KR20200117100A - 터치 센서 - Google Patents

터치 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR20200117100A
KR20200117100A KR1020190038655A KR20190038655A KR20200117100A KR 20200117100 A KR20200117100 A KR 20200117100A KR 1020190038655 A KR1020190038655 A KR 1020190038655A KR 20190038655 A KR20190038655 A KR 20190038655A KR 20200117100 A KR20200117100 A KR 20200117100A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensing
touch
sensing cells
cells
touch sensor
Prior art date
Application number
KR1020190038655A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102659610B1 (ko
Inventor
고광범
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190038655A priority Critical patent/KR102659610B1/ko
Priority claimed from KR1020190038655A external-priority patent/KR102659610B1/ko
Priority to US16/809,484 priority patent/US10963084B2/en
Priority to CN202010228532.6A priority patent/CN111796725B/zh
Publication of KR20200117100A publication Critical patent/KR20200117100A/ko
Priority to US17/215,867 priority patent/US11340723B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102659610B1 publication Critical patent/KR102659610B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G06F3/04166—Details of scanning methods, e.g. sampling time, grouping of sub areas or time sharing with display driving
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416—Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Abstract

본 발명의 터치 센서는, 센싱 블록들을 포함하고, 각각의 상기 센싱 블록들은: 제1 방향으로 배열되고, 제1 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제1 노드에 연결된 제1 그룹의 제1 센싱 셀들; 상기 제1 방향으로 배열되고, 제2 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제2 노드에 연결된 제2 그룹의 상기 제1 센싱 셀들; 및 각각이 상기 제1 이격 영역들 및 상기 제2 이격 영역들에서 제2 방향으로 연장되는 제2 센싱 셀들을 포함하고, 상기 제1 방향으로 인접한 센싱 블록들 각각의 경계에 위치한 상기 제1 센싱 셀들은 서로 다른 전기적 노드를 갖는다.

Description

터치 센서{TOUCH SENSOR}
본 발명은 터치 센서에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결매체인 표시 장치의 중요성이 부각되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Device) 등과 같은 표시 장치의 사용이 증가하고 있다.
최근, 보다 편리한 입력 수단을 제공하기 위하여 터치 센서를 구비한 표시 장치가 보편적으로 보급되고 있다. 일례로, 터치 센서는 표시 패널의 일면에 부착되거나 표시 패널과 일체로 제작되어, 터치 입력을 센싱한다.
해결하고자 하는 기술적 과제는, 리트랜스미션 이슈(re-transmission issue)를 완화하고, 자기 정전 용량 구동 모드(self-capacitance driving mode)에서 높은 센싱 해상도를 가질 수 있는 터치 센서를 제공하는 데 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 터치 센서는, 센싱 블록들을 포함하고, 각각의 상기 센싱 블록들은: 제1 방향으로 배열되고, 제1 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제1 노드에 연결된 제1 그룹의 제1 센싱 셀들; 상기 제1 방향으로 배열되고, 제2 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제2 노드에 연결된 제2 그룹의 상기 제1 센싱 셀들; 및 각각이 상기 제1 이격 영역들 및 상기 제2 이격 영역들에서 제2 방향으로 연장되는 제2 센싱 셀들을 포함하고, 상기 제1 방향으로 인접한 센싱 블록들 각각의 경계에 위치한 상기 제1 센싱 셀들은 서로 다른 전기적 노드를 갖는다.
각각의 상기 센싱 블록들의 상기 제2 센싱 셀들은 서로 다른 전기적 노드를 가질 수 있다.
상기 제2 그룹의 상기 제1 센싱 셀들은 상기 제1 그룹의 상기 제1 센싱 셀들로부터 상기 제2 방향에 위치하고, 상기 제1 노드와 상기 제2 노드는 서로 다를 수 있다.
상기 제1 센싱 셀들은 터치 구동 회로에 연결되고, 상기 제2 센싱 셀들은 터치 센싱 회로에 연결될 수 있다.
상기 터치 센싱 회로는 연산 증폭기들을 포함하고, 상기 제2 센싱 셀들은 상기 연산 증폭기들의 제1 입력 단자들에 연결될 수 있다.
상기 연산 증폭기들의 제2 입력 단자들은 기준 전압원에 연결될 수 있다.
상기 터치 구동 회로는 상기 제1 센싱 셀들로 구동 신호들을 순차적으로 제공할 수 있다.
상기 구동 신호들 각각에 대하여, 상기 터치 센싱 회로는 상기 제2 센싱 셀들을 센싱할 수 있다.
상기 제1 센싱 셀들은 터치 센싱 회로에 연결되고, 상기 제2 센싱 셀들은 터치 구동 회로에 연결될 수 있다.
상기 터치 센싱 회로는 연산 증폭기들을 포함하고, 상기 제1 센싱 셀들은 상기 연산 증폭기들의 제1 입력 단자들에 연결될 수 있다.
상기 연산 증폭기들의 제2 입력 단자들은 기준 전압원에 연결될 수 있다.
상기 터치 구동 회로는 상기 제2 센싱 셀들로 구동 신호들을 순차적으로 제공할 수 있다.
상기 구동 신호들 각각에 대하여, 상기 터치 센싱 회로는 상기 제1 센싱 셀들을 센싱할 수 있다.
상기 제1 센싱 셀들 및 상기 제2 센싱 셀들은 터치 센싱 회로에 연결될 수 있다.
상기 터치 센싱 회로는 연산 증폭기들을 포함하고, 상기 제1 센싱 셀들 및 상기 제2 센싱 셀들은 상기 연산 증폭기들의 제1 입력 단자들에 연결될 수 있다.
상기 연산 증폭기들의 제2 입력 단자들은 터치 구동 회로에 연결될 수 있다.
상기 센싱 블록들 각각의 경계에 위치한 상기 제1 센싱 셀들의 상기 제1 방향의 제1 폭은 경계에 위치하지 않은 상기 제1 센싱 셀들의 상기 제1 방향의 제2 폭보다 작을 수 있다.
상기 제1 폭은 상기 제2 폭의 1/2일 수 있다.
상기 제2 센싱 셀들의 상기 제1 방향의 제3 폭은 상기 제2 폭과 동일할 수 있다.
센싱 영역에서 최외곽에 위치한 상기 센싱 블록들의 각각의 경계에 위치한 상기 제1 센싱 셀들의 상기 제1 방향의 제1 폭은 경계에 위치하지 않은 상기 제1 센싱 셀들의 상기 제1 방향의 제2 폭보다 작을 수 있다.
본 발명에 따른 터치 센서는 리트랜스미션 이슈를 완화하고, 자기 정전 용량 구동 모드에서 높은 센싱 해상도를 가질 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 터치 센서의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 센싱 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 4의 실시예에서, 상호 정전 용량 구동 모드(mutual capacitance driving mode)일 때의 센싱 단위를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 4의 실시예에서, 리트랜스미션 이슈를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 4의 실시예에서, 자기 정전 용량 구동 모드일 때의 센싱 단위를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센싱 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 8의 센싱 영역의 일부분을 확대한 도면이다.
도 10은 도 8의 실시예에서, 상호 정전 용량 구동 모드일 때의 센싱 단위를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 도 8의 실시예에서, 리트랜스미션 이슈를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 8의 실시예에서, 자기 정전 용량 구동 모드일 때의 센싱 단위를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센싱 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센싱 영역을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시 예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 따라서 앞서 설명한 참조 부호는 다른 도면에서도 사용할 수 있다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 과장되게 나타낼 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치(1)는, 패널부(10)와, 패널부(10)를 구동하기 위한 구동 회로부(20)를 구비한다. 실시예에 따라, 패널부(10)는, 영상을 표시하기 위한 표시부(일례로, 표시 패널)(110)와, 터치 입력을 센싱하기 위한 센서부(일례로, 터치 스크린, 터치 패널, 또는 터치 센싱 소자)(120)를 포함한다. 한편, 구동 회로부(20)는, 표시부(110)를 구동하기 위한 표시 구동부(210)와, 센서부(120)를 구동하기 위한 및 센서 구동부(220)를 포함한다. 센서부(120) 및 센서 구동부(220)는 터치 센서를 구성할 수 있다.
실시예에 따라, 표시부(110) 및 센서부(120)는 서로 별개로 제작된 후, 적어도 일 영역이 서로 중첩되도록 배치 및/또는 결합될 수 있다. 또는, 다른 실시예에서, 표시부(110) 및 센서부(120)는 일체로 제작될 수도 있다. 예컨대, 센서부(120)는 표시부(110)를 구성하는 적어도 하나의 기판(일례로, 표시 패널의 상부 및/또는 하부 기판, 또는 박막 봉지층(Thin Film Encapsulation: TFE)), 또는 이외의 다른 절연층이나 각종 기능막(일례로, 광학층, 또는 보호층) 상에 직접 형성될 수 있다.
한편, 도 1에서는 센서부(120)가 표시부(110)의 전면(예컨대, 영상이 표시되는 상부면) 측에 배치되는 것으로 도시하였으나, 센서부(120)의 위치가 이에 한정되지는 않는다. 예컨대, 다른 실시예에서는, 센서부(120)가 표시부(110)의 배면 또는 양면 측에 배치될 수도 있다. 또는, 또 다른 실시예에서는, 센서부(120)가 표시부(110)의 적어도 일측 가장자리 영역에 배치될 수도 있다.
표시부(110)는, 표시 기판(111)과, 표시 기판(111) 상에 형성된 다수의 화소들(PXL)을 포함한다. 화소들(PXL)은 표시 기판(111) 상의 표시 영역(DA)에 배치될 수 있다.
표시 기판(111)은, 영상이 표시되는 표시 영역(DA)과, 표시 영역(DA)의 주변에 배치되는 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 실시예에 따라, 표시 영역(DA)은 표시부(110)의 중앙 영역에 배치되고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 표시부(110)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다.
표시 기판(111)은 경성 기판 또는 가요성 기판일 수 있으며, 그 재료나 물성이 특별히 한정되지는 않는다. 예컨대, 표시 기판(111)은 유리 또는 강화 유리로 구성된 경성 기판, 또는 플라스틱 또는 금속 재질의 박막 필름으로 구성된 가요성 기판일 수 있다.
표시 영역(DA)에는 주사선들(SL) 및 데이터선들(DL)과, 상기 주사선들(SL) 및 데이터선들(DL)에 접속되는 화소들(PXL)이 배치된다. 상기 화소들(PXL)은 주사선들(SL)로부터 공급되는 주사 신호에 의해 선택되어 데이터선들(DL)로부터 데이터 신호를 공급받고, 데이터 신호에 대응하는 휘도의 빛을 방출한다. 이에 의해, 표시 영역(DA)에서 데이터 신호에 대응하는 영상이 표시된다. 본 발명에서 화소들(PXL)의 구조 및 구동 방식 등이 특별히 한정되지는 않는다. 예컨대, 화소들(PXL) 각각은 현재 공지된 다양한 구조 및/또는 구동 방식의 화소로 구현될 수 있다.
비표시 영역(NDA)에는 표시 영역(DA)의 화소들(PXL)에 연결되는 각종 배선들 및/또는 내장 회로부가 배치될 수 있다. 일례로, 비표시 영역(NDA)에는 표시 영역(DA)으로 각종 구동 전원 및 구동 신호를 공급하기 위한 다수의 배선들이 배치될 수 있으며, 이외에도 주사 구동 회로 등이 더 배치될 수 있다.
본 발명에서, 표시부(110)의 종류가 특별히 한정되지는 않는다. 예컨대, 표시부(110)는 유기 발광 표시 패널(Organic Light Emitting Display panel: OLED panel) 등과 같은 자발광 타입의 표시 패널로 구현될 수 있다. 또는, 표시부(110)는 액정 표시 패널(Liquid Crystal Display panel: LCD panel) 등과 같은 비발광 타입의 표시 패널로 구현될 수 있다. 표시부(110)가 비발광 타입으로 구현되는 경우, 표시 장치(1)는 백라이트 유닛(Back-light Unit: BLU)과 같은 광원을 추가적으로 구비할 수 있다.
센서부(120)는 센서 기판(121) 및 센서 기판(121) 상에 형성된 다수의 센싱 셀들(TX, RX)을 포함한다. 센싱 셀들(TX, RX)은 센서 기판(121) 상의 센싱 영역(SA)에 배치될 수 있다.
센서 기판(121)은, 터치 입력을 센싱할 수 있는 센싱 영역(SA)과, 센싱 영역(SA)을 둘러싸는 주변 영역(NSA)을 포함한다. 실시예에 따라, 센싱 영역(SA)은 표시 영역(DA)의 적어도 일 영역과 중첩되도록 배치될 수 있다. 일례로, 센싱 영역(SA)은 표시 영역(DA)에 대응하는 영역(예컨대, 표시 영역(DA)과 중첩되는 영역)으로 설정되고, 주변 영역(NSA)은 비표시 영역(NDA)에 대응하는 영역(예컨대, 비표시 영역(NDA)과 중첩되는 영역)으로 설정될 수 있다. 이 경우, 표시 영역(DA) 상에 터치 입력이 제공될 때, 센서부(120)를 통해 상기 터치 입력을 검출할 수 있게 된다.
센서 기판(121)은 경성 또는 가요성의 기판일 수 있으며, 이외에도 적어도 한 층의 절연막으로 구성될 수 있다. 또한, 센서 기판(121)은 투명 또는 반투명의 투광성 기판일 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 즉, 본 발명에서 센서 기판(121)의 재료 및 그 물성이 특별히 한정되지는 않는다. 예컨대, 센서 기판(121)은 유리 또는 강화 유리로 구성된 경성 기판, 또는 플라스틱 또는 금속 재질의 박막 필름으로 구성된 가요성 기판일 수 있다. 또한, 실시예에 따라서는 표시부(110)를 구성하는 적어도 하나의 기판(예컨대, 표시 기판(111), 봉지 기판 및/또는 박막 봉지층), 또는 표시부(110)의 내부 및/또는 외면에 배치되는 적어도 한 층의 절연막이나 기능막 등이 센서 기판(121)으로 이용될 수도 있다.
센싱 영역(SA)은 터치 입력에 반응할 수 있는 영역(즉, 터치 센서의 활성 영역)으로 설정된다. 이를 위해, 센싱 영역(SA)에는 터치 입력을 센싱하기 위한 센싱 셀들(TX, RX)이 배치될 수 있다. 실시예에 따라, 센싱 셀들(TX, RX)은 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX)을 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX) 각각은, 금속 물질, 투명 도전성 물질 및 그 외 다양한 도전성 물질 중 적어도 하나를 포함함으로써 도전성을 가질 수 있다. 일례로, 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX)은, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 타이타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 백금(Pt) 등을 비롯한 다양한 금속 물질 중 적어도 하나, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX)은, 은나노와이어(AgNW), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Antimony Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), SnO2(Tin Oxide), 카본나노튜브(Carbon Nano Tube), 그래핀(graphene) 등을 비롯한 다양한 투명 도전성 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 외에도 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX)은, 다양한 도전 물질 중 적어도 하나를 포함함으로써, 도전성을 가질 수 있다. 또한, 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX) 각각은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 그 단면 구조가 특별히 한정되지는 않는다.
제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX)이 서로 교차할 경우, 이들의 사이(특히, 적어도 교차부)에는 적어도 한 층의 절연막(또는, 절연 패턴)이나 이격 공간이 위치될 수 있다.
또는, 다른 실시예에서 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX)은 서로 교차하지 않도록 센싱 영역(SA)의 동일한 층 상에 분산될 수도 있다. 이 경우, 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX)의 사이에 층간 절연막을 배치할 필요가 없게 되며, 단일의 마스크 공정을 통해 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX)을 동시에 패터닝할 수 있게 된다. 이와 같이, 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX)을 동일한 층 상에 배치하게 되면, 마스크 공정을 최소화하여 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치(1)의 제조 비용을 절감할 수 있으며, 또한 상기 터치 센서 및 표시 장치(1)의 두께를 최소화할 수 있다.
한편, 센서부(120)의 주변 영역(NSA)에는 센싱 셀들(TX, RX)을 센서 구동부(220) 등과 전기적으로 연결하기 위한 센서 배선들이 배치될 수 있다.
구동 회로부(20)는, 표시부(110)를 구동하기 위한 표시 구동부(210) 및 센서부(120)를 구동하기 위한 센서 구동부(220)를 포함한다. 실시예에 따라, 표시 구동부(210) 및 센서 구동부(220)는 서로 분리되어 구성되거나, 또는 이들의 적어도 일부분이 하나의 구동 IC(driver IC) 내에 함께 집적될 수 있다.
표시 구동부(210)는 표시부(110)에 전기적으로 연결되어 화소들(PXL)을 구동한다. 이를 위해, 표시 구동부(210)는 주사선들(SL)로 주사 신호를 공급하기 위한 주사 구동부, 데이터선들(DL)로 데이터 신호를 공급하기 위한 데이터 구동부, 상기 주사 구동부 및 데이터 구동부를 제어하기 위한 타이밍 제어부를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 상기 주사 구동부, 데이터 구동부 및/또는 타이밍 제어부는 하나의 표시 IC(D-IC)의 내부에 집적될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 예컨대, 다른 실시예에서, 주사 구동부, 데이터 구동부 및/또는 타이밍 제어부는 표시부(110)에 내장될 수도 있다.
센서 구동부(220)는 센서부(120)에 전기적으로 연결되어 상기 센서부(120)를 구동한다. 센서 구동부(220)는, 터치 구동 회로 및 터치 센싱 회로를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 터치 구동 회로 및 터치 센싱 회로는 하나의 터치 IC(T-IC)의 내부에 집적될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.
상술한 표시 장치(1)는 터치 센서를 구비함으로써, 사용의 편의성을 제공한다. 예컨대, 사용자는 표시 영역(DA)에서 표시되는 영상을 보면서 화면을 터치하여 손쉽게 표시 장치(1)를 제어할 수 있다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 터치 센서의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하여, 터치 센서(TS)가 상호 정전 용량 구동 모드로 동작하는 경우를 설명한다. 도 2에서는 터치 센서(TS)의 어느 한 채널을 중심으로 센서부(120) 및 센서 구동부(220)의 구성을 도시하기로 한다.
제1 센싱 셀(TX)은 터치 구동 회로(TDC)에 연결되고, 제2 센싱 셀(RX)은 터치 센싱 회로(TSC)에 연결될 수 있다.
터치 센싱 회로(TSC)는 연산 증폭기(AMP)를 포함하고, 제2 센싱 셀(RX)은 연산 증폭기(AMP)의 제1 입력 단자(IN1)에 연결될 수 있다. 연산 증폭기(AMP)의 제2 입력 단자는 기준 전압원(GND)에 연결될 수 있다.
터치 센서(TS)의 구동 방법을 설명하면, 터치 센싱 모드가 활성화되는 터치 센싱 기간 동안 터치 구동 회로(TDC)로부터 제1 센싱 셀(TX)로 구동 신호(Sdr)가 공급된다. 실시예에 따라, 구동 신호(Sdr)는 펄스파와 같이 소정의 주기를 가지는 교류 신호일 수 있다.
터치 센싱 회로(TSC)는 구동 신호(Sdr)에 의해 발생한 센싱 신호(Sse)를 이용하여 제2 센싱 셀(RX)을 센싱할 수 있다. 센싱 신호(Sse)는 제1 센싱 셀(TX)과 제2 센싱 셀(RX)이 형성한 상호 정전 용량에 기초하여 생성될 수 있다. 사용자 손가락 등의 객체(OBJ)가 제1 센싱 셀(TX)에 근접한 정도에 따라, 제1 센싱 셀(TX)과 제2 센싱 셀(RX)이 형성한 상호 정전 용량은 달라질 수 있고, 이에 따라 센싱 신호(Sse)도 달라질 수 있다. 이러한 센싱 신호(Sse)의 차이를 이용하여, 객체(OBJ)의 터치 여부를 검출할 수 있다.
한편, 도 1에 도시된 바와 같이 센서부(120)가 복수의 제1 센싱 셀들(TX)을 포함할 경우, 터치 구동 회로(TDC)는 터치 센싱 기간 동안 제1 센싱 셀들(TX)로 구동 신호(Sdr)를 순차적으로 공급할 수 있다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이 센서부(120)가 복수의 제2 센싱 셀들(RX)을 포함할 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는 각 그룹의 제2 센싱 셀들(RX)에 전기적으로 연결되는 복수의 센싱 채널들(222)을 구비할 수 있다. 이러한 터치 센싱 회로(TSC)는 센싱 채널들(222)을 통해서, 구동 신호들(Sdr) 각각에 대하여 제2 센싱 셀들(RX)로부터 센싱 신호들(Sse)을 수신하고, 수신된 센싱 신호들(Sse)을 종합하여 터치 입력(예를 들어, 터치 위치, 터치 강도)을 검출한다.
한편, 실시예에 따라서는 각각의 제2 센싱 셀들(RX)이, 제2 센싱 셀(RX)에 연결된 연산 증폭기(AMP)(또는 연산 증폭기(AMP)를 구비한 아날로그 프론트 엔드(analog front end: AFE))와 함께 각각의 센싱 채널(222)을 구성하는 것으로도 볼 수 있을 것이다. 다만, 설명의 편의를 위하여 이하에서는 센서부(120)에 제공되는 제2 센싱 셀들(RX)과, 터치 센싱 회로(TSC)의 신호 수신부를 구성하는 센싱 채널들(222)을 서로 구분하여 설명하기로 한다.
터치 센싱 회로(TSC)는 각각의 제2 센싱 셀들(RX)로부터 입력되는 센싱 신호들(Sse)을 증폭, 변환 및 신호 처리하고, 그 결과에 따라 터치 입력을 검출한다. 이를 위해, 터치 센싱 회로(TSC)는 각각의 제2 센싱 셀들(RX)에 대응하는 각각의 센싱 채널들(222)과, 센싱 채널들(222)에 연결되는 아날로그 디지털 변환기(analog-to-digital converter: ADC)(224) 및 프로세서(226)를 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 각각의 센싱 채널들(222)은 이에 대응하는 제2 센싱 셀(RX)로부터 센싱 신호(Sse)를 수신하는 AFE로 구성될 수 있다. 일례로, 각각의 센싱 채널들(222)은 적어도 하나의 연산 증폭기(AMP)를 포함하는 AFE로 구현될 수 있다.
센싱 채널(222)은 제1 입력 단자(IN1)(예컨대, 연산 증폭기(AMP)의 반전 입력 단자) 및 제2 입력 단자(IN2)(예컨대, 연산 증폭기(AMP)의 비반전 입력 단자)를 구비하며, 제1 및 제2 입력 단자(IN1, IN2)의 전압 차에 대응하는 출력 신호를 발생할 수 있다. 예컨대, 센싱 채널(222)은 제1 및 제2 입력 단자(IN1, IN2)의 차전압을 소정의 게인(gain)에 대응하는 정도로 증폭(즉, 차분 증폭)하여 출력할 수 있다.
각각의 센싱 채널(222)의 제2 입력 단자(IN2)는 기준 전위 단자일 수 있으며, 일례로 상기 제2 입력 단자(IN2)는 접지 전원과 같은 기준 전압원(GND)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 센싱 채널(222)은 제2 입력 단자(IN2)의 전위를 기준으로, 제1 입력 단자(IN1)로 입력되는 센싱 신호(Sse)를 증폭하여 출력한다. 즉, 각각의 센싱 채널(222)은, 제1 입력 단자(IN1)를 통해 해당 제2 센싱 셀(RX)로부터 센싱 신호(Sse)를 수신하고, 제1 입력 단자(IN1)의 전압과 제2 입력 단자(IN2)의 전압의 전압 차에 대응하는 신호(차전압)를 증폭하여 출력함으로써, 센싱 신호(Sse)를 증폭할 수 있다.
실시예에 따라, 연산 증폭기(AMP)는 적분기로 구현될 수 있다. 이 경우, 연산 증폭기(AMP)의 제1 입력 단자(IN1)와 출력 단자(OUT1)의 사이에는 용량 소자(Ca) 및 리셋 스위치(SWr)가 서로 병렬로 연결될 수 있다. 예를 들어, 센싱 신호(Sse)를 센싱하기 전 리셋 스위치(SWr)가 턴-온됨으로써, 용량 소자(Ca)의 전하들을 초기화시킬 수 있다. 센싱 신호(Sse)의 센싱 시점에는 리셋 스위치(SWr)가 턴-오프 상태일 수 있다.
ADC(224)는 각각의 센싱 채널들(222)로부터 입력되는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환한다. 실시예에 따라, ADC(224)는 제2 센싱 셀들(RX)에 상응하는 센싱 채널들(222)에 1:1로 대응하도록 제2 센싱 셀들(RX)의 개수만큼 구비될 수 있다. 다른 실시예에서, 적어도 두 개의 센싱 채널들(222)이 하나의 ADC(224)를 공유할 수도 있다. 이 경우, 센싱 채널들(222)과 ADC(224)의 사이에는 채널 선택을 위한 스위치가 추가적으로 구비될 수 있다.
프로세서(226)는 각각의 제2 센싱 셀들(RX)로부터 출력된 센싱 신호(Sse)를 이용하여 터치 입력을 검출한다. 예컨대, 프로세서(226)는 복수의 제2 센싱 셀들(RX) 각각으로부터 해당 센싱 채널(222) 및 ADC(224)를 경유하여 입력되는 신호(즉, 증폭 및 디지털 변환된 센싱 신호(Sse))를 분석이 가능한 소정의 형태로 신호 처리하고, 제2 센싱 셀들(RX)로부터 출력된 센싱 신호들(Sse)을 종합적으로 분석하여 터치 입력의 발생 여부 및 그 위치를 검출할 수 있다.
실시예에 따라, 프로세서(226)는 마이크로 프로세서(Microprocessor: MPU)로 구현될 수 있다. 이 경우, 터치 센싱 회로(TSC)의 내부에는 프로세서(226)의 구동에 필요한 메모리가 추가적으로 구비될 수 있다. 한편, 프로세서(226)의 구성이 이에 한정되지는 않는다. 다른 예로서, 프로세서(226)는 마이크로 컨트롤러(Microcontroller: MCU) 등으로 구현될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 터치 센서의 구동 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하여, 터치 센서(TS)가 자기 정전 용량 구동 모드로 동작하는 경우를 설명한다. 도 2에서는 터치 센서(TS)의 어느 한 채널을 중심으로 센서부(120) 및 센서 구동부(220)의 구성을 도시하기로 한다.
제1 센싱 셀(TX) 또는 제2 센싱 셀(RX)은 터치 센싱 회로(TSC)에 연결될 수 있다. 즉, 제1 센싱 셀들(TX) 및 제2 센싱 셀들(RX) 중 적어도 일부는 대응하는 센싱 채널(222)에 연결될 수 있다.
상호 정전 용량 구동 모드와 달리, 자기 정전 용량 구동 모드에서, 제1 센싱 셀(TX) 또는 제2 센싱 셀(RX)은 대응하는 연산 증폭기(AMP)의 제1 입력 단자(IN1)에 연결될 수 있다. 연산 증폭기(AMP)의 제2 입력 단자(IN2)는 터치 구동 회로(TDC)에 연결될 수 있다.
터치 센싱 회로(TSC)는 구동 신호(Sdr)에 의해 발생한 센싱 신호(Sse)를 이용하여 제2 센싱 셀(RX)을 센싱할 수 있다. 사용자 손가락 등의 객체(OBJ)가 제1 센싱 셀(TX) 또는 제2 센싱 셀(RX)에 근접한 경우, 센싱 신호(Sse)는 객체 표면(OE)과 제1 센싱 셀(TX) 또는 제2 센싱 셀(RX)이 형성한 자기 정전 용량에 기초하여 생성된다. 반면에, 사용자 손가락 등의 객체(OBJ)가 제1 센싱 셀(TX) 또는 제2 센싱 셀(RX)에 근접하지 않은 경우, 센싱 신호(Sse)는 자기 정전 용량과 무관하게 생성된다. 이러한 센싱 신호(Sse)의 차이를 이용하여, 객체(OBJ)의 터치 여부를 검출할 수 있다.
터치 센싱 회로(TSC) 및 터치 구동 회로(TDC)에 대한 중복된 설명은 생략한다.
이하, 센싱 영역(SAA)에 관한 도 4 내지 도 7에서 도 4 내지 도 6에서는 상호 정전 용량 구동 모드에 기초하여 설명한다. 도 7을 설명함에 있어서는 자기 정전 용량 구동 모드에 기초하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 센싱 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 센싱 영역(SAA)은 복수의 센싱 블록들(BLA1~BLA8)을 포함한다. 센싱 블록들(BLA1~BLA8)은 대응하는 제1 센싱 셀들(TA1a~TA17d) 및 제2 센싱 셀들(RA1a~RA26d)을 포함한다. 각각의 센싱 블록들(BLA1~BLA8)은 동일한 노드에 연결된 한 그룹의 제2 센싱 셀들을 포함한다. 예를 들어, 센싱 블록(BLA1)의 제2 센싱 셀들(RA1a, RA1b, RA1c, RA1d)은 동일한 노드에 연결될 수 있다. 따라서, 제2 센싱 셀들(RA1a, RA1b, RA1c, RA1d)은 동일한 센싱 채널(222)에 연결될 수 있고, 동시에 센싱될 수 있다. 유사하게, 센싱 블록(BLA2)의 제2 센싱 셀들(RA9a, RA9b, RA9c, RA9d)은 동일한 노드에 연결될 수 있다. 따라서, 제2 센싱 셀들(RA9a, RA9b, RA9c, RA9d)은 동일한 센싱 채널(222)에 연결될 수 있고, 동시에 센싱될 수 있다. 다른 센싱 블록들(BLA3~BLA8)에 대한 중복된 설명은 생략한다.
각각의 센싱 블록들(BLA1~BLA8)은 서로 다른 노드에 연결된 제1 센싱 셀들을 포함한다. 예를 들어, 센싱 블록(BLA1)의 제1 센싱 셀들(TA1a~TA16a)은 서로 다른 노드에 연결되어 있고, 터치 구동 회로(TDC)로부터 서로 다른 시점에 구동 신호(Sdr)를 수신할 수 있다. 유사하게, 센싱 블록(BLA2)의 제1 센싱 셀들(TA13a~TA20a)은 서로 다른 노드에 연결되어 있고, 터치 구동 회로(TDC)로부터 서로 다른 시점에 구동 신호(Sdr)를 수신할 수 있다.
도 4의 실시예에서, 제1 방향(DR1)으로 인접한 센싱 블록들 각각의 경계에 위치한 제1 센싱 셀들은 서로 동일한 전기적 노드를 갖는다. 예를 들어, 센싱 블록들(BLA1, BLA2)은 그 경계에서 제1 센싱 셀들(TA13a, TA14a, TA15a, TA16a)을 공유한다. 또한, 예를 들어, 센싱 블록들(BLA2, BLA3)은 그 경계에서 제1 센싱 셀들(TA17a, TA18a, TA19a, TA20a)을 공유한다.
도 5는 도 4의 실시예에서, 상호 정전 용량 구동 모드일 때의 센싱 단위를 설명하기 위한 도면이다.
예를 들어, 터치 구동 회로(TDC)가 동일한 노드에 연결된 제1 센싱 셀들(TA1a, TA1b, TA1c, TA1d, TA1e, TA1f, TA1g, TA1h)로 구동 신호들(Sdr)을 동시에 공급할 수 있다. 터치 센싱 회로(TSC)는 복수의 센싱 채널들(222)에 입력되는 센싱 신호들(Sse)을 이용하여 터치 입력 여부를 감지할 수 있다. 예를 들어, 제2 센싱 셀들(RA1a, RA1b, RA1c, RA1d)에 연결된 센싱 채널(222)에 입력된 센싱 신호(Sse)가 변화된 상호 정전 용량에 기초하는 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는 센싱 단위 영역(MSA1)에 터치가 발생하였음을 감지할 수 있다.
또한, 예를 들어, 터치 구동 회로(TDC)가 동일한 노드에 연결된 제1 센싱 셀들(TA5a, TA5b, TA5c, TA5d, TA5e, TA5f, TA5g, TA5h)로 구동 신호들(Sdr)을 동시에 공급할 수 있다. 이때, 제2 센싱 셀들(RA1a, RA1b, RA1c, RA1d)에 연결된 센싱 채널(222)에 입력된 센싱 신호(Sse)가 변화된 상호 정전 용량에 기초하는 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는 센싱 단위 영역(MSA2)에 터치가 발생하였음을 감지할 수 있다.
또한, 예를 들어, 터치 구동 회로(TDC)가 동일한 노드에 연결된 제1 센싱 셀들(TA13a, TA13b, TA13c, TA13d)로 구동 신호들(Sdr)을 동시에 공급할 수 있다. 이때, 제2 센싱 셀들(RA1a, RA1b, RA1c, RA1d)에 연결된 센싱 채널(222)에 입력된 센싱 신호(Sse) 및 제2 센싱 셀들(RA9a, RA9b, RA9c, RA9d)에 연결된 센싱 채널(222)에 입력된 센싱 신호(Sse)가 변화된 상호 정전 용량에 기초하는 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는 센싱 단위 영역(MSA3)에 터치가 발생하였음을 감지할 수 있다.
즉, 센싱 단위 영역(MSA3)은 센싱 블록들(BLA1, BLA2)의 경계에 위치하게 되는데, 센싱 단위 영역(MSA3)을 센싱하기 위해서는 2 개의 센싱 채널들(222)이 필요하게 된다. 센싱 블록(BLA1)의 내부에 위치한 센싱 단위 영역들(MSA1, MSA2)은 1 개의 센싱 채널(222)을 이용하여 터치 여부를 센싱한다. 따라서, 다른 센싱 단위 영역들(MSA1, MSA2)과 비교했을 때, 센싱 단위 영역(MSA3)의 센싱 시에 노이즈(noise)가 2 배로 유입되며, 후술하는 리트랜스미션 이슈에도 2 배 영향받게 된다. 더불어, 2 개의 센싱 채널들(222)의 서로 다른 특성도 센싱에 있어서 오차로 반영될 수 있다.
이러한 센싱 블록들(BLA1, BLA2)의 경계에 위치한 제1 센싱 전극들(TA13a, TA14a, TA15a, TA16a)을 하프 노드(half node)라고 명명할 수 있다.
또한, 도 5의 실시예에서, 제1 센싱 셀들(TA1a~TA17d) 및 제2 센싱 셀들(RA1a~RA26d)의 제1 방향(DR1)의 폭들이 동일하다고 가정했을 때, 센싱 영역(SAA)의 최외각에 있는 센싱 단위 영역(MSA1)과 다른 센싱 단위 영역들(MSA2, MSA3)의 크기가 다른 문제가 있다. 즉, 센싱 단위 영역들(MSA1, MSA2, MSA3) 중심 간의 간격이 서로 달라지게 되어, 정확한 터치 위치의 검출이 어려울 수 있다.
도 6은 도 4의 실시예에서, 리트랜스미션 이슈를 설명하기 위한 도면이다.
예를 들어, 센싱 영역(SAA)의 센싱 블록(BLA2)에 센싱 블록(BLA2)의 면적과 대응하는 면적의 객체(OBJ)가 터치되었다고 가정한다.
도 2와 같이 객체(OBJ)가 적절히 접지되는 경우, 제1 센싱 셀(TX)로부터 발생한 전계는 객체(OBJ)와 제2 센싱 셀(RX)로 나뉘어질 수 있다. 터치 센싱 회로(TSC)는 제2 센싱 셀(RX)에 인가되는 감소된 전계에 기초하여 터치 여부를 검출할 수 있다.
하지만, LGM(low ground mass) 환경, 즉 객체(OBJ)가 적절히 접지되지 않는 경우에, 객체(OBJ)로부터 제2 센싱 셀(RX)로 재차 전계가 발생함(re-transmission)으로써, 터치 센싱 회로(TSC)는 제2 센싱 셀(RX)에 인가되는 전계가 감소되었는지 유지되었는지 판별하기 어려워진다.
도 6의 경우, LGM 환경에서 객체(OBJ)로부터 발생한 전계는 대부분 동일한 노드에 연결된 제2 센싱 셀들(RA9a, RA9b, RA9c, RA9d)로 리트랜스미션되므로, 해당 노드에 연결된 센싱 채널(222)은 객체(OBJ)의 터치 여부를 판별하기 어려워진다.
도 7은 도 4의 실시예에서, 자기 정전 용량 구동 모드일 때의 센싱 단위를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하여 전술한 바와 같이, 터치 센서(TS)는 자기 정전 용량 구동 모드로 동작할 수도 있다.
하지만, 센싱 영역(SAA)과 같이 동일한 노드에 연결된 제1 센싱 셀들(예를 들어, TA1a, TA1b, TA1c, TA1d, TA1e, TA1f, TA1g, TA1h)이 모든 센싱 블록들에 분산되는 경우, 제1 센싱 셀들(TA1a, TA1b, TA1c, TA1d, TA1e, TA1f, TA1g, TA1h)과 객체(OBJ) 사이에서 자기 정전 용량이 형성된 것인지, 제1 센싱 셀들(TA1a, TA1b, TA1c, TA1d, TA1e, TA1f, TA1g, TA1h)이 터치되지 않았음에도 제1 센싱 셀들(TA1a, TA1b, TA1c, TA1d, TA1e, TA1f, TA1g, TA1h)을 연결하는 배선과 객체(OBJ) 사이에서 자기 정전 용량이 형성된 것인지(일명, 고스트 터치(ghost touch))를 분별하는 것이 어렵다.
따라서, 도 7과 같은 배치예에서 터치 센서(TS)가 자기 정전 용량 구동 모드로 동작하는 경우, 제2 센싱 셀들(RA1a~RA26d)만을 이용하여 터치 위치를 검출하게 된다. 따라서, 검출 가능한 터치 위치는 각 센싱 블록들의 중심(SSA)이 된다. 따라서, 도 4 내지 도 7의 실시예에서 자기 정전 용량 구동모드의 터치 해상도(도 7 참조)는 상호 정전 용량 구동 모드(도 5 참조)의 터치 해상도보다 작다.
이하, 센싱 영역(SAB)에 관한 도 8 내지 도 12에서 도 8 내지 도 11에서는 상호 정전 용량 구동 모드에 기초하여 설명한다. 도 12를 설명함에 있어서는 자기 정전 용량 구동 모드에 기초하여 설명한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센싱 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 센싱 영역(SAB)는 복수의 센싱 블록들(BLB1, BLB2, BLB3, BLB4, BLB5, BLB6, BLB7, BLB8)을 포함한다. 센싱 블록들(BLB1~BLB8)은 대응하는 제1 센싱 셀들(TB1a~TB4j) 및 제2 센싱 셀들(RB1a~RB2d)을 포함한다.
예를 들어, 센싱 블록(BLB1)은 제1 센싱 셀들(TB1a~TB16e) 및 제2 센싱 셀들(RB1a~RB32a)을 포함할 수 있다.
제1 그룹의 제1 센싱 셀들(TB1a, TB1b, TB1c, TB1d, TB1e)은 제1 방향(DR1)으로 배열되고, 제1 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제1 노드에 연결될 수 있다.
제2 그룹의 제1 센싱 셀들(TB8a, TB8b, TB8c, TB8d, TB8e)은 제1 방향(DR1)으로 배열되고, 제2 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제2 노드에 연결될 수 있다. 제2 그룹의 제1 센싱 셀들(TB8a, TB8b, TB8c, TB8d, TB8e)은 제1 그룹의 제1 센싱 셀들(TB1a, TB1b, TB1c, TB1d, TB1e)로부터 제2 방향(DR2)에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제2 방향(DR2)은 제1 방향(DR1)과 직교하는 방향일 수 있다. 제1 노드와 제2 노드는 서로 다른 노드일 수 있다.
제2 센싱 셀들(RB1a, RB16a, RB17a, RB32a)은 각각이 제1 이격 영역들 및 제2 이격 영역들에서 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 센싱 셀들(RB1a, RB16a, RB17a, RB32a)은 서로 다른 전기적 노드를 가질 수 있다. 즉, 제2 센싱 셀들(RB1a, RB16a, RB17a, RB32a)은 서로 다른 센싱 채널들(222)에 연결될 수 있다.
또한 예를 들어, 센싱 블록(BLB2)은 제1 센싱 셀들(TB2a~TB15e) 및 제2 센싱 셀들(RB32b~RB1b)을 포함할 수 있다.
제3 그룹의 제1 센싱 셀들(TB2a, TB2b, TB2c, TB2d, TB2e)은 제1 방향(DR1)으로 배열되고, 제3 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제3 노드에 연결될 수 있다.
제4 그룹의 제1 센싱 셀들(TB7a, TB7b, TB7c, TB7d, TB7e)은 제1 방향(DR1)으로 배열되고, 제4 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제4 노드에 연결될 수 있다. 제4 그룹의 제1 센싱 셀들(TB7a, TB7b, TB7c, TB7d, TB7e)은 제3 그룹의 제1 센싱 셀들(TB2a, TB2b, TB2c, TB2d, TB2e)로부터 제2 방향(DR2)에 위치할 수 있다. 제3 노드와 제4 노드는 서로 다른 노드일 수 있다.
제2 센싱 셀들(RB32b, RB17b, RB16b, RB1b)은 각각이 제1 이격 영역들 및 제2 이격 영역들에서 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 센싱 셀들(RB32b, RB17b, RB16b, RB1b)은 서로 다른 전기적 노드를 가질 수 있다. 즉, 제2 센싱 셀들(RB32b, RB17b, RB16b, RB1b)은 서로 다른 센싱 채널들(222)에 연결될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 방향(DR1)으로 인접한 센싱 블록들(BLB1, BLB2) 각각의 경계에 위치한 제1 센싱 셀들은 서로 다른 전기적 노드를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 센싱 셀들(TB1e, TB2a)은 서로 다른 노드에 연결되고, 제1 센싱 셀들(TB8e, TB7a)은 서로 다른 노드에 연결되고, 제1 센싱 셀들(TB9e, TB10a)은 서로 다른 노드에 연결되고, 제1 센싱 셀들(TB16e, TB15a)은 서로 다른 노드에 연결될 수 있다.
도 8에서는 각각의 센싱 블록들이 4 개의 제2 센싱 셀들을 포함하도록 도시되었다. 하지만, 다른 실시예에서, 각각의 센싱 블록들은 적어도 2 개 이상의 제2 센싱 셀들을 포함하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 각각의 센싱 블록들은 2 개의 제2 센싱 셀들을 포함할 수도 있고, 3 개의 제2 센싱 셀들을 포함할 수도 있다.
도 8에서는 각 그룹의 제1 센싱 셀들이 5 개인 것으로 도시되었다. 하지만, 다른 실시예에서 각각의 센싱 블록들에 포함된 제2 센싱 셀들의 개수가 달라지는 경우, 각 그룹의 제1 센싱 셀들의 개수도 달라질 수 있다. 예를 들어, 각각의 센싱 블록들에 포함된 제2 센싱 셀들의 개수가 n 개라면, 각 그룹의 제1 센싱 셀들의 개수는 n+1 개일 수 있다. 여기서 n은 1보다 큰 정수일 수 있다.
도 9는 도 8의 센싱 영역의 일부분을 확대한 도면이고, 도 10은 도 8의 실시예에서, 상호 정전 용량 구동 모드일 때의 센싱 단위를 설명하기 위한 도면이다.
도 9를 참조하면, 도 8의 센싱 블록들(BLB1, BLB2, BLB3)의 일부분이 확대되어 도시된다.
예를 들어, 센싱 블록(BLB2)의 경계에 위치한 제1 센싱 셀들(TB2a, TB2e)의 제1 방향(DR1)의 제1 폭(W1)은 센싱 블록(BLB2)의 경계에 위치하지 않은 제1 센싱 셀들(TB2b, TB2c, TB2d)의 제1 방향(DR1)의 제2 폭(W2)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 폭(W1)은 제2 폭(W2)의 1/2일 수 있다.
예를 들어, 센싱 블록(BLB2)의 제2 센싱 셀들(RB32b, RB17b, RB16, RB1b)의 제1 방향(DR1)의 제3 폭(W3)은 제2 폭(W2)과 동일할 수 있다.
예를 들어, 도 8을 더 참조하면, 센싱 영역(SAB)에서 최외곽에 위치한 센싱 블록들(BLB1, BLB4, BLB5, BLB8)의 각각의 경계에 위치한 제1 센싱 셀들의 제1 방향(DR1)의 제1 폭(W1)은 경계에 위치하지 않은 제1 센싱 셀들의 제1 방향(DR1)의 제2 폭(W2)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 센싱 블록(BLB1)의 외곽 경계에 위치한 제1 센싱 셀들(TB1a, TB8a, TB9a, TB16a)의 제1 폭(W1)은 경계에 위치하지 않은 제1 센싱 셀들(TB1b~TB16d)의 제2 폭(W2)보다 작을 수 있다. 또한 예를 들어, 센싱 블록(BLB4)의 외곽 경계에 위치한 제1 센싱 셀들(TB4e, TB5e, TB12e, TB13e)의 제1 폭(W1)은 경계에 위치하지 않은 제1 센싱 셀들(TB4b~TB13d)의 제2 폭(W2)보다 작을 수 있다.
예를 들어, 터치 구동 회로(TDC)가 동일한 노드에 연결된 제1 센싱 셀들(TB1a, TB1b, TB1c, TB1d, TB1e, TB1f, TB1g, TB1h, TB1i, TB1j)로 구동 신호들(Sdr)을 동시에 공급할 수 있다. 터치 센싱 회로(TSC)는 복수의 센싱 채널들(222)에 입력되는 센싱 신호들(Sse)을 이용하여 터치 입력 여부를 감지할 수 있다.
예를 들어, 제2 센싱 셀들(RB1a, RB1b, RB1c, RB1d)에 연결된 센싱 채널(222)에 입력된 센싱 신호(Sse)가 변화된 상호 정전 용량에 기초하는 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는 센싱 단위 영역(MSB1)에 터치가 발생하였음을 감지할 수 있다.
이때, 제2 센싱 셀들(RB16a, RB16b, RB16c, RB16d)에 연결된 센싱 채널(222)에 입력된 센싱 신호(Sse)가 변화된 상호 정전 용량에 기초하는 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는 센싱 단위 영역(MSB2)에 터치가 발생하였음을 감지할 수 있다.
이때, 제2 센싱 셀들(RB17a, RB17b, RB17c, RB17d)에 연결된 센싱 채널(222)에 입력된 센싱 신호(Sse)가 변화된 상호 정전 용량에 기초하는 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는 센싱 단위 영역(MSB3)에 터치가 발생하였음을 감지할 수 있다.
이때, 제2 센싱 셀들(RB32a, RB32b, RB32c, RB32d)에 연결된 센싱 채널(222)에 입력된 센싱 신호(Sse)가 변화된 상호 정전 용량에 기초하는 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는 센싱 단위 영역(MSB4)에 터치가 발생하였음을 감지할 수 있다.
예를 들어, 터치 구동 회로(TDC)가 동일한 노드에 연결된 제1 센싱 셀들(TB2a, TB2b, TB2c, TB2d, TB2e, TB2f, TB2g, TB2h, TB2i, TB2j)로 구동 신호들(Sdr)을 동시에 공급할 수 있다. 이때, 제2 센싱 셀들(RB32a, RB32b, RB32c, RB32d)에 연결된 센싱 채널(222)에 입력된 센싱 신호(Sse)가 변화된 상호 정전 용량에 기초하는 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는 센싱 단위 영역(MSB5)에 터치가 발생하였음을 감지할 수 있다.
따라서, 도 9의 실시예에 따르는 경우, 도 10을 참조하면, 각각의 센싱 단위 영역들(MSB1, MSB2, MSB3, MSB4, MSB5)의 크기가 위치와 관계없이 일정해질 수 있다.
또한, 센싱 블록들(BLB1~BLB8)의 경계에 걸쳐진 센싱 단위 영역이 없으므로, 하프 노드가 없고, 이에 따라 도 5에서 설명한 관련 이슈가 없게 된다.
도 11은 도 8의 실시예에서, 리트랜스미션 이슈를 설명하기 위한 도면이다.
예를 들어, 센싱 영역(SAB)의 센싱 블록(BLB2)에 센싱 블록(BLB2)의 면적과 대응하는 면적의 객체(OBJ)가 터치되었다고 가정한다.
만약, 객체(OBJ)가 적절히 접지되지 않는 LGM 환경이라고 하더라도, 객체(OBJ)로부터 발생한 전계는 서로 다른 센싱 채널들(222)에 연결된 제2 센싱 셀들(RB32b, RB17b, RB16b, RB1b)로 분산되어 리트랜스미션된다.
따라서, 터치 센싱 회로(TSC)는, 도 6의 경우와 비교했을 때, 대략 4 배 정도 리트랜스미션 이슈가 완화될 수 있다.
도 12는 도 8의 실시예에서, 자기 정전 용량 구동 모드일 때의 센싱 단위를 설명하기 위한 도면이다.
각 센싱 블록(예를 들어, BLA2)에 제1 센싱 셀들의 최대 20 개의 노드들이 포함된 도 7의 경우와 달리, 도 12의 센싱 영역(SAB)의 배치예에서는 각 센싱 블록들(BLB1~BLB8)에 포함된 제1 센싱 셀들(TB1a~TB4j)의 노드들은 4 개이다.
따라서, 배선과 각 그룹의 제1 센싱 셀들(TB1a~TB4j)의 터치 감도 차이는 명확해질 수 있으므로, 도 7의 경우와 달리 제1 센싱 셀들(TB1a~TB4j) 또한 터치 위치 검출에 이용될 수 있다.
예를 들어, 터치 센싱 회로(TSC)는 제1 센싱 셀들(TB1a, TB1b, TB1c, TB1d, TB1e, TB1f, TB1g, TB1h, TB1i, TB1j)에서 터치 신호가 검출되고 및 제2 센싱 셀들(RB1a, RB1b, RB1c, RB1d)에서 터치 신호가 검출되는 경우, 위치(SSB1)에 터치가 발생하였음을 검출할 수 있다.
예를 들어, 터치 센싱 회로(TSC)는 제1 센싱 셀들(TB1a, TB1b, TB1c, TB1d, TB1e, TB1f, TB1g, TB1h, TB1i, TB1j)에서 터치 신호가 검출되고 및 제2 센싱 셀들(RB32a, RB32b, RB32c, RB32d)에서 터치 신호가 검출되는 경우, 위치(SSB1)에 터치가 발생하였음을 검출할 수 있다.
따라서, 도 8 내지 도 12의 실시예에서, 자기 정전 용량 구동모드의 터치 해상도(도 12 참조)는 상호 정전 용량 구동 모드(도 10 참조)의 터치 해상도와 동일할 수 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 센싱 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 13의 센싱 영역(SAB')에서는, 도 8 내지 도 12의 센싱 영역(SAB)을 기준으로, 제1 센싱 전극들과 제2 센싱 전극들이 서로 대체되었다.
센싱 영역(SAB')은 아래와 같이 상호 정전 용량 구동 모드로 구동될 수도 있다(도 2를 더 참조).
제1 센싱 셀들(TB1a~TB2d)은 터치 센싱 회로(TSC)에 연결되고, 제2 센싱 셀들(RB1a~RB4j)은 터치 구동 회로(TDC)에 연결될 수 있다.
터치 센싱 회로(TSC)는 연산 증폭기들(AMP)을 포함하고, 제1 센싱 셀들(TB1a~TB2d)은 연산 증폭기들(AMP)의 제1 입력 단자들(IN1)에 연결될 수 있다. 연산 증폭기들(AMP)의 제2 입력 단자들(IN2)은 기준 전압원(GND)에 연결될 수 있다.
터치 구동 회로(TDC)는 터치 센싱 기간 동안 제2 센싱 셀들(RB1a~RB4j) 구동 신호(Sdr)를 순차적으로 공급할 수 있다. 터치 센싱 회로(TSC)는 각 그룹의 제1 센싱 셀들(TB1a~TB2d)에 전기적으로 연결되는 복수의 센싱 채널들(222)을 구비할 수 있다. 이러한 터치 센싱 회로(TSC)는 센싱 채널들(222)을 통해서, 구동 신호들(Sdr) 각각에 대하여 제1 센싱 셀들(TB1a~TB2d)로부터 센싱 신호들(Sse)을 수신하고, 수신된 센싱 신호들(Sse)을 종합하여 터치 입력을 검출할 수 있다.
또한, 센싱 영역(SAB')은 자기 정전 용량 구동 모드로 구동될 수도 있다. 다만, 자기 정전 용량 구동 모드의 경우, 도 3의 경우와 설명이 일치하므로, 중복된 설명은 생략한다.
도 13에서는 각각의 센싱 블록들이 4 개의 제1 센싱 셀들을 포함하도록 도시되었다. 하지만, 다른 실시예에서, 각각의 센싱 블록들은 적어도 2 개 이상의 제1 센싱 셀들을 포함하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 각각의 센싱 블록들은 2 개의 제1 센싱 셀들을 포함할 수도 있고, 3 개의 제1 센싱 셀들을 포함할 수도 있다.
도 13에서는 각 그룹의 제2 센싱 셀들이 5 개인 것으로 도시되었다. 하지만, 다른 실시예에서 각각의 센싱 블록들에 포함된 제1 센싱 셀들의 개수가 달라지는 경우, 각 그룹의 제2 센싱 셀들의 개수도 달라질 수 있다. 예를 들어, 각각의 센싱 블록들에 포함된 제1 센싱 셀들의 개수가 n 개라면, 각 그룹의 제2 센싱 셀들의 개수는 n+1 개일 수 있다. 여기서 n은 1보다 큰 정수일 수 있다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 센싱 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 14를 참조하면, 센싱 영역(SAC)은 복수의 센싱 블록들(BLC1, BLC2)을 포함한다. 센싱 블록들(BLC1, BLC2)은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다.
센싱 블록들(BLC1, BLC2)은 대응하는 제1 센싱 셀들(TC1a~TC8q) 및 제2 센싱 셀들(RC1a~RC16b)을 포함한다.
예를 들어, 센싱 블록(BLC1)은 제1 센싱 셀들(TC1a~TC4q) 및 제2 센싱 셀들(RC1a~RC16a)을 포함할 수 있다.
제1 그룹의 제1 센싱 셀들(TC1a, TC1b, TC1c, TC1d, TC1e, TC1f, TC1g, TC1h, TC1i, TC1j, TC1k, TC1l, TC1m, TC1n, TC1o, TC1p, TC1q)은 제1 방향(DR1)으로 배열되고, 제1 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제1 노드에 연결될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 그룹의 제1 센싱 셀들(TC1a~TC1q) 중 제1 방향(DR1)의 최외곽에 위치한 제1 센싱 셀(TC1q)은 센싱 영역(SAC)의 제1 방향(DR1)의 최외곽에 위치한 센싱 셀일 수 있다. 또한, 제1 그룹의 제1 센싱 셀들(TC1a~TC1q) 중 제1 방향(DR1)의 반대 방향의 최외곽에 위치한 제1 센싱 셀(TC1a)은 센싱 영역(SAC)의 제1 방향(DR1)의 반대 방향의 최외곽에 위치한 센싱 셀일 수 있다.
최외곽의 제1 센싱 셀들(TC1a, TC1q)의 제1 방향(DR1)의 폭들은 제1 그룹의 다른 제1 센싱 셀들(TC1b~TC1p)의 제1 방향(DR1)의 폭들보다 좁을 수 있다. 예를 들어, 최외곽의 제1 센싱 셀들(TC1a, TC1q)의 제1 방향(DR1)의 폭들은 제1 그룹의 다른 제1 센싱 셀들(TC1b~TC1p)의 제1 방향(DR1)의 폭들의 절반에 해당할 수 있다.
제2 그룹의 제1 센싱 셀들(TC2a, TC2b, TC2c, TC2d, TC2e, TC2f, TC2g, TC2h, TC2i, TC2j, TC2k, TC2l, TC2m, TC2n, TC2o, TC2p, TC2q)은 제1 방향(DR1)으로 배열되고, 제2 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제2 노드에 연결될 수 있다. 제2 그룹의 제1 센싱 셀들(TC2a~TC2q)은 제1 그룹의 제1 센싱 셀들(TC1a~TC1q)로부터 제2 방향(DR2)에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제2 방향(DR2)은 제1 방향(DR1)과 직교하는 방향일 수 있다. 제1 노드와 제2 노드는 서로 다른 노드일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제2 그룹의 제1 센싱 셀들(TC2a~TC2q) 중 제1 방향(DR1)의 최외곽에 위치한 제1 센싱 셀(TC2q)은 센싱 영역(SAC)의 제1 방향(DR1)의 최외곽에 위치한 센싱 셀일 수 있다. 또한, 제2 그룹의 제1 센싱 셀들(TC2a~TC2q) 중 제1 방향(DR1)의 반대 방향의 최외곽에 위치한 제1 센싱 셀(TC2a)은 센싱 영역(SAC)의 제1 방향(DR1)의 반대 방향의 최외곽에 위치한 센싱 셀일 수 있다.
최외곽의 제1 센싱 셀들(TC2a, TC2q)의 제1 방향(DR1)의 폭들은 제2 그룹의 다른 제1 센싱 셀들(TC2b~TC2p)의 제1 방향(DR1)의 폭들보다 좁을 수 있다. 예를 들어, 최외곽의 제1 센싱 셀들(TC2a, TC2q)의 제1 방향(DR1)의 폭들은 제2 그룹의 다른 제1 센싱 셀들(TC2b~TC2p)의 제1 방향(DR1)의 폭들의 절반에 해당할 수 있다.
제2 센싱 셀들(RC1a, RC2a, RC3a, RC4a, RC5a, RC6a, RC7a, RC8a, RC9a, RC10a, RC11a, RC12a, RC13a, RC14a, RC15a, RC16a)은 각각이 제1 이격 영역들 및 제2 이격 영역들에서 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제2 센싱 셀들(RC1a~RC16a)은 서로 다른 전기적 노드를 가질 수 있다. 즉, 제2 센싱 셀들(RC1a~RC16a)은 서로 다른 센싱 채널들(222)에 연결될 수 있다.
도 15를 참조하면, 센싱 영역(SAC')에서는, 도 14의 센싱 영역(SAC)을 기준으로, 제1 센싱 전극들과 제2 센싱 전극들이 서로 대체되었다.
센싱 영역(SAC')은 복수의 센싱 블록들(BLC1', BLC2')을 포함한다. 센싱 블록들(BLC1', BLC2')은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 센싱 블록들(BLC1', BLC2')은 대응하는 제2 센싱 셀들(RC1a~RC8q) 및 제1 센싱 셀들(TC1a~TC16b)을 포함한다.
도 15의 각 구성들은 도 14와 비교하여 제1 센싱 전극들과 제2 센싱 전극들이 서로 대체된 점을 제외하고는 동일하므로, 중복된 설명은 생략한다.
지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
SAB: 센싱 영역
BLB1~BLB8: 센싱 블록들
TB1a~TB4j: 제1 센싱 셀들
RB1a~RB2d: 제2 센싱 셀들

Claims (20)

  1. 센싱 블록들을 포함하고,
    각각의 상기 센싱 블록들은:
    제1 방향으로 배열되고, 제1 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제1 노드에 연결된 제1 그룹의 제1 센싱 셀들;
    상기 제1 방향으로 배열되고, 제2 이격 영역들을 사이에 두고 서로 이격되고, 동일한 제2 노드에 연결된 제2 그룹의 상기 제1 센싱 셀들; 및
    각각이 상기 제1 이격 영역들 및 상기 제2 이격 영역들에서 제2 방향으로 연장되는 제2 센싱 셀들을 포함하고,
    상기 제1 방향으로 인접한 센싱 블록들 각각의 경계에 위치한 상기 제1 센싱 셀들은 서로 다른 전기적 노드를 갖는,
    터치 센서.
  2. 제1 항에 있어서,
    각각의 상기 센싱 블록들의 상기 제2 센싱 셀들은 서로 다른 전기적 노드를 갖는,
    터치 센서.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 그룹의 상기 제1 센싱 셀들은 상기 제1 그룹의 상기 제1 센싱 셀들로부터 상기 제2 방향에 위치하고,
    상기 제1 노드와 상기 제2 노드는 서로 다른,
    터치 센서.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 센싱 셀들은 터치 구동 회로에 연결되고,
    상기 제2 센싱 셀들은 터치 센싱 회로에 연결된,
    터치 센서.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 터치 센싱 회로는 연산 증폭기들을 포함하고,
    상기 제2 센싱 셀들은 상기 연산 증폭기들의 제1 입력 단자들에 연결된,
    터치 센서.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 연산 증폭기들의 제2 입력 단자들은 기준 전압원에 연결된,
    터치 센서.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 터치 구동 회로는 상기 제1 센싱 셀들로 구동 신호들을 순차적으로 제공하는,
    터치 센서.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 구동 신호들 각각에 대하여, 상기 터치 센싱 회로는 상기 제2 센싱 셀들을 센싱하는,
    터치 센서.
  9. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 센싱 셀들은 터치 센싱 회로에 연결되고,
    상기 제2 센싱 셀들은 터치 구동 회로에 연결된,
    터치 센서.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 터치 센싱 회로는 연산 증폭기들을 포함하고,
    상기 제1 센싱 셀들은 상기 연산 증폭기들의 제1 입력 단자들에 연결된,
    터치 센서.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 연산 증폭기들의 제2 입력 단자들은 기준 전압원에 연결된,
    터치 센서.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 터치 구동 회로는 상기 제2 센싱 셀들로 구동 신호들을 순차적으로 제공하는,
    터치 센서.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 구동 신호들 각각에 대하여, 상기 터치 센싱 회로는 상기 제1 센싱 셀들을 센싱하는,
    터치 센서.
  14. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 센싱 셀들 및 상기 제2 센싱 셀들은 터치 센싱 회로에 연결되는,
    터치 센서.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 터치 센싱 회로는 연산 증폭기들을 포함하고,
    상기 제1 센싱 셀들 및 상기 제2 센싱 셀들은 상기 연산 증폭기들의 제1 입력 단자들에 연결된,
    터치 센서.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 연산 증폭기들의 제2 입력 단자들은 터치 구동 회로에 연결된,
    터치 센서.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 센싱 블록들 각각의 경계에 위치한 상기 제1 센싱 셀들의 상기 제1 방향의 제1 폭은 경계에 위치하지 않은 상기 제1 센싱 셀들의 상기 제1 방향의 제2 폭보다 작은,
    터치 센서.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 폭은 상기 제2 폭의 1/2인,
    터치 센서.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제2 센싱 셀들의 상기 제1 방향의 제3 폭은 상기 제2 폭과 동일한,
    터치 센서.
  20. 제19 항에 있어서,
    센싱 영역에서 최외곽에 위치한 상기 센싱 블록들의 각각의 경계에 위치한 상기 제1 센싱 셀들의 상기 제1 방향의 제1 폭은 경계에 위치하지 않은 상기 제1 센싱 셀들의 상기 제1 방향의 제2 폭보다 작은,
    터치 센서.
KR1020190038655A 2019-04-02 2019-04-02 터치 센서 KR102659610B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190038655A KR102659610B1 (ko) 2019-04-02 터치 센서
US16/809,484 US10963084B2 (en) 2019-04-02 2020-03-04 Touch sensor
CN202010228532.6A CN111796725B (zh) 2019-04-02 2020-03-27 触摸传感器
US17/215,867 US11340723B2 (en) 2019-04-02 2021-03-29 Touch sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190038655A KR102659610B1 (ko) 2019-04-02 터치 센서

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200117100A true KR20200117100A (ko) 2020-10-14
KR102659610B1 KR102659610B1 (ko) 2024-04-23

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
US20210240291A1 (en) 2021-08-05
CN111796725B (zh) 2023-12-19
US10963084B2 (en) 2021-03-30
US20200319740A1 (en) 2020-10-08
US11340723B2 (en) 2022-05-24
CN111796725A (zh) 2020-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102508964B1 (ko) 표시 장치
US20230325019A1 (en) Touch sensor and display device including the same
KR102375273B1 (ko) 터치 센서 및 그의 구동 방법
JP7198469B2 (ja) スマートフォン
US10331263B2 (en) OLED display panel with touch sensing electrodes
KR101583765B1 (ko) 스마트폰
JP6386505B2 (ja) ディスプレイモジュールを含むタッチ圧力検出可能なタッチ入力装置
KR102411704B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그의 구동 방법
KR20180122761A (ko) 터치 센서 및 그의 구동 방법
KR101870834B1 (ko) 터치 입력 장치
US10592028B2 (en) Touch sensor feedlines for display
US11340723B2 (en) Touch sensor
KR101649986B1 (ko) 디스플레이 모듈을 포함하는 터치 압력 검출 가능한 터치 입력 장치
KR101935810B1 (ko) 스트레인 게이지가 형성된 디스플레이 패널을 포함하는 터치 입력 장치
KR102659610B1 (ko) 터치 센서
US20180284925A1 (en) Touch input device and method for measuring capacitance of the same
KR20160141881A (ko) 터치 입력 장치
KR20210149291A (ko) 표시 장치
KR20190038770A (ko) 포스-터치 패널, 이를 갖는 포스-터치 감지 장치 및 디스플레이 시스템
KR20170042529A (ko) 디스플레이 모듈을 포함하는 터치 압력 검출 가능한 터치 입력 장치
KR102412094B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그의 구동 방법
KR20220092469A (ko) 디스플레이 장치 및 그의 구동 방법
KR20170121112A (ko) 터치 입력 장치
KR20160129797A (ko) 터치 입력 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right