KR20200104665A - Method and apparatus for supporting dual sim operation simultaneously - Google Patents

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KR20200104665A
KR20200104665A KR1020190023270A KR20190023270A KR20200104665A KR 20200104665 A KR20200104665 A KR 20200104665A KR 1020190023270 A KR1020190023270 A KR 1020190023270A KR 20190023270 A KR20190023270 A KR 20190023270A KR 20200104665 A KR20200104665 A KR 20200104665A
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고현성
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Abstract

According to various embodiments of the present invention, an electronic apparatus and an operation method thereof are disclosed. The electronic apparatus comprises: a first subscriber identification module (SIM); a second SIM; a radio frequency integrated circuit (RFIC) including a first mixer and a second mixer; a memory; and a processor. The processor may be configured to receive a second signal for the second SIM while receiving a first signal for the first SIM, determine whether the first signal and the second signal use the same frequency band, and when the first signal and the second signal use the same frequency band, activate a dual SIM simultaneous support function using the first mixer and the second mixer. Various embodiments are possible.

Description

DUAL SIM 동작을 동시에 지원하기 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR SUPPORTING DUAL SIM OPERATION SIMULTANEOUSLY}Method and device for simultaneously supporting DUDAL SIM operation {METHOD AND APPARATUS FOR SUPPORTING DUAL SIM OPERATION SIMULTANEOUSLY}

본 발명의 다양한 실시예들은 DUAL SIM 동작을 동시에 지원하기 위한 방법 및 장치에 관하여 개시한다.Various embodiments of the present invention disclose a method and an apparatus for simultaneously supporting a DUAL SIM operation.

디지털 기술의 발달과 함께 이동통신 단말기, PDA(personal digital assistant), 전자수첩, 스마트 폰, 태블릿 PC(personal computer), 웨어러블 디바이스(wearable device) 등과 같은 다양한 유형의 전자 장치가 널리 사용되고 있다. 이러한, 전자 장치는 기능 지지 및 증대를 위해, 전자 장치의 하드웨어적인 부분 및/또는, 소프트웨어적인 부분이 지속적으로 개량되고 있다.With the development of digital technology, various types of electronic devices such as mobile communication terminals, personal digital assistants (PDAs), electronic notebooks, smart phones, tablet PCs (personal computers), and wearable devices are widely used. In order to support and increase functions of the electronic device, the hardware part and/or the software part of the electronic device are continuously improved.

예를 들어, 전자 장치는 두 개의 심(subscriber identification module; SIM)을 통해 두 개의 전화번호를 쓸 수 있는 기능을 제공하고 있다. 즉, 듀얼 심 전자 장치는 하나의 전자 장치로 두 개의 전화번호 및 두 개의 네트워크 서비스를 사용할 수 있다. 듀얼 심 전자 장치는 전화나 문자 발신 시, 사용자로부터 사용할 심을 선택받고, 선택된 심과 연관된 통신망을 통해 전화나 문자를 발신할 수 있다. 이러한, 듀얼 심 전자 장치는 DSDS(dual SIM dual standby) 방식 및 DSDA(dual SIM dual active) 방식으로 구분할 수 있다.Electronic devices, for example, provide the ability to write two phone numbers through two subscriber identification modules (SIMs). That is, the dual SIM electronic device can use two phone numbers and two network services with one electronic device. The dual SIM electronic device receives a selection of a SIM to be used from a user when a phone call or text is sent, and can send a phone or text message through a communication network associated with the selected SIM. Such a dual SIM electronic device may be classified into a dual SIM dual standby (DSDS) method and a dual SIM dual active (DSDA) method.

DSDS 방식의 전자 장치는 두 개의 심 중 어느 하나의 심을 사용하는 동안 다른 하나의 심은 사용할 수 없다. 반면, DSDA 방식의 전자 장치는 두 개의 심 중 어느 하나의 심을 사용하더라도 다른 하나의 심을 사용할 수 있다. 예를 들어, DSDS 방식은 제1 심을 사용하는 중에는 제2 심으로 통화는 물론 문자 수신 또는, 발신할 수 없고, 데이터 통신도 할 수 없다. In the DSDS type electronic device, while one of the two shims is used, the other shim cannot be used. On the other hand, the DSDA-type electronic device may use the other shim even if one of the two shims is used. For example, in the DSDS method, while the first SIM is in use, the second SIM cannot receive or send texts as well as calls, and data communication cannot be performed.

DSDS 방식의 전자 장치는 제1 심과 제2 심이 RF(radio frequency) 자원을 공유하기 때문에, 제1 심과 제2 심의 사용과 관련된 충돌 발생할 수 있다. 전자 장치는 제1 심과 제2 심을 동시에 사용해야 할 경우, 우선 순위에 기초하여 RF 자원을 선택적으로 제1 심 또는 제2 심이 사용하도록 제어할 수 있다. 예를 들어, 제1 심과 제2 심이 동일한 주파수 대역에서 데이터를 수신해야 하는 경우, 제1 심에서 데이터(또는 신호)를 수신하는 동안, 제2 심에서는 데이터를 수신할 수 없는 블랙 아웃(black out)이 발생할 수 있다. 또는, 제2 심의 데이터 수신을 위해 제1 심에서 데이터 수신을 잠시 중단할 수 있다. 제1 심과 제2 심이 동시에 데이터를 수신할 수 없으므로, 전자 장치의 통신 속도(TCP throughput) 또는 통화 성능(call performance)이 저하될 수 있다.In the DSDS type electronic device, since the first SIM and the second SIM share radio frequency (RF) resources, collisions related to the use of the first SIM and the second SIM may occur. When the first SIM and the second SIM are to be used at the same time, the electronic device may selectively control the RF resource to be used by the first SIM or the second SIM based on priority. For example, if the first SIM and the second SIM need to receive data in the same frequency band, while the first SIM receives data (or signals), the second SIM cannot receive data blackout (black out) can occur. Alternatively, the first SIM may temporarily stop receiving data in order to receive the data for the second SIM. Since the first SIM and the second SIM cannot simultaneously receive data, a TCP throughput or call performance of the electronic device may be degraded.

이러한, 블랙 아웃을 해결하기 위하여 전자 장치는 하드웨어적으로 통신 모듈을 개선하고 있다. 예를 들어, 전자 장치는 제1 심과 제2 심에서 사용하는 주파수 대역이 다른 경우 RF 자원 사용의 충돌 없이 제1 심과 제2 심에서 동시에 신호를 수신할 수 있다. 그러나, 전자 장치는 제1 심과 제2 심에서 사용하는 주파수 대역이 동일한 경우, 제1 심과 제2 심에서 동시에 신호를 수신하지 못할 수 있다. 제1 심과 제2 심에서 동일한 주파수 대역의 신호를 동시에 수신하기 위해서는, 전자 장치에 네 개의 안테나가 필요할 수 있다.In order to solve such blackout, electronic devices are improving communication modules in hardware. For example, when the frequency bands used by the first SIM and the second SIM are different, the electronic device may simultaneously receive signals from the first SIM and the second SIM without conflict of use of RF resources. However, when the frequency bands used by the first and second shims are the same, the electronic device may not be able to simultaneously receive signals from the first and second shims. In order to simultaneously receive signals of the same frequency band in the first and second shims, four antennas may be required in the electronic device.

다양한 실시예들에서는, 듀얼 심(Dual SIM)을 포함하는 전자 장치에 적어도 두 개의 믹서(mixer)를 두어, 각 믹서를 통해 동일한 주파수 대역의 서로 다른 신호를 각각 분리하여 제1 심과 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 있도록 하는 방법 및 장치에 관하여 개시할 수 있다.In various embodiments, at least two mixers are provided in an electronic device including a dual SIM, so that different signals of the same frequency band are separated through each mixer so that the first SIM and the second SIM are separated. It is possible to disclose a method and apparatus for enabling simultaneous reception of signals.

본 발명의 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 제1 심(subscriber identification module), 제2 심, 제1 믹서 및 제2 믹서를 포함하는 radio frequency integrated circuit(RFIC), 메모리; 및 프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 제1 심을 위한 제1 신호를 수신하는 중에, 상기 제2 심을 위한 제2 신호를 수신하고, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는지 여부를 판단하고, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는 경우, 상기 제1 믹서 및 상기 제2 믹서를 이용하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화하도록 설정될 수 있다.An electronic device according to various embodiments of the present disclosure includes a radio frequency integrated circuit (RFIC) including a first subscriber identification module, a second SIM, a first mixer, and a second mixer, and a memory; And a processor, wherein the processor receives a second signal for the second SIM while receiving the first signal for the first SIM, and the first signal and the second signal use the same frequency band. It is determined whether or not, and when the first signal and the second signal use the same frequency band, it may be set to activate a dual-sim simultaneous support function using the first mixer and the second mixer.

본 발명의 다양한 실시예들에 따른 듀얼 심을 포함하는 전자 장치의 동작 방법은 상기 제1 심을 위한 제1 신호를 수신하는 중에, 상기 제2 심을 위한 제2 신호를 수신하는 동작, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는지 여부를 판단하는 동작, 및 상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는 경우, 상기 전자 장치의 RFIC에 포함된 제1 믹서 및 제2 믹서를 이용하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화하는 동작을 포함할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, a method of operating an electronic device including a dual SIM includes an operation of receiving a second signal for the second SIM while receiving a first signal for the first SIM, the first signal and Determining whether the second signal uses the same frequency band, and when the first signal and the second signal use the same frequency band, a first mixer and a second mixer included in the RFIC of the electronic device It may include an operation of activating a dual sim simultaneous support function using a mixer.

다양한 실시예들에 따르면, 듀얼 심을 포함하는 전자 장치에 적어도 두 개의 믹서(mixer)를 두어, 각 믹서를 통해 동일한 주파수 대역의 서로 다른 신호를 각각 분리하여 제1 심과 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 있도록 할 수 있다.According to various embodiments, at least two mixers are provided in an electronic device including a dual SIM, so that different signals of the same frequency band are separated through each mixer so that the first SIM and the second SIM receive signals at the same time. You can do it.

다양한 실시예들에 따르면, 동일한 주파수 대역으로 수신되는 신호의 레벨 차이가 임계치 이하인 경우 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다.According to various embodiments, when a level difference between a signal received in the same frequency band is less than or equal to a threshold, the dual sim simultaneous support function may be activated.

다양한 실시예들에 따르면, 수신되는 신호의 레벨 차이에 기반하여 저잡음 증폭기의 게인을 조절함으로써, 제1 심과 제2 심에서 동시에 신호를 수신할 수 있도록 할 수 있다.According to various embodiments, by adjusting the gain of the low-noise amplifier based on the difference in the level of the received signal, the first shim and the second shim may simultaneously receive signals.

도 1은 다양한 실시예들에 따른 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 2a는 다양한 실시예들에 따른 두 개의 안테나를 포함하는 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 2b는 다양한 실시예들에 따른 네 개의 안테나를 포함하는 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 3은 다양한 실시예들에 따른 네트워크 환경(300) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 4a 및 도 4b는 다양한 실시예들에 따른 동일한 주파수 대역의 서로 다른 신호를 수신하도록 설정된 전자 장치(101)의 블록도(400)이다.
도 5는 다양한 실시예들에 따른 전자 장치의 동작 방법을 도시한 흐름도(500)이다.
도 6은 다양한 실시예들에 따른 전자 장치에서 두 신호 간의 레벨 차이에 기반하여 듀얼 심 지원 기능을 활성화하는 방법을 도시한 흐름도(600)이다.
도 7은 다양한 실시예들에 따른 전자 장치의 게인 조절 프로세스 수행 방법을 도시한 흐름도(700)이다.
1 is a block diagram of an electronic device 101 in a network environment 100 according to various embodiments.
2A is a block diagram of an electronic device 101 including two antennas according to various embodiments.
2B is a block diagram of an electronic device 101 including four antennas according to various embodiments.
3 is a block diagram of an electronic device 101 in a network environment 300 according to various embodiments.
4A and 4B are block diagrams 400 of an electronic device 101 configured to receive different signals of the same frequency band according to various embodiments.
5 is a flowchart 500 illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments.
6 is a flowchart 600 illustrating a method of activating a dual SIM support function based on a level difference between two signals in an electronic device according to various embodiments.
7 is a flowchart 700 illustrating a method of performing a gain adjustment process of an electronic device according to various embodiments.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치 (예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.Electronic devices according to various embodiments disclosed in this document may be devices of various types. The electronic device may include, for example, a portable communication device (eg, a smart phone), a computer device, a portable multimedia device, a portable medical device, a camera, a wearable device, or a home appliance. The electronic device according to the embodiment of the present document is not limited to the above-described devices.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나","A 또는 B 중 적어도 하나," "A, B 또는 C," "A, B 및 C 중 적어도 하나," 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.Various embodiments of the present document and terms used therein are not intended to limit the technical features described in this document to specific embodiments, and should be understood to include various modifications, equivalents, or substitutes of the corresponding embodiments. In connection with the description of the drawings, similar reference numerals may be used for similar or related components. The singular form of a noun corresponding to an item may include one or a plurality of the items unless clearly indicated otherwise in a related context. In this document, "A or B", "at least one of A and B", "at least one of A or B," "A, B or C," "at least one of A, B and C," and "A Each of phrases such as "at least one of, B, or C" may include any one of the items listed together in the corresponding one of the phrases, or all possible combinations thereof. Terms such as "first", "second", or "first" or "second" may be used simply to distinguish the component from other corresponding components, and the components may be referred to in other aspects (eg, importance or Order) is not limited. Some (eg, a first) component is referred to as “coupled” or “connected” with or without the terms “functionally” or “communicatively” to another (eg, second) component. When mentioned, it means that any of the above components can be connected to the other components directly (eg by wire), wirelessly, or via a third component.

본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다. The term "module" used in this document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and may be used interchangeably with terms such as logic, logic blocks, parts, or circuits. The module may be an integrally configured component or a minimum unit of the component or a part thereof that performs one or more functions. For example, according to an embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장매체 는, 비일시적(non-transitory) 저장매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.Various embodiments of the present document include one or more instructions stored in a storage medium (eg, internal memory 136 or external memory 138) readable by a machine (eg, electronic device 101). It may be implemented as software (for example, the program 140) including them. For example, the processor (eg, the processor 120) of the device (eg, the electronic device 101) may call and execute at least one command among one or more commands stored from a storage medium. This makes it possible for the device to be operated to perform at least one function according to the at least one command invoked. The one or more instructions may include code generated by a compiler or code executable by an interpreter. A storage medium that can be read by a device may be provided in the form of a non-transitory storage medium. Here,'non-transient' only means that the storage medium is a tangible device and does not contain a signal (e.g., electromagnetic wave), and this term refers to the case where data is semi-permanently stored in the storage medium. It does not distinguish between temporary storage cases.

일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory (CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두개의 사용자 장치들(예: 스마트폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to an embodiment, a method according to various embodiments disclosed in the present document may be provided by being included in a computer program product. Computer program products can be traded between sellers and buyers as commodities. Computer program products are distributed in the form of a device-readable storage medium (e.g. compact disc read only memory (CD-ROM)), or through an application store (e.g. Play StoreTM) or two user devices ( It can be distributed (e.g., downloaded or uploaded) directly between, e.g. smartphones). In the case of online distribution, at least a part of the computer program product may be temporarily stored or temporarily generated in a storage medium that can be read by a device such as a server of a manufacturer, a server of an application store, or a memory of a relay server.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.According to various embodiments, each component (eg, module or program) of the above-described components may include a singular number or a plurality of entities. According to various embodiments, one or more components or operations among the above-described corresponding components may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, a plurality of components (eg, a module or a program) may be integrated into one component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each component of the plurality of components in the same or similar to that performed by the corresponding component among the plurality of components prior to the integration. . According to various embodiments, operations performed by a module, program, or other component are sequentially, parallel, repeatedly, or heuristically executed, or one or more of the above operations are executed in a different order or omitted. Or one or more other actions may be added.

도 1은 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블럭도이다. 1 is a block diagram of an electronic device 101 in a network environment 100 according to various embodiments.

도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 장치(150), 음향 출력 장치(155), 표시 장치(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 표시 장치(160) 또는 카메라 모듈(180))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들은 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(176)(예: 지문 센서, 홍채 센서, 또는 조도 센서)은 표시 장치(160)(예: 디스플레이)에 임베디드된 채 구현될 수 있다Referring to FIG. 1, in a network environment 100, the electronic device 101 communicates with the electronic device 102 through a first network 198 (for example, a short-range wireless communication network), or a second network 199 It is possible to communicate with the electronic device 104 or the server 108 through (eg, a long-distance wireless communication network). According to an embodiment, the electronic device 101 may communicate with the electronic device 104 through the server 108. According to an embodiment, the electronic device 101 includes a processor 120, a memory 130, an input device 150, an audio output device 155, a display device 160, an audio module 170, and a sensor module ( 176, interface 177, haptic module 179, camera module 180, power management module 188, battery 189, communication module 190, subscriber identification module 196, or antenna module 197 ) Can be included. In some embodiments, at least one of these components (eg, the display device 160 or the camera module 180) may be omitted or one or more other components may be added to the electronic device 101. In some embodiments, some of these components may be implemented as one integrated circuit. For example, the sensor module 176 (eg, a fingerprint sensor, an iris sensor, or an illuminance sensor) may be implemented while being embedded in the display device 160 (eg, a display).

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 로드하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 및 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대체적으로, 보조 프로세서(123)은 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The processor 120, for example, executes software (eg, a program 140) to implement at least one other component (eg, a hardware or software component) of the electronic device 101 connected to the processor 120. It can be controlled and can perform various data processing or operations. According to an embodiment, as at least part of data processing or operation, the processor 120 may store commands or data received from other components (eg, the sensor module 176 or the communication module 190) to the volatile memory 132. The command or data stored in the volatile memory 132 may be processed, and result data may be stored in the nonvolatile memory 134. According to an embodiment, the processor 120 includes a main processor 121 (eg, a central processing unit or an application processor), and a secondary processor 123 (eg, a graphic processing unit, an image signal processor) that can be operated independently or together , A sensor hub processor, or a communication processor). Additionally or alternatively, the coprocessor 123 may be set to use less power than the main processor 121 or to be specialized for a designated function. The secondary processor 123 may be implemented separately from the main processor 121 or as a part thereof.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 표시 장치(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. The coprocessor 123 is, for example, on behalf of the main processor 121 while the main processor 121 is in an inactive (eg, sleep) state, or the main processor 121 is active (eg, an application is executed). ) While in the state, together with the main processor 121, at least one of the components of the electronic device 101 (for example, the display device 160, the sensor module 176, or the communication module 190) It is possible to control at least some of the functions or states related to. According to an embodiment, the coprocessor 123 (eg, an image signal processor or a communication processor) may be implemented as part of another functionally related component (eg, the camera module 180 or the communication module 190). have.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다. The memory 130 may store various data used by at least one component of the electronic device 101 (eg, the processor 120 or the sensor module 176). The data may include, for example, software (eg, the program 140) and input data or output data for commands related thereto. The memory 130 may include a volatile memory 132 or a nonvolatile memory 134.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다. The program 140 may be stored as software in the memory 130, and may include, for example, an operating system 142, middleware 144, or an application 146.

입력 장치(150)는, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다. The input device 150 may receive a command or data to be used for a component of the electronic device 101 (eg, the processor 120) from an outside (eg, a user) of the electronic device 101. The input device 150 may include, for example, a microphone, a mouse, a keyboard, or a digital pen (eg, a stylus pen).

음향 출력 장치(155)는 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(155)는, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The sound output device 155 may output an sound signal to the outside of the electronic device 101. The sound output device 155 may include, for example, a speaker or a receiver. The speaker can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback, and the receiver can be used to receive incoming calls. According to one embodiment, the receiver may be implemented separately from the speaker or as part of it.

표시 장치(160)는 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 표시 장치(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 표시 장치(160)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로(touch circuitry), 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(예: 압력 센서)를 포함할 수 있다. The display device 160 may visually provide information to the outside of the electronic device 101 (eg, a user). The display device 160 may include, for example, a display, a hologram device, or a projector and a control circuit for controlling the device. According to an embodiment, the display device 160 may include a touch circuitry set to sense a touch, or a sensor circuit (eg, a pressure sensor) set to measure the strength of a force generated by the touch. have.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 장치(150)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102)) (예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.The audio module 170 may convert sound into an electric signal or, conversely, convert an electric signal into sound. According to an embodiment, the audio module 170 acquires sound through the input device 150, the sound output device 155, or an external electronic device (for example, an external electronic device directly or wirelessly connected to the electronic device 101). Sound may be output through the electronic device 102) (for example, a speaker or headphones).

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The sensor module 176 detects an operating state (eg, power or temperature) of the electronic device 101, or an external environmental state (eg, a user state), and generates an electrical signal or data value corresponding to the detected state. can do. According to an embodiment, the sensor module 176 may include, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, an atmospheric pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a biometric sensor, It may include a temperature sensor, a humidity sensor, or an illuminance sensor.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)이 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The interface 177 may support one or more designated protocols that may be used for the electronic device 101 to connect directly or wirelessly with an external electronic device (eg, the electronic device 102 ). According to an embodiment, the interface 177 may include, for example, a high definition multimedia interface (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, or an audio interface.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)은, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.The connection terminal 178 may include a connector through which the electronic device 101 can be physically connected to an external electronic device (eg, the electronic device 102 ). According to an embodiment, the connection terminal 178 may include, for example, an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, or an audio connector (eg, a headphone connector).

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The haptic module 179 may convert an electrical signal into a mechanical stimulus (eg, vibration or movement) or an electrical stimulus that a user can perceive through a tactile or motor sense. According to an embodiment, the haptic module 179 may include, for example, a motor, a piezoelectric element, or an electrical stimulation device.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.The camera module 180 may capture a still image and a video. According to an embodiment, the camera module 180 may include one or more lenses, image sensors, image signal processors, or flashes.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(388)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.The power management module 188 may manage power supplied to the electronic device 101. According to an embodiment, the power management module 388 may be implemented as, for example, at least a part of a power management integrated circuit (PMIC).

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The battery 189 may supply power to at least one component of the electronic device 101. According to an embodiment, the battery 189 may include, for example, a non-rechargeable primary cell, a rechargeable secondary cell, or a fuel cell.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi direct 또는 IrDA(infrared data association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 및 인증할 수 있다. The communication module 190 is a direct (eg, wired) communication channel or a wireless communication channel between the electronic device 101 and an external electronic device (eg, electronic device 102, electronic device 104, or server 108). It is possible to support establishment and communication through the established communication channel. The communication module 190 operates independently of the processor 120 (eg, an application processor), and may include one or more communication processors that support direct (eg, wired) communication or wireless communication. According to an embodiment, the communication module 190 is a wireless communication module 192 (eg, a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module) or a wired communication module 194 (eg : A LAN (local area network) communication module, or a power line communication module) may be included. Among these communication modules, a corresponding communication module is a first network 198 (for example, a short-range communication network such as Bluetooth, WiFi direct or IrDA (infrared data association)) or a second network 199 (for example, a cellular network, the Internet, or It can communicate with external electronic devices through a computer network (for example, a telecommunication network such as a LAN or WAN). These various types of communication modules may be integrated into one component (eg, a single chip), or may be implemented as a plurality of separate components (eg, multiple chips). The wireless communication module 192 uses subscriber information (e.g., International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) stored in the subscriber identification module 196 in a communication network such as the first network 198 or the second network 199. The electronic device 101 can be checked and authenticated.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 하나의 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC)이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.The antenna module 197 may transmit a signal or power to the outside (eg, an external electronic device) or receive from the outside. According to an embodiment, the antenna module may include one antenna including a conductor formed on a substrate (eg, a PCB) or a radiator formed of a conductive pattern. According to an embodiment, the antenna module 197 may include a plurality of antennas. In this case, at least one antenna suitable for a communication method used in a communication network such as the first network 198 or the second network 199 is, for example, provided by the communication module 190 from the plurality of antennas. Can be chosen. The signal or power may be transmitted or received between the communication module 190 and an external electronic device through the at least one selected antenna. According to some embodiments, other components (eg, RFIC) other than the radiator may be additionally formed as part of the antenna module 197.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.At least some of the components are connected to each other through a communication method (e.g., a bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI))) between peripheral devices and signals ( E.g. commands or data) can be exchanged with each other.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 전자 장치(102, 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부 전자 장치들(102, 104, or 108) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다.. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. According to an embodiment, commands or data may be transmitted or received between the electronic device 101 and the external electronic device 104 through the server 108 connected to the second network 199. Each of the electronic devices 102 and 104 may be a device of the same or different type as the electronic device 101. According to an embodiment, all or part of the operations executed by the electronic device 101 may be executed by one or more of the external electronic devices 102, 104, or 108. For example, when the electronic device 101 needs to perform a function or service automatically or in response to a request from a user or another device, the electronic device 101 does not execute the function or service by itself. In addition or in addition, it is possible to request one or more external electronic devices to perform the function or at least part of the service. One or more external electronic devices receiving the request may execute at least a part of the requested function or service, or an additional function or service related to the request, and transmit the execution result to the electronic device 101. The electronic device 101 may process the result as it is or additionally and provide it as at least part of a response to the request. For this purpose, for example, cloud computing, distributed computing, or client-server computing technology Can be used.

이하에서 설명되는 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 듀얼 심을 포함(또는 장착)하는 장치일 수 있다. 즉, 전자 장치(101)는 적어도 두 개의 심을 포함할 수 있다. 설명의 편의를 위하여 두 개의 심을 포함한 전자 장치(101)를 예로 들어 설명하지만, 2개 이상의 심(예: triple SIM triple standby; TSTS 또는, multi SIM multi standby; MSMS)을 포함하는 경우에도 유사하게 동작할 수 있다. 또한, 전자 장치(101)는 VoLTE(voice over long term evolution) 서비스를 제공 가능한 장치일 수 있다.The electronic device described below (eg, the electronic device 101 of FIG. 1) may be a device including (or mounting) a dual shim. That is, the electronic device 101 may include at least two shims. For convenience of explanation, the electronic device 101 including two shims is described as an example, but it operates similarly when it includes two or more shims (eg, triple SIM triple standby; TSTS or multi SIM multi standby; MSMS) can do. Further, the electronic device 101 may be a device capable of providing a voice over long term evolution (VoLTE) service.

도 2a는 다양한 실시예들에 따른 두 개의 안테나를 포함하는 전자 장치(101)의 블록도이다.2A is a block diagram of an electronic device 101 including two antennas according to various embodiments.

도 2a를 참조하면, 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(101)는 제1 안테나 모듈(211)(예: primary antenna), 제2 안테나 모듈(213)(예: diversity antenna), 제1 radio frequency front end(RFFE)(221), 제2 RFFE(223), radio frequency integrated circuit(RFIC)(230), 커뮤니케이션 프로세서(250)를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 프로세서(120) 및 메모리(130)를 더 포함할 수 있다. 도면에서는 전자 장치(101)가 RFIC를 하나 포함한 것으로 도시하였지만, 전자 장치(101)는 복수 개의 RFIC를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 주파수 대역에 따라 각각 다른 RFIC를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2A, the electronic device 101 according to various embodiments includes a first antenna module 211 (eg, a primary antenna), a second antenna module 213 (eg, a diversity antenna), and a first radio frequency. A front end (RFFE) 221, a second RFFE 223, a radio frequency integrated circuit (RFIC) 230, and a communication processor 250 may be included. The electronic device 101 may further include a processor 120 and a memory 130. In the drawing, the electronic device 101 is shown to include one RFIC, but the electronic device 101 may include a plurality of RFICs. For example, the electronic device 101 may include different RFICs according to frequency bands.

RFIC(230)는, 송신 시에, 커뮤니케이션 프로세서(250)에 의해 생성된 기저대역(baseband) 신호를 네트워크에 사용되는 라디오 주파수(RF) 신호(예: 약 700MHz 내지 약 3GHz, 약 6GHz 이하, 약 6GHz ~ 약 60GHz)로 변환할 수 있다. RFIC(230)는, 수신 시에, 제1 안테나 모듈(211)을 통해 네트워크로부터 RF 신호를 획득할 수 있다. 상기 획득한 RF 신호는 제1 RFFE(221)를 통해 전처리(preprocess)될 수 있다. 또는, RFIC(230)는, 수신 시에, 제2 안테나 모듈(213)을 통해 네트워크로부터 RF 신호를 획득할 수 있다. 상기 획득한 RF 신호는 제2 RFFE(223)를 통해 전처리될 수 있다. RFIC(230)는 전처리된 RF 신호를 커뮤니케이션 프로세서(250)에 의해 처리될 수 있도록 기저대역 신호로 변환할 수 있다.When transmitting, the RFIC 230 transmits a baseband signal generated by the communication processor 250 to a radio frequency (RF) signal used in the network (eg, about 700 MHz to about 3 GHz, about 6 GHz or less, about 6GHz ~ about 60GHz) can be converted. Upon reception, the RFIC 230 may obtain an RF signal from a network through the first antenna module 211. The obtained RF signal may be preprocessed through the first RFFE 221. Alternatively, the RFIC 230 may obtain an RF signal from the network through the second antenna module 213 upon reception. The obtained RF signal may be preprocessed through the second RFFE 223. The RFIC 230 may convert the preprocessed RF signal into a baseband signal to be processed by the communication processor 250.

다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치(101)에 두 개의 심(예: 제1 심, 제2 심)을 포함할 수 있다. 상기 제1 심과 상기 제2 심에서 사용하는 주파수 대역이 다른 경우(예: low band for SIM 1, mid band for SIM2) RF 자원 사용의 충돌 없이 상기 제1 심과 상기 제2 심에서 동시에 신호를 수신할 수 있다. 예를 들어, RFIC(230)는 제1 안테나 모듈(211)과 제2 안테나 모듈(213)을 통해 제 1심과 제2 심을 위한 신호를 수신할 수 있다. 그러나, 상기 제1 심과 상기 제2 심에서 사용하는 주파수 대역이 동일한 경우 RF 자원 사용에 충돌이 발생할 수 있다. 이 경우, 상기 제1 심과 상기 제2 심에서 동시에 신호를 수신할 수 없을 수 있다. 또는, 신호 수신 성능을 높이기 위하여 RFIC(230)는 커뮤니케이션 프로세서(250)의 제어에 따라 제1 안테나 모듈(211)을 통해 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 있도록 제어할 수 있다. 제1 안테나 모듈(211)의 수신 성능이 제2 안테나 모듈(213)의 수신 성능보다 좋을 수 있다. According to various embodiments, the electronic device 101 may include two shims (eg, a first shim and a second shim). When the frequency bands used by the first SIM and the second SIM are different (eg, low band for SIM 1, mid band for SIM2), signals are simultaneously transmitted from the first SIM and the second SIM without conflicting RF resource usage. Can receive. For example, the RFIC 230 may receive signals for the first and second shims through the first antenna module 211 and the second antenna module 213. However, when the frequency bands used by the first shim and the second shim are the same, collision may occur in the use of RF resources. In this case, the first SIM and the second SIM may not be able to simultaneously receive signals. Alternatively, in order to increase signal reception performance, the RFIC 230 may control the first SIM and the second SIM to simultaneously receive signals through the first antenna module 211 under the control of the communication processor 250. have. The reception performance of the first antenna module 211 may be better than that of the second antenna module 213.

다양한 실시예들에 따르면, RFIC(230)는 상기 제1 심과 상기 제2 심에서 사용하는 주파수 대역이 동일한 경우, 커뮤니케이션 프로세서(250)의 제어에 따라 믹서(예: 제1 믹서(243) 및 제2 믹서(245))를 이용하여 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 있도록 제어할 수 있다. RFIC(230)는 제1 Rx 모듈(231) 및 제2 Rx 모듈(233)을 포함할 수 있다. 제1 Rx 모듈(231) 및 제2 Rx 모듈(233)은 각각 저잡음 증폭기(241), 제1 믹서(243)(또는 업 컨버터, 다운 컨버터) 및 제2 믹서(245)를 포함할 수 있다. 도면에서는 저잡음 증폭기(241)가 RFIC(230) 내부에 포함된 것으로 도시하고 있지만, 저잡음 증폭기(241)는 RFIC(230) 외부(예: 제1 RFFE(221), 제2 RFFE(223))에 포함될 수도 있다. 저잡음 증폭기(241)는 제1 안테나 모듈(211)을 통해 획득한 RF 신호를 증폭할 수 있다. RFIC(230)는 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 주파수 대역의 신호를 수신하는 경우, 제1 믹서(243) 및 제2 믹서(245)를 통해 각각 제1 심 및 제2 심을 위한 신호로 분리할 수 있다. 예를 들어, 제1 믹서(243)는 상기 획득한 RF 신호를 제1 심을 위한 신호로 변환할 수 있다. 제2 믹서(245)는 상기 획득한 RF 신호를 제2 심을 위한 신호로 변환할 수 있다. According to various embodiments, when the frequency bands used by the first shim and the second shim are the same, the RFIC 230 is controlled by a mixer (for example, the first mixer 243 and The second mixer 245 may be used to control the first shim and the second shim to simultaneously receive signals. The RFIC 230 may include a first Rx module 231 and a second Rx module 233. The first Rx module 231 and the second Rx module 233 may each include a low noise amplifier 241, a first mixer 243 (or an up converter, a down converter), and a second mixer 245. In the drawing, the low-noise amplifier 241 is shown to be included in the RFIC 230, but the low-noise amplifier 241 is external to the RFIC 230 (eg, the first RFFE 221, the second RFFE 223). May be included. The low noise amplifier 241 may amplify the RF signal acquired through the first antenna module 211. When the first SIM and the second SIM receive signals of the same frequency band, the RFIC 230 uses the first and second mixers 243 and 245 as signals for the first and second SIMs, respectively. Can be separated. For example, the first mixer 243 may convert the obtained RF signal into a signal for the first SIM. The second mixer 245 may convert the obtained RF signal into a signal for a second shim.

커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 제1 심과 상기 제2 심에서 사용하는 주파수 대역이 동일한 경우, 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 있도록 제어할 수 있다. 예를 들어, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)로부터 RF 신호를 획득하도록 제어할 수 있다. 상기 획득한 RF 신호는 제1 심을 위한 신호 및 상기 제2 심을 위한 신호를 포함할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 획득한 RF 신호로부터 RFIC(230)에 포함된 제1 믹서(243)를 통해 제1 심을 위한 신호로 분리하고, RFIC(230)에 포함된 제2 믹서(245)를 통해 상기 제2 심을 위한 신호로 분리할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 믹서(243)로부터 분리된 제1 심을 위한 신호의 레벨을 측정하고, 제2 믹서(245)로부터 분리된 제2 심을 위한 신호의 레벨을 측정할 수 있다. The communication processor 250 may control the first SIM and the second SIM to simultaneously receive signals when the frequency bands used by the first SIM and the second SIM are the same. For example, the communication processor 250 may control to obtain an RF signal from the first antenna module 211 and the second antenna module 213. The obtained RF signal may include a signal for a first SIM and a signal for the second SIM. The communication processor 250 separates the obtained RF signal into a signal for the first SIM through the first mixer 243 included in the RFIC 230, and separates the second mixer 245 included in the RFIC 230. It can be separated into a signal for the second shim through. The communication processor 250 may measure a level of a signal for a first shim separated from the first mixer 243 and measure a level of a signal for a second shim separated from the second mixer 245.

커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 측정된 신호 레벨 간의 차이에 기반하여 듀얼 심 동시 지원 기능(또는 모드)을 활성화할 수 있다. 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화하는 것은 상기 제1 심과 상기 제2 심으로 동시에 신호를 수신할 수 있도록 제어하는 것일 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 신호 레벨 차이가 임계치 이하인 경우, 듀얼 심 지원 기능을 활성화할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 신호 레벨 차이가 임계치 이상인 경우, RFIC(230)에 포함된 저잡음 증폭기(241)의 게인을 조절할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 저잡음 증폭기(241)의 게인을 조절하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다. 또는, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 신호 레벨 차이가 임계치에서 일정 범위(예: 제4 범위) 초과하는 경우, 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화(종료)할 수 있다. 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화하는 것은 상기 제1 심 또는 상기 제2 심 중 어느 하나의 심으로만 신호를 수신할 수 있도록 제어하는 것일 수 있다.The communication processor 250 may activate a dual SIM simultaneous support function (or mode) based on the difference between the measured signal levels. Activating the dual SIM simultaneous support function may be controlling the first SIM and the second SIM to simultaneously receive signals. The communication processor 250 may activate a dual SIM support function when the signal level difference is less than or equal to a threshold. The communication processor 250 may adjust the gain of the low noise amplifier 241 included in the RFIC 230 when the signal level difference is greater than or equal to the threshold. The communication processor 250 may activate a dual sim simultaneous support function by adjusting the gain of the low noise amplifier 241. Alternatively, the communication processor 250 may deactivate (terminate) a dual SIM simultaneous support function when the signal level difference exceeds a certain range (eg, a fourth range) from a threshold. Deactivating the simultaneous dual-sim support function may be controlling so that a signal can be received only through one of the first and second SIMs.

다양한 실시예들에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 무선 통신에 사용될 대역의 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 네트워크 통신을 지원할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 상기 네트워크는 2세대(2G), 3G, 4G, 또는 long term evolution(LTE) 네트워크를 포함하는 레거시 네트워크일 수 있다. 또는, 상기 네트워크는 3GPP(third generation partnership project)에서 정의하는 5G 네트워크일 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 프로세서(120), 보조 프로세서(123), 또는 통신 모듈(190)과 단일 칩 또는 단일 패키지 내에 형성될 수 있다.According to various embodiments, the communication processor 250 may support establishment of a communication channel of a band to be used for wireless communication and network communication through the established communication channel. According to various embodiments, the network may be a legacy network including a second generation (2G), 3G, 4G, or long term evolution (LTE) network. Alternatively, the network may be a 5G network defined by a third generation partnership project (3GPP). According to various embodiments, the communication processor 250 may be formed in a single chip or a single package with the processor 120, the coprocessor 123, or the communication module 190.

도 2b는 다양한 실시예들에 따른 네 개의 안테나를 포함하는 전자 장치(101)의 블록도이다.2B is a block diagram of an electronic device 101 including four antennas according to various embodiments.

도 2b를 참조하면, 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(101)는 제1 안테나 모듈(211)(예: primary antenna), 제2 안테나 모듈(213)(예: diversity antenna), 제3 안테나 모듈(215), 제4 안테나 모듈(217), 제1 RFFE(221), 제2 RFFE(223), RFIC(230), 커뮤니케이션 프로세서(250)를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)는 프로세서(120) 및 메모리(130)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2B, the electronic device 101 according to various embodiments includes a first antenna module 211 (eg, a primary antenna), a second antenna module 213 (eg, a diversity antenna), and a third antenna module. 215, a fourth antenna module 217, a first RFFE 221, a second RFFE 223, an RFIC 230, and a communication processor 250. The electronic device 101 may further include a processor 120 and a memory 130.

다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치(101)에 포함된 제1 심과 제2 심에서 사용하는 주파수 대역이 다른 경우, RF 자원 사용의 충돌 없이 상기 제1 심과 상기 제2 심에서 동시에 신호를 수신할 수 있다. 예를 들어, RFIC(230)는 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)을 통해 제1 심을 위한 신호를 수신하고, 제3 안테나 모듈(215) 및 제4 안테나 모듈(217)을 통해 제2 심을 위한 신호를 수신할 수 있다. 그러나, 상기 제1 심과 상기 제2 심에서 사용하는 주파수 대역이 동일한 경우, 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)을 통해 제1 심을 위한 신호를 수신하고, 제3 안테나 모듈(215) 및 제4 안테나 모듈(217)을 통해 제2 심을 위한 신호를 수신을 할 수 있다. 제2 심의 주파수가 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)에서 최적의 성능으로 HW 디자인이 되어 있는 경우, 제3 안테나 모듈(215) 및 제4 안테나 모듈(217) 사용시 성능 저하가 발생할 수 있어 사용이 어려울 수 있다. 개선 방안으로 신호 수신 성능을 높이기 위하여 RFIC(230)는 커뮤니케이션 프로세서(250)의 제어에 따라 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)을 통해 제1 심과 상기 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 있도록 제어할 수 있다. 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)의 수신 성능이 제3 안테나 모듈(215) 및 제4 안테나 모듈(217)의 수신 성능보다 좋을 수 있다. According to various embodiments, when the frequency bands used by the first SIM and the second SIM included in the electronic device 101 are different, signals are simultaneously transmitted by the first SIM and the second SIM without conflicting RF resource use. Can receive. For example, the RFIC 230 receives a signal for the first shim through the first antenna module 211 and the second antenna module 213, and the third antenna module 215 and the fourth antenna module 217 A signal for the second SIM may be received through However, when the frequency band used by the first shim and the second shim is the same, a signal for the first shim is received through the first antenna module 211 and the second antenna module 213, and the third antenna module A signal for the second SIM may be received through the 215 and the fourth antenna module 217. When the second core frequency is the HW design with optimal performance in the first antenna module 211 and the second antenna module 213, performance decreases when using the third antenna module 215 and the fourth antenna module 217 May occur, making it difficult to use. In order to improve the signal reception performance as an improvement method, the RFIC 230 transmits signals simultaneously to the first and second shims through the first antenna module 211 and the second antenna module 213 under the control of the communication processor 250. Can be controlled to receive. The reception performance of the first antenna module 211 and the second antenna module 213 may be better than that of the third antenna module 215 and the fourth antenna module 217.

다양한 실시예들에 따르면, RFIC(230)는 상기 제1 심과 상기 제2 심에서 사용하는 주파수 대역이 동일한 경우, 커뮤니케이션 프로세서(250)의 제어에 따라 믹서(예: 제1 믹서(243) 및 제2 믹서(245))를 이용하여 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 있도록 제어할 수 있다. RFIC(230)는 제1 Rx 모듈(231), 제2 Rx 모듈(233), 제3 Rx 모듈(235), 및 제4 Rx 모듈(237)을 포함할 수 있다. 제1 Rx 모듈(231), 제2 Rx 모듈(233), 제3 Rx 모듈(235), 및 제4 Rx 모듈(237) 각각은 저잡음 증폭기(241), 제1 믹서(243) 및 제2 믹서(245)를 포함할 수 있다. 저잡음 증폭기(241)는 제1 안테나 모듈(211)을 통해 획득한 RF 신호를 증폭할 수 있다. RFIC(230)는 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 주파수 대역의 신호를 수신하는 경우, 제1 믹서(243) 및 제2 믹서(245)를 통해 각각 제1 심 및 제2 심을 위한 신호로 분리할 수 있다. 예를 들어, 제1 믹서(243)는 상기 획득한 RF 신호를 제1 심을 위한 신호로 변환할 수 있다. 제2 믹서(245)는 상기 획득한 RF 신호를 제2 심을 위한 신호로 변환할 수 있다.According to various embodiments, when the frequency bands used by the first shim and the second shim are the same, the RFIC 230 is controlled by a mixer (eg, the first mixer 243 and the second shim) according to the control of the communication processor 250. The second mixer 245 may be used to control the first shim and the second shim to simultaneously receive signals. The RFIC 230 may include a first Rx module 231, a second Rx module 233, a third Rx module 235, and a fourth Rx module 237. Each of the first Rx module 231, the second Rx module 233, the third Rx module 235, and the fourth Rx module 237 is a low noise amplifier 241, a first mixer 243 and a second mixer. (245) may be included. The low noise amplifier 241 may amplify the RF signal acquired through the first antenna module 211. When the first SIM and the second SIM receive signals of the same frequency band, the RFIC 230 uses the first and second mixers 243 and 245 as signals for the first and second SIMs, respectively. Can be separated. For example, the first mixer 243 may convert the obtained RF signal into a signal for the first SIM. The second mixer 245 may convert the obtained RF signal into a signal for a second shim.

커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 제1 심과 상기 제2 심에서 사용하는 주파수 대역이 동일한 경우, 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 있도록 제어할 수 있다. 예를 들어, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 안테나 모듈(211) 및 제3 안테나 모듈(215)로부터 RF 신호를 획득하도록 제어할 수 있다. 상기 획득한 RF 신호는 제1 심을 위한 신호 및 상기 제2 심을 위한 신호를 포함할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 획득한 RF 신호로부터 RFIC(230)에 포함된 제1 믹서(243) 및 제2 믹서(245)를 통해 상기 제1 심을 위한 신호 및 상기 제2 심을 위한 신호로 분리할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 제1 심을 위한 신호의 레벨 및 상기 제2 심을 위한 신호의 레벨을 각각 측정하고, 상기 측정된 신호 레벨 간의 차이가 임계치 이하인 경우, DUAL SIM 동작을 동시에 지원하는 기능(또는 모드)을 활성화할 수 있다.The communication processor 250 may control the first SIM and the second SIM to simultaneously receive signals when the frequency bands used by the first SIM and the second SIM are the same. For example, the communication processor 250 may control to obtain an RF signal from the first antenna module 211 and the third antenna module 215. The obtained RF signal may include a signal for a first SIM and a signal for the second SIM. The communication processor 250 separates the obtained RF signal into a signal for the first SIM and a signal for the second SIM through the first mixer 243 and the second mixer 245 included in the RFIC 230. I can. The communication processor 250 measures the level of the signal for the first SIM and the level of the signal for the second SIM, respectively, and when the difference between the measured signal levels is less than or equal to a threshold, a function of simultaneously supporting a DUAL SIM operation (or Mode) can be activated.

다양한 실시예들에 따르면, 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)을 통한 수신 경로를 제1 수신 경로라 하고, 제3 안테나 모듈(215) 및 제4 안테나 모듈(217)을 통한 수신 경로를 제2 수신 경로라 할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 대역의 주파수 신호를 사용하는 경우, 상기 제2 심의 수신 경로를 제1 심의 수신 경로로 변경할 수 있다. 예를 들어, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)을 통해 상기 제1 심을 위한 신호 및 상기 제2 심을 위한 신호를 수신할 수 있다. 예를 들어, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 상기 제1 심과 상기 제2 심이 서로 다른 대역의 주파수 신호를 사용하는 경우, 제1 안테나 모듈(211), 제2 안테나 모듈(213)이 제1 심으로 제3 안테나 모듈(215)과 제4 안테나 모듈(217)이 제2 심으로 서로 다른 수신 경로로 설정하지만, 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 대역의 주파수 신호를 사용하는 경우, 상기 제2 심의 수신 경로를 상기 제1 심의 수신 경로와 동일하도록 변경할 수 있다.According to various embodiments, a reception path through the first antenna module 211 and the second antenna module 213 is referred to as a first reception path, and the third antenna module 215 and the fourth antenna module 217 are The through reception path may be referred to as a second reception path. When the first SIM and the second SIM use a frequency signal of the same band, the communication processor 250 may change the reception path of the second SIM into a reception path of the first SIM. For example, the communication processor 250 may receive a signal for the first shim and a signal for the second shim through the first antenna module 211 and the second antenna module 213. For example, when the first shim and the second shim use frequency signals of different bands, the communication processor 250 uses the first antenna module 211 and the second antenna module 213 as the first shim. If the third antenna module 215 and the fourth antenna module 217 set different reception paths as the second shim, but the first shim and the second shim use frequency signals of the same band, the second shim The deliberation receiving path may be changed to be the same as the first deliberation receiving route.

도 3은 다양한 실시예들에 따른 네트워크 환경(300) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.3 is a block diagram of an electronic device 101 in a network environment 300 according to various embodiments.

도 3을 참조하면, 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(101)는 RFFE(221), RFIC(230), 및 커뮤니케이션 프로세서(250)를 포함할 수 있다. RFFE(221)는 제1 저잡음 증폭기(350)를 포함할 수 있다. RFIC(230)는 제2 저잡음 증폭기(241) 및 다운 컨버터(360)를 포함할 수 있다. 제2 저잡음 증폭기(241)는 제1 저잡음 증폭기(350)와의 구별을 위해 "제2"로 기재한 것일 뿐, 도 2a 및 도 2b의 저잡음 증폭기(241)와 동일한 것이다. 다운 컨버터(360)는 믹서로서, 도 2a 및 도 2b의 제1 믹서(243) 및 제2 믹서(245)를 포함하는 것일 수 있다.Referring to FIG. 3, an electronic device 101 according to various embodiments may include an RFFE 221, an RFIC 230, and a communication processor 250. The RFFE 221 may include a first low noise amplifier 350. The RFIC 230 may include a second low noise amplifier 241 and a down converter 360. The second low-noise amplifier 241 is only described as "second" to distinguish it from the first low-noise amplifier 350, and is the same as the low-noise amplifier 241 of FIGS. 2A and 2B. The down converter 360 is a mixer, and may include the first mixer 243 and the second mixer 245 of FIGS. 2A and 2B.

전자 장치(101)의 제1 안테나 모듈(211)은 제1 기지국(310) 및 제2 기지국(320)으로부터 RF 신호를 수신할 수 있다. 예를 들어, 제1 기지국(310)은 전자 장치(101)의 제1 심으로 제1 신호(311)를 전송하고, 제2 기지국(320)은 전자 장치(101)의 제2 심으로 제2 신호(321)를 전송할 수 있다. 제1 신호(311) 및 제2 신호(321)는 동일한 주파수 대역을 가지는 신호일 수 있다. 제1 안테나 모듈(211)은 제1 신호(311) 및 제2 신호(321)를 포함하는 RF 신호를 획득할 수 있다. 제1 신호(311) 및 제2 신호(321)를 포함하는 RF 신호는 RFFE(221)를 통해 전처리(preprocess)될 수 있다. RFFE(221)는 제1 저잡음 증폭기(350)를 통해 상기 RF 신호를 증폭할 수 있다. RFIC(230)는 RFFE(221)로부터 출력된 RF 신호를 제2 저잡음 증폭기(241)를 통해 증폭하고, 다운 컨버터(360)를 통해 증폭된 RF 신호로부터 제1 신호(311) 및 제2 신호로(321)로 분리할 수 있다.The first antenna module 211 of the electronic device 101 may receive an RF signal from the first base station 310 and the second base station 320. For example, the first base station 310 transmits the first signal 311 to the first shim of the electronic device 101, and the second base station 320 transmits the second shim to the second shim of the electronic device 101. The signal 321 can be transmitted. The first signal 311 and the second signal 321 may be signals having the same frequency band. The first antenna module 211 may acquire an RF signal including the first signal 311 and the second signal 321. The RF signal including the first signal 311 and the second signal 321 may be preprocessed through the RFFE 221. The RFFE 221 may amplify the RF signal through the first low noise amplifier 350. The RFIC 230 amplifies the RF signal output from the RFFE 221 through the second low noise amplifier 241, and converts the amplified RF signal through the down converter 360 to the first signal 311 and the second signal. Can be separated by 321.

커뮤니케이션 프로세서(250)는 신호 체크 모듈(371), 신호 포화 체크 모듈(373), 게인 연산 모듈(375) 및 게인 제어 모듈(377)을 포함할 수 있다. 신호 체크 모듈(371), 신호 포화 체크 모듈(373), 게인 연산 모듈(375) 및 게인 제어 모듈(377)은 프로세싱 회로(processing circuitry)를 포함하는 커뮤니케이션 프로세서(250)(또는 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))에 하드웨어 모듈(hardware module)로 포함되거나, 또는, 소프트웨어 모듈(software module)로 포함될 수 있다. The communication processor 250 may include a signal check module 371, a signal saturation check module 373, a gain calculation module 375, and a gain control module 377. The signal check module 371, the signal saturation check module 373, the gain calculation module 375, and the gain control module 377 are provided with a communication processor 250 (or a processor (e.g., FIG. It may be included in the processor 120 of 1 as a hardware module, or may be included as a software module.

신호 체크 모듈(371)은 제1 신호(311) 및 제2 신호(321) 각각에 대한 신호 레벨(또는 크기)을 체크할 수 있다. 제1 신호(311) 및 제2 신호(321)는 각각 물리적으로 다른 위치의 기지국(예: 제1 기지국(310), 제2 기지국(320))으로부터 수신된 것으로, 전자 장치(101)에 수신되는 제1 신호(311)와 제2 신호(321)의 크기(또는 레벨)는 상이할 수 있다. 예를 들어, 신호 체크 모듈(371)은 제1 신호(311)에 대한 RSRP(reference signal received power), RSSI(received signal strength indicator), RSRQ(reference signal received quality) 또는 SINR(signal to interference noise ratio) 중 적어도 하나를 측정(또는 체크)할 수 있다. 신호 체크 모듈(371)은 제2 신호(321)에 대한 RSRP, RSSI, RSRQ 또는 SINR 중 적어도 하나를 측정할 수 있다. 신호 체크 모듈(371)은 제1 신호(311)와 제2 신호(321)에 대하여 측정된 정보(예: RSRP, RSSI, RSRQ 또는 SINR 중 적어도 하나)를 신호 포화 체크 모듈(373)로 전달할 수 있다. 신호 체크 모듈(371)은 주기적으로 또는 선택적으로 제1 신호(311) 및 제2 신호(321) 각각에 대한 신호 레벨을 체크하고, 체크 결과를 신호 포화 체크 모듈(373)로 전달할 수 있다. The signal check module 371 may check a signal level (or magnitude) of each of the first signal 311 and the second signal 321. The first signal 311 and the second signal 321 are each received from a base station (for example, the first base station 310 and the second base station 320) in a physically different location, and received by the electronic device 101 The first signal 311 and the second signal 321 may have different magnitudes (or levels). For example, the signal check module 371 is a reference signal received power (RSRP), a received signal strength indicator (RSSI), a reference signal received quality (RSRQ), or a signal to interference noise ratio (SINR) for the first signal 311. ) Can be measured (or checked). The signal check module 371 may measure at least one of RSRP, RSSI, RSRQ, and SINR for the second signal 321. The signal check module 371 may transmit measured information (eg, at least one of RSRP, RSSI, RSRQ, or SINR) for the first signal 311 and the second signal 321 to the signal saturation check module 373. have. The signal check module 371 may periodically or selectively check a signal level for each of the first and second signals 311 and 321, and transmit the check result to the signal saturation check module 373.

신호 포화 체크 모듈(373)은 제1 신호(311) 및 제2 신호(321)에 대해 측정된 정보에 기반하여 신호 포화(saturation)가 발생하는지 여부를 체크할 수 있다. 제1 신호(311) 및 제2 신호(321)는 제1 저잡음 증폭기(350) 및 제2 저잡음 증폭기(241)를 통해 증폭되므로, 신호 포화 체크 모듈(373)은 제1 신호(311)와 제2 신호(321)가 모두 포화 없이 증폭 가능한지 여부를 체크할 수 있다. 신호 포화가 발생하면, 제1 신호(311) 또는 제2 신호(321) 중 하나는 제거될 수 있다. 제1 신호(311) 또는 제2 신호(321) 중 어느 하나의 신호가 제거되면 제1 심과 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 없을 수 있다. 신호 포화 체크 모듈(373)은 제1 저잡음 증폭기(350) 또는 제2 저잡음 증폭기(241)의 게인을 조절하여 신호 포화 발생을 방지함으로써, 제1 심과 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 있도록 제어할 수 있다.The signal saturation check module 373 may check whether signal saturation occurs based on information measured for the first signal 311 and the second signal 321. Since the first signal 311 and the second signal 321 are amplified through the first low noise amplifier 350 and the second low noise amplifier 241, the signal saturation check module 373 2 It can be checked whether all of the signals 321 can be amplified without saturation. When signal saturation occurs, one of the first signal 311 or the second signal 321 may be removed. When either the first signal 311 or the second signal 321 is removed, the first SIM and the second SIM may not simultaneously receive the signal. The signal saturation check module 373 prevents signal saturation by adjusting the gain of the first low-noise amplifier 350 or the second low-noise amplifier 241, thereby controlling the first and second shims to simultaneously receive signals. can do.

다양한 실시예들에 따르면, 신호 포화 체크 모듈(373)은 제1 저잡음 증폭기(350)에 설정된 제1 게인 및 제2 저잡음 증폭기(241)에 설정된 제2 게인을 게인 제어 모듈(377)로부터 획득할 수 있다. 신호 포화 체크 모듈(373)은 상기 제1 게인 또는 상기 제2 게인에 기반하여 제1 신호(311)와 제2 신호(321) 간의 포화가 발생하는지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 신호 포화 체크 모듈(373)은 제1 신호(311)와 제2 신호(321) 간의 레벨 차이가 임계치(예: 20dB) 이하인지 여부를 판단할 수 있다. 신호 포화 체크 모듈(373)은 상기 레벨 차이가 임계치 이하인 경우, 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다. 신호 포화 체크 모듈(373)은 신호 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우 게인 연산 모듈(375)로 게인 연산을 요청할 수 있다. According to various embodiments, the signal saturation check module 373 may obtain a first gain set in the first low noise amplifier 350 and a second gain set in the second low noise amplifier 241 from the gain control module 377. I can. The signal saturation check module 373 may determine whether saturation between the first signal 311 and the second signal 321 occurs based on the first gain or the second gain. For example, the signal saturation check module 373 may determine whether a level difference between the first signal 311 and the second signal 321 is less than or equal to a threshold (eg, 20 dB). The signal saturation check module 373 may activate a dual sim simultaneous support function when the level difference is less than or equal to a threshold. The signal saturation check module 373 may request a gain calculation from the gain calculation module 375 when the signal level difference exceeds a threshold value.

다양한 실시예들에 따르면, 신호 포화 체크 모듈(373)은 주기적으로 또는 선택적으로 신호 포화를 체크할 수 있다. 신호 포화 체크 모듈(373)은 게인 제어 모듈(377)로부터 게인 변경 완료를 수신하는 경우, 게인 변경 이후에 제1 신호(311) 및 제2 신호(321)에 대해 측정된 정보에 기반하여 신호 포화 여부를 체크할 수 있다. 신호 포화 체크 모듈(373)은 상기 신호 레벨 차이가 임계치에서 제1 범위 내지 제3 범위를 초과하는 경우 게인 연산 모듈(375)로 게인 연산을 요청할 수 있다. 신호 포화 체크 모듈(373)은 상기 신호 레벨 차이가 임계치에서 제4 범위를 초과하는 경우 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화(또는 종료)할 수 있다. 상기 제4 범위는 상기 제3 범위보다 큰 수치일 수 있다. 또는, 신호 포화 체크 모듈(373)은 게인 제어 모듈(377)로부터 게인 변경 불가를 수신하는 경우, 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화할 수 있다.According to various embodiments, the signal saturation check module 373 may periodically or selectively check signal saturation. When the signal saturation check module 373 receives the completion of the gain change from the gain control module 377, the signal saturation is performed based on the measured information for the first signal 311 and the second signal 321 after the gain change. You can check whether or not. The signal saturation check module 373 may request a gain calculation from the gain calculation module 375 when the signal level difference exceeds the first range to the third range in the threshold value. The signal saturation check module 373 may deactivate (or terminate) a dual-sim simultaneous support function when the signal level difference exceeds the fourth range in the threshold. The fourth range may be a larger value than the third range. Alternatively, the signal saturation check module 373 may deactivate a dual sim simultaneous support function when receiving a gain change impossibility from the gain control module 377.

게인 연산 모듈(375)은 제1 신호(311)와 제2 신호(321) 간의 레벨 차이에 기반하여 상기 제1 게인 또는 상기 제2 게인을 연산(또는 산출)할 수 있다. 게인은 증폭기(예: 제1 저잡음 증폭기(350) 및 제2 저잡음 증폭기(241))에서 신호를 증폭시키는 정도를 의미할 수 있다. 게인을 조절하는 것은 신호 품질을 높이기 위한 것으로, 게인 연산 모듈(375)은 신호 포화 없이 제1 신호(311)와 제2 신호(321)를 증폭시키기 위하여 적절한 게인을 연산할 수 있다. 게인 연산 모듈(375)은 상기 레벨 차이에 기반하여 상기 제1 게인과 상기 제2 게인 중 어느 하나의 게인을 연산하거나, 상기 제1 게인과 상기 제2 게인을 모두 연산할 수 있다. The gain calculation module 375 may calculate (or calculate) the first gain or the second gain based on a level difference between the first signal 311 and the second signal 321. The gain may mean a degree to which an amplifier (eg, the first low-noise amplifier 350 and the second low-noise amplifier 241) amplifies a signal. Adjusting the gain is to increase signal quality, and the gain calculating module 375 may calculate an appropriate gain to amplify the first signal 311 and the second signal 321 without signal saturation. The gain calculating module 375 may calculate either one of the first gain and the second gain or calculate both the first gain and the second gain based on the level difference.

예를 들어, 게인 연산 모듈(375)은 상기 레벨 차이가 임계치에서 제1 범위(예: 3dB) 초과하는 경우 제1 저잡음 증폭기(350)의 상기 제1 게인을 산출할 수 있다. 게인 연산 모듈(375)은 상기 레벨 차이가 임계치에서 제2 범위(예: 5dB) 초과하는 경우 제2 저잡음 증폭기(241)의 상기 제2 게인을 산출할 수 있다. 또는, 게인 연산 모듈(375)은 상기 레벨 차이가 임계치에서 제3 범위(예: 5dB 초과) 초과하는 경우 상기 제1 게인과 상기 제2 게인을 각각 산출할 수 있다. 게인 연산 모듈(375)은 상기 산출된 게인을 게인 제어 모듈(377)로 전달할 수 있다.For example, the gain operation module 375 may calculate the first gain of the first low noise amplifier 350 when the level difference exceeds a first range (eg, 3 dB) from a threshold. The gain operation module 375 may calculate the second gain of the second low noise amplifier 241 when the level difference exceeds a second range (eg, 5 dB) from the threshold. Alternatively, the gain calculation module 375 may calculate the first gain and the second gain, respectively, when the level difference exceeds a third range (eg, greater than 5 dB) from a threshold. The gain calculation module 375 may transfer the calculated gain to the gain control module 377.

다양한 실시예들에 따르면, 게인 연산 모듈(375)은 상기 레벨 차이가 임계치에서 제4 범위(예: 10dB)를 초과하는 경우 게인을 산출하지 않을 수 있다. 상기 레벨 차이가 제4 범위를 벗어나는 경우, 각 증폭기의 게인을 조절하더라도 신호 포화가 발생할 수 있다. 이 경우, 게인 연산 모듈(375)은 게인 연산이 불가함으로 게인 제어 모듈(377)로 전달할 수 있다.According to various embodiments, the gain calculation module 375 may not calculate a gain when the level difference exceeds a fourth range (eg, 10 dB) from a threshold. If the level difference is out of the fourth range, signal saturation may occur even if the gain of each amplifier is adjusted. In this case, the gain calculation module 375 may transfer the gain calculation to the gain control module 377 because gain calculation is impossible.

게인 제어 모듈(377)은 게인 연산 모듈(375)로부터 획득한 게인에 기반하여 제1 저잡음 증폭기(350) 또는 제2 저잡음 증폭기(241)의 게인을 제어할 수 있다. 예를 들어, 게인 제어 모듈(377)은 제1 저잡음 증폭기(350)의 제1 게인을 변경할 수 있다. 또는, 게인 제어 모듈(377)은 제2 저잡음 증폭기(241)의 제2 게인을 변경할 수 있다. 게인 제어 모듈(377)은 게인 변경이 완료되면, 게인 변경 완료를 신호 포화 체크 모듈(373)로 전달할 수 있다. 또는, 게인 제어 모듈(377)은 게인 연산 모듈(375)로부터 게인 연산이 불가함을 통보받은 경우, 신호 포화 체크 모듈(373)로 게인 변경 불가함을 전달할 수 있다. The gain control module 377 may control a gain of the first low noise amplifier 350 or the second low noise amplifier 241 based on the gain obtained from the gain operation module 375. For example, the gain control module 377 may change the first gain of the first low noise amplifier 350. Alternatively, the gain control module 377 may change the second gain of the second low noise amplifier 241. When the gain change is completed, the gain control module 377 may transmit the completion of the gain change to the signal saturation check module 373. Alternatively, when the gain control module 377 receives notification from the gain calculation module 375 that the gain calculation is impossible, it may transmit that the gain cannot be changed to the signal saturation check module 373.

도 4a 및 도 4b는 다양한 실시예들에 따른 동일한 주파수 대역의 서로 다른 신호를 수신하도록 설정된 전자 장치(101)의 블록도(400)이다.4A and 4B are block diagrams 400 of an electronic device 101 configured to receive different signals of the same frequency band according to various embodiments.

도 4a는 다양한 실시예들에 따른 동일한 주파수 대역의 서로 다른 신호를 수신하도록 설정된 전자 장치(101)의 블록도(400)이다.4A is a block diagram 400 of an electronic device 101 configured to receive different signals of the same frequency band according to various embodiments.

도 4a를 참조하면, 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(101)는 제1 기지국(410)으로부터 제1 신호(411)를 수신하고, 제2 기지국(420)으로부터 제2 신호(421)를 수신할 수 있다. 제1 신호(411)는 전자 장치(101)에 포함된(또는 장착된) 제1 심으로 수신되는 신호일 수 있다. 제2 신호(421)는 전자 장치(101)에 포함된 제2 심으로 수신되는 신호일 수 있다. 제1 신호(411) 및 제2 신호(421)는 동일한 주파수 대역을 사용하는 신호일 수 있다. 전자 장치(101)는 제1 안테나 모듈(211), 제2 안테나 모듈(213), 제N 안테나 모듈(PRx#N) 및 제N 안테나 모듈(DRx#N)을 통해 제1 신호(411) 및 제2 신호(421)를 수신할 수 있다.Referring to FIG. 4A, the electronic device 101 according to various embodiments receives a first signal 411 from a first base station 410 and a second signal 421 from a second base station 420. can do. The first signal 411 may be a signal received by a first shim included (or mounted) in the electronic device 101. The second signal 421 may be a signal received as a second shim included in the electronic device 101. The first signal 411 and the second signal 421 may be signals using the same frequency band. The electronic device 101 transmits a first signal 411 and a signal through the first antenna module 211, the second antenna module 213, the Nth antenna module PRx#N, and the Nth antenna module DRx#N. A second signal 421 may be received.

제1 신호(411) 및 제2 신호(421)를 포함하는 RF 신호는 제1 RFFE(221) 및 제2 RFFE(223)를 통해 증폭 및 전처리되고, RFIC(230)로 출력될 수 있다. 도 4a에서는 도시하지 않았지만, 제1 RFFE(221) 및 제2 RFFE(223)에 각각 저잡음 증폭기(예: 도 3의 제1 저잡음 증폭기(350))를 포함할 수 있다. RFIC(230)는 제1 저잡음 증폭기(430) 및 제2 저잡음 증폭기(460)를 통해 상기 RF 신호를 증폭할 수 있다. 제1 저잡음 증폭기(430)로 증폭된 RF 신호는 제1 다운 컨버터(440)를 통해 제1 신호(411) 및 제2 신호(421)로 분리될 수 있다. 제2 저잡음 증폭기(460)를 통해 증폭된 RF 신호는 제2 다운 컨버터(450)를 통해 제1 신호(411) 및 제2 신호(421)로 분리될 수 있다.The RF signal including the first signal 411 and the second signal 421 may be amplified and pre-processed through the first RFFE 221 and the second RFFE 223, and may be output to the RFIC 230. Although not shown in FIG. 4A, each of the first RFFE 221 and the second RFFE 223 may include a low-noise amplifier (eg, the first low-noise amplifier 350 of FIG. 3 ). The RFIC 230 may amplify the RF signal through the first low noise amplifier 430 and the second low noise amplifier 460. The RF signal amplified by the first low noise amplifier 430 may be separated into a first signal 411 and a second signal 421 through a first down converter 440. The RF signal amplified through the second low noise amplifier 460 may be separated into a first signal 411 and a second signal 421 through a second down converter 450.

전자 장치(101)의 커뮤니케이션 프로세서(예: 도 2a 및 도 2b의 커뮤니케이션 프로세서(250))는 제1 신호(411)와 제2 신호(421)의 레벨을 각각 측정하고, 측정된 신호 레벨 간의 차이가 임계치 이하인지 여부를 판단하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다. 예를 들어, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 신호(411)와 제2 신호(421) 간의 레벨 차이가 임계치 이하인 경우, 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화시켜 제1 신호(411)와 제2 신호(421)를 수신할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 신호(411)와 제2 신호(421) 간의 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 제1 저잡음 증폭기(430) 및 제2 저잡음 증폭기(460)의 게인을 조절하여 DUAL SIM 동작을 동시에 지원하는 기능을 활성화시킬 수 있다. 또는, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 신호(411)와 제2 신호(421) 간의 레벨 차이가 임계치로부터 제4 범위를 벗어나는 경우, 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화시킬 수 있다. The communication processor of the electronic device 101 (for example, the communication processor 250 of FIGS. 2A and 2B) measures the levels of the first signal 411 and the second signal 421, respectively, and the difference between the measured signal levels It is possible to activate a dual-sim simultaneous support function by determining whether is equal to or less than a threshold. For example, when the level difference between the first signal 411 and the second signal 421 is less than or equal to the threshold, the communication processor 250 activates the dual-sim simultaneous support function to enable the first signal 411 and the second signal ( 421) can be received. When the level difference between the first signal 411 and the second signal 421 exceeds the threshold value, the communication processor 250 adjusts the gains of the first low noise amplifier 430 and the second low noise amplifier 460 to perform DUAL. A function that simultaneously supports SIM operation can be activated. Alternatively, when the level difference between the first signal 411 and the second signal 421 is out of the fourth range from the threshold, the communication processor 250 may deactivate the dual SIM simultaneous support function.

다양한 실시예들에 따른 전자 장치(101)는 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)을 통해 제1 심을 위한 신호를 수신하고, 제N 안테나 모듈(PRx#N) 및 제N 안테나 모듈(DRx#N)을 통해 제2 심을 위한 신호를 수신할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 상기 제1 심과 상기 제2 심이 서로 다른 대역의 주파수 신호를 사용하는 경우, 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)을 통해 제1 심을 위한 신호를 수신하고, 제N 안테나 모듈(PRx#N) 및 제N 안테나 모듈(DRx#N)을 통해 제2 심을 위한 신호를 수신할 수 있다. 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)을 통한 수신 경로를 제1 수신 경로라 하고, 제N 안테나 모듈(PRx#N) 및 제N 안테나 모듈(DRx#N)을 통한 수신 경로를 제2 수신 경로라 할 수 있다. The electronic device 101 according to various embodiments receives a signal for a first shim through the first antenna module 211 and the second antenna module 213, and receives an N-th antenna module PRx#N and an N-th antenna module. A signal for the second SIM may be received through the antenna module DRx#N. For example, when the first shim and the second shim use frequency signals of different bands, the electronic device 101 may transmit the first shim through the first antenna module 211 and the second antenna module 213. A signal for the second SIM may be received, and a signal for the second shim may be received through the Nth antenna module PRx#N and the Nth antenna module DRx#N. A reception path through the first antenna module 211 and the second antenna module 213 is referred to as a first reception path, and a reception path through the Nth antenna module (PRx#N) and the Nth antenna module (DRx#N) May be referred to as a second receiving path.

전자 장치(101)는 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 대역의 주파수 신호를 사용하는 경우, 상기 제2 심의 수신 경로를 제1 심의 수신 경로로 변경할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)을 통해 상기 제1 심을 위한 신호 및 상기 제2 심을 위한 신호를 수신할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 상기 제1 심과 상기 제2 심이 서로 다른 대역의 주파수 신호를 사용하는 경우, 제1 안테나 모듈(211), 제2 안테나 모듈(213)이 제1 심으로 제3 안테나 모듈(215)과 제4 안테나 모듈(217)이 제2 심으로 서로 다른 수신 경로로 설정하지만, 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 대역의 주파수 신호를 사용하는 경우, 상기 제2 심의 수신 경로를 상기 제1 심의 수신 경로와 동일하도록 변경할 수 있다.When the first SIM and the second SIM use a frequency signal of the same band, the electronic device 101 may change the reception path of the second SIM into a reception path of the first SIM. For example, the electronic device 101 may receive a signal for the first shim and a signal for the second shim through the first antenna module 211 and the second antenna module 213. For example, when the first shim and the second shim use frequency signals of different bands, the electronic device 101 may use the first antenna module 211 and the second antenna module 213 as the first shim. If the third antenna module 215 and the fourth antenna module 217 set different reception paths as the second shim, but the first shim and the second shim use frequency signals of the same band, the second shim The deliberation receiving path may be changed to be the same as the first deliberation receiving route.

도 4b는 다양한 실시예들에 따른 동일한 주파수 대역의 서로 다른 신호를 수신하도록 설정된 전자 장치(101)의 블록도(400)이다.4B is a block diagram 400 of an electronic device 101 configured to receive different signals of the same frequency band according to various embodiments.

도 4b를 참조하면, 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(101)는 MIMO(multiple input multiple output)로 동작하여 제1 기지국(410)으로부터 제1 신호(411) 및 제3 신호(413)를 수신하고, 제2 기지국(420)으로부터 제2 신호(421)를 수신할 수 있다. 제1 신호(411) 및 제3 신호(413)는 전자 장치(101)에 포함된(또는 장착된) 제1 심으로 수신되는 신호일 수 있다. 제2 신호(421)는 전자 장치(101)에 포함된 제2 심으로 수신되는 신호일 수 있다. 제1 신호(411), 제2 신호(421) 및 제3 신호(413)는 동일한 주파수 대역을 사용하는 신호일 수 있다. 전자 장치(101)는 제1 안테나 모듈(211), 제2 안테나 모듈(213), 제N 안테나 모듈(PRx#N) 및 제N 안테나 모듈(DRx#N)을 통해 제1 신호(411), 제2 신호(421) 및 제3 신호(413)를 수신할 수 있다.Referring to FIG. 4B, the electronic device 101 according to various embodiments operates as a multiple input multiple output (MIMO) to receive a first signal 411 and a third signal 413 from the first base station 410. And, it is possible to receive a second signal 421 from the second base station 420. The first signal 411 and the third signal 413 may be signals received by a first shim included (or mounted) in the electronic device 101. The second signal 421 may be a signal received as a second shim included in the electronic device 101. The first signal 411, the second signal 421, and the third signal 413 may be signals using the same frequency band. The electronic device 101 includes a first signal 411 through the first antenna module 211, the second antenna module 213, the Nth antenna module PRx#N, and the Nth antenna module DRx#N, The second signal 421 and the third signal 413 may be received.

제1 신호(411), 제2 신호(421) 및 제3 신호(413)를 포함하는 RF 신호는 제1 RFFE(221) 및 제2 RFFE(223)를 통해 증폭 및 전처리되고, RFIC(230)로 출력될 수 있다. 도 4a에서는 도시하지 않았지만, 제1 RFFE(221) 및 제2 RFFE(223)에 각각 저잡음 증폭기(예: 도 3의 제1 저잡음 증폭기(350))를 포함할 수 있다. RFIC(230)는 제1 저잡음 증폭기(430) 및 제2 저잡음 증폭기(460)를 통해 상기 RF 신호를 증폭할 수 있다. 제1 저잡음 증폭기(430)로 증폭된 RF 신호는 제1 다운 컨버터(440)를 통해 제1 신호(411), 제2 신호(421) 및 제3 신호(413)로 분리될 수 있다. 제2 저잡음 증폭기(460)를 통해 증폭된 RF 신호는 제2 다운 컨버터(450)를 통해 제1 신호(411), 제2 신호(421) 및 제3 신호(413)로 분리될 수 있다.The RF signal including the first signal 411, the second signal 421 and the third signal 413 is amplified and preprocessed through the first RFFE 221 and the second RFFE 223, and the RFIC 230 Can be output as Although not shown in FIG. 4A, each of the first RFFE 221 and the second RFFE 223 may include a low-noise amplifier (eg, the first low-noise amplifier 350 of FIG. 3 ). The RFIC 230 may amplify the RF signal through the first low noise amplifier 430 and the second low noise amplifier 460. The RF signal amplified by the first low noise amplifier 430 may be separated into a first signal 411, a second signal 421, and a third signal 413 through a first down converter 440. The RF signal amplified through the second low noise amplifier 460 may be separated into a first signal 411, a second signal 421 and a third signal 413 through the second down converter 450.

전자 장치(101)의 커뮤니케이션 프로세서(예: 도 2a 및 도 2b의 커뮤니케이션 프로세서(250))는 제1 신호(411), 제2 신호(421) 및 제3 신호(413)의 레벨을 각각 측정하고, 측정된 신호 레벨 간의 차이가 임계치 이하인지 여부를 판단하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다. 예를 들어, 제1 신호(411)와 제3 신호(413)는 동일한 기지국(예: 제1 기지국(410))으로부터 수신되는 신호이므로, 신호 레벨 차이가 없을 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 신호(411)와 제3 신호(413) 중 어느 하나의 신호와 제2 신호(421)간의 레벨 차이가 임계치 이하인지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 신호(411)(또는 제3 신호(413))와 제2 신호(421) 간의 레벨 차이가 임계치 이하인 경우, DUAL SIM 동작을 동시에 지원하는 기능을 활성화시켜 제1 신호(411), 제2 신호(421) 및 제3 신호(413)를 수신할 수 있다. 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 신호(411)와 제2 신호(421) 간의 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 제1 저잡음 증폭기(430) 및 제2 저잡음 증폭기(460)의 게인을 조절하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화시킬 수 있다. 또는, 커뮤니케이션 프로세서(250)는 제1 신호(411)와 제2 신호(421) 간의 레벨 차이가 임계치로부터 제4 범위를 벗어나는 경우, 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화시킬 수 있다. The communication processor of the electronic device 101 (for example, the communication processor 250 of FIGS. 2A and 2B) measures the levels of the first signal 411, the second signal 421, and the third signal 413, respectively, and , It is possible to activate a dual sim simultaneous support function by determining whether a difference between the measured signal levels is less than or equal to a threshold. For example, since the first signal 411 and the third signal 413 are signals received from the same base station (eg, the first base station 410), there may be no difference in signal level. The communication processor 250 may determine whether a level difference between any one of the first signal 411 and the third signal 413 and the second signal 421 is less than or equal to a threshold. For example, when the level difference between the first signal 411 (or the third signal 413) and the second signal 421 is less than or equal to the threshold, the communication processor 250 activates a function that simultaneously supports the DUAL SIM operation. Thus, the first signal 411, the second signal 421, and the third signal 413 may be received. When the level difference between the first signal 411 and the second signal 421 exceeds the threshold, the communication processor 250 adjusts the gains of the first low noise amplifier 430 and the second low noise amplifier 460 to perform dual Simultaneous support function can be activated. Alternatively, when the level difference between the first signal 411 and the second signal 421 is out of the fourth range from the threshold, the communication processor 250 may deactivate the dual SIM simultaneous support function.

본 발명의 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 제1 심, 제2 심, 제1 믹서(예: 도 2a의 제1 믹서(243)) 및 제2 믹서(예: 도 2a의 제2 믹서(245))를 포함하는 radio frequency integrated circuit(RFIC)(예: 도 2a의 RFIC(230)), 메모리(예: 도 1의 메모리(130)), 및 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))를 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 제1 심을 위한 제1 신호를 수신하는 중에, 상기 제2 심을 위한 제2 신호를 수신하고, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는지 여부를 판단하고, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는 경우, 상기 제1 믹서 및 상기 제2 믹서를 이용하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화하도록 설정될 수 있다.An electronic device (eg, the electronic device 101 of FIG. 1) according to various embodiments of the present invention includes a first shim, a second shim, a first mixer (eg, the first mixer 243 of FIG. 2A ), and 2 A radio frequency integrated circuit (RFIC) including a mixer (for example, the second mixer 245 in FIG. 2A) (for example, the RFIC 230 in FIG. 2A), a memory (for example, the memory 130 in FIG. 1), And a processor (eg, the processor 120 of FIG. 1), wherein the processor receives a second signal for the second SIM while receiving the first signal for the first SIM, and the first signal It is determined whether or not the second signal and the second signal use the same frequency band, and when the first signal and the second signal use the same frequency band, a dual sim simultaneously using the first mixer and the second mixer It can be set to activate the support function.

상기 프로세서는, 상기 제1 믹서를 통해 분리된 상기 제1 신호와 상기 제2 믹서를 통해 분리된 상기 제2 신호 간의 레벨 차이를 확인하고, 상기 레벨 차이가 임계치 이하인 경우, 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화시켜 상기 제1 심과 상기 제2 심으로 동시에 신호를 수신하도록 설정될 수 있다.The processor checks a level difference between the first signal separated through the first mixer and the second signal separated through the second mixer, and when the level difference is less than or equal to a threshold, the dual-sim simultaneous support function By activating, it may be set to simultaneously receive signals from the first and second shims.

상기 RFIC는 저잡음 증폭기를 더 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 저잡음 증폭기의 게인을 조절하도록 설정될 수 있다.The RFIC may further include a low-noise amplifier, and the processor may be configured to adjust a gain of the low-noise amplifier when the level difference exceeds a threshold.

상기 전자 장치는 저잡음 증폭기를 포함하는 radio frequency front end(RFFE)를 더 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 저잡음 증폭기의 게인을 조절하도록 설정될 수 있다.The electronic device may further include a radio frequency front end (RFFE) including a low noise amplifier, and the processor may be configured to adjust a gain of the low noise amplifier when the level difference exceeds a threshold.

상기 RFFE는 제1 저잡음 증폭기를 포함하고, 상기 RFIC는 제2 저잡음 증폭기를 더 포함하고, 상기 프로세서는, 상기 레벨 차이에 기반하여 상기 제1 저잡음 증폭기 또는 상기 제2 저잡음 증폭기의 게인을 조절하도록 설정될 수 있다.The RFFE includes a first low-noise amplifier, the RFIC further includes a second low-noise amplifier, and the processor is set to adjust a gain of the first low-noise amplifier or the second low-noise amplifier based on the level difference. Can be.

상기 프로세서는, 상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기 또는 상기 제2 저잡음 증폭기의 게인을 조절하도록 설정될 수 있다.The processor may be configured to adjust a gain of the first low noise amplifier or the second low noise amplifier when the level difference exceeds a threshold value.

상기 프로세서는, 상기 레벨 차이가 임계치에서 제1 범위를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기의 제1 게인을 조절하고, 상기 레벨 차이가 임계치에서 제2 범위를 초과하는 경우, 상기 제2 저잡음 증폭기의 제2 게인을 조절하고, 상기 레벨 차이가 임계치에서 제3 범위를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기의 제1 게인 및 상기 제2 저잡음 증폭기의 제2 게인을 조절하도록 설정될 수 있다.The processor, when the level difference exceeds a first range from a threshold, adjusts a first gain of the first low noise amplifier, and when the level difference exceeds a second range from a threshold, the second low noise amplifier The second gain of is adjusted, and when the level difference exceeds the third range in the threshold value, the first gain of the first low-noise amplifier and the second gain of the second low-noise amplifier may be set to be adjusted.

상기 프로세서는, 상기 레벨 차이가 임계치에서 제3 범위를 초과하는 경우, 상기 저잡음 증폭기의 게인을 연산하도록 설정될 수 있다.The processor may be configured to calculate a gain of the low noise amplifier when the level difference exceeds a third range in a threshold value.

상기 프로세서는, 상기 레벨 차이가 임계치에서 제4 범위를 초과하는 경우, 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화하도록 설정될 수 있다.The processor may be configured to deactivate the dual SIM simultaneous support function when the level difference exceeds a fourth range in the threshold.

상기 프로세서는, 상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 게인 조절 프로세스를 수행하도록 설정될 수 있다.The processor may be configured to perform a gain adjustment process when the level difference exceeds a threshold value.

상기 프로세서는, 상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화하도록 설정될 수 있다.The processor may be configured to deactivate the dual sim simultaneous support function when the level difference exceeds a threshold.

도 5는 다양한 실시예들에 따른 전자 장치의 동작 방법을 도시한 흐름도(500)이다.5 is a flowchart 500 illustrating a method of operating an electronic device according to various embodiments.

도 5를 참조하면, 동작(501)에서, 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))(또는 도 2a 및 도 2b의 커뮤니케이션 프로세서(250))는 제1 심을 동작시킬 수 있다. 전자 장치(101)는 제1 심 및 제2 심을 포함(또는 장착)할 수 있다. 상기 제1 심은 전자 장치(101)의 메인으로 동작하는 것일 수 있다. 상기 제1 심을 동작하는 것은 상기 제1 심을 통한 통신(예: 전화, 메시지, 인터넷) 기능을 사용(또는 활성화)하는 것일 수 있다. 예를 들어, 동작(501)은 제1 심을 통해 전화하는 경우일 수 있다.Referring to FIG. 5, in operation 501, a processor (eg, the processor 120 of FIG. 1) of an electronic device (eg, the electronic device 101 of FIG. 1) according to various embodiments The communication processor 250 of FIG. 2B may operate the first SIM. The electronic device 101 may include (or mount) a first shim and a second shim. The first shim may serve as the main of the electronic device 101. Operating the first SIM may be using (or activating) a communication (eg, telephone, message, Internet) function through the first SIM. For example, operation 501 may be a case of making a call through the first SIM.

동작(503)에서, 프로세서(120)는 제2 심으로의 신호를 수신할 수 있다. 상기 제2 심은 전자 장치(101)의 서브로 동작하는 것일 수 있다. 상기 신호 수신은 전화 수신, 메시지 수신, 데이터 수신과 같이 신호를 수신하는 것을 의미할 수 있다.In operation 503, the processor 120 may receive a signal to the second shim. The second shim may serve as a sub of the electronic device 101. The signal reception may mean receiving a signal, such as receiving a phone call, receiving a message, or receiving data.

동작(505)에서, 프로세서(120)는 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 주파수 대역을 사용하는지 여부를 판단할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 주파수 대역을 사용하는 경우 동작(507)을 수행하고, 상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 주파수 대역을 사용하지 않는 경우 동작(509)을 수행할 수 있다.In operation 505, the processor 120 may determine whether the first shim and the second shim use the same frequency band. The processor 120 performs operation 507 when the first SIM and the second SIM use the same frequency band, and performs operation 509 when the first SIM and the second SIM do not use the same frequency band. Can be done.

상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 주파수 대역을 사용하는 경우 동작(507)에서, 프로세서(120)는 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 상기 제1 심을 위한 신호와 상기 제2 심을 위한 신호의 레벨을 측정하고, 레벨 차이가 임계치 이하인 경우 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 제1 심을 위한 신호와 상기 제2 심을 위한 신호의 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우 RFIC(예: 도 2a 및 도 2b의 RFIC(230)) 또는 RFFE(예: 도 2a 및 도 2b의 제1 RFFE(221), 제2 RFFE(223))의 게인을 조절하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다. When the first SIM and the second SIM use the same frequency band, in operation 507, the processor 120 may activate a dual SIM simultaneous support function. For example, the processor 120 may measure levels of a signal for the first SIM and a signal for the second SIM, and activate a dual SIM simultaneous support function when the level difference is less than or equal to a threshold. When the level difference between the signal for the first SIM and the signal for the second SIM exceeds a threshold value, the processor 120 may perform an RFIC (eg, RFIC 230 of FIGS. 2A and 2B) or an RFFE (eg, FIG. 2A and By adjusting the gains of the first RFFE 221 and the second RFFE 223 of FIG. 2B, a dual-sim simultaneous support function may be activated.

상기 제1 심과 상기 제2 심이 동일한 주파수 대역을 사용하지 않는 경우 동작(509)에서, 프로세서(120)는 수신 경로를 설정할 수 있다. 상기 수신 경로는 상기 제2 심을 위한 신호를 수신할 경로를 설정하는 것을 의미할 수 있다. 예를 들어, 도 2b와 같은 전자 장치(101)의 경우, 프로세서(120)는 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(213)을 통해 제1 심을 위한 신호를 수신하고, 제3 안테나 모듈(215) 및 제4 안테나 모듈(217)을 통해 제2 심을 위한 신호를 수신하도록 제어할 수 있다.When the first SIM and the second SIM do not use the same frequency band, in operation 509, the processor 120 may set a reception path. The reception path may mean setting a path to receive a signal for the second SIM. For example, in the case of the electronic device 101 as shown in FIG. 2B, the processor 120 receives a signal for the first shim through the first antenna module 211 and the second antenna module 213, and the third antenna It is possible to control to receive a signal for the second shim through the module 215 and the fourth antenna module 217.

도 6은 다양한 실시예들에 따른 전자 장치에서 두 신호 간의 레벨 차이에 기반하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화하는 방법을 도시한 흐름도(600)이다. 도 6은 도 5의 동작(507)을 구체화한 동작일 수 있다.6 is a flowchart 600 illustrating a method of activating a dual SIM simultaneous support function based on a level difference between two signals in an electronic device according to various embodiments. FIG. 6 may be an operation embodied in operation 507 of FIG. 5.

도 6을 참조하면, 동작(601)에서, 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))(또는 도 2a 및 도 2b의 커뮤니케이션 프로세서(250))는 제1 신호 및 제2 신호를 수신할 수 있다. 상기 제1 신호는 신호는 제1 기지국(예: 도 4a 및 도 4b의 제1 기지국(410))으로부터 전자 장치(101)에 포함된(또는 장착된) 제1 심으로 수신되는 신호일 수 있다. 상기 제2 신호는 제2 기지국(예: 도 4a 및 도 4b의 제2 기지국(420))으로부터 전자 장치(101)에 포함된 제2 심으로 수신되는 신호일 수 있다. 프로세서(120)는 제1 안테나 모듈(예: 도 2a 및 도 2b의 제1 안테나 모듈(211) 및 제2 안테나 모듈(예: 도 2a 및 도 2b의 제2 안테나 모듈(213)을 통해 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호를 수신할 수 있다. 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호는 동일한 주파수 대역을 가지므로, 전자 장치(101)에 포함된 동일한 RFFE(예: 도 2a 및 도 2b의 제1 RFFE(221), 제2 RFFE(223))를 통해 RFIC(예: 도 2a 및 도 2b의 RFIC(230))로 유입될 수 있다.Referring to FIG. 6, in operation 601, a processor (eg, the processor 120 of FIG. 1) of an electronic device (eg, the electronic device 101 of FIG. 1) according to various embodiments The communication processor 250 of FIG. 2B may receive a first signal and a second signal. The first signal may be a signal received from a first base station (eg, the first base station 410 of FIGS. 4A and 4B) as a first shim included in (or mounted on) the electronic device 101. The second signal may be a signal received from a second base station (eg, the second base station 420 of FIGS. 4A and 4B) as a second shim included in the electronic device 101. The processor 120 is the first antenna module (eg, the first antenna module 211 of FIGS. 2A and 2B) and the second antenna module (eg, the second antenna module 213 of FIGS. 2A and 2B). The first signal and the second signal may be received. Since the first signal and the second signal have the same frequency band, the same RFFE included in the electronic device 101 (for example, the second signal in FIGS. It may be introduced into an RFIC (eg, the RFIC 230 of FIGS. 2A and 2B) through the 1 RFFE 221 and the second RFFE 223.

동작(603)에서, 프로세서(120)는 믹서를 통해 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호를 분리할 수 있다. RFIC(230)는 상기 믹서(예: 도 2a 및 도 2b의 제1 믹서(243) 및 제2 믹서(245))를 통해 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호를 분리할 수 있다.In operation 603, the processor 120 may separate the first signal and the second signal through a mixer. The RFIC 230 may separate the first signal and the second signal through the mixer (eg, the first mixer 243 and the second mixer 245 of FIGS. 2A and 2B ).

동작(605)에서, 프로세서(120)는 상기 제1 신호 레벨 및 상기 제2 신호 레벨을 확인할 수 있다. 상기 제1 신호와 상기 제2 신호는 각각 물리적으로 다른 위치의 기지국(예: 도 3의 제1 기지국(310), 제2 기지국(320))으로부터 수신된 것으로, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호의 크기(또는 레벨)는 상이할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 제1 신호에 대한 RSRP, RSSI, RSRQ 또는 SINR 중 적어도 하나를 측정하고, 상기 제2 신호에 대한 RSRP, RSSI, RSRQ 또는 SINR 중 적어도 하나를 측정할 수 있다. In operation 605, the processor 120 may check the first signal level and the second signal level. The first signal and the second signal are received from base stations (eg, the first base station 310 and the second base station 320 of FIG. 3) at physically different locations, respectively, and the first signal and the second signal The magnitude (or level) of the signal may be different. The processor 120 may measure at least one of RSRP, RSSI, RSRQ, or SINR for the first signal, and measure at least one of RSRP, RSSI, RSRQ, and SINR for the second signal.

동작(607)에서, 프로세서(120)는 신호 레벨 간의 차이가 임계치 이하인지 여부를 식별(또는 판단)할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 제1 신호와 상기 제2 신호에 대해 측정된 정보에 기반하여 신호 포화가 발생하는지 여부를 식별할 수 있다. 신호 포화가 발생하면, 상기 제1 신호 또는 상기 제2 신호 중 하나는 제거될 수 있다. 상기 제1 신호 또는 상기 제2 신호 중 어느 하나의 신호가 제거되면 제1 심과 제2 심이 동시에 신호를 수신할 수 없을 수 있다. 프로세서(120)는 제1 RFFE(221), 제2 RFFE(223) 또는 RFIC(230)에 포함된 저잡음 증폭기의 게인을 조절함으로써, 신호 포화 발생을 방지할 수 있다.In operation 607, the processor 120 may identify (or determine) whether a difference between signal levels is less than or equal to a threshold. The processor 120 may identify whether signal saturation occurs based on information measured for the first signal and the second signal. When signal saturation occurs, one of the first signal or the second signal may be removed. When either the first signal or the second signal is removed, the first SIM and the second SIM may not be able to receive signals at the same time. The processor 120 may prevent signal saturation by adjusting the gain of the low noise amplifier included in the first RFFE 221, the second RFFE 223, or the RFIC 230.

프로세서(120)는 저잡음 증폭기의 게인에 기반하여 상기 제1 신호 또는 상기 제2 신호 간의 포화가 발생하는지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 상기 제1 신호 또는 상기 제2 신호 간의 레벨 차이가 임계치(예: 20dB) 이하인지 여부를 판단할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 레벨 차이가 임계치 이하인 경우, 신호 포화가 발생하지 않는다고 판단할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 신호 포화가 발생하는 것으로 판단할 수 있다. 프로세서(120)는 신호 레벨 간의 차이가 임계치 이하인 경우, 동작(609)을 수행하고, 신호 레벨 간의 차이가 임계치를 초과하는 경우, 동작(611)을 수행할 수 있다.The processor 120 may determine whether saturation occurs between the first signal or the second signal based on the gain of the low noise amplifier. For example, the processor 120 may determine whether a level difference between the first signal or the second signal is less than or equal to a threshold (eg, 20 dB). When the level difference is less than or equal to the threshold, the processor 120 may determine that signal saturation does not occur. The processor 120 may determine that signal saturation occurs when the level difference exceeds a threshold value. When the difference between the signal levels is less than or equal to the threshold, the processor 120 performs operation 609, and when the difference between the signal levels exceeds the threshold, the processor 120 performs operation 611.

신호 레벨 간의 차이가 임계치 이하인 경우, 동작(609)에서, 프로세서(120)는 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다. 프로세서(120)는 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화시켜 상기 제1 심을 위한 제1 신호와 상기 제2 심을 위한 제2 신호를 동시에 수신하도록 제어할 수 있다.When the difference between the signal levels is less than or equal to the threshold, in operation 609, the processor 120 may activate the dual SIM simultaneous support function. The processor 120 may control to simultaneously receive a first signal for the first SIM and a second signal for the second SIM by activating a dual SIM simultaneous support function.

신호 레벨 간의 차이가 임계치를 초과하는 경우, 동작(611)에서, 프로세서(120)는 LNA(Low Noise Amplifier) 게인 조절 프로세스를 수행할 수 있다. 프로세서(120)는 신호 레벨 차이에 기반하여 제1 RFFE(221), 제2 RFFE(223) 또는 RFIC(230)에 포함된 저잡음 증폭기의 게인을 조절할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 레벨 차이에 기반하여 상기 저잡음 증폭기의 게인을 조절하고, 게인 조절 이후 신호 레벨을 다시 측정하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화하거나, 비활성화할 수 있다. LNA게인 조절 프로세스는 도 7을 통해 상세히 설명하기로 한다.When the difference between the signal levels exceeds the threshold, in operation 611, the processor 120 may perform a low noise amplifier (LNA) gain adjustment process. The processor 120 may adjust the gain of the low noise amplifier included in the first RFFE 221, the second RFFE 223, or the RFIC 230 based on the signal level difference. The processor 120 may activate or deactivate a dual-sim simultaneous support function by adjusting a gain of the low-noise amplifier based on the level difference and measuring a signal level again after the gain adjustment. The LNA gain adjustment process will be described in detail with reference to FIG. 7.

도 7은 다양한 실시예들에 따른 전자 장치의 게인 조절 프로세스 수행 방법을 도시한 흐름도(700)이다.7 is a flowchart 700 illustrating a method of performing a gain adjustment process of an electronic device according to various embodiments.

도 7을 참조하면, 동작(701)에서, 다양한 실시예들에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))(또는 도 2a 및 도 2b의 커뮤니케이션 프로세서(250))는 신호 레벨에 기반하여 LNA 게인을 계산(또는 산출)할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 제1 심을 위한 제1 신호와 제2 심을 위한 제2 신호 간의 레벨 차이에 기반하여 RFFE(예: 도 3의 제1 RFFE(221))에 포함된 저잡음 증폭기(예: 제1 저잡음 증폭기(350))의 게인(예: 제1 게인) 또는 RFIC(예: 도 3의 RFIC(230))에 포함된 저잡음 증폭기(예: 제2 저잡음 증폭기(241))의 게인(예: 제2 게인)을 산출할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 레벨 차이에 기반하여 상기 제1 게인과 상기 제2 게인을 모두 산출하거나, 상기 제1 게인 또는 상기 제2 게인 중 어느 하나의 게인을 산출할 수 있다. Referring to FIG. 7, in operation 701, a processor (eg, the processor 120 of FIG. 1) of an electronic device (eg, the electronic device 101 of FIG. 1) according to various embodiments The communication processor 250 of FIG. 2B may calculate (or calculate) the LNA gain based on the signal level. For example, the processor 120 is based on a level difference between the first signal for the first shim and the second signal for the second shim, the low-noise amplifier included in the RFFE (for example, the first RFFE 221 in FIG. 3) ( Example: the gain of the first low-noise amplifier 350 (for example, the first gain) or the gain of the low-noise amplifier (for example, the second low-noise amplifier 241) included in an RFIC (for example, the RFIC 230 of FIG. 3) (Example: 2nd gain) can be calculated. The processor 120 may calculate both the first gain and the second gain based on the level difference, or may calculate any one of the first gain or the second gain.

다양한 실시예들에 따르면, 프로세서(120)는 상기 레벨 차이가 임계치에서 제1 범위(예: 3dB)를 초과하는 경우 제1 저잡음 증폭기(350)의 상기 제1 게인을 산출할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 레벨 차이가 임계치에서 제2 범위(예: 5dB)를 초과하는 경우 제2 저잡음 증폭기(241)의 상기 제2 게인을 산출할 수 있다. 또는, 프로세서(120)는 상기 레벨 차이가 임계치에서 제3 범위(예: 5dB 초과)를 초과하는 경우 상기 제1 게인과 상기 제2 게인을 각각 산출할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 레벨 차이가 임계치에서 제4 범위(예: 10dB)를 초과하는 경우 게인을 산출하지 않을 수 있다. According to various embodiments, the processor 120 may calculate the first gain of the first low noise amplifier 350 when the level difference exceeds a first range (eg, 3 dB) from a threshold. The processor 120 may calculate the second gain of the second low noise amplifier 241 when the level difference exceeds a second range (eg, 5 dB) from the threshold. Alternatively, the processor 120 may calculate the first gain and the second gain, respectively, when the level difference exceeds a third range (eg, exceeding 5 dB) in the threshold. The processor 120 may not calculate the gain when the level difference exceeds the fourth range (eg, 10 dB) from the threshold.

동작(703)에서, 프로세서(120)는 LNA 게인을 변경할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 산출된 게인으로 제1 저잡음 증폭기(350)의 상기 제1 게인을 변경하거나, 또는, 제2 저잡음 증폭기(241)의 상기 제2 게인을 변경할 수 있다. 프로세서(120)는 제1 저잡음 증폭기(350)의 상기 제1 게인과 제2 저잡음 증폭기(241)의 상기 제2 게인을 변경할 수 있다.In operation 703, the processor 120 may change the LNA gain. The processor 120 may change the first gain of the first low-noise amplifier 350 or the second gain of the second low-noise amplifier 241 using the calculated gain. The processor 120 may change the first gain of the first low noise amplifier 350 and the second gain of the second low noise amplifier 241.

동작(705)에서, 프로세서(120)는 상기 제1 신호 레벨 및 상기 제2 신호 레벨을 확인할 수 있다. 게인 변경 후, 제1 저잡음 증폭기(350) 및 제2 저잡음 증폭기(241)를 통과한 상기 제1 신호 및 상기 제2 신호의 레벨은 달라질 수 있다. In operation 705, the processor 120 may check the first signal level and the second signal level. After the gain is changed, the levels of the first signal and the second signal that have passed through the first low-noise amplifier 350 and the second low-noise amplifier 241 may be changed.

동작(707)에서, 프로세서(120)는 레벨 간의 차이가 임계치 이하인지 여부를 식별(또는 판단)할 수 있다. 프로세서(120)는 신호 레벨 간의 차이가 임계치 이하인 경우, 동작(709)을 수행하고, 신호 레벨 간의 차이가 임계치를 초과하는 경우, 동작(711)을 수행할 수 있다.In operation 707, the processor 120 may identify (or determine) whether the difference between the levels is less than or equal to a threshold. The processor 120 may perform operation 709 when the difference between signal levels is less than or equal to the threshold value, and may perform operation 711 when the difference between signal levels exceeds the threshold value.

신호 레벨 간의 차이가 임계치 이하인 경우, 동작(709)에서, 프로세서(120)는 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다. 프로세서(120)는 제1 저잡음 증폭기(350) 도는 제2 저잡음 증폭기(241)의 게인 조절 후, 신호 레벨 간의 차이가 임계치 이하인 경우 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화할 수 있다. 프로세서(120)는 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화시켜 상기 제1 심을 위한 제1 신호와 상기 제2 심을 위한 제2 신호를 동시에 수신하도록 제어할 수 있다.When the difference between the signal levels is less than or equal to the threshold, in operation 709, the processor 120 may activate the dual SIM simultaneous support function. After adjusting the gain of the first low-noise amplifier 350 or the second low-noise amplifier 241, the processor 120 may activate a dual sim simultaneous support function when a difference between signal levels is less than or equal to a threshold. The processor 120 may control to simultaneously receive a first signal for the first SIM and a second signal for the second SIM by activating a dual SIM simultaneous support function.

신호 레벨 간의 차이가 임계치를 초과하는 경우, 동작(711)에서, 프로세서(120)는 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화(또는 종료)할 수 있다. 프로세서(120)는 제1 저잡음 증폭기(350) 도는 제2 저잡음 증폭기(241)의 게인 조절 후에도, 신호 레벨 간의 차이가 임계치를 초과하는 경우 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화할 수 있다. 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화하는 것은 상기 제1 심 또는 상기 제2 심 중 어느 하나의 심으로만 신호를 수신할 수 있도록 제어하는 것일 수 있다.If the difference between the signal levels exceeds the threshold, in operation 711, the processor 120 may disable (or terminate) the dual SIM simultaneous support function. Even after gain adjustment of the first low noise amplifier 350 or the second low noise amplifier 241, the processor 120 may deactivate the dual sim simultaneous support function when the difference between signal levels exceeds a threshold. Deactivating the simultaneous dual-sim support function may be controlling so that a signal can be received only through one of the first and second SIMs.

본 발명의 다양한 실시예들에 따른 듀얼 심을 포함하는 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 동작 방법은 상기 제1 심을 위한 제1 신호를 수신하는 중에, 상기 제2 심을 위한 제2 신호를 수신하는 동작, 상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는지 여부를 판단하는 동작, 및 상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는 경우, 상기 전자 장치의 RFIC에 포함된 제1 믹서 및 제2 믹서를 이용하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화하는 동작을 포함할 수 있다.In the method of operating an electronic device including a dual SIM according to various embodiments of the present disclosure (eg, the electronic device 101 of FIG. 1 ), while receiving a first signal for the first SIM, 2 The operation of receiving a signal, determining whether the first signal and the second signal use the same frequency band, and when the first signal and the second signal use the same frequency band, the electronic The operation of activating a dual-sim simultaneous support function using the first mixer and the second mixer included in the RFIC of the device may be included.

상기 활성화하는 동작은, 상기 제1 믹서를 통해 분리된 상기 제1 신호와 상기 제2 믹서를 통해 분리된 상기 제2 신호 간의 레벨 차이를 확인하는 동작, 및 상기 레벨 차이가 임계치 이하인 경우, 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화시켜 상기 제1 심과 상기 제2 심으로 동시에 신호를 수신하는 동작을 포함할 수 있다.The activating operation includes checking a level difference between the first signal separated through the first mixer and the second signal separated through the second mixer, and when the level difference is less than or equal to a threshold, the dual It may include an operation of simultaneously receiving signals from the first SIM and the second SIM by activating a simultaneous SIM support function.

상기 방법은 상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 RFIC에 포함된 저잡음 증폭기의 게인을 조절하는 동작을 더 포함할 수 있다.The method may further include an operation of adjusting a gain of a low noise amplifier included in the RFIC when the level difference exceeds a threshold value.

상기 방법은 상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 전자 장치의 radio frequency front end(RFFE)에 포함된 저잡음 증폭기의 게인을 조절하는 동작을 더 포함할 수 있다.The method may further include adjusting a gain of a low noise amplifier included in a radio frequency front end (RFFE) of the electronic device when the level difference exceeds a threshold value.

상기 방법은 상기 레벨 차이에 기반하여 상기 RFFE 에 포함된 제1 저잡음 증폭기 또는 상기 RFIC에 포함된 제2 저잡음 증폭기의 게인을 조절하는 동작을 더 포함할 수 있다.The method may further include adjusting a gain of a first low-noise amplifier included in the RFFE or a second low-noise amplifier included in the RFIC based on the level difference.

상기 조절하는 동작은, 상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기 또는 상기 제2 저잡음 증폭기의 게인을 조절하는 동작을 포함할 수 있다.The adjusting operation may include adjusting a gain of the first low noise amplifier or the second low noise amplifier when the level difference exceeds a threshold value.

상기 조절하는 동작은, 상기 레벨 차이가 임계치에서 제1 범위를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기의 제1 게인을 조절하는 동작, 상기 레벨 차이가 임계치에서 제2 범위를 초과하는 경우, 상기 제2 저잡음 증폭기의 제2 게인을 조절하는 동작, 또는 상기 레벨 차이가 임계치에서 제3 범위를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기의 제1 게인 및 상기 제2 저잡음 증폭기의 제2 게인을 조절하는 동작을 포함할 수 있다.The adjusting operation includes an operation of adjusting a first gain of the first low noise amplifier when the level difference exceeds a first range in a threshold value, and when the level difference exceeds a second range in the threshold value, the second 2 The operation of adjusting the second gain of the low noise amplifier, or when the level difference exceeds the third range from the threshold, adjusting the first gain of the first low noise amplifier and the second gain of the second low noise amplifier It may include.

상기 방법은 상기 레벨 차이가 임계치에서 제4 범위를 초과하는 경우, 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화하는 동작을 더 포함할 수 있다.The method may further include deactivating the dual sim simultaneous support function when the level difference exceeds a fourth range in the threshold.

상기 방법은 상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 게인 조절 프로세스를 수행하는 동작을 포함할 수 있다.The method may include performing a gain adjustment process when the level difference exceeds a threshold value.

본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 다양한 실시 예들은 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 발명의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 따라서 본 발명의 범위는 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상을 바탕으로 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Various embodiments of the present invention disclosed in the present specification and drawings are merely provided with specific examples to easily describe the technical content of the present invention and to aid understanding of the present invention, and are not intended to limit the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should be construed that all changes or modifications derived based on the technical idea of the present invention in addition to the embodiments disclosed herein are included in the scope of the present invention.

101: 전자 장치
120: 프로세서
130: 메모리
211, 213: 안테나 모듈
221, 223: RFFE
230: RFIC
231, 233: Rx 모듈
241: 저잡음 증폭기
243, 245: 믹서
250: 커뮤니케이션 프로세서
101: electronic device
120: processor
130: memory
211, 213: antenna module
221, 223: RFFE
230: RFIC
231, 233: Rx module
241: low noise amplifier
243, 245: mixer
250: communication processor

Claims (20)

전자 장치에 있어서,
제1 심(subscriber identification module);
제2 심;
제1 믹서 및 제2 믹서를 포함하는 radio frequency integrated circuit(RFIC);
메모리; 및
프로세서를 포함하고, 상기 프로세서는,
상기 제1 심을 위한 제1 신호를 수신하는 중에, 상기 제2 심을 위한 제2 신호를 수신하고,
상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는지 여부를 판단하고,
상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는 경우, 상기 제1 믹서 및 상기 제2 믹서를 이용하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화하도록 설정된 전자 장치.
In the electronic device,
A subscriber identification module;
Second sim;
A radio frequency integrated circuit (RFIC) including a first mixer and a second mixer;
Memory; And
Including a processor, the processor,
While receiving the first signal for the first SIM, receiving a second signal for the second SIM,
It is determined whether the first signal and the second signal use the same frequency band,
When the first signal and the second signal use the same frequency band, the electronic device is configured to activate a dual sim simultaneous support function using the first mixer and the second mixer.
제1항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 제1 믹서를 통해 분리된 상기 제1 신호와 상기 제2 믹서를 통해 분리된 상기 제2 신호 간의 레벨 차이를 확인하고,
상기 레벨 차이가 임계치 이하인 경우, 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화시켜 상기 제1 심과 상기 제2 심으로 동시에 신호를 수신하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 1, wherein the processor,
Checking a level difference between the first signal separated through the first mixer and the second signal separated through the second mixer,
When the level difference is less than or equal to a threshold, the electronic device configured to simultaneously receive signals from the first SIM and the second SIM by activating the dual SIM simultaneous support function.
제2항에 있어서,
상기 RFIC는 저잡음 증폭기를 더 포함하고,
상기 프로세서는,
상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 저잡음 증폭기의 게인을 조절하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 2,
The RFIC further includes a low noise amplifier,
The processor,
An electronic device configured to adjust a gain of the low-noise amplifier when the level difference exceeds a threshold value.
제2항에 있어서,
저잡음 증폭기를 포함하는 radio frequency front end(RFFE)를 더 포함하고,
상기 프로세서는,
상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 저잡음 증폭기의 게인을 조절하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 2,
Further comprising a radio frequency front end (RFFE) including a low noise amplifier,
The processor,
An electronic device configured to adjust a gain of the low-noise amplifier when the level difference exceeds a threshold value.
제2항에 있어서,
제1 저잡음 증폭기를 포함하는 RFFE를 더 포함하고,
상기 RFIC는 제2 저잡음 증폭기를 더 포함하고,
상기 프로세서는,
상기 레벨 차이에 기반하여 상기 제1 저잡음 증폭기 또는 상기 제2 저잡음 증폭기의 게인을 조절하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 2,
Further comprising an RFFE comprising a first low noise amplifier,
The RFIC further includes a second low noise amplifier,
The processor,
An electronic device configured to adjust a gain of the first low noise amplifier or the second low noise amplifier based on the level difference.
제5항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기 또는 상기 제2 저잡음 증폭기의 게인을 조절하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 5, wherein the processor,
An electronic device configured to adjust a gain of the first low noise amplifier or the second low noise amplifier when the level difference exceeds a threshold value.
제5항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 레벨 차이가 임계치에서 제1 범위를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기의 제1 게인을 조절하고,
상기 레벨 차이가 임계치에서 제2 범위를 초과하는 경우, 상기 제2 저잡음 증폭기의 제2 게인을 조절하고,
상기 레벨 차이가 임계치에서 제3 범위를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기의 제1 게인 및 상기 제2 저잡음 증폭기의 제2 게인을 조절하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 5, wherein the processor,
When the level difference exceeds the first range in the threshold, adjusting the first gain of the first low noise amplifier,
When the level difference exceeds the second range in the threshold, adjusting the second gain of the second low noise amplifier,
An electronic device configured to adjust a first gain of the first low-noise amplifier and a second gain of the second low-noise amplifier when the level difference exceeds a third range in a threshold value.
제2항에 있어서,
저잡음 증폭기를 더 포함하고,
상기 프로세서는,
상기 레벨 차이가 임계치에서 제3 범위를 초과하는 경우, 상기 저잡음 증폭기의 게인을 연산하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 2,
It further includes a low noise amplifier,
The processor,
An electronic device configured to calculate a gain of the low noise amplifier when the level difference exceeds a third range in a threshold value.
제2항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 레벨 차이가 임계치에서 제4 범위를 초과하는 경우, 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 2, wherein the processor,
The electronic device configured to deactivate the dual-sim simultaneous support function when the level difference exceeds a fourth range in a threshold value.
제2항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 게인 조절 프로세스를 수행하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 2, wherein the processor,
An electronic device configured to perform a gain adjustment process when the level difference exceeds a threshold value.
제2항에 있어서, 상기 프로세서는,
상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화하도록 설정된 전자 장치.
The method of claim 2, wherein the processor,
When the level difference exceeds a threshold, the electronic device is configured to deactivate the dual-sim simultaneous support function.
듀얼 심(subscriber identification module)을 포함하는 전자 장치의 동작 방법에 있어서,
상기 제1 심을 위한 제1 신호를 수신하는 중에, 상기 제2 심을 위한 제2 신호를 수신하는 동작;
상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는지 여부를 판단하는 동작; 및
상기 제1 신호와 상기 제2 신호가 동일한 주파수 대역을 사용하는 경우, 상기 전자 장치의 radio frequency integrated circuit(RFIC)에 포함된 제1 믹서 및 제2 믹서를 이용하여 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화하는 동작을 포함하는 방법.
In the method of operating an electronic device including a dual SIM (subscriber identification module),
Receiving a second signal for the second SIM while receiving the first signal for the first SIM;
Determining whether the first signal and the second signal use the same frequency band; And
When the first signal and the second signal use the same frequency band, a dual-sim simultaneous support function is activated using a first mixer and a second mixer included in a radio frequency integrated circuit (RFIC) of the electronic device. How to include action.
제12항에 있어서, 상기 활성화하는 동작은,
상기 제1 믹서를 통해 분리된 상기 제1 신호와 상기 제2 믹서를 통해 분리된 상기 제2 신호 간의 레벨 차이를 확인하는 동작; 및
상기 레벨 차이가 임계치 이하인 경우, 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 활성화시켜 상기 제1 심과 상기 제2 심으로 동시에 신호를 수신하는 동작을 포함하는 방법.
The method of claim 12, wherein the activating operation comprises:
Checking a level difference between the first signal separated through the first mixer and the second signal separated through the second mixer; And
And when the level difference is less than or equal to a threshold, activating the dual-sim support function to simultaneously receive signals from the first SIM and the second SIM.
제13항에 있어서,
상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 RFIC에 포함된 저잡음 증폭기의 게인을 조절하는 동작을 더 포함하는 방법.
The method of claim 13,
When the level difference exceeds a threshold, the method further comprising adjusting a gain of the low noise amplifier included in the RFIC.
제13항에 있어서,
상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 전자 장치의 radio frequency front end(RFFE)에 포함된 저잡음 증폭기의 게인을 조절하는 동작을 더 포함하는 방법.
The method of claim 13,
When the level difference exceeds a threshold, adjusting a gain of a low noise amplifier included in a radio frequency front end (RFFE) of the electronic device.
제13항에 있어서,
상기 레벨 차이에 기반하여 상기 RFFE 에 포함된 제1 저잡음 증폭기 또는 상기 RFIC에 포함된 제2 저잡음 증폭기의 게인을 조절하는 동작을 더 포함하는 방법.
The method of claim 13,
The method further comprising adjusting a gain of a first low noise amplifier included in the RFFE or a second low noise amplifier included in the RFIC based on the level difference.
제16항에 있어서, 상기 조절하는 동작은,
상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기 또는 상기 제2 저잡음 증폭기의 게인을 조절하는 동작을 포함하는 방법.
The method of claim 16, wherein the adjusting operation,
And when the level difference exceeds a threshold, adjusting a gain of the first low noise amplifier or the second low noise amplifier.
제16항에 있어서, 상기 조절하는 동작은,
상기 레벨 차이가 임계치에서 제1 범위를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기의 제1 게인을 조절하는 동작;
상기 레벨 차이가 임계치에서 제2 범위를 초과하는 경우, 상기 제2 저잡음 증폭기의 제2 게인을 조절하는 동작; 또는
상기 레벨 차이가 임계치에서 제3 범위를 초과하는 경우, 상기 제1 저잡음 증폭기의 제1 게인 및 상기 제2 저잡음 증폭기의 제2 게인을 조절하는 동작을 포함하는 방법.
The method of claim 16, wherein the adjusting operation,
Adjusting a first gain of the first low noise amplifier when the level difference exceeds a first range in a threshold value;
Adjusting a second gain of the second low noise amplifier when the level difference exceeds a second range in a threshold value; or
And adjusting a first gain of the first low-noise amplifier and a second gain of the second low-noise amplifier when the level difference exceeds a third range in a threshold.
제13항에 있어서,
상기 레벨 차이가 임계치에서 제4 범위를 초과하는 경우, 상기 듀얼 심 동시 지원 기능을 비활성화하는 동작을 더 포함하는 방법.
The method of claim 13,
When the level difference exceeds a fourth range in the threshold, deactivating the dual sim simultaneous support function.
제13항에 있어서,
상기 레벨 차이가 임계치를 초과하는 경우, 게인 조절 프로세스를 수행하는 동작을 포함하는 방법.
The method of claim 13,
And if the level difference exceeds a threshold, performing a gain adjustment process.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022065903A1 (en) * 2020-09-25 2022-03-31 삼성전자 주식회사 Electronic device for supporting multiple subscriber identity modules and method for operating same
US11496881B2 (en) * 2019-10-14 2022-11-08 Qualcomm Incorporated Managing MSIM concurrent activities
EP4221457A4 (en) * 2020-09-25 2024-03-27 Samsung Electronics Co Ltd Electronic device for supporting multiple subscriber identity modules and method for operating same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010057146A (en) * 1999-12-18 2001-07-04 윤종용 Direct conversion demodulator having automatic-gain-control function
KR100690438B1 (en) * 2005-12-09 2007-03-12 한국전자통신연구원 Method and apparatus for automatic gain control with variable control intervals
KR100818499B1 (en) * 2006-10-31 2008-03-31 삼성전기주식회사 Receiver improving linearity
US9264887B2 (en) * 2014-06-20 2016-02-16 Qualcomm Incorporated Systems and methods for enhanced system information decoding
US20160365879A1 (en) * 2015-06-10 2016-12-15 Qualcomm Incorporated Rf resource utilization of multi radio system through a core-resource rfic

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11496881B2 (en) * 2019-10-14 2022-11-08 Qualcomm Incorporated Managing MSIM concurrent activities
WO2022065903A1 (en) * 2020-09-25 2022-03-31 삼성전자 주식회사 Electronic device for supporting multiple subscriber identity modules and method for operating same
EP4221457A4 (en) * 2020-09-25 2024-03-27 Samsung Electronics Co Ltd Electronic device for supporting multiple subscriber identity modules and method for operating same

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