 뉴런과 전자 회로를 연결하는 신경 인터페이스 장치로서 역할을 한다. A microelectrode array (MEA) is a device including multiple microelectrodes that obtain or transmit neural signals, and serves as a neural interface device connecting neurons and electronic circuits.

일반적인 상업화된 미세 전극 배열장치 는 딱딱한 유리나 사파이어 기판 위에 투명성 및 유연성이 떨어지는 금속 전극이나 ITO 기반으로 제작되었기 때문에, 체내(in-vivo) 실험 등 다양한 플렉시블 응용 측면에서 한계가 있다.Since the general commercialized microelectrode array device is manufactured on a hard glass or sapphire substrate based on a metal electrode or ITO that is inferior in transparency and flexibility, there are limitations in various flexible applications such as in-vivo experiments.

현재까지 빛을 통한 실험을 진행하기 위해서는 미세 전극 배열장치와는 별도의 발광 장치를 구비해야만 했다. 이러한 상황은 오직 뉴런의 신호만을 측정하는 연구에 국한되게 되고, 광유전학(optogenetics) 기술에 대한 연구가 진전되기 어려웠다. Until now, in order to conduct an experiment through light, a separate light emitting device from the microelectrode array device had to be provided. This situation has been limited to studies that measure only the signals of neurons, and it has been difficult for research on optogenetics technology to proceed.

이에, 본 발명에서는 투명하고 유연한 그래핀 기반 미세 전극 배열장치에 발광 다이오드를 집적함으로써, 기존의 미세 전극 배열장치의 문제점 및 기계적 한계를 극복하고자 한다.Accordingly, in the present invention, by integrating a light emitting diode into a transparent and flexible graphene-based microelectrode array device, it is intended to overcome the problems and mechanical limitations of the existing microelectrode array device.

본 발명은 투명하고 유연한 그래핀 기반 미세 전극 배열장치에 마이크로 발광 다이오드를 집적하여 대상체에 광자극을 전달하고, 대상체의 신경을 활성화하거나 대상체로부터 신경 신호를 획득하기 위한 신경 신호 측정 및 광자극용 미세 전극 배열장치를 제공하는 데 주된 목적이 있다.The present invention integrates micro light-emitting diodes into a transparent and flexible graphene-based microelectrode array device to deliver photostimulation to an object, activate nerves of the object, or acquire nerve signals from the object, The main purpose is to provide an electrode arrangement.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 목적을 달성하기 위한 미세 전극 배열장치는, 기판; 상기 기판 상의 일부에 배치되어 빛을 발산하는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드에 연결되는 제1 배선; 상기 기판 상에 도포되며, 상기 기판 상의 발광 다이오드 및 상기 제1 배선 위에 도포되는 제1 절연층; 상기 제1 절연층 상의 일부에 배치되어 신경신호를 송수신하는 전극; 상기 전극에 연결되는 제2 배선; 및 상기 전극의 일부 영역을 제외하고 상기 제1 절연층 상에 도포되는 제2 절연층을 포함할 수 있다. According to an aspect of the present invention, an apparatus for arranging fine electrodes for achieving the above object includes: a substrate; A light emitting diode disposed on a portion of the substrate to emit light; A first wiring connected to the light emitting diode; A first insulating layer applied on the substrate and applied on the light emitting diode and the first wiring on the substrate; An electrode disposed on a portion of the first insulating layer to transmit and receive neural signals; A second wiring connected to the electrode; And a second insulating layer applied on the first insulating layer excluding a partial region of the electrode.

또한, 본 발명의 다른 측면에 의하면, 상기 목적을 달성하기 위한 미세 전극 배열장치는, 기판; 상기 기판 상의 일부에 배치되어 자외선을 방출하는 자외선(UV: Ultraviolet Ray) 발광 다이오드; 상기 기판 상에 도포되며, 상기 기판 상의 상기 자외선 발광 다이오드 위에 도포되는 제1 절연층; 상기 자외선을 필터링하여 적색, 녹색 및 청색 중 적어도 하나의 색을 추출하며, 상기 제1 절연층 상에 일정한 간격으로 배치된 컬러 필터; 상기 컬러 필터 상에 배치되어 신경신호를 송수신하는 전극; 상기 전극에 연결되는 제2 배선; 및 상기 전극의 일부 영역을 제외하고 상기 제1 절연층 상에 도포되는 제2 절연층을 포함할 수 있다. In addition, according to another aspect of the present invention, a fine electrode array device for achieving the above object, a substrate; Ultraviolet Ray (UV) light emitting diodes disposed on a portion of the substrate to emit ultraviolet rays; A first insulating layer applied on the substrate and applied on the ultraviolet light emitting diode on the substrate; A color filter that filters the ultraviolet light to extract at least one color of red, green, and blue, and is disposed on the first insulating layer at regular intervals; An electrode disposed on the color filter to transmit and receive neural signals; A second wiring connected to the electrode; And a second insulating layer applied on the first insulating layer excluding a partial region of the electrode.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 마이크로 LED를 그래핀 전극 하단에 집적하여 빛을 자유롭게 조사할 수 있는 효과가 있다. As described above, the present invention has the effect of freely irradiating light by integrating the micro LED under the graphene electrode.

또한, 본 발명은 그래핀 전극 및 마이크로 LED 적용함으로써, 유연한 기판에 집적할 수 있는 효과가 있다. In addition, the present invention has an effect that can be integrated on a flexible substrate by applying a graphene electrode and a micro LED.

또한, 본 발명은 red, green, blue 세가지 LED를 집적할 수 있어 다양한 파장의 빛을 조사하며 그에 따른 뉴런의 반응을 그래핀 전극으로 in-situ 측정을 수행할 수 있는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, since three LEDs of red, green, and blue can be integrated, light of various wavelengths is irradiated, and the reaction of neurons accordingly can be measured in-situ with a graphene electrode.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 구현한 형상을 나타낸 예시도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치의 상면도를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.
도 10는 본 발명의 제7 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치에 접합된 발광 다이오드를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 미세 전극 배열장치에 접합된 발광 다이오드를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 제1 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 구현한 형상을 나타낸 예시도이다.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치에 접합된 발광 다이오드와 어레이를 나타낸 예시도이다.
1 is a side cross-sectional view of a microelectrode arrangement device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a view for explaining a process of manufacturing the microelectrode array device according to the first embodiment of the present invention.
3A and 3B are exemplary views showing a shape of the microelectrode arrangement device according to the first embodiment of the present invention.
4 is a view showing a top view of a fine electrode array device according to a second embodiment of the present invention.
5 is a side cross-sectional view of a microelectrode arrangement device according to a second embodiment of the present invention.
6A and 6B are side cross-sectional views of a microelectrode array device according to a third embodiment of the present invention.
7 is a side cross-sectional view of an apparatus for arranging microelectrodes according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is a side cross-sectional view of a microelectrode arrangement device according to a fifth embodiment of the present invention.
9 is a side cross-sectional view of an apparatus for arranging microelectrodes according to a sixth embodiment of the present invention.
10 is a side cross-sectional view of a micro-electrode arrangement device according to a seventh embodiment of the present invention.
11 is a view for explaining a process of manufacturing a light emitting diode bonded to the microelectrode array device according to the second embodiment of the present invention.
12 is a view for explaining a process of manufacturing a light emitting diode bonded to the microelectrode array device according to the third embodiment of the present invention.
13 is an exemplary view showing a shape of implementing the microelectrode arrangement device according to the first embodiment according to the embodiment of the present invention.
14A and 14B are exemplary views showing a light emitting diode and an array bonded to the microelectrode array device according to the second embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 이하에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명할 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다. 이하에서는 도면들을 참조하여 본 발명에서 제안하는 신경 신호 측정용 미세 전극 배열장치에 대해 자세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, when it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the subject matter of the present invention, a detailed description thereof will be omitted. In addition, a preferred embodiment of the present invention will be described below, but the technical idea of the present invention is not limited thereto or is not limited thereto, and may be modified and variously implemented by a person skilled in the art. Hereinafter, with reference to the drawings, a detailed description will be given of the microelectrode arrangement device for measuring neural signals proposed in the present invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다. 1 is a side cross-sectional view of a microelectrode arrangement device according to a first embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(100)는 기판(110), 전극(120), 배선(130) 및 절연층(140)을 포함한다. 도 1의 미세 전극 배열장치(100)는 일 실시예에 따른 것으로서, 도 1에 도시된 모든 블록이 필수 구성요소는 아니며, 다른 실시예에서 미세 전극 배열장치(100)에 포함된 일부 블록이 추가, 변경 또는 삭제될 수 있다. The microelectrode array device 100 according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 110, an electrode 120, a wiring 130, and an insulating layer 140. The microelectrode arrangement apparatus 100 of FIG. 1 is according to an embodiment, and not all blocks shown in FIG. 1 are essential components, and some blocks included in the microelectrode arrangement apparatus 100 are added in other embodiments. , May be changed or deleted.

미세 전극 배열장치(100)는 그래핀 소재로 제작된 전극(120)의 일부 영역만이 대상체의 조직과 접촉하여 신경신호를 송수신하며, 나머지 영역은 SU-8 재질을 사용한 절연층(140)에 의해 절연된다. The microelectrode arrangement device 100 transmits and receives nerve signals by contacting the tissue of the object by only a part of the electrode 120 made of graphene material, and the remaining areas are in the insulating layer 140 made of SU-8 material. Insulated by

기판(110)은 기본적으로 유리(Glass) 또는 사파이어(Sapphire)로 구현될 수 있으나, 플렉서블(Flexible)한 성질을 갖는 미세 전극 배열장치(100)를 제작하기 위하여 플라스틱, 고무 등과 같은 재질을 사용하여 제작될 수 있다. 즉, 곡면을 갖는 대상체에 부착 가능하도록 투명하면서 플렉서블(Flexible)한 재질로 구현될 수 있다. The substrate 110 may be basically made of glass or sapphire, but a material such as plastic or rubber is used to fabricate the microelectrode array device 100 having a flexible property. Can be made. That is, it may be implemented with a transparent and flexible material so that it can be attached to an object having a curved surface.

또한, 기판(110)은 별도의 발광 장치(미도시)로부터 전달되는 빛을 투과시키기 위하여 투명한 재질을 사용하여 제작될 수 있다. Further, the substrate 110 may be manufactured using a transparent material to transmit light transmitted from a separate light emitting device (not shown).

전극(120)은 기판(110) 상의 일부에 배치되며, 미세 전극 배열장치(100)와 접하는 대상체로 신경신호를 송신하거나 대상체로부터 신경신호(응답신호)를 수신하는 동작을 수행한다. The electrode 120 is disposed on a part of the substrate 110 and performs an operation of transmitting a neural signal to an object in contact with the microelectrode arrangement device 100 or receiving a neural signal (response signal) from the object.

전극(120)은 소정의 너비(122) 및 두께(124)를 갖는 형태로 제작된다. 예를 들어, 전극(120)은 1.5 nm 미만의 두께를 갖고, 기판(110) 상측면에 60 um 내지 110 um 사이의 너비를 갖는 형태로 구현될 수 있다. 여기서, 전극(120)은 신경신호를 송수신할 수 있는 최대 두께 미만으로 형성되는 것이 바람직하고, 전극(120)의 너비는 신경 신호를 송수신하기 위하여 전극(120) 상에 형성된 전극 홀의 너비보다 크게 형성되는 것이 바람직하다. The electrode 120 is manufactured in a shape having a predetermined width 122 and a thickness 124. For example, the electrode 120 may have a thickness of less than 1.5 nm, and may be implemented in a shape having a width between 60 um and 110 um on the upper surface of the substrate 110. Here, the electrode 120 is preferably formed to be less than the maximum thickness that can transmit and receive nerve signals, the width of the electrode 120 is formed larger than the width of the electrode hole formed on the electrode 120 to transmit and receive nerve signals. It is desirable to be.

전극(120)은 플렉서블(Flexible)하고 투명하면서 전도성을 갖는 소재로 제작될 수 있다. 여기서, 전극(120)은 그래핀(Graphene) 재질로 형성되는 것이 바람직하나 플렉서블하고 투명하면서 전도성을 갖는 다양한 소재로 구현될 수 있다. 여기서, 전극(120)은 복수의 그래핀 층을 적층하여 형설될 수 있으며, 예를 들어 4 레이어(Layer)로 적층된 그래핀 층으로 형성될 수 있다. The electrode 120 may be made of a flexible, transparent, and conductive material. Here, the electrode 120 is preferably formed of a graphene material, but may be implemented with a variety of flexible, transparent, and conductive materials. Here, the electrode 120 may be formed by stacking a plurality of graphene layers, and may be formed of, for example, a graphene layer stacked in four layers.

전극(120)은 전극(120)의 일부 영역을 제외하여 도포된 절연층(140)에 의해 형성된 전극 홀을 통해 대상체로 신경 신호를 전달하거나, 대상체로부터 발생하는 신경 신호를 획득할 수 있다. 여기서, 전극 홀의 너비(152)는 50 um 내지 100 um 사이의 크기로 구현될 수 있다. The electrode 120 may transmit a nerve signal to the object or obtain a nerve signal generated from the object through an electrode hole formed by the coated insulating layer 140 excluding a partial area of the electrode 120. Here, the width 152 of the electrode hole may be implemented in a size between 50 um and 100 um.

한편, 전극(120)은 별도의 발광 장치(미도시)로부터 발산된 빛을 투과시켜 대상체로 입사되도록 하고, 빛에 대한 대상체의 응답신호을 측정할 수 있다. Meanwhile, the electrode 120 transmits light emitted from a separate light emitting device (not shown) to be incident on the object, and measures a response signal of the object to the light.

배선(130)은 전극(120)의 일부 영역과 접하는 형태로 형성되며, 전극(120)의 동작을 제어하기 위한 전기 신호를 전달한다. 배선(130)은 금(Au)으로 구현되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 전도성 소재로 구현될 수 있다. The wiring 130 is formed to be in contact with a partial region of the electrode 120 and transmits an electrical signal for controlling the operation of the electrode 120. The wiring 130 is preferably made of gold (Au), but is not limited thereto, and may be made of various conductive materials.

배선(130)은 기판(110) 상에 형성되며, 배선(130)의 두께(132)는 전극(120)의 두께(124)보다 두껍게 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 배선(130)의 두께(132)는 30 nm 내지 50 nm 사이의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. The wiring 130 is formed on the substrate 110, and the thickness 132 of the wiring 130 is preferably formed to be thicker than the thickness 124 of the electrode 120. For example, the thickness 132 of the wiring 130 is preferably formed to a thickness between 30 nm and 50 nm.

절연층(140)은 전극(120)의 일부 영역을 제외하고 기판(110) 상에 절연 물질을 도포하여 형성된다. 구체적으로, 절연층(140)은 기판(110), 기판(110) 상에 형성된 전극(120), 배선(130) 등의 위에 형성되며, 전극(120)의 일부 영역을 제외하여 전극 홀을 형성한다. The insulating layer 140 is formed by coating an insulating material on the substrate 110 except for a partial region of the electrode 120. Specifically, the insulating layer 140 is formed on the substrate 110, the electrode 120 formed on the substrate 110, the wiring 130, etc., excluding a partial region of the electrode 120 to form an electrode hole do.

절연층(140)의 두께(142)는 2 um 내지 5 um 사이의 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 절연층(140)을 통해 형성된 전극 홀의 너비(152)는 50 um 내지 100 um 사이의 크기로 형성될 수 있다. The thickness 142 of the insulating layer 140 is preferably formed to a thickness between 2 um and 5 um, and the width 152 of the electrode hole formed through the insulating layer 140 is between 50 um and 100 um. Can be formed.

절연층(140)은 SU-8 코팅층으로 구현되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The insulating layer 140 is preferably implemented as an SU-8 coating layer, but is not limited thereto.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이다. 2 is a view for explaining a process of manufacturing the microelectrode array device according to the first embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(100)는 다음과 같은 공정을 통해 제작될 수 있다. The microelectrode array device 100 according to the first embodiment of the present invention may be manufactured through the following process.

도 2의 (a)에서, 단층 그래핀은 화학 기상 증착(CVD) 방법을 사용하여 20 um 내지 30 um 두께의 구리 박막에 증착되었다. In (a) of FIG. 2, single-layer graphene was deposited on a copper thin film having a thickness of 20 um to 30 um using a chemical vapor deposition (CVD) method.

도 2의 (b)에서, PMMA는 지지층의 방식으로 단층 그래핀 상에 코팅되고, 하부 구리 박막은 황산 암모늄 수용액에 의해 에칭된다.In (b) of FIG. 2, PMMA is coated on single-layer graphene in the manner of a support layer, and the lower copper thin film is etched by an aqueous ammonium sulfate solution.

이후, 도 2의 (c)에서, PMMA 코팅된 그래핀은 구리 박막 위에 있는 다른 그래핀 위에 옮겨지며, 이러한 에칭 및 스태킹 프로세스는 기 설정된 그래핀 층 개수가 형성될 때까지 반복된다. Thereafter, in (c) of FIG. 2, the PMMA-coated graphene is transferred onto another graphene on a copper thin film, and this etching and stacking process is repeated until a preset number of graphene layers is formed.

도 2의 (d)에서, 금 트랙 재료는 Lift-off 공정을 통해 패턴화된다. 금 트랙 재료를 증착하기에 앞서 네거티브 포토레지스트를 형성하고자 하는 금 트랙의 패턴에 따라 패턴화된다. 구체적으로, 금 트랙 재료는 열 증착 방법에 의해 패턴된 네거티브 포토레지스트 위에 증착되고, 아세톤과 같은 포토레지스트 용해액에 의해 금 트랙 재료 하단의 포토레지스트가 용해되어 금 트랙 재료를 제거함으로써 패턴화된다.In Fig. 2(d), the gold track material is patterned through a lift-off process. Prior to depositing the gold track material, it is patterned according to the pattern of the gold track to form a negative photoresist. Specifically, the gold track material is deposited on the patterned negative photoresist by a thermal evaporation method, and the photoresist under the gold track material is dissolved by a photoresist solution such as acetone to remove the gold track material.

도 2의 (e)에서, 다층 그래핀 필름은 습식 전사 방법을 사용하여 그 유리 또는 플라스틱 기판 상에 전사되고, 일정 시간 동안 건조시킨 후 전사된 다층 그래핀 필름을 포토리소그래피를 사용하여 패턴화하고, 반응성 이온 에칭 시스템(RIE)를 사용하여 에칭한다. In (e) of Figure 2, the multilayer graphene film is transferred onto the glass or plastic substrate using a wet transfer method, dried for a certain period of time, and then the transferred multilayer graphene film is patterned using photolithography. , Etched using a reactive ion etching system (RIE).

도 2의 (f)에서, 투명 SU-8 포토레지스트는 트랙 금속을 절연시키고, 대상체와 접하는 그래핀 전극만 개방하기 위해 미세 전극 배열장치(MEA: Micro Electrode Array) 상에 패터닝된다.In (f) of FIG. 2, the transparent SU-8 photoresist is patterned on a micro electrode array (MEA) to insulate the track metal and open only the graphene electrode in contact with the object.

도 2에서는 미세 전극 배열장치를 제조하는 공정(단계)를 순차적으로 실행하는 것으로 기재하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 다시 말해, 도 3에 기재된 공정(단계)을 변경하여 실행하거나 하나 이상의 공정(단계)를 병렬적으로 실행하는 것으로 적용 가능할 것이므로, 도 3은 시계열적인 순서로 한정되는 것은 아니다.In FIG. 2, it is described that the process (step) of manufacturing the microelectrode array device is sequentially performed, but is not limited thereto. In other words, since it may be applicable by changing and executing the processes (steps) illustrated in FIG. 3 or executing one or more processes (steps) in parallel, FIG. 3 is not limited to a time series order.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 구현한 형상을 나타낸 예시도이다.3A and 3B are exemplary views showing a shape of the microelectrode arrangement device according to the first embodiment of the present invention.

도 3a의 (a)는 그래핀 전극(120) 및 배선(130)으로 구성된 미세 전극 배열장치(100)의 전체 구조(10)를 나타낸다. 3A (a) shows the overall structure 10 of the microelectrode array device 100 composed of the graphene electrode 120 and the wiring 130.

도 3a의 (b)는 미세 전극 배열장치(100)를 확대한 구조를 나타낸다. 여기서, 3A(b) shows an enlarged structure of the microelectrode array device 100. here,

전극 홀(150)을 통해 노출된 하나의 전극(120)과 인접한 전극 간의 간격은 기 설정된 최소 공간을 유지하여야 한다. 즉, 서로 인접한 전극(120)은 서로 기 설정된 최소 공간을 갖는 형태로 배열된다. 여기서, 전극(120) 간의 최소 공간은 150 um 내지 250 um 사이의 크기로 형성되는 것이 바람직하다. A distance between one electrode 120 exposed through the electrode hole 150 and an adjacent electrode must maintain a preset minimum space. That is, the electrodes 120 adjacent to each other are arranged in a shape having a predetermined minimum space with each other. Here, the minimum space between the electrodes 120 is preferably formed in a size between 150 um to 250 um.

도 3a의 (c)에 도시된 바와 같이, 전극 홀(150)을 통해 노출된 하나의 전극(120)은 60 um 내지 110 um 사이의 직경을 갖는 원의 형태로 구현될 수 있다. As shown in (c) of FIG. 3A, one electrode 120 exposed through the electrode hole 150 may be implemented in the form of a circle having a diameter between 60 um and 110 um.

도 3b의 (a)는 미세 전극 배열장치(100)의 미세 전극 배열 시스템 전체 구조(10)를 나타내며, 도 3b의 (b)는 그래핀 소재로 구현된 전극(120) 및 금 소재로 트랙이 구현된 배선(130)으로 설계된 미세 전극 배열장치(100)를 확대한 구조를 나타낸다. Figure 3b (a) shows the overall structure 10 of the microelectrode arrangement system of the microelectrode arrangement device 100, and Figure 3b (b) shows an electrode 120 made of graphene and a track made of gold It shows an enlarged structure of the microelectrode array device 100 designed with the implemented wiring 130.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치의 상면도를 나타낸 도면이다.4 is a view showing a top view of a fine electrode array device according to a second embodiment of the present invention.

제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 발광 다이오드(410)와 전극(420)이 집적된 장치를 의미한다. 다시 말해, 미세 전극 배열장치(400)는 발광 다이오드(410)의 발광면에 그래핀 소재의 전극(420)이 집적된 구조를 갖는다. The microelectrode arrangement device 400 according to the second embodiment refers to a device in which the light emitting diode 410 and the electrode 420 are integrated. In other words, the microelectrode array device 400 has a structure in which an electrode 420 made of a graphene material is integrated on a light emitting surface of the light emitting diode 410.

미세 전극 배열장치(400)는 발광 다이오드(410)가 홀에 의해 노출되는 전극(420) 아래에 정렬되어 집적될 수 있으며, 실시예에 따라 발광 다이오드(410)는 전극(420)의 홀과 정렬되지 않은 배열 구조로 형성될 수 있다. 이하, 도 5 내지 도 10을 통해 미세 전극 배열장치(400)에 따른 제2 실시예 내지 제7 실시예에 대해 설명하도록 한다. 제2 실시예 내지 제7 실시예 중 일부 구성은 중복될 수 있으며, 중복되는 설명의 기재는 생략될 수 있다. The fine electrode array device 400 may be integrated by aligning the light emitting diode 410 under the electrode 420 exposed by the hole, and according to the embodiment, the light emitting diode 410 is aligned with the hole of the electrode 420 It may be formed in an unstructured arrangement. Hereinafter, the second to seventh embodiments according to the microelectrode array device 400 will be described with reference to FIGS. 5 to 10. Some configurations of the second to seventh embodiments may be redundant, and descriptions of overlapping descriptions may be omitted.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.5 is a side cross-sectional view of a microelectrode arrangement device according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 기판(510), 발광 다이오드(520), 제1 배선(530), 제1 절연층(540), 전극(550), 제2 배선(560) 및 제2 절연층(570)을 포함한다. 도 5의 미세 전극 배열장치(400)는 일 실시예에 따른 것으로서, 도 5에 도시된 모든 블록이 필수 구성요소는 아니며, 다른 실시예에서 미세 전극 배열장치(400)에 포함된 일부 블록이 추가, 변경 또는 삭제될 수 있다. The microelectrode array device 400 according to the second embodiment of the present invention includes a substrate 510, a light emitting diode 520, a first wiring 530, a first insulating layer 540, an electrode 550, and a second A wiring 560 and a second insulating layer 570 are included. The microelectrode arrangement device 400 of FIG. 5 is according to an embodiment, and not all blocks shown in FIG. 5 are essential components, and some blocks included in the microelectrode arrangement device 400 are added in other embodiments. , May be changed or deleted.

미세 전극 배열장치(400)는 그래핀 소재로 제작된 전극(550)의 일부 영역만이 대상체와 접촉하여 신경신호를 송수신하며, 나머지 영역은 SU-8 재질을 사용한 제2 절연층(570)에 의해 절연된다. 미세 전극 배열장치(400)는 발광 다이오드(520)를 통해 발산되는 빛을 이용하여 발생되는 신경신호를 송수신할 수 있다. The microelectrode array device 400 transmits and receives neural signals by contacting the object by only a partial area of the electrode 550 made of graphene material, and the remaining area is in the second insulating layer 570 made of SU-8 material. Insulated by The microelectrode array device 400 may transmit and receive neural signals generated by using light emitted through the light emitting diode 520.

미세 전극 배열장치(400)는 그래핀 전극이 투명하므로 밑에 집적된 발광 다이오드에서 발산된 빛이 투과되어 미세 전극 배열장치(400)의 위에 위치한 대상체(예: 세포)에 빛을 입사하여 자극을 유도할 수 있다. 또한, 미세 전극 배열장치(400)는 유리, 사파이어 기판 외에 유연한 플라스틱, 고무 기판을 사용함으로써, 미세 전극 배열장치(400) 자체가 휘어질 수 있어 뇌와 같은 곡면 구조체에 부착하여 대상체의 특성을 직접 측정할 수 있다. Since the fine electrode array device 400 has a transparent graphene electrode, the light emitted from the light emitting diode integrated underneath is transmitted, and the light is incident on an object (eg, a cell) located above the fine electrode array device 400 to induce stimulation. can do. In addition, since the microelectrode array device 400 uses a flexible plastic or rubber substrate in addition to glass and sapphire substrates, the microelectrode array device 400 itself can be bent, so that the microelectrode array device 400 can be attached to a curved structure such as a brain to directly control the characteristics of the object. Can be measured.

기판(510)은 기본적으로 유리(Glass) 또는 사파이어(Sapphire)로 구현될 수 있으나, 플렉서블(Flexible)한 성질을 갖는 미세 전극 배열장치(400)를 제작하기 위하여 플라스틱, 고무 등과 같은 재질을 사용하여 제작될 수 있다. 즉, 곡면을 갖는 대상체에 부착 가능하도록 투명하면서 플렉서블(Flexible)한 재질로 구현될 수 있다. The substrate 510 may be basically implemented with glass or sapphire, but in order to manufacture the microelectrode array device 400 having a flexible property, a material such as plastic or rubber is used. Can be made. That is, it may be implemented with a transparent and flexible material so that it can be attached to an object having a curved surface.

또한, 기판(510)은 별도의 발광 장치(미도시)로부터 전달되는 빛을 투과시키기 위하여 투명한 재질을 사용하여 제작될 수 있다. In addition, the substrate 510 may be manufactured using a transparent material in order to transmit light transmitted from a separate light emitting device (not shown).

발광 다이오드(520)는 기판(510) 상의 일부에 배치되어 빛을 발산하는 동작을 수행한다. 발광 다이오드(520)는 미세 전극 배열장치(400)에 배치하기 위하여 기 설정된 크기 미만의 LED(Light Emitting Diode)인 것이 바람직하다. The light emitting diode 520 is disposed on a part of the substrate 510 to perform an operation of emitting light. The light emitting diode 520 is preferably an LED (Light Emitting Diode) less than a predetermined size to be disposed on the microelectrode array device 400.

제2 실시예에 따른 발광 다이오드(520)는 전극(550)의 개수와 동일한 개수로 기판(510) 상에 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 발광 다이오드(520)는 백색 단색을 출력하는 μLED(Micro Light Emitting Diode)로 구현될 수 있다. It is preferable that the light emitting diodes 520 according to the second embodiment are disposed on the substrate 510 in the same number as the number of electrodes 550. Also, the light emitting diode 520 may be implemented as a micro light emitting diode (μLED) that outputs a single white color.

발광 다이오드(520)는 전극(550)과 동일한 수직선 상에 정렬될 수 있다. 또한, 전극(550)의 일부 영역을 제외하여 도포된 제2 절연층(570)에 의해 형성된 전극 홀(580)은 발광 다이오드(520)의 상측면을 바라볼 때 발광 다이오드(520)의 정중앙에 위치하는 것이 바람직하다. The light emitting diodes 520 may be aligned on the same vertical line as the electrode 550. In addition, the electrode hole 580 formed by the second insulating layer 570 applied excluding a partial area of the electrode 550 is located in the center of the light emitting diode 520 when looking at the upper side of the light emitting diode 520. It is desirable to be located.

제1 배선(530)은 발광 다이오드(520)에 연결되며, 발광 다이오드(520)의 동작을 제어하기 위한 전기 신호를 전달한다. 여기서, 제1 배선(530)은 PN 접합구조를 갖는 형태일 수 있으나, 발광 다이오드(520)의 동작을 제어할 수 있다면 다양한 형태로 구현될 수 있다. The first wiring 530 is connected to the light emitting diode 520 and transmits an electric signal for controlling the operation of the light emitting diode 520. Here, the first wiring 530 may have a PN junction structure, but may be implemented in various forms as long as the operation of the light emitting diode 520 can be controlled.

제1 절연층(540)은 기판(510) 상에 절연 물질을 도포하여 형성된다. 제1 절연층(540)은 구체적으로, 제1 절연층(540)은 기판(510), 기판(510) 상에 구비된 발광 다이오드(520), 제1 배선(530) 등의 위에 형성된다. The first insulating layer 540 is formed by coating an insulating material on the substrate 510. Specifically, the first insulating layer 540 is formed on the substrate 510, the light emitting diode 520 provided on the substrate 510, the first wiring 530, and the like.

제1 절연층(540)의 두께(542)는 4 um 내지 6 um 사이의 두께로 형성될 수 있으며, 제1 절연층(540)은 SU-8 코팅층으로 구현되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 절연층(540)의 두께(542)가 6 um를 초과하는 경우 발광 다이오드(520)에서 발산되는 빛을 전극(550)으로 전달하기 어렵게 되고, 제1 절연층(540)의 두께(542)가 4 um 미만인 경우 발광 다이오드(520) 및 제1 배선(530)의 적층 구조를 유지하기 어렵다. The thickness 542 of the first insulating layer 540 may be formed to a thickness between 4 um to 6 um, and the first insulating layer 540 is preferably implemented as an SU-8 coating layer, but is limited thereto. no. When the thickness 542 of the first insulating layer 540 exceeds 6 um, it becomes difficult to transmit the light emitted from the light emitting diode 520 to the electrode 550, and the thickness 542 of the first insulating layer 540 When) is less than 4 μm, it is difficult to maintain the stacked structure of the light emitting diode 520 and the first wiring 530.

전극(550)은 기판(510) 상의 일부에 배치되며, 미세 전극 배열장치(400)와 접하는 대상체로 신경신호를 송신하거나 대상체로부터 신경신호(응답신호)를 수신하는 동작을 수행한다. The electrode 550 is disposed on a part of the substrate 510 and performs an operation of transmitting a neural signal to an object in contact with the microelectrode arrangement device 400 or receiving a neural signal (response signal) from the object.

전극(550)은 소정의 너비(552) 및 두께(554)를 갖는 형태로 제작된다. 예를 들어, 전극(550)은 1.5 nm 미만의 두께를 갖고, 전극(550) 상측면에 60 um 내지 110 um 사이의 너비를 갖는 형태로 구현될 수 있다. 여기서, 전극(550)은 신경신호를 송수신할 수 있는 최대 두께 미만으로 형성되는 것이 바람직하고, 전극(550)의 너비는 신경 신호를 송수신하기 위하여 전극(550) 상에 형성된 전극 홀(580)의 너비보다 크게 형성되는 것이 바람직하다. The electrode 550 is manufactured in a shape having a predetermined width 552 and a thickness 554. For example, the electrode 550 may have a thickness of less than 1.5 nm, and may be implemented in a shape having a width between 60 um and 110 um on the upper side of the electrode 550. Here, the electrode 550 is preferably formed to be less than the maximum thickness capable of transmitting and receiving nerve signals, and the width of the electrode 550 is of the electrode hole 580 formed on the electrode 550 to transmit and receive nerve signals. It is preferable to be formed larger than the width.

전극(550)은 플렉서블(Flexible)하고 투명하면서 전도성을 갖는 소재로 제작될 수 있다. 여기서, 전극(550)은 그래핀(Graphene) 재질로 형성되는 것이 바람직하나 플렉서블하고 투명하면서 전도성을 갖는 다양한 소재로 구현될 수 있다. 전극(550)은 복수의 그래핀 층을 적층하여 형설될 수 있으며, 예를 들어 4 레이어(Layer)로 적층된 그래핀 층으로 형성될 수 있다. The electrode 550 may be made of a flexible, transparent, and conductive material. Here, the electrode 550 is preferably formed of a graphene material, but may be implemented with a variety of flexible, transparent, and conductive materials. The electrode 550 may be formed by stacking a plurality of graphene layers, and may be formed of, for example, a graphene layer stacked in four layers.

전극(550)은 전극(550)의 일부 영역을 제외하여 도포된 제2 절연층(570)에 의해 형성된 전극 홀(580)을 통해 대상체와 접촉하며, 전극 홀(580)을 통해 대상체로 신경 신호를 전달하거나, 대상체로부터 발생하는 신경 신호를 획득할 수 있다. 여기서, 전극 홀(580)의 너비(582)는 50 um 내지 100 um 사이의 크기로 구현될 수 있다. The electrode 550 contacts the object through the electrode hole 580 formed by the second insulating layer 570 applied excluding a partial area of the electrode 550, and a nerve signal to the object through the electrode hole 580 May be transmitted or a neural signal generated from an object may be obtained. Here, the width 582 of the electrode hole 580 may be implemented with a size between 50 um and 100 um.

제2 배선(560)은 전극(550)의 일부 영역과 접하는 형태로 형성되며, 전극(550)의 동작을 제어하기 위한 전기 신호를 전달한다. 제2 배선(560)은 금(Au)으로 구현되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 전도성 소재로 구현될 수 있다. The second wiring 560 is formed to be in contact with a partial region of the electrode 550 and transmits an electric signal for controlling the operation of the electrode 550. The second wiring 560 is preferably made of gold (Au), but is not limited thereto, and may be made of various conductive materials.

제2 배선(560)은 제1 절연층(540) 상에 형성되며, 제2 배선(560)의 두께(562)는 전극(550)의 두께(554)보다 두껍게 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제2 배선(560)의 두께(562)는 30 nm 내지 50 nm 사이의 두께로 형성되는 것이 바람직하다. The second wiring 560 is formed on the first insulating layer 540, and the thickness 562 of the second wiring 560 is preferably formed to be thicker than the thickness 554 of the electrode 550. For example, the thickness 562 of the second wiring 560 is preferably formed to be between 30 nm and 50 nm.

제2 절연층(570)은 전극(550)의 일부 영역을 제외하고 제1 절연층(540) 상에 절연 물질을 도포하여 형성된다. 구체적으로, 제2 절연층(570)은 제1 절연층(540), 제1 절연층(540) 상에 형성된 전극(550), 제2 배선(560) 등의 위에 형성되며, 전극(550)의 일부 영역을 제외하여 도포됨으로써 전극 홀(580)을 형성한다. The second insulating layer 570 is formed by coating an insulating material on the first insulating layer 540 except for a partial area of the electrode 550. Specifically, the second insulating layer 570 is formed on the first insulating layer 540, the electrode 550 formed on the first insulating layer 540, the second wiring 560, and the like, and the electrode 550 The electrode hole 580 is formed by being applied by excluding some areas of.

제2 절연층(570)의 두께(572)는 2 um 내지 5 um 사이의 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 제2 절연층(570)을 통해 형성된 전극 홀(580)의 너비(582)는 50 um 내지 100 um 사이의 크기로 형성될 수 있다. 제2 절연층(570)은 SU-8 코팅층으로 구현되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서, 제2 절연층(570)의 두께(542)가 2 um 미만인 경우 절연층의 역할을 하기 어렵다. The thickness 572 of the second insulating layer 570 is preferably formed to be between 2 um and 5 um, and the width 582 of the electrode hole 580 formed through the second insulating layer 570 is 50 It may be formed in a size between um and 100 um. The second insulating layer 570 is preferably implemented as an SU-8 coating layer, but is not limited thereto. Here, when the thickness 542 of the second insulating layer 570 is less than 2 um, it is difficult to serve as an insulating layer.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.6A and 6B are side cross-sectional views of a microelectrode array device according to a third embodiment of the present invention.

제3 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 제2 실시예의 미세 전극 배열장치(400)에서 발광 다이오드 부분을 변형한 구조를 갖는다. 이에, 제2 실시예와 중복되는 기술내용에 대한 설명은 생략하도록 한다. The microelectrode array device 400 according to the third exemplary embodiment has a structure obtained by modifying the light emitting diode portion of the microelectrode array apparatus 400 according to the second exemplary embodiment. Accordingly, a description of the technical content overlapping with the second embodiment will be omitted.

도 6a를 참조하면, 미세 전극 배열장치(400)의 발광 다이오드(610, 612, 614)는 기판(510) 상의 일부에 배치되어 빛을 발산하는 동작을 수행한다. 발광 다이오드(610, 612, 614)는 미세 전극 배열장치(400)에 배치하기 위하여 기 설정된 크기 미만의 LED(Light Emitting Diode)인 것이 바람직하다. Referring to FIG. 6A, the light emitting diodes 610, 612, and 614 of the microelectrode array device 400 are disposed on a portion of the substrate 510 to emit light. It is preferable that the light emitting diodes 610, 612, and 614 are LEDs (Light Emitting Diodes) having a size smaller than a preset size to be disposed in the microelectrode array device 400.

제3 실시예에 따른 발광 다이오드(610, 612, 614)는 전극(550)의 개수와 동일한 개수로 기판(510) 상에 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 발광 다이오드(610, 612, 614)는 적색, 녹색 및 청색 중 하나의 색을 출력하는 μLED로 구현될 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 다이오드(610)는 적색을 출력하는 μLED, 제2 발광 다이오드(612)는 녹색을 출력하는 μLED, 제3 발광 다이오드(614)는 청색을 출력하는 μLED로 구현될 수 있다. 여기서, μLED는 청색 LED 혹은 백색 LED 위에 컬러 필터나 양자점을 이용하여 삼원색을 구현할 수 있다. It is preferable that the light emitting diodes 610, 612, and 614 according to the third embodiment are disposed on the substrate 510 in the same number as the number of electrodes 550. Further, the light emitting diodes 610, 612, and 614 may be implemented as μLEDs that output one color of red, green, and blue. For example, the first light emitting diode 610 may be implemented as a μLED that outputs red, the second light emitting diode 612 may be implemented as a μLED that outputs green, and the third light emitting diode 614 may be implemented as a μLED that outputs blue. . Here, the μLED can implement three primary colors using a color filter or quantum dot on a blue LED or a white LED.

발광 다이오드(610, 612, 614)는 복수의 전극(550) 각각과 동일한 수직선 상에 정렬될 수 있다. 또한, 전극(550)의 일부 영역을 제외하여 도포된 제2 절연층(570)에 의해 형성된 전극 홀(580) 각각은 발광 다이오드(610, 612, 614) 각각의 상측면을 바라볼 때 발광 다이오드(610, 612, 614) 각각의 정중앙에 위치하는 것이 바람직하다. The light emitting diodes 610, 612, and 614 may be aligned on the same vertical line as each of the plurality of electrodes 550. In addition, each of the electrode holes 580 formed by the second insulating layer 570 applied excluding a partial region of the electrode 550 is a light emitting diode when looking at the upper side of each of the light emitting diodes 610, 612, and 614. (610, 612, 614) is preferably located in the middle of each.

도 6b를 참조하면, 미세 전극 배열장치(400)는 발광 다이오드(610, 612, 614)을 하나의 전극(550)과 매칭되도록 형성할 수도 있다. 예를 들어, 미세 전극 배열장치(400)는 하나의 전극(550)과 정렬되는 삼색 μLED를 기판(510) 상에 집적할 수 있다. 여기서, 삼색 μLED는 적색, 녹색 및 청색을 모두 출력 가능한 발광 다이오드를 의미한다. Referring to FIG. 6B, the microelectrode arrangement device 400 may be formed to match the light emitting diodes 610, 612, and 614 with one electrode 550. For example, the microelectrode array device 400 may integrate three color μLEDs aligned with one electrode 550 on the substrate 510. Here, the three-color μLED means a light-emitting diode capable of outputting red, green, and blue.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.7 is a side cross-sectional view of an apparatus for arranging microelectrodes according to a fourth embodiment of the present invention.

제4 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 제3 실시예의 미세 전극 배열장치(400)에 디퓨저(Diffuser) 층(700)이 삽입된 구조를 갖는다. 이에, 제3 실시예와 중복되는 기술내용에 대한 설명은 생략하도록 한다. The microelectrode arrangement device 400 according to the fourth embodiment has a structure in which a diffuser layer 700 is inserted into the microelectrode arrangement apparatus 400 according to the third embodiment. Accordingly, description of the technical content overlapping with the third embodiment will be omitted.

제4 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 제1 절연층(540) 상에 확산 물질을 도포하여 형성된 디퓨저 층(700)을 추가로 포함한다. 이에, 미세 전극 배열장치(400)의 전극(550)은 디퓨저 층(700) 상에 배치된다. The microelectrode arrangement device 400 according to the fourth exemplary embodiment further includes a diffuser layer 700 formed by coating a diffusion material on the first insulating layer 540. Accordingly, the electrode 550 of the microelectrode arrangement device 400 is disposed on the diffuser layer 700.

제4 실시예에 따른 디퓨저 층(700)은 발광 다이오드(610, 612, 614)를 통해 발산되는 빛을 확산시키고, 확산된 빛이 균일하게 전극(550)을 통해 대상체에 전달되도록 한다. The diffuser layer 700 according to the fourth exemplary embodiment diffuses light emitted through the light emitting diodes 610, 612, and 614, and uniformly transmits the diffused light to the object through the electrode 550.

도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.8 is a side cross-sectional view of a microelectrode arrangement device according to a fifth embodiment of the present invention.

제5 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 제3 실시예의 미세 전극 배열장치(400)에 도포 물질(810) 및 필름(820)이 추가된 구조를 갖는다. 이에, 제3 실시예와 중복되는 기술내용에 대한 설명은 생략하도록 한다. The microelectrode arrangement device 400 according to the fifth embodiment has a structure in which a coating material 810 and a film 820 are added to the microelectrode arrangement apparatus 400 of the third embodiment. Accordingly, description of the technical content overlapping with the third embodiment will be omitted.

제5 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 제2 절연층(570) 상에 형성된 도포 물질(810) 및 필름(820)을 포함한다. The microelectrode arrangement device 400 according to the fifth embodiment includes a coating material 810 and a film 820 formed on the second insulating layer 570.

도포 물질(810)은 빛에 반응하는 단백질을 포함하며, 제2 절연층(570) 상의 일부에 도포된다. 필름(820)은 제2 절연층(570) 상에 위치한 도포 물질(810)의 형태를 유지시키기 위하여 도포 물질(810)을 감싸는 막을 의미한다. 여기서, 필름(820)은 대상체와 접촉 시 도포 물질(810)이 방출되도록 하기 위하여 액체(예: 물)에 녹는 재질로 구현되는 것이 바람직하다. The coating material 810 includes a protein that reacts to light, and is applied to a portion of the second insulating layer 570. The film 820 refers to a film surrounding the coating material 810 in order to maintain the shape of the coating material 810 positioned on the second insulating layer 570. Here, the film 820 is preferably made of a material that is soluble in a liquid (eg, water) so that the coating material 810 is released when contacting the object.

제5 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)를 광유전학(Optogenetics) 기술에 적용 즉, 신경 세포를 빛에 반응하게 하기 위해서는 레티날 결합 단백질(retinal protein) 의 종류인 Optin or Rhodopsin 단백질을 이용해 Light-gated proton channel을 형성해야 한다. Applying the microelectrode array device 400 according to the fifth embodiment to optogenetics, that is, using Optin or Rhodopsin protein, a type of retinal protein, to make nerve cells react to light. Light-gated proton channel should be formed.

이에, 빛에 반응하는 단백질을 포함한 렌티바이러스(Lentivirus, 810)를 대상체 조직이나 생물체에 감염시켜서 빛에 민감하도록 만든다. Accordingly, a lentivirus (Lentivirus, 810), including a protein that responds to light, is infected with a target tissue or organism to make it sensitive to light.

제5 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 빛에 반응하는 단백질을 포함한 렌티바이러스(810)의 파우더를 액체(예: 물)에 녹는 필름(820)으로 덮은 구조를 나타낸다. 미세 전극 배열장치(400)의 위에서 세포를 배양(culturing)하거나 체내에서 진행(in-vivo)되는 실험을 할 때 존재하는 배지(culture medium)이나 체액(biofluids)에 의해 필름(820)이 녹으면서 자동적으로 렌티바이러스(810)를 방출(releasing)하게 된다. 여기서, 빛에 반응하는 단백질은 다양한 파장에 반응하는 다양한 종류의 단백질로 구현될 수 있다. The microelectrode arrangement device 400 according to the fifth embodiment has a structure in which the powder of the lentivirus 810 including a protein that reacts to light is covered with a film 820 that is soluble in a liquid (eg, water). As the film 820 melts by the culture medium or biofluids present when culturing cells on the microelectrode array device 400 or conducting an experiment in-vivo It will automatically release the lentivirus 810 (releasing). Here, the protein that responds to light may be implemented as various types of proteins that respond to various wavelengths.

도 9는 본 발명의 제6 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.9 is a side cross-sectional view of an apparatus for arranging microelectrodes according to a sixth embodiment of the present invention.

제6 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 제3 실시예의 미세 전극 배열장치(400)에 그래핀 층(910)이 추가된 구조를 갖는다. 이에, 제3 실시예와 중복되는 기술내용에 대한 설명은 생략하도록 한다. The microelectrode arrangement device 400 according to the sixth embodiment has a structure in which a graphene layer 910 is added to the microelectrode arrangement apparatus 400 according to the third embodiment. Accordingly, description of the technical content overlapping with the third embodiment will be omitted.

제5 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 그래핀 층(910)을 포함한다. 그래핀 층(910)은 제2 절연층(570) 상에 배치된다. 그래핀 층(910)은 대상체의 세포 성장을 촉진시키고, 대상체의 응답신호를 강화시키기 위하여 형성될 수 있다. The microelectrode arrangement device 400 according to the fifth embodiment includes a graphene layer 910. The graphene layer 910 is disposed on the second insulating layer 570. The graphene layer 910 may be formed to promote cell growth of an object and to enhance a response signal of the object.

제5 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 세포 분화(Cell differentiation)과 세포 재생(regeneration)이 그래핀 층(910) 상에서 촉진되도록 한다. 그래핀 층(910)은 특수한 세포조직(tissue)과의 연동(interfacing) 가능한 특성을 통해 세포를 배양(culturing)하여 체외진행(in-vitro) 실험을 진행할 때 적용될 수 있다. The microelectrode arrangement device 400 according to the fifth embodiment allows cell differentiation and cell regeneration to be promoted on the graphene layer 910. The graphene layer 910 can be applied when conducting an in-vitro experiment by culturing cells through a characteristic capable of interfacing with a special tissue.

제5 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)의 구조에서 그래핀 전극(520)은 제2 배선(560) 즉, 인터커넥트(interconnect) 전극으로 연결되어 근접한 세포조직의 전기적 신호를 읽는 역할을 수행하고, 그래핀 층(910)은 배양된 세포의 성장을 촉진시키는 역할을 수행한다. 기존의 미세 전극 배열장치를 이용한 체외진행(in-vitro) 실험은 세포를 배양한 후에 일주일 정도를 성장(growth)한 후에 측정을 해야만 한다. 또한, 매일 배지(medium)가 마르지 않도록 추가로 넣어줘야만 했다. In the structure of the microelectrode array device 400 according to the fifth embodiment, the graphene electrode 520 is connected by a second wiring 560, that is, an interconnect electrode, and serves to read electrical signals from adjacent cell tissues. And, the graphene layer 910 serves to promote the growth of cultured cells. In vitro experiments using conventional microelectrode array devices should be measured after growing the cells for about a week after culturing them. In addition, it had to be added daily to prevent the medium from drying out.

제5 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)에서는 그래핀 층(910)을 이용하여 세포의 성장을 촉진시킴으로써 더 빠르게 대상체에 대한 측정이 가능하다. In the microelectrode arrangement device 400 according to the fifth exemplary embodiment, by using the graphene layer 910 to promote cell growth, it is possible to measure the object faster.

그래핀 층(910)은 그래핀 전극(520)과 전기적으로 연결되어 있지 않기 때문에 측정하는 세포의 신호에는 직접적인 영향을 주지 않는다. 또한, 그래핀 층(910)을 통해 전기생리학적 신호(electrophysiologic signal)가 강화될 수 있어 신경 신호에 대한 높은 SNR과 대상체의 선명한 반응을 관찰할 수 있다. Since the graphene layer 910 is not electrically connected to the graphene electrode 520, it does not directly affect the signal of the cell to be measured. In addition, since an electrophysiologic signal can be enhanced through the graphene layer 910, a high SNR to a nerve signal and a clear response of the object can be observed.

도 10는 본 발명의 제7 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 측단면도를 나타낸 도면이다.10 is a side cross-sectional view of a micro-electrode arrangement device according to a seventh embodiment of the present invention.

제7 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 제3 실시예의 미세 전극 배열장치(400)에서 발광 다이오드가 변형된 구조를 갖는다. 이에, 제3 실시예와 중복되는 기술내용에 대한 설명은 생략하도록 한다. The fine electrode array device 400 according to the seventh exemplary embodiment has a structure in which the light emitting diode is modified in the fine electrode array device 400 according to the third exemplary embodiment. Accordingly, description of the technical content overlapping with the third embodiment will be omitted.

제7 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)는 μLED를 이용하지 않고, 자외선 발광 다이오드(1010) 및 컬러 필터(1020, 1022, 1024)를 포함한다. The microelectrode array device 400 according to the seventh embodiment does not use a μLED, but includes an ultraviolet light emitting diode 1010 and color filters 1020, 1022, and 1024.

자외선 발광 다이오드(1010)는 기판(510) 상의 일부에 배치되어 자외선(UV: Ultraviolet Ray)을 방출한다. The ultraviolet light emitting diode 1010 is disposed on a portion of the substrate 510 to emit ultraviolet rays (UV).

컬러 필터(1020, 1022, 1024)는 자외선 발광 다이오드(1010)에서 방출되는 자외선을 필터링하여 적색, 녹색 및 청색 중 적어도 하나의 색을 추출하고, 추출된 색의 파장을 전극(550)으로 전달한다. 여기서, 전극(550)은 컬러 필터(1020, 1022, 1024) 상에 배치되는 구조를 갖는다. The color filters 1020, 1022, and 1024 filter ultraviolet rays emitted from the ultraviolet light emitting diode 1010 to extract at least one color of red, green, and blue, and transmit the wavelength of the extracted color to the electrode 550. . Here, the electrode 550 has a structure disposed on the color filters 1020, 1022, and 1024.

컬러 필터(1020, 1022, 1024)는 자외선 발광 다이오드(1010)의 개수보다 많은 개수로 구현되며, 상기 전극(550)의 개수와 동일하게 형성되는 것이 바람직하다.The number of color filters 1020, 1022, and 1024 is greater than the number of ultraviolet light emitting diodes 1010, and is preferably formed equal to the number of electrodes 550.

도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치에 접합된 발광 다이오드를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.11 is a view for explaining a process of manufacturing a light emitting diode bonded to the microelectrode array device according to the second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)에 접합된 발광 다이오드는 다음과 같은 공정을 통해 제작될 수 있다. The light emitting diode bonded to the microelectrode array device 400 according to the second embodiment of the present invention may be manufactured through the following process.

도 11의 (a)에서, MOCVD 방식으로 증착된 III-V LED 웨이퍼는 포토 리소그래피 방식으로 패터닝되었고, n-레이어는 ICP-RIE 건식 에칭 방법에 의해 노출된다. In (a) of FIG. 11, the III-V LED wafer deposited by the MOCVD method was patterned by the photolithography method, and the n-layer was exposed by the ICP-RIE dry etching method.

도 11의 (b)에서, 오믹 접촉(ohmic contacts)을 통해 p 층 및 n 층을 금속에 접합한다. In (b) of FIG. 11, the p-layer and the n-layer are bonded to the metal through ohmic contacts.

도 11의 (c)에서, SiN 패시베이션 층은 PECVD 방법을 통해 증착된다.In Fig. 11(c), the SiN passivation layer is deposited through the PECVD method.

도 11의 (d)에서, ICP-RIE에 의해 정의된 측면 치수에 근거하여 III-V LED 칩 각각을 도포한다. In (d) of FIG. 11, each of the III-V LED chips is applied based on the side dimensions defined by ICP-RIE.

도 11의 (e)에서, 어레이 레이아웃의 III-V LED는 레이저 리프트 오프(LLO) 방법 또는 습식 에칭 방법을 통해 마더 기판으로부터 방출된다.In Fig. 11(e), the III-V LEDs in the array layout are emitted from the mother substrate through a laser lift off (LLO) method or a wet etching method.

도 11의 (f)에서, 방출 된 LED는 PDMS와 같은 고무 재료를 사용하여 다양한 기판(예 : 유리 및 PET)에 전사 인쇄된다.In (f) of FIG. 11, the emitted LED is transferred and printed on various substrates (eg, glass and PET) using a rubber material such as PDMS.

도 11의 (g)에서, 투명한 에폭시 중간층을 스핀 코팅하여 LED 두께를 극복하고 하부 상호 연결 금속을 증착시킨다. In (g) of FIG. 11, a transparent epoxy intermediate layer is spin-coated to overcome the LED thickness and deposit a lower interconnect metal.

도 11의 (h)에서, 제 2 투명 에폭시 절연 층을 코팅하고 상부 상호 연결 금속을 증착시킨다. In Fig. 11(h), a second transparent epoxy insulating layer is coated and an upper interconnect metal is deposited.

도 11에서는 미세 전극 배열장치를 제조하는 공정(단계)를 순차적으로 실행하는 것으로 기재하고 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 다시 말해, 도 11에 기재된 공정(단계)을 변경하여 실행하거나 하나 이상의 공정(단계)를 병렬적으로 실행하는 것으로 적용 가능할 것이므로, 도 11은 시계열적인 순서로 한정되는 것은 아니다.In FIG. 11, it is described that the process (step) of manufacturing the microelectrode array device is sequentially performed, but is not limited thereto. In other words, since it may be applicable to changing and executing the processes (steps) illustrated in FIG. 11 or executing one or more processes (steps) in parallel, FIG. 11 is not limited to a time series order.

도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 미세 전극 배열장치에 접합된 발광 다이오드를 제조하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.12 is a view for explaining a process of manufacturing a light emitting diode bonded to the microelectrode array device according to the third embodiment of the present invention.

도 12의 (a)에서는, 사파이어 기판에 청색 LED를 접합한다. 여기서, 기판은 사파이어인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유리, 플라스틱 및 고무 중 적어도 하나의 재질로 구현된 투명한 기판일 수 있다. In Fig. 12A, a blue LED is bonded to a sapphire substrate. Here, the substrate is preferably sapphire, but is not limited thereto, and may be a transparent substrate made of at least one of glass, plastic, and rubber.

도 12의 (b)에서는, 절연층 접착 본딩(Adhesive bonding) 방법을 통해 청색 LED의 웨이퍼에 희생층을 포함하는 적색 LED 웨이퍼를 일체식으로 집적한다. 여기서, 절연층은 SU-8 코팅층일 수 있다. In FIG. 12B, a red LED wafer including a sacrificial layer is integrally integrated on a blue LED wafer through an insulating layer adhesive bonding method. Here, the insulating layer may be an SU-8 coating layer.

도 12의 (c)에서는, 희생 층을 식각하여 적색 LED 웨이퍼로부터 모재 기판을 제거한다.In (c) of FIG. 12, the base substrate is removed from the red LED wafer by etching the sacrificial layer.

도 12의 (d)에서는, 적색 LED에 금속 패드를 증착하여 오믹 접촉(ohmic contacts)을 형성한다. In (d) of FIG. 12, ohmic contacts are formed by depositing a metal pad on the red LED.

도 12의 (e)에서는, 절연층 접착 본딩(Adhesive bonding) 방법을 통해 청색 LED의 웨이퍼에 희생층을 포함하는 녹색 LED 웨이퍼를 일체식으로 집적한다. 여기서, 절연층은 SU-8 코팅층일 수 있다. 이후, 희생 층을 식각하여 녹색 LED 웨이퍼로부터 모재 기판을 제거한다. 이후, 녹색 LED에 금속 패드를 증착하여 오믹 접촉(ohmic contacts)을 형성한다. In Fig. 12E, a green LED wafer including a sacrificial layer is integrally integrated on a blue LED wafer through an insulating layer adhesive bonding method. Here, the insulating layer may be an SU-8 coating layer. Thereafter, the sacrificial layer is etched to remove the base substrate from the green LED wafer. Then, a metal pad is deposited on the green LED to form ohmic contacts.

도 12의 (f)에서는, 접착 본딩을 통해 형성된 모놀리식 삼색 LED를 도시한다. In (f) of FIG. 12, a monolithic three-color LED formed through adhesive bonding is shown.

도 13은 본 발명의 실시예에 따른 제1 실시예에 따른 미세 전극 배열장치를 구현한 형상을 나타낸 예시도이다.13 is an exemplary view showing a shape of implementing the microelectrode arrangement device according to the first embodiment according to the embodiment of the present invention.

도 13의 (a) 및 (b)는 그래핀 미세 전극 배열장치(400)의 광학 이미지를 나타낸다. 그래핀 미세 전극 배열장치(400)는 중앙에 원통형 유리가 부착되어 세포 배양용 배지일 수 있다. 13A and 13B show optical images of the graphene microelectrode array device 400. The graphene microelectrode array device 400 may be a cell culture medium with a cylindrical glass attached to the center.

도 13의 (c)는 그래핀 미세 전극 배열장치(400)이 확대 된 OM 이미지를 나타낸다. 노란색 라인은 골드 트랙 금속(배선)이며, 원형 홀은 약 60 개의 일부 영역이 노출된 그래핀 전극을 나타낸다. 13(c) shows an enlarged OM image of the graphene microelectrode array device 400. The yellow line is the gold track metal (wiring), and the circular hole represents the graphene electrode with about 60 partial areas exposed.

도 13의 (d) 및 (e)는 그래핀 전극과 금 배선의 OM 이미지를 나타내며, 투명 그래핀 전극은 육안으로 보이지 않으며, 전극 홀은 SU-8 패턴에 의한 개구부이다. 13D and 13E show OM images of the graphene electrode and the gold wire, the transparent graphene electrode is not visible to the naked eye, and the electrode hole is an opening by the SU-8 pattern.

도 14a 및 도 14b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치에 접합된 발광 다이오드와 어레이를 나타낸 예시도이다. 14A and 14B are exemplary views showing a light emitting diode and an array bonded to the microelectrode array device according to the second embodiment of the present invention.

14a는 제2 실시예에 따른 미세 전극 배열장치(400)에 적용된 μLED 와 mini LED의 이미지와 크기를 나타낸다. 14a shows images and sizes of μLED and mini LED applied to the microelectrode array device 400 according to the second embodiment.

14b의 (a)는 Si 마더 기판에서 초박막 PET로 전사된 μLED 어레이의 OM 이미지를 나타낸다. 14b의 (b)는 6um 두께의 PET 상에서 제작된 유연한 수동 매트릭스 16 X 16 μLED 디스플레이의 광학 이미지를 나타낸다. 14b의 (c)는 256 μLEDs 및 Au 전극 상호 연결을 포함하는 μLED 디스플레이의 확대 광학 이미지를 나타낸다. 14b의 (d)는 순방향 바이어스 전압이 적용될 때 단일 LED 동작을 나타낸 광학 이미지이다. 14b의 (e)는 순방향 바이어스 하에서 작동되는 상호 연결된 μLED 어레이의 광학 이미지를 나타낸다. 14b의 (f)는 PET 기판에 전달되는 μLED의 I-V 곡선을 나타낸다. 14b(a) shows the OM image of the μLED array transferred from the Si mother substrate to the ultra-thin PET. 14b(b) shows an optical image of a flexible passive matrix 16 X 16 μLED display fabricated on a 6 μm thick PET. 14b(c) shows an enlarged optical image of a μLED display including 256 μLEDs and Au electrode interconnections. (D) of 14b is an optical image showing a single LED operation when a forward bias voltage is applied. 14b(e) shows an optical image of an interconnected μLED array operated under forward bias. (F) of 14b shows the I-V curve of the μLED transferred to the PET substrate.

이상의 설명은 본 발명의 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명의 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the embodiments of the present invention, and those of ordinary skill in the technical field to which the embodiments of the present invention belong to, various modifications and modifications without departing from the essential characteristics of the embodiments of the present invention Transformation will be possible. Accordingly, the embodiments of the present invention are not intended to limit the technical idea of the embodiments of the present invention, but to explain, and the scope of the technical idea of the embodiments of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the embodiments of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the rights of the embodiments of the present invention.

100, 400: 미세 전극 배열장치
110, 510: 기판 120, 550: 전극
130: 배선 140: 절연층
520: 발광 다이오드 530: 제1 배선
540: 제1 절연층 560: 제2 배선
570: 제2 절연층
100, 400: fine electrode array device
110, 510: substrate 120, 550: electrode
130: wiring 140: insulating layer
520: light emitting diode 530: first wiring
540: first insulating layer 560: second wiring
570: second insulating layer

Claims (14)

기판;
상기 기판 상의 일부에 배치되어 빛을 발산하는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드에 연결되는 제1 배선;
상기 기판 상에 도포되며, 상기 기판 상의 발광 다이오드 및 상기 제1 배선 위에 도포되는 제1 절연층;
상기 제1 절연층 상의 일부에 배치되어 신경신호를 송수신하는 전극;
상기 전극에 연결되는 제2 배선; 및
상기 전극의 일부 영역을 제외하고 상기 제1 절연층 상에 도포되는 제2 절연층
을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
Board;
A light emitting diode disposed on a portion of the substrate to emit light;
A first wiring connected to the light emitting diode;
A first insulating layer applied on the substrate and applied on the light emitting diode and the first wiring on the substrate;
An electrode disposed on a portion of the first insulating layer to transmit and receive neural signals;
A second wiring connected to the electrode; And
A second insulating layer applied on the first insulating layer excluding a partial region of the electrode
Micro electrode array device comprising a.
제1항에 있어서,
상기 기판은,
플라스틱 및 고무 중 적어도 하나의 재질을 사용하여 제작되고,
상기 빛의 투과 및 곡면을 갖는 대상체에 부착 가능하도록 투명하면서 플렉서블(Flexible)하게 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 1,
The substrate,
It is manufactured using at least one material of plastic and rubber,
The microelectrode arrangement device, characterized in that it is formed to be transparent and flexible so that the light can be transmitted and attached to an object having a curved surface.
제1항에 있어서,
상기 발광 다이오드는,
상기 전극의 개수와 동일한 개수로 배치되고, 상기 발광 다이오드 각각은 백색 단색을 출력하는 μLED(Micro Light Emitting Diode) 또는 적색, 녹색 및 청색 중 하나의 색을 출력하는 μLED로 구현되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 1,
The light emitting diode,
Micro Light Emitting Diodes (μLEDs) that output a single white color or μLEDs that output one color of red, green, and blue. Electrode arrangement device.
제3항에 있어서,
상기 발광 다이오드 각각은,
적색, 녹색 및 청색을 모두 출력 가능한 삼색 μLED로 구현되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 3,
Each of the light emitting diodes,
Microelectrode array device, characterized in that implemented as a three-color μLED capable of outputting all of red, green and blue.
제1항에 있어서,
상기 발광 다이오드와 상기 전극은 동일한 수직선 상에 정렬되고,
상기 전극의 일부 영역을 제외하여 도포된 상기 제2 절연층에 의해 형성된 전극 홀은 상기 발광 다이오드의 정중앙에 위치하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 1,
The light emitting diode and the electrode are aligned on the same vertical line,
The electrode hole formed by the second insulating layer applied excluding a partial region of the electrode is located at the center of the light emitting diode.
제1항에 있어서,
제1 절연층 상에 형성된 디퓨저(Diffuser) 층;을 추가로 포함하며,
상기 디퓨저 층 상의 일부에 상기 전극이 배치되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 1,
It further includes a diffuser (Diffuser) layer formed on the first insulating layer,
The electrode is arranged on a portion of the diffuser layer, characterized in that the fine electrode array device.
제6항에 있어서,
상기 디퓨저 층은,
상기 발광 다이오드를 통해 발산되는 상기 빛을 확산시키고, 확산된 상기 빛이 상기 전극을 통해 대상체에 전달되도록 하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 6,
The diffuser layer,
Diffused the light emitted through the light emitting diode, and the diffused light is transmitted to an object through the electrode.
제1항에 있어서,
상기 전극은,
소정의 두께 미만으로 제작되며, 플렉서블(Flexible)하고 투명하면서 전도성을 갖는 그래핀(Graphene) 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 1,
The electrode,
A microelectrode array device, characterized in that it is made of less than a predetermined thickness, and is formed of a flexible, transparent and conductive graphene material.
제8항에 있어서,
상기 전극은,
상기 전극의 일부 영역을 제외하여 도포된 상기 제2 절연층에 의해 형성된 전극 홀을 통해 상기 제2 절연층에 접하는 대상체로 상기 신경 신호를 전달하거나, 상기 대상체로부터 발생하는 신경 신호를 획득하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 8,
The electrode,
Transmitting the neural signal to an object in contact with the second insulating layer through an electrode hole formed by the second insulating layer applied excluding a partial region of the electrode, or obtaining a neural signal generated from the object Micro electrode array device made by.
제9항에 있어서,
상기 전극은,
상기 발광 다이오드를 통해 발산되는 빛을 상기 대상체로 입사되도록 하고, 상기 빛에 대한 상기 대상체의 응답신호을 측정하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 9,
The electrode,
A fine electrode arrangement device, characterized in that for making the light emitted through the light emitting diode incident on the object and measuring a response signal of the object to the light.
제1항에 있어서,
상기 제2 절연층 상의 일부에 도포되며, 빛에 반응하는 단백질을 포함하는 도포 물질; 및
액체에 녹는 특성을 가지며, 상기 도포 물질의 형태를 유지시키기 위하여 상기 도포 물질을 감싸는 필름
을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 1,
A coating material that is applied to a portion of the second insulating layer and contains a protein that reacts to light; And
A film that has a property of being soluble in a liquid and surrounds the coating material to maintain the shape of the coating material
Micro electrode array device, characterized in that it further comprises.
제1항에 있어서,
상기 제2 절연층 상에 배치된 그래핀 층을 추가로 포함하며,
상기 그래핀 층은 대상체의 세포 성장을 촉진시키고, 상기 대상체의 응답신호를 강화시키기 위하여 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 1,
Further comprising a graphene layer disposed on the second insulating layer,
The graphene layer is formed to promote cell growth of the object and to enhance the response signal of the object.
기판;
상기 기판 상의 일부에 배치되어 자외선을 방출하는 자외선(UV: Ultraviolet Ray) 발광 다이오드;
상기 기판 상에 도포되며, 상기 기판 상의 상기 자외선 발광 다이오드 위에 도포되는 제1 절연층;
상기 자외선을 필터링하여 적색, 녹색 및 청색 중 적어도 하나의 색을 추출하며, 상기 제1 절연층 상에 일정한 간격으로 배치된 컬러 필터;
상기 컬러 필터 상에 배치되어 신경신호를 송수신하는 전극;
상기 전극에 연결되는 제2 배선; 및
상기 전극의 일부 영역을 제외하고 상기 제1 절연층 상에 도포되는 제2 절연층
을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
Board;
Ultraviolet Ray (UV) light emitting diodes disposed on a portion of the substrate to emit ultraviolet rays;
A first insulating layer applied on the substrate and applied on the ultraviolet light emitting diode on the substrate;
A color filter that filters the ultraviolet light to extract at least one color of red, green, and blue, and is disposed on the first insulating layer at regular intervals;
An electrode disposed on the color filter to transmit and receive neural signals;
A second wiring connected to the electrode; And
A second insulating layer applied on the first insulating layer excluding a partial region of the electrode
Micro electrode array device comprising a.
제13항에 있어서,
상기 컬러 필터는,
상기 자외선 발광 다이오드의 개수보다 많으면서 상기 전극의 개수와 동일하게 형성되며, 상기 전극으로 상기 추출된 색을 전달하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 배열장치.
The method of claim 13,
The color filter,
A fine electrode array device, characterized in that it is formed equal to the number of electrodes and is greater than the number of ultraviolet light emitting diodes, and transmits the extracted color to the electrode.
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