KR20200107854A - Compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 출원은 2019년 3월 8일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2019-0026895호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.This application claims the benefit of the filing date of Korean Patent Application No. 10-2019-0026895 filed with the Korean Intellectual Property Office on March 8, 2019, the entire contents of which are incorporated herein.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.The present specification relates to a compound and an organic light emitting device including the same.
유기 발광 소자는 2개의 전극 사이에 유기박막을 배치시킨 구조를 가지고 있다. 이와 같은 구조의 유기 발광 소자에 전압이 인가되면, 2개의 전극으로부터 주입된 전자와 전공이 유기박막에서 결합하여 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 발하게 된다. 상기 유기박막은 필요에 따라 단층 또는 다층으로 구성될 수 있다.The organic light-emitting device has a structure in which an organic thin film is disposed between two electrodes. When a voltage is applied to the organic light emitting device having such a structure, electrons and electrons injected from the two electrodes are combined in the organic thin film to form a pair and then emit light while disappearing. The organic thin film may be composed of a single layer or multiple layers as necessary.
유기 발광 소자에서 사용되는 물질로는 순수 유기 물질 또는 유기 물질과 금속이 착물을 이루는 착화합물이 대부분을 차지하고 있으며, 용도에 따라 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질 등으로 구분될 수 있다. 여기서, 정공주입 물질이나 정공수송 물질로는 p-타입의 성질을 가지는 유기물질, 즉 쉽게 산화가 되고 산화시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 한편, 전자주입 물질이나 전자수송 물질로는 n-타입 성질을 가지는 유기 물질, 즉 쉽게 환원이 되고 환원시에 전기화학적으로 안정한 상태를 가지는 유기물이 주로 사용되고 있다. 발광층 물질로는 p-타입 성질과 n-타입 성질을 동시에 가진 물질, 즉 산화와 환원 상태에서 모두 안정한 형태를 갖는 물질이 바람직하며, 정공 및 전자가 발광층에서 재결합하여 생성되는 엑시톤(exciton)이 형성되었을 때 이를 빛으로 전환하는 발광 효율이 높은 물질이 바람직하다.Materials used in organic light-emitting devices are pure organic materials or complex compounds in which organic materials and metals form a complex, and depending on the use, hole injection materials, hole transport materials, light-emitting materials, electron transport materials, electron injection materials, etc. It can be classified as Here, as the hole injection material or the hole transport material, an organic material having a p-type property, that is, an organic material that is easily oxidized and has an electrochemically stable state upon oxidation is mainly used. Meanwhile, as an electron injection material or an electron transport material, an organic material having an n-type property, that is, an organic material that is easily reduced and has an electrochemically stable state upon reduction is mainly used. As the light-emitting layer material, a material having both p-type and n-type properties, that is, a material that is stable in both oxidation and reduction states, is preferable, and excitons generated by recombination of holes and electrons in the emission layer are formed. A material having high luminous efficiency that converts it to light when it is formed is preferable.
유기 발광 소자의 성능, 수명 또는 효율을 향상시키기 위하여, 유기박막 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.In order to improve the performance, life, or efficiency of an organic light-emitting device, development of an organic thin film material is continuously required.
본 명세서에는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다.In the present specification, a compound and an organic light emitting device including the same are described.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Formula 1 below.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에 있어서, In Formula 1,
A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리이며,A and B are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle,
X는 단일결합; C(R1)(R2); Si(R3)(R4); N(R5); O; S; 또는 SO2이고,X is a single bond; C(R1)(R2); Si(R3)(R4); N(R5); O; S; Or SO 2 ,
R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며, 인접한 기, A 또는 B와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있고,R1 to R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkyl thioxy group; A substituted or unsubstituted arylthioxy group; A substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, and may be combined with an adjacent group, A or B to form a substituted or unsubstituted ring,
L, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,L, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
Ar은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 단, 디페닐플루오렌은 제외하며,Ar is hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkyl thioxy group; A substituted or unsubstituted arylthioxy group; A substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, provided that diphenylfluorene is excluded,
m1은 1 또는 2이고, m3는 0 내지 2의 정수이며,m1 is 1 or 2, m3 is an integer from 0 to 2,
m1이 1인 경우 m2는 2 또는 3이며, m1이 2인 경우 m2는 1이고, m2+m3는 3이며,When m1 is 1, m2 is 2 or 3, when m1 is 2, m2 is 1, and m2+m3 is 3,
m1 내지 m3가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,When m1 to m3 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same or different from each other,
*는 A, B 및 R1 내지 R5 중 어느 하나와 결합한다.* Combines with any one of A, B and R1 to R5.
또한, 본 명세서는 양극; 음극; 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present specification is a positive electrode; cathode; And at least one organic material layer provided between the anode and the cathode, and at least one of the organic material layers includes a compound represented by Formula 1 above.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자 내의 유기물층에 포함될 수 있으며, 상기 화합물을 유기 발광 소자의 유기물층에 포함함으로써, 낮은 구동전압을 가지고, 우수한 효율 및 우수한 수명 특성을 갖는 유기 발광 소자를 얻을 수 있다.The compound described in the present specification may be included in the organic material layer in the organic light-emitting device, and by including the compound in the organic material layer of the organic light-emitting device, it is possible to obtain an organic light-emitting device having a low driving voltage, excellent efficiency and excellent lifespan characteristics.
도 1은 기판 (1), 양극(2), 정공수송층(3), 전자차단층(4), 발광층(5), 전자수송층(6) 및 음극(7)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1) 위에 양극(2), 정공주입층(8), 정공수송층(3), 발광층(5), 전자 주입 및 수송층(9) 및 음극(7)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light emitting device comprising a
2 is an example of an organic light-emitting device comprising an
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, the present specification will be described in more detail.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 아다만탄(adamantane)이 축합된 축합고리를 화합물 내에 2 이상 포함함으로써, 아다만탄이 축합된 축합고리를 포함하지 않거나 1개 만을 포함하는 화합물보다 입체적 크기가 크고 견고하며, 이로 인하여 우수한 승화성, 화학 구조적 안정성을 가지게 되어 높은 열적 안정성을 가진다는 이점이 있다.The present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1. The compound represented by Formula 1 contains two or more condensed rings in which adamantane is condensed in the compound, so that the three-dimensional size is larger than that of a compound containing no or only one condensed ring in which adamantane is condensed. It is robust and has the advantage of having high thermal stability due to excellent sublimation and chemical structural stability.
본 명세서에 있어서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.In the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that other components may be further included rather than excluding other components unless otherwise stated.
본 명세서에 있어서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.In the present specification, when a member is said to be located "on" another member, this includes not only the case where the member is in contact with the other member, but also the case where another member exists between the two members.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the substituent in the present specification are described below, but are not limited thereto.
상기 "치환" 이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.The term "substituted" means that the hydrogen atom bonded to the carbon atom of the compound is replaced with another substituent, and the position to be substituted is not limited as long as the position at which the hydrogen atom is substituted, that is, the position where the substituent can be substituted, and when two or more are substituted , Two or more substituents may be the same or different from each other.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기(-CN); 니트로기; 히드록시기; 알킬기; 알케닐기; 알키닐기; 알콕시기; 실릴기; 아릴옥시기; 시클로알킬기; 아릴기; 아민기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. In the present specification, the term "substituted or unsubstituted" refers to deuterium; Halogen group; Cyano group (-CN); Nitro group; Hydroxy group; Alkyl group; Alkenyl group; Alkynyl group; Alkoxy group; Silyl group; Aryloxy group; Cycloalkyl group; Aryl group; Amine group; And it is substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, two or more of the substituents exemplified above are substituted with a connected substituent, or it means that no substituents are present.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다. Examples of the substituents are described below, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(-F), 염소(-Cl), 브롬(-Br) 또는 요오드(-I)가 있다.In the present specification, examples of the halogen group include fluorine (-F), chlorine (-Cl), bromine (-Br), or iodine (-I).
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄를 포함하며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 60, 1 내지 30, 또는 1 내지 20이다. 상기 알킬기의 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기 등이 있으며, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있으며, 일 예에 따르면, 프로필기는 n-프로필기 및 이소프로필기를 포함하고, 부틸기는 n-부틸기, 이소부틸기 및 ter-부틸기를 포함한다.In the present specification, the alkyl group includes a linear or branched chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is 1 to 60, 1 to 30, or 1 to 20. Specific examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, and the like, and the alkyl group may be a straight chain or a branched chain. According to an example, propyl The group includes an n-propyl group and an isopropyl group, and the butyl group includes an n-butyl group, an isobutyl group and a ter-butyl group.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 3 내지 60, 3 내지 30, 또는 3 내지 20이다. 구체적으로 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is not particularly limited, but is 3 to 60, 3 to 30, or 3 to 20. Specifically, there are a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiYaYbYc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ya, Yb 및 Yc는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, tert-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 디메틸페닐실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group may be represented by the formula of -SiY a Y b Y c , wherein Y a , Y b and Y c are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Or it may be a substituted or unsubstituted aryl group. The silyl group is specifically trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tert-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, dimethylphenylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, phenylsilyl group, etc. However, it is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 알콕시기의 알킬기는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the above-described alkyl group may be applied to the alkyl group of the alkoxy group.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 6 내지 60, 6 내지 30이 또는 6 내지 20이다. 상기 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 트리페닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but 6 to 60, 6 to 30, or 6 to 20. The monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, or a quarterphenyl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, triphenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, etc. , But is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기의 9번 탄소원자(C)는 알킬기, 아릴기 등으로 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 시클로펜탄, 플루오렌 등의 스피로 구조를 형성할 수 있다. In the present specification, carbon atom 9 (C) of the fluorenyl group may be substituted with an alkyl group, an aryl group, etc., and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure such as cyclopentane and fluorene.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aryl group described above may be applied to the aryl group of the aryloxy group.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NRaRb로 나타낼 수 있으며, 상기 Ra 및 Rb는 각각 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 아민기는 결합되는 치환기(Ra, Rb)의 종류에 따라, 알킬아민기, 알킬아릴아민기, 아릴아민기, 헤테로아릴아민기, 알킬헤테로아릴아민기, 및 아릴헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.In the present specification, the amine group may be represented by -NRaRb, wherein Ra and Rb are each hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or it may be a substituted or unsubstituted heteroaryl group, but is not limited thereto. The amine group is selected from the group consisting of an alkylamine group, an alkylarylamine group, an arylamine group, a heteroarylamine group, an alkylheteroarylamine group, and an arylheteroarylamine group, depending on the type of the substituent (Ra, Rb) to be bonded. Can be.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기는 알킬기로 치환된 아민기를 의미하며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 40, 1 내지 20일 수 있다. 상기 알킬아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the alkylamine group refers to an amine group substituted with an alkyl group, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but may be 1 to 40 or 1 to 20. Specific examples of the alkylamine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, and a diethylamine group, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴아민기의 구체적인 예로는 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, and a substituted or unsubstituted diarylamine group. The aryl group in the arylamine group may be a monocyclic or polycyclic aryl group. Specific examples of the arylamine group include, but are not limited to, a phenylamine group, a naphthylamine group, a biphenylamine group, an anthracenylamine group, a diphenylamine group, and a phenylnaphthylamine group.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기가 있다.In the present specification, examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group, and a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, S, 및 Si중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 2 내지 60, 또는 2 내지 30이다. 상기 헤테로고리기의 예로는 예로는 피리딜기; 퀴놀린기; 티오펜기; 디벤조티오펜기; 퓨란기; 디벤조퓨란기; 나프토벤조퓨란기; 카바졸기; 벤조카바졸기; 나프토벤조티오펜기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the heterocyclic group is a cyclic group including one or more of N, O, S, and Si as a hetero atom, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is 2 to 60, or 2 to 30. Examples of the heterocyclic group include a pyridyl group; Quinoline group; Thiophene group; Dibenzothiophene group; Furan group; Dibenzofuran group; Naphthobenzofuran group; Carbazole; Benzocarbazole group; Naphthobenzothiophene group and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aforementioned heterocyclic group may be applied except that the heteroaryl group is aromatic.
본 명세서에 있어서, 탄화수소고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 방향족 탄화수소고리는 1가가 아닌 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있고, 상기 지방족 탄화수소고리는 1가가 아닌 것을 제외하고는 전술한 시클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the hydrocarbon ring may be an aromatic, aliphatic, or condensed ring of aromatic and aliphatic, and the description of the aryl group described above may be applied except that the aromatic hydrocarbon ring is not monovalent, and the aliphatic hydrocarbon ring is Except for those that are not monovalent, the above description of the cycloalkyl group may apply.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다.In this specification, "adjacent" The group may mean a substituent substituted on an atom directly connected to the atom where the corresponding substituent is substituted, a substituent positioned three-dimensionally close to the corresponding substituent, or another substituent substituted on the atom where the corresponding substituent is substituted.
본 명세서에 있어서, "인접한 기, A 또는 B와 결합하여 형성된 고리"에서 "고리"는 탄화수소고리; 또는 헤테로고리를 의미한다.In the present specification, in "the ring formed by bonding with an adjacent group, A or B", "ring" is a hydrocarbon ring; Or it means a heterocycle.
상기 탄화수소고리는 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 1가기가 아닌 것을 제외하고 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.The hydrocarbon ring may be an aromatic, aliphatic, or condensed ring of aromatic and aliphatic, and may be selected from examples of the cycloalkyl group or an aryl group except for the monovalent group.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소고리는 1가기가 아닌 것을 제외하고는 상기 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aryl group may be applied except that the aromatic hydrocarbon ring is not a monovalent group.
상기 헤테로고리는 1가기가 아닌 것을 제외하고는 상기 헤테로고리기에 대한 설명이 적용될 수 있다.The description of the heterocyclic group may be applied, except that the heterocycle is not a monovalent group.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aryl group described above may be applied except that the arylene group is a divalent group.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, the description of the aforementioned heteroaryl group may be applied except that the heteroarylene group is a divalent group.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 *는 A, B 및 R1 내지 R5 중 어느 하나와 결합한다. 구체적으로, 상기 화학식 1에서 L은 A를 구성하는 원자, B를 구성하는 원자, 및 R1 내지 R5를 구성하는 원자 중 어느 하나와 결합한다.In the exemplary embodiment of the present specification, * is combined with any one of A, B, and R1 to R5. Specifically, in
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 m1은 1 또는 2이고, m3는 0 내지 2의 정수이며, m1이 1인 경우 m2는 2 또는 3이며, m1이 2인 경우 m2는 1이고, m2+m3는 3이다.According to the exemplary embodiment of the present specification, m1 is 1 or 2, m3 is an integer of 0 to 2, when m1 is 1, m2 is 2 or 3, when m1 is 2, m2 is 1, and m2+ m3 is 3.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 m1은 1이고, m2는 2이며, m3는 1이다.According to another exemplary embodiment, m1 is 1, m2 is 2, and m3 is 1.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 m1은 1이고, m2는 3이며, m3는 0이다.In another exemplary embodiment, m1 is 1, m2 is 3, and m3 is 0.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 m1은 2이고, m2는 1이며, m3는 2이다.According to another exemplary embodiment, m1 is 2, m2 is 1, and m3 is 2.
상기 m1 내지 m3가 각각 2 또는 2 이상의 정수인 경우, 2 또는 2 이상의 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하다.When m1 to m3 are each an integer of 2 or 2 or more, the substituents in the parentheses of 2 or 2 or more are the same or different from each other.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 O, S 및 N으로 구성되는 군으로부터 선택되는 이종원소를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 60의 방향족 헤테로고리이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, A and B are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle having 2 to 60 carbon atoms containing at least one hetero element selected from the group consisting of O, S and N.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 O, S 및 N으로 구성되는 군으로부터 선택되는 이종원소를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 30의 방향족 헤테로고리이다.According to another exemplary embodiment, A and B are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle having 2 to 30 carbon atoms containing at least one hetero element selected from the group consisting of O, S and N.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠; 치환 또는 비치환된 나프탈렌; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜이다.In another exemplary embodiment, A and B are the same as or different from each other, and each independently substituted or unsubstituted benzene; Substituted or unsubstituted naphthalene; Substituted or unsubstituted dibenzofuran; Or substituted or unsubstituted dibenzothiophene.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 벤젠; 나프탈렌; 디벤조퓨란; 또는 디벤조티오펜이다.According to another exemplary embodiment, A and B are the same as or different from each other, and each independently benzene; naphthalene; Dibenzofuran; Or dibenzothiophene.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로아릴렌기이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, L, L1, and L2 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C60 heteroarylene group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 L, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴렌기이다.According to another exemplary embodiment, the L, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; A substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 L, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.In another exemplary embodiment, L, L1, and L2 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; Or an arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 L, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 치환 또는 비치환된 바이페닐릴렌기; 치환 또는 비치환된 터페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이다.In another exemplary embodiment, L, L1, and L2 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; A substituted or unsubstituted phenylene group; A substituted or unsubstituted biphenylylene group; A substituted or unsubstituted terphenylene group; Or a substituted or unsubstituted naphthylene group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 L, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 페닐렌기; 바이페닐릴렌기; 터페닐렌기; 또는 나프틸렌기이다.According to another exemplary embodiment, the L, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; Phenylene group; Biphenylylene group; Terphenylene group; Or it is a naphthylene group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 L, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 페닐렌기; 바이페닐릴렌기; 또는 나프틸렌기이다.According to another exemplary embodiment, the L, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; Phenylene group; Biphenylylene group; Or it is a naphthylene group.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 40의 실릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이고, 단, 디페닐플루오렌은 제외한다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; A substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted silyl group having 1 to 40 carbon atoms; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, except for diphenylfluorene.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 40의 실릴기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다. According to another exemplary embodiment, Ar is a substituted or unsubstituted silyl group having 1 to 40 carbon atoms; An aryl group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Or a
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 40의 아릴실릴기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기 이다.In another exemplary embodiment, Ar is a substituted or unsubstituted arylsilyl group having 6 to 40 carbon atoms; An aryl group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Or, it is a C2-C30 heterocyclic group substituted or unsubstituted with a C6-C30 aryl group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar은 치환 또는 비치환된 트리페닐실릴기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 치환 또는 비치환된 카바졸기; 또는 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기이다.According to another exemplary embodiment, Ar is a substituted or unsubstituted triphenylsilyl group; A substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; A substituted or unsubstituted naphthyl group; A substituted or unsubstituted fluorenyl group; A substituted or unsubstituted terphenyl group; A substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; A substituted or unsubstituted dibenzofuran group; A substituted or unsubstituted dibenzothiophene group; A substituted or unsubstituted carbazole group; Or a substituted or unsubstituted naphthobenzofuran group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar은 트리페닐실릴기; 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 탄소수 1 내지 20의 알킬기로 치환된 플루오레닐기; 터페닐기; 페난트레닐기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환된 카바졸기; 또는 나프토벤조퓨란기이다.According to another exemplary embodiment, Ar is a triphenylsilyl group; Phenyl group; Biphenyl group; Naphthyl group; A fluorenyl group substituted with an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Terphenyl group; Phenanthrenyl group; Dibenzofuran group; Dibenzothiophene group; A carbazole group substituted with an aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a naphthobenzofuran group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar은 트리페닐실릴기; 페닐기; 바이페닐기; 나프틸기; 메틸기로 치환된 플루오레닐기; 터페닐기; 페난트레닐기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 페닐기로 치환된 카바졸기; 또는 나프토벤조퓨란기이다.According to another exemplary embodiment, Ar is a triphenylsilyl group; Phenyl group; Biphenyl group; Naphthyl group; A fluorenyl group substituted with a methyl group; Terphenyl group; Phenanthrenyl group; Dibenzofuran group; Dibenzothiophene group; A carbazole group substituted with a phenyl group; Or a naphthobenzofuran group.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 2][Formula 2]
[화학식 3][Formula 3]
[화학식 4][Formula 4]
상기 화학식 2 내지 4에 있어서,In
*, A, B 및 X의 정의는 화학식 1에서와 같고,*, A, B and X are defined as in
X1은 단일결합; C(R6)(R7); Si(R8)(R9); N(R10); O; S; 또는 SO2이며,X1 is a single bond; C(R6)(R7); Si(R8)(R9); N(R10); O; S; Or SO 2 ,
R6 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기, A 또는 B와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,R6 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or may be combined with an adjacent group, A or B to form a substituted or unsubstituted ring,
L11 내지 L15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,L11 to L15 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
Ar1 내지 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 단, 디페닐플루오렌은 제외하며,Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkyl thioxy group; A substituted or unsubstituted arylthioxy group; A substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, provided that diphenylfluorene is excluded,
2 개의 [ ] 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.The structures within the two [] are the same or different.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X1은 단일결합; C(R6)(R7); Si(R8)(R9); N(R10); O; S; 또는 SO2이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X1 is a single bond; C(R6)(R7); Si(R8)(R9); N(R10); O; S; Or SO 2 .
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R6 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.According to another exemplary embodiment, the R6 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L11 내지 L15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 전술한 L, L1 및 L2에 관한 내용이 적용된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the L11 to L15 are the same as or different from each other, and the contents of L, L1 and L2 described above are applied independently.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 내지 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 전술한 Ar에 관한 내용이 적용된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently the above-described contents of Ar are applied.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X는 단일결합; C(R1)(R2); Si(R3)(R4); N(R5); O; S; 또는 SO2이다.According to an exemplary embodiment of the present specification, X is a single bond; C(R1)(R2); Si(R3)(R4); N(R5); O; S; Or SO 2 .
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이며, 인접한 기, A 또는 B와 결합하여 치환 또는 비치환된 3 내지 30의 고리를 형성할 수 있다.According to another exemplary embodiment, the R1 to R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; A substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, and may be bonded to an adjacent group, A or B to form a substituted or unsubstituted 3 to 30 ring.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, 인접한 기, A 또는 B와 결합하여 가 하기 구조를 형성한다.According to another exemplary embodiment, the R1 to R5 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, or by bonding with an adjacent group, A or B To go Form a structure
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, A 또는 B와 결합하여 가 하기 구조를 형성한다.According to another exemplary embodiment, the R1 to R5 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, or combined with A or B To go Form a structure
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기이거나, A 또는 B와 결합하여 가 하기 구조를 형성한다.According to another exemplary embodiment, the R1 to R5 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group, or combined with A or B To go Form a structure
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R5는 페닐기이다.According to another exemplary embodiment, R1 to R5 are phenyl groups.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5는 치환 또는 비치환된 페닐기이고, A 또는 B 와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 잇다.According to another exemplary embodiment, R5 is a substituted or unsubstituted phenyl group, and may be combined with A or B to form a substituted or unsubstituted ring.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R5는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, A 또는 B와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.In another exemplary embodiment, R5 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and may be combined with A or B to form a substituted or unsubstituted ring.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5는 치환 또는 비치환된 페닐기이거나, A 또는 B와 결합하여 가 하기 구조를 형성한다.According to another exemplary embodiment, R5 is a substituted or unsubstituted phenyl group, or by combining with A or B To go Form a structure
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R5는 페닐기이거나, A 또는 B와 결합하여 가 하기 구조를 형성한다.According to another exemplary embodiment, R5 is a phenyl group, or by combining with A or B To go Form a structure
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이고, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.In another exemplary embodiment, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring. have.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기이고, 서로 단일결합을 통하여 결합하여 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.According to another exemplary embodiment, R1 and R2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, and may be bonded to each other through a single bond to form a fluorene ring.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기이고, 서로 단일결합을 통하여 결합하여 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.According to another exemplary embodiment, R1 and R2 may be the same as or different from each other, each independently a phenyl group, and may be bonded to each other through a single bond to form a fluorene ring.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 페닐기이거나, 서로 단일결합을 통하여 결합하여 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.According to another exemplary embodiment, R1 and R2 may be a phenyl group, or may be bonded to each other through a single bond to form a fluorene ring.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에서 ''는 하기 구조들 중 어느 하나로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, in
상기 구조들에 있어서,In the above structures,
W1은 O 또는 S이고,W1 is O or S,
W2는 Si 또는 C이며,W2 is Si or C,
Y는 O, S 또는 NR이고,Y is O, S or NR,
R은 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,R is a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
상기 구조들은 알킬기; 아릴기; 또는 헤테로고리기로 추가 치환될 수 있다.The structures are alkyl groups; Aryl group; Or it may be further substituted with a heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 구조들은 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기로 추가 치환될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the structures are an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or it may be further substituted with a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에서 ''는 하기 구조들 중 어느 하나로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, in
상기 구조들에 있어서, R5의 정의는 전술한 바와 같고,In the above structures, the definition of R5 is as described above,
상기 구조들은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 및 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기로 이루어진 군으로 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않을 수 있다.The structures are substituted with one or two or more substituents selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, and a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms, or a substituent connected with two or more substituents among the exemplified substituents It may be substituted with or may not have any substituent.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-7 중 어느 하나로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification,
[화학식 1-1][Formula 1-1]
[화학식 1-2][Formula 1-2]
[화학식 1-3][Formula 1-3]
[화학식 1-4][Formula 1-4]
[화학식 1-5][Formula 1-5]
[화학식 1-6][Formula 1-6]
[화학식 1-7][Formula 1-7]
상기 화학식 1-1 내지 1-7에 있어서,In Formulas 1-1 to 1-7,
Y는 O, S 또는 NR이고,Y is O, S or NR,
R은 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,R is a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
L12, L13, L15 및 L101 내지 L110은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,L12, L13, L15, and L101 to L110 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
Ar1 내지 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 단, 디페닐플루오렌은 제외하며,Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkyl thioxy group; A substituted or unsubstituted arylthioxy group; A substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, provided that diphenylfluorene is excluded,
2 또는 3개의 [ ] 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,The structures within 2 or 3 [] are the same or different from each other,
상기 구조들은 알킬기; 아릴기; 또는 헤테로고리기로 추가 치환될 수 있다.The structures are alkyl groups; Aryl group; Or it may be further substituted with a heterocyclic group.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-1 내지 1-7에 있어서, 상기 L12, L13, L15 및 L101 내지 L101은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 전술한 L, L1 및 L2에 관한 내용이 적용된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, in Formulas 1-1 to 1-7, the L12, L13, L15, and L101 to L101 are the same as or different from each other, and each independently relates to the aforementioned L, L1 and L2. The content applies.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1-1 내지 1-7에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 전술한 Ar에 관한 내용이 적용된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, in Formulas 1-1 to 1-7, Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently the above-described contents of Ar are applied.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 화학식 1-1 내지 1-7의 구조들은 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기로 추가 치환될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present specification, structures of Formulas 1-1 to 1-7 may include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or it may be further substituted with a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Y는 O, S 또는 NR이며, 상기 R은 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다. In the exemplary embodiment of the present specification, Y is O, S, or NR, and R is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; A substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group.
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 R은 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.According to another exemplary embodiment, R is an aryl group having 6 to 30 carbon atoms.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중 어느 하나로 표시된다.According to an exemplary embodiment of the present specification, the compound represented by
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 다양한 치환기를 도입함으로써, 다양한 에너지 밴드갭을 갖는 화합물을 합성할 수 있다. 또한, 본 명세서에서는 상기와 같은 구조의 코어 구조에 다양한 치환기를 도입함으로써, 화합물의 HOMO 및 LUMO 에너지 준위도 조절할 수 있다.Compounds having various energy band gaps can be synthesized by introducing various substituents to the compound represented by
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 양극; 음극; 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 구비되는 1층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 유기물층 중 1층 이상은 전술한 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic light-emitting device according to the present specification includes an anode; cathode; And at least one organic material layer provided between the anode and the cathode, and at least one of the organic material layers includes the above-described compound.
본 명세서의 유기 발광 소자는 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present specification may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic light-emitting device, except for forming one or more organic material layers using the compound represented by
상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층은 유기 발광 소자의 제조시, 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥 코팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들 만으로 한정되는 것은 아니다.The organic material layer including the compound represented by
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 전자차단층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기물층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may have a single-layer structure, but may have a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light-emitting device of the present specification is an organic material layer, which includes a hole injection layer, a hole transport layer, a layer for simultaneously transporting and injecting holes, an electron blocking layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and electron transport and electron injection. It may have a structure including a layer at the same time. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number or a larger number of organic material layers.
본 명세서의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 양극과 상기 발광층 사이에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함한다. 이때, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층은 정공수송층, 정공주입층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층 및 전자차단층으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In the organic light emitting device of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and includes one or more organic material layers including the compound represented by
본 명세서의 유기 발광 소자에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층은 정공수송층, 정공주입층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층 및 전자차단층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 층 이상이다.In the organic light emitting device of the present specification, at least one organic material layer including the compound represented by
본 명세서의 유기 발광 소자에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 정공수송층에 포함된다.In the organic light emitting device of the present specification, the compound represented by
본 명세서의 유기 발광 소자에서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 음극과 상기 발광층 사이에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함한다. 이때, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층 및 정공차단층으로 이루어진 군으로부터 선택된다.In the organic light emitting device of the present specification, the organic material layer includes an emission layer, and includes one or more organic material layers including the compound represented by
본 명세서의 유기 발광 소자에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층은 발광층이다.In the organic light emitting device of the present specification, at least one organic material layer including the compound represented by
또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 도펀트로 포함한다.According to another exemplary embodiment, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes the compound represented by
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하며, 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 도펀트로 포함할 수 있다.In another exemplary embodiment, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes a compound represented by
또 하나의 예로서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 도펀트로서 포함하고, 형광 호스트 또는 인광 호스트를 포함하며, 이리듐계(Ir) 도펀트와 함께 사용할 수 있다.As another example, the organic material layer includes an emission layer, the emission layer includes a compound represented by
또 하나의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로서 포함할 수 있다.According to another exemplary embodiment, the organic material layer may include an emission layer, and the emission layer may include the compound represented by
또 하나의 예로서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로서 포함하고, 도펀트를 더 포함할 수 있다. As another example, the organic material layer includes an emission layer, and the emission layer includes a compound represented by
상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함하고, 상기 도펀트의 함량은 호스트 100 중량부에 대하여, 1 중량부 내지 20 중량부로 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게는 1 중량부 내지 5 중량부로 포함할 수 있다.The emission layer may include a host and a dopant, and the content of the dopant may be included in an amount of 1 to 20 parts by weight, and more preferably 1 to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the host.
상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The organic light-emitting device may have, for example, a stacked structure as described below, but is not limited thereto.
(1) 양극/정공수송층/발광층/음극(1) Anode/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Anode
(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극(2) Anode/Hole Injection Layer/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Anode
(3) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(3) Anode/Hole Transport Layer/Light-Emitting Layer/Electron Transport Layer/Anode
(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(4) Anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(5) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극(5) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode
(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(6) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(7) 양극/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/음극(7) Anode/hole transport layer/electron blocking layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode
(8) 양극/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극(8) Anode/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(9) 양극/정공주입층/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/음극(9) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode
(10) 양극/정공주입층/정공수송층/전자차단층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극(10) Anode/hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(11) 양극/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/음극(11) Anode/hole transport layer/light emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/cathode
(12) 양극/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/전자주입층/음극(12) Anode/hole transport layer/light emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
(13) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/음극(13) Anode/Hole injection layer/Hole transport layer/Light emitting layer/Hole blocking layer/Electron transport layer/Anode
(14) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공차단층/전자수송층/전자주입 층/음극(14) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode
본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타낸 것과 같은 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The structure of the organic light emitting device of the present specification may have a structure as shown in FIGS. 1 and 2, but is not limited thereto.
도 1에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공수송층(3), 전자차단층(4), 발광층(5), 전자수송층(6) 및 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공수송층(3) 및/또는 전자차단층(4)에 포함될 수 있다.FIG. 1 shows an organic light emitting diode in which an
도 2에는 기판(1) 위에 양극(2), 정공주입층(8), 정공수송층(3), 발광층(5), 전자 주입 및 수송층(9) 및 음극(7)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공수송층(3)에 포함될 수 있다.FIG. 2 shows organic light emission in which an anode (2), a hole injection layer (8), a hole transport layer (3), a light emitting layer (5), an electron injection and transport layer (9) and a cathode (7) are sequentially stacked on a substrate (1). The structure of the device is illustrated. In such a structure, the compound represented by
예컨대, 본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 스퍼터링(sputtering)이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자차단층, 전자수송층 및 전자주입층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 전자 소자를 만들 수도 있다.For example, the organic light emitting device according to the present specification uses a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation, and uses a metal or a conductive metal oxide or an alloy thereof on a substrate. Deposited to form an anode, formed by forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron blocking layer, an electron transport layer and an electron injection layer thereon, and then depositing a material that can be used as a cathode thereon. Can be. In addition to this method, an organic electronic device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층, 전자차단층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자주입 및 전자수송을 동시에 하는 층, 정공차단층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용매 공정(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.The organic material layer includes a hole injection layer, a hole transport layer, a layer that simultaneously injects and transports electrons, an electron blocking layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a layer that simultaneously injects and transports electrons, and a hole blocking layer. Although it may have a multilayer structure, it is not limited thereto and may have a single layer structure. In addition, the organic material layer is made of a variety of polymer materials, and is used in a smaller number of solvent processes, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer. It can be made in layers.
상기 양극은 정공을 주입하는 전극으로, 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide)과 같은 금속 산화물; ZnO : Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The anode is an electrode for injecting holes, and a material having a large work function is preferable so that holes can be smoothly injected into the organic material layer as the anode material. Specific examples of the cathode material that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof; Metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); ZnO: Al or SnO 2: a combination of a metal and an oxide such as Sb; Poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline, and the like, but are not limited thereto.
상기 음극은 전자를 주입하는 전극으로, 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode is an electrode for injecting electrons, and the cathode material is usually a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; There are multi-layered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but are not limited thereto.
상기 정공주입층은 양극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 하는 층이며, 정공주입 물질로는 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입 받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer that facilitates injection of holes from the anode to the light emitting layer, and the hole injection material is a material capable of injecting holes well from the anode at a low voltage, and the HOMO (highest occupied material) of the hole injection material It is preferable that molecular orbital) is between the work function of the positive electrode material and the HOMO of the surrounding organic material layer. Specific examples of hole injection materials include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic substances, hexanitrile hexaazatriphenylene-based organic substances, quinacridone-based organic substances, and perylene-based organic substances. Organic substances, anthraquinone, polyaniline, and polythiophene-based conductive polymers, etc., but are not limited thereto.
상기 정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자가 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 정공수송층 이외의 추가의 정공수송층을 포함하는 경우, 정공수송물질로는 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The hole transport layer may serve to facilitate transport of holes. When the organic light-emitting device according to an exemplary embodiment of the present specification includes an additional hole transport layer other than the hole transport layer containing the compound represented by
상기 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층은 당 기술분야에 알려져 있는 정공수송층 재료 및/또는 정공주입층 재료가 사용될 수 있다.The hole transport layer material and/or hole injection layer material known in the art may be used as the layer for simultaneously transporting and injecting holes.
상기 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층은 당 기술분야에 알려져 있는 전자수송층 재료 및/또는 전자주입층 재료가 사용될 수 있다.The electron transport layer material and/or the electron injection layer material known in the art may be used as the layer for simultaneous electron transport and electron injection.
상기 정공수송층과 발광층 사이에 전자차단층이 구비될 수 있다. 상기 전자차단층은 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.An electron blocking layer may be provided between the hole transport layer and the emission layer. Materials known in the art may be used for the electron blocking layer.
상기 발광층은 적색, 녹색 또는 청색을 발광할 수 있으며, 인광 물질 또는 형광 물질로 이루어질 수 있다. 상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The emission layer may emit red, green, or blue light, and may be made of a phosphorescent material or a fluorescent material. As the light-emitting material, a material capable of emitting light in a visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency against fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole-based compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzo quinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole, and benzimidazole-based compounds; Poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymer; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, and the like, but are not limited thereto.
발광층의 호스트 재료로는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the host material for the light emitting layer include condensed aromatic ring derivatives or heterocyclic compounds. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, and fluoranthene compounds, and heterocycle-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type Furan compounds, pyrimidine derivatives, and the like, but are not limited thereto.
발광층이 적색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium), PtOEP(octaethylporphyrin platinum)와 같은 인광 물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 녹색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)와 같은 인광물질이나, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다. 발광층이 청색 발광을 하는 경우, 발광 도펀트로는 (4,6-F2ppy)2Irpic와 같은 인광 물질이나, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자, PPV계 고분자와 같은 형광 물질이 사용될 수 있으나, 이에만 한정된 것은 아니다.When the emission layer emits red light, the emission dopants include PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonateiridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium). ), a phosphorescent material such as octaethylporphyrin platinum (PtOEP), or a fluorescent material such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), but is not limited thereto. When the emission layer emits green light, a phosphor such as Ir(ppy) 3 (fac tris(2-phenylpyridine)iridium) or a fluorescent material such as Alq 3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum) may be used as the emission dopant. However, it is not limited thereto. When the light emitting layer emits blue light, the light emitting dopant is a phosphorescent material such as (4,6-F 2 ppy) 2 Irpic, but spiro-DPVBi, spiro-6P, distillbenzene (DSB), distrylarylene (DSA ), a fluorescent material such as a PFO-based polymer or a PPV-based polymer may be used, but is not limited thereto.
상기 전자수송층과 발광층 사이에 정공차단층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다.A hole blocking layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and materials known in the art may be used.
상기 전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 한다. 전자수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The electron transport layer serves to facilitate the transport of electrons. As the electron transport material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable, and a material having high mobility for electrons is suitable. Specific examples include Al complex of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; Organic radical compounds; Hydroxyflavone-metal complexes and the like, but are not limited thereto.
상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 한다. 전자주입 물질로는 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. The electron injection layer serves to facilitate injection of electrons. As the electron injection material, a compound having an ability to transport electrons, an electron injection effect from the cathode, an excellent electron injection effect to a light emitting layer or a light emitting material, and excellent in thin film formation ability is preferable. Specifically, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylene tetracarboxylic acid, preorenylidene methane, anthrone, etc. Complex compounds and nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, but are not limited thereto.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of the metal complex compound include lithium 8-hydroxyquinolinato, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato)gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato)beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( o-cresolato)gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtholato)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtholato)gallium, etc. It is not limited to this.
본 명세서 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present specification may be a top emission type, a bottom emission type, or a double-sided emission type depending on the material used.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.The organic light-emitting device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material of an organic light-emitting device, except that one or more organic material layers are formed by using the above-described compound.
상기 화학식 1의 화합물의 제조방법 및 이들을 이용한 유기 발광 소자의 제조는 이하의 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.The manufacturing method of the compound of
제조예 1: 화합물 1의 제조Preparation Example 1: Preparation of
질소 분위기에서 sub1 (10 g, 28.3mmol), 화학식 A (17.3g, 31.2 mmol), sodium tert-butoxide (5.4 g, 56.7 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 1, 13.1g 을 얻었다. (수율 53%, MS: [M+H]+= 870)In a nitrogen atmosphere, sub1 (10 g, 28.3 mmol), formula A (17.3 g, 31.2 mmol), sodium tert-butoxide (5.4 g, 56.7 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.3 g, 0.6 mmol) was added. After 3 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain
제조예 2: 화합물 2의 제조Preparation Example 2: Preparation of
질소 분위기에서 sub2 (10 g, 24.4mmol), 화학식 B (18g, 26.8 mmol), sodium tert-butoxide (4.7 g, 48.8 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.5 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 2, 14.2g 을 얻었다. (수율 56%, MS: [M+H]+= 1043)In a nitrogen atmosphere, sub2 (10 g, 24.4 mmol), formula B (18 g, 26.8 mmol), sodium tert-butoxide (4.7 g, 48.8 mmol) were added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.5 mmol) was added. After 2 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain
제조예 3: 화합물 3의 제조Preparation Example 3: Preparation of
질소 분위기에서 sub3 (10 g, 23.8mmol), 화학식 C (19.2g, 26.1 mmol), sodium tert-butoxide (4.6 g, 47.5 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.5 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 3, 15.7g 을 얻었다. (수율 59%, MS: [M+H]+= 1121)In a nitrogen atmosphere, sub3 (10 g, 23.8 mmol), formula C (19.2 g, 26.1 mmol), sodium tert-butoxide (4.6 g, 47.5 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.5 mmol) was added. After 2 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain
제조예 4: 화합물 4의 제조Preparation Example 4: Preparation of
질소 분위기에서 sub4 (10 g, 24.3mmol), 화학식 D (10.1g, 26.8 mmol), sodium tert-butoxide (4.7 g, 48.7 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.5 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 4, 9.1g 을 얻었다. (수율 50%, MS: [M+H]+= 752)In a nitrogen atmosphere, sub4 (10 g, 24.3 mmol), formula D (10.1 g, 26.8 mmol), sodium tert-butoxide (4.7 g, 48.7 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.5 mmol) was added. After 3 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain
제조예 5: 화합물 5의 제조Preparation Example 5: Preparation of
질소 분위기에서 sub5 (10 g, 21mmol), 화학식 E (14.8g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 5, 13.6g 을 얻었다. (수율 60%, MS: [M+H]+= 1084)In a nitrogen atmosphere, sub5 (10 g, 21 mmol), formula E (14.8 g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol) was added. After 2 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain
제조예 6: 화합물 6의 제조Preparation Example 6: Preparation of
질소 분위기에서 sub6 (10 g, 21.7mmol), 화학식 F (13g, 23.9 mmol), sodium tert-butoxide (4.2 g, 43.4 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 6, 13.6g 을 얻었다. (수율 65%, MS: [M+H]+= 968)In a nitrogen atmosphere, sub6 (10 g, 21.7 mmol), formula F (13 g, 23.9 mmol), sodium tert-butoxide (4.2 g, 43.4 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol) was added. After 3 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain
제조예 7: 화합물 7의 제조Preparation Example 7: Preparation of
질소 분위기에서 sub7 (10 g, 21mmol), 화학식 G (15.1g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 7, 15.8g 을 얻었다. (수율 69%, MS: [M+H]+= 1094)In a nitrogen atmosphere, sub7 (10 g, 21 mmol), formula G (15.1 g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol) was added. After 2 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain
제조예 8: 화합물 8의 제조Preparation Example 8: Preparation of
질소 분위기에서 sub8 (10 g, 21mmol), 화학식 H (15.2g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 8, 13.8g 을 얻었다. (수율 60%, MS: [M+H]+= 1100)In a nitrogen atmosphere, sub8 (10 g, 21 mmol), formula H (15.2 g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol) was added. After 2 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain
제조예 9: 화합물 9의 제조Preparation Example 9: Preparation of
질소 분위기에서 sub9 (10 g, 21mmol), 화학식 I (15.8g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 9, 14.6g 을 얻었다. (수율 62%, MS: [M+H]+= 1126)In a nitrogen atmosphere, sub9 (10 g, 21 mmol), formula I (15.8 g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol) was added. After 3 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 9 (14.6 g). (Yield 62%, MS: [M+H] + = 1126)
제조예 10: 화합물 10의 제조Preparation Example 10: Preparation of Compound 10
질소 분위기에서 sub10 (10 g, 21mmol), 화학식 J (13.9g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 10, 13.6g 을 얻었다. (수율 62%, MS: [M+H]+= 1044)In a nitrogen atmosphere, sub10 (10 g, 21 mmol), formula J (13.9 g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol) was added. After 2 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 10 and 13.6 g. (Yield 62%, MS: [M+H] + = 1044)
제조예 11: 화합물 11의 제조Preparation Example 11: Preparation of compound 11
질소 분위기에서 sub11 (10 g, 21.7mmol), 화학식 K (15.4g, 23.9 mmol), sodium tert-butoxide (4.2 g, 43.4 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 11, 13.4g 을 얻었다. (수율 58%, MS: [M+H]+= 1068)In a nitrogen atmosphere, sub11 (10 g, 21.7 mmol), formula K (15.4 g, 23.9 mmol), sodium tert-butoxide (4.2 g, 43.4 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol) was added. After 2 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 11 and 13.4 g. (Yield 58%, MS: [M+H] + = 1068)
제조예 12: 화합물 12의 제조Preparation Example 12: Preparation of compound 12
질소 분위기에서 sub12 (10 g, 21mmol), 화학식 L (12.2g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 3시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 12, 14g 을 얻었다. (수율 69%, MS: [M+H]+= 968)In a nitrogen atmosphere, sub12 (10 g, 21 mmol), formula L (12.2 g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol) was added. After 3 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain compounds 12 and 14 g. (Yield 69%, MS: [M+H] + = 968)
제조예 13: 화합물 13의 제조Preparation Example 13: Preparation of compound 13
질소 분위기에서 sub13 (10 g, 21mmol), 화학식 M (14.4g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) 을 Xylene 200 ml에 넣고 교반 및 환류했다. 이 후 bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol)을 투입했다. 2시간 후 반응이 종결 되어서 상온으로 식히고 감압하여 용매를 제거했다. 이 후 화합물을 다시 클로로포름에 완전히 녹이고 물로 2회 세척 후에 유기층을 분리하여 무수황산마그네슘 처리 후 여과하여 여액을 감압 증류했다. 농축한 화합물을 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 화합물 13, 15.6g 을 얻었다. (수율 70%, MS: [M+H]+= 1064)In a nitrogen atmosphere, sub13 (10 g, 21 mmol), formula M (14.4 g, 23.1 mmol), sodium tert-butoxide (4 g, 41.9 mmol) was added to 200 ml of Xylene, and stirred and refluxed. After this, bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.2 g, 0.4 mmol) was added. After 2 hours, the reaction was terminated, cooled to room temperature, and reduced pressure to remove the solvent. Thereafter, the compound was completely dissolved in chloroform again, washed twice with water, and the organic layer was separated, treated with anhydrous magnesium sulfate, filtered, and the filtrate was distilled under reduced pressure. The concentrated compound was purified by silica gel column chromatography to obtain compound 13 and 15.6 g. (Yield 70%, MS: [M+H] + = 1064)
<실험예 1><Experimental Example 1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with a thin film of ITO (indium tin oxide) to a thickness of 1,000Å was put in distilled water dissolved in a detergent and washed with ultrasonic waves. In this case, Fischer Co. product was used as a detergent, and distilled water secondarily filtered with a filter made by Millipore Co. was used as distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, it was repeated twice with distilled water to perform ultrasonic cleaning for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and then transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transported to a vacuum evaporator.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 [HI-A]를 600Å의 두께로 열 진공증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 제조예 1에서 제조한 화합물 1을 진공증착하여 정공 수송층을 형성하였다.On the thus prepared ITO transparent electrode, the following compound [HI-A] was thermally vacuum deposited to a thickness of 600Å to form a hole injection layer.
이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 200Å으로 하기 화합물 [BH]와 [BD]를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.Subsequently, the following compounds [BH] and [BD] were vacuum deposited on the hole transport layer at a weight ratio of 25:1 to a film thickness of 200Å to form a light emitting layer.
상기 발광층 위에 [ET] 및 하기 화합물 [LiQ](Lithiumquinolate)를 1:1 중량비로 진공증착하여 150Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 10Å 두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.On the emission layer, [ET] and the following compound [LiQ] (Lithiumquinolate) were vacuum-deposited in a 1:1 weight ratio to form an electron injection and transport layer with a thickness of 150Å. Lithium fluoride (LiF) at a thickness of 10Å and aluminum at a thickness of 1,000Å were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to form a negative electrode.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 0.9 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 × 10-7 내지 5 × 10-8torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of organic matter was maintained at 0.4 to 0.9 Å/sec, lithium fluoride at the cathode was maintained at a deposition rate of 0.3 Å/sec, and for
<실험예 2 내지 13> <Experimental Examples 2 to 13>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Experimental Example 1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of
<비교예 1 내지 6><Comparative Examples 1 to 6>
상기 실험예 1에서 화합물 1 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. An organic light-emitting device was manufactured in the same manner as in Experimental Example 1, except that the compound shown in Table 1 was used instead of
하기 표 1의 HT-01 내지 HT-06은 하기와 같다.HT-01 to HT-06 in Table 1 are as follows.
상기 실험예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 6에서 정공수송층으로 각각의 화합물을 사용하여 제조한 유기 발광 소자를 10 mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 98%가 되는 시간(LT98)을 측정하였다. In Experimental Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 6, the driving voltage and luminous efficiency were measured at a current density of 10 mA/cm 2 for the organic light emitting device manufactured using each compound as the hole transport layer, and 20 mA/cm 2 The time (LT98) to be 98% of the initial luminance at the current density of was measured.
그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The results are shown in Table 1 below.
(V)Voltage
(V)
(cd/A)Current efficiency
(cd/A)
상기 표 1에 따르면, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1을 정공수송층에 포함하는 유기 발광 소자인 실험예 1 내지 13은 상기 비교예 1 내지 6의 유기 발광 소자 보다 구동 전압이 낮고, 효율 및 수명효과가 우수한 것을 알 수 있었다. 이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.According to Table 1, Experimental Examples 1 to 13, which are organic light emitting
1: 기판
2: 양극
3: 정공수송층
4: 전자차단층
5: 발광층
6: 전자수송층
7: 음극
8: 정공주입층
9: 전자 주입 및 수송층1: substrate
2: anode
3: hole transport layer
4: Electron blocking layer
5: light emitting layer
6: electron transport layer
7: cathode
8: hole injection layer
9: electron injection and transport layer
Claims (14)
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로고리이며,
X는 단일결합; C(R1)(R2); Si(R3)(R4); N(R5); O; S; 또는 SO2이고,
R1 내지 R5는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며, 인접한 기, A 또는 B와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있고,
L, L1 및 L2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,
Ar은 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 단, 디페닐플루오렌은 제외하며,
m1은 1 또는 2이고, m3는 0 내지 2의 정수이며,
m1이 1인 경우 m2는 2 또는 3이며, m1이 2인 경우 m2는 1이고, m2+m3는 3이며,
m1 내지 m3가 각각 2 이상인 경우 괄호 내의 치환기는 서로 같거나 상이하며,
*는 A, B 및 R1 내지 R5 중 어느 하나와 결합한다.Compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
In Formula 1,
A and B are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring; Or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle,
X is a single bond; C(R1)(R2); Si(R3)(R4); N(R5); O; S; Or SO 2 ,
R1 to R5 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkyl thioxy group; A substituted or unsubstituted arylthioxy group; A substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, and may be combined with an adjacent group, A or B to form a substituted or unsubstituted ring,
L, L1 and L2 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
Ar is hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkyl thioxy group; A substituted or unsubstituted arylthioxy group; A substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, provided that diphenylfluorene is excluded,
m1 is 1 or 2, m3 is an integer from 0 to 2,
When m1 is 1, m2 is 2 or 3, when m1 is 2, m2 is 1, and m2+m3 is 3,
When m1 to m3 are each 2 or more, the substituents in parentheses are the same or different from each other,
* Combines with any one of A, B and R1 to R5.
상기 A 및 B는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 O, S 및 N으로 구성되는 군으로부터 선택되는 이종원소를 1개 이상 포함하는 탄소수 2 내지 60의 방향족 헤테로고리인 화합물.The method according to claim 1,
A and B are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted C 2 to C 60 aromatic heterocyclic compound containing at least one hetero element selected from the group consisting of O, S and N.
상기 화학식 1은 하기 화학식 2 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 2 내지 4에 있어서,
*, A, B 및 X의 정의는 화학식 1에서와 같고,
X1은 단일결합; C(R6)(R7); Si(R8)(R9); N(R10); O; S; 또는 SO2이며,
R6 내지 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이거나, 인접한 기, A 또는 B와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있으며,
L11 내지 L15는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,
Ar1 내지 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 단, 디페닐플루오렌은 제외하며,
2 개의 [ ] 내의 구조는 서로 같거나 상이하다.The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by any one of the following Formulas 2 to 4:
[Formula 2]
[Formula 3]
[Formula 4]
In Formulas 2 to 4,
*, A, B and X are defined as in Formula 1,
X1 is a single bond; C(R6)(R7); Si(R8)(R9); N(R10); O; S; Or SO 2 ,
R6 to R10 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, or may be combined with an adjacent group, A or B to form a substituted or unsubstituted ring,
L11 to L15 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkyl thioxy group; A substituted or unsubstituted arylthioxy group; A substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, provided that diphenylfluorene is excluded,
The structures within the two [] are the same or different.
상기 A 및 B는 치환 또는 비치환된 벤젠; 치환 또는 비치환된 나프탈렌; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란; 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜인 화합물.The method according to claim 1,
Wherein A and B are substituted or unsubstituted benzene; Substituted or unsubstituted naphthalene; Substituted or unsubstituted dibenzofuran; Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophene compound.
상기 ''는 하기 구조들 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
상기 구조들에 있어서,
W1은 O 또는 S이고,
W2는 Si 또는 C이며,
Y는 O, S 또는 NR이고,
R은 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
상기 구조들은 알킬기; 아릴기; 또는 헤테로고리기로 추가 치환될 수 있다.The method according to claim 1,
remind ' 'Is a compound represented by any one of the following structures:
In the above structures,
W1 is O or S,
W2 is Si or C,
Y is O, S or NR,
R is a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
The structures are alkyl groups; Aryl group; Or it may be further substituted with a heterocyclic group.
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 1-7 중 어느 하나로 표시되는 화합물:
[화학식 1-1]
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
[화학식 1-4]
[화학식 1-5]
[화학식 1-6]
[화학식 1-7]
상기 화학식 1-1 내지 1-7에 있어서,
Y는 O, S 또는 NR이고,
R은 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
L12, L13, L15 및 L101 내지 L110은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,
Ar1 내지 Ar3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카르보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미드기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 단, 디페닐플루오렌은 제외하며,
2 또는 3개의 [ ] 내의 구조는 서로 같거나 상이하고,
상기 구조들은 알킬기; 아릴기; 또는 헤테로고리기로 추가 치환될 수 있다.The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound represented by any one of the following Formulas 1-1 to 1-7:
[Formula 1-1]
[Formula 1-2]
[Formula 1-3]
[Formula 1-4]
[Formula 1-5]
[Formula 1-6]
[Formula 1-7]
In Formulas 1-1 to 1-7,
Y is O, S or NR,
R is a substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
L12, L13, L15, and L101 to L110 are the same as or different from each other, and each independently a single bond; A substituted or unsubstituted arylene group; Or a substituted or unsubstituted heteroarylene group,
Ar1 to Ar3 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Nitrile group; Nitro group; Hydroxy group; Carbonyl group; Ester group; Imide group; Amide group; A substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; A substituted or unsubstituted alkoxy group; A substituted or unsubstituted aryloxy group; A substituted or unsubstituted alkyl thioxy group; A substituted or unsubstituted arylthioxy group; A substituted or unsubstituted alkyl sulfoxy group; Substituted or unsubstituted arylsulfoxy group; A substituted or unsubstituted alkenyl group; A substituted or unsubstituted silyl group; A substituted or unsubstituted boron group; A substituted or unsubstituted amine group; A substituted or unsubstituted arylphosphine group; A substituted or unsubstituted phosphine oxide group; A substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group, provided that diphenylfluorene is excluded,
The structures within 2 or 3 [] are the same or different from each other,
The structures are alkyl groups; Aryl group; Or it may be further substituted with a heterocyclic group.
상기 화학식 1은 하기 화합물들 중 어느 하나인 화합물:
.The method according to claim 1,
Formula 1 is a compound of any one of the following compounds:
.
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 양극과 상기 발광층 사이에 상기 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자.The method of claim 8,
The organic material layer includes an emission layer, and an organic light-emitting device comprising at least one organic material layer including the compound between the anode and the emission layer.
상기 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층은 정공수송층, 정공주입층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 및 전자차단층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기 발광 소자.The method of claim 9,
At least one organic material layer containing the compound is an organic light emitting device selected from the group consisting of a hole transport layer, a hole injection layer, a layer for simultaneously transporting and injecting holes, and an electron blocking layer.
상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 음극과 상기 발광층 사이에 상기 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자.The method of claim 8,
The organic material layer includes an emission layer, and an organic light-emitting device comprising at least one organic material layer including the compound between the cathode and the emission layer.
상기 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층, 및 정공차단층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기 발광 소자.The method of claim 11,
At least one organic material layer comprising the compound is an organic light emitting device selected from the group consisting of an electron transport layer, an electron injection layer, a layer that simultaneously transports electrons and injects electrons, and a hole blocking layer.
상기 화합물을 포함하는 1층 이상의 유기물층은 발광층인 유기 발광 소자.The method of claim 8,
One or more organic material layers including the compound are an emission layer.
상기 유기물층은 정공수송층, 정공주입층, 전자차단층, 정공수송 및 정공주입을 동시에 하는 층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층, 및 전자수송 및 전자주입을 동시에 하는 층 중 1층 이상을 포함하는 유기 발광 소자.The method of claim 8,
The organic material layer is one of a hole transport layer, a hole injection layer, an electron blocking layer, a layer that simultaneously transports and injects holes, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer, and a layer that simultaneously transports and injects electrons. An organic light-emitting device comprising the above.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112110825A (en) * | 2020-04-20 | 2020-12-22 | 陕西莱特光电材料股份有限公司 | Arylamine compound, electronic element using arylamine compound and electronic device |
CN113105420A (en) * | 2021-04-13 | 2021-07-13 | 浙江虹舞科技有限公司 | Fused ring arylamine compound, application thereof and organic electroluminescent device containing compound |
US20220123229A1 (en) * | 2020-10-08 | 2022-04-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Heterocyclic compound, light-emitting device including the same, and electronic apparatus including the light-emitting device |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140103007A (en) | 2013-02-14 | 2014-08-25 | (주)씨에스엘쏠라 | New organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device comprising the same |
KR20150139969A (en) * | 2013-04-11 | 2015-12-14 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | Adamantane compound for organic electroluminescent elements, and organic electroluminescent element |
KR20160053561A (en) * | 2014-11-05 | 2016-05-13 | 덕산네오룩스 주식회사 | Display device using a composition for organic electronic element, and an organic electronic element thereof |
KR20170136980A (en) * | 2016-06-02 | 2017-12-12 | 주식회사 엘지화학 | Compound and organic electronic device comprising the same |
KR20200027444A (en) * | 2018-09-04 | 2020-03-12 | 주식회사 엘지화학 | Novel compound and organic light emitting device comprising the same |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140103007A (en) | 2013-02-14 | 2014-08-25 | (주)씨에스엘쏠라 | New organic electroluminescent compounds and organic electroluminescent device comprising the same |
KR20150139969A (en) * | 2013-04-11 | 2015-12-14 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | Adamantane compound for organic electroluminescent elements, and organic electroluminescent element |
KR20160053561A (en) * | 2014-11-05 | 2016-05-13 | 덕산네오룩스 주식회사 | Display device using a composition for organic electronic element, and an organic electronic element thereof |
KR20170136980A (en) * | 2016-06-02 | 2017-12-12 | 주식회사 엘지화학 | Compound and organic electronic device comprising the same |
KR20200027444A (en) * | 2018-09-04 | 2020-03-12 | 주식회사 엘지화학 | Novel compound and organic light emitting device comprising the same |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112110825A (en) * | 2020-04-20 | 2020-12-22 | 陕西莱特光电材料股份有限公司 | Arylamine compound, electronic element using arylamine compound and electronic device |
WO2021213109A1 (en) * | 2020-04-20 | 2021-10-28 | 陕西莱特光电材料股份有限公司 | Arylamine compound, electronic component using same and electronic device |
US20220123229A1 (en) * | 2020-10-08 | 2022-04-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Heterocyclic compound, light-emitting device including the same, and electronic apparatus including the light-emitting device |
CN113105420A (en) * | 2021-04-13 | 2021-07-13 | 浙江虹舞科技有限公司 | Fused ring arylamine compound, application thereof and organic electroluminescent device containing compound |
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