KR20200117162A - 유-무기 복합 태양전지 - Google Patents
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- 229910021432 inorganic complex Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 12
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 12
- -1 grapheme oxide Chemical compound 0.000 claims description 12
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 11
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 9
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 4
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 67
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910003473 lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide Inorganic materials 0.000 description 2
- QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADSOSINJPNKUJK-UHFFFAOYSA-N 2-butylpyridine Chemical group CCCCC1=CC=CC=N1 ADSOSINJPNKUJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 229920001893 acrylonitrile styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- GKPXMGUNTQSFGA-UHFFFAOYSA-N but-2-ynyl 1-methyl-3,6-dihydro-2h-pyridine-5-carboxylate;4-methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1.CC#CCOC(=O)C1=CCCN(C)C1 GKPXMGUNTQSFGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enenitrile;styrene Chemical compound C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 SCUZVMOVTVSBLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
- H10K30/821—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising carbon nanotubes
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- H01L51/444—
-
- H01L51/0045—
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- H01L51/005—
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- H01L51/4213—
-
- H01L51/447—
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- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
본 명세서는 하부 전극; 상기 하부 전극 상에 구비되고 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광흡수층; 상기 광흡수층 상에 구비되고 제1 탄소 소재 및 무기 나노 입자를 포함하는 제1 상부 전극; 및 상기 제1 상부 전극 상에 구비되고 제2 탄소 소재를 포함하는 제2 상부 전극을 포함하는 유-무기 복합 태양전지를 제공한다.
Description
본 명세서는 유-무기 복합 태양전지에 관한 것이다.
화석 에너지의 고갈과 이의 사용에 의한 지구 환경적인 문제를 해결하기 위해 태양에너지, 풍력, 수력과 같은 재생 가능하며, 청정한 대체 에너지원에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이 중에서 태양 빛으로부터 직접 전기적 에너지를 변화시키는 태양전지에 대한 관심이 크게 증가하고 있다. 여기서 태양전지란 태양빛으로부터 광 에너지를 흡수하여 전자와 정공을 발생하는 광기전 효과를 이용하여 전류-전압을 생성하는 전지를 의미한다.
유-무기 복합 페로브스카이트 물질은 흡광계수가 높고, 용액 공정을 통해 쉽게 합성이 가능한 특성 때문에 최근에 유-무기 복합 태양전지 광흡수 물질로서 각광 받고 있다.
그러나, 기존의 페로브스카이트 물질을 적용한 유-무기 복합 태양전지의 경우, 높은 효율에도 불구하고, 상부 전극에 적용되는 금속 전극이 페로브스카이트 광흡수층 내 할로겐 원소들과 반응함으로써, 전기전도도 및 장기 구동 안정성이 저하되는 문제가 있다. 또한, 금속 전극을 도입하기 위한 진공 증착 방식은 상용화를 위한 롤투롤(roll-to-roll) 공정에 적용시 비용이 상승된다는 문제가 있다.
따라서, 내구성 및 공정성 향상이 가능한 다른 상부 전극에 대한 연구가 필요하다.
Adv. Mater. 2014, 26, 4991-4998
본 명세서는 유-무기 복합 태양전지를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 구비되고 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광흡수층;
상기 광흡수층 상에 구비되고 제1 탄소 소재 및 무기 나노 입자를 포함하는 제1 상부 전극; 및
상기 제1 상부 전극 상에 구비되고 제2 탄소 소재를 포함하는 제2 상부 전극을 포함하는 유-무기 복합 태양전지를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 유-무기 복합 태양전지는 상부 전극으로 금속 전극을 사용한 종래의 유-무기 복합 태양전지와 유사한 에너지 변환 효율을 나타낼 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유-무기 복합 태양전지는 진공 공정 없이 상압 공정에서 태양전지를 제작할 수 있어 공정 단가가 절감된다.
도 1 내지 4는 본 명세서의 실시상태에 따라 제조된 유-무기 복합 태양전지의 적층 구조를 예시한 도이다.
도 5는 실시예 1에서 제조된 유-무기 복합 태양전지 단면의 주사전자현미경(SEM) 이미지를 나타낸 도이다.
도 6은 실시예 1에서 제조된 유-무기 복합 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
도 7은 비교예 1에서 제조된 유-무기 복합 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
도 8은 비교예 2에서 제조된 유-무기 복합 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
도 5는 실시예 1에서 제조된 유-무기 복합 태양전지 단면의 주사전자현미경(SEM) 이미지를 나타낸 도이다.
도 6은 실시예 1에서 제조된 유-무기 복합 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
도 7은 비교예 1에서 제조된 유-무기 복합 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
도 8은 비교예 2에서 제조된 유-무기 복합 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
이하, 본 명세서를 상세히 설명한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에”위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접하여 있는 경우뿐만 아니라, 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에 있어서, “나노 입자”는 입자의 크기가 nm범위인 것을 의미한다. 예컨대, 상기 “나노 입자”는 입자의 크기가 1nm 내지 990nm일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 구비되고 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광흡수층;
상기 광흡수층 상에 구비되고 제1 탄소 소재 및 무기 나노 입자를 포함하는 제1 상부 전극; 및
상기 제1 상부 전극 상에 구비되고 제2 탄소 소재를 포함하는 제2 상부 전극을 포함하는 유-무기 복합 태양전지를 제공한다.
도 1에는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유-무기 복합 태양전지의 적층 구조를 나타내었다. 구체적으로 하부 전극(10), 광흡수층(20), 제1 상부 전극(30) 및 제2 상부 전극(40)이 순차적으로 적층된 유-무기 복합 태양전지를 나타내었다.
종래의 유-무기 복합 태양전지는 상부 전극으로 금속을 단독으로 사용하거나, 탄소 소재를 단독으로 사용하였다.
상부 전극이 금속만을 포함할 경우, 금속이 페로브스카이트 광흡수층 내 할로겐 원소들과 반응함으로써, 전기전도도 및 장기 구동 안정성이 저하되는 문제가 있다. 또한, 금속을 도입하기 위한 진공 증착 방식은 상용화를 위한 롤투롤(roll-to-roll) 공정에 적용시 비용이 상승된다는 문제가 있다.
상부 전극이 탄소 소재만 포함할 경우, 하부층과의 계면 저항이 상승하고, 물리적 접착력이 하락하는 문제점이 있다. 또한, 탄소 소재의 크기로 인해 상부 전극과 하부층과의 계면에 공극이 형성되어 접촉 면적이 하락되는 문제점이 있다. 이에 따라, 상부 전극으로 탄소 소재만 포함할 경우 전지의 성능이 하향되는 문제점이 있다.
한편, 상부 전극이 무기 나노 입자만 포함할 경우 전자 전도도가 하향되는 문제점이 있다.
반면에, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 상부 전극에 탄소 소재와 무기 나노 입자를 혼합하여 사용함으로써, 제1 상부 전극과 하부층간의 접촉 저항을 최소화하여 유-무기 복합 태양전지의 효율을 최대화시키는 효과를 나타낸다. 또한, 제1 상부전극에 광흡수층의 에너지 레벨에 적합한 무기 나노 입자를 혼합하여 사용함으로써, 광흡수층과 제1 상부전극 계면에서의 전하분리를 유도할 수 있다. 또한, 상압 및 저온(150℃ 이하)에서도 전지 제작이 가능한 효과가 있다.
또한, 상기 제1 상부 전극 상에 제2 탄소 소재를 포함하는 제2 상부 전극이 구비됨으로써 광흡수층과 제1 상부전극 사이의 계면 저항이 최소화되고, 계면에서의 전하 분리가 원활하게 이루어지는 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 하부층은 광흡수층 또는 중간층을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 탄소 소재와 상기 제2 탄소 소재는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 탄소 소재 및 제2 탄소 소재는 탄소나노튜브(CNT), 그라파이트(graphite), 그라핀(graphene), 산화 그라핀(grapheme oxide), 활성탄, 다공성 탄소(mesoporous carbon), 탄소섬유(carbon fiber), 전도성 카본 블랙(carbon black) 및 탄소 나노 와이어(carbon nano wire) 중 1종 이상을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 탄소 소재는 카본 블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT), 그라파이트(graphite) 및 그라핀(graphene) 중 1종 이상을 포함하며, 상기 제2 탄소 소재는 전도성 카본 블랙(carbon black) 및 그라파이트(graphite) 중 1종 이상을 포함한다.
구체적으로, 상기 제1 탄소 소재는 카본 블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT), 그라파이트(graphite) 및 그라핀(graphene) 중 1종 또는 2종을 포함하며, 상기 제2 탄소 소재는 전도성 카본 블랙(carbon black) 및 그라파이트(graphite) 중 1종 또는 2종을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 탄소 소재는 전도성이 우수하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 탄소 소재의 크기가 상기 제2 탄소 소재의 크기보다 작다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 탄소 소재의 입자 크기는 5nm 내지 400nm이다. 제1 탄소 소재의 크기가 상기 범위를 만족함으로써, 제1 상부 전극과 광흡수층과의 계면에서의 접합성이 우수해지고, 계면 저항이 최소화 될 수 있다. 또한, 나노 입자와의 상용성이 좋아 탄소 소재와 무기 나노 입자를 혼합하여 사용하였을 때의 효과를 극대화 할 수 있다. 구체적으로, 제1 상부 전극이 전술한 크기의 제1 탄소 소재와 무기 나노 입자를 포함함으로서, 하부층간의 접촉 저항을 최소화 할 수 있는 효과를 나타낸다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 탄소 소재의 입자 크기는 400nm 내지 15μm이다. 구체적으로, 상기 제2 탄소 소재의 입자 크기는 400nm 초과 15μm 이하이다. 제2 탄소 소재의 크기가 상기 범위를 만족함으로써, 전도도에 최적화된 두께로 제2 상부 전극을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 무기 나노 입자는 금속 및 금속 산화물 중 1종 이상을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 무기 나노 입자는 금속 또는 금속 산화물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 금속은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 바나듐(V), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 주석(Sn) 또는 이들의 합금을 포함한다. 구체적으로, 상기 금속은 은(Ag), 금(Au) 또는 구리(Cu)이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 금속 산화물은 니켈 산화물, 구리 산화물, 바나듐 산화물, 몰리브덴 산화물, 티타늄 산화물 또는 주석 산화물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 무기 나노 입자의 크기는 10nm 내지 100nm이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 상부 전극의 두께는 20μm 이하이다. 구체적으로 상기 제1 상부 전극의 두께는 50nm 내지 20μm이다. 보다 구체적으로, 상기 제1 상부 전극의 두께는 50nm 내지 10μm이다.
제1 상부 전극의 두께가 상기 범위를 만족할 경우 단락전류밀도(Jsc) 및 충전율(Fill factor)이 증가하여 전지의 광전변환효율이 증대되는 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 상부 전극 내 상기 무기 나노 입자의 함량은 상기 제1 탄소 소재 100wt% 대비 5wt% 내지 20wt%이다. 무기 나노 입자가 상기 함량으로 포함됨으로써, 단락전류밀도, 개방전압 및 충전율이 증가하여 유-무기 복합 태양전지의 효율이 증대되는 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 상부 전극의 두께는 10μm 내지 70μm이다. 구체적으로, 상기 제2 상부 전극의 두께는 10μm 내지 50μm이다.
제2 상부 전극의 두께가 상기 범위를 만족할 경우, 전도성이 향상되는 효과가 있다
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광흡수층은 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 1]
R1M1X13
[화학식 2]
R2aR3(1-a)M2X2zX3(3-z)
[화학식 3]
R4bR5cR6dM3X4z'X5(3-z')
상기 화학식 1 내지 3에 있어서,
R2 및 R3는 서로 상이하고,
R4, R5 및 R6는 서로 상이하며,
R1 내지 R6는 각각 독립적으로 CnH2n + 1NH3 +, NH4 +, HC(NH2)2 +, Cs+, Rb+, NF4 +, NCl4 +, PF4 +, PCl4 +, CH3PH3 +, CH3AsH3 +, CH3SbH3 +, PH4 +, AsH4 + 및 SbH4 +에서 선택되는 1가의 양이온이며,
M1 내지 M3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 Cu2 +, Ni2 +, Co2 +, Fe2 +, Mn2+, Cr2 +, Pd2 +, Cd2 +, Ge2 +, Sn2 +, Bi2 +, Pb2 + 및 Yb2 + 에서 선택되는 2가의 금속 이온이고,
X1 내지 X5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐 이온이며,
n은 1 내지 9의 정수이고,
a는 0 < a < 1의 실수이며,
b는 0 < b < 1의 실수이고,
c는 0 < c < 1의 실수이며,
d는 0 < d < 1의 실수이고,
b + c + d는 1이고,
z는 0 < z < 3의 실수이며,
z'은 0 < z' < 3의 실수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광흡수층의 페로브스카이트 구조의 화합물은 단일 양이온을 포함할 수 있다. 본 명세서에 있어서 단일 양이온이란, 한 종류의 1가 양이온을 사용한 것을 의미한다. 즉, 화학식 1에 있어서 R1으로 한 종류의 1가 양이온만 선택된 것을 의미한다. 예컨대, 상기 화학식 1의 R1은 CnH2n + 1NH3 + 이고, n은 1 내지 9의 정수일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광흡수층의 페로브스카이트 구조의 화합물은 복합 양이온을 포함할 수 있다. 본 명세서에 있어서 복합 양이온이란, 두 종류 이상의 1가 양이온을 사용한 것을 의미한다. 즉, 화학식 2에서 R2 및 R3가 각각 서로 상이한 1가 양이온이 선택되고, 화학식 3에서 R4 내지 R6가 각각 서로 상이한 1가의 양이온이 선택된 것을 의미한다. 예컨대, 상기 화학식 2의 R2는 CnH2n+1NH3 +, R3는 HC(NH2)2 +일 수 있다. 또한, 상기 화학식 3의 R4는 CnH2n + 1NH3 +, R5는 HC(NH2)2 +, R6는 Cs+일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 화학식 1으로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 화학식 2로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 화학식 3으로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 내지 R6는 각각 CnH2n + 1NH3 +, HC(NH2)2 + 또는 Cs+이다. 이때, R2와 R3는 서로 상이하고, R4 내지 R6는 서로 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1은 CH3NH3 +, HC(NH2)2 + 또는 Cs+이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2 및 R4는 각각 CH3NH3 +이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R3 및 R5는 각각 HC(NH2)2 +이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R6는 Cs+이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 M1 내지 M3는 각각 Pb2 +이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X2 및 X3는 서로 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X4 및 X5는 서로 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 X1 내지 X5는 각각 I-, F-, 또는 Br-이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R2 및 R3의 합이 1이 되기 위하여, a는 0<a<1의 실수이다. 또한, 상기 X2 및 X3의 합이 3이 되기 위하여, z는 0<z<3의 실수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 R4, R5 및 R6의 합이 1이 되기 위하여, b는 0<b<1의 실수이고, c는 0<c<1의 실수이며, d는 0<d<1의 실수이고, b+c+d는 1이다. 또한, 상기 X4 및 X5의 합이 3이 되기 위하여, z'는 0<z'<3의 실수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 CH3NH3PbI3, HC(NH2)2PbI3 , CH3NH3PbBr3, HC(NH2)2PbBr3, (CH3NH3)a(HC(NH2)2)(1-a)PbIzBr(3-z) 또는 (HC(NH2)2)b(CH3NH3)cCsdPbIz'Br(3-z')이고, a는 0<a<1의 실수, b는 0<b<1의 실수, c는 0<c<1의 실수, d는 0<d<1의 실수, b+c+d는 1, z는 0<z<3의 실수, z'은 0<z'<3의 실수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광흡수층의 두께는 200nm 내지 1500nm이다.
광흡수층의 두께가 상기 범위를 만족할 경우 전지의 광전변환효율이 증대되는 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광흡수층은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 그라비아 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터 블레이드, 바 코팅, 브러쉬 페인팅, 열증착 등의 방법을 통해 도입될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 하부 전극과 광흡수층 사이에 제1 중간층을 더 포함한다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유-무기 복합 태양전지의 적층 구조를 나타내었다. 구체적으로 하부 전극(10), 제1 중간층(50), 광흡수층(20), 제1 상부 전극(30) 및 제2 전극(40)이 순차적으로 적층된 유-무기 복합 태양전지를 나타내었다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 중간층은 전자 수송층 또는 정공 수송층이다. 보다 구체적으로, 상기 제1 중간층은 전자 수송층이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 중간층의 두께는 5nm 내지 200nm이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 광흡수층과 제1 상부 전극 사이에 제2 중간층을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 중간층은 정공 수송층 또는 전자 수송층이다. 보다 구체적으로, 상기 제2 중간층은 정공 수송층이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제2 중간층의 두께는 1μm 내지 100μm이다. 구체적으로, 상기 제2 중간층의 두께는 10μm 내지 50μm이다.
제1 중간층 및 제2 중간층의 두께가 상기 범위를 만족할 경우 단락전류밀도(Jsc) 및 충전율(Fill factor)이 증가하여 전지의 광전변환효율이 증대되는 효과가 있다.
도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유-무기 복합 태양전지의 적층 구조를 나타내었다. 구체적으로 하부 전극(10), 광흡수층(20), 제2 중간층(60), 제1 상부 전극(30) 및 제2 전극(40)이 순차적으로 적층된 유-무기 복합 태양전지를 나타내었다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유-무기 복합 태양전지는 제1 중간층 및 제2 중간층을 동시에 포함할 수 있다.
도 4는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유-무기 복합 태양전지의 적층 구조를 나타태었다. 구체적으로 하부 전극(10), 제1 중간층(50) 광흡수층(20), 제2 중간층(60), 제1 상부 전극(30) 및 제2 전극(40)이 순차적으로 적층된 유-무기 복합 태양전지를 나타내었다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 중간층 및 제2 중간층은 스퍼터링, E-Beam, 열증착, ALD(Atomic layer deposition), 스핀 코팅, 슬릿코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터 블레이드 또는 그라비아 프린팅법을 사용하여 하부 전극 또는 광흡수층의 일면에 도포되거나 필름 형태로 코팅됨으로써 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유-무기 복합 태양전지는 n-i-p 구조이다.
본 명세서에 있어서, n-i-p 구조는 하부 전극, 전자수송층, 광흡수층, 제1 상부전극 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 구조; 또는 하부 전극, 전자수송층, 광흡수층, 정공수송층, 제1 상부전극 및 제2 전극이 순차적으로 적층된 구조를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 전자수송층은 금속 산화물을 포함할 수 있다. 예컨대, Ti 산화물, Zn 산화물, In 산화물, Sn 산화물, W 산화물, Nb 산화물, Mo 산화물, Mg 산화물, Zr 산화물, Sr 산화물, Yr 산화물, La 산화물, V 산화물, Al 산화물, Y 산화물, Sc 산화물, Sm 산화물, Ga 산화물, SrTi 산화물 및 이들의 복합물 중에서 1 또는 2 이상 선택된 것이 사용 가능하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 정공수송층은 터셔리부틸피리딘(tertiary butyl pyridine, TBP), 리튬 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드(Lithium Bis(Trifluoro methanesulfonyl)Imide, Li-TFSI) 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(4-스티렌설포네이트) [PEDOT:PSS] 등을 사용할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 하부 전극은 애노드이고, 상부 전극은 캐소드일 수 있다. 또한, 상기 하부 전극은 캐소드이고, 상부 전극은 애노드일 수 있다. 이때, 상기 상부 전극은 제1 상부 전극 및 제2 상부 전극을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 하부 전극은 투명 전극이고, 상기 태양전지는 상기 하부 전극을 경유하여 빛을 흡수하는 것일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 하부 전극이 투명전극인 경우, 상기 하부 전극은 유리 및 석영판 이외에 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene naphthelate, PEN), 폴리프로필렌(polyperopylene, PP), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbornate, PC), 폴리스티렌(polystylene, PS), 폴리옥시에틸렌(polyoxyethlene, POM), AS 수지 (acrylonitrile styrene copolymer), ABS 수지 (acrylonitrile butadiene styrene copolymer), 트리아세틸셀룰로오스(Triacetyl cellulose, TAC) 및 폴리아릴레이트(polyarylate, PAR) 등을 포함하는 플라스틱과 같은 유연하고 투명한 물질 위에 전도성을 갖는 물질이 도핑된 것이 사용될 수 있다. 구체적으로, 상기 하부 전극은 산화주석인듐(indium tin oxide, ITO), 불소함유 산화주석 (fluorine doped tin oxide; FTO), 알루미늄이 도핑된 징크 옥사이드 (aluminium doped zink oxide, AZO), IZO (indium zinc oxide), ZnO-Ga2O3, ZnOAl2O3 및 ATO (antimony tin oxide) 등이 될 수 있으며, 보다 구체적으로 상기 하부 전극은 ITO일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 하부 전극은 반투명 전극일 수도 있다. 상기 하부 전극이 반투명 전극인 경우, 은(Ag), 금(Au), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금 같은 금속으로 제조될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유-무기 복합 태양전지는 하부 전극의 하부에 기판을 추가로 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 기판을 사용할 수 있다. 구체적으로, 유리 기판, 박막유리 기판 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 폴리에틸렌테라프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyehtylene naphthalate, PEN), 폴리에테르에테르케톤(polyether ether ketone) 및 폴리이미드(polyimide) 등의 유연한 필름이 단층 또는 복층의 형태로 포함될 수 있다. 다만, 상기 기판은 이에 한정되지 않으며, 유-무기 복합 태양전지에 통상적으로 사용되는 기판을 사용할 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
실시예 1.
ITO 기판을 아세톤, IPA에 세척 후 오븐에서 건조시킨 후 ultraviolet-ozone 처리를 20분 동안 하였다. 이후, SnO2 나노입자를 분산시킨 용액을 2000rpm으로 스핀 코팅하고 120℃에서 30분 간 열처리하였다. 그 후 페로브스카이트 전구체 용액으로 스핀 코팅하여 박막을 형성하였다. 이때, 페로브스카이트 전구체 용액은 CH3NH3(MA), HC(NH2)2(FA), Cs 세 가지의 유기물과 PbI2, PbBr2로 이루어진 용액을 사용하였다. 그 후 탄소나노튜브로 이루어진 페이스트(GS Alliance사)에 NiO 나노입자를 혼합한 페이스트를 블레이드 코팅한 후, 100℃에서 30분간 열처리하여 제1 상부 전극을 형성하였다. 마지막으로, 카본 블랙 및 그라파이트로 이루어진 페이스트(XG Scinence사)를 블레이드 코팅한 후 100℃에서 30분간 열처리하여 제2 상부 전극을 형성함으로써 유-무기 복합 태양전지를 제조하였다.
도 5에는 실시예 1에서 제조된 유-무기 복합 태양전지 단면의 주사전자현미경(SEM) 이미지를 나타내었다.
도 5를 통해 유-무기 복합 태양전지의 제1 탄소소재(제1 상부전극)과 광흡수층과의 계면접합이 우수한 것을 확인할 수 있다.
도 6은 실시예 1에서 제조된 유-무기 복합 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
비교예 1.
ITO 기판을 아세톤, IPA에 세척 후 오븐에서 건조시킨 후 ultraviolet-ozone 처리를 20분 동안 하였다. 이후, SnO2 나노입자를 분산시킨 용액을 2000rpm으로 스핀 코팅하고 120℃에서 30분 간 열처리하였다. 그 후 페로브스카이트 전구체 용액으로 스핀 코팅하여 박막을 형성하였다. 이때, 페로브스카이트 전구체 용액은 MA, FA, Cs 세 가지의 유기물과 PbI2, PbBr2로 이루어진 용액을 사용하였다. 그 후, 카본 블랙 및 그라파이트로 이루어진 페이스트(XG Scinence사)를 블레이드 코팅한 후 100℃에서 30분간 열처리하여 상부 전극을 형성함으로써 유-무기 복합 태양전지를 제조하였다.
도 7은 비교예 1에서 제조된 유-무기 복합 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
비교예 2.
ITO 기판을 아세톤, IPA에 세척 후 오븐에서 건조시킨 후 ultraviolet-ozone 처리를 20분 동안 하였다. 이후, SnO2 나노입자를 분산시킨 용액을 2000rpm으로 스핀 코팅하고 120℃에서 30분 간 열처리하였다. 그 후 페로브스카이트 전구체 용액으로 스핀 코팅하여 박막을 형성하였다. 이때, 페로브스카이트 전구체 용액은 MA, FA, Cs 세 가지의 유기물과 PbI2, PbBr2로 이루어진 용액을 사용하였다. 그 후 탄소나노튜브로 이루어진 페이스트(GS Alliance사)를 블레이드 코팅한 후, 100℃에서 30분간 열처리하여 제1 상부 전극을 형성하였다. 마지막으로, 카본 블랙 및 그라파이트로 이루어진 페이스트(XG Scinence사)를 블레이드 코팅한 후 100℃에서 30분간 열처리하여 제2 상부 전극을 형성함으로써 유-무기 복합 태양전지를 제조하였다.
도 8은 비교예 2에서 제조된 유-무기 복합 태양전지의 전압에 따른 전류 밀도를 나타낸 도이다.
실험예 1. 광전변환효율 측정
상기 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에서 제조된 유-무기 복합 태양전지를 ABET Sun 3000 solar simulator를 광원으로, Keithley 2420 소스미터로 이용하여 광전변환효율을 측정한 결과를 하기 표 1에 기재하였다. 1회 측정시 100mW/cm2 하에서 1.2V에서 0V까지 0.1초당 12mV씩 낮춰가며 전압을 인가한 후 전류를 측정하였다.
PCE (%) |
Jsc (mA/cm2) |
Voc (V) |
FF (%) |
|
실시예 1 | 9 | 15.478 | 0.994 | 58.6 |
비교예 1 | 5.5 | 13.795 | 1.015 | 39.2 |
비교예 2 | 3.7 | 15.128 | 0.59 | 41.7 |
표 1에서 Voc는 개방전압을, Jsc는 단락전류밀도를, FF는 충전율(Fill factor)를, PCE는 에너지 변환 효율을 의미한다. 개방전압과 단락전류밀도는 각각 전압-전류 밀도 곡선의 4사분면에서 X축과 Y축 절편이며, 이 두 값이 높을수록 태양전지의 효율은 바람직하게 높아진다. 또한 충전율(Fill factor)은 곡선 내부에 그릴 수 있는 직사각형의 최대 넓이를 단락전류밀도와 개방전압의 곱으로 나눈 값이다. 이 세 가지 값을 조사된 빛의 세기로 나누면 에너지 변환 효율을 구할 수 있으며, 높은 값일수록 바람직하다.
상기 표 1로부터, 탄소 소재와 무기 나노 입자를 포함하는 제1 상부전극 및 탄소 소재를 포함하는 제2 상부전극이 형성된 실시예 1이 상부 전극이 단층으로 형성된 경우(비교예 1) 및 상부 전극이 2층으로 형성됐지만 탄소 물질만 포함하는 경우(비교예 2)에 비하여 성능이 우수한 것을 확인할 수 있다.
10: 하부 전극
20: 광흡수층
30: 제1 상부 전극
40: 제2 상부 전극
50: 제1 중간층
60: 제2 중간층
20: 광흡수층
30: 제1 상부 전극
40: 제2 상부 전극
50: 제1 중간층
60: 제2 중간층
Claims (9)
- 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 구비되고 페로브스카이트 구조의 화합물을 포함하는 광흡수층;
상기 광흡수층 상에 구비되고 제1 탄소 소재 및 무기 나노 입자를 포함하는 제1 상부 전극; 및
상기 제1 상부 전극 상에 구비되고 제2 탄소 소재를 포함하는 제2 상부 전극을 포함하는 유-무기 복합 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 탄소 소재 및 제2 탄소 소재는 탄소나노튜브(CNT), 그라파이트(graphite), 그라핀(graphene), 산화 그라핀(grapheme oxide), 활성탄, 다공성 탄소(mesoporous carbon), 탄소섬유(carbon fiber), 전도성 카본 블랙(carbon black) 및 탄소 나노 와이어(carbon nano wire) 중 1종 이상을 포함하는 것인 유-무기 복합 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 제1 탄소 소재는 카본 블랙(carbon black), 탄소나노튜브(CNT), 그라파이트(graphite) 및 그라핀(graphene) 중 1종 이상을 포함하며,
상기 제2 탄소 소재는 전도성 카본 블랙(carbon black) 및 그라파이트(graphite) 중 1종 이상을 포함하는 것인 유-무기 복합 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 무기 나노 입자는 금속 및 금속 산화물 중 1종 이상을 포함하는 것인 유-무기 복합 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 무기 나노 입자의 함량은 상기 제1 탄소 소재 100wt% 대비 5wt% 내지 20wt%인 것인 유-무기 복합 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 무기 나노 입자의 크기는 10nm 내지 100nm인 것인 유-무기 복합 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 하부 전극과 광흡수층 사이에 제1 중간층을 더 포함하는 것인 유-무기 복합 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 광흡수층과 제1 상부 전극 사이에 제2 중간층을 더 포함하는 것인 유-무기 복합 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 페로브스카이트 구조의 화합물은 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나로 표시되는 것인 유-무기 복합 태양전지:
[화학식 1]
R1M1X13
[화학식 2]
R2aR3(1-a)M2X2zX3(3-z)
[화학식 3]
R4bR5cR6dM3X4z'X5(3-z')
상기 화학식 1 내지 3에 있어서,
R2 및 R3는 서로 상이하고,
R4, R5 및 R6는 서로 상이하며,
R1 내지 R6는 각각 독립적으로 CnH2n + 1NH3 +, NH4 +, HC(NH2)2 +, Cs+, Rb+, NF4 +, NCl4 +, PF4 +, PCl4 +, CH3PH3 +, CH3AsH3 +, CH3SbH3 +, PH4 +, AsH4 + 및 SbH4 +에서 선택되는 1가의 양이온이며,
M1 내지 M3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 Cu2 +, Ni2 +, Co2 +, Fe2 +, Mn2+, Cr2 +, Pd2 +, Cd2 +, Ge2 +, Sn2 +, Bi2 +, Pb2 + 및 Yb2 + 에서 선택되는 2가의 금속 이온이고,
X1 내지 X5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐 이온이며,
n은 1 내지 9의 정수이고,
a는 0 < a < 1의 실수이며,
b는 0 < b < 1의 실수이고,
c는 0 < c < 1의 실수이며,
d는 0 < d < 1의 실수이고,
b + c + d는 1이고,
z는 0 < z < 3의 실수이며,
z'은 0 < z' < 3의 실수이다.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190038890A KR102647065B1 (ko) | 2019-04-03 | 2019-04-03 | 유-무기 복합 태양전지 |
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---|---|---|---|---|
KR20180033074A (ko) * | 2016-09-23 | 2018-04-02 | 주식회사 엘지화학 | 유-무기 복합 태양전지 및 유-무기 복합 태양전지 제조방법 |
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2019
- 2019-04-03 KR KR1020190038890A patent/KR102647065B1/ko active IP Right Grant
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Title |
---|
Adv. Mater. 2014, 26, 4991-4998 |
Liang Chu et al., Solar Energy Materials and Solar Cells, 178, 2018, 164(2018.2.6.)* * |
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