KR20200116300A - Package of Vertical Cavity Surface Emitting Laser Having Out-gassing Passage and Method Thereof - Google Patents

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KR20200116300A
KR20200116300A KR1020190037910A KR20190037910A KR20200116300A KR 20200116300 A KR20200116300 A KR 20200116300A KR 1020190037910 A KR1020190037910 A KR 1020190037910A KR 20190037910 A KR20190037910 A KR 20190037910A KR 20200116300 A KR20200116300 A KR 20200116300A
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함헌주
김희성
서혁
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하나옵트로닉스 주식회사
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    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]

Abstract

Disclosed are a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) package having an outgassing passage and a manufacturing method thereof which can reduce manufacturing time and costs. According to an embodiment of the present invention, a semiconductor device package comprises: a substrate; a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) coupled to the upper surface of the substrate; a diffuser arranged on an upper portion of the vertical-cavity surface-emitting laser; a first housing which is coupled to the upper surface of the substrate, and includes a diffuser support unit to which the diffuser is bonded; and a second housing configured to have a width smaller than the width of the first housing, and coupled to the upper surface of the first housing. The first housing includes an outgassing passage of a preset shape to discharge gas from inside a space formed by bonding the diffuser to the diffuser support unit to the outside.

Description

아웃가스 통로를 갖는 수직 공진형 표면 발광 레이저 패키지 및 그의 제조방법{Package of Vertical Cavity Surface Emitting Laser Having Out-gassing Passage and Method Thereof}TECHNICAL FIELD [Package of Vertical Cavity Surface Emitting Laser Having Out-gassing Passage and Method Thereof}

본 발명은 수직 공진형 표면 발광 레이저의 패키지(Package)를 제조하는 과정에서 발생되는 아웃가스(Out-gas)를 외부로 배출할 수 있는 아웃가스 통로를 갖는 수직 공진형 표면 발광 레이저 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention is a vertical resonance type surface-emitting laser package having an out-gas passage capable of discharging out-gas generated in the process of manufacturing a package of a vertical resonance type surface-emitting laser, and manufacturing the same It's about how.

이 부분에 기술된 내용은 단순히 본 실시예에 대한 배경 정보를 제공할 뿐 종래기술을 구성하는 것은 아니다.The content described in this section merely provides background information on the present embodiment and does not constitute the prior art.

일반적으로, 반도체 레이저 다이오드는 측면 발광 레이저 다이오드(EEL, Edge Emitting Laser Diode, 이하 'EEL'로 약칭함) 및 수직 공진형 표면 발광 레이저 다이오드(VCSEL, Vertical Cavity Surface Emitting Laser, 이하 'VCSEL'로 약칭함)를 포함한다. EEL은 소자의 적층면과 평행 방향을 이루는 공진구조를 갖기 때문에, 레이저 빔을 적층면과 평행한 방향으로 발진시키며, VCSEL은 소자의 적층면과 수직 방향인 공진구조를 가짐으로써, 레이저 빔을 소자의 적층면과 수직 방향으로 발진시킨다.In general, semiconductor laser diodes are side-emitting laser diodes (EEL, Edge Emitting Laser Diode, hereinafter abbreviated as'EEL') and vertical resonance type surface-emitting laser diode (VCSEL, Vertical Cavity Surface Emitting Laser, hereinafter abbreviated as'VCSEL') Included). Since the EEL has a resonance structure in a direction parallel to the stacked surface of the device, the laser beam is oscillated in a direction parallel to the stacking surface, and the VCSEL has a resonance structure that is perpendicular to the stacking surface of the device. It oscillates in a direction perpendicular to the stacked surface of

VCSEL은 EEL에 비해 광 이득 길이(Gain Length)가 짧아, 저전력 구현이 가능하며, 고밀도 집적화가 가능하므로 대량 생산에 유리하다는 장점이 있다. 또한, VCSEL은 단일 종단 모드(Single Longitudinal Mode)로 레이저 빔을 발진시킬 수 있으며, 웨이퍼 상에서의 테스트가 가능하다. 더욱이, VCSEL은 고속 변조가 가능하고, 원형의 빔을 발진시킬 수 있기 때문에, 광섬유와의 커플링(Coupling)이 용이하고 2차원적인 면 어레이(Array)가 가능하다.VCSEL has an advantage in that it is advantageous in mass production because it has a shorter optical gain length than EEL, enabling low power implementation and high density integration. In addition, the VCSEL can oscillate a laser beam in a single ended mode (Single Longitudinal Mode), and can be tested on a wafer. Moreover, since the VCSEL is capable of high-speed modulation and oscillation of a circular beam, coupling with an optical fiber is easy, and a two-dimensional plane array is possible.

VCSEL은 주로, 광통신, 광 인터커넥션 및 광 픽업 등에서의 광학장치 내의 광원으로 사용되어 왔다. 그러나 최근들어, VCSEL은 라이다(LiDAR), 안면 인식, 모션 인식, AR(Augmented Reality) 또는 VR(Virtual Reality) 장치 등의 화상 형성장치 내의 광원으로까지 그 사용범위가 확대되고 있다.VCSELs have been mainly used as light sources in optical devices in optical communications, optical interconnections, and optical pickups. However, in recent years, the scope of use of VCSELs is expanding to light sources in image forming apparatuses such as LiDAR, facial recognition, motion recognition, Augmented Reality (AR) or Virtual Reality (VR) devices.

VCSEL은 광을 수직 방향으로 발광하므로, VCSEL의 빔 확산도(Beam Divergence)는 EEL의 화각(FoV)에 비해 좁은 편이다. 이에, VCSEL은 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)와 같은 디퓨저(Diffuser, 또는, 확산기)를 이용하여 발진된 광을 확산시킨다. 디퓨저(Diffuser)가 VCSEL로부터 발광되는 광을 확산시키기 위해서는 기 설정된 간격을 두고 VCSEL의 상부에 배치되어야 하는데, 이를 위해서는, 기판, VCSEL, 하우징 및 디퓨저를 모두 포함하는 반도체 소자 패키지가 요구된다.Since the VCSEL emits light in the vertical direction, the beam divergence of the VCSEL is narrower than the angle of view (FoV) of the EEL. Thus, the VCSEL diffuses the oscillated light using a diffuser (or diffuser) such as a micro lens array. In order for a diffuser to diffuse light emitted from the VCSEL, a semiconductor device package including all of a substrate, a VCSEL, a housing, and a diffuser is required to be disposed above the VCSEL at predetermined intervals.

도 1은 종래의 패키지를 도시한 도면이다.1 is a diagram showing a conventional package.

도 1(a)는 종래의 패키지(100)의 단면도이고, 도 1(b)는 종래의 패키지(100)의 사시도이다.1(a) is a cross-sectional view of a conventional package 100, and FIG. 1(b) is a perspective view of a conventional package 100.

도 1(a) 및 (b)를 참조하면, 종래의 패키지(100)에서 VCSEL(120) 및 하우징(130)은 DPC(Direct Plating Copper) 기판(110)의 상면(+y축 방향)에 결합된 형태로 구성될 수 있다. 여기서, DPC 기판(110)은 상면(+y축 방향) 및 하면(-y축 방향)에 캐소드(Cathode) 전극패드(112) 및 애노드(Anode) 전극패드(114)를 구비한다. VCSEL(120)은 캐소드 전극패드(112)가 구비된 DPC 기판(110)의 상면(즉, 캐소드 전극패드(112)의 상면)(+y축 방향)에 결합되며, 전극 와이어(122)에 의해 애노드 전극패드(114)와 연결된다. 1(a) and (b), in a conventional package 100, the VCSEL 120 and the housing 130 are bonded to the upper surface (+y-axis direction) of the DPC (Direct Plating Copper) substrate 110 It can be configured in the form. Here, the DPC substrate 110 includes a cathode electrode pad 112 and an anode electrode pad 114 on an upper surface (+y-axis direction) and a lower surface (-y-axis direction). The VCSEL 120 is coupled to the upper surface of the DPC substrate 110 with the cathode electrode pad 112 (that is, the upper surface of the cathode electrode pad 112) (in the +y-axis direction), and by the electrode wire 122 It is connected to the anode electrode pad 114.

하우징(130)은 DPC 기판(110)의 상면(+y축 방향)에 결합됨으로써, 디퓨저(140)를 지지한다. 하우징(130)은 단차를 갖는 형태로 구현됨으로써, 디퓨져(140)를 지지하기 위한 홈(132)을 구비한다. 통상적으로, 하우징(130)은 사출성형에 의해 제조되는데, 이를 위해서는 금형이 필요하다. 하우징(130) 금형의 설계 및 제조에는 상당한 시간이 소요되며, 이는, 개발 비용의 상승을 야기한다는 문제가 있다. The housing 130 is coupled to the upper surface (+y-axis direction) of the DPC substrate 110 to support the diffuser 140. The housing 130 is implemented in a form having a step, and thus includes a groove 132 for supporting the diffuser 140. Typically, the housing 130 is manufactured by injection molding, which requires a mold. It takes a considerable time to design and manufacture the mold of the housing 130, which has a problem that it causes an increase in development cost.

또한, 디퓨저(140)를 하우징(130)의 홈(132)에 본딩(Bonding)시키는 과정에서 접착제(Adhesive) 또는 페이스트(Paste)와 같은 본딩물질이 사용되는데, 열이 가해짐에 따라, 접착제 또는 페이스트로부터 가스가 발생될 수 있다. 이러한 가스는 VCSEL(120) 및 전극 와이어(122)의 부식을 촉진시키는 원인으로 작용한다. 가스를 제거하기 위해, 하우징(130)은 기 설정된 폭을 갖는 아웃가스 통로(미도시)를 구비할 수 있다. 하우징(130) 내에 아웃가스 통로(미도시)를 형성시키기 위해서는, 하우징(130)의 금형을 변경시켜야 하는데, 이는, 많은 시간과 비용이 소모된다는 문제가 있다. 그뿐만 아니라, 아웃가스 통로(미도시)가 구비되지 않은 하우징(130)은 발생된 가스를 외부로 배출할 수 없기 때문에, VCSEL(120)의 신뢰성을 저하시킨다는 심각한 문제를 초래할 수 있다.In addition, in the process of bonding the diffuser 140 to the groove 132 of the housing 130, a bonding material such as adhesive or paste is used. As heat is applied, the adhesive or Gas can be generated from the paste. This gas acts as a cause of accelerating corrosion of the VCSEL 120 and the electrode wire 122. In order to remove gas, the housing 130 may include an outgas passage (not shown) having a preset width. In order to form the outgas passage (not shown) in the housing 130, the mold of the housing 130 must be changed, which has a problem that a lot of time and cost are consumed. In addition, since the housing 130 not provided with an out-gas passage (not shown) cannot discharge the generated gas to the outside, a serious problem of deteriorating the reliability of the VCSEL 120 may occur.

본 발명의 일 실시예는, 디퓨저를 지지하는 하우징을 패널(Panel) 형태로 제작함으로써, 제조 시간 및 비용을 절감할 수 있는 아웃가스 통로를 갖는 수직 공진형 표면 발광 레이저 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 데 일 목적이 있다.An embodiment of the present invention provides a vertical resonance type surface-emitting laser package having an outgas passage that can reduce manufacturing time and cost by manufacturing a housing supporting a diffuser in a panel shape, and a manufacturing method thereof It has a purpose to work.

또한, 본 발명의 일 실시예는, 하우징에 아웃가스 통로를 형성시킴으써, 패키징 공정 시에 발생되는 가스를 외부로 방출할 수 있는 아웃가스 통로를 갖는 수직 공진형 표면 발광 레이저 패키지 및 그의 제조방법을 제공하는 데 일 목적이 있다.In addition, an embodiment of the present invention is a vertical resonance type surface emitting laser package having an outgas passage capable of discharging gas generated during the packaging process to the outside by forming an outgas passage in the housing, and a manufacturing method thereof There is one purpose to provide.

본 발명의 일 측면에 의하면, 기판; 상기 기판의 상면에 결합되는 수직 공진형 표면 발광 레이저(VCSEL); 상기 수직 공진형 표면 발광 레이저의 상부에 배치되는 디퓨저(Diffuser); 상기 기판의 상면에 결합되며, 상기 디퓨저가 본딩되는 디퓨저 지지부를 포함하는 제1 하우징; 및 상기 제1 하우징의 폭보다 작은 폭을 갖도록 구성되며, 상기 제1 하우징의 상면에 결합되는 제2 하우징을 포함하고, 상기 제1 하우징은, 가스를 상기 디퓨저가 디퓨저 지지부에 본딩되어 형성한 공간 내부에서 외부로 배출시키는 기 설정된 형상의 아웃가스 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지를 제공한다. According to an aspect of the present invention, a substrate; A vertical resonance type surface emitting laser (VCSEL) coupled to the upper surface of the substrate; A diffuser disposed above the vertical resonance type surface-emitting laser; A first housing coupled to an upper surface of the substrate and including a diffuser support to which the diffuser is bonded; And a second housing configured to have a width smaller than that of the first housing and coupled to an upper surface of the first housing, wherein the first housing is a space formed by bonding gas to a diffuser support portion It provides a semiconductor device package, characterized in that it includes an outgas passage of a predetermined shape to be discharged from the inside to the outside.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 기판은, 질화 알루미늄(AlN) 성분이 포함된 DPC(Direct Plating Copper) 기판으로 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the substrate is characterized in that it is composed of a DPC (Direct Plating Copper) substrate containing an aluminum nitride (AlN) component.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 디퓨저는, 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)로 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the diffuser is characterized in that it is composed of a micro lens array (Micro Lens Array).

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 제1 하우징은, 상면 및 하면이 개방된 육면체의 패널(Panel) 형태로 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the first housing is characterized in that it is configured in the form of a hexahedral panel with open upper and lower surfaces.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 제1 하우징은, 내벽 및 외벽을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the first housing is characterized in that it includes an inner wall and an outer wall.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 제1 하우징은, 상기 내벽에 적어도 하나 이상의 아웃가스 통로를 구비하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the first housing is characterized in that it has at least one outgas passage in the inner wall.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 제2 하우징은, 상면 및 하면이 개방된 육면체의 패널(Panel) 형태로 구성되는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, the second housing is characterized in that it is configured in the form of a hexahedral panel with open top and bottom surfaces.

본 발명의 일 측면에 의하면, 기판; 상기 기판의 상면에 결합되는 수직 공진형 표면 발광 레이저(VCSEL); 상기 수직 공진형 표면 발광 레이저의 상부에 배치되는 디퓨저(Diffuser); 상기 기판의 상면에 결합되며, 상기 디퓨저가 본딩되는 디퓨저 지지부를 포함하고, 가스를 상기 디퓨저가 디퓨저 지지부에 본딩되어 형성한 공간 내부에서 외부로 배출시키는 기 설정된 형상의 아웃가스 통로를 포함하는 제1 하우징; 및 상기 제1 하우징의 폭보다 작은 폭을 갖도록 구성되며, 상기 제1 하우징의 상면에 결합되는 제2 하우징을 포함하고, 상기 제2 하우징은, 상기 디퓨저가 상기 아웃가스 통로가 위치한 방향으로 이동하지지 않도록 기 설정된 값의 곡률을 갖는 곡률부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지를 제공한다. According to an aspect of the present invention, a substrate; A vertical resonance type surface emitting laser (VCSEL) coupled to the upper surface of the substrate; A diffuser disposed above the vertical resonance type surface-emitting laser; A first including a diffuser support portion coupled to the upper surface of the substrate and bonded to the diffuser, and an outgas passage having a predetermined shape for discharging gas from the inside of the space formed by bonding the diffuser to the diffuser support portion. housing; And a second housing configured to have a width smaller than that of the first housing and coupled to an upper surface of the first housing, wherein the second housing prevents the diffuser from moving in a direction in which the outgas passage is located. It provides a semiconductor device package, characterized in that it includes a curvature having a curvature of a predetermined value to prevent.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 기판은, 질화 알루미늄(AlN) 성분이 포함된 DPC(Direct Plating Copper) 기판으로 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the substrate is characterized in that it is composed of a DPC (Direct Plating Copper) substrate containing an aluminum nitride (AlN) component.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 디퓨저는, 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)로 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the diffuser is characterized in that it is composed of a micro lens array (Micro Lens Array).

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 제1 하우징은, 상면 및 하면이 개방된 육면체의 패널(Panel) 형태로 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the first housing is characterized in that it is configured in the form of a hexahedral panel with open upper and lower surfaces.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 제1 하우징은, 내벽 및 외벽을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the first housing is characterized in that it includes an inner wall and an outer wall.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 제1 하우징은, 상기 내벽에 적어도 하나 이상의 아웃가스 통로를 구비하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, the first housing is characterized in that it has at least one outgas passage in the inner wall.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상기 제2 하우징은, 상면 및 하면이 개방된 육면체의 패널(Panel) 형태로 구성되는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, the second housing is characterized in that it is configured in the form of a hexahedral panel with open top and bottom surfaces.

본 발명의 일 측면에 의하면, 상면 및 하면에 캐소드 및 애노드 전극패드가 결합된 기판을 준비하는 기판 준비과정; 상기 기판의 상면에 아웃가스(Out-gas) 통로를 갖는 제1 하우징을 본딩하는 제1 하우징 본딩과정; 상기 제1 하우징의 상면에 제2 하우징을 본딩하는 제2 하우징 본딩과정; 상기 기판의 상면에 수직 공진형 표면 발광 레이저(VCSEL)를 본딩하는 수직 공진형 표면 발광 레이저(VCSEL) 본딩과정; 및 상기 제1 하우징의 상면에 디퓨저를 본딩하는 디퓨저 본딩과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지 제조과정을 제공한다.According to an aspect of the present invention, a substrate preparation process of preparing a substrate to which a cathode and an anode electrode pad are combined on upper and lower surfaces; A first housing bonding process of bonding a first housing having an out-gas passage to an upper surface of the substrate; A second housing bonding process of bonding a second housing to an upper surface of the first housing; A vertical resonance type surface emission laser (VCSEL) bonding process of bonding a vertical resonance type surface emission laser (VCSEL) to the upper surface of the substrate; And a diffuser bonding process of bonding a diffuser to an upper surface of the first housing.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 측면에 따르면, 디퓨저를 지지하는 하우징을 패널 형태로 제작함으로써, 금형에 의한 사출성형 없이, 디퓨저를 본딩시킬 수 있는 구조를 형성할 수 있기 때문에, 제조 시간 및 비용을 절감할 수 있는 장점이 있다.As described above, according to one aspect of the present invention, by manufacturing the housing supporting the diffuser in the form of a panel, it is possible to form a structure capable of bonding the diffuser without injection molding by a mold. There is an advantage that can reduce cost.

또한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 레이저(Laser)를 이용하여 하우징에 아웃가스 통로를 형성시킴으로써, 패키지 제조 시에 발생되는 가스를 외부로 방출시켜, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In addition, according to an aspect of the present invention, by forming an outgas passage in the housing using a laser, gas generated during package manufacturing is released to the outside, thereby improving product reliability. .

도 1은 종래의 패키지를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지의 제조과정을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 하우징의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 제1 하우징의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 제1 하우징의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 제2 하우징의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지를 제조하는 과정을 도시한 순서도이다.1 is a diagram showing a conventional package.
2 is a diagram illustrating a package according to an embodiment of the present invention.
3 is a diagram illustrating a manufacturing process of a package according to an embodiment of the present invention.
4 is a plan view of a first housing according to a first embodiment of the present invention.
5 is a plan view of a first housing according to a second embodiment of the present invention.
6 is a plan view of a first housing according to a third embodiment of the present invention.
7 is a plan view of a second housing according to the first embodiment of the present invention.
8 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a package according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.In the present invention, various changes may be made and various embodiments may be provided, and specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail. However, this is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it is to be understood to include all changes, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing each drawing, similar reference numerals have been used for similar elements.

제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms such as first, second, A, and B may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. These terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another component. For example, without departing from the scope of the present invention, a first element may be referred to as a second element, and similarly, a second element may be referred to as a first element. The term and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에서, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it is understood that it may be directly connected or connected to the other component, but other components may exist in the middle. Should be. On the other hand, when a component is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in the middle.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In the present application, terms such as "include" or "have" should be understood as not precluding the possibility of existence or addition of features, numbers, steps, actions, components, parts, or combinations thereof described in the specification. .

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.Unless otherwise defined, all terms, including technical or scientific terms, used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Terms as defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and should not be interpreted as an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in this application. Does not.

또한, 본 발명의 각 실시예에 포함된 각 구성, 과정, 공정 또는 방법 등은 기술적으로 상호간 모순되지 않는 범위 내에서 공유될 수 있다.In addition, each configuration, process, process, or method included in each embodiment of the present invention may be shared within a range not technically contradicting each other.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지를 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a package according to an embodiment of the present invention.

도 2(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지(200)의 단면도이고, 도 2(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지(200)의 평면도이다.2(a) is a cross-sectional view of the package 200 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2(b) is a plan view of the package 200 according to an embodiment of the present invention.

도 2(a) 및 (b)를 참조하면, 패키지(200)는 기판(210), VCSEL(220), 제1 하우징(230), 제2 하우징(240) 및 디퓨저(250)를 포함한다.Referring to FIGS. 2A and 2B, the package 200 includes a substrate 210, a VCSEL 220, a first housing 230, a second housing 240, and a diffuser 250.

기판(210)의 상면(+y축 방향)에는 VCSEL(220)이 결합되며, 기판(210)의 상면(+y축 방향) 및 하면(-y축 방향)에 부착된 캐소드 및 애노드 전극패드(212, 214)에 의해 기판(210)은 VCSEL(220)과 전기적으로 연결된다.The VCSEL 220 is coupled to the upper surface (+y-axis direction) of the substrate 210, and the cathode and anode electrode pads attached to the upper surface (+y-axis direction) and the lower surface (-y-axis direction) of the substrate 210 The substrate 210 is electrically connected to the VCSEL 220 by 212 and 214.

기판(210)은 상면(+y축 방향) 및 하면(-y축 방향)에 캐소드 전극패드(212) 및 애노드 전극패드(214)를 구비한다. 기판(210)이 캐소드 및 애노드 전극패드(212, 214)를 구비함에 따라, 기판(210)은 VCSEL(220)과 전기적으로 연결될 수 있다. 기판(210)의 상면(+y축 방향)에는 VCSEL(220) 및 제1 하우징(230)이 본딩된다. 기판(210)은 열 전도성이 좋고, 고출력 어플리케이션(Application)에 적합하며, 내구성이 좋은 AlN(질화 알루미늄) DPC(Direct Plating Copper) 기판으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The substrate 210 includes a cathode electrode pad 212 and an anode electrode pad 214 on an upper surface (+y-axis direction) and a lower surface (-y-axis direction). As the substrate 210 includes the cathode and anode electrode pads 212 and 214, the substrate 210 may be electrically connected to the VCSEL 220. The VCSEL 220 and the first housing 230 are bonded to the upper surface (+y-axis direction) of the substrate 210. The substrate 210 may be composed of an AlN (Aluminum Nitride) DPC (Direct Plating Copper) substrate having good thermal conductivity, suitable for high power applications, and good durability, but is not limited thereto.

VCSEL(220)은 기판(210)의 상면(+y축 방향)에 본딩되며, 광(L)을 수직방향으로 발진시킨다.The VCSEL 220 is bonded to the upper surface (+y-axis direction) of the substrate 210 and oscillates light L in the vertical direction.

VCSEL(220)은 기판(210)의 상면(즉, 캐소드 전극패드(212)의 상면)(+y축 방향)에 본딩된다. VCSEL(220)은 전극 와이어(222)에 의해 애노드 전극패드(214)와 연결됨으로써, 기판(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. VCSEL(220)은 광(L)을 수직 방향(+y축 방향) 으로 방출한다. VCSEL(220)로부터 방출된 광(L)의 화각(FoV)은 약 15~25°정도일 수 있다. VCSEL(220)의 화각(FoV)을 확장시키기 위해, VCSEL(220)의 상부(+y축 방향)에는 디퓨저(250)가 배치될 수 있다. 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에 제2 하우징(240)이 배치됨에 따라 디퓨저 지지부(236)가 형성되는데, 이때, 디퓨저(250)는 디퓨저 지지부(236)에 안착된다. 디퓨저(250)가 디퓨저 지지부(236)에 안착됨에 따라, 디퓨저(250)는 VCSEL(220)과 소정의 거리만큼 이격된 채로 VCSEL(220)의 상부(+y축 방향)에 배치된다. VCSEL(220)은 1와트(W)에서 수십 와트(W)까지 고출력의 광(L)을 방출하기 때문에, VCSEL(220)이 부착되는 기판(210)은 열 전도성이 높은 물질로 구성됨으로써, VCSEL(220)로부터 발생된 열을 방열시킨다.The VCSEL 220 is bonded to the upper surface of the substrate 210 (ie, the upper surface of the cathode electrode pad 212) (in the +y-axis direction). The VCSEL 220 may be electrically connected to the substrate 210 by being connected to the anode electrode pad 214 by an electrode wire 222. The VCSEL 220 emits light L in the vertical direction (+y-axis direction). The angle of view (FoV) of the light L emitted from the VCSEL 220 may be about 15 to 25°. In order to expand the angle of view (FoV) of the VCSEL 220, a diffuser 250 may be disposed above the VCSEL 220 (in the direction of the +y axis). As the second housing 240 is disposed on the upper surface of the first housing 230 (in the +y-axis direction), the diffuser support part 236 is formed. At this time, the diffuser 250 is seated on the diffuser support part 236. As the diffuser 250 is seated on the diffuser support 236, the diffuser 250 is disposed above the VCSEL 220 (in the +y axis direction) while being spaced apart from the VCSEL 220 by a predetermined distance. Since the VCSEL 220 emits light (L) of high power from 1 watt (W) to several tens of watts (W), the substrate 210 to which the VCSEL 220 is attached is composed of a material having high thermal conductivity, Heat generated from (220) is radiated.

제1 하우징(230)은 기판(210)의 상면(+y축 방향)에 배치되며, 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에는 디퓨저(250)가 본딩된다. 제1 하우징(230)은 아웃가스 통로(238)를 구비함으로써, 패키지(200) 내에서 발생된 아웃가스를 외부로 배출시킨다.The first housing 230 is disposed on the upper surface (+y-axis direction) of the substrate 210, and the diffuser 250 is bonded to the upper surface (+y-axis direction) of the first housing 230. The first housing 230 includes an outgas passage 238 to discharge outgas generated in the package 200 to the outside.

제1 하우징(230)은 상면(+y축 방향) 및 하면(-y축 방향)이 개방된 육면체 형태의 패널로 구성될 수 있다. 이에 따라, 제1 하우징(230)은 내벽(즉, VCSEL(220)을 마주하고 있는 방향)(232) 및 외벽(즉, 내벽(232)의 반대 방향)(234)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 제1 하우징(230)은 기판(210)의 상면(+y축 방향)에 본딩되는데, 이때, 제1 하우징(230)의 외벽(234)은 기판(210)의 외벽(미도시)과 동일선상에 놓여지도록 배치된다. 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에는 제2 하우징(240) 및 디퓨저(250)가 본딩되므로, 제1 하우징(230)의 폭은 제2 하우징(240)의 폭과 디퓨저(250)의 소정의 면적을 모두 수용할 수 있도록 구성될 수 있다. 제1 하우징(230)은 산화 알루미늄(Al2O3) 성분을 포함하는 세라믹(Ceramics) 재질로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. The first housing 230 may be configured as a hexahedral panel with an upper surface (+y-axis direction) and a lower surface (-y-axis direction) open. Accordingly, the first housing 230 may be configured in a shape having an inner wall (ie, a direction facing the VCSEL 220) 232 and an outer wall (ie, a direction opposite to the inner wall 232) 234. have. The first housing 230 is bonded to the upper surface (+y-axis direction) of the substrate 210, in which case, the outer wall 234 of the first housing 230 is in the same line as the outer wall (not shown) of the substrate 210 It is arranged to be placed on. Since the second housing 240 and the diffuser 250 are bonded to the upper surface of the first housing 230 (in the +y-axis direction), the width of the first housing 230 is equal to the width of the second housing 240 and the diffuser ( 250) may be configured to accommodate all of the predetermined area. The first housing 230 may be made of a ceramic material including an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) component, but is not limited thereto.

제1 하우징(230)은 디퓨저 지지부(236) 및 아웃가스 통로(238)를 포함한다.The first housing 230 includes a diffuser support 236 and an outgas passage 238.

디퓨저 지지부(236)는 디퓨저(250)가 본딩되는 부분으로서, 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에 제2 하우징(240)이 본딩됨에 따라 형성된다. 여기서, 제1 하우징(230)의 내벽(232)으로부터 외벽(234)까지의 폭을 제외한 개방된 부분의 폭은 디퓨저(250)의 길이보다 짧게 구성된다. 이에, 디퓨저 지지부(236)는 디퓨저(250)를 안정적으로 고정시킬 수 있다. 디퓨저 지지부(236)는 디퓨저(250)를 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에 고정시킴으로써, 디퓨저(250)가 VCSEL(220)과 소정의 거리만큼 이격된 형태로 VCSEL(220)의 상부(+y축 방향)에 배치될 수 있도록 한다.The diffuser support part 236 is a portion to which the diffuser 250 is bonded, and is formed as the second housing 240 is bonded to the upper surface (+y-axis direction) of the first housing 230. Here, the width of the open portion of the first housing 230 excluding the width from the inner wall 232 to the outer wall 234 is shorter than the length of the diffuser 250. Accordingly, the diffuser support part 236 may stably fix the diffuser 250. The diffuser support part 236 fixes the diffuser 250 to the upper surface (+y-axis direction) of the first housing 230 so that the diffuser 250 is spaced apart from the VCSEL 220 by a predetermined distance. ) In the upper (+y-axis direction).

배경기술에서 언급하였듯이, 아웃가스 통로(238)는 디퓨저 지지부(236)에 디퓨저(250)가 본딩되는 과정에서 발생되는 가스를 외부로 배출시키는 통로이다.As mentioned in the background art, the out-gas passage 238 is a passage for discharging gas generated in the process of bonding the diffuser 250 to the diffuser support 236 to the outside.

아웃가스 통로(238)는 제1 하우징(230)의 내벽(232)에 형성된 기 설정된 형상의 홈으로서, 기 설정된 폭을 갖도록 구성될 수 있다. 아웃가스 통로(238)의 높이는 제1 하우징(230)의 높이와 동일하게 구성된다. 아웃가스 통로(238)는 제1 하우징(230)의 내벽(232)에 여러가지 형태로 형성될 수 있으며, 이에 대해서는 도 4 내지 도 6을 참조하여 상세하게 설명하도록 한다. The outgas passage 238 is a groove having a predetermined shape formed in the inner wall 232 of the first housing 230 and may be configured to have a predetermined width. The height of the outgas passage 238 is configured to be the same as the height of the first housing 230. The outgas passage 238 may be formed in various shapes on the inner wall 232 of the first housing 230, which will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 6.

제2 하우징(240)은 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에 배치되며, 이에 따라, 디퓨저(250)가 안착될 수 있는 디퓨저 지지부(236)가 형성된다.The second housing 240 is disposed on the upper surface (+y-axis direction) of the first housing 230, and accordingly, a diffuser support part 236 on which the diffuser 250 can be seated is formed.

제2 하우징(240)은 제1 하우징(230)과 마찬가지로, 상면(+y축 방향) 및 하면(-y축 방향)이 개방된 육면체 형태의 패널로 구성됨으로써, 내벽(즉, 디퓨저(250)와 마주보는 방향)(242) 및 외벽(즉, 내벽(242)의 반대방향)(244)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 제2 하우징(240)은 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에 결합되며, 이때, 제2 하우징(240)의 외벽(244)은 제1 하우징(230)의 외벽(234)과 동일선상에 놓여지도록 배치된다. 제2 하우징(240)의 폭은 제1 하우징(230)의 폭보다 작게 구성되며, 이에 따라, 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에는 디퓨저 지지부(236)가 형성된다. 제2 하우징(240)의 내벽(242)으로부터 외벽(244)까지의 폭을 제외한 개방된 부분의 폭은 디퓨저(250)의 길이보다 길거나 같게 구성된다. 이에, 디퓨저(250)는 제2 하우징(240)의 개방된 부분으로 진입하게 됨으로써, 디퓨저 지지부(236)에 안착될 수 있다. 전술한대로, 제1 하우징(230)의 내벽(232)으로부터 외벽(234)까지의 폭을 제외한 개방된 부분의 폭은 디퓨저(250)의 길이보다 짧게 구성된다. 즉, 제1 하우징(230) 및 제2 하우징(240)에 의해 디퓨저(250)는 디퓨저 지지부(236)에 안정적으로 고정될 수 있다.Like the first housing 230, the second housing 240 is composed of a hexahedral panel with open top (+y-axis direction) and bottom (-y-axis direction), so that the inner wall (that is, the diffuser 250) It may be configured in a shape having a direction facing to) 242 and an outer wall (ie, an opposite direction of the inner wall 242) 244. The second housing 240 is coupled to the upper surface (+y-axis direction) of the first housing 230, and at this time, the outer wall 244 of the second housing 240 is the outer wall 234 of the first housing 230 It is arranged to lie on the same line as and. The width of the second housing 240 is configured to be smaller than the width of the first housing 230, and accordingly, a diffuser support portion 236 is formed on the upper surface (+y-axis direction) of the first housing 230. The width of the open portion excluding the width from the inner wall 242 to the outer wall 244 of the second housing 240 is longer or equal to the length of the diffuser 250. Accordingly, the diffuser 250 enters the open portion of the second housing 240, so that the diffuser 250 may be seated on the diffuser support 236. As described above, the width of the open portion excluding the width from the inner wall 232 to the outer wall 234 of the first housing 230 is configured to be shorter than the length of the diffuser 250. That is, the diffuser 250 may be stably fixed to the diffuser support 236 by the first housing 230 and the second housing 240.

제2 하우징(240)은 산화 알루미늄(Al2O3) 성분을 포함한 세라믹 재질로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 디퓨저 지지부(236)에 디퓨저(250)가 본딩되었을 때, 디퓨저(250)가 아웃가스 통로(238)가 위치한 방향(-x축 방향)으로 이동하여, 아웃가스 통로(238)를 차단하지 않도록 제2 하우징(240)의 내벽(242)의 각 꼭지점(미도시)은 곡률이 형성된 형태로 구현될 수 있다. 이에 대해서는, 도 7을 참조하여 후술하도록 한다.The second housing 240 may be made of a ceramic material including aluminum oxide (Al 2 O 3 ), but is not limited thereto. When the diffuser 250 is bonded to the diffuser support 236, the diffuser 250 moves in the direction in which the outgas passage 238 is located (-x-axis direction), so that the outgas passage 238 is not blocked. 2 Each vertex (not shown) of the inner wall 242 of the housing 240 may be implemented in a form in which a curvature is formed. This will be described later with reference to FIG. 7.

디퓨저(250)는 디퓨저 지지부(236)에 본딩됨으로써, VCSEL(220)의 상부(+y축 방향)에 배치된다. 전술한대로, 디퓨저(250)가 디퓨저 지지부(236)에 본딩될 경우, 본딩물질로 열이 가해짐에 따라, 가스가 배출된다. 이러한 가스는 VCSEL(220)의 기능을 저감시키므로, 아웃가스 통로(238)에 의해 제거되어야 한다. 디퓨저(250)는 디퓨저(250)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array) 형태로 구성될 수 있으며, 이에 따라, VCSEL(220)로부터 발진되는 광(L)의 화각(FoV)을 확장시킨다. 여기서, 광(L)의 화각(FoV)은 디퓨저(250)로부터 VCSEL(220)까지의 거리에 따라 달라질 수 있으며, 디퓨저(250)로부터 VCSEL(220)까지의 거리는 제1 하우징(230)의 높이에 따라 변경될 수 있다. 디퓨저(250)는 무반사(Anti-reflective) 코팅층을 더 포함할 수 있다. 디퓨저(250)의 상면(+y축 방향) 및 하면(-y축 방향)에 무반사 코팅층(미도시)이 형성됨에 따라, 디퓨저(250)는 VCSEL(220)로부터 발진되는 광(L)이 디퓨저(250)의 표면에서 반사되는 것을 방지하고, 광(L)을 투과시킴으로써 반사에 의한 광(L)의 손실을 줄일 수 있도록 한다.The diffuser 250 is bonded to the diffuser support 236 and is disposed above the VCSEL 220 (+y-axis direction). As described above, when the diffuser 250 is bonded to the diffuser support 236, gas is discharged as heat is applied to the bonding material. Since this gas reduces the function of the VCSEL 220, it must be removed by the outgas passage 238. The diffuser 250 may be configured in the form of a micro lens array, thereby expanding the angle of view (FoV) of the light L emitted from the VCSEL 220. Here, the angle of view (FoV) of the light L may vary depending on the distance from the diffuser 250 to the VCSEL 220, and the distance from the diffuser 250 to the VCSEL 220 is the height of the first housing 230 Subject to change. The diffuser 250 may further include an anti-reflective coating layer. As the non-reflective coating layer (not shown) is formed on the top (+y-axis direction) and the bottom (-y-axis direction) of the diffuser 250, the diffuser 250 transmits light (L) oscillated from the VCSEL 220 to the diffuser. It prevents reflection from the surface of 250 and transmits the light L to reduce the loss of light L due to reflection.

본 발명의 일 실시예에 따른 패키지(200)의 제조과정은 도 2를 참조하여 후술하도록 한다.The manufacturing process of the package 200 according to an embodiment of the present invention will be described later with reference to FIG. 2.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지의 제조과정을 도시한 도면이다.3 is a diagram illustrating a manufacturing process of a package according to an embodiment of the present invention.

도 3(a)는 기판(210)의 상면(+y축 방향)에 제1 하우징(230)이 본딩되는 과정을 도시한 도면이다.3(a) is a diagram illustrating a process of bonding the first housing 230 to the upper surface (+y-axis direction) of the substrate 210.

캐소드 및 애노드 전극패드(212, 214)가 구비된 기판(210)이 준비되면, 기판(210)의 상면(+y축 방향)에 제1 하우징(230)이 결합된다. 제1 하우징(230)의 외벽(234)은 기판(210)의 외벽(미도시)과 동일선상에 놓이도록 배치된다. 이때, 제1 하우징(230)의 내벽(232)에 형성되어 있는 아웃가스 통로(238)는 +x축 방향, -x축 방향, +y축 방향 또는 -y축 방향 중 어느 하나의 방향을 향하도록 배치될 수 있다. 제1 하우징(230)은 접착제(Adhesive) 또는 페이스트(Paste)와 같은 본딩물질에 의해 기판(210)에 본딩되나, 기판(210)의 상부(+y축 방향)가 개방되어 있는 상태이므로, 본딩 과정에서 발생된 가스는 VCSEL(220) 또는 전극 와이어(222) 등에 영향을 미치지 않는다.When the substrate 210 including the cathode and anode electrode pads 212 and 214 is prepared, the first housing 230 is coupled to the upper surface (+y-axis direction) of the substrate 210. The outer wall 234 of the first housing 230 is disposed to lie on the same line with the outer wall (not shown) of the substrate 210. At this time, the outgas passage 238 formed in the inner wall 232 of the first housing 230 is directed in any one of the +x-axis direction, the -x-axis direction, the +y-axis direction, or the -y-axis direction. Can be arranged to The first housing 230 is bonded to the substrate 210 by a bonding material such as adhesive or paste, but since the upper portion of the substrate 210 (+y-axis direction) is open, bonding The gas generated in the process does not affect the VCSEL 220 or the electrode wire 222.

도 3(b)는 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에 제2 하우징(240)이 본딩되는 과정을 도시한 도면이다.3B is a diagram illustrating a process of bonding the second housing 240 to the upper surface (+y-axis direction) of the first housing 230.

제2 하우징(240)은 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에 본딩되며, 제2 하우징(240)의 외벽(244)은 제1 하우징(230)의 외벽(234)과 동일선상에 놓이도록 배치된다. 제2 하우징(240)의 폭은 제1 하우징(230)의 폭보다 작게 구성되며, 이러한 형상에 의해 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에는 디퓨저 지지부(236)가 형성된다. 종래의 패키지(100)는 디퓨저(140)가 하우징(130)의 상면(+y축 방향)에 본딩될 수 있도록 금형 설계 단계에서 단차를 형성시키는 방법으로 하우징(130)을 제조하였다. 그러나 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지(200)는 상면(+y축 방향) 및 하면(-y축 방향)이 개방된 육면체 형태의 패널로 구성되는 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에 마찬가지로, 상면(+y축 방향) 및 하면(-y축 방향)이 개방된 육면체 형태의 패널로 구성되는 제2 하우징(240)을 배치시킨다. 여기서, 제2 하우징(240)의 내벽(242)으로부터 외벽(244)까지의 폭은 제1 하우징(230)의 내벽(242)으로부터 외벽(244)까지의 폭보다 작게 구성됨으로써, 디퓨저(250)가 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에 본딩될 수 있도록 한다. 이는, 패키징 공정에 소요되는 시간 및 비용을 축소시키는 효과를 가져올 수 있다. 제2 하우징(240)은 본딩물질에 의해 제1 하우징(230)의 상면(+y축 방향)에 본딩되나, 기판(210)의 상부(+y축 방향)가 개방되어 있는 상태이므로, 본딩 과정에서 발생된 가스는 VCSEL(220) 또는 전극 와이어(222) 등에 영향을 미치지 않는다.The second housing 240 is bonded to the top surface (+y-axis direction) of the first housing 230, and the outer wall 244 of the second housing 240 is the same as the outer wall 234 of the first housing 230 It is arranged to lie on the ship. The width of the second housing 240 is configured to be smaller than the width of the first housing 230, and by this shape, a diffuser support part 236 is formed on the upper surface (+y-axis direction) of the first housing 230. In the conventional package 100, the housing 130 was manufactured by forming a step in the mold design stage so that the diffuser 140 can be bonded to the upper surface (+y-axis direction) of the housing 130. However, in the package 200 according to an embodiment of the present invention, the upper surface (+y axis direction) and the lower surface (-y axis direction) of the first housing 230 are formed of a hexahedral panel with open Likewise in the axial direction), a second housing 240 including a hexahedral panel with open top (+y-axis direction) and bottom (-y-axis direction) is disposed. Here, the width from the inner wall 242 to the outer wall 244 of the second housing 240 is smaller than the width from the inner wall 242 to the outer wall 244 of the first housing 230, so that the diffuser 250 Can be bonded to the top surface (+y-axis direction) of the first housing 230. This can bring about the effect of reducing the time and cost required for the packaging process. The second housing 240 is bonded to the upper surface (+y-axis direction) of the first housing 230 by a bonding material, but since the upper part (+y-axis direction) of the substrate 210 is open, the bonding process The gas generated in does not affect the VCSEL 220 or the electrode wire 222.

도 3(c)는 기판(210)의 상면(+y축 방향)에 VCSEL(220)이 본딩되는 과정을 도시한 도면이다.FIG. 3C is a diagram illustrating a process of bonding the VCSEL 220 to the upper surface (+y-axis direction) of the substrate 210.

VCSEL(220)은 기판(210)의 상면(즉, 캐소드 전극패드(212)의 상면)(+y축 방향)에 본딩되며, 전극 와이어(222)에 의해 애노드 전극패드(214)와 전기적으로 연결된다. 즉, VCSEL(220)은 캐소드 및 애노드 전극패드(212, 214)와 전극 와이어(222)에 의해 기판(210)과 전기적으로 연결된다.The VCSEL 220 is bonded to the upper surface of the substrate 210 (that is, the upper surface of the cathode electrode pad 212) (in the +y-axis direction), and is electrically connected to the anode electrode pad 214 by the electrode wire 222 do. That is, the VCSEL 220 is electrically connected to the substrate 210 by the cathode and anode electrode pads 212 and 214 and the electrode wire 222.

도 3(d)는 디퓨저 지지부(236)에 디퓨저(250)가 본딩되는 과정을 도시한 도면이다.3D is a diagram illustrating a process of bonding the diffuser 250 to the diffuser support 236.

디퓨저(250)는 본딩물질에 의해 디퓨저 지지부(236)에 본딩된다. 본딩물질은 열에 의해 경화되는 성질을 갖는 물질로 구성될 수 있는데, 본딩물질이 열에 의해 경화됨에 따라, 가스가 발생(Out-gas)된다. 이러한 가스는 기판(210)의 상면(+y축 방향)에 본딩된 VCSEL(220) 및 전극 와이어(222)를 부식시키기 때문에, 발생된 가스는 제1 하우징(230)의 아웃가스 통로(238)에 의해 외부로 배출되어야 한다. 디퓨저(250)가 디퓨저 지지부(236)의 상면(+y축 방향)에 본딩됨에 따라, 디퓨저(250)의 하부(-y축 방향)에 위치한 VCSEL(220)로부터 발진된 광(L)의 화각(FoV)이 확장될 수 있다. 디퓨저(250)로부터 VCSEL(220)까지의 거리는 제1 하우징(230)의 높이에 따라 조절될 수 있는데, 디퓨저(250)로부터 VCSEL(220)까지의 거리에 의해 광(L)의 화각(FoV)은 달라질 수 있다.The diffuser 250 is bonded to the diffuser support 236 by a bonding material. The bonding material may be composed of a material having a property of being cured by heat. As the bonding material is cured by heat, gas is generated (out-gas). Since this gas corrodes the VCSEL 220 and the electrode wire 222 bonded to the upper surface of the substrate 210 (+y-axis direction), the generated gas is the outgas passage 238 of the first housing 230 Should be discharged to the outside by As the diffuser 250 is bonded to the upper surface (+y-axis direction) of the diffuser support part 236, the angle of view of the light L emitted from the VCSEL 220 located under the diffuser 250 (-y-axis direction) (FoV) can be extended. The distance from the diffuser 250 to the VCSEL 220 may be adjusted according to the height of the first housing 230, and the angle of view (FoV) of the light L depending on the distance from the diffuser 250 to the VCSEL 220 Can be different.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 제1 하우징의 평면도이다.4 is a plan view of a first housing according to a first embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 아웃가스 통로는 복수 개로 구성될 수도 있다. 제1 하우징(230)은 제1 아웃가스 통로(410) 및 제2 아웃가스 통로(420)를 포함한다. 제1 아웃가스 통로(410)와 제2 아웃가스 통로(420)는 제1 하우징(230)의 내벽(232)에 대향(對向)하도록 형성된다. 단, 도면에는 제1 아웃가스 통로(410)와 제2 아웃가스 통로(420)가 각각 내벽(232)의 +y축 방향 및 -y축 방향에 형성되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 제1 아웃가스 통로(410) 및 제2 아웃가스 통로(420)는 각각 +x축 방향, -x축 방향, +y축 방향 및 -y축 방향 중 어느 하나의 방향을 향하도록 구성될 수 있다. 제1 아웃가스 통로(410) 및 제2 아웃가스 통로(420)의 각각의 폭(W1, W2)은 100㎛이내로 구성될 수 있으며, 깊이(d1, d2)는 제2 하우징(240)의 폭의 70%를 넘지 않는 범위 내로 구성될 수 있다. 제1 아웃가스 통로(410) 및 제2 아웃가스 통로(420)의 높이는 제1 하우징(230)의 높이와 동일하게 구성된다.As shown in FIG. 4, the outgas passage may be formed in a plurality. The first housing 230 includes a first outgas passage 410 and a second outgas passage 420. The first outgas passage 410 and the second outgas passage 420 are formed to face the inner wall 232 of the first housing 230. However, in the drawing, the first outgas passage 410 and the second outgas passage 420 are shown to be formed in the +y-axis direction and the -y-axis direction of the inner wall 232, respectively. The passage 410 and the second outgas passage 420 may be configured to face in any one of a +x-axis direction, a -x-axis direction, a +y-axis direction, and a -y-axis direction, respectively. Each width (W 1 , W 2 ) of the first outgas passage 410 and the second outgas passage 420 may be configured to be within 100 μm, and the depths (d 1 , d 2 ) are the second housing ( 240) may be configured within a range not exceeding 70% of the width. The heights of the first outgas passage 410 and the second outgas passage 420 are configured to be the same as the height of the first housing 230.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 제1 하우징의 평면도이다.5 is a plan view of a first housing according to a second embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 제1 하우징(230)은 제1 아웃가스 통로(510), 제2 아웃가스 통로(520), 제3 아웃가스 통로(530) 및 제4 아웃가스 통로(540)를 포함한다. 제1 아웃가스 통로(510)와 제3 아웃가스 통로(530)는 제1 하우징(230)의 내벽(232)에 서로 마주보도록 형성된다. 도면에는 제1 아웃가스 통로(510) 및 제3 아웃가스 통로(530)가 각각 내벽(232)의 +y축 방향 및 -y축 방향에 형성되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 제1 아웃가스 통로(510) 및 제3 아웃가스 통로(530)는 각각 +x축 방향, -x축 방향, +y축 방향 및 -y축 방향 중 어느 하나의 방향을 향하도록 구성될 수 있다. 제2 아웃가스 통로(520)와 제4 아웃가스 통로(540)는 제1 하우징(230) 내벽(232)에 서로 마주보도록 형성된다. 마찬가지로, 도면에는 제2 아웃가스 통로(520) 및 제4 아웃가스 통로(540)가 각각 내벽(232)의 -x축 방향 및 +x축 방향에 형성되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 제2 아웃가스 통로(520) 및 제4 아웃가스 통로(540)는 각각 +x축 방향, -x축 방향, +y축 방향 및 -y축 방향 중 어느 하나의 방향을 향하도록 구성될 수 있다. 제1 아웃가스 통로(510) 및 제3 아웃가스 통로(530)의 각각의 깊이(d1, d3)는 150~350㎛ 이내로 구성될 수 있으며, 제2 아웃가스 통로(520) 및 제4 아웃가스 통로(540)의 각각의 깊이(d2, d4)는 제1 아웃가스 통로(510) 및 제3 아웃가스 통로(530)의 각각의 깊이(d1, d3)보다 작게 구성될 수 있다. 제1 내지 제4 아웃가스 통로(510, 520, 530, 540)의 높이는 제1 하우징(230)의 높이와 동일하게 구성된다.As shown in FIG. 5, the first housing 230 includes a first outgas passage 510, a second outgas passage 520, a third outgas passage 530, and a fourth outgas passage 540. Includes. The first outgas passage 510 and the third outgas passage 530 are formed to face each other on the inner wall 232 of the first housing 230. In the drawing, the first outgas passage 510 and the third outgas passage 530 are shown to be formed in the +y-axis direction and the -y-axis direction of the inner wall 232, respectively, but the first outgas passage ( 510 and the third outgas passage 530 may be configured to face in any one of a +x-axis direction, a -x-axis direction, a +y-axis direction, and a -y-axis direction, respectively. The second outgas passage 520 and the fourth outgas passage 540 are formed to face each other on the inner wall 232 of the first housing 230. Likewise, in the drawing, the second outgas passage 520 and the fourth outgas passage 540 are shown to be formed in the -x-axis direction and the +x-axis direction of the inner wall 232, respectively, but the second outgas passageway The passage 520 and the fourth outgas passage 540 may be configured to face in any one of a +x-axis direction, a -x-axis direction, a +y-axis direction, and a -y-axis direction, respectively. Each depth (d 1 , d 3 ) of the first out-gas passage 510 and the third out-gas passage 530 may be configured within 150 to 350 μm, and the second out-gas passage 520 and the fourth Each depth (d 2 , d 4 ) of the outgas passage 540 may be configured to be smaller than each depth (d 1 , d 3 ) of the first outgas passage 510 and the third outgas passage 530. I can. The heights of the first to fourth outgas passages 510, 520, 530 and 540 are configured to be the same as the height of the first housing 230.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 제1 하우징의 평면도이다.6 is a plan view of a first housing according to a third embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 제1 하우징(230)은 제1 이웃가스 통로(610), 제2 이웃가스 통로(620), 제3 이웃가스 통로(630) 및 제4 이웃가스 통로(640)를 포함한다. 제1 아웃가스 통로(610)는 내벽(232) 상에 철(凸)자 형상의 홈 형태로 구현될 수 있으며, 제3 아웃가스 통로(630)와 대향되도록 형성된다. 제1 아웃가스 통로(610)의 제1 깊이(d1)는 150~350㎛ 이내로 구성될 수 있으며, 제2 깊이(d1')는 제2 하우징(240)의 폭의 70%를 넘어서지 않는 범위로 구성될 수 있다. 제1 아웃가스 통로(610)의 제2 폭(W1')은 100㎛ 이내로 구성될 수 있다. 그리고 제1 아웃가스(610)의 제1 및 제2 높이는 제1 하우징(230)의 높이와 동일하게 구성될 수 있다.As shown in FIG. 6, the first housing 230 includes a first neighboring gas passage 610, a second neighboring gas passage 620, a third neighboring gas passage 630, and a fourth neighboring gas passage 640. Includes. The first outgas passage 610 may be implemented in the form of an iron-shaped groove on the inner wall 232 and is formed to face the third outgas passage 630. The first depth (d 1 ) of the first outgas passage 610 may be configured within 150 to 350 μm, and the second depth (d 1' ) does not exceed 70% of the width of the second housing 240. It can consist of ranges. The second width W 1 ′ of the first outgas passage 610 may be configured to be within 100 μm. In addition, the first and second heights of the first outgas 610 may be configured to be the same as the height of the first housing 230.

제3 아웃가스 통로(630)는 제1 아웃가스 통로(610)와 대향되도록 내벽(232) 상에 형성된다. 도면에는, 제1 아웃가스 통로(610) 및 제3 아웃가스 통로(630)가 각각 내벽(232)의 +y축 방향 및 -y축 방향에 형성되어 있는 것으로 도시되지만, 제1 아웃가스 통로(610) 및 제3 아웃가스 통로(630)는 각각 +x축 방향, -x축 방향, +y축 방향 및 -y축 방향 중 어느 하나의 방향을 향하도록 구성될 수 있다. 제3 아웃가스 통로(630)의 깊이(d3)는 150~350㎛ 이내로 구성될 수 있으며, 제3 아웃가스(630)의 높이는 제1 하우징(230)의 높이와 동일하게 구성될 수 있다.The third outgas passage 630 is formed on the inner wall 232 to face the first outgas passage 610. In the drawing, the first outgas passage 610 and the third outgas passage 630 are shown to be formed in the +y-axis direction and the -y-axis direction of the inner wall 232, respectively, but the first outgas passage ( 610) and the third outgas passage 630 may be configured to face in any one of a +x-axis direction, a -x-axis direction, a +y-axis direction, and a -y-axis direction, respectively. The depth d 3 of the third outgas passage 630 may be configured within 150 to 350 μm, and the height of the third out gas 630 may be configured equal to the height of the first housing 230.

제2 및 제4 아웃가스 통로(620, 640)는 각각 내벽(232)의 -x축 방향 및 +x축 방향에 서로 마주보도록 형성된다. 마찬가지로, 제2 아웃가스 통로(620) 및 제4 아웃가스 통로(640)는 각각 +x축 방향, -x축 방향, +y축 방향 및 -y축 방향 중 어느 하나의 방향을 향하도록 구성될 수 있다. 제2 및 제4 아웃가스 통로(620, 640)의 깊이(d2, d4)는 150~350㎛ 이내로 구성될 수 있으며, 제2 및 제4 아웃가스(620, 640)의 높이는 제1 하우징(230)의 높이와 동일하게 구성될 수 있다.The second and fourth outgas passages 620 and 640 are formed to face each other in the -x axis direction and the +x axis direction of the inner wall 232, respectively. Similarly, the second outgas passage 620 and the fourth outgas passage 640 may be configured to face in any one of the +x-axis direction, -x-axis direction, +y-axis direction, and -y-axis direction, respectively. I can. The depths (d 2 , d 4 ) of the second and fourth outgas passages 620 and 640 may be configured within 150 to 350 μm, and the height of the second and fourth outgases 620 and 640 is the first housing It may be configured equal to the height of 230.

본 발명의 제1 내지 제3 실시예에 따른 아웃가스 통로(410, 420, 510, 520, 530, 540, 610, 620, 630, 640)는 레이저(Laser) 재단기(미도시)와 같은 재단장치에 의해 제1 하우징(230)의 내벽(232) 상에 형성될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.Outgas passages (410, 420, 510, 520, 530, 540, 610, 620, 630, 640) according to the first to third embodiments of the present invention is a cutting device such as a laser cutting machine (not shown) It may be formed on the inner wall 232 of the first housing 230 by, but is not limited thereto.

도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 제2 하우징의 평면도이다.7 is a plan view of a second housing according to the first embodiment of the present invention.

도 7(a)는 곡률부(R1, R2, R3, R4)를 구비하는 제2 하우징(240)의 평면도이며, 도 7(b)는 제1 하우징(230)의 상면(+z축 방향)에 제2 하우징(240)이 결합되었을 때의 평면도이다. 그리고 도 7(c)는 디퓨저 지지부(236)의 상면(+z 방향)에 디퓨저(250)가 본딩되었을 때의 평면도이다.FIG. 7(a) is a plan view of the second housing 240 having curved portions R1, R2, R3, and R4, and FIG. 7(b) is a top surface of the first housing 230 (+z-axis direction) It is a plan view when the second housing 240 is coupled to. And FIG. 7(c) is a plan view when the diffuser 250 is bonded to the top surface (+z direction) of the diffuser support 236.

도 7(a) 내지 도 7(c)에 도시된 바와 같이, 디퓨저(250)가 본딩물질에 의해 디퓨저 지지부(236)에 결합된다고 할지라도, 디퓨저(250)와 디퓨저 지지부(236)의 상부면(+z축 방향) 사이에 형성된 기포, 이물질의 침투 또는 본딩물질의 열적 특성 등에 의해 디퓨저(250)는 아웃가스 통로(238)가 위치한 방향(+x축 방향)으로 이동할 수 있다. 즉, 아웃가스 통로(238)는 디퓨저(250)의 이동에 의해 차단될 수 있으며, 이에 따라, 디퓨저(250) 본딩공정에 의해 발생된 가스가 원활하게 배출되지 않는 현상이 발생할 수 있다. 이러한 문제를 해소하고자, 제2 하우징(240)은 내벽(242)의 각 꼭지점에 곡률부(R1, R2, R3, R4)를 구비한다. 곡률부(R1, R2, R3, R4)는 디퓨저(250)가 더 이상 아웃가스 통로(238)가 위치한 방향(+x축 방향)으로 이동하지 않도록 방지한다. 곡률부(R1, R2, R3, R4)의 곡률은 곡률부(R1, R2, R3, R4)에 디퓨저(250)가 접촉될 경우, 디퓨저(250)와 제2 하우징(240)의 내벽(242)이 유격될 수 있을 정도로 구성될 수 있다. 즉, 디퓨저(250)가 제1 하우징(230)의 상면(+z축 방향)에 본딩될 경우, 곡률부(R1, R2, R3, R4)의 반경은 100㎛ 이상으로 구성될 수 있다. 도면에서는, 아웃가스 통로(238)가 제1 하우징(230)의 +x축 방향에 형성되어 있는 것으로 도시하고 있지만, 아웃가스 통로는 제1 하우징(230)의 +x축, -x축, +y축 또는 -y축 방향에 복수 개로 형성될 수 있다. 아웃가스 통로의 위치 및 치수에 따라, 곡률부(R1, R2, R3, R4)의 곡률은 변경될 수 있다.7(a) to 7(c), even if the diffuser 250 is coupled to the diffuser support 236 by a bonding material, the upper surface of the diffuser 250 and the diffuser support 236 The diffuser 250 may move in the direction in which the outgas passage 238 is located (+x-axis direction) due to air bubbles formed between (+z-axis direction), penetration of foreign substances, or thermal characteristics of the bonding material. That is, the outgas passage 238 may be blocked by the movement of the diffuser 250, and thus, a phenomenon in which the gas generated by the bonding process of the diffuser 250 is not discharged may occur. In order to solve this problem, the second housing 240 includes curved portions R1, R2, R3, and R4 at each vertex of the inner wall 242. The curved portions R1, R2, R3, and R4 prevent the diffuser 250 from moving in the direction in which the outgas passage 238 is located (+x-axis direction) any more. The curvature of the curved portions R1, R2, R3, R4 is when the diffuser 250 contacts the curved portions R1, R2, R3, R4, the diffuser 250 and the inner wall 242 of the second housing 240 ) Can be constructed so that it can be spaced apart. That is, when the diffuser 250 is bonded to the upper surface (+z-axis direction) of the first housing 230, the radiuses of the curvature portions R1, R2, R3, and R4 may be 100 μm or more. In the drawing, the outgas passage 238 is shown to be formed in the +x axis direction of the first housing 230, but the outgas passage is the +x axis, -x axis, + It may be formed in plural in the y-axis or -y-axis direction. Depending on the location and dimensions of the outgas passage, the curvature of the curved portions R1, R2, R3, and R4 may be changed.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지를 제조하는 과정을 도시한 순서도이다.8 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a package according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 패키지를 제조하는 과정에 대해서는 도 1 내지 도 7에서 상세하게 설명하였으므로, 자세한 설명은 생략한다.A process of manufacturing a package according to an embodiment of the present invention has been described in detail with reference to FIGS. 1 to 7, and a detailed description thereof will be omitted.

캐소드 및 애노드 전극패드(212, 214)가 구비된 기판(210)이 준비된다(S810).The substrate 210 provided with the cathode and anode electrode pads 212 and 214 is prepared (S810).

기판(210)의 상면에 아웃가스 통로(238)를 갖는 제1 하우징(230)이 본딩된다(S820).The first housing 230 having an outgas passage 238 on the upper surface of the substrate 210 is bonded (S820).

제1 하우징(230)의 상면에 제2 하우징(240)이 본딩된다(S830).The second housing 240 is bonded to the upper surface of the first housing 230 (S830).

기판(210)의 상면에 VCSEL(220)이 본딩된다(S840).The VCSEL 220 is bonded to the upper surface of the substrate 210 (S840).

제1 하우징(230)의 상면에 형성된 디퓨저 지지부(236)에 디퓨저(250)가 본딩된다(S850).The diffuser 250 is bonded to the diffuser support 236 formed on the upper surface of the first housing 230 (S850).

도 8에서는 각 과정을 순차적으로 실행하는 것으로 기재하고 있으나, 이는 본 발명의 일 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것이다. 다시 말해, 본 발명의 일 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 일 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 도 8에 기재된 순서를 변경하여 실행하거나 각 과정 중 하나 이상의 과정을 병렬적으로 실행하는 것으로 다양하게 수정 및 변형하여 적용 가능할 것이므로, 도 8은 시계열적인 순서로 한정되는 것은 아니다.In FIG. 8, it is described that each process is sequentially executed, but this is merely illustrative of the technical idea of an embodiment of the present invention. In other words, a person of ordinary skill in the technical field to which an embodiment of the present invention belongs can change the order shown in FIG. 8 and execute one or more of each process without departing from the essential characteristics of an embodiment of the present invention. Since it is executed in parallel and can be applied by various modifications and variations, FIG. 8 is not limited to a time series order.

한편, 도 8에 도시된 과정들은 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 즉, 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 마그네틱 저장매체(예를 들면, 롬, 플로피 디스크, 하드디스크 등) 및 광학적 판독 매체(예를 들면, 시디롬, 디브이디 등)를 포함한다. 또한, 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다.Meanwhile, the processes illustrated in FIG. 8 can be implemented as computer-readable codes on a computer-readable recording medium. The computer-readable recording medium includes all types of recording devices that store data that can be read by a computer system. That is, computer-readable recording media include magnetic storage media (eg, ROM, floppy disk, hard disk, etc.) and optical reading media (eg, CD-ROM, DVD, etc.). In addition, the computer-readable recording medium can be distributed over a computer system connected through a network to store and execute computer-readable codes in a distributed manner.

이상의 설명은 본 실시예의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 실시예들은 본 실시예의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 실시예의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 실시예의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 실시예의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present embodiment, and those of ordinary skill in the technical field to which the present embodiment belongs will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present embodiment. Accordingly, the present exemplary embodiments are not intended to limit the technical idea of the present exemplary embodiment, but are illustrative, and the scope of the technical idea of the present exemplary embodiment is not limited by these exemplary embodiments. The scope of protection of this embodiment should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present embodiment.

100, 200: 패키지
110, 210: 기판
112, 212: 캐소드 전극패드
114, 214: 애노드 전극패드
120, 220: 수직 공진형 표면 발광 레이저(VCSEL)
122, 222: 전극 와이어
130: 하우징
132: 홈
140: 디퓨저
230: 제1 하우징
232: 제1 하우징 내벽
234: 제1 하우징 외벽
236: 디퓨저 지지부
238, 410, 420, 510, 520, 530, 540, 610, 620, 630, 640: 아웃가스 통로
240: 제2 하우징
242: 제2 하우징 내벽
244: 제2 하우징 외벽
250: 디퓨저
R1, R2, R3, R4: 곡률부
L: 광100, 200: package
110, 210: substrate
112, 212: cathode electrode pad
114, 214: anode electrode pad
120, 220: vertical resonance type surface emitting laser (VCSEL)
122, 222: electrode wire
130: housing
132: home
140: diffuser
230: first housing
232: inner wall of the first housing
234: first housing outer wall
236: diffuser support
238, 410, 420, 510, 520, 530, 540, 610, 620, 630, 640: outgas passage
240: second housing
242: inner wall of the second housing
244: second housing outer wall
250: diffuser
R1, R2, R3, R4: curved part
L: optical

Claims (15)

기판;
상기 기판의 상면에 결합되는 수직 공진형 표면 발광 레이저(VCSEL);
상기 수직 공진형 표면 발광 레이저의 상부에 배치되는 디퓨저(Diffuser);
상기 기판의 상면에 결합되며, 상기 디퓨저가 본딩되는 디퓨저 지지부를 포함하는 제1 하우징; 및
상기 제1 하우징의 폭보다 작은 폭을 갖도록 구성되며, 상기 제1 하우징의 상면에 결합되는 제2 하우징
을 포함하고,
상기 제1 하우징은,
가스를 상기 디퓨저가 디퓨저 지지부에 본딩되어 형성한 공간 내부에서 외부로 배출시키는 기 설정된 형상의 아웃가스 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. Board;
A vertical resonance type surface emitting laser (VCSEL) coupled to the upper surface of the substrate;
A diffuser disposed above the vertical resonance type surface-emitting laser;
A first housing coupled to an upper surface of the substrate and including a diffuser support to which the diffuser is bonded; And
A second housing configured to have a width smaller than that of the first housing and coupled to an upper surface of the first housing
Including,
The first housing,
And an outgas passage having a predetermined shape for discharging gas from the inside of the space formed by bonding the diffuser to the diffuser support portion to the outside. 제1항에 있어서,
상기 기판은,
질화 알루미늄(AlN) 성분이 포함된 DPC(Direct Plating Copper) 기판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The substrate,
A semiconductor device package, characterized in that consisting of a DPC (Direct Plating Copper) substrate containing an aluminum nitride (AlN) component. 제1항에 있어서,
상기 디퓨저는,
마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The diffuser,
Semiconductor device package, characterized in that consisting of a micro lens array (Micro Lens Array). 제1항에 있어서,
상기 제1 하우징은,
상면 및 하면이 개방된 육면체의 패널(Panel) 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The first housing,
A semiconductor device package, characterized in that it is configured in the form of a hexahedral panel with open top and bottom surfaces. 제1항에 있어서,
상기 제1 하우징은,
내벽 및 외벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The first housing,
A semiconductor device package comprising an inner wall and an outer wall. 제5항에 있어서,
상기 제1 하우징은,
상기 내벽에 적어도 하나 이상의 아웃가스 통로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 5,
The first housing,
A semiconductor device package comprising at least one outgas passage in the inner wall. 제1항에 있어서,
상기 제2 하우징은,
상면 및 하면이 개방된 육면체의 패널(Panel) 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 1,
The second housing,
A semiconductor device package, characterized in that it is configured in the form of a hexahedral panel with open top and bottom surfaces. 기판;
상기 기판의 상면에 결합되는 수직 공진형 표면 발광 레이저(VCSEL);
상기 수직 공진형 표면 발광 레이저의 상부에 배치되는 디퓨저(Diffuser);
상기 기판의 상면에 결합되며, 상기 디퓨저가 본딩되는 디퓨저 지지부를 포함하고, 가스를 상기 디퓨저가 디퓨저 지지부에 본딩되어 형성한 공간 내부에서 외부로 배출시키는 기 설정된 형상의 아웃가스 통로를 포함하는 제1 하우징; 및
상기 제1 하우징의 폭보다 작은 폭을 갖도록 구성되며, 상기 제1 하우징의 상면에 결합되는 제2 하우징
을 포함하고,
상기 제2 하우징은,
상기 디퓨저가 상기 아웃가스 통로가 위치한 방향으로 이동하지지 않도록 기 설정된 값의 곡률을 갖는 곡률부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지. Board;
A vertical resonance type surface emitting laser (VCSEL) coupled to the upper surface of the substrate;
A diffuser disposed above the vertical resonance type surface-emitting laser;
A first including a diffuser support portion coupled to the upper surface of the substrate, the diffuser support portion to which the diffuser is bonded, and an outgas passage having a predetermined shape for discharging gas from the inside of the space formed by bonding the diffuser to the diffuser support portion to the outside. housing; And
A second housing configured to have a width smaller than that of the first housing and coupled to an upper surface of the first housing
Including,
The second housing,
And a curvature portion having a curvature of a preset value so that the diffuser does not move in a direction in which the outgas passage is located. 제8항에 있어서,
상기 기판은,
질화 알루미늄(AlN) 성분이 포함된 DPC(Direct Plating Copper) 기판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 8,
The substrate,
A semiconductor device package, characterized in that consisting of a DPC (Direct Plating Copper) substrate containing an aluminum nitride (AlN) component. 제8항에 있어서,
상기 디퓨저는,
마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 8,
The diffuser,
Semiconductor device package, characterized in that consisting of a micro lens array (Micro Lens Array). 제8항에 있어서,
상기 제1 하우징은,
상면 및 하면이 개방된 육면체의 패널(Panel) 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 8,
The first housing,
A semiconductor device package, characterized in that it is configured in the form of a hexahedral panel with open top and bottom surfaces. 제8항에 있어서,
상기 제1 하우징은,
내벽 및 외벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 8,
The first housing,
A semiconductor device package comprising an inner wall and an outer wall. 제12항에 있어서,
상기 제1 하우징은,
상기 내벽에 적어도 하나 이상의 아웃가스 통로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 12,
The first housing,
A semiconductor device package comprising at least one outgas passage in the inner wall. 제8항에 있어서,
상기 제2 하우징은,
상면 및 하면이 개방된 육면체의 패널(Panel) 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지.The method of claim 8,
The second housing,
A semiconductor device package, characterized in that it is configured in the form of a hexahedral panel with open top and bottom surfaces. 상면 및 하면에 캐소드 및 애노드 전극패드가 결합된 기판을 준비하는 기판 준비과정;
상기 기판의 상면에 아웃가스(Out-gas) 통로를 갖는 제1 하우징을 본딩하는 제1 하우징 본딩과정;
상기 제1 하우징의 상면에 제2 하우징을 본딩하는 제2 하우징 본딩과정;
상기 기판의 상면에 수직 공진형 표면 발광 레이저(VCSEL)를 본딩하는 수직 공진형 표면 발광 레이저(VCSEL) 본딩과정; 및
상기 제1 하우징의 상면에 디퓨저를 본딩하는 디퓨저 본딩과정
을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 패키지 제조과정.A substrate preparation process of preparing a substrate in which the cathode and anode electrode pads are combined on the upper and lower surfaces;
A first housing bonding process of bonding a first housing having an out-gas passage to an upper surface of the substrate;
A second housing bonding process of bonding a second housing to an upper surface of the first housing;
A vertical resonance type surface emission laser (VCSEL) bonding process of bonding a vertical resonance type surface emission laser (VCSEL) to the upper surface of the substrate; And
Diffuser bonding process of bonding a diffuser to the upper surface of the first housing
A semiconductor device package manufacturing process comprising a.
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