KR20200103603A - Graphene-based compound and manufacturing method thereof and composition for graphene-based manufacturing compound and graphene quantum dot - Google Patents

Graphene-based compound and manufacturing method thereof and composition for graphene-based manufacturing compound and graphene quantum dot Download PDF

Info

Publication number
KR20200103603A
KR20200103603A KR1020200107567A KR20200107567A KR20200103603A KR 20200103603 A KR20200103603 A KR 20200103603A KR 1020200107567 A KR1020200107567 A KR 1020200107567A KR 20200107567 A KR20200107567 A KR 20200107567A KR 20200103603 A KR20200103603 A KR 20200103603A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
graphene
quantum dots
graphene quantum
present
based compound
Prior art date
Application number
KR1020200107567A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102284090B1 (en
Inventor
박오옥
이석환
임상혁
Original Assignee
한국과학기술원
고려대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020180106746A external-priority patent/KR102217276B1/en
Application filed by 한국과학기술원, 고려대학교 산학협력단 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020200107567A priority Critical patent/KR102284090B1/en
Publication of KR20200103603A publication Critical patent/KR20200103603A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102284090B1 publication Critical patent/KR102284090B1/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182Graphene
    • C01B32/184Preparation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/65Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing carbon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/32Size or surface area

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

The present invention relates to a graphene-based compound which is manufactured from a single-phase composition for manufacturing a graphene-based compound comprising hydrocarbyl amine, a hydroxyl group-containing carbon source and acid, to a manufacturing method thereof, and to graphene quantum dots, wherein the graphene-based compound has excellent luminous efficiency and electrical conductivity.

Description

그래핀계 화합물, 이의 제조방법, 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물 및 그래핀 양자점{GRAPHENE-BASED COMPOUND AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND COMPOSITION FOR GRAPHENE-BASED MANUFACTURING COMPOUND AND GRAPHENE QUANTUM DOT}Graphene-based compound, its manufacturing method, single-phase composition for preparing graphene-based compounds, and graphene quantum dots {GRAPHENE-BASED COMPOUND AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AND COMPOSITION FOR GRAPHENE-BASED MANUFACTURING COMPOUND AND GRAPHENE QUANTUM DOT}

본 발명은 그래핀계 화합물, 이의 제조방법, 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물 및 그래핀 양자점에 관한 것이다.The present invention relates to a graphene-based compound, a method for preparing the same, a single-phase composition for preparing a graphene-based compound, and a graphene quantum dot.

탄소 원자들로 구성된 저차원 소재로는 풀러렌(fullerene), 탄소나노튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene) 및 흑연(graphite) 등이 존재한다. 탄소 원자들이 6 각형 모양의 배열을 이루면서 공 모양이 되면 0 차원 구조인 풀러렌, 1 차원적으로 말리면 탄소나노튜브, 2 차원 상으로 원자 한 층으로 이루어지면 그래핀, 3 차원으로 쌓이면 흑연으로 구분을 할 수 있다.Low-dimensional materials composed of carbon atoms include fullerene, carbon nanotubes, graphene, and graphite. When carbon atoms form a hexagonal arrangement and form a ball, they are divided into 0-dimensional structure of fullerene, one-dimensionally rolled carbon nanotubes, two-dimensionally one layer of atoms graphene, and three-dimensionally stacked graphite. can do.

이 중, 그래핀은 구조적·화학적으로 매우 안정할 뿐만 아니라, 원자 한 층의 두께를 가지면서 상대적으로 표면영역의 결함이 적은 구조적 특성으로 인하여 탁월한 전도성을 보인다. 이론적으로 그래핀은 실리콘보다 100 배 빠르게 전자를 이동시키고, 구리보다 약 100 배 정도 많은 전류를 흐르게 할 수 있는 탄소계 소재로 알려져 있다.Among them, graphene is not only structurally and chemically very stable, but also exhibits excellent conductivity due to its structural characteristics having a thickness of one atom and relatively few defects in the surface area. In theory, graphene is known as a carbon-based material capable of moving electrons 100 times faster than silicon and flowing current about 100 times more than copper.

한편, 양자점은 입자의 크기가 파장의 크기보다 작도록 3차원적으로 제한된 크기를 가지는 반도체성 나노크기의 입자로서, 벌크 상태에서 반도체성 물질이 가지고 있지 않은 우수한 광학적, 전기적 특성을 나타낸다.On the other hand, quantum dots are semiconducting nano-sized particles having a three-dimensionally limited size so that the size of the particles is smaller than the size of a wavelength, and exhibit excellent optical and electrical properties that semiconducting materials do not have in bulk.

반도체 양자점의 경우 장시간 모니터링이 가능하고 발광파장이 일정하기 때문에 바이오 이미징 분야에서 널리 사용되고 있으나, 대부분의 반도체 양자점이 독성을 띠는 중금속 물질을 코어 물질로 사용하므로 우수한 특성에도 불구하고 사용에 제한적이다. 특히, 독성물질인 카드늄, 납, 인듐 및 셀레늄 등의 중금속 배출로 환경문제 및 건강에 치명적인 문제가 발생될 수 있다. 이러한 잠재적인 독성 때문에 양자점의 물리 화학적 우수성에도 불구하고 치료 목적으로의 사용이 제한적일 수밖에 없다. Semiconductor quantum dots are widely used in the bio-imaging field because they can be monitored for a long time and have a constant emission wavelength. However, since most of the semiconductor quantum dots use toxic heavy metal materials as core materials, their use is limited despite their excellent properties. In particular, toxic substances such as cadmium, lead, indium, and selenium are discharged, which may cause environmental and health problems. Because of this potential toxicity, despite the physicochemical excellence of quantum dots, their use for therapeutic purposes is bound to be limited.

이러한 문제점을 해결하기 위한 연구로 비유기물 무독성 발광물질의 연구가 시도되고 있으며, 일 예로 수용액 분산특성, 화학적 불활성, 낮은 광표백특성 등과 같은 우수한 물성을 갖는 탄소 양자점의 연구가 시도되고 있다.As a study to solve this problem, studies of non-organic and non-toxic luminescent materials have been attempted, and as an example, studies of carbon quantum dots having excellent physical properties such as aqueous dispersion characteristics, chemical inertness, and low photobleaching characteristics have been attempted.

탄소 양자점은 수용액 분산특성, 화학적 불활성, 낮은 광표백특성 등과 같은 우수한 물성을 가지며, 합성방법으로는 마이크로파합성법, 전기화학법, 불완전 산화법, 레이저 증발법, 플라즈마 처리법, 수열합성법 및 화학기상증착법 등이 연구되고 있다. 다양한 합성방법들이 공지되어 있지만 낮은 합성수율, 복잡한 제조공정에 따른 낮은 경제성, 낮은 화학적 안정성, 낮은 양자효율 또는 저품질의 발광특성과 같은 문제를 가지고 있다.Carbon quantum dots have excellent properties such as dispersion characteristics of aqueous solutions, chemical inertness, and low photobleaching characteristics, and synthesis methods include microwave synthesis, electrochemical methods, incomplete oxidation, laser evaporation, plasma treatment, hydrothermal synthesis, and chemical vapor deposition. Has become. Various synthesis methods are known, but they have problems such as low synthesis yield, low economic efficiency due to complex manufacturing processes, low chemical stability, low quantum efficiency, or low-quality luminescence characteristics.

이에 따라 탄소 양자점의 발광특성을 증진시키기 위하여 여러 가지 방법들이 연구되고 있는데, 질산을 사용하여 하여 표면을 산화하는 방법, 포타슘 망가네이트와 같은 강산화제 사용하는 방법 및 표면보호막 처리 방법 등이 있다. 한편, 탄소 양자점의 양자효율에 영향을 미치는 요인으로는 이온 도핑, 호스트 물질, 나노입자의 크기와 모양, 표면 결함, 외부 환경 등을 들 수 있다. 특히 탄소 양자점의 응용가능성을 높이기 위해, 합성방법의 개선, 후처리 공정의 개발, 이종원소 또는 이종소재와의 복합체의 개발와 같은 연구가 시도되고 있지만 여전히 양자효율이 낮거나 경제성이 낮은 문제점이 있다.Accordingly, various methods have been studied to improve the luminescence characteristics of carbon quantum dots, including a method of oxidizing the surface using nitric acid, a method of using a strong oxidizing agent such as potassium manganate, and a method of treating a surface protective film. On the other hand, factors affecting the quantum efficiency of carbon quantum dots include ion doping, host material, size and shape of nanoparticles, surface defects, and external environment. In particular, in order to increase the applicability of carbon quantum dots, studies such as improvement of synthesis methods, development of post-treatment processes, and development of composites with heterogeneous elements or heterogeneous materials have been attempted, but there are still problems with low quantum efficiency or low economic efficiency.

이와 같은 탄소 양자점은 많은 분야에 높은 응용가능성이 있음에도 불구하고 대량으로 균일하게 생산할 수 있는 화학적 합성방법이 알려져 있지 않으며, 기존의 제조방법으로는 생산효율이 낮고, 균일한 입자크기의 제조, 입자크기 조절의 용이성 및 표면영역의 결함을 최소화하는 것이 매우 어려운 문제점이 있다. Although such carbon quantum dots have high applicability in many fields, there is no known chemical synthesis method that can be uniformly produced in large quantities, and conventional manufacturing methods have low production efficiency, production of uniform particle size, and particle size. There is a problem that it is very difficult to easily control and minimize defects in the surface area.

따라서 탄소 양자점의 크기 및 형상을 조절하여 우수한 발광특성 및 양자효율을 향상시킬 수 있는 용이한 합성 방법이 요구되고 있는 실정이다.Accordingly, there is a need for an easy synthesis method capable of improving excellent luminescence characteristics and quantum efficiency by controlling the size and shape of carbon quantum dots.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명의 목적은 우수한 발광효율 및 전기전도성을 갖는 그래핀계 화합물 및 그래핀 양자점을 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a graphene-based compound and graphene quantum dots having excellent luminous efficiency and electrical conductivity.

본 발명의 또 다른 목적은 엣지영역의 산화영역이 규칙적인 그래핀계 화합물 및 그래핀 양자점을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a graphene-based compound and a graphene quantum dot in which the oxidized region of the edge region is regular.

본 발명의 또 다른 목적은 크기 및 형상 조절이 가능하고, 결정화도가 우수한 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a single-phase composition for producing a graphene-based compound that can control the size and shape and has excellent crystallinity.

본 발명의 또 다른 목적은 단분산성 및 단결정성 그래핀계 화합물을 제조하기 위한 단일 용액상 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a single solution phase preparation method for preparing monodisperse and monocrystalline graphene-based compounds.

본 발명의 또 다른 목적은 합성 및 분리가 단순하며, 경제성이 뛰어난 그래핀계 화합물 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for producing a graphene-based compound that is simple to synthesize and separate, and has excellent economical efficiency.

상기 목적을 달성하기 위하여 연구한 결과, 본 발명에 따른 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물은 하이드로카빌 아민, 히드록실기 함유 탄소원 및 산을 포함한다.As a result of research in order to achieve the above object, the single-phase composition for preparing a graphene-based compound according to the present invention includes a hydrocarbyl amine, a carbon source containing a hydroxyl group, and an acid.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 히드록실기 함유 탄소원은 당류계 화합물을 포함할 수 있다. The hydroxyl group-containing carbon source according to an aspect of the present invention may include a saccharide-based compound.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 당류계 화합물은 단당류 화합물을 포함할 수 있다.The saccharide-based compound according to an aspect of the present invention may include a monosaccharide compound.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 산은 유기산을 포함할 수 있다.The acid according to an aspect of the present invention may include an organic acid.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물은 하이드로카빌 알코올계 용매를 더 포함할 수 있다.The single-phase composition for preparing the graphene-based compound according to an aspect of the present invention may further include a hydrocarbyl alcohol-based solvent.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 하이드로카빌 알코올계 용매는 치환 또는 비치환 (C4~C20)알킬 알코올, 치환 또는 비치환 (C4~C20)알케닐 알코올, 또는 치환 또는 비치환 (C4~C20)알키닐 알코올을 포함할 수 있다.The hydrocarbyl alcohol-based solvent according to an aspect of the present invention is a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkyl alcohol, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkenyl alcohol, or a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alky It may contain nil alcohol.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 하이드로카빌 아민은 치환 또는 비치환 (C3~C20)알킬 아민, 치환 또는 비치환 (C3~C20)알케닐 아민 또는 치환 또는 비치환 (C3~C20)알키닐 아민을 포함할 수 있다. The hydrocarbyl amine according to an aspect of the present invention is a substituted or unsubstituted (C3 ~ C20) alkyl amine, a substituted or unsubstituted (C3 ~ C20) alkenyl amine or a substituted or unsubstituted (C3 ~ C20) alkynyl amine. Can include.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 히드록실기 함유 탄소원과 하이드로카빌 아민은 1 : 1 내지 20의 몰비로 포함될 수 있다. The hydroxyl group-containing carbon source and hydrocarbyl amine according to an aspect of the present invention may be included in a molar ratio of 1: 1 to 20.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 하이드로카빌 아민과 산은 1 : 0.2 내지 2의 몰비로 포함될 수 있다.The hydrocarbyl amine and acid according to an aspect of the present invention may be included in a molar ratio of 1:0.2 to 2.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 조성물의 pH는 4 내지 7의 범위를 가질 수 있다.The pH of the composition according to an aspect of the present invention may have a range of 4 to 7.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 조성물은 수용액상일 수 있다.The composition according to an aspect of the present invention may be in the form of an aqueous solution.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀계 화합물은 그래핀 양자점을 포함할 수 있다.The graphene-based compound according to an aspect of the present invention may include graphene quantum dots.

본 발명에 따른 그래핀계 화합물의 제조방법은 (a) 하이드로카빌 아민, 히드록실기 함유 탄소원 및 산을 포함하는 반응 혼합액을 제조하는 단계; 및 (b) 상기 반응 혼합액을 가열하는 단계;를 포함할 수 있다.The method for preparing a graphene-based compound according to the present invention includes the steps of: (a) preparing a reaction mixture comprising a hydrocarbyl amine, a hydroxyl group-containing carbon source, and an acid; And (b) heating the reaction mixture.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 반응 혼합액은 하이드로카빌 알코올계 용매를 더 포함할 수 있다.The reaction mixture according to an aspect of the present invention may further include a hydrocarbyl alcohol-based solvent.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 (b) 단계에서 반응온도는 60 내지 300℃일 수 있다.The reaction temperature in step (b) according to an aspect of the present invention may be 60 to 300°C.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 (b) 단계 이후 얻어진 반응 생성물을 (C1~C3)알코올계 용매와 혼합하는 단계를 더 포함할 수 있다. It may further include the step of mixing the reaction product obtained after the step (b) according to an aspect of the present invention with an alcohol-based solvent (C1 ~ C3).

본 발명의 일 양태에 따른 상기 (b) 단계 이후 얻어진 반응 생성물을 하이드로카빌 아민의 융점 이하로 냉각하는 단계를 더 포함할 수 있다. It may further include cooling the reaction product obtained after step (b) according to an aspect of the present invention to below the melting point of hydrocarbyl amine.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 (a) 단계의 반응 혼합액은 단일상일 수 있다. The reaction mixture in step (a) according to an aspect of the present invention may be a single phase.

본 발명에 따른 그래핀계 화합물은 상술한 제조방법으로 제조된 것이다.The graphene-based compound according to the present invention is prepared by the above-described manufacturing method.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀계 화합물은 그래핀 양자점을 포함할 수 있다.The graphene-based compound according to an aspect of the present invention may include graphene quantum dots.

본 발명에 따른 그래핀 양자점은 평균 입경 2nm~10um이며, I(D)/I(G)의 비율은 1.0 이하일 수 있다.The graphene quantum dots according to the present invention may have an average particle diameter of 2 nm to 10 μm, and a ratio of I(D)/I(G) may be 1.0 or less.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 그래핀의 엣지영역에 카보닐기 또는 -C-O기를 포함하고, 하이드로카빌 아민의 질소 원자가 엣지영역의 탄소 원자와 공유결합될 수 있다.The graphene quantum dot according to an aspect of the present invention may include a carbonyl group or a -C-O group in an edge region of graphene, and a nitrogen atom of a hydrocarbyl amine may be covalently bonded with a carbon atom in the edge region.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 입경분포에 대하여, 10%미만의 상대 표준편차(변동 계수)를 가질 수 있다.The graphene quantum dots according to an aspect of the present invention may have a relative standard deviation (coefficient of variation) of less than 10% with respect to a particle size distribution.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 300K, 메탄올 용매상에서 380 내지 480 nm에서 최대발광 특성을 가질 수 있다.The graphene quantum dot according to an aspect of the present invention may have a maximum light emission characteristic at 380 to 480 nm in a 300K, methanol solvent.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 단결정 특성을 가질 수 있다.The graphene quantum dot according to an aspect of the present invention may have single crystal characteristics.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점의 300K, 메탄올 용매상에서 5mg/mL 용액의 엑시톤 생존 시간은 4 ns 이하를 가질 수 있다.Exciton survival time of a 5mg/mL solution in a 300K, methanol solvent of the graphene quantum dots according to an aspect of the present invention may have 4 ns or less.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점의 두께 대비 장축길이의 종횡비는 5 이상일 수 있다.The aspect ratio of the long axis length to the thickness of the graphene quantum dot according to an embodiment of the present invention may be 5 or more.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점의 300K에서, 메탄올 용매상에서 PL의 방출최대파장(λem)과 여기파장(λex)은 하기 관계식 1을 만족할 수 있다.At 300K of the graphene quantum dot according to an embodiment of the present invention, the maximum emission wavelength (λ em ) and the excitation wavelength (λ ex ) of PL in a methanol solvent may satisfy the following relationship.

[관계식 1][Relationship 1]

λem=A × λex+Bλ em = A × λ ex + B

상기 관계식에 있어서, 상기 A는 0.59이고, B는 208.81 내지 238.81의 범위이다.In the above relational expression, A is 0.59 and B is in the range of 208.81 to 238.81.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 300K에서 350~390nm의 여기파장에서 최대 PL을 나타낼 수 있다.The graphene quantum dot according to an aspect of the present invention may exhibit a maximum PL at an excitation wavelength of 350 ~ 390nm at 300K.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 300K에서 PL 방출스펙트럼의 반치폭(FWHM)이 100nm이하일 수 있다.The graphene quantum dot according to an embodiment of the present invention may have a PL emission spectrum at half width (FWHM) of 100 nm or less at 300K.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 300K에서 최대 PL 곡선을 나타내는 최대방출파장은 420~480nm의 범위일 수 있다.The graphene quantum dot according to an embodiment of the present invention may have a maximum emission wavelength in the range of 420 to 480 nm, showing a maximum PL curve at 300K.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 그래핀 양자점 분자의 직경(Dp) 및 탄소/산소 원자비(C/O비)가 하기 관계식 2를 만족할 수 있다.In the graphene quantum dot according to an aspect of the present invention, the diameter (Dp) and the carbon/oxygen atomic ratio (C/O ratio) of the graphene quantum dot molecule may satisfy the following relational formula 2.

[관계식 2][Relationship 2]

C/O비= -0.221*Dp+CC/O ratio = -0.221*Dp+C

상기 관계식 2에 있어서, 상기 직경(Dp)은 nm의 단위를 가지며, 상기 상수 C는 20.48 내지 30.48의 범위를 가진다.In the above relational equation 2, the diameter Dp has a unit of nm, and the constant C has a range of 20.48 to 30.48.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 분자 내에 산소함량을 15 원자% 이하로 포함할 수 있다.The graphene quantum dots according to an aspect of the present invention may contain an oxygen content of 15 atomic% or less in a molecule.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 육방정계 배열을 이룰 수 있다.The graphene quantum dots according to an aspect of the present invention may form a hexagonal arrangement.

본 발명에 따른 그래핀계 화합물은 평균입경이 균일하고, 높은 결정화도를 갖는 단분산성 및 단결정성을 갖는다는 장점이 있다.The graphene-based compound according to the present invention has an advantage in that the average particle diameter is uniform and that it has monodispersity and single crystallinity with high crystallinity.

본 발명에 따른 그래핀계 화합물은 단결정 그래핀 양자점을 포함하여 발광 특성 및 양자 효율이 우수하다는 장점이 있다.The graphene-based compound according to the present invention has the advantage of excellent luminescence characteristics and quantum efficiency, including single crystal graphene quantum dots.

본 발명에 따른 그래핀계 화합물 제조용 조성물은 단일상으로 제공되고, 합성 및 분리가 단순하여 우수한 경제성으로 대량생산이 가능하다는 장점이 있다.The composition for preparing a graphene-based compound according to the present invention is provided in a single phase, and has the advantage of being able to mass-produce with excellent economic efficiency due to simple synthesis and separation.

본 발명에 따른 그래핀계 화합물의 제조방법은 그래핀계 화합물의 크기 및 형상을 조절할 수 있다는 장점이 있다.The method for preparing a graphene-based compound according to the present invention has the advantage of being able to control the size and shape of the graphene-based compound.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀계 화합물 제조용 조성물의 단일상을 관찰한 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀계 화합물을 a), c) 및 d)는 투과전자현미경으로 관찰한 사진이고, b) 그래핀계 화합물의 입경분포에 대한 표준 편차 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀계 화합물의 반응온도에 따라 변화된 크기를 투과전자현미경으로 관찰한 사진이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀계 화합물의 XPS분석법의 결과이다. 도 4의 a는 평균입경이 5㎚인 그래핀계 화합물의 결과이고, 도 4의 b는 평균입경이 70㎚인 그래핀계 화합물의 결과이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 평균입경이 5㎚ 또는 70㎚인 그래핀계 화합물의 라만분광법 결과이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀계 화합물의 PL 특성 결과이다. 도 6의 a는 평균입경이 5㎚인 그래핀계 화합물의 결과이고, 도 6의 b는 평균입경이 70㎚인 그래핀계 화합물의 결과이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀계 화합물을 UV조사 후 발광특성을 관찰한 사진이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀계 화합물의 평균입경별, 여기파장별로 시분해적 광루미네센스(TRPL, Time-Resolved Photoluminescence)를 측정한 결과이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀계 화합물의 평균입경에 따른 FT-IR분석 결과이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀계 화합물의 자외선/가시광선 투과율(UV-Vis - Transmittance) 결과이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀계 화합물 제조용 조성물의 투명무색한 단일상을 육안으로 관찰한 사진이다.
1 is a photograph illustrating a single phase of a composition for preparing a graphene-based compound according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a graphene-based compound according to an embodiment of the present invention a), c) and d) are photographs observed with a transmission electron microscope, b) a graph of the standard deviation of the particle size distribution of the graphene-based compound.
3 is a photograph of a graphene-based compound according to an embodiment of the present invention observed with a transmission electron microscope of the size changed according to the reaction temperature.
4 is a result of XPS analysis of graphene-based compounds according to an embodiment of the present invention. 4A is a result of a graphene compound having an average particle diameter of 5 nm, and FIG. 4B is a result of a graphene compound having an average particle diameter of 70 nm.
5 is a Raman spectroscopy result of a graphene-based compound having an average particle diameter of 5 nm or 70 nm according to an embodiment of the present invention.
6 is a result of PL characteristics of a graphene-based compound according to an embodiment of the present invention. 6A is a result of a graphene compound having an average particle diameter of 5 nm, and FIG. 6B is a result of a graphene compound having an average particle diameter of 70 nm.
7 is a photograph of a graphene-based compound according to an embodiment of the present invention, after UV irradiation, and luminescence characteristics are observed.
8 is a result of measuring time-resolved photoluminescence (TRPL) for each average particle diameter and excitation wavelength of a graphene-based compound according to an embodiment of the present invention.
9 is an FT-IR analysis result according to the average particle diameter of the graphene-based compound according to an embodiment of the present invention.
10 is a result of ultraviolet/visible light transmittance (UV-Vis-Transmittance) of a graphene-based compound according to an embodiment of the present invention.
11 is a photograph of a transparent colorless single phase of a composition for preparing a graphene-based compound according to an embodiment of the present invention observed with the naked eye.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 그래핀계 화합물, 이의 제조방법, 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물 및 그래핀 양자점에 대하여 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 도면들은 당업자에게 본 발명에 따른 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 제시되는 도면들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있으며, 이하 제시되는 도면들은 본 발명에 따른 사상을 명확히 하기 위해 과장되어 도시될 수 있다. 이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명에 따른 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다. Hereinafter, a graphene-based compound according to the present invention, a method for preparing the same, a single-phase composition for preparing a graphene-based compound, and a graphene quantum dot according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The drawings introduced below are provided as an example in order to sufficiently convey the idea according to the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the drawings presented below and may be embodied in other forms, and the drawings presented below may be exaggerated to clarify the idea of the present invention. In this case, unless there are other definitions in the technical terms and scientific terms used, they have the meanings commonly understood by those of ordinary skill in the art to which this invention belongs, and in the following description and accompanying drawings, the gist of the present invention A description of known functions and configurations that may unnecessarily obscure will be omitted.

본 발명에 있어, 별다른 정의가 없다면 % 또는 비(ratio)는 중량% 또는 중량비를 의미하는 것으로 해석된다.In the present invention, unless otherwise defined,% or ratio is interpreted to mean weight percent or weight ratio.

본 발명에서 “하이드로카빌(hydrocarbyl)”은 하이드로카본(hydrocarbon)으로부터 유도되는 1개의 결합위치를 갖는 라디칼을 의미하며, 구체적으로 예를 들면 알킬, 시클로알킬, 아릴, 알케닐, 알키닐 등에서 선택되거나 이들의 조합인 것일 수 있다. In the present invention, "hydrocarbyl" refers to a radical having one bonding site derived from hydrocarbon, and specifically, for example, selected from alkyl, cycloalkyl, aryl, alkenyl, alkynyl, etc. It may be a combination of these.

본 발명에서의 “치환된”은 할로겐, 히드록실기, 시아노기, 카복실기, 카복실산염, (C1~C20)알킬, (C1~C20)알콕시, (C2~C20)알케닐, (C2~C20)알키닐, (C6~C20)아릴 및 (C6~C20)헤테로아릴 등에서 선택되는 하나 이상의 치환체로 치환된 것을 의미한다."Substituted" in the present invention is halogen, hydroxyl group, cyano group, carboxyl group, carboxylate, (C1 ~ C20) alkyl, (C1 ~ C20) alkoxy, (C2 ~ C20) alkenyl, (C2 ~ C20 ) It means substituted with one or more substituents selected from alkynyl, (C6~C20)aryl and (C6~C20)heteroaryl.

본 발명은 그래핀계 화합물, 이의 제조방법, 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물 및 그래핀 양자점에 관한 것이다.The present invention relates to a graphene-based compound, a method for preparing the same, a single-phase composition for preparing a graphene-based compound, and a graphene quantum dot.

이하, 본 발명에 따른 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a single-phase composition for preparing a graphene-based compound according to the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물은 그래핀계 화합물을 제조하기 위하여 제공되는 것으로, 하이드로카빌 아민, 히드록실기 함유 탄소원 및 산을 포함한다. 즉, 하이드로카빌 아민, 히드록실기 함유 탄소원 및 산의 조합에 의하여 균질한 단일상의 조성물을 제조할 수 있다. The single-phase composition for preparing a graphene-based compound according to the present invention is provided to prepare a graphene-based compound, and includes a hydrocarbyl amine, a hydroxyl group-containing carbon source, and an acid. That is, a homogeneous single-phase composition can be prepared by combining a hydrocarbyl amine, a hydroxyl group-containing carbon source, and an acid.

본 발명에 따른 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물을 통하여 그래핀계 화합물의 크기 및 형상을 조절 가능하고, 결정화도가 우수한 단결정 그래핀계 화합물을 제조할 수 있다. 이로써, 기존의 그래핀계 화합물이 지니고 있는 한계를 뛰어넘는 우수한 발광효율 및 전기적 특성을 발현할 수 있다. Through the single-phase composition for preparing a graphene-based compound according to the present invention, the size and shape of the graphene-based compound can be controlled, and a single crystal graphene-based compound having excellent crystallinity can be prepared. As a result, excellent luminous efficiency and electrical characteristics can be expressed that exceeds the limitations of existing graphene-based compounds.

상기 단일상은 외관으로는 투명하더라도 에멀전과 같은 분산상은 제외되는 균일상을 의미한다.The single phase refers to a homogeneous phase excluding a dispersed phase such as an emulsion even though it is transparent in appearance.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물은 450 내지 800 nm 파장영역에서 투과율이 80%이상일 수 있다. 바람직하게는 투과율이 85%이상일 수 있다. 본 발명에 따른 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물은 도 10에 도시된 바와 같이 상기와 같은 투과도를 가지는 것을 확인할 수 있으며, 숄더 피크 등이 존재하지 않아 도 11에 도시된 바와 같은 무색 투명한 단일상을 이루는 것을 확인할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the single-phase composition for preparing the graphene-based compound may have a transmittance of 80% or more in a wavelength range of 450 to 800 nm. Preferably, the transmittance may be 85% or more. It can be seen that the single-phase composition for preparing a graphene-based compound according to the present invention has the same transmittance as shown in FIG. 10, and there is no shoulder peak, so that a colorless, transparent single phase as shown in FIG. 11 is formed. Can be confirmed.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 하이드로카빌 아민은 치환 또는 비치환 (C3~C20)알킬 아민, 치환 또는 비치환 (C3~C20)알케닐 아민 또는 치환 또는 비치환 (C3~C20)알키닐 아민을 포함할 수 있다. 바람직하게는 치환 또는 비치환 (C4~C20)알킬 아민, 치환 또는 비치환 (C4~C20)알케닐 아민 또는 치환 또는 비치환 (C4~C20)알키닐 아민을 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, the hydrocarbyl amine is a substituted or unsubstituted (C3 ~ C20) alkyl amine, a substituted or unsubstituted (C3 ~ C20) alkenyl amine or a substituted or unsubstituted (C3 ~ C20) alkynyl amine It may include. Preferably it may include a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkyl amine, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkenyl amine or a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkynyl amine.

바람직하게는 상기 하이드로 카빌 아민은 직쇄일 수 있고, 일차아민(R-NH2)일 수 있다. 구체적인 예를 들어, 상기 하이드로카빌 아민은 부틸아민, 헥실아민, 도데실아민, 노닐아민, 데실아민, 언데실아민, 트리데실아민, 테트라데실아민, 펜타데실아민, 헥사데실아민, 헵타데실아민 및 옥타데실아민 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.Preferably, the hydrocarbyl amine may be linear and may be a primary amine (R-NH 2 ). For specific examples, the hydrocarbyl amine is butylamine, hexylamine, dodecylamine, nonylamine, decylamine, undecylamine, tridecylamine, tetradecylamine, pentadecylamine, hexadecylamine, heptadecylamine and It may be any one or a mixture of two or more selected from octadecylamine and the like.

상기와 같은 아민은 소수성에 가까워 단일상 조성물을 제조하기에 어려움이 있으나, 본 발명에 따른 조성물의 조합에 의하여 단일상을 형성할 수 있다.Although such amines are close to hydrophobicity, it is difficult to prepare a single phase composition, but a single phase may be formed by combining the compositions according to the present invention.

또한, 상기와 같은 하이드로카빌 아민을 포함함으로써, 히드록실기 함유 탄소원과 극성 상호작용을 통해 공유결합이 형성될 수 있으며, 단일상 조성물 형성 시 더욱 안정적으로 단일상을 형성함으로써, 후속적인 열처리를 통해 높은 결정화도를 갖는 단결정의 그래핀계 화합물이 제조될 수 있다. In addition, by including the hydrocarbyl amine as described above, a covalent bond can be formed through polar interaction with a carbon source containing a hydroxyl group, and by forming a single phase more stably when forming a single phase composition, through subsequent heat treatment A single crystal graphene-based compound having a high degree of crystallinity can be prepared.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 히드록실기 함유 탄소원은 당류계 화합물을 포함할 수 있다. 상기 당류계 화합물은 예를 들어, 단당류 화합물, 이당류 화합물, 올리고당 화합물 및 다당류 화합물 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 바람직하게는 상기 당류계 화합물은 단당류 화합물을 포함할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the hydroxyl group-containing carbon source may include a saccharide-based compound. The saccharide-based compound may include, for example, any one or a mixture of two or more selected from monosaccharide compounds, disaccharide compounds, oligosaccharide compounds, and polysaccharide compounds. Preferably, the saccharide-based compound may include a monosaccharide compound.

상기 단당류 화합물은 탄소수에 따라 2탄당, 3탄당, 4탄당, 5탄당 및 6탄당 등으로 분류될 수 있으며, 본 발명에 따른 단결정 그래핀계 화합물을 제공하기 위하여 바람직하게는 6탄당을 포함할 수 있다. 상기 6탄당은 예를 들어, 포도당(glucose), 과당(froctose), 갈라토우즈(galactose) 및 만노우즈(mannose) 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물을 포함할 수 있다.The monosaccharide compounds may be classified into disaccharides, trisaccharides, tetrasaccharides, pentose sugars, and hexasaccharides according to the number of carbon atoms, and may preferably contain hexasaccharides to provide a single crystal graphene-based compound according to the present invention. . The hexasaccharide may include, for example, any one or a mixture of two or more selected from glucose, fructose, galactose, and mannose.

상기와 같은 히드록실기 함유 탄소원을 조성물에 포함할 경우 용액 내에 단일상이 용이하게 형성될 수 있으며, 단일상 조성물 내에서 하이드로카빌 아민과 극성 상호작용 및 공유결합을 유도할 수 있다. 상술한 바와 같이, 히드록실기 함유 탄소원은 하이드로카빌 아민과 단일상 조성물 내에서 공유결합을 형성할 수 있으며, 아마도리 재배열(Amadori rearrangement)이 손쉽게 유도될 수 있으며, 후속적인 열처리 공정을 통해 높은 결정화도를 갖는 단결정의 그래핀계 화합물이 제조될 수 있다. 또한, 엣지영역의 산화영역이 규칙적인 그래핀계 화합물이 제조될 수 있어 우수한 발광특성을 발현할 수 있다.When the carbon source containing a hydroxyl group as described above is included in the composition, a single phase can be easily formed in the solution, and polar interactions and covalent bonds with hydrocarbyl amine can be induced in the single phase composition. As described above, the hydroxyl group-containing carbon source can form a covalent bond with the hydrocarbyl amine in the single-phase composition, and Amadori rearrangement can be easily induced, and through a subsequent heat treatment process, high A single crystal graphene-based compound having a degree of crystallinity can be prepared. In addition, since a graphene-based compound having a regular oxidized region of the edge region can be prepared, excellent luminescence characteristics can be expressed.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 히드록실기 함유 탄소원은 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물 총 중량대비 0.01 내지 20중량% 포함할 수 있으나 이에 제한받지 않는다. 비한정적인 일 예로 1 내지 18중량%, 바람직하게는 5 내지 15중량% 포함할 수 있으며, 상기와 같은 함량으로 포함할 경우 그래핀계 화합물을 높은 수율로 얻을 수 있고, 균일한 형상의 그래핀계 화합물을 수득할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the hydroxyl group-containing carbon source may include 0.01 to 20% by weight based on the total weight of the single-phase composition for preparing a graphene-based compound, but is not limited thereto. As a non-limiting example, it may contain 1 to 18% by weight, preferably 5 to 15% by weight, and when included in the above content, a graphene-based compound can be obtained in a high yield, and a graphene-based compound having a uniform shape Can be obtained.

본 발명의 일 양태에 따라, 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물 내에서 상기 히드록실기 함유 탄소원과 하이드로카빌 아민은 1 : 1 내지 20의 몰비로 포함될 수 있다. 바람직하게는 1 : 2 내지 10, 보다 바람직하게는 1 : 4 내지 10의 몰비로 포함될 수 있다. 상기의 함량으로 히드록실기 함유 탄소원과 하이드로카빌 아민을 포함할 경우 히드록실기 함유 탄소원과 하이드로카빌 아민의 극성 상호작용을 가장 효과적으로 유도할 수 있고 안정적으로 단일상 내에 포함되어, 그래핀계 화합물이 용이하게 제조될 수 있고, 그래핀계 화합물의 수율이 향상될 수 있다.According to an aspect of the present invention, the hydroxyl group-containing carbon source and the hydrocarbyl amine may be included in a molar ratio of 1:1 to 20 in the single-phase composition for preparing a graphene-based compound. Preferably, it may be included in a molar ratio of 1: 2 to 10, more preferably 1: 4 to 10. In the case of containing a carbon source containing a hydroxyl group and a hydrocarbyl amine in the above content, the polar interaction between the carbon source containing a hydroxyl group and a hydrocarbyl amine can be most effectively induced and stably contained in a single phase, making it easy to use graphene-based compounds. Can be prepared, and the yield of the graphene-based compound can be improved.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 히드록실기 함유 탄소원은 수용액으로 제공될 수 있다. 이에 따라 본 발명에 따른 상기 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물을 수용액상으로 제공할 수 있다. According to an aspect of the present invention, the hydroxyl group-containing carbon source may be provided as an aqueous solution. Accordingly, the single-phase composition for preparing the graphene-based compound according to the present invention can be provided in an aqueous solution.

통상적인 단결정 그래핀계 화합물의 제조방법으로는 액상 공정이 불가능하거나, 수용액내에 불안정한 상을 형성함으로써 상이 분리될 수 있으며, 에멀전과 같은 유화구조가 형성될 수 있다. 그러나 본 발명은 안정적인 수용액상을 형성하며, 이를 통해 안정적으로 그래핀계 화합물을 제조할 수 있고, 더욱 높은 결정화도를 갖는 단결정 그래핀계 화합물을 제공할 수 있다.In a conventional method for producing a single crystal graphene-based compound, a liquid phase process is impossible, or an unstable phase may be formed in an aqueous solution to separate the phase, and an emulsified structure such as an emulsion may be formed. However, the present invention forms a stable aqueous solution, through which a graphene-based compound can be stably prepared, and a single crystal graphene-based compound having a higher degree of crystallinity can be provided.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 산은 유기산을 포함할 수 있다. 상기 유기산은 (C1~C8) 유기산일 수 있으며, 하나의 분자 내에 산기는 하나 이상을 포함할 수 있다. 바람직하게는 (C1~C3) 유기산일 수 있으며, 구체적인 예를 들어, 아세트산, 포름산, 프로피온산 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는 단일상을 효과적으로 형성하고, 부반응을 억제하며 단결정성 및 단분산성의 그래핀계 화합물을 수득하기 위하여 아세트산일 수 있다. According to one aspect of the present invention, the acid may include an organic acid. The organic acid may be a (C1 ~ C8) organic acid, and one or more acid groups may be included in one molecule. Preferably, it may be an organic acid (C1 to C3), and for a specific example, it may be any one or a mixture of two or more selected from acetic acid, formic acid, propionic acid, etc., but is not limited thereto. Preferably, it may be acetic acid in order to effectively form a single phase, suppress side reactions, and obtain monocrystalline and monodisperse graphene-based compounds.

상기와 같은 유기산을 포함할 경우 안정적이며 균일한 단일상의 조성물을 제공할 수 있으며, 조성물의 후속적인 열처리시 상분리 없이 단분산성 그래핀계 화합물이 고수율로 얻어질 수 있으며, 반치폭이 좁은 발광특성이 우수한 단결정 그래핀계 화합물을 제조될 수 있다.When the above organic acid is included, a stable and uniform single-phase composition can be provided, and a monodisperse graphene-based compound can be obtained in high yield without phase separation during the subsequent heat treatment of the composition, and the light emission characteristic with a narrow half width is excellent. A single crystal graphene-based compound can be prepared.

통상적인 그래핀계 화합물의 제조방법에 따른 반응성 조성물은 단일상으로 제공되기 어렵고, 생산효율이 낮으며, 입자의 크기, 표면상태 등을 인위적으로 조절하는 것에 어려운 문제점이 따른다. 이에 반해 본 발명은 안정적이며 균일한 단일상의 조성물을 제공함으로써 높은 결정화도를 보이고, 단결정의 그래핀계 화합물을 제공할 수 있으며, 우수한 발광특성 및 전기적 특성을 구현할 수 있다.The reactive composition according to the conventional method for preparing a graphene-based compound is difficult to provide in a single phase, has low production efficiency, and is difficult to artificially control the size and surface condition of particles. On the contrary, the present invention provides a stable and uniform single-phase composition, thereby exhibiting high crystallinity, providing a single crystal graphene-based compound, and implementing excellent light-emitting characteristics and electrical characteristics.

본 발명의 일 양태에 따라, 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물 내에서 상기 하이드로카빌 아민과 산은 1 : 0.2 내지 2의 몰비로 포함될 수 있다. 바람직하게는 1 : 0.3 내지 2의 몰비로 포함될 수 있다. 상기의 함량으로 하이드로카빌 아민과 산을 포함할 경우 하이드로카빌 아민이 히드록실기 함유 탄소원과의 반응을 산이 촉진시킬 뿐만 아니라 단결정성으로 성장되도록 유도시킬 수 있다.According to an aspect of the present invention, the hydrocarbyl amine and acid may be included in a molar ratio of 1:0.2 to 2 in a single-phase composition for preparing a graphene-based compound. Preferably, it may be included in a molar ratio of 1: 0.3 to 2. When the hydrocarbyl amine and the acid are included in the above content, the acid may promote the reaction of the hydrocarbyl amine with the carbon source containing the hydroxyl group, as well as induce a single crystal growth.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물은 하이드로카빌 알코올계 용매를 더 포함할 수 있다. 상기 하이드로카빌 알코올계 용매는 바람직하게는 (C4~C20)하이드로카빌 알코올계 용매일 수 있다.According to one aspect of the present invention, the single-phase composition for preparing the graphene-based compound may further include a hydrocarbyl alcohol-based solvent. The hydrocarbyl alcohol-based solvent may preferably be a (C4 ~ C20) hydrocarbyl alcohol-based solvent.

상기 하이드로카빌 알코올계 용매는 예를 들어, 치환 또는 비치환 (C4~C20)알킬 알코올, 치환 또는 비치환 (C4~C20)알케닐 알코올, 또는 치환 또는 비치환 (C4~C20)알키닐 알코올을 포함할 수 있다. 바람직하게는 치환 또는 비치환 (C4~C10)알킬 알코올, 치환 또는 비치환 (C4~C10)알케닐 알코올, 또는 치환 또는 비치환 (C4~C10)알키닐 알코올을 포함할 수 있다. 더 바람직하게는 치환 또는 비치환 (C4~C7)알킬 알코올, 치환 또는 비치환 (C4~C7)알케닐 알코올, 또는 치환 또는 비치환 (C4~C7)알키닐 알코올을 포함할 수 있다. 구체적인 예를 들어, n-부탄올, 이소부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, n-펜탄올, 이소펜탄올, sec-펜탄올, tert-펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 노난올, 데칸올, 운데칸올, 도데칸올 및 펜타데칸올 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합용매일 수 있다. 더욱 균질한 단일상 조성물을 제공하기 위하여 바람직하게는 n-부탄올, 이소부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, n-펜탄올, 이소펜탄올, sec-펜탄올, tert-펜탄올 및 헥산올 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합용매일 수 있다. 상기와 같은 하이드로카빌 알코올계 용매를 포함할 경우 산도조절이 가능하여 하이드로카빌 아민, 히드록실기 함유 탄소원 및 산의 반응을 활성화하여 고결정성의 그래핀계 화합물을 제공할 수 있다.The hydrocarbyl alcohol-based solvent is, for example, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkyl alcohol, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkenyl alcohol, or a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkynyl alcohol. Can include. Preferably, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C10) alkyl alcohol, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C10) alkenyl alcohol, or a substituted or unsubstituted (C4 ~ C10) alkynyl alcohol may be included. More preferably, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C7) alkyl alcohol, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C7) alkenyl alcohol, or a substituted or unsubstituted (C4 ~ C7) alkynyl alcohol may be included. Specific examples include n-butanol, isobutanol, sec-butanol, tert-butanol, n-pentanol, isopentanol, sec-pentanol, tert-pentanol, hexanol, heptanol, octanol, nonanol , Decanol, undecanol, dodecanol and pentadecanol may be any one or two or more mixed solvents selected from. In order to provide a more homogeneous single-phase composition, preferably in n-butanol, isobutanol, sec-butanol, tert-butanol, n-pentanol, isopentanol, sec-pentanol, tert-pentanol and hexanol. It may be any one or a mixed solvent of two or more selected. When the hydrocarbyl alcohol-based solvent as described above is included, the acidity can be adjusted, and thus the reaction of the hydrocarbyl amine, the carbon source containing a hydroxyl group, and the acid can be activated to provide a highly crystalline graphene-based compound.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물의 pH는 4 내지 7의 범위를 가질 수 있다. 바람직하게는 pH는 4.5 내지 6.5의 범위를 가질 수 있다. 상기 pH를 가질 경우 그래핀계 화합물 제조 시 부반응을 억제할 수 있다. According to one aspect of the present invention, the pH of the single-phase composition for preparing the graphene-based compound may have a range of 4 to 7. Preferably, the pH may have a range of 4.5 to 6.5. When it has the above pH, it is possible to suppress side reactions when preparing a graphene-based compound.

이하, 본 발명에 따른 그래핀계 화합물의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, a method for preparing a graphene-based compound according to the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 그래핀계 화합물의 제조방법은 (a) 하이드로카빌 아민, 히드록실기 함유 탄소원 및 산을 포함하는 반응 혼합액을 제조하는 단계; 및 (b) 상기 반응 혼합액을 가열하는 단계;를 포함할 수 있다.The method for preparing a graphene-based compound according to the present invention includes the steps of: (a) preparing a reaction mixture comprising a hydrocarbyl amine, a hydroxyl group-containing carbon source, and an acid; And (b) heating the reaction mixture.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀계 화합물의 제조방법은 상압에서 수행할 수 있다. 고압에서 수열 반응할 때의 느린 결정 성장속도와 달리 상압에서 수행함으로써, 빠른 결정 성장속도를 가지면서도 균일한 단결정의 그래핀계 화합물을 제조할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the method for preparing the graphene-based compound may be carried out at atmospheric pressure. Unlike the slow crystal growth rate at the time of hydrothermal reaction at high pressure, by performing at normal pressure, a graphene-based compound having a fast crystal growth rate and uniform single crystal can be prepared.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 (a) 단계의 반응 혼합액은 하이드로카빌 아민, 히드록실기 함유 탄소원 및 산을 혼합하여 안정적이며 균일한 단일상으로 제조될 수 있다. According to an aspect of the present invention, the reaction mixture in step (a) may be prepared in a stable and uniform single phase by mixing a hydrocarbyl amine, a carbon source containing a hydroxyl group, and an acid.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 (a) 단계의 반응 혼합액은 가온하는 단계를 더 수행할 수 있다. 상기 가온 온도는 60 내지 100℃일 수 있다. 바람직하게는 가온 온도는 60 내지 90℃일 수 있다. 상기와 같이 가온을 통하여 일부 불균일한 반응 혼합액도 균일한 단일상으로 유도되어 단결정성 및 단분산성의 그래핀계 화합물을 제조할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the reaction mixture of step (a) may be further heated. The heating temperature may be 60 to 100 ℃. Preferably the heating temperature may be 60 to 90 ℃. Through heating as described above, some non-uniform reaction mixtures are also induced into a uniform single phase, so that single crystal and monodisperse graphene-based compounds can be prepared.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 반응 혼합액은 하이드로카빌 알코올계 용매를 더 포함할 수 있다. 상기와 같이 하이드로카빌 알코올계 용매를 더 포함함으로써 하이드로카빌 아민, 히드록실기 함유 탄소원 및 산의 반응을 활성화하여 단결정성의 그래핀계 화합물을 제조할 수 있다. 또한, 그래핀계 화합물의 크기제어가 가능하며, 단분산성으로 제공될 수 있다.The reaction mixture according to an aspect of the present invention may further include a hydrocarbyl alcohol-based solvent. As described above, by further including a hydrocarbyl alcohol-based solvent, a monocrystalline graphene-based compound can be prepared by activating the reaction of a hydrocarbyl amine, a carbon source containing a hydroxyl group, and an acid. In addition, it is possible to control the size of the graphene-based compound, and can be provided with monodispersity.

상기 하이드로카빌 알코올계 용매는 바림직하게는 (C4~C20)하이드로카빌 알코올계 용매일 수 있으며, 예를 들어, 치환 또는 비치환 (C4~C20)알킬 알코올, 치환 또는 비치환 (C4~C20)알케닐 알코올, 또는 치환 또는 비치환 (C4~C20)알키닐 알코올을 포함할 수 있다. 바람직하게는 치환 또는 비치환 (C4~C10)알킬 알코올, 치환 또는 비치환 (C4~C10)알케닐 알코올, 또는 치환 또는 비치환 (C4~C10)알키닐 알코올을 포함할 수 있다. 더 바람직하게는 치환 또는 비치환 (C4~C7)알킬 알코올, 치환 또는 비치환 (C4~C7)알케닐 알코올, 또는 치환 또는 비치환 (C4~C7)알키닐 알코올을 포함할 수 있다. 구체적인 예를 들어, n-부탄올, 이소부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, n-펜탄올, 이소펜탄올, sec-펜탄올, tert-펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 노난올, 데칸올, 운데칸올, 도데칸올 및 펜타데칸올 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합용매일 수 있다. 더욱 높은 결정화도를 갖는 그래핀계 화합물을 제공하기 위하여 바람직하게는 n-부탄올, 이소부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, n-펜탄올, 이소펜탄올, sec-펜탄올, tert-펜탄올 및 헥산올 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합용매일 수 있다.The hydrocarbyl alcohol-based solvent may preferably be a (C4 ~ C20) hydrocarbyl alcohol-based solvent, for example, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkyl alcohol, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) Alkenyl alcohol, or substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkynyl alcohol may be included. Preferably, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C10) alkyl alcohol, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C10) alkenyl alcohol, or a substituted or unsubstituted (C4 ~ C10) alkynyl alcohol may be included. More preferably, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C7) alkyl alcohol, a substituted or unsubstituted (C4 ~ C7) alkenyl alcohol, or a substituted or unsubstituted (C4 ~ C7) alkynyl alcohol may be included. Specific examples include n-butanol, isobutanol, sec-butanol, tert-butanol, n-pentanol, isopentanol, sec-pentanol, tert-pentanol, hexanol, heptanol, octanol, nonanol , Decanol, undecanol, dodecanol and pentadecanol may be any one or two or more mixed solvents selected from. In order to provide a graphene-based compound having a higher degree of crystallinity, preferably n-butanol, isobutanol, sec-butanol, tert-butanol, n-pentanol, isopentanol, sec-pentanol, tert-pentanol and hexane It may be any one or two or more mixed solvents selected from ol and the like.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 (b) 단계에서 가열 시 반응온도는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 반응온도는 60 내지 300℃일 수 있다. 바람직하게는 반응온도는 60 내지 200℃일 수 있다. According to an aspect of the present invention, the reaction temperature during heating in step (b) is not particularly limited, but the reaction temperature may be 60 to 300°C. Preferably, the reaction temperature may be 60 to 200 ℃.

반응시간은 비한정적으로 30분에서 10시간동안 수행할 수 있다. 바람직하게는 30분에서 5시간동안 수행할 수 있으며, 상기 반응온도에 따라 그래핀계 화합물의 평균입경조절이 가능하다. 구체적으로는 고온에서는 작은 평균입경의 입자가 제조되고, 저온에서는 큰 평균입경의 입자가 제조될 수 있다.The reaction time can be performed for 30 minutes to 10 hours, but is not limited. Preferably, it can be performed for 30 minutes to 5 hours, and the average particle diameter of the graphene-based compound can be adjusted according to the reaction temperature. Specifically, particles having a small average particle diameter can be produced at high temperatures, and particles having a large average particle diameter can be produced at low temperatures.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 (b) 단계 이후 얻어진 반응 생성물을 (C1~C3)알코올계 용매와 혼합하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 (C1~C3)알코올계 용매는 구체적인 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 프로판올 및 이소프로판올 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다. 상기와 같은 (C1~C3)알코올계 용매에 반응 생성물을 혼합함으로써 반응을 중단시킬 수 있다.It may further include the step of mixing the reaction product obtained after the step (b) according to an aspect of the present invention with an alcohol-based solvent (C1 ~ C3). The (C1 ~ C3) alcohol-based solvent may be any one or a mixture of two or more selected from methanol, ethanol, propanol and isopropanol, for a specific example. The reaction can be stopped by mixing the reaction product with the above (C1-C3) alcohol-based solvent.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 (b) 단계 이후 얻어진 반응 생성물을 하이드로카빌 아민의 융점 이하로 냉각하는 단계를 더 포함할 수 있다. 고온고압에서 수행되는 수열반응 등으로 얻어진 반응 생성물은 투석 등의 복잡한 정제과정에 따라 낮은 수율을 갖는 것에 반해, 본 발명에 따른 반응 생성물을 냉각시켜 단일상의 반응 생성물 내에서 하이드로카빌 아민을 침전시켜 고체상의 미반응 아민으로 제거 및 추출됨으로써 수율을 더욱 향상시킬 수 있다.According to an aspect of the present invention, it may further include cooling the reaction product obtained after step (b) to a melting point of hydrocarbyl amine or lower. While the reaction product obtained by hydrothermal reaction carried out at high temperature and high pressure has a low yield according to a complicated purification process such as dialysis, the reaction product according to the present invention is cooled to precipitate hydrocarbyl amine in a single-phase reaction product. By removing and extracting with unreacted amines, the yield can be further improved.

본 발명에 따른 상술한 제조방법으로 제조된 그래핀계 화합물은 우수한 발광특성을 갖는 그래핀 양자점을 포함할 수 있다. The graphene-based compound prepared by the above-described manufacturing method according to the present invention may include graphene quantum dots having excellent luminescence properties.

본 발명에 따른 그래핀 양자점은 평균 입경 2㎚~10㎛일 수 있다. 바람직하게는 2㎚~2㎛일 수 있고, 더 바람직하게는 2㎚~500㎚일 수 있다. 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 넓은 범위의 평균 입경을 가질 수 있다.The graphene quantum dots according to the present invention may have an average particle diameter of 2 nm to 10 μm. Preferably, it may be 2 nm to 2 μm, and more preferably 2 nm to 500 nm. Graphene quantum dots according to the present invention may have a wide range of average particle diameter.

본 발명에 따른 그래핀 양자점은 하이드로카빌 아민, 히드록실기 함유 탄소원 및 산을 포함하는 단일상의 조성물로부터 제조되며, 보다 상세하게, 하이드로카빌 아민 및 히드록실기 함유 탄소원과의 공유결합, 아마도리 재배열 및 후속적인 열처리 과정을 통하여 우수한 발광특성을 가지는 그래핀 양자점이 제조될 수 있다.The graphene quantum dots according to the present invention are prepared from a single-phase composition containing a hydrocarbyl amine, a hydroxyl group-containing carbon source and an acid, and in more detail, a covalent bond with a hydrocarbyl amine and a hydroxyl group-containing carbon source, amadori ash Through the arrangement and subsequent heat treatment processes, graphene quantum dots having excellent luminescence properties can be manufactured.

상기 하이드로카빌 아민, 히드록실기 함유 탄소원 및 산의 종류 및 함량 등을 상술한 바와 같으므로 생략한다.The types and contents of the hydrocarbyl amine, the hydroxyl group-containing carbon source and the acid are the same as described above, and thus are omitted.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점의 두께(T) 대비 장축길이(L)의 종횡비(L/T)는 5 이상일 수 있다. 상기 종횡비는 구체적으로는 5 내지 1,000일 수 있고, 바람직하게는 10 내지 1,000일 수 있다. 상기 종횡비를 가질 경우 발광효과를 극대화시킬 수 있고, 단결정성을 가질 수 있고, 우수한 발광효율 및 전기적 특성을 나타낼 수 있다.According to an aspect of the present invention, the aspect ratio (L/T) of the long axis length (L) to the thickness (T) of the graphene quantum dot may be 5 or more. The aspect ratio may be specifically 5 to 1,000, preferably 10 to 1,000. In the case of having the above aspect ratio, a luminous effect can be maximized, a single crystal can be obtained, and excellent luminous efficiency and electrical characteristics can be exhibited.

본 발명에 따른 그래핀 양자점은 I(D)/I(G)의 비율은 1.0 이하일 수 있다. 이때, I(D)/I(G)의 하한 또한 특별히 한정되는 것은 아니나, 바람직하게, 0.3 이상일 수 있다.Graphene quantum dots according to the present invention may have a ratio of I(D)/I(G) of 1.0 or less. In this case, the lower limit of I(D)/I(G) is also not particularly limited, but may be preferably 0.3 or more.

구체적으로 도 5에 도시된 바와 같이 라만 스펙트럼에서 표면 영역의 결함 정도를 나타내는 상기 I(D)는 1300~1400 ㎝-1에서 나타나는 D 밴드의 최대피크 강도(a.u.)이며, I(G)은 1550~1650 ㎝-1에서 나타나는 G 밴드의 최대피크 강도(a.u.)이다.Specifically, as shown in FIG. 5, the I(D) indicating the degree of defects in the surface area in the Raman spectrum is the maximum peak intensity (au) of the D band appearing at 1300-1400 cm -1 , and I(G) is 1550. It is the maximum peak intensity (au) of the G band at ~1650 cm -1 .

상기와 같이 I(D)/I(G)의 비율을 가지는 것은 실질적으로 결함이 없는 그래핀 양자점을 제조되었음을 의미한다. 기존의 양자점은 벌크에 비해 표면에 위치한 원자의 분포가 매우 크기 때문에 결정 결함이 많고, 에너지상태가 높기 때문에 쉽게 전자를 잃는 문제점이 있었다. 이와 달리 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 실질적으로 결함이 없어, 발광 효율을 현저히 향상시킬 수 있다.Having a ratio of I(D)/I(G) as described above means that graphene quantum dots are manufactured that are substantially free of defects. Conventional quantum dots have a lot of crystal defects because the distribution of atoms located on the surface is very large compared to the bulk, and there is a problem that electrons are easily lost because of the high energy state. In contrast, the graphene quantum dots according to the present invention are substantially free of defects, and thus luminous efficiency can be remarkably improved.

이 때, “실질적으로 결함이 없는 것”은 표면영역의 결함이 존재하지 않는 것을 포함할 뿐만 아니라 산화반응에 의한 작용기가 엣지영역에 대부분 존재하고, 표면영역에는 작용기가 미량 존재하거나 거의 존재하지 않는 것을 포함한다.In this case, "substantially free from defects" includes not only the absence of defects in the surface area, but also most functional groups due to oxidation reactions are present in the edge area, and there is little or no functional group in the surface area. Includes that.

일 예로, 도 5에 도시된 바와 같이 그래핀 양자점의 크기를 달리하여 제조되더라도 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 실질적으로 결함이 없는 것을 확인할 수 있다.For example, as shown in FIG. 5, even if the graphene quantum dots are manufactured by varying the size of the graphene quantum dots, it can be confirmed that the graphene quantum dots according to the present invention are substantially free of defects.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점은 그래핀의 엣지영역에 카보닐기 또는 -C-O기를 포함할 수 있고, 하이드로카빌 아민의 질소 원자가 엣지영역 부분의 탄소 원자와 공유결합될 수 있다.According to an aspect of the present invention, the graphene quantum dots may include a carbonyl group or a -C-O group in the edge region of graphene, and the nitrogen atom of the hydrocarbyl amine may be covalently bonded with the carbon atom of the edge region.

상기와 같이 그래핀 양자점의 엣지영역에 존재하는 카보닐기 또는 -C-O기와 하이드로카빌 아민의 아민기가 공유결합함으로써 그래핀 양자점이 성장할 수 있다.As described above, graphene quantum dots can be grown by covalently bonding the carbonyl group or -C-O group present in the edge region of the graphene quantum dot and the amine group of the hydrocarbyl amine.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점은 입경분포에 대하여, 10%미만의 상대 표준편차(변동 계수)를 가질 수 있다. 바람직하게는 입경분포에 대하여, 8%미만의 상대 표준편차(변동 계수)를 가질 수 있다. 상기와 같이 낮은 상대 표준편차를 가짐으로써 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 단분산성을 가지는 것을 의미한다. 상기와 같이 단분산성을 나타냄으로써, 안정적이고, 우수한 발광특성 및 전기적 특성 구현이 가능하다.According to an aspect of the present invention, the graphene quantum dots may have a relative standard deviation (coefficient of variation) of less than 10% with respect to the particle size distribution. Preferably, the particle size distribution may have a relative standard deviation (coefficient of variation) of less than 8%. By having a low relative standard deviation as described above, it means that the graphene quantum dots according to the present invention have monodispersity. By exhibiting monodispersity as described above, it is possible to realize stable and excellent light-emitting characteristics and electrical characteristics.

이 때, 상대 표준편차(변동계수)는 표준편차의 평균치에 대한 비율 또는 장치의 재현성을 표시하는 계수를 의미하며, 통상 흩어짐을 상대적으로 표시하는 것을 의미한다.In this case, the relative standard deviation (coefficient of variation) refers to a ratio of the standard deviation to the average value or a coefficient indicating the reproducibility of the device, and usually refers to a relative display of scatter.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점은 300K, 메탄올 용매 상에서 380 내지 480 nm에서 최대발광 특성을 가질 수 있다. 구체적으로는 상기 그래핀 양자점은 300K에서 최대 PL 곡선을 나타내는 최대방출파장은 420~480nm의 범위일 수 있다. 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 넓은 범위의 여기파장을 가하여도 동일한 방출파장영역을 가질 수 있다. 통상의 그래핀 양자점은 그래핀 내의 많은 결함 등으로 인하여 여기파장의 파장범위에 따라 청색발광 외에 다른 색상의 발광영역으로 PL 방출파장이 벗어난다. 이와 달리 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 여기파장의 변화에도 안정적으로 상기와 같은 범위 내에서 최대발광 특성을 가짐으로써 상기 그래핀 양자점은 바람직하게 청색 발광 특성을 나타낼 수 있다. 이와 같이 청색 발광 특성을 뚜렷하게 나타내기 위해서는 그래핀 양자점 내의 결함이 적어야 하며, 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 실질적으로 결함이 없어 우수한 청색 발광 특성을 발현할 수 있다.According to an aspect of the present invention, the graphene quantum dots may have maximum light emission characteristics at 380 to 480 nm in a 300K, methanol solvent. Specifically, the graphene quantum dots may have a maximum emission wavelength in the range of 420 to 480 nm showing a maximum PL curve at 300K. The graphene quantum dots according to the present invention may have the same emission wavelength region even when a wide range of excitation wavelengths is applied. In general graphene quantum dots, the PL emission wavelength deviates from the emission region of a color other than blue emission according to the wavelength range of the excitation wavelength due to many defects in graphene. In contrast, the graphene quantum dots according to the present invention stably have maximum light emission characteristics within the above range even with a change in excitation wavelength, so that the graphene quantum dots may preferably exhibit blue light emission characteristics. In order to clearly exhibit the blue light emission characteristics as described above, there must be few defects in the graphene quantum dots, and the graphene quantum dots according to the present invention are substantially free of defects, so that excellent blue light emission characteristics can be expressed.

본 발명의 일 양태에 따라, 구체적으로는 상기 그래핀 양자점은 300K에서 350~390nm의 여기파장에서 최대 PL(photoluminescence)을 나타낼 수 있다. 바람직하게는 300K에서 355~380nm의 여기파장에서 최대 PL을 나타낼 수 있다. 상기 여기파장으로부터 빛을 받아 에너지 여기 상태에 이르면, 에너지 밴드갭에 따른 에너지를 방출하여 최대 PL을 나타낼 수 있다.According to an aspect of the present invention, specifically, the graphene quantum dots may exhibit a maximum photoluminescence (PL) at an excitation wavelength of 350 to 390 nm at 300K. Preferably, the maximum PL may be exhibited at an excitation wavelength of 355 to 380 nm at 300K. When light is received from the excitation wavelength and reaches an energy-excited state, energy according to an energy band gap may be emitted to exhibit a maximum PL.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점의 300K에서, 메탄올 용매 상에서 PL의 방출최대파장(λem)과 여기파장(λex)은 하기 관계식 1을 만족할 수 있다.According to an aspect of the present invention, at 300K of the graphene quantum dot, the maximum emission wavelength (λ em ) and the excitation wavelength (λ ex ) of PL in a methanol solvent may satisfy the following relationship.

[관계식 1][Relationship 1]

λem=A × λex+Bλ em = A × λ ex + B

상기 관계식에 있어서, 상기 A는 0.59이고, B는 208.81 내지 238.81의 범위이다. 바람직하게는 상기 B는 213.81 내지 235.81의 범위이다. 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 단결정성 및 단분산성을 나타냄으로써, 상기와 같은 관계식 1을 만족할 수 있는 것이다.In the above relational expression, A is 0.59 and B is in the range of 208.81 to 238.81. Preferably, B is in the range of 213.81 to 235.81. The graphene quantum dots according to the present invention exhibit single crystallinity and monodispersity, thereby satisfying the above-described relational formula 1.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점은 340 내지 380nm 여기파장, 300K에서 PL 방출스펙트럼의 반치폭(FWHM)이 100nm이하일 수 있다. 바람직하게는 350 내지 370nm 여기파장, 300K에서 PL 방출스펙트럼의 반치폭(FWHM)이 100nm이하일 수 있다. 상기와 같이 좁은 반치폭을 가짐으로써, 그래핀 양자점이 높은 색순도를 갖는 발광특성을 나타낼 수 있다.According to an aspect of the present invention, the graphene quantum dot may have an excitation wavelength of 340 to 380 nm, and a half width (FWHM) of a PL emission spectrum at 300 K may be 100 nm or less. Preferably, the half value width (FWHM) of the PL emission spectrum at 350 to 370 nm excitation wavelength and 300 K may be 100 nm or less. By having a narrow half-width as described above, graphene quantum dots can exhibit light emission characteristics having high color purity.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점은 단일상의 조성물 내에서 제조됨으로써 단결정 특성을 가질 수 있다. 상기와 같이 단결정 특성을 가짐으로써, 빠른 전자이동으로 발광특성 및 전기적특성이 현저히 향상될 수 있다.According to an aspect of the present invention, the graphene quantum dots may have single crystal properties by being prepared in a single phase composition. By having a single crystal characteristic as described above, light emission characteristics and electrical characteristics can be remarkably improved through rapid electron transfer.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점의 300K, 메탄올 용매 상에서 5mg/mL 용액의 280nm 와 350nm의 파장을 갖는 여기광을 사용한 엑시톤 생존 시간은 4 ns 이하를 가질 수 있다. 상기와 같이 짧은 엑시톤 생존 시간을 가짐으로써 우수한 발광 양자효율을 가질 수 있다.According to an aspect of the present invention, exciton survival time using excitation light having a wavelength of 280 nm and 350 nm of a 5 mg/mL solution in a 300K, methanol solvent of the graphene quantum dot may have 4 ns or less. By having a short exciton survival time as described above, it is possible to have excellent light emission quantum efficiency.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 그래핀 양자점 분자의 직경(Dp) 및 탄소/산소 원자비(C/O비)가 하기 관계식 2를 만족할 수 있다.In the graphene quantum dot according to an aspect of the present invention, the diameter (Dp) and the carbon/oxygen atomic ratio (C/O ratio) of the graphene quantum dot molecule may satisfy the following relational formula 2.

[관계식 2][Relationship 2]

C/O비= -0.221*Dp+CC/O ratio = -0.221*Dp+C

상기 관계식 2에 있어서, 상기 직경(Dp)은 nm의 단위를 가지며, 상기 상수 C는 20.48 내지 30.48의 범위를 가진다. 바람직하게는 상기 상수 C는 22.48 내지 28.48의 범위를 가진다.In the above relational equation 2, the diameter Dp has a unit of nm, and the constant C has a range of 20.48 to 30.48. Preferably, the constant C has a range of 22.48 to 28.48.

본 발명에 따른 그래핀 양자점의 실질적으로 결함이 존재하지 않아 상기 관계식 2를 만족할 수 있다. 이에 따라, 우수한 발광효율을 가질 수 있다.Since the graphene quantum dot according to the present invention is substantially free of defects, the above relational expression 2 may be satisfied. Accordingly, it is possible to have excellent luminous efficiency.

본 발명의 일 양태에 따른 상기 그래핀 양자점은 분자 내에 산소함량을 15 원자% 이하로 포함할 수 있다. 바람직하게는 산소함량을 10원자% 이하로 포함할 수 있다. 산소함량이 높으면, 표면영역에서도 산화영역이 다량 존재하는 것을 의미한다. 통상의 그래핀 양자점은 산소함량이 40~50원자%를 벗어나지 못하는 것과 달리 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 적은 산소함량을 가지는 것으로 실질적으로 엣지영역의 산화영역 외에 표면영역의 산화영역이 없는 것을 의미하며, 이로 인하여 높은 결정성을 가지는 그래핀 양자점을 구현할 수 있다. 더욱이, 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 상기와 같이 낮은 산소함량을 가짐에도 불구하고, 수분산 특성 및 양자효율이 높다는 것은 그래핀 양자점의 표면영역의 결함이 실질적으로 없다는 것이며, 존재하는 산화된 작용기는 엣지영역에 존재하는 것을 의미한다.The graphene quantum dots according to an aspect of the present invention may contain an oxygen content of 15 atomic% or less in a molecule. Preferably it may contain an oxygen content of 10 atomic% or less. If the oxygen content is high, it means that a large amount of oxidized regions exist in the surface region as well. Unlike conventional graphene quantum dots, whose oxygen content does not exceed 40-50 atomic%, the graphene quantum dots according to the present invention have a small oxygen content, meaning that there is substantially no oxidation region in the surface region other than the oxidation region in the edge region. And, thereby, it is possible to implement a graphene quantum dot having high crystallinity. Moreover, despite the low oxygen content of the graphene quantum dots according to the present invention, the high water dispersion characteristics and quantum efficiency means that there are substantially no defects in the surface area of the graphene quantum dots, and oxidized functional groups exist. Means existing in the edge area.

또한, 본 발명의 일 양태에 따른 그래핀 양자점은 통상의 그래핀 양자점의 표면영역이 산화되어 발생되어 에폭사이드 산화영역을 포함하여 FT-IR 스펙트럼에서, 840~850 ㎝-1의 범위에서 나타나는 에폭사이드 스트레칭(epoxide stretching)피크가 발생되는 것과 달리 상기 피크가 발생하지 않는다. 더욱이, 그래핀 양자점의 평균입경이 작을 경우 피크가 존재하지 않으며, 평균입경이 증가할 경우 일부 상기 에폭사이드 피크가 발생되지만, 이는 실질적으로 결함이 없는 정도에 불과하다.In addition, the graphene quantum dot according to an aspect of the present invention is generated by oxidation of the surface area of a typical graphene quantum dot, and the epoxide appears in the range of 840 to 850 cm -1 in the FT-IR spectrum including the epoxide oxidation region. Unlike the epoxide stretching peak, the peak does not occur. Moreover, when the average particle diameter of the graphene quantum dots is small, no peak exists, and when the average particle diameter increases, some of the epoxide peaks are generated, but this is only a degree that is substantially free of defects.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점은 FT-IR 스펙트럼에서 하기 관계식 3을 만족하는 것일 수 있다.According to an aspect of the present invention, the graphene quantum dot may be one that satisfies the following relational equation 3 in the FT-IR spectrum.

[관계식 3][Relationship 3]

ICC/IOH > 1.6I CC /I OH > 1.6

상기 관계식 3에 있어서, 상기 ICC는 1560 ~ 1760㎝-1의 범위에서 나타나는 방향족 고리 C=C stretch 최대 강도 흡수 피크 높이며, 상기 IOH는 3200 ~ 3600㎝-1의 범위에서 나타나는 -OH 최대 강도 흡수 피크 높이다.In the above relational formula 3, the I CC is the maximum strength absorption peak of the aromatic ring C=C stretch that appears in the range of 1560 to 1760 cm -1 , and the I OH is the -OH maximum strength that appears in the range of 3200 to 3600 cm -1 Increase the absorption peak

바람직하게는 상기 관계식 3은 1.8이상을 만족할 수 있고, 더 바람직하게는 1.9이상을 만족할 수 있다. 상기와 같이 관계식 3을 만족할 경우, 그래핀 양자점 내의 결함이 실질적으로 존재하지 않는 것이며, 더욱 우수한 발광 효율을 가질 수 있다.본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점은 FT-IR 스펙트럼에서 1560 ~ 1760㎝-1의 범위에서 나타나는 방향족 고리 C=C stretch 최대 강도 흡수 피크의 반치폭(FWHM)이 100㎝-1이하일 수 있다. 바람직하게는 FT-IR 스펙트럼에서 1560 ~ 1760㎝-1의 범위에서 나타나는 방향족 고리 C=C stretch 최대 강도 흡수 피크의 반치폭(FWHM)이 70㎝-1이하일 수 있다. 상기와 같이 좁은 반치폭을 가짐으로써, 결정화도가 매우 높은 그래핀 양자점을 제공할 수 있다.Preferably, the relational expression 3 may satisfy 1.8 or more, and more preferably 1.9 or more. When the relational equation 3 is satisfied as described above, defects in the graphene quantum dot are substantially absent, and further excellent luminous efficiency may be obtained. According to an aspect of the present invention, the graphene quantum dot is 1560 in the FT-IR spectrum. ~ 1760㎝ has full width at half maximum (FWHM) of -1 C = C ring stretch maximum absorption peak appearing in the range of -1 or less 100㎝. Preferably, the half value width (FWHM) of the maximum strength absorption peak of the aromatic ring C=C stretch appearing in the range of 1560 to 1760 cm -1 in the FT-IR spectrum may be 70 cm -1 or less. By having a narrow half width as described above, it is possible to provide a graphene quantum dot having a very high degree of crystallinity.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점은 비극성 및 극성 용매에 모두 용해되는 양친성을 가질 수 있다. 더욱 구체적으로는 300K에서 10㎎/㎖의 농도로 용해시켰을 대, 비극성용매, 극성용매 또는 이들의 혼합용매에서 모두 용해되는 양친성을 가질 수 있다.According to an aspect of the present invention, the graphene quantum dots may have amphiphilic properties that are dissolved in both non-polar and polar solvents. More specifically, when dissolved in a concentration of 10 mg/ml at 300K, it can have amphiphilic properties that are dissolved in a non-polar solvent, a polar solvent, or a mixed solvent thereof.

상기 비극성 용매는 예를 들어, (C6~C20)알칸, 아마이드계, (C6~C20)방향족 용매 및 할로겐화 용매 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다. 구체적인 예를 들어, 헥산, 헵탄, 옥탄, 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, 테트라하이드로퓨란, 디클로로벤젠, 클로로포름 및 클로로벤젠 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합용매일 수 있다. The non-polar solvent may be, for example, any one or a mixture of two or more selected from (C6 to C20) alkanes, amides, (C6 to C20) aromatic solvents and halogenated solvents. For a specific example, it may be any one or two or more mixed solvents selected from hexane, heptane, octane, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, dichlorobenzene, chloroform, and chlorobenzene. .

상기 극성 용매는 예를 들어, (C4~C20)알킬 알코올, 치환 또는 비치환 (C4~C20)알케닐 알코올, 또는 치환 또는 비치환 (C4~C20)알키닐 알코올 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합용매일 수 있다. 구체적인 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 헵탄올, 옥탄올, 노난올, 데칸올, 운데칸올, 도데칸올 등에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합용매일 수 있다. 단, 극성용매 중 물은 제외된다.The polar solvent is, for example, any one or two or more selected from (C4 ~ C20) alkyl alcohol, substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkenyl alcohol, or substituted or unsubstituted (C4 ~ C20) alkynyl alcohol. It may be a mixed solvent. For a specific example, it may be any one or two or more mixed solvents selected from methanol, ethanol, propanol, butanol, pentanol, hexanol, heptanol, octanol, nonanol, decanol, undecanol, dodecanol, and the like. However, water is excluded among polar solvents.

상기 그래핀 양자점은 단결정으로 성장되어 표면영역의 실질적으로 결함이 없어 비극성을 나타낼 수 있고, 엣지영역에 -OH 또는 -COOH가 형성됨으로써 극성을 나타낼 수 있다. 통상의 그래핀 양자점은 극성 용매에만 용해되어 다양한 용액 공정 등에 제공되기 어려웠다. 이와 달리 비극성 및 극성 용매에 모두 용해되는 양친성을 갖는 그래핀 양자점은 다양한 용매를 사용하는 용액 공정이 용이하게 적용이 가능하고, 이를 통하여 결정화도가 매우 높은 그래핀 양자점인 것을 확인할 수 있다. The graphene quantum dots are grown as single crystals to exhibit nonpolarity due to substantially no defects in the surface area, and polarity may be indicated by forming -OH or -COOH in the edge area. Conventional graphene quantum dots are only dissolved in polar solvents and are difficult to provide for various solution processes. In contrast, graphene quantum dots having amphiphilic properties that are soluble in both non-polar and polar solvents can be easily applied to a solution process using various solvents, and through this, it can be confirmed that graphene quantum dots have very high crystallinity.

본 발명의 일 양태에 따라, 상기 그래핀 양자점은 육각형 구조를 가질 수 있다. 이와 같이 육각형 구조를 가짐으로써, 기판 상에 그래핀 양자점을 도포하였을 때, 균일한 육방정계 배열(Hexagonal array)을 이룰 수 있다. 상기와 같이 육방정계 배열을 이룸으로써, 상기 그래핀 양자점은 고밀도로 패킹되어 더욱 우수한 발광효율일 가질 수 있다.According to an aspect of the present invention, the graphene quantum dot may have a hexagonal structure. By having a hexagonal structure as described above, when graphene quantum dots are applied on a substrate, a uniform hexagonal array can be achieved. By forming a hexagonal arrangement as described above, the graphene quantum dots are packed with high density, so that it can have more excellent luminous efficiency.

이하 실시예를 통해 본 발명에 따른 그래핀계 화합물, 이의 제조방법, 그래핀계 화합물 제조용 단일상 조성물 및 그래핀 양자점에 대하여 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다. The graphene-based compound according to the present invention, a method for preparing the same, a single-phase composition for producing a graphene-based compound, and a graphene quantum dot according to the present invention will be described in more detail below. However, the following examples are only one reference for describing the present invention in detail, and the present invention is not limited thereto, and may be implemented in various forms.

또한 달리 정의되지 않은 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 갖는다. 본원에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다.Further, unless otherwise defined, all technical and scientific terms have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. The terms used in the description herein are merely to effectively describe specific embodiments and are not intended to limit the invention.

또한 명세서에서 특별히 기재하지 않은 첨가물의 단위는 중량%일 수 있다.In addition, the unit of the additive not specifically described in the specification may be a weight %.

[실시예 1][Example 1]

1-헥산올 10㎖를 1시간동안 질소를 80㎖/min으로 1시간동안 버블링하였다. 이 후, 10중량%로 D-글루코오스가 용해된 수용액 1㎖를 추가 투입하고, 질소 제공을 차단한 후, 80℃에서 1시간동안 교반하였다. 교반 후, 1-헥사데실아민 800㎎과 아세트산 200㎎을 추가투입하였다. 다시 질소를 80㎖/min으로 제공하고, 150℃에서 1시간동안 교반하였다. 상기 교반된 조성물을 메탄올로 세척하고, 초음파처리하였다. 이후 -25℃에서 6시간동안 냉각시킨 후 PTFE 0.22㎛멤브레인에 필터링하여 상층액을 얻어내 평균입경이 5㎚인 그래핀계 화합물을 수득하였다.10 ml of 1-hexanol was bubbled with nitrogen for 1 hour at 80 ml/min for 1 hour. Thereafter, 1 ml of an aqueous solution in which D-glucose was dissolved in an amount of 10% by weight was added thereto, and nitrogen supply was cut off, followed by stirring at 80°C for 1 hour. After stirring, 800 mg of 1-hexadecylamine and 200 mg of acetic acid were added thereto. Nitrogen was again supplied at 80 ml/min, and the mixture was stirred at 150° C. for 1 hour. The stirred composition was washed with methanol and sonicated. After cooling at -25 ℃ for 6 hours, filtered through a PTFE 0.22㎛ membrane to obtain a supernatant to obtain a graphene-based compound having an average particle diameter of 5 nm.

[실험예 1] 조성물 분산상 확인.[Experimental Example 1] Confirmation of the dispersion phase of the composition.

하이드로카빌 아민, 하이드로카빌 알코올계 용매 및 산의 종류를 표 1과 같이 변경하여 조성물을 제조하였을 때, 단일상을 갖는지 확인하였다.When the composition was prepared by changing the types of hydrocarbyl amine, hydrocarbyl alcohol-based solvent and acid as shown in Table 1, it was confirmed whether it had a single phase.

Sample No.Sample No. mountain 용매menstruum 아민Amine 1One 질산nitric acid 헥산올Hexanol 헥사데실아민Hexadecylamine 22 옥살산Oxalic acid 헥산올Hexanol 헥사데실아민Hexadecylamine 33 포름산Formic acid 헥산올Hexanol 헥사데실아민Hexadecylamine 44 시트르산Citric acid 헥산올Hexanol 헥사데실아민Hexadecylamine 55 아세트산Acetic acid 부탄올Butanol 헥사데실아민Hexadecylamine 66 아세트산Acetic acid 헵탄올Heptanol 헥사데실아민Hexadecylamine 77 아세트산Acetic acid 헥산올Hexanol 부틸아민Butylamine 88 아세트산Acetic acid 헥산올Hexanol 헥실아민Hexylamine 99 아세트산Acetic acid 헥산올Hexanol 도데실아민Dodecylamine

도 1에 도시된 바와 같이 아세트산을 대신하여 포름산을 사용하였을 때는 투명한 단일상 조성물이 제공되는 것과 달리 옥살산, 질산 및 시트르산을 사용하였을 때, 불투명하게 분산된 조성물이 제공되는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통하여 본 발명에 따른 그래핀계 화합물 제조용 조성물은 (C1~C3)유기산을 포함할 경우 단일상을 구현함으로써 더욱 높은 결정화도를 갖는 단결정 그래핀계 화합물을 제공할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 하이드로카빌 알코올계 용매의 탄소수가 7이상인 헵탄올을 포함하였을 때, 미미하게 불균일한 조성물이 제공되는 것을 확인할 수 있었다. 상기와 같이 단일상으로 조성물이 제조되지 않은 조성물로 그래핀계 화합물을 제조하면, 그래핀계 화합물의 결정화도가 저감되어 단결정성을 가지지 못하고, 단분산된 일정한 크기 및 형상을 갖는 그래핀계 화합물이 제조되지 않았다.As shown in FIG. 1, when using formic acid instead of acetic acid, a transparent single-phase composition was provided, whereas when oxalic acid, nitric acid and citric acid were used, an opaquely dispersed composition was provided. Through this, it was confirmed that the composition for preparing a graphene-based compound according to the present invention can provide a single-crystal graphene-based compound having a higher crystallinity by implementing a single phase when it contains (C1~C3) an organic acid. In addition, when the hydrocarbyl alcohol-based solvent contained heptanol having 7 or more carbon atoms, it was confirmed that a slightly heterogeneous composition was provided. When a graphene-based compound was prepared with a composition in which the composition was not prepared in a single phase as described above, the crystallinity of the graphene-based compound was reduced, so that it did not have single crystallinity, and a graphene-based compound having a monodispersed constant size and shape was not prepared. .

또한, 하이드로카빌 아민의 경우 부틸아민부터 도데실아민까지 다양한 아민을 사용하여도 안정적이며 균일한 단일상 조성물이 제조되었고, 이로부터 제조되니 그래핀계 화합물은 우수한 단결정성 및 단분산성을 가지는 것을 확인할 수 있었다.In addition, in the case of hydrocarbyl amine, a stable and uniform single-phase composition was prepared even when various amines from butylamine to dodecylamine were used, and it was confirmed that the graphene-based compound had excellent single crystallinity and monodispersity. there was.

즉, 본 발명에 따른 그래핀계 화합물 제조용 조성물은 산을 포함하여 하이드로카빌 아민과 히드록실기 함유 탄소원의 극성 상호 작용 및 공유결합이 유도됨에 따라 단일상의 조성물을 제공할 수 있으며, 이로써 높은 결정화도를 갖는 단결정의 그래핀계 화합물을 제조할 수 있음을 확인할 수 있었다.That is, the composition for preparing a graphene-based compound according to the present invention can provide a single-phase composition by inducing polar interactions and covalent bonds between a hydrocarbyl amine including an acid and a carbon source containing a hydroxyl group, thereby having a high crystallinity. It was confirmed that a single crystal graphene-based compound could be prepared.

[실험예 2] 그래핀계 화합물의 형상관찰.[Experimental Example 2] Observation of the shape of a graphene-based compound.

도 2에 도시된 바와 같이 실시예 1로 제조된 그래핀계 화합물은 균일한 크기 및 형상을 갖는 단분산성을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 도 2에 도시된 바와 같이 실시예 1로 제조된 그래핀계 화합물은 육각형 구조를 가지고, 도 2의 a)와 같이 육각형 구조에 따라, 육방정계 배열을 이루는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 도 2의 b)를 통하여 입경분포에 대하여 7%미만인 6.07%의 표준편차를 갖는 것을 확인할 수 있었다.As shown in FIG. 2, it was confirmed that the graphene-based compound prepared in Example 1 had monodispersity having a uniform size and shape. As shown in FIG. 2, it was confirmed that the graphene-based compound prepared in Example 1 had a hexagonal structure, and formed a hexagonal arrangement according to the hexagonal structure as shown in FIG. 2A. In addition, it was confirmed through b) of FIG. 2 that the particle diameter distribution had a standard deviation of 6.07%, which is less than 7%.

실시예 1에서 150℃의 반응온도를 140, 135, 130 및 120℃로 변화시킨 후, 도 3에 도시된 바와 같이 실시예로부터 제조된 그래핀계 화합물을 투과전자현미경(TEM, JEM-3011 HR, JEOL)으로 관찰하였을 때, 일정한 크기 및 형상으로 제조되는 것을 확인할 수 있었다. 각각 평균 입경이 10㎚일 때, 반응온도가 140℃이고, 평균 입경이 30㎚일 때, 반응온도가 135℃이며, 평균 입경이 50㎚일 때, 반응온도가 130℃이고, 평균 입경이 70㎚일 때, 반응온도가 120℃이었다. 이와 같이 반응온도에 따라 그래핀계 화합물의 크기를 조절할 수 있을 뿐만 아니라 반응온도가 변하더라도 균일한 형상의 그래핀계 화합물을 제공할 수 있음을 확인할 수 있었다.After changing the reaction temperature of 150 ℃ in Example 1 to 140, 135, 130 and 120 ℃, as shown in Figure 3, the graphene-based compound prepared from the example was used in a transmission electron microscope (TEM, JEM-3011 HR, JEOL), it was confirmed that it was manufactured in a certain size and shape. When the average particle diameter is 10 nm, the reaction temperature is 140°C, when the average particle diameter is 30 nm, the reaction temperature is 135°C, and when the average particle diameter is 50 nm, the reaction temperature is 130°C and the average particle diameter is 70 At nm, the reaction temperature was 120°C. As described above, it was confirmed that not only the size of the graphene-based compound can be adjusted according to the reaction temperature, but also a graphene-based compound having a uniform shape can be provided even if the reaction temperature is changed.

[실험예 3] 그래핀계 화합물의 구조확인.[Experimental Example 3] Confirmation of the structure of a graphene-based compound.

도 4의 a에 도시된 바와 같이 실시예 1의 그래핀계 화합물을 XPS분석하였을 때, 탄소가 91.91원소%, 질소가 4.32원소% 및 산소가 3.77원소%로 구성됨을 통하여 산소가 현저히 낮은 함량으로 포함되어 실질적으로 결함이 없는 그래핀계 화합물이 제조되는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 도 4의 b에 도시된 바와 같이 실시예 1에서 150℃의 반응온도를 170℃로 변경하여 제조된 평균입경 70㎚의 그래핀계 화합물도 XPS분석을 하였을 때, 탄소가 87.45원소%, 질소가 3.86원소% 및 산소가 8.69원소%로 구성되는 것을 통하여 반응온도를 달리하고, 크기가 변하더라도 매우 낮은 산소함량을 가지는 실질적으로 결함이 없는 그래핀계 화합물이 제조되는 것을 확인할 수 있었다. 이를 통하여 통상의 그래핀계 화합물의 산소함량이 40 내지 50원소%의 높은 것에 대비하여 현저히 낮은 산소함량을 가져 단결정 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있었다.As shown in FIG. 4A, when the graphene compound of Example 1 was analyzed by XPS, it contained 91.91 element% of carbon, 4.32 element% of nitrogen, and 3.77 element% of oxygen. As a result, it was confirmed that a graphene-based compound having substantially no defects was prepared. In addition, as shown in b of FIG. 4, when the graphene-based compound having an average particle diameter of 70 nm prepared by changing the reaction temperature of 150° C. to 170° C. in Example 1 was also subjected to XPS analysis, carbon content was 87.45 element% and nitrogen nitrogen. It was confirmed that a graphene-based compound having a very low oxygen content and a substantially defect-free graphene compound was prepared even though the reaction temperature was varied and the size was changed through the composition of 3.86 element% and 8.69 element% of oxygen. Through this, it was confirmed that the oxygen content of the conventional graphene-based compound exhibited a single crystal characteristic by having a remarkably low oxygen content compared to the high oxygen content of 40 to 50 element%.

도 9에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 평균입경 5㎚ 및 70㎚의 그래핀계 화합물을 FT-IR분석하였을 때, 846.1138㎝-1에서 나타나는 에폭사이드 스트레칭 피크가 5㎚의 작은 평균입경을 가진 그래핀계 화합물에서는 발생하지 않음을 확인할 수 있었다. 이를 통하여 본 발명에 따른 그래핀계 화합물의 표면영역에는 산화영역이 존재하지 않는 것 즉, 표면영역에 실질적으로 결함이 없는 것으로 확인할 수 있다. 또한, 상대적으로 큰 평균입경인 70㎚의 그래핀계 화합물에서는 846.1138㎝-1에서 나타나는 에폭사이드 스트레칭 피크가 미미하게 발생되었지만, 이는 실질적으로는 표면영역에서의 결함이 없는 정도로 해석된다.As shown in Figure 9, when FT-IR analysis of the graphene-based compound having an average particle diameter of 5 nm and 70 nm according to the present invention, the epoxide stretching peak appearing at 846.1138 cm -1 is a graph having a small average particle diameter of 5 nm. It was confirmed that it did not occur in the fin-based compound. Through this, it can be confirmed that there is no oxidation region in the surface region of the graphene-based compound according to the present invention, that is, there is substantially no defect in the surface region. In addition, in the graphene-based compound having a relatively large average particle diameter of 70 nm, the epoxide stretching peak at 846.1138 cm -1 was slightly generated, but this is interpreted to the extent that there are no defects in the surface area.

또한, 도 9에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 평균입경 5㎚ 및 70㎚의 그래핀계 화합물을 FT-IR분석하여 1660㎝-1에서 나타나는 방향족 고리 C=C stretch 흡수 피크 높이(ICC) 대비 3270㎝-1에서 나타나는 -OH 흡수 피크 높이(IOH)의 비율(ICC/IOH)을 계산하였다. 이 때, 평균입경 5㎚의 그래핀계 화합물은 ICC/IOH가 1.944를 만족하고, 평균입경 5㎚의 그래핀계 화합물은 ICC/IOH가 2.567을 만족하는 것을 확인하였다. 이를 통하여 본 발명에 따른 그래핀계 화합물은 실질적으로 결함이 없는 우수한 품질을 갖는 것을 확인할 수 있었다.In addition, as shown in Figure 9, the aromatic ring C = C stretch absorption peak height (I CC ) shown at 1660 cm -1 by FT-IR analysis of the graphene-based compound having an average particle diameter of 5 nm and 70 nm according to the present invention The ratio (I CC /I OH ) of the -OH absorption peak height (I OH ) appearing at 3270 cm -1 was calculated. At this time, it was confirmed that the graphene-based compound having an average particle diameter of 5 nm satisfies I CC /I OH of 1.944, and the graphene-based compound having an average particle diameter of 5 nm satisfies I CC /I OH of 2.567. Through this, it was confirmed that the graphene-based compound according to the present invention has excellent quality substantially without defects.

[실험예 4] 그래핀 양자점의 발광특성[Experimental Example 4] Luminous Characteristics of Graphene Quantum Dots

도 6에 도시된 바와 같이 실시예 1의 그래핀 양자점의 PL특성을 관찰하였을 때, 350~390nm의 여기파장에서 최대 발광 피크가 발현되는 것을 확인할 수 있었다. 이 때, 최대 발광 피크는 420~450㎚에서 발현되는 것을 확인할 수 있었고, 이와 같은 발광 피크의 반치폭(FWHM)이 100㎚이하로 매우 좁은 것을 확인할 수 있었다. 이와 같이 50~390nm의 여기파장에서 최대 발광 피크가 420~450㎚에서 발현되는 것으로 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 도 7에 도시된 바와 같이 청색 발광특성을 나타내고 색순도도 우수한 것을 확인할 수 있었다.When the PL characteristics of the graphene quantum dots of Example 1 were observed as shown in FIG. 6, it was confirmed that the maximum emission peak was expressed at an excitation wavelength of 350 to 390 nm. At this time, it was confirmed that the maximum emission peak was expressed at 420 to 450 nm, and it was confirmed that the half width (FWHM) of the emission peak was very narrow as 100 nm or less. As such, it was confirmed that the maximum emission peak at an excitation wavelength of 50 to 390 nm was expressed at 420 to 450 nm, and the graphene quantum dots according to the present invention exhibited blue emission characteristics and excellent color purity as shown in FIG. 7.

본 발명에 따른 그래핀 양자점을 크기에 따라 300K, 메탄올 용매 상에서 5mg/mL 용액의 280nm 와 350nm의 파장을 갖는 여기광에서 시분해적 광루미네센스(TRPL, Time-Resolved Photoluminescence)를 통하여 엑시톤 생존 시간을 측정하였다. 도 8에 도시된 바와 같이 그래핀 양자점의 크기가 변하더라도 엑시톤 생존 시간은 4ns이하로 매우 짧은 엑시톤 생존 시간을 갖는 것을 확인할 수 있었다. 본 발명에 따른 그래핀 양자점은 짧은 엑시톤 생존 시간을 가짐에 따라 발광 양자 효율이 매우 우수하다.Exciton survival time through time-resolved photoluminescence (TRPL, Time-Resolved Photoluminescence) in excitation light having wavelengths of 280nm and 350nm in a 300K, methanol solvent according to the size of the graphene quantum dots according to the present invention Was measured. As shown in FIG. 8, even if the size of the graphene quantum dots is changed, the exciton survival time was 4 ns or less, which was confirmed to have a very short exciton survival time. The graphene quantum dots according to the present invention have very good light emission quantum efficiency as they have a short exciton survival time.

또한, 추가적으로 10중량%로 D-글루코오스가 용해된 수용액에 계면활성제를 첨가하여 마이셀이 형성된 용액으로 그래핀 양자점을 제조하였으나, 크기제어가 어렵고, 결정성이 좋지 않은 그래핀 양자점이 제조되는 것을 확인하였다.In addition, it was confirmed that graphene quantum dots were prepared as a solution in which micelles were formed by adding a surfactant to an aqueous solution in which D-glucose was dissolved in an additional 10% by weight, but it was difficult to control the size and the graphene quantum dots with poor crystallinity were produced. I did.

또한, 탄소원과 산을 포함하여 제조된 그래핀 산화물을 먼저 제조한 후, 하이드로카빌 아민과 함께 열분해하여 그래핀 양자점을 제조하였다. 그러나, 열분해 과정에서의 결함이 발생되고, 이를 제거하기 위해서는 추가적인 환원제 등이 요구되고, 결함이 완벽히 제거되지 않아 결정성이 좋지 않은 그래핀 양자점이 제조되는 것을 확인하였다.In addition, graphene oxide prepared including a carbon source and an acid was first prepared, and then thermally decomposed with hydrocarbyl amine to prepare graphene quantum dots. However, it was confirmed that defects occurred in the pyrolysis process, and an additional reducing agent was required to remove them, and graphene quantum dots having poor crystallinity were produced because the defects were not completely removed.

본 발명에 따른 그래핀 양자점은 높은 결정화도로 단결정성 및 단분산성을 가지고, 크기제어가 가능하며, 우수한 발광특성을 가지는 것을 확인할 수 있었다. 이와 같은 그래핀 양자점은 우수한 발광효율을 가짐에 따라 유기발광다이오드 등과 같은 유기발광소자 내에 적용되면 현저하게 향상된 특성을 발현할 수 있다.It was confirmed that the graphene quantum dots according to the present invention have single crystallinity and monodispersity with high crystallinity, size control, and excellent luminescence properties. As such graphene quantum dots have excellent luminous efficiency, when applied in an organic light-emitting device such as an organic light-emitting diode, remarkably improved characteristics can be expressed.

이상과 같이 본 발명에서는 특정된 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명에 따른 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. As described above, in the present invention, it has been described by specific matters and limited embodiments and drawings, but this is provided only to help a more general understanding according to the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiments, and the present invention Those of ordinary skill in the field to which this belongs can make various modifications and variations from this description.

따라서, 본 발명에 따른 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the idea according to the present invention is limited to the described embodiments and should not be determined, and all those having equivalent or equivalent modifications to the claims as well as the claims to be described later belong to the scope of the inventive idea. will be.

Claims (14)

평균 입경 2nm~10㎛이며, I(D)/I(G)의 비율은 1.0 이하인 그래핀 양자점.Graphene quantum dots with an average particle diameter of 2 nm to 10 μm and a ratio of I(D)/I(G) of 1.0 or less. 제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점은 그래핀의 엣지영역에 카보닐기 또는 -C-O기를 포함하고, 하이드로카빌 아민의 질소 원자가 엣지영역의 탄소 원자와 공유결합된 그래핀 양자점.
The method of claim 1,
The graphene quantum dots include a carbonyl group or -CO group in an edge region of graphene, and a nitrogen atom of a hydrocarbyl amine is covalently bonded to a carbon atom in the edge region.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점은 입경 분포에 대하여, 10%미만의 상대 표준편차(변동 계수)를 가지는 그래핀 양자점.
The method of claim 1,
The graphene quantum dots have a relative standard deviation (coefficient of variation) of less than 10% with respect to the particle size distribution.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점은 300K, 메탄올 용매상에서 380 내지 480 nm에서 최대발광 특성을 가지는 그래핀 양자점.
The method of claim 1,
The graphene quantum dots are 300K, graphene quantum dots having maximum light emission characteristics at 380 to 480 nm in a methanol solvent.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점은 단결정 특성을 가지는 그래핀 양자점.
The method of claim 1,
The graphene quantum dots are graphene quantum dots having single crystal properties.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점의 300K, 메탄올 용매상에서 5mg/mL 용액의 엑시톤 생존 시간은 4 ns 이하를 가지는 그래핀 양자점.
The method of claim 1,
The graphene quantum dots having an exciton survival time of 4 ns or less in 300K of the graphene quantum dots, 5 mg/mL solution in methanol solvent.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점의 두께 대비 장축길이의 종횡비는 5 이상인 그래핀 양자점.
The method of claim 1,
Graphene quantum dots having an aspect ratio of the long axis length to the thickness of the graphene quantum dots is 5 or more.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점의 300K에서, 메탄올 용매상에서 PL의 방출최대파장(λem)과 여기파장(λex)은 하기 관계식 1을 만족하는 그래핀 양자점 .
[관계식 1]
λem=A × λex+B
상기 관계식에 있어서, 상기 A는 0.59이고, B는 208.81 내지 238.81의 범위이다.
The method of claim 1,
At 300K of the graphene quantum dots, the maximum emission wavelength (λ em ) and excitation wavelength (λ ex ) of PL in a methanol solvent are graphene quantum dots satisfying the following relational equation 1.
[Relationship 1]
λ em = A × λ ex + B
In the above relational expression, A is 0.59 and B is in the range of 208.81 to 238.81.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점은 300K에서 350~390nm의 여기파장에서 최대 PL을 나타내는 그래핀 양자점.
The method of claim 1,
The graphene quantum dots are graphene quantum dots showing the maximum PL at an excitation wavelength of 350 ~ 390nm at 300K.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점은 300K에서 PL 방출스펙트럼의 반치폭(FWHM)이 100nm이하인 그래핀 양자점.
The method of claim 1,
The graphene quantum dots are graphene quantum dots having a half-width (FWHM) of 100 nm or less of a PL emission spectrum at 300K.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점은 300K에서 최대 PL 곡선을 나타내는 최대방출파장은 420~480nm의 범위인 그래핀 양자점 .
The method of claim 1,
The graphene quantum dots are graphene quantum dots with a maximum emission wavelength in the range of 420 ~ 480nm showing the maximum PL curve at 300K.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점은 그래핀 양자점 분자의 직경(Dp) 및 탄소/산소 원자비(C/O비)가 하기 관계식 2를 만족하는 그래핀 양자점 .
[관계식 2]
C/O비= -0.221*Dp+C
상기 관계식 2에 있어서, 상기 직경(Dp)은 nm의 단위를 가지며, 상기 상수 C는 20.48 내지 30.48의 범위를 가진다.
The method of claim 1,
The graphene quantum dots are graphene quantum dots in which the diameter (Dp) and carbon/oxygen atomic ratio (C/O ratio) of the graphene quantum dot molecule satisfy the following relational formula 2.
[Relationship 2]
C/O ratio = -0.221*Dp+C
In the above relational equation 2, the diameter Dp has a unit of nm, and the constant C has a range of 20.48 to 30.48.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점은 분자 내에 산소함량을 15 원자% 이하로 포함하는 그래핀 양자점.
The method of claim 1,
The graphene quantum dots are graphene quantum dots containing an oxygen content of 15 atomic% or less in a molecule.
제1항에 있어서,
상기 그래핀 양자점은 육방정계 배열을 이루는 그래핀 양자점.
The method of claim 1,
The graphene quantum dots are graphene quantum dots forming a hexagonal arrangement.
KR1020200107567A 2018-09-06 2020-08-26 Graphene-based compound and manufacturing method thereof and composition for graphene-based manufacturing compound and graphene quantum dot KR102284090B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200107567A KR102284090B1 (en) 2018-09-06 2020-08-26 Graphene-based compound and manufacturing method thereof and composition for graphene-based manufacturing compound and graphene quantum dot

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180106746A KR102217276B1 (en) 2018-04-12 2018-09-06 Graphene-based compound and manufacturing method thereof and composition for graphene-based manufacturing compound and graphene quantum dot
KR1020200107567A KR102284090B1 (en) 2018-09-06 2020-08-26 Graphene-based compound and manufacturing method thereof and composition for graphene-based manufacturing compound and graphene quantum dot

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180106746A Division KR102217276B1 (en) 2018-04-12 2018-09-06 Graphene-based compound and manufacturing method thereof and composition for graphene-based manufacturing compound and graphene quantum dot

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200103603A true KR20200103603A (en) 2020-09-02
KR102284090B1 KR102284090B1 (en) 2021-08-02

Family

ID=72449787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200107567A KR102284090B1 (en) 2018-09-06 2020-08-26 Graphene-based compound and manufacturing method thereof and composition for graphene-based manufacturing compound and graphene quantum dot

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102284090B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114188532A (en) * 2021-11-09 2022-03-15 中国石油大学(北京) Graphene negative electrode material and preparation method and application thereof

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150125418A (en) * 2014-04-30 2015-11-09 포항공과대학교 산학협력단 Large-scale manufactruing method of graphene quantum dots with organic solubility and size tunability
KR20160003231A (en) * 2013-05-02 2016-01-08 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티 Methods of producing graphene quantum dots from coal and coke
KR20160025339A (en) * 2014-08-27 2016-03-08 성균관대학교산학협력단 Graphene quantum dot and preparing method of the same
JP2017036411A (en) * 2015-08-12 2017-02-16 株式会社Kri Manufacturing method of graphene quantum dot luminous body
KR20170082680A (en) * 2016-01-06 2017-07-17 한양대학교 산학협력단 Graphene quantum dot and method for manufacturing same and light emitting device using same
KR20170093826A (en) * 2014-11-06 2017-08-16 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티 Methods of making graphene quantum dots from various carbon sources
KR20180076053A (en) * 2016-12-27 2018-07-05 삼성전자주식회사 Hardmask composition, method of forming patterning using the hardmask composition, and hardmask formed from the hardmask composition

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160003231A (en) * 2013-05-02 2016-01-08 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티 Methods of producing graphene quantum dots from coal and coke
KR20150125418A (en) * 2014-04-30 2015-11-09 포항공과대학교 산학협력단 Large-scale manufactruing method of graphene quantum dots with organic solubility and size tunability
KR20160025339A (en) * 2014-08-27 2016-03-08 성균관대학교산학협력단 Graphene quantum dot and preparing method of the same
KR20170093826A (en) * 2014-11-06 2017-08-16 윌리엄 마쉬 라이스 유니버시티 Methods of making graphene quantum dots from various carbon sources
JP2017036411A (en) * 2015-08-12 2017-02-16 株式会社Kri Manufacturing method of graphene quantum dot luminous body
KR20170082680A (en) * 2016-01-06 2017-07-17 한양대학교 산학협력단 Graphene quantum dot and method for manufacturing same and light emitting device using same
KR20180076053A (en) * 2016-12-27 2018-07-05 삼성전자주식회사 Hardmask composition, method of forming patterning using the hardmask composition, and hardmask formed from the hardmask composition

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J. Am. Chem. Soc. 2012, Vol. 134, pp. 15-18 (2011.12.02.)* *
J. Appl. Phys., 2014, Vol. 116, Article No. 244306 (2014.12.29.) *
Nature Communications. 2014, Vol. 5, Article No. 5357 (2014.10.28.) *
Sci. Rep., 2014, Vol. 4, Article No. 5294 (2014.06.18.)* *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114188532A (en) * 2021-11-09 2022-03-15 中国石油大学(北京) Graphene negative electrode material and preparation method and application thereof
CN114188532B (en) * 2021-11-09 2024-05-14 中国石油大学(北京) Graphene anode material and preparation method and application thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR102284090B1 (en) 2021-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102217276B1 (en) Graphene-based compound and manufacturing method thereof and composition for graphene-based manufacturing compound and graphene quantum dot
Wang et al. CsPbBr3 nanocrystals prepared by high energy ball milling in one-step and structural transformation from CsPbBr3 to CsPb2Br5
Kotkata et al. Synthesis and structural characterization of CdS nanoparticles
Al-Amri et al. Ni doped CuO nanoparticles: structural and optical characterizations
Comparelli et al. Improved optical properties of CdS quantum dots by ligand exchange
Chan et al. Monodisperse and size-tunable PbS colloidal quantum dots via heterogeneous precursors
Bhand et al. Synthesis of CdTe, CdSe and CdTe/CdSe core/shell QDs from wet chemical colloidal method
Pal et al. Synthetic strategy of porous ZnO and CdS nanostructures doped ferroelectric liquid crystal and its optical behavior
KR20160051731A (en) Colloidal semiconductor metal chalcogenide nanostructures
Dalvand et al. Controlling morphology and structure of nanocrystalline cadmium sulfide (CdS) by tailoring solvothermal processing parameters
Alrababah et al. Influence of ammonium nitrate concentration on structural evolution and optical properties tuning of CdS nanoparticles synthesized by precipitation method
He et al. Investigation on the enhancement of ultraviolet emission in Ag-ZnO microrods
Tohidi et al. Effect of TEA on photoluminescence properties of PbS nanocrystalline thin films
Agulto et al. Two-step fabrication of ZnO-PVP composites with tunable visible emissions
Yang et al. Preparation and characterization of ZnSe nanocrystals by a microemulsion-mediated method
KR102284090B1 (en) Graphene-based compound and manufacturing method thereof and composition for graphene-based manufacturing compound and graphene quantum dot
Anandan et al. Improved photocatalytic properties and anti-bacterial activity of size reduced ZnO nanoparticles via PEG-assisted precipitation route
JP5602808B2 (en) Preparation of nanoparticles with narrow emission spectrum
Deng et al. Synthesis and red-shifted photoluminescence of single-crystalline ZnO nanowires
Liu et al. Synthesis and spectrum stability of high quality CdTe quantum dots capped with stearate groups in N-oleoylmorpholine solvent
Beri et al. “Green” Synthesis of Cadmium Selenide Nanocrystals: The Scope of 1, 2, 3-Selendiazoles in the Synthesis of Magic-Size Nanocrystals and Quantum Dots
Teng et al. The optical properties of the blends of CdSe nanocrystals and poly (N-vinylcarbazole)
Wang et al. Nanosized CdSe Particles Synthesized by an Air Pressure Solution Process Using Ethylene‐Glycol‐Based Solvent
Devi et al. Spectroscopic analysis of Cu doped and starch capped ZnS nanocrystals synthesized by microwave irradiation
Pramanick et al. Spectroscopic behavior of ZnS nanostructured materials

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant